KR860002207B1 - El표시소자 - Google Patents

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KR860002207B1
KR860002207B1 KR1019840008035A KR840008035A KR860002207B1 KR 860002207 B1 KR860002207 B1 KR 860002207B1 KR 1019840008035 A KR1019840008035 A KR 1019840008035A KR 840008035 A KR840008035 A KR 840008035A KR 860002207 B1 KR860002207 B1 KR 860002207B1
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KR1019840008035A
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손상호
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주식회사 금성사
허신구
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    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells

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Abstract

내용 없음.

Description

EL표시소자
제1도는 종래의 EL표시소자를 보인 부분사시도.
제2도는 동 표시원리를 보인 확대단면도.
제3도는 본 발명 EL표시소자를 보인 부분사시도.
제4도는 동 표시원리를 보인 확대단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11 : 기판 12 : 투명전극
13 : 형광층 13a : N형 반도체
13b : P형 반도체 14 : 배면전극
본 발명은 평면표시 장치인 EL표시소자에 관한 것으로, 특히 형광층과 절연층을 P-N반도체 접합층으로 형성하여, 제조공정을 용이하게 하고 적은 구동전압으로도 표시될 수 있게한 EL표시소자에 관한 것이다.
종래의 EL표시소자는 제1도에 도시한 바와 같이, 기판(1) 상에 산화주석(Sn2O3) 투명전극(2)을 증착하고 그 투명전극(2) 위에 질화실리콘(Si3N4)하부 절연층(3), 황화아연/망간(ZnS/Mn) 형광층(4), Si3N4상부절연층(5) 및 알루미늄(Al) 배면전극(6)을 순차적으로 증착시켜, 투명전극(2)과 배면전극(6) 사이에 교류전압(7)을 인가시킬 때 소정의 화상을 표시하게 구성되어 있다.
이와 같은 종래의 EL표시소자는 투명전극(2)과 배면전극(6) 사이에 150V-200V의 교류전압(7)을 일가시켜 형광층(4)의 양면간에 106V/cm의 고전계를 발생시키면, 형광층(4)의 경계면에 밀집되어 있는 전자(e)들은 그 고전계에 의해 가속되면서 형광층(4) 내부의 Mn원자 (a)에 충돌하여 Mn원자(a)를 여기시키게 되고, 여기된 Mn원자 (a)는 저기상태로 되면서 파장 585nm의 황등색 광을 방출하게 된다.
이러한 종래의 EL표시소자는 투명전극(2)과 배면전극(6)사이에 하부절연층(3)과 형광층(4) 및 상부절연층(5)등의 3중 구조를 형성해야 되므로 제조공정이 번거로울 뿐만 아니라, 두 전극(2), (6) 사이에 절연층(3), (5)이 개재되어 있기 때문에 높은 구동전압(150V-200V)이 요구되는 결함이 있었다.
이와 같은 결점을 보완하기 위하여 안출한 본 발명은 상, 하부 절연층(5) (3)과 형광층(4) 대신에 P-N반도체 접합층을 형성하여 2V-5V의 직류전압으로 화상을 표시할 수 있게한 것으로, 이를 첨부한 도면에 의해 상세히 설명하면 다음과 같다.
첨부한 도면중 제3도는 본 발명 EL표시소자의 일 실시예를 보인 사시도로써 이에 도시한 바와 같이, 가튬인(Gap) 기판(11)위에 Sn2O3를 스퍼터링(Sputtering)하고 포토에칭법으로 에칭하여 Sn2O3투명전극(12)을 형성한 후 이와 같이 형성되는 구체(16)를 이송판(17)에 올려서 내부 온도가 760℃로 유지되는 반응로(18)의 반응구(18a)의 하부 원치로 밀어넣고, 반응구(18a)를 통해 용융상태의 Gsp+Te를 구체(16)위에 반응시켜 구체(16)에 N형 반도체(13a)가 성장시키며, N형 반도체(13a)를 성장시킨 후 구체(16)를 반응구(18b)의 하부위치로 이동시키고, 용융상태의 Gsp+ZnO를 반응시켜 P형 반도체(13b)가 성장되게 하면 P-N형 반도체의 접합인 형광층(13)이 형성된다.
그후 이와 같이 형성시킨 형광층(13)위에 Al배면전극을 증착시켜 구성한 것으로, 도면중 미설명 부호 ε은 N형 반도체(13a)의 잉여전자, O는 P형 반도체의 정공(正孔), ℓ은 방출광이다.
상기한 바와 같은 본 발명의 EL표시소자의 작용효과는 제4도에 도시한 바와 같이 투명전극(12)과 배면전극(14) 사이에 약 5V의 직류전압이 인가되면 N형 반도체(13a)와 P형 반도체(13b)의 계면에서 N형 반도체(13a)의 잉여전자(ε)들과 P형 반도체(13b)의 정공(O)들이 전자(ε)-정공(O) 결합하게 되며, 이때 전자(ε)들이 높은 에너지 상태에서 낮은 에너지 상태로 떨어지면서 광(ℓ)을 방출하게 된다.
이와 같이 방출되는 광은 사용되는 반도체 소재에 따라 다르게 되며, 본 발명의 실시예에서 N형 반도체(13a)는 Gap에 Te이, P형 반도체(13b)는 GaP에 Zn과 O가 도핑(Doping)되므로 파장 555nm의 황색광(ℓ)이 방출된다.
이와 같이 본 발명의 EL표시소자는 그 제조공정을 단축할 수 있고, 2V-5V의 적은 구동전압으로 사용할 수 있으며, EL표시소자 크기를 소형화 시킬 수 있는 이점이 있다.

Claims (2)

  1. 기판(11)위에 증착된 Sn2O3투명전극(12)과 Al배면 전극(14) 사이에 교류전압(15)을 인가하여 화상을 표시시키는 평면표시 장치인 EL표시소자에 있어서, Sn2O3투명전극(12)이 증착된 기판(11)을 반응로(18)에서 반응시켜 기판(11)위에 N형 반도체(13a)와 P형 반도체(13b)를 성장시켜 P-N형 반도체(13b)(13a) 접합인 형광층(13)을 형성하여 구성함을 특징으로 하는 EL표시소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기한 기판(11)은 GsP로 형성하고, N형 반도체(13a)는 GsP에 Te를 도핑하여 형성하며, P형 반도체(13b)는 GaP에 Zn과 O를 도핑하여 형성함을 특징으로 하는 EL표시소자.
KR1019840008035A 1984-12-17 1984-12-17 El표시소자 KR860002207B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109301045A (zh) * 2018-10-19 2019-02-01 京东方科技集团股份有限公司 一种发光器件及其制备方法、显示装置

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