KR860001343B1 - Electronic band selector with muting function - Google Patents

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KR860001343B1
KR860001343B1 KR1019840006599A KR840006599A KR860001343B1 KR 860001343 B1 KR860001343 B1 KR 860001343B1 KR 1019840006599 A KR1019840006599 A KR 1019840006599A KR 840006599 A KR840006599 A KR 840006599A KR 860001343 B1 KR860001343 B1 KR 860001343B1
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이석우
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주식회사 금성사
허신구
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    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03J—TUNING RESONANT CIRCUITS; SELECTING RESONANT CIRCUITS
    • H03J5/00—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner

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  • Circuits Of Receivers In General (AREA)

Abstract

An electronic band selector for a varicon tuner for removing pop- noise comprises AM/FM receivers(1, 2), transmitting gates (G1-4), band selectors(SW1-2), NAND gates(NAND1-2), constant voltage suppliers(3, 4), AM/FM indicators(5, 6), and positivedetectors(7, 8). The voltage of a condenser(C1) is discharged gradually soon after the power source(B+) is disconnected. When the voltage of the condenser(C1) is reaches a figure less than the operating voltage(V), the outputs of the NAND gates provide low voltage pulses to cut off the transmitting gates so that the popnoise is removed.

Description

뮤팅기능을 겸비한 전자식 밴드 셀렉터Electronic band selector with muting function

제1도는 본 발명 전자식 밴드 셀렉터의 회로도1 is a circuit diagram of an electronic band selector of the present invention.

제2도는 제1도의 각부 출력파형도2 is an output waveform diagram of each part of FIG.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

1, 2 : AM, FM 수신부 3, 4 : 정전압 공급부1, 2: AM, FM receiver 3, 4: constant voltage supply

5, 6 : AM, FM 표시부 7, 8 : 포지티브에지 검출부5, 6: AM, FM display unit 7, 8: Positive edge detector

SW1, SW2: AM, FM 선택스위치 R1∼R20: 저항SW 1 , SW 2 : AM, FM selector switch R 1 to R 20 : Resistance

I1∼I4: 인버터 TR1∼TR10: 트랜지스터I 1 to I 4 : Inverter TR 1 to TR 10 : Transistor

C1∼C5: 콘덴서 D1∼D5: 다이오드C 1 to C 5 : condenser D 1 to D 5 : diode

NAND1, NAND2: 낸드게이트 G1∼G4: 전송게이트NAND 1 , NAND 2 : NAND gate G 1- G 4 : Transmission gate

본 발명은 바리콘 동조방식 튜너에 있어서 전자식 스위치로 튜너의 밴드를 절환할 수 있고 전원 공급시와 차단시 또는 밴드 절환시에 발생하는 충격잡음(pop-Noise)을 제거할 수 있게 한 뮤팅(Muting) 기능을 겸비한 전자식 밴드 셀렉터(Band Selector)에 관한 것이다.According to the present invention, muting allows switching of a band of a tuner with an electronic switch and a pop-noise generated when a power supply and a cut-off or a band are switched. The present invention relates to an electronic band selector having a function.

종래의 전자동조방식 튜너에 있어서는 완전 전자식으로 밴드를 절환시킬 수 있었으나, 바리콘 동조방식 튜너에 있어서는 기계식 스위치를 이용하여 밴드를 절환시키게 되어 있었다.In the conventional fully tuned tuner, the band can be switched completely electronically. In the barley tuned tuner, the band is switched using a mechanical switch.

따라서 바리콘 동조방식 튜너에 있어서도 밴드를 전자식 스위치로 절환시키는 필요성이 특히 콤포넌트 시스템에서 요구되어 왔으나 전자동조방식을 채택할 경우 제품 자체가 고급화되어야 하기 때문에 염가형 세트에서는 적용할 수 없었다.Therefore, the necessity of switching the band to an electronic switch has also been required in a component system, especially in a barley tuned tuner.

따라서 종래의 염가형 바리콘 동조방식 튜너에 있어서는 데크와 앰프의 기능절환만을 전자식으로 할 수 있을 뿐, 튜너에서는 전자식으로 밴드를 절환할 수 없으므로 전체적인 제품의 분위기 및 사용상 세트의 느낌이 전자동조방식 튜너와는 전혀 다른 결점이 있었다.Therefore, in the conventional low-cost variconic tuner, only the deck and the amplifier can be switched electronically, and the tuner cannot switch the band electronically. Had a completely different flaw.

본 발명은 이러한 점을 감안하여 바리콘 동조방식 튜너에 있어서 전자식 스위치로 튜너의 밴드를 절환할수 있고, 전원 공급시와 차단시 또는 밴드 절환시에 발생되는 충격잡음을 자동으로 제거시킬 수 있게 간단한 구조의 전자식 밴드 셀렉터를 발명한 것으로 이를 첨부된 도면에 의하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.In view of the above, the present invention can switch the band of the tuner with an electronic switch in the barricone tuned tuner, and has a simple structure so as to automatically remove the impact noise generated when the power is supplied and cut off or when the band is switched. An electronic band selector has been invented and described in detail with reference to the accompanying drawings.

제1도는 본 발명 전자식 밴드 셀렉터의 상세회로도로서 이에 도시한 바와 같이 바리콘 동조방식 튜너에 있어서, 전원(B+)에 접속된 저항(R1), (R2)에 AM, FM 선택스위치(SW1),(SW2)를 접속하여 그 접속점을 출력측이 타측 입력 단자에 서로 접속되어 플립플롭으로 동작되는 낸드게이트NAND1), (NAND2)의 일측 입력단자에 각각 접속하고, 전원(B+)에 접속된 저항(R3)은 콘덴서(C1)에 접속하여 그 접속점을 인버터(I1),(I2) 및 저항(R4)을 통해 낸드게이트(NAND2)의 일측 입력단자에 접속하며, 이와 같이 접속된 낸드게이트(NAND1)의 출력측은 저항(R9),(R10) 및 트랜지스터(TR3),(TR4), 콘덴서(C2), 제너다이오드(ZD1)로 구성한 정전압공급부(3)의 입력측에 접속하여 그의 출력측을 공지의 FM 수신부(2)의 전원공급단자(B2)에 접속하고, 낸드게이트(NAND2)의 출력측은 저항(R11),(R12) 및 트랜지스터(TR5),(TR6), 콘덴서(C3), 제너다이오드(ZD2)로 구성한 정전압공급부(4)의 입력측에 접속하여 그의 출력측을 공지의 AM 수신부(1)의 전원공급단자(B1)에 접속하며, 또한 낸드게이트(NAND1)의 출력측은 AM 수신부(1)의 출력단자(O1)에 공통 접속한 전송게이트(G1),(G2)의 제어단자(g1),(g2)에 저항(R13)을 통해 접속하고 낸드게이트(NAND2)의 출력측은 FM 수신부(2)의 출력단자(O2), (O3)에 각각 접속한 전송게이트(G3),(G4)의 제어단자(g3),(g4)에 접속하여 전송게이트(G1),(G3)의 출력측을 좌출력단자(L)에 접속하고, 전송게이트(G3),(G4의 출력측을 우출력단(R)자에 접속하되, 낸드게이트(NAND1)의 출력측을 콘덴서(C4) 및 다이오드(D1), 저항(R15), 트랜지스터(TR7)로 구성한 포지티브에지(Positive Edge) 검출부(7)의 입력측에 접속하여 그의 출력측을 인버터(I3)의 입력측에 접속하고, 낸드게이트(NAND2)의 출력측을 콘덴서(C5) 및 다이오드(D2), 저항(R17), 트랜지스터(TR8)로 구성한 포지티브에지 검출부(8)의 입력측에 접속하여 그의 출력측을 인버터(I4)의 입력측에 접속하며, 이 인버터(I3),(I4)의 출력측과 상기 인버터(I1)의 출력측을 다이오드(D3),(D4),(D5)를 통해 저항(R19),(R20)에 공통접속한 후 저항(R19),(R20)의 타단을 트랜지스터(TR9),(TR10)의 베이스에 접속하여 그의 콜렉터는 전송게이트(G1),(G2)의 제어단자(g1),(g2) 및 전송게이트(G3),(G4)의 제어단자(g3),(g4)에 각각 접속하며, 또한 낸드게이트(NAND1)의 출력측을 저항(R5),(R6) 및 트랜지스터(TR1), 발광다이오드(LED1)로 구성한 AM 표시부(5)의 입력측에 접속하고, 낸드게이트(NAND2)의 출력측을 저항(R7),(R8) 및 트랜지스터(TR2), 발광다이오드(LED2)로 구성한 FM 표시부(6)의 입력측에 접속하여 구성한다.A first turn in the barikon tuning system tuner, as this illustrated in the present invention detailed circuit diagram of the electronic band selector, a resistor (R 1), (R 2 ) in the AM, FM selector switch (SW connected to the power source (B +) 1), (SW 2) a connection to be connected to each other on the output side is the other input terminal point thereof respectively connected to one input terminal of the NAND gate NAND 1) is operated as a flip-flop, (NAND 2), and power (B + ) to the resistance (R 3) has a side input terminal of the condenser (connected to C 1) drive the connection points (I 1), (I 2 ) and a resistor (NAND gate (NAND 2) via R 4) connected to the The output side of the NAND gate NAND 1 connected in this way is a resistor (R 9 ), (R 10 ) and transistors (TR 3 ), (TR 4 ), capacitor (C 2 ), zener diode (ZD 1 ). connected to a constant-voltage supply section (3) connected to the input-side power-supply terminal (B 2) of a known his output FM receiver (2) is configured to, and output of the NAND gate (NAND 2) Side resistor (R 11), (R 12 ) and a transistor (TR 5), (TR 6 ), a capacitor (C 3), connected to a Zener diode the input side of the constant-voltage supply section (4) configured to (ZD 2) its output side The transmission gate G 1 connected to the power supply terminal B 1 of the known AM receiver 1 and the output side of the NAND gate N 1 is commonly connected to the output terminal O 1 of the AM receiver 1. ), (G 2 ) is connected to the control terminals (g 1 ), (g 2 ) via a resistor (R 13 ), and the output side of the NAND gate (NAND 2 ) is the output terminal (O 2 ), of the FM receiver ( 2 ), Left output of the transmission gates (G 1 ) and (G 3 ) is connected to the control terminals (g 3 ) and (g 4 ) of the transfer gates (G 3 ) and (G 4 ) respectively connected to (O 3 ). The output side of the transfer gates G 3 and G 4 is connected to the right output terminal R, and the output side of the NAND gate NAND 1 is connected to the capacitor C 4 and the diode D 1. ), the input of the resistor (R 15), transistor (positive edge (positive edge) detector 7 is configured as a TR 7) Connected to the connecting his output side to the input side of the inverter (I 3), and the output side of the NAND gate (NAND 2) to the capacitor (C 5) and a diode (D 2), a resistance (R 17), a transistor (TR 8) It is connected to the input side of the configured positive edge detector 8 and its output side is connected to the input side of the inverter I 4 , and the output side of the inverters I 3 and I 4 and the output side of the inverter I 1 are diodes. (D 3), (D 4 ), (D 5) and then connected in common to the resistor (R 19), (R 20 ) via a transistor to the other end of the resistor (R 19), (R 20 ) (TR 9), The collector is connected to the base of TR 10 and its collector is connected to the control terminals g 1 and g 2 of the transmission gates G 1 and G 2 and the control terminals of the transmission gates G 3 and G 4 . AM respectively connected to (g 3 ) and (g 4 ), and the output side of the NAND gate NAND 1 includes resistors R 5 , R 6 , a transistor TR 1 , and a light emitting diode LED 1 . connected to the input side of the display portion 5, and that the output of the NAND gate (NAND 2) (R 7), and configured to connect the input side of the (R 8) and a transistor (TR 2), the LED FM display unit 6 is configured by (LED 2).

여기서 AM 수신부(1)는 AM 안테나(ANT1)에 입력된 AM 신호를 바리콘을 이용하여 동조하고 주파수 변환을 한 후 중간주파 증폭을 하고, 이를 다시 검파하여 그의 출력단자(O1)에 모노신호를 출력하는 공지의 AM 수신부이고, FM 수신부(2)도 FM 안테나(ANT2)에 입력된 FM 신호를 바리콘을 이용하여 동조하고 주파수 변환을 한 후 중간주파 증폭을 하고 이를 다시 스테레오 신호로 복조하여 그의 출력단자(O2)에 좌채널 신호를 그의 출력단자(O3)에 우채널 신호를 출력하는 공지의 FM 수신부이다.Here, the AM receiver 1 tunes the AM signal input to the AM antenna ANT 1 using a barricon, performs frequency conversion after a frequency conversion, detects it again, and detects the mono signal at its output terminal O 1 . It is a well-known AM receiver for outputting the signal, and the FM receiver 2 also tunes the FM signal input to the FM antenna ANT 2 using a barricon, performs frequency conversion, and then amplifies the intermediate frequency and demodulates it back to a stereo signal. A well-known FM receiver for outputting a left channel signal to its output terminal O 2 and a right channel signal to its output terminal O 3 .

이와 같이 구성된 본 발명의 작용 효과를 상세히 설명하면 다음과 같다.Referring to the effect of the present invention configured as described in detail as follows.

전원(B+)을 제2도에 도시한 바와 같이 임의의 시간(t1)에서 공급하면 전원(B+)은 저항(R3)을 통해 제2(a)도에 도시한 바와 같이 콘덴서(C1)에 서서히 충전되어 인버터(I1)의 입력측에 인가된다.When the power source B + is supplied at any time t 1 as shown in FIG. 2, the power source B + is supplied through the resistor R 3 as shown in FIG. 2 (a). C 1 ) is gradually charged and applied to the input side of the inverter I 1 .

따라서 인버터(I1)는 콘덴서(C1)의 충전전압이 동작전압(V) 이상이고 제2(b)나에 도시한 바와 같이 그의 드레스홀드전압(VTH) 이하인 일정시간(t2∼t4) 동안만 제2(c)도에 도시한 바와 같이 고전위 신호를 출력하고, 이 고전위 신호는 인버터(I2)에서 저전위 신호로 반전된 후 저항(R4)을 통해 낸드게이트(NAND2)의 일측 입력단자에 인가되므로 그의 타측 입력단자에 인가되는 신호에 관계없이 제2(d)도에 도시한 바와 같이 고전위 신호가 출력되며, 이 고전위 신호는 낸드게이트(NAND1)의 타측 입력단자에 인가되고, 또한 그의 일측 입력단자에는 저항(R1)을 통해 전원(B+)이 인가되고 있으므로 그의 출력측에는 제2(f)도에 도시한 바와 같이 저전위 신호가 출력된다. 이 지전위 신호는 낸드게이트(NAND2)의 타측 입력단자에 인가되므로 콘덴서(C1)에 충전이 완료되어 그의 일측 입력단자에 고전위 신호가 인가되어도 그의 출력신호는 고전위 상태를 유지하게 된다.Therefore, the inverter I 1 has a predetermined time t 2 to t when the charging voltage of the capacitor C 1 is equal to or greater than the operating voltage V and equal to or less than its dresshold voltage V TH as shown in the second (b). 4 ) outputs a high potential signal as shown in FIG. 2 (c) only, and this high potential signal is inverted to a low potential signal in the inverter I 2 and then the NAND gate through the resistor R 4 ( Since it is applied to one input terminal of NAND 2 ), a high potential signal is output as shown in FIG. 2 (d) regardless of the signal applied to the other input terminal thereof, and the high potential signal is NAND gate (NAND 1 ). Since the power supply B + is applied to the other input terminal of and through one of the input terminals thereof through the resistor R 1 , a low potential signal is output to the output side thereof as shown in FIG. 2 (f). . Since the potential signal is applied to the other input terminal of the NAND gate NAND 2 , the output signal is maintained at the high potential state even when the capacitor C 1 is charged and the high potential signal is applied to the one input terminal thereof. .

따라서 낸드게이트(NAND2)에서 출력된 고전위 신호는 정전압공급부(4)의 저항(R11)을 통해 트랜지스터(TR5)를 온시키므로 트랜지스터(TR6)의 베이스에 저전위 신호가 인가되어 트랜지스터(TR6)는 오프되고, 이에 따라 정전압공급부(4)의 출력측인 트랜지스터(TR6)의 에미터에는 출력 전압이 없게 되어 AM 수신부(1)의 전원공급단자(B1)에는 공급 전압이 없게 되므로 AM 수신부(1)는 동작되지 않는다. 이 때 낸드게이트(NAND1)의 출력 신호는 저전위 상태를 유지하므로 정전압공급부(3)의 트랜지스터(TR3)는 그의 베이스에 바이아스 전압이 인가되지 않아 오프되고, 이에 따라 전원(B+)은 저항(R10)을 통해 제너다이오드(ZD1)에 인가되어 트랜지스터(TR4)의 베이스에는 일정 전압이 인가되므로 정전압공급부(3)의 출력측인 트랜지스터(TR4)의 에미터에는 일정 전압이 출력되고, 이 일정 전압은 FM 수신부(2)의 전원공급단자(B2)에 인가되어 FM 수신부(2)를 동작시키므로 그의 출력단자(O2), (O3)에는 좌채널 출력신호와 우채널 출력신호가 각각 출력되어 전송게이트(G3), (G4)의 입력측에 인가된다.Therefore, since the high potential signal output from the NAND gate 2 turns on the transistor TR 5 through the resistor R 11 of the constant voltage supply unit 4, a low potential signal is applied to the base of the transistor TR 6 so that the transistor TR 6 is turned off, so that the emitter of the transistor TR 6 , which is the output side of the constant voltage supply unit 4, has no output voltage, and there is no supply voltage at the power supply terminal B 1 of the AM receiver 1. Therefore, the AM receiver 1 does not operate. At this time, the output signal of the NAND gate (NAND 1), so maintaining the low potential state, and do not applied with a bias voltage on its base, a transistor (TR 3) of the constant-voltage supply section (3) off, whereby the power (B +) Is applied to the zener diode ZD 1 through the resistor R 10 , and a constant voltage is applied to the base of the transistor TR 4 , so that a constant voltage is applied to the emitter of the transistor TR 4 , which is the output side of the constant voltage supply unit 3. This constant voltage is applied to the power supply terminal B 2 of the FM receiver 2 to operate the FM receiver 2 so that the output terminals O 2 and O 3 are connected to the left channel output signal and to the right. The channel output signals are respectively output and applied to the input sides of the transfer gates G 3 and G 4 .

그러나 전원(B+)을 공급한 후 일정시간(t2∼t4) 동안은 상기의 설명에서와 같이 인버터(I1)의 출력측에 고전위 신호가 출력되고, 이 고전위 신호는 다이모드(D5) 및 저항(R19), (R20)을 통해 트랜지스터(TR9), (TR10)를 온시킨다.However, after supplying the power B + , a high potential signal is output to the output side of the inverter I 1 for a predetermined time (t 2 to t 4 ) as described above, and this high potential signal is a die mode ( D 5 ) and transistors TR 9 and TR 10 are turned on through resistors R 19 and R 20 .

또한 낸드게이트(NAND2)의 출력측에 고전위 신호가 출력될 때(t2)부터 포지티브에지 검출부(8)의 콘덴서(C5) 및 저항(R17)을 통해 트랜지스터(TR8)의 베이스에 제2(e)도에 도시한 바와 같이 전류가 흐르므로 트랜지스터(TR8)는 그의 베이스에 인가되는 전압이 그의 드레스홀드전압 이상인 일정 시간(t2∼t3) 동안 온되고, 이에 따라 포지티브에지 검출부(8)의 출력측인 트랜지스터(TR8)의 콜렉터에는 일정시간(t2∼t3)동안 저전위 신호가 출력되고, 이 저전위 신호는 인버터(I4)에서 고전위 신호로 반전된 후 다이오드(D4) 및 저항(R19), (R20)을 통해 트랜지스터(TR9), (TR10)를 온시킨다.When the high potential signal is output to the output side of the NAND gate NAND 2 (t 2 ), the capacitor C 5 and the resistor R 17 of the positive edge detector 8 are applied to the base of the transistor TR 8 . As shown in FIG. 2 (e), since the current flows, the transistor TR 8 is turned on for a predetermined time t 2 to t 3 when the voltage applied to the base thereof is equal to or higher than the dresshold voltage thereof. The low potential signal is outputted to the collector of the transistor TR 8 on the output side of the detector 8 for a predetermined time t 2 to t 3 , and the low potential signal is inverted to a high potential signal in the inverter I 4 . Transistors TR 9 and TR 10 are turned on through diode D 4 and resistors R 19 and R 20 .

여기서 시간(t2∼t4)은 시간(t2∼t3) 보다 길게 설정되어 있다.The time (t 2 ~t 4) is set longer than the time (t 2 ~t 3).

따라서 트랜지스터(TR9),(TR10)는 전원(B+)을 공급한 후 일정시간(t2∼t4) 동안 온된 상태를 유지하여 그의 콜렉터의 전위를 저전위 상태로 만드므로 전송게이트(G1),(G2),(G3),(G4)는 그의 제어단자(g1),(g2),(g3),(g4)에 저전위 신호가 인가되어 오프된다.Therefore, the transistors TR 9 and TR 10 maintain the on state for a predetermined time (t 2 to t 4 ) after supplying the power source B + , thereby making the collector potential low. G 1 ), (G 2 ), (G 3 ), and (G 4 ) are turned off by applying a low potential signal to their control terminals (g 1 ), (g 2 ), (g 3 ), and (g 4 ). .

이에 따라 전송게이트(G3),(G4)의 입력측에 인가된 FM 수신부(2)의 좌채널 출력신호와 우채널 출력신호가 일정시간(t2∼t4) 동안 좌출력단자(L) 및 우출력단자(R)에 출력되는 것을 차단하여 전원 공급시에 발생하는 충격잡음을 제거하고, 이 후 콘덴서(C1)에 충전이 완료되어 트랜지스터(TR9),(TR10)가 오프되면 낸드게이트(NAND2)에서 출력된 고전위 신호는 저항(R14)을 통해 전송게이트(G3),(G4)를 온시키므로 FM 수신부(2)의 좌채널 출력신호와 우채널 출력신호가 좌채널 출력단자(L) 및 우채널 출력단자(R)에 정상적으로 출력되는 것이다.Accordingly, the left channel output signal and the right channel output signal of the FM receiver 2 applied to the input sides of the transmission gates G 3 and G 4 are left output terminals L for a predetermined time t 2 to t 4 . And block the output to the right output terminal (R) to remove the impact noise generated when the power supply, and after the charge to the capacitor (C 1 ) is completed, the transistor (TR 9 ), (TR 10 ) is turned off a NAND gate (NAND 2), a high potential signal is a resistance (R 14), the transfer gate (G 3), a left channel output signal and a right channel output signals because on a (G 4) FM reception section (2) via an output from It is normally output to the left channel output terminal (L) and the right channel output terminal (R).

또한 이때 낸드게이트(NAND2)에서 출력된 고전위 신호는 FM 표시부(6)의 저항(R7)을 통해 트랜지스터(TR2)를 온시키므로 발광다이오드(LED2)가 점등되어 FM 신호가 수신중임을 표시하게 된다.In addition, since the high potential signal output from the NAND gate 2 turns on the transistor TR 2 through the resistor R 7 of the FM display unit 6, the light emitting diode LED 2 is turned on to receive the FM signal. Will be displayed.

이 때 AM 표시부(5)의 발광다이오드(LED1)는 낸드게이트(NAND1)의 출력측에 저전위 신호가 출력되어 트랜지스터(TR1)가 오프된 상태이므로 소등된 상태를 유지하게 된다.At this time, the light emitting diode LED 1 of the AM display unit 5 maintains an unlit state because a low potential signal is output to the output side of the NAND gate NAND 1 and the transistor TR 1 is turned off.

이러한 상태에서 임의의 시간(t5)에 AM 선택스위치(SW1)를 순간적으로 단락시키면 낸드게이트(NAND1)의 일측 입력단자에 저전위 신호가 인가되므로 낸드게이트(NAND1)의 출력 신호는 제2(f)도에 도시한 바와 같이 고전위 상태를 유지하고, 낸드게이트(NAND2)의 출력 신호는 제2(d)도에 도시한 바와 같이 저전위 상태를 유지하게 된다.When in this state a certain time (t 5) momentarily shorted to the AM selector switch (SW 1) for so applying the low potential signal to the one input terminal of the NAND gate (NAND 1) NAND output signal of the AND gate (NAND 1) is As shown in FIG. 2 (f), the high potential state is maintained, and the output signal of the NAND gate NAND 2 maintains the low potential state as shown in FIG. 2 (d).

따라서 낸드게이트(NAND1)의 출력측에 출력된 고전위 신호는 정전압공급부(3)의 트랜지스터(TR3)를 온시켜 트랜지스터(TR4)를 오프시키므로 정전압공급부(3)의 출력측에는 출력전압이 없게 되어 FM 수신부(2)가 동작을 하지 않게 된다. 또한 이 때 낸드게이트(NAND2)의 출력측에 출력된 저전위 신호는 정전압공급부(4)의 트랜지스터(TR5)를 오프시켜 트랜지스터(TR6)를 온시키므로 정전압공급부(4)의 출력측에 일정 전압이 출력되고, 이 일정 전압은 AM 수신부(1)의 전원공급단자(B1)에 인가되어 AM 수신부(1)를 동작시키므로 그의 출력단자(O1)에는 모노신호가 출력되어 전송게이트(G1), (G2)의 입력측에 인가된다.Therefore, the high potential signal output to the output side of the NAND gate NAND 1 turns on the transistor TR 3 of the constant voltage supply unit 3 to turn off the transistor TR 4 so that there is no output voltage on the output side of the constant voltage supply unit 3. The FM receiver 2 is no longer operated. At this time, the low-potential signal output to the output side of the NAND gate NAND 2 turns off the transistor TR 5 of the constant voltage supply unit 4 to turn on the transistor TR 6 so that a constant voltage is output to the output side of the constant voltage supply unit 4. This constant voltage is applied to the power supply terminal B 1 of the AM receiver 1 to operate the AM receiver 1, so that a mono signal is output to the output terminal O 1 thereof so that the transmission gate G 1. ), (G 2 ) is applied to the input side.

그러나 낸드게이트(NAND1)의 출력측에 고전위 신호가 출력될 때(t5) 포지티브에지 검출부(7)의 트랜지스터(TR7) 베이스에는 제2(g)도에 도시한 바와 같이 전류가 흐르므로 트랜지스터(TR4)는 일정 시간(t5∼t6) 동안 온되어포 지티브에지 검출부(7)의 출력측인 트랜지스터(TR7)의 콜렉터에 저전위 신호가 출력되고, 이 저전위 신호는 인버터(I3)에서 고전위 신호로 반전된 후 다이오드(D3) 및 저항(R19),(R20)을 통해 트랜지스터(TR9),(TR10)를 온시키므로 상기의 설명에서와 같이 전송게이트(G1),(G2),(G3),(G4)는 일정 시간(t5∼t6) 동안 오프되어 밴드 절환시에 발생되는 충격 잡음이 좌출력단자(L) 및 우출력단자(R)에 출력되는 것을 방지하게 된다.However, when a high potential signal is output to the output side of the NAND gate NAND 1 (t 5 ), a current flows through the transistor TR 7 base of the positive edge detector 7 as shown in FIG. 2 (g). The transistor TR 4 is turned on for a predetermined time t 5 to t 6 , and a low potential signal is output to the collector of the transistor TR 7 , which is an output side of the positive edge detector 7, and the low potential signal is an inverter. After inverting to a high potential signal at (I 3 ), transistors TR 9 and TR 10 are turned on through diode D 3 and resistors R 19 and R 20 , thus transmitting as described above. The gates (G 1 ), (G 2 ), (G 3 ), and (G 4 ) are turned off for a predetermined time (t 5 to t 6 ) so that the impact noise generated at the time of band switching is left output terminal (L) and right side. The output to the output terminal (R) is prevented.

이후 트랜지스터(TR9),(TR10)가 오프될 때(t6) 낸드게이트(NAND1)의 고전위 출력신호가 저항(R13)을 통해 전송게이트(G1),(G2)을 온시키므로 이 때에 비로서 그의 입력측에 입력된 모노신호가 좌출력단자(L) 및 우출력단자(R)에 출력된다.Then, when the transistors TR 9 and TR 10 are turned off (t 6 ), the high potential output signal of the NAND gate NAND 1 passes through the transfer gates G 1 and G 2 through the resistor R 13 . At this time, the mono signal input to its input side is output to the left output terminal L and the right output terminal R at this time.

또한 낸드게이트(NAND1)의 고전위 출력신호는 AM표시부(5)의 트랜지스터(TR1)를 온시키므로 발광다이오드(LED1)가 점등되어 AM 신호가 수신중임을 표시하게 된다.In addition, since the high potential output signal of the NAND gate 1 turns on the transistor TR 1 of the AM display unit 5, the light emitting diode LED 1 is turned on to indicate that the AM signal is being received.

이러한 상태에서 임의의 시간(t7)에 FM 선택스위치(SW2)를 순간적으로 단락시키면 낸드게이트(NAND2)의 일측 입력단자에 저전위 신호가 인가되므로 전원공급시와 동일하게 낸드게이트(NAND1)의 출력신호는 제2(f)도에 도시한 바와 같이 저전위 상태를 유지하고, 낸드게이트(NAND2)의 출력신호는 제2(d)도에 도시한 바와 같이 고전위 상태를 유지하며, 이에 따라 전원공급시와 같이 FM 수신부(2)만 동작되어 그의 출력단자(O2),(O3)에 좌채널 출력신호와 우채널 출력신호가 출력되고, 이 때 낸드게이트(NAND2)의 고전위 출력신호를 포지티브에지 검출부(8)에서 제2(e)도에 도시한 바와 같이 검출하여 일정시간(t7∼t8)동안 오프되어 밴드 절환시에 발생되는 충격잡음이 좌·우출력단자(L),(R)에 출력되는 것을 방지한 후 FM수신부(2)에서 출력된 좌·우채널 출력신호를 좌·우출력단자(L),(R)에 출력하며, 또한 이 때 FM표시부(6)의 발광다이오드(LED2)가 점등되어 FM 신호가 수신중임을 표시하게 된다.In this state, if the FM selection switch SW 2 is momentarily shorted at any time t 7 , a low potential signal is applied to one input terminal of the NAND gate NAND 2 . The output signal of 1 ) maintains a low potential as shown in FIG. 2 (f), and the output signal of the NAND gate NAND 2 maintains a high potential as shown in FIG. 2 (d). and, thus the operation only the FM receiver (2) as the power is supplied and whose output terminal (O 2), left channel output signal and a right channel output signal (O 3) output, this time the NAND gate (NAND 2 The high-potential output signal of) is detected by the positive edge detection unit 8 as shown in FIG. 2 (e) and turned off for a predetermined time (t 7 to t 8 ) so that the impact noise generated at the time of band switching is left and right. Left and right channel output signals output from the FM receiver 2 after being prevented from being output to the right output terminals L and R The call is output to the left and right output terminals L and R, and at this time, the light emitting diode LED 2 of the FM display unit 6 is turned on to indicate that the FM signal is being received.

상기와 같이 AM 신호 또는 FM 신호를 정상적으로 수신하는 임의의 시간(t9)에 전원(B+)을 차단하게 되면 콘덴서(C1)의 충전전압은 제2(a)도에 도시한 바와 같이 일정시간(t6∼t11)을 거쳐서 서서히 방전되고 이 콘덴서(C1)의 충전전압이 동작전압(V) 이하로 방전될 때(t10) 낸드게이트(NAND1),(NAND2)의 출력측에는 제2(d)도, 제2(f)도에 도시한 바와 같이 저전위 신호가 출력되므로 전송게이트(G1),(G2),(G3),(G4)가 오프되어 전원 오프시에 발생되는 충격잡음이 제기된다.As described above, when the power supply B + is cut off at an arbitrary time t 9 when the AM signal or the FM signal is normally received, the charging voltage of the capacitor C 1 is constant as shown in FIG. The discharge side of the NAND gates NAND 1 and NAND 2 when the discharge voltage is gradually discharged over the time t 6 to t 11 and the charge voltage of the capacitor C 1 is discharged below the operating voltage V (t 10 ). As shown in FIG. 2 (d) and FIG. 2 (f), since the low potential signal is outputted, the transmission gates G 1 , G 2 , G 3 , and G 4 are turned off to supply power. Impact noise generated at the time of off is raised.

이상에서와 같이 본 발명은 전원이 공급됨과 동시에 FM 밴드 신호가 수신되고, 전자식 스위치에 의해 바리콘 동조방식 튜너의 밴드가 절환되며, 밴드절환시와 전원공급 및 차단시에 충격잡음이 완전히 제거되는 효과가 있다.As described above, the present invention has the effect that the FM band signal is received at the same time as the power is supplied, the band of the Varicon tuned tuner by the electronic switch is switched, the impact noise is completely eliminated at the time of switching the band and the power supply and disconnection There is.

Claims (4)

바리콘 동조방식 튜너에 있어서 공지의 AM 수신부(1)의 출력단자(O1)와 공지의 FM 수신부(2)의 출력단자(O2),(O3)를 전송게이트(G1),(G2)와 (G3),(G4)를 각각 통하여 좌·우출력단자(L),(R)에 접속하되, AM,FM 선택스위치(SW1),(SW2)를 플립플롭으로 동작되는 낸드게이트(NAND1),(NAND2)의 일측 입력단자에 각각 접속하여 낸드게이트(NAND1),(NAND2)의 각 출력측을 그의 출력신호가 저전위 상태일 때 일정 전압을 출력하는 정전압공급부(3),(4)를 통하여 FM 수신부(2) 및 AM 수신부(1)의 전원공급단자(B2),(B1)에 각각 접속하고, 저항(R13),(R14)을 통해서 전송게이트(G1),(G2) 및 (G3),(G4)의 제어단자(g1),(g2) 및 (g3),(g4)에 각각 접속하여 구성함을 특징으로 하는 뮤팅 기능을 겸비한 전자식 밴드 셀렉터.In the Varicon tuned tuner, the output terminals O 1 of the known AM receiver 1 and the output terminals O 2 , O 3 of the known FM receiver 2 are transmitted to the transmission gates G 1 and G. 2 ) Connect to left and right output terminals (L) and (R) through (G 3 ) and (G 4 ) respectively, and operate AM, FM selection switch (SW 1 ), (SW 2 ) by flip-flop NAND gate (NAND 1), the NAND gates respectively connected to one input terminal of the (NAND 2) (NAND 1) , whose output signal for each output of the (NAND 2) a constant voltage and outputting the predetermined voltage when the low potential state Connect the power supply terminals B 2 and B 1 of the FM receiver 2 and the AM receiver 1 through the supply units 3 and 4, respectively, and connect the resistors R 13 and R 14 to each other. It is configured to connect to the control terminals (g 1 ), (g 2 ) and (g 3 ), (g 4 ) of the transmission gates (G 1 ), (G 2 ) and (G 3 ), (G 4 ) respectively. Electronic band selector with muting function characterized by. 제1항에 있어서, 전원(B+)에 접속된 저항(R3)에 콘덴서(C1)를 접속하여 그 접속점을 인버터(I1),(I2) 및 저항(R4)을 통해 FM 선택스위치(SW2)와 함께 낸드게이트(NAND2)의 일측 입력단자에 접속함을 특징으로 하는 뮤팅기능을 겸비한 전자식 밴드 셀렉터.2. A capacitor according to claim 1, wherein the capacitor C 1 is connected to a resistor R 3 connected to a power source B + and the connection point is connected via an inverter I 1 , I 2 and a resistor R 4 . selection switch (SW 2) and an electronic band selector combines the muting function, characterized in that coupled to one input terminal of the NAND gate (NAND 2) together. 제1항 또는 제2항에 있어서, 낸드게이트(NAND1),(NAND2)의 각 출력측을 그의 출력신호가 고전위 상태로 될 때 일정시간 동안 저전위 신호를 출력하는 포지티브에지 검출부(7),(8)를 통하여 인버터(I3),(I4)의 입력측에 각각 접속하고, 인버터(I3),(I4)의 출력측과 상기 인버터(I1)의 출력측을 다이오드(D3),(D4),(D5)를 각각 통하여 저항(R19),(R20)에 공통 접속한 후 저항(R19),(R20)의 타단을 트랜지스터(TR9),(TR10)의 베이스에 각각 접속하여 그의 콜렉터를 전송게이트(G1),(G2) 및 (G3),(G4)의 제어단자(g1),(g2) 및 (g3),(g4)에 각각 접속함을 특징으로 하는 뮤팅 기능을 겸비한 전자식 밴드 셀렉터.3. The positive edge detector (7) according to claim 1 or 2, wherein the positive edge detector (7) outputs a low potential signal for a predetermined time when each output side of the NAND gates (NAND 1 ) and (NAND 2 ) becomes a high potential state. , through (8) connected to the input side of the inverter (I 3), (I 4), and an inverter (I 3), the output side of the output side with the inverter (I 1) of (I 4), a diode (D 3) , (D 4), (D 5) a resistor (R 19), (R 20 ) and then connected in common to the transistor the other end of the resistor (R 19), (R 20 ) (TR 9), (TR 10 via each ), And the collector thereof is connected to the bases of the transfer gates (G 1 ), (G 2 ), (G 3 ), and (G 4 ), respectively (g 1 ), (g 2 ) and (g 3 ), ( g 4 ) Electronic band selector with muting function, each of which is connected. 제1항에 있어서, 낸드게이트(NAND1),(NAND2)의 각출력측을 그의 출력신호가 고전위 상태일 때 점등되는 AM 표시부(5)와 FM 표시부(6)에 각각 접속함을 특징으로 뮤팅 기 능을 겸비한 전자식 밴드 셀렉터.The NAND gates NAND 1 and NAND 2 are respectively connected to the AM display unit 5 and the FM display unit 6, which are lit when their output signals are at high potential. Electronic band selector with muting function.
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