KR850000209Y1 - Rectifier circuit - Google Patents
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Abstract
내용 없음.No content.
Description
제1도는 본 고안의 회로도.1 is a circuit diagram of the present invention.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
Q1: 발진트랜지스터 Q2: 보호용 트랜지스터Q 1 : oscillation transistor Q 2 : protective transistor
R2,R3: 바이어스 저항 R4,R5: 보호저항R 2 , R 3 : Bias resistor R 4 , R 5 : Protective resistor
ZD1,ZD2: 제너다이오드 T : 고주파 트랜스ZD 1 , ZD 2 : Zener Diode T: High Frequency Transformer
D1-D6: 다이오드 가 :정류회로D 1 -D 6 : Diode A: Rectifier Circuit
나 : 발진회로 다 : 반파정류회로B: oscillation circuit c: half-wave rectifier circuit
본 고안은 교류 입력전원을 직류로 직집 정류한후 트랜스 2차측에 유기되는 전압을 재정류하여 낮은 직류전원을 얻고자 하는 정류회로에 관한 것이다.The present invention relates to a rectifier circuit for rectifying the rectified voltage of the AC input power source into direct current and then rectifying the voltage induced on the transformer secondary side to obtain a low DC power source.
종래의 정류회로는 저주파 트랜스를 사용하여 강하시킨 후 얻고자 하는 직류전원으로 정류하여 사용하여 왔으나 저주파 트랜스는 무겁고 많은 부피를 찾이하게 되는 결점을 내포하고 있는 것이었다.Conventional rectifier circuits have been used by lowering the low frequency transformer and then rectifying it with a DC power source to be obtained. However, the low frequency transformer has a drawback of finding heavy and large volumes.
그러나 본 고안은 교류전원을 직접 직류시켜 직류전원으로 만들고 이 직류전원으로 발진시키어 높은 주파수를 발생시켜 고주파 트랜스에 인가시킨 후 낮은 직류전원은 얻은 수 있게 안출한 것으로, 특히 고주파 트랜스를 사용하여 폭넓은 입력전원에 안정되게 낮은 직류전압을 얻을 수 있게금 통상의 DC 정류회로와 반파정류회로 사이에 발진 트랜지스터와 보호용 트랜지스터 및 반도체 소자로서 발진 회로를 구성하여서 고주파 트랜스에서 강하된 전원을 정류시키고자 하는 것으로 이를 첨부 도면에 의하여 상술하면 다음과 같다.However, the present invention is to make direct current DC power directly to DC power supply and oscillate with this DC power supply to generate high frequency and apply it to high frequency transformer. In order to rectify the power drop in high frequency transformer by forming oscillation circuit as oscillation transistor, protection transistor and semiconductor element between normal DC rectifying circuit and half-wave rectifying circuit so as to obtain stable low DC voltage at input power. This will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 고안에서 통상의 DC 정류회로(가)는 저항(R1), 콘덴서(C1) 및 다이오드(D1,D2,D4)로서 브리지 회로를 구성하고 이 DC 정류회로(가)가 제너다이오드(ZD1), 다이오드(D5)와 병렬로 연결된 고주파트랜스(T)의 1차측을 통하여 발진 트랜지스터(Q1)의 콜렉터에 연결한 후, 발진트랜지스터(Q1)의 베이스에는 고주파 트랜스(T)의 1차측에 바이어스 저항(R2)(R3)과 고주파 트랜스(T)의 2차측의 콘덴서(C4), 저항(R6)으로 구성된 궤환회로에 연결하고 발진 트랜지스터(Q1)의 에미터에는 트랜지스터 보호용저항(R4)(R5)을 AO 바이패스콘덴서(C3)와 병렬로 연결 구성하며 발진 트랜지스터(Q1)의 베이스와 저항(R4)을 통한 에미터측에 보호용 트랜지스터(Q2)의 콜렉터와 베이스를 연결 구성하여 발진회로(나)를 구성하고, 다이오드(D6)와 콘덴서(C2)로 구성된 반파 정류회로(다)는 상기 고주파 트랜스(T)의 2차측과 연결 구성하여 저전압의 직류전원을 얻을 수 있도록 구성된 것이다.In the present invention, a conventional DC rectifier circuit (A) constitutes a bridge circuit as a resistor (R 1 ), a capacitor (C 1 ) and a diode (D 1 , D 2 , D 4 ), and this DC rectifier circuit (A) is a Zener. After connecting to the collector of the oscillation transistor Q 1 through the primary side of the high frequency transformer T connected in parallel with the diode ZD 1 and the diode D 5 , the base of the oscillation transistor Q 1 has a high frequency transformer ( The oscillation transistor Q 1 is connected to a feedback circuit composed of a bias resistor R 2 (R 3 ), a capacitor C 4 on the secondary side of the high frequency transformer T, and a resistor R 6 on the primary side of T). In the emitter of the transistor protection resistor (R 4 ) (R 5 ) is configured in parallel with the AO bypass capacitor (C 3 ), and the base of the oscillation transistor (Q 1 ) and the protection on the emitter side through the resistor (R 4 ) The oscillator circuit (B) is formed by connecting the collector and the base of the transistor (Q 2 ), and is composed of a diode (D 6 ) and a capacitor (C 2 ). The wave rectifier circuit C is configured to be connected to the secondary side of the high frequency transformer T to obtain a low voltage DC power supply.
이와 같이 구성된 본 고안에서 단자(1)(2)에 AC 전원이 입력되면 브리지 다이오드(Dl,D2,D3,D3,D4)를 통하여 정류된 후 콘덴서(C1)에서 평활된 직류전원을 발진회로(나)에 공급하게 된다. 여기서 저항(R1)은 초기 전원 인가시에 콘덴서(C1)에 충전되는 과전류를 보호하기 위한 것이다.In the present invention configured as described above, when AC power is input to the terminals (1) and (2), it is rectified through the bridge diodes (D l , D 2 , D 3 , D 3 , D 4 ), and then smoothed in the capacitor C 1 . DC power is supplied to the oscillation circuit (B). Here, the resistor R 1 is to protect the overcurrent charged in the capacitor C 1 when the initial power is applied.
그리고 발진 트랜지스터(Q1)의 롤렉터에는 고주파 트랜스(T)를 통한 전원이 인가되고 베이스에는 고주파 트랜스(T)에서 저항(R2)(R3)을 통하여 인가되어 트랜지스터(Q1)가 도통되면 저항(R5)에 인가된 전원이 트랜지스터(Q2)의 베이스에 인가되어 트랜지스터(Q2)가 도통되고 고주파 트랜스(T)의 2차측에 유기된 전원이 콘덴서(C4)와 저항(R6)을 통하며 보호용 트랜지스터(Q2)의 콜렉터 측에 인가되며 저항(R2)(R3)을 통하여 발진트랜지스터(Q1)의 베이스에 인가된 바이어스 전원은 보호용 트랜지스터(Q2)를 통하여 도통되므로 발진트랜지스터(Q1)는 차단되고 발진 트랜지스터(Q1)가 차단되면 저항(R5)을 통하여 보호용 트랜지스터(Q2)의 베이스에 바이어스 전원이 공급되지 않아 보호용 트랜지스터(Q2)도 발진 트랜지스터(Q1) "오프" 후 바로 "오프"가 된다.The collector of the oscillation transistor Q 1 is supplied with power through the high frequency transformer T, and the base is applied through the resistors R 2 and R 3 from the high frequency transformer T so that the transistor Q 1 is conducted. When the resistance (R 5) of a power transistor is applied to the base of (Q 2) transistors (Q 2) it is conductive, and the power supply is a capacitor (C 4) induced in the secondary side of the high-frequency transformer (T) applied to the resistance ( The bias power applied through the R 6 ) to the collector side of the protective transistor Q 2 and applied to the base of the oscillation transistor Q 1 through the resistor R 2 (R 3 ) is applied to the protective transistor Q 2 . Since the oscillation transistor Q 1 is blocked and the oscillation transistor Q 1 is blocked, the bias power is not supplied to the base of the protection transistor Q 2 through the resistor R 5 , so that the protection transistor Q 2 is also blocked. oscillation transistor (Q 1) "off" immediately "after five "It becomes.
그리고 보호용 트랜지스터(Q2)가 오프되면 고주파 트랜스(T)의 2차측에 유기된 전원이 다이오드(D6)와 평활 콘덴서(C2)로 구성된 반파 정류회로(다)를 통하여 직류전원이 공급되며, 이와 동시에 고주파 트랜스(T)의 2차측에 유기된 전원은 콘텐서(C4)와 저항(R6)으로 구성된 궤환회로에서 궤환된 전원은 발진 트랜지스터(Q1)의 베이스측에 인가되어 다시 상기에서와 같이 트랜지스터(Q1)(Q2)가 교호로 "온","오프" 되면서 발진회로(나)는 발진을 하게되고, 반파 정류회로(다)에서 발진된 전원을 정류하여 얻고자 하는 직류전원을 출력단자(3,4)에서 얻을 수가 있는 것이다.When the protection transistor Q 2 is turned off, the DC power is supplied to the secondary of the high frequency transformer T through a half-wave rectifier circuit C consisting of a diode D 6 and a smoothing capacitor C 2 . At the same time, the power supplied to the secondary side of the high frequency transformer T is fed back to the base side of the oscillation transistor Q 1 in the feedback circuit composed of the capacitor C 4 and the resistor R 6 . As described above, when the transistors Q 1 and Q 2 are alternately turned “on” and “off”, the oscillation circuit (B) oscillates, and to obtain power by rectifying the oscillation power generated in the half-wave rectifier circuit (C). DC power can be obtained from the output terminals 3 and 4.
또한 본 고안은 발진 트랜지스터(Q1)의 콜렉터측에 연결된 고주파 트랜스(T)의 1차측에 병렬로 제너다이오드(ZD1)와 다이오드(D5)를 연결 구성시켜서 발진 트랜지스터(Q1)의 발진중 고주파 트랜스(T)에서 발생되는 역기전력은 다이오드(D5)를 통하여 클램프되게한 후 제너 다이오드(ZD1)에서 역기전력은 완화시키어 순조로운 발진을 일으키게 하고 있으며, 발진 트랜지스터(Q1)의 베이스에 인가되는 바이어스 저항(R2)(R3)과 보호저항(R4)(R5) 사이에 제너 다이오드(ZD2)를 연결 구성시켜 발진 트랜지스터(Q1)의 콜렉터 전압이 순간적으로 높을지라도 발진 트랜지스터(Q1)의 베이스 전압은 항상 일정한 제너 다이오드(ZD2)의 전압을 유지하며 발진트랜지스터(Q1)가 안정된 동작을 할 수 있게한 것이다.In addition, the subject innovation is the oscillation of the oscillation transistor (Q 1) by in parallel to the primary side of the high-frequency transformer (T) connected to the collector side of the Zener diode (ZD 1) and connecting the diode (D 5) configuring the oscillation transistor (Q 1) of counter-electromotive force of which is generated in the high-frequency transformer (T) is the counter-electromotive force in the zener diode (ZD 1) and then to be clamped via a diode (D 5) is relaxed sikieo cause a smooth oscillation, to the base of the oscillation transistor (Q 1) The zener diode ZD 2 is connected between the applied bias resistor R 2 (R 3 ) and the protection resistor R 4 (R 5 ) to oscillate even when the collector voltage of the oscillation transistor Q 1 is momentarily high. the base voltage of the transistor (Q 1) is always at a constant voltage of the zener diode (ZD 2) and the oscillation transistor (Q 1) would allow a stable operation.
이상에서와 같이 본 고안은 DC정류회로(가)에서 교류입력전원을 직류전원으로 정류한 후 발진회로(나)에서 발진트랜지스터(Q1)를 발진시켜 고주파 트랜스(T)의 2차측에 유기되는 전원은 반파정류 회로(다)에서 정류하여 안정된 직류전원을 얻을 수 있는 정류회로를 제공할 수가 있는 것이다.As described above, the present invention rectifies AC input power to DC power in DC rectifying circuit (A) and oscillates oscillation transistor (Q 1 ) in oscillating circuit (B) to be induced on the secondary side of high frequency transformer (T). The power supply can be rectified in the half-wave rectifier circuit (c) to provide a rectifier circuit capable of obtaining a stable DC power supply.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019830006566U KR850000209Y1 (en) | 1983-07-26 | 1983-07-26 | Rectifier circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019830006566U KR850000209Y1 (en) | 1983-07-26 | 1983-07-26 | Rectifier circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR850000209Y1 true KR850000209Y1 (en) | 1985-02-15 |
Family
ID=19230894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019830006566U KR850000209Y1 (en) | 1983-07-26 | 1983-07-26 | Rectifier circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR850000209Y1 (en) |
-
1983
- 1983-07-26 KR KR2019830006566U patent/KR850000209Y1/en not_active IP Right Cessation
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