KR830009668A - 코로나충전 장치 및 방법 - Google Patents

Abstract

내용 없음

Description

코로나충전 장치 및 방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제4도는 인접 소자를 충전 또는 방전시키기 위하여 전개된 제1충전 장치의 단면도.

제5도는 제1양상에 의한 선택 충전 장치의 단면도.

제6도는 제1양상에 의한 또 다른 충전 장치의 단면도.

Claims (10)

1. 긴도체와, 상기 긴도체에의 유전체 시이드와, 상기 유전체시이드에 가까운 콘트롤 전극과, 상기 콘트롤 전극과 유전체시이드 가까이의 공기 영역내에서 글로우 방전을 하기 위하여 상기 긴 도체와 상기 콘트롤 전극 사이에 인가되는 시간에 따라 변하는 전위와, 상기 추출 전위에 거의 비례적인 출력이온 전류를 발생시키는 상기 글로우 방전으로부터 이온을 추출하는 추출전위로 구성되는 이온 발생장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 콘트롤 전극은 상기 유전체 시이드에 접촉하고, 또한, 긴 도체와 유전체 시이드에의 절연지지부를 구성하는 도전 그리드로 되는 이온 발생장치.
3. 제2항에 있어서, 도전 그리드는 도전상 망 전극을 구성하고, 도전성 그리드는 선망 스크린과 30-150메쉬 범위내의 망으로 되는 선망 스크린과 투공 영역율이 높은 와이어 망전극과 0.3-1.2mils범위의 두께를 갖는 선의 격자를 구성하는 선망 스크린과 망 패턴에 에칭된 금속 박판을 구성하는 도전성 망 전극으로 구성되고, 도전성 그리드는 본질상 평행도체의 배열로 구성되고, 도전성 그리드는 긴 도체와 동연의 라인을 따라 유전체 시이드와 접촉하고, 긴도체와 유전체 시이드는 유전체로 피복된 선을 구성하며, 유전체 시이드는 1-3mils범위내의 두께를 갖고, 긴 도체와 유전체 시이드는 유전체층을 덮으면서 절연체 지지부와 접촉하는 도전 스트립을 구성하고, 도전 그리드는 긴 도체와 유전체 시이드의 각면에서 절연체 지지부에 대하여 걸리게 되고, 도전 그리드는 거의 전도된 V-형 측단면을 가지며, 도전 그리드는 아치형의 측단면을 갖고, 긴 도체와 유전체 시이드는 상기 구멍위의 유전체 시이드와 접촉하는 상기 도전 그리드와 함께 상기 절연 지지부내의 구멍에 수납되는 이온 발생장치.
4. 제1항에 있어서 상기 콘트롤 전극은 시이드 피복된 도체주위에 내부벽을 가지면서 또한 상기 시이드 피복된 도체를 노출 시키기 위한 개구를 포함하는 도전성 충진물로 되는 이온 발생장치.
5. 제4항에 있어서, 상기 도전 충진물은 구멍이 있는 도전빔으로 되고 유전체 피복된 긴 도체는 상기 구멍에 삽입되며, 또한 절연 베이스를 포함하면서 시이드피복된 긴 도체는 상기 절연 베이스에 대하여 장착되고 도전성 충진물은 상기 절연 베이스에 대하여 한쌍의 도전측 소자로 되면서 또한 절연 베이스를 포함하고 도전성 충진물은 절연 베이스에 대하여 장착되고 그 길이 방향을 따라 시이드 피복된 긴도체에 맞게된 도전성 봉으로 되고, 도전성 충진물의 내벽은 시이드 피복된 긴 도체의 반대측에 접촉하고, 도전성 충진물의 내벽은 상기 긴 도체와 동연의 선을 따라 상기 유전체 시이드를 버리고, 도전성 충진물은 그 내벽과 같이 코너를 형성하는 외부면을 갖는데 시이드된 긴 도체가 그 두께의 작은 부분이 외부 표면 밖으로 돌출하거나 외부면은 시이드 피복된 긴 도체의 두께에 비하여 좁은 이온 발생장치.
6. 제1항에 있어서, 콘트롤 전극은 도전 로드로 되고 유전체 시이드로 피복된 긴 도체는 상기 각각의 긴 측부 소자와 상기 도전성로드 사이에 인가되면서 시간에 따라 변하는 변화전위와 상기 도전성 로드를 버리는 한쌍의 긴 측부 소자로 되고, 또한 도전성 소자를 위한 절연 베이스로 되고, 긴 축부 소자는 상기 절연 소자에 대하여 장착되고, 상기 도전 로드의 양측에 맞고, 각 긴축부 소자는 도전성 내부 라이닝과 함께 유리 로세관으로 되고, 각 긴축부 소자는 고체도전 코아와 더불어 유리 모세관을 형성하거나, 각 긴측부 소자는 저융점 비스머스 합금과 인듐합금으로 구성되는 류로부터 선택된 재료로 구성된 코아와 함께 유리 모세관으로 된는 이온 발생장치.
7. 제1항에 있어서, 유전체 시이드는 유기물 유전체재료로 되고, 유전체 시이드는 유리, 운모, 신터드, 쎄라믹 재료를 구성하는 류로부터 선택된 재료로 되며, 장치는 방전되는 결상면에 가깝고, 결상면은 백킹전극을 갖고, 상기 콘트롤 전극은 상기 백킹전극에 기저되며, 장치는 방전되는 결상면에 가깝고, 상기 결상면은 백킹 전극을 갖고, 상기 추출 전위는 콘트롤 전극과 백킹 전극 사이에 바이어스 전위로 되거나, 콘트롤 전극은 방전 또는 충전되는 소자로부터 5-20mils의 범위내에서 거리를 두고 배치되는 이온 발생장치.
8. 제1항에 있어서, 추출 전위는 콘트롤 전극과 카운터 전극 사이에서 직류 전위로 되고, 추출 전위는 수십에서 수백볼트의 크기의 직류전위로 되고, 시간변화 전위는 변화 시키는 고전압으로 되고, 시간변화 전위는 60Hz에서의 4MHz범위내에서의 주파수의 전위를 변화시키는 고전압으로 되고, 시간변화 전위는 펄스된 전압으로 되는 이온 발생장치.
9. 긴도체, 긴도체의에 유전체 시이드 그리고 유전체 시이드에 근접한 콘트롤 전극으로 되는 코로나 장치를 방전되는 소자 가까이 배치하고, 상기 긴 도체와 콘트롤 전극과 유전체 시이드 근방의 공기구역내에서 글로우 방전을 감소시키는 콘트롤 전극 사이에 시간변화 전위를 인가하며, 상기 유전체 시이드와 접촉하는 도전 그리드로 되고 또한 유전체 시이드 피복된 긴도체를 위한 절연지지부로 되거나, 유전체 시이드 피복된 긴 도체 주위에 내백을 갖고 유전체 시이드를 노출시키는 개구를 포함하는 도전 충진물로 되는 콘트롤 전극을 방전되는 소자를 위한 카운터 전극에 기저시키는 단계로 되는 정전기 방전방법.
10. 긴 도체와 긴 도체를 위한 유전체 시이드와 유전체 시이드에 근접한 콘트롤 전극으로 되는 코로나 장치를 방전되는 소자근방에 배치시키고, 상기 긴도체와 콘트롤 전극과 유전체 시이드에 가까운 공기구역내에서 글로우방전을 감소시키는 콘트롤 전극 사이에 시간변화 전위를 인가시키고, 상기 유전체 시이드와 접촉하는 도전 그리드로 되고 또한 유전체 시이드 피복된 긴 도체를 위한 절연지지부로 되거나, 유전체 시이드 피복된 긴도체 주위에 내벽을 갖고 유전체시이드를 노출 시키기 위한 개구를 포함하는 도전성 충진물로 되는 상기 콘트롤 전극과 충전되는 소자를 위한 카운터 전극 사이에 바이어스 전위를 인가시키는 단계로 되는 정전기 충전방법.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.