KR810001313B1 - 비결정 실리콘 층을 포함하는 반도체 장치 - Google Patents
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Description
제1도는 기판(substrate)위에 있는 본 발명의 비결정 실리콘 층의 단면도.
제2도는 본 발명의 비결정 실리콘을 제조하는 장치의 개략도.
제3도는 본 발명의 비결정 실리콘을 이용한 쇼트키(schottky) 장벽(barrier) 반도체 장치의 단면도.
본 발명은 비결정 실리콘 층을 갖는 장치, 특히 비결정 실리콘이 염소, 취소, 옥소로 구성된 집단에서 선택된 할로겐과 실리콘에서 댕글링 결합(불완전한 결합부, 또는 결합의 결손부)(dangling bond)을 보상하는 수소를 포함하는 비결정 실리콘층을 갖는 반도체 장치에 관한 것이다.
비싸지 않고 효율적인 광전지와 전류 정류장치가, 실란에서 글로우(glow) 방전에 의해 제공된 비결정 실리콘의 대단히 엷은 몸체를 갖고, 제작될 수 있다는 것이 최근에 발견되었다. 이 분야에 공지된 것같이 태양전지 그리고 광검출소자같은 광전 장치들은 자외선에서 적외선까지 모든 빛을 사용가능한 전기 에너지로 변환할 수 있다. 광전 장치의 분야에서 생기는 문제점은 그런 장치에서 전기 에너지를 발생하는 비용이 다른 전기 발생장치에 비교할 수 없으리 만큼 비싸다는 것이다. 실란에서 글로우 방전에 의해 제작된 엷은 몸체의 사용은 그런 장치를 제작하는데 관계된 반도체 물질 비용을 감소함으로 촉진된다. 또한 실란에서 글로우 방전에 의해 제작된 비결정 실리콘의 이용은 전류정류장치와 똑같은 비용 절감 효과를 가질 수 있다. 실란에서 글로우 방전에 의해 제작된 비결정 실리콘 몸체들은 그들을 이상적으로 광전 장치에 적합하게 만드는 특성을 작고, 그리고 어둠속에서도 설명된 전류 특성을 갖는다. 만약 비결정 실리콘 몸체들이 실란이 아닌 실린 보다 값이 싼 다른 가스 대기중에서 글로우 방전에 의해 만들어 질수 있다면 이런 가격 절감은 비결정 실리콘 장치의 분야에서 가장 바람직한 것이다.
이 장치는 기판위에, 반도체 접합을 형성할 수 있고; 염소, 취소 그리고 옥소로 구성된 집단으로 부터 선택된 최고 약 7%(원자 백분률)까지의 양이 존재할 수 있는 할로겐을 내포하며; 또한 댕글링 결합을 보상하는 수소를 내포하는 비결정 실리콘층을 갖는다.
제1도에는 본 발명의 비결정 실리콘 층을 갖는 물질 11이 12를 포함한다. 층 12는 염소, 취소, 옥소로 구성된 집단으로 부터 선택된 할로겐을 포함하는데 그양은 층 12의 약 7원자 %의 양에 해당된다. 주로 층 12는 수소와 그리고 증착 가스를 포함하는 가스 대기 중에서 글로우 방전에 의해 제작되며, 증착 가스는 실리콘 요소와 염소, 취소, 옥소로 구성된 집단으로 부터 선택된 할로겐을 내포한다.
비결정 실리콘 12의 층은 스퍼터림(sputtering) 또는 화학적 증기 증착(CVD)과 증발같은 다른 방법에 의해 만들어진 비결정 실리콘에서 발견된 것 보다 더 낮은 에너지 갭(gap)내에서 결함 상태의 평균 밀도를 갖는다. 이런 낮은 밀도의 에너지 갭 결함상태는 본 발명의 비결정 실리콘 층 12 또는 그안에서 P-N, PIN, 쇼트커 장벽과 헤테로 접합등의 반도체 접합 형성을 가능하게 한다. 스퍼터링, 증발 또는 화학적 증기 증착에 의해 제작된 비결정 실리콘은 에너지 갭에서 큰 밀도의 결함 상태를 갖게 되어 이런 물질이 좋지 않은 전기적 특성을 갖게 하고 그리고 반도체 장치의 활성 영역에는 적합하지 않는다는 것은 이 분야에 공지되어 있다. 또한 본 발명의 비결정 실리콘은 실제적으로 순수한 실란 SiH4중의 글로우 방전으로 형성된 종래의 비결정 실리콘이 할로겐을 함유하고 있지 않은데 대해 할로겐을 함유한다는 점에서 다르다.
층 12는 물질 11의 기판 14의 표면 위에 있다. 기판 14는 층 12의 글로우 방전 증착과 겸용할 수 있는 물질이다. 일반적으로, 기판 14는 글로우 방전 대기에 의해 화합적으로 침해 받지 않는 스테인레스 스틸 또는 니오븀, 탄탈, 그리고 다른 물질 같은 물질들이다.
글로우 방전 가스 대기에 있는 수소는 반도체 접합 형식의 층 12이 비결정 실리콘의 좋은 전기적 특성을 보장하는 중요한 역할을 한다. 그 수소는 분명히 할로겐을 게터(gatter)하는데 도움을 주어서 비결정 실리콘 몸체가 할로겐의 적은양, 즉 7원자 % 또는 그 이하의 양을 내포하게 한다. 만약 할로겐 농도가 너무 높으면, 비결정 실리콘의 전기적 특성이 반대로 영향을 받게 된다. 더구나 수소는 대부분의 비결정 실리콘 층 12에 존재하는 댕전링 결합과 서로 작용한다. 그래서 만약 수소대 증착 가스의 체적 비가 증착기간동안 2 : 1로 유지되거나 또는 그 이상일때 가장 양질의 비결정 실리콘이 제작되는 것이 발견되었다.
제2도에는 본 발명의 층 12의 제작을 수행하기에 적합한 글로우 방전 장치가 30으로 표시되어 있다. 글로우 방전장치 30은 전형적으로 유리 물질인 진공 벨 단지(Jor) 34로 제한된 체임버 32를 포함한다. 진공체임버 32안에 전극 36이 있고 가열판 38은 전극 36에서 격리되어 반대쪽에 있다. 전극 36은 백금같은 좋은 전기 전도성을 갖는 금속물질이고 스크린 또는 코일의 형태이다. 가열판 38은 체임버 32의 외부에 있는 전원 40으로 부터 구동되는 가열 코일을 둘러싸는 적당한 세라믹(ceremic)이다.
진공 체임버 32로 들어간 제1출구 44는 확산펌프(diffusion pump)에 연결되게, 제2출구 46은 기계적 펌프에 연결되고, 제3출구 48은 글로우 방전 과정에 사용되는 여러가지 가스들의 원(源)인 가스-블리드인 시스템에 연결된다. 제1출구 44가 확산 펌프에 연결되어 기술되는 반면 제2출구에 연결된 기계적 펌프가 그 시스템을 진공으로 할수 있기 때문에 확산 램프가 필요하지 않는 것이 예상된다.
층 12의 제작에서, 스테인레스 스틸같은 기판 14는 가열판 38위에 위치되고, 기판 14는 전원 42의 한단자에 결합되면 전극 36은 전원의 다른 단자에 결합된다. 그러므로 전압전위는 전원 42가 전류를 내보낼때 전극 36과 기판 14사이에 존재한다. 전원 42는 직류 또는 60 헤르쯔 정도의 낮은 주파수의 교류가 될 수 있으며 또 메가 헤르쯔 단위의 고주파 범위인 R.F도 될 수 있다. 전형적으로 전원 42가 직류일때 전극 36은 전원 42의 양극단자에 연결되고 기판 14는 전원 42의 음극단자에 연결된다. 그래서 전원 42가 전류를 공급할 때 전극 36은 애노우드로 기판 14는 캐소우드로 동작한다. 이것은 동작의 캐소우드식 직류 모우드(cathodic D.C mode)로 호칭한다. 그러나 직류 동작에서 기판 14와 전극 36은 기술된 것 같이 반대 극성이 될 수 있다. 즉 기판 14는 애노우드가 될 수 있고 전극 36은 캐소우드가 될 수 있으며 그 순간직류 동작은 애노우드식 직류 모우드로 호칭한다. 또한 R.F 글로우 방전 동작은 캐패시턴스 R.F. 글로우 방전시스템 또는 유도 R.F 글로우 방전 시스템 같은 이 분야에 공지된 형태의 전극 없는 글로우 방전 장치에서 이룩될 수 있다. 그러나 10㎡보다 큰 넓은 영역에서 더균일 한 증착은 전극없는 R.F 방전에서 보다 직류 또는 교류 글로우 방전에서 얻을 수 있다.
진공 체임버 32는 약10-3에서 10-6토르(borr)의 압력으로 배기되고 기판 14는 가열판 38의 가열 코일을 가동함에 있어 150℃에서 450℃의 온도 범위로 가열된다. 여소, 취소, 옥소로 구성된 집단으로 부터 선택된 할로겐과 실리콘 요소를 내포하는 증착가스와 할로겐을 내포하는 대기는 0.1에서 5.0토르 압력하에 제3출구 48을 통하여 진공 체임버 32속으로 들어간다. 증착 가스는 예를 들어 디클로로실란(SiH2Cl2), 클로로 실란(SiH3Cl), 트리클로로 실란(SiHCl3), 브로모 실란(SiH3Br), 본브로모 실란 (SiH2Br2) 그리고 실리콘 테트라 클로라이드(SiCl4)이다. 본 발명의 제작을 설명하기 위한 목적으로 증착 가스는 디클로로 실란이다. 수소와 디클로로 실란 대기에 흘려보낸 결과 부가적 가열이 가스 대기를 통해 기판 14로 방사되기 때문에 기판 14의 온도는 200℃에서 500℃의 온도범위로 증가한다.
전술한 것 같이 수소대 증착 가스의 체적비가 2 : 1 이거나 그 이상이면 양질의 층 12가 제작된다. 그러나 대단히 높은 비율 즉 40 : 1에서는 증착 비율은 대단히 낮아지며 1사간에 1마이크론의 단위가 된다.
전극 36과 기판 14 사이의 글로우 방전을 시작하기 위해 전원 42는 구동되며 그래서 비결정 실리콘 층 12의 증착이 시작된다. 동작의 직류 캐소우드식 모우드라 가정한다. 기판 14의 표면위에 몸체 12의 증착을 위해, 기판 14의 표면에서 전류 밀도는 0.1에서 3.0ma/㎠의 범위이어야 한다. 비결정 실리콘의 증착 비율은 대기 압력과 전류 밀도의 증가에 따라 증가한다. 1마이크론 두께 층 12의 증착은 체임버 32의 압력이 약 2토르이고, 기판 14의 표면 전류밀도가 1ma/㎠이며, 기판 14가 350℃의 온도일때 몇분 동안 일어난다.
본 발명의 비결정 실리콘의 층 12는 반도체 광전지와 포토 검출기 그리고 전류 정류장치의 반도체 층에 적합하게 만들어진 전기적 특성을 갖는다.
본 발명을 좀 더 특이하게 설명하기 위해 본 발명의 비결정 실리콘의 층을 갖는 쇼트기 장벽 광전지 장치가 다음 제3도에 110으로 표시되어 기술되었다. 본 발명의 비결정 실리콘의 층이 PN 접합 또는 PIN 접합 또는 헤테로 접합같은 반도체 접합을 갖는 다른 반도체 광전지, 포토 검출기, 정류장치에 또한 유용하다는 것은 이 분야에 숙련된 사람들에게 공지되어 있다.
제3도에는 좋은 전기적 도전 성질을 갖는 물질의 기판 114를 포함하는 쇼트키 장벽 광전지장치 110이 도시되었다. 이런 능력을 갖는 물질들은 전형적으로 스테인레스 스틸, 니오븀, 탄탈 그리고 글로우 방전 대기에 의해 화학적으로 공격을 받지 않는 다른 물질들이다. 기판 114의 표면위에 본 발명 공정에 따라 제작된 비결정 실리콘이 있다. 층 112는 기판 114에 접촉된 제1영역 116과 그 사이의 경계면 115를 포함한다. 제1영역 116은 도우프(dope)된 비결정 실리콘이다. 그래서 제1영역 116이 제작되는 글로우 방전 가스대기는 또한 도우판트(dopant)가스, 즉 포스핀(pH3)를 포함한다. 제1영역 116은 기판 114에 오믹(ohmic)접합을 가질 수 있다. 기판 114에 반대쪽 제1영역 116의 표면에 비결정 실리콘의 제2영역 117이 있다. 제2영역 117은 도우프 되지는 않았으나, 제2영역 117의 비결정 실리콘은 가벼운 N형 임이 밝혀졌다.
제1영역 116의 도우판트 농도가 경계면 115에서 최대이고 제1영역 116과 제2영역 117의 경계면에서는 전기적으로 하찮은 농도로 줄어들게 경사가 완만하게 된다. 또한 제1영역 116이 후술되는 이유에서 단계적인 도우핑 농도를 갖지만 도우판트 농도가 제1영역 116 전역에 걸쳐 일정한 것이 또한 기대된다.
제1영역 116은 주로 100Å에서 0.5마이크론 범위의 두께이고 제2영역은 주로 0.5에서 1마이크론 범위의 두께이다.
제2영역 117의 표면위에, 제1영역 116의 반대에 금속필름 118이 있으며 그 사이에는 경계면 120이 있다. 금속 필름 118과 제2영역 117의 접촉은 경계면 120에서 쇼트키 장벽을 야기한다. 금속 필름 118은 햇빛방사에 반 투명이다. 쇼트키 장벽의 형성을 확보하기 위해 필름 118의 금속물질을 제2영역 117이 약간 N형 도전성을 갖는다. 가정하면 좋은 전도성을 가지며, 4.5eV보다 큰 높은 일 함수를 갖는다. 좋은 전기적도 전성과 높은 일함수를 갖는 금속물질은 예를 들어 금, 백금, 파라듐, 로듐, 이리듐, 크로뮴을 포함한다. 이 금속 필름 118은 금속의 단일층이거나 또는 다층이 될 수도 있다. 만약 필름 118이 다층이라면 제2영역 117의 시작층은 시작 영역위의 층이 좋은 전기적 도전성을 제공하는 동안 쇼키트 장벽을 확보해야 한다. 예를 들어, 만약 금속필름 118이 다층으로 만들어진다면, 시작층은 시작 백금층위의 금층을 갖는 제2영역 117위에 백금층일 수 있다. 전술한 것 같이 금속 필름 118은 햇빛 방사에 반투명하다. 그리고 이것이 금속이기 때문에 반투명성을 확보하게 약 100A의 최대 두께를 가져야 한다.
전극 122는 경계면 120의 반대쪽에, 금속필름 118의 표면부분위에 있다. 주로 전극 122는 좋은 전기적 도전성을 갖는 금속이며, 또한 이것은 이 분야에 공지된 손가락 형태나 빗 형태가 될 수 있지만 여기서는 그리드 모양이다. 본 발명의 양호한 실시예를 설명하기 위해 전극 122는 두쌍의 그리드 도선을 가지며 각 쌍의 그리드 도선은 실제적으로 서로 평행하고 다른 쌍의 그리드 도선을 교차한다. 전극 122는 단지 필름 118 표면의 약 5%-10%의 금속 필름 118 표면의 적은 영역을 차지하며 이는 전극 122에 부딪치는 햇빛 방사가 장치 110으로 부터 반사될 수 있기 때문이다. 전극 122의 작용은 금속 필름 118로 부터 전류의 균일한 모집을 위한 것이며, 그래서 회로의 일 부분으로 동작할 때 장치 110의 직렬 저항을 낮게 유지하기 용이하게 한다.
반사 방지층 124는 경계면 120의 반대쪽 금속필름 118의 남아 있는 표면위 전극 122위에 배치된다. 반사 방지층 124는 금속필름 118의 반대쪽 입사표면 126을 가지며 그위에 햇빛 방사 128이 입사할 수 있다. 이분야에 공지된 것 같이 반사 방지층 124는 만약 반사 방지-124가
정도의 두께라면, 금속필름 118을 횡단하는 햇빛 방사 128의 양의 증가를 가져온다. 여기서 ＂λ＂는 입사표면 126-입사하는 방사의 파장이고 n은 반사방지층 124의 반사지수이다. 본 질에 있어서 반사 방지층 124는 장치 110으로 부터 반사될 빛의 양을 감소 시킨다.
반사지수 n은 금속필름 118을 횡단하는 햇빛방사 128의 양을 증가하기 위해 적당한 값이어야 한다는 것은 이 분야에 공지된 사실이다. 예를 들어 만약 금속필름 118이 두께의 50Å 백금이면, 반사 방치층 124는 450Å의 두께와 n=2.1인 지르코늄(Zr)이 산화물이 좋다. 통상 반사 방지층 124는 황산아연, 산화지르코늄, 질화 실리콘, 같은 유전물질이나, 안티몬으로 도우프된 산화주석 또는 주석으로 도우프 된 산화 인디움 같은 투명 반도체 물질이 될 수 있다.
반도체 장치 분야에서, 일반적으로 쇼키트 장벽으로 알려진 표면 장벽 접합은 어떤 반도체 물질에 어떤 금속을 접촉함으로써 형성된다. 전술한 것 같이 쇼트키 장벽 광전지장치 110에, 장벽 집합은 제2영역 117에 금속 필름 118을 접촉함에 있어 경계면 120에 있다. 쇼트키 장벽은 제2영역 117속으로 뚫고 들어가고 공핍영역으로 언급되는 표면판 120으로 부터 장치 110의 물질속으로 공간 전하 영역을 발생한다. 제2영역 117에서 전계는 또한 공피비영역과 관계가 된다. 더구나, 제1영역 116의 점진적인 도우핑 농도의 결과로 전계가 제1영역 116에서 발생된다. 그러므로 경계면 120에서 쇼트키 장벽과 제1영역 116의 점진적인 도우핑 농도와 함께 전계는 제1, 제2영역 116, 117 양쪽을 통하여 연장된다. 광전지 장치를 퇴해 전계가 제1, 제2영역 116과 117을 통해 연장되는 것이 바람직하다. 제1, 제2영역 116과 117을 통하여 연장된 전계와 함께, 햇빛방사 128의 흡수의 경과로 이 영역들 안의 어느곳에서든지 발생되는 케리어들은 전계에 의해 기판 114나 금속필름 118로 끌려간다. 기판 114는 장치 110의 하나의 전극으로 작용한다. 만약 전계가 제1, 제2영역 116, 117와 한 부분속으로 연장되지 않는다면, 이런 의사중석 영역(quasi-neutral region)에서 발생된 케리어들은 전계에 의해 전극으로 끌려가지 않으며 그리고 모여지기 위해서는 공핍영역으로의 확산에 의존해야만 한다. 또한 어떤 의사 중성 영역은 장치 110으로 부터 잔류를 끌때 직류 저항으로 작동해서 장치의 효율을 나쁘게 한다.
제1영역 116의 점차적인 도우핑 농도는 장치 110의 전계 영역을 신장하는데 유리한 반면, 도우핑 농도가 제1경계면 115에서 그것의 최대치, 즉 5%(원자백분율) 단위이기 때문에 그것은 제1영역 116과 기판 114사이의 오믹 접촉을 더쉽게 형성하게 돕는다. 경계면 115에서 오믹 접촉의 형태는 광전지 장치 110을 위한 낮은 직렬저항을 확보하는데 유리하다. 만약 제1영역 116이 전범위에서 균일한 도우핑 농도를 갖는다면, 오믹 접촉은 균일한 도우핑 농도가 5원자% 단위로 높다면 경계면 115에서 형성된다.
광전지 장치의 제작에서 전원 42는 전기적으로 장치 30에 연결되고 진공 체임버 32는 진공으로 되고 기판은 전술된것 같이 가열된다. 수소의 대기, 디클로로 실란같은 증착 가스, 그리고 N형의 도우핑 가스는 0.1에서 5.0torr의 압력으로 진공 체임버 32속으로 흘러들어간다. 도우판트 가스는 진공 체임버 32대기의 체적에 약 1.5%이다. 주로 N형 도우판트 가스는 포스핀(pH3)나 아르신(AsH3)이 이용된다.
글로우 방전은 제1영역의 증착을 위해 시작된다. 제1영역 116의 도우판트 농도를 점진적으로 하기 위해 부가적인 수소와 증착 가스들은 글로우 방전기간 동안 진공 체임버 32속으로 흘러들어 가서, 도우판트 농도를 줄인다. 제1층 116의 증착후 진공 체임버 32내의 공기는 기계적 펌프 46에 의해 빼내어진다. 공기를 빼내어 약 10-6토르의 압력으로 된 진공 체임버 32일때 수소와 디클로로 실란은 0.1에서 5.0토르 범위의 압력에서 진공 체임버 속으로 흘러 들어간다. 다시 글로우 방전이 제1영역 116의 표면에서 0.3에서 ma/㎠에서 3.0ma/㎠ 범위의 전롯 밀도를 갖고 시작되며, 그래서 제2영역 117의 침전이 시작된다.
이 분야에 공지된것 같이, 글로우 방전 공정에서 기판 114의 온도는 자동 도우핑 효과와 용융구성 그리고 유도 결정화 반응에 의해 그 위에 증착된 물질의 구조와 조성에 영향을 준다.
제1영역 116과 제2영역 117의 증착후 층 112는 수분에서 수시간의 기간동안 200℃에서 400℃ 범위의 온도를 그것이 받음에 의해 어니일(anneal)된다. 단지 더 낮은 어니일링 온도를 위하여는 더 긴 기간이 요구된다. 주로 어니일 링은 글로우 방전이 종결된 후 글로우 방전 장치 30에서 층 112를 내보냄에 의해 또는 층 112를 어니일링 용광로에 배치함에 의해 성취될 수 있다. 이 공정단게는 비결정 실리콘 몸체에 결점들을 가열하여 없앴다고 믿어지며 장치의 효율을 개선하는 것이 발견되었다.
다음에 층 112는 종래의 증발 시스템, 즉 전자비임 발산 시스템에 배치되고 금속필름 118은 제2영역 117위로 발산된다. 똑같이 전극 122와 반사방치층 124는 종래의 발산과 마스킹 기술에 의해 금속필름 118위로 증착된다. 전(全)공정은 글로우 방전과 발산 양족을 공급하기 위해 단일 시스템에서 이룩되면 좋다. 또한 크롬, 이리듐, 로듐, 백금, 팔라디움으로 구성된 집단으로 부터 선택된 물질의 금속필름 118을 갖는 광전지 자아치 110이 제작기간 동안 열처리 될때, 장치의 집합 효율이 증가한다는 것이 발견되었다. 주로 열처리는 반사방지층 124가 증착된 후 행하여 지거나 또는 전극 122의 증착전에 그리고 반사 방지층 124의 증착후에 행하여 진다. 특히 열처리는 5 내지 30분동안 약 150℃에서 250℃ 범위의 온도로 장치 110에 행하여 진다. 열처리는 진공에서 행하여 질 수 있으며, 또 체적의 90% 질소와 10% 수소로 형성된 가스 대기 또는 순수한 질소 또는 순수한 수소 대기 중에서도 행하여 질수 있다. 열처리는 쇼트키 장벽 높이를 증가함에 의해, 집수 효율을 개선함에 의해, 장치의 효과적인 직렬 저항을 감소함에 의해 장치 효율을 증가한다.
광전지 장치 110의 계작은 내부 회로를 연결하기 위한 도선 전극(도시하지 않음)을 기판 114와 전극 122에 연결함에 의해 완료된다.
기판이 스테인레스 스틸이고, 제1층 116은 약 500Å 두께이고 진공 체임버 32대기의 약 1%인 포스핀으로 도우프되고, 제2영역 117은 약 1마이크론의 두께를 갖고 수소대 디클로로 실란 비가 4.5 : 1인 광전지장치 100은 약 477밀리 볼트의 개방회로 출력 전압(Voc) 400과 마이크로 암페어/㎠의 단락회로 전류로 측정된다. 구조면에서 광전지 장치 110과 비슷하지만 스퍼터된(sputtered) 비결정 실리콘의 몸체를 갖는 광전지 장치는 약 10밀리 볼트의 개방회로 전압과 약 0.1마이크로 암페어/㎠의 단락회로 전류를 갖는다. 본 발명의 광전지 장치가 갖는 더 좋은 개방회로 전압과 단락회로 전류는 본 발명의 비결정 실리콘층이 스피터링 공정에 의해 제작된 비결정 실리콘 보다 더 월등한 전자 특성을 갖는다는 것을 증명한다. 또한 본 발명의 비결정 실리콘 층이 발산 또는 화학 증기증착 공정에 의해 제작된 비결정 실리콘 몸체보다 월등히 좋은 전자적 특성을 갖고 있음이, 이런 자료로 부터 추측된다.
본 발명에서 염소 그리고 취소와 옥소의 구성으로 부터 선택된 원소 실리콘과 할로겐을 갖는 증착가스와 수소를 포함하고 있는 가스 대기에서 글로우 방전에 의해 제작된 비결정 실리콘의 몸체는 광전지와 광검출 그리고 전류 정류 장치에 이용될 수 있다.
Claims (1)
- 전기적으로 도전하는 표면을 갖는 기판위에 비결정 실리콘층등을 포함하고, 실리콘 층이 그 내부 또는 그 표면에 반도체 접합을 갖고, 상기층이 염소, 취소, 옥소로 구성된 집단으로 부터 선택된 할로겐의 약 7원자%이하를 내포하고, 비결정 실리콘에서 댕글링 결합을 보상하는 수소를 또한 내포하는 것을 특징으로하는 반도체 장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR7702296A KR810001313B1 (ko) | 1977-09-29 | 1977-09-29 | 비결정 실리콘 층을 포함하는 반도체 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR7702296A KR810001313B1 (ko) | 1977-09-29 | 1977-09-29 | 비결정 실리콘 층을 포함하는 반도체 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR810001313B1 true KR810001313B1 (ko) | 1981-10-13 |
Family
ID=19205017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR7702296A KR810001313B1 (ko) | 1977-09-29 | 1977-09-29 | 비결정 실리콘 층을 포함하는 반도체 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR810001313B1 (ko) |
-
1977
- 1977-09-29 KR KR7702296A patent/KR810001313B1/ko active
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