KR790002129Y1

KR790002129Y1 - 멀티 플라이어(multiplier)

Info

Publication number: KR790002129Y1
Application number: KR7401739U
Authority: KR
Inventors: 다까시 미즈가미; 다꾸오 모우리
Original assignee: 이시즈까 요오조오; 파이오니아 가부시끼가이샤
Priority date: 1974-03-27
Filing date: 1974-03-27
Publication date: 1979-12-26

Abstract

내용 없음.

Description

멀티 플라이어(multiplier)

제1도는 종전의 멀티플라이어의 회로도의 예

제2도는 일반적인 전압 증폭기의 회로도

제3도는 제2도의 증폭기에서 일그러짐이 생긴 상태를 나타낸 특성도

제4도는 본 고안의 멀티플라이어의 회로도

종래 평형된 형의 멀티플라이어(balanced type multiplier)에 있어 그 정(亭)전류원 트랜지스터로부터 신호를 보낼 경우, 이 트랜지스터의 베이스 전위를 높게 하여 정 전류원 트랜지스터 자체의 일그러짐을 경감시키려는 생각을 하고 있었다. 그러나 멀티플라이어는 스위칭(Switching)동작을 하는 2개의 트랜지스터와 정전류원 트랜지스터가 전원에 직열로 접속되므로, 정전류원 트랜지스터의 베이스전위를 올리자면, 전원 전압과의 관계상 한도가 있어서 일그러짐을 충분히 경감시키기는 어려웠다.

본 고안은 이와같은 종래의 멀티플라이어의 개량에 관한 것이며, 특히 직류전원전압이 낮게 억제되드라도 멀티플라이어로부터 발생하는 일그러짐을 적게할 수가 있는 것을 목적으로 하는 것이다.

본 고안을 FM다중(multiplex)회로를 예로 들어서 설명하겠다.

제1도는 FM다중 회로의 특히 직선(linear) 스위칭회로부분을 표시한 것이며, 차동(差動) 접수된 트랜지스터 Q₁, 및 Q₂는 스위칭 회로를 구성하고, 또한 차동접속된 트랜지스터 Q₃및 Q₄는 누화(cross talk)상쇄회로를 구성하고 있다.

스위칭회로를 구성하는 트랜지스터 Q₁및 Q₂와 누화상쇄회로를 구성하는 트랜지스터 Q₃및 Q₄는 다시 차동접속된 트랜지스터 Q₅, Q₆에 각각 접속되어 있다. 그리고 트랜지스터Q₅, Q₆의 베이스에는 각각 저항 R₁, R₂를 거쳐서 베이스 바이어스 전원 +V_B로 부터 베이스 바이어스가 주어지고, 스위칭 회로를 구성하는 측의 정전류원 트랜지스터 Q₅의 베이스에는 콘덴서 C₁를 거쳐서 복합신호를 주게된다.

트랜지스터 Q₁-Q₄에 베이스는 38KHz의 스위칭신호원에 접속되어 있고, 예를들어 스위칭 신호의 정(正)의 반사이를(半 cycle)로 Q₁은 온(ON)되고, Q₂는 오프(OFF)상태로 된다. 따라서 트랜지스터 Q₅의 콜렉터(collector)전류가 트랜지스터 Q₁의 콜렉터 저항 R₃의 부하로서 좌측 출력단자 Lout로 도출된다. 그리고 저항 R₅, R₆, R₇로 분압(分壓)된 복합신호는 트랜지스터 Q₆의 콜렉터에 트랜지스터 Q₅의 콜렉터 출력과는 역상위관계로 도출되고, 누화 상쇄회로를 구성하는 스위칭 트랜지스터 Q₃, Q₄의 작용으로 누화성분은 상홰되고, 분리도가 향상된 좌측신호가 단자 Lout에 나타나게 된다. 또한 38KHz의 스위칭 신호가 부(負)의 반사이클로된 경우에는 트랜지스터 Q₂가 온(ON)되고, 이와 같은 작용으로 분리도가 향상된 우측신호가 단자 Rout에 나타나게 된다.

복합신호가 주어지는 트랜지스터 Q₅에 관해서 고찰하면, 베이스 전위가 높을수록 회로의 일그러짐이 적어진다는 것이 알려져 있다. 가령 제2도에 표시한 전압증폭회로를 예를들어 설명하면, 트랜지스터 Q의 베이스 바이어스 V_B를 가로축에, 일그러짐을 세로축에 잡은 경우, 제3도에 표시한 바와같은 특성을 얻을 수가 있다. 특 제2도에서 에미터(emitter) 저항 Re는 일정하여, 트랜지스터 Q의 베이스바이어스 V_B를 증가시키면, 베이스·에미터사이의 전달특성을 일그러짐이 보다 적은 방향으로 가져가 수가 있다. 이는 일반적으로 트랜지스터의 베이스·에미터 사이를 하나의 다이오드로 생각할 수가 있으며, 다이오드는 순(順)방향전압이0-0.6V부근까지 큰 비직선(非直線)의 일그러짐을 가지고 있고, 그 이상의 순방향전압을 가하면 그 비직선 일그러짐은 서서히 감소된다는 이론에 근거를 둔 것이다.

따라서 제3도에 표시한 바와 같이 V_B를 올린 경우 일그러짐이 감소된다는 상관적 특성을 얻을수가 있다. 그러나 베이스 바이어스 V_B를 어느정도 이상으로 올리면 이에 따라 콜렉터 전류도 상승되므로 콜렉터 저항 Rc에 의한 전압이 강하가 커진다. 그런데 직류전원전압은 일정하므로 트랜지스터 Q의 콜렉터전압은 내려가고, 따라서 입력신호에 대하여 출력신호가 클립(clip)하게 되며, 이 클립 현상으로 제3도에 표시한 바와 같이 일그러짐이 극단적으로 상승하게 된다. 그러므로 이와같은 좋지못한 현상을 피하려면 회로의 직류전원전압 Vcc를 높게하면 된다. 그리고 콜렉터 저항 Rc와 직류전원전압 Vcc를 모두 높게 함으로써 위에 말한 좋지못한 현상을 피할 수도 있다.

그러나 이들 수단을 직접회로화 하는 것을 고려에 넣을 경우 회로상 자유도(自由度)가 없어 좋은 방법이 못된다. 이상과 같은 상은 제1도에 표시한 멀티플라이어의 트랜지스터 Q₅에 관해서도 같다.

제4도는 이러한 좋지못한 현상을 해결한 본 고안의 실시예를 표시한 것이며, 도면중 제1도와 동일한 부호는 각각 동일부분을 나타내고 있고, 양자의 상이점은 트랜지스터 Q₅의 이미터에 부궤환 증폭기 A의 궤환입력단자를 저항 R₈을 경유하여 접속하고, 신호입력을 부궤환증폭기 A의 입력단자에 공급하게하고, 부궤환 증폭기 A의 출력단자를 트랜지스터 Q₅의 베이스에 공급하게한 점이다.

즉 제4도와 같이 트랜지스터 Q₅의 베이스·에미터사이(상술한 바와 같이 다이오드 특성을 가지고 있다)를 증폭기 A의 부궤환루우프내에 삽입함으로써 베이스·에미터사이에서 생기는 비직선 일그러짐은 증폭기 A의 부궤환입력단 단자에 주어지게 되며, 그 결과 부궤환 증폭기에는 부궤환루우프에 삽입된 전달 특성과는 반대 특성의 전달특성을 증폭기 A의 정(正)입력단자와 출력단(트랜지스터 Q₅의 베이스)사이에 가저오게 할 수가 있다.

따라서 트랜지스터 Q₅의 베이스·에미터사이에 비직선 일그러짐이 발생하고 있는 경우에는, 그 비직선 일그러짐과는 반대특성의 일그러짐을 입력 복합신호에 가산한 상태로 트랜지스터 Q₅의 베이스에 인가하게 되며, 결국 트랜지스터 Q₅의 베이스·에미터 사이에서 생기는 일그러짐은 부궤환 증폭기 A로 말미암아 상쇄되고, 결과적으로 트랜지스터 Q₅에 의한 일그러짐의 발생을 최소한으로 적게할 수가 있다.

본 고안은 이상과 같이 정 전류원 트랜지스터 Q₅를, 부궤환루우프내에 포함하도록 증폭기 A를 접속시킴으로써 베이스 바이어스 전위의 변화에 대한 출력에 포함되는 일그러짐의 양(量)을 넓은 범위에 걸쳐 아주 적게할 수가 있으며, 특히 직접회로등에 이용한 경우, 일그러짐이 적은 다중복조기 또는 변조기등이 될 수가 있는 것이다.

또한 제4도중 D₁으로 표시한 다이오드는 트랜지스터 Q₅의 베이스·에미터사이의 전압 V_BE에 상당하는 전압을 강하시키는 작용을 하며, 연산증폭기 A의 2개의 입력단자의 직류전위의 평형을 잡기위하여 삽입한 것이다.

Claims

차동접속된 평형된 형의 멀티플라이어에 있어서 베이스에 입력신호를 주개되는 정전류원(定電流源)트랜지스터(Q₅)를 부(負)궤환루우프내에 포함되도록 부궤환증폭기(A)에 접속시킨 것을 특징으로하는 멀티플라이어.