KR20240113653A - Carbazole derivative compounds and electroluminescent device comprising the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 하기 [화학식 Ⅰ]로 표시되는 유기 화합물로서, 정공주입 및 수송 성능이 우수하고, 삼중항 여기자를 가두는 성능이 높으며, 전자저지 성능이 우수하면서 박막 상태에서의 안정성이 우수하여, 이를 유기발광소자 내의 유기층, 바람직하게는 전자저지층 등에 채용하는 경우, 발광 효율, 양자 효율 등 발광 특성이 매우 우수한 유기발광소자의 구현이 가능하다.
[화학식 Ⅰ]
The present invention is an organic compound represented by the following [Chemical Formula I], which has excellent hole injection and transport performance, high triplet exciton confinement performance, excellent electron blocking performance, and excellent stability in a thin film state, When used in an organic layer, preferably an electron blocking layer, in an organic light emitting device, it is possible to implement an organic light emitting device with excellent light emitting properties such as luminous efficiency and quantum efficiency.
[Formula Ⅰ]

Description

카바졸 유도체 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자 {Carbazole derivative compounds and electroluminescent device comprising the same}Carbazole derivative compounds and organic light-emitting device comprising the same {Carbazole derivative compounds and electroluminescent device comprising the same}

본 발명은 카바졸 유도체 화합물에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 유기발광소자 내의 전자저지층 등의 유기층에 채용되는 카바졸 유도체 화합물 및 이를 채용하여 저전압 구동, 장수명, 발광 효율 등의 소자 특성이 현저히 향상된 유기발광소자에 관한 것이다.The present invention relates to carbazole derivative compounds, and more specifically, carbazole derivative compounds used in organic layers such as electron blocking layers in organic light-emitting devices, and device characteristics such as low-voltage operation, long life, and luminous efficiency are significantly improved by employing the same. It is about organic light emitting devices.

유기발광소자는 투명 기판 위에도 소자를 형성할 수 있을 뿐 아니라, 플라즈마 디스플레이 패널 (Plasma Display Panel)이나 무기전계발광 (EL) 디스플레이에 비해 10 V 이하의 저전압 구동이 가능하고, 전력 소모가 비교적 적으며, 색감이 뛰어나다는 장점이 있고, 녹색, 청색, 적색의 3가지 색을 나타낼 수가 있어 최근에 차세대 디스플레이 소자로 많은 관심의 대상이 되고 있다.Organic light emitting devices not only can be formed on transparent substrates, but also can be driven at low voltages of 10 V or less compared to plasma display panels or inorganic electroluminescence (EL) displays, and consume relatively little power. , It has the advantage of excellent color and can display three colors of green, blue, and red, so it has recently been the subject of much attention as a next-generation display device.

유기발광소자는 전자 주입 전극 (캐소드 전극)으로부터 주입된 전자 (electron)와 정공 주입 전극 (애노드 전극)으로부터 주입된 정공 (hole)이 발광층에서 결합하여 엑시톤 (exciton)을 형성하고 그 엑시톤이 에너지를 방출하면서 발광하는 자체 발광형 소자이며, 이와 같은 유기발광소자는 낮은 구동 전압, 높은 휘도, 넓은 시야각 및 빠른 응답속도를 가지며 풀-컬러 평판 발광 디스플레이에 적용 가능하다는 이점 때문에 차세대 광원으로서 각광을 받고 있다.In an organic light emitting device, electrons injected from an electron injection electrode (cathode electrode) and holes injected from a hole injection electrode (anode electrode) combine in the light emitting layer to form an exciton, and the exciton produces energy. It is a self-luminous device that emits light while emitting light, and such organic light-emitting devices are attracting attention as next-generation light sources due to the advantages of low driving voltage, high luminance, wide viewing angle, fast response speed, and applicability to full-color flat panel light-emitting displays. .

다만, 이러한 유기발광소자가 상기와 같은 특징을 발휘하기 위해서는 소자 내 유기층의 구조를 최적화하고, 각 유기층을 이루는 물질인 정공주입 물질, 정공수송 물질, 정공저지 물질, 발광물질, 전자수송 물질, 전자주입 물질, 전자저지 물질 등이 안정하고 효율적인 재료에 의하여 뒷받침되는 것이 선행되어야 하나, 여전히 안정하고 효율적인 유기발광소자용 유기층의 구조 및 각 재료의 개발이 계속하여 필요한 실정이다.However, in order for these organic light-emitting devices to exhibit the above characteristics, the structure of the organic layer within the device must be optimized, and the materials that make up each organic layer: hole injection material, hole transport material, hole blocking material, light-emitting material, electron transport material, and electron. Although injection materials, electron blocking materials, etc. must be supported by stable and efficient materials, there is still a need for the development of stable and efficient organic layer structures and materials for organic light-emitting devices.

특히, 보다 높은 발광효율을 구현하기 위하여 정공 이동도도 증가하여 정공주입층 또는 정공수송층에도 이용될 뿐만 아니라, 전자저지층으로 보다 적합하게 활용할 수 있는 재료에 대한 개발이 요구되고 있다.In particular, in order to achieve higher luminous efficiency, hole mobility is also increased, so there is a need for the development of materials that can be used not only as a hole injection layer or hole transport layer, but also as an electron blocking layer.

따라서, 본 발명은 유기발광소자 내의 전자저지층 등의 유기층 재료로 채용되어 저전압 구동 특성과, 장수명, 발광 효율 등의 소자 특성을 현저히 향상시킬 수 있는 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자를 제공하고자 한다.Therefore, the present invention aims to provide an organic compound that can be used as an organic layer material such as an electron blocking layer in an organic light-emitting device to significantly improve device characteristics such as low-voltage driving characteristics, long life, and luminous efficiency, and an organic light-emitting device containing the same. do.

본 발명은 상기 과제를 해결하기 위하여, 하기 [화학식 Ⅰ]로 표시되는 카바졸 유도체 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기발광소자를 제공한다.In order to solve the above problems, the present invention provides a carbazole derivative organic compound represented by the following [Chemical Formula I] and an organic light-emitting device containing the same.

[화학식 Ⅰ][Formula Ⅰ]

상기 [화학식 Ⅰ]의 구체적인 구조와 이에 의하여 구현되는 구체적인 화합물, 그리고 X, R1 내지 R11, p, q 및 r의 정의에 대해서는 후술한다.The specific structure of [Chemical Formula I], the specific compounds implemented thereby, and the definitions of X, R 1 to R 11 , p, q, and r will be described later.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 본 발명에 따른 상기 [화학식 Ⅰ]의 화합물은 부분적으로 중수소 (D)로 치환된 화합물로서 하기 [화학식 Ⅱ]로 표시될 수 있다.Additionally, according to one embodiment of the present invention, the compound of [Formula I] according to the present invention is a compound partially substituted with deuterium (D) and may be represented by [Formula II] below.

[화학식 Ⅱ][Formula Ⅱ]

상기 [화학식 Ⅱ]의 구체적인 구조와 이에 의하여 구현되는 구체적인 화합물, 그리고 X, R1 내지 R11, p, q 및 r의 정의에 대해서는 후술한다.The specific structure of [Chemical Formula II], the specific compounds implemented thereby, and the definitions of X, R 1 to R 11 , p, q, and r will be described later.

D는 중수소이고, n은 상기 [화학식 Ⅱ] 내의 수소가 중수소(D)로 대체된 개수를 의미하고, n은 0 내지 60의 정수이다.D is deuterium, n means the number of hydrogens in [Formula II] replaced with deuterium (D), and n is an integer from 0 to 60.

본 발명에 따른 유기 화합물은 정공주입 및 수송 성능이 우수하고, 삼중항 여기자를 가두는 성능이 높으며, 전자저지 성능이 우수하면서 박막 상태에서의 안정성이 우수하여, 이를 전자저지층 등의 유기층에 채용한 유기발광소자는 종래 소자에 비하여 저전압 구동, 장수명 특성, 발광 효율 등의 소자 특성이 현저히 우수하여 다양한 조명 소자 및 디스플레이 소자 등에 유용하게 사용될 수 있다.The organic compound according to the present invention has excellent hole injection and transport performance, high triplet exciton confinement performance, excellent electron blocking performance, and excellent stability in a thin film state, and is employed in organic layers such as electron blocking layers. An organic light-emitting device has significantly superior device characteristics such as low-voltage operation, long lifespan, and luminous efficiency compared to conventional devices, and can be usefully used in various lighting devices and display devices.

이하, 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

본 발명은 유기발광소자 내의 다양한 유기층에, 바람직하게는 전자저지층 등에 채용하는 경우에 저전압 구동, 장수명, 발광 효율 등의 소자 특성이 현저히 향상된 유기발광소자의 구현이 가능한 신규의 유기 화합물에 관한 것으로서, 하기 [화학식 Ⅰ]로 표시되는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a novel organic compound capable of realizing an organic light-emitting device with significantly improved device characteristics such as low-voltage operation, long life, and luminous efficiency when applied to various organic layers in an organic light-emitting device, preferably an electron blocking layer. , It is characterized by being represented by the following [Chemical Formula I].

본 발명에 따른 [화학식 Ⅰ]의 화합물은 정공주입 및 수송 성능이 우수하고, 삼중항 여기자를 가두는 성능이 높으며, 전자저지 성능이 우수하면서 박막 상태에서의 안정성이 우수하여 이를 전자저지층에 채용하여 발광효율이 높은 유기발광소자의 구현을 가능케 하며, 또한 본 발명에 따른 화합물은 청색은 물론 녹색 발광의 인발광 재료와 조합되어서도 최적화된 발광효율을 갖는 유기발광소자를 구현할 수 있다.The compound of [Formula I] according to the present invention has excellent hole injection and transport performance, high triplet exciton confinement performance, excellent electron blocking performance, and excellent stability in a thin film state, so it is adopted as an electron blocking layer. This makes it possible to implement an organic light-emitting device with high luminous efficiency, and in addition, the compound according to the present invention can implement an organic light-emitting device with optimized luminous efficiency even when combined with a phosphorescent material that emits blue as well as green light.

본 발명에 따른 하기 [화학식 Ⅰ]로 표시되는 화합물은 구조적으로 카바졸 N-단에 연결된 (i) 페닐을 연결기로 하여 카바졸과 디벤조퓨란 또는 디벤조티오펜이 연결된 구조인 것을 특징으로 하고, (ii) 카바졸에 아릴(헤테로)아민기가 도입된 구조인 것을 특징으로 한다.The compound represented by the following [Chemical Formula I] according to the present invention is structurally characterized in that (i) phenyl connected to the N-terminal of carbazole is connected to carbazole and dibenzofuran or dibenzothiophene as a linking group, , (ii) It is characterized by a structure in which an aryl (hetero)amine group is introduced into carbazole.

[화학식 Ⅰ][Formula Ⅰ]

상기 [화학식 Ⅰ]에서,In the above [Chemical Formula I],

X는 O 또는 S이다.X is O or S.

R1 내지 R3은 각각 독립적으로 수소 또는 중수소이고, p 및 q는 0 내지 4의 정수이고, r은 0 내지 3의 정수이고, 상기 p, q 및 r이 2 이상인 경우 복수 개의 R1 내지 R3은 각각 서로 동일하거나 상이하다.R 1 to R 3 are each independently hydrogen or deuterium, p and q are integers from 0 to 4, r is an integer from 0 to 3, and when p, q and r are 2 or more, a plurality of R 1 to R 3 are the same or different from each other.

이때, 상기 복수 개의 R2 및 R3 중 각각의 어느 하나는 상기 '*'에 연결되는 부위이다.At this time, each one of the plurality of R 2 and R 3 is connected to the '*'.

R4 내지 R11은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 50의 지방족 방향족 혼합 고리기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 저마늄기, 시아노기 및 할로겐기 중에서 선택된다.R 4 to R 11 are the same or different from each other, and each independently represents hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted alkyl group with 1 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkoxy group with 1 to 30 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted carbon number. 3 to 20 cycloalkyl group, substituted or unsubstituted heterocycloalkyl group with 3 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted aryl group with 6 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted heteroaryl group with 2 to 50 carbon atoms, substituted or It is selected from unsubstituted aliphatic aromatic mixed ring groups having 3 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted silyl groups, substituted or unsubstituted germanium groups, cyano groups, and halogen groups.

단, 상기 R4 내지 R11 중 적어도 하나 이상은 하기 [구조식 1]로 표시되는 것을 특징으로 하는 것으로서, 카바졸에 하기 [구조식 1]의 아민기가 도입된 것을 특징으로 한다.However, at least one of R 4 to R 11 is represented by the following [Structural Formula 1], and is characterized in that an amine group of the following [Structural Formula 1] is introduced into carbazole.

[구조식 1][Structural Formula 1]

상기 [구조식 1]에서,In [Structural Formula 1] above,

Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 방향족 탄화수소 고리 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 방향족 헤테로 고리 중에서 선택된다.Ar 1 and Ar 2 are the same or different from each other, are each independently the same as or different from each other, and are each independently a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring having 6 to 50 carbon atoms and a substituted or unsubstituted aromatic hetero ring having 2 to 50 carbon atoms selected from among the rings.

이때, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 R4, R6 및 R7 중에서 선택된 어느 하나; 및 상기 R8, R10 및 R11 중에서 선택된 어느 하나;가 각각 상기 [구조식 1]인 것을 특징으로 한다. 즉, 카바졸의 2번 위치 (상기 R5 또는 R9)에 아민기가 결합되는 구조는 제외한다.At this time, according to an embodiment of the present invention, any one selected from R 4 , R 6 and R 7 ; and any one selected from R 8 , R 10 , and R 11 ; are each of the [Structural Formula 1]. That is, structures in which an amine group is bonded to the 2nd position of carbazole (R 5 or R 9 ) are excluded.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 R4, R6 및 R7 중에서 선택된 어느 하나가 상기 [구조식 1]인 것을 특징으로 한다.According to one embodiment of the present invention, one selected from R 4 , R 6 and R 7 is characterized in that [Structural Formula 1].

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 페닐렌에 디벤조퓨란 또는 디벤조티오펜이 연결될 때, 디벤조퓨란(티오펜)의 1번 또는 3번 위치에서 결합하는 것을 특징으로 하며, 이에 따라 상기 [화학식 Ⅰ]은 하기 [화학식 Ⅰ-1] 또는 [화학식 Ⅰ-2]로 표시되는 것을 특징으로 한다.In addition, according to one embodiment of the present invention, when dibenzofuran or dibenzothiophene is connected to phenylene, it is characterized in that it binds at the 1 or 3 position of dibenzofuran (thiophene), and thus The [Chemical Formula I] is characterized by being represented by the following [Chemical Formula I-1] or [Chemical Formula I-2].

[화학식 Ⅰ-1] [화학식 Ⅰ-2][Formula Ⅰ-1] [Formula Ⅰ-2]

상기 [화학식 Ⅰ-1]과 [화학식 Ⅰ-2]에서, X, R1 내지 R11, p, q 및 r의 정의는 상기 제1항 [화학식 Ⅰ]에서의 정의와 동일하고, 상기 복수 개의 R3 중 어느 하나는 상기 '*'에 연결되는 부위이다.In the [Formula Ⅰ- 1 ] and [Formula -2], the definitions of Any one of R 3 is a region connected to the '*'.

이와 같이 본 발명에 따른 [화학식 Ⅰ]로 표시되는 화합물은, (i) 페닐렌을 연결기로 하여 카바졸 구조체와 디벤조퓨란(티오펜) 구조체가 각각 페닐렌에 오쏘 (ortho), 메타(meta), 파라 (para)로 각각 연결될 수 있고, (ii) 카바졸에 결합되는 아민기 위치를 특징적으로 조합하면서, (iii) 디벤조퓨란(티오펜)에 결합되는 위치를 한정한 것을 구조적 특징으로 하며, 그 결과 정공주입 및 수송 성능이 우수하고, 삼중항 여기자를 가두는 성능이 높으며, 전자저지 성능이 우수하면서 박막 상태에서의 안정성이 우수한 구조의 화합물을 구현할 수 있다.As such, the compound represented by [Chemical Formula I] according to the present invention is (i) a carbazole structure and a dibenzofuran (thiophene) structure using phenylene as a linking group, respectively ortho and meta to phenylene. ), para (para), respectively, and (ii) a characteristic combination of amine group positions bonded to carbazole, and (iii) limiting the position bonded to dibenzofuran (thiophene) as a structural feature. As a result, it is possible to implement a compound with a structure that has excellent hole injection and transport performance, high triplet exciton confinement performance, excellent electron blocking performance, and excellent stability in a thin film state.

또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 본 발명에 따른 상기 [화학식 Ⅰ]의 화합물은 상기 R1 내지 R11에서 정의된 치환기 내에 존재하는 수소가 부분적으로 중수소 (D)로 더 치환된 것을 특징으로 하는 하는 화합물로서, 하기 [화학식 Ⅱ]로 표시될 수 있고, 이에 따라 더욱 발광 효율이 우수하고 수명 특성이 현저하게 개선된 유기발광소자를 구현할 수 있다.In addition, according to one embodiment of the present invention, the compound of [Formula I] according to the present invention is characterized in that the hydrogen present in the substituents defined in R 1 to R 11 is partially further substituted with deuterium (D) As a compound, it can be represented by the following [Chemical Formula II], and accordingly, an organic light-emitting device with superior luminous efficiency and significantly improved lifespan characteristics can be implemented.

[화학식 Ⅱ][Formula Ⅱ]

상기 [화학식 Ⅱ]에서,In the above [Chemical Formula II],

X, R1 내지 R11, p, q 및 r은 [화학식 Ⅰ]에서의 정의와 동일하고, D는 중수소이고, n은 상기 [화학식 Ⅱ] 내의 수소가 중수소(D)로 대체된 개수를 의미하고, n은 0 내지 60의 정수이다. Where And n is an integer from 0 to 60.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 중수소 (D) 치환율이 10 ~ 90%일 수 있고, 바람직한 실시예에 의하면 중수소 (D) 치환율이 20 ~ 80%, 더욱 바람직한 일 실시예에 의하면, 중수소 (D) 치환율이 30 ~ 70%일 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the deuterium (D) substitution rate may be 10 to 90%, according to a preferred embodiment, the deuterium (D) substitution rate may be 20 to 80%, and according to a more preferred embodiment, the deuterium (D) substitution rate may be 10 to 90%. D) The substitution rate may be 30 to 70%.

한편, 상기 [화학식 Ⅰ], [화학식 Ⅱ]에서의 R1 내지 R11, Ar1 및 Ar2의 정의에서 '치환 또는 비치환된'이란 상기 R1 내지 R11, Ar1 및 Ar2가 각각 중수소, 시아노기, 할로겐기, 히드록시기, 니트로기, 알킬기, 할로겐화된 알킬기, 알콕시기, 할로겐화된 알콕시기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기, 지방족 방향족 혼합고리기, 아민기, 실릴기 및 저마늄기 중에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되거나, 상기 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미하고, 상기 치환기 내 수소는 하나 이상의 중수소로 치환 가능하며, 2개 이상의 인접한 치환기는 서로 연결되어 지환족 또는 방향족의 단일환 또는 다환의 고리를 추가 형성할 수 있다.Meanwhile, in the definitions of R 1 to R 11 , Ar 1 and Ar 2 in [Formula I] and [Formula II], ‘substituted or unsubstituted’ means that R 1 to R 11 , Ar 1 and Ar 2 are each Deuterium, cyano group, halogen group, hydroxy group, nitro group, alkyl group, halogenated alkyl group, alkoxy group, halogenated alkoxy group, cycloalkyl group, heterocycloalkyl group, aryl group, heteroaryl group, aliphatic aromatic mixed ring group, amine group, It means that it is substituted with one or two or more substituents selected from a silyl group and a germanium group, or is substituted with a substituent in which two or more of the substituents are connected, or does not have any substituent, and the hydrogen in the substituent can be replaced with one or more deuterium. In addition, two or more adjacent substituents may be connected to each other to form an additional alicyclic or aromatic monocyclic or polycyclic ring.

구체적인 예를 들면, 치환된 아릴기라 함은, 페닐기, 비페닐기, 나프탈렌기, 플루오레닐기, 파이레닐기, 페난트레닐기, 페릴렌기, 테트라세닐기, 안트라센닐기 등이 중수소 등의 다른 치환기로 치환된 것을 의미하고, 치환된 헤테로아릴기라 함은, 피리딜기, 티오페닐기, 트리아진기, 퀴놀린기, 페난트롤린기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 카바졸기 및 이들의 축합헤테로고리기, 예컨대 벤즈퀴놀린기, 벤즈이미다졸기, 벤즈옥사졸기, 벤즈티아졸기, 벤즈카바졸기, 디벤조티오페닐기, 디벤조퓨란기 등이 역시 중수소 등의 다른 치환기로 치환된 것을 의미한다.For specific examples, a substituted aryl group refers to a phenyl group, biphenyl group, naphthalene group, fluorenyl group, pyrenyl group, phenanthrenyl group, perylene group, tetracenyl group, anthracenyl group, etc. substituted with another substituent such as deuterium. means, and substituted heteroaryl group refers to pyridyl group, thiophenyl group, triazine group, quinoline group, phenanthroline group, imidazole group, thiazole group, oxazole group, carbazole group and condensed heterocyclic groups thereof, such as This means that benzquinoline group, benzimidazole group, benzoxazole group, benzthiazole group, benzcarbazole group, dibenzothiophenyl group, dibenzofuran group, etc. are also substituted with other substituents such as deuterium.

또한, 본 발명에 있어서 서로 또는 인접하는 기와 연결되어 고리를 추가 형성한다는 의미는 각각의 명시된 치환기 중 인접한 치환기끼리 결합하거나 또는 명시된 치환기와 다른 인접한 기가 서로 결합하여 치환 또는 비치환된 지환족, 방향족 고리를 형성할 수 있는 것을 의미하며, '인접하는 기'는 해당 치환기가 치환된 원자와 직접 연결된 원자에 치환된 치환기, 해당 치환기와 입체 구조적으로 가장 가깝게 위치한 치환기, 또는 해당 치환기가 치환된 원자에 치환된 다른 치환기를 의미할 수 있다. 예컨대, 벤젠고리에서 오쏘 (ortho)위치로 치환된 2개의 치환기 및 지방족 고리에서 동일 탄소에 치환된 2개의 치환기는 서로 '인접한 기'로 해석될 수 있다.In addition, in the present invention, additionally forming a ring by linking with each other or adjacent groups means that adjacent substituents among the specified substituents are bonded to each other, or adjacent groups other than the specified substituents are bonded to each other to form a substituted or unsubstituted alicyclic or aromatic ring. means that it can form, and 'adjacent group' refers to a substituent substituted on an atom directly connected to the atom on which the substituent is substituted, a substituent group located sterically closest to the substituent, or a substituent substituted on the atom on which the substituent is substituted. may refer to other substituents. For example, two substituents substituted at the ortho position in a benzene ring and two substituents substituted at the same carbon in an aliphatic ring can be interpreted as 'adjacent groups'.

본 발명에 있어서, 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 구체적인 예로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-프로필기, 이소프로필기, 부틸기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, sec-부틸기, 1-메틸-부틸기, 1-에틸-부틸기, 펜틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, tert-펜틸기, 헥실기, n-헥실기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 4-메틸-2-펜틸기, 3,3-디메틸부틸기, 2-에틸부틸기, 헵틸기, n-헵틸기, 1-메틸헥실기, 시클로펜틸메틸기, 시클로헥틸메틸기, 옥틸기, n-옥틸기, tert-옥틸기, 1-메틸헵틸기, 2-에틸헥실기, 2-프로필펜틸기, n-노닐기, 2,2-디메틸헵틸기, 1-에틸-프로필기, 1,1-디메틸-프로필기, 이소헥실기, 2-메틸펜틸기, 4-메틸헥실기, 5-메틸헥실기 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.In the present invention, the alkyl group may be straight chain or branched, and specific examples include methyl group, ethyl group, propyl group, n-propyl group, isopropyl group, butyl group, n-butyl group, isobutyl group, tert-butyl group, sec-butyl group, 1-methyl-butyl group, 1-ethyl-butyl group, pentyl group, n-pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, tert-pentyl group, hexyl group, n-hexyl group, 1- Methylpentyl group, 2-methylpentyl group, 4-methyl-2-pentyl group, 3,3-dimethylbutyl group, 2-ethylbutyl group, heptyl group, n-heptyl group, 1-methylhexyl group, cyclopentylmethyl group , cyclohexylmethyl group, octyl group, n-octyl group, tert-octyl group, 1-methylheptyl group, 2-ethylhexyl group, 2-propylpentyl group, n-nonyl group, 2,2-dimethylheptyl group, 1 -ethyl-propyl group, 1,1-dimethyl-propyl group, isohexyl group, 2-methylpentyl group, 4-methylhexyl group, 5-methylhexyl group, etc., but is not limited to these.

본 발명에 있어서, 알콕시기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있다. 알콕시기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 입체적 방해를 주지 않는 범위인 1 내지 20개인 것이 바람직하다. 구체적으로, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, 이소프로폭시기, i-프로필옥시기, n-부톡시기, 이소부톡시기, tert-부톡시기, sec-부톡시기, n-펜틸옥시기, 네오펜틸옥시기, 이소펜틸옥시기, n-헥실옥시기, 3,3-디메틸부틸옥시기, 2-에틸부틸옥시기, n-옥틸옥시기, n-노닐옥시기, n-데실옥시기, 벤질옥시기, p-메틸벤질옥시기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the alkoxy group may be straight chain or branched chain. The number of carbon atoms in the alkoxy group is not particularly limited, but is preferably 1 to 20, which is within a range that does not cause steric hindrance. Specifically, methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, isopropoxy group, i-propyloxy group, n-butoxy group, isobutoxy group, tert-butoxy group, sec-butoxy group, n-pentyloxy group. , neopentyloxy group, isopentyloxy group, n-hexyloxy group, 3,3-dimethylbutyloxy group, 2-ethylbutyloxy group, n-octyloxy group, n-nonyloxy group, n-decyloxy group , benzyloxy group, p-methylbenzyloxy group, etc., but is not limited thereto.

본 발명에 있어서, 알킬기 및 알콕시기는 각각 중수소화된 알킬기 또는 알콕시기, 할로겐화된 알킬기 또는 알콕시기일 수 있으며, 상기 알킬기 또는 알콕시기가 중수소 또는 할로겐기로 치환된 알킬기 또는 알콕시기를 의미한다.In the present invention, the alkyl group and the alkoxy group may be a deuterated alkyl group or alkoxy group, a halogenated alkyl group, or an alkoxy group, respectively, and the alkyl group or alkoxy group refers to an alkyl group or alkoxy group substituted with a deuterium or halogen group.

본 발명에 있어서, 방향족 탄화수소 고리 또는 아릴기는 단환식 또는 다환식일 수 있고, 다환이란 다른 고리기와 직접 연결되거나 축합된 기를 의미하는 것으로서, 다른 고리기란 방향족 탄화수소 고리일 수도 있으나, 다른 종류의 고리기, 예컨대 지방족 헤테로고리, 지방족 탄화수소고리, 방향족 헤테로고리 등일 수도 있다. 단환식 아릴기의 예로는 페닐기, 비페닐기, 터페닐기 등이 있고, 다환식 아릴기의 예로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 테트라세닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기, 아세나프타센닐기, 트리페닐렌기, 플루오란텐기 등이 있으나, 본 발명의 범위가 이들 예로만 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the aromatic hydrocarbon ring or aryl group may be monocyclic or polycyclic, and polycyclic refers to a group directly connected or condensed with another ring group. The other ring group may be an aromatic hydrocarbon ring, but may be a different type of ring. It may be a group, such as an aliphatic heterocycle, an aliphatic hydrocarbon ring, an aromatic heterocycle, etc. Examples of monocyclic aryl groups include phenyl group, biphenyl group, and terphenyl group, and examples of polycyclic aryl groups include naphthyl group, anthracenyl group, phenanthrenyl group, pyrenyl group, perylenyl group, tetracenyl group, and chrysenyl group. group, fluorenyl group, acenaphthacenyl group, triphenylene group, fluoranthene group, etc., but the scope of the present invention is not limited to these examples.

본 발명에 있어서, 플루오레닐기는 2개의 고리 유기화합물이 1개의 원자를 통하여 연결된 구조로서, 예로는 , , 등이 있다.In the present invention, the fluorenyl group is a structure in which two ring organic compounds are connected through one atom, for example , , etc.

본 발명에 있어서, 플루오레닐기는 열린 플루오레닐기의 구조를 포함하며, 여기서 열린 플루오레닐기는 2개의 고리 유기화합물이 1개의 원자를 통하여 연결된 구조에서 한쪽 고리 화합물의 연결이 끊어진 상태의 구조로서, 예로는 , 등이 있다.In the present invention, the fluorenyl group includes the structure of an open fluorenyl group, where the open fluorenyl group is a structure in which one ring compound is disconnected in a structure where two ring organic compounds are connected through one atom. , for example , etc.

또한, 상기 고리의 탄소원자는 N, S 및 O 중에서 선택되는 어느 하나 이상의 헤테로원자로 치환될 수 있으며, 예로는 , , , 등이 있다.Additionally, the carbon atom of the ring may be substituted with one or more heteroatoms selected from N, S, and O, for example , , , etc.

또한, 본 발명에 있어서, 플루오레닐기는 상기 연결된 구조, 열린구조에 단환 또는 다환의 방향족 고리와 단환 또는 다환의 지환족 고리 등이 더 축합된 구조일 수 있다.Additionally, in the present invention, the fluorenyl group may have a structure in which a monocyclic or polycyclic aromatic ring and a monocyclic or polycyclic alicyclic ring, etc. are further condensed to the above connected structure or open structure.

본 발명에 있어서, 방향족 헤테로고리 또는 헤테로아릴기는 헤테로원자 중 1개 이상을 포함하는 방향족 고리로서, 그 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딜기, 비피리딜기, 피리미딜기, 트리아진기, 트리아졸기, 아크리딜기, 피리다진기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸린기, 퀴녹살리닐기, 프탈라지닐기, 피리도 피리미디닐기, 피리도 피라지닐기, 피라지노 피라지닐기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, 인돌로카바졸기, 벤조옥사졸기, 벤조이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 디벤조퓨라닐기, 페난트롤린기, 티아졸릴기, 이소옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 티아디아졸릴기, 벤조티아졸릴기, 페노티아지닐기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the aromatic heterocycle or heteroaryl group is an aromatic ring containing one or more heteroatoms, examples of which include thiophene group, furan group, pyrrole group, imidazole group, thiazole group, oxazole group, and oxadia. Sol group, triazole group, pyridyl group, bipyridyl group, pyrimidyl group, triazine group, triazole group, acridyl group, pyridazine group, pyrazinyl group, quinolinyl group, quinazoline group, quinoxalinyl group, phthalazinyl group , pyrido pyrimidinyl group, pyrido pyrazinyl group, pyrazino pyrazinyl group, isoquinoline group, indole group, carbazole group, indolocarbazole group, benzooxazole group, benzoimidazole group, benzothiazole group, benzocarbazole group. , benzothiophene group, dibenzothiophene group, benzofuranyl group, dibenzofuranyl group, phenanthroline group, thiazolyl group, isoxazolyl group, oxadiazolyl group, thiadiazolyl group, benzothiazolyl group, pheno Thiazinyl group, etc., but is not limited to these.

본 발명에 있어서, 지방족 탄화수소 고리 또는 시클로알킬기는 방향족이 아닌 고리로서 탄소와 수소 원자로만 이루어진 고리를 의미하고, 그 예로서 단환 또는 다환을 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있고, 다환이란 다른 고리기와 직접 연결되거나 축합된 기를 의미하는 것으로서, 다른 고리기란 지방족 탄화수소 고리일 수도 있으나, 다른 종류의 고리기, 예컨대 지방족 헤테로고리, 방향족 탄화수소 고리, 방향족 헤테로고리 등일 수도 있다. 구체적으로, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 아다만틸기, 3-메틸시클로펜틸기, 2,3-디메틸시클로펜틸기, 시클로헥실기, 3-메틸시클로헥실기, 4-메틸시클로헥실기, 2,3-디메틸시클로헥실기, 3,4,5-트리메틸시클로헥실기, 4-tert-부틸시클로헥실기, 시클로헵틸기, 시클로옥틸기 등의 시클로알킬, 그리고 시클로헥세인, 시클로펜테인 등의 시클로알케인, 그리고 시클로헥센, 시클로뷰텐 등의 시클로시클로알켄을 포함하며, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, an aliphatic hydrocarbon ring or cycloalkyl group refers to a non-aromatic ring consisting only of carbon and hydrogen atoms, examples of which include monocyclic or polycyclic, and may be further substituted by other substituents. A ring refers to a group directly connected to or condensed with another ring group. The other ring group may be an aliphatic hydrocarbon ring, but may also be another type of ring group, such as an aliphatic heterocycle, an aromatic hydrocarbon ring, or an aromatic heterocycle. Specifically, cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, adamantyl group, 3-methylcyclopentyl group, 2,3-dimethylcyclopentyl group, cyclohexyl group, 3-methylcyclohexyl group, 4-methylcyclo Cycloalkyl groups such as hexyl group, 2,3-dimethylcyclohexyl group, 3,4,5-trimethylcyclohexyl group, 4-tert-butylcyclohexyl group, cycloheptyl group, and cyclooctyl group, and cyclohexane and cyclo It includes, but is not limited to, cycloalkanes such as pentane, and cyclocycloalkenes such as cyclohexene and cyclobutene.

본 발명에 있어서, 지방족 헤테로고리 또는 헤테로시클로알킬기는 헤테로원자 중 1개 이상을 포함하는 지방족고리를 의미하고, O, S, Se, N 또는 Si 등의 이종원자를 포함하는 것으로서, 역시 단환 또는 다환을 포함하며, 다른 치환기에 의하여 추가로 치환될 수 있고, 다환이란 헤테로시클로알킬, 헤테로시클알케인 등이 다른 고리기와 직접 연결되거나 축합된 기를 의미하는 것으로서, 다른 고리기란 지방족 헤테로고리일 수도 있으나, 다른 종류의 고리기, 예컨대 지방족 탄화수소 고리, 방향족 탄화수소 고리, 방향족 헤테로고리 등일 수도 있다.In the present invention, an aliphatic heterocycle or heterocycloalkyl group refers to an aliphatic ring containing one or more heteroatoms, and includes heteroatoms such as O, S, Se, N or Si, and is also monocyclic or polycyclic. It may be further substituted by other substituents, and polycyclic refers to a group in which heterocycloalkyl, heterocycloalkane, etc. are directly connected or condensed with another ring group. The other ring group may be an aliphatic heterocycle. It may be other types of ring groups, such as aliphatic hydrocarbon rings, aromatic hydrocarbon rings, aromatic heterocycles, etc.

본 발명에 있어서 지방족 방향족 혼합고리(기)는 2 이상의 고리가 서로 연결, 축합되어 있고, 지방족 고리 및 방향족 고리가 축합되어 전체적으로 비방향족성 (non-aromaticity)를 갖는 고리를 의미하며, 보다 구체적으로는 지방족 탄화수소고리 축합된 방향족 탄화수소고리기, 지방족 헤테로고리 축합된 방향족 탄화수소고리기, 지방족 탄화수소고리 축합된 방향족 헤테로고리기, 지방족 헤테로고리 축합된 방향족 헤테로고리기, 방향족 탄화수소고리 축합된 지방족 탄화수소고리기, 방향족 헤테로고리 축합된 지방족 탄화수소고리기, 방향족 탄화수소고리 축합된 지방족 헤테로고리기, 방향족 헤테로고리 축합된 지방족 헤테로고리기 등일 수 있다. 또한, 다환의 지방족 방향족 혼합고리에서 탄소 이외에 N, O, S, Si, Ge, P 등의 헤테로 원자를 포함할 수 있다.In the present invention, an aliphatic aromatic mixed ring (group) refers to a ring in which two or more rings are connected and condensed, and the aliphatic ring and the aromatic ring are condensed to have overall non-aromaticity. More specifically, is an aromatic hydrocarbon ring condensed with an aliphatic hydrocarbon ring, an aromatic hydrocarbon ring condensed with an aliphatic heterocycle, an aromatic heterocyclic ring condensed with an aliphatic hydrocarbon ring, an aromatic heterocycle condensed with an aliphatic heterocycle, an aliphatic hydrocarbon ring condensed with an aromatic hydrocarbon ring. , an aliphatic hydrocarbon ring group condensed with an aromatic hetero ring, an aliphatic hetero ring group condensed with an aromatic hydrocarbon ring, an aliphatic hetero ring group condensed with an aromatic hetero ring, etc. In addition, the polycyclic aliphatic aromatic mixed ring may contain heteroatoms such as N, O, S, Si, Ge, and P in addition to carbon.

본 발명에 있어서, 실릴기는 비치환된 실릴기 또는 알킬기, 아릴기 등으로 치환된 실릴기로서, 이러한 실릴기의 구체적인 예로는 트리메틸실릴, 트리에틸실릴, 트리페닐실릴, 트리메톡시실릴, 디메톡시페닐실릴, 디페닐메틸실릴, 디페닐비닐실릴, 메틸사이클로뷰틸실릴, 디메틸퓨릴실릴 등을 들 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.In the present invention, the silyl group is an unsubstituted silyl group or a silyl group substituted with an alkyl group, an aryl group, etc., and specific examples of such silyl groups include trimethylsilyl, triethylsilyl, triphenylsilyl, trimethoxysilyl, and dimethoxysilyl. Examples include phenylsilyl, diphenylmethylsilyl, diphenylvinylsilyl, methylcyclobutylsilyl, dimethylfurylsilyl, etc., but are not limited thereto.

본 발명에 있어서, 저마늄기(또는 저메인기)는 -GeH3, 알킬저마늄기, 아릴저마늄기, 헤테로아릴저마늄기, 알킬아릴저마늄기, 알킬헤테로아릴저마늄기, 아릴헤테로아릴저마늄기 등을 포함할 수 있고, 이들의 정의는 상기 실릴기에서 설명한 바에 따르되, 상기 실릴기내의 실리콘 원자(Si) 대신에 게르마늄 원자(Ge)가 치환됨으로써 얻어지는 치환기로서 각각의 치환기들에 적용될 수 있다.In the present invention, the germanium group (or germanium group) may include -GeH 3 , an alkyl germanium group, an aryl germanium group, a heteroaryl germanium group, an alkylaryl germanium group, an alkylheteroaryl germanium group, an arylheteroaryl germanium group, etc. These definitions follow those described for the silyl group, but can be applied to each substituent as a substituent obtained by substituting a germanium atom (Ge) in place of a silicon atom (Si) in the silyl group.

또한 상기 저마늄기의 구체적인 예로는 트리메틸저메인, 트리에틸저메인, 트리페닐저메인, 트리메톡시저메인, 디메톡시페닐저메인, 디페닐메틸저메인, 디페닐비닐저메인, 메틸사이클로뷰틸저메인, 디메틸퓨릴저메인 등을 들 수 있으며, 상기 저마늄기 중 하나 이상의 수소 원자는 상기 아릴기의 경우와 마찬가지의 치환기로 치환가능 하다.In addition, specific examples of the germanium group include trimethylgermain, triethylgermain, triphenylgermain, trimethoxygermain, dimethoxyphenylgermain, diphenylmethylgermain, diphenylvinylgermain, methylcyclobutylgermain, dimethylfurylgermain, etc. One or more hydrogen atoms of the germanium group can be replaced with the same substituent as that of the aryl group.

본 발명에 있어서, 아민기는 -NH2, 알킬아민기, 아릴아민기, 아릴헤테로아릴아민기 등일 수 있고, 아릴아민기는 아릴로 치환된 아민을 의미하고, 알킬아민기는 알킬로 치환된 아민을 의미하는 것이며, 아릴헤테로아릴아민기는 아릴 및 헤테로아릴기로 치환된 아민을 의미하는 것으로서, 아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노아릴아민기, 치환 또는 비치환된 디아릴아민기, 또는 치환 또는 비치환된 트리아릴아민기가 있고, 상기 아릴아민기 및 아릴헤테로아릴아민기 중의 아릴기 및 헤테로아릴기는 단환식 아릴기, 단환식 헤테로아릴기일 수 있고, 다환식 아릴기, 다환식 헤테로아릴기일 수 있으며, 상기 아릴기, 헤테로아릴기를 2 이상을 포함하는 아릴아민기, 아릴헤테로아릴아민기는 단환식 아릴기(헤테로아릴기), 다환식 아릴기(헤테로아릴기), 또는 단환식 아릴기(헤테로아릴기)와 다환식 아릴기(헤테로아릴기)를 동시에 포함할 수 있다. 또한, 상기 아릴아민기 및 아릴헤테로아릴아민기 중의 아릴기, 헤테로아릴기는 전술한 아릴기, 헤테로아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다.In the present invention, the amine group may be -NH 2 , an alkylamine group, an arylamine group, an arylheteroarylamine group, etc., an arylamine group refers to an amine substituted with aryl, and an alkylamine group refers to an amine substituted with alkyl. The arylheteroarylamine group refers to an amine substituted with aryl and heteroaryl groups. Examples of the arylamine group include a substituted or unsubstituted monoarylamine group, a substituted or unsubstituted diarylamine group, or a substituted or There is an unsubstituted triarylamine group, and the aryl group and heteroaryl group in the arylamine group and arylheteroarylamine group may be a monocyclic aryl group, a monocyclic heteroaryl group, or a polycyclic aryl group or a polycyclic heteroaryl group. and the aryl group, the arylamine group containing two or more heteroaryl groups, and the arylheteroarylamine group include a monocyclic aryl group (heteroaryl group), a polycyclic aryl group (heteroaryl group), or a monocyclic aryl group (heteroaryl group). It may contain both an aryl group) and a polycyclic aryl group (heteroaryl group). In addition, the aryl group and heteroaryl group of the arylamine group and arylheteroarylamine group may be selected from examples of the above-mentioned aryl group and heteroaryl group.

본 발명에서 사용되는 할로겐기의 구체적인 예로는 플루오르(F), 클로린(Cl), 브롬(Br) 등을 들 수 있다.Specific examples of the halogen group used in the present invention include fluorine (F), chlorine (Cl), and bromine (Br).

또한, 본 발명에 따른 치환기의 다양한 구체적인 예는 하기 기재된 구체적인 화합물에서 명확하게 확인할 수 있다.Additionally, various specific examples of substituents according to the present invention can be clearly identified in the specific compounds described below.

상기 [화학식 Ⅰ]로 표시되는 본 발명에 따른 유기 화합물은 상술한 바와 같이 그 구조적 특이성으로 인하여 유기발광소자의 유기층으로 사용될 수 있고, 보다 구체적으로는 도입되는 다양한 치환기의 특성에 따라 유기층의 전자저지층 등의 재료로 사용될 수 있다.As described above, the organic compound according to the present invention represented by [Chemical Formula I] can be used as an organic layer of an organic light-emitting device due to its structural specificity, and more specifically, electron blocking of the organic layer depending on the characteristics of various substituents introduced. It can be used as a material for layers, etc.

본 발명에 따른 [화학식 Ⅰ]로 표시되는 화합물의 바람직한 구체예로는 하기 화합물들이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.Preferred specific examples of the compound represented by [Chemical Formula I] according to the present invention include the following compounds, but are not limited to these.

상기와 같은 특징적 골격 구조 및 치환기를 통하여 골격 구조 및 치환기의 고유 특성을 갖는 유기 화합물을 합성할 수 있으며, 예컨대, 유기발광소자의 제조시 각각의 유기층에서 요구하는 조건들을 충족시키는 유기 화합물 물질을 제조할 수 있으며, 특히, 본 발명에 따른 [화학식 Ⅰ]의 화합물을 전자저지층 등에 채용한 경우 소자의 발광 효율 등의 소자 특성을 더욱 향상시킬 수 있다.Through the above-mentioned characteristic skeletal structure and substituents, organic compounds with unique characteristics of the skeletal structure and substituents can be synthesized. For example, when manufacturing an organic light-emitting device, an organic compound material that satisfies the conditions required for each organic layer can be manufactured. In particular, when the compound of [Chemical Formula I] according to the present invention is used in the electron blocking layer, etc., device characteristics such as luminous efficiency of the device can be further improved.

본 발명에 따른 유기 화합물을 이용하여 통상의 제조방법에 따라 유기발광소자에 적용할 수 있다.The organic compound according to the present invention can be applied to an organic light-emitting device according to a conventional manufacturing method.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광소자는 제1 전극과 제2 전극 및 이 사이에 배치된 유기층을 포함하는 구조로 이루어질 수 있으며, 본 발명에 따른 유기 화합물을 소자의 유기층에 사용한다는 것을 제외하고는 통상의 소자의 제조 방법 및 재료를 사용하여 제조될 수 있다.The organic light emitting device according to an embodiment of the present invention may have a structure including a first electrode, a second electrode, and an organic layer disposed between them, except that the organic compound according to the present invention is used in the organic layer of the device. It can be manufactured using conventional device manufacturing methods and materials.

본 발명에 따른 유기발광소자의 유기층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층, 전자저지층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고 더 적은 수 또는 더 많은 수의 유기층을 포함할 수도 있다.The organic layer of the organic light emitting device according to the present invention may have a single-layer structure, or may have a multi-layer structure in which two or more organic layers are stacked. For example, it may have a structure including a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, an electron blocking layer, etc. However, it is not limited to this and may include fewer or more organic layers.

이와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광소자는 양극 상에 형성된 정공주입층, 정공수송층, 발광층 등을 포함할 수 있으며, 또한 정공저지층, 전자주입층, 전자수송층, 전자저지층, 발광보조층 등을 포함할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.As such, the organic light emitting device according to an embodiment of the present invention may include a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, etc. formed on an anode, and may also include a hole blocking layer, an electron injection layer, an electron transport layer, an electron blocking layer, It may include a light emitting auxiliary layer, etc., but is not limited thereto.

따라서, 본 발명에 따른 유기발광소자에서, 상기 유기층은 전자저지층 등을 포함할 수 있고, 상기 층들 중 1층 이상이 상기 [화학식 Ⅰ]로 표시되는 유기 화합물을 포함할 수 있다.Therefore, in the organic light emitting device according to the present invention, the organic layer may include an electron blocking layer, etc., and one or more of the layers may include the organic compound represented by [Chemical Formula I].

또한, 본 발명에 따른 유기발광소자는 스퍼터링 (sputtering)이나 전자빔 증발 (e-beam evaporation)과 같은 PVD (physical vapor deposition) 방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공주입층, 정공수송층, 정공저지층, 발광층, 전자저지층, 전자수송층, 전자저지층 등을 포함하는 유기층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다.In addition, the organic light emitting device according to the present invention deposits a metal, a conductive metal oxide, or an alloy thereof on a substrate using a PVD (physical vapor deposition) method such as sputtering or e-beam evaporation. is deposited to form an anode, and an organic layer including a hole injection layer, a hole transport layer, a hole blocking layer, a light-emitting layer, an electron blocking layer, an electron transport layer, an electron blocking layer, etc. is formed thereon, and then an organic layer that can be used as a cathode is formed thereon. It can be manufactured by depositing the material.

이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기발광소자를 만들 수도 있다. 상기 유기층은 정공주입층, 정공수송층, 정공저지층, 발광층, 전자저지층, 전자수송층, 전자저지층 등을 포함하는 다층 구조일 수도 있으나, 이에 한정되지 않고 단층 구조일 수 있다. 또한, 상기 유기층은 다양한 고분자 소재를 사용하여 증착법이 아닌 솔벤트 프로세스(solvent process), 예컨대 스핀 코팅, 딥 코팅, 닥터 블레이딩, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다.In addition to this method, an organic light-emitting device can also be made by sequentially depositing a cathode material, an organic layer, and an anode material on a substrate. The organic layer may have a multilayer structure including a hole injection layer, a hole transport layer, a hole blocking layer, a light emitting layer, an electron blocking layer, an electron transport layer, an electron blocking layer, etc., but is not limited to this and may have a single layer structure. In addition, the organic layer uses a variety of polymer materials to form a smaller number of layers by a solvent process, such as spin coating, dip coating, doctor blading, screen printing, inkjet printing, or thermal transfer, rather than deposition. It can be manufactured in layers.

양극은 통상 유기층으로 정공주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 본 발명에서 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금, 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물, ZnO:Al 또는 SnO2:Sb와 같은 금속과 산화물의 조합, 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The anode is usually preferably a material with a large work function to ensure smooth hole injection into the organic layer. Specific examples of anode materials that can be used in the present invention include metals such as vanadium, chromium, copper, zinc, and gold, or alloys thereof, zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO). Metal oxides, combinations of metals and oxides such as ZnO:Al or SnO 2 :Sb, poly(3-methylthiophene), poly[3,4-(ethylene-1,2-dioxy)thiophene] (PEDT) , conductive polymers such as polypyrrole and polyaniline, but are not limited to these.

음극은 통상 유기층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금, LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The cathode is generally preferably made of a material with a low work function to facilitate electron injection into the organic layer. Specific examples of cathode materials include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin and lead, or alloys thereof, multilayers such as LiF/Al or LiO 2 /Al. Structural materials, etc., but are not limited to these.

정공주입층은 낮은 전압에서 양극으로부터 정공을 잘 주입받을 수 있는 물질로서, 정공주입 물질의 HOMO (highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린 (porphyrine), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌, 퀴나크리돈 (quinacridone) 계열의 유기물, 페릴렌 (perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The hole injection layer is a material that can easily inject holes from the anode at a low voltage. It is preferable that the HOMO (highest occupied molecular orbital) of the hole injection material is between the work function of the anode material and the HOMO of the surrounding organic layer. Specific examples of hole injection materials include metal porphyrine, oligothiophene, arylamine-based organic substances, hexanitrile hexaazatriphenylene, quinacridone-based organic substances, perylene-based organic substances, Examples include anthraquinone, polyaniline, and polythiophene-based conductive polymers, but are not limited to these.

정공수송층은 양극이나 정공주입층으로부터 정공을 수송 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The hole transport layer is a material that can transport holes from the anode or hole injection layer and transfer them to the light emitting layer, and a material with high mobility for holes is suitable. Specific examples include arylamine-based organic materials, conductive polymers, and block copolymers with both conjugated and non-conjugated portions, but are not limited to these.

전자저지층은 전자의 이동을 저지하는 층으로, 정공수송층 위에 형성될 수 있으며, 전자저지층으로는 정공의 수송에는 영향을 미치지 않으면서 전자의 이동을 저지시킬 수 있는 것을 사용할 수 있다. 또한, 상기 전자저지층 상에는 발광층이 형성될 수 있고, 정공저지층, 전자수송층 및 전자주입층이 형성될 수 있다.The electron blocking layer is a layer that blocks the movement of electrons and can be formed on the hole transport layer. An electron blocking layer that can block the movement of electrons without affecting the transport of holes can be used. Additionally, a light-emitting layer may be formed on the electron blocking layer, and a hole blocking layer, an electron transport layer, and an electron injection layer may be formed.

정공저지층은 전자의 수송에는 영향을 미치지 않으면서 정공의 이동을 저지시킬 수 있는 것을 사용할 수 있으며, 이러한 정공저지층의 예로는 TPBi (1,3,5-tri(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)phenyl), BCP (2,9-dimethyl4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), CBP (4,4-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl), PBD (2-(4-biphenyl)-5-(4-t-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), PTCBI (bisbenzimidazo[2,1-a:1',2-b']anthra[2,1,9-def:6,5,10-d'e'f']diisoguinoline-10,21-dione) 또는 BPhen (4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 등이 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.The hole blocking layer can be used to prevent the movement of holes without affecting the transport of electrons. An example of such a hole blocking layer is TPBi (1,3,5-tri(1-phenyl-1H-benzo). [d]imidazol-2-yl)phenyl), BCP (2,9-dimethyl4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), CBP (4,4-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl ), PBD (2-(4-biphenyl)-5-(4-t-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), PTCBI (bisbenzimidazo[2,1-a:1',2-b']anthra [2,1,9-def:6,5,10-d'e'f']diisoguinoline-10,21-dione) or BPhen (4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline), etc. It is not limited.

발광층은 정공수송층과 전자수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물 (Alq3), 카르바졸 계열 화합물, 이량체화 스티릴 (dimerized styryl) 화합물, BAlq, 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물, 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물, 폴리(p-페닐렌비닐렌) (PPV) 계열의 고분자, 스피로 (spiro) 화합물, 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The light-emitting layer is a material that can emit light in the visible light range by transporting holes and electrons from the hole transport layer and the electron transport layer, respectively, and combining them, and a material with good quantum efficiency for fluorescence or phosphorescence is preferable. Specific examples include 8-hydroxy-quinoline aluminum complex (Alq 3 ), carbazole-based compounds, dimerized styryl compounds, BAlq, 10-hydroxybenzoquinoline-metal compounds, benzoxazole, benzthiazole, and Examples include benzimidazole-based compounds, poly(p-phenylenevinylene) (PPV)-based polymers, spiro compounds, polyfluorene, and rubrene, but are not limited to these.

전자주입층은 음극으로부터 전달된 전자의 주입 효율이 높은 것을 사용할 수 있다. 이러한 전자 주입층의 예로는 리튬 퀴놀레이트(Liq) 등이 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.The electron injection layer can be one that has high injection efficiency of electrons transferred from the cathode. Examples of such electron injection layers include, but are not limited to, lithium quinolate (Liq).

전자수송층은 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al 착물, Alq3를 포함한 착물, 유기 라디칼 화합물, 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.The electron transport layer is a material that can easily receive electrons from the cathode and transfer them to the light emitting layer, and a material with high electron mobility is suitable. Specific examples include, but are not limited to, an Al complex of 8-hydroxyquinoline, a complex containing Alq 3 , an organic radical compound, and a hydroxyflavone-metal complex.

본 발명에 따른 유기발광소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic light emitting device according to the present invention may be a front emitting type, a back emitting type, or a double-sided emitting type depending on the material used.

또한, 본 발명에 따른 유기 화합물은 유기 태양 전지, 유기 감광체, 유기 트랜지스터 등을 비롯한 유기전자소자에서도 유기발광소자에 적용되는 것과 유사한 원리로 작용할 수 있다.In addition, the organic compound according to the present invention can function in organic electronic devices, including organic solar cells, organic photoreceptors, organic transistors, etc., on a principle similar to that applied to organic light-emitting devices.

이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 화합물의 합성예 및 소자 실시예를 제시한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이며, 이에 의하여 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, synthesis examples of preferred compounds and device examples are presented to aid understanding of the present invention. However, the following examples are for illustrating the present invention and are not intended to limit the scope of the present invention.

합성예Synthesis example 1 : 화합물 2의 합성 1: Synthesis of Compound 2

(1) (One) 제조예Manufacturing example 1 : 중간체 2-1의 합성 1: Synthesis of intermediate 2-1

1-Bromodibenzo[b,d]furan (10.0 g, 0.041 mol), 2-Fluorophenylboronic acid (6.8 g, 0.049 mol), K2CO3 (16.8 g, 0.121 mol), Pd(PPh3)4 (0.9 g, 0.8 mmol)에 toluene 200 mL, ethanol 50 mL, H2O 50 mL를 넣고 6시간 동안 80 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 추출하여 농축한 후 컬럼하여 <중간체 2-1>을 6.1 g (수율 58.4%) 수득하였다.1-Bromodibenzo[b,d]furan (10.0 g, 0.041 mol), 2-Fluorophenylboronic acid (6.8 g, 0.049 mol), K 2 CO 3 (16.8 g, 0.121 mol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.9 g , 0.8 mmol), 200 mL of toluene, 50 mL of ethanol, and 50 mL of H 2 O were added and stirred at 80°C for 6 hours to react. After completion of the reaction, the extract was extracted, concentrated, and columnarized to obtain 6.1 g (yield 58.4%) of <Intermediate 2-1>.

(2) (2) 제조예Manufacturing example 2 : 중간체 2-2의 합성 2: Synthesis of intermediate 2-2

중간체 2-1 (10.0 g, 0.038 mol), 1-Bromo-9H-carbazole (11.3 g, 0.046 mol), Cs2CO3 (7.9 g, 0.057 mol)에 DMF 500 mL을 넣고 150 ℃에서 12시간 동안 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 추출하여 농축한 후 컬럼하여 <중간체 2-2>를 11.4 g (수율 61.2 %) 수득하였다.Add 500 mL of DMF to Intermediate 2-1 (10.0 g, 0.038 mol), 1-Bromo-9H-carbazole (11.3 g, 0.046 mol), and Cs 2 CO 3 (7.9 g, 0.057 mol) and stir at 150°C for 12 hours. The reaction was stirred under reflux. After completion of the reaction, the extract was extracted, concentrated, and columnarized to obtain 11.4 g (yield 61.2%) of <Intermediate 2-2>.

(3) (3) 제조예Manufacturing example 3 : 중간체 2-3의 합성 3: Synthesis of intermediate 2-3

[1,1':2',1"-terphenyl]-4'-amine (10.0 g, 0.041 mol), 4-Bromobiphenyl (14.3 g, 0.061 mol), NaOtBu (11.8 g, 0.122 mol), Pd(dba)2 (0.9 g, 1.6 mmol), t-Bu3P (0.7 g, 3.3 mmol)에 Xylene 150 mL를 넣고 4시간 동안 70 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <중간체 2-3>을 10.5 g (수율 64.8%) 수득하였다.[1,1':2',1"-terphenyl]-4'-amine (10.0 g, 0.041 mol), 4-Bromobiphenyl (14.3 g, 0.061 mol), NaOtBu (11.8 g, 0.122 mol), Pd(dba ) 2 (0.9 g, 1.6 mmol) and t-Bu 3 P (0.7 g, 3.3 mmol) were mixed with 150 mL of By recrystallization, 10.5 g (yield 64.8%) of <Intermediate 2-3> was obtained.

(4) (4) 제조예Manufacturing example 4 : 화합물 2의 합성 4: Synthesis of Compound 2

중간체 2-2 (10.0 g, 0.021 mol), 중간체 2-3 (12.2 g, 0.031 mol), NaOtBu (5.9 g, 0.061 mol), Pd(dba)2 (0.4 g, 0.8 mmol), t-Bu3P (0.3 g, 1.5 mmol)에 Xylene 150 mL를 넣고 4시간 동안 70 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <화합물 2>를 11.4 g (수율 69.2%) 수득하였다.Intermediate 2-2 (10.0 g, 0.021 mol), Intermediate 2-3 (12.2 g, 0.031 mol), NaOtBu (5.9 g, 0.061 mol), Pd(dba) 2 (0.4 g, 0.8 mmol), t-Bu 3 150 mL of Xylene was added to P (0.3 g, 1.5 mmol) and stirred at 70°C for 4 hours to react. After completion of the reaction, the extract was extracted, concentrated, and then recrystallized with a column to obtain 11.4 g of <Compound 2> (yield 69.2%).

LC/MS: m/z=804[(M)+]LC/MS: m/z=804[(M) + ]

합성예Synthesis example 2 : 화합물 17의 합성 2: Synthesis of Compound 17

(1) (One) 제조예Manufacturing example 1 : 중간체 17-1의 합성 1: Synthesis of intermediate 17-1

3-Bromodibenzo[b,d]furan (10.0 g, 0.041 mol), 4-Fluorophenylboronic acid (6.8 g, 0.049 mol), K2CO3 (16.8 g, 0.121 mol), Pd(PPh3)4 (0.9 g, 0.8 mmol)에 toluene 200 mL, ethanol 50 mL, H2O 50 mL를 넣고 6시간 동안 80 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 추출하여 농축한 후 컬럼하여 <중간체 17-1>을 6.7 g (수율 63.1%) 수득하였다.3-Bromodibenzo[b,d]furan (10.0 g, 0.041 mol), 4-Fluorophenylboronic acid (6.8 g, 0.049 mol), K 2 CO 3 (16.8 g, 0.121 mol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.9 g , 0.8 mmol), 200 mL of toluene, 50 mL of ethanol, and 50 mL of H 2 O were added and stirred at 80°C for 6 hours to react. After completion of the reaction, the extract was extracted, concentrated, and columnarized to obtain 6.7 g (yield 63.1%) of <Intermediate 17-1>.

(2) (2) 제조예Manufacturing example 2 : 중간체 17-2의 합성 2: Synthesis of intermediate 17-2

중간체 17-1 (10.0 g, 0.038 mol), 1-Bromo-9H-carbazole (11.3 g, 0.046 mol), Cs2CO3 (7.9 g, 0.057 mol)에 DMF 500 mL을 넣고 150 ℃에서 12시간 동안 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <중간체 17-2>를 12.2 g (수율 65.5%) 수득하였다.Add 500 mL of DMF to Intermediate 17-1 (10.0 g, 0.038 mol), 1-Bromo-9H-carbazole (11.3 g, 0.046 mol), and Cs 2 CO 3 (7.9 g, 0.057 mol) and stir at 150°C for 12 hours. The reaction was stirred under reflux. After completion of the reaction, the extract was extracted, concentrated, and then recrystallized with a column to obtain 12.2 g of <Intermediate 17-2> (yield 65.5%).

(3) (3) 제조예Manufacturing example 3 : 화합물 17의 합성 3: Synthesis of Compound 17

중간체 17-2 (10.0 g, 0.021 mol), N-(biphenyl-4-yl)-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-amine (11.1 g, 0.031 mol), NaOtBu (5.9 g, 0.061 mol), Pd(dba)2 (0.5 g, 0.8 mmol), t-Bu3P (0.3 g, 1.6 mmol)에 Xylene 150 mL를 넣고 4시간 동안 70 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <화합물 17>을 11.1 g (수율 70.5%) 수득하였다.Intermediate 17-2 (10.0 g, 0.021 mol), N-(biphenyl-4-yl)-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-amine (11.1 g, 0.031 mol), NaOtBu (5.9 g, 0.061 mol) ), Pd(dba) 2 (0.5 g, 0.8 mmol), and t-Bu 3 P (0.3 g, 1.6 mmol) were added to 150 mL of Xylene and stirred at 70°C for 4 hours to react. After completion of the reaction, the extract was extracted, concentrated, and then recrystallized with a column to obtain 11.1 g of <Compound 17> (yield 70.5%).

LC/MS: m/z=768[(M)+]LC/MS: m/z=768[(M) + ]

합성예Synthesis example 3 : 화합물 37의 합성 3: Synthesis of Compound 37

(1) (One) 제조예Manufacturing example 1 : 중간체 37-1의 합성 1: Synthesis of intermediate 37-1

중간체 2-1 (10.0 g, 0.038 mol), 3-Bromo-9H-carbazole (11.3 g, 0.046 mol), Cs2CO3 (7.9 g, 0.057 mol)에 DMF 500 mL을 넣고 150 ℃에서 12시간 동안 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <중간체 37-1>을 12.4 g (수율 64.5%) 수득하였다.Add 500 mL of DMF to Intermediate 2-1 (10.0 g, 0.038 mol), 3-Bromo-9H-carbazole (11.3 g, 0.046 mol), and Cs 2 CO 3 (7.9 g, 0.057 mol) and stir at 150°C for 12 hours. The reaction was stirred under reflux. After completion of the reaction, the extract was extracted, concentrated, and recrystallized using a column to obtain 12.4 g of <Intermediate 37-1> (yield 64.5%).

(2) (2) 제조예Manufacturing example 2 : 화합물 37의 합성 2: Synthesis of Compound 37

중간체 37-1 (10.0 g, 0.021 mol), N-([1,1'-biphenyl]-4-yl)dibenzo[b,d]furan-3-amine (10.3 g, 0.031 mol), NaOtBu (5.9 g, 0.061 mol), Pd(dba)2 (0.5 g, 0.8 mmol), t-Bu3P (0.3 g, 1.6 mmol)에 Xylene 150 mL를 넣고 4 시간 동안 70 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <화합물 37>을 11.4 g (수율 75.0%) 수득하였다.Intermediate 37-1 (10.0 g, 0.021 mol), N-([1,1'-biphenyl]-4-yl)dibenzo[b,d]furan-3-amine (10.3 g, 0.031 mol), NaOtBu (5.9 g, 0.061 mol), Pd(dba) 2 (0.5 g, 0.8 mmol), and t-Bu 3 P (0.3 g, 1.6 mmol) were mixed with 150 mL of xylene and stirred at 70°C for 4 hours to react. After completion of the reaction, the extract was extracted, concentrated, and then recrystallized with a column to obtain 11.4 g of <Compound 37> (yield 75.0%).

LC/MS: m/z=742[(M)+]LC/MS: m/z=742[(M) + ]

합성예Synthesis example 4 : 화합물 57의 합성 4: Synthesis of Compound 57

(1) (One) 제조예Manufacturing example 1 : 중간체 57-1의 합성 1: Synthesis of intermediate 57-1

3-Bromodibenzo[b,d]furan (10.0 g, 0.041 mol), 2-Fluorophenylboronic acid (6.8 g, 0.049 mol), K2CO3 (16.8 g, 0.121 mol), Pd(PPh3)4 (0.9 g, 0.8 mmol)에 toluene 200 mL, ethanol 50 mL, H2O 50 mL를 넣고 6시간 동안 80 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 추출하여 농축한 후 컬럼하여 <중간체 57-1>을 6.5 g (수율 61.2%) 수득하였다.3-Bromodibenzo[b,d]furan (10.0 g, 0.041 mol), 2-Fluorophenylboronic acid (6.8 g, 0.049 mol), K 2 CO 3 (16.8 g, 0.121 mol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.9 g , 0.8 mmol), 200 mL of toluene, 50 mL of ethanol, and 50 mL of H 2 O were added and stirred at 80°C for 6 hours to react. After completion of the reaction, the extract was extracted, concentrated, and columnarized to obtain 6.5 g of <Intermediate 57-1> (yield 61.2%).

(2) (2) 제조예Manufacturing example 2 : 중간체 57-2의 합성 2: Synthesis of intermediate 57-2

중간체 57-1 (10.0 g, 0.038 mol), 3-Bromo-9H-carbazole (11.3 g, 0.046 mol), Cs2CO3 (7.9 g, 0.057 mol)에 DMF 500 mL을 넣고 150 ℃에서 12시간 동안 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 추출하여 농축한 후 컬럼하여 <중간체 57-2>를 10.9 g (수율 58.5 %) 수득하였다.Add 500 mL of DMF to Intermediate 57-1 (10.0 g, 0.038 mol), 3-Bromo-9H-carbazole (11.3 g, 0.046 mol), and Cs 2 CO 3 (7.9 g, 0.057 mol) and stir at 150°C for 12 hours. The reaction was carried out by refluxing and stirring. After completion of the reaction, the extract was extracted, concentrated, and columnarized to obtain 10.9 g (yield 58.5%) of <Intermediate 57-2>.

(3) (3) 제조예Manufacturing example 3 : 중간체 57-3의 합성 3: Synthesis of intermediate 57-3

9,9'-Spirobi[fluoren]-4-amine (10.0 g, 0.030 mol), 2-Bromobiphenyl (10.6 g, 0.045 mol), NaOtBu (8.7 g, 0.091 mol), Pd(dba)2 (0.7 g, 1.2 mmol), t-Bu3P (0.5 g, 2.4 mmol)에 Xylene 150 mL를 넣고 4시간 동안 70 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <중간체 57-3>을 9.2 g (수율 63.1%) 수득하였다.9,9'-Spirobi[fluoren]-4-amine (10.0 g, 0.030 mol), 2-Bromobiphenyl (10.6 g, 0.045 mol), NaOtBu (8.7 g, 0.091 mol), Pd(dba) 2 (0.7 g, 1.2 mmol), 150 mL of xylene was added to t-Bu 3 P (0.5 g, 2.4 mmol) and stirred at 70°C for 4 hours to react. After completion of the reaction, the extract was extracted, concentrated, and recrystallized using a column to obtain 9.2 g of <Intermediate 57-3> (yield 63.1%).

(4) (4) 제조예Manufacturing example 4 : 화합물 57의 합성 4: Synthesis of Compound 57

중간체 57-2 (10.0 g, 0.021 mol), 중간체 57-3 (14.9 g, 0.031 mol), NaOtBu (5.9 g, 0.061 mol), Pd(dba)2 (0.5 g, 0.8 mmol), t-Bu3P (0.3 g, 1.6 mmol)에 Xylene 150 mL를 넣고 4시간 동안 70 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <화합물 57>을 11.9 g (수율 65.2%) 수득하였다.Intermediate 57-2 (10.0 g, 0.021 mol), Intermediate 57-3 (14.9 g, 0.031 mol), NaOtBu (5.9 g, 0.061 mol), Pd(dba) 2 (0.5 g, 0.8 mmol), t-Bu 3 150 mL of Xylene was added to P (0.3 g, 1.6 mmol) and stirred at 70°C for 4 hours to react. After completion of the reaction, the extract was extracted, concentrated, and then recrystallized with a column to obtain 11.9 g of <Compound 57> (yield 65.2%).

LC/MS: m/z=890[(M)+]LC/MS: m/z=890[(M) + ]

합성예Synthesis example 5 : 화합물 80의 합성 5: Synthesis of Compound 80

(1) (One) 제조예Manufacturing example 1 : 중간체 80-1의 합성 1: Synthesis of intermediate 80-1

3-Bromodibenzo[b,d]furan (10.0 g, 0.041 mol), 3-Fluorophenylboronic acid (6.8 g, 0.048 mol), K2CO3 (16.8 g, 0.121 mol), Pd(PPh3)4 (0.9 g, 0.8 mmol)에 toluene 200 mL, ethanol 50 mL, H2O 50 mL를 넣고 6시간 동안 80 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 추출하여 농축한 후 컬럼하여 <중간체 80-1>을 6.3 g (수율 59.4%) 수득하였다.3-Bromodibenzo[b,d]furan (10.0 g, 0.041 mol), 3-Fluorophenylboronic acid (6.8 g, 0.048 mol), K 2 CO 3 (16.8 g, 0.121 mol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.9 g , 0.8 mmol), 200 mL of toluene, 50 mL of ethanol, and 50 mL of H 2 O were added and stirred at 80°C for 6 hours to react. After completion of the reaction, the extract was extracted, concentrated, and columnarized to obtain 6.3 g of <Intermediate 80-1> (yield 59.4%).

(2) (2) 제조예Manufacturing example 2 : 중간체 80-2의 합성 2: Synthesis of intermediate 80-2

중간체 80-1 (10.0 g, 0.038 mol), 3-Bromo-9H-carbazole (11.3 g, 0.046 mol), Cs2CO3 (7.9 g, 0.057 mol)에 DMF 500 mL을 넣고 150 ℃에서 12시간 동안 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <중간체 80-2>를 11.1 g (수율 59.6 %) 수득하였다.Add 500 mL of DMF to Intermediate 80-1 (10.0 g, 0.038 mol), 3-Bromo-9H-carbazole (11.3 g, 0.046 mol), and Cs 2 CO 3 (7.9 g, 0.057 mol) and stir at 150°C for 12 hours. The reaction was stirred under reflux. After completion of the reaction, the extract was extracted, concentrated, and then recrystallized with a column to obtain 11.1 g of <Intermediate 80-2> (yield 59.6%).

(3) (3) 제조예Manufacturing example 3 : 화합물 80의 합성 3: Synthesis of Compound 80

중간체 80-2 (10.0 g, 0.021 mol), N-[1,1'-biphenyl]-2-yl-[1,1'-biphenyl]-2-amine (9.9 g, 0.031 mol), NaOtBu (5.9 g, 0.061 mol), Pd(dba)2 (0.5 g, 0.8 mmol), t-Bu3P (0.3 g, 1.6 mmol)에 Xylene 150 mL를 넣고 4시간 동안 70 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <화합물 80>을 10.4 g (수율 69.7%) 수득하였다.Intermediate 80-2 (10.0 g, 0.021 mol), N-[1,1'-biphenyl]-2-yl-[1,1'-biphenyl]-2-amine (9.9 g, 0.031 mol), NaOtBu (5.9 g, 0.061 mol), Pd(dba) 2 (0.5 g, 0.8 mmol), and t-Bu 3 P (0.3 g, 1.6 mmol) were mixed with 150 mL of xylene and stirred at 70°C for 4 hours to react. After completion of the reaction, the extract was extracted, concentrated, and recrystallized with a column to obtain 10.4 g of <Compound 80> (yield 69.7%).

LC/MS: m/z=728[(M)+]LC/MS: m/z=728[(M) + ]

합성예Synthesis example 6 : 화합물 114의 합성 6: Synthesis of compound 114

(1) (One) 제조예Manufacturing example 1 : 중간체 114-1의 합성 1: Synthesis of intermediate 114-1

1-Bromodibenzo[b,d]furan (10.0 g, 0.041 mol), 4-Fluorophenylboronic acid (6.8 g, 0.049 mol), K2CO3 (16.8 g, 0.121 mol), Pd(PPh3)4 (0.9 g, 0.8 mmol)에 toluene 200 mL, ethanol 50 mL, H2O 50 mL를 넣고 6시간 동안 80 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 추출하여 농축한 후 컬럼하여 <중간체 114-1>을 6.8 g (수율 64.1%) 수득하였다.1-Bromodibenzo[b,d]furan (10.0 g, 0.041 mol), 4-Fluorophenylboronic acid (6.8 g, 0.049 mol), K 2 CO 3 (16.8 g, 0.121 mol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.9 g , 0.8 mmol), 200 mL of toluene, 50 mL of ethanol, and 50 mL of H 2 O were added and stirred at 80°C for 6 hours to react. After completion of the reaction, the extract was extracted, concentrated, and then columnarized to obtain 6.8 g (yield 64.1%) of <Intermediate 114-1>.

(2) (2) 제조예Manufacturing example 2 : 중간체 114-2의 합성 2: Synthesis of intermediate 114-2

중간체 114-1 (10.0 g, 0.038 mol), 3-Bromo-9H-carbazole (11.3 g, 0.046 mol), Cs2CO3 (7.9 g, 0.057 mol)에 DMF 500 mL을 넣고 150 ℃에서 12시간 동안 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <중간체 114-2>를 11.8 g (수율 63.4 %) 수득하였다.Add 500 mL of DMF to Intermediate 114-1 (10.0 g, 0.038 mol), 3-Bromo-9H-carbazole (11.3 g, 0.046 mol), and Cs 2 CO 3 (7.9 g, 0.057 mol) and stir at 150°C for 12 hours. The reaction was stirred under reflux. After completion of the reaction, the extract was extracted, concentrated, and then recrystallized with a column to obtain 11.8 g of <Intermediate 114-2> (yield 63.4%).

(3) (3) 제조예Manufacturing example 3 : 화합물 114의 합성 3: Synthesis of Compound 114

중간체 114-2 (10.0 g, 0.021 mol), N-[1,1'-biphenyl]-4yl-dibenzothiophene-3-amine (10.8 g, 0.031 mol), NaOtBu (5.9 g, 0.061 mol), Pd(dba)2 (0.5 g, 0.8 mmol), t-Bu3P (0.3 g, 1.6 mmol)에 Xylene 150 mL를 넣고 4시간 동안 70 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <화합물 114>를 11.0 g (수율 70.8%) 수득하였다.Intermediate 114-2 (10.0 g, 0.021 mol), N-[1,1'-biphenyl]-4yl-dibenzothiophene-3-amine (10.8 g, 0.031 mol), NaOtBu (5.9 g, 0.061 mol), Pd(dba ) 2 (0.5 g, 0.8 mmol) and t-Bu 3 P (0.3 g, 1.6 mmol) were mixed with 150 mL of Xylene and stirred at 70°C for 4 hours to react. After completion of the reaction, the extract was extracted, concentrated, and then recrystallized with a column to obtain 11.0 g of <Compound 114> (yield 70.8%).

LC/MS: m/z=758[(M)+]LC/MS: m/z=758[(M) + ]

합성예Synthesis example 7 : 화합물 126의 합성 7: Synthesis of Compound 126

(1) (One) 제조예Manufacturing example 1 : 중간체 126-1의 합성 1: Synthesis of intermediate 126-1

중간체 2-1 (10.0 g, 0.038 mol), 4-Bromo-9H-carbazole (11.3 g, 0.046 mol), Cs2CO3 (7.9 g, 0.057 mol)에 DMF 500 mL을 넣고 150 ℃에서 12시간 동안 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <중간체 126-1>을 11.4 g (수율 61.2 %) 수득하였다.Add 500 mL of DMF to Intermediate 2-1 (10.0 g, 0.038 mol), 4-Bromo-9H-carbazole (11.3 g, 0.046 mol), and Cs 2 CO 3 (7.9 g, 0.057 mol) and stir at 150°C for 12 hours. The reaction was carried out by refluxing and stirring. After completion of the reaction, the extract was extracted, concentrated, and then recrystallized with a column to obtain 11.4 g of <Intermediate 126-1> (yield 61.2%).

(2) (2) 제조예Manufacturing example 2 : 화합물 126의 합성 2: Synthesis of Compound 126

중간체 126-1 (10.0 g, 0.021 mol), Bis(4-biphenylyl)amine (9.9 g, 0.031 mol), NaOtBu (5.9 g, 0.061 mol), Pd(dba)2 (0.5 g, 0.8 mmol), t-Bu3P (0.3 g, 1.6 mmol)에 Xylene 150 mL를 넣고 4 시간 동안 70 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <화합물 126>을 11.1 g (수율 74.4%) 수득하였다.Intermediate 126-1 (10.0 g, 0.021 mol), Bis(4-biphenylyl)amine (9.9 g, 0.031 mol), NaOtBu (5.9 g, 0.061 mol), Pd(dba) 2 (0.5 g, 0.8 mmol), t 150 mL of Xylene was added to -Bu 3 P (0.3 g, 1.6 mmol) and stirred at 70°C for 4 hours to react. After completion of the reaction, the extract was extracted, concentrated, and then recrystallized with a column to obtain 11.1 g of <Compound 126> (yield 74.4%).

LC/MS: m/z=728[(M)+]LC/MS: m/z=728[(M) + ]

합성예Synthesis example 8 : 화합물 144의 합성 8: Synthesis of Compound 144

(1) (One) 제조예Manufacturing example 1 : 중간체 144-1의 합성 1: Synthesis of intermediate 144-1

3-Dibenzofuranamine (10.0 g, 0.055 mol), 2-Bromo-9,9'-dimethylfluorene (22.4 g, 0.082 mol), NaOtBu (15.7 g, 0.164 mol), Pd(dba)2 (1.3 g, 2.2 mmol), t-Bu3P (0.9 g, 4.4 mmol)에 Xylene 150 mL를 넣고 4시간 동안 70 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <중간체 144-1>을 12.8 g (수율 62.5%) 수득하였다.3-Dibenzofuranamine (10.0 g, 0.055 mol), 2-Bromo-9,9'-dimethylfluorene (22.4 g, 0.082 mol), NaOtBu (15.7 g, 0.164 mol), Pd(dba) 2 (1.3 g, 2.2 mmol) , 150 mL of Xylene was added to t-Bu 3 P (0.9 g, 4.4 mmol) and stirred at 70°C for 4 hours to react. After completion of the reaction, the extract was extracted, concentrated, and recrystallized using a column to obtain 12.8 g of <Intermediate 144-1> (yield 62.5%).

(2) (2) 제조예Manufacturing example 2 : 화합물 144의 합성 2: Synthesis of Compound 144

중간체 126-1 (10.0 g, 0.021 mol), 중간체 144-1 (11.5 g, 0.031 mol), NaOtBu (5.9 g, 0.061 mol), Pd(dba)2 (0.5 g, 0.8 mmol), t-Bu3P (0.3 g, 1.6 mmol)에 Xylene 150 mL를 넣고 4시간 동안 70 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <화합물 144>를 10.9 g (수율 68.0%) 수득하였다.Intermediate 126-1 (10.0 g, 0.021 mol), Intermediate 144-1 (11.5 g, 0.031 mol), NaOtBu (5.9 g, 0.061 mol), Pd(dba) 2 (0.5 g, 0.8 mmol), t-Bu 3 150 mL of Xylene was added to P (0.3 g, 1.6 mmol) and stirred at 70°C for 4 hours to react. After completion of the reaction, the extract was extracted, concentrated, and then recrystallized with a column to obtain 10.9 g of <Compound 144> (yield 68.0%).

LC/MS: m/z=782[(M)+]LC/MS: m/z=782[(M) + ]

합성예Synthesis example 9 : 화합물 155의 합성 9: Synthesis of Compound 155

(1) (One) 제조예Manufacturing example 1 : 화합물 155의 합성 1: Synthesis of Compound 155

중간체 126-1 (10.0 g, 0.021 mol), N-Phenyl-9,9'-spirobi[9H-fluoren]-4-amine (12.5 g, 0.031 mol), NaOtBu (5.9 g, 0.061 mol), Pd(dba)2 (0.5 g, 0.8 mmol), t-Bu3P (0.3 g, 1.6 mmol)에 Xylene 150 mL를 넣고 4시간 동안 70 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <화합물 155>를 11.6 g (수율 69.5%) 수득하였다.Intermediate 126-1 (10.0 g, 0.021 mol), N-Phenyl-9,9'-spirobi[9H-fluoren]-4-amine (12.5 g, 0.031 mol), NaOtBu (5.9 g, 0.061 mol), Pd( 150 mL of xylene was added to dba) 2 (0.5 g, 0.8 mmol) and t-Bu 3 P (0.3 g, 1.6 mmol) and stirred at 70°C for 4 hours to react. After completion of the reaction, the extract was extracted, concentrated, and then recrystallized with a column to obtain 11.6 g of <Compound 155> (yield 69.5%).

LC/MS: m/z=814[(M)+]LC/MS: m/z=814[(M) + ]

합성예Synthesis example 10 : 화합물 184의 합성 10: Synthesis of Compound 184

(1) (One) 제조예Manufacturing example 1 : 중간체 184-1의 합성 1: Synthesis of intermediate 184-1

중간체 57-1 (10.0 g, 0.038 mol), 4-Bromo-9H-carbazole (11.3 g, 0.046 mol), Cs2CO3 (7.9 g, 0.057 mol)에 DMF 500 mL을 넣고 150 ℃에서 12시간 동안 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <중간체 184-1>을 11.4 g (수율 61.2 %) 수득하였다.Add 500 mL of DMF to Intermediate 57-1 (10.0 g, 0.038 mol), 4-Bromo-9H-carbazole (11.3 g, 0.046 mol), and Cs 2 CO 3 (7.9 g, 0.057 mol) and stir at 150°C for 12 hours. The reaction was stirred under reflux. After completion of the reaction, the extract was extracted, concentrated, and then recrystallized with a column to obtain 11.4 g of <Intermediate 184-1> (yield 61.2%).

(2) (2) 제조예Manufacturing example 2 : 화합물 184의 합성 2: Synthesis of Compound 184

중간체 184-1 (10.0 g, 0.021 mol), Bis(4-biphenylyl)amine (9.9 g, 0.031 mol), NaOtBu (5.9 g, 0.061 mol), Pd(dba)2 (0.5 g, 0.8 mmol), t-Bu3P (0.3 g, 1.6 mmol)에 Xylene 150 mL를 넣고 4시간 동안 70 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <화합물 184>를 10.7 g (수율 71.7%) 수득하였다.Intermediate 184-1 (10.0 g, 0.021 mol), Bis(4-biphenylyl)amine (9.9 g, 0.031 mol), NaOtBu (5.9 g, 0.061 mol), Pd(dba) 2 (0.5 g, 0.8 mmol), t 150 mL of Xylene was added to -Bu 3 P (0.3 g, 1.6 mmol) and stirred at 70°C for 4 hours to react. After completion of the reaction, the extract was extracted, concentrated, and then recrystallized with a column to obtain 10.7 g of <Compound 184> (yield 71.7%).

LC/MS: m/z=728[(M)+]LC/MS: m/z=728[(M) + ]

합성예Synthesis example 11 : 화합물 212의 합성 11: Synthesis of compound 212

(1) (One) 제조예Manufacturing example 1 : 중간체 212-1의 합성 1: Synthesis of intermediate 212-1

1-Bromodibenzo[b,d]furan (10.0 g, 0.041 mol), 3-Fluorophenylboronic acid (6.8 g, 0.049 mol), K2CO3 (16.8 g, 0.121 mol), Pd(PPh3)4 (0.9 g, 0.8 mmol)에 toluene 200 mL, ethanol 50 ml, H2O 50 ml를 넣고 6시간 동안 80 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 추출하여 농축한 후 컬럼하여 <중간체 212-1>을 7.3 g (수율 68.7%) 수득하였다.1-Bromodibenzo[b,d]furan (10.0 g, 0.041 mol), 3-Fluorophenylboronic acid (6.8 g, 0.049 mol), K 2 CO 3 (16.8 g, 0.121 mol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.9 g , 0.8 mmol), 200 mL of toluene, 50 mL of ethanol, and 50 mL of H 2 O were added and stirred at 80°C for 6 hours to react. After completion of the reaction, the extract was extracted, concentrated, and columnarized to obtain 7.3 g (yield 68.7%) of <Intermediate 212-1>.

(2) (2) 제조예Manufacturing example 2 : 중간체 212-2의 합성 2: Synthesis of intermediate 212-2

중간체 212-1 (10.0 g, 0.038 mol), 4-Bromo-9H-carbazole (11.3 g, 0.046 mol), Cs2CO3 (7.9 g, 0.057 mol)에 DMF 500 mL을 넣고 150 ℃에서 12시간 동안 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <중간체 212-2>를 12.5 g (수율 67.1 %) 수득하였다.Add 500 mL of DMF to Intermediate 212-1 (10.0 g, 0.038 mol), 4-Bromo-9H-carbazole (11.3 g, 0.046 mol), and Cs 2 CO 3 (7.9 g, 0.057 mol) and stir at 150°C for 12 hours. The reaction was stirred under reflux. After completion of the reaction, the extract was extracted, concentrated, and then recrystallized with a column to obtain 12.5 g of <Intermediate 212-2> (yield 67.1%).

(3) (3) 제조예Manufacturing example 3 : 화합물 212의 합성 3: Synthesis of Compound 212

중간체 212-2 (10.0 g, 0.021 mol), N-([1,1'-biphenyl]-4-yl)-[1,1':3',1"-terphenyl]-5'-amine (12.2 g, 0.031 mol), NaOtBu (5.9 g, 0.061 mol), Pd(dba)2 (0.5 g, 0.8 mmol), t-Bu3P (0.3 g, 1.6 mmol)에 Xylene 150 mL를 넣고 4시간 동안 70 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <화합물 212>를 10.9 g (수율 66.1%) 수득하였다.Intermediate 212-2 (10.0 g, 0.021 mol), N-([1,1'-biphenyl]-4-yl)-[1,1':3',1"-terphenyl]-5'-amine (12.2 Add 150 mL of After the reaction was completed by stirring at ℃, extraction, concentration, and recrystallization were performed on a column to obtain 10.9 g of <Compound 212> (yield 66.1%).

LC/MS: m/z=804[(M)+]LC/MS: m/z=804[(M) + ]

합성예Synthesis example 12 : 화합물 285의 합성 12: Synthesis of compound 285

(1) (One) 제조예Manufacturing example 1 : 중간체 285-1의 합성 1: Synthesis of intermediate 285-1

1-Bromodibenzo[b,d]thiophene (10.0 g, 0.038 mol), 2-Fluorophenylboronic acid (6.4 g, 0.046 mol), K2CO3 (15.8 g, 0.114 mol), Pd(PPh3)4 (0.9 g, 0.8 mmol)에 toluene 200 mL, ethanol 50 mL, H2O 50 mL를 넣고 6시간 동안 80 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 추출하여 농축한 후 컬럼하여 <중간체 285-1>을 6.2 g (수율 58.6%) 수득하였다.1-Bromodibenzo[b,d]thiophene (10.0 g, 0.038 mol), 2-Fluorophenylboronic acid (6.4 g, 0.046 mol), K 2 CO 3 (15.8 g, 0.114 mol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.9 g , 0.8 mmol), 200 mL of toluene, 50 mL of ethanol, and 50 mL of H 2 O were added and stirred at 80°C for 6 hours to react. After completion of the reaction, the extract was extracted, concentrated, and columnarized to obtain 6.2 g (yield 58.6%) of <Intermediate 285-1>.

(2) (2) 제조예Manufacturing example 2 : 중간체 285-2의 합성 2: Synthesis of intermediate 285-2

중간체 285-1 (10.0 g, 0.036 mol), 3-Bromo-9H-carbazole (10.6 g, 0.043 mol), Cs2CO3 (7.5 g, 0.054 mol)에 DMF 500 mL을 넣고 150 ℃에서 12시간 동안 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <중간체 285-2>를 10.6 g (수율 58.5 %) 수득하였다.Add 500 mL of DMF to Intermediate 285-1 (10.0 g, 0.036 mol), 3-Bromo-9H-carbazole (10.6 g, 0.043 mol), and Cs 2 CO 3 (7.5 g, 0.054 mol) and stir at 150°C for 12 hours. The reaction was stirred under reflux. After completion of the reaction, the extract was extracted, concentrated, and recrystallized using a column to obtain 10.6 g of <Intermediate 285-2> (yield 58.5%).

(3) (3) 제조예Manufacturing example 3 : 화합물 285의 합성 3: Synthesis of Compound 285

중간체 285-2 (10.0 g, 0.020 mol), N-([1,1'-biphenyl]-4-yl)-9,9-diphenyl-9H-fluoren-2-amine (14.4 g, 0.030 mol), NaOtBu (5.7 g, 0.060 mol), Pd(dba)2 (0.5 g, 0.8 mmol), t-Bu3P (0.3 g, 1.6 mmol)에 Xylene 150 mL를 넣고 4시간 동안 70 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <화합물 285>를 11.9 g (수율 66.0%) 수득하였다.Intermediate 285-2 (10.0 g, 0.020 mol), N-([1,1'-biphenyl]-4-yl)-9,9-diphenyl-9H-fluoren-2-amine (14.4 g, 0.030 mol), Add 150 mL of . After completion of the reaction, the extract was extracted, concentrated, and then recrystallized with a column to obtain 11.9 g of <Compound 285> (yield 66.0%).

LC/MS: m/z=908[(M)+]LC/MS: m/z=908[(M) + ]

합성예Synthesis example 13 : 화합물 324의 합성 13: Synthesis of Compound 324

(1) (One) 제조예Manufacturing example 1 : 중간체 324-1의 합성 1: Synthesis of intermediate 324-1

중간체 285-1 (10.0 g, 0.036 mol), 4-Bromo-9H-carbazole (10.6 g, 0.043 mol), Cs2CO3 (7.5 g, 0.054 mol)에 DMF 500 mL을 넣고 150 ℃에서 12시간 동안 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <중간체 324-1>을 10.7 g (수율 59.0 %) 수득하였다.Add 500 mL of DMF to Intermediate 285-1 (10.0 g, 0.036 mol), 4-Bromo-9H-carbazole (10.6 g, 0.043 mol), and Cs 2 CO 3 (7.5 g, 0.054 mol) and stir at 150°C for 12 hours. The reaction was carried out by refluxing and stirring. After completion of the reaction, it was extracted, concentrated, and then recrystallized with a column to obtain 10.7 g of <Intermediate 324-1> (yield 59.0%).

(2) (2) 제조예Manufacturing example 2 : 화합물 324의 합성 2: Synthesis of Compound 324

중간체 324-1 (10.0 g, 0.020 mol), Bis(4-biphenylyl)amine (9.6 g, 0.030 mol), NaOtBu (5.7 g, 0.060 mol), Pd(dba)2 (0.5 g, 0.8 mmol), t-Bu3P (0.3 g, 1.6 mmol)에 Xylene 150 mL를 넣고 4시간 동안 70 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <화합물 324>를 11.7 g (수율 72.5%) 수득하였다.Intermediate 324-1 (10.0 g, 0.020 mol), Bis(4-biphenylyl)amine (9.6 g, 0.030 mol), NaOtBu (5.7 g, 0.060 mol), Pd(dba) 2 (0.5 g, 0.8 mmol), t 150 mL of Xylene was added to -Bu 3 P (0.3 g, 1.6 mmol) and stirred at 70°C for 4 hours to react. After completion of the reaction, the extract was extracted, concentrated, and then recrystallized with a column to obtain 11.7 g of <Compound 324> (yield 72.5%).

LC/MS: m/z=744[(M)+]LC/MS: m/z=744[(M) + ]

합성예Synthesis example 14 : 화합물 360의 합성 14: Synthesis of Compound 360

(1) (One) 제조예Manufacturing example 1 : 중간체 360-1의 합성 1: Synthesis of intermediate 360-1

3-Bromodibenzo[b,d]thiophene (10.0 g, 0.038 mol), 2-Fluorophenylboronic acid (6.4 g, 0.046 mol), K2CO3 (15.8 g, 0.114 mol), Pd(PPh3)4 (0.9 g, 0.8 mmol)에 toluene 200 mL, ethanol 50 mL, H2O 50 mL를 넣고 6시간 동안 80 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 추출하여 농축한 후 컬럼하여 <중간체 360-1>을 6.4 g (수율 60.5%) 수득하였다.3-Bromodibenzo[b,d]thiophene (10.0 g, 0.038 mol), 2-Fluorophenylboronic acid (6.4 g, 0.046 mol), K 2 CO 3 (15.8 g, 0.114 mol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.9 g , 0.8 mmol), 200 mL of toluene, 50 mL of ethanol, and 50 mL of H 2 O were added and stirred at 80°C for 6 hours to react. After completion of the reaction, the extract was extracted, concentrated, and columnarized to obtain 6.4 g (yield 60.5%) of <Intermediate 360-1>.

(2) (2) 제조예Manufacturing example 2 : 중간체 360-2의 합성 2: Synthesis of intermediate 360-2

중간체 360-1 (10.0 g, 0.036 mol), 4-Bromo-9H-carbazole (10.6 g, 0.043 mol), Cs2CO3 (7.5 g, 0.054 mol)에 DMF 500 mL을 넣고 150 ℃에서 12시간 동안 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <중간체 360-2>를 11.4 g (수율 62.9 %) 수득하였다.Add 500 mL of DMF to Intermediate 360-1 (10.0 g, 0.036 mol), 4-Bromo-9H-carbazole (10.6 g, 0.043 mol), and Cs 2 CO 3 (7.5 g, 0.054 mol) and stir at 150°C for 12 hours. The reaction was stirred under reflux. After completion of the reaction, the extract was extracted, concentrated, and then recrystallized with a column to obtain 11.4 g of <Intermediate 360-2> (yield 62.9%).

(3) (3) 제조예Manufacturing example 3 : 화합물 360의 합성 3: Synthesis of Compound 360

중간체 360-2 (10.0 g, 0.020 mol), N-([1,1'-biphenyl]-4-yl)dibenzo[b,d]furan-3-amine (10.0 g, 0.030 mol), NaOtBu (5.7 g, 0.060 mol), Pd(dba)2 (0.5 g, 0.8 mmol), t-Bu3P (0.3 g, 1.6 mmol)에 Xylene 150 mL를 넣고 4시간 동안 70 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <화합물 360>을 10.6 g (수율 70.5%) 수득하였다.Intermediate 360-2 (10.0 g, 0.020 mol), N-([1,1'-biphenyl]-4-yl)dibenzo[b,d]furan-3-amine (10.0 g, 0.030 mol), NaOtBu (5.7 g, 0.060 mol), Pd(dba) 2 (0.5 g, 0.8 mmol), and t-Bu 3 P (0.3 g, 1.6 mmol) were mixed with 150 mL of xylene and stirred at 70°C for 4 hours to react. After completion of the reaction, the extract was extracted, concentrated, and then recrystallized with a column to obtain 10.6 g of <Compound 360> (yield 70.5%).

LC/MS: m/z=758[(M)+]LC/MS: m/z=758[(M) + ]

합성예Synthesis example 15 : 화합물 393의 합성 15: Synthesis of Compound 393

(1) (One) 제조예Manufacturing example 1 : 중간체 393-1의 합성 1: Synthesis of intermediate 393-1

1-Bromodibenzo[b,d]thiophene (10.0 g, 0.038 mol), 4-Fluorophenylboronic acid (6.4 g, 0.046 mol), K2CO3 (15.8 g, 0.114 mol), Pd(PPh3)4 (0.9 g, 0.8 mmol)에 toluene 200 mL, ethanol 50 mL, H2O 50 mL를 넣고 6시간 동안 80 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 추출하여 농축한 후 컬럼하여 <중간체 393-1>을 7.0 g (수율 66.2%) 수득하였다.1-Bromodibenzo[b,d]thiophene (10.0 g, 0.038 mol), 4-Fluorophenylboronic acid (6.4 g, 0.046 mol), K 2 CO 3 (15.8 g, 0.114 mol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.9 g , 0.8 mmol), 200 mL of toluene, 50 mL of ethanol, and 50 mL of H 2 O were added and stirred at 80°C for 6 hours to react. After completion of the reaction, the extract was extracted, concentrated, and columnarized to obtain 7.0 g (yield 66.2%) of <Intermediate 393-1>.

(2) (2) 제조예Manufacturing example 2 : 중간체 393-2의 합성 2: Synthesis of intermediate 393-2

중간체 393-1 (10.0 g, 0.036 mol), 4-Bromo-9H-carbazole (10.6 g, 0.043 mol), Cs2CO3 (7.5 g, 0.054 mol)에 DMF 500 mL을 넣고 150 ℃에서 12시간 동안 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <중간체 393-2>를 11.8 g (수율 65.1 %) 수득하였다.Add 500 mL of DMF to Intermediate 393-1 (10.0 g, 0.036 mol), 4-Bromo-9H-carbazole (10.6 g, 0.043 mol), and Cs 2 CO 3 (7.5 g, 0.054 mol) and stir at 150°C for 12 hours. The reaction was stirred under reflux. After completion of the reaction, the extract was extracted, concentrated, and then recrystallized with a column to obtain 11.8 g of <Intermediate 393-2> (yield 65.1%).

(3) (3) 제조예Manufacturing example 3 : 화합물 393의 합성 3: Synthesis of Compound 393

중간체 393-2 (10.0 g, 0.020 mol), Bis(9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)amine (11.9 g, 0.030 mol), NaOtBu (5.7 g, 0.060 mol), Pd(dba)2 (0.5 g, 0.8 mmol), t-Bu3P (0.3 g, 1.6 mmol)에 Xylene 150 mL를 넣고 4시간 동안 70 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <화합물 393>을 11.4 g (수율 69.7%) 수득하였다.Intermediate 393-2 (10.0 g, 0.020 mol), Bis(9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)amine (11.9 g, 0.030 mol), NaOtBu (5.7 g, 0.060 mol), Pd(dba) 150 mL of Xylene was added to 2 (0.5 g, 0.8 mmol) and t-Bu 3 P (0.3 g, 1.6 mmol) and stirred at 70°C for 4 hours to react. After completion of the reaction, the extract was extracted, concentrated, and then recrystallized with a column to obtain 11.4 g of <Compound 393> (yield 69.7%).

LC/MS: m/z=824[(M)+]LC/MS: m/z=824[(M) + ]

합성예Synthesis example 16 : 화합물 438의 합성 16: Synthesis of Compound 438

(1) (One) 제조예Manufacturing example 1 : 중간체 438-1의 합성 1: Synthesis of intermediate 438-1

1-Bromodibenzo[b,d]furan (10.0 g, 0.041 mol), 4-Fluoro(phenyl-d4)-boronic acid (7.0 g, 0.049 mol), K2CO3 (16.8 g, 0.121 mol), Pd(PPh3)4 (0.9 g, 0.8 mmol)에 toluene 200 mL, ethanol 50 mL, H2O 50 mL를 넣고 6시간 동안 80 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 추출하여 농축한 후 컬럼하여 <중간체 438-1>을 6.6 g (수율 61.2%) 수득하였다.1-Bromodibenzo[b,d]furan (10.0 g, 0.041 mol), 4-Fluoro(phenyl-d4)-boronic acid (7.0 g, 0.049 mol), K 2 CO 3 (16.8 g, 0.121 mol), Pd( To PPh 3 ) 4 (0.9 g, 0.8 mmol), 200 mL of toluene, 50 mL of ethanol, and 50 mL of H 2 O were added and stirred at 80°C for 6 hours to react. After completion of the reaction, the extract was extracted, concentrated, and columnarized to obtain 6.6 g (yield 61.2%) of <Intermediate 438-1>.

(2) (2) 제조예Manufacturing example 2 : 중간체 438-2의 합성 2: Synthesis of intermediate 438-2

중간체 438-1 (10.0 g, 0.038 mol), 4-Bromo-9H-carbazole (11.1 g, 0.045 mol), Cs2CO3 (7.8 g, 0.056 mol)에 DMF 500 mL을 넣고 150 ℃에서 12시간 동안 환류 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후 추출하여 농축한 후 컬럼하여 <중간체 438-2>를 12.6 g (수율 68.1 %) 수득하였다.Add 500 mL of DMF to Intermediate 438-1 (10.0 g, 0.038 mol), 4-Bromo-9H-carbazole (11.1 g, 0.045 mol), and Cs 2 CO 3 (7.8 g, 0.056 mol) and stir at 150°C for 12 hours. The reaction was stirred under reflux. After completion of the reaction, the extract was extracted, concentrated, and columnarized to obtain 12.6 g (yield 68.1%) of <Intermediate 438-2>.

(3) (3) 제조예Manufacturing example 3 : 중간체 438-3의 합성 3: Synthesis of intermediate 438-3

9,9'-Spirobi[fluoren]-4-amine (10.0 g, 0.030 mol), 4-bromo-1,1'-biphenyl-2,2',3,3',4',5,5',6,6'-d9 (11.0 g, 0.045 mol), NaOtBu (8.7 g, 0.091 mol), Pd(dba)2 (0.7 g, 1.2 mmol), t-Bu3P (0.5 g, 2.4 mmol)에 Xylene 150 mL를 넣고 4시간 동안 70 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <중간체 438-3>을 9.8 g (수율 65.9%) 수득하였다.9,9'-Spirobi[fluoren]-4-amine (10.0 g, 0.030 mol), 4-bromo-1,1'-biphenyl-2,2',3,3',4',5,5', 6,6'-d9 (11.0 g, 0.045 mol), NaOtBu (8.7 g, 0.091 mol), Pd(dba) 2 (0.7 g, 1.2 mmol), t-Bu 3 P (0.5 g, 2.4 mmol) Add 150 mL and stir at 70°C for 4 hours to react. After completion of the reaction, the extract was extracted, concentrated, and then recrystallized with a column to obtain 9.8 g of <Intermediate 438-3> (yield 65.9%).

(4) (4) 제조예Manufacturing example 4 : 화합물 438의 합성 4: Synthesis of Compound 438

중간체 438-2 (10.0 g, 0.020 mol), 중간체 438-3 (15.0 g, 0.031 mol), NaOtBu (5.9 g, 0.061 mol), Pd(dba)2 (0.5 g, 0.8 mmol), t-Bu3P (0.3 g, 1.6 mmol)에 Xylene 150 mL를 넣고 4시간 동안 70 ℃에서 교반하여 반응시켰다. 반응 종료 후, 추출하여 농축한 후 컬럼 및 재결정하여 <화합물 438>을 12.4 g (수율 67.5%) 수득하였다.Intermediate 438-2 (10.0 g, 0.020 mol), Intermediate 438-3 (15.0 g, 0.031 mol), NaOtBu (5.9 g, 0.061 mol), Pd(dba) 2 (0.5 g, 0.8 mmol), t-Bu 3 150 mL of Xylene was added to P (0.3 g, 1.6 mmol) and stirred at 70°C for 4 hours to react. After completion of the reaction, the extract was extracted, concentrated, and recrystallized using a column to obtain 12.4 g of <Compound 438> (yield 67.5%).

LC/MS: m/z=903[(M)+]LC/MS: m/z=903[(M) + ]

소자 device 실시예Example (청색 (blue EBLEBL ))

본 발명에 따른 실시예에서, ITO 투명 전극은 25 mm × 25 mm × 0.7 mm의 유리 기판 위에, ITO 투명 전극이 부착된 ITO 유리 기판을 이용하여, 발광 면적이 2 mm × 2 mm 크기가 되도록 패터닝한 후 세정하였다. 기판을 진공 챔버에 장착한 후 베이스 압력이 1 × 10-6 torr가 되도록 한 후 유기물을 상기 ITO 위에 하기 구조로 유기물과 금속을 증착하였다.In an embodiment according to the present invention, the ITO transparent electrode is patterned so that the light emitting area is 2 mm × 2 mm using an ITO glass substrate to which the ITO transparent electrode is attached on a glass substrate of 25 mm × 25 mm × 0.7 mm. and then washed. After the substrate was mounted in a vacuum chamber and the base pressure was set to 1 × 10 -6 torr, organic materials and metals were deposited on the ITO in the following structure.

소자 device 실시예Example 1 내지 38 1 to 38

본 발명에 따라 구현되는 화합물을 전자저지층에 채용하여, 하기와 같은 소자 구조를 갖는 청색 유기발광소자를 제작한 후, 본 발명에 따라 구현되는 화합물이 갖는 발광 및 구동 특성을 측정하였다.The compound implemented according to the present invention was employed in the electron blocking layer to produce a blue organic light-emitting device having the following device structure, and then the light emission and driving characteristics of the compound implemented according to the present invention were measured.

ITO / 정공주입층 (HAT-CN, 5 nm) / 정공수송층 (HT1, 100 nm) / 전자저지층 (10nm) / 발광층 (20 nm) / 전자수송층 (ET1:Liq, 30 nm) / LiF (1 nm) / Al (100 nm)ITO / hole injection layer (HAT-CN, 5 nm) / hole transport layer (HT1, 100 nm) / electron blocking layer (10nm) / emission layer (20 nm) / electron transport layer (ET1:Liq, 30 nm) / LiF (1 nm) / Al (100 nm)

ITO 투명 전극 상부에 [HAT-CN]을 5 nm 두께로 성막하여 정공주입층을 형성한 후에, [HT1]을 100 nm로 성막하여 정공수송층을 형성하였다. 이후, 하기 [표 1]에 기재된 본 발명에 따른 화합물을 10 nm 두께로 성막하여 전자저지층을 형성하였으며, 발광층은 호스트 화합물로 [BH1], 도펀트 화합물로 [BD1]을 사용하여 20 nm로 공증착하여 형성하였다. 이후, 전자수송층 (하기 [ET1] 화합물 Liq 50% 도핑)을 30 nm 증착한 후, LiF를 1 nm의 두께로 성막하여 전자주입층을 형성하였다. 이후, Al을 100 nm의 두께로 성막하여 청색 유기발광소자를 제작하였다.[HAT-CN] was deposited to a thickness of 5 nm on the top of the ITO transparent electrode to form a hole injection layer, and then [HT1] was deposited to a thickness of 100 nm to form a hole transport layer. Afterwards, the compound according to the present invention shown in [Table 1] below was deposited to a thickness of 10 nm to form an electron blocking layer, and the emitting layer was formed at a thickness of 20 nm using [BH1] as the host compound and [BD1] as the dopant compound. It was formed by vapor deposition. Afterwards, 30 nm of an electron transport layer (50% doped with [ET1] compound Liq below) was deposited, and then LiF was deposited to a thickness of 1 nm to form an electron injection layer. Afterwards, Al was deposited to a thickness of 100 nm to produce a blue organic light emitting device.

소자 device 비교예Comparative example 1 One

소자 비교예 1을 위한 유기발광소자는 상기 실시예 1 내지 38의 소자구조에서 전자저지층에 본 발명에 따른 화합물 대신에 하기 [EB1]을 사용한 것을 제외하고 동일하게 제작하였다.The organic light-emitting device for Comparative Device Example 1 was manufactured in the same manner as the device structures of Examples 1 to 38, except that [EB1] below was used in the electron blocking layer instead of the compound according to the present invention.

소자 device 비교예Comparative example 2 2

소자 비교예 2를 위한 유기발광소자는 상기 실시예 1 내지 38의 소자구조에서 전자저지층에 본 발명에 따른 화합물 대신에 하기 [EB2]를 사용한 것을 제외하고 동일하게 제작하였다.The organic light emitting device for Device Comparative Example 2 was manufactured in the same manner as the device structures of Examples 1 to 38 except that [EB2] below was used instead of the compound according to the present invention in the electron blocking layer.

실험예Experiment example 1 : 소자 1: element 실시예Example 1 내지 38의 발광 특성 Luminous properties from 1 to 38

상기 실시예 및 비교예에 따라 제조된 유기발광소자에 대해서 Source meter (Model 237, Keithley)와 휘도계 (PR-650, Photo Research)를 이용하여 구동 전압, 전류 효율 및 색좌표를 측정하였고, 1,000 nit 기준의 결과값은 하기 [표 1]과 같다.The driving voltage, current efficiency, and color coordinates of the organic light emitting devices manufactured according to the above examples and comparative examples were measured using a source meter (Model 237, Keithley) and a luminance meter (PR-650, Photo Research), and were measured at 1,000 nit. The standard result values are shown in [Table 1] below.

실시예Example 전자저지층electronic low layer VV cd/Acd/A CIExCIEx CIEyCIey 1One 화학식 2Formula 2 4.27 4.27 7.587.58 0.13360.1336 0.13900.1390 22 화학식 17Formula 17 4.32 4.32 7.357.35 0.13440.1344 0.13690.1369 33 화학식 23Formula 23 4.28 4.28 7.167.16 0.13370.1337 0.13510.1351 44 화학식 37Formula 37 4.16 4.16 7.237.23 0.13290.1329 0.13750.1375 55 화학식 45Formula 45 4.37 4.37 7.587.58 0.13290.1329 0.13900.1390 66 화학식 57Formula 57 4.26 4.26 7.547.54 0.13480.1348 0.13580.1358 77 화학식 63Formula 63 4.14 4.14 7.557.55 0.13250.1325 0.13390.1339 88 화학식 69Formula 69 4.08 4.08 7.477.47 0.13500.1350 0.13570.1357 99 화학식 80Formula 80 4.40 4.40 7.137.13 0.13420.1342 0.13690.1369 1010 화학식 97Formula 97 4.11 4.11 7.357.35 0.13420.1342 0.13730.1373 1111 화학식 114Formula 114 4.19 4.19 7.587.58 0.13540.1354 0.13810.1381 1212 화학식 126Formula 126 4.22 4.22 7.177.17 0.13370.1337 0.13580.1358 1313 화학식 132Formula 132 4.16 4.16 7.507.50 0.13500.1350 0.13650.1365 1414 화학식 138Formula 138 4.22 4.22 7.377.37 0.13370.1337 0.13580.1358 1515 화학식 144Formula 144 4.39 4.39 7.227.22 0.13510.1351 0.13550.1355 1616 화학식 155Formula 155 4.20 4.20 7.117.11 0.13590.1359 0.13710.1371 1717 화학식 164Formula 164 4.39 4.39 7.187.18 0.13380.1338 0.13580.1358 1818 화학식 172Formula 172 4.08 4.08 7.667.66 0.13580.1358 0.13490.1349 1919 화학식 184Formula 184 4.44 4.44 7.307.30 0.13340.1334 0.13600.1360 2020 화학식 199Formula 199 4.25 4.25 7.387.38 0.13610.1361 0.13390.1339 2121 화학식 209Formula 209 4.15 4.15 7.527.52 0.13550.1355 0.13470.1347 2222 화학식 212Formula 212 4.21 4.21 7.367.36 0.13330.1333 0.13380.1338 2323 화학식 225Formula 225 4.38 4.38 7.217.21 0.13580.1358 0.13560.1356 2424 화학식 228Formula 228 4.19 4.19 7.137.13 0.13480.1348 0.13400.1340 2525 화학식 236Formula 236 4.24 4.24 7.527.52 0.13260.1326 0.13770.1377 2626 화학식 255Formula 255 4.40 4.40 7.367.36 0.13220.1322 0.13710.1371 2727 화학식 270Formula 270 4.12 4.12 7.267.26 0.13450.1345 0.13670.1367 2828 화학식 285Formula 285 4.09 4.09 7.297.29 0.13260.1326 0.13630.1363 2929 화학식 298Formula 298 4.27 4.27 7.447.44 0.13360.1336 0.13750.1375 3030 화학식 324Formula 324 4.35 4.35 7.107.10 0.13330.1333 0.13810.1381 3131 화학식 335Formula 335 4.18 4.18 7.677.67 0.13550.1355 0.14370.1437 3232 화학식 354Formula 354 4.304.30 7.487.48 0.13340.1334 0.13480.1348 3333 화학식 360Chemical formula 360 4.264.26 7.437.43 0.13440.1344 0.13260.1326 3434 화학식 378Formula 378 4.24 4.24 7.417.41 0.13290.1329 0.13750.1375 3535 화학식 393Formula 393 4.42 4.42 7.417.41 0.13540.1354 0.13700.1370 3636 화학식 397Formula 397 4.27 4.27 7.197.19 0.13410.1341 0.13580.1358 3737 화학식 413Formula 413 4.13 4.13 7.327.32 0.13240.1324 0.13600.1360 3838 화학식 438Formula 438 4.24 4.24 7.437.43 0.13330.1333 0.13710.1371 비교예 1Comparative Example 1 EB1EB1 4.674.67 6.656.65 0.13530.1353 0.15170.1517 비교예 2Comparative Example 2 EB2EB2 4.544.54 6.686.68 0.13420.1342 0.13870.1387

상기 [표 1]에 나타낸 결과를 살펴보면, 본 발명에 따른 화합물을 유기발광소자 내의 전자저지층에 채용한 경우에 종래 전자저지층 재료로 사용된 화합물로서 본 발명에 따른 화합물의 특징적 구조와 대비되는 화합물을 채용한 소자 (비교예 1 내지 2)에 비하여 저전압 구동 특성과 발광 효율, 양자 효율 등의 발광 특성이 현저히 우수함을 확인할 수 있다.Looking at the results shown in [Table 1], when the compound according to the present invention is employed in the electron blocking layer in an organic light-emitting device, the characteristic structure of the compound according to the present invention as a compound used as a conventional electron blocking layer material is compared with the characteristic structure of the compound according to the present invention. It can be seen that the luminous properties, such as low-voltage driving characteristics, luminous efficiency, and quantum efficiency, are significantly superior to those of devices employing the compound (Comparative Examples 1 and 2).

[HAT-CN] [HT1] [BH1] [BD1] [ET1][HAT-CN] [HT1] [BH1] [BD1] [ET1]

[EB1] [EB2][EB1] [EB2]

소자 device 실시예Example (녹색 (green EBLEBL ))

본 발명에 따른 실시예에서, ITO 투명 전극은 25 mm × 25 mm × 0.7 mm의 유리 기판 위에, ITO 투명 전극이 부착된 ITO 유리 기판을 이용하여, 발광 면적이 2 mm × 2 mm 크기가 되도록 패터닝한 후 세정하였다. 기판을 진공 챔버에 장착한 후 베이스 압력이 1 × 10-6 torr가 되도록 한 후 유기물을 상기 ITO 위에 하기 구조로 유기물과 금속을 증착하였다.In an embodiment according to the present invention, the ITO transparent electrode is patterned so that the light emitting area is 2 mm × 2 mm using an ITO glass substrate to which the ITO transparent electrode is attached on a glass substrate of 25 mm × 25 mm × 0.7 mm. and then washed. After the substrate was mounted in a vacuum chamber and the base pressure was set to 1 × 10 -6 torr, organic materials and metals were deposited on the ITO in the following structure.

소자 device 실시예Example 39 내지 69 39 to 69

본 발명에 따라 구현되는 화합물을 전자저지층에 채용하여, 하기와 같은 소자 구조를 갖는 녹색 유기발광소자를 제작 후, 전류 효율을 포함한 발광 특성을 측정하였다.The compound implemented according to the present invention was employed in the electron blocking layer to produce a green organic light-emitting device having the following device structure, and then the light-emitting properties, including current efficiency, were measured.

ITO / 정공주입층 (HAT-CN, 5 nm) / 정공수송층 (HT1, 100 nm) / 전자저지층 (EB1, 10 nm) / 발광층 (제1 호스트 : 제2 호스트 : Ir(ppy)3, 30 nm) / 전자수송층 (ET1, 30 nm) / LiF (1 nm) / Al (100 nm)ITO / hole injection layer (HAT-CN, 5 nm) / hole transport layer (HT1, 100 nm) / electron blocking layer (EB1, 10 nm) / light emitting layer (1st host: 2nd host: Ir(ppy) 3 , 30 nm) / electron transport layer (ET1, 30 nm) / LiF (1 nm) / Al (100 nm)

ITO 투명 전극 상부에 [HAT-CN]을 5 nm 두께로 성막하여 정공주입층을 형성한 후에, [HT1]을 100 nm로 성막하여 정공수송층을 형성하였다. 이후, 하기 [표 2]에 기재된 본 발명에 따른 화합물을 10 nm 두께로 성막하여 전자저지층을 형성하였으며, 발광층은 제1 호스트로 [GH1], 제 2 호스트로 [GH2]를 6:4로 혼합하여 혼합 호스트를 사용하였으며, 또한, 도판트는 Ir(ppy)3를 도핑하여 30 nm 두께로 공증착하였다. 추가로 전자수송층 (하기 [ET1] 화합물 Liq 50% 도핑) 30 nm 성막하였다. 그리고 전자주입층으로 LiF 1 nm 두께로 증착하고 이어서 Al 100 nm를 성막하여 유기발광소자를 제작하였다.[HAT-CN] was deposited to a thickness of 5 nm on the top of the ITO transparent electrode to form a hole injection layer, and then [HT1] was deposited to a thickness of 100 nm to form a hole transport layer. Afterwards, the compound according to the present invention shown in [Table 2] below was deposited to a thickness of 10 nm to form an electron blocking layer, and the emitting layer consisted of [GH1] as the first host and [GH2] as the second host in a ratio of 6:4. A mixed host was used, and the dopant was doped with Ir(ppy) 3 and co-deposited to a thickness of 30 nm. Additionally, a 30 nm electron transport layer (50% doped with [ET1] compound Liq below) was deposited. Then, LiF was deposited to a thickness of 1 nm as an electron injection layer, and then Al 100 nm was deposited to produce an organic light emitting device.

소자 device 비교예Comparative example 3 3

소자 비교예 3을 위한 유기발광소자는 상기 실시예 39 내지 69의 소자구조에서 전자저지층에 본 발명에 따른 화합물 대신에 하기 [EB1]을 사용한 것을 제외하고 동일하게 제작하였다.The organic light emitting device for Device Comparative Example 3 was manufactured in the same manner as the device structures of Examples 39 to 69, except that [EB1] below was used instead of the compound according to the present invention in the electron blocking layer.

소자 device 비교예Comparative example 4 4

소자 비교예 4를 위한 유기발광소자는 상기 실시예 39 내지 69의 소자구조에서 전자저지층에 본 발명에 따른 화합물 대신에 하기 [EB2]를 사용한 것을 제외하고 동일하게 제작하였다.The organic light emitting device for Device Comparative Example 4 was manufactured in the same manner as the device structures of Examples 39 to 69, except that [EB2] below was used in the electron blocking layer instead of the compound according to the present invention.

실험예Experiment example 2 : 소자 2: element 실시예Example 39 내지 69의 발광 특성 Luminous properties of 39 to 69

상기 실시예 및 비교예에 따라 제조된 유기발광소자에 대해서 Source meter (Model 237, Keithley)와 휘도계 (PR-650, Photo Research)를 이용하여 구동 전압, 전류 효율 및 색좌표를 측정하였고, 1,000 nit 기준의 결과값은 하기 [표 2]와 같다.The driving voltage, current efficiency, and color coordinates of the organic light emitting devices manufactured according to the above examples and comparative examples were measured using a source meter (Model 237, Keithley) and a luminance meter (PR-650, Photo Research), and were measured at 1,000 nit. The standard result values are shown in [Table 2] below.

실시예Example 전자저지층electronic low layer VV cd/Acd/A CIExCIEx CIEyCIey 3939 화학식 2Formula 2 3.643.64 49.11 49.11 0.3270.327 0.6180.618 4040 화학식 17Formula 17 3.53 3.53 53.05 53.05 0.3190.319 0.6140.614 4141 화학식 30Formula 30 3.693.69 49.73 49.73 0.3300.330 0.6150.615 4242 화학식 37Formula 37 3.70 3.70 52.17 52.17 0.3240.324 0.6170.617 4343 화학식 49Formula 49 3.663.66 49.89 49.89 0.3280.328 0.6120.612 4444 화학식 57Formula 57 3.593.59 52.32 52.32 0.3210.321 0.6200.620 4545 화학식 66Formula 66 3.74 3.74 50.50 50.50 0.3160.316 0.6150.615 4646 화학식 80 Formula 80 3.53 3.53 52.04 52.04 0.3200.320 0.6180.618 4747 화학식 103Formula 103 3.65 3.65 50.84 50.84 0.3240.324 0.6150.615 4848 화학식 114Formula 114 3.51 3.51 53.9953.99 0.3270.327 0.6130.613 4949 화학식 126Formula 126 3.56 3.56 51.38 51.38 0.3330.333 0.6190.619 5050 화학식 130Formula 130 3.67 3.67 49.98 49.98 0.3200.320 0.6100.610 5151 화학식 144Formula 144 3.70 3.70 53.05 53.05 0.3150.315 0.6140.614 5252 화학식 155Formula 155 3.63 3.63 54.55 54.55 0.3270.327 0.6190.619 5353 화학식 159Formula 159 3.55 3.55 53.33 53.33 0.3150.315 0.6110.611 5454 화학식 168Formula 168 3.57 3.57 51.01 51.01 0.3160.316 0.6220.622 5555 화학식 184Formula 184 3.65 3.65 50.93 50.93 0.3170.317 0.6150.615 5656 화학식 212Formula 212 3.60 3.60 51.44 51.44 0.3240.324 0.6170.617 5757 화학식 221Formula 221 3.493.49 51.87 51.87 0.3220.322 0.6140.614 5858 화학식 240Formula 240 3.73 3.73 50.55 50.55 0.3140.314 0.6180.618 5959 화학식 261Formula 261 3.52 3.52 52.09 52.09 0.3280.328 0.6120.612 6060 화학식 285Formula 285 3.64 3.64 50.80 50.80 0.3270.327 0.6120.612 6161 화학식 316Formula 316 3.70 3.70 52.88 52.88 0.3220.322 0.6210.621 6262 화학식 324Formula 324 3.55 3.55 51.01 51.01 0.3200.320 0.6110.611 6363 화학식 350Chemical formula 350 3.64 3.64 51.08 51.08 0.3260.326 0.6150.615 6464 화학식 360Chemical formula 360 3.69 3.69 49.50 49.50 0.3230.323 0.6220.622 6565 화학식 372Formula 372 3.60 3.60 50.88 50.88 0.3250.325 0.6130.613 6666 화학식 393Formula 393 3.72 3.72 50.7650.76 0.3280.328 0.6150.615 6767 화학식 412Formula 412 3.55 3.55 52.10 52.10 0.3260.326 0.6140.614 6868 화학식 438Formula 438 3.60 3.60 50.77 50.77 0.3240.324 0.6110.611 6969 화학식 445Formula 445 3.73 3.73 52.85 52.85 0.3200.320 0.6230.623 비교예 3Comparative Example 3 EB1EB1 4.114.11 45.2945.29 0.326 0.326 0.6020.602 비교예 4Comparative Example 4 EB2EB2 3.983.98 41.3241.32 0.332 0.332 0.6090.609

상기 [표 2]에 나타낸 결과를 살펴보면, 본 발명에 따른 화합물을 유기발광소자 내의 전자저지층에 채용한 경우에 종래 전자저지층 재료로 사용된 화합물로서 본 발명에 따른 화합물의 특징적 구조와 대비되는 화합물을 채용한 소자 (비교예 3 내지 4)에 비하여 저전압 구동 특성 및 전류 효율 등의 발광 특성이 현저히 우수함을 확인할 수 있다.Looking at the results shown in [Table 2], when the compound according to the present invention is employed in the electron blocking layer in an organic light emitting device, the characteristic structure of the compound according to the present invention as a compound used as a conventional electron blocking layer material is compared with the characteristic structure of the compound according to the present invention. It can be seen that the light emitting properties, such as low voltage driving characteristics and current efficiency, are significantly superior to those of devices employing the compound (Comparative Examples 3 to 4).

[HAT-CN] [HT1] [ET1][HAT-CN] [HT1] [ET1]

[GH1] [GH2] [Ir(ppy)3][GH1] [GH2] [Ir(ppy) 3 ]

[EB1] [EB2][EB1] [EB2]

Claims (12)

하기 [화학식 Ⅰ]로 표시되는 카바졸 유도체 화합물:
[화학식 Ⅰ]

상기 [화학식 Ⅰ]에서,
X는 O 또는 S이고,
R1 내지 R3은 각각 독립적으로 수소 또는 중수소이고,
p 및 q는 각각 0 내지 4의 정수이고, r은 0 내지 3의 정수이며, 상기 p, q 및 r이 2 이상인 경우 복수 개의 R1 내지 R3은 각각 서로 동일하거나 상이하며,
상기 복수 개의 R2 및 R3 중 각각의 어느 하나는 상기 '*'에 연결되는 부위이고,
R4 내지 R11은 서로 동일하거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1 내지 30의 알콕시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 20의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 30의 헤테로시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 50의 지방족 방향족 혼합 고리기, 치환 또는 비치환된 실릴기, 치환 또는 비치환된 저마늄기, 시아노기 및 할로겐기 중에서 선택되는 어느 하나이고,
상기 R4 내지 R11 중 적어도 하나 이상은 하기 [구조식 1]로 표시되는 것을 특징으로 하며,
[구조식 1]

상기 [구조식 1]에서,
Ar1 및 Ar2는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 방향족 탄화수소 고리 및 치환 또는 비치환된 탄소수 2 내지 50의 방향족 헤테로 고리 중에서 선택되는 어느 하나이다.
Carbazole derivative compounds represented by the following [Chemical Formula I]:
[Formula Ⅰ]

In the above [Chemical Formula I],
X is O or S,
R 1 to R 3 are each independently hydrogen or deuterium,
p and q are each an integer from 0 to 4, r is an integer from 0 to 3, and when p, q and r are 2 or more, a plurality of R 1 to R 3 are the same or different from each other,
Among the plurality of R 2 and R 3 , each one is connected to the '*',
R 4 to R 11 are the same or different from each other, and each independently represents hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted alkyl group with 1 to 30 carbon atoms, a substituted or unsubstituted alkoxy group with 1 to 30 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted carbon number. 3 to 20 cycloalkyl group, substituted or unsubstituted heterocycloalkyl group with 3 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted aryl group with 6 to 30 carbon atoms, substituted or unsubstituted heteroaryl group with 2 to 50 carbon atoms, substituted or Any one selected from an unsubstituted aliphatic aromatic mixed ring group having 3 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted silyl group, a substituted or unsubstituted germanium group, a cyano group, and a halogen group,
At least one of R 4 to R 11 is characterized in that it is represented by the following [structural formula 1],
[Structural Formula 1]

In [Structural Formula 1] above,
Ar 1 and Ar 2 are the same or different from each other, are each independently the same as or different from each other, and are each independently a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring having 6 to 50 carbon atoms and a substituted or unsubstituted aromatic hetero ring having 2 to 50 carbon atoms It is one selected from among the rings.
제1항에 있어서,
상기 R4, R6 및 R7 중에서 선택된 어느 하나; 및 상기 R8, R10 및 R11 중에서 선택된 어느 하나;가 각각 상기 [구조식 1]인 것을 특징으로 하는 카바졸 유도체 화합물.
According to paragraph 1,
Any one selected from R 4 , R 6 and R 7 ; and any one selected from R 8 , R 10 and R 11 ; each of the above [Structural Formula 1].
제1항에 있어서,
상기 R4, R6 및 R7 중에서 선택된 어느 하나가 상기 [구조식 1]인 것을 특징으로 하는 카바졸 유도체 화합물.
According to paragraph 1,
A carbazole derivative compound, wherein any one selected from R 4 , R 6 and R 7 is the [Structural Formula 1].
제1항에 있어서,
상기 [화학식 Ⅰ]은 하기 [화학식 Ⅰ-1] 또는 [화학식 Ⅰ-2]로 표시되는 것을 특징으로 하는 카바졸 유도체 화합물:
[화학식 Ⅰ-1] [화학식 Ⅰ-2]

상기 [화학식 Ⅰ-1]과 [화학식 Ⅰ-2]에서, X, R1 내지 R11, p, q 및 r의 정의는 상기 제1항 [화학식 Ⅰ]에서의 정의와 동일하고, 상기 복수 개의 R3 중 어느 하나는 상기 '*'에 연결되는 부위이다.
According to paragraph 1,
The [Formula I] is a carbazole derivative compound characterized in that it is represented by the following [Formula I-1] or [Formula I-2]:
[Formula Ⅰ-1] [Formula Ⅰ-2]

In the [Formula Ⅰ- 1 ] and [Formula -2], the definitions of Any one of R 3 is a region connected to the '*'.
제1항에 있어서,
상기 [화학식 Ⅰ]에서의 R1 내지 R11, Ar1 및 Ar2의 정의에서 '치환 또는 비치환된'이란 상기 R1 내지 R11, Ar1 및 Ar2가 각각 중수소, 시아노기, 할로겐기, 히드록시기, 니트로기, 알킬기, 할로겐화된 알킬기, 알콕시기, 할로겐화된 알콕시기, 시클로알킬기, 헤테로시클로알킬기, 아릴기, 헤테로아릴기, 지방족 방향족 혼합고리기, 아민기, 실릴기 및 저마늄기 중에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되거나, 상기 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미하고, 상기 치환기 내 수소는 하나 이상의 중수소로 치환 가능하며, 2개 이상의 인접한 치환기는 서로 연결되어 지환족 또는 방향족의 단일환 또는 다환의 고리를 추가 형성할 수 있다.
According to paragraph 1,
In the definition of R 1 to R 11 , Ar 1 and Ar 2 in [Formula I], ‘substituted or unsubstituted’ means that R 1 to R 11 , Ar 1 and Ar 2 are respectively deuterium, cyano group, and halogen group. , hydroxy group, nitro group, alkyl group, halogenated alkyl group, alkoxy group, halogenated alkoxy group, cycloalkyl group, heterocycloalkyl group, aryl group, heteroaryl group, aliphatic aromatic mixed ring group, amine group, silyl group and germanium group. It means that it is substituted with 1 or 2 or more substituents, or is substituted with a substituent in which 2 or more of the substituents are connected, or does not have any substituent, and the hydrogen in the substituent can be replaced by one or more deuterium, and 2 or more adjacent substituents may be connected to each other to further form an alicyclic or aromatic monocyclic or polycyclic ring.
제1항에 있어서,
상기 [화학식 Ⅰ]은 R1 내지 R11이 부분적으로 중수소 (D)로 치환된 화합물인 것을 특징으로 하고, 상기 중수소 (D) 치환율이 10 ~ 90%인 것을 특징으로 하는 카바졸 유도체 화합물.
According to paragraph 1,
[Formula I] is a carbazole derivative compound characterized in that R 1 to R 11 are partially substituted with deuterium (D), and the deuterium (D) substitution rate is 10 to 90%.
제6항에 있어서,
상기 중수소 (D) 치환율이 20 ~ 80%인 것을 특징으로 하는 카바졸 유도체 화합물.
According to clause 6,
A carbazole derivative compound characterized in that the deuterium (D) substitution rate is 20 to 80%.
제6항에 있어서,
상기 중수소 (D) 치환율이 30 ~ 70%인 것을 특징으로 하는 카바졸 유도체 화합물.
According to clause 6,
A carbazole derivative compound characterized in that the deuterium (D) substitution rate is 30 to 70%.
제1항에 있어서,
상기 [화학식 Ⅰ]은 하기 [화학식 1] 내지 [화학식 447] 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기 화합물:









































According to paragraph 1,
[Formula I] is an organic compound selected from the following [Formula 1] to [Formula 447]:









































제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기층을 포함하는 유기발광소자로서,
상기 유기층 중 복수 개의 유기층으로 이루어지고, 상기 복수 개의 유기층 중 1층 이상은 제1항에 따른 [화학식 Ⅰ]로 구현되는 유기 화합물을 하나 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
An organic light-emitting device comprising a first electrode, a second electrode, and one or more organic layers disposed between the first electrode and the second electrode,
An organic light-emitting device comprising a plurality of organic layers, wherein at least one layer among the plurality of organic layers includes at least one organic compound represented by [Chemical Formula I] according to claim 1.
제10항에 있어서,
상기 유기층은 전자주입층, 전자수송층, 정공주입층, 정공수송층, 전자저지층, 정공저지층 및 발광층 중 1층 이상을 포함하고,
상기 층들 중 1층 이상이 상기 [화학식 Ⅰ]로 표시되는 유기 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
According to clause 10,
The organic layer includes one or more of an electron injection layer, an electron transport layer, a hole injection layer, a hole transport layer, an electron blocking layer, a hole blocking layer, and a light emitting layer,
An organic light-emitting device, wherein at least one of the layers includes an organic compound represented by the formula (I).
제11항에 있어서,
상기 전자저지층에 상기 [화학식 Ⅰ]로 표시되는 유기 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자.
According to clause 11,
An organic light-emitting device comprising an organic compound represented by [Chemical Formula I] in the electron blocking layer.
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