KR20240107460A - Gate driving circuit and foldable display apparatus including the same - Google Patents

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KR20240107460A
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이정민
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 명세서는 게이트 드라이버의 풀다운 트랜지스터의 백 게이트 전극에 백 바이어스 전압을 인가함으로써 구동 마진을 개선할 수 있는 게이트 구동 회로 및 이를 포함하는 폴더블 표시 장치를 개시한다. 게이트 구동 회로는, 표시 패널의 게이트 라인들을 각각 구동하는 복수의 스테이지들을 포함하는 게이트 드라이버를 포함하고, 복수의 스테이지들 각각은 저전위 전압과 출력단 사이에 커플링되고, Q 노드의 신호에 응답하여 출력단을 풀다운 구동하는, 출력단은 게이트 신호를 출력하는, 풀다운 트랜지스터; 출력단과 고전위 전압 사이에 커플링되며, QB 노드의 신호에 응답하여 출력단을 풀업 구동하는 풀업 트랜지스터; Q 노드와 출력단 사이에 커플링되는 제1 커패시터; 및 QB 노드와 고전위 전압 사이에 커플링되는 제2 커패시터를 포함하고, 풀다운 트랜지스터의 백 게이트 전극은 백 바이어스 전압이 인가되는 전원 라인과 커플링된다.This specification discloses a gate driving circuit that can improve driving margin by applying a back bias voltage to the back gate electrode of a pull-down transistor of a gate driver, and a foldable display device including the same. The gate driving circuit includes a gate driver including a plurality of stages that respectively drive the gate lines of the display panel, each of the plurality of stages being coupled between a low potential voltage and an output terminal, and responding to a signal from the Q node. A pull-down transistor that pull-down drives the output stage, and the output stage outputs a gate signal; A pull-up transistor coupled between the output stage and a high potential voltage and pulling up the output stage in response to a signal from the QB node; A first capacitor coupled between the Q node and the output terminal; and a second capacitor coupled between the QB node and the high potential voltage, and the back gate electrode of the pull-down transistor is coupled to the power line to which the back bias voltage is applied.

Description

게이트 구동 회로 및 이를 포함하는 폴더블 표시 장치{GATE DRIVING CIRCUIT AND FOLDABLE DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE SAME}Gate driving circuit and foldable display device including the same {GATE DRIVING CIRCUIT AND FOLDABLE DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE SAME}

본 명세서는 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 게이트 구동 회로 및 이를 포함하는 폴더블 표시 장치에 관한 것이다.This specification relates to a display device, and more specifically, to a gate driving circuit and a foldable display device including the same.

정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시 장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있으며, 액정 표시 장치, 유기 발광 표시 장치와 같은 다양한 표시 장치가 활용되고 있다.As the information society develops, the demand for display devices for displaying images in various forms is increasing, and various display devices such as liquid crystal displays and organic light emitting display devices are being utilized.

이러한 표시 장치는 표시 패널의 데이터 라인들에 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동 회로, 표시 패널의 게이트 라인들에 게이트 신호를 순차적으로 공급하는 게이트 구동 회로를 포함한다.This display device includes a data driving circuit that supplies data signals to data lines of the display panel, and a gate driving circuit that sequentially supplies gate signals to gate lines of the display panel.

최근 표시 장치가 박형 화됨에 따라 게이트 구동 회로를 화소 어레이와 함께 표시 패널에 내장하는 기술이 개발되고 있다. 이러한 표시 패널에 내장된 게이트 구동 회로는 GIP(Gate In Panel) 구동 회로로 알려져 있다.Recently, as display devices have become thinner, technologies for embedding a gate driving circuit in a display panel along with a pixel array are being developed. The gate driving circuit built into such a display panel is known as a GIP (Gate In Panel) driving circuit.

게이트 구동 회로는 적어도 하나의 게이트 드라이버를 포함한다. 게이트 드라이버는 안정적인 출력을 유지하기 위해 Q 노드와 출력단 사이의 커패시터를 통한 부트스트랩(bootstrap)을 이용하여 Q 노드의 전압을 저전위 전압(VGL) 대비 낮게 설정한다. 이와 같이 게이트 드라이버는 출력단을 풀다운 구동 시 풀다운 트랜지스터의 게이트 소스 전압(VGS)을 문턱 전압(Vth)보다 크게 유지해 주는 것이 필요하다.The gate driving circuit includes at least one gate driver. To maintain stable output, the gate driver sets the voltage of the Q node lower than the low potential voltage (VGL) using a bootstrap through a capacitor between the Q node and the output terminal. In this way, the gate driver needs to maintain the gate source voltage (VGS) of the pull-down transistor greater than the threshold voltage (Vth) when driving the output stage to pull down.

그러나 게이트 드라이버는 장기간 구동 시 트랜지스터 소자 열화로 인해 문턱 전압이 시프트(shift)하게 되면 풀다운 트랜지스터의 구동 능력이 감소하여 부트스트랩 효율 감소로 인해 게이트 드라이버의 구동 마진이 감소하는 문제점이 있다.However, when the gate driver is driven for a long period of time, when the threshold voltage shifts due to transistor element deterioration, the driving ability of the pull-down transistor is reduced, which reduces the driving margin of the gate driver due to reduced bootstrap efficiency.

본 명세서의 발명자들은 별도의 추가 도핑(doping) 공정이나, 커패시터 추가 설계 없이 풀다운 트랜지스터의 문턱 전압 시프트를 통한 게이트 드라이버의 구동 마진을 개선할 수 있는 장치를 발명하였다.The inventors of this specification have invented a device that can improve the driving margin of a gate driver by shifting the threshold voltage of a pull-down transistor without a separate additional doping process or additional capacitor design.

본 명세서의 일 실시예에 따른 해결 과제는 게이트 드라이버의 풀다운 트랜지스터의 백 게이트 전극에 백 바이어스 전압을 인가함으로써 구동 마진을 개선할 수 있는 게이트 구동 회로 및 이를 포함하는 폴더블 표시 장치를 제공하는데 있다.The problem to be solved according to an embodiment of the present specification is to provide a gate driving circuit capable of improving driving margin by applying a back bias voltage to the back gate electrode of the pull-down transistor of the gate driver, and a foldable display device including the same.

또한, 본 명세서의 일 실시예에 따른 해결 과제는 표시 패널을 구동하기 위한 주파수의 변동에 따라 게이트 드라이버의 풀다운 트랜지스터의 백 게이트 전극에 인가되는 백 바이어스 전압을 가변하여 서로 다른 주파수로 구동하는 표시 영역의 휘도 차이를 개선할 수 있는 게이트 구동 회로 및 이를 포함하는 폴더블 표시 장치를 제공하는데 있다.In addition, the problem to be solved according to an embodiment of the present specification is to drive display areas at different frequencies by varying the back bias voltage applied to the back gate electrode of the pull-down transistor of the gate driver according to the change in frequency for driving the display panel. The goal is to provide a gate driving circuit that can improve the luminance difference and a foldable display device including the same.

본 명세서의 일 실시예에 따른 해결 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved according to an embodiment of the present specification are not limited to the problems mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

본 명세서의 일 실시예에 따른 게이트 구동 회로는, 표시 패널의 게이트 라인들을 각각 구동하는 복수의 스테이지들을 포함하는 게이트 드라이버를 포함하고, 복수의 스테이지들 각각은 저전위 전압과 출력단 사이에 커플링되고, Q 노드의 신호에 응답하여 출력단을 풀다운 구동하는, 출력단은 게이트 신호를 출력하는, 풀다운 트랜지스터; 출력단과 고전위 전압 사이에 커플링되며, QB 노드의 신호에 응답하여 출력단을 풀업 구동하는 풀업 트랜지스터; Q 노드와 출력단 사이에 커플링되는 제1 커패시터; 및 QB 노드와 고전위 전압 사이에 커플링되는 제2 커패시터를 포함하고, 풀다운 트랜지스터의 백 게이트 전극은 백 바이어스 전압이 인가되는 전원 라인과 커플링된다.A gate driving circuit according to an embodiment of the present specification includes a gate driver including a plurality of stages that respectively drive gate lines of a display panel, each of the plurality of stages being coupled between a low potential voltage and an output terminal, , a pull-down transistor that pull-down drives the output stage in response to a signal from the Q node, and the output stage outputs a gate signal; A pull-up transistor coupled between the output stage and a high potential voltage and pulling up the output stage in response to a signal from the QB node; A first capacitor coupled between the Q node and the output terminal; and a second capacitor coupled between the QB node and the high potential voltage, and the back gate electrode of the pull-down transistor is coupled to the power line to which the back bias voltage is applied.

본 명세서의 일 실시예에 따른 폴더블 표시 장치는, 제1 주파수로 구동되는 제1 표시 영역 및 제1 주파수와 다른 제2 주파수로 구동되는 제2 표시 영역을 포함하는 표시 패널; 및 제1 표시 영역에 제1 게이트 신호를 출력하는 제1 게이트 드라이버를 포함하고, 제1 게이트 드라이버는 제1 복수개의 스테이지들을 포함하며, 제1 복수개의 스테이지들 각각은 제1 게이트 신호를 출력하는 제1 출력단을 풀다운 구동하는 제1 풀다운 트랜지스터, 및 제1 출력단을 풀업 구동하는 제1 풀업 트랜지스터를 포함하고, 제1 풀다운 트랜지스터의 백 게이트 전극은 제1 백바이어스 전압이 인가되는 제1 전원 라인과 커플링된다.A foldable display device according to an embodiment of the present specification includes: a display panel including a first display area driven at a first frequency and a second display area driven at a second frequency different from the first frequency; and a first gate driver that outputs a first gate signal to the first display area, wherein the first gate driver includes a first plurality of stages, and each of the first plurality of stages outputs a first gate signal. It includes a first pull-down transistor that pull-down drives the first output terminal, and a first pull-up transistor that pull-up drives the first output terminal, and the back gate electrode of the first pull-down transistor is connected to the first power line to which the first back bias voltage is applied. are coupled.

실시예들에 따르면, 게이트 드라이버의 풀다운 트랜지스터의 백 게이트 전극에 백 바이어스 전압을 인가함으로써 구동 마진을 개선할 수 있다.According to embodiments, the driving margin can be improved by applying a back bias voltage to the back gate electrode of the pull-down transistor of the gate driver.

또한, 표시 패널을 구동하기 위한 주파수의 변동에 따라 게이트 드라이버의 풀다운 트랜지스터의 백 게이트 전극에 인가되는 백 바이어스 전압을 가변하여 서로 다른 주파수로 구동하는 표시 영역의 휘도 차이를 개선할 수 있다.Additionally, the back bias voltage applied to the back gate electrode of the pull-down transistor of the gate driver can be varied according to the change in the frequency for driving the display panel, thereby improving the difference in luminance between display areas driven at different frequencies.

상술한 효과와 더불어 본 발명의 구체적인 효과는 이하 발명을 실시하기 위한 구체적인 사항을 설명하면서 함께 기술한다.In addition to the above-described effects, specific effects of the present invention are described below while explaining specific details for carrying out the invention.

도 1은 본 명세서의 일 실시예에 따른 게이트 구동 회로를 도시한다.
도 2는 본 명세서의 일 실시예에 따른 게이트 구동 회로의 타이밍도를 도시한다.
도 3은 본 명세서의 다른 실시예 따른 게이트 구동 회로를 도시한다.
도 4는 백 바이어스 전압 인가에 따라 시프트되는 트랜지스터의 특성 곡선을 도시한다.
도 5는 본 명세서의 일 실시예에 따른 폴더블 표시 장치를 도시한다.
도 6은 도 5의 서로 다른 주파수로 구동하는 영역의 타이밍도를 도시한다.
도 7은 본 명세서의 다른 실시예에 따른 폴더블 표시 장치의 게이트 구동 회로를 도시한다.
도 8은 백 바이어스 전압에 따라 지연되는 게이트 신호의 출력 파형을 도시한다.
1 shows a gate driving circuit according to an embodiment of the present specification.
Figure 2 shows a timing diagram of a gate driving circuit according to an embodiment of the present specification.
Figure 3 shows a gate driving circuit according to another embodiment of the present specification.
Figure 4 shows a characteristic curve of a transistor that shifts according to the application of a back bias voltage.
Figure 5 shows a foldable display device according to an embodiment of the present specification.
FIG. 6 shows a timing diagram of regions driving at different frequencies in FIG. 5.
Figure 7 shows a gate driving circuit of a foldable display device according to another embodiment of the present specification.
Figure 8 shows the output waveform of the gate signal delayed according to the back bias voltage.

본 명세서의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 명세서는 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 명세서의 개시가 완전하도록 하며, 본 명세서가 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 명세서는 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. The advantages and features of the present specification and methods for achieving them will become clear by referring to the embodiments described in detail below along with the accompanying drawings. However, the present specification is not limited to the embodiments disclosed below and will be implemented in various different forms, but the present embodiments only serve to ensure that the disclosure of the present specification is complete and that common knowledge in the technical field to which this specification pertains is provided. It is provided to fully inform those who have the scope of the invention, and this specification is only defined by the scope of the claims.

본 명세서의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 명세서가 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 명세서를 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. The shape, size, ratio, angle, number, etc. disclosed in the drawings for explaining the embodiments of the present specification are illustrative, and the present specification is not limited to the matters shown. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. Additionally, in describing the present specification, if it is determined that a detailed description of related known technologies may unnecessarily obscure the gist of the present specification, the detailed description will be omitted. When 'includes', 'has', 'consists of', etc. mentioned in this specification are used, other parts may be added unless 'only' is used. When a component is expressed in the singular, the plural is included unless specifically stated otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.When interpreting a component, it is interpreted to include the margin of error even if there is no separate explicit description.

시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간 적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the case of a description of a temporal relationship, for example, if a temporal relationship is described as ‘after’, ‘after’, ‘after’, ‘before’, etc., ‘immediately’ or ‘directly’ Non-consecutive cases may also be included unless ' is used.

신호의 흐름 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, 'A 노드에서 B 노드로 신호가 전달된다'는 경우에도 '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않은 이상, A 노드에서 다른 노드를 경유하여 B 노드로 신호가 전달되는 경우를 포함할 수 있다.In the case of a description of the signal flow relationship, for example, 'a signal is transmitted from node A to node B', unless 'immediately' or 'directly' is used, it is transmitted from node A to another node. This may include cases where a signal is transmitted to the B node.

제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 명세서의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms. These terms are merely used to distinguish one component from another. Accordingly, the first component mentioned below may be the second component within the technical idea of the present specification.

본 명세서의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.Each feature of the various embodiments of the present specification can be combined or combined with each other, partially or entirely, and various technological interconnections and operations are possible, and each embodiment may be implemented independently of each other or together in a related relationship. It may be possible.

이하에서는, 몇몇 실시예들에 따른 게이트 구동 회로 및 이를 포함하는 폴더블 표시 장치를 설명하도록 한다. Hereinafter, a gate driving circuit and a foldable display device including the same according to some embodiments will be described.

도 1은 본 명세서의 일 실시예에 따른 게이트 구동 회로를 도시한다.1 shows a gate driving circuit according to an embodiment of the present specification.

도 1에는 도시되지 않았으나, 게이트 구동 회로는 적어도 하나의 게이트 드라이버를 포함할 수 있고, 게이트 드라이버는 표시 패널의 게이트 라인들 각각에 게이트 신호를 출력하는 복수의 스테이지들을 포함할 수 있다.Although not shown in FIG. 1 , the gate driving circuit may include at least one gate driver, and the gate driver may include a plurality of stages that output gate signals to each of the gate lines of the display panel.

도 1을 참고하면, 복수의 스테이지들 각각은 풀다운 트랜지스터(T1), 풀업 트랜지스터(T2), 제1 커패시터(CB), 제2 커패시터(CQB), 전달 트랜지스터(TA), 제1 트랜지스터(T3), 제2 트랜지스터(T4), 제3 트랜지스터(T5), 제4 트랜지스터(T6)를 포함한다.Referring to FIG. 1, each of the plurality of stages includes a pull-down transistor (T1), a pull-up transistor (T2), a first capacitor (CB), a second capacitor (CQB), a transfer transistor (TA), and a first transistor (T3). , includes a second transistor (T4), a third transistor (T5), and a fourth transistor (T6).

풀다운 트랜지스터(T1)는 저전위 전압(VGL)과 출력단(OUT) 사이에 커플링되고, Q 노드의 신호에 응답하여 출력단(OUT)을 저전위 전압(VGL)으로 풀다운 구동한다. 출력단(OUT)을 통해서 출력되는 게이트 신호는 표시 패널의 게이트 라인에 제공된다.The pull-down transistor (T1) is coupled between the low-potential voltage (VGL) and the output terminal (OUT), and pull-down drives the output terminal (OUT) to the low-potential voltage (VGL) in response to the signal of the Q node. The gate signal output through the output terminal (OUT) is provided to the gate line of the display panel.

풀업 트랜지스터(T2)는 출력단(OUT)과 고전위 전압(VGH) 사이에 커플링되며, QB 노드의 신호에 응답하여 출력단(OUT)을 고전위 전압(VGH)으로 풀업 구동한다.The pull-up transistor (T2) is coupled between the output terminal (OUT) and the high potential voltage (VGH), and pull-up drives the output terminal (OUT) to the high potential voltage (VGH) in response to the signal from the QB node.

제1 커패시터(CB)는 Q 노드와 출력단(OUT) 사이에 커플링된다. 제1 커패시터(CB)는 Q 노드의 신호를 충전한다. 제1 커패시터(CB)는 부트스트랩으로 이용되어 Q 노드의 전압을 저전위 전압(VGL)보다 낮게 만들어줌으로써 풀다운 트랜지스터(T1)는 Q 노드의 신호에 응답하여 안정적으로 턴온될 수 있다.The first capacitor (CB) is coupled between the Q node and the output terminal (OUT). The first capacitor (CB) charges the signal of the Q node. The first capacitor (CB) is used as a bootstrap to make the voltage of the Q node lower than the low potential voltage (VGL), so that the pull-down transistor (T1) can be stably turned on in response to the signal of the Q node.

제2 커패시터(CQB)는 QB 노드와 고전위 전압(VGH) 사이에 커플링된다. 제2 커패시터(CQB)는 QB 노드의 신호를 충전한다.The second capacitor (CQB) is coupled between the QB node and the high potential voltage (VGH). The second capacitor (CQB) charges the signal of the QB node.

전달 트랜지스터(TA)는 저전위 전압(VGL)에 응답하여 Q2 노드의 신호를 Q 노드에 전달한다.The transfer transistor (TA) transfers the signal from the Q2 node to the Q node in response to the low potential voltage (VGL).

제1 트랜지스터(T3)는 클럭 신호(CLK)에 응답하여 스타트 신호(VST)를 Q2 노드에 전달한다. 여기서, 제1 트랜지스터(T3)는 스타트 신호(VST)를 Q2 노드에 전달하는 것으로 예시하고 있으나, 이전 스테이지로부터 출력되는 캐리 신호를 Q2 노드에 전달할 수 있다.The first transistor T3 transmits the start signal VST to the Q2 node in response to the clock signal CLK. Here, the first transistor T3 is illustrated as transmitting the start signal VST to the Q2 node, but it can transmit the carry signal output from the previous stage to the Q2 node.

제2 트랜지스터(T4)는 스타트 신호(VST)에 응답하여 고전위 전압(VGH)을 Q1 노드에 전달한다. 여기서, 제2 트랜지스터(T4)는 스타트 신호(VST)에 응답하여 구동하는 것으로 예시하고 있으나, 이전 스테이지로부터 출력되는 캐리 신호에 응답하여 구동할 수 있다.The second transistor T4 transmits the high potential voltage VGH to the Q1 node in response to the start signal VST. Here, the second transistor T4 is illustrated as being driven in response to the start signal VST, but it can be driven in response to a carry signal output from the previous stage.

제3 커패시터(C_ON)는 Q1 노드와 클럭 신호(CLK) 사이에 커플링된다. 제3 커패시터(C_ON)는 클럭 신호(CLK)에 따라 Q1 노드의 신호를 충전 또는 방전한다.The third capacitor (C_ON) is coupled between the Q1 node and the clock signal (CLK). The third capacitor (C_ON) charges or discharges the signal of the Q1 node according to the clock signal (CLK).

제3 트랜지스터(T5)는 Q1 노드의 신호에 응답하여 클럭 신호(CLK)를 QB 노드에 전달한다.The third transistor T5 transmits the clock signal CLK to the QB node in response to the signal from the Q1 node.

제4 트랜지스터(T6)는 Q2 노드의 신호에 응답하여 QB 노드에 고전위 전압(VGH)을 전달한다.The fourth transistor T6 delivers a high potential voltage (VGH) to the QB node in response to the signal from the Q2 node.

출력단(OUT)의 게이트 신호는 표시 패널의 데이터 라인에 제공될 수 있고, 캐리 신호로서 다음 스테이지에 제공될 수 있다. 다음 스테이지는 캐리 신호에 응답하여 게이트 신호를 다음 순서에 출력할 수 있다.The gate signal of the output terminal (OUT) may be provided to the data line of the display panel and may be provided to the next stage as a carry signal. The next stage can output the gate signal in the next order in response to the carry signal.

도 2는 본 명세서의 일 실시예에 따른 게이트 구동 회로의 타이밍도를 도시한다.Figure 2 shows a timing diagram of a gate driving circuit according to an embodiment of the present specification.

도 1 및 도 2를 참고하면, 게이트 드라이버는 안정적인 출력을 유지하기 위해 Q 노드와 출력단(OUT) 사이의 제1 커패시터(CB)를 통한 부트스트랩을 이용하여 Q 노드의 전압을 저전위 전압(VGL) 보다 낮게 설정한다. Q 노드의 전압은 부트스트랩된 로우(Bootstrapped low) 레벨로 낮아질 수 있다.Referring to Figures 1 and 2, in order to maintain a stable output, the gate driver uses a bootstrap through the first capacitor (CB) between the Q node and the output terminal (OUT) to lower the voltage of the Q node to a low potential voltage (VGL). ) set lower than that. The voltage of the Q node can be lowered to a bootstrapped low level.

게이트 드라이버는 출력단(OUT)이 고전위 전압(VGH)에서 저전위 전압(VGL)으로 변동되는 순간 부트스트랩이 발생하게 되는데, 풀다운 트랜지스터의 구동 능력이 좋을수록 부트스트랩 효율이 증가하게 된다.The gate driver's bootstrap occurs the moment the output terminal (OUT) changes from the high potential voltage (VGH) to the low potential voltage (VGL). The better the driving ability of the pull-down transistor, the higher the bootstrap efficiency.

그런데, 게이트 드라이버는 장기간 구동에 의해 풀다운 트랜지스터 소자에 열화가 발생하여 구동 능력이 감소하게 되는 경우, PMOS 트랜지스터 기준 네거티브 문턱 전압(Vth)이 시프트되어 부트스트랩 효율이 감소하고, 이로 인해 게이트 드라이버의 출력이 정상적으로 되기 위한 구동 마진이 감소할 수 있다.However, when the gate driver's pull-down transistor element deteriorates due to long-term driving and the driving ability is reduced, the negative threshold voltage (Vth) based on the PMOS transistor is shifted and the bootstrap efficiency decreases, which causes the gate driver's output The driving margin for normalization may decrease.

본 명세서의 실시예들은 별도의 도핑(doping) 공정이나 네로우 베젤 조건에서 캐패시터 추가 없이 트랜지스터의 백 게이트 전극에 별도의 전원 라인을 커플링하여 백 바이어스 전압을 인가함으로써 트랜지스터의 문턱 전압을 시프트시켜 게이트 드라이버의 구동 마진을 개선하고자 한다.Embodiments of the present specification apply a back bias voltage by coupling a separate power line to the back gate electrode of the transistor without adding a capacitor under a separate doping process or narrow bezel condition, thereby shifting the threshold voltage of the transistor to generate a gate electrode. We want to improve the driver's operating margin.

도 3은 본 명세서의 다른 실시예 따른 게이트 구동 회로를 도시한다. Figure 3 shows a gate driving circuit according to another embodiment of the present specification.

도 4는 백 바이어스 전압 인가에 따라 시프트되는 트랜지스터의 특성 곡선을 도시한다.Figure 4 shows a characteristic curve of a transistor that shifts according to the application of a back bias voltage.

실시예 따른 게이트 구동 회로는 적어도 하나의 게이트 드라이버를 포함할 수 있고, 게이트 드라이버는 표시 패널의 게이트 라인들 각각에 게이트 신호를 출력하는 복수의 스테이지들을 포함할 수 있다.A gate driving circuit according to an embodiment may include at least one gate driver, and the gate driver may include a plurality of stages that output gate signals to each of the gate lines of the display panel.

도 3 및 도 4를 참고하면, 복수의 스테이지들 각각은 풀다운 트랜지스터(T1), 풀업 트랜지스터(T2), 제1 커패시터(CB), 및 제2 커패시터(CQB)를 포함한다. 도 3은 게이트 드라이버의 일부 회로를 도시한 것으로서, 도 1과 공통되는 구성은 도 1의 설명으로 대체한다.Referring to FIGS. 3 and 4 , each of the plurality of stages includes a pull-down transistor (T1), a pull-up transistor (T2), a first capacitor (CB), and a second capacitor (CQB). FIG. 3 shows a partial circuit of the gate driver, and configurations common to FIG. 1 are replaced with the description of FIG. 1.

풀다운 트랜지스터(T1)는 저전위 전압(VGL)과 출력단(OUT) 사이에 커플링되고, Q 노드의 신호에 응답하여 출력단(OUT)을 저전위 전압(VGL)으로 풀다운 구동한다. 출력단(OUT)을 통해서 출력되는 게이트 신호는 표시 패널의 게이트 라인에 제공된다.The pull-down transistor (T1) is coupled between the low-potential voltage (VGL) and the output terminal (OUT), and pull-down drives the output terminal (OUT) to the low-potential voltage (VGL) in response to the signal of the Q node. The gate signal output through the output terminal (OUT) is provided to the gate line of the display panel.

여기서, 풀다운 트랜지스터(T1)의 백 게이트 전극은 백 바이어스 전압(VBS)이 인가되는 전원 라인(PL)과 커플링된다. 백 바이어스 전압(VBS)은 표시 패널의 주파수의 변동에 따라 가변될 수 있다. 일례로, 백 바이어스 전압(VBS)은 주파수가 낮아짐에 따라 상승할 수 있다.Here, the back gate electrode of the pull-down transistor T1 is coupled to the power line PL to which the back bias voltage VBS is applied. The back bias voltage (VBS) may vary according to changes in the frequency of the display panel. For example, back bias voltage (VBS) may increase as frequency is lowered.

백 바이어스 전압(VBS)의 조정을 통해 풀다운 트랜지스터(T1)의 문턱 전압을 목표한 문턱 전압으로 맞출 수 있어 공정 추가 및 레이아웃 설계 영역 손실 없이 게이트 드라이버의 구동 마진을 향상시킬 수 있다.By adjusting the back bias voltage (VBS), the threshold voltage of the pull-down transistor (T1) can be adjusted to the target threshold voltage, thereby improving the driving margin of the gate driver without adding a process or losing layout design area.

풀업 트랜지스터(T2)는 출력단(OUT)과 고전위 전압(VGH) 사이에 커플링되며, QB 노드의 신호에 응답하여 출력단(OUT)을 고전위 전압(VGH)으로 풀업 구동한다.The pull-up transistor (T2) is coupled between the output terminal (OUT) and the high potential voltage (VGH), and pull-up drives the output terminal (OUT) to the high potential voltage (VGH) in response to the signal from the QB node.

제1 커패시터(CB)는 Q 노드와 출력단(OUT) 사이에 커플링된다. 제1 커패시터(CB)는 Q 노드의 신호를 충전한다. 제1 커패시터(CB)는 부트스트랩으로 이용되어 Q 노드의 전압을 저전위 전압(VGL)보다 낮게 만들어줌으로써 풀다운 트랜지스터(T1)가 안정적으로 턴온될 수 있게 한다.The first capacitor (CB) is coupled between the Q node and the output terminal (OUT). The first capacitor (CB) charges the signal of the Q node. The first capacitor (CB) is used as a bootstrap to make the voltage of the Q node lower than the low potential voltage (VGL) so that the pull-down transistor (T1) can be turned on stably.

제2 커패시터(CQB)는 QB 노드와 고전위 전압(VGH) 사이에 커플링된다. 제2 커패시터(CQB)는 QB 노드의 신호를 충전한다.The second capacitor (CQB) is coupled between the QB node and the high potential voltage (VGH). The second capacitor (CQB) charges the signal of the QB node.

금속 산화물 반도체(MOS) 소자는 백 게이트 전극에 인가되는 백 바이어스 전압(VBS)에 따라 전류-전압 곡선(I-V curve )이 평행하게 시프트되는 특성을 가진다.Metal oxide semiconductor (MOS) devices have the characteristic of shifting the current-voltage curve (I-V curve) in parallel according to the back bias voltage (VBS) applied to the back gate electrode.

본 명세서에서는 구동 능력 극대화가 필요한 게이트 드라이버 회로 내 풀다운 트랜지스터의 바디에 백 게이트 전극을 형성한 후 별도의 전원 라인(PL)을 커플링하고, 백 바이어스 전압(VBS)을 인가하여 문턱 전압(Vth)을 시프트시킴으로써 해당 풀다운 트랜지스터의 구동 능력 향상 및 부트스트랩 효율 향상을 통해 게이트 드라이버의 구동 마진을 개선 할 수 있다.In this specification, a back gate electrode is formed on the body of a pull-down transistor in a gate driver circuit that requires maximum driving ability, then a separate power line (PL) is coupled, and a back bias voltage (VBS) is applied to increase the threshold voltage (Vth). By shifting, the driving margin of the gate driver can be improved by improving the driving ability of the corresponding pull-down transistor and improving bootstrap efficiency.

한편, 백 바이어스 전압(VBS)은 풀다운 트랜지스터(T1)의 턴온 기간에 저전위 전압(VGL)보다 높은 값으로 인가될 수 있다. 또한, 백 바이어스 전압(VBS)은 풀다운 트랜지스터(T1)의 턴오프 기간에 저전위 전압(VGL)보다 낮은 값으로 인가될 수 있다.Meanwhile, the back bias voltage (VBS) may be applied at a higher value than the low potential voltage (VGL) during the turn-on period of the pull-down transistor (T1). Additionally, the back bias voltage (VBS) may be applied at a value lower than the low potential voltage (VGL) during the turn-off period of the pull-down transistor (T1).

본 실시예는 풀다운 트랜지스터(T1)의 턴오프 기간에 저전위 전압(VGL)보다 낮은 값으로 인가하여 풀다운 트랜지스터(T1)를 차단함으로써 누설 전류를 방지할 수 있다.In this embodiment, leakage current can be prevented by applying a value lower than the low potential voltage (VGL) during the turn-off period of the pull-down transistor (T1) to block the pull-down transistor (T1).

도 5는 본 명세서의 일 실시예에 따른 폴더블 표시 장치를 도시한다. 도 6은 도 5의 서로 다른 주파수로 구동하는 영역의 타이밍도를 도시한다.Figure 5 shows a foldable display device according to an embodiment of the present specification. FIG. 6 shows a timing diagram of regions driving at different frequencies in FIG. 5.

도 5 및 도 6을 참고하면, 폴더블 표시 장치는 폴딩이 가능한 표시 패널(100)을 포함한다. 폴더블 표시 장치는 다중 주파수를 사용하여 표시 패널(100)을 구동할 수 있다. 일례로, 표시 패널(100)은 제1 주파수로 구동되는 제1 표시 영역(110) 및 제1 주파수와 다른 제2 주파수로 구동되는 제2 표시 영역(120)을 포함할 수 있다. Referring to FIGS. 5 and 6 , the foldable display device includes a display panel 100 that can be folded. The foldable display device can drive the display panel 100 using multiple frequencies. For example, the display panel 100 may include a first display area 110 driven at a first frequency and a second display area 120 driven at a second frequency different from the first frequency.

일례로, 표시 패널(100)은 폴딩이 되지 않은 경우 주파수 120Hz로 구동될 수 있다. 표시 패널(100)은 폴딩되는 경우 제1 표시 영역(110)은 주파수 120Hz로 구동될 수 있고 제2 표시 영역(120)은 주파수 1 ~ 60Hz 사이의 저 주파수로 구동될 수 있다. For example, when the display panel 100 is not folded, it may be driven at a frequency of 120 Hz. When the display panel 100 is folded, the first display area 110 may be driven at a frequency of 120 Hz and the second display area 120 may be driven at a low frequency between 1 and 60 Hz.

일례로, 표시 패널(100)이 폴딩된 경우 제1 표시 영역(110)에는 영상이 표시될 수 있고, 제2 표시 영역(120)에는 키보드가 표시될 수 있다. 제1 표시 영역(110)은 기본 주파수 구동 영역(110)으로 명명될 수 있다. 제2 표시 영역(120)은 저 주파수 구동 영역(120)으로 명명될 수 있다.For example, when the display panel 100 is folded, an image may be displayed in the first display area 110 and a keyboard may be displayed in the second display area 120. The first display area 110 may be named the basic frequency driving area 110. The second display area 120 may be referred to as a low frequency driving area 120.

일례로, 표시 패널(100)의 기본 주파수 구동 영역(110)은 주파수 120Hz로 구동될 수 있고 저 주파수 구동 영역(120)은 주파수 30Hz로 구동될 수 있다.For example, the basic frequency driving area 110 of the display panel 100 may be driven at a frequency of 120 Hz and the low frequency driving area 120 may be driven at a frequency of 30 Hz.

폴더블 표시 장치의 게이트 드라이버는 스타트 신호(GIP VST) 및 클럭 신호(CLK)에 응답하여 게이트 신호들을 순차적으로 출력하여 게이트 라인들을 순차적으로 스캔할 수 있다.The gate driver of the foldable display device can sequentially scan gate lines by sequentially outputting gate signals in response to a start signal (GIP VST) and a clock signal (CLK).

그런데, 폴더블 표시 장치는 게이트 드라이버의 클럭 부하(load) 편차에 기인하여 기본 주파수 구동 영역(110)과 저 주파수 구동 영역(120) 간에는 휘도 편차가 발생할 수 있다.However, in the foldable display device, a luminance difference may occur between the basic frequency driving area 110 and the low frequency driving area 120 due to a variation in the clock load of the gate driver.

본 명세서의 실시예에 따른 폴더블 표시 장치는 기본 주파수 구동 영역(110)과 저 주파수 구동 영역(120)의 풀다운 트랜지스터의 백 바이어스 전압을 달리함으로써 발생하는 게이트 신호 출력의 타이밍 지연 편차를 이용하여 휘도 편차를 개선하고자 한다.The foldable display device according to an embodiment of the present specification uses the timing delay deviation of the gate signal output generated by varying the back bias voltage of the pull-down transistor of the basic frequency driving region 110 and the low frequency driving region 120 to increase luminance. We want to improve the deviation.

도 7은 본 명세서의 다른 실시예에 따른 폴더블 표시 장치의 게이트 구동 회로를 도시한다. 도 8은 백 바이어스 전압에 따라 지연되는 게이트 신호의 출력 파형을 도시한다.Figure 7 shows a gate driving circuit of a foldable display device according to another embodiment of the present specification. Figure 8 shows the output waveform of the gate signal delayed according to the back bias voltage.

도 1, 도 7 및 도 8을 참고하면, 폴더블 표시 장치는 제1 게이트 드라이버(210) 및 제2 게이트 드라이버(220)를 포함한다.Referring to FIGS. 1, 7, and 8, the foldable display device includes a first gate driver 210 and a second gate driver 220.

먼저, 제1 게이트 드라이버(210)는 게이트 신호를 기본 주파수 구동 영역(110)의 게이트 라인에 순차적으로 출력하는 제1 복수개의 스테이지들(GIP1, GIP2, GIP3 ~)을 포함한다.First, the first gate driver 210 includes a first plurality of stages (GIP1, GIP2, GIP3 ~) that sequentially output gate signals to the gate lines of the basic frequency driving region 110.

제1 복수개의 스테이지들(GIP1, GIP2, GIP3 ~) 각각은 풀다운 트랜지스터(T1), 풀업 트랜지스터(T2), 제1 커패시터(CB), 제2 커패시터(CQB), 전달 트랜지스터(TA), 제1 트랜지스터(T3), 제2 트랜지스터(T4), 제3 트랜지스터(T5), 제4 트랜지스터(T6)를 포함한다.Each of the first plurality of stages (GIP1, GIP2, GIP3 ~) includes a pull-down transistor (T1), a pull-up transistor (T2), a first capacitor (CB), a second capacitor (CQB), a transfer transistor (TA), and a first plurality of stages (GIP1, GIP2, GIP3 ~). It includes a transistor (T3), a second transistor (T4), a third transistor (T5), and a fourth transistor (T6).

풀다운 트랜지스터(T1)는 저전위 전압(VGL)과 출력단(OUT) 사이에 커플링되고, Q 노드의 신호에 응답하여 출력단(OUT)을 저전위 전압(VGL)으로 풀다운 구동한다. 출력단(OUT)을 통해서 출력되는 게이트 신호는 표시 패널의 게이트 라인에 제공된다. The pull-down transistor (T1) is coupled between the low-potential voltage (VGL) and the output terminal (OUT), and pull-down drives the output terminal (OUT) to the low-potential voltage (VGL) in response to the signal of the Q node. The gate signal output through the output terminal (OUT) is provided to the gate line of the display panel.

풀다운 트랜지스터(T1)의 백 게이트 전극은 제1 백바이어스 전압(VBS1)이 인가되는 제1 전원 라인(PL)과 커플링된다. 제1 백바이어스 전압(VBS1)은 기본 주파수 구동 영역(110)을 구동하는 제1 주파수의 변동에 따라 가변될 수 있다.The back gate electrode of the pull-down transistor T1 is coupled to the first power line PL to which the first back bias voltage VBS1 is applied. The first back bias voltage VBS1 may vary according to changes in the first frequency driving the basic frequency driving region 110.

풀업 트랜지스터(T2)는 출력단(OUT)과 고전위 전압(VGH) 사이에 커플링되며, QB 노드의 신호에 응답하여 출력단(OUT)을 고전위 전압(VGH)으로 풀업 구동한다.The pull-up transistor (T2) is coupled between the output terminal (OUT) and the high potential voltage (VGH), and pull-up drives the output terminal (OUT) to the high potential voltage (VGH) in response to the signal from the QB node.

제1 커패시터(CB)는 Q 노드와 출력단(OUT) 사이에 커플링된다. The first capacitor (CB) is coupled between the Q node and the output terminal (OUT).

제2 커패시터(CQB)는 QB 노드와 고전위 전압(VGH) 사이에 커플링된다. The second capacitor (CQB) is coupled between the QB node and the high potential voltage (VGH).

전달 트랜지스터(TA)는 저전위 전압(VGL)에 응답하여 Q2 노드의 신호를 Q 노드에 전달한다. The transfer transistor (TA) transfers the signal from the Q2 node to the Q node in response to the low potential voltage (VGL).

스테이지(GIP1)의 제1 트랜지스터(T3)는 클럭 신호(CLK)에 응답하여 스타트 신호(VST)를 Q2 노드에 전달한다. 나머지 스테이지들(GIP2, GIP3 ~) 각각의 제1 트랜지스터(T3)는 이전 스테이지의 출력단의 신호를 캐리 신호로서 Q2 노드에 전달한다.The first transistor T3 of the stage GIP1 transmits the start signal VST to the Q2 node in response to the clock signal CLK. The first transistor T3 of each of the remaining stages (GIP2, GIP3 ~) transmits the signal from the output terminal of the previous stage to the Q2 node as a carry signal.

스테이지(GIP1)의 제2 트랜지스터(T4)는 스타트 신호(VST)에 응답하여 고전위 전압(VGH)을 Q1 노드에 전달한다. 나머지 스테이지들(GIP2, GIP3 ~)의 제2 트랜지스터(T4)는 이전 스테이지의 출력단(OUT)의 신호를 캐리 신호로서 수신하고, 캐리 신호에 응답하여 고전위 전압(VGH)을 Q1 노드에 전달한다.The second transistor T4 of the stage GIP1 transmits the high potential voltage VGH to the Q1 node in response to the start signal VST. The second transistor (T4) of the remaining stages (GIP2, GIP3 ~) receives the signal from the output terminal (OUT) of the previous stage as a carry signal and transmits the high potential voltage (VGH) to the Q1 node in response to the carry signal. .

제3 커패시터(C_ON)는 Q1 노드와 클럭 신호(CLK) 사이에 커플링된다. 제3 커패시터(C_ON)는 클럭 신호(CLK)에 따라 Q1 노드의 신호를 충전 또는 방전한다.The third capacitor (C_ON) is coupled between the Q1 node and the clock signal (CLK). The third capacitor (C_ON) charges or discharges the signal of the Q1 node according to the clock signal (CLK).

제3 트랜지스터(T5)는 Q1 노드의 신호에 응답하여 클럭 신호(CLK)를 QB 노드에 전달한다.The third transistor T5 transmits the clock signal CLK to the QB node in response to the signal from the Q1 node.

제4 트랜지스터(T6)는 Q2 노드의 신호에 응답하여 QB 노드에 고전위 전압(VGH)을 전달한다.The fourth transistor T6 delivers a high potential voltage (VGH) to the QB node in response to the signal from the Q2 node.

다음으로, 제2 게이트 드라이버(220)는 게이트 신호를 저 주파수 구동 영역(120)의 게이트 라인에 순차적으로 출력하는 제2 복수개의 스테이지들(GIP1, GIP2, GIP3, …)을 포함한다.Next, the second gate driver 220 includes a second plurality of stages (GIP1, GIP2, GIP3, ...) that sequentially output the gate signal to the gate line of the low frequency driving region 120.

제2 복수개의 스테이지들(GIP1, GIP2, GIP3 ~) 각각은 풀다운 트랜지스터(T1), 풀업 트랜지스터(T2), 제1 커패시터(CB), 제2 커패시터(CQB), 전달 트랜지스터(TA), 제1 트랜지스터(T3), 제2 트랜지스터(T4), 제3 트랜지스터(T5), 제4 트랜지스터(T6)를 포함한다.Each of the second plurality of stages (GIP1, GIP2, GIP3 ~) includes a pull-down transistor (T1), a pull-up transistor (T2), a first capacitor (CB), a second capacitor (CQB), a transfer transistor (TA), and a first capacitor (CQB). It includes a transistor (T3), a second transistor (T4), a third transistor (T5), and a fourth transistor (T6).

풀다운 트랜지스터(T1)는 저전위 전압(VGL)과 출력단(OUT) 사이에 커플링되고, Q 노드의 신호에 응답하여 출력단(OUT)을 저전위 전압(VGL)으로 풀다운 구동한다. 출력단(OUT)을 통해서 출력되는 게이트 신호는 표시 패널의 게이트 라인에 제공된다. The pull-down transistor (T1) is coupled between the low-potential voltage (VGL) and the output terminal (OUT), and pull-down drives the output terminal (OUT) to the low-potential voltage (VGL) in response to the signal of the Q node. The gate signal output through the output terminal (OUT) is provided to the gate line of the display panel.

풀다운 트랜지스터(T1)의 백 게이트 전극은 제2 백바이어스 전압(VBS2)이 인가되는 제2 전원 라인(PL)과 커플링된다. 제2 백바이어스 전압(VBS2)은 저 주파수 구동 영역(120)을 구동하는 제2 주파수 변동에 따라 가변될 수 있다. 일례로, 제2 백바이어스 전압(VBS2)은 제2 주파수가 낮아짐에 따라 상승할 수 있다.The back gate electrode of the pull-down transistor T1 is coupled to the second power line PL to which the second back bias voltage VBS2 is applied. The second back bias voltage VBS2 may vary according to the change in the second frequency driving the low frequency driving region 120. For example, the second back bias voltage VBS2 may increase as the second frequency decreases.

일례로, 폴딩 가능한 표시 패널(100)이 폴딩된 경우 기본 주파수 구동 영역(110)은 제1 주파수 120Hz로 구동될 수 있고, 저 주파수 구동 영역(120)은 제2 주파수 30Hz로 구동될 수 있으며, 이때, 제2 백 바이어스 전압(VBS2)은 제2 주파수의 변동에 따라 제1 백 바이어스 전압(VBS1)보다 큰 값으로 설정될 수 있다.For example, when the foldable display panel 100 is folded, the basic frequency driving area 110 may be driven at a first frequency of 120 Hz, the low frequency driving area 120 may be driven at a second frequency of 30 Hz, At this time, the second back bias voltage (VBS2) may be set to a value greater than the first back bias voltage (VBS1) according to the change in the second frequency.

제2 게이트 드라이버(220)의 풀업 트랜지스터(T2), 제1 커패시터(CB), 제2 커패시터(CQB), 전달 트랜지스터(TA), 제1 트랜지스터(T3), 제2 트랜지스터(T4), 제3 트랜지스터(T5), 제4 트랜지스터(T6)는 제1 게이트 드라이버(210)와 동일한 구성을 가진다.The pull-up transistor (T2) of the second gate driver 220, the first capacitor (CB), the second capacitor (CQB), the transfer transistor (TA), the first transistor (T3), the second transistor (T4), and the third The transistor T5 and the fourth transistor T6 have the same configuration as the first gate driver 210.

도 8은 백 바이어스 전압에 따른 게이트 신호의 타이밍 지연을 도시한 것으로, 실선은 제1 백바이어스 전압(VBS1)에 의한 지연이고, 점선은 제2 백바이어스 전압(VBS2)에 의한 지연을 나타낸다.Figure 8 shows the timing delay of the gate signal according to the back bias voltage, where the solid line represents the delay due to the first back bias voltage (VBS1) and the dotted line represents the delay due to the second back bias voltage (VBS2).

이와 같이 실시예에 따른 폴더블 표시 장치는 기본 주파수 구동 영역(110)과 저 주파수 구동 영역(120)의 풀다운 트랜지스터의 백 바이어스 전압을 제1 백바이어스 전압(VBS1) 또는 제2 백바이어스 전압(VBS2)으로 달리함으로써 발생하는 게이트 신호 출력의 타이밍 지연 편차를 이용하여 휘도 편차를 개선할 수 있다.As such, the foldable display device according to the embodiment sets the back bias voltage of the pull-down transistor in the basic frequency driving region 110 and the low frequency driving region 120 to the first back bias voltage (VBS1) or the second back bias voltage (VBS2). ), the luminance deviation can be improved by using the timing delay deviation of the gate signal output that occurs by varying the .

본 명세서의 일 실시예에 따른 게이트 구동 회로는, 표시 패널의 게이트 라인들을 각각 구동하는 복수의 스테이지들을 포함하는 게이트 드라이버를 포함하고, 복수의 스테이지들 각각은 저전위 전압과 출력단 사이에 커플링되고, Q 노드의 신호에 응답하여 출력단을 풀다운 구동하는, 출력단은 게이트 신호를 출력하는, 풀다운 트랜지스터; 출력단과 고전위 전압 사이에 커플링되며, QB 노드의 신호에 응답하여 출력단을 풀업 구동하는 풀업 트랜지스터; Q 노드와 출력단 사이에 커플링되는 제1 커패시터; 및 QB 노드와 고전위 전압 사이에 커플링되는 제2 커패시터를 포함하고, 풀다운 트랜지스터의 백 게이트 전극은 백 바이어스 전압이 인가되는 전원 라인과 커플링된다.A gate driving circuit according to an embodiment of the present specification includes a gate driver including a plurality of stages that respectively drive gate lines of a display panel, each of the plurality of stages being coupled between a low potential voltage and an output terminal, , a pull-down transistor that pull-down drives the output stage in response to a signal from the Q node, and the output stage outputs a gate signal; A pull-up transistor coupled between the output stage and a high potential voltage and pulling up the output stage in response to a signal from the QB node; A first capacitor coupled between the Q node and the output terminal; and a second capacitor coupled between the QB node and the high potential voltage, and the back gate electrode of the pull-down transistor is coupled to the power line to which the back bias voltage is applied.

백 바이어스 전압은 표시 패널의 주파수의 변동에 따라 가변될 수 있다.The back bias voltage may vary according to changes in the frequency of the display panel.

백 바이어스 전압은 표시 패널의 주파수가 낮아짐에 따라 상승할 수 있다.The back bias voltage may increase as the frequency of the display panel decreases.

게이트 구동 회로는 제1 주파수로 구동되는 제1 표시 영역을 구동하는 제1 게이트 드라이버; 및 제1 주파수와 다른 제2 주파수로 구동되는 제2 표시 영역을 구동하는 제2 게이트 드라이버를 포함할 수 있다.The gate driving circuit includes a first gate driver driving a first display area driven at a first frequency; and a second gate driver driving a second display area driven at a second frequency different from the first frequency.

제1 게이트 드라이버는 제1 복수의 스테이지들을 포함할 수 있고, 제1 복수의 스테이지들 각각은 풀다운 트랜지스터의 백 게이트 전극이 제1 백 바이어스 전압이 인가되는 제1 전원 라인과 커플링될 수 있다.The first gate driver may include a first plurality of stages, and each of the first plurality of stages may have a back gate electrode of a pull-down transistor coupled to a first power line to which a first back bias voltage is applied.

제2 게이트 드라이버는 제2 복수의 스테이지들을 포함할 수 있고, 제2 복수의 스테이지들 각각은 풀다운 트랜지스터의 백 게이트 전극이 제2 백 바이어스 전압이 인가되는 제2 전원 라인과 커플링될 수 있다.The second gate driver may include a second plurality of stages, and each of the second plurality of stages may have a back gate electrode of a pull-down transistor coupled to a second power line to which a second back bias voltage is applied.

제2 표시 영역의 제2 주파수가 제1 표시 영역의 제1 주파수보다 작아지는 경우, 제2 백 바이어스 전압은 제2 주파수의 변동에 따라 제1 백 바이어스 전압보다 큰 값으로 가변될 수 있다.When the second frequency of the second display area becomes smaller than the first frequency of the first display area, the second back bias voltage may vary to a value greater than the first back bias voltage according to the change in the second frequency.

복수의 스테이지들 각각은, 저전위 전압에 응답하여 Q2 노드의 신호를 상기 Q 노드에 전달하는 전달 트랜지스터; 클럭 신호에 응답하여 스타트 신호 또는 캐리 신호를 Q2 노드에 전달하는 제1 트랜지스터; 스타트 신호 또는 캐리 신호에 응답하여 고전위 전압을 Q1 노드에 전달하는 제2 트랜지스터; Q1 노드와 클럭 신호 사이에 커플링되는 제3 커패시터; Q1 노드의 신호에 응답하여 클럭 신호를 QB 노드에 전달하는 제3 트랜지스터; 및 Q2 노드의 신호에 응답하여 QB 노드에 고전위 전압을 전달하는 제4 트랜지스터를 더 포함할 수 있다.Each of the plurality of stages includes: a transfer transistor that transmits a signal of the Q2 node to the Q node in response to a low potential voltage; A first transistor that transmits a start signal or carry signal to the Q2 node in response to a clock signal; a second transistor that delivers a high potential voltage to the Q1 node in response to a start signal or a carry signal; a third capacitor coupled between the Q1 node and the clock signal; a third transistor that transmits a clock signal to the QB node in response to the signal of the Q1 node; And it may further include a fourth transistor that delivers a high potential voltage to the QB node in response to the signal from the Q2 node.

백 바이어스 전압은 풀다운 트랜지스터의 턴온 기간에 저전위 전압보다 큰 값으로 인가될 수 있다.The back bias voltage may be applied at a value greater than the low potential voltage during the turn-on period of the pull-down transistor.

백 바이어스 전압은 풀다운 트랜지스터의 턴오프 기간에 저전위 전압보다 낮은 값으로 인가될 수 있다.The back bias voltage may be applied at a value lower than the low potential voltage during the turn-off period of the pull-down transistor.

본 명세서의 일 실시예에 따른 폴더블 표시 장치는 제1 주파수로 구동되는 제1 표시 영역 및 상기 제1 주파수와 다른 제2 주파수로 구동되는 제2 표시 영역을 포함하는 표시 패널; 및 제1 표시 영역에 제1 게이트 신호를 출력하는 제1 게이트 드라이버를 포함하고, 제1 게이트 드라이버는 제1 복수개의 스테이지들을 포함하며, 제1 복수개의 스테이지들 각각은, 제1 게이트 신호를 출력하는 제1 출력단을 풀다운 구동하는 제1 풀다운 트랜지스터, 및 상기 제1 출력단을 풀업 구동하는 제1 풀업 트랜지스터를 포함하고, 제1 풀다운 트랜지스터의 백 게이트 전극은 제1 백바이어스 전압이 인가되는 제1 전원 라인과 커플링된다.A foldable display device according to an embodiment of the present specification includes a display panel including a first display area driven at a first frequency and a second display area driven at a second frequency different from the first frequency; and a first gate driver that outputs a first gate signal to the first display area, wherein the first gate driver includes a first plurality of stages, and each of the first plurality of stages outputs a first gate signal. a first pull-down transistor for pull-down driving a first output terminal, and a first pull-up transistor for pull-up driving the first output terminal, wherein the back gate electrode of the first pull-down transistor is connected to a first power supply to which a first back bias voltage is applied. Coupled with the line.

실시예들에 따르면, 게이트 드라이버의 풀다운 트랜지스터의 백 게이트 전극에 백 바이어스 전압을 인가함으로써 구동 마진을 개선할 수 있다.According to embodiments, the driving margin can be improved by applying a back bias voltage to the back gate electrode of the pull-down transistor of the gate driver.

또한, 표시 패널을 구동하기 위한 주파수의 변동에 따라 게이트 드라이버의 풀다운 트랜지스터의 백 게이트 전극에 인가되는 백 바이어스 전압을 가변하여 서로 다른 주파수로 구동하는 표시 영역의 휘도 차이를 개선할 수 있다.Additionally, the back bias voltage applied to the back gate electrode of the pull-down transistor of the gate driver can be varied according to the change in the frequency for driving the display panel, thereby improving the difference in luminance between display areas driven at different frequencies.

이상과 같이 본 발명에 대해서 예시한 도면을 참조로 하여 설명하였으나, 본 명세서에 개시된 실시 예와 도면에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술사상의 범위 내에서 통상의 기술자에 의해 다양한 변형이 이루어질 수 있음은 자명하다. 아울러 앞서 본 발명의 실시 예를 설명하면서 본 발명의 구성에 따른 작용 효과를 명시적으로 기재하여 설명하지 않았을 지라도, 해당 구성에 의해 예측 가능한 효과 또한 인정되어야 함은 당연하다.As described above, the present invention has been described with reference to the illustrative drawings, but the present invention is not limited to the embodiments and drawings disclosed herein, and various modifications may be made by those skilled in the art within the scope of the technical idea of the present invention. It is obvious that transformation can occur. In addition, although the operational effects according to the configuration of the present invention were not explicitly described and explained while explaining the embodiments of the present invention above, it is natural that the predictable effects due to the configuration should also be recognized.

Claims (20)

표시 패널의 게이트 라인들을 각각 구동하는 복수의 스테이지들을 포함하는 게이트 드라이버를 포함하고,
상기 복수의 스테이지들 각각은,
저전위 전압과 출력단 사이에 커플링되고, Q 노드의 신호에 응답하여 상기 출력단을 풀다운 구동하는, 상기 출력단은 게이트 신호를 출력하는, 풀다운 트랜지스터;
상기 출력단과 고전위 전압 사이에 커플링되며, QB 노드의 신호에 응답하여 상기 출력단을 풀업 구동하는 풀업 트랜지스터;
상기 Q 노드와 상기 출력단 사이에 커플링되는 제1 커패시터; 및
상기 QB 노드와 상기 고전위 전압 사이에 커플링되는 제2 커패시터를 포함하고,
상기 풀다운 트랜지스터의 백 게이트 전극은 백 바이어스 전압이 인가되는 전원 라인과 커플링되는,
게이트 구동 회로.
A gate driver including a plurality of stages that respectively drive the gate lines of the display panel,
Each of the plurality of stages is,
a pull-down transistor coupled between a low-potential voltage and an output terminal and pulling down the output terminal in response to a signal from a Q node, the output terminal outputting a gate signal;
a pull-up transistor coupled between the output terminal and a high potential voltage and pulling up the output terminal in response to a signal from the QB node;
a first capacitor coupled between the Q node and the output terminal; and
comprising a second capacitor coupled between the QB node and the high potential voltage,
The back gate electrode of the pull-down transistor is coupled to a power line to which a back bias voltage is applied,
Gate driving circuit.
제 1 항에 있어서,
상기 백 바이어스 전압은 상기 표시 패널의 주파수의 변동에 따라 가변되는,
게이트 구동 회로.
According to claim 1,
The back bias voltage varies depending on the change in frequency of the display panel,
Gate driving circuit.
제 2 항에 있어서,
상기 백 바이어스 전압은 상기 표시 패널의 상기 주파수의 낮아짐에 따라 상승하는,
게이트 구동 회로.
According to claim 2,
The back bias voltage increases as the frequency of the display panel decreases,
Gate driving circuit.
제 1 항에 있어서,
제1 주파수로 구동되는 제1 표시 영역을 구동하는 제1 게이트 드라이버; 및
상기 제1 주파수와 다른 제2 주파수로 구동되는 제2 표시 영역을 구동하는 제2 게이트 드라이버를 포함하는,
게이트 구동 회로.
According to claim 1,
a first gate driver driving a first display area driven at a first frequency; and
A second gate driver driving a second display area driven at a second frequency different from the first frequency,
Gate driving circuit.
제 4 항에 있어서,
상기 제1 게이트 드라이버는 제1 복수의 스테이지들을 포함하고, 상기 제1 복수의 스테이지들 각각의 풀다운 트랜지스터의 백 게이트 전극은 제1 백 바이어스 전압이 인가되는 제1 전원 라인과 커플링되는,
게이트 구동 회로.
According to claim 4,
The first gate driver includes a first plurality of stages, and the back gate electrode of the pull-down transistor of each of the first plurality of stages is coupled to a first power line to which a first back bias voltage is applied,
Gate driving circuit.
제 5 항에 있어서,
상기 제2 게이트 드라이버는 제2 복수의 스테이지들을 포함하고, 상기 제2 복수의 스테이지들 각각의 풀다운 트랜지스터의 백 게이트 전극은 제2 백 바이어스 전압이 인가되는 제2 전원 라인과 커플링되는,
게이트 구동 회로.
According to claim 5,
The second gate driver includes a second plurality of stages, and the back gate electrode of the pull-down transistor of each of the second plurality of stages is coupled to a second power line to which a second back bias voltage is applied,
Gate driving circuit.
제 6 항에 있어서,
상기 제2 표시 영역의 상기 제2 주파수가 상기 제1 표시 영역의 상기 제1 주파수보다 작아지는 경우, 상기 제2 백 바이어스 전압은 상기 제2 주파수의 변동에 따라 상기 제1 백 바이어스 전압보다 큰 값으로 가변되는,
게이트 구동 회로.
According to claim 6,
When the second frequency of the second display area is smaller than the first frequency of the first display area, the second back bias voltage is greater than the first back bias voltage according to the change in the second frequency. Variable to,
Gate driving circuit.
제 1 항에 있어서,
상기 복수의 스테이지들 각각은,
상기 저전위 전압에 응답하여 Q2 노드의 신호를 상기 Q 노드에 전달하는 전달 트랜지스터;
클럭 신호에 응답하여 스타트 신호 또는 캐리 신호를 상기 Q2 노드에 전달하는 제1 트랜지스터;
상기 스타트 신호 또는 상기 캐리 신호에 응답하여 상기 고전위 전압을 Q1 노드에 전달하는 제2 트랜지스터;
상기 Q1 노드와 상기 클럭 신호 사이에 커플링되는 제3 커패시터;
상기 Q1 노드의 신호에 응답하여 상기 클럭 신호를 상기 QB 노드에 전달하는 제3 트랜지스터; 및
상기 Q2 노드의 신호에 응답하여 상기 QB 노드에 상기 고전위 전압을 전달하는 제4 트랜지스터를 더 포함하는,
게이트 구동 회로.
According to claim 1,
Each of the plurality of stages is,
a transfer transistor that transfers the signal of the Q2 node to the Q node in response to the low potential voltage;
a first transistor transmitting a start signal or a carry signal to the Q2 node in response to a clock signal;
a second transistor transmitting the high potential voltage to the Q1 node in response to the start signal or the carry signal;
a third capacitor coupled between the Q1 node and the clock signal;
a third transistor transmitting the clock signal to the QB node in response to the signal of the Q1 node; and
Further comprising a fourth transistor transmitting the high potential voltage to the QB node in response to the signal of the Q2 node,
Gate driving circuit.
제 1 항에 있어서,
상기 백 바이어스 전압은 상기 풀다운 트랜지스터의 턴온 기간에 상기 저전위 전압보다 큰 값으로 인가되는,
게이트 구동 회로.
According to claim 1,
The back bias voltage is applied at a value greater than the low potential voltage during the turn-on period of the pull-down transistor.
Gate driving circuit.
제 1 항에 있어서,
상기 백 바이어스 전압은 상기 풀다운 트랜지스터의 턴오프 기간에 상기 저전위 전압보다 낮은 값으로 인가되는,
게이트 구동 회로.
According to claim 1,
The back bias voltage is applied at a value lower than the low potential voltage during the turn-off period of the pull-down transistor.
Gate driving circuit.
제1 주파수로 구동되는 제1 표시 영역 및 상기 제1 주파수와 다른 제2 주파수로 구동되는 제2 표시 영역을 포함하는 표시 패널; 및
상기 제1 표시 영역에 제1 게이트 신호를 출력하는 제1 게이트 드라이버를 포함하고,
상기 제1 게이트 드라이버는 제1 복수개의 스테이지들을 포함하며,
상기 제1 복수개의 스테이지들 각각은,
상기 제1 게이트 신호를 출력하는 제1 출력단을 풀다운 구동하는 제1 풀다운 트랜지스터, 및 상기 제1 출력단을 풀업 구동하는 제1 풀업 트랜지스터를 포함하고,
상기 제1 풀다운 트랜지스터의 백 게이트 전극은 제1 백바이어스 전압이 인가되는 제1 전원 라인과 커플링되는,
폴더블 표시 장치.
a display panel including a first display area driven at a first frequency and a second display area driven at a second frequency different from the first frequency; and
A first gate driver outputting a first gate signal to the first display area,
The first gate driver includes a first plurality of stages,
Each of the first plurality of stages,
A first pull-down transistor for pull-down driving a first output stage that outputs the first gate signal, and a first pull-up transistor for pull-up driving the first output stage,
The back gate electrode of the first pull-down transistor is coupled to a first power line to which a first back bias voltage is applied,
Foldable display device.
제 11 항에 있어서,
상기 제1 백바이어스 전압은 상기 제1 주파수의 변동에 따라 가변되는,
폴더블 표시 장치.
According to claim 11,
The first back bias voltage varies depending on the change in the first frequency,
Foldable display device.
제 11 항에 있어서,
상기 제2 표시 영역에 제2 게이트 신호를 출력하는 제2 게이트 드라이버를 더 포함하는,
폴더블 표시 장치.
According to claim 11,
Further comprising a second gate driver outputting a second gate signal to the second display area,
Foldable display device.
제 13 항에 있어서,
상기 제2 게이트 드라이버는 제2 복수개의 스테이지들을 포함하고,
상기 제2 복수개의 스테이지들 각각은,
상기 제2 게이트 신호가 출력되는 제2 출력단을 풀다운 구동하는 제2 풀다운 트랜지스터, 및 상기 제2 출력단을 풀업 구동하는 제2 풀업 트랜지스터를 포함하며,
상기 제2 풀다운 트랜지스터의 백 게이트 전극은 제2 백바이어스 전압이 인가되는 제2 전원 라인과 커플링되는,
폴더블 표시 장치.
According to claim 13,
The second gate driver includes a second plurality of stages,
Each of the second plurality of stages,
It includes a second pull-down transistor that pull-down drives the second output terminal through which the second gate signal is output, and a second pull-up transistor that pull-up drives the second output terminal,
The back gate electrode of the second pull-down transistor is coupled to a second power line to which a second back bias voltage is applied,
Foldable display device.
제 14 항에 있어서,
상기 제2 백바이어스 전압은 상기 제2 주파수 변동에 따라 가변되는,
폴더블 표시 장치.
According to claim 14,
The second back bias voltage varies according to the second frequency change,
Foldable display device.
제 15 항에 있어서,
상기 제2 백바이어스 전압은 상기 제2 주파수의 낮아짐에 따라 상승하는,
폴더블 표시 장치.
According to claim 15,
The second back bias voltage increases as the second frequency decreases,
Foldable display device.
제 14 항에 있어서,
상기 제2 표시 영역의 상기 제2 주파수가 상기 제1 표시 영역의 상기 제1 주파수보다 작아지는 경우, 상기 제2 백 바이어스 전압은 상기 제2 주파수의 변동에 따라 상기 제1 백 바이어스 전압보다 큰 값으로 가변되는,
폴더블 표시 장치.
According to claim 14,
When the second frequency of the second display area is smaller than the first frequency of the first display area, the second back bias voltage is greater than the first back bias voltage according to the change in the second frequency. Variable to,
Foldable display device.
제 11 항에 있어서,
상기 제1 복수개의 스테이지들 각각은,
상기 저전위 전압에 응답하여 Q2 노드의 신호를 상기 Q 노드에 전달하는 전달 트랜지스터;
클럭 신호에 응답하여 스타트 신호 또는 캐리 신호를 상기 Q2 노드에 전달하는 제1 트랜지스터;
상기 스타트 신호 또는 상기 캐리 신호에 응답하여 상기 고전위 전압을 Q1 노드에 전달하는 제2 트랜지스터;
상기 Q1 노드와 상기 클럭 신호 사이에 커플링되는 제3 커패시터;
상기 Q1 노드의 신호에 응답하여 상기 클럭 신호를 상기 QB 노드에 전달하는 제3 트랜지스터; 및
상기 Q2 노드의 신호에 응답하여 상기 QB 노드에 상기 고전위 전압을 전달하는 제4 트랜지스터를 더 포함하는,
폴더블 표시 장치.
According to claim 11,
Each of the first plurality of stages,
a transfer transistor that transfers the signal of the Q2 node to the Q node in response to the low potential voltage;
a first transistor transmitting a start signal or a carry signal to the Q2 node in response to a clock signal;
a second transistor transmitting the high potential voltage to the Q1 node in response to the start signal or the carry signal;
a third capacitor coupled between the Q1 node and the clock signal;
a third transistor transmitting the clock signal to the QB node in response to the signal of the Q1 node; and
Further comprising a fourth transistor transmitting the high potential voltage to the QB node in response to the signal of the Q2 node,
Foldable display device.
제 14 항에 있어서,
상기 제1 백 바이어스 전압 및 상기 제2 백 바이어스 전압은 상기 제1 풀다운 트랜지스터 및 상기 제2 풀다운 트랜지스터의 턴온 기간에 상기 저전위 전압보다 큰 값으로 인가되는,
폴더블 표시 장치.
According to claim 14,
The first back bias voltage and the second back bias voltage are applied as a value greater than the low potential voltage during the turn-on period of the first pull-down transistor and the second pull-down transistor.
Foldable display device.
제 14 항에 있어서,
상기 제1 백 바이어스 전압 및 상기 제2 백 바이어스 상기 제1 풀다운 트랜지스터 및 상기 제2 풀다운 트랜지스터의 턴오프 기간에 상기 저전위 전압보다 낮은 값으로 인가되는,
폴더블 표시 장치.
According to claim 14,
The first back bias voltage and the second back bias are applied at a value lower than the low potential voltage during the turn-off period of the first pull-down transistor and the second pull-down transistor,
Foldable display device.
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