KR20240099032A - Dispersion, composition comprising said dispersion and light conversion layer - Google Patents
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Abstract
[과제] 발광 특성의 변화가 적고, 장기 보존성이 우수한, 나노 결정을 포함하는 발광성 입자를 함유하는 분산체, 상기 분산체를 포함하는 조성물, 및 상기 조성물로 형성되는 광변환층을 제공하는 것.
[해결수단] 메탈 할라이드로 이루어진 반도체 나노 결정의 표면에 실록산 결합을 갖는 구조를 포함하는 표면층을 구비한 발광성 입자를 함유하고, 함수율이 0.10% 이상 1.0% 이하인 분산체. [Problem] To provide a dispersion containing luminescent particles containing nanocrystals with little change in luminescence properties and excellent long-term storage, a composition containing the dispersion, and a light conversion layer formed from the composition.
[Solution] A dispersion containing luminescent particles having a surface layer containing a structure having a siloxane bond on the surface of a semiconductor nanocrystal made of metal halide, and having a moisture content of 0.10% or more and 1.0% or less.
Description
본 발명은, 발광성 입자를 포함하는 분산체, 상기 분산체를 함유하는 조성물, 및 상기 조성물로 이루어진 광변환층에 관한 것이다. The present invention relates to a dispersion containing luminescent particles, a composition containing the dispersion, and a light conversion layer made of the composition.
차세대의 표시 소자에 요구되는 국제 규격 BT.2020을 충족시키는 발광 재료로서, 반도체성의 나노 결정이 주목받고 있고, 예컨대 양자 도트, 양자 로드, 그 밖의 무기 형광체 입자 등의 발광성 나노 결정을 이용하여 적색광 또는 녹색광을 취출하는 광변환 시트나 컬러 필터 화소부와 같은 광변환층, 또한 발광성 나노 결정을 백라이트에 이용한 표시 디바이스나 조명 장치가 제안되어 있다. As a light-emitting material that satisfies the international standard BT.2020 required for next-generation display devices, semiconductor nanocrystals are attracting attention. For example, luminescent nanocrystals such as quantum dots, quantum rods, and other inorganic phosphor particles can be used to emit red light or Display devices and lighting devices using light conversion sheets that extract green light, light conversion layers such as color filter pixels, and luminescent nanocrystals as backlights have been proposed.
발광성 나노 결정은 형광 또는 인광을 발하고, 발광 스펙트럼의 반치폭이 좁다고 하는 특징이 있다. 현재 주류인 코어셸형 양자 도트에서는, 초기에는 CdSe 등을 사용하였지만, Cd에 의한 유해성을 회피하기 위해, 최근에는 InP 등이 사용되고 있다. 그러나, 입자로서의 안정성이 낮아, 안정화 개선을 위한 검토가 정력적으로 진행되고 있다. 또한, 코어셸형 양자 도트는, 그 입자 사이즈에 의해 발광 파장이 결정되기 때문에, 반치폭이 보다 좁은 발광을 얻기 위해서는 입자 직경의 분산도를 정밀하게 제어할 필요가 있고, 그 생산에는 과제가 많다. Luminescent nanocrystals have the characteristic of emitting fluorescence or phosphorescence and having a narrow half width of the emission spectrum. In the currently mainstream core-shell quantum dots, CdSe and the like were initially used, but in order to avoid the harmful effects of Cd, InP and the like have been used recently. However, its stability as a particle is low, and studies to improve its stability are actively progressing. In addition, since the emission wavelength of core-shell quantum dots is determined by the particle size, the dispersion of the particle diameters needs to be precisely controlled in order to obtain emission with a narrower half width, and there are many challenges in producing them.
한편, 최근, 페로브스카이트형 결정 구조를 갖는 양자 도트가 발견되어 주목을 받고 있다. 예컨대, 일반식 CsPbX3(X는 할로겐 원자의 음이온을 나타낸다.)로 표시되는 페로브스카이트형 결정 구조를 갖는, 세슘과 납과 할로겐으로 이루어진 메탈 할라이드인 나노 결정은, 할로겐 원자의 종류와 그 존재 비율을 조정함으로써 발광 파장을 제어할 수 있는 이점이 있어, 발광 재료로서의 물성이 우수한 것이 비특허문헌 1에 개시되어 있다. 또한, 입자 사이즈의 제어가 InP 양자 도트 등에 비교하여 용이하여, 생산성면에서 유리하다. 특허문헌 1에는, 페로브스카이트형 결정 구조를 갖는 발광성 결정과 아크릴레이트 폴리머 유래의 고체 폴리머 함유 조성물 및 발광성 부품이 개시되어 있다. Meanwhile, quantum dots with a perovskite-type crystal structure have recently been discovered and are attracting attention. For example, nanocrystals, which are metal halide nanocrystals composed of cesium, lead, and halogen, and have a perovskite-type crystal structure represented by the general formula CsPb Non-patent Document 1 discloses that it has the advantage of being able to control the emission wavelength by adjusting the ratio and has excellent physical properties as a light-emitting material. Additionally, particle size control is easier compared to InP quantum dots, etc., which is advantageous in terms of productivity. Patent Document 1 discloses a luminescent crystal having a perovskite-type crystal structure, a composition containing a solid polymer derived from an acrylate polymer, and a luminescent component.
그러나, 페로브스카이트형 결정 구조를 갖는 나노 결정을 포함하는 분산체는, 발광 특성의 변화가 적고 장기 보존성이 우수한 것이 요구된다. However, a dispersion containing nanocrystals with a perovskite-type crystal structure is required to have little change in luminescence characteristics and excellent long-term storage properties.
본 발명의 목적은, 발광 특성의 변화가 적고, 장기 보존성이 우수한, 나노 결정을 포함하는 발광성 입자를 함유하는 분산체를 제공하는 것에 있다. The purpose of the present invention is to provide a dispersion containing luminescent particles containing nanocrystals, which has little change in luminescence properties and has excellent long-term storage.
본 발명의 목적은 또한, 이러한 분산체를 포함하는 조성물, 및 상기 조성물로 형성되는 광변환층을 제공하는 것에 있다. Another object of the present invention is to provide a composition containing such a dispersion, and a light conversion layer formed from the composition.
본 발명은, 하기의 양태를 갖는다. The present invention has the following aspects.
[1] 메탈 할라이드로 이루어진 반도체 나노 결정의 표면에 실록산 결합을 갖는 구조를 포함하는 표면층을 구비한 발광성 입자를 함유하고, 함수율이 0.10% 이상 1.0% 이하인 분산체. [1] A dispersion containing luminescent particles having a surface layer containing a structure having siloxane bonds on the surface of a semiconductor nanocrystal made of metal halide, and having a moisture content of 0.10% or more and 1.0% or less.
[2] 상기 발광성 입자에 대한 물의 비율(물/발광성 입자)이 0.05 이상 10.0 이하인, [1]에 기재된 분산체. [2] The dispersion according to [1], wherein the ratio of water to the luminescent particles (water/luminescent particles) is 0.05 or more and 10.0 or less.
[3] 상기 반도체 나노 결정이 일반식 AaMbXc로 표시되는 화합물이며, [3] The semiconductor nanocrystal is a compound represented by the general formula A a M b
상기 A가 Cs, Rb, 메틸암모늄, 포름아미디늄, 암모늄, 2-페닐에틸암모늄, 피롤리디늄, 피페리디늄, 1-부틸-1-메틸피페리디늄, 테트라메틸암모늄, 테트라에틸암모늄, 벤질트리메틸암모늄 및 벤질트리에틸암모늄으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 양이온을 나타내고, Wherein A is Cs, Rb, methylammonium, formamidinium, ammonium, 2-phenylethylammonium, pyrrolidinium, piperidinium, 1-butyl-1-methylpiperidinium, tetramethylammonium, tetraethylammonium, Represents one or more cations selected from the group consisting of benzyltrimethylammonium and benzyltriethylammonium,
상기 M이 Pb, Sn, Ge, Bi, Sb, Ag, In, Cu, Yb, Ti, Pd, Mn, Eu, Zr 및 Tb로 이루어진 군에서 선택되는 금속 이온을 나타내고, Wherein M represents a metal ion selected from the group consisting of Pb, Sn, Ge, Bi, Sb, Ag, In, Cu, Yb, Ti, Pd, Mn, Eu, Zr and Tb,
상기 X가 F, Cl, Br 및 I로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 할로겐화물 이온을 나타내고, wherein X represents one or more halide ions selected from the group consisting of F, Cl, Br and I,
a가 1∼7의 양수를 나타내고, b가 1∼4의 양수를 나타내고, c가 1∼16의 양수를 나타내는, [1] 또는 [2]에 기재된 분산체. The dispersion according to [1] or [2], wherein a represents a positive number from 1 to 7, b represents a positive number from 1 to 4, and c represents a positive number from 1 to 16.
[4] 상기 반도체 나노 결정이 페로브스카이트형 결정 구조를 갖는, [1]∼[3]의 어느 하나에 기재된 분산체. [4] The dispersion according to any one of [1] to [3], wherein the semiconductor nanocrystals have a perovskite-type crystal structure.
[5] [1]∼[4]의 어느 하나에 기재된 분산체와, 열가소성 수지를 포함하는 조성물. [5] A composition comprising the dispersion according to any one of [1] to [4] and a thermoplastic resin.
[6] 상기 열가소성 수지가, 아크릴계 수지, 스티렌계 수지, 환형 올레핀계 수지, 셀룰로스 아실레이트계 수지 및 폴리카보네이트계 수지에서 선택되는 적어도 1종인, [5]에 기재된 조성물. [6] The composition according to [5], wherein the thermoplastic resin is at least one selected from acrylic resin, styrene resin, cyclic olefin resin, cellulose acylate resin, and polycarbonate resin.
[7] [5] 또는 [6]에 기재된 조성물로 형성되는 광변환층. [7] A light conversion layer formed from the composition according to [5] or [6].
본 발명에 의하면, 발광 특성의 변화가 적고, 장기 보존성이 우수한, 나노 결정을 포함하는 발광성 입자를 포함하는 분산체, 상기 분산체를 포함하는 조성물 및 상기 조성물로 형성되는 광변환층을 제공할 수 있다. According to the present invention, it is possible to provide a dispersion containing luminescent particles containing nanocrystals with little change in luminescence characteristics and excellent long-term storage, a composition containing the dispersion, and a light conversion layer formed from the composition. there is.
도 1은 본 발명에 따른 광변환층을 구비하는 적층 구조체의 일실시형태를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 광변환층을 구비하는 발광 소자의 일실시형태를 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 3은 액티브 매트릭스 회로의 구성을 도시하는 개략도이다.
도 4는 도 3에 도시하는 액티브 매트릭스 회로의 구성을 도시하는 개략도이다. 1 is a cross-sectional view schematically showing one embodiment of a laminated structure including a light conversion layer according to the present invention.
Figure 2 is a cross-sectional view schematically showing one embodiment of a light-emitting device provided with a light conversion layer according to the present invention.
3 is a schematic diagram showing the configuration of an active matrix circuit.
FIG. 4 is a schematic diagram showing the configuration of the active matrix circuit shown in FIG. 3.
본 발명의 분산체는, 메탈 할라이드로 이루어진 반도체 나노 결정(이하, 단순히 「나노 결정」이라고도 기재한다.)의 표면에 실록산 결합을 갖는 구조를 포함하는 표면층을 구비한 발광성 입자(이하, 「발광성 입자」라고도 기재한다.)를 함유하고, 함수율이 0.10% 이상 1.0% 이하이다. 본 발명의 분산체는, 후술하는 바와 같이, 예컨대, 발광 다이오드(LED) 등의 표시 소자에 이용되는 광변환층을 형성하는 파장 변환 재료로서 적합하게 사용할 수 있다. The dispersion of the present invention is a luminescent particle (hereinafter referred to as “luminescent particle”) having a surface layer containing a structure having a siloxane bond on the surface of a semiconductor nanocrystal made of a metal halide (hereinafter simply referred to as “nanocrystal”). 」), and the moisture content is 0.10% or more and 1.0% or less. As will be described later, the dispersion of the present invention can be suitably used as a wavelength conversion material for forming a light conversion layer used in, for example, display elements such as light emitting diodes (LEDs).
본 발명의 분산체는, 소정 파장의 광을 흡수함으로써, 흡수한 파장과는 상이한 파장의 광(형광 또는 인광)을 발할 수 있는, 발광성을 갖는 반도체 나노 결정을 포함하는 발광성 입자를 함유한다. 여기서, 발광성이란, 전자의 여기에 의해 발광하는 성질인 것이 바람직하고, 여기광이 조사되었을 때에, 나노 결정에 포함되는 전자가 기저 상태로부터 여기 상태로 여기되어, 기저 상태로 되돌아갈 때에 발광이 생기는 성질인 것이 보다 바람직하다. The dispersion of the present invention contains luminescent particles containing luminescent semiconductor nanocrystals that can emit light (fluorescence or phosphorescence) of a different wavelength than the absorbed wavelength by absorbing light of a predetermined wavelength. Here, luminescence is preferably the property of emitting light by excitation of electrons. When excitation light is irradiated, electrons contained in the nanocrystal are excited from the ground state to the excited state, and light emission occurs when the electrons return to the ground state. It is more preferable that it is a property.
1. 발광성 입자1. Luminescent particles
<메탈 할라이드로 이루어진 반도체 나노 결정> <Semiconductor nanocrystals made of metal halide>
본 발명에 있어서, 나노 결정은 메탈 할라이드로 이루어진 반도체 나노 결정이며, 여기광을 흡수하여 형광 또는 인광을 발광하는 나노 사이즈의 결정체(나노 결정 입자)이다. 이러한 나노 결정은, 예컨대, 투과형 전자현미경 또는 주사형 전자현미경에 의해 측정되는 최대 입자 직경이 100 nm 이하인 결정체이다. 나노 결정은, 예컨대, 소정 파장의 광 에너지나 전기 에너지에 의해 여기되어, 형광 또는 인광을 발할 수 있다. 또한, 메탈 할라이드로 이루어진 양자 도트인 나노 결정은, 반치폭이 보다 좁은 발광을 얻을 수 있다. In the present invention, the nanocrystal is a semiconductor nanocrystal made of metal halide, and is a nano-sized crystal (nanocrystal particle) that absorbs excitation light and emits fluorescence or phosphorescence. These nanocrystals are crystals with a maximum particle diameter of 100 nm or less, as measured by, for example, a transmission electron microscope or a scanning electron microscope. Nanocrystals can be excited by, for example, light energy or electrical energy of a predetermined wavelength and emit fluorescence or phosphorescence. Additionally, nanocrystals that are quantum dots made of metal halide can produce light emission with a narrower half width.
나노 결정은, 일반식: AaMbXc로 표시되는 화합물이다. 여기서, a는, 1∼7의 양수이며, b는, 1∼4의 양수이며, c는, 1∼16의 양수이다. Nanocrystals are compounds represented by the general formula: A a M b Here, a is a positive number from 1 to 7, b is a positive number from 1 to 4, and c is a positive number from 1 to 16.
일반식: AaMbXc로 표시되는 화합물의 구체예로는, AMX, A4MX, AMX2, AMX3, A2MX3, AM2X3, A2MX4, A2MX5, A3MX5, A3M2X5, A3MX6, A4MX6, AM2X6, A2MX6, A4M2X6, A3MX8, A3M2X9, A3M3X9, A2M2X10, A7M3X16로 표시되는 화합물이 바람직하다. General formula : Specific examples of compounds represented by A a M b , A 3 MX 5 , A 3 M 2 Compounds represented by 9 , A 3 M 3
상기 식 중, A는 1가의 양이온을 나타내고, 유기 양이온 및 금속 양이온 중의 적어도 1종이다. 유기 양이온으로는, 암모늄, 메틸암모늄, 포름아미디늄, 구아니디늄, 이미다졸륨, 피리디늄, 피롤리디늄, 프로톤화티오우레아 등을 들 수 있고, 금속 양이온으로는, Cs, Rb, K, Na, Li 등의 양이온을 들 수 있다. In the above formula, A represents a monovalent cation and is at least one of an organic cation and a metal cation. Organic cations include ammonium, methylammonium, formamidinium, guanidinium, imidazolium, pyridinium, pyrrolidinium, and protonated thiourea, and metal cations include Cs, Rb, and K. Cations such as , Na, and Li can be mentioned.
M은 적어도 1종의 금속 양이온을 나타낸다. 구체적으로는, 1종의 금속 양이온(M1), 2종의 금속 양이온(M1 αM2 β), 3종의 금속 양이온(M1 αM2 βM3 γ), 4종의 금속 양이온(M1 αM2 βM3 γM4 δ) 등을 들 수 있다. 단, α, β, γ, δ는, 각각 0∼1의 실수를 나타내고, 또한 α+β+γ+δ=1을 나타낸다. M이 나타내는 금속 양이온으로는, 1족, 2족, 3족, 4족, 5족, 6족, 7족, 8족, 9족, 10족, 11족, 13족, 14족, 15족에서 선택되는 금속 양이온을 들 수 있다. 보다 바람직하게는, Ag, Au, Bi, Ca, Ce, Co, Cr, Cu, Eu, Fe, Ga, Ge, Hf, In, Ir, Mg, Mn, Mo, Na, Nb, Nd, Ni, Os, Pb, Pd, Pt, Re, Rh, Ru, Sb, Sc, Sm, Sn, Sr, Ta, Te, Ti, V, W, Zn, Zr 등의 양이온을 들 수 있다. M represents at least one type of metal cation. Specifically, one type of metal cation (M 1 ), two types of metal cations (M 1 α M 2 β ), three types of metal cations (M 1 α M 2 β M 3 γ ), and four types of metal cations. (M 1 α M 2 β M 3 γ M 4 δ ) and the like. However, α, β, γ, and δ each represent real numbers from 0 to 1, and also represent α+β+γ+δ=1. The metal cations represented by M include groups 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 13, 14, and 15. and selected metal cations. More preferably, Ag, Au, Bi, Ca, Ce, Co, Cr, Cu, Eu, Fe, Ga, Ge, Hf, In, Ir, Mg, Mn, Mo, Na, Nb, Nd, Ni, Os , Pb, Pd, Pt, Re, Rh, Ru, Sb, Sc, Sm, Sn, Sr, Ta, Te, Ti, V, W, Zn, and Zr.
X는 적어도 1종의 할로겐을 포함하는 음이온을 나타내고, 구체적으로는, 1종 또는 2종 이상의 할로겐화물 음이온을 포함한다. X로서 2종 이상의 음이온이 공존하는 경우, 그 공존비에는 특별히 제한은 없다. 이러한 음이온으로는 F-, Cl-, Br-, I- 등의 할로겐화물 이온을 들 수 있다. X represents an anion containing at least one type of halogen, and specifically contains one or two or more types of halide anions. When two or more types of anions coexist as Such anions include halide ions such as F - , Cl - , Br - , and I - .
나노 결정은, 그 입자 사이즈, X 사이트를 구성하는 음이온의 종류 및 존재 비율을 조정함으로써, 발광 파장(발광색)을 제어할 수 있다. 또한, 나노 결정은, 발광 특성을 보다 향상시킨다는 관점에서, Bi, Mn, Ca, Eu, Sb, Yb 등의 금속 이온이 첨가(도핑)된 것이어도 좋다. Nanocrystals can control their emission wavelength (emission color) by adjusting their particle size and the type and abundance ratio of anions constituting the X site. Additionally, the nanocrystal may be one to which metal ions such as Bi, Mn, Ca, Eu, Sb, or Yb have been added (doped) from the viewpoint of further improving the luminescence characteristics.
상기 일반식: AaMbXc로 표시되는 나노 결정 중에서도, 페로브스카이트형 결정 구조를 갖는 화합물은, 그 입자 사이즈, M 사이트를 구성하는 금속 양이온의 종류 및 존재 비율을 조정하고, 또한 X 사이트를 구성하는 음이온의 종류 및 존재 비율을 조정함으로써, 발광 파장(발광색)을 제어할 수 있는 점에서, 나노 결정으로서 특히 바람직하다. Among the nanocrystals represented by the general formula: A a M b It is particularly desirable as a nanocrystal because the emission wavelength (emission color) can be controlled by adjusting the type and abundance ratio of the anions constituting the site.
구체적으로는, 우수한 발광 특성을 갖는다는 관점에서, AMX3, A3MX5, A3MX6, A4MX6, A2MX6로 표시되는 화합물이 바람직하고, 발광 특성과 합성의 용이함의 관점에서, AMX3이 보다 바람직하다. 식 중의 A, M 및 X는 상기와 같다. 또한, 페로브스카이트형 결정 구조를 갖는 화합물은, 전술한 바와 같이, Bi, Mn, Ca, Eu, Sb, Yb 등의 금속 이온이 첨가(도핑)된 것이어도 좋다. Specifically, from the viewpoint of having excellent luminescence properties, compounds represented by AMX 3 , A 3 MX 5 , A 3 MX 6 , A 4 MX 6 , and A 2 MX 6 are preferred, and are preferred due to their luminescence properties and ease of synthesis. From this point of view, AMX 3 is more preferable. A, M and X in the formula are as above. In addition, the compound having a perovskite-type crystal structure may be one to which metal ions such as Bi, Mn, Ca, Eu, Sb, and Yb have been added (doped), as described above.
페로브스카이트형 결정 구조를 나타내는 화합물 중에서도, 합성의 용이함, 양호한 발광 특성 및 결정 구조의 견뢰성의 관점에서, A는 Cs, Rb, K, Na, Li, 메틸암모늄, 포름아미디늄으로 이루어진 군에서 선택되는 양이온인 것이 바람직하고, Cs, Rb, 메틸암모늄 및 포름아미디늄에서 선택되는 양이온이 보다 바람직하고, Cs 및 포름아미디늄에서 선택되는 양이온이 더욱 바람직하다. Among compounds exhibiting a perovskite-type crystal structure, from the viewpoint of ease of synthesis, good luminescent properties, and fastness of the crystal structure, A is selected from the group consisting of Cs, Rb, K, Na, Li, methylammonium, and formamidinium. It is preferably a cation selected, more preferably a cation selected from Cs, Rb, methylammonium and formamidinium, and even more preferably a cation selected from Cs and formamidinium.
M은 1종의 금속 양이온(M1), 또는 2종의 금속 양이온(M1 αM2 β(단, α와 β는 각각 0∼1의 실수를 나타내고, α+β=1을 나타낸다.))이며, 합성의 용이함, 양호한 발광 특성 및 결정 구조의 견뢰성의 관점에서, Pb, Sn, Ge, Bi, Sb, Ag, In, Cu, Yb, Ti, Pd, Mn, Eu, Zr 및 Tb로 이루어진 군에서 선택되는 금속 이온인 것이 바람직하고, Pb, Sn, Bi, Sb, Ag, In, Cu, Mn 및 Zr로 이루어진 군에서 선택되는 금속 이온이 보다 바람직하고, Pb, Sn 및 Cu로 이루어진 군에서 선택되는 금속 이온이 더욱 바람직하고, Pb 이온이 특히 바람직하다. M is one type of metal cation (M 1 ), or two types of metal cations (M 1 α M 2 β (however, α and β each represent real numbers from 0 to 1, and α + β = 1). ), and in terms of ease of synthesis, good luminescence properties and fastness of the crystal structure, it is composed of Pb, Sn, Ge, Bi, Sb, Ag, In, Cu, Yb, Ti, Pd, Mn, Eu, Zr and Tb. A metal ion is preferably selected from the group consisting of Pb, Sn, Bi, Sb, Ag, In, Cu, Mn and Zr, and more preferably a metal ion selected from the group consisting of Pb, Sn and Cu. The metal ion selected is more preferred, and Pb ions are particularly preferred.
X는 F-, Cl-, Br-, I-로 이루어진 군에서 선택되는 할로겐화물 이온인 것이 바람직하고, 합성의 용이함, 양호한 발광 특성 및 결정 구조의 견뢰성의 관점에서, Cl-, Br-, I-로 이루어진 군에서 선택되는 할로겐화물 이온이 보다 바람직하고, Br-, I-로 이루어진 군에서 선택되는 할로겐화물 이온이 더욱 바람직하고, Br-가 특히 바람직하다. It is preferable that A halide ion selected from the group consisting of - is more preferable, a halide ion selected from the group consisting of Br - and I - is more preferable, and Br - is particularly preferable.
페로브스카이트형 결정 구조를 갖는 나노 결정의 구체적인 조성으로서, CsPbBr3, (CH3NH3)PbBr3, (CHN2H4)PbBr3, CsPbI3, (CH3NH3)PbI3, (CHN2H4)PbI3, CsPb(Br/I)3, (CH3NH3)Pb(Br/I)3, (CHN2H4)Pb(Br/I)3 등의, M으로서 Pb를 이용한 나노 결정은, 광강도가 우수함과 더불어 양자 효율이 우수하다는 점에서 바람직하다. 또한, CsSnBr3, CsSnCl3, CsSnBr1.5Cl1.5, Cs3Sb2Br9, (CH3NH3)3Bi2Br9, (C4H9NH3)2AgBiBr6, 등의 M으로서 Pb 이외의 금속 양이온을 이용한 나노 결정은, 저독성이며 환경에 미치는 영향이 적기 때문에 바람직하다. As a specific composition of nanocrystals having a perovskite-type crystal structure, CsPbBr 3 , (CH 3 NH 3 )PbBr 3 , (CHN 2 H 4 )PbBr 3 , CsPbI 3 , (CH 3 NH 3 )PbI 3 , (CHN 2 H 4 )PbI 3 , CsPb(Br/I) 3 , (CH 3 NH 3 )Pb(Br/I) 3 , (CHN 2 H 4 )Pb(Br/I) 3 , etc., using Pb as M Nanocrystals are preferable because they have excellent light intensity and quantum efficiency. In addition, in addition to Pb as M, CsSnBr 3 , CsSnCl 3 , CsSnBr 1.5 Cl 1.5 , Cs 3 Sb 2 Br 9 , (CH 3 NH 3 ) 3 Bi 2 Br 9 , (C 4 H 9 NH 3 ) 2 AgBiBr 6 , etc. Nanocrystals using metal cations are desirable because they are low-toxic and have little impact on the environment.
나노 결정으로서, 605∼665 nm의 파장 범위에 발광 피크를 갖는 광(적색광)을 발하는 적색 발광성의 결정, 500∼560 nm의 파장 범위에 발광 피크를 갖는 광(녹색광)을 발하는 녹색 발광성의 결정, 420∼480 nm의 파장 범위에 발광 피크를 갖는 광(청색)을 발하는 청색 발광성의 결정 등을 선택하여 이용할 수 있다. The nanocrystals include a red luminescent crystal that emits light (red light) having an emission peak in the wavelength range of 605 to 665 nm, a green luminescent crystal that emits light (green light) that has an emission peak in the wavelength range of 500 to 560 nm, A blue luminescent crystal, etc. that emits light (blue) with an emission peak in the wavelength range of 420 to 480 nm can be selected and used.
한편, 나노 결정의 발광 피크의 파장은, 예컨대, 절대 PL 양자 수율 측정 장치를 이용하여 측정되는 형광 스펙트럼 또는 인광 스펙트럼에 있어서 확인할 수 있다. Meanwhile, the wavelength of the emission peak of the nanocrystal can be confirmed, for example, in a fluorescence spectrum or phosphorescence spectrum measured using an absolute PL quantum yield measuring device.
적색 발광성의 나노 결정은, 665 nm 이하, 663 nm 이하, 660 nm 이하, 658 nm 이하, 655 nm 이하, 653 nm 이하, 651 nm 이하, 650 nm 이하, 647 nm 이하, 645 nm 이하, 643 nm 이하, 640 nm 이하, 637 nm 이하, 635 nm 이하, 632 nm 이하 또는 630 nm 이하의 파장 범위에 발광 피크를 갖는 것이 바람직하고, 628 nm 이상, 625 nm 이상, 623 nm 이상, 620 nm 이상, 615 nm 이상, 610 nm 이상, 607 nm 이상 또는 605 nm 이상의 파장 범위에 발광 피크를 갖는 것이 바람직하다. Red luminescent nanocrystals are 665 nm or less, 663 nm or less, 660 nm or less, 658 nm or less, 655 nm or less, 653 nm or less, 651 nm or less, 650 nm or less, 647 nm or less, 645 nm or less, 643 nm or less. , preferably having an emission peak in a wavelength range of 640 nm or less, 637 nm or less, 635 nm or less, 632 nm or less, or 630 nm or less, and 628 nm or more, 625 nm or more, 623 nm or more, 620 nm or more, 615 nm. It is preferable to have an emission peak in a wavelength range of 610 nm or more, 607 nm or more, or 605 nm or more.
이들 상한치 및 하한치는, 임의로 조합할 수 있다. 한편, 이하의 동일한 기재에 있어서도, 개별로 기재한 상한치 및 하한치는 임의로 조합 가능하다. These upper and lower limits can be arbitrarily combined. Meanwhile, even in the same description below, the individually described upper and lower limits can be arbitrarily combined.
녹색 발광성의 나노 결정은, 560 nm 이하, 557 nm 이하, 555 nm 이하, 550 nm 이하, 547 nm 이하, 545 nm 이하, 543 nm 이하, 540 nm 이하, 537 nm 이하, 535 nm 이하, 532 nm 이하 또는 530 nm 이하의 파장 범위에 발광 피크를 갖는 것이 바람직하고, 528 nm 이상, 525 nm 이상, 523 nm 이상, 520 nm 이상, 515 nm 이상, 510 nm 이상, 507 nm 이상, 505 nm 이상, 503 nm 이상 또는 500 nm 이상의 파장 범위에 발광 피크를 갖는 것이 바람직하다. Green luminescent nanocrystals are 560 nm or less, 557 nm or less, 555 nm or less, 550 nm or less, 547 nm or less, 545 nm or less, 543 nm or less, 540 nm or less, 537 nm or less, 535 nm or less, 532 nm or less. Alternatively, it is preferable to have an emission peak in a wavelength range of 530 nm or less, 528 nm or more, 525 nm or more, 523 nm or more, 520 nm or more, 515 nm or more, 510 nm or more, 507 nm or more, 505 nm or more, 503 nm. It is desirable to have an emission peak in a wavelength range of 500 nm or more.
청색 발광성의 나노 결정은, 480 nm 이하, 477 nm 이하, 475 nm 이하, 470 nm 이하, 467 nm 이하, 465 nm 이하, 463 nm 이하, 460 nm 이하, 457 nm 이하, 455 nm 이하, 452 nm 이하 또는 450 nm 이하의 파장 범위에 발광 피크를 갖는 것이 바람직하고, 450 nm 이상, 445 nm 이상, 440 nm 이상, 435 nm 이상, 430 nm 이상, 428 nm 이상, 425 nm 이상, 422 nm 이상 또는 420 nm 이상의 파장 범위에 발광 피크를 갖는 것이 바람직하다. Blue luminescent nanocrystals are 480 nm or less, 477 nm or less, 475 nm or less, 470 nm or less, 467 nm or less, 465 nm or less, 463 nm or less, 460 nm or less, 457 nm or less, 455 nm or less, 452 nm or less. or preferably has an emission peak in a wavelength range of 450 nm or less, 450 nm or more, 445 nm or more, 440 nm or more, 435 nm or more, 430 nm or more, 428 nm or more, 425 nm or more, 422 nm or more, or 420 nm. It is desirable to have an emission peak in the above wavelength range.
나노 결정의 형상은, 특별히 한정되지 않고, 임의의 기하학적 형상이어도 좋고, 임의의 불규칙한 형상이어도 좋다. 나노 결정의 형상으로는, 예컨대, 직방체형, 입방체형, 구형, 정사면체형, 타원체형, 각추 형상, 디스크형, 가지형, 그물형, 로드형 등을 들 수 있다. 나노 결정의 형상은, 직방체형, 입방체형 또는 구형이 바람직하다. The shape of the nanocrystal is not particularly limited, and may be any geometric shape or any irregular shape. The shape of the nanocrystal includes, for example, a rectangular parallelepiped, a cubic shape, a sphere, a tetrahedron, an ellipsoid, a pyramid shape, a disk shape, a branch shape, a net shape, a rod shape, etc. The shape of the nanocrystal is preferably rectangular, cubic, or spherical.
나노 결정의 평균 입자 직경(체적 평균 직경)은, 40 nm 이하인 것이 바람직하고, 30 nm 이하가 보다 바람직하고, 20 nm 이하가 더욱 바람직하고, 15 nm 이하가 특히 바람직하다. 또한, 나노 결정의 평균 입자 직경은, 1 nm 이상인 것이 바람직하고, 1.5 nm 이상이 보다 바람직하고, 2 nm 이상이 더욱 바람직하고, 3 nm 이상이 특히 바람직하다. 이러한 평균 입자 직경을 갖는 나노 결정은, 원하는 발광 파장을 얻을 수 있음과 더불어, 나노 결정의 응집에 의한 이차 입자의 형성을 억제할 수 있고, 형광 양자 수율, 휘도 및 색재현성의 저하를 억제할 수 있다. The average particle diameter (volume average diameter) of the nanocrystals is preferably 40 nm or less, more preferably 30 nm or less, further preferably 20 nm or less, and especially preferably 15 nm or less. Additionally, the average particle diameter of the nanocrystals is preferably 1 nm or more, more preferably 1.5 nm or more, still more preferably 2 nm or more, and especially preferably 3 nm or more. Nanocrystals with such an average particle diameter can not only obtain the desired emission wavelength, but can also suppress the formation of secondary particles due to agglomeration of nanocrystals and suppress the decline in fluorescence quantum yield, luminance, and color reproducibility. there is.
한편, 나노 결정의 평균 입자 직경은, 투과형 전자현미경(TEM), 주사형 전자현미경(SEM) 또는 X선 회절 장치(XRD) 등에 의해 나노 결정의 입경을 측정하고, 체적 기준의 평균 입경을 산출하여 얻어진다. Meanwhile, the average particle diameter of nanocrystals is determined by measuring the particle size of the nanocrystals using a transmission electron microscope (TEM), scanning electron microscope (SEM), or X-ray diffraction (XRD), and calculating the average particle size based on volume. obtained.
<실록산 결합을 갖는 구조를 포함하는 표면층> <Surface layer containing a structure with siloxane bonds>
본 발명의 분산체를 구성하는 발광성 입자는, 나노 결정의 표면에, 실록산 결합을 갖는 구조를 포함하는 표면층을 구비한다. 바꾸어 말하면, 발광성 입자는 나노 결정을 코어로 하고, 그 표면의 적어도 일부에, 실록산 결합을 포함하는 표면층을 셸로서 구비하고 있다. The luminescent particles constituting the dispersion of the present invention have a surface layer containing a structure having siloxane bonds on the surface of the nanocrystals. In other words, the luminescent particle has a nanocrystal as its core, and has a surface layer containing siloxane bonds as a shell on at least part of its surface.
이러한 실록산 결합을 갖는 구조를 포함하는 표면층은 단독층으로 이루어져 있어도 좋고, 복수층으로 이루어져 있어도 좋다. The surface layer containing such a structure having siloxane bonds may be composed of a single layer or may be composed of multiple layers.
나노 결정이 실록산 결합을 갖는 구조를 포함하는 표면층을 구비함으로써, 발광성 입자의 수분이나 산소에 대한 안정성, 내광성 등을 향상시킬 수 있다. 또한 본 발명의 분산체의 장기 보존성, 및 본 분산체를 포함하는 조성물로 형성되는 광변환층의 광학 특성의 내구성 등을 향상시킬 수 있다는 관점에서 바람직하다. By providing a surface layer containing a structure in which nanocrystals have siloxane bonds, the stability of the luminescent particles to moisture and oxygen, light resistance, etc. can be improved. Additionally, it is preferable from the viewpoint of improving the long-term storage of the dispersion of the present invention and the durability of the optical properties of the light conversion layer formed from a composition containing the present dispersion.
실록산 결합을 갖는 구조를 포함하는 표면층은, 나노 결정의 표면에 배위 가능하고, 또한 분자끼리 실록산 결합을 형성 가능한 화합물을 포함하는 배위자로 구성되는 것이 바람직하다. The surface layer containing a structure having siloxane bonds is preferably composed of a ligand containing a compound capable of coordinating with the surface of the nanocrystal and forming siloxane bonds between molecules.
이러한 배위자는, 나노 결정에 포함되는 양이온 또는 음이온에 결합하는 결합성 기를 갖고, 실록산 결합을 형성 가능한 반응성 기를 갖는 실란 화합물(이하, 「실란 화합물」이라고도 기재한다.)을 포함하지만, 나노 결정에 포함되는 양이온 또는 음이온에 결합하는 결합성 기를 갖는 화합물을 더 포함해도 좋다. These ligands include silane compounds (hereinafter also referred to as “silane compounds”) that have a bonding group that binds to a cation or anion contained in the nanocrystal and a reactive group capable of forming a siloxane bond (hereinafter also referred to as “silane compound”), but are included in the nanocrystal. It may further include a compound having a binding group that binds to a cation or anion.
실란 화합물에서의, 실록산 결합을 형성 가능한 반응성 기로는, 실록산 결합을 용이하게 형성할 수 있다는 관점에서, 실라놀기, 탄소 원자수가 1∼6인 알콕시실릴기 등의 가수분해성 실릴기가 바람직하고, 실라놀기, 탄소 원자수가 1∼2인 알콕시실릴기가 보다 바람직하다. 바꾸어 말하면, 실란 화합물은, 나노 결정의 표면에 결합 가능한 결합성 기 및 가수분해성 실릴기를 갖는 실란 화합물이다. In the silane compound, the reactive group capable of forming a siloxane bond is preferably a hydrolyzable silyl group such as a silanol group or an alkoxysilyl group having 1 to 6 carbon atoms, from the viewpoint of being able to easily form a siloxane bond, and a silanol group. , an alkoxysilyl group having 1 to 2 carbon atoms is more preferable. In other words, a silane compound is a silane compound that has a bonding group that can be bonded to the surface of a nanocrystal and a hydrolyzable silyl group.
실란 화합물이 갖는 결합성 기로는, 전술한 결합성 기를 들 수 있고, 그 중에서도 카르복실기, 머캅토기 및 아미노기의 적어도 1종이 바람직하다. 이들 결합성 기는 가수분해성 실릴기보다, 나노 결정에 포함되는 양이온 또는 음이온에 대한 친화성이 높기 때문에, 실란 화합물은 결합성 기를 나노 결정측으로 하여 배위한다. 그리고, 실란 화합물이 갖는 가수분해성 실릴기의 축합에 의해 실록산 결합을 형성시킴으로써, 보다 용이하고 확실하게 실록산 결합을 갖는 구조를 포함하는 표면층을 형성할 수 있다. Examples of the bonding group that the silane compound has include the bonding groups described above, and among them, at least one of a carboxyl group, a mercapto group, and an amino group is preferable. Since these bonding groups have a higher affinity for cations or anions contained in nanocrystals than hydrolyzable silyl groups, the silane compound coordinates the bonding groups toward the nanocrystal side. Additionally, by forming a siloxane bond through condensation of the hydrolyzable silyl group of the silane compound, a surface layer containing a structure having a siloxane bond can be formed more easily and reliably.
실란 화합물로는, 카르복실기 함유 실란 화합물, 아미노기 함유 실란 화합물, 머캅토기 함유 실란 화합물이 바람직하다. 이들은 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 병용해도 좋다. As the silane compound, a carboxyl group-containing silane compound, an amino group-containing silane compound, and a mercapto group-containing silane compound are preferable. These may be used individually or in combination of two or more types.
카르복실기 함유 실란 화합물로는, 예컨대 3-(트리메톡시실릴)프로피온산, 3-(트리에톡시실릴)프로피온산, 2-카르복시에틸페닐비스(2-메톡시에톡시)실란, N-[3-(트리메톡시실릴)프로필]-N'-카르복시메틸에틸렌디아민, N-[3-(트리메톡시실릴)프로필]프탈아미드, N-[3-(트리메톡시실릴)프로필]에틸렌디아민-N,N',N'-삼아세트산, (6-트리에톡시실릴)-3-[[[3-(트리에톡시실릴)프로필]아미노]카르보닐]헥산산 등을 들 수 있다. Silane compounds containing a carboxyl group include, for example, 3-(trimethoxysilyl)propionic acid, 3-(triethoxysilyl)propionic acid, 2-carboxyethylphenylbis(2-methoxyethoxy)silane, N-[3-( trimethoxysilyl)propyl]-N'-carboxymethylethylenediamine, N-[3-(trimethoxysilyl)propyl]phthalamide, N-[3-(trimethoxysilyl)propyl]ethylenediamine-N, N',N'-triacetic acid, (6-triethoxysilyl)-3-[[[3-(triethoxysilyl)propyl]amino]carbonyl]hexanoic acid, etc. can be mentioned.
아미노기 함유 실란 화합물로는, 예컨대, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디에톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디프로폭시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디이소프로폭시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리에톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리프로폭시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리이소프로폭시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노이소부틸디메틸메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노이소부틸메틸디메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-11-아미노운데실트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필실란트리올, 3-트리에톡시실릴-N-(1,3-디메틸-부틸리덴)프로필아민, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, N,N-비스[3-(트리메톡시실릴)프로필]에틸렌디아민, (아미노에틸아미노에틸)페닐트리메톡시실란, (아미노에틸아미노에틸)페닐트리에톡시실란, (아미노에틸아미노에틸)페닐트리프로폭시실란, (아미노에틸아미노에틸)페닐트리이소프로폭시실란, (아미노에틸아미노메틸)페닐트리메톡시실란, (아미노에틸아미노메틸)페닐트리에톡시실란, (아미노에틸아미노메틸)페닐트리프로폭시실란, (아미노에틸아미노메틸)페닐트리이소프로폭시실란, N-(비닐벤질)-2-아미노에틸-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-(비닐벤질)-2-아미노에틸-3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-β-(N-비닐벤질아미노에틸)-N-γ-(N-비닐벤질)-γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-β-(N-디(비닐벤질)아미노에틸)-γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-β-(N-디(비닐벤질)아미노에틸)-N-γ-(N-비닐벤질)-γ-아미노프로필트리메톡시실란, 메틸벤질아미노에틸아미노프로필트리메톡시실란, 디메틸벤질아미노에틸아미노프로필트리메톡시실란, 벤질아미노에틸아미노프로필트리메톡시실란, 벤질아미노에틸아미노프로필트리에톡시실란, 3-우레이도프로필트리에톡시실란, 3-(N-페닐)아미노프로필트리메톡시실란, N,N-비스[3-(트리메톡시실릴)프로필]에틸렌디아민, (아미노에틸아미노에틸)페네틸트리메톡시실란, (아미노에틸아미노에틸)페네틸트리에톡시실란, (아미노에틸아미노에틸)페네틸트리프로폭시실란, (아미노에틸아미노에틸)페네틸트리이소프로폭시실란, (아미노에틸아미노메틸)페네틸트리메톡시실란, (아미노에틸아미노메틸)페네틸트리에톡시실란, (아미노에틸아미노메틸)페네틸트리프로폭시실란, (아미노에틸아미노메틸)페네틸트리이소프로폭시실란, N-[2-[3-(트리메톡시실릴)프로필아미노]에틸]에틸렌디아민, N-[2-[3-(트리에톡시실릴)프로필아미노]에틸]에틸렌디아민, N-[2-[3-(트리프로폭시실릴)프로필아미노]에틸]에틸렌디아민, N-[2-[3-(트리이소프로폭시실릴)프로필아미노]에틸]에틸렌디아민 등을 들 수 있다. Silane compounds containing amino groups include, for example, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, N-(2-aminoethyl)-3-aminopropylmethyldimethoxysilane, and N-(2- Aminoethyl)-3-aminopropylmethyldiethoxysilane, N-(2-aminoethyl)-3-aminopropylmethyldipropoxysilane, N-(2-aminoethyl)-3-aminopropylmethyldiisopropoxy Silane, N-(2-aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilane, N-(2-aminoethyl)-3-aminopropyltriethoxysilane, N-(2-aminoethyl)-3-amino Propyltripropoxysilane, N-(2-aminoethyl)-3-aminopropyltriisopropoxysilane, N-(2-aminoethyl)-3-aminoisobutyldimethylmethoxysilane, N-(2-amino Ethyl)-3-aminoisobutylmethyldimethoxysilane, N-(2-aminoethyl)-11-aminundecyltrimethoxysilane, N-(2-aminoethyl)-3-aminopropylsilanetriol, 3 -Triethoxysilyl-N-(1,3-dimethyl-butylidene)propylamine, N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, N,N-bis[3-(trimethoxysilyl)propyl ]Ethylenediamine, (aminoethylaminoethyl)phenyltrimethoxysilane, (aminoethylaminoethyl)phenyltriethoxysilane, (aminoethylaminoethyl)phenyltripropoxysilane, (aminoethylaminoethyl)phenyltriisoprop Poxysilane, (aminoethylaminomethyl)phenyltrimethoxysilane, (aminoethylaminomethyl)phenyltriethoxysilane, (aminoethylaminomethyl)phenyltripropoxysilane, (aminoethylaminomethyl)phenyltriisopropoxy Silane, N-(vinylbenzyl)-2-aminoethyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, N-(vinylbenzyl)-2-aminoethyl-3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-β-(N -Vinylbenzylaminoethyl)-N-γ-(N-vinylbenzyl)-γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-β-(N-di(vinylbenzyl)aminoethyl)-γ-aminopropyltrimethoxy Silane, N-β-(N-di(vinylbenzyl)aminoethyl)-N-γ-(N-vinylbenzyl)-γ-aminopropyltrimethoxysilane, methylbenzylaminoethylaminopropyltrimethoxysilane, dimethyl Benzylaminoethylaminopropyltrimethoxysilane, Benzylaminoethylaminopropyltrimethoxysilane, Benzylaminoethylaminopropyltriethoxysilane, 3-ureidopropyltriethoxysilane, 3-(N-phenyl)aminopropyltri Methoxysilane, N,N-bis[3-(trimethoxysilyl)propyl]ethylenediamine, (aminoethylaminoethyl)phenethyltrimethoxysilane, (aminoethylaminoethyl)phenethyltriethoxysilane, (aminoethyl Aminoethyl)phenethyltripropoxysilane, (Aminoethylaminoethyl)phenethyltriisopropoxysilane, (Aminoethylaminomethyl)phenethyltrimethoxysilane, (Aminoethylaminomethyl)phenethyltriethoxysilane, (Aminoethylaminomethyl)phenethyltriethoxysilane Ethylaminomethyl)phenethyltripropoxysilane, (aminoethylaminomethyl)phenethyltriisopropoxysilane, N-[2-[3-(trimethoxysilyl)propylamino]ethyl]ethylenediamine, N-[ 2-[3-(triethoxysilyl)propylamino]ethyl]ethylenediamine, N-[2-[3-(tripropoxysilyl)propylamino]ethyl]ethylenediamine, N-[2-[3-( and triisopropoxysilyl)propylamino]ethyl]ethylenediamine.
머캅토기 함유 실란 화합물로는, 예컨대 3-머캅토프로필트리메톡시실란, 3-머캅토프로필트리에톡시실란, 3-머캅토프로필메틸디메톡시실란, 3-머캅토프로필메틸디에톡시실란, 2-머캅토에틸트리메톡시실란, 2-머캅토에틸트리에톡시실란, 2-머캅토에틸메틸디메톡시실란, 2-머캅토에틸메틸디에톡시실란, 3-[에톡시비스(3,6,9,12,15-펜타옥사옥타코산-1-일옥시)실릴]-1-프로판티올 등을 들 수 있다. Silane compounds containing a mercapto group include, for example, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropyltriethoxysilane, 3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane, 3-mercaptopropylmethyldiethoxysilane, 2 -Mercaptoethyltrimethoxysilane, 2-mercaptoethyltriethoxysilane, 2-mercaptoethylmethyldimethoxysilane, 2-mercaptoethylmethyldiethoxysilane, 3-[ethoxybis(3,6, 9,12,15-pentaoxaoctacosan-1-yloxy)silyl]-1-propanethiol, etc. can be mentioned.
나노 결정에 포함되는 양이온 또는 음이온에 결합하는 결합성 기로는, 예컨대 카르복실기, 카르복실산무수물기, 아미노기, 암모늄기, 머캅토기, 포스핀기, 포스핀옥시드기, 인산기, 포스폰산기, 포스핀산기, 술폰산기, 붕소산기 및 이들의 염 중의 적어도 1종을 들 수 있다. 그 중에서도, 카르복실기, 아미노기, 머캅토기, 술폰산기, 포스폰산기 및 이들의 염 중의 적어도 1종인 것이 바람직하다. Binding groups that bind to cations or anions contained in nanocrystals include, for example, carboxyl group, carboxylic acid anhydride group, amino group, ammonium group, mercapto group, phosphine group, phosphine oxide group, phosphoric acid group, phosphonic acid group, phosphinic acid group, At least one type of sulfonic acid group, boronic acid group, and salts thereof can be mentioned. Among them, at least one type of carboxyl group, amino group, mercapto group, sulfonic acid group, phosphonic acid group, and salts thereof is preferable.
나노 결정에 포함되는 양이온 또는 음이온에 결합하는 결합성 기를 갖는 화합물인, 실란 화합물이 아닌 배위자로서, 구체적으로는 카르복실기 함유 화합물, 아미노기 함유 화합물, 머캅토기 함유 화합물, 술폰산기 함유 화합물, 포스폰산기 함유 화합물 및 이들의 염이 바람직하다. 이들은 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다. A ligand other than a silane compound, which is a compound having a binding group that binds to a cation or anion contained in a nanocrystal, and specifically, a carboxyl group-containing compound, an amino group-containing compound, a mercapto group-containing compound, a sulfonic acid group-containing compound, and a phosphonic acid group-containing compound. Compounds and their salts are preferred. These may be used individually, or two or more types may be used together.
발광성 입자의 안정성을 향상시킨다는 관점에서는, 실란 화합물이 아닌 카르복실기 함유 화합물, 아미노기 함유 화합물, 술폰산기 함유 화합물, 포스폰산기 함유 화합물 및 이들의 염의 1종 이상과, 실란 화합물의 1종 이상을 이용하는 것이 바람직하다. From the viewpoint of improving the stability of the luminescent particles, it is better to use one or more types of carboxyl group-containing compounds, amino group-containing compounds, sulfonic acid group-containing compounds, phosphonic acid group-containing compounds, and salts thereof, and one or more types of silane compounds other than silane compounds. desirable.
배위자는, 나노 결정의 합성시에 공존시키거나, 또는 나노 결정을 형성 후, 나노 결정의 합성시에 공존시킨 배위자와는 상이한 배위자로 치환할 수도 있다. The ligand may be coexisted during the synthesis of the nanocrystal, or after forming the nanocrystal, it may be replaced with a different ligand from the ligand coexisted during the synthesis of the nanocrystal.
카르복실기 함유 화합물로는, 예컨대 아라키돈산, 크로톤산, trans-2-데센산, 에루크산, 3-데센산, cis-4,7,10,13,16,19-도코사헥사엔산, 4-데센산, all cis-5,8,11,14,17-에이코사펜타엔산, all cis-8,11,14-에이코사트리엔산, cis-9-헥사데센산, trans-3-헥센산, trans-2-헥센산, 2-헵텐산, 3-헵텐산, 2-헥사데센산, 리놀렌산, 리놀레산, γ-리놀렌산, 3-노넨산, 2-노넨산, trans-2-옥텐산, 페트로세린산, 엘라이드산, 올레산, 3-옥텐산, trans-2-펜텐산, trans-3-펜텐산, 리시놀산, 소르브산, 2-트리데센산, cis-15-테트라코센산, 10-운데센산, 2-운데센산, 아세트산, 부티르산, 베헨산, 세로트산, 데칸산, 아라키드산, 헨에이코산산, 헵타데칸산, 헵탄산, 헥산산, 헵타코산산, 라우르산, 미리스트산, 멜리스산, 옥타코산산, 노나데칸산, 노나코산산, n-옥탄산, 팔미트산, 펜타데칸산, 프로피온산, 펜타코산산, 노난산, 스테아르산, 리그노세르산, 트리코산산, 트리데칸산, 운데칸산, 발레르산 등의, 탄소수 1∼30의 직쇄형 또는 분기형의 지방족 카르복실산을 들 수 있다. Carboxyl group-containing compounds include, for example, arachidonic acid, crotonic acid, trans-2-decenoic acid, erucic acid, 3-decenoic acid, cis-4,7,10,13,16,19-docosahexaenoic acid, 4 -decenoic acid, all cis-5,8,11,14,17-eicosapentaenoic acid, all cis-8,11,14-eicosatrienoic acid, cis-9-hexadecenoic acid, trans-3- Hexenoic acid, trans-2-hexenoic acid, 2-heptenoic acid, 3-heptenoic acid, 2-hexadecenoic acid, linolenic acid, linoleic acid, γ-linolenic acid, 3-nonenic acid, 2-nonenic acid, trans-2-octenoic acid , petrolseric acid, elaidic acid, oleic acid, 3-octenoic acid, trans-2-pentenoic acid, trans-3-pentenoic acid, ricinoleic acid, sorbic acid, 2-tridecenoic acid, cis-15-tetracosenoic acid, 10-undecenoic acid, 2-undecenoic acid, acetic acid, butyric acid, behenic acid, cerotic acid, decanoic acid, arachidic acid, heneicosanoic acid, heptadecanoic acid, heptanoic acid, hexanoic acid, heptacosanoic acid, lauric acid, Listic acid, melisic acid, octacosanoic acid, nonadecanoic acid, nonacosanoic acid, n-octanoic acid, palmitic acid, pentadecanoic acid, propionic acid, pentacosanoic acid, nonanoic acid, stearic acid, lignoceric acid, trichosanoic acid. , tridecanoic acid, undecanoic acid, valeric acid, etc., and straight-chain or branched aliphatic carboxylic acids having 1 to 30 carbon atoms.
아미노기 함유 화합물로는, 예컨대 1-아미노헵타데칸, 1-아미노노나데칸, 헵타데칸-9-아민, 스테아릴아민, 올레일아민, 2-n-옥틸-1-도데실아민, 알릴아민, 아밀아민, 2-에톡시에틸아민, 3-에톡시프로필아민, 이소부틸아민, 이소아밀아민, 3-메톡시프로필아민, 2-메톡시에틸아민, 2-메틸부틸아민, 네오펜틸아민, 프로필아민, 메틸아민, 에틸아민, 부틸아민, 헥실아민, 헵틸아민, 옥틸아민, 1-아미노데칸, 노닐아민, 1-아미노운데칸, 도데실아민, 1-아미노펜타데칸, 1-아미노트리데칸, 헥사데실아민, 테트라데실아민 등의, 탄소수 1∼30의 직쇄형 또는 분기형의 지방족 아민을 들 수 있다. Amino group-containing compounds include, for example, 1-aminoheptadecane, 1-aminononadecane, heptadecan-9-amine, stearylamine, oleylamine, 2-n-octyl-1-dodecylamine, allylamine, and amyl. Amine, 2-ethoxyethylamine, 3-ethoxypropylamine, isobutylamine, isoamylamine, 3-methoxypropylamine, 2-methoxyethylamine, 2-methylbutylamine, neopentylamine, propylamine , methylamine, ethylamine, butylamine, hexylamine, heptylamine, octylamine, 1-aminodecane, nonylamine, 1-aminoundecane, dodecylamine, 1-aminopentadecane, 1-aminotridecane, hexamethylamine Examples include linear or branched aliphatic amines having 1 to 30 carbon atoms, such as decylamine and tetradecylamine.
머캅토기 함유 화합물로는, 예컨대 n-도데실티올, tert-도데실티올, 1-도데칸티올, n-옥탄티올, 1-옥타데칸티올 등을 들 수 있다. Examples of mercapto group-containing compounds include n-dodecylthiol, tert-dodecylthiol, 1-dodecanethiol, n-octanethiol, and 1-octadecanethiol.
술폰산기 함유 화합물 또는 그 염으로는, 예컨대 도데실벤젠술폰산, 도데실포스폰산, 4-n-옥틸벤젠술폰산나트륨, 4-도데실벤젠-1-술폰산나트륨, 4-운데실벤젠술폰산나트륨, 4-테트라데실벤젠-1-술폰산나트륨, 4-트리데실벤젠-1-술폰산나트륨, 1-데칸술폰산나트륨, 1-도데칸술폰산나트륨, 라우릴황산나트륨 등을 들 수 있다. Sulfonic acid group-containing compounds or salts thereof include, for example, dodecylbenzenesulfonic acid, dodecylphosphonic acid, sodium 4-n-octylbenzenesulfonate, sodium 4-dodecylbenzene-1-sulfonate, sodium 4-undecylbenzenesulfonate, 4 -Sodium tetradecylbenzene-1-sulfonate, sodium 4-tridecylbenzene-1-sulfonate, sodium 1-decanesulfonate, sodium 1-dodecanesulfonate, sodium lauryl sulfate, etc.
포스폰산기 함유 화합물 또는 그 염으로는, 예컨대 도데실포스폰산 등을 들 수 있다. Examples of the phosphonic acid group-containing compound or its salt include dodecylphosphonic acid.
상기 화합물 중에서도, 본 발명에 있어서는, 실란 화합물과 병용하는 배위자로서, 올레산, 옥탄산, 라우르산, 도데실벤젠술폰산, 도데실포스폰산, 올레일아민, 옥틸아민, 트리옥틸포스핀이 바람직하고, 올레산, 라우르산, 올레일아민, 도데실벤젠술폰산, 도데실포스폰산이 보다 바람직하다. Among the above compounds, in the present invention, as the ligand used in combination with the silane compound, oleic acid, octanoic acid, lauric acid, dodecylbenzenesulfonic acid, dodecylphosphonic acid, oleylamine, octylamine, and trioctylphosphine are preferred. , oleic acid, lauric acid, oleylamine, dodecylbenzenesulfonic acid, and dodecylphosphonic acid are more preferred.
특히, 실록산 결합을 갖는 구조를 포함하는 표면층은, 나노 결정의 표면에, 배위자로서 예컨대 올레산, 3-아미노프로필트리에톡시실란을 배위시키고, 또한 3-아미노프로필트리에톡시실란이 갖는 알콕시실릴기를 축합시켜 실록산 결합을 형성시켜 얻어진 것이 바람직하다. In particular, the surface layer containing a structure having a siloxane bond coordinates, for example, oleic acid or 3-aminopropyltriethoxysilane as a ligand to the surface of the nanocrystal, and further coordinates an alkoxysilyl group possessed by 3-aminopropyltriethoxysilane. Those obtained by condensation to form siloxane bonds are preferred.
또한, 상기 실란 화합물과 병용하는 배위자는, 나노 결정 표면에 실록산 결합을 갖는 구조를 포함하는 셸층을 형성시킨 후에 첨가함으로써 나노 결정 표면에 배위시켜도 좋다. Additionally, the ligand used in combination with the silane compound may be added to the nanocrystal surface after forming a shell layer containing a siloxane bond on the nanocrystal surface to coordinate the nanocrystal surface.
실록산 결합을 갖는 구조를 포함하는 표면층의 두께는 0.5∼50 nm의 범위가 바람직하고, 1.0∼30 nm의 범위가 보다 바람직하다. 실록산 결합을 갖는 구조를 포함하는 표면층의 두께가 상기 범위이면, 발광성 입자의 열에 대한 안정성을 충분히 높일 수 있다. 한편, 실록산 결합을 갖는 구조를 포함하는 표면층의 두께는, 배위자의 결합기와 반응성 기를 연결하는 연결 구조의 원자수(쇄길이)를 조정함으로써 변경할 수 있다. The thickness of the surface layer containing the structure having siloxane bonds is preferably in the range of 0.5 to 50 nm, and more preferably in the range of 1.0 to 30 nm. If the thickness of the surface layer including the structure having siloxane bonds is within the above range, the thermal stability of the luminescent particles can be sufficiently increased. On the other hand, the thickness of the surface layer containing the structure having siloxane bonds can be changed by adjusting the number of atoms (chain length) of the linking structure connecting the linking group of the ligand and the reactive group.
발광성 입자에 있어서는, 상기 배위자 외에, 디도데실디메틸암모늄브로마이드, 페네틸암모늄브로마이드, 페네틸암모늄요오다이드, 메틸트리옥틸암모늄브로마이드, 테트라옥틸암모늄브로마이드, 디데실디메틸암모늄브로마이드, 디테트라데실디메틸암모늄브로마이드 등의 암모늄염이, 나노 결정 표면에 배위하고 있어도 좋다. In the luminescent particles, in addition to the above ligands, didodecyldimethylammonium bromide, phenethylammonium bromide, phenethylammonium iodide, methyltrioctylammonium bromide, tetraoctylammonium bromide, didecyldimethylammonium bromide, and ditetradecyldimethylammonium bromide. Ammonium salts such as may be coordinated to the surface of the nanocrystal.
<발광성 입자 및 분산체의 제조 방법> <Method for producing luminescent particles and dispersions>
발광성 입자는, 예컨대 이하의 방법으로 제조할 수 있다. Luminescent particles can be produced, for example, by the following method.
즉, 나노 결정을 합성 가능한 원료 화합물과, 나노 결정의 표면에 결합 가능한 결합성 기 및 가수분해성 실릴기를 갖는 실란 화합물과, 용매를 포함하는 용액으로부터, 나노 결정을 형성하면서 상기 나노 결정의 표면에 실록산 결합을 형성함으로써, 나노 결정의 표면에 실록산 결합을 갖는 구조를 포함하는 표면층을 구비한 발광성 입자를 얻는다. That is, forming nanocrystals from a solution containing a raw material compound capable of synthesizing nanocrystals, a silane compound having a binding group capable of bonding to the surface of the nanocrystal and a hydrolyzable silyl group, and a solvent, while forming nanocrystals, siloxane is added to the surface of the nanocrystals. By forming the bond, luminescent particles are obtained with a surface layer containing a structure having a siloxane bond on the surface of the nanocrystal.
이러한 제조 방법에는, 예컨대 핫인젝션법이나 LARP법을 적용할 수 있다. For this manufacturing method, for example, a hot injection method or a LARP method can be applied.
발광성 입자를 얻는 제조 방법은, 상기 AaMbXc로 표시되는 화합물로 이루어진 나노 결정을 합성 가능한 원료 화합물과, 전술한 배위자(나노 결정에 포함되는 양이온 또는 음이온에 결합하는 결합성 기를 갖는 화합물)와, 실란 화합물과, 용매를 포함하는 용액을 복수 조제하여, 이들을 혼합한 후에, 석출된 나노 결정의 표면에 배위한 실란 화합물의 반응성 기(가수분해성 실릴기)를 축합시켜 행하는 것이 바람직하다. The manufacturing method for obtaining luminescent particles includes a raw material compound capable of synthesizing nanocrystals composed of the compound represented by A a M b ), a silane compound, and a solvent are prepared, mixed, and then condensed with the reactive group (hydrolyzable silyl group) of the silane compound coordinated to the surface of the precipitated nanocrystals.
용액을 혼합할 때에는, 가열해도 좋고, 가열하지 않아도 좋다. When mixing the solution, it may be heated or may not be heated.
여기서 원료 화합물은, 양이온 A를 포함하는 화합물, 금속 이온 M을 포함하는 화합물, 및 할로겐화물 이온 X를 포함하는 화합물이다. 양이온 A를 포함하는 화합물로는, 예컨대 양이온 A의 수산화물, 아세트산염, 탄산염, 질산염, 황산염; 이들의 수화물; 등을 들 수 있다. 금속 이온 M을 포함하는 화합물로는, 금속 이온의 산화물, 수산화물, 할로겐화물염, 아세트산염, 탄산염, 질산염, 황산염; 이들의 수화물; 등을 들 수 있다. 할로겐화물 이온 X를 포함하는 화합물로는, 카르복실산할로겐화물, 할로겐화 유기 규소 화합물, 할로겐화수소, 암모늄염을 들 수 있다. Here, the raw material compounds are a compound containing a cation A, a compound containing a metal ion M, and a compound containing a halide ion X. Compounds containing cation A include, for example, hydroxide, acetate, carbonate, nitrate, and sulfate of cation A; their hydrates; etc. can be mentioned. Compounds containing metal ions M include oxides, hydroxides, halide salts, acetates, carbonates, nitrates, and sulfates of metal ions; their hydrates; etc. can be mentioned. Compounds containing the halide ion
한편, 제1 원료 화합물로서, 금속 이온 M을 포함하고 또한 할로겐화물 X를 포함하는, 금속할로겐화물염을 적합하게 사용할 수 있다. On the other hand, as the first raw material compound, a metal halide salt containing a metal ion M and also containing a halide X can be suitably used.
용매로는, 예컨대, 1-옥타데센, 디옥틸에테르, 디페닐에테르 등을 들 수 있다. Examples of solvents include 1-octadecene, dioctyl ether, and diphenyl ether.
용액을 혼합할 때에 가열하는 경우, 구체적으로는, 양이온 A를 포함하는 화합물과 용매를 포함하는 제1 용액, 및, 금속 이온 M을 포함하는 화합물과 할로겐화물 이온 X를 포함하는 화합물과 용매를 포함하는 제2 용액을 각각 조제한다. 제2 용액에 있어서, 금속 이온 M을 포함하는 화합물과 할로겐화물 이온 X를 포함하는 화합물 대신, 전술한 금속할로겐화물염을 이용해도 좋다. In the case of heating when mixing a solution, specifically, a first solution containing a compound containing a cation A and a solvent, and a compound containing a metal ion M and a compound containing a halide ion Prepare the second solution, respectively. In the second solution, the above-described metal halide salt may be used instead of the compound containing the metal ion M and the compound containing the halide ion X.
이때, 어느 한쪽의 용액에는 전술한 배위자를, 다른 한쪽의 용액에는 실란 화합물을 가하여 각 용액을 조제한다. 실란 화합물을 포함하는 용액은, 전술한 배위자를 포함하고 있어도 좋다. 각 용액의 조제에 있어서 배위자 또는 실란 화합물을 공존시켜 놓음으로써, 제1 용액과 제2 용액을 반응시켰을 때에, 배위자 또는 실란 화합물을 표면에 구비한 나노 결정을 얻을 수 있다. 또한, 배위자 또는 실란 화합물을 공존시킴으로써 과잉의 결정 성장을 방지하여, 원하는 입경 범위 내의 나노 결정을 얻을 수 있다. At this time, each solution is prepared by adding the above-mentioned ligand to one solution and adding a silane compound to the other solution. The solution containing the silane compound may contain the above-mentioned ligand. By allowing the ligand or silane compound to coexist in the preparation of each solution, when the first solution and the second solution are reacted, nanocrystals with the ligand or silane compound on the surface can be obtained. Additionally, by coexisting a ligand or a silane compound, excessive crystal growth can be prevented and nanocrystals within the desired particle size range can be obtained.
배위자 및 실란 화합물의 양은, 각각의 용액의 조제에 이용하는 용매의 체적량에 대하여 10%∼100%의 범위인 것이, 나노 결정의 표면에 배위한 배위자를 구비하는 나노 결정을 얻기 쉽다는 관점, 또한 배위자를 공존시켜 놓는 것에 의한 과잉의 결정 성장을 방지하는 효과를 얻을 수 있다는 관점에서 바람직하다. The amount of the ligand and the silane compound is in the range of 10% to 100% of the volume of the solvent used in the preparation of each solution, from the viewpoint that it is easy to obtain nanocrystals with a ligand coordinated to the surface of the nanocrystal. This is desirable from the viewpoint of achieving the effect of preventing excessive crystal growth by allowing the ligands to coexist.
이어서, 140∼260℃로 가열한 소정량의 제2 용액에, 소정량의 제1 용액을 첨가하여 반응시키고, -20∼30℃로 냉각 후, 대기하에 10∼30℃에서 더 교반함으로써, 나노 결정의 표면에 실록산 결합을 포함하는 표면층을 구비한 발광성 입자를 석출시킨다. Next, a predetermined amount of the first solution is added to a predetermined amount of the second solution heated to 140 to 260°C, reacted, cooled to -20 to 30°C, and further stirred at 10 to 30°C in the air to form nano Luminescent particles having a surface layer containing siloxane bonds are deposited on the surface of the crystal.
제2 용액에 제1 용액을 혼합한 후의 반응 시간은, 과도한 결정 성장을 억제하여 발광 가능한 입자 직경을 구비한 나노 결정을 얻기 위해, 5분 이내인 것이 바람직하고, 1초∼60초의 범위가 보다 바람직하고, 3초∼10초의 범위가 더욱 바람직하다. 또한, 반응 후의 냉각 시간은, 제2 용액에 제1 용액을 혼합할 때의 설정 온도나, 반응의 스케일에 따라서도 달라질 수 있지만, 나노 결정을 빠르게 석출시킨다는 관점에서, 통상 1∼60분의 범위인 것이 바람직하다. 한편, 냉각 수단에는 특별히 제한은 없고, 목적으로 하는 냉각 온도와 냉각까지의 시간에 따라서, 빙수, 물-에틸렌글리콜 혼합계 냉매, 드라이아이스-아세톤욕 등을 적절하게 선택하여 사용할 수 있다. 또한, 상기 각 용액의 조제나, 용액을 혼합하여 반응시키고, 그 후 냉각시키는 조작은, 대기 분위기하에 행해도 좋고, 질소나 아르곤 등의 불활성 가스 분위기하에 행해도 좋다. The reaction time after mixing the first solution with the second solution is preferably within 5 minutes, and is preferably within 1 second to 60 seconds in order to suppress excessive crystal growth and obtain nanocrystals with a particle diameter capable of emitting light. It is preferable, and the range of 3 seconds to 10 seconds is more preferable. In addition, the cooling time after the reaction may vary depending on the set temperature when mixing the first solution with the second solution or the scale of the reaction, but from the viewpoint of rapidly precipitating nanocrystals, it is usually in the range of 1 to 60 minutes. It is desirable to be Meanwhile, there is no particular limitation on the cooling means, and depending on the target cooling temperature and cooling time, ice water, water-ethylene glycol mixed refrigerant, dry ice-acetone bath, etc. can be appropriately selected and used. In addition, the preparation of each of the above solutions, mixing the solutions to react, and then cooling the solutions may be performed under an air atmosphere or an inert gas atmosphere such as nitrogen or argon.
한편, 제1 용액 및 제2 용액의 혼합량은, 각 용액 중에 함유시키는 양이온 A를 포함하는 화합물, 금속 이온 M을 포함하는 화합물과 할로겐화물 이온 X를 포함하는 화합물(또는 금속 이온 M을 포함하고 또한 할로겐화물 X를 포함하는 금속할로겐화물염), 배위자 및 실란 화합물의 각각의 함유량, 및 양이온 A, 금속 이온 M 및 할로겐화물 이온 X의 원하는 혼합비에 의해 적절하게 조절할 수 있다. On the other hand, the mixing amount of the first solution and the second solution is the compound containing the cation A, the compound containing the metal ion M, and the compound containing the halide ion It can be appropriately adjusted depending on the respective contents of the metal halide salt containing the halide
예컨대, 용매 40 mL에 대하여, 양이온 A를 포함하는 화합물로서 탄산세슘을 0.2∼2 g, 배위자로서 올레산을 0.1∼10 mL의 범위에서 혼합하고, 90∼150℃에서 10∼180분간 감압 건조 후, 100∼200℃로 가열하여 용해시키고, 세슘-올레산 용액인 제1 용액을 조제할 수 있다. For example, with respect to 40 mL of solvent, 0.2 to 2 g of cesium carbonate as a compound containing cation A and 0.1 to 10 mL of oleic acid as a ligand are mixed, and dried under reduced pressure at 90 to 150°C for 10 to 180 minutes. It can be dissolved by heating to 100-200°C to prepare a first solution, which is a cesium-oleic acid solution.
한편, 용매 5 mL에 대하여, 금속 이온 M과 할로겐화물 이온 X를 포함하는 금속할로겐화물로서 브롬화납(II) 20∼100 mg을 첨가하여, 90∼150℃에서 10∼180분간 감압 건조 후, 실란 화합물로서 3-아미노프로필트리에톡시실란 0.1∼2 mL를 첨가하여 제2 용액을 조제할 수 있다. Meanwhile, 20 to 100 mg of lead(II) bromide as a metal halide containing metal ion M and halide ion A second solution can be prepared by adding 0.1 to 2 mL of 3-aminopropyltriethoxysilane as a compound.
다음으로, 140∼260℃로 가열한 제2 용액에 제1 용액을 첨가하여 반응시킨 후, -20∼30℃로 냉각시켜 교반하면, 표면에 3-아미노프로필트리에톡시실란 및 올레산이 배위한 나노 결정이 석출된다. Next, the first solution is added to the second solution heated to 140 to 260°C and reacted, then cooled to -20 to 30°C and stirred, and 3-aminopropyltriethoxysilane and oleic acid are coordinated on the surface. Nanocrystals precipitate.
이 혼합물을, 습도 5∼60%의 대기하에, 10∼30℃에서 5∼300분간 더 교반한 후 아세트산메틸을 첨가함으로써, 나노 결정을 형성하면서 상기 나노 결정의 표면에서 3-아미노프로필트리에톡시실란의 에톡시실릴기가 축합하여 실록산 결합을 형성하고, 나노 결정의 표면에 실록산 결합을 갖는 구조를 포함하는 표면층을 구비한 발광성 입자를 포함하는 현탁액을 얻는다. This mixture was stirred for an additional 5 to 300 minutes at 10 to 30°C in an atmosphere with a humidity of 5 to 60%, and then methyl acetate was added to form nanocrystals, forming 3-aminopropyltriethoxy on the surface of the nanocrystals. The ethoxysilyl group of silane condenses to form a siloxane bond, and a suspension containing luminescent particles having a surface layer containing a structure having a siloxane bond on the surface of the nanocrystal is obtained.
얻어진 현탁액을 예컨대 원심 분리함으로써, 발광성 입자를 회수할 수 있다. 회수한 발광성 입자에 분산매를 첨가하고, 진탕 교반하여 분산시킴으로써 발광성 입자의 분산체를 얻는다. 그리고, 필요에 따라서 분산체에 물을 첨가하거나, 탈수 처리를 하거나 하여, 발광성 입자의 분산체에서의 함수율을 0.10% 이상 1.0% 이하의 범위로 조정한다. The luminescent particles can be recovered by, for example, centrifuging the obtained suspension. A dispersion medium is added to the recovered luminescent particles and dispersed by shaking and stirring to obtain a dispersion of luminescent particles. Then, if necessary, water is added to the dispersion or dehydration treatment is performed to adjust the water content in the dispersion of the luminescent particles to a range of 0.10% or more and 1.0% or less.
분산매로는, 예컨대 시클로헥산, 헥산, 헵탄, 클로로포름, 톨루엔, 옥탄, 클로로벤젠, 테트랄린, 디페닐에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 부틸카르비톨아세테이트, 또는 이들의 혼합물 등을 들 수 있다. 광변환층의 형성시에 조성물로부터 용제의 제거가 용이하다는 관점에서, 용제의 비점은 300℃ 이하인 것이 바람직하고, 200℃ 이하가 보다 바람직하고, 150℃ 이하가 더욱 바람직하다. Dispersion media include, for example, cyclohexane, hexane, heptane, chloroform, toluene, octane, chlorobenzene, tetralin, diphenyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, butylcarbitol acetate, or mixtures thereof. . From the viewpoint of easy removal of the solvent from the composition when forming the light conversion layer, the boiling point of the solvent is preferably 300°C or lower, more preferably 200°C or lower, and even more preferably 150°C or lower.
분산체에서의 분산매의 양은, 분산체 전체에 대하여 80∼99.5 질량%인 것이 바람직하다. The amount of dispersion medium in the dispersion is preferably 80 to 99.5% by mass based on the entire dispersion.
이러한 분산체는, 나노 결정을 포함하는 발광성 입자가 용매에 분산된 콜로이드 용액이다. 이러한 분산체는, 여과, 원심 분리, 흡착, 컬럼 크로마토그래프 등에 의해, 불순물을 제거하는 것이 바람직하다. 또한 분산체를 그 즉시 사용하지 않는 경우는, 광학 특성의 안정성 및 분산 안정성의 유지의 관점에서, 차광하에 보관하는 것이 바람직하다. 보관 온도는 -70℃ 이상 40℃ 이하가 바람직하고, -50℃ 이상 30℃ 이하가 보다 바람직하고, -30℃ 이상 20℃ 이하가 더욱 바람직하고, -20℃ 이상 10℃ 이하가 특히 바람직하다. This dispersion is a colloidal solution in which luminescent particles containing nanocrystals are dispersed in a solvent. It is desirable to remove impurities from this dispersion by filtration, centrifugation, adsorption, column chromatography, etc. Additionally, when the dispersion is not used immediately, it is preferable to store it under light blocking from the viewpoint of maintaining stability of optical properties and dispersion stability. The storage temperature is preferably -70°C or higher and 40°C or lower, more preferably -50°C or higher and 30°C or lower, more preferably -30°C or higher and 20°C or lower, and especially preferably -20°C or higher and 10°C or lower.
전술한 바와 같이, 나노 결정을 얻을 때에, 제1 용액과 제2 용액을 가열한 상태로 혼합해도 좋지만, 가열하지 않고 혼합시켜도 좋다. 그 경우, 나노 결정의 원료 화합물 및 실란 화합물과는 상이한 배위자를 포함하는 용액을, 실란 화합물을 나노 결정에 대한 빈용매에 용해한 용액 중에 대기하에 적하·혼합함으로써, 나노 결정을 석출시키는 방법을 들 수 있다. As described above, when obtaining nanocrystals, the first solution and the second solution may be mixed in a heated state, or may be mixed without heating. In that case, a method of precipitating nanocrystals is given by dropping and mixing a solution containing a raw material compound of nanocrystals and a ligand different from the silane compound into a solution in which a silane compound is dissolved in a poor solvent for nanocrystals under air, thereby precipitating nanocrystals. there is.
예컨대, 디메틸술폭시드, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸포름아미드 등의 나노 결정을 용해하는 용매(양용매) 10 mL에 대하여, 양이온 A를 포함하는 화합물로서 브롬화세슘을 5∼25 mg, 금속 이온 M과 할로겐화물 이온 X를 포함하는 금속할로겐화물로서 브롬화납(II)을 10∼50 mg, 배위자로서 올레산 0.2∼2 mL, 배위자로서 올레일아민 0.05∼0.5 ml의 범위에서 혼합하여 용해시킨 용액 (i)을 조제한다. 한편, 이소프로판올, 톨루엔, 헥산, 시클로헥산 등의, 나노 결정의 빈용매 5 mL에 대하여, 실란 화합물로서 3-아미노프로필트리에톡시실란 0.01∼0.5 mL를 첨가한 용액 (ii)를 조제한다. For example, for 10 mL of a solvent (good solvent) that dissolves nanocrystals such as dimethyl sulfoxide, N,N-dimethylformamide, or N-methylformamide, 5 to 25 mg of cesium bromide as a compound containing cation A is used. , dissolve by mixing 10 to 50 mg of lead (II) bromide as a metal halide containing metal ion M and halide ion Prepare solution (i). Meanwhile, prepare solution (ii) by adding 0.01 to 0.5 mL of 3-aminopropyltriethoxysilane as a silane compound to 5 mL of a poor solvent for nanocrystals, such as isopropanol, toluene, hexane, or cyclohexane.
그리고, 용액 (ii)의 5 mL에 대하여, 용액 (i)의 0.1∼1 mL를, 대기하에 0∼30℃에서 첨가하는 동시에 5∼180초간 교반한다. 용액 (ii)에 용액 (i)을 첨가하였을 때에 나노 결정이 석출됨과 더불어, 이러한 나노 결정의 표면에 3-아미노프로필트리에톡시실란, 올레산 및 올레일아민이 배위한다. 그리고, 대기하에서의 교반 중에 3-아미노프로필트리에톡시실란의 알콕시실릴기가 축합하여, 나노 결정의 표면에 실록산 결합을 포함하는 표면층을 구비한 발광성 입자를 포함하는 현탁액을 얻는다. Then, 0.1 to 1 mL of solution (i) is added to 5 mL of solution (ii) at 0 to 30°C in air and stirred for 5 to 180 seconds. When solution (i) is added to solution (ii), nanocrystals precipitate, and 3-aminopropyltriethoxysilane, oleic acid, and oleylamine coordinate on the surface of these nanocrystals. Then, during stirring in the atmosphere, the alkoxysilyl groups of 3-aminopropyltriethoxysilane condense to obtain a suspension containing luminescent particles having a surface layer containing siloxane bonds on the surface of the nanocrystals.
얻어진 현탁액을 예컨대 원심 분리함으로써, 발광성 입자를 회수할 수 있다. 회수한 발광성 입자에 톨루엔 등의 분산매를 첨가하고, 진탕 교반하여 분산시킴으로써 발광성 입자의 분산체를 얻는다. 그리고, 필요에 따라서 분산체에 물을 첨가하거나, 탈수 처리를 하거나 하여, 발광성 입자의 분산체에서의 함수율을 0.10% 이상 1.0% 이하의 범위로 조정한다. The luminescent particles can be recovered by, for example, centrifuging the obtained suspension. A dispersion medium such as toluene is added to the recovered luminescent particles and dispersed by shaking and stirring to obtain a dispersion of luminescent particles. Then, if necessary, water is added to the dispersion or dehydration treatment is performed to adjust the water content in the dispersion of the luminescent particles to a range of 0.10% or more and 1.0% or less.
발광성 입자의 평균 입자 직경(체적 평균 직경)은, 200 nm 이하가 바람직하고, 150 nm 이하가 보다 바람직하고, 100 nm 이하가 더욱 바람직하고, 50 nm 이하가 특히 바람직하다. 또한, 발광성 입자의 평균 입자 직경은 1 nm 이상이 바람직하고, 1.5 nm 이상이 보다 바람직하고, 2 nm 이상이 더욱 바람직하고, 5 nm 이상이 특히 바람직하다. 평균 입자 직경이 상기 범위이면, 원하는 파장의 광을 발하기 쉽다. 한편, 발광성 입자의 평균 입자 직경(체적 평균 직경)은, 투과형 전자현미경 또는 주사형 전자현미경으로 각 입자의 입자 직경을 측정하고, 체적 평균 직경을 산출하여 얻어진다. The average particle diameter (volume average diameter) of the luminescent particles is preferably 200 nm or less, more preferably 150 nm or less, further preferably 100 nm or less, and especially preferably 50 nm or less. Additionally, the average particle diameter of the luminescent particles is preferably 1 nm or more, more preferably 1.5 nm or more, still more preferably 2 nm or more, and particularly preferably 5 nm or more. If the average particle diameter is within the above range, it is easy to emit light of a desired wavelength. On the other hand, the average particle diameter (volume average diameter) of the luminescent particles is obtained by measuring the particle diameter of each particle with a transmission electron microscope or scanning electron microscope and calculating the volume average diameter.
발광성 입자는, 배치 리액터를 사용하여 제조할 수 있다. 또한, 입자 사이즈의 불균일 저감, 불순물의 혼입 방지, 제조 효율, 온도 제어 등의 관점에서는, 연속층류, 액적 베이스 또는 강제 박막식 등의 플로우 리액터를 사용하여 제조하는 것이 보다 바람직하다. Luminescent particles can be produced using a batch reactor. In addition, from the viewpoints of reducing unevenness in particle size, preventing contamination of impurities, manufacturing efficiency, and temperature control, it is more preferable to manufacture using a flow reactor such as continuous laminar flow, droplet base, or forced thin film type.
2. 분산체의 함수율2. Moisture content of dispersion
본 발명의 분산체의 함수율은, 나노 결정 표면의 물에 의한 패시베이션 효과를 얻기 위해, 0.10% 이상 1.0% 이하이며, 0.50% 이상 0.90% 이하인 것이 보다 바람직하다. The water content of the dispersion of the present invention is 0.10% or more and 1.0% or less, and more preferably 0.50% or more and 0.90% or less, in order to obtain a passivation effect by water on the nanocrystal surface.
또한, 본 발명의 분산체에 있어서, 상기 발광성 입자에 대한 물의 비율(물/발광성 입자)이 질량비로 0.05 이상 10.0 이하인 것이 바람직하고, 1.0 이상 7.5 이하가 보다 바람직하다. Additionally, in the dispersion of the present invention, the ratio of water to the luminescent particles (water/luminescent particles) is preferably 0.05 or more and 10.0 or less in mass ratio, and more preferably 1.0 or more and 7.5 or less.
한편, 본 발명의 분산체의 함수율은, 칼피셔 수분계(예컨대, 미쓰비시 가가쿠사 제조, 모델번호 CA-06, 기화 유닛은 동사 제조 VA-06)에 의해 측정할 수 있다. On the other hand, the water content of the dispersion of the present invention can be measured by a Karl Fischer moisture meter (for example, model number CA-06, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, and the vaporization unit is VA-06, manufactured by the company).
본 발명의 분산체의 함수율, 또한 발광성 입자에 대한 물의 비율(질량비)을 상기 범위로 제어하는 수단으로서, 이하를 들 수 있다. As a means of controlling the moisture content of the dispersion of the present invention and the ratio (mass ratio) of water to the luminescent particles within the above range, the following can be mentioned.
예컨대, 전술한 실란 화합물이 갖는 가수분해성 실릴기의 축합에 의한 실록산 결합의 형성을 촉진한다는 관점에서, 발광성 입자를 형성할 때에 물을 첨가해도 좋고, 물을 첨가하지 않고 용매 또는 반응 분위기에 포함되는 미량의 수분에 의해 실록산 결합의 형성을 촉진해도 좋다. 이 경우는, 미리 탈수 처리 등을 특별히 행하지 않은 원료 화합물을 사용하여, 대기 분위기하에 발광성 입자를 조제해도 좋다. 또한, 가열에 의해 실록산 결합의 형성을 촉진해도 좋다. 가열하는 경우의 온도는 20℃ 이상 120℃ 이하가 바람직하고, 30℃ 이상 100℃ 이하가 보다 바람직하고, 40℃ 이상 80℃ 이하가 더욱 바람직하다. For example, from the viewpoint of promoting the formation of siloxane bonds by condensation of the hydrolyzable silyl group of the above-mentioned silane compound, water may be added when forming the luminescent particles, or water may be added and contained in the solvent or reaction atmosphere without adding water. The formation of siloxane bonds may be promoted by a trace amount of moisture. In this case, the luminescent particles may be prepared in an atmospheric atmosphere using a raw material compound that has not been specifically subjected to dehydration treatment or the like in advance. Additionally, the formation of siloxane bonds may be promoted by heating. The temperature when heating is preferably 20°C or higher and 120°C or lower, more preferably 30°C or higher and 100°C or lower, and even more preferably 40°C or higher and 80°C or lower.
또한, 발광성 입자를 포함하는 분산체를 형성 후, 함수율을 상기 소정 범위 내로 조정하는 것을 목적으로, 분산체에 물을 첨가하거나, 또는 필요에 따라서 가열 또는 감압에 의한 탈수 처리를 행해도 좋다. In addition, after forming the dispersion containing the luminescent particles, water may be added to the dispersion for the purpose of adjusting the water content within the above predetermined range, or dehydration treatment by heating or reduced pressure may be performed as necessary.
또한, 가열 또는 감압에 의한 탈수 처리를 행한 후에, 물의 첨가에 의해 분산체의 함수율을 조정해도 좋다. Additionally, after dehydration treatment by heating or reduced pressure, the moisture content of the dispersion may be adjusted by adding water.
나노 결정을 형성시킬 때에 배위자를 공존시키면, 이러한 배위자는 나노 결정의 표면에 존재하는 양이온 또는 음이온(단글링 본드)에 배위하여, 나노 결정이 안정화된다. 또한, 나노 결정의 형성시에 물이 존재하는 경우는, 물 자체가 나노 결정 표면의 캐핑 리간드 밀도를 감소시켜 소위 배위자로서도 기능하여, 나노 결정 표면의 부동태화에 일시적으로 기여할 수 있다고 생각된다. 한편, 물이 다량 존재하면, 나노 결정에 배위한 배위자 또는 물은 나노 결정 표면에는 고정화되어 있지 않기 때문에 서서히 이탈하고, 나노 결정 성분이 용출되거나 응집하여, 발광 특성이 저하되는 원인이 된다. When a ligand is coexisted when forming a nanocrystal, this ligand coordinates the cation or anion (dangling bond) present on the surface of the nanocrystal, thereby stabilizing the nanocrystal. Additionally, when water is present during the formation of nanocrystals, it is thought that the water itself may reduce the capping ligand density on the nanocrystal surface and function as a so-called ligand, temporarily contributing to the passivation of the nanocrystal surface. On the other hand, if a large amount of water is present, the ligand or water coordinated to the nanocrystal is not immobilized on the surface of the nanocrystal, so it gradually leaves, and the nanocrystal components elute or aggregate, causing a decrease in luminescence properties.
본 발명의 분산체에서는, 전술한 바와 같이, 나노 결정의 표면에 배위 가능하고, 또한 분자끼리 실록산 결합을 형성 가능한 화합물을 포함하는 배위자, 적합하게는 나노 결정에 포함되는 양이온 또는 음이온에 결합하는 결합성 기를 갖는 화합물, 및 전술한 실란 화합물의 양자를, 나노 결정의 형성시에 배위자로서 이용하고 있다. 소정량의 물이 존재함으로써, 실란 화합물의 축합에 의해, 나노 결정의 표면에 실록산 결합을 갖는 구조를 포함하는 표면층을 구비한 발광성 입자가 된다. 이러한 표면층이 형성된 나노 결정에서는 배위자의 이탈이 발생하기 어렵고, 또한 나노 결정 표면의 수분자도 이탈하기 어려워진다고 생각된다. 또한, 표면층이 존재함으로써, 나노 결정 중의 이온 성분의 이동에 의한 결정 조성의 변화나, 발광성 입자의 응집을 억제할 수 있고, 발광 특성을 충분히 발휘할 수 있다고 생각된다. In the dispersion of the present invention, as described above, a ligand comprising a compound capable of coordinating to the surface of the nanocrystal and forming a siloxane bond between molecules, suitably a bond that binds to a cation or anion contained in the nanocrystal Both the compound having a sexual group and the above-mentioned silane compound are used as ligands when forming nanocrystals. The presence of a predetermined amount of water causes condensation of the silane compound, resulting in luminescent particles having a surface layer containing a structure having siloxane bonds on the surface of the nanocrystal. It is thought that it is difficult for ligands to escape from nanocrystals with such a surface layer formed, and it is also difficult for water molecules on the nanocrystal surface to escape. In addition, it is believed that the presence of a surface layer can suppress changes in crystal composition due to movement of ionic components in the nanocrystals and aggregation of luminescent particles, and can sufficiently exhibit luminescent properties.
따라서, 본 발명의 분산체는 그 보관 안정성이 향상되어, 발광성 입자의 발광 특성을 장기간에 걸쳐 유지할 수 있다고 추정된다. Therefore, it is assumed that the dispersion of the present invention has improved storage stability and can maintain the luminescent properties of the luminescent particles over a long period of time.
3. 조성물3. Composition
본 발명은 또한, 전술한 분산체와, 열가소성 수지를 포함하는 조성물이다. The present invention is also a composition containing the above-described dispersion and a thermoplastic resin.
본 발명의 조성물이 함유하는 열가소성 수지는 발광성 입자의 바인더로서 기능하여, 본 발명의 조성물로 형성되는 광변환층에 있어서, 발광성 입자가 분산된 상태의 매트릭스를 형성하는 역할을 갖는다. The thermoplastic resin contained in the composition of the present invention functions as a binder for the luminescent particles and has a role in forming a matrix in which the luminescent particles are dispersed in the light conversion layer formed from the composition of the present invention.
열가소성 수지는, 광변환층으로서의 치수 안정성, 가공성 및 광학 특성이 우수하다는 관점에서, 그 유리 전이 온도(Tg)가 -30∼230℃인 것이 바람직하고, 50∼200℃인 것이 보다 바람직하고, 60∼170℃인 것이 특히 바람직하다. 한편, 열가소성 수지의 Tg는, 시차 주사 열량계(DSC)를 이용하여, 우선 300℃까지 승온하여 10분간 유지하여 열이력을 소거한 후, 10℃/분으로 -30℃까지 강온하여 10분간 유지하고, 다시 10℃/분으로 승온시켰을 때의 서모그램에 계단형에 나타나는 전이 영역의 변곡점을 나타내는 온도로서 구할 수 있다. From the viewpoint of excellent dimensional stability, processability, and optical properties as a light conversion layer, the thermoplastic resin preferably has a glass transition temperature (Tg) of -30 to 230°C, more preferably 50 to 200°C, and 60 to 60°C. It is particularly preferable that it is -170°C. Meanwhile, the Tg of the thermoplastic resin was measured using a differential scanning calorimeter (DSC) by first raising the temperature to 300°C and holding it for 10 minutes to eliminate the heat history, then lowering the temperature to -30°C at 10°C/min and holding it for 10 minutes. , it can be obtained as the temperature representing the inflection point of the transition region that appears in a step shape in the thermogram when the temperature is raised again at 10°C/min.
열가소성 수지의 열분해 온도(Td)는 300℃ 이상인 것이 바람직하고, 260℃ 이상이 보다 바람직하고, 220℃ 이상이 더욱 바람직하다. The thermal decomposition temperature (Td) of the thermoplastic resin is preferably 300°C or higher, more preferably 260°C or higher, and even more preferably 220°C or higher.
열가소성 수지의 굴절률은 1.35∼1.77인 것이 바람직하고, 1.40∼1.65가 보다 바람직하고, 1.45∼1.60이 더욱 바람직하다. The refractive index of the thermoplastic resin is preferably 1.35 to 1.77, more preferably 1.40 to 1.65, and even more preferably 1.45 to 1.60.
상기 열가소성 수지의, ISO 13468-2에 준거하여 측정할 수 있는 전광선 투과율은, 70∼95%인 것이 바람직하고, 80∼95%가 보다 바람직하고, 90∼95%가 더욱 바람직하다. The total light transmittance of the thermoplastic resin that can be measured based on ISO 13468-2 is preferably 70 to 95%, more preferably 80 to 95%, and even more preferably 90 to 95%.
열가소성 수지로는, 아크릴계 수지, 스티렌계 수지, 환형 올레핀계 수지, 셀룰로스 아실레이트계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 폴리에스테르계 수지, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀계 수지, 폴리아릴레이트계 수지, 폴리술폰계 수지, 폴리에테르술폰계 수지, 말레이미드계 수지, 폴리아미드계 수지, 불소계 수지, 페녹시 수지, 폴리에테르이미드계 수지 등을 들 수 있다. Thermoplastic resins include acrylic resins, styrene-based resins, cyclic olefin-based resins, cellulose acylate-based resins, polycarbonate-based resins, polyester-based resins, polyolefin-based resins such as polyethylene and polypropylene, polyarylate-based resins, and polysulphins. Examples include phonetic resin, polyethersulfone-based resin, maleimide-based resin, polyamide-based resin, fluorine-based resin, phenoxy resin, and polyetherimide-based resin.
이들 열가소성 수지는 투명성 수지인 것이 바람직하고, 1종을 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다. 그 중에서도, 아크릴계 수지, 스티렌계 수지, 환형 올레핀계 수지, 셀룰로스 아실레이트계 수지 및 폴리카보네이트계 수지에서 선택되는 적어도 1종인 것이, 광학 필름으로서의 투명성을 갖는다는 관점에서 바람직하다. It is preferable that these thermoplastic resins are transparent resins, and one type may be used individually, or two or more types may be used together. Among them, at least one selected from acrylic resin, styrene resin, cyclic olefin resin, cellulose acylate resin, and polycarbonate resin is preferable from the viewpoint of having transparency as an optical film.
아크릴계 수지로는, 예컨대 (메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산에틸, (메트)아크릴산 n-프로필, (메트)아크릴산 n-부틸, (메트)아크릴산 tert-부틸, (메트)아크릴산 n-헥실, (메트)아크릴산 2-클로로에틸, (메트)아크릴산 2-히드록시에틸, (메트)아크릴산 3-히드록시프로필, (메트)아크릴산 2,3,4,5,6-펜타히드록시헥실, (메트)아크릴산 2,3,4,5-테트라히드록시펜틸의 단독 중합체 또는 2종 이상의 공중합체를 들 수 있다. 그 중에서도, 열안정성이 우수하다는 관점에서 메타크릴산메틸을 주성분으로 하는 아크릴계 수지가 보다 바람직하다. 아크릴계 수지로서, 공업적으로 제조되어 시판되고 있는 각종 아크릴계의 열가소성 수지를 사용할 수 있다. Acrylic resins include, for example, methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, n-propyl (meth)acrylate, n-butyl (meth)acrylate, tert-butyl (meth)acrylate, n-hexyl (meth)acrylate, (meth)acrylic acid 2-chloroethyl, (meth)acrylic acid 2-hydroxyethyl, (meth)acrylic acid 3-hydroxypropyl, (meth)acrylic acid 2,3,4,5,6-pentahydroxyhexyl, (meth)acrylic acid ) Homopolymers or copolymers of two or more types of 2,3,4,5-tetrahydroxypentyl acrylic acid can be mentioned. Among them, an acrylic resin containing methyl methacrylate as a main component is more preferable from the viewpoint of excellent thermal stability. As the acrylic resin, various acrylic thermoplastic resins that are industrially manufactured and commercially available can be used.
한편, 본 명세서 중에서 「(메트)아크릴」이란, 아크릴, 메타크릴 및 이들의 쌍방을 총칭하는 용어이다. Meanwhile, in this specification, “(meth)acrylic” is a general term for acrylic, methacryl, and both.
스티렌계 수지로는, 내열성이나 필름 강도의 관점에서, 예컨대 폴리스티렌, 스티렌-아크릴로니트릴계 수지, 스티렌-아크릴계 수지, 스티렌-무수말레산계 수지 등이 바람직하다. 또한, 스티렌-무수말레산계 수지로서 예컨대 노바케미컬사 제조의 「Daylark D332」 등, 스티렌-아크릴계 수지로서 예컨대 아사히카세이케미컬사 제조의 「델펫 980N」 등을 사용할 수 있다. From the viewpoint of heat resistance and film strength, polystyrene, styrene-acrylonitrile-based resin, styrene-acrylic resin, styrene-maleic anhydride-based resin, etc. are preferred as the styrene-based resin. In addition, as a styrene-maleic anhydride resin, for example, "Daylark D332" manufactured by Nova Chemical, etc., and as a styrene-acrylic resin, for example, "Delpet 980N" manufactured by Asahi Kasei Chemical, etc. can be used.
환형 올레핀계 수지로는, 예컨대 노르보넨계 화합물의 부가 중합 또는 개환 중합에 의해 얻어지는 노르보넨계 수지가 포함된다. 부가 중합에 의해 얻어지는 환형 올레핀계 수지로서, 예컨대 일본 특허 제3517471호, 일본 특허 제3559360호, 일본 특허 제3867178호, 일본 특허 제3871721호, 일본 특허 제3907908호, 일본 특허 제3945598호, 일본 특허 공표 제2005-527696호, 일본 특허 공개 제2006-28993호, 일본 특허 공개 제2006-11361호, 국제 공개 제2006/004376호, 국제 공개 제2006/030797호에 기재된 수지를 들 수 있다. 또한, 개환 중합에 의해 얻어지는 환형 올레핀계 수지로서, 국제 공개 제98/14499호, 일본 특허 제3060532호, 일본 특허 제3220478호, 일본 특허 제3273046호, 일본 특허 제3404027호, 일본 특허 제3428176호, 일본 특허 제3687231호, 일본 특허 제3873934호, 일본 특허 제3912159호에 기재된 수지를 들 수 있다. Cyclic olefin-based resins include, for example, norbornene-based resins obtained by addition polymerization or ring-opening polymerization of norbornene-based compounds. Cyclic olefin resin obtained by addition polymerization, for example, Japanese Patent No. 3517471, Japanese Patent No. 3559360, Japanese Patent No. 3867178, Japanese Patent No. 3871721, Japanese Patent No. 3907908, Japanese Patent No. 3945598, Japanese Patent No. Resins described in Publication No. 2005-527696, Japanese Patent Application Publication No. 2006-28993, Japanese Patent Application Publication No. 2006-11361, International Publication No. 2006/004376, and International Publication No. 2006/030797 can be mentioned. In addition, cyclic olefin resins obtained by ring-opening polymerization include International Publication No. 98/14499, Japanese Patent No. 3060532, Japanese Patent No. 3220478, Japanese Patent No. 3273046, Japanese Patent No. 3404027, and Japanese Patent No. 3428176. , Japanese Patent No. 3687231, Japanese Patent No. 3873934, and Japanese Patent No. 3912159.
셀룰로스 아실레이트계 수지로는, 예컨대 셀룰로오스 단위 중의 3개의 수산기의 적어도 일부가 아실기로 치환된 셀룰로스 아실레이트도 모두 포함된다. 상기 아실기는 탄소수 3∼22인 것이 바람직하고, 지방족 아실기 및 방향족 아실기의 어느 것이어도 좋지만, 탄소수 3∼7의 지방족 아실기가 바람직하다. 이러한 지방족 아실기로는, 아세틸기, 프로피오닐기, 부티릴기, 펜타노일기, 헥사노일기 등을 들 수 있다. 이들 아실기는 복수종이 셀룰로오스 1 단위 중에 존재하고 있어도 좋다. Cellulose acylate resins include, for example, cellulose acylates in which at least part of the three hydroxyl groups in the cellulose units are replaced with acyl groups. The acyl group preferably has 3 to 22 carbon atoms, and may be either an aliphatic acyl group or an aromatic acyl group, but an aliphatic acyl group with 3 to 7 carbon atoms is preferable. Examples of such aliphatic acyl groups include acetyl group, propionyl group, butyryl group, pentanoyl group, and hexanoyl group. Multiple types of these acyl groups may exist in one cellulose unit.
제조가 용이하다는 관점에서, 아세틸기, 프로피오닐기 및 부티릴기에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 갖는 셀룰로스 아실레이트가 특히 바람직하다. 이러한 셀룰로스 아실레이트는 공업적으로 제조되어 시판되고 있고, 예컨대 「CAP-482」「CAB-381」(모두 상품명, EASTMAN CHEMICAL사 제조)를 들 수 있다. From the viewpoint of ease of production, cellulose acylates having one or two or more types selected from acetyl groups, propionyl groups, and butyryl groups are particularly preferred. Such cellulose acylates are industrially manufactured and commercially available, and examples include “CAP-482” and “CAB-381” (all brand names, manufactured by EASTMAN CHEMICAL).
폴리카보네이트계 수지로는, 비스페놀 A 골격을 갖는 폴리카보네이트 수지를 들 수 있고, 예컨대 일본 특허 공개 제2006-277914호, 일본 특허 공개 제2006-106386호 공보, 일본 특허 공개 제2006-284703호 공보에 기재된 수지가 바람직하다. 이들 폴리카보네이트 수지는 공업적으로 제조되어 시판되고 있고, 예컨대 「타프론 MD1500」(상품명, 이데미쓰코산사 제조) 등을 들 수 있다. Polycarbonate-based resins include polycarbonate resins having a bisphenol A skeleton, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-277914, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-106386, and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-284703. The resins described are preferred. These polycarbonate resins are industrially manufactured and commercially available, and examples include "Taflon MD1500" (brand name, manufactured by Idemitsu Kosan Corporation).
본 발명의 조성물에서의 열가소성 수지의 함유량은, 잉크젯 방식의 인쇄 방식을 이용하여 도포하는 경우, 조성물을 조제하였을 때의 점도 안정성, 토출성이나 도포성이 우수하다는 관점, 광변환층의 제조시의 표면의 평활성 저하를 억제할 수 있다는 관점, 광변환층에 있어서, 본 발명의 조성물로 이루어진 화소부의 표면의 균일성, 내용제성, 내마모성이 향상된다는 관점, 또한 우수한 광학 특성(예컨대 외부 양자 효율)이 얻어진다는 관점에서, 조성물 전체에 대하여 3 질량% 이상 15 질량% 이하인 것이 바람직하고, 4 질량% 이상 12 질량% 이하가 보다 바람직하고, 5 질량% 이상 10 질량% 이하가 더욱 바람직하다. The content of the thermoplastic resin in the composition of the present invention is determined from the viewpoint of excellent viscosity stability, discharge properties and applicability when preparing the composition when applied using an inkjet printing method, and when manufacturing the light conversion layer. From the viewpoint of suppressing the decline in surface smoothness, from the viewpoint of improving the uniformity, solvent resistance, and wear resistance of the surface of the pixel portion made of the composition of the present invention in the light conversion layer, and from the viewpoint of improving excellent optical properties (e.g., external quantum efficiency). From the viewpoint of obtaining, it is preferably 3% by mass or more and 15% by mass or less, more preferably 4% by mass or more and 12% by mass or less, and even more preferably 5% by mass or more and 10% by mass or less with respect to the entire composition.
본 발명의 조성물의 점도는, 잉크젯 방식의 인쇄 방식을 이용하여 도포하는 경우, 토출 안정성의 관점에서, 통상 2 mPa·s 이상이 바람직하고, 5 mPa·s 이상이 보다 바람직하다. 조성물의 점도는, 20 mPa·s 이하가 바람직하고, 15 mPa·s 이하가 보다 바람직하다. 조성물의 점도는, 예컨대 E형 점도계에 의해 측정된다. When applying using an inkjet printing method, the viscosity of the composition of the present invention is usually preferably 2 mPa·s or more, and more preferably 5 mPa·s or more, from the viewpoint of discharge stability. The viscosity of the composition is preferably 20 mPa·s or less, and more preferably 15 mPa·s or less. The viscosity of the composition is measured by, for example, an E-type viscometer.
본 발명의 조성물의 표면장력은, 잉크젯 방식에 적합한 표면장력인 것이 바람직하고, 통상 20∼40 mN/m의 범위가 바람직하고, 25∼35 mN/m이 보다 바람직하다. 표면장력을 상기 범위로 함으로써 비행 굴곡의 발생을 억제할 수 있다. 한편, 비행 굴곡이란, 조성물을 잉크 토출 구멍으로부터 토출시켰을 때, 조성물의 착탄 위치가 목표 위치에 대하여 30 μm 이상의 어긋남이 생기는 것을 말한다. The surface tension of the composition of the present invention is preferably a surface tension suitable for the inkjet method, and is usually preferably in the range of 20 to 40 mN/m, and more preferably 25 to 35 mN/m. By keeping the surface tension within the above range, the occurrence of flight bending can be suppressed. On the other hand, flight bending refers to a deviation of 30 μm or more in the landing position of the composition from the target position when the composition is ejected from the ink discharge hole.
본 발명의 조성물은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 중합 금지제, 산화 방지제, 분산제, 계면 활성제, 광산란 입자, 가소제, 자외선 흡수제 등의 다른 성분을 더 함유하고 있어도 좋다. 또한, 본 발명의 조성물은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 광중합성 화합물 등의 중합성 화합물, 광중합 개시제 등의 중합 개시제, 연쇄 이동제 등을 더 함유하고 있어도 좋다. The composition of the present invention may further contain other components such as polymerization inhibitors, antioxidants, dispersants, surfactants, light scattering particles, plasticizers, and ultraviolet absorbers, as long as they do not impair the effects of the present invention. In addition, the composition of the present invention may further contain a polymerizable compound such as a photopolymerizable compound, a polymerization initiator such as a photopolymerization initiator, a chain transfer agent, etc., to the extent that the effect of the present invention is not impaired.
중합 금지제로는, 예컨대 p-메톡시페놀, 크레졸, tert-부틸카테콜, 3,5-디-tert-부틸-4-히드록시톨루엔 등의 퀴논계 화합물; p-페닐렌디아민, 4-아미노디페닐아민, N,N'-디페닐-p-페닐렌디아민 등의 아민계 화합물; 페노티아진, 디스테아릴티오디프로피오네이트 등의 티오에테르계 화합물; 2,2,6,6-테트라메틸피페리딘-1-옥실, 2,2,6,6-테트라메틸피페리딘, 4-히드록시-2,2,6,6-테트라메틸피페리딘-1-옥실 등의 N-옥실 화합물; N-니트로소디페닐아민, N-니트로소페닐나프틸아민, N-니트로소디나프틸아민 등의 니트로소계 화합물을 들 수 있다. Examples of polymerization inhibitors include quinone-based compounds such as p-methoxyphenol, cresol, tert-butylcatechol, and 3,5-di-tert-butyl-4-hydroxytoluene; Amine compounds such as p-phenylenediamine, 4-aminodiphenylamine, and N,N'-diphenyl-p-phenylenediamine; Thioether-based compounds such as phenothiazine and distearylthiodipropionate; 2,2,6,6-Tetramethylpiperidine-1-oxyl, 2,2,6,6-tetramethylpiperidine, 4-hydroxy-2,2,6,6-tetramethylpiperidine N-oxyl compounds such as -1-oxyl; Nitroso-based compounds such as N-nitrosodiphenylamine, N-nitrosophenylnaphthylamine, and N-nitrosodinaphthylamine can be mentioned.
중합 금지제를 함유하는 경우, 그 양은 조성물에 포함되는 열가소성 수지의 총량에 대하여 0.01∼1 질량%의 범위인 것이 바람직하고, 0.02∼0.5 질량%가 보다 바람직하다. When a polymerization inhibitor is contained, the amount is preferably in the range of 0.01 to 1% by mass, more preferably 0.02 to 0.5% by mass, based on the total amount of thermoplastic resin contained in the composition.
산화 방지제로는, 페놀계 산화 방지제, 인계 산화 방지제, 황계 산화 방지제 등을 들 수 있고, 예컨대 펜타에리트리톨테트라키스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)]프로피오네이트, 티오디에틸렌비스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)]프로피오네이트, 옥타데실-3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐)프로피오네이트, 3,9-비스(2,6-디-tert-부틸-4-메틸페녹시)-2,4,8,10-테트라옥사-3,9-디포스파스피로[5.5]운데칸, 2,4,8,10-테트라키스(1,1-디메틸에틸)-6-[(2-에틸헥실)옥시]-12H-디벤조[d,g][1,3,2]디옥사포스포신, 비스[3-(도데실티오)프로피온산]2,2-비스[[3-(도데실티오)-1-옥소프로필옥시]메틸]-1,3-프로판디일 등을 들 수 있다. Antioxidants include phenol-based antioxidants, phosphorus-based antioxidants, sulfur-based antioxidants, etc., such as pentaerythritol tetrakis[3-(3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl)]. Propionate, thiodiethylenebis[3-(3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl)]propionate, octadecyl-3-(3,5-di-tert-butyl-4 -Hydroxyphenyl)propionate, 3,9-bis(2,6-di-tert-butyl-4-methylphenoxy)-2,4,8,10-tetraoxa-3,9-diphosphaspiro [5.5]undecane, 2,4,8,10-tetrakis(1,1-dimethylethyl)-6-[(2-ethylhexyl)oxy]-12H-dibenzo[d,g][1,3 ,2]dioxaphosphosine, bis[3-(dodecylthio)propionic acid]2,2-bis[[3-(dodecylthio)-1-oxopropyloxy]methyl]-1,3-propanediyl, etc. can be mentioned.
조성물 및 조성물로 형성되는 광변환층의 열안정성의 관점에서, 페놀계 산화 방지제, 인계 산화 방지제가 바람직하고, 페놀계 산화 방지제가 보다 바람직하다. 또한, 조성물로 형성되는 광변환층의 장기간의 열안정성의 관점에서, 페놀계 산화 방지제와 인계 산화 방지제를 병용하는 것이 바람직하다. From the viewpoint of the composition and the thermal stability of the light conversion layer formed from the composition, phenol-based antioxidants and phosphorus-based antioxidants are preferable, and phenolic antioxidants are more preferable. Additionally, from the viewpoint of long-term thermal stability of the light conversion layer formed from the composition, it is preferable to use a phenol-based antioxidant and a phosphorus-based antioxidant in combination.
산화 방지제를 함유하는 경우, 그 양은 조성물에 포함되는 열가소성 수지의 총량에 대하여 0.01∼2 질량%의 범위인 것이 바람직하고, 0.02∼1 질량%가 보다 바람직하다. When an antioxidant is contained, the amount is preferably in the range of 0.01 to 2% by mass, more preferably 0.02 to 1% by mass, based on the total amount of thermoplastic resin contained in the composition.
분산제로는, 예컨대 트리옥틸포스핀, 트리옥틸포스핀옥시드, 헥실포스폰산 등의 인 원자 함유 화합물; 올레일아민, 옥틸아민, 트리옥틸아민 등의 질소 원자 함유 화합물; 1-데칸티올, 옥탄티올, 도데칸티올 등의 황 원자 함유 화합물; 아크릴계 수지, 폴리에스테르계 수지, 폴리우레탄계 수지 등의 고분자 분산제를 들 수 있다. 이들은, 예컨대 빅케미사 제조의 「DISPER(등록상표) BYK」 시리즈, 에보닉사 제조의 「TEGO(등록상표) Dispers」 시리즈, BASF사 제조의 「EFKA(등록상표)」 시리즈, 니혼 루브리졸사 제조의 「SOLSPERSE(등록상표)」 시리즈, 아지노모토 파인테크노사 제조의 「아지스퍼(등록상표)」 시리즈, 구스모토 가세이사 제조의 「DISPARLON(등록상표)」 시리즈, 교에샤 가가쿠사 제조의 「플로렌(등록상표)」 등의 시판품으로서 입수할 수 있다. Dispersants include, for example, phosphorus atom-containing compounds such as trioctylphosphine, trioctylphosphine oxide, and hexylphosphonic acid; Nitrogen atom-containing compounds such as oleylamine, octylamine, and trioctylamine; Compounds containing sulfur atoms such as 1-decanethiol, octanethiol, and dodecanethiol; and polymer dispersants such as acrylic resin, polyester resin, and polyurethane resin. These include, for example, the "DISPER (registered trademark) BYK" series manufactured by Big Chemistry, the "TEGO (registered trademark) Dispers" series manufactured by Evonik Corporation, the "EFKA (registered trademark)" series manufactured by BASF Corporation, and the "EFKA (registered trademark)" series manufactured by Nippon Lubrizol Corporation. “SOLSPERSE (registered trademark)” series, “Ajisper (registered trademark)” series manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd., “DISPARLON (registered trademark)” series manufactured by Kusumoto Kasei Co., Ltd., and “Flolene” manufactured by Kyoesha Kagaku Co., Ltd. (registered trademark)” and other commercial products.
분산제를 함유하는 경우, 그 양은 조성물에 포함되는 열가소성 수지의 총량에 대하여, 0.05∼10 질량%의 범위인 것이 바람직하고, 0.1∼5 질량%가 보다 바람직하다. When a dispersant is contained, its amount is preferably in the range of 0.05 to 10% by mass, more preferably 0.1 to 5% by mass, based on the total amount of thermoplastic resin contained in the composition.
계면 활성제로는, 발광성 입자를 함유하는 박막을 형성하는 경우에, 막두께 불균일을 저감시킬 수 있는 화합물이 바람직하다. 예컨대, 디알킬술포숙신산염류, 알킬나프탈렌술폰산염류 및 지방산염류 등의 음이온성 계면 활성제; 폴리옥시에틸렌알킬에테르류, 폴리옥시에틸렌알킬알릴에테르류, 아세틸렌글리콜류 및 폴리옥시에틸렌·폴리옥시프로필렌 블록 코폴리머류 등의 비이온성 계면 활성제; 알킬아민염류, 및 제4급 암모늄염류 등의 양이온성 계면 활성제; 및 실리콘계나 불소계의 계면 활성제를 들 수 있다. 이들은, 예컨대 DIC사 제조의 「메가팩(등록상표)」 시리즈, 네오스사 제조의 「프터젠트(등록상표)」 시리즈, BYK사 제조의 「BYK(등록상표)」 시리즈, 에보닉사 제조의 「TEGO(등록상표) Rad」 시리즈, 구스모토 가세이사 제조의 「DISPARLON(등록상표) OX」 시리즈, 교에샤 가가쿠사 제조의 「폴리플로우 No.7」, 「플로렌 AC-300」, 「플로렌 AC-303」 등의 시판품으로서 입수할 수 있다. The surfactant is preferably a compound that can reduce film thickness unevenness when forming a thin film containing luminescent particles. For example, anionic surfactants such as dialkyl sulfosuccinates, alkylnaphthalenesulfonates, and fatty acid salts; Nonionic surfactants such as polyoxyethylene alkyl ethers, polyoxyethylene alkyl allyl ethers, acetylene glycols, and polyoxyethylene/polyoxypropylene block copolymers; Cationic surfactants such as alkylamine salts and quaternary ammonium salts; and silicone-based or fluorine-based surfactants. These include, for example, the “Megapack (registered trademark)” series manufactured by DIC, the “Aftergent (registered trademark)” series manufactured by Neos, the “BYK (registered trademark)” series manufactured by BYK, and the “TEGO” manufactured by Evonik. (registered trademark) Rad” series, “DISPARLON (registered trademark) OX” series manufactured by Kusumoto Chemicals, “Polyflow No. 7”, “Flolene AC-300”, and “Florene” manufactured by Kyoesha Chemical Co., Ltd. It can be obtained as a commercial product such as “AC-303”.
계면 활성제를 함유하는 경우, 그 첨가량은 조성물에 포함되는 열가소성 수지의 총량에 대하여 0.005∼2 질량%의 범위인 것이 바람직하고, 0.01∼0.5 질량%가 보다 바람직하다. When a surfactant is contained, the amount added is preferably in the range of 0.005 to 2% by mass, more preferably 0.01 to 0.5% by mass, based on the total amount of thermoplastic resin contained in the composition.
광산란 입자는, 광학적으로 불활성인 무기 미립자인 것이 바람직하다. 광산란 입자는, 발광층(광변환층)에 조사된 광원부로부터의 광을 산란시킬 수 있다. 광산란 입자를 구성하는 재료로는, 예컨대 텅스텐, 지르코늄, 티탄, 백금, 비스무트, 로듐, 팔라듐, 은, 주석, 플래티늄, 금 등의 단체 금속; 실리카, 황산바륨, 탄산바륨, 탄산칼슘, 탈크, 산화티탄, 클레이, 카올린, 황산바륨, 탄산바륨, 탄산칼슘, 알루미나화이트, 산화티탄, 산화마그네슘, 산화바륨, 산화알루미늄, 산화비스무트, 산화지르코늄, 산화아연 등의 금속 산화물; 탄산마그네슘, 탄산바륨, 차탄산비스무트, 탄산칼슘 등의 금속탄산염; 수산화알루미늄 등의 금속수산화물; 지르콘산바륨, 지르콘산칼슘, 티탄산칼슘, 티탄산바륨, 티탄산스트론튬 등의 복합 산화물, 차질산비스무트 등의 금속염을 들 수 있다. The light scattering particles are preferably optically inert inorganic fine particles. The light scattering particles can scatter light from the light source unit irradiated onto the light emitting layer (light conversion layer). Materials constituting the light scattering particles include, for example, simple metals such as tungsten, zirconium, titanium, platinum, bismuth, rhodium, palladium, silver, tin, platinum, and gold; Silica, barium sulfate, barium carbonate, calcium carbonate, talc, titanium oxide, clay, kaolin, barium sulfate, barium carbonate, calcium carbonate, alumina white, titanium oxide, magnesium oxide, barium oxide, aluminum oxide, bismuth oxide, zirconium oxide, metal oxides such as zinc oxide; Metal carbonates such as magnesium carbonate, barium carbonate, bismuth subcarbonate, and calcium carbonate; Metal hydroxides such as aluminum hydroxide; Examples include complex oxides such as barium zirconate, calcium zirconate, calcium titanate, barium titanate, and strontium titanate, and metal salts such as bismuth nitrate.
그 중에서도, 누설광의 저감 효과가 보다 우수하다는 관점에서, 산화티탄, 알루미나, 산화지르코늄, 산화아연, 탄산칼슘, 황산바륨 및 실리카로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하고, 산화티탄, 황산바륨 및 탄산칼슘으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이 보다 바람직하고, 산화티탄인 것이 특히 바람직하다. Among them, from the viewpoint of superior leakage light reduction effect, it is preferable to include at least one selected from the group consisting of titanium oxide, alumina, zirconium oxide, zinc oxide, calcium carbonate, barium sulfate, and silica, and titanium oxide , it is more preferable that it contains at least one member selected from the group consisting of barium sulfate and calcium carbonate, and titanium oxide is particularly preferable.
광산란 입자를 함유하는 경우, 그 양은, 예컨대 본 발명의 조성물을 컬러 필터층의 형성 재료로서 이용하는 경우에는, 백라이트의 청색광의 투과를 억제하는 관점에서, 조성물 전체에 대하여 1∼10 질량%의 범위인 것이 바람직하고, 2∼7.5 질량%의 범위가 보다 바람직하고, 3∼5 질량%의 범위가 특히 바람직하다. 또한, 본 발명의 조성물을 광변환 시트의 형성 재료로서 이용하는 경우에는, 백라이트의 청색광의 취출의 관점에서, 조성물 전체에 대하여 0.1∼5 질량%의 범위인 것이 바람직하고, 0.15∼3 질량%의 범위가 보다 바람직하고, 0.2∼1.5 질량%의 범위가 더욱 바람직하다. When light scattering particles are included, for example, when using the composition of the present invention as a forming material for a color filter layer, the amount is in the range of 1 to 10% by mass relative to the entire composition from the viewpoint of suppressing the transmission of blue light of the backlight. It is preferable, the range of 2 to 7.5 mass% is more preferable, and the range of 3 to 5 mass% is particularly preferable. In addition, when using the composition of the present invention as a forming material for a light conversion sheet, from the viewpoint of extraction of blue light from the backlight, it is preferably in the range of 0.1 to 5% by mass, and is preferably in the range of 0.15 to 3% by mass with respect to the entire composition. is more preferable, and the range of 0.2 to 1.5 mass% is more preferable.
용제로는, 예컨대 시클로헥산, 헥산, 헵탄, 클로로포름, 톨루엔, 옥탄, 클로로벤젠, 테트랄린, 디페닐에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 부틸카르비톨아세테이트, 또는 이들의 혼합물 등을 들 수 있다. 화소부의 형성시에 조성물로부터 용제의 제거가 용이하다는 관점에서, 용제의 비점은 300℃ 이하인 것이 바람직하고, 200℃ 이하가 보다 바람직하고, 150℃ 이하가 더욱 바람직하다. Solvents include, for example, cyclohexane, hexane, heptane, chloroform, toluene, octane, chlorobenzene, tetralin, diphenyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, butylcarbitol acetate, or mixtures thereof. . From the viewpoint of easy removal of the solvent from the composition when forming the pixel portion, the boiling point of the solvent is preferably 300°C or lower, more preferably 200°C or lower, and still more preferably 150°C or lower.
조성물이 분산체를 구성하는 용매에 더하여 용제를 더 포함하는 경우, 발광성 입자의 응집을 방지한다는 관점에서, 그 양은 조성물 전체에 대하여 5∼50 질량%인 것이 바람직하다. When the composition further contains a solvent in addition to the solvent constituting the dispersion, the amount is preferably 5 to 50% by mass based on the entire composition from the viewpoint of preventing aggregation of the luminescent particles.
본 발명의 조성물의 조제 방법에는 특별히 제한은 없고, 상기 각 성분을 배합함으로써 조제할 수 있다. 예컨대, 분산체, 열가소성 수지, 필요에 따라서 용제 및 다른 성분을 첨가하여, 볼밀, 샌드밀, 비드밀, 3롤밀, 페인트 컨디셔너, 어트리터, 초음파 등을 사용하여 교반 혼합함으로써 조제할 수 있다. There is no particular limitation on the preparation method of the composition of the present invention, and it can be prepared by mixing the above components. For example, it can be prepared by adding a dispersion, a thermoplastic resin, a solvent and other components as needed, and stirring and mixing using a ball mill, sand mill, bead mill, three-roll mill, paint conditioner, attritor, ultrasonic wave, etc.
광산란 입자를 함유시키는 경우는, 광산란 입자와 고분자 분산제를 혼합하여 비드밀에 의해 상기 용제에 분산시킨 밀베이스를 별도 작성하고, 상기 분산체, 열가소성 수지와 함께 혼합함으로써 조제할 수 있다. When light-scattering particles are included, it can be prepared by separately creating a mill base in which light-scattering particles and a polymer dispersant are mixed and dispersed in the above solvent using a bead mill, and then mixed with the dispersion and a thermoplastic resin.
4. 광변환층4. Light conversion layer
본 발명의 분산체를 포함하는 조성물을 기판 상에 도포하여 피막을 형성하고, 이 피막을 건조시킴으로써 도막을 얻어, 광변환층을 형성할 수 있다. 이 경우, 본 발명의 조성물에서의 열가소성 수지의 함유량은, 얻어지는 도막에서의 발광성 입자의 분산성 및 발광 효율의 관점에서, 조성물 전체에 대하여 3 질량% 이상 30 질량% 이하가 바람직하고, 5 질량% 이상 20 질량% 이하가 보다 바람직하고, 7 질량% 이상 15 질량% 이하가 더욱 바람직하다. 또한, 발광성 입자의 함유량은, 분산성 및 발광 효율의 관점에서, 조성물 전체에 대하여 0.01 질량% 이상 15 질량% 이하가 바람직하고, 0.02 질량% 이상 10 질량% 이하가 보다 바람직하고, 0.05 질량% 이상 5 질량% 이하가 더욱 바람직하다. A composition containing the dispersion of the present invention is applied on a substrate to form a film, and the film is dried to obtain a film, thereby forming a light conversion layer. In this case, the content of the thermoplastic resin in the composition of the present invention is preferably 3% by mass or more and 30% by mass or less with respect to the entire composition from the viewpoint of dispersibility of luminescent particles in the resulting coating film and luminous efficiency, and is 5% by mass. More than 20 mass% or less is more preferable, and 7 mass% or more and 15 mass% or less is more preferable. Furthermore, from the viewpoint of dispersibility and luminous efficiency, the content of luminescent particles is preferably 0.01% by mass or more and 15% by mass or less, more preferably 0.02% by mass or more and 10% by mass or less, and 0.05% by mass or more with respect to the entire composition. 5% by mass or less is more preferable.
또한, 본 발명의 조성물을 용융시키고, 협압(挾壓) 장치를 구성하는 제1 협압면과 제2 협압면의 사이에 통과시켜 연속적으로 협압하여 필름형으로 성형하여, 본 발명의 광변환층을 형성할 수도 있다. 이 경우, 본 발명의 조성물에서의 열가소성 수지의 함유량은, 조성물 전체에 대하여 60 질량% 이상 97 질량% 이하가 바람직하고, 70 질량% 이상 96 질량% 이하가 보다 바람직하고, 80 질량% 이상 95 질량% 이하가 더욱 바람직하다. 또한, 발광성 입자의 함유량은, 분산성 및 발광 효율의 관점에서, 조성물 전체에 대하여 0.01 질량% 이상 15 질량% 이하가 바람직하고, 0.05 질량% 이상 10 질량% 이하가 보다 바람직하고, 0.1 질량% 이상 5 질량% 이하가 더욱 바람직하다. In addition, the composition of the present invention is melted, passed between the first and second pressure surfaces constituting the pinching device, continuously pinched, and molded into a film to form the light conversion layer of the present invention. It can also be formed. In this case, the content of the thermoplastic resin in the composition of the present invention is preferably 60% by mass or more and 97% by mass or less, more preferably 70% by mass or more and 96% by mass or less, and 80% by mass or more and 95% by mass. % or less is more preferable. Furthermore, from the viewpoint of dispersibility and luminous efficiency, the content of luminescent particles is preferably 0.01% by mass or more and 15% by mass or less, more preferably 0.05% by mass or more and 10% by mass or less, and 0.1% by mass or more with respect to the entire composition. 5% by mass or less is more preferable.
그 중에서도, 본 발명의 조성물을 기판 상에 도포하여 피막을 형성하고, 이 피막을 건조시켜 도막을 얻는 것이 바람직하다. 이러한 본 발명의 조성물의 도막으로 이루어진 광변환층은, 컬러 필터 및 파장 변환 필름 용도에 적합하다. Among these, it is preferable to apply the composition of the present invention on a substrate to form a film and then dry the film to obtain a film. The light conversion layer made of the coating film of the composition of the present invention is suitable for use as a color filter and wavelength conversion film.
본 발명의 조성물을 기판 상에 도포할 때의 방법으로는, 스핀 코팅, 다이 코팅, 익스트루젼 코팅, 롤 코팅, 와이어바 코팅, 그라비아 코팅, 스프레이 코팅, 딥핑, 잉크젯법, 프린트법 등을 들 수 있다. 도포시에 필요에 따라, 조성물에 탄화수소, 할로겐화탄화수소, 에테르, 알코올, 케톤, 에스테르, 비프로톤성 극성 화합물 등을 용매로서 더 첨가해도 좋다. 조성물을 기판 상에 도포 후, 자연 건조, 가열하 또는 감압하에서의 건조를 행한다. Methods for applying the composition of the present invention on a substrate include spin coating, die coating, extrusion coating, roll coating, wire bar coating, gravure coating, spray coating, dipping, inkjet method, and printing method. You can. At the time of application, if necessary, hydrocarbons, halogenated hydrocarbons, ethers, alcohols, ketones, esters, aprotic polar compounds, etc. may be further added as solvents to the composition. After the composition is applied to the substrate, it is dried naturally, under heat, or under reduced pressure.
본 발명의 조성물을 기판 상에 도포할 때의 기판의 형상은, 평판 외에, 곡면을 구성 부분으로서 갖고 있어도 좋다. 기판을 구성하는 재료는, 유기 재료 또는 무기 재료의 어느 것이나 사용할 수 있다. 유기 재료로는, 예컨대 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리메타크릴산메틸, 폴리스티렌, 폴리염화비닐, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리클로로트리플루오로에틸렌, 폴리아릴레이트, 폴리술폰, 트리아세틸셀룰로오스, 셀룰로오스, 폴리에테르에테르케톤 등을 들 수 있고, 무기 재료로는, 예컨대 실리콘, 유리, 방해석 등을 들 수 있다. The shape of the substrate when applying the composition of the present invention on the substrate may have a curved surface as a constituent part in addition to a flat plate. The material constituting the substrate can be either an organic material or an inorganic material. Organic materials include, for example, polyethylene terephthalate, polycarbonate, polyimide, polyamide, polymethyl methacrylate, polystyrene, polyvinyl chloride, polytetrafluoroethylene, polychlorotrifluoroethylene, polyarylate, and polysulfone. , triacetylcellulose, cellulose, polyetheretherketone, etc., and inorganic materials include, for example, silicon, glass, calcite, etc.
본 발명의 조성물을 형성 재료로 하는 파장 변환 필름은, 초기의 특성 변화를 경감하고, 안정적인 특성 발현을 도모하기 위해 열처리를 행해도 좋다. 이러한 열처리는 50∼250℃의 온도 범위에서, 30초∼12시간의 처리 시간인 것이 바람직하다. The wavelength conversion film using the composition of the present invention as a forming material may be heat treated to reduce initial characteristic changes and achieve stable characteristic expression. This heat treatment is preferably performed at a temperature range of 50 to 250°C and a treatment time of 30 seconds to 12 hours.
이러한 방법에 의해 얻어진 파장 변환 필름은, 기판으로부터 박리하여 단체로 이용해도 좋고, 박리하지 않고 이용해도 좋다. 또한, 얻어진 파장 변환 필름을 적층해도 좋고, 다른 기판에 접합하여 이용해도 좋다. The wavelength conversion film obtained by this method may be peeled from the substrate and used alone, or may be used without peeling. Additionally, the obtained wavelength conversion film may be laminated or may be used by bonding to another substrate.
본 발명의 조성물을 형성 재료로 하는 파장 변환 필름을 적층 구조체에 이용하는 경우, 이러한 적층 구조체는, 예컨대 기판, 배리어층, 광산란층 등의 임의의 층을 갖고 있어도 좋다. 기판을 구성하는 재료는 상기와 같다. 배리어층으로는, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 유리 등을 들 수 있다. 광산란층으로는, 예컨대 상기 광산란 입자를 함유하는 층이나, 광산란 필름을 들 수 있다. When a wavelength conversion film using the composition of the present invention as a forming material is used in a laminated structure, this laminated structure may have any layers such as a substrate, a barrier layer, and a light scattering layer, for example. The materials constituting the substrate are as above. Examples of the barrier layer include polyethylene terephthalate, glass, and the like. Examples of the light scattering layer include a layer containing the light scattering particles and a light scattering film.
적층 구조체의 구성예로는, 예컨대, 2장의 기판 사이에 본 발명의 조성물을 형성 재료로 하는 광변환층을 끼운 구조를 들 수 있다. 그 경우, 수분이나 산소로부터 광변환층을 보호하기 위해, 기판 사이의 외주부를 밀봉재에 의해 밀봉해도 좋다. An example of the configuration of the laminated structure includes, for example, a structure in which a light conversion layer made of the composition of the present invention as a forming material is sandwiched between two substrates. In that case, in order to protect the light conversion layer from moisture and oxygen, the outer peripheral portion between the substrates may be sealed with a sealing material.
도 1은, 본 실시형태의 적층 구조체의 구성을 모식적으로 도시하는 단면도이다. 적층 구조체(40)는, 제1 기판(41) 및 제2 기판(42)의 사이에, 본 실시형태의 파장 변환 필름(44)이 끼워져 있다. 파장 변환 필름(44)은, 광산란 입자(441)와 발광성 입자(442)를 함유하는 본 발명의 조성물을 재료로 하여 형성되고, 광산란 입자(441) 및 발광성 입자(442)는, 파장 변환 필름 중에 균일하게 분산되어 있다. 파장 변환 필름(44)은, 밀봉재로 형성된 밀봉층(43)에 의해 밀봉되어 있다. Fig. 1 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of the laminated structure of the present embodiment. In the laminated structure 40, the wavelength conversion film 44 of this embodiment is sandwiched between the first substrate 41 and the second substrate 42. The wavelength conversion film 44 is formed using the composition of the present invention containing light scattering particles 441 and luminescent particles 442, and the light scattering particles 441 and luminescent particles 442 are contained in the wavelength conversion film. It is uniformly distributed. The wavelength conversion film 44 is sealed by a sealing layer 43 formed of a sealing material.
본 발명의 조성물을 형성 재료로 하는 적층 구조체는, 예컨대, 프리즘 시트, 도광판, 발광성 입자를 포함하는 적층 구조체 및 광원을 갖는 발광 디바이스 용도에 적합하다. 광원으로는, 예컨대, 발광 다이오드, 레이저, 전계 발광 디바이스를 들 수 있다. The laminated structure using the composition of the present invention as a forming material is suitable for use in, for example, a prism sheet, a light guide plate, a laminated structure containing luminescent particles, and a light emitting device having a light source. Light sources include, for example, light-emitting diodes, lasers, and electroluminescent devices.
또한, 본 발명의 조성물을 형성 재료로 하는 적층 구조체는, 디스플레이용의 파장 변환 부재로서 사용되는 것이 바람직하다. 파장 변환 부재로서 사용하는 경우의 구성예로는, 예컨대, 2장의 배리어층 사이에 본 발명의 조성물을 형성 재료로 하는 파장 변환 필름을 밀봉한 적층 구조체를, 도광판 상에 설치하는 구조를 들 수 있다. 이 경우, 도광판의 측면에 설치된 발광 다이오드로부터의 청색광을, 상기 적층 구조체를 통과시킴으로써, 녹색광이나 적색광으로 변환하고, 청색광, 녹색광 및 적색광이 혼색되어 백색광을 얻을 수 있기 때문에, 디스플레이용의 백라이트로서 사용할 수 있다. Additionally, the laminated structure using the composition of the present invention as a forming material is preferably used as a wavelength conversion member for a display. An example of the configuration when used as a wavelength conversion member is, for example, a structure in which a laminated structure in which a wavelength conversion film made of the composition of the present invention as a forming material is sealed between two barrier layers is installed on a light guide plate. . In this case, the blue light from the light emitting diode installed on the side of the light guide plate is converted into green light or red light by passing through the laminated structure, and the blue light, green light, and red light are mixed to obtain white light, so it can be used as a backlight for a display. You can.
5. 발광 소자5. Light emitting device
이하, 청색 유기 LED 백라이트를 구비한 발광 소자의 컬러 필터 화소부를, 본 발명의 조성물로 형성하는 경우를 예를 들어 설명한다. Hereinafter, a case where the color filter pixel portion of a light emitting device equipped with a blue organic LED backlight is formed with the composition of the present invention will be described as an example.
도 2는, 본 발명의 조성물의 경화물로 이루어진 광변환층을 구비하는 발광 소자의 일실시형태를 도시하는 단면도이며, 도 3 및 도 4는, 각각 액티브 매트릭스 회로의 구성을 도시하는 개략도이다. 한편, 도 2에서는, 편의상, 각 부의 치수 및 이들의 비율을 과장하여 도시하여, 실제와는 상이한 경우가 있다. 또한, 이하에 나타내는 재료, 치수 등은 일례이며, 본 발명은 이들에 한정되지 않고, 그 요지를 변경하지 않는 범위에서 적절하게 변경하는 것이 가능하다. 이하에서는, 설명의 편의상, 도 2의 상측을 「상측」 또는 「상방」, 하측을 「하측」 또는 「하방」이라고 한다. 또한, 도 2에서는, 도면이 번잡해지는 것을 피하기 위해, 단면을 나타내는 해칭의 기재를 생략하고 있다. FIG. 2 is a cross-sectional view showing one embodiment of a light-emitting device provided with a light conversion layer made of a cured product of the composition of the present invention, and FIGS. 3 and 4 are schematic diagrams each showing the configuration of an active matrix circuit. Meanwhile, in Figure 2, for convenience, the dimensions of each part and their ratios are exaggerated and may be different from the actual ones. In addition, the materials, dimensions, etc. shown below are examples, and the present invention is not limited to these, and can be appropriately changed without changing the gist. Hereinafter, for convenience of explanation, the upper side of FIG. 2 will be referred to as “upper side” or “upper side,” and the lower side will be referred to as “lower side” or “lower side.” In addition, in FIG. 2, in order to avoid making the drawing complicated, description of hatching indicating the cross section is omitted.
도 2에 도시하는 바와 같이, 발광 소자(100)는, 하기판(1)과, EL 광원부(200)와, 충전층(10)과, 보호층(11)과, 전술한 발광성 입자를 함유하여 발광층으로서 작용하는 광변환층(12)과, 상기판(13)을 이 순으로 적층한 구조를 구비한다. As shown in FIG. 2, the light-emitting element 100 contains an underlying substrate 1, an EL light source portion 200, a filling layer 10, a protective layer 11, and the above-described luminescent particles. It has a structure in which a light conversion layer 12, which acts as a light-emitting layer, and a top plate 13 are stacked in this order.
EL 광원부(200)는, 양극(2)과, 복수의 층으로 이루어진 EL층(14)과, 음극(8)과, 도시하지 않은 편광판과, 밀봉층(9)을 순서대로 구비한다. EL층(14)은, 양극(2)측으로부터 순차적으로 적층된 정공 주입층(3)과, 정공 수송층(4)과, 발광층(5)과, 전자 수송층(6)과, 전자 주입층(7)을 포함한다. The EL light source unit 200 includes an anode 2, an EL layer 14 made of a plurality of layers, a cathode 8, a polarizing plate (not shown), and a sealing layer 9 in that order. The EL layer 14 includes a hole injection layer 3, a hole transport layer 4, a light emitting layer 5, an electron transport layer 6, and an electron injection layer 7, which are sequentially stacked from the anode 2 side. ) includes.
이러한 발광 소자(100)는, EL 광원부(200)(EL층(14))로부터 발생한 광을 광변환층(12)에 의해 흡수 및 재방출하거나 혹은 투과시키고, 상기판(13)측으로부터 외부에 취출하는 포토 루미네센스 소자이다. 이때, 광변환층(12)에 포함되는 발광성 입자에 의해 소정의 색의 광으로 변환된다. This light-emitting element 100 absorbs and re-emits or transmits light generated from the EL light source unit 200 (EL layer 14) by the light conversion layer 12, and transmits it to the outside from the upper plate 13 side. It is a photoluminescence element that extracts light. At this time, it is converted into light of a predetermined color by the luminescent particles included in the light conversion layer 12.
이하, 각 층에 대해 순차적으로 설명한다. Hereinafter, each layer will be described sequentially.
[하기판(1) 및 상기판(13)][Lower board (1) and upper board (13)]
하기판(1) 및 상기판(13)은, 각각 발광 소자(100)를 구성하는 각 층을 지지 및/또는 보호하는 기능을 갖는다. 발광 소자(100)가 톱 에미션형인 경우, 상기판(3)이 투명 기판으로 구성된다. 한편, 발광 소자(100)가 바텀 에미션형인 경우, 하기판(2)이 투명 기판으로 구성된다. 여기서, 투명 기판이란, 가시광 영역의 파장의 광을 투과 가능한 기판을 의미하며, 투명에는, 무색 투명, 착색 투명, 반투명이 포함된다. The lower substrate 1 and the upper substrate 13 each have the function of supporting and/or protecting each layer constituting the light emitting device 100. When the light emitting device 100 is a top emission type, the upper substrate 3 is made of a transparent substrate. Meanwhile, when the light emitting device 100 is a bottom emission type, the lower substrate 2 is made of a transparent substrate. Here, a transparent substrate means a substrate capable of transmitting light with a wavelength in the visible light region, and transparency includes colorless transparency, colored transparency, and translucency.
투명 기판으로는, 예컨대, 석영 유리, 합성 석영판 등의 유리 기판; 석영 기판; 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에테르술폰, 폴리이미드, 폴리카보네이트 등으로 구성되는 수지 기판; 철, 스테인레스, 알루미늄, 구리 등으로 구성되는 금속 기판; 실리콘 기판, 갈륨비소 기판 등을 사용할 수 있다. 그 중에서도, 알칼리 성분을 포함하지 않는 무알칼리 유리로 이루어진 유리 기판이, 열팽창율이 작고 치수 안정성 및 고온 가열 처리에서의 작업성이 우수하다는 관점에서 바람직하다. 이러한 유리 기판으로서, 예컨대 코닝사 제조의 「7059 유리」, 「1737 유리」, 「이글 2000」 및 「이글 XG(등록상표)」, AGC사 제조의 「AN100」, 니폰덴키가라스사 제조의 「OA-10G」 및 「OA-11」을 적합하게 사용할 수 있다. Examples of transparent substrates include glass substrates such as quartz glass and synthetic quartz plates; Quartz substrate; Resin substrates made of polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyether sulfone, polyimide, polycarbonate, etc.; Metal substrates made of iron, stainless steel, aluminum, copper, etc.; Silicon substrates, gallium arsenide substrates, etc. can be used. Among them, a glass substrate made of alkali-free glass that does not contain an alkali component is preferable from the viewpoint of having a small coefficient of thermal expansion and excellent dimensional stability and workability in high-temperature heat treatment. As such glass substrates, for example, "7059 glass", "1737 glass", "Eagle 2000" and "Eagle “10G” and “OA-11” can be used suitably.
하기판(1) 및 상기판(13)의 평균 두께에 특별히 한정은 없고, 통상 100∼1000 μm의 범위가 바람직하고, 300∼800 μm의 범위가 보다 바람직하다. There is no particular limitation on the average thickness of the lower substrate 1 and the upper substrate 13, and the range is usually preferably 100 to 1000 μm, and more preferably 300 to 800 μm.
발광 소자(100)에 가요성을 부여하는 경우, 하기판(1) 및 상기판(13)에는, 각각 수지 기판 또는 비교적 두께가 작은 금속 기판을 선택할 수 있다. 한편, 발광 소자(100)의 사용 형태에 따라, 하기판(1) 및 상기판(13)의 어느 한쪽 또는 양쪽을 생략해도 좋다. When providing flexibility to the light emitting element 100, a resin substrate or a metal substrate with a relatively small thickness can be selected for the lower substrate 1 and the upper substrate 13, respectively. Meanwhile, depending on the type of use of the light emitting device 100, either or both of the lower substrate 1 and the upper substrate 13 may be omitted.
도 3에 도시하는 바와 같이, 하기판(1) 상에는, R, G, B로 표시되는 화소 전극(PE)을 구성하는 양극(2)으로의 전류의 공급을 제어하는 신호선 구동 회로(C1) 및 주사선 구동 회로(C2)와, 이들 회로의 작동을 제어하는 제어 회로(C3)와, 신호선 구동 회로(C1)에 접속된 복수의 신호선(706)과, 주사선 구동 회로(C2)에 접속된 복수의 주사선(707)을 구비하고 있다. As shown in FIG. 3, on the lower substrate 1, a signal line driving circuit C1 that controls the supply of current to the anode 2 constituting the pixel electrodes PE indicated by R, G, and B, and A scanning line driving circuit C2, a control circuit C3 that controls the operation of these circuits, a plurality of signal lines 706 connected to the signal line driving circuit C1, and a plurality of signal lines 706 connected to the scanning line driving circuit C2. It is provided with a scanning line (707).
또한, 각 신호선(706)과 각 주사선(707)의 교차부 근방에는, 도 4에 도시하는 바와 같이, 콘덴서(701)와, 구동 트랜지스터(702)와, 스위칭 트랜지스터(708)가 설치되어 있다. Additionally, as shown in FIG. 4, a condenser 701, a driving transistor 702, and a switching transistor 708 are provided near the intersection of each signal line 706 and each scan line 707.
콘덴서(701)는, 한쪽의 전극이 구동 트랜지스터(702)의 게이트 전극에 접속되고, 다른쪽의 전극이 구동 트랜지스터(702)의 소스 전극에 접속되어 있다. 구동 트랜지스터(702)는, 게이트 전극이 콘덴서(701)의 한쪽 전극에 접속되고, 소스 전극이 콘덴서(701)의 다른쪽 전극 및 구동 전류를 공급하는 전원선(703)에 접속되고, 드레인 전극이 EL 광원부(200)의 양극(2)에 접속되어 있다. One electrode of the condenser 701 is connected to the gate electrode of the driving transistor 702, and the other electrode is connected to the source electrode of the driving transistor 702. The driving transistor 702 has a gate electrode connected to one electrode of the condenser 701, a source electrode connected to the other electrode of the condenser 701 and the power line 703 that supplies the driving current, and a drain electrode. It is connected to the anode 2 of the EL light source unit 200.
스위칭 트랜지스터(708)는, 게이트 전극이 주사선(707)에 접속되고, 소스 전극이 신호선(706)에 접속되고, 드레인 전극이 구동 트랜지스터(702)의 게이트 전극에 접속되어 있다. 또한, 본 실시형태에 있어서, 공통 전극(705)은, EL 광원부(200)의 음극(8)을 구성하고 있다. 한편, 구동 트랜지스터(702) 및 스위칭 트랜지스터(708)는, 예컨대, 박막 트랜지스터 등으로 구성할 수 있다. The switching transistor 708 has a gate electrode connected to the scan line 707, a source electrode connected to the signal line 706, and a drain electrode connected to the gate electrode of the driving transistor 702. Additionally, in this embodiment, the common electrode 705 constitutes the cathode 8 of the EL light source unit 200. Meanwhile, the driving transistor 702 and the switching transistor 708 can be made of, for example, a thin film transistor.
주사선 구동 회로(C2)는, 주사선(707)을 통해, 스위칭 트랜지스터(708)의 게이트 전극에 주사 신호에 따른 주사 전압을 공급 또는 차단하여, 스위칭 트랜지스터(708)의 온 또는 오프를 한다. 이것에 의해, 주사선 구동 회로(C2)는, 신호선 구동 회로(C1)가 신호 전압을 기록하는 타이밍을 조정한다. 한편, 신호선 구동 회로(C1)는, 신호선(706) 및 스위칭 트랜지스터(708)를 통해, 구동 트랜지스터(702)의 게이트 전극에 영상 신호에 따른 신호 전압을 공급 또는 차단하여, EL 광원부(200)에 공급하는 신호 전류의 양을 조정한다. The scan line driving circuit C2 supplies or blocks a scan voltage according to the scan signal to the gate electrode of the switching transistor 708 through the scan line 707, thereby turning the switching transistor 708 on or off. Thereby, the scanning line driving circuit C2 adjusts the timing at which the signal line driving circuit C1 writes the signal voltage. Meanwhile, the signal line driving circuit C1 supplies or blocks a signal voltage according to the image signal to the gate electrode of the driving transistor 702 through the signal line 706 and the switching transistor 708, thereby supplying or blocking a signal voltage according to the image signal to the EL light source unit 200. Adjust the amount of signal current supplied.
따라서, 주사선 구동 회로(C2)로부터 주사 전압이 스위칭 트랜지스터(708)의 게이트 전극에 공급되고, 스위칭 트랜지스터(708)가 온이 되면, 신호선 구동 회로(C1)로부터 신호 전압이 스위칭 트랜지스터(708)의 게이트 전극에 공급된다. 이때, 이 신호 전압에 대응한 드레인 전류가 전원선(703)으로부터 신호 전류로서 EL 광원부(200)에 공급된다. 그 결과, EL 광원부(200)는, 공급되는 신호 전류에 따라서 발광한다. Therefore, when the scan voltage is supplied from the scan line driving circuit C2 to the gate electrode of the switching transistor 708 and the switching transistor 708 is turned on, the signal voltage from the signal line driving circuit C1 is supplied to the gate electrode of the switching transistor 708. supplied to the gate electrode. At this time, the drain current corresponding to this signal voltage is supplied to the EL light source unit 200 as a signal current from the power line 703. As a result, the EL light source unit 200 emits light according to the supplied signal current.
<EL 광원부(200)><EL light source unit (200)>
[양극(2)][Anode (2)]
양극(2)은, 외부 전원으로부터 발광층(5)을 향해 정공을 공급하는 기능을 갖는다. 양극(2)의 구성 재료(양극 재료)로는, 예컨대, 금, 알루미늄 등의 금속; 요오드화구리 등의 할로겐화금속; 인듐주석산화물(ITO), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO) 등의 금속 산화물; 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다. The anode 2 has a function of supplying holes from an external power source toward the light emitting layer 5. Constituent materials (anode materials) of the anode 2 include, for example, metals such as gold and aluminum; Halogenated metals such as copper iodide; Metal oxides such as indium tin oxide (ITO), tin oxide (SnO 2 ), and zinc oxide (ZnO); etc. can be mentioned. These may be used individually, or two or more types may be used together.
양극(2)의 평균 두께에 특별히 한정은 없고, 통상 10∼1000 nm의 범위가 바람직하고, 10∼200 nm의 범위가 보다 바람직하다. There is no particular limitation on the average thickness of the anode 2, and the range is usually preferably 10 to 1000 nm, and more preferably 10 to 200 nm.
양극(2)은, 예컨대, 진공 증착법이나 스퍼터링법과 같은 건식 성막법에 의해 형성할 수 있다. 이때, 포토리소그래피법이나 마스크를 이용한 방법에 의해, 소정의 패턴을 갖는 양극(2)을 형성해도 좋다. The anode 2 can be formed by, for example, a dry film forming method such as vacuum deposition or sputtering. At this time, the anode 2 having a predetermined pattern may be formed by a photolithography method or a method using a mask.
[음극(8)][Cathode (8)]
음극(8)은, 외부 전원으로부터 발광층(5)을 향해 전자를 공급하는 기능을 갖는다. 음극(8)의 구성 재료(음극 재료)로는, 예컨대, 리튬, 나트륨, 마그네슘, 알루미늄, 은, 나트륨-칼륨 합금, 마그네슘/알루미늄 혼합물, 마그네슘/은 혼합물, 마그네슘/인듐 혼합물, 알루미늄/산화알루미늄 혼합물, 희토류 금속, ITO, 알루미늄 도핑 산화아연(AZO), SnO2, ZnO 등의 금속 또는 금속 산화물 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 좋다. The cathode 8 has the function of supplying electrons from an external power source toward the light emitting layer 5. Constituent materials (cathode materials) of the cathode 8 include, for example, lithium, sodium, magnesium, aluminum, silver, sodium-potassium alloy, magnesium/aluminum mixture, magnesium/silver mixture, magnesium/indium mixture, and aluminum/aluminum oxide mixture. , rare earth metals, ITO, aluminum-doped zinc oxide (AZO), SnO 2 , metals or metal oxides such as ZnO. These may be used individually, or two or more types may be used in combination.
음극(8)의 평균 두께에 특별히 한정은 없고, 통상 0.1∼1000 nm의 범위가 바람직하고, 1∼200 nm의 범위가 보다 바람직하다. There is no particular limitation on the average thickness of the cathode 8, and the range is usually preferably 0.1 to 1000 nm, and more preferably 1 to 200 nm.
음극(8)은, 예컨대, 증착법이나 스퍼터링법과 같은 건식 성막법에 의해 형성할 수 있다. The cathode 8 can be formed by, for example, a dry film forming method such as vapor deposition or sputtering.
발광 소자(100)가 톱 에미션형인 경우, 음극(8)은 ITO 등으로 형성되는 투명 전극으로 구성된다. 이 경우, 양극(2)은 알루미늄 등으로 형성되는 반사 전극으로 구성해도 좋다. When the light emitting device 100 is a top emission type, the cathode 8 is composed of a transparent electrode made of ITO or the like. In this case, the anode 2 may be composed of a reflective electrode made of aluminum or the like.
한편, 발광 소자(100)가 바텀 에미션형인 경우, 양극(2)은 ITO 등으로 형성되는 투명 전극으로 구성된다. 이 경우, 음극(8)은 알루미늄 등으로 형성되는 반사 전극으로 구성해도 좋다. Meanwhile, when the light emitting device 100 is a bottom emission type, the anode 2 is composed of a transparent electrode made of ITO or the like. In this case, the cathode 8 may be composed of a reflective electrode made of aluminum or the like.
[정공 주입층(3)][Hole injection layer (3)]
정공 주입층(3)은, 양극(2)으로부터 공급된 정공을 수취하여, 정공 수송층(4)에 주입하는 기능을 갖는다. 한편, 정공 주입층(3)은 필요에 따라서 형성하고, 생략해도 좋다. The hole injection layer 3 has a function of receiving holes supplied from the anode 2 and injecting them into the hole transport layer 4. Meanwhile, the hole injection layer 3 is formed as needed and may be omitted.
정공 주입층(3)의 구성 재료(정공 주입 재료)로는, 예컨대, 구리프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물; 4,4',4"-트리스[페닐(m-톨릴)아미노]트리페닐아민 등의 트리페닐아민 유도체; 1,4,5,8,9,12-헥사아자트리페닐렌헥사카르보니트릴, 2,3,5,6-테트라플루오로-7,7,8,8-테트라시아노-퀴노디메탄 등의 시아노 화합물; 산화바나듐, 산화몰리브덴 등의 금속 산화물; 아모퍼스카본; 폴리아닐린(에메랄딘), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)-폴리(스티렌술폰산)(PEDOT-PSS), 폴리피롤 등의 고분자 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 좋다. 그 중에서도, PEDOT-PSS가 보다 바람직하다. The constituent material (hole injection material) of the hole injection layer 3 includes, for example, phthalocyanine compounds such as copper phthalocyanine; Triphenylamine derivatives such as 4,4',4"-tris[phenyl(m-tolyl)amino]triphenylamine; 1,4,5,8,9,12-hexaazatriphenylenehexacarbonitrile, 2 , 3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyano-quinodimethane, metal oxides such as vanadium oxide and molybdenum oxide; polyaniline (emeraldine; ), poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-poly(styrenesulfonic acid) (PEDOT-PSS), and polypyrrole. These may be used individually or in combination of two or more types. Among them, PEDOT-PSS is more preferable.
정공 주입층(3)의 평균 두께에 특별히 한정은 없고, 통상 0.1∼500 nm의 범위가 바람직하고, 1∼300 nm의 범위가 보다 바람직하고, 2∼200 nm의 범위가 더욱 바람직하다. 또한, 정공 주입층(3)은, 단층이어도 좋고, 2층 이상이 적층된 적층 구성이어도 좋다. The average thickness of the hole injection layer 3 is not particularly limited, and is generally preferably in the range of 0.1 to 500 nm, more preferably in the range of 1 to 300 nm, and even more preferably in the range of 2 to 200 nm. Additionally, the hole injection layer 3 may be a single layer or may have a laminated structure in which two or more layers are stacked.
정공 주입층(3)은, 습식 성막법 또는 건식 성막법에 의해 형성할 수 있다. The hole injection layer 3 can be formed by a wet film forming method or a dry film forming method.
습식 성막법에서는, 통상 정공 주입 재료를 함유하는 액상 조성물을, 잉크젯 인쇄법(피에조 방식 또는 서멀 형식의 액적 토출법), 스핀코트법, 캐스트법, LB법, 토판 인쇄법, 그라비아 인쇄법, 스크린 인쇄법, 노즐 프린트 인쇄법 등에 의해 도포하고, 얻어진 도막을 건조시킨다. 한편, 노즐 프린트 인쇄법이란, 액상 조성물을 노즐 구멍으로부터 액기둥으로 하여 스트라이프형으로 도포하는 방법이다. In the wet film forming method, a liquid composition containing a hole injection material is usually applied to an inkjet printing method (piezo method or thermal droplet discharge method), spin coating method, cast method, LB method, plate printing method, gravure printing method, or screen printing method. It is applied by a printing method, nozzle printing method, etc., and the obtained coating film is dried. On the other hand, the nozzle print printing method is a method of applying a liquid composition in a stripe form from a nozzle hole as a liquid column.
건식 성막법으로는, 진공 증착법, 스퍼터링법 등을 적합하게 사용할 수 있다. As a dry film formation method, vacuum deposition, sputtering, etc. can be suitably used.
[정공 수송층(4)][Hole transport layer (4)]
정공 수송층(4)은, 정공 주입층(3)으로부터 정공을 수취하여, 발광층(5)까지 효율적으로 수송하는 기능을 갖는다. 또한, 정공 수송층(4)은, 전자의 수송을 방지하는 기능을 갖고 있어도 좋다. 한편, 정공 수송층(4)은 필요에 따라서 형성하면 되고, 생략할 수도 있다. The hole transport layer 4 has a function of receiving holes from the hole injection layer 3 and efficiently transporting them to the light emitting layer 5. Additionally, the hole transport layer 4 may have a function of preventing electron transport. Meanwhile, the hole transport layer 4 may be formed as needed and may be omitted.
정공 수송층(4)의 구성 재료(정공 수송 재료)로는, 전자 수송능보다 정공 수송능이 높은 재료를 이용하는 것이 바람직하다. 이러한 정공 수송 재료로는, 예컨대 방향족 아민, 카르바졸 유도체, 방향족 탄화수소, 스틸벤 유도체 등을 들 수 있고, π 전자 과잉형 복소방향족 또는 방향족 아민 등을 적합하게 사용할 수 있다. As a constituent material (hole transport material) of the hole transport layer 4, it is preferable to use a material with a hole transport ability higher than the electron transport ability. Examples of such hole transport materials include aromatic amines, carbazole derivatives, aromatic hydrocarbons, and stilbene derivatives, and π-electron-excessive heteroaromatics or aromatic amines can be suitably used.
정공 수송 재료의 구체예로는, TPD(N,N'-디페닐-N,N'-디(3-메틸페닐)-1,1'-비페닐-4,4'디아민), α-NPD(4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐), m-MTDATA(4,4',4"-트리스(3-메틸페닐페닐아미노)트리페닐아민) 등의 트리페닐아민 유도체; 폴리비닐카르바졸; 폴리[N,N'-비스(4-부틸페닐)-N,N'-비스(페닐)-벤지딘](poly-TPA), 폴리플루오렌(PF), 폴리[N,N'-비스(4-부틸페닐)-N,N'-비스(페닐)-벤지딘(Poly-TPD), 폴리[(9,9-디옥틸플루오레닐-2,7-디일)-co-(4,4'-(N-(sec-부틸페닐)디페닐아민))(TFB), 폴리페닐렌비닐렌(PPV) 등의 공액계 화합물 중합체; 및 이들의 모노머 단위를 포함하는 공중합체 등을 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 좋다. Specific examples of hole transport materials include TPD (N,N'-diphenyl-N,N'-di(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'diamine), α-NPD ( 4,4'-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl), m-MTDATA (4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine), etc. triphenylamine derivative; poly[N,N'-bis(4-butylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine](poly-TPA), polyfluorene (PF) , poly[N,N'-bis(4-butylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine (Poly-TPD), poly[(9,9-dioctylfluorenyl-2,7- Conjugated compound polymers such as diyl)-co-(4,4'-(N-(sec-butylphenyl)diphenylamine))(TFB) and polyphenylenevinylene (PPV), and monomer units thereof; These include copolymers, etc., which may be used individually or in combination of two or more types.
정공 수송 재료로는, 트리페닐아민 유도체, 치환기가 도입된 트리페닐아민 유도체의 중합체 또는 공중합체가 바람직하고, 치환기가 도입된 트리페닐아민 유도체의 중합체가 보다 바람직하다. The hole transport material is preferably a triphenylamine derivative, a polymer or copolymer of a triphenylamine derivative into which a substituent is introduced, and a polymer of a triphenylamine derivative into which a substituent is introduced is more preferable.
정공 수송층(4)의 평균 두께에 특별히 한정은 없고, 통상 1∼500 nm의 범위가 바람직하고, 5∼300 nm의 범위가 보다 바람직하고, 10∼200 nm의 범위가 더욱 바람직하다. The average thickness of the hole transport layer 4 is not particularly limited, and is usually preferably in the range of 1 to 500 nm, more preferably in the range of 5 to 300 nm, and even more preferably in the range of 10 to 200 nm.
정공 수송층(4)은, 단층이어도 좋고, 2층 이상이 적층된 적층 구성이어도 좋다. The hole transport layer 4 may be a single layer or may have a laminated structure in which two or more layers are stacked.
이러한 정공 수송층(4)은, 습식 성막법 또는 건식 성막법에 의해 형성할 수 있다. 습식 제막법 및 건식 제막법에 대해서는 정공 주입층(3)의 설명에서 전술한 바와 같다. This hole transport layer 4 can be formed by a wet film forming method or a dry film forming method. The wet film forming method and the dry film forming method are as described above in the description of the hole injection layer 3.
[전자 주입층(7)][Electron injection layer (7)]
전자 주입층(7)은, 음극(8)으로부터 공급된 전자를 수취하여, 전자 수송층(6)에 주입하는 기능을 갖는다. 한편, 전자 주입층(7)은 필요에 따라서 형성하고, 생략해도 좋다. The electron injection layer 7 has a function of receiving electrons supplied from the cathode 8 and injecting them into the electron transport layer 6. Meanwhile, the electron injection layer 7 is formed as needed and may be omitted.
전자 주입층(7)의 구성 재료(전자 주입 재료)로는, 예컨대, Li2O, LiO, Na2S, Na2Se, NaO 등의 알칼리 금속 칼코게나이드; CaO, BaO, SrO, BeO, BaS, MgO, CaSe 등의 알칼리토류 금속 칼코게나이드; CsF, LiF, NaF, KF, LiCl, KCl, NaCl 등의 알칼리 금속 할라이드; 8-히드록시퀴놀리놀라토리튬(Liq) 등의 알칼리 금속염; CaF2, BaF2, SrF2, MgF2, BeF2 등의 알칼리토류 금속 할라이드 등을 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 좋다. 그 중에서도, 알칼리 금속 칼코게나이드, 알칼리토류 금속 할라이드, 알칼리 금속염이 바람직하다. The constituent material (electron injection material) of the electron injection layer 7 includes, for example, alkali metal chalcogenides such as Li 2 O, LiO, Na 2 S, Na 2 Se, and NaO; Alkaline earth metal chalcogenides such as CaO, BaO, SrO, BeO, BaS, MgO, and CaSe; Alkali metal halides such as CsF, LiF, NaF, KF, LiCl, KCl, and NaCl; Alkali metal salts such as 8-hydroxyquinolinola lithium (Liq); and alkaline earth metal halides such as CaF 2 , BaF 2 , SrF 2 , MgF 2 , and BeF 2 . These may be used individually, or two or more types may be used in combination. Among them, alkali metal chalcogenides, alkaline earth metal halides, and alkali metal salts are preferable.
전자 주입층(7)의 평균 두께에 특별히 한정은 없고, 통상 0.1∼100 nm의 범위가 바람직하고, 0.2∼50 nm의 범위가 보다 바람직하고, 0.5∼10 nm의 범위가 더욱 바람직하다. 또한, 전자 주입층(7)은, 단층이어도 좋고, 2층 이상이 적층된 적층 구성이어도 좋다. The average thickness of the electron injection layer 7 is not particularly limited, and is generally preferably in the range of 0.1 to 100 nm, more preferably in the range of 0.2 to 50 nm, and even more preferably in the range of 0.5 to 10 nm. Additionally, the electron injection layer 7 may be a single layer or may have a laminated structure in which two or more layers are stacked.
전자 주입층(7)은, 습식 성막법 또는 건식 성막법에 의해 형성할 수 있다. 습식 제막법 및 건식 제막법에 대해서는 정공 주입층(3)의 설명에서 전술한 바와 같다. The electron injection layer 7 can be formed by a wet film forming method or a dry film forming method. The wet film forming method and the dry film forming method are as described above in the description of the hole injection layer 3.
[전자 수송층(6)][Electron transport layer (6)]
전자 수송층(6)은, 전자 주입층(7)으로부터 전자를 수취하여, 발광층(5)까지 효율적으로 수송하는 기능을 갖는다. 또한, 전자 수송층(6)은, 정공의 수송을 방지하는 기능을 갖고 있어도 좋다. 한편, 전자 수송층(6)은, 필요에 따라서 형성하면 되고, 생략할 수도 있다.The electron transport layer 6 has a function of receiving electrons from the electron injection layer 7 and efficiently transporting them to the light emitting layer 5. Additionally, the electron transport layer 6 may have a function of preventing transport of holes. Meanwhile, the electron transport layer 6 may be formed as needed and may be omitted.
전자 수송층(6)의 구성 재료(전자 수송 재료)로는, 정공 수송능보다 전자 수송능이 높은 재료를 이용하는 것이 바람직하다. 전자 수송 재료로는, 예컨대, 풀러렌, 디페닐퀴논 유도체, 니트로 치환 플루오렌 유도체, 퀴녹살린 유도체, 옥사디아졸 유도체, 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, 피리딘 유도체, 비피리딘 유도체, 이미다졸 유도체, 퀴놀린 유도체, 페릴렌 유도체, 트리아진 유도체, 또는 피리미딘 유도체 등의 함질소 복소방향족 화합물과 같은 π 전자 부족형 복소방향족; 퀴놀린 배위자, 페릴렌 배위자, 벤조퀴놀린 배위자, 옥사졸 배위자, 벤즈옥사졸린 배위자, 벤조티아졸린 배위자, 또는 티아졸 배위자를 갖는 금속 착체 등을 들 수 있다. As a constituent material (electron transport material) of the electron transport layer 6, it is preferable to use a material with a higher electron transport ability than a hole transport ability. Electron transport materials include, for example, fullerenes, diphenylquinone derivatives, nitro-substituted fluorene derivatives, quinoxaline derivatives, oxadiazole derivatives, triazole derivatives, phenanthroline derivatives, pyridine derivatives, bipyridine derivatives, imidazole derivatives, π electron-deficient heteroaromatics such as nitrogen-containing heteroaromatic compounds such as quinoline derivatives, perylene derivatives, triazine derivatives, or pyrimidine derivatives; and metal complexes having a quinoline ligand, perylene ligand, benzoquinoline ligand, oxazole ligand, benzoxazoline ligand, benzothiazoline ligand, or thiazole ligand.
전자 수송 재료의 구체예로는, 트리스(8-퀴놀레이토)알루미늄(Alq), 트리스(4-메틸-8-퀴놀리놀레이토)알루미늄(Almq3), 비스(10-히드록시벤조[h]퀴놀리네이토)베릴륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이토)(p-페닐페놀레이토)알루미늄, 비스(8-퀴놀리놀레이토)아연, 비스[2-(2'-히드록시페닐)벤즈옥사졸레이토]아연, 비스[2-(2'-히드록시페닐)벤조티아졸레이토]아연, 2-(4-비페닐릴)-5-(4-tert-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸(PBD), 3-(4-비페닐릴)-4-페닐-5-(4-tert-부틸페닐)-1,2,4-트리아졸(TAZ), 1,3-비스[5-(p-tert-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸-2-일]벤젠(OXD-7), 9-[4-(5-페닐-1,3,4-옥사디아졸-2-일)페닐]카르바졸(CO11), 2,2',2"-(1,3,5-벤젠트리일)트리스(1-페닐-1H-벤즈이미다졸)(TPBI), 2-[3-(디벤조티오펜-4-일)페닐]-1-페닐-1H-벤즈이미다졸(mDBTBIm-Ⅱ), 4,7-디페닐-1,10-페난트롤린(BPhen) 등을 들 수 있다. 이들 화합물은, 1종을 단독으로 이용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 좋다. Specific examples of electron transport materials include tris(8-quinolinolate)aluminum (Alq), tris(4-methyl-8-quinolinoleto)aluminum (Almq3), and bis(10-hydroxybenzo[h]quinone). Nolinato) beryllium, bis (2-methyl-8-quinolinoleto) (p-phenylphenolate) aluminum, bis (8-quinolinoleto) zinc, bis [2- (2'-hydroxyphenyl) )benzoxazolato]zinc, bis[2-(2'-hydroxyphenyl)benzothiazolato]zinc, 2-(4-biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1, 3,4-oxadiazole (PBD), 3-(4-biphenylyl)-4-phenyl-5-(4-tert-butylphenyl)-1,2,4-triazole (TAZ), 1, 3-bis[5-(p-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl]benzene (OXD-7), 9-[4-(5-phenyl-1,3, 4-oxadiazol-2-yl)phenyl]carbazole (CO11), 2,2',2"-(1,3,5-benzenetriyl)tris(1-phenyl-1H-benzimidazole)( TPBI), 2-[3-(dibenzothiophen-4-yl)phenyl]-1-phenyl-1H-benzimidazole (mDBTBIm-Ⅱ), 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BPhen) etc. can be mentioned. These compounds may be used individually or in combination of two or more types.
또한, 전자 수송 재료로서, 무기 반도체 재료를 이용해도 좋다. 전자 수송층(6)을 무기 반도체 재료로 구성함으로써, 전자 수송층(6) 중에서의 전자의 이동도를 높여, 발광층(5)으로의 전자의 주입 효율을 향상시킬 수 있다. 이러한 전자 수송 재료로는, 예컨대, 탄산세슘 등의 금속염; 산화티탄(TiOx), 산화아연 등의 금속 산화물을 적합하게 사용할 수 있다. Additionally, as an electron transport material, an inorganic semiconductor material may be used. By constructing the electron transport layer 6 from an inorganic semiconductor material, the mobility of electrons in the electron transport layer 6 can be increased, and the efficiency of electron injection into the light emitting layer 5 can be improved. Examples of such electron transport materials include metal salts such as cesium carbonate; Metal oxides such as titanium oxide (TiOx) and zinc oxide can be suitably used.
전자 수송층(6)의 평균 두께에 특별히 한정은 없고, 통상 5∼500 nm의 범위가 바람직하고, 5∼200 nm의 범위가 보다 바람직하다. 또한, 전자 수송층(6)은, 단층이어도 좋고, 2층 이상이 적층된 적층 구성이어도 좋다. There is no particular limitation on the average thickness of the electron transport layer 6, and the range is usually preferably 5 to 500 nm, and more preferably 5 to 200 nm. Additionally, the electron transport layer 6 may be a single layer or may have a laminated structure in which two or more layers are stacked.
전자 수송층(6)은, 습식 성막법 또는 건식 성막법에 의해 형성할 수 있다. 습식 제막법 및 건식 제막법에 대해서는 정공 주입층(3)의 설명에서 전술한 바와 같다. The electron transport layer 6 can be formed by a wet film forming method or a dry film forming method. The wet film forming method and the dry film forming method are as described above in the description of the hole injection layer 3.
발광 소자(100)에 정공 주입층(3) 및 전자 주입층(7)을 형성하면, 정공 수송층(4) 및 전자 수송층(6)을 통한 발광층(5)으로의 정공 및 전자의 수송 효율을 높일 수 있다. 그 결과, 발광층(5)의 발광 효율을 보다 향상시켜, 고휘도에서의 발광이 가능하고, 또한 수명이 긴 발광 소자가 얻어진다. By forming the hole injection layer 3 and the electron injection layer 7 in the light emitting device 100, the transport efficiency of holes and electrons to the light emitting layer 5 through the hole transport layer 4 and the electron transport layer 6 will be increased. You can. As a result, the luminous efficiency of the light-emitting layer 5 is further improved, and a light-emitting element that can emit light at high brightness and has a long lifespan is obtained.
[발광층(5)][Luminous layer (5)]
발광층(5)은, 발광층(5)에 주입된 정공 및 전자의 재결합에 의해 생기는 에너지를 이용하여, 발광을 생기게 하는 기능을 갖는다. 본 실시형태의 발광층(5)은, 400∼500 nm의 범위의 파장의 청색광을 발하고, 보다 바람직하게는 420∼480 nm의 범위이다. The light-emitting layer 5 has a function of generating light emission using energy generated by recombination of holes and electrons injected into the light-emitting layer 5. The light-emitting layer 5 of this embodiment emits blue light with a wavelength in the range of 400 to 500 nm, and more preferably in the range of 420 to 480 nm.
발광층(5)은, 발광 재료(게스트 재료 또는 도펀트 재료) 및 호스트 재료를 포함하는 것이 바람직하다. 호스트 재료와 발광 재료의 질량비에 특별히 제한은 없고, 통상 10:1∼300:1의 범위가 바람직하다. The light-emitting layer 5 preferably contains a light-emitting material (guest material or dopant material) and a host material. There is no particular limitation on the mass ratio between the host material and the light-emitting material, and a range of usually 10:1 to 300:1 is preferable.
발광 재료로는, 일중항 여기 에너지를 광으로 변환 가능한 화합물 또는 삼중항 여기 에너지를 광으로 변환 가능한 화합물을 사용할 수 있고, 유기 저분자 형광 재료, 유기 고분자 형광 재료 및 유기 인광 재료로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하다. As the light emitting material, a compound capable of converting singlet excitation energy into light or a compound capable of converting triplet excitation energy into light may be used, and may be selected from the group consisting of organic low molecule fluorescent materials, organic polymer fluorescent materials, and organic phosphorescent materials. It is preferable to include at least one type.
일중항 여기 에너지를 광으로 변환 가능한 화합물로는, 형광을 발하는 유기 저분자 형광 재료 또는 유기 고분자 형광 재료를 들 수 있다. Compounds that can convert singlet excitation energy into light include organic low-molecular-weight fluorescent materials or organic polymer fluorescent materials that emit fluorescence.
유기 저분자 형광 재료로는, 안트라센 구조, 테트라센 구조, 크리센 구조, 페난트렌 구조, 피렌 구조, 페릴렌 구조, 스틸벤 구조, 아크리돈 구조, 쿠마린 구조, 페녹사진 구조 또는 페노티아진 구조를 갖는 화합물이 바람직하다.Organic low-molecular-weight fluorescent materials include anthracene structure, tetracene structure, chrysene structure, phenanthrene structure, pyrene structure, perylene structure, stilbene structure, acridone structure, coumarin structure, phenoxazine structure, or phenothiazine structure. Compounds having
유기 저분자 형광 재료의 구체예로는, 예컨대, 5,6-비스[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-2,2'-비피리딘, 5,6-비스[4'-(10-페닐-9-안트릴)비페닐-4-일]-2,2'-비피리딘, N,N'-비스[4-(9H-카르바졸-9-일)페닐]-N,N'-디페닐스틸벤-4,4'-디아민, 4-(9H-카르바졸-9-일)-4'-(10-페닐-9-안트릴)트리페닐아민, 4-(9H-카르바졸-9-일)-4'-(9,10-디페닐-2-안트릴)트리페닐아민, N,9-디페닐-N-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카르바졸-3-아민, 4-(10-페닐-9-안트릴)-4'-(9-페닐-9H-카르바졸-3-일)트리페닐아민, 4-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-4'-(9-페닐-9H-카르바졸-3-일)트리페닐아민, 페릴렌, 2,5,8,11-테트라(tert-부틸)페릴렌, N,N'-디페닐-N,N'-비스[4-(9-페닐-9H-플루오렌-9-일)페닐]피렌-1,6-디아민, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-비스[3-(9-페닐-9H-플루오렌-9-일)페닐]-피렌-1,6-디아민, N,N'-비스(디벤조푸란-2-일)-N,N'-디페닐피렌-1,6-디아민, N,N'-비스(디벤조티오펜-2-일)-N,N'-디페닐피렌-1,6-디아민, N,N"-(2-tert-부틸안트라센-9,10-디일디-4,1-페닐렌)비스[N,N',N'-트리페닐-1,4-페닐렌디아민], N,9-디페닐-N-[4-(9,10-디페닐-2-안트릴)페닐]-9H-카르바졸-3-아민, N-[4-(9,10-디페닐-2-안트릴)페닐]-N,N',N'-트리페닐-1,4-페닐렌디아민, N,N,N',N',N",N",N"',N"'-옥타페닐디벤조[g,p]크리센-2,7,10,15-테트라아민, 쿠마린 30, N-(9,10-디페닐-2-안트릴)-N,9-디페닐-9H-카르바졸-3-아민, N-(9,10-디페닐-2-안트릴)-N,N',N'-트리페닐-1,4-페닐렌디아민, N,N,9-트리페닐안트라센-9-아민, 쿠마린 6, 쿠마린 545T, N,N'-디페닐퀴나크리돈, 루브렌, 5,12-비스(1,1'-비페닐-4-일)-6,11-디페닐테트라센, 2-(2-{2-[4-(디메틸아미노)페닐]에테닐}-6-메틸-4H-피란-4-일리덴)프로판디니트릴, 2-{2-메틸-6-[2-(2,3,6,7-테트라히드로-1H,5H-벤조[ij]퀴놀리진-9-일)에테닐]-4H-피란-4-일리덴}프로판디니트릴, N,N,N',N'-테트라키스(4-메틸페닐)테트라센-5,11-디아민, 7,14-디페닐-N,N,N',N'-테트라키스(4-메틸페닐)아세나프토[1,2-a]플루오란텐-3,10-디아민, 2-{2-이소프로필-6-[2-(1,1,7,7-테트라메틸-2,3,6,7-테트라히드로-1H,5H-벤조[ij]퀴놀리진-9-일)에테닐]-4H-피란-4-일리덴}프로판디니트릴, 2-{2-tert-부틸-6-[2-(1,1,7,7-테트라메틸-2,3,6,7-테트라히드로-1H,5H-벤조[ij]퀴놀리진-9-일)에테닐]-4H-피란-4-일리덴}프로판디니트릴, 2-(2,6-비스{2-[4-(디메틸아미노)페닐]에테닐}-4H-피란-4-일리덴)프로판디니트릴, 2-{2,6-비스[2-(8-메톡시-1,1,7,7-테트라메틸-2,3,6,7-테트라히드로-1H,5H-벤조[ij]퀴놀리진-9-일)에테닐]-4H-피란-4-일리덴}프로판디니트릴, 5,10,15,20-테트라페닐비스벤조[5,6]인데노[1,2,3-cd:1',2',3'-lm]페릴렌 등을 들 수 있다.Specific examples of organic low-molecular-weight fluorescent materials include, for example, 5,6-bis[4-(10-phenyl-9-anthryl)phenyl]-2,2'-bipyridine, 5,6-bis[4'- (10-phenyl-9-anthryl)biphenyl-4-yl]-2,2'-bipyridine, N,N'-bis[4-(9H-carbazol-9-yl)phenyl]-N, N'-diphenylstilbene-4,4'-diamine, 4-(9H-carbazol-9-yl)-4'-(10-phenyl-9-anthryl)triphenylamine, 4-(9H- Carbazol-9-yl)-4'-(9,10-diphenyl-2-anthryl)triphenylamine, N,9-diphenyl-N-[4-(10-phenyl-9-anthryl) Phenyl]-9H-carbazol-3-amine, 4-(10-phenyl-9-anthryl)-4'-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)triphenylamine, 4-[4 -(10-phenyl-9-anthryl)phenyl]-4'-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)triphenylamine, perylene, 2,5,8,11-tetra (tert- Butyl)perylene, N,N'-diphenyl-N,N'-bis[4-(9-phenyl-9H-fluoren-9-yl)phenyl]pyrene-1,6-diamine, N,N' -bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis[3-(9-phenyl-9H-fluoren-9-yl)phenyl]-pyrene-1,6-diamine, N,N'-bis(di Benzofuran-2-yl)-N,N'-diphenylpyrene-1,6-diamine, N,N'-bis(dibenzothiophen-2-yl)-N,N'-diphenylpyrene-1 ,6-diamine, N,N"-(2-tert-butylanthracene-9,10-diyldi-4,1-phenylene)bis[N,N',N'-triphenyl-1,4-phenyl lendiamine], N,9-diphenyl-N-[4-(9,10-diphenyl-2-anthryl)phenyl]-9H-carbazol-3-amine, N-[4-(9,10 -diphenyl-2-anthryl)phenyl]-N,N',N'-triphenyl-1,4-phenylenediamine, N,N,N',N',N",N",N"' ,N"'-octaphenyldibenzo[g,p]chrysene-2,7,10,15-tetraamine, coumarin 30, N-(9,10-diphenyl-2-anthryl)-N,9 -Diphenyl-9H-carbazol-3-amine, N-(9,10-diphenyl-2-anthryl)-N,N',N'-triphenyl-1,4-phenylenediamine, N, N,9-triphenylanthracene-9-amine, coumarin 6, coumarin 545T, N,N'-diphenylquinacridone, rubrene, 5,12-bis(1,1'-biphenyl-4-yl) -6,11-diphenyltetracene, 2-(2-{2-[4-(dimethylamino)phenyl]ethenyl}-6-methyl-4H-pyran-4-ylidene)propandinitrile, 2- {2-methyl-6-[2-(2,3,6,7-tetrahydro-1H,5H-benzo[ij]quinolizin-9-yl)ethenyl]-4H-pyran-4-ylidene }Propanedinitrile, N,N,N',N'-tetrakis(4-methylphenyl)tetracene-5,11-diamine, 7,14-diphenyl-N,N,N',N'-tetrakis (4-methylphenyl)acenaphtho[1,2-a]fluoranthene-3,10-diamine, 2-{2-isopropyl-6-[2-(1,1,7,7-tetramethyl- 2,3,6,7-tetrahydro-1H,5H-benzo[ij]quinolizin-9-yl)ethenyl]-4H-pyran-4-ylidene}propandinitrile, 2-{2-tert -Butyl-6-[2-(1,1,7,7-tetramethyl-2,3,6,7-tetrahydro-1H,5H-benzo[ij]quinolizin-9-yl)ethenyl] -4H-pyran-4-ylidene}propandinitrile, 2-(2,6-bis{2-[4-(dimethylamino)phenyl]ethenyl}-4H-pyran-4-ylidene)propandinitrile , 2-{2,6-bis[2-(8-methoxy-1,1,7,7-tetramethyl-2,3,6,7-tetrahydro-1H,5H-benzo[ij]quinoli gin-9-yl)ethenyl]-4H-pyran-4-ylidene}propandinitrile, 5,10,15,20-tetraphenylbisbenzo[5,6]indeno[1,2,3-cd :1',2',3'-lm] perylene, etc.
유기 고분자 형광 재료로는, 예컨대, 플루오렌 유도체에 기초하는 단위로 이루어진 호모폴리머, 플루오렌 유도체에 기초하는 단위와 테트라페닐페닐렌디아민 유도체에 기초하는 단위로 이루어진 코폴리머, 터페닐 유도체에 기초하는 단위로 이루어진 호모폴리머, 디페닐벤조플루오렌 유도체에 기초하는 단위로 이루어진 호모폴리머 등을 들 수 있다. Organic polymer fluorescent materials include, for example, homopolymers made up of units based on fluorene derivatives, copolymers made up of units based on fluorene derivatives and units based on tetraphenylphenylenediamine derivatives, and fluorescent substances based on terphenyl derivatives. Examples include homopolymers made of units, homopolymers made of units based on diphenylbenzofluorene derivatives, etc.
삼중항 여기 에너지를 광으로 변환 가능한 화합물로는, 인광을 발하는 유기 인광 재료가 바람직하다. 유기 인광 재료로는, 예컨대, Ir, Rh, Pt, Ru, Os, Sc, Y, Gd, Pd, Ag, Au, Al로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종의 금속 원자를 포함하는 금속 착체를 들 수 있다. 그 중에서도, Ir, Rh, Pt, Ru, Os, Sc, Y, Gd 및 Pd로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종의 금속 원자를 포함하는 금속 착체가 바람직하고, Ir, Rh, Pt 및 Ru로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종의 금속 원자를 포함하는 금속 착체가 보다 바람직하고, Ir 착체 또는 Pt 착체가 더욱 바람직하다. As a compound capable of converting triplet excitation energy into light, an organic phosphorescent material that emits phosphorescence is preferable. Examples of organic phosphorescent materials include metal complexes containing at least one metal atom selected from the group consisting of Ir, Rh, Pt, Ru, Os, Sc, Y, Gd, Pd, Ag, Au, and Al. You can. Among them, a metal complex containing at least one metal atom selected from the group consisting of Ir, Rh, Pt, Ru, Os, Sc, Y, Gd and Pd is preferred, and a metal complex consisting of Ir, Rh, Pt and Ru A metal complex containing at least one metal atom selected from the group is more preferable, and an Ir complex or a Pt complex is more preferable.
발광층(5)은 호스트 재료를 포함해도 좋다. 호스트 재료는, 발광층(5)에 주입된 정공과 전자의 재결합의 장을 제공하여, 그 분자 상에서의 정공-전자쌍(여기자; 엑시톤)의 형성을 촉진한다. 이 여기자의 여기 에너지는, 나노 결정으로 이동(푀르스터 공명 에너지 이동)하여 발광한다. 이러한 현상을 이용함으로써, 발광층(5)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다. The light emitting layer 5 may contain a host material. The host material provides a field for recombination of holes and electrons injected into the light emitting layer 5 and promotes the formation of hole-electron pairs (exciton) on the molecule. The excitation energy of this exciton moves to the nanocrystal (Förster resonance energy transfer) and emits light. By utilizing this phenomenon, the luminous efficiency of the light emitting layer 5 can be improved.
호스트 재료로는, 발광 재료의 에너지갭보다 큰 에너지갭을 갖는 화합물의 적어도 1종을 이용하는 것이 바람직하다. 또한 발광 재료가 인광 재료인 경우, 호스트 재료는, 발광 재료보다 삼중항 여기 에너지(기저 상태와 삼중항 여기 상태와의 에너지차)가 큰 화합물을 선택하는 것이 바람직하다. As the host material, it is preferable to use at least one type of compound having an energy gap larger than that of the light-emitting material. Additionally, when the light-emitting material is a phosphorescent material, it is preferable to select a compound with a triplet excitation energy (energy difference between the ground state and the triplet excited state) larger than the host material than the light-emitting material.
호스트 재료로는, 예컨대, Alq, Almq3, 비스(10-히드록시벤조[h]퀴놀리네이토)베릴륨(II), 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이토)(4-페닐페놀레이토)알루미늄(III), 비스(8-퀴놀리놀레이토)아연(II), 비스[2-(2-벤조옥사졸릴)페놀레이토]아연(II), 비스[2-(2-벤조티아졸릴)페놀레이토]아연(II), 2-(4-비페닐릴)-5-(4-tert-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸, 1,3-비스[5-(p-tert-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸-2-일]벤젠, 3-(4-비페닐릴)-4-페닐-5-(4-tert-부틸페닐)-1,2,4-트리아졸, 2,2',2"-(1,3,5-벤젠트리일)트리스(1-페닐-1H-벤즈이미다졸), 바소페난트롤린, 바소큐프로인, 9-[4-(5-페닐-1,3,4-옥사디아졸-2-일)페닐]-9H-카르바졸, 9,10-디페닐안트라센, N,N-디페닐-9-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카르바졸-3-아민, 4-(10-페닐-9-안트릴)트리페닐아민, N,9-디페닐-N-{4-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]페닐}-9H-카르바졸-3-아민, 6,12-디메톡시-5,11-디페닐크리센, 9-[4-(10-페닐-9-안트라세닐)페닐]-9H-카르바졸, 3,6-디페닐-9-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카르바졸, 9-페닐-3-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카르바졸, 7-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-7H-디벤조[c,g]카르바졸, 6-[3-(9,10-디페닐-2-안트릴)페닐]-벤조[b]나프토[1,2-d]푸란, 9-페닐-10-{4-(9-페닐-9H-플루오렌-9-일)비페닐-4'-일}안트라센, 9,10-비스(3,5-디페닐페닐)안트라센, 9,10-디(2-나프틸)안트라센, 2-tert-부틸-9,10-디(2-나프틸)안트라센, 9,9'-비안트릴, 9,9'-(스틸벤-3,3'-디일)디페난트렌, 9,9'-(스틸벤-4,4'-디일)디페난트렌, 1,3,5-트리(1-피레닐)벤젠, 5,12-디페닐테트라센 또는 5,12-비스(비페닐-2-일)테트라센 등을 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 병용해도 좋다.Host materials include, for example, Alq, Almq3, bis(10-hydroxybenzo[h]quinolinato)beryllium(II), and bis(2-methyl-8-quinolinolato)(4-phenylphenolate). ) Aluminum (III), bis (8-quinolinoleto) zinc (II), bis [2- (2-benzooxazolyl) phenolate] zinc (II), bis [2- (2-benzothiazolyl) Phenolato]zinc(II), 2-(4-biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole, 1,3-bis[5-(p- tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl]benzene, 3-(4-biphenylyl)-4-phenyl-5-(4-tert-butylphenyl)-1,2 ,4-triazole, 2,2',2"-(1,3,5-benzenetriyl)tris(1-phenyl-1H-benzimidazole), vasophenanthroline, vasocuproine, 9- [4-(5-phenyl-1,3,4-oxadiazol-2-yl)phenyl]-9H-carbazole, 9,10-diphenylanthracene, N,N-diphenyl-9-[4- (10-phenyl-9-anthryl)phenyl]-9H-carbazol-3-amine, 4-(10-phenyl-9-anthryl)triphenylamine, N,9-diphenyl-N-{4- [4-(10-phenyl-9-anthryl)phenyl]phenyl}-9H-carbazol-3-amine, 6,12-dimethoxy-5,11-diphenylchrysene, 9-[4-(10 -phenyl-9-anthracenyl)phenyl]-9H-carbazole, 3,6-diphenyl-9-[4-(10-phenyl-9-anthryl)phenyl]-9H-carbazole, 9-phenyl- 3-[4-(10-phenyl-9-anthryl)phenyl]-9H-carbazole, 7-[4-(10-phenyl-9-anthryl)phenyl]-7H-dibenzo[c,g] Carbazole, 6-[3-(9,10-diphenyl-2-anthryl)phenyl]-benzo[b]naphtho[1,2-d]furan, 9-phenyl-10-{4-(9 -phenyl-9H-fluoren-9-yl)biphenyl-4'-yl}anthracene, 9,10-bis(3,5-diphenylphenyl)anthracene, 9,10-di(2-naphthyl)anthracene , 2-tert-butyl-9,10-di(2-naphthyl)anthracene, 9,9'-bianthryl, 9,9'-(stilbene-3,3'-diyl)diphenanthrene, 9, 9'-(stilbene-4,4'-diyl)diphenanthrene, 1,3,5-tri(1-pyrenyl)benzene, 5,12-diphenyltetracene or 5,12-bis(biphenyl) -2-yl) Tetracene and the like may be used individually or in combination of two or more types.
발광층(5)의 평균 두께는, 통상 1∼100 nm의 범위인 것이 바람직하고, 1∼50 nm의 범위가 보다 바람직하다. The average thickness of the light emitting layer 5 is usually preferably in the range of 1 to 100 nm, and more preferably in the range of 1 to 50 nm.
발광층(5)은, 습식 성막법 또는 건식 성막법에 의해 형성할 수 있다. 습식 제막법 및 건식 제막법에 대해서는 정공 주입층(3)의 설명에서 전술한 바와 같다. The light emitting layer 5 can be formed by a wet film forming method or a dry film forming method. The wet film forming method and the dry film forming method are as described above in the description of the hole injection layer 3.
한편, EL 광원부(200)는, 예컨대 정공 주입층(3), 정공 수송층(4) 및 발광층(5)을 구획하는 뱅크(격벽)를 더 갖고 있어도 좋다. 뱅크의 높이는 특별히 한정되지 않고, 통상 0.1∼5 μm의 범위가 바람직하고, 0.2∼4 μm의 범위가 보다 바람직하고, 0.2∼3 μm의 범위가 더욱 바람직하다. On the other hand, the EL light source unit 200 may further have, for example, a bank (partition) that partitions the hole injection layer 3, the hole transport layer 4, and the light emitting layer 5. The height of the bank is not particularly limited, and is generally preferably in the range of 0.1 to 5 μm, more preferably in the range of 0.2 to 4 μm, and even more preferably in the range of 0.2 to 3 μm.
뱅크의 개구의 폭은, 10∼200 μm의 범위가 바람직하고, 30∼200 μm의 범위가 보다 바람직하고, 50∼100 μm의 범위가 더욱 바람직하다. 뱅크의 개구의 길이는, 10∼400 μm의 범위가 바람직하고, 20∼200 μm의 범위가 보다 바람직하고, 50∼200 μm의 범위가 더욱 바람직하다. The width of the opening of the bank is preferably in the range of 10 to 200 μm, more preferably in the range of 30 to 200 μm, and even more preferably in the range of 50 to 100 μm. The length of the bank opening is preferably in the range of 10 to 400 μm, more preferably in the range of 20 to 200 μm, and even more preferably in the range of 50 to 200 μm.
또한, 뱅크의 경사 각도는, 10∼100°의 범위가 바람직하고, 10∼90°의 범위가 보다 바람직하고, 10∼80°의 범위가 더욱 바람직하다. Additionally, the bank inclination angle is preferably in the range of 10 to 100 degrees, more preferably in the range of 10 to 90 degrees, and even more preferably in the range of 10 to 80 degrees.
발광 소자(100)는, 발광층(5)과 전자 수송층(6)의 사이에 정공 블록층을 더 갖고 있어도 좋다. 정공 블록층은, 정공 수송층(4)으로부터 수송된 정공이 발광층(5)을 통과하여, 전자 수송층(6)으로 이동하는 것을 규제하는 기능을 갖는다. 정공 블록층을 형성하면, 발광층(5) 중에서 전자와 재결합할 수 없었던 정공을 전자 수송층(6)으로 빠지게 하지 않고, 발광층(5) 중에 머무르게 할 수 있다. 발광층(5) 중에 머무른 정공은, 다시 전자와의 재결합의 기회를 얻을 수 있기 때문에 허비되지 않고, 발광층(5)의 발광 효율을 보다 향상시킬 수 있다. The light emitting element 100 may further have a hole blocking layer between the light emitting layer 5 and the electron transport layer 6. The hole blocking layer has a function of regulating the movement of holes transported from the hole transport layer 4 through the light emitting layer 5 to the electron transport layer 6. By forming a hole block layer, holes that were unable to recombine with electrons in the light-emitting layer 5 can be allowed to stay in the light-emitting layer 5 instead of escaping into the electron transport layer 6. Since the holes remaining in the light-emitting layer 5 have the opportunity to recombine with electrons again, they are not wasted, and the luminous efficiency of the light-emitting layer 5 can be further improved.
정공 블록층의 구성 재료로는, 전술한 전자 수송 재료를, 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. As a constituent material of the hole blocking layer, the above-described electron transport materials can be used individually or in combination of two or more types.
정공 블록층의 평균 두께는 특별히 한정되지 않고, 통상 1∼500 nm의 범위가 바람직하고, 2∼300 nm의 범위가 보다 바람직하고, 3∼200 nm의 범위가 더욱 바람직하다. 또한, 정공 블록층은, 단층이어도 좋고, 2층 이상이 적층된 적층 구성이어도 좋다. The average thickness of the hole blocking layer is not particularly limited, and is usually preferably in the range of 1 to 500 nm, more preferably in the range of 2 to 300 nm, and even more preferably in the range of 3 to 200 nm. Additionally, the hole blocking layer may be a single layer or may have a laminated structure in which two or more layers are stacked.
정공 블록층은, 습식 성막법 또는 건식 성막법에 의해 형성할 수 있다. 습식 제막법 및 건식 제막법에 대해서는 정공 주입층(3)의 설명에서 전술한 바와 같다. The hole blocking layer can be formed by a wet film forming method or a dry film forming method. The wet film forming method and the dry film forming method are as described above in the description of the hole injection layer 3.
또한, 발광 소자(100)는, 광을 적절히 반사시키기 위한 반사층, 광을 적절히 투과시키기 위한 투명 광학 조정층, 광을 적절히 투과 및 산란시키기 위한 광산란층을 더 갖고 있어도 좋다. Additionally, the light emitting element 100 may further include a reflective layer for appropriately reflecting light, a transparent optical adjustment layer for appropriately transmitting light, and a light scattering layer for appropriately transmitting and scattering light.
발광 소자(100)의 실시형태는, 전술한 구성에 한정되지 않고, 다른 임의의 구성을 추가로 구비해도 좋고, 동일한 기능을 발휘하는 임의의 구성과 치환되어도 좋다. The embodiment of the light emitting element 100 is not limited to the above-described configuration, and may further include any other configuration, or may be replaced with any configuration that performs the same function.
<광변환층(12)> <Light conversion layer (12)>
광변환층(12)은, EL 광원부(200)로부터 발생한 광을 변환하여 재발광하거나, 혹은, EL 광원부(200)로부터 발생한 광을 투과한다. The light conversion layer 12 converts the light generated from the EL light source unit 200 and re-emits it, or transmits the light generated from the EL light source unit 200.
광변환층은, 도 2에 도시하는 바와 같이, 화소부(20)로서, 상기 범위의 파장의 광을 변환하여 적색광을 발하는 제1 화소부(20a)와, 상기 범위의 파장의 광을 변환하여 녹색광을 발하는 제2 화소부(20b)와, 상기 범위의 파장의 광을 투과하는 제3 화소부(20c)를 갖고 있다. 복수의 제1 화소부(20a), 제2 화소부(20b) 및 제3 화소부(20c)가, 이 순으로 반복되도록 격자형으로 배열되어 있다. 그리고, 인접하는 화소부의 사이, 즉, 제1 화소부(20a)와 제2 화소부(20b) 사이, 제2 화소부(20b)와 제3 화소부(20c) 사이, 제3 화소부(20c)와 제1 화소부(20a) 사이에, 광을 차폐하는 차광부(30)가 설치되어 있다. 바꾸어 말하면, 인접하는 화소부(20)끼리는, 차광부(30)에 의해 이격되어 있다. 또, 제1 화소부(20a) 및 제2 화소부(20b)는, 각각의 색에 대응한 색재를 포함해도 좋다. As shown in FIG. 2, the light conversion layer is a pixel unit 20, which includes a first pixel unit 20a that converts light with a wavelength in the above range to emit red light, and a first pixel unit 20a that converts light with a wavelength in the above range to emit red light. It has a second pixel portion 20b that emits green light, and a third pixel portion 20c that transmits light with a wavelength in the above range. A plurality of first pixel portions 20a, second pixel portions 20b, and third pixel portions 20c are arranged in a grid so that this order is repeated. And, between adjacent pixel units, that is, between the first pixel unit 20a and the second pixel unit 20b, between the second pixel unit 20b and the third pixel unit 20c, and between the third pixel unit 20c. ) and the first pixel portion 20a, a light blocking portion 30 that blocks light is provided. In other words, adjacent pixel portions 20 are spaced apart from each other by the light blocking portion 30 . Additionally, the first pixel portion 20a and the second pixel portion 20b may contain colorants corresponding to each color.
제1 화소부(20a) 및 제2 화소부(20b)는, 각각 전술한 조성물로 형성되는 발광성의 화소부이다. 여기서, 제1 화소부(20a) 및 제2 화소부(20b)는, 발광성 입자와 열가소성 수지를 함유하고 있고, 광을 산란시켜 외부로 확실하게 취출하기 위해 광산란 입자를 더 포함하는 것이 바람직하다. The first pixel portion 20a and the second pixel portion 20b are light-emitting pixel portions each formed of the composition described above. Here, the first pixel portion 20a and the second pixel portion 20b contain luminescent particles and a thermoplastic resin, and preferably further contain light-scattering particles in order to scatter light and reliably extract it to the outside.
제1 화소부(20a)는, 제1 수지 성분(22a)과, 제1 수지 성분(22a) 중에 분산된 제1 발광성 입자(90a) 및 제1 광산란 입자(21a)를 포함한다. 마찬가지로, 제2 화소부(20b)는, 제2 수지 성분(22b)과, 제2 수지 성분(22b) 중에 분산된 제2 발광성 입자(90b) 및 제2 광산란 입자(21b)를 포함한다. The first pixel portion 20a includes a first resin component 22a, and first luminescent particles 90a and first light scattering particles 21a dispersed in the first resin component 22a. Similarly, the second pixel portion 20b includes the second resin component 22b, and the second luminescent particles 90b and second light scattering particles 21b dispersed in the second resin component 22b.
여기서, 수지 성분은, 열가소성 수지를 주로 하는 성분이며, 조성물 중의 유기 성분(분산제 등)이 포함되어 있어도 좋다. Here, the resin component is a component mainly composed of a thermoplastic resin, and may contain organic components (dispersants, etc.) in the composition.
제1 화소부(20a) 및 제2 화소부(20b)에 있어서, 제1 수지 성분(22a)과 제2 수지 성분(22b)은 동일해도 좋고 상이해도 좋으며, 제1 광산란 입자(21a)와 제2 광산란 입자(21b)는 동일해도 좋고 상이해도 좋다. In the first pixel portion 20a and the second pixel portion 20b, the first resin component 22a and the second resin component 22b may be the same or different, and the first light scattering particles 21a and the second resin component 22b may be the same or different. 2 The light scattering particles 21b may be the same or different.
제1 발광성 입자(90a)는, 420∼480 nm의 범위의 파장의 광을 흡수하여 605∼665 nm의 범위에 발광 스펙트럼의 피크 파장을 갖는 광을 발하는, 적색 발광성 입자이다. 즉, 제1 화소부(20a)는, 청색광을 적색광으로 변환하기 위한 적색 화소부라고 할 수 있다. The first luminescent particle 90a is a red luminescent particle that absorbs light with a wavelength in the range of 420 to 480 nm and emits light with a peak wavelength of the luminescence spectrum in the range of 605 to 665 nm. That is, the first pixel unit 20a can be said to be a red pixel unit for converting blue light into red light.
또한, 제2 발광성 입자(90b)는, 420∼480 nm의 범위의 파장의 광을 흡수하여 500∼560 nm의 범위에 발광 스펙트럼의 피크 파장을 갖는 광을 발하는, 녹색 발광성 입자이다. 즉, 제2 화소부(20b)는, 청색광을 녹색광으로 변환하기 위한 녹색 화소부라고 할 수 있다. Additionally, the second luminescent particles 90b are green luminescent particles that absorb light with a wavelength in the range of 420 to 480 nm and emit light with a peak wavelength of the luminescence spectrum in the range of 500 to 560 nm. That is, the second pixel unit 20b can be said to be a green pixel unit for converting blue light into green light.
화소부(20a, 20b)에서의 발광성 입자의 함유량은, 외부 양자 효율의 향상 효과가 보다 우수하다는 관점 및 우수한 발광 강도가 얻어진다는 관점에서, 조성물 중의 고형분의 전체 질량을 기준으로 0.1 질량% 이상인 것이 바람직하고, 1 질량% 이상이 보다 바람직하고, 2 질량% 이상이 더욱 바람직하고, 3 질량% 이상이 특히 바람직하다. 발광성 입자의 함유량은, 화소부(20a, 20b)의 신뢰성이 우수하다는 관점 및 우수한 발광 강도가 얻어진다는 관점에서, 조성물 중의 고형분의 전체 질량을 기준으로 30 질량% 이하인 것이 바람직하고, 25 질량% 이하가 보다 바람직하고, 20 질량% 이하가 더욱 바람직하고, 15 질량% 이하가 특히 바람직하다. The content of luminescent particles in the pixel portions 20a and 20b is 0.1% by mass or more based on the total mass of solids in the composition from the viewpoint of improving the external quantum efficiency and obtaining excellent luminous intensity. It is preferable, 1 mass% or more is more preferable, 2 mass% or more is still more preferable, and 3 mass% or more is especially preferable. The content of the luminescent particles is preferably 30% by mass or less, and 25% by mass or less, based on the total mass of solids in the composition, from the viewpoint of excellent reliability of the pixel portions 20a and 20b and from the viewpoint of obtaining excellent luminous intensity. is more preferable, 20 mass% or less is further preferable, and 15 mass% or less is especially preferable.
화소부(20a, 20b)에서의 광산란 입자의 함유량은, 외부 양자 효율의 향상 효과가 보다 우수하다는 관점에서, 발광성 입자의 질량을 기준으로, 0.1 질량% 이상인 것이 바람직하고, 0.5 질량% 이상이 보다 바람직하고, 1 질량% 이상이 더욱 바람직하고, 3 질량% 이상이 특히 바람직하다. 광산란 입자의 함유량은, 외부 양자 효율의 향상 효과가 보다 우수하다는 관점 및 화소부(20)의 신뢰성이 우수하다는 관점에서, 발광성 입자의 질량을 기준으로, 5 질량% 이하인 것이 바람직하고, 10 질량% 이하가 보다 바람직하고, 15 질량% 이하가 더욱 바람직하고, 20 질량% 이하가 특히 바람직하다. The content of light scattering particles in the pixel portions 20a, 20b is preferably 0.1% by mass or more, and more preferably 0.5% by mass or more, based on the mass of the luminescent particles, from the viewpoint of better improvement in external quantum efficiency. It is preferable, 1 mass% or more is more preferable, and 3 mass% or more is especially preferable. The content of light scattering particles is preferably 5% by mass or less, and is 10% by mass, based on the mass of the luminescent particles, from the viewpoint of superior improvement in external quantum efficiency and excellent reliability of the pixel portion 20. Less is more preferable, 15 mass% or less is more preferable, and 20 mass% or less is particularly preferable.
제3 화소부(20c)는, 420∼480 nm의 범위의 파장의 광에 대하여 30% 이상의 투과율을 갖는다. 그 때문에, 제3 화소부(20c)는, 420∼480 nm의 범위의 파장의 광을 발하는 광원을 이용하는 경우에, 청색 화소부로서 기능한다. 제3 화소부(20c)는, 예컨대, 본 발명의 분산체를 구성하는 발광성 입자를 포함하지 않는 것 외에는 전술한 실시형태의 조성물과 동일한 조성인 조성물(비발광성 조성물)로 형성되는, 비발광성의 화소부이다. 제3 화소부(20c)는 발광성 입자를 함유하지 않고, 광산란성 입자와 열가소성 수지를 함유한다. 즉, 제3 화소부(20c)는, 제3 수지 성분(22c)과, 제3 수지 성분(22c) 중에 분산된 제3 광산란성 입자(21c)를 포함한다. The third pixel portion 20c has a transmittance of 30% or more for light with a wavelength in the range of 420 to 480 nm. Therefore, the third pixel portion 20c functions as a blue pixel portion when using a light source that emits light with a wavelength in the range of 420 to 480 nm. The third pixel portion 20c is, for example, a non-luminescent composition formed of a composition (non-luminescent composition) having the same composition as the composition of the above-described embodiment except that it does not contain the luminescent particles constituting the dispersion of the present invention. This is the pixel unit. The third pixel portion 20c does not contain light-emitting particles, but contains light-scattering particles and thermoplastic resin. That is, the third pixel portion 20c includes the third resin component 22c and the third light scattering particles 21c dispersed in the third resin component 22c.
제3 수지 성분(22c)은, 예컨대 열가소성 수지를 주로 하는 성분이다. 제3 수지 성분(22c)은, 420∼480 nm의 범위의 파장의 광에 대한 투과율이 30% 이상이 되는 한, 열가소성 수지와, 조성물 중의 유기 성분(분산제 등)이 포함되어 있어도 좋다. The third resin component 22c is, for example, a component mainly composed of a thermoplastic resin. The third resin component 22c may contain a thermoplastic resin and an organic component (dispersant, etc.) in the composition as long as the transmittance for light with a wavelength in the range of 420 to 480 nm is 30% or more.
제3 광산란성 입자(21c)는, 제1 광산란성 입자(21a) 및 제2 광산란성 입자(21b)와 동일해도 좋고 상이해도 좋다. The third light-scattering particles 21c may be the same as or different from the first light-scattering particles 21a and the second light-scattering particles 21b.
화소부(20c)에서의 광산란 입자의 함유량은, 시야각에서의 광강도차를 보다 저감하는 관점에서, 비발광성 조성물 중의 고형분의 전체 질량을 기준으로, 1 질량% 이상인 것이 바람직하고, 3 질량% 이상이 보다 바람직하고, 5 질량% 이상이 더욱 바람직하다. 광산란 입자의 함유량은, 광반사를 보다 저감하는 관점에서, 비발광성 조성물 중의 고형분의 전체 질량을 기준으로, 80 질량% 이하인 것이 바람직하고, 75 질량% 이하가 보다 바람직하고, 70 질량% 이하가 더욱 바람직하다. The content of light scattering particles in the pixel portion 20c is preferably 1% by mass or more, and 3% by mass or more, based on the total mass of solids in the non-luminescent composition, from the viewpoint of further reducing the light intensity difference at the viewing angle. This is more preferable, and 5% by mass or more is further preferable. From the viewpoint of further reducing light reflection, the content of light scattering particles is preferably 80% by mass or less, more preferably 75% by mass or less, and even more preferably 70% by mass or less, based on the total mass of solids in the non-luminescent composition. desirable.
한편, 제3 화소부(20c)의 투과율은, 현미 분광 장치에 의해 측정할 수 있다. Meanwhile, the transmittance of the third pixel portion 20c can be measured using a microspectroscopy device.
화소부(제1 화소부(20a), 제2 화소부(20b) 및 제3 화소부(20c))의 두께는, 1 μm 이상인 것이 바람직하고, 2 μm 이상인 것이 보다 바람직하고, 3 μm 이상인 것이 더욱 바람직하다. The thickness of the pixel portion (the first pixel portion 20a, the second pixel portion 20b, and the third pixel portion 20c) is preferably 1 μm or more, more preferably 2 μm or more, and 3 μm or more. It is more desirable.
화소부(제1 화소부(20a), 제2 화소부(20b) 및 제3 화소부(20c))의 두께는, 20 μm 이하인 것이 바람직하고, 15 μm 이하인 것이 보다 바람직하고, 10 μm 이하인 것이 더욱 바람직하다. The thickness of the pixel portion (the first pixel portion 20a, the second pixel portion 20b, and the third pixel portion 20c) is preferably 20 μm or less, more preferably 15 μm or less, and 10 μm or less. It is more desirable.
차광부(30)는, 인접하는 화소부(20)를 이격하여 혼색(크로스토크)을 방지할 목적 및 광원으로부터의 광누설을 방지할 목적으로 설치되는 격벽부, 소위 블랙 매트릭스이다. The light blocking portion 30 is a partition wall portion, a so-called black matrix, installed for the purpose of separating adjacent pixel portions 20 to prevent color mixing (crosstalk) and to prevent light leakage from a light source.
차광부(30)를 구성하는 재료는 특별히 한정되지 않고, 크롬 등의 금속 외에, 바인더 수지와 카본 미립자, 금속 산화물, 무기 안료, 유기 안료 등의 차광성 입자를 포함하는 수지 조성물 등을 들 수 있다. 바인더 수지에는, 예컨대 폴리이미드 수지, 아크릴수지, 에폭시 수지, 폴리아크릴아미드, 폴리비닐알코올, 젤라틴, 카제인, 셀룰로오스 등의 1종 또는 2종 이상을 포함하는 수지, 감광성 수지, O/W 에멀젼 수지(예컨대, 반응성 실리콘 에멀젼) 등을 사용할 수 있다. The material constituting the light-shielding portion 30 is not particularly limited, and includes, in addition to metals such as chromium, a resin composition containing binder resin and light-shielding particles such as carbon particles, metal oxides, inorganic pigments, and organic pigments. . Binder resins include, for example, resins containing one or more types of polyimide resin, acrylic resin, epoxy resin, polyacrylamide, polyvinyl alcohol, gelatin, casein, cellulose, photosensitive resin, O/W emulsion resin ( For example, reactive silicone emulsion) can be used.
차광부(30)의 두께는, 1 μm 이상 15 μm 이하인 것이 바람직하다. The thickness of the light blocking portion 30 is preferably 1 μm or more and 15 μm or less.
[광변환층(12)의 형성 방법][Method of forming light conversion layer 12]
이상의 제1∼3 화소부(20a∼20c)를 구비하는 광변환층(12)은, 예컨대, 습식 성막법에 의해 형성한 도막을 건조, 가열하여 제막시킴으로써 형성할 수 있다. 제1 화소부(20a) 및 제2 화소부(20b)는, 본 발명의 조성물을 이용하여 형성할 수 있고, 제3 화소부(20c)는, 본 발명의 분산체를 구성하는 발광성 입자를 포함하지 않는, 전술한 비발광성 조성물을 이용하여 형성할 수 있다. The light conversion layer 12 having the above first to third pixel portions 20a to 20c can be formed, for example, by drying and heating a coating film formed by a wet film forming method. The first pixel portion 20a and the second pixel portion 20b can be formed using the composition of the present invention, and the third pixel portion 20c includes luminescent particles constituting the dispersion of the present invention. It can be formed using the non-luminescent composition described above.
본 발명의 조성물의 도막을 얻기 위한 도포법으로는, 잉크젯 인쇄법(피에조 방식 또는 서멀 방식의 액적 토출법), 스핀코트법, 캐스트법, LB법, 토판 인쇄법, 그라비아 인쇄법, 스크린 인쇄법, 노즐 프린트 인쇄법 등을 들 수 있다. Application methods for obtaining a coating film of the composition of the present invention include inkjet printing (piezo or thermal droplet discharge), spin coating, casting, LB, plate printing, gravure printing, and screen printing. , nozzle print printing method, etc.
잉크젯 인쇄법의 경우, 조성물의 토출량은 특별히 한정되지 않고, 통상 1∼50 pL/회인 것이 바람직하고, 1∼30 pL/회가 보다 바람직하고, 1∼20 pL/회가 더욱 바람직하다. In the case of the inkjet printing method, the discharge amount of the composition is not particularly limited, and is usually preferably 1 to 50 pL/time, more preferably 1 to 30 pL/time, and even more preferably 1 to 20 pL/time.
노즐 구멍의 개구 직경은, 5∼50 μm의 범위인 것이 바람직하고, 10∼30 μm의 범위인 것이 보다 바람직하다. 이러한 범위이면, 노즐 구멍이 막히는 것을 방지하면서, 조성물의 토출 정밀도를 높일 수 있다. The opening diameter of the nozzle hole is preferably in the range of 5 to 50 μm, and more preferably in the range of 10 to 30 μm. Within this range, the ejection precision of the composition can be increased while preventing the nozzle hole from clogging.
도막을 형성할 때의 온도는 특별히 한정되지 않고, 통상 10∼50℃의 범위가 바람직하고, 15∼40℃의 범위가 보다 바람직하고, 15∼30℃의 범위가 더욱 바람직하다. 이러한 온도에서 액적을 토출하면, 본 발명의 조성물 중에 포함되는 각종 성분의 결정화를 억제할 수 있다. The temperature at the time of forming the coating film is not particularly limited, and is usually preferably in the range of 10 to 50°C, more preferably in the range of 15 to 40°C, and even more preferably in the range of 15 to 30°C. When liquid droplets are discharged at this temperature, crystallization of various components contained in the composition of the present invention can be suppressed.
또한, 도막을 형성할 때의 상대 습도도 특별히 한정되지 않고, 통상 0.01 ppm∼80%의 범위인 것이 바람직하고, 0.05 ppm∼60%의 범위가 보다 바람직하고, 0.1 ppm∼15%의 범위가 더욱 바람직하고, 1 ppm∼1%의 범위가 특히 바람직하고, 5∼100 ppm의 범위가 가장 바람직하다. Additionally, the relative humidity when forming the coating film is not particularly limited, and is generally preferably in the range of 0.01 ppm to 80%, more preferably in the range of 0.05 ppm to 60%, and even more preferably in the range of 0.1 ppm to 15%. Preferred, the range of 1 ppm to 1% is particularly preferable, and the range of 5 to 100 ppm is most preferable.
조성물에 탄화수소, 할로겐화탄화수소, 에테르, 알코올, 케톤, 에스테르, 비프로톤성 극성 화합물 등을 용매로서 첨가한 경우는, 조성물을 기판 상에 도포 후, 자연 건조, 가열하 또는 감압하에서의 건조를 행한다. 생산성의 관점에서, 가열하, 또는 가열하 및 감압하에 건조를 행하는 것이 바람직하다. 가열 온도는, 첨가한 용매의 비점 및 증기압도 고려하여, 통상 50∼130℃이 바람직하고, 60∼120℃가 보다 바람직하다. 감압하의 압력은, 통상 0.001∼100 Pa의 범위가 바람직하다. 또한, 건조 시간은, 통상 1∼30분간이 바람직하다. 건조에 의해 용매를 도막으로부터 제거함으로써, 얻어지는 광변환층의 외부 양자 효율을 보다 향상시킬 수 있다. When hydrocarbons, halogenated hydrocarbons, ethers, alcohols, ketones, esters, aprotic polar compounds, etc. are added to the composition as solvents, the composition is applied on a substrate and then dried naturally, under heating, or under reduced pressure. From the viewpoint of productivity, it is preferable to perform drying under heating or under heating and reduced pressure. The heating temperature is usually preferably 50 to 130°C, more preferably 60 to 120°C, considering the boiling point and vapor pressure of the added solvent. The pressure under reduced pressure is usually preferably in the range of 0.001 to 100 Pa. Additionally, the drying time is usually preferably 1 to 30 minutes. By removing the solvent from the coating film by drying, the external quantum efficiency of the resulting light conversion layer can be further improved.
전술한 바와 같이, 본 발명의 조성물은 발광 특성의 변화가 적고, 장기 보존성, 보존 안정성이 우수하고, 성형체(도막)인 화소부(20)에 있어서도 양호한 발광을 실현할 수 있다. 또한, 본 발명의 조성물은 분산성이 우수하기 때문에 발광성 입자의 분산성이 우수하고, 또한 평탄한 화소부(20)를 얻기 쉽다. As described above, the composition of the present invention has little change in luminescence characteristics, is excellent in long-term storage and storage stability, and can realize good luminescence even in the pixel portion 20, which is a molded body (coated film). Additionally, since the composition of the present invention has excellent dispersibility, the dispersibility of the luminescent particles is excellent, and it is easy to obtain a flat pixel portion 20.
또한, 제1 화소부(20a) 및 제2 화소부(20b)에 포함되는 발광성 입자가, 페로브스카이트형 결정 구조를 갖는 반도체 나노 결정을 포함하는 경우는, 300∼500 nm의 파장 영역의 흡수가 크다. 그 때문에, 제1 화소부(20a) 및 제2 화소부(20b)에 있어서, 제1 화소부(20a) 및 제2 화소부(20b)에 입사한 청색광이 상기판(13)측으로 투과하는, 즉, 청색광이 상기판(13)측으로 새는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 본 발명의 분산체를 구성하는 발광성 입자를 포함하는, 제1 화소부(20a) 및 제2 화소부(20b)에 의하면, 청색광이 혼색되지 않고, 색순도가 높은 적색광 및 녹색광을 취출할 수 있다. In addition, when the light-emitting particles included in the first pixel portion 20a and the second pixel portion 20b include semiconductor nanocrystals having a perovskite-type crystal structure, absorption in the wavelength range of 300 to 500 nm is observed. is big. Therefore, in the first pixel portion 20a and the second pixel portion 20b, the blue light incident on the first pixel portion 20a and the second pixel portion 20b transmits toward the upper plate 13. In other words, blue light can be prevented from leaking toward the upper plate 13. Therefore, according to the first pixel portion 20a and the second pixel portion 20b containing the luminescent particles constituting the dispersion of the present invention, red light and green light with high color purity can be extracted without mixing blue light. there is.
발광 소자(100)는, 톱 에미션형 대신 바텀 에미션형으로서 구성할 수도 있다. 또한, 발광 소자(100)는 EL 광원부(200) 대신 다른 광원을 사용할 수도 있다. The light emitting element 100 may be configured as a bottom emission type instead of a top emission type. Additionally, the light emitting device 100 may use another light source instead of the EL light source unit 200.
전술한 발광 소자는, 컬러 필터를 구비한 컬러 표시 디바이스에 대한 적용에 적합하다. 여기서, 컬러 표시 디바이스란, 예컨대, 텔레비젼, 모니터, 스마트폰, 휴대전화 등의 컬러 표시를 행하는 디바이스이며, 액정층을 이용하지 않는 타입과 액정층을 이용하는 타입을 모두 포함한다. The above-described light emitting element is suitable for application to a color display device equipped with a color filter. Here, a color display device is a device that performs color display, such as a television, monitor, smartphone, or mobile phone, and includes both types that do not use a liquid crystal layer and types that use a liquid crystal layer.
이상, 본 발명의 분산체, 상기 분산체를 포함하는 조성물 및 상기 조성물로 형성되는 광변환층에 대해 설명하였지만, 본 발명은, 전술한 실시형태의 구성에 한정되지 않는다. 예컨대, 본 발명의 분산체, 분산체를 포함하는 조성물, 조성물로 형성되는 광변환층은, 각각, 전술한 실시형태의 구성에 있어서, 다른 임의의 구성을 추가하여 갖고 있어도 좋고, 동일한 기능을 발휘하는 임의의 구성과 치환되어 있어도 좋다. Although the dispersion of the present invention, the composition containing the dispersion, and the light conversion layer formed from the composition have been described above, the present invention is not limited to the configuration of the above-described embodiment. For example, the dispersion of the present invention, the composition containing the dispersion, and the light conversion layer formed from the composition may each have other arbitrary components in addition to the configuration of the above-described embodiment, and exhibit the same function. It may be substituted with any configuration.
실시예Example
이하, 실시예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명한다. 다만, 본 발명은 하기의 실시예에만 한정되지 않는다. 한편, 특별히 언급하지 않는 한, 「부」 및 「%」는 질량 기준이다. Hereinafter, the present invention will be described in detail through examples. However, the present invention is not limited to the following examples. Meanwhile, unless otherwise specified, “part” and “%” are based on mass.
A. 함수율이 상이한, 각종 발광성 입자 분산체의 조제예A. Preparation examples of various luminescent particle dispersions with different moisture content
비교예 1Comparative Example 1
우선, 0.12 g의 탄산세슘과, 5 mL의 1-옥타데센과, 0.5 mL의 올레산을 혼합하여, 아르곤 분위기하, 150℃에서 균일하게 용해시킨 후, 100℃까지 냉각시켜 세슘-올레산 용액을 얻었다. First, 0.12 g of cesium carbonate, 5 mL of 1-octadecene, and 0.5 mL of oleic acid were mixed and uniformly dissolved at 150°C in an argon atmosphere, and then cooled to 100°C to obtain a cesium-oleic acid solution. .
한편, 0.1 g의 브롬화납(II)과, 7.5 mL의 1-옥타데센과, 0.75 mL의 올레산을 혼합하여, 아르곤 분위기하, 90℃에서 10분간 감압 건조한 후, 0.75 mL의 3-아미노프로필트리에톡시실란(APTES)을 첨가하여 추가로 20분간 교반하면서 감압 건조하고, 이어서 140℃로 가열하였다. Meanwhile, 0.1 g of lead(II) bromide, 7.5 mL of 1-octadecene, and 0.75 mL of oleic acid were mixed, dried under reduced pressure at 90°C for 10 minutes in an argon atmosphere, and then added with 0.75 mL of 3-aminopropyltri. Ethoxysilane (APTES) was added and dried under reduced pressure while stirring for an additional 20 minutes, and then heated to 140°C.
상기 브롬화납(II)을 포함하는 혼합액에, 150℃에서 0.75 mL의 상기 세슘-올레산 용액을 첨가하여 5초간 교반 후, 빙욕에서 냉각시켰다. 이어서, 30 mL의 아세트산메틸을 첨가하여 진탕 교반하고, 얻어진 현탁액을 원심 분리(10000 rpm, 1분간)하였다. 상등액을 제거하여 얻은 침전물에 1.13 g의 톨루엔을 첨가하여 진탕 교반한 후, 상등액을 회수함으로써, 올레산이 배위하고 또한 APTES끼리의 실록산 결합을 포함하는 표면층을 구비하는, 페로브스카이트형의 CsPbBr3(이하, 「QD1」로 기재한다.)가 농도 0.1 질량%로 톨루엔 중에 분산된 분산체 C1을 얻었다. 분산체 C1 중의 함수율을 칼피셔법에 의해 측정한 결과, 0.004%였다. 분산체 C1 중에서의 QD1에 대한 물의 비(질량비)는 0.04에 상당한다. To the mixed solution containing lead(II) bromide, 0.75 mL of the cesium-oleic acid solution was added at 150°C, stirred for 5 seconds, and then cooled in an ice bath. Next, 30 mL of methyl acetate was added, the mixture was shaken and the resulting suspension was centrifuged (10000 rpm, 1 minute). 1.13 g of toluene was added to the precipitate obtained by removing the supernatant, and the supernatant was recovered, thereby producing perovskite-type CsPbBr 3 (which has a surface layer coordinated by oleic acid and containing siloxane bonds between APTES). (hereinafter referred to as “QD1”) was dispersed in toluene at a concentration of 0.1% by mass to obtain dispersion C1. The moisture content in dispersion C1 was measured by the Karl Fischer method and was found to be 0.004%. The ratio (mass ratio) of water to QD1 in dispersion C1 is equivalent to 0.04.
비교예 2Comparative Example 2
분산체 C1에 분산체 중량에 대하여 5%의 몰레큘러 시브 3A를 첨가하고 진탕함으로써 혼합하여 24시간 정치하였다. 몰레큘러 시브 3A는 탈수제로서 작용한다. 다음으로, 멤브레인 필터(구멍 직경 5.0 μm)로 여과함으로써 분산체 C2를 얻었다. 분산체 C2 중의 함수율을 칼피셔법에 의해 측정한 결과, 0.003%였다. 분산체 C2 중에서의 QD1에 대한 물의 비는 0.03에 상당한다. 5% of Molecular Sieve 3A based on the weight of the dispersion was added to dispersion C1, mixed by shaking, and left to stand for 24 hours. Molecular Sieve 3A acts as a dehydrating agent. Next, dispersion C2 was obtained by filtration with a membrane filter (pore diameter 5.0 μm). The moisture content in dispersion C2 was measured by the Karl Fischer method and was found to be 0.003%. The ratio of water to QD1 in dispersion C2 is equivalent to 0.03.
실시예 1Example 1
비교예 1의 방법으로 얻은 분산체 C1에, QD1에 대한 물의 질량비가 1.0이 되도록 순수를 첨가하여 격렬하게 교반함으로써, 분산체 1을 얻었다. 분산체 1 중의 함수율을 칼피셔법에 의해 측정한 결과, 0.117%였다. Dispersion 1 was obtained by adding pure water to dispersion C1 obtained by the method of Comparative Example 1 and stirring vigorously so that the mass ratio of water to QD1 was 1.0. The moisture content in dispersion 1 was measured by the Karl Fischer method and was found to be 0.117%.
실시예 2Example 2
비교예 1의 방법으로 얻은 분산체 C1에, QD1에 대한 물의 비가 5.0이 되도록 순수를 첨가하여 격렬하게 교반함으로써, 분산체 2를 얻었다. 분산체 2 중의 함수율을 칼피셔법에 의해 측정한 결과, 0.576%였다. To dispersion C1 obtained by the method of Comparative Example 1, pure water was added so that the ratio of water to QD1 was 5.0 and stirred vigorously to obtain dispersion 2. The moisture content in dispersion 2 was measured by the Karl Fischer method and was found to be 0.576%.
실시예 3Example 3
비교예 1의 방법으로 얻은 분산체 C1에, QD1에 대한 물의 질량비가 7.5가 되도록 순수를 첨가하여 격렬하게 교반함으로써, 분산체 3을 얻었다. 분산체 3 중의 함수율을 칼피셔법에 의해 측정한 결과, 0.860%였다. Dispersion 3 was obtained by adding pure water to dispersion C1 obtained by the method of Comparative Example 1 and stirring vigorously so that the mass ratio of water to QD1 was 7.5. The moisture content in dispersion 3 was measured by the Karl Fischer method and was found to be 0.860%.
비교예 3Comparative Example 3
실시예 1에 있어서, 브롬화납(II)을 포함하는 혼합액의 조제시에 APTES 대신에 올레일아민을 첨가한 것 외에는, 제조예 1과 동일하게 조작함으로써, 올레산과 올레일아민이 배위한, 페로브스카이트형의 CsPbBr3(이하, 「QD2」로 기재한다.)이 농도 0.1 질량%로 톨루엔 중에 분산된 분산체 C3을 얻었다. 분산체 C3 중의 함수율을 칼피셔법에 의해 측정한 결과, 0.004%였다. 분산체 C3 중에서의 QD2에 대한 물의 비(질량비)는 0.04에 상당한다. In Example 1, when preparing a mixed solution containing lead (II) bromide, the same procedure as in Preparation Example 1 was performed except that oleylamine was added instead of APTES, and oleic acid and oleylamine were coordinated. Dispersion C3 was obtained in which louvskite-type CsPbBr 3 (hereinafter referred to as “QD2”) was dispersed in toluene at a concentration of 0.1% by mass. The moisture content in dispersion C3 was measured by the Karl Fischer method and was found to be 0.004%. The ratio of water to QD2 (mass ratio) in dispersion C3 is equivalent to 0.04.
비교예 4Comparative Example 4
비교예 1의 방법으로 얻은 분산체 C1에, QD1에 대한 물의 질량비가 10.9가 되도록 순수를 첨가하여 격렬하게 교반함으로써, 분산체 C4를 얻었다. 분산체 C4 중의 함수율을 칼피셔법에 의해 측정한 결과, 1.249%였다. To dispersion C1 obtained by the method of Comparative Example 1, pure water was added so that the mass ratio of water to QD1 was 10.9 and stirred vigorously to obtain dispersion C4. The moisture content in dispersion C4 was measured by the Karl Fischer method and was found to be 1.249%.
비교예 5Comparative Example 5
비교예 3의 방법으로 얻은 분산체 C3에, QD2에 대한 물의 질량비가 4.2가 되도록 순수를 첨가하여 격렬하게 교반함으로써, 분산체 C5를 얻었다. 분산체 C5 중의 함수율을 칼피셔법에 의해 측정한 결과, 0.480%였다. To dispersion C3 obtained by the method of Comparative Example 3, pure water was added so that the mass ratio of water to QD2 was 4.2 and stirred vigorously to obtain dispersion C5. The moisture content in dispersion C5 was measured by the Karl Fischer method and was found to be 0.480%.
비교예 6Comparative Example 6
비교예 3의 방법으로 얻은 분산체 C3에, QD2에 대한 물의 질량비가 10.1이 되도록 순수를 첨가하여 격렬하게 교반함으로써, 분산체 C6을 얻었다. 분산체 C6 중의 함수율을 칼피셔법에 의해 측정한 결과, 1.161%였다. To dispersion C3 obtained by the method of Comparative Example 3, pure water was added so that the mass ratio of water to QD2 was 10.1 and stirred vigorously to obtain dispersion C6. The moisture content in dispersion C6 was measured by the Karl Fischer method and was found to be 1.161%.
비교예 7Comparative Example 7
비교예 3의 방법으로 얻은 분산체 C3에, QD2에 대한 물의 질량비가 47.6이 되도록 순수를 첨가하여 격렬하게 교반함으로써, 분산체 C7을 얻었다. 분산체 C7 중의 함수율을 칼피셔법에 의해 측정한 결과, 5.476%였다. To dispersion C3 obtained by the method of Comparative Example 3, pure water was added so that the mass ratio of water to QD2 was 47.6 and stirred vigorously to obtain dispersion C7. The moisture content in dispersion C7 was measured by the Karl Fischer method and was found to be 5.476%.
비교예 8Comparative Example 8
비교예 3의 방법으로 얻은 분산체 C3에, QD2에 대한 물의 질량비가 90.3이 되도록 순수를 첨가하여 격렬하게 교반함으로써, 분산체 C8을 얻었다. 분산체 C8 중의 함수율을 칼피셔법에 의해 측정한 결과, 10.394%였다. To dispersion C3 obtained by the method of Comparative Example 3, pure water was added so that the mass ratio of water to QD2 was 90.3 and stirred vigorously to obtain dispersion C8. The moisture content in dispersion C8 was measured by the Karl Fischer method and was found to be 10.394%.
비교예 9Comparative Example 9
비교예 3의 방법으로 얻은 분산체 C3에, QD2에 대한 물의 질량비가 319.0이 되도록 순수를 첨가하여 격렬하게 교반함으로써, 분산체 C9를 얻었다. 분산체 C9 중의 함수율을 칼피셔법에 의해 측정한 결과, 36.697%였다. To dispersion C3 obtained by the method of Comparative Example 3, pure water was added so that the mass ratio of water to QD2 was 319.0 and stirred vigorously to obtain dispersion C9. The moisture content in dispersion C9 was measured by the Karl Fischer method and was found to be 36.697%.
B. 각 발광성 입자의 분산체의 보관 안정성B. Storage stability of dispersion of each luminescent particle
상기에서 얻은 각 분산체에 대해, 조제 직후, 또한 40℃에서 각각 1일, 25일 및 70일 보관한 후의, 각 분산체의 절대 양자 수율(PLQY), 발광 스펙트럼의 피크 파장(λmax) 및 발광 스펙트럼의 반치폭(FWHM)을, 절대 PL 양자 수율 측정 장치(하마마쓰 호토니쿠스사 제조, 「Quantaurus-QY」)를 사용하여, 여기 파장 450 nm에 의해 측정하였다. For each dispersion obtained above, the absolute quantum yield (PLQY), peak wavelength (λmax) of the emission spectrum, and luminescence of each dispersion immediately after preparation and after storage at 40°C for 1 day, 25 days, and 70 days, respectively. The full width at half maximum (FWHM) of the spectrum was measured using an absolute PL quantum yield measuring device (“Quantaurus-QY” manufactured by Hamamatsu Hotonics) at an excitation wavelength of 450 nm.
결과를 표 1에 나타낸다. The results are shown in Table 1.
실시예 1∼3의 분산체는, 메탈 할라이드로 이루어진 반도체 나노 결정의 표면에 실록산 결합을 갖는 구조를 포함하는 표면층을 구비한 발광성 입자를 함유하고, 함수율이 0.10% 이상 1.0% 이하의 범위 내에 있다. 표 1에 나타내는 바와 같이, 실시예 1∼3의 분산체는 모두, 70일 보관 후의 PLQY가 50%를 상회하고 있고, 충분한 양자 효율을 갖출 뿐만 아니라, 70일 보관 후의 λmax 및 FWHM이 조제 직후와 동일한 정도이다. 이것으로부터, 실시예 1∼3의 분산체는, 내구성이 우수할 뿐만 아니라, 장기 안정성이 우수한 것이 분명하다. The dispersions of Examples 1 to 3 contain luminescent particles having a surface layer containing a structure having a siloxane bond on the surface of a semiconductor nanocrystal made of metal halide, and the water content is within the range of 0.10% to 1.0%. . As shown in Table 1, the dispersions of Examples 1 to 3 all have PLQYs exceeding 50% after 70 days of storage, and not only do they have sufficient quantum efficiency, but λmax and FWHM after 70 days of storage are similar to those immediately after preparation. It's the same degree. From this, it is clear that the dispersions of Examples 1 to 3 are not only excellent in durability but also have excellent long-term stability.
한편, 비교예 1, 2 및 3의 분산체는, 메탈 할라이드로 이루어진 반도체 나노 결정의 표면에 실록산 결합을 갖는 구조를 포함하는 표면층을 구비한 발광성 입자를 함유하지만, 함수율이 0.10% 미만 또는 1.0% 초과이다. 표 1에 나타내는 바와 같이, 비교예 1, 2 및 3의 분산체는 모두, 70일 보관 후의 PLQY가 40% 이하이며, 충분한 양자 효율을 갖춘다고는 할 수 없다. 따라서, 비교예 1, 2 및 3의 분산체는, 장기 안정성이 불충분한 것이 분명하다. On the other hand, the dispersions of Comparative Examples 1, 2, and 3 contain luminescent particles having a surface layer containing a structure having a siloxane bond on the surface of a semiconductor nanocrystal made of metal halide, but the water content is less than 0.10% or 1.0%. It is excess. As shown in Table 1, the dispersions of Comparative Examples 1, 2, and 3 all have PLQYs of 40% or less after storage for 70 days, and cannot be said to have sufficient quantum efficiency. Therefore, it is clear that the dispersions of Comparative Examples 1, 2, and 3 have insufficient long-term stability.
또한, 비교예 5의 분산체는, 메탈 할라이드로 이루어진 반도체 나노 결정의 표면에 표면층을 구비한 발광성 입자를 함유하고, 함수율이 0.10% 이상 1.0% 이하의 범위 내이다. 단, 발광성 입자의 표면층이 실록산 결합을 갖는 구조를 포함하는 것은 아니다. 표 1에 나타내는 바와 같이, 비교예 5의 분산체는, 70일 보관 후의 PLQY가 40% 이하이며, 충분한 양자 수율을 갖추고 있지 않을 뿐만 아니라, 70일 보관 후의 λmax가 조제 직후와 비교하여 단파장측으로 크게 시프트하여, 70일 보관 후의 FWHM이 조제 직후와 비교하여 넓어졌다. 이것으로부터, 비교예 5의 분산체는, 내구성 및 장기 안정성이 떨어지는 것이 분명하다. Additionally, the dispersion of Comparative Example 5 contains luminescent particles having a surface layer on the surface of semiconductor nanocrystals made of metal halide, and has a moisture content within the range of 0.10% to 1.0%. However, the surface layer of the luminescent particle does not include a structure having a siloxane bond. As shown in Table 1, the dispersion of Comparative Example 5 has a PLQY of 40% or less after 70 days of storage, and not only does it not have a sufficient quantum yield, but also λmax after 70 days of storage is significantly toward the short wavelength side compared to immediately after preparation. By shifting, the FWHM after 70 days of storage became wider compared to immediately after preparation. From this, it is clear that the dispersion of Comparative Example 5 is poor in durability and long-term stability.
그리고, 비교예 6∼9의 분산체는, 함수율이 0.10% 이상 1.0% 이하의 범위 내가 아니며, 발광성 입자의 표면층이 실록산 결합을 갖는 구조를 포함하는 것이 아니다. 표 1에 나타내는 바와 같이, 비교예 6∼9의 분산체는, 70일 보관 후의 PLQY가 40%를 크게 하회하고 있어 충분한 양자 수율을 갖추고 있지 않을 뿐만 아니라, 70일 보관 후의 λmax가 조제 직후와 비교하여 단파장측으로 크게 시프트하여, 70일 보관 후의 FWHM이 조제 직후와 비교하여 넓어졌다. 이것으로부터, 비교예 6∼9의 분산체는, 내구성 및 장기 안정성이 떨어지는 것이 분명하다. In addition, the dispersions of Comparative Examples 6 to 9 did not have a moisture content within the range of 0.10% to 1.0%, and the surface layer of the luminescent particles did not contain a structure having siloxane bonds. As shown in Table 1, the dispersions of Comparative Examples 6 to 9 had PLQYs significantly below 40% after storage for 70 days, not only did they not have sufficient quantum yields, but also λmax after storage for 70 days was lower than that immediately after preparation. As a result, there was a significant shift toward the short wavelength side, and the FWHM after 70 days of storage became wider compared to immediately after preparation. From this, it is clear that the dispersions of Comparative Examples 6 to 9 are poor in durability and long-term stability.
C. 광변환층의 제작C. Fabrication of light conversion layer
이하의 예에서는, 상기에서 얻은 각 발광성 입자의 분산체와 열가소성 수지를 포함하는 조성물을 조제하고, 이러한 조성물로부터 광변환층을 형성하였다. In the following example, a composition containing the dispersion of each luminescent particle obtained above and a thermoplastic resin was prepared, and a light conversion layer was formed from this composition.
사용한 열가소성 수지의 상세를 이하에 나타낸다. Details of the thermoplastic resin used are shown below.
PMMA: 폴리메틸메타크릴레이트(Sigma-Aldrich사 제조, Mw=12만) PMMA: polymethyl methacrylate (manufactured by Sigma-Aldrich, Mw=120,000)
PS: 폴리스티렌(Sigma-Aldrich사 제조, Mw=28만) PS: Polystyrene (manufactured by Sigma-Aldrich, Mw=280,000)
CAB: 셀룰로오스아세테이트부틸레이트(EASTMAN CHEMICAL사 제조, Mw=7만) CAB: Cellulose acetate butyrate (manufactured by EASTMAN CHEMICAL, Mw=70,000)
PC: 폴리카보네이트(이데미쓰코산사 제조, 상품명 「타프론 MD1500」)PC: Polycarbonate (manufactured by Idemitsu Kosan Corporation, brand name “Taflon MD1500”)
실시예 4 Example 4
PMMA를 톨루엔에 60℃에서 용해시켜, 20 질량% 농도의 PMMA 용액을 조제하였다. 이 PMMA 용액 1.0 g을, 조제 직후의 분산체 1의 1.1 g과 혼합하고, 진탕 교반에 의해, 조성물 1을 조제하였다. PMMA was dissolved in toluene at 60°C to prepare a PMMA solution with a concentration of 20 mass%. Composition 1 was prepared by mixing 1.0 g of this PMMA solution with 1.1 g of dispersion 1 immediately after preparation and shaking it.
유리 기판 상에 조성물 1을 적하하여, 건조 후의 막두께가 100 μm가 되도록 스핀코터로 대기 중에서 도포하고, 60℃에서 15분간 건조시킴으로써, QD1을 포함하는 광변환층 1을 형성하였다. Composition 1 was dropped onto a glass substrate, applied in the air with a spin coater so that the dried film thickness was 100 μm, and dried at 60°C for 15 minutes to form light conversion layer 1 containing QD1.
또한, 40℃에서 1일 보관한 분산체 1, 즉 상기 보관 안정성 시험에 있어서 1일 경과한 분산체 1을 이용하고, 상기와 동일하게 하여, QD1을 포함하는 광변환층 2를 형성하였다. In addition, dispersion 1 stored at 40°C for 1 day, that is, dispersion 1 that had passed 1 day in the storage stability test described above, was used and the light conversion layer 2 containing QD1 was formed in the same manner as above.
또한, 40℃에서 25일 및 70일 보관한 분산체 1, 즉 상기 보관 안정성 시험에 있어서 25일 및 70일 경과한 분산체 1을 각각 이용하고, 상기와 동일하게 하여, QD1을 포함하는 광변환층 3 및 광변환층 4를 각각 형성하였다. In addition, dispersion 1 stored at 40°C for 25 and 70 days, that is, dispersion 1 after 25 and 70 days in the above storage stability test, was used, and in the same manner as above, photoconversion containing QD1 was performed. Layer 3 and light conversion layer 4 were formed, respectively.
실시예 5Example 5
실시예 4에 있어서, 분산체 1 대신에 분산체 2를 이용한 것 외에는, 실시예 4와 동일한 조작에 의해 조성물 2를 조제하고, 또한 QD1을 포함하는 광변환층 1∼광변환층 4를 형성하였다. In Example 4, composition 2 was prepared in the same manner as in Example 4, except that dispersion 2 was used instead of dispersion 1, and light conversion layers 1 to 4 containing QD1 were formed. .
실시예 6Example 6
실시예 4에 있어서, 분산체 1 대신에 분산체 3을 이용한 것 외에는, 실시예 4와 동일한 조작에 의해 조성물 3을 조제하고, 또한 QD1을 포함하는 광변환층 1∼광변환층 4를 형성하였다. In Example 4, composition 3 was prepared in the same manner as in Example 4, except that dispersion 3 was used instead of dispersion 1, and light conversion layers 1 to 4 containing QD1 were formed. .
비교예 10Comparative Example 10
실시예 4에 있어서, 분산체 1 대신에 분산체 C1의 1.2 g을 이용한 것 외에는, 실시예 4와 동일한 조작에 의해 조성물 C1을 조제하고, 또한 QD1을 포함하는 광변환층 1∼광변환층 4를 형성하였다. In Example 4, composition C1 was prepared in the same manner as in Example 4, except that 1.2 g of dispersion C1 was used instead of dispersion 1, and light conversion layers 1 to 4 containing QD1 were prepared. was formed.
비교예 11Comparative Example 11
비교예 10에 있어서, 분산체 C1 대신에 분산체 C2의 1.2 g을 이용한 것 외에는, 실시예 4와 동일한 조작에 의해 조성물 C2를 조제하고, 또한 QD2를 포함하는 광변환층 1∼광변환층 4를 각각 형성하였다. In Comparative Example 10, composition C2 was prepared in the same manner as in Example 4, except that 1.2 g of dispersion C2 was used instead of dispersion C1, and light conversion layers 1 to 4 containing QD2 were prepared. were formed respectively.
비교예 12Comparative Example 12
비교예 10에 있어서, 분산체 C1 대신에 분산체 C3의 1.1 g을 이용한 것 외에는, 실시예 4와 동일한 조작에 의해 조성물 C3을 조제하고, 또한 QD1을 포함하는 광변환층 1∼광변환층 4를 각각 형성하였다. In Comparative Example 10, composition C3 was prepared in the same manner as in Example 4, except that 1.1 g of dispersion C3 was used instead of dispersion C1, and light conversion layers 1 to 4 containing QD1 were prepared. were formed respectively.
비교예 13Comparative Example 13
비교예 10에 있어서, 분산체 C1 대신에 분산체 C4의 1.3 g을 이용한 것 외에는, 실시예 4와 동일한 조작에 의해 조성물 C4를 조제하고, 또한 QD2를 포함하는 광변환층 1∼광변환층 4를 각각 형성하였다. In Comparative Example 10, composition C4 was prepared in the same manner as in Example 4, except that 1.3 g of dispersion C4 was used instead of dispersion C1, and light conversion layers 1 to 4 containing QD2 were prepared. were formed respectively.
비교예 14Comparative Example 14
비교예 10에 있어서, 분산체 C1 대신에 분산체 C6의 1.6 g을 이용한 것 외에는, 실시예 4와 동일한 조작에 의해 조성물 C5를 조제하고, 또한 QD2를 포함하는 광변환층 1∼광변환층 4를 각각 형성하였다. In Comparative Example 10, composition C5 was prepared in the same manner as in Example 4, except that 1.6 g of dispersion C6 was used instead of dispersion C1, and light conversion layers 1 to 4 containing QD2 were prepared. were formed respectively.
실시예 7 Example 7
PS를 톨루엔에 60℃에서 용해시켜, 20 질량% 농도의 PS 용액을 조제하였다. 이 PS 용액 1.0 g을, 조제 직후의 분산체 2의 1.1 g과 혼합하고, 진탕 교반에 의해 조성물 4를 조제하였다. PS was dissolved in toluene at 60°C to prepare a PS solution with a concentration of 20 mass%. 1.0 g of this PS solution was mixed with 1.1 g of dispersion 2 immediately after preparation, and composition 4 was prepared by shaking with shaking.
유리 기판 상에 조성물 4를 적하하여, 건조 후의 막두께가 100 μm가 되도록 스핀코터로 대기 중에서 도포하고, 60℃에서 15분간 건조시킴으로써, QD1을 포함하는 광변환층 1을 형성하였다. Composition 4 was dropped onto a glass substrate, applied in the air with a spin coater so that the dried film thickness was 100 μm, and dried at 60°C for 15 minutes to form light conversion layer 1 containing QD1.
40℃에서 1일 보관한 분산체 2, 즉 상기 보관 안정성 시험에 있어서 1일 경과한 분산체 2를 이용하고, 상기와 동일하게 하여, QD1을 포함하는 광변환층 2를 형성하였다. Dispersion 2 stored at 40°C for 1 day, that is, dispersion 2 that had passed 1 day in the storage stability test above, was used, and in the same manner as above, light conversion layer 2 containing QD1 was formed.
또한, 40℃에서 25일 및 70일 보관한 분산체 2, 즉 상기 보관 안정성 시험에 있어서 25일 및 70일 경과한 분산체 2를 각각 이용하고, 상기와 동일하게 하여, QD1을 포함하는 광변환층 3 및 광변환층 4를 형성하였다. In addition, dispersion 2 stored at 40°C for 25 and 70 days, that is, dispersion 2 after 25 and 70 days in the above storage stability test, was used, and in the same manner as above, photoconversion containing QD1 was performed. Layer 3 and light conversion layer 4 were formed.
실시예 8Example 8
실시예 7에 있어서, 분산체 2 대신에 분산체 3을 이용한 것 외에는, 실시예 7과 동일한 조작에 의해 QD1을 포함하는 광변환층 1∼광변환층 4를 형성하였다. In Example 7, light conversion layers 1 to 4 containing QD1 were formed in the same manner as in Example 7, except that dispersion 3 was used instead of dispersion 2.
실시예 9Example 9
실시예 7에 있어서, PS 대신에 CAB를 이용한 것 외에는, 실시예 7과 동일한 조작에 의해 QD1을 포함하는 광변환층 1∼광변환층 4를 형성하였다. In Example 7, light conversion layers 1 to 4 containing QD1 were formed in the same manner as in Example 7, except that CAB was used instead of PS.
실시예 10Example 10
실시예 7에 있어서, PS 대신에 PC를 이용한 것 외에는, 실시예 7과 동일한 조작에 의해 QD1을 포함하는 광변환층 1∼광변환층 4를 형성하였다. In Example 7, light conversion layers 1 to 4 containing QD1 were formed in the same manner as in Example 7, except that PC was used instead of PS.
D. 광변환층의 광학 특성의 평가D. Evaluation of optical properties of light conversion layer
실시예 4∼10, 비교예 10∼14에서 각각 형성한, 광변환층 1(조제 직후의 분산체로 형성), 광변환층 2(40℃에서 1일 보관 후의 분산체로 형성), 광변환층 3(40℃에서 25일 보관 후의 분산체로 형성), 광변환층 4(40℃에서 70일 보관 후의 분산체로 형성)에 대해, 절대 양자 수율(PLQY), 발광 스펙트럼의 피크 파장(λmax) 및 발광 스펙트럼의 반치폭(FWHM)을, 절대 PL 양자 수율 측정 장치(하마마쓰 호토니쿠스사 제조, 「Quantaurus-QY」)를 사용하여, 여기 파장 450 nm에 의해 측정하였다. Light conversion layer 1 (formed from the dispersion immediately after preparation), light conversion layer 2 (formed from the dispersion after storage for 1 day at 40°C), and light conversion layer 3, respectively formed in Examples 4 to 10 and Comparative Examples 10 to 14. (Formed from dispersion after storage at 40°C for 25 days), light conversion layer 4 (Formed from dispersion after storage at 40°C for 70 days), absolute quantum yield (PLQY), peak wavelength of emission spectrum (λmax), and emission spectrum. The full width at half maximum (FWHM) was measured using an absolute PL quantum yield measuring device (“Quantaurus-QY” manufactured by Hamamatsu Hotonics) at an excitation wavelength of 450 nm.
결과를 표 2에 나타낸다. The results are shown in Table 2.
실시예 4∼10의 조성물은, 실시예 1∼3의 분산체 중의 어느 하나를 포함한다. 실시예 4∼10의 조성물로 형성한 광변환층은, 70일 보관 후의 분산체를 포함하는 조성물을 이용하여 형성한 광변환층이라 하더라도, λmax 및 FWHM이, 조제 직후의 분산체를 포함하는 조성물을 이용하여 형성한 광변환층과 동일한 정도이다. 이것으로부터, 실시예 1∼3의 분산체는, 70일 보관 후에 조성물로서 조제되어, 상기 조성물을 이용하여 광변환층을 형성한 경우에도, 우수한 광학 특성을 발현하는 것이 분명하다. The compositions of Examples 4 to 10 contain any one of the dispersions of Examples 1 to 3. Even if the light conversion layer formed from the composition of Examples 4 to 10 is a light conversion layer formed using a composition containing the dispersion after storage for 70 days, λmax and FWHM are compositions containing the dispersion immediately after preparation. It is the same as the light conversion layer formed using . From this, it is clear that the dispersions of Examples 1 to 3 exhibit excellent optical properties even when prepared as a composition after storage for 70 days and a light conversion layer is formed using the composition.
한편, 비교예 10의 조성물은, 비교예 1의 분산체를 포함한다. 비교예 10의 조성물로 형성한 광변환층은, 70일 보관 후의 분산체를 포함하는 조성물을 이용하여 형성한 광변환층의 λmax 및 FWHM이, 조제 직후의 분산체를 포함하는 조성물을 이용하여 형성한 광변환층보다 떨어진다. 이것은, 표 1에 나타내는 바와 같이, 70일 보관 후의 분산체의 PLQY가 40%이며, 분산체로서의 성능이 불충분하기 때문에, 광변환층의 광학 특성이 떨어지는 것이다. Meanwhile, the composition of Comparative Example 10 includes the dispersion of Comparative Example 1. The light conversion layer formed from the composition of Comparative Example 10 had λmax and FWHM of the light conversion layer formed using a composition containing the dispersion after storage for 70 days. It was formed using a composition containing the dispersion immediately after preparation. It is inferior to one light conversion layer. As shown in Table 1, the PLQY of the dispersion after 70 days of storage is 40%, and the performance as a dispersion is insufficient, so the optical properties of the light conversion layer are poor.
또한, 비교예 11의 조성물은, 비교예 2의 분산체를 포함한다. 비교예 11의 조성물로 형성한 광변환층은, 70일 보관 후의 분산체를 포함하는 조성물을 이용하여 형성한 광변환층의 λmax 및 FWHM이, 조제 직후의 분산체를 포함하는 조성물을 이용하여 형성한 광변환층보다 떨어진다. 이것은, 표 1에 나타내는 바와 같이, 70일 보관 후의 분산체의 PLQY가 40%이며, 분산체로서의 성능이 불충분하기 때문에, 광변환층의 광학 특성이 떨어지는 것이다. Additionally, the composition of Comparative Example 11 includes the dispersion of Comparative Example 2. The light conversion layer formed from the composition of Comparative Example 11 had λmax and FWHM of the light conversion layer formed using a composition containing the dispersion after storage for 70 days. It was formed using a composition containing the dispersion immediately after preparation. It is inferior to one light conversion layer. As shown in Table 1, the PLQY of the dispersion after 70 days of storage is 40%, and the performance as a dispersion is insufficient, so the optical properties of the light conversion layer are poor.
또한, 비교예 12∼14의 조성물은, 비교예 3, 4 및 6의 분산체 중의 어느 하나를 포함한다. 비교예 12∼14의 조성물은, 70일 보관 후의 분산체를 포함하는 조성물을 이용하여 형성한 광변환층의 λmax 및 FWHM이, 조제 직후의 분산체를 포함하는 조성물을 이용하여 형성한 광변환층과 비교하여 크게 저하되었다. Additionally, the compositions of Comparative Examples 12 to 14 contain any one of the dispersions of Comparative Examples 3, 4, and 6. The compositions of Comparative Examples 12 to 14 have λmax and FWHM of the light conversion layer formed using a composition containing the dispersion after storage for 70 days, and the light conversion layer formed using the composition containing the dispersion immediately after preparation. It was greatly reduced compared to .
이러한 것으로부터, 비교예 10∼14의 분산체는, 70일 보관 후에 조성물로서 조제되고, 상기 조성물을 이용하여 광변환층을 형성한 경우에, 우수한 광학 특성을 갖춘 광변환층을 형성할 수 없는 것이 분명하다. From this, when the dispersions of Comparative Examples 10 to 14 are prepared as a composition after storage for 70 days and a light conversion layer is formed using the composition, a light conversion layer with excellent optical properties cannot be formed. It is clear that
상기 실시예와 같이, 본 발명의 분산체는 보존 안정성이 우수하다. 또한, 본 발명의 분산체로 형성한 광변환층은 양호한 발광 특성을 나타낸다. As in the above examples, the dispersion of the present invention has excellent storage stability. Additionally, the light conversion layer formed from the dispersion of the present invention exhibits good luminescence characteristics.
본 발명의 분산체는, 발광 특성의 변화가 적고, 장기 보존성이 우수하다. 그 때문에, 광변환층, 컬러 필터, 파장 변환 필름, 나아가 컬러 표시 디바이스, 액정 표시 소자 등의 각종 디바이스에 적용할 수 있다. The dispersion of the present invention has little change in luminescent properties and has excellent long-term storage properties. Therefore, it can be applied to various devices such as light conversion layers, color filters, wavelength conversion films, and further color display devices and liquid crystal display elements.
100: 발광 소자
200: EL 광원부
1: 하기판
2: 양극
3: 정공 주입층
4: 정공 수송층
5: 발광층
6: 전자 수송층
7: 전자 주입층
8: 음극
9: 밀봉층
10: 충전층
11: 보호층
12: 광변환층
13: 상기판
14: EL층
20: 화소부
20a: 제1 화소부
20b: 제2 화소부
20c: 제3 화소부
21a: 제1 광산란 입자
21b: 제2 광산란 입자
21c: 제3 광산란 입자
22a: 제1 경화 성분
22b: 제2 경화 성분
22c: 제3 경화 성분
90a: 제1 발광성 입자
90b: 제2 발광성 입자
30: 차광부
40: 적층 구조체
41: 제1 기판
42: 제2 기판
43: 밀봉층
44: 파장 변환 필름
441: 광산란 입자
442: 발광성 입자
701: 콘덴서
702: 구동 트랜지스터
703: 전원선
705: 공통 전극
706: 신호선
707: 주사선
708: 스위칭 트랜지스터
C1: 신호선 구동 회로
C2: 주사선 구동 회로
C3: 제어 회로
PE: 화소 전극 100: light emitting element
200: EL light source unit
1: Bottom plate
2: anode
3: Hole injection layer
4: hole transport layer
5: Light-emitting layer
6: electron transport layer
7: Electron injection layer
8: cathode
9: sealing layer
10: Filled layer
11: protective layer
12: Light conversion layer
13: Upper plate
14: EL layer
20: Pixel unit
20a: first pixel unit
20b: second pixel unit
20c: third pixel unit
21a: first light scattering particle
21b: second light scattering particle
21c: third light scattering particle
22a: first curing component
22b: second curing component
22c: third curing component
90a: first luminescent particle
90b: second luminous particle
30: light blocking part
40: Laminated structure
41: first substrate
42: second substrate
43: sealing layer
44: Wavelength conversion film
441: Light scattering particles
442: Luminous particles
701: Condenser
702: Driving transistor
703: Power line
705: Common electrode
706: signal line
707: scan line
708: switching transistor
C1: Signal line driving circuit
C2: Scan line driving circuit
C3: control circuit
PE: Pixel electrode
Claims (7)
상기 A가 Cs, Rb, 메틸암모늄, 포름아미디늄, 암모늄, 2-페닐에틸암모늄, 피롤리디늄, 피페리디늄, 1-부틸-1-메틸피페리디늄, 테트라메틸암모늄, 테트라에틸암모늄, 벤질트리메틸암모늄 및 벤질트리에틸암모늄으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 양이온을 나타내고,
상기 M이 Pb, Sn, Ge, Bi, Sb, Ag, In, Cu, Yb, Ti, Pd, Mn, Eu, Zr 및 Tb로 이루어진 군에서 선택되는 금속 이온을 나타내고,
상기 X가 F, Cl, Br 및 I로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 할로겐화물 이온을 나타내고,
a가 1∼7의 양수를 나타내고, b가 1∼4의 양수를 나타내고, c가 1∼16의 양수를 나타내는 분산체. The method of claim 1, wherein the semiconductor nanocrystal is a compound represented by the general formula A a M b
A is Cs, Rb, methylammonium, formamidinium, ammonium, 2-phenylethylammonium, pyrrolidinium, piperidinium, 1-butyl-1-methylpiperidinium, tetramethylammonium, tetraethylammonium, Represents one or more cations selected from the group consisting of benzyltrimethylammonium and benzyltriethylammonium,
Wherein M represents a metal ion selected from the group consisting of Pb, Sn, Ge, Bi, Sb, Ag, In, Cu, Yb, Ti, Pd, Mn, Eu, Zr and Tb,
wherein X represents one or more halide ions selected from the group consisting of F, Cl, Br and I,
A dispersion where a represents a positive number from 1 to 7, b represents a positive number from 1 to 4, and c represents a positive number from 1 to 16.
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