KR20240097723A - Protective sheet for workpiece processing and manufacturing method of divided workpiece - Google Patents

Protective sheet for workpiece processing and manufacturing method of divided workpiece Download PDF

Info

Publication number
KR20240097723A
KR20240097723A KR1020230156448A KR20230156448A KR20240097723A KR 20240097723 A KR20240097723 A KR 20240097723A KR 1020230156448 A KR1020230156448 A KR 1020230156448A KR 20230156448 A KR20230156448 A KR 20230156448A KR 20240097723 A KR20240097723 A KR 20240097723A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
work
protective sheet
adhesive layer
work processing
processing
Prior art date
Application number
KR1020230156448A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
코스케 사카지리
잇세이 아다치
유야 하세가와
Original Assignee
린텍 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 린텍 가부시키가이샤 filed Critical 린텍 가부시키가이샤
Publication of KR20240097723A publication Critical patent/KR20240097723A/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/02Physical, chemical or physicochemical properties
    • B32B7/022Mechanical properties
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J7/00Chemical treatment or coating of shaped articles made of macromolecular substances
    • C08J7/04Coating
    • C08J7/044Forming conductive coatings; Forming coatings having anti-static properties
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D5/00Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
    • C09D5/24Electrically-conducting paints
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/29Laminated material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding

Abstract

(과제) 워크 등(즉, 워크 또는 워크 개편화물군)의 가공 시에 생기는 대전이 충분히 억제되며, 또한 워크 등으로부터 워크 가공용 보호 시트를 박리할 때에, 워크 등에의 풀남음이 억제되고 있는 워크 가공용 보호 시트를 제공하는 것, 및 상기 워크 가공용 보호 시트를 이용한 워크 개편화물의 제조 방법을 제공하는 것.
(해결 수단) 워크에 첩부되는 점착제층과, 기재와, 대전 방지층이 이 순으로 적층되어 있는 워크 가공용 보호 시트로서, 점착제층과 기재는 직접 접해 있고, 점착제층에서 워크에 첩부되는 면과, 대전 방지층에서 기재 측에 위치하는 면과의 거리는 300㎛ 이하인 워크 가공용 보호 시트이다.
(Problem) For work processing, where electrification that occurs during processing of work pieces, etc. (i.e., work pieces or individual work groups) is sufficiently suppressed, and glue residue on the work pieces, etc., is suppressed when peeling the work processing protective sheet from the work pieces, etc. Providing a protective sheet, and providing a method of manufacturing a pieced workpiece cargo using the protective sheet for workpiece processing.
(Solution) A protective sheet for work processing in which an adhesive layer attached to a workpiece, a base material, and an antistatic layer are laminated in this order. The adhesive layer and the base material are in direct contact, and the side of the adhesive layer attached to the workpiece is electrically charged. It is a protective sheet for work processing in which the distance between the protective layer and the surface located on the substrate side is 300 μm or less.

Description

워크 가공용 보호 시트 및 워크 개편화물의 제조 방법{PROTECTIVE SHEET FOR WORKPIECE PROCESSING AND MANUFACTURING METHOD OF DIVIDED WORKPIECE}Manufacturing method of protective sheet for work processing and work reorganization cargo {PROTECTIVE SHEET FOR WORKPIECE PROCESSING AND MANUFACTURING METHOD OF DIVIDED WORKPIECE}

본 발명은, 워크 가공용 보호 시트 및 워크 개편화물의 제조 방법에 관한 것이다. 특히, 워크의 이면 연삭을 행하고, 그 응력 등으로 워크를 개편화하는 방법에 바람직하게 사용되는 워크 가공용 보호 시트, 및 상기 워크 가공용 보호 시트를 이용하는 워크 개편화물의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a protective sheet for work processing and a method for manufacturing separate work pieces. In particular, it relates to a protective sheet for work processing that is preferably used in a method of grinding the back side of a work and breaking the work into pieces due to the stress, etc., and a method of manufacturing a piecework cargo using the protective sheet for work processing.

각종 전자 기기의 소형화, 다기능화가 진행되는 가운데, 그들에 탑재되는 반도체 칩도 마찬가지로, 소형화, 박형화가 요구되고 있다. 칩의 박형화를 위해, 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭하여 두께 조정을 행하는 것이 일반적이다. 또한, 박형화된 칩을 얻기 위해, 웨이퍼의 표면 측으로부터 소정 깊이의 홈을 다이싱 블레이드에 의해 형성한 후, 웨이퍼 이면 측으로부터 연삭을 행하고, 연삭에 의해 웨이퍼를 개편화하여, 칩을 얻는 선다이싱법(DBG: Dicing Before Grinding)이라고 불리는 공법을 이용하는 경우도 있다. DBG에서는, 웨이퍼의 이면 연삭과, 웨이퍼의 개편화를 동시에 행할 수 있으므로, 박형 칩을 효율적으로 제조할 수 있다.As various electronic devices become smaller and more functional, the semiconductor chips mounted on them are also required to be smaller and thinner. In order to make chips thinner, it is common to grind the back side of a semiconductor wafer to adjust the thickness. In addition, in order to obtain thinner chips, a groove of a predetermined depth is formed from the front side of the wafer with a dicing blade, then grinding is performed from the back side of the wafer, and the wafer is broken into pieces by grinding to obtain chips. In some cases, a method called DBG (Dicing Before Grinding) is used. In DBG, the backside grinding of the wafer and the separation of the wafer into pieces can be performed simultaneously, so thin chips can be manufactured efficiently.

종래, 반도체 웨이퍼 등의 워크의 이면 연삭 시나, DBG에 의한 반도체 칩 등의 워크 개편화물의 제조 시에는, 워크 표면의 회로를 보호하고, 또한, 워크 및 복수의 워크 개편화물(즉, 워크 개편화물군)을 보지(保持)하기 위해, 워크 표면에, 적어도 기재와 점착제층으로 구성되는, 워크 가공용 보호 시트로서의 백그라인딩 테이프를 첩부하는 것이 일반적이다.Conventionally, when grinding the back side of a workpiece such as a semiconductor wafer or manufacturing individual workpieces such as semiconductor chips by DBG, the circuitry on the surface of the workpiece is protected, and the workpiece and multiple pieces of workpiece cargo (i.e., In order to hold the workpiece, it is common to attach a backgrinding tape as a protective sheet for workpiece processing, which consists of at least a base material and an adhesive layer, to the surface of the workpiece.

백그라인딩 테이프의 일례로서, 특허문헌 1 및 특허문헌 2에는, 영률이 높은 기재(基材)와, 기재의 한쪽 면에 완충층이 마련되고, 다른쪽 면에 점착제층이 마련된 점착 테이프가 개시되어 있다.As an example of a backgrinding tape, Patent Document 1 and Patent Document 2 disclose an adhesive tape comprising a base material with a high Young's modulus, a buffer layer provided on one side of the base material, and an adhesive layer provided on the other side. .

근년, 선다이싱법의 변형예로서, 레이저로 웨이퍼 내부에 개질 영역을 마련하고, 웨이퍼 이면 연삭 시의 응력 등으로 웨이퍼의 개편화를 행하는 방법이 제안되고 있다. 이하, 이 방법을 LDBG(Laser Dicing Before Grinding)라고 기재하는 경우가 있다. LDBG에서는, 웨이퍼는 개질 영역을 기점으로 하여 결정(結晶) 방향으로 절단되기 때문에, 다이싱 블레이드를 이용한 선다이싱법보다 치핑의 발생을 저감할 수 있다. 또한, 다이싱 블레이드에 의해 웨이퍼 표면에 소정 깊이의 홈을 형성하는 DBG와 비교하여, 다이싱 블레이드에 의해 웨이퍼를 깎아내는 영역이 없기 때문에, 즉, 커프 폭이 극소이기 때문에, 칩의 수율이 우수하다.In recent years, as a modification of the sun dicing method, a method has been proposed in which a modified area is provided inside the wafer with a laser and the wafer is separated into individual pieces using stress during grinding the back side of the wafer. Hereinafter, this method may be referred to as LDBG (Laser Dicing Before Grinding). In LDBG, the wafer is cut in the crystal direction starting from the modified region, so the occurrence of chipping can be reduced compared to the pre-dicing method using a dicing blade. In addition, compared to DBG, which forms grooves of a predetermined depth on the wafer surface with a dicing blade, there is no area where the wafer is shaved off with a dicing blade, that is, the kerf width is extremely small, resulting in excellent chip yield. do.

국제공개 제2015/156389호International Publication No. 2015/156389 일본 특허공개 2015-183008호 공보Japanese Patent Publication No. 2015-183008

워크의 일례로서의 웨이퍼의 가공 시(예를 들면, 다이싱 시, 이면 연삭 시, 세정 시, 백그라인딩 테이프의 박리 시 등)에는, 대전이 생기는 경우가 알려져 있다. 대전이 생기면, 백그라인딩 테이프 절단 시에 생기는 컷 더스트, 환경에 존재하는 미소한 이물 등이 웨이퍼, 또는 워크 개편화물의 일례로서의 칩에 부착되기 쉬워진다.It is known that electrification occurs when processing a wafer as an example of a workpiece (for example, during dicing, back grinding, cleaning, peeling of a back grinding tape, etc.). When electrification occurs, cut dust generated when cutting the backgrinding tape and minute foreign matter present in the environment tend to adhere to the wafer or the chip, which is an example of work piece material.

예를 들면, 이면 연삭 시에 컷 더스트나 이물이 웨이퍼에 부착되어 있으면, 이면 연삭 시의 압력이 부착된 이물 등에 집중하여, 이물 등을 기점으로 하여 웨이퍼가 파손되는 경우가 있다. 특히, 웨이퍼를 얇게 연삭하는 것을 목적으로 하는 DBG를 행하는 경우에는, 근소한 압력의 집중에 의해 웨이퍼의 파손이 생기기 쉽다. 또한, 예를 들면, 웨이퍼로부터 백그라인딩 테이프를 박리할 때에 생기는 박리 대전이 과잉인 경우, 웨이퍼에 형성되어 있는 회로의 파괴로 이어진다는 문제가 있다. 따라서, 웨이퍼의 가공 시에 생기는 대전을 억제할 필요가 있다.For example, if cut dust or foreign matter adheres to the wafer during back grinding, the pressure during back grinding may focus on the attached foreign matter, and the wafer may be damaged starting from the foreign matter. In particular, when DBG is performed for the purpose of grinding a wafer thin, damage to the wafer is likely to occur due to a slight concentration of pressure. Additionally, for example, if the peeling charge generated when peeling the backgrinding tape from the wafer is excessive, there is a problem that it leads to the destruction of the circuit formed on the wafer. Therefore, it is necessary to suppress charging that occurs during wafer processing.

이러한 웨이퍼의 가공 시에 생기는 대전을 억제하기 위해, 백그라인딩 테이프에 대전 방지층을 마련하는 것이 행해지고 있다. 특히, 대전 방지층이 박리 대전을 방지하는 기능을 충분히 발휘하기 위해, 대전 방지층은, 웨이퍼와 점착제층과의 계면에 가까운 위치에 배치되는 것이 바람직하다. 예를 들면, 대전 방지층은, 점착제층과 기재 사이에 배치되는 경우가 있다.In order to suppress electrification that occurs during processing of such wafers, an anti-static layer is provided on the backgrinding tape. In particular, in order for the antistatic layer to fully exert its function of preventing peeling and charging, the antistatic layer is preferably disposed close to the interface between the wafer and the adhesive layer. For example, the antistatic layer may be disposed between the adhesive layer and the substrate.

그런데, 백그라인딩 테이프는, 웨이퍼의 이면 연삭 시에는 웨이퍼의 표면과 강하게 접착하여 회로 등을 충분히 보호하고, 이면 연삭 후에, 웨이퍼로부터 백그라인딩 테이프를 박리할 때에는, 웨이퍼 상에 잔사(殘渣)를 남기는 일 없이 박리하는 것이 요구된다.However, the back grinding tape adheres strongly to the surface of the wafer when grinding the back side of the wafer and sufficiently protects the circuits, etc., and when the back grinding tape is peeled from the wafer after grinding the back side of the wafer, it leaves a residue on the wafer. Work-free peeling is required.

여기에서, 대전 방지층이, 점착제층과 기재 사이에 배치되어 있는 경우, 점착제층은 대전 방지층과 접해 있게 된다. 그러나, 점착제층과 대전 방지층과의 밀착성은 나쁜 경우가 많기 때문에, 웨이퍼로부터 백그라인딩 테이프를 박리할 때에, 점착제층이 대전 방지층으로부터 박리되기 쉽고, 웨이퍼 상에 점착제층이 잔사로서 남는 경우가 있었다(풀남음). 풀남음이 발생하면, 웨이퍼를 세정하는 등의 여분의 공정이 필요해지기 때문에, 생산 효율이 저하된다는 문제가 있었다.Here, when the antistatic layer is disposed between the adhesive layer and the substrate, the adhesive layer is in contact with the antistatic layer. However, since the adhesion between the adhesive layer and the antistatic layer is often poor, when peeling the backgrinding tape from the wafer, the adhesive layer tends to peel off from the antistatic layer, and there are cases where the adhesive layer remains as a residue on the wafer ( full left). When glue residue occurs, additional processes such as washing the wafer are required, which causes a problem in that production efficiency decreases.

본 발명은, 이러한 실상을 감안하여 이루어지고, 워크 등(즉, 워크 또는 워크 개편화물군)의 가공 시에 생기는 대전이 충분히 억제되며, 또한 워크 등으로부터 워크 가공용 보호 시트를 박리할 때에, 워크 등에의 풀남음이 억제되고 있는 워크 가공용 보호 시트를 제공하는 것, 및 상기 워크 가공용 보호 시트를 이용한 워크 개편화물의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in consideration of this actual situation, and sufficiently suppresses electrification that occurs during processing of workpieces, etc. (i.e., workpieces or individual work groups), and furthermore, when peeling the protective sheet for workpiece processing from the workpieces, etc. The purpose is to provide a protective sheet for work processing in which glue residue is suppressed, and to provide a method for manufacturing a separate work piece cargo using the protective sheet for work processing.

본 발명의 태양은, 이하와 같다.The aspects of the present invention are as follows.

[1] 워크에 첩부되는 점착제층과, 기재와, 대전 방지층이 이 순으로 적층되어 있는 워크 가공용 보호 시트로서,[1] A protective sheet for work processing in which an adhesive layer attached to the work, a base material, and an antistatic layer are laminated in this order,

점착제층과 기재는 직접 접해 있고,The adhesive layer and the substrate are in direct contact,

점착제층에서 워크에 첩부되는 면과, 대전 방지층에서 기재 측에 위치하는 면과의 거리는 300㎛ 이하인 워크 가공용 보호 시트이다.This is a protective sheet for work processing in which the distance between the surface of the adhesive layer attached to the work and the surface of the antistatic layer located on the substrate side is 300 μm or less.

[2] 워크 가공용 보호 시트는 연질재를 더 갖고,[2] The protective sheet for work processing further contains soft materials,

점착제층과, 기재와, 대전 방지층과, 연질재는, 이 순으로 적층되어 있는 [1]에 기재된 워크 가공용 보호 시트이다.The protective sheet for work processing described in [1] is one in which the adhesive layer, the base material, the antistatic layer, and the soft material are laminated in this order.

[3] 기재의 두께는 10㎛ 이상 80㎛ 이하인 [1] 또는 [2]에 기재된 워크 가공용 보호 시트이다.[3] The protective sheet for work processing according to [1] or [2], wherein the thickness of the base material is 10 μm or more and 80 μm or less.

[4] 대전 방지층의 두께는 0.2㎛ 이상인 [1] 내지 [3] 중 어느 것에 기재된 워크 가공용 보호 시트이다.[4] The protective sheet for work processing according to any one of [1] to [3], wherein the antistatic layer has a thickness of 0.2 μm or more.

[5] 점착제층에서 워크에 첩부되는 면의 표면 저항률은 1.0 × 1013Ω/□보다 큰 [1] 내지 [4] 중 어느 것에 기재된 워크 가공용 보호 시트이다.[5] The protective sheet for work processing according to any one of [1] to [4], wherein the surface resistivity of the surface of the adhesive layer attached to the work is greater than 1.0 × 10 13 Ω/□.

[6] 워크 가공용 보호 시트의 영률과, 워크 가공용 보호 시트의 두께와의 곱은, 1.0 × 105N/m 이상인 [1] 내지 [5] 중 어느 것에 기재된 워크 가공용 보호 시트이다.[6] The protective sheet for work processing according to any one of [1] to [5], wherein the product of the Young's modulus of the protective sheet for work processing and the thickness of the protective sheet for work processing is 1.0 × 10 5 N/m or more.

[7] 표면에 홈, 또는, 내부에 개질 영역이 형성된 워크의 이면을 연삭함으로써 워크를 워크 개편화물로 개편화하는 공정에서, 워크의 표면에 첩부되어 사용되는 [1] 내지 [6] 중 어느 것에 기재된 워크 가공용 보호 시트이다.[7] Any of [1] to [6] used by attaching to the surface of the work in the process of breaking the work into pieces by grinding the back side of the work on which grooves are formed on the surface or modified areas inside. This is a protective sheet for work processing as described above.

[8] 표리면을 갖는 워크의 표면에, [1] 내지 [7] 중 어느 것에 기재된 워크 가공용 보호 시트를 첩부하는 공정과,[8] A process of attaching the protective sheet for work processing according to any one of [1] to [7] to the surface of a work having front and back surfaces;

워크의 표면에 홈을 형성하는 공정, 또는, 워크의 내부에 개질 영역을 형성하는 공정과,A process of forming a groove on the surface of the work, or a process of forming a modified area inside the work,

워크 가공용 보호 시트가 표면에 첩부되며, 또한 홈 또는 개질 영역이 형성된 워크를 이면 측으로부터 연삭하여, 홈 또는 개질 영역을 기점으로 하여, 복수의 워크 개편화물로 개편화시키는 공정과,A protective sheet for work processing is attached to the surface, and a work in which grooves or modified areas are formed is ground from the back side, and the grooves or modified areas are used as a starting point to separate the work pieces into a plurality of individual pieces;

복수의 워크 개편화물로부터, 워크 가공용 보호 시트를 박리하는 공정을 갖는 워크 개편화물의 제조 방법이다.A method for manufacturing separate work pieces including a step of peeling a protective sheet for work processing from a plurality of piece pieces of work.

본 발명에 의하면, 워크 등(즉, 워크 또는 워크 개편화물군)의 가공 시에 생기는 대전이 충분히 억제되며, 또한 워크 등으로부터 워크 가공용 보호 시트를 박리할 때에, 워크 등에의 풀남음이 억제되고 있는 워크 가공용 보호 시트를 제공하는 것, 및 상기 워크 가공용 보호 시트를 이용한 워크 개편화물의 제조 방법을 제공할 수 있다.According to the present invention, electrification that occurs during processing of works, etc. (i.e., works or individual work groups) is sufficiently suppressed, and also, when peeling the protective sheet for work processing from the work, etc., glue residue on the works, etc. is suppressed. A protective sheet for work processing can be provided, and a method for manufacturing a piece of workpiece cargo using the protective sheet for work processing can be provided.

도 1a는, 본 실시형태에 따른 워크 가공용 보호 시트의 일례를 나타내는 단면 모식도이다.
도 1b는, 본 실시형태에 따른 워크 가공용 보호 시트의 다른 예를 나타내는 단면 모식도이다.
도 2는, 본 실시형태에 따른 워크 가공용 보호 시트가 웨이퍼의 표면에 첩부된 모습을 나타내는 단면 모식도이다.
1A is a cross-sectional schematic diagram showing an example of a protective sheet for workpiece processing according to this embodiment.
1B is a cross-sectional schematic diagram showing another example of a protective sheet for work processing according to this embodiment.
Figure 2 is a cross-sectional schematic diagram showing the protective sheet for work processing according to the present embodiment attached to the surface of a wafer.

이하, 본 발명을, 구체적인 실시형태에 기초하여, 도면을 이용하여 상세하게 설명한다. 우선, 본 명세서에서 사용하는 주된 용어를 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail based on specific embodiments and using drawings. First, the main terms used in this specification will be explained.

워크란, 워크 가공용 보호 시트가 첩부되어, 그 후, 개편화되는 판상체를 말한다. 워크로서는, 원형(단, 오리엔테이션 플랫을 갖는 경우를 포함함)의 웨이퍼, 각형(角形)의 패널 레벨 패키지 및 몰드 수지 봉지(封止)를 실시한 스트립(단책형(短冊形) 기판) 등을 들 수 있고, 그 중에서도 본 발명의 효과가 얻어지기 쉬운 관점에서, 웨이퍼가 바람직하다. 웨이퍼로서는, 예를 들면 실리콘 웨이퍼, 갈륨비소 웨이퍼, 탄화규소 웨이퍼, 질화갈륨 웨이퍼, 인듐인 웨이퍼 등의 반도체 웨이퍼나, 유리 웨이퍼, 탄탈럼산리튬 웨이퍼, 니오븀산리튬 웨이퍼 등의 절연체 웨이퍼여도 좋고, 또한, 팬 아웃 패키지 등의 제작에 이용하는 수지와 반도체로 이루어지는 재구성 웨이퍼여도 좋다. 본 발명의 효과가 얻어지기 쉬운 관점에서, 웨이퍼로서는, 반도체 웨이퍼 또는 절연체 웨이퍼가 바람직하고, 반도체 웨이퍼가 보다 바람직하다.A work refers to a plate-shaped body to which a protection sheet for work processing is attached and then divided into individual pieces. Examples of the work include circular wafers (including those with an orientation flat), rectangular panel level packages, and strips (single-shaped substrates) encapsulated with mold resin. and, among these, wafers are preferable from the viewpoint of making it easier to obtain the effects of the present invention. The wafer may be, for example, a semiconductor wafer such as a silicon wafer, gallium arsenide wafer, silicon carbide wafer, gallium nitride wafer, or indium phosphorus wafer, or an insulator wafer such as a glass wafer, lithium tantalum wafer, or lithium niobate wafer. , a reconstituted wafer made of a resin and a semiconductor used in the production of fan-out packages, etc. may be used. From the viewpoint of easily obtaining the effect of the present invention, the wafer is preferably a semiconductor wafer or insulator wafer, and a semiconductor wafer is more preferable.

워크의 개편화는, 워크를 회로마다 분할하여, 워크 개편화물을 얻는 것을 말한다. 예를 들면, 워크가 웨이퍼인 경우에는, 워크 개편화물은 칩이며, 워크가 패널 레벨 패키지 또는 몰드 수지 봉지를 실시한 스트립(단책형 기판)인 경우에는, 워크 개편화물은 반도체 패키지이다.Work reorganization refers to dividing the work into circuits to obtain work reorganization cargo. For example, when the work is a wafer, the separate work cargo is a chip, and when the work is a panel level package or a strip (single-type substrate) with mold resin encapsulation, the separate work cargo is a semiconductor package.

워크의 「표면」은, 회로 등이 형성되어 있거나, 혹은, 회로 등의 형성이 예정되어 있는 측의 면을 가리키고, 워크의 「이면」은, 회로 등이 형성되어 있지 않거나, 혹은, 회로 등의 형성이 예정되어 있지 않은 측의 면을 가리킨다.The “surface” of the work refers to the side on which circuits, etc. are formed or where circuits, etc. are scheduled to be formed, and the “back side” of the work refers to the side where circuits, etc. are not formed, or the side where circuits, etc. are scheduled to be formed. It refers to the side that is not scheduled to be formed.

DBG(Dicing Before Grinding)는, 워크로서의 웨이퍼의 표면에 소정 깊이의 홈을 형성한 후, 웨이퍼 이면 측으로부터 연삭을 행하고, 연삭에 의해 웨이퍼를 개편화하는 방법을 말한다. 웨이퍼의 표면에 형성되는 홈은, 블레이드 다이싱, 레이저 다이싱이나 플라스마 다이싱 등의 방법에 의해 형성된다.DBG (Dicing Before Grinding) refers to a method of forming a groove of a predetermined depth on the surface of a wafer as a work, then grinding the wafer from the back side, and breaking the wafer into pieces by grinding. The grooves formed on the surface of the wafer are formed by methods such as blade dicing, laser dicing, or plasma dicing.

또한, LDBG(Laser Dicing Before Grinding)는, DBG의 변형예이며, 레이저로 워크로서의 웨이퍼 내부에 개질 영역을 마련하고, 웨이퍼 이면 연삭 시의 응력 등으로 웨이퍼의 개편화를 행하는 방법을 말한다.Additionally, LDBG (Laser Dicing Before Grinding) is a modified example of DBG and refers to a method of providing a modified area inside a wafer as a workpiece with a laser and dividing the wafer into pieces using stress during grinding the back side of the wafer.

「워크 개편화물군」이란, 워크의 개편화 후에, 본 발명에 따른 워크 가공용 보호 시트 상에 보지된, 복수의 워크 개편화물을 말한다. 이들 워크 개편화물은, 전체적으로, 워크의 형상과 마찬가지의 형상을 구성한다. 또한, 「칩군」이란, 워크로서의 웨이퍼의 개편화 후에, 본 발명에 따른 워크 가공용 보호 시트 상에 보지된, 복수의 칩을 말한다. 이들 칩은, 전체적으로, 웨이퍼의 형상과 마찬가지의 형상을 구성한다.The term “piece workpiece cargo group” refers to a plurality of piecework cargoes held on a protection sheet for work processing according to the present invention after the workpieces have been broken into pieces. These work piece cargoes, as a whole, have a shape similar to that of the work. In addition, the “chip group” refers to a plurality of chips held on the protection sheet for work processing according to the present invention after the wafer as the work has been separated into individual pieces. These chips, as a whole, have a shape similar to that of the wafer.

「(메타)아크릴레이트」는, 「아크릴레이트」 및 「메타크릴레이트」의 쌍방을 나타내는 단어로서 이용하고 있으며, 다른 유사 용어에 대해서도 마찬가지이다.“(Meth)acrylate” is used as a word representing both “acrylate” and “methacrylate”, and the same applies to other similar terms.

「에너지선」은, 자외선, 전자선 등을 가리키고, 바람직하게는 자외선이다.“Energy rays” refer to ultraviolet rays, electron beams, etc., and are preferably ultraviolet rays.

「중량 평균 분자량」은, 특별히 언급이 없는 한, 겔·퍼미에이션·크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산값이다. 이러한 방법에 의한 측정은, 예를 들면, TOSOH CORPORATION 제조의 고속 GPC 장치 「HLC-8120GPC」에, 고속 칼럼 「TSK guard column HXL-H」, 「TSK Gel GMHXL」, 「TSK Gel G2000 HXL」(이상, 모두 TOSOH CORPORATION 제조)를 이 순서대로 연결한 것을 이용하고, 칼럼 온도: 40℃, 송액 속도: 1.0mL/분의 조건으로, 검출기를 시차 굴절률계로 하여 행해진다.Unless otherwise specified, “weight average molecular weight” is a polystyrene conversion value measured by gel permeation chromatography (GPC) method. Measurement by this method is performed, for example, using a high-speed GPC device “HLC-8120GPC” manufactured by TOSOH CORPORATION and a high-speed column “TSK guard column H XL -H”, “TSK Gel GMH XL ”, and “TSK Gel G2000 H XL” 」(all manufactured by TOSOH CORPORATION) are connected in this order, and the detector is used as a differential refractometer under the conditions of column temperature: 40°C and liquid feeding rate: 1.0 mL/min.

점착제용 조성물 등의 조성물에 관한 설명에서의 질량비는, 유효 성분(고형분)에 기초하고 있으며, 특별한 설명이 없는 한, 용매는 산입(算入)하지 않는다.The mass ratio in the description of the composition, such as the adhesive composition, is based on the active ingredient (solid content), and unless otherwise specified, the solvent is not included.

(1. 워크 가공용 보호 시트)(1. Protection sheet for work processing)

워크 가공용 보호 시트는, 한쪽 면(표면)에 회로 등이 형성되고, 다른쪽 면(이면)에 회로 등이 형성되어 있지 않은 워크 등(즉, 워크 또는 워크 개편화물군)을 가공할 때에 이용된다. 워크 등의 표면은, 회로가 노출되어 있는 면이어도 좋고, 회로를 보호하기 위해 회로 상에 형성되어 있는 보호층의 주면(主面)이어도 좋다. 또한, 회로 상에, 범프 등의 볼록 형상 전극이 형성되어 있어도 좋다.The protective sheet for work processing is used when processing workpieces, etc. (i.e., workpieces or individual work groups) in which circuits, etc. are formed on one side (surface), and circuits, etc. are not formed on the other side (back side). . The surface of the workpiece or the like may be a surface on which the circuit is exposed, or may be the main surface of a protective layer formed on the circuit to protect the circuit. Additionally, convex electrodes such as bumps may be formed on the circuit.

워크 등의 가공으로서는, 예를 들면, 워크의 이면 연삭이 예시된다. 워크의 이면을 연삭함으로써, 워크를 개편화하여 얻어지는 워크 개편화물의 박형화를 실현할 수 있다.Examples of processing of a workpiece or the like include grinding the back side of the workpiece. By grinding the back side of the work, it is possible to realize a reduction in the thickness of the individual work pieces obtained by dividing the work into pieces.

워크 가공용 보호 시트는, 워크의 이면 연삭을 행하기 전에, 워크의 표면에 일시적으로 첩부되어, 워크의 표면을 보호한다. 워크 가공용 보호 시트가 워크의 표면에 첩부된 상태에서, 워크의 이면이 연삭된다. 연삭 종료 후, 워크 가공용 보호 시트는 워크 또는 워크 개편화물군으로부터 박리된다.The protective sheet for work processing is temporarily attached to the surface of the work before grinding the back side of the work to protect the surface of the work. With the protective sheet for work processing attached to the surface of the work, the back side of the work is ground. After grinding is completed, the protective sheet for work processing is peeled off from the work or the work unit cargo group.

상술한 바와 같이, 워크 등의 가공으로서, 예를 들면, 웨이퍼의 이면 연삭 시에는 워크 또는 워크 개편화물군에 대전이 생긴다. 또한, 예를 들면, 워크 가공용 보호 시트의 박리 시에도 대전(박리 대전)이 생긴다. 이러한 대전이 완화되지 않는 경우, 대전에 기인하는 워크 등(즉, 워크 또는 워크 개편화물군)에의 이물 등의 부착을 초래하고, 그에 수반하여, 워크 등의 파손이나 크랙이 발생할 우려가 있다. 또는, 워크 등에 형성되어 있는 회로의 파괴로 이어질 우려가 있다.As described above, when processing a workpiece or the like, for example, when grinding the back side of a wafer, charging occurs in the workpiece or the workpiece load group. Additionally, for example, electrification (peel-off electrification) occurs even when the protective sheet for work processing is peeled off. If this charging is not alleviated, there is a risk that foreign substances, etc. may adhere to the workpieces, etc. (i.e., workpieces or separate workpiece cargo groups) due to the charging, and as a result, damage or cracks in the workpieces, etc. may occur. Alternatively, there is a risk that it may lead to destruction of the circuit formed on the workpiece, etc.

그래서, 이러한 박리 대전을 억제하기 위해, 워크 가공용 보호 시트에 대전 방지층을 마련하는 것이 행해지고 있다.Therefore, in order to suppress such peeling and electrification, an antistatic layer is provided on a protective sheet for work processing.

박리 대전은, 워크 또는 워크 개편화물군의 표면과 워크 가공용 보호 시트의 점착제층과의 계면에서 생기므로, 대전을 완화하기 쉽게 하기 위해, 대전 방지층은 점착제층의 근방에 배치되고, 특히 대전 방지층과 점착제층을 적층하여 배치하는 것이 행해지고 있다. 이 경우, 기재 상에 대전 방지층이 형성되고, 또한 그 위에 점착제층이 형성되는 구성이 채용되기 쉽다.Since peeling electrification occurs at the interface between the surface of the work or the work piece package and the adhesive layer of the protective sheet for work processing, in order to easily alleviate the electrification, an antistatic layer is disposed near the adhesive layer, especially the antistatic layer and the adhesive layer. Laminating and arranging adhesive layers is performed. In this case, a configuration in which an antistatic layer is formed on the base material and an adhesive layer is formed thereon is likely to be adopted.

이러한 구성을 갖는 워크 가공용 보호 시트를 이용하여 워크의 이면 연삭을 행한 경우, 대전 방지층과 점착제층과의 밀착성이 불충분해지기 쉬워, 워크 가공용 보호 시트의 박리 시에, 점착제층이 워크 가공용 보호 시트로부터 벗겨져, 워크 또는 워크 개편화물군의 표면 상에 잔사로서 잔류하는 경우가 있었다.When grinding the back side of a workpiece using a protective sheet for work processing with this structure, the adhesion between the antistatic layer and the adhesive layer tends to become insufficient, and when the protective sheet for work processing is peeled, the adhesive layer separates from the protective sheet for work processing. There were cases where it peeled off and remained as a residue on the surface of the work or work piece cargo group.

그래서, 본 실시형태에 따른 워크 가공용 보호 시트는, 대전 방지층과 박리 대전이 생기고 있는 점착제층의 표면과의 거리를 소정의 범위 내로 함으로써, 대전 방지 성능을 충분히 발휘시키고 있다. 또한, 점착제층과 워크 가공용 보호 시트의 부재와의 밀착성을 확보함으로써, 워크 가공용 보호 시트의 박리 시에, 점착제층이 워크 가공용 보호 시트로부터 벗겨지는 것을 억제하고 있다. 따라서, 본 실시형태에 따른 워크 가공용 보호 시트는, 특히, 표면에 홈, 또는, 내부에 개질 영역이 형성된 워크의 이면을 연삭함으로써 워크를 워크 개편화물로 개편화하는 공정에서, 워크의 표면에 첩부되는 워크 가공용 보호 시트로서 바람직하다.Therefore, the protective sheet for work processing according to the present embodiment sufficiently exhibits antistatic performance by keeping the distance between the antistatic layer and the surface of the adhesive layer where peeling charge is generated within a predetermined range. Additionally, by ensuring adhesion between the adhesive layer and the member of the protective sheet for work processing, the adhesive layer is prevented from peeling off from the protective sheet for work processing when the protective sheet for work processing is peeled off. Therefore, the protective sheet for work processing according to the present embodiment is attached to the surface of the work, especially in the process of dividing the work into individual work pieces by grinding the back side of the work on which grooves are formed on the surface or modified areas therein. It is suitable as a protective sheet for workpiece processing.

이러한 효과를 갖는 본 실시형태에 따른 워크 가공용 보호 시트의 구성에 대해서 설명한다.The configuration of the protective sheet for work processing according to the present embodiment having such effects will be described.

본 실시형태에 따른 워크 가공용 보호 시트는, 점착제층과, 기재와, 대전 방지층이 이 순으로 적층되어 있는 구성을 갖고 있다. 구체적으로는, 워크 가공용 보호 시트(1)는, 도 1a에 나타내는 바와 같이, 기재(10)의 한쪽 주면(10a) 상에 대전 방지층(20)이 마련되고, 기재(10)의 다른쪽 주면(10b) 상에 점착제층(30)이 마련된 구성을 갖고 있다. 따라서, 기재(10)와 점착제층(30)은 직접 접해 있다.The protective sheet for work processing according to this embodiment has a configuration in which an adhesive layer, a base material, and an antistatic layer are laminated in this order. Specifically, the protective sheet 1 for work processing, as shown in FIG. 1A, has an antistatic layer 20 provided on one main surface 10a of the base material 10, and an antistatic layer 20 on the other main surface of the base material 10 ( 10b) has a configuration in which an adhesive layer 30 is provided on the top. Therefore, the substrate 10 and the adhesive layer 30 are in direct contact.

기재와 점착제층이 직접 접해 있음으로써, 기재와 점착제층과의 밀착성이 충분히 확보되어, 워크 가공용 보호 시트를 워크 또는 워크 개편화물군으로부터 박리할 때에도, 점착제층이 기재로부터 박리하지 않고, 박리 후의 워크 또는 워크 개편화물군 상에 점착제층이 잔사로서 남는 것을 억제할 수 있다. 특히, 도 1a에 나타내는 바와 같이, 점착제층(30)과 대전 방지층(20) 사이에 기재(10)가 존재하고 있으므로, 점착제층(30)과의 밀착성이 떨어지는 대전 방지층(20)과 점착제층(30)이 직접 접하는 일은 없다.Since the base material and the adhesive layer are in direct contact, sufficient adhesion between the base material and the adhesive layer is ensured, so that even when the protective sheet for work processing is peeled from the work or the work piece cargo group, the adhesive layer does not peel from the base material, and the workpiece after peeling is not peeled off. Alternatively, it is possible to suppress the adhesive layer from remaining as a residue on the work piece cargo group. In particular, as shown in FIG. 1A, since the base material 10 exists between the adhesive layer 30 and the antistatic layer 20, the antistatic layer 20 and the adhesive layer ( 30) There is no such thing as direct contact.

또한, 도 1a에 나타내는 워크 가공용 보호 시트(1)에서는, 점착제층(30)에서 워크에 첩부되는 면(30a)과, 대전 방지층(20)에서 기재 측에 위치하는 면(20a)과의 거리(D)가 300㎛ 이하이다. 도 1a에 나타내는 워크 가공용 보호 시트(1)에서는, 이 거리(D)는, 점착제층(30)의 두께와 기재(10)의 두께와의 합에 상당한다.In addition, in the protective sheet 1 for work processing shown in FIG. 1A, the distance between the surface 30a of the adhesive layer 30 attached to the workpiece and the surface 20a of the antistatic layer 20 located on the substrate side is ( D) is 300㎛ or less. In the protective sheet 1 for work processing shown in FIG. 1A, this distance D corresponds to the sum of the thickness of the adhesive layer 30 and the thickness of the base material 10.

상기의 거리를 상기의 범위 내로 함으로써, 워크 가공용 보호 시트(1)는 대전 방지 성능을 발휘할 수 있으므로, 과잉의 대전(특히, 박리 대전)을 억제할 수 있다.By keeping the above-mentioned distance within the above-mentioned range, the protective sheet 1 for workpiece processing can exhibit anti-static performance, and thus excessive electrification (particularly peeling electrification) can be suppressed.

상기의 거리(D)는 250㎛ 이하인 것이 바람직하고, 200㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 150㎛ 이하인 것이 더 바람직하다. 또한, 상기의 거리의 하한값은, 상술한 구성을 만족하는 한에 있어서 제한되지 않지만, 보다 안정된 성능의 워크 가공용 보호 시트가 얻어지기 쉬운 관점에서, 예를 들면, 20㎛ 이상이어도 좋고, 35㎛ 이상이어도 좋다.The above distance (D) is preferably 250 μm or less, more preferably 200 μm or less, and still more preferably 150 μm or less. In addition, the lower limit of the above distance is not limited as long as it satisfies the above-described configuration, but from the viewpoint of making it easier to obtain a protective sheet for work processing with more stable performance, it may be, for example, 20 ㎛ or more, and 35 ㎛ or more. It's okay to continue.

또한, 본 실시형태에서는, 워크 가공용 보호 시트의 23℃에서의 영률과, 워크 가공용 보호 시트의 두께와의 곱이 1.0 × 105N/m 이상인 것이 바람직하다. 이 곱은, 워크 가공용 보호 시트 전체적인 인장(引張)에 대한 저항 정도를 수치화한 것이다. 이 곱이 상기의 범위 내임으로써, 워크 가공용 보호 시트를 워크 또는 워크 개편화물군으로부터 박리할 때에, 워크 가공용 보호 시트가 워크 또는 워크 개편화물군으로부터 완전히 박리될 때까지, 이미 박리된 워크 가공용 보호 시트가 늘어나 버리는 것을 억제할 수 있다. 그에 따라, 박리에 이용하는 장치의 벗겨짐 기구의 비교적 짧은 가동 거리 내에서도, 워크 가공용 보호 시트 후반 부분이 워크 또는 워크 개편화물군으로부터 떼어지지 않고 남아 버리는 것을 억제할 수 있다. 비교적 짧은 가동 거리 내에서 워크 가공용 보호 시트를 떼어낼 수 있으면, 박리 시간도 짧아지기 때문에, 생산 효율을 향상시킬 수 있고, 또한, 박리 대전에 의해 디바이스가 파괴되는 리스크를 저감할 수 있다.Furthermore, in this embodiment, it is preferable that the product of the Young's modulus of the protective sheet for work processing at 23°C and the thickness of the protective sheet for work processing is 1.0 × 10 5 N/m or more. This product quantifies the overall resistance to tension of the protective sheet for work processing. When this product is within the above range, when the protective sheet for work processing is peeled from the work or the separate work load group, the already peeled protective sheet for work processing will not be removed until the protective sheet for work processing is completely peeled from the work or the separate work load group. It can prevent stretching. Accordingly, even within a relatively short operating distance of the peeling mechanism of the device used for peeling, it is possible to prevent the latter part of the protective sheet for work processing from remaining without being separated from the work or the work piece load group. If the protective sheet for work processing can be removed within a relatively short operating distance, the peeling time is shortened, so production efficiency can be improved and the risk of the device being destroyed by peeling and electrification can be reduced.

영률은, JIS K 7127에 준하여 측정된다. 즉, JIS K 7127에 규정되어 있는 측정 방법과 마찬가지로 측정하지만, 측정 조건이 달라도 된다. 구체적인 측정 방법은 실시예에서 설명한다.Young's modulus is measured according to JIS K 7127. In other words, measurement is performed in the same manner as the measurement method specified in JIS K 7127, but measurement conditions may be different. Specific measurement methods are explained in the examples.

상기의 곱은 1.4 × 105N/m 이상인 것이 보다 바람직하고, 1.8 × 105N/m 이상인 것이 더 바람직하다. 상기의 곱의 상한값은 특별히 제한되지 않지만, 보다 안정된 성능의 워크 가공용 보호 시트가 얻어지기 쉬운 관점에서, 9.9 × 105N/m 이하여도 된다.The above product is more preferably 1.4 × 10 5 N/m or more, and more preferably 1.8 × 10 5 N/m or more. The upper limit of the above product is not particularly limited, but may be 9.9 × 10 5 N/m or less from the viewpoint of making it easier to obtain a protective sheet for work processing with more stable performance.

이하, 워크 가공용 보호 시트의 구성 요소에 대해서 상세하게 설명한다.Hereinafter, the components of the protective sheet for work processing will be described in detail.

(2. 기재)(2. Description)

기재는, 워크 가공용 보호 시트의 강성(剛性)을 담당하는 막상(膜狀)의 부재이다. 따라서, 기재는, 워크의 이면 연삭 시의 진동 등을 억제할 수 있고, 워크를 안정적으로 지지할 수 있을 정도의 강성을 가질 필요가 있다. 본 실시형태에서는, 기재의 강성은 영률에 의해 평가한다. 구체적으로는, 기재의 23℃에서의 영률은 500㎫ 이상인 것이 바람직하다.The base material is a membrane-like member responsible for the rigidity of the protective sheet for work processing. Therefore, the base material needs to be rigid enough to suppress vibrations during grinding of the back side of the workpiece and to stably support the workpiece. In this embodiment, the rigidity of the substrate is evaluated by Young's modulus. Specifically, it is preferable that the Young's modulus of the substrate at 23°C is 500 MPa or more.

기재의 영률이 상기의 범위 내임으로써, 워크 등(즉, 워크 또는 워크 개편화물군)의 지지 및 보지 성능이 향상되고, 워크 등의 파손이나 크랙이 저감된다. 또한, 워크 가공용 보호 시트의 23℃에서의 영률과, 워크 가공용 보호 시트의 두께와의 곱이 상술한 범위 내인 워크 가공용 보호 시트가 보다 얻어지기 쉬워진다. 또한, 워크 가공용 보호 시트를 워크에 첩부할 때의 작업성도 양호해진다.When the Young's modulus of the base material is within the above range, the support and retention performance of the workpiece, etc. (i.e., workpiece or separate work load group) is improved, and breakage and cracks of the workpiece, etc. are reduced. In addition, it becomes easier to obtain a protective sheet for work processing in which the product of the Young's modulus at 23°C of the protective sheet for work processing and the thickness of the protective sheet for work processing is within the above-mentioned range. Additionally, workability when attaching the protective sheet for work processing to the workpiece also improves.

상기의 기재의 23℃에서의 영률은 750㎫ 이상인 것이 보다 바람직하고, 1000㎫ 이상인 것이 더 바람직하고, 3000㎫ 이상인 것이 특히 바람직하다. 영률의 상한은 특별히 제한되지 않지만, 5500㎫ 이하여도 좋다.The Young's modulus at 23°C of the above-described base material is more preferably 750 MPa or more, more preferably 1000 MPa or more, and particularly preferably 3000 MPa or more. The upper limit of Young's modulus is not particularly limited, but may be 5500 MPa or less.

기재의 23℃에서의 영률은, 상기 워크 가공용 보호 시트의 23℃에서의 영률과 마찬가지의 방법으로 측정할 수 있다.The Young's modulus at 23°C of the base material can be measured by the same method as the Young's modulus at 23°C of the protective sheet for work processing.

기재의 두께는, 본 실시형태에서는, 8㎛ 이상 130㎛ 이하인 것이 바람직하고, 10㎛ 이상 80㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 20㎛ 이상 70㎛ 이하인 것이 더 바람직하고, 25㎛ 이상 60㎛ 이하인 것이 특히 바람직하다. 기재의 두께가 상기의 범위 내임으로써, 상술한 워크 가공용 보호 시트의 물성을 만족하기 쉬워진다.In the present embodiment, the thickness of the base material is preferably 8 μm or more and 130 μm or less, more preferably 10 μm or more and 80 μm or less, more preferably 20 μm or more and 70 μm or less, and especially 25 μm or more and 60 μm or less. desirable. When the thickness of the base material is within the above range, it becomes easy to satisfy the physical properties of the protective sheet for work processing described above.

(2.1 기재의 재질)(2.1 Base material)

기재의 재질로서는, 기재의 영률이 상기의 범위 내가 되도록 재료를 선택하면 된다. 이러한 재료로서는, 각종 수지 필름이 예시된다. 기재는, 1개의 수지 필름으로 이루어지는 단층 필름으로 구성되어 있어도 좋고, 복수의 수지 필름이 적층된 복층 필름으로 구성되어 있어도 좋다.As the material of the base material, a material may be selected so that the Young's modulus of the base material is within the above range. Examples of such materials include various resin films. The base material may be comprised of a single-layer film made of one resin film, or may be comprised of a multi-layer film in which a plurality of resin films are laminated.

본 실시형태에서는, 수지 필름으로서, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 전방향족 폴리에스테르 등의 폴리에스테르, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 폴리아세탈, 변성 폴리페닐렌옥사이드, 폴리페닐렌설파이드, 폴리설폰, 폴리에테르케톤, 고밀도 폴리에틸렌(HDPE, 밀도: 942㎏/㎥ 이상), 이축 연신 폴리올레핀 등의 필름을 들 수 있다. 이들 중에서도, 폴리에스테르, 폴리아미드, 폴리이미드, 고밀도 폴리에틸렌, 이축 연신 폴리올레핀에서 선택되는 1종 이상의 필름인 것이 바람직하고, 폴리에스테르 또는 고밀도 폴리에틸렌의 필름인 것이 보다 바람직하고, 폴리에틸렌테레프탈레이트의 필름인 것이 더 바람직하다.In this embodiment, the resin film includes, for example, polyester such as polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate, and wholly aromatic polyester, polyimide, polyamide, polycarbonate, polyacetal, and modified poly. Films such as phenylene oxide, polyphenylene sulfide, polysulfone, polyether ketone, high-density polyethylene (HDPE, density: 942 kg/m3 or more), and biaxially stretched polyolefin can be mentioned. Among these, it is preferable that it is one or more films selected from polyester, polyamide, polyimide, high-density polyethylene, and biaxially oriented polyolefin, more preferably a film of polyester or high-density polyethylene, and a film of polyethylene terephthalate. It is more desirable.

또한, 기재는, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 가소제, 활제(滑劑), 적외선 흡수제, 자외선 흡수제, 필러, 착색제, 대전 방지제, 산화 방지제, 촉매 등을 포함해도 좋다. 또한, 기재는, 투명한 것이어도, 불투명한 것이어도 좋고, 원하는 바에 따라 착색 또는 증착되어 있어도 좋다.Additionally, the base material may contain a plasticizer, a lubricant, an infrared absorber, an ultraviolet ray absorber, a filler, a colorant, an antistatic agent, an antioxidant, a catalyst, etc., as long as the effect of the present invention is not impaired. Additionally, the substrate may be transparent or opaque, and may be colored or vapor-deposited as desired.

또한, 기재의 적어도 한쪽 주면에는, 다른 층과의 밀착성을 향상시키기 위해, 코로나 처리 등의 접착 처리를 실시해도 된다. 또한, 기재는, 주면의 적어도 한쪽에 프라이머층을 가져도 된다. 즉, 프라이머층은 기재에 포함된다.Additionally, adhesion treatment such as corona treatment may be applied to at least one main surface of the substrate to improve adhesion with other layers. Additionally, the base material may have a primer layer on at least one side of the main surface. That is, the primer layer is included in the substrate.

프라이머층을 형성하는 프라이머층 형성용 조성물로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 폴리에스테르계 수지, 우레탄계 수지, 폴리에스테르우레탄계 수지, 아크릴계 수지 등을 포함하는 조성물을 들 수 있다. 프라이머층 형성용 조성물에는, 필요에 따라, 가교제, 광중합개시제, 산화 방지제, 연화제(가소제), 충진제, 방청제, 안료, 염료 등을 함유해도 된다.The primer layer forming composition for forming the primer layer is not particularly limited, but examples include compositions containing polyester resin, urethane resin, polyester urethane resin, acrylic resin, etc. The composition for forming a primer layer may contain a crosslinking agent, photopolymerization initiator, antioxidant, softener (plasticizer), filler, rust preventive, pigment, dye, etc., as needed.

프라이머층의 두께는, 바람직하게는 0.01 ∼ 10㎛, 보다 바람직하게는 0.03 ∼ 5㎛이다. 프라이머층의 재질은 유연하기 때문에, 영률에 주는 영향은 작고, 기재의 영률은, 프라이머층을 가질 경우에도, 수지 필름의 영률과 실질적으로 동일하다.The thickness of the primer layer is preferably 0.01 to 10 μm, more preferably 0.03 to 5 μm. Since the material of the primer layer is flexible, the effect on the Young's modulus is small, and the Young's modulus of the base material is substantially the same as the Young's modulus of the resin film even when it has a primer layer.

예를 들면, 기재의 영률은, 수지 조성의 선택, 가소제의 첨가, 수지 필름 제조 시의 연신 조건 등에 따라 제어할 수 있다.For example, the Young's modulus of the substrate can be controlled by selection of the resin composition, addition of a plasticizer, stretching conditions during production of the resin film, etc.

(3. 대전 방지층)(3. Anti-static layer)

대전 방지층은, 점착제층과의 밀착성이 떨어지기 때문에, 점착제층과 접촉하지 않도록 배치되어 있는 것이 바람직하다. 도 1a에서는, 대전 방지층(20)이 기재(10)의 한쪽 주면(10a)에 배치되고, 점착제층(30)이 기재(10)의 다른쪽 주면(10b)에 배치되어 있다. 대전 방지층에서는, 대전 방지 성분이, 워크 가공용 보호 시트가 첩부된 워크 또는 워크 개편화물군의 가공 등에 기인하는 대전을 누설함으로써, 대전압이 높아지는 것을 억제할 수 있다. 본 실시형태에서는, 대전 방지층의 표면에 대하여 표면 저항률을 측정했을 때에, 대전 방지층의 표면 저항률은 1.0 × 108Ω/□ 이하이다. 표면 저항률의 단위는 시트 저항이며, 저항률에 두께가 포함된 저항률이다. 본 실시형태에서는, 표면 저항률은 JIS K 7194에 준하여 측정된다. 즉, JIS K 7194에 규정되어 있는 측정 방법과 마찬가지로 측정하지만, 측정 조건이 달라도 된다.Since the antistatic layer has poor adhesion to the adhesive layer, it is preferably disposed so as not to contact the adhesive layer. In FIG. 1A , the antistatic layer 20 is disposed on one main surface 10a of the substrate 10, and the adhesive layer 30 is disposed on the other main surface 10b of the substrate 10. In the antistatic layer, the antistatic component can prevent the electrostatic voltage from increasing by leaking electrification resulting from the processing of the workpiece or the individual workpiece cargo group to which the workpiece processing protection sheet is attached. In this embodiment, when the surface resistivity of the antistatic layer is measured, the surface resistivity of the antistatic layer is 1.0 × 10 8 Ω/□ or less. The unit of surface resistivity is sheet resistance, and it is a resistivity that includes thickness in the resistivity. In this embodiment, the surface resistivity is measured according to JIS K 7194. In other words, measurement is performed in the same manner as the measurement method specified in JIS K 7194, but measurement conditions may be different.

대전 방지층의 두께는, 워크 가공용 보호 시트가 상기의 대전 방지성을 발휘하는 관점에서, 0.2㎛ 이상인 것이 바람직하고, 0.4㎛ 이상인 것이 보다 바람직하고, 0.6㎛ 이상인 것이 더 바람직하다. 또한, 상기 두께는, 보다 안정된 성능의 워크 가공용 보호 시트가 얻어지기 쉬운 관점에서, 10㎛ 이하인 것이 바람직하고, 5㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 3㎛ 이하인 것이 더 바람직하다.The thickness of the antistatic layer is preferably 0.2 μm or more, more preferably 0.4 μm or more, and still more preferably 0.6 μm or more from the viewpoint of the protective sheet for work processing demonstrating the above-mentioned antistatic properties. In addition, the thickness is preferably 10 μm or less, more preferably 5 μm or less, and even more preferably 3 μm or less from the viewpoint of easily obtaining a protective sheet for work processing with more stable performance.

본 실시형태에서는, 대전 방지층의 조성은, 표면 저항률이 상기의 범위 내이면 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 폴리에스테르계 수지, 우레탄계 수지, 폴리에스테르우레탄계 수지, 아크릴계 수지, 폴리실록산계 수지 등의 조막성을 부여하는 바인더 폴리머에, 유기 또는 무기의 도전성 폴리머, 계면활성제, 유기 또는 무기의 도전성 미립자 등의 대전 방지 성분을 포함하는 조성이어도 된다. 상기 바인더 폴리머와 상기 대전 방지 성분은, 부분적으로 결합을 가져도 된다. 또한, 필요에 따라, 가교제, 경화제, 광중합성 수지, 광중합개시제, 산화 방지제, 연화제(가소제), 충진제, 방청제, 안료, 염료 등을 함유해도 된다.In this embodiment, the composition of the antistatic layer is not particularly limited as long as the surface resistivity is within the above range. For example, binder polymers that provide film-forming properties for polyester resins, urethane resins, polyester urethane resins, acrylic resins, and polysiloxane resins, organic or inorganic conductive polymers, surfactants, and organic or inorganic conductive fine particles. It may be a composition containing an antistatic component such as the like. The binder polymer and the antistatic component may be partially bonded. Additionally, if necessary, it may contain a crosslinking agent, curing agent, photopolymerizable resin, photopolymerization initiator, antioxidant, softener (plasticizer), filler, rust preventive, pigment, dye, etc.

도전성 폴리머로서는, 폴리티오펜, 폴리(3-메틸티오펜), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜) 등의 폴리티오펜류, 폴리스티렌설포네이트, 폴리비닐설포네이트, 폴리아크릴설포네이트 등의 설폰산기를 갖는 고분자, 폴리아세틸렌, 폴리아닐린 등을 들 수 있다. 계면활성제로서는, 지방산 나트륨, 모노알킬황산염 등의 음이온성 계면활성제; 알킬트리메틸암모늄염, 디알킬디메틸암모늄염 등의 양이온성 계면활성제; 알킬아미노 지방산 나트륨 등의 양(兩) 이온성 계면활성제; 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 알킬모노글리세릴에테르 등의 비이온성 계면활성제를 들 수 있다. 도전성 미립자로서는, 산화주석, 산화인듐, 은, 카본 블랙, 카본 나노 튜브 등을 들 수 있다.As conductive polymers, polythiophenes such as polythiophene, poly(3-methylthiophene), poly(3,4-ethylenedioxythiophene), polystyrene sulfonate, polyvinyl sulfonate, polyacryl sulfonate, etc. Examples include polymers having a sulfonic acid group, polyacetylene, and polyaniline. Examples of the surfactant include anionic surfactants such as fatty acid sodium and monoalkyl sulfate; Cationic surfactants such as alkyltrimethylammonium salt and dialkyldimethylammonium salt; Zwitterionic surfactants such as sodium alkylamino fatty acid; Nonionic surfactants such as polyoxyethylene alkyl ether and alkyl monoglyceryl ether can be mentioned. Examples of conductive fine particles include tin oxide, indium oxide, silver, carbon black, and carbon nanotubes.

(4. 점착제층)(4. Adhesive layer)

점착제층은, 표리면을 갖는 워크의 표면(즉 회로, 전극 등이 형성된 면)에 첩부되어, 표면으로부터 박리될 때까지, 표면을 보호하고, 워크 또는 워크 개편화물군을 지지한다. 점착제층은 1층(단층)으로 구성되어 있어도 좋고, 2층 이상의 복수층으로 구성되어 있어도 좋다. 점착제층이 복수층을 가질 경우, 이들 복수층은, 서로 동일해도 달라도 좋고, 이들 복수층을 구성하는 층의 조합은 특별히 제한되지 않는다.The adhesive layer is attached to the surface of the work having front and back surfaces (i.e., the surface on which circuits, electrodes, etc. are formed), protects the surface, and supports the work or the group of separate work pieces until peeled from the surface. The adhesive layer may be composed of one layer (single layer) or may be composed of two or more layers. When the pressure-sensitive adhesive layer has multiple layers, these multiple layers may be the same or different from each other, and the combination of the layers constituting these multiple layers is not particularly limited.

점착제층의 두께는, 10㎛ 이상 300㎛ 이하인 것이 바람직하고, 20㎛ 이상 270㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다. 점착제층의 두께가 상기의 범위 내임으로써, 점착제층의 점착 물성을 충분히 발휘할 수 있고, 또한, 워크의 표면에 존재하는 요철(전극, 홈 등)에 충분히 추종하여 요철을 매립하기 쉽게 할 수 있고, 또한, 그 후의 워크 등으로부터의 박리를 행하기 쉽게 할 수 있다.The thickness of the adhesive layer is preferably 10 μm or more and 300 μm or less, and more preferably 20 μm or more and 270 μm or less. When the thickness of the adhesive layer is within the above range, the adhesive properties of the adhesive layer can be sufficiently exhibited, and the irregularities (electrodes, grooves, etc.) existing on the surface of the work can be sufficiently followed, making it easy to bury the irregularities. Additionally, subsequent peeling from the work, etc. can be easily performed.

또, 점착제층의 두께는, 점착제층 전체의 두께를 의미한다. 예를 들면, 복수층으로 구성되는 점착제층의 두께는, 점착제층을 구성하는 모든 층의 합계의 두께를 의미한다.In addition, the thickness of the adhesive layer means the thickness of the entire adhesive layer. For example, the thickness of an adhesive layer comprised of multiple layers means the total thickness of all layers constituting the adhesive layer.

본 실시형태에서는, 점착제층은 이하의 물성을 갖고 있는 것이 바람직하다.In this embodiment, the adhesive layer preferably has the following physical properties.

(4.1 표면 저항률)(4.1 Surface resistivity)

본 실시형태에서는, 점착제층의 표면 저항률이 1.0 × 1013Ω/□보다 큰 것이 바람직하다. 또, 이 표면 저항률은, 점착제층의 표면 중, 피착체인 워크에 첩부되는 면(도 1a에서는, 점착제층의 표면(30a))에서의 표면 저항률이다. 또한, 이 표면 저항률은, 점착제층이 에너지선 경화성인 경우에는, 에너지선 경화 후의 표면 저항률이다.In this embodiment, it is preferable that the surface resistivity of the adhesive layer is larger than 1.0 × 10 13 Ω/□. In addition, this surface resistivity is the surface resistivity of the surface of the adhesive layer that is attached to the work, which is the adherend (the surface 30a of the adhesive layer in FIG. 1A). In addition, this surface resistivity is the surface resistivity after energy ray curing when the adhesive layer is energy ray curable.

표면 저항률이 상기의 범위보다 낮은 경우, 예를 들면, DBG 프로세스에서 워크 가공용 보호 시트를 사용한 경우, 워크가 개편화된 후, 워크 개편화물과 워크 개편화물 사이(커프부)에 그라인더의 연삭수(硏削水)가 침입하여, 점착제 표면에 연삭수가 접촉하는 경우가 있다. 연삭수의 접촉에 의해, 점착제층의 표면 저항률이 변동하고, 특히 표면 저항률이 낮아질 우려가 있다. 한편, 워크 개편화물과 접해 있는 점착제층에는 연삭수는 접촉하지 않는다. 따라서, 점착제층의 첩부면에서, 커프부에 대응하는 영역과 워크 개편화물에 대응하는 영역에서, 연삭 전에는 균일하게 조정하고 있던 표면 저항률이, 연삭 후에는 의도하지 않게 손상되어 불균일해질 우려가 있다. 또한, 가령, 점착제에 대전 방지 성분을 함유시켜, 점착제 표면의 표면 저항률을 저하시킨 경우, 대전 방지 성분이, 점착제층을 워크 또는 워크 개편화물군으로부터 벗길 때에, 점착제층이 박리하여 워크 또는 워크 개편화물군 상의 잔사가 되어, 워크 또는 워크 개편화물군에의 악영향을 미칠 우려가 있다.If the surface resistivity is lower than the above range, for example, when a protective sheet for work processing is used in the DBG process, after the work is broken into pieces, the grinding water of the grinder is between the work pieces and the work piece pieces (kerf portion). In some cases, water may penetrate and the grinding water may come into contact with the adhesive surface. There is a risk that the surface resistivity of the pressure-sensitive adhesive layer may fluctuate due to contact with grinding water, and in particular, the surface resistivity may decrease. On the other hand, grinding water does not come into contact with the adhesive layer in contact with the work piece cargo. Accordingly, there is a risk that the surface resistivity, which was adjusted to be uniform before grinding, in the area corresponding to the cuff portion and the area corresponding to the workpiece piece cargo on the attachment surface of the adhesive layer, may be unintentionally damaged and become uneven after grinding. In addition, for example, when an antistatic component is contained in the adhesive to lower the surface resistivity of the adhesive surface, the antistatic component causes the adhesive layer to peel off when the adhesive layer is peeled from the work or the workpiece individual cargo group, causing the workpiece or individual workpieces to be separated. There is a risk that it may become residue on the cargo group and have a negative effect on the work or work reform cargo group.

표면 저항률은 2.0 × 1013Ω/□ 이상인 것이 바람직하고, 5.0 × 1013Ω/□ 이상인 것이 보다 바람직하다. 한편, 표면 저항률은 9.9 × 1014Ω/□ 이하인 것이 바람직하고, 5.0 × 1014Ω/□ 이하인 것이 보다 바람직하다.The surface resistivity is preferably 2.0 × 10 13 Ω/□ or more, and more preferably 5.0 × 10 13 Ω/□ or more. On the other hand, the surface resistivity is preferably 9.9 × 10 14 Ω/□ or less, and more preferably 5.0 × 10 14 Ω/□ or less.

본 실시형태에서는, 표면 저항률은 JIS K 7194에 준하여 측정된다. 즉, JIS K 7194에 규정되어 있는 측정 방법과 마찬가지로 측정하지만, 측정 조건이 달라도 된다. 구체적인 측정 조건은 실시예에서 후술한다.In this embodiment, the surface resistivity is measured according to JIS K 7194. In other words, measurement is performed in the same manner as the measurement method specified in JIS K 7194, but measurement conditions may be different. Specific measurement conditions are described later in the examples.

(4.2 점착제층의 조성)(4.2 Composition of adhesive layer)

점착제층의 조성은, 워크 또는 워크 개편화물군의 표면을 보호할 수 있을 정도의 점착성을 갖고 있으면 한정되지 않는다. 본 실시형태에서는, 점착제층은 점착제용 조성물로 구성되고, 예를 들면, 아크릴계 점착제용 조성물, 우레탄계 점착제용 조성물, 고무계 점착제용 조성물, 실리콘계 점착제용 조성물 등으로 구성되는 것이 바람직하다.The composition of the adhesive layer is not limited as long as it has adhesiveness sufficient to protect the surface of the work or the individual work group. In this embodiment, the pressure-sensitive adhesive layer is preferably composed of a pressure-sensitive adhesive composition, for example, an acrylic pressure-sensitive adhesive composition, a urethane-based pressure-sensitive adhesive composition, a rubber-based pressure-sensitive adhesive composition, or a silicone-based pressure-sensitive adhesive composition.

또한, 점착제층은, 에너지선 경화성 점착제용 조성물로 구성되는 에너지선 경화성 점착제층인 것이 바람직하다. 워크 가공용 보호 시트의 점착제층이 에너지선 경화성 점착제층임으로써, 워크에 첩부할 때에는 높은 점착력으로 워크에 첩부하고, 워크 또는 워크 개편화물군으로부터 박리될 때에는, 에너지선을 조사함으로써 점착력을 저하시킬 수 있다. 그 때문에, 워크 또는 워크 개편화물군의 회로 등을 적절히 보호하면서, 워크 가공용 보호 시트를 박리할 때, 워크 또는 워크 개편화물군 표면의 회로, 전극 등의 파괴가 방지된다.Moreover, it is preferable that the adhesive layer is an energy ray curable adhesive layer comprised of a composition for energy ray curable adhesives. Since the adhesive layer of the protective sheet for work processing is an energy ray-curable adhesive layer, when attached to a work, it adheres to the work with high adhesive strength, and when peeled from the work or work piece unit cargo group, the adhesive strength can be reduced by irradiating energy rays. . Therefore, while the circuits of the work or the work piece load group are appropriately protected, damage to the circuits, electrodes, etc. on the surface of the work or work piece load group is prevented when the protective sheet for work processing is peeled off.

본 실시형태에서는, 에너지선 경화성 점착제용 조성물은, 아크릴계 점착제용 조성물로 구성되는 것이 바람직하다. 아크릴계 점착제용 조성물은, 아크릴계 중합체를 함유한다.In this embodiment, the composition for an energy ray-curable adhesive is preferably comprised of a composition for an acrylic adhesive. The composition for an acrylic adhesive contains an acrylic polymer.

아크릴계 중합체로서는, 공지(公知)된 아크릴계 중합체이면 좋지만, 본 실시형태에서는, 관능기 함유 아크릴계 중합체가 바람직하다. 관능기 함유 아크릴계 중합체는, 1종류의 아크릴계 모노머로 형성된 단독 중합체여도 좋고, 복수 종류의 아크릴계 모노머로 형성된 공중합체여도 좋고, 1종류 또는 복수 종류의 아크릴계 모노머와 아크릴계 모노머 이외의 모노머로 형성된 공중합체여도 좋다.The acrylic polymer may be any known acrylic polymer, but in this embodiment, an acrylic polymer containing a functional group is preferable. The functional group-containing acrylic polymer may be a homopolymer formed of one type of acrylic monomer, a copolymer formed of multiple types of acrylic monomers, or a copolymer formed of one type or multiple types of acrylic monomer and a monomer other than the acrylic monomer. .

본 실시형태에서는, 관능기 함유 아크릴계 중합체는, 알킬(메타)아크릴레이트와 관능기 함유 모노머를 공중합한 아크릴계 공중합체인 것이 바람직하다.In this embodiment, the functional group-containing acrylic polymer is preferably an acrylic copolymer obtained by copolymerizing an alkyl (meth)acrylate and a functional group-containing monomer.

알킬(메타)아크릴레이트로서는, 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, n-프로필(메타)아크릴레이트, 이소프로필(메타)아크릴레이트, n-부틸(메타)아크릴레이트, 이소부틸(메타)아크릴레이트, t-부틸(메타)아크릴레이트, n-펜틸(메타)아크릴레이트, n-헥실(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트, 이소옥틸(메타)아크릴레이트, n-옥틸(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of alkyl (meth)acrylate include methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, n-propyl (meth)acrylate, isopropyl (meth)acrylate, n-butyl (meth)acrylate, and isobutyl. (meth)acrylate, t-butyl (meth)acrylate, n-pentyl (meth)acrylate, n-hexyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, isooctyl (meth)acrylate , n-octyl (meth)acrylate, etc.

관능기 함유 모노머는, 반응성 관능기를 함유하는 모노머이다. 반응성 관능기는, 후술하는 가교제 등의 다른 화합물과 반응하는 것이 가능한 관능기이다. 관능기 함유 모노머 중의 관능기로서는, 예를 들면, 수산기, 카르복시기, 에폭시기를 들 수 있고, 수산기가 바람직하다.A functional group-containing monomer is a monomer containing a reactive functional group. A reactive functional group is a functional group that can react with other compounds, such as a crosslinking agent described later. Examples of functional groups in the functional group-containing monomer include hydroxyl group, carboxyl group, and epoxy group, with hydroxyl group being preferable.

수산기 함유 모노머로서는, 예를 들면, (메타)아크릴산히드록시메틸, (메타)아크릴산2-히드록시에틸, (메타)아크릴산2-히드록시프로필, (메타)아크릴산3-히드록시프로필, (메타)아크릴산2-히드록시부틸, (메타)아크릴산3-히드록시부틸, (메타)아크릴산4-히드록시부틸 등의 (메타)아크릴산히드록시알킬; 비닐알코올, 알릴알코올 등의 비(메타)아크릴계 불포화 알코올((메타)아크릴로일 골격을 갖지 않는 불포화 알코올)을 들 수 있다.Examples of hydroxyl group-containing monomers include hydroxymethyl (meth)acrylate, 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 3-hydroxypropyl (meth)acrylate, and (meth)acrylic acid. Hydroxyalkyl (meth)acrylate such as 2-hydroxybutyl acrylate, 3-hydroxybutyl (meth)acrylate, and 4-hydroxybutyl (meth)acrylate; Non-(meth)acrylic unsaturated alcohols (unsaturated alcohols that do not have a (meth)acryloyl skeleton) such as vinyl alcohol and allyl alcohol can be mentioned.

아크릴계 중합체는, 또한, 에너지선 경화성기를 갖는 에너지선 경화성 물질이, 아크릴계 중합체가 갖는 관능기와 반응(예를 들면 부가 반응)하여 얻은, 에너지선 경화성기를 갖는 에너지선 경화성의 아크릴계 중합체인 것이 바람직하다. 에너지선 경화성기를 갖는 에너지선 경화성 물질로서는, 에너지선 경화성기 외에, 이소시아네이트기, 에폭시기 및 카르복시기에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 갖는 화합물이 바람직하고, 이소시아네이트기를 갖는 화합물이 보다 바람직하다. 상기 이소시아네이트기는, 관능기 함유 아크릴계 중합체의 수산기에 부가 반응시킬 수 있다.The acrylic polymer is preferably an energy ray-curable acrylic polymer having an energy ray-curable group obtained by reacting (for example, addition reaction) an energy ray-curable material having an energy ray-curable group with a functional group of the acrylic polymer. As the energy ray curable material having an energy ray curable group, a compound having one or more types selected from an isocyanate group, an epoxy group, and a carboxyl group in addition to the energy ray curable group is preferable, and a compound having an isocyanate group is more preferable. The isocyanate group can be added to the hydroxyl group of the functional group-containing acrylic polymer.

이소시아네이트기를 갖는 화합물로서는, 예를 들면, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 메타-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트, 메타크릴로일이소시아네이트, 알릴이소시아네이트, 1,1-(비스아크릴로일옥시메틸)에틸이소시아네이트; 디이소시아네이트 화합물 또는 폴리이소시아네이트 화합물과, 히드록시에틸(메타)아크릴레이트와의 반응에 의해 얻어지는 아크릴로일모노이소시아네이트 화합물; 디이소시아네이트 화합물 또는 폴리이소시아네이트 화합물과, 폴리올 화합물과, 히드록시에틸(메타)아크릴레이트와의 반응에 의해 얻어지는 아크릴로일모노이소시아네이트 화합물 등을 들 수 있다.Examples of compounds having an isocyanate group include 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, meta-isopropenyl-α,α-dimethylbenzyl isocyanate, methacryloyl isocyanate, allyl isocyanate, 1,1-(bisacryl Royloxymethyl)ethyl isocyanate; An acryloyl monoisocyanate compound obtained by reaction of a diisocyanate compound or polyisocyanate compound and hydroxyethyl (meth)acrylate; An acryloyl monoisocyanate compound obtained by reaction of a diisocyanate compound or polyisocyanate compound, a polyol compound, and hydroxyethyl (meth)acrylate, etc. can be mentioned.

점착제용 조성물은, 아크릴계 중합체에 더해, 에너지선 경화성 화합물을 함유하는 것이 바람직하다. 에너지선 경화성 화합물로서는, 분자 내에 불포화기를 갖고, 에너지선 조사에 의해 중합 경화 가능한 모노머 또는 올리고머가 바람직하다.The composition for an adhesive preferably contains an energy ray-curable compound in addition to the acrylic polymer. As the energy ray curable compound, a monomer or oligomer that has an unsaturated group in the molecule and can be polymerized and cured by energy ray irradiation is preferable.

이러한 에너지선 경화성 화합물로서는, 예를 들면, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올(메타)아크릴레이트 등의 다가 (메타)아크릴레이트 모노머, 우레탄(메타)아크릴레이트, 폴리에스테르(메타)아크릴레이트, 폴리에테르(메타)아크릴레이트, 에폭시(메타)아크릴레이트 등의 올리고머를 들 수 있다.Examples of such energy ray-curable compounds include trimethylolpropane tri(meth)acrylate, pentaerythritol (meth)acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, and dipentaerythritol hexa(meth)acrylate. , polyvalent (meth)acrylate monomers such as 1,4-butylene glycol di(meth)acrylate, 1,6-hexanediol (meth)acrylate, urethane (meth)acrylate, and polyester (meth)acrylate. , oligomers such as polyether (meth)acrylate and epoxy (meth)acrylate.

이들 중에서도, 비교적 분자량이 높고, 점착제층의 영률을 저하시키기 어려운 관점에서, 우레탄(메타)아크릴레이트 올리고머가 바람직하다.Among these, urethane (meth)acrylate oligomer is preferable because it has a relatively high molecular weight and is difficult to reduce the Young's modulus of the adhesive layer.

에너지선 경화성 화합물의 분자량(올리고머의 경우는 중량 평균 분자량)은, 바람직하게는 100 ∼ 12000, 보다 바람직하게는 200 ∼ 10000, 더 바람직하게는 400 ∼ 8000, 특히 바람직하게는 600 ∼ 6000이다.The molecular weight (weight average molecular weight in the case of an oligomer) of the energy ray-curable compound is preferably 100 to 12,000, more preferably 200 to 10,000, further preferably 400 to 8,000, and particularly preferably 600 to 6,000.

점착제용 조성물에 있어서의 에너지선 경화성 화합물의 함유량은, 아크릴계 중합체 100질량부에 대하여, 바람직하게는 3 ∼ 100질량부, 보다 바람직하게는 5 ∼ 70질량부, 더 바람직하게는 7 ∼ 40질량부이다.The content of the energy ray curable compound in the adhesive composition is preferably 3 to 100 parts by mass, more preferably 5 to 70 parts by mass, and still more preferably 7 to 40 parts by mass, based on 100 parts by mass of the acrylic polymer. am.

점착제용 조성물은, 가교제를 더 함유하는 것이 바람직하다. 가교제는, 예를 들면, 관능기와 반응하여, 관능기 함유 아크릴계 중합체에 포함되는 분자끼리를 가교한다.It is preferable that the composition for an adhesive further contains a crosslinking agent. The crosslinking agent, for example, reacts with a functional group to crosslink the molecules contained in the functional group-containing acrylic polymer.

가교제로서는, 예를 들면, 톨릴렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 자일릴렌디이소시아네이트, 이들 디이소시아네이트의 어덕트체 등의 이소시아네이트계 가교제(이소시아네이트기를 갖는 가교제); 에틸렌글리콜글리시딜에테르 등의 에폭시계 가교제(글리시딜기를 갖는 가교제); 헥사[1-(2-메틸)-아지리디닐]트리포스파트리아진 등의 아지리딘계 가교제(아지리디닐기를 갖는 가교제); 알루미늄 킬레이트 등의 금속 킬레이트계 가교제(금속 킬레이트 구조를 갖는 가교제); 이소시아누레이트계 가교제(이소시아누르산 골격을 갖는 가교제) 등을 들 수 있다.Examples of the crosslinking agent include isocyanate-based crosslinking agents such as tolylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, xylylene diisocyanate, and adducts of these diisocyanates (crosslinking agents having an isocyanate group); Epoxy-based crosslinking agents such as ethylene glycol glycidyl ether (crosslinking agents having a glycidyl group); Aziridine-based crosslinking agents such as hexa[1-(2-methyl)-aziridinyl]triphosphatriazine (crosslinking agents having an aziridinyl group); Metal chelate-based crosslinking agents such as aluminum chelate (crosslinking agents having a metal chelate structure); Isocyanurate-based crosslinking agents (crosslinking agents having an isocyanuric acid skeleton), etc. can be mentioned.

점착제의 응집력을 향상시켜 점착제층의 점착력을 향상시키는 관점, 및 입수의 용이성의 관점에서, 가교제는 이소시아네이트계 가교제인 것이 바람직하다.From the viewpoint of improving the cohesion of the adhesive and improving the adhesive strength of the adhesive layer, and from the viewpoint of ease of availability, it is preferable that the crosslinking agent is an isocyanate-based crosslinking agent.

점착제용 조성물은, 광중합개시제를 더 함유하고 있어도 된다. 점착제용 조성물이 광중합개시제를 함유함으로써, 자외선 등의 비교적 저에너지의 에너지선을 조사해도, 충분히 경화 반응이 진행된다.The composition for an adhesive may further contain a photopolymerization initiator. When the pressure-sensitive adhesive composition contains a photopolymerization initiator, the curing reaction sufficiently progresses even when irradiated with relatively low-energy energy rays such as ultraviolet rays.

광중합개시제로서는, 벤조인 화합물, 아세토페논 화합물, 아실포스핀옥사이드 화합물, 티타노센 화합물, 티오크산톤 화합물, 퍼옥사이드 화합물 등의 광개시제, 아민이나 퀴논 등의 광증감제 등을 들 수 있다. 구체적으로는, α-히드록시시클로헥실페닐케톤, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤질디페닐설파이드, 벤질디메틸케탈, 테트라메틸티우람모노설파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 디벤질, 디아세틸, β-클로로안트라퀴논, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드 등이 예시된다.Examples of the photopolymerization initiator include photoinitiators such as benzoin compounds, acetophenone compounds, acylphosphine oxide compounds, titanocene compounds, thioxanthone compounds, and peroxide compounds, and photosensitizers such as amines and quinones. Specifically, α-hydroxycyclohexylphenyl ketone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyl diphenyl sulfide, benzyl dimethyl ketal, tetramethylthiuram monosulfide, azobis. Isobutyronitrile, dibenzyl, diacetyl, β-chloroanthraquinone, 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide, etc. are exemplified.

점착제용 조성물은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서, 다른 첨가제를 함유해도 된다. 다른 첨가제로서는, 예를 들면, 점착 부여제, 산화 방지제, 연화제(가소제), 충진제, 방청제, 안료, 염료 등을 들 수 있다. 이들 첨가제를 함유하는 경우, 각각의 첨가제의 함유량은, 아크릴계 중합체 100질량부에 대하여, 바람직하게는 0.01 ∼ 6질량부, 보다 바람직하게는 0.02 ∼ 2질량부이다.The composition for an adhesive may contain other additives within a range that does not impair the effect of the present invention. Other additives include, for example, tackifiers, antioxidants, softeners (plasticizers), fillers, rust inhibitors, pigments, dyes, etc. When containing these additives, the content of each additive is preferably 0.01 to 6 parts by mass, more preferably 0.02 to 2 parts by mass, based on 100 parts by mass of the acrylic polymer.

(5. 연질재)(5. Soft materials)

또한, 본 발명의 효과가 얻어지는 한에 있어서, 워크 가공용 보호 시트는 다른 층을 갖고 있어도 된다. 본 실시형태에서는, 도 1b에 나타내는 바와 같이, 워크 가공용 보호 시트(1)에서, 대전 방지층(20)의 기재 측의 면(20a)과 반대 측의 면(20b) 상에 연질재(40)가 배치되어 있는 것이 바람직하다. 즉, 점착제층(30)과, 기재(10)와, 대전 방지층(20)과, 연질재(40)가 이 순으로 적층되어 있는 것이 바람직하다.Additionally, the protective sheet for work processing may have other layers as long as the effect of the present invention is obtained. In this embodiment, as shown in FIG. 1B, in the protective sheet 1 for work processing, a soft material 40 is provided on the surface 20a on the base material side and the surface 20b on the opposite side of the antistatic layer 20. It is desirable that it is placed. That is, it is preferable that the adhesive layer 30, the base material 10, the antistatic layer 20, and the soft material 40 are laminated in this order.

연질재는, 기재와 비교하여 연질의 층이다. 구체적으로는, 연질재의 23℃에서의 영률은, 기재의 23℃에서의 영률보다 낮다. 워크 가공용 보호 시트가 연질재를 갖고 있음으로써, 워크의 이면 연삭을 위해 워크 가공용 보호 시트가 첩부된 워크를 흡착 테이블에 고정할 때에, 흡착 테이블에 이물 등이 부착되어 있어도, 이물 등을 연질재가 매립할 수 있어, 이면 연삭 시에 있어서, 이물 등에 기인하는 워크 등(즉, 워크 또는 워크 개편화물군)의 파손이나 크랙의 발생을 억제할 수 있다.A soft material is a layer that is softer than the base material. Specifically, the Young's modulus of the soft material at 23°C is lower than the Young's modulus of the base material at 23°C. Since the protective sheet for work processing has a soft material, when fixing a work to which the protective sheet for work processing is attached to the suction table for grinding the back side of the work, even if foreign matter, etc. is attached to the suction table, the soft material is embedded in the foreign matter, etc. Therefore, during back grinding, it is possible to suppress the occurrence of breakage or cracks in the workpiece, etc. (i.e., workpiece or separate workpiece load group) caused by foreign matter, etc.

연질재의 23℃에서의 영률은, 50㎫ 이상 1000㎫ 이하인 것이 바람직하고, 100㎫ 이상 750㎫ 이하인 것이 보다 바람직하고, 120㎫ 이상 450㎫ 이하인 것이 더 바람직하다.The Young's modulus at 23°C of the soft material is preferably 50 MPa or more and 1000 MPa or less, more preferably 100 MPa or more and 750 MPa or less, and still more preferably 120 MPa or more and 450 MPa or less.

연질재의 23℃에서의 영률은, 상기 워크 가공용 보호 시트의 23℃에서의 영률과 마찬가지의 방법으로 측정할 수 있다.The Young's modulus at 23°C of the soft material can be measured by the same method as the Young's modulus at 23°C of the protective sheet for work processing.

연질재의 두께는, 10㎛ 이상 75㎛ 이하인 것이 바람직하고, 25㎛ 이상 60㎛ 이하인 것이 보다 바람직하고, 30㎛ 이상 55㎛ 이하인 것이 더 바람직하다. 연질재의 두께를 상기 범위로 함으로써, 상술한 바와 같이, 이면 연삭 시에 있어서, 이물 등에 기인하는 워크 등(즉, 워크 또는 워크 개편화물군)의 파손이나 크랙의 발생을 억제하는 것이 용이해진다.The thickness of the soft material is preferably 10 μm or more and 75 μm or less, more preferably 25 μm or more and 60 μm or less, and still more preferably 30 μm or more and 55 μm or less. By setting the thickness of the soft material within the above range, as described above, it becomes easy to suppress the occurrence of breakage or cracks in the workpiece, etc. (i.e., workpiece or separate workpiece load group) caused by foreign matter, etc. during back grinding.

본 실시형태에서는, 연질재는 수지 필름으로 구성되는 것이 바람직하다. 수지 필름으로서는, 폴리프로필렌 필름, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 필름, 아이오노머 수지 필름, 에틸렌·(메타)아크릴산 공중합체 필름, 에틸렌·(메타)아크릴산에스테르 공중합체 필름, 초저밀도 폴리에틸렌 필름(VLDPE, 밀도: 880㎏/㎥ 이상 910㎏/㎥ 미만), 저밀도 폴리에틸렌 필름(LDPE, 밀도: 910㎏/㎥ 이상 942㎏/㎥ 미만) 필름 등의 필름이어도 된다.In this embodiment, the soft material is preferably comprised of a resin film. Resin films include polypropylene film, ethylene-vinyl acetate copolymer film, ionomer resin film, ethylene/(meth)acrylic acid copolymer film, ethylene/(meth)acrylic acid ester copolymer film, and very low density polyethylene film (VLDPE, high density film). : 880 kg/m3 or more but less than 910 kg/m3), low-density polyethylene film (LDPE, density: 910 kg/m3 or more but less than 942 kg/m3) film, etc. may be used.

연질재의 대전 방지층 측의 면에는, 대전 방지층과의 밀착성을 향상시키기 위해, 코로나 처리 등의 접착 처리를 실시해도 좋고, 이(易)접착층이 형성되어 있어도 좋다.The surface of the soft material on the antistatic layer side may be subjected to an adhesion treatment such as corona treatment to improve adhesion to the antistatic layer, and an easily adhesive layer may be formed.

이접착층을 형성하는 이접착층 형성용 조성물로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 폴리에스테르계 수지, 우레탄계 수지, 폴리에스테르우레탄계 수지, 아크릴계 수지 등을 포함하는 조성물을 들 수 있다. 이접착층 형성용 조성물에는, 필요에 따라, 가교제, 광중합개시제, 산화 방지제, 연화제(가소제), 충진제, 방청제, 안료, 염료 등을 함유해도 된다.The composition for forming an easily adhesive layer is not particularly limited, but examples include compositions containing polyester resin, urethane resin, polyester urethane resin, acrylic resin, etc. The composition for forming an easily adhesive layer may contain a crosslinking agent, photopolymerization initiator, antioxidant, softener (plasticizer), filler, rust preventive, pigment, dye, etc. as needed.

이접착층의 두께로서는, 바람직하게는 0.01 ∼ 10㎛, 보다 바람직하게는 0.03 ∼ 5㎛이다.The thickness of the easily adhesive layer is preferably 0.01 to 10 μm, more preferably 0.03 to 5 μm.

(6. 워크 가공용 보호 시트의 제조 방법)(6. Manufacturing method of protective sheet for work processing)

본 실시형태에 따른 워크 가공용 보호 시트를 제조하는 방법은, 기재의 주면 상에 대전 방지층 및 점착제층을 형성할 수 있는 방법이면 특별히 제한되지 않고, 공지된 방법을 이용하면 된다.The method of manufacturing the protective sheet for work processing according to this embodiment is not particularly limited as long as it can form an antistatic layer and an adhesive layer on the main surface of the base material, and a known method may be used.

우선, 대전 방지층을 형성하기 위한 조성물로서, 예를 들면, 상술한 성분을 함유하는 대전 방지층용 조성물, 또는, 상기 대전 방지층용 조성물을 용매 등에 의해 희석한 조성물(이후, 대전 방지층용 조성물의 도포제라고 하는 경우가 있음)을 조제한다. 마찬가지로, 점착제층을 형성하기 위한 점착제용 조성물로서, 예를 들면, 상술한 성분을 함유하는 점착제용 조성물, 또는, 상기 점착제용 조성물을 용매 등에 의해 희석한 조성물(이후, 점착제용 조성물의 도포제라고 하는 경우가 있음)을 조제한다.First, a composition for forming an antistatic layer, for example, a composition for an antistatic layer containing the above-mentioned components, or a composition obtained by diluting the composition for an antistatic layer with a solvent or the like (hereinafter referred to as a coating agent for the composition for an antistatic layer) (in some cases) is prepared. Similarly, as a pressure-sensitive adhesive composition for forming an adhesive layer, for example, a pressure-sensitive adhesive composition containing the above-mentioned components, or a composition obtained by diluting the pressure-sensitive adhesive composition with a solvent or the like (hereinafter referred to as a coating agent for the pressure-sensitive adhesive composition) (in some cases) is prepared.

용매로서는, 예를 들면, 메틸에틸케톤, 아세톤, 아세트산에틸, 테트라히드로퓨란, 디옥산, 시클로헥산, n-헥산, 톨루엔, 자일렌, n-프로판올, 이소프로판올 등의 유기 용제를 들 수 있다.Examples of the solvent include organic solvents such as methyl ethyl ketone, acetone, ethyl acetate, tetrahydrofuran, dioxane, cyclohexane, n-hexane, toluene, xylene, n-propanol, and isopropanol.

이어서, 제1 박리 시트의 박리 처리면에, 대전 방지층용 조성물, 또는 대전 방지층용 조성물의 도포제를 공지된 방법에 의해 도포하고, 필요에 따라 가열 건조하여 제1 박리 시트 상에 대전 방지층을 형성한다. 그 후, 제1 박리 시트 상의 대전 방지층과 기재의 한쪽 면을 첩합하여, 제1 박리 시트를 제거한다.Next, the antistatic layer composition or the coating agent for the antistatic layer composition is applied to the peeling treated surface of the first release sheet by a known method, and if necessary, heated and dried to form an antistatic layer on the first release sheet. . Thereafter, the antistatic layer on the first release sheet and one side of the substrate are bonded together, and the first release sheet is removed.

또한, 기재 상에 대전 방지층을 형성하는 다른 방법으로서는, 기재의 한쪽 면에, 대전 방지층용 조성물, 또는 대전 방지층용 조성물의 도포제를 공지된 방법에 의해, 도포하고, 필요에 따라 가열 건조하여 기재 상에 대전 방지층을 형성하는 방법을 들 수 있다.In addition, as another method of forming an antistatic layer on a substrate, an antistatic layer composition or a coating agent for an antistatic layer composition is applied to one side of the substrate by a known method, and if necessary, the antistatic layer composition is heated and dried to form the antistatic layer on the substrate. A method of forming an antistatic layer is included.

이어서, 제2 박리 시트의 박리 처리면에, 점착제용 조성물, 또는 점착제용 조성물의 도포제를 공지된 방법에 의해 도포하고, 필요에 따라 가열 건조하여 제2 박리 시트 상에 점착제층을 형성한다. 그 후, 제2 박리 시트 상의 점착제층과, 기재에 있어서 대전 방지층이 형성되어 있지 않은 면을 첩합함으로써, 점착제층과, 기재와, 대전 방지층이 이 순으로 적층된 워크 가공용 보호 시트가 얻어진다. 즉, 도 1a에 나타내는 워크 가공용 보호 시트가 얻어진다. 또, 제2 박리 시트는 필요에 따라 제거하면 된다.Next, the pressure-sensitive adhesive composition or the coating agent for the pressure-sensitive adhesive composition is applied to the peel-treated surface of the second release sheet by a known method, and heat-dried as necessary to form an adhesive layer on the second release sheet. Thereafter, the adhesive layer on the second release sheet is bonded to the side of the base material on which the antistatic layer is not formed, thereby obtaining a protective sheet for work processing in which the adhesive layer, the base material, and the antistatic layer are laminated in this order. That is, the protective sheet for work processing shown in Fig. 1A is obtained. Additionally, the second release sheet may be removed as needed.

또한, 필요에 따라, 도 1a에 나타내는 워크 가공용 보호 시트의 대전 방지층의 표면에, 이접착층을 구비하는 연질재로서의 수지 필름을 첩부함으로써, 점착제층과, 기재와, 대전 방지층과, 연질재는, 이 순으로 적층된 워크 가공용 보호 시트가 얻어진다. 즉, 도 1b에 나타내는 워크 가공용 보호 시트가 얻어진다.Additionally, if necessary, by attaching a resin film as a soft material including an easily adhesive layer to the surface of the antistatic layer of the protective sheet for work processing shown in FIG. 1A, the adhesive layer, the base material, the antistatic layer, and the soft material are A protective sheet for work processing laminated in this order is obtained. That is, the protective sheet for work processing shown in FIG. 1B is obtained.

(7. 워크 개편화물의 제조 방법)(7. Manufacturing method of work reorganized cargo)

본 발명에 따른 워크 가공용 보호 시트는, 워크의 이면 연삭 시에, 워크를 개편화하는 가공 방법(DBG, LDBG 등)에 있어서, 바람직하게 사용된다. 워크 가공용 보호 시트의 비한정적인 사용예로서, 이하에 워크 개편화물의 제조 방법을 더 구체적으로 설명한다.The protective sheet for work processing according to the present invention is preferably used in a processing method (DBG, LDBG, etc.) that separates the work into pieces when grinding the back side of the work. As a non-limiting example of the use of the protective sheet for work processing, the method for manufacturing the separate work pieces is explained in more detail below.

워크 개편화물의 제조 방법은, 구체적으로는, 이하의 공정 1 ∼ 공정 4를 적어도 구비한다.Specifically, the method for manufacturing the work piece cargo includes at least the following steps 1 to 4.

공정 1: 표리면을 갖는 워크의 표면에, 상기의 워크 가공용 보호 시트를 첩부하는 공정Step 1: A step of attaching the above protective sheet for work processing to the surface of a work having front and back surfaces.

공정 2: 워크의 표면에 홈을 형성하는 공정, 또는, 워크의 내부에 개질 영역을 형성하는 공정Process 2: A process of forming a groove on the surface of the work, or a process of forming a modified area inside the work.

공정 3: 워크 가공용 보호 시트가 표면에 첩부되며, 또한 홈 또는 개질 영역이 형성된 워크를 이면 측으로부터 연삭하여, 홈 또는 개질 영역을 기점으로 하여, 복수의 워크 개편화물로 개편화시키는 공정Process 3: A protective sheet for work processing is attached to the surface, and the work on which grooves or modified areas are formed is ground from the back side, and the grooves or modified areas are used as a starting point to separate the work pieces into multiple pieces.

공정 4: 복수의 워크 개편화물(즉, 워크 개편화물군)로부터, 워크 가공용 보호 시트를 박리하는 공정Process 4: Process of peeling the protective sheet for work processing from a plurality of work piece cargoes (i.e., work piece piece cargo group)

이하, 상기 워크 개편화물의 제조 방법의 각 공정을 상세하게 설명한다. 설명에는, 워크의 구체예로서 웨이퍼를 이용하고, 워크 개편화물의 구체예로서 칩을 이용한다.Hereinafter, each step of the method for manufacturing the work piece cargo will be described in detail. In the explanation, a wafer is used as a specific example of a work, and a chip is used as a specific example of a work piece cargo.

(공정 1)(Process 1)

공정 1에서는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(100)의 표면(100a)에, 본 실시형태에 따른 워크 가공용 보호 시트(1)의 점착제층(30)의 주면(30a)를 첩부한다. 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼여도 좋고, 또한 갈륨비소, 탄화규소, 탄탈럼산리튬, 니오븀산리튬, 질화갈륨, 인듐인 등의 웨이퍼나, 유리 웨이퍼, 재구성 웨이퍼여도 좋다. 본 실시형태에서는, 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼인 것이 바람직하다. 웨이퍼의 연삭 전의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 통상은 500 ∼ 1000㎛ 정도이다.In step 1, as shown in FIG. 2, the main surface 30a of the adhesive layer 30 of the protective sheet 1 for work processing according to this embodiment is attached to the surface 100a of the wafer 100. The wafer may be a silicon wafer, or may be a wafer of gallium arsenide, silicon carbide, lithium tantalum, lithium niobate, gallium nitride, or indium phosphide, a glass wafer, or a reconstituted wafer. In this embodiment, the wafer is preferably a silicon wafer. The thickness of the wafer before grinding is not particularly limited, but is usually about 500 to 1000 μm.

또한, 웨이퍼의 표면에 회로가 형성되어 있다. 형성된 회로는 노출되어 있어도 좋고, 회로를 보호하기 위해 회로 보호층이 형성되어 있어도 좋다. 회로 보호층은, 통상, 회로 보호층을 구성하는 조성물을 도포하고 열경화하여 형성된다. 또한, 회로에, 범프, 필러 등의 볼록 형상 전극이 형성되어 있어도 좋다.Additionally, a circuit is formed on the surface of the wafer. The formed circuit may be exposed, or a circuit protection layer may be formed to protect the circuit. The circuit protective layer is usually formed by applying and thermally curing the composition that constitutes the circuit protective layer. Additionally, convex electrodes such as bumps and pillars may be formed in the circuit.

워크 가공용 보호 시트를 웨이퍼의 표면(100a)에 첩부함으로써, 웨이퍼의 표면이 충분히 보호된다. 또, 웨이퍼의 외주(外周)에 남은 잉여의 워크 가공용 보호 시트는, 필요에 따라 웨이퍼 형상에 맞추어 컷하여, 제거하면 된다.By attaching the protective sheet for work processing to the surface 100a of the wafer, the surface of the wafer is sufficiently protected. Additionally, the excess protective sheet for work processing remaining on the outer periphery of the wafer can be removed by cutting it to fit the shape of the wafer as needed.

본 공정 1은, 후술하는 공정 2 전에 행해도 좋고, 공정 2 후에 행해도 좋다. 예를 들면, 웨이퍼에 개질 영역을 형성하는 경우에는, 워크 가공용 보호 시트를 첩부할 때에 웨이퍼가 의도하지 않게 개편화하는 리스크를 저감하는 관점에서, 공정 1을 공정 2 전에 행하는 것이 바람직하다. 한편, 웨이퍼 표면(100a)에, 다이싱 등에 의해 홈을 형성하는 경우에는, 공정 2 후에 공정 1을 행한다. 즉, 후술하는 공정 2에서 홈이 형성된 웨이퍼의 표면에, 워크 가공용 보호 시트를 첩부하게 된다.This step 1 may be performed before step 2, which will be described later, or may be performed after step 2. For example, when forming a modified region on a wafer, it is preferable to perform step 1 before step 2 from the viewpoint of reducing the risk of the wafer being unintentionally broken into pieces when attaching a protective sheet for work processing. On the other hand, when forming a groove on the wafer surface 100a by dicing or the like, step 1 is performed after step 2. That is, a protective sheet for work processing is attached to the surface of the wafer on which the grooves are formed in Step 2, which will be described later.

(공정 2)(Process 2)

공정 2에서는, 웨이퍼의 표면에 홈을 형성한다. 혹은, 웨이퍼의 내부에 개질 영역을 형성한다. 공정 2에서 홈 및 개질 영역은, 후술하는 공정 3에서, 웨이퍼가 분할되어 칩으로 개편화될 때의 분할선을 따르도록 형성된다.In step 2, grooves are formed on the surface of the wafer. Alternatively, a modified region is formed inside the wafer. In step 2, the grooves and modified regions are formed to follow the dividing line when the wafer is divided into chips in step 3, which will be described later.

본 공정 2에서 형성되는 홈은, 웨이퍼의 두께보다 얕은 깊이의 홈이다. 홈의 형성은, 종래 공지된 웨이퍼 다이싱 장치 등을 이용하여 다이싱에 의해 행하는 것이 가능하다.The groove formed in this step 2 is a groove whose depth is shallower than the thickness of the wafer. The grooves can be formed by dicing using a conventionally known wafer dicing device or the like.

또한, 개질 영역은, 웨이퍼에 있어서, 취질화(脆質化)된 부분이며, 연삭 공정에서의 연삭에 의해, 웨이퍼가 얇아지거나, 연삭에 의한 힘이 가해짐으로써 웨이퍼의 개질 영역이 파괴되어 칩으로 개편화되는 기점이 되는 영역이다.In addition, the modified area is a brittle part of the wafer, and the wafer becomes thinner due to grinding in the grinding process, or the modified area of the wafer is destroyed when a force is applied due to grinding, forming a chip. This is the starting point for reorganization.

개질 영역의 형성은, 웨이퍼의 내부에 초점을 맞춘 레이저의 조사에 의해 행하고, 개질 영역은, 웨이퍼의 내부에 형성된다. 레이저의 조사는, 웨이퍼의 표면(100a) 측으로부터 행해도, 이면(100b) 측으로부터 행해도 좋다. 또, 개질 영역을 형성하는 태양에 있어서, 공정 2를 공정 1 후에 행하고 웨이퍼 표면(100a)으로부터 레이저 조사를 행하는 경우, 워크 가공용 보호 시트를 개재하여 웨이퍼에 레이저를 조사하게 된다.The formation of the modified region is performed by irradiation of a laser focused on the inside of the wafer, and the modified region is formed inside the wafer. Laser irradiation may be performed from the front surface 100a side of the wafer or the back surface 100b side. In addition, in the aspect of forming a modified region, when process 2 is performed after process 1 and laser irradiation is performed from the wafer surface 100a, the laser is irradiated to the wafer through a protective sheet for work processing.

워크 가공용 보호 시트가 첩부되며, 또한 홈 또는 개질 영역을 형성한 웨이퍼는, 척 테이블 상에 놓고, 척 테이블에 흡착되어 보지된다. 이때, 웨이퍼는, 표면 측이 테이블 측에 배치되어 흡착된다.A protective sheet for work processing is attached and the wafer on which grooves or modified regions are formed is placed on a chuck table and held by being attracted to the chuck table. At this time, the wafer is adsorbed with its surface side placed on the table side.

(공정 3)(Process 3)

공정 1 및 공정 2 후, 척 테이블 상의 웨이퍼의 이면(100b)을 연삭하여, 웨이퍼를 복수의 칩으로 개편화하여, 칩군이 얻어진다.After steps 1 and 2, the back side 100b of the wafer on the chuck table is ground to separate the wafer into a plurality of chips to obtain a chip group.

웨이퍼에 홈이 형성되는 경우, 이면 연삭은, 적어도 홈의 저부(底部)에 이르는 위치까지 웨이퍼를 얇게 하도록 행한다. 이 이면 연삭에 의해, 홈은, 웨이퍼를 관통하는 노치가 되고, 웨이퍼는 노치에 의해 분할되어, 개개의 칩으로 개편화된다.When grooves are formed on the wafer, back side grinding is performed to thin the wafer at least to a position reaching the bottom of the groove. By this back grinding, the groove becomes a notch penetrating the wafer, and the wafer is divided by the notch and individual chips are separated.

한편, 개질 영역이 형성되는 경우, 연삭에 의해 연삭면(웨이퍼 이면)은, 개질 영역에 이르러도 좋지만, 엄밀하게 개질 영역까지 이르지 않아도 좋다. 즉, 개질 영역을 기점으로 하여 웨이퍼가 파괴되어 칩으로 개편화되도록, 개질 영역에 근접하는 위치까지 연삭하면 좋다. 또한, 칩의 실제의 개편화는, 후술하는 픽업 테이프를 첩부하고 나서 픽업 테이프를 연신함으로써 행해도 좋다.On the other hand, when a modified region is formed, the ground surface (back surface of the wafer) may reach the modified region by grinding, but it does not have to strictly reach the modified region. In other words, it is good to grind the wafer starting from the modified area to a position close to the modified area so that the wafer is broken and divided into chips. In addition, the actual separation of chips may be performed by attaching a pickup tape, which will be described later, and then stretching the pickup tape.

또한, 연삭용의 숫돌에 의한 이면 연삭의 종료 후, 칩의 픽업에 앞서, 드라이 폴리싱을 행해도 좋다.Additionally, dry polishing may be performed after completion of backside grinding using a grinding wheel and prior to picking up chips.

개편화된 칩의 형상은, 방형(方形)이어도 좋고, 직사각형 등의 세장(細長) 형상으로 되어 있어도 좋다. 또한, 개편화된 칩의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 5 ∼ 100㎛ 정도이지만, 보다 바람직하게는 10 ∼ 45㎛이다. LDBG에 의하면, 개편화된 칩의 두께를 50㎛ 이하, 보다 바람직하게는 10 ∼ 45㎛로 하는 것이 용이해진다. 또한, 개편화된 칩의 크기는, 특별히 한정되지 않지만, 칩 사이즈가 바람직하게는 600㎟ 미만, 보다 바람직하게는 400㎟ 미만, 더 바람직하게는 120㎟ 미만이다.The shape of the individualized chips may be square, or may be elongated, such as a rectangle. Additionally, the thickness of the divided chips is not particularly limited, but is preferably about 5 to 100 μm, and more preferably 10 to 45 μm. According to LDBG, it is easy to set the thickness of the divided chips to 50 μm or less, more preferably 10 to 45 μm. Additionally, the size of the individualized chips is not particularly limited, but the chip size is preferably less than 600 mm2, more preferably less than 400 mm2, and even more preferably less than 120 mm2.

본 실시형태에 따른 워크 가공용 보호 시트는 대전 방지층을 갖고 있고, 점착제층의 웨이퍼 측의 면과, 대전 방지층의 기재 측의 면과의 거리가 상술한 범위 내이므로, 박형 및/또는 소형의 칩이어도, 웨이퍼 가공 시에 대전이 억제되고, 컷 더스트나 이물의 부착이 저감되기 때문에, 칩에 크랙이 발생하는 것이 억제된다.The protective sheet for work processing according to the present embodiment has an antistatic layer, and since the distance between the surface of the adhesive layer on the wafer side and the surface of the antistatic layer on the substrate side is within the above-mentioned range, even if the chip is thin and/or small. , charging is suppressed during wafer processing, and adhesion of cut dust and foreign matter is reduced, thereby suppressing the occurrence of cracks on the chip.

(공정 4)(Process 4)

다음으로, 개편화된 웨이퍼(즉, 복수의 칩)로부터, 워크 가공용 보호 시트를 박리한다. 본 공정은, 예를 들면, 이하의 방법에 의해 행한다.Next, the protective sheet for work processing is peeled from the individual wafers (i.e., multiple chips). This process is performed, for example, by the following method.

워크 가공용 보호 시트의 점착제층이, 에너지선 경화성 점착제층인 경우, 에너지선을 조사하여 점착제층을 경화 수축시켜, 피착체(개편화된 웨이퍼)에 대한 점착력을 저하시킨다. 예를 들면, 에너지선의 조도는, 120 ∼ 280mW/㎠, 에너지선의 광량은, 100 ∼ 1000mJ/㎠인 것이 바람직하다. 에너지선으로서는, 자외선이 바람직하다. 그 다음에, 개편화된 웨이퍼의 이면 측에, 픽업 테이프를 첩부하고, 픽업이 가능하도록 위치 및 방향 맞춤을 행한다. 이때, 웨이퍼의 외주 측에 배치한 링 프레임도 픽업 테이프에 첩합하고, 픽업 테이프의 외주연부를 링 프레임에 고정한다. 픽업 테이프에는, 웨이퍼와 링 프레임을 동시에 첩합해도 좋고, 다른 타이밍에 첩합해도 좋다. 그 다음에, 소정의 장치가 구비하는 테이프 박리 기구에 의해, 픽업 테이프 상에 보지된 복수의 칩(즉, 칩군)으로부터 워크 가공용 보호 시트를 박리한다.When the adhesive layer of the protective sheet for work processing is an energy ray-curable adhesive layer, the adhesive layer is cured and shrunk by irradiating energy rays, thereby lowering the adhesive strength to the adherend (pieced wafer). For example, the illuminance of the energy ray is preferably 120 to 280 mW/cm2, and the light quantity of the energy ray is preferably 100 to 1000 mJ/cm2. As the energy ray, ultraviolet rays are preferable. Next, a pickup tape is attached to the back side of the separated wafer, and the position and orientation are adjusted to enable pickup. At this time, the ring frame placed on the outer peripheral side of the wafer is also bonded to the pickup tape, and the outer peripheral edge of the pickup tape is fixed to the ring frame. The wafer and ring frame may be bonded to the pickup tape at the same time or may be bonded at different timings. Next, the protective sheet for work processing is peeled from the plurality of chips (i.e., chip group) held on the pick-up tape using a tape peeling mechanism provided in a predetermined device.

본 실시형태에 따른 워크 가공용 보호 시트는 상술한 구성을 갖고 있으므로, 워크 가공용 보호 시트를 웨이퍼로부터 박리해도, 과잉의 박리 대전이 억제되며, 또한 점착제층이 워크 가공용 보호 시트로부터 박리하여 웨이퍼 상에 남는 것(풀남음)이 억제된다.Since the protective sheet for work processing according to the present embodiment has the above-described configuration, excessive peeling charging is suppressed even when the protective sheet for work processing is peeled from the wafer, and furthermore, the adhesive layer does not remain on the wafer when peeled from the protective sheet for work processing. (remaining grass) is suppressed.

또한, 워크 가공용 보호 시트가 상술한 물성을 만족함으로써, 워크 가공용 보호 시트 전체가 소정의 강성을 갖고 있기 때문에, 워크 가공용 보호 시트를 칩군으로부터 박리할 때에, 이미 박리된 워크 가공용 보호 시트가 늘어나 버려, 워크 가공용 보호 시트 후반 부분이 칩군으로부터 떼어지지 않고 남아 버리는 것을 억제할 수 있다.In addition, since the protective sheet for work processing satisfies the above-mentioned physical properties, the entire protective sheet for work processing has a certain rigidity. Therefore, when the protective sheet for work processing is peeled from the chip group, the protective sheet for work processing that has already been peeled off increases. It is possible to prevent the latter part of the protective sheet for work processing from being left behind without being separated from the chip group.

그 후, 픽업 테이프 상에 있는 복수의 칩을 픽업한다. 그 후, 기판 등 위에 고정화하여, 칩을 실장한다.Afterwards, a plurality of chips on the pickup tape are picked up. After that, it is fixed on a substrate or the like and the chip is mounted.

또, 픽업 테이프는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 기재와, 기재의 한쪽 면에 마련된 점착제층을 구비하는 점착 시트에 의해 구성된다.In addition, the pick-up tape is not particularly limited, but is comprised, for example, of an adhesive sheet including a base material and an adhesive layer provided on one side of the base material.

이상, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명해 왔지만, 본 발명은 상기의 실시형태에 하등 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 범위 내에서 각종 태양으로 개변해도 좋다.Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited in any way to the above-described embodiments, and may be modified into various aspects within the scope of the present invention.

[실시예][Example]

이하, 실시예를 이용하여, 발명을 보다 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the invention will be described in more detail using examples, but the invention is not limited to these examples.

(실시예 1)(Example 1)

(1) 점착제층(1) Adhesive layer

(점착제용 조성물의 조제)(Preparation of composition for adhesive)

n-부틸아크릴레이트(BA) 50질량부, 메틸메타크릴레이트(MMA) 20질량부, 및 2-히드록시에틸아크릴레이트(2HEA) 30질량부를 공중합하여 얻은 아크릴계 중합체에, 아크릴계 중합체의 전체 수산기 중 80몰%의 수산기에 부가하도록, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(MOI)를 반응시켜, 에너지선 경화성의 아크릴계 중합체(Mw: 50만)를 얻었다.An acrylic polymer obtained by copolymerizing 50 parts by mass of n-butylacrylate (BA), 20 parts by mass of methyl methacrylate (MMA), and 30 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate (2HEA), out of all the hydroxyl groups of the acrylic polymer. 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (MOI) was reacted to add 80 mol% of hydroxyl groups to obtain an energy ray-curable acrylic polymer (Mw: 500,000).

이 에너지선 경화성의 아크릴계 중합체 100질량부에, 에너지선 경화성 화합물로서의 다관능 우레탄아크릴레이트계 자외선 경화성 화합물을(Mitsubishi Chemical Corporation. 제조, 제품명 「자광 UT-4332」) 10질량부, 이소시아네이트계 가교제(Mitsui Chemicals, Inc. 제조, 제품명 「TAKENATE D-101E」)를 고형분 기준으로 0.38질량부, 광중합개시제로서의 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드를 1질량부 첨가하고, 메틸에틸케톤으로 희석함으로써 고형분 농도 34질량%의 점착제용 조성물의 도포제를 조제했다.To 100 parts by mass of this energy ray-curable acrylic polymer, 10 parts by mass of a polyfunctional urethane acrylate-based ultraviolet curable compound as an energy ray-curable compound (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, product name “Jakwang UT-4332”), and an isocyanate-based crosslinking agent ( 0.38 parts by mass of Mitsui Chemicals, Inc., product name "TAKENATE D-101E", based on solid content, 1 part by mass of bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)phenylphosphine oxide as a photopolymerization initiator, and methyl ethyl A coating agent for an adhesive composition with a solid content concentration of 34% by mass was prepared by diluting with ketone.

(점착제층의 형성)(Formation of adhesive layer)

박리 시트(LINTEC Corporation 제조, 제품명 「SP-PET381031」, 실리콘 박리 처리를 행한 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름, 두께: 38㎛)의 박리 처리가 된 면 상에, 상기의 점착제용 조성물의 도포제를 도포하고, 건조시켜, 두께 40㎛의 점착제층을 갖는, 점착제층 부착 박리 시트를 제작했다.The coating agent of the adhesive composition described above is applied onto the peeled surface of a release sheet (manufactured by LINTEC Corporation, product name “SP-PET381031”, polyethylene terephthalate (PET) film subjected to silicone release treatment, thickness: 38 μm). and dried to produce a release sheet with an adhesive layer having an adhesive layer with a thickness of 40 μm.

(2) 대전 방지층 부착 기재의 제작(2) Production of substrate with antistatic layer

기재로서, PET 필름(두께: 50㎛, 23℃에서의 영률: 4000㎫)을 준비했다.As a base material, a PET film (thickness: 50 μm, Young's modulus at 23°C: 4000 MPa) was prepared.

PET 필름의 한쪽 면 상에, 주골격으로서 실록산 결합을 가지며 또한 실라놀기를 갖는 폴리실록산 수지, 및 친수성 유기 고분자를 함유하는 복합제를 대전 방지층용 조성물의 도포제로서 도포하고 건조시켜, 두께 1㎛의 대전 방지층을 PET 필름 상에 형성했다. PET 필름 상에 형성한 대전 방지층의 표면에 대하여, 후술하는 에너지선 경화 후의 점착제층의 표면 저항률과 같은 방법에 의해 표면 저항률을 측정했다. 표면 저항률은 1.5 × 107Ω/□이었다.On one side of the PET film, a polysiloxane resin having a siloxane bond as the main skeleton and also having a silanol group, and a composite agent containing a hydrophilic organic polymer are applied as a coating agent for an antistatic layer composition and dried to form an antistatic layer with a thickness of 1 μm. was formed on a PET film. With respect to the surface of the antistatic layer formed on the PET film, the surface resistivity was measured by the same method as the surface resistivity of the pressure-sensitive adhesive layer after energy ray curing, which will be described later. The surface resistivity was 1.5 × 10 7 Ω/□.

(3) 연질재(3) Soft materials

PET 필름 상에 형성한 대전 방지층의 표면에, 두께 2㎛의 이접착층을 마련하고, 파단 에너지가 61MJ/㎥, 밀도가 937㎏/㎥, 23℃에서의 영률이 330㎫, 두께가 32㎛인, 무색 투명한 저밀도 폴리에틸렌을 드라이 라미네이션법에 의해 첩합했다.An easily adhesive layer with a thickness of 2㎛ is provided on the surface of the antistatic layer formed on the PET film, and the adhesive layer has a fracture energy of 61MJ/㎥, a density of 937kg/㎥, a Young's modulus at 23°C of 330MPa, and a thickness of 32㎛. , colorless and transparent low-density polyethylene were bonded together by a dry lamination method.

(4) 워크 가공용 보호 시트의 제작(4) Production of protective sheets for work processing

상기의 PET 필름의 대전 방지층 및 연질재가 형성되어 있는 면과는 반대 측의 면에, 점착제층 부착 박리 시트의 점착제층을 첩합함으로써, 점착제층과, 기재와, 대전 방지층과, 연질재가 이 순으로 형성되어 있는, 박리 시트가 부착된 워크 가공용 보호 시트를 제작했다. 워크 가공용 보호 시트의 층 구성, 점착제층에서 워크에 첩부되는 면과, 대전 방지층에서 기재 측에 위치하는 면과의 거리(D)(기재의 두께와 점착제층의 두께와의 합) 및 워크 가공용 보호 시트의 두께를 표 1에 나타낸다.By bonding the adhesive layer of the release sheet with an adhesive layer to the side opposite to the surface of the PET film on which the antistatic layer and the soft material are formed, the adhesive layer, the base material, the antistatic layer, and the soft material are arranged in this order. A protective sheet for work processing with a peeling sheet attached was produced. Layer composition of the protective sheet for work processing, the distance (D) between the surface attached to the work in the adhesive layer and the surface located on the base material side in the antistatic layer (sum of the thickness of the base material and the thickness of the adhesive layer), and protection for work processing. The thickness of the sheet is shown in Table 1.

(실시예 2)(Example 2)

기재로서, PET 필름(두께: 38㎛, 23℃에서의 영률: 4060㎫)을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법에 의해 박리 시트가 부착된 워크 가공용 보호 시트를 얻었다. 워크 가공용 보호 시트의 층 구성, 점착제층에서 워크에 첩부되는 면과, 대전 방지층에서 기재 측에 위치하는 면과의 거리(D)(기재의 두께와 점착제층의 두께와의 합) 및 워크 가공용 보호 시트의 두께를 표 1에 나타낸다.A protective sheet for work processing with a release sheet attached was obtained in the same manner as in Example 1, except that PET film (thickness: 38 μm, Young's modulus at 23°C: 4060 MPa) was used as the base material. Layer composition of the protective sheet for work processing, the distance (D) between the surface attached to the work in the adhesive layer and the surface located on the base material side in the antistatic layer (sum of the thickness of the base material and the thickness of the adhesive layer), and protection for work processing. The thickness of the sheet is shown in Table 1.

(실시예 3)(Example 3)

연질재로서, 파단 에너지가 60MJ/㎥, 밀도가 937㎏/㎥, 23℃에서의 영률이 320㎫, 두께가 50㎛인, 무색 투명한 저밀도 폴리에틸렌을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법에 의해 박리 시트가 부착된 워크 가공용 보호 시트를 얻었다. 워크 가공용 보호 시트의 층 구성, 점착제층에서 워크에 첩부되는 면과, 대전 방지층에서 기재 측에 위치하는 면과의 거리(D)(기재의 두께와 점착제층의 두께와의 합) 및 워크 가공용 보호 시트의 두께를 표 1에 나타낸다.As a soft material, peeling was carried out in the same manner as in Example 1, except that colorless and transparent low-density polyethylene with a breaking energy of 60MJ/㎥, a density of 937kg/㎥, a Young's modulus at 23°C of 320MPa, and a thickness of 50㎛ was used. A protective sheet for work processing with a sheet attached was obtained. Layer composition of the protective sheet for work processing, the distance (D) between the surface attached to the work in the adhesive layer and the surface located on the base material side in the antistatic layer (sum of the thickness of the base material and the thickness of the adhesive layer), and protection for work processing. The thickness of the sheet is shown in Table 1.

(실시예 4)(Example 4)

점착제층의 두께를 80㎛로 한 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법에 의해 박리 시트가 부착된 워크 가공용 보호 시트를 얻었다. 워크 가공용 보호 시트의 층 구성, 점착제층에서 워크에 첩부되는 면과, 대전 방지층에서 기재 측에 위치하는 면과의 거리(D)(기재의 두께와 점착제층의 두께와의 합) 및 워크 가공용 보호 시트의 두께를 표 1에 나타낸다.A protective sheet for work processing with a release sheet attached was obtained in the same manner as in Example 1, except that the thickness of the adhesive layer was 80 μm. Layer composition of the protective sheet for work processing, the distance (D) between the surface attached to the work in the adhesive layer and the surface located on the base material side in the antistatic layer (sum of the thickness of the base material and the thickness of the adhesive layer), and protection for work processing. The thickness of the sheet is shown in Table 1.

(실시예 5)(Example 5)

점착제층의 두께를 240㎛로 한 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법에 의해 박리 시트가 부착된 워크 가공용 보호 시트를 얻었다. 워크 가공용 보호 시트의 층 구성, 점착제층에서 워크에 첩부되는 면과, 대전 방지층에서 기재 측에 위치하는 면과의 거리(D)(기재의 두께와 점착제층의 두께와의 합) 및 워크 가공용 보호 시트의 두께를 표 1에 나타낸다.A protective sheet for work processing with a release sheet attached was obtained in the same manner as in Example 1, except that the thickness of the adhesive layer was 240 μm. Layer composition of the protective sheet for work processing, the distance (D) between the surface attached to the work in the adhesive layer and the surface located on the base material side in the antistatic layer (sum of the thickness of the base material and the thickness of the adhesive layer), and protection for work processing. The thickness of the sheet is shown in Table 1.

(실시예 6)(Example 6)

이하의 점착제용 조성물을 이용하여 점착제층을 형성한 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법에 의해 박리 시트가 부착된 워크 가공용 보호 시트를 얻었다. 워크 가공용 보호 시트의 층 구성, 점착제층에서 워크에 첩부되는 면과, 대전 방지층에서 기재 측에 위치하는 면과의 거리(D)(기재의 두께와 점착제층의 두께와의 합) 및 워크 가공용 보호 시트의 두께를 표 1에 나타낸다.A protective sheet for work processing with a release sheet attached was obtained in the same manner as in Example 1, except that the adhesive layer was formed using the following adhesive composition. Layer composition of the protective sheet for work processing, the distance (D) between the surface attached to the work in the adhesive layer and the surface located on the base material side in the antistatic layer (sum of the thickness of the base material and the thickness of the adhesive layer), and protection for work processing. The thickness of the sheet is shown in Table 1.

(점착제용 조성물의 조제)(Preparation of composition for adhesive)

2-에틸헥실아크릴레이트(2EHA) 80질량부, 및 2-히드록시에틸아크릴레이트(2 HEA) 20질량부를 공중합하여 얻은 아크릴계 중합체에, 아크릴계 중합체의 전체 수산기 중 80몰%의 수산기에 부가하도록, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(MOI)를 반응시켜, 에너지선 경화성의 아크릴계 중합체(Mw: 50만)를 얻었다.To an acrylic polymer obtained by copolymerizing 80 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate (2EHA) and 20 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate (2 HEA), add 80 mol% of hydroxyl groups out of the total hydroxyl groups of the acrylic polymer, 2-Methacryloyloxyethyl isocyanate (MOI) was reacted to obtain an energy ray-curable acrylic polymer (Mw: 500,000).

이 에너지선 경화성의 아크릴계 중합체 100질량부에, 이소시아네이트계 가교제(Mitsui Chemicals, Inc. 제조, 제품명 「TAKENATE D-101E」)를 고형분 기준으로 0.38질량부, 광중합개시제로서의 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드를 1질량부 첨가하고, 메틸에틸케톤으로 희석함으로써 고형분 농도 30질량%의 점착제용 조성물의 도포제를 조제했다.To 100 parts by mass of this energy-ray curable acrylic polymer, 0.38 parts by mass based on solid content of an isocyanate-based crosslinking agent (manufactured by Mitsui Chemicals, Inc., product name "TAKENATE D-101E"), and bis(2,4,6-) as a photopolymerization initiator. 1 part by mass of trimethylbenzoyl)phenylphosphine oxide was added and diluted with methyl ethyl ketone to prepare an adhesive composition coating agent with a solid content concentration of 30% by mass.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

대전 방지층을 형성한 PET 필름의 면과는 반대 측의 면에 두께 2㎛의 이접착층을 마련하고, 파단 에너지가 61MJ/㎥, 밀도가 937㎏/㎥, 23℃에서의 영률이 330㎫, 두께가 32㎛인, 무색 투명한 저밀도 폴리에틸렌과 이접착층을 드라이 라미네이션법에 의해 첩합하고, 대전 방지층과, 점착제층을 첩합한 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법에 의해 박리 시트가 부착된 워크 가공용 보호 시트를 얻었다. 워크 가공용 보호 시트의 층 구성, 점착제층에서 워크에 첩부되는 면과, 대전 방지층에서 기재 측에 위치하는 면과의 거리(D)(기재의 두께와 점착제층의 두께와의 합) 및 워크 가공용 보호 시트의 두께를 표 1에 나타낸다.An easily adhesive layer with a thickness of 2㎛ is provided on the side opposite to the side of the PET film on which the antistatic layer is formed, and the breaking energy is 61MJ/㎥, the density is 937kg/㎥, the Young's modulus at 23°C is 330MPa, and the thickness is. A protective sheet for work processing with a release sheet attached was prepared in the same manner as in Example 1, except that colorless and transparent low-density polyethylene with a thickness of 32 ㎛ and an easily adhesive layer were bonded by a dry lamination method, and an antistatic layer and an adhesive layer were bonded together. got it Layer composition of the protective sheet for work processing, the distance (D) between the surface attached to the work in the adhesive layer and the surface located on the base material side in the antistatic layer (sum of the thickness of the base material and the thickness of the adhesive layer), and protection for work processing. The thickness of the sheet is shown in Table 1.

(실시예 7)(Example 7)

기재로서, 파단 에너지가 20MJ/㎥, 밀도가 946㎏/㎥, 23℃에서의 영률이 840㎫, 두께가 50㎛인 고밀도 폴리에틸렌을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법에 의해 박리 시트가 부착된 워크 가공용 보호 시트를 얻었다. 워크 가공용 보호 시트의 층 구성, 점착제층에서 워크에 첩부되는 면과, 대전 방지층에서 기재 측에 위치하는 면과의 거리(D)(기재의 두께와 점착제층의 두께와의 합) 및 워크 가공용 보호 시트의 두께를 표 1에 나타낸다.A release sheet was attached in the same manner as in Example 1, except that high-density polyethylene with a breaking energy of 20MJ/㎥, a density of 946kg/㎥, a Young's modulus at 23°C of 840MPa, and a thickness of 50㎛ was used as the substrate. A protective sheet for work processing was obtained. Layer composition of the protective sheet for work processing, the distance (D) between the surface attached to the work in the adhesive layer and the surface located on the base material side in the antistatic layer (sum of the thickness of the base material and the thickness of the adhesive layer), and protection for work processing. The thickness of the sheet is shown in Table 1.

(비교예 2)(Comparative Example 2)

기재로서, PET 필름(두께: 100㎛, 23℃에서의 영률: 4120㎫)을 이용한 것 이외에는 실시예 5와 같은 방법에 의해 박리 시트가 부착된 워크 가공용 보호 시트를 얻었다. 워크 가공용 보호 시트의 층 구성, 점착제층에서 워크에 첩부되는 면과, 대전 방지층에서 기재 측에 위치하는 면과의 거리(D)(기재의 두께와 점착제층의 두께와의 합) 및 워크 가공용 보호 시트의 두께를 표 1에 나타낸다.A protective sheet for work processing with a release sheet attached was obtained in the same manner as in Example 5, except that PET film (thickness: 100 μm, Young's modulus at 23°C: 4120 MPa) was used as the base material. Layer composition of the protective sheet for work processing, the distance (D) between the surface attached to the work in the adhesive layer and the surface located on the base material side in the antistatic layer (sum of the thickness of the base material and the thickness of the adhesive layer), and protection for work processing. The thickness of the sheet is shown in Table 1.

(실시예 8)(Example 8)

기재로서, PET 필름(두께: 12㎛, 23℃에서의 영률: 4100㎫)을 이용한 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법에 의해 박리 시트가 부착된 워크 가공용 보호 시트를 얻었다. 워크 가공용 보호 시트의 층 구성, 점착제층에서 워크에 첩부되는 면과, 대전 방지층에서 기재 측에 위치하는 면과의 거리(D)(기재의 두께와 점착제층의 두께와의 합) 및 워크 가공용 보호 시트의 두께를 표 1에 나타낸다.A protective sheet for work processing with a release sheet attached was obtained in the same manner as in Example 1, except that PET film (thickness: 12 μm, Young's modulus at 23°C: 4100 MPa) was used as the base material. Layer composition of the protective sheet for work processing, the distance (D) between the surface attached to the work in the adhesive layer and the surface located on the base material side in the antistatic layer (sum of the thickness of the base material and the thickness of the adhesive layer), and protection for work processing. The thickness of the sheet is shown in Table 1.

(실시예 9)(Example 9)

이접착층 및 연질재를 형성하지 않았던 것 이외에는 실시예 1과 같은 방법에 의해 박리 시트가 부착된 워크 가공용 보호 시트를 얻었다. 워크 가공용 보호 시트의 층 구성, 점착제층에서 워크에 첩부되는 면과, 대전 방지층에서 기재 측에 위치하는 면과의 거리(D)(기재의 두께와 점착제층의 두께와의 합) 및 워크 가공용 보호 시트의 두께를 표 1에 나타낸다.A protective sheet for work processing with a release sheet attached was obtained in the same manner as in Example 1, except that the easily adhesive layer and the soft material were not formed. Layer composition of the protective sheet for work processing, the distance (D) between the surface attached to the work in the adhesive layer and the surface located on the base material side in the antistatic layer (sum of the thickness of the base material and the thickness of the adhesive layer), and protection for work processing. The thickness of the sheet is shown in Table 1.

[표 1][Table 1]

본 실시예에서의 측정 방법 및 평가 방법은 이하와 같다.The measurement and evaluation methods in this example are as follows.

(에너지선 경화 후의 점착제층의 표면 저항률)(Surface resistivity of adhesive layer after energy ray curing)

실시예 및 비교예에서 제작한 워크 가공용 보호 시트를 10㎝ × 10㎝의 사이즈로 컷하고, 박리 시트가 부착된 워크 가공용 보호 시트의 연질재 측으로부터 점착제층으로 경화하기 위해 충분한 조도 및 광량의 자외선을 조사하여 경화시켰다. 구체적으로는, 자외선 조사 장치(LINTEC Corporation 제조, 장치명 「RAD-2000」)를 이용하여 조도 230mW/㎠, 광량 500mJ/㎠의 자외선을 조사했다. 박리 시트를 벗기고, 경화 후의 점착제층에 대하여, JIS K 7194에 준거하여, 23℃, 50%RH(상대습도), 인가 전압 100V의 조건으로, 표면 저항률계(Advantest Corporation 제조, 제품명 「R8252」)에 의해 표면 저항률을 측정했다. 마찬가지의 측정을, 각 워크 가공용 보호 시트에 대하여, 2회씩 행하고, 그 평균을 점착제층의 표면 저항률로 했다.The protective sheet for work processing manufactured in Examples and Comparative Examples was cut to a size of 10 cm was irradiated and hardened. Specifically, ultraviolet rays with an illumination intensity of 230 mW/cm2 and a light quantity of 500 mJ/cm2 were irradiated using an ultraviolet irradiation device (manufactured by LINTEC Corporation, device name "RAD-2000"). Peel off the release sheet and measure the cured adhesive layer using a surface resistivity meter (Advantest Corporation, product name “R8252”) under the conditions of 23°C, 50%RH (relative humidity), and applied voltage of 100V in accordance with JIS K 7194. The surface resistivity was measured by . The same measurement was performed twice for each protective sheet for work processing, and the average was taken as the surface resistivity of the adhesive layer.

(워크 가공용 보호 시트의 박리 대전압)(Peeling charge voltage of protective sheet for work processing)

23℃, 50%RH(상대습도)의 환경하에서, 실시예 및 비교예에서 제작한 박리 시트가 부착된 워크 가공용 보호 시트를, 박리 시트를 벗기면서, 백그라인딩용 테이프 라미네이터(LINTEC Corporation 제조, 장치명 「RAD-3510」, 테이블 온도: 23℃)를 이용하여, 실리콘 웨이퍼 표면(경면(鏡面), 8인치)에 첩부하여, 동(同) 환경하에서 30분간 정치했다. 동 환경하에서, 웨이퍼 마운터(LINTEC Corporation 제조, 장치명 「RAD-2700F/12」)의 테이프 박리 기구를 이용하여, 박리 속도 600㎜/분, 테이블 온도 40℃의 조건으로 워크 가공용 보호 시트를 실리콘 웨이퍼로부터 박리하면서, 박리 대전 측정기(Prostat제, 제품명 「PFM-711A」)를 이용하여, 웨이퍼 표면에서의 점착제층의 박리 개소에서, 웨이퍼 표면으로부터 수직으로 10㎜ 떨어진 장소에서 전압(박리 중에서의 최대 전압)을 측정했다. 마찬가지의 측정을, 각 워크 가공용 보호 시트에 대하여, 웨이퍼 5매분씩 행하고, 측정된 5개의 측정값의 평균을, 박리 대전압값으로 했다. 박리 대전압이 500V 이하인 시료를 양호한 것으로 판단했다.In an environment of 23°C and 50%RH (relative humidity), the protective sheet for work processing with the release sheet produced in the examples and comparative examples was peeled off while the release sheet was peeled off using a tape laminator for backgrinding (manufactured by LINTEC Corporation, device name). Using “RAD-3510”, table temperature: 23°C), it was attached to the surface of a silicon wafer (mirror surface, 8 inches) and left to stand for 30 minutes in the same environment. Under the same environment, using the tape peeling mechanism of the wafer mounter (manufactured by LINTEC Corporation, device name “RAD-2700F/12”), the protective sheet for work processing is removed from the silicon wafer under the conditions of a peeling speed of 600 mm/min and a table temperature of 40°C. During peeling, using a peeling charge meter (Prostat, product name "PFM-711A"), measure the voltage (maximum voltage during peeling) at a location 10 mm vertically away from the wafer surface at the peeling point of the adhesive layer on the wafer surface. was measured. The same measurement was performed for each workpiece processing protection sheet for 5 wafers each, and the average of the 5 measured values was taken as the peeling charge voltage value. Samples with a peeling electrification voltage of 500 V or less were judged to be good.

(워크 가공용 보호 시트의 영률과 워크 가공용 보호 시트의 두께와의 곱)(Young’s modulus of the protective sheet for work processing and the product of the thickness of the protective sheet for work processing)

실시예 및 비교예에서 제작한 박리 시트 부착 워크 가공용 보호 시트를 길이 130㎜, 폭 15㎜의 사이즈로 컷했다. 다음으로, 연질재 측으로부터 경화하기 위해 충분한 조도 및 광량의 자외선을 조사하여 경화시켰다. 구체적으로는, 자외선 조사 장치(LINTEC Corporation 제조, 장치명 「RAD-2000」)를 이용하여 조도 230mW/㎠, 광량 500mJ/㎠의 자외선을 조사했다. 경화 후, 박리 시트를 제거하여, 영률을 측정하기 위한 측정용 시료를 얻었다.The protective sheet for work processing with release sheet produced in the examples and comparative examples was cut to a size of 130 mm in length and 15 mm in width. Next, in order to cure the soft material from the side, it was cured by irradiating ultraviolet rays with sufficient illuminance and light quantity. Specifically, ultraviolet rays with an illumination intensity of 230 mW/cm2 and a light quantity of 500 mJ/cm2 were irradiated using an ultraviolet irradiation device (manufactured by LINTEC Corporation, device name "RAD-2000"). After curing, the release sheet was removed to obtain a measurement sample for measuring Young's modulus.

23℃, 50%RH(상대습도)의 환경하에서, 인장 시험기(SHIMADZU사 제조, 장치명 「AUTOGRAPH(등록상표)」)에 의해, 200㎜/분의 속도, 초기의 척(chuck)간 거리(즉, 측정되는 워크 가공용 보호 시트의 길이)가 100㎜로 하는 조건에서, 워크 가공용 보호 시트의 길이 방향으로 측정용 시료를 인장하여, 영률을 측정했다. 측정 결과로부터 23℃에서의 영률의 값을 산출했다. 마찬가지의 측정을, 각 워크 가공용 보호 시트에 대하여, 2회씩 행하고, 그 평균을 워크 가공용 보호 시트의 23℃에서의 영률(단위: ㎫)로 했다. 얻어진 영률의 값으로부터, 「워크 가공용 보호 시트의 영률과 워크 가공용 보호 시트의 두께와의 곱」을 산출했다.In an environment of 23°C and 50%RH (relative humidity), the initial chuck-to-chuck distance (i.e. Under the condition that the measured length of the protective sheet for work processing was 100 mm, the sample for measurement was stretched in the longitudinal direction of the protective sheet for work processing, and the Young's modulus was measured. The value of Young's modulus at 23°C was calculated from the measurement results. The same measurement was performed twice for each protective sheet for work processing, and the average was taken as the Young's modulus (unit: MPa) of the protective sheet for work processing at 23°C. From the obtained Young's modulus value, "the product of the Young's modulus of the protective sheet for work processing and the thickness of the protective sheet for work processing" was calculated.

(밀착성 평가)(Adhesion evaluation)

실시예 및 비교예에서 제작한 박리 시트 부착 워크 가공용 보호 시트에 대하여, 연질재 측으로부터, 자외선 조사 장치(LINTEC Corporation 제조, 장치명 「RAD-2000」)를 이용하여, 조도 230mW/㎠, 광량 500mJ/㎠의 자외선을 조사하여, 점착제층을 경화시켰다.The protective sheet for work processing with release sheet manufactured in the examples and comparative examples was irradiated from the soft material side using an ultraviolet irradiation device (manufactured by LINTEC Corporation, device name “RAD-2000”) at an illuminance of 230 mW/cm2 and a light amount of 500 mJ/. The adhesive layer was cured by irradiating cm2 ultraviolet rays.

그 다음에, 박리 시트 부착 워크 가공용 보호 시트의 박리 시트를 제거하고, 경화한 점착제층에 대하여, 5㎜ 간격으로 종 11 × 횡 11라인의 노치를 넣어, 기반목(碁盤目)(모눈의 수: 100) 형상의 노치를 형성했다. 또, 노치의 깊이는, 점착제층의 두께 이상의 깊이이다.Next, the release sheet of the protective sheet for work processing with the release sheet is removed, and notches of 11 lines long and 11 lines horizontal at 5 mm intervals are made into the cured adhesive layer to create base lines (number of grids). : 100) shaped notch was formed. Additionally, the depth of the notch is greater than or equal to the thickness of the adhesive layer.

그리고, 상기 점착제층의 면 상에, 셀로판 점착 테이프(NICHIBAN CO., LTD. 제조, 제품명 「셀로테이프(등록상표)」)를 첩부하고, 23℃, 50%RH(상대습도)로 20분간 정치 후, 한쪽 손으로 워크 가공용 보호 시트를 누르면서, 다른쪽 손으로, 상기 셀로판 점착 테이프의 단부를 잡고, 워크 가공용 보호 시트에 대하여 직각의 방향으로 상기 셀로판 점착 테이프를 인장하여, 점착제층의 면 상으로부터 순간적으로 박리했다.Then, a cellophane adhesive tape (manufactured by NICHIBAN CO., LTD., product name “Cellotape (registered trademark)”) was attached to the surface of the adhesive layer, and left for 20 minutes at 23°C and 50%RH (relative humidity). Then, while pressing the protective sheet for work processing with one hand, holding the end of the cellophane adhesive tape with the other hand, the cellophane adhesive tape is pulled in a direction perpendicular to the protective sheet for work processing, from the surface of the adhesive layer. It peeled off instantly.

셀로판 점착 테이프를 박리 후, 워크 가공용 보호 시트의 점착제층 상의 기반목의 노치를 육안으로 확인하고, 점착제층과 점착제층이 접해 있던 면과의 박리가 보이는 모눈의 수를 세어, 자외선 조사 후에 있어서의 워크 가공용 보호 시트의 점착제층과 점착제층이 접해 있던 면과의 밀착성을 평가했다. 표 2에는, 100매스 중, 점착제층과 점착제층이 접해 있던 면과의 박리가 보이지 않았던 모눈의 수(OK 수)를 나타내고 있다. 표 2에 기재된 모눈의 수가 많을수록, 자외선 조사 후에 있어서의 워크 가공용 보호 시트에 있어서, 점착제층과 점착제층이 접해 있던 면과의 밀착성이 우수하다고 할 수 있다. 즉, 워크에 첩부한 워크 가공용 보호 시트를 워크로부터 박리할 때에, 워크 상에의 풀남음의 우려가 저감된다.After peeling off the cellophane adhesive tape, visually check the notches of the base wood on the adhesive layer of the protective sheet for work processing, count the number of grids where peeling between the adhesive layer and the surface where the adhesive layer was in contact is visible, and count the number of grids where peeling is visible between the adhesive layer and the surface where the adhesive layer was in contact. The adhesion between the adhesive layer of the protective sheet for work processing and the surface on which the adhesive layer was in contact was evaluated. Table 2 shows the number of grids (OK number) among 100 masses in which no peeling was observed between the adhesive layer and the surface on which the adhesive layer was in contact. It can be said that the greater the number of grids shown in Table 2, the better the adhesion between the adhesive layer and the surface on which the adhesive layer was in contact in the protective sheet for work processing after ultraviolet irradiation. That is, when the protective sheet for work processing attached to the work is peeled off from the work, the risk of glue remaining on the work is reduced.

(벗겨짐 잔류 평가)(Peeling residual evaluation)

두께 730㎛의 실리콘 웨이퍼(경면, 8인치)에, 실시예 및 비교예에서 제작한 박리 시트가 부착된 워크 가공용 보호 시트를, 박리 시트를 벗기면서, 백그라인딩용 테이프 라미네이터(LINTEC Corporation 제조, 장치명 「RAD-3510F/12」, 테이블 온도: 23℃)를 이용하여 첩부했다.A protective sheet for work processing with a release sheet manufactured in Examples and Comparative Examples was applied to a silicon wafer (mirror surface, 8 inches) with a thickness of 730 ㎛, and while peeling off the release sheet, a back-grinding tape laminator (manufactured by LINTEC Corporation, device name) was used. It was attached using “RAD-3510F/12”, table temperature: 23°C.

그 다음에, 이면 연삭 장치(DISCO CORPORATION 제조, 장치명 「DGP8760」)를 이용하여, 실리콘 웨이퍼의 이면을 연삭하고, 실리콘 웨이퍼의 두께가 30㎛가 된 시점에서 종료했다.Next, the back side of the silicon wafer was ground using a back side grinding device (manufactured by DISCO CORPORATION, device name “DGP8760”), and the grinding was completed when the thickness of the silicon wafer reached 30 μm.

연삭 후에, 연질재 측으로부터, 점착제층에 대하여, 자외선 조사 장치(LINTEC Corporation 제조, 장치명 「RAD-2000」)를 이용하여, 조도 230mW/㎠, 광량 500mJ/㎠의 자외선을 조사하여, 점착제층을 경화시켰다. 마찬가지의 제작 방법으로, 각 워크 가공용 보호 시트에 대하여, 2매씩의, 점착제층이 경화된 워크 가공용 보호 시트 부착 웨이퍼를 준비했다. 그 중 1매는, 웨이퍼 마운터(LINTEC Corporation 제조, 장치명 「RAD-2700」)의 테이프 박리 기구를 이용하여, 통상 조건(벗겨짐 거리: 315㎜), 다른쪽 1매는 통상 조건보다 난이도가 높은 가속 조건(벗겨짐 거리: 280㎜)으로, 실리콘 웨이퍼로부터 워크 가공용 보호 시트를 박리했다. 박리 후의 실리콘 웨이퍼를 관찰하여, 워크 가공용 보호 시트의 박리 상태를 이하의 기준에 따라 평가했다.After grinding, ultraviolet rays with an illumination intensity of 230 mW/cm2 and a light quantity of 500 mJ/cm2 are irradiated from the soft material side to the adhesive layer using an ultraviolet irradiation device (manufactured by LINTEC Corporation, device name “RAD-2000”). hardened. Using the same manufacturing method, for each workpiece processing protection sheet, two wafers with the workpiece processing protection sheet on which the adhesive layer was cured were prepared. One of them was used under normal conditions (peeling distance: 315 mm) using the tape peeling mechanism of a wafer mounter (manufactured by LINTEC Corporation, device name “RAD-2700”), and the other sheet was used under acceleration conditions (peeloff distance: 315 mm), which are more difficult than normal conditions ( The protective sheet for work processing was peeled from the silicon wafer at a peeling distance of 280 mm. The silicon wafer after peeling was observed, and the peeling state of the protective sheet for work processing was evaluated according to the following criteria.

○: 통상 조건 및 가속 조건 중 어느 조건에서도, 워크 가공용 보호 시트를 떼어낼 수 있었다○: The protective sheet for workpiece processing could be removed under both normal and accelerated conditions.

△: 통상 조건에서는 워크 가공용 보호 시트를 떼어낼 수 있지만, 가속 조건에서는 떼어지지 않고 워크 가공용 보호 시트가 남았다△: Under normal conditions, the protective sheet for work processing can be removed, but under accelerated conditions, it cannot be removed, and the protective sheet for work processing remains.

×: 통상 조건에서 떼어지지 않고 워크 가공용 보호 시트가 남았다×: The protective sheet for workpiece processing remains without being removed under normal conditions.

얻어진 시료(실시예 1 ∼ 9 및 비교예 1, 2)에 대하여, 상기의 측정 및 평가를 행했다. 결과를 표 2에 나타낸다.The above measurements and evaluations were performed on the obtained samples (Examples 1 to 9 and Comparative Examples 1 and 2). The results are shown in Table 2.

[표 2][Table 2]

표 2로부터, 워크 가공용 보호 시트에 있어서, 점착제층의 워크 측의 면과, 대전 방지층의 기재 측의 면과의 거리가 상술한 범위 내이며, 기재와 점착제층이 직접 접해 있는 경우에는, 박리 대전이 억제되어, 점착제층의 풀남음을 억제할 수 있는 것을 확인할 수 있었다.From Table 2, in the protective sheet for work processing, when the distance between the surface of the workpiece side of the adhesive layer and the surface of the antistatic layer on the substrate side is within the above-mentioned range and the substrate and the adhesive layer are in direct contact, peeling and charging occurs. It was confirmed that this was suppressed and the glue remaining in the adhesive layer could be suppressed.

1: 워크 가공용 보호 시트
10: 기재
20: 대전 방지층
30: 점착제층
40: 연질재
1: Protection sheet for work processing
10: Description
20: Antistatic layer
30: Adhesive layer
40: Soft material

Claims (8)

워크에 첩부되는 점착제층과, 기재와, 대전 방지층이 이 순으로 적층되어 있는 워크 가공용 보호 시트로서,
상기 점착제층과 상기 기재는 직접 접해 있고,
상기 점착제층에서 워크에 첩부되는 면과, 상기 대전 방지층에서 상기 기재 측에 위치하는 면과의 거리는 300㎛ 이하인, 워크 가공용 보호 시트.
A protective sheet for work processing in which an adhesive layer attached to the work, a base material, and an antistatic layer are laminated in this order,
The adhesive layer and the substrate are in direct contact,
A protective sheet for work processing, wherein the distance between the surface of the adhesive layer attached to the work and the surface of the antistatic layer located on the substrate side is 300 μm or less.
제1항에 있어서,
상기 워크 가공용 보호 시트는 연질재를 더 갖고,
상기 점착제층과, 상기 기재와, 상기 대전 방지층과, 상기 연질재는, 이 순으로 적층되어 있는, 워크 가공용 보호 시트.
According to paragraph 1,
The protective sheet for work processing further has a soft material,
A protective sheet for work processing, wherein the adhesive layer, the substrate, the antistatic layer, and the soft material are laminated in this order.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 기재의 두께는 10㎛ 이상 80㎛ 이하인, 워크 가공용 보호 시트.
According to claim 1 or 2,
A protective sheet for work processing, wherein the thickness of the base material is 10 μm or more and 80 μm or less.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 대전 방지층의 두께는 0.2㎛ 이상인, 워크 가공용 보호 시트.
According to claim 1 or 2,
A protective sheet for work processing, wherein the antistatic layer has a thickness of 0.2 μm or more.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 점착제층에서 워크에 첩부되는 면의 표면 저항률은 1.0 × 1013Ω/□보다 큰, 워크 가공용 보호 시트.
According to claim 1 or 2,
A protective sheet for work processing, wherein the surface resistivity of the surface of the adhesive layer attached to the work is greater than 1.0 × 10 13 Ω/□.
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 워크 가공용 보호 시트의 영률과, 상기 워크 가공용 보호 시트의 두께와의 곱은, 1.0 × 105N/m 이상인, 워크 가공용 보호 시트.
According to claim 1 or 2,
A protective sheet for work processing, wherein the product of the Young's modulus of the protective sheet for work processing and the thickness of the protective sheet for work processing is 1.0 × 10 5 N/m or more.
제1항 또는 제2항에 있어서,
표면에 홈, 또는, 내부에 개질 영역이 형성된 워크의 이면을 연삭함으로써 워크를 워크 개편화물로 개편화하는 공정에서, 워크의 표면에 첩부되어 사용되는, 워크 가공용 보호 시트.
According to claim 1 or 2,
A protective sheet for work processing that is attached to the surface of a work and used in the process of breaking the work into individual work pieces by grinding the back side of the work on which a groove is formed on the surface or a modified area is formed on the inside.
표리면을 갖는 워크의 표면에, 제1항 또는 제2항에 기재된 워크 가공용 보호 시트를 첩부하는 공정과,
상기 워크의 표면에 홈을 형성하는 공정, 또는, 상기 워크의 내부에 개질 영역을 형성하는 공정과,
상기 워크 가공용 보호 시트가 표면에 첩부되며, 또한 상기 홈 또는 상기 개질 영역이 형성된 워크를 이면 측으로부터 연삭하여, 상기 홈 또는 상기 개질 영역을 기점으로 하여, 복수의 워크 개편화물로 개편화시키는 공정과,
상기 복수의 워크 개편화물로부터, 상기 워크 가공용 보호 시트를 박리하는 공정을 갖는, 워크 개편화물의 제조 방법.
A step of attaching the protective sheet for work processing according to claim 1 or 2 to the surface of a work having front and back surfaces;
A process of forming a groove on the surface of the work, or a process of forming a modified area inside the work,
A process of grinding a workpiece in which the protective sheet for work processing is attached to a surface and having the groove or the modified area formed thereon from the back side, and dividing the work into a plurality of individual pieces using the groove or the modified area as a starting point;
A method for producing piecework cargo, comprising a step of peeling the protective sheet for work processing from the plurality of piecework cargoes.
KR1020230156448A 2022-12-20 2023-11-13 Protective sheet for workpiece processing and manufacturing method of divided workpiece KR20240097723A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2022-203558 2022-12-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20240097723A true KR20240097723A (en) 2024-06-27

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7207778B2 (en) Adhesive tape for semiconductor processing and method for manufacturing semiconductor device
CN109743881B (en) Adhesive tape for semiconductor processing and method for manufacturing semiconductor device
US11842916B2 (en) Semiconductor processing adhesive tape and method of manufacturing semiconductor device
CN112334558B (en) Adhesive tape for semiconductor processing and method for manufacturing semiconductor device
CN108377659B (en) Adhesive tape for semiconductor processing and method for manufacturing semiconductor device
JP6317744B2 (en) Dicing sheet
KR101766174B1 (en) Adhesive tape for semiconductor wafer processing and method for processing semiconductor wafer
JP7488678B2 (en) Protective sheet for semiconductor processing and method for manufacturing semiconductor device
KR20240097723A (en) Protective sheet for workpiece processing and manufacturing method of divided workpiece
CN113471129A (en) Protective sheet for semiconductor processing and method for manufacturing semiconductor device
KR20230098004A (en) Protective sheet for workpiece processing and manufacturing method of divided workpiece
JP2024088415A (en) PROTECTIVE SHEET FOR WORK PROCESSING AND METHOD FOR PRODUCING WORK INDUCED PRODUCT
WO2022201790A1 (en) Pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor processing and semiconductor device fabrication method
WO2022201789A1 (en) Semiconductor processing adhesive tape, and method for manufacturing semiconductor device
WO2022201788A1 (en) Semiconductor processing adhesive tape, and method for manufacturing semiconductor device
WO2024070692A1 (en) Workpiece processing method
KR20230141501A (en) Protective sheet for workpiece processing and manufacturing method of divided workpiece
WO2023281859A1 (en) Protective sheet for semiconductor processing and method for producing semiconductor device
WO2023281858A1 (en) Protective sheet for semiconductor processing, and semiconductor device manufacturing method
KR20230134093A (en) Protective sheet for workpiece processing and manufacturing method of divided workpiece
KR20240031951A (en) Method of manufacturing protective sheets for semiconductor processing and semiconductor devices
KR20230122979A (en) Protective sheet for workpiece processing and manufacturing method of divided workpeice