KR20240092223A - 표시패널 및 이의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명의 표시패널은, 베이스층, 상기 베이스층 상에 배치되고 제1 및 제2 발광 개구부들이 정의되는 화소 정의막, 상기 화소 정의막 상에 배치되고 상기 제1 및 제2 발광 개구부들과 각각 대응되는 제1 및 제2 격벽 개구부들이 정의되는 도전성 격벽, 상기 제1 격벽 개구부에 배치되는 제1 발광소자, 상기 제2 격벽 개구부에 배치되는 제2 발광소자, 및 상기 도전성 격벽 상에 배치되는 도전패턴을 포함한다. 제1 발광소자는 제1 애노드, 제1 유기층, 및 상기 도전성 격벽에 접촉하는 제1 캐소드를 포함하고, 제2 발광소자는 제2 애노드, 제2 유기층, 및 상기 도전성 격벽에 접촉하는 제2 캐소드를 포함한다. 상기 도전패턴에는 상기 제2 발광 개구부와 대응되는 도전패턴 개구부가 정의된다.

Description

표시패널 및 이의 제조방법{DISPLAY PANEL AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME}

본 발명은 표시패널 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게는 공정 신뢰도가 개선된 표시패널 및 이의 제조방법에 관한 것이다.

표시장치는 전기적 신호에 따라 활성화된다. 표시장치는 영상을 표시하는 표시패널을 포함할 수 있다. 표시패널에 있어서, 유기 발광 표시패널은 낮은 소비 전력, 높은 휘도 및 높은 반응 속도를 가진다.

표시패널 중 유기 발광 표시패널은 애노드, 캐소드, 및 발광패턴을 포함한다. 발광패턴은 각 발광영역들마다 분리되고 캐소드는 발광영역들마다 공통의 전압을 제공한다.

본 발명의 일 목적은, 메탈 마스크를 이용하지 않고 형성되는 발광소자를 포함하는 표시패널을 제공하는 것이다.

본 발명의 일 목적은, 공정 신뢰도가 개선된 발광소자 및 이를 포함하는 표시패널을 제공하는 것이다.

본 발명에 따른 표시패널은, 베이스층; 상기 베이스층 상에 배치되고, 제1 및 제2 발광 개구부들이 정의되는 화소 정의막; 상기 화소 정의막 상에 배치되고, 상기 제1 및 제2 발광 개구부들과 각각 대응되는 제1 및 제2 격벽 개구부들이 정의되는 도전성 격벽; 상기 제1 발광 개구부에 의해 적어도 일부가 노출되는 제1 애노드, 제1 유기층, 및 적어도 일부가 상기 제1 격벽 개구부에 배치되어 상기 도전성 격벽에 접촉하는 제1 캐소드를 포함하는 제1 발광소자; 상기 제2 발광 개구부에 의해 적어도 일부가 노출되는 제2 애노드, 제2 유기층, 및 적어도 일부가 상기 제2 격벽 개구부에 배치되어 상기 도전성 격벽에 접촉하는 제2 캐소드를 포함하는 제2 발광소자; 및 상기 도전성 격벽 상에 배치되고, 상기 제2 발광 개구부와 대응되는 도전패턴 개구부가 정의된 도전패턴을 포함한다.

평면 상에서, 상기 도전패턴은 상기 제2 발광 개구부를 에워싸며, 폐-라인 형상을 갖는 것을 특징으로 할 수 있다.

상기 도전성 격벽 상에 배치되고, 상기 제1 유기층과 동일 물질을 포함하며, 상기 제1 발광 개구부와 대응되는 제1 더미 개구부가 정의된 제1 더미패턴; 및 상기 제1 더미패턴과 이격되고, 상기 제2 유기층과 동일 물질을 포함하며, 상기 제2 발광 개구부와 대응되는 제2 더미 개구부가 정의된 제2 더미패턴을 포함하고, 상기 도전패턴은 상기 도전성 격벽 및 상기 제2 더미패턴 사이에 배치되는 것을 특징으로 할 수 있다.

상기 도전패턴의 외측면은 상기 제2 더미패턴의 외측면보다 상기 제2 애노드의 중심에 인접하게 배치되는 것을 특징으로 할 수 있다.

상기 제1 발광 개구부와 중첩하며, 상기 제1 발광소자 및 상기 제1 더미패턴 상에 배치되는 제1 하부 봉지 무기패턴; 및 상기 제2 발광 개구부와 중첩하며, 상기 제1 하부 봉지 무기패턴과 이격되고, 상기 제2 발광소자 및 상기 제2 더미패턴 상에 배치되는 제2 하부 봉지 무기패턴을 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.

상기 도전패턴은 투명 도전성 산화물을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.

제3 애노드, 제3 유기층, 및 상기 도전성 격벽에 접촉하는 제3 캐소드를 포함하는 제3 발광소자를 더 포함하고, 상기 화소 정의막에는 상기 제1 및 제2 발광 개구부들과 이격되고 상기 제3 애노드의 적어도 일부를 노출시키는 상기 제3 발광 개구부가 정의되고, 상기 도전성 격벽에는 상기 제1 및 제2 격벽 개구부들과 이격되고 상기 제3 캐소드가 배치된 상기 제3 격벽 개구부가 정의되며, 평면 상에서, 상기 도전패턴은 상기 제3 발광 개구부와 비-중첩하며 상기 제2 발광 개구부만 에워싸는 것을 특징으로 할 수 있다.

상기 도전성 격벽은 언더컷 형상을 갖고, 상기 제1 캐소드는 상기 제1 격벽 개구부를 정의하는 상기 도전성 격벽의 내측면에 접촉하며, 상기 제2 캐소드는 상기 제2 격벽 개구부를 정의하는 상기 도전성 격벽의 내측면에 접촉하는 것을 특징으로 할 수 있다.

본 발명에 따른 표시패널 제조방법은, 베이스층, 상기 베이스층 상에 배치된 제1 애노드, 상기 베이스층 상에 배치되며 상기 제1 애노드의 일부를 노출시키는 제1 발광 개구부가 정의된 화소 정의막, 및 상기 화소 정의막 상에 배치되며 상기 제1 발광 개구부와 대응되는 제1 격벽 개구부가 정의된 도전성 격벽을 포함하는 예비 표시패널을 제공하는 단계; 적어도 일부가 상기 제1 발광 개구부 및 상기 제1 격벽 개구부 내에 배치되는 제1 발광패턴 및 상기 제1 발광패턴과 이격되며 상기 도전성 격벽 상에 배치되는 제1 더미층이 형성되도록, 제1 유기물을 증착하는 단계; 적어도 일부가 상기 제1 격벽 개구부 내에 배치되는 제1 캐소드가 형성되도록, 제1 도전성 물질을 증착하는 단계; 상기 도전성 격벽 상에, 상기 제1 발광 개구부와 중첩하며 제2 도전성 물질을 포함하는 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1 더미층으로부터 제1 더미패턴이 형성되도록, 상기 제1 마스크 패턴을 사용하여 상기 제1 더미층을 패터닝하는 단계; 및 상기 제1 마스크 패턴으로부터 제1 도전층이 형성되도록, 상기 제2 도전성 물질을 증착하는 단계를 포함하고, 상기 제2 도전성 물질을 증착하는 단계에서, 상기 제1 도전층은 상기 제1 더미패턴의 외측면을 커버한다.

상기 제1 캐소드가 형성되도록 상기 제1 도전성 물질을 증착하는 단계 이후 및 상기 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계 이전에, 상기 제1 발광 개구부와 중첩하는 제1 포토레지스트층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계 이후 및 상기 제1 더미층을 식각하는 단계 이전에, 상기 제1 포토레지스트층을 제거하는 단계를 더 포함하고, 상기 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계는, 상기 제1 포토레지스트층을 사용하는 식각 공정으로 진행되는 것을 특징으로 할 수 있다.

상기 제1 도전성 물질을 증착하는 단계 이후 및 상기 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계 이전에, 상기 제1 캐소드 및 상기 도전성 격벽 상에 제1 예비 하부 봉지 무기막을 형성하는 단계; 및 상기 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계 이후 및 상기 제1 더미층을 식각하는 단계 이전에, 상기 제1 예비 하부 봉지 무기막으로부터 상기 제1 발광 개구부와 중첩하는 제1 하부 봉지 무기패턴이 형성되도록, 상기 제1 마스크 패턴을 사용하여 상기 제1 예비 하부 봉지 무기막을 패터닝하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.

상기 제1 도전층이 형성되도록 상기 제2 도전성 물질을 증착하는 단계 이후에, 상기 제1 도전층에 제1 도전 개구부를 형성하는 단계; 상기 도전성 격벽에 상기 제1 도전 개구부와 대응되는 제2 격벽 개구부를 형성하는 단계; 상기 화소 정의막에 상기 제2 격벽 개구부와 대응되는 제2 발광 개구부를 형성하는 단계; 적어도 일부가 상기 제2 발광 개구부 및 상기 제2 격벽 개구부 내에 배치되는 제2 발광패턴 및 상기 제2 발광패턴과 이격되며 상기 도전성 격벽 상에 배치되는 제2 더미층이 형성되도록, 제2 유기물을 증착하는 단계; 적어도 일부가 상기 제2 격벽 개구부 내에 배치되는 제2 캐소드가 형성되도록, 상기 제1 도전성 물질을 증착하는 단계; 상기 도전성 격벽 상에, 상기 제2 발광 개구부와 중첩하며 상기 제2 도전성 물질을 포함하는 제2 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 제2 더미층으로부터 제2 더미패턴이 형성되도록, 상기 제2 마스크 패턴을 사용하여 상기 제2 더미층을 패터닝하는 단계; 및 상기 제1 도전층 및 상기 제2 마스크 패턴으로부터 제2 도전층이 형성되도록, 상기 제2 도전성 물질을 증착하는 단계를 더 포함하고, 상기 예비 표시패널을 제공하는 단계에서, 상기 예비 표시패널은 상기 제1 애노드와 이격되는 제2 애노드를 더 포함하고, 상기 제1 도전 개구부를 형성하는 단계에서, 상기 제1 도전 개구부는 상기 제2 애노드와 중첩하고, 상기 제2 도전층이 형성되도록 상기 제2 도전성 물질을 증착하는 단계에서, 상기 제2 도전층은 상기 제2 더미패턴의 외측면을 커버하는 것을 특징으로 할 수 있다.

상기 도전성 격벽에 상기 제2 격벽 개구부를 형성하는 단계는, 상기 제2 애노드와 중첩하는 제2 예비 격벽 개구부가 형성되도록, 건식 식각 방식으로 상기 도전성 격벽을 식각하는 단계; 및 상기 제2 예비 격벽 개구부로부터 상기 제2 격벽 개구부가 형성되도록, 습식 식각 방식으로 상기 도전성 격벽을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.

상기 예비 표시패널을 제공하는 단계에서, 상기 예비 도전성 격벽에는 상기 제2 애노드와 중첩하는 제2 예비 격벽 개구부가 더 정의되고, 상기 도전성 격벽에 상기 제2 격벽 개구부를 형성하는 단계에서, 상기 도전성 격벽은 습식 식각 방식으로 진행되는 것을 특징으로 할 수 있다.

상기 제2 마스크 패턴은 상기 제1 도전층과 중첩하는 것을 특징으로 할 수 있다.

상기 제2 도전층은, 상기 제2 더미패턴 상에 배치된 제1 부분; 상기 도전성 격벽 및 상기 제2 더미패턴 사이에 배치된 제2 부분; 및 상기 제1 부분과 상기 제2 부분을 연결하며 상기 제2 더미패턴의 외측면을 커버하는 제3 부분을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.

평면 상에서, 상기 제2 마스크 패턴은 상기 제1 도전층과 비-중첩하고, 상기 제2 더미패턴은 모두 상기 도전성 격벽의 상면에 접촉하는 것을 특징으로 할 수 있다.

상기 예비 표시패널을 제공하는 단계에서, 상기 예비 표시패널은 상기 제1 애노드 상에 배치되며 상기 제1 희생 개구부가 정의된 제1 희생패턴 및 상기 제2 애노드 상에 배치되는 제2 희생패턴을 더 포함하고, 상기 제1 도전층이 형성되도록 상기 제2 도전성 물질을 증착하는 단계 이후 및 상기 제1 도전층에 상기 제1 도전 개구부를 형성하는 단계 이전에, 상기 제1 도전층 상에 상기 제2 애노드와 중첩하는 제1 포토 개구부가 정의된 제2 포토레지스트층을 형성하는 단계; 상기 화소 정의막에 상기 제2 발광 개구부를 형성하는 단계 이후 및 상기 제2 유기물을 증착하는 단계 이전에, 상기 제2 희생패턴에 상기 제2 발광 개구부와 대응되는 제2 희생 개구부를 형성하는 단계; 및 상기 제2 희생 개구부를 형성하는 단계 이후 및 상기 제2 유기물을 증착하는 단계 이전에, 상기 제2 포토레지스트층을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.

상기 제2 캐소드가 형성되도록 상기 제1 도전성 물질을 증착하는 단계 이후 및 상기 제2 마스크 패턴을 형성하는 단계 이전에, 상기 제2 발광 개구부와 중첩하는 제3 포토레지스트층을 형성하는 단계; 및 상기 제2 마스크 패턴을 형성하는 단계 이후 및 상기 제2 더미층을 패터닝하는 단계 이전에, 상기 제3 포토레지스트층을 제거하는 단계를 더 포함하고, 상기 제2 마스크 패턴을 형성하는 단계는, 상기 제3 포토레지스트층을 사용하는 식각 공정으로 진행되는 것을 특징으로 할 수 있다.

상기 제2 도전층이 형성되도록 상기 제2 도전성 물질을 증착하는 단계 이후에, 상기 제2 도전층에 제2 도전 개구부를 형성하는 단계; 상기 도전성 격벽에 상기 제2 도전 개구부와 대응되는 제3 격벽 개구부를 형성하는 단계; 상기 화소 정의막에 상기 제3 격벽 개구부와 대응되는 제3 발광 개구부를 형성하는 단계; 상기 제2 도전층을 식각하는 단계; 적어도 일부가 상기 제3 격벽 개구부 및 상기 제3 격벽 개구부 내에 배치되는 제3 발광패턴 및 상기 제3 발광패턴과 이격되며 상기 도전성 격벽 상에 배치되는 제3 더미층이 형성되도록, 제3 유기물을 증착하는 단계; 적어도 일부가 상기 제3 격벽 개구부 내에 배치되는 제3 캐소드가 형성되도록, 상기 제1 도전성 물질을 증착하는 단계; 상기 도전성 격벽 상에, 상기 제3 발광 개구부와 중첩하며 상기 제2 도전성 물질을 포함하는 제3 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 제3 더미층으로부터 제3 더미패턴이 형성되도록, 상기 제3 마스크 패턴을 사용하여 상기 제3 더미층을 패터닝하는 단계; 및 상기 제3 마스크 패턴을 제거하는 단계를 더 포함하고, 상기 예비 표시패널을 제공하는 단계에서, 상기 예비 표시패널은 상기 제1 및 제2 애노드들과 이격되는 제3 애노드를 더 포함하고, 상기 제2 도전 개구부를 형성하는 단계에서, 상기 제2 도전 개구부는 상기 제3 애노드와 중첩하는 것을 특징으로 할 수 있다.

상기 제2 도전층이 형성되도록 상기 제2 도전성 물질을 증착하는 단계에서, 상기 제2 도전층은 상기 제2 더미패턴 상에 배치된 제1 부분, 상기 도전성 격벽 및 상기 제2 더미패턴 사이에 배치된 제2 부분, 및 상기 제1 부분과 상기 제2 부분을 연결하며 상기 제2 더미패턴의 외측면을 커버하는 제3 부분을 포함하고, 상기 제2 도전층을 식각하는 단계에서, 상기 제2 및 제3 부분들이 제거되고, 잔존하는 상기 제1 부분으로부터 도전패턴이 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다.

상기 도전패턴은 상기 제2 발광 개구부를 에워싸며 평면 상에서 폐-라인 형상을 갖는 것을 특징으로 할 수 있다.

상기 제3 마스크 패턴을 제거하는 단계에서, 상기 도전패턴의 일부가 함께 제거되어 상기 도전패턴의 외측면은 상기 제2 더미패턴의 외측면에 비해 상기 제2 애노드의 중심에 인접하게 배치되는 것을 특징으로 할 수 있다.

상기 제2 도전층을 식각하는 단계에서, 상기 제2 도전층이 모두 제거되는 것을 특징으로 할 수 있다.

상기 예비 표시패널을 제공하는 단계에서, 상기 예비 표시패널은 상기 제3 애노드 상에 배치된 제3 희생패턴을 더 포함하고, 상기 제2 도전층을 식각하는 단계에서, 상기 제3 희생패턴에 상기 제3 발광 개구부와 대응되는 제3 희생 개구부가 형성되는 것을 특징으로 할 수 있다.

상기 제2 도전성 물질을 증착하는 단계 이후 및 상기 제2 도전층에 제2 도전 개구부를 형성하는 단계 이전에, 상기 제3 애노드와 중첩하는 제2 포토 개구부가 정의된 제4 포토레지스트층을 형성하는 단계; 및 상기 화소 정의막에 상기 제3 발광 개구부를 형성하는 단계 이후 및 상기 제2 도전층을 식각하는 단계 이전에, 상기 제4 포토레지스트층을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.

상기 제3 캐소드가 형성되도록 상기 제1 도전성 물질을 증착하는 단계 이후 및 상기 제3 마스크 패턴을 형성하는 단계 이전에, 상기 제3 발광 개구부와 중첩하는 제5 포토레지스트층을 형성하는 단계; 및 상기 제3 마스크 패턴을 형성하는 단계 이후 및 상기 제3 더미층을 식각하는 단계 이전에, 상기 제5 포토레지스트층을 제거하는 단계를 더 포함하고, 상기 제3 마스크 패턴을 형성하는 단계는, 상기 제5 포토레지스트층을 사용하는 식각 공정으로 진행되는 것을 특징으로 할 수 있다.

상기 예비 표시패널을 제공하는 단계 이전에, 순차 적층된 제1 층 및 제2 층을 포함하는 예비 도전성 격벽층을 건식 식각하여, 상기 예비 도전성 격벽층에 제1 예비 격벽 개구부를 형성하는 단계; 및 상기 예비 도전성 격벽층으로부터 상기 도전성 격벽이 형성되도록, 상기 제1 층 및 상기 제2 층을 습식 식각하여, 상기 제1 예비 격벽 개구부로부터 상기 제1 격벽 개구부를 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 제1 격벽 개구부의 제1 영역을 정의하는 상기 제1 층의 내측면 대비 상기 제1 격벽 개구부의 제2 영역을 정의하는 상기 제2 층의 내측면은 상기 제1 애노드의 중심에 더 인접한 것을 특징으로 할 수 있다.

상기 예비 표시패널은 상기 베이스층 상에 배치된 제2 애노드를 더 포함하고, 상기 예비 도전성 격벽층에 상기 제1 예비 격벽 개구부를 형성하는 단계에서, 상기 예비 도전성 격벽층에 상기 제2 애노드와 중첩하는 제2 예비 격벽 개구부를 함께 형성하는 것을 특징으로 할 수 있다.

상기 제2 도전성 물질은 투명 전도성 산화물을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.

본 발명에 따르면, 메탈 마스크 없이 발광층을 패터닝할 수 있어, 공정 신뢰도가 개선되며 고해상도 구현이 용이한 표시패널이 제공될 수 있다.

본 발명에 따르면, 봉지 무기패턴의 하부에 배치된 유기패턴의 손상을 방지하여, 봉지 무기패턴의 들뜸 현상을 방지할 수 있다. 이를 통해, 수분 등의 이물 유입을 방지할 수 있고, 공정 신뢰도가 개선되고 불량이 감소된 발광소자들 및 이를 포함하는 표시패널이 제공될 수 있다.

본 발명에 따르면, 고해상도 구현이 용이하고 공정 신뢰도가 개선된 발광소자들을 제공할 수 있는 표시패널 제조방법이 제공될 수 있다.

도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 사시도이다.
도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 분해 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 표시영역의 일부를 확대한 평면도이다.
도 5는 도 4의 I-I’을 따라 절단한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 일부 구성을 확대한 평면도이다.
도 7a 내지 도 7j는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널 제조방법의 단계들 중 일부를 나타낸 단면도들이다.
도 8a 내지 도 8j는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널 제조방법의 단계들 중 일부를 나타낸 단면도들이다.
도 9a 내지 도 9j는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널 제조방법의 단계들 중 일부를 나타낸 단면도들이다.
도 10a 내지 도 10i는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널 제조방법의 단계들 중 일부를 나타낸 단면도들이다.

본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결된다", 또는 "결합된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.

동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. "및/또는"은 연관된 구성요소들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수 개의 표현을 포함한다.

또한, "아래에", "하측에", "상에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성요소들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.

"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.

다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 갖는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 여기서 명시적으로 정의되지 않는 한 너무 이상적이거나 지나치게 형식적인 의미로 해석되어서는 안 된다.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.

도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 사시도이다. 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 분해 사시도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 단면도이다.

일 실시예에서 표시장치(DD)는 텔레비전, 모니터, 또는 외부 광고판과 같은 대형 전자장치일 수 있다. 또한, 표시장치(DD)는 퍼스널 컴퓨터, 노트북 컴퓨터, 개인 디지털 단말기, 자동차 내비게이션 유닛, 게임기, 스마트폰, 태블릿, 및 카메라와 같은 중소형 전자장치일 수 있다. 이것들은 단지 실시예로서 제시된 것들로서, 본 발명의 개념에서 벗어나지 않은 이상 다른 표시장치로도 채용될 수 있다. 본 실시예에서, 표시장치(DD)는 스마트 폰인 것을 예시적으로 도시되었다.

도 1a, 도 1b, 및 도 2를 참조하면, 표시장치(DD)는 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2) 각각에 평행한 표시면(FS)에, 제3 방향(DR3)을 향해 영상(IM)을 표시할 수 있다. 영상(IM)은 동적인 영상은 물론 정지 영상을 포함할 수 있다. 도 1에서 영상(IM)의 일 예로 시계 창 및 아이콘들이 도시되었다. 영상(IM)이 표시되는 표시면(FS)은 표시장치(DD)의 전면(front surface)과 대응될 수 있다.

본 실시예에서는 영상(IM)이 표시되는 방향을 기준으로 각 부재들의 전면(또는 상면)과 배면(또는 하면)이 정의된다. 전면과 배면은 제3 방향(DR3)에서 서로 대향되고, 전면과 배면 각각의 법선 방향은 제3 방향(DR3)과 평행할 수 있다. 한편, 제1 내지 제3 방향들(DR1, DR2, DR3)이 지시하는 방향은 상대적인 개념으로서 다른 방향으로 변환될 수 있다. 본 명세서에서 “평면 상에서”는 제3 방향(DR3)에서 보았을 때를 의미할 수 있다.

도 1b에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 표시장치(DD)는 윈도우(WP), 표시모듈(DM), 및 하우징(HAU)을 포함할 수 있다. 윈도우(WP)와 하우징(HAU)은 서로 결합되어 표시장치(DD)의 외관을 구성할 수 있다.

윈도우(WP)는 광학적으로 투명한 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 윈도우(WP)는 유리 또는 플라스틱을 포함할 수 있다. 윈도우(WP)의 전면은 표시장치(DD)의 표시면(FS)을 정의할 수 있다. 표시면(FS)은 투과영역(TA)과 베젤영역(BZA)을 포함할 수 있다. 투과영역(TA)은 광학적으로 투명한 영역일 수 있다. 예를 들어, 투과영역(TA)은 약 90% 이상의 가시광선 투과율을 가진 영역일 수 있다.

베젤영역(BZA)은 투과영역(TA)에 비해 상대적으로 광 투과율이 낮은 영역일 수 있다. 베젤영역(BZA)은 투과영역(TA)의 형상을 정의할 수 있다. 베젤영역(BZA)은 투과영역(TA)에 인접하며, 투과영역(TA)을 에워쌀 수 있다. 한편, 이는 예시적으로 도시한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 윈도우(WP)에 있어서, 베젤영역(BZA)은 생략될 수 있다. 윈도우(WP)는 지문 방지층, 하드 코팅층, 반사 방지층 중 적어도 어느 하나의 기능층을 포함할 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

표시모듈(DM)은 윈도우(WP)의 하부에 배치될 수 있다. 표시모듈(DM)은 실질적으로 영상(IM)를 생성하는 구성일 수 있다. 표시모듈(DM)에서 생성하는 영상(IM)은 표시모듈(DM)의 표시면(IS)에 표시되고, 투과영역(TA)을 통해 외부에서 사용자에게 시인된다.

표시모듈(DM)은 표시영역(DA) 및 비표시영역(NDA)을 포함한다. 표시영역(DA)은 전기적 신호에 따라 활성화되는 영역일 수 있다. 비표시영역(NDA)은 표시영역(DA)에 인접한다. 비표시영역(NDA)은 표시영역(DA)을 에워쌀 수 있다. 비표시영역(NDA)은 베젤영역(BZA)에 의해 커버되는 영역으로, 외부에서 시인되지 않을 수 있다.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 표시모듈(DM)은 표시패널(DP)과 입력센서(INS)를 포함할 수 있다. 별도로 도시하지 않았으나, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(DD)는 표시패널(DP)의 하면에 배치된 보호부재 또는 입력센서(INS)의 상면 상에 배치된 반사방지부재 및/또는 윈도우 부재를 더 포함할 수 있다.

표시패널(DP)은 발광형 표시패널일 수 있고, 특별히 제한되지 않는다. 예컨대, 표시패널(DP)은 유기발광 표시패널 또는 무기발광 표시패널일 수 있다. 유기발광 표시패널 내의 발광층은 유기발광물질을 포함한다. 무기발광 표시패널 내의 발광층은 퀀텀닷, 퀀텀로드, 또는 마이크로 LED를 포함한다. 이하, 표시패널(DP)은 유기발광 표시패널로 설명된다.

표시패널(DP)은 베이스층(BL), 베이스층(BL) 상에 배치된 회로 소자층(DP-CL), 표시 소자층(DP-OLED), 및 박막 봉지층(TFE)을 포함할 수 있다. 입력센서(INS)는 박막 봉지층(TFE) 상에 직접 배치될 수 있다. 본 명세서에서 "A 구성이 B 구성 상에 직접 배치된다"는 것은 A 구성과 B 구성 사이에 접착층이 미-배치되는 것을 의미한다.

베이스층(BL)은 적어도 하나의 플라스틱 필름을 포함할 수 있다. 베이스층(BL)은 플렉서블한 기판으로 플라스틱 기판, 유리 기판, 메탈 기판, 또는 유/무기 복합재료 기판 등을 포함할 수 있다. 본 명세서에서, 표시영역(DA) 및 비표시영역(NDA)이 베이스층(BL)에 정의된 것으로 볼 수 있으며, 이때, 베이스층(BL) 상에 배치되는 구성들이 표시영역(DA) 또는 비표시영역(NDA)과 중첩하게 배치되는 것으로 볼 수도 있다.

회로 소자층(DP-CL)은 적어도 하나의 절연층과 회로소자를 포함한다. 상기 절연층은 적어도 하나의 무기층과 적어도 하나의 유기층을 포함한다. 상기 회로 소자는 신호라인들, 화소의 구동회로 등을 포함한다.

표시 소자층(DP-OLED)은 도전성 격벽 및 발광소자를 포함한다. 발광소자는 애노드, 발광패턴, 및 캐소드를 포함하며, 발광패턴은 적어도 발광층을 포함할 수 있다.

박막 봉지층(TFE)은 복수 개의 박막들을 포함한다. 일부 박막은 광학 효율을 향상시키기 위해 배치되고, 일부 박막은 유기발광 다이오드들을 보호하기 위해 배치된다.

입력센서(INS)는 외부입력의 좌표정보를 획득한다. 입력센서(INS)는 다층구조를 가질 수 있다. 입력센서(INS)는 단층 또는 다층의 도전층을 포함할 수 있다. 입력센서(INS)는 단층 또는 다층의 절연층을 포함할 수 있다. 입력센서(INS)는 예컨대, 정전용량 방식으로 외부입력을 감지할 수 있다. 본 발명에서 입력센서(INS)의 동작방식은 특별히 제한되지 않고, 본 발명의 일 실시예에서 입력센서(INS)는 전자기 유도방식 또는 압력 감지방식으로 외부입력을 감지할 수도 있다. 한편, 본 발명의 다른 일 실시예에서, 입력센서(INS)는 생략될 수 있다.

도 1b에 도시된 바와 같이, 하우징(HAU)은 윈도우(WP)와 결합될 수 있다. 하우징(HAU)은 윈도우(WP)와 결합되어 소정의 내부 공간을 제공할 수 있다. 표시모듈(DM)은 내부 공간에 수용될 수 있다.

하우징(HAU)은 상대적으로 강성이 높은 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 하우징(HAU)은 유리, 플라스틱, 또는 금속을 포함하거나, 이들의 조합으로 구성된 복수 개의 프레임 및/또는 플레이트를 포함할 수 있다. 하우징(HAU)은 내부 공간에 수용된 표시장치(DD)의 구성들을 외부 충격으로부터 안정적으로 보호할 수 있다.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 평면도이다.

도 3을 참조하면, 표시패널(DP)은 도 2를 참조하여 설명한 표시영역(DA) 및 비표시영역(NDA)으로 구분되는 베이스층(BL)을 포함할 수 있다.

표시패널(DP)은 표시영역(DA)에 배치된 화소들(PX) 및 화소들(PX)에 전기적으로 연결된 신호 라인들(SGL)을 포함할 수 있다. 표시패널(DP)은 비표시영역(NDA)에 배치된 구동회로(GDC) 및 패드부(PLD)를 포함할 수 있다.

화소들(PX)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)으로 배열될 수 있다. 화소들(PX)은, 제1 방향(DR1)으로 연장되고 제2 방향(DR2)으로 나열된 복수의 화소행들 및 제2 방향(DR2)으로 연장되고 제1 방향(DR1)으로 나열된 복수의 화소열들을 포함할 수 있다.

신호 라인들(SGL)은 게이트 라인들(GL), 데이터 라인들(DL), 전원 라인(PL), 및 제어 신호라인(CSL)을 포함할 수 있다. 게이트 라인들(GL) 각각은 화소들(PX) 중 대응하는 화소에 연결될 수 있고, 데이터 라인들(DL) 각각은 화소들(PX) 중 대응하는 화소에 연결될 수 있다. 전원 라인(PL)은 화소들(PX)에 전기적으로 연결될 수 있다. 제어 신호라인(CSL)은 구동회로(GDC)에 연결되어 구동회로(GDC)에 제어 신호들을 제공할 수 있다.

구동회로(GDC)는 게이트 구동회로를 포함할 수 있다. 게이트 구동회로는 게이트 신호들을 생성하고, 생성된 게이트 신호들을 게이트 라인들(GL)에 순차적으로 출력할 수 있다. 게이트 구동회로는 화소 구동회로에 또 다른 제어 신호를 더 출력할 수 있다.

패드부(PLD)는 연성 회로 기판이 연결되는 부분일 수 있다. 패드부(PLD)는 화소 패드들(D-PD)을 포함할 수 있고, 화소 패드들(D-PD)은 연성 회로 기판을 표시패널(DP)에 연결시키기 위한 패드들일 수 있다. 화소 패드들(D-PD) 각각은 신호 라인들(SGL) 중 대응되는 신호 라인과 연결될 수 있다. 화소 패드들(D-PD)은 신호 라인들(SGL)을 통해 대응되는 화소들(PX)에 연결될 수 있다. 또한, 화소 패드들(D-PD) 중 어느 하나의 화소 패드는 구동회로(GDC)에 연결될 수 있다.

또한, 패드부(PLD)는 입력 패드들을 더 포함할 수 있다. 입력 패드들은 연성 회로 기판을 입력센서(INS, 도 2 참조)에 연결시키기 위한 패드들일 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않고, 입력 패드들은 입력센서(INS, 도 2 참조)에 배치되어, 화소 패드들(D-PD)과 별도의 회로 기판과 연결될 수 있다. 또는, 입력센서(INS, 도 2 참조)는 생략될 수 있고, 입력 패드들을 더 포함하지 않을 수 있다.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 표시영역의 일부를 확대한 평면도이다. 도 4는 표시모듈(DM, 도 2 참조)의 표시면(IS, 도 2 참조) 상에서 바라본 표시모듈(DM, 도 2 참조)의 평면을 도시한 것이며, 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 배열을 나타내었다.

도 4를 참조하면, 표시영역(DA)은 제1 내지 제3 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 및 제1 내지 제3 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)을 둘러싸는 주변영역(NPXA)을 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 발광소자들(ED1, ED2, ED3, 도 5b 참조)로부터 제공된 광이 방출되는 영역들에 각각 대응될 수 있다. 제1 내지 제3 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 표시모듈(DM, 도 2 참조)의 외부를 향해 방출되는 광의 색에 따라 구분될 수 있다.

제1 내지 제3 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 각각 서로 다른 색을 갖는 제1 내지 제3 색 광들을 제공할 수 있다. 예를 들어, 제1 색 광은 레드광, 제2 색 광은 그린광, 제3 색 광은 블루광 일 수 있다. 그러나, 제1 내지 제3 색 광들의 예시가 반드시 상기 예에 한정되는 것은 아니다.

제1 내지 제3 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각은 후술하는 발광 개구부에 의해 애노드의 상면이 노출되는 영역으로 정의될 수 있다. 주변영역(NPXA)은 제1 내지 제3 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 경계를 설정하며, 제1 내지 제3 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 사이의 혼색을 방지할 수 있다.

제1 내지 제3 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각은 복수로 제공되어 표시영역(DA) 내에서 소정의 배열 형태를 가지며 반복적으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제3 발광영역들(PXA-R, PXA-B)은 제1 방향(DR1)을 따라 교번하여 배열되어 '제1 그룹'을 구성할 수 있다. 제2 발광영역들(PXA-G)은 제1 방향(DR1)을 따라 배열되어 '제2 그룹'을 구성할 수 있다. '제1 그룹' 및 '제2 그룹' 각각은 복수 개로 제공될 수 있고, '제1 그룹들' 및 '제2 그룹들'은 제2 방향(DR2)을 따라 서로 교번하여 배열될 수 있다.

하나의 제2 발광영역(PXA-G)은 하나의 제1 발광영역(PXA-R) 또는 하나의 제3 발광영역(PXA-B)으로부터 제4 방향(DR4)으로 이격되어 배치될 수 있다. 제4 방향(DR4)은 제1 및 제2 방향들(DR1, DR2) 사이의 방향으로 정의될 수 있다.

한편, 도 4는 제1 내지 제3 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 배열 형태를 예시적으로 도시한 것으로, 이에 한정되지 않고 다양한 형태로 배열될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 내지 제3 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 도 4에 도시된 바와 같이 펜타일(PENTILE^TM) 배열 형태를 가질 수 있다. 또는, 제1 내지 제3 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 스트라이프(Stripe) 배열 형태, 또는 다이아몬드(Diamond Pixel^TM) 배열 형태를 갖는 것일 수도 있다.

제1 내지 제3 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 평면 상에서 다양한 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제3 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 다각형, 원형 또는 타원형 등의 형상을 가질 수 있다. 도 4는 평면 상에서 사각 형상(또는, 마름모 형상)을 갖는 제1 및 제3 발광영역들(PXA-R, PXA-B) 및 팔각 형상을 갖는 제2 발광영역(PXA-G)을 예시적으로 도시하였다.

제1 내지 제3 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 평면 상에서 서로 동일한 형상을 가질 수도 있고, 또는, 적어도 일부는 서로 상이한 형상을 가질 수도 있다. 도 4는 평면 상에서 서로 동일한 형상을 갖는 제1 및 제3 발광영역들(PXA-R, PXA-B) 및 제1 및 제3 발광영역들(PXA-R, PXA-B)과 상이한 형상을 갖는 제2 발광영역(PXA-G)을 예시적으로 도시하였다.

제1 내지 제3 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 중 적어도 일부는 평면 상에서 서로 상이한 면적을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 레드광을 방출하는 제1 발광영역(PXA-R)의 면적은 그린광을 방출하는 제2 발광영역(PXA-G)의 면적보다 크고, 블루광을 방출하는 제3 발광영역(PXA-B)의 면적보다 작을 수 있다. 그러나, 출광 컬러에 따른 제1 내지 제3 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 사이의 면적의 대소 관계는 이에 한정되지 않으며, 표시모듈(DM, 도 2 참조)의 설계에 따라 다양해질 수 있다. 또한, 이에 한정되지 않고, 제1 내지 제3 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)은 평면 상에서 서로 동일한 면적을 가질 수도 있다.

한편, 본 발명의 표시모듈(DM, 도 2 참조)의 제1 내지 제3 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 형상, 면적, 배열 등은 방출되는 광의 컬러나, 표시모듈(DM, 도 2 참조)의 크기, 구성에 따라 다양하게 디자인 될 수 있으며, 도 4에 도시된 실시예에 한정되지 않는다.

도 5는 도 4의 I-I'을 따라 절단한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 단면도이다. 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널의 일부 구성을 확대한 평면도이다.

도 5 및 도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 표시패널(DP)은 베이스층(BL), 회로 소자층(DP-CL), 표시 소자층(DP-OLED), 및 박막 봉지층(TFE)을 포함할 수 있다.

표시패널(DP)은 복수 개의 절연층들 및 반도체 패턴, 도전 패턴, 신호 라인 등을 포함할 수 있다. 코팅, 증착 등의 방식에 의해 절연층, 반도체층 및 도전층을 형성한다. 이후, 포토리소그래피 및 에칭에 의해 절연층, 반도체층 및 도전층을 선택적으로 패터닝 할 수 있다. 이러한 방식으로 회로 소자층(DP-CL) 및 표시 소자층(DP-OLED)에 포함된 반도체 패턴, 도전 패턴, 신호 라인 등을 형성한다.

회로 소자층(DP-CL)은 단층으로 도시되었으나, 이는 용이한 설명을 위해 단순하게 도시한 것이고, 회로 소자층(DP-CL)은 각종 소자들을 형성하기 위한 절연층, 반도체 패턴, 도전 패턴 등을 포함할 수 있다.

회로 소자층(DP-CL) 내의 화소의 구동회로는 복수로 제공되어 발광소자들(ED1, ED2, ED3)에 각각 연결되고 발광소자들(ED1, ED2, ED3)을 독립적으로 제어할 수 있다. 화소의 구동회로들 각각은 연결된 발광소자를 구동하기 위한 복수의 트랜지스터들, 적어도 하나의 커패시터, 및 이들을 연결하는 신호 라인들을 포함할 수 있다.

회로 소자층(DP-CL) 상에 표시 소자층(DP-OLED)이 배치될 수 있다. 본 실시예에 따르면, 표시 소자층(DP-OLED)은 발광소자들(ED1, ED2, ED3), 화소 정의막(PDL), 도전성 격벽(PW), 더미패턴들(D1, D2, D3), 추가 더미패턴들(D1a, D2a, D3a), 및 도전패턴(CDP)을 포함할 수 있다.

발광소자들(ED1, ED2, ED3)은 제1 발광소자(ED1), 제2 발광소자(ED2), 및 제3 발광소자(ED3)를 포함하며, 제1 내지 제3 발광소자들(ED1, ED2, ED3) 각각은 애노드(또는, 제1 전극), 캐소드(또는, 제2 전극), 및 애노드와 캐소드 사이에 배치된 발광패턴을 포함한다. 제1 발광소자(ED1)는 제1 애노드(AE1), 제1 캐소드(CE1), 및 제1 발광패턴(EL1)을 포함하고, 제2 발광소자(ED2)는 제2 애노드(AE2), 제2 캐소드(CE2), 및 제2 발광패턴(EL2)을 포함하며, 제3 발광소자(ED3)는 제3 애노드(AE3), 제3 캐소드(CE3), 및 제3 발광패턴(EL3)을 포함할 수 있다.

제1 내지 제3 애노드들(AE1, AE2, AE3, 또는, 제1-1, 제1-2, 및 제1-3 전극들)은 복수 개의 패턴들로 제공될 수 있다. 제1 내지 제3 애노드들(AE1, AE2, AE3)은 도전성을 가질 수 있다. 예를 들어, 애노드들(AE1, AE2, AE3) 각각은 금속, 투명 전도성 산화물(Transparent Conductive Oxide, TCO), 또는 전도성 고분자 물질 등 도전성을 가질 수 있다면 다양한 재료로 형성될 수 있다. 예를 들어, 금속은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 리튬(Li), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 또는 합금을 포함할 수 있다. 투명 전도성 산화물은 인듐틴옥사이드(Indium Tin Oxide, ITO), 인듐징크옥사이드(Indium Zinc Oxide, IZO), 징크옥사이드(Zinc Oxide), 인듐옥사이드(Indium Oxide), 인듐갈륨옥사이드(Indium Gallium Oxide), 또는 알루미늄징크옥사이드(Aluminum Zinc Oxide)를 포함할 수 있다.

제1 내지 제3 애노드들(AE1, AE2, AE3) 각각은 단층으로 도시되었으나, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 제1 내지 제3 애노드들(AE1, AE2, AE3) 각각은 다층 구조를 가질 수도 있고, 제1 내지 제3 애노드들(AE1, AE2, AE3) 중 어느 하나는 단층 구조를 갖고 다른 하나는 다층 구조를 가질 수도 있으며 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

제1 내지 제3 발광패턴들(EL1, EL2, EL3)은 각각 제1 내지 제3 애노드들(AE1, AE2, AE3) 상에 배치될 수 있다. 제1 내지 제3 발광패턴들(EL1, EL2, EL3)은 후술하는 도전성 격벽(PW)에 정의된 팁부에 의해 패터닝 될 수 있다.

일 실시예에서, 제1 발광패턴(EL1)은 레드광을 제공하고, 제2 발광패턴(EL2)은 그린광을 제공하며, 제3 발광패턴(EL3)은 블루광을 제공할 수 있다.

제1 내지 제3 발광패턴들(EL1, EL2, EL3) 각각은 발광물질을 포함하는 발광층을 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 발광패턴들(EL1, EL2, EL3) 각각은 제1 내지 제3 애노드들(AE1, AE2, AE3) 중 대응되는 애노드와 발광층 사이에 배치되는 정공 주입층(Hole Injection Layer: HIL) 및 정공 수송층(Hole Transport Layer: HTL)을 더 포함할 수도 있고, 발광층 상에 배치되는 전자 수송층(Electron Transport Layer: ETL) 및 전자 주입층(Electron Transport Layer: EIL)을 더 포함할 수도 있다. 제1 내지 제3 발광패턴들(EL1, EL2, EL3)은 각각 '제1 내지 제3 유기층들' 또는 '제1 내지 제3 중간층들'로 지칭될 수도 있다.

제1 내지 제3 캐소드들(CE1, CE2, CE3, 또는, 제2-1, 제2-2, 및 제2-3 전극들)은 제1 내지 제3 발광패턴들(EL1, EL2, EL3) 중 대응되는 발광패턴 상에 배치될 수 있다. 제1 내지 제3 캐소드들(CE1, CE2, CE3)은 도전성을 가질 수 있다. 예를 들어, 캐소드들(CE1, CE2, CE3) 각각은 금속, 투명 전도성 산화물(Transparent Conductive Oxide, TCO), 또는 전도성 고분자 물질 등 도전성을 가질 수 있다면 다양한 재료로 형성될 수 있다. 제1 내지 제3 캐소드들(CE1, CE2, CE3)은 후술하는 도전성 격벽(PW)에 정의된 팁부에 의해 패터닝 될 수 있다.

화소 정의막(PDL)은 회로 소자층(DP-CL)의 최상측에 배치된 절연층 상에 배치될 수 있다. 화소 정의막(PDL)에는 제1 내지 제3 발광 개구부들(OP1-E, OP2-E, OP3-E)이 정의될 수 있다. 제1 내지 제3 발광 개구부들(OP1-E, OP2-E, OP3-E)은 제1 내지 제3 애노드들(AE1, AE2, AE3)에 각각 중첩할 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 발광 개구부들(OP1-E, OP2-E, OP3-E)을 통해 애노드들(AE1, AE2, AE3) 각각의 적어도 일부를 노출시킬 수 있다.

제1 발광영역(PXA-R)은 제1 애노드(AE1)의 상면 중 제1 발광 개구부(OP1-E)에 의해 노출되는 영역으로 정의되고, 제2 발광영역(PXA-G)은 제2 애노드(AE2)의 상면 중 제2 발광 개구부(OP2-E)에 의해 노출되는 영역으로 정의되며, 제3 발광영역(PXA-B)은 제3 애노드(AE3)의 상면 중 제3 발광 개구부(OP3-E)에 의해 노출되는 영역으로 정의된다.

화소 정의막(PDL)은 무기 절연막일 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)은 실리콘 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 예를 들어, 화소 정의막(PDL)은 실리콘 옥사이드층과 실리콘 나이트라이드층이 순차적으로 적층된 2층 구조를 가질 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 설명한 것이고 화소 정의막(PDL)은 무기 절연막일 수 있다면 재료나 단층, 다층 여부는 다양하게 변경될 수 있으며 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 표시패널(DP)은 제1 내지 제3 희생패턴들(SP1, SP2, SP3)을 더 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 희생패턴들(SP1, SP2, SP3)은 각각 제1 내지 제3 애노드들(AE1, AE2, AE3)의 상면 상에 배치될 수 있다. 희생패턴들(SP1, SP2, SP3)은 화소 정의막(PDL)에 의해 커버될 수 있다. 희생패턴들(SP1, SP2, SP3) 각각은 대응되는 애노드(AE1, AE2, AE3)의 적어도 일부를 노출시킨다. 희생패턴들(SP1, SP2, SP3)은 각각 발광 개구부들(OP1-E, OP2-E, OP3-E)과 비 중첩하는 위치에 배치될 수 있다.

표시패널(DP)이 희생패턴들(SP1, SP2, SP3)을 더 포함하는 경우, 애노드들(AE1, AE2, AE3)의 상면은 희생패턴들(SP1, SP2, SP3) 중 대응되는 희생패턴을 사이에 두고 화소 정의막(PDL)과 단면상에서 이격될 수 있다. 이에 따라, 발광 개구부들(OP1-E, OP2-E, OP3-E) 형성 공정에서 애노드들(AE1, AE2, AE3)의 손상을 보호할 수 있다.

일 실시예에서, 희생패턴들(SP1, SP2, SP3)에는 발광 개구부들(OP1-E, OP2-E, OP3-E)과 각각 대응되는 희생 개구부들(OP1-S, OP2-S, OP3-S)이 정의될 수 있다. 희생 개구부들(OP1-S, OP2-S, OP3-S) 각각은 대응되는 발광 개구부(OP1-E, OP2-E, OP3-E)보다 넓은 면적을 가질 수 있다. 다만, 이에 한정되지 않으며, 희생 개구부(OP1-S, OP2-S, OP3-S)를 정의하는 희생패턴(SP1, SP2, SP3)의 내측면은, 대응되는 발광 개구부(OP1-E, OP2-E, OP3-E)를 정의하는 화소 정의막(PDL)의 내측면과 실질적으로 정렬될 수도 있다. 이때, 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각은 대응되는 희생 개구부(OP1-S, OP2-S, OP3-S)로부터 노출된 애노드(AE1, AE2, AE3)의 영역으로 볼 수 있다.

도전성 격벽(PW)은 화소 정의막(PDL) 상에 배치된다. 도전성 격벽(PW)에는 제1 내지 제3 격벽 개구부들(OP1-P, OP2-P, OP3-P)이 정의될 수 있다. 제1 내지 제3 격벽 개구부들(OP1-P, OP2-P, OP3-P)은 제1 내지 제3 발광 개구부들(OP1-E, OP2-E, OP3-E)에 각각 대응될 수 있다. 격벽 개구부들(OP1-P, OP2-P, OP3-P) 각각은 대응되는 애노드(AE1, AE2, AE3)의 적어도 일부를 노출시킬 수 있다.

도전성 격벽(PW)은 단면상에서 언더컷 형상을 가질 수 있다. 도전성 격벽(PW) 중 격벽 개구부들(OP1-P, OP2-P, OP3-P)을 정의하는 측면들 각각은 단면상에서 언더컷 형상을 가질 수 있다. 도전성 격벽(PW)은 순차적으로 적층된 다수의 층들을 포함할 수 있고, 다수의 층들 중 적어도 하나의 층은 인접하게 적층된 층들에 비해 함몰될 수 있다. 이에 따라, 도전성 격벽(PW)은 팁부를 포함할 수 있다.

발광패턴들(EL1, EL2, EL3)은 도전성 격벽(PW)의 팁부에 의해 분리되어, 각 발광 개구부들(OP1-E, OP2-E, OP3-E) 및 격벽 개구부들(OP1-P, OP2-P, OP3-P) 내에 형성될 수 있다. 구체적으로, 제1 발광패턴(EL1)의 적어도 일부는 제1 발광 개구부(OP1-E) 및 제1 격벽 개구부(OP1-P)에 배치되고, 제2 발광패턴(EL2)의 적어도 일부는 제2 발광 개구부(OP2-E) 및 제2 격벽 개구부(OP2-P)에 배치되며, 제3 발광패턴(EL3)의 적어도 일부는 제3 발광 개구부(OP3-E) 및 제3 격벽 개구부(OP3-P)에 배치될 수 있다. 제1 내지 제3 희생패턴들(SP1, SP2, SP3)을 포함하는 일 실시예에서는, 제1 내지 제3 발광패턴들(EL1, EL2, EL3)은 각각 일부가 제1 내지 제3 희생 개구부들(OP1-S, OP2-S, OP3-S)에도 배치될 수 있다.

캐소드들(CE1, CE2, CE3)은 도전성 격벽(PW)의 팁부에 의해 분리되어, 각 격벽 개구부들(OP1-P, OP2-P, OP3-P) 내에 형성될 수 있다. 구체적으로, 제1 캐소드(CE1)의 적어도 일부는 제1 격벽 개구부(OP1-P)에 배치되고, 제2 캐소드(CE2)의 적어도 일부는 제2 격벽 개구부(OP2-P)에 배치되며, 제3 캐소드(CE3)의 적어도 일부는 제3 격벽 개구부(OP3-P)에 배치될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서는, 제1 내지 제3 발광패턴들(EL1, EL2, EL3)의 두께 또는 화소 정의막(PDL)의 두께에 따라, 제1 내지 제3 캐소드들(CE1, CE2, CE3)은 각각 일부가 제1 내지 제3 발광 개구부들(OP1-E, OP2-E, OP3-E)에도 배치될 수 있다.

본 실시예에 따르면, 도전성 격벽(PW)은 제1 층(L1) 및 제1 층(L1) 상에 배치된 제2 층(L2)을 포함할 수 있다. 제1 층(L1)은 화소 정의막(PDL) 상에 배치될 수 있다. 제1 층(L1)은 발광영역들(PXA)에 대해 제2 층(L2)에 비해 상대적으로 함몰될 수 있다. 즉, 제1 층(L1)은 제2 층(L2)에 대해 언더컷되어 형성될 수 있다.

본 실시예에서, 도전성 격벽(PW)에 정의된 격벽 개구부들(OP1-P, OP2-P, OP3-P) 각각은 제1 영역(A1, 도 7c 참조) 및 제2 영역(A2, 도 7c 참조)을 포함할 수 있다. 제1 층(L1)은 격벽 개구부들(OP1-P, OP2-P, OP3-P) 각각의 제1 영역(A1, 도 7c 참조)을 정의하는 내측면들을 포함하고 제2 층(L2)은 격벽 개구부들(OP1-P, OP2-P, OP3-P) 각각의 제2 영역(A2, 도 7c 참조)을 정의하는 내측면들을 포함할 수 있다.

제1 층(L1)의 내측면들 각각은 대응되는 발광영역(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에 대해 제2 층(L2)의 내측면보다 상대적으로 내측으로 함몰될 수 있다. 즉, 제1 층(L1)의 내측면은 제2 층(L2)의 내측면에 대해 언더컷 되어 형성된 것일 수 있다. 제2 층(L2) 중 제1 층(L1)으로부터 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 각각을 향해 돌출된 부분은 팁부를 정의할 수 있다.

일 실시예에서, 제1 층(L1)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 도전성 물질은 금속, 투명 전도성 산화물(Transparent Conductive Oxide, TCO), 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 예를 들어, 금속은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 리튬(Li), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 또는 합금을 포함할 수 있다. 투명 전도성 산화물은 인듐틴옥사이드(Indium Tin Oxide, ITO), 인듐징크옥사이드(Indium Zinc Oxide, IZO), 징크옥사이드(Zinc Oxide), 인듐옥사이드(Indium Oxide), 인듐갈륨옥사이드(Indium Gallium Oxide), 인듐갈륨징크옥사이드(Induim Gallium Zinc Oxide, IGZO) 또는 알루미늄징크옥사이드(Aluminuin Zinc Oxide)를 포함할 수 있다.

일 실시예에서, 제2 층(L2)은 금속 또는 비금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 금속은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 리튬(Li), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 또는 합금을 포함할 수 있다. 비금속은 실리콘(Si), 실리콘 옥사이드(SiOx), 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥시나이트라이드(SiON), 금속 산화물, 금속 질화물, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있고, 상기 금속 산화물은 투명 전도성 산화물(Transparent Conductive Oxide, TCO)을 포함할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 도전성 격벽(PW)은 제1 층(L1)의 하부, 제2 층(L2)의 상부, 또는 제1 층(L1) 및 제2 층(L2) 사이에 배치된 층들을 더 포함할 수도 있다. 이때, 추가로 배치된 층들은 상기 도전성 물질 및 상기 무기물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.

도전성 격벽(PW)은 바이어스 전압을 수신할 수 있다. 캐소드들(CE1, CE2, CE3)은 도전성 격벽(PW)에 직접 접촉됨에 따라 서로 전기적으로 연결되고, 도전성 격벽(PW)으로부터 바이어스 전압을 제공받을 수 있다.

본 실시예에서, 제1 층(L1)은 제2 층(L2)보다 상대적으로 큰 두께를 가질 수 있다. 제1 층(L1)은 제1 내지 제3 캐소드들(CE1, CE2, CE3)과 직접 접촉될 수 있다. 제1 내지 제3 캐소드들(CE1, CE2, CE3)은 팁부를 형성하는 제2 층(L2)에 의해 물리적으로 분리되어 각 발광 개구부들(OP1-E, OP2-E, OP3-E) 내에 형성되고, 제1 층(L1)에 접촉함으로써 서로 전기적으로 연결되어 공통의 전압을 제공받을 수 있다. 제1 층(L1)은 제2 층(L2)에 비해 상대적으로 높은 전기 전도도와 큰 두께를 가짐으로써, 제1 내지 제3 캐소드들(CE1, CE2, CE3)과의 접촉 저항을 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)에 대해 공통의 캐소드 전압이 고르게 제공될 수 있다.

본 발명에 따르면, 복수의 제1 발광패턴들(EL1)은 도전성 격벽(PW)에 정의된 팁부에 의해 화소 단위로 패터닝 되어 증착될 수 있다. 즉, 제1 발광패턴들(EL1)은 오픈 마스크를 이용하여 공통적으로 형성하나, 도전성 격벽(PW)에 의해 화소 단위로 용이하게 분할될 수 있다.

반면, 파인 메탈 마스크(FMM, Fine Metal Mask)를 사용하여 제1 발광패턴들을 패터닝 하는 경우, 파인 메탈 마스크를 지지하기 위해 도전성 격벽으로부터 돌출된 지지용 스페이서가 제공되어야 한다. 또한, 파인 메탈 마스크는 패터닝이 이루어지는 베이스 면으로부터 격벽 및 스페이서의 높이만큼 이격됨에 따라, 고해상도의 구현에 제한이 있을 수 있다. 또한, 파인 메탈 마스크가 스페이서에 접촉됨에 따라, 제1 발광패턴들(EL1)의 패터닝 공정 이후 스페이서에 이물이 남아있거나, 파인 메탈 마스크의 찍힘에 의해 스페이서가 손상될 수 있다. 이에 따라, 불량의 표시패널이 형성될 수 있다.

본 실시예에 따르면, 도전성 격벽(PW)을 포함함으로써, 발광소자들(ED1, ED2, ED3) 간의 물리적 분리가 용이하게 이루어질 수 있다. 이에 따라, 인접하는 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B) 간의 전류 누설이나 구동 오류 등이 방지되고 각 발광소자들(ED1, ED2, ED3)마다 독립적인 구동이 가능해질 수 있다.

특히, 표시영역(DA, 도 2 참조) 내의 내부 구성과 접촉되는 마스크 없이 복수의 제1 발광패턴들(EL1)을 패터닝 함으로써, 불량률이 감소되어 공정 신뢰도가 개선된 표시패널(DP)을 제공할 수 있다. 도전성 격벽(PW)으로부터 돌출된 별도의 지지용 스페이서가 제공되지 않더라도 패터닝이 가능함에 따라, 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)의 면적이 미세화될 수 있어, 고해상도 구현이 용이한 표시패널(DP)을 제공할 수 있다.

또한, 대면적의 표시패널(DP)을 제조함에 있어서, 대면적의 마스크 제작을 생략함에 따라 공정 비용을 절감할 수 있고, 대면적의 마스크에 발생되는 불량의 영향을 받지 않음에 따라 공정 신뢰도가 개선된 표시패널(DP)이 제공될 수 있다.

도 5에는 발광패턴들(EL1, EL2, EL3) 또한 제2 층(L2)과 직접 접촉되는 것을 예시적으로 도시하였으나, 제2 층(L2)과 비-접촉할 수도 있다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 표시패널(DP)은 캡핑패턴들을 더 포함할 수 있다. 캡핑패턴들은 각각 격벽 개구부들(OP1-P, OP2-P, OP3-P) 내에 배치되며, 캐소드들(CE1, CE2, CE3) 상에 배치될 수 있다. 캡핑패턴들은 도전성 격벽(PW)에 형성된 팁부에 의해 패터닝될 수 있다.

더미패턴들(D1, D2, D3)은 도전성 격벽(PW) 상에 배치될 수 있다. 더미패턴들(D1, D2, D3)은 제1 더미패턴(D1), 제2 더미패턴(D2), 및 제3 더미패턴(D3)을 포함할 수 있다.

더미패턴들(D1, D2, D3) 각각은 유기물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제3 더미패턴들(D1, D2, D3)은 각각 제1 내지 제3 발광패턴들(EL1, EL2, EL3)과 동일 물질을 포함할 수 있다. 일 더미패턴은 대응되는 발광패턴과 하나의 공정을 통해 동시에 형성되고, 도전성 격벽(PW)의 언더컷 형상에 의해 대응되는 발광패턴과 분리되어 형성된 것일 수 있다.

제1 내지 제3 더미패턴들(D1, D2, D3)에는 각각 제1 내지 제3 더미 개구부들(OP1-D, OP2-D, OP3-D)이 정의될 수 있다. 제1 내지 제3 더미 개구부들(OP1-D, OP2-D, OP3-D)은 각각 제1 내지 제3 발광 개구부들(OP1-E, OP2-E, OP3-E)과 대응될 수 있다. 평면 상에서, 제1 내지 제3 더미패턴들(D1, D2, D3)은 각각 제1 내지 제3 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)을 에워싸며, 제1 내지 제3 더미패턴들(D1, D2, D3) 각각은 폐-라인 형상일 수 있다.

도 5에는 제1 더미 개구부(OP1-D)를 정의하는 제1 더미패턴(D1)의 내측면이 제1 격벽 개구부(OP1-P)의 제2 영역(A2, 도 7c 참조)을 정의하는 제2 층(L2)의 내측면과 정렬되는 것을 예시적으로 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 더미패턴(D1)은 제2 층(L2)의 내측면을 커버할 수도 있다. 이에 관한 설명은 제2 및 제3 더미패턴들(D2, D3)에도 유사하게 적용될 수 있다.

추가 더미패턴들(D1a, D2a, D3a)은 더미패턴들(D1, D2, D3) 상에 배치될 수 있다. 추가 더미패턴들(D1a, D2a, D3a)은 제1 추가 더미패턴(D1a), 제2 추가 더미패턴(D2a), 및 제3 추가 더미패턴(D3a)을 포함할 수 있다.

추가 더미패턴들(D1a, D2a, D3a) 각각은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제3 추가 더미패턴들(D1a, D2a, D3a)은 각각 제1 내지 제3 캐소드들(CE1, CE2, CE3)과 동일 물질을 포함할 수 있다. 일 추가 더미패턴은 대응되는 캐소드와 하나의 공정을 통해 동시에 형성되고, 도전성 격벽(PW)의 언더컷 형상에 의해 추가 더미패턴과 분리되어 형성된 것일 수 있다.

제1 내지 제3 추가 더미패턴들(D1a, D2a, D3a)에는 각각 제1 내지 제3 발광 개구부들(OP1-E, OP2-E, OP3-E)과 대응되는 개구부들이 정의될 수 있고, 평면 상에서 제1 내지 제3 추가 더미패턴들(D1a, D2a, D3a)은 각각 제1 내지 제3 발광영역들(PXA-R, PXA-B, PXA-G)을 에워쌀 수 있다.

도전패턴(CDP)은 도전성 격벽(PW) 상에 배치될 수 있다. 본 실시예에서, 도전패턴(CDP)은 도전성 격벽(PW) 및 제2 더미패턴(D2) 사이에 배치될 수 있다. 도전패턴(CDP)에는 제2 격벽 개구부(OP2-P)와 대응되는 도전패턴 개구부(OP-CDP)가 정의될 수 있다.

도 5에는 도전패턴(CDP)의 내측면과 제2 더미패턴(D2)의 내측면이 서로 정렬되는 것을 예시적으로 도시하였으나, 제2 더미패턴(D2)은 도전패턴(CDP)의 내측면을 커버할 수도 있다.

도전패턴(CDP)의 외측면(OS1)은 제2 더미패턴(D2)의 외측면(OS2) 대비 제2 발광영역(PXA-G)을 향하는 내측으로 함몰될 수 있다. 일 구성의 식각 공정에서, 도전패턴(CDP)의 일부가 상기 일 구성과 함께 제거되어 내측으로 함몰된 것일 수 있으며, 이에 관한 자세한 설명은 후술한다.

도 6은 복수로 제공된 도전패턴들(CDP)을 도시한 평면도이며, 설명의 편의 상, 제1 내지 제3 발광영역들(PXA-R, PXA-G, PXA-B)을 함께 도시하였다. 도 6에 도시된 바와 같이, 평면 상에서 도전패턴들(CDP)은 제2 발광영역들(PXA-G)을 각각 에워쌀 수 있다. 도전패턴들(CDP) 각각은 폐-라인 형상을 가질 수 있다. 본 실시예에서, 도전패턴들(CDP)은 제1 및 제3 발광영역들(PXA-R, PXA-G)과 비-중첩하며 제2 발광영역들(PXA-G) 주변에만 배치될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 도전패턴들(CDP)은 제1 발광영역들(PXA-R) 주변에만 배치될 수도 있고, 제3 발광영역들(PXA-G) 주변에만 배치될 수도 있다.

본 발명에 따르면, 도전패턴(CDP)은 표시패널(DP)의 제조 공정 과정에서, 측면이 노출되는 유기패턴(예를 들어, 제1 및 제2 더미패턴들(D1, D2))을 커버하기 위해 제공되는 도전층으로부터 형성된 것일 수 있다. 도전층의 형성 이후 진행되는 다수의 식각 공정들을 거쳐, 도전층 중 일부가 식각되지 않고 최종 제품에 남아있을 수 있고, 도전패턴(CDP)은 도전층의 잔여물에 대응될 수 있다.

본 발명에 따르면, 노출된 유기패턴의 측면을 커버함에 따라, 후속 공정에서의 손상을 방지할 수 있어, 공정 신뢰도가 개선된 표시패널(DP)가 제공될 수 있다. 이에 관한 자세한 설명은 후술한다.

한편, 본 발명의 다른 일 실시예에 따르면, 제조 공정에 따라, 도전패턴(CDP)이 형성되지 않을 수 있다. 이에 관한 자세한 설명은 후술한다.

박막 봉지층(TFE)은 표시 소자층(DP-OLED) 상에 배치될 수 있다. 박막 봉지층(TFE)은 제1 하부 봉지 무기패턴(LIL1), 제2 하부 봉지 무기패턴(LIL2), 제3 하부 봉지 무기패턴(LIL3), 봉지 유기막(OL), 및 상부 봉지 무기막(UIL)을 포함할 수 있다.

제1 하부 봉지 무기패턴(LIL1)은 제1 발광 개구부(OP1-E)에 중첩하여 배치될 수 있다. 제1 하부 봉지 무기패턴(LIL1)은 제1 발광소자(ED1) 및 제1 더미패턴(D1)을 커버하며, 일부가 제1 격벽 개구부(OP1-P)의 내측에 배치될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제1 하부 봉지 무기패턴(LIL1)은 제1 격벽 개구부(OP1-P)의 제1 영역(A1, 도 7c 참조)을 정의하는 제1 층(L1)의 내측면에 접촉될 수 있다.

제2 하부 봉지 무기패턴(LIL2)은 제2 발광 개구부(OP2-E)에 중첩하여 배치될 수 있다. 제2 하부 봉지 무기패턴(LIL2)은 제2 발광소자(ED2) 및 제2 더미패턴(D2)을 커버하며, 일부가 제2 격벽 개구부(OP2-P)의 내측에 배치될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제2 하부 봉지 무기패턴(LIL2)은 제2 격벽 개구부(OP2-P)의 제1 영역을 정의하는 제1 층(L1)의 내측면에 접촉될 수 있다.

제3 하부 봉지 무기패턴(LIL3)은 제3 발광 개구부(OP3-E)에 중첩하여 배치될 수 있다. 제3 하부 봉지 무기패턴(LIL3)은 제3 발광소자(ED3) 및 제3 더미패턴(D3)을 커버하며, 일부가 제3 격벽 개구부(OP3-P)의 내측에 배치될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제3 하부 봉지 무기패턴(LIL3)은 제3 격벽 개구부(OP3-P)의 제1 영역을 정의하는 제1 층(L1)의 내측면에 접촉될 수 있다.

봉지 유기막(OL)은 제1 내지 제3 하부 봉지 무기패턴들(LIL1, LIL2, LIL3)을 커버하며, 평탄한 상면을 제공할 수 있다. 상부 봉지 무기막(UIL)은 봉지 유기막(OL) 상에 배치될 수 있다.

제1 내지 제3 하부 봉지 무기패턴들(LIL1, LIL2, LIL3) 및 상부 봉지 무기막(UIL)은 수분/산소로부터 표시 소자층(DP-OLED)을 보호하고, 봉지 유기막(OL)은 먼지 입자와 같은 이물질로부터 표시 소자층(DP-OLED)을 보호할 수 있다.

도 7a 내지 도 7j는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널 제조방법의 단계들 중 일부를 나타낸 단면도들이다. 도 8a 내지 도 8j는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널 제조방법의 단계들 중 일부를 나타낸 단면도들이다. 도 9a 내지 도 9j는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널 제조방법의 단계들 중 일부를 나타낸 단면도들이다. 도 7a 내지 도 9j를 참조하여 설명함에 있어, 도 1a 내지 도 5에서 설명한 구성과 동일/유사한 구성에 대해 동일/유사한 참조 부호를 사용하며, 중복된 설명은 생략한다.

본 발명에 따른 표시패널 제조방법은, 베이스층, 상기 베이스층 상에 배치된 제1 애노드, 상기 베이스층 상에 배치되며 상기 제1 애노드의 일부를 노출시키는 제1 발광 개구부가 정의된 화소 정의막, 및 상기 화소 정의막 상에 배치되며 상기 제1 발광 개구부와 대응되는 제1 격벽 개구부가 정의된 도전성 격벽을 포함하는 예비 표시패널을 제공하는 단계, 적어도 일부가 상기 제1 발광 개구부 및 상기 제1 격벽 개구부 내에 배치된 제1 발광패턴 및 상기 제1 발광패턴과 이격되며 상기 도전성 격벽 상에 배치된 제1 더미층이 형성되도록 제1 유기물을 증착하는 단계, 적어도 일부가 상기 제1 격벽 개구부 내에 배치된 제1 캐소드가 형성되도록 제1 도전성 물질을 증착하는 단계, 상기 도전성 격벽 상에 상기 제1 발광 개구부와 중첩하며 제2 도전성 물질을 포함하는 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계, 상기 제1 더미층으로부터 제1 더미패턴이 형성되도록 상기 제1 마스크 패턴을 사용하여 상기 제1 더미층을 식각하는 단계, 및 상기 제1 마스크 패턴으로부터 제1 도전층이 형성되도록 상기 제2 도전성 물질을 증착하는 단계를 포함할 수 있다.

본 발명에 따른 표시패널 제조방법은, 제1 그룹 공정, 제2 그룹 공정, 제3 그룹 공정, 및 제4 그룹 공정을 포함할 수 있다. 제1 내지 제3 그룹 공정들은 각각 제1 내지 제3 발광소자들(ED1, ED2, ED3, 도 9i 참조) 및 박막 봉지층(TFE, 도 9i 참조)의 일부 구성들을 형성하는 공정일 수 있으며, 제4 그룹 공정은 박막 봉지층(TFE, 도 9j 참조)의 나머지 구성들을 형성함으로써, 표시패널(DP, 도 9j 참조)을 완성하는 공정일 수 있다.

본 실시예에서, 제1 그룹 공정을 통해, 제1 발광소자(ED1, 도 7j 참조) 및 이를 커버하는 제1 하부 봉지 무기패턴(LIL1, 도 7j 참조) 형성할 수 있다. 이하, 도 7a 내지 도 7j를 참조하여, 제1 그룹 공정에 대해 설명한다.

도 7a를 참조하면, 본 실시예에 따른 제1 그룹 공정은, 제1 예비 표시패널(DP-I1) 상에 초기 포토레지스트층(PR-I)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

본 실시예에서 제공되는 제1 예비 표시패널(DP-I1)은, 베이스층(BL), 회로 소자층(DP-CL), 제1 내지 제3 애노드들(AE1, AE2, AE3), 제1 내지 제3 희생패턴들(SP1, SP2, SP3), 예비 화소 정의막(PDL-I), 및 예비 도전성 격벽층(PW-I)을 포함한 것일 수 있다.

회로 소자층(DP-CL)은 코팅, 증착 등의 방식에 의해 절연층, 반도체층 및 도전층을 형성하고, 포토리소그래피 및 식각 공정에 의해 절연층, 반도체층 및 도전층을 선택적으로 패터닝 하여, 반도체 패턴, 도전 패턴, 및 신호 라인 등을 형성하는 통상적인 회로 소자의 제조 공정을 통해 형성된 것일 수 있다.

애노드들(AE1, AE2, AE3) 및 희생패턴들(SP1, SP2, SP3)은 동일 패터닝 공정에 의해 형성된 것일 수 있다. 예비 화소 정의막(PDL-I)은 애노드들(AE1, AE2, AE3) 및 희생패턴들(SP1, SP2, SP3)을 모두 커버할 수 있다.

예비 도전성 격벽층(PW-I)은 제1 층(L1) 및 제1 층(L1) 상에 배치된 제2 층(L2)을 포함할 수 있다. 제1 층(L1)은 제1 도전성 및 제1 두께를 갖고, 제2 층(L2)은 제2 도전성보다 낮은 제2 도전성 및 제1 두께보다 얇은 제2 두께를 가질 수 있다.

초기 포토레지스트층(PR-I)은, 예비 도전성 격벽층(PW-I) 상에 예비 포토레지스트층을 형성한 후, 포토 마스크를 이용하여 예비 포토레지스트층을 패터닝하여 형성될 수 있다. 패터닝 공정을 통해, 초기 포토레지스트층(PR-I)에는 제1 애노드(AE1)와 중첩하는 초기 개구부(OP-I)가 형성될 수 있다.

이후, 도 7b 및 도 7c를 참조하면, 본 실시예에 따른 제1 그룹 공정은, 제1 식각 공정을 통해, 예비 도전성 격벽층으로부터 제1 격벽 개구부가 정의된 도전성 격벽을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

우선, 도 7b에 도시된 바와 같이, 제1 식각 공정은, 초기 포토레지스트층(PR-I)을 마스크로 사용하고, 제1 및 제2 층들(L1, L2)을 건식 식각(dry etching)하여, 예비 도전성 격벽층(PW-I)에 제1 예비 격벽 개구부(OP1-PI)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 제1 식각 공정의 건식 식각은 제1 및 제2 층들(L1, L2) 사이의 식각 선택비가 실질적으로 동일한 식각 환경에서 이루어질 수 있다. 이에 따라, 제1 예비 격벽 개구부(OP1-PI)를 정의하는 제1 층(L1)의 내측면 및 제2 층(L2)의 내측면은 실질적으로 정렬될 수 있다.

이후, 도 7c에 도시된 바와 같이, 제1 식각 공정은, 초기 포토레지스트층(PR-I)을 마스크로 사용하고, 제1 및 제2 층들(L1, L2)을 습식 식각(wet etching)하여, 제1 예비 격벽 개구부(OP1-PI)로부터 제1 격벽 개구부(OP1-P)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 이를 통해, 제1 예비 격벽 개구부(OP1-PI)가 정의된 예비 도전성 격벽층(PW-I)으로부터 도전성 격벽(PW)이 형성될 수 있다.

제1 식각 공정에서의 습식 식각 공정은 제1 및 제2 층들(L1, L2) 사이의 식각 선택비가 큰 환경에서 이루어질 수 있다. 이에 따라, 제1 격벽 개구부(OP1-P)를 정의하는 도전성 격벽(PW)의 내측면은 단면 상에서 언더컷 형상을 가질 수 있다. 구체적으로, 식각 용액에 대한 제1 층(L1)의 식각률(etch rate)이 제2 층(L2)의 식각률(etch rate)보다 큼에 따라, 제1 층(L1)이 주로 식각될 수 있다. 이에 따라, 제1 격벽 개구부(OP1-P)는 제1 영역(A1) 및 제2 영역(A2)을 포함할 수 있고, 제1 격벽 개구부(OP1-P)의 제1 영역(A1)을 정의하는 제1 층(L1)의 내측면은 제1 격벽 개구부(OP1-P)의 제2 영역(A2)을 정의하는 제2 층(L2)의 내측면에 비해 내측으로 더 함몰되어 형성될 수 있다. 다시 말해, 제1 격벽 개구부(OP1-P)의 제2 영역(A2)을 정의하는 제2 층(L2)의 내측면은 제1 격벽 개구부(OP1-P)의 제1 영역(A1)을 정의하는 제1 층(L1)의 내측면 대비 제1 애노드(AE1)의 중심에 더 인접할 수 있다. 제2 층(L2) 중 제1 층(L1)으로부터 돌출된 부분에 의해 도전성 격벽(PW)에는 팁부가 형성될 수 있다.

도 7d를 참조하면, 본 실시예에 따른 제1 그룹 공정은, 제2 식각 공정을 통해, 예비 화소 정의막(PDL-I, 도 7c 참조)을 패터닝하여, 제1 발광 개구부(OP1-E)가 정의된 화소 정의막(PDL)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 제2 식각 공정은 건식 식각 방식으로 진행될 수 있고, 초기 포토레지스트층(PR-I, 도 7c 참조) 및 도전성 격벽(PW)(예를 들어, 제2 층(L2))을 마스크로 사용하여 진행될 수 있다.

또한, 본 실시예에 따른 제1 그룹 공정은, 제3 식각 공정을 통해, 제1 애노드(AE1)의 적어도 일부가 노출되도록 제1 희생패턴(SP1)에 제1 희생 개구부(OP1-S)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 제3 식각 공정은 습식 식각 방식으로 진행될 수 있고, 초기 포토레지스트층(PR-I, 도 7c 참조) 및 제1 발광 개구부(OP1-E)가 정의된 화소 정의막(PDL)을 마스크로 사용하여 진행할 수 있다.

제1 희생 개구부(OP1-S)를 정의하는 제1 희생패턴(SP1)의 내측면은 발광 개구부(OP1-E)를 정의하는 화소 정의막(PDL)의 내측면보다 내측으로 함몰되어 형성될 수 있다. 한편, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 제1 희생패턴(SP1)의 내측면은 화소 정의막(PDL)의 내측면과 정렬될 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.

제3 식각 공정은 제1 희생패턴(SP1)과 제1 애노드(AE1) 사이의 식각 선택비가 큰 환경에서 이루어 질 수 있고, 이를 통해, 재1 애노드(AE1)가 함께 식각되는 것을 방지할 수 있다. 즉, 제1 애노드(AE1)보다 식각률(etch rate)이 높은 제1 희생패턴(SP1)을 화소 정의막(PDL)과 제1 애노드(AE1) 사이에 배치함으로써, 식각 공정 중 제1 애노드(AE1)가 함께 식각되어 손상되는 것을 방지할 수 있다.

제3 식각 공정은 제2 식각 공정과 별개의 식각 공정으로 진행될 수도 있고, 제2 식각 공정과 동일 식각 공정으로 진행될 수도 있다.

이후, 본 실시예에 따른 제1 그룹 공정은, 초기 포토레지스트층(PR-I, 도 7c 참조)을 제거하는 단계를 포함할 수 있다. 본 명세서에서, 초기 포토레지스트층(PR-I, 도 7c 참조)을 제거하는 단계 이후, 제2 예비 표시패널(DP-I2, 청구항의 예비 표시패널)이 제공되는 것으로 볼 수 있다. 즉, 제2 예비 표시패널(DP-I2)은 베이스층(BL), 회로 소자층(DP-CL), 제1 내지 제3 애노드들(AE1, AE2, AE3), 제1 희생 개구부(OP1-S)가 정의된 제1 희생패턴(SP1), 제2 및 제3 희생패턴들(SP2, SP3), 제1 발광 개구부(OP1-E)가 정의된 화소 정의막(PDL), 및 제1 격벽 개구부(OP1-P)가 정의된 도전성 격벽(PW)을 포함할 수 있다.

도 7e를 참조하면, 본 실시예에 따른 제1 그룹 공정은, 제1 발광패턴(EL1)이 형성되도록 제1 유기물을 증착하는 단계, 제1 캐소드(CE1)가 형성되도록 제1 도전성 물질을 증착하는 단계, 및 제1 예비 하부 봉지 무기막(LIL1-I)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

일 실시예에서, 제1 유기물을 증착하는 단계는 열 증착(Thermal Evaporation) 공정으로 진행되고, 제1 도전성 물질을 증착하는 단계는 스퍼터링(Sputtering) 공정으로 진행될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.

제1 발광패턴(EL1)은 도전성 격벽(PW)에 형성된 팁부에 의해 분리되어, 적어도 일부가 제1 발광 개구부(OP1-E) 및 제1 격벽 개구부(OP1-P) 내에 배치될 수 있다. 제1 캐소드(CE1)는 도전성 격벽(PW)에 형성된 팁부에 의해 분리되어, 적어도 일부가 제1 격벽 개구부(OP1-P) 내에 배치될 수 있다. 제1 캐소드(CE1)는 제1 발광패턴(EL1) 대비 높은 입사각으로 제공되어, 제1 캐소드(CE1)는 제1 층(L1)의 내측면에 접촉하도록 형성될 수 있다.

제1 발광패턴(EL1)을 형성하는 단계에서, 도전성 격벽(PW) 상에 제1 더미층(D1-I)이 함께 형성될 수 있다. 제1 캐소드(CE1)를 형성하는 단계에서, 도전성 격벽(PW) 상에 제1 추가 더미층(D1a-I)이 함께 형성될 수 있다.

제1 예비 하부 봉지 무기막(LIL1-I)은 화학기상 증착(CVD, Chemical Vapor Deposition) 공정을 통해 형성될 수 있다. 제1 예비 하부 봉지 무기막(LIL1-I)은 도전성 격벽(PW) 및 제1 캐소드(CE1) 상에 형성되며, 제1 예비 하부 봉지 무기막(LIL1-I)의 일부는 제1 격벽 개구부(OP1-P)의 내측에 형성될 수 있다.

한편, 본 실시예에 따른 표시패널 제조방법은, 제1 캐소드(CE1)를 형성하는 단계 및 제1 예비 하부 봉지 무기막(LIL1-I)을 형성하는 단계 사이에, 캡핑패턴을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다. 캡핑패턴은 증착 공정으로 형성될 수 있고, 캡핑패턴은 도전성 격벽(PW)에 형성된 팁부에 의해 분리되어 제1 격벽 개구부(OP1-P) 내에 배치될 수 있다.

도 7f 및 도 7g를 참조하면, 본 실시예에 따른 제1 그룹 공정은, 제1 마스크 패턴(MP1)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 제1 마스크 패턴(MP1)을 형성하는 단계는, 제1 예비 하부 봉지 무기막(LIL1-I) 상에 제1 예비 마스크층(MP1-I)을 형성하는 단계, 제1 예비 마스크층(MP1-I) 상에 제1 포토레지스트층(PR1)을 형성하는 단계, 및 제1 예비 마스크층(MP1-I)으로부터 제1 마스크 패턴(MP1)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

우선, 도 7f에 도시된 바와 같이, 제1 예비 마스크층(MP1-I)은 증착 공정을 통해 형성될 수 있다. 예를 들어, 제1 예비 마스크층(MP1-I)은 스퍼터링(Sputtering) 공정으로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 제1 예비 마스크층(MP1-I)은 제2 도전성 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 제2 도전성 물질은 투명 전도성 산화물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 도전성 물질은 인듐 아연 산화물(IZO) 또는 인듐 주석 산화물(ITO) 일 수 있다.

제1 포토레지스트층(PR1)은, 제1 예비 마스크층(MP1-I) 상에 예비 포토레지스트층을 형성한 후, 포토 마스크를 이용하여 예비 포토레지스트층을 패터닝하여 형성될 수 있다. 패터닝 공정을 통해, 제1 포토레지스트층(PR1)은 제1 발광 개구부(OP1-E)와 중첩하는 패턴 형태로 형성될 수 있다.

이후, 도 7g에 도시된 바와 같이, 제4 식각 공정을 통해, 제1 예비 마스크층(MP1-I)으로부터 제1 마스크 패턴(MP1)이 형성될 수 있다.

제4 식각 공정은, 제1 포토레지스트층(PR1)을 마스크로 사용하고, 제1 예비 마스크층(MP1-I)을 습식 식각(wet etching)하여, 제1 예비 마스크층(MP1-I) 중 제2 및 제3 애노드들(AE2, AE3)과 중첩하는 부분을 제거할 수 있다. 상기 일 부분이 제거된 제1 예비 마스크층(MP1-I)으로부터, 제1 발광 개구부(OP1-E)와 중첩하는 제1 마스크 패턴(MP1)이 형성될 수 있다.

도 7h 및 도 7i를 참조하면, 본 실시예에 따른 제1 그룹 공정은, 제1 포토레지스트층(PR1, 도 7g 참조)을 제거하는 단계, 제5 식각 공정을 통해 제1 예비 하부 봉지 무기막(LIL1-I)을 패터닝 하는 단계, 및 제6 식각 공정을 통해 제1 더미층(D1-I)을 패터닝 하는 단계를 포함할 수 있다.

본 실시예에 따르면, 제1 포토레지스트층(PR1, 도 7g 참조)을 제거하는 공정은 제1 예비 하부 봉지 무기막(LIL1-I)의 패터닝 공정 및 제1 더미층(D1-I)의 패터닝 공정 전에 진행할 수 있다.

본 발명에 따르면, 제1 마스크 패턴(MP1)을 제공함에 따라 후속의 패터닝 공정들에는 제1 마스크 패턴(MP1)이 마스크로 사용될 수 있다. 이에 따라, 제1 포토레지스트층(PR1, 도 7g 참조)은 제1 예비 하부 봉지 무기막(LIL1-I) 및 제1 더미층(D1-I)의 패터닝 공정 이전에 제거될 수 있다. 즉, 제1 포토레지스트층(PR1)은 제1 더미층(D1-I)의 내부(즉, 제1 더미패턴(D1)의 외측면)가 노출되기 전에 제거할 수 있고, 포토레지스트층 제거에 사용되는 물질로부터 제1 더미패턴(D1)의 일부가 함께 녹아 손상되는 것을 방지할 수 있다. 이를 통해, 제1 더미패턴(D1)과 제1 하부 봉지 무기패턴(LIL1) 사이의 들뜸 발생을 방지할 수 있고, 제1 더미패턴(D1) 및 제1 하부 봉지 무기패턴(LIL1) 사이로 수분 등의 이물 침투를 방지하여, 제1 발광소자(ED1)의 불량 발생을 방지할 수 있다. 이에 따라, 공정 신뢰도가 개선된 제1 발광소자(ED1) 및 이를 포함하는 표시패널(DP, 도 9j 참조)을 제공할 수 있다.

제5 식각 공정을 통해, 제1 예비 하부 봉지 무기막(LIL1-I)으로부터 제1 하부 봉지 무기패턴(LIL1)이 형성되고, 제6 식각 공정을 통해, 제1 더미층(D1-I)으로부터 제1 더미패턴(D1)이 형성될 수 있다.

제5 식각 공정은, 제1 마스크 패턴(MP1)을 마스크로 사용하고, 제1 예비 하부 봉지 무기막(LIL1-I)을 건식 식각하여, 제1 예비 하부 봉지 무기막(LIL1-I) 중 제2 및 제3 애노드들(AE2, AE3)과 중첩하는 부분이 제거되도록 패터닝 될 수 있다. 상기 일 부분이 제거된 제1 예비 하부 봉지 무기막(LIL1-I)으로부터, 제1 발광 개구부(OP1-E)와 중첩하는 제1 하부 봉지 무기패턴(LIL1)이 형성될 수 있다. 제1 하부 봉지 무기패턴(LIL1) 중 일부는 제1 격벽 개구부(OP1-P) 내에 배치되어 제1 발광소자(ED1)를 커버하고, 제1 하부 봉지 무기패턴(LIL1) 중 다른 일부는 도전성 격벽(PW) 상에 배치될 수 있다.

제6 식각 공정은, 제1 마스크 패턴(MP1)을 마스크로 사용하고, 제1 더미층(D1-I)을 건식 식각하여, 제1 더미층(D1-I) 중 제2 및 제3 애노드들(AE1, AE2, AE3)과 중첩하는 부분이 제거되도록 패터닝 될 수 있다. 상기 일 부분이 제거된 제1 더미층(D1-I)으로부터, 평면 상에서 제1 발광영역(PXA-R, 도 5 참조)을 에워싸는 폐-라인 형상을 갖는 제1 더미패턴(D1)이 형성될 수 있다.

제6 식각 공정에서, 제1 추가 더미층(D1a-I)도 함께 건식 식각하여, 제1 추가 더미층(D1a-I) 중 제2 및 제3 애노드들(AE2, AE3)과 중첩하는 부분이 제거되도록 패터닝 할 수 있다. 상기 일 부분이 제거된 제1 추가 더미층(D1a-I)으로부터, 평면 상에서 제1 발광영역(PXA-R, 도 5 참조)을 에워싸는 폐-라인 형상을 갖는 제1 추가 더미패턴(D1a)이 형성될 수 있다. 한편, 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 추가 더미층(D1a-I)의 건식 식각은 제1 더미층(D1-I)의 건식 식각 공정과 별도 공정으로 진행될 수도 있다.

도 7i 및 도 7j를 참조하면, 본 실시예에 따른 제1 그룹 공정은, 제1 마스크 패턴(MP1)으로부터 제1 도전층(CL1)이 형성되도록, 제2 도전성 물질을 증착하는 단계를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 도전성 물질은 스퍼터링(Sputtering) 공정으로 증착될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.

본 실시예에서, 제1 마스크 패턴(MP1) 상에 제1 마스크 패턴(MP1)의 물질과 동일 물질을 증착함에 따라, 제1 마스크 패턴(MP1)과 새로 증착된 제2 도전성 물질은 제1 도전층(CL1)을 형성할 수 있다. 제1 도전층(CL1)은 제1 내지 제3 애노드들(AE1, AE2, AE3)과 모두 중첩할 수 있다.

본 실시예에 따르면, 제6 식각 공정을 통해 제1 더미패턴(D1)의 외측면이 노출되나, 제6 식각 공정 이후 제2 도전성 물질을 증착하는 단계를 포함함으로써, 제1 더미패턴(D1)의 노출된 외측면은 제1 도전층(CL1)에 의해 커버될 수 있다. 이에 따라, 후속될 포토레지스트층의 제거 단계에서 제1 더미패턴(D1)의 손상을 방지할 수 있다.

제1 그룹 공정 이후, 제2 그룹 공정을 진행할 수 있다. 본 실시예에서, 제2 그룹 공정을 통해, 제2 발광소자(ED2, 도 8j 참조) 및 이를 커버하는 제2 하부 봉지 무기패턴(LIL2, 도 8j 참조)을 형성할 수 있다. 이하, 도 8a 내지 도 8j를 참조하여, 제2 그룹 공정에 대해 설명한다.

도 8a를 참조하면, 본 실시예에 따른 제2 그룹 공정은, 제1 도전층(CL1) 상에 제2 포토레지스트층(PR2)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 제2 포토레지스트층(PR2)에는 제2 애노드(AE2)와 중첩하는 제1 포토 개구부(OP1-R)가 정의될 수 있다.

도 8b를 참조하면, 본 실시예에 따른 제2 그룹 공정은, 제1 식각 공정을 통해, 제1 도전층(CL1)에 제1 도전 개구부(OP1-C)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 제1 식각 공정은, 제2 포토레지스트층(PR2)을 마스크로 사용하고, 제1 도전층(CL1)을 건식 식각 하여, 제1 도전층(CL1)에 제1 도전 개구부(OP1-C)를 형성할 수 있다. 제1 도전 개구부(OP1-C)는 제1 포토 개구부(OP1-R)와 대응되며, 제2 애노드(AE2)와 중첩할 수 있다.

도 8c 및 도 8d를 참조하면, 본 실시예에 따른 제2 그룹 공정은, 제2 식각 공정을 통해, 도전성 격벽(PW)에 제2 격벽 개구부(OP2-P)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

우선, 도 8c에 도시된 바와 같이, 제2 식각 공정은, 제2 포토레지스트층(PR2)을 마스크로 사용하고, 제1 및 제2 층들(L1, L2)을 건식 식각하여, 도전성 격벽(PW)에 제2 예비 격벽 개구부(OP2-PI)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

이후, 도 8d에 도시된 바와 같이, 제2 식각 공정은, 제2 포토레지스트층(PR2)을 마스크로 사용하고, 제1 및 제2 층들(L1, L2)을 습식 식각하여, 제2 예비 격벽 개구부(OP2-PI)로부터 제2 격벽 개구부(OP2-P)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 제1 및 제2 층들(L1, L2)의 건식 식각 및 습식 식각에 관한 자세한 설명은 전술한 설명이 유사하게 적용될 수 있다. 제2 격벽 개구부(OP2-P)를 정의하는 도전성 격벽(PW)의 내측면은 단면 상에서 언더컷 형상을 가질 수 있다.

도 8d를 참조하면, 본 실시예에 따른 제2 그룹 공정은, 제3 식각 공정을 통해, 화소 정의막(PDL)에 제2 발광 개구부(OP2-E)를 형성하는 단계 및 제4 식각 공정을 통해, 제2 희생패턴(SP2)에 제2 희생 개구부(OP2-S)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 제2 발광 개구부(OP2-E) 및 제2 희생 개구부(OP2-S)에 의해 제2 애노드(AE2)의 적어도 일부가 노출될 수 있다.

제2 발광 개구부(OP2-E) 및 제2 희생 개구부(OP2-S)는 각각 제1 그룹 공정에서 제1 발광 개구부(OP1-E, 도 7d 참조) 및 제1 희생 개구부(OP1-S, 도 7d 참조)를 형성하는 방식과 유사한 방식으로 형성될 수 있다. 제2 그룹 공정에서, 제3 식각 공정은 제2 포토레지스트층(PR2) 및 도전성 격벽(PW, 예를 들어, 제2 층(L2))을 마스크로 사용하여 진행될 수 있고, 제4 식각 공정은 제2 발광 개구부(OP2-E)가 정의된 화소 정의막(PDL)을 마스크로 사용하여 진행할 수 있다.

도 8e를 참조하면, 본 실시예에 따른 제2 그룹 공정은, 제2 포토레지스트층(PR2, 도 8d 참조)을 제거하는 단계를 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 제1 더미패턴(D1)의 외측면은 제1 도전층(CL1)에 의해 커버된 상태로 제공될 수 있고, 제2 포토레지스트층(PR2, 도 8d 참조)을 제거하기 위해 주입되는 물질로부터 제1 더미패턴(D1)이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 제1 하부 봉지 무기패턴(LIL1)의 들뜸 현상을 방지할 수 있어, 제1 발광소자(ED1)의 손상을 방지할 수 있다.

도 8f를 참조하면, 본 실시예에 따른 제2 그룹 공정은, 제2 발광패턴(EL2)이 형성되도록 제2 유기물을 증착하는 단계, 제2 캐소드(CE2)가 형성되도록 제1 도전성 물질을 증착하는 단계, 및 제2 예비 하부 봉지 무기막(LIL2-I)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

제2 유기물을 증착하는 단계는, 제1 그룹 공정에서 제1 발광패턴(EL1, 도 7e 참조)이 형성되도록 제1 유기물을 증착하는 단계와 유사한 방식으로 진행될 수 있다. 제2 캐소드(CE2)가 형성되도록 제1 도전성 물질을 증착하는 단계는, 제1 그룹 공정에서 제1 캐소드(CE1, 도 7e 참조)가 형성되도록 제1 도전성 물질을 증착하는 단계와 유사한 방식으로 진행될 수 있다. 제2 예비 하부 봉지 무기막(LIL2-I)은 제1 그룹 공정에서 제1 하부 예비 봉지 무기막(LIL1-I, 도 7e 참조)을 형성하는 방식과 유사한 방식으로 형성될 수 있다.

제2 유기물을 증착하는 단계에서, 제2 발광패턴(EL2)과 이격되는 제2 더미층(D2-I)이 함께 형성될 수 있다. 제1 도전성 물질을 증착하는 단계에서, 제2 캐소드(CE2)와 이격되는 제2 추가 더미층(D2a-I)이 함께 형성될 수 있다. 제2 더미층(D2-I) 및 제2 추가 더미층(D2a-I)은 제1 도전층(CL1) 상에 배치될 수 있다.

도 8g 및 도 8h를 참조하면, 본 실시예에 따른 제2 그룹 공정은, 제2 마스크 패턴(MP2)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 제2 마스크 패턴(MP2)을 형성하는 단계는, 제2 예비 하부 봉지 무기막(LIL2-I) 상에 제2 예비 마스크층(MP2-I)을 형성하는 단계, 제2 예비 마스크층(MP2-I) 상에 제3 포토레지스트층(PR3)을 형성하는 단계, 제2 예비 마스크층(MP2-I)으로부터 제2 마스크 패턴(MP2)을 형성하는 단계, 및 제3 포토레지스트층(PR3)을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.

우선, 도 8g에 도시된 바와 같이, 제2 예비 마스크층(MP2-I)은 제2 도전성 물질을 포함할 수 있고, 제1 그룹 공정에서 제1 예비 마스크층(MP1-I, 도 7f 참조)을 형성하는 방식과 유사한 방식으로 형성될 수 있다.

제3 포토레지스트층(PR3)은 제2 발광 개구부(OP2-E)와 중첩하는 패턴으로 형성될 수 있고, 제1 그룹 공정에서 제1 포토레지스트층(PR1, 도 7f 참조)을 형성하는 방식과 유사한 방식으로 형성될 수 있다.

이후, 도 8h에 도시된 바와 같이, 제5 식각 공정을 통해, 제2 예비 마스크층(MP2-I)으로부터 제2 마스크 패턴(MP2)이 형성될 수 있다. 제2 마스크 패턴(MP2)을 형성하는 단계는 제1 그룹 공정에서 제1 마스크 패턴(MP1, 도 7g 참조)을 형성하는 단계와 유사한 방식으로 진행될 수 있다. 제2 예비 마스크층(MP2-I) 중 제1 및 제3 애노드들(AE1, AE3)과 중첩하는 부분이 제거되어, 제2 마스크 패턴(MP2)은 제2 발광 개구부(OP2-E)와 중첩하는 패턴으로 형성될 수 있다. 이후, 제3 포토레지스트층(PR3)을 제거할 수 있다.

도 8h 및 도 8i를 참조하면, 본 실시예에 따른 제2 그룹 공정은, 제6 식각 공정을 통해, 제2 예비 하부 봉지 무기막(LIL2-I)을 패터닝 하는 단계 및 제7 식각 공정을 통해, 제2 더미층(D2-I)을 패터닝 하는 단계를 포함할 수 있다. 제6 식각 공정을 통해, 제2 예비 하부 봉지 무기막(LIL2-I)으로부터 제2 하부 봉지 무기패턴(LIL2)이 형성되고, 제7 식각 공정을 통해, 제2 더미층(D2-I)으로부터 제2 더미패턴(D2)이 형성될 수 있다.

제2 예비 하부 봉지 무기막(LIL2-I)을 패터닝 하는 단계는, 제1 그룹 공정에서 제1 예비 하부 봉지 무기막(LIL1-I, 도 7h 참조)을 패터닝 하는 단계와 유사한 방식으로 형성될 수 있다. 제2 더미층(D2-I)을 패터닝 하는 단계는, 제1 그룹 공정에서 제1 더미층(D1-I, 도 7h 참조)을 패터닝 하는 단계와 유사한 방식으로 진행될 수 있다. 제6 식각 공정 및 제7 식각 공정에서, 제2 마스크 패턴(MP2)을 마스크로 사용할 수 있다.

제2 하부 봉지 무기패턴(LIL2)은 제2 발광 개구부(OP2-E)와 중첩하여 배치될 수 있다. 제2 하부 봉지 무기패턴(LIL2) 중 일부는 제2 격벽 개구부(OP2-P) 내에 배치되어 제2 발광소자(ED2)를 커버하고, 제2 하부 봉지 무기패턴(LIL2) 중 다른 일부는 도전성 격벽(PW) 및 제1 도전층(CL1) 상에 배치될 수 있다. 제2 더미패턴(D2)은 평면 상에서 제2 발광영역(PXA-G, 도 5 참조)을 에워싸는 폐-라인 형상을 가질 수 있다.

제7 식각 공정에서, 제2 추가 더미층(D2a-I)도 함께 건식 식각하여, 평면 상에서 제2 발광영역(PXA-G, 도 5 참조)을 에워싸는 폐-라인 형상을 갖는 제2 추가 더미패턴(D2a)이 형성될 수 있다.

도 8i 및 도 8j를 참조하면, 본 실시예에 따른 제2 그룹 공정은, 제1 도전층(CL1) 및 제2 마스크 패턴(MP2)으로부터 제2 도전층(CL2)이 형성되도록, 제2 도전성 물질을 증착하는 단계를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 도전성 물질은 스퍼터링(Sputtering) 공정으로 증착될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.

본 실시예에서, 제1 도전층(CL1) 및 제2 마스크 패턴(MP2)의 물질과 동일 물질을 증착함에 따라, 제1 도전층(CL1) 및 제2 마스크 패턴(MP2)과 새로 증착된 제2 도전성 물질은 제2 도전층(CL2)을 형성할 수 있다. 제2 도전층(CL2)은 제1 내지 제3 애노드들(AE1, AE2, AE3)과 모두 중첩할 수 있다.

본 실시예에 따르면, 제7 식각 공정을 통해, 제2 더미패턴(D2)의 외측면이 노출되나, 제7 식각 공정 이후 제2 도전성 물질을 증착하는 단계를 포함함으로써, 제2 더미패턴(D2)의 노출된 외측면은 제2 도전층(CL2)에 의해 커버될 수 있다. 이에 따라, 이후에 진행될 포토레지스트층의 제거 단계에서 제2 더미패턴(D2)의 손상을 방지할 수 있다.

본 실시예에서, 제2 도전층(CL2)은 제1 더미패턴(D1) 및 제1 하부 봉지 무기패턴(LIL1)을 커버하는 제1 커버부(PP1), 제2 더미패턴(D2) 및 제2 하부 봉지 무기패턴(LIL2)을 커버하는 제2 커버부(PP2), 및 제1 및 제2 커버부들(PP1, PP2)을 제외한 나머지 부분이며 도전성 격벽(PW)의 상면을 커버하는 제3 커버부(PP3)를 포함할 수 있다.

제1 커버부(PP1)는 제1 하부 봉지 무기패턴(LIL1) 상에 배치된 제1 부분 및 제1 더미패턴(D1)의 외측면을 커버하는 제2 부분을 포함할 수 있다. 제1 커버부(PP1)의 제2 부분을 통해, 제1 더미패턴(D1)의 손상을 방지할 수 있다. 본 실시예에서, 제1 커버부(PP1)는 도전성 격벽(PW) 및 제1 더미패턴(D1) 사이에 배치되지 않을 수 있다. 즉, 제1 더미패턴(D1)은 도전성 격벽(PW)의 상면과 접촉하며 배치될 수 있다.

제2 커버부(PP2)는 제2 하부 봉지 무기패턴(LIL2) 상에 배치된 제1 부분(C1), 도전성 격벽(PW) 및 제2 더미패턴(D2) 사이에 배치된 제2 부분(C2), 및 제1 부분(C1)과 제2 부분(C2)을 연결하며 제2 더미패턴(D2)의 외측면을 커버하는 제3 부분(C3)을 포함할 수 있다. 제2 커버부(PP2)의 제3 부분(C3)을 통해, 제2 더미패턴(D2)의 손상을 방지할 수 있다. 본 실시예에서, 제2 부분(C2)은 도전성 격벽(PW)의 상면 및 제2 더미패턴(D2)의 하면과 접촉하며 배치될 수 있다.

제2 그룹 공정 이후, 제3 그룹 공정을 진행할 수 있다. 본 실시예에서, 제3 그룹 공정을 통해, 제3 발광소자(ED3, 도 9h 참조) 및 이를 커버하는 제3 하부 봉지 무기패턴(LIL3, 도 9h 참조)을 형성할 수 있다. 이하, 9a 내지 9h를 참조하여, 제3 그룹 공정에 대해 설명한다.

도 9a를 참조하면, 본 실시예에 따른 제3 그룹 공정은, 제2 도전층(CL2) 상에 제4 포토레지스트층(PR4)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 제4 포토레지스트층(PR4)에는 제3 애노드(AE3)와 중첩하는 제2 포토 개구부(OP2-R)가 정의될 수 있다.

도 9b를 참조하면, 본 실시예에 따른 제3 그룹 공정은, 제1 식각 공정을 통해, 제2 도전층(CL2)에 제2 도전 개구부(OP2-C)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 제2 도전 개구부(OP2-C)를 형성하는 단계는, 제2 그룹 공정에서의 제1 도전 개구부(OP1-C, 도 8b 참조)를 형성하는 단계와 유사한 방식으로 진행될 수 있다. 제1 식각 공정은 제4 포토레지스트층(PR4)을 마스크로 사용하고, 제2 도전 개구부(OP2-C)는 제2 포토 개구부(OP2-R)와 대응되며 제3 애노드(AE3)와 중첩할 수 있다.

이후, 본 실시예에 따른 제3 그룹 공정은, 제2 식각 공정을 통해, 도전성 격벽층(PW)에 제3 격벽 개구부(OP3-P)를 형성하는 단계 및 제3 식각 공정을 통해, 화소 정의막(PDL)에 제3 발광 개구부(OP3-E)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

제3 격벽 개구부(OP3-P)를 형성하는 단계는, 제2 그룹 공정에서의 제2 격벽 개구부(OP2-P, 도 8d 참조)를 형성하는 단계와 유사한 방식으로 진행될 수 있다. 본 실시예에서, 제2 식각 공정은, 제4 포토레지스트층(PR4)을 마스크로 사용하고, 제1 및 제2 층들(L1, L2)을 건식 식각하여, 도전성 격벽(PW)에 제3 예비 격벽 개구부를 형성하는 단계 및 제4 포토레지스트층(PR4)을 마스크로 사용하고, 제1 및 제2 층들(L1, L2)을 습식 식각하여, 제3 예비 격벽 개구부로부터 제3 격벽 개구부(OP3-P)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 제3 격벽 개구부(OP3-P)를 정의하는 도전성 격벽(PW)의 내측면은 단면 상에서 언더컷 형상을 가질 수 있다.

제3 발광 개구부(OP3-E)를 형성하는 단계는, 제2 그룹 공정에서의 제3 격벽 개구부(OP2-E, 도 8d 참조)를 형성하는 단계와 유사한 방식으로 진행될 수 있다. 제3 식각 공정은 제4 포토레지스트층(PR4) 및 도전성 격벽(PW, 예를 들어, 제2 층(L2))을 마스크로 사용하여 진행될 수 있다.

도 9c를 참조하면, 본 실시예에 따른 제3 그룹 공정은, 제4 포토레지스트층(PR4)을 제거하는 단계를 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 제1 더미패턴(D1)의 외측면 및 제2 더미패턴(D2)의 외측면 각각은 제2 도전층(CL2)에 의해 커버된 상태로 제공될 수 있고, 제4 포토레지스트층(PR4)을 제거하기 위해 주입되는 물질로부터 제1 및 제2 더미패턴들(D1, D2)이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 제1 및 제2 하부 봉지 무기패턴들(LIL1, LIL2)의 들뜸 현상을 방지할 수 있어, 제1 및 제2 발광소자들(ED1, ED2)의 손상을 방지할 수 있다.

도 9c 및 도 9d를 참조하면, 본 실시예에 따른 제3 그룹 공정은, 제4 식각 공정을 통해, 제2 도전층(CL2)의 적어도 일부를 제거하는 단계를 포함할 수 있다. 제4 식각 공정은 습식 식각 방식으로 진행될 수 있다.

도 9c 및 도 9d와 도 8j를 함께 참조하면, 본 실시예에서, 제2 도전층(CL2) 중 제1 커버부(PP1), 제2 커버부(PP2)의 제1 및 제3 부분들(C1, C3), 및 제3 커버부(PP3)가 제거될 수 있다. 즉, 제2 도전층(CL2) 중 제2 커버부(PP2)의 제2 부분(C2)은 제2 더미패턴(D2) 및 제2 하부 봉지 무기패턴(LIL2)에 의해 커버되어 제거되지 않을 수 있다. 제4 식각 공정 이후 잔존하는 제2 부분(C2)은 도전패턴(CDP)을 형성할 수 있다.

본 실시예에서, 제4 식각 공정을 통해, 제3 희생패턴(SP3)의 패터닝을 함께 진행할 수 있다. 제3 애노드(AE3)의 적어도 일부가 노출되도록 제3 희생패턴(SP3)에 제3 희생 개구부(OP3-S)가 형성될 수 있다. 제3 희생패턴(SP3)의 식각 공정은 도전성 격벽(PW, 예를 들어, 제2 층(L2))을 마스크로 사용될 수 있다.

제2 그룹 공정 대비, 제3 그룹 공정에서는 최종 제품에서 잔존되는 제2 도전성 물질을 최소화하기 위해, 제3 발광 개구부(OP3-E)를 형성한 이후 제2 도전층(CL2)을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.

또한, 투명 도전성 산화물을 포함하는 제3 희생패턴(SP3)은 제2 도전성 물질과 동시에 식각될 수 있어, 제3 희생 개구부(OP3-S)를 형성하는 단계를 제2 도전층(CL2)을 제거하는 단계와 동시에 진행하여, 공정을 비교적 단순화 할 수 있다.

도 9e를 참조하면, 본 실시예에 따른 제3 그룹 공정은, 제3 발광패턴(EL3)이 형성되도록 제3 유기물을 증착하는 단계, 제3 캐소드(CE3)가 형성되도록 제1 도전성 물질을 증착하는 단계, 및 제3 예비 하부 봉지 무기막(LIL3-I)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

제3 유기물을 증착하는 단계는, 제1 그룹 공정에서 제1 발광패턴(EL1, 도 7e 참조)이 형성되도록 제1 유기물을 증착하는 단계와 유사한 방식으로 진행될 수 있다. 제3 캐소드(CE3)가 형성되도록 제1 도전성 물질을 증착하는 단계는, 제1 그룹 공정에서 제1 캐소드(CE1, 도 7e 참조)가 형성되도록 제1 도전성 물질을 증착하는 단계와 유사한 방식으로 진행될 수 있다. 제3 예비 하부 봉지 무기막(LIL3-I)은 제1 그룹 공정에서 제1 예비 하부 봉지 무기막(LIL1-I, 도 7e 참조)을 형성하는 방식과 유사한 방식으로 형성될 수 있다.

제3 유기물을 증착하는 단계에서, 제3 발광패턴(EL3)과 이격되는 제3 더미층(D3-I)이 함께 형성될 수 있다. 제1 도전성 물질을 증착하는 단계에서, 제3 캐소드(CE3)와 이격되는 제3 추가 더미층(D3a-I)이 함께 형성될 수 있다. 제3 그룹 공정에서, 제3 더미층(D3-I) 및 제3 추가 더미층(D3a-I)은 도전성 격벽(PW) 상에 배치되며, 제1 더미패턴(D1) 및 제1 하부 봉지 무기패턴(LIL1)과 제2 더미패턴(D2) 및 제2 하부 봉지 무기패턴(LIL2)을 커버할 수 있다.

도 9f 및 도 9g를 참조하면, 본 실시예에 따른 제3 그룹 공정은, 제3 마스크 패턴(MP3)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 제3 마스크 패턴(MP3)을 형성하는 단계는, 제3 예비 하부 봉지 무기막(LIL3-I) 상에 제3 예비 마스크층(MP3-I)을 형성하는 단계, 제3 예비 마스크층(MP3-I) 상에 제5 포토레지스트층(PR5)을 형성하는 단계, 제3 예비 마스크층(MP3-I)으로부터 제3 마스크 패턴(MP3)을 형성하는 단계, 및 제5 포토레지스트층(PR5)을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.

우선, 도 9f에 도시된 바와 같이, 제3 예비 마스크층(MP3-I)은 제2 도전성 물질을 포함할 수 있고, 제1 그룹 공정에서 제1 예비 마스크층(MP1-I, 도 7f 참조)을 형성하는 방식과 유사한 방식으로 형성될 수 있다.

제5 포토레지스트층(PR5)은 제3 발광 개구부(OP3-E)와 중첩하는 패턴으로 형성될 수 있고, 제1 그룹 공정에서 제1 포토레지스트층(PR1, 도 7f 참조)을 형성하는 방식과 유사한 방식으로 형성될 수 있다.

이후, 도 9g에 도시된 바와 같이, 제5 식각 공정을 통해, 제3 예비 마스크층(MP3-I)으로부터 제3 마스크 패턴(MP3)이 형성될 수 있다. 제3 마스크 패턴(MP3)을 형성하는 단계는 제1 그룹 공정에서 제1 마스크 패턴(MP1, 도 7g 참조)을 형성하는 단계와 유사한 방식으로 진행될 수 있다. 제3 예비 마스크층(MP3-I) 중 제1 및 제2 애노드들(AE1, AE2)과 중첩하는 부분이 제거되어, 제3 마스크 패턴(MP3)은 제3 발광 개구부(OP3-E)와 중첩하는 패턴으로 형성될 수 있다. 이후, 제5 포토레지스트층(PR5)을 제거할 수 있다.

도 9g 및 도 9h를 참조하면, 본 실시예에 따른 제3 그룹 공정은, 제6 식각 공정을 통해, 제3 예비 하부 봉지 무기막(LIL3-I)을 패터닝 하는 단계 및 제7 식각 공정을 통해, 제3 더미층(D3-I)을 패터닝 하는 단계를 포함할 수 있다. 제6 식각 공정을 통해, 제3 예비 하부 봉지 무기막(LIL3-I)으로부터 제3 하부 봉지 무기패턴(LIL3)이 형성되고, 제7 식각 공정을 통해, 제3 더미층(D3-I)으로부터 제3 더미패턴(D3)이 형성될 수 있다.

제3 예비 하부 봉지 무기막(LIL3-I)을 패터닝 하는 단계는, 제1 그룹 공정에서 제1 예비 하부 봉지 무기막(LIL1-I, 도 7h 참조)을 패터닝 하는 단계와 유사한 방식으로 형성될 수 있다. 제3 더미층(D3-I)을 패터닝 하는 단계는, 제1 그룹 공정에서 제1 더미층(D1-I, 도 7h 참조)을 패터닝 하는 단계와 유사한 방식으로 진행될 수 있다. 제6 식각 공정 및 제7 식각 공정에서, 제3 마스크 패턴(MP3)을 마스크로 사용할 수 있다.

제3 하부 봉지 무기패턴(LIL3)은 제3 발광 개구부(OP3-E)와 중첩하여 배치될 수 있다. 제3 하부 봉지 무기패턴(LIL3) 중 일부는 제3 격벽 개구부(OP3-P) 내에 배치되어 제3 발광소자(ED3)를 커버하고, 제3 하부 봉지 무기패턴(LIL3) 중 다른 일부는 도전성 격벽(PW) 상에 배치될 수 있다. 제3 더미패턴(D3)은 평면 상에서 제3 발광영역(PXA-B, 도 5 참조)을 에워싸는 폐-라인 형상을 가질 수 있다.

제7 식각 공정에서, 제3 추가 더미층(D3a-I)도 함께 건식 식각하여, 평면 상에서 제3 발광영역(PXA-B, 도 5 참조)을 에워싸는 폐-라인 형상을 갖는 제3 추가 더미패턴(D3a)이 형성될 수 있다.

도 9h 및 도 9i를 참조하면, 본 실시예에 따른 제3 그룹 공정은, 제8 식각 공정을 통해, 제3 마스크 패턴(MP3)을 제거하는 단계를 포함할 수 있다. 제8 식각 공정은 습식 식각 방식으로 진행될 수 있다.

일 실시예에서, 도전패턴(CDP)은 제3 마스크 패턴(MP3)과 동일 물질을 포함함에 따라, 제8 식각 공정 중 도전패턴(CDP)의 일부가 제3 마스크 패턴(MP3)과 함께 제거될 수 있다. 구체적으로, 도전패턴(CDP)의 외측 부분이 제2 더미패턴(D2)으로부터 노출됨에 따라, 도전패턴(CDP)의 외측 부분이 일부 제거될 수 있다. 이에 따라, 도전패턴(CDP)의 외측면은 제2 더미패턴(D2)의 외측면보다 제2 애노드(AE2)의 중심에 인접하게 배치될 수 있다. 한편, 이에 한정되는 것은 아니며, 제8 식각 공정 시 도전패턴(CDP)은 제거되지 않을 수 있다.

제1 내지 제3 그룹 공정들을 통해, 제1 내지 제3 발광소자들(ED1, ED2, ED3) 및 제1 내지 제3 하부 봉지 무기패턴들(LIL1, LIL2, LIL3)을 형성할 수 있다. 이후, 제4 그룹 공정을 진행할 수 있고, 제4 그룹을 통해 박막 봉지층(TFE, 도 9j 참조)을 포함하는 표시패널(DP, 도 9j 참조)이 완성될 수 있다.

도 9j를 참조하면, 본 실시예에 따른 제4 그룹 공정은, 도전성 격벽(PW) 및 제1 내지 제3 하부 봉지 무기패턴들(LIL1, LIL2, LIL3) 상에 봉지 유기막(OL)을 형성하는 단계 및 봉지 유기막(OL) 상에 상부 봉지 무기막(UIL)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 이를 통해, 베이스층(BL), 회로 소자층(DP-CL), 표시 소자층(OP-OLED), 및 박막 봉지층(TFE)을 포함하는 표시패널(DP)이 형성될 수 있다.

도 10a 내지 도 10i는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널 제조방법의 단계들 중 일부를 나타낸 단면도들이다. 본 실시예에 따른 표시패널 제조방법에 따르면, 제조 공정 중 사용되는 제2 도전성 물질의 잔여물을 남기지 않을 수 있다. 이하, 도 10a 내지 도 10i를 참조하여 자세히 설명한다. 도 7a 내지 도 9j에서 설명한 구성과 동일/유사한 구성에 대해 동일/유사한 참조 부호를 사용하며, 중복된 설명은 생략하고, 차이점 위주로 설명한다.

도 10a 및 도 10b를 참조하여, 도 7a 내지 도 7j에서 전술한 실시예 대비 제1 그룹 공정에서의 차이를 설명한다.

우선, 도 10a를 참조하면, 본 실시예에 따른 제1 그룹 공정은, 제1 예비 표시패널(DP-I1, 도 7a 참조) 상에 제1 초기 포토레지스트층(PR-I1)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 제1 초기 포토레지스트층(PR-I1)에는 제1 내지 제3 애노드들(AE1, AE2, AE3)과 각각 중첩하는 제1 내지 제3 초기 개구부들(OP-I1, OP-I2, OP-I3)이 정의될 수 있다.

이후, 본 실시예에 따른 제1 그룹 공정은, 제1-1 식각 공정을 통해, 예비 도전성 격벽층(PW-I)에 제1 내지 제3 예비 격벽 개구부들(OP1-PI, OP2-PI, OP3-PI)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

제1-1 식각 공정은, 제1 초기 포토레지스트층(PR-I1)을 마스크로 사용하며, 건식 식각 방식으로 진행될 수 있다. 제1-1 식각 공정의 건식 식각은 제1 층(L1)과 제2 층(L2) 사이의 식각 선택비가 실질적으로 동일한 식각 환경에서 이루어질 수 있다. 이에 따라, 제1 내지 제3 예비 격벽 개구부들(OP1-PI, OP2-PI, OP3-PI) 각각을 정의하는 제1 층(L1)의 내측면 및 제2 층(L2)의 내측면은 실질적으로 정렬될 수 있다.

도 10a 및 도 10b를 참조하면, 본 실시예에 따른 제1 그룹 공정은, 제1 초기 포토레지스트층(PR-I1)을 제거하는 단계 및 제2 초기 포토레지스트층(PR-I2)을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 제2 초기 포토레지스트층(PR-I2)에는 제1 예비 격벽 개구부(OP1-PI)와 대응되는 제4 초기 개구부(OP-I4)가 정의될 수 있다.

본 실시예에 따른 제1 그룹 공정은, 제1-2 식각 공정을 통해, 제1 예비 격벽 개구부(OP1-PI)로부터 제1 격벽 개구부(OP1-P)를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.

제1-2 식각 공정은, 제2 초기 포토레지스트층(PR-I2)을 마스크로 사용하며, 습식 식각 방식으로 진행될 수 있다. 제1-2 식각 공정의 식각 공정의 습식 식각은 제1 층(L1)과 제2 층(L2) 사이의 식각 선택비가 큰 환경에서 이루어질 수 있다. 이에 따라, 제1 격벽 개구부(OP1-P)의 제1 영역(A1)을 정의하는 제1 층(L1)의 내측면은 제1 격벽 개구부(OP1-P)의 제2 영역(A2)을 정의하는 제2 층(L2)의 내측면에 비해 내측으로 더 함몰되어 형성될 수 있고, 도전성 격벽(PW)에는 팁부가 형성될 수 있다.

본 실시예에 따르면, 제1 내지 제3 예비 격벽 개구부들(OP1-PI, OP2-PI, OP3-PI)을 하나의 포토레지스트층을 이용하여 동시에 형성할 수 있다. 이에 따라, 본 실시예에서의 제2 예비 표시패널(DP-I2)은 베이스층(BL), 회로 소자층(DP-CL), 제1 내지 제3 애노드들(AE1, AE2, AE3), 제1 발광 개구부(OP1-E)가 정의된 화소 정의막(PDL), 및 제1 격벽 개구부(OP1-P)와 제2 및 제3 예비 격벽 개구부들(OP2-PI, OP3-PI)이 정의된 도전성 격벽(PW)을 포함한 것일 수 있다.

도 10c 내지 10g를 참조하여, 도 8a 내지 도 8j에서 전술한 실시예 대비 제2 그룹 공정에서의 차이를 설명한다.

도 10c는 제2 그룹 공정 중 제1 도전층(CL1) 상에 제2 포토레지스트층(PR2)을 형성하는 단계를 도시한 것이다. 제2 포토레지스트층(PR2)에는 제2 애노드(AE2)와 중첩하는 제1 포토 개구부(OP1-R)가 정의될 수 있다.

본 실시예에서, 제2 포토레지스트층(PR2)은 제1 포토 개구부(OP1-R)에 의해 제1 도전층(CL1) 중 도전성 격벽(PW)의 상면에 배치된 부분 일부를 노출시킬 수 있다.

도 10d는 제2 그룹 공정 중 제1 식각 공정을 통해, 제1 도전층(CL1)에 제1 도전 개구부(OP1-C)를 형성하는 단계 및 제2 식각 공정을 통해, 도전성 격벽(PW)에 제2 격벽 개구부(OP2-P)를 형성하는 단계를 나타낸 것이다.

본 실시예에서, 도전성 격벽(PW)의 상면 일부는 제1 도전 개구부(OP1-C)에 의해 제1 도전층(CL1)으로부터 노출될 수 있다.

또한, 본 실시예에 따르면, 도전성 격벽(PW)에 제2 격벽 개구부(OP2-P)를 형성하는 단계에서, 도전성 격벽(PW)에는 제2 예비 격벽 개구부(OP2-PI)가 형성된 상태로 제공됨에 따라, 제2 식각 공정은 도전성 격벽(PW)의 습식 식각 공정만으로 이루어질 수 있다. 도전성 격벽(PW)의 습식 식각 공정을 통해, 제2 예비 격벽 개구부(OP2-PI)로부터 제2 격벽 개구부(OP2-P)가 형성될 수 있다.

도 10e 및 도 10f는 제2 그룹 공정 중 제2 마스크 패턴(MP2)을 형성하는 단계, 제2 예비 하부 봉지 무기막(LIL2-I)을 패터닝 하는 단계, 및 제2 더미층(D2-I)을 패터닝 하는 단계를 도시한 것이다.

제2 마스크 패턴(MP2)을 형성하는 단계는, 제2 예비 마스크층(MP2-I)을 형성하는 단계, 제3 포토레지스트층(PR3)을 형성하는 단계, 제2 예비 마스크층(MP2-I)으로부터 제2 마스크 패턴(MP2)을 형성하는 단계, 및 제3 포토레지스트층(PR3)을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.

도 10e에 도시된 바와 같이, 본 실시예에서, 제3 포토레지스트층(PR3)은 모두 제1 도전 개구부(OP1-C)에 중첩할 수 있다. 즉, 제3 포토레지스트층(PR3)은 평면 상에서 제1 도전층(CL1)과 비-중첩하도록 형성될 수 있다. 이에 따라, 도 10f에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 제2 마스크 패턴(MP2)은 평면 상에서 제1 도전층(CL1)과 비-중첩하도록 형성될 수 있다.

제2 더미층(D2-I)을 패터닝 하는 단계에서, 제2 더미층(D2-I)으로부터 제2 더미패턴(D2)이 형성되며, 제2 더미패턴(D2)의 하부에 제1 도전층(CL1)이 배치되지 않을 수 있고, 제2 더미패턴(D2)이 모두 도전성 격벽(PW)의 상면과 접촉할 수 있다.

도 10f 및 도 10g는 제2 그룹 공정 중 제2 마스크 패턴(MP2)으로부터 제2 도전층(CL2)이 형성되도록, 제2 도전성 물질을 증착하는 단계를 도시한 것이다.

제2 도전층(CL2)은 제1 더미패턴(D1) 및 제1 하부 봉지 무기패턴(LIL1)을 커버하는 제1 커버부(PP1), 제2 더미패턴(D2) 및 제2 하부 봉지 무기패턴(LIL2)을 커버하는 제2 커버부(PP2), 및 제1 및 제2 커버부들(PP1, PP2)을 제외한 나머지 부분이며 도전성 격벽(PW)의 상면, 제3 예비 격벽 개구부(OP3-PI)를 정의하는 내측면, 및 제3 예비 격벽 개구부(OP3-PI)로부터 노출된 화소 정의막(PDL)의 상면을 커버하는 제3 커버부(PP3)를 포함할 수 있다.

본 실시예에서, 제2 커버부(PP2)는 제2 하부 봉지 무기패턴(LIL2) 상에 배치된 제1 부분(C1) 및 제2 더미패턴(D2)의 외측면을 커버하는 제2 부분(C2)을 포함할 수 있다. 도 10g의 제2 커버부(PP2)는 도 8j의 제2 커버부(PP2) 대비 제3 부분(C3, 도 8j 참조)을 포함하지 않을 수 있다. 즉, 제2 커버부(PP2)는 제2 더미패턴(D2)의 하측에 배치되지 않을 수 있다.

도 10h를 참조하여, 도 9a 내지 도 9i에서 전술한 실시예 대비 제3 그룹 공정에서의 차이를 설명한다. 도 10h는 제3 그룹 공정 중 제4 식각 공정을 통해, 제2 도전층(CL2, 도 10g 참조)의 적어도 일부를 제거하는 단계를 도시한 것이다. 본 실시예에서, 제2 도전층(CL2, 도 10g 참조)은 제2 더미패턴(D2)의 하측에 배치되지 않을 수 있어, 제2 도전층(CL2, 도 10g 참조)은 모두 제거될 수 있다.

도 10i는 제4 그룹 공정을 통해 완성된 표시패널(DP-1)을 도시한 것이다. 도 10i에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따르면, 제조가 완료된 표시패널(DP-1)에는 제2 도전성 물질이 잔여되지 않을 수 있다.

본 실시예에서도, 포토레지스트층을 제거하는 공정 중 제1 내지 제3 더미패턴들(D1, D2, D3)의 외측면이 노출되지 않을 수 있어, 공정 과정 중 제1 내지 제3 더미패턴들(D1, D2, D3)의 손상이 방지될 수 있다. 이에 따라, 제1 내지 제3 하부 봉지 무기패턴들(LIL1, LIL2, LIL3)의 들뜸 현상이 방지되어, 공정 신뢰도가 개선된 제1 내지 제3 발광소자들(ED1, ED2, ED3)을 포함하는 표시패널(DP-1)을 제공할 수 있다.

한편, 본 발명의 다른 일 실시예에서는, 제1 공정 그룹에서는 도 7a 내지 도 7j에서 전술한 내용이 적용되고, 제2 내지 제4 공정 그룹들에서는 도 10c 내지 도 10i에서 전술한 내용이 적용될 수 있다. 또는, 제1 공정 그룹에서는 도 10a 및 도 10b에서 전술한 내용이 적용되고, 제2 내지 제4 공정 그룹들에서는 도 8a 내지 도 9j에서 전술한 내용이 적용될 수 있다.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

DD: 표시패널 PW: 도전성 격벽
OP1-P: 제1 격벽 개구부 OP2-P: 제2 격벽 개구부
ED1: 제1 발광소자 ED2: 제2 발광소자
CDP: 도전패턴 D1: 제1 더미패턴
D2: 제2 더미패턴 LIL1: 제1 하부 봉지 무기패턴
LIL2: 제2 하부 봉지 무기패턴

Claims (30)

1. 베이스층;
   상기 베이스층 상에 배치되고, 제1 및 제2 발광 개구부들이 정의되는 화소 정의막;
   상기 화소 정의막 상에 배치되고, 상기 제1 및 제2 발광 개구부들과 각각 대응되는 제1 및 제2 격벽 개구부들이 정의되는 도전성 격벽;
   상기 제1 발광 개구부에 의해 적어도 일부가 노출되는 제1 애노드, 제1 유기층, 및 적어도 일부가 상기 제1 격벽 개구부에 배치되어 상기 도전성 격벽에 접촉하는 제1 캐소드를 포함하는 제1 발광소자;
   상기 제2 발광 개구부에 의해 적어도 일부가 노출되는 제2 애노드, 제2 유기층, 및 적어도 일부가 상기 제2 격벽 개구부에 배치되어 상기 도전성 격벽에 접촉하는 제2 캐소드를 포함하는 제2 발광소자; 및
   상기 도전성 격벽 상에 배치되고, 상기 제2 발광 개구부와 대응되는 도전패턴 개구부가 정의된 도전패턴을 포함하는 표시패널.
2. 제1 항에 있어서,
   평면 상에서, 상기 도전패턴은 상기 제2 발광 개구부를 에워싸며, 폐-라인 형상을 갖는 표시패널.
3. 제1 항에 있어서,
   상기 도전성 격벽 상에 배치되고, 상기 제1 유기층과 동일 물질을 포함하며, 상기 제1 발광 개구부와 대응되는 제1 더미 개구부가 정의된 제1 더미패턴; 및
   상기 제1 더미패턴과 이격되고, 상기 제2 유기층과 동일 물질을 포함하며, 상기 제2 발광 개구부와 대응되는 제2 더미 개구부가 정의된 제2 더미패턴을 포함하고,
   상기 도전패턴은 상기 도전성 격벽 및 상기 제2 더미패턴 사이에 배치되는 표시패널.
4. 제3 항에 있어서,
   상기 도전패턴의 외측면은 상기 제2 더미패턴의 외측면보다 상기 제2 애노드의 중심에 인접하게 배치되는 표시패널.
5. 제3 항에 있어서,
   상기 제1 발광 개구부와 중첩하며, 상기 제1 발광소자 및 상기 제1 더미패턴 상에 배치되는 제1 하부 봉지 무기패턴; 및
   상기 제2 발광 개구부와 중첩하며, 상기 제1 하부 봉지 무기패턴과 이격되고, 상기 제2 발광소자 및 상기 제2 더미패턴 상에 배치되는 제2 하부 봉지 무기패턴을 더 포함하는 표시패널.
6. 제1 항에 있어서,
   상기 도전패턴은 투명 도전성 산화물을 포함하는 표시패널.
7. 제1 항에 있어서,
   제3 애노드, 제3 유기층, 및 상기 도전성 격벽에 접촉하는 제3 캐소드를 포함하는 제3 발광소자를 더 포함하고,
   상기 화소 정의막에는 상기 제1 및 제2 발광 개구부들과 이격되고 상기 제3 애노드의 적어도 일부를 노출시키는 상기 제3 발광 개구부가 정의되고,
   상기 도전성 격벽에는 상기 제1 및 제2 격벽 개구부들과 이격되고 상기 제3 캐소드가 배치된 상기 제3 격벽 개구부가 정의되며,
   평면 상에서, 상기 도전패턴은 상기 제3 발광 개구부와 비-중첩하며 상기 제2 발광 개구부만 에워싸는 표시패널.
8. 제1 항에 있어서,
   상기 도전성 격벽은 언더컷 형상을 갖고,
   상기 제1 캐소드는 상기 제1 격벽 개구부를 정의하는 상기 도전성 격벽의 내측면에 접촉하며,
   상기 제2 캐소드는 상기 제2 격벽 개구부를 정의하는 상기 도전성 격벽의 내측면에 접촉하는 표시패널.
9. 베이스층, 상기 베이스층 상에 배치된 제1 애노드, 상기 베이스층 상에 배치되며 상기 제1 애노드의 일부를 노출시키는 제1 발광 개구부가 정의된 화소 정의막, 및 상기 화소 정의막 상에 배치되며 상기 제1 발광 개구부와 대응되는 제1 격벽 개구부가 정의된 도전성 격벽을 포함하는 예비 표시패널을 제공하는 단계;
   적어도 일부가 상기 제1 발광 개구부 및 상기 제1 격벽 개구부 내에 배치되는 제1 발광패턴 및 상기 제1 발광패턴과 이격되며 상기 도전성 격벽 상에 배치되는 제1 더미층이 형성되도록, 제1 유기물을 증착하는 단계;
   적어도 일부가 상기 제1 격벽 개구부 내에 배치되는 제1 캐소드가 형성되도록, 제1 도전성 물질을 증착하는 단계;
   상기 도전성 격벽 상에, 상기 제1 발광 개구부와 중첩하며 제2 도전성 물질을 포함하는 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계;
   상기 제1 더미층으로부터 제1 더미패턴이 형성되도록, 상기 제1 마스크 패턴을 사용하여 상기 제1 더미층을 패터닝하는 단계; 및
   상기 제1 마스크 패턴으로부터 제1 도전층이 형성되도록, 상기 제2 도전성 물질을 증착하는 단계를 포함하고,
   상기 제2 도전성 물질을 증착하는 단계에서, 상기 제1 도전층은 상기 제1 더미패턴의 외측면을 커버하는 표시패널 제조방법.
10. 제9 항에 있어서,
    상기 제1 캐소드가 형성되도록 상기 제1 도전성 물질을 증착하는 단계 이후 및 상기 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계 이전에, 상기 제1 발광 개구부와 중첩하는 제1 포토레지스트층을 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계 이후 및 상기 제1 더미층을 식각하는 단계 이전에, 상기 제1 포토레지스트층을 제거하는 단계를 더 포함하고,
    상기 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계는, 상기 제1 포토레지스트층을 사용하는 식각 공정으로 진행되는 표시패널 제조방법.
11. 제9 항에 있어서,
    상기 제1 도전성 물질을 증착하는 단계 이후 및 상기 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계 이전에, 상기 제1 캐소드 및 상기 도전성 격벽 상에 제1 예비 하부 봉지 무기막을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 마스크 패턴을 형성하는 단계 이후 및 상기 제1 더미층을 식각하는 단계 이전에, 상기 제1 예비 하부 봉지 무기막으로부터 상기 제1 발광 개구부와 중첩하는 제1 하부 봉지 무기패턴이 형성되도록, 상기 제1 마스크 패턴을 사용하여 상기 제1 예비 하부 봉지 무기막을 패터닝하는 단계를 더 포함하는 표시패널 제조방법.
12. 제9 항에 있어서,
    상기 제1 도전층이 형성되도록 상기 제2 도전성 물질을 증착하는 단계 이후에,
    상기 제1 도전층에 제1 도전 개구부를 형성하는 단계;
    상기 도전성 격벽에 상기 제1 도전 개구부와 대응되는 제2 격벽 개구부를 형성하는 단계;
    상기 화소 정의막에 상기 제2 격벽 개구부와 대응되는 제2 발광 개구부를 형성하는 단계;
    적어도 일부가 상기 제2 발광 개구부 및 상기 제2 격벽 개구부 내에 배치되는 제2 발광패턴 및 상기 제2 발광패턴과 이격되며 상기 도전성 격벽 상에 배치되는 제2 더미층이 형성되도록, 제2 유기물을 증착하는 단계;
    적어도 일부가 상기 제2 격벽 개구부 내에 배치되는 제2 캐소드가 형성되도록, 상기 제1 도전성 물질을 증착하는 단계;
    상기 도전성 격벽 상에, 상기 제2 발광 개구부와 중첩하며 상기 제2 도전성 물질을 포함하는 제2 마스크 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제2 더미층으로부터 제2 더미패턴이 형성되도록, 상기 제2 마스크 패턴을 사용하여 상기 제2 더미층을 패터닝하는 단계; 및
    상기 제1 도전층 및 상기 제2 마스크 패턴으로부터 제2 도전층이 형성되도록, 상기 제2 도전성 물질을 증착하는 단계를 더 포함하고,
    상기 예비 표시패널을 제공하는 단계에서, 상기 예비 표시패널은 상기 제1 애노드와 이격되는 제2 애노드를 더 포함하고,
    상기 제1 도전 개구부를 형성하는 단계에서, 상기 제1 도전 개구부는 상기 제2 애노드와 중첩하고,
    상기 제2 도전층이 형성되도록 상기 제2 도전성 물질을 증착하는 단계에서, 상기 제2 도전층은 상기 제2 더미패턴의 외측면을 커버하는 표시패널 제조방법.
13. 제12 항에 있어서,
    상기 도전성 격벽에 상기 제2 격벽 개구부를 형성하는 단계는,
    상기 제2 애노드와 중첩하는 제2 예비 격벽 개구부가 형성되도록, 건식 식각 방식으로 상기 도전성 격벽을 식각하는 단계; 및
    상기 제2 예비 격벽 개구부로부터 상기 제2 격벽 개구부가 형성되도록, 습식 식각 방식으로 상기 도전성 격벽을 식각하는 단계를 포함하는 표시패널 제조방법.
14. 제12 항에 있어서,
    상기 예비 표시패널을 제공하는 단계에서, 상기 예비 도전성 격벽에는 상기 제2 애노드와 중첩하는 제2 예비 격벽 개구부가 더 정의되고,
    상기 도전성 격벽에 상기 제2 격벽 개구부를 형성하는 단계에서, 상기 도전성 격벽은 습식 식각 방식으로 진행되는 표시패널 제조방법.
15. 제12 항에 있어서,
    상기 제2 마스크 패턴은 상기 제1 도전층과 중첩하는 표시패널 제조방법.
16. 제15 항에 있어서,
    상기 제2 도전층은,
    상기 제2 더미패턴 상에 배치된 제1 부분;
    상기 도전성 격벽 및 상기 제2 더미패턴 사이에 배치된 제2 부분; 및
    상기 제1 부분과 상기 제2 부분을 연결하며 상기 제2 더미패턴의 외측면을 커버하는 제3 부분을 포함하는 표시패널 제조방법.
17. 제12 항에 있어서,
    평면 상에서, 상기 제2 마스크 패턴은 상기 제1 도전층과 비-중첩하고,
    상기 제2 더미패턴은 모두 상기 도전성 격벽의 상면에 접촉하는 표시패널 제조방법.
18. 제12 항에 있어서,
    상기 예비 표시패널을 제공하는 단계에서, 상기 예비 표시패널은 상기 제1 애노드 상에 배치되며 상기 제1 희생 개구부가 정의된 제1 희생패턴 및 상기 제2 애노드 상에 배치되는 제2 희생패턴을 더 포함하고,
    상기 제1 도전층이 형성되도록 상기 제2 도전성 물질을 증착하는 단계 이후 및 상기 제1 도전층에 상기 제1 도전 개구부를 형성하는 단계 이전에, 상기 제1 도전층 상에 상기 제2 애노드와 중첩하는 제1 포토 개구부가 정의된 제2 포토레지스트층을 형성하는 단계;
    상기 화소 정의막에 상기 제2 발광 개구부를 형성하는 단계 이후 및 상기 제2 유기물을 증착하는 단계 이전에, 상기 제2 희생패턴에 상기 제2 발광 개구부와 대응되는 제2 희생 개구부를 형성하는 단계; 및
    상기 제2 희생 개구부를 형성하는 단계 이후 및 상기 제2 유기물을 증착하는 단계 이전에, 상기 제2 포토레지스트층을 제거하는 단계를 더 포함하는 표시패널 제조방법.
19. 제12 항에 있어서,
    상기 제2 캐소드가 형성되도록 상기 제1 도전성 물질을 증착하는 단계 이후 및 상기 제2 마스크 패턴을 형성하는 단계 이전에, 상기 제2 발광 개구부와 중첩하는 제3 포토레지스트층을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 마스크 패턴을 형성하는 단계 이후 및 상기 제2 더미층을 패터닝하는 단계 이전에, 상기 제3 포토레지스트층을 제거하는 단계를 더 포함하고,
    상기 제2 마스크 패턴을 형성하는 단계는, 상기 제3 포토레지스트층을 사용하는 식각 공정으로 진행되는 표시패널 제조방법.
20. 제12 항에 있어서,
    상기 제2 도전층이 형성되도록 상기 제2 도전성 물질을 증착하는 단계 이후에,
    상기 제2 도전층에 제2 도전 개구부를 형성하는 단계;
    상기 도전성 격벽에 상기 제2 도전 개구부와 대응되는 제3 격벽 개구부를 형성하는 단계;
    상기 화소 정의막에 상기 제3 격벽 개구부와 대응되는 제3 발광 개구부를 형성하는 단계;
    상기 제2 도전층을 식각하는 단계;
    적어도 일부가 상기 제3 격벽 개구부 및 상기 제3 격벽 개구부 내에 배치되는 제3 발광패턴 및 상기 제3 발광패턴과 이격되며 상기 도전성 격벽 상에 배치되는 제3 더미층이 형성되도록, 제3 유기물을 증착하는 단계;
    적어도 일부가 상기 제3 격벽 개구부 내에 배치되는 제3 캐소드가 형성되도록, 상기 제1 도전성 물질을 증착하는 단계;
    상기 도전성 격벽 상에, 상기 제3 발광 개구부와 중첩하며 상기 제2 도전성 물질을 포함하는 제3 마스크 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제3 더미층으로부터 제3 더미패턴이 형성되도록, 상기 제3 마스크 패턴을 사용하여 상기 제3 더미층을 패터닝하는 단계; 및
    상기 제3 마스크 패턴을 제거하는 단계를 더 포함하고,
    상기 예비 표시패널을 제공하는 단계에서, 상기 예비 표시패널은 상기 제1 및 제2 애노드들과 이격되는 제3 애노드를 더 포함하고,
    상기 제2 도전 개구부를 형성하는 단계에서, 상기 제2 도전 개구부는 상기 제3 애노드와 중첩하는 표시패널 제조방법.
21. 제20 항에 있어서,
    상기 제2 도전층이 형성되도록 상기 제2 도전성 물질을 증착하는 단계에서, 상기 제2 도전층은 상기 제2 더미패턴 상에 배치된 제1 부분, 상기 도전성 격벽 및 상기 제2 더미패턴 사이에 배치된 제2 부분, 및 상기 제1 부분과 상기 제2 부분을 연결하며 상기 제2 더미패턴의 외측면을 커버하는 제3 부분을 포함하고,
    상기 제2 도전층을 식각하는 단계에서, 상기 제2 및 제3 부분들이 제거되고, 잔존하는 상기 제1 부분으로부터 도전패턴이 형성되는 표시패널 제조방법.
22. 제21 항에 있어서,
    상기 도전패턴은 상기 제2 발광 개구부를 에워싸며 평면 상에서 폐-라인 형상을 갖는 표시패널 제조방법.
23. 제21 항에 있어서,
    상기 제3 마스크 패턴을 제거하는 단계에서, 상기 도전패턴의 일부가 함께 제거되어 상기 도전패턴의 외측면은 상기 제2 더미패턴의 외측면에 비해 상기 제2 애노드의 중심에 인접하게 배치되는 표시패널 제조방법.
24. 제20 항에 있어서,
    상기 제2 도전층을 식각하는 단계에서, 상기 제2 도전층이 모두 제거되는 표시패널 제조방법.
25. 제20 항에 있어서,
    상기 예비 표시패널을 제공하는 단계에서, 상기 예비 표시패널은 상기 제3 애노드 상에 배치된 제3 희생패턴을 더 포함하고,
    상기 제2 도전층을 식각하는 단계에서, 상기 제3 희생패턴에 상기 제3 발광 개구부와 대응되는 제3 희생 개구부가 형성되는 표시패널 제조방법.
26. 제20 항에 있어서,
    상기 제2 도전성 물질을 증착하는 단계 이후 및 상기 제2 도전층에 제2 도전 개구부를 형성하는 단계 이전에, 상기 제3 애노드와 중첩하는 제2 포토 개구부가 정의된 제4 포토레지스트층을 형성하는 단계; 및
    상기 화소 정의막에 상기 제3 발광 개구부를 형성하는 단계 이후 및 상기 제2 도전층을 식각하는 단계 이전에, 상기 제4 포토레지스트층을 제거하는 단계를 더 포함하는 표시패널 제조방법.
27. 제20 항에 있어서,
    상기 제3 캐소드가 형성되도록 상기 제1 도전성 물질을 증착하는 단계 이후 및 상기 제3 마스크 패턴을 형성하는 단계 이전에, 상기 제3 발광 개구부와 중첩하는 제5 포토레지스트층을 형성하는 단계; 및
    상기 제3 마스크 패턴을 형성하는 단계 이후 및 상기 제3 더미층을 식각하는 단계 이전에, 상기 제5 포토레지스트층을 제거하는 단계를 더 포함하고,
    상기 제3 마스크 패턴을 형성하는 단계는, 상기 제5 포토레지스트층을 사용하는 식각 공정으로 진행되는 표시패널 제조방법.
28. 제9 항에 있어서,
    상기 예비 표시패널을 제공하는 단계 이전에,
    순차 적층된 제1 층 및 제2 층을 포함하는 예비 도전성 격벽층을 건식 식각하여, 상기 예비 도전성 격벽층에 제1 예비 격벽 개구부를 형성하는 단계; 및
    상기 예비 도전성 격벽층으로부터 상기 도전성 격벽이 형성되도록, 상기 제1 층 및 상기 제2 층을 습식 식각하여, 상기 제1 예비 격벽 개구부로부터 상기 제1 격벽 개구부를 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 제1 격벽 개구부의 제1 영역을 정의하는 상기 제1 층의 내측면 대비 상기 제1 격벽 개구부의 제2 영역을 정의하는 상기 제2 층의 내측면은 상기 제1 애노드의 중심에 더 인접한 표시패널 제조방법.
29. 제28 항에 있어서,
    상기 예비 표시패널은 상기 베이스층 상에 배치된 제2 애노드를 더 포함하고,
    상기 예비 도전성 격벽층에 상기 제1 예비 격벽 개구부를 형성하는 단계에서, 상기 예비 도전성 격벽층에 상기 제2 애노드와 중첩하는 제2 예비 격벽 개구부를 함께 형성하는 표시패널 제조방법.
30. 제9 항에 있어서,
    상기 제2 도전성 물질은 투명 전도성 산화물을 포함하는 표시패널 제조방법.

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