KR20240072168A - 섬유 정렬 모니터링 툴 및 관련된 섬유 정렬 방법 - Google Patents

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KR20240072168A
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fiber alignment
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김혁
강민
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에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
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Abstract

광섬유에 대한, 소스 모듈에 의하여 생성된 빔의 빔 정렬을 모니터링하기 위한 섬유 정렬 모니터링 툴이 개시된다. 섬유 정렬 모니터링 툴은, 상기 섬유 정렬 모니터링 툴을 상기 소스 모듈의 빔 조정 툴에 커플링하기 위한 커플링 배열체; 및 빔 정렬을 감지하고 빔 정렬 상태를 나타내는 빔 정렬 신호를 제공하도록 작동 가능한 빔 정렬 센서를 포함하고, 빔 정렬 상태는 상기 빔의 위치 상태 및/또는 각도 상태를 기술하는 것이다.

Description

섬유 정렬 모니터링 툴 및 관련된 섬유 정렬 방법
관련 출원에 대한 상호 참조
본 출원은 EP 출원 21201127.4의 우선권을 주장하며, 이는 2021년 10월 6일에 출원되고 원용에 의해 전체적으로 본 명세서에 포함된다.
본 발명은, 예를 들어 리소그래피 기술에 의한 디바이스의 제조에 사용 가능한 방법 및 장치에 관한 것이며, 또한 리소그래피 기술을 이용하여 디바이스를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 특히 계측 센서용 섬유 정렬 모니터링 툴에 관한 것이며, 특히 이러한 계측 센서를 위한 조명 배열체에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 원하는 패턴을 기판 상으로, 일반적으로 기판의 타겟 부분 상으로 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 그 경우에, 대안적으로 마스크 또는 레티클로 지칭되는 패터닝 디바이스는 IC의 개별 층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판 (예를 들어, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 다이의 일부, 하나의 다이 또는 여러 다이를 포함하는) 타겟 부분 상으로 전사될 수 있다. 패턴의 전사는 전형적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응성 재료(레지스트)의 층 상으로의 이미징을 통해 이루어진다. 일반적으로, 단일 기판은 연속적으로 패터닝된 인접 타겟 부분들의 네트워크를 포함할 것이다. 이 타겟 부분들은 일반적으로 "필드(field)"로 지칭된다.
복잡한 디바이스의 제조에서, 전형적으로 많은 리소그래피 패터닝 단계가 수행되며, 그에 의하여 기판 상의 연속적인 층들에 기능적 피처를 형성한다. 따라서 리소그래피 장치의 성능의 중요한 양태는 이전 층에 (동일한 장치 또는 상이한 리소그래피 장치에 의해) 놓인 피처에 관하여, 적용된 패턴을 올바르게 그리고 정확하게 배치하는 능력이다. 이 목적을 위하여, 기판은 하나 이상의 정렬 마크 세트를 구비한다. 각 마크는 위치 센서, 전형적으로 광학 위치 센서를 사용하여 나중에 위치가 측정될 수 있는 구조체이다. 리소그래피 장치는 하나 이상의 정렬 센서를 포함하며, 기판 상의 마크의 위치는 이 정렬 센서에 의하여 정확하게 측정될 수 있다. 상이한 유형의 마크들과 상이한 유형의 정렬 센서들은 상이한 제조업체들 및 동일 제조업체의 상이한 제품들로부터 알려져 있다.
다른 적용에서, 계측 센서는 기판 상의 노광된 구조체 (레지스트 내 및/또는 에칭 후)를 측정하기 위하여 사용된다. 빠르고 비침습적인 형태의 특수 검사 툴은, 방사선의 빔이 기판의 표면 상의 타겟으로 향하고 산란 또는 반사 빔의 특성이 측정되는 스캐터로미터이다. 공지된 스캐터로미터의 예는 US2006033921A1 및 US2010201963A1에서 설명된 유형의 각도-분해 스캐터로미터를 포함한다. 재구성에 의한 피처 형상의 측정에 더하여, 공개된 특허 출원 US2006066855A1에 설명된 바와 같이, 회절 기반 오버레이는 이러한 장치를 사용하여 측정될 수 있다. 회절 차수의 암시야 이미징을 이용한 회절-기반 오버레이 계측은 더 작은 타겟에서의 오버레이 측정을 가능하게 한다. 암시야 이미징 계측의 예는 국제 특허 출원 WO2009/078708 및 WO2009/106279에서 찾을 수 있으며, 이 문헌들은 그 전체가 원용에 의해 본 명세서에 포함된다. 이 기술의 추가적인 개발 예는 공개된 특허 공보 US20110027704A, US20110043791A, US2011102753A1, US20120044470A, US20120123581A, US20130258310A, US20130271740A 및 WO2013/178422A1에 설명되었다. 이 타겟은 조명 스폿보다 더 작을 수 있으며, 웨이퍼 상의 제품 구조체로 둘러싸일 수 있다. 복합 격자 타겟을 사용하여 하나의 이미지 내에서 다수의 격자가 측정될 수 있다. 이 출원들 모두의 내용 또한 원용에 의해 본 명세서에 포함된다.
일부 스캐터로미터 또는 정렬 센서에서와 같은 일부 계측 적용에서, 계측 툴로의 전달을 위하여 광섬유로 커플링되고 있는 측정 방사선이 적절하게 정렬된다는 점을 보장하는 것이 중요하다. 이는 광섬유로의 최대화된 레이저 파워 전송을 위하여 섬유 커플링 툴이 조정되는 섬유 커플링 단계에서 달성될 수 있다. 이러한 섬유 커플링 조정은 섬유 정렬 모니터링 툴 또는 전기 벤츄리 툴(electrical venturi tool)을 이용할 수 있다. 이러한 섬유 정렬 모니터링 툴 및 섬유 커플링 방법을 개선하는 것이 바람직할 것이다.
제1 양태에서의 본 발명은 광섬유에 대한, 소스 모듈에 의하여 생성된 빔의 빔 정렬을 모니터링하기 위한 섬유 정렬 모니터링 툴이 제공되며, 본 섬유 정렬 모니터링 툴은: 섬유 정렬 모니터링 툴을 상기 소스 모듈의 빔 조정 툴에 커플링하기 위한 커플링 배열체; 및 빔 정렬을 감지하고 빔 정렬 상태 -상기 빔 정렬 상태는 상기 빔의 위치 상태 및/또는 각도 상태를 기술함-를 나타내는 빔 정렬 신호를 제공하도록 작동 가능한 빔 정렬 센서를 포함한다.
소스 모듈에 의하여 생성된 빔을 광섬유에 대하여 정렬하는 방법이 또한 개시되며, 본 방법은 섬유 정렬 모니터링 툴을 상기 소스 모듈의 빔 조정 툴에 부착하는 것; 및 상기 섬유 정렬 모니터링 툴로부터 획득된 빔 정렬 상태 -상기 빔 정렬 상태는 상기 빔의 위치 및/또는 각도를 기술함-에 따라 상기 빔을 정렬하기 위해 빔 조정 툴을 이용하는 것을 포함한다.
본 발명의 상기 양태 및 다른 양태가 아래에 설명된 예를 고려함으로써 이해될 것이다.
이제 본 발명의 실시예가 첨부 도면을 참조하여 단지 예로서 설명될 것이며, 도면에서,
도 1은 리소그래피 장치를 도시하고 있다.
도 2는 도 1의 장치에서의 측정 및 노광 공정을 개략적으로 도시하고 있다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따라 조절 가능한 정렬 센서의 개략도이다.
도 4는 측정 방사선 빔이 광섬유로 커플링된 섬유 결합 배열체의 (단면) 개략도이다.
도 5의 (a)는 빔 조정 툴에 커플링된 섬유, 그리고 (b) 및 (c)는 빔 조정 툴에 커플링된 종래 기술의 섬유 정렬 모니터링 툴의 개략도이다.
도 6은 실시예에 따른 섬유 정렬 모니터링 툴의 분해 개략도이다.
도 7은 도 6의 섬유 정렬 모니터링 툴의 디스플레이에서 보여질 수 있는 (a) 위치 및 (b) 각도 측면에서의 빔 정렬의 예시적인 시각적 표현이다.
본 발명의 실시예를 상세히 설명하기 전에, 본 발명의 실시예가 구현될 수 있는 예시적인 환경을 제시하는 것이 유익하다.
도 1은 리소그래피 장치(LA)를 개략적으로 도시하고 있다. 본 장치는 방사선 빔(B) (예를 들어, UV 방사선 또는 DUV 방사선)을 조절하도록 구성된 조명 시스템 (일루미네이터)(IL); 패터닝 디바이스 (예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되며, 특정 매개변수에 따라서 패터닝 디바이스를 정확하게 위치시키도록 구성된 제1 포지셔너(PM)에 연결된 패터닝 디바이스 지지체 또는 지지 구조체 (예를 들어, 마스크 테이블)(MT); 각각 기판 (예를 들어, 레지스트 코팅된 웨이퍼)(W)을 유지시키도록 구성되며, 특정 매개변수에 따라서 기판을 정확하게 위치시키도록 구성된 제2 포지셔너(PW)에 각각 연결된 2개의 기판 테이블 (예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WTa 및 WTb); 및 패터닝 디바이스(MA)에 의하여 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 기판(W)의 (예를 들어, 하나 이상의 다이를 포함하는) 타겟 부분(C) 상으로 투영시키도록 구성된 투영 시스템 (예를 들어, 굴절식 투영 렌즈 시스템)(PS)을 포함한다. 기준 프레임(RF)은 다양한 구성 요소를 연결하며, 그리고 패터닝 디바이스와 기판의 위치 그리고 패터닝 디바이스와 기판 상에서의 피처의 위치를 설정 및 측정하기 위한 기준의 역할을 한다.
조명 시스템은 방사선을 지향시키고, 성형(shaping)하고, 또는 제어하기 위한, 굴절식, 반사식, 자기식, 전자기식, 정전식 또는 다른 유형의 광학 구성 요소, 또는 이들의 임의의 조합과 같은 다양한 유형의 광학 구성 요소를 포함할 수 있다.
패터닝 디바이스 지지체(MT)는 패터닝 디바이스를, 패터닝 디바이스의 배향, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경 내에서 유지되는지 여부와 같은 다른 조건에 의존하는 방식으로 유지시킨다. 패터닝 디바이스 지지체는 기계적, 진공, 정전기, 또는 기타 클램핑 기술을 이용하여 패터닝 디바이스를 유지시킬 수 있다. 패터닝 디바이스 지지체(MT)는, 예를 들어 필요에 따라 고정될 수 있거나 이동 가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 패터닝 디바이스 지지체는 패터닝 디바이스가, 예를 들어 투영 시스템에 대하여 원하는 위치에 있다는 것을 보장할 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 용어 "패터닝 디바이스"는, 기판의 타겟 부분에 패턴을 생성하기 위해 방사선 빔의 횡단면에 패턴을 부여하기 위하여 사용될 수 있는 임의의 디바이스를 지칭하는 것으로 넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 패턴이 위상 시프트 피처(phase shifting feature) 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)를 포함한다면, 기판의 타겟 부분의 원하는 패턴에 정확히 대응하지 않을 수 있다는 점이 주목되어야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같은, 타겟 부분에 생성되고 있는 디바이스 내의 특정 기능 층에 대응할 것이다.
도면에 도시된 바와 같이, 본 장치는 (예를 들어, 투과식 패터닝 디바이스를 이용하는) 투과 유형이다. 대안적으로, 본 장치는 (예를 들어, 위에서 언급된 바와 같은 유형의 프로그램 가능한 미러 어레이를 사용하는, 또는 반사식 마스크를 이용하는) 반사 유형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예는 마스크, 프로그램 가능한 미러 어레이, 및 프로그램 가능한 LCD 패널을 포함한다. 본 명세서에서의 용어 "레티클" 또는 "마스크"의 임의의 사용은 보다 일반적인 용어 "패터닝 디바이스"와 동의어로 간주될 수 있다. 용어 "패터닝 디바이스"는 또한 이러한 프로그램 가능한 패터닝 디바이스를 제어하는 데 사용하기 위해 패턴 정보를 디지털 형태로 저장하는 디바이스를 지칭하는 것으로 해석될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 용어 "투영 시스템"은 이용되고 있는 노광 방사선에 대해, 또는 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 요인에 대해 적합한, 굴절식, 반사식, 반사 굴절식(catadioptric), 자기식, 전자기식, 및 정전식 광학 시스템, 또는 이들의 임의의 조합을 포함하는 임의의 유형의 투영 시스템을 포함하는 것으로 넓게 해석되어야 한다. 본 명세서에서의 용어 "투영 렌즈"의 임의의 사용은 더 일반적인 용어 "투영 시스템"과 동의어로 간주될 수도 있다.
리소그래피 장치는 또한, 투영 시스템과 기판 사이의 공간을 채우기 위해 기판의 적어도 일부분이 상대적으로 높은 굴절률을 가진 액체, 예를 들어 물로 덮일 수 있는 유형일 수 있다. 침지 액체는 또한 리소그래피 장치 내의 다른 공간에, 예를 들어 마스크와 투영 시스템 사이에 적용될 수 있다. 침지 기술은 투영 시스템의 개구수(numerical aperture)를 증가시키기 위한 기술 분야에서 잘 알려져 있다.
작동 시, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선 빔을 받아들인다. 예를 들어, 소스가 엑시머 레이저인 경우, 소스와 리소그래피 장치는 별개의 개체들일 수 있다. 이러한 경우에, 소스는 리소그래피 장치의 일부를 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 방사선 빔은, 예를 들어 적합한 지향 미러 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 나아간다. 다른 경우에, 예를 들어 소스가 수은 램프일 때, 소스는 리소그래피 장치의 필수 부분일 수 있다. 소스(SO)와 일루미네이터(IL)는 필요하다면 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템으로 지칭될 수도 있다.
일루미네이터(IL)는, 예를 들어 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하기 위한 조절기(AD), 집속기(integrator)(IN) 및 집광기(condenser)(CO)를 포함할 수 있다. 일루미네이터는 방사선 빔의 횡단면에서 원하는 균일성 및 세기 분포를 갖도록 방사선 빔을 조절하기 위하여 사용될 수 있다.
방사선 빔(B)은 패터닝 디바이스 지지체(MT) 상에 유지되고 있는 패터닝 디바이스(MA)에 입사하며, 그리고 패터닝 디바이스에 의하여 패터닝된다. 패터닝 디바이스 (예를 들어, 마스크)(MA)를 가로지른 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하며, 투영 시스템은 빔을 기판(W)의 타겟 부분(C) 상으로 집속시킨다. 제2 포지셔너(PW)와 위치 센서(IF) (예를 들어, 간섭계 디바이스, 선형 인코더, 2-D 인코더 또는 용량성 센서)의 도움으로, 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로에 상이한 타겟 부분(C)들을 위치시키기 위하여, 기판 테이블(WTa 또는 WTb)은 정확하게 이동될 수 있다. 유사하게, 제1 포지셔너(PM)와 (도 1에서는 명확하게 도시되지 않은) 또 다른 위치 센서가 이용되어, 예를 들어 마스크 라이브러리로부터의 기계적 인출 이후에, 또는 스캔 동안에 패터닝 디바이스 (예를 들어, 마스크)(MA)를 방사선 빔(B)의 경로에 대하여 정확하게 위치시킬 수 있다.
패터닝 디바이스 (예를 들어, 마스크)(MA)와 기판(W)은 마스크 정렬 마크(M1, M2)와 기판 정렬 마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수 있다. 도시된 바와 같은 기판 정렬 마크들이 전용 타겟 부분을 점유하고 있지만, 이들은 타겟 부분들 사이의 공간에 위치될 수 있다 (이들은 스크라이브-레인 정렬 마크로 알려져 있다). 마찬가지로, 패터닝 디바이스 (예를 들어, 마스크)(MA) 상에 하나보다 많은 다이가 제공된 상황에서, 마스크 정렬 마크는 다이들 사이에 위치될 수 있다. 소형 정렬 마크는 또한 디바이스 피처들 사이에서 다이 내에 포함될 수 있으며, 이 경우 마커는 가능한 한 작고 또한 인접한 피처들과는 임의의 다른 이미징 또는 공정 조건을 필요로 하지 않는다는 것이 바람직하다. 정렬 마커를 검출하는 정렬 시스템이 아래에서 더 설명된다.
도시된 장치는 다양한 모드에서 사용될 수 있다. 스캔 모드에서, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟 부분(C) 상으로 투영되는 동안 패터닝 디바이스 지지체 (예를 들어, 마스크 테이블)(MT)와 기판 테이블(WT)은 동시에 스캔된다 (즉, 단일 동적 노광). 패터닝 디바이스 지지체 (예를 들어, 마스크 테이블)(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대율(축소율) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기가 단일 동적 노광 시 타겟 부분의 (비-스캐닝 방향으로의) 폭을 제한하는 반면에, 스캐닝 움직임의 길이는 타겟 부분의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다. 본 기술 분야에서 잘 알려져 있는 바와 같이, 다른 유형의 리소그래피 장치 및 작동 모드가 가능하다. 예를 들어, 스텝 모드가 알려져 있다. 소위 "마스크리스(maskless)" 리소그래피에서, 프로그램 가능한 패터닝 디바이스는 고정 상태에서 유지되지만, 변화하는 패턴을 가지며, 그리고 기판 테이블(WT)은 이동되거나 스캔된다.
위에서 설명된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 전혀 상이한 사용 모드들이 또한 이용될 수 있다.
리소그래피 장치(LA)는 2개의 기판 테이블(WTa, WTb) 및 2개의 스테이션 -노광 스테이션(EXP)과 측정 스테이션(MEA)-을 가지며 기판 테이블들이 2개의 스테이션 사이에서 교환될 수 있는 소위 이중 스테이지 유형이다. 한 기판 테이블 상의 한 기판이 노광 스테이션에서 노광되고 있는 반면에, 또 다른 기판은 측정 스테이션에서 다른 기판 테이블 상으로 로딩될 수 있으며 다양한 준비 단계가 수행된다. 이는 장치의 처리량의 상당한 증가를 가능하게 한다. 준비 단계는 레벨 센서(LS)를 이용하여 기판의 표면 높이 윤곽을 매핑하는 것 및 정렬 센서(AS)를 이용하여 기판 상의 정렬 마커의 위치를 측정하는 것을 포함할 수 있다. 기판 테이블이 측정 스테이션에 그리고 노광 스테이션에 있는 동안 위치 센서(IF)가 기판 테이블의 위치를 측정할 수 없다면, 제2 위치 센서가 제공되어 기준 프레임(RF)에 대해 기판 테이블의 위치가 양 스테이션에서 추적되는 것을 가능하게 할 수 있다. 보여지는 이중 스테이지 배열체 대신에 다른 배열체가 알려져 있고 사용 가능하다. 예를 들어, 기판 테이블과 측정 테이블이 제공된 다른 리소그래피 장치가 알려져 있다. 이 테이블들은 준비 측정을 수행할 때 함께 도킹되며, 그 후 기판 테이블이 노광을 겪는 동안에 도킹 해제된다.
도 2는 도 1의 이중 스테이지 장치에서 기판(W) 상의 타겟 부분 (예를 들어, 다이)을 노광시키는 단계를 도시하고 있다. 측정 스테이션(MEA)에서 수행되는 단계는 좌측의 점선 박스 내에 있는 반면에, 우측은 노광 스테이션(EXP)에서 수행되는 단계를 보여주고 있다. 때로는, 위에서 설명된 바와 같이, 기판 테이블(WTa, WTb)들 중 하나는 노광 스테이션에 있을 것인 반면에, 다른 하나는 측정 스테이션에 있다. 이 설명의 목적을 위하여, 기판(W)이 이미 노광 스테이션 내로 로딩되었다는 것이 가정된다. 단계 200에서, 새로운 기판(W')이 보이지 않는 메커니즘에 의하여 장치로 로딩된다. 리소그래피 장치의 처리량을 증가시키기 위하여 이 2개의 기판은 동시에 처리된다.
처음에 새로 로딩된 기판(W')을 참조하면, 이는 장치에서의 첫 노광을 위하여 새로운 포토 레지스트로 준비된, 이전에 처리되지 않은 기판일 수 있다. 그러나 일반적으로, 설명된 리소그래피 공정은 일련의 노광 및 처리 단계들 중 단지 한 단계일 것이며, 따라서 기판(W')은 이 장치 및/또는 다른 리소그래피 장치를 이미 여러 차례 통과하였으며 거쳐야 할 후속 공정 또한 가질 수 있다. 특히 오버레이 성능을 향상시키는 문제에 대하여, 과제는 패터닝 및 처리의 하나 이상의 주기를 이미 거친 기판 상의 정확한 위치에 새로운 패턴이 정확하게 적용되는 것을 보장하는 것이다. 이 처리 단계들은, 만족스러운 오버레이 성능을 달성하기 위해, 측정되고 보정되어야 하는 기판의 왜곡을 점진적으로 도입한다.
이전 및/또는 후속 패터닝 단계는 방금 언급된 바와 같이 다른 리소그래피 장치에서 수행될 수 있으며, 또한 심지어 상이한 유형의 리소그래피 장치에서도 수행될 수 있다. 예를 들어, 분해능과 오버레이와 같은 매개변수 면에서 매우 까다로운, 디바이스 제조 공정 내의 일부 층은 덜 까다로운 다른 층보다 더욱 진보된 리소그래피 툴에서 수행될 수 있다. 따라서, 일부 층은 침지 유형 리소그래피 툴에서 노광될 수 있는 반면, 다른 층은 "건식(dry)" 툴에서 노광된다. 일부 층은 DUV 파장에서 가동하는 툴에서 노광될 수 있는 반면에, 다른 층은 EUV 파장 방사선을 이용하여 노광된다.
202에서, 기판 마크(P1 등)와 이미지 센서(보이지 않음)를 이용한 정렬 측정은 기판 테이블(WTa/WTb)에 대한 기판의 정렬을 측정하고 기록하기 위해 사용된다. 또한, 기판(W')에 걸친 여러 정렬 마크는 정렬 센서(AS)를 이용하여 측정될 것이다. 측정은 "웨이퍼 그리드"를 설정하기 위해 일 실시예에서 사용되며, 이 웨이퍼 그리드는 공칭 직사각형 그리드에 대한 임의의 왜곡을 포함하는, 기판에 걸친 마크들의 분포를 매우 정확하게 매핑한다.
단계 204에서, X-Y 위치에 대한 웨이퍼 높이(Z)의 맵은 또한 레벨 센서(LS)를 이용하여 측정된다. 일반적으로, 높이 맵은 노광된 패턴의 정확한 집속을 달성하기 위해서만 이용된다. 이는 그 외에 다른 목적을 위하여 사용될 수 있다.
기판(W')이 로딩되었을 때, 레시피 데이터(206)가 수신되어, 수행될 노광, 및 웨이퍼 그리고 웨이퍼 상에 이전에 만들어지고 또한 만들어질 패턴의 특성을 규정하였다. 202 및 204에서 만들어진 웨이퍼 위치, 웨이퍼 그리드 및 높이 맵의 측정이 이 레시피 데이터에 추가되며, 따라서 레시피 데이터와 측정 데이터의 완전한 세트(208)가 노광 스테이션(EXP)에 전달될 수 있다. 정렬 데이터의 측정은, 예를 들어 리소그래피 공정의 제품인 제품 패턴에 대해 고정된 또는 공칭적으로 고정된 관계로 형성되는 정렬 타겟의 X 및 Y 위치를 포함한다. 노광 직전에 얻어진 이 정렬 데이터는 모델을 데이터에 피팅하는 매개변수로 정렬 모델을 생성하기 위해 사용된다. 이 매개변수와 정렬 모델은 노광 작동 중에 사용되어 현재의 리소그래피 단계에서 적용되는 패턴의 위치를 보정할 것이다. 사용 중인 모델은 측정된 위치들 간의 위치 편차를 보간한다. 일반적인 정렬 모델은, "이상적인" 그리드의 병진, 회전 및 스케일링(scaling)을 상이한 차원에서 함께 규정하는 4개, 5개, 또는 6개의 매개변수를 포함할 수 있다. 더 많은 매개변수를 사용하는 진보된 모델이 알려져 있다.
210에서, 기판(W' 및 W)들이 교체되며, 따라서 측정된 기판(W')이 노광 스테이션(EXP)으로 들어가는 기판(W)이 된다. 도 1의 예시적인 장치에서, 이 교체는 장치 내에서 지지체(WTa 및 WTb)들을 교환함으로써 수행되며, 따라서 기판(W, W')들은 이 지지체들 상에 정확하게 클램핑되고 위치된 상태로 남아 있어 기판 테이블들과 기판들 자체 사이의 상대적인 정렬을 보존한다. 이에 따라, 테이블들이 교체되면, 투영 시스템(PS)과 기판 테이블(WTb) (이전에는 WTa) 사이의 상대적인 위치를 결정하는 것은 노광 단계의 제어시 기판(W) (이전에는 W')에 대한 측정 정보(202, 204)를 이용하기 위해 필요한 모든 것이다. 단계 212에서, 마스크 정렬 마크(M1, M2)를 이용하여 레티클 정렬이 수행된다. 단계 214, 216, 218에서, 다수의 패턴의 노광을 완료하기 위하여, 스캐닝 움직임 및 방사선 펄스가 기판(W)에 걸친 연속적인 타겟 위치들에 적용된다.
노광 단계의 수행 시 측정 스테이션에서 획득된 정렬 데이터와 높이 맵을 이용함으로써, 이 패턴들은 원하는 위치에 대하여, 특히 동일 기판 상에 이전에 놓여진 피처에 대해서 정확하게 정렬된다. 이제 W"로 표기된 노광된 기판이 단계 220에서 장치로부터 언로딩되어 노광된 패턴에 따라 에칭 또는 다른 공정을 거치게 된다.
숙련된 자는 위의 설명이 실제 제조 상황의 한 예에 관련된 다수의 매우 상세한 단계의 간략화된 개요라는 것을 알 것이다. 예를 들어, 단일 패스로 정렬을 측정하는 것보다는, 흔히 동일한 또는 상이한 마크를 사용하여 개략적인 측정과 세밀한 측정의 별도 단계들이 있을 것이다. 개략적인 및/또는 세밀한 정렬 측정 단계는 높이 측정 전 또는 후에 수행될 수 있거나, 인터리브(interleaved)될 수 있다.
복잡한 디바이스의 제조에서, 전형적으로 많은 리소그래피 패터닝 단계가 수행되며, 그에 의하여 기판 상의 연속적인 층에 기능적 피처를 형성한다. 따라서 리소그래피 장치의 성능의 중요한 양태는 (동일한 장치 또는 상이한 리소그래피 장치에 의해) 이전 층에 놓여진 피처와 관련하여, 적용된 패턴을 올바르게 그리고 정확하게 배치하는 능력이다. 이 목적을 위하여, 기판은 하나 이상의 마크 세트를 구비한다. 각 마크는 그 위치가 위치 센서, 전형적으로 광학 위치 센서를 이용하여 나중에 측정될 수 있는 구조체이다. 위치 센서는 "정렬 센서"로서 지칭될 수 있으며, 마크는 "정렬 마크"로서 지칭될 수 있다.
리소그래피 장치는 하나 이상의 (예를 들어, 복수의) 정렬 센서를 포함할 수 있으며, 기판 상에 제공된 정렬 마크의 위치는 이 정렬 센서에 의하여 정확하게 측정될 수 있다. 기판 상에 형성된 정렬 마크로부터 위치 정보를 획득하기 위해 정렬 (또는 위치) 센서는 회절 및 간섭과 같은 광학 현상을 이용할 수 있다. 현재의 리소그래피 장치에서 사용되는 정렬 센서의 예는 US6961116에 설명된 바와 같은 자기 참조 간섭계(self-referencing interferometer)를 기반으로 한다. 예를 들어 US2015261097A1에 개시된 바와 같이 위치 센서의 다양한 개선 및 변경이 개발되고 있다. 이 공보들의 모두의 내용은 원용에 의해 본 명세서에 포함된다.
마크, 또는 정렬 마크는 기판 상에 제공된 또는 기판에 (직접적으로) 형성된 층 상에 또는 내에 형성된 일련의 바(bars)를 포함할 수 있다. 마크가 잘 알려진 공간 주기(피치)를 갖는 회절 격자로서 간주될 수 있도록 바들은 규칙적으로 이격될 수 있으며 격자 라인으로서의 역할을 할 수 있다. 이 격자 라인들의 배향에 따라, 마크는 X 축을 따른, 또는 (X 축에 실질적으로 수직으로 배향된) Y 축을 따른 위치의 측정을 허용하도록 디자인될 수 있다. X-축 및 Y-축 모두에 대해 +45도 및/또는 -45도로 배열된 바들을 포함하는 마크는, 원용에 의해 포함되는 US2009/195768A에 설명된 바와 같은 기술을 이용한 조합된 X- 및 Y-측정을 허용한다.
정렬 센서는 각 마크를 방사선의 스폿으로 광학적으로 스캔하여, 사인파와 같은 주기적으로 변화하는 신호를 획득한다. 이 신호의 위상이 분석되어 마크의 위치, 따라서 정렬 센서에 대한 기판의 위치를 결정하며, 이 정렬 센서는 결국 리소그래피 장치의 기준 프레임에 대하여 고정된다. 상이한 (개략적인 그리고 세밀한) 마크 치수와 관련된 소위 개략적인 마크와 세밀한 마크가 제공될 수 있으며, 따라서 정렬 센서는 주기적 신호의 상이한 사이클들은 물론 한 사이클 내의 정확한 위치(위상)를 구별할 수 있다. 상이한 피치들의 마크들이 또한 이 목적을 위하여 사용될 수 있다.
마크의 위치를 측정하는 것은 또한 위에 마크가, 예를 들어 웨이퍼 그리드의 형태로 제공되는 기판의 변형에 관한 정보를 제공할 수 있다. 기판의 변형은, 예를 들어 기판 테이블에 대한 기판의 정전 클램핑에 의하여 및/또는 기판이 방사선에 노출될 때 기판의 가열에 의하여 발생할 수 있다.
도 3은 공지된 정렬 센서(AS)의 실시예의 개략적인 블록도이다. 방사선 소스(RSO)는 하나 이상의 파장의 방사선의 빔(RB)을 제공하며, 이는 전환 광학계에 의하여 조명 스폿(SP)으로서, 기판(W) 상에 위치된 마크(AM)와 같은 마크로 전환된다. 이 예에서 전환 광학계는 스폿 미러(SM)와 대물렌즈(OL)를 포함한다. 조명 스폿(SP) -마크(AM)는 이 조명 스폿에 의해 조명된다-은 그 직경이 마크 자체의 폭보다 약간 작을 수 있다.
마크(AM)에 의해 회절된 방사선은 (이 예에서는, 대물렌즈(OL)를 통하여) 정보 전달 빔(IB)으로 시준된다. 용어 "회절된"은 (반사로서 지칭될 수 있는) 마크로부터의 0차 회절을 포함하도록 의도된다. 예를 들어 위에서 언급된 US6,961,116에 개시된 유형의 자기 참조 간섭계(SRI)는 빔(IB)을 그 자체와 간섭시키며, 그 후 빔은 광검출기(PD)에 의해 받아들여진다. (보이지 않는) 부가적인 광학계가 포함되어 방사선 소스(RSO)에 의해 하나보다 많은 파장이 생성되는 경우에 별도의 빔을 제공할 수 있다. 광검출기는 단일 요소일 수 있거나, 원하는 경우 다수의 픽셀을 포함할 수 있다. 광검출기는 센서 어레이를 포함할 수 있다.
이 예에서 스폿 미러(SM)를 포함하는 전환 광학계는 또한 마크에서 반사된 0차 방사선을 차단하는 역할을 할 수 있으며, 따라서 정보 전달 빔(IB)은 마크(AM)로부터의 더 높은 차수의 회절 방사선만을 포함한다 (이는 측정에 필수적인 것은 아니지만, 신호 대 노이즈비를 향상시킨다).
세기 신호(SI)는 처리 유닛(PU)에 공급된다. 블록(SRI)에서의 광학 처리와 유닛(PU)에서의 연산 처리의 조합에 의하여, 기준 프레임에 관한 기판 상의 X-위치 및 Y-위치에 대한 값이 출력된다.
도시된 유형의 단일 측정은 마크의 1 피치에 대응하는 특정 범위 내의 마크의 위치만을 고정시킨다. 이와 함께 보다 개략적인 측정 기술이 사용되어 사인 파형의 어느 주기가 마킹된 위치를 포함하는 주기인지를 식별한다. 마크가 만들어지는 재료 그리고 마크가 위에 및/또는 아래에 제공되는 재료와 관계없이, 증가된 정확도를 위하여 및/또는 마크의 견실한 검출을 위하여 더 개략적인 및/또는 더 세밀한 레벨에서의 동일한 공정이 상이한 파장들에서 반복된다. 이러한 다수의 파장 측정을 수행하고 처리하는 데 있어서의 개선 사항은 아래에 개시되어 있다.
정렬 센서와 같은 계측 툴은 측정 방사선을 사용하여 타겟 또는 마크를 측정한다. 전형적으로, 측정 방사선은 소스 모듈 (예를 들어, 레이저 모듈)에 의해 생성되며 또한 적합한 광섬유 (예를 들어, 단일-모드, 편광 유지 섬유)에 의하여 계측 디바이스로 (예를 들어, 센서 모듈 내로) 전달된다. 소스 모듈은 생성된 방사선을 광섬유로 커플링하기 위한 섬유 커플링 툴을 포함할 수 있다. 섬유 커플링 툴 (또는 다른 적절한 디바이스)는 소스 모듈에 의해 생성된 빔이 광섬유에 대해 공간적으로 (예를 들어, 위치 및/또는 각도에서) 조정되는 것을 가능하게 하는 빔 조정 배열체를 포함할 수 있다. 이 섬유 조정은 광섬유로의 최대화된 레이저 파워 전송을 위하여 섬유 커플링 툴이 조정되는 초기 섬유 커플링 단계에서 수행될 수 있다. 이러한 섬유 커플링 조정은 소스 모듈이 연결될 때마다 수행되어야 하며, 예를 들어 소스 모듈은 전형적으로 교체 또는 기타 유지 관리 작업 사이에 제한된 작동 기간(operation span)을 갖는다는 점을 주목한다.
도 4는 커플링 문제를 도시하고 있다. 방사선 빔(400)은 소스 모듈(보이지 않음)에 의해 생성되며; 이 빔(400)은 (집속된 방사선(410')을 형성하기 위하여) 적합한 렌즈 또는 렌즈 시스템(410)에 의하여 (섬유 클래딩/케이싱(430) 등으로 둘러싸여 있는) 광섬유 코어(420)의 입력 패싯(facet) 상으로 집속된다. 입력 패싯에 대한 빔 정렬 (예를 들어, 위치 및 각도)이 섬유 코어(420)로의 양호한 또는 최적의 방사선 전송을 위해 교정되도록 최적화되는 것은 광섬유(420)로의 집속 빔(400')의 이 커플링이다.
도 5a는 섬유 커플링(520)을 갖는 매입형(encased) 광섬유(510)의 단순화된 개략도이며, 이 섬유 커플링을 통하여 광섬유는 섬유 커플링 툴(500)에 커플링된다. 섬유 커플링 툴(500)은 (도 5c에서만 보여지는 다수의 조정 스크류(560, 570)를 갖는다. 조정 스크류 560은 빔 위치 조정을 가능하게 하며 조정 스크류 570은 광섬유로의 각도 조정을 가능하게 한다. 이 조정을 모니터링하기 위해, 단순화된 개략적인 도 5b 및 보다 상세한 개략적인 도 5c에 도시된 바와 같이, 광섬유(510) 대신에 섬유 정렬 모니터링 툴 (또는 벤츄리 툴)을 부착하는 것이 알려져 있다. 섬유 정렬 모니터링 툴(530)은 광섬유와 유사한 섬유 커플링(520') 및 이를 섬유 커플링 툴(500)에 커플링하기 위한 케이싱(510)을 포함한다. 섬유 정렬 모니터링 툴(530)은 2개의 모니터링 윈도우(540, 550); 빔 위치를 모니터링하기 위한 제1 모니터링 윈도우(540) 및 빔 각도 또는 틸트를 모니터링하기 위한 제2 모니터링 윈도우(550)를 포함한다. 이 양 윈도우가 광원으로부터의 측정 방사선에 의해 조명될 때에만 빔은 적절하게 조정된다.
그러나 이 유형의 섬유 정렬 모니터링 툴은 빔이 오정렬될 때 빔이 어디에서 그리고 어떤 각도로 투영되는지 또는 빔이 어느 방향으로 및/또는 얼마나 조정되어야 하는지에 대한 어떠한 정보도 교정 엔지니어에게 제공하지 않는다. 이의 결과는 빔을 적절하게 조정하기 위해 상당한 시간이 소요된다는 것이다.
이 문제를 해결하기 위해, 광섬유로의 빔 정렬을 모니터링하기 위한 개선된 섬유 정렬 모니터링 툴이 제안된다. 개선된 섬유 정렬 모니터링 툴은 빔 정렬을 감지하고 빔의 현재 정렬 상태 (예를 들어, 섬유 입력 패싯에 대한 빔 위치 및 각도)를 나타내는 피드백 빔 정렬 신호를 제공하도록 작동 가능한 빔 정렬 센서를 적어도 포함한다. 예를 들어 타겟 위치 및 각도에 관하여; 빔 위치와 각도는 시각적으로 표시될 수 있다.
도 6은 이러한 개선된 섬유 정렬 모니터링 툴(600)의 개략적인 분해도이다. 섬유 정렬 모니터링 툴(600)은 섬유 커플링 배열체(620)를 포함할 수 있으며, 이는 선행 기술의 섬유 정렬 모니터링 툴(530)과 유사한 방식으로 섬유 커플링 툴에 연결될 수 있도록 섬유 커플링(520, 520')과 유사할 수 있다. 입력 빔(610)은 미러(630)를 통해 빔 정렬 센서(650) 또는 빔 위치 및 각도 센서로 지향된다. 빔 정렬 센서(650)로부터의 빔 정렬 신호는 디스플레이(670)에 연결된 프로세서(660)로 전송된다. 섬유 커플링 배열체(620), 미러(630) 및 빔 정렬 센서(650)는 하우징(640a, 640b) 내에 (적어도 부분적으로) 수용될 수 있다.
적합한 빔 정렬 센서의 예는 DUMA Optronics Ltd.에 의하여 "Alignmeter USB"로 판매되는 센서를 포함할 수 있다.
도 7은 디스플레이(670)에 표시될 수 있는 바와 같은 시각적 빔 정렬 정보의 예이다. 디스플레이는 (a) 제1 빔 정렬 그리드 또는 빔 위치 그리드, 그리고 (b) 제2 빔 정렬 그리드 또는 빔 각도 그리드를 보여줄 수 있다. 각 그리드에는 빔의 현재 위치와 각도의 시각적 표현 (예를 들어, 도시된 바와 같은 검은 점)이 각각 있다. 빔 위치는 그리드에서 보여질 수 있으며, 그에 대하여 그의 원점 (예를 들어, 중앙 위치)은 타겟 위치/각도를 나타낼 수 있다. 분명히 타겟 위치/각도는 그리드의 원점이 아닌 다른 방식으로 표현될 수 있거나 전혀 보여지지 않을 수 있다 (예를 들어, 최적의 위치/각도는 사용자가 알 수 있다). 선택적으로, (그리드 표현에 대안적으로 또는 그에 더하여) 위치와 각도는 숫자로 보여질 수 있다. 또한 선택적으로, OK/NOK 표시자는 (각각의 좌표에 대해) 위치 또는 각도가 충분히 잘 정렬되었는지(OK) 또는 정렬되지 않았는지(NOK) 여부를 나타낼 수 있다. 위치 및 각도는 실시간으로 (또는 그에 가깝게) 사용자에게 표시될 수 있으며, 따라서 각 조정의 효과는 사용자가 빔 정렬을 조정할 때 사용자에게 신속하게 피드백된다. 또한 디스플레이로부터 빔이 어느 방향으로 그리고 얼마나 조정되어야 하는지가 명백해질 것이다. 물론, 시각적 디스플레이는 피드백 빔 정렬 신호를 전달하는 단지 한 방법일 뿐이며, (대안으로 또는 추가로) 다른 방법은 이 피드백을 청각적으로 또는 다른 적절한 수단에 의하여 제공하는 것을 포함할 수 있다.
또 다른 실시예에서, 이러한 디바이스는 완전히 자동화된 섬유 정렬을 제공할 수 있다. 이러한 실시예에서, 프로세서(560)는 프로세서의 제어 하의 조정 액추에이터에 연결될 수 있으며, 따라서 빔 정렬 센서(650)로부터의 신호를 기반으로 타겟 위치와 각도에 대해 빔 자동적으로 정렬시키기 위하여 프로세서는 (예를 들어, 조정 스크류(560, 570) 등을 통한) 빔 위치 및 각도의 조정을 작동시킨다. 이러한 실시예에서, 디스플레이(670)는 필요하지 않을 수 있다.
이 섬유 정렬 모니터링 툴이 섬유 커플링 조정 시간을; 예를 들어, 현재 전형적인 것으로서 대략 여러 시간에서 몇 분 정도까지 크게 줄일 수 있다는 것이 예상된다.
개시된 섬유 정렬 모니터링 툴이 정렬 센서를 위한 섬유로의 빔 커플링 정렬의 특정 적용 예에서 설명된 반면에, 이는 광섬유에 의하여 계측 디바이스에 전달되는 측정 방사선을 사용하는 임의의 계측 디바이스 (예를 들어, 스캐터로미터 기반 디바이스)의 빔 커플링 정렬을 위하여 사용될 수 있다.
본 발명의 특정 실시예가 위에서 설명되었지만, 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 점이 인식될 것이다.
위에서는 광학 리소그래피의 맥락에서 본 발명의 실시예의 이용에 대한 구체적인 참조가 이루질 수 있었지만, 본 발명은 다른 적용, 예를 들어 임프린트 리소그래피에 이용될 수 있으며 또한 문맥이 허용하는 경우 광학 리소그래피에 제한되지 않는다는 점이 인식될 것이다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝 디바이스에서의 토포그래피는 기판 상에 생성되는 패턴을 규정한다. 패터닝 디바이스의 토포그래피는 기판에 공급된 레지스트의 층으로 가압될 수 있으며, 그 위에서 전자기 방사선, 열, 압력 또는 이들의 조합을 가함으로써 레지스트는 경화된다. 패터닝 디바이스는 레지스트가 경화된 후 레지스트에 패턴을 남기고 레지스트 밖으로 이동된다.
본 명세서에서 사용된 용어 "방사선" 및 "빔"은 (예를 들어, 약 365, 355, 248, 193, 157, 또는 126㎚ 또는 이의 파장을 갖는) 자외(UV) 방사선 및 (예를 들어, 1 내지 100㎚의 범위 내의 파장을 갖는) 극자외(EUV) 방사선뿐만 아니라 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔을 포함하는 모든 유형의 전자기 방사선을 포함한다.
문맥이 허용하는 경우, 용어 "렌즈"는 굴절식, 반사식, 자기식, 전자기식 및 정전식 광학 구성 요소를 포함하는, 다양한 유형의 광학 구성 요소들 중 임의의 하나 또는 이들의 조합을 지칭할 수 있다. 반사식 구성 요소는 UV 및/또는 EUV 범위에서 작동하는 장치에 사용될 가능성이 있다.
본 발명의 폭과 범위는 위에서 설명된 예시적인 실시예들 중 임의의 것에 의하여 제한되어서는 안되며, 다음의 청구범위 및 그 등가물에 따라서만 규정되어야 한다.

Claims (18)

  1. 광섬유에 대한, 소스 모듈에 의하여 생성된 빔의 빔 정렬을 모니터링하기 위한 섬유 정렬 모니터링 툴에 있어서:
    상기 섬유 정렬 모니터링 툴을 상기 소스 모듈의 빔 조정 툴에 커플링하기 위한 커플링 배열체; 및
    빔 정렬을 감지하고 빔 정렬 상태를 나타내는 빔 정렬 신호를 제공하도록 작동 가능한 빔 정렬 센서를 포함하되, 상기 빔 정렬 상태는 상기 빔의 위치 상태 및/또는 각도 상태를 기술하는 것인, 섬유 정렬 모니터링 툴.
  2. 제1항에 있어서, 상기 빔 정렬 센서는 빔 정렬 신호가 상기 빔 정렬의 조정 동안 상기 빔 정렬 상태를 실시간으로 나타내도록 작동 가능한 섬유 정렬 모니터링 툴.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 섬유 정렬 모니터링 툴은 상기 빔 정렬 상태를 사용자에게 표시하기 위한 디스플레이를 포함하는 섬유 정렬 모니터링 툴.
  4. 제3항에 있어서, 상기 디스플레이는 상기 빔 정렬에 대한 하나 이상의 타겟 값의 시각적 표현을 표시하도록 그리고 하나 이상의 타겟 값의 상기 시각적 표현에 관하여 상기 빔 정렬 상태를 표시하도록 작동 가능한 섬유 정렬 모니터링 툴.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 디스플레이는 상기 위치 및/또는 각도의 각각을 개개의 변위 그리드 상에 표시하도록 작동 가능한 섬유 정렬 모니터링 툴.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 빔 정렬 상태는 빔 위치 상태 및 빔 각도 상태를 포함하는 섬유 정렬 모니터링 툴.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 소스 모듈은 계측 디바이스에 측정 방사선을 제공하기 위한 측정 방사선 소스 모듈을 포함하는 섬유 정렬 모니터링 툴.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 섬유 정렬 모니터링 툴은 상기 빔 정렬 신호를 수신하고 상기 빔 정렬 상태를 사용자에게 제공하도록 작동 가능한 프로세서를 포함하는 섬유 정렬 모니터링 툴.
  9. 제8항에 있어서, 상기 프로세서는 상기 프로세서의 제어 하에서 조정 액추에이터에 대한 작동 신호를 생성하도록 작동 가능하여, 상기 프로세서는 빔을 자동적으로 정렬하도록 상기 빔 정렬의 조정을 작동시키는 섬유 정렬 모니터링 툴.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 커플링 배열체는 빔 조정 단계 동안 상기 광섬유 대신 상기 섬유 정렬 모니터링 툴에 커플링되도록 구성된 섬유 정렬 모니터링 툴.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 섬유 정렬 모니터링 툴은 상기 빔을 상기 빔 정렬 센서로 지향시키기 위한 미러를 포함하는 섬유 정렬 모니터링 툴.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 섬유 정렬 모니터링 툴은 상기 섬유 커플링 배열체와 상기 빔 정렬 센서를 적어도 부분적으로 수용하기 위한 하우징을 포함하는 섬유 정렬 모니터링 툴.
  13. 소스 모듈에 의하여 생성된 빔을 광섬유에 대하여 정렬하는 방법에 있어서:
    섬유 정렬 모니터링 툴을 상기 소스 모듈의 빔 조정 툴에 부착하는 것; 및
    상기 섬유 정렬 모니터링 툴로부터 획득된 빔 정렬 상태에 따라 상기 빔을 정렬하기 위해 상기 빔 조정 툴을 이용하는 것을 포함하되, 상기 빔 정렬 상태는 상기 빔의 위치 및/또는 각도를 기술하는 것인, 빔 정렬 방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 섬유 정렬 모니터링 툴은 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 섬유 정렬 모니터링 툴을 포함하는, 빔 정렬 방법.
  15. 제13항 또는 제14항에 있어서, 상기 빔 정렬 상태는 빔 위치 상태 및 빔 각도 상태를 포함하는, 빔 정렬 방법.
  16. 제13항, 제14항 또는 제15항에 있어서, 상기 방법은 상기 빔을 정렬하는 상기 단계에서 상기 빔 정렬 상태의 시각적 표현을 참조하는 것을 포함하는, 빔 정렬 방법.
  17. 제13항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 소스 모듈은 측정 방사선을 계측 디바이스에 제공하기 위한 측정 방사선 소스 모듈을 포함하여, 상기 빔은 측정 방사선의 빔을 포함하는, 빔 정렬 방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 계측 디바이스는 리소그래피 장치 내의 정렬 센서이며, 상기 광섬유는 측정 방사선을 상기 정렬 센서에 전달하기 위한 광섬유를 포함하는, 빔 정렬 방법.
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