KR20240057853A - 분사 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR20240057853A
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송진욱
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김지호
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Abstract

내부면에 표면 거칠기가 형성되어 약액의 흘러내림을 방지할 수 있는 노즐을 포함하는 분사 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다. 상기 기판 처리 장치는, 기판을 지지하며, 기판을 회전시키는 스핀 헤드를 포함하는 기판 지지 유닛; 기판을 처리하는 데에 사용되는 기판 처리액을 회수하는 처리액 회수 유닛; 및 기판 상에 약액을 토출하는 제1 노즐과 기판 상에 순수를 토출하는 제2 노즐을 포함하며, 제1 노즐 및 제2 노즐을 통해 기판 상에 기판 처리액을 제공하는 분사 유닛을 포함하며, 제1 노즐의 내부면에는 표면 거칠기를 제공하는 패턴이 형성된다.

Description

분사 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 {Discharging unit and substrate treating apparatus including the same}
본 발명은 분사 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 세정 공정에 활용되는 분사 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 제조 공정은 반도체 제조 설비 내에서 연속적으로 수행될 수 있으며, 전공정 및 후공정으로 구분될 수 있다. 반도체 제조 설비는 반도체를 제조하기 위해 팹(Fab)으로 정의되는 반도체 제조 공장 내에 설치될 수 있다.
전공정은 웨이퍼(Wafer) 상에 회로 패턴을 형성하여 칩(Chip)을 완성하는 공정을 말한다. 전공정은 웨이퍼 상에 박막을 형성하는 증착 공정(Deposition Process), 포토 마스크(Photo Mask)를 이용하여 박막 상에 포토 레지스트(Photo Resist)를 전사하는 사진 공정(Photo Lithography Process), 웨이퍼 상에 원하는 회로 패턴을 형성하기 위해 화학 물질이나 반응성 가스를 이용하여 필요 없는 부분을 선택적으로 제거하는 식각 공정(Etching Process), 식각 후에 남아있는 포토 레지스트를 제거하는 에싱 공정(Ashing Process), 회로 패턴과 연결되는 부분에 이온을 주입하여 전자 소자의 특성을 가지도록 하는 이온 주입 공정(Ion Implantation Process), 웨이퍼 상에서 오염원을 제거하는 세정 공정(Cleaning Process) 등을 포함할 수 있다.
후공정은 전공정을 통해 완성된 제품의 성능을 평가하는 공정을 말한다. 후공정은 웨이퍼 상의 각각의 칩에 대해 동작 여부를 검사하여 양품과 불량을 선별하는 1차 검사 공정, 다이싱(Dicing), 다이 본딩(Die Bonding), 와이어 본딩(Wire Bonding), 몰딩(Molding), 마킹(Marking) 등을 통해 각각의 칩을 절단 및 분리하여 제품의 형상을 갖추도록 하는 패키지 공정(Package Process), 전기적 특성 검사, 번인(Burn In) 검사 등을 통해 제품의 특성과 신뢰성을 최종적으로 검사하는 최종 검사 공정 등을 포함할 수 있다.
세정 공정에서는 약액(Chemical)과 순수(DIW)를 차례대로 이용하여 기판 상에 잔류하는 이물질을 제거한 후, 최종적으로 건조 과정을 거쳐 기판 상에서 수분을 제거한다.
기판 상에서 수분을 제거하는 경우에는, IPA(Iso-Propyl Alcohol)를 기판 상에 분사하여 IPA의 성분이 수분과 치환되도록 하는 방법이 사용되고 있다. 그런데 IPA 분사가 종료된 이후에도 노즐(Nozzle)에 잔류하는 IPA가 기판의 표면으로 계속 흘러내려 기판이 완전히 건조되지 못하는 상황이 발생하거나, 기판이 완전 건조되기까지 걸리는 시간이 지연되는 문제가 발생하고 있다.
본 발명에서 해결하고자 하는 기술적 과제는, 내부면에 표면 거칠기가 형성되어 약액의 흘러내림을 방지할 수 있는 노즐을 포함하는 분사 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치의 일 면(Aspect)은, 기판을 지지하며, 상기 기판을 회전시키는 스핀 헤드를 포함하는 기판 지지 유닛; 상기 기판을 처리하는 데에 사용되는 기판 처리액을 회수하는 처리액 회수 유닛; 및 상기 기판 상에 약액을 토출하는 제1 노즐과 상기 기판 상에 순수를 토출하는 제2 노즐을 포함하며, 상기 제1 노즐 및 상기 제2 노즐을 통해 상기 기판 상에 상기 기판 처리액을 제공하는 분사 유닛을 포함하며, 상기 제1 노즐의 내부면에는 표면 거칠기를 제공하는 패턴이 형성된다.
상기 표면 거칠기를 제공하는 패턴은 상기 제1 노즐의 내부면 일부에 형성될 수 있다.
상기 표면 거칠기를 제공하는 패턴은 토출구에 인접하는 상기 제1 노즐의 말단부에 형성될 수 있다.
상기 표면 거칠기를 제공하는 패턴은 상기 토출구의 표면에 더 형성될 수 있다.
상기 표면 거칠기를 제공하는 패턴은 조도값이 0.4 ~ 5일 수 있다.
상기 표면 거칠기를 제공하는 패턴은 복수의 돌기를 포함하며, 상기 복수의 돌기는 일정한 모양을 가지지 않을 수 있다.
상기 표면 거칠기를 제공하는 패턴은 복수의 돌기를 포함하며, 상기 복수의 돌기는 일정한 모양을 가질 수 있다.
각각의 돌기는 제1 경사면과 제2 경사면을 포함하여 형성될 수 있다. 상기 제1 경사면의 경사 각도는 상기 제2 경사면의 경사 각도와 같을 수 있다. 또는, 상기 제1 경사면의 경사 각도는 상기 제2 경사면의 경사 각도와 다를 수 있다.
각각의 돌기는 수직면과 경사면을 포함하여 형성될 수 있다. 상기 경사면은 상기 제1 노즐의 설치 상태를 기준으로 상기 수직면보다 상부에 위치하거나, 또는 상기 경사면은 상기 제1 노즐의 설치 상태를 기준으로 상기 수직면보다 하부에 위치할 수 있다.
상기 표면 거칠기를 제공하는 패턴은 상기 제1 노즐의 내부를 관통하는 홀을 사출 성형하여 얻거나, 또는 상기 사출 성형 이후 상기 홀을 가공하여 얻을 수 있다.
상기 표면 거칠기를 제공하는 패턴은 상기 제2 노즐의 내부면에 더 형성될 수 있다.
상기 제1 노즐의 내부면에 형성되는 상기 표면 거칠기를 제공하는 패턴은 상기 제2 노즐의 내부면에 형성되는 상기 표면 거칠기를 제공하는 패턴보다 조도값이 더 클 수 있다.
상기 약액은 물보다 표면장력이 낮은 물질일 수 있다.
상기 약액은 IPA(Iso-Propyl Alcohol)일 수 있다.
상기 기판 처리 장치는 상기 약액을 이용하여 상기 기판을 건조시키는 장치일 수 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치의 다른 면은, 기판을 지지하며, 상기 기판을 회전시키는 스핀 헤드를 포함하는 기판 지지 유닛; 상기 기판을 처리하는 데에 사용되는 기판 처리액을 회수하는 처리액 회수 유닛; 및 상기 기판 상에 약액을 토출하는 제1 노즐과 상기 기판 상에 순수를 토출하는 제2 노즐을 포함하며, 상기 제1 노즐 및 상기 제2 노즐을 통해 상기 기판 상에 상기 기판 처리액을 제공하는 분사 유닛을 포함하며, 상기 제1 노즐의 내부면에는 표면 거칠기를 제공하는 패턴이 형성되고, 상기 표면 거칠기를 제공하는 패턴은 상기 제1 노즐의 내부면 일부에 형성되되, 토출구에 인접하는 상기 제1 노즐의 말단부에 형성되거나, 또는 상기 제1 노즐의 말단부와 상기 토출구의 표면에 형성되고, 상기 표면 거칠기를 제공하는 패턴은 조도값이 0.4 ~ 5이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 분사 유닛의 일 면은, 기판 상에 상기 기판 처리를 위한 기판 처리액을 제공하는 것으로서, 상기 기판 상에 약액을 토출하는 제1 노즐; 및 상기 기판 상에 순수를 토출하는 제2 노즐을 포함하며, 상기 제1 노즐의 내부면에는 표면 거칠기를 제공하는 패턴이 형성된다.
상기 표면 거칠기를 제공하는 패턴은 토출구에 인접하는 상기 제1 노즐의 말단부 및 상기 토출구의 표면에 형성될 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
도 1은 세정 공정에 활용되는 기판 처리 시스템의 내부 구성을 나타낸 블록도이다.
도 2는 세정 공정에 활용되는 기판 처리 장치의 내부 구조를 개략적으로 나타낸 예시도이다.
도 3은 노즐의 내부 구조와 약액의 표면 부착력 사이의 관계를 설명하기 위한 제1 예시도이다.
도 4는 노즐의 내부 구조와 약액의 표면 부착력 사이의 관계를 설명하기 위한 제2 예시도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐의 내부 구조를 개략적으로 나타낸 제1 예시도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐의 내부 구조를 개략적으로 나타낸 제2 예시도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐의 내부 구조를 개략적으로 나타낸 제3 예시도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐의 내부 구조를 개략적으로 나타낸 제4 예시도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐의 내부 구조를 개략적으로 나타낸 제5 예시도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐의 내부 구조를 개략적으로 나타낸 제6 예시도이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 도면 상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고, 이들에 대한 중복된 설명은 생략한다.
본 발명은 약액을 토출하는 분사 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. 상기 분사 유닛은 내부면에 표면 거칠기가 형성되어 약액의 흘러내림을 방지할 수 있는 노즐을 포함한다. 이하에서는 도면 등을 참조하여 본 발명에 대해 자세하게 설명하기로 한다.
도 1은 세정 공정에 활용되는 기판 처리 시스템의 내부 구성을 나타낸 블록도이다. 도 1에 따르면, 기판 처리 시스템(100)은 기판 처리 장치(110), 기판 처리액 제공 장치(120) 및 제어 장치(Controller; 130)를 포함하여 구성될 수 있다.
기판 처리 장치(110)는 약액(Chemical)을 이용하여 기판을 처리하는 것이다. 이러한 기판 처리 장치(110)는 약액을 이용하여 기판을 세정 처리하는 세정 공정 챔버(Cleaning Process Chamber)로 마련될 수 있다.
약액은 액체 상태의 물질(예를 들어, 유기용제)이거나, 기체 상태의 물질일 수 있다. 약액은 휘발성이 강하며, 흄(Fume)이 많이 발생하거나 점도가 높아 잔류성이 높은 물질들을 포함할 수 있다. 약액은 예를 들어, IPA(Iso-Propyl Alcohol) 성분을 포함하는 물질, 황산 성분을 포함하는 물질(예를 들어, 황산 성분과 과산화수소 성분을 포함하는 SPM), 암모니아수 성분을 포함하는 물질(예를 들어, SC-1(H2O2+NH4OH), 불산 성분을 포함하는 물질(예를 들어, DHF(Diluted Hydrogen Fluoride)), 인산 성분을 포함하는 물질 등에서 선택될 수 있다. 이하에서는 기판을 처리하는 데에 사용되는 이러한 약액들을 기판 처리액으로 정의하기로 한다.
기판 처리 장치(110)는 앞서 설명한 바와 같이 세정 공정에 적용되는 경우, 스핀 헤드(Spin Head)를 이용하여 기판을 회전시키고 노즐(Nozzle)을 이용하여 기판 상에 약액을 제공할 수 있다. 기판 처리 장치(110)는 이와 같이 액처리 챔버로 마련되는 경우, 도 2에 도시된 바와 같이 기판 지지 유닛(210), 처리액 회수 유닛(220), 승강 유닛(230) 및 분사 유닛(240)을 포함하여 구성될 수 있다.
도 2는 세정 공정에 활용되는 기판 처리 장치의 내부 구조를 개략적으로 나타낸 예시도이다. 이하 설명은 도 2를 참조한다.
기판 지지 유닛(210)은 기판(W)을 지지하는 모듈이다. 기판 지지 유닛(210)은 기판(W)을 처리할 때에, 제3 방향(30)에 대해 수직 방향(제1 방향(10) 및 제2 방향(20))으로 기판(W)을 회전시킬 수 있다. 기판 지지 유닛(210)은 기판(W) 처리시 사용되는 기판 처리액을 회수하기 위해, 처리액 회수 유닛(220)의 내부에 배치될 수 있다.
기판 지지 유닛(210)은 스핀 헤드(Spin Head; 211), 회전 축(212), 회전 구동 모듈(213), 서포트 핀(Support Pin; 214) 및 가이드 핀(Guide Pin; 215)을 포함하여 구성될 수 있다.
스핀 헤드(211)는 회전 축(212)의 회전 방향(제3 방향(30)의 수직 방향)을 따라 회전하는 것이다. 이러한 스핀 헤드(211)는 기판(W)의 형상과 동일한 형상을 가지도록 제공될 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 스핀 헤드(211)는 기판(W)의 형상과 서로 다른 형상을 가지도록 제공되는 것도 가능하다.
회전 축(212)은 회전 구동 모듈(213)로부터 제공되는 에너지를 이용하여 회전력을 발생시키는 것이다. 이러한 회전 축(212)은 회전 구동 모듈(213)과 스핀 헤드(211)에 각각 결합되어 회전 구동 모듈(213)에 의한 회전력을 스핀 헤드(211)에 전달할 수 있다. 스핀 헤드(211)는 회전 축(212)을 따라 회전하게 되며, 이 경우 스핀 헤드(211) 상에 안착되어 있는 기판(W)도 스핀 헤드(211)와 함께 회전할 수 있다.
서포트 핀(214) 및 가이드 핀(215)은 스핀 헤드(211) 상에서 기판(W)을 위치 고정시키는 것이다. 서포트 핀(214)은 이를 위해 스핀 헤드(211) 상에서 기판(W)의 저면을 지지하며, 가이드 핀(215)은 기판(W)의 측면을 지지한다. 서포트 핀(214) 및 가이드 핀(215)은 스핀 헤드(211) 상에 각각 복수 개 설치될 수 있다.
서포트 핀(214)은 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치될 수 있다. 서포트 핀(214)은 이를 통해 기판(W)이 스핀 헤드(211)의 상부로부터 일정 거리 이격될 수 있도록 기판(W)의 저면을 지지할 수 있다.
가이드 핀(215)은 척킹 핀(Chucking Pin)으로서, 스핀 헤드(211)가 회전할 때 기판(W)이 원래 위치에서 이탈되지 않도록 기판(W)을 지지할 수 있다.
처리액 회수 유닛(220)은 기판(W)을 처리하는 데에 이용되는 기판 처리액을 회수하는 것이다. 처리액 회수 유닛(220)은 기판 지지 유닛(210)을 둘러싸도록 설치될 수 있으며, 이에 따라 기판(W)에 대한 처리 공정이 수행되는 공간을 제공할 수 있다.
기판(W)이 기판 지지 유닛(210) 상에 안착 및 고정된 후, 기판 지지 유닛(210)에 의해 회전하기 시작하면, 분사 유닛(240)이 제어 장치(130)의 제어에 따라 기판(W) 상에 기판 처리액을 분사할 수 있다. 그러면, 기판 지지 유닛(210)의 회전력에 의해 발생되는 원심력으로 인해 기판(W) 상에 토출되는 기판 처리액은 처리액 회수 유닛(220)이 위치한 방향으로 분산될 수 있다. 이 경우, 처리액 회수 유닛(220)은 유입구(즉, 후술하는 제1 회수통(221)의 제1 개구부(224), 제2 회수통(222)의 제2 개구부(225), 제3 회수통(223)의 제3 개구부(226) 등)을 통해 기판 처리액이 그 내부로 유입되면 기판 처리액을 회수할 수 있다.
처리액 회수 유닛(220)은 복수 개의 회수통을 포함하여 구성될 수 있다. 처리액 회수 유닛(220)은 예를 들어, 세 개의 회수통을 포함하여 구성될 수 있다. 처리액 회수 유닛(220)이 이와 같이 복수 개의 회수통을 포함하여 구성되는 경우, 복수 개의 회수통을 이용하여 기판 처리 공정에 사용되는 기판 처리액을 분리하여 회수할 수 있으며, 이에 따라 기판 처리액의 재활용이 가능해질 수 있다.
처리액 회수 유닛(220)은 세 개의 회수통을 포함하여 구성되는 경우, 제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223)을 포함할 수 있다. 제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223)은 예를 들어, 보울(Bowl)로 구현될 수 있다.
제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223)은 서로 다른 기판 처리액을 회수할 수 있다. 예를 들어, 제1 회수통(221)은 린스액(예를 들어, DI Water(Deionized Water))을 회수할 수 있고, 제2 회수통(222)은 제1 약액을 회수할 수 있으며, 제3 회수통(223)은 제2 약액을 회수할 수 있다.
제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223)은 그 저면에서 아래쪽 방향(제3 방향(30))으로 연장되는 회수 라인(227, 228, 229)과 연결될 수 있다. 제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223)을 통해 회수되는 제1 처리액, 제2 처리액 및 제3 처리액은 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용 가능하게 처리될 수 있다.
제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223)은 기판 지지 유닛(210)을 둘러싸는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223)은 제1 회수통(221)으로부터 제3 회수통(223)으로 갈수록(즉, 제2 방향(20)으로) 그 크기가 증가할 수 있다. 제1 회수통(221) 및 제2 회수통(222) 사이의 간격을 제1 간격으로 정의하고, 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223) 사이의 간격을 제2 간격으로 정의하면, 제1 간격은 제2 간격과 동일할 수 있다. 그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 간격은 제2 간격과 상이한 것도 가능하다. 즉, 제1 간격은 제2 간격보다 클 수 있으며, 제2 간격보다 작을 수도 있다.
승강 유닛(230)은 처리액 회수 유닛(220)을 상하 방향(제3 방향(30))으로 직선 이동시키는 것이다. 승강 유닛(230)은 이를 통해 기판 지지 유닛(210)(또는 기판(W))에 대한 처리액 회수 유닛(220)의 상대 높이를 조절하는 역할을 할 수 있다.
승강 유닛(230)은 브라켓(231), 제1 지지축(232) 및 제1 구동 모듈(233)을 포함하여 구성될 수 있다.
브라켓(231)은 처리액 회수 유닛(220)의 외벽에 고정되는 것이다. 브라켓(231)은 제1 구동 모듈(233)에 의해 상하 방향으로 이동되는 제1 지지축(232)과 결합할 수 있다.
기판 지지 유닛(210) 상에 기판(W)을 안착시키는 경우, 기판 지지 유닛(210)은 처리액 회수 유닛(220)보다 상위에 위치할 수 있다. 마찬가지로, 기판 지지 유닛(210) 상에서 기판(W)을 탈착시키는 경우에도, 기판 지지 유닛(210)은 처리액 회수 유닛(220)보다 상위에 위치할 수 있다. 상기와 같은 경우, 승강 유닛(230)은 처리액 회수 유닛(220)을 하강시키는 역할을 할 수 있다.
기판(W)에 대한 처리 공정이 진행되는 경우, 기판(W) 상에 토출되는 기판 처리액의 종류에 따라 해당 처리액이 제1 회수통(221), 제2 회수통(222) 및 제3 회수통(223) 중 어느 하나의 회수통으로 회수될 수 있다. 이와 같은 경우에도, 승강 유닛(230)은 처리액 회수 유닛(220)을 해당 위치까지 승강시키는 역할을 할 수 있다. 예를 들어, 기판 처리액으로 제1 처리액을 사용하는 경우, 승강 유닛(230)은 기판(W)이 제1 회수통(221)의 제1 개구부(224)에 대응하는 높이에 위치하도록 처리액 회수 유닛(220)을 승강시킬 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 승강 유닛(230)이 기판 지지 유닛(210)을 상하 방향으로 직선 이동시켜 기판 지지 유닛(210)(또는 기판(W))에 대한 처리액 회수 유닛(220)의 상대 높이를 조절하는 것도 가능하다.
그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 승강 유닛(230)은 기판 지지 유닛(210) 및 처리액 회수 유닛(220)을 동시에 상하 방향으로 직선 이동시켜 기판 지지 유닛(210)(또는 기판(W))에 대한 처리액 회수 유닛(220)의 상대 높이를 조절하는 것도 가능하다.
분사 유닛(240)은 기판(W) 처리시 기판(W) 상에 기판 처리액을 공급하는 모듈이다. 이러한 분사 유닛(240)은 기판 처리 유닛(120) 내에 적어도 하나 설치될 수 있다. 분사 유닛(240)이 기판 처리 유닛(120) 내에 복수 개 설치되는 경우, 각각의 분사 유닛(240)은 서로 다른 기판 처리액을 기판(W) 상에 분사할 수 있다.
분사 유닛(240)은 노즐(241), 노즐 지지 모듈(242), 제2 지지축(243) 및 제2 구동 모듈(244)을 포함하여 구성될 수 있다.
노즐(241)은 노즐 지지 모듈(242)의 단부에 설치되는 것이다. 이러한 노즐(241)은 제2 구동 모듈(244)에 의해 공정 위치 또는 대기 위치로 이동될 수 있다.
상기에서, 공정 위치는 기판(W)의 상위 영역을 말하며, 대기 위치는 공정 위치를 제외한 나머지 영역을 말한다. 노즐(241)은, 기판(W) 상에 기판 처리액을 토출하는 경우, 공정 위치로 이동될 수 있으며, 기판(W) 상에 기판 처리액을 토출한 후, 공정 위치를 벗어나 대기 위치로 이동될 수 있다.
노즐 지지 모듈(242)은 노즐(241)을 지지하는 것이다. 이러한 노즐 지지 모듈(242)은 스핀 헤드(211)의 길이 방향에 대응하는 방향으로 연장 형성될 수 있다. 즉, 노즐 지지 모듈(242)은 그 길이 방향이 제2 방향(20)을 따라 제공될 수 있다.
노즐 지지 모듈(242)은 그 길이 방향에 대해 수직 방향으로 연장 형성되는 제2 지지축(243)과 결합될 수 있다. 제2 지지축(243)은 스핀 헤드(211)의 높이 방향에 대응하는 방향으로 연장 형성될 수 있다. 즉, 제2 지지축(243)은 그 길이 방향이 제3 방향(30)을 따라 제공될 수 있다.
제2 구동 모듈(244)은 제2 지지축(243) 및 상기 제2 지지축(243)과 연동되는 노즐 지지 모듈(242)을 회전 및 승강시키는 모듈이다. 제2 구동 모듈(244)의 이러한 기능에 따라, 노즐(241)은 공정 위치 또는 대기 위치로 이동될 수 있다.
다시 도 1을 참조하여 설명한다.
기판 처리액 제공 장치(120)는 기판 처리 장치(110)에 기판 처리액을 제공하는 것이다. 기판 처리액 제공 장치(120)는 이를 위해 기판 처리 장치(110)의 분사 유닛(240)과 연결될 수 있으며, 제어 장치(130)의 제어에 따라 작동할 수 있다.
제어 장치(130)는 기판 처리 장치(110)의 작동을 제어하는 것이다. 구체적으로, 제어 장치(130)는 기판 지지 유닛(210)의 회전 구동 모듈(213), 승강 유닛(230)의 제1 구동 모듈(233) 및 분사 유닛(240)의 제2 구동 모듈(244)의 작동을 제어할 수 있다.
제어 장치(130)는 프로세스 컨트롤러, 제어 프로그램, 입력 모듈, 출력 모듈(또는 표시 모듈), 메모리 모듈 등을 포함하여 컴퓨터나 서버 등으로 구현될 수 있다. 상기에서, 프로세스 컨트롤러는 기판 처리 장치(110)를 구성하는 각각의 구성에 대해 제어 기능을 실행하는 마이크로 프로세서를 포함할 수 있으며, 제어 프로그램은 프로세스 컨트롤러의 제어에 따라 기판 처리 장치(110)의 각종 처리를 실행할 수 있다. 메모리 모듈은 각종 데이터 및 처리 조건에 따라 기판 처리 장치(110)의 각종 처리를 실행시키기 위한 프로그램 즉, 처리 레시피가 저장되는 것이다.
한편, 제어 장치(130)는 필요시 기판 처리액 제공 장치(120)로부터 기판 처리 장치(110)로 기판 처리액이 공급될 수 있도록 기판 처리액 제공 장치(120)의 작동도 제어할 수 있다.
기판의 회로를 습식 또는 건식으로 식각하는 과정을 거치면 표면에 파티클(Particle) 또는 유기물 등이 잔류하게 되며, 이를 순수(DIW; De-Ionized Water, 또는 탈이온수)로 세정하는 과정을 거친 후 기판에 수분을 건조하여 마무리되는 소단위 공정이 진행된다. 이때 수분을 완전히 제거하지 못하면 회로의 형성을 방해하여 반도체 소자의 수율에 영향을 주게 된다.
일반적으로 기판의 수분을 건조하는 과정은 스핀 헤드(211)를 고속(예를 들어, 1500rpm ~ 2000rpm)으로 회전시켜 그 원심력으로 처리하는 방법, 표면장력이 물보다 낮은 IPA(Iso-Propyl Alcohol, 이소프로필 알콜)를 분사하여 수분을 치환하여 건조하는 방법 등 두 가지 방식으로 나뉘어진다. 상기에서, 전자의 방법은 수분을 완전히 제거하는 데에 어려움이 있어, 오늘날 후자의 방법이 수분을 제거하는 데에 더 많이 활용되고 있다.
그런데 후자의 방법 즉, IPA를 이용하여 기판의 수분을 제거하는 방법의 경우, 관로 내부의 표면이 매끄럽게 제작된 노즐을 IPA 분사 노즐로 사용하고 있으며, 상기 IPA 분사 노즐의 특성으로 기판(W) 상에 IPA를 분사하는 과정이 끝났는데도 상기 IPA 분사 노즐에 잔류하는 IPA가 기판(W)의 표면으로 흘러내려 회로가 완전히 건조되지 못하고, 이에 따라 반도체 소자의 수율을 저하시키는 부작용을 초래하고 있다.
따라서 본 실시예에서는 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 내부면에 표면 거칠기가 형성되어 약액의 흘러내림을 방지할 수 있는 분사 유닛(240)의 노즐에 대하여 제공한다. 이하에서는 이에 대해 자세하게 설명한다.
약액의 드롭(Drop)은 기판(W)과 노즐의 팁(Tip) 간 전위차로 인해 발생할 수 있다. 그런데 도 3에 도시된 바와 같이 노즐의 팁(310)의 내부 표면(320)이 매끄럽게 형성되면, 팁(310)의 내부 표면(320)과 약액(330) 간 부착력이 낮아지며, 이에 따라 약액(330)의 드롭이 쉽게 발생할 수 있다. 도 3은 노즐의 내부 구조와 약액의 표면 부착력 사이의 관계를 설명하기 위한 제1 예시도이다.
본 실시예에서는 도 4에 도시된 바와 같이 노즐의 팁(310)의 내부 표면(320)에 표면 거칠기(Surface Roughness)를 부여하여 팁(310)의 내부 표면(320)과 약액(330) 간 부착력을 강화하고, 이에 따라 약액(330)의 흘러내림을 방지할 수 있다. 특히, 본 실시예에서는 팁(310) 내부의 표면 거칠기를 최적화하여 팁(310)의 내부 표면(320)과 약액(330) 간 부착력을 최대화하는 것을 특징으로 한다. 도 4는 노즐의 내부 구조와 약액의 표면 부착력 사이의 관계를 설명하기 위한 제2 예시도이다.
상기에서, 팁(310)의 내부 표면(320)에 표면 거칠기가 부여되는 노즐은 분사 유닛(240)을 구성하는 복수의 노즐 중에서 약액을 토출하는 노즐이다. 구체적으로, 물보다 표면장력이 낮은 약액을 토출하는 노즐이다. 더 구체적으로, IPA를 토출하는 노즐이다. IPA의 경우, 표면 거칠기가 거칠수록 접촉각이 감소하며 팁(310)의 내부 표면(320)에 대한 IPA의 표면 부착력을 증가시킬 수 있다.
앞서 설명하였지만, 약액을 토출하는 노즐(410)에 있어서, 그 내부에 표면 거칠기를 부여하는 패턴(420)은 노즐(410) 내부의 일부 면에 형성될 수 있다. 예를 들어, 패턴(420)은 도 5에 도시된 바와 같이 토출구(440)에 인접하는 노즐(410)의 말단부(430)에 형성될 수 있다. 상기에서, 말단부(430)는 팁(Tip)을 의미할 수 있다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐의 내부 구조를 개략적으로 나타낸 제1 예시도이다.
그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 약액을 토출하는 노즐(410)에 있어서, 그 내부에 표면 거칠기를 부여하는 패턴(420)은 도 6에 도시된 바와 같이 토출구(440)에 인접하는 노즐(410)의 말단부(430)뿐만 아니라 토출구(440)의 표면에도 형성될 수 있다. 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐의 내부 구조를 개략적으로 나타낸 제2 예시도이다.
한편, 본 실시예에서는 이에 한정되지 않고, 표면 거칠기를 부여하는 패턴(420)을 노즐(410) 내부의 전체 면에 형성하는 것도 가능하다.
약액을 토출하는 노즐(410)에 있어서, 그 내부에 표면 거칠기를 부여하는 패턴(420)은 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이 불규칙적인 패턴으로 형성될 수 있다. 여기서, 불규칙적인 패턴이라 함은 노즐(410) 내부에 표면 거칠기를 제공하는 다수의 돌기가 일정한 모양을 가지지 않는다는 것을 의미한다.
그러나 본 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 약액을 토출하는 노즐(410)에 있어서, 그 내부에 표면 거칠기를 부여하는 패턴(420)은 규칙적인 패턴으로 형성되는 것도 가능하다. 즉, 노즐(410) 내부에 표면 거칠기를 제공하는 다수의 돌기가 일정한 모양을 가질 수 있다. 예를 들어, 규칙적인 패턴(510)은 삿갓 모양(∧)의 돌기 또는 ㅅ자 모양의 돌기가 연속되는 패턴일 수 있다.
상기의 경우, 규칙적인 패턴(510)은 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이 양쪽 경사면을 가질 수 있다. 또는, 규칙적인 패턴(510)은 도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이 한쪽 경사면을 가질 수 있다.
규칙적인 패턴(510)을 구성하는 다수의 돌기가 양쪽 경사면을 가지는 경우, 상기 돌기의 양쪽 경사면은 동일한 각도로 형성될 수 있다. 구체적으로 설명하면, 규칙적인 패턴(510)을 구성하는 다수의 돌기 중에서 어느 하나의 돌기(520)가 제1 경사면(520a)과 제2 경사면(520b)을 포함하여 형성되는 경우, 제1 경사면(520a)은 상승 곡선 또는 상승 직선에 따라 형성되며, 제2 경사면(520b)은 하강 곡선 또는 하강 직선에 따라 형성될 수 있다. 여기서, 제1 경사면(520a)의 경사 각도(θ1, 여기서 0° < θ1 < 90°)는 도 7에 도시된 바와 같이 제2 경사면(520b)의 경사 각도(θ2, 여기서 0° < θ2 < 90°)와 동일할 수 있다(θ1 = θ2).
도 7의 예시는 제1 경사면(520a)이 상승 직선에 따라 형성되고, 제2 경사면(520b)이 하강 직선에 따라 형성된 경우의 예시이다. 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐의 내부 구조를 개략적으로 나타낸 제3 예시도이다.
규칙적인 패턴(510)을 구성하는 다수의 돌기가 양쪽 경사면을 가지는 경우, 상기 돌기의 양쪽 경사면은 서로 다른 각도로 형성될 수도 있다. 구체적으로 설명하면, 규칙적인 패턴(510)을 구성하는 다수의 돌기 중에서 어느 하나의 돌기(520)가 제1 경사면(520a)과 제2 경사면(520b)을 포함하여 형성되는 경우, 제1 경사면(520a)은 상승 곡선 또는 상승 직선에 따라 형성되며, 제2 경사면(520b)은 하강 곡선 또는 하강 직선에 따라 형성될 수 있다. 여기서, 제1 경사면(520a)의 경사 각도(θ1, 여기서 0° < θ1 < 90°)는 도 8에 도시된 바와 같이 제2 경사면(520b)의 경사 각도(θ2, 여기서 0° < θ2 < 90°)와 서로 다를 수 있다(θ1 ≠ θ2).
도 8의 예시는 제1 경사면(520a)이 상승 직선에 따라 형성되고, 제2 경사면(520b)이 하강 직선에 따라 형성된 경우의 예시이다. 도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐의 내부 구조를 개략적으로 나타낸 제4 예시도이다.
규칙적인 패턴(510)을 구성하는 다수의 돌기가 한쪽 경사면을 가지는 경우, 상기 경사면은 하강 곡선 또는 하강 직선에 따라 형성될 수 있다. 구체적으로 설명하면, 규칙적인 패턴(510)을 구성하는 다수의 돌기 중에서 어느 하나의 돌기(520)는 제1 수직면(520c)과 제3 경사면(520d)으로 구성될 수 있는데, 도 9에 도시된 바와 같이 제1 수직면(520c)은 상승 직선에 따라 형성되며, 제3 경사면(520d)은 하강 곡선 또는 하강 직선에 따라 형성될 수 있다.
제1 수직면(520c)의 경사 각도(θ3, 여기서 θ3 = 90°)는 제3 경사면(520d)의 경사 각도(θ4, 여기서 0° < θ4 < 90°)보다 큰 값을 가진다. 도 9의 예시는 제1 수직면(520c)이 상승 직선에 따라 형성되고, 제3 경사면(520d)이 하강 직선에 따라 형성된 경우의 예시이다. 도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐의 내부 구조를 개략적으로 나타낸 제5 예시도이다.
규칙적인 패턴(510)을 구성하는 다수의 돌기가 한쪽 경사면을 가지는 경우, 상기 경사면은 상승 곡선 또는 상승 직선에 따라 형성될 수 있다. 구체적으로 설명하면, 규칙적인 패턴(510)을 구성하는 다수의 돌기 중에서 어느 하나의 돌기(520)는 제4 경사면(520e)과 제2 수직면(520f)으로 구성될 수 있는데, 도 10에 도시된 바와 같이 제4 경사면(520e)은 상승 곡선 또는 상승 직선에 따라 형성되며, 제2 수직면(520f)은 하강 직선에 따라 형성될 수 있다.
제2 수직면(520f)의 경사 각도(θ4, 여기서 θ4 = 90°)는 제4 경사면(520e)의 경사 각도(θ3, 여기서 0° < θ3 < 90°)보다 큰 값을 가진다. 도 10의 예시는 제4 경사면(520e)이 상승 직선에 따라 형성되고, 제2 수직면(520f)이 하강 직선에 따라 형성된 경우의 예시이다. 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐의 내부 구조를 개략적으로 나타낸 제6 예시도이다.
한편, 본 실시예에서 규칙적인 패턴(510)은 삿갓 모양(∧)의 돌기 또는 ㅅ자 모양의 돌기가 연속되는 패턴인 것에 제한되지 않는다. 즉, 규칙적인 패턴(510)은 반원 모양의 돌기가 연속되는 패턴일 수 있다. 또는, 규칙적인 패턴(510)은 반타원 모양의 돌기가 연속되는 패턴일 수 있다. 또는, 규칙적인 패턴(510)은 다각형 모양의 돌기가 연속되는 패턴일 수 있다.
본 실시예는 기판(W)의 제조 공정 중 습식 세정 과정을 거친 후 수분을 제거하는 기판 처리 장치(110)의 개선된 분사 유닛(240)에 관한 것이다. 본 실시예는 기판(W)의 건조 과정 중 분사 유닛(240)의 잔류 IPA 처리액이 기판(W)에 흘러내리지 않게 개선된 노즐(410)을 제공하기 위한 것이다. 분사 유닛(240)을 구성하는 다수의 노즐(241) 중에서 약액(예를 들어, IPA)을 토출하는 노즐(410)의 경우, 기판(W)에 처리액 분사가 완료된 이후 흘러내리지 않게 IPA의 부착력을 높이는 것이 본 발명의 핵심이라 할 수 있다.
본 발명은 기판 건조 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판(W)을 처리할 수 있는 공간이 제공되며, 투입된 기판(W)을 지지하는 스핀 헤드(211)가 회전하고, 처리액이 기판(W)에 분사되는 분사 유닛(240)을 포함하되, 상기 분사 유닛(240) 중 약액을 토출하는 노즐(410)의 내경에는 일정 수준의 거칠기가 형성될 수 있다.
일 실시예에 의거하면, 상기 거칠기는 노즐(410)의 일부분(예를 들어, 팁(Tip))에 형성될 수 있으며, 노즐(410) 내부에 골고루 형성될 수도 있다.
일 실시예에 의거하면, 상기 거칠기는 약액과 노즐(410)의 부착력을 최대한으로 증대시켜 주는 웬젤의 방정식에 근거할 수 있다. (Robert N. Wenzel, 1936, 고체와 액체의 경계면의 상관 관계 정의.)
웬젤의 방정식은 액체와 고체 경계면의 부착력에 관한 것으로서, 특히 거칠기가 있는 고체(예를 들어, 노즐(410))와 이에 접한 액체(예를 들어, IPA)의 경계면의 부착력을 정의하였다.
웬젤의 방정식은, 노즐(410)의 내부에 표면 거칠기가 형성되면 접촉각이 낮아져 IPA와의 부착력이 증대되는 이론적 근거를 나타내고 있다. 웬젤의 방정식은 다음과 같다.
Wa = γL(1 + cosθ)
상기에서, Wa는 노즐(410)의 내부 표면에 대한 약액의 부착력을 의미한다. 그리고, γL은 약액의 표면 장력을 의미하며, θ는 노즐(410)의 내부 표면과 약액 간 접촉각(Contact Angle)을 의미한다.
웬젤의 방정식에 따르면, 표면 거칠기를 제공하는 다수의 돌기들 사이로 유체 원자들이 정체하게 되어 노즐 내경의 유체 원자와의 인장력이 커지고, 또한 표면 거칠기에 의한 유체와 고체 경계면에서의 항력 저항의 증가로 인해 처리액의 흘러내림이 감소하게 된다.
일 실시예에 의거하면, 상기 거칠기는 조도(Ra; Roughness average)로 표현하기로 하며 본 실시예에서는 사출 조도(Ra 0.15 이하)보다 큰 0.4 Ra ~ 5 Ra에 만족하게 제작될 수 있다.
일 실시예에 의거하면, 상기 거칠기는 0.5 Ra ~ 5 Ra 사이에서 유효하나, 0.5 ± 0.3 Ra의 산포 수준에서 형성되도록 균일하게 제작하는 것이 IPA 흘러내림 방지에 유리하다. 또는, 노즐의 내부에 0.5 Ra ~ 5 Ra의 거칠기를 주되 ±0.3 Ra의 오차로 고루 형성하는 것이 IPA 흘러내림 방지에 유효하다.
일 실시예에 의거하면, 노즐은 기판면에 수직으로 설치되며, 내경 크기는 기판 처리 환경에 따라 얼마든지 변경이 가능하다.
일 실시예에 의거하면, 당업계 특수성에 따라 다양한 가공 방법의 적용이 가능하다. 노즐의 내경은 표면을 거칠게 하는 제작 과정을 수회 적용할 수 있으며, 그 방법은 당업계 제작 환경의 특수성에 따라 달라질 수 있다.
한편, 노즐을 제작하고, 그 내부에 약액이 통과하는 홀을 형성한 후, 그 홀 면을 매끄럽게 다듬을 수 있는데, 본 실시예에서는 이 과정을 생략하여 노즐의 내경에 거칠기가 형성되도록 할 수 있다. 또는, 본 실시예에서는 불규칙적 패턴 또는 규칙적 패턴과 같이 노즐의 내경에 거칠기를 인위적으로 형성하는 것도 가능하다.
일 실시예에 의거하면, 노즐의 내경의 표면 거칠기는 불규칙한 원형의 형태로 제작될 수 있다. 노즐의 내경의 거칠기 형상은 불규칙적인 형태를 띄며, 평균적인 조도값에서 벗어나 돌출되지 않을 수 있다.
기판 건조 처리액인 IPA는 표면장력(22dynes/cm)이 물(72dynes/cm)에 비해 3배 이하로 낮으며, 상기의 특성으로 수직으로 설치된 기존의 매끄러운 노즐에서는 처리액 공급이 완료되었음에도 IPA가 소량의 흘러내림 또는 분무 현상이 발생할 수 있다. 그 양은 스핀 헤드(211)의 회전수와 노즐의 내경 크기에 영향을 받게 되며, 흘러내린 IPA는 반도체 회로의 형성을 방해하여 수율에 영향을 주게 된다.
본 실시예에 의하면, 약액을 토출하는 노즐(410)의 내부 관로에 표면 거칠기를 부여하여 IPA의 부착력을 증대시켜 IPA가 흘러내리지 않게 하는 개선 효과를 가져올 수 있다. 즉, 노즐(410)의 표면 거칠기를 일정 수준 이상으로 거칠게 하면 노즐(410)과 IPA 간 부착력이 증가하게 되어 IPA 분사 완료 후 기판(W)으로 흘러내리지 않게 된다.
이상 도 1 내지 도 10을 참조하여 약액(예를 들어, IPA)을 토출하는 노즐, 순수(DIW)를 토출하는 노즐 등을 포함하는 분사 유닛(240) 및 이를 포함하는 기판 처리 장치(100)에 대하여 설명하였다. 또한, 약액을 토출하는 노즐(410)의 내부면에 표면 거칠기를 부여하는 패턴에 대해서도 설명하였다.
본 실시예에서는 노즐 내부의 표면 거칠기를 특정 수준으로 유지하여 IPA의 접촉각을 줄이고, 이에 따라 외력에 의한 IPA의 Drop을 방지할 수 있다. 표면 거칠기는 약액을 토출하는 노즐에 부여되고, 순수를 토출하는 노즐에 부여되지 않을 수 있다. 또는, 표면 거칠기는 약액을 토출하는 노즐과 순수를 토출하는 노즐 모두에 부여되되, 약액을 토출하는 노즐에 부여되는 표면 거칠기(Ra)가 순수를 토출하는 노즐에 부여되는 표면 거칠기(Ra)보다 큰 값을 가질 수 있다. 약액을 토출하는 노즐에 부여되는 표면 거칠기(Ra)는 순수를 토출하는 노즐에 부여되는 표면 거칠기(Ra)보다 3배 ~ 35배 큰 값을 가질 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 기판 처리 시스템 110: 기판 처리 장치
120: 기판 처리액 제공 장치 130: 제어 장치
210: 기판 지지 유닛 211: 스핀 헤드
220: 처리액 회수 유닛 230: 승강 유닛
240: 분사 유닛 310: 팁
320: 팁의 내부 표면 330: 약액
410: 노즐 420: 표면 거칠기 패턴
430: 노즐 말단부 440: 토출구
510: 규칙적 패턴 520: 돌기
520a: 제1 경사면 520b: 제2 경사면
520c: 제1 수직면 520d: 제3 경사면
520e: 제4 경사면 520f: 제2 수직면

Claims (20)

  1. 기판을 지지하며, 상기 기판을 회전시키는 스핀 헤드를 포함하는 기판 지지 유닛;
    상기 기판을 처리하는 데에 사용되는 기판 처리액을 회수하는 처리액 회수 유닛; 및
    상기 기판 상에 약액을 토출하는 제1 노즐과 상기 기판 상에 순수를 토출하는 제2 노즐을 포함하며, 상기 제1 노즐 및 상기 제2 노즐을 통해 상기 기판 상에 상기 기판 처리액을 제공하는 분사 유닛을 포함하며,
    상기 제1 노즐의 내부면에는 표면 거칠기를 제공하는 패턴이 형성되는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 표면 거칠기를 제공하는 패턴은 상기 제1 노즐의 내부면 일부에 형성되는 기판 처리 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 표면 거칠기를 제공하는 패턴은 토출구에 인접하는 상기 제1 노즐의 말단부에 형성되는 기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 표면 거칠기를 제공하는 패턴은 상기 토출구의 표면에 더 형성되는 기판 처리 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 표면 거칠기를 제공하는 패턴은 조도값이 0.4 ~ 5인 기판 처리 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 표면 거칠기를 제공하는 패턴은 복수의 돌기를 포함하며, 상기 복수의 돌기는 일정한 모양을 가지지 않는 기판 처리 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 표면 거칠기를 제공하는 패턴은 복수의 돌기를 포함하며, 상기 복수의 돌기는 일정한 모양을 가지는 기판 처리 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    각각의 돌기는 제1 경사면과 제2 경사면을 포함하여 형성되는 기판 처리 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제1 경사면의 경사 각도는 상기 제2 경사면의 경사 각도와 같은 기판 처리 장치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 제1 경사면의 경사 각도는 상기 제2 경사면의 경사 각도와 다른 기판 처리 장치.
  11. 제 7 항에 있어서,
    각각의 돌기는 수직면과 경사면을 포함하여 형성되는 기판 처리 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 표면 거칠기를 제공하는 패턴은 상기 제1 노즐의 내부를 관통하는 홀을 사출 성형하여 얻거나, 또는 상기 사출 성형 이후 상기 홀을 가공하여 얻는 기판 처리 장치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 표면 거칠기를 제공하는 패턴은 상기 제2 노즐의 내부면에 더 형성되는 기판 처리 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제1 노즐의 내부면에 형성되는 상기 표면 거칠기를 제공하는 패턴은 상기 제2 노즐의 내부면에 형성되는 상기 표면 거칠기를 제공하는 패턴보다 조도값이 더 큰 기판 처리 장치.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 약액은 물보다 표면장력이 낮은 물질인 기판 처리 장치.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 약액은 IPA(Iso-Propyl Alcohol)인 기판 처리 장치.
  17. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는 상기 약액을 이용하여 상기 기판을 건조시키는 기판 처리 장치.
  18. 기판을 지지하며, 상기 기판을 회전시키는 스핀 헤드를 포함하는 기판 지지 유닛;
    상기 기판을 처리하는 데에 사용되는 기판 처리액을 회수하는 처리액 회수 유닛; 및
    상기 기판 상에 약액을 토출하는 제1 노즐과 상기 기판 상에 순수를 토출하는 제2 노즐을 포함하며, 상기 제1 노즐 및 상기 제2 노즐을 통해 상기 기판 상에 상기 기판 처리액을 제공하는 분사 유닛을 포함하며,
    상기 제1 노즐의 내부면에는 표면 거칠기를 제공하는 패턴이 형성되고,
    상기 표면 거칠기를 제공하는 패턴은 상기 제1 노즐의 내부면 일부에 형성되되, 토출구에 인접하는 상기 제1 노즐의 말단부에 형성되거나, 또는 상기 제1 노즐의 말단부와 상기 토출구의 표면에 형성되고,
    상기 표면 거칠기를 제공하는 패턴은 조도값이 0.4 ~ 5인 기판 처리 장치.
  19. 기판 상에 상기 기판 처리를 위한 기판 처리액을 제공하는 것으로서,
    상기 기판 상에 약액을 토출하는 제1 노즐; 및
    상기 기판 상에 순수를 토출하는 제2 노즐을 포함하며,
    상기 제1 노즐의 내부면에는 표면 거칠기를 제공하는 패턴이 형성되는 분사 유닛.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 표면 거칠기를 제공하는 패턴은 토출구에 인접하는 상기 제1 노즐의 말단부 및 상기 토출구의 표면에 형성되는 분사 유닛.
KR1020220138566A 2022-10-25 2022-10-25 분사 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 KR20240057853A (ko)

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