KR20240055644A - Exposure method, exposure device, and article manufacturing method - Google Patents

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KR20240055644A
KR20240055644A KR1020230133051A KR20230133051A KR20240055644A KR 20240055644 A KR20240055644 A KR 20240055644A KR 1020230133051 A KR1020230133051 A KR 1020230133051A KR 20230133051 A KR20230133051 A KR 20230133051A KR 20240055644 A KR20240055644 A KR 20240055644A
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와타루 기지마
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캐논 가부시끼가이샤
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Abstract

원판과 기판과의 상대 위치를 주사 방향으로 주사시키면서 상기 원판의 패턴을 상기 기판 상의 제1 층에 노광하는 제1 층 노광 공정과, 상기 상대 위치를 상기 주사 방향으로 주사시키면서 상기 원판의 패턴을 상기 제1 층 상의 제2 층에 노광하는 제2 층 노광 공정을 포함하는 노광 방법이며, 상기 제1 층 노광 공정은, 상기 원판에 있어서의 패턴 형성 영역과, 상기 패턴 형성 영역에 대하여 상기 주사 방향으로 이격한 위치에 마련된 차광 영역과, 얼라인먼트 마크를 포함하는 제1 유효 영역을 상기 기판에 있어서의 제1 샷 영역에 전사하는 제1 공정과, 상기 패턴 형성 영역의 일부와, 상기 얼라인먼트 마크의 일부를 포함하는 제2 유효 영역을, 상기 제1 샷 영역에 있어서의 상기 차광 영역에 대응하는 영역에 중복하도록, 상기 기판에 있어서의 제2 샷 영역에 전사하는 제2 공정을 포함한다.A first layer exposure process of exposing a pattern of the original to a first layer on the substrate while scanning the relative positions of the original and the substrate in the scanning direction, and exposing the pattern of the original to the first layer while scanning the relative positions in the scanning direction. An exposure method comprising a second layer exposure process of exposing a second layer on a first layer, wherein the first layer exposure process is performed in the scan direction with respect to a pattern formation area in the original plate and the pattern formation area. A first step of transferring a first effective area including a light-shielding area provided at a spaced apart position and an alignment mark to a first shot area in the substrate, a part of the pattern forming area, and a part of the alignment mark. and a second step of transferring the included second effective area to a second shot area in the substrate so that it overlaps an area corresponding to the light-shielding area in the first shot area.

Figure P1020230133051
Figure P1020230133051

Description

노광 방법, 노광 장치 및 물품 제조 방법{EXPOSURE METHOD, EXPOSURE DEVICE, AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD}Exposure method, exposure device, and article manufacturing method {EXPOSURE METHOD, EXPOSURE DEVICE, AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD}

본 발명은 노광 방법, 노광 장치 및 물품 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to exposure methods, exposure apparatus, and article manufacturing methods.

액정 디스플레이나 유기 EL 디스플레이 등의 플랫 패널 디스플레이(FPD)나 반도체 디바이스 등의 제조에 있어서, 마스크 등의 원판의 패턴을, 감광재가 도포된 유리 플레이트나 웨이퍼 등의 기판에 전사하는 노광 장치가 사용된다. 이러한 노광 장치에서는, 기판 상의 패턴 영역에, 원판의 패턴을 고정밀도로 위치 정렬할 것이 요구되고 있다. 일반적으로는, 하층에 위치 정렬을 위한 얼라인먼트 마크를 형성하고, 상층의 노광 시에 하층에 형성된 얼라인먼트 마크를 계측함으로써, 하층에 형성된 패턴에 고정밀도로 중첩해서 상층에 패턴을 전사할 수 있다.In the manufacture of flat panel displays (FPDs) such as liquid crystal displays and organic EL displays, and semiconductor devices, an exposure device is used to transfer the pattern of an original plate such as a mask to a substrate such as a glass plate or wafer coated with a photosensitive material. . In such an exposure apparatus, it is required to align the original pattern with high precision in the pattern area on the substrate. In general, by forming an alignment mark for positional alignment on the lower layer and measuring the alignment mark formed on the lower layer during exposure of the upper layer, the pattern can be transferred to the upper layer by superimposing it on the pattern formed on the lower layer with high precision.

또한, 노광 장치에 의한 노광 공정에 있어서, 패널 레이아웃을 최적화하고, 기판을 낭비없이 이용함으로써 생산 비용을 저감할 것도 요구된다. 패널 레이아웃의 최적화를 하는 데 있어서, 원판의 사이즈가 제약이 될 수 있다. 예를 들어, 도 18의 (a)에 나타내는 바와 같은 원판(3)의 패턴(16)을, 도 18의 (b)의 기판(6)에 전사하는 경우에는, 도 18의 (b)에 나타내는 바와 같은 패널 레이아웃이 된다. 도 18의 (b)에서는, 영역(52)에 있어서 패널의 생산을 할 수 없는 불필요한 스페이스가 발생해버린다.Additionally, in the exposure process using an exposure apparatus, it is also required to reduce production costs by optimizing the panel layout and using the substrate without waste. When optimizing the panel layout, the size of the original plate can be a limitation. For example, when transferring the pattern 16 of the original plate 3 as shown in FIG. 18(a) to the substrate 6 in FIG. 18(b), the pattern 16 shown in FIG. 18(b) It has a bar-like panel layout. In Figure 18(b), unnecessary space is created in the area 52 where panels cannot be produced.

특허문헌 1에는, 원판의 패턴 모두를 전사하는 풀 샷 노광(제1 노광이라고도 칭한다)과, 원판의 패턴 일부(예를 들어, 절반)를 차광한 상태에서 전사하는 하프 샷 노광(제2 노광이라고도 칭한다)을 조합하는 방법이 개시되어 있다. 풀 샷 노광과 하프 샷 노광을 조합함으로써, 도 18의 (c)에 나타내는 바와 같은 패널 레이아웃으로 패널을 생산하는 것이 가능해져서, 쓸데없는 스페이스가 발생하지 않도록 패널 레이아웃을 최적화할 수 있다.Patent Document 1 discloses a full shot exposure (also referred to as first exposure) that transfers the entire pattern of the original plate, and a half shot exposure (also referred to as second exposure) that transfers a part (for example, half) of the pattern of the original plate while being shielded from light. A method of combining) is disclosed. By combining full-shot exposure and half-shot exposure, it becomes possible to produce a panel with a panel layout as shown in (c) of FIG. 18, and the panel layout can be optimized to avoid generating unnecessary space.

일본특허공개 제2010-85793호 공보Japanese Patent Publication No. 2010-85793

특허문헌 1에서는, 노광의 주사 방향에 대하여 직교하는 방향(X 방향)으로 풀 샷 노광과 하프 샷 노광을 행함으로써, 패널 레이아웃의 최적화를 실현할 수 있다. 마찬가지로 노광의 주사 방향(Y 방향)에 있어서도 쓸데없는 스페이스가 발생할 우려가 있어, X 방향과 마찬가지로 패널 레이아웃을 최적화할 것이 요구될 수 있다. 단순히 원판(3)의 일부 영역을 차폐해서 패턴을 형성한 경우에는 원하는 위치에 얼라인먼트 마크를 형성시킬 수 없어, 패턴의 형성 정밀도나 스루풋의 관점에서 불리해질 수 있다.In Patent Document 1, optimization of the panel layout can be realized by performing full shot exposure and half shot exposure in a direction (X direction) orthogonal to the scanning direction of exposure. Similarly, there is a risk of waste space occurring in the exposure scanning direction (Y direction), so it may be required to optimize the panel layout as in the X direction. If a pattern is formed by simply shielding a portion of the original plate 3, an alignment mark cannot be formed at a desired location, which may be disadvantageous in terms of pattern formation precision or throughput.

그래서, 본 발명은 패널 레이아웃을 최적화하는 데 있어서 유리한 노광 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.Therefore, the purpose of the present invention is to provide an exposure method that is advantageous in optimizing the panel layout.

상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 일 측면으로서의 노광 방법은, 원판과 기판의 상대 위치를 주사 방향으로 주사시키면서 상기 원판의 패턴을 상기 기판 상의 제1 층에 노광하는 제1 층 노광 공정과, 상기 상대 위치를 상기 주사 방향으로 주사시키면서 상기 원판의 패턴을 상기 제1 층 상의 제2 층에 노광하는 제2 층 노광 공정을 포함하는 노광 방법이며, 상기 제1 층 노광 공정은, 상기 원판에 있어서의 패턴 형성 영역과, 상기 패턴 형성 영역에 대하여 상기 주사 방향으로 이격한 위치에 마련된 차광 영역과, 얼라인먼트 마크를 포함하는 제1 유효 영역을 상기 기판에 있어서의 제1 샷 영역에 전사하는 제1 공정과, 상기 패턴 형성 영역의 일부와, 상기 얼라인먼트 마크의 일부를 포함하는 제2 유효 영역을, 상기 제1 샷 영역에 있어서의 상기 차광 영역에 대응하는 영역에 중복하도록, 상기 기판에 있어서의 제2 샷 영역에 전사하는 제2 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, an exposure method as one aspect of the present invention includes a first layer exposure process of exposing a pattern of the original plate to a first layer on the substrate while scanning the relative positions of the original plate and the substrate in the scanning direction; An exposure method comprising a second layer exposure process of exposing a pattern of the original plate to a second layer on the first layer while scanning the relative position in the scanning direction, wherein the first layer exposure process includes: A first process of transferring a first effective area including a pattern formation area, a light-shielding area provided at a position spaced apart from the pattern formation area in the scanning direction, and an alignment mark to a first shot area in the substrate. and a second effective area on the substrate such that a second effective area including a part of the pattern formation area and a part of the alignment mark overlaps with an area corresponding to the light-shielding area in the first shot area. It is characterized by comprising a second process of transferring to the shot area.

본 발명의 추가적인 특징은 예시적인 실시예에 대한 이하의 설명(첨부된 도면을 참조하여)으로부터 명백해질 것이다.Additional features of the invention will become apparent from the following description of exemplary embodiments (with reference to the accompanying drawings).

도 1은 Y 방향으로 패널수가 다른 레이아웃을 도시한 도면이다.
도 2는 얼라인먼트 마크와 계측부의 위치 관계를 도시하는 도면이다.
도 3은 비교예 1을 도시하는 도면이다.
도 4는 비교예 2를 도시하는 도면이다.
도 5는 X 방향으로부터 본 노광 장치의 구성을 도시하는 도면이다.
도 6은 Y 방향으로부터 본 노광 장치의 구성을 도시하는 도면이다.
도 7은 제1 실시 형태에 있어서의 원판과 기판을 도시한 도면이다.
도 8은 제1 실시 형태에 있어서의 노광의 흐름도이다.
도 9는 제1 실시 형태에 있어서의 하지층의 노광 방법을 도시한 도면이다.
도 10은 제1 실시 형태에 있어서의 상지층의 노광 방법을 도시한 도면이다.
도 11은 제1 실시 형태에 있어서의 샷수가 증가했을 때의 노광 방법을 도시한 도면이다.
도 12는 제2 실시 형태에 있어서의 원판과 기판을 도시한 도면이다.
도 13은 제2 실시 형태에 있어서의 노광의 흐름도이다.
도 14는 제2 실시 형태에 있어서의 노광 영역을 도시한 도면이다.
도 15는 제2 실시 형태에 있어서의 좌우 샷의 위치 관계를 도시한 도면이다.
도 16은 제2 실시 형태에 있어서의 상하 샷의 위치 관계를 도시한 도면이다.
도 17은 물품 제조 방법의 흐름도이다.
도 18은 X 방향으로 패널수가 다른 레이아웃을 도시한 도면이다.
Figure 1 is a diagram showing a layout with different numbers of panels in the Y direction.
Figure 2 is a diagram showing the positional relationship between the alignment mark and the measurement unit.
Figure 3 is a diagram showing Comparative Example 1.
Figure 4 is a diagram showing Comparative Example 2.
FIG. 5 is a diagram showing the configuration of the exposure apparatus viewed from the X direction.
FIG. 6 is a diagram showing the configuration of the exposure apparatus viewed from the Y direction.
Fig. 7 is a diagram showing the original plate and substrate in the first embodiment.
Fig. 8 is a flowchart of exposure in the first embodiment.
Fig. 9 is a diagram showing a method for exposing the base layer in the first embodiment.
Fig. 10 is a diagram showing a method for exposing the upper paper layer in the first embodiment.
Fig. 11 is a diagram showing an exposure method when the number of shots increases in the first embodiment.
Fig. 12 is a diagram showing the original plate and substrate in the second embodiment.
Fig. 13 is a flowchart of exposure in the second embodiment.
Fig. 14 is a diagram showing an exposure area in the second embodiment.
Fig. 15 is a diagram showing the positional relationship between left and right shots in the second embodiment.
Fig. 16 is a diagram showing the positional relationship between upper and lower shots in the second embodiment.
17 is a flow chart of a method for manufacturing an article.
Figure 18 is a diagram showing a layout with different numbers of panels in the X direction.

이하에, 본 발명의 바람직한 실시 형태를 첨부의 도면에 기초하여 상세하게 설명한다. 또한, 각 도면에 있어서, 동일한 부재에 대해서는 동일한 참조 번호를 첨부하고, 중복된 설명은 생략한다.Below, preferred embodiments of the present invention will be described in detail based on the attached drawings. In addition, in each drawing, the same reference numbers are attached to the same members, and duplicate descriptions are omitted.

<제1 실시 형태><First embodiment>

(노광 장치의 구성)(Configuration of exposure device)

도 5는 노광 장치(100)의 구성을 도시하는 개략도이다. 본 실시 형태에 있어서의 노광 장치는, 반도체 디바이스나, 플랫 패널 디스플레이(FPD) 등의 디바이스를 제조할 때의 리소그래피 공정에 사용되는 장치이다. 노광 장치는 원판(마스크)의 패턴을 레지스트가 도포된 기판에 전사하는 것으로, 기판의 패턴 영역에 잠상 패턴을 형성한다. 본 실시 형태에 있어서의 노광 장치는, 투영 광학계를 통해 원판의 패턴을 기판에 있어서의 복수의 패턴 영역에 전사하는, 소위 스텝 앤드 스캔 방식의 주사 노광 장치이다.FIG. 5 is a schematic diagram showing the configuration of the exposure apparatus 100. The exposure apparatus in this embodiment is an apparatus used in a lithography process when manufacturing devices such as semiconductor devices and flat panel displays (FPD). The exposure device transfers the pattern of the original plate (mask) to a substrate coated with resist, forming a latent image pattern in the pattern area of the substrate. The exposure apparatus in this embodiment is a so-called step-and-scan scanning exposure apparatus that transfers the pattern of the original plate to a plurality of pattern areas on the substrate through a projection optical system.

본 실시 형태에 있어서, 기판 스테이지(7)에 의한 기판 지지면과 평행한 면을 XY 평면으로 한 XYZ 좌표계로 나타낸다. 기판의 주사 방향을 Y 방향으로 하고, 기판 지지면과 평행하고 또한 Y 방향과 직교하는 방향을 X 방향으로 하고, X 방향 및 Y 방향과 수직인 방향을 Z 방향으로 한다. 또한, Z 방향 중심의 회전을 θ, X 방향 중심의 회전을 Pitch, Y 방향 중심의 회전을 Roll로 한다. 도 5는 노광 장치를 X 방향으로부터 본 YZ 평면에서 나타내고 있다. 도 6은 노광 장치를 Y 방향으로부터 본 XZ 평면에서 나타낸 개략도이다.In this embodiment, the plane parallel to the substrate support surface of the substrate stage 7 is expressed as an XYZ coordinate system with the XY plane. The scanning direction of the substrate is the Y direction, the direction parallel to the substrate support surface and perpendicular to the Y direction is the X direction, and the direction perpendicular to the X and Y directions is the Z direction. Additionally, the rotation around the Z direction is set to θ, the rotation around the X direction is set to Pitch, and the rotation around the Y direction is set to Roll. FIG. 5 shows the exposure apparatus in the YZ plane viewed from the X direction. Fig. 6 is a schematic diagram showing the exposure apparatus in the XZ plane viewed from the Y direction.

노광 장치(100)는 원판(3)을 탑재하는 원판 스테이지(4)와, 기판(6)을 탑재하는 기판 스테이지(7)와, 원판(3)을 조명하는 조명 광학계(1)와, 원판(3)의 패턴을 기판(6)에 투영하는 투영 광학계(5)를 포함한다. 원판(3)과 기판(6)은 투영 광학계(5)를 통해 광학적으로 거의 공액인 위치(투영 광학계(5)의 물체면 및 상면)에 배치된다. 얼라인먼트 계측부(2)(제1 계측부)는 원판 상의 마크군(22) 및 기판 상의 마크군(23)을 계측한다. 오프 액시스 계측부(9)(제2 계측부)는 기판 상의 마크군(23)을 계측한다. 제어부(12)는 노광 장치(100)의 각 구동 기구의 구동량의 결정 및 제어를 행한다.The exposure apparatus 100 includes an original plate stage 4 on which the original plate 3 is mounted, a substrate stage 7 on which the substrate 6 is mounted, an illumination optical system 1 that illuminates the original plate 3, and an original plate ( It includes a projection optical system 5 that projects the pattern of 3) onto the substrate 6. The original plate 3 and the substrate 6 are disposed through the projection optical system 5 at optically almost conjugate positions (object plane and image plane of the projection optical system 5). The alignment measurement unit 2 (first measurement unit) measures the mark group 22 on the original plate and the mark group 23 on the substrate. The off-axis measurement unit 9 (second measurement unit) measures the mark group 23 on the substrate. The control unit 12 determines and controls the drive amount of each drive mechanism of the exposure apparatus 100.

조명 광학계(1)는, 도시하지 않은 초고압 수은 램프 등의 광원부, 파장 선택 필터, 렌즈군, 셔터 등으로 구성된다. 조명 광학계(1)는 노광에 적합한 파장의 광을 원판(3)에 조사한다. 원판(3)을 탑재한 원판 스테이지(4)는, 제어부(12)에 의한 제어 하에, 도시하지 않은 구동 기구에 의해 Y 방향으로 주사된다. 원판 스테이지(4)에는 도시하지 않은 반사경이 배치되고, 원판 스테이지(4) 밖에 배치된 도시하지 않은 레이저 간섭계로부터의 계측광을 반사한다. 레이저 간섭계는 반사된 계측광을 받고, 원판 스테이지(4)의 위치를 상시 감시, 계측한다. 제어부(12)는 레이저 간섭계에 의한 계측 결과에 기초하여 원판 스테이지(4)의 위치 및 속도의 제어를 행한다.The illumination optical system 1 is composed of a light source such as an ultra-high pressure mercury lamp (not shown), a wavelength selection filter, a lens group, a shutter, etc. The illumination optical system 1 irradiates the original plate 3 with light of a wavelength suitable for exposure. The disc stage 4 on which the disc 3 is mounted is scanned in the Y direction by a drive mechanism (not shown) under control by the control unit 12. A reflector, not shown, is disposed on the disc stage 4, and reflects measurement light from a laser interferometer, not shown, placed outside the disc stage 4. The laser interferometer receives the reflected measurement light and constantly monitors and measures the position of the disk stage 4. The control unit 12 controls the position and speed of the original stage 4 based on the measurement results by the laser interferometer.

투영 광학계(5)는 도시하지 않은 미러 및 렌즈를 갖고 노광광을 반사, 굴절시킴으로써, 원판(3)에 형성되어 있는 패턴을 기판(6)에 투영한다. 또한, 미러 및 렌즈는 제어부(12)에 의한 제어 하에, 도시하지 않은 구동 기구에 의해 Z, Pitch, Roll 방향으로 구동되고, 임의의 배율, 시프트, 포커스를 발생시킨다. 투영 광학계(5)는, 소정의 투영 배율(예를 들어, 등배, 1/2배, 2배 등)을 갖고, 원판(3)에 형성된 패턴을 기판(6)에 투영한다.The projection optical system 5 has a mirror and lens (not shown) and reflects and refracts the exposure light to project the pattern formed on the original plate 3 onto the substrate 6. Additionally, the mirror and lens are driven in the Z, pitch, and roll directions by a drive mechanism (not shown) under control by the control unit 12, and generate arbitrary magnification, shift, and focus. The projection optical system 5 has a predetermined projection magnification (for example, equal magnification, 1/2 magnification, 2 magnification, etc.) and projects the pattern formed on the original plate 3 onto the substrate 6 .

기판(6)을 탑재한 기판 스테이지(7)는 제어부(12)에 의한 제어 하에, 도시하지 않은 구동 기구에 의해 X, Y, Z, θ, Pitch, Roll 방향으로 구동된다. 기판 스테이지(7)에는 도시하지 않은 반사경이 복수 배치되고, 기판 스테이지(7) 밖에 배치된 도시하지 않은 레이저 간섭계로부터의 계측광을 반사한다. 레이저 간섭계는 반사된 계측광을 받고, 기판 스테이지(7)의 위치를 상시 감시, 계측한다. 제어부(12)는 레이저 간섭계에 의한 계측 결과에 기초하여 기판 스테이지(7)의 위치 및 속도 제어를 행한다.The substrate stage 7 on which the substrate 6 is mounted is driven in the X, Y, Z, θ, Pitch, and Roll directions by a drive mechanism (not shown) under the control of the control unit 12. A plurality of reflectors, not shown, are arranged on the substrate stage 7 and reflect measurement light from a laser interferometer, not shown, placed outside the substrate stage 7. The laser interferometer receives the reflected measurement light and constantly monitors and measures the position of the substrate stage 7. The control unit 12 controls the position and speed of the substrate stage 7 based on the measurement results by the laser interferometer.

차광판(8a, 8b)은 원판(3)의 특정한 유효 영역만을 기판(6) 상에 노광하기 위해서 노광광을 차단한다. 차광판(8a)은 도시하지 않은 구동 기구를 갖고, Y 방향으로 구동되어, 원판(3) 상의 Y 방향의 유효 영역을 제한한다. 차광판(8b)은 도시하지 않은 구동 기구를 갖고, X 방향으로 구동되어, 원판(3) 상의 X 방향의 유효 영역을 제한한다.The light blocking plates 8a and 8b block exposure light to expose only a specific effective area of the original plate 3 on the substrate 6. The light blocking plate 8a has a drive mechanism (not shown) and is driven in the Y direction to limit the effective area in the Y direction on the original plate 3. The light blocking plate 8b has a drive mechanism (not shown) and is driven in the X direction to limit the effective area in the X direction on the disk 3.

얼라인먼트 계측부(2)는, 도시하지 않은 구동 기구를 갖고, XY 방향으로 구동된다. 또한 포커스 조정 기구를 갖고, 원판 상의 마크군(22) 및 기판 상의 마크군(23)을 계측한다. 기판 상의 마크군(23)을 계측할 때에는, 투영 광학계(5)를 통해 계측한다. 오프 액시스 계측부(9)는 도시하지 않은 구동 기구를 갖고, X 방향으로 구동되어, 기판 상의 마크군(23)을 계측한다. 노광 장치(100)는 얼라인먼트 계측부(2) 및 오프 액시스 계측부(9)의 각각의 위치를 기판(6) 상에 형성되어 있는 마크 군에 맞춤으로써, 복수의 마크를 동시에 계측할 수 있다. 얼라인먼트 계측부(2) 및 오프 액시스 계측부(9)에는, 노광광과는 다른 파장을 갖는 광원(비노광광)이 사용될 수 있다.The alignment measurement unit 2 has a drive mechanism (not shown) and is driven in the XY direction. It also has a focus adjustment mechanism, and measures the mark group 22 on the original plate and the mark group 23 on the substrate. When measuring the mark group 23 on the substrate, it is measured through the projection optical system 5. The off-axis measurement unit 9 has a drive mechanism (not shown) and is driven in the X direction to measure the mark group 23 on the substrate. The exposure apparatus 100 can measure a plurality of marks simultaneously by matching the respective positions of the alignment measurement unit 2 and the off-axis measurement unit 9 to the mark group formed on the substrate 6. A light source (non-exposure light) having a different wavelength from the exposure light may be used in the alignment measurement unit 2 and the off-axis measurement unit 9.

제어부(12)는 얼라인먼트 계측부(2) 및 오프 액시스 계측부(9)에서 계측한 마크 위치 정보에 기초하여, 노광 시의 각 구동 기구의 구동량을 결정하는 처리를 행하는 처리부로서 기능한다. 제어부(12)는 데이터 보유부(13), 구동량 연산부(14), 구동 지시부(15)로 구성된다. 데이터 보유부(13)는 레이아웃 정보, 얼라인먼트 계측부(2) 및 오프 액시스 계측부(9)에서 계측한 마크 위치 정보, 각종 구동축의 구동 오프셋, 민감도 등의 구동 파라미터, 노광 장치에서 취득한 각종 계측 데이터를 보유한다. 구동량 연산부(14)는 데이터 보유부(13)에 보유되어 있는 데이터로부터 일반적 통계 방법을 사용해서 X, Y 방향의 시프트, 회전, 배율 등의 각종 보정 성분을 계산한다. 또한, 구동량 연산부(14)는 구동 파라미터 및 계산된 보정 성분에 기초하여 각종 구동축의 구동 지시량을 결정한다. 구동 지시부(15)는, 구동량 연산부(14)에서 결정한 각 구동 기구에 대한 구동 지시량을 사용하여, 각 구동 기구에 대한 구동 지시를 출력한다. 또한, 제어부(12)는, 그 하드웨어 구성으로 하고, 예를 들어 CPU(중앙 처리 장치) 및 메모리를 포함하는 컴퓨터 장치에 의해 구성된다. 이 경우, 데이터 보유부(13)는 메모리에 의해 실현되어, 구동량 연산부(14) 및 구동 지시부(15)는 CPU에 의해 실현된다.The control unit 12 functions as a processing unit that determines the drive amount of each drive mechanism during exposure based on the mark position information measured by the alignment measurement unit 2 and the off-axis measurement unit 9. The control unit 12 is composed of a data holding unit 13, a drive amount calculation unit 14, and a drive instruction unit 15. The data holding unit 13 holds layout information, mark position information measured by the alignment measuring unit 2 and the off-axis measuring unit 9, driving parameters such as driving offsets and sensitivities of various driving axes, and various measurement data acquired from the exposure device. do. The drive amount calculation unit 14 calculates various correction components such as shift, rotation, and magnification in the X and Y directions using general statistical methods from the data held in the data holding unit 13. Additionally, the drive amount calculation unit 14 determines drive instruction amounts for various drive shafts based on the drive parameters and calculated correction components. The drive instruction unit 15 uses the drive instruction amount for each drive mechanism determined by the drive amount calculation unit 14 to output a drive instruction for each drive mechanism. Additionally, the control unit 12 has its hardware configuration and is configured, for example, by a computer device including a CPU (central processing unit) and memory. In this case, the data holding unit 13 is realized by memory, and the drive amount calculation unit 14 and drive instruction unit 15 are realized by CPU.

또한, 이하에서 설명하는 도면 1, 3, 4, 7, 12에 있어서, (a)는 원판(3)의 패널 레이아웃을 도시하는 도면이고, (b)는 기판(6)에 형성되는 패턴의 레이아웃을 도시하는 도면이다.In addition, in Figures 1, 3, 4, 7, and 12 described below, (a) is a diagram showing the panel layout of the original plate 3, and (b) is a diagram showing the layout of the pattern formed on the substrate 6. This is a drawing showing .

(비교예 1)(Comparative Example 1)

본 실시 형태의 비교예 1로서, 도 1과 같은 경우를 상정한다. 도 1의 (a)와 같이 원판(3)의 Y 방향으로 4행분의 패널부(16)를 배치할 수 있는 데 반해, 도 1의 (b)와 같이 기판(6)의 Y 방향으로는 7행분의 패널을 생산하는 스페이스가 있다. 그래서, Y 방향으로 4행분의 패널부(16)의 샷(19)의 노광(제1 노광)과, Y 방향으로 3행분의 패널부(16)의 샷(20)의 노광(제2 노광)을 행함으로써, 패널 레이아웃을 최적화하는 것이, 생산성의 관점에서 바람직하다. 또한, 제2 노광에 있어서, 차광 기구 등에 의해 1행분의 패널을 차광함으로써, 상기 노광을 가능하게 한다.As Comparative Example 1 of this embodiment, the same case as in FIG. 1 is assumed. While 4 rows of panel parts 16 can be arranged in the Y direction of the original plate 3 as shown in Figure 1 (a), there are 7 rows of panel parts 16 in the Y direction of the substrate 6 as shown in Figure 1 (b). There is space to produce rows of panels. Therefore, exposure of shots 19 of 4 rows of panel portion 16 in the Y direction (first exposure), and exposure of shots 20 of 3 rows of panel portion 16 in the Y direction (second exposure) It is desirable from the viewpoint of productivity to optimize the panel layout by performing . Additionally, in the second exposure, the exposure is made possible by shielding one row of panels from light using a light blocking mechanism or the like.

여기서, 도 2의 (a)에 나타내는 바와 같이, 얼라인먼트 계측부(2)는 원호상의 파선부 r1 상을 구동하고, 오프 액시스 계측부(9a, 9b)는 X 방향의 직선 구동과 Y 방향의 직선 구동의 조합에 의해 영역 r2 상을 구동하고, 직선상의 파선부 r3 상을 구동하는 경우를 상정한다. 도 2의 (b)에 나타내는 바와 같이, 샷의 형상을 고정밀도로 계측하기 위해서, 얼라인먼트 마크(10)는 패널부(16)의 영역 외에 배치되고, 노광 샷(21)의 외주부 근방에 배치되도록 얼라인먼트 마크(10a 내지 10f)의 위치가 결정될 수 있다. 얼라인먼트 마크(10a 내지 10f)의 위치 X가 결정되면, 얼라인먼트 계측부(2) 및 오프 액시스 계측부(9a 내지 9d)의 구동 위치 X가 결정된다. 그리고, 얼라인먼트 계측부(2)는 구동 위치 X가 결정하면 그에 대응해서 구동 위치 Y도 결정하고, 얼라인먼트 마크(10c, 10d)의 위치 Y도 결정된다. 또한, 오프 액시스 계측부(9a, 9b)의 구동 위치 Y는 얼라인먼트 마크(10a와 10e)(또는 10b와 10f) 사이의 거리와, 오프 액시스 계측부(9a, 9c)(또는, 9b와 9d) 사이의 거리가 동일해지도록 결정된다.Here, as shown in Fig. 2(a), the alignment measurement unit 2 drives on the circular arc-shaped broken line part r1, and the off-axis measurement units 9a and 9b perform the linear drive in the X direction and the linear drive in the Y direction. It is assumed that the area r2 is driven by combination, and the linear broken line part r3 is driven. As shown in FIG. 2(b), in order to measure the shape of the shot with high precision, the alignment mark 10 is arranged outside the area of the panel portion 16 and is aligned so as to be arranged near the outer periphery of the exposure shot 21. The positions of the marks 10a to 10f may be determined. Once the positions X of the alignment marks 10a to 10f are determined, the driving positions Then, when the driving position Additionally, the driving position Y of the off-axis measurement units 9a and 9b is the distance between the alignment marks 10a and 10e (or 10b and 10f) and the distance between the off-axis measurement units 9a and 9c (or 9b and 9d). The distance is determined to be the same.

도 1의 (b)의 패널 레이아웃이 되도록 제1 노광, 제2 노광을 행하면 도 3의 (b)와 같이 노광이 행해진다. 또한, 도 3의 (a)에 나타내는 바와 같이, 얼라인먼트 마크(10a 내지 10f)에 더하여, 다른 얼라인먼트 마크(10g, 10h)가 원판(3)에 마련되어 있다. 샷(20)의 얼라인먼트 마크를 얼라인먼트 계측부(2) 및 오프 액시스 계측부(9)에서 동시 계측하기 위해서는, 오프 액시스 계측부(9)를 동시 계측 가능한 소정의 위치에 구동할 필요가 있다.When the first exposure and the second exposure are performed to achieve the panel layout of FIG. 1(b), exposure is performed as shown in FIG. 3(b). Additionally, as shown in Fig. 3(a), in addition to the alignment marks 10a to 10f, other alignment marks 10g and 10h are provided on the original plate 3. In order to simultaneously measure the alignment mark of the shot 20 by the alignment measurement unit 2 and the off-axis measurement unit 9, it is necessary to drive the off-axis measurement unit 9 to a predetermined position where simultaneous measurement can be performed.

본 실시 형태에 있어서, 「동시 계측」이란 얼라인먼트 계측부(2)나 오프 액시스 계측부(9), 기판(6) 등을 구동시키지 않고, 복수의 얼라인먼트 마크를 얼라인먼트 계측부(2) 및 오프 액시스 계측부(9)에 의해 계측하는 것을 가리킨다. 즉, 각 계측부에 의한 계측 타이밍이나 계측 기간이 완전히 동일하지 않은 경우도, 각 부를 구동시키지 않고 복수의 얼라인먼트 마크를 계측하고 있는 경우에는 동시 계측의 범위 내라고 정의된다.In this embodiment, “simultaneous measurement” means measuring a plurality of alignment marks in the alignment measurement unit 2 and the off-axis measurement unit 9 without driving the alignment measurement unit 2, the off-axis measurement unit 9, or the substrate 6. ) refers to measurement by . That is, even when the measurement timing or measurement period by each measurement unit is not completely the same, if a plurality of alignment marks are measured without driving each unit, it is defined as being within the range of simultaneous measurement.

오프 액시스 계측부(9)의 계측에 있어서는, 얼라인먼트 계측부(2)와의 상대 거리(베이스 라인)를 사용해서 마크 위치를 산출할 필요가 있지만, 오프 액시스 계측부(9)를 구동할 때마다 베이스 라인이 변화해버린다. 그 때문에, 오프 액시스 계측부(9)를 구동할 때마다 베이스 라인을 취득할 필요가 있어 스루풋을 악화시키는 요인이 된다. 또한, 오프 액시스 계측부(9)의 구동은, 기판 스테이지(7)의 구동보다 저속인 점에서도 스루풋을 악화시키는 요인이 된다. 그 때문에, 샷(20)의 얼라인먼트는, 얼라인먼트 마크(10c, 10d, 10e, 10f)를 얼라인먼트 계측부(2) 및 오프 액시스 계측부(9)에서 계측한 후에, 기판 스테이지를 구동해서 얼라인먼트 계측부(2)에서 얼라인먼트 마크(10g, 10h)를 계측한다. 이 방법은 샷(20)에 있어서의 얼라인먼트 계측 시에 동시 계측을 할 수 없기 때문에, 스루풋의 저하를 초래해버린다.In measurement of the off-axis measurement unit 9, it is necessary to calculate the mark position using the relative distance (base line) with the alignment measurement unit 2, but the baseline changes each time the off-axis measurement unit 9 is driven. I do it. Therefore, it is necessary to obtain a baseline every time the off-axis measurement unit 9 is driven, which is a factor in deteriorating throughput. In addition, the fact that the off-axis measurement unit 9 is driven at a lower speed than the substrate stage 7 is also a factor in deteriorating the throughput. Therefore, the alignment of the shot 20 is performed by measuring the alignment marks 10c, 10d, 10e, and 10f in the alignment measurement unit 2 and the off-axis measurement unit 9, and then driving the substrate stage to measure the alignment marks 10c, 10d, 10e, and 10f in the alignment measurement unit 2. Measure the alignment mark (10g, 10h). This method cannot perform simultaneous measurement when measuring the alignment of the shot 20, resulting in a decrease in throughput.

(비교예 2)(Comparative Example 2)

본 실시 형태에 대한 비교예 2에 대해서 설명한다. 도 4는 비교예 2를 설명하기 위한 도면이다. 비교예 2에서는, 도 4의 (a)에 나타내는 바와 같이 원판의 패턴 및 얼라인먼트 마크가 형성된다. 또한, 도 4의 (a)에 나타내는 원판(3)을 사용해서 기판(6)에 패턴을 형성한 결과가 도 4의 (b)이다. 도 4의 (b)에서는, 샷(20)에 있어서의 얼라인먼트를 얼라인먼트 마크(10c, 10d, 10e, 10f)만으로 실시 한 경우, 샷 외측 단부부에 얼라인먼트 마크가 있는 경우에 비하여 중첩 정밀도가 악화된다. 이것은 얼라인먼트 결과로부터 샷의 시프트, 회전, 배율과 같은 보정 성분을 산출하지만, 회전, 배율과 같은 거리에 비례하는 성분을 산출할 때에, 얼라인먼트 마크가 샷 외측 단부부로부터 이격될수록 계측 재현성의 영향을 받아버리기 때문이다.Comparative Example 2 for this embodiment will be described. Figure 4 is a diagram for explaining Comparative Example 2. In Comparative Example 2, a pattern and alignment marks on the original plate were formed as shown in FIG. 4(a). Additionally, the result of forming a pattern on the substrate 6 using the original plate 3 shown in FIG. 4(a) is shown in FIG. 4(b). In Figure 4(b), when the shot 20 is aligned only with the alignment marks 10c, 10d, 10e, and 10f, the overlap accuracy deteriorates compared to the case where there is an alignment mark at the outer edge of the shot. . This calculates correction components such as shift, rotation, and magnification of the shot from the alignment results. However, when calculating components proportional to distance, such as rotation and magnification, measurement reproducibility is affected as the alignment mark is spaced from the outer end of the shot. Because it is thrown away.

(본 실시 형태에 있어서의 노광 처리)(Exposure processing in this embodiment)

도 1과 같은 Y 방향(주사 방향)의 샷 사이즈가 다른 레이아웃에 있어서의 노광 방법에 대해서, 도 8의 흐름도를 참조하면서 설명한다. 본 실시 형태에서는 1 샷당의 Y 방향의 패널수가 4개와 3개의 레이아웃을 예로 들어 설명하지만, Y 방향의 패널수를 3개와 2개의 레이아웃과 같이 다른 수로 변경해도 마찬가지 수순으로 실시하는 것이 가능하다.The exposure method in a layout with different shot sizes in the Y direction (scanning direction) as shown in FIG. 1 will be described with reference to the flowchart in FIG. 8. In this embodiment, the layout with the number of panels in the Y direction per shot is 4 and 3 as an example, but the same procedure can be performed even if the number of panels in the Y direction is changed to another number, such as a layout with 3 and 2 panels.

먼저 하지의 층(제1 층)의 노광 방법(도 8의 스텝 S101 내지 S103, 제1 층 노광 공정이라고도 칭한다)에 관해서 설명한다. 하지의 층을 노광하기 위한 원판(3)은, 도 7의 (a)와 같은 구성으로 한다. 원판(3)은 패널부(16)(패턴 형성 영역)을 X 방향으로 4열, Y 방향으로 4행 배열하고, 패널부(16)에 대하여 Y 방향(주사 방향)으로 이격한 위치에 마련된 차광 영역(11a)을 갖는다. 차광 영역(11a)은, 크롬 등의 차광막이 사용될 수 있다. 원판(3) 상의 얼라인먼트 마크(22a 내지 22f)는 원판(3)의 외측 단부부 및 외주부에 배치된다. 또한, 얼라인먼트 계측부(2)로 계측되는 얼라인먼트 마크(23c, 23d, 23g, 23h)를 제1 마크라고도 칭하고, 오프 액시스 계측부(9)에서 계측되는 얼라인먼트 마크(23a, 23b, 23e, 23f, 23i, 23j)를 제2 마크라고도 칭한다.First, the exposure method of the underlying layer (first layer) (steps S101 to S103 in FIG. 8, also referred to as the first layer exposure process) will be described. The original plate 3 for exposing the underlying layer has the same configuration as (a) in FIG. 7. The original plate 3 has panel portions 16 (pattern formation areas) arranged in four rows in the It has an area 11a. For the light blocking area 11a, a light blocking film such as chrome may be used. Alignment marks 22a to 22f on the original plate 3 are disposed on the outer end portion and the outer periphery of the original plate 3. In addition, the alignment marks 23c, 23d, 23g, 23h measured by the alignment measurement unit 2 are also referred to as first marks, and the alignment marks 23a, 23b, 23e, 23f, 23i, measured by the off-axis measurement unit 9. 23j) is also called the second mark.

또한, 도 7의 (a)에 나타내는 바와 같이, 원판(3) 상의 얼라인먼트 마크(22a, 22b)에 대하여 Y 방향(주사 방향)으로 이격한 위치에도 차광 영역(11b)(제2 차광 영역)이 마련된다. 차광 영역(11b)은 원판(3)을 사용해서 기판(6) 상에 도 7의 (b)와 같은 레이아웃을 형성하기 위해서 샷 영역의 일부를 중복하도록 노광하기 위해서 필요해진다.In addition, as shown in FIG. 7(a), a light-shielding area 11b (second light-shielding area) is formed at a position spaced apart from the alignment marks 22a and 22b on the original plate 3 in the Y direction (scanning direction). It is prepared. The light-shielding area 11b is necessary to expose a portion of the shot area to overlap in order to form a layout as shown in FIG. 7(b) on the substrate 6 using the original plate 3.

스텝 S101에서는, 도 9의 (a)에 나타내는 바와 같이 차광판(8)을 구동하고, 원판(3)의 전체 영역(제1 유효 영역)을 노광해서 기판(6)의 샷(19)(제1 샷 영역)에 전사한다. 스텝 S101을 제1 공정이라고도 칭한다.In step S101, as shown in FIG. 9(a), the light blocking plate 8 is driven, the entire area (first effective area) of the original plate 3 is exposed, and the shot 19 (first effective area) of the substrate 6 is taken. (transfer to the shot area). Step S101 is also called the first process.

스텝 S102에서는, 도 9의 (b)에 나타내는 바와 같이 차광판(8)을 구동하고, 3행 4열의 패널부(16) 및 원판 상의 얼라인먼트 마크(22a 내지 22d)를 포함하는 영역(제2 유효 영역)을 노광해서 기판(6)의 샷(20)(제2 샷 영역)에 전사한다. 이때, 샷(19)의 차광 영역(11a)의 상단과 샷(20)의 상단이 일치하도록 노광한다. 샷(19)로 형성한 원판 상의 얼라인먼트 마크(22e, 22f)는 샷(20)의 노광 영역 내에서 있기 때문에, 샷(20)에서는 노광광을 차광하기 위해서 원판(3) 상에 차광 영역부(11b)를 마련할 필요가 있다. 스텝 S102를 제2 공정이라고도 칭한다.In step S102, the light blocking plate 8 is driven as shown in Fig. 9(b), and an area (second effective area) including the three rows and four columns of panel portions 16 and the alignment marks 22a to 22d on the original plate is selected. ) is exposed and transferred to the shot 20 (second shot area) of the substrate 6. At this time, exposure is performed so that the top of the light blocking area 11a of the shot 19 coincides with the top of the shot 20. Since the alignment marks 22e and 22f on the original plate formed by the shot 19 are within the exposure area of the shot 20, a light-shielding area (shading area) is formed on the original plate 3 in the shot 20 to block the exposure light. 11b) needs to be provided. Step S102 is also called the second process.

스텝 S103에서는, 기판(6)을 반송, 현상하고, 기판(6) 상의 얼라인먼트 마크(23a 내지 23j)가 관찰 가능한 상태로 한다. 하지의 층의 노광 완료 후, 기판(6) 상에는 도 9의 (c)에 나타내는 바와 같이 7행 4열의 패널부(16) 및 기판 상의 얼라인먼트 마크(23a 내지 23j)가 형성된다. 기판(6) 상의 얼라인먼트 마크(23a 내지 23f)는, 샷(19)으로 노광한 마크이고, 기판(6) 상의 얼라인먼트 마크(23g 내지 23j)는 샷(20)로 노광한 마크이다.In step S103, the substrate 6 is transported and developed, and the alignment marks 23a to 23j on the substrate 6 are made observable. After completion of exposure of the underlying layer, panel portions 16 in 7 rows and 4 columns and alignment marks 23a to 23j on the substrate are formed on the substrate 6, as shown in FIG. 9(c). The alignment marks 23a to 23f on the substrate 6 are marks exposed with the shot 19, and the alignment marks 23g to 23j on the substrate 6 are marks exposed with the shot 20.

다음에 상지의 층(제2 층)의 노광 방법에 관해서 설명한다(스텝 S104 내지 S107, 제2 층 노광 공정이라고도 칭한다). 원판(3)의 구성은 하지의 층의 노광에 사용하는 원판과 거의 마찬가지의 구성이지만, 차광 영역(11a, 11b)은 불필요하게 된다. 스텝 S104에서는, 도 10의 (a)에 나타내는 바와 같이 샷(19)의 얼라인먼트를 실시한다. 원판(3) 상의 얼라인먼트 마크(22a 내지 22f)와 기판(6) 상의 얼라인먼트 마크(23a 내지 23f)가 각각 대응하는 마크이다. 본 실시 형태에서는, 얼라인먼트 계측부(2)에서 얼라인먼트 마크(23c, 23d)를, 오프 액시스 계측부(9)에서 얼라인먼트 마크(23a, 23b, 23e, 23f)를 계측한다. 또한, 상기의 얼라인먼트 마크의 계측 결과를 사용하고, 샷(19)을 노광할 때의 각종 보정량과 상기 보정량으로부터 산출한 각종 구동축의 구동 지시량을 제어부(12)에서 계산한다.Next, the exposure method for the upper layer (second layer) will be explained (steps S104 to S107, also referred to as the second layer exposure process). The configuration of the original plate 3 is almost the same as that of the original plate used to expose the underlying layer, but the light-shielding areas 11a and 11b are unnecessary. In step S104, the shots 19 are aligned as shown in FIG. 10(a). The alignment marks 22a to 22f on the original plate 3 and the alignment marks 23a to 23f on the substrate 6 are respectively corresponding marks. In this embodiment, the alignment marks 23c and 23d are measured by the alignment measurement unit 2, and the alignment marks 23a, 23b, 23e and 23f are measured by the off-axis measurement unit 9. Furthermore, using the measurement results of the above-described alignment marks, the control unit 12 calculates various correction amounts when exposing the shot 19 and drive instruction amounts for various drive shafts calculated from the correction amounts.

스텝 S105에서는, 도 10의 (b)에 나타내는 바와 같이 샷(20)의 얼라인먼트를 실시한다. 원판(3) 상의 얼라인먼트 마크(22a 내지 22d)와 기판(6) 상의 얼라인먼트 마크(23g 내지 23j)가 각각 대응하는 마크이다. 본 실시 형태에서는, 얼라인먼트 계측부(2)에서 얼라인먼트 마크(23g, 23h)를, 오프 액시스 계측부(9)에서 얼라인먼트 마크(23i, 23j)를 계측한다. 또한, 상기의 얼라인먼트 마크의 계측 결과를 사용하고, 샷(20)을 노광할 때의 각종 보정량과 상기 보정량으로부터 산출한 각종 구동축의 구동 지시량을 제어부(12)에서 계산한다. 즉, 스텝 S104, S105에서는, 다음 공정에서 노광하는 샷 영역의 위치 및 형상의 보정량을 산출한다.In step S105, the shots 20 are aligned as shown in FIG. 10(b). The alignment marks 22a to 22d on the original plate 3 and the alignment marks 23g to 23j on the substrate 6 are respectively corresponding marks. In this embodiment, the alignment marks 23g and 23h are measured by the alignment measurement unit 2, and the alignment marks 23i and 23j are measured by the off-axis measurement unit 9. Additionally, using the measurement results of the alignment marks, the control unit 12 calculates various correction amounts when exposing the shot 20 and drive instruction amounts for various drive shafts calculated from the correction amounts. That is, in steps S104 and S105, correction amounts for the position and shape of the shot area to be exposed in the next process are calculated.

스텝 S106에서는, 도 10의 (c)에 나타내는 바와 같이 차광판(8)을 구동하고, 스텝 104에서 산출한 구동 지시량을 사용하고, 4행 4열의 패널부(16)을 포함하는 영역을 노광해 샷(19)을 기판(6) 상에 전사한다. 이때, 원판(3) 상의 얼라인먼트 마크(22a 내지 22d)를 노광하는지의 여부는 임의이다. 스텝 S107에서는, 도 10의 (d)에 나타내는 바와 같이 차광판(8)을 구동하고, 스텝 105에서 산출한 구동 지시량을 사용하여, 3행 4열의 패널부(16)을 포함하는 영역을 노광하고 샷(20)을 기판(6) 상에 전사한다. 이때, 원판(3) 상의 얼라인먼트 마크(22a 내지 22d)를 노광하는지의 여부는 임의이다. 또한, 스텝 S106과 스텝 S107은 순서를 교체해도 되고, 스텝 S105와 스텝 S106도 순서를 교체해도 된다.In step S106, the light blocking plate 8 is driven as shown in FIG. 10(c), and the area including the panel portion 16 in 4 rows and 4 columns is exposed using the drive instruction amount calculated in step 104. The shot 19 is transferred onto the substrate 6. At this time, whether or not the alignment marks 22a to 22d on the original plate 3 are exposed is optional. In step S107, the light shielding plate 8 is driven as shown in Fig. 10(d), and the area including the panel portion 16 in 3 rows and 4 columns is exposed using the drive instruction amount calculated in step 105. The shot 20 is transferred onto the substrate 6. At this time, whether or not the alignment marks 22a to 22d on the original plate 3 are exposed is optional. Additionally, step S106 and step S107 may be interchanged in order, and steps S105 and step S106 may also be interchanged in order.

이상, Y 방향으로 2샷을 기판(6) 상에 노광하는 경우에 대해서 설명했지만, Y 방향으로 n샷(n은 3 이상의 정수) 노광하는 경우에 대해서도 마찬가지 수순으로 실시하는 것이 가능하다. 원판(3) 상에 4행분의 패널부(16)를 배치하고, 기판(6) 상에 (4×n-1)행분의 패널부(16)을 배치할 수 있는 경우, 샷(19)을 (n-1) 샷분 노광하고, 샷(20)을 1샷분 노광한다. 원판(3)은 도 7의 (a)와 같은 구성으로 하고, 완전히 동일해도 된다.Although the case where 2 shots are exposed on the substrate 6 in the Y direction has been described above, the same procedure can also be performed for the case where n shots (n is an integer of 3 or more) are exposed in the Y direction. When 4 rows of panel parts 16 can be arranged on the original plate 3 and (4 × n-1) rows of panel parts 16 can be arranged on the substrate 6, the shot 19 is (n-1) shots are exposed, and shots 20 are exposed for 1 shot. The original plate 3 may have the same configuration as (a) in FIG. 7 and may be completely the same.

하지의 층을 노광할 때에는, 샷(19)은 도 9의 (a)에 나타내는 영역을 노광하고, 샷(20)은 도 9의 (b)에 나타내는 영역을 노광한다. 이때, 샷(19)의 차광 영역부(11a)에 대하여 중복하도록 노광하고, 상기한 중복한 노광 영역은 (n-1)군데가 된다. 상지의 층을 노광할 때에는, 도 11과 같이 샷(19) 및 샷(20)의 얼라인먼트를 실시한다. 얼라인먼트의 실시 방법은, 도 8과 마찬가지의 수순으로 실시한다. 샷(19)는 도 10의 (c)에 나타내는 영역을 노광하고, 샷(20)은 도 10의 (d)에 나타내는 영역을 노광한다.When exposing the underlying layer, the shot 19 exposes the area shown in (a) of FIG. 9, and the shot 20 exposes the area shown in (b) of FIG. 9. At this time, the light-shielding area portion 11a of the shot 19 is exposed to overlap, and the overlapping exposure areas are (n-1). When exposing the upper limb layer, the shots 19 and 20 are aligned as shown in FIG. 11. The method of performing alignment is the same as that shown in FIG. 8 . The shot 19 exposes the area shown in (c) of FIG. 10, and the shot 20 exposes the area shown in (d) of FIG. 10.

기판 상의 패널의 행수가 (4×n-m)(m은 1 이상 n-1 이하의 정수)인 경우에는, 샷(19)을 (n-m)샷, 샷(20)을 m샷분 노광하고, 하지의 층의 노광에 있어서의 중복한 노광 영역은 (n-m)개소 발생한다.When the number of rows of the panel on the substrate is (4 In the exposure, overlapping exposure areas occur at (n-m) locations.

이상으로부터, 본 실시 형태에서는, 기판(6)의 Y 방향에 있어서의 패널 레이아웃을 최적화하는 것이 가능하다. 이에 의해, Y 방향의 패널 레이아웃수가, 예를 들어 홀수가 되는 경우에도, 기판의 이용 효율을 향상시킬 수 있다.From the above, in this embodiment, it is possible to optimize the panel layout in the Y direction of the substrate 6. As a result, even when the number of panel layouts in the Y direction is odd, for example, the utilization efficiency of the substrate can be improved.

<제2 실시 형태><Second Embodiment>

제1 실시 형태에서는, Y 방향의 다른 샷 사이즈를 갖는 레이아웃에 있어서의 노광 방법의 예에 대해서 설명했다. 본 실시 형태에서는, Y 방향뿐만 아니라 X 방향도 다른 샷 사이즈를 갖는 레이아웃에 있어서의 노광 방법의 예에 대해서 도 13을 참조하여 설명한다. 또한, 노광 장치(100)의 구성에 대해서는, 제1 실시 형태와 마찬가지이기 때문에 설명을 생략한다. 또한, 본 실시 형태에서 언급하지 않는 사항에 대해서는, 제1 실시 형태에 따른다.In the first embodiment, an example of an exposure method in a layout having different shot sizes in the Y direction was described. In this embodiment, an example of an exposure method in a layout having different shot sizes not only in the Y direction but also in the X direction will be described with reference to FIG. 13. In addition, since the structure of the exposure apparatus 100 is the same as that of the first embodiment, description is omitted. Additionally, matters not mentioned in this embodiment will follow the first embodiment.

본 실시 형태에서는, 도 12와 같이 원판(3) 상에 4행 4열, 기판(6) 상에 7행 10열을 배치하는 패널 레이아웃을 생산하는 예로 설명한다. 이 경우, 도 14에 도시한 4행 4열의 샷(27), 4행 2열의 샷(28), 3행 4열의 샷(29), 3행 2열의 샷(30)의 4종류의 샷 사이즈를 사용해서 노광한다.In this embodiment, an example of producing a panel layout in which 4 rows and 4 columns are arranged on the original plate 3 and 7 rows and 10 columns on the substrate 6 is explained as shown in FIG. 12. In this case, there are four types of shot sizes shown in FIG. 14: shots 27 in 4 rows and 2 columns, shots 28 in 4 rows and 2 columns, shots 29 in 3 rows and 4 columns, and shots 30 in 3 rows and 2 columns. Use and expose.

하지의 층을 노광하기 위한 원판(3)은, 도 12의 (a)와 같은 구성으로 하고, 원판(3)을 사용해서 도 12의 (b)에 나타내는 레이아웃을 기판(6) 상에 형성한다. 여기서, 원판(3)에는, 상대 위치 어긋남 마크 주척(24a 내지 24c), 상대 위치 어긋남 마크 부척(25a 내지 25c)이 마련되어 있고, 이 점에서 제1 실시 형태와 다르다. 패널부(16)를 X 방향으로 4열, Y 방향으로 4행 배열하고, 원판(3) 상의 얼라인먼트 마크(22a 내지 22i)는 패널부(16)와 중복하지 않는 영역에 격자상으로 배치한다. 차광 영역(11a)은, 도 12의 (a)에 나타내는 바와 같이, 패널부(16)에 대하여 Y 방향으로 이격한, 원판 상의 얼라인먼트 마크(22e-22i)간 및 (22i-22f)간에 마련된다. 또한, 도 12의 (a)에 나타내는 바와 같이, 차광 영역(11b)(제2 차광 영역)은 원판 상의 얼라인먼트 마크(22a, 22b)에 대하여 Y 방향으로 이격한 위치에 마련된다.The original plate 3 for exposing the underlying layer has the same configuration as Fig. 12(a), and the layout shown in Fig. 12(b) is formed on the substrate 6 using the original plate 3. . Here, the original plate 3 is provided with relative position misalignment mark main chucks 24a to 24c and relative position misalignment mark sub chucks 25a to 25c, and is different from the first embodiment in this respect. The panel portion 16 is arranged in four columns in the As shown in FIG. 12(a), the light-shielding area 11a is provided between alignment marks 22e-22i and 22i-22f on the disk spaced apart in the Y direction with respect to the panel portion 16. . Additionally, as shown in Fig. 12(a), the light blocking area 11b (second light blocking area) is provided at a position spaced apart in the Y direction with respect to the alignment marks 22a and 22b on the original plate.

상대 위치 어긋남 마크 주척(24a 내지 24c)을, 각각 원판(3) 상의 얼라인먼트 마크(22g 내지 i)의 근방에 배치하고, 상대 위치 어긋남 마크 부척(25a 내지 25c)을 각각 원판(3) 상의 얼라인먼트 마크(22b, 25d, 25f)의 근방에 배치한다. 여기서, 각 마크의 상대 거리(24a-22g 사이, 24b-22h 사이, 24c-22i 사이, 25a-22b 사이, 25b-22d 사이, 25c-22f 사이)는 모두 동일하게 한다.The relative position misalignment mark main chucks 24a to 24c are respectively arranged in the vicinity of the alignment marks 22g to i on the original plate 3, and the relative position misalignment mark sub-chucks 25a to 25c are respectively disposed near the alignment marks 22g to i on the original plate 3. It is placed near (22b, 25d, 25f). Here, the relative distances of each mark (between 24a-22g, between 24b-22h, between 24c-22i, between 25a-22b, between 25b-22d, between 25c-22f) are all the same.

먼저, 하지의 층(제1 층)의 노광 방법에 관해서 설명한다(스텝 S201 내지 S202, 제1 층 노광 공정이라고도 칭한다). 스텝 S201에서는, 도 14의 샷(27 내지 30)을 노광하고, 하지의 층을 형성한다. 샷(27 내지 30)은, 차광판(8)을 사용해서 도 14와 같은 영역을 기판(6) 상에 전사한다. 또한, 노광 시의 샷의 위치 관계를 도 15 및 도 16을 사용해서 설명한다. 도 15의 (a)와 같이, 샷(29) 상단과 샷(27)의 차광 영역(11a)의 상단이 중복하도록 노광하고, 기판(6) 상에 도 15의 (b)와 같이 전사된다. 차광 영역(11a, 11b)은 다른 샷과 중복해서 노광하기 때문에 필요해진다. 샷(30)과 샷(28)도 마찬가지 위치 관계에서 노광한다. 또한, 도 16의 (a)와 같이, 샷(27)의 상대 위치 어긋남 마크 부척(25)과 샷(28)의 상대 위치 어긋남 마크 주척(24)이 겹치도록 노광하고, 도 16의 (b)와 같이 기판(6) 상에 상대 위치 어긋남 마크(26a 내지 26c)가 형성된다. 샷(28)에서는, 원판 상의 얼라인먼트 마크(22g 내지 i)를 차광함으로써, 얼라인먼트 마크를 기판 상에 이중으로 노광하는 것을 방지한다. 또한, 샷(27 내지 30)의 노광 순번은 임의이다. 스텝 S202에서는, 기판(6)을 반송, 현상하고, 기판 상의 얼라인먼트 마크(23)가 관찰 가능한 상태로 한다.First, the exposure method for the underlying layer (first layer) will be described (steps S201 to S202, also referred to as the first layer exposure process). In step S201, the shots 27 to 30 in FIG. 14 are exposed to form an underlying layer. The shots 27 to 30 transfer the area shown in FIG. 14 onto the substrate 6 using the light blocking plate 8. Additionally, the positional relationship of shots during exposure will be explained using FIGS. 15 and 16. As shown in FIG. 15(a), the top of the shot 29 and the top of the light blocking area 11a of the shot 27 are exposed to overlap, and are transferred onto the substrate 6 as shown in FIG. 15(b). The light-shielding areas 11a and 11b are necessary because exposure overlaps with other shots. Shots 30 and 28 are also exposed in the same positional relationship. Additionally, as shown in Figure 16 (a), the relative position misalignment mark subscale 25 of the shot 27 is exposed so that the relative position misalignment mark main scale 24 of the shot 28 overlaps, and as shown in Figure 16(b) Relative position misalignment marks 26a to 26c are formed on the substrate 6 as shown. In the shot 28, the alignment marks 22g to i on the original plate are shielded from light, thereby preventing double exposure of the alignment marks on the substrate. Additionally, the exposure order of the shots 27 to 30 is arbitrary. In step S202, the substrate 6 is transported and developed, and the alignment mark 23 on the substrate is made observable.

이어서, 상지의 층(제1 층 상의 제2 층)의 노광 방법에 관해서 설명한다(스텝 S203 내지 S205, 제2 층 노광 공정이라고도 칭한다). 원판(3)의 구성은 하지의 층의 노광에 사용하는 원판과 거의 마찬가지의 구성이지만, 차광 영역(11)은 불필요하게 된다. 스텝 S203에서는, 샷(27 내지 30)의 얼라인먼트를 행한다. 샷(27)과 샷(29)의 얼라인먼트는, 실시예 1과 마찬가지로 스텝 S201에서 형성한 도 15의 (b)에 나타내는 바와 같은 기판 상의 얼라인먼트 마크(23)에 대하여 행한다. 샷(28)의 얼라인먼트는, 도 12의 (a)에 나타내는 원판 상의 얼라인먼트 마크(22a 내지 f)와, 도 16의 (b)에 나타내는 기판 상의 얼라인먼트 마크(23a 내지 23f)가 각각 대응하는 마크이다. 기판 상의 얼라인먼트 마크(23a, 23c, 23e)는, 스텝 S201에 있어서 샷(27)을 노광할 때에 원판 상의 얼라인먼트 마크(22g 내지 i)(도 12 참조)가 전사되어 형성된 마크이다. 즉, 샷(28)의 얼라인먼트는 다른 샷을 노광해서 형성된 마크를 사용하게 된다. 그 때문에, 샷(27)과 샷(28)의 상대 위치 어긋남이 샷(28)의 얼라인먼트에 있어서 배율 또는 회전으로서 오검지해버린다. 그래서, 스텝 S204에 있어서, 상대 위치 어긋남 마크(26)를 계측하고 샷간의 상대 위치 어긋남을 차감하는 처리를 처리부(12)에서 행한다. 상대 위치 어긋남 마크(26a 내지 c)를 각각 오프 액시스 계측부(9), 얼라인먼트 계측부(2), 오프 액시스 계측부(9)에 의해 동시 계측함으로써 샷(27)과 샷(28)의 상대 위치 어긋남을 검출한다. 또한, 상대 위치 어긋남 마크(26d, e)를, 각각 오프 액시스 계측부(9), 얼라인먼트 계측부(2)에 의해 동시 계측함으로써 샷(29)과 샷(30)의 상대 위치 어긋남을 검출한다. 단, 얼라인먼트 계측부(2)에 의해 상대 위치 어긋남 마크(26)를 계측할 때에는, 원판(3) 상에 패턴이 없는 영역의 위치까지 원판 스테이지(4)를 구동할 필요가 있다. 스텝 S205에서는, 스텝 S203 및 스텝 204로부터 검출한 각각의 샷의 보정량을 적용하고, 샷(27 내지 30)의 노광을 행한다. 이때, 샷의 노광 순서는 임의이다.Next, a method for exposing the upper layer (the second layer on the first layer) will be described (steps S203 to S205, also referred to as the second layer exposure process). The configuration of the original plate 3 is almost the same as that of the original plate used to expose the underlying layer, but the light-shielding area 11 is unnecessary. In step S203, the shots 27 to 30 are aligned. The shots 27 and 29 are aligned with respect to the alignment marks 23 on the substrate as shown in Fig. 15(b) formed in step S201, as in Example 1. The alignment of the shot 28 corresponds to the alignment marks 22a to f on the original plate shown in Fig. 12(a) and the alignment marks 23a to 23f on the substrate shown in Fig. 16(b), respectively. . The alignment marks 23a, 23c, and 23e on the substrate are marks formed by transferring the alignment marks 22g to i (see FIG. 12) on the original plate when exposing the shot 27 in step S201. That is, the alignment of the shot 28 uses a mark formed by exposing another shot. Therefore, the relative position deviation between the shot 27 and the shot 28 is incorrectly detected as magnification or rotation in the alignment of the shot 28. Therefore, in step S204, the processing unit 12 performs processing to measure the relative position misalignment mark 26 and subtract the relative position misalignment between shots. The relative position misalignment of the shot 27 and the shot 28 is detected by simultaneously measuring the relative position misalignment marks 26a to c by the off-axis measurement unit 9, alignment measurement unit 2, and off-axis measurement unit 9, respectively. do. Additionally, the relative position misalignment marks 26d and e are simultaneously measured by the off-axis measurement unit 9 and the alignment measurement unit 2, respectively, to detect the relative position misalignment of the shot 29 and the shot 30. However, when measuring the relative position misalignment mark 26 by the alignment measurement unit 2, it is necessary to drive the original stage 4 to the position of the area where there is no pattern on the original plate 3. In step S205, the correction amount for each shot detected in steps S203 and 204 is applied, and shots 27 to 30 are exposed. At this time, the exposure order of the shots is arbitrary.

이상으로부터, 본 실시 형태에서는, 기판(6)의 Y 방향 및 X 방향에 있어서의 패널 레이아웃을 최적화하는 것이 가능하다. 이에 의해, Y 방향 및 X 방향의 패널 레이아웃수가, 예를 들어 모두에 홀수가 되는 경우에도, 기판의 이용 효율을 향상시킬 수 있다.From the above, in this embodiment, it is possible to optimize the panel layout in the Y direction and the X direction of the substrate 6. As a result, even when the number of panel layouts in the Y direction and the X direction is odd, for example, the utilization efficiency of the substrate can be improved.

<물품 제조 방법의 실시 형태><Embodiment of product manufacturing method>

본 발명의 실시 형태에 따른 물품 제조 방법은, 예를 들어 플랫 패널 디스플레이(FPD), 반도체 디바이스, 센서나 광학 소자 등의 물품을 제조하기에 적합하다. 도 17은 물품 제조 방법의 흐름도이다. 본 실시 형태의 물품 제조 방법은, 기판 상에 도포된 감광재에 상기의 노광 장치(100)에 의한 노광으로 잠상 패턴을 형성하고, 노광 기판을 얻는 공정(노광 공정, 스텝 S11)을 포함한다. 또한, 이러한 공정에서 반송된 기판을 현상하고, 현상 기판을 얻는 공정(현상 공정, 스텝 S12)을 포함한다. 현상 공정 후, 다음 층을 형성하는지를 판단하여, 형성할 필요가 있는 경우에는 스텝 S11로 되돌아가서, 형성할 필요가 없는(모든 층 형성이 완료된) 경우에는 스텝 S14로 진행된다. 또한, 이러한 제조 방법은, 다른 주지의 공정(산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 패키징 등)을 포함한다(가공 공정, 스텝 S14). 본 실시 형태에 있어서의 물품 제조 방법은, 종래의 방법에 비하여, 물품의 성능·품질·생산성·생산 비용의 적어도 하나에 있어서 유리하다.The method for manufacturing an article according to an embodiment of the present invention is suitable for manufacturing articles such as, for example, a flat panel display (FPD), a semiconductor device, a sensor, or an optical element. 17 is a flow chart of a method for manufacturing an article. The article manufacturing method of this embodiment includes a step (exposure step, step S11) of forming a latent image pattern on a photosensitive material applied on a substrate by exposure using the exposure apparatus 100 and obtaining an exposed substrate. It also includes a step (development step, step S12) of developing the substrate conveyed in this step and obtaining a developed substrate. After the development process, it is determined whether to form the next layer. If formation is necessary, the process returns to step S11. If formation is not necessary (all layer formation is completed), the process proceeds to step S14. Additionally, this manufacturing method includes other well-known processes (oxidation, film formation, deposition, doping, planarization, etching, resist stripping, dicing, bonding, packaging, etc.) (processing process, step S14). The product manufacturing method in this embodiment is advantageous compared to the conventional method in at least one of product performance, quality, productivity, and production cost.

이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대해서 설명했지만, 본 발명은 이들 실시 형태에 한정되지 않는 것은 말할 필요도 없고, 그 요지의 범위 내에서 다양한 변형 및 변경이 가능하다.Although preferred embodiments of the present invention have been described above, it goes without saying that the present invention is not limited to these embodiments, and various modifications and changes are possible within the scope of the gist.

3: 원판
6: 기판
11a: 차광 영역
19: 샷(제1 샷 영역)
20: 샷(제2 샷 영역)
23a 내지 23j: 얼라인먼트 마크
100: 노광 장치
3: disc
6: substrate
11a: Shading area
19: Shot (first shot area)
20: Shot (second shot area)
23a to 23j: Alignment marks
100: exposure device

Claims (9)

원판과 기판과의 상대 위치를 주사 방향으로 주사시키면서 상기 원판의 패턴을 상기 기판 상의 제1 층에 노광하는 제1 층 노광 공정과, 상기 상대 위치를 상기 주사 방향으로 주사시키면서 상기 원판의 패턴을 상기 제1 층 상의 제2 층에 노광하는 제2 층 노광 공정을 포함하는 노광 방법이며,
상기 제1 층 노광 공정은,
상기 원판에 있어서의 패턴 형성 영역과, 상기 패턴 형성 영역에 대하여 상기 주사 방향으로 이격한 위치에 마련된 차광 영역과, 얼라인먼트 마크를 포함하는 제1 유효 영역을 상기 기판에 있어서의 제1 샷 영역에 전사하는 제1 공정과,
상기 패턴 형성 영역의 일부와, 상기 얼라인먼트 마크의 일부를 포함하는 제2 유효 영역을, 상기 제1 샷 영역에 있어서의 상기 차광 영역에 대응하는 영역에 중복하도록, 상기 기판에 있어서의 제2 샷 영역에 전사하는 제2 공정을 포함하는,
것을 특징으로 하는 노광 방법.
A first layer exposure process of exposing a pattern of the original to a first layer on the substrate while scanning the relative positions of the original and the substrate in the scanning direction, and exposing the pattern of the original to the first layer while scanning the relative positions in the scanning direction. An exposure method comprising a second layer exposure process of exposing a second layer on a first layer,
The first layer exposure process is,
Transferring a first effective area including a pattern formation area on the original plate, a light-shielding area provided at a position spaced apart from the pattern formation area in the scanning direction, and an alignment mark to a first shot area on the substrate. A first process to do,
A second shot area in the substrate such that a second effective area including a part of the pattern formation area and a part of the alignment mark overlaps an area corresponding to the light-shielding area in the first shot area. Including a second process of transferring to,
An exposure method characterized by:
제1항에 있어서,
상기 제2 층 노광 공정은, 상기 제1 공정에서 상기 기판에 형성된 얼라인먼트 마크와,
상기 제2 공정에서 상기 기판에 형성된 얼라인먼트 마크에 기초하여 상기 제1 샷 영역 및 상기 제2 샷 영역에 겹치도록 상기 제2 층에 전사하는 샷 영역의 위치 및 형상을 보정하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
According to paragraph 1,
The second layer exposure process includes an alignment mark formed on the substrate in the first process,
An exposure method characterized by correcting the position and shape of the shot area transferred to the second layer to overlap the first shot area and the second shot area based on the alignment mark formed on the substrate in the second process. .
제1항에 있어서,
상기 얼라인먼트 마크는, 제1 마크와 제2 마크를 포함하고,
상기 제1 마크는 상기 노광 방법에 의해 노광을 행하는 노광 장치의 투영 광학계를 통해 계측되는 마크이고,
상기 제2 마크는 상기 노광 장치의 투영 광학계를 통하지 않고 계측되는 마크인 것을 특징으로 하는 노광 방법.
According to paragraph 1,
The alignment mark includes a first mark and a second mark,
The first mark is a mark measured through a projection optical system of an exposure apparatus that performs exposure by the exposure method,
An exposure method, wherein the second mark is a mark measured without passing through a projection optical system of the exposure apparatus.
제3항에 있어서,
상기 제1 마크 및 상기 제2 마크는, 상기 제1 마크를 계측하는 제1 계측부 및 상기 제2 마크를 계측하는 제2 계측부를 계측 중에 구동시키지 않도록, 동시 계측 가능해지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
According to paragraph 3,
The first mark and the second mark are formed to enable simultaneous measurement so that the first measurement unit for measuring the first mark and the second measurement unit for measuring the second mark are not driven during measurement. method.
제1항에 있어서,
상기 주사 방향으로 샷 사이즈가 다르도록, 상기 제1 샷 영역 및 상기 제2 샷 영역의 노광을 행하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
According to paragraph 1,
An exposure method characterized by exposing the first shot area and the second shot area so that shot sizes are different in the scanning direction.
제5항에 있어서,
상기 주사 방향에 대하여 직교하는 방향으로 샷 사이즈가 다르도록, 상기 제1 샷 영역 및 상기 제2 샷 영역의 노광을 행하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
According to clause 5,
An exposure method characterized by exposing the first shot area and the second shot area so that shot sizes are different in a direction orthogonal to the scanning direction.
제3항에 있어서,
상기 제2 마크에 대하여 주사 방향으로 이격한 위치에 제2 차광 영역이 마련되는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
According to paragraph 3,
An exposure method, characterized in that a second light blocking area is provided at a position spaced apart from the second mark in the scanning direction.
제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 노광 방법을 사용하여, 기판을 노광하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.An exposure apparatus comprising exposing a substrate using the exposure method according to any one of claims 1 to 7. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 기재된 노광 방법을 사용해서 기판을 노광하고, 노광 기판을 얻는 노광 공정과,
상기 노광 기판을 현상하고, 현상 기판을 얻는 현상 공정을 포함하고,
상기 현상 기판으로부터 물품을 제조하는 것을 특징으로 하는 물품 제조 방법.
An exposure step of exposing a substrate using the exposure method according to any one of claims 1 to 7 to obtain an exposed substrate;
A developing process of developing the exposed substrate and obtaining a developed substrate,
A method of manufacturing an article, characterized in that the article is manufactured from the developing substrate.
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