KR20240053192A - 멀티 커넥터, 이의 제조 방법, 변형 센서 및 위치 감지 센서 - Google Patents
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Abstract
Description
도 2는 본 출원의 일 실시예에 따른 멀티커넥터의 제 2 전도체에 외부 전자소자가 접속되는 과정을 설명하기 위하여 예시적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 본 출원의 일 실시예에 따른 멀티 커넥터를 예시적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 본 출원의 다른 일 실시 예에 따른 멀티 커넥터를 예시적으로 나타낸 도면이다.
도 5는 본 출원의 또 다른 일 실시예에 따른 멀티 커넥터를 예시적으로 나타낸 도면이다.
120: 제 1 전도체
130: 제 2 전도체
140: 케이블
141: 도선
142: 피복
150: 제 2 기판
160: 제 3 전도체
170: 제 4 전도체
10: 외부 전자소자
11: 외부 전자소자의 단자
Claims (48)
- 자가 치유 고분자 블록으로 이루어진 제 1 기판;
상기 제 1 기판 내부에 길이가 제 1 방향을 따라 형성된 제 1 전도체; 및
상기 제 1 전도체 상에 길이가 제 2 방향을 따라 형성된 제 2 전도체를 포함하는 멀티 커넥터. - 제 1 항에 있어서, 상기 자가 치유 고분자 블록은 복수 개의 자가 치유 고분자 시트 각각에 전도체를 형성하고, 상기 전도체의 길이가 제 1 방향 및 제 2 방향 순으로 교대로 형성되도록 상기 전도체가 형성된 복수 개의 자가 치유 고분자 시트를 층 방향을 따라 적층한 후, 상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트 간의 접합력에 의해 상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트가 서로 접합되어 형성되는 멀티 커넥터.
- 제 2 항에 있어서, 상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트 간의 접합력은 0.1 MPa 내지 10 MPa인 멀티 커넥터.
- 제 1 항에 있어서, 상기 자가 치유 고분자 블록은 폴리아미드(polyimide), 말단에 파이레닐기(pyrenyl group)를 가지는 텔레켈릭 폴리우레탄(telechelic polyurethane), 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane), 폴리아크릴레이트(polyacrylate) 및 신나모일 메카노포어(cinnamoyl mechanophore)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 자가 치유 고분자를 포함하는 멀티 커넥터.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전도체는 외부 전자소자의 단자에 접속이 가능한 멀티 커넥터.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전도체는 제 2 방향을 따라 일정 간격으로 복수 개 구비되는 멀티 커넥터.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전도체는 백금, 금, 은, 구리, 탄소나노튜뷰 및 그래핀으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 전도성 물질 또는 이들을 포함하는 수지를 포함하는 멀티 커넥터.
- 제 7 항에 있어서, 상기 제 1 전도체가 전도성 금속으로만 이루어지는 경우, 상기 전도성 금속이 박막 형태이고, 상기 제 1 전도체가 상기 전도성 금속을 포함하는 수지로 이루어지는 경우, 상기 전도성 금속이 나노 와이어 또는 나노 입자 형태인 멀티 커넥터.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전도체는 상기 제 2 전도체와 길이가 수직을 이루는 멀티 커넥터.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 전도체는 외부 전자소자의 단자에 접속이 가능한 멀티 커넥터.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 전도체는 제 1 방향을 따라 일정 간격으로 복수 개 구비되는 멀티 커넥터.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 전도체는 백금, 금, 은, 구리, 탄소나노튜뷰 및 그래핀으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 전도성 물질 또는 이들을 포함하는 수지를 포함하는 멀티 커넥터.
- 제 12 항에 있어서, 상기 제 2 전도체가 전도성 금속으로만 이루어지는 경우, 상기 전도성 금속이 박막 형태이고, 상기 제 2 전도체가 상기 전도성 금속을 포함하는 수지인 경우, 상기 전도성 금속이 나노 와이어 또는 나노 입자 형태인 멀티 커넥터.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전도체 및 제 2 전도체는 층 방향을 따라 교차하여 각각 하나 이상의 층으로 형성되는 멀티 커넥터.
- 제 1 항에 있어서, 도선 및 상기 도선의 외면을 감싸는 피복으로 이루어진 케이블을 복수 개 더 포함하고,
상기 복수 개의 케이블은 각각의 일단이 제 1 전도체 또는 제 2 전도체에 연결되는 멀티 커넥터. - 제 15 항에 있어서, 상기 복수 개의 케이블은 복수 개가 다발 형태로 마련되는 멀티 커넥터.
- 제 15 항에 있어서, 자가 치유 고분자 블록으로 이루어진 제 2 기판;
상기 제 2 기판 내부에 길이가 제 1 방향을 따라 형성된 제 3 전도체; 및
상기 제 3 전도체 상에 길이가 제 2 방향을 따라 형성된 제 4 전도체를 더 포함하며,
상기 복수 개의 케이블은 각각의 타단이 제 3 전도체 또는 제 4 전도체에 연결되는 멀티 커넥터. - 제 17 항에 있어서, 상기 자가 치유 고분자 블록은 폴리아미드(polyimide), 말단에 파이레닐기(pyrenyl group)를 가지는 텔레켈릭 폴리우레탄(telechelic polyurethane), 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane), 폴리아크릴레이트(polyacrylate) 및 신나모일 메카노포어(cinnamoyl mechanophore)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 자가 치유 고분자를 포함하는 멀티 커넥터.
- 제 17 항에 있어서, 상기 제 3 전도체는 외부 전자소자의 단자에 접속이 가능한 멀티 커넥터.
- 제 17 항에 있어서, 상기 제 3 전도체는 제 2 방향을 따라 일정 간격으로 복수 개 구비되는 멀티 커넥터.
- 제 17 항에 있어서, 상기 제 3 전도체는 백금, 금, 은, 구리, 탄소나노튜뷰 및 그래핀으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 전도성 물질 또는 이들을 포함하는 수지를 포함하는 멀티 커넥터.
- 제 21 항에 있어서, 상기 제 3 전도체가 전도성 금속으로만 이루어지는 경우, 상기 전도성 금속이 박막 형태이고, 상기 제 3 전도체가 상기 전도성 금속을 포함하는 수지인 경우, 상기 전도성 금속이 나노 와이어 또는 나노 입자 형태인 멀티 커넥터.
- 제 17 항에 있어서, 상기 제 4 전도체는 외부 전자소자의 단자에 접속이 가능한 멀티 커넥터.
- 제 15 항에 있어서, 상기 제 4 전도체는 제 1 방향을 따라 일정 간격으로 복수 개 구비되는 멀티 커넥터.
- 제 17 항에 있어서, 상기 제 4 전도체는 백금, 금, 은, 구리, 탄소나노튜뷰 및 그래핀으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 전도성 물질 또는 이들을 포함하는 수지를 포함하는 멀티 커넥터.
- 제 25 항에 있어서, 상기 제 4 전도체가 전도성 금속으로만 이루어지는 경우, 상기 전도성 금속이 박막 형태이고, 상기 제 4 전도체가 상기 전도성 금속을 포함하는 수지인 경우, 상기 전도성 금속이 나노 와이어 또는 나노 입자 형태인 멀티 커넥터.
- 제 17 항에 있어서, 상기 제 3 전도체 및 제 4 전도체는 층 방향을 따라 교차하여 각각 하나 이상의 층으로 형성되는 멀티 커넥터.
- 제 1 항에 따른 멀티 커넥터를 제조하는 방법에 관한 것으로,
복수 개의 자가 치유 고분자 시트 각각에 전도체를 형성하고, 상기 전도체의 길이가 제 1 방향 및 제 2 방향 순으로 교대로 형성되도록 상기 전도체가 형성된 복수 개의 자가 치유 고분자 시트를 층 방향을 따라 적층하여 제 1 전도체 및 제 2 전도체가 형성되는 단계; 및
상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트 간의 접합력에 의해 상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트가 서로 접합되어 내부에 제 1 전도체 및 제 2 전도체가 형성된 자가 치유 고분자 블록으로 이루어지는 제 1 기판이 형성되는 단계를 포함하는 멀티 커넥터의 제조 방법. - 제 28 항에 있어서, 상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트 간의 접합력은 0.1 MPa 내지 10 MPa인 멀티 커넥터의 제조 방법.
- 제 28 항에 있어서, 복수 개의 케이블 각각의 일단을 제 1 전도체 또는 제 2 전도체에 연결하는 단계를 더 포함하는 멀티 커넥터의 제조 방법.
- 제 30 항에 있어서, 복수 개의 자가 치유 고분자 시트 각각에 전도체를 형성하고, 상기 전도체의 길이가 제 1 방향 및 제 2 방향 순으로 교대로 형성되도록 상기 전도체가 형성된 복수 개의 자가 치유 고분자 시트를 층 방향을 따라 적층하여 제 3 전도체 및 제 4 전도체가 형성되는 단계;
상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트 간의 접합력에 의해 상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트가 서로 접합되어 내부에 제 3 전도체 및 제 4 전도체가 형성된 자가 치유 고분자 블록으로 이루어지는 제 2 기판이 형성되는 단계; 및
상기 복수 개의 케이블 각각의 타단을 제 3 전도체 또는 제 4 전도체에 연결하는 단계를 더 포함하는 멀티 커넥터의 제조 방법. - 제 31 항에 있어서, 상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트 간의 접합력은 0.1 MPa 내지 10 MPa인 멀티 커넥터의 제조 방법.
- 자가 치유 고분자 블록으로 이루어진 제 1 기판;
상기 제 1 기판 내부에 길이가 제 1 방향을 따라 형성되고, 제 2 방향을 따라 일정 간격으로 복수 개 구비된 제 1 전도체;
상기 제 1 전도체 상에 길이가 제 2 방향을 따라 형성되며, 제 1 방향을 따라 일정 간격으로 복수 개 구비된 제 2 전도체; 및
상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 대한 저항 변화, 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 대한 저항 변화, 및 상기 복수 개의 제 1 전도체 및 복수 개의 제 2 전도체가 서로 접하는 부분 각각에 대한 저항 변화를 각각 측정하여 저항 변화가 큰 부분에 감지 대상의 변형이 일어난 것으로 감지하는 감지부를 포함하는 변형 센서. - 제 33 항에 있어서, 상기 감지부는 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 대한 저항 변화를 통해 제 2 방향의 변형을 감지하는 변형 센서.
- 제 33 항에 있어서, 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 대한 저항 변화는 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 인장력을 가하기 전 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 대하여 측정한 저항 및 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 인장력을 가한 후 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 대하여 측정한 저항의 차이인 변형 센서.
- 제 33 항에 있어서, 상기 감지부는 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 대한 저항 변화를 통해 제 1 방향의 변형을 감지하는 변형 센서.
- 제 33 항에 있어서, 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 대한 저항 변화는 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 인장력을 가하기 전 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 대하여 측정한 저항 및 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 인장력을 가한 후 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 대하여 측정한 저항의 차이인 변형 센서.
- 제 33 항에 있어서, 상기 감지부는 상기 복수 개의 제 1 전도체 및 복수 개의 제 2 전도체가 서로 접하는 부분 각각에 대한 저항 변화를 통해 제 1 전도체 및 제 2 전도체의 적층 방향의 변형을 감지하는 변형 센서.
- 제 34 항에 있어서, 상기 복수 개의 제 1 전도체 및 복수 개의 제 2 전도체가 서로 접하는 부분 각각에 대한 저항 변화는 상기 제 1 기판에 상기 적층 방향을 따라 압력을 가하기 전 상기 복수 개의 제 1 전도체 및 복수 개의 제 2 전도체가 서로 접하는 부분 각각에 대하여 측정한 저항 및 상기 제 1 기판의 두께가 10 ㎛ 이하가 되도록 상기 제 1 기판에 상기 적층 방향을 따라 압력을 가한 후 상기 복수 개의 제 1 전도체 및 복수 개의 제 2 전도체가 서로 접하는 부분 각각에 대하여 측정한 저항의 차이인 변형 센서.
- 제 33 항에 있어서, 상기 제 1 전도체 및 제 2 전도체 간의 간격이 100 ㎛ 내지 10 mm인 변형 센서.
- 자가 치유 고분자 블록으로 이루어진 제 1 기판;
상기 제 1 기판 내부에 길이가 제 1 방향을 따라 형성되고, 제 2 방향을 따라 일정 간격으로 복수 개 구비된 제 1 전도체;
상기 제 1 전도체 상에 길이가 제 2 방향을 따라 형성되며, 제 1 방향을 따라 일정 간격으로 복수 개 구비된 제 2 전도체; 및
상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 대한 저항 변화, 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 대한 저항 변화, 및 상기 복수 개의 제 1 전도체 및 복수 개의 제 2 전도체가 서로 접하는 부분 각각에 대한 저항 변화를 각각 측정하여 저항 변화가 큰 부분에 감지 대상이 위치하는 것으로 감지하는 감지부를 포함하는 위치 감지 센서. - 제 41 항에 있어서, 상기 감지부는 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 대한 저항 변화를 통해 감지 대상이 위치하는 제 2 방향의 위치를 감지하는 위치 감지 센서.
- 제 41 항에 있어서, 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 대한 저항 변화는 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 인장력을 가하기 전 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 대하여 측정한 저항 및 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 인장력을 가한 후 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 대하여 측정한 저항의 차이인 위치 감지 센서.
- 제 41 항에 있어서, 상기 감지부는 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 대한 저항 변화를 통해 제 1 방향의 위치를 감지하는 위치 감지 센서.
- 제 41 항에 있어서, 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 대한 저항 변화는 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 인장력을 가하기 전 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 대하여 측정한 저항 및 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 인장력을 가한 후 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 대하여 측정한 저항의 차이인 위치 감지 센서.
- 제 41 항에 있어서, 상기 감지부는 상기 복수 개의 제 1 전도체 및 복수 개의 제 2 전도체가 서로 접하는 부분 각각에 대한 저항 변화를 통해 제 1 전도체 및 제 2 전도체의 적층 방향의 위치를 감지하는 위치 감지 센서.
- 제 41 항에 있어서, 상기 복수 개의 제 1 전도체 및 복수 개의 제 2 전도체가 서로 접하는 부분 각각에 대한 저항 변화는 상기 제 1 기판에 상기 적층 방향을 따라 압력을 가하기 전 제 1 전도체 상에 제 2 전도체가 적층된 각각의 부분에 대하여 측정한 저항 및 상기 제 1 기판의 두께가 10 ㎛ 이하가 되도록 상기 제 1 기판에 상기 적층 방향을 따라 압력을 가한 후 제 1 전도체 상에 제 2 전도체가 적층된 각각의 부분에 대하여 측정한 저항의 차이인 위치 감지 센서.
- 제 41 항에 있어서, 상기 제 1 전도체 및 제 2 전도체 간의 간격이 100 ㎛ 내지 10 mm인 위치 감지 센서.
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