KR20240053192A - 멀티 커넥터, 이의 제조 방법, 변형 센서 및 위치 감지 센서 - Google Patents

멀티 커넥터, 이의 제조 방법, 변형 센서 및 위치 감지 센서 Download PDF

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KR20240053192A
KR20240053192A KR1020220132979A KR20220132979A KR20240053192A KR 20240053192 A KR20240053192 A KR 20240053192A KR 1020220132979 A KR1020220132979 A KR 1020220132979A KR 20220132979 A KR20220132979 A KR 20220132979A KR 20240053192 A KR20240053192 A KR 20240053192A
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conductors
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이훈
황평
김단아
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영남대학교 산학협력단
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Abstract

본 출원은 멀티 커넥터, 상기 멀티 커넥터의 제조 방법, 변형 센서 및 위치 감지 센서에 관한 것이다. 본 출원의 멀티 커넥터 및 상기 멀티 커넥터의 제조 방법에 의하면, 별도의 접착제 또는 핫 프레싱 없이도 자가치유 고분자의 접착 능력을 통해 손쉽게 전도체를 연결할 수 있고, 이방성을 통해 필요에 따라 많은 수의 전자 소자들과 접속될 수 있으며, 이러한 구조의 멀티 커넥터는 변형 센서 및 위치 감지 센서로 이용될 수 있다.

Description

멀티 커넥터, 이의 제조 방법, 변형 센서 및 위치 감지 센서 {MULTI CONNECTOR, METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF, STRAIN SENSOR AND PSITION SENSOR}
본 출원은 멀티 커넥터, 상기 멀티 커넥터의 제조 방법, 변형 센서 및 위치 감지 센서에 관한 것이다.
멀티 커넥터(Multi connector)는 여러 개의 전기적 컴포넌트, 예를 들어, 전자 소자들을 동시에 연결하는 디바이스로서, 각 컴포넌트들의 전기적 연결이 서로 간섭되지 않는 것이 중요하다.
기존의 멀티커넥터는 3차원 기구적 프레임 및 전도체의 조립을 통해 이루어진다. 그러나, 기존의 멀티커넥터는 컴포넌트들과의 접속을 위해 기구적 메커니즘 또는 납땜(soldering)을 필요로 하여, 공정이 복잡하고, 시간이 오래 걸리는 문제가 발생되었다. 따라서, 이러한 단점을 극복하기 위해 컴포넌트들의 단순한 접촉을 이룰 수 있고, 공정이 단순하며, 시간이 적게 걸리는 멀티 커넥터, 상기 멀티 커넥터의 제조 방법이 요구되고 있다.
본 출원의 과제는 별도의 접착제 또는 핫 프레싱 없이도 자가치유 고분자의 접착 능력을 통해 손쉽게 전도체를 연결할 수 있고, 이방성을 통해 필요에 따라 많은 수의 전자 소자들과 접속될 수 있는 멀티 커넥터, 상기 멀티 커넥터의 제조 방법을 제공하고, 이러한 구조의 멀티 커넥터를 이용한 변형 센서 및 위치 감지 센서를 제공하는 것이다.
본 출원의 멀티 커넥터는 자가 치유 고분자 블록으로 이루어진 제 1 기판; 상기 제 1 기판 내부에 길이가 제 1 방향을 따라 형성된 제 1 전도체; 및 상기 제 1 전도체 상에 길이가 제 2 방향을 따라 형성된 제 2 전도체를 포함한다.
상기 자가 치유 고분자 블록은 복수 개의 자가 치유 고분자 시트 각각에 전도체를 형성하고, 상기 전도체의 길이가 제 1 방향 및 제 2 방향 순으로 교대로 형성되도록 상기 전도체가 형성된 복수 개의 자가 치유 고분자 시트를 층 방향을 따라 적층한 후, 상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트 간의 접합력에 의해 상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트가 서로 접합되어 형성될 수 있다.
또한, 상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트 간의 접합력은 0.1 MPa 내지 10 MPa일 수 있다.
또한, 상기 자가 치유 고분자 블록은 폴리우레탄(telechelic polyurethane), 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane), 폴리아크릴레이트(polyacrylate) 및 신나모일 메카노포어(cinnamoyl mechanophore)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 자가 치유 고분자를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제 1 전도체는 외부 전자소자의 단자에 접속이 가능할 수 있다.
또한, 상기 제 1 전도체는 제 2 방향을 따라 일정 간격으로 복수 개 구비될 수 있다.
또한, 상기 제 1 전도체는 백금, 금, 은, 구리, 탄소나노튜뷰 및 그래핀으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 전도성 물질 또는 이들을 포함하는 수지를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제 1 전도체가 전도성 금속으로만 이루어지는 경우, 상기 전도성 금속이 박막 형태이고, 상기 제 1 전도체가 상기 전도성 금속을 포함하는 수지인 경우, 상기 전도성 금속이 나노 와이어 또는 나노 입자 형태일 수 있다.
또한, 상기 제 1 전도체는 상기 제 2 전도체와 길이가 수직을 이룰 수 있다.
또한, 상기 제 2 전도체는 외부 전자소자의 단자에 접속이 가능할 수 있다.
또한, 상기 제 2 전도체는 제 1 방향을 따라 일정 간격으로 복수 개 구비될 수 있다.
또한, 상기 제 2 전도체는 백금, 금, 은, 구리, 탄소나노튜뷰 및 그래핀으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 전도성 물질 또는 이들을 포함하는 수지를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제 2 전도체가 전도성 금속으로만 이루어지는 경우, 상기 전도성 금속이 박막 형태이고, 상기 제 2 전도체가 상기 전도성 금속을 포함하는 수지인 경우, 상기 전도성 금속이 나노 와이어 또는 나노 입자 형태일 수 있다.
또한, 상기 제 1 전도체 및 제 2 전도체는 층 방향을 따라 교차하여 각각 하나 이상의 층으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 멀티 커넥터는 도선 및 상기 도선의 외면을 감싸는 피복으로 이루어진 케이블을 복수 개 더 포함하고, 상기 복수 개의 케이블은 각각의 일단이 제 1 전도체 또는 제 2 전도체에 연결될 수 있다.
또한, 상기 케이블은 복수 개가 다발 형태로 마련될 수 있다.
또한, 상기 멀티 커넥터는 자가 치유 고분자 블록으로 이루어진 제 2 기판; 상기 제 2 기판 내부에 길이가 제 1 방향을 따라 형성된 제 3 전도체; 및 상기 제 3 전도체 상에 길이가 제 2 방향을 따라 형성된 제 4 전도체를 더 포함하며, 상기 복수 개의 케이블은 각각의 타단이 제 3 전도체 또는 제 4 전도체에 연결될 수 있다.
또한, 상기 자가 치유 고분자 블록은 폴리아미드(polyimide), 말단에 파이레닐기(pyrenyl group)를 가지는 텔레켈릭 폴리우레탄(telechelic polyurethane), 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane), 폴리아크릴레이트(polyacrylate) 및 신나모일 메카노포어(cinnamoyl mechanophore)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 자가 치유 고분자를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제 3 전도체는 외부 전자소자의 단자에 접속이 가능할 수 있다.
또한, 상기 제 3 전도체는 제 2 방향을 따라 일정 간격으로 복수 개 구비될 수 있다.
또한, 상기 제 3 전도체는 백금, 금, 은, 구리, 탄소나노튜뷰 및 그래핀으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 전도성 물질 또는 이들을 포함하는 수지를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제 3 전도체가 전도성 금속으로만 이루어지는 경우, 상기 전도성 금속이 박막 형태이고, 상기 제 3 전도체가 상기 전도성 금속을 포함하는 수지인 경우, 상기 전도성 금속이 나노 와이어 또는 나노 입자 형태일 수 있다.
또한, 상기 제 4 전도체는 외부 전자소자의 단자에 접속이 가능할 수 있다.
또한, 상기 제 4 전도체는 제 1 방향을 따라 일정 간격으로 복수 개 구비될 수 있다.
또한, 상기 제 4 전도체는 백금, 금, 은, 구리, 탄소나노튜뷰 및 그래핀으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 전도성 물질 또는 이들을 포함하는 수지를 포함할 수 있다.
또한, 상기 제 4 전도체가 전도성 금속으로만 이루어지는 경우, 상기 전도성 금속이 박막 형태이고, 상기 제 4 전도체가 상기 전도성 금속을 포함하는 수지인 경우, 상기 전도성 금속이 나노 와이어 또는 나노 입자 형태일 수 있다.
또한, 상기 제 3 전도체 및 제 4 전도체는 층 방향을 따라 교차하여 각각 하나 이상의 층으로 형성될 수 있다.
또한, 본 출원의 멀티 커넥터의 제조 방법은 상기 멀티 커넥터를 제조하는 방법에 관한 것으로, 복수 개의 자가 치유 고분자 시트 각각에 전도체를 형성하고, 상기 전도체의 길이가 제 1 방향 및 제 2 방향 순으로 교대로 형성되도록 상기 전도체가 형성된 복수 개의 자가 치유 고분자 시트를 층 방향을 따라 적층하여 제 1 전도체 및 제 2 전도체가 형성되는 단계; 및 상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트 간의 접합력에 의해 상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트가 서로 접합되어 내부에 제 1 전도체 및 제 2 전도체가 형성된 자가 치유 고분자 블록으로 이루어지는 제 1 기판이 형성되는 단계를 포함한다.
또한, 상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트 간의 접합력은 0.1 MPa 내지 10 MPa일 수 있다.
또한, 상기 멀티 커넥터의 제조 방법은 복수 개의 케이블 각각의 일단을 제 1 전도체 또는 제 2 전도체에 연결하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 멀티 커넥터의 제조 방법은 복수 개의 자가 치유 고분자 시트 각각에 전도체를 형성하고, 상기 전도체의 길이가 제 1 방향 및 제 2 방향 순으로 교대로 형성되도록 상기 전도체가 형성된 복수 개의 자가 치유 고분자 시트를 층 방향을 따라 적층하여 제 3 전도체 및 제 4 전도체가 형성되는 단계; 상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트 간의 접합력에 의해 상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트가 서로 접합되어 내부에 제 3 전도체 및 제 4 전도체가 형성된 자가 치유 고분자 블록으로 이루어지는 제 2 기판이 형성되는 단계; 및 상기 복수 개의 케이블 각각의 타단을 제 3 전도체 또는 제 4 전도체에 연결하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트 간의 접합력은 0.1 MPa 내지 10 MPa일 수 있다.
또한, 본 출원의 변형 센서는 자가 치유 고분자 블록으로 이루어진 제 1 기판; 상기 제 1 기판 내부에 길이가 제 1 방향을 따라 형성되고, 제 2 방향을 따라 일정 간격으로 복수 개 구비된 제 1 전도체; 상기 제 1 전도체 상에 길이가 제 2 방향을 따라 형성되며, 제 1 방향을 따라 일정 간격으로 복수 개 구비된 제 2 전도체; 및 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 대한 저항 변화, 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 대한 저항 변화, 및 상기 복수 개의 제 1 전도체 및 복수 개의 제 2 전도체가 서로 접하는 부분 각각에 대한 저항 변화를 각각 측정하여 저항 변화가 큰 부분에 감지 대상의 변형이 일어난 것으로 감지하는 감지부를 포함한다.
또한, 상기 감지부는 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 대한 저항 변화를 통해 제 2 방향의 변형을 감지할 수 있다.
또한, 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 대한 저항 변화는 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 인장력을 가하기 전 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 대하여 측정한 저항 및 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 인장력을 가한 후 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 대하여 측정한 저항의 차이일 수 있다.
또한, 상기 감지부는 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 대한 저항 변화를 통해 제 1 방향의 변형을 감지할 수 있다.
또한, 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 대한 저항 변화는 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 인장력을 가하기 전 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 대하여 측정한 저항 및 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 인장력을 가한 후 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 대하여 측정한 저항의 차이일 수 있다.
또한, 상기 감지부는 상기 복수 개의 제 1 전도체 및 복수 개의 제 2 전도체가 서로 접하는 부분 각각에 대한 저항 변화를 통해 제 1 전도체 및 제 2 전도체의 적층 방향의 변형을 감지할 수 있다.
또한, 상기 복수 개의 제 1 전도체 및 복수 개의 제 2 전도체가 서로 접하는 부분 각각에 대한 저항 변화는 상기 제 1 기판에 상기 적층 방향을 따라 압력을 가하기 전 상기 복수 개의 제 1 전도체 및 복수 개의 제 2 전도체가 서로 접하는 부분 각각에 대하여 측정한 저항 및 상기 제 1 기판의 두께가 10 ㎛ 이하가 되도록 상기 제 1 기판에 상기 적층 방향을 따라 압력을 가한 후 상기 복수 개의 제 1 전도체 및 복수 개의 제 2 전도체가 서로 접하는 부분 각각에 대하여 측정한 저항의 차이일 수 있다.
또한, 상기 제 1 전도체 및 제 2 전도체 간의 간격이 100 ㎛ 내지 10 mm 이하일 수 있다.
또한, 본 출원의 위치 감지 센서는 자가 치유 고분자 블록으로 이루어진 제 1 기판; 상기 제 1 기판 내부에 길이가 제 1 방향을 따라 형성되고, 제 2 방향을 따라 일정 간격으로 복수 개 구비된 제 1 전도체; 상기 제 1 전도체 상에 길이가 제 2 방향을 따라 형성되며, 제 1 방향을 따라 일정 간격으로 복수 개 구비된 제 2 전도체; 및 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 대한 저항 변화, 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 대한 저항 변화, 및 상기 복수 개의 제 1 전도체 및 복수 개의 제 2 전도체가 서로 접하는 부분 각각에 대한 저항 변화를 각각 측정하여 저항 변화가 큰 부분에 감지 대상이 위치하는 것으로 감지하는 감지부를 포함한다.
또한, 상기 감지부는 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 대한 저항 변화를 통해 감지 대상이 위치하는 제 2 방향의 위치를 감지할 수 있다.
또한, 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 대한 저항 변화는 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 인장력을 가하기 전 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 대하여 측정한 저항 및 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 인장력을 가한 후 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 대하여 측정한 저항의 차이일 수 있다.
또한, 상기 감지부는 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 대한 저항 변화를 통해 제 1 방향의 위치를 감지할 수 있다.
또한, 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 대한 저항 변화는 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 인장력을 가하기 전 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 대하여 측정한 저항 및 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 인장력을 가한 후 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 대하여 측정한 저항의 차이일 수 있다.
또한, 상기 감지부는 상기 복수 개의 제 1 전도체 및 복수 개의 제 2 전도체가 서로 접하는 부분 각각에 대한 저항 변화를 통해 제 1 전도체 및 제 2 전도체의 적층 방향의 위치를 감지할 수 있다.
또한, 상기 복수 개의 제 1 전도체 및 복수 개의 제 2 전도체가 서로 접하는 부분 각각에 대한 저항 변화는 상기 제 1 기판에 상기 적층 방향을 따라 압력을 가하기 전 제 1 전도체 상에 제 2 전도체가 적층된 각각의 부분에 대하여 측정한 저항 및 상기 제 1 기판의 두께가 10 ㎛ 이하가 되도록 상기 제 1 기판에 상기 적층 방향을 따라 압력을 가한 후 상기 복수 개의 제 1 전도체 및 복수 개의 제 2 전도체가 서로 접하는 부분 각각에 대하여 측정한 저항의 차이일 수 있다.
또한, 상기 제 1 전도체 및 제 2 전도체 간의 간격이 100 ㎛ 내지 10 mm일 수 있다.
본 출원의 멀티 커넥터 및 상기 멀티 커넥터의 제조 방법은 별도의 접착제 또는 핫 프레싱 없이도 자가치유 고분자의 접착 능력을 통해 손쉽게 전도체를 연결할 수 있고, 이방성을 통해 필요에 따라 많은 수의 전자 소자들과 접속될 수 있으며, 이러한 구조의 멀티 커넥터는 변형 센서 및 위치 감지 센서로 이용될 수 있다.
도 1은 본 출원의 일 실시예에 따른 멀티 커넥터를 예시적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 본 출원의 일 실시예에 따른 멀티커넥터의 제 2 전도체에 외부 전자소자가 접속되는 과정을 설명하기 위하여 예시적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 본 출원의 일 실시예에 따른 멀티 커넥터를 예시적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 본 출원의 다른 일 실시 예에 따른 멀티 커넥터를 예시적으로 나타낸 도면이다.
도 5는 본 출원의 또 다른 일 실시예에 따른 멀티 커넥터를 예시적으로 나타낸 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조로 본 출원의 멀티 커넥터를 설명하며, 첨부된 도면은 예시적인 것으로, 본 출원의 멀티 커넥터가 첨부된 도면에 제한되는 것은 아니다.
본 출원은 멀티 커넥터에 관한 것이다. 도 1은 본 출원의 일 실시예에 따른 멀티 커넥터를 예시적으로 나타낸 도면이다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 본 출원의 일 실시예에 따른 멀티 커넥터는 제 1 기판(110), 제 1 전도체(120) 및 제 2 전도체(130)을 포함한다. 본 출원의 멀티 커넥터에 의하면, 별도의 접착제 또는 핫 프레싱 없이도 자가치유 고분자의 접착 능력을 통해 손쉽게 전도체를 연결할 수 있고, 이방성을 통해 필요에 따라 많은 수의 전자 소자들과 접속될 수 있다.
상기 제 1 기판(110)은 다른 기기들과 물리적, 전기적으로 접속하기 위한 접속단자를 제공하는 판으로서, 자가 치유 고분자 블록으로 이루어진다.
하나의 예시에서, 상기 자가 치유 고분자 블록은 복수 개의 자가 치유 고분자 시트 각각에 전도체를 형성하고, 상기 전도체의 길이가 제 1 방향 및 제 2 방향 순으로 교대로 형성되도록 상기 전도체가 형성된 복수 개의 자가 치유 고분자 시트를 층 방향을 따라 적층한 후, 상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트 간의 접합력에 의해 상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트가 서로 접합되어 형성될 수 있다. 이때, 상기 제 1 방향을 따라 형성된 전도체는 제 1 전도체(120)이고, 상기 제 2 방향을 따라 형성된 전도체는 제 2 전도체(130)일 수 있다. 상기 제 1 기판(110)은 전술한 자가 치유 고분자 블록으로 이루어짐으로써, 별도의 접착제 또는 핫 프레싱 없이도 자가치유 고분자의 접착 능력을 통해 손쉽게 전도체를 연결할 수 있고, 후술하는 제 1 전도체(120) 및 제 2 전도체(130)에 의한 이방성을 통해 필요에 따라 많은 수의 전자 소자들과 접속될 수 있다.
또한, 상기 제 1 기판(110)은 내부에 상기 제 1 전도체(120) 및 제 2 전도체(130)가 층상 구조를 이룸으로써, 각 층 마다 구비된 전도체(120, 130)가 각각 하나의 접속 커넥터 단자 역할을 할 수 있다. 본 명세서에서 용어 「복수」는 둘 이상을 의미하며, 상한이 특별히 제한되지 않으나, 목적하는 성능을 구현하기 위해 선택적으로 선택될 수 있다.
예를 들어, 상기 복수 개로 이루어진 자가 치유 고분자 시트는 층 수가 많을수록 동일한 자가 치유 고분자 시트 블록 두께에서 접속 면의 전도체(120, 130)가 균일하게 퍼질 수 있으므로, 안정적으로 외부 전자소자와의 접속이 가능할 수 있다. 이로 인해, 상기 자가 치유 고분자 시트의 층수는 특별히 제한되는 것은 아니나, 예를 들어, 3 층 이상, 10 층 이상, 50 층 이상 또는 100 층 이상일 수 있고, 이의 상한이 200 층 이하일 수 있다.
이때, 상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트 간의 접합력은 0.1 MPa 내지 10 MPa일 수 있고, 구체적으로, 0.3 MPa 내지 7 MPa, 0.5 MPa 내지 5 MPa 또는 0.8 MPa 내지 3 MPa일 수 있다. 상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트가 전술한 접합력을 가짐으로써, 별도의 접착제 또는 핫 프레싱 없이도 자가치유 고분자의 접착 능력을 통해 손쉽게 전도체를 연결할 수 있는 자가 치유 고분자 블록을 형성할 수 있다.
상기 자가 치유 고분자 블록의 종류로는 폴리아미드(polyimide), 말단에 파이레닐기(pyrenyl group)를 가지는 텔레켈릭 폴리우레탄(telechelic polyurethane), 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane), 폴리아크릴레이트(polyacrylate) 및 신나모일 메카노포어(cinnamoyl mechanophore)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 자가 치유 고분자를 포함하는 블록을 사용할 수 있다. 상기 자가 치유 고분자 블록으로 전술한 종류를 사용함으로써, 별도의 접착제 또는 핫 프레싱 없이도 자가치유 고분자의 접착 능력을 통해 손쉽게 전도체를 연결할 수 있다.
상기 제 1 전도체(120)는 외부 다른 기기와 멀티 커넥터를 전기적으로 연결하기 위한 연결 단자로서, 상기 제 1 기판(110) 내부에 길이가 제 1 방향을 따라 형성된다. 상기 제 1 전도체(120)는 길이가 제 1 방향을 따라 형성됨으로써, 외부 전자소자의 단자를 제 1 방향을 따라 상기 멀티 커넥터에 접속할 수 있다. 이로 인해, 후술하는 방향을 따라 형성된 길이를 가지는 제 2 전도체(130)와의 조합에 의해 이방성을 나타낼 수 있다. 본 명세서에서 용어 「길이」는 일단에서 마주하는 일단까지의 거리가 가장 긴 부분으로, 평면이나 넓은 물체의 세로 거리를 의미하고, 본 명세서에서 용어 「폭」은 평면이나 넓은 물체의 가로로 건너지른 거리를 의미한다. 즉, 상기 길이는 폭과 수직한 방향을 따르는 거리를 의미한다. 또한, 본 명세서에서 용어 「제 1 방향」은 어느 한 방향을 따르는 방향을 의미하고, 본 명세서에서 용어 「제 2 방향」은 제 1 방향과 다른 어느 한 방향을 의미한다. 하나의 예시에서, 상기 제 1 방향과 제 2 방향은 서로 수직한 방향일 수 있다.
하나의 예시에서, 상기 제 1 전도체(120)는 외부 전자소자의 단자에 접속이 가능할 수 있다. 구체적으로, 상기 제 1 전도체(120)는 양 말단에 두 개의 외부 전자소자의 단자가 각각 접속될 수 있다. 이를 통해, 상기 제 1 전도체(120)가 외부 전자소자에 접속됨으로써, 제 1 방향을 따라 접속되는 외부 전자소자에 대한 커넥터의 기능이 수행될 수 있다.
또한, 상기 제 1 전도체(120)는 목적하는 외부 전자소자와의 접속이 가능하도록 제 2 방향을 따라 일정 간격으로 복수 개 구비될 수 있다. 상기 제 2 방향을 따라 구비된 제 1 전도체(120)의 개수는 접속을 위한 외부 전자소자의 단자에 따라 조절이 가능하므로, 특별히 제한되지 않는다. 본 명세서에서 용어 「일정 간격」은 하나 이상의 층으로 형성된 각각의 전도체 간의 거리가 서로 일정하다는 것을 의미한다.
예를 들어, 상기 제 1 기판은 육면체 형상을 가질 수 있고, 상기 하나 이상의 제 1 전도체(120) 각각의 양 말단이 위치하는 양면에 두 개의 외부 전자소자의 단자가 배치된 접속 면이 각각 접속되어 커넥터의 기능이 수행될 수 있다.
또한, 상기 제 1 전도체(120)는 백금, 금, 은, 구리, 탄소나노튜뷰 및 그래핀으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 전도성 물질 또는 이들을 포함하는 수지를 포함할 수 있다. 상기 제 1 전도체(120)가 전술한 전도성 물질 또는 이들을 포함하는 수지를 포함함으로써, 후술하는 증착 또는 프린팅 방법을 이용한 전도성 고분자 시트 상의 2 차원 인쇄를 통해 3 차원의 전도성 고분자 블록을 제작할 수 있다.
하나의 예시에서, 상기 제 1 전도체(120)가 전도성 금속으로만 이루어지는 경우, 상기 전도성 금속은 박막 형태일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 전도체(120)는 상기 전도성 금속이 화학 기상 증착법(CVD) 또는 물리 기상 증착법(PVD)을 통해 박막 형태로 형성될 수 있다.
또 하나의 예시에서, 상기 제 1 전도체(120)가 상기 하나 이상의 전도성 금속을 포함하는 수지인 경우, 상기 전도성 금속이 나노 와이어 또는 나노 입자 형태일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 전도체(120)는 상기 나노 와이어 또는 나노 입자 형태의 전도성 금속을 수지 내에 포함시킨 상태에서, 잉크젯 프린팅 또는 스크린 프린팅을 통해 형성될 수 있다.
또한, 상기 제 1 전도체(120)는 상기 제 2 전도체(130)와 길이가 수직을 이룰 수 있다. 상기 제 1 전도체(120)는 상기 제 2 전도체(130)와 길이가 수직을 이룸으로써, 이방성을 나타낼 수 있다.
상기 제 2 전도체(130)는 외부 다른 기기와 멀티 커넥터를 전기적으로 연결하기 위한 연결 단자로서, 상기 제 1 전도체(120) 상에 길이가 제 2 방향을 따라 형성된다. 상기 제 2 전도체(130)는 길이가 제 2 방향을 따라 형성됨으로써, 외부 전자소자의 단자를 제 2 방향을 따라 상기 멀티 커넥터에 접속할 수 있다. 이로 인해, 전술한 방향을 따라 형성된 길이를 가지는 제 1 전도체(120)와의 조합에 의해 이방성을 나타낼 수 있다.
도 2는 본 출원의 일 실시예에 따른 멀티커넥터의 제 2 전도체에 외부 전자소자가 접속되는 과정을 설명하기 위하여 예시적으로 나타낸 도면이다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 상기 제 2 전도체(130)는 외부 전자소자(10)의 단자(11)에 접속이 가능할 수 있다. 구체적으로, 상기 제 2 전도체(130)는 양 말단에 두 개의 외부 전자소자(10)의 단자(11)가 각각 접속될 수 있다. 이를 통해, 상기 제 2 전도체(130)에 외부 전자소자(10)가 접속됨으로써, 제 2 방향을 따라 접속되는 외부 전자소자(10)에 대한 커넥터의 기능이 수행될 수 있다.
또한, 상기 제 2 전도체(130)는 제 1 방향을 따라 일정 간격으로 복수 개 구비될 수 있다. 상기 제 1 방향을 따라 구비된 제 2 전도체(130)의 개수는 접속을 위한 외부 전자소자의 단자에 따라 조절이 가능하므로, 특별히 제한되지 않는다.
예를 들어, 상기 육면체 형상의 제 1 기판은 상기 하나 이상의 제 2 전도체(130) 각각의 양 말단이 위치하는 양면에 두 개의 외부 전자소자(10)의 단자(11)가 배치된 접속 면이 각각 접속되어 커넥터의 기능이 수행될 수 있다.
또한, 상기 제 2 전도체(130)는 백금, 금, 은, 구리, 탄소나노튜뷰 및 그래핀으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 전도성 물질 또는 이들을 포함하는 수지를 포함할 수 있다. 상기 제 2 전도체(130)가 전술한 전도성 물질 또는 이들을 포함하는 수지를 포함함으로써, 후술하는 증착 또는 프린팅 방법을 이용한 전도성 고분자 시트 상의 2 차원 인쇄를 통해 3 차원의 전도성 고분자 블록을 제작할 수 있다.
하나의 예시에서, 상기 제 2 전도체(130)가 전도성 금속으로만 이루어지는 경우, 상기 전도성 금속은 박막 형태일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 전도체(130)는 상기 전도성 금속이 화학 기상 증착법(CVD) 또는 물리 기상 증착법(PVD)을 통해 박막 형태로 형성될 수 있다.
또 하나의 예시에서, 상기 제 2 전도체(130)가 상기 하나 이상의 전도성 금속을 포함하는 수지인 경우, 상기 전도성 금속이 나노 와이어 또는 나노 입자 형태일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 전도체(130)는 상기 나노 와이어 또는 나노 입자 형태의 전도성 금속을 수지 내에 포함시킨 상태에서, 잉크젯 프린팅 또는 스크린 프린팅을 통해 형성될 수 있다.
상기 제 1 전도체(120) 및 제 2 전도체(130)는 층 방향을 따라 교차하여 각각 하나 이상의 층으로 형성될 수 있다. 구체적으로, 전술한 방향을 따라 교차하여 형성된 각각의 상기 제 1 전도체(120) 및 제 2 전도체(130)의 층 수는 많을수록 동일한 자가 치유 고분자 시트 블록 두께에서 접속 면의 전도체(120, 130)가 균일하게 퍼질 수 있으므로, 안정적으로 외부 전자소자와의 접속이 가능할 수 있다. 이로 인해, 상기 제 1 전도체(120) 및 제 2 전도체(130)의 층 수는 특별히 제한되는 것은 아니나, 예를 들어, 3층 이상, 10 층 이상, 50 층 이상 또는 100 층 이상일 수 있고, 이의 상한이 200 층 이하일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 전도체(120) 및 제 2 전도체(130)가 각각 하나의 층을 형성하는 경우, 제 1 전도체(120) 및 제 2 전도체(130) 순으로 형성되고, 상기 제 1 전도체(120) 및 제 2 전도체(130)가 각각 둘의 층을 형성하는 경우, 제 1 전도체(120), 제 2 전도체(130), 제 1 전도체(120) 및 제 2 전도체(130) 순으로 형성될 수 있으며, 상기 제 1 전도체(120) 및 제 2 전도체(130)의 층 수에 따라 전술한 순으로 형성될 수 있다. 상기 제 1 전도체(120) 및 제 2 전도체(130)는 층 방향을 따라 교차하여 각각 하나 이상의 층으로 형성됨으로써, 이방성을 나타낼 수 있고, 멀티 커넥터 각각의 접속 면에 각각의 전자 소자를 1 대 1로 간편한 접속이 가능할 수 있다.
도 3은 본 출원의 일 실시예에 따른 멀티 커넥터를 예시적으로 나타낸 도면이다. 도 4는 본 출원의 다른 일 실시 예에 따른 멀티 커넥터를 예시적으로 나타낸 도면이다. 도 3에 나타낸 바와 같이, 상기 멀티 커넥터는 케이블(140)을 복수 개 더 포함할 수 있다. 상기 케이블(140)은 전기가 통하지 않는 물질로 겉을 감싼 전력선으로서, 도선(141) 및 상기 도선(141)의 외면을 감싸는 피복(142)으로 이루어질 수 있고, 상기 복수 개의 케이블(140)은 각각의 일단이 제 1 전도체(120)에 연결되거나, 또는 도 4에 나타낸 바와 같이, 제 2 전도체(130)에 연결될 수 있다. 구체적으로, 상기 복수 개의 케이블(140) 각각의 일단은 상기 제 1 기판(110)의 어느 한 면에 위치하는 제 1 전도체(120) 또는 제 2 전도체(130) 전체에 접속되는 것이 가능하여, 상기 복수 개의 케이블(140) 각각의 일단이 상기 제 1 기판(110)의 어느 한 면에 위치하는 제 1 전도체(120) 또는 제 2 전도체(130)의 일단 전체에 접속되어 연결될 수 있다. 상기 복수 개의 케이블(140)의 각각의 일단이 전술한 제 1 전도체(120) 또는 제 2 전도체(130)에 연결됨으로써, 상기 제 1 기판(110)의 전도체(120, 130) 및 상기 제 1 기판(110)과 이격된 기판의 전도체 간의 전기적 연결이 가능할 수 있다.
하나의 예시에서, 상기 케이블(140)은 복수 개가 다발 형태로 마련될 수 있다. 구체적으로, 상기 복수 개의 케이블(140)의 개수는 하한이 1 개 이상, 2 개 이상, 3 개 이상, 4 개 이상, 5 개 이상, 6 개 이상, 7 개 이상, 8 개 이상, 9 개 이상 또는 10 개 이상일 수 있고, 20 개 이하, 18 개 이하, 16 개 이하, 14 개 이하 또는 12 개 이하일 수 있다. 상기 복수 개의 케이블(140)이 전술한 개수를 가지는 다발 형태로 마련됨으로써, 각 케이블이 외부 전자 소자에 각각 연결되어 외부 전자 소자의 연결 수를 증가시킬 수 있다.
하나의 예시에서, 상기 복수 개의 케이블(140)은 동축 케이블로 이루어질 수 있다. 상기 동축 케이블은 외부도체와 내부도체가 동심원을 이루고 있어 전기 신호를 전송할 수 있는 데이터 통신에 사용되는 전송선로의 일종이다. 상기 복수 개의 케이블(140)이 동축 케이블로 이루어짐으로써, 상기 멀티 커넥터와 접속되는 전자소자에 전원을 연결할 수 있고, 안정적인 전압의 공급으로 인해 고용량을 가지며, 공급 전원의 품질을 향상시킬 수 있다.
도 5는 본 출원의 또 다른 일 실시예에 따른 멀티 커넥터를 예시적으로 나타낸 도면이다. 상기 멀티 커넥터는 제 2 기판(150), 제 3 전도체(160) 및 제 4 전도체(170)을 더 포함할 수 있고, 상기 복수 개의 케이블(140) 각각의 타단이 상기 제 3 전도체(160)에 연결되거나, 또는 도 5에 나타낸 바와 같이, 제 4 전도체(170)에 연결될 수 있다. 상기 멀티 커넥터는 전술한 구성을 더 포함함으로써, 별도의 접착제 또는 핫 프레싱 없이도 자가치유 고분자의 접착 능력을 통해 손쉽게 전도체를 연결할 수 있고, 이방성을 통해 필요에 따라 많은 수의 전자 소자들과 접속될 수 있으며, 상기 제 1 기판(110)의 전도체(120, 130) 및 상기 제 1 기판(110)과 이격된 상기 제 2 기판(150)의 전도체(160, 170) 간의 전기적 연결이 가능할 수 있다.
상기 제 2 기판(150)은 다른 기기들과 물리적, 전기적으로 접속하기 위한 접속단자를 제공하는 판으로서, 자가 치유 고분자 블록으로 이루어질 수 있다.
하나의 예시에서, 상기 자가 치유 고분자 블록은 복수 개의 자가 치유 고분자 시트 각각에 전도체를 형성하고, 상기 전도체의 길이가 제 1 방향 및 제 2 방향 순으로 교대로 형성되도록 상기 전도체가 형성된 복수 개의 자가 치유 고분자 시트를 층 방향을 따라 적층한 후, 상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트 간의 접합력에 의해 상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트가 서로 접합되어 형성될 수 있다. 이때, 상기 제 1 방향을 따라 형성된 전도체는 제 3 전도체(160)이고, 상기 제 2 방향을 따라 형성된 전도체는 제 4 전도체(170)일 수 있다. 상기 제 2 기판(150)은 복수 개의 자가 치유 고분자 시트를 층 방향을 따라 적층한 후, 상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트 간의 접합력에 의해 상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트가 서로 접합되어 형성된 자가 치유 고분자 블록으로 이루어 질 수 있다. 상기 제 2 기판(150)은 전술한 자가 치유 고분자 블록으로 이루어짐으로써, 별도의 접착제 또는 핫 프레싱 없이도 자가치유 고분자의 접착 능력을 통해 손쉽게 전도체를 연결할 수 있고, 후술하는 제 3 전도체(160) 및 제 4 전도체(170)에 의한 이방성을 통해 필요에 따라 많은 수의 전자 소자들과 접속될 수 있다.
또한, 상기 제 2 기판(150)은 내부에 상기 제 3 전도체(160) 및 제 4 전도체(170)이 층상 구조를 이룸으로써, 각 층 마다 구비된 전도체(160, 170)가 각각 하나의 접속 커넥터 단자 역할을 할 수 있다.
예를 들어, 상기 복수 개로 이루어진 자가 치유 고분자 시트는 층 수가 많을수록 동일한 자가 치유 고분자 시트 블록 두께에서 접속 면의 전도체(160, 170)가 균일하게 퍼질 수 있으므로, 안정적으로 외부 전자소자와의 접속이 가능할 수 있다. 이로 인해, 상기 자가 치유 고분자 시트의 층수는 특별히 제한되는 것은 아니나, 예를 들어, 3 층 이상, 10 층 이상, 50 층 이상 또는 100 층 이상일 수 있고, 이의 상한이 200 층 이하일 수 있다.
이때, 상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트 간의 접합력은 0.1 MPa 내지 10 MPa일 수 있고, 구체적으로, 0.3 MPa 내지 7 MPa, 0.5 MPa 내지 5 MPa 또는 0.8 MPa 내지 3 MPa일 수 있다. 상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트가 전술한 접합력을 가짐으로써, 별도의 접착제 또는 핫 프레싱 없이도 자가치유 고분자의 접착 능력을 통해 손쉽게 전도체를 연결할 수 있는 자가 치유 고분자 블록을 형성할 수 있다.
상기 자가 치유 고분자 블록의 종류는 상기 제 1 기판에서 기술한 자가 치유 고분자 블록과 동일하게 사용할 수 있으므로, 이를 생략하기로 한다.
상기 제 3 전도체(160)는 외부 다른 기기와 멀티 커넥터를 전기적으로 연결하기 위한 연결 단자로서, 상기 제 2 기판(150) 내부에 길이가 제 1 방향을 따라 형성된다. 상기 제 3 전도체(160)는 길이가 제 1 방향을 따라 형성됨으로써, 외부 전자소자의 단자를 제 1 방향을 따라 상기 멀티 커넥터에 접속할 수 있다. 이로 인해, 후술하는 방향을 따라 형성된 길이를 가지는 제 4 전도체(170)와의 조합에 의해 이방성을 나타낼 수 있다.
하나의 예시에서, 상기 제 3 전도체(160)는 외부 전자소자의 단자에 접속이 가능할 수 있다. 구체적으로, 상기 제 3 전도체(160)는 양 말단에 두 개의 외부 전자소자의 단자가 각각 접속될 수 있다. 이를 통해, 상기 제 3 전도체(160)가 외부 전자소자에 접속됨으로써, 제 1 방향을 따라 접속되는 외부 전자소자에 대한 커넥터의 기능이 수행될 수 있다.
또한, 상기 제 3 전도체(160)는 목적하는 외부 전자소자와의 접속이 가능하도록 제 2 방향을 따라 일정 간격으로 복수 개 구비될 수 있다. 상기 제 2 방향을 따라 구비된 제 3 전도체(160)의 개수는 접속을 위한 외부 전자소자의 단자에 따라 조절이 가능하므로, 특별히 제한되지 않는다.
예를 들어, 상기 제 2 기판은 육면체 형상을 가질 수 있고, 상기 하나 이상의 제 1 전도체(120) 각각의 양 말단이 위치하는 양면에 두 개의 외부 전자소자의 단자가 배치된 접속 면이 각각 접속되어 커넥터의 기능이 수행될 수 있다.
또한, 상기 제 3 전도체(160)는 백금, 금, 은, 구리, 탄소나노튜뷰 및 그래핀으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 전도성 물질 또는 이들을 포함하는 수지를 포함할 수 있다. 상기 제 3 전도체(160)가 전술한 전도성 물질 또는 이들을 포함하는 수지를 포함함으로써, 후술하는 증착 또는 프린팅 방법을 이용한 전도성 고분자 시트 상의 2 차원 인쇄를 통해 3 차원의 전도성 고분자 블록을 제작할 수 있다.
하나의 예시에서, 상기 제 3 전도체(160)가 전도성 금속으로만 이루어지는 경우, 상기 전도성 금속은 박막 형태일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 3 전도체(160)는 상기 전도성 금속이 화학 기상 증착법(CVD) 또는 물리 기상 증착법(PVD)을 통해 박막 형태로 형성될 수 있다.
또 하나의 예시에서, 상기 제 3 전도체(160)가 상기 하나 이상의 전도성 금속을 포함하는 수지인 경우, 상기 전도성 금속이 나노 와이어 또는 나노 입자 형태일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 3 전도체(160)는 상기 나노 와이어 또는 나노 입자 형태의 전도성 금속을 수지 내에 포함시킨 상태에서, 잉크젯 프린팅 또는 스크린 프린팅을 통해 형성될 수 있다.
또한, 상기 제 3 전도체(160)는 상기 제 4 전도체(170)와 길이가 수직을 이룰 수 있다. 상기 제 3 전도체(160)는 상기 제 4 전도체(170)와 길이가 수직을 이룸으로써, 이방성을 나타낼 수 있다.
상기 제 4 전도체(170)는 외부 다른 기기와 멀티 커넥터를 전기적으로 연결하기 위한 연결 단자로서, 상기 제 3 전도체(160) 상에 길이가 제 2 방향을 따라 형성된다. 상기 제 4 전도체(170)는 길이가 제 2 방향을 따라 형성됨으로써, 외부 전자소자의 단자를 제 2 방향을 따라 상기 멀티 커넥터에 접속할 수 있다. 이로 인해, 전술한 방향을 따라 형성된 길이를 가지는 제 3 전도체(160)와의 조합에 의해 이방성을 나타낼 수 있다.
하나의 예시에서, 상기 제 4 전도체(170)는 외부 전자소자의 단자에 접속이 가능할 수 있다. 구체적으로, 상기 제 4 전도체(170)는 양 말단에 두 개의 외부 전자소자의 단자가 각각 접속될 수 있다. 이를 통해, 상기 제 4 전도체(170)에 외부 전자소자가 접속됨으로써, 제 2 방향을 따라 접속되는 외부 전자소자에 대한 커넥터의 기능이 수행될 수 있다.
또한, 상기 제 4 전도체(170)는 제 1 방향을 따라 일정 간격으로 복수 개 구비될 수 있다. 상기 제 1 방향을 따라 구비된 제 4 전도체(170)의 개수는 접속을 위한 외부 전자소자의 단자에 따라 조절이 가능하므로, 특별히 제한되지 않는다.
예를 들어, 상기 육면체 형상의 제 2 기판은 상기 하나 이상의 제 4 전도체(170) 각각의 양 말단이 위치하는 양면에 두 개의 외부 전자소자의 단자가 배치된 접속 면이 각각 접속되어 커넥터의 기능이 수행될 수 있다.
또한, 상기 제 4 전도체(170)는 백금, 금, 은, 구리, 탄소나노튜뷰 및 그래핀으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 전도성 물질 또는 이들을 포함하는 수지를 포함할 수 있다. 상기 제 4 전도체(170)가 전술한 전도성 물질 또는 이들을 포함하는 수지를 포함함으로써, 후술하는 증착 또는 프린팅 방법을 이용한 전도성 고분자 시트 상의 2 차원 인쇄를 통해 3 차원의 전도성 고분자 블록을 제작할 수 있다.
하나의 예시에서, 상기 제 4 전도체(170)가 전도성 금속으로만 이루어지는 경우, 상기 전도성 금속은 박막 형태일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 4 전도체(170)는 상기 전도성 금속이 화학 기상 증착법(CVD) 또는 물리 기상 증착법(PVD)을 통해 박막 형태로 형성될 수 있다.
또 하나의 예시에서, 상기 제 4 전도체(170)가 상기 하나 이상의 전도성 금속을 포함하는 수지인 경우, 상기 전도성 금속이 나노 와이어 또는 나노 입자 형태일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 4 전도체(170)는 상기 나노 와이어 또는 나노 입자 형태의 전도성 금속을 수지 내에 포함시킨 상태에서, 잉크젯 프린팅 또는 스크린 프린팅을 통해 형성될 수 있다.
상기 제 3 전도체(160) 및 제 4 전도체(170)는 층 방향을 따라 교차하여 각각 하나 이상의 층으로 형성될 수 있다. 구체적으로, 전술한 방향을 따라 교차하여 형성된 각각의 상기 제 3 전도체(160) 및 제 4 전도체(170)의 층 수는 많을수록 동일한 자가 치유 고분자 시트 블록 두께에서 접속 면의 전도체(160, 170)가 균일하게 퍼질 수 있으므로, 안정적으로 외부 전자소자와의 접속이 가능할 수 있다. 이로 인해, 상기 제 3 전도체(160) 및 제 4 전도체(170)의 층 수는 특별히 제한되는 것은 아니나, 예를 들어, 3층 이상, 10 층 이상, 50 층 이상 또는 100 층 이상일 수 있고, 이의 상한이 200 층 이하일 수 있다.
예를 들어, 상기 제 3 전도체(160) 및 제 4 전도체(170)가 각각 하나의 층을 형성하는 경우, 제 3 전도체(160) 및 제 4 전도체(170) 순으로 형성되고, 상기 제 3 전도체(160) 및 제 4 전도체(170)가 각각 둘의 층을 형성하는 경우, 제 3 전도체(160), 제 4 전도체(170), 제 3 전도체(160) 및 제 4 전도체(170) 순으로 형성될 수 있으며, 상기 제 3 전도체(160) 및 제 4 전도체(170)의 층 수에 따라 전술한 순으로 형성될 수 있다. 상기 제 3 전도체(160) 및 제 4 전도체(170)는 층 방향을 따라 교차하여 각각 하나 이상의 층으로 형성됨으로써, 이방성을 나타낼 수 있고, 멀티 커넥터 각각의 접속 면에 각각의 전자 소자를 1 대 1로 간편한 접속이 가능할 수 있다.
본 출원은 또한, 멀티 커넥터의 제조 방법에 관한 것이다. 예시적인 멀티 커넥터의 제조 방법은 전술한 멀티 커넥터를 제조하는 방법에 관한 것으로, 후술하는 멀티 커넥터에 관한 구체적인 사항은 상기 멀티 커넥터에서 기술한 내용이 동일하게 적용될 수 있으므로, 이를 생략하기로 한다.
상기 멀티 커넥터의 제조 방법은 제 1 전도체 및 제 2 전도체가 형성되는 단계 및 제 1 기판이 형성되는 단계를 포함한다. 본 출원의 멀티 커넥터의 제조 방법에 의하면, 별도의 접착제 또는 핫 프레싱 없이도 자가치유 고분자의 접착 능력을 통해 손쉽게 전도체를 연결할 수 있고, 이방성을 통해 필요에 따라 많은 수의 전자 소자들과 접속될 수 있다.
상기 제 1 전도체 및 제 2 전도체가 형성되는 단계는 상기 제 1 전도체 및 제 2 전도체가 서로 상이한 방향으로 길이가 배치되도록 층 방향을 따라 형성하는 단계로서, 상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트 각각에 길이가 일 방향을 향하도록 전도체를 형성하고, 상기 전도체의 길이가 제 1 방향 및 제 2 방향 순으로 교대로 형성되도록 상기 전도체가 각각 형성된 복수 개의 자가 치유 고분자 시트를 층 방향을 따라 적층하여 수행된다. 이로 인해, 길이가 제 1 방향으로 형성된 전도체가 제 1 전도체이고, 길이가 제 2 방향으로 형성된 전도체가 제 2 전도체일 수 있다. 상기 멀티 커넥터의 제조 방법은 상기 제 1 전도체 및 제 2 전도체가 형성되는 단계를 포함함으로써, 멀티 커넥터가 이방성을 가질 수 있고, 이를 통해 멀티 커넥터가 필요에 따라 많은 수의 전자 소자들과 접속될 수 있다.상기 제 1 기판이 형성되는 단계는 상기 층 방향을 따라 전술한 순으로 적층된 복수개의 자가 치유 고분자 시트가 하나의 자가 치유 고분자 블록으로 형성되는 단계로서, 상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트 간의 접합력에 의해 상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트가 서로 접합되어 내부에 제 1 전도체 및 제 2 전도체가 배치되는 자가 치유 고분자 블록으로 이루어진 제 1 기판이 형성된다. 상기 멀티 커넥터의 제조 방법은 제 1 기판이 형성되는 단계를 포함함으로써, 별도의 접착제 또는 핫 프레싱 없이도 자가치유 고분자의 접착 능력을 통해 손쉽게 전도체를 연결할 수 있다.
상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트 간의 접합력은 0.1 MPa 내지 10 MPa일 수 있고, 구체적으로, 0.3 MPa 내지 7 MPa, 0.5 MPa 내지 5 MPa 또는 0.8 MPa 내지 3 MPa일 수 있다. 상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트가 전술한 접합력을 가짐으로써, 별도의 접착제 또는 핫 프레싱 없이도 자가치유 고분자의 접착 능력을 통해 손쉽게 전도체를 연결할 수 있는 자가 치유 고분자 블록을 형성할 수 있다.
하나의 예시에서, 상기 멀티 커넥터의 제조 방법은 복수 개의 케이블 각각의 일단을 제 1 전도체 또는 제 2 전도체에 연결하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 복수 개의 케이블 각각의 일단을 제 1 전도체 또는 제 2 전도체에 연결하는 단계는 제 1 전도체 또는 제 2 전도체에 전력을 공급하기 위하여 복수 개의 케이블을 연결하는 단계이다. 구체적으로, 상기 복수 개의 케이블 각각의 일단은 상기 제 1 기판의 어느 한 면에 위치하는 제 1 전도체 또는 제 2 전도체 전체에 접속되는 것이 가능하여, 상기 복수 개의 케이블 각각의 일단이 상기 제 1 기판의 어느 한 면에 위치하는 제 1 전도체 또는 제 2 전도체의 일단 전체에 접속되어 연결될 수 있다.
또 하나의 예시에서, 상기 멀티 커넥터의 제조 방법은 제 3 전도체 및 제 4 전도체가 형성되는 단계, 제 2 기판이 형성되는 단계 및 복수 개의 케이블 각각의 타단을 제 3 전도체 또는 제 4 전도체에 연결하는 단계를 더 포함할 수 있다. 본 출원의 멀티 커넥터의 제조 방법에 의하면, 별도의 접착제 또는 핫 프레싱 없이도 자가치유 고분자의 접착 능력을 통해 손쉽게 전도체를 연결할 수 있고, 멀티 커넥터가 이방성을 통해 필요에 따라 많은 수의 전자 소자들과 접속될 수 있다.
상기 제 3 전도체 및 제 4 전도체가 형성되는 단계는 상기 제 3 전도체 및 제 4 전도체가 서로 상이한 방향으로 길이가 배치되도록 층 방향을 따라 형성하는 단계로서, 상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트 각각에 길이가 일 방향을 향하도록 전도체를 형성하고, 상기 전도체의 길이가 제 1 방향 및 제 2 방향 순으로 교대로 형성되도록 상기 전도체가 각각 형성된 복수 개의 자가 치유 고분자 시트를 층 방향을 따라 적층하여 수행된다. 이로 인해, 길이가 제 1 방향으로 형성된 전도체가 제 3 전도체이고, 길이가 제 2 방향으로 형성된 전도체가 제 4 전도체일 수 있다. 상기 멀티 커넥터의 제조 방법은 상기 제 3 전도체 및 제 4 전도체가 형성되는 단계를 포함함으로써, 멀티 커넥터가 이방성을 가질 수 있고, 이를 통해 멀티 커넥터가 필요에 따라 많은 수의 전자 소자들과 접속될 수 있다.
상기 제 2 기판이 형성되는 단계는 상기 층 방향을 따라 전술한 순으로 적층된 복수개의 자가 치유 고분자 시트가 하나의 자가 치유 고분자 블록으로 형성되는 단계로서, 상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트 간의 접합력에 의해 상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트가 서로 접합되어 내부에 제 3 전도체 및 제 4 전도체가 배치되는 자가 치유 고분자 블록으로 이루어진 제 2 기판이 형성된다. 상기 멀티 커넥터의 제조 방법은 제 2 기판이 형성되는 단계를 포함함으로써, 별도의 접착제 또는 핫 프레싱 없이도 자가치유 고분자의 접착 능력을 통해 손쉽게 전도체를 연결할 수 있다.
상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트 간의 접합력은 0.1 MPa 내지 10 MPa일 수 있고, 구체적으로, 0.3 MPa 내지 7 MPa, 0.5 MPa 내지 5 MPa 또는 0.8 MPa 내지 3 MPa일 수 있다. 상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트가 전술한 접합력을 가짐으로써, 별도의 접착제 또는 핫 프레싱 없이도 자가치유 고분자의 접착 능력을 통해 손쉽게 전도체를 연결할 수 있는 자가 치유 고분자 블록을 형성할 수 있다.
상기 복수 개의 케이블 각각의 타단을 제 3 전도체 또는 제 4 전도체에 연결하는 단계는 제 3 전도체 또는 제 4 전도체에 전력을 공급하기 위하여 복수 개의 케이블을 연결하는 단계이다. 구체적으로, 상기 복수 개의 케이블 각각의 타단은 상기 제 2 기판의 어느 한 면에 위치하는 제 3 전도체 또는 제 4 전도체의 일단 전체에 접속되는 것이 가능하여, 상기 복수 개의 케이블 각각의 일단이 상기 제 2 기판의 어느 한 면에 위치하는 제 3 전도체 또는 제 4 전도체의 일단 전체에 접속되어 연결될 수 있다.
본 출원은 또한, 변형 센서에 관한 것이다. 예시적인 변형 센서는 전술한 멀티 커넥터를 포함하는 변형 센서에 관한 것으로, 후술하는 변형 센서에 관한 구체적인 사항은 상기 멀티 커넥터에서 기술한 내용이 동일하게 적용될 수 있으므로, 이를 생략하기로 한다.
상기 변형 센서는 제 1 기판, 제 1 전도체, 제 2 전도체 및 감지부를 포함한다.
상기 제 1 기판은 제 1 전도체 및 제 2 전도체가 형성되는 판으로서, 자가 치유 고분자 블록으로 이루어진다. 상기 제 1 기판에 대한 구체적인 설명은 상기 멀티 커넥터에서 기술한 바와 동일하므로, 이를 생략하기로 한다.
상기 제 1 전도체는 제 1 방향을 따라 형성된 전도체로서, 상기 제 1 기판 내부에 길이가 제 1 방향을 따라 형성되고, 제 2 방향을 따라 일정 간격으로 복수 개 구비된다. 상기 제 1 전도체에 대한 구체적인 설명은 상기 멀티 커넥터에서 기술한 바와 동일하므로, 이를 생략하기로 한다.
상기 제 2 전도체는 제 2 방향을 따라 형성된 전도체로서, 상기 제 2 전도체 상에 길이가 제 2 방향을 따라 형성되고, 제 1 방향을 따라 복수 개 구비된다. 상기 제 2 전도체에 대한 구체적인 설명은 상기 멀티 커넥터에서 기술한 바와 동일하므로, 이를 생략하기로 한다.
상기 감지부는 감지 대상의 변형 위치를 감지하는 부분으로서, 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 대한 저항 변화, 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 대한 저항 변화, 및 상기 복수 개의 제 1 전도체 및 복수 개의 제 2 전도체가 서로 접하는 부분 각각에 대한 저항 변화를 각각 측정하여 저항 변화가 큰 부분에 감지 대상의 변형이 일어난 것으로 감지하는 것을 수행한다.
하나의 예시에서, 상기 감지부는 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 대한 저항 변화를 통해 제 2 방향의 변형을 감지할 수 있다. 구체적으로, 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 대한 저항 변화를 측정하고, 상기 복수 개의 제 1 전도체 중 저항 변화가 큰 전도체가 위치하는 부분에 감지 대상의 변형이 일어난 것으로 감지할 수 있다. 즉, 상기 복수 개의 제 1 전도체는 제 2 방향을 따라 일정 간격으로 구비된다는 점에서, 상기 복수개의 제 1 전도체 각각에 대한 저항 변화를 통해 제 2 방향의 변형을 감지할 수 있다.
상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 대한 저항 변화는 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 인장력을 가하기 전 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 대하여 측정한 저항 및 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 인장력을 가한 후 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 대하여 측정한 저항의 차이일 수 있다. 이 때, 상기 저항 측정은 상기 제 1 전도체의 양 말단에 미세 전류를 인가하여 수행될 수 있다.
또 하나의 예시에서, 상기 감지부는 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 대한 저항 변화를 통해 제 1 방향의 변형을 감지할 수 있다. 구체적으로, 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 대한 저항 변화를 측정하고, 상기 복수 개의 제 2 전도체 중 저항 변화가 큰 전도체가 위치하는 부분에 감지 대상의 변형이 일어난 것으로 감지할 수 있다. 즉, 상기 복수 개의 제 2 전도체는 제 1 방향을 따라 일정 간격으로 구비된다는 점에서, 상기 복수개의 제 2 전도체 각각에 대한 저항 변화를 통해 제 1 방향의 변형을 감지할 수 있다.
또한, 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 대한 저항 변화는 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 인장력을 가하기 전 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 대하여 측정한 저항 및 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 인장력을 가한 후 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 대하여 측정한 저항의 차이일 수 있다. 이 때, 상기 저항 측정은 상기 제 2 전도체의 양 말단에 미세 전류를 인가하여 수행될 수 있다. 또 다른 하나의 예시에서, 상기 감지부는 상기 복수 개의 제 1 전도체 및 복수 개의 제 2 전도체가 서로 접하는 부분 각각에 대한 저항 변화를 통해 제 1 전도체 및 제 2 전도체의 적층 방향의 변형을 감지할 수 있다. 구체적으로, 상기 복수 개의 제 1 전도체 및 복수 개의 제 2 전도체가 서로 접하는 부분 각각에 대한 저항 변화를 측정하고, 상기 복수 개의 제 1 전도체 및 복수 개의 제 2 전도체가 서로 접하는 부분 중 저항 변화가 큰 부분에 감지 대상의 변형이 일어난 것으로 감지할 수 있다. 즉, 상기 복수 개의 제 1 전도체 및 복수 개의 제 2 전도체가 서로 접하는 부분은 제 1 전도체 및 제 2 전도체가 적층 방향을 따라 형성된다는 점에서, 상기 복수개의 제 2 전도체 각각에 대한 저항 변화를 통해 제 1 전도체 및 제 2 전도체의 적층 방향의 변형을 감지할 수 있다.
또한, 상기 복수 개의 제 1 전도체 및 복수 개의 제 2 전도체가 서로 접하는 부분 각각에 대한 저항 변화는 상기 제 1 기판에 상기 적층 방향을 따라 압력을 가하기 전 상기 복수 개의 제 1 전도체 및 복수 개의 제 2 전도체가 서로 접하는 부분 각각에 대하여 측정한 저항 및 상기 제 1 기판의 두께가 10 ㎛ 이하가 되도록 상기 제 1 기판에 상기 적층 방향을 따라 압력을 가한 후 상기 복수 개의 제 1 전도체 및 복수 개의 제 2 전도체가 서로 접하는 부분 각각에 대하여 측정한 저항의 차이일 수 있다. 구체적으로, 상기 제 1 기판의 두께가 전술한 범위 이하가 되면 절연파괴(electric breakdown) 현상이 일어나 저항 측정이 가능할 수 있다.
상기 제 1 전도체 및 제 2 전도체 간의 간격, 구체적으로, 전술한 적층 방향으로 압력을 가하기 전의 간격은 100 ㎛ 내지 10 mm일 수 있고, 구체적으로, 100 ㎛ 내지 5 mm, 100 ㎛ 내지 1 mm, 100 ㎛ 내지 500 mm 또는 100 ㎛ 내지 300 mm일 수 있다. 상기 제 1 전도체 및 제 2 전도체 간의 간격이 전술한 범위를 만족함으로써, 정밀한 변형 측정이 가능할 수 있다. 이에 반해, 제 1 전도체 및 제 2 전도체가 전술한 간격 미만인 경우, 상기 제 1 전도체 및 제 2 전도체 사이에 전류가 연결되어 각 방향에 따른 저항 변화 측정이 불가할 수 있다.
본 출원은 또한, 위치 감지 센서에 관한 것이다. 예시적인 위치 감지 센서는 전술한 멀티 커넥터를 포함하는 위치 감지 센서에 관한 것으로, 후술하는 위치 감지 센서에 관한 구체적인 사항은 상기 멀티 커넥터에서 기술한 내용이 동일하게 적용될 수 있으므로, 이를 생략하기로 한다.
상기 위치 감지 센서는 제 1 기판, 제 1 전도체, 제 2 전도체 및 감지부를 포함한다.
상기 제 1 기판은 제 1 전도체 및 제 2 전도체가 형성되는 판으로서, 자가 치유 고분자 블록으로 이루어진다. 상기 제 1 기판에 대한 구체적인 설명은 상기 멀티 커넥터에서 기술한 바와 동일하므로, 이를 생략하기로 한다.
상기 제 1 전도체는 제 1 방향을 따라 형성된 전도체로서, 상기 제 1 기판 내부에 길이가 제 1 방향을 따라 형성되고, 제 2 방향을 따라 일정 간격으로 복수 개 구비된다. 상기 제 1 전도체에 대한 구체적인 설명은 상기 멀티 커넥터에서 기술한 바와 동일하므로, 이를 생략하기로 한다.
상기 제 2 전도체는 제 2 방향을 따라 형성된 전도체로서, 상기 제 2 전도체 상에 길이가 제 2 방향을 따라 형성되고, 제 1 방향을 따라 복수 개 구비된다. 상기 제 2 전도체에 대한 구체적인 설명은 상기 멀티 커넥터에서 기술한 바와 동일하므로, 이를 생략하기로 한다.
상기 감지부는 감지 대상의 위치를 감지하는 부분으로서, 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 대한 저항 변화, 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 대한 저항 변화, 및 상기 복수 개의 제 1 전도체 및 복수 개의 제 2 전도체가 서로 접하는 부분 각각에 대한 저향 변화를 각각 측정하여 저항 변화가 큰 부분에 감지 대상이 위치하는 것으로 감지하는 것을 수행한다.
하나의 예시에서, 상기 감지부는 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 대한 저항 변화를 통해 제 2 방향의 위치를 감지할 수 있다. 구체적으로, 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 대한 저항 변화를 측정하고, 상기 복수 개의 제 1 전도체 중 저항 변화가 큰 전도체가 위치하는 부분에 감지 대상이 위치하는 것으로 감지할 수 있다. 즉, 상기 복수 개의 제 1 전도체는 제 2 방향을 따라 일정 간격으로 구비된다는 점에서, 상기 복수개의 제 1 전도체 각각에 대한 저항 변화를 통해 제 2 방향의 위치를 감지할 수 있다.
상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 대한 저항 변화는 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 인장력을 가하기 전 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 대하여 측정한 저항 및 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 인장력을 가한 후 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 대하여 측정한 저항의 차이일 수 있다. 이 때, 상기 저항 측정은 상기 제 1 전도체의 양 말단에 미세 전류를 인가하여 수행될 수 있다.
또 하나의 예시에서, 상기 감지부는 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 대한 저항 변화를 통해 제 1 방향의 위치를 감지할 수 있다. 구체적으로, 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 대한 저항 변화를 측정하고, 상기 복수 개의 제 2 전도체 중 저항 변화가 큰 전도체가 위치하는 부분에 감지 대상이 위치하는 것으로 감지할 수 있다. 즉, 상기 복수 개의 제 2 전도체는 제 1 방향을 따라 일정 간격으로 구비된다는 점에서, 상기 복수개의 제 2 전도체 각각에 대한 저항 변화를 통해 제 2 방향의 위치를 감지할 수 있다.
또한, 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 대한 저항 변화는 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 인장력을 가하기 전 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 대하여 측정한 저항 및 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 인장력을 가한 후 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 대하여 측정한 저항의 차이일 수 있다. 이 때, 상기 저항 측정은 상기 제 2 전도체의 양 말단에 미세 전류를 인가하여 수행될 수 있다.
또 다른 하나의 예시에서, 상기 감지부는 상기 복수 개의 제 1 전도체 및 복수 개의 제 2 전도체가 서로 접하는 부분 각각에 대한 저항 변화를 통해 제 1 전도체 및 제 2 전도체의 적층 방향의 위치를 감지할 수 있다. 구체적으로, 상기 복수 개의 제 1 전도체 및 복수 개의 제 2 전도체가 서로 접하는 부분 각각에 대한 저항 변화를 측정하고, 상기 복수 개의 제 1 전도체 및 복수 개의 제 2 전도체가 서로 접하는 부분 중 저항 변화가 큰 부분에 감지 대상이 위치하는 것으로 감지할 수 있다. 즉, 상기 복수 개의 제 1 전도체 및 복수 개의 제 2 전도체가 서로 접하는 부분은 제 1 전도체 및 제 2 전도체가 적층 방향을 따라 형성된다는 점에서, 상기 복수개의 제 2 전도체 각각에 대한 저항 변화를 통해 제 1 전도체 및 제 2 전도체의 적층 방향의 위치를 감지할 수 있다.
또한, 상기 복수 개의 제 1 전도체 및 복수 개의 제 2 전도체가 서로 접하는 부분 각각에 대한 저항 변화는 상기 제 1 기판에 상기 적층 방향을 따라 압력을 가하기 전 상기 복수 개의 제 1 전도체 및 복수 개의 제 2 전도체가 서로 접하는 부분 각각에 대하여 측정한 저항 및 상기 제 1 기판의 두께가 10 ㎛ 이하가 되도록 상기 제 1 기판에 상기 적층 방향을 따라 압력을 가한 후 상기 복수 개의 제 1 전도체 및 복수 개의 제 2 전도체가 서로 접하는 부분 각각에 대하여 측정한 저항의 차이일 수 있다. 구체적으로, 상기 제 1 기판의 두께가 전술한 범위 이하가 되면 절연파괴(electric breakdown) 현상이 일어나 저항 측정이 가능할 수 있다.
상기 제 1 전도체 및 제 2 전도체 간의 간격, 구체적으로, 전술한 적층 방향으로 압력을 가하기 전의 간격은 100 ㎛ 내지 10 mm일 수 있고, 구체적으로, 100 ㎛ 내지 5 mm, 100 ㎛ 내지 1 mm, 100 ㎛ 내지 500 mm 또는 100 ㎛ 내지 300 mm일 수 있다. 상기 제 1 전도체 및 제 2 전도체 간의 간격이 전술한 범위를 만족함으로써, 정밀한 위치 감지가 가능할 수 있다. 이에 반해, 제 1 전도체 및 제 2 전도체가 전술한 간격 미만인 경우, 상기 제 1 전도체 및 제 2 전도체 사이에 전류가 연결되어 각 방향에 따른 저항 변화 측정이 불가하여 위치 감지가 어려울 수 있다.
110: 제 1 기판
120: 제 1 전도체
130: 제 2 전도체
140: 케이블
141: 도선
142: 피복
150: 제 2 기판
160: 제 3 전도체
170: 제 4 전도체
10: 외부 전자소자
11: 외부 전자소자의 단자

Claims (48)

  1. 자가 치유 고분자 블록으로 이루어진 제 1 기판;
    상기 제 1 기판 내부에 길이가 제 1 방향을 따라 형성된 제 1 전도체; 및
    상기 제 1 전도체 상에 길이가 제 2 방향을 따라 형성된 제 2 전도체를 포함하는 멀티 커넥터.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 자가 치유 고분자 블록은 복수 개의 자가 치유 고분자 시트 각각에 전도체를 형성하고, 상기 전도체의 길이가 제 1 방향 및 제 2 방향 순으로 교대로 형성되도록 상기 전도체가 형성된 복수 개의 자가 치유 고분자 시트를 층 방향을 따라 적층한 후, 상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트 간의 접합력에 의해 상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트가 서로 접합되어 형성되는 멀티 커넥터.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트 간의 접합력은 0.1 MPa 내지 10 MPa인 멀티 커넥터.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 자가 치유 고분자 블록은 폴리아미드(polyimide), 말단에 파이레닐기(pyrenyl group)를 가지는 텔레켈릭 폴리우레탄(telechelic polyurethane), 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane), 폴리아크릴레이트(polyacrylate) 및 신나모일 메카노포어(cinnamoyl mechanophore)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 자가 치유 고분자를 포함하는 멀티 커넥터.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전도체는 외부 전자소자의 단자에 접속이 가능한 멀티 커넥터.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전도체는 제 2 방향을 따라 일정 간격으로 복수 개 구비되는 멀티 커넥터.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전도체는 백금, 금, 은, 구리, 탄소나노튜뷰 및 그래핀으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 전도성 물질 또는 이들을 포함하는 수지를 포함하는 멀티 커넥터.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 제 1 전도체가 전도성 금속으로만 이루어지는 경우, 상기 전도성 금속이 박막 형태이고, 상기 제 1 전도체가 상기 전도성 금속을 포함하는 수지로 이루어지는 경우, 상기 전도성 금속이 나노 와이어 또는 나노 입자 형태인 멀티 커넥터.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전도체는 상기 제 2 전도체와 길이가 수직을 이루는 멀티 커넥터.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 전도체는 외부 전자소자의 단자에 접속이 가능한 멀티 커넥터.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 전도체는 제 1 방향을 따라 일정 간격으로 복수 개 구비되는 멀티 커넥터.
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 전도체는 백금, 금, 은, 구리, 탄소나노튜뷰 및 그래핀으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 전도성 물질 또는 이들을 포함하는 수지를 포함하는 멀티 커넥터.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 제 2 전도체가 전도성 금속으로만 이루어지는 경우, 상기 전도성 금속이 박막 형태이고, 상기 제 2 전도체가 상기 전도성 금속을 포함하는 수지인 경우, 상기 전도성 금속이 나노 와이어 또는 나노 입자 형태인 멀티 커넥터.
  14. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전도체 및 제 2 전도체는 층 방향을 따라 교차하여 각각 하나 이상의 층으로 형성되는 멀티 커넥터.
  15. 제 1 항에 있어서, 도선 및 상기 도선의 외면을 감싸는 피복으로 이루어진 케이블을 복수 개 더 포함하고,
    상기 복수 개의 케이블은 각각의 일단이 제 1 전도체 또는 제 2 전도체에 연결되는 멀티 커넥터.
  16. 제 15 항에 있어서, 상기 복수 개의 케이블은 복수 개가 다발 형태로 마련되는 멀티 커넥터.
  17. 제 15 항에 있어서, 자가 치유 고분자 블록으로 이루어진 제 2 기판;
    상기 제 2 기판 내부에 길이가 제 1 방향을 따라 형성된 제 3 전도체; 및
    상기 제 3 전도체 상에 길이가 제 2 방향을 따라 형성된 제 4 전도체를 더 포함하며,
    상기 복수 개의 케이블은 각각의 타단이 제 3 전도체 또는 제 4 전도체에 연결되는 멀티 커넥터.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 자가 치유 고분자 블록은 폴리아미드(polyimide), 말단에 파이레닐기(pyrenyl group)를 가지는 텔레켈릭 폴리우레탄(telechelic polyurethane), 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane), 폴리아크릴레이트(polyacrylate) 및 신나모일 메카노포어(cinnamoyl mechanophore)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 자가 치유 고분자를 포함하는 멀티 커넥터.
  19. 제 17 항에 있어서, 상기 제 3 전도체는 외부 전자소자의 단자에 접속이 가능한 멀티 커넥터.
  20. 제 17 항에 있어서, 상기 제 3 전도체는 제 2 방향을 따라 일정 간격으로 복수 개 구비되는 멀티 커넥터.
  21. 제 17 항에 있어서, 상기 제 3 전도체는 백금, 금, 은, 구리, 탄소나노튜뷰 및 그래핀으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 전도성 물질 또는 이들을 포함하는 수지를 포함하는 멀티 커넥터.
  22. 제 21 항에 있어서, 상기 제 3 전도체가 전도성 금속으로만 이루어지는 경우, 상기 전도성 금속이 박막 형태이고, 상기 제 3 전도체가 상기 전도성 금속을 포함하는 수지인 경우, 상기 전도성 금속이 나노 와이어 또는 나노 입자 형태인 멀티 커넥터.
  23. 제 17 항에 있어서, 상기 제 4 전도체는 외부 전자소자의 단자에 접속이 가능한 멀티 커넥터.
  24. 제 15 항에 있어서, 상기 제 4 전도체는 제 1 방향을 따라 일정 간격으로 복수 개 구비되는 멀티 커넥터.
  25. 제 17 항에 있어서, 상기 제 4 전도체는 백금, 금, 은, 구리, 탄소나노튜뷰 및 그래핀으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 전도성 물질 또는 이들을 포함하는 수지를 포함하는 멀티 커넥터.
  26. 제 25 항에 있어서, 상기 제 4 전도체가 전도성 금속으로만 이루어지는 경우, 상기 전도성 금속이 박막 형태이고, 상기 제 4 전도체가 상기 전도성 금속을 포함하는 수지인 경우, 상기 전도성 금속이 나노 와이어 또는 나노 입자 형태인 멀티 커넥터.
  27. 제 17 항에 있어서, 상기 제 3 전도체 및 제 4 전도체는 층 방향을 따라 교차하여 각각 하나 이상의 층으로 형성되는 멀티 커넥터.
  28. 제 1 항에 따른 멀티 커넥터를 제조하는 방법에 관한 것으로,
    복수 개의 자가 치유 고분자 시트 각각에 전도체를 형성하고, 상기 전도체의 길이가 제 1 방향 및 제 2 방향 순으로 교대로 형성되도록 상기 전도체가 형성된 복수 개의 자가 치유 고분자 시트를 층 방향을 따라 적층하여 제 1 전도체 및 제 2 전도체가 형성되는 단계; 및
    상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트 간의 접합력에 의해 상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트가 서로 접합되어 내부에 제 1 전도체 및 제 2 전도체가 형성된 자가 치유 고분자 블록으로 이루어지는 제 1 기판이 형성되는 단계를 포함하는 멀티 커넥터의 제조 방법.
  29. 제 28 항에 있어서, 상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트 간의 접합력은 0.1 MPa 내지 10 MPa인 멀티 커넥터의 제조 방법.
  30. 제 28 항에 있어서, 복수 개의 케이블 각각의 일단을 제 1 전도체 또는 제 2 전도체에 연결하는 단계를 더 포함하는 멀티 커넥터의 제조 방법.
  31. 제 30 항에 있어서, 복수 개의 자가 치유 고분자 시트 각각에 전도체를 형성하고, 상기 전도체의 길이가 제 1 방향 및 제 2 방향 순으로 교대로 형성되도록 상기 전도체가 형성된 복수 개의 자가 치유 고분자 시트를 층 방향을 따라 적층하여 제 3 전도체 및 제 4 전도체가 형성되는 단계;
    상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트 간의 접합력에 의해 상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트가 서로 접합되어 내부에 제 3 전도체 및 제 4 전도체가 형성된 자가 치유 고분자 블록으로 이루어지는 제 2 기판이 형성되는 단계; 및
    상기 복수 개의 케이블 각각의 타단을 제 3 전도체 또는 제 4 전도체에 연결하는 단계를 더 포함하는 멀티 커넥터의 제조 방법.
  32. 제 31 항에 있어서, 상기 복수 개의 자가 치유 고분자 시트 간의 접합력은 0.1 MPa 내지 10 MPa인 멀티 커넥터의 제조 방법.
  33. 자가 치유 고분자 블록으로 이루어진 제 1 기판;
    상기 제 1 기판 내부에 길이가 제 1 방향을 따라 형성되고, 제 2 방향을 따라 일정 간격으로 복수 개 구비된 제 1 전도체;
    상기 제 1 전도체 상에 길이가 제 2 방향을 따라 형성되며, 제 1 방향을 따라 일정 간격으로 복수 개 구비된 제 2 전도체; 및
    상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 대한 저항 변화, 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 대한 저항 변화, 및 상기 복수 개의 제 1 전도체 및 복수 개의 제 2 전도체가 서로 접하는 부분 각각에 대한 저항 변화를 각각 측정하여 저항 변화가 큰 부분에 감지 대상의 변형이 일어난 것으로 감지하는 감지부를 포함하는 변형 센서.
  34. 제 33 항에 있어서, 상기 감지부는 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 대한 저항 변화를 통해 제 2 방향의 변형을 감지하는 변형 센서.
  35. 제 33 항에 있어서, 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 대한 저항 변화는 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 인장력을 가하기 전 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 대하여 측정한 저항 및 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 인장력을 가한 후 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 대하여 측정한 저항의 차이인 변형 센서.
  36. 제 33 항에 있어서, 상기 감지부는 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 대한 저항 변화를 통해 제 1 방향의 변형을 감지하는 변형 센서.
  37. 제 33 항에 있어서, 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 대한 저항 변화는 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 인장력을 가하기 전 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 대하여 측정한 저항 및 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 인장력을 가한 후 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 대하여 측정한 저항의 차이인 변형 센서.
  38. 제 33 항에 있어서, 상기 감지부는 상기 복수 개의 제 1 전도체 및 복수 개의 제 2 전도체가 서로 접하는 부분 각각에 대한 저항 변화를 통해 제 1 전도체 및 제 2 전도체의 적층 방향의 변형을 감지하는 변형 센서.
  39. 제 34 항에 있어서, 상기 복수 개의 제 1 전도체 및 복수 개의 제 2 전도체가 서로 접하는 부분 각각에 대한 저항 변화는 상기 제 1 기판에 상기 적층 방향을 따라 압력을 가하기 전 상기 복수 개의 제 1 전도체 및 복수 개의 제 2 전도체가 서로 접하는 부분 각각에 대하여 측정한 저항 및 상기 제 1 기판의 두께가 10 ㎛ 이하가 되도록 상기 제 1 기판에 상기 적층 방향을 따라 압력을 가한 후 상기 복수 개의 제 1 전도체 및 복수 개의 제 2 전도체가 서로 접하는 부분 각각에 대하여 측정한 저항의 차이인 변형 센서.
  40. 제 33 항에 있어서, 상기 제 1 전도체 및 제 2 전도체 간의 간격이 100 ㎛ 내지 10 mm인 변형 센서.
  41. 자가 치유 고분자 블록으로 이루어진 제 1 기판;
    상기 제 1 기판 내부에 길이가 제 1 방향을 따라 형성되고, 제 2 방향을 따라 일정 간격으로 복수 개 구비된 제 1 전도체;
    상기 제 1 전도체 상에 길이가 제 2 방향을 따라 형성되며, 제 1 방향을 따라 일정 간격으로 복수 개 구비된 제 2 전도체; 및
    상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 대한 저항 변화, 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 대한 저항 변화, 및 상기 복수 개의 제 1 전도체 및 복수 개의 제 2 전도체가 서로 접하는 부분 각각에 대한 저항 변화를 각각 측정하여 저항 변화가 큰 부분에 감지 대상이 위치하는 것으로 감지하는 감지부를 포함하는 위치 감지 센서.
  42. 제 41 항에 있어서, 상기 감지부는 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 대한 저항 변화를 통해 감지 대상이 위치하는 제 2 방향의 위치를 감지하는 위치 감지 센서.
  43. 제 41 항에 있어서, 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 대한 저항 변화는 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 인장력을 가하기 전 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 대하여 측정한 저항 및 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 인장력을 가한 후 상기 복수 개의 제 1 전도체 각각에 대하여 측정한 저항의 차이인 위치 감지 센서.
  44. 제 41 항에 있어서, 상기 감지부는 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 대한 저항 변화를 통해 제 1 방향의 위치를 감지하는 위치 감지 센서.
  45. 제 41 항에 있어서, 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 대한 저항 변화는 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 인장력을 가하기 전 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 대하여 측정한 저항 및 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 인장력을 가한 후 상기 복수 개의 제 2 전도체 각각에 대하여 측정한 저항의 차이인 위치 감지 센서.
  46. 제 41 항에 있어서, 상기 감지부는 상기 복수 개의 제 1 전도체 및 복수 개의 제 2 전도체가 서로 접하는 부분 각각에 대한 저항 변화를 통해 제 1 전도체 및 제 2 전도체의 적층 방향의 위치를 감지하는 위치 감지 센서.
  47. 제 41 항에 있어서, 상기 복수 개의 제 1 전도체 및 복수 개의 제 2 전도체가 서로 접하는 부분 각각에 대한 저항 변화는 상기 제 1 기판에 상기 적층 방향을 따라 압력을 가하기 전 제 1 전도체 상에 제 2 전도체가 적층된 각각의 부분에 대하여 측정한 저항 및 상기 제 1 기판의 두께가 10 ㎛ 이하가 되도록 상기 제 1 기판에 상기 적층 방향을 따라 압력을 가한 후 제 1 전도체 상에 제 2 전도체가 적층된 각각의 부분에 대하여 측정한 저항의 차이인 위치 감지 센서.
  48. 제 41 항에 있어서, 상기 제 1 전도체 및 제 2 전도체 간의 간격이 100 ㎛ 내지 10 mm인 위치 감지 센서.
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