KR20240050209A - 열 발산 구조를 포함하는 전자 장치 - Google Patents

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KR20240050209A
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Abstract

본 개시의 일 실시예에 따른 전자 장치는 전자 장치가 동작되는 과정에서 열이 발생되는 전자 부품을 포함하는 발열부, 발열부를 지지하는 열 발산 구조를 포함하며, 열 발산 구조는, 제 1 금속을 포함하는 제 1 프레임 및 적어도 일부는 제 1 프레임의 내부에 배치되고 적어도 일부는 제 1 프레임의 일면을 통해 외부로 노출되며, 제 2 금속을 포함하는 제 2 프레임을 포함하며, 제 2 프레임은, 발열부와 접촉되는 열전달부 및 발열부와 거리를 두고 배치되는 열발산부를 포함하며, 열전달부로부터 열발산부로 연장될 수 있다

Description

열 발산 구조를 포함하는 전자 장치 {ELECTRONIC DEVICE INCLUDING HEAT DISSIPATION STRUCTURE}
본 개시의 일 실시예들은 열 발산 구조를 포함하는 전자 장치에 관한 것이다.
휴대용 전자 장치에서 내부의 발열 부품(예: 인쇄 회로 기판, 프로세서, 배터리)과 접촉되는 기구물(예: 브라켓)은 단일 재질의 금속으로 다이 캐스팅(die casting) 공법을 통하여 제작될 수 있다. 예를 들어, 발열 부품과 접촉되는 기구물은 알루미늄, 마그네슘 또는 아연 재질의 비철 금속으로 이루어질 수 있다. 알루미늄, 마그네슘 또는 아연은 다이 캐스팅 공법이 적용 가능하며, 가공이 용이하여 휴대용 전자 장치의 기구물로 사용될 수 있다.
휴대용 전자 장치의 고성능화, 집적화로 인하여 전자 장치 내부의 전자 부품에서 발생되는 열이 증가될 수 있다. 휴대용 전자 장치의 사용자에게 전달되는 발열을 감소시키기 위해 전자 부품에서 발생되는 열을 주변으로 빠르게 확산시킬 필요가 있다. 단일 재질의 금속으로 이루어지는 기구물은 전자 부품에서 발생되는 열을 주변으로 빠르게 확산시키는 데 한계가 있을 수 있다.
기구물의 열전도율을 향상시키기 위해 그라파이트 시트, 구리 시트 등을 부착할 수 있으나, 이러한 방법을 적용할 경우, 기구물의 강성이 저하되거나 전자 장치의 두께가 상승될 수 있다. 기구물의 열전도율을 향상시키기 위해 구리 또는 구리 합금만으로 기구물을 제작할 시에는 전자 장치의 무게 및 제작 단가가 상승될 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 따른 전자 장치는 전자 장치가 동작되는 과정에서 열이 발생되는 전자 부품을 포함하는 발열부, 발열부를 지지하는 열 발산 구조를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 열 발산 구조는, 제 1 금속을 포함하는 제 1 프레임 및 적어도 일부는 제 1 프레임의 내부에 배치되고 적어도 일부는 제 1 프레임의 일면을 통해 외부로 노출되며, 제 2 금속을 포함하는 제 2 프레임을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 제 2 프레임은, 발열부와 접촉되는 열전달부 및 발열부와 거리를 두고 배치되는 열발산부를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 제 2 프레임은, 열전달부로부터 열발산부로 연장될 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 따른 열 발산 구조를 포함하는 전자 장치는 전자 장치의 두께 증가나 기계적 강도의 저하 없이 전자 부품에서 발생되는 열을 빠르게 확산시킬 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 따른 열 발산 구조를 포함하는 전자 장치는 다이 캐스팅에 사용되는 소재 대비 기계적 강도가 향상된 소재를 포함할 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블록도이다.
도 2는 본 개시의 일 실시예에 따른 전자 장치의 개념도이다.
도 3는 본 개시의 일 실시예에 따른 전자 장치의 분해 사시도이다.
도 4a, 도 4b 및 도 4c는 본 개시의 일 실시예에 따른 전자 장치를 나타내는 도면이다.
도 5a, 도 5b, 도 5c 및 도 5d는 본 개시의 일 실시예에 따른 제 1 프레임 및 제 2 프레임을 나타내는 도면이다.
도 6a, 도 6b 및 도 6c는 본 개시의 일 실시예에 따른 제 2 프레임을 나타내는 도면이다.
도 1은, 일 실시예에 따른, 네트워크 환경(100) 내의 전자 장치(101)의 블록도이다. 도 1을 참조하면, 네트워크 환경(100)에서 전자 장치(101)는 제 1 네트워크(198)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(102)와 통신하거나, 또는 제 2 네트워크(199)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(104) 또는 서버(108) 중 적어도 하나와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 서버(108)를 통하여 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 프로세서(120), 메모리(130), 입력 모듈(150), 음향 출력 모듈(155), 디스플레이 모듈(160), 오디오 모듈(170), 센서 모듈(176), 인터페이스(177), 연결 단자(178), 햅틱 모듈(179), 카메라 모듈(180), 전력 관리 모듈(188), 배터리(189), 통신 모듈(190), 가입자 식별 모듈(196), 또는 안테나 모듈(197)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(101)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 연결 단자(178))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 이 구성요소들 중 일부들(예: 센서 모듈(176), 카메라 모듈(180), 또는 안테나 모듈(197))은 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160))로 통합될 수 있다.
프로세서(120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(140))를 실행하여 프로세서(120)에 연결된 전자 장치(101)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)를 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일실시예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(120)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(176) 또는 통신 모듈(190))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(132)에 저장하고, 휘발성 메모리(132)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(134)에 저장할 수 있다. 일실시예에 따르면, 프로세서(120)는 메인 프로세서(121)(예: 중앙 처리 장치 또는 프로세서) 또는 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(123)(예: 그래픽 처리 장치, 신경망 처리 장치(NPU: neural processing unit), 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)가 메인 프로세서(121) 및 보조 프로세서(123)를 포함하는 경우, 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)보다 저전력을 사용하거나, 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
보조 프로세서(123)는, 예를 들면, 메인 프로세서(121)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(121)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)와 함께, 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160), 센서 모듈(176), 또는 통신 모듈(190))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성요소(예: 카메라 모듈(180) 또는 통신 모듈(190))의 일부로서 구현될 수 있다. 일실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 신경망 처리 장치)는 인공지능 모델의 처리에 특화된 하드웨어 구조를 포함할 수 있다. 인공지능 모델은 기계 학습을 통해 생성될 수 있다. 이러한 학습은, 예를 들어, 인공지능 모델이 수행되는 전자 장치(101) 자체에서 수행될 수 있고, 별도의 서버(예: 서버(108))를 통해 수행될 수도 있다. 학습 알고리즘은, 예를 들어, 지도형 학습(supervised learning), 비지도형 학습(unsupervised learning), 준지도형 학습(semi-supervised learning) 또는 강화 학습(reinforcement learning)을 포함할 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은, 복수의 인공 신경망 레이어들을 포함할 수 있다. 인공 신경망은 심층 신경망(DNN: deep neural network), CNN(convolutional neural network), RNN(recurrent neural network), RBM(restricted boltzmann machine), DBN(deep belief network), BRDNN(bidirectional recurrent deep neural network), 심층 Q-네트워크(deep Q-networks) 또는 상기 중 둘 이상의 조합 중 하나일 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은 하드웨어 구조 이외에, 추가적으로 또는 대체적으로, 소프트웨어 구조를 포함할 수 있다.
메모리(130)는, 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(120) 또는 센서 모듈(176))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(140)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(130)는, 휘발성 메모리(132) 또는 비휘발성 메모리(134)를 포함할 수 있다.
프로그램(140)은 메모리(130)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(142), 미들 웨어(144) 또는 어플리케이션(146)을 포함할 수 있다.
입력 모듈(150)은, 전자 장치(101)의 구성요소(예: 프로세서(120))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 모듈(150)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 키(예: 버튼), 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다.
음향 출력 모듈(155)은 음향 신호를 전자 장치(101)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 모듈(155)은, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있다. 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일실시예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.
디스플레이 모듈(160)은 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 디스플레이 모듈(160)은, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 디스플레이 모듈(160)은 터치를 감지하도록 설정된 터치 센서, 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 압력 센서를 포함할 수 있다.
오디오 모듈(170)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일실시예에 따르면, 오디오 모듈(170)은, 입력 모듈(150)을 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 모듈(155), 또는 전자 장치(101)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))(예: 스피커 또는 헤드폰)를 통해 소리를 출력할 수 있다.
센서 모듈(176)은 전자 장치(101)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일실시예에 따르면, 센서 모듈(176)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다.
인터페이스(177)는 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 인터페이스(177)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.
연결 단자(178)는, 그를 통해서 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 연결 단자(178)는, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.
햅틱 모듈(179)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일실시예에 따르면, 햅틱 모듈(179)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.
카메라 모듈(180)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일실시예에 따르면, 카메라 모듈(180)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.
전력 관리 모듈(188)은 전자 장치(101)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일실시예에 따르면, 전력 관리 모듈(188)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.
배터리(189)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소에 전력을 공급할 수 있다. 일실시예에 따르면, 배터리(189)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.
통신 모듈(190)은 전자 장치(101)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102), 전자 장치(104), 또는 서버(108)) 간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(190)은 프로세서(120)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 통신 모듈(190)은 무선 통신 모듈(192)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(194)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제 1 네트워크(198)(예: 블루투스, WiFi(wireless fidelity) direct 또는 IrDA(infrared data association)와 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제 2 네트워크(199)(예: 레거시 셀룰러 네트워크, 5G 네트워크, 차세대 통신 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부의 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성요소(예: 단일 칩)로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 가입자 식별 모듈(196)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(101)를 확인 또는 인증할 수 있다.
무선 통신 모듈(192)은 4G 네트워크 이후의 5G 네트워크 및 차세대 통신 기술, 예를 들어, NR 접속 기술(new radio access technology)을 지원할 수 있다. NR 접속 기술은 고용량 데이터의 고속 전송(eMBB(enhanced mobile broadband)), 단말 전력 최소화와 다수 단말의 접속(mMTC(massive machine type communications)), 또는 고신뢰도와 저지연(URLLC(ultra-reliable and low-latency communications))을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은, 예를 들어, 높은 데이터 전송률 달성을 위해, 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 고주파 대역에서의 성능 확보를 위한 다양한 기술들, 예를 들어, 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO(multiple-input and multiple-output)), 전차원 다중입출력(FD-MIMO: full dimensional MIMO), 어레이 안테나(array antenna), 아날로그 빔형성(analog beam-forming), 또는 대규모 안테나(large scale antenna)와 같은 기술들을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 전자 장치(101), 외부 전자 장치(예: 전자 장치(104)) 또는 네트워크 시스템(예: 제 2 네트워크(199))에 규정되는 다양한 요구사항을 지원할 수 있다. 일실시예에 따르면, 무선 통신 모듈(192)은 eMBB 실현을 위한 Peak data rate(예: 20Gbps 이상), mMTC 실현을 위한 손실 Coverage(예: 164dB 이하), 또는 URLLC 실현을 위한 U-plane latency(예: 다운링크(DL) 및 업링크(UL) 각각 0.5ms 이하, 또는 라운드 트립 1ms 이하)를 지원할 수 있다.
안테나 모듈(197)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부의 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 안테나를 포함할 수 있다. 일실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(190)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(190)과 외부의 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC(radio frequency integrated circuit))이 추가로 안테나 모듈(197)의 일부로 형성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 mmWave 안테나 모듈을 형성할 수 있다. 일실시예에 따르면, mmWave 안테나 모듈은 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판의 제 1 면(예: 아래 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 지정된 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있는 RFIC, 및 상기 인쇄 회로 기판의 제 2 면(예: 윗 면 또는 측 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 상기 지정된 고주파 대역의 신호를 송신 또는 수신할 수 있는 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다.
상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))을 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.
일실시예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제 2 네트워크(199)에 연결된 서버(108)를 통해서 전자 장치(101)와 외부의 전자 장치(104)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 외부의 전자 장치(102, 또는 104) 각각은 전자 장치(101)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일실시예에 따르면, 전자 장치(101)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부의 전자 장치들(102, 104, 또는 108) 중 하나 이상의 외부의 전자 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(101)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(101)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부의 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부의 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(101)로 전달할 수 있다. 전자 장치(101)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 모바일 에지 컴퓨팅(MEC: mobile edge computing), 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다. 전자 장치(101)는, 예를 들어, 분산 컴퓨팅 또는 모바일 에지 컴퓨팅을 이용하여 초저지연 서비스를 제공할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 외부의 전자 장치(104)는 IoT(internet of things) 기기를 포함할 수 있다. 서버(108)는 기계 학습 및/또는 신경망을 이용한 지능형 서버일 수 있다. 일실시예에 따르면, 외부의 전자 장치(104) 또는 서버(108)는 제 2 네트워크(199) 내에 포함될 수 있다. 전자 장치(101)는 5G 통신 기술 및 IoT 관련 기술을 기반으로 지능형 서비스(예: 스마트 홈, 스마트 시티, 스마트 카, 또는 헬스 케어)에 적용될 수 있다.
도 2는 본 개시의 일 실시예에 따른 전자 장치(200)의 개념도이다.
본 개시의 일 실시예에 따른 전자 장치(200)를 설명하는데 있어 전자 장치(200)의 폭 방향은 x축 방향을 의미하고, 전자 장치(200)의 높이 방향은 z축 방향을 의미할 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 따른 전자 장치(200)는 발열부(201) 및/또는 열 발산 구조(202)를 포함할 수 있다. 발열부(201)는 전자 장치(200) 내부에서 열이 발생되는 영역을 의미할 수 있다. 열 발산 구조(202)는 발열부(201)가 배치되고 지지되는 영역을 의미할 수 있다. 열 발산 구조(202)는 발열부(201)에서 발생되는 열을 전달 받아서 발산하는 역할을 할 수 있다.
일 실시예에서, 발열부(201)는 인쇄 회로 기판(210), 전자 부품(220), 쉴드 캔(230) 및/또는 열 전달 부재(240)를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 인쇄 회로 기판(210)에 전자 부품(220)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 인쇄 회로 기판(210)에서 열 발산 구조(202)를 향하는 방향(예: 양의 z축 방향)을 바라보는 면에 전자 부품(220)이 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 전자 부품(220)은 전자 장치(200)의 동작 과정에서 열이 발생되는 부품일 수 있다. 예를 들어, 전자 부품(220)는 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120)) 및/또는 메모리(예: 도 1의 메모리(130))를 의미할 수 있다. 전자 부품(220)에 포함되는 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120))는 어플리케이션 프로세서(application processor)일 수 있다.
일 실시예에서, 쉴드 캔(230)은 전자 부품(220)의 외곽을 둘러싸며 배치될 수 있다. 쉴드 캔(230)은 전자 부품(220)에서 발생되는 노이즈를 차폐하는 역할을 할 수 있다. 전자 부품(220)의 노이즈는 전자기 간섭(EMI: electromagnetic interference)을 발생시켜 전자 장치(200)의 RF(radio frequency) 신호 성능을 저하시키는 원인이 될 수 있다. 쉴드 캔(230)은 전자 부품(220)에서 발생되는 노이즈를 차폐하여 노이즈로 인한 전자기 간섭을 감소시킬 수 있다.
일 실시예에서, 전자 부품(220)에서 발생되는 열은 열 전달 부재(240)를 통해 열 발산 구조(202)로 전달될 수 있다. 예를 들어, 전자 부품(220)에서 발생되는 열은 열 전달 부재(240)를 통해 열 발산 구조(202)의 제 2 프레임(260)으로 전달될 수 있다.
일 실시예에서, 열 전달 부재(240)는 제 1 열 전달 부재(241) 및/또는 제 2 열 전달 부재(242)를 포함할 수 있다. 제 1 열 전달 부재(241) 및 제 2 열 전달 부재(242)는 고체 물질 및/또는 액상 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 1 열 전달 부재(241)는 실리콘 팀(silicone TIM: silicone thermal interface material)을 포함할 수 있다. 제 2 열 전달 부재는 나노 팀(nano TIM: nano thermal interface material)을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 2개의 제 1 열 전달 부재(241)가 제 2 열 전달 부재(242)를 사이에 두고 배치될 수 있다. 예를 들어, 하나의 제 1 열 전달 부재(241)는 제 2 열 전달 부재(242)에서 음의 z축 방향을 바라보는 면에 배치되고, 나머지 하나의 제 1 열 전달 부재(241)는 제 2 열 전달 부재(242)에서 양의 z축 방향을 바라보는 면에 배치될 수 있다.
도 2를 참조하면, 발열부(201)의 전자 부품(220)이 열 발산 구조(202)와 직접 접촉되지 않고, 발열부(201)의 열 전달 부재(240)가 열 발산 구조(202)와 접촉되는 것으로 도시되어 있으나, 이는 예시적인 것이며, 발열부(201)와 열 발산 구조(202)의 접촉 형태는 이에 한정되지 않을 수 있다. 예를 들어, 발열부(201)의 전자 부품(220)과 열 발산 구조(202)가 직접 접촉되어 전자 부품(220)의 열이 열 발산 구조(202)로 전달될 수 있다.
일 실시예에서, 전자 장치(200)의 열 발산 구조(202)는 제 1 프레임(250) 및/또는 제 2 프레임(260)을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 제 1 프레임(250)은 열 발산 구조(202)의 외형을 형성할 수 있다. 제 1 프레임(250)은 전자 장치(200)의 폭 방향(예: x축 방향), 높이 방향(예: z축 방향) 및 길이 방향(예: x축 및 z축에 수직한 방향)을 따라 연장될 수 있다.
일 실시예에서, 제 1 프레임(250)의 내부에 제 2 프레임(260)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 제 1 프레임(250)은 제 2 프레임(260)의 적어도 일부를 둘러싸며 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 제 2 프레임(260)은 열전달부(261) 및 /또는 열발산부(262)를 포함할 수 있다. 열전달부(261)는 발열부(201)와 직접적으로 접촉되어 발열부(201)에서 발생되는 열을 전달받는 영역일 수 있다.
일 실시예에서, 제 2 프레임(260)의 적어도 일부는 제 1 프레임(250)의 외부로 노출될 수 있다. 제 2 프레임(260)의 열전달부(261)는 적어도 일부가 제 1 프레임(250)의 외부로 노출되어 발열부(201)와 접촉될 수 있다. 예를 들어, 열전달부(261)는 전자 부품(220)을 향하는 방향(예: 음의 z축 방향)을 바라보는 면에서 발열부(201)의 열 전달 부재(240)와 접촉될 수 있다.
일 실시예에서, 열발산부(262)는 전달받은 열을 발산하는 영역일 수 있다. 열발산부(262)는 발열부(201) 및 열전달부(261)와 거리를 두고 위치할 수 있다. 예를 들어, 도 2를 참조하면, 열발산부(262)는 발열부(201) 및 열전달부(261)를 기준으로 전자 장치(200)의 폭 방향(예: x축 방향)으로 미리 정해진 거리를 두고 위치할 수 있다.
일 실시예에서, 전자 부품(220)에서 발생되는 열은 열전달부(261)를 거쳐 열발산부(262)로 전달될 수 있다. 예를 들어, 전자 부품(220)에서 발생되는 열은 도 2에 도시된 열전달경로(H)를 따라서 확산되어 열발산부(262)로 전달될 수 있다. 열전달경로(H)는 열전달부(261)로부터 열발산부(262)를 향하여 전자 장치(200)의 폭 방향(예: x축 방향)을 따라서 이어질 수 있다.
일 실시예에서, 제 1 프레임(250)은 제 1 금속을 포함하고, 제 2 프레임(260)은 제 2 금속을 포함할 수 있다. 제 1 금속은 다이 캐스팅(die casting) 공법이 적용 가능한 알루미늄, 마그네슘 및/또는 아연을 포함할 수 있다. 제 2 금속은 제 1 금속에 비하여 높은 열전도율을 지니는 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 2 프레임(260)은 구리 및/또는 구리 합금을 포함할 수 있다.
도 3은 본 개시의 일 실시예에 따른 전자 장치(200)의 분해 사시도이다.
도 3을 참조하면, 본 개시의 일 실시예에 따른 전자 장치(200)는 인쇄 회로 기판(210), 전자 부품(220), 쉴드 캔(230), 열 전달 부재(240), 제 1 프레임(250) 및/또는 제 2 프레임(260)을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 인쇄 회로 기판(210)의 일 방향에 전자 부품(220)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 인쇄 회로 기판(210)을 기준으로 제 1 프레임(250) 및 제 2 프레임(260)을 향하는 방향(예: 양의 z축 방향)에 전자 부품(220)이 배치될 수 있다.
도 2 및 도 3에서 전자 부품(220)은 1개가 인쇄 회로 기판(210)에 배치되는 것으로 도시되어 있으나, 이는 예시적인 것이며, 인쇄 회로 기판(210)에 배치되는 전자 부품(220)의 개수는 이에 한정되지 않을 수 있다. 예를 들어, 복수 개의 전자 부품(220)이 인쇄 회로 기판(210)에 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 쉴드 캔(230)은 전자 부품(220)의 외곽을 둘러싸며 배치될 수 있다. 쉴드 캔(230)은 전자 부품(220)에서 발생되는 노이즈를 차폐하는 역할을 할 수 있다.
일 실시예에서, 쉴드 캔(230)은 적어도 일부에 쉴드 캔 개구(231)를 포함할 수 있다. 쉴드 캔 개구(231)는 전자 부품(220)과 중첩되는 위치에 형성될 수 있다. 예를 들어, 쉴드 캔 개구(231)가 형성되는 위치는 전자 부품(220)이 배치되는 위치와 전자 장치(200)의 폭 방향(예: x축 방향) 및 길이 방향(예: y축 방향)을 기준으로 실질적으로 동일할 수 있다.
일 실시예에서, 열 전달 부재(240)는 제 1 열 전달 부재(241) 및/또는 제 2 열 전달 부재(242)를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 제 1 열 전달 부재(241)는 전자 부품(220)의 일면에 배치될 수 있다. 예를 들어, 전자 부품(220)을 기준으로 제 1 프레임(250) 및 제 2 프레임(260)을 향하는 방향(예: 양의 z축 방향)을 바라보는 면에 제 1 열 전달 부재(241)가 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 제 1 열 전달 부재(241)는 쉴드 캔 개구(231)가 형성되는 위치와 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 제 1 열 전달 부재(241)는 전자 장치(200)의 폭 방향(예: x축 방향) 및 길이 방향(예: y축 방향)으로 쉴드 캔 개구(231)가 연장되는 길이에 비하여 더 작게 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 제 2 열 전달 부재(242)는 쉴드 캔(230)의 일 방향에 배치될 수 있다. 예를 들어, 쉴드 캔(230)을 기준으로 인쇄 회로 기판(210)이 위치한 방향의 반대 방향(예: 양의 z축 방향)에 제 2 열 전달 부재(242)가 배치될 수 있다. 제 2 열 전달 부재(242)는 쉴드 캔(230)의 적어도 일부와 접촉되어 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 제 2 열 전달 부재(242)는 쉴드 캔 개구(231)를 덮으며 배치될 수 있다. 예를 들어, 제 2 열 전달 부재(242)는 적어도 일부가 쉴드 캔 개구(231)를 기준으로 인쇄 회로 기판(210)이 위치한 방향의 반대 방향(예: 양의 z축 방향)에 위치하며 쉴드 캔 개구(231)를 덮도록 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 제 2 열 전달 부재(242)의 일면은 제 2 열 전달 부재(242)에서 음의 z축 방향을 바라보는 면을 의미할 수 있다. 제 2 열 전달 부재(242)의 타면은 제 2 열 전달 부재(242)에서 양의 z축 방향을 바라보는 면을 의미할 수 있다.
일 실시예에서, 전자 장치(200)는 제 1 열 전달 부재(241)를 2개 포함할 수 있다. 전자 장치(200)가 제 1 열 전달 부재(241)를 2개 포함하는 경우, 2 개의 제 1 열 전달 부재(241)는 제 2 열 전달 부재(242)를 사이에 두고 배치될 수 있다. 예를 들어, 하나의 제 1 열 전달 부재(241)는 제 2 열 전달 부재(242)의 일면에 배치되고, 나머지 하나의 제 1 열 전달 부재(241)는 제 2 열 전달 부재(242)의 타면에 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 제 1 프레임(250)은 제 1 배치 공간(251) 및/또는 제 2 배치 공간(252)을 포함할 수 있다. 제 1 배치 공간(251)은 인쇄 회로 기판(210), 전자 부품(220), 쉴드 캔(230) 및/또는 열 전달 부재(240)가 배치되는 공간일 수 있다. 제 2 배치 공간(252)은 전자 장치(200)에 전력을 공급하는 배터리(189, 도 1 참조)가 배치되는 공간일 수 있다.
일 실시예에서, 제 2 프레임(260)의 적어도 일부는 제 1 프레임(250)의 내부에 배치될 수 있다. 제 1 프레임(250)은 제 2 프레임(260)의 적어도 일부의 외곽을 둘러싸며 배치될 수 있다. 제 2 프레임(260)의 적어도 일부는 제 1 프레임(250)의 외부로 노출될 수 있다.
도 4a, 도 4b 및 도 4c는 본 개시의 일 실시예에 따른 전자 장치(200)를 나타내는 도면이다.
도 4a는 본 개시의 일 실시예에 따른 전자 장치(200)를 전자 장치(200)의 폭 방향(예: x축 방향)으로 절단하여 바라본 도면이다. 도 4b는 도 4a에 도시된 A 영역을 확대하여 나타내는 도면이다. 도 4c는 도 4a에 도시된 B 영역을 확대하여 나타내는 도면이다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 인쇄 회로 기판(210)의 일면에 전자 부품(220)이 배치될 수 있다. 예를 들어, 인쇄 회로 기판(210)에서 제 1 프레임(250) 및 제 2 프레임(260)을 바라보는 면에 전자 부품(220)이 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 전자 부품(220)의 일면에 열 전달 부재(240)가 배치될 수 있다. 예를 들어, 전자 부품(220)에서 제 1 프레임(250) 및 제 2 프레임(260)을 바라보는 면에 열 전달 부재(240)가 배치될 수 있다.
도 4a 및 도 4b에 도시된 열 전달 부재(240)는 도 3에 도시된 제 1 열 전달 부재(241, 도 3 참조) 및/또는 제 2 열 전달 부재(242, 도 3 참조)를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 열 전달 부재(240)의 일면은 열 전달 부재(240)에서 음의 z축 방향을 바라보는 면을 의미할 수 있다. 열 전달 부재(240)의 타면은 열 전달 부재(240)에서 양의 z축 방향을 바라보는 면을 의미할 수 있다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 열 전달 부재(240)는 열 전달 부재(240)의 일면에서 전자 부품(220)과 접촉될 수 있다. 열 전달 부재(240)는 열 전달 부재(240)의 타면에서 제 2 프레임(260)의 열전달부(261)와 접촉될 수 있다.
일 실시예에서, 제 2 프레임(260)의 적어도 일부가 제 1 프레임(250)의 외부로 노출될 수 있다. 도 4b를 참조하면, 제 2 프레임(260)의 열전달부(261)는 제 1 프레임(250)의 외부로 노출되어 열 전달 부재(240)와 접촉될 수 있다.
일 실시예에서, 열전달부(261)는 제 2 프레임(260)의 일부가 전자 부품(220)을 향하는 방향(예: 음의 z축 방향)으로 연장되어 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 전자 부품(220)에서 발생되는 열은 열 전달 부재(240)를 통해 제 2 프레임(260)의 열전달부(261)로 전달될 수 있다. 열전달부(261)는 전자 부품(220)에서 발생되는 열을 전달받아 열발산부(262)로 전달하는 역할을 할 수 있다.
도 4a를 참조하면, 제 2 프레임(260)의 열발산부(262)는 전자 부품(220)과 거리를 두고 위치할 수 있다. 예를 들어, 열발산부(262)는 전자 부품(220)과 전자 장치(200)의 폭 방향(예: x축 방향)으로 거리를 두고 위치할 수 있다. 제 2 프레임(260)은 전자 부품(220)에서 열발산부(262)를 향하는 방향으로 연장되어 형성될 수 있다.
도 4a에서 제 2 프레임(260)의 열발산부(262)와 전자 부품(220)이 전자 장치(200)의 폭 방향(예: x축 방향)으로 거리를 두고 위치하는 것으로 도시되어 있으나, 이는 예시적인 것이며, 열발산부(262)와 전자 부품(220)은 전자 장치(200)의 길이 방향(예: y축 방향)으로 거리를 두고 위치할 수도 있다.
일 실시예에서, 전자 부품(220)에서 발생되는 열은 제 2 프레임(260)이 연장되는 방향을 따라서 열발산부(262)를 향하여 확산될 수 있다.
일 실시예에서, 열발산부(262)는 전달받은 열을 열발산부(262)의 외부로 발산하는 역할을 할 수 있다. 제 2 프레임(260)의 열발산부(262)는 열을 발산하기 용이하도록 제 2 프레임(260)의 다른 영역에 비하여 외부와 접촉되는 면적이 더 크게 형성될 수 있다. 예를 들어, 제 2 프레임(260)의 열발산부(262)는 동일한 단위 길이(예: 전자 장치(200)의 길이 방향으로 제 2 프레임(260)이 미리 정해진 만큼 연장되는 길이)를 기준으로 제 2 프레임(260)의 다른 영역에 비하여 외부와 접촉되는 면적이 더 크게 형성될 수 있다.
도 4a 및 도 4c를 참조하면, 열발산부(262)는 제 1 돌출 영역(2621)을 포함할 수 있다. 제 1 돌출 영역(2621)은 열발산부(262)의 일부가 전자 장치(200)의 높이 방향(예: z축 방향)으로 돌출되어 연장되는 영역을 의미할 수 있다.
도 4a 및 도 4c를 참조하면, 제 1 돌출 영역(2621)은 복수 개가 열발산부(262)에 형성될 수 있다. 도 4a 및 도 4c에서 제 1 돌출 영역(2621)이 4개가 형성된 것으로 도시되어 있으나, 이는 예시적인 것이며, 제 1 돌출 영역(2621)의 개수는 이에 한정되지 않을 수 있다.
일 실시예에서, 제 2 프레임(260)의 열발산부(262)는 제 1 돌출 영역(2621)을 포함하여 외부와 접촉되는 면적이 증가될 수 있다. 예를 들어, 열발산부(262)가 제 1 돌출 영역(2621)을 포함하는 경우, 제 1 돌출 영역(2621)이 형성하는 표면적만큼 열발산부(262)가 제 1 프레임(250)과 접촉되는 면적이 증가될 수 있다. 열발산부(262)가 제 1 프레임(250)과 접촉되는 면적이 증가되며 열발산부(262)가 전자 부품(220)으로부터 전달받은 열을 발산하기 용이할 수 있다.
도 5a, 도 5b, 도 5c 및 도 5d는 본 개시의 일 실시예에 따른 제 1 프레임(250) 및 제 2 프레임(260)을 나타내는 도면이다.
도 5a는 일 실시예에 따른 제 1 프레임(250) 및 제 2 프레임(260)을 나타내는 도면이다. 도 5b는 도 5a에 도시된 A-A'선을 따라 제 1 프레임(250) 및 제 2 프레임(260)을 나타내는 단면도이다. 도 5c는 도 5a에 도시된 B-B'선을 따라 제 1 프레임(250) 및 제 2 프레임(260)을 나타내는 단면도이다. 도 5d는 도 5a에 도시된 C-C'선을 따라 제 1 프레임(250) 및 제 2 프레임(260)을 나타내는 단면도이다.
일 실시예에서, 열 발산 구조(202)는 제 1 프레임(250) 및/또는 제 2 프레임(260)을 포함할 수 있다. 제 1 프레임(250)은 열 발산 구조(202)의 외관을 형성하는 프레임일 수 있다. 제 2 프레임(260)은 제 1 프레임(250) 내부에 배치되는 프레임일 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 따른 제 1 프레임(250)을 설명하는데 있어, 제 1 프레임(250)의 폭 방향, 길이 방향 및 높이 방향은 전자 장치(200)의 폭 방향, 길이 방향 및 높이 방향과 각각 평행한 방향일 수 있다. 예를 들어, 제 1 프레임(250)의 폭 방향은 x축 방향을 의미하고, 제 1 프레임(250)의 길이 방향은 y축 방향을 의미할 수 있다. 제 1 프레임(250)의 높이 방향은 z축 방향을 의미할 수 있다.
도 5a, 도 5b, 도 5c 및 도 5d를 참조하면, 제 1 프레임(250)은 전자 장치(200)의 폭 방향(예: x축 방향), 길이 방향(예: y축 방향) 및 높이 방향(예: z축 방향)을 따라 연장될 수 있다.
도 5a, 도 5b, 도 5c 및 도 5d를 참조하면, 제 1 프레임(250)은 제 2 프레임(260)의 적어도 일부를 둘러싸며 배치될 수 있다.
도 5a, 도 5b, 도 5c 및 도 5d를 참조하면, 제 2 프레임(260)은 적어도 일부가 제 1 프레임(250)의 외부로 노출될 수 있다. 예를 들어, 제 2 프레임(260)에서 열 전달부(261)가 제 1 프레임(250)의 외부로 노출될 수 있다. 제 2 프레임(260)은 열 전달부(261)에서 전자 부품(220, 도 4b 참조) 또는 전자 부품(220, 도 4b 참조)에 배치된 열 전달 부재(240, 도 4b 참조)와 접촉될 수 있다.
도 5b 및 도 5c를 참조하면, 열발산부(262)는 열전달부(261)와 거리를 두고 위치할 수 있다. 예를 들어, 열발산부(262)는 전자 장치(200)의 폭 방향(예: x축 방향)으로 열전달부(261)와 미리 정해진 길이만큼 거리를 두고 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 제 2 프레임(260)은 열발산부(262)를 복수 개 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 5b, 도 5c 및 도 5d를 참조하면, 제 2 프레임(260)이 열발산부(262)를 2개 포함하는 경우, 하나의 열발산부(262)는 열전달부(261)를 기준으로 제 1 프레임(250)의 폭 방향(예: x축 방향)으로 거리를 두고 위치할 수 있으며, 나머지 하나의 열발산부(262)는 열전달부(261)를 기준으로 제 1 프레임(250)의 길이 방향(예: y축 방향)으로 거리를 두고 위치할 수 있다.
도 5b, 도 5c 및 도 5d를 참조하면, 각각의 열발산부(262)는 제 1 돌출 영역(2621) 및/또는 제 2 돌출 영역(2622)를 포함할 수 있다. 제 1 돌출 영역(2621)은 열전달부(261)를 기준으로 제 1 프레임(250)의 폭 방향(예: x축 방향)으로 거리를 두고 위치할 수 있다. 제 2 돌출 영역(2622)은 열전달부(261)를 기준으로 제 1 프레임(250)의 길이 방향(예: y축 방향)으로 거리를 두고 위치할 수 있다.
일 실시예에서, 제 1 돌출 영역(2621) 및/또는 제 2 돌출 영역(2622)은 각각 열발산부(262)의 일부가 제 1 프레임(250)의 높이 방향(예: z축 방향)으로 돌출되어 연장되는 영역일 수 있다. 예를 들어, 열전달부(261)가 제 1 프레임(250)의 폭 방향(예: x축 방향) 및 길이 방향(예: y축 방향)과 평행한 일면을 형성하는 경우, 제 1 돌출 영역(2621) 및/또는 제 2 돌출 영역(2622)은 열전달부(261)의 일면에서 제 1 프레임(250)의 높이 방향(예: z축 방향)으로 돌출되도록 연장될 수 있다.
도 5b 및 도 5c를 참조하면, 제 1 돌출 영역(2621)의 개수는 열발산부(262)의 위치에 따라 다르게 형성될 수 있다. 예를 들어, 제 2 프레임(260)의 A-A'단면 위치에서 형성되는 제 1 돌출 영역(2621)의 개수가 B-B'단면 위치에서 형성되는 제 1 돌출 영역(2621)의 개수보다 많을 수 있다.
일 실시예에서, 제 1 돌출 영역(2621)이 연장되는 길이와 제 2 돌출 영역(2622)이 연장되는 길이는 서로 다르게 형성될 수 있다. 예를 들어, 제 2 돌출 영역(2622)이 제 1 프레임(250)의 높이 방향(예: z축 방향)으로 돌출되어 연장되는 길이가 제 1 돌출 영역(2621)이 돌출되어 연장되는 길이보다 길게 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 제 1 돌출 영역(2621) 및/또는 제 2 돌출 영역(2622)이 연장되는 길이는 열발산부(262)가 배치되는 제 1 프레임(250)의 형상에 기초하여 달라질 수 있다. 예를 들어, 제 1 프레임(250)이 높이 방향(예: z축 방향)으로 더 길게 형성되는 영역에 배치되는 열발산부(262)는 제 1 프레임(250)의 다른 영역에 배치되는 열발산부(262)에 비하여 제 1 돌출 영역(2621) 및/또는 제 2 돌출 영역(2622)이 더 길게 연장되어 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 제 1 돌출 영역(2621) 및/또는 제 2 돌출 영역(2622)은 각각 복수 개가 열발산부(262)의 일부에 형성될 수 있다. 도 5b, 도 5c 및 도 5d를 참조하면, 제 1 돌출 영역(2621)의 개수가 제 2 돌출 영역(2622)의 개수보다 많은 것으로 도시되어 있으나, 이는 예시적인 것이며, 제 1 돌출 영역(2621) 및 제 2 돌출 영역(2622)의 개수는 이에 한정되지 않을 수 있다.
일 실시예에서, 제 1 프레임(250)은 제 2 프레임(260)에 비하여 낮은 녹는점을 지니는 소재를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 2 프레임(260)의 제 2 금속은 구리 또는 구리 합금을 포함하며, 제 1 프레임(250)의 제 1 금속은 제 2 금속에 비하여 낮은 녹는점을 지니는 알루미늄, 마그네슘 또는 아연을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 제 1 프레임(250)은 제 2 프레임(260)에 비하여 낮은 열전도율을 지니는 소재를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 제 1 프레임(250)은 다이 캐스팅 공법을 이용하여 제조될 수 있다. 예를 들어, 제 2 프레임(260)이 제조된 후 제 2 프레임(260)의 외부에 제 1 프레임(250)이 다이 캐스팅 공법을 통해 제조될 수 있다. 제 1 프레임(250)에 포함된 제 1 금속은 제 2 프레임(260)에 포함된 제 2 금속에 비하여 낮은 녹는점을 지닐 수 있으므로, 제 2 프레임(260)이 배치된 상태에서 제 1 프레임(250)이 다이 캐스팅 공법을 통해 제 2 프레임(260)의 외부에 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 제 1 프레임(250)의 제 1 금속은 다이 캐스팅 공법의 적용이 가능한 금속을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 제 1 프레임(250)은 금속사출성형(MIM: metal injection molding) 공법을 이용하여 제조될 수 있다.
일 실시예에서, 제 1 프레임(250)의 제 1 금속은 금속사출성형 공법의 적용이 가능한 금속을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 제 2 프레임(260)의 외부에 제 1 프레임(250)이 형성된 후, 제 1 프레임(250) 및 제 2 프레임(260)에 추가 공정이 수행될 수 있다. 예를 들어, 제 1 프레임(250)의 표면에 막을 형성하는 공정(예: 아노다이징, 크로메이트), 제 1 프레임(250) 및 제 2 프레임(260)의 외부 표면을 다듬는 공정(예: 샌딩) 및/또는 제 1 프레임(250) 및 제 2 프레임(260)의 표면 보호 및 미관 형성을 위한 공정(예: 도장)이 수행될 수 있다.
도 5a, 도 5b 및 도 5b은 제 2 프레임(260)의 열전달부(261)만 제 1 프레임(250)의 외부로 노출되는 것으로 도시되어 있으나, 이는 예시적인 것이며, 제 2 프레임(260)에서 제 1 프레임(250)의 외부로 노출되는 부분은 이에 한정되지 않을 수 있다. 예를 들어, 제 2 프레임(260)의 열발산부(262)가 제 1 프레임(250)의 내부에만 위치하는 것이 아니라 제 1 프레임(250)의 일면을 통해 외부로 노출될 수도 있다. 열발산부(262)는 제 1 프레임(250)의 면 중 음의 z축 방향을 바라보는 면 또는 양의 z축 방향을 바라보는 면에서 제 1 프레임(250)의 외부로 노출될 수 있다.
일 실시예에서, 열발산부(262)가 제 1 프레임(250)의 외부로 노출되는 경우, 외부로 노출된 열발산부(262)에 냉각 부재(미도시)가 배치될 수 있다. 냉각 부재(미도시)는 열발산부(262)의 열을 냉각시키는 역할을 할 수 있다.
도 6a, 도 6b 및 도 6c는 본 개시의 일 실시예에 따른 제 2 프레임(260)을 나타내는 도면이다.
도 6a는 본 개시의 일 실시예에 따른 제 2 프레임(260)을 양의 z축 방향으로 바라본 도면이다. 도 6b는 본 개시의 일 실시예에 따른 제 2 프레임(260)을 음의 y축 방향으로 바라본 도면이다. 도 6c는 본 개시의 일 실시예에 따른 제 2 프레임(260)을 양의 x축 방향으로 바라본 도면이다.
본 개시의 일 실시예에 따른 제 2 프레임(260)을 설명하는 데 있어 제 2 프레임(260)의 폭 방향은 x축 방향을 의미하고, 길이 방향은 y축 방향을 의미할 수 있다. 제 2 프레임(260)의 높이 방향은 z축 방향을 의미할 수 있다.
일 실시예에서, 제 2 프레임(260)은 플레이트 형상을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 2 프레임(260)은 높이 방향(예: z축 방향)으로 두께를 지니며, 폭 방향(예: x축 방향) 및 길이 방향(예: y축 방향)으로 연장되어 형성될 수 있다.
도 6a, 도 6b 및 도 6c를 참조하면, 본 개시의 일 실시예에 따른 제 2 프레임(260)은 열전달부(261) 및/또는 열발산부(262)를 포함할 수 있다.
도 6a, 도 6b 및 도 6c를 참조하면, 제 2 프레임(260)의 일부 영역이 다른 영역에 비하여 두껍게 형성될 수 있다. 예를 들어, 제 2 프레임(260)의 열전달부(261)는 다른 영역에 비하여 두껍게 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 열발산부(262)는 제 1 돌출 영역(2621) 및/또는 제 2 돌출 영역(2622)을 포함할 수 있다. 제 1 돌출 영역(2621) 및 제 2 돌출 영역(2622)은 열발산부(262)의 일부가 제 2 프레임(260)의 높이 방향(예: z축 방향)으로 돌출되어 연장되는 영역을 의미할 수 있다.
도 6a, 도 6b 및 도 6c를 참조하면, 제 1 돌출 영역(2621)은 제 2 프레임(260)의 길이 방향(예: y축 방향)과 실질적으로 평행한 방향을 따라 연장될 수 있다. 제 2 돌출 영역(2622)은 제 2 프레임(260)의 폭 방향(예: x축 방향)과 실질적으로 평행한 방향을 따라 연장될 수 있다.
일 실시예에서, 열전달부(261)는 열발산부(262)와 미리 정해진 길이만큼 거리를 두고 위치할 수 있다. 예를 들어, 열전달부(261)의 제 1 돌출 영역(2621)은 제 2 프레임(260)의 폭 방향(예: x축 방향)으로 열전달부(261)와 거리를 두고 위치할 수 있다. 열전달부(261)의 제 2 돌출 영역(2622)은 제 2 프레임(260)의 길이 방향(예: y축 방향)으로 열전달부(261)와 거리를 두고 위치할 수 있다.
도 6a를 참조하면, 제 2 프레임(260)은 적어도 일부에서 구부러지며 연장되는 형상을 포함할 수 잇다. 예를 들어, 제 2 프레임(260)은 열전달부(261)에서 열발산부(262)의 제 1 돌출 영역(2621)을 향하는 방향으로 제 2 프레임(260)의 폭 방향(예: x축 방향)으로 연장되면서 적어도 일부에서 제 2 프레임(260)의 길이 방향(예: y축 방향)으로 구부러질 수 있다. 제 2 프레임(260)이 구부러지며 연장되는 형상은 제 1 프레임(250)의 형상 및 전자 장치(200)의 다른 구성(예: 인쇄 회로 기판(210))의 형상에 기초하여 달라질 수 있다.
도 6b 및 도 6c를 참조하면, 제 1 돌출 영역(2621)이 연장되는 길이와 제 2 돌출 영역(2622)이 서로 다르게 형성될 수 있다. 예를 들어, 제 2 돌출 영역(2622)이 제 1 프레임(250)의 높이 방향(예: z축 방향)으로 돌출되어 연장되는 길이가 제 1 돌출 영역(2621)이 돌출되어 연장되는 길이보다 길게 형성될 수 있다. 제 1 돌출 영역(2621) 및 제 2 돌출 영역(2622)이 연장되는 길이는 제 1 프레임(250, 도 5b 참조)의 형상에 기초하여 달라질 수 있다.
일 실시예에서, 제 1 돌출 영역(2621) 및 제 2 돌출 영역(2622)의 단면은 제 1 돌출 영역(2621) 및 제 2 돌출 영역(2622)에서 z축 방향과 실질적으로 수직하게 형성되는 단면을 의미할 수 있다.
도 6a, 도 6b 및 도 6c에서, 제 1 돌출 영역(2621) 및 제 2 돌출 영역(2622)의 단면은 직사각형 형상인 것으로 도시되어 있으나, 이는 예시적인 것이며 제 1 돌출 영역(2621) 및 제 2 돌출 영역(2622)의 단면은 이에 한정되지 않을 수 있다. 예를 들어, 제 1 돌출 영역(2621) 및/또는 제 2 돌출 영역(2622)의 단면은 원형 형상을 포함하거나 사각형이 아닌 다각형 형상을 포함할 수도 있다.
도 6a, 도 6b 및 도 6c에서, 제 1 돌출 영역(2621) 및 제 2 돌출 영역(2622)이 제 2 프레임(260)의 일면에서 음의 z축 방향으로 돌출되어 연장되는 것으로 도시되어 있으나, 이는 예시적인 것이며, 각각의 돌출 영역(2621, 2622)이 연장되는 방향은 이에 한정되지 않을 수 있다. 예를 들어, 제 1 돌출 영역(2621) 및 제 2 돌출 영역(2622)은 제 2 프레임(260)의 타면에서 양의 z축 방향으로 돌출되어 연장될 수도 있다. 또는, 제 1 돌출 영역(2621) 및 제 2 돌출 영역(2622)은 제 2 프레임(260)의 일면 및 타면에서 각각 음의 z축 방향 및 양의 z축 방향으로 돌출되어 연장될 수도 있다.
일 실시예에서, 제 2 프레임(260)은 제 1 프레임(250)에 포함된 금속에 비하여 높은 열전도율을 지니는 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 2 프레임(260)은 구리 및/또는 구리 합금을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 제 2 프레임(260)은 열전도율 향상을 위한 나노 물질을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 2 프레임(260)은 구리 및/또는 구리 합금을 기초로 열전도율이 향상될 수 있는 그라파이트 및/또는 그라핀 나노 분말을 포함할 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 따른 전자 장치(200)는 전자 장치(200)가 동작되는 과정에서 열이 발생되는 전자 부품(220)을 포함하는 발열부(201), 발열부(201)를 지지하는 열 발산 구조(202)를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 열 발산 구조(202)는, 제 1 금속을 포함하는 제 1 프레임(250) 및 적어도 일부는 제 1 프레임(250)의 내부에 배치되고 적어도 일부는 제 1 프레임(250)의 일면을 통해 외부로 노출되며, 제 2 금속을 포함하는 제 2 프레임(260)을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 제 2 프레임(260)은. 발열부(201)와 접촉되는 열전달부(261) 및 발열부(201)와 거리를 두고 배치되는 열발산부(262)를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 제 2 프레임(260)은 열전달부(261)로부터 열발산부(262)로 연장될 수 있다.
일 실시예에서, 발열부(201)는, 일면에서 전자 부품(220)과 접촉되고, 타면에서 열 발산 구조(202)와 접촉되어 전자 부품(220)에서 발생되는 열을 열 발산 구조(202)에 전달하는 열 전달 부재(240)를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 발열부(201)는, 전자 부품(220)이 배치되는 인쇄 회로 기판(210) 및 전자 부품(220)과 중첩되는 위치에 배치되는 쉴드 캔 개구(231)를 포함하며, 전자 부품(220)의 외곽을 둘러싸며 배치되는 쉴드 캔(230)을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 발열부(201)는, 전자 부품(220)에서 발생되는 열을 열 발산 구조(202)에 전달하는 열 전달 부재(240)를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 열 전달 부재(240)는 쉴드 캔 개구(231)와 중첩되는 위치에서 전자 부품(220)과 접촉되는 제 1 열 전달 부재(241) 및 일면에서 쉴드 캔(230) 및 제 1 열 전달 부재(241)와 접촉되고, 타면에서 열 발산 구조(202)와 접촉되는 제 2 열 전달 부재(242)를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 제 2 프레임(260)의 열발산부(261)는, 동일한 단위 길이를 기준으로 제 2 프레임(260)의 다른 영역에 비하여 외부와 접촉되는 면적이 더 크게 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 열발산부(262)는, 열발산부(262)의 일면에서 전자 장치(200)의 높이 방향으로 돌출되어 연장되는 돌출 영역(2621, 2622)을 복수 개 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 복수 개의 돌출 영역(2621, 2622)은 서로 이격되도록 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 돌출 영역(2621, 2622)은, 사각형 형상의 단면을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 열발산부(262)의 돌출 영역(2621, 2622)은, 열전달부(261)에서 전자 장치(200)의 폭 방향으로 거리를 두고 위치하는 제 1 돌출 영역(2621) 및 열전달부(261)에서 전자 장치(200)의 길이 방항으로 거리를 두고 위치하는 제 2 돌출 영역(2622)을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 제 1 돌출 영역(2621)이 전자 장치(200)의 높이 방향으로 돌출되어 연장되는 길이와 제 2 돌출 영역(2622)이 전자 장치(200)의 높이 방향으로 돌출되어 연장되는 길이는 서로 다르게 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 제 1 돌출 영역(2621)은, 전자 장치(200)의 길이 방향을 따라 연장되며, 제 2 돌출 영역(2622)은, 전자 장치(200)의 폭 방향을 따라 연장될 수 있다.
일 실시예에서, 제 1 금속의 열전도율이 제 2 금속의 열전도율보다 낮게 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 제 1 금속의 녹는점은 제 2 금속의 녹는점에 비하여 낮게 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 제 1 프레임(250)은, 제 2 프레임(260)의 외곽에 다이 캐스팅 공법을 이용하여 제조될 수 있다.
일 실시예에서, 제 1 프레임(250)은, 금속사출성형공법을 이용하여 제조될 수 있다.
일 실시예에서, 제 1 금속은, 알루미늄, 마그네슘 또는 아연을 포함하며, 제 2 금속은, 구리 또는 구리 합금을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 열 발산 구조(202)는, 제 1 금속을 포함하는 제 1 프레임(250) 및 적어도 일부는 제 1 프레임(250)의 내부에 배치되고 적어도 일부는 제 1 프레임(250)의 일면을 통해 외부로 노출되며, 제 2 금속을 포함하는 제 2 프레임(260)을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 제 2 프레임(260)은. 외부의 발열원에서 발생되는 열을 전달받는 열전달부(261) 및 외부의 발열원과 거리를 두고 배치되는 열발산부(262)를 포함할 수 있다.
본 개시의 일 실시예에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 개시의 실시예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.
본 개시의 일 실시예 및 이에 사용된 용어들은 본 개시에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 개시에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", "A 또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나", 및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제 1", "제 2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제 1) 구성요소가 다른(예: 제 2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제 3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.
본 개시의 일 실시예에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로와 같은 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일실시예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다.
본 개시의 일 실시예는 기기(machine)(예: 전자 장치(101)) 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium)(예: 내장 메모리(136) 또는 외장 메모리(138))에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어(예: 프로그램(140))로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기(예: 전자 장치(101))의 프로세서(예: 프로세서(120))는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장 매체는, 비일시적(non-transitory) 저장 매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, '비일시적'은 저장 매체가 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장 매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다.
일실시예에 따르면, 본 개시의 다양한 실시예들에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory(CD-ROM))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어TM)를 통해 또는 두 개의 사용자 장치들(예: 스마트 폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있으며, 복수의 개체 중 일부는 다른 구성요소에 분리 배치될 수도 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.

Claims (20)

  1. 전자 장치(200)에 있어서,
    상기 전자 장치가 동작되는 과정에서 열이 발생되는 전자 부품(220)을 포함하는 발열부(201); 및
    상기 발열부를 지지하는 열 발산 구조(202)를 포함하며,
    상기 열 발산 구조는,
    제 1 금속을 포함하는 제 1 프레임(250); 및
    적어도 일부는 상기 제 1 프레임의 내부에 배치되고 적어도 일부는 상기 제 1 프레임의 일면을 통해 외부로 노출되며, 제 2 금속을 포함하는 제 2 프레임(260)을 포함하며,
    상기 제 2 프레임은, 상기 발열부와 접촉되는 열전달부(261) 및 상기 발열부와 거리를 두고 배치되는 열발산부(262)를 포함하며, 상기 열전달부로부터 상기 열발산부로 연장되는 전자 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 발열부는,
    일면에서 상기 전자 부품과 접촉되고, 타면에서 상기 열 발산 구조와 접촉되어 상기 전자 부품에서 발생되는 열을 상기 열 발산 구조에 전달하는 열 전달 부재(240)를 더 포함하는 전자 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 발열부는,
    상기 전자 부품이 배치되는 인쇄 회로 기판(210); 및
    상기 전자 부품과 중첩되는 위치에 배치되는 쉴드 캔 개구(231)를 포함하며, 상기 전자 부품의 외곽을 둘러싸며 배치되는 쉴드 캔(230)을 더 포함하는 전자 장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 발열부는,
    상기 전자 부품에서 발생되는 열을 상기 열 발산 구조에 전달하는 열 전달 부재(240)를 더 포함하며,
    상기 열 전달 부재는 상기 쉴드 캔 개구와 중첩되는 위치에서 상기 전자 부품과 접촉되는 제 1 열 전달 부재(241); 및
    일면에서 상기 쉴드 캔 및 상기 제 1 열 전달 부재와 접촉되고, 타면에서 상기 열 발산 구조와 접촉되는 제 2 열 전달 부재(242)를 포함하는 전자 장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 제 2 프레임의 열발산부는,
    동일한 단위 길이를 기준으로 제 2 프레임의 다른 영역에 비하여 외부와 접촉되는 면적이 더 크게 형성되는 전자 장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 열발산부는,
    상기 열발산부의 일면에서 상기 전자 장치의 높이 방향으로 돌출되어 연장되는 돌출 영역(2621, 2622)을 복수 개 포함하며,
    상기 복수 개의 돌출 영역은 서로 이격되도록 배치되는 전자 장치.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 돌출 영역은,
    사각형 형상의 단면을 포함하는 전자 장치.
  8. 제 6항에 있어서,
    상기 열발산부의 돌출 영역은,
    상기 열전달부에서 상기 전자 장치의 폭 방향으로 거리를 두고 위치하는 제 1 돌출 영역(2621); 및
    상기 열전달부에서 상기 전자 장치의 길이 방항으로 거리를 두고 위치하는 제 2 돌출 영역(2622)을 포함하는 전자 장치.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 제 1 돌출 영역이 상기 전자 장치의 높이 방향으로 돌출되어 연장되는 길이와 상기 제 2 돌출 영역이 상기 전자 장치의 높이 방향으로 돌출되어 연장되는 길이는 서로 다르게 형성되는 전자 장치.
  10. 제 8항에 있어서,
    상기 제 1 돌출 영역은, 상기 전자 장치의 길이 방향을 따라 연장되며,
    상기 제 2 돌출 영역은, 상기 전자 장치의 폭 방향을 따라 연장되는 전자 장치.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 금속의 열전도율이 상기 제 2 금속의 열전도율보다 낮게 형성되며, 상기 제 1 금속의 녹는점은 상기 제 2 금속의 녹는점에 비하여 낮게 형성되는 전자 장치.
  12. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 프레임은,
    상기 제 2 프레임의 외곽에 다이 캐스팅 공법을 이용하여 제조되는 전자 장치.
  13. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 프레임은,
    금속사출성형 공법을 이용하여 제조되는 전자 장치.
  14. 제 1항에 있어서,
    상기 제 1 금속은,
    알루미늄, 마그네슘 또는 아연을 포함하며,
    상기 제 2 금속은,
    구리 또는 구리 합금을 포함하는 전자 장치.
  15. 열 발산 구조(202)에 있어서,
    제 1 금속을 포함하는 제 1 프레임(250); 및
    적어도 일부는 상기 제 1 프레임의 내부에 배치되고 적어도 일부는 상기 제 1 프레임의 일면을 통해 외부로 노출되며, 제 2 금속을 포함하는 제 2 프레임(260)을 포함하며,
    상기 제 2 프레임은, 외부의 발열원에서 발생되는 열을 전달받는 열전달부(261) 및 상기 외부의 발열원과 거리를 두고 배치되는 열발산부(262)를 포함하며, 상기 열전달부로부터 상기 열발산부로 연장되는 열 발산 구조.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 제 2 프레임의 열발산부는,
    동일한 단위 길이를 기준으로 제 2 프레임의 다른 영역에 비하여 외부와 접촉되는 면적이 더 크게 형성되는 열 발산 구조.
  17. 제 15항에 있어서,
    상기 열발산부는,
    상기 열발산부의 일면에서 상기 제 2 프레임의 높이 방향으로 돌출되어 연장되는 돌출 영역(2621, 2622)을 복수 개 포함하며,
    상기 복수 개의 돌출 영역은 서로 이격되도록 배치되는 열 발산 구조.
  18. 제 15항에 있어서,
    상기 제 1 프레임은,
    상기 제 2 프레임의 외곽에 다이 캐스팅 공법을 이용하여 제조되는 열 발산 구조.
  19. 제 15항에 있어서,
    상기 제 1 프레임은,
    금속사출성형 공법을 이용하여 제조되는 열 발산 구조.
  20. 제 15항에 있어서,
    상기 제 1 금속은,
    알루미늄, 마그네슘 또는 아연을 포함하며,
    상기 제 2 금속은,
    구리 또는 구리 합금을 포함하는 열 발산 구조.
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