KR20240046516A - polishing device - Google Patents

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KR20240046516A
KR20240046516A KR1020247005887A KR20247005887A KR20240046516A KR 20240046516 A KR20240046516 A KR 20240046516A KR 1020247005887 A KR1020247005887 A KR 1020247005887A KR 20247005887 A KR20247005887 A KR 20247005887A KR 20240046516 A KR20240046516 A KR 20240046516A
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polishing
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KR1020247005887A
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히사노리 마츠오
게이스케 스즈키
Original Assignee
가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
고쿠리츠 다이가쿠 호진 큐슈 코교 다이가쿠
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Abstract

본 발명은 연마 장치에 관한 것이다. 연마 장치는, 적외선을 투과하는 복수의 창 부재(50)와, 복수의 창 부재(50)의 하방에 배치되어, 연마 헤드(3)에 보유 지지된 기판(W)의 표면 온도를 측정하는 복수의 적외 방사 온도계(51)를 구비하고 있다.The present invention relates to a polishing device. The polishing device includes a plurality of window members 50 that transmit infrared rays, and a plurality of plurality of window members 50 disposed below the plurality of window members 50 and measuring the surface temperature of the substrate W held by the polishing head 3. It is equipped with an infrared radiation thermometer (51).

Description

연마 장치polishing device

본 발명은 연마 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a polishing device.

반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서는, 디바이스 표면의 평탄화 기술이 점점 중요해지고 있다. 이 평탄화 기술 중, 가장 중요한 기술은, 화학적 기계 연마(Chemical Mechanical Polishing 또는 CMP)이다. 이 화학적 기계적 연마(이하, CMP라고 칭함)는, 연마 장치를 사용하여, 실리카(SiO2)나 세리아(CeO2) 등의 지립을 포함한 연마액(슬러리)을 연마 패드에 공급하면서, 웨이퍼 등의 기판을 연마면에 미끄럼 접촉시켜 연마를 행하는 것이다.In the semiconductor device manufacturing process, device surface planarization technology is becoming increasingly important. Among these planarization technologies, the most important is chemical mechanical polishing (CMP). This chemical mechanical polishing (hereinafter referred to as CMP) uses a polishing device to supply a polishing liquid (slurry) containing abrasive grains such as silica (SiO 2 ) or ceria (CeO 2 ) to the polishing pad, while polishing the wafer, etc. Polishing is performed by sliding the substrate into contact with the polishing surface.

CMP(Chemical Mechanical Polishing) 장치는, 반도체 디바이스의 제조에 있어서, 기판의 표면을 연마하는 공정에 사용된다. CMP 장치는, 기판을 연마 헤드로 보유 지지하여 기판을 회전시키고, 또한 회전하는 연마 테이블 위의 연마 패드에 기판을 압박하여 기판의 표면을 연마한다. 기판의 연마 중, 연마 패드에는 연마액(슬러리)이 공급되고, 기판의 표면은, 연마액의 화학적 작용과 연마액에 포함되는 지립의 기계적 작용에 의해 평탄화된다.CMP (Chemical Mechanical Polishing) equipment is used in the process of polishing the surface of a substrate in the manufacture of semiconductor devices. The CMP device rotates the substrate by holding it with a polishing head, and polishes the surface of the substrate by pressing the substrate against a polishing pad on a rotating polishing table. During polishing of a substrate, a polishing liquid (slurry) is supplied to the polishing pad, and the surface of the substrate is flattened by the chemical action of the polishing liquid and the mechanical action of the abrasive grains contained in the polishing liquid.

일본 특허 공개 제2020-110859호 공보Japanese Patent Publication No. 2020-110859 일본 특허 공개 제2019-84614호 공보Japanese Patent Publication No. 2019-84614

기판의 연마 레이트는, 기판의 표면 온도에 의존한다. 따라서, 반도체 디바이스의 제조에 있어서는, 기판의 표면 온도에 기초하여, 기판의 연마 레이트를 관리하는 것은 중요하다. 기판의 연마 중에 있어서, 기판의 표면 온도를 직접 측정하는 대신, 연마 패드의 온도를 측정하는 방법이 알려져 있다. 이러한 방법에서는, 측정된 연마 패드의 온도에 기초하여, 기판의 표면 온도를 추정한다. 그러나, 보다 고정밀도로 연마 레이트를 관리하기 위해서는, 기판의 표면 온도를 직접 측정하는 것이 바람직하다.The polishing rate of the substrate depends on the surface temperature of the substrate. Therefore, in the manufacture of semiconductor devices, it is important to manage the polishing rate of the substrate based on the surface temperature of the substrate. During polishing of a substrate, there is a known method of measuring the temperature of the polishing pad instead of directly measuring the surface temperature of the substrate. In this method, the surface temperature of the substrate is estimated based on the measured temperature of the polishing pad. However, in order to manage the polishing rate with higher precision, it is desirable to directly measure the surface temperature of the substrate.

기판의 이면을 보유 지지하는 연마 헤드에 온도 측정 장치를 마련하는 구성이 생각된다. 이와 같은 구성에서는, 온도 측정 장치는, 연마 헤드 측으로부터 기판의 이면 온도를 측정한다. 그러나 기판에는, 두께가 있기 때문에 기판의 표면과 이면에서의 온도 분포가 달라, 기판의 이면의 온도를 측정해도, 기판의 표면 온도를 정확하게 취득할 수 없다. 또한, 기판의 표면에는, 전자 디바이스가 가공되어 있기 때문에, 기판의 표면에 접촉하는 타입의 온도 측정 센서를 일반적으로 사용할 수는 없다.A configuration in which a temperature measuring device is provided on a polishing head holding the back surface of the substrate is conceivable. In this configuration, the temperature measuring device measures the temperature of the back surface of the substrate from the polishing head side. However, because the substrate has a thickness, the temperature distribution on the front and back surfaces of the substrate is different, and even if the temperature on the back surface of the substrate is measured, the surface temperature of the substrate cannot be accurately acquired. Additionally, since electronic devices are processed on the surface of the substrate, a temperature measurement sensor of a type that contacts the surface of the substrate cannot generally be used.

그래서, 본 발명은 기판의 표면 온도를 정확하게 측정할 수 있는 연마 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.Therefore, the purpose of the present invention is to provide a polishing device that can accurately measure the surface temperature of a substrate.

일 양태에서는, 적외선을 투과하는 복수의 창 부재와, 상기 복수의 창 부재가 매립된 연마 패드와, 상기 연마 패드를 지지하고, 상기 연마 패드와 함께 회전하는 연마 테이블과, 기판을 회전 가능하도록 보유 지지하고, 상기 기판을 상기 연마 패드에 압박하는 연마 헤드와, 상기 복수의 창 부재의 하방에 배치되어, 상기 연마 헤드에 보유 지지된 상기 기판의 표면 온도를 측정하는 복수의 적외 방사 온도계를 구비하고 있는, 연마 장치가 제공된다.In one aspect, a plurality of window members that transmit infrared rays, a polishing pad in which the plurality of window members are embedded, a polishing table that supports the polishing pad and rotates together with the polishing pad, and a substrate that is rotatably held. a polishing head that supports and presses the substrate against the polishing pad, and a plurality of infrared radiation thermometers disposed below the plurality of window members and measuring a surface temperature of the substrate held by the polishing head; A polishing device is provided.

일 양태에서는, 상기 복수의 적외 방사 온도계는, 상기 연마 테이블의 반경 방향으로 배치되어 있고, 상기 연마 테이블과 함께 회전한다.In one aspect, the plurality of infrared radiation thermometers are arranged in a radial direction of the polishing table and rotate together with the polishing table.

일 양태에서는, 상기 복수의 적외 방사 온도계 각각은, 그 수광부를 개폐하는, 흑체 구조를 갖는 셔터를 구비하고 있다.In one aspect, each of the plurality of infrared radiation thermometers is provided with a shutter having a black body structure that opens and closes the light receiving portion.

일 양태에서는, 상기 복수의 적외 방사 온도계 각각은, 외란의 영향을 억제함으로써, 방사율이 낮은 측정 대상물의 온도를 측정하는 기능을 갖는 방사 온도계이다.In one aspect, each of the plurality of infrared radiation thermometers is a radiation thermometer that has a function of measuring the temperature of a measurement object with a low emissivity by suppressing the influence of disturbance.

일 양태에서는, 적외선을 투과하는 창 부재와, 상기 창 부재가 매립된 연마 패드와, 상기 연마 패드를 지지하고, 상기 연마 패드와 함께 회전하는 연마 테이블과, 기판을 회전 가능하게 보유 지지하고, 상기 기판을 상기 연마 패드에 압박하는 연마 헤드와, 상기 연마 테이블의 하방에 배치되어, 상기 연마 헤드에 보유 지지된 상기 기판의 표면 온도를 측정하는 적외 방사 온도계를 구비하고, 상기 적외 방사 온도계는, 상기 창 부재의 회전 궤적을 따라 배치된 복수의 수광부를 구비하고 있는, 연마 장치가 제공된다.In one aspect, a window member that transmits infrared rays, a polishing pad in which the window member is embedded, a polishing table that supports the polishing pad and rotates together with the polishing pad, and rotatably holding a substrate, A polishing head for pressing a substrate against the polishing pad, and an infrared radiation thermometer disposed below the polishing table to measure a surface temperature of the substrate held by the polishing head, the infrared radiation thermometer comprising: A polishing device is provided, including a plurality of light receiving units arranged along a rotation trajectory of a window member.

일 양태에서는, 상기 연마 테이블은, 그 하면에 고정된 흑체를 구비하고 있고, 상기 흑체는, 상기 창 부재의 회전 궤적에 대응하는 위치에 배치되어 있다.In one aspect, the polishing table includes a black body fixed to its lower surface, and the black body is disposed at a position corresponding to the rotation trajectory of the window member.

일 양태에서는, 상기 연마 장치는, 상기 창 부재를 투과하는 적외선의 광로로부터 액체를 배제하는 액체 배제 기구를 구비하고 있다.In one aspect, the polishing device is provided with a liquid-excluding mechanism that excludes liquid from the optical path of infrared light that passes through the window member.

일 양태에서는, 상기 액체 배제 기구는, 상기 창 부재를 둘러싸는 탄성 링을 구비하고 있고, 상기 탄성 링은, 상기 연마 패드의 연마면으로부터 돌출되어 있다.In one aspect, the liquid discharge mechanism includes an elastic ring surrounding the window member, and the elastic ring protrudes from the polishing surface of the polishing pad.

일 양태에서는, 상기 액체 배제 기구는, 상기 광로를 가로지르도록 기체를 분사하는 기체 분사 장치와, 상기 기체 분사 장치에 의해 상기 광로 밖으로 날려진 액체를 회수하는 액체 회수 부재를 구비하고 있다.In one aspect, the liquid discharge mechanism includes a gas injection device that sprays gas across the optical path, and a liquid recovery member that recovers liquid blown out of the optical path by the gas injection device.

일 양태에서는, 상기 적외 방사 온도계는, 외란의 영향을 억제함으로써, 방사율이 낮은 측정 대상물의 온도를 측정하는 기능을 갖는 방사 온도계이다.In one aspect, the infrared radiation thermometer is a radiation thermometer that has a function of measuring the temperature of a measurement object with a low emissivity by suppressing the influence of disturbance.

일 양태에서는, 연마 패드와, 상기 연마 패드를 지지하고, 상기 연마 패드와 함께 회전하는 연마 테이블과, 기판을 회전 가능하게 보유 지지하고, 상기 기판을 상기 연마 패드에 압박하는 연마 헤드와, 상기 기판의 제1 영역의 표면 온도를 측정하는 제1 온도 측정 장치와, 상기 제1 영역보다도 큰 온도 분포를 갖는 제2 영역의 표면 온도를 측정하는 제2 온도 측정 장치를 구비하는 연마 장치가 제공된다. 상기 제1 온도 측정 장치는, 적외선을 투과하고, 또한 상기 연마 패드에 매립된 복수의 제1 창 부재와, 상기 복수의 제1 창 부재의 하방에 배치된 복수의 제1 적외 방사 온도계를 구비하고 있고, 상기 제2 온도 측정 장치는, 적외선을 투과하고, 또한 상기 연마 패드에 매립된 제2 창 부재와, 상기 연마 테이블의 하방에 배치되고, 또한 상기 제2 창 부재의 회전 궤적을 따라 배치된 복수의 수광부를 구비하는 제2 적외 방사 온도계를 구비하고 있다.In one aspect, there is provided a polishing pad, a polishing table that supports the polishing pad and rotates together with the polishing pad, a polishing head that rotatably holds the substrate and presses the substrate against the polishing pad, and the substrate. A polishing apparatus is provided, including a first temperature measuring device for measuring the surface temperature of a first region, and a second temperature measuring device for measuring the surface temperature of a second region having a larger temperature distribution than the first region. The first temperature measuring device includes a plurality of first window members that transmit infrared rays and are embedded in the polishing pad, and a plurality of first infrared radiation thermometers disposed below the plurality of first window members, and the second temperature measuring device includes a second window member that transmits infrared rays and is embedded in the polishing pad, is disposed below the polishing table, and is disposed along a rotation trajectory of the second window member. It is provided with a second infrared radiation thermometer having a plurality of light receiving units.

본 발명에 따르면, 기판의 연마 중에, 기판의 표면 온도를, 비접촉으로 정확하게 측정할 수 있다.According to the present invention, the surface temperature of the substrate can be accurately measured non-contactly during polishing of the substrate.

도 1은 연마 장치의 일 실시 형태를 도시하는 사시도이다.
도 2는 도 1에 나타내는 연마 장치의 단면도이다.
도 3은 창 부재 및 적외 방사 온도계의 확대도이다.
도 4는 연마 테이블의 반경 방향으로 배치된 복수의 적외 방사 온도계를 도시하는 도면이다.
도 5는 복수의 적외 방사 온도계에 의해 측정된 기판의 표면 온도를 나타내는 그래프와, 기판의 반경 방향에 있어서의 온도 분포를 나타내는 그래프를 도시하는 도면이다.
도 6은 적외 방사 온도계의 다른 실시 형태를 도시하는 도면이다.
도 7은 연마 장치의 다른 실시 형태를 도시하는 단면도이다.
도 8은 창 부재 및 적외 방사 온도계의 확대도이다.
도 9는 도 7 및 도 8에 나타내는 실시 형태에 관한 적외 방사 온도계를 도시하는 도면이다.
도 10은 기판의 반경 방향에 있어서의 온도 분포를 나타내는 그래프를 도시하는 도면이다.
도 11a는 연마 테이블의 하면에 고정된 흑체부를 도시하는 도면이다.
도 11b는 연마 테이블의 하면에 고정된 흑체부를 도시하는 도면이다.
도 12a는 창 부재를 투과하는 적외선의 광로로부터 액체를 배제하는 액체 배제 기구의 일 실시 형태를 도시하는 도면이다.
도 12b는 창 부재를 투과하는 적외선의 광로로부터 액체를 배제하는 액체 배제 기구의 일 실시 형태를 도시하는 도면이다.
도 13a는 액체 배제 기구의 다른 실시 형태를 도시하는 도면이다.
도 13b는 액체 배제 기구의 다른 실시 형태를 도시하는 도면이다.1 is a perspective view showing one embodiment of a polishing device.
FIG. 2 is a cross-sectional view of the polishing device shown in FIG. 1.
Figure 3 is an enlarged view of the window member and infrared radiation thermometer.
Figure 4 is a diagram showing a plurality of infrared radiation thermometers arranged in the radial direction of the polishing table.
FIG. 5 is a diagram showing a graph showing the surface temperature of the substrate measured by a plurality of infrared radiation thermometers and a graph showing the temperature distribution in the radial direction of the substrate.
Figure 6 is a diagram showing another embodiment of an infrared radiation thermometer.
Fig. 7 is a cross-sectional view showing another embodiment of the polishing device.
Figure 8 is an enlarged view of the window member and infrared radiation thermometer.
FIG. 9 is a diagram showing an infrared radiation thermometer according to the embodiment shown in FIGS. 7 and 8.
Fig. 10 is a diagram showing a graph showing the temperature distribution in the radial direction of the substrate.
FIG. 11A is a diagram showing a blackbody portion fixed to the lower surface of a polishing table.
FIG. 11B is a diagram illustrating a blackbody portion fixed to the lower surface of a polishing table.
Fig. 12A is a diagram showing one embodiment of a liquid exclusion mechanism that excludes liquid from the optical path of infrared rays that transmit through the window member.
FIG. 12B is a diagram showing one embodiment of a liquid exclusion mechanism that excludes liquid from the optical path of infrared rays that transmit through the window member.
Fig. 13A is a diagram showing another embodiment of a liquid discharge mechanism.
FIG. 13B is a diagram showing another embodiment of a liquid discharge mechanism.

이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 이하에서 설명하는 도면에 있어서, 동일하거나 또는 상당하는 구성 요소에는, 동일한 부호를 붙여 중복된 설명을 생략한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, in the drawings described below, identical or equivalent components are given the same reference numerals and redundant descriptions are omitted.

도 1은 연마 장치의 일 실시 형태를 도시하는 사시도이다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 연마 장치(CMP 장치)는, 연마 패드(1)를 지지하고, 연마 패드(1)와 함께 회전하는 연마 테이블(2)과, 연마 대상인 웨이퍼 등의 기판 W를 연마 패드(1)에 압박하는 연마 헤드(3)와, 연마 패드(1)에 연마액(슬러리)을 공급하기 위한 연마액 공급 기구(4)를 구비하고 있다.1 is a perspective view showing one embodiment of a polishing device. As shown in FIG. 1, a polishing device (CMP device) includes a polishing table 2 that supports the polishing pad 1 and rotates together with the polishing pad 1, and a substrate W such as a wafer to be polished is placed on the polishing pad. It is provided with a polishing head (3) for pressing the polishing pad (1) and a polishing liquid supply mechanism (4) for supplying the polishing liquid (slurry) to the polishing pad (1).

연마 테이블(2)은, 테이블 축(5)을 통해 그 하방에 배치되는 테이블 모터(6)에 연결되어 있고, 이 테이블 모터(6)에 의해 연마 테이블(2)이 화살표로 나타내는 방향으로 회전되도록 되어 있다. 연마 패드(1)는 연마 테이블(2)의 상면에 첩부되어 있고, 연마 패드(1)의 상면이 기판 W를 연마하는 연마면(1a)을 구성하고 있다. 연마 헤드(3)는 헤드 샤프트(7)의 하단에 고정되어 있다. 연마 헤드(3)는, 그 하면에 진공 흡착에 의해 기판 W를 보유 지지할 수 있도록 구성되어 있다. 보다 구체적으로는, 연마 헤드(3)는, 기판 W의 표면(디바이스면)을 하향으로 보유 지지한다. 이 표면과 반대 측의 면은, 기판 W의 이면이며, 연마 헤드(3)는, 기판 W의 이면을 흡착 보유 지지한다.The polishing table 2 is connected to a table motor 6 disposed below the table axis 5, and the table motor 6 rotates the polishing table 2 in the direction indicated by the arrow. It is done. The polishing pad 1 is attached to the upper surface of the polishing table 2, and the upper surface of the polishing pad 1 constitutes a polishing surface 1a for polishing the substrate W. The polishing head (3) is fixed to the lower end of the head shaft (7). The polishing head 3 is configured to hold the substrate W on its lower surface by vacuum adsorption. More specifically, the polishing head 3 holds the surface of the substrate W (device surface) downward. The surface opposite to this surface is the back side of the substrate W, and the polishing head 3 suction-holds the back side of the substrate W.

헤드 샤프트(7)는, 헤드 암(8) 내에 설치된 도시하지 않은 회전 기구에 연결되어 있고, 연마 헤드(3)는 이 회전 기구에 의해 헤드 샤프트(7)를 통해 회전 구동되도록 되어 있다.The head shaft 7 is connected to a rotation mechanism (not shown) installed in the head arm 8, and the polishing head 3 is driven to rotate through the head shaft 7 by this rotation mechanism.

연마 장치는, 연마 패드(1)를 드레싱하기 위한 드레싱 장치(24)를 더 구비하고 있다. 드레싱 장치(24)는, 연마 패드(1)의 연마면(1a)에 미끄럼 접촉되는 드레서(26)와, 드레서(26)를 지지하는 드레서 암(27)과, 드레서 암(27)을 선회시키는 드레서 선회 축(28)을 구비하고 있다. 드레서 암(27)의 선회에 수반하여, 드레서(26)는 연마면(1a) 위를 요동한다. 드레서(26)의 하면은, 다이아몬드 입자 등의 다수의 지립으로 이루어지는 드레싱면을 구성한다. 드레서(26)는, 연마면(1a) 위를 요동하면서 회전하여, 연마 패드(1)를 근소하게 깎아냄으로써 연마면(1a)을 드레싱한다. 연마 패드(1)의 드레싱 중, 순수 공급 노즐(25)로부터 순수가 연마 패드(1)의 연마면(1a) 위로 공급된다.The polishing device further includes a dressing device 24 for dressing the polishing pad 1. The dressing device 24 includes a dresser 26 that is in sliding contact with the polishing surface 1a of the polishing pad 1, a dresser arm 27 that supports the dresser 26, and a dresser arm 27 that rotates the dresser arm 27. The dresser is provided with a pivot axis (28). As the dresser arm 27 rotates, the dresser 26 swings on the polishing surface 1a. The lower surface of the dresser 26 constitutes a dressing surface made of a large number of abrasive grains such as diamond particles. The dresser 26 rotates while oscillating over the polishing surface 1a, and dresses the polishing surface 1a by slightly shaving the polishing pad 1. During dressing of the polishing pad 1, pure water is supplied from the pure water supply nozzle 25 onto the polishing surface 1a of the polishing pad 1.

연마액 공급 기구(4)는, 연마액을 연마 패드(1) 위로 공급하기 위한 슬러리 공급 노즐(10)과, 슬러리 공급 노즐(10)이 고정된 노즐 선회 축(11)을 구비하고 있다. 슬러리 공급 노즐(10)은, 노즐 선회 축(11)을 중심으로 하여 선회 가능하게 구성되어 있다.The polishing liquid supply mechanism 4 includes a slurry supply nozzle 10 for supplying the polishing liquid onto the polishing pad 1, and a nozzle turning shaft 11 to which the slurry supply nozzle 10 is fixed. The slurry supply nozzle 10 is configured to be rotatable around the nozzle turning axis 11.

기판 W는, 연마 헤드(3)에 회전 가능하게 보유 지지된다. 연마 헤드(3)는, 기판 W를 연마 패드(1)에 압박하고, 연마 패드(1)와 기판 W 사이의 미끄럼 이동에 의해, 기판 W의 연마가 진행된다. 기판 W의 연마 시에는, 연마액(슬러리)이 슬러리 공급 노즐(10)로부터 연마 패드(1) 위로 공급된다.The substrate W is rotatably held by the polishing head 3. The polishing head 3 presses the substrate W against the polishing pad 1, and the polishing of the substrate W progresses by sliding between the polishing pad 1 and the substrate W. When polishing the substrate W, polishing liquid (slurry) is supplied from the slurry supply nozzle 10 onto the polishing pad 1.

연마 장치는, 기판 W의 연마 중에, 기판 W에 비접촉으로, 기판 W의 표면 온도(즉, 디바이스면 측의 온도)를 직접 측정하는 구성을 갖고 있다. 이하, 이와 같은 구성에 대해서, 도면을 참조하여 설명한다.The polishing device has a configuration that directly measures the surface temperature of the substrate W (that is, the temperature on the device surface side) without contacting the substrate W during polishing of the substrate W. Hereinafter, such a configuration will be described with reference to the drawings.

도 1에 나타내는 바와 같이, 연마 장치는, 연마 패드(1)에 매립된 복수의 창 부재(50A 내지 50E)와, 복수의 창 부재(50A 내지 50E)의 하방에 배치되어, 연마 헤드(3)에 보유 지지된 기판 W의 표면 온도를 측정하는 복수의 적외 방사 온도계(51A 내지 51E)를 구비하고 있다. 창 부재(50A 내지 50E)는 동일한 구성을 갖고 있기 때문에, 이하, 창 부재(50A 내지 50E)를 통합하여 창 부재(50)라고 칭하는 경우가 있다. 마찬가지로, 적외 방사 온도계(51A 내지 51E)는 동일한 구성을 갖고 있기 때문에, 이하, 적외 방사 온도계(51A 내지 51E)를 통합하여 적외 방사 온도계(51)라고 칭하는 경우가 있다.As shown in FIG. 1, the polishing device includes a plurality of window members 50A to 50E embedded in the polishing pad 1, is disposed below the plurality of window members 50A to 50E, and has a polishing head 3. It is provided with a plurality of infrared radiation thermometers 51A to 51E that measure the surface temperature of the substrate W held by the. Since the window members 50A to 50E have the same configuration, hereinafter, the window members 50A to 50E may be collectively referred to as the window member 50. Similarly, since the infrared radiation thermometers 51A to 51E have the same configuration, hereinafter, the infrared radiation thermometers 51A to 51E may be collectively referred to as the infrared radiation thermometer 51.

도 2는 도 1에 나타내는 연마 장치의 단면도이다. 도 2에서는, 연마 장치의 주요한 요소 이외의 도시는 생략되어 있다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 연마 패드(1)에는, 창 부재(50)가 삽입 가능한 크기를 갖는 창 구멍(1b)이 형성되어 있고, 창 부재(50)는, 이 창 구멍(1b)에 삽입되어 있다. 창 구멍(1b)은, 연마 패드(1)를 연직 방향으로 관통하는 관통 구멍이다.FIG. 2 is a cross-sectional view of the polishing device shown in FIG. 1. In Figure 2, illustrations other than the main elements of the polishing device are omitted. As shown in FIG. 2, a window hole 1b having a size into which the window member 50 can be inserted is formed in the polishing pad 1, and the window member 50 is inserted into this window hole 1b. It is done. The window hole 1b is a through hole that penetrates the polishing pad 1 in the vertical direction.

창 부재(50)는, 적외선을 투과하는 재료로 구성되어 있다. 창 부재(50)의 바로 아래에는, 적외 방사 온도계(51)가 배치되어 있다. 적외 방사 온도계(51)는, 기판 W로부터 방사되는 적외선의 강도에 기초하여, 기판 W의 표면 온도를 측정하는 온도계이다.The window member 50 is made of a material that transmits infrared rays. An infrared radiation thermometer 51 is disposed immediately below the window member 50. The infrared radiation thermometer 51 is a thermometer that measures the surface temperature of the substrate W based on the intensity of infrared rays emitted from the substrate W.

연마 테이블(2)에는, 창 구멍(1b)에 연통되는 매립부(52)가 형성되어 있고, 적외 방사 온도계(51)는 이 매립부(52)에 배치되어 있다. 도 2에 나타내는 실시 형태에서는, 적외 방사 온도계(51)는, 연마 테이블(2)에 매립되어 있도록 배치되어 있다. 도시하지 않지만, 연마 테이블(2)은, 적외 방사 온도계(51A 내지 51E)의 수에 대응하는 수(본 실시 형태에서는, 5개)의 매립부(52)를 갖고 있다.An embedded portion 52 communicating with the window hole 1b is formed in the polishing table 2, and an infrared radiation thermometer 51 is disposed in this embedded portion 52. In the embodiment shown in FIG. 2, the infrared radiation thermometer 51 is arranged to be embedded in the polishing table 2. Although not shown, the polishing table 2 has a number of embedded portions 52 (five in this embodiment) corresponding to the number of infrared radiation thermometers 51A to 51E.

도 3은 창 부재 및 적외 방사 온도계의 확대도이다. 도 3에 도시한 바와 같이, 창 부재(50)는, 연마 헤드(3) 측의 표면(50a)과, 연마 테이블(2) 측의 이면(50b)을 갖고 있다. 창 부재(50)의 표면(50a)은, 연마 패드(1)의 연마면(1a)으로부터 노출된 노출면이다. 창 부재(50)의 표면(50a) 및 연마 패드(1)의 연마면(1a)은, 동일 평면 내에 배치되어 있다.Figure 3 is an enlarged view of the window member and infrared radiation thermometer. As shown in FIG. 3 , the window member 50 has a surface 50a on the polishing head 3 side and a back surface 50b on the polishing table 2 side. The surface 50a of the window member 50 is an exposed surface exposed from the polishing surface 1a of the polishing pad 1. The surface 50a of the window member 50 and the polishing surface 1a of the polishing pad 1 are arranged in the same plane.

연마 패드(1)에 배치된 창 부재(50)의 이면(50b)과 적외 방사 온도계(51)의 수광부(51a) 사이에는, 장애물이 존재하지 않는 공간 S1이 형성되어 있다. 바꾸어 말하면, 공간 S1은, 적외 방사 온도계(51)에 의한 기판 W의 표면 온도를 확실하게 측정하기 위한 공간이다.A space S1 free of obstacles is formed between the back surface 50b of the window member 50 disposed on the polishing pad 1 and the light receiving portion 51a of the infrared radiation thermometer 51. In other words, space S1 is a space for reliably measuring the surface temperature of the substrate W using the infrared radiation thermometer 51.

기판 W는, 일반적으로 실리콘제이다. 실리콘(Si)은, 1.5 내지 6.0마이크로미터의 영역의 광을 흡수하기 때문에, 동 영역의 적외선의 방사는 근소하다. 본 실시 형태에서는, 방사 적외선량에 의해 비접촉으로 방사체의 온도를 측정하는 적외 방사 온도계를 사용하기 때문에, 적외선의 방사가 적은 파장 대역을 측정 대상으로 하는 것은 바람직하지 않다.The substrate W is generally made of silicon. Since silicon (Si) absorbs light in the region of 1.5 to 6.0 micrometers, the emission of infrared rays in this region is small. In this embodiment, since an infrared radiation thermometer is used to measure the temperature of a radiating body non-contactly based on the amount of radiated infrared rays, it is not desirable to use a wavelength band with low infrared rays as the measurement target.

그래서, 1.5 마이크로미터 이하, 혹은 6.0 마이크로미터 이상의 파장의 방사 적외선량을 측정하기에 적합한 적외선 흡수막을 사용한 적외 방사 온도계를 사용한다. 측정되는 방사 적외선량의 파장의 범위는, 0.8 내지 1.5 마이크로미터, 혹은 6.0 내지 1000 마이크로미터이다.Therefore, an infrared radiation thermometer using an infrared absorption film suitable for measuring the amount of radiated infrared rays with a wavelength of 1.5 micrometers or less or 6.0 micrometers or more is used. The wavelength range of the measured amount of radiated infrared radiation is 0.8 to 1.5 micrometers, or 6.0 to 1000 micrometers.

InGaAs, InAs, InAsSb, InSb 등의 인듐 화합물이 적외선 흡수막으로서 사용된 적외 방사 온도계가 바람직하다고 생각되지만, 상기의 측정 대상 파장 영역에 충분한 감도를 갖는 적외선 흡수막을 사용하고 있으면, 재료를 한정할 필요는 없다.It is thought that an infrared radiation thermometer using an indium compound such as InGaAs, InAs, InAsSb, or InSb as an infrared absorption film is preferable, but if an infrared absorption film with sufficient sensitivity in the above measurement target wavelength range is used, it is necessary to limit the material. There is no

연마 패드(1)에 설치되는 창 부재(50)는, 측정 대상인 파장의 적외선을 투과하는 재료로 형성될 필요가 있다. 상기의 파장을 투과하는 재료로서는, 적외선 투과 수지, 불화칼슘, 합성 석영, 게르마늄, 불화마그네슘, 광학 유리(N-BK7), 브롬화칼륨, 사파이어, 실리콘, 염화나트륨, 셀레늄화아연, 또는 황화아연을 들 수 있다. 그러나, 상기 조건을 충족하면, 재료를 한정할 필요는 없다.The window member 50 installed on the polishing pad 1 needs to be formed of a material that transmits infrared rays of the wavelength being measured. Materials that transmit the above wavelengths include infrared transmission resin, calcium fluoride, synthetic quartz, germanium, magnesium fluoride, optical glass (N-BK7), potassium bromide, sapphire, silicon, sodium chloride, zinc selenide, or zinc sulfide. You can. However, if the above conditions are met, there is no need to limit the material.

이와 같이, 창 부재(50) 및 적외선 흡수막의 재료를 선택함으로써, 실리콘으로 구성된 기판 W로부터 방사되는 적외선이, 감쇠되지 않고(혹은 충분히 적은 감쇠로) 창 부재(50)를 투과하고, 또한, 적외 방사 온도계(51)에 의한 방사 적외선량이 측정 가능해진다. 그 결과, 기판 W의 표면 온도를 측정하는 것이 가능해진다.In this way, by selecting the materials of the window member 50 and the infrared absorption film, the infrared rays radiating from the substrate W composed of silicon pass through the window member 50 without being attenuated (or with sufficiently small attenuation), and furthermore, the infrared rays are transmitted through the window member 50. The amount of radiated infrared radiation can be measured using the radiation thermometer 51. As a result, it becomes possible to measure the surface temperature of the substrate W.

실리콘으로 구성된 기판 W의 표면 상에는, 금속(도체)막 또는 절연막이 성막되는 경우가 있다. 따라서, 일 실시 형태에서는, 금속막 또는 절연막을 구성하는 재료의 방사율의 파장 의존성에 따라서, 창 부재(50) 및 적외선 흡수막의 재료를 선택해도 된다.A metal (conductor) film or an insulating film may be formed on the surface of the substrate W made of silicon. Therefore, in one embodiment, the materials of the window member 50 and the infrared absorption film may be selected according to the wavelength dependence of the emissivity of the material constituting the metal film or the insulating film.

창 부재(50)는, 연마되는 기판 W와 접촉한다. 따라서, 창 부재(50)를, 가능한 한, 연마 패드(1)와 기계적·열적·화학적인 특성이 가까운 재료로 구성하는 것이, 보다 바람직하다.The window member 50 is in contact with the substrate W being polished. Therefore, it is more preferable that the window member 50 be made of a material that has mechanical, thermal, and chemical properties that are as close to those of the polishing pad 1 as possible.

도 1에 나타내는 바와 같이, 본 실시 형태에 관한 연마 장치는, 측정된 온도 분포를 기록하거나, 또는 표시하는 기능을 갖고 있다. 보다 구체적으로는, 연마 장치는, 측정된 기판 W의 온도 분포를 HDD나 SSD 등의 기억 소자에 기록하는 기억 장치(101)와, 기판 W의 중심을 통과하는 기판 W의 직경 방향의 온도 분포를, 화면 상에 표시 가능한 표시 장치(102)를 구비하고 있다. 본 실시 형태에서는, 기억 장치(101) 및 표시 장치(102)는, 제어 장치(100)를 구성하고 있다.As shown in FIG. 1, the polishing device according to the present embodiment has a function of recording or displaying the measured temperature distribution. More specifically, the polishing device includes a storage device 101 that records the measured temperature distribution of the substrate W in a storage element such as an HDD or SSD, and a temperature distribution in the radial direction of the substrate W passing through the center of the substrate W. , and is equipped with a display device 102 capable of displaying information on a screen. In this embodiment, the memory device 101 and the display device 102 constitute the control device 100.

도 1에 나타내는 바와 같이, 제어 장치(100)는, 적외 방사 온도계(51A 내지 51E)에 전기적으로 접속되어 있다. 도시하지 않지만, 제어 장치(100)는, 연마 장치의 구성 요소(예를 들어, 연마 헤드(3), 연마액 공급 기구(4), 테이블 모터(6) 및 드레싱 장치(24))에 접속되어 있고, 상기 구성 요소의 동작을 제어한다. 제어 장치(100)는, 기억 장치(101)에 기억된 기판 W의 온도 분포에 기초하여, 연마 장치의 구성 요소의 동작을 제어하여, 연마 레이트를 관리해도 된다.As shown in FIG. 1, the control device 100 is electrically connected to infrared radiation thermometers 51A to 51E. Although not shown, the control device 100 is connected to the components of the polishing device (e.g., the polishing head 3, the polishing liquid supply mechanism 4, the table motor 6, and the dressing device 24). and controls the operation of the components. The control device 100 may manage the polishing rate by controlling the operation of the components of the polishing device based on the temperature distribution of the substrate W stored in the memory device 101.

도 4는 연마 테이블의 반경 방향으로 배치된 복수의 적외 방사 온도계를 도시하는 도면이다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 복수의 적외 방사 온도계(51A 내지 51E)는, 연마 테이블(2)의 반경 방향으로 배치되어 있고, 연마 테이블(2)과 함께 회전한다. 기판 W의 연마 중에 있어서, 연마 테이블(2)이 1회전할 때마다, 복수의 적외 방사 온도계(51A 내지 51E)는, 기판 W의 표면을 가로지른다. 도 4에 나타내는 실시 형태에서는, 적외 방사 온도계(51C)는, 그 회전 궤적이 기판 W의 중심 CP 위를 통과하도록 배치되어 있다. 일 실시 형태에서는, 적외 방사 온도계(51C)는, 반드시, 그 회전 궤적이 기판 W의 중심 CP 위를 통과하도록 배치되어 있지는 않아도 된다.Figure 4 is a diagram showing a plurality of infrared radiation thermometers arranged in the radial direction of the polishing table. As shown in FIG. 4 , a plurality of infrared radiation thermometers 51A to 51E are arranged in the radial direction of the polishing table 2 and rotate together with the polishing table 2 . During polishing of the substrate W, each time the polishing table 2 rotates, the plurality of infrared radiation thermometers 51A to 51E cross the surface of the substrate W. In the embodiment shown in FIG. 4 , the infrared radiation thermometer 51C is arranged so that its rotation trace passes over the center CP of the substrate W. In one embodiment, the infrared radiation thermometer 51C is not necessarily arranged so that its rotation trace passes over the center CP of the substrate W.

이들 적외 방사 온도계(51A 내지 51E) 각각은, 기판 W 위에 다른 궤적을 그리고, 복수의 다른 측정점에서 기판 W의 반경 방향에 있어서의 전체의 표면 온도를 측정한다. 따라서, 적외 방사 온도계(51A 내지 51E) 각각이 충분한 온도 측정 주파수를 갖고 있지 않아도, 기판 W의 표면에 있어서의 온도 분포를 충분한 공간 분해능으로 측정할 수 있다.Each of these infrared radiation thermometers 51A to 51E draws a different trajectory on the substrate W and measures the overall surface temperature in the radial direction of the substrate W at a plurality of different measurement points. Therefore, even if each of the infrared radiation thermometers 51A to 51E does not have a sufficient temperature measurement frequency, the temperature distribution on the surface of the substrate W can be measured with sufficient spatial resolution.

도 5는 복수의 적외 방사 온도계에 의해 측정된 기판의 표면 온도를 나타내는 그래프와, 기판의 반경 방향에 있어서의 온도 분포를 나타내는 그래프를 도시하는 도면이다. 도 5의 상측에 나타내진 그래프에 있어서, 횡축은 시간을 나타내고 있고, 종축은 기판 W의 표면 온도를 나타내고 있다. 도 5의 하측에 나타내진 그래프에 있어서, 횡축은 기판 W의 반경 방향의 거리를 나타내고 있고, 종축은 기판 W의 표면 온도를 나타내고 있다.FIG. 5 is a diagram showing a graph showing the surface temperature of the substrate measured by a plurality of infrared radiation thermometers and a graph showing the temperature distribution in the radial direction of the substrate. In the graph shown at the top of FIG. 5, the horizontal axis represents time, and the vertical axis represents the surface temperature of the substrate W. In the graph shown at the bottom of FIG. 5, the horizontal axis represents the radial distance of the substrate W, and the vertical axis represents the surface temperature of the substrate W.

도 5의 상측의 그래프에 나타내는 바와 같이, 복수의 적외 방사 온도계(51A 내지 51E)는, 어떤 일정 시간, 기판 W의 표면 온도를 측정한다. 제어 장치(100)는, 복수의 적외 방사 온도계(51A 내지 51E)에 의해 측정된, 시간의 경과와 함께 변화하는 기판 W의 표면 온도를, 기판 W의 반경 방향에 있어서의 온도 분포로 배열한다. 보다 구체적으로는, 제어 장치(100)는, 기판 W의 표면 위를 통과하는 적외 방사 온도계(51A 내지 51E) 각각의 궤적을 중첩하여 기판 W의 반경 방향에 있어서의 하나의 궤적을 형성한다. 제어 장치(100)는, 형성된 하나의 궤적 위에 적외 방사 온도계(51A 내지 51E) 각각에 의해 측정된 기판 W의 표면 온도를 배열한다. 이와 같이, 본 실시 형태에 따르면, 연마 장치는, 복수의 적외 방사 온도계(51A 내지 51E)를 구비하고 있기 때문에, 기판 W의 전체의 표면 온도를 비접촉으로, 정확하게(즉, 고정밀도로) 측정할 수 있다.As shown in the upper graph of FIG. 5, a plurality of infrared radiation thermometers 51A to 51E measure the surface temperature of the substrate W for a certain period of time. The control device 100 arranges the surface temperature of the substrate W, which changes over time, as measured by a plurality of infrared radiation thermometers 51A to 51E, into a temperature distribution in the radial direction of the substrate W. More specifically, the control device 100 forms one trajectory in the radial direction of the substrate W by superimposing the trajectories of each of the infrared radiation thermometers 51A to 51E passing over the surface of the substrate W. The control device 100 arranges the surface temperature of the substrate W measured by each of the infrared radiation thermometers 51A to 51E on one formed trace. In this way, according to this embodiment, since the polishing device is provided with a plurality of infrared radiation thermometers 51A to 51E, the entire surface temperature of the substrate W can be measured non-contactly and accurately (i.e., with high precision). there is.

도 6은 적외 방사 온도계의 다른 실시 형태를 도시하는 도면이다. 도 6에 나타내는 바와 같이, 복수의 적외 방사 온도계(51A 내지 51E) 각각은, 그 수광부(51a)를 개폐하는, 흑체 구조를 갖는 셔터(161)를 구비하고 있다.Figure 6 is a diagram showing another embodiment of an infrared radiation thermometer. As shown in Fig. 6, each of the plurality of infrared radiation thermometers 51A to 51E is provided with a shutter 161 having a black body structure that opens and closes the light receiving portion 51a.

흑체 구조를 갖는 셔터(161)는, 적외 방사 온도계(51)를 교정(보다 구체적으로는, 온도 교정)하기 위하여 배치되어 있다. 적외 방사 온도계(51)는, 그 분위기 온도 등의 영향을 받는 경우가 있고, 결과적으로, 적외 방사 온도계(51)의 측정 온도가 어긋날 우려가 있다. 그래서, 도 6에 나타내는 실시 형태에서는, 방사율이 1인 흑체 구조를 사용하여, 적외 방사 온도계(51)를 교정한다. 흑체 구조의 일례로서, 셔터(161)에 흑체 테이프를 첩부해도 되고, 또는 흑체 스프레이로 흑체를 셔터(161)에 도포해도 된다.The shutter 161 having a black body structure is arranged to calibrate the infrared radiation thermometer 51 (more specifically, temperature calibration). The infrared radiation thermometer 51 may be influenced by its ambient temperature, etc., and as a result, there is a risk that the measured temperature of the infrared radiation thermometer 51 may deviate. Therefore, in the embodiment shown in FIG. 6, the infrared radiation thermometer 51 is calibrated using a blackbody structure with an emissivity of 1. As an example of a black body structure, a black body tape may be attached to the shutter 161, or a black body may be applied to the shutter 161 using a black body spray.

셔터(161)는, 적외 방사 온도계(51)의 수광부(51a)를 개폐하도록 구성되어 있다. 따라서, 필요에 따라서, 셔터(161)를 폐쇄하고, 적외 방사 온도계(51)를 교정할 수 있다.The shutter 161 is configured to open and close the light receiving portion 51a of the infrared radiation thermometer 51. Therefore, if necessary, the shutter 161 can be closed and the infrared radiation thermometer 51 can be calibrated.

일 실시 형태에서는, 적외 방사 온도계(51)의 교정은, 정기적으로 행해도 된다. 예를 들어, 소정의 매수의 기판 W를 처리한 후에, 셔터(161)를 폐쇄하고, 적외 방사 온도계(51)를 교정해도 되고, 연마 장치의 아이들링 시(즉, 기판 W의 비처리 시간)에 적외 방사 온도계(51)를 교정해도 된다.In one embodiment, calibration of the infrared radiation thermometer 51 may be performed periodically. For example, after processing a predetermined number of substrates W, the shutter 161 may be closed and the infrared radiation thermometer 51 may be calibrated, or during idling of the polishing device (i.e., non-processing time of the substrate W). The infrared radiation thermometer 51 may be calibrated.

적외 방사 온도계(51)를 교정하는 경우, 참조 온도계(예를 들어, 열전대)로 셔터(161)의 온도를 측정하고, 교정 대상의 적외 방사 온도계(51)로 셔터(161)의 온도를 측정한다. 그 후, 참조 온도계로 측정된 셔터(161)의 온도와 교정 대상의 적외 방사 온도계(51)의 측정 온도를 관련짓는다. 셔터(161)의 방사율은 1인 것이 기지이기 때문에, 셔터(161)의 측정 온도와 적외 방사 온도계(51)의 측정 온도의 상관 관계에 기초하여, 적외 방사 온도계(51)를 교정한다.When calibrating the infrared radiation thermometer 51, the temperature of the shutter 161 is measured with a reference thermometer (e.g., a thermocouple), and the temperature of the shutter 161 is measured with the infrared radiation thermometer 51 to be calibrated. . Thereafter, the temperature of the shutter 161 measured by the reference thermometer is correlated with the temperature measured by the infrared radiation thermometer 51 to be calibrated. Since it is known that the emissivity of the shutter 161 is 1, the infrared radiation thermometer 51 is calibrated based on the correlation between the measured temperature of the shutter 161 and the measured temperature of the infrared radiation thermometer 51.

일 실시 형태에서는, 적외 방사 온도계(51A 내지 51E) 각각은, 금속용 방사 온도계 또는 경면용 방사 온도계여도 된다. 보다 구체적으로는, 적외 방사 온도계(51A 내지 51E) 각각은, 외란의 영향을 억제함으로써, 일반적으로 방사율이 낮은 측정 대상물의 온도를 정확하게 측정할 수 있는 기능을 갖는 방사 온도계여도 된다. 이와 같은 구성에 의해, 저방사율 재료인 기판 W로부터 방사되는 적외선의 강도에 기초하여, 기판 W의 표면 온도를 보다 고정밀도로 측정할 수 있다.In one embodiment, each of the infrared radiation thermometers 51A to 51E may be a radiation thermometer for metal or a radiation thermometer for mirror surfaces. More specifically, each of the infrared radiation thermometers 51A to 51E may be a radiation thermometer that has a function of accurately measuring the temperature of a measurement object that generally has a low emissivity by suppressing the influence of disturbance. With this configuration, the surface temperature of the substrate W can be measured with higher precision based on the intensity of infrared rays radiated from the substrate W, which is a low-emissivity material.

상술한 실시 형태에서는, 복수의 적외 방사 온도계(51A 내지 51E)는 연마 테이블(2)에 매립되어 있지만, 이하에 나타내는 실시 형태에서는, 연마 장치는, 연마 테이블(2)의 하방에 배치된 단일의 적외 방사 온도계(151)를 구비하고 있다.In the above-described embodiment, the plurality of infrared radiation thermometers 51A to 51E are embedded in the polishing table 2. However, in the embodiment shown below, the polishing device is a single device disposed below the polishing table 2. It is equipped with an infrared radiation thermometer (151).

도 7은 연마 장치의 다른 실시 형태를 도시하는 단면도이다. 도 8은 창 부재 및 적외 방사 온도계의 확대도이다. 본 실시 형태에 있어서, 상술한 실시 형태와 동일한 구조에 대해서는, 동일한 부호를 붙이고, 상세한 설명을 생략한다.Fig. 7 is a cross-sectional view showing another embodiment of the polishing device. Figure 8 is an enlarged view of the window member and infrared radiation thermometer. In this embodiment, the same structures as those in the above-described embodiment are given the same reference numerals, and detailed descriptions are omitted.

도 7 및 도 8에 나타내는 바와 같이, 연마 장치는, 단일의 창 부재(50)와, 연마 테이블(2)의 하방에 배치된 적외 방사 온도계(151)를 구비하고 있다. 도 7 및 도 8에 나타내는 실시 형태에서는, 연마 테이블(2)은, 매립부(52)(도 2 및 도 3 참조)를 갖고 있지 않다.As shown in FIGS. 7 and 8 , the polishing device includes a single window member 50 and an infrared radiation thermometer 151 disposed below the polishing table 2. In the embodiment shown in FIGS. 7 and 8, the polishing table 2 does not have the embedded portion 52 (see FIGS. 2 and 3).

도 9는 도 7 및 도 8에 나타내는 실시 형태에 관한 적외 방사 온도계를 도시하는 도면이다. 도 9에 나타내는 바와 같이, 적외 방사 온도계(151)는, 상술한 적외 방사 온도계(51)와는 다른 구조를 갖고 있다. 보다 구체적으로는, 적외 방사 온도계(151)는, 기판 W의 측정 대상 범위의 전역을 커버하도록 배치되어 있다.FIG. 9 is a diagram showing an infrared radiation thermometer according to the embodiment shown in FIGS. 7 and 8. As shown in FIG. 9, the infrared radiation thermometer 151 has a structure different from the infrared radiation thermometer 51 described above. More specifically, the infrared radiation thermometer 151 is arranged to cover the entire measurement target range of the substrate W.

일 실시 형태에서는, 적외 방사 온도계(151)는, 금속용 방사 온도계 또는 경면용 방사 온도계여도 된다. 보다 구체적으로는, 적외 방사 온도계(151)는, 외란의 영향을 억제함으로써, 일반적으로 방사율이 낮은 측정 대상물의 온도를 정확하게 측정할 수 있는 기능을 갖는 방사 온도계여도 된다.In one embodiment, the infrared radiation thermometer 151 may be a radiation thermometer for metal or a radiation thermometer for mirror surfaces. More specifically, the infrared radiation thermometer 151 may be a radiation thermometer that has a function of accurately measuring the temperature of a measurement object with a generally low emissivity by suppressing the influence of disturbance.

적외 방사 온도계(151)는, 창 부재(50)의 회전 궤적을 따라, 원호상으로 배치된 복수의 수광부(151a)를 구비하고 있다. 이들 수광부(151a)는, 기판 W의 전체에 걸쳐서 배치되어 있다. 연마 패드(1)에 매립된 창 부재(50)는 연마 테이블(2)과 함께 회전하지만, 연마 테이블(2)의 하방에 배치된 적외 방사 온도계(151)는 연마 테이블(2)과 함께 회전하지 않는다. 따라서, 창 부재(50)가 기판 W의 바로 아래를 통과하면, 적외 방사 온도계(151)의 복수의 수광부(51a)는, 창 부재(50)를 통하여, 연속적으로, 기판 W로부터 방사되는 적외선을 수광한다.The infrared radiation thermometer 151 includes a plurality of light receiving portions 151a arranged in an arc shape along the rotation trajectory of the window member 50. These light receiving portions 151a are arranged over the entire substrate W. The window member 50 embedded in the polishing pad 1 rotates together with the polishing table 2, but the infrared radiation thermometer 151 disposed below the polishing table 2 does not rotate with the polishing table 2. No. Therefore, when the window member 50 passes directly below the substrate W, the plurality of light receiving portions 51a of the infrared radiation thermometer 151 continuously transmit infrared rays radiated from the substrate W through the window member 50. Receive light.

도 10은 기판의 반경 방향에 있어서의 온도 분포를 나타내는 그래프를 도시하는 도면이다. 도 10에 나타내는 바와 같이, 적외 방사 온도계(151)는, 연마 테이블(2)이 1회전할 때마다, 기판 W의 반경 방향에 있어서의 복수의 측정점에서의 표면 온도를 측정하도록 구성되어 있다. 도 10에 나타내는 실시 형태에서는, 적외 방사 온도계(151)의 복수의 수광부(151a)는, 기판 W의 전체에 걸쳐서 배치되어 있기 때문에, 연마 테이블(2)이 1회전할 때마다, 기판 W의 반경 방향에 있어서의 전체의 표면 온도를 측정할 수 있다.Fig. 10 is a diagram showing a graph showing the temperature distribution in the radial direction of the substrate. As shown in Fig. 10, the infrared radiation thermometer 151 is configured to measure the surface temperature at a plurality of measurement points in the radial direction of the substrate W each time the polishing table 2 rotates. In the embodiment shown in FIG. 10 , the plurality of light receiving portions 151a of the infrared radiation thermometer 151 are arranged over the entire substrate W, so that each time the polishing table 2 rotates once, the radius of the substrate W The overall surface temperature in any direction can be measured.

일 실시 형태에서는, 도 1 내지 도 6에 나타내는 제1 실시 형태와, 도 7 내지 도 10에 나타내는 제2 실시 형태를 조합해도 된다. 제1 실시 형태에 관한 창 부재(50) 및 적외 방사 온도계(51)의 조합은, 제1 온도 측정 장치에 상당한다. 제2 실시 형태에 관한 창 부재(50) 및 적외 방사 온도계(151)의 조합은, 제2 온도 측정 장치에 상당한다. 연마 장치는, 이들 제1 온도 측정 장치 및 제2 온도 측정 장치를 구비해도 된다.In one embodiment, the first embodiment shown in Figs. 1 to 6 and the second embodiment shown in Figs. 7 to 10 may be combined. The combination of the window member 50 and the infrared radiation thermometer 51 according to the first embodiment corresponds to a first temperature measuring device. The combination of the window member 50 and the infrared radiation thermometer 151 according to the second embodiment corresponds to a second temperature measuring device. The polishing device may be provided with these first temperature measurement devices and second temperature measurement devices.

기판 W의 영역을, 제1 영역과, 제1 영역보다도 큰 온도 분포를 갖는 제2 영역으로 분할한 경우, 제1 온도 측정 장치(즉, 창 부재(50) 및 적외 방사 온도계(51)의 조합)는, 기판 W의 제1 영역의 표면 온도를 측정해도 된다. 제2 온도 측정 장치(즉, 창 부재(50) 및 적외 방사 온도계(151)의 조합)는, 제2 영역의 표면 온도를 측정해도 된다. 예를 들어, 제2 영역은, 기판 W의 주연부이며, 제1 영역은, 기판 W의 주연부보다도 내측의 영역이다.When the region of the substrate W is divided into a first region and a second region having a larger temperature distribution than the first region, a first temperature measuring device (i.e., a combination of the window member 50 and the infrared radiation thermometer 51) ) may measure the surface temperature of the first region of the substrate W. The second temperature measuring device (i.e., a combination of the window member 50 and the infrared radiation thermometer 151) may measure the surface temperature of the second area. For example, the second area is the peripheral part of the substrate W, and the first area is an area inside the peripheral part of the substrate W.

연마 패드(1)의 연마면(1a) 위로 액체(예를 들어, 순수, 연마액)가 공급되면, 액체는, 온도 상승하기 전에, 기판 W의 주연부에 접촉하고, 그 후, 기판 W의 중심측에 접촉한다. 이와 같이, 액체는, 먼저, 기판 W의 주연부에 접촉하기 때문에, 기판 W의 주연부의 온도 분포가 커진다. 제2 온도 측정 장치의 구성 요소로서의 적외 방사 온도계(151)는, 기판 W의 주연부에 배치되어 있기 때문에, 적외 방사 온도계(151)는, 연마 테이블(2)이 1회전할 때마다, 기판 W의 주연부의 표면 온도를 확실하게 측정할 수 있다.When a liquid (e.g., pure water, polishing liquid) is supplied onto the polishing surface 1a of the polishing pad 1, the liquid contacts the peripheral portion of the substrate W before the temperature rises, and then the center of the substrate W contact the side. In this way, since the liquid first contacts the peripheral portion of the substrate W, the temperature distribution of the peripheral portion of the substrate W increases. Since the infrared radiation thermometer 151 as a component of the second temperature measuring device is disposed on the periphery of the substrate W, the infrared radiation thermometer 151 The surface temperature of the peripheral area can be measured reliably.

이와 같이, 기판 W의 제1 영역을 측정하는 제1 온도 측정 장치와, 기판 W의 제2 영역을 측정하는 제2 온도 측정 장치를 조합함으로써, 연마 장치는, 보다 고정밀도로, 기판 W의 표면 온도를 측정할 수 있다.In this way, by combining the first temperature measuring device for measuring the first region of the substrate W and the second temperature measuring device for measuring the second region of the substrate W, the polishing device can achieve the surface temperature of the substrate W with higher precision. can be measured.

도 11a 및 도 11b는, 연마 테이블의 하면에 고정된 흑체부를 도시하는 도면이다. 도 11a 및 도 11b에 나타내는 바와 같이, 연마 테이블(2)은, 그 하면(즉, 적외 방사 온도계(151)에 대향하는 면)에 고정된 흑체(160)를 구비하고 있다. 흑체(160)는, 흑체 테이프가 첩부된 고정물이어도 되고, 흑체 스프레이가 도포된 고정물이어도 된다.FIGS. 11A and 11B are diagrams showing a blackbody portion fixed to the lower surface of a polishing table. As shown in FIGS. 11A and 11B, the polishing table 2 is provided with a black body 160 fixed to its lower surface (i.e., the surface facing the infrared radiation thermometer 151). The black body 160 may be a fixture to which a black body tape is attached, or may be a fixture to which a black body spray is applied.

도 11a 및 도 11b에 나타내는 바와 같이, 흑체(160)는, 창 부재(50)의 회전 궤적(도 9 참조)에 대응하는 위치에 배치되어 있다. 이와 같은 배치에 의해, 흑체(160)는, 연마 테이블(2)의 회전과 함께 적외 방사 온도계(151)의 상방을 통과한다.As shown in FIGS. 11A and 11B , the black body 160 is disposed at a position corresponding to the rotation trajectory of the window member 50 (see FIG. 9 ). With this arrangement, the black body 160 passes above the infrared radiation thermometer 151 as the polishing table 2 rotates.

적외 방사 온도계(151)를 교정하는 경우에는, 연마 장치는, 흑체(160)가 적외 방사 온도계(151)의 수광부(151a)의 바로 위에 배치되도록, 연마 테이블(2)을 회전시킨다. 흑체(160)가 적외 방사 온도계(151)의 수광부(151a)의 바로 위에 배치되었을 때, 연마 테이블(2)의 회전을 정지시키고, 적외 방사 온도계(151)를 교정한다.When calibrating the infrared radiation thermometer 151, the polishing device rotates the polishing table 2 so that the black body 160 is disposed directly above the light receiving portion 151a of the infrared radiation thermometer 151. When the black body 160 is placed directly above the light receiving portion 151a of the infrared radiation thermometer 151, the rotation of the polishing table 2 is stopped and the infrared radiation thermometer 151 is calibrated.

일 실시 형태에서는, 적외 방사 온도계(151)는, 그 수광부(151a)를 덮는, 상술한 셔터(161)(도 6 참조)와 마찬가지의 구조를 가져도 된다.In one embodiment, the infrared radiation thermometer 151 may have a structure similar to the shutter 161 (see FIG. 6) described above, which covers the light receiving portion 151a.

도 12a 및 도 12b는, 창 부재를 투과하는 적외선의 광로로부터 액체를 배제하는 액체 배제 기구의 일 실시 형태를 도시하는 도면이다. 도 12a 및 도 12b에 나타내는 바와 같이, 연마 장치는, 창 부재(50)를 투과하는 적외선의 광로(즉, 공간 S1)로부터 액체를 배제하는 액체 배제 기구(170)를 구비하고 있다.12A and 12B are diagrams showing one embodiment of a liquid exclusion mechanism that excludes liquid from the optical path of infrared rays that transmit through the window member. As shown in FIGS. 12A and 12B , the polishing device is provided with a liquid exclusion mechanism 170 that excludes liquid from the optical path of infrared rays that transmits the window member 50 (i.e., space S1).

액체 배제 기구(170)는, 창 부재(50)를 둘러싸는 탄성 링(171)을 구비하고 있다. 탄성 링(171)은, 연마 패드(1)의 연마면(1a)으로부터 돌출되어 있어, 연마면(1a) 위를 흐르는 액체의, 공간 S1로의 침입을 방지한다. 탄성 링(171)은, 고무 등의 탄성 부재로 구성되어 있기 때문에, 연마 헤드(3)가 탄성 링(171)에 접촉해도, 연마 헤드(3)(및/또는 탄성 링(171))의 손상은 방지된다.The liquid discharge mechanism 170 includes an elastic ring 171 surrounding the window member 50. The elastic ring 171 protrudes from the polishing surface 1a of the polishing pad 1 and prevents the liquid flowing over the polishing surface 1a from entering the space S1. Since the elastic ring 171 is made of an elastic member such as rubber, even if the polishing head 3 contacts the elastic ring 171, the polishing head 3 (and/or the elastic ring 171) is damaged. is prevented.

액체가 창 부재(50)를 통과하여 적외선의 광로 상에 침입할 우려가 있다. 적외선의 광로 상에 액체가 존재하면, 적외 방사 온도계(51)(및 적외 방사 온도계(151))는, 고정밀도로, 기판 W의 표면 온도를 측정할 수 없을 우려가 있다. 연마 장치는, 액체 배제 기구(170)를 구비하고 있기 때문에, 적외 방사 온도계(51)(및 적외 방사 온도계(151))는, 고정밀도로, 기판 W의 표면 온도를 측정할 수 있다.There is a risk that liquid may pass through the window member 50 and enter the optical path of infrared rays. If liquid exists on the infrared light path, there is a risk that the infrared radiation thermometer 51 (and the infrared radiation thermometer 151) may not be able to measure the surface temperature of the substrate W with high accuracy. Since the polishing device is equipped with the liquid discharge mechanism 170, the infrared radiation thermometer 51 (and the infrared radiation thermometer 151) can measure the surface temperature of the substrate W with high accuracy.

도 13a 및 도 13b는 액체 배제 기구의 다른 실시 형태를 도시하는 도면이다. 본 실시 형태에서는, 액체 배제 기구(170)는, 적외선의 광로를 가로지르도록 기체를 분사하는 기체 분사 장치(180)와, 기체 분사 장치(180)에 의해 광로 밖으로 날려진 액체를 회수하는 액체 회수 부재(190)를 구비하고 있다.13A and 13B are diagrams showing another embodiment of a liquid discharge mechanism. In this embodiment, the liquid discharge mechanism 170 includes a gas injection device 180 that sprays gas across the infrared optical path, and a liquid recovery device that recovers the liquid blown out of the optical path by the gas injection device 180. It is provided with member 190.

도 13a에 나타내는 바와 같이, 기체 분사 장치(180)는, 공간 S1에 접속된 분사 노즐(184)과, 분사 노즐(184)에 접속된 기체 공급 라인(181)과, 기체 공급 라인(181)을 개폐하는 개폐 밸브(182)와, 기체 공급 라인(181)을 통해서, 고압의 기체를 분사 노즐(184)에 공급하는 기체 공급원(183)을 구비하고 있다. 도시하지 않지만, 개폐 밸브(182)는, 제어 장치(100)에 전기적으로 접속되어 있다.As shown in FIG. 13A, the gas injection device 180 includes a spray nozzle 184 connected to space S1, a gas supply line 181 connected to the spray nozzle 184, and a gas supply line 181. It is provided with an on-off valve 182 that opens and closes, and a gas supply source 183 that supplies high-pressure gas to the injection nozzle 184 through a gas supply line 181. Although not shown, the on-off valve 182 is electrically connected to the control device 100.

기판 W의 연마 중에는, 개폐 밸브(182)를 개방한 상태에서, 기체 공급원(183)으로부터 고압의 기체를 분사 노즐(184)로 계속하여 공급한다. 분사 노즐(184)은, 공간 S1을 가로지르도록 기체를 분사하기 때문에, 공간 S1에 침입한 액체는, 급격하게 공간 S1의 외부로 날려지고, 액체 회수 부재(190)에 회수된다.During polishing of the substrate W, high-pressure gas is continuously supplied from the gas supply source 183 to the injection nozzle 184 with the on-off valve 182 open. Since the injection nozzle 184 sprays gas across the space S1, the liquid that has entered the space S1 is rapidly blown out of the space S1 and is recovered by the liquid recovery member 190.

도 13b에 나타내는 바와 같이, 분사 노즐(184)은, 커튼 형상의 기체의 분사 흐름을 공간 S1의 전체에 형성하도록 구성되어 있다. 일 실시 형태에서는, 분사 노즐(184)은, 부채형 노즐이다. 일 실시 형태에서는, 기체 분사 장치(180)는, 복수의 분사 노즐(184)을 구비해도 된다. 이와 같은 구성에 의해서도, 기체 분사 장치(180)는, 커튼 형상의 기체의 분사 흐름을 공간 S1 전체에 형성할 수 있다.As shown in FIG. 13B, the injection nozzle 184 is configured to form a curtain-shaped gas injection flow throughout the space S1. In one embodiment, the spray nozzle 184 is a fan-shaped nozzle. In one embodiment, the gas injection device 180 may be provided with a plurality of injection nozzles 184. Even with this configuration, the gas injection device 180 can form a curtain-shaped gas injection flow throughout the space S1.

액체 회수 부재(190)는, 분사 노즐(184)에 의해 날려진 액체를 회수하도록, 분사 노즐(184)의 반대 측에 배치되어 있다. 도 13b에 나타내는 바와 같이, 액체 회수 부재(190)는, 공간 S1을 둘러싸도록 배치되어도 된다.The liquid recovery member 190 is disposed on the opposite side of the spray nozzle 184 to recover the liquid blown out by the spray nozzle 184. As shown in FIG. 13B, the liquid recovery member 190 may be arranged to surround space S1.

일 실시 형태에서는, 액체 배제 기구(170)는, 탄성 링(171)과, 기체 분사 장치(180) 및 액체 회수 부재(190)의 조합을 구비해도 된다. 이와 같은 구성에 의해, 액체 배제 기구(170)는, 적외선의 광로 상에 침입한 액체를 보다 확실하게 배제할 수 있다.In one embodiment, the liquid discharge mechanism 170 may include a combination of an elastic ring 171, a gas injection device 180, and a liquid recovery member 190. With this configuration, the liquid exclusion mechanism 170 can more reliably exclude liquid that has entered the infrared light path.

상술한 실시 형태는, 본 발명이 속하는 기술 분야에 있어서의 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 실시할 수 있는 것을 목적으로 하여 기재된 것이다. 상기 실시 형태의 다양한 변형예는, 당업자라면 당연히 이룰 수 있는 것이며, 본 발명의 기술적 사상은 다른 실시 형태에도 적용할 수 있는 것이다. 따라서, 본 발명은 기재된 실시 형태에 한정되지 않고, 청구범위에 의해 정의되는 기술적 사상에 따른 가장 넓은 범위로 해야 한다.The above-described embodiments have been described for the purpose of enabling those skilled in the art in the technical field to which the present invention pertains to practice the present invention. Various modifications to the above embodiments can naturally be made by those skilled in the art, and the technical idea of the present invention can be applied to other embodiments. Therefore, the present invention is not limited to the described embodiments, but should be given the widest scope according to the technical idea defined by the claims.

본 발명은 연마 장치에 이용 가능하다.The present invention is applicable to a polishing device.

1: 연마 패드
1a: 연마면
1b: 창부
2: 연마 테이블
3: 연마 헤드
4: 연마액 공급 기구
5: 테이블 축
6: 테이블 모터
7: 헤드 샤프트
8: 헤드 암
10: 슬러리 공급 노즐
11: 노즐 선회 축
24: 드레싱 장치
25: 순수 공급 노즐
26: 드레서
27: 드레서 암
28: 드레서 선회 축
50A 내지 50E: 창 부재
50a: 표면
50b: 이면
51A 내지 51E: 적외 방사 온도계
51a: 수광부
52: 매립부
100: 제어 장치
101: 기억 장치
102: 표시 장치
151: 적외 방사 온도계
151a: 수광부
160: 흑체
161: 셔터
170: 액체 배제 기구
171: 탄성 링
180: 기체 분사 장치
181: 기체 공급 라인
182: 개폐 밸브
183: 기체 공급원
184: 분사 노즐
190: 액체 회수 부재1: polishing pad
1a: polished surface
1b: prostitute
2: polishing table
3: Polishing head
4: Polishing liquid supply mechanism
5: table axis
6: table motor
7: Head shaft
8: Head arm
10: Slurry supply nozzle
11: nozzle pivot axis
24: dressing device
25: pure supply nozzle
26: Dresser
27: Dresser arm
28: Dresser pivot axis
50A to 50E: window member
50a: surface
50b: back side
51A to 51E: Infrared radiation thermometer
51a: light receiving unit
52: Landfill section
100: control device
101: memory device
102: display device
151: Infrared radiation thermometer
151a: light receiving unit
160: black body
161: shutter
170: Liquid exclusion mechanism
171: elastic ring
180: Gas injection device
181: Gas supply line
182: Open/close valve
183: Gas source
184: spray nozzle
190: Absence of liquid recovery

Claims (11)

적외선을 투과하는 복수의 창 부재와,
상기 복수의 창 부재가 매립된 연마 패드와,
상기 연마 패드를 지지하고, 상기 연마 패드와 함께 회전하는 연마 테이블과,
기판을 회전 가능하게 보유 지지하고, 상기 기판을 상기 연마 패드에 압박하는 연마 헤드와,
상기 복수의 창 부재의 하방에 배치되어, 상기 연마 헤드에 보유 지지된 상기 기판의 표면 온도를 측정하는 복수의 적외 방사 온도계를 구비하고 있는, 연마 장치.A plurality of window members that transmit infrared rays,
a polishing pad in which the plurality of window members are embedded;
a polishing table that supports the polishing pad and rotates with the polishing pad;
a polishing head that rotatably holds a substrate and presses the substrate against the polishing pad;
A polishing apparatus comprising a plurality of infrared radiation thermometers disposed below the plurality of window members and measuring the surface temperature of the substrate held by the polishing head. 제1항에 있어서,
상기 복수의 적외 방사 온도계는, 상기 연마 테이블의 반경 방향으로 배치되어 있고, 상기 연마 테이블과 함께 회전하는, 연마 장치.According to paragraph 1,
The plurality of infrared radiation thermometers are arranged in a radial direction of the polishing table and rotate together with the polishing table. 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 복수의 적외 방사 온도계 각각은, 그 수광부를 개폐하는, 흑체 구조를 갖는 셔터를 구비하고 있는, 연마 장치.According to claim 1 or 2,
A polishing device, wherein each of the plurality of infrared radiation thermometers is provided with a shutter having a blackbody structure that opens and closes the light receiving portion. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 복수의 적외 방사 온도계 각각은, 외란의 영향을 억제함으로써, 방사율이 낮은 측정 대상물의 온도를 측정하는 기능을 갖는 방사 온도계인, 연마 장치.According to any one of claims 1 to 3,
A polishing device, wherein each of the plurality of infrared radiation thermometers is a radiation thermometer that has a function of measuring the temperature of a measurement object with a low emissivity by suppressing the influence of disturbance. 적외선을 투과하는 창 부재와,
상기 창 부재가 매립된 연마 패드와,
상기 연마 패드를 지지하고, 상기 연마 패드와 함께 회전하는 연마 테이블과,
기판을 회전 가능하게 보유 지지하고, 상기 기판을 상기 연마 패드에 압박하는 연마 헤드와,
상기 연마 테이블의 하방에 배치되어, 상기 연마 헤드에 보유 지지된 상기 기판의 표면 온도를 측정하는 적외 방사 온도계를 구비하고,
상기 적외 방사 온도계는, 상기 창 부재의 회전 궤적을 따라 배치된 복수의 수광부를 구비하고 있는, 연마 장치.A window member that transmits infrared rays,
a polishing pad in which the window member is embedded;
a polishing table that supports the polishing pad and rotates with the polishing pad;
a polishing head that rotatably holds a substrate and presses the substrate against the polishing pad;
An infrared radiation thermometer is disposed below the polishing table and measures the surface temperature of the substrate held by the polishing head,
A polishing device, wherein the infrared radiation thermometer includes a plurality of light receiving units arranged along a rotation trajectory of the window member. 제5항에 있어서,
상기 연마 테이블은, 그 하면에 고정된 흑체를 구비하고 있고,
상기 흑체는, 상기 창 부재의 회전 궤적에 대응하는 위치에 배치되어 있는, 연마 장치.According to clause 5,
The polishing table has a black body fixed to its lower surface,
A polishing apparatus, wherein the black body is disposed at a position corresponding to a rotation trajectory of the window member. 제5항 또는 제6항에 있어서,
상기 연마 장치는, 상기 창 부재를 투과하는 적외선의 광로로부터 액체를 배제하는 액체 배제 기구를 구비하고 있는, 연마 장치.According to claim 5 or 6,
The polishing apparatus is provided with a liquid exclusion mechanism that excludes liquid from the optical path of the infrared rays that transmit the window member. 제7항에 있어서,
상기 액체 배제 기구는, 상기 창 부재를 둘러싸는 탄성 링을 구비하고 있고,
상기 탄성 링은, 상기 연마 패드의 연마면으로부터 돌출되어 있는, 연마 장치.In clause 7,
wherein the liquid drain mechanism includes an elastic ring surrounding the window member,
A polishing device, wherein the elastic ring protrudes from a polishing surface of the polishing pad. 제7항 또는 제8항에 있어서,
상기 액체 배제 기구는,
상기 광로를 가로지르도록 기체를 분사하는 기체 분사 장치와,
상기 기체 분사 장치에 의해 상기 광로 밖으로 날려진 액체를 회수하는 액체 회수 부재를 구비하고 있는, 연마 장치.According to paragraph 7 or 8,
The liquid exclusion mechanism is,
a gas injection device that sprays gas across the optical path;
A polishing device comprising a liquid recovery member that recovers liquid blown out of the optical path by the gas injection device. 제5항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 적외 방사 온도계는, 외란의 영향을 억제함으로써, 방사율이 낮은 측정 대상물의 온도를 측정하는 기능을 갖는 방사 온도계인, 연마 장치.According to any one of claims 5 to 9,
The infrared radiation thermometer is a polishing device that has a function of measuring the temperature of a measurement object with a low emissivity by suppressing the influence of disturbance. 연마 패드와,
상기 연마 패드를 지지하고, 상기 연마 패드와 함께 회전하는 연마 테이블과,
기판을 회전 가능하게 보유 지지하고, 상기 기판을 상기 연마 패드에 압박하는 연마 헤드와,
상기 기판의 제1 영역의 표면 온도를 측정하는 제1 온도 측정 장치와,
상기 제1 영역보다도 큰 온도 분포를 갖는 제2 영역의 표면 온도를 측정하는 제2 온도 측정 장치를 구비하고,
상기 제1 온도 측정 장치는,
적외선을 투과하고, 또한 상기 연마 패드에 매립된 복수의 제1 창 부재와,
상기 복수의 제1 창 부재의 하방에 배치된 복수의 제1 적외 방사 온도계를 구비하고 있고,
상기 제2 온도 측정 장치는,
적외선을 투과하고, 또한 상기 연마 패드에 매립된 제2 창 부재와,
상기 연마 테이블의 하방에 배치되고, 또한 상기 제2 창 부재의 회전 궤적을 따라 배치된 복수의 수광부를 구비하는 제2 적외 방사 온도계를 구비하고 있는, 연마 장치.a polishing pad,
a polishing table that supports the polishing pad and rotates with the polishing pad;
a polishing head that rotatably holds a substrate and presses the substrate against the polishing pad;
a first temperature measuring device for measuring the surface temperature of a first region of the substrate;
A second temperature measuring device is provided to measure the surface temperature of a second area having a larger temperature distribution than the first area,
The first temperature measuring device,
a plurality of first window members that transmit infrared rays and are embedded in the polishing pad;
and a plurality of first infrared radiation thermometers disposed below the plurality of first window members,
The second temperature measuring device,
a second window member that transmits infrared rays and is embedded in the polishing pad;
A polishing apparatus, comprising a second infrared radiation thermometer disposed below the polishing table and having a plurality of light receiving units disposed along a rotation trajectory of the second window member.
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