KR20240045434A - Organic Light Emitting Display device having an emitting area and a transport area - Google Patents

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KR20240045434A
KR20240045434A KR1020220124463A KR20220124463A KR20240045434A KR 20240045434 A KR20240045434 A KR 20240045434A KR 1020220124463 A KR1020220124463 A KR 1020220124463A KR 20220124463 A KR20220124463 A KR 20220124463A KR 20240045434 A KR20240045434 A KR 20240045434A
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light emitting
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이범성
이중근
이형동
이선희
정원준
김지영
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덕산네오룩스 주식회사
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Abstract

본 발명은 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 발광영역과 투과영역이 공통으로 존재하며, 섀도 마스크(Shadow Mask)를 사용하지 않고 전극을 패턴화하여 공정의 어려움을 해결할 수 있고, 나아가 이미지 센서, UDC와 같은 풀스크린 디스플레이를 구현할 수 있는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device. More specifically, the light emitting area and the transmission area exist in common, and the difficulties in the process can be solved by patterning the electrode without using a shadow mask. This relates to an organic light emitting display device that can implement a full-screen display such as an image sensor or UDC.

Description

발광영역과 투과영역을 포함하는 유기 발광 표시 장치{Organic Light Emitting Display device having an emitting area and a transport area}Organic light emitting display device having an emitting area and a transport area}

본 발명은 발광영역과 투과영역을 포함하는 유기 발광 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 발광영역과 투과영역이 공통으로 존재하며, 섀도 마스크(Shadow Mask)를 사용하지 않고 전극을 패턴화 할 수 있는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display device including a light-emitting area and a transmission area. More specifically, the light-emitting area and the transmission area exist in common, and the electrode can be patterned without using a shadow mask. It relates to an organic light emitting display device.

디스플레이 기술의 지속적 발전으로 디스플레이 장치에 대한 사용자의 요구가 높아지고 있다. 단말기 디스플레이 장치는 유연성, 풀스크린, 고집적화 등의 방향으로 개발이 진행되고 있다. 스마트폰 디스플레이의 경우, 화면의 크기를 크게 하기 위하여 배젤(Bazel) 사이즈를 작게 하거나 배젤이 없는(Bazel-less) 언더 디스플레이(Under Display)가 개발되고 있다. 이 과정에서 스마트폰 전면의 물리적인 버튼이 화면 속으로 사라지거나 UDC (Under Display Camera) 또는 UPS (Under Panel Sensor) 등과 같은 기술이 개발되고 있다. UDC는 디스플레이의 높은 광 투과율이 담보되어야 카메라가 정상 작동할 수 있다. 따라서, UDC 등과 같은 장치가 적용된 스마트폰이나 전자장치의 경우 높은 광 투과율을 확보할 필요가 있는데, 본 출원인에 의해 발명된 한국등록특허 10-2324529호에는 금속패터닝층을 형성함으로써 이러한 목적을 달성할 수 있음을 개시하고 있다. 또한, 한국공개특허 10-2022-0006001호에는 진공증착법으로 유기 패터닝층을 형성하되 선택적으로 금속 물질을 튕겨내는 유기박막을 사용한 금속패터닝 방법이 개시되어 있다.With the continued development of display technology, user demand for display devices is increasing. Terminal display devices are being developed in the direction of flexibility, full screen, and high integration. In the case of smartphone displays, in order to increase the screen size, a bezel size is reduced or a bezel-less under display is being developed. In this process, the physical buttons on the front of the smartphone disappear into the screen, and technologies such as UDC (Under Display Camera) or UPS (Under Panel Sensor) are being developed. UDC requires high light transmittance of the display for the camera to operate normally. Therefore, in the case of smartphones or electronic devices to which devices such as UDC are applied, it is necessary to secure high light transmittance. In Korean Patent No. 10-2324529, invented by the present applicant, this purpose can be achieved by forming a metal patterning layer. It is disclosed that it can be done. In addition, Korean Patent Publication No. 10-2022-0006001 discloses a metal patterning method using an organic thin film that selectively repels metal materials while forming an organic patterning layer by vacuum deposition.

일반적으로 전극 패턴 방법으로는 크게 두 가지 방법이 사용되고 있다. 첫째는 섀도 마스크(Shadow Mask)를 이용하여 원하는 부분에 전극을 패터닝하거나, 둘째로 캐소드에 레이저를 조사하여 패턴을 만드는 방법이다. 그러나 섀도 마스크를 통한 전극 패터닝 방법은 금속 마스크 전형적 재료 특성상 고온 증착 공정 동안 휘어짐 현상이 발생하게 되고, 그로 인해 마스크 형상 및 전극 패턴이 왜곡되는 문제가 발생한다. 이에, 마스크를 유지보수하기 위한 시간 및 비용 발생이 필연적으로 요구됨으로써, 디바이스의 대량생산에 상업적으로 적합하지 않다.In general, two major methods are used as electrode pattern methods. The first method is to pattern the electrode in the desired area using a shadow mask, or the second method is to create a pattern by irradiating a laser to the cathode. However, the electrode patterning method using a shadow mask causes bending during the high-temperature deposition process due to the typical material characteristics of a metal mask, which causes the mask shape and electrode pattern to be distorted. Accordingly, time and cost for maintaining the mask are inevitably required, making it not commercially suitable for mass production of devices.

또한, 레이저를 통한 전극 패턴 방식은, 레이저 고유 성질로 인해 전극이 패터닝 되는 방식으로 모재(Substrate)가 손상되지 않도록 레이저의 종류 및 강도를 결정해야 하는 번거로움이 야기된다.In addition, the electrode patterning method using a laser causes the inconvenience of having to determine the type and intensity of the laser to prevent damage to the substrate by patterning the electrode due to the unique properties of the laser.

따라서 이미지 센서, UDC와 같이 풀스크린 디스플레이 장치를 구현하기 위해서는 발광영역과 투과영역이 동시에 존재하는 디바이스의 구현이 반드시 필요하며, 공정의 어려움 또한 해결할 수 있는 최적의 유기 발광 표시 장치의 기술 개발이 필요하다.Therefore, in order to implement a full-screen display device such as an image sensor or UDC, it is necessary to implement a device that has both a light-emitting area and a transmission area, and development of optimal organic light-emitting display device technology that can also solve process difficulties is necessary. do.

본 발명은 유기 발광 표시 장치에 있어서, 발광영역과 투과영역이 공통으로 존재하며, 섀도 마스크(Shadow Mask)를 사용하지 않고 전극을 패턴화하여 공정의 어려움을 해결할 수 있고, 나아가 이미지 센서, UDC와 같은 풀스크린 디스플레이를 구현할 수 있는 최적의 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.In the present invention, in an organic light emitting display device, the light emitting area and the transmission area are common, and the difficulties in the process can be solved by patterning the electrode without using a shadow mask, and furthermore, the image sensor, UDC and The purpose is to provide an optimal organic light emitting display device that can implement the same full-screen display.

일 측면에서 본 발명은, 기판;In one aspect, the present invention includes: a substrate;

상기 기판 상에 배치된 양극(100);An anode 100 disposed on the substrate;

상기 양극(100) 상에 발광영역인 제 1 부분(110); 및 투과영역인 제 2 부분(120);이 존재하며,a first portion 110 that is a light emitting area on the anode 100; and a second part 120, which is a transmission area, is present,

상기 제 1 부분(110)과 제 2 부분(120)은 공통으로 형성되는 유기물층(111)을 포함하고,The first part 110 and the second part 120 include an organic material layer 111 formed in common,

상기 유기물층(111)은 정공수송층(113) 및 전자수송층(115)을 포함하며,The organic material layer 111 includes a hole transport layer 113 and an electron transport layer 115,

상기 제 1 부분(110)의 유기물층(111) 상에는 음극(118)이 존재하고,A cathode 118 exists on the organic material layer 111 of the first part 110,

상기 제 2 부분(120)의 유기물층(111) 상에는 금속패터닝층(121)이 존재하며,A metal patterning layer 121 is present on the organic material layer 111 of the second part 120,

상기 제 1 부분(110) 과 제 2 부분(120) 상에는 공통영역인 제 3 부분(130)을 포함하고,A third part 130, which is a common area, is included on the first part 110 and the second part 120,

상기 정공수송층(113) 재료의 정공이동도(hole mobility)는 1.0×10-8 cm2/Vs 내지 1.0×10-3 cm2/Vs이고, 상기 정공수송층(113) 재료의 HOMO (Hightest Occupied Molecular Orbital)의 에너지 준위가 -5.5 eV 내지 -5.0 eV이며,The hole mobility of the hole transport layer 113 material is 1.0×10 -8 cm 2 /Vs to 1.0×10 -3 cm 2 /Vs, and the HOMO (Hightest Occupied Molecular) of the hole transport layer 113 material is Orbital) energy level is -5.5 eV to -5.0 eV,

상기 전자수송층(115) 재료의 전자이동도(electron mobility)는 1.0×10-8 cm2/Vs 내지 1.0×10-3 cm2/Vs이고, 상기 전자수송층(115) 재료의 LUMO (Lowest Occupied Molecular Orbital)의 에너지 준위가 -3.5 eV 내지 -2.8 eV이며,The electron mobility of the electron transport layer 115 material is 1.0×10 -8 cm 2 /Vs to 1.0×10 -3 cm 2 /Vs, and the LUMO (Lowest Occupied Molecular) of the electron transport layer 115 material is Orbital) energy level is -3.5 eV to -2.8 eV,

상기 금속패터닝층(121) 재료의 접촉각은 100° 내지 180°를 가지고,The contact angle of the metal patterning layer 121 material is 100° to 180°,

상기 제 3 부분(130) 재료는 1.85 내지 3.0 굴절률을 가지는 유기 발광 표시 장치를 제공한다.The material of the third portion 130 provides an organic light emitting display device having a refractive index of 1.85 to 3.0.

다른 측면에서 본 발명은, 상기 유기 발광 표시 장치를 포함하는 전자 장치를 제공한다.In another aspect, the present invention provides an electronic device including the organic light emitting display device.

본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치는 발광영역과 투과영역이 동시에 존재하며, 섀도 마스크(Shadow Mask)를 사용하지 않고 전극을 패턴화하여 공정의 어려움을 해결할 수 있고, 높은 발광효율 및 낮은 구동전압을 달성할 수 있어 UDC, UPS용 디스플레이 제조에 활용할 수 있다.The organic light emitting display device according to the present invention has a light emitting area and a transmission area at the same time, can solve processing difficulties by patterning the electrode without using a shadow mask, and has high luminous efficiency and low driving voltage. This can be achieved and can be used to manufacture displays for UDC and UPS.

도 1 내지 도 13은 본 발명에 따른 유기 발광 표시 장치의 예시도이다.1 to 13 are exemplary diagrams of an organic light emitting display device according to the present invention.

각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.When adding reference numerals to components in each drawing, it should be noted that identical components are given the same reference numerals as much as possible even if they are shown in different drawings. Additionally, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted.

본 명세서 상에서 언급된 "포함한다", "갖는다", "이루어진다" 등이 사용되는 경우 "~만"이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별한 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함할 수 있다.When “comprises,” “has,” “consists of,” etc. mentioned in the specification are used, other parts may be added unless “only” is used. When a component is expressed in the singular, it can also include the plural, unless specifically stated otherwise.

또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성 요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.Additionally, when describing the components of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are only used to distinguish the component from other components, and the nature, sequence, or order of the component is not limited by the term. When a component is described as being “connected,” “coupled,” or “connected” to another component, that component may be directly connected or connected to that other component, but there is another component between each component. It will be understood that elements may be “connected,” “combined,” or “connected.”

또한, 층, 막, 영역, 판 등의 구성 요소가 다른 구성 요소 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 경우, 이는 다른 구성 요소 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 구성 요소가 있는 경우도 포함할 수 있다고 이해되어야 할 것이다. 반대로, 어떤 구성 요소가 다른 부분 "바로 위에" 있다고 하는 경우에는 중간에 또 다른 부분이 없는 것을 뜻한다고 이해되어야 할 것이다.Additionally, when a component, such as a layer, membrane, region, plate, etc., is said to be "on" or "on" another component, it means not only that it is "directly above" the other component, but also that there is another component in between. It should be understood that it can also include cases. Conversely, when an element is said to be "right on top" of another part, it should be understood to mean that there is no other part in between.

본 명세서 및 첨부된 청구의 범위에서 사용된 바와 같이, 달리 언급하지 않는 한, 하기 용어의 의미는 하기와 같다.As used in this specification and the appended claims, unless otherwise noted, the following terms have the following meanings.

본 명세서에서 사용된 용어 “할로” 또는 “할로겐”은 다른 설명이 없는 한 불소(F), 브롬(Br), 염소(Cl) 또는 요오드(I)이다.As used herein, the term “halo” or “halogen” refers to fluorine (F), bromine (Br), chlorine (Cl), or iodine (I), unless otherwise specified.

본 발명에 사용된 용어 "알킬" 또는 "알킬기"는 다른 설명이 없는 한 1 내지 60의 탄소수의 단일결합을 가지며, 직쇄 알킬기, 분지쇄 알킬기, 사이클로알킬(지환족)기, 알킬-치환된 사이클로알킬기, 사이클로알킬-치환된 알킬기를 비롯한 포화 지방족 작용기의 라디칼을 의미한다.As used in the present invention, the term "alkyl" or "alkyl group", unless otherwise specified, has a single bond of 1 to 60 carbon atoms, and includes straight chain alkyl group, branched chain alkyl group, cycloalkyl (cycloaliphatic) group, and alkyl-substituted cyclo. It refers to radicals of saturated aliphatic functional groups, including alkyl groups and cycloalkyl-substituted alkyl groups.

본 발명에 사용된 용어 "알켄일기", "알케닐기" 또는 "알킨일기"는 다른 설명이 없는 한 각각 2 내지 60의 탄소수의 이중결합 또는 삼중결합을 가지며, 직쇄형 또는 측쇄형 사슬기를 포함하며, 여기에 제한되는 것은 아니다.As used in the present invention, the terms "alkenyl group", "alkenyl group" or "alkynyl group", unless otherwise specified, each have a double or triple bond of 2 to 60 carbon atoms, and include a straight or branched chain group. , but is not limited to this.

본 발명에 사용된 용어 "시클로알킬"은 다른 설명이 없는 한 3 내지 60의 탄소수를 갖는 고리를 형성하는 알킬을 의미하며, 여기에 제한되는 것은 아니다.The term “cycloalkyl” used in the present invention refers to alkyl forming a ring having 3 to 60 carbon atoms, unless otherwise specified, but is not limited thereto.

본 발명에 사용된 용어 "알콕실기", "알콕시기", 또는 "알킬옥시기"는 산소 라디칼이 부착된 알킬기를 의미하며, 다른 설명이 없는 한 1 내지 60의 탄소수를 가지며, 여기에 제한되는 것은 아니다.As used in the present invention, the term "alkoxyl group", "alkoxy group", or "alkyloxy group" refers to an alkyl group to which an oxygen radical is attached, and has a carbon number of 1 to 60, and is limited thereto, unless otherwise specified. That is not the case.

본 발명에 사용된 용어 "아릴옥실기" 또는 "아릴옥시기"는 산소 라디칼이 부착된 아릴기를 의미하며, 다른 설명이 없는 한 6 내지 60의 탄소수를 가지며, 여기에 제한되는 것은 아니다.The term “aryloxyl group” or “aryloxy group” used in the present invention refers to an aryl group to which an oxygen radical is attached, and has 6 to 60 carbon atoms unless otherwise specified, but is not limited thereto.

본 명세서에 사용된 용어 "알킬싸이오기"는 황 라디칼이 부착된 알킬기를 의미하며, 다른 설명이 없는 한 1 내지 60의 탄소수를 가지며, 여기에 제한되는 것은 아니다.The term “alkylthio group” used in this specification refers to an alkyl group to which a sulfur radical is attached, and has a carbon number of 1 to 60 unless otherwise specified, but is not limited thereto.

본 명세서에 사용된 용어 "아릴싸이오기"는 황 라디칼이 부착된 아릴기를 의미하며, 다른 설명이 없는 한 1 내지 60의 탄소수를 가지며, 여기에 제한되는 것은 아니다.The term “arylthio group” used in this specification refers to an aryl group to which a sulfur radical is attached, and unless otherwise specified, has a carbon number of 1 to 60, but is not limited thereto.

본 명세서에 사용된 용어 "아릴기" 및 "아릴렌기"는 다른 설명이 없는 한 각각 6 내지 60의 탄소수를 가지며, 이에 제한되는 것은 아니다. 본 발명에서 아릴기 또는 아릴렌기는 단일 고리 또는 다중 고리의 방향족을 의미하며, 이웃한 치환기가 결합 또는 반응에 참여하여 형성된 방향족 고리를 포함한다. 예컨대, 아릴기는 페닐기, 비페닐기, 플루오렌기, 스파이로플루오렌기일 수 있다.As used herein, the terms “aryl group” and “arylene group” each have 6 to 60 carbon atoms unless otherwise specified, and are not limited thereto. In the present invention, an aryl group or arylene group refers to an aromatic group of a single ring or multiple rings, and includes an aromatic ring formed by combining adjacent substituents or participating in a reaction. For example, the aryl group may be a phenyl group, biphenyl group, fluorene group, or spirofluorene group.

접두사 "아릴" 또는 "아르"는 아릴기로 치환된 라디칼을 의미한다. 예를 들어 아릴알킬기는 아릴기로 치환된 알킬기이며, 아릴알켄일기는 아릴기로 치환된 알켄일기이며, 아릴기로 치환된 라디칼은 본 명세서에서 설명한 탄소수를 가진다. 또한 접두사가 연속으로 명명되는 경우 먼저 기재된 순서대로 치환기가 나열되는 것을 의미한다. 예를 들어, 아릴알콕시기의 경우 아릴기로 치환된 알콕시기를 의미하며, 알콕실카르보닐기의 경우 알콕실기로 치환된 카르보닐기를 의미하며, 또한 아릴카르보닐알켄일기의 경우 아릴카르보닐기로 치환된 알켄일기를 의미하며 여기서 아릴카르보닐기는 아릴기로 치환된 카르보닐기이다.The prefix “aryl” or “ar” refers to a radical substituted with an aryl group. For example, an arylalkyl group is an alkyl group substituted with an aryl group, an arylalkenyl group is an alkenyl group substituted with an aryl group, and a radical substituted with an aryl group has the carbon number described in this specification. Additionally, when prefixes are named consecutively, it means that the substituents are listed in the order they are listed first. For example, an arylalkoxy group refers to an alkoxy group substituted with an aryl group, an alkoxylcarbonyl group refers to a carbonyl group substituted with an alkoxyl group, and an arylcarbonylalkenyl group refers to an alkenyl group substituted with an arylcarbonyl group. And here, the arylcarbonyl group is a carbonyl group substituted with an aryl group.

본 명세서에 사용된 용어 "헤테로고리기"는 다른 설명이 없는 한 하나 이상의 헤테로원자를 포함하고, 2 내지 60의 탄소수를 가지며, 단일 고리 및 다중 고리 중 적어도 하나를 포함하며, 헤테로지방족 고리 및 헤테로방향족 고리를 포함한다. 이웃한 작용기가 결합하여 형성될 수도 있다.As used herein, the term "heterocyclic group", unless otherwise specified, contains one or more heteroatoms, has a carbon number of 2 to 60, includes at least one of a single ring and a multiple ring, and includes a heteroaliphatic ring and a heterocyclic group. Contains an aromatic ring. It may also be formed by combining neighboring functional groups.

본 명세서에서 사용된 용어 "헤테로원자"는 다른 설명이 없는 한 N, O, S, P 또는 Si를 나타낸다.As used herein, the term “heteroatom” refers to N, O, S, P or Si, unless otherwise specified.

또한 “헤테로고리기”는 헤테로원자를 포함하는 단일고리형, 고리집합체, 접합된 여러 고리계, 스파이로 화합물 등을 의미한다. 또한, 고리를 형성하는 탄소 대신 하기 화합물과 같이 SO2, P=O 등과 같은 헤테로원자단을 포함하는 화합물도 헤테로고리기에 포함될 수 있다.In addition, “heterocyclic group” refers to a single ring containing heteroatoms, ring aggregates, multiple fused ring systems, spiro compounds, etc. In addition, compounds containing heteroatom groups such as SO 2 , P=O, etc., such as the compounds below, instead of carbon forming a ring, may also be included in the heterocyclic group.

본 발명에 사용된 용어 "지방족고리기"는 방향족탄화수소를 제외한 고리형 탄화수소를의미하며, 단일고리형, 고리집합체, 접합된 여러 고리계, 스파이로 화합물 등을 포함하며, 다른 설명이 없는 한 탄소수 3 내지 60의 고리를의미하나 여기에 제한되는 것은 아니다. 예컨대, 방향족고리인 벤젠과 비방향족고리인 사이클로헥산이 융합된 경우에도 지방족고리에 해당한다.The term "aliphatic ring" used in the present invention refers to cyclic hydrocarbons excluding aromatic hydrocarbons, and includes single rings, ring aggregates, fused multiple ring systems, spiro compounds, etc., and has the number of carbon atoms unless otherwise specified. It means 3 to 60 rings, but is not limited thereto. For example, even when benzene, an aromatic ring, and cyclohexane, a non-aromatic ring, are fused, it is an aliphatic ring.

본 발명에서 사용된 용어 "플루오렌일기", "플루오렌일렌기", "플루오렌트리일기"는 다른 설명이 없는 한 각각 하기 구조에서 R, R' 및 R"이 모두 수소인 1가, 2가 또는 3가의 작용기를 의미하며, "치환된 플루오렌일기", "치환된 플루오렌일렌기" 또는 "치환된 플루오렌트리일기"는 치환기 R, R', R" 중 적어도 하나가 수소 이외의 치환기인 것을 의미하며, R과 R'이 서로 결합되어 이들이 결합된 탄소와 함께 스파이로 화합물을 형성한 경우를 포함한다. 본 명세서에서는 가수와 상관없이 플루오렌일기, 플루오렌일렌기, 플루오렌트리일기를 모두 플루오렌기라고 명명할 수도 있다.As used in the present invention, the terms "fluorenyl group", "fluorenylene group", and "fluorenetriyl group" refer to monovalent and 2-valent groups in which R, R' and R" are all hydrogen in the structures below, unless otherwise specified. It means a valent or trivalent functional group, and "substituted fluorenyl group", "substituted fluorenylene group" or "substituted fluorenetriyl group" means that at least one of the substituents R, R', and R" is other than hydrogen. It means a substituent, and includes cases where R and R' are bonded to each other to form a spiro compound with the carbon to which they are bonded. In this specification, fluorenyl group, fluorenylene group, and fluorenetriyl group may all be referred to as fluorene groups, regardless of valence.

본 명세서에서 각 기호 및 그 치환기의 예로 예시되는 아릴기, 아릴렌기, 헤테로고리기 등에 해당하는 '기 이름'은 '가수를 반영한 기의 이름'을 기재할 수도 있지만, '모체화합물 명칭'으로 기재할 수도 있다. 예컨대, 아릴기의 일종인 '페난트렌'의 경우, 1가의 '기'는 '페난트릴'로 2가의 기는 '페난트릴렌' 등과 같이 가수를 구분하여 기의 이름을 기재할 수도 있지만, 가수와 상관없이 모체 화합물 명칭인 '페난트렌'으로 기재할 수도 있다. 유사하게, 피리미딘의 경우에도, 가수와 상관없이 '피리미딘'으로 기재하거나, 1가인 경우에는 피리미딘일기, 2가의 경우에는 피리미딘일렌 등과 같이 해당 가수의 '기의 이름'으로 기재할 수도 있다. 또한, 본 명세서에서는 화합물 명칭이나 치환기 명칭을 기재함에 있어 위치를 표시하는 숫자나 알파벳 등은 생략할 수도 있다. 예컨대, 피리도[4,3-d]피리미딘을 피리도피리미딘으로, 벤조퓨로[2,3-d]피리미딘을 벤조퓨로피리미딘으로, 9,9-다이메틸-9H-플루오렌을 다이메틸플루오렌 등과 같이 기재할 수 있다. 따라서, 벤조[g]퀴녹살린이나 벤조[f]퀴녹살린을 모두 벤조퀴녹살린이라고 기재할 수 있다.In this specification, the 'group name' corresponding to the aryl group, arylene group, heterocyclic group, etc., as examples of each symbol and its substituent, may be written as the 'name of the group reflecting the valence', but is written as the 'parent compound name'. You may. For example, in the case of 'phenanthrene', a type of aryl group, the name of the group may be written by distinguishing the valence, such as the monovalent 'group' is 'phenanthryl' and the divalent group is 'phenanthrylene', but the valence and Regardless, it can also be written as the parent compound name, ‘phenanthrene’. Similarly, in the case of pyrimidine, it can be written as 'pyrimidine' regardless of the valence, or it can be written as the 'name of the group' of the valence, such as pyrimidineyl group in the case of monovalent group, pyrimidineylene in the case of divalent group, etc. there is. Additionally, in this specification, when describing compound names or substituent names, numbers or alphabets indicating positions may be omitted. For example, pyrido[4,3-d]pyrimidine to pyridopyrimidine, benzofuro[2,3-d]pyrimidine to benzofuropyrimidine, 9,9-dimethyl-9H-flu. Orene can be described as dimethylfluorene, etc. Therefore, both benzo[g]quinoxaline and benzo[f]quinoxaline can be described as benzoquinoxaline.

또한 명시적인 설명이 없는 한, 본 발명에서 사용되는 화학식은 하기 화학식의 지수 정의에 의한 치환기 정의와 동일하게 적용된다.Additionally, unless explicitly stated otherwise, the chemical formula used in the present invention is applied identically to the substituent definition by the index definition in the following chemical formula.

여기서, a가 0의 정수인 경우 치환기 R1은 부존재하며, a가 1의 정수인 경우 하나의 치환기 R1은 벤젠 고리를 형성하는 탄소 중 어느 하나의 탄소에 결합하며, a가 2 또는 3의 정수인 경우 각각 다음과 같이 결합하며 이때 R1은 서로 동일하거나 다를 수 있으며, a가 4 내지 6의 정수인 경우 이와 유사한 방식으로 벤젠 고리의 탄소에 결합하며, 한편 벤젠 고리를 형성하는 탄소에 결합된 수소의 표시는 생략한다.Here, if a is an integer of 0, the substituent R1 is absent, and if a is an integer of 1, one substituent R1 is bonded to any one of the carbons forming the benzene ring, and if a is an integer of 2 or 3, respectively. It is bonded as follows, where R 1 may be the same or different from each other, and when a is an integer of 4 to 6, it is bonded to the carbon of the benzene ring in a similar manner, while the hydrogen bonded to the carbon forming the benzene ring is expressed as Omit it.

또한, 본 명세서에서 다른 설명이 없는 한, 축합환을 표시할 때 '숫자-축합환'에서 숫자는 축합되는 고리의 개수를 나타낸다. 예컨대, 안트라센, 페난트렌, 벤조퀴나졸린 등과 같이 3개의 고리가 서로 축합한 형태는 3-축합환으로 표기할 수 있다.Additionally, unless otherwise specified in the specification, when expressing a condensed ring, the number in 'number-condensed ring' indicates the number of rings to be condensed. For example, a form in which three rings are condensed together, such as anthracene, phenanthrene, and benzoquinazoline, can be expressed as a 3-condensed ring.

또한, 본 명세서에서 다른 설명이 없는 한, 5원자 고리, 6원자 고리 등과 같이 '숫자원자' 형식으로 고리를 표현한 경우, '숫자-원자'에서 숫자는 고리를 형성하는 원소의 개수를 나타낸다. 예컨대, 싸이오펜이나 퓨란 등은 5원자 고리에 해당할 수 있고, 벤젠이나 피리딘은 6원자 고리에 해당할 수 있다.Additionally, unless otherwise specified in the specification, when a ring is expressed in the form of a 'number atom' such as a 5-member ring, a 6-member ring, etc., the number in 'number-atom' represents the number of elements forming the ring. For example, thiophene or furan may correspond to a 5-membered ring, and benzene or pyridine may correspond to a 6-membered ring.

또한, 본 명세서에서 다른 설명이 없는 한, 이웃한 기끼리 서로 결합하여 형성한 고리는 C6~C60의 방향족고리기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; 및 C3~C60의 지방족고리기;로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.In addition, unless otherwise specified in the specification, the ring formed by combining adjacent groups is an aromatic ring group of C 6 to C 60 ; fluorenyl group; C 2 ~ C 60 heterocyclic group containing at least one hetero atom among O, N, S, Si and P; and an aliphatic ring group of C 3 to C 60 .

이때, 본 명세서에서 다른 설명이 없는 한, '이웃한 기끼리'라 함은, 하기 화학식을 예로 들어 설명하면, R1과 R2끼리, R2와 R3끼리, R3과 R4끼리, R5와 R6끼리 뿐만 아니라, 하나의 탄소를 공유하는 R7과 R8끼리도 포함되고, R1과 R7끼리, R1과 R8끼리 또는 R4와 R5끼리 등과 같이 바로 인접하지 않은 고리 구성 원소(탄소나 질소 등)에 결합된 치환기도 포함될 수 있다. 즉, 바로 인접한 탄소나 질소 등과 같은 고리 구성 원소에 치환기가 있을 경우에는 이들이 이웃한 기가 될 수 있지만, 바로 인접한 위치의 고리 구성 원소에 그 어떤 치환기도 결합되지 않은 경우에는 그 다음 고리 구성 원소에 결합된 치환기와 이웃한 기가 될 수 있고, 또한 동일 고리 구성 탄소에 결합된 치환기끼리도 이웃한 기라고 할 수 있다.At this time, unless otherwise specified in the specification, 'neighboring groups' refers to groups R 1 and R 2 , R 2 and R 3 , R 3 and R 4 , Not only R 5 and R 6 but also R 7 and R 8 that share one carbon are included, and groups that are not immediately adjacent, such as between R 1 and R 7 , between R 1 and R 8 , or between R 4 and R 5 , etc. Substituents bonded to ring constituent elements (carbon, nitrogen, etc.) may also be included. In other words, if there are substituents on immediately adjacent ring elements such as carbon or nitrogen, they can become neighboring groups, but if no substituents are bonded to the immediately adjacent ring elements, they can be bonded to the next ring element. It can be a group adjacent to a substituent, and substituents bonded to carbons of the same ring can also be said to be neighboring groups.

하기 화학식에서 R7과 R8처럼 동일 탄소에 결합된 치환기가 서로 결합하여 고리를 형성할 경우에는 스파이로 모이어티가 포함된 화합물이 형성될 수 있다.In the formula below, when substituents bonded to the same carbon, such as R 7 and R 8 , combine to form a ring, a compound containing a spiro moiety may be formed.

Figure pat00005
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또한, 본 명세서에서 '이웃한 기끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다'라는 표현은 '이웃한 기끼리 서로 결합하여 선택적으로 고리를 형성한다'라는 것과 동일한 의미로 사용되며, 적어도 한 쌍의 이웃한 기끼리 서로 결합하여 고리를 형성하는 경우를 의미한다.In addition, in this specification, the expression 'neighboring groups can combine with each other to form a ring' is used in the same meaning as 'neighboring groups can selectively form a ring by combining with each other', and at least one pair This refers to a case where neighboring groups combine with each other to form a ring.

이하, 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에 대하여 첨부된 도 1 내지 도 13을 참고하여 상세히 설명한다.Hereinafter, an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying FIGS. 1 to 13.

도 1 내지 도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 구성을 개략적으로 도시한 도면이다.1 to 13 are diagrams schematically showing the configuration of an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.

도 1 내지 도 13을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판(미도시) 상에 순차적으로 양극(100), 상기 양극(100) 상에 발광영역인 제 1 부분(110) 및 투과영역인 제 2 부분(120)이 존재하며, 상기 제 1 부분(110) 및 제 2 부분(120) 상에는 공통영역인 제 3 부분(130)을 포함한다. 또한, 상기 제 1 부분(110)과 제 2 부분(120)은 공통으로 형성되는 유기물층(111)을 포함하고, 상기 유기물층(111)은 정공수송층(113) 및 전자수송층(115)을 포함하며, 상기 제 1 부분(110)의 유기물층(111) 상에는 음극(118)이 형성되고, 상기 제 2 부분(120)의 유기물층(111) 상에는 금속패터닝층(121)이 형성된다.Referring to FIGS. 1 to 13 , an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention sequentially includes an anode 100 on a substrate (not shown), and a first portion (which is a light emitting area) on the anode 100. 110) and a second part 120 that is a transparent area, and a third part 130 that is a common area exists on the first part 110 and the second part 120. In addition, the first part 110 and the second part 120 include a common organic material layer 111, and the organic material layer 111 includes a hole transport layer 113 and an electron transport layer 115, A cathode 118 is formed on the organic material layer 111 of the first part 110, and a metal patterning layer 121 is formed on the organic material layer 111 of the second part 120.

도 1 내지 도 11에서는 제 1 부분(110)의 높이와 제 2 부분(120)의 높이가 동일한 것으로 도시되었지만, 이들의 높이는 같거나 다를 수 있다. 또한, 도 1 내지 도 11은 유기 발광 표시 장치의 적층 구조를 설명하기 위하여 간략히 도시한 도면으로서, 제 1 부분(110)과 제 2 부분(120)의 높이, 면적, 형성되는 위치 등이 이들 도면에 의해 제한되지는 않는다.1 to 11, the height of the first part 110 and the height of the second part 120 are shown to be the same, but their heights may be the same or different. In addition, FIGS. 1 to 11 are schematic drawings to explain the stacked structure of the organic light emitting display device, and the height, area, and formed positions of the first part 110 and the second part 120 are shown in these drawings. is not limited by

상기 양극(100)은 투과성 전극일 수 있다. 전형적으로 투과성 전극을 형성하는 재료로는 투명한 전도성 산화물(TCO), 예컨대 인듐 주석 산화물(ITO), 산화아연(ZnO), 산화주석(SnO2), 또는 산화 인듐 아연(IZO) 및 이들의 조합 중에서 선택될 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. 또한, 상기 양극(100)은 둘 이상의 층을 포함하는 다중 층으로 사용될 수도 있다.The anode 100 may be a transparent electrode. Typically, the material forming the transparent electrode is a transparent conducting oxide (TCO), such as indium tin oxide (ITO), zinc oxide (ZnO), tin oxide (SnO 2 ), or indium zinc oxide (IZO), and combinations thereof. It may be selected, but is not limited thereto. Additionally, the anode 100 may be used as a multi-layer comprising two or more layers.

상기 제 1 부분(110)은 정공수송층(113)과 전자수송층(115)을 포함한다. 바람직하게는 도 2 내지 13에서 볼 수 있듯이, 상기 제 1 부분(110)은 발광층(114)을 더 포함하고, 상기 발광층(114)은 정공수송층(113)과 전자수송층(115) 사이에 배치된다. 다시 말해, 제 1 부분(110)은 정공수송층(113), 발광층(114), 전자수송층(115) 및 음극(118)을 포함할 수 있다. 또한, 도 6, 9, 10, 11, 12, 13에서 볼 수 있듯이, 상기 양극(100)과 정공수송층(113) 사이에 정공주입층(112)을 더 포함할 수 있으며, 상기 정공수송층(113)은 하나 이상의 층으로 구성될 수 있다. 즉, 제1정공수송층, 제2정공수송층, 제3정공수송층 등 다층의 정공수송층(113)으로 구성될 수 있고, 다층의 정공수송층(113) 명명이 상이할 수 있다. 예컨대 정공수송층(113)이 두 개의 층으로 구성될 경우 발광층(114)과 인접한 정공수송층(113)을 발광보조층, 버퍼층, 전자저지층, 전자블로킹층, 엑시톤블로킹층 등으로 명명할 수 있다. 도 9, 11, 12, 13에서는 발광보조층(122)으로 명명하였다. 또한, 도 11에서는 제1발광보조층(124), 제2발광보조층(125)로 구성된 것을 볼 수 있다. 하지만, 이에 한정된 것은 아니다. 또한, 상기 전자수송층(115)과 음극(118) 사이에 전자주입층(116)을 더 포함할 수 있고, 상기 전자수송층(115)은 하나 이상의 층으로 구성될 수 있다. 즉, 제1전자수송층, 제2전자수송층, 제3전자수송층 등 다층의 전자수송층(115)으로 구성될 수 있고, 다층의 전자수송층(115) 명명이 상이할 수 있다. 예컨대 전자수송층(115)이 두 개의 층으로 구성될 경우 발광층(114)과 인접한 전자수송층(115)을 보조층, 버퍼층, A-ETL, 정공저지층, 정공블로킹층 등으로 명명할 수 있다. 도 9 내지 13에서는 정공저지층(123)으로 명명하였다. 예를 들어 제 1 부분(110)은 양극(100)에서 순차적으로 정공주입층(112)/정공수송층(113)/발광보조층(122)/발광층(114)/정공저지층(123)/전자수송층(115)/전자주입층(116)/음극(118) 순으로 적층될 수 있으나, 이에 제한된 것은 아니다.The first part 110 includes a hole transport layer 113 and an electron transport layer 115. Preferably, as can be seen in FIGS. 2 to 13, the first part 110 further includes a light-emitting layer 114, and the light-emitting layer 114 is disposed between the hole transport layer 113 and the electron transport layer 115. . In other words, the first part 110 may include a hole transport layer 113, a light emitting layer 114, an electron transport layer 115, and a cathode 118. In addition, as can be seen in FIGS. 6, 9, 10, 11, 12, and 13, a hole injection layer 112 may be further included between the anode 100 and the hole transport layer 113, and the hole transport layer 113 ) may consist of one or more layers. That is, it may be composed of a multi-layer hole transport layer 113 such as a first hole transport layer, a second hole transport layer, and a third hole transport layer, and the names of the multi-layer hole transport layers 113 may be different. For example, when the hole transport layer 113 is composed of two layers, the hole transport layer 113 adjacent to the light emitting layer 114 can be called a light emitting auxiliary layer, a buffer layer, an electron blocking layer, an electron blocking layer, an exciton blocking layer, etc. In Figures 9, 11, 12, and 13, it is named the light emitting auxiliary layer 122. In addition, in Figure 11, it can be seen that it is composed of a first light-emitting auxiliary layer 124 and a second light-emitting auxiliary layer 125. However, it is not limited to this. In addition, an electron injection layer 116 may be further included between the electron transport layer 115 and the cathode 118, and the electron transport layer 115 may be composed of one or more layers. That is, it may be composed of multiple electron transport layers 115, such as a first electron transport layer, a second electron transport layer, and a third electron transport layer, and the names of the multilayer electron transport layers 115 may be different. For example, if the electron transport layer 115 is composed of two layers, the electron transport layer 115 adjacent to the light emitting layer 114 can be called an auxiliary layer, a buffer layer, A-ETL, a hole blocking layer, a hole blocking layer, etc. 9 to 13, it is named hole blocking layer 123. For example, the first part 110 is formed sequentially from the anode 100 to a hole injection layer 112/hole transport layer 113/light emission auxiliary layer 122/light emitting layer 114/hole blocking layer 123/electron. The transport layer 115/electron injection layer 116/cathode 118 may be laminated in that order, but is not limited thereto.

도 7 및 도 8에서 보는 바와 같이, 상기 제 1 부분(110)은 정공수송층(113), 발광층(114) 및 전자수송층(115)을 포함하는 스택(ST)이 둘 이상 형성된 형태일 수도 있다. 양극(100)과 음극(118) 사이에 다층으로 이루어진 유기물층(111)의 스택이 두 세트 이상(n≥2) 형성될 수 있고, 유기물층(111)의 스택 사이에 전하생성층(CGL; 미도시)이 형성될 수도 있다. 다시 말해, n이 2인 경우 전자수송층(115) 상에 정공수송층(113)이 다시 적층되고 전자수송층(115)과 정공수송층(113) 사이에 전하생성층을 포함할 수 있다. 예를 들면 양극(100), 제 1 스택(제1정공수송층-제1발광층-제1전자수송층), 전하생성층, 제 2 스택(제2정공수송층-제2발광층-제2전자수송층) 및 음극(118)을 순차적으로 포함할 수 있다. 상기 전하생성층은 스택과 스택 사이에 배치될 수 있고, 전류효율을 증가시키고, 전하를 원활하게 분배하는 역할을 한다.As shown in Figures 7 and 8, the first part 110 may be formed of two or more stacks (ST) including a hole transport layer 113, a light emitting layer 114, and an electron transport layer 115. Two or more sets (n≥2) of a stack of multi-layered organic material layers 111 may be formed between the anode 100 and the cathode 118, and a charge generation layer (CGL; not shown) between the stacks of the organic material layers 111. ) may be formed. In other words, when n is 2, the hole transport layer 113 is stacked again on the electron transport layer 115 and a charge generation layer may be included between the electron transport layer 115 and the hole transport layer 113. For example, the anode 100, the first stack (first hole transport layer - first light emitting layer - first electron transport layer), charge generation layer, second stack (second hole transport layer - second light emitting layer - second electron transport layer), and The cathode 118 may be sequentially included. The charge generation layer may be disposed between stacks and serves to increase current efficiency and smoothly distribute charges.

스택들 간의 발광색상은 상이할 수 있고, 각각의 스택의 물질이 상이할 수도 있다. 또한 전자와 정공은 CGL, 양극(100) 및 음극(118)으로부터 공급되어 각각의 발광층(114)을 발광될 수 있게 한다. 즉, 각각의 발광층(114)이 모두 다른 색상으로 발광될 수 있다. 다층의 스택 구조 방식에 의해 발광층(114)이 복수개 형성될 경우 각각의 발광층(114)에서 발광된 광의 혼합 효과에 의해 백색 광이 발광되는 유기 발광 표시 장치를 제조할 수 있을 뿐만 아니라 다양한 색상의 광을 발광하는 유기 발광 표시 장치를 제조할 수도 있다.The emission color between the stacks may be different, and the material of each stack may be different. Additionally, electrons and holes are supplied from the CGL, the anode 100, and the cathode 118 to enable each light emitting layer 114 to emit light. That is, each light-emitting layer 114 may emit light in a different color. When a plurality of light-emitting layers 114 are formed using a multi-layer stack structure, an organic light-emitting display device that emits white light can be manufactured by mixing the light emitted from each light-emitting layer 114, as well as light of various colors. An organic light emitting display device that emits light can also be manufactured.

상기 전하생성층은 전자와 정공을 주입하기 위한 n-도핑층 및/또는 p-도핑층으로 이루어질 수 있으며, 예컨대, n 및 p 전도성 도펀트에서 선택될 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.The charge generation layer may be composed of an n-doped layer and/or a p-doped layer for injecting electrons and holes, and may be selected from, for example, n and p conductive dopants, but is not limited thereto.

상기 정공주입층(112) 또는 정공수송층(113)은 통상적으로 정공 주입/수송 물질로 사용되는 임의의 물질, 예컨대 방향족 또는 헤테로방향족 아민 화합물 및 카바졸 유도체로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.The hole injection layer 112 or the hole transport layer 113 may be made of any material commonly used as a hole injection/transport material, such as aromatic or heteroaromatic amine compounds and carbazole derivatives, but is not limited thereto. .

또한, 정공주입층(112)은 하나 이상의 화합물로 구성될 수 있으며, 정공주입층(112)의 화합물과 정공수송층(113)의 화합물이 같거나 상이할 수 있다.Additionally, the hole injection layer 112 may be composed of one or more compounds, and the compounds of the hole injection layer 112 and the compounds of the hole transport layer 113 may be the same or different.

상기 정공수송층(113)의 정공이동도는 1.0×10-8 cm2/Vs 내지 1.0×10-3 cm2/Vs인 것이 바람직하다. 더 바람직하게는 1.0×10-8 cm2/Vs 내지 1.0×10-5 cm2/Vs인 것이 바람직하다. 상기 정공수송층(113)의 정공이동도의 경우 정공 주입/수송이 잘 이루어지는 정도를 볼 수 있는 파라미터이다. 다시 말해, 정공이동도가 낮을수록 정공 주입/수송이 잘 이루어질 수 있다. 상기 정공수송층(113)의 정공이동도는 후술할 SCLC (Space Charge Limited Current) 계산법으로 측정 및 계산할 수 있다.The hole transport layer 113 preferably has a hole mobility of 1.0×10 -8 cm 2 /Vs to 1.0×10 -3 cm 2 /Vs. More preferably, it is 1.0×10 -8 cm 2 /Vs to 1.0×10 -5 cm 2 /Vs. The hole mobility of the hole transport layer 113 is a parameter that shows the degree to which hole injection/transport is performed well. In other words, the lower the hole mobility, the better hole injection/transport can be achieved. The hole mobility of the hole transport layer 113 can be measured and calculated using the SCLC (Space Charge Limited Current) calculation method, which will be described later.

또한, 상기 정공수송층(113)의 HOMO (Highest Occupied Molecular Orbital) 에너지 준위가 -5.5 eV 내지 -5.0 eV인 것이 바람직하다. 상기 정공수송층(113)의 HOMO 에너지 준위가 상기 범위를 만족할 경우 발광층(114)의 호스트로 정공을 원활하게 이동시켜줄 수 있으며, 이로 인해 효율이 상승하는데 기여할 수 있다.In addition, it is preferable that the HOMO (Highest Occupied Molecular Orbital) energy level of the hole transport layer 113 is -5.5 eV to -5.0 eV. When the HOMO energy level of the hole transport layer 113 satisfies the above range, holes can be smoothly moved to the host of the light emitting layer 114, which can contribute to increasing efficiency.

상기 정공수송층(113)은 구체적으로 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 화합물로 선택될 수 있다.The hole transport layer 113 may be specifically selected from a compound represented by Formula 1 or Formula 2 below.

[화학식 1] [화학식 2] [Formula 1] [Formula 2]

상기 화학식 1 및 화학식 2에서, 각 기호는 하기와 같이 정의될 수 있다.In Formula 1 and Formula 2, each symbol may be defined as follows.

Ar1, Ar2, Ar3, Ar4, Ar5, Ar6 및 Ar7은 서로 독립적으로 C1~C60의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C3~C60의 시클로알킬기; C1~C30의 알콕실기; C6~C30의 아릴옥시기; C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로아릴기; 및 C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기;로 이루어진 군에서 선택되며,Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 , Ar 4 , Ar 5 , Ar 6 and Ar 7 are each independently an alkyl group of C 1 to C 60 ; C 2 ~ C 20 alkenyl group; C 2 ~ C 20 alkyne group; C 3 ~ C 60 cycloalkyl group; C 1 ~ C 30 alkoxyl group; C 6 ~ C 30 aryloxy group; Aryl group of C 6 to C 60 ; fluorenyl group; A C 2 to C 60 heteroaryl group containing at least one heteroatom selected from O, N, S, Si, and P; and a fused ring group of an aliphatic ring from C 3 to C 60 and an aromatic ring from C 6 to C 60 ;

상기 Ar1, Ar2, Ar3, Ar4, Ar5, Ar6 및 Ar7이 알킬기인 경우, 바람직하게는 C1~C30의 알킬기일 수 있으며, 더욱 바람직하게는 C1~C24의 알킬기일 수 있다.When Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 , Ar 4 , Ar 5 , Ar 6 and Ar 7 are alkyl groups, they may be preferably C 1 to C 30 alkyl groups, and more preferably C 1 to C 24 alkyl groups. It may be an alkyl group.

상기 Ar1, Ar2, Ar3, Ar4, Ar5, Ar6 및 Ar7이 아릴기인 경우, 바람직하게는 C6~C30의 아릴기, 더욱 바람직하게는 C6~C25의 아릴기, 예컨대 페닐, 바이페닐, 터페닐, 나프탈렌 등일 수 있다.When Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 , Ar 4 , Ar 5 , Ar 6 and Ar 7 are an aryl group, preferably an aryl group of C 6 to C 30 , more preferably an aryl group of C 6 to C 25. , such as phenyl, biphenyl, terphenyl, naphthalene, etc.

상기 Ar1, Ar2, Ar3, Ar4, Ar5, Ar6 및 Ar7이 헤테로아릴기인 경우, 바람직하게는 C2~C30의 헤테로아릴기, 더욱 바람직하게는 C2~C24의 헤테로아릴기일 수 있다.When Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 , Ar 4 , Ar 5 , Ar 6 and Ar 7 are heteroaryl groups, preferably C 2 to C 30 heteroaryl groups, more preferably C 2 to C 24 heteroaryl groups. It may be a heteroaryl group.

상기 Ar1, Ar2, Ar3, Ar4, Ar5, Ar6 및 Ar7이 융합고리기인 경우, 바람직하게는 C3~C30의 지방족고리와 C6~C30의 방향족고리의 융합고리기, 더욱 바람직하게는 C3~C24의 지방족고리와 C6~C24의 방향족고리의 융합고리기일 수 있다.When Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 , Ar 4 , Ar 5 , Ar 6 and Ar 7 are fused ring groups, they are preferably a fused ring of an aliphatic ring from C 3 to C 30 and an aromatic ring from C 6 to C 30 group, more preferably a fused ring group of a C 3 to C 24 aliphatic ring and a C 6 to C 24 aromatic ring.

L1, L2, L3, L4, L5, L6, L7 및 L8은 서로 독립적으로 단일결합; C6~C60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; C2~C60의 헤테로고리기; 및 C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기;로 이루어진 군에서 선택되고,L 1 , L 2 , L 3 , L 4 , L 5 , L 6 , L 7 and L 8 are independently a single bond; C 6 ~ C 60 arylene group; fluorenylene group; C 2 ~ C 60 heterocyclic group; and a fused ring group of an aliphatic ring of C 3 to C 60 and an aromatic ring of C 6 to C 60 ; selected from the group consisting of,

상기 L1, L2, L3, L4, L5, L6, L7 및 L8이 아릴렌기인 경우, 바람직하게는 C6~C30의 아릴렌기, 더욱 바람직하게는 C6~C25의 아릴렌기일 수 있다.When L 1 , L 2 , L 3 , L 4 , L 5 , L 6 , L 7 and L 8 are arylene groups, they are preferably C 6 to C 30 arylene groups, more preferably C 6 to C 30 arylene groups. It may be an arylene group of 25 .

상기 L1, L2, L3, L4, L5, L6, L7 및 L8이 헤테로고리기인 경우, 바람직하게는 C2~C30의 헤테로고리기, 더욱 바람직하게는 C2~C24의 헤테로고리기일 수 있다.When L 1 , L 2 , L 3 , L 4 , L 5 , L 6 , L 7 and L 8 are heterocyclic groups, preferably C 2 to C 30 heterocyclic groups, more preferably C 2 to It may be a heterocyclic group of C 24 .

상기 L1, L2, L3, L4, L5, L6, L7 및 L8이 융합고리기인 경우, 바람직하게는 C3~C30의 지방족고리와 C6~C30의 방향족고리의 융합고리기, 더욱 바람직하게는 C3~C24의 지방족고리와 C6~C24의 방향족고리의 융합고리기일 수 있다.When L 1 , L 2 , L 3 , L 4 , L 5 , L 6 , L 7 and L 8 are fused ring groups, preferably an aliphatic ring of C 3 to C 30 and an aromatic ring of C 6 to C 30 It may be a fused ring group, more preferably a fused ring group of an aliphatic ring of C 3 to C 24 and an aromatic ring of C 6 to C 24 .

여기서, 상기 아릴기, 헤테로아릴기, 아릴렌기, 헤테로고리기, 플루오렌일기, 플루오렌일렌기, 융합고리기, 알킬기, 알켄일기, 알킨일기, 시클로알킬기, 알콕실기 및 아릴옥시기는 각각 중수소; 할로겐; 실란기; 실록산기; 붕소기; 게르마늄기; 시아노기; 니트로기; C1~C20의 알킬싸이오기; C1~C20의 알콕실기; C6~C20의 아릴옥시기; C1~C20의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C6~C20의 아릴기; 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기; 할로겐으로 치환된 C6~C20의 아릴기; 플루오렌일기; C2~C20의 헤테로고리기; C3~C20의 시클로알킬기; C7~C20의 아릴알킬기; 및 C8~C20의 아릴알켄일기;로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 더욱 치환될 수 있으며, 또한 이들 치환기들은 서로 결합하여 고리를 형성할 수도 있으며, 여기서 '고리'란 C3~C60의 지방족고리 또는 C6~C60의 방향족고리 또는 C2~C60의 헤테로고리 또는 이들의 조합으로 이루어진 융합 고리를 말하며, 포화 또는 불포화 고리를 포함한다.Here, the aryl group, heteroaryl group, arylene group, heterocyclic group, fluorenyl group, fluorenylene group, fused ring group, alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, cycloalkyl group, alkoxyl group, and aryloxy group are each selected from deuterium; halogen; Silane group; siloxane group; boron group; Germanium group; Cyano group; nitro group; C 1 ~ C 20 alkylthio group; C 1 ~ C 20 alkoxyl group; C 6 ~ C 20 aryloxy group; C 1 ~ C 20 alkyl group; C 2 ~ C 20 alkenyl group; C 2 ~ C 20 alkyne group; C 6 ~ C 20 aryl group; C 6 ~ C 20 aryl group substituted with deuterium; C 6 ~ C 20 aryl group substituted with halogen; fluorenyl group; C 2 ~ C 20 heterocyclic group; C 3 ~ C 20 cycloalkyl group; C 7 ~ C 20 arylalkyl group; and C 8 ~ C 20 arylalkenyl group; may be further substituted with one or more substituents selected from the group consisting of, and these substituents may be combined with each other to form a ring, where 'ring' refers to a C 3 ~ C 60 It refers to a fused ring consisting of an aliphatic ring, an aromatic ring of C 6 to C 60 , a heterocycle of C 2 to C 60 , or a combination thereof, and includes saturated or unsaturated rings.

상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1 내지 화학식 1-3 중 어느 하나로 표시될 수 있다.Formula 1 may be represented by any one of the following Formulas 1-1 to 1-3.

[화학식 1-1] [화학식 1-2] [화학식 1-3] [Formula 1-1] [Formula 1-2] [Formula 1-3]

Figure pat00007
Figure pat00007

상기 화학식 1-1 내지 화학식 1-3에서, 각 기호는 하기와 같이 정의될 수 있다.In Formulas 1-1 to 1-3, each symbol may be defined as follows.

Ar2, Ar3, L1, L2 및 L3은 상기에서 정의된 바와 동일하고,Ar 2 , Ar 3 , L 1 , L 2 and L 3 are the same as defined above,

Ar은 상기 Ar1의 정의와 동일하며,Ar is the same as the definition of Ar 1 above,

Ar'은 C3~C60의 시클로알킬기이고, 바람직하게는 C3~C30의 시클로알킬기, 더욱 바람직하게는 C3~C24의 시클로알킬기일 수 있다.Ar' may be a C 3 -C 60 cycloalkyl group, preferably a C 3 -C 30 cycloalkyl group, and more preferably a C 3 -C 24 cycloalkyl group.

X1 및 X2는 서로 독립적으로 단일결합, O, S, NR, CR'R" 및 SiR'R"으로 이루어진 군에서 선택되며, 단, X1 및 X2 모두 단일결합인 경우는 제외하고,X 1 and X 2 are independently selected from the group consisting of a single bond, O, S, NR, CR'R" and SiR'R", except that

R1, R2, R3, R4, R5, R, R' 및 R"은 각각 동일하거나 상이하며, 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C60의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C30의 알콕실기; 및 C6~C30의 아릴옥시기;로 이루어진 군에서 선택되고, 또는 R1, R2, R3, R4, R5, R' 및 R"은 이웃한 기끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있으며,R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R, R' and R" are each the same or different, and independently of each other hydrogen; deuterium; halogen; C 6 ~ C 60 aryl group; fluorenyl group ; C 2 ~ C 60 heterocyclic group containing at least one hetero atom among O, N, S, Si, and P; Fused ring group of C 3 ~ C 60 aliphatic ring and C 6 ~ C 60 aromatic ring ; C 1 ~ C 60 alkyl group; C 2 ~ C 20 alkenyl group; C 2 ~ C 20 alkynyl group; C 1 ~ C 30 alkoxyl group; and C 6 ~ C 30 aryloxy group; a group consisting of is selected from, or R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R' and R" may form a ring by combining adjacent groups with each other,

상기 R1, R2, R3, R4, R5, R, R' 및 R"이 아릴기인 경우, 바람직하게는 C6~C30의 아릴기, 더욱 바람직하게는 C6~C25의 아릴기, 예컨대 페닐, 바이페닐, 터페닐, 나프탈렌 등일 수 있다.When R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R, R' and R" are aryl groups, they are preferably C 6 to C 30 aryl groups, more preferably C 6 to C 25 aryl groups. It may be an aryl group such as phenyl, biphenyl, terphenyl, naphthalene, etc.

상기 R1, R2, R3, R4, R5, R, R' 및 R"이 헤테로고리기인 경우, 바람직하게는 C2~C30의 헤테로고리기, 더욱 바람직하게는 C2~C24의 헤테로고리기일 수 있다.When R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R, R' and R" are heterocyclic groups, preferably C 2 to C 30 heterocyclic groups, more preferably C 2 to C It may be a heterocyclic group of 24 .

상기 R1, R2, R3, R4, R5, R, R' 및 R"이 융합고리기인 경우, 바람직하게는 C3~C30의 지방족고리와 C6~C30의 방향족고리의 융합고리기, 더욱 바람직하게는 C3~C24의 지방족고리와 C6~C24의 방향족고리의 융합고리기일 수 있다.When R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R, R' and R" are fused ring groups, preferably an aliphatic ring of C 3 to C 30 and an aromatic ring of C 6 to C 30 It may be a fused ring group, more preferably a fused ring group of a C 3 to C 24 aliphatic ring and a C 6 to C 24 aromatic ring.

상기 R1, R2, R3, R4, R5, R, R' 및 R"이 알킬기인 경우, 바람직하게는 C1~C30의 알킬기일 수 있으며, 더욱 바람직하게는 C1~C24의 알킬기일 수 있다.When R 1 , R 2 , R 3 , R 4 , R 5 , R, R' and R" are alkyl groups, they may be preferably C 1 to C 30 alkyl groups, and more preferably C 1 to C 30 . It may be an alkyl group of 24 .

a, c, d 및 e는 서로 독립적으로 0 내지 4의 정수이고, b는 0 내지 3의 정수이다.a, c, d and e are independently integers from 0 to 4, and b is an integer from 0 to 3.

상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1-1 또는 화학식 1-1-2로 표시될 수 있다.Formula 1 may be represented by the following Formula 1-1-1 or Formula 1-1-2.

[화학식 1-1-1] [화학식 1-1-2] [Formula 1-1-1] [Formula 1-1-2]

Figure pat00008
Figure pat00008

{상기 화학식 1-1-1 및 화학식 1-1-2에서, Ar2, Ar3, L1, L2, L3, X1, R1, R2, R', R", a 및 b는 상기에서 정의된 바와 동일하다.}{In Formula 1-1-1 and Formula 1-1-2, Ar 2 , Ar 3 , L 1 , L 2 , L 3 , X 1 , R 1 , R 2 , R', R", a and b is the same as defined above.}

상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1-A 내지 화학식 1-1-C 중 어느 하나로 표시될 수 있다.Formula 1 may be represented by any one of the following Formulas 1-1-A to 1-1-C.

[화학식 1-1-A] [화학식 1-1-B] [화학식 1-1-C] [Formula 1-1-A] [Formula 1-1-B] [Formula 1-1-C]

Figure pat00009
Figure pat00009

{상기 화학식 1-1-A 내지 화학식 1-1-C에서,{In Formula 1-1-A to Formula 1-1-C,

Ar2, Ar3, L1, L2, L3, R1, R2, a 및 b는 상기에서 정의된 바와 동일하며,Ar 2 , Ar 3 , L 1 , L 2 , L 3 , R 1 , R 2 , a and b are as defined above,

R6, R7, R8 및 R9는 상기 R1의 정의와 동일하고, 또는 이웃한 기끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있으며,R 6 , R 7 , R 8 and R 9 are the same as the definition of R 1 above, or adjacent groups may combine with each other to form a ring,

f 및 g는 서로 독립적으로 0 내지 5의 정수이고, h 및 i는 서로 독립적으로 0 내지 4의 정수이다.}f and g are independently integers from 0 to 5, and h and i are independently integers from 0 to 4.}

상기 화학식 1은 하기 화학식 1-1-D 내지 화학식 1-1-F 중 어느 하나로 표시될 수 있다.Formula 1 may be represented by any one of the following Formulas 1-1-D to 1-1-F.

[화학식 1-1-D] [화학식 1-1-E] [Formula 1-1-D] [Formula 1-1-E]

Figure pat00010
Figure pat00010

[화학식 1-1-F] [Formula 1-1-F]

Figure pat00011
Figure pat00011

{상기 화학식 1-1-D 내지 화학식 1-1-F에서,{In Formula 1-1-D to Formula 1-1-F,

Ar2, Ar3, L1, L2, L3, X1, R1, R2, a 및 b는 상기에서 정의된 바와 동일하며,Ar 2 , Ar 3 , L 1 , L 2 , L 3 , X 1 , R 1 , R 2 , a and b are as defined above,

R10, R11, R12 및 R13은 상기 R1의 정의와 동일하고, 또는 이웃한 기끼리 결합하여 고리를 형성할 수 있으며,R 10 , R 11 , R 12 and R 13 are the same as the definition of R 1 above, or may combine with adjacent groups to form a ring,

j 및 k는 서로 독립적으로 0 내지 5의 정수이고, l 및 m은 서로 독립적으로 0 내지 4의 정수이다.}j and k are independently integers from 0 to 5, and l and m are independently integers from 0 to 4.}

상기 Ar'은 하기 화학식 1-3-1 내지 화학식 1-3-5 중 어느 하나일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Ar' may be any one of the following formulas 1-3-1 to 1-3-5, but is not limited thereto.

[화학식 1-3-1] [화학식 1-3-2] [화학식 1-3-3][Formula 1-3-1] [Formula 1-3-2] [Formula 1-3-3]

Figure pat00012
Figure pat00012

[화학식 1-3-4] [화학식 1-3-5][Formula 1-3-4] [Formula 1-3-5]

Figure pat00013
Figure pat00013

{상기 화학식 1-3-1 내지 화학식 1-3-5에서,{In Formula 1-3-1 to Formula 1-3-5,

Z는 상기 R1의 정의와 동일하며, 또는 이웃한 기끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고,Z is the same as the definition of R 1 above, or adjacent groups may combine with each other to form a ring,

z1 및 z2는 서로 독립적으로 0 내지 10의 정수이며, z3은 0 내지 13의 정수이고,z1 and z2 are independently integers from 0 to 10, z3 is an integer from 0 to 13,

*는 결합하는 위치를 나타낸다.}* indicates the binding position.}

상기 화학식 2는 하기 화학식 2-1 또는 화학식 2-2로 표시될 수 있다.The formula 2 may be expressed as the following formula 2-1 or formula 2-2.

[화학식 2-1] [화학식 2-2] [Formula 2-1] [Formula 2-2]

Figure pat00014
Figure pat00014

{상기 화학식 2-1 및 화학식 2-2에서,{In Formula 2-1 and Formula 2-2,

Ar4, Ar5, Ar6, Ar7, L4, L5, L6 및 L7은 상기에서 정의된 바와 동일하고,Ar 4 , Ar 5 , Ar 6 , Ar 7 , L 4 , L 5 , L 6 and L 7 are as defined above,

R21, R22 및 R23은 상기 R1의 정의와 동일하며, 또는 이웃한 기끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고,R 21 , R 22 and R 23 are the same as the definition of R 1 above, or adjacent groups may combine with each other to form a ring,

n은 1 내지 3의 정수이며,n is an integer from 1 to 3,

a'은 0 내지 4의 정수이고, b' 및 c'은 서로 독립적으로 0 내지 3의 정수이다.}a' is an integer from 0 to 4, and b' and c' are independently integers from 0 to 3.}

상기 화학식 2는 하기 화학식 2-1-1 또는 화학식 2-1-2로 표시될 수 있다.The formula 2 may be expressed as the following formula 2-1-1 or formula 2-1-2.

[화학식 2-1-1] [화학식 2-1-2] [Formula 2-1-1] [Formula 2-1-2]

Figure pat00015
Figure pat00015

{상기 화학식 2-1-1 및 화학식 2-1-2에서,{In Formula 2-1-1 and Formula 2-1-2,

Ar4, Ar5, Ar6, Ar7, L4, L5, L6 및 L7은 상기에서 정의된 바와 동일하며,Ar 4 , Ar 5 , Ar 6 , Ar 7 , L 4 , L 5 , L 6 and L 7 are as defined above,

R24, R25, R26 및 R27은 상기 R1의 정의와 동일하며, 또는 이웃한 기끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고,R 24 , R 25 , R 26 and R 27 are the same as the definition of R 1 above, or adjacent groups may combine with each other to form a ring,

X는 O, S, NR 또는 CR'R"이며,X is O, S, NR or CR'R",

d' 및 e'은 서로 독립적으로 0 내지 3의 정수이고, f'은 0 내지 4의 정수이며, g'은 0 내지 2의 정수이고, d' and e' are independently integers from 0 to 3, f' is an integer from 0 to 4, g' is an integer from 0 to 2,

상기 R, R' 및 R"은 상기에서 정의된 바와 동일하다.}R, R' and R" are the same as defined above.}

상기 화학식 2는 하기 화학식 2-1-A 내지 화학식 2-1-H 중 어느 하나로 표시될 수 있다.Formula 2 may be represented by any one of the following Formulas 2-1-A to 2-1-H.

[화학식 2-1-A] [화학식 2-1-B] [Formula 2-1-A] [Formula 2-1-B]

Figure pat00016
Figure pat00016

[화학식 2-1-C] [화학식 2-1-D] [Formula 2-1-C] [Formula 2-1-D]

Figure pat00017
Figure pat00017

[화학식 2-1-E] [화학식 2-1-F] [Formula 2-1-E] [Formula 2-1-F]

Figure pat00018
Figure pat00018

[화학식 2-1-G] [화학식 2-1-H] [Formula 2-1-G] [Formula 2-1-H]

Figure pat00019
Figure pat00019

{상기 화학식 2-1-A 내지 화학식 2-1-H에서, Ar4, Ar5, Ar6, Ar7, L4, L5, L6, L7, X, R24, R25, d' 및 e'은 상기에서 정의된 바와 동일하다.}{In Formulas 2-1-A to 2-1-H, Ar 4 , Ar 5 , Ar 6 , Ar 7 , L 4 , L 5 , L 6 , L 7 , X, R 24 , R 25 , d ' and e' are the same as defined above.}

상기 화학식 2는 하기 화학식 2-1-I 내지 화학식 2-1-N 중 어느 하나로 표시될 수 있다.Formula 2 may be represented by any one of the following Formulas 2-1-I to 2-1-N.

[화학식 2-1-I] [화학식 2-1-J] [화학식 2-1-K] [Formula 2-1-I] [Formula 2-1-J] [Formula 2-1-K]

Figure pat00020
Figure pat00020

[화학식 2-1-L] [화학식 2-1-M] [화학식 2-1-N] [Formula 2-1-L] [Formula 2-1-M] [Formula 2-1-N]

Figure pat00021
Figure pat00021

{상기 화학식 2-1-I 내지 화학식 2-1-N에서, Ar4, Ar5, Ar6, Ar7, L4, L5, L6, L7, X, R26, R27, f' 및 g'은 상기에서 정의된 바와 동일하다.}{In Formula 2-1-I to Formula 2-1-N, Ar 4 , Ar 5 , Ar 6 , Ar 7 , L 4 , L 5 , L 6 , L 7 , X, R 26 , R 27 , f ' and g' are the same as defined above.}

상기 화학식 1 및 화학식 2는 하기 화합물 P1-1 내지 P1-90 중 어느 하나로 표시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Formulas 1 and 2 may be represented by any one of the following compounds P1-1 to P1-90, but are not limited thereto.

Figure pat00022
Figure pat00022

Figure pat00023
Figure pat00023

Figure pat00024
Figure pat00024

Figure pat00025
Figure pat00025

Figure pat00026
Figure pat00026

Figure pat00027
Figure pat00027

Figure pat00028
Figure pat00028

Figure pat00029
Figure pat00029

Figure pat00030
Figure pat00030

Figure pat00031
Figure pat00031

Figure pat00032
Figure pat00032

Figure pat00033
Figure pat00033

Figure pat00034
Figure pat00034

Figure pat00035
Figure pat00035

Figure pat00036
Figure pat00036

Figure pat00037
Figure pat00037

Figure pat00038
Figure pat00038

Figure pat00039
Figure pat00039

Figure pat00040
Figure pat00040

Figure pat00041
Figure pat00041

Figure pat00042
Figure pat00042

Figure pat00043
Figure pat00043

Figure pat00044
Figure pat00044

상기 발광층(114)은 호스트와 도펀트를 포함할 수 있다.The light emitting layer 114 may include a host and a dopant.

호스트는 통상적으로 호스트로 사용되는 임의의 물질, 예컨대 방향족 또는 헤테로방향족 아민 화합물, 아진 화합물, 축합 다환 방향족 화합물, 카바졸 화합물 등에서 선택될 수 있으나 이에 제한되지는 않는다. 또한, 호스트는 하나 이상의 화합물로 구성될 수 있다.The host may be selected from any material commonly used as a host, such as aromatic or heteroaromatic amine compounds, azine compounds, condensed polycyclic aromatic compounds, carbazole compounds, etc., but is not limited thereto. Additionally, the host may consist of one or more compounds.

상기 도펀트는 통상적으로 도펀트로 사용되는 임의의 물질, 예컨대 형광 발광성 화합물, 인광 발광성 화합물 및 지연 형광 발광성 화합물 등에서 선택될 수 있고, 예를 들어 축합 다환 방향족 화합물, 축합 다환 방향족 아민 화합물, 붕소(B)를 함유하는 화합물, 카바졸 화합물, 유기금속 착체(이리듐(Ir), 오스뮴(Os), 루테늄(Rh), 백금(Pt) 등을 포함하는 유기금속 화합물) 등에서 선택될 수 있으나 이에 제한되지는 않는다. 또한, 도펀트는 하나 이상의 화합물로 구성될 수 있다.The dopant may be selected from any material commonly used as a dopant, such as a fluorescent compound, a phosphorescent compound, and a delayed fluorescent compound, for example, a condensed polycyclic aromatic compound, a condensed polycyclic aromatic amine compound, boron (B) It may be selected from compounds containing, carbazole compounds, organometallic complexes (organometallic compounds containing iridium (Ir), osmium (Os), ruthenium (Rh), platinum (Pt), etc.), but is not limited thereto. . Additionally, the dopant may consist of one or more compounds.

상기 전자주입층(116) 또는 전자수송층(115)은 통상적으로 전자 주입/수송 물질로 사용되는 임의의 물질, 예컨대 아진 유도체, 카바졸 유도체, 페난트롤린 유도체, 이미다졸 유도체, 벤조이미다졸 유도체 및 벤조옥사졸 유도체와 같은 헤테로 방향족 화합물이나, 알루미늄(Al) 착제 및 아연(Zn) 착제 등의 금속 착제 등에서 선택된 물질로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.The electron injection layer 116 or the electron transport layer 115 may be any material commonly used as an electron injection/transport material, such as azine derivatives, carbazole derivatives, phenanthroline derivatives, imidazole derivatives, benzimidazole derivatives, and It may be formed of a material selected from heteroaromatic compounds such as benzoxazole derivatives or metal complexes such as aluminum (Al) complexes and zinc (Zn) complexes, but is not limited thereto.

또한, 전자주입층(116)은 하나 이상의 화합물로 구성될 수 있으며, 전자주입층(116)의 화합물과 전자수송층(115)의 화합물이 같거나 상이할 수 있다.Additionally, the electron injection layer 116 may be composed of one or more compounds, and the compound of the electron injection layer 116 and the compound of the electron transport layer 115 may be the same or different.

또한, 전자주입층(116)은 금속 또는 금속을 포함하는 화합물을 포함할 수 있다. 특히 전기전도성이 높은 물질, 예컨대 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 이테르븀(Yb), 구리(Cu), 아연(Zn), 카드뮴(Cd), 금(Au), 니켈(Ni), 코발트(Co), 철(Fe), 몰리브덴(Mo), 니오브(Nb), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 리튬(Li), 소듐(Na), 칼륨(Ca) 및 이들의 조합 중에서 선택된 물질로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.Additionally, the electron injection layer 116 may include a metal or a compound containing a metal. In particular, materials with high electrical conductivity, such as silver (Ag), magnesium (Mg), aluminum (Al), ytterbium (Yb), copper (Cu), zinc (Zn), cadmium (Cd), gold (Au), nickel ( Ni), cobalt (Co), iron (Fe), molybdenum (Mo), niobium (Nb), palladium (Pd), platinum (Pt), lithium (Li), sodium (Na), potassium (Ca) and their It may be formed of materials selected from the combination, but is not limited thereto.

상기 전자수송층(115)의 전자이동도는 1.0×10-8 cm2/Vs 내지 1.0×10-3 cm2/Vs인 것이 바람직하다. 상기 전자수송층(115)의 전자이동도의 경우 전자 주입/수송이 잘 이루어지는 정도를 볼 수 있는 파라미터이다. 다시 말해, 전자이동도가 낮을수록 전자 주입/수송이 잘 이루어질 수 있다. 상기 전자수송층(115)의 전자이동도는 후술할 SCLC (Space Charge Limited Current) 계산법으로 측정 및 계산할 수 있다.The electron mobility of the electron transport layer 115 is preferably 1.0×10 -8 cm 2 /Vs to 1.0×10 -3 cm 2 /Vs. The electron mobility of the electron transport layer 115 is a parameter that shows the degree to which electron injection/transport is carried out well. In other words, the lower the electron mobility, the better electron injection/transport can be achieved. The electron mobility of the electron transport layer 115 can be measured and calculated using the SCLC (Space Charge Limited Current) calculation method, which will be described later.

상기 정공수송층(113)의 정공이동도 및/또는 전자수송층(115)의 전자이동도는 HOD (Hole Only Device)/EOD (Electron Only Device) 소자의 J-V Curve에서 SCLC (Space Charge Limited Current)를 기준으로 계산하여 확인할 수 있다. SCLC는 주발광(Main Emission)이 시작되는 지점으로 전하가 Trap에 차 있는 동적 평형(Space Charge) 상태인 구간을 의미한다.The hole mobility of the hole transport layer 113 and/or the electron mobility of the electron transport layer 115 is based on the SCLC (Space Charge Limited Current) in the J-V Curve of the HOD (Hole Only Device)/EOD (Electron Only Device) device. It can be checked by calculating . SCLC is the point where the main emission begins and refers to the section in dynamic balance (space charge) where the charge is filled in the trap.

이때, 정공/전자이동도(μ)는 Child's Law과 Poole-Frenkel Emission 식을 통해 계산할 수 있다.At this time, hole/electron mobility (μ) can be calculated through Child's Law and Poole-Frenkel Emission equation.

하기 식 1은 Child's Law, 하기 식 2는 Poole-Frenkel Emission에 관한 식이다.Equation 1 below is Child's Law, and Equation 2 below is about Poole-Frenkel Emission.

[식 1][Equation 1]

Figure pat00045
Figure pat00045

J= 전류밀도 (A/Cm2)J=current density (A/Cm 2 )

ε= 유기물의 유전 상수 (2.655×10-13 As/Vcm)ε= Dielectric constant of organic matter (2.655×10 -13 As/Vcm)

d= 박막의 두께 (cm)d=thickness of thin film (cm)

V= 인가 전압 (V)V=applied voltage (V)

[식 2][Equation 2]

Figure pat00046
Figure pat00046

E= 전기장 (V/cm)E= electric field (V/cm)

μ0= Poole-frenkel 이동도 (cm2/Vs)μ 0 = Poole-frenkel mobility (cm 2 /Vs)

β= Poole-frenkel 상수β= Poole-frenkel constant

상기 식 1과 식 2를 조합하여 정리하면 하기 식 3과 같다.Combining Equation 1 and Equation 2 above gives Equation 3 below.

[식 3][Equation 3]

Figure pat00047
Figure pat00047

이때, β 및 μ0는 소자의 재료, 소자 구성마다 상이하므로 J-V Curve를 참고하여 계산할 수 있다. 따라서, 계산된 β 및 μ0를 상기 식 2에 도입하면 정공/전자이동도(μ)를 계산할 수 있다. 이때, SCLC의 구간에 대해서 정공/전자이동도의 범위를 계산하거나, Zero field (즉, E가 0인 경우)의 정공/전자이동도(μ0)를 계산하여 재료에 대한 정공이동도를 계산할 수 있다. 본 명세서에서 화합물의 정공/전자이동도는 Zero field의 정공이동도를 의미한다.At this time, β and μ 0 are different depending on the device material and device configuration, so they can be calculated by referring to the JV Curve. Therefore, by introducing the calculated β and μ 0 into Equation 2 above, the hole/electron mobility (μ) can be calculated. At this time, the range of hole/electron mobility for the SCLC section can be calculated, or the hole/electron mobility (μ 0 ) of the zero field (i.e., when E is 0) can be calculated to calculate the hole mobility for the material. You can. In this specification, the hole/electron mobility of a compound refers to the hole mobility of zero field.

상기 전자수송층(115)의 LUMO (Lowest Occupied Molecular Orbital) 에너지 준위가 -3.5 eV 내지 -2.8 eV인 것이 바람직하다. 상기 전자주입층(116)의 LUMO 에너지 준위가 상기 범위를 만족할 경우 발광층(114)의 호스트로 전자를 원활하게 이동시켜줄 수 있으며, 이로 인해 효율이 상승하는데 기여할 수 있다.It is preferable that the LUMO (Lowest Occupied Molecular Orbital) energy level of the electron transport layer 115 is -3.5 eV to -2.8 eV. When the LUMO energy level of the electron injection layer 116 satisfies the above range, electrons can be smoothly moved to the host of the light-emitting layer 114, which can contribute to increasing efficiency.

상기 전자수송층(115)은 구체적으로 하기 화학식 3 또는 화학식 4로 표시되는 화합물로 선택될 수 있다.The electron transport layer 115 may be specifically selected from a compound represented by Formula 3 or Formula 4 below.

[화학식 3] [화학식 4] [Formula 3] [Formula 4]

Figure pat00048
Figure pat00048

상기 화학식 3 및 화학식 4에서, 각 기호는 하기와 같이 정의될 수 있다.In Formula 3 and Formula 4, each symbol may be defined as follows.

X3, X4 및 X5는 서로 독립적으로 N 또는 -CH이며, 단, 적어도 하나는 N이고,X 3 , X 4 and X 5 are independently N or -CH, provided that at least one is N,

X6은 O, S 또는 NRa이며,X 6 is O, S or NR a ,

Ar10, Ar11, Ar12 및 Ar13은 상기 Ar1의 정의와 동일하고,Ar 10 , Ar 11 , Ar 12 and Ar 13 are the same as the definition of Ar 1 above,

L10, L11, L12 및 L13은 상기 L1의 정의와 동일하며,L 10 , L 11 , L 12 and L 13 are the same as the definition of L 1 above,

R100 및 Ra는 각각 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C60의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C30의 알콕실기; 및 C6~C30의 아릴옥시기;로 이루어진 군에서 선택되며, 또는 R100은 이웃한 기끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고,R 100 and R a are each the same or different and, independently of each other, are hydrogen; heavy hydrogen; halogen; Aryl group of C 6 to C 60 ; fluorenyl group; C 2 ~ C 60 heterocyclic group containing at least one hetero atom among O, N, S, Si and P; A fused ring group of an aliphatic ring from C 3 to C 60 and an aromatic ring from C 6 to C 60 ; C 1 ~ C 60 alkyl group; C 2 ~ C 20 alkenyl group; C 2 ~ C 20 alkyne group; C 1 ~ C 30 alkoxyl group; and an aryloxy group of C 6 to C 30 ; or R 100 may form a ring by combining adjacent groups,

상기 R100 및 Ra이 아릴기인 경우, 바람직하게는 C6~C30의 아릴기, 더욱 바람직하게는 C6~C25의 아릴기, 예컨대 페닐, 바이페닐, 터페닐, 나프탈렌 등일 수 있다.When R 100 and R a are an aryl group, preferably an aryl group of C 6 to C 30 , more preferably an aryl group of C 6 to C 25 , such as phenyl, biphenyl, terphenyl, naphthalene, etc.

상기 R100 및 Ra이 헤테로고리기인 경우, 바람직하게는 C2~C30의 헤테로고리기, 더욱 바람직하게는 C2~C24의 헤테로고리기일 수 있다.When R 100 and R a are heterocyclic groups, they may be preferably C 2 to C 30 heterocyclic groups, more preferably C 2 to C 24 heterocyclic groups.

상기 R100 및 Ra이 융합고리기인 경우, 바람직하게는 C3~C30의 지방족고리와 C6~C30의 방향족고리의 융합고리기, 더욱 바람직하게는 C3~C24의 지방족고리와 C6~C24의 방향족고리의 융합고리기일 수 있다.When R 100 and R a are fused ring groups, preferably a fused ring group of a C 3 to C 30 aliphatic ring and a C 6 to C 30 aromatic ring, more preferably a C 3 to C 24 aliphatic ring It may be a fused ring group of an aromatic ring from C 6 to C 24 .

상기 R100 및 Ra이 알킬기인 경우, 바람직하게는 C1~C30의 알킬기일 수 있으며, 더욱 바람직하게는 C1~C24의 알킬기일 수 있다.When R 100 and R a are alkyl groups, they may be preferably C 1 to C 30 alkyl groups, and more preferably C 1 to C 24 alkyl groups.

a100은 0 내지 4의 정수이며,a100 is an integer from 0 to 4,

여기서, 상기 아릴기, 헤테로아릴기, 아릴렌기, 헤테로고리기, 플루오렌일기, 플루오렌일렌기, 융합고리기, 알킬기, 알켄일기, 알킨일기, 시클로알킬기, 알콕실기 및 아릴옥시기는 각각 중수소; 할로겐; 실란기; 실록산기; 붕소기; 게르마늄기; 시아노기; 니트로기; C1~C20의 알킬싸이오기; C1~C20의 알콕실기; C6~C20의 아릴옥시기; C1~C20의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C6~C20의 아릴기; 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기; 할로겐으로 치환된 C6~C20의 아릴기; 플루오렌일기; C2~C20의 헤테로고리기; C3~C20의 시클로알킬기; C7~C20의 아릴알킬기; 및 C8~C20의 아릴알켄일기;로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 더욱 치환될 수 있으며, 또한 이들 치환기들은 서로 결합하여 고리를 형성할 수도 있으며, 여기서 '고리'란 C3~C60의 지방족고리 또는 C6~C60의 방향족고리 또는 C2~C60의 헤테로고리 또는 이들의 조합으로 이루어진 융합 고리를 말하며, 포화 또는 불포화 고리를 포함한다.Here, the aryl group, heteroaryl group, arylene group, heterocyclic group, fluorenyl group, fluorenylene group, fused ring group, alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, cycloalkyl group, alkoxyl group, and aryloxy group are each selected from deuterium; halogen; Silane group; siloxane group; boron group; Germanium group; Cyano group; nitro group; C 1 ~ C 20 alkylthio group; C 1 ~ C 20 alkoxyl group; C 6 ~ C 20 aryloxy group; C 1 ~ C 20 alkyl group; C 2 ~ C 20 alkenyl group; C 2 ~ C 20 alkyne group; C 6 ~ C 20 aryl group; C 6 ~ C 20 aryl group substituted with deuterium; C 6 ~ C 20 aryl group substituted with halogen; fluorenyl group; C 2 ~ C 20 heterocyclic group; C 3 ~ C 20 cycloalkyl group; C 7 ~ C 20 arylalkyl group; and C 8 ~ C 20 arylalkenyl group; may be further substituted with one or more substituents selected from the group consisting of, and these substituents may be combined with each other to form a ring, where 'ring' refers to a C 3 ~ C 60 It refers to a fused ring consisting of an aliphatic ring, an aromatic ring of C 6 to C 60 , a heterocycle of C 2 to C 60 , or a combination thereof, and includes saturated or unsaturated rings.

상기 화학식 3은 하기 화학식 3-1 내지 화학식 3-3 중 어느 하나로 표시될 수 있다.Formula 3 may be represented by any one of the following Formulas 3-1 to 3-3.

[화학식 3-1] [화학식 3-2] [Formula 3-1] [Formula 3-2]

Figure pat00049
Figure pat00049

[화학식 3-3] [Formula 3-3]

Figure pat00050
Figure pat00050

상기 화학식 3-1 내지 화학식 3-3에서, 각 기호는 하기와 같이 정의될 수 있다.In Formulas 3-1 to 3-3, each symbol may be defined as follows.

X3, X4, X5, Ar11, Ar12, L10, L11 및 L12는 상기에서 정의된 바와 동일하고,X 3 , X 4 , X 5 , Ar 11 , Ar 12 , L 10 , L 11 and L 12 are as defined above,

X7 및 X8는 상기 X1의 정의와 동일하며, 단, X7 및 X8 모두 단일결합인 경우는 제외하고,X 7 and X 8 are the same as the definition of X 1 above, except that both X 7 and X 8 are single bonds,

Ar"은 C6~C60의 아릴렌기이며, 바람직하게는 C6~C30의 아릴렌기, 더욱 바람직하게는 C6~C25의 아릴렌기일 수 있다.Ar" may be a C 6 to C 60 arylene group, preferably a C 6 to C 30 arylene group, and more preferably a C 6 to C 25 arylene group.

Ar14는 상기 Ar1의 정의와 동일하고,Ar 14 is the same as the definition of Ar 1 above,

R1', R2', R3', R4' 및 R5'은 상기 R100의 정의와 동일하며, 또는 이웃한 기끼리 결합하여 고리를 형성할 수 있고,R 1 ', R 2 ', R 3 ', R 4 ' and R 5 ' are the same as the definition of R 100 above, or adjacent groups may combine to form a ring,

a', c', d' 및 e'은 서로 독립적으로 0 내지 4의 정수이고, b'은 0 내지 3의 정수이며,a', c', d' and e' are independently integers from 0 to 4, and b' is an integer from 0 to 3,

a"≥1이다.}a"≥1.}

상기 화학식 3은 하기 화학식 3-1-1 또는 화학식 3-1-2로 표시될 수 있다.Formula 3 may be represented by the following Formula 3-1-1 or Formula 3-1-2.

[화학식 3-1-1] [화학식 3-1-2] [Formula 3-1-1] [Formula 3-1-2]

Figure pat00051
Figure pat00051

상기 화학식 3-1-1 및 화학식 3-1-2에서,In Formula 3-1-1 and Formula 3-1-2,

X3, X4, X5, X7, Ar11, Ar12, L10, L11, L12, R', R", R1', R2', a' 및 b'은 상기에서 정의된 바와 동일하다.} X 3 , X 4 , X 5 , It is the same as what was done.}

상기 화학식 3은 하기 화학식 3-1-A 내지 화학식 3-1-C 중 어느 하나로 표시될 수 있다.Formula 3 may be represented by any one of the following Formulas 3-1-A to 3-1-C.

[화학식 3-1-A] [화학식 3-1-B] [Formula 3-1-A] [Formula 3-1-B]

Figure pat00052
Figure pat00052

[화학식 3-1-C] [Formula 3-1-C]

Figure pat00053
Figure pat00053

{상기 화학식 3-1-A 내지 화학식 3-1-C에서,{In Formula 3-1-A to Formula 3-1-C,

X3, X4, X5, X7, Ar11, Ar12, L10, L11, L12, R1', R2', a' 및 b'은 상기에서 정의된 바와 동일하며, X 3 , X 4 , X 5 ,

R6', R7', R8' 및 R9'은 상기 R100의 정의와 동일하고, 또는 이웃한 기끼리 결합하여 고리를 형성할 수 있으며,R 6 ', R 7 ', R 8 ' and R 9 ' are the same as the definition of R 100 above, or adjacent groups may combine to form a ring,

f' 및 g'은 서로 독립적으로 0 내지 5의 정수이고, h' 및 i'은 서로 독립적으로 0 내지 4의 정수이다.}f' and g' are independently integers from 0 to 5, and h' and i' are independently integers from 0 to 4.}

상기 화학식 3은 하기 화학식 3-1-D 내지 화학식 3-1-F 중 어느 하나로 표시될 수 있다.Formula 3 may be represented by any one of the following Formulas 3-1-D to 3-1-F.

[화학식 3-1-D] [화학식 3-1-E] [Formula 3-1-D] [Formula 3-1-E]

Figure pat00054
Figure pat00054

[화학식 3-1-F] [Formula 3-1-F]

Figure pat00055
Figure pat00055

{상기 화학식 3-1-D 내지 화학식 3-1-F에서,{In Formula 3-1-D to Formula 3-1-F,

X3, X4, X5, X7, Ar11, Ar12, L10, L11, L12, R1', R2', a' 및 b'은 상기에서 정의된 바와 동일하며, X 3 , X 4 , X 5 ,

R10', R11', R12' 및 R13'은 상기 R100의 정의와 동일하고, 또는 이웃한 기끼리 결합하여 고리를 형성할 수 있으며,R 10 ', R 11 ', R 12 ' and R 13 ' are the same as the definition of R 100 above, or adjacent groups may combine to form a ring,

j' 및 k'은 서로 독립적으로 0 내지 5의 정수이고, l' 및 m'은 서로 독립적으로 0 내지 4의 정수이다.}j' and k' are independently integers from 0 to 5, and l' and m' are independently integers from 0 to 4.}

상기 화학식 4는 하기 화학식 4-1 내지 화학식 4-5 중 어느 하나로 표시될 수 있다.Formula 4 may be represented by any one of the following Formulas 4-1 to 4-5.

[화학식 4-1] [화학식 4-2] [화학식 4-3] [Formula 4-1] [Formula 4-2] [Formula 4-3]

Figure pat00056
Figure pat00056

[화학식 4-4] [화학식 4-5] [Formula 4-4] [Formula 4-5]

Figure pat00057
Figure pat00057

{상기 화학식 4-1 내지 화학식 4-5에서,{In Formula 4-1 to Formula 4-5,

X6, Ar13, L13, R100 및 a100은 상기에서 정의된 바와 동일하며,X 6 , Ar 13 , L 13 , R 100 and a100 are the same as defined above,

a100'은 0 내지 3의 정수이다.}a100' is an integer from 0 to 3.}

상기 화학식 4는 하기 화학식 4-6으로 표시될 수 있다.Chemical Formula 4 may be expressed as Chemical Formula 4-6 below.

[화학식 4-6] [Formula 4-6]

Figure pat00058
Figure pat00058

{상기 화학식 4-6에서,{In Formula 4-6 above,

X6, L13, R100 및 a100은 상기에서 정의된 바와 동일하며,X 6 , L 13 , R 100 and a100 are the same as defined above,

R101은 상기 R100의 정의와 동일하고, 또는 이웃한 기끼리 결합하여 고리를 형성할 수 있으며,R 101 is the same as the definition of R 100 above, or may form a ring by combining with adjacent groups,

a101은 0 내지 9의 정수이다.}a101 is an integer from 0 to 9.}

상기 화학식 3 및 화학식 4는 하기 화합물 P2-1 내지 P2-76 중 어느 하나로 표시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Formulas 3 and 4 may be represented by any one of the following compounds P2-1 to P2-76, but are not limited thereto.

Figure pat00059
Figure pat00059

Figure pat00060
Figure pat00060

Figure pat00061
Figure pat00061

Figure pat00062
Figure pat00062

Figure pat00063
Figure pat00063

Figure pat00064
Figure pat00064

Figure pat00065
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Figure pat00066
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Figure pat00067
Figure pat00067

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Figure pat00069
Figure pat00069

Figure pat00070
Figure pat00070

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Figure pat00072
Figure pat00072

Figure pat00073
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Figure pat00074
Figure pat00074

Figure pat00075
Figure pat00075

Figure pat00076
Figure pat00076

Figure pat00077
Figure pat00077

제 1 부분(110)의 경우 상기 전자수송층(115) 상에 음극(118)이 형성되게 되는데, 상기와 같이 소자를 구성할 경우 유기전기발광소자 구성의 최적의 조건을 가지게 된다. 특히 정공이동도 및 전자이동도가 낮을수록 정공 및 전자의 수송능력이 증가하여 구동전압이 감소하는 효과를 보이며, 정공수송층(113)과 전자수송층(115)의 정공과 전자의 밸런스가 적절한 값을 가질 경우 고효율의 유기전기발광소자를 제조할 수 있게 된다. 따라서, 상기 조건을 만족할 경우 구동전압이 낮으면서, 고효율의 최적의 유기전기발광소자를 제공할 수 있다.In the case of the first part 110, the cathode 118 is formed on the electron transport layer 115, and when the device is configured as above, the optimal conditions for constructing the organic electroluminescent device are obtained. In particular, as the hole mobility and electron mobility are lower, the transport capacity of holes and electrons increases, which has the effect of reducing the driving voltage, and the balance of holes and electrons in the hole transport layer 113 and the electron transport layer 115 is maintained at an appropriate value. If so, it becomes possible to manufacture highly efficient organic electroluminescent devices. Therefore, if the above conditions are satisfied, an optimal organic electroluminescent device with low driving voltage and high efficiency can be provided.

상기 음극(118)은 하나 이상의 금속물질로 구성되는 것이 바람직하며, 상기 금속물질은 마그네슘(Mg), 은(Ag), 알루미늄 (Al), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 인듐(In) 및 이들의 조합 중에서 선택될 수 있으며, 바람직하게는 Mg, Ag의 혼합물로 구성되는 것이 바람직하나, 이에 제한되지는 않는다.The cathode 118 is preferably made of one or more metal materials, and the metal materials include magnesium (Mg), silver (Ag), aluminum (Al), lithium (Li), calcium (Ca), and indium (In). and combinations thereof, and is preferably composed of a mixture of Mg and Ag, but is not limited thereto.

또한, 상기 음극(118)은 둘 이상의 층을 포함하는 다중 층으로 사용될 수도 있다.Additionally, the cathode 118 may be used as a multi-layer comprising two or more layers.

다만, 상기 금속물질을 선택하여 음극(118)을 구성할 경우 반사형 전극 및/또는 반투과형 전극일 수 있으며, 반사형 전극 및/또는 반투과형 전극인 경우 투과율이 낮아 UDC/UPS 등에서 요구되는 광 투과율을 확보할 수 없으므로 투명 디스플레이를 구현하는데 제한이 된다. 따라서, 음극(118)을 형성하지 않고 높은 광 투과율을 가질 수 있는 영역을 형성할 필요가 있다. 즉, 상기 발광영역인 제 1 부분(110)과 투과영역인 제 2 부분(120)을 배치하여 UDC/UPS 등에서 요구되는 광 투과율을 확보할 수 있도록 투명 디스플레이를 구현하고자 하였다.However, when the metal material is selected to form the cathode 118, it may be a reflective electrode and/or a transflective electrode. In the case of a reflective electrode and/or a transflective electrode, the transmittance is low, so the light required for UDC/UPS, etc. Since transmittance cannot be secured, there are limitations in implementing a transparent display. Therefore, it is necessary to form a region capable of having high light transmittance without forming the cathode 118. That is, an attempt was made to implement a transparent display so as to secure the light transmittance required for UDC/UPS, etc. by arranging the first part 110, which is the light-emitting area, and the second part 120, which is the transmissive area.

상기 금속패터닝층(121)은 상기 공통으로 형성되는 유기물층(111) 상에 형성되며, 금속패터닝층(121)이 형성된 부분에는 음극(118)이 형성되는 것을 억제한다. 즉, 금속패터닝층(121)을 배치하므로써 음극(118)를 형성시키고자 하는 부분 또는 선택적 부위만을 형성시킬 수 있다. 상기 제 2 부분(120)의 공통으로 형성되는 유기물층(111)은 정공수송층(113) 및 전자수송층(115)을 포함하며, 상기 양극(100)과 정공수송층(113) 사이에 정공주입층(112)을 더 포함할 수 있으며, 상기 정공수송층(113)은 하나 이상의 층으로 구성될 수 있다. 또한, 상기 전자수송층(115)과 금속패터닝층(121) 사이에 전자주입층(116)을 더 포함할 수 있고, 상기 전자수송층(115)은 하나 이상의 층으로 구성될 수 있다.The metal patterning layer 121 is formed on the commonly formed organic material layer 111, and prevents the cathode 118 from being formed in the area where the metal patterning layer 121 is formed. That is, by disposing the metal patterning layer 121, only the portion or selective portion where the cathode 118 is to be formed can be formed. The organic material layer 111 commonly formed in the second part 120 includes a hole transport layer 113 and an electron transport layer 115, and a hole injection layer 112 is formed between the anode 100 and the hole transport layer 113. ) may further include, and the hole transport layer 113 may be composed of one or more layers. In addition, an electron injection layer 116 may be further included between the electron transport layer 115 and the metal patterning layer 121, and the electron transport layer 115 may be composed of one or more layers.

상기 제 2 부분(120)의 공통으로 형성되는 유기물층(111)은 정공수송층(113), 발광층(114), 전자수송층(115)을 포함할 수 있으며, 도 1 및 도 3과 같이 제 1 부분(110)에서 음극(118)을 제외한 나머지 부분이 동일할 수 있거나, 상기 제 1 부분(110)의 발광층(114)의 경우 R/G/B 픽셀 구현을 위해 섀도 마스크(Shadow Mask)를 반드시 이용하여야 하므로 도 4 및 도 7과 같이, 제 1 부분(110)의 발광층(114) 및 음극(118)을 제외한 나머지 층과 제 2 부분(120)의 유기물층(111)이 동일할 수 있다. 따라서, 제 2 부분(120)은 별도의 추가적인 층을 적층하지 않고 공통으로 형성되는 유기물층(111)을 적층한 후 금속패터닝층(121)을 적층하여 음극(118)을 형성하는 것을 억제할 수 있다. 일례로 제 1 부분(110)이 정공수송층(113)-발광층(114)-전자수송층(115)-음극(118)으로 구성되어 있다면 제 2 부분(120)은 정공수송층(113)-전자수송층(115)-금속패터닝층(121)으로 구성될 수 있고, 제 1 부분(110)이 정공주입층(112)-제1정공수송층-제1발광층-제1전자수송층-전하생성층-제2정공수송층-제2발광층-제2전자수송층-전자주입층(116)-음극(118)으로 구성되어 있다면 제 2 부분(120)은 정공주입층(112)-제1정공수송층-제1전자수송층-전하생성층-제2정공수송층-제2전자수송층-전자주입층(116)-금속패터닝층(121)으로 구성될 수 있으나, 상기 예시에 의해 유기 발광 표시 장치의 구성이 제한되는 것은 아니다.The organic material layer 111 commonly formed in the second part 120 may include a hole transport layer 113, a light emitting layer 114, and an electron transport layer 115, and as shown in Figures 1 and 3, the first part ( In 110), the remaining parts except for the cathode 118 may be the same, or in the case of the light emitting layer 114 of the first part 110, a shadow mask must be used to implement R/G/B pixels. Therefore, as shown in FIGS. 4 and 7, the remaining layers except for the light emitting layer 114 and the cathode 118 of the first part 110 and the organic material layer 111 of the second part 120 may be the same. Therefore, the second part 120 can prevent the formation of the cathode 118 by stacking the metal patterning layer 121 after stacking the commonly formed organic material layer 111 without stacking an additional separate layer. . For example, if the first part 110 is composed of a hole transport layer 113 - a light emitting layer 114 - an electron transport layer 115 - a cathode 118, the second part 120 is composed of a hole transport layer 113 - an electron transport layer ( 115) - It may be composed of a metal patterning layer 121, and the first part 110 includes a hole injection layer 112 - a first hole transport layer - a first light emitting layer - a first electron transport layer - a charge generation layer - a second hole. If it is composed of a transport layer - a second light emitting layer - a second electron transport layer - an electron injection layer 116 - a cathode 118, the second part 120 is a hole injection layer 112 - a first hole transport layer - a first electron transport layer - It may be composed of a charge generation layer, a second hole transport layer, a second electron transport layer, an electron injection layer 116, and a metal patterning layer 121, but the configuration of the organic light emitting display device is not limited to the above example.

상기 금속패터닝층(121)은 예컨대 PBD (2-(4-biphenylyl)-5-phenyl-1,3,4-oxadiazole), PBD2 (2-([1,1'-biphenyl]-4-yl)-5-phenyl-1,3,4-oxadiazole), mCP (1,3-Bis(N-carbazolyl)benzene), TAZ (3-(4-Biphenyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-124-triazole), β'-Bis(naphthalen-2-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine), NTAZ (4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole), tBUP-TAZ (3,5-bis(4-(tert-butyl)phenyl)-4-phenyl-4H-1,2,4-triazole), BND (2,5-(binaphth-1-yl)-1,3,4-oxadiazole), TBADN (2-tert-Butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene), CBP (4,4'-Bis(carbazol-9-yl)biphenyl), BAlq (Bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato)aluminium), m-BPC (9-([1,1'-biphenyl]-3-yl)-9H-carbazole), Ir(ppy)3 (tris(2-phenylpyridine)iridium(III)) 및 불소(F)를 포함하는 화합물 등에서 선택되는 화합물로 형성될 수 있고, 바람직하게는, 불소를 포함하는 화합물이나, 이에 제한되지는 않는다.The metal patterning layer 121 is, for example, PBD (2-(4-biphenylyl)-5-phenyl-1,3,4-oxadiazole), PBD 2 (2-([1,1'-biphenyl]-4-yl )-5-phenyl-1,3,4-oxadiazole), mCP (1,3-Bis(N-carbazolyl)benzene), TAZ (3-(4-Biphenyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl- 124-triazole), β'-Bis(naphthalen-2-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine), NTAZ (4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H- 1,2,4-triazole), tBUP-TAZ (3,5-bis(4-(tert-butyl)phenyl)-4-phenyl-4H-1,2,4-triazole), BND (2,5- (binaphth-1-yl)-1,3,4-oxadiazole), TBADN (2-tert-Butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene), CBP (4,4'-Bis(carbazol) -9-yl)biphenyl), BAlq (Bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato)aluminium), m-BPC (9-([1,1'-biphenyl]-3-yl)- 9H-carbazole), Ir(ppy) 3 (tris(2-phenylpyridine)iridium(III)), and a compound containing fluorine (F), preferably a compound containing fluorine. However, it is not limited to this.

상기 금속패터닝층(121)은 구체적으로 하기 화학식 A로 표시되는 화합물로 선택될 수 있다.The metal patterning layer 121 may be specifically selected from a compound represented by the following formula (A).

[화학식 A] [Formula A]

Figure pat00078
Figure pat00078

[화학식 A-1] [Formula A-1]

Figure pat00079
Figure pat00079

상기 화학식 A 및 화학식 A-1에서, 각 기호는 하기와 같이 정의될 수 있다.In Formula A and Formula A-1, each symbol may be defined as follows.

A200환, B200환 및 C200환은 서로 독립적으로 C6~C60의 아릴기; 또는 O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로아릴기;이며,A 200 ring, B 200 ring and C 200 ring are each independently an aryl group of C 6 to C 60 ; or a C 2 to C 60 heteroaryl group containing at least one heteroatom selected from O, N, S, Si, and P;

상기 A200환, B200환 및 C200환이 아릴기인 경우, 바람직하게는 C6~C30의 아릴기, 더욱 바람직하게는 C6~C25의 아릴기, 예컨대 페닐, 바이페닐, 터페닐, 나프탈렌 등일 수 있다.When the A 200 ring, B 200 ring and C 200 ring are an aryl group, preferably a C 6 to C 30 aryl group, more preferably a C 6 to C 25 aryl group, such as phenyl, biphenyl, terphenyl, It may be naphthalene, etc.

상기 A200환, B200환 및 C200환이 헤테로아릴기인 경우, 바람직하게는 C2~C30의 헤테로아릴기, 더욱 바람직하게는 C2~C24의 헤테로아릴기일 수 있다.When the A 200 ring, B 200 ring and C 200 ring are heteroaryl groups, they may be preferably C 2 to C 30 heteroaryl groups, more preferably C 2 to C 24 heteroaryl groups.

L201은 단일결합; NR204; CR204R205; 또는 SiR204R205;이고,L 201 is a single bond; NR 204 ; C R 204 R 205 ; or SiR 204 R 205 ;,

L202는 단일결합; C1~C60의 알킬렌기; C2~C20의 알켄일렌기; C2~C20의 알킨일렌기; C1~C30의 알콕실렌기; C6~C30의 아릴옥실렌기; C6~C60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; C2~C60의 헤테로고리기; 및 C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기;로 이루어진 군에서 선택되며,L 202 is a single bond; C 1 ~ C 60 alkylene group; C 2 ~ C 20 alkenylene group; C 2 ~ C 20 alkynylene group; C 1 ~ C 30 alkoxylene group; C 6 ~ C 30 aryloxylene group; C 6 ~ C 60 arylene group; fluorenylene group; C 2 ~ C 60 heterocyclic group; and a fused ring group of an aliphatic ring from C 3 to C 60 and an aromatic ring from C 6 to C 60 ;

상기 L202가 알킬렌기인 경우, 바람직하게는 C1~C30의 알킬렌기일 수 있으며, 더욱 바람직하게는 C1~C24의 알킬렌기일 수 있다.When L 202 is an alkylene group, it is preferably a C 1 to C 30 alkylene group, and more preferably a C 1 to C 24 alkylene group.

상기 L202가 아릴렌기인 경우, 바람직하게는 C6~C30의 아릴렌기, 더욱 바람직하게는 C6~C25의 아릴렌기일 수 있다.When L 202 is an arylene group, it is preferably a C 6 to C 30 arylene group, and more preferably a C 6 to C 25 arylene group.

상기 L202가 헤테로고리기인 경우, 바람직하게는 C2~C30의 헤테로고리기, 더욱 바람직하게는 C2~C24의 헤테로고리기일 수 있다.When L 202 is a heterocyclic group, it is preferably a C 2 to C 30 heterocyclic group, more preferably a C 2 to C 24 heterocyclic group.

상기 L202가 융합고리기인 경우, 바람직하게는 C3~C30의 지방족고리와 C6~C30의 방향족고리의 융합고리기, 더욱 바람직하게는 C3~C24의 지방족고리와 C6~C24의 방향족고리의 융합고리기일 수 있다.When L 202 is a fused ring group, it is preferably a fused ring group of an aliphatic ring of C 3 to C 30 and an aromatic ring of C 6 to C 30 , more preferably a fused ring group of an aliphatic ring of C 3 to C 24 and an aromatic ring of C 6 to C 30. It may be a fused ring group of the aromatic ring of C 24 .

R201, R202 및 R203은 각각 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C60의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C30의 알콕실기; C6~C30의 아릴옥시기; 및 상기 화학식 A-1로 표시되는 치환기;로 이루어진 군에서 선택되며,R 201 , R 202 and R 203 are each the same or different and, independently of each other, hydrogen; heavy hydrogen; halogen; Aryl group of C 6 to C 60 ; fluorenyl group; C 2 ~ C 60 heterocyclic group containing at least one hetero atom among O, N, S, Si and P; A fused ring group of an aliphatic ring from C 3 to C 60 and an aromatic ring from C 6 to C 60 ; C 1 ~ C 60 alkyl group; C 2 ~ C 20 alkenyl group; C 2 ~ C 20 alkyne group; C 1 ~ C 30 alkoxyl group; C 6 ~ C 30 aryloxy group; and a substituent represented by Formula A-1; selected from the group consisting of,

단, R201, R202 및 R203 중 적어도 하나는 불소 또는 상기 화학식 A-1로 표시되는 치환기이고,However, at least one of R 201 , R 202 and R 203 is fluorine or a substituent represented by the formula A-1,

상기 R201, R202 및 R203이 아릴기인 경우, 바람직하게는 C6~C30의 아릴기, 더욱 바람직하게는 C6~C25의 아릴기, 예컨대 페닐, 바이페닐, 터페닐, 나프탈렌 등일 수 있다.When R 201 , R 202 and R 203 are an aryl group, preferably an aryl group of C 6 to C 30 , more preferably an aryl group of C 6 to C 25 , such as phenyl, biphenyl, terphenyl, naphthalene, etc. You can.

상기 R201, R202 및 R203이 헤테로고리기인 경우, 바람직하게는 C2~C30의 헤테로고리기, 더욱 바람직하게는 C2~C24의 헤테로고리기일 수 있다.When R 201 , R 202 and R 203 are heterocyclic groups, they may be preferably C 2 to C 30 heterocyclic groups, more preferably C 2 to C 24 heterocyclic groups.

상기 R201, R202 및 R203이 융합고리기인 경우, 바람직하게는 C3~C30의 지방족고리와 C6~C30의 방향족고리의 융합고리기, 더욱 바람직하게는 C3~C24의 지방족고리와 C6~C24의 방향족고리의 융합고리기일 수 있다.When R 201 , R 202 and R 203 are fused ring groups, preferably a fused ring group of an aliphatic ring of C 3 to C 30 and an aromatic ring of C 6 to C 30 , more preferably of a fused ring group of C 3 to C 24 It may be a fused ring group of an aliphatic ring and an aromatic ring of C 6 to C 24 .

상기 R201, R202 및 R203이 알킬기인 경우, 바람직하게는 C1~C30의 알킬기일 수 있으며, 더욱 바람직하게는 C1~C24의 알킬기일 수 있다.When R 201 , R 202 and R 203 are an alkyl group, they may be preferably an alkyl group of C 1 to C 30 , and more preferably an alkyl group of C 1 to C 24 .

R204 및 R205는 상기 Ra의 정의와 동일하며, 또는 R204와 R205가 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고,R 204 and R 205 are the same as the definition of R a above, or R 204 and R 205 may be combined with each other to form a ring,

n201은 0 내지 3의 정수이며, a201, a202, a203 및 a204는 서로 독립적으로 1 내지 10의 정수이고,n201 is an integer from 0 to 3, and a201, a202, a203 and a204 are independently integers from 1 to 10,

x는 1 내지 50의 정수이며, y+z는 2x+1이고,x is an integer from 1 to 50, y+z is 2x+1,

단, z는 1 이상의 정수이며,However, z is an integer greater than 1,

상기 x는 바람직하게는 1 내지 20의 정수이고, 더 바람직하게는 5 내지 15의 정수이며, 더욱 더 바람직하게는 5 내지 12의 정수이고,The x is preferably an integer of 1 to 20, more preferably an integer of 5 to 15, and even more preferably an integer of 5 to 12,

여기서, 상기 아릴기, 헤테로아릴기, 아릴렌기, 헤테로고리기, 플루오렌일기, 플루오렌일렌기, 융합고리기, 알킬기, 알켄일기, 알킨일기, 알콕실기, 아릴옥시기, 알킬렌기, 알켄일렌기, 알킨일렌기, 알콕실렌기 및 아릴옥실렌기는 각각 중수소; 할로겐; 실란기; 실록산기; 붕소기; 게르마늄기; 시아노기; 니트로기; C1~C20의 알킬싸이오기; C1~C20의 알콕실기; C6~C20의 아릴옥시기; C1~C20의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C6~C20의 아릴기; 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기; 할로겐으로 치환된 C6~C20의 아릴기; 플루오렌일기; C2~C20의 헤테로고리기; C3~C20의 시클로알킬기; C7~C20의 아릴알킬기; 및 C8~C20의 아릴알켄일기;로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 더욱 치환될 수 있으며, 또한 이들 치환기들은 서로 결합하여 고리를 형성할 수도 있으며, 여기서 '고리'란 C3~C60의 지방족고리 또는 C6~C60의 방향족고리 또는 C2~C60의 헤테로고리 또는 이들의 조합으로 이루어진 융합 고리를 말하며, 포화 또는 불포화 고리를 포함한다.Here, the aryl group, heteroaryl group, arylene group, heterocyclic group, fluorenyl group, fluorenylene group, fused ring group, alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, alkoxyl group, aryloxy group, alkylene group, alkenyl Len group, alkynylene group, alkoxylene group and aryloxylene group each have deuterium; halogen; Silane group; siloxane group; boron group; Germanium group; Cyano group; nitro group; C 1 ~ C 20 alkylthio group; C 1 ~ C 20 alkoxyl group; C 6 ~ C 20 aryloxy group; C 1 ~ C 20 alkyl group; C 2 ~ C 20 alkenyl group; C 2 ~ C 20 alkyne group; C 6 ~ C 20 aryl group; C 6 ~ C 20 aryl group substituted with deuterium; C 6 ~ C 20 aryl group substituted with halogen; fluorenyl group; C 2 ~ C 20 heterocyclic group; C 3 ~ C 20 cycloalkyl group; C 7 ~ C 20 arylalkyl group; and C 8 ~ C 20 arylalkenyl group; may be further substituted with one or more substituents selected from the group consisting of, and these substituents may be combined with each other to form a ring, where 'ring' refers to a C 3 ~ C 60 It refers to a fused ring consisting of an aliphatic ring, an aromatic ring of C 6 to C 60 , a heterocycle of C 2 to C 60 , or a combination thereof, and includes saturated or unsaturated rings.

상기 화학식 A는 하기 화학식 B 내지 화학식 D 중 어느 하나로 표시될 수 있다.The formula A may be represented by any one of the following formulas B to D.

[화학식 B] [Formula B]

Figure pat00080
Figure pat00080

[화학식 C] [Formula C]

Figure pat00081
Figure pat00081

[화학식 D] [Formula D]

Figure pat00082
Figure pat00082

상기 화학식 B 내지 화학식 D에서, A200환, B200환, C200환, R201, R202, R203, R204, R205, a201, a202, a203 및 n201은 상기에서 정의된 바와 동일하다.}In the above formulas B to formula D, A 200 ring, B 200 ring, C 200 ring, R 201 , R 202 , R 203 , R 204 , R 205 , a201, a202, a203 and n201 are the same as defined above. .}

상기 화학식 A는 하기 화학식 E로 표시될 수 있다.The formula A may be represented by the formula E below.

[화학식 E] [Formula E]

Figure pat00083
Figure pat00083

{상기 화학식 E에서, A200환, B200환, C200환, R201, R202, R203, a201, a202, a203, a204, n201, L202, x, y 및 z는 상기에서 정의된 바와 동일하다.}{In the formula E, A 200 ring, B 200 ring, C 200 ring, R 201 , R 202 , R 203 , a201, a202, a203, a204, n201, L 202 , x, y and z are defined above. Same as bar.}

상기 화학식 A는 하기 화학식 F로 표시될 수 있다.The formula A may be represented by the formula F below.

[화학식 F] [Formula F]

Figure pat00084
Figure pat00084

{상기 화학식 F에서, B200환, C200환, R202, R203, a202, a203, n201, x, y 및 z는 상기에서 정의된 바와 동일하다.}{In the above formula F, B 200 ring, C 200 ring, R 202 , R 203 , a202, a203, n201, x, y and z are the same as defined above.}

상기 화학식 A는 하기 화합물 P3-1 내지 P3-106 중 어느 하나일 수 있으나, 이에 제한된 것은 아니다.The formula A may be any one of the following compounds P3-1 to P3-106, but is not limited thereto.

Figure pat00085
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Figure pat00086
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상기 금속패터닝층(121)의 접촉각은 100° 내지 180°인 것이 바람직하며, 더 바람직하게는 100° 내지 150°인 것이 바람직하다. 또한, 화합물의 접촉각이 상기 범위를 만족할 경우 광 투과율이 높은 화합물일 수 있다.The contact angle of the metal patterning layer 121 is preferably 100° to 180°, and more preferably 100° to 150°. Additionally, if the contact angle of the compound satisfies the above range, the compound may have high light transmittance.

일반적으로 접촉각(Contact Angle)을 통해 고체 표면에너지로 접착성을 설명할 수 있는데, 일반적으로 접촉각이 클수록 접착성이 작아지게 된다.In general, adhesion can be explained by the surface energy of a solid through the contact angle. In general, the larger the contact angle, the smaller the adhesion.

이는 하기 식 4인 Young's Equation을 통해서 확인할 수 있다.This can be confirmed through Young's Equation, Equation 4 below.

[식 4][Equation 4]

gLVcosθ= gSV-gSLgLVcosθ=gSV-gSL

gSL: 고체와 액체 사이의 계면장력gSL: Interfacial tension between solid and liquid

gSV: 고체면과 액체 증기 사이의 계면 장력, gSV: Interfacial tension between solid surface and liquid vapor,

gLV: 액체와 액체 증기 사이의 계면 장력gLV: Interfacial tension between liquid and liquid vapor

상기 식 4를 Dupre에 의해 제시된 work of adhesion (Wa)에 대한 식은 다음과 같이 표현된다.The equation for work of adhesion (Wa) presented by Dupre in Equation 4 above is expressed as follows.

[식 5][Equation 5]

Wa = gS + gLV - gSL = gS + gLV + (gLVcosθ = (gS - gSV) + gLV(1+cosθ)Wa = gS + gLV - gSL = gS + gLV + (gLVcosθ = (gS - gSV) + gLV(1+cosθ)

상기 식 5의 gS는 고체 자체의 표면장력이며, 일반적으로 작은 저표면 에너지에서 gS와 gSV를 같다고 볼 수 있기 때문에 상기 식 5는 다음과 같이 정리된다. (Young-Dupre equation)gS in Equation 5 is the surface tension of the solid itself, and since gS and gSV can generally be considered equal at small and low surface energies, Equation 5 is organized as follows. (Young-Dupre equation)

[식 6][Equation 6]

Wa = gLV(1+cosθ)Wa = gLV(1+cosθ)

접촉각이 90°에서 180°로 갈수록 cosθ= -1에 가까워지게 되면 이로 인해 접착성이 감소하게 된다. 즉, 낮은 표면 에너지로 인해 금속(전극)의 접착성이 감소되며, 음극(118)이 결합되는 것을 억제한다. 다시 말해, 금속패터닝층(121)이 코팅되면 금속패터닝층(121)에 들어가는 화합물의 구조에 따라 금속패터닝층(121) 위에 음극(118)이 형성되는 것이 억제되고 최종적으로 음극(118)이 극소량으로 형성되거나 형성되지 않게 된다.As the contact angle approaches cosθ=-1 as it increases from 90° to 180°, the adhesiveness decreases. That is, due to the low surface energy, the adhesion of the metal (electrode) is reduced and the bonding of the cathode 118 is suppressed. In other words, when the metal patterning layer 121 is coated, the formation of the cathode 118 on the metal patterning layer 121 is suppressed depending on the structure of the compound entering the metal patterning layer 121, and ultimately, a very small amount of the cathode 118 is formed. It is formed or not formed.

이때, 음극(118)의 존재 여부를 알아보는데 사용되는 것은 광 투과율이다. 금속패터닝층(121)의 광 투과율은 90% 이상이 바람직하다. 그 이유는 음극(118)의 경우 전기전도성 금속을 포함하고 있기 때문에 빛을 감쇠 및/또는 흡수하기 때문에 전자기 스펙트럼의 가시광선 영역에서 광 투과율이 90%를 초과할 경우 금속패터닝층(121) 상에 전기전도성 물질을 실질적으로 가지고 있지 않은 것으로 간주될 수 있다.At this time, light transmittance is used to determine whether the cathode 118 exists. The light transmittance of the metal patterning layer 121 is preferably 90% or more. The reason is that since the cathode 118 contains an electrically conductive metal, it attenuates and/or absorbs light, so when the light transmittance exceeds 90% in the visible light region of the electromagnetic spectrum, the cathode 118 is formed on the metal patterning layer 121. It can be considered to be substantially free of electrically conductive material.

도 5에서 보는 바와 같이, 상기 제 2 부분(120)은 패터닝 보조 감광층(117)을 더 포함할 수 있다. 바람직하게는 금속패터닝층(121) 하부에 패터닝 보조 감광층(117)을 배치할 수 있다. 현재 금속패터닝층(121)에 적용되는 물질은 광발광 특성이 없거나 매우 약하므로 광발광 특성을 이용하여 그 두께를 측정하기는 어려울 수 있다. 금속패터닝층(121)의 두께가 너무 두꺼울 경우 응집현상이 발생하여 표면이 균일한 박막을 형성하기 어려우므로 균일한 광 투과율을 확보하기 어렵고 제 3 부분(130) 등과 같은 박막을 추가적으로 형성 시 문제가 된다.As shown in FIG. 5, the second part 120 may further include a patterning auxiliary photosensitive layer 117. Preferably, the patterning auxiliary photosensitive layer 117 may be disposed below the metal patterning layer 121. The material currently applied to the metal patterning layer 121 has no photoluminescence properties or is very weak, so it may be difficult to measure its thickness using photoluminescence properties. If the thickness of the metal patterning layer 121 is too thick, agglomeration occurs and it is difficult to form a thin film with a uniform surface, so it is difficult to secure uniform light transmittance and problems arise when additionally forming a thin film such as the third part 130. do.

따라서, 일반적으로 광학적 특성을 이용하여 금속패터닝층(121)의 두께를 용이하게 측정하기 위해 금속패터닝층(121)의 하부에 광발광 특성이 우수한 패터닝 보조 감광층(117)을 형성할 수 있다. 패터닝 보조 감광층(117)은 금속패터닝층(121)보다 광발광 세기가 강하고 광학적 방법으로 측정 가능할 정도의 광학적 특성을 보이는 감광성 유기물로 형성될 수 있다. 즉, 패터닝 보조 감광층(117)을 적용한 후 엘립소미터(Ellipsometer)를 이용하여 금속패터닝층(121)의 두께를 측정할 수 있다.Therefore, in general, in order to easily measure the thickness of the metal patterning layer 121 using optical properties, a patterning auxiliary photosensitive layer 117 with excellent photoluminescence characteristics can be formed under the metal patterning layer 121. The patterning auxiliary photosensitive layer 117 may be formed of a photosensitive organic material that has a stronger photoluminescence intensity than the metal patterning layer 121 and exhibits optical properties that can be measured by optical methods. That is, after applying the patterning auxiliary photosensitive layer 117, the thickness of the metal patterning layer 121 can be measured using an ellipsometer.

패터닝 보조 감광층(117)은 적어도 하나의 헤테로고리를 포함하는 화합물을 포함할 수 있다. 상기 헤테로고리는 바람직하게 O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리일 수 있고, 더욱 바람직하게는 C2~C30의 헤테로고리, 더욱 더 바람직하게는 C2~C24의 헤테로고리일 수 있으며, 구체적으로 옥사졸, 싸이아졸, 벤조옥사졸, 벤조싸이아졸, 피리딘, 피리미딘, 피라진, 트리아진, 퀴놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 이미다졸, 트리아졸, 벤조이미다졸, 벤조트리아졸, 퓨란, 싸이오펜, 벤조퓨란, 벤조싸이오펜, 인돌, 다이벤조퓨란, 다이벤조싸이오펜, 카바졸, 벤조퓨로피리딘, 벤조싸이오페노피리딘, 카볼린, 벤조퓨로피리미딘, 벤조싸이오페노피리미딘, 벤조퓨로피라진 및 벤조싸이오페노피라진 등일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.The patterning auxiliary photosensitive layer 117 may include a compound containing at least one heterocycle. The heterocycle may preferably be a C 2 to C 60 heterocycle containing at least one hetero atom selected from O, N, S, Si and P, and more preferably a C 2 to C 30 heterocycle. More preferably, it may be a heterocycle of C 2 to C 24 , specifically oxazole, thiazole, benzooxazole, benzothiazole, pyridine, pyrimidine, pyrazine, triazine, quinoline, quinazoline, quinoxaline, Imidazole, triazole, benzoimidazole, benzotriazole, furan, thiophene, benzofuran, benzothiophene, indole, dibenzofuran, dibenzothiophene, carbazole, benzofuropyridine, benzothiophenopyridine , carboline, benzofuropyrimidine, benzothiophenopyrimidine, benzofuropyrazine, benzothiophenopyrazine, etc., but is not limited thereto.

또한, 패터닝 보조 감광층(117)의 두께는 5 nm 이상인 것이 바람직하다.Additionally, the thickness of the patterning auxiliary photosensitive layer 117 is preferably 5 nm or more.

상기 제 3 부분(130)이 형성됨으로써 전면발광(top emission) 유기발광소자의 경우 음극(118)에서의 SPPs (Surface Plasmon Polaritons)에 의한 광학 에너지 손실을 줄일 수 있고, 배면발광(bottom emission) 유기발광소자의 경우 제 3 부분(130)이 제 1 부분(110)과 제 2 부분(120)에 대한 완충 역할을 수행할 수 있다. 특히, 제 3 부분(130) 재료의 광 투과율이 높을 경우, 제 1 부분(110)에서 방출된 빛이 제 3 부분(130)을 통과하여 방출될 때 SPPs에 의한 광학 에너지 손실을 줄일 수 있다. 따라서, 상기 제 3 부분(130)의 가시광선 영역에서의 광 투과율이 70% 이상인 것이 바람직하며, 더 바람직하게는 80% 이상인 것이 바람직하다.By forming the third part 130, optical energy loss due to SPPs (Surface Plasmon Polaritons) at the cathode 118 can be reduced in the case of a top emission organic light emitting device, and bottom emission organic light emitting devices can be formed. In the case of a light emitting device, the third part 130 may serve as a buffer for the first part 110 and the second part 120. In particular, when the light transmittance of the material of the third part 130 is high, optical energy loss due to SPPs can be reduced when light emitted from the first part 110 passes through the third part 130. Therefore, it is preferable that the light transmittance of the third portion 130 in the visible light region is 70% or more, and more preferably 80% or more.

상기 제 3 부분(130) 재료의 굴절률은 1.85 내지 3.0인 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 1.9 내지 3.0의 굴절률을 가지는 것이며, 더 바람직하게는 1.9 내지 2.5의 굴절률을 가지는 것이 바람직하다. 특히, 제 3 부분(130) 재료의 화합물이 450 nm 파장에서 2.1 이상의 굴절률을 가지고, 530 nm 파장에서 1.95 이상의 굴절률을 가지며, 620 nm 파장에서 1.85 이상의 굴절률을 가지는 것이 바람직하다. 제 1 부분(110)을 통해 방출된 빛은 굴절률이 상대적으로 높은 제 3 부분(130)을 통과하면서 빛의 파장이 증폭되어 발광효율이 상승될 수 있다.The refractive index of the material of the third part 130 is preferably 1.85 to 3.0. More preferably, it has a refractive index of 1.9 to 3.0, and more preferably, it has a refractive index of 1.9 to 2.5. In particular, it is preferred that the compound of the third portion 130 material has a refractive index of 2.1 or greater at a wavelength of 450 nm, a refractive index of 1.95 or greater at a wavelength of 530 nm, and a refractive index of 1.85 or greater at a wavelength of 620 nm. As the light emitted through the first part 110 passes through the third part 130, which has a relatively high refractive index, the wavelength of the light is amplified, thereby increasing luminous efficiency.

상기 제 3 부분(130)은 단일층 또는 다중 층의 구조일 수 있다. 또한 제 3 부분(130)은 단일 화합물 또는 둘 이상의 화합물이 혼합된 혼합물일 수 있다.The third part 130 may have a single-layer or multi-layer structure. Additionally, the third portion 130 may be a single compound or a mixture of two or more compounds.

상기 제 3 부분(130) 재료는 구체적으로 하기 화학식 G로 표시되는 화합물로 선택될 수 있다.The material of the third part 130 may be specifically selected as a compound represented by the following formula G.

[화학식 G] [Formula G]

Figure pat00112
Figure pat00112

상기 화학식 G에서, 각 기호는 하기와 같이 정의될 수 있다.In the above formula G, each symbol can be defined as follows.

X301은 O, S 또는 NR302이며,X 301 is O, S or NR 302 ,

Y'은 CR300 또는 N이고,Y' is CR 300 or N,

L302는 N-L304-Ar302이며,L 302 is NL 304 -Ar 302 ,

L301, L303 및 L304는 상기 L1의 정의와 동일하고,L 301 , L 303 and L 304 are the same as the definition of L 1 above,

Ar301 및 Ar302는 서로 독립적으로 C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 시클로알킬기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; 및 -NAr303Ar304;로 이루어진 군에서 선택되며,Ar 301 and Ar 302 are independently C 6 to C 60 aryl groups; fluorenyl group; C 2 ~ C 60 heterocyclic group containing at least one hetero atom among O, N, S, Si and P; C 3 ~ C 60 cycloalkyl group; A fused ring group of an aliphatic ring from C 3 to C 60 and an aromatic ring from C 6 to C 60 ; and -NAr 303 Ar 304 ;,

상기 Ar301 및 Ar302가 아릴기인 경우, 바람직하게는 C6~C30의 아릴기, 더욱 바람직하게는 C6~C25의 아릴기, 예컨대 페닐, 바이페닐, 터페닐, 나프탈렌 등일 수 있다.When Ar 301 and Ar 302 are an aryl group, they are preferably an aryl group of C 6 to C 30 , more preferably an aryl group of C 6 to C 25 , such as phenyl, biphenyl, terphenyl, naphthalene, etc.

상기 Ar301 및 Ar302가 헤테로고리기인 경우, 바람직하게는 C2~C30의 헤테로고리기, 더욱 바람직하게는 C2~C24의 헤테로고리기일 수 있다.When Ar 301 and Ar 302 are heterocyclic groups, they may be preferably C 2 to C 30 heterocyclic groups, more preferably C 2 to C 24 heterocyclic groups.

상기 Ar301 및 Ar302가 융합고리기인 경우, 바람직하게는 C3~C30의 지방족고리와 C6~C30의 방향족고리의 융합고리기, 더욱 바람직하게는 C3~C24의 지방족고리와 C6~C24의 방향족고리의 융합고리기일 수 있다.When Ar 301 and Ar 302 are a fused ring group, preferably a fused ring group of a C 3 to C 30 aliphatic ring and a C 6 to C 30 aromatic ring, more preferably a C 3 to C 24 aliphatic ring It may be a fused ring group of an aromatic ring from C 6 to C 24 .

Ar303 및 Ar304는 서로 독립적으로 C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; 및 C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기;로 이루어진 군에서 선택되고,Ar 303 and Ar 304 are independently C 6 to C 60 aryl groups; fluorenyl group; C 2 ~ C 60 heterocyclic group containing at least one hetero atom among O, N, S, Si and P; and a fused ring group of an aliphatic ring of C 3 to C 60 and an aromatic ring of C 6 to C 60 ; selected from the group consisting of,

상기 Ar303 및 Ar304가 아릴기인 경우, 바람직하게는 C6~C30의 아릴기, 더욱 바람직하게는 C6~C25의 아릴기, 예컨대 페닐, 바이페닐, 터페닐, 나프탈렌 등일 수 있다.When Ar 303 and Ar 304 are an aryl group, they may be preferably an aryl group of C 6 to C 30 , more preferably an aryl group of C 6 to C 25 , such as phenyl, biphenyl, terphenyl, naphthalene, etc.

상기 Ar303 및 Ar304가 헤테로고리기인 경우, 바람직하게는 C2~C30의 헤테로고리기, 더욱 바람직하게는 C2~C24의 헤테로고리기일 수 있다.When Ar 303 and Ar 304 are heterocyclic groups, they may be preferably C 2 to C 30 heterocyclic groups, more preferably C 2 to C 24 heterocyclic groups.

상기 Ar303 및 Ar304가 융합고리기인 경우, 바람직하게는 C3~C30의 지방족고리와 C6~C30의 방향족고리의 융합고리기, 더욱 바람직하게는 C3~C24의 지방족고리와 C6~C24의 방향족고리의 융합고리기일 수 있다.When Ar 303 and Ar 304 are a fused ring group, preferably a fused ring group of a C 3 to C 30 aliphatic ring and a C 6 to C 30 aromatic ring, more preferably a C 3 to C 24 aliphatic ring It may be a fused ring group of an aromatic ring from C 6 to C 24 .

R300, R301 및 R302는 각각 동일하거나 상이하며, 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C60의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C3~C60의 시클로알킬기; C1~C30의 알콕실기; 및 C6~C30의 아릴옥시기;로 이루어진 군에서 선택되고, 또는 이웃한 기끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있으며,R 300 , R 301 and R 302 are each the same or different and, independently of each other, are hydrogen; heavy hydrogen; halogen; Aryl group of C 6 to C 60 ; fluorenyl group; C 2 ~ C 60 heterocyclic group containing at least one hetero atom among O, N, S, Si and P; A fused ring group of an aliphatic ring from C 3 to C 60 and an aromatic ring from C 6 to C 60 ; C 1 ~ C 60 alkyl group; C 2 ~ C 20 alkenyl group; C 2 ~ C 20 alkyne group; C 3 ~ C 60 cycloalkyl group; C 1 ~ C 30 alkoxyl group; and an aryloxy group of C 6 to C 30 ; or adjacent groups may be bonded to each other to form a ring,

상기 R300, R301 및 R302가 아릴기인 경우, 바람직하게는 C6~C30의 아릴기, 더욱 바람직하게는 C6~C25의 아릴기, 예컨대 페닐, 바이페닐, 터페닐, 나프탈렌 등일 수 있다.When R 300 , R 301 and R 302 are an aryl group, preferably an aryl group of C 6 to C 30 , more preferably an aryl group of C 6 to C 25 , such as phenyl, biphenyl, terphenyl, naphthalene, etc. You can.

상기 R300, R301 및 R302가 헤테로고리기인 경우, 바람직하게는 C2~C30의 헤테로고리기, 더욱 바람직하게는 C2~C24의 헤테로고리기일 수 있다.When R 300 , R 301 and R 302 are heterocyclic groups, they may be preferably C 2 to C 30 heterocyclic groups, more preferably C 2 to C 24 heterocyclic groups.

상기 R300, R301 및 R302가 융합고리기인 경우, 바람직하게는 C3~C30의 지방족고리와 C6~C30의 방향족고리의 융합고리기, 더욱 바람직하게는 C3~C24의 지방족고리와 C6~C24의 방향족고리의 융합고리기일 수 있다.When R 300 , R 301 and R 302 are a fused ring group, preferably a fused ring group of an aliphatic ring of C 3 to C 30 and an aromatic ring of C 6 to C 30 , more preferably of a fused ring group of C 3 to C 24 It may be a fused ring group of an aliphatic ring and an aromatic ring of C 6 to C 24 .

상기 R300, R301 및 R302가 알킬기인 경우, 바람직하게는 C1~C30의 알킬기일 수 있으며, 더욱 바람직하게는 C1~C24의 알킬기일 수 있다.When R 300 , R 301 and R 302 are an alkyl group, they may be preferably an alkyl group of C 1 to C 30 , and more preferably an alkyl group of C 1 to C 24 .

상기 R300, R301 및 R302가 시클로알킬기인 경우, C3~C30의 시클로알킬기일 수 있으며, 더욱 바람직하게는 C3~C24의 시클로알킬기일 수 있다.When R 300 , R 301 and R 302 are cycloalkyl groups, they may be C 3 to C 30 cycloalkyl groups, and more preferably C 3 to C 24 cycloalkyl groups.

a301은 0 내지 4의 정수이며, a302는 0 또는 1이고,a301 is an integer from 0 to 4, a302 is 0 or 1,

여기서, 상기 아릴기, 아릴렌기, 헤테로고리기, 플루오렌일기, 플루오렌일렌기, 융합고리기, 알킬기, 알켄일기, 알킨일기, 시클로알킬기, 알콕실기 및 아릴옥시기는 각각 중수소; 할로겐; 실란기; 실록산기; 붕소기; 게르마늄기; 시아노기; 니트로기; C1~C20의 알킬싸이오기; C1~C20의 알콕실기; C6~C20의 아릴옥시기; C1~C20의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C6~C20의 아릴기; 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기; 할로겐으로 치환된 C6~C20의 아릴기; 플루오렌일기; C2~C20의 헤테로고리기; C3~C20의 시클로알킬기; C7~C20의 아릴알킬기; 및 C8~C20의 아릴알켄일기;로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 더욱 치환될 수 있으며, 또한 이들 치환기들은 서로 결합하여 고리를 형성할 수도 있으며, 여기서 '고리'란 C3~C60의 지방족고리 또는 C6~C60의 방향족고리 또는 C2~C60의 헤테로고리 또는 이들의 조합으로 이루어진 융합 고리를 말하며, 포화 또는 불포화 고리를 포함한다.Here, the aryl group, arylene group, heterocyclic group, fluorenyl group, fluorenylene group, fused ring group, alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, cycloalkyl group, alkoxyl group, and aryloxy group each contain deuterium; halogen; Silane group; siloxane group; boron group; Germanium group; Cyano group; nitro group; C 1 ~ C 20 alkylthio group; C 1 ~ C 20 alkoxyl group; C 6 ~ C 20 aryloxy group; C 1 ~ C 20 alkyl group; C 2 ~ C 20 alkenyl group; C 2 ~ C 20 alkyne group; C 6 ~ C 20 aryl group; C 6 ~ C 20 aryl group substituted with deuterium; C 6 ~ C 20 aryl group substituted with halogen; fluorenyl group; C 2 ~ C 20 heterocyclic group; C 3 ~ C 20 cycloalkyl group; C 7 ~ C 20 arylalkyl group; and C 8 ~ C 20 arylalkenyl group; may be further substituted with one or more substituents selected from the group consisting of, and these substituents may be combined with each other to form a ring, where 'ring' refers to a C 3 ~ C 60 It refers to a fused ring consisting of an aliphatic ring, an aromatic ring of C 6 to C 60 , a heterocycle of C 2 to C 60 , or a combination thereof, and includes saturated or unsaturated rings.

상기 화학식 G는 하기 화학식 H 또는 화학식 I로 표시될 수 있다.The formula G may be represented by the following formula H or formula I.

[화학식 H] [화학식 I] [Formula H] [Formula I]

Figure pat00113
Figure pat00113

{상기 화학식 H 및 화학식 I에서, X301, L301, L302, L303, Ar301, R300, R301, a301 및 a302는 상기에서 정의된 바와 동일하다.}{ In the above formulas H and formula I ,

상기 화학식 G는 하기 화학식 J 내지 화학식 N 중 어느 하나로 표시될 수 있다.The formula G may be represented by any one of the following formulas J to N.

[화학식 J] [화학식 K] [화학식 L] [Formula J] [Formula K] [Formula L]

Figure pat00114
Figure pat00114

[화학식 M] [화학식 N] [Formula M] [Formula N]

Figure pat00115
Figure pat00115

{상기 화학식 J 내지 화학식 N에서,{In Formula J to Formula N above,

X301, L301, L303, L304, Ar301, Ar302, R300, R301 및 a301은 상기에서 정의된 바와 동일하며,X 301 , L 301 , L 303 , L 304 , AR 301 , AR 302 , R 300 , R 301 and A301 are the same as defined above,

Ar305 및 Ar306은 상기 Ar303의 정의와 동일하고,Ar 305 and Ar 306 are the same as the definition of Ar 303 above,

R303은 R301의 정의와 동일하며,R 303 has the same definition as R 301 ,

a303은 0 내지 8의 정수이다.}a303 is an integer from 0 to 8.}

상기 화학식 G는 하기 화학식 O로 표시될 수 있다.The formula G may be represented by the formula O below.

[화학식 O] [Formula O]

Figure pat00116
Figure pat00116

{상기 화학식 O에서, X301, L301, L303, L304, Ar302, Ar303, Ar304, R301 및 a301은 상기에서 정의된 바와 동일하다.} { In the above formula O ,

상기 L301 및 L303은 서로 독립적으로 하기 화학식 L-1 내지 화학식 L-4 중 어느 하나로 표시될 수 있다.L301 and L303 may be independently represented by any one of the following formulas L-1 to L-4.

[화학식 L-1] [화학식 L-2] [화학식 L-3] [화학식 L-4] [Formula L-1] [Formula L-2] [Formula L-3] [Formula L-4]

Figure pat00117
Figure pat00117

{상기 화학식 L-1 내지 화학식 L-4에서,{In Formula L-1 to Formula L-4,

R304, R305, R306 및 R307은 R301의 정의와 동일하며,R 304 , R 305 , R 306 and R 307 have the same definition as R 301 ,

a304 및 a309는 서로 독립적으로 0 내지 4의 정수이고, a306 및 a307은 서로 독립적으로 0 내지 3의 정수이며, a308은 0 내지 2의 정수이고, a305는 0 내지 6의 정수이며,a304 and a309 are independently integers from 0 to 4, a306 and a307 are independently integers from 0 to 3, a308 is an integer from 0 to 2, and a305 is an integer from 0 to 6,

*는 결합되는 위치를 나타낸다.}* indicates the binding position.}

상기 화학식 G는 하기 화합물 P4-1 내지 P4-92 중 어느 하나일 수 있으나, 이에 제한된 것은 아니다.The formula G may be any one of the following compounds P4-1 to P4-92, but is not limited thereto.

Figure pat00118
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Figure pat00119
Figure pat00119

Figure pat00120
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Figure pat00121
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Figure pat00122
Figure pat00122

Figure pat00123
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Figure pat00124
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Figure pat00125
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Figure pat00126
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Figure pat00127
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Figure pat00128
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Figure pat00129
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Figure pat00130
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Figure pat00132
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Figure pat00133
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Figure pat00134
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Figure pat00135
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Figure pat00136
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Figure pat00137
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Figure pat00138
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Figure pat00139
Figure pat00139

Figure pat00140
Figure pat00140

또한, 상기 제 2 부분(120) 및 제 3 부분(130)의 전체 광 투과율이 70% 이상인 것이 바람직하다. 즉, 상기 전술한 바와 같이 UDC/UPS 등에서 요구되는 광 투과율을 가져야 하며, 특히 제 2 부분(120) 및 제 3 부분(130)이 광 투과율에 많은 영향을 미치게 된다. 따라서, 제 3 부분(130)과 금속패터닝층(121)의 높은 광 투과율이 중요하며, 유기 발광 표시 장치의 발광효율을 높이면서, UDC/UPS 등을 구현하기 위해 높은 광 투과율을 가지는 유기 발광 표시 장치인 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the total light transmittance of the second part 120 and the third part 130 is 70% or more. That is, as described above, it must have the light transmittance required for UDC/UPS, etc., and in particular, the second part 120 and the third part 130 have a great influence on the light transmittance. Therefore, high light transmittance of the third portion 130 and the metal patterning layer 121 is important, and an organic light emitting display with high light transmittance is required to improve the light emitting efficiency of the organic light emitting display device and implement UDC/UPS, etc. It is preferable that it is a device.

이러한 유기물층(111)은 다양한 증착법(deposition)을 이용하여 제조될 수 있을 것이다. 예컨대, 유기물층(111)은 PVD나 CVD 등의 증착 방법을 사용하여 제조될 수 있고, 증착법이 아닌 용액 공정 또는 솔벤트 프로세스(solvent process), 예컨대 스핀코팅 공정, 노즐 프린팅 공정, 잉크젯 프린팅 공정, 슬롯코팅 공정, 딥코팅 공정, 롤투롤 공정, 닥터 블레이딩 공정, 스크린 프린팅 공정, 또는 열 전사법 등의 방법에 의하여 더 적은 수의 층으로 제조할 수 있다.This organic layer 111 may be manufactured using various deposition methods. For example, the organic material layer 111 may be manufactured using a deposition method such as PVD or CVD, and may be manufactured using a solution process or solvent process rather than a deposition method, such as a spin coating process, nozzle printing process, inkjet printing process, or slot coating. It can be manufactured with fewer layers by methods such as a process, dip coating process, roll-to-roll process, doctor blading process, screen printing process, or heat transfer method.

바람직하게는, 유기물층(111)은 진공증착에 의해 형성될 수 있다. 하지만, 본 발명에 따른 유기물층(111)은 다양한 방법으로 형성될 수 있으므로, 그 형성방법에 의해 본 발명의 권리범위가 제한되는 것은 아니다.Preferably, the organic material layer 111 may be formed by vacuum deposition. However, since the organic material layer 111 according to the present invention can be formed by various methods, the scope of the present invention is not limited by the forming method.

본 발명의 일 실시예에 따른 유기전기소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.The organic electric device according to an embodiment of the present invention may be a front-emitting type, a rear-emitting type, or a double-sided emitting type depending on the material used.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전기소자는 유기전기발광소자, 유기태양전지, 유기감광체, 유기트랜지스터, 단색 조명용 소자 및 퀀텀닷 디스플레이용 소자로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.Additionally, the organic electric device according to an embodiment of the present invention may be selected from the group consisting of organic electroluminescent devices, organic solar cells, organic photoreceptors, organic transistors, monochromatic lighting devices, and quantum dot display devices.

본 발명의 다른 실시예는 상술한 본 발명의 유기전기소자를 포함하는 디스플레이장치와, 이 디스플레이장치를 제어하는 제어부를 포함하는 전자장치를 포함할 수 있다. 이때, 전자장치는 현재 또는 장래의 유무선 통신단말일 수 있으며, 휴대폰 등의 이동 통신 단말기, 네비게이션, 게임기, 각종 TV, 각종 컴퓨터 등 모든 전자장치를 포함한다. 바람직하게는, 상기 디스플레이장치는 투명디스플레이를 포함하며, 전자장치는 UDC (Under Display Camera) 또는 UPS (Under Panel Sensor)를 포함할 수 있다.Another embodiment of the present invention may include a display device including the organic electric device of the present invention described above, and an electronic device including a control unit that controls the display device. At this time, the electronic device may be a current or future wired or wireless communication terminal, and includes all electronic devices such as mobile communication terminals such as mobile phones, navigation devices, game consoles, various TVs, and various computers. Preferably, the display device includes a transparent display, and the electronic device may include an Under Display Camera (UDC) or an Under Panel Sensor (UPS).

이하, 실시예를 들어 본 발명을 설명한다. 하기 실시예는 본 발명을 설명하기 위한 것으로 이러한 실시예에 의해 본 발명의 권리범위가 제한되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described with reference to examples. The following examples are for illustrating the present invention, and the scope of the present invention is not limited by these examples.

[합성법][Synthesis method]

P1 화합물 합성법P1 compound synthesis method

1. P1-2 합성예1. P1-2 Synthesis Example

Figure pat00141
Figure pat00141

둥근바닥플라스크에 3-bromo-9,9-dimethyl-9H-fluorene (5.0 g, 18.3 mmol)을 Toluene (60 mL)에 녹인 후, N-(4-(naphthalen-1-yl)phenyl)-[1,1'-biphenyl]-4-amine (6.8 g, 18.3 mmol), Pd2(dba)3 (0.5 g, 0.5 mmol), P(t-Bu)3 (0.4 mL, 1.1 mmol), NaOt-Bu (3.5 g, 36.6 mmol)을 넣고 60℃에서 반응을 진행한다. 반응이 완료되면 CH2Cl2와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한다. 이후, 생성된 유기물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물 8 g을 얻었다. (수율 77%)After dissolving 3-bromo-9,9-dimethyl-9H-fluorene (5.0 g, 18.3 mmol) in toluene (60 mL) in a round bottom flask, N-(4-(naphthalen-1-yl)phenyl)-[ 1,1'-biphenyl]-4-amine (6.8 g, 18.3 mmol), Pd 2 (dba) 3 (0.5 g, 0.5 mmol), P(t-Bu) 3 (0.4 mL, 1.1 mmol), NaOt- Add Bu (3.5 g, 36.6 mmol) and proceed with the reaction at 60°C. When the reaction is completed, the extract is extracted with CH 2 Cl 2 and water, and the organic layer is dried over MgSO 4 and concentrated. Afterwards, the produced organic matter was recrystallized using a silicagel column to obtain 8 g of product. (yield 77%)

2. P1-24 합성예2. P1-24 synthesis example

Figure pat00142
Figure pat00142

둥근바닥플라스크에 2-chloro-7-phenyldibenzo[b,d]furan (5.0 g, 17.9 mmol), N-(4-fluorophenyl)-9,9'-spirobi[fluoren]-4-amine (7.6 g, 17.9 mmol), Pd2(dba)3 (0.5 g, 0.3 mmol), P(t-Bu)3 (0.4 mL, 1.1 mmol), NaOt-Bu (3.4 g, 35.9 mmol)을 넣고 상기 P1-2의 합성방법을 이용하여 생성물 9.8 g을 얻었다. (수율 82%)2-chloro-7-phenyldibenzo[b,d]furan (5.0 g, 17.9 mmol), N-(4-fluorophenyl)-9,9'-spirobi[fluoren]-4-amine (7.6 g, 17.9 mmol), Pd 2 (dba) 3 (0.5 g, 0.3 mmol), P(t-Bu) 3 (0.4 mL, 1.1 mmol), NaOt-Bu (3.4 g, 35.9 mmol) were added and the P1-2 Using the synthetic method, 9.8 g of product was obtained. (yield 82%)

3. P1-28 합성예3. P1-28 Synthesis Example

Figure pat00143
Figure pat00143

둥근바닥플라스크에 3-(4-chlorophenyl)spiro[fluorene-9,9'-xanthene] (5.0 g, 11.3 mmol), N-phenyl-[1,1'-biphenyl]-4-amine (2.8 g, 11.3 mmol), Pd2(dba)3 (0.3 g, 0.3 mmol), P(t-Bu)3 (0.27 mL, 0.7 mmol), NaOt-Bu (2.2 g, 22.6 mmol)을 넣고 상기 P1-2의 합성방법을 이용하여 생성물 5.8 g을 얻었다. (수율 79%)3-(4-chlorophenyl)spiro[fluorene-9,9'-xanthene] (5.0 g, 11.3 mmol), N-phenyl-[1,1'-biphenyl]-4-amine (2.8 g, 11.3 mmol), Pd 2 (dba) 3 (0.3 g, 0.3 mmol), P(t-Bu) 3 (0.27 mL, 0.7 mmol), NaOt-Bu (2.2 g, 22.6 mmol) were added and the P1-2 Using the synthetic method, 5.8 g of product was obtained. (yield 79%)

4. P1-35 합성예4. P1-35 synthesis example

Figure pat00144
Figure pat00144

둥근바닥플라스크에 3-(4-chlorophenyl)spiro[fluorene-9,9'-xanthene] (5.0 g, 11.3 mmol), N-phenyl-[1,1'-biphenyl]-4-amine (2.8 g, 11.3 mmol), Pd2(dba)3 (0.3 g, 0.3 mmol), P(t-Bu)3 (0.27 mL, 0.7 mmol), NaOt-Bu (2.2 g, 22.6 mmol)을 넣고 상기 P1-2의 합성방법을 이용하여 생성물 5.8 g을 얻었다. (수율 79%)3-(4-chlorophenyl)spiro[fluorene-9,9'-xanthene] (5.0 g, 11.3 mmol), N-phenyl-[1,1'-biphenyl]-4-amine (2.8 g, 11.3 mmol), Pd 2 (dba) 3 (0.3 g, 0.3 mmol), P(t-Bu) 3 (0.27 mL, 0.7 mmol), NaOt-Bu (2.2 g, 22.6 mmol) were added and the P1-2 Using the synthetic method, 5.8 g of product was obtained. (yield 79%)

5. P1-37 합성예5. P1-37 synthesis example

Figure pat00145
Figure pat00145

둥근바닥플라스크에 9-(3-bromophenyl)-9-phenyl-9H-fluorene (5.0 g, 12.6 mmol), N-([1,1'-biphenyl]-4-yl)-9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-amine (4.5 g, 12.6 mmol), Pd2(dba)3 (0.3 g, 0.4 mmol), P(t-Bu)3 (0.3 mL, 0.8 mmol), NaOt-Bu (2.4 g, 25.2 mmol)을 넣고 상기 P1-2의 합성방법을 이용하여 생성물 7.6 g을 얻었다. (수율 89%)9-(3-bromophenyl)-9-phenyl-9H-fluorene (5.0 g, 12.6 mmol), N-([1,1'-biphenyl]-4-yl)-9,9-dimethyl- in a round bottom flask. 9H-fluoren-2-amine (4.5 g, 12.6 mmol), Pd 2 (dba) 3 (0.3 g, 0.4 mmol), P(t-Bu) 3 (0.3 mL, 0.8 mmol), NaOt-Bu (2.4 g , 25.2 mmol) was added and 7.6 g of product was obtained using the synthesis method of P1-2 above. (yield 89%)

6. P1-42 합성예6. P1-42 synthesis example

Figure pat00146
Figure pat00146

둥근바닥플라스크에 3-(4-chlorophenyl)dibenzo[b,d]thiophene (5.0 g, 17.0 mmol), N-(4-(9H-carbazol-9-yl)phenyl)-[1,1'-biphenyl]-4-amine (7 g, 17.0 mmol), Pd2(dba)3 (0.5 g, 0.5 mmol), P(t-Bu)3 (0.4 mL, 1.0 mmol), NaOt-Bu (3.3 g, 33.9 mmol)을 넣고 상기 P1-2의 합성방법을 이용하여 생성물 10 g을 얻었다. (수율 88%)In a round bottom flask, 3-(4-chlorophenyl)dibenzo[b,d]thiophene (5.0 g, 17.0 mmol), N-(4-(9H-carbazol-9-yl)phenyl)-[1,1'-biphenyl ]-4-amine (7 g, 17.0 mmol), Pd 2 (dba) 3 (0.5 g, 0.5 mmol), P(t-Bu) 3 (0.4 mL, 1.0 mmol), NaOt-Bu (3.3 g, 33.9 mmol) was added and 10 g of product was obtained using the synthesis method of P1-2 above. (yield 88%)

7. P1-51 합성예7. P1-51 synthesis example

Figure pat00147
Figure pat00147

둥근바닥플라스크에 N-([1,1'-biphenyl]-4-yl)-3'-bromo-N-phenyl-[1,1'-biphenyl]-4-amine (5.0 g, 10.5mmol), 4-(naphthalen-1-yl)-N-phenylaniline (3.1 g, 10.5 mmol), Pd2(dba)3 (0.3 g, 0.3 mmol), P(t-Bu)3 (0.3 mL, 0.6 mmol), NaOt-Bu (2.0 g, 21.0 mmol)을 넣고 상기 P1-2의 합성방법을 이용하여 생성물 6 g을 얻었다. (수율 83%)N-([1,1'-biphenyl]-4-yl)-3'-bromo-N-phenyl-[1,1'-biphenyl]-4-amine (5.0 g, 10.5 mmol) in a round bottom flask, 4-(naphthalen-1-yl)-N-phenylaniline (3.1 g, 10.5 mmol), Pd 2 (dba) 3 (0.3 g, 0.3 mmol), P(t-Bu) 3 (0.3 mL, 0.6 mmol), NaOt-Bu (2.0 g, 21.0 mmol) was added and 6 g of product was obtained using the synthesis method of P1-2 above. (yield 83%)

8. P1-57 합성예8. P1-57 synthesis example

Figure pat00148
Figure pat00148

둥근바닥플라스크에 8-chloro-N,N-diphenyldibenzo[b,d]furan-1-amine (5.0 g, 13.5 mmol), N-phenyldibenzo[b,d]thiophen-3-amine (3.7 g, 13.5 mmol), Pd2(dba)3 (0.4 g, 0.4 mmol), P(t-Bu)3 (0.3 mL, 0.8 mmol), NaOt-Bu (2.6 g, 27.0 mmol)을 넣고 상기 P1-2의 합성방법을 이용하여 생성물 6.4 g을 얻었다. (수율 78%)8-chloro-N,N-diphenyldibenzo[b,d]furan-1-amine (5.0 g, 13.5 mmol), N-phenyldibenzo[b,d]thiophen-3-amine (3.7 g, 13.5 mmol) in a round bottom flask. ), Pd 2 (dba) 3 (0.4 g, 0.4 mmol), P(t-Bu) 3 (0.3 mL, 0.8 mmol), and NaOt-Bu (2.6 g, 27.0 mmol) were added and the synthesis method of P1-2 was used. 6.4 g of product was obtained using . (yield 78%)

9. P1-79 합성예9. P1-79 Synthesis Example

Figure pat00149
Figure pat00149

둥근바닥플라스크에 3-chloro-N,N-diphenyldibenzo[b,d]thiophen-1-amine (5.0 g, 13.0 mmol), N-phenylspiro[fluorene-9,9'-xanthen]-2'-amine (5.5 g, 13.0 mmol), Pd2(dba)3 (0.4 g, 0.4 mmol), P(t-Bu)3 (0.3 mL, 0.8 mmol), NaOt-Bu (2.5 g, 25.9 mmol)을 넣고 상기 P1-2의 합성방법을 이용하여 생성물 8.6 g을 얻었다. (수율 86%)3-chloro-N,N-diphenyldibenzo[b,d]thiophen-1-amine (5.0 g, 13.0 mmol), N-phenylspiro[fluorene-9,9'-xanthen]-2'-amine ( 5.5 g, 13.0 mmol), Pd 2 (dba) 3 (0.4 g, 0.4 mmol), P(t-Bu) 3 (0.3 mL, 0.8 mmol), and NaOt-Bu (2.5 g, 25.9 mmol) were added to P1. 8.6 g of product was obtained using the synthesis method of -2. (yield 86%)

한편, 상기와 같은 합성예에 따라 제조된 본 발명의 화합물 P1-1 내지 P1-90의 FD-MS 값은 하기 표 1과 같다.Meanwhile, the FD-MS values of compounds P1-1 to P1-90 of the present invention prepared according to the above synthesis examples are shown in Table 1 below.

화합물compound FD-MSFD-MS 화합물compound FD-MSFD-MS P1-1P1-1 m/z=437.21(C33H27N=437.59)m/z=437.21(C 33 H 27 N=437.59) P1-2P1-2 m/z=563.26(C43H33N=563.74)m/z=563.26(C 43 H 33 N=563.74) P1-3P1-3 m/z=639.29(C49H37N=639.84)m/z=639.29(C 49 H 37 N=639.84) P1-4P1-4 m/z=653.27(C49H35NO=653.83)m/z=653.27(C 49 H 35 NO=653.83) P1-5P1-5 m/z=543.2(C39H29NS=543.73)m/z=543.2(C 39 H 29 NS=543.73) P1-6P1-6 m/z=653.27(C49H35NO=653.83)m/z=653.27(C 49 H 35 NO=653.83) P1-7P1-7 m/z=678.3(C51H38N2=678.88)m/z=678.3(C 51 H 38 N 2 =678.88) P1-8P1-8 m/z=643.29(C48H37NO=643.83)m/z=643.29(C 48 H 37 NO=643.83) P1-9P1-9 m/z=639.29(C49H37N=639.84)m/z=639.29(C 49 H 37 N=639.84) P1-10P1-10 m/z=589.37(C44H47N=589.87)m/z=589.37(C 44 H 47 N=589.87) P1-11P1-11 m/z=637.28(C49H35N=637.83)m/z=637.28(C 49 H 35 N=637.83) P1-12P1-12 m/z=693.34(C53H43N=693.93)m/z=693.34(C 53 H 43 N=693.93) P1-13P1-13 m/z=791.28(C59H37NO2=791.95)m/z=791.28(C 59 H 37 NO 2 =791.95) P1-14P1-14 m/z=687.29(C53H37N=687.89)m/z=687.29(C 53 H 37 N=687.89) P1-15P1-15 m/z=731.36(C56H45N=731.98)m/z=731.36(C 56 H 45 N=731.98) P1-16P1-16 m/z=763.32(C59H41N=763.98)m/z=763.32(C 59 H 41 N=763.98) P1-17P1-17 m/z=801.34(C59H47NS=802.09)m/z=801.34(C 59 H 47 NS=802.09) P1-18P1-18 m/z=782.37(C59H46N2=783.03)m/z=782.37(C 59 H 46 N 2 =783.03) P1-19P1-19 m/z=700.37(C53H20D15N=700.96)m/z=700.37(C 53 H 20 D 15 N=700.96) P1-20P1-20 m/z=889.35(C67H43N3=890.1)m/z=889.35(C 67 H 43 N 3 =890.1) P1-21P1-21 m/z=609.25(C47H31N=609.77)m/z=609.25(C 47 H 31 N=609.77) P1-22P1-22 m/z=659.26(C51H33N=659.83)m/z=659.26(C 51 H 33 N=659.83) P1-23P1-23 m/z=649.24(C49H31NO=649.79)m/z=649.24(C 49 H 31 NO=649.79) P1-24P1-24 m/z=667.23(C49H30FNO=667.78)m/z=667.23(C 49 H 30 FNO=667.78) P1-25P1-25 m/z=517.2(C37H27NO2=517.63)m/z=517.2(C 37 H 27 NO 2 =517.63) P1-26P1-26 m/z=590.28(C42H30D5NS=590.84)m/z=590.28(C 42 H 30 D 5 NS=590.84) P1-27P1-27 m/z=692.32(C52H40N2=692.91)m/z=692.32(C 52 H 40 N 2 =692.91) P1-28P1-28 m/z=601.24(C45H31NO=601.75)m/z=601.24(C 45 H 31 NO=601.75) P1-29P1-29 m/z=733.24(C53H35NOS=733.93)m/z=733.24(C 53 H 35 NOS=733.93) P1-30P1-30 m/z=728.32(C55H40N2=728.94)m/z=728.32(C 55 H 40 N 2 =728.94) P1-31P1-31 m/z=631.29(C47H37NO=631.82)m/z=631.29(C 47 H 37 NO=631.82) P1-32P1-32 m/z=757.24(C55H35NOS=757.95)m/z=757.24(C 55 H 35 NOS=757.95) P1-33P1-33 m/z=717.25(C53H35NS=717.93)m/z=717.25(C 53 H 35 NS=717.93) P1-34P1-34 m/z=574.24(C43H30N2=574.73)m/z=574.24(C 43 H 30 N 2 =574.73) P1-35P1-35 m/z=651.26(C49H33NO=651.81)m/z=651.26(C 49 H 33 NO=651.81) P1-36P1-36 m/z=777.3(C59H39NO=777.97)m/z=777.3(C 59 H 39 NO=777.97) P1-37P1-37 m/z=677.31(C52H39N=677.89)m/z=677.31(C 52 H 39 N=677.89) P1-38P1-38 m/z=734.33(C55H30D7NO=734.95)m/z=734.33(C 55 H 30 D 7 NO=734.95) P1-39P1-39 m/z=681.21(C49H31NOS=681.85)m/z=681.21(C 49 H 31 NOS=681.85) P1-40P1-40 m/z=561.21(C42H27NO=561.68)m/z=561.21(C 42 H 27 NO=561.68) P1-41P1-41 m/z=607.16(C42H25NO2S=607.73)m/z=607.16(C 42 H 25 NO 2 S=607.73) P1-42P1-42 m/z=668.23(C48H32N2S=668.86)m/z=668.23(C 48 H 32 N 2 S=668.86) P1-43P1-43 m/z=611.22(C46H29NO=611.74)m/z=611.22(C 46 H 29 NO=611.74) P1-44P1-44 m/z=609.3(C45H39NO=609.81)m/z=609.3(C 45 H 39 NO=609.81) P1-45P1-45 m/z=644.32(C48H40N2=644.86)m/z=644.32(C 48 H 40 N 2 =644.86) P1-46P1-46 m/z=611.23(C43H33NOS=611.8)m/z=611.23(C 43 H 33 NOS=611.8) P1-47P1-47 m/z=733.37(C56H47N=734)m/z=733.37(C 56 H 47 N=734) P1-48P1-48 m/z=549.34(C41H43N=549.8)m/z=549.34(C 41 H 43 N=549.8) P1-49P1-49 m/z=723.3(C53H41NS=723.98)m/z=723.3(C 53 H 41 NS=723.98) P1-50P1-50 m/z=564.26(C42H32N2=564.73)m/z=564.26(C 42 H 32 N 2 =564.73) P1-51P1-51 m/z=690.3(C52H38N2=690.89)m/z=690.3(C 52 H 38 N 2 =690.89) P1-52P1-52 m/z=714.3(C54H38N2=714.91)m/z=714.3(C 54 H 38 N 2 =714.91) P1-53P1-53 m/z=618.3(C46H38N2=618.82)m/z=618.3(C 46 H 38 N 2 =618.82) P1-54P1-54 m/z=654.27(C48H34N2O=654.81)m/z=654.27(C 48 H 34 N 2 O=654.81) P1-55P1-55 m/z=594.3(C44H38N2=594.8)m/z=594.3(C 44 H 38 N 2 =594.8) P1-56P1-56 m/z=644.23(C46H32N2S=644.84)m/z=644.23(C 46 H 32 N 2 S=644.84) P1-57P1-57 m/z=608.19(C42H28N2OS=608.76)m/z=608.19(C 42 H 28 N 2 OS=608.76) P1-58P1-58 m/z=700.2(C48H32N2S2=700.92)m/z=700.2(C 48 H 32 N 2 S 2 =700.92) P1-59P1-59 m/z=734.24(C52H34N2OS=734.92)m/z=734.24(C 52 H 34 N 2 OS=734.92) P1-60P1-60 m/z=694.3(C51H38N2O=694.88)m/z=694.3(C 51 H 38 N 2 O=694.88) P1-61P1-61 m/z=684.22(C48H32N2OS=684.86)m/z=684.22(C 48 H 32 N 2 OS=684.86) P1-62P1-62 m/z=772.25(C55H36N2OS=772.97)m/z=772.25(C 55 H 36 N 2 OS=772.97) P1-63P1-63 m/z=784.31(C57H40N2O2=784.96)m/z=784.31(C 57 H 40 N 2 O 2 =784.96) P1-64P1-64 m/z=634.3(C46H38N2O=634.82)m/z=634.3(C 46 H 38 N 2 O=634.82) P1-65P1-65 m/z=769.35(C57H43N3=769.99)m/z=769.35(C 57 H 43 N 3 =769.99) P1-66P1-66 m/z=760.25(C54H36N2OS=760.96)m/z=760.25(C 54 H 36 N 2 OS=760.96) P1-67P1-67 m/z=758.28(C55H38N2S=758.98)m/z=758.28(C 55 H 38 N 2 S=758.98) P1-68P1-68 m/z=642.23(C46H30N2O2=642.76)m/z=642.23(C 46 H 30 N 2 O 2 =642.76) P1-69P1-69 m/z=698.2(C48H30N2O2S=698.84)m/z=698.2(C 48 H 30 N 2 O 2 S=698.84) P1-70P1-70 m/z=677.28(C50H35N3=677.85)m/z=677.28(C 50 H 35 N 3 =677.85) P1-71P1-71 m/z=800.29(C57H40N2OS=801.02)m/z=800.29(C 57 H 40 N 2 OS=801.02) P1-72P1-72 m/z=748.35(C55H44N2O=748.97)m/z=748.35(C 55 H 44 N 2 O=748.97) P1-73P1-73 m/z=774.27(C55H38N2OS=774.98)m/z=774.27(C 55 H 38 N 2 OS=774.98) P1-74P1-74 m/z=742.3(C52H42N2OS=742.98)m/z=742.3(C 52 H 42 N 2 OS=742.98) P1-75P1-75 m/z=862.25(C61H38N2S2=863.11)m/z=862.25(C 61 H 38 N 2 S 2 =863.11) P1-76P1-76 m/z=720.26(C52H36N2S=720.93)m/z=720.26(C 52 H 36 N 2 S=720.93) P1-77P1-77 m/z=684.22(C48H32N2OS=684.86)m/z=684.22(C 48 H 32 N 2 OS=684.86) P1-78P1-78 m/z=583.27(C42H25D5N2O=583.75)m/z=583.27(C 42 H 25 D 5 N 2 O=583.75) P1-79P1-79 m/z=772.25(C55H36N2OS=772.97)m/z=772.25(C 55 H 36 N 2 OS=772.97) P1-80P1-80 m/z=778.25(C54H35FN2OS=778.95)m/z=778.25(C 54 H 35 FN 2 OS=778.95) P1-81P1-81 m/z=810.36(C60H46N2O=811.04)m/z=810.36(C 60 H 46 N 2 O=811.04) P1-82P1-82 m/z=748.22(C52H32N2O2S=748.9)m/z=748.22(C 52 H 32 N 2 O 2 S=748.9) P1-83P1-83 m/z=895.36(C66H45N3O=896.11)m/z=895.36(C 66 H 45 N 3 O=896.11) P1-84P1-84 m/z=654.27(C48H34N2O=654.81)m/z=654.27(C 48 H 34 N 2 O=654.81) P1-85P1-85 m/z=726.31(C52H42N2S=726.98)m/z=726.31(C 52 H 42 N 2 S=726.98) P1-86P1-86 m/z=719.33(C51H29D9N2S=719.99)m/z=719.33(C 51 H 29 D 9 N 2 S=719.99) P1-87P1-87 m/z=788.21(C54H32N2O3S=788.92)m/z=788.21(C 54 H 32 N 2 O 3 S=788.92) P1-88P1-88 m/z=758.28(C55H38N2S=758.98)m/z=758.28(C 55 H 38 N 2 S=758.98) P1-89P1-89 m/z=577.37(C43H47N=577.86)m/z=577.37(C 43 H 47 N=577.86) P1-90P1-90 m/z=613.37(C40H47N=613.89)m/z=613.37(C 40 H 47 N=613.89)

P2 화합물 합성법P2 compound synthesis method

1. P2-1 합성예1. P2-1 synthesis example

Figure pat00150
Figure pat00150

둥근바닥플라스크에 dibenzo[b,d]furan-1-ylboronic acid (5.0 g, 23.6 mmol)을 THF (59 mL)와 물 (20 mL)에 녹인 후, 2-([1,1'-biphenyl]-3-yl)-4-chloro-6-phenyl-1,3,5-triazine (8.1 g, 23.6 mmol), Pd(PPh3)4 (0.8 g, 0.7 mmol), NaOH (1.8 g, 47.17 mmol)을 넣고 85℃에서 반응을 진행한다. 반응이 완료되면 CH2Cl2와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한다. 이후, 생성된 유기물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물 9.8 g을 얻었다. (수율 87%)Dissolve dibenzo[b,d]furan-1-ylboronic acid (5.0 g, 23.6 mmol) in THF (59 mL) and water (20 mL) in a round bottom flask, then dissolve 2-([1,1'-biphenyl] -3-yl)-4-chloro-6-phenyl-1,3,5-triazine (8.1 g, 23.6 mmol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.8 g, 0.7 mmol), NaOH (1.8 g, 47.17 mmol) ) and proceed with the reaction at 85°C. When the reaction is completed, the extract is extracted with CH 2 Cl 2 and water, and the organic layer is dried over MgSO 4 and concentrated. Afterwards, the produced organic material was recrystallized using a silicagel column to obtain 9.8 g of product. (yield 87%)

2. P2-9 합성예2. P2-9 synthesis example

Figure pat00151
Figure pat00151

둥근바닥플라스크에 (4-(phenanthren-2-yl)phenyl)boronic acid (5.0 g, 16.8 mmol), 2-chloro-4-(9,9-diphenyl-9H-fluoren-4-yl)-6-phenyl-1,3,5-triazine (8.5 g, 16.8 mmol), Pd(PPh3)4 (0.6 g, 0.5 mmol), NaOH (1.3 g, 33.5 mmol)을 넣고 상기 P2-1의 합성방법을 이용하여 생성물 10.8 g을 얻었다. (수율 89%)(4-(phenanthren-2-yl)phenyl)boronic acid (5.0 g, 16.8 mmol), 2-chloro-4-(9,9-diphenyl-9H-fluoren-4-yl)-6- in a round bottom flask. Add phenyl-1,3,5-triazine (8.5 g, 16.8 mmol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.6 g, 0.5 mmol), and NaOH (1.3 g, 33.5 mmol) and use the synthesis method of P2-1 above. 10.8 g of product was obtained. (yield 89%)

3. P2-21 합성예3. P2-21 synthesis example

Figure pat00152
Figure pat00152

둥근바닥플라스크에 (9,9-dimethyl-9H-xanthen-2-yl)boronic acid (5.0 g, 19.7 mmol), 2-([1,1'-biphenyl]-4-yl)-4-chloro-6-phenyl-1,3,5-triazine (6.8 g, 19.7 mmol), Pd(PPh3)4 (0.7 g, 0.6 mmol), NaOH (1.6 g, 39.4 mmol)을 넣고 상기 P2-1의 합성방법을 이용하여 생성물 8.1 g을 얻었다. (수율 80%)(9,9-dimethyl-9H-xanthen-2-yl)boronic acid (5.0 g, 19.7 mmol), 2-([1,1'-biphenyl]-4-yl)-4-chloro- in a round bottom flask. Add 6-phenyl-1,3,5-triazine (6.8 g, 19.7 mmol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.7 g, 0.6 mmol), and NaOH (1.6 g, 39.4 mmol) and synthesize P2-1. 8.1 g of product was obtained using . (yield 80%)

4. P2-34 합성예4. P2-34 synthesis example

Figure pat00153
Figure pat00153

둥근바닥플라스크에 spiro[fluorene-9,9'-xanthen]-3'-ylboronic acid (5.0 g, 13.3 mmol), 2-chloro-4-(dibenzo[b,d]thiophen-4-yl-d7)-6-phenyl-1,3,5-triazine (5.1 g, 13.3 mmol), Pd(PPh3)4 (0.5 g, 0.4 mmol), NaOH (1.1 g, 26.6 mmol)을 넣고 상기 P2-1의 합성방법을 이용하여 생성물 7.8 g을 얻었다. (수율 87%)In a round bottom flask, spiro[fluorene-9,9'-xanthen]-3'-ylboronic acid (5.0 g, 13.3 mmol), 2-chloro-4-(dibenzo[b,d]thiophen-4-yl-d 7 )-6-phenyl-1,3,5-triazine (5.1 g, 13.3 mmol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.5 g, 0.4 mmol), and NaOH (1.1 g, 26.6 mmol) were added to the solution of P2-1 above. Using the synthetic method, 7.8 g of product was obtained. (yield 87%)

5. P2-39 합성예5. P2-39 synthesis example

Figure pat00154
Figure pat00154

둥근바닥플라스크에 (6-phenylnaphthalen-2-yl)boronic acid (5.0 g, 20.2 mmol), 2-([1,1'-biphenyl]-4-yl)-4-chloro-6-phenyl-1,3,5-triazine (6.9 g, 20.2 mmol), Pd(PPh3)4 (0.7 g, 0.6 mmol), NaOH (1.6 g, 40.3 mmol)을 넣고 상기 P2-1의 합성방법을 이용하여 생성물 9.4 g을 얻었다. (수율 91%)(6-phenylnaphthalen-2-yl)boronic acid (5.0 g, 20.2 mmol), 2-([1,1'-biphenyl]-4-yl)-4-chloro-6-phenyl-1, Add 3,5-triazine (6.9 g, 20.2 mmol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.7 g, 0.6 mmol), and NaOH (1.6 g, 40.3 mmol) and obtain 9.4 g of product using the synthesis method of P2-1 above. got it (yield 91%)

6. P2-59 합성예6. P2-59 synthesis example

Figure pat00155
Figure pat00155

둥근바닥플라스크에 (9,10-di(naphthalen-2-yl)anthracen-2-yl)boronic acid (5.0 g, 10.5 mmol), 2-(4-bromophenyl)-1-phenyl-1H-benzo[d]imidazole (3.7 g, 10.5 mmol), Pd(PPh3)4 (0.4 g, 0.3 mmol), NaOH (0.8 g, 21.1 mmol)을 넣고 상기 P2-1의 합성방법을 이용하여 생성물 5.7 g을 얻었다. (수율 77%)(9,10-di(naphthalen-2-yl)anthracen-2-yl)boronic acid (5.0 g, 10.5 mmol), 2-(4-bromophenyl)-1-phenyl-1H-benzo[d ]imidazole (3.7 g, 10.5 mmol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.4 g, 0.3 mmol), and NaOH (0.8 g, 21.1 mmol) were added, and 5.7 g of product was obtained using the synthesis method of P2-1 above. (yield 77%)

7. P2-60 합성예7. P2-60 synthesis example

Figure pat00156
Figure pat00156

둥근바닥플라스크에 4-chloro-1-(9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)dibenzo[b,d]thiophene (5.0 g, 12.2 mmol), benzo[d]oxazol-2-ylboronic acid (2.0 g, 12.2 mmol), Pd(PPh3)4 (0.4 g, 0.4 mmol), NaOH (1.0 g, 24.3 mmol)을 넣고 상기 P2-1의 합성방법을 이용하여 생성물 4.8 g을 얻었다. (수율 80%)4-chloro-1-(9,9-dimethyl-9H-fluoren-2-yl)dibenzo[b,d]thiophene (5.0 g, 12.2 mmol) and benzo[d]oxazol-2-ylboronic acid in a round bottom flask. (2.0 g, 12.2 mmol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.4 g, 0.4 mmol), and NaOH (1.0 g, 24.3 mmol) were added, and 4.8 g of product was obtained using the synthesis method of P2-1 above. (yield 80%)

8. P2-61 합성예8. P2-61 synthesis example

Figure pat00157
Figure pat00157

둥근바닥플라스크에 (3-(9-phenyl-9H-fluoren-9-yl)phenyl)boronic acid (5.0 g, 13.8 mmol), 7-chloro-1,2-diphenyl-1H-benzo[d]imidazole (4.2 g, 13.8 mmol), Pd(PPh3)4 (0.5 g, 0.4 mmol), NaOH (1.1 g, 27.6 mmol)을 넣고 상기 P2-1의 합성방법을 이용하여 생성물 7.2 g을 얻었다. (수율 89%)(3-(9-phenyl-9H-fluoren-9-yl)phenyl)boronic acid (5.0 g, 13.8 mmol), 7-chloro-1,2-diphenyl-1H-benzo[d]imidazole ( 4.2 g, 13.8 mmol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.5 g, 0.4 mmol), and NaOH (1.1 g, 27.6 mmol) were added, and 7.2 g of product was obtained using the synthesis method of P2-1. (yield 89%)

한편, 상기와 같은 합성예에 따라 제조된 본 발명의 화합물 P2-1 내지 P2-76의 FD-MS 값은 하기 표 2와 같다.Meanwhile, the FD-MS values of compounds P2-1 to P2-76 of the present invention prepared according to the above synthesis examples are shown in Table 2 below.

화합물compound FD-MSFD-MS 화합물compound FD-MSFD-MS P2-1P2-1 m/z=475.17(C33H21N3O=475.55)m/z=475.17(C 33 H 21 N 3 O=475.55) P2-2P2-2 m/z=576.2(C40H24N4O=576.66)m/z=576.2(C 40 H 24 N 4 O=576.66) P2-3P2-3 m/z=730.24(C53H34N2S=730.93)m/z=730.24(C 53 H 34 N 2 S=730.93) P2-4P2-4 m/z=682.18(C46H26N4OS=682.8)m/z=682.18(C 46 H 26 N 4 OS=682.8) P2-5P2-5 m/z=577.25(C42H31N3=577.73)m/z=577.25(C 42 H 31 N 3 =577.73) P2-6P2-6 m/z=628.26(C45H32N4=628.78)m/z=628.26(C 45 H 32 N 4 =628.78) P2-7P2-7 m/z=628.26(C45H32N4=628.78)m/z=628.26(C 45 H 32 N 4 =628.78) P2-8P2-8 m/z=576.22(C42H28N2O=576.7)m/z=576.22(C 42 H 28 N 2 O=576.7) P2-9P2-9 m/z=725.28(C54H35N3=725.9)m/z=725.28(C 54 H 35 N 3 =725.9) P2-10P2-10 m/z=719.27(C52H34FN3=719.86)m/z=719.27(C 52 H 34 F N 3 =719.86) P2-11P2-11 m/z=716.26(C51H32N4O=716.84)m/z=716.26(C 51 H 32 N 4 O=716.84) P2-12P2-12 m/z=832.27(C59H36N4S=833.03)m/z=832.27(C 59 H 36 N 4 S=833.03) P2-13P2-13 m/z=729.26(C52H35N3Si=729.96)m/z=729.26(C 52 H 35 N 3 Si=729.96) P2-14P2-14 m/z=697.25(C52H31N3=697.84)m/z=697.25(C 52 H 31 N 3 =697.84) P2-15P2-15 m/z=829.35(C62H43N3=830.05)m/z=829.35(C 62 H 43 N 3 =830.05) P2-16P2-16 m/z=715.26(C52H33N3O=715.86)m/z=715.26(C 52 H 33 N 3 O=715.86) P2-17P2-17 m/z=750.25(C52H26D5N3OS=750.93)m/z=750.25(C 52 H 26 D 5 N 3 OS=750.93) P2-18P2-18 m/z=728.26(C52H32N4O=728.86)m/z=728.26(C 52 H 32 N 4 O=728.86) P2-19P2-19 m/z=681.2(C46H27N5S=681.82)m/z=681.2(C 46 H 27 N 5 S=681.82) P2-20P2-20 m/z=745.16(C46H24F5N3S=745.77)m/z=745.16(C 46 H 24 F 5 N 3 S=745.77) P2-21P2-21 m/z=517.22(C36H27N3O=517.63)m/z=517.22(C 36 H 27 N 3 O=517.63) P2-22P2-22 m/z=658.24(C47H34N2S=658.86)m/z=658.24(C 47 H 34 N 2 S=658.86) P2-23P2-23 m/z=615.27(C45H33N3=615.78)m/z=615.27(C 45 H 33 N 3 =615.78) P2-24P2-24 m/z=730.27(C52H34N4O=730.87)m/z=730.27(C 52 H 34 N 4 O=730.87) P2-25P2-25 m/z=682.24(C47H30N4O2=682.78)m/z=682.24(C 47 H 30 N 4 O 2 =682.78) P2-26P2-26 m/z=748.23(C51H32N4OS=748.9)m/z=748.23(C 51 H 32 N 4 OS=748.9) P2-27P2-27 m/z=867.34(C63H41N5=868.06)m/z=867.34(C 63 H 41 N 5 =868.06) P2-28P2-28 m/z=766.31(C56H38N4=766.95)m/z=766.31(C 56 H 38 N 4 =766.95) P2-29P2-29 m/z=740.26(C53H32N4O=740.87)m/z=740.26(C 53 H 32 N 4 O=740.87) P2-30P2-30 m/z=762.27(C57H34N2O=762.91)m/z=762.27(C 57 H 34 N 2 O=762.91) P2-31P2-31 m/z=704.26(C50H32N4O=704.83)m/z=704.26(C 50 H 32 N 4 O=704.83) P2-32P2-32 m/z=741.25(C52H31N5O=741.85)m/z=741.25(C 52 H 31 N 5 O=741.85) P2-33P2-33 m/z=689.22(C48H27N5O=689.78)m/z=689.22(C 48 H 27 N 5 O=689.78) P2-34P2-34 m/z=676.23(C46H20D7N3OS=676.84)m/z=676.23(C 46 H 20 D 7 N 3 OS=676.84) P2-35P2-35 m/z=739.27(C53H33N5=739.88)m/z=739.27(C 53 H 33 N 5 =739.88) P2-36P2-36 m/z=714.28(C52H34N4=714.87)m/z=714.28(C 52 H 34 N 4 =714.87) P2-37P2-37 m/z=702.28(C51H34N4=702.86)m/z=702.28(C 51 H 34 N 4 =702.86) P2-38P2-38 m/z=854.34(C63H42N4=855.06)m/z=854.34(C 63 H 42 N 4 =855.06) P2-39P2-39 m/z=511.2(C37H25N3=511.63)m/z=511.2(C 37 H 25 N 3 =511.63) P2-40P2-40 m/z=551.14(C33H18F5N3=551.52)m/z=551.14(C 33 H 18 F 5 N 3 =551.52) P2-41P2-41 m/z=410.15(C28H18N4=410.48)m/z=410.15(C 28 H 18 N 4 =410.48) P2-42P2-42 m/z=670.31(C48H38N4=670.86)m/z=670.31(C 48 H 38 N 4 =670.86) P2-43P2-43 m/z=536.2(C38H24N4=536.64)m/z=536.2(C 38 H 24 N 4 =536.64) P2-44P2-44 m/z=565.2(C37H23N7=565.64)m/z=565.2(C 37 H 23 N 7 =565.64) P2-45P2-45 m/z=594.28(C42H34N4=594.76)m/z=594.28(C 42 H 34 N 4 =594.76) P2-46P2-46 m/z=638.25(C46H30N4=638.77)m/z=638.25(C 46 H 30 N 4 =638.77) P2-47P2-47 m/z=537.2(C37H23N5=537.63)m/z=537.2(C 37 H 23 N 5 =537.63) P2-48P2-48 m/z=537.22(C39H27N3=537.67)m/z=537.22(C 39 H 27 N 3 =537.67) P2-49P2-49 m/z=436.16(C31H20N2O=436.51)m/z=436.16(C 31 H 20 N 2 O=436.51) P2-50P2-50 m/z=583.29(C43H17D11N2=583.78)m/z=583.29(C 43 H 17 D 11 N 2 =583.78) P2-51P2-51 m/z=663.27(C49H33N3=663.82)m/z=663.27(C 49 H 33 N 3 =663.82) P2-52P2-52 m/z=727.26(C53H33N3O=727.87)m/z=727.26(C 53 H 33 N 3 O=727.87) P2-53P2-53 m/z=701.25(C51H31N3O=701.83)m/z=701.25(C 51 H 31 N 3 O=701.83) P2-54P2-54 m/z=505.25(C36H31N3=505.67)m/z=505.25(C 36 H 31 N 3 =505.67) P2-55P2-55 m/z=537.18(C38H23N3O=537.62)m/z=537.18(C 38 H 23 N 3 O=537.62) P2-56P2-56 m/z=639.23(C46H29N3O=639.76)m/z=639.23(C 46 H 29 N 3 O=639.76) P2-57P2-57 m/z=674.27(C51H34N2=674.85)m/z=674.27(C 51 H 34 N 2 =674.85) P2-58P2-58 m/z=653.19(C46H27N3S=653.8)m/z=653.19(C 46 H 27 N 3 S=653.8) P2-59P2-59 m/z=698.27(C53H34N2=698.87)m/z=698.27(C 53 H 34 N 2 =698.87) P2-60P2-60 m/z=493.15(C34H23NOS=493.62)m/z=493.15(C 34 H 23 NOS=493.62) P2-61P2-61 m/z=586.24(C44H30N2=586.74)m/z=586.24(C 44 H 30 N 2 =586.74) P2-62P2-62 m/z=641.27(C48H35NO=641.81)m/z=641.27(C 48 H 35 NO=641.81) P2-63P2-63 m/z=528.13(C36H20N2OS=528.63)m/z=528.13(C 36 H 20 N 2 OS=528.63) P2-64P2-64 m/z=627.23(C45H29N3O=627.75)m/z=627.23(C 45 H 29 N 3 O=627.75) P2-65P2-65 m/z=605.19(C42H27N3S=605.76)m/z=605.19(C 42 H 27 N 3 S=605.76) P2-66P2-66 m/z=666.21(C48H30N2S=666.84)m/z=666.21(C 48 H 30 N 2 S=666.84) P2-67P2-67 m/z=600.22(C44H28N2O=600.72)m/z=600.22(C 44 H 28 N 2 O=600.72) P2-68P2-68 m/z=542.16(C36H22N4S=542.66)m/z=542.16(C 36 H 22 N 4 S=542.66) P2-69P2-69 m/z=614.27(C46H34N2=614.79)m/z=614.27(C 46 H 34 N 2 =614.79) P2-70P2-70 m/z=674.27(C51H34N2=674.85)m/z=674.27(C 51 H 34 N 2 =674.85) P2-71P2-71 m/z=549.18(C39H23N3O=549.63)m/z=549.18(C 39 H 23 N 3 O=549.63) P2-72P2-72 m/z=454.11(C30H18N2OS=454.55)m/z=454.11(C 30 H 18 N 2 OS=454.55) P2-73P2-73 m/z=662.27(C50H34N2=662.84)m/z=662.27(C 50 H 34 N 2 =662.84) P2-74P2-74 m/z=628.2(C45H28N2S=628.79)m/z=628.2(C 45 H 28 N 2 S=628.79) P2-75P2-75 m/z=525.18(C37H23N3O=525.61)m/z=525.18(C 37 H 23 N 3 O=525.61) P2-76P2-76 m/z=605.19(C42H27N3S=605.76)m/z=605.19(C 42 H 27 N 3 S=605.76)

P3 화합물 합성법P3 compound synthesis method

1. P3-1 합성예1. P3-1 synthesis example

Figure pat00158
Figure pat00158

둥근바닥플라스크에 bis(2',3',4',5',6'-pentafluoro-[1,1'-biphenyl]-4-yl)amine (3.0 g, 6.0 mmol)을 Toluene (30 mL)에 녹인 후, 4,4,5,5-tetramethyl-2-(2',3',4',5',6'-pentafluoro-[1,1'-biphenyl]-4-yl)-1,3,2-dioxaborolane (2.2 g, 6.0 mmol), Pd2(dba)3 (0.16 g, 0.18 mmol), P(t-Bu)3 (0.07 g, 0.36 mmol), NaOt-Bu (1.2 g, 12.0 mmol)을 넣고 80℃에서 반응을 진행한다. 반응이 완료되면 CH2Cl2와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한다. 이후, 생성된 유기물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물 3.3 g을 얻었다. (수율 74%)In a round bottom flask, bis(2',3',4',5',6'-pentafluoro-[1,1'-biphenyl]-4-yl)amine (3.0 g, 6.0 mmol) was mixed with Toluene (30 mL). After dissolving in 4,4,5,5-tetramethyl-2-(2',3',4',5',6'-pentafluoro-[1,1'-biphenyl]-4-yl)-1, 3,2-dioxaborolane (2.2 g, 6.0 mmol), Pd 2 (dba) 3 (0.16 g, 0.18 mmol), P(t-Bu) 3 (0.07 g, 0.36 mmol), NaOt-Bu (1.2 g, 12.0 mmol) and proceed with the reaction at 80°C. When the reaction is completed, the extract is extracted with CH 2 Cl 2 and water, and the organic layer is dried over MgSO 4 and concentrated. Afterwards, the produced organic matter was recrystallized using a silicagel column to obtain 3.3 g of product. (yield 74%)

2. P3-13 합성예2. P3-13 synthesis example

Figure pat00159
Figure pat00159

둥근바닥플라스크에 bis(4-bromophenyl)diphenylsilane (3.0 g, 6.07 mmol), Cu (3.1 g, 48.6 mmol) 및 DMSO (12 mL)을 넣고 70℃에서 녹인 후 30분 동안 교반하였다. 그 후 Perfluorohexyl iodide (6.0 g, 13.4 mmol)을 1시간 동안 천천히 적가한 뒤 120℃에서 24시간 동안 교반하였다. 반응이 완료되면 증류수를 넣은 후 생성된 고체를 감압여과하였다. 그 후 여과액은 Ethyl acetate를 이용하여 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한 뒤 생성된 화합물을 실리카겔 칼럼으로 분리 후 재결정하여 생성물 4.4 g (수율: 75%)을 얻었다.Bis(4-bromophenyl)diphenylsilane (3.0 g, 6.07 mmol), Cu (3.1 g, 48.6 mmol), and DMSO (12 mL) were added to a round bottom flask, dissolved at 70°C, and stirred for 30 minutes. Afterwards, perfluorohexyl iodide (6.0 g, 13.4 mmol) was slowly added dropwise over 1 hour and stirred at 120°C for 24 hours. When the reaction was completed, distilled water was added and the resulting solid was filtered under reduced pressure. Afterwards, the filtrate was extracted using ethyl acetate, the organic layer was dried with MgSO 4 and concentrated, and the resulting compound was separated using a silica gel column and recrystallized to obtain 4.4 g of product (yield: 75%).

3. P3-26 합성예3. P3-26 synthesis example

Figure pat00160
Figure pat00160

9,9'-(5-bromo-1,3-phenylene)bis(9H-carbazole) (3.0 g, 6.16 mmol), Cu (3.1 g, 49.2 mmol), Perfluorohexyl iodide (3.0 g, 6.77 mmol) 및 DMSO (12 mL)을 상기 P3-13의 합성법을 통해 생성물 3.2 g (수율: 72%)을 얻었다.9,9'-(5-bromo-1,3-phenylene)bis(9H-carbazole) (3.0 g, 6.16 mmol), Cu (3.1 g, 49.2 mmol), Perfluorohexyl iodide (3.0 g, 6.77 mmol) and DMSO (12 mL) was obtained through the synthesis method of P3-13 above to obtain 3.2 g of product (yield: 72%).

4. P3-30 합성예4. P3-30 synthesis example

Figure pat00161
Figure pat00161

4-bromo-1,1':4',1''-terphenyl (3.0 g, 9.70 mmol), Cu (4.9 g, 77.6 mmol), Perfluorodecyl iodide (6.9 g, 10.7 mmol) 및 DMSO (19 mL)을 상기 P3-13의 합성법을 통해 생성물 5.1 g (수율: 70%)을 얻었다.4-bromo-1,1':4',1''-terphenyl (3.0 g, 9.70 mmol), Cu (4.9 g, 77.6 mmol), Perfluorodecyl iodide (6.9 g, 10.7 mmol) and DMSO (19 mL) 5.1 g of product (yield: 70%) was obtained through the synthesis method of P3-13.

5. P3-37 합성예5. P3-37 synthesis example

Figure pat00162
Figure pat00162

둥근플라스크에 Sub5-37 (3.0 g, 3.64 mmol)을 Toluene (12 mL)에 녹인 후, Sub6-37 (1.9 g, 3.64 mmol), K2CO3 (1.5 g, 10.9 mmol) 및 Pd(PPh3)4 (0.08 g, 0.07 mmol)을 첨가하고 120℃에서 교반하였다. 반응이 완료되면 실리카겔 칼럼으로 분리 후 재결정하여 생성물 3.41 g (수율: 79%)을 얻었다.After dissolving Sub5-37 (3.0 g, 3.64 mmol) in toluene (12 mL) in a round flask, Sub6-37 (1.9 g, 3.64 mmol), K 2 CO 3 (1.5 g, 10.9 mmol) and Pd(PPh 3 ) 4 (0.08 g, 0.07 mmol) was added and stirred at 120°C. When the reaction was completed, it was separated using a silica gel column and recrystallized to obtain 3.41 g of product (yield: 79%).

6. P3-45 합성예6. P3-45 synthesis example

Figure pat00163
Figure pat00163

4,4'-dibromo-1,1'-biphenyl (1.0 g, 3.21 mmol), Sub6-45 (5.9 g, 7.05 mmol), K2CO3 (1.3 g, 9.62 mmol), Pd(PPh3)4 (0.07 g, 0.06 mmol), Toluene (11 mL)을 상기 P3-37의 합성법을 통해 생성물 4.6 g (수율: 79%)을 얻었다.4,4'-dibromo-1,1'-biphenyl (1.0 g, 3.21 mmol), Sub6-45 (5.9 g, 7.05 mmol), K 2 CO 3 (1.3 g, 9.62 mmol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.07 g, 0.06 mmol) and Toluene (11 mL) were used to obtain 4.6 g of product (yield: 79%) through the synthesis method of P3-37.

7. P3-47 합성예7. P3-47 synthesis example

Figure pat00164
Figure pat00164

3,3'-dibromo-1,1'-biphenyl (1.0 g, 3.21 mmol), Sub6-47 (8.8 g, 7.05 mmol), K2CO3 (1.3 g, 9.62 mmol), Pd(PPh3)4 (0.07 g, 0.06 mmol), Toluene (11 mL)을 상기 P3-37의 합성법을 통해 생성물 5.3 g (수율: 70%)을 얻었다.3,3'-dibromo-1,1'-biphenyl (1.0 g, 3.21 mmol), Sub6-47 (8.8 g, 7.05 mmol), K 2 CO 3 (1.3 g, 9.62 mmol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.07 g, 0.06 mmol) and Toluene (11 mL) were used to obtain 5.3 g of product (yield: 70%) through the synthesis method of P3-37.

8. P3-56 합성예8. P3-56 synthesis example

Figure pat00165
Figure pat00165

9,10-dibromoanthracene (2.0 g, 6.99 mmol), Sub6-37 (8.0 g, 15.4 mmol), K2CO3 (2.90 g, 21.0 mmol), Pd(PPh3)4 (0.16 g, 0.14 mmol), Toluene (23 mL)을 상기 P3-37의 합성법을 통해 생성물 4.8 g (수율: 75%)을 얻었다.9,10-dibromoanthracene (2.0 g, 6.99 mmol), Sub6-37 (8.0 g, 15.4 mmol), K 2 CO 3 (2.90 g, 21.0 mmol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.16 g, 0.14 mmol), Toluene (23 mL) was obtained through the synthesis method of P3-37 above to obtain 4.8 g of product (yield: 75%).

한편, 상기와 같은 합성예에 따라 제조된 본 발명의 화합물 P3-1 내지 P3-106의 FD-MS 값은 하기 표 3과 같다.Meanwhile, the FD-MS values of compounds P3-1 to P3-106 of the present invention prepared according to the above synthesis examples are shown in Table 3 below.

화합물compound FD-MSFD-MS 화합물compound FD-MSFD-MS P3-1P3-1 m/z=743.07(C36H12F15N=743.48)m/z=743.07(C 36 H 12 F 15 N=743.48) P3-2P3-2 m/z=958.96(C36F27N=959.36)m/z=958.96(C 36 F 27 N=959.36) P3-3P3-3 m/z=555.12(C31H17F8N=555.47)m/z=555.12(C 31 H 17 F 8 N=555.47) P3-4P3-4 m/z=703.14(C40H19F10N=703.58)m/z=703.14(C 40 H 19 F 10 N=703.58) P3-5P3-5 m/z=517.09(C30H16F5NS=517.52)m/z=517.09(C 30 H 16 F 5 NS=517.52) P3-6P3-6 m/z=818.18(C48H24F10N2=818.72)m/z=818.18(C 48 H 24 F 10 N 2 =818.72) P3-7P3-7 m/z=671.19(C40H25F8N=671.63)m/z=671.19(C 40 H 25 F 8 N=671.63) P3-8P3-8 m/z=1199.03(C36H12F39N=1199.44)m/z=1199.03(C 36 H 12 F 39 N=1199.44) P3-9P3-9 m/z=1040.15(C54H22F18N2=1040.76)m/z=1040.15(C 54 H 22 F 18 N 2 =1040.76) P3-10P3-10 m/z=964.12(C48H18F18N2=964.66)m/z=964.12(C 48 H 18 F 18 N 2 =964.66) P3-11P3-11 m/z=870.21(C52H28F10N2=870.79)m/z=870.21(C 52 H 28 F 10 N 2 =870.79) P3-12P3-12 m/z=804.08(C42H18F10N2S2=804.72)m/z=804.08(C 42 H 18 F 10 N 2 S 2 =804.72) P3-13P3-13 m/z=972.08(C36H18F26Si=972.58)m/z=972.08(C 36 H 18 F 26 Si=972.58) P3-14P3-14 m/z=1124.14(C48H26F26Si=1124.78)m/z=1124.14(C 48 H 26 F 26 Si=1124.78) P3-15P3-15 m/z=1124.14(C48H26F26Si=1124.78)m/z=1124.14(C 48 H 26 F 26 Si=1124.78) P3-16P3-16 m/z=1124.14(C48H26F26Si=1124.78)m/z=1124.14(C 48 H 26 F 26 Si=1124.78) P3-17P3-17 m/z=1760.08(C60H24F52Si=1760.85)m/z=1760.08(C 60 H 24 F 52 Si=1760.85) P3-18P3-18 m/z=2162.05(C66H22F68N2Si=2162.89)m/z=2162.05(C 66 H 22 F 68 N 2 Si=2162.89) P3-19P3-19 m/z=2260.09(C76H28F68Si=2261.04)m/z=2260.09(C 76 H 28 F 68 Si=2261.04) P3-20P3-20 m/z=2186.11(C76H30F64Si=2187.06)m/z=2186.11(C 76 H 30 F 64 Si=2187.06) P3-21P3-21 m/z=956.1(C37H18F26=956.51)m/z=956.1(C 37 H 18 F 26 =956.51) P3-22P3-22 m/z=866.22(C49H31F13=866.77)m/z=866.22(C 49 H 31 F 13 =866.77) P3-23P3-23 m/z=1056.13(C45H22F26=1056.63)m/z=1056.13(C 45 H 22 F 26 =1056.63) P3-24P3-24 m/z=1108.16(C49H26F26=1108.71)m/z=1108.16(C 49 H 26 F 26 =1108.71) P3-25P3-25 m/z=1044.11(C42H18F26N2=1044.58)m/z=1044.11(C 42 H 18 F 26 N 2 =1044.58) P3-26P3-26 m/z=726.13(C36H19F13N2=726.54)m/z=726.13(C 36 H 19 F 13 N 2 =726.54) P3-27P3-27 m/z=810.23(C42H31F13N2=810.7)m/z=810.23(C 42 H 31 F 13 N 2 =810.7) P3-28P3-28 m/z=790.08(C36H19F13N2S2=790.66)m/z=790.08(C 36 H 19 F 13 N 2 S 2 =790.66) P3-29P3-29 m/z=548.08(C24H13F13=548.35)m/z=548.08(C 24 H 13 F 13 =548.35) P3-30P3-30 m/z=748.07(C28H13F21=748.38)m/z=748.07(C 28 H 13 F 21 =748.38) P3-31P3-31 m/z=1064.02(C34H10F34=1064.4)m/z=1064.02(C 34 H 10 F 34 =1064.4) P3-32P3-32 m/z=1190(C32H8F42=1190.35)m/z=1190(C 32 H 8 F 42 =1190.35) P3-33P3-33 m/z=753.1(C28H8D5F21=753.41)m/z=753.1(C 28 H 8 D 5 F 21 =753.41) P3-34P3-34 m/z=564.08(C24H13F13O=564.35)m/z=564.08(C 24 H 13 F 13 O=564.35) P3-35P3-35 m/z=978.18(C38H28F26=978.6)m/z=978.18(C 38 H 28 F 26 =978.6) P3-36P3-36 m/z=1002.03(C32H10F32=1002.38)m/z=1002.03(C 32 H 10 F 32 =1002.38) P3-37P3-37 m/z=1184.02(C36H11F39=1184.42)m/z=1184.02(C 36 H 11 F 39 =1184.42) P3-38P3-38 m/z=1820.07(C50H7D8F63=1820.62)m/z=1820.07(C 50 H 7 D 8 F 63 =1820.62) P3-39P3-39 m/z=1266.03(C38H12F42=1266.45)m/z=1266.03(C 38 H 12 F 42 =1266.45) P3-40P3-40 m/z=1358.05(C44H16F42O=1358.54)m/z=1358.05(C 44 H 16 F 42 O=1358.54) P3-41P3-41 m/z=1502(C42H10F52=1502.46)m/z=1502(C 42 H 10 F 52 =1502.46) P3-42P3-42 m/z=1634.09(C52H22F52=1634.66)m/z=1634.09(C 52 H 22 F 52 =1634.66) P3-43P3-43 m/z=1734.03(C58H18F52S=1734.76)m/z=1734.03(C 58 H 18 F 52 S=1734.76) P3-44P3-44 m/z=1010.07(C37H15F29=1010.48)m/z=1010.07(C 37 H 15 F 29 =1010.48) P3-45P3-45 m/z=1578.03(C48H14F52=1578.56)m/z=1578.03(C 48 H 14 F 52 =1578.56) P3-46P3-46 m/z=1690.15(C56H30F52=1690.77)m/z=1690.15(C 56 H 30 F 52 =1690.77) P3-47P3-47 m/z=2377.98(C64H14F84=2378.68)m/z=2377.98(C 64 H 14 F 84 =2378.68) P3-48P3-48 m/z=2088.11(C72H27F63=2088.91)m/z=2088.11(C 72 H 27 F 63 =2088.91) P3-49P3-49 m/z=2088.11(C72H27F63=2088.91)m/z=2088.11(C 72 H 27 F 63 =2088.91) P3-50P3-50 m/z=3641.99(C102H24F126=3643.11)m/z=3641.99(C 102 H 24 F 126 =3643.11) P3-51P3-51 m/z=1806.12(C66H26F52=1806.85)m/z=1806.12(C 66 H 26 F 52 =1806.85) P3-52P3-52 m/z=916.07(C34H14F26=916.44)m/z=916.07(C 34 H 14 F 26 =916.44) P3-53P3-53 m/z=2427.99(C68H16F84=2428.74)m/z=2427.99(C 68 H 16 F 84 =2428.74) P3-54P3-54 m/z=916.07(C34H14F26=916.44)m/z=916.07(C 34 H 14 F 26 =916.44) P3-55P3-55 m/z=1552.01(C46H12F52=1552.52)m/z=1552.01(C 46 H 12 F 52 =1552.52) P3-56P3-56 m/z=966.08(C38H16F26=966.5)m/z=966.08(C 38 H 16 F 26 =966.5) P3-57P3-57 m/z=2458.04(C70H22F84=2458.81)m/z=2458.04(C 70 H 22 F 84 =2458.81) P3-58P3-58 m/z=942.08(C36H16F26=942.48)m/z=942.08(C 36 H 16 F 26 =942.48) P3-59P3-59 m/z=992.1(C40H18F26=992.54)m/z=992.1(C 40 H 18 F 26 =992.54) P3-60P3-60 m/z=943.08(C35H15F26N=943.47)m/z=943.08(C 35 H 15 F 26 N=943.47) P3-61P3-61 m/z=992.1(C40H18F26=992.54)m/z=992.1(C 40 H 18 F 26 =992.54) P3-62P3-62 m/z=1242.1(C48H20F34=1242.63)m/z=1242.1(C 48 H 20 F 34 =1242.63) P3-63P3-63 m/z=943.08(C35H15F26N=943.47)m/z=943.08(C 35 H 15 F 26 N=943.47) P3-64P3-64 m/z=1432.07(C50H18F42O=1432.63)m/z=1432.07(C 50 H 18 F 42 O=1432.63) P3-65P3-65 m/z=1358.13(C51H24F38=1358.69)m/z=1358.13(C 51 H 24 F 38 =1358.69) P3-66P3-66 m/z=1136.12(C47H21F29=1136.64)m/z=1136.12(C 47 H 21 F 29 =1136.64) P3-67P3-67 m/z=1158.08(C46H17F31=1158.59)m/z=1158.08(C 46 H 17 F 31 =1158.59) P3-68P3-68 m/z=972.09(C37H18F26O=972.51)m/z=972.09(C 37 H 18 F 26 O=972.51) P3-69P3-69 m/z=958.08(C36H16F26O=958.48)m/z=958.08(C 36 H 16 F 26 O=958.48) P3-70P3-70 m/z=986.11(C38H20F26O=986.54)m/z=986.11(C 38 H 20 F 26 O=986.54) P3-71P3-71 m/z=987.07(C36H15F26NO2=987.48)m/z=987.07(C 36 H 15 F 26 NO 2 =987.48) P3-72P3-72 m/z=998.15(C40H24F26=998.59)m/z=998.15(C 40 H 24 F 26 =998.59) P3-73P3-73 m/z=1024.16(C42H26F26=1024.63)m/z=1024.16(C 42 H 26 F 26 =1024.63) P3-74P3-74 m/z=1109.16(C48H25F26N=1109.69)m/z=1109.16(C 48 H 25 F 26 N=1109.69) P3-75P3-75 m/z=970.08(C37H16F26O=970.49)m/z=970.08(C 37 H 16 F 26 O=970.49) P3-76P3-76 m/z=1057.15(C41H25F26NO2=1057.61)m/z=1057.15(C 41 H 25 F 26 NO 2 =1057.61) P3-77P3-77 m/z=984.09(C38H18F26O=984.52)m/z=984.09(C 38 H 18 F 26 O=984.52) P3-78P3-78 m/z=1014.1(C39H20F26O2=1014.55)m/z=1014.1(C 39 H 20 F 26 O 2 =1014.55) P3-79P3-79 m/z=1082.08(C42H20F26O2S=1082.64)m/z=1082.08(C 42 H 20 F 26 O 2 S=1082.64) P3-80P3-80 m/z=1066.09(C42H21F26OP=1066.56)m/z=1066.09(C 42 H 21 F 26 OP=1066.56) P3-81P3-81 m/z=988.11(C43H19F23O=988.59)m/z=988.11(C 43 H 19 F 23 O=988.59) P3-82P3-82 m/z=990.18(C46H30F20Si=990.8)m/z=990.18(C 46 H 30 F 20 Si=990.8) P3-83P3-83 m/z=878.22(C42H32F18=878.69)m/z=878.22(C 42 H 32 F 18 =878.69) P3-84P3-84 m/z=1242.15(C56H29F26OP=1242.78)m/z=1242.15(C 56 H 29 F 26 OP=1242.78) P3-85P3-85 m/z=1106.09(C40H18F32=1106.53)m/z=1106.09(C 40 H 18 F 32 =1106.53) P3-86P3-86 m/z=1206.08(C42H18F36=1206.55)m/z=1206.08(C 42 H 18 F 36 =1206.55) P3-87P3-87 m/z=1434.1(C48H22F44=1434.63)m/z=1434.1(C 48 H 22 F 44 =1434.63) P3-88P3-88 m/z=2034.06(C60H22F68=2034.73)m/z=2034.06(C 60 H 22 F 68 =2034.73) P3-89P3-89 m/z=1024.09(C38H17F29=1024.51)m/z=1024.09(C 38 H 17 F 29 =1024.51) P3-90P3-90 m/z=1274.07(C43H17F39=1274.55)m/z=1274.07(C 43 H 17 F 39 =1274.55) P3-91P3-91 m/z=1316.12(C46H23F39=1316.63)m/z=1316.12(C 46 H 23 F 39 =1316.63) P3-92P3-92 m/z=634.15(C32H22F12=634.51)m/z=634.15(C 32 H 22 F 12 =634.51) P3-93P3-93 m/z=834.14(C36H22F20=834.54)m/z=834.14(C 36 H 22 F 20 =834.54) P3-94P3-94 m/z=1434.1(C48H22F44=1434.63)m/z=1434.1(C 48 H 22 F 44 =1434.63) P3-95P3-95 m/z=970.11(C38H20F26=970.54)m/z=970.11(C 38 H 20 F 26 =970.54) P3-96P3-96 m/z=998.15(C40H24F26=998.59)m/z=998.15(C 40 H 24 F 26 =998.59) P3-97P3-97 m/z=1026.18(C42H28F26=1026.64)m/z=1026.18(C 42 H 28 F 26 =1026.64) P3-98P3-98 m/z=1054.21(C44H32F26=1054.7)m/z=1054.21(C 44 H 32 F 26 =1054.7) P3-99P3-99 m/z=1110.27(C48H40F26=1110.81)m/z=1110.27(C 48 H 40 F 26 =1110.81) P3-100P3-100 m/z=1054.21(C44H32F26=1054.7)m/z=1054.21(C 44 H 32 F 26 =1054.7) P3-101P3-101 m/z=516.13(C32H18F6=516.49)m/z=516.13(C 32 H 18 F 6 =516.49) P3-102P3-102 m/z=690.18(C46H24F6=690.69)m/z=690.18(C 46 H 24 F 6 =690.69) P3-103P3-103 m/z=572.16(C38H21F5=572.58)m/z=572.16(C 38 H 21 F 5 =572.58) P3-104P3-104 m/z=532.09(C29H13F9=532.41)m/z=532.09(C 29 H 13 F 9 =532.41) P3-105P3-105 m/z=456.15(C30H20F4=456.48)m/z=456.15(C 30 H 20 F 4 =456.48) P3-106P3-106 m/z=556.13(C34H21F5S=556.59)m/z=556.13(C 34 H 21 F 5 S=556.59)

P4 화합물 합성법P4 compound synthesis method

1. P4-11 합성예1. P4-11 synthesis example

Figure pat00166
Figure pat00166

둥근바닥플라스크에 2-(4-bromophenyl)benzo[d]thiazole (5.0 g, 17.2 mmol)을 Toluene (57 mL)에 녹인 후, bis(4-(naphthalen-1-yl)phenyl)amine (7.3 g, 17.2 mmol), Pd2(dba)3 (0.5 g, 0.5 mmol), P(t-Bu)3 (0.4 mL, 1.0 mmol), NaOt-Bu (3.3 g, 34.5 mmol)을 넣고 60℃에서 반응을 진행한다. 반응이 완료되면 CH2Cl2와 물로 추출한 후 유기층을 MgSO4로 건조하고 농축한다. 이후, 생성된 유기물을 silicagel column 및 재결정하여 생성물 8.9 g을 얻었다. (수율 82%)Dissolve 2-(4-bromophenyl)benzo[d]thiazole (5.0 g, 17.2 mmol) in toluene (57 mL) in a round bottom flask, then add bis(4-(naphthalen-1-yl)phenyl)amine (7.3 g) , 17.2 mmol), Pd 2 (dba) 3 (0.5 g, 0.5 mmol), P(t-Bu) 3 (0.4 mL, 1.0 mmol), NaOt-Bu (3.3 g, 34.5 mmol) were added and reacted at 60°C. proceed. When the reaction is completed, the extract is extracted with CH 2 Cl 2 and water, and the organic layer is dried over MgSO 4 and concentrated. Afterwards, the produced organic material was recrystallized using a silicagel column to obtain 8.9 g of product. (yield 82%)

2. P4-13 합성예2. P4-13 synthesis example

Figure pat00167
Figure pat00167

둥근바닥플라스크에 2-(4-bromophenyl)benzo[d]oxazole (5.0 g, 18.2 mmol), dibenzo[b,d]thiophen-3-amine (1.8 g, 9.1 mmol), Pd2(dba)3 (0.3 g, 0.3 mmol), P(t-Bu)3 (0.2 mL, 0.5 mmol), NaOt-Bu (1.8 g, 18.2 mmol)을 넣고 상기 P4-11의 합성방법을 이용하여 생성물 6.7 g을 얻었다. (수율 63%)In a round bottom flask, 2-(4-bromophenyl)benzo[d]oxazole (5.0 g, 18.2 mmol), dibenzo[b,d]thiophen-3-amine (1.8 g, 9.1 mmol), Pd 2 (dba) 3 ( 0.3 g, 0.3 mmol), P(t-Bu) 3 (0.2 mL, 0.5 mmol), and NaOt-Bu (1.8 g, 18.2 mmol) were added, and 6.7 g of product was obtained using the synthesis method of P4-11 above. (yield 63%)

3. P4-14 합성예3. P4-14 synthesis example

Figure pat00168
Figure pat00168

둥근바닥플라스크에 2-(4-bromophenyl)benzo[d]thiazole (5.0 g, 17.2 mmol), 9,9'-spirobi[fluoren]-4-amine (2.9 g, 8.6 mmol), Pd2(dba)3 (0.2 g, 0.3 mmol), P(t-Bu)3 (0.2 mL, 0.5 mmol), NaOt-Bu (1.7 g, 17.2 mmol)을 넣고 상기 P4-11의 합성방법을 이용하여 생성물 8 g을 얻었다. (수율 62%)2-(4-bromophenyl)benzo[d]thiazole (5.0 g, 17.2 mmol), 9,9'-spirobi[fluoren]-4-amine (2.9 g, 8.6 mmol), Pd 2 (dba) in a round bottom flask. 3 (0.2 g, 0.3 mmol), P(t-Bu) 3 (0.2 mL, 0.5 mmol), and NaOt-Bu (1.7 g, 17.2 mmol) were added, and 8 g of product was obtained using the synthesis method of P4-11 above. got it (yield 62%)

4. P4-28 합성예4. P4-28 synthesis example

Figure pat00169
Figure pat00169

둥근바닥플라스크에 9-bromonaphtho[1,2-b]benzofuran (5.0 g, 16.8 mmol), N-(2-(benzo[d]thiazol-2-yl)phenyl)dibenzo[b,d]thiophen-2-amine (6.9 g, 16.8 mmol), Pd2(dba)3 (0.5 g, 0.5 mmol), P(t-Bu)3 (0.4 mL, 1.0 mmol), NaOt-Bu (3.2 g, 33.7 mmol)을 넣고 상기 P4-11의 합성방법을 이용하여 생성물 7.3 g을 얻었다. (수율 69%)9-bromonaphtho[1,2-b]benzofuran (5.0 g, 16.8 mmol), N-(2-(benzo[d]thiazol-2-yl)phenyl)dibenzo[b,d]thiophen-2 in a round bottom flask. -amine (6.9 g, 16.8 mmol), Pd 2 (dba) 3 (0.5 g, 0.5 mmol), P(t-Bu) 3 (0.4 mL, 1.0 mmol), NaOt-Bu (3.2 g, 33.7 mmol) 7.3 g of product was obtained using the synthesis method of P4-11 above. (yield 69%)

5. P4-38 합성예5. P4-38 synthesis example

Figure pat00170
Figure pat00170

둥근바닥플라스크에 N-(4-(benzo[d]oxazol-2-yl)phenyl)-8-bromo-N-phenyldibenzo[b,d]thiophen-3-amine (5.0 g, 9.1 mmol), 4-(benzo[d]oxazol-2-yl)-N-phenylaniline (2.6 g, 9.1 mmol), Pd2(dba)3 (0.3 g, 0.3 mmol), P(t-Bu)3 (0.2 mL, 0.5 mmol), NaOt-Bu (1.8 g, 18.3 mmol)을 넣고 상기 P4-11의 합성방법을 이용하여 생성물 5.8 g을 얻었다. (수율 84%)N-(4-(benzo[d]oxazol-2-yl)phenyl)-8-bromo-N-phenyldibenzo[b,d]thiophen-3-amine (5.0 g, 9.1 mmol), 4- in a round bottom flask. (benzo[d]oxazol-2-yl)-N-phenylaniline (2.6 g, 9.1 mmol), Pd 2 (dba) 3 (0.3 g, 0.3 mmol), P(t-Bu) 3 (0.2 mL, 0.5 mmol) ), NaOt-Bu (1.8 g, 18.3 mmol) were added, and 5.8 g of product was obtained using the synthesis method of P4-11 above. (yield 84%)

6. P4-53 합성예6. P4-53 synthesis example

Figure pat00171
Figure pat00171

둥근바닥플라스크에 (4-(benzo[d]oxazol-2-yl)phenyl)boronic acid (5.0 g, 20.9 mmol), 2-([1,1'-biphenyl]-4-yl)-4-chloro-6-phenyl-1,3,5-triazine (7.2 g, 20.9 mmol), Pd(PPh3)4 (0.7 g, 0.6 mmol), NaOH (1.7 g, 41.8 mmol)을 넣고 상기 P4-11의 합성방법을 이용하여 생성물 9.4 g을 얻었다. (수율 89%)(4-(benzo[d]oxazol-2-yl)phenyl)boronic acid (5.0 g, 20.9 mmol), 2-([1,1'-biphenyl]-4-yl)-4-chloro in a round bottom flask. -6-phenyl-1,3,5-triazine (7.2 g, 20.9 mmol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.7 g, 0.6 mmol), and NaOH (1.7 g, 41.8 mmol) were added and the synthesis of P4-11 was performed. 9.4 g of product was obtained using the method. (yield 89%)

7. P4-64 합성예7. P4-64 synthesis example

Figure pat00172
Figure pat00172

둥근바닥플라스크에 2-(3'-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)-[1,1'-biphenyl]-3-yl)benzo[d]thiazole (5.0 g, 12.1 mmol), 2-chloro-4-phenyl-6-(spiro[fluorene-9,9'-xanthen]-2'-yl)-1,3,5-triazine (6.3 g, 12.1 mmol), Pd(PPh3)4 (0.4 g, 0.4 mmol), NaOH (1.0 g, 24.2 mmol)을 넣고 상기 P4-53의 합성방법을 이용하여 생성물 7.9 g을 얻었다. (수율 84%)In a round bottom flask, 2-(3'-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)-[1,1'-biphenyl]-3-yl)benzo[d ]thiazole (5.0 g, 12.1 mmol), 2-chloro-4-phenyl-6-(spiro[fluorene-9,9'-xanthen]-2'-yl)-1,3,5-triazine (6.3 g, 12.1 mmol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.4 g, 0.4 mmol), and NaOH (1.0 g, 24.2 mmol) were added, and 7.9 g of product was obtained using the synthesis method of P4-53 above. (yield 84%)

8. P4-78 합성예8. P4-78 synthesis example

Figure pat00173
Figure pat00173

둥근바닥플라스크에 (3-(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)phenyl)boronic acid (5.0 g, 15.9 mmol), 9-bromo-10-(9,9-dimethyl-9H-fluoren-3-yl)anthracene (7.2 g, 15.9 mmol), Pd(PPh3)4 (0.6 g, 0.5 mmol), NaOH (1.3 g, 31.8 mmol)을 넣고 상기 P4-53의 합성방법을 이용하여 생성물 8 g을 얻었다. (수율 79%)(3-(1-phenyl-1H-benzo[d]imidazol-2-yl)phenyl)boronic acid (5.0 g, 15.9 mmol), 9-bromo-10-(9,9-dimethyl-9H) in a round bottom flask. Add -fluoren-3-yl)anthracene (7.2 g, 15.9 mmol), Pd(PPh 3 ) 4 (0.6 g, 0.5 mmol), and NaOH (1.3 g, 31.8 mmol) using the synthesis method of P4-53 above. 8 g of product was obtained. (yield 79%)

9. P4-83 합성예9. P4-83 synthesis example

Figure pat00174
Figure pat00174

둥근바닥플라스크에 2-(4'-bromo-[1,1'-biphenyl]-4-yl)benzo[b]thiophene (5.0 g, 13.7 mmol), bis(4-(naphthalen-2-yl)phenyl)amine (5.8 g, 13.7 mmol), Pd2(dba)3 (0.4 g, 0.4 mmol), P(t-Bu)3 (0.3 mL, 0.8 mmol), NaOt-Bu (2.6 g, 27.4 mmol)을 넣고 상기 P4-11의 합성방법을 이용하여 생성물 7.8 g을 얻었다. (수율 81%)2-(4'-bromo-[1,1'-biphenyl]-4-yl)benzo[b]thiophene (5.0 g, 13.7 mmol), bis(4-(naphthalen-2-yl)phenyl) in a round bottom flask. )amine (5.8 g, 13.7 mmol), Pd 2 (dba) 3 (0.4 g, 0.4 mmol), P(t-Bu) 3 (0.3 mL, 0.8 mmol), NaOt-Bu (2.6 g, 27.4 mmol) and obtained 7.8 g of product using the synthesis method of P4-11 above. (yield 81%)

한편, 상기와 같은 합성예에 따라 제조된 본 발명의 화합물 P4-1 내지 P4-92의 FD-MS 값은 하기 표 4와 같다.Meanwhile, the FD-MS values of compounds P4-1 to P4-92 of the present invention prepared according to the above synthesis examples are shown in Table 4 below.

화합물compound FD-MSFD-MS 화합물compound FD-MSFD-MS P4-1P4-1 m/z=286.11(C19H14N2O=286.33)m/z=286.11(C 19 H 14 N 2 O=286.33) P4-2P4-2 m/z=454.15(C31H22N2S=454.59)m/z=454.15(C 31 H 22 N 2 S=454.59) P4-3P4-3 m/z=403.13(C26H17N3O2=403.44)m/z=403.13(C 26 H 17 N 3 O 2 =403.44) P4-4P4-4 m/z=495.14(C32H21N3OS=495.6)m/z=495.14(C 32 H 21 N 3 OS=495.6) P4-5P4-5 m/z=509.12(C32H19N3O2S=509.58)m/z=509.12(C 32 H 19 N 3 O 2 S=509.58) P4-6P4-6 m/z=657.19(C45H27N3OS=657.79)m/z=657.19(C 45 H 27 N 3 OS=657.79) P4-7P4-7 m/z=554.18(C39H26N2S=554.71)m/z=554.18(C 39 H 26 N 2 S=554.71) P4-8P4-8 m/z=554.18(C39H26N2S=554.71)m/z=554.18(C 39 H 26 N 2 S=554.71) P4-9P4-9 m/z=362.14(C25H18N2O=362.43)m/z=362.14(C 25 H 18 N 2 O=362.43) P4-10P4-10 m/z=589.25(C43H31N3=589.74)m/z=589.25(C 43 H 31 N 3 =589.74) P4-11P4-11 m/z=630.21(C45H30N2S=630.81)m/z=630.21(C 45 H 30 N 2 S=630.81) P4-12P4-12 m/z=605.21(C42H27N3O2=605.7)m/z=605.21(C 42 H 27 N 3 O 2 =605.7) P4-13P4-13 m/z=585.15(C38H23N3O2S=585.68)m/z=585.15(C 38 H 23 N 3 O 2 S=585.68) P4-14P4-14 m/z=749.2(C51H31N3S2=749.95)m/z=749.2(C 51 H 31 N 3 S 2 =749.95) P4-15P4-15 m/z=661.18(C44H27N3O2S=661.78)m/z=661.18(C 44 H 27 N 3 O 2 S=661.78) P4-16P4-16 m/z=511.12(C32H21N3S2=511.66)m/z=511.12(C 32 H 21 N 3 S 2 =511.66) P4-17P4-17 m/z=651.14(C42H25N3OS2=651.8)m/z=651.14(C 42 H 25 N 3 O S 2 =651.8) P4-18P4-18 m/z=372.2(C25H8D10N2O=372.49)m/z=372.2(C 25 H 8 D 10 N 2 O=372.49) P4-19P4-19 m/z=561.13(C36H23N3S2=561.72)m/z=561.13(C 36 H 23 N 3 S 2 =561.72) P4-20P4-20 m/z=587.15(C38H25N3S2=587.76)m/z=587.15(C 38 H 25 N 3 S 2 =587.76) P4-21P4-21 m/z=635.17(C42H25N3O2S=635.74)m/z=635.17(C 42 H 25 N 3 O 2 S=635.74) P4-22P4-22 m/z=644.12(C39H24N4S3=644.83)m/z=644.12(C 39 H 24 N 4 S 3 =644.83) P4-23P4-23 m/z=784.25(C56H36N2OS=784.98)m/z=784.25(C 56 H 36 N 2 OS=784.98) P4-24P4-24 m/z=665.19(C44H28FN3OS=665.79)m/z=665.19(C 44 H 28 FN 3 OS=665.79) P4-25P4-25 m/z=648.31(C47H40N2O=648.85)m/z=648.31(C 47 H 40 N 2 O=648.85) P4-26P4-26 m/z=721.22(C50H31N3OS=721.88)m/z=721.22(C 50 H 31 N 3 OS=721.88) P4-27P4-27 m/z=736.23(C50H32N4OS=736.89)m/z=736.23(C 50 H 32 N 4 OS=736.89) P4-28P4-28 m/z=624.13(C41H24N2OS2=624.78)m/z=624.13(C 41 H 24 N 2 O S 2 =624.78) P4-29P4-29 m/z=579.23(C41H29N3O=579.7)m/z=579.23(C 41 H 29 N 3 O=579.7) P4-30P4-30 m/z=730.31(C53H38N4=730.92)m/z=730.31(C 53 H 38 N 4 =730.92) P4-31P4-31 m/z=737.29(C52H39N3S=737.97)m/z=737.29(C 52 H 39 N 3 S=737.97) P4-32P4-32 m/z=604.23(C42H28N4O=604.71)m/z=604.23(C 42 H 28 N 4 O=604.71) P4-33P4-33 m/z=813.24(C56H35N3O2S=813.98)m/z=813.24(C 56 H 35 N 3 O 2 S=813.98) P4-34P4-34 m/z=875.3(C62H41N3OS=876.09)m/z=875.3(C 62 H 41 N 3 OS=876.09) P4-35P4-35 m/z=692.17(C44H28N4OS2=692.86)m/z=692.17(C 44 H 28 N 4 OS 2 =692.86) P4-36P4-36 m/z=635.2(C43H29N3OS=635.79)m/z=635.2(C 43 H 29 N 3 OS=635.79) P4-37P4-37 m/z=768.2(C50H32N4OS2=768.95)m/z=768.2(C 50 H 32 N 4 OS 2 =768.95) P4-38P4-38 m/z=752.22(C50H32N4O2S=752.89)m/z=752.22(C 50 H 32 N 4 O 2 S=752.89) P4-39P4-39 m/z=665.16(C43H27N3OS2=665.83)m/z=665.16(C 43 H 27 N 3 OS 2 =665.83) P4-40P4-40 m/z=760.27(C53H36N4S=760.96)m/z=760.27(C 53 H 36 N 4 S=760.96) P4-41P4-41 m/z=661.26(C46H35N3S=661.87)m/z=661.26(C 46 H 35 N 3 S=661.87) P4-42P4-42 m/z=752.22(C50H32N4O2S=752.89)m/z=752.22(C 50 H 32 N 4 O 2 S=752.89) P4-43P4-43 m/z=724.23(C49H32N4OS=724.88)m/z=724.23(C 49 H 32 N 4 OS=724.88) P4-44P4-44 m/z=751.32(C53H41N3O2=751.93)m/z=751.32(C 53 H 41 N 3 O 2 =751.93) P4-45P4-45 m/z=725.21(C49H31N3O2S=725.87)m/z=725.21(C 49 H 31 N 3 O 2 S=725.87) P4-46P4-46 m/z=751.21(C51H33N3S2=751.97)m/z=751.21(C 51 H 33 N 3 S 2 =751.97) P4-47P4-47 m/z=635.2(C43H29N3OS=635.79)m/z=635.2(C 43 H 29 N 3 OS=635.79) P4-48P4-48 m/z=745.27(C53H35N3O2=745.88)m/z=745.27(C 53 H 35 N 3 O 2 =745.88) P4-49P4-49 m/z=752.22(C50H32N4O2S=752.89)m/z=752.22(C 50 H 32 N 4 O 2 S=752.89) P4-50P4-50 m/z=815.22(C55H33N3O3S=815.95)m/z=815.22(C 55 H 33 N 3 O 3 S=815.95) P4-51P4-51 m/z=893.29(C62H43N3S2=894.17)m/z=893.29(C 62 H 43 N 3 S 2 =894.17) P4-52P4-52 m/z=803.24(C55H37N3S2=804.04)m/z=803.24(C 55 H 37 N 3 S 2 =804.04) P4-53P4-53 m/z=502.18(C34H22N4O=502.58)m/z=502.18(C 34 H 22 N 4 O=502.58) P4-54P4-54 m/z=666.24(C47H30N4O=666.78)m/z=666.24(C 47 H 30 N 4 O=666.78) P4-55P4-55 m/z=622.18(C41H26N4OS=622.75)m/z=622.18(C 41 H 26 N 4 OS=622.75) P4-56P4-56 m/z=560.15(C36H21FN4S=560.65)m/z=560.15(C 36 H 21 FN 4 S=560.65) P4-57P4-57 m/z=607.18(C40H25N5S=607.74)m/z=607.18(C 40 H 25 N 5 S=607.74) P4-58P4-58 m/z=733.23(C50H31N5S=733.89)m/z=733.23(C 50 H 31 N 5 S=733.89) P4-59P4-59 m/z=685.19(C45H27N5OS=685.81)m/z=685.19(C 45 H 27 N 5 OS=685.81) P4-60P4-60 m/z=482.21(C32H26N4O=482.59)m/z=482.21(C 32 H 26 N 4 O=482.59) P4-61P4-61 m/z=602.21(C42H26N4O=602.7)m/z=602.21(C 42 H 26 N 4 O=602.7) P4-62P4-62 m/z=608.17(C40H24N4OS=608.72)m/z=608.17(C 40 H 24 N 4 OS=608.72) P4-63P4-63 m/z=503.17(C33H21N5O=503.57)m/z=503.17(C 33 H 21 N 5 O=503.57) P4-64P4-64 m/z=772.23(C53H32N4OS=772.93)m/z=772.23(C 53 H 32 N 4 OS=772.93) P4-65P4-65 m/z=648.2(C43H28N4OS=648.78)m/z=648.2(C 43 H 28 N 4 OS=648.78) P4-66P4-66 m/z=648.2(C43H28N4OS=648.78)m/z=648.2(C 43 H 28 N 4 OS=648.78) P4-67P4-67 m/z=568.17(C38H24N4S=568.7)m/z=568.17(C 38 H 24 N 4 S=568.7) P4-68P4-68 m/z=568.17(C38H24N4S=568.7)m/z=568.17(C 38 H 24 N 4 S=568.7) P4-69P4-69 m/z=549.21(C41H27NO=549.67)m/z=549.21(C 41 H 27 NO=549.67) P4-70P4-70 m/z=437.12(C31H19NS=437.56)m/z=437.12(C 31 H 19 NS=437.56) P4-71P4-71 m/z=528.17(C37H24N2S=528.67)m/z=528.17(C 37 H 24 N 2 S=528.67) P4-72P4-72 m/z=710.27(C54H34N2=710.88)m/z=710.27(C 54 H 34 N 2 =710.88) P4-73P4-73 m/z=447.16(C33H21NO=447.54)m/z=447.16(C 33 H 21 NO=447.54) P4-74P4-74 m/z=553.15(C39H23NOS=553.68)m/z=553.15(C 39 H 23 NOS=553.68) P4-75P4-75 m/z=615.2(C45H29NS=615.79)m/z=615.2(C 45 H 29 NS=615.79) P4-76P4-76 m/z=573.21(C43H27NO=573.7)m/z=573.21(C 43 H 27 NO=573.7) P4-77P4-77 m/z=598.24(C45H30N2=598.75)m/z=598.24(C 45 H 30 N 2 =598.75) P4-78P4-78 m/z=638.27(C48H34N2=638.81)m/z=638.27(C 48 H 34 N 2 =638.81) P4-79P4-79 m/z=629.18(C45H27NOS=629.78)m/z=629.18(C 45 H 27 NOS=629.78) P4-80P4-80 m/z=670.17(C46H26N2O2S=670.79)m/z=670.17(C 46 H 26 N 2 O 2 S=670.79) P4-81P4-81 m/z=285.12(C20H15NO=285.35)m/z=285.12(C 20 H 15 NO=285.35) P4-82P4-82 m/z=513.21(C38H27NO=513.64)m/z=513.21(C 38 H 27 NO=513.64) P4-83P4-83 m/z=705.25(C52H35NS=705.92)m/z=705.25(C 52 H 35 NS=705.92) P4-84P4-84 m/z=635.17(C44H29NS2=635.84)m/z=635.17(C 44 H 29 NS 2 =635.84) P4-85P4-85 m/z=641.13(C42H27NS3=641.87)m/z=641.13(C 42 H 27 NS 3 =641.87) P4-86P4-86 m/z=569.27(C42H35NO=569.75)m/z=569.27(C 42 H 35 NO=569.75) P4-87P4-87 m/z=619.2(C44H29NOS=619.78)m/z=619.2(C 44 H 29 NOS=619.78) P4-88P4-88 m/z=705.25(C52H35NS=705.92)m/z=705.25(C 52 H 35 NS=705.92) P4-89P4-89 m/z=501.18(C35H23N3O=501.59)m/z=501.18(C 35 H 23 N 3 O=501.59) P4-90P4-90 m/z=531.14(C35H21N3OS=531.63)m/z=531.14(C 35 H 21 N 3 OS=531.63) P4-91P4-91 m/z=769.26(C55H35N3S=769.97)m/z=769.26(C 55 H 35 N 3 S=769.97) P4-92P4-92 m/z=593.19(C41H27N3S=593.75)m/z=593.19(C 41 H 27 N 3 S=593.75)

[실시예 1][Example 1]

먼저, 유리 기판에 형성된 ITO층(양극) 상에 N1-(naphthalen-2-yl)-N4,N4-bis(4-(naphthalen-2-yl(phenyl)amino)phenyl)-N1-phenylbenzene-1,4-diamine (이하, 2-TNATA) 막을 진공증착하여 60 nm 두께의 정공주입층을 형성한 후, 정공주입층 위에 본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물 P1-51을 진공증착하여 60 nm 두께의 정공수송층을 형성한 후, 정공수송층 상부에 호스트로서는 3-(4,6-Diphenyl-1,3,5-triazin-2-yl)-9-phenyl-9H-carbazole (이하, DPTPCz) 및 도판트 물질로는 tris(2-phenylpyridine)-iridium (이하, Ir(ppy)3)을 95:5 중량비로 도핑하여 30 nm 두께로 발광층을 증착하였다. 이어서, 전자수송층으로 본 발명의 화학식 3으로 표시되는 화합물 P2-48을 40 nm 두께로 진공증착하고 전자주입층으로 할로젠화 알칼리 금속인 LiF를 0.2 nm 두께로 증착하고, 이어서 Al을 150 nm 두께로 증착하여 음극으로 사용함으로써 발광영역인 제 1 부분(110)을 제조하였다.First, N1-(naphthalen-2-yl)-N4,N4-bis(4-(naphthalen-2-yl(phenyl)amino)phenyl)-N1-phenylbenzene-1 was placed on the ITO layer (anode) formed on the glass substrate. ,4-diamine (hereinafter, 2-TNATA) film was vacuum deposited to form a 60 nm thick hole injection layer, and then the compound P1-51 represented by Formula 1 of the present invention was vacuum deposited on the hole injection layer to form a 60 nm thick hole injection layer. After forming the hole transport layer, 3-(4,6-Diphenyl-1,3,5-triazin-2-yl)-9-phenyl-9H-carbazole (hereinafter referred to as DPTPCz) as a host on the top of the hole transport layer As a doping material, tris(2-phenylpyridine)-iridium (hereinafter referred to as Ir(ppy) 3 ) was doped at a weight ratio of 95:5 and a light emitting layer was deposited to a thickness of 30 nm. Next, the compound P2-48 represented by Formula 3 of the present invention was vacuum deposited to a thickness of 40 nm as an electron transport layer, and LiF, an alkali metal halide, was deposited to a thickness of 0.2 nm as an electron injection layer, and then Al was deposited to a thickness of 150 nm. The first part 110, which is a light emitting area, was manufactured by depositing and using it as a cathode.

[실시예 2] 및 [실시예 3][Example 2] and [Example 3]

정공수송층 물질로 본 발명의 화합물 P1-51 및 전자수송층 물질로 본 발명의 화합물 P2-48 대신 하기 표 5에 기재된 본 발명의 화합물을 사용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 제 1 부분(110)을 제조하였다.Compound P1-51 of the present invention was used as the hole transport layer material and Compound P2-48 of the present invention was used as the electron transport layer material, except that the compounds of the present invention shown in Table 5 below were used. Portion 110 was prepared.

[비교예 1][Comparative Example 1]

정공수송층 물질로 본 발명의 화합물 P1-51 대신 비교화합물 A를, 전자수송층 물질로 본 발명의 화합물 P2-48 대신 비교화합물 B를 사용한 점을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 제 1 부분(110)을 제조하였다.The first part was prepared in the same manner as in Example 1, except that Comparative Compound A was used as the hole transport layer material instead of Compound P1-51 of the present invention, and Comparative Compound B was used instead of Compound P2-48 of the present invention as the electron transport layer material. (110) was prepared.

[비교화합물 A] [비교화합물 B] [Comparative Compound A] [Comparative Compound B]

Figure pat00175
Figure pat00175

이와 같이 제조된 실시예 1 내지 실시예 3 및 비교예 1의 제 1 부분(110)에 순바이어스 직류전압을 가하여 포토리서치(photoresearch)사의 PR-650으로 전기발광(EL) 특성을 측정하였으며, 그 측정 결과 5000 cd/m2 기준 휘도에서 맥사이언스사에서 제조된 수명 측정 장비를 통해 T95 수명을 측정하였다. 하기 표 5는 소자제작 및 평가한 결과를 나타낸다.A forward bias direct current voltage was applied to the first part 110 of Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 prepared in this way, and the electroluminescence (EL) characteristics were measured using PR-650 from Photoresearch. As a result of the measurement, the T95 lifespan was measured using a lifespan measurement equipment manufactured by McScience at a standard luminance of 5000 cd/m 2 . Table 5 below shows the results of device fabrication and evaluation.

정공수송층hole transport layer 전자수송층electron transport layer 구동전압
(V)
driving voltage
(V)
전류
(mA/cm2)
electric current
(mA/ cm2 )
휘도
(cd/m2)
Luminance
(cd/ m2 )
효율
(cd/A)
efficiency
(cd/A)
T(95)T(95)
비교예 1Comparative Example 1 비교화합물 AComparative compound A 비교화합물 BComparative compound B 6.66.6 27.527.5 50005000 18.218.2 84.284.2 실시예 1Example 1 P1-51P1-51 P2-48P2-48 6.06.0 22.122.1 50005000 22.622.6 92.792.7 실시예 2Example 2 P1-57P1-57 P2-29P2-29 5.95.9 14.414.4 50005000 34.734.7 95.395.3 실시예 3Example 3 P1-3P1-3 P2-41P2-41 5.85.8 13.113.1 50005000 38.138.1 100.1100.1

상기 표 5를 살펴보면, 본 발명의 화합물이 정공수송층 및 전자수송층으로 사용될 경우 소자 성능이 매우 개선되는 것을 확인할 수 있다.Looking at Table 5 above, it can be seen that device performance is greatly improved when the compound of the present invention is used as a hole transport layer and an electron transport layer.

상기 비교화합물 A 및 P1-51의 정공이동도 및 HOMO 값을 하기 표 6에 나타내었다.The hole mobility and HOMO values of the comparative compounds A and P1-51 are shown in Table 6 below.

비교화합물 AComparative compound A P1-51P1-51 정공이동도Hole mobility 7.8ⅹ10-3 cm2/Vs7.8ⅹ10 -3 cm 2 /Vs 3.0ⅹ10-4 cm2/Vs3.0ⅹ10 -4 cm 2 /Vs HOMOHOMO 6.0 eV6.0 eV -5.5 eV-5.5 eV

상기 표 6에서 볼 수 있듯이, P1-51은 1.0×10-3 cm2/Vs 이하의 값을 가지는 것을 볼 수 있고, HOMO 역시 -5.5 eV의 값을 가진다. 정공이동도의 경우 값이 낮아질수록 정공의 이동속도가 빠른 것을 의미하고, 정공의 이동도가 빠를수록 구동전압이 감소하는 현상이 있다.As can be seen in Table 6 above, P1-51 has a value of less than 1.0×10 -3 cm 2 /Vs, and HOMO also has a value of -5.5 eV. In the case of hole mobility, the lower the value, the faster the hole movement speed, and the faster the hole mobility, the lower the driving voltage.

또한, 상기 비교화합물 B 및 P2-48의 LUMO 값을 하기 표 7에서 나타내었다.Additionally, the LUMO values of the comparative compounds B and P2-48 are shown in Table 7 below.

비교화합물 BComparative compound B P2-48P2-48 LUMOLUMO -2.6 eV-2.6 eV -3.0 eV-3.0 eV

상기 표 7에서 볼 수 있듯이, 비교화합물 B의 LUMO 값은 -2.6 eV이며, P2-48의 LUMO 값은 -3.0 eV이다. 상기 표 5 내지 표 7에서 볼 수 있듯이, HOMO 및 LUMO 값에 따라 정공 및 전자의 주입특성을 조절할 수 있고, 발광층에서 정공과 전자의 비율이 유사할수록 효율 역시 상승하는 요건이 될 수 있다. 즉, 상기와 같이 특정 조건의 정공수송층 및 전자수송층을 만족할 경우 최적의 유기전기발광소자를 제작할 수 있다.As can be seen in Table 7 above, the LUMO value of comparative compound B is -2.6 eV, and the LUMO value of P2-48 is -3.0 eV. As can be seen in Tables 5 to 7, the injection characteristics of holes and electrons can be adjusted depending on the HOMO and LUMO values, and as the ratio of holes and electrons in the light emitting layer is similar, efficiency can also be increased. In other words, when the specific conditions of the hole transport layer and electron transport layer are met as described above, an optimal organic electroluminescent device can be manufactured.

[실시예 4][Example 4]

먼저, 유리 기판 위에 유기물층(111)으로서 본 발명의 화합물 P1-7을 진공증착하여 60 nm 두께로 형성하고, P1-7 위에 비교화합물 B를 진공증착하여 40 nm 두께로 형성하였다. 그 후, 유기물층(111) 위에 본 발명의 화합물 P3-13을 10 nm 두께로 진공증착하여 금속패터닝층을 형성하였다. 이어서, 금속패터닝층 위에 Al를 음극으로 증착하였다. 그 후 제 3 부분으로 본 발명의 화합물 P4-42를 70 nm 두께로 증착하여 광 투과율 측정에 필요한 샘플을 제작하였다.First, the organic material layer 111 of the present invention was vacuum-deposited to form a 60 nm thick organic material layer 111 on a glass substrate, and comparative compound B was vacuum-deposited on P1-7 to form a 40 nm thick layer. Afterwards, compound P3-13 of the present invention was vacuum deposited to a thickness of 10 nm on the organic material layer 111 to form a metal patterning layer. Next, Al was deposited as a cathode on the metal patterning layer. Then, in the third part, the compound P4-42 of the present invention was deposited to a thickness of 70 nm to prepare a sample required for measuring light transmittance.

[실시예 5] 내지 [실시예 11][Example 5] to [Example 11]

금속패터닝층 물질로 본 발명의 화합물 P3-13 대신 하기 표 8에 기재된 본 발명의 화합물을 사용한 점을 제외하고는 상기 실시예 4와 동일한 방법으로 광 투과율 샘플을 제작하였다.A light transmittance sample was produced in the same manner as Example 4, except that the compound of the present invention shown in Table 8 below was used as the metal patterning layer material instead of the compound P3-13 of the present invention.

[비교예 2][Comparative Example 2]

금속패터닝층을 사용하지 않은 점을 제외하고는 상기 실시예 4와 동일한 방법으로 광 투과율 샘플을 제작하였다.A light transmittance sample was produced in the same manner as Example 4, except that the metal patterning layer was not used.

[비교예 3][Comparative Example 3]

금속패터닝층 물질로 본 발명의 화합물 P3-13 대신 P1-7을 사용한 점을 제외하고는 상기 실시예 4와 동일한 방법으로 광 투과율 샘플을 제작하였다.A light transmittance sample was produced in the same manner as in Example 4, except that P1-7 was used instead of compound P3-13 of the present invention as the metal patterning layer material.

[비교예 4][Comparative Example 4]

제 3 부분 물질로 본 발명의 화합물 P4-42 대신 비교화합물 C를 사용한 점을 제외하고는 상기 실시예 4와 동일한 방법으로 광 투과율 샘플을 제작하였다.A light transmittance sample was prepared in the same manner as in Example 4, except that Comparative Compound C was used instead of Compound P4-42 of the present invention as the third partial material.

[비교화합물 C] [Comparative compound C]

Figure pat00176
Figure pat00176

이와 같이 제작된 실시예 4 내지 실시예 11 및 비교예 2 내지 4의 광 투과율 샘플을 Perkinelmer사의 Lambda 365 UV/VIS Spectrometer 측정장비로 가시광선 영역인 550 nm에서의 광 투과율을 측정하였으며, 그 측정결과는 하기 표 8에 나타내었다.The light transmittance of the light transmittance samples of Examples 4 to 11 and Comparative Examples 2 to 4 prepared in this way was measured in the visible light region at 550 nm using Perkinelmer's Lambda 365 UV/VIS Spectrometer measuring equipment, and the measurement results were is shown in Table 8 below.

  금속패터닝층Metal patterning layer 제 3 부분Part 3 투과율Transmittance T(%)T(%) 비교예 2Comparative Example 2 -- P4-42P4-42 61.1%61.1% 100%100% 비교예 3Comparative Example 3 P1-7P1-7 P4-42P4-42 61.4%61.4% 100%100% 비교예 4Comparative Example 4 P3-13P3-13 비교화합물 CComparative compound C 66.2%66.2% 108%108% 실시예 4Example 4 P3-13P3-13 P4-42P4-42 73.8%73.8% 121%121% 실시예 5Example 5 P3-37P3-37 P4-42P4-42 74.8%74.8% 122%122% 실시예 6Example 6 P3-41P3-41 P4-42P4-42 74.4%74.4% 122%122% 실시예 7Example 7 P3-45P3-45 P4-42P4-42 74.5%74.5% 122%122% 실시예 8Example 8 P3-45P3-45 P4-13P4-13 75.3%75.3% 123%123% 실시예 9Example 9 P3-45P3-45 P4-15P4-15 75.5%75.5% 124%124% 실시예 10Example 10 P3-45P3-45 P4-21P4-21 75.8%75.8% 124%124% 실시예 11Example 11 P3-45P3-45 P4-38P4-38 76.3%76.3% 125%125%

상기 표 8에서 볼 수 있듯이, 비교예 2, 비교예 3 및 본 발명의 실시예를 비교하면 본 발명의 화합물을 금속패터닝층으로 사용했을 경우, 광 투과율이 높은 것을 확인할 수 있다. 이는 금속패터닝층이 없거나 금속패터닝층이 존재해도 금속에 대한 접착성이 높은 경우 제 3 부분이 적층되기 전에 음극(금속)이 적층되게 된다. 이로 인해 투과율이 현저히 낮아지는 것을 볼 수 있다. 그리고, 비교예 4 및 본 발명의 실시예를 비교하면 본 발명의 화합물을 제 3 부분으로 사용했을 경우, 높은 광 투과율을 보이는 것을 확인할 수 있다. 특히, 본 발명과 같이 금속패터닝층의 재료 및 제 3 부분의 재료의 투과도가 높은 재료를 모두 사용할 경우 높은 투과율을 보이는 것을 확인할 수 있다.As can be seen in Table 8, when Comparative Example 2, Comparative Example 3, and Examples of the present invention are compared, it can be confirmed that the light transmittance is high when the compound of the present invention is used as a metal patterning layer. This means that if there is no metal patterning layer or the adhesion to metal is high even if the metal patterning layer is present, the cathode (metal) is laminated before the third part is laminated. As a result, it can be seen that the transmittance is significantly lowered. And, comparing Comparative Example 4 and Examples of the present invention, it can be seen that when the compound of the present invention is used as the third part, high light transmittance is observed. In particular, it can be confirmed that high transmittance is shown when both the material of the metal patterning layer and the material of the third part are used as in the present invention.

비교화합물 C 및 본 발명의 금속패터닝층 화합물의 접촉각을 하기 표 9에 기재하였다.The contact angles of Comparative Compound C and the metal patterning layer compound of the present invention are shown in Table 9 below.

  접촉각contact angle 비교화합물 CComparative compound C 83.2°83.2° P3-13P3-13 111.1°111.1° P3-41P3-41 103.6°103.6° P3-45P3-45 116.4°116.4°

상기 표 9를 살펴보면, 비교화합물 C의 접촉각이 83.2°인데 반해 본 발명의 금속패터닝층 재료는 접촉각이 100° 이상인 것을 확인할 수 있다. 따라서, 금속패터닝층 재료의 접촉각이 100° 이상인 경우 높은 투과율을 보이는 것으로 사료된다. 즉, 접촉각이 높을수록 금속에 대한 접착성이 감소되며, 이로 인해 금속이 적층되는 것을 방지할 수 있다. 비교화합물 C 및 본 발명의 제 3 부분 화합물 P4-42의 굴절률을 하기 표 10에 기재하였다.Looking at Table 9 above, it can be seen that the contact angle of Comparative Compound C is 83.2°, whereas the metal patterning layer material of the present invention has a contact angle of 100° or more. Therefore, it is believed that high transmittance is shown when the contact angle of the metal patterning layer material is 100° or more. In other words, the higher the contact angle, the lower the adhesion to the metal, which can prevent metals from stacking. The refractive indices of comparative compound C and the third part compound P4-42 of the present invention are listed in Table 10 below.

  비교화합물 CComparative compound C P4-42P4-42 굴절률refractive index 1.821.82 1.991.99

상기 표 10에서 볼 수 있듯이, 본 발명의 화합물을 제 3 부분으로 사용했을 경우, 본 발명의 화합물은 굴절률이 1.85 이상의 재료이며, 비교화합물 C의 굴절률은 1.82인 것을 확인할 수 있다. 따라서, 본 발명의 금속패터닝층 화합물 및 제 3 부분 화합물을 동시에 사용할 경우 전체 투과율이 70% 이상의 높은 투과율을 보이는 것을 확인할 수 있고, UDC/UPS용 디스플레이를 제작할 경우 매우 적합하다고 볼 수 있다.As can be seen in Table 10 above, when the compound of the present invention is used as the third part, it can be confirmed that the compound of the present invention is a material with a refractive index of 1.85 or more, and the refractive index of comparative compound C is 1.82. Therefore, when the metal patterning layer compound and the third partial compound of the present invention are used simultaneously, it can be confirmed that the total transmittance shows a high transmittance of more than 70%, and it can be considered very suitable when producing a display for UDC/UPS.

이상의 설명은 본 발명을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로, 본 발명에 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가지는 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 명세서에 개시된 실시예들은 본 발명을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 사상과 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 모든 기술은 본 발명의 권리범위에 포함하는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely an illustrative description of the present invention, and those skilled in the art will be able to make various modifications without departing from the essential characteristics of the present invention. Accordingly, the embodiments disclosed in this specification are for illustrative purposes rather than limiting the present invention, and the spirit and scope of the present invention are not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be interpreted in accordance with the claims below, and all technologies within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of rights of the present invention.

100 : 양극 110 : 제 1 부분
111: 유기물층 112 : 정공주입층
113 : 정공수송층 114 : 발광층
115 : 전자수송층 116 : 전자주입층
117 : 패터닝 보조 감광층 118 : 음극
120 : 제 2 부분 121 : 금속패터닝층
122 : 발광보조층 123 : 정공저지층
124 : 제 1 발광보조층 125 : 제 2 발광보조층
130 : 제 3 부분
100: anode 110: first part
111: Organic material layer 112: Hole injection layer
113: hole transport layer 114: light emitting layer
115: electron transport layer 116: electron injection layer
117: patterning auxiliary photosensitive layer 118: cathode
120: second part 121: metal patterning layer
122: Light-emitting auxiliary layer 123: Hole blocking layer
124: first light-emitting auxiliary layer 125: second light-emitting auxiliary layer
130: third part

Claims (23)

기판;
상기 기판 상에 배치된 양극(100);
상기 양극(100) 상에 발광영역인 제 1 부분(110); 및 투과영역인 제 2 부분(120);이 존재하며,
상기 제 1 부분(110)과 제 2 부분(120)은 공통으로 형성되는 유기물층(111)을 포함하고,
상기 유기물층(111)은 정공수송층(113) 및 전자수송층(115)을 포함하며,
상기 제 1 부분(110)의 유기물층(111) 상에는 음극(118)이 존재하고,
상기 제 2 부분(120)의 유기물층(111) 상에는 금속패터닝층(121)이 존재하며,
상기 제 1 부분(110) 과 제 2 부분(120) 상에는 공통영역인 제 3 부분(130)을 포함하고,
상기 정공수송층(113) 재료의 정공이동도(hole mobility)는 1.0×10-8 cm2/Vs 내지 1.0×10-3 cm2/Vs이고, 상기 정공수송층(113) 재료의 HOMO (Hightest Occupied Molecular Orbital)의 에너지 준위가 -5.5 eV 내지 -5.0 eV이며,
상기 전자수송층(115) 재료의 전자이동도(electron mobility)는 1.0×10-8 cm2/Vs 내지 1.0×10-3 cm2/Vs이고, 상기 전자수송층(115) 재료의 LUMO (Lowest Occupied Molecular Orbital)의 에너지 준위가 -3.5 eV 내지 -2.8 eV이며,
상기 금속패터닝층(121) 재료의 접촉각은 100° 내지 180°를 가지고,
상기 제 3 부분(130) 재료는 1.85 내지 3.0 굴절률을 가지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치
Board;
An anode 100 disposed on the substrate;
a first portion 110 that is a light emitting area on the anode 100; and a second part 120, which is a transmission area, is present,
The first part 110 and the second part 120 include an organic material layer 111 formed in common,
The organic material layer 111 includes a hole transport layer 113 and an electron transport layer 115,
A cathode 118 exists on the organic material layer 111 of the first part 110,
A metal patterning layer 121 is present on the organic material layer 111 of the second part 120,
A third part 130, which is a common area, is included on the first part 110 and the second part 120,
The hole mobility of the hole transport layer 113 material is 1.0×10 -8 cm 2 /Vs to 1.0×10 -3 cm 2 /Vs, and the HOMO (Hightest Occupied Molecular) of the hole transport layer 113 material is Orbital) energy level is -5.5 eV to -5.0 eV,
The electron mobility of the electron transport layer 115 material is 1.0×10 -8 cm 2 /Vs to 1.0×10 -3 cm 2 /Vs, and the LUMO (Lowest Occupied Molecular) of the electron transport layer 115 material is Orbital) energy level is -3.5 eV to -2.8 eV,
The contact angle of the metal patterning layer 121 material is 100° to 180°,
The organic light emitting display device, wherein the material of the third portion 130 has a refractive index of 1.85 to 3.0.
제 1항에 있어서, 상기 제 2부분(120)은 패터닝 보조 감광층(117)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치
The organic light emitting display device of claim 1, wherein the second portion (120) further includes a patterning auxiliary photosensitive layer (117).
제 1항에 있어서, 상기 정공수송층(113)은 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치
[화학식 1] [화학식 2]
Figure pat00177

{상기 화학식 1 및 화학식 2에서,
Ar1, Ar2, Ar3, Ar4, Ar5, Ar6 및 Ar7은 서로 독립적으로 C1~C60의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C3~C60의 시클로알킬기; C1~C30의 알콕실기; C6~C30의 아릴옥시기; C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로아릴기; 및 C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기;로 이루어진 군에서 선택되며,
L1, L2, L3, L4, L5, L6, L7 및 L8은 서로 독립적으로 단일결합; C6~C60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; C2~C60의 헤테로고리기; 및 C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기;로 이루어진 군에서 선택되고,
여기서, 상기 아릴기, 헤테로아릴기, 아릴렌기, 헤테로고리기, 플루오렌일기, 플루오렌일렌기, 융합고리기, 알킬기, 알켄일기, 알킨일기, 시클로알킬기, 알콕실기 및 아릴옥시기는 각각 중수소; 할로겐; 실란기; 실록산기; 붕소기; 게르마늄기; 시아노기; 니트로기; C1~C20의 알킬싸이오기; C1~C20의 알콕실기; C6~C20의 아릴옥시기; C1~C20의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C6~C20의 아릴기; 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기; 할로겐으로 치환된 C6~C20의 아릴기; 플루오렌일기; C2~C20의 헤테로고리기; C3~C20의 시클로알킬기; C7~C20의 아릴알킬기; 및 C8~C20의 아릴알켄일기;로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 더욱 치환될 수 있으며, 또한 이들 치환기들은 서로 결합하여 고리를 형성할 수도 있으며, 여기서 '고리'란 C3~C60의 지방족고리 또는 C6~C60의 방향족고리 또는 C2~C60의 헤테로고리 또는 이들의 조합으로 이루어진 융합 고리를 말하며, 포화 또는 불포화 고리를 포함한다.}
The organic light emitting display device of claim 1, wherein the hole transport layer 113 includes a compound represented by the following Chemical Formula 1 or Chemical Formula 2:
[Formula 1] [Formula 2]
Figure pat00177

{In Formula 1 and Formula 2 above,
Ar 1 , Ar 2 , Ar 3 , Ar 4 , Ar 5 , Ar 6 and Ar 7 are each independently an alkyl group of C 1 to C 60 ; C 2 ~ C 20 alkenyl group; C 2 ~ C 20 alkyne group; C 3 ~ C 60 cycloalkyl group; C 1 ~ C 30 alkoxyl group; C 6 ~ C 30 aryloxy group; Aryl group of C 6 to C 60 ; fluorenyl group; A C 2 to C 60 heteroaryl group containing at least one heteroatom selected from O, N, S, Si, and P; and a fused ring group of an aliphatic ring from C 3 to C 60 and an aromatic ring from C 6 to C 60 ;
L 1 , L 2 , L 3 , L 4 , L 5 , L 6 , L 7 and L 8 are independently a single bond; C 6 ~ C 60 arylene group; fluorenylene group; C 2 ~ C 60 heterocyclic group; and a fused ring group of an aliphatic ring of C 3 to C 60 and an aromatic ring of C 6 to C 60 ; selected from the group consisting of,
Here, the aryl group, heteroaryl group, arylene group, heterocyclic group, fluorenyl group, fluorenylene group, fused ring group, alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, cycloalkyl group, alkoxyl group, and aryloxy group are each selected from deuterium; halogen; Silane group; siloxane group; boron group; Germanium group; Cyano group; nitro group; C 1 ~ C 20 alkylthio group; C 1 ~ C 20 alkoxyl group; C 6 ~ C 20 aryloxy group; C 1 ~ C 20 alkyl group; C 2 ~ C 20 alkenyl group; C 2 ~ C 20 alkyne group; C 6 ~ C 20 aryl group; C 6 ~ C 20 aryl group substituted with deuterium; C 6 ~ C 20 aryl group substituted with halogen; fluorenyl group; C 2 ~ C 20 heterocyclic group; C 3 ~ C 20 cycloalkyl group; C 7 ~ C 20 arylalkyl group; and C 8 ~ C 20 arylalkenyl group; may be further substituted with one or more substituents selected from the group consisting of, and these substituents may be combined with each other to form a ring, where 'ring' refers to a C 3 ~ C 60 refers to a fused ring consisting of an aliphatic ring, an aromatic ring of C 6 to C 60 , a heterocycle of C 2 to C 60 , or a combination thereof, and includes saturated or unsaturated rings.}
제 1항에 있어서, 상기 전자수송층(115)은 하기 화학식 3 또는 화학식 4로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치
[화학식 3] [화학식 4]

{상기 화학식 3 및 화학식 4에서,
X3, X4 및 X5는 서로 독립적으로 N 또는 -CH이며, 단, 적어도 하나는 N이고,
X6은 O, S 또는 NRa이며,
Ar10, Ar11, Ar12 및 Ar13은 상기 청구항 3의 Ar1의 정의와 동일하고,
L10, L11, L12 및 L13은 상기 청구항 3의 L1의 정의와 동일하며,
R100 및 Ra는 각각 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C60의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C30의 알콕실기; 및 C6~C30의 아릴옥시기;로 이루어진 군에서 선택되며, 또는 R100은 이웃한 기끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고,
a100은 0 내지 4의 정수이며,
여기서, 상기 아릴기, 아릴렌기, 헤테로고리기, 플루오렌일기, 플루오렌일렌기, 융합고리기, 알킬기, 알켄일기, 알킨일기, 시클로알킬기, 알콕실기 및 아릴옥시기는 각각 중수소; 할로겐; 실란기; 실록산기; 붕소기; 게르마늄기; 시아노기; 니트로기; C1~C20의 알킬싸이오기; C1~C20의 알콕실기; C6~C20의 아릴옥시기; C1~C20의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C6~C20의 아릴기; 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기; 할로겐으로 치환된 C6~C20의 아릴기; 플루오렌일기; C2~C20의 헤테로고리기; C3~C20의 시클로알킬기; C7~C20의 아릴알킬기; 및 C8~C20의 아릴알켄일기;로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 더욱 치환될 수 있으며, 또한 이들 치환기들은 서로 결합하여 고리를 형성할 수도 있으며, 여기서 '고리'란 C3~C60의 지방족고리 또는 C6~C60의 방향족고리 또는 C2~C60의 헤테로고리 또는 이들의 조합으로 이루어진 융합 고리를 말하며, 포화 또는 불포화 고리를 포함한다.}
The organic light emitting display device of claim 1, wherein the electron transport layer 115 includes a compound represented by the following Chemical Formula 3 or Chemical Formula 4:
[Formula 3] [Formula 4]

{In Formula 3 and Formula 4 above,
X 3 , X 4 and X 5 are independently N or -CH, provided that at least one is N,
X 6 is O, S or NR a ,
Ar 10 , Ar 11 , Ar 12 and Ar 13 are the same as the definition of Ar 1 in claim 3,
L 10 , L 11 , L 12 and L 13 are the same as the definition of L 1 in claim 3 above,
R 100 and R a are each the same or different and, independently of each other, are hydrogen; heavy hydrogen; halogen; Aryl group of C 6 to C 60 ; fluorenyl group; C 2 ~ C 60 heterocyclic group containing at least one hetero atom among O, N, S, Si and P; A fused ring group of an aliphatic ring from C 3 to C 60 and an aromatic ring from C 6 to C 60 ; C 1 ~ C 60 alkyl group; C 2 ~ C 20 alkenyl group; C 2 ~ C 20 alkyne group; C 1 ~ C 30 alkoxyl group; and an aryloxy group of C 6 to C 30 ; or R 100 may form a ring by combining adjacent groups,
a100 is an integer from 0 to 4,
Here, the aryl group, arylene group, heterocyclic group, fluorenyl group, fluorenylene group, fused ring group, alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, cycloalkyl group, alkoxyl group, and aryloxy group each contain deuterium; halogen; Silane group; siloxane group; boron group; Germanium group; Cyano group; nitro group; C 1 ~ C 20 alkylthio group; C 1 ~ C 20 alkoxyl group; C 6 ~ C 20 aryloxy group; C 1 ~ C 20 alkyl group; C 2 ~ C 20 alkenyl group; C 2 ~ C 20 alkyne group; C 6 ~ C 20 aryl group; C 6 ~ C 20 aryl group substituted with deuterium; C 6 ~ C 20 aryl group substituted with halogen; fluorenyl group; C 2 ~ C 20 heterocyclic group; C 3 ~ C 20 cycloalkyl group; C 7 ~ C 20 arylalkyl group; and C 8 ~ C 20 arylalkenyl group; may be further substituted with one or more substituents selected from the group consisting of, and these substituents may be combined with each other to form a ring, where 'ring' refers to a C 3 ~ C 60 refers to a fused ring consisting of an aliphatic ring, an aromatic ring from C 6 to C 60 , a heterocycle from C 2 to C 60 , or a combination thereof, and includes saturated or unsaturated rings.}
제 1항에 있어서, 상기 금속패터닝층(121)은 하기 화학식 A로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치
[화학식 A]

[화학식 A-1]

{상기 화학식 A 및 화학식 A-1에서,
A200환, B200환 및 C200환은 서로 독립적으로 C6~C60의 아릴기; 또는 O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로아릴기;이며,
L201은 단일결합; NR204; CR204R205; 또는 SiR204R205;이고,
L202는 단일결합; C1~C60의 알킬렌기; C2~C20의 알켄일렌기; C2~C20의 알킨일렌기; C1~C30의 알콕실렌기; C6~C30의 아릴옥실렌기; C6~C60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; C2~C60의 헤테로고리기; 및 C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기;로 이루어진 군에서 선택되며,
R201, R202 및 R203은 각각 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C60의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C30의 알콕실기; C6~C30의 아릴옥시기; 및 상기 화학식 A-1로 표시되는 치환기;로 이루어진 군에서 선택되며,
단, R201, R202 및 R203 중 적어도 하나는 불소 또는 상기 화학식 A-1로 표시되는 치환기이고,
R204 및 R205는 상기 청구항 4의 Ra의 정의와 동일하며, 또는 R204와 R205가 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고,
n201은 0 내지 3의 정수이며, a201, a202, a203 및 a204는 서로 독립적으로 1 내지 10의 정수이고,
x는 1 내지 50의 정수이며, y+z는 2x+1이고,
단, z는 1 이상의 정수이며,
여기서, 상기 아릴기, 헤테로아릴기, 아릴렌기, 헤테로고리기, 플루오렌일기, 플루오렌일렌기, 융합고리기, 알킬기, 알켄일기, 알킨일기, 알콕실기, 아릴옥시기, 알킬렌기, 알켄일렌기, 알킨일렌기, 알콕실렌기 및 아릴옥실렌기는 각각 중수소; 할로겐; 실란기; 실록산기; 붕소기; 게르마늄기; 시아노기; 니트로기; C1~C20의 알킬싸이오기; C1~C20의 알콕실기; C6~C20의 아릴옥시기; C1~C20의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C6~C20의 아릴기; 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기; 할로겐으로 치환된 C6~C20의 아릴기; 플루오렌일기; C2~C20의 헤테로고리기; C3~C20의 시클로알킬기; C7~C20의 아릴알킬기; 및 C8~C20의 아릴알켄일기;로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 더욱 치환될 수 있으며, 또한 이들 치환기들은 서로 결합하여 고리를 형성할 수도 있으며, 여기서 '고리'란 C3~C60의 지방족고리 또는 C6~C60의 방향족고리 또는 C2~C60의 헤테로고리 또는 이들의 조합으로 이루어진 융합 고리를 말하며, 포화 또는 불포화 고리를 포함한다.}
The organic light emitting display device of claim 1, wherein the metal patterning layer 121 includes a compound represented by the following formula (A):
[Formula A]

[Formula A-1]

{In Formula A and Formula A-1 above,
A 200 ring, B 200 ring and C 200 ring are each independently an aryl group of C 6 to C 60 ; or a C 2 to C 60 heteroaryl group containing at least one heteroatom selected from O, N, S, Si, and P;
L 201 is a single bond; NR 204 ; C R 204 R 205 ; or SiR 204 R 205 ;,
L 202 is a single bond; C 1 ~ C 60 alkylene group; C 2 ~ C 20 alkenylene group; C 2 ~ C 20 alkynylene group; C 1 ~ C 30 alkoxylene group; C 6 ~ C 30 aryloxylene group; C 6 ~ C 60 arylene group; fluorenylene group; C 2 ~ C 60 heterocyclic group; and a fused ring group of an aliphatic ring of C 3 to C 60 and an aromatic ring of C 6 to C 60 ;
R 201 , R 202 and R 203 are each the same or different and, independently of each other, are hydrogen; heavy hydrogen; halogen; Aryl group of C 6 to C 60 ; fluorenyl group; C 2 ~ C 60 heterocyclic group containing at least one hetero atom selected from O, N, S, Si and P; A fused ring group of an aliphatic ring from C 3 to C 60 and an aromatic ring from C 6 to C 60 ; C 1 ~ C 60 alkyl group; C 2 ~ C 20 alkenyl group; C 2 ~ C 20 alkyne group; C 1 ~ C 30 alkoxyl group; C 6 ~ C 30 aryloxy group; And a substituent represented by the formula A-1; is selected from the group consisting of,
However, at least one of R 201 , R 202 and R 203 is fluorine or a substituent represented by Formula A-1,
R 204 and R 205 are the same as the definition of R a in claim 4, or R 204 and R 205 may be combined with each other to form a ring,
n201 is an integer from 0 to 3, and a201, a202, a203 and a204 are independently integers from 1 to 10,
x is an integer from 1 to 50, y+z is 2x+1,
However, z is an integer greater than 1,
Here, the aryl group, heteroaryl group, arylene group, heterocyclic group, fluorenyl group, fluorenylene group, fused ring group, alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, alkoxyl group, aryloxy group, alkylene group, alkenyl Len group, alkynylene group, alkoxylene group and aryloxylene group each have deuterium; halogen; Silane group; siloxane group; boron group; Germanium group; Cyano group; nitro group; C 1 ~ C 20 alkylthio group; C 1 ~ C 20 alkoxyl group; C 6 ~ C 20 aryloxy group; C 1 ~ C 20 alkyl group; C 2 ~ C 20 alkenyl group; C 2 ~ C 20 alkyne group; C 6 ~ C 20 aryl group; C 6 ~ C 20 aryl group substituted with deuterium; C 6 ~ C 20 aryl group substituted with halogen; fluorenyl group; C 2 ~ C 20 heterocyclic group; C 3 ~ C 20 cycloalkyl group; C 7 ~ C 20 arylalkyl group; and C 8 ~ C 20 arylalkenyl group; may be further substituted with one or more substituents selected from the group consisting of, and these substituents may be combined with each other to form a ring, where 'ring' refers to a C 3 ~ C 60 refers to a fused ring consisting of an aliphatic ring, an aromatic ring from C 6 to C 60 , a heterocycle from C 2 to C 60 , or a combination thereof, and includes saturated or unsaturated rings.}
제 1항에 있어서, 상기 제 3 부분(130)은 하기 화학식 G로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치
[화학식 G]

{상기 화학식 G에서,
X301은 O, S 또는 NR302이며,
Y'은 CR300 또는 N이고,
L302는 N-L304-Ar302이며,
L301, L303 및 L304는 상기 청구항 3의 L1의 정의와 동일하고,
Ar301 및 Ar302는 서로 독립적으로 C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 시클로알킬기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; 및 -NAr303Ar304;로 이루어진 군에서 선택되며,
Ar303 및 Ar304는 서로 독립적으로 C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; 및 C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기;로 이루어진 군에서 선택되고,
R300, R301 및 R302는 각각 동일하거나 상이하며, 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C60의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C3~C60의 시클로알킬기; C1~C30의 알콕실기; 및 C6~C30의 아릴옥시기;로 이루어진 군에서 선택되고, 또는 이웃한 기끼리 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있으며,
a301은 0 내지 4의 정수이며, a302는 0 또는 1이고,
여기서, 상기 아릴기, 아릴렌기, 헤테로고리기, 플루오렌일기, 플루오렌일렌기, 융합고리기, 알킬기, 알켄일기, 알킨일기, 시클로알킬기, 알콕실기 및 아릴옥시기는 각각 중수소; 할로겐; 실란기; 실록산기; 붕소기; 게르마늄기; 시아노기; 니트로기; C1~C20의 알킬싸이오기; C1~C20의 알콕실기; C6~C20의 아릴옥시기; C1~C20의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C6~C20의 아릴기; 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기; 할로겐으로 치환된 C6~C20의 아릴기; 플루오렌일기; C2~C20의 헤테로고리기; C3~C20의 시클로알킬기; C7~C20의 아릴알킬기; 및 C8~C20의 아릴알켄일기;로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 더욱 치환될 수 있으며, 또한 이들 치환기들은 서로 결합하여 고리를 형성할 수도 있으며, 여기서 '고리'란 C3~C60의 지방족고리 또는 C6~C60의 방향족고리 또는 C2~C60의 헤테로고리 또는 이들의 조합으로 이루어진 융합 고리를 말하며, 포화 또는 불포화 고리를 포함한다.}
The organic light emitting display device of claim 1, wherein the third portion 130 includes a compound represented by the following formula G:
[Formula G]

{In formula G above,
X 301 is O, S or NR 302 ,
Y' is CR 300 or N,
L 302 is NL 304 -Ar 302 ,
L 301 , L 303 and L 304 are the same as the definition of L 1 in claim 3 above,
Ar 301 and Ar 302 are independently C 6 to C 60 aryl groups; fluorenyl group; C 2 ~ C 60 heterocyclic group containing at least one hetero atom among O, N, S, Si and P; C 3 ~ C 60 cycloalkyl group; A fused ring group of an aliphatic ring from C 3 to C 60 and an aromatic ring from C 6 to C 60 ; and -NAr 303 Ar 304 ;,
Ar 303 and Ar 304 are independently C 6 to C 60 aryl groups; fluorenyl group; C 2 ~ C 60 heterocyclic group containing at least one hetero atom among O, N, S, Si and P; and a fused ring group of an aliphatic ring of C 3 to C 60 and an aromatic ring of C 6 to C 60 ; selected from the group consisting of,
R 300 , R 301 and R 302 are each the same or different and, independently of each other, are hydrogen; heavy hydrogen; halogen; Aryl group of C 6 to C 60 ; fluorenyl group; C 2 ~ C 60 heterocyclic group containing at least one hetero atom among O, N, S, Si and P; A fused ring group of an aliphatic ring from C 3 to C 60 and an aromatic ring from C 6 to C 60 ; C 1 ~ C 60 alkyl group; C 2 ~ C 20 alkenyl group; C 2 ~ C 20 alkyne group; C 3 ~ C 60 cycloalkyl group; C 1 ~ C 30 alkoxyl group; and an aryloxy group of C 6 to C 30 ; or adjacent groups may be bonded to each other to form a ring,
a301 is an integer from 0 to 4, a302 is 0 or 1,
Here, the aryl group, arylene group, heterocyclic group, fluorenyl group, fluorenylene group, fused ring group, alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, cycloalkyl group, alkoxyl group, and aryloxy group each contain deuterium; halogen; Silane group; siloxane group; boron group; Germanium group; Cyano group; nitro group; C 1 ~ C 20 alkylthio group; C 1 ~ C 20 alkoxyl group; C 6 ~ C 20 aryloxy group; C 1 ~ C 20 alkyl group; C 2 ~ C 20 alkenyl group; C 2 ~ C 20 alkyne group; C 6 ~ C 20 aryl group; C 6 ~ C 20 aryl group substituted with deuterium; C 6 ~ C 20 aryl group substituted with halogen; fluorenyl group; C 2 ~ C 20 heterocyclic group; C 3 ~ C 20 cycloalkyl group; C 7 ~ C 20 arylalkyl group; and C 8 ~ C 20 arylalkenyl group; may be further substituted with one or more substituents selected from the group consisting of, and these substituents may be combined with each other to form a ring, where 'ring' refers to a C 3 ~ C 60 refers to a fused ring consisting of an aliphatic ring, an aromatic ring from C 6 to C 60 , a heterocycle from C 2 to C 60 , or a combination thereof, and includes saturated or unsaturated rings.}
제 1항에 있어서, 상기 금속패터닝층(121) 재료의 투과율이 80% 이상인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치
The organic light emitting display device of claim 1, wherein the metal patterning layer 121 material has a transmittance of 80% or more.
제 1항에 있어서, 상기 제 3 부분(130) 재료의 투과율이 70% 이상인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치
The organic light emitting display device of claim 1, wherein the material of the third portion (130) has a transmittance of 70% or more.
제 1항에 있어서, 상기 제 2 부분(120) 및 제 3 부분(130)의 전체 광 투과율이 70% 이상인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치
The organic light emitting display device according to claim 1, wherein the total light transmittance of the second portion 120 and the third portion 130 is 70% or more.
기판;
상기 기판 상에 배치된 양극(100);
상기 양극(100) 상에 발광영역인 제 1 부분(100) ;
상기 제 1 부분(110) 의 외측에 형성되는 투과영역인 제 2 부분(120); 및
상기 제 1 부분(110) 과 제 2 부분(120) 상에 공통으로 형성되는 제 3 부분(130);을 포함하는 유기 발광 표시 장치에 있어서,
상기 제 3 부분(130)과 접하는 제 2 부분(120) 면에는 금속패터닝층(121)이 배치되며,
상기 금속패터닝층(121)은 하기 화학식 A로 표시되는 화합물; 및 상기 제 3 부분(130)은 하기 화학식 G로 표시되는 화합물;을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치
[화학식 A]

[화학식 A-1]

[화학식 G]

{상기 화학식 A, 화학식 A-1 및 화학식 G에서,
A200환, B200환 및 C200환은 서로 독립적으로 C6~C60의 아릴기; 또는 O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로아릴기;이며,
L201은 단일결합; NR204; CR204R205; 또는 SiR204R205;이고,
L202는 단일결합; C1~C60의 알킬렌기; C2~C20의 알켄일렌기; C2~C20의 알킨일렌기; C1~C30의 알콕실렌기; C6~C30의 아릴옥실렌기; C6~C60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; C2~C60의 헤테로고리기; 및 C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기;로 이루어진 군에서 선택되며,
L302는 N-L304-Ar302이며,
L301, L303 및 L304는 서로 독립적으로 단일결합; C6~C60의 아릴렌기; 플루오렌일렌기; C2~C60의 헤테로고리기; 및 C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기;로 이루어진 군에서 선택되고,
X301은 O, S 또는 NR302이며,
Y'은 CR300 또는 N이고,
R201, R202 및 R203은 각각 동일하거나 상이하고, 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C60의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C30의 알콕실기; C6~C30의 아릴옥시기; 및 상기 화학식 A-1로 표시되는 치환기;로 이루어진 군에서 선택되며,
단, R201, R202 및 R203 중 적어도 하나는 불소 또는 상기 화학식 A-1로 표시되는 치환기이고,
R204 및 R205는 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C60의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C1~C30의 알콕실기; 및 C6~C30의 아릴옥시기;로 이루어진 군에서 선택되며, 또는 R204와 R205가 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있고,
R300, R301 및 R302는 각각 동일하거나 상이하며, 서로 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐; C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; C1~C60의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C3~C60의 시클로알킬기; C1~C30의 알콕실기; 및 C6~C30의 아릴옥시기;로 이루어진 군에서 선택되고,
n201은 0 내지 3의 정수이며, a201, a202, a203 및 a204는 서로 독립적으로 1 내지 10의 정수이고,
a301은 0 내지 4의 정수이며, a302는 0 또는 1이고,
x는 1 내지 50의 정수이며, y+z는 2x+1이고,
단, z는 1 이상의 정수이며,
Ar301 및 Ar302는 서로 독립적으로 C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; C3~C60의 시클로알킬기; C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기; 및 -NAr303Ar304;로 이루어진 군에서 선택되며,
Ar303 및 Ar304는 서로 독립적으로 C6~C60의 아릴기; 플루오렌일기; O, N, S, Si 및 P 중 적어도 하나의 헤테로원자를 포함하는 C2~C60의 헤테로고리기; 및 C3~C60의 지방족고리와 C6~C60의 방향족고리의 융합고리기;로 이루어진 군에서 선택되고,
여기서, 상기 아릴기, 헤테로아릴기, 아릴렌기, 헤테로고리기, 플루오렌일기, 플루오렌일렌기, 융합고리기, 알킬기, 알켄일기, 알킨일기, 시클로알킬기, 알콕실기, 아릴옥시기, 알킬렌기, 알켄일렌기, 알킨일렌기, 알콕실렌기 및 아릴옥실렌기는 각각 중수소; 할로겐; 실란기; 실록산기; 붕소기; 게르마늄기; 시아노기; 니트로기; C1~C20의 알킬싸이오기; C1~C20의 알콕실기; C6~C20의 아릴옥시기; C1~C20의 알킬기; C2~C20의 알켄일기; C2~C20의 알킨일기; C6~C20의 아릴기; 중수소로 치환된 C6~C20의 아릴기; 할로겐으로 치환된 C6~C20의 아릴기; 플루오렌일기; C2~C20의 헤테로고리기; C3~C20의 시클로알킬기; C7~C20의 아릴알킬기; 및 C8~C20의 아릴알켄일기;로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 치환기로 더욱 치환될 수 있으며, 또한 이들 치환기들은 서로 결합하여 고리를 형성할 수도 있으며, 여기서 '고리'란 C3~C60의 지방족고리 또는 C6~C60의 방향족고리 또는 C2~C60의 헤테로고리 또는 이들의 조합으로 이루어진 융합 고리를 말하며, 포화 또는 불포화 고리를 포함한다.}
Board;
An anode 100 disposed on the substrate;
A first part 100 that is a light emitting area on the anode 100;
a second part 120 which is a transparent area formed outside the first part 110; and
In the organic light emitting display device including a third part (130) commonly formed on the first part (110) and the second part (120),
A metal patterning layer 121 is disposed on the surface of the second part 120 in contact with the third part 130,
The metal patterning layer 121 includes a compound represented by the following formula A; and the third portion 130 includes a compound represented by the following formula (G):
[Formula A]

[Formula A-1]

[Formula G]

{In Formula A, Formula A-1 and Formula G above,
A 200 ring, B 200 ring and C 200 ring are each independently an aryl group of C 6 to C 60 ; or a C 2 to C 60 heteroaryl group containing at least one heteroatom selected from O, N, S, Si, and P;
L 201 is a single bond; NR 204 ; C R 204 R 205 ; or SiR 204 R 205 ;,
L 202 is a single bond; C 1 ~ C 60 alkylene group; C 2 ~ C 20 alkenylene group; C 2 ~ C 20 alkynylene group; C 1 ~ C 30 alkoxylene group; C 6 ~ C 30 aryloxylene group; C 6 ~ C 60 arylene group; fluorenylene group; C 2 ~ C 60 heterocyclic group; and a fused ring group of an aliphatic ring from C 3 to C 60 and an aromatic ring from C 6 to C 60 ;
L 302 is NL 304 -Ar 302 ,
L 301 , L 303 and L 304 are independently a single bond; C 6 ~ C 60 arylene group; fluorenylene group; C 2 ~ C 60 heterocyclic group; and a fused ring group of an aliphatic ring of C 3 to C 60 and an aromatic ring of C 6 to C 60 ; selected from the group consisting of,
X 301 is O, S or NR 302 ,
Y' is CR 300 or N,
R 201 , R 202 and R 203 are each the same or different and, independently of each other, hydrogen; heavy hydrogen; halogen; Aryl group of C 6 to C 60 ; fluorenyl group; C 2 ~ C 60 heterocyclic group containing at least one hetero atom among O, N, S, Si and P; A fused ring group of an aliphatic ring from C 3 to C 60 and an aromatic ring from C 6 to C 60 ; C 1 ~ C 60 alkyl group; C 2 ~ C 20 alkenyl group; C 2 ~ C 20 alkyne group; C 1 ~ C 30 alkoxyl group; C 6 ~ C 30 aryloxy group; And a substituent represented by the formula A-1; selected from the group consisting of,
However, at least one of R 201 , R 202 and R 203 is fluorine or a substituent represented by the formula A-1,
R 204 and R 205 are independently hydrogen; heavy hydrogen; halogen; Aryl group of C 6 to C 60 ; fluorenyl group; C 2 ~ C 60 heterocyclic group containing at least one hetero atom among O, N, S, Si and P; A fused ring group of an aliphatic ring from C 3 to C 60 and an aromatic ring from C 6 to C 60 ; C 1 ~ C 60 alkyl group; C 2 ~ C 20 alkenyl group; C 2 ~ C 20 alkyne group; C 1 ~ C 30 alkoxyl group; and an aryloxy group of C 6 to C 30 ; or R 204 and R 205 may be combined with each other to form a ring,
R 300 , R 301 and R 302 are each the same or different and, independently of each other, are hydrogen; heavy hydrogen; halogen; Aryl group of C 6 to C 60 ; fluorenyl group; C 2 ~ C 60 heterocyclic group containing at least one hetero atom among O, N, S, Si and P; A fused ring group of an aliphatic ring from C 3 to C 60 and an aromatic ring from C 6 to C 60 ; C 1 ~ C 60 alkyl group; C 2 ~ C 20 alkenyl group; C 2 ~ C 20 alkyne group; C 3 ~ C 60 cycloalkyl group; C 1 ~ C 30 alkoxyl group; and an aryloxy group of C 6 to C 30 ; selected from the group consisting of,
n201 is an integer from 0 to 3, and a201, a202, a203 and a204 are independently integers from 1 to 10,
a301 is an integer from 0 to 4, a302 is 0 or 1,
x is an integer from 1 to 50, y+z is 2x+1,
However, z is an integer greater than 1,
Ar 301 and Ar 302 are independently C 6 to C 60 aryl groups; fluorenyl group; C 2 ~ C 60 heterocyclic group containing at least one hetero atom among O, N, S, Si and P; C 3 ~ C 60 cycloalkyl group; A fused ring group of an aliphatic ring from C 3 to C 60 and an aromatic ring from C 6 to C 60 ; and -NAr 303 Ar 304 ;,
Ar 303 and Ar 304 are independently C 6 to C 60 aryl groups; fluorenyl group; C 2 ~ C 60 heterocyclic group containing at least one hetero atom among O, N, S, Si and P; and a fused ring group of an aliphatic ring of C 3 to C 60 and an aromatic ring of C 6 to C 60 ; selected from the group consisting of,
Here, the aryl group, heteroaryl group, arylene group, heterocyclic group, fluorenyl group, fluorenylene group, fused ring group, alkyl group, alkenyl group, alkynyl group, cycloalkyl group, alkoxyl group, aryloxy group, alkylene group , alkenylene group, alkynylene group, alkoxylene group and aryloxylene group each have deuterium; halogen; Silane group; siloxane group; boron group; Germanium group; Cyano group; nitro group; C 1 ~ C 20 alkylthio group; C 1 ~ C 20 alkoxyl group; C 6 ~ C 20 aryloxy group; C 1 ~ C 20 alkyl group; C 2 ~ C 20 alkenyl group; C 2 ~ C 20 alkyne group; C 6 ~ C 20 aryl group; C 6 ~ C 20 aryl group substituted with deuterium; C 6 ~ C 20 aryl group substituted with halogen; fluorenyl group; C 2 ~ C 20 heterocyclic group; C 3 ~ C 20 cycloalkyl group; C 7 ~ C 20 arylalkyl group; and C 8 ~ C 20 arylalkenyl group; may be further substituted with one or more substituents selected from the group consisting of, and these substituents may be combined with each other to form a ring, where 'ring' refers to a C 3 ~ C 60 refers to a fused ring consisting of an aliphatic ring, an aromatic ring from C 6 to C 60 , a heterocycle from C 2 to C 60 , or a combination thereof, and includes saturated or unsaturated rings.}
제 10항에 있어서, 상기 제 2 부분(120)은 패터닝 보조 감광층(117)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치
The organic light emitting display device of claim 10, wherein the second portion (120) further includes a patterning auxiliary photosensitive layer (117).
제 10항에 있어서, 상기 화학식 A는 하기 화학식 B 내지 화학식 D 중 어느 하나로 표시되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치
[화학식 B]

[화학식 C]

[화학식 D]

{상기 화학식 B 내지 화학식 D에서,
A200환, B200환, C200환, R201, R202, R203, R204, R205, a201, a202, a203 및 n201은 상기 청구항 10에서 정의한 바와 같다.}
The organic light emitting display device of claim 10, wherein Formula A is represented by any one of Formulas B to Formulas D below:
[Formula B]

[Formula C]

[Formula D]

{In Formula B to Formula D above,
A 200 ring, B 200 ring, C 200 ring, R 201 , R 202 , R 203 , R 204 , R 205 , a201, a202, a203 and n201 are as defined in claim 10 above.}
제 10항에 있어서, 상기 화학식 G는 하기 하기 화학식 J 내지 화학식 N 중 어느 하나로 표시되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치
[화학식 J] [화학식 K] [화학식 L]

[화학식 M] [화학식 N]

{상기 화학식 J 내지 화학식 N에서,
X301, R300, R301, a301, L301, L303, L304, Ar301 및 Ar302는 상기 청구항 10에서 정의된 바와 동일하며,
R303은 상기 청구항 10의 R301의 정의와 동일하고,
Ar305 및 Ar306은 상기 청구항 10의 Ar303의 정의와 동일하며,
a303은 0 내지 8의 정수이다.}
The organic light emitting display device of claim 10, wherein the formula G is represented by one of the following formulas J to N:
[Formula J] [Formula K] [Formula L]

[Formula M] [Formula N]

{In Formula J to Formula N above,
X 301 , R 300 , R 301 , A301, L 301 , L 303 , L 304 , AR 301 and AR 302 are the same as defined in claim 10.
R 303 is the same as the definition of R 301 in claim 10 above,
Ar 305 and Ar 306 are the same as the definition of Ar 303 in claim 10 above,
a303 is an integer from 0 to 8.}
제 10항에 있어서, 상기 화학식 A의 접촉각이 100° 내지 180°인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치
The organic light emitting display device of claim 10, wherein the contact angle of Formula A is 100° to 180°.
제 10항에 있어서, 상기 화학식 G의 굴절률이 1.85 내지 3.0인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치
The organic light emitting display device of claim 10, wherein the chemical formula G has a refractive index of 1.85 to 3.0.
제 10항에 있어서, 상기 화학식 A의 투과율이 80% 이상인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치
The organic light emitting display device of claim 10, wherein the transmittance of Formula A is 80% or more.
제 10항에 있어서, 상기 화학식 G의 투과율이 70% 이상인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치
The organic light emitting display device of claim 10, wherein the transmittance of Formula G is 70% or more.
제 10항에 있어서, 상기 제 2 부분(120) 및 제 3 부분(130)의 전체 광 투과율이 70% 이상인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치
The organic light emitting display device according to claim 10, wherein the total light transmittance of the second portion 120 and the third portion 130 is 70% or more.
제1항에 있어서, 상기 양극과 상기 음극의 일면 중 상기 유기물층과 반대되는 적어도 일면에 형성되는 광효율 개선층을 더 포함하는 유기 발광 표시 장치
The organic light emitting display device of claim 1, further comprising a light efficiency improvement layer formed on at least one side of the anode and the cathode opposite to the organic material layer.
제1항에 있어서, 상기 유기물층은 양극 상에 순차적으로 형성된 정공수송층, 발광층 및 전자수송층을 포함하는 스택을 둘 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치
The organic light emitting display device of claim 1, wherein the organic material layer includes two or more stacks including a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer sequentially formed on an anode.
제20항에 있어서, 상기 유기물층은 상기 둘 이상의 스택 사이에 형성된 전하생성층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치
The organic light emitting display device of claim 20, wherein the organic material layer further includes a charge generation layer formed between the two or more stacks.
제1항의 유기 발광 표시 장치를 포함하는 디스플레이장치; 및 상기 디스플레이장치를 구동하는 제어부;를 포함하는 전자 장치
A display device including the organic light emitting display device of claim 1; and a control unit that drives the display device.
제19항에 있어서, 상기 유기 발광 표시 장치는 유기전기발광소자, 유기태양전지, 유기감광체, 유기트랜지스터, 단색 또는 백색 조명용 소자, 및 디스플레이용 소자 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 전자 장치
The electronic device of claim 19, wherein the organic light emitting display device is at least one of an organic electroluminescent device, an organic solar cell, an organic photoreceptor, an organic transistor, a monochromatic or white lighting device, and a display device.
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