KR20240041489A - 감쇠 특성이 개선된 표면 탄성파 필터 - Google Patents

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KR20240041489A
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최재승
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Abstract

감쇠 특성이 개선된 표면 탄성파 필터가 제공된다. 표면 탄성파 필터는 입력 단자와 출력 단자 사이에 연결되는 적어도 하나의 직렬 공진기, 및 상기 적어도 하나의 직렬 공진기와 병렬 연결되는 적어도 하나의 병렬 공진기를 포함하되, 상기 적어도 하나의 직렬 공진기 중 상기 적어도 하나의 병렬 공진기가 연결된 직렬 공진기는, 기판 상에 차례로 배열되는 제1 내지 제3 영역 내에서 제1 방향으로 서로 평행하게 연장되는 제1 버스바와 제2 버스바, 상기 제1 버스바로부터 상기 제1 방향과 수직인 제2 방향으로 연장되는 복수의 제1 IDT(InterDigital Tranceducer) 전극, 상기 제2 버스바로부터 상기 제2 방향으로 연장되고 상기 복수의 제1 IDT 전극과 교번하여 배치되는 복수의 제2 IDT 전극을 포함하고, 상기 복수의 제1 IDT 전극과 복수의 제2 IDT 전극은, 상기 제2 영역에서 기준 주기를 갖도록 서로 교번하여 배열되고, 상기 제1 영역에서 상기 제1 버스바의 일단으로 갈수록 기준 주기보다 감소하는 주기를 갖도록 서로 교번하여 배열되고, 상기 제3 영역에서 상기 제1 버스바의 타단으로 갈수록 기준 주기보다 감소하는 주기를 갖도록 서로 교번하여 배열되는 것을 특징으로 한다.

Description

감쇠 특성이 개선된 표면 탄성파 필터{SURFACE ACCOUSTIC WAVE FILTER WITH IMPROVED ATTENUATION}
본 발명은 감쇠 특성이 개선된 표면 탄성파 필터에 관한 것으로, 구체적으로는 표면 탄성파 필터를 구성하는 공진기에 포함된 IDT(InterDigital Transducer) 전극의 주기를 조절함으로써 필터의 우측 감쇠 특성을 개선시킬 수 있는 표면 탄성파 필터에 관한 것이다.
표면 탄성파(Surface Acoustic Wave; SAW)는 탄성 고체의 표면을 따라 전파하는 파를 말하며, 이러한 탄성 표면파는 에너지가 표면 가까이에서 집중되어 전파되며, 역학적 파동에 해당한다. 표면 탄성파 소자는 이러한 표면 탄성파와 반도체 전도 전자의 상호 작용을 이용한 전자 기계적 소자로, 압전 결정의 표면에 전해지는 표면 탄성파를 이용한다.
이러한 표면 탄성파 소자는 센서, 발진기, 필터 등 산업적으로 매우 넓은 응용 영역을 가질 수 있으며, 소형화 및 경량화가 가능하며, 견고성과 안정도, 민감도, 저가격, 실시간성 등 다양한 장점을 가질 수 있다.
한편, 표면 탄성파 소자는 빗살 모양의 IDT(InterDigital Tranceducer) 전극을 압전성 기판 위에 형성하고, 신호가 입력되면 물결 모양의 파를 일으킬 수 있다. 이 때 기판의 표면에 생기는 파동의 속도는 전극 간의 주기(Pitch)에 따라 달라질 수 있다. 따라서 표면 탄성파 소자를 포함하는 필터는 IDT 전극의 주기, 주기에서 전극이 차지하는 비율인 듀티비(Duty factor), 전극의 넓이 등을 변경함으로써 필터의 특성을 튜닝할 수 있다.
한국공개특허 제10-2012-0114729호 (2012.10.17.)
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 표면 탄성파 필터를 구성하는 공진기에 포함된 IDT(InterDigital Tranceducer) 전극의 주기를 조절함으로써 감쇠 특성이 개선된 표면 탄성파 필터를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는 표면 탄성파 필터를 구성하는 공진기에 연결된 커패시터를 이용하여 감쇠 특성이 개선된 표면 탄성파 필터를 제공하는 것이다.
본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 감쇠 특성이 개선된 표면 탄성파 필터는, 입력 단자와 출력 단자 사이에 연결되는 복수의 직렬 공진기; 및 상기 복수의 직렬 공진기 중 인접한 두 개의 직렬 공진기 사이와 접지 단자를 연결하는 적어도 하나의 병렬 공진기를 포함하되, 상기 복수의 직렬 공진기 중 적어도 하나 이상의 직렬 공진기는, 기판 상에 차례로 배열되는 제1 내지 제3 영역 내에서 제1 방향으로 서로 평행하게 연장되는 제1 버스바와 제2 버스바, 상기 제1 버스바로부터 상기 제1 방향과 수직인 제2 방향으로 연장되는 복수의 제1 IDT(InterDigital Tranceducer) 전극, 상기 제2 버스바로부터 상기 제2 방향으로 연장되고 상기 복수의 제1 IDT 전극과 교번하여 배치되는 복수의 제2 IDT 전극을 포함하고, 상기 복수의 제1 IDT 전극과 복수의 제2 IDT 전극은, 상기 제2 영역에서 기준 주기를 갖도록 서로 교번하여 배열되고, 상기 제1 영역에서 상기 제1 버스바의 일단으로 갈수록 기준 주기보다 감소하는 주기를 갖도록 서로 교번하여 배열되고, 상기 제3 영역에서 상기 제1 버스바의 타단으로 갈수록 기준 주기보다 감소하는 주기를 갖도록 서로 교번하여 배열되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 제1 영역과 상기 제3 영역에서 상기 복수의 제1 IDT 전극과 복수의 제2 IDT 전극이 배열되는 주기는, 상기 기준 주기의 88~97% 범위에서 상기 제1 버스바의 상기 일단 또는 타단으로 갈수록 감소할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 복수의 직렬 공진기 중 적어도 하나 이상의 직렬 공진기는, 공진 주파수 및 반공진 주파수를 각각 2개 이상 가질 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 복수의 직렬 공진기 중 제1 직렬 공진기와 병렬로 연결되는 제1 커패시터를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 제1 커패시터는 MIM(Metal-Insulator-Metal) 구조를 가질 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 제1 직렬 공진기는, 상기 복수의 직렬 공진기 중 가장 높은 공진 주파수를 가질 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 제1 커패시터는 상기 제1 직렬 공진기의 전기 기계 결합 계수(K2)를 감소시킬 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 복수의 직렬 공진기 중 제2 직렬 공진기와 병렬로 연결되는 제2 커패시터를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 제2 직렬 공진기는 상기 복수의 직렬 공진기 중 상기 제1 직렬 공진기의 공진 주파수 다음으로 높은 공진 주파수를 가질 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 제2 커패시터는 IDT 커패시터 또는 MIM 구조를 가질 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 복수의 직렬 공진기 중 적어도 하나 이상의 직렬 공진기는, 상기 제1 버스바의 상기 일단에 대향하여 상기 기판 상에 형성된 제1 반사기와, 상기 제1 버스바의 상기 타단에 대향하여 상기 기판 상에 형성된 제2 반사기를 더 포함할 수 있다.
상술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 몇몇 실시예에 따른 감쇠 특성이 개선된 표면 탄성파 필터는, 입력 단자와 출력 단자 사이에 연결되는 복수의 직렬 공진기; 상기 복수의 직렬 공진기 중 제1 직렬 공진기와 병렬로 연결되는 제1 커패시터; 및 상기 복수의 직렬 공진기 중 인접한 두 개의 직렬 공진기 사이와 접지 단자를 연결하는 적어도 하나의 병렬 공진기를 포함하되, 상기 복수의 직렬 공진기 중 적어도 하나 이상의 직렬 공진기는, 기판 상에 차례로 배열되는 제1 내지 제3 영역 내에서 제1 방향으로 서로 평행하게 연장되는 제1 버스바와 제2 버스바, 상기 제1 버스바로부터 상기 제1 방향과 수직인 제2 방향으로 연장되는 복수의 제1 IDT(Interdigital) 전극, 상기 제2 버스바로부터 상기 제2 방향으로 연장되고 상기 복수의 제1 IDT 전극과 교번하여 배치되는 복수의 제2 IDT 전극을 포함하고, 상기 복수의 제1 IDT 전극과 복수의 제2 IDT 전극은, 상기 제2 영역에서 기준 주기를 갖도록 서로 교번하여 배열되고, 상기 제1 영역과 제3 영역에서 상기 기준 주기와 다른 주기를 갖도록 서로 교번하여 배열되고, 상기 제1 직렬 공진기는 상기 복수의 직렬 공진기 중 가장 높은 공진 주파수를 갖는다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 복수의 제1 IDT 전극과 복수의 제2 IDT 전극은,
상기 제1 영역에서 상기 제1 버스바의 일단으로 갈수록 기준 주기보다 감소하는 주기를 갖도록 서로 교번하여 배열되고, 상기 제3 영역에서 상기 제1 버스바의 타단으로 갈수록 기준 주기보다 감소하는 주기를 갖도록 서로 교번하여 배열될 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예에 따른 표면 탄성파 필터는 직렬 공진기에 포함된 IDT 전극들이 직렬 공진기의 일측 또는 타측으로 갈수록 감소하는 배치 주기를 가짐으로써, 해당 전극들에 의한 추가적인 공진/반공진 현상을 일으킬 수 있다. 이와 같은 추가적으로 발생하는 공진/반공진에 의해, 송신대역 우측에서의 감쇠 특성이 개선될 수 있다.
또한, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 감쇠 특성이 개선된 표면 탄성파 필터는, 직렬 공진기 중 적어도 하나와 병렬 연결된 커패시터를 포함함으로써 해당 직렬 공진기의 전기 기계 결합 계수(K2)와 반공진 주파수를 감소시킴으로써 우측 감쇠 특성을 개선할 수 있다.
특히, 커패시터가 연결되는 직렬 공진기는 공진 주파수가 가장 높아 표면 탄성파 필터의 우측 감쇠 특성에 가장 영향을 많이 주는 직렬 공진기로써 커패시터 연결에 따른 특성 개선 효과를 극대화시킬 수 있다.
본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 감쇠 특성이 개선된 표면 탄성파 필터의 회로도이다.
도 2는 도 1의 표면 탄성파 필터에 포함된 직렬 공진기의 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 도 2의 직렬 공진기의 주기를 설명하기 위한 그래프이다.
도 4는 본 발명의 표면 탄성파 필터가 도 2의 직렬 공진기의 구조를 가짐으로 인해 얻을 수 있는 감쇠 특성의 개선 효과를 설명하기 위한 그래프이다.
도 5는 도 4의 일부를 확대하여 도시한 그래프이다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 표면 탄성파 필터에 포함된 커패시터에 의해 얻을 수 있는 감쇠 특성의 개선 효과를 설명하기 위한 그래프이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 감쇠 특성이 개선된 표면 탄성파 필터의 회로도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 표시된 구성요소의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭하며, "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)" 또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소 외에 하나 이상의 다른 구성요소의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 소자나 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자나 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자나 구성요소를 다른 소자나 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자나 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자나 구성요소 일 수도 있음은 물론이다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
도 1은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 감쇠 특성이 개선된 표면 탄성파 필터의 회로도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 표면 탄성파 필터(1)는 복수의 직렬 공진기(SR), 인접한 두 개의 직렬 공진기 사이와 접지 단자를 연결하는 병렬 공진기(PR) 및 복수의 직렬 공진기 중 어느 하나와 병렬 연결되는 커패시터(C1)를 포함할 수 있다.
입력 단자(IN)와 출력 단자(OUT) 사이에 적어도 하나 이상의 직렬 공진기(SR)가 연결될 수 있다. 도 1에서는 예시적으로 4개의 직렬 공진기(110, 120, 130, 140)가 입력 단자(IN)와 출력 단자(OUT) 사이에 연결된 것으로 도시되었으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
복수의 직렬 공진기(SR) 중 적어도 하나 이상의 직렬 공진기는 도 2에 도시된 구조를 가질 수 있다. 이와 관련하여 자세한 설명은 후술한다.
복수의 직렬 공진기(SR) 중 적어도 하나 이상의 직렬 공진기는 공진 주파수 및 반공진 주파수를 각각 2개 이상 가질 수 있다. 이때 해당 직렬 공진기의 공진 주파수와 반공진 주파수는 중심 주파수보다 높은 주파수에 위치할 수 있다.
병렬 공진기(PR)는 복수의 직렬 공진기(SR) 중 인접한 두 개의 직렬 공진기(예를 들어 110, 120) 사이와 접지 단자를 연결할 수 있다. 도 1에서는 예시적으로 병렬 공진기(PR)가 인접한 두 개의 직렬 공진기들 사이에 모두 연결된 것으로 도시되었으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며, 복수의 직렬 공진기(SR) 중 병렬 공진기가 연결되지 않은 공진기도 있을 수 있다.
복수의 직렬 공진기(SR) 중 적어도 하나의 직렬 공진기(130)와 병렬로 제1 커패시터(C1)가 연결될 수 있다. 제1 커패시터(C1)는 두 개의 금속 전극 사이에 예를 들어 Ta2O5와 같은 유전물질이 개재된 MIM(Metal-Insulator-Metal) 구조를 가질 수 있다.
제1 커패시터(C1)는 복수의 직렬 공진기(SR) 중 표면 탄성파 필터(1)의 우측 감쇠 특성에 가장 영향을 많이 주는 직렬 공진기와 병렬 연결될 수 있다. 따라서 제1 커패시터(C1)는 복수의 직렬 공진기(SR) 중 공진 주파수가 가장 높은 직렬 공진기와 병렬 연결될 수 있으며, 도 1에서는 예시적으로 직렬 공진기(130)가 공진 주파수가 가장 높은 직렬 공진기인 것으로 설정되고 제1 커패시터(C1)가 이에 연결된 것이 도시된다.
제1 커패시터(C1)는 병렬로 연결된 직렬 공진기(130)의 기계 전기 결합 계수(K2)를 감소시킬 수 있다. 기계 전기 결합 계수(K2)가 감소됨에 따라 공진주파수와 반공진주파수의 차이가 감소할 수 있으며, 표면 탄성파 필터(1)의 감쇠 및 스커트(skirt) 특성이 개선될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 표면 탄성파 필터에 포함된 병렬 공진기(PR)는, 병렬 공진기(PR)가 연결된 직렬 공진기(110)의 공진 주파수보다 낮은 반공진 주파수(Antiresonance frequency)를 가질 수 있다. 또한, 병렬 공진기(PR)에 포함된 IDT(InterDigital Tranceducer) 전극의 폭은, 병렬 공진기(PR)가 연결된 직렬 공진기(110)의 IDT 전극의 폭보다 클 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 표면 탄성파 필터를 이용하여 얻고자 하는 주파수 특성에 따라, 적어도 하나 이상의 직렬 공진기(SR)와 접지 단자 사이에 하나 이상의 공진기들(PR)이 연결될 수도 있다. 도 1에서는 4개의 공진기들(PR)이 각각 공진기들(110과 120, 120과 130, 130과 140) 사이와 출력 단자(OUT) 사이에 연결된 것으로 도시되었으나 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다. 또한 하나 이상의 공진기가 두 개의 직렬 공진기와 접지 단자 사이에 연결될 수도 있다.
본 발명의 실시예에 따른 표면 탄성파 필터에 포함된 적어도 하나 이상의 직렬 공진기(SR)의 구조에 관하여 도 2를 이용하여 더욱 자세하게 설명한다.
도 2는 도 1의 표면 탄성파 필터에 포함된 직렬 공진기의 구조를 설명하기 위한 도면이고, 도 3은 도 2의 직렬 공진기의 주기를 설명하기 위한 그래프이다.
도 2를 참조하면, 직렬 공진기(200)는 제1 및 제2 버스바(210, 220), 복수의 제1 및 제2 IDT 전극(230, 240) 등을 포함할 수 있다. 도 2의 직렬 공진기(200)는 도 1의 복수의 직렬 공진기(SR) 중 어느 하나에 해당할 수 있으며, 특히 복수의 직렬 공진기(SR) 중 공진 주파수가 가장 높은 주파수를 갖는 직렬 공진기 또는 두 번째로 높은 공진 주파수를 갖는 직렬 공진기에 해당할 수 있다. 이와 같이 공진 주파수가 높은 직렬 공진기가 도 2의 구성을 가짐으로써 해당 구성에 의한 표면 탄성파 필터(1)의 우측 감쇠 특성의 개선 효과가 두드러질 수 있다.
직렬 공진기(200)는 각각 일단(201)과 타단(202)을 가질 수 있다. 직렬 공진기의 일단(201)과 타단(202)에는 각각 최외곽에 위치한 IDT 전극이 배치될 수 있다. 직렬 공진기(200)의 일단(201)에 대향하여 제1 반사기(310)가 배치되고, 타단(202)에 대향하여 제2 반사기(320)가 배치될 수 있다.
제1 및 제2 버스바(210, 220)는 직렬 공진기(200)가 형성되는 기판 상에 서로 제2 방향(D2)으로 이격되고 제1 방향(D1)으로 평행하게 연장될 수 있다. 제1 및 제2 버스바(210, 220)는 도전성 물질을 포함하거나, 도전성 물질과 절연성 물질이 차례로 적층된 구조를 가질 수도 있다.
직렬 공진기(200)는 제1 방향(D1)으로 차례로 배치된 제1 영역(A1), 제2 영역(A2) 및 제3 영역(A3) 내에 배치될 수 있다. 따라서 제1 및 제2 버스바(210, 220)는 제1 내지 제3 영역(A1~A3)을 제1 방향(D1)으로 가로지르고, 복수의 제1 및 제2 버스바(210, 220)는 제1 내지 제3 영역(A1~A3) 내에서 제2 방향(D2)으로 연장되도록 배치될 수 있다.
복수의 제1 IDT 전극(230)은 제1 버스바(210)로부터 제2 버스바(220)를 향해 제2 방향(D2)으로 연장될 수 있다. 또한, 복수의 제2 IDT 전극(240)은 제2 버스바(220)로부터 제1 버스바(210)를 향해 제2 방향(D2)으로 연장될 수 있다. 복수의 제1 IDT 전극(230)과 제2 IDT 전극(240)은 제1 내지 제3 영역(A1~A3)을 제2 방향(D2)으로 가로지르도록 배치될 수 잇다.
복수의 제1 IDT 전극(230)은 제2 버스바(220)와 이격되고, 복수의 제2 IDT 전극(240)은 제1 버스바(210)와 이격될 수 있다. 또한 복수의 제1 IDT 전극(230)과 복수의 제2 IDT 전극(240)은 서로 교번하여 배치될 수 있다. 즉, 하나의 제1 IDT 전극이 제1 버스바(210)로부터 제2 버스바(220)를 향해 연장되고, 그와 이웃하여 하나의 제2 IDT 전극이 제2 버스바(220)로부터 제1 버스바(210)를 향해 연장되도록 배치될 수 있다.
따라서 하나의 제1 IDT 전극은 양 옆에 두 개의 제2 IDT 전극과 이웃하고, 하나의 제2 IDT 전극은 양 옆에 두 개의 제1 IDT 전극과 이웃할 수 있다.
복수의 제1 IDT 전극(230) 중 하나는 제1 방향(D1)으로 가장 인접한 하나의 제1 IDT 전극과 소정의 주기를 두고 배치될 수 있다. 복수의 제2 IDT 전극(230) 또한 제1 방향(D1)으로 소정의 주기를 두고 배치될 수 있다. 본 발명의 표면 탄성파 필터에 포함된 직렬 공진기(200)는 이러한 IDT 전극의 배치 주기가 IDT 전극이 배치된 위치에 따라 달라질 수 있다.
즉, 제2 영역(A2)에 배치된 복수의 제1 IDT 전극(250)의 배치 주기(L1)는, 제1 영역(A1) 또는 제3 영역(A3)에 배치된 복수의 제1 IDT 전극(230, 260)의 배치 주기(L2, L3, L4, L5)와 다를 수 있다.
제2 영역(A2)에 배치된 복수의 제1 IDT 전극(250)은 일정한 배치 주기(L1)를 가지며 배치될 수 있다. 이러한 제2 영역(A2)에서의 복수의 제1 IDT 전극(250)의 배치 주기를 기준 주기(L1)로 할 수 있다.
한편, 제1 영역(A1)에 배치된 복수의 제1 IDT 전극(230)은 직렬 공진기(200)의 일단(201) 방향으로 갈수록 감소하는 배치 주기를 가질 수 있다. 제3 영역(A3)에 배치된 복수의 제1 IDT 전극(260) 또한 직렬 공진기(200)의 타단(202) 방향으로 갈수록 감소하는 배치 주기를 가질 수 있다.
예를 들어, 제1 영역(A1)에 배치된 3개의 제1 IDT 전극을 보면, 제2 영역(A2)과 인접한 쪽에 배치된 제1 IDT 전극(232)과, 제1 IDT 전극(232)으로부터 직렬 공진기의 일단(201) 방향으로 이웃하는 제1 IDT 전극(231)은 배치 주기(L2)를 갖고, 제1 IDT 전극(231)과 일단(201) 방향으로 이웃하는 또 다른 제1 IDT 전극(230)은 배치 주기(L3)를 갖는다. 이 때 기준 주기(L1)와 배치 주기(L2, L3)는 다음과 같은 크기 관계를 갖는다.
L1 > L2 > L3
즉, 제1 영역(A1)에 배치된 제1 IDT 전극들은 기준 주기(L1)보다 작고 직렬 공진기의 일단(201) 방향으로 갈수록 감소하는 주기로 배치된다.
이는 제3 영역(A3)에 배치된 IDT 전극 또한 마찬가지다. 제3 영역(A3)에 배치된 3개의 제1 IDT 전극을 보면, 제2 영역(A2)과 인접한 쪽에 배치된 제1 IDT 전극(262)과, 제1 IDT 전극(262)으로부터 직렬 공진기의 타단(202) 방향으로 이웃하는 제1 IDT 전극(261)은 배치 주기(L4)를 갖고, 제1 IDT 전극(261)과 타단(202) 방향으로 이웃하는 또 다른 제1 IDT 전극(260)은 배치 주기(L5)를 갖는다. 이 때 기준 주기(L1)와 배치 주기(L4, L5)는 다음과 같은 크기 관계를 갖는다.
L1 > L4 > L5
즉, 제3 영역(A3)에 배치된 제1 IDT 전극들은 기준 주기(L1)보다 작고 직렬 공진기의 타단(202) 방향으로 갈수록 감소하는 주기로 배치된다.
이러한 복수의 제1 IDT 전극(230)들의 배치 주기는 도 3의 그래프와 같이 도시될 수 있다. 도 3의 그래프에서 가로축은 IDT 전극의 배치 주기를 의미하고, 세로축은 해당 배치 주기를 갖는 IDT 전극의 수를 의미한다.
제2 영역(A2)에 배치된 제1 IDT 전극들은 기준 주기(L1)를 갖도록 서로 이격되며 배치되고, 제1 영역(A1) 또는 제3 영역(A3)에 배치된 제1 IDT 전극들은 제2 영역(A2)에서 멀어질수록, 즉 직렬 공진기의 일단(201) 또는 타단(202)에 가까워질수록 감소하는 주기를 갖도록 배치될 수 있다.
이러한 배치 구조는 제2 버스바(220)로부터 연장되는 복수의 제2 IDT 전극(240)들에 대하여도 동일하게 적용될 수 있다.
복수의 제2 IDT 전극(240)들은 서로 이웃하는 복수의 제2 IDT 전극(240)과 동일한 배치 주기를 가질 수 있다. 특히 제1 내지 제3 영역(A1~A3)에 배치된 복수의 제2 IDT 전극(240)은 도 3에 도시된 배치 주기를 갖도록 배치될 수 있다. 따라서 제2 영역(A2)에 배치된 제2 IDT 전극들은 일정한 기준 주기(L1)를 갖도록 서로 이격되며 배치되고, 제1 영역(A1) 또는 제3 영역(A3)에 배치된 제2 IDT 전극들은 제2 영역(A2)에서 멀어질수록, 즉 직렬 공진기의 일단(201) 또는 타단(202)에 가까워질수록 감소하는 주기를 갖도록 배치될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 표면 탄성파 필터에 포함된 직렬 공진기가 위에서 설명한 IDT 전극들의 배치 주기를 가짐으로써, 제1 영역(A1) 또는 제3 영역(A3)에 배치된 복수의 제1 및 제2 IDT 전극에 의한 추가적인 공진/반공진 현상을 일으킬 수 있다. 이와 같은 추가적으로 발생하는 공진/반공진에 의해, 송신대역 우측에서의 감쇠 특성이 개선될 수 있다. 이러한 효과를 도 4 및 도 5의 그래프를 이용하여 자세하게 설명한다.
도 4는 본 발명의 표면 탄성파 필터가 도 2의 직렬 공진기의 구조를 가짐으로 인해 얻을 수 있는 감쇠 특성의 개선 효과를 설명하기 위한 그래프이고, 도 5는 도 4의 일부를 확대하여 도시한 그래프이다.
도 4를 참조하면, 상단의 두 그래프는 직렬 공진기에 포함된 IDT 전극의 배치 주기가 일정한 경우의 직렬 공진기의 삽입 손실을 컨덕턴스(좌상 그래프)와 어드미턴스(우상 그래프)와 같이 도시한 것이고, 하단의 두 그래프는 도 2의 직렬 공진기의 삽입 손실을 컨덕턴스(좌하 그래프)와 어드미턴스(우하 그래프)와 같이 도시한 것이다. 해당 그래프에서 붉은 색은 주파수(MHz)에 따른 이득(dB) 그래프이고, 푸른 색은 컨덕턴스 또는 어드미턴스의 크기를 의미한다.
먼저, 상단의 두 그래프를 보면, 기존의 직렬 공진기 구조를 통해 2475MHz 부근의 공진주파수와, 2560MHz 부근의 반공진주파수가 얻어진다. 이와 같이, 기존의 직렬 공진기는 공진주파수와 반공진주파수 1개씩을 갖는다.
반면에 하단의 두 그래프에서 나타난 도 2의 직렬 공진기(200) 구조를 적용한 경우, 각각 2475MHz와 2520MHz 부근의 2개의 공진주파수와, 2505MHz와 2580MHz 부근의 2개의 반공진주파수를 갖는다. 추가된 2520MHz 부근의 공진주파수와 2505MHz 부근의 반공진주파수는 우측 스커트 영역에 있거나 우측 스커트 영역에 근접하여 위치하며, 송신대역의 중심주파수보다 높은 주파수에 위치한다.
도 5를 참조하면, 도 4의 그래프의 송신대역 이상의 주파수 대역, 특히 2450MHz~2600MHz의 그래프를 확대하여 주파수와 삽입 손실(dB) 사이의 관계를 도시한 그래프이다. 붉은 색 그래프는 기존의 직렬 공진기의 배치 주기가 일정한 경우의 그래프이고, 푸른 색 그래프는 앞서 설명된 실시예에 따른 직렬 공진기로부터 측정된 그래프이다.
도 5에 도시된 것과 같이, 앞서 설명된 실시예에 따른 직렬 공진기는 약 5dB 정도 개선된 감쇠 특성을 가짐에 따라 동시에 감도 특성도 개선된 것을 알 수 있다.
정리하면, 본 발명의 표면 탄성파 필터는, 직렬 공진기(200)의 일단 또는 타단으로 갈수록 배치 주기가 작아지는 IDT 전극을 갖는 구조로 인해 송신대역의 우측에서 개선된 감쇠 특성과 감도 특성을 가질 수 있다.
한편, 제1 영역(A1) 또는 제3 영역(A3)에 배치된 복수의 제1 또는 제2 IDT 전극 사이의 배치 주기와, 제2 영역(A2)에 배치된 복수의 제1 또는 제2 IDT 전극 사이의 배치 주기는, 제2 영역(A2)에 배치된 복수의 제1 또는 제2 IDT 전극 사이의 배치 주기의 88%~97% 범위를 가질 수 있다. 즉, 기준 주기(L1)와 배치 주기(L2, L3) 또는 배치 주기(L4, L5)는 다음과 같은 크기 관계를 가질 수 있다.
0.97 × L1 ≥ L2 or L4 > L3 or L5 ≥ 0.88 × L1
도 6 및 도 7은 본 발명의 표면 탄성파 필터에 포함된 커패시터에 의해 얻을 수 있는 감쇠 특성의 개선 효과를 설명하기 위한 그래프이다.
먼저 도 6의 (a)는 도 2를 이용하여 설명한 본 발명의 직렬 공진기와는 다르게 공진 주파수와 반공진 주파수를 각각 1개씩 갖도록 구성된 경우의 어드미턴스 그래프이고, 도 6의 (b)는 도 2를 이용하여 설명한 직렬 공진기와 같이 공진 주파수와 반공진 주파수를 각각 2개씩 갖도록 구성된 경우의 어드미턴스 그래프이다.
또한 그 중에서도 빨간색 그래프는 제1 커패시터(C1)가 직렬 공진기와 병렬로 연결된 구성의 어드미턴스 그래프이고 검은색 그래프는 커패시터가 병렬로 연결되지 않은 구성의 어드미턴스 그래프이다. 제1 커패시터(C1)가 연결됨에 따라 병렬로 연결된 직렬 공진기(130)의 전기 기계 결합 계수(K2)가 낮아지게 되며, 이와 비례하여 공진 주파수와 반공진 주파수의 차이 또한 감소할 수 있다. 도 6의 두 경우 모두 제1 커패시터(C1)를 연결한 경우 반공진 주파수가 5~10MHz 정도 낮도록 이동한 것을 알 수 있다.
또한, 도 7의 통과대역(Passband) 및 근대역(Nearband)의 삽입 손실 그래프에서 도시된 것과 같이, 빨간색 그래프로 도시된 제1 커패시터(C1)가 직렬 공진기와 병렬로 연결된 구성의 삽입 손실이 2500MHz 부근에서 약 7.5dB 개선되는데, 이로부터 직렬 공진기의 반공진 주파수가 감소하는 방향으로 이동하면서 우측 감쇠 특성 및 감도(De-sense) 특성이 개선된 것을 확인할 수 있다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 감쇠 특성이 개선된 표면 탄성파 필터의 회로도이다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표면 탄성파 필터(2)는 직렬 공진기(140)와 병렬로 연결된 제2 커패시터(C2)를 더 포함할 수 있다.
즉, 본 발명의 다른 실시예에 따른 표면 탄성파 필터(2)는 둘 이상의 직렬 공진기(130, 140)와 각각 병렬로 연결된 둘 이상의 커패시터(C1, C2)를 포함할 수 있다. 본 발명의 몇몇 실시예에서, 제2 커패시터(C2)는 MIM 커패시터를 포함할 수 있으며, 더욱 구체적으로 제2 커패시터(C2)는 유전체 박막을 사이에 두고 복수의 IDT 전극이 적층되어 형성된 IDT 커패시터를 포함할 수 있다. 즉, 제1 및 제2 커패시터(C1, C2)에 2개 이상의 MIM 커패시터를 이용하여 수직으로 중첩되었을 때의 영향, 예를 들어 스커트 부분의 노치 발생을 감소시키기 위하여 제2 커패시터(C2)에는 K2값이 더 큰 IDT 커패시터가 채용될 수 있다.
제1 커패시터(C1)와 제2 커패시터(C2)는 복수의 직렬 공진기(SR) 중 표면 탄성파 필터(2)의 우측 감쇠 특성에 가장 영향을 많이 주는 직렬 공진기들과 병렬 연결될 수 있다. 따라서 제1 커패시터(C1)는 복수의 직렬 공진기(SR) 중 공진 주파수가 가장 높은 직렬 공진기(130)와 병렬 연결되고, 제2 커패시터(C2)는 공진 주파수가 두 번째로 높은 직렬 공진기(140)와 병렬 연결될 수 있다. 도 8에서는 예시적으로 직렬 공진기(130, 140)가 공진 주파수가 가장 높은 직렬 공진기인 것으로 설정되고 제1 및 제2 커패시터(C1, C2)가 이에 연결된 것이 도시된다. 앞서 도 1을 이용하여 설명한 표면 탄성파 필터(1)와 유사하게 제1 및 제2 커패시터(C1, C2)에 의해 이들과 병렬 연결된 직렬 공진기들(130, 140)의 반공진 주파수가 감소하는 방향으로 이동하고, 따라서 표면 탄성파 필터(2)의 우측 감쇠 특성이 개선될 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
110~140: 직렬 공진기 PR: 병렬 공진기
C1, C2: 커패시터 200: 직렬 공진기
210, 220: 버스바 230, 240, 250, 260: IDT 전극
310, 320: 반사기

Claims (20)

  1. 입력 단자와 출력 단자 사이에 연결되는 복수의 직렬 공진기; 및
    상기 복수의 직렬 공진기 중 인접한 두 개의 직렬 공진기 사이와 접지 단자를 연결하는 적어도 하나의 병렬 공진기를 포함하되,
    상기 복수의 직렬 공진기 중 적어도 하나 이상의 직렬 공진기는,
    기판 상에 차례로 배열되는 제1 내지 제3 영역 내에서 제1 방향으로 서로 평행하게 연장되는 제1 버스바와 제2 버스바,
    상기 제1 버스바로부터 상기 제1 방향과 수직인 제2 방향으로 연장되는 복수의 제1 IDT(InterDigital Tranceducer) 전극,
    상기 제2 버스바로부터 상기 제2 방향으로 연장되고 상기 복수의 제1 IDT 전극과 교번하여 배치되는 복수의 제2 IDT 전극을 포함하고,
    상기 복수의 제1 IDT 전극과 복수의 제2 IDT 전극은,
    상기 제2 영역에서 기준 주기를 갖도록 서로 교번하여 배열되고,
    상기 제1 영역에서 상기 제1 버스바의 일단으로 갈수록 기준 주기보다 감소하는 주기를 갖도록 서로 교번하여 배열되고,
    상기 제3 영역에서 상기 제1 버스바의 타단으로 갈수록 기준 주기보다 감소하는 주기를 갖도록 서로 교번하여 배열되는 것을 특징으로 하는,
    표면 탄성파 필터.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 영역과 상기 제3 영역에서 상기 복수의 제1 IDT 전극과 복수의 제2 IDT 전극이 배열되는 주기는,
    상기 기준 주기의 88~97% 범위에서 상기 제1 버스바의 상기 일단 또는 타단으로 갈수록 감소하는 것을 특징으로 하는,
    표면 탄성파 필터.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 직렬 공진기 중 적어도 하나 이상의 직렬 공진기는,
    공진 주파수 및 반공진 주파수를 각각 2개 이상 갖는 것을 특징으로 하는,
    표면 탄성파 필터.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 복수의 직렬 공진기 중 제1 직렬 공진기와 병렬로 연결되는 제1 커패시터를 더 포함하는,
    표면 탄성파 필터.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 제1 커패시터는 MIM(Metal-Insulator-Metal) 구조를 갖는,
    표면 탄성파 필터.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 제1 직렬 공진기는,
    상기 복수의 직렬 공진기 중 가장 높은 공진 주파수를 갖는,
    표면 탄성파 필터.
  7. 제 4항에 있어서,
    상기 제1 커패시터는 상기 제1 직렬 공진기의 전기 기계 결합 계수(K2)를 감소시키는,
    표면 탄성파 필터.
  8. 제 4항에 있어서,
    상기 복수의 직렬 공진기 중 제2 직렬 공진기와 병렬로 연결되는 제2 커패시터를 더 포함하는,
    표면 탄성파 필터.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 제2 직렬 공진기는 상기 복수의 직렬 공진기 중 상기 제1 직렬 공진기의 공진 주파수 다음으로 높은 공진 주파수를 갖는,
    표면 탄성파 필터.
  10. 제 8항에 있어서,
    상기 제2 커패시터는 IDT 커패시터 또는 MIM 구조를 갖는,
    표면 탄성파 필터.
  11. 제 1항에 있어서,
    상기 복수의 직렬 공진기 중 적어도 하나 이상의 직렬 공진기는,
    상기 제1 버스바의 상기 일단에 대향하여 상기 기판 상에 형성된 제1 반사기와,
    상기 제1 버스바의 상기 타단에 대향하여 상기 기판 상에 형성된 제2 반사기를 더 포함하는,
    표면 탄성파 필터.
  12. 입력 단자와 출력 단자 사이에 연결되는 복수의 직렬 공진기;
    상기 복수의 직렬 공진기 중 제1 직렬 공진기와 병렬로 연결되는 제1 커패시터; 및
    상기 복수의 직렬 공진기 중 인접한 두 개의 직렬 공진기 사이와 접지 단자를 연결하는 적어도 하나의 병렬 공진기를 포함하되,
    상기 복수의 직렬 공진기 중 적어도 하나 이상의 직렬 공진기는,
    기판 상에 차례로 배열되는 제1 내지 제3 영역 내에서 제1 방향으로 서로 평행하게 연장되는 제1 버스바와 제2 버스바,
    상기 제1 버스바로부터 상기 제1 방향과 수직인 제2 방향으로 연장되는 복수의 제1 IDT(InterDigital Tranceducer) 전극,
    상기 제2 버스바로부터 상기 제2 방향으로 연장되고 상기 복수의 제1 IDT 전극과 교번하여 배치되는 복수의 제2 IDT 전극을 포함하고,
    상기 복수의 제1 IDT 전극과 복수의 제2 IDT 전극은,
    상기 제2 영역에서 기준 주기를 갖도록 서로 교번하여 배열되고,
    상기 제1 영역과 제3 영역에서 상기 기준 주기와 다른 주기를 갖도록 서로 교번하여 배열되고,
    상기 제1 직렬 공진기는 상기 복수의 직렬 공진기 중 가장 높은 공진 주파수를 갖는,
    표면 탄성파 필터.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 복수의 제1 IDT 전극과 복수의 제2 IDT 전극은,
    상기 제1 영역에서 상기 제1 버스바의 일단으로 갈수록 기준 주기보다 감소하는 주기를 갖도록 서로 교번하여 배열되고,
    상기 제3 영역에서 상기 제1 버스바의 타단으로 갈수록 기준 주기보다 감소하는 주기를 갖도록 서로 교번하여 배열되는 것을 특징으로 하는,
    표면 탄성파 필터.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 제1 영역과 상기 제3 영역에서 상기 복수의 제1 IDT 전극과 복수의 제2 IDT 전극이 배열되는 주기는,
    상기 기준 주기의 88~97% 범위에서 상기 제1 버스바의 상기 일단 또는 타단으로 갈수록 감소하는 것을 특징으로 하는,
    표면 탄성파 필터.
  15. 제 12항에 있어서,
    상기 제1 커패시터는 MIM(Metal-Insulator-Metal) 구조를 갖는,
    표면 탄성파 필터.
  16. 제 12항에 있어서,
    상기 제1 커패시터는 상기 제1 직렬 공진기의 전기 기계 결합 계수(K2)를 감소시키는,
    표면 탄성파 필터.
  17. 제 12항에 있어서,
    상기 복수의 직렬 공진기 중 제2 직렬 공진기와 병렬로 연결되는 제2 커패시터를 더 포함하는,
    표면 탄성파 필터.
  18. 제 17항에 있어서,
    상기 제2 직렬 공진기는 상기 복수의 직렬 공진기 중 상기 제1 직렬 공진기의 공진 주파수 다음으로 높은 공진 주파수를 갖는,
    표면 탄성파 필터.
  19. 제 17항에 있어서,
    상기 제2 커패시터는 IDT 커패시터 또는 MIM 구조를 갖는,
    표면 탄성파 필터.
  20. 제 12항에 있어서,
    상기 복수의 직렬 공진기 중 적어도 하나 이상의 직렬 공진기는,
    공진 주파수 및 반공진 주파수를 각각 2개 이상 갖는 것을 특징으로 하는,
    표면 탄성파 필터.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20120114729A (ko) 2011-04-08 2012-10-17 한국전자통신연구원 대역통과 필터 및 전자 장치

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120114729A (ko) 2011-04-08 2012-10-17 한국전자통신연구원 대역통과 필터 및 전자 장치

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