KR20240036479A

KR20240036479A - 유기 전기발광 소자 및 전자 기기

Info

Publication number: KR20240036479A
Application number: KR1020230119487A
Authority: KR
Inventors: 도모노리 나카무라; 유스케 다카하시; 데쓰야 마스다; 사토미 다사키; 쇼타 다나카
Original assignee: 이데미쓰 고산 가부시키가이샤
Priority date: 2022-09-12
Filing date: 2023-09-08
Publication date: 2024-03-20

Abstract

양극, 음극, 및 해당 양극과 해당 음극 사이에 존재하는 유기층을 갖는, 유기 전기발광 소자로서, 상기 유기층은, 발광층과, 상기 양극과 상기 발광층 사이에 존재하는 정공 수송 대역을 포함하고, 상기 정공 수송 대역은, 정공 수송층(A)와, 상기 발광층에 인접하는 정공 수송층(B)를 포함하고, 상기 정공 수송층(A)는, 하기 식(1a)로 표시되는 화합물 및 하기 식(1b)로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하고, 상기 정공 수송층(B)는, 하기 식(2)로 표시되는 화합물을 포함하고, 상기 발광층은, 하기 식(3)으로 표시되는 화합물을 포함하는, 유기 전기발광 소자.

Description

유기 전기발광 소자 및 전자 기기{ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE}

본 발명은, 유기 전기발광 소자 및 해당 유기 전기발광 소자를 포함하는 전자 기기에 관한 것이다.

일반적으로 유기 전기발광 소자(이하, "유기 EL 소자"라고 기재하는 경우도 있다)는 양극, 음극, 및 양극과 음극에 끼워진 유기층으로 구성되어 있다. 양 전극 사이에 전압이 인가되면, 음극측으로부터 전자, 양극측으로부터 정공이 발광 영역에 주입되고, 주입된 전자와 정공은 발광 영역에 있어서 재결합하여 여기 상태를 생성하고, 여기 상태가 기저 상태로 되돌아올 때에 광을 방출한다. 따라서, 전자 또는 정공을 발광 영역에 효율 좋게 수송하여, 전자와 정공의 재결합을 용이하게 하여, 여기자를 효율 좋게 발광시키는 재료의 조합을 발견하는 것은 고성능 유기 EL 소자를 얻는 데 있어서 중요하다.

특허문헌 1∼4에는, 유기 전기발광 소자용 재료로서 사용하는 화합물이 개시되어 있다.

미국 특허출원 공개 제2020/144506호 명세서 국제 공개 제2022/009999호 국제 공개 제2022/071424호 일본 특허공개 평11-144875호 공보

종래, 많은 유기 EL 소자용의 화합물이 보고되어 있지만, 유기 EL 소자의 성능을 더 향상시킬 것이 여전히 요구되고 있다.

본 발명은, 상기의 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 특정한 화합물의 조합을 포함하는 것에 의해 소자 성능이 보다 개선된 유기 EL 소자, 그와 같은 유기 EL 소자를 포함하는 전자 기기를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명자들은, 특허문헌 1∼4에 기재된 화합물을 포함하는 유기 EL 소자의 성능에 대하여 예의 연구를 거듭한 결과, 유기층이, 발광층과, 상기 양극과 상기 발광층 사이에 존재하는 정공 수송 대역을 포함하고, 상기 정공 수송 대역이, 정공 수송층(A)와, 상기 발광층에 인접하는 정공 수송층(B)를 포함하고, 상기 정공 수송층(A)는, 하기 식(1a)로 표시되는 화합물 및 하기 식(1b)로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하고, 상기 정공 수송층(B)는, 하기 식(2)로 표시되는 화합물을 포함하고, 상기 발광층은, 하기 식(3)으로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 EL 소자는, 보다 높은 성능을 나타내는 것을 발견했다.

일 태양에 있어서, 본 발명은, 양극, 음극, 및 해당 양극과 해당 음극 사이에 존재하는 유기층을 갖는, 유기 전기발광 소자로서,

상기 유기층은, 발광층과, 상기 양극과 상기 발광층 사이에 존재하는 정공 수송 대역을 포함하고,

상기 정공 수송 대역은, 정공 수송층(A)와, 상기 발광층에 인접하는 정공 수송층(B)를 포함하고,

상기 정공 수송층(A)는, 하기 식(1a)로 표시되는 화합물 및 하기 식(1b)로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하고,

상기 정공 수송층(B)는, 하기 식(2)로 표시되는 화합물을 포함하고,

상기 발광층은, 하기 식(3)으로 표시되는 화합물을 포함하는, 유기 전기발광 소자.

[화학식 1]

(식(1a) 중,

N^*는 중심 질소 원자이다.

Ar^a1 및 Ar^a2는, 각각 독립적으로, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기이다.

L^a1∼L^a3은, 각각 독립적으로, 단일 결합, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼18의 아릴렌기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 2가의 헤테로환기이다.

R^a1∼R^a13으로부터 선택되는 1개는 *1에 결합하는 단일 결합이고,

*1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로젠 원자, 나이트로기, 사이아노기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼50의 알킬기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 2∼50의 알켄일기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 2∼50의 알킨일기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 3∼50의 사이클로알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 7∼50의 아르알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로환기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼50의 할로알킬기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼50의 할로알콕시기, -Si(R₉₀₁)(R₉₀₂)(R₉₀₃)으로 표시되는 기, -O-(R₉₀₄)로 표시되는 기, 또는 -S-(R₉₀₅)로 표시되는 기이고,

R₉₀₁∼R₉₀₅는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼50의 알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 3∼50의 사이클로알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로환기이고,

R₉₀₁이 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₁은, 서로 동일하거나, 또는 상이하고,

R₉₀₂가 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₂는, 서로 동일하거나, 또는 상이하고,

R₉₀₃이 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₃은, 서로 동일하거나, 또는 상이하고,

R₉₀₄가 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₄는, 서로 동일하거나, 또는 상이하고,

R₉₀₅가 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₅는, 서로 동일하거나, 또는 상이하다.

R^a14는, 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 페닐기, 치환 혹은 비치환된 바이페닐릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 나프틸기이다.

단, *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13, 및 R^a14로부터 선택되는 인접하는 2개는 서로 결합하여 치환 혹은 비치환된 벤젠환을 형성해도 되고, 서로 결합하지 않고, 따라서 환을 형성하지 않아도 된다.)

[화학식 2]

(식(1b) 중,

N^*는 중심 질소 원자이다.

Ar^b1은, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기이다.

L^b1∼L^b3은, 각각 독립적으로, 단일 결합, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼18의 아릴렌기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 2가의 헤테로환기이다.

R^b1∼R^b10으로부터 선택되는 1개는 *2에 결합하는 단일 결합이어도 되고,

R^b11∼R^b20으로부터 선택되는 1개는 *3에 결합하는 단일 결합이어도 되고,

*2에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^b1∼R^b8, 및 *3에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^b11∼R^b18은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로젠 원자, 나이트로기, 사이아노기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼50의 알킬기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 2∼50의 알켄일기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 2∼50의 알킨일기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 3∼50의 사이클로알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 7∼50의 아르알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로환기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼50의 할로알킬기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼50의 할로알콕시기, -Si(R₉₀₁)(R₉₀₂)(R₉₀₃)으로 표시되는 기, -O-(R₉₀₄)로 표시되는 기, 또는 -S-(R₉₀₅)로 표시되는 기이고,

R₉₀₁∼R₉₀₅는, 식(1a)에서 정의한 대로이고,

단, *2에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^b1∼R^b8, *3에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^b11∼R^b18로부터 선택되는 인접하는 2개는 서로 결합하여 치환 혹은 비치환된 벤젠환을 형성해도 되고, 서로 결합하지 않고, 따라서 환을 형성하지 않아도 된다.

*2에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^b9 및 R^b10, 및 *3에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^b19 및 R^b20은, 각각 독립적으로, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼30의 알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 3∼30의 사이클로알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기이다.

*2에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^b9 및 R^b10은, 서로 결합하여 치환 혹은 비치환된 환 구조를 형성해도 되고, 또는 서로 결합하지 않아 환 구조를 형성하지 않아도 된다.

*3에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^b19 및 R^b20은, 서로 결합하여 치환 혹은 비치환된 환 구조를 형성해도 되고, 또는 서로 결합하지 않아 환 구조를 형성하지 않아도 된다.

단, R^b9와 R^b10이 서로 결합하지 않아 환 구조를 형성하지 않는 경우, R^b9 및 R^b10으로부터 선택되는 적어도 1개는, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼30의 알킬기이고,

R^b19와 R^b20이 서로 결합하지 않아 환 구조를 형성하지 않는 경우, R^b19 및 R^b20으로부터 선택되는 적어도 1개는, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼30의 알킬기이다.

R^b9 및 R^b10은 서로 결합하여, 플루오렌환 구조는 형성하지 않는다.

R^b19 및 R^b20은 서로 결합하여, 플루오렌환 구조는 형성하지 않는다.

R^b1∼R^b10 모두가 *2에 결합하는 단일 결합이 아닌 경우, *2에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^b9 또는 R^b10이 나타내는 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기가, 단일 결합을 개재시켜 *2에 결합한다.

R^b11∼R^b20 모두가 *3에 결합하는 단일 결합이 아닌 경우, *3에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^b19 또는 R^b20이 나타내는 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기가, 단일 결합을 개재시켜 *3에 결합한다.)

[화학식 3]

(식(2) 중,

N^*는 중심 질소 원자이다.

L^c1, L^c2 및 L^c3은, 각각 독립적으로, 단일 결합, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴렌기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 2가의 헤테로환기이다.

Ar^c1, Ar^c2 및 Ar^c3은, 각각 독립적으로, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로환기, 또는 -Si(R^c1)(R^c2)(R^c3)이다.

R^c1, R^c2 및 R^c3은, 각각 독립적으로, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기이고,

R^c1이 복수 존재하는 경우, 복수의 R^c1은, 서로 동일하거나, 또는 상이하고,

R^c2가 복수 존재하는 경우, 복수의 R^c2는, 서로 동일하거나, 또는 상이하고,

R^c3이 복수 존재하는 경우, 복수의 R^c3은, 서로 동일하거나, 또는 상이하다.)

[화학식 4]

(식(3) 중,

k는 0 또는 1이다.

k가 0일 때, R¹∼R⁸로부터 선택되는 1개는 *4에 결합하는 단일 결합이다.

k가 1일 때, R¹과 R², R²와 R³, R³과 R⁴, R⁵와 R⁶, R⁶과 R⁷, 또는 R⁷과 R⁸의 한쪽이 *a에 결합하는 단일 결합, 다른 쪽이 *b에 결합하는 단일 결합이고, *a 및 *b에 결합하는 단일 결합은 아닌 R¹∼R⁸, 및 R¹¹∼R¹⁴로부터 선택되는 1개는 *4에 결합하는 단일 결합이다.

*4에 결합하는 단일 결합은 아니고 또한 *a 및 *b에 결합하는 단일 결합도 아닌 R¹∼R⁸, *4에 결합하는 단일 결합은 아닌 R¹¹∼R¹⁴, 및 R²¹∼R²⁸은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로젠 원자, 나이트로기, 사이아노기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼50의 알킬기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 2∼50의 알켄일기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 2∼50의 알킨일기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 3∼50의 사이클로알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 7∼50의 아르알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로환기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼50의 할로알킬기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼50의 할로알콕시기, -Si(R₉₀₁)(R₉₀₂)(R₉₀₃)으로 표시되는 기, -O-(R₉₀₄)로 표시되는 기, 또는 -S-(R₉₀₅)로 표시되는 기이고,

R₉₀₁∼R₉₀₅는, 식(1-1a)에서 정의한 대로이고,

*4에 결합하는 단일 결합은 아니고 또한 *a 및 *b에 결합하는 단일 결합도 아닌 R¹∼R⁸, 및 *4에 결합하는 단일 결합은 아닌 R¹¹∼R¹⁴로부터 선택되는 인접하는 2개는, 서로 결합하지 않고, 따라서 환을 형성하지 않는다.

R²¹∼R²⁸로부터 선택되는 인접하는 2개는, 서로 결합하여 치환 혹은 비치환된 벤젠환을 형성해도 되고, 서로 결합하지 않고, 따라서 환을 형성하지 않아도 된다.

L²¹ 및 L²²는, 각각 독립적으로, 단일 결합, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴렌기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 2가의 헤테로환기이다.

Ar²¹은, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기이다.)

다른 태양에 있어서, 본 발명은, 상기 유기 전기발광 소자를 포함하는 전자 기기를 제공한다.

유기층이, 발광층과, 상기 양극과 상기 발광층 사이에 존재하는 정공 수송 대역을 포함하고, 상기 정공 수송 대역이, 정공 수송층(A)와, 상기 발광층에 인접하는 정공 수송층(B)를 포함하고, 상기 정공 수송층(A)는, 상기 식(1a)로 표시되는 화합물 및 상기 식(1b)로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하고, 상기 정공 수송층(B)는, 하기 식(2)로 표시되는 화합물을 포함하고, 상기 발광층은, 하기 식(3)으로 표시되는 화합물을 포함하는 유기 EL 소자는 개선된 소자 성능을 나타낸다.

도 1은, 본 발명의 일 태양에 따른 유기 EL 소자의 층 구성의 일례를 나타내는 개략도이다.
도 2는, 본 발명의 일 태양에 따른 유기 EL 소자의 층 구성의 다른 예를 나타내는 개략도이다.
도 3은, 본 발명의 일 태양에 따른 유기 EL 소자의 층 구성의 또 다른 예를 나타내는 개략도이다.

[정의]

본 명세서에 있어서, 수소 원자란, 중성자수가 상이한 동위체, 즉, 경수소(protium), 중수소(deuterium), 및 삼중수소(tritium)를 포함한다.

본 명세서에 있어서, 화학 구조식 중, 「R」 등의 기호나 중수소 원자를 나타내는 「D」가 명시되어 있지 않은 결합 가능 위치에는, 수소 원자, 즉, 경수소 원자, 중수소 원자, 또는 삼중수소 원자가 결합되어 있는 것으로 한다.

본 명세서에 있어서, 환형성 탄소수란, 원자가 환상으로 결합한 구조의 화합물(예를 들면, 단환 화합물, 축합환 화합물, 가교 화합물, 탄소환 화합물, 및 헤테로환 화합물)의 당해 환 자체를 구성하는 원자 중 탄소 원자의 수를 나타낸다. 당해 환이 치환기에 의해 치환되는 경우, 치환기에 포함되는 탄소는 환형성 탄소수에는 포함하지 않는다. 이하에서 기재되는 「환형성 탄소수」에 대해서는, 별도 기재가 없는 한 마찬가지로 한다. 예를 들면, 벤젠환은 환형성 탄소수가 6이고, 나프탈렌환은 환형성 탄소수가 10이고, 피리딘환은 환형성 탄소수 5이며, 퓨란환은 환형성 탄소수 4이다. 또한, 예를 들면, 9,9-다이페닐플루오렌일기의 환형성 탄소수는 13이고, 9,9'-스파이로바이플루오렌일기의 환형성 탄소수는 25이다.

또한, 벤젠환에 치환기로서, 예를 들면, 알킬기가 치환되어 있는 경우, 당해 알킬기의 탄소수는, 벤젠환의 환형성 탄소수에 포함시키지 않는다. 그 때문에, 알킬기가 치환되어 있는 벤젠환의 환형성 탄소수는, 6이다. 또한, 나프탈렌환에 치환기로서, 예를 들면, 알킬기가 치환되어 있는 경우, 당해 알킬기의 탄소수는, 나프탈렌환의 환형성 탄소수에 포함시키지 않는다. 그 때문에, 알킬기가 치환되어 있는 나프탈렌환의 환형성 탄소수는, 10이다.

본 명세서에 있어서, 환형성 원자수란, 원자가 환상으로 결합한 구조(예를 들면, 단환, 축합환, 및 환집합)의 화합물(예를 들면, 단환 화합물, 축합환 화합물, 가교 화합물, 탄소환 화합물, 및 헤테로환 화합물)의 당해 환 자체를 구성하는 원자의 수를 나타낸다. 환을 구성하지 않는 원자(예를 들면, 환을 구성하는 원자의 결합을 종단하는 수소 원자)나, 당해 환이 치환기에 의해 치환되는 경우의 치환기에 포함되는 원자는 환형성 원자수에는 포함하지 않는다. 이하에서 기재되는 「환형성 원자수」에 대해서는, 별도 기재가 없는 한 마찬가지로 한다. 예를 들면, 피리딘환의 환형성 원자수는 6이고, 퀴나졸린환의 환형성 원자수는 10이며, 퓨란환의 환형성 원자수는 5이다. 예를 들면, 피리딘환에 결합하고 있는 수소 원자, 또는 치환기를 구성하는 원자의 수는, 피리딘 환형성 원자수의 수에 포함시키지 않는다. 그 때문에, 수소 원자, 또는 치환기가 결합하고 있는 피리딘환의 환형성 원자수는, 6이다. 또한, 예를 들면, 퀴나졸린환의 탄소 원자에 결합하고 있는 수소 원자, 또는 치환기를 구성하는 원자에 대해서는, 퀴나졸린환의 환형성 원자수의 수에 포함시키지 않는다. 그 때문에, 수소 원자, 또는 치환기가 결합하고 있는 퀴나졸린환의 환형성 원자수는 10이다.

본 명세서에 있어서, 「치환 혹은 비치환된 탄소수 XX∼YY의 ZZ기」라고 하는 표현에 있어서의 「탄소수 XX∼YY」는, ZZ기가 비치환인 경우의 탄소수를 나타내고, 치환되어 있는 경우의 치환기의 탄소수를 포함시키지 않는다. 여기에서, 「YY」는, 「XX」보다도 크고, 「XX」는, 1 이상의 정수를 의미하며, 「YY」는, 2 이상의 정수를 의미한다.

본 명세서에 있어서, 「치환 혹은 비치환된 원자수 XX∼YY의 ZZ기」라고 하는 표현에 있어서의 「원자수 XX∼YY」는, ZZ기가 비치환인 경우의 원자수를 나타내고, 치환되어 있는 경우의 치환기의 원자수를 포함시키지 않는다. 여기에서, 「YY」는, 「XX」보다도 크고, 「XX」는, 1 이상의 정수를 의미하며, 「YY」는, 2 이상의 정수를 의미한다.

본 명세서에 있어서, 비치환된 ZZ기란 「치환 혹은 비치환된 ZZ기」가 「비치환된 ZZ기」인 경우를 나타내고, 치환된 ZZ기란 「치환 혹은 비치환된 ZZ기」가 「치환된 ZZ기」인 경우를 나타낸다.

본 명세서에 있어서, 「치환 혹은 비치환된 ZZ기」라고 하는 경우에 있어서의 「비치환」이란, ZZ기에 있어서의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있지 않은 것을 의미한다. 「비치환된 ZZ기」에 있어서의 수소 원자는, 경수소 원자, 중수소 원자, 또는 삼중수소 원자이다.

또한, 본 명세서에 있어서, 「치환 혹은 비치환된 ZZ기」라고 하는 경우에 있어서의 「치환」이란, ZZ기에 있어서의 1개 이상의 수소 원자가, 치환기로 치환되어 있는 것을 의미한다. 「AA기로 치환된 BB기」라고 하는 경우에 있어서의 「치환」도 마찬가지로, BB기에 있어서의 1개 이상의 수소 원자가, AA기로 치환되어 있는 것을 의미한다.

「본 명세서에 기재된 치환기」

이하, 본 명세서에 기재된 치환기에 대하여 설명한다.

본 명세서에 기재된 「비치환된 아릴기」의 환형성 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 6∼50이고, 바람직하게는 6∼30, 보다 바람직하게는 6∼18이다.

본 명세서에 기재된 「비치환된 헤테로환기」의 환형성 원자수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 5∼50이고, 바람직하게는 5∼30, 보다 바람직하게는 5∼18이다.

본 명세서에 기재된 「비치환된 알킬기」의 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 1∼50이고, 바람직하게는 1∼20, 보다 바람직하게는 1∼6이다.

본 명세서에 기재된 「비치환된 알켄일기」의 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 2∼50이고, 바람직하게는 2∼20, 보다 바람직하게는 2∼6이다.

본 명세서에 기재된 「비치환된 알킨일기」의 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 2∼50이고, 바람직하게는 2∼20, 보다 바람직하게는 2∼6이다.

본 명세서에 기재된 「비치환된 사이클로알킬기」의 환형성 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 3∼50이고, 바람직하게는 3∼20, 보다 바람직하게는 3∼6이다.

본 명세서에 기재된 「비치환된 아릴렌기」의 환형성 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 6∼50이고, 바람직하게는 6∼30, 보다 바람직하게는 6∼18이다.

본 명세서에 기재된 「비치환된 2가의 헤테로환기」의 환형성 원자수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 5∼50이고, 바람직하게는 5∼30, 보다 바람직하게는 5∼18이다.

본 명세서에 기재된 「비치환된 알킬렌기」의 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 1∼50이고, 바람직하게는 1∼20, 보다 바람직하게는 1∼6이다.

· 「치환 혹은 비치환된 아릴기」

본 명세서에 기재된 「치환 혹은 비치환된 아릴기」의 구체예(구체예군 G1)로서는, 이하의 비치환된 아릴기(구체예군 G1A) 및 치환된 아릴기(구체예군 G1B) 등을 들 수 있다. (여기에서, 비치환된 아릴기란 「치환 혹은 비치환된 아릴기」가 「비치환된 아릴기」인 경우를 가리키고, 치환된 아릴기란 「치환 혹은 비치환된 아릴기」가 「치환된 아릴기」인 경우를 가리킨다.) 본 명세서에 있어서, 간단히 「아릴기」라고 하는 경우는, 「비치환된 아릴기」와 「치환된 아릴기」의 양쪽을 포함한다.

「치환된 아릴기」는, 「비치환된 아릴기」의 1개 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기를 의미한다. 「치환된 아릴기」로서는, 예를 들면, 하기 구체예군 G1A의 「비치환된 아릴기」의 1개 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기, 및 하기 구체예군 G1B의 치환된 아릴기의 예 등을 들 수 있다. 한편, 여기에 열거한 「비치환된 아릴기」의 예, 및 「치환된 아릴기」의 예는, 일례에 지나지 않고, 본 명세서에 기재된 「치환된 아릴기」에는, 하기 구체예군 G1B의 「치환된 아릴기」에 있어서의 아릴기 자체의 탄소 원자에 결합하는 수소 원자가 치환기로 더 치환된 기, 및 하기 구체예군 G1B의 「치환된 아릴기」에 있어서의 치환기의 수소 원자가 치환기로 더 치환된 기도 포함된다.

· 비치환된 아릴기(구체예군 G1A):

페닐기,

p-바이페닐기,

m-바이페닐기,

o-바이페닐기,

p-터페닐-4-일기,

p-터페닐-3-일기,

p-터페닐-2-일기,

m-터페닐-4-일기,

m-터페닐-3-일기,

m-터페닐-2-일기,

o-터페닐-4-일기,

o-터페닐-3-일기,

o-터페닐-2-일기,

1-나프틸기,

2-나프틸기,

안트릴기,

벤즈안트릴기,

페난트릴기,

벤조페난트릴기,

페날렌일기,

피렌일기,

크라이센일기,

벤조크라이센일기,

트라이페닐렌일기,

벤조트라이페닐렌일기,

테트라센일기,

펜타센일기,

플루오렌일기,

9,9'-스파이로바이플루오렌일기,

벤조플루오렌일기,

다이벤조플루오렌일기,

플루오란텐일기,

벤조플루오란텐일기,

페릴렌일기, 및

하기 일반식(TEMP-1)∼(TEMP-15)로 표시되는 환 구조로부터 1개의 수소 원자를 제거하는 것에 의해 유도되는 1가의 아릴기.

[화학식 5]

[화학식 6]

· 치환된 아릴기(구체예군 G1B):

o-톨릴기,

m-톨릴기,

p-톨릴기,

파라-자일릴기,

메타-자일릴기,

오쏘-자일릴기,

파라-아이소프로필페닐기,

메타-아이소프로필페닐기,

오쏘-아이소프로필페닐기,

파라-t-뷰틸페닐기,

메타-t-뷰틸페닐기,

오쏘-t-뷰틸페닐기,

3,4,5-트라이메틸페닐기,

9,9-다이메틸플루오렌일기,

9,9-다이페닐플루오렌일기

9,9-비스(4-메틸페닐)플루오렌일기,

9,9-비스(4-아이소프로필페닐)플루오렌일기,

9,9-비스(4-t-뷰틸페닐)플루오렌일기,

사이아노페닐기,

트라이페닐실릴페닐기,

트라이메틸실릴페닐기,

페닐나프틸기,

나프틸페닐기, 및

상기 일반식(TEMP-1)∼(TEMP-15)로 표시되는 환 구조로부터 유도되는 1가의 기의 1개 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기.

· 「치환 혹은 비치환된 헤테로환기」

본 명세서에 기재된 「헤테로환기」는, 환형성 원자에 헤테로 원자를 적어도 1개 포함하는 환상의 기이다. 헤테로 원자의 구체예로서는, 질소 원자, 산소 원자, 황 원자, 규소 원자, 인 원자, 및 붕소 원자를 들 수 있다.

본 명세서에 기재된 「헤테로환기」는, 단환의 기이거나, 또는 축합환의 기이다.

본 명세서에 기재된 「헤테로환기」는, 방향족 헤테로환기이거나, 또는 비방향족 헤테로환기이다.

본 명세서에 기재된 「치환 혹은 비치환된 헤테로환기」의 구체예(구체예군 G2)로서는, 이하의 비치환된 헤테로환기(구체예군 G2A), 및 치환된 헤테로환기(구체예군 G2B) 등을 들 수 있다. (여기에서, 비치환된 헤테로환기란 「치환 혹은 비치환된 헤테로환기」가 「비치환된 헤테로환기」인 경우를 가리키고, 치환된 헤테로환기란 「치환 혹은 비치환된 헤테로환기」가 「치환된 헤테로환기」인 경우를 가리킨다.) 본 명세서에 있어서, 간단히 「헤테로환기」라고 하는 경우는, 「비치환된 헤테로환기」와 「치환된 헤테로환기」의 양쪽을 포함한다.

「치환된 헤테로환기」는, 「비치환된 헤테로환기」의 1개 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기를 의미한다. 「치환된 헤테로환기」의 구체예는, 하기 구체예군 G2A의 「비치환된 헤테로환기」의 수소 원자가 치환된 기, 및 하기 구체예군 G2B의 치환된 헤테로환기의 예 등을 들 수 있다. 한편, 여기에 열거한 「비치환된 헤테로환기」의 예나 「치환된 헤테로환기」의 예는, 일례에 지나지 않고, 본 명세서에 기재된 「치환된 헤테로환기」에는, 구체예군 G2B의 「치환된 헤테로환기」에 있어서의 헤테로환기 자체의 환형성 원자에 결합하는 수소 원자가 치환기로 더 치환된 기, 및 구체예군 G2B의 「치환된 헤테로환기」에 있어서의 치환기의 수소 원자가 치환기로 더 치환된 기도 포함된다.

구체예군 G2A는, 예를 들면, 이하의 질소 원자를 포함하는 비치환된 헤테로환기(구체예군 G2A1), 산소 원자를 포함하는 비치환된 헤테로환기(구체예군 G2A2), 황 원자를 포함하는 비치환된 헤테로환기(구체예군 G2A3), 및 하기 일반식(TEMP-16)∼(TEMP-33)으로 표시되는 환 구조로부터 1개의 수소 원자를 제거하는 것에 의해 유도되는 1가의 헤테로환기(구체예군 G2A4)를 포함한다.

구체예군 G2B는, 예를 들면, 이하의 질소 원자를 포함하는 치환된 헤테로환기(구체예군 G2B1), 산소 원자를 포함하는 치환된 헤테로환기(구체예군 G2B2), 황 원자를 포함하는 치환된 헤테로환기(구체예군 G2B3), 및 하기 일반식(TEMP-16)∼(TEMP-33)으로 표시되는 환 구조로부터 유도되는 1가의 헤테로환기의 1개 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기(구체예군 G2B4)를 포함한다.

· 질소 원자를 포함하는 비치환된 헤테로환기(구체예군 G2A1):

피롤릴기,

이미다졸릴기,

피라졸릴기,

트라이아졸릴기,

테트라졸릴기,

옥사졸릴기,

아이속사졸릴기,

옥사다이아졸릴기,

싸이아졸릴기,

아이소싸이아졸릴기,

싸이아다이아졸릴기,

피리딜기,

피리다진일기,

피리미딘일기,

피라진일기,

트라이아진일기,

인돌릴기,

아이소인돌릴기,

인돌리진일기,

퀴놀리진일기,

퀴놀릴기,

아이소퀴놀릴기,

신놀릴기,

프탈라진일기,

퀴나졸린일기,

퀴녹살린일기,

벤즈이미다졸릴기,

인다졸릴기,

페난트롤린일기,

페난트리딘일기,

아크리딘일기,

페나진일기,

카바졸릴기,

벤조카바졸릴기,

모폴리노기,

페녹사진일기,

페노싸이아진일기,

아자카바졸릴기, 및

다이아자카바졸릴기.

· 산소 원자를 포함하는 비치환된 헤테로환기(구체예군 G2A2):

퓨릴기,

옥사졸릴기,

아이속사졸릴기,

옥사다이아졸릴기,

잔텐일기,

벤조퓨란일기,

아이소벤조퓨란일기,

다이벤조퓨란일기,

나프토벤조퓨란일기,

벤즈옥사졸릴기,

벤즈아이속사졸릴기,

페녹사진일기,

모폴리노기,

다이나프토퓨란일기,

아자다이벤조퓨란일기,

다이아자다이벤조퓨란일기,

아자나프토벤조퓨란일기, 및

다이아자나프토벤조퓨란일기.

· 황 원자를 포함하는 비치환된 헤테로환기(구체예군 G2A3):

싸이엔일기,

싸이아졸릴기,

아이소싸이아졸릴기,

싸이아다이아졸릴기,

벤조싸이오펜일기(벤조싸이엔일기),

아이소벤조싸이오펜일기(아이소벤조싸이엔일기),

다이벤조싸이오펜일기(다이벤조싸이엔일기),

나프토벤조싸이오펜일기(나프토벤조싸이엔일기),

벤조싸이아졸릴기,

벤즈아이소싸이아졸릴기,

페노싸이아진일기,

다이나프토싸이오펜일기(다이나프토싸이엔일기),

아자다이벤조싸이오펜일기(아자다이벤조싸이엔일기),

다이아자다이벤조싸이오펜일기(다이아자다이벤조싸이엔일기),

아자나프토벤조싸이오펜일기(아자나프토벤조싸이엔일기), 및

다이아자나프토벤조싸이오펜일기(다이아자나프토벤조싸이엔일기).

· 하기 일반식(TEMP-16)∼(TEMP-33)으로 표시되는 환 구조로부터 1개의 수소 원자를 제거하는 것에 의해 유도되는 1가의 헤테로환기(구체예군 G2A4):

[화학식 7]

[화학식 8]

상기 일반식(TEMP-16)∼(TEMP-33)에 있어서, X_A 및 Y_A는, 각각 독립적으로, 산소 원자, 황 원자, NH, 또는 CH₂이다. 단, X_A 및 Y_A 중 적어도 1개는, 산소 원자, 황 원자, 또는 NH이다.

상기 일반식(TEMP-16)∼(TEMP-33)에 있어서, X_A 및 Y_A 중 적어도 어느 하나가 NH, 또는 CH₂인 경우, 상기 일반식(TEMP-16)∼(TEMP-33)으로 표시되는 환 구조로부터 유도되는 1가의 헤테로환기에는, 이들 NH, 또는 CH₂로부터 1개의 수소 원자를 제거하여 얻어지는 1가의 기가 포함된다.

· 질소 원자를 포함하는 치환된 헤테로환기(구체예군 G2B1):

(9-페닐)카바졸릴기,

(9-바이페닐릴)카바졸릴기,

(9-페닐)페닐카바졸릴기,

(9-나프틸)카바졸릴기,

다이페닐카바졸-9-일기,

페닐카바졸-9-일기,

메틸벤즈이미다졸릴기,

에틸벤즈이미다졸릴기,

페닐트라이아진일기,

바이페닐릴트라이아진일기,

다이페닐트라이아진일기,

페닐퀴나졸린일기, 및

바이페닐릴퀴나졸린일기.

· 산소 원자를 포함하는 치환된 헤테로환기(구체예군 G2B2):

페닐다이벤조퓨란일기,

메틸다이벤조퓨란일기,

t-뷰틸다이벤조퓨란일기, 및

스파이로[9H-잔텐-9,9'-[9H]플루오렌]의 1가의 잔기.

· 황 원자를 포함하는 치환된 헤테로환기(구체예군 G2B3):

페닐다이벤조싸이오펜일기,

메틸다이벤조싸이오펜일기,

t-뷰틸다이벤조싸이오펜일기, 및

스파이로[9H-싸이오잔텐-9,9'-[9H]플루오렌]의 1가의 잔기.

· 상기 일반식(TEMP-16)∼(TEMP-33)으로 표시되는 환 구조로부터 유도되는 1가의 헤테로환기의 1개 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기(구체예군 G2B4):

상기 「1가의 헤테로환기의 1개 이상의 수소 원자」란, 해당 1가의 헤테로환기의 환형성 탄소 원자에 결합하고 있는 수소 원자, X_A 및 Y_A 중 적어도 어느 하나가 NH인 경우의 질소 원자에 결합하고 있는 수소 원자, 및 X_A 및 Y_A의 한쪽이 CH₂인 경우의 메틸렌기의 수소 원자로부터 선택되는 1개 이상의 수소 원자를 의미한다.

· 「치환 혹은 비치환된 알킬기」

본 명세서에 기재된 「치환 혹은 비치환된 알킬기」의 구체예(구체예군 G3)로서는, 이하의 비치환된 알킬기(구체예군 G3A) 및 치환된 알킬기(구체예군 G3B)를 들 수 있다. (여기에서, 비치환된 알킬기란 「치환 혹은 비치환된 알킬기」가 「비치환된 알킬기」인 경우를 가리키고, 치환된 알킬기란 「치환 혹은 비치환된 알킬기」가 「치환된 알킬기」인 경우를 가리킨다.) 이하, 간단히 「알킬기」라고 하는 경우는, 「비치환된 알킬기」와 「치환된 알킬기」의 양쪽을 포함한다.

「치환된 알킬기」는, 「비치환된 알킬기」에 있어서의 1개 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기를 의미한다. 「치환된 알킬기」의 구체예로서는, 하기의 「비치환된 알킬기」(구체예군 G3A)에 있어서의 1개 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기, 및 치환된 알킬기(구체예군 G3B)의 예 등을 들 수 있다. 본 명세서에 있어서, 「비치환된 알킬기」에 있어서의 알킬기는, 쇄상의 알킬기를 의미한다. 그 때문에, 「비치환된 알킬기」는, 직쇄인 「비치환된 알킬기」, 및 분기상인 「비치환된 알킬기」가 포함된다. 한편, 여기에 열거한 「비치환된 알킬기」의 예나 「치환된 알킬기」의 예는, 일례에 지나지 않고, 본 명세서에 기재된 「치환된 알킬기」에는, 구체예군 G3B의 「치환된 알킬기」에 있어서의 알킬기 자체의 수소 원자가 치환기로 더 치환된 기, 및 구체예군 G3B의 「치환된 알킬기」에 있어서의 치환기의 수소 원자가 치환기로 더 치환된 기도 포함된다.

· 비치환된 알킬기(구체예군 G3A):

메틸기,

에틸기,

n-프로필기,

아이소프로필기,

n-뷰틸기,

아이소뷰틸기,

s-뷰틸기, 및

t-뷰틸기.

· 치환된 알킬기(구체예군 G3B):

헵타플루오로프로필기(이성체를 포함한다),

펜타플루오로에틸기,

2,2,2-트라이플루오로에틸기, 및

트라이플루오로메틸기.

· 「치환 혹은 비치환된 알켄일기」

본 명세서에 기재된 「치환 혹은 비치환된 알켄일기」의 구체예(구체예군 G4)로서는, 이하의 비치환된 알켄일기(구체예군 G4A), 및 치환된 알켄일기(구체예군 G4B) 등을 들 수 있다. (여기에서, 비치환된 알켄일기란 「치환 혹은 비치환된 알켄일기」가 「비치환된 알켄일기」인 경우를 가리키고, 「치환된 알켄일기」란 「치환 혹은 비치환된 알켄일기」가 「치환된 알켄일기」인 경우를 가리킨다.) 본 명세서에 있어서, 간단히 「알켄일기」라고 하는 경우는, 「비치환된 알켄일기」와 「치환된 알켄일기」의 양쪽을 포함한다.

「치환된 알켄일기」는, 「비치환된 알켄일기」에 있어서의 1개 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기를 의미한다. 「치환된 알켄일기」의 구체예로서는, 하기의 「비치환된 알켄일기」(구체예군 G4A)가 치환기를 갖는 기, 및 치환된 알켄일기(구체예군 G4B)의 예 등을 들 수 있다. 한편, 여기에 열거한 「비치환된 알켄일기」의 예나 「치환된 알켄일기」의 예는, 일례에 지나지 않고, 본 명세서에 기재된 「치환된 알켄일기」에는, 구체예군 G4B의 「치환된 알켄일기」에 있어서의 알켄일기 자체의 수소 원자가 치환기로 더 치환된 기, 및 구체예군 G4B의 「치환된 알켄일기」에 있어서의 치환기의 수소 원자가 치환기로 더 치환된 기도 포함된다.

· 비치환된 알켄일기(구체예군 G4A):

바이닐기,

알릴기,

1-뷰텐일기,

2-뷰텐일기, 및

3-뷰텐일기.

· 치환된 알켄일기(구체예군 G4B):

1,3-뷰테인다이엔일기,

1-메틸바이닐기,

1-메틸알릴기,

1,1-다이메틸알릴기,

2-메틸알릴기, 및

1,2-다이메틸알릴기.

· 「치환 혹은 비치환된 알킨일기」

본 명세서에 기재된 「치환 혹은 비치환된 알킨일기」의 구체예(구체예군 G5)로서는, 이하의 비치환된 알킨일기(구체예군 G5A) 등을 들 수 있다. (여기에서, 비치환된 알킨일기란, 「치환 혹은 비치환된 알킨일기」가 「비치환된 알킨일기」인 경우를 가리킨다.) 이하, 간단히 「알킨일기」라고 하는 경우는, 「비치환된 알킨일기」와 「치환된 알킨일기」의 양쪽을 포함한다.

「치환된 알킨일기」는, 「비치환된 알킨일기」에 있어서의 1개 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기를 의미한다. 「치환된 알킨일기」의 구체예로서는, 하기의 「비치환된 알킨일기」(구체예군 G5A)에 있어서의 1개 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기 등을 들 수 있다.

· 비치환된 알킨일기(구체예군 G5A):

에틴일기

· 「치환 혹은 비치환된 사이클로알킬기」

본 명세서에 기재된 「치환 혹은 비치환된 사이클로알킬기」의 구체예(구체예군 G6)로서는, 이하의 비치환된 사이클로알킬기(구체예군 G6A), 및 치환된 사이클로알킬기(구체예군 G6B) 등을 들 수 있다. (여기에서, 비치환된 사이클로알킬기란 「치환 혹은 비치환된 사이클로알킬기」가 「비치환된 사이클로알킬기」인 경우를 가리키고, 치환된 사이클로알킬기란 「치환 혹은 비치환된 사이클로알킬기」가 「치환된 사이클로알킬기」인 경우를 가리킨다.) 본 명세서에 있어서, 간단히 「사이클로알킬기」라고 하는 경우는, 「비치환된 사이클로알킬기」와 「치환된 사이클로알킬기」의 양쪽을 포함한다.

「치환된 사이클로알킬기」는, 「비치환된 사이클로알킬기」에 있어서의 1개 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기를 의미한다. 「치환된 사이클로알킬기」의 구체예로서는, 하기의 「비치환된 사이클로알킬기」(구체예군 G6A)에 있어서의 1개 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기, 및 치환된 사이클로알킬기(구체예군 G6B)의 예 등을 들 수 있다. 한편, 여기에 열거한 「비치환된 사이클로알킬기」의 예나 「치환된 사이클로알킬기」의 예는, 일례에 지나지 않고, 본 명세서에 기재된 「치환된 사이클로알킬기」에는, 구체예군 G6B의 「치환된 사이클로알킬기」에 있어서의 사이클로알킬기 자체의 탄소 원자에 결합하는 1개 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기, 및 구체예군 G6B의 「치환된 사이클로알킬기」에 있어서의 치환기의 수소 원자가 치환기로 더 치환된 기도 포함된다.

· 비치환된 사이클로알킬기(구체예군 G6A):

사이클로프로필기,

사이클로뷰틸기,

사이클로펜틸기,

사이클로헥실기,

1-아다만틸기,

2-아다만틸기,

1-노보닐기, 및

2-노보닐기.

· 치환된 사이클로알킬기(구체예군 G6B):

4-메틸사이클로헥실기.

· 「-Si(R₉₀₁)(R₉₀₂)(R₉₀₃)으로 표시되는 기」

본 명세서에 기재된 -Si(R₉₀₁)(R₉₀₂)(R₉₀₃)으로 표시되는 기의 구체예(구체예군 G7)로서는,

-Si(G1)(G1)(G1),

-Si(G1)(G2)(G2),

-Si(G1)(G1)(G2),

-Si(G2)(G2)(G2),

-Si(G3)(G3)(G3), 및

-Si(G6)(G6)(G6)

을 들 수 있다. 여기에서,

G1은, 구체예군 G1에 기재된 「치환 혹은 비치환된 아릴기」이다.

G2는, 구체예군 G2에 기재된 「치환 혹은 비치환된 헤테로환기」이다.

G3은, 구체예군 G3에 기재된 「치환 혹은 비치환된 알킬기」이다.

G6은, 구체예군 G6에 기재된 「치환 혹은 비치환된 사이클로알킬기」이다.

-Si(G1)(G1)(G1)에 있어서의 복수의 G1은, 서로 동일하거나, 또는 상이하다.

-Si(G1)(G2)(G2)에 있어서의 복수의 G2는, 서로 동일하거나, 또는 상이하다.

-Si(G1)(G1)(G2)에 있어서의 복수의 G1은, 서로 동일하거나, 또는 상이하다.

-Si(G2)(G2)(G2)에 있어서의 복수의 G2는, 서로 동일하거나, 또는 상이하다.

-Si(G3)(G3)(G3)에 있어서의 복수의 G3은, 서로 동일하거나, 또는 상이하다.

-Si(G6)(G6)(G6)에 있어서의 복수의 G6은, 서로 동일하거나, 또는 상이하다.

· 「-O-(R₉₀₄)로 표시되는 기」

본 명세서에 기재된 -O-(R₉₀₄)로 표시되는 기의 구체예(구체예군 G8)로서는,

-O(G1),

-O(G2),

-O(G3), 및

-O(G6)

을 들 수 있다.

여기에서,

· 「-S-(R₉₀₅)로 표시되는 기」

본 명세서에 기재된 -S-(R₉₀₅)로 표시되는 기의 구체예(구체예군 G9)로서는,

-S(G1),

-S(G2),

-S(G3), 및

-S(G6)

을 들 수 있다.

여기에서,

· 「-N(R₉₀₆)(R₉₀₇)로 표시되는 기」

본 명세서에 기재된 -N(R₉₀₆)(R₉₀₇)로 표시되는 기의 구체예(구체예군 G10)로서는,

-N(G1)(G1),

-N(G2)(G2),

-N(G1)(G2),

-N(G3)(G3), 및

-N(G6)(G6)

을 들 수 있다.

여기에서,

-N(G1)(G1)에 있어서의 복수의 G1은, 서로 동일하거나, 또는 상이하다.

-N(G2)(G2)에 있어서의 복수의 G2는, 서로 동일하거나, 또는 상이하다.

-N(G3)(G3)에 있어서의 복수의 G3은, 서로 동일하거나, 또는 상이하다.

-N(G6)(G6)에 있어서의 복수의 G6은, 서로 동일하거나, 또는 상이하다.

· 「할로젠 원자」

본 명세서에 기재된 「할로젠 원자」의 구체예(구체예군 G11)로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브로민 원자, 및 아이오딘 원자 등을 들 수 있다.

· 「치환 혹은 비치환된 플루오로알킬기」

본 명세서에 기재된 「치환 혹은 비치환된 플루오로알킬기」는, 「치환 혹은 비치환된 알킬기」에 있어서의 알킬기를 구성하는 탄소 원자에 결합하고 있는 적어도 1개의 수소 원자가 불소 원자로 치환된 기를 의미하고, 「치환 혹은 비치환된 알킬기」에 있어서의 알킬기를 구성하는 탄소 원자에 결합하고 있는 모든 수소 원자가 불소 원자로 치환된 기(퍼플루오로기)도 포함한다. 「비치환된 플루오로알킬기」의 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 1∼50이고, 바람직하게는 1∼30이며, 보다 바람직하게는 1∼18이다. 「치환된 플루오로알킬기」는, 「플루오로알킬기」의 1개 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기를 의미한다. 한편, 본 명세서에 기재된 「치환된 플루오로알킬기」에는, 「치환된 플루오로알킬기」에 있어서의 알킬쇄의 탄소 원자에 결합하는 1개 이상의 수소 원자가 치환기로 더 치환된 기, 및 「치환된 플루오로알킬기」에 있어서의 치환기의 1개 이상의 수소 원자가 치환기로 더 치환된 기도 포함된다. 「비치환된 플루오로알킬기」의 구체예로서는, 상기 「알킬기」(구체예군 G3)에 있어서의 1개 이상의 수소 원자가 불소 원자로 치환된 기의 예 등을 들 수 있다.

· 「치환 혹은 비치환된 할로알킬기」

본 명세서에 기재된 「치환 혹은 비치환된 할로알킬기」는, 「치환 혹은 비치환된 알킬기」에 있어서의 알킬기를 구성하는 탄소 원자에 결합하고 있는 적어도 1개의 수소 원자가 할로젠 원자로 치환된 기를 의미하고, 「치환 혹은 비치환된 알킬기」에 있어서의 알킬기를 구성하는 탄소 원자에 결합하고 있는 모든 수소 원자가 할로젠 원자로 치환된 기도 포함한다. 「비치환된 할로알킬기」의 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 1∼50이고, 바람직하게는 1∼30이며, 보다 바람직하게는 1∼18이다. 「치환된 할로알킬기」는, 「할로알킬기」의 1개 이상의 수소 원자가 치환기로 치환된 기를 의미한다. 한편, 본 명세서에 기재된 「치환된 할로알킬기」에는, 「치환된 할로알킬기」에 있어서의 알킬쇄의 탄소 원자에 결합하는 1개 이상의 수소 원자가 치환기로 더 치환된 기, 및 「치환된 할로알킬기」에 있어서의 치환기의 1개 이상의 수소 원자가 치환기로 더 치환된 기도 포함된다. 「비치환된 할로알킬기」의 구체예로서는, 상기 「알킬기」(구체예군 G3)에 있어서의 1개 이상의 수소 원자가 할로젠 원자로 치환된 기의 예 등을 들 수 있다. 할로알킬기를 할로젠화 알킬기라고 칭하는 경우가 있다.

· 「치환 혹은 비치환된 알콕시기」

본 명세서에 기재된 「치환 혹은 비치환된 알콕시기」의 구체예로서는, -O(G3)으로 표시되는 기이고, 여기에서, G3은, 구체예군 G3에 기재된 「치환 혹은 비치환된 알킬기」이다. 「비치환된 알콕시기」의 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 1∼50이고, 바람직하게는 1∼30이며, 보다 바람직하게는 1∼18이다.

· 「치환 혹은 비치환된 알킬싸이오기」

본 명세서에 기재된 「치환 혹은 비치환된 알킬싸이오기」의 구체예로서는, -S(G3)으로 표시되는 기이고, 여기에서, G3은, 구체예군 G3에 기재된 「치환 혹은 비치환된 알킬기」이다. 「비치환된 알킬싸이오기」의 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 1∼50이고, 바람직하게는 1∼30이며, 보다 바람직하게는 1∼18이다.

· 「치환 혹은 비치환된 아릴옥시기」

본 명세서에 기재된 「치환 혹은 비치환된 아릴옥시기」의 구체예로서는, -O(G1)로 표시되는 기이고, 여기에서, G1은, 구체예군 G1에 기재된 「치환 혹은 비치환된 아릴기」이다. 「비치환된 아릴옥시기」의 환형성 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 6∼50이고, 바람직하게는 6∼30이며, 보다 바람직하게는 6∼18이다.

· 「치환 혹은 비치환된 아릴싸이오기」

본 명세서에 기재된 「치환 혹은 비치환된 아릴싸이오기」의 구체예로서는, -S(G1)로 표시되는 기이고, 여기에서, G1은, 구체예군 G1에 기재된 「치환 혹은 비치환된 아릴기」이다. 「비치환된 아릴싸이오기」의 환형성 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 6∼50이고, 바람직하게는 6∼30이며, 보다 바람직하게는 6∼18이다.

· 「치환 혹은 비치환된 트라이알킬실릴기」

본 명세서에 기재된 「트라이알킬실릴기」의 구체예로서는, -Si(G3)(G3)(G3)으로 표시되는 기이고, 여기에서, G3은, 구체예군 G3에 기재된 「치환 혹은 비치환된 알킬기」이다. -Si(G3)(G3)(G3)에 있어서의 복수의 G3은, 서로 동일하거나, 또는 상이하다. 「트라이알킬실릴기」의 각 알킬기의 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 1∼50이고, 바람직하게는 1∼20이며, 보다 바람직하게는 1∼6이다.

· 「치환 혹은 비치환된 아르알킬기」

본 명세서에 기재된 「치환 혹은 비치환된 아르알킬기」의 구체예로서는, -(G3)-(G1)로 표시되는 기이고, 여기에서, G3은, 구체예군 G3에 기재된 「치환 혹은 비치환된 알킬기」이며, G1은, 구체예군 G1에 기재된 「치환 혹은 비치환된 아릴기」이다. 따라서, 「아르알킬기」는, 「알킬기」의 수소 원자가 치환기로서의 「아릴기」로 치환된 기이고, 「치환된 알킬기」의 일 태양이다. 「비치환된 아르알킬기」는, 「비치환된 아릴기」가 치환된 「비치환된 알킬기」이고, 「비치환된 아르알킬기」의 탄소수는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 7∼50이고, 바람직하게는 7∼30이며, 보다 바람직하게는 7∼18이다.

「치환 혹은 비치환된 아르알킬기」의 구체예로서는, 벤질기, 1-페닐에틸기, 2-페닐에틸기, 1-페닐아이소프로필기, 2-페닐아이소프로필기, 페닐-t-뷰틸기, α-나프틸메틸기, 1-α-나프틸에틸기, 2-α-나프틸에틸기, 1-α-나프틸아이소프로필기, 2-α-나프틸아이소프로필기, β-나프틸메틸기, 1-β-나프틸에틸기, 2-β-나프틸에틸기, 1-β-나프틸아이소프로필기, 및 2-β-나프틸아이소프로필기 등을 들 수 있다.

본 명세서에 기재된 치환 혹은 비치환된 아릴기는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 바람직하게는 페닐기, p-바이페닐기, m-바이페닐기, o-바이페닐기, p-터페닐-4-일기, p-터페닐-3-일기, p-터페닐-2-일기, m-터페닐-4-일기, m-터페닐-3-일기, m-터페닐-2-일기, o-터페닐-4-일기, o-터페닐-3-일기, o-터페닐-2-일기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 안트릴기, 페난트릴기, 피렌일기, 크라이센일기, 트라이페닐렌일기, 플루오렌일기, 9,9'-스파이로바이플루오렌일기, 9,9-다이메틸플루오렌일기, 및 9,9-다이페닐플루오렌일기 등이다.

본 명세서에 기재된 치환 혹은 비치환된 헤테로환기는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 바람직하게는 피리딜기, 피리미딘일기, 트라이아진일기, 퀴놀릴기, 아이소퀴놀릴기, 퀴나졸린일기, 벤즈이미다졸릴기, 페난트롤린일기, 카바졸릴기(1-카바졸릴기, 2-카바졸릴기, 3-카바졸릴기, 4-카바졸릴기, 또는 9-카바졸릴기), 벤조카바졸릴기, 아자카바졸릴기, 다이아자카바졸릴기, 다이벤조퓨란일기, 나프토벤조퓨란일기, 아자다이벤조퓨란일기, 다이아자다이벤조퓨란일기, 다이벤조싸이오펜일기, 나프토벤조싸이오펜일기, 아자다이벤조싸이오펜일기, 다이아자다이벤조싸이오펜일기, (9-페닐)카바졸릴기((9-페닐)카바졸-1-일기, (9-페닐)카바졸-2-일기, (9-페닐)카바졸-3-일기, 또는 (9-페닐)카바졸-4-일기), (9-바이페닐릴)카바졸릴기, (9-페닐)페닐카바졸릴기, 다이페닐카바졸-9-일기, 페닐카바졸-9-일기, 페닐트라이아진일기, 바이페닐릴트라이아진일기, 다이페닐트라이아진일기, 페닐다이벤조퓨란일기, 및 페닐다이벤조싸이오펜일기 등이다.

본 명세서에 있어서, 카바졸릴기는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 구체적으로는 이하의 어느 하나의 기이다.

[화학식 9]

본 명세서에 있어서, (9-페닐)카바졸릴기는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 구체적으로는 이하의 어느 하나의 기이다.

[화학식 10]

상기 일반식(TEMP-Cz1)∼(TEMP-Cz9) 중, *는, 결합 위치를 나타낸다.

본 명세서에 있어서, 다이벤조퓨란일기, 및 다이벤조싸이오펜일기는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 구체적으로는 이하의 어느 하나의 기이다.

[화학식 11]

상기 일반식(TEMP-34)∼(TEMP-41) 중, *는, 결합 위치를 나타낸다.

본 명세서에 기재된 치환 혹은 비치환된 알킬기는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 바람직하게는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, 아이소뷰틸기, 및 t-뷰틸기 등이다.

· 「치환 혹은 비치환된 아릴렌기」

본 명세서에 기재된 「치환 혹은 비치환된 아릴렌기」는, 별도 기재가 없는 한, 상기 「치환 혹은 비치환된 아릴기」로부터 아릴환 상의 1개의 수소 원자를 제거하는 것에 의해 유도되는 2가의 기이다. 「치환 혹은 비치환된 아릴렌기」의 구체예(구체예군 G12)로서는, 구체예군 G1에 기재된 「치환 혹은 비치환된 아릴기」로부터 아릴환 상의 1개의 수소 원자를 제거하는 것에 의해 유도되는 2가의 기 등을 들 수 있다.

· 「치환 혹은 비치환된 2가의 헤테로환기」

본 명세서에 기재된 「치환 혹은 비치환된 2가의 헤테로환기」는, 별도 기재가 없는 한, 상기 「치환 혹은 비치환된 헤테로환기」로부터 헤테로환 상의 1개의 수소 원자를 제거하는 것에 의해 유도되는 2가의 기이다. 「치환 혹은 비치환된 2가의 헤테로환기」의 구체예(구체예군 G13)로서는, 구체예군 G2에 기재된 「치환 혹은 비치환된 헤테로환기」로부터 헤테로환 상의 1개의 수소 원자를 제거하는 것에 의해 유도되는 2가의 기 등을 들 수 있다.

· 「치환 혹은 비치환된 알킬렌기」

본 명세서에 기재된 「치환 혹은 비치환된 알킬렌기」는, 별도 기재가 없는 한, 상기 「치환 혹은 비치환된 알킬기」로부터 알킬쇄 상의 1개의 수소 원자를 제거하는 것에 의해 유도되는 2가의 기이다. 「치환 혹은 비치환된 알킬렌기」의 구체예(구체예군 G14)로서는, 구체예군 G3에 기재된 「치환 혹은 비치환된 알킬기」로부터 알킬쇄 상의 1개의 수소 원자를 제거하는 것에 의해 유도되는 2가의 기 등을 들 수 있다.

본 명세서에 기재된 치환 혹은 비치환된 아릴렌기는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 바람직하게는 하기 일반식(TEMP-42)∼(TEMP-68)의 어느 하나의 기이다.

[화학식 12]

[화학식 13]

상기 일반식(TEMP-42)∼(TEMP-52) 중, Q₁∼Q₁₀은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 또는 치환기이다.

상기 일반식(TEMP-42)∼(TEMP-52) 중, *는, 결합 위치를 나타낸다.

[화학식 14]

상기 일반식(TEMP-53)∼(TEMP-62) 중, Q₁∼Q₁₀은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 또는 치환기이다.

식 Q₉ 및 Q₁₀은, 단일 결합을 개재시켜 서로 결합하여 환을 형성해도 된다.

상기 일반식(TEMP-53)∼(TEMP-62) 중, *는, 결합 위치를 나타낸다.

[화학식 15]

상기 일반식(TEMP-63)∼(TEMP-68) 중, Q₁∼Q₈은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 또는 치환기이다.

상기 일반식(TEMP-63)∼(TEMP-68) 중, *는, 결합 위치를 나타낸다.

본 명세서에 기재된 치환 혹은 비치환된 2가의 헤테로환기는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 바람직하게는 하기 일반식(TEMP-69)∼(TEMP-102)의 어느 기이다.

[화학식 16]

[화학식 17]

[화학식 18]

상기 일반식(TEMP-69)∼(TEMP-82) 중, Q₁∼Q₉는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 또는 치환기이다.

[화학식 19]

[화학식 20]

[화학식 21]

[화학식 22]

상기 일반식(TEMP-83)∼(TEMP-102) 중, Q₁∼Q₈은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 또는 치환기이다.

이상이, 「본 명세서에 기재된 치환기」에 대한 설명이다.

· 「결합하여 환을 형성하는 경우」

본 명세서에 있어서, 「인접하는 2개 이상으로 이루어지는 조의 1조 이상이, 서로 결합하여, 치환 혹은 비치환된 단환을 형성하거나, 서로 결합하여, 치환 혹은 비치환된 축합환을 형성하거나, 또는 서로 결합하지 않고」라고 하는 경우는, 「인접하는 2개 이상으로 이루어지는 조의 1조 이상이, 서로 결합하여, 치환 혹은 비치환된 단환을 형성하는」 경우와, 「인접하는 2개 이상으로 이루어지는 조의 1조 이상이, 서로 결합하여, 치환 혹은 비치환된 축합환을 형성하는」 경우와, 「인접하는 2개 이상으로 이루어지는 조의 1조 이상이, 서로 결합하지 않는」 경우를 의미한다.

본 명세서에 있어서의, 「인접하는 2개 이상으로 이루어지는 조의 1조 이상이, 서로 결합하여, 치환 혹은 비치환된 단환을 형성하는」 경우, 및 「인접하는 2개 이상으로 이루어지는 조의 1조 이상이, 서로 결합하여, 치환 혹은 비치환된 축합환을 형성하는」 경우(이하, 이들 경우를 통틀어 「결합하여 환을 형성하는 경우」라고 칭하는 경우가 있다.)에 대하여, 이하, 설명한다. 모골격이 안트라센환인 하기 일반식(TEMP-103)으로 표시되는 안트라센 화합물의 경우를 예로서 설명한다.

[화학식 23]

예를 들면, R₉₂₁∼R₉₃₀ 중 「인접하는 2개 이상으로 이루어지는 조의 1조 이상이, 서로 결합하여, 환을 형성하는」 경우에 있어서, 1조가 되는 인접하는 2개로 이루어지는 조란, R₉₂₁과 R₉₂₂의 조, R₉₂₂와 R₉₂₃의 조, R₉₂₃과 R₉₂₄의 조, R₉₂₄와 R₉₃₀의 조, R₉₃₀과 R₉₂₅의 조, R₉₂₅와 R₉₂₆의 조, R₉₂₆과 R₉₂₇의 조, R₉₂₇과 R₉₂₈의 조, R₉₂₈과 R₉₂₉의 조, 및 R₉₂₉와 R₉₂₁의 조이다.

상기 「1조 이상」이란, 상기 인접하는 2개 이상으로 이루어지는 조의 2조 이상이 동시에 환을 형성해도 되는 것을 의미한다. 예를 들면, R₉₂₁과 R₉₂₂가 서로 결합하여 환 Q_A를 형성하고, 동시에 R₉₂₅와 R₉₂₆이 서로 결합하여 환 Q_B를 형성한 경우는, 상기 일반식(TEMP-103)으로 표시되는 안트라센 화합물은, 하기 일반식(TEMP-104)로 표시된다.

[화학식 24]

「인접하는 2개 이상으로 이루어지는 조」가 환을 형성하는 경우란, 전술한 예와 같이 인접하는 「2개」로 이루어지는 조가 결합하는 경우뿐만 아니라, 인접하는 「3개 이상」으로 이루어지는 조가 결합하는 경우도 포함한다. 예를 들면, R₉₂₁과 R₉₂₂가 서로 결합하여 환 Q_A를 형성하고, 또한 R₉₂₂와 R₉₂₃이 서로 결합하여 환 Q_C를 형성하며, 서로 인접하는 3개(R₉₂₁, R₉₂₂ 및 R₉₂₃)로 이루어지는 조가 서로 결합하여 환을 형성하여, 안트라센 모골격에 축합하는 경우를 의미하고, 이 경우, 상기 일반식(TEMP-103)으로 표시되는 안트라센 화합물은, 하기 일반식(TEMP-105)로 표시된다. 하기 일반식(TEMP-105)에 있어서, 환 Q_A 및 환 Q_C는, R₉₂₂를 공유한다.

[화학식 25]

형성되는 「단환」, 또는 「축합환」은, 형성된 환만의 구조로서, 포화의 환이어도 불포화의 환이어도 된다. 「인접하는 2개로 이루어지는 조의 1조」가 「단환」, 또는 「축합환」을 형성하는 경우여도, 당해 「단환」, 또는 「축합환」은, 포화의 환, 또는 불포화의 환을 형성할 수 있다. 예를 들면, 상기 일반식(TEMP-104)에 있어서 형성된 환 Q_A 및 환 Q_B는, 각각, 「단환」 또는 「축합환」이다. 또한, 상기 일반식(TEMP-105)에 있어서 형성된 환 Q_A, 및 환 Q_C는, 「축합환」이다. 상기 일반식(TEMP-105)의 환 Q_A와 환 Q_C는, 환 Q_A와 환 Q_C가 축합하는 것에 의해 축합환이 되어 있다. 상기 일반식(TEMP-104)의 환 Q_A가 벤젠환이면, 환 Q_A는, 단환이다. 상기 일반식(TEMP-104)의 환 Q_A가 나프탈렌환이면, 환 Q_A는, 축합환이다.

「불포화의 환」이란, 방향족 탄화수소환, 또는 방향족 헤테로환을 의미한다. 「포화의 환」이란, 지방족 탄화수소환, 또는 비방향족 헤테로환을 의미한다.

방향족 탄화수소환의 구체예로서는, 구체예군 G1에 있어서 구체예로서 들어진 기가 수소 원자에 의해 종단된 구조를 들 수 있다.

방향족 헤테로환의 구체예로서는, 구체예군 G2에 있어서 구체예로서 들어진 방향족 헤테로환기가 수소 원자에 의해 종단된 구조를 들 수 있다.

지방족 탄화수소환의 구체예로서는, 구체예군 G6에 있어서 구체예로서 들어진 기가 수소 원자에 의해 종단된 구조를 들 수 있다.

「환을 형성하는」이란, 모골격의 복수의 원자만, 혹은 모골격의 복수의 원자와 추가로 1 이상의 임의의 원소로 환을 형성하는 것을 의미한다. 예를 들면, 상기 일반식(TEMP-104)에 나타내는, R₉₂₁과 R₉₂₂가 서로 결합하여 형성된 환 Q_A는, R₉₂₁이 결합하는 안트라센 골격의 탄소 원자와, R₉₂₂가 결합하는 안트라센 골격의 탄소 원자와, 1 이상의 임의의 원소로 형성하는 환을 의미한다. 구체예로서는, R₉₂₁과 R₉₂₂로 환 Q_A를 형성하는 경우에 있어서, R₉₂₁이 결합하는 안트라센 골격의 탄소 원자와, R₉₂₂가 결합하는 안트라센 골격의 탄소 원자와, 4개의 탄소 원자로 단환의 불포화의 환을 형성하는 경우, R₉₂₁과 R₉₂₂로 형성하는 환은, 벤젠환이다.

여기에서, 「임의의 원소」는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 바람직하게는, 탄소 원소, 질소 원소, 산소 원소, 및 황 원소로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 원소이다. 임의의 원소에 있어서(예를 들면, 탄소 원소, 또는 질소 원소의 경우), 환을 형성하지 않는 결합은, 수소 원자 등으로 종단되어도 되고, 후술하는 「임의의 치환기」로 치환되어도 된다. 탄소 원소 이외의 임의의 원소를 포함하는 경우, 형성되는 환은 헤테로환이다.

단환 또는 축합환을 구성하는 「1 이상의 임의의 원소」는, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 바람직하게는 2개 이상 15개 이하이고, 보다 바람직하게는 3개 이상 12개 이하이며, 더 바람직하게는 3개 이상 5개 이하이다.

본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 「단환」, 및 「축합환」 중, 바람직하게는 「단환」이다.

본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 「포화의 환」, 및 「불포화의 환」 중, 바람직하게는 「불포화의 환」이다.

본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 「단환」은, 바람직하게는 벤젠환이다.

본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 「불포화의 환」은, 바람직하게는 벤젠환이다.

「인접하는 2개 이상으로 이루어지는 조의 1조 이상」이, 「서로 결합하여, 치환 혹은 비치환된 단환을 형성하는」 경우, 또는 「서로 결합하여, 치환 혹은 비치환된 축합환을 형성하는」 경우, 본 명세서에 별도 기재가 없는 한, 바람직하게는, 인접하는 2개 이상으로 이루어지는 조의 1조 이상이, 서로 결합하여, 모골격의 복수의 원자와, 1개 이상 15개 이하의 탄소 원소, 질소 원소, 산소 원소, 및 황 원소로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 원소로 이루어지는 치환 혹은 비치환된 「불포화의 환」을 형성한다.

상기의 「단환」, 또는 「축합환」이 치환기를 갖는 경우의 치환기는, 예를 들면 후술하는 「임의의 치환기」이다. 상기의 「단환」, 또는 「축합환」이 치환기를 갖는 경우의 치환기의 구체예는, 전술한 「본 명세서에 기재된 치환기」의 항에서 설명한 치환기이다.

상기의 「포화의 환」, 또는 「불포화의 환」이 치환기를 갖는 경우의 치환기는, 예를 들면 후술하는 「임의의 치환기」이다. 상기의 「단환」, 또는 「축합환」이 치환기를 갖는 경우의 치환기의 구체예는, 전술한 「본 명세서에 기재된 치환기」의 항에서 설명한 치환기이다.

이상이, 「인접하는 2개 이상으로 이루어지는 조의 1조 이상이, 서로 결합하여, 치환 혹은 비치환된 단환을 형성하는」 경우, 및 「인접하는 2개 이상으로 이루어지는 조의 1조 이상이, 서로 결합하여, 치환 혹은 비치환된 축합환을 형성하는」 경우(「결합하여 환을 형성하는 경우」)에 대한 설명이다.

· 「치환 혹은 비치환된」이라고 하는 경우의 치환기

본 명세서에 있어서의 일 실시형태에 있어서는, 상기 「치환 혹은 비치환된」이라고 하는 경우의 치환기(본 명세서에 있어서, 「임의의 치환기」라고 부르는 경우가 있다.)는, 예를 들면,

비치환된 탄소수 1∼50의 알킬기,

비치환된 탄소수 2∼50의 알켄일기,

비치환된 탄소수 2∼50의 알킨일기,

비치환된 환형성 탄소수 3∼50의 사이클로알킬기,

-Si(R₉₀₁)(R₉₀₂)(R₉₀₃),

-O-(R₉₀₄),

-S-(R₉₀₅),

-N(R₉₀₆)(R₉₀₇),

할로젠 원자, 사이아노기, 나이트로기,

비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 및

비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로환기

로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기 등이고,

여기에서, R₉₀₁∼R₉₀₇은, 각각 독립적으로,

수소 원자,

치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼50의 알킬기,

치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 3∼50의 사이클로알킬기,

치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 또는

치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로환기이다.

R₉₀₅가 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₅는, 서로 동일하거나, 또는 상이하고,

R₉₀₆이 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₆은, 서로 동일하거나, 또는 상이하고,

R₉₀₇이 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₇은, 서로 동일하거나, 또는 상이하다.

일 실시형태에 있어서는, 상기 「치환 혹은 비치환된」이라고 하는 경우의 치환기는,

탄소수 1∼50의 알킬기,

환형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 및

환형성 원자수 5∼50의 헤테로환기

로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기이다.

탄소수 1∼18의 알킬기,

환형성 탄소수 6∼18의 아릴기, 및

환형성 원자수 5∼18의 헤테로환기

로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기이다.

상기 임의의 치환기의 각 기의 구체예는, 전술한 「본 명세서에 기재된 치환기」의 항에서 설명한 치환기의 구체예이다.

본 명세서에 있어서 별도 기재가 없는 한, 인접하는 임의의 치환기끼리로, 「포화의 환」, 또는 「불포화의 환」을 형성해도 되고, 바람직하게는, 치환 혹은 비치환된 포화의 5원환, 치환 혹은 비치환된 포화의 6원환, 치환 혹은 비치환된 불포화의 5원환, 또는 치환 혹은 비치환된 불포화의 6원환을 형성하며, 보다 바람직하게는, 벤젠환을 형성한다.

본 명세서에 있어서 별도 기재가 없는 한, 임의의 치환기는, 추가로 치환기를 가져도 된다. 임의의 치환기가 추가로 갖는 치환기로서는, 상기 임의의 치환기와 마찬가지이다.

본 명세서에 있어서, 「AA∼BB」를 이용하여 표시되는 수치 범위는, 「AA∼BB」의 앞에 기재되는 수치 AA를 하한치로 하고, 「AA∼BB」의 뒤에 기재되는 수치 BB를 상한치로 하여 포함하는 범위를 의미한다.

[유기 EL 소자]

이하, 본 발명의 유기 EL 소자를 설명한다.

본 발명의 유기 EL 소자는, 양극, 음극, 및 해당 양극과 해당 음극 사이에 존재하는 유기층을 갖는, 유기 전기발광 소자로서,

상기 발광층은, 하기 식(3)으로 표시되는 화합물을 포함한다.

본 발명의 일 태양에 있어서, 상기 정공 수송층(B)는, 하기 식(2)로 표시되고, 또한 상기 정공 수송층(A)에 포함되는 하기 식(1a) 또는 (1b)로 표시되는 화합물과는 상이한 화합물인 것이 바람직하다.

또한, 본 발명의 일 태양에 있어서, 상기 정공 수송층(B)는, 하기 식(2)로 표시되고, 또한 상기 정공 수송층(A)에 포함되는 화합물과는 상이한 화합물을 포함하는 것이, 보다 바람직하다.

이하, 본 명세서에 있어서, 식(1a)로 표시되는 화합물을 「화합물(1a)」라고, 식(1b)로 표시되는 화합물을 「화합물(1b)」라고, 식(2)로 표시되는 화합물을 「화합물(2)」라고, 식(3)으로 표시되는 화합물을 「화합물(3)」이라고 하는 경우가 있다. 또한, 본 명세서에 있어서, 상기 「하기 식(2)로 표시되고, 또한 상기 정공 수송층(A)에 포함되는 하기 식(1a) 또는 (1b)로 표시되는 화합물과는 상이한 화합물」을 「화합물(B1)」이라고 하는 경우가 있다. 또한, 본 명세서에 있어서, 상기 「하기 식(2)로 표시되고, 또한 상기 정공 수송층(A)에 포함되는 화합물과는 상이한 화합물」을 「화합물(B2)」라고 하는 경우가 있다.

본 명세서에 있어서, 「상기 정공 수송층(B)는, 식(2)로 표시되고, 또한 상기 정공 수송층(A)에 포함되는 식(1a) 또는 (1b)로 표시되는 화합물과는 상이한 화합물을 포함한다」란, 본 발명의 일 태양인 유기 EL 소자에 있어서, 상기 정공 수송층(B)에는, 상기 정공 수송층(A)가 포함하는 하기 식(1a)로 표시되는 구체적인 화합물 및 하기 식(1b)로 표시되는 구체적인 화합물과 동일한 화합물은 포함되지 않는 것을 가리킨다. 환언하면, 상기 정공 수송층(B)가, 당해 정공 수송층(B)를 포함하는 유기 EL 소자 중에 있어서, 하기 식(1a) 또는 (1b)로 표시되고, 또한 정공 수송층(A)에 포함되는 구체적인 화합물과 동일한 화합물이 아니면, 하기 식(2)로 표시되는 화합물이고, 또한 하기 식(1a)로 표시되는 화합물 및 하기 식(1b)로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하고 있어도 되는 것을 나타낸다. 또한, 상기 정공 수송층(A)에 포함되어 있는 화합물이더라도, 하기 식(1a)로 표시되는 화합물 및 하기 식(1b)로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 하나가 아닌 화합물이면 포함하고 있어도 된다.

또한, 본 발명의 일 태양에 있어서, 상기 정공 수송 대역은, 상기 정공 수송층(A)를, 단독으로 포함해도 되고, 또는 복수 포함하고 있어도 된다. 또한, 상기 정공 수송층(A)는 단층이어도 되고, 복층이어도 된다. 예를 들면, 상기 정공 수송층(B)보다 양극측에 위치하는 정공 수송층이 복수 존재하는 경우, 그들 정공 수송층의 어느 것에도, 화합물(1a) 및 화합물(1b)로부터 선택되는 적어도 하나가 포함되어 있는 경우에 대해서는, 그들 정공 수송층 모두가 정공 수송층(A)에 해당한다.

또한, 본 발명의 일 태양에 있어서, 상기 정공 수송층(A)는, 화합물(1a) 및 화합물(1b) 이외의 화합물을 추가로 포함하고 있어도 된다.

상기 정공 수송층(A) 중, 화합물(1a) 및 화합물(1b)로부터 선택되는 적어도 하나의 합계 함유량은, 본 발명의 효과가 나타나는 한, 특별히 제한은 없지만, 본 발명의 일 태양에 있어서, 정공 수송층(A)를 구성하는 화합물의 전량 100질량% 중, 바람직하게는 50∼100질량%, 보다 바람직하게는 75∼100질량%, 더 바람직하게는 90∼100질량%, 보다 더 바람직하게는 95∼100질량%, 보다 더 바람직하게는 98∼100질량%이며, 그리고 100질량%여도 된다.

또한, 본 발명의 일 태양에 있어서, 상기 정공 수송 대역이, 정공 수송층(A)를 2층 이상 포함하는 경우, 그들은 동일해도 되고, 상이해도 된다. 즉, 2층 이상 존재하는 정공 수송층(A)에 포함되는 구체적인 화합물 및 그 조성은, 각 층에서 동일해도 상이해도 된다.

또한, 본 발명의 일 태양에 있어서, 상기 정공 수송층(B)는, 화합물(2) 이외의 화합물을 추가로 포함하고 있어도 된다.

상기 정공 수송층(B) 중, 화합물(2)의 함유량은, 본 발명의 효과가 나타나는 한, 특별히 제한은 없지만, 본 발명의 일 태양에 있어서, 정공 수송층(B)를 구성하는 화합물의 전량 100질량% 중, 바람직하게는 50∼100질량%, 보다 바람직하게는 75∼100질량%, 더 바람직하게는 90∼100질량%, 보다 더 바람직하게는 95∼100질량%, 보다 더 바람직하게는 98∼100질량%이며, 그리고 100질량%여도 된다.

또한, 전술한 본 발명의 적합한 일 태양에 있어서, 상기 정공 수송층(B)는, 화합물(B1) 이외의 화합물을 추가로 포함하고 있어도 된다.

전술한 본 발명의 적합한 일 태양에 있어서, 상기 정공 수송층(B) 중, 화합물(B1)의 함유량은, 본 발명의 효과가 나타나는 한, 특별히 제한은 없지만, 본 발명의 일 태양에 있어서, 정공 수송층(B)를 구성하는 화합물의 전량 100질량% 중, 바람직하게는 50∼100질량%, 보다 바람직하게는 75∼100질량%, 더 바람직하게는 90∼100질량%, 보다 더 바람직하게는 95∼100질량%, 보다 더 바람직하게는 98∼100질량%이며, 그리고 100질량%여도 된다.

또한, 전술한 본 발명의 적합한 일 태양에 있어서, 상기 정공 수송층(B)는, 화합물(B2) 이외의 화합물을 추가로 포함하고 있어도 된다.

전술한 본 발명의 적합한 일 태양에 있어서, 상기 정공 수송층(B) 중, 화합물(B2)의 함유량은, 본 발명의 효과가 나타나는 한, 특별히 제한은 없지만, 본 발명의 일 태양에 있어서, 정공 수송층(B)를 구성하는 화합물의 전량 100질량% 중, 바람직하게는 50∼100질량%, 보다 바람직하게는 75∼100질량%, 더 바람직하게는 90∼100질량%, 보다 더 바람직하게는 95∼100질량%, 보다 더 바람직하게는 98∼100질량%이며, 그리고 100질량%여도 된다.

본 발명의 일 태양에 있어서, 상기 정공 수송 대역은, 상기 정공 수송층(A) 및 상기 정공 수송층(B) 이외에, 추가로, 1층 또는 2층 이상의 다른 정공 수송층을 포함해도 된다.

예를 들면, 본 발명의 일 태양에 있어서, 상기 정공 수송 대역은, 상기 양극과, 상기 정공 수송층(A) 사이에, 추가로, 다른 정공 수송층(C)를 1층 또는 2층 이상 포함하고 있어도 된다.

본 발명의 일 태양에 있어서, 상기 정공 수송 대역이, 상기 정공 수송층(C)를 1층 포함하는 경우, 당해 정공 수송층(C)는 상기 화합물(2)를 포함하는 것이 바람직하고, 상기 화합물(2)로서 상기 화합물(B1)을 포함하는 것이 바람직하고, 상기 화합물(B2)를 포함하는 것이 보다 바람직하다.

본 발명의 일 태양에 있어서, 상기 정공 수송층(C)는, 단일의 화합물을 포함하고 있어도 되고, 복수의 화합물을 포함하고 있어도 된다.

본 발명의 일 태양에 있어서, 상기 정공 수송 대역이, 상기 정공 수송층(C)를 2층 이상 포함하는 경우, 그들은 동일해도 되고, 상이해도 된다. 즉, 2층 이상 존재하는 정공 수송층(C)에 포함되는 구체적인 화합물 및 그 조성은, 각 층에서 동일해도 상이해도 된다.

예를 들면, 본 발명의 일 태양에 있어서, 상기 양극과 상기 정공 수송층(A) 사이에, 각각, 서로 상이한 화합물을 포함하는 정공 수송층(C)를 2층 포함하고 있어도 된다.

본 발명의 일 태양에 있어서, 상기 정공 수송층(C)의 적어도 1층은, 화합물(2)를 포함하는 것이 바람직하고, 상기 정공 수송층(A)와 인접하는 정공 수송층(C)가 상기 화합물(2)를 포함하는 것이 보다 바람직하다.

본 발명의 일 태양에 있어서, 상기 정공 수송층(C)의 적어도 1층은, 화합물(B)를 포함하는 것이 바람직하고, 상기 정공 수송층(A)와 인접하는 정공 수송층(C)가 상기 화합물(B1)을 포함하는 것이 보다 바람직하다.

본 발명의 일 태양에 있어서, 상기 정공 수송층(C)의 적어도 1층은, 화합물(B)를 포함하는 것이 바람직하고, 상기 정공 수송층(A)와 인접하는 정공 수송층(C)가 상기 화합물(B2)를 포함하는 것이 보다 바람직하다.

본 발명의 일 태양에 있어서, 상기 정공 수송 대역은, 상기 양극과, 상기 정공 수송층(B) 사이에, 상기 양극측으로부터, 정공 수송층(A), 상기 정공 수송층(C), 및 정공 수송층(A)를, 이 순서로 포함하는 것이 바람직하다. 이 경우, 전술한 대로, 복수 존재하는 정공 수송층(A)는, 서로 동일해도, 상이해도 된다.

본 발명의 일 태양에 있어서, 상기 정공 수송 대역은, 상기 정공 수송층(B)와, 상기 정공 수송층(A) 사이에, 추가로, 다른 정공 수송층(D)를 1층 또는 2층 이상 포함하고 있어도 되고, 또는 포함하지 않아도 된다.

본 발명의 일 태양에 있어서, 상기 정공 수송층(D)는, 단일의 화합물을 포함하고 있어도 되고, 복수의 화합물을 포함하고 있어도 된다.

본 발명의 일 태양에 있어서, 상기 정공 수송 대역이, 상기 정공 수송층(D)를 2층 이상 포함하는 경우, 그들은 동일해도 되고, 상이해도 된다. 즉, 2층 이상 존재하는 정공 수송층(D)에 포함되는 구체적인 화합물 및 그 조성은, 각 층에서 동일해도 상이해도 된다.

또한, 본 발명의 일 태양에 있어서, 상기 정공 수송층(A)와 상기 정공 수송층(B)가 직접 접하고 있는 것이 바람직하다.

본 발명의 일 태양인 유기 EL 소자의 실시태양으로서는, 예를 들면, 이하의 실시태양을 들 수 있지만, 본 발명은 이들 실시태양으로 한정되는 것은 아니다.

· 제1 정공 수송층이 화합물(1a) 및 화합물(1b)로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하고, 제2 정공 수송층이 화합물(2)를 포함하는 제1 실시태양;

· 제1 정공 수송층이, 화합물(1a) 및 화합물(1b)로부터 선택되는 적어도 하나, 및, 화합물(2)의 어느 것도 포함하지 않고, 제2 정공 수송층이 화합물(1a) 및 화합물(1b)로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하고, 제3 정공 수송층이 화합물(2)를 포함하는 제2 실시태양;

· 제1 정공 수송층이, 화합물(1a) 및 화합물(1b)로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하고, 제2 정공 수송층이 화합물(1a) 및 화합물(1b)로부터 선택되는 적어도 하나, 및, 화합물(2)의 어느 것도 포함하지 않고, 제3 정공 수송층이 화합물(1a) 및 화합물(1b)로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하고, 제4 정공 수송층이 화합물(2)를 포함하는 제3 실시태양;

· 제1 정공 수송층이, 화합물(1a) 및 화합물(1b)로부터 선택되는 적어도 하나, 및, 화합물(1a) 및 화합물(1b) 이외의 다른 화합물도 포함하고, 제2 정공 수송층이 화합물(1a) 및 화합물(1b)로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하고, 제3 정공 수송층이 화합물(2)를 포함하는 제4 실시태양;

· 제1 정공 수송층이 화합물(1a) 및 화합물(1b)로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하고, 제2 정공 수송층이 화합물(B1)을 포함하는 제5 실시태양;

· 제1 정공 수송층이, 화합물(1a) 및 화합물(1b)로부터 선택되는 적어도 하나, 및, 화합물(B)의 어느 것도 포함하지 않고, 제2 정공 수송층이 화합물(1a) 및 화합물(1b)로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하고, 제3 정공 수송층이 화합물(B1)을 포함하는 제6 실시태양;

· 제1 정공 수송층이, 화합물(1a) 및 화합물(1b)로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하고, 제2 정공 수송층이 화합물(1a) 및 화합물(1b)로부터 선택되는 적어도 하나, 및, 화합물(B1)의 어느 것도 포함하지 않고, 제3 정공 수송층이 화합물(1a) 및 화합물(1b)로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하고, 제4 정공 수송층이 화합물(B1)을 포함하는 제7 실시태양;

· 제1 정공 수송층이, 화합물(1a) 및 화합물(1b)로부터 선택되는 적어도 하나, 및, 화합물(1a) 및 화합물(1b) 이외의 다른 화합물도 포함하고, 제2 정공 수송층이 화합물(1a) 및 화합물(1b)로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하고, 제3 정공 수송층이 화합물(B1)을 포함하는 제8 실시태양;

· 제1 정공 수송층이 화합물(1a) 및 화합물(1b)로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하고, 제2 정공 수송층이 화합물(B2)를 포함하는 제9 실시태양;

· 제1 정공 수송층이, 화합물(1a) 및 화합물(1b)로부터 선택되는 적어도 하나, 및, 화합물(B2)의 어느 것도 포함하지 않고, 제2 정공 수송층이 화합물(1a) 및 화합물(1b)로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하고, 제3 정공 수송층이 화합물(B2)를 포함하는 제10 실시태양;

· 제1 정공 수송층이, 화합물(1a) 및 화합물(1b)로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하고, 제2 정공 수송층이 화합물(1a) 및 화합물(1b)로부터 선택되는 적어도 하나, 및, 화합물(B2)의 어느 것도 포함하지 않고, 제3 정공 수송층이 화합물(1a) 및 화합물(1b)로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하고, 제4 정공 수송층이 화합물(B2)를 포함하는 제11 실시태양;

· 제1 정공 수송층이, 화합물(1a) 및 화합물(1b)로부터 선택되는 적어도 하나, 및, 화합물(1a) 및 화합물(1b) 이외의 다른 화합물도 포함하고, 제2 정공 수송층이 화합물(1a) 및 화합물(1b)로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하고, 제3 정공 수송층이 화합물(B2)를 포함하는 제12 실시태양.

<화합물(1a)>

화합물(1a)는 식(1a)로 표시되고, 하기 식(1a)로 표시되는 화합물 및 후술하는 식(1b)로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 하나가, 유기 EL 소자가 갖는 정공 수송층(A)에 포함된다.

[화학식 26]

식(1a) 중, N^*는 중심 질소 원자이다.

(Ar^a1 및 Ar^a2)

상기 식(1a) 중, Ar^a1 및 Ar^a2는, 각각 독립적으로, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기이며, 바람직하게는, 하기 식(1A), (1B), (1C), (1D), (1E), 또는 (1F)로 표시되는 기이다.

상기 Ar^a1 및 Ar^a2가 나타내는 상기 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기로서는, 예를 들면,

페닐기, 바이페닐기, 터페닐기, 나프틸기, 안트릴기, 벤즈안트릴기, 페난트릴기, 벤조페난트릴기, 피렌일기, 크라이센일기, 벤조크라이센일기, 플루오렌일기, 플루오란텐일기, 페릴렌일기, 또는 트라이페닐렌일기이고;

바람직하게는, 페닐기, 바이페닐기, 터페닐기, 또는 나프틸기이고;

보다 바람직하게는, 페닐기, 2-, 3-, 또는 4-바이페닐릴기, 2-, 3-, 또는 4-o-터페닐릴기, 2-, 3-, 또는 4-m-터페닐릴기, 2-, 3-, 또는 4-p-터페닐릴기, 또는 1- 또는 2-나프틸기이고;

더 바람직하게는, 페닐기, 2-, 3-, 또는 4-바이페닐릴기, 또는 1- 또는 2-나프틸기이고;

보다 더 바람직하게는, 페닐기이다.

상기 Ar^a1 및 Ar^a2가 나타내는 상기 비치환된 환형성 탄소수 5∼30의 헤테로환기로서는, 예를 들면,

피롤릴기, 퓨릴기, 싸이엔일기, 피리딜기, 이미다조피리딜기, 피리다진일기, 피리미딘일기, 피라진일기, 트라이아진일기, 이미다졸릴기, 옥사졸릴기, 싸이아졸릴기, 피라졸릴기, 아이속사졸릴기, 아이소싸이아졸릴기, 옥사다이아졸릴기, 싸이아다이아졸릴기, 트라이아졸릴기, 테트라졸릴기, 인돌릴기, 아이소인돌릴기, 인돌리진일기, 퀴놀리진일기, 퀴놀릴기, 아이소퀴놀릴기, 신놀릴기, 프탈라진일기, 퀴나졸린일기, 퀴녹살린일기, 벤즈이미다졸릴기, 벤즈옥사졸릴기, 벤조싸이아졸릴기, 인다졸릴기, 벤즈아이속사졸릴기, 벤즈아이소싸이아졸릴기, 페난트리딘일기, 아크리딘일기, 페난트롤린일기, 페나진일기, 페노싸이아진일기, 페녹사진일기, 잔텐일기, 벤조퓨란일기, 아이소벤조퓨란일기, 나프토벤조퓨란일기, 다이벤조퓨란일기, 벤조싸이오펜일기(벤조싸이엔일기, 이하 마찬가지), 아이소벤조싸이오펜일기(아이소벤조싸이엔일기, 이하 마찬가지), 나프토벤조싸이오펜일기(나프토벤조싸이엔일기, 이하 마찬가지), 다이벤조싸이오펜일기(다이벤조싸이엔일기, 이하 마찬가지), 또는 카바졸릴기이고;

바람직하게는, 벤조퓨란일기, 아이소벤조퓨란일기, 나프토벤조퓨란일기, 다이벤조퓨란일기, 벤조싸이오펜일기, 아이소벤조싸이오펜일기, 나프토벤조싸이오펜일기, 다이벤조싸이오펜일기, 또는 카바졸릴기이며,

보다 바람직하게는, 다이벤조퓨란일기, 다이벤조싸이오펜일기, 또는 카바졸릴기(9-카바졸릴기, 또는 1-, 2-, 3- 또는 4-카바졸릴기를 포함한다. 이하, 마찬가지.)이다.

〔식(1A)〕

[화학식 27]

식(1A) 중, *11은 L^a1 또는 L^a2에의 결합 위치이다.

R¹⁰¹∼R¹⁰⁵로부터 선택되는 1개는 *22에 결합하는 단일 결합이고, R¹⁰⁶∼R¹¹⁰으로부터 선택되는 1개는 *13에 결합하는 단일 결합이다.

상기 단일 결합은 아닌 R¹⁰¹∼R¹⁰⁵ 및 R¹⁰⁶∼R¹¹⁰은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 비치환된 탄소수 1∼10의 알킬기, 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기이다.

상기 단일 결합은 아닌 R¹⁰¹∼R¹⁰⁵ 및 R¹⁰⁶∼R¹¹⁰이 나타내는 상기 비치환된 탄소수 1∼10의 알킬기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, 아이소뷰틸기, s-뷰틸기, t-뷰틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 또는 데실기를 들 수 있고;

바람직하게는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, 아이소뷰틸기, s-뷰틸기, t-뷰틸기, 펜틸기, 또는 헥실기이고;

보다 바람직하게는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, 아이소뷰틸기, s-뷰틸기, 또는 t-뷰틸기이고;

더 바람직하게는, 메틸기 또는 t-뷰틸기이고;

보다 더 바람직하게는 t-뷰틸기이다.

상기 단일 결합은 아닌 R¹⁰¹∼R¹⁰⁵ 및 R¹⁰⁶∼R¹¹⁰이 나타내는 상기 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기로서는, 예를 들면,

페닐기, 바이페닐기, 또는 나프틸기이고;

바람직하게는, 페닐기, 2-, 3-, 또는 4-바이페닐릴기, 또는 1- 또는 2-나프틸기이고;

보다 바람직하게는, 페닐기, 또는 1- 또는 2-나프틸기이고;

더 바람직하게는, 페닐기이다.

상기 단일 결합은 아닌 R¹⁰¹∼R¹⁰⁵로부터 선택되는 인접하는 2개는, 서로 결합하지 않아 환을 형성하지 않는다.

상기 단일 결합은 아닌 R¹⁰⁶∼R¹¹⁰으로부터 선택되는 인접하는 2개는, 서로 결합하지 않아 환을 형성하지 않는다.

R¹¹¹∼R¹¹⁵는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼10의 알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼13의 헤테로환기이다.

R¹¹¹∼R¹¹⁵로부터 선택되는 인접하는 2개는, 서로 결합하지 않아 환을 형성하지 않는다.

상기 R¹¹¹∼R¹¹⁵가 나타내는 상기 비치환된 탄소수 1∼10의 알킬기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 R¹⁰¹∼R¹⁰⁵ 및 R¹⁰⁶∼R¹¹⁰에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

상기 R¹¹¹∼R¹¹⁵가 나타내는 상기 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 R¹⁰¹∼R¹⁰⁵ 및 R¹⁰⁶∼R¹¹⁰에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

상기 R¹¹¹∼R¹¹⁵가 나타내는 상기 비치환된 환형성 탄소수 5∼13의 헤테로환기로서는, 예를 들면, 피롤릴기, 퓨릴기, 싸이엔일기, 피리딜기, 이미다조피리딜기, 피리다진일기, 피리미딘일기, 피라진일기, 트라이아진일기, 이미다졸릴기, 옥사졸릴기, 싸이아졸릴기, 피라졸릴기, 아이속사졸릴기, 아이소싸이아졸릴기, 옥사다이아졸릴기, 싸이아다이아졸릴기, 트라이아졸릴기, 테트라졸릴기, 인돌릴기, 아이소인돌릴기, 인돌리진일기, 퀴놀리진일기, 퀴놀릴기, 아이소퀴놀릴기, 신놀릴기, 프탈라진일기, 퀴나졸린일기, 퀴녹살린일기, 벤즈이미다졸릴기, 벤즈옥사졸릴기, 벤조싸이아졸릴기, 인다졸릴기, 벤즈아이속사졸릴기, 벤즈아이소싸이아졸릴기, 벤조퓨란일기, 아이소벤조퓨란일기, 다이벤조퓨란일기, 벤조싸이오펜일기(벤조싸이엔일기, 이하 마찬가지), 아이소벤조싸이오펜일기(아이소벤조싸이엔일기, 이하 마찬가지), 다이벤조싸이오펜일기(다이벤조싸이엔일기, 이하 마찬가지), 또는 카바졸릴기이고;

바람직하게는 피롤릴기, 퓨릴기, 싸이엔일기, 피리딜기, 피리미딘일기, 트라이아진일기, 퀴놀릴기, 아이소퀴놀릴기, 퀴나졸린일기, 벤즈이미다졸릴기, 벤조퓨란일기, 아이소벤조퓨란일기, 다이벤조퓨란일기, 벤조싸이오펜일기, 아이소벤조싸이오펜일기, 다이벤조싸이오펜일기, 또는 카바졸릴기이고;

보다 바람직하게는, 벤조퓨란일기, 아이소벤조퓨란일기, 다이벤조퓨란일기, 벤조싸이오펜일기, 아이소벤조싸이오펜일기, 다이벤조싸이오펜일기, 카바졸릴기(9-카바졸릴기, 또는 1-, 2-, 3- 또는 4-카바졸릴기)이다.

치환된 환형성 원자수 5∼13의 헤테로환기는, 예를 들면, 9-페닐카바졸릴기, 9-바이페닐릴카바졸릴기, 9-페닐페닐카바졸릴기, 9-나프틸카바졸릴기, 페닐다이벤조퓨란일기, 또는 페닐다이벤조싸이오펜일기(페닐다이벤조싸이엔일기, 이하 마찬가지)이다.

상기 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼13의 헤테로환기는, 존재하는 경우에는 이성체기를 포함한다.

상기 단일 결합은 아닌 R¹⁰¹∼R¹⁰⁵, R¹⁰⁶∼R¹¹⁰ 및 R¹¹¹∼R¹¹⁵ 모두가 수소 원자여도 된다.

식(1A) 중, m은 0, 1 또는 2이고, n은 0 또는 1이다. m이 2이고, 또한 n이 0인 경우를 제외한다.

m=0, n=0인 경우, *13이 *11을 나타낸다.

m=0, n=1인 경우, *12가 *11을 나타낸다.

m=1, n=0인 경우, *13이 *12를 나타낸다.

본 발명의 일 태양에 있어서, m은 0, n은 0이어도 되고, 이 경우, *13이 *11을 나타내고, 식(1A)는 하기 식으로 표시된다.

[화학식 28]

본 발명의 다른 태양에 있어서, m은 0, n은 1이어도 되고, 이 경우, *12가 *11을 나타내고, 식(1A)는 하기 식으로 표시된다.

[화학식 29]

본 발명의 다른 태양에 있어서, m은 1, n은 0이어도 되고, 이 경우, *13이 *12를 나타내고, 식(1A)는 하기 식으로 표시된다.

[화학식 30]

본 발명의 다른 태양에 있어서, m은 1, n은 1이어도 되고, 이 경우, 식(1A)는 하기 식으로 표시된다.

[화학식 31]

본 발명의 다른 태양에 있어서, m은 2, n은 1이어도 되고, 이 경우, 식(1A)는 하기 식으로 표시된다.

[화학식 32]

식(1A)로 표시되는 기는, 바람직하게는 하기 식으로 표시된다. 하기 식에 있어서 R은 간략화를 위해서 생략했다.

[화학식 33]

〔식(1B)〕

[화학식 34]

식(1B) 중, *14는 L^a1 또는 L^a2에의 결합 위치이다.

R¹²¹∼R¹²⁸로부터 선택되는 1개는 *15에 결합하는 단일 결합이다.

상기 단일 결합은 아닌 R¹²¹∼R¹²⁸은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼10의 알킬기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기이다.

상기 단일 결합은 아닌 R¹²¹∼R¹²⁸로부터 선택되는 인접하는 2개는, 서로 결합하지 않아 환을 형성하지 않는다.

상기 단일 결합은 아닌 R¹²¹∼R¹²⁸이 나타내는 상기 비치환된 탄소수 1∼10의 알킬기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 R¹⁰¹∼R¹⁰⁵ 및 R¹⁰⁶∼R¹¹⁰에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

상기 단일 결합은 아닌 R¹²¹∼R¹²⁸이 나타내는 상기 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 R¹⁰¹∼R¹⁰⁵ 및 R¹⁰⁶∼R¹¹⁰에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

본 발명의 일 태양에 있어서, 바람직하게는 R¹²¹, R¹²⁴, R¹²⁵, 및 R¹²⁸로부터 선택되는 1개는 *15에 결합하는 단일 결합인 것이 바람직하다.

*15에 결합하는 단일 결합이 아닌 R¹²¹∼R¹²⁸은, 모두가 수소 원자여도 된다.

〔식(1C)〕

[화학식 35]

식(1C) 중, *16은 L^a1 또는 L^a2에의 결합 위치이다.

R¹³¹∼R¹⁴⁰으로부터 선택되는 1개는 *17에 결합하는 단일 결합이다.

상기 단일 결합은 아닌 R¹³¹∼R¹⁴⁰은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼10의 알킬기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기이다.

상기 단일 결합은 아닌 R¹³¹∼R¹⁴⁰으로부터 선택되는 인접하는 2개는, 서로 결합하지 않아 환을 형성하지 않는다.

상기 단일 결합은 아닌 R¹³¹∼R¹⁴⁰이 나타내는 상기 비치환된 탄소수 1∼10의 알킬기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 R¹⁰¹∼R¹⁰⁵ 및 R¹⁰⁶∼R¹¹⁰에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

상기 단일 결합은 아닌 R¹³¹∼R¹⁴⁰이 나타내는 상기 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 R¹⁰¹∼R¹⁰⁵ 및 R¹⁰⁶∼R¹¹⁰에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

본 발명의 일 태양에 있어서, 바람직하게는 R¹³⁷, R¹³⁸ 및 R¹³⁹로부터 선택되는 1개는 *17에 결합하는 단일 결합이고, 보다 바람직하게는 R¹³⁷ 및 R¹³⁹로부터 선택되는 1개는 *17에 결합하는 단일 결합이며, 더 바람직하게는 R¹³⁹가 *17에 결합하는 단일 결합이다.

*17에 결합하는 단일 결합이 아닌 R¹³¹∼R¹⁴⁰이, 모두 수소 원자여도 된다.

〔식(1D)〕

[화학식 36]

식(1D) 중, *18은 L^a1 또는 L^a2에의 결합 위치이다.

X¹¹은 산소 원자, 황 원자, CR^aR^b, 또는 NR^c이고, 바람직하게는 CR^aR^b이다.

R^a 및 R^b는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼30의 알킬기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기이며, 서로 결합하여 치환 혹은 비치환된 환 구조를 형성해도 되고, 서로 결합하지 않고, 따라서 환 구조를 형성하지 않아도 된다.

상기 R^a 및 R^b가 나타내는 상기 비치환된 탄소수 1∼30의 알킬기로서는, 예를 들면,

메틸기, 에틸기, n-프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, 아이소뷰틸기, s-뷰틸기, t-뷰틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 노닐기, 데실기, 운데실기, 또는 도데실기이고;

바람직하게는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, 아이소뷰틸기, s-뷰틸기, t-뷰틸기, 또는 펜틸기이고;

더 바람직하게는, 메틸기, 에틸기, 아이소프로필기 또는 t-뷰틸기이고;

보다 더 바람직하게는 메틸기이다.

상기 R^a 및 R^b가 나타내는 상기 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 Ar^a1 및 Ar^a2에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

R^c는, 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼30의 알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기이다.

상기 R^c가 나타내는 상기 비치환된 탄소수 1∼30의 알킬기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 R^a 및 R^b에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

상기 R^c가 나타내는 상기 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 Ar^a1 및 Ar^a2에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

상기 R^a 및 R^b가, 서로 결합하여 형성해도 되는 상기 치환 혹은 비치환된 환 구조란, R^a 및 R^b가 결합하고 있는 플루오렌 골격의 9위의 탄소 원자도 포함시켜 스파이로환을 형성해도 된다. 상기 스파이로환은 탄화수소환 또는 헤테로환이고, 단환, 축합환, 가교 바이사이클로환, 가교 트라이사이클로환으로부터 선택된다.

상기 R^a 및 R^b가, 서로 결합하여 형성해도 되는 상기 치환 혹은 비치환된 환 구조의 일 태양으로서는, 이하에 나타내는 환 구조를 예로서 들 수 있지만, 이들로 한정되는 것은 아니다. 한편, 이하에 나타내는 환 구조 중의 *는 플루오렌 골격의 벤젠환에의 결합 위치를 나타낸다.

[화학식 37]

n은 0 또는 1이다.

n이 0일 때, R^a, R^b, R^c, 및 R¹⁴¹∼R¹⁴⁸로부터 선택되는 1개는 *19에 결합하는 단일 결합이거나, 또는 R^a 혹은 R^b가 나타낼 수 있는 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기, R^a 혹은 R^b가 서로 결합하여 형성할 수 있는 치환 혹은 비치환된 환 구조, 또는 R^c가 나타낼 수 있는 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기가, 단일 결합을 개재시켜 *19에 결합해도 된다.

n이 1일 때, R¹⁴¹과 R¹⁴², R¹⁴²와 R¹⁴³, 또는 R¹⁴³과 R¹⁴⁴의 한쪽이 *a에 결합하는 단일 결합, 다른 쪽이 *b에 결합하는 단일 결합이고, *a 및 *b에 결합하는 단일 결합은 아닌 R¹⁴¹∼R¹⁴⁴, R¹⁴⁵∼R¹⁴⁸, R^a, R^b, R^c, 및 R²⁰⁰∼R²⁰³으로부터 선택되는 1개는 *19에 결합하는 단일 결합이거나, 또는 R^a 혹은 R^b가 나타낼 수 있는 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기, R^a 혹은 R^b가 서로 결합하여 형성할 수 있는 치환 혹은 비치환된 환 구조, 또는 R^c가 나타낼 수 있는 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기가, 단일 결합을 개재시켜 *19에 결합해도 된다.

R¹⁴² 및 R¹⁴⁷로부터 선택되는 1개가 *19에 결합하는 단일 결합인 것이 바람직하다.

상기 단일 결합은 아닌 R¹⁴¹∼R¹⁴⁸ 및 상기 단일 결합은 아닌 R²⁰⁰∼R²⁰³은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼10의 알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼13의 헤테로환기이다.

상기 단일 결합은 아닌 R¹⁴¹∼R¹⁴⁸ 및 상기 단일 결합은 아닌 R²⁰⁰∼R²⁰³으로부터 선택되는 인접하는 2개는, 서로 결합하지 않아 환을 형성하지 않는다.

상기 단일 결합은 아닌 R¹⁴¹∼R¹⁴⁸ 및 상기 단일 결합은 아닌 R²⁰⁰∼R²⁰³이 나타내는 상기 비치환된 탄소수 1∼10의 알킬기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 R¹⁰¹∼R¹⁰⁵ 및 R¹⁰⁶∼R¹¹⁰에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

상기 단일 결합은 아닌 R¹⁴¹∼R¹⁴⁸ 및 상기 단일 결합은 아닌 R²⁰⁰∼R²⁰³이 나타내는 상기 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 R¹⁰¹∼R¹⁰⁵ 및 R¹⁰⁶∼R¹¹⁰에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

상기 단일 결합은 아닌 R¹⁴¹∼R¹⁴⁸ 및 상기 단일 결합은 아닌 R²⁰⁰∼R²⁰³이 나타내는 상기 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼13의 헤테로환기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 R¹¹¹∼R¹¹⁵에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

상기 단일 결합은 아닌 R¹⁴¹∼R¹⁴⁸ 및 상기 단일 결합은 아닌 R²⁰⁰∼R²⁰³은, 모두 수소 원자여도 된다.

Ar^a1 및 Ar^a2로부터 선택되는 적어도 1개가, 식(1D)로 표시되는 기인 것이 바람직하고, Ar^a1 및 Ar^a2가 식(1D)로 표시되는 기인 것이 보다 바람직하다.

〔식(1E)〕

[화학식 38]

식(1E) 중, *20은 L^a1 또는 L^a2에의 결합 위치이다.

R¹⁵¹∼R¹⁵⁵로부터 선택되는 1개는 *21에 결합하는 단일 결합이고, R¹⁵¹∼R¹⁵⁵로부터 선택되는 다른 1개는 *22에 결합하는 단일 결합이다.

상기 단일 결합은 아닌 R¹⁵¹∼R¹⁵⁵는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 비치환된 탄소수 1∼10의 알킬기, 또는 비치환된 페닐기이다.

상기 단일 결합은 아닌 R¹⁵¹∼R¹⁵⁵로부터 선택되는 인접하는 2개는, 서로 결합하지 않아 환을 형성하지 않는다.

R¹⁶¹∼R¹⁶⁵ 및 R¹⁷¹∼R¹⁷⁵는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 비치환된 탄소수 1∼10의 알킬기이다.

수소 원자는 아닌 R¹⁶¹∼R¹⁶⁵로부터 선택되는 적어도 1개의 인접하는 2개는, 서로 결합하여, 1 또는 복수의 비치환된 벤젠환을 형성해도 되고, 서로 결합하지 않아 환을 형성하지 않아도 된다.

수소 원자는 아닌 R¹⁷¹∼R¹⁷⁵로부터 선택되는 적어도 1개의 인접하는 2개는, 서로 결합하여, 1 또는 복수의 비치환된 벤젠환을 형성해도 되고, 서로 결합하지 않고, 따라서 환을 형성하지 않아도 된다.

상기 R¹⁵¹∼R¹⁵⁵, R¹⁶¹∼R¹⁶⁵ 및 R¹⁷¹∼R¹⁷⁵가 나타내는 상기 비치환된 탄소수 1∼10의 알킬기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 R¹⁰¹∼R¹⁰⁵ 및 R¹⁰⁶∼R¹¹⁰에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

본 발명의 일 태양에 있어서, R¹⁶¹∼R¹⁶⁵로부터 선택되는 인접하는 2개는, 서로 결합하여, 비치환된 벤젠환을 형성한다. 본 발명의 다른 태양에 있어서, R¹⁶¹∼R¹⁶⁵로부터 선택되는 인접하는 2개는, 서로 결합하지 않고, 따라서 환을 형성하지 않는다.

본 발명의 일 태양에 있어서, R¹⁷¹∼R¹⁷⁵로부터 선택되는 인접하는 2개는, 서로 결합하여, 비치환된 벤젠환을 형성한다. 본 발명의 다른 태양에 있어서는, R¹⁷¹∼R¹⁷⁵로부터 선택되는 인접하는 2개는, 서로 결합하지 않고, 따라서 환을 형성하지 않는다.

상기 단일 결합은 아닌 R¹⁵¹∼R¹⁵⁵는, 모두 수소 원자여도 되고, R¹⁶¹∼R¹⁶⁵는 모두 수소 원자여도 되고, R¹⁷¹∼R¹⁷⁵는 모두 수소 원자여도 된다.

〔식(1F)〕

[화학식 39]

식(1F) 중, *22는 L^a1 또는 L^a2에의 결합 위치이다.

R¹⁸¹∼R¹⁹²로부터 선택되는 1개는 *23에 결합하는 단일 결합이다.

상기 단일 결합은 아닌 R¹⁸¹∼R¹⁹²는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼10의 알킬기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기이다.

상기 단일 결합은 아닌 R¹⁸¹∼R¹⁹²로부터 선택되는 인접하는 2개는, 서로 결합하지 않아 환을 형성하지 않는다.

상기 단일 결합은 아닌 R¹⁸¹∼R¹⁹²가 나타내는 상기 비치환된 탄소수 1∼10의 알킬기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 R¹⁰¹∼R¹⁰⁵ 및 R¹⁰⁶∼R¹¹⁰에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

상기 단일 결합은 아닌 R¹⁸¹∼R¹⁹²가 나타내는 상기 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 R¹⁰¹∼R¹⁰⁵ 및 R¹⁰⁶∼R¹¹⁰에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

본 발명의 일 태양에 있어서, R¹⁸⁴가 *23에 결합하는 단일 결합이고, 다른 태양에 있어서는 R¹⁸³이 *23에 결합하는 단일 결합이다.

상기 단일 결합은 아닌 R¹⁸¹∼R¹⁹²가, 모두 수소 원자여도 된다.

(L^a1∼L^a3)

상기 식(1a) 중, L^a1∼L^a3은, 각각 독립적으로, 단일 결합, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼18의 아릴렌기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 2가의 헤테로환기이고, 바람직하게는 단일 결합, 또는 치환 혹은 비치환된 페닐렌기이다.

상기 L^a1∼L^a3이 나타내는 비치환된 환형성 탄소수 6∼18의 아릴렌기로서는, 예를 들면, 페닐렌기(1,2-페닐렌기, 1,3-페닐렌기, 1,4-페닐렌기), 나프틸렌기(1,4-나프틸렌기, 1,5-나프틸렌기 등), 바이페닐릴렌기, 플루오렌일렌기(2,7-플루오렌일렌기 등), 9,9-다이치환 플루오렌일렌기(9,9-다이메틸-2,7-플루오렌일렌기, 9,9-다이페닐-2,7-플루오렌일렌기 등), 벤조플루오렌일렌기, 테트라센일렌기, 피렌일렌기, 크라이센일렌기, s-인다센일렌기, as-인다센일렌기 및 트라이페닐렌일렌기 등을 들 수 있다. 해당 아릴렌기의 환형성 탄소수는, 바람직하게는 6∼14, 보다 바람직하게는 6∼12, 더 바람직하게는 6∼10, 보다 더 바람직하게는 6이다.

상기 L^a1∼L^a3이 나타내는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 2가의 헤테로환기로서는, Ar^a1 및 Ar^a2가 나타내는 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기로부터 헤테로환 상의 1개의 수소 원자를 제거하는 것에 의해 유도되는 2가의 기인 것이 바람직하다.

(R^a1∼R^a13)

상기 식(1a) 중, *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로젠 원자, 나이트로기, 사이아노기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼50의 알킬기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 2∼50의 알켄일기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 2∼50의 알킨일기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 3∼50의 사이클로알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 7∼50의 아르알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로환기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼50의 할로알킬기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼50의 할로알콕시기, -Si(R₉₀₁)(R₉₀₂)(R₉₀₃)으로 표시되는 기, -O-(R₉₀₄)로 표시되는 기, 또는 -S-(R₉₀₅)로 표시되는 기이고, 바람직하게는 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼50의 알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 3∼50의 사이클로알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로환기이고, 보다 바람직하게는 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼30의 알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 3∼30의 사이클로알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기이다.

본 발명의 일 태양에 있어서, 바람직하게는 R^a1∼R^a5가 *1에 결합하는 단일 결합이고, 보다 바람직하게는 R^a1 또는 R^a5가 *1에 결합하는 단일 결합이다.

상기 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13이 나타내는 상기 비치환된 탄소수 1∼50의 알킬기로서는, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, 아이소뷰틸기, s-뷰틸기, t-뷰틸기, 펜틸기(이성체기를 포함한다), 헥실기(이성체기를 포함한다), 헵틸기(이성체기를 포함한다), 옥틸기(이성체기를 포함한다), 노닐기(이성체기를 포함한다), 데실기(이성체기를 포함한다), 운데실기(이성체기를 포함한다), 도데실기(이성체기를 포함한다) 등을 들 수 있다.

이들 중에서도, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, 아이소뷰틸기, s-뷰틸기, t-뷰틸기 및 펜틸기(이성체기를 포함한다)가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, 아이소뷰틸기, s-뷰틸기 및 t-뷰틸기가 보다 바람직하며, 메틸기, 에틸기, 아이소프로필기 및 t-뷰틸기가 특히 바람직하다.

상기 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13이 나타내는 상기 비치환된 탄소수 2∼50의 알켄일기로서는, 예를 들면, 바이닐기, 알릴기, 1-뷰텐일기, 2-뷰텐일기, 3-뷰텐일기, 1,3-뷰테인다이엔일기, 1-메틸바이닐기, 스타이릴기, 2,2-다이페닐바이닐기, 1,2-다이페닐바이닐기, 1-메틸알릴기, 1,1-다이메틸알릴기, 2-메틸알릴기, 1-페닐알릴기, 2-페닐알릴기, 3-페닐알릴기, 3,3-다이페닐알릴기, 1,2-다이메틸알릴기, 1-페닐-1-뷰텐일기, 3-페닐-1-뷰텐일기 등을 들 수 있다.

이들 중에서도, 스타이릴기, 2,2-다이페닐바이닐기, 1,2-다이페닐바이닐기가 바람직하다.

상기 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13이 나타내는 상기 비치환된 탄소수 2∼50의 알킨일기로서는, 예를 들면, 프로파질기, 3-펜틴일기, 페닐에틸기 등을 들 수 있다.

상기 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13이 나타내는 상기 비치환된 환형성 탄소수 3∼50의 사이클로알킬기로서는, 예를 들면, 사이클로프로필기, 사이클로뷰틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로옥틸기, 1-노보닐기, 2-노보닐기, 1-아다만틸기, 2-아다만틸기 등을 들 수 있다.

이들 중에서도, 사이클로헥실기, 사이클로옥틸기, 1-노보닐기, 2-노보닐기, 1-아다만틸기, 2-아다만틸기가 바람직하다.

상기 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13이 나타내는 상기 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기로서는, 예를 들면, 페닐기, 나프틸기, 바이페닐릴기, 안트릴기, 페난트릴기, 터페닐릴기 등을 들 수 있다.

이들 중에서도, 페닐기, 나프틸기, 바이페닐릴기가 바람직하다.

상기 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13이 나타내는 상기 탄소수 7∼50의 아르알킬기로서는, 예를 들면, 벤질기, α,α-페닐메틸벤질기, α,α-다이메틸벤질기, α-페녹시벤질기, α,α-메틸페닐벤질기, α,α-다이트라이플루오로메틸벤질기, 트라이페닐메틸기, α-벤질옥시벤질기, 1-페닐에틸기, 2-페닐에틸기, 1-페닐아이소프로필기, 2-페닐아이소프로필기, 페닐-t-뷰틸기, α-나프틸메틸기, 1-α-나프틸에틸기, 2-α-나프틸에틸기, 1-α-나프틸아이소프로필기, 2-α-나프틸아이소프로필기, β-나프틸메틸기, 1-β-나프틸에틸기, 2-β-나프틸에틸기, 1-β-나프틸아이소프로필기, 2-β-나프틸아이소프로필기, 1-피롤릴메틸기, 2-(1-피롤릴)에틸기, p-메틸벤질기, m-메틸벤질기, o-메틸벤질기, p-클로로벤질기, m-클로로벤질기, o-클로로벤질기, p-브로모벤질기, m-브로모벤질기, o-브로모벤질기, p-아이오도벤질기, m-아이오도벤질기, o-아이오도벤질기, p-하이드록시벤질기, m-하이드록시벤질기, o-하이드록시벤질기, p-아미노벤질기, m-아미노벤질기, o-아미노벤질기, p-나이트로벤질기, m-나이트로벤질기, o-나이트로벤질기, p-사이아노벤질기, m-사이아노벤질기, o-사이아노벤질기, 1-하이드록시-2-페닐아이소프로필기, 1-클로로-2-페닐아이소프로필기 등을 들 수 있다.

상기 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13이 나타내는 상기 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로환기로서는, 예를 들면, 1-피롤릴기, 2-피롤릴기, 3-피롤릴기, 피라진일기, 2-피리딘일기, 3-피리딘일기, 4-피리딘일기, 1-인돌릴기, 2-인돌릴기, 3-인돌릴기, 4-인돌릴기, 5-인돌릴기, 6-인돌릴기, 7-인돌릴기, 1-아이소인돌릴기, 2-아이소인돌릴기, 3-아이소인돌릴기, 4-아이소인돌릴기, 5-아이소인돌릴기, 6-아이소인돌릴기, 7-아이소인돌릴기, 2-퓨릴기, 3-퓨릴기, 2-벤조퓨란일기, 3-벤조퓨란일기, 4-벤조퓨란일기, 5-벤조퓨란일기, 6-벤조퓨란일기, 7-벤조퓨란일기, 1-아이소벤조퓨란일기, 3-아이소벤조퓨란일기, 4-아이소벤조퓨란일기, 5-아이소벤조퓨란일기, 6-아이소벤조퓨란일기, 7-아이소벤조퓨란일기, 퀴놀릴기, 3-퀴놀릴기, 4-퀴놀릴기, 5-퀴놀릴기, 6-퀴놀릴기, 7-퀴놀릴기, 8-퀴놀릴기, 1-아이소퀴놀릴기, 3-아이소퀴놀릴기, 4-아이소퀴놀릴기, 5-아이소퀴놀릴기, 6-아이소퀴놀릴기, 7-아이소퀴놀릴기, 8-아이소퀴놀릴기, 2-퀴녹살린일기, 5-퀴녹살린일기, 6-퀴녹살린일기, 1-카바졸릴기, 2-카바졸릴기, 3-카바졸릴기, 4-카바졸릴기, 9-카바졸릴기, 1-페난트리딘일기, 2-페난트리딘일기, 3-페난트리딘일기, 4-페난트리딘일기, 6-페난트리딘일기, 7-페난트리딘일기, 8-페난트리딘일기, 9-페난트리딘일기, 10-페난트리딘일기, 1-아크리딘일기, 2-아크리딘일기, 3-아크리딘일기, 4-아크리딘일기, 9-아크리딘일기, 1,7-페난트롤린-2-일기, 1,7-페난트롤린-3-일기, 1,7-페난트롤린-4-일기, 1,7-페난트롤린-5-일기, 1,7-페난트롤린-6-일기, 1,7-페난트롤린-8-일기, 1,7-페난트롤린-9-일기, 1,7-페난트롤린-10-일기, 1,8-페난트롤린-2-일기, 1,8-페난트롤린-3-일기, 1,8-페난트롤린-4-일기, 1,8-페난트롤린-5-일기, 1,8-페난트롤린-6-일기, 1,8-페난트롤린-7-일기, 1,8-페난트롤린-9-일기, 1,8-페난트롤린-10-일기, 1,9-페난트롤린-2-일기, 1,9-페난트롤린-3-일기, 1,9-페난트롤린-4-일기, 1,9-페난트롤린-5-일기, 1,9-페난트롤린-6-일기, 1,9-페난트롤린-7-일기, 1,9-페난트롤린-8-일기, 1,9-페난트롤린-10-일기, 1,10-페난트롤린-2-일기, 1,10-페난트롤린-3-일기, 1,10-페난트롤린-4-일기, 1,10-페난트롤린-5-일기, 2,9-페난트롤린-1-일기, 2,9-페난트롤린-3-일기, 2,9-페난트롤린-4-일기, 2,9-페난트롤린-5-일기, 2,9-페난트롤린-6-일기, 2,9-페난트롤린-7-일기, 2,9-페난트롤린-8-일기, 2,9-페난트롤린-10-일기, 2,8-페난트롤린-1-일기, 2,8-페난트롤린-3-일기, 2,8-페난트롤린-4-일기, 2,8-페난트롤린-5-일기, 2,8-페난트롤린-6-일기, 2,8-페난트롤린-7-일기, 2,8-페난트롤린-9-일기, 2,8-페난트롤린-10-일기, 2,7-페난트롤린-1-일기, 2,7-페난트롤린-3-일기, 2,7-페난트롤린-4-일기, 2,7-페난트롤린-5-일기, 2,7-페난트롤린-6-일기, 2,7-페난트롤린-8-일기, 2,7-페난트롤린-9-일기, 2,7-페난트롤린-10-일기, 1-페나진일기, 2-페나진일기, 1-페노싸이아진일기, 2-페노싸이아진일기, 3-페노싸이아진일기, 4-페노싸이아진일기, 10-페노싸이아진일기, 1-페녹사진일기, 2-페녹사진일기, 3-페녹사진일기, 4-페녹사진일기, 10-페녹사진일기, 2-옥사졸릴기, 4-옥사졸릴기, 5-옥사졸릴기, 2-옥사다이아졸릴기, 5-옥사다이아졸릴기, 3-퓨라잔일기, 2-싸이엔일기, 3-싸이엔일기, 2-메틸피롤-1-일기, 2-메틸피롤-3-일기, 2-메틸피롤-4-일기, 2-메틸피롤-5-일기, 3-메틸피롤-1-일기, 3-메틸피롤-2-일기, 3-메틸피롤-4-일기, 3-메틸피롤-5-일기, 2-t-뷰틸피롤-4-일기, 3-(2-페닐프로필)피롤-1-일기, 2-메틸-1-인돌릴기, 4-메틸-1-인돌릴기, 2-메틸-3-인돌릴기, 4-메틸-3-인돌릴기, 2-t-뷰틸 1-인돌릴기, 4-t-뷰틸 1-인돌릴기, 2-t-뷰틸 3-인돌릴기, 4-t-뷰틸 3-인돌릴기 등을 들 수 있다.

이들 중에서도, 페닐기, 나프틸기, 바이페닐기, 안트란일기, 페난트릴기, 피렌일기, 크라이센일기, 플루오란텐일기, 플루오렌일기가 바람직하다.

상기 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13이 나타내는 상기 비치환된 탄소수 1∼50의 할로알킬기로서는, 트라이플루오로메틸기, 2,2,2-트라이플루오로에틸기, 펜타플루오로에틸기, 클로로메틸기, 1-클로로에틸기, 2-클로로에틸기, 2-클로로아이소뷰틸기, 1,2-다이클로로에틸기, 1,3-다이클로로아이소프로필기, 2,3-다이클로로-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이클로로프로필기, 브로모메틸기, 1-브로모에틸기, 2-브로모에틸기, 2-브로모아이소뷰틸기, 1,2-다이브로모에틸기, 1,3-다이브로모아이소프로필기, 2,3-다이브로모-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이브로모프로필기, 아이오도메틸기, 1-아이오도에틸기, 2-아이오도에틸기, 2-아이오도아이소뷰틸기, 1,2-다이아이오도에틸기, 1,3-다이아이오도아이소프로필기, 2,3-다이아이오도-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이아이오도프로필기 등을 들 수 있다.

상기 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13이 나타내는 상기 비치환된 탄소수 1∼50의 할로알콕시기로서는, 트라이플루오로메톡시기, 1,1,2,2-테트라플루오로에톡시기, 2,2,3,3-테트라플루오로프로폭시기, 2,2,2-트라이플루오로에톡시기, 2,2,3,3,3-펜타플루오로프로필기, 2,2,3,3,4,4,4-헵타플루오로뷰톡시기, 노나플루오로-tert-뷰톡시기 등을 들 수 있다.

R₉₀₁∼R₉₀₅는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼50의 알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 3∼50의 사이클로알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로환기이고, R₉₀₁이 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₁은, 서로 동일하거나, 또는 상이하고, R₉₀₂가 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₂는, 서로 동일하거나, 또는 상이하고, R₉₀₃이 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₃은, 서로 동일하거나, 또는 상이하고, R₉₀₄가 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₄는, 서로 동일하거나, 또는 상이하고, R₉₀₅가 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₅는, 서로 동일하거나, 또는 상이하다.

단, *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a18로부터 선택되는 인접하는 2개는 서로 결합하여 치환 혹은 비치환된 벤젠환을 형성해도 되고, 서로 결합하지 않고, 따라서 환을 형성하지 않아도 된다.

상기 R₉₀₁∼R₉₀₅가 나타내는 상기 비치환된 탄소수 1∼50의 알킬기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

상기 R₉₀₁∼R₉₀₅가 나타내는 상기 비치환된 환형성 탄소수 3∼50의 사이클로알킬기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

상기 R₉₀₁∼R₉₀₅가 나타내는 상기 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

상기 R₉₀₁∼R₉₀₅가 나타내는 상기 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로환기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

*1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13 모두가, 수소 원자여도 된다.

(R^a14)

상기 식(1a) 중, R^a14는, 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 페닐기, 치환 혹은 비치환된 바이페닐릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 나프틸기이다.

본 발명의 일 태양에 있어서, R^a14는, 바람직하게는 수소 원자, 또는 치환 혹은 비치환된 페닐기, 보다 바람직하게는 치환 혹은 비치환된 페닐기, 더 바람직하게는 비치환된 페닐기이다.

R^a14는, 수소 원자여도 된다.

상기한 바와 같이, 본 명세서에 있어서 사용하는 「수소 원자」는 경수소 원자, 중수소 원자, 및 삼중수소 원자를 포함한다. 따라서, 화합물(1a)는 천연 유래의 중수소 원자를 포함하고 있어도 된다.

또한, 원료 화합물의 일부 또는 전부에 중수소화한 화합물을 사용하는 것에 의해, 화합물(1a)에 중수소 원자를 의도적으로 도입해도 된다. 따라서, 본 발명의 일 태양에 있어서, 화합물(1a)는 적어도 1개의 중수소 원자를 포함한다. 즉, 화합물(1a)는, 식(1a)로 표시되는 화합물로서, 해당 화합물에 포함되는 수소 원자 중 적어도 1개가 중수소 원자인 화합물이어도 된다.

하기의 수소 원자로부터 선택되는 적어도 1개의 수소 원자가 중수소 원자여도 된다. 한편, 이하에 있어서 "치환 혹은 비치환", 탄소수 및 원자수는 생략했다.

식(1a)의 Ar^a1 및 Ar^a2의 어느 것이 아릴기 또는 헤테로환기일 때, 해당 아릴기 또는 해당 헤테로환기가 갖는 수소 원자;

식(1a)의 L^a1∼L^a3의 어느 것이 아릴렌기 또는 2가의 헤테로환기일 때, 해당 아릴렌기 또는 해당 2가의 헤테로환기가 갖는 수소 원자;

식(1a)의 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13의 어느 것이 나타내는 수소 원자;

식(1a)의 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13의 어느 것이 알킬기, 알켄일기, 알킨일기, 사이클로알킬기, 아릴기, 아르알킬기, 헤테로환기, 할로알킬기, 할로알콕시기, -Si(R₉₀₁)(R₉₀₂)(R₉₀₃)으로 표시되는 기, -O-(R₉₀₄)로 표시되는 기, 또는 -S-(R₉₀₅)로 표시되는 기일 때, 해당 알킬기, 해당 알켄일기, 해당 알킨일기, 해당 사이클로알킬기, 해당 아릴기, 해당 아르알킬기, 해당 헤테로환기, 해당 할로알킬기, 해당 할로알콕시기, 해당 -Si(R₉₀₁)(R₉₀₂)(R₉₀₃)으로 표시되는 기, 해당 -O-(R₉₀₄)로 표시되는 기, 또는 해당 -S-(R₉₀₅)로 표시되는 기가 갖는 수소 원자;

식(1a)의 R^a14가 나타내는 수소 원자;

식(1a)의 R^a14가 페닐기, 바이페닐릴기, 또는 나프틸기로 표시되는 기일 때, 해당 페닐기, 해당 바이페닐릴기, 또는 해당 나프틸기가 갖는 수소 원자;

화합물(1a)의 중수소화율은, 사용하는 원료 화합물의 중수소화율에 의존한다. 소정의 중수소화율의 원료를 이용했다고 하더라도, 천연 유래의 일정한 비율로 경수소 동위체가 포함될 수 있다. 따라서, 화합물(1a)의 중수소화율의 태양은, 단순히 화학식으로 표시되는 중수소 원자의 수를 카운트해서 구해지는 비율에 대해, 천연 유래의 미량의 동위체를 고려한 비율이 포함된다.

화합물(1a)의 중수소화율은, 바람직하게는 1% 이상, 보다 바람직하게는 3% 이상, 더 바람직하게는 5% 이상, 보다 더 바람직하게는 10% 이상, 보다 더 바람직하게는 50% 이상이다.

화합물(1a)는, 중수소화된 화합물과 중수소화되어 있지 않은 화합물을 포함하는 혼합물, 상이한 중수소화율을 갖는 2 이상의 화합물의 혼합물이어도 된다. 이와 같은 혼합물의 중수소화율은, 바람직하게는 1% 이상, 보다 바람직하게는 3% 이상, 더 바람직하게는 5% 이상, 보다 더 바람직하게는 10% 이상, 보다 더 바람직하게는 50% 이상, 또한 100% 미만이다.

또한, 화합물(1a) 중의 전체 수소 원자수에 대한 중수소 원자수의 비율은, 바람직하게는 1% 이상, 보다 바람직하게는 3% 이상, 더 바람직하게는 5% 이상, 보다 더 바람직하게는 10% 이상, 또한 100% 이하이다.

상기 각 식의 정의에 포함되는 「치환 혹은 비치환된 XX기」가 치환 XX기인 경우, 해당 치환기의 상세는, 「「치환 혹은 비치환된」이라고 하는 경우의 치환기」에 있어서 기재한 대로이고, 바람직하게는 탄소수 1∼6의 알킬기, 환형성 탄소수 3∼10의 사이클로알킬기, 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기, 또는 환형성 원자수 5∼13의 헤테로환기(헤테로아릴기)이며, 보다 바람직하게는 탄소수 1∼6의 알킬기 또는 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기이다. 각 기(알킬기, 사이클로알킬기, 아릴기, 헤테로환기)의 상세는 상기한 대로이다.

화합물(1a)는, 당업자이면, 하기 합성예 및 공지된 합성 방법을 참고로 해서 용이하게 제조할 수 있다.

이하에 화합물(1a)의 구체예를 나타내지만, 이하의 예시 화합물로 한정되는 것은 아니다.

하기 구체예 중, D는 중수소 원자를 나타낸다.

[화학식 40]

[화학식 41]

[화학식 42]

[화학식 43]

[화학식 44]

[화학식 45]

[화학식 46]

[화학식 47]

[화학식 48]

[화학식 49]

[화학식 50]

[화학식 51]

[화학식 52]

[화학식 53]

[화학식 54]

<화합물(1b)>

화합물(1b)는 하기 식(1b)로 표시되고, 전술한 식(1a)로 표시되는 화합물 및 하기 식(1b)로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 하나가, 유기 EL 소자가 갖는 정공 수송층(A)에 포함된다.

[화학식 55]

식(1b) 중, N^*는 중심 질소 원자이다.

(Ar^b1)

식(1b) 중, Ar^b1은, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기이고, 바람직하게는, 상기 식(1A), 상기 식(1B), 상기 식(1C), 상기 식(1D), 상기 식(1E), 또는 상기 식(1F)로 표시된다. 단, 상기 식(1A)∼(1F)의 설명 중에 있어서의 「L^a1 또는 L^a2」라는 기재는 「L^b3」으로 치환하는 것으로 한다.

상기 Ar^b1이 나타내는 상기 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 Ar^a1 및 Ar^a2에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

상기 Ar^b1이 나타내는 상기 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 Ar^a1 및 Ar^a2에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

(L^b1∼L^b3)

식(1b) 중, L^b1, L^b2 및 L^b3은, 각각 독립적으로, 단일 결합, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼18의 아릴렌기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 2가의 헤테로환기이고, 바람직하게는, 단일 결합, 또는 치환 혹은 비치환된 페닐렌기이다.

상기 L^b1∼L^b3이 나타내는 상기 비치환된 환형성 탄소수 6∼18의 아릴렌기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 L^a1∼L^a3에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

상기 L^b1∼L^b3이 나타내는 상기 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 2가의 헤테로환기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 L^a1∼L^a3에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

(R^b1∼R^b20)

식(1b) 중, R^b1∼R^b10으로부터 선택되는 1개는 *2에 결합하는 단일 결합이어도 되고, R^b11∼R^b20으로부터 선택되는 1개는 *3에 결합하는 단일 결합이어도 된다.

본 발명의 일 태양에 있어서, R^b2 또는 R^b7이 *2에 결합하는 단일 결합이고, R^b12 또는 R^b17이 *3에 결합하는 단일 결합인 것이 바람직하다.

〔R^b1∼R^b8 및 R^b11∼R^b18〕

식(1b) 중, *2에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^b1∼R^b8, 및 *3에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^b11∼R^b18은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로젠 원자, 나이트로기, 사이아노기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼50의 알킬기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 2∼50의 알켄일기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 2∼50의 알킨일기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 3∼50의 사이클로알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 7∼50의 아르알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로환기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼50의 할로알킬기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼50의 할로알콕시기, -Si(R₉₀₁)(R₉₀₂)(R₉₀₃)으로 표시되는 기, -O-(R₉₀₄)로 표시되는 기, 또는 -S-(R₉₀₅)로 표시되는 기이다.

상기 단일 결합은 아닌 R^b1∼R^b8, 및 상기 단일 결합은 아닌 R^b11∼R^b18이 나타내는 상기 비치환된 탄소수 1∼50의 알킬기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

상기 단일 결합은 아닌 R^b1∼R^b8, 및 상기 단일 결합은 아닌 R^b11∼R^b18이 나타내는 상기 비치환된 탄소수 2∼50의 알켄일기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

상기 단일 결합은 아닌 R^b1∼R^b8, 및 상기 단일 결합은 아닌 R^b11∼R^b18이 나타내는 상기 비치환된 탄소수 2∼50의 알킨일기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

상기 단일 결합은 아닌 R^b1∼R^b8, 및 상기 단일 결합은 아닌 R^b11∼R^b18이 나타내는 상기 비치환된 환형성 탄소수 3∼50의 사이클로알킬기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

상기 단일 결합은 아닌 R^b1∼R^b8, 및 상기 단일 결합은 아닌 R^b11∼R^b18이 나타내는 상기 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

상기 단일 결합은 아닌 R^b1∼R^b8, 및 상기 단일 결합은 아닌 R^b11∼R^b18이 나타내는 상기 비치환된 환형성 탄소수 7∼50의 아르알킬기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

상기 단일 결합은 아닌 R^b1∼R^b8, 및 상기 단일 결합은 아닌 R^b11∼R^b18이 나타내는 상기 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로환기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

상기 단일 결합은 아닌 R^b1∼R^b8, 및 상기 단일 결합은 아닌 R^b11∼R^b18이 나타내는 상기 비치환된 환형성 탄소수 1∼50의 할로알킬기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

상기 단일 결합은 아닌 R^b1∼R^b8, 및 상기 단일 결합은 아닌 R^b11∼R^b18이 나타내는 상기 비치환된 환형성 탄소수 1∼50의 할로알콕시기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

상기 단일 결합은 아닌 R^b1∼R^b8, 및 상기 단일 결합은 아닌 R^b11∼R^b18이 나타내는 상기 -Si(R₉₀₁)(R₉₀₂)(R₉₀₃)으로 표시되는 기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a18에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

상기 단일 결합은 아닌 R^b1∼R^b8, 및 상기 단일 결합은 아닌 R^b11∼R^b18이 나타내는 상기 -O-(R₉₀₄)로 표시되는 기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

상기 단일 결합은 아닌 R^b1∼R^b8, 및 상기 단일 결합은 아닌 R^b11∼R^b18이 나타내는 상기 -S-(R₉₀₅)로 표시되는 기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

식(1b) 중, R₉₀₁∼R₉₀₅는, 식(1a)에서 정의한 대로이고, R₉₀₁이 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₁은, 서로 동일하거나, 또는 상이하고, R₉₀₂가 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₂는, 서로 동일하거나, 또는 상이하고, R₉₀₃이 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₃은, 서로 동일하거나, 또는 상이하고, R₉₀₄가 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₄는, 서로 동일하거나, 또는 상이하고, R₉₀₅가 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₅는, 서로 동일하거나, 또는 상이하다.

*2에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^b1∼R^b8, 및 *3에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^b11∼R^b18 모두가, 수소 원자여도 된다.

〔R^b9 및 R^b10, 및, R^b19 및 R^b20〕

식(1b) 중, *2에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^b9 및 R^b10, 및 *3에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^b19 및 R^b20은, 각각 독립적으로, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼30의 알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 3∼30의 사이클로알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기이다.

단, R^b9와 R^b10이 서로 결합하지 않아 환 구조를 형성하지 않는 경우, R^b9 및 R^b10으로부터 선택되는 적어도 1개는, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼30의 알킬기이고, R^b19와 R^b20이 서로 결합하지 않아 환 구조를 형성하지 않는 경우, R^b19 및 R^b20으로부터 선택되는 적어도 1개는, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼30의 알킬기이다.

R^b11∼R^b20 모두가 *3에 결합하는 단일 결합이 아닌 경우, *3에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^b19 또는 R^b20이 나타내는 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기가, 단일 결합을 개재시켜 *3에 결합한다.

상기 단일 결합은 아닌 R^b9 및 R^b10, 및 상기 단일 결합은 아닌 R^b19 및 R^b20이 나타내는 상기 비치환된 탄소수 1∼30의 알킬기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 R^a 및 R^b에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

상기 단일 결합은 아닌 R^b9 및 R^b10, 및 상기 단일 결합은 아닌 R^b19 및 R^b20이 나타내는 상기 비치환된 환형성 탄소수 3∼30의 사이클로알킬기로서는, 예를 들면, 사이클로프로필기, 사이클로뷰틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로옥틸기, 1-노보닐기, 2-노보닐기, 1-아다만틸기, 2-아다만틸기 등을 들 수 있다.

상기 단일 결합은 아닌 R^b9 및 R^b10, 및 상기 단일 결합은 아닌 R^b19 및 R^b20이 나타내는 상기 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 Ar^a1 및 Ar^a2에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

상기 단일 결합은 아닌 R^b9 및 R^b10, 및 상기 단일 결합은 아닌 R^b19 및 R^b20이 나타내는 상기 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 Ar^a1 및 Ar^a2에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

R^b9 및 R^b10이, 서로 결합하여 형성해도 되는 상기 치환 혹은 비치환된 환 구조란, R^b9 및 R^b10이 결합하고 있는 플루오렌 골격의 9위의 탄소 원자도 포함시켜 스파이로환을 형성해도 된다. 상기 스파이로환은 탄화수소환 또는 헤테로환이고, 단환, 축합환, 가교 바이사이클로환, 가교 트라이사이클로환으로부터 선택된다. 단, R^b9 및 R^b10은 서로 결합하여, 플루오렌환 구조는 형성하지 않는다.

R^b19 및 R^b20이, 서로 결합하여 형성해도 되는 상기 치환 혹은 비치환된 환 구조에 대해서도, R^b9 및 R^b10이, 서로 결합하여 형성해도 되는 상기 치환 혹은 비치환된 환 구조와 마찬가지이다.

R^b9 및 R^b10이, 서로 결합하여 형성해도 되는 상기 치환 혹은 비치환된 환 구조, 및 R^b19 및 R^b20이, 서로 결합하여 형성해도 되는 상기 치환 혹은 비치환된 환 구조의 예로서는, 각각 독립적으로, 이하에 나타내는 환 구조를 예로서 들 수 있지만, 이들로 한정되는 것은 아니다. 한편, 이하에 나타내는 환 구조 중의 *는 플루오렌 골격의 벤젠환에의 결합 위치를 나타낸다.

[화학식 56]

상기한 바와 같이, 본 명세서에 있어서 사용하는 「수소 원자」는 경수소 원자, 중수소 원자, 및 삼중수소 원자를 포함한다. 따라서, 화합물(1b)는 천연 유래의 중수소 원자를 포함하고 있어도 된다.

또한, 원료 화합물의 일부 또는 전부에 중수소화한 화합물을 사용하는 것에 의해, 화합물(1b)에 중수소 원자를 의도적으로 도입해도 된다. 따라서, 본 발명의 일 태양에 있어서, 화합물(1b)는 적어도 1개의 중수소 원자를 포함한다. 즉, 화합물(1b)는, 식(1b)로 표시되는 화합물로서, 해당 화합물에 포함되는 수소 원자 중 적어도 1개가 중수소 원자인 화합물이어도 된다.

식(1b)의 Ar^b1이 아릴기, 또는 헤테로환기일 때, 해당 아릴기, 또는 해당 헤테로환기가 갖는 수소 원자;

식(1b)의 L^b1∼L^b3의 어느 것이 아릴렌기 또는 2가의 헤테로환기일 때, 해당 아릴렌기 또는 해당 2가의 헤테로환기가 갖는 수소 원자;

식(1b)의 *2에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^b1∼R^b8 및 *3에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^b11∼R^b18의 어느 것이 나타내는 수소 원자;

식(1b)의 *2에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^b1∼R^b8 및 *3에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^b11∼R^b18의 어느 것이 알킬기, 알켄일기, 알킨일기, 사이클로알킬기, 아릴기, 아르알킬기, 헤테로환기, 할로알킬기, 할로알콕시기, -Si(R₉₀₁)(R₉₀₂)(R₉₀₃)으로 표시되는 기, -O-(R₉₀₄)로 표시되는 기, 또는 -S-(R₉₀₅)로 표시되는 기일 때, 해당 알킬기, 해당 알켄일기, 해당 알킨일기, 해당 사이클로알킬기, 해당 아릴기, 해당 아르알킬기, 해당 헤테로환기, 해당 할로알킬기, 해당 할로알콕시기, 해당 -Si(R₉₀₁)(R₉₀₂)(R₉₀₃)으로 표시되는 기, 해당 -O-(R₉₀₄)로 표시되는 기, 또는 해당 -S-(R₉₀₅)로 표시되는 기가 갖는 수소 원자;

식(1b)의 *2에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^b9 및 R^b10, 및 *3에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^b19 및 R^b20의 어느 것이 알킬기, 사이클로알킬기, 아릴기, 또는 헤테로환기일 때, 해당 알킬기, 해당 사이클로알킬기, 해당 아릴기, 또는 해당 헤테로환기가 갖는 수소 원자;

*2에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^b9 및 R^b10이, 서로 결합하여 치환 혹은 비치환된 환 구조를 형성하는 경우, 당해 환 구조가 갖는 수소 원자;

*3에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^b19 및 R^b20이, 서로 결합하여 치환 혹은 비치환된 환 구조를 형성하는 경우, 당해 환 구조가 갖는 수소 원자;

화합물(1b)의 중수소화율은, 사용하는 원료 화합물의 중수소화율에 의존한다. 소정의 중수소화율의 원료를 이용했다고 하더라도, 천연 유래의 일정한 비율로 경수소 동위체가 포함될 수 있다. 따라서, 화합물(1b)의 중수소화율의 태양은, 단순히 화학식으로 표시되는 중수소 원자의 수를 카운트해서 구해지는 비율에 대해, 천연 유래의 미량의 동위체를 고려한 비율이 포함된다.

화합물(1b)의 중수소화율은, 바람직하게는 1% 이상, 보다 바람직하게는 3% 이상, 더 바람직하게는 5% 이상, 보다 더 바람직하게는 10% 이상, 보다 더 바람직하게는 50% 이상이다.

화합물(1b)는, 중수소화된 화합물과 중수소화되어 있지 않은 화합물을 포함하는 혼합물, 상이한 중수소화율을 갖는 2 이상의 화합물의 혼합물이어도 된다. 이와 같은 혼합물의 중수소화율은, 바람직하게는 1% 이상, 보다 바람직하게는 3% 이상, 더 바람직하게는 5% 이상, 보다 더 바람직하게는 10% 이상, 보다 더 바람직하게는 50% 이상, 또한 100% 미만이다.

또한, 화합물(1b) 중의 전체 수소 원자수에 대한 중수소 원자수의 비율은, 바람직하게는 1% 이상, 보다 바람직하게는 3% 이상, 더 바람직하게는 5% 이상, 보다 더 바람직하게는 10% 이상, 또한 100% 이하이다.

화합물(1b)는, 당업자이면, 하기 합성예 및 공지된 합성 방법을 참고로 해서 용이하게 제조할 수 있다.

이하에 화합물(1b)의 구체예를 나타내지만, 이하의 예시 화합물로 한정되는 것은 아니다.

하기 구체예 중, D는 중수소 원자를 나타낸다.

[화학식 57]

[화학식 58]

[화학식 59]

[화학식 60]

[화학식 61]

[화학식 62]

[화학식 63]

[화학식 64]

[화학식 65]

[화학식 66]

[화학식 67]

[화학식 68]

[화학식 69]

[화학식 70]

[화학식 71]

[화학식 72]

[화학식 73]

[화학식 74]

[화학식 75]

[화학식 76]

[화학식 77]

[화학식 78]

[화학식 79]

[화학식 80]

[화학식 81]

[화학식 82]

<화합물(2)>

화합물(2)는 하기 식(2)로 표시되는 화합물이며, 유기 EL 소자가 갖는 유기층에 있어서의 정공 수송층(B)에 포함된다.

[화학식 83]

식(2) 중, N^*는 중심 질소 원자이다.

(L^c1, L^c2 및 L^c3)

식(2) 중, L^c1, L^c2 및 L^c3은, 각각 독립적으로, 단일 결합, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴렌기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 2가의 헤테로환기이며, 바람직하게는, 단일 결합, 또는 치환 혹은 비치환된 페닐렌기이다.

상기 L^c1, L^c2 및 L^c3이 나타내는 상기 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴렌기로서는, 예를 들면, 페닐렌기, 나프틸렌기, 바이페닐릴렌기, 안트릴렌기, 아세나프틸릴렌기, 안트란일렌기, 페난트릴렌기, 페날렌일렌기, 퀴놀릴렌기, 아이소퀴놀릴렌기, s-인다센일렌기, as-인다센일렌기, 크라이센일렌기 등을 들 수 있다.

이들 중에서도, 페닐렌기, 나프틸렌기, 바이페닐릴렌기가 바람직하고, 페닐렌기가 보다 바람직하며, 1,4-페닐렌기가 더 바람직하다.

상기 L^c1, L^c2 및 L^c3이 나타내는 상기 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 2가의 헤테로환기로서는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a18이 나타내는 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로환기로부터 헤테로환 상의 1개의 수소 원자를 제거하는 것에 의해 유도되는 2가의 기인 것이 바람직하다.

(Ar^c1, Ar^c2 및 Ar^c3)

식(2) 중, Ar^c1, Ar^c2 및 Ar^c3은, 각각 독립적으로, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로환기, 또는 -Si(R^c1)(R^c2)(R^c3)으로 표시되는 기이고, 바람직하게는, 상기 식(1A), 상기 식(1B), 상기 식(1C), 상기 식(1D), 상기 식(1E), 또는 상기 식(1F)로 표시된다. 단, 상기 식(1A)∼(1F)의 설명 중에 있어서의 「L^a1 또는 L^a2」라는 기재는 「L^c1, L^c2, 또는 L^c3」으로 치환하는 것으로 한다.

본 발명의 일 태양에 있어서, 식(2) 중, Ar^c1, Ar^c2, 및 Ar^c3으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개가, 상기 식(1B) 또는 (1D)로 표시되는 것이 보다 바람직하다.

또한, 본 발명의 일 태양에 있어서, 식(2) 중, Ar^c1, Ar^c2, 및 Ar^c3으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2개는, 상기 식(1A)로 표시되고, 나머지 1개는, 상기 식(1B) 혹은 (1D)로 표시되는 것, 또는 식(2) 중, Ar^c1, Ar^c2, 및 Ar^c3으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2개는, 상기 식(1B)로 표시되고, 나머지 1개는, 상기 식(1E)로 표시되는 것이 보다 바람직하다.

상기 Ar^c1, Ar^c2 및 Ar^c3이 나타내는 상기 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

상기 Ar^c1, Ar^c2 및 Ar^c3이 나타내는 상기 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로환기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

{R^c1, R^c2 및 R^c3}

R^c1, R^c2 및 R^c3은, 각각 독립적으로, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기이고, R^c1이 복수 존재하는 경우, 복수의 R^c1은, 서로 동일하거나, 또는 상이하고, R^c2가 복수 존재하는 경우, 복수의 R^c2는, 서로 동일하거나, 또는 상이하며, R^c3이 복수 존재하는 경우, 복수의 R^c3은, 서로 동일하거나, 또는 상이하다.

상기 R^c1, R^c2 및 R^c3이 나타내는 상기 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

(식(C11))

본 발명의 일 태양에 있어서, 식(2)로 표시되는 화합물은, 하기 식(C11)로 표시되는 화합물인 것이 바람직하다.

[화학식 84]

식(C11)에 있어서, Ar^c1, Ar^c2, Ar^c3 및 L^c2는, 각각, 식(2)에 있어서의 Ar^c1, Ar^c2, Ar^c3 및 L^c2와 동일한 의의이고, n1 및 n3은, 4이며,

복수의 R^c11은, 서로 동일하거나, 또는 상이하고,

복수의 R^c11 중 인접하는 2개 이상으로 이루어지는 조의 1조 이상이, 서로 결합하여, 치환 혹은 비치환된 단환을 형성하거나, 서로 결합하여, 치환 혹은 비치환된 축합환을 형성하거나, 또는 서로 결합하지 않고,

복수의 R^c13은, 서로 동일하거나, 또는 상이하고,

복수의 R^c13 중 인접하는 2개 이상으로 이루어지는 조의 1조 이상이, 서로 결합하여, 치환 혹은 비치환된 단환을 형성하거나, 서로 결합하여, 치환 혹은 비치환된 축합환을 형성하거나, 또는 서로 결합하지 않고,

상기 치환 혹은 비치환된 단환을 형성하지 않고, 또한 상기 치환 혹은 비치환된 축합환을 형성하지 않는 R^c11 및 R^c13은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 사이아노기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼50의 알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 3∼50의 사이클로알킬기, -Si(R₉₀₁)(R₉₀₂)(R₉₀₃)으로 표시되는 기, -O-(R₉₀₄)로 표시되는 기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로환기이다.

{R^c11 및 R^c13}

상기 치환 혹은 비치환된 단환을 형성하지 않고, 또한 상기 치환 혹은 비치환된 축합환을 형성하지 않는 R^c11 및 R^c13이 나타내는 상기 비치환된 탄소수 1∼50의 알킬기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

상기 치환 혹은 비치환된 단환을 형성하지 않고, 또한 상기 치환 혹은 비치환된 축합환을 형성하지 않는 R^c11 및 R^c13이 나타내는 상기 비치환된 환형성 탄소수 3∼50의 사이클로알킬기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

상기 치환 혹은 비치환된 단환을 형성하지 않고, 또한 상기 치환 혹은 비치환된 축합환을 형성하지 않는 R^c11 및 R^c13이 나타내는 상기 -Si(R₉₀₁)(R₉₀₂)(R₉₀₃)으로 표시되는 기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

상기 치환 혹은 비치환된 단환을 형성하지 않고, 또한 상기 치환 혹은 비치환된 축합환을 형성하지 않는 R^c11 및 R^c13이 나타내는 상기 -O-(R₉₀₄)로 표시되는 기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

상기 치환 혹은 비치환된 단환을 형성하지 않고, 또한 상기 치환 혹은 비치환된 축합환을 형성하지 않는 R^c11 및 R^c13이 나타내는 상기 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

상기 치환 혹은 비치환된 단환을 형성하지 않고, 또한 상기 치환 혹은 비치환된 축합환을 형성하지 않는 R^c11 및 R^c13이 나타내는 상기 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로환기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

복수의 R^c11 중 인접하는 2개 이상으로 이루어지는 조 또는 복수의 R^c13 중 인접하는 2개 이상으로 이루어지는 조에 의해 형성되는 비치환된 단환은, 바람직하게는 환형성 원자수 3 이상 6 이하의 단환이고, 보다 바람직하게는 벤젠환, 퓨란환, 싸이오펜환이며, 더 바람직하게는 벤젠환이다.

{Ar^c1, Ar^c2 및 Ar^c3}

본 발명의 일 태양에 있어서, 식(2) 또는 식(C11)로 표시되는 화합물에 있어서, Ar^c1, Ar^c2 및 Ar^c3 중, 적어도 1개는, 하기 식(21a), 하기 식(21b), 하기 식(21c), 하기 식(21d) 및 하기 식(21e)로 표시되는 기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기인 것이 바람직하다.

[화학식 85]

식(21a), 식(21b), 식(21c), 식(21d) 및 식(21e)에 있어서,

X₂₁은, NR₂₁, CR₂₂R₂₃, 산소 원자 또는 황 원자이며,

X₂₁이 복수 있는 경우, 복수의 X₂₁은, 서로 동일하거나, 또는 상이하고,

X₂₁이 CR₂₂R₂₃인 경우, R₂₂와 R₂₃으로 이루어지는 조가, 서로 결합하여, 치환 혹은 비치환된 단환을 형성하거나, 서로 결합하여, 치환 혹은 비치환된 축합환을 형성하거나, 또는 서로 결합하지 않고,

R₂₁, 및 치환 혹은 비치환된 단환을 형성하지 않고, 또한 치환 혹은 비치환된 축합환을 형성하지 않는 R₂₂ 및 R₂₃은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 사이아노기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼50의 알킬기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼50의 할로알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 3∼50의 사이클로알킬기, -Si(R₉₀₁)(R₉₀₂)(R₉₀₃)으로 표시되는 기, -O-(R₉₀₄)로 표시되는 기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로환기이고,

R₂₁₁∼R₂₁₈ 중 인접하는 2개 이상으로 이루어지는 조의 1조 이상이, 서로 결합하여, 치환 혹은 비치환된 단환을 형성하거나, 서로 결합하여, 치환 혹은 비치환된 축합환을 형성하거나, 또는 서로 결합하지 않고,

치환 혹은 비치환된 단환을 형성하지 않고, 또한 치환 혹은 비치환된 축합환을 형성하지 않는 R₂₁₁∼R₂₁₈은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 사이아노기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼50의 알킬기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼50의 할로알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 3∼50의 사이클로알킬기, -Si(R₉₀₁)(R₉₀₂)(R₉₀₃)으로 표시되는 기, -O-(R₉₀₄)로 표시되는 기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로환기이고,

식(21a), 식(21b), 식(21c), 식(21d) 및 식(21e)에 있어서의 *는, 각각 독립적으로, L^c1, L^c2 또는 L^c3과의 결합 위치이다.

R₂₁, 및 치환 혹은 비치환된 단환을 형성하지 않고, 또한 치환 혹은 비치환된 축합환을 형성하지 않는 R₂₂ 및 R₂₃이 나타내는 상기 비치환된 탄소수 1∼50의 알킬기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

R₂₁, 및 치환 혹은 비치환된 단환을 형성하지 않고, 또한 치환 혹은 비치환된 축합환을 형성하지 않는 R₂₂ 및 R₂₃이 나타내는 상기 비치환된 비치환된 탄소수 1∼50의 할로알킬기로서는, 클로로메틸기, 1-클로로에틸기, 2-클로로에틸기, 2-클로로아이소뷰틸기, 1,2-다이클로로에틸기, 1,3-다이클로로아이소프로필기, 2,3-다이클로로-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이클로로프로필기, 브로모메틸기, 1-브로모에틸기, 2-브로모에틸기, 2-브로모아이소뷰틸기, 1,2-다이브로모에틸기, 1,3-다이브로모아이소프로필기, 2,3-다이브로모-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이브로모프로필기, 아이오도메틸기, 1-아이오도에틸기, 2-아이오도에틸기, 2-아이오도아이소뷰틸기, 1,2-다이아이오도에틸기, 1,3-다이아이오도아이소프로필기, 2,3-다이아이오도-t-뷰틸기, 1,2,3-트라이아이오도프로필기, 플루오로메틸기, 1-플루오로에틸기, 2-플루오로에틸기, 2-플루오로아이소뷰틸기, 1,2-다이플루오로에틸기, 다이플루오로메틸기, 트라이플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 퍼플루오로아이소프로필기, 퍼플루오로뷰틸기, 퍼플루오로사이클로헥실기 등을 들 수 있다.

이들 중에서도, 플루오로메틸기, 트라이플루오로메틸기, 펜타플루오로에틸기, 퍼플루오로아이소프로필기, 퍼플루오로뷰틸기, 퍼플루오로사이클로헥실기가 바람직하다.

R₂₁, 및 치환 혹은 비치환된 단환을 형성하지 않고, 또한 치환 혹은 비치환된 축합환을 형성하지 않는 R₂₂ 및 R₂₃이 나타내는 상기 비치환된 환형성 탄소수 3∼50의 사이클로알킬기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

R₂₁, 및 치환 혹은 비치환된 단환을 형성하지 않고, 또한 치환 혹은 비치환된 축합환을 형성하지 않는 R₂₂ 및 R₂₃이 나타내는 상기 -Si(R₉₀₁)(R₉₀₂)(R₉₀₃)으로 표시되는 기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

R₂₁, 및 치환 혹은 비치환된 단환을 형성하지 않고, 또한 치환 혹은 비치환된 축합환을 형성하지 않는 R₂₂ 및 R₂₃이 나타내는 상기 -O-(R₉₀₄)로 표시되는 기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

R₂₁, 및 치환 혹은 비치환된 단환을 형성하지 않고, 또한 치환 혹은 비치환된 축합환을 형성하지 않는 R₂₂ 및 R₂₃이 나타내는 상기 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

R₂₁, 및 치환 혹은 비치환된 단환을 형성하지 않고, 또한 치환 혹은 비치환된 축합환을 형성하지 않는 R₂₂ 및 R₂₃이 나타내는 상기 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로환기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

치환 혹은 비치환된 단환을 형성하지 않고, 또한 치환 혹은 비치환된 축합환을 형성하지 않는 R₂₁₁∼R₂₁₈이 나타내는 상기 비치환된 탄소수 1∼50의 알킬기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

치환 혹은 비치환된 단환을 형성하지 않고, 또한 치환 혹은 비치환된 축합환을 형성하지 않는 R₂₁₁∼R₂₁₈이 나타내는 상기 비치환된 탄소수 1∼50의 할로알킬기의 상세 및 그의 바람직한 예는, R₂₁, 및 치환 혹은 비치환된 단환을 형성하지 않고, 또한 치환 혹은 비치환된 축합환을 형성하지 않는 R₂₂ 및 R₂₃에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

치환 혹은 비치환된 단환을 형성하지 않고, 또한 치환 혹은 비치환된 축합환을 형성하지 않는 R₂₁₁∼R₂₁₈이 나타내는 상기 비치환된 환형성 탄소수 3∼50의 사이클로알킬기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

치환 혹은 비치환된 단환을 형성하지 않고, 또한 치환 혹은 비치환된 축합환을 형성하지 않는 R₂₁₁∼R₂₁₈이 나타내는 상기 -Si(R₉₀₁)(R₉₀₂)(R₉₀₃)으로 표시되는 기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

치환 혹은 비치환된 단환을 형성하지 않고, 또한 치환 혹은 비치환된 축합환을 형성하지 않는 R₂₁₁∼R₂₁₈이 나타내는 상기 -O-(R₉₀₄)로 표시되는 기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

치환 혹은 비치환된 단환을 형성하지 않고, 또한 치환 혹은 비치환된 축합환을 형성하지 않는 R₂₁₁∼R₂₁₈이 나타내는 상기 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

치환 혹은 비치환된 단환을 형성하지 않고, 또한 치환 혹은 비치환된 축합환을 형성하지 않는 R₂₁₁∼R₂₁₈이 나타내는 상기 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로환기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13에 관한 동 치환기의 설명과 마찬가지이다.

본 발명의 일 태양에 있어서, 식(21a), 식(21b), 식(21c), 식(21d) 및 식(21e)로 표시되는 기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기가 아닌 Ar^c1, Ar^c2 및 Ar^c3은, 각각 독립적으로, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기인 것이 바람직하고, 치환 혹은 비치환된 페닐기 또는 치환 혹은 비치환된 바이페닐기인 것이 보다 바람직하다.

본 발명의 일 태양에 있어서, 식(C11)로 표시되는 화합물에 있어서, Ar^c1, Ar^c2 및 Ar^c3 중 2개가, 식(21a), 식(21b), 식(21c), 식(21d) 및 식(21e)로 표시되는 기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기이고, Ar^c1, Ar^c2 및 Ar^c3 중 그 밖의 1개가, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기인 것도 바람직하다.

본 발명의 일 태양에 있어서, 식(C11)로 표시되는 화합물에 있어서, Ar^c1, Ar^c2 및 Ar^c3 중 1개가, 식(21a), 식(21b), 식(21c), 식(21d) 및 식(21e)로 표시되는 기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 기이고, Ar^c1, Ar^c2 및 Ar^c3 중 그 밖의 2개가, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기인 것도 바람직하다.

상기한 바와 같이, 본 명세서에 있어서 사용하는 「수소 원자」는 경수소 원자, 중수소 원자, 및 삼중수소 원자를 포함한다. 따라서, 화합물(2)는 천연 유래의 중수소 원자를 포함하고 있어도 된다.

또한, 원료 화합물의 일부 또는 전부에 중수소화한 화합물을 사용하는 것에 의해, 화합물(2)에 중수소 원자를 의도적으로 도입해도 된다. 따라서, 본 발명의 일 태양에 있어서, 화합물(2)는 적어도 1개의 중수소 원자를 포함한다. 즉, 화합물(2)는, 식(2)로 표시되는 화합물로서, 해당 화합물에 포함되는 수소 원자 중 적어도 1개가 중수소 원자인 화합물이어도 된다.

식(2)의 L^c1, L^c2 및 L^c3의 어느 것이 아릴렌기 또는 2가의 헤테로환기일 때, 해당 아릴렌기 또는 해당 2가의 헤테로환기가 갖는 수소 원자;

식(2)의 Ar^c1, Ar^c2 및 Ar^c3이 아릴기, 헤테로환기, 또는 -Si(R^c1)(R^c2)(R^c3)으로 표시되는 기일 때, 해당 아릴기, 해당 헤테로환기, 또는 해당 -Si(R^c1)(R^c2)(R^c3)으로 표시되는 기가 갖는 수소 원자;

화합물(2)의 중수소화율은, 사용하는 원료 화합물의 중수소화율에 의존한다. 소정의 중수소화율의 원료를 이용했다고 하더라도, 천연 유래의 일정한 비율로 경수소 동위체가 포함될 수 있다. 따라서, 화합물(2)의 중수소화율의 태양은, 단순히 화학식으로 표시되는 중수소 원자의 수를 카운트해서 구해지는 비율에 대해, 천연 유래의 미량의 동위체를 고려한 비율이 포함된다.

화합물(2)의 중수소화율은, 바람직하게는 1% 이상, 보다 바람직하게는 3% 이상, 더 바람직하게는 5% 이상, 보다 더 바람직하게는 10% 이상, 보다 더 바람직하게는 50% 이상이다.

화합물(2)는, 중수소화된 화합물과 중수소화되어 있지 않은 화합물을 포함하는 혼합물, 상이한 중수소화율을 갖는 2 이상의 화합물의 혼합물이어도 된다. 이와 같은 혼합물의 중수소화율은, 바람직하게는 1% 이상, 보다 바람직하게는 3% 이상, 더 바람직하게는 5% 이상, 보다 더 바람직하게는 10% 이상, 보다 더 바람직하게는 50% 이상, 또한 100% 미만이다.

또한, 화합물(2) 중의 전체 수소 원자수에 대한 중수소 원자수의 비율은, 바람직하게는 1% 이상, 보다 바람직하게는 3% 이상, 더 바람직하게는 5% 이상, 보다 더 바람직하게는 10% 이상, 또한 100% 이하이다.

본 발명의 일 태양에 있어서, 상기 식(1a)로 표시되는 화합물, 상기 식(1b)로 표시되는 화합물, 상기 식(2)로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 하나의 화합물이, 적어도 1개의 중수소 원자를 포함하는 것이 바람직하다.

상기 각 식의 정의에 포함되는 「치환 혹은 비치환된 XX기」가 치환 XX기인 경우, 해당 치환기의 상세는, 「「치환 혹은 비치환된」이라고 하는 경우의 치환기」에 있어서 기재한 대로이고, 바람직하게는 탄소수 1∼6의 알킬기, 환형성 탄소수 3∼10의 사이클로알킬기, 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기, 또는 환형성 원자수 5∼13의 방향족 헤테로환기(헤테로아릴기)이며, 보다 바람직하게는 탄소수 1∼6의 알킬기 또는 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기이다. 각 기(알킬기, 사이클로알킬기, 아릴기, 방향족 헤테로환기)의 상세는 상기한 대로이다.

화합물(2)는, 당업자이면, 하기 합성예 및 공지된 합성 방법을 참고로 해서 용이하게 제조할 수 있다.

이하에 화합물(2)의 구체예를 나타내지만, 이하의 예시 화합물로 한정되는 것은 아니다.

하기 구체예 중, D는 중수소 원자를 나타낸다.

[화학식 86]

[화학식 87]

[화학식 88]

[화학식 89]

[화학식 90]

[화학식 91]

[화학식 92]

[화학식 93]

[화학식 94]

[화학식 95]

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<화합물(3)>

화합물(3)은 하기 식(3)으로 표시되고, 하기 식(3)으로 표시되는 화합물이, 유기 EL 소자가 갖는 발광층에 포함된다.

[화학식 149]

식(3) 중, k는 0 또는 1이다.

본 발명의 일 태양에 있어서, k는 1이다.

본 발명의 다른 태양에 있어서, k는 0이다.

본 발명의 일 태양에 있어서, R¹ 및 R⁸로부터 선택되는 1개가 *4에 결합하는 단일 결합이다.

(R¹∼R⁸, R¹¹∼R¹⁴, 및 R²¹∼R²⁸)

식(2) 중, *4에 결합하는 단일 결합은 아니고 또한 *a 및 *b에 결합하는 단일 결합도 아닌 R¹∼R⁸, *4에 결합하는 단일 결합은 아닌 R¹¹∼R¹⁴, 및 R²¹∼R²⁸은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로젠 원자, 나이트로기, 사이아노기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼50의 알킬기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 2∼50의 알켄일기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 2∼50의 알킨일기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 3∼50의 사이클로알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 7∼50의 아르알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로환기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼50의 할로알킬기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼50의 할로알콕시기, -Si(R₉₀₁)(R₉₀₂)(R₉₀₃)으로 표시되는 기, -O-(R₉₀₄)로 표시되는 기, 또는 -S-(R₉₀₅)로 표시되는 기이다.

상기 단일 결합은 아닌 R¹∼R⁸, 상기 단일 결합은 아닌 R¹¹∼R¹⁴, 및 R²¹∼R²⁸이 나타내는 상기 비치환된 탄소수 1∼50의 알킬기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13에 관해서 기재한 대로이다.

상기 단일 결합은 아닌 R¹∼R⁸, 상기 단일 결합은 아닌 R¹¹∼R¹⁴, 및 R²¹∼R²⁸이 나타내는 상기 비치환된 탄소수 2∼50의 알켄일기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13에 관해서 기재한 대로이다.

상기 단일 결합은 아닌 R¹∼R⁸, 상기 단일 결합은 아닌 R¹¹∼R¹⁴, 및 R²¹∼R²⁸이 나타내는 상기 비치환된 탄소수 2∼50의 알킨일기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13에 관해서 기재한 대로이다.

상기 단일 결합은 아닌 R¹∼R⁸, 상기 단일 결합은 아닌 R¹¹∼R¹⁴, 및 R²¹∼R²⁸이 나타내는 상기 비치환된 환형성 탄소수 3∼50의 사이클로알킬기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13에 관해서 기재한 대로이다.

상기 단일 결합은 아닌 R¹∼R⁸, 상기 단일 결합은 아닌 R¹¹∼R¹⁴, 및 R²¹∼R²⁸이 나타내는 상기 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13에 관해서 기재한 대로이다.

상기 단일 결합은 아닌 R¹∼R⁸, 상기 단일 결합은 아닌 R¹¹∼R¹⁴, 및 R²¹∼R²⁸이 나타내는 상기 비치환된 환형성 탄소수 7∼50의 아르알킬기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13에 관해서 기재한 대로이다.

상기 단일 결합은 아닌 R¹∼R⁸, 상기 단일 결합은 아닌 R¹¹∼R¹⁴, 및 R²¹∼R²⁸이 나타내는 상기 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로환기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13에 관해서 기재한 대로이다.

상기 단일 결합은 아닌 R¹∼R⁸, 상기 단일 결합은 아닌 R¹¹∼R¹⁴, 및 R²¹∼R²⁸이 나타내는 상기 비치환된 환형성 탄소수 1∼50의 할로알킬기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13에 관해서 기재한 대로이다.

상기 단일 결합은 아닌 R¹∼R⁸, 상기 단일 결합은 아닌 R¹¹∼R¹⁴, 및 R²¹∼R²⁸이 나타내는 상기 비치환된 환형성 탄소수 1∼50의 할로알콕시기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13에 관해서 기재한 대로이다.

식(3) 중, R₉₀₁∼R₉₀₅는, 식(1a)에서 정의한 대로이고, R₉₀₁이 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₁은, 서로 동일하거나, 또는 상이하고, R₉₀₂가 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₂는, 서로 동일하거나, 또는 상이하고, R₉₀₃이 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₃은, 서로 동일하거나, 또는 상이하고, R₉₀₄가 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₄는, 서로 동일하거나, 또는 상이하고, R₉₀₅가 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₅는, 서로 동일하거나, 또는 상이하다.

*4에 결합하는 단일 결합은 아니고 또한 *a 및 *b에 결합하는 단일 결합도 아닌 R¹∼R⁸, 및 *4에 결합하는 단일 결합은 아닌 R¹¹∼R¹⁴는, 각각 독립적으로, 바람직하게는, 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼50의 알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로환기이다.

(L²¹ 및 L²²)

식(3) 중, L²¹ 및 L²²는, 각각 독립적으로, 단일 결합, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴렌기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 2가의 헤테로환기이고, 바람직하게는, 단일 결합, 또는 치환 혹은 비치환된 페닐렌기이며, 보다 바람직하게는, 단일 결합이다.

상기 L²¹ 및 L²²가 나타내는 상기 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴렌기로서는, 예를 들면, 페닐렌기, 나프틸렌기, 바이페닐릴렌기, 안트릴렌기, 아세나프틸릴렌기, 안트란일렌기, 페난트릴렌기, 페날렌일렌기, 퀴놀릴렌기, 아이소퀴놀릴렌기, s-인다센일렌기, as-인다센일렌기, 크라이센일렌기 등을 들 수 있다.

상기 L²¹ 및 L²²가 나타내는 상기 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 2가의 헤테로환기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 L^a1∼L^a3에 관해서 기재한 대로이다.

(Ar²¹)

식(3) 중, Ar²¹은, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기이며, 바람직하게는, 상기 식(1A), 상기 식(1B), 상기 식(1C), 상기 식(1D), 상기 식(1E), 또는 상기 식(1F)로 표시된다. 단, 상기 식(1A)∼(1F)에 있어서의 「L^a1, L^a2 또는 La³」은 「L²¹」로 치환하는 것으로 한다.

상기 Ar²¹이 나타내는 상기 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 Ar^a1 및 Ar^a2에 관해서 기재한 대로이다.

상기 Ar²¹이 나타내는 상기 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기의 상세 및 그의 바람직한 예는, 상기 Ar^a1 및 Ar^a2에 관해서 기재한 대로이다.

상기한 바와 같이, 본 명세서에 있어서 사용하는 「수소 원자」는 경수소 원자, 중수소 원자, 및 삼중수소 원자를 포함한다. 따라서, 화합물(3)은 천연 유래의 중수소 원자를 포함하고 있어도 된다.

또한, 원료 화합물의 일부 또는 전부에 중수소화한 화합물을 사용하는 것에 의해, 화합물(3)에 중수소 원자를 의도적으로 도입해도 된다. 따라서, 본 발명의 일 태양에 있어서, 화합물(3)은 적어도 1개의 중수소 원자를 포함한다. 즉, 화합물(3)은, 식(3)으로 표시되는 화합물로서, 해당 화합물에 포함되는 수소 원자 중 적어도 1개가 중수소 원자인 화합물이어도 된다.

식(3)의 R¹∼R⁸, R¹¹∼R¹⁴, 및 R²¹∼R²⁸의 어느 것이 알킬기, 알켄일기, 알킨일기, 사이클로알킬기, 아릴기, 아르알킬기, 헤테로환기, 할로알킬기, 할로알콕시기, -Si(R₉₀₁)(R₉₀₂)(R₉₀₃)으로 표시되는 기, -O-(R₉₀₄)로 표시되는 기, 또는 -S-(R₉₀₅)로 표시되는 기일 때, 해당 알킬기, 해당 알켄일기, 해당 알킨일기, 해당 사이클로알킬기, 해당 아릴기, 해당 아르알킬기, 해당 헤테로환기, 해당 할로알킬기, 해당 할로알콕시기, 해당 -Si(R₉₀₁)(R₉₀₂)(R₉₀₃)으로 표시되는 기, 해당 -O-(R₉₀₄)로 표시되는 기, 또는 해당 -S-(R₉₀₅)로 표시되는 기가 갖는 수소 원자;

식(3)의 L²¹ 및 L²²의 어느 것이 아릴렌기 또는 2가의 헤테로환기일 때, 해당 아릴렌기 또는 해당 2가의 헤테로환기가 갖는 수소 원자;

식(3)의 Ar²¹이 아릴기, 또는 헤테로환기일 때, 해당 아릴기, 또는 해당 헤테로환기가 갖는 수소 원자;

화합물(3)의 중수소화율은, 사용하는 원료 화합물의 중수소화율에 의존한다. 소정의 중수소화율의 원료를 이용했다고 하더라도, 천연 유래의 일정한 비율로 경수소 동위체가 포함될 수 있다. 따라서, 화합물(3)의 중수소화율의 태양은, 단순히 화학식으로 표시되는 중수소 원자의 수를 카운트해서 구해지는 비율에 대해, 천연 유래의 미량의 동위체를 고려한 비율이 포함된다.

화합물(3)의 중수소화율은, 바람직하게는 1% 이상, 보다 바람직하게는 3% 이상, 더 바람직하게는 5% 이상, 보다 더 바람직하게는 10% 이상, 보다 더 바람직하게는 50% 이상이다.

화합물(3)은, 중수소화된 화합물과 중수소화되어 있지 않은 화합물을 포함하는 혼합물, 상이한 중수소화율을 갖는 2 이상의 화합물의 혼합물이어도 된다. 이와 같은 혼합물의 중수소화율은, 바람직하게는 1% 이상, 보다 바람직하게는 3% 이상, 더 바람직하게는 5% 이상, 보다 더 바람직하게는 10% 이상, 보다 더 바람직하게는 50% 이상, 또한 100% 미만이다.

또한, 화합물(3) 중의 전체 수소 원자수에 대한 중수소 원자수의 비율은, 바람직하게는 1% 이상, 보다 바람직하게는 3% 이상, 더 바람직하게는 5% 이상, 보다 더 바람직하게는 10% 이상, 또한 100% 이하이다.

상기 각 식의 정의에 포함되는 「치환 혹은 비치환된 XX기」가 치환 XX기인 경우, 해당 치환기의 상세는, 「「치환 혹은 비치환된」이라고 하는 경우의 치환기」에 있어서 기재한 대로이고, 바람직하게는 탄소수 1∼6의 알킬기, 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기, 또는 환형성 원자수 5∼13의 헤테로환기(헤테로아릴기)이며, 보다 바람직하게는 탄소수 1∼6의 알킬기 또는 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기이다. 각 기(알킬기, 아릴기, 헤테로환기)의 상세는 상기한 대로이다.

화합물(3)은, 당업자이면, 하기 합성예 및 공지된 합성 방법을 참고로 해서 용이하게 제조할 수 있다.

이하에 화합물(3)의 구체예를 나타내지만, 이하의 예시 화합물로 한정되는 것은 아니다.

하기 구체예 중, D는 중수소 원자를 나타낸다.

[화학식 150]

[화학식 151]

[화학식 152]

[화학식 153]

[화학식 154]

[화학식 155]

[화학식 156]

[화학식 157]

[화학식 158]

[화학식 159]

[화학식 160]

[화학식 161]

[화학식 162]

[화학식 163]

[화학식 164]

[화학식 165]

[화학식 166]

[화학식 167]

[화학식 168]

[화학식 169]

[화학식 170]

[화학식 171]

[화학식 172]

이하의 화합물의 구체예에 있어서, D는, 중수소 원자를 나타내고, z, z1, z2, z3, z4, z5 및 z6은, 각각, 환에 결합하는 중수소 원자의 수를 나타내고 있으며, z는, 1 이상 8 이하의 정수이고, z1은, 1 이상 9 이하의 정수이고, z2∼z5는, 각각, 1 이상 5 이하의 정수이고, z6은, 1 이상 7 이하의 정수이다.

[화학식 173]

[화학식 174]

[화학식 175]

[화학식 176]

[화학식 177]

[화학식 178]

[화학식 179]

[화학식 180]

[화학식 181]

[화학식 182]

[화학식 183]

[화학식 184]

[화학식 185]

[화학식 186]

[화학식 187]

[화학식 188]

[화학식 189]

[화학식 190]

[화학식 191]

[화학식 192]

<유기 EL 소자의 상세>

본 발명의 유기 EL 소자는, 양극, 음극, 및 해당 양극과 해당 음극 사이에 존재하는 유기층을 갖고, 상기 유기층은, 발광층과, 상기 양극과 상기 발광층 사이에 존재하는 정공 수송 대역을 포함하고, 상기 정공 수송 대역은, 정공 수송층(A)와, 상기 발광층에 인접하는 정공 수송층(B)를 포함하고, 상기 정공 수송층(A)는, 상기 식(1a)로 표시되는 화합물 및 상기 식(1b)로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하고, 상기 정공 수송층(B)는, 상기 식(2)로 표시되는 화합물을 포함하고, 상기 발광층은, 하기 식(3)으로 표시되는 화합물을 포함한다.

본 발명의 일 태양에 있어서, 상기 정공 수송 대역은, 정공 수송층(A) 및 정공 수송층(B) 이외의 다른 층을 포함해도 되고, 당해 다른 층으로서는, 정공 수송층(A) 및 정공 수송층(B) 이외의 다른 정공 수송층, 정공 주입층, 전자 저지층, 여기자 저지층 등을 포함해도 된다.

또한, 유기 EL 소자가 갖는 유기층의 다른 예로서는, 스페이스층, 음극과 발광층 사이에 마련되는 전자 수송 대역(전자 주입층, 전자 수송층, 정공 저지층 등) 등을 들 수 있지만, 이들로 한정되는 것은 아니다.

본 발명의 일 태양인 유기 EL 소자는, 형광 또는 인광 발광형의 단색 발광 소자여도, 형광/인광 하이브리드형의 백색 발광 소자여도 되고, 단독의 발광 유닛을 갖는 심플형이어도, 복수의 발광 유닛을 갖는 탠덤형이어도 되고, 그 중에서도, 형광 발광형의 소자인 것이 바람직하다. 여기에서, 「발광 유닛」이란, 유기층을 포함하고, 그 중의 적어도 1층이 발광층이며, 주입된 정공과 전자가 재결합하는 것에 의해 발광하는 최소 단위를 말한다.

예를 들면, 심플형 유기 EL 소자의 대표적인 소자 구성으로서는, 이하의 소자 구성을 들 수 있다.

(1) 양극/발광 유닛/음극

또한, 상기 발광 유닛은, 인광 발광층이나 형광 발광층을 복수 갖는 다층형이어도 되고, 그 경우, 각 발광층 사이에, 인광 발광층에서 생성된 여기자가 형광 발광층으로 확산하는 것을 막을 목적으로, 스페이스층을 갖고 있어도 된다. 심플형 발광 유닛의 대표적인 층 구성을 이하에 나타낸다. 괄호 내의 층은 임의이다.

(a) (정공 주입층/)제1 정공 수송층/제2 정공 수송층/형광 발광층/전자 수송층(/전자 주입층)

(b) (정공 주입층/)제1 정공 수송층/제2 정공 수송층/제1 형광 발광층/제2 형광 발광층/전자 수송층(/전자 주입층)

(c) (정공 주입층/)제1 정공 수송층/제2 정공 수송층/인광 발광층/스페이스층/형광 발광층/전자 수송층(/전자 주입층)

(d) (정공 주입층/)제1 정공 수송층/제2 정공 수송층/제1 인광 발광층/제2 인광 발광층/스페이스층/형광 발광층/전자 수송층(/전자 주입층)

(e) (정공 주입층/)제1 정공 수송층/제2 정공 수송층/인광 발광층/스페이스층/제1 형광 발광층/제2 형광 발광층/전자 수송층(/전자 주입층)

(f) (정공 주입층/)제1 정공 수송층/제2 정공 수송층/여기자 저지층/형광 발광층/전자 수송층(/전자 주입층)

(g) (정공 주입층/)제1 정공 수송층/제2 정공 수송층/형광 발광층/제1 전자 수송층/제2 전자 수송층(/전자 주입층)

(h) (정공 주입층/)제1 정공 수송층/제2 정공 수송층/형광 발광층/정공 저지층/전자 수송층(/전자 주입층)

(i) (정공 주입층/)제1 정공 수송층/제2 정공 수송층/형광 발광층/여기자 저지층/전자 수송층(/전자 주입층)

(j) (정공 주입층/)제1 정공 수송층/제2 정공 수송층/제1 형광 발광층/제2 형광 발광층/제1 전자 수송층/제2 전자 수송층(/전자 주입층)

(k) (정공 주입층/)제1 정공 수송층/제2 정공 수송층/제3 정공 수송층/제1 형광 발광층/제2 형광 발광층/제1 전자 수송층/제2 전자 수송층(/전자 주입층)

상기 각 인광 또는 형광 발광층은, 각각 서로 상이한 발광색을 나타내는 것으로 할 수 있다. 구체적으로는, 상기 발광 유닛(d)에 있어서, (정공 주입층/)제1 정공 수송층/제2 정공 수송층/제1 인광 발광층(적색 발광)/제2 인광 발광층(녹색 발광)/스페이스층/형광 발광층(청색 발광)/전자 수송층과 같은 층 구성 등을 들 수 있다.

한편, 각 발광층과 정공 수송층 혹은 스페이스층 사이에는, 적절히 전자 저지층을 마련해도 된다. 또한, 각 발광층과 전자 수송층 사이에는, 적절히 정공 저지층을 마련해도 된다. 전자 저지층이나 정공 저지층을 마련함으로써, 전자 또는 정공을 발광층 내에 가두어, 발광층에 있어서의 전하의 재결합 확률을 높여, 발광 효율을 향상시킬 수 있다.

또한, 2 이상의 정공 수송층을 포함하는 다층 구조 중의 발광층과 인접하는 정공 수송층, 예를 들면, 상기 2구조의 제2 정공 수송층이나 상기 3층 구조의 제3 정공 수송층이, 전자 저지층으로서의 기능을 가져도 된다. 즉, 정공 수송층이 2 이상의 정공 수송층을 포함하는 다층 구조인 경우, 상기 다층 구조 중의 발광층과 인접하는 정공 수송층은, 전자 저지층으로서 이용할 수도 있다.

탠덤형 유기 EL 소자의 대표적인 소자 구성으로서는, 이하의 소자 구성을 들 수 있다.

(2) 양극/제1 발광 유닛/중간층/제2 발광 유닛/음극

여기에서, 상기 제1 발광 유닛 및 제2 발광 유닛으로서는, 예를 들면, 각각 독립적으로 전술한 발광 유닛으로부터 선택할 수 있다.

또한, 상기 제1 발광 유닛 및 제2 발광 유닛의 어느 한쪽의 발광 유닛으로서 전술한 발광 유닛으로부터 선택하고, 다른 한쪽의 발광 유닛을 전술한 심플형 발광 유닛의 대표적인 층 구성 중, 정공 수송층을 단층으로 한 구성의 발광 유닛을 선택해도 된다.

상기 중간층은, 일반적으로, 중간 전극, 중간 도전층, 전하 발생층, 전자 인발층, 접속층, 중간 절연층이라고도 불리고, 제1 발광 유닛에 전자를, 제2 발광 유닛에 정공을 공급하는, 공지된 재료 구성을 이용할 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 태양에 따른 유기 EL 소자의 구성의 일례를 나타내는 개략도이다. 유기 EL 소자(1)는, 기판(2), 양극(3), 음극(4), 및 해당 양극(3)과 음극(4) 사이에 배치된 발광 유닛(10)을 갖는다. 발광 유닛(10)은, 발광층(5)을 갖는다. 발광층(5)과 양극(3) 사이에 정공 수송 대역(6)(정공 주입층, 정공 수송층 등), 발광층(5)과 음극(4) 사이에 전자 수송 대역(7)(전자 주입층, 전자 수송층 등)을 갖는다. 또한, 발광층(5)의 양극(3)측에 전자 저지층(도시하지 않음)을, 발광층(5)의 음극(4)측에 정공 저지층(도시하지 않음)을, 각각 마련해도 된다. 이에 의해, 전자나 정공을 발광층(5)에 가두어, 발광층(5)에 있어서의 여기자의 생성 효율을 더 높일 수 있다.

도 2는, 본 발명의 일 태양에 따른 유기 EL 소자의 다른 구성의 일례를 나타내는 개략도이다. 유기 EL 소자(11)는, 기판(2), 양극(3), 음극(4), 및 해당 양극(3)과 음극(4) 사이에 배치된 발광 유닛(20)을 갖는다. 발광 유닛(20)은, 발광층(5)을 갖는다. 양극(3)과 발광층(5) 사이에 배치된 정공 수송 대역은, 정공 주입층(6a), 제1 정공 수송층(6b) 및 제2 정공 수송층(6c)으로 형성되어 있다. 또한, 발광층(5)과 음극(4) 사이에 배치된 전자 수송 대역은, 제1 전자 수송층(7a) 및 제2 전자 수송층(7b)으로 형성되어 있다.

또한, 본 발명의 일 태양에 있어서, 상기 정공 수송층(A)와 상기 정공 수송층(B)가 직접 접하고 있는 것이 바람직하다. 또한, 상기 정공 수송층(B)가, 전자 저지층인 것이 바람직하다. 따라서, 본 발명의 일 태양에 있어서, 예를 들면, 도 2의 개략도로 표시되는 유기 EL 소자의 구성을 이용하여 설명하는 경우, 제1 정공 수송층(6b)이 상기 정공 수송층(A)이고, 제2 정공 수송층(6c)이 상기 정공 수송층(B)이며, 또한 전자 저지층인 것이 보다 바람직하다.

도 3은, 본 발명의 유기 EL 소자의 다른 구성의 일례를 나타내는 개략도이다. 유기 EL 소자(12)는, 기판(2), 양극(3), 음극(4), 및 해당 양극(3)과 음극(4) 사이에 배치된 발광 유닛(30)을 갖는다. 발광 유닛(30)은, 발광층(5)을 갖는다. 양극(3)과 발광층(5) 사이에 배치된 정공 수송 대역은, 정공 주입층(6a), 제1 정공 수송층(6b), 제2 정공 수송층(6c), 및 제3 정공 수송층(6d)으로 형성되어 있다. 또한, 발광층(5)과 음극(4) 사이에 배치된 전자 수송 대역은, 제1 전자 수송층(7a) 및 제2 전자 수송층(7b)으로 형성되어 있다.

또한, 본 발명의 일 태양에 있어서, 상기 정공 수송층(B)가, 전자 저지층인 것이 바람직하다. 따라서, 본 발명의 일 태양에 있어서, 예를 들면, 도 3의 개략도로 표시되는 유기 EL 소자의 구성을 이용하여 설명하는 경우, 제1 정공 수송층(6b) 및 제2 정공 수송층(6c)으로부터 선택되는 적어도 1층이 상기 정공 수송층(A)이고, 제3 정공 수송층(6d)이 상기 정공 수송층(B)이며, 또한 전자 저지층인 것이 보다 바람직하다.

또한, 본 발명의 일 태양에 있어서, 상기 정공 수송층(A)와 상기 정공 수송층(B)가 직접 접하고 있는 것이 바람직하다. 따라서, 본 발명의 일 태양에 있어서, 예를 들면, 도 3의 개략도로 표시되는 유기 EL 소자의 구성을 이용하여 설명하는 경우, 적어도 제2 정공 수송층(6c)이 상기 정공 수송층(A)이고, 제3 정공 수송층(6d)이 상기 정공 수송층(B)이며, 또한 전자 저지층인 것이 보다 바람직하다.

한편, 본 발명에 있어서, 형광 도펀트 재료(형광 발광 재료)와 조합된 호스트를 형광 호스트라고 칭하고, 인광 도펀트 재료와 조합된 호스트를 인광 호스트라고 칭한다. 형광 호스트와 인광 호스트는 분자 구조만에 의해 구분되는 것은 아니다. 즉, 인광 호스트란, 인광 도펀트를 함유하는 인광 발광층을 형성하는 재료를 의미하며, 형광 발광층을 형성하는 재료로서 이용할 수 없는 것을 의미하고 있는 것은 아니다. 형광 호스트에 대해서도 마찬가지이다.

(기판)

기판은, 유기 EL 소자의 지지체로서 이용된다. 기판으로서는, 예를 들면, 유리, 석영, 플라스틱 등의 판을 이용할 수 있다. 또한, 가요성 기판을 이용해도 된다. 가요성 기판으로서는, 예를 들면, 폴리이미드, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에터설폰, 폴리프로필렌, 폴리에스터, 폴리불화 바이닐, 폴리염화 바이닐로 이루어지는 플라스틱 기판 등을 들 수 있다. 또한, 무기 증착 필름을 이용할 수도 있다.

(양극)

기판 상에 형성되는 양극에는, 일함수가 큰(구체적으로는 4.0eV 이상) 금속, 합금, 전기 전도성 화합물, 및 이들의 혼합물 등을 이용하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들면, 산화 인듐-산화 주석(ITO: Indium Tin Oxide), 규소 혹은 산화 규소를 함유한 산화 인듐-산화 주석, 산화 인듐-산화 아연, 산화 텅스텐 및 산화 아연을 함유한 산화 인듐, 그라펜 등을 들 수 있다. 이 밖에, 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 텅스텐(W), 크로뮴(Cr), 몰리브데넘(Mo), 철(Fe), 코발트(Co), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 타이타늄(Ti), 또는 상기 금속의 질화물(예를 들면, 질화 타이타늄) 등을 들 수 있다.

이들 재료는, 통상, 스퍼터링법에 의해 성막된다. 예를 들면, 산화 인듐-산화 아연은, 산화 인듐에 대해 1∼10wt%의 산화 아연을 가한 타겟을, 산화 텅스텐 및 산화 아연을 함유한 산화 인듐은, 산화 인듐에 대해 산화 텅스텐을 0.5∼5wt%, 산화 아연을 0.1∼1wt% 함유한 타겟을 이용하는 것에 의해, 스퍼터링법으로 형성할 수 있다. 그 밖에, 진공 증착법, 도포법, 잉크젯법, 스핀 코팅법 등에 의해 제작해도 된다.

(정공 수송 대역)

전술한 바와 같이, 상기 정공 수송 대역은, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 저지층 등으로 구성된다. 그리고, 상기 정공 수송 대역은, 정공 수송층(A)와, 상기 발광층에 인접하는 정공 수송층(B)를 포함하고, 상기 정공 수송층(A)는, 화합물(1a) 및 화합물(1b)로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하고, 상기 정공 수송층(B)는, 상기 식(2)로 표시되는 화합물을 포함한다.

또한, 본 발명의 일 태양에 있어서, 상기 정공 수송층(B)는, 상기 식(2)로 표시되고, 또한 상기 정공 수송층(A)에 포함되는 상기 식(1a) 또는 (1b)로 표시되는 화합물과는 상이한 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 즉, 상기 정공 수송층(B)에 있어서의 상기 식(2)로 표시되는 화합물이, 하기 식(2)로 표시되고, 또한 상기 정공 수송층(A)에 포함되는 하기 식(1a) 또는 (1b)로 표시되는 화합물과는 상이한 화합물인 것이 바람직하다.

또한, 본 발명의 일 태양에 있어서, 상기 정공 수송층(B)는, 상기 식(2)로 표시되고, 또한 상기 정공 수송층(A)에 포함되는 화합물과는 상이한 화합물을 포함하는 것이 보다 바람직하다. 즉, 상기 정공 수송층(B)에 있어서의 상기 식(2)로 표시되는 화합물이, 하기 식(2)로 표시되고, 또한 상기 정공 수송층(A)에 포함되는 화합물과는 상이한 화합물인 것이 보다 바람직하다.

양극에 접하여 형성되는 정공 주입층은, 양극의 일함수에 관계없이 정공 주입이 용이한 재료를 이용하여 형성되기 때문에, 전극 재료로서 일반적으로 사용되는 재료(예를 들면, 금속, 합금, 전기 전도성 화합물, 및 이들의 혼합물, 원소 주기율표의 제1족 또는 제2족에 속하는 원소)를 이용할 수 있다.

일함수가 작은 재료인, 원소 주기율표의 제1족 또는 제2족에 속하는 원소, 즉 리튬(Li)이나 세슘(Cs) 등의 알칼리 금속, 및 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr) 등의 알칼리 토류 금속, 및 이들을 포함하는 합금(예를 들면, MgAg, AlLi), 유로퓸(Eu), 이터븀(Yb) 등의 희토류 금속 및 이들을 포함하는 합금 등을 이용할 수도 있다. 한편, 알칼리 금속, 알칼리 토류 금속, 및 이들을 포함하는 합금을 이용하여 양극을 형성하는 경우에는, 진공 증착법이나 스퍼터링법을 이용할 수 있다. 또, 은 페이스트 등을 이용하는 경우에는, 도포법이나 잉크젯법 등을 이용할 수 있다.

〔정공 주입층〕

정공 주입층은, 정공 주입성이 높은 재료(정공 주입성 재료)를 포함하는 층이고, 양극과 발광층 사이, 또는 존재하는 경우에는, 정공 수송층과 양극 사이에 형성된다.

정공 주입성 재료로서는, 몰리브데넘 산화물, 타이타늄 산화물, 바나듐 산화물, 레늄 산화물, 루테늄 산화물, 크로뮴 산화물, 지르코늄 산화물, 하프늄 산화물, 탄탈럼 산화물, 은 산화물, 텅스텐 산화물, 망가니즈 산화물 등을 이용할 수 있다.

저분자의 유기 화합물인 4,4',4''-트리스(N,N-다이페닐아미노)트라이페닐아민(약칭: TDATA), 4,4',4''-트리스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노]트라이페닐아민(약칭: MTDATA), 4,4'-비스[N-(4-다이페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]바이페닐(약칭: DPAB), 4,4'-비스(N-{4-[N'-(3-메틸페닐)-N'-페닐아미노]페닐}-N-페닐아미노)바이페닐(약칭: DNTPD), 1,3,5-트리스[N-(4-다이페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]벤젠(약칭: DPA3B), 3-[N-(9-페닐카바졸-3-일)-N-페닐아미노]-9-페닐카바졸(약칭: PCzPCA1), 3,6-비스[N-(9-페닐카바졸-3-일)-N-페닐아미노]-9-페닐카바졸(약칭: PCzPCA2), 3-[N-(1-나프틸)-N-(9-페닐카바졸-3-일)아미노]-9-페닐카바졸(약칭: PCzPCN1) 등의 방향족 아민 화합물 등도 정공 주입층 재료로서 들 수 있다.

고분자 화합물(올리고머, 덴드리머, 폴리머 등)을 이용할 수도 있다. 예를 들면, 폴리(N-바이닐카바졸)(약칭: PVK), 폴리(4-바이닐트라이페닐아민)(약칭: PVTPA), 폴리[N-(4-{N'-[4-(4-다이페닐아미노)페닐]페닐-N'-페닐아미노}페닐)메타크릴아마이드](약칭: PTPDMA), 폴리[N,N'-비스(4-뷰틸페닐)-N,N'-비스(페닐)벤지딘](약칭: Poly-TPD) 등의 고분자 화합물을 들 수 있다. 또한, 폴리(3,4-에틸렌다이옥시싸이오펜)/폴리(스타이렌설폰산)(PEDOT/PSS), 폴리아닐린/폴리(스타이렌설폰산)(PAni/PSS) 등의 산을 첨가한 고분자 화합물을 이용할 수도 있다.

또, 하기 식(K)로 표시되는 헥사아자트라이페닐렌(HAT) 화합물 등의 억셉터 재료를 이용하는 것도 바람직하다.

[화학식 193]

(상기 식(K) 중, R²²¹∼R²²⁶은, 각각 독립적으로 사이아노기, -CONH₂, 카복실기, 또는 -COOR²²⁷(R²²⁷은 탄소수 1∼20의 알킬기 또는 탄소수 3∼20의 사이클로알킬기를 나타낸다)을 나타낸다. 또한, R²²¹ 및 R²²², R²²³ 및 R²²⁴, 및 R²²⁵ 및 R²²⁶으로부터 선택되는 인접하는 2개가 서로 결합하여 -CO-O-CO-로 나타나는 기를 형성해도 된다.)

R²²⁷로서는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 아이소프로필기, n-뷰틸기, 아이소뷰틸기, t-뷰틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기 등을 들 수 있다.

〔정공 수송층, 전자 저지층〕

정공 수송층은, 정공 수송성이 높은 재료(정공 수송성 재료)를 포함하는 층이고, 양극과 발광층 사이, 또는 존재하는 경우에는, 정공 주입층과 발광층 사이에 형성된다. 정공 수송층이 2 이상의 정공 수송층을 포함하는 다층 구조 중의 발광층과 인접하는 정공 수송층은, 전자 저지층으로서 이용할 수도 있다.

정공 수송층은, 2 이상의 층을 포함하는 다층 구조이다. 예를 들면, 정공 수송층은 제1 정공 수송층(양극측)과 제2 정공 수송층(음극측)을 포함하는 2층 구조여도 된다. 즉, 상기 정공 수송 대역이 양극측의 제1 정공 수송층과 음극측의 제2 정공 수송층을 포함하고 있어도 된다. 또한, 정공 수송층은 양극측으로부터 순서대로 제1 정공 수송층과 제2 정공 수송층과 제3 정공 수송층을 포함하는 3층 구조여도 된다. 즉, 제2 정공 수송층과 발광층 사이에, 제3 정공 수송층이 배치되어 있어도 된다.

본 발명의 일 태양에 있어서, 본 발명의 유기 EL 소자는, 상기 정공 수송 대역이 양극측의 제1 정공 수송층과 음극측의 제2 정공 수송층을 포함하고, 상기 제1 정공 수송층 및 상기 제2 정공 수송층의 일방 또는 쌍방이, 상기 식(1a)로 표시되는 화합물 및 상기 식(1b)로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것이 바람직하다.

본 발명의 일 태양에 있어서, 상기 다층 구조 중의 가장 음극에 가까운 정공 수송층, 예를 들면, 상기 2층 구조의 제2 정공 수송층이나 상기 3층 구조의 제3 정공 수송층은 발광층에 인접하고 있다(직접 접하고 있다). 또한, 전술한 대로, 정공 수송층이 2 이상의 정공 수송층을 포함하는 다층 구조 중의 발광층과 인접하는 정공 수송층은, 전자 저지층으로서 이용할 수도 있다.

또한, 본 발명의 일 태양에 있어서, 상기 정공 수송층(B)가, 전자 저지층인 것이 바람직하다.

또한, 본 발명의 일 태양에 있어서, 상기 정공 수송층(A)와 상기 정공 수송층(B)가 직접 접하고 있고, 또한 상기 정공 수송층(B)가, 전자 저지층인 것이 보다 바람직하다.

본 발명의 일 태양에 있어서, 상기 각 수송층에 포함되는 화합물(1a), 화합물(1b), 및 화합물(2)는, 각각 독립적으로, 제조 비용의 관점에서, 경수소체인 것이 바람직하다.

상기 경수소체란, 화합물(1a), 화합물(1b), 및 화합물(2) 중의 모든 수소 원자가 경수소 원자인 화합물이다.

따라서, 본 발명의 일 태양에 있어서, 예를 들면, 제1 정공 수송층과 제2 정공 수송층의 일방 또는 쌍방(2층 구조의 경우), 제1∼제3 정공 수송층 중 적어도 1개(3층 구조의 경우)가 실질적으로 경수소체만으로 이루어지는 화합물(1a) 및 화합물(1b)로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 유기 EL 소자를 포함하고, 제1 정공 수송층과 제2 정공 수송층의 일방 또는 쌍방(2층 구조의 경우), 제1∼제3 정공 수송층 중 적어도 1개(3층 구조의 경우)가 실질적으로 경수소체만으로 이루어지는 화합물(2)를 포함하는 유기 EL 소자를 포함하는 것이 바람직하다. 「실질적으로 경수소체만으로 이루어지는 화합물(1a)」란, 화합물(1a)의 총량에 대한 경수소체의 함유 비율이, 90몰% 이상, 바람직하게는 95몰% 이상, 보다 바람직하게는 99몰% 이상(각각 100%를 포함한다)인 것을 의미하며, 「실질적으로 경수소체만으로 이루어지는 화합물(1b)」란, 화합물(1b)의 총량에 대한 경수소체의 함유 비율이, 90몰% 이상, 바람직하게는 95몰% 이상, 보다 바람직하게는 99몰% 이상(각각 100%를 포함한다)인 것을 의미하며, 「실질적으로 경수소체만으로 이루어지는 화합물(2)」란, 화합물(2)의 총량에 대한 경수소체의 함유 비율이, 90몰% 이상, 바람직하게는 95몰% 이상, 보다 바람직하게는 99몰% 이상(각각 100%를 포함한다)인 것을 의미한다.

화합물(1a), 화합물(1b), 및 화합물(2) 이외의 정공 수송층 재료로서는, 예를 들면, 화합물(1a), 화합물(1b), 및 화합물(2) 이외의 방향족 아민 화합물, 카바졸 유도체, 안트라센 유도체 등을 사용할 수 있다.

상기 방향족 아민 화합물로서는, 예를 들면, 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]바이페닐(약칭: NPB)이나 N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-다이페닐-[1,1'-바이페닐]-4,4'-다이아민(약칭: TPD), 4-페닐-4'-(9-페닐플루오렌-9-일)트라이페닐아민(약칭: BAFLP), 4,4'-비스[N-(9,9-다이메틸플루오렌-2-일)-N-페닐아미노]바이페닐(약칭: DFLDPBi), 4,4',4"-트리스(N,N-다이페닐아미노)트라이페닐아민(약칭: TDATA), 4,4',4"-트리스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노]트라이페닐아민(약칭: MTDATA), 및 4,4'-비스[N-(스파이로-9,9'-바이플루오렌-2-일)-N―페닐아미노]바이페닐(약칭: BSPB)을 들 수 있다. 상기 화합물은, 10^-6cm²/Vs 이상의 정공 이동도를 갖는다.

상기 카바졸 유도체로서는, 예를 들면, 4,4'-다이(9-카바졸릴)바이페닐(약칭: CBP), 9-[4-(9-카바졸릴)페닐]-10-페닐안트라센(약칭: CzPA), 및 9-페닐-3-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카바졸(약칭: PCzPA)을 들 수 있다.

상기 안트라센 유도체로서는, 예를 들면, 2-t-뷰틸-9,10-다이(2-나프틸)안트라센(약칭: t-BuDNA), 9,10-다이(2-나프틸)안트라센(약칭: DNA), 및 9,10-다이페닐안트라센(약칭: DPAnth)을 들 수 있다.

폴리(N-바이닐카바졸)(약칭: PVK)이나 폴리(4-바이닐트라이페닐아민)(약칭: PVTPA) 등의 고분자 화합물을 이용할 수도 있다.

단, 전자 수송성보다도 정공 수송성이 높은 화합물이면, 상기 이외의 화합물을 이용해도 된다.

본 발명에 따른 2층 구조 또는 2층 이상의 정공 수송층을 갖는 유기 EL 소자의 일 태양에 있어서, 상기 제1 정공 수송층이, 하기의 식(12)로 표시되는 화합물을 포함하고 있어도 된다.

본 발명에 따른 3층 구조의 정공 수송층을 갖는 유기 EL 소자에 있어서, 제1 정공 수송층과 제2 정공 수송층의 일방 또는 쌍방이 하기 식(12)로 표시되는 1종 또는 복수종의 화합물을 포함하고 있어도 된다.

본 발명에 따른 n층 구조(n은 4 이상의 정수)의 정공 수송층을 갖는 유기 EL 소자에 있어서, 제1 정공 수송층∼제(n-1) 정공 수송층 중 적어도 1층이 하기 식(12)로 표시되는 1종 또는 복수종의 화합물을 포함하고 있어도 된다.

[화학식 194]

[상기 식(12) 중,

L^A2, L^B2, L^C2 및 L^D2는, 각각 독립적으로, 단일 결합, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴렌기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 2가의 헤테로환기이고,

k는, 1, 2, 3 또는 4이고,

k가 1인 경우, L^E2는, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴렌기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 2가의 헤테로환기이며,

k가 2, 3 또는 4인 경우, 2, 3 또는 4의 L^E2는, 서로 동일하거나, 또는 상이하고,

k가 2, 3 또는 4인 경우, 복수의 L^E2는, 서로 결합하여 치환 혹은 비치환된 단환을 형성하거나, 서로 결합하여 치환 혹은 비치환된 축합환을 형성하거나, 또는 서로 결합하지 않고,

상기 단환을 형성하지 않고, 또한 상기 축합환을 형성하지 않는 L^E2는, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴렌기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 2가의 헤테로환기이며,

A², B², C², 및 D²는, 각각 독립적으로, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로환기, 또는 -Si(R'₉₀₁)(R'₉₀₂)(R'₉₀₃)이고,

R'₉₀₁, R'₉₀₂ 및 R'₉₀₃은, 각각 독립적으로, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기이고,

R'₉₀₁이 복수 존재하는 경우, 복수의 R'₉₀₁은, 서로 동일하거나, 또는 상이하고,

R'₉₀₂가 복수 존재하는 경우, 복수의 R'₉₀₂는, 서로 동일하거나, 또는 상이하고,

R'₉₀₃이 복수 존재하는 경우, 복수의 R'₉₀₃은, 서로 동일하거나, 또는 상이하다.

식(12)에 있어서, A², B², C², 및 D²는, 바람직하게는, 각각 독립적으로, 치환 혹은 비치환된 페닐렌기, 치환 혹은 비치환된 바이페닐기, 치환 혹은 비치환된 터페닐기, 치환 혹은 비치환된 나프틸기, 치환 혹은 비치환된 플루오렌일기, 치환 혹은 비치환된 다이벤조퓨란일기, 치환 혹은 비치환된 다이벤조싸이오펜일기, 및 치환 혹은 비치환된 카바졸릴기로부터 선택된다.

또한, 보다 바람직하게는, 식(12)에 있어서, A², B², C² 및 D² 중 적어도 1개가, 치환 혹은 비치환된 바이페닐기, 치환 혹은 비치환된 터페닐기, 치환 혹은 비치환된 나프틸기, 치환 혹은 비치환된 플루오렌일기, 치환 혹은 비치환된 다이벤조퓨란일기, 또는 치환 혹은 비치환된 다이벤조싸이오펜일기, 치환 혹은 비치환된 카바졸릴기이다.

A², B², C², 및 D²가 취할 수 있는 플루오렌일기는, 9위에 치환기를 갖고 있어도 되고, 예를 들면, 9,9-다이메틸플루오렌일기, 9,9-다이페닐플루오렌일기여도 된다. 또한, 9위의 치환기끼리로 환을 형성하고 있어도 되고, 예를 들면, 9위의 치환기끼리 플루오렌 골격이나 잔텐 골격을 형성해도 된다.

L^A2, L^B2, L^C2 및 L^D2는, 바람직하게는, 각각 독립적으로, 단일 결합, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴렌기이다.

상기 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴렌기는, 바람직하게는, 각각 독립적으로, 치환 혹은 비치환된 페닐렌기, 치환 혹은 비치환된 바이페닐렌기, 치환 혹은 비치환된 나프틸렌기이다.

상기 페닐렌기는, o-페닐렌기, m-페닐렌기, 또는 p-페닐렌기이고, p-페닐렌기가 특히 바람직하다.

상기 바이페닐렌기는, 바람직하게는 4,2'-바이페닐렌기, 4,3'-바이페닐렌기, 4,4'-바이페닐렌기, 또는 3,3'-바이페닐렌기이고, 보다 바람직하게는 4,3'-바이페닐렌기, 4,4'-바이페닐렌기, 또는 3,3'-바이페닐렌기이며, 특히 바람직하게는 4,4'-바이페닐렌기이다.

상기 나프틸렌기는, 바람직하게는 1,4-나프틸렌기, 2,6-나프틸렌기, 1,5-나프틸렌기, 또는 1,8-나프틸렌기이다.

식(12)로 표시되는 화합물의 구체예로서는, 예를 들면, 이하의 화합물을 들 수 있다.

[화학식 195]

본 발명에 따른 유기 EL 소자의 일 태양에 있어서, 2층 구조 또는 3층 구조의 정공 수송층을 갖는 유기 EL 소자인 경우, 제1 정공 수송층의 두께와 제2 정공 수송층의 두께의 합계는, 바람직하게는 30nm 이상 150nm 이하, 보다 바람직하게는 40nm 이상 130nm 이하이다.

또한, 본 발명에 따른 유기 EL 소자의 일 태양에 있어서, 상기 정공 수송층(A)의 두께와 상기 정공 수송층(B)의 두께의 합계는, 바람직하게는 30nm 이상 150nm 이하, 보다 바람직하게는 40nm 이상 130nm 이하이다.

(발광 대역)

발광 대역은, 단일의 발광층, 복수의 발광층, 복수의 발광층과 각 발광층 사이에 위치하는 스페이스층 등에 의해 구성된다.

〔발광층의 도펀트 재료〕

발광층은, 발광성이 높은 재료(도펀트 재료)를 포함하는 층이고, 여러 가지 재료를 이용할 수 있다. 예를 들면, 형광 발광 재료나 인광 발광 재료를 도펀트 재료로서 이용할 수 있다. 형광 발광 재료는 일중항 여기 상태로부터 발광하는 화합물이고, 인광 발광 재료는 삼중항 여기 상태로부터 발광하는 화합물이다.

본 발명에 따른 유기 EL 소자의 일 태양에 있어서, 발광층은 단일의 층인 것이 바람직하다.

또한, 본 발명에 따른 유기 EL 소자의 다른 일 태양에 있어서, 발광층은 2층 이상의 층을 포함하는 것이 바람직하다. 즉, 발광층은 제1 발광층과 제2 발광층을 포함하는 것이 바람직하다.

또한, 본 발명에 따른 유기 EL 소자의 다른 일 태양에 있어서, 발광층은 제1 발광층과 제2 발광층으로 이루어지는 2층 구성인 것이 바람직하다.

발광층에 이용할 수 있는 청색계의 형광 발광 재료로서, 피렌 유도체, 스타이릴아민 유도체, 크라이센 유도체, 플루오란텐 유도체, 플루오렌 유도체, 다이아민 유도체, 트라이아릴아민 유도체 등을 사용할 수 있다. 구체적으로는, N,N'-비스[4-(9H-카바졸-9-일)페닐]-N,N'-다이페닐스틸벤-4,4'-다이아민(약칭: YGA2S), 4-(9H-카바졸-9-일)-4'-(10-페닐-9-안트릴)트라이페닐아민(약칭: YGAPA), 4-(10-페닐-9-안트릴)-4'-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)트라이페닐아민(약칭: PCBAPA) 등을 들 수 있다.

발광층에 이용할 수 있는 녹색계의 형광 발광 재료로서, 방향족 아민 유도체 등을 사용할 수 있다. 구체적으로는, N-(9,10-다이페닐-2-안트릴)-N,9-다이페닐-9H-카바졸-3-아민(약칭: 2PCAPA), N-[9,10-비스(1,1'-바이페닐-2-일)-2-안트릴]-N,9-다이페닐-9H-카바졸-3-아민(약칭: 2PCABPhA), N-(9,10-다이페닐-2-안트릴)-N,N',N'-트라이페닐-1,4-페닐렌다이아민(약칭: 2DPAPA), N-[9,10-비스(1,1'-바이페닐-2-일)-2-안트릴]-N,N',N'-트라이페닐-1,4-페닐렌다이아민(약칭: 2DPABPhA), N-[9,10-비스(1,1'-바이페닐-2-일)]-N-[4-(9H-카바졸-9-일)페닐]-N-페닐안트라센-2-아민(약칭: 2YGABPhA), N,N,9-트라이페닐안트라센-9-아민(약칭: DPhAPhA) 등을 들 수 있다.

발광층에 이용할 수 있는 적색계의 형광 발광 재료로서, 테트라센 유도체, 다이아민 유도체 등을 사용할 수 있다. 구체적으로는, N,N,N',N'-테트라키스(4-메틸페닐)테트라센-5,11-다이아민(약칭: p-mPhTD), 7,14-다이페닐-N,N,N',N'-테트라키스(4-메틸페닐)아세나프토[1,2-a]플루오란텐-3,10-다이아민(약칭: p-mPhAFD) 등을 들 수 있다.

본 발명의 일 태양에 있어서, 발광층이 형광 발광 재료(형광 도펀트 재료)를 포함하는 것이 바람직하다.

발광층에 이용할 수 있는 청색계의 인광 발광 재료로서, 이리듐 착체, 오스뮴 착체, 백금 착체 등의 금속 착체가 사용된다. 구체적으로는, 비스[2-(4',6'-다이플루오로페닐)피리디네이토-N,C2']이리듐(III) 테트라키스(1-피라졸릴)보레이트(약칭: FIr6), 비스[2-(4',6'-다이플루오로페닐)피리디네이토-N,C2']이리듐(III) 피콜리네이트(약칭: FIrpic), 비스[2-(3',5'-비스트라이플루오로메틸페닐)피리디네이토-N,C2']이리듐(III) 피콜리네이트(약칭: Ir(CF3ppy)2(pic)), 비스[2-(4',6'-다이플루오로페닐)피리디네이토-N,C2']이리듐(III) 아세틸아세토네이트(약칭: FIracac) 등을 들 수 있다.

발광층에 이용할 수 있는 녹색계의 인광 발광 재료로서, 이리듐 착체 등이 사용된다. 트리스(2-페닐피리디네이토-N,C2')이리듐(III)(약칭: Ir(ppy)3), 비스(2-페닐피리디네이토-N,C2')이리듐(III) 아세틸아세토네이트(약칭: Ir(ppy)2(acac)), 비스(1,2-다이페닐-1H-벤즈이미다졸레이토)이리듐(III) 아세틸아세토네이트(약칭: Ir(pbi)2(acac)), 비스(벤조[h]퀴놀리네이토)이리듐(III) 아세틸아세토네이트(약칭: Ir(bzq)2(acac)) 등을 들 수 있다.

발광층에 이용할 수 있는 적색계의 인광 발광 재료로서, 이리듐 착체, 백금 착체, 터븀 착체, 유로퓸 착체 등의 금속 착체가 사용된다. 구체적으로는, 비스[2-(2'-벤조[4,5-α]싸이엔일)피리디네이토-N,C3']이리듐(III) 아세틸아세토네이트(약칭: Ir(btp)2(acac)), 비스(1-페닐아이소퀴놀리네이토-N,C2')이리듐(III) 아세틸아세토네이트(약칭: Ir(piq)2(acac)), (아세틸아세토네이트)비스[2,3-비스(4-플루오로페닐)퀴녹살리네이토]이리듐(III)(약칭: Ir(Fdpq)2(acac)), 2,3,7,8,12,13,17,18-옥타에틸-21H,23H-포르피린 백금(II)(약칭: PtOEP) 등의 유기 금속 착체를 들 수 있다.

또한, 트리스(아세틸아세토네이트)(모노페난트롤린)터븀(III)(약칭: Tb(acac)3(Phen)), 트리스(1,3-다이페닐-1,3-프로페인다이오네이토)(모노페난트롤린)유로퓸(III)(약칭: Eu(DBM)3(Phen)), 트리스[1-(2-테노일)-3,3,3-트라이플루오로아세토네이토](모노페난트롤린)유로퓸(III)(약칭: Eu(TTA)3(Phen)) 등의 희토류 금속 착체는, 희토류 금속 이온으로부터의 발광(상이한 다중도 사이의 전자 천이)이기 때문에, 인광 발광 재료로서 이용할 수 있다.

본 발명의 일 태양에 있어서, 발광층이 인광 발광 재료(인광 도펀트 재료)를 포함하는 것이 바람직하다.

〔발광층의 호스트 재료〕

발광층은, 전술한 도펀트 재료를 다른 재료(호스트 재료)에 분산시킨 구성으로 해도 된다. 도펀트 재료보다도 최저 공궤도 준위(LUMO 준위)가 높고, 최고 점유 궤도 준위(HOMO 준위)가 낮은 재료를 이용하는 것이 바람직하다.

호스트 재료로서는, 예를 들면

(1) 알루미늄 착체, 베릴륨 착체, 또는 아연 착체 등의 금속 착체,

(2) 옥사다이아졸 유도체, 벤즈이미다졸 유도체, 또는 페난트롤린 유도체 등의 헤테로환 화합물,

(3) 카바졸 유도체, 안트라센 유도체, 페난트렌 유도체, 피렌 유도체, 또는 크라이센 유도체 등의 축합 방향족 화합물,

(4) 트라이아릴아민 유도체 또는 축합 다환 방향족 아민 유도체 등의 방향족 아민 화합물이 사용된다.

본 발명에 따른 유기 EL 소자의 일 태양에 있어서, 상기 발광층이, 호스트 재료로서, 상기 (4) 카바졸 유도체, 안트라센 유도체, 페난트렌 유도체, 피렌 유도체, 또는 크라이센 유도체 등의 축합 방향족 화합물을 포함하는 것이 바람직하고, 이들 중에서도 안트라센 유도체(「안트라센 화합물」이라고도 한다.)를 포함하는 것이 보다 바람직하다.

본 발명에 따른 유기 EL 소자의 일 태양에 있어서, 상기 발광층이 적합한 호스트 재료로서 포함해도 되는 안트라센 화합물로서는, 안트라센환과 다이벤조퓨란환을 갖는 안트라센 화합물인 것이 바람직하다.

예를 들면, 트리스(8-퀴놀리놀레이토)알루미늄(III)(약칭: Alq), 트리스(4-메틸-8-퀴놀리놀레이토)알루미늄(III)(약칭: Almq3), 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리네이토)베릴륨(II)(약칭: BeBq2), 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이토)(4-페닐페놀레이토)알루미늄(III)(약칭: BAlq), 비스(8-퀴놀리놀레이토)아연(II)(약칭: Znq), 비스[2-(2-벤즈옥사졸릴)페놀레이토]아연(II)(약칭: ZnPBO), 비스[2-(2-벤조싸이아졸릴)페놀레이토]아연(II)(약칭: ZnBTZ) 등의 금속 착체;

2-(4-바이페닐릴)-5-(4-tert-뷰틸페닐)-1,3,4-옥사다이아졸(약칭: PBD), 1,3-비스[5-(p-tert-뷰틸페닐)-1,3,4-옥사다이아졸-2-일]벤젠(약칭: OXD-7), 3-(4-바이페닐릴)-4-페닐-5-(4-tert-뷰틸페닐)-1,2,4-트라이아졸(약칭: TAZ), 2,2',2''-(1,3,5-벤젠트라이일)트리스(1-페닐-1H-벤즈이미다졸)(약칭: TPBI), 바쏘페난트롤린(약칭: BPhen), 바쏘큐프로인(약칭: BCP) 등의 헤테로환 화합물;

9-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카바졸(약칭: CzPA), 3,6-다이페닐-9-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카바졸(약칭: DPCzPA), 9,10-비스(3,5-다이페닐페닐)안트라센(약칭: DPPA), 9,10-다이(2-나프틸)안트라센(약칭: DNA), 2-tert-뷰틸-9,10-다이(2-나프틸)안트라센(약칭: t-BuDNA), 9,9'-바이안트릴(약칭: BANT), 9,9'-(스틸벤-3,3'-다이일)다이페난트렌(약칭: DPNS), 9,9'-(스틸벤-4,4'-다이일)다이페난트렌(약칭: DPNS2), 3,3',3''-(벤젠-1,3,5-트라이일)트라이피렌(약칭: TPB3), 9,10-다이페닐안트라센(약칭: DPAnth), 6,12-다이메톡시-5,11-다이페닐크라이센 등의 축합 방향족 화합물; 및

N,N-다이페닐-9-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카바졸-3-아민(약칭: CzA1PA), 4-(10-페닐-9-안트릴)트라이페닐아민(약칭: DPhPA), N,9-다이페닐-N-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카바졸-3-아민(약칭: PCAPA), N,9-다이페닐-N-{4-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]페닐}-9H-카바졸-3-아민(약칭: PCAPBA), N-(9,10-다이페닐-2-안트릴)-N,9-다이페닐-9H-카바졸-3-아민(약칭: 2PCAPA), 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]바이페닐(약칭: NPB 또는 α-NPD), N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-다이페닐-[1,1'-바이페닐]-4,4'-다이아민(약칭: TPD), 4,4'-비스[N-(9,9-다이메틸플루오렌-2-일)-N-페닐아미노]바이페닐(약칭: DFLDPBi), 4,4'-비스[N-(스파이로-9,9'-바이플루오렌-2-일)-N―페닐아미노]바이페닐(약칭: BSPB) 등의 방향족 아민 화합물을 이용할 수 있다. 호스트 재료는 복수종 이용해도 된다.

특히, 청색 형광 소자의 경우에는, 하기의 안트라센 화합물을 호스트 재료로서 이용하는 것이 바람직하다.

[화학식 196]

[화학식 197]

[화학식 198]

본 발명에 따른 유기 EL 소자의 일 태양에 있어서, 발광층이 제1 발광층과 제2 발광층을 포함하는 경우, 제1 발광층을 구성하는 성분 중 적어도 1개가 제2 발광층을 구성하는 성분과는 상이하다. 예를 들면, 제1 발광층에 포함되는 도펀트 재료가 제2 발광층에 포함되는 도펀트 재료와 상이한 태양이나, 제1 발광층에 포함되는 호스트 재료가 제2 발광층에 포함되는 호스트 재료와 상이한 태양을 들 수 있다.

본 발명에 따른 유기 EL 소자의 일 태양에 있어서, 발광층은, 주(主)피크 파장이 500nm 이하의 형광 발광을 나타내는 발광성 화합물(이하, 간단히 "형광 발광성 화합물"이라고 칭하는 경우도 있다)을 함유하고 있어도 된다.

화합물의 주피크 파장의 측정 방법은, 다음과 같다. 측정 대상이 되는 화합물의 5μmol/L 톨루엔 용액을 조제하여 석영 셀에 넣고, 상온(300K)에서 이 시료의 발광 스펙트럼(세로축: 발광 강도, 가로축: 파장으로 한다.)을 측정한다. 발광 스펙트럼은, 주식회사 히타치 하이테크 사이언스제의 분광 형광 광도계(장치명: F-7000)에 의해 측정할 수 있다. 한편, 발광 스펙트럼 측정 장치는, 여기에서 이용한 장치로 한정되지 않는다.

발광 스펙트럼에 있어서, 발광 강도가 최대가 되는 발광 스펙트럼의 피크 파장을 주피크 파장으로 한다. 한편, 본 명세서에 있어서, 주피크 파장을 형광 발광주피크 파장(FL-peak)이라고 칭하는 경우가 있다.

상기 형광 발광성 화합물은, 상기 도펀트 재료여도 되고, 상기 호스트 재료여도 된다.

발광층이 단일의 층인 경우, 도펀트 재료와 호스트 재료 중 한쪽만이 상기 형광 발광성 화합물이어도 되고, 양쪽이 상기 형광 발광성 화합물이어도 된다.

또한, 발광층이 제1 발광층(양극측)과 제2 발광층(음극측)을 포함하는 경우, 제1 발광층과 제2 발광층 중 한쪽만이 상기 형광 발광성 화합물을 포함하고 있어도 되고, 양쪽의 발광층이 상기 형광 발광성 화합물을 포함하고 있어도 된다. 제1 발광층이 상기 형광 발광성 화합물을 포함하는 경우, 제1 발광층에 포함되는 도펀트 재료와 호스트 재료의 한쪽만이 상기 형광 발광성 화합물이어도 되고, 양쪽이 상기 형광 발광성 화합물이어도 된다. 또한, 제2 발광층이 상기 형광 발광성 화합물을 포함하는 경우, 제2 발광층에 포함되는 도펀트 재료와 호스트 재료 중 한쪽만이 상기 형광 발광성 화합물이어도 되고, 양쪽이 상기 형광 발광성 화합물이어도 된다.

유기 EL 소자에 있어서의 발광 대역의 막 두께는, 바람직하게는 5nm 이상 50nm 이하, 보다 바람직하게는 7nm 이상 50nm 이하, 더 바람직하게는 10nm 이상 50nm 이하이다. 발광 대역의 막 두께가 5nm 이상이면, 발광 대역을 형성하기 쉬워지고, 색도도 조정하기 쉬워진다. 발광 대역의 막 두께가 50nm 이하이면, 구동 전압의 상승을 억제하기 쉬워진다.

(전자 수송 대역)

전자 수송 대역은, 전자 주입층, 전자 수송층, 정공 저지층 등으로 구성된다. 전자 수송 대역의 어느 층, 특히 전자 수송층은, 바람직하게는, 알칼리 금속, 알칼리 토류 금속, 희토류 금속, 알칼리 금속의 산화물, 알칼리 금속의 할로젠화물, 알칼리 토류 금속의 산화물, 알칼리 토류 금속의 할로젠화물, 희토류 금속의 산화물, 희토류 금속의 할로젠화물, 알칼리 금속을 함유하는 유기 착체, 알칼리 토류 금속을 함유하는 유기 착체, 및 희토류 금속을 함유하는 유기 착체로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 이상을 함유한다.

(전자 수송층)

전자 수송층은 전자 수송성이 높은 재료(전자 수송성 재료)를 포함하는 층이고, 발광층과 음극 사이, 또는 존재하는 경우는, 전자 주입층과 발광층 사이에 형성된다.

전자 수송층은, 단층 구조여도 되고, 2 이상의 층을 포함하는 다층 구조여도 된다. 예를 들면, 전자 수송층은 제1 전자 수송층(양극측)과 제2 전자 수송층(음극측)을 포함하는 2층 구조여도 된다. 본 발명의 일 태양에 있어서, 상기 단층 구조의 전자 수송층은 발광층에 인접하고 있는(직접 접하고 있는) 것이 바람직하고, 또한 상기 다층 구조 중의 가장 양극에 가까운 전자 수송층, 예를 들면, 상기 2층 구조의 제1 전자 수송층은 발광층에 인접하고 있는(직접 접하고 있는) 것이 바람직하다. 본 발명의 다른 태양에 있어서, 상기 단층 구조의 전자 수송층과 발광층 사이에, 또는 상기 다층 구조 중의 가장 발광층에 가까운 전자 수송층과 발광층 사이에, 후술하는 정공 저지층 등을 개재시켜도 된다.

전자 수송층에는, 예를 들면,

(1) 알루미늄 착체, 베릴륨 착체, 아연 착체 등의 금속 착체,

(2) 이미다졸 유도체, 벤즈이미다졸 유도체, 아진 유도체, 카바졸 유도체, 페난트롤린 유도체 등의 헤테로방향족 화합물,

(3) 고분자 화합물을 사용할 수 있다.

금속 착체로서는, 예를 들면, 트리스(8-퀴놀리놀레이토)알루미늄(III)(약칭: Alq), 트리스(4-메틸-8-퀴놀리놀레이토)알루미늄(약칭: Almq3), 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리네이토)베릴륨(약칭: BeBq₂), 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이토)(4-페닐페놀레이토)알루미늄(III)(약칭: BAlq), 비스(8-퀴놀리놀레이토)아연(II)(약칭: Znq), 비스[2-(2-벤즈옥사졸릴)페놀레이토]아연(II)(약칭: ZnPBO), 비스[2-(2-벤조싸이아졸릴)페놀레이토]아연(II)(약칭: ZnBTZ)을 들 수 있다.

헤테로방향족 화합물로서는, 예를 들면, 2-(4-바이페닐릴)-5-(4-tert-뷰틸페닐)-1,3,4-옥사다이아졸(약칭: PBD), 1,3-비스[5-(p-tert-뷰틸페닐)-1,3,4-옥사다이아졸-2-일]벤젠(약칭: OXD-7), 3-(4-tert-뷰틸페닐)-4-페닐-5-(4-바이페닐릴)-1,2,4-트라이아졸(약칭: TAZ), 3-(4-tert-뷰틸페닐)-4-(4-에틸페닐)-5-(4-바이페닐릴)-1,2,4-트라이아졸(약칭: p-EtTAZ), 바쏘페난트롤린(약칭: BPhen), 바쏘큐프로인(약칭: BCP), 4,4'-비스(5-메틸벤즈옥사졸-2-일)스틸벤(약칭: BzOs)을 들 수 있다.

고분자 화합물로서는, 예를 들면, 폴리[(9,9-다이헥실플루오렌-2,7-다이일)-co-(피리딘-3,5-다이일)](약칭: PF-Py), 폴리[(9,9-다이옥틸플루오렌-2,7-다이일)-co-(2,2'-바이피리딘-6,6'-다이일)](약칭: PF-BPy)을 들 수 있다.

상기 재료는, 10^-6cm²/Vs 이상의 전자 이동도를 갖는 재료이다. 한편, 정공 수송성보다도 전자 수송성이 높은 재료이면, 상기 이외의 재료를 전자 수송층에 이용해도 된다.

전자 수송층은, 단층이어도 되고, 2 이상의 층을 포함하는 다층이어도 된다. 예를 들면, 전자 수송층은 제1 전자 수송층(양극측)과 제2 전자 수송층(음극측)을 포함하는 층이어도 된다. 2 이상의 전자 수송층은, 각각 상기 전자 수송성 재료에 의해 형성된다.

〔전자 주입층〕

전자 주입층은, 전자 주입성이 높은 재료를 포함하는 층이다. 전자 주입층에는, 리튬(Li), 세슘(Cs) 등의 알칼리 금속, 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr) 등의 알칼리 토류 금속, 유로퓸(Eu), 이터븀(Yb) 등의 희토류 금속, 및 이들 금속을 포함하는 화합물을 이용할 수 있다. 그와 같은 화합물로서는, 예를 들면, 알칼리 금속 산화물, 알칼리 금속 할로젠화물, 알칼리 금속 함유 유기 착체, 알칼리 토류 금속 산화물, 알칼리 토류 금속 할로젠화물, 알칼리 토류 금속 함유 유기 착체, 희토류 금속 산화물, 희토류 금속 할로젠화물, 및 희토류 금속 함유 유기 착체를 들 수 있다(예를 들면, 불화 리튬(LiF), 불화 세슘(CsF), 불화 칼슘(CaF₂), 리튬 산화물(LiO_x) 등). 또한, 이들 화합물을 복수 혼합하여 이용할 수도 있다.

그 밖에, 전자 수송성을 갖는 재료에 알칼리 금속, 알칼리 토류 금속, 또는 그들의 화합물을 함유시킨 것, 구체적으로는 Alq 중에 마그네슘(Mg)을 함유시킨 것 등을 이용해도 된다. 한편, 이 경우에는, 음극으로부터의 전자 주입을 보다 효율 좋게 행할 수 있다.

혹은, 전자 주입층에, 유기 화합물과 전자 공여체(도너)를 혼합하여 이루어지는 복합 재료를 이용해도 된다. 이와 같은 복합 재료는, 유기 화합물이 전자 공여체로부터 전자를 수취하기 때문에, 전자 주입성 및 전자 수송성이 우수하다. 이 경우, 유기 화합물로서는, 수취한 전자의 수송이 우수한 재료인 것이 바람직하고, 구체적으로는, 예를 들면 전술한 전자 수송층을 구성하는 재료(금속 착체나 헤테로방향족 화합물 등)를 이용할 수 있다. 전자 공여체로서는, 유기 화합물에 대해 전자 공여성을 나타내는 재료이면 된다. 구체적으로는, 알칼리 금속, 알칼리 토류 금속 및 희토류 금속이 바람직하고, 리튬, 세슘, 마그네슘, 칼슘, 어븀, 이터븀 등을 들 수 있다. 또한, 알칼리 금속 산화물이나 알칼리 토류 금속 산화물이 바람직하고, 리튬 산화물, 칼슘 산화물, 바륨 산화물 등을 들 수 있다. 또한, 산화 마그네슘과 같은 루이스 염기를 이용할 수도 있다. 또한, 테트라싸이아풀발렌(약칭: TTF) 등의 유기 화합물을 이용할 수도 있다.

(음극)

음극에는, 일함수가 작은(구체적으로는 3.8eV 이하) 금속, 합금, 전기 전도성 화합물, 및 이들의 혼합물 등을 이용하는 것이 바람직하다. 이와 같은 음극 재료의 구체예로서는, 원소 주기율표의 제1족 또는 제2족에 속하는 원소, 즉 리튬(Li)이나 세슘(Cs) 등의 알칼리 금속, 및 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr) 등의 알칼리 토류 금속, 및 이들을 포함하는 합금(예를 들면, MgAg, AlLi), 유로퓸(Eu), 이터븀(Yb) 등의 희토류 금속 및 이들을 포함하는 합금 등을 들 수 있다.

한편, 알칼리 금속, 알칼리 토류 금속, 이들을 포함하는 합금을 이용하여 음극을 형성하는 경우에는, 진공 증착법이나 스퍼터링법을 이용할 수 있다. 또한, 은 페이스트 등을 이용하는 경우에는, 도포법이나 잉크젯법 등을 이용할 수 있다.

한편, 전자 주입층을 마련하는 것에 의해, 일함수의 대소에 상관없이, Al, Ag, ITO, 그라펜, 규소 혹은 산화 규소를 함유한 산화 인듐-산화 주석 등 다양한 도전성 재료를 이용하여 음극을 형성할 수 있다. 이들 도전성 재료는, 스퍼터링법이나 잉크젯법, 스핀 코팅법 등을 이용하여 성막할 수 있다.

(절연층)

유기 EL 소자는, 초박막에 전계를 인가하기 때문에, 리크나 쇼트에 의한 화소 결함이 생기기 쉽다. 이것을 방지하기 위해서, 한 쌍의 전극 사이에 절연성의 박막층으로 이루어지는 절연층을 삽입해도 된다.

절연층에 이용되는 재료로서는, 예를 들면, 산화 알루미늄, 불화 리튬, 산화 리튬, 불화 세슘, 산화 세슘, 산화 마그네슘, 불화 마그네슘, 산화 칼슘, 불화 칼슘, 질화 알루미늄, 산화 타이타늄, 산화 규소, 산화 저마늄, 질화 규소, 질화 붕소, 산화 몰리브데넘, 산화 루테늄, 산화 바나듐 등을 들 수 있다. 한편, 이들의 혼합물이나 적층물을 이용해도 된다.

(스페이스층)

상기 스페이스층이란, 예를 들면, 형광 발광층과 인광 발광층을 적층하는 경우에, 인광 발광층에서 생성되는 여기자를 형광 발광층으로 확산시키지 않거나, 혹은 캐리어 밸런스를 조정할 목적으로, 형광 발광층과 인광 발광층 사이에 마련되는 층이다. 또한, 스페이스층은, 복수의 인광 발광층 사이에 마련할 수도 있다. 한편, 여기에서 말하는 「캐리어」란, 물질 중의 전하 담체의 의미이다.

스페이스층은 발광층 사이에 마련되기 때문에, 전자 수송성과 정공 수송성을 겸비하는 재료인 것이 바람직하다. 또한, 인접하는 인광 발광층 내의 삼중항 에너지의 확산을 막기 위해, 삼중항 에너지가 2.6eV 이상인 것이 바람직하다. 스페이스층에 이용되는 재료로서는, 전술한 정공 수송층에 이용되는 것과 마찬가지의 것을 들 수 있다.

(저지층)

전자 저지층, 정공 저지층, 여기자 저지층 등의 저지층을 발광층에 인접하여(직접 접하여) 마련해도 된다. 전자 저지층이란 발광층으로부터 정공 수송층으로 전자가 새는 것을 막는 층이고, 정공 저지층이란 발광층으로부터 전자 수송층으로 정공이 새는 것을 막는 층이다. 여기자 저지층은 발광층에서 생성된 여기자가 주변의 층으로 확산하는 것을 방지하여, 여기자를 발광층 내에 가두는 기능을 갖는다.

(층 형성 방법)

상기 유기 EL 소자의 각 층은 종래 공지된 증착법, 도포법 등에 의해 형성할 수 있다. 예를 들면, 진공 증착법, 분자선 증착법(MBE법) 등의 증착법; 스퍼터링법, 플라즈마법, 이온 플레이팅법 등의 건식 성막법; 층을 형성하는 화합물의 용액을 이용한, 디핑법, 스핀 코팅법, 캐스팅법, 플로 코팅법, 바 코팅법, 롤 코팅법, 잉크젯법 등의 습식 성막법; 등에 의한 공지된 방법으로 형성할 수 있다.

전술한 각 층의 막 두께는 특별히 제한되지 않지만, 핀홀 등의 결함이 생기기 쉬워지는 것을 방지하는 관점에서, 5nm 이상인 것이 바람직하고, 구동 전압의 상승을 억제하기 쉬운 관점에서, 10nm 이하인 것이 바람직하다. 이와 같은 관점에서, 5nm∼10μm가 바람직하고, 10nm∼0.2μm가 보다 바람직하다. 한편, 발광 대역의 두께는 전술한 대로이다.

[전자 기기]

본 발명의 일 실시형태에 따른 유기 EL 소자는, 표시 장치나 발광 장치 등의 전자 기기에 사용할 수 있다. 표시 장치로서는, 예를 들면, 유기 EL 패널 모듈 등의 표시 부품, 텔레비전, 휴대 전화, 태블릿 혹은 퍼스널 컴퓨터 등을 들 수 있다. 발광 장치로서는, 예를 들면, 조명, 혹은 차량용 등구 등을 들 수 있다.

상기 유기 EL 소자는, 유기 EL 패널 모듈 등의 표시 부품, 텔레비전, 휴대 전화, 퍼스널 컴퓨터 등의 표시 장치, 및 조명, 차량용 등구의 발광 장치 등의 전자 기기에 사용할 수 있다.

실시예

이하, 실시예를 이용하여 본 발명을 더 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시예로 한정되는 것은 아니다.

실시예 1∼20 및 비교예 2∼5의 유기 EL 소자의 제조에 화합물(1a)로서 이용한 화합물 HT1-Inv-1 및 HT1-Inv-4, 및 화합물(1b)로서 이용한 화합물 HT1-Inv-2, 화합물 HT1-Inv-3, 및 화합물 HT1-Inv-5HT1-Inv-8

[화학식 199]

실시예 1∼20 및 비교예 1∼6의 유기 EL 소자의 제조에 화합물(2)로서 이용한 화합물 HT2-Inv1∼화합물 HT2-Inv-7

[화학식 200]

실시예 1∼20 및 비교예 1∼6의 유기 EL 소자의 제조에 화합물(3)으로서 이용한 화합물 BH-Inv-1

[화학식 201]

비교예 1, 및 3∼6의 유기 EL 소자의 제조에 이용한 비교 화합물 HT1-Ref-1, HT1-Ref-2, 및 BH-Ref-1

[화학식 202]

각 실시예 및 비교예의 유기 EL 소자의 제조에 이용한 다른 화합물

[화학식 203]

유기 EL 소자의 제작

실시예 1

가로 25mm×세로 75mm×두께 1.1mm의 ITO 투명 전극(양극) 부착 유리 기판(지오마텍 주식회사제)을, 아이소프로필 알코올 중에서 5분간 초음파 세정한 후, 30분간 UV 오존 세정했다. ITO의 막 두께는, 130nm로 했다.

세정 후의 ITO 투명 전극 부착 유리 기판을 진공 증착 장치의 기판 홀더에 장착하고, 우선 투명 전극이 형성되어 있는 면 상에 투명 전극을 덮도록 해서 화합물 HT1-Inv-1과 화합물 HI-1을 공증착하여, 막 두께 10nm의 정공 주입층을 형성했다. 화합물 HT1-Inv-1과 화합물 HI-1의 질량비(HT1-Inv-1:HI-1)는 97:3이었다.

다음으로, 정공 주입층 상에 화합물 HT1-Inv-1을 증착하여, 막 두께 85nm의 제1 정공 수송층을 형성했다.

다음으로, 이 제1 정공 수송층 상에 화합물 HT2-Inv-1을 증착하여, 막 두께 5nm의 제2 정공 수송층을 형성했다.

다음으로, 이 제2 정공 수송층 상에, 화합물 BH-1(호스트 재료)과 화합물 BD-1(도펀트 재료)을 공증착하여, 막 두께 20nm의 발광층을 형성했다. 화합물 BH-1과 화합물 BD-1의 질량비(BH-1:BD-1)는 99:1이었다.

다음으로, 이 발광층 상에, 화합물 ET-1을 증착하여, 막 두께 5nm의 제1 전자 수송층을 형성했다.

다음으로, 이 제1 전자 수송층 상에, 화합물 ET-2와 Liq를 공증착하여 막 두께 31nm의 제2 전자 수송층을 형성했다. 화합물 ET-2와 (8-퀴놀리놀레이토)리튬(약칭: Liq)의 질량비(ET-2:Liq)는 50:50이었다.

다음으로, 이 제2 전자 수송층 상에, Liq를 증착하여 막 두께 1nm의 전자 주입성 전극을 형성했다.

그리고, 이 전자 주입성 전극 상에 금속 Al을 증착하여 막 두께 80nm의 금속음극을 형성했다.

이와 같이 해서 얻어진 유기 EL 소자의 층 구성을 이하에 나타낸다.

ITO(130)/HT1-Inv-1:HA=97:3(10)/HT1-Inv-1(85)/HT2-Inv-1(5)/BH-Inv-1:BD-1=99:1(20)/ET-1(5)/ET-2:Liq=50:50(31)/Liq(1)/Al(80)

상기 층 구성에 있어서, 괄호 내의 숫자는 막 두께(nm)이고, 비는 질량비이다.

실시예 2

제2 정공 수송층 재료로서, 화합물 HT2-Inv-1 대신에 화합물 HT2-Inv-2를 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 해서 유기 EL 소자를 제작했다.

실시예 3

제2 정공 수송층 재료로서, 화합물 HT2-Inv-1 대신에 화합물 HT2-Inv-3을 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 해서 유기 EL 소자를 제작했다.

실시예 4

제2 정공 수송층 재료로서, 화합물 HT2-Inv-1 대신에 화합물 HT2-Inv-4를 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 해서 유기 EL 소자를 제작했다.

실시예 5

발광층의 도펀트 재료로서, 화합물 BD-1 대신에 화합물 BD-2를 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 해서 유기 EL 소자를 제작했다.

비교예 1

화합물 HT1-Inv-1 대신에 비교 화합물 HT1-Ref-1을 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 해서 유기 EL 소자를 제작했다.

비교예 2

제1 정공 수송층 재료로서, 화합물 HT1-Inv-1 대신에 비교 화합물 HT1-Inv-3을 이용하고, 제2 정공 수송층은 마련하지 않고서, 제1 정공 수송층 상에 발광층을 형성한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 해서 유기 EL 소자를 제작했다.

비교예 3

발광층의 호스트 재료로서, 화합물 BH-Inv-1 대신에 화합물 BH-Ref-1을 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 해서 유기 EL 소자를 제작했다.

비교예 4

제1 정공 수송층 재료로서, 화합물 HT1-Inv-1 대신에 화합물 HT1-Inv-2를 이용하고, 제2 정공 수송층 재료로서, 화합물 HT2-Inv-1 대신에 화합물 HT2-Inv-5를 이용하고, 발광층의 호스트 재료로서, 화합물 BH-Inv-1 대신에 화합물 BH-Ref-1을 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 해서 유기 EL 소자를 제작했다.

비교예 5

발광층의 도펀트 재료로서, 화합물 BD-1 대신에 화합물 BD-2를 이용한 것 이외에는, 비교예 4와 마찬가지로 해서 유기 EL 소자를 제작했다.

비교예 6

제1 정공 수송층 재료로서, 화합물 HT1-Inv-1 대신에 화합물 HT1-Ref-2를 이용한 것 이외에는, 비교예 5와 마찬가지로 해서 유기 EL 소자를 제작했다.

실시예 6

제1 정공 수송층 재료로서, 화합물 HT1-Inv-1 대신에 화합물 HT1-Inv-4를 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 해서 유기 EL 소자를 제작했다.

실시예 7

제2 정공 수송층 재료로서, 화합물 HT2-Inv-1 대신에 화합물 HT2-Inv-2를 이용한 것 이외에는, 실시예 6과 마찬가지로 해서 유기 EL 소자를 제작했다.

실시예 8

제2 정공 수송층 재료로서, 화합물 HT2-Inv-1 대신에 화합물 HT2-Inv-3을 이용한 것 이외에는, 실시예 6과 마찬가지로 해서 유기 EL 소자를 제작했다.

실시예 9

제1 정공 수송층 재료로서, 화합물 HT1-Inv-1 대신에 화합물 HT1-Inv-5를 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 해서 유기 EL 소자를 제작했다.

실시예 10

제2 정공 수송층 재료로서, 화합물 HT2-Inv-1 대신에 화합물 HT2-Inv-2를 이용한 것 이외에는, 실시예 9와 마찬가지로 해서 유기 EL 소자를 제작했다.

실시예 11

제2 정공 수송층 재료로서, 화합물 HT2-Inv-1 대신에 화합물 HT2-Inv-3을 이용한 것 이외에는, 실시예 9와 마찬가지로 해서 유기 EL 소자를 제작했다.

실시예 12

제2 정공 수송층 재료로서, 화합물 HT2-Inv-1 대신에 화합물 HT2-Inv-6을 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 해서 유기 EL 소자를 제작했다.

실시예 13

제1 정공 수송층 재료로서, 화합물 HT1-Inv-1 대신에 화합물 HT1-Inv-4를 이용한 것 이외에는, 실시예 12와 마찬가지로 해서 유기 EL 소자를 제작했다.

실시예 14

제1 정공 수송층 재료로서, 화합물 HT1-Inv-1 대신에 화합물 HT1-Inv-5를 이용한 것 이외에는, 실시예 12와 마찬가지로 해서 유기 EL 소자를 제작했다.

실시예 15

제2 정공 수송층 재료로서, 화합물 HT2-Inv-1 대신에 화합물 HT2-Inv-7을 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 해서 유기 EL 소자를 제작했다.

실시예 16

제1 정공 수송층 재료로서, 화합물 HT1-Inv-1 대신에 화합물 HT1-Inv-4를 이용한 것 이외에는, 실시예 15와 마찬가지로 해서 유기 EL 소자를 제작했다.

실시예 17

제1 정공 수송층 재료로서, 화합물 HT1-Inv-1 대신에 화합물 HT1-Inv-5를 이용한 것 이외에는, 실시예 15와 마찬가지로 해서 유기 EL 소자를 제작했다.

실시예 18

제1 정공 수송층 재료로서, 화합물 HT1-Inv-1 대신에 화합물 HT1-Inv-6을 이용하고, 제2 정공 수송층 재료로서, 화합물 HT2-Inv-1 대신에 화합물 HT2-Inv-2를 이용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로 해서 유기 EL 소자를 제작했다.

실시예 19

제1 정공 수송층 재료로서, 화합물 HT1-Inv-6 대신에 화합물 HT1-Inv-7을 이용한 것 이외에는, 실시예 18과 마찬가지로 해서 유기 EL 소자를 제작했다.

실시예 20

제1 정공 수송층 재료로서, 화합물 HT1-Inv-6 대신에 화합물 HT1-Inv-8을 이용한 것 이외에는, 실시예 18과 마찬가지로 해서 유기 EL 소자를 제작했다.

유기 EL 소자의 평가

(1) 구동 전압의 측정

전류 밀도가 10mA/cm²가 되도록 유기 EL 소자에 전압을 인가했을 때의 전압(단위: V)을 측정했다. 결과를 표 1에 나타낸다.

(2) 외부 양자 효율(EQE)의 측정

얻어진 유기 EL 소자를 실온하, 전류 밀도 10mA/cm²로 직류 정전류 구동했다. 휘도계(미놀타사제 분광 휘도 방사계 CS-1000)를 이용하여 휘도를 측정하고, 그 결과로부터 외부 양자 효율(%)을 구했다. 결과를 표 1에 나타낸다.

표 1의 결과로부터 분명한 바와 같이, 실시예 1∼20의 유기 EL 소자는, 비교예 1의 유기 EL 소자에 비해, 외부 양자 효율이 높다. 또한, 실시예 1∼20의 유기 EL 소자는, 비교예 2, 3 및 6의 유기 EL 소자에 비해, 구동 전압이 낮고 외부 양자 효율이 높다. 또한, 실시예 1∼20의 유기 EL 소자는, 비교예 4 및 5의 유기 EL 소자에 비해, 구동 전압이 낮다. 즉, 실시예 1∼20의 유기 EL 소자는, 소자 성능이 개선되어 있는 것을 알 수 있다.

합성예에서 합성한 화합물(1a)인 화합물 HT1-Inv-1 및 HT1-Inv-4, 및 화합물(1b)인 화합물 HT1-Inv-2, 화합물 HT1-Inv-3, 및 화합물 HT1-Inv-5HT1-Inv-8

[화학식 204]

합성예 1: 화합물 HT1-Inv-1의 합성

[화학식 205]

중간체 B(2.7g, 8.4mmol), 2-브로모-9,9-다이메틸플루오렌(5.736g, 21mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0)(0.154g, 0.168mmol), 트라이-t-뷰틸포스포늄 테트라플루오로붕산염(0.195g, 0.672mmol), 나트륨 tert-뷰톡사이드(2.260g, 23.52mmol), 자일렌(56mL)의 혼합물을 120℃에서 5시간 교반했다. 반응액을 실온으로 냉각한 후, 감압 농축했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 및 재결정으로 정제하여, 4.03g의 백색 고체를 얻었다. 수율은 68%였다.

얻어진 백색 고체는, 매스 스펙트럼 분석의 결과, 화합물 HT1-Inv-1이고, 분자량 705.95에 대해 m/e=706이었다.

상기 합성예 1에서 이용한 중간체 B는, 이하와 같이 합성했다.

중간체 합성예 1-1: 중간체 A의 합성

[화학식 206]

아르곤 분위기하, 1-브로모-2-아이오도벤젠(11.37g, 40.2mmol), 2-바이페닐보론산(6.58g, 33.2mmol), 비스(트라이페닐포스핀)팔라듐(II) 다이클로라이드(1.16g, 1.66mmol), 탄산 나트륨(19.02g, 179mmol), DME(200mL), 에탄올(8mL) 및 물(90mL)의 혼합물을 80℃에서 7시간 교반했다. 반응액을 실온으로 냉각하고, 감압 농축했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 무색 액체(8.05g)의 중간체 A를 얻었다. 수율은 78%였다.

중간체 합성예 1-2: 중간체 B의 합성

[화학식 207]

얻어진 중간체 A(8.05g, 26mmol), 2-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-다이옥사보로란-2-일)아닐린(5.99g, 27.3mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0)(0.238g, 0.26mmol), 2-다이사이클로헥실포스피노-2',4',6'-트라이아이소프로필바이페닐(Xphos)(0.496g, 1.04mmol), 인산 삼칼륨(16.58g, 78mmol), 1,4-다이옥세인(174mL) 및 물(39mL)의 혼합물을 아르곤 분위기하, 100℃에서 5시간 교반했다. 반응액을 실온으로 냉각하고, 물을 가한 후, 감압 농축했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 담황색 고체(8.28g)의 중간체 B를 얻었다. 수율은 99%였다.

합성예 2: 화합물 HT1-Inv-2의 합성

[화학식 208]

아르곤 분위기하, N-(9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-일) 4.02g(10.0mmol), 2-브로모-1,1'-바이페닐 2.33g(10.0mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0) 0.183g(0.20mmol), 트라이-tert-뷰틸포스포늄 테트라플루오로보레이트 0.232g(0.80mmol), 나트륨 tert-뷰톡사이드 1.35g(14.0mmol), 자일렌 100mL의 혼합물을 110℃에서 7시간 교반했다. 반응액을 실온으로 냉각한 후, 감압 농축했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 및 재결정으로 정제하여, 4.26g의 백색 고체를 얻었다. 수율은 77%였다.

얻어진 백색 고체는, 매스 스펙트럼 분석의 결과, 화합물 HT1-Inv-2이고, 분자량 553.75에 대해 m/e=554였다.

합성예 3: 화합물 HT1-Inv-3의 합성

[화학식 209]

합성예 2에서 사용한 2-브로모-1,1'-바이페닐 대신에, 4-브로모바이페닐을 이용하는 것 외에는, 합성예 2와 마찬가지의 조작을 행하여, 약간 황색을 나타낸 고체를 3.04g 얻었다. 수율은 55%였다. 얻어진 고체는, 매스 스펙트럼 분석의 결과, 화합물 HT1-Inv-3이고, 분자량 553.75에 대해 m/e=554였다.

합성예 4: 화합물 HT1-Inv-4의 합성

[화학식 210]

중간체 C(4.5g, 18.34mmol), 2-브로모-9,9-다이메틸플루오렌(11.02g, 40.4mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0)(0.672g, 0.734mmol), 트라이-t-뷰틸포스포늄 테트라플루오로붕산염(0.851g, 0.293mmol), 나트륨-t-뷰톡사이드(4.940g, 51.4mmol), 자일렌(122mL)의 혼합물을 120℃에서 5시간 교반했다. 반응액을 실온으로 냉각한 후, 감압 농축했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 및 재결정으로 정제하여, 4.29g의 백색 고체를 얻었다. 수율은 37%였다.

얻어진 것은, 매스 스펙트럼 분석의 결과, 화합물 HT1-Inv-4이고, 분자량 629.85에 대해 m/e=630이었다.

상기 합성예 4에서 이용한 중간체 C는, 이하와 같이 합성했다.

중간체 합성예 1-3: 중간체 C의 합성

[화학식 211]

아르곤 분위기하, 2-브로모바이페닐(4.66g, 20mmol), 2-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-다이옥사보로란-2-일)아닐린(4.82g, 22.0mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0)(0.183g, 0.20mmol), 2-다이사이클로헥실포스피노-2',4',6'-트라이아이소프로필바이페닐(Xphos)(0.381g, 0.8mmol), 인산 삼칼륨 수용액(30mL, 60mmol) 및 1,4-다이옥세인(133mL)의 혼합물을 아르곤 분위기하, 100℃에서 5시간 교반했다. 반응액을 실온으로 냉각하고, 물을 가한 후, 감압 농축했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 담황색 고체(4.9g)의 중간체 C를 얻었다. 수율은 99%였다.

합성예 5: 화합물 HT1-Inv-5의 합성

[화학식 212]

합성예 4에 있어서 사용한 중간체 C 대신에 중간체 D를 이용하는 것 외에는 합성예 4와 마찬가지의 조작을 행하여, 백색 고체를 얻었다. 수율은, 26%였다.

얻어진 것은, 매스 스펙트럼 분석의 결과 화합물 HT1-Inv-5이고, 분자량 731.98에 대해 m/e=732였다.

상기 합성예 5에서 이용한 중간체 D는, 이하와 같이 합성했다.

중간체 합성예 1-5: 중간체 D의 합성

[화학식 213]

중간체 합성예 1-3에 있어서 사용한 2-브로모바이페닐 대신에 2-브로모-9-메틸-9-페닐-9H-플루오렌을 이용하는 것 외에는 중간체 합성예 1-3과 마찬가지의 조작을 행하여, 중간체 D를 얻었다. 수율은 99%였다.

합성예 6: 화합물 HT1-Inv-6의 합성

[화학식 214]

중간체 E(4.19g, 8.89mmol), 비스(9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-일)아민(3.5g, 8.72mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0)(0.08g, 0.087mmol), 트라이-t-뷰틸포스포늄 테트라플루오로붕산염(0.101g, 0.349mmol), 나트륨-t-뷰톡사이드(1.173g, 12.2mmol), 자일렌(87mL)의 혼합물을 120℃에서 5시간 교반했다. 반응액을 실온으로 냉각한 후, 감압 농축했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 및 재결정으로 정제하여, 5.46g의 백색 고체를 얻었다. 수율은 79%였다.

얻어진 것은, 매스 스펙트럼 분석의 결과, 화합물 HT1-Inv-6이고, 분자량 792.03에 대해 m/e=792였다.

상기 합성예 6에서 이용한 중간체 E는, 이하와 같이 합성했다.

중간체 합성예 1-6: 중간체 E의 합성

[화학식 215]

아르곤 분위기하, 2-(2-브로모페닐)바이페닐(10g, 32.3mmol)과 THF(108mL)를 혼합하여, -78℃로 냉각한 후, 노말 뷰틸리튬의 헥세인 용액(21.7mL, 34.0mmol)을 적하하고, 1시간 교반했다. 4-브로모-9-플루오렌온의 THF 용액(100mL, 32.3mmol)을 적하하고, -78℃에서 1시간 교반한 후, 실온까지 승온을 행했다. 염화 암모늄 수용액을 이용하여 반응을 정지시킨 후, 아세트산 에틸을 가하고 교반했다. 분액 깔때기를 이용하여 수층을 제거한 후, 얻어진 용액을 감압 증류 제거했다. 얻어진 담황색의 오일, p-톨루엔설폰산 일수화물(0.435g, 2.28mmol) 및 톨루엔(131mL)을 가하고, 환류하 1시간 가열 교반을 행했다. 반응액을 실온으로 냉각하고, 물을 가한 후, 감압 농축했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 담황색 고체(12.7g)의 중간체 E를 얻었다. 수율은 83%였다.

합성예 7: 화합물 HT1-Inv-7의 합성

[화학식 216]

합성예 6에 있어서 사용한 중간체 E 대신에 4-브로모-9,9-다이페닐-9H-플루오렌을 이용하는 것 외에는 합성예 6과 마찬가지의 조작을 행하여, 백색 고체를 얻었다. 수율은, 67%였다.

얻어진 것은, 매스 스펙트럼 분석의 결과, 화합물 HT1-Inv-7이고, 분자량 717.95에 대해 m/e=718이었다.

합성예 8: 화합물 HT1-Inv-8의 합성

[화학식 217]

합성예 6에 있어서 사용한 중간체 E 대신에 4-브로모다이벤조퓨란을 이용하는 것 외에는 합성예 6과 마찬가지의 조작을 행하여, 백색 고체를 얻었다. 수율은, 70%였다.

얻어진 것은, 매스 스펙트럼 분석의 결과, 화합물 HT1-Inv-8이고, 분자량 567.73에 대해 m/e=567이었다.

합성예에서 합성한 화합물(2)인 화합물 HT2-Inv1∼화합물 HT1-Inv-7

[화학식 218]

합성예 9: 화합물 HT2-Inv-1의 합성

[화학식 219]

아르곤 분위기하, N-[1,1'-바이페닐]-4-일-[1,1'-바이페닐]-4-아민 900g(2.80mol), (9-(4'-클로로[1,1'-바이페닐]-3-일)-9H-카바졸 991g(2.80mol), 아세트산 팔라듐 12.6g(0.0560mol), XPhos 53.4g(0.112mol), 나트륨 tert-뷰톡사이드 323g(3.36mol), 자일렌 9.5L의 혼합물을 125℃에서 2시간 가열했다. 반응액을 실온으로 냉각한 후, 감압 농축했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 및 재결정으로 정제하여, 1252g의 백색 고체를 얻었다. 수율은 70%였다.

얻어진 백색 고체는, 매스 스펙트럼 분석의 결과, 화합물 HT2-Inv-1이고, 분자량 638.81에 대해 m/e=639였다.

합성예 10: 화합물 HT2-Inv-2의 합성

[화학식 220]

아르곤 분위기하, N-[1,1'-바이페닐]-4-일-[1,1':4',1"-터페닐]-4-아민 3.98g(10.0mmol), 중간체 2B 3.45g(10.5mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0) 0.183g(0.20mmol), SPhos 0.328g(0.80mmol), 나트륨 tert-뷰톡사이드 3.85g(14.0mmol), 톨루엔 67mL의 혼합물을 가열 환류하, 6시간 교반했다. 반응액을 실온으로 냉각한 후, 감압 농축했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 및 재결정으로 정제하여, 5.85g의 백색 고체를 얻었다. 수율은 85%였다.

얻어진 백색 고체는, 매스 스펙트럼 분석의 결과, 화합물 HT2-Inv-2이고, 분자량 689.86에 대해 m/e=690이었다.

상기 합성예 10에서 이용한 중간체 2B는, 이하와 같이 합성했다.

중간체 합성예 2-1: 중간체 2A의 합성

[화학식 221]

(1) 중간체 2A-1의 합성

아르곤 분위기하, 2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 7.2g, 테트라하이드로퓨란(탈수) 60mL를 플라스크에 넣고, -43℃로 냉각했다. 거기에 n-BuLi(헥세인 중 1.55M) 33mL를 가하고, 그 후, -40℃에서 30분 교반했다. 다음으로 -69℃로 냉각하고, (ⁱPrO)₃B 16.0mL를 가하고, -78℃에서 5분간 교반한 후, 1-플루오로나프탈렌 5.00g이 용해된 THF 용액 20mL를 적하로 가하고, 아이스 배스 중에서 10시간 교반했다. 반응 종료 후, 1N HCl aq.(100mL)를 가하고, 실온에서 1시간 교반했다. 그 후 분액 깔때기로 옮겨, 아세트산 에틸로 추출했다. 이 용액을 무수 황산 마그네슘으로 건조한 후, 농축하고, 헥세인으로 세정하여, (1-플루오로나프탈렌-2-일)보론산(중간체 2A-1)의 백색 고체 6.13g(수율 71%)을 얻었다.

(2) 중간체 2A-2의 합성

아르곤 분위기하, (1-플루오로나프탈렌-2-일)보론산(중간체 2A-1) 4.52g, 2-브로모-1,3-다이메톡시벤젠 4.30g, 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0) 0.91g, 2-다이사이클로헥실포스피노-2',6'-다이메톡시바이페닐(SPhos) 0.81g, 인산 삼칼륨 12.6g 및 톨루엔(탈수) 10mL를 플라스크에 투입하고, 7시간 가열 환류 교반했다. 실온까지 냉각 후, 반응 용액을 톨루엔을 이용하여 추출하고, 수층을 제거한 후, 유기층을 포화 식염수로 세정했다. 유기층을 무수 황산 나트륨으로 건조시킨 후, 농축하고, 잔사를 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피로 정제하여 2-(2,6-다이메톡시페닐)-1-플루오로나프탈렌(중간체 2A-2) 4.70g(수율 84%)을 얻었다.

(3) 중간체 2A-3의 합성

아르곤 분위기하, 2-(2,6-다이메톡시페닐)-1-플루오로나프탈렌(중간체 2A-2) 4.70g 및 다이클로로메테인(탈수) 210mL를 플라스크에 넣고, 0℃로 냉각했다. 거기에 1.0mol/l 삼브로민화 붕소 다이클로로메테인 용액 41mL를 가하고, 그 후 실온에서 4시간 교반했다. 반응 종료 후, 용액을 -78℃로 냉각하고, 메탄올로 신중하게 실활시키고, 충분량의 물로 더 실활시켰다. 용액을 분액 깔때기로 옮겨, 다이클로로메테인으로 추출하고, 무수 황산 나트륨으로 건조한 후, 실리카 겔 쇼트 칼럼을 통과시켜 원점 불순물의 제거를 행하고, 용액을 농축하고, 얻어진 시료를 실온에서 3시간 진공 건조하여 2-(3-플루오로나프탈렌-2-일)벤젠-1,3-다이올(중간체 2A-3)의 투명 유상(油狀)물 4.00g(94%)을 얻었다.

(4) 중간체 2A-4의 합성

아르곤 분위기하, 2-(3-플루오로나프탈렌-2-일)벤젠-1,3-다이올(중간체 2A-3) 4.00g, N-메틸-2-피롤리딘온(탈수) 15mL 및 K₂CO₃ 3.26g을 플라스크에 넣고, 그 후 150℃에서 2시간 교반했다. 반응 종료 후, 용액을 실온까지 냉각하고, 아세트산 에틸(200mL)을 가하고, 분액 깔때기로 옮기고, 물로 세정했다. 이 용액을 무수 황산 나트륨으로 건조한 후, 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피로 정제하여 나프토[1,2-b]벤조퓨란-7-올(중간체 2A-4)의 백색 고체 1.25g(수율 34%)을 얻었다.

(5) 중간체 2A의 합성

아르곤 분위기하, 나프토[1,2-b]벤조퓨란-7-올(중간체 2A-4) 1.25g, N,N-다이메틸-4-아미노피리딘 65mg, 트라이플루오로메테인설폰산 무수물 1.08mL 및 다이클로로메테인(탈수) 27mL를 플라스크에 넣고, 0℃로 냉각했다. 피리딘(탈수) 10.6mL를 적가(滴加)하고, 그 후 실온에서 2시간 교반했다. 반응 종료 후, 충분량의 물로 실활시켰다. 용액을 분액 깔때기로 옮겨, 다이클로로메테인으로 추출하고, 무수 황산 나트륨으로 건조한 후, 실리카 겔 쇼트 칼럼을 통과시켜 원점 불순물의 제거를 행하고, 용액을 농축하고, 얻어진 시료를 실온에서 3시간 진공 건조하여 나프토[1,2-b]벤조퓨란-7-일 트라이플루오로메테인설포네이트(중간체 2A)의 백색 고체 1.50g(77%)을 얻었다.

중간체 합성예 2-2: 중간체 2B의 합성

[화학식 222]

아르곤 분위기하, 중간체 2A 10g(27.3mmol), 2-클로로페닐보론산 4.70g(30.0mmol), 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0) 0.631g(0.546mmol), 2M 탄산 나트륨 수용액 27.3mL(54.6mmol), 1,4-다이옥세인 90mL의 혼합물을 80℃에서 2시간 교반했다. 반응액을 실온으로 냉각하고, 물을 가한 후, 여과했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 및 재결정으로 정제하여, 6.28g의 백색 고체로서 중간체 2B를 얻었다. 수율은 69%였다.

합성예 11: 화합물 HT2-Inv-3의 합성

[화학식 223]

아르곤 분위기하, N-[4-(다이벤조[b,d]퓨란-4-일)페닐][1,1'-바이페닐]-4-아민 6.58g(16.0mmol), 중간체 2C 5.54g(17.6mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0) 0.293g(0.32mmol), 트라이-tert-뷰틸포스포늄 테트라플루오로붕산염 0.371g(1.28mmol), 나트륨 tert-뷰톡사이드 2.31g(24.0mmol), 자일렌 80mL의 혼합물을 110℃에서 2.5시간 교반했다. 반응액을 실온으로 냉각한 후, 감압 농축했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 및 재결정으로 정제하여, 백색 고체(3.021g)를 얻었다. 수율은 27%였다.

얻어진 백색 고체는, 매스 스펙트럼 분석의 결과, 화합물 HT2-Inv-3이고, 분자량 689.86에 대해 m/e=690이었다.

상기 합성예 11에서 이용한 중간체 2C는, 이하와 같이 합성했다.

중간체 합성예 2-3: 중간체 2C의 합성

[화학식 224]

아르곤 분위기하, 1-브로모-4-클로로벤젠 3.83g(20.0mmol), 3-(나프탈렌-1-일)페닐보론산 5.46g(22.0mmol), 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0) 0.693g(0.60mmol), 탄산 나트륨 6.36g(60.0mmol), DME 80mL 및 물 20mL의 혼합물을 80℃에서 7시간 교반했다. 반응액을 실온으로 냉각하고, 물을 가한 후, 여과했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 및 재결정으로 정제하여, 5.783g의 백색 고체로서 중간체 2C를 얻었다. 수율은 92%였다.

합성예 12: 화합물 HT2-Inv-4의 합성

[화학식 225]

합성예 11에 있어서 N-[4-(다이벤조[b,d]퓨란-4-일)페닐][1,1'-바이페닐]-4-아민 대신에 N-[1,1'-바이페닐]-4-일-[1,1':4',1"-터페닐]-4-아민을 이용하는 것 외에는 마찬가지의 조작을 행하여, 백색 고체를 얻었다. 수율은 49%였다.

얻어진 백색 고체는, 매스 스펙트럼 분석의 결과, 화합물 HT2-Inv-4이고, 분자량 675.88에 대해 m/e=676이었다.

합성예 13: 화합물 HT2-Inv-5의 합성

[화학식 226]

아르곤 분위기하, N-(4-(나프탈렌-1-일)페닐)나프탈렌-1-아민 3.21g, 중간체 2D 3.25g, 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0) 0.170g, 트라이-t-뷰틸포스포늄 테트라플루오로붕산염 0.216g, 나트륨 tert-뷰톡사이드 2.68g, 톨루엔 53mL를 혼합시키고, 110℃에서 4시간 교반했다. 반응 혼합물을 실온으로 냉각한 후, 감압 농축했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피, 및 톨루엔과 헥세인의 혼합 용매로 재결정으로 정제하여, 백색 고체 6.04g을 얻었다. 수율은 68%였다.

얻어진 백색 고체는, 매스 스펙트럼 분석의 결과, 화합물 HT2-Inv-5이고, 분자량 649.84에 대해 m/e=650이었다.

상기 합성예 13에서 이용한 중간체 2D는, 이하와 같이 합성했다.

중간체 합성예 2-4: 중간체 2D의 합성

[화학식 227]

중간체 2D-1의 합성

아르곤 분위기하, 3,4-다이브로모아닐린 85.0g, 페닐보론산 99.0g, 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0) 7.83g, 2M 탄산 나트륨 수용액 813mL, 및 1,2-다이메톡시에테인 800mL를 혼합시키고, 80℃에서 3시간 교반했다. 그 후, 아세트산 에틸로 추출했다. 이 유기층을 무수 황산 마그네슘으로 건조한 후, 농축하고, 잔사를 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, [1,1':2',1"-터페닐]-4'-아민(중간체 2D-1) 78.5g을 얻었다. 수율은 94%였다.

중간체 2D-2의 합성

아르곤 분위기하, 중간체 2D-1 25.0g, 아세토나이트릴 360mL를 플라스크에 넣고, 완전 용해시켰다. 거기에, p-톨루엔설폰산 58.2g을 가하고, 그 후, 0℃로 했다. 그 혼합물에, 아이오딘화 칼륨 42.3g, 및 아질산 나트륨 14.1g이 용해된 수용액 180mL를, 30분에 걸쳐 적하하여 가했다. 빙랭하 30분 교반 후, 물 600mL를 가하고, 실온으로 되돌리면서, 2시간 더 교반했다. 계속해서, 생긴 고체를 여과 채취하고, 이것을 톨루엔 500mL에 용해시키고, 추가로 황산 나트륨 수용액을 가하여 추출했다. 이 유기층을 무수 황산 마그네슘으로 건조한 후, 농축하고, 헥세인으로 세정하여, 4'-아이오도-1,1':2',1"-터페닐(중간체 2D-2) 29.0g을 얻었다. 수율은 80%였다.

중간체 2D의 합성

아르곤 분위기하, 중간체 2D-2 22.5g, 4-클로로페닐보론산 9.88g, 다이클로로비스[다이-tert-뷰틸(4-다이메틸아미노페닐)포스핀]팔라듐(II) 1.34g, 2M 탄산 나트륨 수용액 60mL, 및 1,2-다이메톡시에테인 240mL를 혼합시키고, 80℃에서 1.5시간 교반했다. 그 후, 물을 가하고, 석출된 고체를 여과 채취했다. 이 고체를 톨루엔과 헥세인의 혼합 용매로 재결정하여, 4'-(4-클로로페닐)-1,1':2',1"-터페닐(중간체 2D) 18.3g을 얻었다. 수율은 85%였다.

합성예 14: 화합물 HT2-Inv-6의 합성

[화학식 228]

중간체 2B(10.85g, 33.0mmol), 비스(4-(나프탈렌-2-일)페닐)아민(12.65g, 30mmol), 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0)(0.549g, 0.60mmol), Sphos(0.985g, 2.40mmol), 나트륨-t-뷰톡사이드(4.04g, 42.0mmol), 자일렌(300mL)의 혼합물을 120℃에서 5시간 교반했다. 반응액을 실온으로 냉각한 후, 감압 농축했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 및 재결정으로 정제하여, 19.6g의 백색 고체를 얻었다. 수율은 92%였다.

얻어진 것은, 매스 스펙트럼 분석의 결과 화합물 HT2-Inv-6이고, 분자량 713.88에 대해 m/e=714였다.

합성예 15: 화합물 HT2-Inv-7의 합성

[화학식 229]

합성예 14에 있어서, 사용한 중간체 2B 대신에 중간체 2C를 이용하는 것 외에는 합성예 14와 마찬가지의 조작을 행하여, 백색 고체를 얻었다. 수율은, 89%였다.

얻어진 것은, 매스 스펙트럼 분석의 결과 화합물 HT2-Inv-7이고, 분자량 713.88에 대해 m/e=714였다.

상기 합성예 15에서 이용한 중간체 2E는, 이하와 같이 합성했다.

중간체 합성예 2-5: 중간체 2E의 합성

[화학식 230]

아르곤 분위기하, 나프토[1,2-b]벤조퓨란-10-일 보론산(5.24g, 20mmol), 1-브로모-2-클로로벤젠(3.83g, 20mmol), 비스(트라이페닐포스핀)팔라듐(II) 다이클로라이드(0.281g, 0.4mmol), 탄산 칼륨(8.29g, 60mmol), DME(100mL) 및 물(30mL)의 혼합물을 80℃에서 7시간 교반했다. 반응액을 실온으로 냉각하고, 감압 농축했다. 얻어진 잔사를 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피로 정제하여, 백색 고체(3.62g)의 중간체 2C를 얻었다. 수율은 55%였다.

합성예에서 합성한 화합물(3)인 화합물 BH-Inv-1

[화학식 231]

합성예 16: 화합물 BH-Inv-1의 합성

[화학식 232]

아르곤 분위기하, 7-(phenyl-d5)dibenzo[b,d]furan-1-yl trifluoromethanesulfonate 16.1g, (10-(phenyl-d5)anthracen-9-yl)boronic acid 12.7g, 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0) 936mg, 1,4-다이옥세인 142mL 및 2M 탄산 나트륨 수용액 61ml를 플라스크에 가하고, 8시간 환류 교반을 했다. 실온까지 냉각 후, 반응 용액을 톨루엔을 이용하여 추출하고, 수상을 제거한 후, 유기층을 포화 식염수로 세정했다. 유기층을 무수 황산 나트륨으로 건조시킨 후, 농축하고, 잔사를 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피로 정제하고, 얻어진 시료를 60℃에서 3시간 진공 건조하여, 11.4g의 고체를 얻었다. 수율은 56%였다.

얻어진 것은, 매스 스펙트럼 분석의 결과, 화합물 BH-Inv-1이고, 분자량 501.64에 대해 m/e=501이었다.

1, 11, 12 유기 EL 소자
2 기판
3 양극
4 음극
5 발광층
6 정공 수송 대역(정공 수송층)
6a 정공 주입층
6b 제1 정공 수송층
6c 제2 정공 수송층
6d 제3 정공 수송층
7 전자 수송 대역(전자 수송층)
7a 제1 전자 수송층
7b 제2 전자 수송층
10, 20, 30 발광 유닛

Claims

양극, 음극, 및 해당 양극과 해당 음극 사이에 존재하는 유기층을 갖는, 유기 전기발광 소자로서,
상기 유기층은, 발광층과, 상기 양극과 상기 발광층 사이에 존재하는 정공 수송 대역을 포함하고,
상기 정공 수송 대역은, 정공 수송층(A)와, 상기 발광층에 인접하는 정공 수송층(B)를 포함하고,
상기 정공 수송층(A)는, 하기 식(1a)로 표시되는 화합물 및 하기 식(1b)로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하고,
상기 정공 수송층(B)는, 하기 식(2)로 표시되는 화합물을 포함하고,
상기 발광층은, 하기 식(3)으로 표시되는 화합물을 포함하는, 유기 전기발광 소자.

(식(1a) 중,
N^*는 중심 질소 원자이다.
Ar^a1 및 Ar^a2는, 각각 독립적으로, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기이다.
L^a1∼L^a3은, 각각 독립적으로, 단일 결합, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼18의 아릴렌기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 2가의 헤테로환기이다.
R^a1∼R^a13으로부터 선택되는 1개는 *1에 결합하는 단일 결합이고,
*1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로젠 원자, 나이트로기, 사이아노기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼50의 알킬기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 2∼50의 알켄일기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 2∼50의 알킨일기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 3∼50의 사이클로알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 7∼50의 아르알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로환기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼50의 할로알킬기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼50의 할로알콕시기, -Si(R₉₀₁)(R₉₀₂)(R₉₀₃)으로 표시되는 기, -O-(R₉₀₄)로 표시되는 기, 또는 -S-(R₉₀₅)로 표시되는 기이고,
R₉₀₁∼R₉₀₅는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼50의 알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 3∼50의 사이클로알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로환기이고,
R₉₀₁이 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₁은, 서로 동일하거나, 또는 상이하고,
R₉₀₂가 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₂는, 서로 동일하거나, 또는 상이하고,
R₉₀₃이 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₃은, 서로 동일하거나, 또는 상이하고,
R₉₀₄가 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₄는, 서로 동일하거나, 또는 상이하고,
R₉₀₅가 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₅는, 서로 동일하거나, 또는 상이하다.
R^a14는, 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 페닐기, 치환 혹은 비치환된 바이페닐릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 나프틸기이다.
단, *1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13, 및 R^a14로부터 선택되는 인접하는 2개는 서로 결합하여 치환 혹은 비치환된 벤젠환을 형성해도 되고, 서로 결합하지 않고, 따라서 환을 형성하지 않아도 된다.)

(식(1b) 중,
N^*는 중심 질소 원자이다.
Ar^b1은, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기이다.
L^b1∼L^b3은, 각각 독립적으로, 단일 결합, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼18의 아릴렌기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 2가의 헤테로환기이다.
R^b1∼R^b10으로부터 선택되는 1개는 *2에 결합하는 단일 결합이어도 되고,
R^b11∼R^b20으로부터 선택되는 1개는 *3에 결합하는 단일 결합이어도 되고,
*2에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^b1∼R^b8, 및 *3에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^b11∼R^b18은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로젠 원자, 나이트로기, 사이아노기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼50의 알킬기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 2∼50의 알켄일기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 2∼50의 알킨일기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 3∼50의 사이클로알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 7∼50의 아르알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로환기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼50의 할로알킬기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼50의 할로알콕시기, -Si(R₉₀₁)(R₉₀₂)(R₉₀₃)으로 표시되는 기, -O-(R₉₀₄)로 표시되는 기, 또는 -S-(R₉₀₅)로 표시되는 기이고,
R₉₀₁∼R₉₀₅는, 식(1a)에서 정의한 대로이고,
R₉₀₁이 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₁은, 서로 동일하거나, 또는 상이하고,
R₉₀₂가 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₂는, 서로 동일하거나, 또는 상이하고,
R₉₀₃이 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₃은, 서로 동일하거나, 또는 상이하고,
R₉₀₄가 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₄는, 서로 동일하거나, 또는 상이하고,
R₉₀₅가 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₅는, 서로 동일하거나, 또는 상이하다.
단, *2에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^b1∼R^b8, *3에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^b11∼R^b18로부터 선택되는 인접하는 2개는 서로 결합하여 치환 혹은 비치환된 벤젠환을 형성해도 되고, 서로 결합하지 않고, 따라서 환을 형성하지 않아도 된다.
*2에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^b9 및 R^b10, 및 *3에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^b19 및 R^b20은, 각각 독립적으로, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼30의 알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 3∼30의 사이클로알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기이다.
*2에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^b9 및 R^b10은, 서로 결합하여 치환 혹은 비치환된 환 구조를 형성해도 되고, 또는 서로 결합하지 않아 환 구조를 형성하지 않아도 된다.
*3에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^b19 및 R^b20은, 서로 결합하여 치환 혹은 비치환된 환 구조를 형성해도 되고, 또는 서로 결합하지 않아 환 구조를 형성하지 않아도 된다.
단, R^b9와 R^b10이 서로 결합하지 않아 환 구조를 형성하지 않는 경우, R^b9 및 R^b10으로부터 선택되는 적어도 1개는, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼30의 알킬기이고,
R^b19와 R^b20이 서로 결합하지 않아 환 구조를 형성하지 않는 경우, R^b19 및 R^b20으로부터 선택되는 적어도 1개는, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼30의 알킬기이다.
R^b9 및 R^b10은 서로 결합하여, 플루오렌환 구조는 형성하지 않는다.
R^b19 및 R^b20은 서로 결합하여, 플루오렌환 구조는 형성하지 않는다.
R^b1∼R^b10 모두가 *2에 결합하는 단일 결합이 아닌 경우, *2에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^b9 또는 R^b10이 나타내는 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기가, 단일 결합을 개재시켜 *2에 결합한다.
R^b11∼R^b20 모두가 *3에 결합하는 단일 결합이 아닌 경우, *3에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^b19 또는 R^b20이 나타내는 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기가, 단일 결합을 개재시켜 *3에 결합한다.)

(식(2) 중,
N^*는 중심 질소 원자이다.
L^c1, L^c2 및 L^c3은, 각각 독립적으로, 단일 결합, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴렌기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 2가의 헤테로환기이다.
Ar^c1, Ar^c2 및 Ar^c3은, 각각 독립적으로, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로환기, 또는 -Si(R^c1)(R^c2)(R^c3)이다.
R^c1, R^c2 및 R^c3은, 각각 독립적으로, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기이고,
R^c1이 복수 존재하는 경우, 복수의 R^c1은, 서로 동일하거나, 또는 상이하고,
R^c2가 복수 존재하는 경우, 복수의 R^c2는, 서로 동일하거나, 또는 상이하고,
R^c3이 복수 존재하는 경우, 복수의 R^c3은, 서로 동일하거나, 또는 상이하다.)

(식(3) 중,
k는 0 또는 1이다.
k가 0일 때, R¹∼R⁸로부터 선택되는 1개는 *4에 결합하는 단일 결합이다.
k가 1일 때, R¹과 R², R²와 R³, R³과 R⁴, R⁵와 R⁶, R⁶과 R⁷, 또는 R⁷과 R⁸의 한쪽이 *a에 결합하는 단일 결합, 다른 쪽이 *b에 결합하는 단일 결합이고, *a 및 *b에 결합하는 단일 결합은 아닌 R¹∼R⁸, 및 R¹¹∼R¹⁴로부터 선택되는 1개는 *4에 결합하는 단일 결합이다.
*4에 결합하는 단일 결합은 아니고 또한 *a 및 *b에 결합하는 단일 결합도 아닌 R¹∼R⁸, *4에 결합하는 단일 결합은 아닌 R¹¹∼R¹⁴, 및 R²¹∼R²⁸은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로젠 원자, 나이트로기, 사이아노기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼50의 알킬기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 2∼50의 알켄일기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 2∼50의 알킨일기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 3∼50의 사이클로알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 7∼50의 아르알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로환기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼50의 할로알킬기, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼50의 할로알콕시기, -Si(R₉₀₁)(R₉₀₂)(R₉₀₃)으로 표시되는 기, -O-(R₉₀₄)로 표시되는 기, 또는 -S-(R₉₀₅)로 표시되는 기이고,
R₉₀₁∼R₉₀₅는, 식(1-1a)에서 정의한 대로이고,
R₉₀₁이 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₁은, 서로 동일하거나, 또는 상이하고,
R₉₀₂가 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₂는, 서로 동일하거나, 또는 상이하고,
R₉₀₃이 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₃은, 서로 동일하거나, 또는 상이하고,
R₉₀₄가 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₄는, 서로 동일하거나, 또는 상이하고,
R₉₀₅가 2개 이상 존재하는 경우, 2개 이상의 R₉₀₅는, 서로 동일하거나, 또는 상이하다.
*4에 결합하는 단일 결합은 아니고 또한 *a 및 *b에 결합하는 단일 결합도 아닌 R¹∼R⁸, 및 *4에 결합하는 단일 결합은 아닌 R¹¹∼R¹⁴로부터 선택되는 인접하는 2개는, 서로 결합하지 않고, 따라서 환을 형성하지 않는다.
R²¹∼R²⁸로부터 선택되는 인접하는 2개는, 서로 결합하여 치환 혹은 비치환된 벤젠환을 형성해도 되고, 서로 결합하지 않고, 따라서 환을 형성하지 않아도 된다.
L²¹ 및 L²²는, 각각 독립적으로, 단일 결합, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴렌기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 2가의 헤테로환기이다.
Ar²¹은, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼30의 헤테로환기이다.)
제 1 항에 있어서,
R^a14는, 치환 혹은 비치환된 페닐기인, 유기 전기발광 소자.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 정공 수송층(B)에 있어서의 상기 식(2)로 표시되는 화합물이, 상기 식(2)로 표시되고, 또한 상기 정공 수송층(A)에 포함되는 상기 식(1a) 또는 (1b)로 표시되는 화합물과는 상이한 화합물인, 유기 전기발광 소자.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
L^a1, L^a2, La³, L^b1, L^b2, 및 L^b3은, 각각 독립적으로, 단일 결합, 또는 치환 혹은 비치환된 페닐렌기인, 유기 전기발광 소자.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
R^a1∼R^a5로부터 선택되는 1개는 *1에 결합하는 단일 결합인, 유기 전기발광 소자.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
R^a1 또는 R^a5가 *1에 결합하는 단일 결합인, 유기 전기발광 소자.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
Ar^a1, Ar^a2, 및 Ar^b1은, 각각 독립적으로, 하기 식(1A), (1B), (1C), (1D), (1E), 또는 (1F)로 표시되는, 유기 전기발광 소자.

(식(1A) 중,
*11은 L^a1, L^a2, 또는 L^b1에의 결합 위치이다.
R¹⁰¹∼R¹⁰⁵로부터 선택되는 1개는 *12에 결합하는 단일 결합이고, R¹⁰⁶∼R¹¹⁰으로부터 선택되는 1개는 *13에 결합하는 단일 결합이다.
상기 단일 결합은 아닌 R¹⁰¹∼R¹⁰⁵ 및 R¹⁰⁶∼R¹¹⁰은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 비치환된 탄소수 1∼10의 알킬기, 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기이다.
상기 단일 결합은 아닌 R¹⁰¹∼R¹⁰⁵로부터 선택되는 인접하는 2개는, 서로 결합하지 않아 환을 형성하지 않는다.
상기 단일 결합은 아닌 R¹⁰⁶∼R¹¹⁰으로부터 선택되는 인접하는 2개는, 서로 결합하지 않아 환을 형성하지 않는다.
R¹¹¹∼R¹¹⁵는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼10의 알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼13의 헤테로환기이다.
R¹¹¹∼R¹¹⁵로부터 선택되는 인접하는 2개는, 서로 결합하지 않아 환을 형성하지 않는다.
m은 0, 1 또는 2이고, n은 0 또는 1이다. m이 2이고, 또한 n이 0인 경우를 제외한다.
m=0, n=0인 경우, *13이 *11을 나타낸다.
m=0, n=1인 경우, *12가 *11을 나타낸다.
m=1, n=0인 경우, *13이 *12를 나타낸다.)

(식(1B) 중,
*14는 L^a1, L^a2, 또는 L^b1에의 결합 위치이다.
R¹²¹∼R¹²⁸로부터 선택되는 1개는 *15에 결합하는 단일 결합이다.
상기 단일 결합은 아닌 R¹²¹∼R¹²⁸은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼10의 알킬기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기이다.
상기 단일 결합은 아닌 R¹²¹∼R¹²⁸로부터 선택되는 인접하는 2개는, 서로 결합하지 않아 환을 형성하지 않는다.)

(식(1C) 중,
*16은 L^a1, L^a2, 또는 L^b1에의 결합 위치이다.
R¹³¹∼R¹⁴⁰으로부터 선택되는 1개는 *17에 결합하는 단일 결합이다.
상기 단일 결합은 아닌 R¹³¹∼R¹⁴⁰은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼10의 알킬기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기이다.
상기 단일 결합은 아닌 R¹³¹∼R¹⁴⁰으로부터 선택되는 인접하는 2개는, 서로 결합하지 않아 환을 형성하지 않는다.)

(식(1D) 중,
*18은 L^a1, L^a2, 또는 L^b1에의 결합 위치이다.
X¹¹은 산소 원자, 황 원자, CR^aR^b, 또는 NR^c이다.
R^a 및 R^b는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼30의 알킬기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기이며, 서로 결합하여 치환 혹은 비치환된 환 구조를 형성해도 되고, 서로 결합하지 않고, 따라서 환 구조를 형성하지 않아도 된다.
R^c는, 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼30의 알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기이다.
n은 0 또는 1이다.
n이 0일 때, R^a, R^b, R^c, 및 R¹⁴¹∼R¹⁴⁸로부터 선택되는 1개는 *19에 결합하는 단일 결합이거나, 또는 R^a 혹은 R^b가 나타낼 수 있는 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기, R^a 혹은 R^b가 서로 결합하여 형성할 수 있는 치환 혹은 비치환된 환 구조, 또는 R^c가 나타낼 수 있는 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기가, 단일 결합을 개재시켜 *19에 결합해도 된다.
n이 1일 때, R¹⁴¹과 R¹⁴², R¹⁴²와 R¹⁴³, 또는 R¹⁴³과 R¹⁴⁴의 한쪽이 *a에 결합하는 단일 결합, 다른 쪽이 *b에 결합하는 단일 결합이고, *a 및 *b에 결합하는 단일 결합은 아닌 R¹⁴¹∼R¹⁴⁴, R¹⁴⁵∼R¹⁴⁸, R^a, R^b, R^c, 및 R²⁰⁰∼R²⁰³으로부터 선택되는 1개는 *29에 결합하는 단일 결합이거나, 또는 R^a 혹은 R^b가 나타낼 수 있는 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기, R^a 혹은 R^b가 서로 결합하여 형성할 수 있는 치환 혹은 비치환된 환 구조, 또는 R^c가 나타낼 수 있는 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기가, 단일 결합을 개재시켜 *19에 결합해도 된다.
상기 단일 결합은 아닌 R¹⁴¹∼R¹⁴⁸ 및 상기 단일 결합은 아닌 R²⁰⁰∼R²⁰³은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼10의 알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼13의 헤테로환기이다.
상기 단일 결합은 아닌 R¹⁴¹∼R¹⁴⁸ 및 상기 단일 결합은 아닌 R²⁰⁰∼R²⁰³으로부터 선택되는 인접하는 2개는, 서로 결합하지 않아 환을 형성하지 않는다.)

(식(1E) 중,
*20은 L^a1, L^a2, 또는 L^b1에의 결합 위치이다.
R¹⁵¹∼R¹⁵⁵로부터 선택되는 1개는 *21에 결합하는 단일 결합이고, R¹⁵¹∼R¹⁵⁵로부터 선택되는 다른 1개는 *22에 결합하는 단일 결합이다.
상기 단일 결합은 아닌 R¹⁵¹∼R¹⁵⁵는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 비치환된 탄소수 1∼10의 알킬기, 또는 비치환된 페닐기이다.
상기 단일 결합은 아닌 R¹⁵¹∼R¹⁵⁵로부터 선택되는 인접하는 2개는, 서로 결합하지 않아 환을 형성하지 않는다.
R¹⁶¹∼R¹⁶⁵ 및 R¹⁷¹∼R¹⁷⁵는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 비치환된 탄소수 1∼10의 알킬기이다.
수소 원자는 아닌 R¹⁶¹∼R¹⁶⁵로부터 선택되는 적어도 1개의 인접하는 2개는, 서로 결합하여, 1 또는 복수의 비치환된 벤젠환을 형성해도 되고, 서로 결합하지 않아 환을 형성하지 않아도 된다.
수소 원자는 아닌 R¹⁷¹∼R¹⁷⁵로부터 선택되는 적어도 1개의 인접하는 2개는, 서로 결합하여, 1 또는 복수의 비치환된 벤젠환을 형성해도 되고, 서로 결합하지 않고, 따라서 환을 형성하지 않아도 된다.)

(식(1F) 중,
*22는 L^a1, L^a2, 또는 L^b1에의 결합 위치이다.
R¹⁸¹∼R¹⁹²로부터 선택되는 1개는 *23에 결합하는 단일 결합이다.
상기 단일 결합은 아닌 R¹⁸¹∼R¹⁹²는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼10의 알킬기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기이다.
상기 단일 결합은 아닌 R¹⁸¹∼R¹⁹²로부터 선택되는 인접하는 2개는, 서로 결합하지 않아 환을 형성하지 않는다.)
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
L^c1, L^c2, 및 L^c3은, 각각 독립적으로, 단일 결합, 또는 치환 혹은 비치환된 페닐렌기인, 유기 전기발광 소자.
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
Ar^c1, Ar^c2, 및 Ar^c3은, 각각 독립적으로, 하기 식(1A), (1B), (1C), (1D), (1E), 또는 (1F)로 표시되는, 유기 전기발광 소자.

(식(1A) 중,
*11은 L^c1, L^c2, 또는 L^c1에의 결합 위치이다.
R¹⁰¹∼R¹⁰⁵로부터 선택되는 1개는 *12에 결합하는 단일 결합이고, R¹⁰⁶∼R¹¹⁰으로부터 선택되는 1개는 *13에 결합하는 단일 결합이다.
상기 단일 결합은 아닌 R¹⁰¹∼R¹⁰⁵ 및 R¹⁰⁶∼R¹¹⁰은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 비치환된 탄소수 1∼10의 알킬기, 또는 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기이다.
상기 단일 결합은 아닌 R¹⁰¹∼R¹⁰⁵로부터 선택되는 인접하는 2개는, 서로 결합하지 않아 환을 형성하지 않는다.
상기 단일 결합은 아닌 R¹⁰⁶∼R¹¹⁰으로부터 선택되는 인접하는 2개는, 서로 결합하지 않아 환을 형성하지 않는다.
R¹¹¹∼R¹¹⁵는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼10의 알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼13의 헤테로환기이다.
R¹¹¹∼R¹¹⁵로부터 선택되는 인접하는 2개는, 서로 결합하지 않아 환을 형성하지 않는다.
m은 0, 1 또는 2이고, n은 0 또는 1이다. m이 2이고, 또한 n이 0인 경우를 제외한다.
m=0, n=0인 경우, *13이 *11을 나타낸다.
m=0, n=1인 경우, *12가 *11을 나타낸다.
m=1, n=0인 경우, *13이 *12를 나타낸다.)

(식(1B) 중,
*14는 L^c1, L^c2, 또는 L^c3에의 결합 위치이다.
R¹²¹∼R¹²⁸로부터 선택되는 1개는 *15에 결합하는 단일 결합이다.
상기 단일 결합은 아닌 R¹²¹∼R¹²⁸은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼10의 알킬기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기이다.
상기 단일 결합은 아닌 R¹²¹∼R¹²⁸로부터 선택되는 인접하는 2개는, 서로 결합하지 않아 환을 형성하지 않는다.)

(식(1C) 중,
*16은 L^c1, L^c2, 또는 L^c3에의 결합 위치이다.
R¹³¹∼R¹⁴⁰으로부터 선택되는 1개는 *17에 결합하는 단일 결합이다.
상기 단일 결합은 아닌 R¹³¹∼R¹⁴⁰은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼10의 알킬기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기이다.
상기 단일 결합은 아닌 R¹³¹∼R¹⁴⁰으로부터 선택되는 인접하는 2개는, 서로 결합하지 않아 환을 형성하지 않는다.)

(식(1D) 중,
*18은 L^c1, L^c2, 또는 L^c3에의 결합 위치이다.
X¹¹은 산소 원자, 황 원자, CR^aR^b, 또는 NR^c이다.
R^a 및 R^b는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼30의 알킬기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기이며, 서로 결합하여 치환 혹은 비치환된 환 구조를 형성해도 되고, 서로 결합하지 않고, 따라서 환 구조를 형성하지 않아도 된다.
R^c는, 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼30의 알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기이다.
n은 0 또는 1이다.
n이 0일 때, R^a, R^b, R^c, 및 R¹⁴¹∼R¹⁴⁸로부터 선택되는 1개는 *19에 결합하는 단일 결합이거나, 또는 R^a 혹은 R^b가 나타낼 수 있는 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기, R^a 혹은 R^b가 서로 결합하여 형성할 수 있는 치환 혹은 비치환된 환 구조, 또는 R^c가 나타낼 수 있는 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기가, 단일 결합을 개재시켜 *29에 결합해도 된다.
n이 1일 때, R¹⁴¹과 R¹⁴², R¹⁴²와 R¹⁴³, 또는 R¹⁴³과 R¹⁴⁴의 한쪽이 *a에 결합하는 단일 결합, 다른 쪽이 *b에 결합하는 단일 결합이고, *a 및 *b에 결합하는 단일 결합은 아닌 R¹⁴¹∼R¹⁴⁴, R¹⁴⁵∼R¹⁴⁸, R^a, R^b, R^c, 및 R²⁰⁰∼R²⁰³으로부터 선택되는 1개는 *19에 결합하는 단일 결합이거나, 또는 R^a 혹은 R^b가 나타낼 수 있는 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기, R^a 혹은 R^b가 서로 결합하여 형성할 수 있는 치환 혹은 비치환된 환 구조, 또는 R^c가 나타낼 수 있는 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼30의 아릴기가, 단일 결합을 개재시켜 *19에 결합해도 된다.
상기 단일 결합은 아닌 R¹⁴¹∼R¹⁴⁸ 및 상기 단일 결합은 아닌 R²⁰⁰∼R²⁰³은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼10의 알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼13의 헤테로환기이다.
상기 단일 결합은 아닌 R¹⁴¹∼R¹⁴⁸ 및 상기 단일 결합은 아닌 R²⁰⁰∼R²⁰³으로부터 선택되는 인접하는 2개는, 서로 결합하지 않아 환을 형성하지 않는다.)

(식(1E) 중,
*20은 L^c1, L^c2, 또는 L^c3에의 결합 위치이다.
R¹⁵¹∼R¹⁵⁵로부터 선택되는 1개는 *21에 결합하는 단일 결합이고, R¹⁵¹∼R¹⁵⁵로부터 선택되는 다른 1개는 *22에 결합하는 단일 결합이다.
상기 단일 결합은 아닌 R¹⁵¹∼R¹⁵⁵는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 비치환된 탄소수 1∼10의 알킬기, 또는 비치환된 페닐기이다.
상기 단일 결합은 아닌 R¹⁵¹∼R¹⁵⁵로부터 선택되는 인접하는 2개는, 서로 결합하지 않아 환을 형성하지 않는다.
R¹⁶¹∼R¹⁶⁵ 및 R¹⁷¹∼R¹⁷⁵는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 비치환된 탄소수 1∼10의 알킬기이다.
수소 원자는 아닌 R¹⁶¹∼R¹⁶⁵로부터 선택되는 적어도 1개의 인접하는 2개는, 서로 결합하여, 1 또는 복수의 비치환된 벤젠환을 형성해도 되고, 서로 결합하지 않아 환을 형성하지 않아도 된다.
수소 원자는 아닌 R¹⁷¹∼R¹⁷⁵로부터 선택되는 적어도 1개의 인접하는 2개는, 서로 결합하여, 1 또는 복수의 비치환된 벤젠환을 형성해도 되고, 서로 결합하지 않고, 따라서 환을 형성하지 않아도 된다.)

(식(1F) 중,
*22는 L^c1, L^c2, 또는 L^c3에의 결합 위치이다.
R¹⁸¹∼R¹⁹²로부터 선택되는 1개는 *23에 결합하는 단일 결합이다.
상기 단일 결합은 아닌 R¹⁸¹∼R¹⁹²는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼10의 알킬기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼12의 아릴기이다.
상기 단일 결합은 아닌 R¹⁸¹∼R¹⁹²로부터 선택되는 인접하는 2개는, 서로 결합하지 않아 환을 형성하지 않는다.)
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
Ar^a1 및 Ar^a2로부터 선택되는 적어도 1개가, 상기 식(1D)로 표시되는, 유기 전기발광 소자.
제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 식(1D) 중, X¹¹은 CR^aR^b인, 유기 전기발광 소자.
제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 식(1D) 중, R¹⁴² 또는 R¹⁴⁷이 *19에 결합하는 단일 결합인, 유기 전기발광 소자.
제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
식(1b) 중, R^b2 또는 R^b7은 *2에 결합하는 단일 결합이고, R^b12 또는 R^b17은 *3에 결합하는 단일 결합인, 유기 전기발광 소자.
제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
*1에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^a1∼R^a13, 및 R^a14 모두가, 수소 원자인, 유기 전기발광 소자.
제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
*2에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^b1∼R^b8, 및 *3에 결합하는 단일 결합은 아닌 R^b11∼R^b18 모두가, 수소 원자인, 유기 전기발광 소자.
제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
R¹ 및 R⁸로부터 선택되는 1개가 *4에 결합하는 단일 결합인, 유기 전기발광 소자.
제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
k는 1인, 유기 전기발광 소자.
제 1 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
*4에 결합하는 단일 결합은 아니고 또한 *a 및 *b에 결합하는 단일 결합도 아닌 R¹∼R⁸, 및 *4에 결합하는 단일 결합은 아닌 R¹¹∼R¹⁴는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 치환 혹은 비치환된 탄소수 1∼50의 알킬기, 치환 혹은 비치환된 환형성 탄소수 6∼50의 아릴기, 또는 치환 혹은 비치환된 환형성 원자수 5∼50의 헤테로환기인, 유기 전기발광 소자.
제 1 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서,
L²¹ 및 L²²는, 단일 결합인, 유기 전기발광 소자.
제 1 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
Ar^c1, Ar^c2, 및 Ar^c3으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1개가, 상기 식(1B) 또는 (1D)로 표시되는, 유기 전기발광 소자.
제 1 항 내지 제 20 항 중 어느 한 항에 있어서,
Ar^c1, Ar^c2, 및 Ar^c3으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2개는, 상기 식(1A)로 표시되고, 나머지 1개는, 상기 식(1B) 혹은 (1D)로 표시되거나, 또는 Ar^c1, Ar^c2, 및 Ar^c3으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2개는, 상기 식(1B)로 표시되고, 나머지 1개는, 상기 식(1E)로 표시되는, 유기 전기발광 소자.
제 1 항 내지 제 21 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 식(1a)로 표시되는 화합물, 상기 식(1b)로 표시되는 화합물, 상기 식(2)로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 하나의 화합물이, 적어도 1개의 중수소 원자를 포함하는, 유기 전기발광 소자.
제 1 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 발광층의 적어도 1층이, 2종 이상의 재료를 포함하고, 상기 재료 중 1종이, 상기 식(2)로 표시되는 화합물인, 유기 전기발광 소자.
제 1 항 내지 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 발광층의 적어도 1층이, 2종 이상의 재료를 포함하고, 상기 재료 중 2종이, 상기 식(2)로 표시되는 화합물인, 유기 전기발광 소자.
제 1 항 내지 제 24 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 정공 수송층(A)와 상기 정공 수송층(B)가 직접 접하고 있는, 유기 전기발광 소자.
제 1 항 내지 제 25 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 정공 수송층(B)는, 전자 저지층인, 유기 전기발광 소자.
제 1 항 내지 제 26 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 정공 수송 대역이 양극측의 제1 정공 수송층과 음극측의 제2 정공 수송층을 포함하고, 상기 제1 정공 수송층 및 상기 제2 정공 수송층의 일방 또는 쌍방이, 상기 식(1a)로 표시되는 화합물 및 상기 식(1b)로 표시되는 화합물로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 유기 전기발광 소자.
제 27 항에 있어서,
상기 제1 정공 수송층의 두께와 상기 제2 정공 수송층의 두께의 합계가 30nm 이상, 150nm 이하인 유기 전기발광 소자.
제 1 항 내지 제 28 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 발광층이 단일의 층인 유기 전기발광 소자.
제 1 항 내지 제 29 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 발광층은, 주(主)피크 파장이 500nm 이하인 형광 발광을 나타내는 발광성 화합물을 함유하는 유기 전기발광 소자.
제 1 항 내지 제 30 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 발광층이 형광 도펀트 재료를 포함하는 유기 전기발광 소자.
제 1 항 내지 제 31 항 중 어느 한 항에 기재된 유기 전기발광 소자를 포함하는 전자 기기.