KR20240034360A - Column For Gas Chromatography And Method For Manufacturing Thereof - Google Patents
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Abstract
본 발명은 가스크로마토그래피용 컬럼 및 이를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 컬럼 자체가 고정상 물질로 이루어져 있어 고정상 물질을 형성하는 공정이 필요하지 않고, 컬럼 제조시 몰드를 이용함에 따라 컬럼을 보다 용이하게 대량으로 생산할 수 있는, 가스크로마토그래피용 컬럼 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a column for gas chromatography and a method of manufacturing the same. More specifically, the column itself is made of a stationary phase material, so there is no need for a process to form a stationary phase material, and the column is manufactured by using a mold when manufacturing the column. It relates to a column for gas chromatography that can be more easily mass-produced and a method of manufacturing the same.
Description
본 발명은 가스크로마토그래피용 컬럼 및 이를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 컬럼 자체가 고정상 물질로 이루어져 있어 고정상 물질을 형성하는 공정이 필요하지 않고, 컬럼 제조시 몰드를 이용함에 따라 컬럼을 보다 용이하게 대량으로 생산할 수 있는, 가스크로마토그래피용 컬럼 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a column for gas chromatography and a method of manufacturing the same. More specifically, the column itself is made of a stationary phase material, so there is no need for a process to form a stationary phase material, and the column is manufactured by using a mold when manufacturing the column. It relates to a column for gas chromatography that can be more easily mass-produced and a method of manufacturing the same.
샘플러, 전처리농축기, 컬럼, 및 검출기를 포함하는 가스크로마토그래피 시스템은 사용자의 니즈에 따라 각 구성요소들의 소형화가 이루어지고 있다. 가스크로마토그래피 시스템은 내벽에 고정상 물질이 코팅된 컬럼에 샘플을 주입하여 샘플로부터 복수의 분석대상물질 각각을 분리시킴으로써 샘플을 구성하는 복수의 분석대상물질 각각에 대한 성분, 농도 등의 정보를 제공하는 특징이 있는 만큼, 마이크로사이즈를 갖는 소형화된 컬럼에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.Gas chromatography systems including samplers, pre-concentrators, columns, and detectors are being miniaturized according to user needs. The gas chromatography system separates each of the plurality of analytes from the sample by injecting the sample into a column whose inner wall is coated with a stationary phase material, thereby providing information on the components and concentrations of each of the plurality of analytes constituting the sample. Due to its unique characteristics, research on miniaturized columns with micro size is actively underway.
특허문헌 1 내지 4는 마이크로사이즈의 컬럼을 포함하는 가스크로마토그래피 시스템을 개시하고 있다. 종래에는 컬럼을 소형화하기 위하여 웨이퍼와 같은 기판을 직접적으로 식각(etching)하여 채널을 형성한 후 커버를 닫는 방식을 이용하여 컬럼을 제조하고 있다. 다만 이와 같은 종래 방식은 반도체 제조공정과 같이 미세한 작업이 필요하여 작업성이 매우 나빠 생산단가가 매우 높은 문제점이 있다. 또한 컬럼의 내벽에 고정상 물질을 코팅하는 과정이 매우 까다롭고, 코팅된 고정상 물질 표면에 다수의 기공이 발생되어 샘플로부터 분리된 분석대상물질 일부가 상기 기공의 내부로 들어가 검출기 측으로 주입되는 분석대상물질의 양이 감소하여, 분석성능에 악영향을 끼칠 수 있다.
이를 고려하여 특허문헌 5는 폴리머 재질의 기판을 사용하여 생산단가를 비교적 낮출 수 있는 기술을 개시하고 있다. 구체적으로 특허문헌 5는 폴리머재질의 기판에 고정상 물질을 코팅한 후에 커버를 닫는 방식으로 컬럼을 형성하고 있다. 다만 이 방식 또한 여전히 기판을 직접적으로 식각하는 방식으로 채널의 형태를 형성하고 있어 작업성이 개선되지 않아 가스크로마토그래피 시스템의 생산단가가 높아지는 문제점이 있다.Considering this, Patent Document 5 discloses a technology that can relatively lower the production cost by using a polymer substrate. Specifically, Patent Document 5 forms a column by coating a stationary phase material on a polymer substrate and then closing the cover. However, this method still forms the shape of the channel by directly etching the substrate, which has the problem of not improving workability and increasing the production cost of the gas chromatography system.
한편 가스크로마토그래피 시스템은 이를 적용하는 어플리케이션이 점차 확대되고 있는 중이다. 최근에는 특허문헌 6 및 7과 같이 반도체 제조공정의 모니터링용으로도 사용되고 있다. 다만 종래와 같이 생산단가가 높은 가스크로마토그래피 시스템이 적용되는 경우 반도체 제조공정의 생산단가에도 영향을 줄 수 있어, 결국 제품을 사용하는 소비자가 값비싼 제품가격을 지불해야 하는 결과를 초래할 수 있다.Meanwhile, the applications for gas chromatography systems are gradually expanding. Recently, it has also been used for monitoring semiconductor manufacturing processes, as shown in Patent Documents 6 and 7. However, if a gas chromatography system with a high production cost is applied as in the past, it may also affect the production cost of the semiconductor manufacturing process, ultimately resulting in consumers using the product having to pay expensive product prices.
즉 기존의 분리성능을 유지하면서도 보다 용이하게 제조할 수 있는 가스크로마토그래피용 컬럼에 대한 기술개발이 시급한 실정이다.In other words, there is an urgent need to develop technology for gas chromatography columns that can be manufactured more easily while maintaining existing separation performance.
본 발명은 컬럼 자체가 고정상 물질로 이루어져 있어 고정상 물질을 형성하는 공정이 필요하지 않고, 컬럼 제조시 몰드를 이용함에 따라 컬럼을 보다 용이하게 대량으로 생산할 수 있는, 가스크로마토그래피용 컬럼 및 이를 제조하는 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.The present invention relates to a column for gas chromatography and a process for manufacturing the same, in which the column itself is made of a stationary phase material, so the process of forming the stationary phase material is not required, and the column can be more easily mass-produced by using a mold when manufacturing the column. The purpose is to provide a method.
상기와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일 실시예는, 가스크로마토그래피용 컬럼을 제조하는 방법으로서, 패턴을 포함하는 몰드를 준비하는 단계; 상기 패턴을 포함하는 몰드에 경화성 폴리머 물질을 주입하여 경화시키는 단계; 경화된 상기 경화성 폴리머 물질을 상기 몰드로부터 제거하여 상부구조체를 형성하는 단계; 및 상기 상부구조체의 하면에 제1기판을 배치하고, 상기 상부구조체와 상기 제1기판을 서로 접합시켜 상기 가스크로마토그래피용 컬럼을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 가스크로마토그래피용 컬럼은 내부에 300 마이크로미터 이하의 높이를 갖는 미세통로가 형성되어 있는, 가스크로마토그래피용 컬럼을 제조하는 방법을 제공한다.In order to solve the above problems, an embodiment of the present invention provides a method of manufacturing a column for gas chromatography, comprising: preparing a mold including a pattern; Injecting a curable polymer material into a mold containing the pattern and curing it; removing the cured curable polymer material from the mold to form a superstructure; and placing a first substrate on the lower surface of the upper structure, and forming the gas chromatography column by bonding the upper structure and the first substrate to each other, wherein the gas chromatography column is inside the gas chromatography column. A method of manufacturing a column for gas chromatography is provided, in which a micro-passage having a height of 300 micrometers or less is formed.
본 발명의 몇 실시예에서는, 상기 경화성 폴리머 물질은 폴리디메틸실록산(PDMS)을 포함할 수 있다.In some embodiments of the invention, the curable polymer material may include polydimethylsiloxane (PDMS).
본 발명의 몇 실시예에서는, 상기 패턴을 포함하는 몰드를 준비하는 단계는, 제2기판 위에 네거티브형 감광액을 스핀코팅하여 PR층을 형성하는 단계; 상기 PR층 위에 상기 패턴의 형상에 상응하는 관통홀을 포함하는 마스크를 배치하는 단계; 상기 마스크 측으로 자외선을 조사하여 상기 PR층의 일부를 경화하는 단계; 및 상기 PR층의 다른 일부를 현상액을 이용하여 제거하는 단계;를 포함하고, 상기 PR층의 일부는 상기 패턴에 상응할 수 있다.In some embodiments of the present invention, preparing a mold including the pattern includes forming a PR layer by spin-coating a negative photoresist on a second substrate; disposing a mask including through holes corresponding to the shape of the pattern on the PR layer; curing a portion of the PR layer by irradiating ultraviolet rays toward the mask; and removing another part of the PR layer using a developer, wherein a part of the PR layer may correspond to the pattern.
본 발명의 몇 실시예에서는, 상기 패턴을 포함하는 몰드를 준비하는 단계는, 제3기판을 3D프린팅하여 형성하는 단계; 및 상기 제3기판 위에 상기 패턴을 3D프린팅하여 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.In some embodiments of the present invention, preparing a mold including the pattern includes forming a third substrate by 3D printing; and forming the pattern by 3D printing on the third substrate.
본 발명의 몇 실시예에서는, 상기 가스크로마토그래피용 컬럼은, 상기 상부구조체의 내측면 및 상기 제1기판의 상면의 일부에 의하여 내부에 미세통로가 형성될 수 있고, 상기 미세통로는 내측면에 고정상 물질이 코팅되어 있을 수 있다.In some embodiments of the present invention, the column for gas chromatography may have a micro-passage formed inside the inner surface of the upper structure and a portion of the upper surface of the first substrate, and the micro-channel may be formed on the inner surface. The stationary phase material may be coated.
본 발명의 몇 실시예에서는, 상기 가스크로마토그래피용 컬럼은, 상기 상부구조체의 내측면 및 상기 제1기판의 상면의 일부에 의하여 내부에 미세통로가 형성될 수 있고, 상기 미세통로는 내측면에 버퍼층이 형성되어 있고, 상기 버퍼층은 상면에 고정상 물질이 코팅되어 있을 수 있다.In some embodiments of the present invention, the column for gas chromatography may have a micro-passage formed inside the inner surface of the upper structure and a portion of the upper surface of the first substrate, and the micro-channel may be formed on the inner surface. A buffer layer is formed, and the upper surface of the buffer layer may be coated with a stationary phase material.
본 발명의 몇 실시예에서는, 상기 고정상 물질은 이온성 액체를 포함할 수 있다.In some embodiments of the present invention, the stationary phase material may include an ionic liquid.
본 발명의 몇 실시예에서는, 상기 패턴은 스파이럴형, 및 병렬적층형 중 하나를 포함할 수 있다.In some embodiments of the present invention, the pattern may include one of a spiral type and a parallel stacked type.
상기와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일 실시예는, 가스크로마토그래피용 컬럼으로서, 패턴을 포함하는 몰드를 준비하는 단계; 상기 패턴을 포함하는 몰드에 경화성 폴리머 물질을 주입하여 경화시키는 단계; 경화된 상기 경화성 폴리머 물질을 상기 몰드로부터 제거하여 상부구조체를 형성하는 단계; 및 상기 상부구조체의 하면에 제1기판을 배치하고, 상기 상부구조체와 상기 제1기판을 서로 접합시켜 상기 가스크로마토그래피용 컬럼을 형성하는 단계;를 통해 제조되고, 상기 가스크로마토그래피용 컬럼은 내부에 300 마이크로미터 이하의 높이를 갖는 미세통로가 형성되어 있는, 가스크로마토그래피용 컬럼을 제공한다.In order to solve the above problems, one embodiment of the present invention is a column for gas chromatography, comprising the steps of preparing a mold including a pattern; Injecting a curable polymer material into a mold containing the pattern and curing it; removing the cured curable polymer material from the mold to form a superstructure; and placing a first substrate on the lower surface of the upper structure and bonding the upper structure and the first substrate to form the gas chromatography column, wherein the gas chromatography column has an internal Provided is a column for gas chromatography in which a micro-passage having a height of 300 micrometers or less is formed.
본 발명의 몇 실시예에서는, 상기 경화성 폴리머 물질은 폴리디메틸실록산(PDMS)을 포함할 수 있다.In some embodiments of the invention, the curable polymer material may include polydimethylsiloxane (PDMS).
본 발명의 몇 실시예에서는, 상기 가스크로마토그래피용 컬럼은, 상기 상부구조체의 내측면 및 상기 제1기판의 상면의 일부에 의하여 내부에 미세통로가 형성될 수 있고, 상기 미세통로는 내측면에 고정상 물질이 코팅되어 있을 수 있다.In some embodiments of the present invention, the column for gas chromatography may have a micro-passage formed inside the inner surface of the upper structure and a portion of the upper surface of the first substrate, and the micro-channel may be formed on the inner surface. The stationary phase material may be coated.
상기와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일 실시예는, 가스크로마토그래피용 컬럼을 포함하는 가스크로마토그래피 시스템으로서, 상기 가스크로마토그래피용 컬럼은, 패턴을 포함하는 몰드를 준비하는 단계; 상기 패턴을 포함하는 몰드에 경화성 폴리머 물질을 주입하여 경화시키는 단계; 경화된 상기 경화성 폴리머 물질을 상기 몰드로부터 제거하여 상부구조체를 형성하는 단계; 및 상기 상부구조체의 하면에 제1기판을 배치하고, 상기 상부구조체와 상기 제1기판을 서로 접합시켜 상기 가스크로마토그래피용 컬럼을 형성하는 단계;를 통해 제조되고, 내부에 300 마이크로미터 이하의 높이를 갖는 미세통로가 형성되어 있는, 가스크로마토그래피용 컬럼을 포함하는 가스크로마토그래피 시스템을 제공한다.In order to solve the above problems, an embodiment of the present invention is a gas chromatography system including a column for gas chromatography, wherein the column for gas chromatography includes the steps of: preparing a mold including a pattern; Injecting a curable polymer material into a mold containing the pattern and curing it; removing the cured curable polymer material from the mold to form a superstructure; and placing a first substrate on the lower surface of the upper structure and bonding the upper structure and the first substrate to form the column for gas chromatography. It is manufactured through a process, and has a height of 300 micrometers or less inside. Provided is a gas chromatography system including a column for gas chromatography in which a micro-passage having a is formed.
본 발명의 몇 실시예에서는, 상기 경화성 폴리머 물질은 폴리디메틸실록산(PDMS)을 포함할 수 있다.In some embodiments of the invention, the curable polymer material may include polydimethylsiloxane (PDMS).
본 발명의 몇 실시예에서는, 상기 가스크로마토그래피용 컬럼은, 상기 상부구조체의 내측면 및 상기 제1기판의 상면의 일부에 의하여 내부에 미세통로가 형성될 수 있고, 상기 미세통로는 내측면에 고정상 물질이 코팅되어 있을 수 있다.In some embodiments of the present invention, the column for gas chromatography may have a micro-passage formed inside the inner surface of the upper structure and a portion of the upper surface of the first substrate, and the micro-channel may be formed on the inner surface. The stationary phase material may be coated.
상기와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일 실시예는, 가스크로마토그래피용 컬럼을 포함하는 가스크로마토그래피 시스템의 제조방법으로서, 패턴을 포함하는 몰드를 준비하는 단계; 상기 패턴을 포함하는 몰드에 경화성 폴리머 물질을 주입하여 경화시키는 단계; 경화된 상기 경화성 폴리머 물질을 상기 몰드로부터 제거하여 상부구조체를 형성하는 단계; 및 상기 상부구조체의 하면에 제1기판을 배치하고, 상기 상부구조체와 상기 제1기판을 서로 접합시켜 상기 가스크로마토그래피용 컬럼을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 가스크로마토그래피용 컬럼은 내부에 300 마이크로미터 이하의 높이를 갖는 미세통로가 형성되어 있는, 가스크로마토그래피용 컬럼을 포함하는 가스크로마토그래피 시스템의 제조방법을 제공한다.In order to solve the above problems, an embodiment of the present invention provides a method of manufacturing a gas chromatography system including a column for gas chromatography, comprising the steps of preparing a mold including a pattern; Injecting a curable polymer material into a mold containing the pattern and curing it; removing the cured curable polymer material from the mold to form a superstructure; and placing a first substrate on the lower surface of the upper structure, and forming the gas chromatography column by bonding the upper structure and the first substrate to each other, wherein the gas chromatography column is inside the gas chromatography column. A method of manufacturing a gas chromatography system including a column for gas chromatography in which a micro-passage having a height of 300 micrometers or less is formed is provided.
본 발명의 몇 실시예에서는, 상기 경화성 폴리머 물질은 폴리디메틸실록산(PDMS)을 포함할 수 있다.In some embodiments of the invention, the curable polymer material may include polydimethylsiloxane (PDMS).
본 발명의 일 실시예에 따르면, 고정상 물질의 일종인 경화성 폴리머 물질로 상부구조체를 형성함에 따라 미세통로의 내측면에 고정상 물질을 형성하기 위한 별도의 공정이 필요하지 않아, 제조용이성을 향상시킬 수 있는 효과를 발휘할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, since the superstructure is formed with a curable polymer material, which is a type of stationary phase material, a separate process for forming the stationary phase material on the inner surface of the micro-channel is not required, thereby improving manufacturability. It can be effective.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 패턴을 포함하는 몰드를 이용하여 상부구조체를 형성하고 이를 기판에 접합시켜 컬럼을 형성함으로써, 복수의 컬럼을 보다 용이하게 대량 생산할 수 있어 생산성을 증대시킬 수 있는 효과를 발휘할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a superstructure is formed using a mold containing a pattern and bonded to a substrate to form a column, thereby enabling the mass production of multiple columns more easily and increasing productivity. can be demonstrated.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상부구조체에 형성된 미세통로의 내측면에 추가적으로 고정상 물질을 코팅하는 경우 미세통로에 비교적 깊게 형성된 기공을 막을 수 있어, 가스크로마토그래피용 컬럼의 분리 성능을 향상시킬 수 있는 효과를 발휘할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, when a stationary phase material is additionally coated on the inner surface of the micro-passage formed in the superstructure, pores formed relatively deeply in the micro-passage can be blocked, thereby improving the separation performance of the gas chromatography column. It can be effective.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 미세통로의 내측면에 고정상 물질을 코팅하기 전에 버퍼물질을 코팅하여, 고정상 물질에 의한 기공처리 효과를 향상시킬 수 있는 효과를 발휘할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the effect of improving the pore treatment effect by the stationary phase material can be achieved by coating the inner surface of the micro-channel with a buffer material before coating the stationary phase material.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 플라즈마에칭하여 표면적이 증가된 패턴을 포함하는 몰드를 이용하여 상부구조체의 내측면의 표면적을 증가시킴으로써, 가스크로마토그래피용 컬럼의 샘플 분리용량을 증가시킬 수 있는 효과를 발휘할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the sample separation capacity of the gas chromatography column can be increased by increasing the surface area of the inner surface of the superstructure using a mold including a pattern with an increased surface area by plasma etching. can be demonstrated.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스크로마토그래피용 컬럼의 제조방법을 개략적으로 도시한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스크로마토그래피용 컬럼이 제조되는 예시를 개략적으로 도시한다.
도 3은 도 2의 A-A'의 평면도를 개략적으로 도시한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴을 포함하는 몰드를 준비하는 단계의 세부단계를 개략적으로 도시한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴을 포함하는 몰드가 준비되는 예시를 개략적으로 도시한다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 패턴을 포함하는 몰드를 준비하는 단계의 세부단계를 개략적으로 도시한다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 패턴을 포함하는 몰드가 준비되는 예시를 개략적으로 도시한다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 패턴을 포함하는 몰드를 준비하는 단계의 세부단계를 개략적으로 도시한다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 패턴을 포함하는 몰드가 준비되는 예시를 개략적으로 도시한다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 미세통로의 내측면에 고정상 물질을 코팅하는 예시를 개념적으로 도시한다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 상부구조체 및 상부구조체에 형성된 기공의 단면을 개략적으로 도시한다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 상부구조체의 실시예를 개략적으로 도시한다.
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 상부구조체의 실시예를 개략적으로 도시한다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 상부구조체의 실시예를 개략적으로 도시한다.Figure 1 schematically shows a method of manufacturing a column for gas chromatography according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 schematically shows an example in which a column for gas chromatography is manufactured according to an embodiment of the present invention.
Figure 3 schematically shows a plan view taken along line A-A' in Figure 2;
Figure 4 schematically shows detailed steps of preparing a mold including a pattern according to an embodiment of the present invention.
Figure 5 schematically shows an example in which a mold including a pattern according to an embodiment of the present invention is prepared.
Figure 6 schematically shows detailed steps of preparing a mold including a pattern according to another embodiment of the present invention.
Figure 7 schematically shows an example in which a mold including a pattern according to another embodiment of the present invention is prepared.
Figure 8 schematically shows detailed steps of preparing a mold including a pattern according to another embodiment of the present invention.
Figure 9 schematically shows an example in which a mold including a pattern according to another embodiment of the present invention is prepared.
Figure 10 conceptually shows an example of coating a stationary phase material on the inner surface of a micro-channel according to an embodiment of the present invention.
Figure 11 schematically shows a cross section of a superstructure and pores formed in the superstructure according to an embodiment of the present invention.
Figure 12 schematically shows an example of a superstructure according to an embodiment of the present invention.
Figure 13 schematically shows an example of a superstructure according to an embodiment of the present invention.
Figure 14 schematically shows an example of a superstructure according to an embodiment of the present invention.
이하에서는, 다양한 실시예들 및/또는 양상들이 이제 도면들을 참조하여 개시된다. 하기 설명에서는 설명을 목적으로, 하나이상의 양상들의 전반적 이해를 돕기 위해 다수의 구체적인 세부사항들이 개시된다. 그러나, 이러한 양상(들)은 이러한 구체적인 세부사항들 없이도 실행될 수 있다는 점 또한 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 인식될 수 있을 것이다. 이후의 기재 및 첨부된 도면들은 하나 이상의 양상들의 특정한 예시적인 양상들을 상세하게 기술한다. 하지만, 이러한 양상들은 예시적인 것이고 다양한 양상들의 원리들에서의 다양한 방법들 중 일부가 이용될 수 있으며, 기술되는 설명들은 그러한 양상들 및 그들의 균등물들을 모두 포함하고자 하는 의도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Various embodiments and/or aspects are now disclosed with reference to the drawings. In the following description, for purposes of explanation, numerous specific details are set forth to facilitate a general understanding of one or more aspects. However, it will also be appreciated by those skilled in the art that this aspect(s) may be practiced without these specific details. The following description and accompanying drawings set forth in detail certain example aspects of one or more aspects. However, these aspects are illustrative and some of the various methods in the principles of the various aspects may be utilized, and the written description is intended to encompass all such aspects and their equivalents.
또한, 다양한 양상들 및 특징들이 다수의 디바이스들, 컴포넌트들 및/또는 모듈들 등을 포함할 수 있는 시스템에 의하여 제시될 것이다. 다양한 시스템들이, 추가적인 장치들, 컴포넌트들 및/또는 모듈들 등을 포함할 수 있다는 점 그리고/또는 도면들과 관련하여 논의된 장치들, 컴포넌트들, 모듈들 등 전부를 포함하지 않을 수도 있다는 점 또한 이해되고 인식되어야 한다.Additionally, various aspects and features may be presented by a system that may include multiple devices, components and/or modules, etc. It is also understood that various systems may include additional devices, components and/or modules, etc. and/or may not include all of the devices, components, modules, etc. discussed in connection with the drawings. It must be understood and recognized.
본 명세서에서 사용되는 "실시예", "예", "양상", "예시" 등은 기술되는 임의의 양상 또는 설계가 다른 양상 또는 설계들보다 양호하다거나, 이점이 있는 것으로 해석되지 않을 수도 있다. As used herein, “embodiments,” “examples,” “aspects,” “examples,” etc. may not be construed to mean that any aspect or design described is better or advantageous over other aspects or designs. .
더불어, 용어 "또는"은 배타적 "또는"이 아니라 내포적 "또는"을 의미하는 것으로 의도된다. 즉, 달리 특정되지 않거나 문맥상 명확하지 않은 경우에, "X는 A 또는 B를 이용한다"는 자연적인 내포적 치환 중 하나를 의미하는 것으로 의도된다. 즉, X가 A를 이용하거나; X가 B를 이용하거나; 또는 X가 A 및 B 모두를 이용하는 경우, "X는A 또는 B를 이용한다"가 이들 경우들 어느 것으로도 적용될 수 있다. 또한, 본 명세서에 사용된 "및/또는"이라는 용어는 열거된 관련 아이템들 중 하나 이상의 아이템의 가능한 모든 조합을 지칭하고 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Additionally, the term “or” is intended to mean an inclusive “or” and not an exclusive “or.” That is, unless otherwise specified or clear from context, “X utilizes A or B” is intended to mean one of the natural implicit substitutions. That is, either X uses A; X uses B; Or, if X uses both A and B, “X uses A or B” can apply to either of these cases. Additionally, the term “and/or” as used herein should be understood to refer to and include all possible combinations of one or more of the related listed items.
또한, "포함한다" 및/또는 "포함하는"이라는 용어는, 해당 특징 및/또는 구성요소가 존재함을 의미하지만, 하나이상의 다른 특징, 구성요소 및/또는 이들의 그룹의 존재 또는 추가를 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.Additionally, the terms "comprise" and/or "comprising" mean that the feature and/or element is present, but exclude the presence or addition of one or more other features, elements and/or groups thereof. It should be understood as not doing so.
또한, 제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.Additionally, terms including ordinal numbers, such as first, second, etc., may be used to describe various components, but the components are not limited by the terms. The above terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, a first component may be named a second component, and similarly, the second component may also be named a first component without departing from the scope of the present invention. The term and/or includes any of a plurality of related stated items or a combination of a plurality of related stated items.
또한, 본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.Additionally, the terms used in this specification are only used to describe specific embodiments and are not intended to limit the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this specification, terms such as “comprise” or “have” are intended to indicate the presence of features, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof described in the specification, but are not intended to indicate the presence of one or more other features. It should be understood that this does not exclude in advance the possibility of the existence or addition of elements, numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.
또한, 본 발명의 실시예들에서, 별도로 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 발명의 실시예에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.In addition, in the embodiments of the present invention, unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, are generally understood by those skilled in the art to which the present invention pertains. It has the same meaning as Terms defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related technology, and unless clearly defined in the embodiments of the present invention, have an ideal or excessively formal meaning. It is not interpreted as
가스크로마토그래피용 컬럼(1)은 일반적으로 관 형태를 가지고 있으며, 관 내부면에는 샘플을 구성하는 복수의 분석대상물질들을 분리시키기 위한 고정상 물질이 코팅되어 있는 형태를 가진다. 종래에는 웨이퍼, 폴리머 등 기판의 표면을 식각하여 채널을 형성한 후에 상기 기판의 위에 커버를 덮는 방식으로 가스크로마토그래피용 컬럼(1)을 제조하였다. The
다만 이러한 방식은 상기 채널을 형성하는 과정에서 반도체 제조공정과 같이 미세한 작업이 필요하며, 커버를 덮은 이후에 채널의 내벽에 물질 분리를 위한 고정상 물질을 코팅하는 별도의 작업이 필요하여 작업성이 매우 나쁘고 생산단가가 높은 문제점이 있었다.However, this method requires fine work like a semiconductor manufacturing process in the process of forming the channel, and after covering, a separate work is required to coat the inner wall of the channel with a stationary phase material for material separation, making workability very difficult. There was a problem with the bad and high production cost.
이러한 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명에서는 컬럼 자체를 고정상 물질로 형성하였다.In order to solve this problem, in the present invention, the column itself was formed from a stationary phase material.
구체적으로, 본 발명은 가스크로마토그래피용 컬럼(1) 및 이를 제조하는 방법으로, 패턴(121)이 형성된 몰드(100)에 고정상 물질의 일종인 경화성 폴리머 물질(200)을 주입한 후 경화하여 컬럼의 상부구조체(300)를 제조하고, 상기 상부구조체(300)를 기판 위에 접합시킴으로써 가스크로마토그래피용 컬럼(1)을 형성하는 것이 주된 특징이다. 이때 상기 가스크로마토그래피용 컬럼(1)은 상기 패턴(121)에 의하여 미세통로(320)가 형성될 수 있고, 샘플이 상기 미세통로(320)로 주입되는 경우에 상기 상부구조체(300)를 이루는 경화성 폴리머 물질(200)(고정상 물질의 일종)에 의하여 상기 샘플로부터 복수의 분석대상물질을 분리시킬 수 있다.Specifically, the present invention relates to a column (1) for gas chromatography and a method of manufacturing the same. A curable polymer material (200), which is a type of stationary phase material, is injected into a mold (100) in which a pattern (121) is formed and then cured to form a column. The main feature is to form a
즉 본 발명은 컬럼 자체가 고정상 물질로 이루어져 있어 고정상 물질을 형성하는 공정이 필요하지 않고, 컬럼 제조시 몰드(100)를 이용함에 따라 컬럼을 보다 용이하게 대량으로 생산할 수 있는 가스크로마토그래피용 컬럼(1) 및 이를 제조하는 방법을 제공할 수 있다.In other words, the present invention is a gas chromatography column ( 1) and a method for manufacturing it can be provided.
이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스크로마토그래피용 컬럼(1) 및 이를 제조하는 방법에 대하여 상세하게 서술하기로 한다.Hereinafter, a column for gas chromatography (1) and a method of manufacturing the same according to an embodiment of the present invention will be described in detail.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 가스크로마토그래피용 컬럼(1)의 제조방법을 개략적으로 도시한다.Figure 1 schematically shows a method of manufacturing a
본 발명의 일 실시예에 따른 가스크로마토그래피용 컬럼(1)을 제조하는 방법으로서, 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)를 준비하는 단계(S100); 상기 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)에 경화성 폴리머 물질(200)을 주입하여 경화시키는 단계(S200); 경화된 상기 경화성 폴리머 물질(200)을 상기 몰드(100)로부터 제거하여 상부구조체(300)를 형성하는 단계(S300); 및 상기 상부구조체(300)의 하면에 제1기판(400)을 배치하고, 상기 상부구조체(300)와 상기 제1기판(400)을 서로 접합시켜 상기 가스크로마토그래피용 컬럼(1)을 형성하는 단계(S400);를 포함할 수 있다.A method of manufacturing a
도 1에 도시된 단계 S100은 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)를 준비하는 단계에 해당한다. 단계 S100에서는 가스크로마토그래피용 컬럼(1)의 내부에 샘플이 지나는 통로를 형성할 수 있도록 하는 패턴(121)을 기판 위에 형성하여 상기 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)를 준비할 수 있다.Step S100 shown in FIG. 1 corresponds to preparing the mold 100 including the pattern 121. In step S100, a pattern 121 capable of forming a passage through which a sample passes inside the
상기 패턴(121)은 상부구조체(300)의 내부에 빈공간을 형성하여 상기 가스크로마토그래피용 컬럼(1)에 미세통로(320)를 형성할 수 있도록 하는 구성에 해당한다. 상기 미세통로(320)는 가스크로마토그래피용 컬럼(1)의 채널에 상응하는 구성에 해당한다.The pattern 121 corresponds to a configuration that forms an empty space inside the
상기 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)를 준비하는 단계에 대해서는 후술하는 도면을 통해 보다 상세하게 서술하기로 한다.The step of preparing the mold 100 including the pattern 121 will be described in more detail with reference to the drawings described later.
도 1에 도시된 단계 S200은 상기 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)에 경화성 폴리머 물질(200)을 주입하여 경화시키는 단계에 해당한다. 단계 S200에서는 상기 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)에 경화성 폴리머 물질(200)을 주조 혹은 사출방식으로 주입한 후 경화하여 상기 경화성 폴리머 물질(200)을 성형할 수 있다.Step S200 shown in FIG. 1 corresponds to injecting and curing the curable polymer material 200 into the mold 100 including the pattern 121. In step S200, the curable polymer material 200 can be molded by injecting the curable polymer material 200 into the mold 100 including the pattern 121 using a casting or injection method and then curing the mold 100 including the pattern 121.
상기 경화성 폴리머 물질(200)은 고정상 물질의 일종에 해당하며, 바람직하게는 상기 경화성 폴리머 물질(200)은 폴리디메틸실록산(PDMS)을 포함한다. 폴리디메틸실록산(PDMS)은 OV1 계열 물질로서, 샘플이 가스크로마토그래피용 컬럼(1)의 내부를 지나는 중에 상기 샘플로부터 분석대상물질이 분리될 수 있도록 하는 고정상으로 사용되기에 적합한 물질에 해당한다.The curable polymer material 200 corresponds to a type of stationary phase material, and preferably the curable polymer material 200 includes polydimethylsiloxane (PDMS). Polydimethylsiloxane (PDMS) is an OV1 series material and is a material suitable for use as a stationary phase that allows the analyte to be separated from the sample while the sample passes through the inside of the
본 발명의 일 실시예에서, 상기 경화성 폴리머 물질(200)은 3 내지 5시간 동안 40 내지 60도의 온도에서 가열됨으로써 경화될 수 있다.In one embodiment of the present invention, the curable polymer material 200 can be cured by heating at a temperature of 40 to 60 degrees for 3 to 5 hours.
도 1에 도시된 단계 S300은 경화된 상기 경화성 폴리머 물질(200)을 상기 몰드(100)로부터 제거하여 상부구조체(300)를 형성하는 단계에 해당한다. 단계 S300에서는 상기 단계 S200에서 성형 및 경화된 상기 경화성 폴리머 물질(200)을 상기 몰드(100)로부터 떼어내어 상기 상부구조체(300)를 형성할 수 있다.Step S300 shown in FIG. 1 corresponds to forming the
상기 상부구조체(300)는 상기 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)에 의하여 미세통로(320)가 형성되어 있고, 상기 미세통로(320)는 기설정된 높이를 가질 수 있다. 바람직하게는, 상기 미세통로(320)는 300 마이크로미터 이하의 높이를 가질 수 있다.The
도 1에 도시된 단계 S400은 상기 상부구조체(300)의 하면에 제1기판(400)을 배치하고, 상기 상부구조체(300)와 상기 제1기판(400)을 서로 접합시켜 상기 가스크로마토그래피용 컬럼(1)을 형성하는 단계에 해당한다. 단계 S400에서는 상기 단계 S300에서 형성된 상기 상부구조체(300)를 제1기판(400)의 일면에 배치시킨 후 접합시킴으로써 상기 가스크로마토그래피용 컬럼(1)을 최종적으로 형성할 수 있다.Step S400 shown in FIG. 1 places the
본 발명의 일 실시예에서 상기 제1기판(400)은 실리콘 웨이퍼 기판을 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the
즉 상기 가스크로마토그래피용 컬럼(1)은 상기 상부구조체(300)와 상기 제1기판(400)이 서로 접합된 형태를 포함한다. 이때 상기 상부구조체(300)는 상기 단계 S200 및 S300을 통해 제조되면서 내부에 300 마이크로미터 이하의 높이를 가지는 미세통로(320)가 형성되어 있으며, 상기 미세통로(320)를 포함하는 상부구조체(300)가 상기 제1기판(400)에 접합됨에 따라 상기 가스크로마토그래피용 컬럼(1)은 상기 미세통로(320)를 포함할 수 있다. 바람직하게는, 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 가스크로마토그래피용 컬럼(1)은 내부에 300 마이크로미터 이하의 높이를 갖는 미세통로(320)가 형성되어 있다.That is, the
이와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 가스크로마토그래피용 컬럼(1)을 제조하는 방법은 고정상 물질의 일종인 경화성 폴리머 물질(200)로 상부구조체(300)를 형성함에 따라 미세통로(320)의 내측면에 고정상 물질을 형성하기 위한 별도의 공정이 필요하지 않아, 제조용이성을 향상시킬 수 있는 효과를 발휘할 수 있다.In this way, the method of manufacturing the
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스크로마토그래피용 컬럼(1)이 제조되는 예시를 개략적으로 도시한다.Figure 2 schematically shows an example in which a
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 가스크로마토그래피용 컬럼(1)은, 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)를 준비하는 단계(S100); 상기 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)에 경화성 폴리머 물질(200)을 주입하여 경화시키는 단계(S200); 경화된 상기 경화성 폴리머 물질(200)을 상기 몰드(100)로부터 제거하여 상부구조체(300)를 형성하는 단계(S300); 및 상기 상부구조체(300)의 하면에 제1기판(400)을 배치하고, 상기 상부구조체(300)와 상기 제1기판(400)을 서로 접합시켜 상기 가스크로마토그래피용 컬럼(1)을 형성하는 단계(S400);를 통해 제조되고, 상기 가스크로마토그래피용 컬럼(1)은 내부에 300 마이크로미터 이하의 높이를 갖는 미세통로(320)가 형성되어 있다.The
도 2에 도시된 바와 같이 상기 가스크로마토그래피용 컬럼(1)은 전술한 가스크로마토그래피용 컬럼(1)을 제조하는 방법을 통해 제조될 수 있다.As shown in FIG. 2, the
보다 상세하게는, 상기 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)를 준비하는 단계(S100) 및 상기 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)에 경화성 폴리머 물질(200)을 주입하여 경화시키는 단계(S200)를 통해 상기 경화성 폴리머 물질(200)이 상기 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)에 주입될 수 있다. 이때 상기 단계들은 도 2에 도시된 바와 같이 개방챔버(2)의 내부에 상기 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)를 배치시킨 상태에서 수행하는 것이 바람직하다. 이후에 상기 경화된 상기 경화성 폴리머 물질(200)을 상기 몰드(100)로부터 제거하여 상부구조체(300)를 형성하는 단계(S300)을 통해 형성된 상기 상부구조체(300)를, 상기 상부구조체(300)의 하면에 제1기판(400)을 배치하고, 상기 상부구조체(300)와 상기 제1기판(400)을 서로 접합시켜 상기 가스크로마토그래피용 컬럼(1)을 형성하는 단계(S400)를 통해 상기 제1기판(400)에 접합시킴으로써, 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 가스크로마토그래피용 컬럼(1)이 형성될 수 있다. 이때 상기 상부구조체(300)는 상기 패턴(121)에 의하여 하부에 채널홈(310)이 형성될 수 있고, 상기 상부구조체(300)가 상기 제1기판(400)에 접합되는 경우 상기 채널홈(310)의 하부가 상기 제1기판(400)의 일부에 의하여 막힘으로써 상기 상부구조체(300)에 미세통로(320)가 형성될 수 있다.More specifically, preparing a mold 100 including the pattern 121 (S100) and injecting a curable polymer material 200 into the mold 100 including the pattern 121 and curing it. The curable polymer material 200 may be injected into the mold 100 including the pattern 121 through (S200). At this time, the above steps are preferably performed with the mold 100 including the pattern 121 placed inside the open chamber 2 as shown in FIG. 2. Thereafter, the
도 3은 도 2의 A-A'의 평면도를 개략적으로 도시한다.Figure 3 schematically shows a plan view taken along line A-A' in Figure 2;
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 가스크로마토그래피용 컬럼(1)은 내부에 미세통로(320)가 형성되어 있는 상부구조체(300)가 제1기판(400)의 일면에 배치되고, 상기 상부구조체(300)와 상기 제1기판(400)이 서로 접합됨으로써 형성될 수 있다. 상기 가스크로마토그래피용 컬럼(1)으로 샘플이 주입되는 경우에, 상기 샘플은 상기 미세통로(320)를 지나면서 상기 상부구조체(300)의 내측면과 물리적 혹은 화학적 반응을 일으켜 복수의 분석대상물질로 분리될 수 있다.As shown in FIG. 3, the
상기 가스크로마토그래피용 컬럼(1)은 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)를 이용하여 상기 상부구조체(300)를 형성하고 있으므로, 상기 상부구조체(300)를 성형할 때 사용한 몰드(100)가 가지고 있는 패턴(121)의 형상에 따라 상기 미세통로(320)의 형상이 결정될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 상기 패턴(121)은 스파이럴형, 및 병렬적층형 중 하나를 포함할 수 있다.Since the
예를들어, 스파이럴 형상을 갖는 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)에 경화성 폴리머 물질(200)을 주입하여 성형한 후 상부구조체(300)를 형성하는 경우에, 상기 상부구조체(300)를 포함하는 가스크로마토그래피용 컬럼(1)은 도 3(a)와 같은 미세통로(320)를 가질 수 있다. 이 경우 상기 가스크로마토그래피용 컬럼(1)의 하측 입구를 통해 상기 가스크로마토그래피용 컬럼(1)으로 주입된 샘플은, 상기 미세통로(320)를 지나면서 상기 상부구조체(300)를 이루는 폴리디메틸실록산(PDMS)에 의하여 복수의 분석대상물질로 분리될 수 있고, 상기 복수의 분석대상물질은 상기 하측 입구를 통해 상기 가스크로마토그래피용 컬럼(1)으로부터 방출될 수 있다.For example, when forming the
또한 병렬적층형 형상을 갖는 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)에 경화성 폴리머 물질(200)을 주입하여 성형한 후 상부구조체(300)를 형성하는 경우에, 상기 상부구조체(300)를 포함하는 가스크로마토그래피용 컬럼(1)은 도 3(b)와 같은 미세통로(320)를 가질 수 있다. 이 경우 상기 가스크로마토그래피용 컬럼(1)의 하측 입구를 통해 상기 가스크로마토그래피용 컬럼(1)으로 주입된 샘플은, 상기 미세통로(320)를 지나면서 상기 상부구조체(300)를 이루는 폴리디메틸실록산(PDMS)에 의하여 복수의 분석대상물질로 분리될 수 있고, 상기 복수의 분석대상물질은 상기 가스크로마토그래피용 컬럼(1)의 상측 입구를 통해 상기 가스크로마토그래피용 컬럼(1)으로부터 방출될 수 있다. 도 3(b)의 상기 병렬적층형 형상을 갖는 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)로부터 상기 상부구조체(300)를 떼어내는 작업은, 도 3(a)의 상기 스파이럴형 형상을 갖는 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)로부터 상기 상부구조체(300)를 떼어내는 작업 대비 비교적 용이하게 수행할 수 있다. 이는 상기 패턴(121)의 형상 차이로 인한 것이다.In addition, when the
도 2 및 도 3에서와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 가스크로마토그래피용 컬럼(1)은 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)를 사용하여 제조된 상부구조체(300)를 포함하는 것이 주된 특징이다.2 and 3, the
이와 같이 본 발명의 일 실시예에서, 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)를 이용하여 상부구조체(300)를 형성하고 이를 기판에 접합시켜 컬럼을 형성함으로써, 복수의 컬럼을 보다 용이하게 대량 생산할 수 있어 생산성을 증대시킬 수 있는 효과를 발휘할 수 있다.In this way, in one embodiment of the present invention, the
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)를 준비하는 단계의 세부단계를 개략적으로 도시한다.Figure 4 schematically shows detailed steps of preparing a mold 100 including a pattern 121 according to an embodiment of the present invention.
도 4에 도시된 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)를 준비하는 세부단계는, 네거티브형 감광액을 이용하여 몰드(100)를 준비하는 단계(S110)에 해당한다. The detailed steps of preparing the mold 100 including the pattern 121 shown in FIG. 4 correspond to the step (S110) of preparing the mold 100 using a negative photoresist.
상기 네거티브형 감광액을 이용하여 몰드(100)를 준비하는 단계(S110)에서는 네거티브형 감광액을 이용하여 기판 위에 패턴(121)을 형성함으로써, 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)를 준비할 수 있다.In the step (S110) of preparing the mold 100 using the negative photoresist, the mold 100 including the pattern 121 can be prepared by forming the pattern 121 on the substrate using the negative photoresist. there is.
바람직하게는, 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)를 준비하는 단계(S100)는, 제2기판(110) 위에 네거티브형 감광액을 스핀코팅하여 PR층(120)을 형성하는 단계(S111); 상기 PR층(120) 위에 상기 패턴의 형상에 상응하는 관통홀(131)을 포함하는 마스크(130)를 배치하는 단계(S112); 상기 마스크(130) 측으로 자외선을 조사하여 상기 PR층의 일부(121)를 경화하는 단계(S113); 및 상기 PR층의 다른 일부(122)를 현상액을 이용하여 제거하는 단계(S114);를 포함할 수 있다.Preferably, the step (S100) of preparing the mold 100 including the pattern 121 according to an embodiment of the present invention involves spin-coating a negative photoresist liquid on the second substrate 110 to form a PR layer ( 120) forming step (S111); Placing a mask 130 including through holes 131 corresponding to the shape of the pattern on the PR layer 120 (S112); Curing a portion 121 of the PR layer by irradiating ultraviolet rays toward the mask 130 (S113); and removing another part 122 of the PR layer using a developer (S114).
도 4에 도시된 단계 S111은 제2기판(110) 위에 네거티브형 감광액을 스핀코팅하여 PR층(120)을 형성하는 단계에 해당한다. 단계 S111에서는 몰드(100)의 바탕부분에 해당하는 제2기판(110) 위에 PR층(120)을 코팅하여 상기 제2기판(110) 위에 패턴(121)을 형성하기 위한 1차 전처리작업을 수행할 수 있다.Step S111 shown in FIG. 4 corresponds to forming the PR layer 120 by spin coating a negative photoresist on the second substrate 110. In step S111, a first pretreatment operation is performed to form a pattern 121 on the second substrate 110 by coating the PR layer 120 on the second substrate 110 corresponding to the base portion of the mold 100. can do.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 네거티브형 감광액은 SU-8 포토레지스트를 포함할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the negative photoresist may include SU-8 photoresist.
도 4에 도시된 단계 S112는 상기 PR층(120) 위에 상기 패턴의 형상에 상응하는 관통홀(131)을 포함하는 마스크(130)를 배치하는 단계에 해당한다. 단계 S112에서는 네거티브형 감광액의 일부를 경화시키기 위한 마스크(130)를 배치하여 상기 제2기판(110) 위에 패턴(121)을 형성하기 위한 2차 전처리작업을 수행할 수 있다.Step S112 shown in FIG. 4 corresponds to disposing a mask 130 including a through hole 131 corresponding to the shape of the pattern on the PR layer 120. In step S112, a secondary pretreatment operation to form the pattern 121 on the second substrate 110 can be performed by placing a mask 130 to cure a portion of the negative photoresist.
상기 마스크(130)는 스파이럴형, 및 병렬적층형 중 하나를 포함하는 패턴의 형상에 상응하는 관통홀(131)을 포함하는 것이 바람직하다.The mask 130 preferably includes through holes 131 corresponding to the shape of a pattern including one of a spiral type and a parallel stacked type.
도 4에 도시된 단계 S113은 상기 마스크(130) 측으로 자외선을 조사하여 상기 PR층의 일부(121)를 경화하는 단계에 해당한다. 단계 S113에서는 자외선을 이용하여 상기 제2기판(110) 위에 형성된 상기 PR층(120)을 패터닝할 수 있다.Step S113 shown in FIG. 4 corresponds to curing a portion 121 of the PR layer by irradiating ultraviolet rays toward the mask 130. In step S113, the PR layer 120 formed on the second substrate 110 can be patterned using ultraviolet rays.
상기 마스크(130)에 의하여 PR층의 일부(121)는 경화되는 반면, PR층의 다른 일부(122)는 경화되지 않을 수 있다.While part 121 of the PR layer may be hardened by the mask 130, the other part 122 of the PR layer may not be hardened.
도 4에 도시된 단계 S114는 상기 PR층의 다른 일부(122)를 현상액을 이용하여 제거하는 단계에 해당한다. 단계 S114에서는 상기 단계 S113에서 경화되지 않은 상기 PR층의 다른 일부(122)를 제거하여 포토공정을 마무리할 수 있다.Step S114 shown in FIG. 4 corresponds to removing another part 122 of the PR layer using a developer. In step S114, the photo process can be completed by removing the other part 122 of the PR layer that was not cured in step S113.
단계 S114가 종료된 이후에는 상기 제2기판(110) 위에 상기 PR층의 일부(121)가 형성된 몰드(100)를 준비할 수 있다. 이때 상기 PR층의 일부(121)는 상기 패턴(121)에 상응한다.After step S114 is completed, the mold 100 in which a portion 121 of the PR layer is formed on the second substrate 110 can be prepared. At this time, part 121 of the PR layer corresponds to the pattern 121.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)가 준비되는 예시를 개략적으로 도시한다.Figure 5 schematically shows an example in which a mold 100 including a pattern 121 according to an embodiment of the present invention is prepared.
전술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 가스크로마토그래피용 컬럼(1)을 제조하기 위해서는 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)를 준비하는 단계(S100)를 수행해야 한다.As described above, in order to manufacture the
이때 본 발명의 일 실시예에서는, 도 5에 도시된 바와 같이 네거티브형 감광액을 이용하여 몰드(100)를 준비하는 단계(S110)를 통해 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)를 준비할 수 있다.At this time, in one embodiment of the present invention, the mold 100 including the pattern 121 can be prepared through the step (S110) of preparing the mold 100 using a negative photoresist, as shown in FIG. 5. there is.
보다 상세하게는, 상기 제2기판(110) 위에 네거티브형 감광액을 스핀코팅하여 PR층(120)을 형성하는 단계(S111)를 통해 도 5(a) 및 도 5(b)에서와 같이 제2기판(110) 위에 PR층(120)이 코팅될 수 있다. 이후에 상기 PR층(120) 위에 상기 패턴의 형상에 상응하는 관통홀(131)을 포함하는 마스크(130)를 배치하는 단계(S112)를 통해 도 5(c)에서와 같이 상기 PR층(120) 위에 관통홀을 포함하는 마스크(130)를 배치하고, 상기 마스크(130) 측으로 자외선을 조사하여 상기 PR층의 일부(121)를 경화하는 단계(S113)를 통해 도 5(d)에서와 같이 상기 마스크(130) 측으로 자외선을 조사하여 상기 PR층의 일부(121)를 경화시키고, 상기 PR층의 다른 일부(122)를 현상액을 이용하여 제거하는 단계(S114)를 통해 도 5(e)에서와 같이 상기 자외선에 의하여 경화되지 않은 상기 PR층의 다른 일부(122)를 제거함으로써, 도 5(f)에서와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)를 준비할 수 있다.More specifically, through the step (S111) of forming the PR layer 120 by spin-coating a negative photoresist on the second substrate 110, the second substrate 110 is formed as shown in FIGS. 5(a) and 5(b). A PR layer 120 may be coated on the substrate 110. Thereafter, the PR layer 120 is placed on the PR layer 120 as shown in FIG. 5(c) through a step (S112) of placing a mask 130 including a through hole 131 corresponding to the shape of the pattern. ) A mask 130 including a through hole is placed on the mask 130, and a portion 121 of the PR layer is cured by irradiating ultraviolet rays toward the mask 130 (S113), as shown in FIG. 5(d). In Figure 5(e), a portion 121 of the PR layer is cured by irradiating ultraviolet rays toward the mask 130, and the other portion 122 of the PR layer is removed using a developer (S114). By removing the other part 122 of the PR layer that has not been cured by ultraviolet rays, the mold 100 including the pattern 121 according to an embodiment of the present invention as shown in FIG. 5(f) You can prepare.
도 4 및 도 5에서와 같이, 본 발명의 일 실시예에서는 네거티브형 감광액을 이용하여 몰드(100)를 준비하는 단계(S110)를 통해 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)를 준비할 수 있다.4 and 5, in one embodiment of the present invention, the mold 100 including the pattern 121 can be prepared through the step (S110) of preparing the mold 100 using a negative photoresist. there is.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)를 준비하는 단계의 세부단계를 개략적으로 도시한다.Figure 6 schematically shows detailed steps of preparing a mold 100 including a pattern 121 according to another embodiment of the present invention.
도 6에 도시된 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)를 준비하는 세부단계는, 네거티브형 감광액을 이용하여 몰드(100)를 준비하는 단계(S110)의 다른 실시예에 해당한다.The detailed steps of preparing the mold 100 including the pattern 121 shown in FIG. 6 correspond to another embodiment of the step (S110) of preparing the mold 100 using a negative photoresist.
바람직하게는, 본 발명의 다른 실시예에 따른 상기 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)를 준비하는 단계(S100)는, 상기 패턴(121) 측으로 플라즈마를 조사하여 상기 패턴(121)의 표면을 플라즈마에칭하는 단계(S115);를 더 포함할 수 있다.Preferably, the step (S100) of preparing the mold 100 including the pattern 121 according to another embodiment of the present invention involves irradiating plasma toward the pattern 121 to form a surface of the pattern 121. It may further include a plasma etching step (S115).
도 6에 도시된 단계 S115는 PR층의 일부(121)에 해당하는 패턴(121)의 표면을 플라즈마에칭하는 단계에 해당한다. 단계 S115에서는 도 4 및 도 5에서 전술한 단계 S111 내지 S114를 수행한 이후에, 상기 패턴(121) 측으로 플라즈마를 가하여 상기 패턴(121)의 표면을 플라즈마에칭하여 상기 패턴(121)의 표면적을 증가시킬 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 상기 패턴(121) 측으로 플라즈마를 조사하여 상기 패턴(121)의 표면을 플라즈마에칭하는 단계(S115)에서는, 상기 패턴(121) 측으로 O2 플라즈마를 조사할 수 있다.Step S115 shown in FIG. 6 corresponds to plasma etching the surface of the pattern 121 corresponding to a portion 121 of the PR layer. In step S115, after performing steps S111 to S114 described above in FIGS. 4 and 5, plasma is applied to the pattern 121 to plasma-etch the surface of the pattern 121 to increase the surface area of the pattern 121. You can do it. In one embodiment of the present invention, in the step (S115) of plasma etching the surface of the pattern 121 by irradiating plasma toward the pattern 121, O 2 plasma may be irradiated toward the pattern 121.
표면적이 증가된 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)를 이용하여 상부구조체(300)를 형성하는 경우에는 상기 상부구조체(300)에 형성된 미세통로(320)의 내측면이 상기 패턴(121)의 표면을 따라 형성되어, 상기 미세통로(320)의 내측면의 표면적이 상기 패턴(121)의 표면적과 상응하게 증가될 수 있다. 특히, 플라즈마에칭을 통해 표면적이 증가된 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)를 이용하여 형성된 상부구조체(300)는, 플라즈마에칭을 하지 않은 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)를 이용하여 형성된 상부구조체(300) 대비 비교적 넓은 내측 표면적을 갖는 미세통로(320)이 형성될 수 있다. 미세통로(320)의 내측면의 표면적이 증가한다는 것은 상기 미세통로(320)를 지나는 샘플이 반응할 수 있는 면적이 증가한다는 의미에 해당한다.When forming the
즉 이와 같이 플라즈마에칭하여 표면적이 증가된 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)를 이용하여 상부구조체(300)의 내측면의 표면적을 증가시킴으로써, 가스크로마토그래피용 컬럼(1)의 샘플 분리용량을 증가시킬 수 있는 효과를 발휘할 수 있다.That is, by increasing the surface area of the inner surface of the
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)가 준비되는 예시를 개략적으로 도시한다.Figure 7 schematically shows an example in which a mold 100 including a pattern 121 according to another embodiment of the present invention is prepared.
전술한 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)를 준비하기 위해서는 상기 PR층의 일부(121)에 해당하는 패턴(121)의 표면을 플라즈마에칭하는 단계(S115);를 더 수행해야 한다. 이때 도 7(a)에 도시된 바와 같이 패턴(121)이 형성된 제2기판(110) 위에 플라즈마를 가하여 단계 S115를 수행할 수 있다.As described above, in order to prepare the mold 100 including the pattern 121 according to another embodiment of the present invention, the step of plasma etching the surface of the pattern 121 corresponding to a portion 121 of the PR layer. (S115); must be further performed. At this time, step S115 can be performed by applying plasma to the second substrate 110 on which the pattern 121 is formed, as shown in FIG. 7(a).
또한 단계 S115 수행 시, 도 7(b) 및 도 7(c)에 도시된 바와 같이 상기 패턴(121)이 형성된 제2기판(110)을 기설정된 각도로 기울어지게 배치한 상태에서, 플라즈마를 가할 수도 있다. 상기 패턴(121)의 상면뿐만 아니라 측면에도 플라즈마가 가해질 수 있어, 상기 패턴(121)의 표면을 보다 균질하게 플라즈마에칭할 수 있다. In addition, when performing step S115, plasma is applied while the second substrate 110 on which the pattern 121 is formed is tilted at a preset angle, as shown in FIGS. 7(b) and 7(c). It may be possible. Plasma can be applied not only to the top surface but also to the side surfaces of the pattern 121, so that the surface of the pattern 121 can be plasma-etched more homogeneously.
바람직하게는, 본 발명의 실시예에 따른 상기 패턴(121) 측으로 플라즈마를 조사하여 상기 패턴(121)의 표면을 플라즈마에칭하는 단계(S115)에서는, 상기 제2기판(110)이 배치된 평면에 평행하는 축을 중심으로 상기 제2기판(110)을 기설정된 각도로 회전하는 상태에서 상기 패턴(121) 측으로 플라즈마를 가하여, 상기 패턴(121)의 상면, 좌측면, 및 우측면을 플라즈마에칭할 수 있다.Preferably, in the step (S115) of plasma etching the surface of the pattern 121 by irradiating plasma toward the pattern 121 according to an embodiment of the present invention, the plane on which the second substrate 110 is disposed is The upper, left, and right sides of the pattern 121 can be plasma etched by applying plasma to the pattern 121 while rotating the second substrate 110 at a preset angle about a parallel axis. .
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)를 준비하는 단계의 세부단계를 개략적으로 도시한다.Figure 8 schematically shows detailed steps of preparing a mold 100 including a pattern 121 according to another embodiment of the present invention.
도 8에 도시된 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)를 준비하는 세부단계는, 3D프린터를 이용하여 몰드(100)를 준비하는 단계(S120)에 해당한다.The detailed steps of preparing the mold 100 including the pattern 121 shown in FIG. 8 correspond to the step (S120) of preparing the mold 100 using a 3D printer.
상기 3D프린터를 이용하여 몰드(100)를 준비하는 단계(S120)에서는 3D프린터를 이용하여 기판 위에 패턴(121)을 형성함으로써, 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)를 준비할 수 있다.In the step of preparing the mold 100 using the 3D printer (S120), the mold 100 including the pattern 121 can be prepared by forming the pattern 121 on the substrate using the 3D printer.
바람직하게는, 본 발명의 다른 실시예에 따른 상기 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)를 준비하는 단계(S100)는, 제3기판(140)을 3D프린팅하여 형성하는 단계(S121); 및 상기 제3기판(140) 위에 상기 패턴(121)을 3D프린팅하여 형성하는 단계(S122);를 포함할 수 있다. Preferably, the step of preparing the mold 100 including the pattern 121 according to another embodiment of the present invention (S100) includes forming the third substrate 140 by 3D printing (S121); and forming the pattern 121 on the third substrate 140 by 3D printing (S122).
도 8에 도시된 단계 S121은 제3기판(140)을 3D프린팅하여 형성하는 단계에 해당한다. 단계 S121에서는 몰드(100)의 바탕부분에 해당하는 제3기판(140)을 3D프린팅하여 형성할 수 있다.Step S121 shown in FIG. 8 corresponds to forming the third substrate 140 by 3D printing. In step S121, the third substrate 140 corresponding to the base portion of the mold 100 can be formed by 3D printing.
도 8에 도시된 단계 S122는 상기 제3기판(140) 위에 상기 패턴(121)을 3D프린팅하여 형성하는 단계에 해당한다. 단계 S122에서는 상기 단계 S121에서 형성된 상기 제3기판(140) 위에 상기 패턴(121)을 3D프린팅하여 형성할 수 있다.Step S122 shown in FIG. 8 corresponds to forming the pattern 121 on the third substrate 140 by 3D printing. In step S122, the pattern 121 can be formed by 3D printing on the third substrate 140 formed in step S121.
상기 패턴(121)은 스파이럴형, 및 병렬적층형 중 하나를 포함하는 것이 바람직하다.The pattern 121 preferably includes one of a spiral type and a parallel stacked type.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)가 준비되는 예시를 개략적으로 도시한다.Figure 9 schematically shows an example in which a mold 100 including a pattern 121 according to another embodiment of the present invention is prepared.
전술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 가스크로마토그래피용 컬럼(1)을 제조하기 위해서는 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)를 준비하는 단계(S100)를 수행해야 한다.As described above, in order to manufacture the
이때 본 발명의 다른 실시예에서는, 도 9에 도시된 바와 같이 3D프린터를 이용하여 몰드(100)를 준비하는 단계(S120)를 통해 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)를 준비할 수 있다.At this time, in another embodiment of the present invention, the mold 100 including the pattern 121 can be prepared through the step (S120) of preparing the mold 100 using a 3D printer, as shown in FIG. 9. .
보다 상세하게는, 상기 제3기판(140)을 3D프린팅하여 형성하는 단계(S121)를 통해 도 9(a)에서와 같이 몰드(100)의 바탕부분에 해당하는 제3기판(140)을 형성할 수 있다. 이후에 상기 제3기판(140) 위에 상기 패턴(121)을 3D프린팅하여 형성하는 단계(S122)를 통해 도 9(b)에서와 같이 상기 제3기판(140) 위에 패턴(121)을 3D프린팅함으로써, 본 발명의 다른 실시예에 따른 상기 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)를 준비할 수 있다.More specifically, the third substrate 140 corresponding to the base portion of the mold 100 is formed as shown in FIG. 9(a) through the step (S121) of forming the third substrate 140 by 3D printing. can do. Afterwards, through the step (S122) of 3D printing the pattern 121 on the third substrate 140, the pattern 121 is 3D printed on the third substrate 140 as shown in FIG. 9(b). By doing so, the mold 100 including the pattern 121 according to another embodiment of the present invention can be prepared.
이와 같이 본 발명의 실시예에 따른 몰드(100)는 전술한 도 4 내지 5, 도 4 내지 7, 및 도 8 내지 9 중 하나의 실시예를 통해 준비될 수 있다.In this way, the mold 100 according to an embodiment of the present invention can be prepared through one of the embodiments of FIGS. 4 to 5, 4 to 7, and 8 to 9 described above.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 미세통로(320)의 내측면에 고정상 물질(321)을 코팅하는 예시를 개념적으로 도시한다.Figure 10 conceptually shows an example of coating the stationary phase material 321 on the inner surface of the micro-passage 320 according to an embodiment of the present invention.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 가스크로마토그래피용 컬럼(1)은, 상기 상부구조체(300)의 내측면 및 상기 제1기판(400)의 상면의 일부에 의하여 내부에 미세통로(320)가 형성될 수 있고, 상기 미세통로(320)는 내측면에 고정상 물질(321)이 코팅되어 있을 수 있다.The
전술한 바와 같이 상기 가스크로마토그래피용 컬럼(1)은 상부구조체(300) 자체가 고정상 물질(321)로 형성될 수 있다. 상기 상부구조체(300)는 물질 특성 혹은 패턴(121) 표면의 플라즈마에칭으로 인하여 내측에 복수의 기공(311)이 형성될 수 있는데, 상기 복수의 기공(311) 중 일부가 과도하게 형성되어 상기 상부구조체(300)의 내측면의 기공(311)도가 매우 큰 경우에는 오히려 분리 성능이 저하될 수 있다.As described above, the
이를 고려하여 본 발명은 도 10에 도시된 바와 같이 미세통로(320)의 내부에 고정상 물질(321)을 주입하여 상기 미세통로(320)의 내부를 채우고 이를 다시 흡입하는 방식으로 상기 미세통로(320)의 내측면에 상기 고정상 물질(321)을 코팅하여, 가스크로마토그래피용 컬럼(1)의 분리 성능을 개선하였다.Considering this, the present invention fills the inside of the micro-passage 320 by injecting the stationary phase material 321 into the micro-passage 320 as shown in FIG. 10 and then suctioning the micro-passage 320 again. ), the separation performance of the gas chromatography column (1) was improved by coating the stationary phase material (321) on the inner surface of the column (1).
보다 상세하게는, 본 발명의 일 실시예에서, 도 10(a)에서와 같은 미세통로(320)의 내부에 고정상 물질(321)을 주입하여 도 10(b)와 같이 상기 미세통로(320)의 내부를 채우고, 상기 미세통로(320)의 내부에 흡입력을 가하여 상기 미세통로(320)의 내부에 주입된 고정상 물질(321)의 일부를 제거함으로써, 도 10(c)와 같이 상기 미세통로(320)의 내측면에 고정상 물질(321)을 코팅할 수 있다.More specifically, in one embodiment of the present invention, the stationary phase material 321 is injected into the inside of the micro-passage 320 as shown in FIG. 10(a) to form the micro-passage 320 as shown in FIG. 10(b). By filling the interior of the micro-passage 320 and applying suction force to the inside of the micro-passage 320 to remove part of the stationary phase material 321 injected into the micro-passage 320, the micro-passage (321) is removed as shown in Figure 10(c). A stationary phase material 321 may be coated on the inner surface of 320).
상기 미세통로(320)의 내측면에 코팅되는 고정상 물질(321)은 액체상태인 것이 바람직하다. 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 고정상 물질(321)은 이온성 액체를 포함할 수 있다. 즉 상기 미세통로(320)의 내측면에 코팅되는 고정상 물질(321)은 상부구조체(300)를 이루는 고정상 물질(폴리디메틸실록산(PDMS))과는 상이한 물질에 해당한다.The stationary phase material 321 coated on the inner surface of the micro-passage 320 is preferably in a liquid state. The stationary phase material 321 according to an embodiment of the present invention may include an ionic liquid. That is, the stationary phase material 321 coated on the inner surface of the micro-passage 320 corresponds to a different material from the stationary phase material (polydimethylsiloxane (PDMS)) forming the
즉 본 발명에서는, 가스크로마토그래피용 컬럼(1)의 분리 성능을 향상시키기 위하여, 폴리디메틸실록산(PDMS)을 포함하는 고정상 물질로 이루어진 상부구조체(300)의 내측면에 이온성 액체를 포함하는 고정상 물질(321)을 코팅할 수 있다.That is, in the present invention, in order to improve the separation performance of the
이와 같이 상부구조체(300)에 형성된 미세통로(320)의 내측면에 추가적으로 고정상 물질(321)을 코팅하는 경우 미세통로(320)에 비교적 깊게 형성된 기공(311)을 막을 수 있어, 가스크로마토그래피용 컬럼(1)의 분리 성능을 향상시킬 수 있는 효과를 발휘할 수 있다.In this way, when the stationary phase material 321 is additionally coated on the inner surface of the micro-passage 320 formed in the
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 상부구조체(300) 및 상부구조체(300)에 형성된 기공(311)의 단면을 개략적으로 도시한다.Figure 11 schematically shows a cross section of the
도 11(a) 내지 도 11(c)는 상부구조체(300)의 단면을 개략적으로 도시한다. 도 11(a) 내지 도 11(c)에 도시된 상기 상부구조체(300)의 상측은 상기 상부구조체(300)에 형성된 미세통로(320) 측에 해당하고, 상기 상부구조체(300)의 하측은 상기 상부구조체(300)의 외측에 해당한다.Figures 11(a) to 11(c) schematically show a cross section of the
도 11(a)에서와 같이 상기 상부구조체(300)의 내측에는 서로 상이한 깊이(depth)를 갖는 복수의 기공(311)이 형성될 수 있다. 전술한 바와 같이 상기 복수의 기공(311)으로 인하여 기공(311)도가 매우 큰 경우에는 가스크로마토그래피용 컬럼(1)의 분리 성능에 악영향을 끼칠 수 있어, 도 11(b)와 같이 상기 상부구조체(300)에 형성된 미세통로(320)의 내측면에 이온성 액체를 포함하는 고정상 물질(321)이 코팅될 수 있다.As shown in FIG. 11(a), a plurality of pores 311 having different depths may be formed inside the
또한 도 11(c)에서와 같이 상기 미세통로(320)의 내측면에 버퍼층(322)을 형성한 후에 상기 버퍼층(322) 위에 이온성 액체를 포함하는 고정상 물질(321)이 코팅될 수도 있다. 바람직하게는, 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 미세통로(320)는 내측면에 버퍼층(322)이 형성되어 있고, 상기 버퍼층(322)은 상면에 고정상 물질(321)이 코팅될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 상기 버퍼층(322)은 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE)을 포함할 수 있다.Additionally, as shown in FIG. 11(c), after forming the buffer layer 322 on the inner surface of the micro-channel 320, a stationary phase material 321 containing an ionic liquid may be coated on the buffer layer 322. Preferably, the micro-passage 320 according to an embodiment of the present invention has a buffer layer 322 formed on the inner surface, and the buffer layer 322 may be coated with a stationary phase material 321 on the upper surface. In one embodiment of the present invention, the buffer layer 322 may include polytetrafluoroethylene (PTFE).
이와 같이 미세통로(320)의 내측면에 고정상 물질(321)을 코팅하기 전에 버퍼물질(322)을 코팅하여, 고정상 물질(321)에 의한 기공처리 효과를 향상시킬 수 있는 효과를 발휘할 수 있다.In this way, by coating the inner surface of the micro-passage 320 with the buffer material 322 before coating the stationary phase material 321, the pore treatment effect by the stationary phase material 321 can be improved.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 상부구조체(300)의 실시예를 개략적으로 도시한다.Figure 12 schematically shows an embodiment of the
본 발명의 일 실시예에서 몰드(100)에 주입되는 경화성 폴리머 물질(200)의 양에 따라 상기 경화성 폴리머 물질(200)이 경화되어 형성되는 상부구조체(300)의 형상이 가변될 수 있으며, 작업환경에 따라 상기 상부구조체(300)의 일부를 제거할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the shape of the
도 12(a)는 상기 경화성 폴리머 물질(200)이 기설정된 양보다 많은 양으로 몰드(100)에 주입된 상태에서, 상기 경화성 폴리머 물질(200)이 주입 및 경화되어 형성된 상부구조체(300)의 단면을 개략적으로 도시한다. 이 경우 도 12(a)에서와 같이 미세통로(320)의 하측에 불필요한 A의 영역이 형성될 수 있어, 도 12(b)에서와 같이 상기 A의 영역을 제거할 수 있다.Figure 12(a) shows the
도 13은 본 발명의 일 실시예에 따른 상부구조체(300)의 실시예를 개략적으로 도시한다.Figure 13 schematically shows an embodiment of the
본 발명의 일 실시예에서 상부구조체(300)를 형성하기 위한 경화성 폴리머 물질(200)을 몰드(100)에 주입하기 전에, 상기 몰드(100)는 개방챔버(2)의 내부에 배치되는 것이 바람직하다. 이때 상기 개방챔버(2) 내부에서의 몰드(100)의 위치에 따라 상기 경화성 폴리머 물질(200)이 경화되어 형성되는 상기 상부구조체(300)의 형상이 가변될 수 있으며, 작업환경에 따라 상기 상부구조체(300)의 일부를 제거할 수 있다.In one embodiment of the present invention, before injecting the curable polymer material 200 for forming the
도 13(a)는 상기 몰드(100)가 상기 개방챔버(2)의 내부 측면으로부터 B만큼의 거리만큼 이격되어 배치된 상태에서, 상기 경화성 폴리머 물질(200)이 주입 및 경화되어 형성된 상부구조체(300)의 단면을 개략적으로 도시한다. 이 경우 도 13(a)에서와 같이 미세통로(320)의 하측에 불필요한 B의 영역이 형성될 수 있어, 도 13(b)에서와 같이 상기 B의 영역을 제거할 수 있다.Figure 13(a) shows the upper structure formed by injecting and curing the curable polymer material 200 with the mold 100 disposed at a distance B from the inner side of the open chamber 2 ( 300) schematically shows a cross section. In this case, an unnecessary area B may be formed on the lower side of the micro-passage 320 as shown in FIG. 13(a), and the area B may be removed as shown in FIG. 13(b).
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 상부구조체(300)의 실시예를 개략적으로 도시한다.Figure 14 schematically shows an embodiment of the
본 발명의 일 실시예에서 몰드(100)를 구성하는 제2기판(110)의 위에 형성된 패턴(121)의 위치에 따라 상기 경화성 폴리머 물질(200)이 경화되어 형성되는 상기 상부구조체(300)의 형상이 가변될 수 있으며, 작업환경에 따라 상기 상부구조체(300)의 일부를 제거할 수 있다.In one embodiment of the present invention, the
도 14(a)는 상기 패턴(121)의 상기 제2기판(110)의 중심부에만 형성된 상태에서, 상기 경화성 폴리머 물질(200)이 주입 및 경화되어 형성된 상부구조체(300)의 단면을 개략적으로 도시한다. 이 경우 도 14(a)에서와 같이 미세통로(320)의 하측에 불필요한 C의 영역이 형성될 수 있어, 도 14(b)에서와 같이 상기 C의 영역을 제거할 수 있다.FIG. 14(a) schematically shows a cross-section of the
한편 본 발명의 일 실시예에서는 가스크로마토그래피용 컬럼(1)을 포함하는 가스크로마토그래피 시스템을 제공할 수 있다.Meanwhile, in one embodiment of the present invention, a gas chromatography system including a
바람직하게는, 본 발명의 일 실시예에 따른 상기 가스크로마토그래피용 컬럼(1)을 포함하는 가스크로마토그래피 시스템으로서, 상기 가스크로마토그래피용 컬럼(1)은, 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)를 준비하는 단계; 상기 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)에 경화성 폴리머 물질(200)을 주입하여 경화시키는 단계; 경화된 상기 경화성 폴리머 물질(200)을 상기 몰드(100)로부터 제거하여 상부구조체(300)를 형성하는 단계; 및 상기 상부구조체(300)의 하면에 제1기판(400)을 배치하고, 상기 상부구조체(300)와 상기 제1기판(400)을 서로 접합시켜 상기 가스크로마토그래피용 컬럼(1)을 형성하는 단계;를 통해 제조되고, 내부에 300 마이크로미터 이하의 높이를 갖는 미세통로(320)가 형성되어 있을 수 있다.Preferably, in the gas chromatography system including the
또한 본 발명의 일 실시예에서는 상기 가스크로마토그래피용 컬럼(1)을 포함하는 가스크로마토그래피 시스템의 제조방법 또한 제공할 수 있다.In addition, in one embodiment of the present invention, a method of manufacturing a gas chromatography system including the
바람직하게는, 본 발명의 일 실시예에 따른 가스크로마토그래피용 컬럼(1)을 포함하는 가스크로마토그래피 시스템의 제조방법으로서, 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)를 준비하는 단계; 상기 패턴(121)을 포함하는 몰드(100)에 경화성 폴리머 물질(200)을 주입하여 경화시키는 단계; 경화된 상기 경화성 폴리머 물질(200)을 상기 몰드(100)로부터 제거하여 상부구조체(300)를 형성하는 단계; 및 상기 상부구조체(300)의 하면에 제1기판(400)을 배치하고, 상기 상부구조체(300)와 상기 제1기판(400)을 서로 접합시켜 상기 가스크로마토그래피용 컬럼(1)을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 가스크로마토그래피용 컬럼(1)은 내부에 300 마이크로미터 이하의 높이를 갖는 미세통로(320)가 형성되어 있을 수 있다.Preferably, a method of manufacturing a gas chromatography system including a
이와 같이 본 발명은 컬럼 자체가 고정상 물질로 이루어져 있어 고정상 물질을 형성하는 공정이 필요하지 않고, 컬럼 제조시 몰드(100)를 이용함에 따라 컬럼을 보다 용이하게 대량으로 생산할 수 있는 가스크로마토그래피용 컬럼(1)을 제공할뿐만 아니라, 이를 제조하는 방법, 이를 포함하는 가스크로마토그래피 시스템, 및 상기 가스크로마토그래피 시스템을 제조하는 방업을 제공할 수 있다.As such, the present invention is a column for gas chromatography that does not require a process for forming a stationary bed material because the column itself is made of a stationary bed material, and the column can be mass-produced more easily by using the mold 100 when manufacturing the column. In addition to providing (1), a method for manufacturing the same, a gas chromatography system including the same, and a method for manufacturing the gas chromatography system can be provided.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 고정상 물질의 일종인 경화성 폴리머 물질로 상부구조체를 형성함에 따라 미세통로의 내측면에 고정상 물질을 형성하기 위한 별도의 공정이 필요하지 않아, 제조용이성을 향상시킬 수 있는 효과를 발휘할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, since the superstructure is formed with a curable polymer material, which is a type of stationary phase material, a separate process for forming the stationary phase material on the inner surface of the micro-channel is not required, thereby improving manufacturability. It can be effective.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 패턴을 포함하는 몰드를 이용하여 상부구조체를 형성하고 이를 기판에 접합시켜 컬럼을 형성함으로써, 복수의 컬럼을 보다 용이하게 대량 생산할 수 있어 생산성을 증대시킬 수 있는 효과를 발휘할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a superstructure is formed using a mold containing a pattern and bonded to a substrate to form a column, thereby enabling the mass production of multiple columns more easily and increasing productivity. can be demonstrated.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상부구조체에 형성된 미세통로의 내측면에 추가적으로 고정상 물질을 코팅하는 경우 미세통로에 비교적 깊게 형성된 기공을 막을 수 있어, 가스크로마토그래피용 컬럼의 분리 성능을 향상시킬 수 있는 효과를 발휘할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, when a stationary phase material is additionally coated on the inner surface of the micro-passage formed in the superstructure, pores formed relatively deeply in the micro-passage can be blocked, thereby improving the separation performance of the gas chromatography column. It can be effective.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 미세통로의 내측면에 고정상 물질을 코팅하기 전에 버퍼물질을 코팅하여, 고정상 물질에 의한 기공처리 효과를 향상시킬 수 있는 효과를 발휘할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the effect of improving the pore treatment effect by the stationary phase material can be achieved by coating the inner surface of the micro-channel with a buffer material before coating the stationary phase material.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 플라즈마에칭하여 표면적이 증가된 패턴을 포함하는 몰드를 이용하여 상부구조체의 내측면의 표면적을 증가시킴으로써, 가스크로마토그래피용 컬럼의 샘플 분리용량을 증가시킬 수 있는 효과를 발휘할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, the sample separation capacity of the gas chromatography column can be increased by increasing the surface area of the inner surface of the superstructure using a mold including a pattern with an increased surface area by plasma etching. can be demonstrated.
이상과 같이 실시 예들이 비록 한정된 실시 예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등 물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다. 그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.As described above, although the embodiments have been described with limited examples and drawings, various modifications and variations can be made by those skilled in the art from the above description. For example, the described techniques are performed in a different order than the described method, and/or components of the described system, structure, device, circuit, etc. are combined or combined in a different form than the described method, or other components are used. Alternatively, appropriate results may be achieved even if replaced or substituted by an equivalent. Therefore, other implementations, other embodiments, and equivalents of the claims also fall within the scope of the claims described below.
1: 가스크로마토그래피용 컬럼
100: 몰드
110: 제2기판
120: PR층
121: PR층의 일부(패턴)
122: PR층의 다른 일부
130: 마스크
131: 패턴의 형상에 상응하는 관통홀
140: 제3기판
200: 경화성 폴리머 물질
300: 상부구조체
310: 채널홈
311: 기공
320: 미세통로
321: 고정상 물질
322: 버퍼층
400: 제1기판
2: 개방챔버1: Column for gas chromatography
100: mold
110: second substrate 120: PR layer
121: Part of the PR layer (pattern) 122: Another part of the PR layer
130: Mask 131: Through hole corresponding to the shape of the pattern
140: Third substrate 200: Curable polymer material
300: superstructure
310: channel groove 311: pore
320: microchannel 321: stationary phase material
322: buffer layer
400: First substrate 2: Open chamber
Claims (16)
패턴을 포함하는 몰드를 준비하는 단계;
상기 패턴을 포함하는 몰드에 경화성 폴리머 물질을 주입하여 경화시키는 단계;
경화된 상기 경화성 폴리머 물질을 상기 몰드로부터 제거하여 상부구조체를 형성하는 단계; 및
상기 상부구조체의 하면에 제1기판을 배치하고, 상기 상부구조체와 상기 제1기판을 서로 접합시켜 상기 가스크로마토그래피용 컬럼을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 가스크로마토그래피용 컬럼은 내부에 300 마이크로미터 이하의 높이를 갖는 미세통로가 형성되어 있는, 가스크로마토그래피용 컬럼을 제조하는 방법.
A method of manufacturing a column for gas chromatography,
Preparing a mold containing a pattern;
Injecting a curable polymer material into a mold containing the pattern and curing it;
removing the cured curable polymer material from the mold to form a superstructure; and
A step of placing a first substrate on the lower surface of the upper structure and bonding the upper structure and the first substrate to each other to form the gas chromatography column,
A method of manufacturing a column for gas chromatography, wherein the column for gas chromatography has a micro-passage with a height of 300 micrometers or less formed therein.
상기 경화성 폴리머 물질은 폴리디메틸실록산(PDMS)을 포함하는, 가스크로마토그래피용 컬럼을 제조하는 방법.
In claim 1,
A method of manufacturing a column for gas chromatography, wherein the curable polymer material includes polydimethylsiloxane (PDMS).
상기 패턴을 포함하는 몰드를 준비하는 단계는,
제2기판 위에 네거티브형 감광액을 스핀코팅하여 PR층을 형성하는 단계;
상기 PR층 위에 상기 패턴의 형상에 상응하는 관통홀을 포함하는 마스크를 배치하는 단계;
상기 마스크 측으로 자외선을 조사하여 상기 PR층의 일부를 경화하는 단계; 및
상기 PR층의 다른 일부를 현상액을 이용하여 제거하는 단계;를 포함하고,
상기 PR층의 일부는 상기 패턴에 상응하는, 가스크로마토그래피용 컬럼을 제조하는 방법.
In claim 1,
The step of preparing a mold containing the pattern is,
Forming a PR layer by spin coating a negative photoresist on a second substrate;
disposing a mask including through holes corresponding to the shape of the pattern on the PR layer;
curing a portion of the PR layer by irradiating ultraviolet rays toward the mask; and
Removing another part of the PR layer using a developer,
A method of manufacturing a column for gas chromatography, wherein a portion of the PR layer corresponds to the pattern.
상기 패턴을 포함하는 몰드를 준비하는 단계는,
제3기판을 3D프린팅하여 형성하는 단계; 및
상기 제3기판 위에 상기 패턴을 3D프린팅하여 형성하는 단계;를 포함하는, 가스크로마토그래피용 컬럼을 제조하는 방법.
In claim 1,
The step of preparing a mold containing the pattern is,
Forming a third substrate by 3D printing; and
A method of manufacturing a column for gas chromatography, comprising: forming the pattern by 3D printing on the third substrate.
상기 가스크로마토그래피용 컬럼은,
상기 상부구조체의 내측면 및 상기 제1기판의 상면의 일부에 의하여 내부에 미세통로가 형성될 수 있고,
상기 미세통로는 내측면에 고정상 물질이 코팅되어 있는, 가스크로마토그래피용 컬럼을 제조하는 방법.
In claim 1,
The column for gas chromatography is,
A micro-passage may be formed within the inner surface of the upper structure and a portion of the upper surface of the first substrate,
A method of manufacturing a column for gas chromatography, wherein the micro-passage is coated with a stationary phase material on the inner surface.
상기 가스크로마토그래피용 컬럼은,
상기 상부구조체의 내측면 및 상기 제1기판의 상면의 일부에 의하여 내부에 미세통로가 형성될 수 있고,
상기 미세통로는 내측면에 버퍼층이 형성되어 있고,
상기 버퍼층은 상면에 고정상 물질이 코팅되어 있는, 가스크로마토그래피용 컬럼을 제조하는 방법.
In claim 1,
The column for gas chromatography is,
A micro-passage may be formed within the inner surface of the upper structure and a portion of the upper surface of the first substrate,
The micro-passage has a buffer layer formed on the inner side,
A method of manufacturing a column for gas chromatography, wherein the buffer layer is coated with a stationary phase material on the upper surface.
상기 고정상 물질은 이온성 액체를 포함하는, 가스크로마토그래피용 컬럼을 제조하는 방법.
The method of claim 5 or 6,
A method of manufacturing a column for gas chromatography, wherein the stationary phase material includes an ionic liquid.
상기 패턴은 스파이럴형, 및 병렬적층형 중 하나를 포함하는, 가스크로마토그래피용 컬럼을 제조하는 방법.
In claim 1,
A method of manufacturing a column for gas chromatography, wherein the pattern includes one of a spiral type and a parallel stacked type.
패턴을 포함하는 몰드를 준비하는 단계; 상기 패턴을 포함하는 몰드에 경화성 폴리머 물질을 주입하여 경화시키는 단계; 경화된 상기 경화성 폴리머 물질을 상기 몰드로부터 제거하여 상부구조체를 형성하는 단계; 및 상기 상부구조체의 하면에 제1기판을 배치하고, 상기 상부구조체와 상기 제1기판을 서로 접합시켜 상기 가스크로마토그래피용 컬럼을 형성하는 단계;를 통해 제조되고,
상기 가스크로마토그래피용 컬럼은 내부에 300 마이크로미터 이하의 높이를 갖는 미세통로가 형성되어 있는, 가스크로마토그래피용 컬럼.
As a column for gas chromatography,
Preparing a mold containing a pattern; Injecting a curable polymer material into a mold containing the pattern and curing it; removing the cured curable polymer material from the mold to form a superstructure; and placing a first substrate on the lower surface of the upper structure and bonding the upper structure and the first substrate to form the column for gas chromatography,
The column for gas chromatography is a column for gas chromatography in which a micro-passage having a height of 300 micrometers or less is formed therein.
상기 경화성 폴리머 물질은 폴리디메틸실록산(PDMS)을 포함하는, 가스크로마토그래피용 컬럼.
In claim 9,
A column for gas chromatography, wherein the curable polymer material includes polydimethylsiloxane (PDMS).
상기 가스크로마토그래피용 컬럼은,
상기 상부구조체의 내측면 및 상기 제1기판의 상면의 일부에 의하여 내부에 미세통로가 형성될 수 있고,
상기 미세통로는 내측면에 고정상 물질이 코팅되어 있는, 가스크로마토그래피용 컬럼.
In claim 9,
The column for gas chromatography is,
A micro-passage may be formed within the inner surface of the upper structure and a portion of the upper surface of the first substrate,
A column for gas chromatography, wherein the micropassage is coated with a stationary phase material on the inner surface.
상기 가스크로마토그래피용 컬럼은,
패턴을 포함하는 몰드를 준비하는 단계; 상기 패턴을 포함하는 몰드에 경화성 폴리머 물질을 주입하여 경화시키는 단계; 경화된 상기 경화성 폴리머 물질을 상기 몰드로부터 제거하여 상부구조체를 형성하는 단계; 및 상기 상부구조체의 하면에 제1기판을 배치하고, 상기 상부구조체와 상기 제1기판을 서로 접합시켜 상기 가스크로마토그래피용 컬럼을 형성하는 단계;를 통해 제조되고,
내부에 300 마이크로미터 이하의 높이를 갖는 미세통로가 형성되어 있는, 가스크로마토그래피용 컬럼을 포함하는 가스크로마토그래피 시스템.
A gas chromatography system including a column for gas chromatography,
The column for gas chromatography is,
Preparing a mold containing a pattern; Injecting a curable polymer material into a mold containing the pattern and curing it; removing the cured curable polymer material from the mold to form a superstructure; and placing a first substrate on the lower surface of the upper structure and bonding the upper structure and the first substrate to form the gas chromatography column.
A gas chromatography system including a column for gas chromatography, inside which a micro-passage with a height of 300 micrometers or less is formed.
상기 경화성 폴리머 물질은 폴리디메틸실록산(PDMS)을 포함하는, 가스크로마토그래피용 컬럼을 포함하는 가스크로마토그래피 시스템.
In claim 12,
A gas chromatography system comprising a column for gas chromatography, wherein the curable polymer material includes polydimethylsiloxane (PDMS).
상기 가스크로마토그래피용 컬럼은,
상기 상부구조체의 내측면 및 상기 제1기판의 상면의 일부에 의하여 내부에 미세통로가 형성될 수 있고,
상기 미세통로는 내측면에 고정상 물질이 코팅되어 있는, 가스크로마토그래피용 컬럼을 포함하는 가스크로마토그래피 시스템.
In claim 12,
The column for gas chromatography is,
A micro-passage may be formed within the inner surface of the upper structure and a portion of the upper surface of the first substrate,
A gas chromatography system including a column for gas chromatography, wherein the micro-passage is coated with a stationary phase material on its inner surface.
패턴을 포함하는 몰드를 준비하는 단계;
상기 패턴을 포함하는 몰드에 경화성 폴리머 물질을 주입하여 경화시키는 단계;
경화된 상기 경화성 폴리머 물질을 상기 몰드로부터 제거하여 상부구조체를 형성하는 단계; 및
상기 상부구조체의 하면에 제1기판을 배치하고, 상기 상부구조체와 상기 제1기판을 서로 접합시켜 상기 가스크로마토그래피용 컬럼을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 가스크로마토그래피용 컬럼은 내부에 300 마이크로미터 이하의 높이를 갖는 미세통로가 형성되어 있는, 가스크로마토그래피용 컬럼을 포함하는 가스크로마토그래피 시스템의 제조방법.
A method of manufacturing a gas chromatography system including a column for gas chromatography,
Preparing a mold containing a pattern;
Injecting a curable polymer material into a mold containing the pattern and curing it;
removing the cured curable polymer material from the mold to form a superstructure; and
A step of placing a first substrate on the lower surface of the upper structure and bonding the upper structure and the first substrate to each other to form the gas chromatography column,
A method of manufacturing a gas chromatography system including a column for gas chromatography, wherein the column for gas chromatography has a micro-passage with a height of 300 micrometers or less formed therein.
상기 경화성 폴리머 물질은 폴리디메틸실록산(PDMS)을 포함하는, 가스크로마토그래피용 컬럼을 포함하는 가스크로마토그래피 시스템의 제조방법.
In claim 15,
A method of manufacturing a gas chromatography system including a column for gas chromatography, wherein the curable polymer material includes polydimethylsiloxane (PDMS).
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---|---|---|---|
KR1020220113235A KR20240034360A (en) | 2022-09-07 | 2022-09-07 | Column For Gas Chromatography And Method For Manufacturing Thereof |
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KR20210147802A (en) | 2020-05-31 | 2021-12-07 | 장정명 | Cutter knife with pencil lead |
-
2022
- 2022-09-07 KR KR1020220113235A patent/KR20240034360A/en unknown
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Non-Patent Citations (5)
Title |
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미국공개특허 US2015-0219605 (Method for producing a chromatography analysis column) |
미국공개특허 US2020-0033305 (Gas chromatography column with polybutadiene coating) |
미국공개특허 US2021-0172913 (Micro gas chromatography system) |
미국공개특허 US2021-0300622 (Gas analyte spectrum sharpening and separation with multi-dimensional micro-gc for gas chromatography analysis) |
미국등록특허 US10,151,732 (Sealed micro gas chromatography columns and methods thereof) |
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