KR20240029067A

KR20240029067A - substrate cleaning device

Info

Publication number: KR20240029067A
Application number: KR1020247003898A
Authority: KR
Inventors: 다쿠마 다카하시; 도모유키 시노하라; 준이치 이시이; 가즈키 나카무라; 다카시 시노하라; 노부아키 오키타; 요시후미 오카다
Original assignee: 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
Priority date: 2021-07-15
Filing date: 2022-06-30
Publication date: 2024-03-05
Also published as: CN117642846A; TW202318479A; WO2023286635A1; JP2023013332A

Abstract

기판 세정 장치는, 기판 유지부, 하면 브러시, 제1 액 노즐 및 제2 액 노즐을 구비한다. 기판 유지부는, 기판을 수평 자세로 유지한다. 하면 브러시는, 기판을 세정하기 위한 처리 위치와, 기판 유지부에 의해 유지된 기판과 상하 방향으로 겹치는 대기 위치 사이에서 이동 가능하게 구성된다. 또, 하면 브러시는, 상하 방향의 축 둘레로 회전 가능하게 구성된다. 하면 브러시는, 처리 위치에 있어서, 기판의 하면에 접촉함으로써 기판의 하면을 세정한다. 제1 액 노즐은, 대기 위치에 있어서, 하면 브러시의 중앙부에 세정액을 토출한다. 제2 액 노즐은, 대기 위치에 있어서, 하면 브러시의 단부에 세정액을 토출한다.The substrate cleaning device includes a substrate holding portion, a lower surface brush, a first liquid nozzle, and a second liquid nozzle. The substrate holding portion holds the substrate in a horizontal position. The lower surface brush is configured to be movable between a processing position for cleaning the substrate and a standby position that overlaps the substrate held by the substrate holding portion in the vertical direction. Additionally, the lower surface brush is configured to be rotatable around an axis in the vertical direction. The bottom brush cleans the bottom surface of the substrate by contacting the bottom surface of the substrate at the processing position. The first liquid nozzle, in the standby position, discharges the cleaning liquid to the central part of the lower surface brush. The second liquid nozzle is in the standby position and discharges the cleaning liquid to the end of the lower surface brush.

Description

substrate cleaning device

본 발명은, 기판의 하면을 세정하는 기판 세정 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate cleaning device for cleaning the lower surface of a substrate.

액정 표시 장치 또는 유기 EL(Electro Luminescence) 표시 장치 등에 이용되는 FPD(Flat Panel Display)용 기판, 반도체 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판 또는 태양 전지용 기판 등의 각종 기판에 다양한 처리를 행하기 위해서, 기판 처리 장치가 이용되고 있다. 기판을 세정하기 위해서는, 기판 세정 장치가 이용된다.Substrates for FPD (Flat Panel Display), semiconductor substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, photomask substrates, ceramic substrates or BACKGROUND Substrate processing equipment is used to perform various treatments on various substrates, such as substrates for solar cells. To clean the substrate, a substrate cleaning device is used.

예를 들어, 특허문헌 1에 기재된 기판 세정 장치는, 웨이퍼의 이면 주연부를 유지하는 2개의 흡착 패드, 웨이퍼의 이면 중앙부를 유지하는 스핀 척, 및 웨이퍼의 이면을 세정하는 브러시를 구비한다. 2개의 흡착 패드가 웨이퍼를 유지함과 더불어 횡방향으로 이동한다. 이 상태에서, 웨이퍼의 이면 중앙부가 브러시로 세정된다. 그 후, 스핀 척이 흡착 패드로부터 웨이퍼를 수취하여, 스핀 척이 웨이퍼의 이면 중앙부를 유지하면서 회전한다. 이 상태에서, 웨이퍼의 이면 주연부가 브러시로 세정된다.For example, the substrate cleaning device described in Patent Document 1 includes two suction pads that hold the back peripheral portion of the wafer, a spin chuck that holds the central portion of the back side of the wafer, and a brush that cleans the back side of the wafer. Two suction pads hold the wafer and move it laterally. In this state, the central portion of the back side of the wafer is cleaned with a brush. Thereafter, the spin chuck receives the wafer from the suction pad, and the spin chuck rotates while holding the central portion of the back side of the wafer. In this state, the back peripheral portion of the wafer is cleaned with a brush.

일본국 특허 제5904169호 공보Japanese Patent No. 5904169 Publication

기판 세정 장치에 있어서, 기판의 세정이 반복됨에 따라서, 브러시의 청정도가 점차 저하한다. 브러시의 청정도가 저하하면, 기판을 효율적으로 세정할 수 없다. 그로 인해, 브러시의 청정도를 일정 이상으로 유지하는 것이 요구된다. 그러나, 스루풋을 저하시키지 않고 브러시의 청정도를 유지하는 것은 용이하지 않다.In a substrate cleaning device, as the cleaning of the substrate is repeated, the cleanliness of the brush gradually decreases. If the cleanliness of the brush decreases, the substrate cannot be cleaned efficiently. Therefore, it is required to maintain the cleanliness of the brush above a certain level. However, it is not easy to maintain the cleanliness of the brush without reducing throughput.

본 발명의 목적은, 스루풋을 저하시키지 않고 브러시의 청정도를 유지하는 것이 가능한 기판 세정 장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a substrate cleaning device capable of maintaining brush cleanliness without reducing throughput.

(1) 본 발명의 일 국면에 따르는 기판 세정 장치는, 기판을 수평 자세로 유지하는 기판 유지부와, 기판을 세정하기 위한 처리 위치와 기판 유지부에 의해 유지된 기판과 상하 방향으로 겹치는 대기 위치 사이에서 이동 가능하게 구성되고, 처리 위치에 있어서, 상하 방향의 축 둘레로 회전하면서 기판의 하면에 접촉하는 하면 브러시와, 대기 위치에 있어서, 하면 브러시의 중앙부에 세정액을 토출하는 제1 액 노즐과, 대기 위치에 있어서, 하면 브러시의 단부에 세정액을 토출하는 제2 액 노즐을 구비한다.(1) A substrate cleaning device according to one aspect of the present invention includes a substrate holding portion that holds the substrate in a horizontal position, a processing position for cleaning the substrate, and a standby position that overlaps the substrate held by the substrate holding portion in the vertical direction. A lower surface brush configured to be movable between the two, a lower surface brush that contacts the lower surface of the substrate while rotating around a vertical axis in the processing position, and a first liquid nozzle that discharges the cleaning liquid to the center of the lower surface brush in the standby position; , In the standby position, a second liquid nozzle is provided for discharging the cleaning liquid at the end of the lower surface brush.

이 기판 세정 장치에 있어서는, 처리 위치에서 하면 브러시가 회전하면서 기판의 하면에 접촉함으로써, 기판의 하면이 세정된다. 또, 기판의 하면을 세정함으로써 가면 브러시가 오염된 경우에도, 대기 위치에서, 회전되는 하면 브러시의 중앙부 및 단부에 제1 액 노즐 및 제2 액 노즐에 의해 세정액이 각각 토출된다. 이 구성에 의하면, 하면 브러시를 전체적으로 세정할 수 있다.In this substrate cleaning device, the lower surface of the substrate is cleaned by rotating the lower surface brush at the processing position and contacting the lower surface of the substrate. Also, even when the mask brush is contaminated by cleaning the lower surface of the substrate, the cleaning liquid is discharged from the first liquid nozzle and the second liquid nozzle to the center and the ends of the rotating lower surface brush, respectively, in the standby position. According to this configuration, the entire bottom brush can be cleaned.

또, 하면 브러시의 대기 위치는 기판 유지부에 의해 유지된 기판과 상하 방향으로 겹치므로, 하면 브러시가 비교적 대형인 경우에도, 풋 프린트가 거의 증가하지 않는다. 그로 인해, 비교적 대형의 하면 브러시를 이용함으로써, 단시간에 기판의 하면을 세정하는 것이 가능해진다. 따라서, 하면 브러시를 세정하는 공정을 설치한 경우에도, 스루풋은 거의 변화하지 않는다. 이에 따라, 스루풋을 저하시키지 않고 하면 브러시의 청정도를 유지할 수 있다.Additionally, since the standby position of the bottom brush overlaps the substrate held by the substrate holding portion in the vertical direction, even when the bottom brush is relatively large, the footprint hardly increases. Therefore, by using a relatively large bottom brush, it becomes possible to clean the bottom surface of the substrate in a short time. Therefore, even when a process for cleaning the lower brush is installed, the throughput hardly changes. Accordingly, the cleanliness of the brush can be maintained without reducing the throughput.

(2) 기판 세정 장치는, 하면 브러시를 지지하는 지지부를 더 구비하고, 제1 액 노즐 및 제2 액 노즐 각각은, 세정액의 토출구가 비스듬한 상방을 향하도록 지지부에 장착되어도 된다. 이 경우, 하면 브러시에 의한 기판의 하면의 세정을 저해하지 않고, 하면 브러시를 용이하게 세정할 수 있다.(2) The substrate cleaning device further includes a support portion for supporting the lower surface brush, and each of the first liquid nozzle and the second liquid nozzle may be mounted on the support portion so that the discharge port of the cleaning liquid is directed obliquely upward. In this case, the bottom brush can be easily cleaned without impeding cleaning of the bottom surface of the substrate by the bottom brush.

(3) 제1 액 노즐은, 포물선 형상으로 비스듬한 상방으로부터 하면 브러시의 중앙부에 세정액이 공급되도록 세정액을 토출해도 된다. 이 경우, 하면 브러시에 의한 기판의 하면의 세정을 저해하지 않고, 하면 브러시의 중앙부를 용이하게 세정할 수 있다.(3) The first liquid nozzle may discharge the cleaning liquid in a parabolic shape so that the cleaning liquid is supplied to the center of the brush from diagonally upward. In this case, the central portion of the bottom brush can be easily cleaned without impeding cleaning of the bottom surface of the substrate by the bottom brush.

(4) 하면 브러시는, 불소계 수지에 의해 형성되어도 된다. 이 경우, 하면 브러시의 젖음성이 비교적 낮아진다. 이에 따라, 하면 브러시가 오염되기 어렵게 할 수 있다. 또, 제1 액 노즐 및 제2 액 노즐에 의해 하면 브러시의 중앙부 및 단부에 각각 세정액이 토출되므로, 하면 브러시의 젖음성이 비교적 낮은 경우에도, 하면 브러시가 균일하게 젖는다. 그로 인해, 하면 브러시가 부분적으로 경화되는 것이 방지된다. 그 결과, 기판의 하면을 균일하게 세정할 수 있다.(4) The lower surface brush may be formed of fluorine-based resin. In this case, the wettability of the brush becomes relatively low. Accordingly, it is possible to make it difficult for the brush to become contaminated. In addition, since the first liquid nozzle and the second liquid nozzle discharge the cleaning liquid to the center and the ends of the lower surface brush, respectively, the lower surface brush is uniformly wetted even when the wettability of the lower surface brush is relatively low. This prevents the lower surface brush from partially hardening. As a result, the lower surface of the substrate can be cleaned uniformly.

(5) 기판 유지부 및 하면 브러시 각각은, 원형의 외형을 갖고, 하면 브러시의 직경은, 기판 유지부의 직경보다 커도 된다. 이 경우, 하면 브러시는 비교적 대형이다. 따라서, 기판의 하면을 효율적으로 세정할 수 있다. 또, 제1 액 노즐 및 제2 액 노즐에 의해 하면 브러시의 중앙부 및 단부에 각각 세정액이 토출되므로, 하면 브러시가 비교적 대형인 경우에도, 하면 브러시가 균일하게 젖는다. 그로 인해, 하면 브러시가 부분적으로 경화되는 것이 방지된다. 그 결과, 기판의 하면을 균일하게 세정할 수 있다.(5) Each of the substrate holding portion and the lower surface brush has a circular outer shape, and the diameter of the lower brush may be larger than the diameter of the substrate holding portion. In this case, the bottom brush is relatively large. Therefore, the lower surface of the substrate can be cleaned efficiently. Additionally, since the first liquid nozzle and the second liquid nozzle discharge the cleaning liquid to the center and the ends of the lower surface brush, respectively, the lower surface brush is uniformly wetted even when the lower surface brush is relatively large. This prevents the bottom brush from partially hardening. As a result, the lower surface of the substrate can be cleaned uniformly.

(6) 기판 및 하면 브러시 각각은, 원형의 외형을 갖고, 하면 브러시의 직경은, 기판의 직경의 1/3보다 커도 된다. 이 경우, 하면 브러시는 비교적 대형이다. 따라서, 기판의 하면을 효율적으로 세정할 수 있다. 또, 제1 액 노즐 및 제2 액 노즐에 의해 하면 브러시의 중앙부 및 단부에 각각 세정액이 토출되므로, 하면 브러시가 비교적 대형인 경우에도, 하면 브러시가 균일하게 젖는다. 그로 인해, 하면 브러시가 부분적으로 경화되는 것이 방지된다. 그 결과, 기판의 하면을 균일하게 세정할 수 있다.(6) Each of the substrate and the bottom brush has a circular outer shape, and the diameter of the bottom brush may be larger than 1/3 of the diameter of the substrate. In this case, the bottom brush is relatively large. Therefore, the lower surface of the substrate can be cleaned efficiently. Additionally, since the first liquid nozzle and the second liquid nozzle discharge the cleaning liquid to the center and the ends of the lower surface brush, respectively, the lower surface brush is uniformly wetted even when the lower surface brush is relatively large. This prevents the lower surface brush from partially hardening. As a result, the lower surface of the substrate can be cleaned uniformly.

본 발명에 의하면, 스루풋을 저하시키지 않고 하면 브러시의 청정도를 유지할 수 있다.According to the present invention, the cleanliness of the brush can be maintained without reducing the throughput.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따르는 기판 세정 장치의 모식적 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 세정 장치의 내부 구성을 도시하는 외관 사시도이다.
도 3은 기판 세정 장치의 제어 계통의 구성을 도시하는 블럭도이다.
도 4는 도 1의 기판 세정 장치의 개략 동작을 설명하기 위한 모식도이다.
도 5는 도 1의 기판 세정 장치의 개략 동작을 설명하기 위한 모식도이다.
도 6은 도 1의 기판 세정 장치의 개략 동작을 설명하기 위한 모식도이다.
도 7은 도 1의 기판 세정 장치의 개략 동작을 설명하기 위한 모식도이다.
도 8은 도 1의 기판 세정 장치의 개략 동작을 설명하기 위한 모식도이다.
도 9는 도 1의 기판 세정 장치의 개략 동작을 설명하기 위한 모식도이다.
도 10은 도 1의 기판 세정 장치의 개략 동작을 설명하기 위한 모식도이다.
도 11은 도 1의 기판 세정 장치의 개략 동작을 설명하기 위한 모식도이다.
도 12는 도 1의 기판 세정 장치의 개략 동작을 설명하기 위한 모식도이다.
도 13은 도 1의 기판 세정 장치의 개략 동작을 설명하기 위한 모식도이다.
도 14는 도 1의 기판 세정 장치의 개략 동작을 설명하기 위한 모식도이다.
도 15는 도 1의 기판 세정 장치의 개략 동작을 설명하기 위한 모식도이다.
도 16은 도 12에 있어서의 기판 세정 장치의 개략 동작을 설명하기 위한 모식도이다.
도 17은 도 12에 있어서의 기판 세정 장치의 개략 동작을 설명하기 위한 모식도이다.
도 18은 도 12에 있어서의 기판 세정 장치의 개략 동작을 설명하기 위한 모식도이다.
도 19는 도 12에 있어서의 기판 세정 장치의 개략 동작을 설명하기 위한 모식도이다.
도 20은 도 12에 있어서의 기판 세정 장치의 개략 동작을 설명하기 위한 모식도이다.
도 21은 도 12에 있어서의 기판 세정 장치의 개략 동작을 설명하기 위한 모식도이다.1 is a schematic plan view of a substrate cleaning device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is an external perspective view showing the internal structure of the substrate cleaning device of FIG. 1.
Figure 3 is a block diagram showing the configuration of the control system of the substrate cleaning device.
FIG. 4 is a schematic diagram for explaining the schematic operation of the substrate cleaning device of FIG. 1.
FIG. 5 is a schematic diagram for explaining the schematic operation of the substrate cleaning device of FIG. 1.
FIG. 6 is a schematic diagram for explaining the schematic operation of the substrate cleaning device of FIG. 1.
FIG. 7 is a schematic diagram for explaining the schematic operation of the substrate cleaning device of FIG. 1.
FIG. 8 is a schematic diagram for explaining the schematic operation of the substrate cleaning device of FIG. 1.
FIG. 9 is a schematic diagram for explaining the schematic operation of the substrate cleaning device of FIG. 1.
FIG. 10 is a schematic diagram for explaining the schematic operation of the substrate cleaning device of FIG. 1.
FIG. 11 is a schematic diagram for explaining the schematic operation of the substrate cleaning device of FIG. 1.
FIG. 12 is a schematic diagram for explaining the schematic operation of the substrate cleaning device of FIG. 1.
FIG. 13 is a schematic diagram for explaining the schematic operation of the substrate cleaning device of FIG. 1.
FIG. 14 is a schematic diagram for explaining the schematic operation of the substrate cleaning device of FIG. 1.
FIG. 15 is a schematic diagram for explaining the schematic operation of the substrate cleaning device of FIG. 1.
FIG. 16 is a schematic diagram for explaining the schematic operation of the substrate cleaning device in FIG. 12.
FIG. 17 is a schematic diagram for explaining the schematic operation of the substrate cleaning device in FIG. 12.
FIG. 18 is a schematic diagram for explaining the schematic operation of the substrate cleaning device in FIG. 12.
FIG. 19 is a schematic diagram for explaining the schematic operation of the substrate cleaning device in FIG. 12.
FIG. 20 is a schematic diagram for explaining the schematic operation of the substrate cleaning device in FIG. 12.
FIG. 21 is a schematic diagram for explaining the schematic operation of the substrate cleaning device in FIG. 12.

이하, 본 발명의 실시 형태에 따르는 기판 세정 장치에 대해 도면을 이용하여 설명한다. 이하의 설명에 있어서, 기판이란, 반도체 기판, 액정 표시 장치 혹은 유기 EL(Electro Luminescence) 표시 장치 등의 FPD(Flat Panel Display)용 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판 또는 태양 전지용 기판 등을 말한다. 또, 본 실시 형태에서 이용되는 기판은, 적어도 일부가 원형인 외주부를 갖는다. 예를 들어, 위치 결정용의 노치를 제외한 외주부가 원형을 갖는다.Hereinafter, a substrate cleaning device according to an embodiment of the present invention will be described using the drawings. In the following description, the substrate refers to a semiconductor substrate, a substrate for an FPD (Flat Panel Display) such as a liquid crystal display device or an organic EL (Electro Luminescence) display device, a substrate for an optical disk, a substrate for a magnetic disk, a substrate for a magneto-optical disk, This refers to a photomask substrate, ceramic substrate, or solar cell substrate. Additionally, the substrate used in this embodiment has an outer peripheral portion at least partially circular. For example, the outer peripheral part excluding the notch for positioning has a circular shape.

(1) 기판 처리 장치의 구성(1) Configuration of substrate processing equipment

도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 따르는 기판 세정 장치의 모식적 평면도이다. 도 2는, 도 1의 기판 세정 장치(1)의 내부 구성을 도시하는 외관 사시도이다. 본 실시 형태에 따르는 기판 세정 장치(1)에 있어서는, 위치 관계를 명확하게 하기 위해서 서로 직교하는 X방향, Y방향 및 Z방향을 정의한다. 도 1 및 도 2 이후의 소정의 도면에는, X방향, Y방향 및 Z방향이 적당히 화살표로 표시된다. X방향 및 Y방향은 수평면 내에서 서로 직교하고, Z방향은 연직 방향에 상당한다.1 is a schematic plan view of a substrate cleaning device according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is an external perspective view showing the internal structure of the substrate cleaning device 1 in FIG. 1. In the substrate cleaning device 1 according to the present embodiment, the X-direction, Y-direction, and Z-direction orthogonal to each other are defined to clarify the positional relationship. In certain drawings after FIGS. 1 and 2, the X-direction, Y-direction, and Z-direction are indicated by arrows as appropriate. The X direction and Y direction are orthogonal to each other in the horizontal plane, and the Z direction corresponds to the vertical direction.

도 1에 도시하는 바와 같이, 기판 세정 장치(1)는, 상측 유지 장치(10A, 10B), 하측 유지 장치(20), 대좌 장치(30), 수도(受渡) 장치(40), 하면 세정 장치(50), 컵 장치(60), 상면 세정 장치(70), 단부 세정 장치(80) 및 개폐 장치(90)를 구비하다. 이러한 구성 요소는, 유닛 하우징(2) 내에 설치된다. 도 2에서는, 유닛 하우징(2)이 점선으로 표시된다.As shown in FIG. 1, the substrate cleaning device 1 includes an upper holding device 10A, 10B, a lower holding device 20, a pedestal device 30, a water supply device 40, and a lower side cleaning device. (50), a cup device (60), a top cleaning device (70), an end cleaning device (80), and an opening and closing device (90). These components are installed within the unit housing (2). In Figure 2, the unit housing 2 is indicated by a dotted line.

유닛 하우징(2)은, 직사각형의 저면부(2a)와, 저면부(2a)의 네 변으로부터 상방으로 연장되는 4개의 측벽부(2b, 2c, 2d, 2e)를 갖는다. 측벽부(2b, 2c)가 서로 대향하고, 측벽부(2d, 2e)가 서로 대향한다. 측벽부(2b)의 중앙부에는, 직사각형의 개구가 형성되어 있다. 이 개구는, 기판(W)의 반입 반출구(2x)이며, 유닛 하우징(2)에 대한 기판(W)의 반입시 및 반출시에 이용된다. 도 2에서는, 반입 반출구(2x)가 굵은 점선으로 표시된다. 이하의 설명에 있어서는, Y방향 중 유닛 하우징(2)의 내부로부터 반입 반출구(2x)를 통해 유닛 하우징(2)의 외방으로 향하는 방향(측벽부(2c)로부터 측벽부(2b)를 향하는 방향)을 전방이라고 부르고, 그 반대의 방향(측벽부(2b)로부터 측벽부(2c)를 향하는 방향)을 후방이라고 부른다.The unit housing 2 has a rectangular bottom portion 2a and four side wall portions 2b, 2c, 2d, and 2e extending upward from the four sides of the bottom portion 2a. The side wall portions 2b and 2c face each other, and the side wall portions 2d and 2e face each other. A rectangular opening is formed in the central portion of the side wall portion 2b. This opening is the loading/unloading opening 2x of the substrate W, and is used when loading and unloading the substrate W into the unit housing 2. In Fig. 2, the loading/unloading port 2x is indicated by a thick dotted line. In the following description, the Y direction is the direction from the inside of the unit housing 2 to the outside of the unit housing 2 through the loading/unloading port 2x (the direction from the side wall portion 2c to the side wall portion 2b). ) is called the front, and the opposite direction (the direction from the side wall 2b to the side wall 2c) is called the rear.

측벽부(2b)에 있어서의 반입 반출구(2x)의 형성 부분 및 그 근방의 영역에는, 개폐 장치(90)가 설치되어 있다. 개폐 장치(90)는, 반입 반출구(2x)를 개폐 가능하게 구성된 셔터(91)와, 셔터(91)를 구동하는 셔터 구동부(92)를 포함한다. 도 2에서는, 셔터(91)가 굵은 이점쇄선으로 표시된다. 셔터 구동부(92)는, 기판 세정 장치(1)에 대한 기판(W)의 반입시 및 반출시에 반입 반출구(2x)를 개방하도록 셔터(91)를 구동한다. 또, 셔터 구동부(92)는, 기판 세정 장치(1)에 있어서의 기판(W)의 세정시에 반입 반출구(2x)를 폐색하도록 셔터(91)를 구동한다.An opening and closing device 90 is installed in the portion where the loading/unloading opening 2x is formed in the side wall portion 2b and in the area near it. The opening and closing device 90 includes a shutter 91 configured to open and close the loading/unloading port 2x, and a shutter driving unit 92 that drives the shutter 91. In Fig. 2, the shutter 91 is indicated by a thick double-dashed line. The shutter drive unit 92 drives the shutter 91 to open the loading/unloading port 2x when loading and unloading the substrate W into and out of the substrate cleaning device 1 . Additionally, the shutter drive unit 92 drives the shutter 91 to block the loading/unloading opening 2x when cleaning the substrate W in the substrate cleaning device 1.

저면부(2a)의 중앙부에는, 대좌 장치(30)가 설치되어 있다. 대좌 장치(30)는, 리니어 가이드(31), 가동 대좌(32) 및 대좌 구동부(33)를 포함한다. 리니어 가이드(31)는, 2개의 레일을 포함하고, 평면에서 볼 때 측벽부(2b)의 근방에서 측벽부(2c)의 근방까지 Y방향으로 연장되도록 설치되어 있다. 가동 대좌(32)는, 리니어 가이드(31)의 2개의 레일 상에서 Y방향으로 이동 가능하게 설치되어 있다. 대좌 구동부(33)는, 예를 들어 펄스 모터를 포함하고, 리니어 가이드(31) 상에서 가동 대좌(32)를 Y방향으로 이동시킨다.A pedestal device 30 is installed in the central portion of the bottom portion 2a. The pedestal device 30 includes a linear guide 31, a movable pedestal 32, and a pedestal drive unit 33. The linear guide 31 includes two rails and is installed to extend in the Y direction from the vicinity of the side wall portion 2b to the vicinity of the side wall portion 2c in plan view. The movable base 32 is installed to be movable in the Y direction on two rails of the linear guide 31. The pedestal drive unit 33 includes, for example, a pulse motor and moves the movable pedestal 32 in the Y direction on the linear guide 31.

가동 대좌(32) 상에는, 하측 유지 장치(20) 및 하면 세정 장치(50)가 Y방향으로 늘어서도록 설치되어 있다. 하측 유지 장치(20)는, 흡착 유지부(21) 및 흡착 유지 구동부(22)를 포함한다. 흡착 유지부(21)는, 이른바 스핀 척이며, 기판(W)의 하면을 흡착 유지 가능한 원형의 흡착면을 갖고, 상하 방향으로 연장되는 축(Z방향의 축) 둘레로 회전 가능하게 구성된다. 이하의 설명에서는, 흡착 유지부(21)에 의해 기판(W)이 흡착 유지될 때에, 기판(W)의 하면 중 흡착 유지부(21)의 흡착면이 흡착해야 하는 영역을 하면 중앙 영역이라고 부른다. 한편, 기판(W)의 하면 중 하면 중앙 영역을 둘러싸는 영역을 하면 외측 영역이라고 부른다.On the movable pedestal 32, the lower holding device 20 and the lower surface cleaning device 50 are installed so as to line up in the Y direction. The lower holding device 20 includes a suction holding portion 21 and a suction holding driving portion 22. The adsorption holding portion 21 is a so-called spin chuck, has a circular adsorption surface capable of adsorbing and holding the lower surface of the substrate W, and is configured to be rotatable around an axis extending in the vertical direction (Z-direction axis). In the following description, when the substrate W is adsorbed and held by the adsorption holding part 21, the area on the lower surface of the substrate W to which the adsorption surface of the adsorption holding part 21 is to be adsorbed is called the central region. . Meanwhile, the area surrounding the central area of the lower surface of the substrate W is called the lower outer area.

흡착 유지 구동부(22)는, 모터를 포함한다. 흡착 유지 구동부(22)의 모터는, 회전축이 상방을 향해 돌출하도록 가동 대좌(32) 상에 설치되어 있다. 흡착 유지부(21)는, 흡착 유지 구동부(22)의 회전축의 상단부에 장착된다. 또, 흡착 유지 구동부(22)의 회전축에는, 흡착 유지부(21)에 있어서 기판(W)을 흡착 유지하기 위한 흡인 경로가 형성되어 있다. 그 흡인 경로는, 도시하지 않은 흡기 장치에 접속되어 있다. 흡착 유지 구동부(22)는, 흡착 유지부(21)를 상기의 회전축 둘레로 회전시킨다.The suction holding drive unit 22 includes a motor. The motor of the suction holding drive unit 22 is installed on the movable base 32 so that the rotation axis protrudes upward. The suction holding portion 21 is mounted on the upper end of the rotation shaft of the suction holding driving portion 22. Additionally, a suction path for adsorbing and holding the substrate W in the suction holding portion 21 is formed on the rotation axis of the suction holding driving section 22. The suction path is connected to an intake device not shown. The suction holding driving unit 22 rotates the suction holding unit 21 around the rotation axis.

가동 대좌(32) 상에는, 하측 유지 장치(20)의 근방에 추가로 수도 장치(40)가 설치되어 있다. 수도 장치(40)는, 복수(본 예에서는 3개)의 지지 핀(41), 핀 연결 부재(42) 및 핀 승강 구동부(43)를 포함한다. 핀 연결 부재(42)는, 평면에서 볼 때 흡착 유지부(21)를 둘러싸도록 형성되고, 복수의 지지 핀(41)을 연결한다. 복수의 지지 핀(41)은, 핀 연결 부재(42)에 의해 서로 연결된 상태로, 핀 연결 부재(42)로부터 일정 길이 상방으로 연장된다. 핀 승강 구동부(43)는, 가동 대좌(32) 상에서 핀 연결 부재(42)를 승강시킨다. 이에 따라, 복수의 지지 핀(41)이 흡착 유지부(21)에 대해서 상대적으로 승강한다.On the movable pedestal 32, a water supply device 40 is additionally installed near the lower holding device 20. The water supply device 40 includes a plurality of (three in this example) support pins 41, a pin connecting member 42, and a pin lifting/lowering drive unit 43. The pin connection member 42 is formed to surround the suction holding portion 21 in plan view, and connects the plurality of support pins 41. The plurality of support pins 41 are connected to each other by the pin connecting member 42 and extend upward for a certain length from the pin connecting member 42. The pin lifting/lowering driving unit 43 raises/lowers the pin connecting member 42 on the movable pedestal 32 . Accordingly, the plurality of support pins 41 rise and fall relative to the suction holding portion 21.

하면 세정 장치(50)는, 하면 브러시(51), 2개의 액 노즐(52), 액 노즐(52a, 52b), 기체 분출부(53), 승강 지지부(54), 이동 지지부(55), 하면 브러시 회전 구동부(55a), 하면 브러시 승강 구동부(55b) 및 하면 브러시 이동 구동부(55c)를 포함한다. 이동 지지부(55)는, 가동 대좌(32) 상의 일정 영역 내에서 하측 유지 장치(20)에 대해서 Y방향으로 이동 가능하게 설치되어 있다. 도 2에 도시하는 바와 같이, 이동 지지부(55) 상에, 승강 지지부(54)가 승강 가능하게 설치되어 있다. 승강 지지부(54)는, 흡착 유지부(21)로부터 멀어지는 방향(본 예에서는 후방)에 있어서 비스듬한 하방으로 경사지는 상면(54u)을 갖는다.The lower surface cleaning device 50 includes a lower surface brush 51, two liquid nozzles 52, liquid nozzles 52a and 52b, a gas jet portion 53, a lifting support portion 54, a moving support portion 55, and a lower surface. It includes a brush rotation driving unit 55a, a lower brush lifting driving unit 55b, and a lower brush moving driving unit 55c. The movable support portion 55 is installed to be movable in the Y direction with respect to the lower holding device 20 within a certain area on the movable pedestal 32 . As shown in FIG. 2, a lifting support part 54 is installed on the movable support part 55 to be able to move up and down. The lifting support portion 54 has an upper surface 54u that slopes obliquely downward in a direction away from the suction holding portion 21 (rearward in this example).

도 1에 도시하는 바와 같이, 하면 브러시(51)는, 평면에서 볼 때 원형의 외형을 갖고, 본 실시 형태에 있어서는 비교적 대형으로 형성된다. 구체적으로는, 하면 브러시(51)의 직경은, 흡착 유지부(21)의 흡착면의 직경보다 크고, 예를 들어 흡착 유지부(21)의 흡착면의 직경의 1.3배이다. 또, 하면 브러시(51)의 직경은, 기판(W)의 직경의 1/3보다 크고 또한 1/2보다 작다. 또한, 기판(W)의 직경은, 예를 들어 300mm이다.As shown in FIG. 1, the lower surface brush 51 has a circular outer shape in plan view, and is formed relatively large in this embodiment. Specifically, the diameter of the lower surface brush 51 is larger than the diameter of the suction surface of the suction holding portion 21, for example, 1.3 times the diameter of the suction surface of the suction holding portion 21. Additionally, the diameter of the lower surface brush 51 is larger than 1/3 and smaller than 1/2 of the diameter of the substrate W. Additionally, the diameter of the substrate W is, for example, 300 mm.

하면 브러시(51)는, 불소계 수지 등의 비교적 젖음성이 낮은 재료에 의해 형성되는 것이 바람직하다. 이 경우, 하면 브러시(51)에 오염물이 부착되는 것이 저감된다. 이에 따라, 하면 브러시(51)가 오염되기 어려워진다. 본 예에서는, 하면 브러시(51)는, PTFE(폴리테트라플루오로에틸렌)에 의해 형성되는데, 실시 형태는 이것에 한정되지 않는다. 하면 브러시(51)는, PVA(폴리비닐알코올) 등의 비교적 연질인 수지 재료에 의해 형성되어도 된다.The lower surface brush 51 is preferably formed of a material with relatively low wettability, such as fluorine resin. In this case, adhesion of contaminants to the lower surface brush 51 is reduced. Accordingly, it becomes difficult for the brush 51 to become contaminated. In this example, the lower surface brush 51 is made of PTFE (polytetrafluoroethylene), but the embodiment is not limited to this. The lower surface brush 51 may be formed of a relatively soft resin material such as PVA (polyvinyl alcohol).

하면 브러시(51)는, 기판(W)의 하면에 접촉 가능한 세정면을 갖는다. 또, 하면 브러시(51)는, 세정면이 상방을 향하도록 또한 세정면이 당해 세정면의 중심을 지나 상하 방향으로 연장되는 축 둘레로 회전 가능해지도록, 승강 지지부(54)의 상면(54u)에 장착되어 있다.The lower surface brush 51 has a cleaning surface that can be brought into contact with the lower surface of the substrate W. Additionally, the lower surface brush 51 is attached to the upper surface 54u of the lifting support portion 54 so that the cleaning surface faces upward and the cleaning surface can rotate around an axis that extends in the vertical direction past the center of the cleaning surface. It is equipped.

2개의 액 노즐(52) 각각은, 하면 브러시(51)의 근방에 위치하고 또한 액체 토출구가 상방을 향하도록, 승강 지지부(54)의 상면(54u) 상에 장착되어 있다. 액 노즐(52)에는, 하면 세정액 공급부(56)(도 3)가 접속되어 있다. 하면 세정액 공급부(56)는, 액 노즐(52)에 세정액을 공급한다. 액 노즐(52)은, 하면 브러시(51)에 의한 기판(W)의 세정시에, 하면 세정액 공급부(56)로부터 공급되는 세정액을 기판(W)의 하면에 토출한다. 본 실시 형태에서는, 액 노즐(52)에 공급되는 세정액으로서 순수가 이용된다.Each of the two liquid nozzles 52 is located near the lower surface brush 51 and is mounted on the upper surface 54u of the lifting support portion 54 so that the liquid discharge port faces upward. A lower surface cleaning liquid supply unit 56 (FIG. 3) is connected to the liquid nozzle 52. The lower surface cleaning liquid supply unit 56 supplies cleaning liquid to the liquid nozzle 52 . When cleaning the substrate W with the lower surface brush 51, the liquid nozzle 52 discharges the cleaning liquid supplied from the lower surface cleaning liquid supply unit 56 to the lower surface of the substrate W. In this embodiment, pure water is used as the cleaning liquid supplied to the liquid nozzle 52.

2개의 액 노즐(52a, 52b) 각각은, 하면 브러시(51)의 근방에 위치하고 또한 액체 토출구가 비스듬한 상방을 향하도록, 승강 지지부(54)의 상면(54u) 상에 장착되어 있다. 액 노즐(52a, 52b)에는, 브러시 세정액 공급부(57)(도 3)가 접속되어 있다. 브러시 세정액 공급부(57)는, 액 노즐(52a, 52b)에 세정액을 공급한다. 액 노즐(52a, 52b)은, 하면 브러시(51)의 세정시에, 브러시 세정액 공급부(57)로부터 공급되는 세정액을 하면 브러시(51)의 세정면의 중앙부 및 단부에 각각 토출한다. 본 실시 형태에서는, 액 노즐(52a, 52b)에 공급되는 세정액으로서 순수가 이용된다.Each of the two liquid nozzles 52a and 52b is located in the vicinity of the lower surface brush 51 and is mounted on the upper surface 54u of the lifting support portion 54 so that the liquid discharge port faces obliquely upward. A brush cleaning liquid supply unit 57 (FIG. 3) is connected to the liquid nozzles 52a and 52b. The brush cleaning liquid supply unit 57 supplies cleaning liquid to the liquid nozzles 52a and 52b. When cleaning the lower surface brush 51, the liquid nozzles 52a and 52b discharge the cleaning liquid supplied from the brush cleaning liquid supply unit 57 to the central portion and the ends of the cleaning surface of the brush 51, respectively. In this embodiment, pure water is used as the cleaning liquid supplied to the liquid nozzles 52a and 52b.

이와 같이, 액 노즐(52a, 52b)에 의해 하면 브러시(51)의 세정면의 중앙부 및 단부에 각각 세정액이 토출된다. 그로 인해, 하면 브러시(51)가 비교적 대형인 경우, 또는 하면 브러시(51)가 비교적 젖음성이 낮은 재료(본 예에서는 PTFE)에 의해 형성되는 경우에도, 하면 브러시(51)의 세정면이 균일하게 젖는다. 이에 따라, 하면 브러시(51)가 부분적으로 경화되는 것이 방지된다. 그 결과, 하면 브러시(51)에 의해 기판(W)의 하면을 균일하게 세정할 수 있다.In this way, the cleaning liquid is discharged from the liquid nozzles 52a and 52b to the central portion and the ends of the cleaning surface of the lower surface brush 51, respectively. Therefore, even when the lower surface brush 51 is relatively large, or even when the lower surface brush 51 is formed of a material with relatively low wettability (PTFE in this example), the cleaning surface of the lower surface brush 51 is uniform. It gets wet. Accordingly, the lower brush 51 is prevented from being partially hardened. As a result, the lower surface of the substrate W can be cleaned uniformly using the lower surface brush 51.

기체 분출부(53)는, 일 방향으로 연장되는 기체 분출구를 갖는 슬릿형상의 기체 분사 노즐이다. 기체 분출부(53)는, 평면에서 볼 때 하면 브러시(51)와 흡착 유지부(21) 사이에 위치하고 또한 기체 분사구가 상방을 향하도록, 승강 지지부(54)의 상면(54u)에 장착되어 있다. 기체 분출부(53)에는, 분출 기체 공급부(58)(도 3)가 접속되어 있다. 분출 기체 공급부(58)는, 기체 분출부(53)에 기체를 공급한다. 본 실시 형태에서는, 기체 분출부(53)에 공급되는 기체로서 질소 가스 등의 불활성 가스가 이용된다. 기체 분출부(53)는, 하면 브러시(51)에 의한 기판(W)의 세정시 및 후술하는 기판(W)의 하면의 건조시에, 분출 기체 공급부(58)로부터 공급되는 기체를 기판(W)의 하면에 분사한다. 이 경우, 하면 브러시(51)와 흡착 유지부(21) 사이에, X방향으로 연장되는 띠형상의 기체 커튼이 형성된다.The gas blowing portion 53 is a slit-shaped gas blowing nozzle having a gas blowing port extending in one direction. The gas ejection portion 53 is located between the lower brush 51 and the adsorption holding portion 21 in plan view, and is mounted on the upper surface 54u of the lifting support portion 54 so that the gas ejection port faces upward. . A blowing gas supply part 58 (FIG. 3) is connected to the gas blowing part 53. The blowing gas supply unit 58 supplies gas to the gas blowing part 53. In this embodiment, an inert gas such as nitrogen gas is used as the gas supplied to the gas blowing portion 53. The gas blowing unit 53 is configured to apply gas supplied from the blowing gas supply unit 58 to the substrate W when cleaning the substrate W with the lower surface brush 51 and drying the lower surface of the substrate W to be described later. ) Spray on the bottom of the. In this case, a band-shaped gas curtain extending in the X direction is formed between the lower surface brush 51 and the adsorption holding portion 21.

하면 브러시 회전 구동부(55a)는, 모터를 포함하고, 하면 브러시(51)에 의한 기판(W)의 세정시에 하면 브러시(51)를 회전시킨다. 하면 브러시 승강 구동부(55b)는, 스텝 모터 또는 에어 실린더를 포함하고, 이동 지지부(55)에 대해서 승강 지지부(54)를 승강시킨다. 하면 브러시 이동 구동부(55c)는, 모터를 포함하고, 가동 대좌(32) 상에서 이동 지지부(55)를 Y방향으로 이동시킨다. 여기서, 가동 대좌(32)에 있어서의 하측 유지 장치(20)의 위치는 고정되어 있다. 그로 인해, 하면 브러시 이동 구동부(55c)에 의한 이동 지지부(55)의 Y방향의 이동시에는, 이동 지지부(55)가 하측 유지 장치(20)에 대해서 상대적으로 이동한다. 이하의 설명에서는, 가동 대좌(32) 상에서 하측 유지 장치(20)에 가장 가까워질 때의 하면 세정 장치(50)의 위치를 접근 위치라고 부르고, 가동 대좌(32) 상에서 하측 유지 장치(20)로부터 가장 멀어졌을 때의 하면 세정 장치(50)의 위치를 이격 위치라고 부른다.The lower surface brush rotation drive unit 55a includes a motor and rotates the lower surface brush 51 when cleaning the substrate W with the lower surface brush 51 . The lower surface brush lifting drive unit 55b includes a step motor or an air cylinder, and raises and lowers the lifting support part 54 with respect to the moving support part 55. The lower brush movement drive unit 55c includes a motor and moves the movable support unit 55 on the movable base 32 in the Y direction. Here, the position of the lower holding device 20 on the movable pedestal 32 is fixed. Therefore, when the movable support part 55 is moved in the Y direction by the lower brush movement drive unit 55c, the movable support part 55 moves relative to the lower holding device 20. In the following description, the position of the lower surface cleaning device 50 when it is closest to the lower holding device 20 on the movable pedestal 32 is called the approach position, and the position of the lower surface cleaning device 50 when it is closest to the lower holding device 20 on the movable pedestal 32 The position of the bottom cleaning device 50 when it is furthest away is called the separation position.

저면부(2a)의 중앙부에는, 추가로 컵 장치(60)가 설치되어 있다. 컵 장치(60)는, 컵(61) 및 컵 구동부(62)를 포함한다. 컵(61)은, 평면에서 볼 때 하측 유지 장치(20) 및 대좌 장치(30)를 둘러싸도록 또한 승강 가능하게 설치되어 있다. 도 2에 있어서는, 컵(61)이 점선으로 표시된다. 컵 구동부(62)는, 하면 브러시(51)가 기판(W)의 하면에 있어서의 어느 부분을 세정하는지에 따라 컵(61)을 하측 컵 위치와 상측 컵 위치 사이에서 이동시킨다. 하측 컵 위치는 컵(61)의 상단부가 흡착 유지부(21)에 의해 흡착 유지되는 기판(W)보다 하방에 있는 높이 위치이다. 또, 상측 컵 위치는 컵(61)의 상단부가 흡착 유지부(21)보다 상방에 있는 높이 위치이다.A cup device 60 is additionally installed in the central portion of the bottom portion 2a. The cup device 60 includes a cup 61 and a cup driving unit 62. The cup 61 is installed to be able to be raised and lowered so as to surround the lower holding device 20 and the pedestal device 30 in plan view. In Fig. 2, the cup 61 is indicated by a dotted line. The cup drive unit 62 moves the cup 61 between the lower cup position and the upper cup position depending on which part of the lower surface of the substrate W the lower surface brush 51 cleans. The lower cup position is a height position where the upper end of the cup 61 is lower than the substrate W held by the suction holding portion 21. Additionally, the upper cup position is a height position where the upper end of the cup 61 is above the suction holding portion 21.

컵(61)보다 상방의 높이 위치에는, 평면에서 볼 때 대좌 장치(30)를 사이에 두고 대향하도록 한 쌍의 상측 유지 장치(10A, 10B)가 설치되어 있다. 상측 유지 장치(10A)는, 하측 척(11A), 상측 척(12A), 하측 척 구동부(13A) 및 상측 척 구동부(14A)를 포함한다. 상측 유지 장치(10B)는, 하측 척(11B), 상측 척(12B), 하측 척 구동부(13B) 및 상측 척 구동부(14B)를 포함한다.At a height above the cup 61, a pair of upper holding devices 10A, 10B are installed to face each other with the pedestal device 30 sandwiched between them in a plan view. The upper holding device 10A includes a lower chuck 11A, an upper chuck 12A, a lower chuck drive unit 13A, and an upper chuck drive unit 14A. The upper holding device 10B includes a lower chuck 11B, an upper chuck 12B, a lower chuck drive unit 13B, and an upper chuck drive unit 14B.

하측 척(11A, 11B)은, 평면에서 볼 때 흡착 유지부(21)의 중심을 지나 Y방향(전후 방향)으로 연장되는 연직면에 관해서 대칭으로 배치되고, 공통의 수평면 내에서 X방향으로 이동 가능하게 설치되어 있다. 하측 척(11A, 11B) 각각은, 기판(W)의 하면 주연부를 기판(W)의 하방으로부터 지지 가능한 2개의 지지편을 갖는다. 하측 척 구동부(13A, 13B)는, 하측 척(11A, 11B)이 서로 가까워지도록, 또는 하측 척(11A, 11B)이 서로 멀어지도록, 하측 척(11A, 11B)을 이동시킨다.The lower chucks 11A, 11B are arranged symmetrically with respect to a vertical plane extending in the Y direction (front-back direction) past the center of the suction holding portion 21 in plan view, and are movable in the X direction within a common horizontal plane. It is installed properly. Each of the lower chucks 11A and 11B has two support pieces capable of supporting the lower surface peripheral portion of the substrate W from below the substrate W. The lower chuck driving units 13A and 13B move the lower chucks 11A and 11B so that the lower chucks 11A and 11B approach each other or move the lower chucks 11A and 11B away from each other.

상측 척(12A, 12B)은, 하측 척(11A, 11B)과 동일하게, 평면에서 볼 때 흡착 유지부(21)의 중심을 지나 Y방향(전후 방향)으로 연장되는 연직면에 관해서 대칭으로 배치되고, 공통의 수평면 내에서 X방향으로 이동 가능하게 설치되어 있다. 상측 척(12A, 12B) 각각은, 기판(W)의 외주 단부의 2개의 부분에 맞닿아 기판(W)의 외주 단부를 유지 가능하게 구성된 2개의 유지편을 갖는다. 상측 척 구동부(14A, 14B)는, 상측 척(12A, 12B)이 서로 가까워지도록, 또는 상측 척(12A, 12B)이 서로 멀어지도록, 상측 척(12A, 12B)을 이동시킨다.The upper chucks 12A, 12B, like the lower chucks 11A, 11B, are arranged symmetrically with respect to a vertical plane extending in the Y direction (front-back direction) through the center of the suction holding portion 21 in plan view. , It is installed to be movable in the X direction within a common horizontal plane. Each of the upper chucks 12A and 12B has two holding pieces configured to be able to hold the outer peripheral ends of the substrate W by abutting against two portions of the outer peripheral ends of the substrate W. The upper chuck driving units 14A and 14B move the upper chucks 12A and 12B so that the upper chucks 12A and 12B come closer to each other or the upper chucks 12A and 12B move away from each other.

도 1에 도시하는 바와 같이, 컵(61)의 일 측방에 있어서는, 평면에서 볼 때 상측 유지 장치(10B)의 근방에 위치하도록, 상면 세정 장치(70)가 설치되어 있다. 상면 세정 장치(70)는, 회전 지지축(71), 아암(72), 스프레이 노즐(73) 및 상면 세정 구동부(74)를 포함한다.As shown in FIG. 1, on one side of the cup 61, an upper surface cleaning device 70 is installed so as to be located near the upper holding device 10B in plan view. The top surface cleaning device 70 includes a rotation support shaft 71, an arm 72, a spray nozzle 73, and a top surface cleaning drive unit 74.

회전 지지축(71)은, 저면부(2a) 상에서, 상하 방향으로 연장되도록 또한 승강 가능한 동시에 회전 가능하게 상면 세정 구동부(74)에 의해 지지된다. 아암(72)은, 도 2에 도시하는 바와 같이, 상측 유지 장치(10B)보다 상방의 위치에서, 회전 지지축(71)의 상단부로부터 수평 방향으로 연장되도록 설치되어 있다. 아암(72)의 선단부에는, 스프레이 노즐(73)이 장착되어 있다.The rotation support shaft 71 is supported on the bottom portion 2a by the top cleaning drive portion 74 so as to extend in the vertical direction and to be able to move up and down and rotate. As shown in FIG. 2 , the arm 72 is installed to extend in the horizontal direction from the upper end of the rotation support shaft 71 at a position above the upper holding device 10B. A spray nozzle 73 is attached to the distal end of the arm 72.

스프레이 노즐(73)에는, 상면 세정 유체 공급부(75)(도 3)가 접속된다. 상면 세정 유체 공급부(75)는, 스프레이 노즐(73)에 세정액 및 기체를 공급한다. 본 실시 형태에서는, 스프레이 노즐(73)에 공급되는 세정액으로서 순수가 이용되고, 스프레이 노즐(73)에 공급되는 기체로서 질소 가스 등의 불활성 가스가 이용된다. 스프레이 노즐(73)은, 기판(W)의 상면의 세정시에, 상면 세정 유체 공급부(75)로부터 공급되는 세정액과 기체를 혼합하여 혼합 유체를 생성하고, 생성된 혼합 유체를 하방으로 분사한다.A top surface cleaning fluid supply unit 75 (FIG. 3) is connected to the spray nozzle 73. The top cleaning fluid supply unit 75 supplies cleaning liquid and gas to the spray nozzle 73. In this embodiment, pure water is used as the cleaning liquid supplied to the spray nozzle 73, and an inert gas such as nitrogen gas is used as the gas supplied to the spray nozzle 73. When cleaning the upper surface of the substrate W, the spray nozzle 73 mixes the cleaning liquid and gas supplied from the upper surface cleaning fluid supply unit 75 to generate a mixed fluid, and sprays the generated mixed fluid downward.

상면 세정 구동부(74)는, 1개 또는 복수의 펄스 모터 및 에어 실린더 등을 포함하고, 회전 지지축(71)을 승강시킴과 더불어, 회전 지지축(71)을 회전시킨다. 상기의 구성에 의하면, 흡착 유지부(21)에 의해 흡착 유지되어 회전되는 기판(W)의 상면 상에서, 스프레이 노즐(73)을 원호형상으로 이동시킴으로써, 기판(W)의 상면 전체를 세정할 수 있다.The top surface cleaning drive unit 74 includes one or more pulse motors and air cylinders, and raises and lowers the rotation support shaft 71 and rotates the rotation support shaft 71. According to the above configuration, the entire upper surface of the substrate W can be cleaned by moving the spray nozzle 73 in an arc shape on the upper surface of the substrate W, which is adsorbed and held by the suction holding portion 21 and rotated. there is.

도 1에 도시하는 바와 같이, 컵(61)의 타측방에 있어서는, 평면에서 볼 때 상측 유지 장치(10A)의 근방에 위치하도록, 단부 세정 장치(80)가 설치되어 있다. 단부 세정 장치(80)는, 회전 지지축(81), 아암(82), 베벨 브러시(83) 및 베벨 브러시 구동부(84)를 포함한다.As shown in FIG. 1, on the other side of the cup 61, an end cleaning device 80 is installed so as to be located near the upper holding device 10A in plan view. The end cleaning device 80 includes a rotating support shaft 81, an arm 82, a bevel brush 83, and a bevel brush drive unit 84.

회전 지지축(81)은, 저면부(2a) 상에서, 상하 방향으로 연장되도록 또한 승강 가능한 동시에 회전 가능하게 베벨 브러시 구동부(84)에 의해 지지된다. 아암(82)은, 도 2에 도시하는 바와 같이, 상측 유지 장치(10A)보다 상방의 위치에서, 회전 지지축(81)의 상단부로부터 수평 방향으로 연장되도록 설치되어 있다. 아암(82)의 선단부에는, 하방을 향해 돌출하도록 또한 상하 방향의 축 둘레로 회전 가능해지도록 베벨 브러시(83)가 설치되어 있다.The rotation support shaft 81 is supported on the bottom portion 2a by a bevel brush drive portion 84 so as to extend in the vertical direction, and to be capable of being raised and lowered and rotatable. As shown in FIG. 2 , the arm 82 is installed to extend in the horizontal direction from the upper end of the rotation support shaft 81 at a position above the upper holding device 10A. At the distal end of the arm 82, a bevel brush 83 is provided so as to protrude downward and to be rotatable around an up-and-down axis.

베벨 브러시(83)는, 상반부가 역원뿔대 형상을 가짐과 더불어 하반부가 원뿔대 형상을 갖는다. 이 베벨 브러시(83)에 의하면, 외주면의 상하 방향에 있어서의 중앙 부분에서 기판(W)의 외주 단부를 세정할 수 있다.The bevel brush 83 has an inverted truncated cone shape in its upper half and a truncated cone shape in its lower half. According to this bevel brush 83, the outer peripheral edge of the substrate W can be cleaned at the central portion in the vertical direction of the outer peripheral surface.

베벨 브러시 구동부(84)는, 1개 또는 복수의 펄스 모터 및 에어 실린더 등을 포함하고, 회전 지지축(81)을 승강시킴과 더불어, 회전 지지축(81)을 회전시킨다. 상기의 구성에 의하면, 흡착 유지부(21)에 의해 흡착 유지되어 회전되는 기판(W)의 외주 단부에 베벨 브러시(83)의 외주면의 중앙 부분을 접촉시킴으로써, 기판(W)의 외주 단부 전체를 세정할 수 있다.The bevel brush drive unit 84 includes one or more pulse motors and air cylinders, and raises and lowers the rotation support shaft 81 and rotates the rotation support shaft 81. According to the above configuration, the entire outer peripheral end of the substrate W is brought into contact with the central portion of the outer peripheral surface of the bevel brush 83 to the outer peripheral end of the substrate W, which is adsorbed and held and rotated by the suction holding portion 21. It can be cleaned.

여기서, 베벨 브러시 구동부(84)는, 추가로 아암(82)에 내장되는 모터를 포함한다. 그 모터는, 아암(82)의 선단부에 설치되는 베벨 브러시(83)를 상하 방향의 축 둘레로 회전시킨다. 따라서, 기판(W)의 외주 단부의 세정시에, 베벨 브러시(83)가 회전함으로써, 기판(W)의 외주 단부에 있어서의 베벨 브러시(83)의 세정력이 향상한다.Here, the bevel brush drive unit 84 further includes a motor built into the arm 82. The motor rotates the bevel brush 83 installed at the distal end of the arm 82 around the vertical axis. Therefore, when cleaning the outer peripheral end of the substrate W, the bevel brush 83 rotates, thereby improving the cleaning power of the bevel brush 83 at the outer peripheral end of the substrate W.

도 3은, 기판 세정 장치(1)의 제어 계통의 구성을 도시하는 블럭도이다. 도 3의 제어 장치(9)는, CPU(중앙 연산 처리 장치), RAM(랜덤 엑세스 메모리), ROM(리드 온리 메모리) 및 기억 장치를 포함한다. RAM은, CPU의 작업 영역으로서 이용된다. ROM은, 시스템 프로그램을 기억한다. 기억 장치는, 제어 프로그램을 기억한다.FIG. 3 is a block diagram showing the configuration of the control system of the substrate cleaning device 1. The control device 9 in FIG. 3 includes a CPU (central processing unit), RAM (random access memory), ROM (read only memory), and a storage device. RAM is used as the CPU's work area. ROM stores system programs. The storage device stores the control program.

도 3에 도시하는 바와 같이, 제어 장치(9)는, 기능부로서, 척 제어부(9A), 흡착 제어부(9B), 대좌 제어부(9C), 수도 제어부(9D), 하면 세정 제어부(9E), 컵 제어부(9F), 상면 세정 제어부(9G), 베벨 세정 제어부(9H) 및 반입 반출 제어부(9I)를 포함한다. CPU가 기억 장치에 기억된 기판 세정 프로그램을 RAM 상에서 실행함으로써 제어 장치(9)의 기능부가 실현된다. 제어 장치(9)의 기능부의 일부 또는 전부가 전자 회로 등의 하드웨어에 의해 실현되어도 된다.As shown in FIG. 3, the control device 9 includes, as functional units, a chuck control unit 9A, a suction control unit 9B, a pedestal control unit 9C, a water control unit 9D, a lower surface cleaning control unit 9E, It includes a cup control unit 9F, a top cleaning control unit 9G, a bevel cleaning control unit 9H, and a loading/unloading control unit 9I. The functional portion of the control device 9 is realized by the CPU executing the substrate cleaning program stored in the memory device on the RAM. Part or all of the functional portion of the control device 9 may be realized by hardware such as an electronic circuit.

척 제어부(9A)는, 기판 세정 장치(1)에 반입되는 기판(W)을 수취하여, 흡착 유지부(21)의 상방의 위치에서 유지하기 위해서, 하측 척 구동부(13A, 13B) 및 상측 척 구동부(14A, 14B)를 제어한다. 흡착 제어부(9B)는, 흡착 유지부(21)에 의해 기판(W)을 흡착 유지함과 더불어 흡착 유지된 기판(W)을 회전시키기 위해서, 흡착 유지 구동부(22)를 제어한다.The chuck control unit 9A includes the lower chuck drive units 13A, 13B and the upper chuck in order to receive the substrate W loaded into the substrate cleaning device 1 and hold it in a position above the suction holding unit 21. Controls the driving units 14A and 14B. The adsorption control unit 9B controls the adsorption-holding drive unit 22 in order to adsorb and hold the substrate W by the adsorption-holding unit 21 and rotate the adsorbed-held substrate W.

대좌 제어부(9C)는, 상측 유지 장치(10A, 10B)에 의해 유지되는 기판(W)에 대해서 가동 대좌(32)를 이동시키기 위해서, 대좌 구동부(33)를 제어한다. 수도 제어부(9D)는, 상측 유지 장치(10A, 10B)에 의해 유지되는 기판(W)의 높이 위치와, 흡착 유지부(21)에 의해 유지되는 기판(W)의 높이 위치 사이에서 기판(W)을 이동시키기 위해서, 핀 승강 구동부(43)를 제어한다. The pedestal control unit 9C controls the pedestal drive unit 33 to move the movable pedestal 32 with respect to the substrate W held by the upper holding devices 10A and 10B. The water control unit 9D controls the substrate W between the height position of the substrate W held by the upper holding devices 10A and 10B and the height position of the substrate W held by the suction holding unit 21. ), the pin lifting and lowering driving unit 43 is controlled.

하면 세정 제어부(9E)는, 기판(W)의 하면을 세정하기 위해서, 하면 브러시 회전 구동부(55a), 하면 브러시 승강 구동부(55b), 하면 브러시 이동 구동부(55c), 하면 세정액 공급부(56) 및 분출 기체 공급부(58)를 제어한다. 또, 하면 세정 제어부(9E)는, 하면 브러시(51)를 세정하기 위해서, 브러시 세정액 공급부(57)를 제어한다. 컵 제어부(9F)는, 흡착 유지부(21)에 의해 흡착 유지된 기판(W)의 세정시에 기판(W)으로부터 비산하는 세정액을 컵(61)으로 받아들이기 위해서, 컵 구동부(62)를 제어한다.In order to clean the lower surface of the substrate W, the lower surface cleaning control unit 9E includes a lower surface brush rotation driving unit 55a, a lower surface brush lifting and lowering driving unit 55b, a lower surface brush moving driving unit 55c, a lower surface cleaning liquid supply unit 56, and The blowing gas supply unit 58 is controlled. Additionally, the lower surface cleaning control unit 9E controls the brush cleaning liquid supply unit 57 in order to clean the lower surface brush 51. The cup control unit 9F operates a cup driving unit 62 in order to receive the cleaning liquid flying from the substrate W into the cup 61 when cleaning the substrate W held by the suction holding unit 21. Control.

상면 세정 제어부(9G)는, 흡착 유지부(21)에 의해 흡착 유지된 기판(W)의 상면을 세정하기 위해서, 상면 세정 구동부(74) 및 상면 세정 유체 공급부(75)를 제어한다. 베벨 세정 제어부(9H)는, 흡착 유지부(21)에 의해 흡착 유지된 기판(W)의 외주 단부를 세정하기 위해서, 베벨 브러시 구동부(84)를 제어한다. 반입 반출 제어부(9I)는, 기판 세정 장치(1)에 있어서의 기판(W)의 반입시 및 반출시에 유닛 하우징(2)의 반입 반출구(2x)를 개폐하기 위해서, 셔터 구동부(92)를 제어한다.The top cleaning control unit 9G controls the top cleaning drive unit 74 and the top cleaning fluid supply unit 75 to clean the upper surface of the substrate W held by the suction holding unit 21. The bevel cleaning control unit 9H controls the bevel brush drive unit 84 in order to clean the outer peripheral edge of the substrate W held by the suction holding unit 21. The loading/unloading control unit 9I uses a shutter drive unit 92 to open and close the loading/unloading port 2x of the unit housing 2 when loading and unloading the substrate W in the substrate cleaning device 1. control.

(2) 기판 세정 장치의 개략 동작(2) Outline operation of the substrate cleaning device

도 4~도 15는, 도 1의 기판 세정 장치(1)의 개략 동작을 설명하기 위한 모식도이다. 도 4~도 15 각각에 있어서는, 상단에 기판 세정 장치(1)의 평면도가 도시된다. 또, 중단에 Y방향을 따라서 본 하측 유지 장치(20) 및 그 주변부의 측면도가 도시되고, 하단에 X방향을 따라서 본 하측 유지 장치(20) 및 그 주변부의 측면도가 도시된다. 중단의 측면도는 도 1의 A-A선 측면도에 대응하고, 하단의 측면도는 도 1의 B-B선 측면도에 대응한다. 또한, 기판 세정 장치(1)에 있어서의 각 구성 요소의 형상 및 동작 상태의 이해를 용이하게 하기 위해서, 상단의 평면도와 중단 및 하단의 측면도 사이에서는, 일부의 구성 요소의 확장 수축률이 다르다. 또, 도 4~도 15에서는, 컵(61)이 이점쇄선으로 표시됨과 더불어, 기판(W)의 외형이 굵은 일점쇄선으로 표시된다.4 to 15 are schematic diagrams for explaining the schematic operation of the substrate cleaning device 1 in FIG. 1. In each of FIGS. 4 to 15, a top view of the substrate cleaning device 1 is shown at the top. Additionally, a side view of the lower retaining device 20 and its peripheral portion as seen along the Y direction is shown in the middle, and a side view of the lower retaining device 20 and its peripheral portion as seen along the X direction is shown at the lower portion. The side view in the middle corresponds to the side view taken along line A-A in FIG. 1, and the side view at the bottom corresponds to the side view taken along line B-B in FIG. 1. In addition, in order to facilitate understanding of the shape and operating state of each component in the substrate cleaning device 1, the expansion and contraction rates of some components are different between the top plan view and the middle and bottom side views. 4 to 15, the cup 61 is indicated by a double-dashed line, and the external shape of the substrate W is indicated by a thick one-dash line.

기판 세정 장치(1)에 기판(W)이 반입되기 전의 초기 상태에 있어서는, 개폐 장치(90)의 셔터(91)가 반입 반출구(2x)를 폐색하고 있다. 또, 도 1에 도시되는 바와 같이, 하측 척(11A, 11B)은, 서로의 거리가 기판(W)의 직경보다 충분히 커지는 상태로 유지되어 있다. 또, 상측 척(12A, 12B)도, 서로의 거리가 기판(W)의 직경보다 충분히 커지는 상태로 유지되어 있다.In the initial state before the substrate W is loaded into the substrate cleaning device 1, the shutter 91 of the opening and closing device 90 blocks the loading/unloading opening 2x. Additionally, as shown in FIG. 1, the distance between the lower chucks 11A and 11B is maintained sufficiently larger than the diameter of the substrate W. Additionally, the distance between the upper chucks 12A and 12B is maintained sufficiently larger than the diameter of the substrate W.

또, 대좌 장치(30)의 가동 대좌(32)는, 평면에서 볼 때 흡착 유지부(21)의 중심이 컵(61)의 중심에 위치하도록 배치되어 있다. 가동 대좌(32) 상에서 하면 세정 장치(50)는, 접근 위치에 배치되어 있다. 하면 세정 장치(50)의 승강 지지부(54)는, 하면 브러시(51)의 세정면(상단부)이 흡착 유지부(21)보다 하방의 위치에 있다. 이 초기 상태에 있어서의 하면 브러시(51)의 위치를 대기 위치라고 부른다. 기판(W)이 흡착 유지부(21)에 유지된 상태에 있어서는, 대기 위치는 당해 기판(W)의 하방에 있다.Additionally, the movable pedestal 32 of the pedestal device 30 is arranged so that the center of the suction holding portion 21 is located at the center of the cup 61 in plan view. On the movable pedestal 32, the lower surface cleaning device 50 is arranged at an accessible position. As for the lifting support part 54 of the lower surface cleaning device 50, the cleaning surface (upper end part) of the lower surface brush 51 is positioned below the suction holding part 21. The position of the lower surface brush 51 in this initial state is called the standby position. When the substrate W is held by the suction holding portion 21, the standby position is below the substrate W.

또, 수도 장치(40)에 있어서는, 복수의 지지 핀(41)이 흡착 유지부(21)보다 하방에 위치하는 상태에 있다. 또한, 컵 장치(60)에 있어서는, 컵(61)은 하측 컵 위치에 있다. 이하의 설명에서는, 평면에서 볼 때에 있어서의 컵(61)의 중심 위치를 평면 기준 위치(rp)라고 부른다. 또, 평면에서 볼 때 흡착 유지부(21)의 중심이 평면 기준 위치(rp)에 있을 때의 저면부(2a) 상의 가동 대좌(32)의 위치를 제1 수평 위치라고 부른다.Moreover, in the water supply device 40, the plurality of support pins 41 are positioned below the suction holding portion 21. Additionally, in the cup device 60, the cup 61 is at the lower cup position. In the following description, the center position of the cup 61 in plan view is called the plane reference position rp. In addition, the position of the movable base 32 on the bottom portion 2a when the center of the suction holding portion 21 is at the plane reference position rp in plan view is called the first horizontal position.

기판 세정 장치(1)의 유닛 하우징(2) 내에 기판(W)이 반입된다. 구체적으로는, 기판(W)의 반입 직전에 셔터(91)가 반입 반출구(2x)를 개방한다. 그 후, 도 4에 굵은 실선의 화살표 a1로 나타내는 바와 같이, 도시하지 않은 기판 반송 로봇의 핸드(기판 유지부)(RH)가 반입 반출구(2x)를 통해 유닛 하우징(2) 내의 대략 중앙의 위치에 기판(W)을 반입한다. 이 때, 핸드(RH)에 의해 유지되는 기판(W)은, 도 4에 도시하는 바와 같이, 하측 척(11A) 및 상측 척(12A)과 하측 척(11B) 및 상측 척(12B) 사이에 위치한다.A substrate W is loaded into the unit housing 2 of the substrate cleaning device 1. Specifically, immediately before loading the substrate W, the shutter 91 opens the loading/unloading port 2x. Thereafter, as indicated by the thick solid arrow a1 in FIG. 4, the hand (substrate holding portion) RH of the substrate transport robot (not shown) is moved to approximately the center of the unit housing 2 through the loading/unloading port 2x. Bring the substrate (W) to the location. At this time, the substrate W held by the hand RH is between the lower chuck 11A and the upper chuck 12A and the lower chuck 11B and the upper chuck 12B, as shown in FIG. 4. Located.

다음으로, 도 5에 굵은 실선의 화살표 a2로 나타내는 바와 같이, 하측 척(11A, 11B)의 복수의 지지편이 기판(W)의 하면 주연부의 하방에 위치하도록, 하측 척(11A, 11B)이 서로 가까워진다. 이 상태에서, 핸드(RH)가 하강하여, 반입 반출구(2x)로부터 퇴출한다. 그에 따라, 핸드(RH)에 유지된 기판(W)의 하면 주연부의 복수 부분이, 하측 척(11A, 11B)의 복수의 지지편에 의해 지지된다. 핸드(RH)의 퇴출 후, 셔터(91)는 반입 반출구(2x)를 폐색한다.Next, as shown by the thick solid arrow a2 in FIG. 5, the lower chucks 11A, 11B are aligned with each other so that the plurality of support pieces of the lower chucks 11A, 11B are positioned below the lower surface peripheral portion of the substrate W. Getting closer. In this state, the hand RH descends and exits the loading/unloading port 2x. Accordingly, a plurality of portions of the lower surface peripheral portion of the substrate W held by the hand RH are supported by a plurality of support pieces of the lower chucks 11A and 11B. After the hand RH is withdrawn, the shutter 91 closes the loading/unloading port 2x.

다음으로, 도 6에 굵은 실선의 화살표 a3으로 나타내는 바와 같이, 상측 척(12A, 12B)의 복수의 유지편이 기판(W)의 외주 단부에 맞닿도록, 상측 척(12A, 12B)이 서로 가까워진다. 상측 척(12A, 12B)의 복수의 유지편이 기판(W)의 외주 단부의 복수의 부분에 맞닿음으로써, 하측 척(11A, 11B)에 의해 지지된 기판(W)이 상측 척(12A, 12B)에 의해 더 유지된다. 또, 도 6에 굵은 실선의 화살표 a4로 나타내는 바와 같이, 흡착 유지부(21)가 평면 기준 위치(rp)로부터 소정 거리 벗어남과 더불어 하면 브러시(51)의 중심이 평면 기준 위치(rp)에 위치하도록, 가동 대좌(32)가 제1 수평 위치로부터 전방으로 이동한다. 이때, 저면부(2a) 상에 위치하는 가동 대좌(32)의 위치를 제2 수평 위치라고 부른다.Next, as indicated by the thick solid line arrow a3 in FIG. 6, the upper chucks 12A and 12B are brought closer to each other so that the plurality of holding pieces of the upper chucks 12A and 12B come into contact with the outer peripheral end of the substrate W. . The plurality of holding pieces of the upper chucks 12A, 12B abut against the plurality of portions of the outer peripheral ends of the substrate W, so that the substrate W supported by the lower chucks 11A, 11B is held by the upper chucks 12A, 12B. ) is further maintained by. In addition, as shown by the thick solid arrow a4 in FIG. 6, the suction holding portion 21 deviates a predetermined distance from the plane reference position rp, and the center of the lower brush 51 is located at the plane reference position rp. So that the movable pedestal 32 moves forward from the first horizontal position. At this time, the position of the movable pedestal 32 located on the bottom portion 2a is called the second horizontal position.

다음으로, 도 7에 굵은 실선의 화살표 a5로 나타내는 바와 같이, 대기 위치의 하면 브러시(51)의 세정면이 기판(W)의 하면 중앙 영역에 접촉하도록, 승강 지지부(54)가 상승한다. 이 때의 하면 브러시(51)의 위치를 처리 위치라고 부른다. 또, 도 7에 굵은 실선의 화살표 a6으로 나타내는 바와 같이, 하면 브러시(51)가 상하 방향의 축 둘레로 회전(자전)한다. 그에 따라, 기판(W)의 하면 중앙 영역에 부착되는 오염 물질이 하면 브러시(51)에 의해 물리적으로 박리된다.Next, as shown by the thick solid arrow a5 in FIG. 7, the lifting support portion 54 rises so that the cleaning surface of the lower surface brush 51 in the standby position contacts the central region of the lower surface of the substrate W. The position of the lower surface brush 51 at this time is called the processing position. Additionally, as indicated by the thick solid line arrow a6 in FIG. 7, the lower surface brush 51 rotates (rotates) around the vertical axis. Accordingly, contaminants adhering to the central area of the lower surface of the substrate W are physically peeled off by the lower surface brush 51.

도 7의 하단에는, 하면 브러시(51)가 기판(W)의 하면에 접촉하는 부분의 확대 측면도가 말풍선 내에 도시된다. 그 말풍선 내에 도시되는 바와 같이, 하면 브러시(51)가 기판(W)에 접촉하는 상태로, 액 노즐(52) 및 기체 분출부(53)는, 기판(W)의 하면에 근접하는 위치에 유지된다. 이 때, 액 노즐(52)은, 흰색의 화살표 a51로 나타내는 바와 같이, 하면 브러시(51)의 근방의 위치에서 기판(W)의 하면을 향해 세정액을 토출한다. 이에 따라, 액 노즐(52)로부터 기판(W)의 하면에 공급된 세정액이 하면 브러시(51)와 기판(W)의 접촉부로 인도됨으로써, 하면 브러시(51)에 의해 기판(W)의 이면으로부터 제거된 오염 물질이 세정액에 의해 씻겨나간다. 이와 같이, 하면 세정 장치(50)에 있어서는, 액 노즐(52)이 하면 브러시(51)와 함께 승강 지지부(54)에 장착되어 있다. 그에 따라, 하면 브러시(51)에 의한 기판(W)의 하면의 세정 부분에 효율적으로 세정액을 공급할 수 있다. 따라서, 세정액의 소비량이 저감됨과 더불어 세정액의 과잉 비산이 억제된다.At the bottom of FIG. 7, an enlarged side view of the portion where the lower surface brush 51 contacts the lower surface of the substrate W is shown in a speech bubble. As shown in the speech bubble, the lower surface brush 51 is in contact with the substrate W, and the liquid nozzle 52 and the gas jet portion 53 are maintained at a position close to the lower surface of the substrate W. do. At this time, the liquid nozzle 52 discharges the cleaning liquid toward the lower surface of the substrate W at a position near the lower surface brush 51, as indicated by the white arrow a51. Accordingly, the cleaning liquid supplied from the liquid nozzle 52 to the lower surface of the substrate W is guided to the contact portion between the lower surface brush 51 and the substrate W, thereby removing the liquid from the lower surface of the substrate W by the lower surface brush 51. The removed contaminants are washed away by the cleaning solution. In this way, in the lower surface cleaning device 50, the liquid nozzle 52 is mounted on the lifting support portion 54 together with the lower surface brush 51. Accordingly, the cleaning liquid can be efficiently supplied to the cleaning portion of the lower surface of the substrate W by the lower surface brush 51. Accordingly, the consumption of the cleaning liquid is reduced and excessive scattering of the cleaning liquid is suppressed.

여기서, 승강 지지부(54)의 상면(54u)은, 흡착 유지부(21)로부터 멀어지는 방향에 있어서 비스듬한 하방으로 경사져 있다. 이 경우, 기판(W)의 하면으로부터 오염 물질을 포함하는 세정액이 승강 지지부(54) 상에 낙하하는 경우에, 상면(54u)에 의해서 받아들여진 세정액이 흡착 유지부(21)로부터 멀어지는 방향으로 인도된다.Here, the upper surface 54u of the lifting support part 54 is inclined diagonally downward in the direction away from the suction holding part 21. In this case, when the cleaning liquid containing contaminants falls from the lower surface of the substrate W onto the lifting support portion 54, the cleaning liquid received by the upper surface 54u is guided in a direction away from the adsorption holding portion 21. do.

또, 하면 브러시(51)에 의한 기판(W)의 하면의 세정시에는, 기체 분출부(53)가, 도 7의 말풍선 내에 흰색의 화살표 a52로 나타내는 바와 같이, 하면 브러시(51)와 흡착 유지부(21) 사이의 위치에서 기판(W)의 하면을 향해 기체를 분사한다. 본 실시 형태에 있어서는, 기체 분출부(53)는, 기체 분사구가 X방향으로 연장되도록 승강 지지부(54) 상에 장착되어 있다. 이 경우, 기체 분출부(53)로부터 기판(W)의 하면에 기체가 분사될 때에는, 하면 브러시(51)와 흡착 유지부(21) 사이에서 X방향으로 연장되는 띠형상의 기체 커튼이 형성된다. 그에 따라, 하면 브러시(51)에 의한 기판(W)의 하면의 세정시에, 오염 물질을 포함하는 세정액이 흡착 유지부(21)를 향해 비산되는 것이 방지된다. 따라서, 하면 브러시(51)에 의한 기판(W)의 하면의 세정시에, 오염 물질을 포함하는 세정액이 흡착 유지부(21)에 부착되는 것이 방지되어, 흡착 유지부(21)의 흡착면이 청정하게 유지된다.In addition, when cleaning the lower surface of the substrate W with the lower surface brush 51, the gas blowing portion 53 adsorbs and holds the lower surface brush 51, as indicated by the white arrow a52 in the speech bubble in FIG. 7. Gas is sprayed from a position between the parts 21 toward the lower surface of the substrate W. In this embodiment, the gas jet portion 53 is mounted on the lifting support portion 54 so that the gas jet port extends in the X direction. In this case, when gas is sprayed from the gas ejection portion 53 to the lower surface of the substrate W, a band-shaped gas curtain extending in the X direction is formed between the lower surface brush 51 and the adsorption holding portion 21. . Accordingly, when cleaning the lower surface of the substrate W with the lower surface brush 51, the cleaning liquid containing contaminants is prevented from scattering toward the adsorption holding portion 21. Therefore, when cleaning the lower surface of the substrate W with the lower surface brush 51, the cleaning liquid containing contaminants is prevented from adhering to the adsorption holding part 21, and the adsorption surface of the adsorption holding part 21 is It is kept clean.

또한, 도 7의 예에 있어서는, 기체 분출부(53)는, 흰색의 화살표 a52로 나타내는 바와 같이, 기체 분출부(53)로부터 하면 브러시(51)를 향해 비스듬한 상방으로 기체를 분사하는데, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 기체 분출부(53)는, 기체 분출부(53)로부터 기판(W)의 하면을 향해 Z방향을 따르도록 기체를 분사해도 된다.In addition, in the example of FIG. 7, the gas ejection unit 53 ejects gas obliquely upward from the gas ejection unit 53 toward the lower surface brush 51, as indicated by the white arrow a52, according to the present invention. is not limited to this. The gas blowing portion 53 may spray gas along the Z direction from the gas blowing portion 53 toward the lower surface of the substrate W.

다음으로, 도 7의 상태에서, 기판(W)의 하면 중앙 영역의 세정이 완료되면, 하면 브러시(51)의 회전이 정지되고, 하면 브러시(51)의 세정면이 기판(W)으로부터 소정 거리 이격하도록, 승강 지지부(54)가 하강한다. 또, 액 노즐(52)로부터 기판(W)으로의 세정액의 토출이 정지된다. 이 때, 기체 분출부(53)로부터 기판(W)으로의 기체의 분사는 계속된다.Next, in the state of FIG. 7, when cleaning of the central region of the lower surface of the substrate W is completed, the rotation of the lower surface brush 51 is stopped, and the cleaning surface of the lower surface brush 51 is moved to a predetermined distance from the substrate W. To separate them, the lifting support portion 54 is lowered. Additionally, discharge of the cleaning liquid from the liquid nozzle 52 to the substrate W is stopped. At this time, the injection of gas from the gas injection unit 53 to the substrate W continues.

그 후, 도 8에 굵은 실선의 화살표 a7로 나타내는 바와 같이, 흡착 유지부(21)가 평면 기준 위치(rp)에 위치하도록, 가동 대좌(32)가 후방으로 이동한다. 즉, 가동 대좌(32)는, 제2 수평 위치로부터 제1 수평 위치로 이동한다. 이 때, 기체 분출부(53)로부터 기판(W)으로의 기체의 분사가 계속됨으로써, 기판(W)의 하면 중앙 영역이 기체 커튼에 의해 순차적으로 건조된다.Thereafter, as indicated by the thick solid line arrow a7 in FIG. 8, the movable base 32 is moved rearward so that the suction holding portion 21 is located at the plane reference position rp. That is, the movable pedestal 32 moves from the second horizontal position to the first horizontal position. At this time, as gas continues to be sprayed from the gas ejection unit 53 to the substrate W, the central region of the lower surface of the substrate W is sequentially dried by the gas curtain.

다음으로, 도 9에 굵은 실선의 화살표 a8로 나타내는 바와 같이, 하면 브러시(51)의 세정면이 흡착 유지부(21)의 흡착면(상단부)보다 하방에 위치하도록, 승강 지지부(54)가 하강한다. 이에 따라, 하면 브러시(51)가 대기 위치로 이동한다. 또, 도 9에 굵은 실선의 화살표 a9로 나타내는 바와 같이, 상측 척(12A, 12B)의 복수의 유지편이 기판(W)의 외주 단부로부터 이격하도록, 상측 척(12A, 12B)이 서로 멀어진다. 이 때, 기판(W)은, 하측 척(11A, 11B)에 의해 지지된 상태가 된다.Next, as indicated by the thick solid line arrow a8 in FIG. 9, the lifting support portion 54 is lowered so that the cleaning surface of the lower brush 51 is positioned below the suction surface (upper end) of the suction holding portion 21. do. Accordingly, the lower brush 51 moves to the standby position. In addition, as shown by the thick solid line arrow a9 in FIG. 9, the upper chucks 12A and 12B are spaced apart from each other so that the plurality of holding pieces of the upper chucks 12A and 12B are spaced apart from the outer peripheral end of the substrate W. At this time, the substrate W is supported by the lower chucks 11A and 11B.

그 후, 도 9에 굵은 실선의 화살표 a10로 나타내는 바와 같이, 복수의 지지 핀(41)의 상단부가 하측 척(11A, 11B)보다 조금 상방에 위치하도록, 핀 연결 부재(42)가 상승한다. 그에 따라, 하측 척(11A, 11B)에 의해 지지된 기판(W)이, 복수의 지지 핀(41)에 의해 수취된다.After that, as shown by the thick solid arrow a10 in FIG. 9, the pin connection member 42 rises so that the upper ends of the plurality of support pins 41 are located slightly above the lower chucks 11A and 11B. Accordingly, the substrate W supported by the lower chucks 11A and 11B is received by the plurality of support pins 41 .

다음으로, 도 10에 굵은 실선의 화살표 a11로 나타내는 바와 같이, 하측 척(11A, 11B)이 서로 멀어진다. 이 때, 하측 척(11A, 11B)은, 평면에서 볼 때 복수의 지지 핀(41)에 의해 지지되는 기판(W)과 겹치지 않는 위치까지 이동한다. 그에 따라, 상측 유지 장치(10A, 10B)는, 함께 초기 상태로 되돌아온다.Next, as indicated by the thick solid line arrow a11 in FIG. 10, the lower chucks 11A and 11B move away from each other. At this time, the lower chucks 11A, 11B move to a position where they do not overlap the substrate W supported by the plurality of support pins 41 in plan view. Accordingly, the upper holding devices 10A and 10B return to their initial state together.

다음으로, 도 11에 굵은 실선의 화살표 a12로 나타내는 바와 같이, 복수의 지지 핀(41)의 상단부가 흡착 유지부(21)보다 하방에 위치하도록, 핀 연결 부재(42)가 하강한다. 그에 따라, 복수의 지지 핀(41) 상에 지지된 기판(W)이, 흡착 유지부(21)에 의해 수취된다. 이 상태에서, 흡착 유지부(21)는, 기판(W)의 하면 중앙 영역을 흡착 유지한다. 핀 연결 부재(42)의 하강과 동시이거나 또는 핀 연결 부재(42)의 하강 완료 후, 도 11에 굵은 실선의 화살표 a13으로 나타내는 바와 같이, 컵(61)이 하측 컵 위치에서 상측 컵 위치까지 상승한다.Next, as shown by the thick solid arrow a12 in FIG. 11 , the pin connection member 42 is lowered so that the upper ends of the plurality of support pins 41 are located below the suction holding portion 21. Accordingly, the substrate W supported on the plurality of support pins 41 is received by the suction holding portion 21. In this state, the adsorption holding portion 21 adsorbs and holds the central region of the lower surface of the substrate W. Simultaneously with the lowering of the pin connecting member 42 or after the lowering of the pin connecting member 42 is completed, the cup 61 rises from the lower cup position to the upper cup position, as indicated by the thick solid line arrow a13 in FIG. 11. do.

다음으로, 도 12에 굵은 실선의 화살표 a14로 나타내는 바와 같이, 흡착 유지부(21)가 상하 방향의 축(흡착 유지 구동부(22)의 회전축의 축심) 둘레로 회전한다. 그에 따라, 흡착 유지부(21)에 흡착 유지된 기판(W)이 수평 자세로 회전한다.Next, as shown by the thick solid line arrow a14 in FIG. 12, the suction holding portion 21 rotates around the vertical axis (the axis of the rotation axis of the suction holding driving portion 22). Accordingly, the substrate W held by the adsorption holding portion 21 rotates to a horizontal position.

다음으로, 상면 세정 장치(70)의 회전 지지축(71)이 회전하여, 하강한다. 그에 따라, 도 12에 굵은 실선의 화살표 a15로 나타내는 바와 같이, 스프레이 노즐(73)이 기판(W)의 상방의 위치까지 이동하고, 스프레이 노즐(73)과 기판(W) 사이의 거리가 미리 정해진 거리가 되도록 하강한다. 이 상태에서, 스프레이 노즐(73)은, 기판(W)의 상면에 세정액과 기체의 혼합 유체를 분사한다. 또, 회전 지지축(71)이 회전한다. 그에 따라, 도 12에 굵은 실선의 화살표 a16로 나타내는 바와 같이, 스프레이 노즐(73)이 회전하는 기판(W)의 상방의 위치에서 이동한다. 기판(W)의 상면 전체에 혼합 유체가 분사됨으로써, 기판(W)의 상면 전체가 세정된다.Next, the rotation support shaft 71 of the top surface cleaning device 70 rotates and descends. Accordingly, as shown by the thick solid line arrow a15 in FIG. 12, the spray nozzle 73 moves to a position above the substrate W, and the distance between the spray nozzle 73 and the substrate W is predetermined. Descend as far as possible. In this state, the spray nozzle 73 sprays a mixed fluid of cleaning liquid and gas onto the upper surface of the substrate W. Additionally, the rotation support shaft 71 rotates. Accordingly, as indicated by the thick solid line arrow a16 in FIG. 12, the spray nozzle 73 moves at a position above the rotating substrate W. By spraying the mixed fluid onto the entire upper surface of the substrate W, the entire upper surface of the substrate W is cleaned.

또, 스프레이 노즐(73)에 의한 기판(W)의 상면의 세정시에는, 단부 세정 장치(80)의 회전 지지축(81)도 회전하여, 하강한다. 그에 따라, 도 12에 굵은 실선의 화살표 a17로 나타내는 바와 같이, 베벨 브러시(83)가 기판(W)의 외주 단부의 상방의 위치까지 이동한다. 또, 베벨 브러시(83)의 외주면의 중앙 부분이 기판(W)의 외주 단부에 접촉하도록 하강한다. 이 상태에서, 베벨 브러시(83)가 상하 방향의 축 둘레로 회전(자전)한다. 그에 따라, 기판(W)의 외주 단부에 부착되는 오염 물질이 베벨 브러시(83)에 의해 물리적으로 박리된다. 기판(W)의 외주 단부로부터 박리된 오염 물질은, 스프레이 노즐(73)로부터 기판(W)에 분사되는 혼합 유체의 세정액에 의해 씻겨나간다.Additionally, when cleaning the upper surface of the substrate W using the spray nozzle 73, the rotation support shaft 81 of the end cleaning device 80 also rotates and moves down. Accordingly, as indicated by the thick solid line arrow a17 in FIG. 12, the bevel brush 83 moves to a position above the outer peripheral end of the substrate W. Additionally, the central portion of the outer peripheral surface of the bevel brush 83 is lowered so as to contact the outer peripheral end of the substrate W. In this state, the bevel brush 83 rotates (rotates) around the vertical axis. Accordingly, contaminants adhering to the outer peripheral end of the substrate W are physically peeled off by the bevel brush 83. Contaminants peeled off from the outer peripheral end of the substrate W are washed away by the cleaning liquid of the mixed fluid sprayed onto the substrate W from the spray nozzle 73.

또한, 스프레이 노즐(73)에 의한 기판(W)의 상면의 세정시에는, 대기 위치의 하면 브러시(51)의 세정면이 기판(W)의 하면 외측 영역에 접촉하도록, 승강 지지부(54)가 상승한다. 이에 따라, 하면 브러시(51)가 처리 위치로 이동한다. 또, 도 12에 굵은 실선의 화살표 a18로 나타내는 바와 같이, 하면 브러시(51)가 상하 방향의 축 둘레로 회전(자전)한다. 또한, 액 노즐(52)은 기판(W)의 하면을 향해 세정액을 토출하고, 기체 분출부(53)는 기판(W)의 하면을 향해 기체를 분사한다. 이에 따라, 흡착 유지부(21)에 의해 흡착 유지되어 회전되는 기판(W)의 하면 외측 영역을 전체에 걸쳐 하면 브러시(51)에 의해 세정할 수 있다.In addition, when cleaning the upper surface of the substrate W with the spray nozzle 73, the lifting support portion 54 is provided so that the cleaning surface of the lower surface brush 51 in the standby position contacts the outer region of the lower surface of the substrate W. rises Accordingly, the lower surface brush 51 moves to the processing position. Additionally, as indicated by the thick solid line arrow a18 in FIG. 12, the lower surface brush 51 rotates (rotates) around the vertical axis. Additionally, the liquid nozzle 52 ejects the cleaning liquid toward the lower surface of the substrate W, and the gas ejection unit 53 ejects gas toward the lower surface of the substrate W. Accordingly, the entire outer surface area of the lower surface of the substrate W, which is adsorbed and held by the suction holding portion 21 and rotated, can be cleaned with the brush 51.

하면 브러시(51)의 회전 방향은, 흡착 유지부(21)의 회전 방향과는 반대여도 된다. 이 경우, 기판(W)의 하면 외측 영역을 효율적으로 세정할 수 있다. 또한, 하면 브러시(51)가 비교적 대형이 아닌 경우, 도 12에 굵은 실선의 화살표 a19로 나타내는 바와 같이, 이동 지지부(55)가 가동 대좌(32) 상에서 접근 위치와 이격 위치 사이를 진퇴 동작되어도 된다. 이 경우에도, 흡착 유지부(21)에 의해 흡착 유지되어 회전되는 기판(W)의 하면 외측 영역을 전체에 걸쳐 하면 브러시(51)에 의해 세정할 수 있다.The rotation direction of the lower surface brush 51 may be opposite to the rotation direction of the suction holding portion 21. In this case, the outer area of the lower surface of the substrate W can be cleaned efficiently. In addition, when the lower surface brush 51 is not relatively large, the movable support portion 55 may advance and retreat between the approach position and the separation position on the movable pedestal 32, as indicated by the thick solid line arrow a19 in FIG. 12. . In this case as well, the entire outer surface area of the lower surface of the substrate W, which is adsorbed and held by the suction holding portion 21 and rotated, can be cleaned with the brush 51.

또, 본 실시 형태에 있어서는, 스프레이 노즐(73)을 이용한 기판(W)의 상면의 세정에는 비교적 장시간을 필요로 하는 데에 비해, 비교적 대형의 하면 브러시(51)를 이용한 기판(W)의 하면 외측 영역의 세정은 비교적 단시간에 실행 가능하다. 그래서, 기판(W)의 상면의 세정 기간에, 상기의 하면 브러시(51)에 의한 기판(W)의 하면 외측 영역의 세정과 함께, 도 1의 액 노즐(52a, 52b)을 이용한 하면 브러시(51)의 세정이 번갈아 실행된다. 도 12에 있어서의 하면 브러시(51)의 세정 동작의 상세에 대해서는 후술한다.Additionally, in this embodiment, cleaning of the upper surface of the substrate W using the spray nozzle 73 requires a relatively long time, whereas cleaning the lower surface of the substrate W using the relatively large lower surface brush 51 Cleaning of the outer area can be performed in a relatively short time. Therefore, during the cleaning period of the upper surface of the substrate W, along with the cleaning of the outer area of the lower surface of the substrate W by the above-mentioned lower surface brush 51, the lower surface brush ( The cleaning of 51) is carried out alternately. Details of the cleaning operation of the lower surface brush 51 in FIG. 12 will be described later.

다음으로, 기판(W)의 상면, 외주 단부 및 하면 외측 영역의 세정이 완료되면, 스프레이 노즐(73)로부터 기판(W)으로의 혼합 유체의 분사가 정지된다. 또, 도 13에 굵은 실선의 화살표 a20으로 나타내는 바와 같이, 스프레이 노즐(73)이 컵(61)의 일 측방의 위치(초기 상태의 위치)까지 이동한다. 또, 도 13에 굵은 실선의 화살표 a21로 나타내는 바와 같이, 베벨 브러시(83)가 컵(61)의 타측방의 위치(초기 상태의 위치)까지 이동한다. 또한, 하면 브러시(51)의 회전이 정지되고, 하면 브러시(51)의 세정면이 기판(W)으로부터 소정 거리 이격하도록, 승강 지지부(54)가 하강한다. 이에 따라, 액 노즐(52)이 대기 위치로 이동한다. 또, 액 노즐(52)로부터 기판(W)에 대한 세정액의 토출, 및 기체 분출부(53)로부터 기판(W)으로의 기체의 분사가 정지된다. 이 상태에서, 흡착 유지부(21)가 고속으로 회전함으로써, 기판(W)에 부착되는 세정액이 흩뿌려져, 기판(W)의 전체가 건조된다.Next, when cleaning of the upper surface, outer peripheral end, and lower outer region of the substrate W is completed, injection of the mixed fluid from the spray nozzle 73 to the substrate W is stopped. Additionally, as indicated by the thick solid line arrow a20 in FIG. 13, the spray nozzle 73 moves to a position on one side of the cup 61 (position in the initial state). Additionally, as shown by the thick solid line arrow a21 in FIG. 13, the bevel brush 83 moves to a position on the other side of the cup 61 (position in the initial state). Additionally, the rotation of the lower surface brush 51 is stopped, and the lifting support part 54 is lowered so that the cleaning surface of the lower surface brush 51 is spaced a predetermined distance away from the substrate W. Accordingly, the liquid nozzle 52 moves to the standby position. Additionally, the discharge of the cleaning liquid from the liquid nozzle 52 to the substrate W and the injection of gas from the gas ejection portion 53 to the substrate W are stopped. In this state, the adsorption holding portion 21 rotates at high speed, so that the cleaning liquid adhering to the substrate W is scattered, and the entire substrate W is dried.

다음으로, 도 14에 굵은 실선의 화살표 a22로 나타내는 바와 같이, 컵(61)이 상측 컵 위치에서 하측 컵 위치까지 하강한다. 또, 새로운 기판(W)이 유닛 하우징(2) 내에 반입되는 것에 대비하여, 도 14에 굵은 실선의 화살표 a23으로 나타내는 바와 같이, 새로운 기판(W)을 지지 가능한 위치까지 하측 척(11A, 11B)이 서로 가까워진다.Next, as indicated by the thick solid line arrow a22 in FIG. 14, the cup 61 descends from the upper cup position to the lower cup position. In addition, in preparation for the new substrate W being loaded into the unit housing 2, the lower chucks 11A, 11B are moved to a position where the new substrate W can be supported, as indicated by the thick solid line arrow a23 in FIG. 14. They get closer to each other.

마지막으로, 기판 세정 장치(1)의 유닛 하우징(2) 내로부터 기판(W)이 반출된다. 구체적으로는, 기판(W)의 반출 직전에 셔터(91)가 반입 반출구(2x)를 개방한다. 그 후, 도 15에 굵은 실선의 화살표 a24로 나타내는 바와 같이, 도시하지 않은 기판 반송 로봇의 핸드(기판 유지부)(RH)가 반입 반출구(2x)를 통해 유닛 하우징(2) 내에 진입한다. 계속해서, 핸드(RH)는, 흡착 유지부(21) 상의 기판(W)을 수취하여, 반입 반출구(2x)로부터 퇴출한다. 핸드(RH)의 퇴출 후, 셔터(91)는 반입 반출구(2x)를 폐색한다.Finally, the substrate W is carried out from within the unit housing 2 of the substrate cleaning device 1. Specifically, just before the substrate W is unloaded, the shutter 91 opens the loading/unloading port 2x. Afterwards, as indicated by the thick solid line arrow a24 in FIG. 15 , the hand (substrate holding portion) RH of the substrate transport robot (not shown) enters the unit housing 2 through the loading/unloading port 2x. Subsequently, the hand RH receives the substrate W on the suction holding portion 21 and removes it from the loading/unloading port 2x. After the hand RH is withdrawn, the shutter 91 closes the loading/unloading port 2x.

(3) 하면 브러시의 세정 동작(3) Cleaning action of the lower brush

도 16~도 21은, 도 12에 있어서의 기판 세정 장치(1)의 개략 동작을 설명하기 위한 모식도이다. 도 16에 도시하는 바와 같이, 도 12의 기판(W)의 상면의 세정시에는, 흡착 유지부(21)가 기판(W)을 흡착 유지한 상태로 상하 방향의 축 둘레로 회전함과 더불어, 스프레이 노즐(73)이 기판(W)의 대략 중심의 상방으로 이동된다. 이 상태에서, 스프레이 노즐(73)로부터 기판(W)의 상면에 세정액과 기체의 혼합 유체가 분사된다.16 to 21 are schematic diagrams for explaining the schematic operation of the substrate cleaning device 1 in FIG. 12. As shown in FIG. 16, when cleaning the upper surface of the substrate W in FIG. 12, the suction holding portion 21 rotates around the axis in the vertical direction while holding the substrate W by suction, The spray nozzle 73 is moved above the approximate center of the substrate W. In this state, a mixed fluid of cleaning liquid and gas is sprayed onto the upper surface of the substrate W from the spray nozzle 73.

또, 도 12의 베벨 브러시(83)에 의한 기판(W)의 외주 단부의 세정이 개시된다. 이 때, 기판(W)의 하면 외측 영역의 오염도는 100%이며, 하면 브러시(51)의 오염도는 0%라고 한다. 여기서, 오염도는 청정도의 낮음을 나타내는 지표이며, 오염도가 높은 것은 청정도가 낮은 것을 의미한다.Additionally, cleaning of the outer peripheral edge of the substrate W using the bevel brush 83 in FIG. 12 is started. At this time, the contamination degree of the outer region of the lower surface of the substrate W is 100%, and the contamination degree of the lower surface brush 51 is 0%. Here, the pollution level is an indicator of low cleanliness, and a high pollution level means low cleanliness.

다음으로, 도 17에 도시하는 바와 같이, 스프레이 노즐(73)이 회전하는 기판(W)의 상방으로 외방을 향해 이동된다. 이 스프레이 노즐(73)의 이동은, 스프레이 노즐(73)이 기판(W)의 외주부의 상방에 도달할 때까지 계속된다. 또, 하면 브러시(51)의 세정면이 기판(W)의 하면 외측 영역에 접촉하도록, 하면 브러시(51)가 회전하면서 대기 위치로부터 상방의 처리 위치로 상승된다. 또한, 도 12의 액 노즐(52)로부터 기판(W)의 하면에 세정액이 토출된다. 이에 따라, 기판(W)의 하면 외측 영역이 세정된다. 기판(W)의 하면 외측 영역의 세정시에는, 도 12의 기체 분출부(53)로부터 기판(W)의 하면을 향해 기체가 분사된다.Next, as shown in FIG. 17, the spray nozzle 73 is moved outward above the rotating substrate W. This movement of the spray nozzle 73 continues until the spray nozzle 73 reaches the upper part of the outer periphery of the substrate W. Additionally, the lower surface brush 51 is rotated and raised from the standby position to the upper processing position so that the cleaning surface of the lower surface brush 51 contacts the outer area of the lower surface of the substrate W. Additionally, the cleaning liquid is discharged from the liquid nozzle 52 in FIG. 12 onto the lower surface of the substrate W. Accordingly, the outer area of the lower surface of the substrate W is cleaned. When cleaning the outer area of the lower surface of the substrate W, gas is jetted toward the lower surface of the substrate W from the gas blowing portion 53 in FIG. 12 .

도 17의 기판(W)의 하면 외측 영역의 세정 동작에 있어서는, 예를 들어 오염도 60%에 상당하는 오염 물질이 하면 브러시(51)에 전사된다고 한다. 또, 기판(W)에 부착된 오염 물질 중, 예를 들어 오염도 20%에 상당하는 오염 물질이 세정액에 의해 씻겨나간다고 한다. 이 경우, 기판(W)의 하면 외측 영역의 오염도는 20%로 저하하고, 하면 브러시(51)의 오염도는 60%로 상승한다.In the cleaning operation of the outer area of the lower surface of the substrate W in FIG. 17, it is assumed that contaminants equivalent to, for example, a contamination degree of 60% are transferred to the lower surface brush 51. In addition, it is said that among the contaminants attached to the substrate W, for example, contaminants equivalent to a contamination degree of 20% are washed away by the cleaning liquid. In this case, the contamination degree of the outer region of the lower surface of the substrate W decreases to 20%, and the contamination degree of the lower surface brush 51 increases to 60%.

다음으로, 도 18에 도시하는 바와 같이, 하면 브러시(51)의 세정면이 기판(W)의 하면 외측 영역으로부터 이격하도록, 하면 브러시(51)가 회전하면서 처리 위치로부터 하방의 대기 위치로 하강된다. 또, 대기 위치에 있어서, 액 노즐(52a)로부터 하면 브러시(51)의 세정면의 중앙부를 향해서 세정액이 토출됨과 더불어, 액 노즐(52b)로부터 하면 브러시(51)의 세정면의 단부를 향해서 세정액이 토출된다. 이에 따라, 하면 브러시(51)가 세정된다.Next, as shown in FIG. 18, the lower surface brush 51 rotates and is lowered from the processing position to the lower standby position so that the cleaning surface of the lower surface brush 51 is spaced apart from the lower surface outer region of the substrate W. . Moreover, in the standby position, the cleaning liquid is discharged from the liquid nozzle 52a toward the central portion of the cleaning surface of the lower surface brush 51, and the cleaning liquid is discharged from the liquid nozzle 52b toward the end of the cleaning surface of the lower surface brush 51. This is discharged. Accordingly, the lower surface brush 51 is cleaned.

하면 브러시(51)는 기판(W)의 하방에 위치하기 때문에, 하면 브러시(51)에 토출된 세정액은 중력에 의해 하방으로 낙하한다. 이 경우, 세정액은 하면 브러시(51)의 주위로 비산하지 않으므로, 기판(W)의 세정에 악영향을 미치는 것이 방지된다. 또한, 본 예에서는, 액 노즐(52a)로부터 토출된 세정액은, 포물선 형상으로 비스듬한 상방으로부터 하면 브러시(51)의 세정면의 중앙부에 공급된다. 하면 브러시(51)의 세정에는, 초음파 세정이 병용되어도 된다.Since the bottom brush 51 is located below the substrate W, the cleaning liquid discharged to the bottom brush 51 falls downward due to gravity. In this case, the cleaning liquid does not scatter around the lower brush 51, so it is prevented from adversely affecting the cleaning of the substrate W. Additionally, in this example, the cleaning liquid discharged from the liquid nozzle 52a is supplied to the central part of the cleaning surface of the lower surface brush 51 from obliquely upward in a parabolic shape. Ultrasonic cleaning may be used together to clean the lower surface brush 51.

도 18의 하면 브러시(51)의 세정 동작에 있어서는, 하면 브러시(51)에 부착된 오염 물질 중, 예를 들어 오염도 20%에 상당하는 오염 물질이 세정액에 의해 씻겨나간다고 한다. 이 경우, 기판(W)의 하면 외측 영역의 오염도는 20%인 채이며, 하면 브러시(51)의 오염도는 40%로 저하한다.In the cleaning operation of the lower surface brush 51 in FIG. 18, it is said that among the contaminants attached to the lower surface brush 51, contaminants equivalent to, for example, a contamination degree of 20% are washed away by the cleaning liquid. In this case, the degree of contamination of the outer region of the lower surface of the substrate W remains at 20%, and the degree of contamination of the lower surface brush 51 decreases to 40%.

계속해서, 도 19에 도시하는 바와 같이, 하면 브러시(51)의 세정면이 기판(W)의 하면 외측 영역에 접촉하도록, 하면 브러시(51)가 회전하면서 대기 위치로부터 상방의 처리 위치로 상승됨으로써, 기판(W)의 하면 외측 영역이 재차 세정된다. 도 19에 있어서의 기판(W)의 하면 외측 영역의 세정 동작은, 도 17에 있어서의 기판(W)의 하면 외측 영역의 세정 동작과 동일하다.Subsequently, as shown in FIG. 19, the lower surface brush 51 is rotated and raised from the standby position to the upper processing position so that the cleaning surface of the lower surface brush 51 contacts the outer area of the lower surface of the substrate W. , the outer area of the lower surface of the substrate W is cleaned again. The cleaning operation of the outer region of the lower surface of the substrate W in FIG. 19 is the same as the cleaning operation of the outer region of the lower surface of the substrate W in FIG. 17 .

도 19의 기판(W)의 하면 외측 영역의 세정 동작에 있어서는, 기판(W)의 하면 외측 영역과 하면 브러시(51) 사이에서 서로 오염 물질이 전사된다. 그러나, 현시점에서는, 하면 브러시(51)의 오염도는 기판(W)의 하면 외측 영역의 오염도보다 크다. 그로 인해, 하면 브러시(51)로부터 기판(W)의 하면 외측 영역으로의 오염 물질의 전사량은, 기판(W)의 하면 외측 영역으로부터 하면 브러시(51)로의 오염 물질의 전사량보다 크다. 따라서, 실질적으로, 하면 브러시(51)에 부착된 오염 물질이 기판(W)의 하면 외측 영역에 전사되게 된다.In the cleaning operation of the outer area of the lower surface of the substrate W in FIG. 19, contaminants are transferred between the outer area of the lower surface of the substrate W and the lower surface brush 51. However, at present, the degree of contamination of the lower surface brush 51 is greater than that of the outer region of the lower surface of the substrate W. Therefore, the amount of contaminants transferred from the lower surface brush 51 to the outer area of the lower surface of the substrate W is greater than the amount of contaminants transferred from the outer area of the lower surface of the substrate W to the lower surface brush 51. Therefore, substantially, contaminants attached to the lower surface brush 51 are transferred to the outer area of the lower surface of the substrate W.

하면 브러시(51)에 부착된 오염 물질 중, 예를 들어 오염도 20%에 상당하는 오염 물질이 기판(W)의 하면 외측 영역에 전사된다고 한다. 또, 예를 들어 오염도 20%에 상당하는 오염 물질이 세정액에 의해 씻겨나간다고 한다. 이 경우, 기판(W)의 하면 외측 영역의 오염도는 20%인 채이고, 하면 브러시(51)의 오염도는 20%로 저하한다. It is said that among the contaminants attached to the lower surface brush 51, contaminants equivalent to, for example, a contamination level of 20% are transferred to the outer area of the lower surface of the substrate W. Additionally, it is said that, for example, contaminants equivalent to 20% of the contamination level are washed away by the cleaning solution. In this case, the degree of contamination of the outer region of the lower surface of the substrate W remains at 20%, and the degree of contamination of the lower surface brush 51 decreases to 20%.

그 후, 도 20에 도시하는 바와 같이, 하면 브러시(51)의 세정면이 기판(W)의 하면 외측 영역으로부터 이격하도록, 하면 브러시(51)가 회전하면서 처리 위치로부터 하방의 대기 위치로 하강됨으로써, 하면 브러시(51)가 재차 세정된다. 도 20에 있어서의 하면 브러시(51)의 세정 동작은, 도 18에 있어서의 하면 브러시(51)의 세정 동작과 동일하다. Thereafter, as shown in FIG. 20, the lower surface brush 51 rotates and is lowered from the processing position to the lower standby position so that the cleaning surface of the lower surface brush 51 is spaced from the outer area of the lower surface of the substrate W. , the brush 51 is cleaned again. The cleaning operation of the lower surface brush 51 in FIG. 20 is the same as the cleaning operation of the lower surface brush 51 in FIG. 18.

도 20의 하면 브러시(51)의 세정 동작에 있어서는, 하면 브러시(51)에 부착한 오염 물질 중, 예를 들어 오염도 20%에 상당하는 오염 물질이 세정액에 의해 씻겨나간다고 한다. 이 경우, 기판(W)의 하면 외측 영역의 오염도는 20%인 채이고, 하면 브러시(51)의 오염도는 0%로 저하한다.In the cleaning operation of the lower surface brush 51 in FIG. 20, it is said that among the contaminants attached to the lower surface brush 51, contaminants equivalent to, for example, a contamination degree of 20% are washed away by the cleaning liquid. In this case, the contamination degree of the outer region of the lower surface of the substrate W remains at 20%, and the contamination degree of the lower surface brush 51 decreases to 0%.

도 19에 있어서의 기판(W)의 하면 외측 영역의 세정 동작과, 도 20에 있어서의 하면 브러시(51)의 세정 동작이 반복된다. 이 경우, 기판(W)의 하면 외측 영역의 세정 동작에 있어서, 기판(W)의 하면 외측 영역과 하면 브러시(51) 사이에서 서로 오염 물질이 전사된다. 여기서, 현시점에서는, 기판(W)의 하면 외측 영역의 오염도는 하면 브러시(51)의 오염도보다 크다. 따라서, 실질적으로, 기판(W)의 하면 외측 영역에 부착된 오염 물질이 하면 브러시(51)에 전사되게 된다. 이에 따라, 기판(W)의 하면 외측 영역의 오염도가 저하한다.The cleaning operation of the outer region of the lower surface of the substrate W in FIG. 19 and the cleaning operation of the lower surface brush 51 in FIG. 20 are repeated. In this case, during the cleaning operation of the outer area of the lower surface of the substrate W, contaminants are transferred between the outer area of the lower surface of the substrate W and the lower surface brush 51. Here, at the present time, the degree of contamination of the outer region of the lower surface of the substrate W is greater than that of the lower surface brush 51. Therefore, substantially, contaminants adhering to the outer area of the lower surface of the substrate W are transferred to the lower surface brush 51. Accordingly, the degree of contamination of the outer area of the lower surface of the substrate W decreases.

또, 기판(W)의 하면 외측 영역의 세정 동작에 있어서, 하면 브러시(51)의 오염도가 상승한 경우에도, 그 후에 실행되는 하면 브러시(51)의 세정 동작에 의해 하면 브러시(51)의 오염도가 저하한다. 그로 인해, 기판(W)의 하면 외측 영역의 세정 동작과, 하면 브러시(51)의 세정 동작이 반복됨으로써, 기판(W)의 하면 외측 영역의 오염도 및 하면 브러시(51)의 오염도를 함께 0%로 할 수 있다. 또, 기판(W)의 하면 외측 영역의 세정 동작과, 하면 브러시(51)의 세정 동작은, 기판(W)의 상면의 세정 기간 중에 반복되므로, 스루풋은 저하하지 않는다.In addition, even when the degree of contamination of the lower surface brush 51 increases during the cleaning operation of the outer region of the lower surface of the substrate W, the degree of contamination of the lower surface brush 51 increases due to the cleaning operation of the lower surface brush 51 performed thereafter. Deteriorate. As a result, the cleaning operation of the outer area of the lower surface of the substrate W and the cleaning operation of the lower surface brush 51 are repeated, thereby reducing the contamination level of the outer area of the lower surface of the substrate W and the contamination level of the lower surface brush 51 to 0%. You can do this. Additionally, since the cleaning operation of the outer region of the lower surface of the substrate W and the cleaning operation of the lower surface brush 51 are repeated during the cleaning period of the upper surface of the substrate W, the throughput does not decrease.

마지막으로, 도 21에 도시하는 바와 같이, 스프레이 노즐(73)이 기판(W)의 외주부의 상방에 도달한다. 스프레이 노즐(73)로부터 기판(W)으로의 혼합 유체의 분사가 정지됨으로써, 기판(W)의 상면의 세정이 종료한다. 또, 하면 브러시(51)의 회전이 정지되고, 하면 브러시(51)가 대기 위치로 이동됨으로써, 기판(W)의 하면 외측 영역의 세정 및 하면 브러시(51)의 세정이 종료한다. Finally, as shown in FIG. 21, the spray nozzle 73 reaches the upper part of the outer periphery of the substrate W. When the injection of the mixed fluid from the spray nozzle 73 to the substrate W is stopped, cleaning of the upper surface of the substrate W is completed. Additionally, the rotation of the lower surface brush 51 is stopped and the lower surface brush 51 is moved to the standby position, thereby ending the cleaning of the outer area of the lower surface of the substrate W and the cleaning of the lower surface brush 51.

본 실시 형태에 있어서, 하면 브러시(51)의 세정에 이용되는 세정액은 순수이지만, 실시 형태는 이것에 한정되지 않는다. 하면 브러시(51)의 세정에 이용되는 세정액은, 온수, 기능수, 옅은 알칼리수는 약액이어도 된다. 세정액이 약액인 경우에는, 제거 대상의 오염 물질의 종류에 따라 약액의 종류가 적당히 변경되어도 된다.In this embodiment, the cleaning liquid used to clean the lower surface brush 51 is pure water, but the embodiment is not limited to this. The cleaning liquid used to clean the lower brush 51 may be warm water, functional water, or weak alkaline water. When the cleaning liquid is a chemical liquid, the type of chemical liquid may be appropriately changed depending on the type of contaminant to be removed.

또, 액 노즐(52a, 52b)은 하면 브러시(51)가 처리 위치에 있을 때에 세정액의 토출을 정지하지만, 실시 형태는 이것에 한정되지 않는다. 액 노즐(52a, 52b)은, 하면 브러시(51)가 처리 위치에 있을 때, 즉 기판(W)의 하면 외측 영역의 세정 중에도 세정액을 토출해도 된다. 이 경우, 액 노즐(52a, 52b)은, 기판(W)의 하면 외측 영역에 린스를 토출하는 노즐로서 이용되어도 된다. 또한, 액 노즐(52a, 52b)은, 하면 브러시(51)가 대기 위치와 처리 위치 사이에서 승강하는 기간에도 세정액을 토출해도 된다.Additionally, the liquid nozzles 52a and 52b stop discharging the cleaning liquid when the lower surface brush 51 is in the processing position, but the embodiment is not limited to this. The liquid nozzles 52a and 52b may discharge the cleaning liquid even when the lower surface brush 51 is in the processing position, that is, during cleaning of the outer area of the lower surface of the substrate W. In this case, the liquid nozzles 52a and 52b may be used as nozzles for discharging rinse water to the outer area of the lower surface of the substrate W. Additionally, the liquid nozzles 52a and 52b may discharge the cleaning liquid even during the period when the lower surface brush 51 is raised and lowered between the standby position and the processing position.

(4) 효과(4) Effect

본 실시 형태에 따르는 기판 세정 장치(1)에 있어서는, 처리 위치에서 하면 브러시(51)가 회전하면서 기판(W)의 하면에 접촉함으로써, 기판(W)의 하면이 세정된다. 또, 기판(W)의 하면을 세정함으로써 가면 브러시가 오염된 경우에도, 대기 위치에서, 회전되는 하면 브러시(51)의 중앙부 및 단부에 액 노즐(52a, 52b)에 의해 세정액이 각각 토출된다. 이 구성에 의하면, 하면 브러시(51)를 전체적으로 세정할 수 있다.In the substrate cleaning device 1 according to the present embodiment, the lower surface of the substrate W is cleaned by the lower surface brush 51 rotating at the processing position and contacting the lower surface of the substrate W. Also, even when the mask brush becomes dirty by cleaning the lower surface of the substrate W, the cleaning liquid is discharged from the liquid nozzles 52a and 52b to the center and the ends of the rotating lower surface brush 51, respectively, in the standby position. According to this configuration, the entire lower surface brush 51 can be cleaned.

또, 하면 브러시(51)의 대기 위치는 흡착 유지부(21)에 의해 유지된 기판(W)과 상하 방향과 겹치므로, 하면 브러시(51)가 비교적 대형인 경우에도, 풋 프린트가 거의 증가하지 않는다. 그로 인해, 비교적 대형의 하면 브러시(51)를 이용함으로써, 단시간에 기판(W)의 하면을 세정하는 것이 가능해진다. 따라서, 하면 브러시(51)를 세정하는 공정을 설치한 경우에도, 스루풋은 거의 변화하지 않는다. 이에 따라, 스루풋을 저하시키지 않고 하면 브러시(51)의 청정도를 유지할 수 있다.In addition, the standby position of the lower surface brush 51 overlaps the substrate W held by the suction holding portion 21 in the vertical direction, so even when the lower surface brush 51 is relatively large, the footprint hardly increases. No. Therefore, by using the relatively large lower surface brush 51, it becomes possible to clean the lower surface of the substrate W in a short time. Therefore, even when a process for cleaning the lower surface brush 51 is provided, the throughput hardly changes. Accordingly, the cleanliness of the brush 51 can be maintained without reducing the throughput.

또한, 하면 브러시(51)는 승강 지지부(54)에 지지되고, 액 노즐(52a, 52b) 각각은, 하면 브러시(51)의 근방에서 세정액의 토출구가 비스듬한 상방을 향하도록 승강 지지부(54)에 장착된다. 이 경우, 하면 브러시(51)에 의한 기판(W)의 하면의 세정을 저해하지 않고, 하면 브러시(51)를 용이하게 세정할 수 있다. 특히, 액 노즐(52a)은, 포물선 형상으로 비스듬한 상방으로부터 하면 브러시(51)의 중앙부에 세정액이 공급되도록 세정액을 토출한다. 이에 따라, 하면 브러시(51)에 의한 기판(W)의 하면의 세정을 저해하지 않고, 하면 브러시(51)의 중앙부를 용이하게 세정할 수 있다.In addition, the lower surface brush 51 is supported on the lifting support part 54, and each of the liquid nozzles 52a and 52b is supported on the lifting support part 54 so that the discharge port of the cleaning liquid is directed obliquely upward in the vicinity of the lower surface brush 51. It is installed. In this case, the bottom brush 51 can be easily cleaned without impeding the cleaning of the bottom surface of the substrate W by the bottom brush 51. In particular, the liquid nozzle 52a discharges the washing liquid so that the washing liquid is supplied to the central part of the lower surface brush 51 from obliquely upward in a parabolic shape. Accordingly, the central portion of the lower surface brush 51 can be easily cleaned without impeding the cleaning of the lower surface of the substrate W by the lower surface brush 51.

(5) 다른 실시 형태(5) Other embodiments

(a) 상기 실시 형태에 있어서, 상측 유지 장치(10A, 10B)에 있어서 기판(W)의 하면 중앙 영역의 세정이 실행된 후에, 하측 유지 장치(20)에 있어서 기판(W)의 하면 외측 영역의 세정과 하면 브러시(51)의 세정이 실행되지만, 실시 형태는 이것에 한정되지 않는다. 하측 유지 장치(20)에 있어서 기판(W)의 하면 외측 영역의 세정과 하면 브러시(51)의 세정이 실행된 후에, 상측 유지 장치(10A, 10B)에 있어서 기판(W)의 하면 중앙 영역의 세정이 실행되어도 된다. 또, 기판(W)의 하면 중앙 영역의 세정이 실행되지 않아도 된다. 이 경우, 기판 세정 장치(1)는, 상측 유지 장치(10A, 10B) 및 수도 장치(40)를 포함하지 않는다.(a) In the above embodiment, after cleaning of the central area of the lower surface of the substrate W is performed in the upper holding devices 10A, 10B, the outer area of the lower surface of the substrate W in the lower holding device 20 cleaning and cleaning of the brush 51 are performed, but the embodiment is not limited to this. After cleaning the outer area of the lower surface of the substrate W and cleaning the lower surface brush 51 in the lower holding device 20, the central area of the lower surface of the substrate W is cleaned in the upper holding devices 10A, 10B. Cleaning may be performed. Additionally, cleaning of the central region of the lower surface of the substrate W does not need to be performed. In this case, the substrate cleaning device 1 does not include the upper holding devices 10A, 10B and the water supply device 40.

(b) 상기 실시 형태에 있어서, 기판(W)의 상면은 스프레이 노즐(73)을 이용하여 세정되지만, 실시 형태는 이것에 한정되지 않는다. 기판(W)의 상면은, 브러시를 이용하여 세정되어도 되고, 린스액을 토출하는 린스 노즐을 이용하여 세정되어도 된다. 또, 기판(W)의 상면은 세정되지 않아도 된다. 이 경우, 기판 세정 장치(1)는 상면 세정 장치(70)를 포함하지 않는다. 마찬가지로, 기판(W)의 외주 단부는 세정되지 않아도 된다. 이 경우, 기판 세정 장치(1)는 단부 세정 장치(80)를 포함하지 않는다.(b) In the above embodiment, the upper surface of the substrate W is cleaned using the spray nozzle 73, but the embodiment is not limited to this. The upper surface of the substrate W may be cleaned using a brush or a rinse nozzle that discharges a rinse liquid. Additionally, the upper surface of the substrate W does not need to be cleaned. In this case, the substrate cleaning device 1 does not include the top surface cleaning device 70. Likewise, the outer peripheral end of the substrate W does not need to be cleaned. In this case, the substrate cleaning device 1 does not include the end cleaning device 80.

(c) 상기 실시 형태에 있어서, 기판 세정 장치(1)는 제어 장치(9)를 포함하지만, 실시 형태는 이것에 한정되지 않는다. 기판 세정 장치(1)가 외부의 정보 처리 장치에 의해 제어 가능하게 구성되어 있는 경우에는, 기판 세정 장치(1)는 제어 장치(9)를 포함하지 않아도 된다.(c) In the above embodiment, the substrate cleaning device 1 includes the control device 9, but the embodiment is not limited to this. If the substrate cleaning device 1 is configured to be controllable by an external information processing device, the substrate cleaning device 1 does not need to include the control device 9.

(d) 상기 실시 형태에 있어서, 처리 위치에 있어서의 기판(W)의 하면 외측 영역의 세정과, 대기 위치에 있어서의 하면 브러시(51)의 세정이 복수 회 반복되지만, 실시 형태는 이것에 한정되지 않는다. 처리 위치에 있어서의 기판(W)의 하면 외측 영역의 세정과, 대기 위치에 있어서의 하면 브러시(51)의 세정은, 반복되지 않아도 된다.(d) In the above embodiment, cleaning of the outer region of the lower surface of the substrate W in the processing position and cleaning of the lower surface brush 51 in the standby position are repeated multiple times, but the embodiment is limited to this. It doesn't work. The cleaning of the outer area of the lower surface of the substrate W in the processing position and the cleaning of the lower surface brush 51 in the standby position do not need to be repeated.

(6) 청구항의 각 구성 요소와 실시 형태의 각부의 대응 관계(6) Correspondence between each component of the claims and each part of the embodiment

이하, 청구항의 각 구성 요소와 실시 형태의 각 요소의 대응의 예에 대해 설명하지만, 본 발명은 하기의 예에 한정되지 않는다. 청구항의 각 구성 요소로서, 청구항에 기재되어 있는 구성 또는 기능을 갖는 다른 여러 가지의 요소를 이용할 수도 있다.Hereinafter, examples of correspondence between each element of the claims and each element of the embodiment will be described, but the present invention is not limited to the examples below. As each component of a claim, various other elements having the structure or function described in the claim may be used.

상기 실시 형태에 있어서는, 기판(W)이 기판의 예이고, 흡착 유지부(21)가 기판 유지부의 예이며, 하면 브러시(51)가 하면 브러시의 예이고, 액 노즐(52a, 52b)이 각각 제1 및 제2 액 노즐의 예이며, 기판 세정 장치(1)가 기판 세정 장치의 예이고, 승강 지지부(54)가 지지부의 예이다.In the above embodiment, the substrate W is an example of a substrate, the suction holding portion 21 is an example of a substrate holding portion, the bottom brush 51 is an example of a bottom brush, and the liquid nozzles 52a and 52b are respectively The first and second liquid nozzles are examples, the substrate cleaning device 1 is an example of the substrate cleaning device, and the lifting support portion 54 is an example of the support portion.

Claims

a substrate holding portion that maintains the substrate in a horizontal position;
It is configured to be movable between a processing position for cleaning the substrate and a waiting position overlapping in the vertical direction with the substrate held by the substrate holding unit and rotatable about an axis in the vertical direction, and in the processing position, a bottom brush that cleans the bottom surface of the substrate by contacting the bottom surface of the substrate;
a first liquid nozzle that discharges cleaning liquid to the center of the lower surface brush in the standby position;
A substrate cleaning device comprising a second liquid nozzle that discharges cleaning liquid to an end of the lower surface brush in the standby position.

In claim 1,
Further comprising a support part for supporting the lower brush,
A substrate cleaning device, wherein each of the first liquid nozzle and the second liquid nozzle is mounted on the support portion so that a discharge port of the cleaning liquid is directed obliquely upward.

In claim 1 or claim 2,
A substrate cleaning device, wherein the first liquid nozzle discharges the cleaning liquid so that the cleaning liquid is supplied to the center of the lower surface brush from an oblique upward direction in a parabolic shape.

The method according to any one of claims 1 to 3,
A substrate cleaning device, wherein the lower brush is formed of a fluorine-based resin.

The method according to any one of claims 1 to 4,
Each of the substrate holding portion and the lower surface brush has a circular outer shape,
A substrate cleaning device wherein the diameter of the lower brush is larger than the diameter of the substrate holding portion.

The method according to any one of claims 1 to 4,
Each of the substrate and the lower brush has a circular shape,
A substrate cleaning device wherein the diameter of the lower brush is larger than 1/3 of the diameter of the substrate.