KR20240025651A - 등기구 - Google Patents

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KR20240025651A
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마사히로 고니시
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덴카 주식회사
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Abstract

발광 장치(100)(등기구)는, 기판 표면에 형광체층(36)이 마련된 형광체 기판(30)과, 형광체 기판(30)에 마련되고, 피크 파장이 제1 파장의 광을 출력하는 제1 발광부(20A)와, 형광체 기판(30)에 마련되고, 피크 파장이 제1 파장과 다른 제2 파장의 광을 출력하는 제2 발광부(20B)를 갖고, 형광체층(36)은, 적어도 제1 발광부(20A)와 제2 발광부(20B)의 주위에, 제1 발광부(20A) 및 제2 발광부(20B)와는 별체로 마련되어 있고, 제1 파장의 광과 제2 파장의 광을 여기광으로서 발광할 때의 발광 피크 파장이 가시광 영역에 있는 형광체를 포함한다.

Description

등기구
본 발명은 등기구에 관한 것이다.
특허문헌 1에는, 발광 소자(LED 소자)가 탑재된 기판을 구비하는 LED 조명 기구가 개시되어 있다.
중국 특허 공개 106163113호 공보
예를 들어, 특허문헌 1의 LED 조명 기구의 경우, 복수의 발광부(발광 소자)를 효율적으로 발광시킴과 함께 원하는 발광색으로 발광시키는 조명 기술에 대해서는 개시가 없어, 새로운 기술이 요구되고 있었다.
본 발명은 복수의 발광부를 갖는 발광 기판을 구비하는 등기구(발광 장치)에 있어서, 효율적으로 발광시키고 또한 원하는 발광색으로 발광시키는 조명 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따르면, 이하의 발명이 제공된다.
[1]
기판 표면에 형광체층이 마련된 형광체 기판과,
상기 형광체 기판에 마련되고, 피크 파장이 제1 파장의 광을 출력하는 적어도 하나의 제1 발광부와,
상기 형광체 기판에 마련되고, 피크 파장이 상기 제1 파장과 다른 제2 파장의 광을 출력하는 적어도 하나의 제2 발광부
를 갖고,
상기 형광체층은, 적어도 상기 제1 발광부와 상기 제2 발광부의 주위에, 상기 제1 발광부 및 상기 제2 발광부와는 별체로 마련되어 있고, 상기 제1 파장의 광과 상기 제2 파장의 광을 여기광으로서 발광할 때의 발광 피크 파장이 가시광 영역에 있는 형광체를 포함하는,
등기구.
[2]
상기 제1 파장의 피크 파장은 가시광의 파장 영역인, [1]에 기재된 등기구.
[3]
상기 제2 파장의 피크 파장은 415㎚ 이상 460㎚ 이하의 범위에 있는, [1] 또는 [2]에 기재된 등기구.
[4]
상기 제2 파장의 피크 파장은 315㎚ 이상 415㎚ 이하의 범위에 있는, [1] 또는 [2]에 기재된 등기구.
[5]
상기 제2 발광부의 발광 소자를 밀봉하는 밀봉재가 무색 투명인, [1]부터 [4]까지의 어느 하나에 기재된 등기구.
[6]
상기 적어도 하나의 제1 발광부와 상기 적어도 하나의 제2 발광부가 직렬로 접속된 직렬체를 갖는 [1]부터 [5]까지의 어느 하나에 기재된 등기구.
[7]
상기 직렬체는, 직렬로 접속된 복수의 상기 제1 발광부를 갖는 [6]에 기재된 등기구.
[8]
상기 직렬체는, 직렬로 접속된 복수의 상기 제2 발광부를 갖는 [6] 또는 [7]에 기재된 등기구.
[9]
상기 직렬체는, 병렬로 접속된 복수의 상기 제2 발광부를 갖는 [6] 또는 [7]에 기재된 등기구.
[10]
상기 직렬체가 복수 병렬로 접속되어 있는, [6]부터 [9]까지의 어느 하나에 기재된 등기구.
[11]
상기 제1 발광부의 발광 소자와 상기 제2 발광부의 발광 소자는 발광 다이오드 소자인, [1]부터 [10]까지의 어느 하나에 기재된 등기구.
[12]
상기 제1 발광부에 흐르는 전류를 조정하는 조정용 저항을 구비하는, [1]부터 [11]까지의 어느 하나에 기재된 등기구.
[13]
상기 제1 발광부와 상기 제2 발광부를 실장하는 회로 패턴을 갖고,
상기 회로 패턴은, 상기 제1 발광부와 상기 제2 발광부에 전력을 공급하는 경로로서, 기판 중심측에 마련된 플러스 전위부와, 기판 외주측에 마련된 접지 전위부를 갖는
[1]부터 [12]까지의 어느 하나에 기재된 등기구.
[14]
상기 제2 발광부가 출력하는 상기 제2 파장의 광에 의해 광촉매 기능을 발휘하는 광촉매부를 갖는 [1]부터 [13]까지의 어느 하나에 기재된 등기구.
복수의 발광부를 갖는 발광 기판을 구비하는 등기구(발광 장치)에 있어서, 효율적으로 발광시키고 또한 원하는 발광색으로 발광시키는 조명 기술을 제공할 수 있다.
도 1은 실시 형태의 발광 장치의 개략 구성을 나타내는 사시도이다.
도 2는 실시 형태의 발광 장치의 개략 구성을 나타내는 분해 사시도이다.
도 3은 실시 형태의 발광 기판의 평면도이다.
도 4는 실시 형태의 회로 패턴층을 노출하여 나타낸 발광 기판의 평면도이다.
도 5는 실시 형태의 발광 기판의 일부 단면도를 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 6은 실시 형태의 발광부의 회로도이다.
도 7은 실시 형태의 발광부의 직렬체의 접속 양태의 베리에이션을 나타낸 회로도이다.
도 8은 실시 형태의 발광 기판의 기본적인 발광 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 실시 형태의 제1 발광부와 제2 발광부가 혼재된 발광 기판의 발광 동작을 설명하기 위한 평면도이다.
도 10은 실시 형태의 제1 발광부와 제2 발광부가 혼재된 발광 기판의 발광 동작을 설명하기 위한 단면도이다.
<발광 장치(100)의 개요>
도 1은, 본 실시 형태의 발광 장치(100)(등기구)의 사시도이다. 도 2는 발광 장치(100)의 분해 사시도이다. 발광 장치(100)는 LED 전구이며, 커버 부재(110)와, 발광 기판(10)과, 동체부(130)와, 구동 회로(140)를 구비한다. 발광 장치(100)는 전구 형상 외에 대략 원추 형상 또는 원통 형상, 직육면체(상자형)로 구성되어도 된다. 발광 장치(100)는 실내외에서 사용되는 전구나, 옥외의 가로등으로서 구성되어도 되고, 또한 경기장의 조명이나 대규모 건조물의 외부 조명(소위 타워 조명)에 사용되는 고출력 조명 장치로서 구성되어도 된다.
발광 기판(10)은 상면에서 보아 대략 원형을 나타내고 있고, 복수의 발광부(20)가 탑재되어 있다. 발광부(20)는, 예를 들어 도 5에서 후술하는 바와 같이 발광 소자(22)로서 LED(플립 칩 LED)가 조립된 CSP(Chip Scale ㎩ckage)이다. 또한, 발광부(20)로서, CSP에 한정되지 않고, 예를 들어 SMD(Surface Mount Device)형 LED나 플립 칩 LED를 사용할 수 있다. 발광 기판(10)의 형상의 일례로서 상면에서 보아 대략 원형을 나타내고 있지만, 발광 장치(100)의 형상이나 발광부(20)의 탑재수나 배치 등에 따라, 직사각형이나 그밖의 형상이 적절히 선택된다. 발광 기판(10)은 절연 기판(32)의 한쪽의 면에 형광체층(36)을 마련한 형광체 기판(30)에 복수의 발광부(20)를 탑재한 구성이다.
동체부(130)는, 예를 들어 알루미늄다이캐스트 등으로 형성되어 있다. 동체부(130)에는 내부 공간이 형성되어 있고, 동체부(130)의 하부에 구금(132)이 설치되어 있다. 동체부(130)에는, 내부의 열을 배출하기 위한 방열용 개구(131)가 마련되어 있다. 동체부(130)의 표면에는 방열용 도료가 도장되어 전기적으로 절연되어 있다.
동체부(130)의 내부 공간에는 구동 회로(140)가 배치되고, 그 위에 내부 공간을 덮도록 상술한 발광 기판(10)이 설치된다. 냉각 팬을 마련하는 경우에는, 발광 장치(100) 내에 온도 센서를 마련하여, 구동 회로(140)가 냉각 팬의 구동 제어를 행함으로써, 발광 장치(100)의 내부를 원하는 온도 범위로 제어할 수 있다. 또한, 발광 기판(10)의 하면, 즉 구동 회로(140)측에는, 방열 핀이 마련되어도 된다.
커버 부재(110)는, 예를 들어 열가소성 수지나 유리로 구 형상으로 마련되어 있고, 도시 하측(즉, 동체부(130)측)이 개방되어 있다. 커버 부재(110)는 발광 기판(10)이 설치된 동체부(130)의 상부를 덮도록, 개방 부분에서 설치된다. 또한, 커버 부재(110)에는, 확산재가 포함되어도 된다.
구동 회로(140)는 LED 드라이버 IC나 콘덴서 등을 구비하여, 발광부(20)의 온/오프 듀티를 PWM(Pulse Width Modulation) 제어함으로써, 발광부(20)를 발광 구동시킨다. 구동 회로(140)의 일부 구성은 발광 기판(10)에 탑재되어도 된다.
발광 장치(100)는 형광체층(36)을 갖는 형광체 기판(30)에, 복수 종류의 발광부(20)를 마련하고 있다. 발광부(20)는 피크 파장이 제1 파장의 광을 출력하는 제1 발광부(20A)와, 피크 파장이 제1 파장과 다른 제2 파장의 광을 출력하는 제2 발광부(20B)를 갖는다.
제1 발광부(20A)는 가시광의 파장 영역의 광, 예를 들어 백색광의 스펙트럼을 갖는 광을 출력한다.
제2 발광부(20B)는 제2 파장의 피크 파장이 415㎚ 이상 460㎚ 이하의 범위에 있는 청색광, 또는 제2 파장의 피크 파장은 315㎚ 이상 415㎚ 이하의 범위에 있는 자색광(근자외광)을 출력한다. 이하에는, 제2 발광부(20B)는 파장 450㎚의 청색광을 출력하는 형태에 대하여 설명한다.
형광체층(36)은 적어도 제1 발광부(20A)와 제2 발광부(20B)의 주위에 마련되어 있다. 형광체층(36)은 청색광을 여기광으로서 발광할 때의 발광 피크 파장이 가시광 영역에 있는 형광체를 포함한다. 본 실시 형태에서는, 형광체층(36)은 파장 450㎚의 청색광에 의해 여기된 광이 청색광에 대한 보색광(여기서는 황색광)이 되도록 설정된다. 그 결과, 제2 발광부(20B)의 광과 형광체층(36)에 의한 광의 합성광이 백색이 된다.
〔발광 기판(10)〕
발광 기판(10)에 대하여, 주로 도 3 내지 도 5를 참조하면서 설명한다. 도 3은, 발광 기판(10)의 표면(31)측에서 본 평면도이다. 도 4는, 도 3의 발광 기판(10)으로부터 발광부(20) 및 형광체층(36)을 생략하고 회로 패턴층(34)을 노출시킨 상태의 발광 기판(10)의 평면도이다. 도 5는 발광 기판(10)의 단면도이며, 하나의 발광부(20)에 착안하여 모식적으로 나타낸 단면도이다.
도 3이나 도 4에 나타낸 바와 같이, 발광 기판(10)은, 예를 들어 상면에서 보아 원형이다. 발광 기판(10)은 형광체 기판(30)과, 복수의 발광부(20)와, 커넥터(70) 및 전자 부품(도시하지 않음)을 갖는다. 복수의 발광부(20), 커넥터(70) 및 전자 부품은 형광체 기판(30)에 탑재된다.
발광 기판(10)의 중심에는 상하로 관통하는 중앙 개구(37)가 마련되어 있다. 복수의 발광부(20)는 커넥터(70)에 접속되고, 중앙 개구(37)로부터 리드선(도시하지 않음)에 의해 구동 회로(140)에 접속된다. 커넥터(70)는 애노드측의 커넥터(+)(70A)와 접지(GND)측의 커넥터(GND)(70B)를 갖는다.
〔발광부(20)〕
주로 도 5에 나타낸 바와 같이, 발광부(20)(제1 발광부(20A), 제2 발광부(20B))는 각각, 일례로서, 발광 소자(22)인 플립 칩 LED(발광 다이오드 소자)가 밀봉 수지(23)(밀봉재)에 밀봉되어 있다. 제1 발광부(20A)와 제2 발광부(20B)의 기본적인 구조는 동일하고, 차이는 출력하는 광의 스펙트럼 분포(즉, 색온도)가 다른 점에 있다. 그 차이는 주로 밀봉 수지(23)에 포함되는 형광체의 종류 또는 형광체의 유무에 의한다.
발광 소자(22)는, 예를 들어 질화인듐갈륨(InGaN)을 사용하여 구성된 LED이며, 피크 파장 450㎚의 청색광을 출력한다.
제1 발광부(20A)에서는, 발광 소자(22)가 황색 발광 형광체를 첨가한 밀봉 수지(23)에 밀봉되어 있다. 그 결과, 발광 소자(22)에 의해 여기하여 발광한 광은, 밀봉 수지(23)의 형광체에 의해 색변환되어, 예를 들어 백색광으로서 인식되는 스펙트럼 분포로 출력된다.
제2 발광부(20B)에서는, 발광 소자(22)가 형광체를 첨가하지 않은 무색 투명한 밀봉 수지(23)에 밀봉되어 있다. 그 결과, 발광 소자(22)에 의해 여기하여 발광한 광은, 밀봉 수지(23)로 색변환되는 일 없이, 피크 파장이 450㎚인 청색광으로서 인식되는 스펙트럼 분포로 출력된다.
〔형광체 기판(30)〕
형광체 기판(30)은 절연 기판(32)과, 절연 기판(32)의 표면(31)에 마련된 회로 패턴층(34)과, 형광체층(36)과, 절연 기판(32)의 이면(33)에 마련된 코어 메탈(38)을 갖는다.
〔절연 기판(32)〕
절연 기판(32)은 일례로서, 이하와 같은 특징을 갖는다. 형상은, 전술한 바와 같이, 일례로서 표면(31)측 및 이면(33)측에서 보아 원형이다. 재질은, 일례로서 비스말레이미드 수지 및 유리 클로스를 포함하는 절연재이다. 두께는, 일례로서 100㎛이다.
세로 방향 및 가로 방향의 열팽창 계수(CTE)는 각각, 일례로서, 50℃ 내지 100℃의 범위에 있어서 10ppm/℃ 이하이다. 또한, 다른 견해로 보면, 세로 방향 및 가로 방향의 열팽창 계수(CTE)는 각각, 일례로서, 6ppm/℃이다. 이 값은, 본 실시 형태의 발광부(20)의 경우와 거의 동등(90％ 내지 110％, 즉 ±10％이내)하다.
유리 전이 온도는, 일례로서, 300℃보다도 높다.
저장 탄성률은, 일례로서, 100℃ 내지 300℃의 범위에 있어서, 1.0×1010㎩보다도 크고 1.0×1011㎩보다도 작다.
세로 방향 및 가로 방향의 굽힘 탄성률은, 일례로서, 각각, 상태에 있어서 35㎬ 및 34㎬이다.
세로 방향 및 가로 방향의 열간 굽힘 탄성률은, 일례로서, 250℃에 있어서 19㎬이다. 흡수율은, 일례로서, 23℃의 온도 환경에서 24시간 방치한 경우에 0.13％이다. 비유전율은, 일례로서, 1㎒ 상태에 있어서 4.6이다. 유전 정접은, 일례로서, 1㎒ 상태에 있어서 0.010이다.
〔회로 패턴층(34)〕
회로 패턴층(34)은 절연 기판(32)의 표면(31)에 마련된 금속층(일례로서 구리박층)이고, 커넥터(70)(커넥터(+)(70A), 커넥터(GND)(70B))와 도통하고 있다. 회로 패턴층(34)은 커넥터(70)에 접속된 리드선을 통해 전원(구동 회로(140))으로부터 급전된 전력을, 발광부(20)(제1 발광부(20A), 제2 발광부(20B))에 공급한다.
회로 패턴층(34)의 일부는, 제1 발광부(20A)가 접합되는 전극쌍(34A) 및 제2 발광부(20B)가 접합시키는 전극쌍(34B)으로 되어 있다. 회로 패턴층(34)에 있어서의 전극쌍(34A, 34B) 이외의 부분을 배선 부분(34C)이라고 한다. 회로 패턴층(34)의 회로 패턴은, 제1 발광부(20A)나 제2 발광부(20B)의 배치에 의해 적절히 설정되지만, 예를 들어 기판 중심측에 마련된 플러스 전위부와, 기판 외주측에 마련된 접지 전위부를 갖는 구성으로 할 수 있다. 플러스 전위부는 커넥터(+)(70A)에 접속된다. 접지 전위부는 커넥터(GND)(70B)에 접속된다.
〔형광체층(36)〕
본 실시 형태의 형광체층(36)은 일례로서, 회로 패턴층(34)에 있어서의, 전극쌍(34A, 34B), 커넥터(70) 및 형광체 기판(30) 상에 실장되는 전자 부품 이외의 부분을 덮도록 하여, 절연 기판(32)의 표면(31)에 마련되어 있다. 환언하면, 형광체층(36)은 제1 발광부(20A) 및 제2 발광부(20B)와는 별체로 마련되어 있다. 즉, 제1 발광부(20A) 및 제2 발광부(20B)는 밀봉재로서 형광체층을 갖는 경우가 있지만, 절연 기판(32)의 표면(31)에 마련되는 형광체층(36)은 제1 발광부(20A) 및 제2 발광부(20B)의 밀봉재의 형광체층과는 다른 구성이다.
형광체층(36)은, 예를 들어 후술하는 형광체(복수의 형광체 입자의 집합체)와 결합제를 포함하고, 복수의 형광체 입자가 당해 결합제에 분산된 절연층이다. 형광체층(36)에 포함되는 형광체는, 발광부(20)의 발광을 여기광으로서 여기하는 성질을 갖는다. 구체적으로는, 본 실시 형태의 형광체는, 발광부(20)의 발광을 여기광으로 했을 때의 발광 피크 파장이 가시광 영역에 있는 성질을 갖는다. 또한, 당해 결합제는, 예를 들어 에폭시계, 아크릴레이트계, 실리콘계 등의 결합제이며, 솔더 레지스트에 포함되는 결합제와 동등한 절연성을 갖는 것이면 된다.
형광체층(36)에 포함되는 형광체는, 제2 발광부(20B)의 발광색(즉, 제2 피크 파장) 및 형광체층(36)을 어느 색으로 발광시킬지에 따라 적절히 선택된다. 형광체층(36)은, 예를 들어 Eu을 함유하는 α형 사이알론 형광체, Eu을 함유하는 β형 사이알론 형광체, Eu을 함유하는 CASN 형광체 및 Eu을 함유하는 SCASN 형광체로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 형광체이다. 또한, 전술한 형광체는, 본 실시 형태에서의 일례이고, YAG, LuAG, BOS 그밖의 가시광 여기의 형광체와 같이, 상술한 형광체 이외의 형광체여도 된다.
Eu을 함유하는 α형 사이알론 형광체는, 일반식: MxEuySi12-(m+n)Al(m+n)OnN16-n으로 표시된다. 상기 일반 식 중, M은 Li, Mg, Ca, Y 및 란타나이드 원소(단, La과 Ce을 제외함)로 이루어지는 군에서 선택되는, 적어도 Ca을 포함하는 1종 이상의 원소이고, M의 가수를 a라고 했을 때, ax+2y=m이고, x가 0<x≤1.5이고, 0.3≤m<4.5, 0<n<2.25이다.
Eu을 함유하는 β형 사이알론 형광체는, 일반식: Si6-zAlzOzN8-z(z=0.005 내지 1)로 표시되는 β형 사이알론에 발광 중심으로서 2가의 유로퓸(Eu2+)을 고용한 형광체이다.
또한, 질화물 형광체로서, Eu을 함유하는 CASN 형광체, Eu을 함유하는 SCASN 형광체 등을 들 수 있다.
Eu을 함유하는 CASN 형광체(질화물 형광체의 일례)는, 예를 들어 식 CaAlSiN3:Eu2+로 표시되고, Eu2+를 활성화제로 하고, 알칼리 토류 규소 질화물을 포함하는 결정을 모체로 하는 적색 형광체를 말한다. 또한, 본 명세서에 있어서의 Eu을 함유하는 CASN 형광체의 정의에서는, Eu을 함유하는 SCASN 형광체가 제외된다.
Eu을 함유하는 SCASN 형광체(질화물 형광체의 일례)는, 예를 들어 식 (Sr, Ca)AlSiN3:Eu2+로 표시되고, Eu2+를 활성화제로 하고, 알칼리 토류 규소 질화물을 포함하는 결정을 모체로 하는 적색 형광체를 말한다.
〔코어 메탈(38)〕
코어 메탈(38)은 절연 기판(32)의 이면(33)에 배치되는 구리나 알루미늄 등의 금속판이고, 열방산성을 향상시킨다. 코어 메탈(38)에는 필요에 따라 방열 핀 등의 방열 수단이 설치된다.
〔복수의 발광부(20)의 배치 및 접속 양태〕
도 3, 4 및 도 6을 참조하여 발광부(20)의 배치 및 접속 양태에 대하여 설명한다. 도 6은, 발광부(20)의 회로의 예를 나타내는 도면이다.
복수의 발광부(20)는 절연 기판(32)의 표면(31)측에 전체에 걸쳐서 배치되어 있다. 본 실시 형태에서는, 7개의 제1 발광부(20A)와 1개의 제2 발광부(20B)를 직렬로 접속하여 1세트로 한 직렬체가 3세트 병렬로 마련되어 있다. 도 3에 나타낸 바와 같이, 편의적으로, 발광 기판(10)의 영역을 상면에서 보아 둘레 방향으로 제1 내지 제3 영역(2A 내지 2C)으로 3등분하여 설명한다.
제1 내지 제3 영역(2A 내지 2C)의 각각에는, 7개의 제1 발광부(20A)(제1 발광부(20A1) 내지 제1 발광부(20A7))와 1개의 제2 발광부(20B)의 합계 8개의 발광부(20)가 마련되어 있다. 이들 8개의 발광부(20)는 직렬로 접속한 직렬체로서 구성되어, 커넥터(+)(70A)와 커넥터(GND)(70B) 사이에, 3개의 직렬체가 병렬로 접속되어 있다. 상술한 바와 같이, 제1 발광부(20A)는 백색광을 출력하고, 제2 발광부(20B)가 청색광을 출력한다.
더 구체적으로는, 제1 영역(2A)의 직렬체는, 커넥터(+)(70A)로부터 커넥터(GND)(70B)로, 제2 발광부(20B), 제1 발광부(20A1), 제1 발광부(20A2, …) 및 제1 발광부(20A7)가 이 순으로 직렬로 접속되어 있다.
제2 영역(2B) 및 제3 영역(2C)의 직렬체에 대해서도, 마찬가지의 접속 양태가 되어 있다.
커넥터(+)(70A)에는 리드선이 접속되어, 중앙 개구(37)를 통해 상술한 구동 회로(140)에 접속된다. 또한, 커넥터(GND)(70B)에는 리드선이 접속되어, 소정의 접지(GND)에 접속된다.
도 7을 참조하여, 제2 발광부(20B), 제1 발광부(20A1), 제1 발광부(20A2, …) 및 제1 발광부(20A7)가 구성하는 직렬체의 접속 양태의 6예를 설명한다.
도 7의 (a)는 상술한 직렬체의 기본적인 접속 양태를 나타내고 있다. 즉, 커넥터(+)(70A)로부터 커넥터(GND)(70B)로, 제2 발광부(20B), 제1 발광부(20A1), 제1 발광부(20A2, …) 및 제1 발광부(20A7)가 이 순으로 직렬로 접속되어 있다.
도 7의 (b)는 도 7의 (a)의 접속 양태의 변형예이고, 제2 발광부(20B)가 2개 직렬로 접속되어 있다. 즉, 커넥터(+)(70A)와 제1 발광부(20A1) 사이에, 제2 발광부(20B1)와 제2 발광부(20B2)가 이 순으로 직렬로 접속되어 있다.
도 7의 (c)는 도 7의 (b)의 접속 양태의 변형예이고, 제2 발광부(20B)가 2개 병렬로 접속되어 있다. 즉, 커넥터(+)(70)와 제1 발광부(20A) 사이에, 제2 발광부(20B1)와 제2 발광부(20B2)가 병렬로 접속되어 있다.
도 7의 (d)는 도 7의 (a)의 접속 양태의 변형예이고, 제2 발광부(20B)와 커넥터(+)(70A) 사이에, 직렬체에 흐르는 전류를 조정하는 전류 조정용 저항(25)이 접속되어 있다. 각각의 직렬체에, 전류 조정용 저항(25)을 마련함으로써, 발광 소자(22)의 변동을 조정하여, 각 직렬체의 발광 강도를 소망(일반적으로는 동일)으로 조정할 수 있다.
도 7의 (e)는 도 7의 (b)의 접속 양태의 변형예이고, 제2 발광부(0B1)와 커넥터(+)(70A) 사이에, 직렬체에 흐르는 전류를 조정하는 전류 조정용 저항(25)이 접속되어 있다.
도 7의 (f)는 도 7의 (c)의 접속 양태의 변형예이고, 제2 발광부(20B1)와 커넥터(+)(70A) 사이에, 직렬체에 흐르는 전류를 조정하는 전류 조정용 저항(25)이 접속되어 있다.
〔발광 기판(10)에 의한 발광 동작〕
도 8을 참조하여, 표면(31)에 형광체층(36)이 마련된 발광 기판(10)의 기본적인 발광 동작을 설명한다. 계속해서, 도 9 및 도 10을 참조하여, 발광부(20)로서 제1 발광부(20A)와 제2 발광부(20B)를 혼재했을 때의 발광 동작에 대하여 설명한다.
구동 회로(140)가 온이 되면, 도 8에 나타낸 바와 같이, 발광부(20)는 광 L을 방사상으로 발산 출사하고, 그 광 L의 일부는 형광체 기판(30)의 표면(31)측에 도달한다. 이하, 출사된 광 L의 진행 방향으로 나누어 광 L의 거동에 대하여 설명한다. 여기서는, 광 L에 형광체층(36)의 형광체를 여기시켜 여기광을 출력시키는 파장이 포함되는 것으로 한다. 구체적으로는, 형광체층(36)에 분산되어 있는 형광체가 청색광에 여기 피크를 갖는 형광체(가시광 여기 형광체)를 사용하고 있다.
발광부(20)로부터 출사된 광 L의 일부는, 형광체층(36)에 입사하지 않고 전구 외부, 즉 커버 부재(110)의 외부에 출사된다. 이 경우, 광 L의 파장은, 발광부(20)로부터 출사되었을 때의 광 L의 파장과 동일한 상태이다.
발광부(20)로부터 출사된 광 L의 일부는, 형광체층(36)에 입사한다. 형광체층(36)에 입사한 광 L이 형광체층(36)에 분산되어 있는 형광체에 충돌하면, 형광체가 여기하여 여기광을 발한다. 형광체층(36)에 있어서의 여기광은 그대로 형광체층(36)으로부터 출사하는 것도 있지만, 일부의 여기광은 하측의 회로 패턴층(34)을 향한다. 회로 패턴층(34)을 향한 여기광은, 회로 패턴층(34)에서의 반사에 의해 외부에 출사된다. 또한, 형광체층(36)의 형광체의 종류에 따라서는 광 L의 파장이 다르지만, 어느 경우라도 광 L의 파장 변환이 이루어진다. 이와 같이 형광체층(36)을 마련함으로써, 형광체층(36)이 없는 경우와 달리, 형광체층(36)으로부터도 광이 조사되기 때문에, 조사되는 광의 글레어가 저감된다.
도 9 및 도 10을 참조하여, 발광부(20)로서 제1 발광부(20A)와 제2 발광부(20B)가 혼재 구성인 경우의 발광 동작에 대하여 설명한다. 도 9는, 제1 발광부(20A)와 제2 발광부(20B)가 혼재된 발광 기판(10)을 모식적으로 나타낸 평면도이다. 도 10은 제1 발광부(20A)와 제2 발광부(20B)가 혼재된 발광 기판(10)을 모식적으로 나타낸 단면도이다. 상술한 바와 같이, 제1 발광부(20A)는 백색광을 출력하고, 제2 발광부(20B)는 450㎚를 피크 파장으로 하는 광을 출력한다.
형광체층(36)에는, 제2 발광부(20B)의 광(피크 파장 450㎚)에 의해 형광 여기하여 발광하는 형광체가 포함되어 있다. 제2 발광부(20B)가 출력한 광 중, 형광체층(36)에 입사한 광은, 형광체에 의해, 제2 발광부(20B)의 광과는 다른 광, 예를 들어 보색광으로 변환된다. 그 결과, 제2 발광부(20B)의 광은, 직접 출력되는 광과 형광체층(36)에 의해 여기되어 출력되는 광이 합쳐져 출력되고, 전체적으로 백색광으로서 인식된다.
이와 같이, 발광 장치(100)가 백색광을 출력하는 제1 발광부(20A)와, 청색광을 출력하는 제2 발광부(20B)와, 청색광으로 형광 여기하는 형광체를 갖는 형광체층(36)을 가짐으로써, 글레어를 저감시켜, 더 자연의 백색광에 가까운 광을 출력할 수 있다. 또한, 제2 발광부(20B)의 배치나 광 강도(출력이나 수), 형광체층(36)의 재료, 두께, 위치, 영역 등을 조정함으로써, 발광 장치(100)로서 출력하는 색조를 조정할 수 있다.
〔그밖의 기능(광촉매 기능)〕
발광 장치(100)에는, 광촉매를 갖는 광촉매부가 마련되어도 된다. 광촉매부는, 제2 발광부(20B)가 출력하는 제2 파장의 광에 의해, 광촉매 기능을 발휘한다. 즉, 제2 발광부(20B)가 광촉매 여기용 광원이 된다. 제2 발광부(20B)가 출력하는 제2 파장의 광으로서는, 사용되는 광촉매에 따라 다르지만, 예를 들어 315㎚ 내지 415㎚의 범위의 파장의 광, 즉 근자외광(자외선)을 사용할 수 있다. 또한, 제2 파장의 피크 파장이 415㎚ 이상 460㎚ 이하의 범위에 있는 청색광을 사용할 수 있다.
광촉매로서, 제2 파장의 광이 근자외광(자외선)이면, 예를 들어 산화티타늄을 사용할 수 있고, 청색광이면, 산화텅스텐(백금 등의 촉매 병용), 질소나 황, 탄소 등의 이온을 도핑한 산화티타늄, 철 담지 산화티타늄 등을 사용할 수 있다. 광촉매부는, 예를 들어 커버 부재(110)의 내면이나, 형광체 기판(30)에 상기에 예시한 광촉매(산화티타늄이나 산화텅스텐 등)를 주성분으로 한 코팅재를 도포함으로써 얻어진다.
광촉매부의 광촉매(산화티타늄이나 산화텅스텐 등)에 제2 발광부(20B)가 출력하는 제2 파장의 광이 닿으면, 광촉매 표면에서 산화 환원 반응이 일어나, 분해력을 갖는 활성 산소가 발생하여, 냄새 제거, 항균·항바이러스와 같은 기능을 발휘한다. 커버 부재(110)의 내부는, 중앙 개구(37)나 방열용 개구(131)를 경유하여 발광 장치(100)의 외부와 연통하고 있다. 이에 의해, 발광 장치(100)의 주위 환경의 냄새 제거, 항균·항바이러스 등을 행할 수 있다. 또한, 제2 발광부(20B)가 근자외광(자외선)을 출력하는 경우, 커버 부재(110)에 자외선 흡수제를 이겨서 넣는 등의 처리를 실시하여, 커버 부재(110)의 외부에 근자외광(자외선)이 출력되는 것을 방지하는 것이 바람직하다. 바꾸어 말하면, 제2 발광부(20B)가 청색광을 출력하여 광촉매 기능을 발현시키는 경우는, 자외선에 의한 인체 등에 대한 영향을 고려할 필요가 없기 때문에, 그러한 관점에 의한 설치 위치의 제한은 없고, 예를 들어 광촉매를 커버 부재(110)의 외측 표면에 마련해도 된다.
또한, 제2 발광부(20B)를 광촉매 여기용 광원으로서 사용하는 경우, 제2 파장의 광으로서, 청색광이나 근자외광(자외선) 등과 같은 짧은 파장의 광이 바람직하게 사용된다. 이때 발광 장치(100)의 출력은 청색측으로 시프트해 버리는 경향이 있다. 그러나, 형광체층(36)이 제2 파장의 광에 의한 여기광(제2 파장보다 적색측의 파장의 광)을 출력함으로써, 그러한 청색측으로 시프트를 억제할 수 있다. 특히, 발광 장치(100)가 전구색을 출력하는 경우에, 청색측으로의 시프트가 외형적으로 현저하게 드러나 버리기 때문에, 형광체층(36)에 의한 청색측으로의 시프트의 억제는 매우 효과적이다. 즉, 발광 장치(100)에 광촉매 기능을 부가하면서, 형광체층(36)에 의해, 발광 장치(100)가 출력하는 광의 청색측으로의 시프트를 억제할 수 있다.
또한, 형광체층(36)에 있어서의 형광 발광의 여기 효율이 양호한 파장대와 광촉매부에 있어서의 촉매 반응 효율(여기 효율)이 양호한 파장대가 어긋나는 경우가 있다. 예를 들어, 형광체층(36)에 있어서의 형광 발광은 450㎚ 근방이 매우 높은 효율을 나타내고, 한편, 광촉매부에 있어서의 촉매 반응은 405㎚가 매우 높은 효율을 나타내는 경우가 있다. 그러한 경우에는, 형광체층(36)에 있어서의 형광 발광을 중시하는 경우에는, 제2 발광부(20B)의 발광 소자(22)로서 450㎚의 광을 출력하는 소자를 사용하고, 광촉매부에 있어서의 촉매 반응을 중시하는 경우에는, 제2 발광부(20B)의 발광 소자(22)로서 405㎚의 광을 출력하는 소자를 사용하고, 양쪽을 중시하는 경우에는, 450㎚의 광을 출력하는 소자와 405㎚의 광을 출력하는 소자를 병용하는 등의 구성을 채용할 수 있다.
<실시 형태의 효과>
본 실시 형태의 특징을 통합하면 다음과 같다.
(1) 발광 장치(100)(등기구)는, 기판 표면(표면(31))에 형광체층(36)이 마련된 형광체 기판(30)과,
형광체 기판(30)에 마련되고, 피크 파장이 제1 파장의 광을 출력하는 제1 발광부(20A)와,
형광체 기판(30)에 마련되고, 피크 파장이 제1 파장과 다른 제2 파장의 광을 출력하는 제2 발광부(20B)
를 갖고,
형광체층(36)은 적어도 제1 발광부(20A)와 제2 발광부(20B)의 주위에, 제1 발광부(20A) 및 제2 발광부(20B)와는 별체로 마련되어 있고, 제1 파장의 광과 제2 파장의 광을 여기광으로서 발광할 때의 발광 피크 파장이 가시광 영역에 있는 형광체를 포함한다.
이에 의해, 효율적으로 발광시키고 또한 원하는 발광색으로 발광시키는 발광 장치(100)(등기구)를 실현할 수 있다. 환언하면, 발광 장치(100)로서의 글레어를 저감시키고, 또한 출력하는 색조를 조정할 수 있다.
(2) 제1 파장의 피크 파장은 가시광의 파장 영역이어도 된다.
예를 들어, 제1 발광부(20A)가 백색광을 출력하는 LED인 경우, 글레어가 강하게 인식되는 경우가 있지만, 그러한 글레어를 저감시킬 수 있다. 또한, 제1 발광부(20A)만으로는 자연광과의 색조가 다른 경우라도, 더 자연스러운 색조를 실현할 수 있다.
(3) 제2 파장의 피크 파장은 415㎚ 이상 460㎚ 이하의 범위에 있어도 된다.
(4) 제2 파장의 피크 파장은 315㎚ 이상 415㎚ 이하의 범위에 있어도 된다.
(5) 제2 발광부(20B)의 발광 소자를 밀봉하는 밀봉재가 무색 투명이다.
(6) 제1 발광부(20A)와 제2 발광부(20B)는 직렬로 접속되어도 된다.
제1 발광부(20A)와 제2 발광부(20B)를 직렬로 접속함으로써, 그것들에 흐르는 전류값을 동일하게 할 수 있고, 각각의 광의 출력(강도)의 조정이 용이해진다. 특히, 제1 발광부(20A)와 제2 발광부(20B)로서, 순방향 전압 VF 특성이 다른 LED 소자를 사용하는 경우에, 제1 발광부(20A)나 제2 발광부(20B)로 설계대로 전류를 안정 공급할 수 있다.
(7) 복수의 제1 발광부(20A)와 적어도 하나의 제2 발광부(20B)가 직렬로 접속된 직렬체를 가져도 된다.
복수의 제1 발광부(20A)를 직렬로 접속함으로써, 제1 발광부(20A)의 광의 강도의 변동을 억제할 수 있다.
(8) 직렬체는, 직렬로 접속된 복수의 제2 발광부(20B)를 가져도 된다.
복수의 제2 발광부(20B)를 직렬로 접속함으로써, 제2 발광부(20B)의 광의 강도의 변동을 억제할 수 있다.
(9) 직렬체는, 병렬로 접속된 복수의 제2 발광부를 가져도 된다.
복수의 제2 발광부(20B)를 병렬로 접속함으로써, 회로 구성의 자유도가 향상된다. 제2 발광부(20B)의 광의 강도의 변동이 발생하는 경우라도, 형광체층(36)이 있음으로써 그러한 변동을 흡수할 수 있다.
(10) 직렬체가 복수 병렬로 접속되어도 된다.
(11) 제1 발광부(20A)의 발광 소자(22)와 제2 발광부(20B)의 발광 소자(22)는 발광 다이오드 소자(LED)이다.
(12) 제1 발광부(20A)에 흐르는 전류를 조정하는 전류 조정용 저항(25)을 구비해도 된다.
복수의 직렬체가 병렬로 접속되는 회로에 있어서, 각 직렬체의 전류값을 일정하게 하여, 출력되는 광의 변동을 저감시킬 수 있다.
(13) 제1 발광부(20A)와 제2 발광부(20B)를 실장하는 회로 패턴층(34)(회로 패턴)을 갖고,
회로 패턴층(34)은 제1 발광부(20A)와 제2 발광부(20B)에 전력을 공급하는 경로로서, 기판 중심측에 마련된 플러스 전위부와, 기판 외주측에 마련된 접지 전위부를 갖는다. 이러한 구성에 의해 회로 구성을 심플하게 할 수 있다.
(14) 제2 발광부(20B)가 출력하는 제2 파장의 광에 의해 광촉매 기능을 발휘하는 광촉매부를 갖는다.
이에 의해, 발광 장치(100)가 배치된 환경의 정화가 가능해진다. 또한, 광촉매 여기용광으로서 청색광이나 근자외광(자외선) 등과 같은 짧은 파장의 광을 이용함으로써, 출력광이 청색측으로 시프트해 버리는 경우라도, 형광체층(36)에 의해 청색측으로의 시프트를 억제할 수 있다.
이상과 같이, 본 발명에 대하여 전술한 각 실시 형태를 예로서 설명했지만, 본 발명은 전술한 각 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 발광부(20)의 발광색은, 직렬체마다나, 병렬체마다 달라도 된다. 구동 회로(140)가 발광부(20)를 발광 구동시킬 때, 직렬체마다나 병렬체마다 출력 조정을 하거나, 발광 타이밍을 조정함으로써, 다채로운 조광·조색이 가능해진다.
이 출원은, 2021년 6월 28일에 출원된 일본 특허 출원 제2021-106374호를 기초로 하는 우선권을 주장하고, 그 개시의 모두를 여기에 도입한다.
2A: 제1 영역
2B: 제2 영역
2C: 제3 영역
10: 발광 기판
20: 발광부
20A, 20A1 내지 20A7: 제1 발광부
20B, 20B1, 20B2: 제2 발광부
22: 발광 소자
23: 밀봉 수지
30: 형광체 기판
31: 표면
32: 절연 기판
33: 이면
34: 회로 패턴층
38: 코어 메탈
34A, 34B: 전극쌍
34C: 배선 부분
36: 형광체층
37: 중앙 개구
70: 커넥터
70A: 커넥터(+)
70B: 커넥터(GND)
100: 발광 장치
110: 커버 부재
130: 동체부
131: 방열용 개구
140: 구동 회로

Claims (14)

  1. 기판 표면에 형광체층이 마련된 형광체 기판과,
    상기 형광체 기판에 마련되고, 피크 파장이 제1 파장의 광을 출력하는 적어도 하나의 제1 발광부와,
    상기 형광체 기판에 마련되고, 피크 파장이 상기 제1 파장과 다른 제2 파장의 광을 출력하는 적어도 하나의 제2 발광부
    를 갖고,
    상기 형광체층은, 적어도 상기 제1 발광부와 상기 제2 발광부의 주위에, 상기 제1 발광부 및 상기 제2 발광부와는 별체로 마련되어 있고, 상기 제1 파장의 광과 상기 제2 파장의 광을 여기광으로서 발광할 때의 발광 피크 파장이 가시광 영역에 있는 형광체를 포함하는, 등기구.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 파장의 피크 파장은 가시광의 파장 영역인, 등기구.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2 파장의 피크 파장은 415㎚ 이상 460㎚ 이하의 범위에 있는, 등기구.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2 파장의 피크 파장은 315㎚ 이상 415㎚ 이하의 범위에 있는, 등기구.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2 발광부의 발광 소자를 밀봉하는 밀봉재가 무색 투명인, 등기구.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 적어도 하나의 제1 발광부와 상기 적어도 하나의 제2 발광부가 직렬로 접속된 직렬체를 갖는, 등기구.
  7. 제6항에 있어서, 상기 직렬체는, 직렬로 접속된 복수의 상기 제1 발광부를 갖는, 등기구.
  8. 제6항에 있어서, 상기 직렬체는, 직렬로 접속된 복수의 상기 제2 발광부를 갖는, 등기구.
  9. 제6항에 있어서, 상기 직렬체는, 병렬로 접속된 복수의 상기 제2 발광부를 갖는, 등기구.
  10. 제6항에 있어서, 상기 직렬체가 복수 병렬로 접속되어 있는, 등기구.
  11. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 발광부의 발광 소자와 상기 제2 발광부의 발광 소자는 발광 다이오드 소자인, 등기구.
  12. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 발광부에 흐르는 전류를 조정하는 조정용 저항을 구비하는, 등기구.
  13. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 발광부와 상기 제2 발광부를 실장하는 회로 패턴을 갖고,
    상기 회로 패턴은, 상기 제1 발광부와 상기 제2 발광부에 전력을 공급하는 경로로서, 기판 중심측에 마련된 플러스 전위부와, 기판 외주측에 마련된 접지 전위부를 갖는,
    등기구.
  14. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2 발광부가 출력하는 상기 제2 파장의 광에 의해 광촉매 기능을 발휘하는 광촉매부를 갖는, 등기구.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5558986B2 (ja) * 2010-09-16 2014-07-23 株式会社東芝 Ｌｅｄランプ
JP2015176967A (ja) * 2014-03-14 2015-10-05 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置、照明装置及び実装基板
JP7444537B2 (ja) * 2018-12-27 2024-03-06 デンカ株式会社 蛍光体基板の製造方法、発光基板の製造方法及び照明装置の製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6163113B2 (ja) 2014-01-31 2017-07-12 日軽金アクト株式会社 太陽光パネル用架台

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