KR20240025028A - 실리콘 질화막의 성막 방법, 성막 장치 및 실리콘 질화막 - Google Patents

실리콘 질화막의 성막 방법, 성막 장치 및 실리콘 질화막 Download PDF

Info

Publication number
KR20240025028A
KR20240025028A KR1020247003707A KR20247003707A KR20240025028A KR 20240025028 A KR20240025028 A KR 20240025028A KR 1020247003707 A KR1020247003707 A KR 1020247003707A KR 20247003707 A KR20247003707 A KR 20247003707A KR 20240025028 A KR20240025028 A KR 20240025028A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
silicon nitride
nitride film
film
forming
vacuum chamber
Prior art date
Application number
KR1020247003707A
Other languages
English (en)
Inventor
유타 안도
아키라 이가리
나오키 모리모토
Original Assignee
가부시키가이샤 알박
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 알박 filed Critical 가부시키가이샤 알박
Publication of KR20240025028A publication Critical patent/KR20240025028A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32697—Electrostatic control
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0641—Nitrides
    • C23C14/0652—Silicon nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
    • C23C14/0036—Reactive sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3435—Applying energy to the substrate during sputtering
    • C23C14/345—Applying energy to the substrate during sputtering using substrate bias
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3471—Introduction of auxiliary energy into the plasma
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3485—Sputtering using pulsed power to the target
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H01J37/32449—Gas control, e.g. control of the gas flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414—Targets
    • H01J37/3426—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02266—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by physical ablation of a target, e.g. sputtering, reactive sputtering, physical vapour deposition or pulsed laser deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332—Coating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

반응성 스퍼터링에 의해 비교적 강한 인장 응력을 갖는 실리콘 질화막을 성막할 수 있는 실리콘 질화막의 성막 방법을 제공한다.
진공 챔버(1) 내에 실리콘제 타겟(3)과 성막 대상물(Sw)을 대향 배치하고, 진공 분위기의 진공 챔버 내로 질소 가스를 포함하는 스퍼터 가스를 도입하고, 실리콘제 타겟에 음의 전위를 인가하여, 반응성 스퍼터링에 의해 전기적으로 플로팅된 상태로 설치되는 성막 대상물의 표면에, 인장 응력을 갖는 실리콘 질화막을 성막하는 실리콘 질화막의 성막 방법에서, 성막 대상물을 바이어스 전위의 비인가 상태로 하고, 실리콘제 타겟 표면이 금속 모드와 화합물 모드 사이의 천이 모드로 유지되도록 스퍼터 가스에 대한 질소 가스의 유량 비율 및 실리콘제 타겟에 인가하는 전위 중 적어도 하나를 제어하여, 성막 대상물 표면에 β형 질화 규소를 퇴적시키는 공정을 포함한다.

Description

실리콘 질화막의 성막 방법, 성막 장치 및 실리콘 질화막
본 발명은 실리콘 질화막의 성막 방법, 성막 장치 및 실리콘 질화막에 관한 것이다.
상기 종류의 실리콘 질화막은, 예를 들면, 반도체 디바이스의 제조 공정에서 하드 마스크로서 이용된다. 이러한 용도의 실리콘 질화막은, 소정의 굴절률(예를 들면, 2.0±0.2)의 범위 내에서 비교적 강한 인장 응력(+300 MPa 이상)을 갖도록 요구되며, 통상 플라즈마 CVD법으로 성막된다(예를 들면, 특허문헌 1 참조). 플라즈마 CVD법으로 실리콘 질화막을 성막하는 경우, 원료 가스로서 수소 원자를 포함하는 실란계 가스가 일반적으로 사용된다. 이로 인해 성막되는 실리콘 질화막 안에 수소 원자가 혼입되면, 반도체 디바이스에 악영향을 미치는 문제가 발생한다.
한편, 반응성 스퍼터링에 의해 실리콘 질화막을 성막할 수도 있다. 이 경우, 실리콘제 타겟과 성막 대상물을 대향 배치한 진공 분위기의 진공 챔버 내로 희가스와 질소 가스를 포함하는 스퍼터 가스를 도입하고, 실리콘제 타겟에 음의 전위를 인가하는데, 이 때 스퍼터 가스에 대한 질소 가스의 유량 비율 및 실리콘제 타겟에 인가되는 전위 중 적어도 하나를 제어하여, 실리콘제 타겟의 표면이 금속 모드로 유지되는 상태에서 성막된다. 이와 같이 성막된 실리콘 질화막의 대부분은, 압축 응력을 갖는다고 일반적으로 알려져 있다. 설령 인장 응력을 갖는 실리콘 질화막을 성막할 수 있다고 하더라도, 상기 플라즈마 CVD 법으로 성막한 정도의 강한 인장 응력을 얻을 수 없다. 그러나 실리콘 질화막의 성막에 반응성 스퍼터링을 사용하면, 플라즈마 CVD법과 비교하여 제조 비용의 저감을 도모할 수 있다는 등의 이점이 있다. 이 때문에 플라즈마 CVD법으로 성막하는 것과 동등한 인장 응력을 갖는 실리콘 질화막을 반응성 스퍼터링으로 성막 가능한 성막 방법의 개발이 요구되고 있다.
특허문헌 1: 일본특허공개 2009-84639호 공보
본 발명은 이상의 점을 감안하여, 반응성 스퍼터링에 의해 비교적 강한 인장 응력을 갖는 실리콘 질화막을 성막할 수 있는 실리콘 질화막의 성막 방법, 성막 장치 및 실리콘 질화막을 제공하는 것을 그 과제로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 진공 챔버 내에 실리콘제 타겟과 성막 대상물을 대향 배치하고, 진공 분위기의 진공 챔버 내로 질소 가스를 포함하는 스퍼터 가스를 도입하고, 실리콘제 타겟에 음의 전위를 인가하여, 반응성 스퍼터링에 의해 전기적으로 플로팅된 상태로 설치되는 성막 대상물의 표면에, 인장 응력을 갖는 실리콘 질화막을 성막하는 실리콘 질화막의 성막 방법에서, 성막 대상물을 바이어스 전위의 비인가 상태로 하고, 실리콘제 타겟 표면이 금속 모드와 화합물 모드 사이의 천이 모드로 유지되도록 스퍼터 가스에 대한 질소 가스의 유량 비율 및 실리콘제 타겟에 인가하는 전위 중 적어도 하나를 제어하여, 성막 대상물 표면에 β형 질화 규소를 퇴적시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이 경우, 상기 진공 챔버 내에 발생시킨 플라즈마 분위기를 마주하는 상기 성막 대상물의 주위에 배치한 도전성 부재에, 양전위를 인가하여 바이어스 전위의 비인가 상태를 유지할 수 있다.
여기서 상기 종래예와 같이 금속 모드로 실리콘 질화막을 성막하면, 성막된 것은 α형 질화 규소(α-Si3N4)의 결정 구조를 가진다. 한편, 성막 레이트나 유량 비율을 적절히 제어하여 실리콘제 타겟 표면을 금속 모드와 화합물 모드 사이의 천이 모드로 유지하면, 성막된 것은 β형 질화 규소(β-Si3N4)의 결정 구조를 가지게 되며, 이러한 β형 질화 규소막이 소정의 굴절률의 범위에서 인장 응력을 가짐을, 즉, 실리콘 질화막의 응력은 성막 레이트와 스퍼터 가스에 대한 질소 가스의 유량 비율에 의존성이 있음을 알아냈다. 또한 성막된 실리콘 질화막이 기둥형 구조(柱狀 構造)를 가지면, 인장 응력이 생기기 쉽다고 일반적으로 알려져 있으나, 천이 모드로 유지한 것만으로는, 실리콘 질화막이 간극이 균일한 기둥형 구조를 갖지 않는 것으로 밝혀졌다.
본원 발명자는 예의 연구를 거듭하여, 진공 챔버 내에 발생시킨 플라즈마 분위기를 마주하는 성막 대상물의 주위에 도전성 부재를 배치하고, 반응성 스퍼터링에 의해 성막하는 동안 도전성 부재에 양전위를 인가하면, 성막된 것은 기둥형 구조의 β형 질화 규소(β-Si3N4)로, 비교적 강한 인장 응력(+300 MPa)을 발현한다는 것을 알았다. 이는 통상 성막 대상물이 실리콘 웨이퍼인 경우나, 성막 대상물의 표면이 전기 저항이 상대적으로 높은 질화 규소로 덮여지면, 플라즈마 분위기 중의 전자가 대전되어 성막 대상물에는 이른바 셀프 바이어스(바이어스 전위)가 가해지는 상태가 되며, 이러한 상태에서는 실리콘제 타겟으로부터 비산되는 스퍼터 입자가 보다 높은 에너지를 가지고 성막 대상물에 도달(충돌)함으로써 기둥형 구조가 손상되는 한편, 성막 대상물의 주위에 도전성 부재가 있으면, 전자의 대전이 완화(억제)되어 성막 대상물에 가해지는 셀프 바이어스가 저감되기 때문인 것으로 생각된다.
따라서 본 발명에서는, 성막 대상물을 바이어스 전위의 비인가 상태로 하고, 실리콘제 타겟 표면이 금속 모드와 화합물 모드 사이의 천이 모드로 유지되도록 스퍼터 가스에 대한 질소 가스의 유량 비율 및 실리콘제 타겟에 인가되는 전위 중 적어도 하나를 제어하여 β형 실리콘 질화막을 성막하는 구성을 채용했다. 본 발명에서 말하는 ‘바이어스 전위의 비인가 상태’란, 예를 들면, 교류 전원에 의해 적극적으로 바이어스 전위를 인가하는 경우를 제외하는 것만을 의미하지 않으며, 플라즈마 분위기 중 전자의 대전을 완화하여 성막 대상물에 가해지는 셀프 바이어스를 가능한 한 낮출 수 있는 상태를 포함하고, 셀프 바이어스를 낮출 수 있다면, 성막 대상물의 주위에 배치한 도전성 부재에 양전위를 인가하는 것으로 한정되지 않는다. 아울러 스퍼터 전원으로는, 직류 전원, 고주파 전원, 교류 전원을 채용할 수 있으나 직류 전원을 채용하는 것이 바람직하다. 직류 전원으로부터 ‘직류 전력’을 투입하는 경우, 펄스 형상의 직류 전력을 투입하는 경우도 포함한다. 또한 ‘실리콘제 타겟에 인가하는 전위를 제어한다’는 것은, 실리콘제 타겟에 접속된 스퍼터 전원의 전력을 제어함으로써 실리콘제 타겟에 인가하는 전위를 제어하는 것이나, 실리콘제 타겟에 접속된 스퍼터 전원의 전류를 정전류 제어함으로써 실리콘제 타겟에 인가하는 전위를 제어하는 것도 포함하며, 실리콘제 타겟에 접속된 스퍼터 전원의 전위를 정전압 제어하는 것으로 한정되지 않는다. 이로써 반응성 스퍼터링에 의해 비교적 강한 인장 응력을 갖는 실리콘 질화막을 성막할 수 있다. 또한 성막 중, 진공 챔버 내에 설치되는 방착판 표면 등에 질화 실리콘이 부착, 퇴적하게 되면, 진공 챔버 내에 발생시킨 플라즈마가 확산되어 방전이 불안정해지기 쉬우나, 본 발명에서는 양전위가 인가된 도전성 부재가 있기 때문에, 플라즈마의 확산이 억제되어 방전을 항상 안정시킬 수가 있다.
본 발명에서는, 성막 레이트와 유량 비율의 의존성에 관한 발명 실험에 기초한 회귀 분석을 통해, 상기 스퍼터 가스에 대한 질소 가스의 유량 비율을 x(%), 상기 실리콘 질화막의 성막 레이트를 y(Å/sec)로 하여, 다음 식(1)을 만족하도록, 질소 가스의 유량 비율 및 실리콘제 타겟에 인가하는 전위 중 적어도 하나를 제어하면, +300 MPa 이상의 인장 응력을 갖는 실리콘 질화막을 성막할 수 있음을 확인했다.
　　y=0.815x-7.50 … (1)
또한 본 발명에서는, 상기 β형 질화 규소를 퇴적시키는 공정에 앞서, 상기 스퍼터 가스에 대한 질소 가스의 유량 비율 및 상기 실리콘제 타겟에 인가하는 전위 중 적어도 하나를 제어하여 실리콘제 타겟의 표면이 금속 모드로 유지되는 상태에서 성막 대상물 표면에 α형 질화 규소의 시드층을 형성하는 전공정을 포함하는 것이 바람직하다. 이에 따라, α형 질화 규소의 종자 결정 상에 β형 질화 규소가 퇴적됨으로써, 성막된 실리콘 질화막이 좁은 간극이면서 또한 간극이 균일한 기둥형 구조로 +400 MPa 이상의 인장 응력을 갖는 것을 확인했다.
또한 상기 과제를 해결하기 위해 본 발명의 성막 장치는, 실리콘제 타겟이 설치되는 진공 챔버를 갖고, 진공 챔버 내에 실리콘제 타겟에 대향시켜 성막 대상물을 전기적으로 플로팅된 상태로 유지하는 스테이지와, 진공 분위기의 진공 챔버 내로 질소 가스를 포함하는 스퍼터 가스를 도입하는 가스 도입 수단과, 실리콘제 타겟에 음의 전위를 인가하는 스퍼터 전원을 구비하고, 진공 챔버 내에서 스테이지의 주위에 위치하도록 설치되는 도전성 부재와, 도전성 부재에 양전위를 인가하는 직류 전원을 구비하는 것을 특징으로 한다. 또한 본 발명의 실리콘 질화막은 기둥형 구조의 β형 질화 규소로 구성되며, 굴절률이 2.0±0.2의 범위에서 +300 MPa보다 강한 인장 응력을 갖는 것을 특징으로 한다.
도 1은 본 실시형태의 실리콘 질화막의 성막 장치로서의 스퍼터링 장치의 구성을 나타낸 모식도이다.
도 2는 제1 실시형태의 실리콘 질화막의 성막 방법을 설명하는 도면이다.
도 3은 본 발명의효과를 확인하는 실험 결과를 나타낸 그래프이다.
도 4는 본 발명의효과를 확인하는 실험 결과를 나타낸 그래프이다.
도 5는 본 발명의효과를 확인하는 실험 결과를 나타낸 그래프이다.
도 6은 본 발명의효과를 확인하는 실험 결과를 나타낸 그래프이다.
도 7(a) 및 7(b)는 제2 실시형태의 실리콘 질화막의 성막 방법을 설명하는 도면이다.
이하, 도면을 참조하여 성막 대상물을 실리콘 웨이퍼(이하, ‘기판(Sw)’), 타겟을 소정 순도의 실리콘제인 것으로 하고, 스퍼터 가스로서 아르곤 가스와 질소 가스를 사용하여 반응성 스퍼터링에 의해 기판(Sw) 표면에 실리콘 질화막을 성막하는 경우를 예로 들어, 본 발명의 실리콘 질화막의 성막 방법, 성막 장치 및 실리콘 질화막의 실시형태를 설명한다. 이하에서, ‘상’, ‘하’와 같이 방향을 나타내는 용어는 도 1를 기준으로 한다.
도 1을 참조하면, 본 실시형태의 성막 장치는 이른바 마그네트론 스퍼터링 장치(SM)이며, 어스 접지된 진공 챔버(1)를 구비한다. 진공 챔버(1)에는, 배기관(11)을 통해 진공 펌프(12)가 접속되어, 진공 챔버(1) 내를 소정 압력(진공도)으로 진공 배기할 수 있다. 진공 챔버(1)의 측벽에는, 아르곤 가스와 질소 가스의 가스 소스와 각각 연통하며, 질량 유량 제어기(13a, 13b)가 설치된 가스관(14)이 접속된다. 그리고 각 질량 유량 제어기(13a, 13b)에서 유량 제어되어 아르곤 가스와 질소 가스의 스퍼터 가스가 소정의 유량 비율(스퍼터 가스에 대한 질소 가스의 유량 비율)로 진공 챔버(1) 내로 도입될 수 있다. 본 실시형태에서는 질량 유량 제어기(13a, 13b), 가스관(14) 등의 부품이 가스 도입 수단을 구성한다.
진공 챔버(1) 내에는 스테이지(2)가 설치된다. 스테이지(2)는, 진공 챔버(1)의 바닥면 내측에 절연체(21a)를 개재하여 배치되는 금속제 베이스(21)와, 베이스(21) 상에 설치되는, 예를 들면, 질화 알루미늄제 또는 질화 보론제 척 플레이트(22)를 갖는다. 척 플레이트(22)에는 정전 척용 전극(22a)이 내장되어, 도면 밖의 척용 전원으로부터 전극(22a)에 통전함으로써, 그 성막면이 위를 향하게 탑재된 기판(Sw)을 정전 흡착(유지)할 수 있다. 이 때, 기판(Sw)은 전기적으로 플로팅된 상태가 된다. 척 플레이트(22)에는, 별도로 도면에 나타내지 않으나, 기판(Sw)의 가열 냉각 기구가 설치되어, 반응성 스퍼터링에 의한 성막 중에 기판(Sw)을 소정 온도로 조정할 수 있다.
또한 진공 챔버(1)에는 캐소드 유닛(Cu)이 설치된다. 캐소드 유닛(Cu)은, 타겟(3)과, 타겟(3)의 상방에 배치되어 타겟(3)과 기판(Sw) 사이의 공간에 누설 자장을 작용시키는 자석 유닛(4)을 구비한다. 타겟(3)의 스퍼터면(3a)과 배향하는 측에는 백킹 플레이트(31)가 접합되며, 백킹 플레이트(31)의 주연부를 절연 부재(32)를 통해 진공 챔버(1)의 상벽에 부착시키면, 진공 분위기의 진공 챔버(1) 내에서 타겟(3)과 기판(Sw)이 동심으로 대향 배치된다. 타겟(3)에는, 스퍼터 전원(Ps)으로부터의 출력이 접속되어, 음의 전위를 갖는 직류 전력(또는 펄스 형상의 직류 전력)을 투입할 수 있다. 진공 챔버(1) 내에는 또한, 기판(Sw)과 타겟(3) 사이의 공간을 둘러싸고 진공 챔버(1)의 내벽에 스퍼터 입자가 부착되는 것을 방지하는 스테인리스나 알루미늄제 방착판(5)이 설치된다. 방착판(5)은, 진공 챔버(1)의 상벽에 매달아 설치하는 상부 방착판(51)과, 실린더나 모터를 구비하는 승강 기구(Du)에 의해 상하 방향으로 이동 가능한 하부 방착판(52)으로 구성된다.
진공 챔버(1) 내에는, 스테이지(2)의 주위에 위치하도록 원뿔대 형상의 윤곽을 갖는 통 형상의 블록체(6)가 설치된다. 블록체(6)는 알루미늄이나 구리제로, 본 실시형태의 도전성 부재를 구성하며, 진공 챔버(1)의 바닥면 내측에 설치한 절연체(61)를 개재하여 설치된다. 블록체(6)의 설치 상태에서는, 블록체(6)의 최상부가 스테이지(2)에서 유지되는 기판(Sw)의 상면(성막면)과 동일면이거나 또는 하방에 위치하고, 그 외통면의 적어도 일부가 진공 챔버(1) 내에 형성되는 플라즈마 분위기를 직접 마주하게 된다. 덧붙여 블록체(6)의 형태는, 이것으로 한정되지 않으며 또한, 스테이지(2)의 주위를 완전하게 둘러쌀 필요도 없고, 예를 들면, 원호 형상의 윤곽을 갖는 복수의 판재를 동일 원주 상에 배치하여 구성할 수 있다. 블록체(6)에는 또한, 직류 전원(7)으로부터의 출력(71)이 접속되어, 성막 시에는 직류 전원(7)에 의해 양전위가 인가되어 애노드로서 기능하도록 한다. 이하에, 상기 스퍼터링 장치(SM)를 이용한 제1 실시형태의 성막 방법을 설명한다.
스테이지(2)에 기판(Sw)을 탑재하여 정전 흡착시킨 후, 진공 챔버(1) 내를 진공 배기한다. 진공 챔버(1) 내가 소정 압력에 도달하면, 일정한 실효 배기 속도를 유지한 채로 진공 챔버(1) 내에, 가스 도입 수단(13a, 13b, 14)에 의해 스퍼터 가스를 소정의 유량 비율로 도입하고, 스퍼터 전원(Ps)에 의해 타겟(3)에 음의 전위를 갖는 직류 전력을 투입한다. 이 때, 스퍼터 가스에 대한 질소 가스의 유량 비율을 x(%), 상기 실리콘 질화막의 성막 레이트를 y(Å/sec)로 하여, 다음 식(1)을 만족하도록(즉, 타겟(3)의 스퍼터면(3a)이 금속 모드와 화합물 모드 사이의 천이 모드로 유지되도록), 질소 가스의 유량 비율 및 타겟(3)에 인가되는 전위 중 적어도 하나를 제어한다. 아울러 직류 전원(7)에 의해 블록체(6)에 양전위(예를 들면, 0 V 내지 100 V의 범위, 바람직하게는 30 V)를 인가한다.
　　y=0.815x-7.50 (1)
덧붙여 ‘금속 모드’, ‘화합물 모드’ 및 ‘천이 모드’라는 용어 자체는 널리 알려진 것이므로 여기서는 상세한 설명을 생략한다.
이에 따라 기판(Sw)과 타겟(3) 사이의 공간에 플라즈마 분위기가 형성되고, 플라즈마 중의 희가스의 이온에 의해 타겟(3)이 스퍼터링되며, 타겟(3)으로부터 소정의 코사인 법칙에 따라 스퍼터 입자가 비산되고, 도 2와 같이 스퍼터 입자와 질소 가스의 반응 생성물인 기둥형 구조의 β형 질화 규소가 퇴적되어 실리콘 질화막(Fn)이 성막된다. 아울러 진공 챔버(1) 내에 발생된 플라즈마 분위기의 방전 안정성을 유지하기 위해서는, 유량 비율로서는 예를 들면, 25 내지 35 %의 범위인 것이 바람직하며, 또한 타겟(3)에 인가하는 음의 전위로서는 예를 들면, 300 V 내지 600 V의 범위(투입 전력은, 예를 들면, 3.0 kW 내지 5.0 kW의 범위)인 것이 바람직하다. 그리고 상기와 같이 하여 성막된 실리콘 질화막(Fn)은, 2.0±0.2의 굴절률의 범위에서 +300 MPa 이상의 인장 응력을 갖는다는 것을 확인했다. 게다가 타겟(3)에 대한 적산 전력이 증가하더라도, 진공 챔버(1) 내에서의 플라즈마의 확산이 억제되어 상시 안정적으로 방전할 수 있음을 확인했다.
상기 효과를 확인하기 위해, 상기 스퍼터링 장치(SM)를 이용하여 이하의 실험을 진행했다. 제1 실험에서는, 스퍼터 조건으로서 타겟(3)에 투입하는 직류 전력이 갖는 음의 전위를 550 V(직류 전력은 4.5 kW), 블록체(6)에 대한 인가 전위를 30V 로 설정했다. 그리고 진공 챔버(1) 내의 압력이 1.0±0.1 Pa로 유지되는 상태에서 질소 가스의 유량 비율을 27.63 ~ 29.49 %의 범위에서 변화시켜, 실리콘 질화막(Fn)의 인장 응력 및 굴절률을 각각 측정하고 그 결과를 도 3에 나타냈다. 또한 제2 실험으로서, 제1 실험으로부터 진공 챔버(1) 내의 압력이 1.0±0.1 Pa로 유지되는 상태에서 질소 가스의 유량 비율을 25.67 %로 설정하고, 타겟(3)에 인가하는 전위, 나아가서는 성막 레이트를 10.7 ~ 15.4 Å/sec의 범위에서 변화시켜, 실리콘 질화막(Fn)의 인장 응력 및 굴절률을 각각 측정하고 그 결과를 도 4에 나타냈다.
제1 실험, 제2 실험의 결과로부터, 실리콘 질화막(Fn)의 인장 응력은 질소 가스의 유량 비율 및 성막 레이트에 의존하는 것을 알았다. 이 경우, 질소 가스의 유량 비율이 28.6 %, 성막 레이트가 19.5 Å/sec일 때, 또는 성막 레이트가 13.5 Å/sec, 질소 가스의 유량 비율이 25.68 %일 때, 2.03의 굴절률로 실리콘 질화막(Fn)의 인장 응력이 극대치가 되는 것을 알았고, 공지의 결정 구조 해석이나 SEM 이미지로부터, 성막된 것은 β형 질화 규소(β-Si3N4)의 결정 구조로 기둥형 구조를 갖는 것을 확인했다. 또한 제1 실험, 제2 실험의 결과를 회귀 분석한 결과, 도 5와 같이 유량 비율을 x(%), 성막 레이트를 y(Å/sec)로 했을 때, y=0.815x-7.50 이 성립하고, 이것을 만족하도록 유량 비율(%)과 타겟(3)에 인가하는 전위 중 적어도 하나를 제어하면, 굴절률이 2.0±0.2의 범위에서 +300 MPa 이상의 인장 응력을 갖는 실리콘 질화막(Fn)을 성막할 수 있다는 것을 알았다.
다음으로 제3 실험으로서, 제1 실험에서 타겟(3)에 인가하는 전위를 560 V(직류 전력은 4.5k W), 유량 비율을 28.57 %로 설정하고, 블록체(6)에 인가하는 전위를 0 V 부터 +35 V까지의 범위에서 변화시켜 블록체(6)를 흐르는 전류값(애노드 전류)과 타겟(3)을 흐르는 전류값(캐소드 전류)을 측정하고, 그 결과를 도 6에 나타냈다. 이에 따르면, 블록체(6)에 인가하는 양전위를 높여가면, 캐소드 전류는 거의 변화하지 않으나 애노드 전류는 점차 커져, 약 30 V를 초과하면 거의 변화하지 않는 것을 알 수 있었다. 이 결과로부터, 블록체(6)에 양전위를 인가함으로써, 플라즈마 중의 전자가 블록체(6)로 끌어당겨져, 상대적으로 성막 중의 기판(Sw)에 대전되는 전자가 감소한다고 추측할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시형태를 설명했으나, 본 발명의 기술 사상의 범위를 벗어나지 않는 한 여러 가지로 변형할 수 있다. 도 7을 참조하여, 제2 실시형태의 성막 방법에서는, 상기 제1 실시형태와 같이 β형 질화 규소를 퇴적시키는 공정에 앞서, 스퍼터 가스에 대한 질소 가스의 유량 비율 및 실리콘제 타겟(3)에 인가하는 전위 중 적어도 하나를 제어하여 실리콘제 타겟(3)의 표면이 금속 모드로 유지되는 상태에서 기판(Sw) 표면에 α형 질화 규소의 시드층(Ls)을 형성하는 전 공정(前 工程)이 마련된다. 이 경우, α형 질화 규소의 시드층(Ls)의 막 두께(d)는, α형 질화 규소의 핵이 형성되는 범위(예를 들면, 7.5 nm±5.0 nm)로 적절히 설정할 수 있다. 이 때, 유량 비율은 5 내지 15 %(바람직하게는 10 %), 타겟(3)에 인가하는 전위는 실리콘제 타겟(3)의 표면이 금속 모드로 유지되는 값으로 조정하면 되는데, 예를 들면, 300 V 내지 600 V의 범위(투입 전력은 2.0 kW 내지 5.0 kW(바람직하게는 3.5 kW))로 설정되며, 또한 블록체(6)는 전위 인가 상태일 수도 있고 또 전위 비인가 상태일 수도 있다. 이에 따르면 β형 질화 규소는, 간극이 균일한 기둥형 구조가 되어, 굴절률이 2.0±0.2의 범위에서 +400 MPa 이상의 인장 응력을 갖는 실리콘 질화막(Fn)을 성막할 수 있음을 확인했다. 또한 스퍼터 가스로서 희가스와 질소 가스를 이용하는 경우를 예로 들어 설명했으나, 질소 가스만을 이용하여 실리콘 질화막을 성막하는 경우에도 본 발명을 적용할 수 있다.
SM…스퍼터링 장치(실리콘 질화막의 성막 장치),
Sw…기판(성막 대상물),
Fn…실리콘 질화막,
Ls…시드층,
1…진공 챔버,
13a,13b…질량 유량 제어기(가스 도입 수단의 구성 요소),
14…가스관(가스 도입 수단의 구성 요소),
2…스테이지,
3…실리콘제 타겟,
Ps…스퍼터 전원,
6…블록체(도전성 부재),
7…직류 전원.

Claims (6)

  1. 진공 챔버 내에 실리콘제 타겟과 성막 대상물을 대향 배치하고, 진공 분위기의 상기 진공 챔버 내로 질소 가스를 포함하는 스퍼터 가스를 도입하고, 상기 실리콘제 타겟에 음의 전위를 인가하여, 반응성 스퍼터링에 의해 전기적으로 플로팅된 상태로 설치되는 상기 성막 대상물의 표면에, 인장 응력을 갖는 실리콘 질화막을 성막하는 상기 실리콘 질화막의 성막 방법에서,
    상기 성막 대상물을 바이어스 전위의 비인가 상태로 하고, 상기 실리콘제 타겟 표면이 금속 모드와 화합물 모드 사이의 천이 모드로 유지되도록 상기 스퍼터 가스에 대한 상기 질소 가스의 유량 비율 및 상기 실리콘제 타겟에 인가하는 전위 중 적어도 하나를 제어하여, 상기 성막 대상물 표면에 β형 질화 규소를 퇴적시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는, 실리콘 질화막의 성막 방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 진공 챔버 내에 발생시킨 플라즈마 분위기를 마주하는 상기 성막 대상물의 주위에 배치한 도전성 부재에, 양전위를 인가하여 상기 바이어스 전위의 비인가 상태를 유지하는 것을 특징으로 하는, 실리콘 질화막의 성막 방법.
  3. 청구항 1 또는 2에 있어서,
    상기 스퍼터 가스에 대한 상기 질소 가스의 유량 비율을 x(%), 상기 실리콘 질화막의 성막 레이트를 y(Å/sec)로 하여, 다음 식(1)을 만족하도록, 상기 유량 비율 및 상기 실리콘제 타겟에 인가하는 전위 중 적어도 하나를 제어하는 것을 특징으로 하는, 실리콘 질화막의 성막 방법.
    　　y=0.815x-7.50 … (1)
  4. 청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 β형 질화 규소를 퇴적시키는 공정에 앞서, 상기 스퍼터 가스에 대한 상기 질소 가스의 유량 비율 및 상기 실리콘제 타겟에 인가하는 전위 중 적어도 하나를 제어하여 상기 실리콘제 타겟의 표면이 상기 금속 모드로 유지되는 상태에서 상기 성막 대상물 표면에 α형 질화 규소의 시드층을 형성하는 전 공정(前 工程)을 포함하는 것을 특징으로 하는, 실리콘 질화막의 성막 방법.
  5. 실리콘제 타겟이 설치되는 진공 챔버를 갖고, 상기 진공 챔버 내에 상기 실리콘제 타겟에 대향시켜 성막 대상물을 전기적으로 플로팅된 상태로 유지하는 스테이지와, 진공 분위기의 상기 진공 챔버 내로 질소 가스를 포함하는 스퍼터 가스를 도입하는 가스 도입 수단과, 상기 실리콘제 타겟에 음의 전위를 인가하는 스퍼터 전원을 구비하는 실리콘 질화막의 성막 장치에서,
    상기 진공 챔버 내에서 상기 스테이지의 주위에 위치하도록 설치되는 도전성 부재와, 상기 도전성 부재에 양전위를 인가하는 직류 전원을 구비하는 것을 특징으로 하는, 실리콘 질화막의 성막 장치.
  6. 기둥형 구조(柱狀 構造)의 β형 질화 규소로 구성되며, 굴절률이 2.0±0.2의 범위에서 +300 MPa보다 강한 인장 응력을 갖는 것을 특징으로 하는, 실리콘 질화막.
KR1020247003707A 2021-12-09 2022-09-27 실리콘 질화막의 성막 방법, 성막 장치 및 실리콘 질화막 KR20240025028A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2021-200446 2021-12-09
JP2021200446 2021-12-09
PCT/JP2022/035867 WO2023105894A1 (ja) 2021-12-09 2022-09-27 窒化シリコン膜の成膜方法、成膜装置及び窒化シリコン膜

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20240025028A true KR20240025028A (ko) 2024-02-26

Family

ID=86730081

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020247003707A KR20240025028A (ko) 2021-12-09 2022-09-27 실리콘 질화막의 성막 방법, 성막 장치 및 실리콘 질화막

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20240055239A1 (ko)
JP (1) JPWO2023105894A1 (ko)
KR (1) KR20240025028A (ko)
CN (1) CN116802336A (ko)
TW (1) TW202323572A (ko)
WO (1) WO2023105894A1 (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009084639A (ja) 2007-09-28 2009-04-23 Fujifilm Corp 窒化シリコン膜の形成方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3684593B2 (ja) * 1993-07-28 2005-08-17 旭硝子株式会社 スパッタリング方法およびその装置
US8936702B2 (en) * 2006-03-07 2015-01-20 Micron Technology, Inc. System and method for sputtering a tensile silicon nitride film

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009084639A (ja) 2007-09-28 2009-04-23 Fujifilm Corp 窒化シリコン膜の形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2023105894A1 (ko) 2023-06-15
US20240055239A1 (en) 2024-02-15
TW202323572A (zh) 2023-06-16
WO2023105894A1 (ja) 2023-06-15
CN116802336A (zh) 2023-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106663609B (zh) 用以实现高密度高sp3含量层的高功率脉冲磁控溅镀工艺
US5707498A (en) Avoiding contamination from induction coil in ionized sputtering
US5891349A (en) Plasma enhanced CVD apparatus and process, and dry etching apparatus and process
US20070215279A1 (en) Plasma processing apparatus, plasma processing method, focus ring, and focus ring component
US8133362B2 (en) Physical vapor deposition with multi-point clamp
US20040040931A1 (en) Plasma processing method and plasma processor
US11854771B2 (en) Film stress control for plasma enhanced chemical vapor deposition
US8157953B2 (en) Plasma processing apparatus
JP2010013676A (ja) プラズマｃｖｄ装置、ｄｌｃ膜及び薄膜の製造方法
KR20150024277A (ko) 반도체 장치의 제조 방법
CN112376024B (zh) 一种氧化物薄膜的制备方法
KR101926677B1 (ko) 성막 장치 및 성막 방법
US9181619B2 (en) Physical vapor deposition with heat diffuser
US9253862B2 (en) Plasma processing method and plasma processing apparatus
KR20070098499A (ko) 플라즈마 처리용의 전극판 및 플라즈마 처리 장치
US20060118043A1 (en) Method for producing coated workpieces, uses and installation for the method
JP5461690B2 (ja) スパッタリング装置及びスパッタリング方法
US20190301019A1 (en) Boron-based film forming method and apparatus
KR20240025028A (ko) 실리콘 질화막의 성막 방법, 성막 장치 및 실리콘 질화막
JP7478049B2 (ja) スパッタリング装置及び金属化合物膜の成膜方法
Felmetsger et al. Design, operation mode, and stress control capability of S-Gun magnetron for ac reactive sputtering
US20110209989A1 (en) Physical vapor deposition with insulated clamp
CN114068274A (zh) 半导体零部件、等离子体处理装置及耐腐蚀涂层形成方法
CN213340283U (zh) 半导体零部件和等离子体处理装置
US20220013336A1 (en) Process kit with protective ceramic coatings for hydrogen and nh3 plasma application