KR20240022962A - 디지타이저를 포함하는 전자 장치 - Google Patents

Abstract

전자 장치가 제공될 수 있다. 상기 전자 장치는 하우징, 디스플레이, 상기 디스플레이 아래에 위치한 디지타이저, 상기 디지타이저 아래에 배치된 흡수체 시트, 및 상기 흡수체 시트 아래에 위치한 금속 시트를 포함할 수 있다. 상기 흡수체 시트는 철, 규소 및 알루미늄을 포함하는 제1 입자, 및 철 및 규소를 포함하는 제2 입자를 포함할 수 있다. 상기 제2 입자의 상기 제1 입자에 대한 비율은 3:7 이상일 수 있다.

Description

디지타이저를 포함하는 전자 장치{ELECTRONIC DEVICE COMPRISING DIGITIZER}

본 개시의 다양한 실시예들은 디지타이저를 포함하는 전자 장치에 관한 것이다.

정보통신 기술과 반도체 기술의 발전으로 인하여 하나의 휴대용 전자 장치에 다양한 기능이 통합되고 있다. 예를 들면, 전자 장치는 통신 기능뿐만 아니라, 게임과 같은 엔터테인먼트 기능, 음악/동영상 재생과 같은 멀티미디어 기능, 모바일 뱅킹 등을 위한 통신 및 보안 기능, 일정 관리 및 전자 지갑의 기능을 구현할 수 있다. 이러한 전자 장치는 사용자가 편리하게 휴대할 수 있도록 소형화되고 있다.

전자 장치는 입력 장치(예: 디지털 펜)를 통하여 사용자로부터 다양한 입력을 받을 수 있다. 전자 장치는 상기 입력 장치에 의하여 지정된 전자 장치상의 위치를 확인할 수 있고, 이에 대응하는 기능을 수행할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치는 전자기 유도(Electro magnetic resonance, 이하 EMR이라 함) 방식, 또는 능동 정전기(Active electrostatic, 이하 AES이라 함) 방식을 이용하여, 상기 입력 장치에 의하여 지정된 전자 장치상의 위치를 확인할 수 있다.

본 개시의 일 실시예에 따르면, 전자 장치는 하우징, 디스플레이, 상기 디스플레이 아래에 위치한 디지타이저, 상기 디지타이저 아래에 배치된 흡수체 시트 및 상기 흡수체 시트 아래에 위치한 금속 시트를 포함할 수 있다. 상기 흡수체 시트는 철, 규소 및 알루미늄을 포함하는 제1 입자, 및 철 및 규소를 포함하는 제2 입자를 포함할 수 있다. 상기 제2 입자의 상기 제1 입자에 대한 비율은 7/3 이상일 수 있다.

본 개시의 일 실시예에 따르면, 폴더블 전자 장치는 제1 하우징 및 제2 하우징을 포함하는 하우징, 상기 제1 하우징 상에 위치한 제1 디스플레이 영역, 상기 제2 하우징 상에 위치한 제2 디스플레이 영역 및 상기 제1 디스플레이 영역과 상기 제2 디스플레이 영역 사이에 위치한 폴딩 영역을 포함하는 디스플레이, 상기 제1 하우징과 상기 제2 하우징을 연결하고, 적어도 일부가 상기 폴딩 영역의 적어도 일부의 아래에 위치한 힌지 구조, 상기 디스플레이 아래에 위치한 디지타이저 및 상기 디지타이저 아래에 위치한 흡수체 시트를 포함할 수 있다. 상기 흡수체 시트는 철, 규소 및 알루미늄을 포함하는 제1 입자, 및 철 및 규소를 포함하는 제2 입자를 포함할 수 있다. 상기 제2 입자의 상기 제1 입자에 대한 비율은 3:7 이상일 수 있다.

도 1은 본 개시의 일 실시예에 따른, 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블록도이다.
도 2는 본 개시의 일 실시예에 따른, 전자 장치의 펼쳐진 상태를 도시한 도면이다.
도 3은 본 개시의 일 실시예에 따른, 전자 장치의 접힌 상태를 도시한 도면이다.
도 4는 본 개시의 일 실시예에 따른, 전자 장치의 분해 사시도이다.
도 5는 본 개시의 일 실시예에 따른, 디지털 펜의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 개시의 일 실시예에 따른, 디지털 펜을 도시하는 블록도이다.
도 7은 본 개시의 일 실시예에 따른, 흡수체 시트의 확대도이다.
도 8a는 본 개시의 일 실시예에 따른, 흡수체 시트의 제1 입자의 투자율을 설명하기 위한 도면이다. 도 8b는 본 개시의 일 실시예에 따른, 흡수체 시트의 제2 입자의 투자율을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 개시의 일 실시예에 따른, 전자 부품을 포함하는 전자 장치의 단면도이다.
도 10은 본 개시의 일 실시예에 따른, 힌지 구조를 포함하는 전자 장치의 단면도이다.
도 11은 본 개시의 일 실시예에 따른, 차폐 구조물이 부착된 디지타이저 어셈블리를 설명하기 위한 도면이다.

도 1은 본 개시의 일 실시예에 따른, 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블록도이다.

도 1을 참조하면, 네트워크 환경(100)에서 전자 장치(101)는 제1 네트워크(198)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(102)와 통신하거나, 또는 제2 네트워크(199)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(104) 또는 서버(108)와 통신할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 서버(108)를 통하여 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 프로세서(120), 메모리(130), 입력 모듈(150), 음향 출력 모듈(155), 디스플레이 모듈(160), 오디오 모듈(170), 센서 모듈(176), 인터페이스(177), 연결 단자(178), 햅틱 모듈(179), 카메라 모듈(180), 전력 관리 모듈(188), 배터리(189), 통신 모듈(190), 가입자 식별 모듈(196), 또는 안테나 모듈(197)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(101)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 연결 단자(178))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성 요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 이 구성요소들 중 일부들(예: 센서 모듈(176), 카메라 모듈(180), 또는 안테나 모듈(197))은 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160))로 통합될 수 있다.

프로세서(120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(140))를 실행하여 프로세서(120)에 연결된 전자 장치(101)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)을 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(120)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(176) 또는 통신 모듈(190))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(132)에 저장하고, 휘발성 메모리(132)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(134)에 저장할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 프로세서(120)는 메인 프로세서(121)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서), 또는 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(123)(예: 그래픽 처리 장치, 신경망 처리 장치(NPU: neural processing unit), 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)가 메인 프로세서(121) 및 보조 프로세서(123)를 포함하는 경우, 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)보다 저전력을 사용하거나, 또는 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.

보조 프로세서(123)는, 예를 들면, 메인 프로세서(121)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(121)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)와 함께, 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160), 센서 모듈(176), 또는 통신 모듈(190))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성 요소(예: 카메라 모듈(180) 또는 통신 모듈(190))의 일부로서 구현될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 신경망 처리 장치)는 인공지능 모델의 처리에 특화된 하드웨어 구조를 포함할 수 있다. 인공지능 모델은 기계 학습을 통해 생성될 수 있다. 이러한 학습은, 예를 들어, 인공지능이 수행되는 전자 장치(101) 자체에서 수행될 수 있고, 별도의 서버(예: 서버(108))를 통해 수행될 수도 있다. 학습 알고리즘은, 예를 들어, 지도형 학습(supervised learning), 비지도형 학습(unsupervised learning), 준지도형 학습(semi-supervised learning) 또는 강화 학습(reinforcement learning)을 포함할 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은, 복수의 인공 신경망 레이어들을 포함할 수 있다. 인공 신경망은 심층 신경망(DNN: deep neural network), CNN(convolutional neural network), RNN(recurrent neural network), RBM(restricted boltzmann machine), DBN(deep belief network), BRDNN(bidirectional recurrent deep neural network), 심층 Q-네트워크(deep Q-networks) 또는 상기 중 둘 이상의 조합 중 하나일 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은 하드웨어 구조 이외에, 추가적으로 또는 대체적으로, 소프트웨어 구조를 포함할 수 있다.

메모리(130)는, 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(120) 또는 센서 모듈(176))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(140)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(130)는, 휘발성 메모리(132) 또는 비휘발성 메모리(134)를 포함할 수 있다.

프로그램(140)은 메모리(130)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(142), 미들 웨어(144) 또는 어플리케이션(146)을 포함할 수 있다.

입력 모듈(150)은, 전자 장치(101)의 구성요소(예: 프로세서(120))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 모듈(150)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 키(예: 버튼), 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다.

음향 출력 모듈(155)은 음향 신호를 전자 장치(101)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 모듈(155)은, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있다. 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.

디스플레이 모듈(160)은 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 디스플레이 모듈(160)은, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 디스플레이 모듈(160)은 터치를 감지하도록 설정된 터치 센서, 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 압력 센서를 포함할 수 있다.

오디오 모듈(170)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일 실시예에 따르면, 오디오 모듈(170)은, 입력 모듈(150)을 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 모듈(155), 또는 전자 장치(101)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102)) (예: 스피커 또는 헤드폰))를 통해 소리를 출력할 수 있다.

센서 모듈(176)은 전자 장치(101)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 센서 모듈(176)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다.

인터페이스(177)는 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 인터페이스(177)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.

연결 단자(178)는, 그를 통해서 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 연결 단자(178)는, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.

햅틱 모듈(179)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 햅틱 모듈(179)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.

카메라 모듈(180)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 카메라 모듈(180)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.

전력 관리 모듈(188)은 전자 장치(101)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전력 관리 모듈(188)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.

배터리(189)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성 요소에 전력을 공급할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 배터리(189)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.

통신 모듈(190)은 전자 장치(101)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102), 전자 장치(104), 또는 서버(108))간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(190)은 프로세서(120)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 통신 모듈(190)은 무선 통신 모듈(192)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(194)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제1 네트워크(198)(예: 블루투스, WiFi(wireless fidelity) direct 또는 IrDA(infrared data association)와 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제2 네트워크(199)(예: 레거시 셀룰러 네트워크, 5G 네트워크, 차세대 통신 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부의 전자 장치와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성 요소(예: 단일 칩)으로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성 요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 가입자 식별 모듈(196)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제1 네트워크(198) 또는 제2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(101)를 확인 또는 인증할 수 있다.

무선 통신 모듈(192)은 4G 네트워크 이후의 5G 네트워크 및 차세대 통신 기술, 예를 들어, NR 접속 기술(new radio access technology)을 지원할 수 있다. NR 접속 기술은 고용량 데이터의 고속 전송(eMBB(enhanced mobile broadband)), 단말 전력 최소화와 다수 단말의 접속(mMTC(massive machine type communications)), 또는 고신뢰도와 저지연(URLLC(ultra-reliable and low-latency communications))을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은, 예를 들어, 높은 데이터 전송률 달성을 위해, 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 고주파 대역에서의 성능 확보를 위한 다양한 기술들, 예를 들어, 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO(multiple-input and multiple-output)), 전차원 다중입출력(FD-MIMO: full dimensional MIMO), 어레이 안테나(array antenna), 아날로그 빔형성(analog beam-forming), 또는 대규모 안테나(large scale antenna)와 같은 기술들을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 전자 장치(101), 외부 전자 장치(예: 전자 장치(104)) 또는 네트워크 시스템(예: 제2 네트워크(199))에 규정되는 다양한 요구사항을 지원할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 무선 통신 모듈(192)은 eMBB 실현을 위한 Peak data rate(예: 20Gbps 이상), mMTC 실현을 위한 손실 Coverage(예: 164dB 이하), 또는 URLLC 실현을 위한 U-plane latency(예: 다운링크(DL) 및 업링크(UL) 각각 0.5ms 이하, 또는 라운드 트립 1ms 이하)를 지원할 수 있다.

안테나 모듈(197)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부의 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 안테나 모듈은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 안테나를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제1 네트워크(198) 또는 제2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(190)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(190)과 외부의 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC(radio frequency integrated circuit))이 추가로 안테나 모듈(197)의 일부로 형성될 수 있다.

일 실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 mmWave 안테나 모듈을 형성할 수 있다. 일 실시예에 따르면, mmWave 안테나 모듈은 인쇄회로기판, 상기 인쇄회로기판의 제1 면(예: 아래 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 지정된 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있는 RFIC, 및 상기 인쇄회로기판의 제2 면(예: 윗 면 또는 측 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 상기 지정된 고주파 대역의 신호를 송신 또는 수신할 수 있는 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다.

상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))를 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제2 네트워크(199)에 연결된 서버(108)를 통해서 전자 장치(101)와 외부의 전자 장치(104)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 외부의 전자 장치(102, 또는 104) 각각은 전자 장치(101)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부의 전자 장치들(102, 104 또는 108) 중 하나 이상의 외부 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(101)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(101)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부의 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부의 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(101)로 전달할 수 있다. 전자 장치(101)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 모바일 에지 컴퓨팅(MEC: mobile edge computing), 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다. 전자 장치(101)는, 예를 들어, 분산 컴퓨팅 또는 모바일 에지 컴퓨팅을 이용하여 초저지연 서비스를 제공할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 외부의 전자 장치(104)는 IoT(internet of things) 기기를 포함할 수 있다. 서버(108)는 기계 학습 및/또는 신경망을 이용한 지능형 서버일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 외부의 전자 장치(104) 또는 서버(108)는 제2 네트워크(199) 내에 포함될 수 있다. 전자 장치(101)는 5G 통신 기술 및 IoT 관련 기술을 기반으로 지능형 서비스(예: 스마트 홈, 스마트 시티, 스마트 카, 또는 헬스 케어)에 적용될 수 있다.

본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.

본 문서의 다양한 실시예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", "A 또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나", 및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제 1", "제 2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제 1) 구성요소가 다른(예: 제 2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제 3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.

본 문서의 다양한 실시예들에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로와 같은 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일 실시예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다.

다양한 실시예들에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있으며, 복수의 개체 중 일부는 다른 구성요소에 분리 배치될 수도 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.

도 2는 본 개시의 일 실시예에 따른, 전자 장치의 펼쳐진 상태를 도시한 도면이다. 도 3은 본 개시의 일 실시예에 따른, 전자 장치의 접힌 상태를 도시한 도면이다.

도 2 및 도 3를 참조하면, 전자 장치(101)는, 하우징(201), 상기 하우징(201)의 접힘 가능한 부분을 커버하는 힌지 커버(240), 및 상기 하우징(201)에 의해 형성된 공간 내에 배치된 디스플레이(230)를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 디스플레이(230)에서 출력된 화면이 노출되는 면은 전자 장치(101)의 전면(예: 제1 전면(210a) 및 제2 전면(220a))으로 정의된다. 상기 전면의 반대 면은 전자 장치(101)의 후면(예: 제1 후면(210b) 및 제2 후면(220b))으로 정의된다. 또한, 전면과 후면 사이의 공간을 둘러싸는 면을 전자 장치(101)의 측면(예: 제1 측면(210c) 및 제2 측면(220c))으로 정의된다. 전자 장치(101)의 측면은 제1 하우징(210) 또는 제2 하우징(220) 중 적어도 하나의 측면일 수 있다. 도 2 및 도 3의 전자 장치(101)는 폴더블 전자 장치, 휴대용 전자 장치 또는 휴대용 폴더블 전자 장치로 지칭될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 하우징(201)은 폴더블 하우징으로 지칭될 수 있다.

일 실시예에 따르면, 상기 하우징(201)은 제1 하우징(210), 제1 하우징(210)에 대하여 회전할 수 있는 제2 하우징(220), 제1 후면 커버(280) 및 제2 후면 커버(290)를 포함할 수 있다. 전자 장치(101)의 하우징(201)은 도 2 및 도 3에 도시된 형태 및 결합으로 제한되지 않으며, 다른 형상이나 부품의 조합 및/또는 결합에 의해 구현될 수 있다. 예를 들어, 일 실시 예에서는, 제1 하우징(210)과 제1 후면 커버(280)가 일체로 형성될 수 있고, 제2 하우징(220)과 제2 후면 커버(290)가 일체로 형성될 수 있다.

일 실시예에 따르면, 상기 제1 하우징(210)은 힌지 구조(예: 도 4의 힌지 구조(202))에 연결되며, 제1 방향을 향하는 제1 전면(210a), 및 제1 방향과 반대인 제2 방향을 향하는 제1 후면(210b)을 포함할 수 있다. 상기 제2 하우징(220)은 힌지 구조(202)에 연결되며, 제3 방향을 향하는 제2 전면(220a), 및 상기 제3 방향과 반대인 제4 방향을 향하는 제2 후면(220b)을 포함하며, 상기 힌지 구조(202)를 중심으로 상기 제1 하우징(210)에 대해 회전할 수 있다. 이에 따라, 전자 장치(101)는 접힌(folded) 상태 또는 펼쳐진(unfolded) 상태로 가변할 수 있다. 상기 전자 장치(101)는 접힌(folded) 상태에서 상기 제1 전면(210a)이 상기 제2 전면(220a)에 대면할 수 있으며, 펼쳐진(unfolded) 상태에서 상기 제3 방향이 상기 제1 방향과 동일할 수 있다. 아래에서는, 별도의 언급이 없는 경우, 방향은 전자 장치(101)가 펼쳐진 상태를 기준으로 설명된다.

일 실시예에 따르면, 제1 하우징(210)과 제2 하우징(220)은 폴딩 축(A)을 중심으로 양측에 배치되고, 상기 폴딩 축(A)에 대하여 전체적으로 대칭인 형상을 가질 수 있다. 후술하는 바와 같이, 제1 하우징(210) 및 제2 하우징(220)은 전자 장치(101)의 상태가 펼침 상태인지, 접힌 상태인지, 또는 중간 상태인지 여부에 따라 서로 이루는 각도나 거리가 달라질 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 제2 하우징(220)은, 센서(예: 전면 카메라)들이 배치되는 센서 영역(224)을 추가로 포함하지만, 이외의 영역에서는 상호 대칭적인 형상을 가질 수 있다.

일 실시예에 따르면, 상기 폴딩 축(A)은 평행한 복 수(예: 2 개)의 폴딩 축일 수 있다. 본 개시에서는 폴딩 축(A)의 전자 장치(101)의 길이 방향(Y축 방향)을 따라서 제공되나, 폴딩 축(A)의 방향은 이에 한정되지 않는다. 예를 들어(미도시), 전자 장치(101)는 폭 방향(예: X축 방향)을 따라서 연장된 폴딩 축(A)을 포함할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 디지털 펜이 부착될 수 있는 구조를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)는 상기 디지털 펜을 제1 하우징(210)의 측면 또는 제2 하우징(220)의 측면에 부착시키도록 구성된 자성체를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 디지털 펜이 삽입될 수 있는 구조를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)의 제1 하우징(210)의 측면 또는 제2 하우징(220)의 측면에는 상기 디지털 펜이 삽입될 수 있는 홀(미도시)이 형성될 수 있다.

일 실시예에 따르면, 제1 하우징(210) 및 제2 하우징(220)의 적어도 일부는 디스플레이(230)를 지지하기 위해 선택된 크기의 강성을 갖는 금속 재질이나 비금속 재질로 형성될 수 있다. 상기 금속 재질로 형성된 적어도 일부분은 전자 장치(101)의 그라운드 면(ground plane)을 제공할 수 있으며, 인쇄 회로 기판(예: 도 4의 기판부(260))에 형성된 그라운드 라인과 전기적으로 연결될 수 있다.

일 실시예에 따르면, 상기 센서 영역(224)은 제2 하우징(220)의 일 모서리 또는 일 코너에 인접하여 소정 영역을 가지도록 형성될 수 있다. 다만 센서 영역(224)의 배치, 형상, 및 크기는 도시된 예시에 한정되지 아니한다. 예를 들어, 다른 실시 예에서 센서 영역(224)은 제2 하우징(220)의 다른 코너 혹은 상단 코너와 하단 코너 사이의 임의의 영역 또는 제1 하우징(210)에 제공될 수 있다. 일 실시 예에서, 전자 장치(101)에 내장된 다양한 기능을 수행하기 위한 부품들(components)이 센서 영역(224)을 통해, 또는 센서 영역(224)에 마련된 하나 이상의 개구(opening)를 통해 전자 장치(101)의 전면에 노출될 수 있다. 다양한 실시 예에서, 상기 부품들은 다양한 종류의 센서들을 포함할 수 있다. 상기 센서는, 예를 들어, 전면 카메라, 리시버 또는 근접 센서 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 상기 제1 후면 커버(280)는 상기 전자 장치(101)의 후면에 상기 폴딩 축(A)의 일편에 배치되고, 예를 들어, 실질적으로 직사각형인 가장자리(periphery)를 가질 수 있으며, 제1 하우징(210)에 의해 상기 가장자리가 감싸질 수 있다. 유사하게, 상기 제2 후면 커버(290)는 상기 전자 장치(101)의 후면의 상기 폴딩 축(A)의 다른편에 배치되고, 제2 하우징(220)에 의해 그 가장자리가 감싸질 수 있다.

일 실시예에 따르면, 상기 제1 후면 커버(280) 및 제2 후면 커버(290)는 상기 폴딩 축(A 축)을 중심으로 실질적으로 대칭적인 형상을 가질 수 있다. 다만, 제1 후면 커버(280) 및 제2 후면 커버(290)가 반드시 상호 대칭적인 형상을 가지는 것은 아니며, 다른 실시 예에서, 전자 장치(101)는 다양한 형상의 제1 후면 커버(280) 및 제2 후면 커버(290)를 포함할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 상기 제1 후면 커버(280), 제2 후면 커버(290), 제1 하우징(210), 및 제2 하우징(220)은 전자 장치(101)의 다양한 부품들(예: 인쇄 회로 기판, 또는 배터리)이 배치될 수 있는 공간을 형성할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 전자 장치(101)의 후면에는 하나 이상의 부품(components)이 배치되거나 시각적으로 노출될 수 있다. 예를 들어, 제1 후면 커버(280)의 적어도 일부를 통해 서브 디스플레이(예: 도 4의 서브 디스플레이(244))의 적어도 일부가 시각적으로 노출될 수 있다. 다른 실시 예에서, 제2 후면 커버(290)의 적어도 일부를 통해 하나 이상의 부품 또는 센서가 시각적으로 노출될 수 있다. 다양한 실시 예에서 상기 센서는 근접 센서 및/또는 카메라 모듈(206)(예: 후면 카메라)을 포함할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 센서 영역(224)에 마련된 하나 이상의 개구(opening)를 통해 전자 장치(101)의 전면에 노출된 전면 카메라 또는 제2 후면 커버(290)의 적어도 일부를 통해 노출된 카메라 모듈(206)은 하나 또는 복수의 렌즈들, 이미지 센서, 및/또는 이미지 시그널 프로세서를 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 2개 이상의 렌즈들 (적외선 카메라, 광각 및 망원 렌즈) 및 이미지 센서들이 전자 장치(101)의 한 면에 배치될 수 있다.

일 실시예에 따르면, 상기 힌지 커버(240)는, 제1 하우징(210)과 제2 하우징(220) 사이에 배치되어, 내부 부품(예: 도 4의 힌지 구조(202))을 가릴 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 힌지 커버(240)는, 상기 전자 장치(101)의 상태(펼쳐진 상태(flat state) 또는 접힌 상태(folded state))에 따라, 제1 하우징(210) 및 제2 하우징(220)의 일부에 의해 가려지거나, 외부로 노출될 수 있다.

일 실시예에 따르면, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 전자 장치(101)가 펼쳐진 상태인 경우, 상기 힌지 커버(240)는 제1 하우징(210) 및 제2 하우징(220)에 의해 가려져 노출되지 않을 수 있다. 또 다른 예로, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 전자 장치(101)가 접힌 상태(예: 완전 접힌 상태(fully folded state))인 경우, 상기 힌지 커버(240)는 제1 하우징(210) 및 제2 하우징(220) 사이에서 외부로 노출될 수 있다. 또 다른 예로, 제1 하우징(210) 및 제2 하우징(220)이 소정의 각도를 이루는(folded with a certain angle) 중간 상태(intermediate state)인 경우, 힌지 커버(240)는 제1 하우징(210) 및 제2 하우징(220)의 사이에서 외부로 일부 노출될 수 있다. 다만 이 경우 노출되는 영역은 완전히 접힌 상태보다 적을 수 있다. 일 실시 예에서, 힌지 커버(240)는 곡면을 포함할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 상기 디스플레이(230)는, 상기 하우징(201)에 의해 형성된 공간 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 디스플레이(230)는 하우징(201)에 의해 형성되는 리세스(recess) 상에 안착되며, 전자 장치(101)의 전면의 대부분을 구성할 수 있다. 따라서, 전자 장치(101)의 전면은 디스플레이(230) 및 디스플레이(230)에 인접한 제1 하우징(210)의 일부 영역 및 제2 하우징(220)의 일부 영역을 포함할 수 있다. 전자 장치(101)의 후면은 제1 후면 커버(280), 제1 후면 커버(280)에 인접한 제1 하우징(210)의 일부 영역, 제2 후면 커버(290) 및 제2 후면 커버(290)에 인접한 제2 하우징(220)의 일부 영역을 포함할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 디스플레이(230)는 적어도 일부 영역이 평면 또는 곡면으로 변형될 수 있는 디스플레이를 의미할 수 있다. 예를 들어, 디스플레이(230)는 폴더블(foldable) 또는 플렉서블(flexible)디스플레이 일 수 있다. 일 실시예예 따르면, 상기 디스플레이(230)는 폴딩 영역(233), 폴딩 영역(233)을 기준으로 일측(예: 도 2에 도시된 폴딩 영역(233)의 좌측)에 배치되는 제1 디스플레이 영역(231) 및 타측(예: 도 2에 도시된 폴딩 영역(233)의 우측)에 배치되는 제2 디스플레이 영역(232)을 포함할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 디스플레이(230)는 제1 하우징(210) 상에 배치된 제1 디스플레이 영역(231), 제2 하우징(220) 상에 배치된 제2 디스플레이 영역(232) 및 제1 디스플레이 영역(231)과 제2 디스플레이 영역(232) 사이에 위치한 폴딩 영역(233)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제1 디스플레이 영역(231) 및 제2 디스플레이 영역(232)은 폴딩 축(A)을 기준으로 회전할 수 있다.

다만, 상기 디스플레이(230)의 영역 구분은 예시적인 것이며, 디스플레이(230)는 구조 또는 기능에 따라 복수 (예를 들어, 4 개 이상 혹은 2 개)의 영역으로 구분될 수도 있다. 예를 들어, 도 2에 도시된 실시 예에서는 Y축에 평행하게 연장되는 폴딩 영역(233) 또는 폴딩 축(A축)에 의해 디스플레이(230)의 영역이 구분될 수 있으나, 다른 실시 예에서 디스플레이(230)는 다른 폴딩 영역(예: X 축에 평행한 폴딩 영역) 또는 다른 폴딩 축(예: X 축에 평행한 폴딩 축)을 기준으로 영역이 구분될 수도 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 디스플레이(230)는, 터치 감지 회로, 터치의 세기(압력)를 측정할 수 있는 압력 센서, 및/또는 자기장 방식의 스타일러스 펜을 검출하도록 구성된 디지타이저(미도시)와 결합되거나 인접하여 배치될 수 있다.

일 실시예에 따르면, 제1 디스플레이 영역(231)과 제2 디스플레이 영역(232)은 폴딩 영역(233)을 중심으로 전체적으로 대칭인 형상을 가질 수 있다. 일 실시예(미도시)에 따르면, 제2 디스플레이 영역(232)은, 제1 디스플레이 영역(231)과 달리, 센서 영역(224)의 존재에 따라 컷(cut)된 노치(notch)를 포함할 수 있으나, 이외의 영역에서는 상기 제1 디스플레이 영역(231)과 대칭적인 형상을 가질 수 있다. 다시 말해서, 제1 디스플레이 영역(231)과 제2 디스플레이 영역(232)은 서로 대칭적인 형상을 갖는 부분과, 서로 비대칭적인 형상을 갖는 부분을 포함할 수 있다.

이하, 전자 장치(101)의 상태(예: 펼쳐진 상태(flat state, 또는 unfolded state) 및 접힌 상태(folded state))에 따른 제1 하우징(210) 및 제2 하우징(220)의 동작과 디스플레이(230)의 각 영역을 설명한다.

일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)가 펼쳐진 상태(flat state)(예: 도 2)인 경우, 제1 하우징(210) 및 제2 하우징(220)은 실질적으로 180도의 각도를 이루며 동일 방향을 향하도록 배치될 수 있다. 디스플레이(230)의 제1 디스플레이 영역(231)의 표면과 제2 디스플레이 영역(232)의 표면은 서로 180도를 형성하며, 동일한 방향(예: 전자 장치의 전면 방향)을 향할 수 있다. 폴딩 영역(233)은 제1 디스플레이 영역(231) 및 제2 디스플레이 영역(232)과 동일 평면을 형성할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)가 접힌 상태(folded state)(예: 도 3)인 경우, 제1 하우징(210) 및 제2 하우징(220)은 서로 마주보게 배치될 수 있다. 디스플레이(230)의 제1 디스플레이 영역(231)의 표면과 제2 디스플레이 영역(232)의 표면은 서로 좁은 각도(예: 0도에서 10도 사이)를 형성하며, 서로 마주볼 수 있다. 폴딩 영역(233)은 적어도 일부가 소정의 곡률을 가지는 곡면으로 이루어질 수 있다.

일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)가 중간 상태(미도시)인 경우, 제1 하우징(210) 및 제2 하우징(220)은 서로 소정의 각도(a certain angle)로 배치될 수 있다. 디스플레이(230)의 제1 디스플레이 영역(231)의 표면과 제2 디스플레이 영역(232)의 표면은 접힌 상태보다 크고 펼침 상태보다 작은 각도를 형성할 수 있다. 폴딩 영역(233)은 적어도 일부가 소정의 곡률을 가지는 곡면으로 이루어질 수 있으며, 이 때의 곡률은 접힌 상태(folded state)인 경우보다 작을 수 있다.

도 4는 본 개시의 일 실시예에 따른, 전자 장치의 분해 사시도이다.

도 4를 참조하면, 전자 장치(101)는 하우징(201), 디스플레이(230), 힌지 구조(202), 배터리(250) 및 기판부(260)를 포함할 수 있다. 하우징(201)은 제1 하우징(210), 제2 하우징(220), 제1 후면 커버(280) 및 제2 후면 커버(290)를 포함할 수 있다. 도 4의 제1 하우징(210), 제2 하우징(220), 힌지 커버(240), 제1 후면 커버(280) 및 제2 후면 커버(290)의 구성은 도 2 및/또는 도 3의 제1 하우징(210), 제2 하우징(220), 힌지 커버(240), 제1 후면 커버(280) 및 제2 후면 커버(290)의 구성과 전부 또는 일부와 동일할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 제1 하우징(210) 및 제2 하우징(220)은 힌지 구조(202)의 양측으로 결합되도록 서로 조립될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 제1 하우징(210)은 전자 장치(101)의 부품(예: 제1 회로 기판(262) 및/또는 제1 배터리(252))을 지지할 수 있는 제1 지지 영역(212) 및 상기 제1 지지 영역(212)의 적어도 일부를 둘러싸는 제1 측벽(211)을 포함할 수 있다. 상기 제1 측벽(211)은 전자 장치(101)의 제1 측면(예: 도 2의 제1 측면(210c))을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 제2 하우징(220)은 전자 장치(101)의 부품(예: 제2 회로 기판(264) 및/또는 제2 배터리(254))을 지지할 수 있는 제2 지지 영역(222) 및 상기 제2 지지 영역(222)의 적어도 일부를 둘러싸는 제2 측벽(221)을 포함할 수 있다. 상기 제2 측벽(221)은 전자 장치(101)의 제2 측면(예: 도 2의 제2 측면(220c))을 포함할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 디스플레이(230)는 제1 디스플레이 영역(231), 제2 디스플레이 영역(232), 폴딩 영역(233) 및 서브 디스플레이(244)를 포함할 수 있다. 도 3의 제1 디스플레이 영역(231), 제2 디스플레이 영역(232) 및 폴딩 영역(233)의 구성은 도 1 및/또는 도 2의 제1 디스플레이 영역(231), 제2 디스플레이 영역(232) 및 폴딩 영역(233)의 구성과 전부 또는 일부와 동일할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 서브 디스플레이(244)는 디스플레이 영역(231, 232)과 다른 방향에서 화면을 표시할 수 있다. 예를 들어, 서브 디스플레이(234)는 제1 디스플레이 영역(231)의 반대 방향에서 화면을 출력할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 서브 디스플레이(234)는 제1 후면 커버(280) 상에 배치될 수 있다.

일 실시예에 따르면, 배터리(250)는 제1 하우징(210) 내에 배치된 제1 배터리(252) 및 제2 하우징(220) 내에 배치된 제2 배터리(254)를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제1 배터리(252)는 제1 회로 기판(262)과 연결되고, 제2 배터리(254)는 제2 회로 기판(264)에 연결될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 배터리(250)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성 요소에 전력을 공급할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 배터리(250)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 기판부(260)는 제1 하우징(210) 내에 배치된 제1 회로 기판(262) 및 제2 하우징(220) 내에 배치된 제2 회로 기판(264)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제1 회로 기판(262)과 제2 회로 기판(264)은 적어도 하나의 가요성 회로 기판(266)에 의하여 전기적으로 연결될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 가요성 회로 기판(266)의 적어도 일부는 힌지 구조(202)를 가로질러 배치될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 제1 회로 기판(262)과 제2 회로 기판(264)은, 제1 하우징(210), 제2 하우징(220), 제1 후면 커버(280) 및 제2 후면 커버(290)에 의해 형성되는 공간의 내부에 배치될 수 있다. 제1 회로 기판(262)과 제2 회로 기판(264)에는 전자 장치(101)의 다양한 기능을 구현하기 위한 부품들이 배치될 수 있다.

일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 스피커(208a, 208b)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 스피커(208a, 2008b)는 전기 신호를 소리로 변환할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 스피커(208a, 208b)은 제1 하우징(210), 제2 하우징(220), 제1 후면 커버(280) 및 제2 후면 커버(290)에 의해 형성되는 공간의 내부에 배치될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 스피커(208a, 208b)는 전자 장치(101)의 상부(+Y 방향)에 위치한 상부 스피커(208a) 및 전자 장치(101)의 하부(-Y 방향)에 위치한 하부 스피커(208b)를 포함할 수 있다. 본 개시에서 스피커(208a, 208b)는 하나의 하우징(예: 도 4의 제1 하우징(210)) 내에 위치한 것으로 도시되었으나 이는 선택적인 구조이다. 예를 들어, 스피커(208a, 208b)는 제1 하우징(210) 또는 제2 하우징(220) 중 적어도 하나 내에 위치할 수 있다. 도 4의 스피커(208a, 208b)의 구성은 도 1의 음향 출력 모듈(155)의 구성과 전부 또는 일부와 동일할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 리어 부재(270)(또는 리어 케이스)를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 리어 부재(270)는 하우징(201)(예: 제2 하우징(220)) 내에 배치될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 리어 부재(270)는 적어도 하나의 안테나(275)를 수용할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 안테나(275)를 포함할 수 있다. 안테나(275a, 275b)는 예를 들어, UWB(ultra wide band) 안테나(275a), NFC(near field communication) 안테나, 무선 충전 안테나, 및/또는 MST(magnetic secure transmission) 안테나(275b)를 포함할 수 있다. 안테나(275)는 예를 들어, 외부 장치와 근거리 통신을 하거나, 충전에 필요한 전력을 무선으로 송수신 할 수 있다.

일 실시예에서는, 하우징(201)의 일부 또는 그 조합에 의하여 안테나 구조가 형성될 수 있다. 예를 들어, 안테나(275)는 전자 장치(101)의 외부로 적어도 일부가 노출되고, 전자 장치(101)의 외부의 적어도 일부를 형성하는 통신 안테나(275c)를 포함할 수 있다. 상기 통신 안테나(275c)는 외부 전자 장치와의 통신(예: 와이파이)을 위하여 사용될 수 있다. 통신 안테나(275c)는 리어 부재(270)의 상부(271a) 또는 하부 (271b)에 연결될 수 있다.

이하의 상세한 설명에서, 한 쌍의 하우징(또는, '하우징'이라 함)이 힌지 구조(또는, '힌지 구조'라 함)에 의해 회전 가능하게 결합된 구성에 관해 예시될 수 있다. 하지만 이러한 실시예가 본 문서에 개시된 다양한 실시예에 따른 전자 장치를 한정하지 않음에 유의한다. 예를 들어, 본 문서에 개시된 다양한 실시예에 따른 전자 장치는 세개 이상의 하우징을 포함할 수 있으며, 이하에서 개시하는 실시예의 "한 쌍의 하우징"는 "세개 이상의 하우징 중 서로 회전 가능하게 결합된 두개의 하우징"를 의미할 수 있다.

본 문서에서는 전자 장치(101)는 폴더블 전자 장치의 구조로 설명되었으나, 전자 장치(101)의 구조는 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 전자 장치(101)는 타블렛, 또는 바 형상의 스마트폰일 수 있다.

도 5는 본 개시의 일 실시예에 따른, 디지털 펜의 동작을 설명하기 위한 도면이다.

도 5를 참조하면, 전자 장치(300)는 디스플레이(310), 디지타이저(320), 흡수체 시트(330) 및 금속 시트(340)를 포함할 수 있다. 도 5의 전자 장치(101) 및 디스플레이(310)의 구성은 도 2, 도 3 및/또는 도 4의 전자 장치(101) 및 디스플레이(230)의 구성과 전부 또는 일부와 동일할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 디지타이저(320)는 디지털 펜(예: 도 6의 디지털 펜(400))(예: 전자기 유도체)의 입력을 감지하기 위한 패널일 수 있다. 디지타이저(320)는 전자기 유도 패널로 지칭될 수 있다. 상기 디지털 펜은 EMR(electro-magnetic resonance), AES(active electrical stylus), 또는 ECR(electric coupled resonance) 방식을 사용하여 전자 장치(101)에 입력을 제공할 수 있다. 상기 디지털 펜은 스타일러스로 지칭될 수 있다. 예를 들어, 디지타이저(320)는 회로 기판(예: 인쇄 회로 기판 또는 가요성 인쇄 회로 기판) 및 상기 회로 기판 내에 위치한 복수의 코일들을 포함할 수 있다. 상기 복수의 코일들은 자기장을 발생시킬 수 있다. 디지털 펜은 디지타이저에서 발생된 자기장에 기초하여 공진될 수 있고, 공진에 의하여 디지털 펜의 코일에서 자기장이 형성될 수 있다. 디지털 펜으로부터 형성된 자기장에 의하여, 디지타이저(320)의 코일들로부터 전류가 출력될 수 있다. 전자 장치(101)는 디지타이저(320)의 복수 개의 코일들로부터 출력된 채널 별 전류의 크기(예: 변환된 디지털 값들)에 기반하여, 디지털 펜(400)의 위치를 확인(또는 감지)할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 디지타이저(320)는 송신 패턴이 형성된 패턴 층 및 수신 패턴이 형성된 패턴 층을 포함할 수 있다. 송신 패턴 및 수신 패턴층은 상호 적층되어, 전자기장을 생성 또는 감지할 수 있다. 전자 장치(101)는 디지타이저(320)를 이용하여, EMR 방식을 통해 디지털 펜으로부터 발생되는 자기장을 검출하고, 디지털 펜의 접근, 클릭 또는 드래그와 같은 다양한 모션을 감지할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 디지타이저(320)는 디지털 펜(400)의 움직임에 기초하여 자기장을 발생시킬 수 있는 코일(321, 321)들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 디지타이저(320)는 디스플레이(310)를 향하는 제1 코일(321) 및 흡수체 시트(330)를 향하는 제2 코일(322)을 포함할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 디지타이저(320)는 디스플레이(310)의 일부로 지칭될 수 있다. 예를 들어, 디스플레이(310) 및 디지타이저(320)는 하나의 모듈화된 부품(예: 디스플레이 어셈블리)으로 제공될 수 있다.

일 실시예에 따르면, 흡수체 시트(330)는 디지털 펜(400)의 입력(예: 근접)을 감지하기 위한 감도를 향상시킬 수 있다. 예를 들어, 흡수체 시트(330)는 디지털 펜(400)의 코일(401)의 인덕턴스를 증가시킬 수 있다. 예를 들어, 흡수체 시트(330)는 코일(401)의 인덕턴스를 증가시키기 위하여 지정된 투자율 및/또는 두께를 가질 수 있다. 일 실시예에 따르면, 흡수체 시트(330)는 디지타이저(320)를 지지할 수 있다. 예를 들어, 흡수체 시트(330)는 디지타이저(320)의 아래(-Z 방향)에 위치할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 흡수체 시트(330)는 디지타이저(320)의 전자기 간섭을 감소시킬 수 있다. 일 실시예에 따르면, 흡수체 시트(330)는 금속 자성체 분말(magnetic metal powder)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 흡수체 시트(330)는 디지타이저(320)의 아래에 도포된 금속 자성체 분말의 층으로 지칭될 수 있다. 흡수체 시트(330)는 디지털 펜으로부터 입력되는 신호 이외에 하우징(예: 도 4의 하우징(201)) 내에 위치한 전자 부품의 자기장의 디지타이저(320)로 전달되는 크기를 감소시킬 수 있다. 디지타이저(320)로 전달되는 전자 장치(101) 내부에 위치한 전자 부품의 자기장이 감소됨으로써, 디지타이저(320)의 노이즈가 감소될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 흡수체 시트(330)는 고주파 흡수체 시트로 지칭될 수 있다.

일 실시예에 따르면, 금속 시트(340)는 균일한 인덕턴스를 제공할 수 있다. 예를 들어, 금속 시트(340)는 금속(예: 구리)을 포함하고, 와전류(eddy current)로 인한 상쇄 간섭을 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 금속 시트(340)는 디지타이저(320) 및 흡수체 시트(330)를 지난 자기장의 적어도 일부를 금속 시트(340)의 내부에 흐르게 함으로써, 디지타이저(320)에 발생되는 와전류를 감소시킬 수 있다.

일 실시예에 따르면, 금속 시트(340)는 디지타이저(320) 및/또는 흡수체 시트(330)를 지지할 수 있다. 예를 들어, 금속 시트(340)는 흡수체 시트(330)의 아래(-Z)에 배치될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 금속 시트(340)는 지지 시트 또는 지지 플레이트로 지칭될 수 있다.

일 실시예에 따르면, 디지털 펜(400)은 디지타이저(320)에서 발생된 자기장에 반응할 수 있다. 예를 들어, 디지털 펜(400)은 디지타이저(320)에서 발생된 자기장에 기초하여 공진되도록 구성된 코일(401)을 포함할 수 있다. 디지털 펜(400)은 코일(401)의 공진을 이용하여 자기장을 발생시킬 수 있다. 디지타이저(320)는 디지털 펜(400)에서 발생된 자기장에 기초하여 전류를 출력할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 디지털 펜(400)은 커패시터를 이용하여 전력을 저장할 수 있다. 예를 들어, 디지털 펜(400)은 적어도 하나의 가변 커패시터(402) 및 적어도 하나의 고정 커패시터(403)를 포함할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 전자 장치(300)의 메모리(예: 도 1의 메모리(130))는 간섭이 없는 상태의 디지털 펜(400)의 동작에 대한 캘리브레이션(calibaration) 값을 저장할 수 있다. 전자 장치(300)의 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120))는 상기 메모리(130)에 저장된 캘리브레이션 값을 이용하여 디지털 펜(400)의 입력을 판단할 수 있다. 다만, 주변의 자석에서 발생된 자기장에 의하여, 디지타이저(320) 및/또는 흡수체 시트(330)의 투자율이 변경될 때, 상기 프로세서(120)의 디지털 펜(400)의 위치 판단의 정확도가 감소될 수 있다. 흡수체 시트(330)는 투자율의 변경을 감소시키기 위한 포화 자속 밀도 값을 가질 수 있다.

도 6은 본 개시의 일 실시예에 따른, 디지털 펜을 도시하는 블록도이다.

도 6을 참조하면, 디지털 펜(400)은, 프로세서(460), 메모리(470), 공진 회로(487), 충전 회로(488), 배터리(489), 통신 회로(490), 안테나(497) 및/또는 트리거 회로(498)를 포함할 수 있다. 어떤 실시예들에서는, 상기 디지털 펜(400)의 프로세서(460), 공진 회로(487)의 적어도 일부, 및/또는 통신 회로(490)의 적어도 일부는 인쇄회로기판 상에 또는 칩 형태로 구성될 수 있다. 상기 프로세서(460), 공진 회로(487) 및/또는 통신 회로(490)는 메모리(470), 충전 회로(488), 배터리(489), 안테나(497) 또는 트리거 회로(498)와 전기적으로 연결될 수 있다. 일 실시예에 따른 디지털 펜(400)은, 공진 회로와 버튼만으로 구성될 수 있다.

상기 프로세서(460)는, 커스터마이즈드(customized) 하드웨어 모듈 또는 소프트웨어(예를 들어, 어플리케이션 프로그램)를 실행하도록 구성된 제너릭(generic) 프로세서를 포함할 수 있다. 상기 프로세서는, 디지털 펜(400)에 구비된 다양한 센서들, 데이터 측정 모듈, 입출력 인터페이스, 디지털 펜(400)의 상태 또는 환경을 관리하는 모듈 또는 통신 모듈 중 적어도 하나를 포함하는 하드웨어적인 구성 요소(기능) 또는 소프트웨어적인 요소(프로그램)를 포함할 수 있다. 상기 프로세서(460)는 예를 들어, 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어(firmware) 중 하나 또는 둘 이상의 조합을 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프로세서(460)는 공진 회로(487)를 통해 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101))의 디스플레이 모듈(160)에 포함된 디지타이저로부터 발생되는 전자기장 신호에 상응하는 근접 신호를 수신할 수 있다. 상기 근접 신호가 확인되면, 전자기 공명 방식(electro-magnetic resonance, EMR) 입력 신호를 전자 장치(101)로 전송하도록 공진 회로(487)를 제어할 수 있다.

상기 메모리(470)는 디지털 펜(400)의 동작에 관련된 정보를 저장할 수 있다. 예를 들어, 상기 정보는 상기 전자 장치(101)와의 통신을 위한 정보 및 디지털 펜(400)의 입력 동작에 관련된 주파수 정보를 포함할 수 있다.

상기 공진 회로(487)는, 코일(coil), 인덕터(inductor) 또는 캐패시터(capacitor) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 공진 회로(487)는, 상기 디지털 펜(400)이 공진 주파수를 포함하는 신호를 생성하는데 이용될 수 있다. 예를 들어, 상기 신호 생성을 위해, 디지털 펜(400)은 EMR(electro-magnetic resonance) 방식, AES(active electrostatic) 방식, 또는 ECR(electrically coupled resonance) 방식 중 적어도 하나를 이용할 수 있다. 디지털 펜(400)이 EMR 방식에 의하여 신호를 전송하는 경우, 디지털 펜(400)은 전자 장치(101)의 유도성 패널(inductive panel)로부터 발생되는 전자기장(electromagnetic field)에 기반하여, 공진 주파수를 포함하는 신호를 생성할 수 있다. 디지털 펜(400)이 AES 방식에 의하여 신호를 전송하는 경우, 디지털 펜(400)은 전자 장치(101)와 용량 결합(capacity coupling)을 이용하여 신호를 생성할 수 있다. 디지털 펜(400)이 ECR 방식에 의하여 신호를 전송하는 경우, 디지털 펜(400)은 전자 장치의 용량성(capacitive) 장치로부터 발생되는 전기장(electric field)에 기반하여, 공진 주파수를 포함하는 신호를 생성할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 공진 회로(487)는 사용자의 조작 상태에 따라 전자기장의 세기 또는 주파수를 변경시키는데 이용될 수 있다. 예를 들어, 상기 공진 회로(487)는, 호버링 입력, 드로잉 입력, 버튼 입력 또는 이레이징 입력을 인식하기 위한 주파수를 제공할 수 있다.

상기 충전 회로(488)는 스위칭 회로에 기반하여 공진 회로(487)와 연결된 경우, 공진 회로(487)에서 발생되는 공진 신호를 직류 신호로 정류하여 배터리(489)에 제공할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 디지털 펜(400)은 충전 회로(488)에서 감지되는 직류 신호의 전압 레벨을 이용하여, 보호 커버(예: 도 5의 보호 커버(300))에 디지털 펜(400)이 삽입되었는지 여부를 확인할 수 있다.

상기 배터리(489)는 디지털 펜(400)의 동작에 요구되는 전력을 저장하도록 구성될 수 있다. 상기 배터리는, 예를 들어, 리튬-이온 배터리, 또는 캐패시터를 포함할 수 있으며, 충전식 또는 교환식 일 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 배터리(489)는 충전 회로(488)로부터 제공받은 전력(예를 들어, 직류 신호(직류 전력))을 이용하여 충전될 수 있다.

상기 통신 회로(490)는, 디지털 펜(400)과 전자 장치(예: 도 1의 전자 장치(101))의 통신 모듈(예: 도 1의 통신 모듈(190)) 간의 무선 통신 기능을 수행하도록 구성될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 통신 회로(490)는 근거리 통신 방식을 이용하여 디지털 펜(400)의 상태 정보 및 입력 정보를 전자 장치(101)로 전송할 수 있다. 예를 들어, 통신 회로(490)는 트리거 회로(498)를 통해 획득한 디지털 펜(400)의 방향 정보(예: 모션 센서 데이터), 마이크로 폰을 통해 입력된 음성 정보 또는 배터리(489)의 잔량 정보를 전자 장치(101)로 전송할 수 있다. 일 예로, 근거리 통신 방식은 블루투스, BLE(bluetooth low energy) 또는 무선랜 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.

상기 안테나(497)는 신호 또는 전력을 외부(예를 들어, 상기 전자 장치(101))로 송신하거나 외부로부터 수신하는데 이용될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 디지털 펜(400)은, 복수의 안테나(497)들을 포함할 수 있고, 이들 중에, 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나(497)를 선택할 수 있다. 상기 선택된 적어도 하나의 안테나(497)를 통하여, 통신 회로(490)는 신호 또는 전력을 외부 전자 장치와 교환할 수 있다.

상기 트리거 회로(498)는 적어도 하나의 버튼 또는 센서 회로를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 프로세서(460)는 디지털 펜(400)의 버튼의 입력 방식(예를 들어, 터치 또는 눌림) 또는 종류(예를 들어, EMR 버튼 또는 BLE 버튼)를 확인할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 센서 회로는 디지털 펜(400)의 내부의 작동 상태 또는 외부의 환경 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 예를 들어, 센서 회로는 모션 센서, 배터리 잔량 감지 센서, 압력 센서, 광 센서, 온도 센서, 지자계 센서, 생체 센서 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 트리거 회로(498)는 버튼의 입력 신호 또는 센서를 통한 신호를 이용하여 전자 장치(101)로 트리거 신호를 전송할 수 있다.

도 6의 공진 회로(487) 및 배터리(489)의 구성은 도 5의 코일(401) 및 커패시터(402, 403)의 구성과 전부 또는 일부와 동일할 수 있다.

도 7은 본 개시의 일 실시예에 따른, 흡수체 시트의 확대도이다. 도 8a는 본 개시의 일 실시예에 따른, 흡수체 시트의 제1 입자의 투자율을 설명하기 위한 도면이다. 도 8b는 본 개시의 일 실시예에 따른, 흡수체 시트의 제2 입자의 투자율을 설명하기 위한 도면이다. 도 8a 및 도 8b에서, Y축은 투자율(단위: μ)을 나타내고, X축은 입자의 크기(단위: ㎛)를 나타낸다.

도 7을 참조하면, 흡수체 시트(330)는 제1 입자(331) 및 제2 입자(332)를 포함할 수 있다. 도 7의 흡수체 시트(330)의 구성은 도 5의 흡수체 시트(330)의 구성과 전부 또는 일부와 동일할 수 있다. 도 7에서 설명된 흡수체 시트(330)의 구조는 본 문서에 기재된 흡수체 시트(330)에 적용될 수 있다.

일 실시예에 따르면, 흡수체 시트(330)는 성능 계수 및 성능 유지율을 구현하기 위한 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 흡수체 시트(330)는 상이한 재료를 가지는 제1 입자(331) 및 제2 입자(332)를 포함할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 제1 입자(331)는 흡수체 시트(330)의 투자율을 향상시키기 위한 재료로 제작될 수 있다. 제1 입자(331)는 철(Fe), 규소(Si) 및 알루미늄(Al)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 입자(331)는 철, 규소 및 알루미늄 합금 분말일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제1 입자(331)는 플레이크(flake) 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 입자(331)는 플레이크 형상으로 가공된 철, 규소, 및 알루미늄 합금 분말일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제1 입자(331)의 입자 크기는 90㎛이하일 수 있다. 예를 들어, 제1 입자(331)의 입자 크기는 40 내지 90㎛일 수 있다.

일 실시예에 따르면, 제2 입자(332)는 포화 자속 밀도를 향상시키기 위한 재료로 제작될 수 있다. 제2 입자(332)는 철(Fe) 및 규소(Si)를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제2 입자(332)의 입자 크기는 15㎛이상일 수 있다. 예를 들어, 제2 입자(332)의 입자 크기는 20 내지 40㎛일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제2 입자(332)의 입자 크기는 15 내지 40㎛일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제2 입자(332)는 제1 입자(331)가 형성하는 빈 공간 내에 위치할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 제2 입자(332)는 플레이크(flake) 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 입자(332)는 플레이크 형상으로 가공된 철 및 규소 합금 분말일 수 있다.

일 실시예에 따르면, 제1 입자(331)의 투자율은 제2 입자(332)의 투자율보다 높을 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제2 입자(332)의 포화 자속 밀도는 제1 입자(331)의 포화 자속 밀도보다 높을 수 있다. 예를 들어, 제2 입자(332)의 성능 계수는 제1 입자(331)의 성능 계수보다 높을 수 있다.

일 실시예에 따르면, 제1 입자(331)의 투자율은 약 200μ일 수 있다. 제2 입자(331)의 포화자속밀도는 약 0.8T일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제2 입자(332)의 투자율은 약 60 내지 80일 수 있다. 제2 입자(332)의 포화자속밀도는 약 1.6T일 수 있다.

본 문서에서 제1 입자(331) 및/또는 제2 입자(332)의 입자 크기(또는 입도 크기)는 D50의 방법으로 정의될 수 있다. 예를 들어, 제1 입자(331) 입자 크기는 중간 값에 해당하는 입자 크기로 지칭될 수 있다.

일 실시예에 따르면, 제1 입자(331) 및 제2 입자(332)를 포함하는 흡수체 시트(330)는 지정된 투자율을 가질 수 있다. 예를 들어, 흡수체 시트(330)는 디지털 펜(예: 도 5 및/또는 도 6의 디지털 펜(400))의 인덕턴스 향상을 위한 투자율을 가질 수 있다. 일 실시예에 따르면, 흡수체 시트(330)는 100μ 이상의 투자율을 가질 수 있다. 상기 디지털 펜(400))의 인덕턴스 향상을 위하여, 흡수체 시트(330)의 성능 계수(CP)는 아래의 [수학식 1]을 만족할 수 있다.

[수학식 1]에서, D는 흡수체 시트(330)의 두께(D)를 지칭하고, P는 흡수체 시트(330)의 투자율을 지칭할 수 있다. 예를 들어, 흡수체 시트(330)의 성능 계수(CP)는 흡수체 시트(330)의 두께(D)와 흡수체 시트(330)의 투자율(P)의 곱일 수 있다. 흡수체 시트(330)의 성능 계수(CP)는 약 4700이상일 수 있다. 일 실시예에서, 흡수체 시트(330)의 성능 계수(CP)는 약 4750일 수 있다. 전자 장치(예: 도 2의 전자 장치(101))의 박형화 및 경량화를 위하여, 흡수체 시트(330)의 두께(D)는 제한될 수 있다. 예를 들어, 흡수체 시트(330)의 두께(D)는 약 40 내지 50㎛일 수 있다.

흡수체 시트(330)의 성능 계수(CP)는 선택적으로 설계될 수 있다. 일 실시예에서, 흡수체 시트(330)의 성능 계수(CP)는 약 3000이상일 수 있다. 흡수체 시트(330)의 성능 계수(CP)가 3000이상으로 설계됨으로써, 디지타이저(320)에 의한 디지털 펜(400)의 입력(예: 호버링(hovering))감지가 가능할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 흡수체 시트(330)는 지정된 포화 자속 밀도를 가질 수 있다. 흡수체 시트(330)는 다른 부품(예: 전자 부품(370) 및/또는 힌지 구조(380))으로 인한 인덕턴스 강하를 감소시키기 위한 포화 자속 밀도를 가질 수 있다. 일 실시예에 따르면, 흡수체 시트(330)는 1.5T이상의 포화 자속 밀도를 가질 수 있다.

일 실시예에 따르면, 흡수체 시트(330)가 지정된 포화 자속 밀도를 가짐으로써, 흡수체 시트(330)의 성능 유지율은 아래의 [수학식 2]를 만족할 수 있다. 흡수체 시트(330)의 성능 유지율은 지정된 크기의 자기장이 흡수체 시트(330)에 가해지지 않은 상태의 제2 투자율 대비 지정된 크기의 자기장(예: 50 Gauss)이 흡수체 시트(330)에 가해진 상태의 제1 투자율의 비율일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 흡수체 시트(330)에 가해지는 지정된 크기의 자기장은 예시적이다. 예를 들어, 전자 장치(300)의 부품(예: 도 4의 힌지 구조(202))에서 흡수체 시트(330)로 전달되는 자기장 중 디지타이저(320)의 성능 유지를 위하여 차폐가 필요한 자기장 값 중 최소값일 수 있다.

흡수체 시트(330)의 성능 유지율(CM)은 아래의 [수학식 2]를 만족할 수 있다. 흡수체 시트(330)의 성능 유지율(CM)은 내성 계수로 지칭될 수 있다.

상기 [수학식 2]에서, CP1은 지정된 크기의 자기장(예: 50Gauss 또는 40Gauss)이 흡수체 시트(330)에 가해진 상태의 흡수체 시트(330)의 성능 계수로 지칭될 수 있다. CP2는 지정된 크기의 자기장(예: 50Gauss 또는 40Gauss)이 흡수체 시트(330)에 가해진 상태의 흡수체 시트(330)의 성능 계수로 지칭될 수 있다. 흡수체 시트(330)에 가해지는 자기장의 크기의 수치는 예시적이다. 예를 들어, CP1은 자기장을 발생시키도록 구성된 전자 부품(370) 또는 힌지 구조(380)와 대면 또는 인접하는 위치의 흡수체 시트(330)의 성능 계수일 수 있다. CP2는 자기장을 발생시키도록 구성된 전자 부품(370) 또는 힌지 구조(380)와 대면 또는 인접하지 않은 위치의 흡수체 시트(330)의 성능 계수 또는 전자 부품(370) 또는 힌지 구조(380)가 제거된 상태의 흡수체 시트(330)를 이용하여 검출된 성능 계수로 지칭될 수 있다.

일 실시예에 따르면, 흡수체 시트(330)는 30% 이상의 성능 유지율을 가질 수 있다. 흡수체 시트(330)가 30% 이상의 성능 유지율을 가짐으로써, 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120))의 디지털 펜(400)의 위치 판단의 정확도가 증대될 수 있다. 예를 들어, 성능 유지율이 높을수록 흡수체 시트(330)의 투자율 변경이 감소되고, 프로세서(120)의 캘리브레이션의 정확도가 증가될 수 있다.

흡수체 시트(330)의 성능 유지율의 설계는 변경될 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서, 흡수체 시트(330)는 20% 이상의 성능 유지율을 가질 수 있다. 일 실시예에서, 흡수체 시트(330)는 15% 이상의 성능 유지율을 가질 수 있다.

일 실시예에 따르면, 흡수체 시트(330)는 성능 계수 및 성능 유지율을 구현하기 위한 조성비를 가지는 제1 입자(331)와 제2 입자(332)를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 흡수체 시트(330) 대비 제1 입자(331)의 중량비는 30w%이하일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 흡수체 시트(330) 대비 제2 입자(332)의 중량비는 70w%이상일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제2 입자(332)의 배합 비율은 약 80% 내지 90%일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제2 입자(332)의 제1 입자(331)에 대한 비율은 3:7 이상일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 흡수체 시트(330)는 제1 입자(331) 및 제2 입자(332)로 구성될 수 있다.

일 실시예에 따르면, 흡수체 시트(330)의 투자율(P)은 제1 입자(331) 및 제2 입자(332)의 비율에 기초하여 결정될 수 있다. 예를 들어, 흡수체 시트(330)의 투자율(P)은 제1 입자(331)의 투자율과 제1 입자(331)의 비율의 곱과 제2 입자(332)의 투자율과 제2 입자(332)의 비율의 곱의 합일 수 있다.

도 8a를 참조하면, 제1 입자(331)의 투자율은 제1 입자(331)의 입자 크기에 기초하여 변경될 수 있다. 예를 들어, 제1 입자(331)의 제1 입자 크기(d1)에 따른, 제1 투자율을 나타내는 제1 그래프(g1)를 참조하면, 제1 입자(331)의 제1 투자율(E1)은 실질적으로 아래의 [수학식 3]을 만족할 수 있다.

도 8b를 참조하면, 제2 입자(332)의 투자율은 제2 입자(332)의 입자 크기에 기초하여 변경될 수 있다. 예를 들어, 제2 그래프(g2)는 제2 입자(332)의 제2 입자 크기(d2)에 따른, 제2 투자율(E2)을 나타낸다. 제2 입자(332)의 제2 투자율(E2)은 실질적으로 아래의 [수학식 4]를 만족할 수 있다.

흡수체 시트(330)의 제1 입자(331) 및 제2 입자(332)의 비율, 투자율 및/또는 입자 크기는 성능 계수 및 성능 유지율을 구현하기 위하여 선택될 수 있다. 예를 들어, 제1 입자(331) 및 제2 입자(332)의 비율, 투자율 및/또는 입자 크기는 지정된 크기(예: 4750)의 성능 계수 및 지정된 크기(예: 20% 또는 30%)이상의 성능 유지율을 구현하기 위하여 선택될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 흡수체 시트(330)의 두께에 기초하여, 제1 입자(331) 및 제2 입자(332)의 비율, 투자율 및/또는 성능 유지율은 변경될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 지정된 크기의 자기장(예: 50 Gauss)이 흡수체 시트(330)에 가해진 상태에서, 제1 입자(331)의 투자율은 약 87%감쇄되고, 제2 입자(332)의 투자율은 약 64%감쇄될 수 있다.

제1 실시예 내지 제6 실시예는 흡수체 시트(330)의 구조를 설명하는 예시적인 실시예들이다.

일 실시예에 따르면, 제1 입자(331)에 지정된 크기(예: 50 Gauss)의 자기장이 가해진 경우, 제1 입자(331)의 성능 유지율은 13%일 수 있다. 제2 실시예의 제2 입자(332)에 지정된 크기(예: 50 Gauss)의 자기장이 가해진 경우, 성능 유지율은 약 36%일 수 있다.

일 실시예(예: 제1 실시예, 제2 실시예 및 제3 실시예)에 따르면, 흡수체 시트(330)의 두께는 약 50㎛일 수 있다.

일 실시예(제1 실시예)에서, 흡수체 시트(330)는 제1 입자(331)를 포함하지 않고 제2 입자(332)를 포함할 수 있다. 제2 입자(332)의 입자 크기는 약 34.6㎛이고, 투자율은 95.048μ일 수 있다. 제1 실시예의 흡수체 시트(330)의 투자율은 약 95 μ이고, 성능 계수는 약 4750이고, 지정된 크기(예: 50 Gauss)의 자기장이 가해진 경우의 투자율은 약 34μ이고, 성능 유지율은 약 36%일 수 있다.

일 실시예(제2 실시예)에서, 흡수체 시트(330)는 약 11w%의 중량비를 가지는 제1 입자(331) 및 약 89%의 중량비를 가지는 제2 입자(332)를 포함할 수 있다. 제1 입자(331)의 입자 크기는 약 76㎛이고, 투자율은 약 240μ일 수 있다. 제2 입자(332)의 입자 크기는 약 25㎛이고, 투자율은 약 77μ일 수 있다. 제2 실시예의 흡수체 시트(330)의 투자율은 약 95 μ이고, 성능 계수는 약 4747이고, 지정된 크기(예: 50 Gauss)의 자기장이 가해진 경우의 투자율은 약 28μ이고, 성능 유지율은 약 30%일 수 있다.

일 실시예(제3 실시예)에서, 흡수체 시트(330)는 약 25w%의 중량비를 가지는 제1 입자(331) 및 약 75%의 중량비를 가지는 제2 입자(332)를 포함할 수 있다. 제1 입자(331)의 입자 크기는 약 20㎛이고, 투자율은 약 100μ일 수 있다. 제2 입자(332)의 입자 크기는 약 33.7㎛이고, 투자율은 약 93.356μ일 수 있다. 제3 실시예의 흡수체 시트(330)의 투자율은 약 95 μ이고, 성능 계수는 약 4751이고, 지정된 크기(예: 50 Gauss)의 자기장이 가해진 경우의 투자율은 약 28μ이고, 성능 유지율은 약 30%일 수 있다.

일 실시예(예: 제4 실시예, 제5 실시예 및 제6 실시예)에 따르면, 흡수체 시트(330)의 두께는 약 40㎛일 수 있다.

일 실시예(제4 실시예)에서, 흡수체 시트(330)는 제1 입자(331)를 포함하지 않고 제2 입자(332)를 포함할 수 있다. 제2 입자(332)의 입자 크기는 약 47.3㎛이고, 투자율은 약 118.924μ일 수 있다. 제4 실시예의 흡수체 시트(330)의 투자율은 약 119μ이고, 성능 계수는 약 4757이고, 지정된 크기(예: 50 Gauss)의 자기장이 가해진 경우의 투자율은 약 43μ이고, 성능 유지율은 약 36%일 수 있다.

일 실시예(제5 실시예)에서, 흡수체 시트(330)는 약 13.3w%의 중량비를 가지는 제1 입자(331) 및 약 86.7%의 중량비를 가지는 제2 입자(332)를 포함할 수 있다. 제1 입자(331)의 입자 크기는 약 80㎛이고, 투자율은 약 250μ일 수 있다. 제5 실시예의 제2 입자(332)의 입자 크기는 약 25㎛이고, 투자율은 약 77μ일 수 있다. 제2 실시예의 흡수체 시트(330)의 투자율은 약 95 μ이고, 성능 계수는 약 4750이고, 지정된 크기(예: 50 Gauss)의 자기장이 가해진 경우의 투자율은 약 35μ이고, 성능 유지율은 약 30%일 수 있다.

일 실시예(제6 실시예)에서, 흡수체 시트(330)는 약 25w%의 중량비를 가지는 제1 입자(331) 및 약 75%의 중량비를 가지는 제2 입자(332)를 포함할 수 있다. 제1 입자(331)의 입자 크기는 약 20㎛이고, 투자율은 약 100μ일 수 있다. 제2 입자(332)의 입자 크기는 약 50.6㎛이고, 투자율은 약 125.128μ일 수 있다. 제6 실시예의 흡수체 시트(330)의 투자율은 약 119μ이고, 성능 계수는 약 4754이고, 지정된 크기(예: 50 Gauss)의 자기장이 가해진 경우의 투자율은 약 37μ이고, 성능 유지율은 약 31%일 수 있다.

제1 실시예, 제2 실시예, 제3 실시예, 제4 실시예, 제5 실시예 및 제6 실시예에서 설명된 흡수체 시트(330)의 제1 입자(331) 및 제2 입자(332)의 구조는 예시적이다. 예를 들어, 흡수체 시트(330)는 4750의 성능 계수 및 30% 이상의 성능 유지율을 가지는 구조라면, 다양하게 선택될 수 있다.

일 실시예에 따르면, 흡수체 시트(330)는 고분자 바인더(미도시)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 흡수체 시트(330)는 고분자 바인더와 함께 코팅-압착 공정을 이용하여 제작될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 흡수체 시트(330)는 흡수체 필름으로 지칭될 수 있다.

도 9는 본 개시의 일 실시예에 따른, 전자 부품을 포함하는 전자 장치의 단면도이다. 도 10은 본 개시의 일 실시예에 따른, 힌지 구조를 포함하는 전자 장치의 단면도이다. 도 11은 본 개시의 일 실시예에 따른, 하우징에 부착된 차폐 부재를 설명하기 위한 도면이다.

도 9, 도 10 및/또는 도 11을 참조하면, 전자 장치(300)는 디스플레이(310), 디지타이저(320), 흡수체 시트(330), 금속 시트(340), 하우징(350), 차폐 부재(360) 및 전자 부품(370)을 포함할 수 있다. 전자 장치(300)는 디지털 펜(400)의 입력을 감지할 수 있다. 도 9, 도 10 및/또는 도 11의 전자 장치(300), 디스플레이(310), 디지타이저(320), 흡수체 시트(330), 금속 시트(340), 하우징(350), 디지털 펜(400) 및 코일(401)의 구성은 도 4 및/또는 도 5의 전자 장치(300), 디스플레이(310), 디지타이저(320), 흡수체 시트(330), 금속 시트(340), 하우징(201), 디지털 펜(400) 및 코일(401)의 구성과 전부 또는 일부와 동일할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 디스플레이(310), 디지타이저(320), 흡수체 시트(330) 및/또는 금속 시트(340)는 하우징(350) 상에 배치될 있다. 하우징(350)은 지지 영역(예: 도 4의 제1 지지 영역(212) 및/또는 제2 지지 영역(222))일 수 있다.

일 실시예에 따르면, 차폐 부재(360)는 디지타이저(320)로 전달되는 자기장을 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 차폐 부재(360)는 자석을 포함하거나 자기장을 발생시키도록 구성된 전자 부품(370)과 디지타이저(320) 사이에 위치할 수 있다. 차폐 부재(360)는 하우징(350)과 전자 부품(370) 사이에 위치할 수 있다.

일 실시예(예: 도 11)에 따르면, 차폐 부재(360)는 복수의 전자 부품(370)들을 차폐하기 위한 복수의 차폐 부재(360a, 360b, 360c, 360d, 360e)들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 차폐 부재(360)는 힌지 구조(예: 도 4의 힌지 구조(202))의 적어도 일부를 덮는 제1 차폐 부재(360a), 홀 센서(예: 도 1의 센서 모듈(176))의 적어도 일부를 덮는 제2 차폐 부재(360b), 카메라 모듈(예: 도 2의 카메라 모듈(206))의 적어도 일부를 덮는 제3 차폐 부재(360c), 및 리시버(예: 도 1의 오디오 모듈(170))의 적어도 일부를 덮는 제4 차폐 부재(360d) 및/또는 액세서리(예: 도 5의 디지털 펜(400))의 부착을 위한 부착용 자석의 적어도 일부를 덮는 제5 차폐 부재(360e)를 포함할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 복수의 차폐 부재(360a, 360b, 360c, 360d, 360e)들 중 적어도 하나는 생략될 수 있다. 예를 들어, 흡수체 시트(330)의 성능 계수 및 성능 유지율이 지정된 크기 이상인 경우, 전자 부품(370)의 자기장을 차폐하기 위한 차폐 부재(360)가 요구되지 않을 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제1 차폐 부재(360a), 제2 차폐 부재(360b), 제3 차폐 부재(360c) 및 제4 차폐 부재(360d)는 생략될 수 있다. 예를 들어, 전자 부품(370) 중 적어도 일부는 하우징(350)의 아Žm(-Z)에 직접적으로 부착될 수 있다.

일 실시예에 따르면, 흡수체 시트(330)로 인하여, 차폐 부재(360)의 두께는 감소될 수 있다. 차폐 부재(360)의 두께가 감소됨으로써, 전자 장치(300)의 내부 공간이 증가되고, 전자 장치(300)의 무게가 감소될 수 있다.

일 실시예에 따르면, 차폐 부재(360)는 전자 부품에 전달되는 자기장을 차폐하기 위한 재질로 제작될 수 있다. 예를 들어, 차폐 부재(360)는 연자성 소재일 수 있다. 차폐 부재(360)는 냉간 압연 강판(steel plate cold commercial, SPCC) 또는 수지재(예: 아크릴로니트릴 부타디엔 스타이렌 (acrylonitrile butadiene styrene, ABS)) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 차폐 부재(360)의 최대 비투자율은 3000 내지 10000일 수 있다. 차폐 부재(360)의 두께는 0.2mm 내지 5mm 일 수 있다. 차폐 부재(360)의 포화 자속 밀도는 1.7T 내지 2.3T일 수 있다. 차폐 부재(360)의 보자력(coercive force)은 380A/m일 수 있다.

일 실시예에 따르면, 전자 부품(370)은 자기장을 발생시키도록 구성된 부품일 수 있다. 예를 들어, 전자 부품(370)은 카메라(예: 도 3의 카메라 모듈(206), 홀 센서(예: 도 1의 센서 모듈(176)), 힌지 구조(예: 도 4의 힌지 구조(202)), 모터 및/또는 외부 액세서리의 부착을 위한 부착용 자석을 포함할 수 있다. 전자 부품(370)은 차폐 부재(360)의 아래에 위치할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 디지타이저(320), 흡수체 시트(330) 및 금속 시트(340)는 힌지 구조(380)에 연결될 수 있다. 힌지 구조(380)는 흡수체 시트(330)의 아래(-Z 방향)에 위치할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 힌지 구조(380)는 적어도 일부가 자성체로 형성될 수 있다. 흡수체 시트(330)는 힌지 구조(380)에서 발생된 자기장으로 인한 디지타이저(320)의 간섭을 감소시킬 수 있다.

전자 장치는 디지타이저를 이용하여 입력 장치(예: 디지털 펜 또는 스타일러스 펜)를 이용하여 발생된 자기장을 감지하여 입력 장치의 좌표를 인식할 수 있다. 디지타이저를 이용하는 전자 장치는 금속 부품에 의한 인덕턴스 강하 또는 와전류 발생을 감소시키기 위한 흡수체 시트를 포함할 수 있다. 흡수체 시트는 입력 장치의 감도 향상을 위하여 상대적으로 높은 투자율을 가질 수 있다. 다만, 흡수체 시트의 주변 부품에 일정 크기 이상의 자기장이 형성되면, 흡수체 시트의 유효 투자율이 감소되어 흡수체 기능이 감소되고, 디지타이저 기판의 감도가 감소되고, 입력 장치의 위치 판단의 정확도가 감소될 수 있다.

전자 장치는 흡수체 시트의 유효 투자율을 유지하기 위하여, 자기력을 발생시킬 수 있는 부품 주변에 위치한 차폐 부재를 포함할 수 있다. 다만, 차폐 부재로 인하여 전자 장치의 두께 및/또는 무게가 증가되고, 전자 장치의 내부 공간이 감소될 수 있다.

본 개시의 일 실시예에 따르면, 금속 부품에 의한 인덕턴스 강하 및/또는 와전류 발생을 감소시키면서, 외부 자기장에 의한 성능 감소에 대한 반응성이 향상된 흡수체 시트를 포함하는 전자 장치가 제공될 수 있다. 예를 들어, 본 개시의 흡수체 시트는 지정된 크기 이상의 성능 계수 및 성능 유지율을 가질 수 있다.

흡수체 시트가 지정된 크기 이상의 성능 유지율을 가짐으로써, 자성체의 자기장을 차폐하기 위한 차폐 부재의 개수 및/또는 크기가 감소될 수 있다.

본 개시에서 해결하고자 하는 과제는 상기 언급된 과제에 한정되는 것이 아니며, 본 개시의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.

본 개시의 일 실시예에 따르면, 전자 장치(예: 도 2의 전자 장치(101))는 하우징(예: 도 2의 하우징(201)), 디스플레이(예: 도 2의 디스플레이(230)), 상기 디스플레이 아래에 위치한 디지타이저(예: 도 5의 디지타이저(320)), 상기 디지타이저 아래에 배치된 흡수체 시트(예: 도 5의 흡수체 시트(330)), 상기 흡수체 시트 아래에 위치한 금속 시트(예: 도 5의 금속 시트(340))를 포함할 수 있다. 상기 흡수체 시트는 철, 규소 및 알루미늄을 포함하는 제1 입자(예: 도 7의 제1 입자(331)), 및 철 및 규소를 포함하는 제2 입자(예: 도 7의 제2 입자(332))를 포함할 수 있다. 상기 흡수체 시트 대비 상기 제2 입자의 중량비는 70w% 이상일 수 있다.

일 실시예에 따르면, 지정된 크기(예: 50 Gauss)의 자기장이 상기 흡수체 시트에 전달된 상태의 상기 흡수체 시트의 제1 투자율은, 상기 자기장이 상기 흡수체 시트에 전해지지 않은 상태의 상기 흡수체 시트의 제2 투자율의 20% 이상일 수 있다.

일 실시예에 따르면, 상기 제1 입자의 제1 크기는 90㎛이하일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 상기 제2 입자의 제2 크기는 15㎛이상인 전자 장치.

일 실시예에 따르면, 상기 흡수체 시트는 상기 디지타이저와 상기 하우징 사이에 위치할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 상기 흡수체 시트의 두께 및 상기 흡수체 시트의 투자율의 곱인 성능 계수는 3000이상일 수 있다. 상기 흡수체 시트가 3000 이상의 성능 계수를 가짐으로써, 상기 디지타이저의 성능이 증가될 수 있다.

일 실시예에 따르면, 상기 금속 시트는 구리를 포함할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 상기 하우징은 제1 하우징(예: 도 2의 제1 하우징(210)) 및 제2 하우징(예: 도 2의 제2 하우징(220))을 포함할 수 있다. 상기 디스플레이는 상기 제1 하우징에 연결된 제1 디스플레이 영역(예: 도 2의 제1 디스플레이 영역(231)), 상기 제2 하우징에 연결된 제2 디스플레이 영역(예: 도 2의 제2 디스플레이 영역(232)) 및 상기 제1 디스플레이 영역과 상기 제2 디스플레이 영역 사이에 위치한 폴딩 영역(예: 도 2의 폴딩 영역(233))을 포함할 수 있다. 상기 전자 장치는 상기 제1 하우징과 상기 제2 하우징을 연결하는 힌지 구조(예: 도 4의 힌지 구조(202))를 포함할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 상기 힌지 구조는 상기 흡수체 시트 아래에 위치할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 상기 전자 장치는 상기 흡수체 시트의 아래에 위치한 차폐 부재로서, 냉각 압연 강판 또는 수지재를 포함하는 차폐 부재(예: 도 9의 차폐 부재(360))를 포함할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 상기 전자 장치는 상기 디지타이저를 이용하여 입력 장치의 위치를 판단하도록 구성된 프로세서(예: 도 1의 프로세서(120))를 포함할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 상기 전자 장치는 자기장을 생성하도록 구성된 전자 부품으로서, 상기 흡수체 시트의 아래에 위치한 전자 부품(예: 도 9의 전자 부품(370))을 더 포함할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 상기 전자 부품은 홀 센서(예: 도 1의 센서 모듈(176)), 카메라 모듈(예: 도 2의 카메라 모듈(206)) 또는 리시버(예: 도 1의 오디오 모듈(170)) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 상기 제1 입자의 투자율은 상기 제2 입자의 투자율보다 높을 수 있다. 상기 제2 입자의 포화 자속 밀도는 상기 제1 입자의 포화 자속 밀도 보다 높을 수 있다.

일 실시예에 따르면, 상기 제1 입자 및 상기 제2 입자는 플레이크 형상을 가질 수 있다.

일 실시예에 따르면, 상기 흡수체 시트 대비 상기 제2 입자의 중량비는 80 내지 90w%일 수 있다.

본 개시의 일 실시예에 따르면, 폴더블 전자 장치(예: 도 2의 전자 장치(101))는 제1 하우징(예: 도 2의 제1 하우징(210)) 및 제2 하우징(예: 도 2의 제2 하우징(220))을 포함하는 하우징(예: 도 2의 하우징(201)), 상기 제1 하우징 상에 위치한 제1 디스플레이 영역(예: 도 2의 제1 디스플레이 영역(231)), 상기 제2 하우징 상에 위치한 제2 디스플레이 영역(예: 도 2의 제2 디스플레이 영역(232)) 및 상기 제1 디스플레이 영역과 상기 제2 디스플레이 영역 사이에 위치한 폴딩 영역(예: 도 2의 폴딩 영역(233))을 포함하는 디스플레이(예: 도 2의 디스플레이(230)), 상기 제1 하우징과 상기 제2 하우징을 연결하고, 적어도 일부가 상기 폴딩 영역의 적어도 일부의 아래에 위치한 힌지 구조(예: 도 2의 힌지 구조(202)), 상기 디스플레이 아래에 위치한 디지타이저(예: 도 5의 디지타이저(320)) 및 상기 디지타이저 아래에 위치한 흡수체 시트(예: 도 5의 흡수체 시트(33))를 포함할 수 있다. 상기 흡수체 시트는 철, 규소 및 알루미늄을 포함하는 제1 입자(예: 도 7의 제1 입자(331)), 및 철 및 규소를 포함하는 제2 입자(예: 도 7의 제2 입자(332))를 포함할 수 있다. 상기 제2 입자의 상기 제1 입자에 대한 비율은 3:7 이상일 수 있다.

일 실시예에 따르면, 상기 제1 입자의 제1 크기는 90㎛이하이고, 상기 제2 입자의 제2 크기는 20 ㎛이상일 수 있다.

일 실시예에 따르면, 상기 흡수체 시트의 투자율은 100μ이상이고, 상기 흡수체 시트의 포화자속밀도는 1.5T 이상일 수 있다.

일 실시예에 따르면, 상기 폴더블 전자 장치는 상기 흡수체 시트 아래에 위치한 금속 시트로서, 구리를 포함하는 금속 시트(예: 도 5의 금속 시트(340))를 더 포함할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 상기 제1 입자의 투자율은 상기 제2 입자의 투자율보다 높을 수 있다. 상기 제2 입자의 포화 자속 밀도는 상기 제1 입자의 포화 자속 밀도 보다 높을 수 있다.

이상에서 설명한 본 개시의 디지타이저를 포함하는 전자 장치는 전술한 실시예 및 도면에 의해 한정되는 것은 아니고, 본 개시의 기술적 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능함은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.

101, 300: 전자 장치
120: 프로세서
201, 350: 하우징
210: 제1 하우징
220: 제2 하우징
230, 310: 디스플레이
320: 디지타이저
330: 흡수체 시트
331: 제1 입자
332: 제2 입자
340: 금속 시트

Claims (20)

1. 전자 장치(101, 300)에 있어서,
   하우징(210, 350);
   디스플레이(230, 310);
   상기 디스플레이 아래에 위치한 디지타이저(320);
   상기 디지타이저 아래에 배치된 흡수체 시트(330); 및
   상기 흡수체 시트 아래에 위치한 금속 시트(340)를 포함하고,
   상기 흡수체 시트는 철, 규소 및 알루미늄을 포함하는 제1 입자(331), 및 철 및 규소를 포함하는 제2 입자(332)를 포함하고,
   상기 제2 입자의 상기 제1 입자에 대한 비율은 3:7 이상인 전자 장치.
   
2. 제1 항에 있어서,
   지정된 크기의 자기장이 상기 흡수체 시트에 전달된 상태의 상기 흡수체 시트의 제1 투자율은, 상기 자기장이 상기 흡수체 시트에 전해지지 않은 상태의 상기 흡수체 시트의 제2 투자율의 20% 이상인 전자 장치.
   
   
3. 제1 항 또는 제2 항에 있어서,
   상기 제1 입자의 제1 크기는 90㎛이하이고, 상기 제2 입자의 제2 크기는 15 ㎛이상인 전자 장치.
   
4. 이전의 청구항들 중 어느 하나에 있어서,
   상기 흡수체 시트는 상기 디지타이저와 상기 하우징 사이에 위치한 전자 장치.
   
5. 이전의 청구항들 중 어느 하나에 있어서,
   상기 흡수체 시트의 두께 및 투자율의 곱인 성능 계수는 3000이상인 전자 장치.
   
6. 이전의 청구항들 중 어느 하나에 있어서,
   상기 금속 시트는 구리를 포함하는 전자 장치.
   
7. 이전의 청구항들 중 어느 하나에 있어서,
   상기 하우징은 제1 하우징(210) 및 제2 하우징(220)을 포함하고,
   상기 디스플레이는 상기 제1 하우징에 연결된 제1 디스플레이 영역(231), 상기 제2 하우징에 연결된 제2 디스플레이 영역(232) 및 상기 제1 디스플레이 영역과 상기 제2 디스플레이 영역 사이에 위치한 폴딩 영역(233)을 포함하고,
   상기 전자 장치는 상기 제1 하우징과 상기 제2 하우징을 연결하는 힌지 구조(202, 380)를 더 포함하는 전자 장치.
   
8. 이전의 청구항들 중 어느 하나에 있어서,
   상기 힌지 구조는 상기 흡수체 시트 아래에 위치한 전자 장치.
   
9. 이전의 청구항들 중 어느 하나에 있어서,
   상기 흡수체 시트의 아래에 위치한 차폐 부재로서, 냉각 압연 강판 또는 수지재를 포함하는 차폐 부재(360)를 더 포함하는 전자 장치.
   
10. 이전의 청구항들 중 어느 하나에 있어서,
    상기 디지타이저를 이용하여 입력 장치의 위치를 판단하도록 구성된 프로세서(120)를 더 포함하는 전자 장치.
    
11. 이전의 청구항들 중 어느 하나에 있어서,
    자기장을 생성하도록 구성된 전자 부품으로서, 상기 흡수체 시트의 아래에 위치한 전자 부품(370)을 더 포함하는 전자 장치.
    
12. 이전의 청구항들 중 어느 하나에 있어서,
    상기 전자 부품은 홀 센서(176), 카메라 모듈(206) 또는 리시버(170) 중 적어도 하나를 포함하는 전자 장치.
    
13. 이전의 청구항들 중 어느 하나에 있어서,
    상기 제1 입자의 투자율은 상기 제2 입자의 투자율보다 높고,
    상기 제2 입자의 포화 자속 밀도는 상기 제1 입자의 포화 자속 밀도 보다 높은 전자 장치.
    
14. 이전의 청구항들 중 어느 하나에 있어서,
    상기 제1 입자 및 상기 제2 입자는 플레이크 형상을 가지는 전자 장치.
    
15. 이전의 청구항들 중 어느 하나에 있어서,
    상기 흡수체 시트에서 상기 제2 입자의 중량비는 80 내지 90w%인 전자 장치.
    
16. 폴더블 전자 장치(101, 300)에 있어서,
    제1 하우징(210) 및 제2 하우징(220)을 포함하는 하우징(201, 350);
    상기 제1 하우징 상에 위치한 제1 디스플레이 영역(231), 상기 제2 하우징 상에 위치한 제2 디스플레이 영역(232) 및 상기 제1 디스플레이 영역과 상기 제2 디스플레이 영역 사이에 위치한 폴딩 영역(233)을 포함하는 디스플레이(230, 310);
    상기 제1 하우징과 상기 제2 하우징을 연결하고, 적어도 일부가 상기 폴딩 영역의 적어도 일부의 아래에 위치한 힌지 구조(202, 380);
    상기 디스플레이 아래에 위치한 디지타이저(320); 및
    상기 디지타이저 아래에 위치한 흡수체 시트(330)를 포함하고,
    상기 흡수체 시트는 철, 규소 및 알루미늄을 포함하는 제1 입자(331), 및 철 및 규소를 포함하는 제2 입자(332)를 포함하고,
    상기 제2 입자의 상기 제1 입자에 대한 비율은 3:7 이상인 폴더블 전자 장치.
    
17. 제16 항에 있어서,
    상기 제1 입자의 제1 크기는 90㎛이하이고, 상기 제2 입자의 제2 크기는 20 ㎛이상인 폴더블 전자 장치.
    
18. 제16 항 또는 제17 항에 있어서,
    상기 흡수체 시트의 투자율은 100μ이상이고, 상기 흡수체 시트의 포화자속밀도는 1.5T 이상인 폴더블 전자 장치.
    
19. 제16 항 내지 제18항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 흡수체 시트 아래에 위치한 금속 시트로서, 구리를 포함하는 금속 시트(340)를 더 포함하는 폴더블 전자 장치.
    
20. 제16 항 내지 제19항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 제1 입자의 투자율은 상기 제2 입자의 투자율보다 높고,
    상기 제2 입자의 포화 자속 밀도는 상기 제1 입자의 포화 자속 밀도 보다 높은 전자 장치.
    
    

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