KR20240022352A - Touch display device and driving circuit - Google Patents

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KR20240022352A
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김훈배
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

본 개시의 실시예들은 터치 디스플레이 장치 및 구동 회로에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 복수의 발광 소자 및 복수의 터치 전극을 포함하는 디스플레이 패널; 상기 복수의 터치 전극에 터치 구동 신호를 인가하고, 커패시턴스 변화에 따른 터치 센싱 신호를 수신하여 터치를 검출하는 터치 회로; 상기 터치 회로를 제어하는 타이밍 컨트롤러; 및 상기 발광 소자의 캐소드 전극에 연결된 피드백 라인으로부터 전달된 피드백 공통 전압을 이용하여, 상기 캐소드 전극에 유입된 캐소드 노이즈가 반영된 보상 터치 기준 전압 또는 보상 공통 전압을 생성하는 공통 전압 보상 회로를 포함하되, 상기 터치 회로는 상기 보상 터치 기준 전압을 이용하여, 노이즈가 감소된 터치 출력 신호를 생성하는 터치 디스플레이 장치를 제공할 수 있다.Embodiments of the present disclosure relate to a touch display device and a driving circuit, and more specifically, to a display panel including a plurality of light-emitting elements and a plurality of touch electrodes; a touch circuit that detects a touch by applying a touch driving signal to the plurality of touch electrodes and receiving a touch sensing signal according to a change in capacitance; a timing controller that controls the touch circuit; And a common voltage compensation circuit that generates a compensation touch reference voltage or compensation common voltage reflecting the cathode noise introduced into the cathode electrode, using the feedback common voltage transmitted from the feedback line connected to the cathode electrode of the light emitting device, The touch circuit may provide a touch display device that generates a touch output signal with reduced noise using the compensated touch reference voltage.

Description

터치 디스플레이 장치 및 구동 회로{TOUCH DISPLAY DEVICE AND DRIVING CIRCUIT}Touch display device and driving circuit {TOUCH DISPLAY DEVICE AND DRIVING CIRCUIT}

본 개시의 실시예들은 터치 디스플레이 장치 및 구동 회로에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 터치 성능을 개선하고 노이즈를 감소시킬 수 있는 터치 디스플레이 장치 및 구동 회로에 관한 것이다.Embodiments of the present disclosure relate to a touch display device and a driving circuit, and more specifically, to a touch display device and a driving circuit that can improve touch performance and reduce noise.

정보화 사회가 발전함에 따라 영상을 표시하기 위한 디스플레이 장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 디스플레이 장치로는 액정 디스플레이, 전계 발광 디스플레이, 또는 퀀텀 닷 발광 디스플레이 등 여러 가지 디스플레이 장치가 활용되고 있다As the information society develops, the demand for display devices for displaying images is increasing in various forms. Various display devices are used, such as liquid crystal displays, electroluminescent displays, or quantum dot light emitting displays.

이러한 디스플레이 장치는 보다 다양한 기능을 제공하기 위하여, 디스플레이 패널에 대한 사용자의 손가락 터치나 펜 터치를 인식하고 인식된 터치를 기반으로 입력 처리를 수행하는 기능을 제공하고 있다.In order to provide more diverse functions, these display devices provide a function to recognize the user's finger or pen touch on the display panel and perform input processing based on the recognized touch.

일 예로, 터치 인식이 가능한 터치 디스플레이 장치는, 디스플레이 패널에 배치되거나 내장된 다수의 터치 전극들을 포함하고, 이러한 터치 전극들을 구동하여 디스플레이 패널에 대한 사용자의 터치 존재와 터치 좌표 등을 검출할 수 있다.As an example, a touch display device capable of touch recognition includes a plurality of touch electrodes disposed or embedded in a display panel, and drives these touch electrodes to detect the presence of a user's touch on the display panel and touch coordinates. .

이러한 터치 디스플레이 장치는 스마트폰, 태블릿 PC과 같은 모바일 장치뿐만 아니라, 자동차용 디스플레이 및 전시용 디스플레이 등 대화면의 터치 디스플레이 장치로도 사용 범위가 확장되는 추세이다.The range of use of these touch display devices is expanding not only to mobile devices such as smartphones and tablet PCs, but also to large-screen touch display devices such as automotive displays and exhibition displays.

터치 디스플레이 장치의 화면이 증가할수록 터치 신호를 전달하는 과정에서 신호 지연이 발생하게 되고, 터치 구동 또는 디스플레이 구동 과정에서 터치 신호와 디스플레이 신호의 전자기 간섭에 의해 노이즈가 발생하는 현상이 나타날 수 있다.As the screen of the touch display device increases, signal delay occurs in the process of transmitting the touch signal, and noise may occur due to electromagnetic interference between the touch signal and the display signal during the touch driving or display driving process.

이러한 신호 지연 및 노이즈는 디스플레이 패널에 표시되는 영상의 품질을 감소시킬 뿐만 아니라 터치 성능을 저하시킬 수 있으므로, 터치 신호의 지연을 해소하고 노이즈를 감소시킬 수 있는 방법이 요구된다. Such signal delay and noise can not only reduce the quality of images displayed on the display panel but also deteriorate touch performance, so a method that can eliminate touch signal delay and reduce noise is required.

이에, 본 개시의 발명자들은 터치 성능을 개선하고 노이즈를 감소시킬 수 있는 터치 디스플레이 장치 및 구동 회로를 발명하였다.Accordingly, the inventors of the present disclosure have invented a touch display device and driving circuit that can improve touch performance and reduce noise.

본 개시의 실시예들은 발광 소자의 캐소드 전극을 통해 여기되는 노이즈의 영향을 감소시킴으로써, 영상 품질 및 터치 성능을 개선할 수 있는 터치 디스플레이 장치 및 구동 회로를 제공할 수 있다.Embodiments of the present disclosure can provide a touch display device and driving circuit that can improve image quality and touch performance by reducing the influence of noise excited through a cathode electrode of a light emitting device.

또한, 본 개시의 실시예들은 발광 소자의 캐소드 전극을 통해 여기되는 노이즈를 반영하여 디스플레이 구동 기간 및 터치 구동 기간에 보상 신호를 공급함으로써, 영상 품질 및 터치 성능을 개선할 수 있는 터치 디스플레이 장치 및 구동 회로를 제공할 수 있다.In addition, embodiments of the present disclosure provide a touch display device and drive capable of improving image quality and touch performance by reflecting noise excited through the cathode electrode of the light emitting device and supplying a compensation signal in the display driving period and the touch driving period. Circuit can be provided.

또한, 본 개시의 실시예들은 발광 소자의 캐소드 전극을 통해 여기되는 노이즈의 주파수에 따라 보상 신호를 제어함으로써, 효과적으로 영상 품질 및 터치 성능을 개선할 수 있는 터치 디스플레이 장치 및 구동 회로를 제공할 수 있다.In addition, embodiments of the present disclosure can provide a touch display device and driving circuit that can effectively improve image quality and touch performance by controlling the compensation signal according to the frequency of noise excited through the cathode electrode of the light emitting device. .

또한, 본 개시의 실시예들은 피드백되는 캐소드 신호의 위치에 따라, 보상 신호를 공급하는 위치를 제어함으로써, 효과적으로 영상 품질 및 터치 성능을 개선할 수 있는 터치 디스플레이 장치 및 구동 회로를 제공할 수 있다.Additionally, embodiments of the present disclosure can provide a touch display device and a driving circuit that can effectively improve image quality and touch performance by controlling the position where the compensation signal is supplied according to the position of the cathode signal that is fed back.

본 개시의 실시예들은 복수의 발광 소자 및 복수의 터치 전극을 포함하는 디스플레이 패널과, 상기 복수의 터치 전극에 터치 구동 신호를 인가하고, 커패시턴스 변화에 따른 터치 센싱 신호를 수신하여 터치를 검출하는 터치 회로와, 상기 터치 회로를 제어하는 타이밍 컨트롤러와, 상기 발광 소자의 캐소드 전극에 연결된 피드백 라인으로부터 전달된 피드백 공통 전압을 이용하여, 상기 캐소드 전극에 유입된 캐소드 노이즈가 반영된 보상 터치 기준 전압을 생성하는 공통 전압 보상 회로를 포함하되, 상기 터치 회로는 상기 보상 터치 기준 전압을 이용하여, 노이즈가 감소된 터치 출력 신호를 생성하는 터치 디스플레이 장치를 제공할 수 있다.Embodiments of the present disclosure include a display panel including a plurality of light-emitting elements and a plurality of touch electrodes, and a touch panel that detects a touch by applying a touch driving signal to the plurality of touch electrodes and receiving a touch sensing signal according to a change in capacitance. A circuit, a timing controller for controlling the touch circuit, and a feedback common voltage transmitted from a feedback line connected to the cathode electrode of the light emitting device to generate a compensation touch reference voltage reflecting the cathode noise introduced into the cathode electrode. A touch display device including a common voltage compensation circuit, wherein the touch circuit generates a touch output signal with reduced noise using the compensation touch reference voltage, can be provided.

본 개시의 실시예들은 디스플레이 패널에 배치된 발광 소자의 캐소드 전극에 연결된 피드백 라인으로부터 전달된 피드백 공통 전압을 이용하여, 상기 캐소드 전극에 유입된 캐소드 노이즈가 반영된 보상 터치 기준 전압 또는 보상 공통 전압을 생성하는 공통 전압 보상 회로와, 상기 디스플레이 패널에 배치된 복수의 터치 전극에 터치 구동 신호를 인가하고, 커패시턴스 변화에 따른 터치 센싱 신호를 수신하되, 상기 보상 터치 기준 전압을 이용하여, 노이즈가 감소된 터치 출력 신호를 생성하는 터치 회로를 포함하는 구동 회로를 제공할 수 있다.Embodiments of the present disclosure use a feedback common voltage transmitted from a feedback line connected to the cathode electrode of a light emitting device disposed on a display panel to generate a compensation touch reference voltage or compensation common voltage that reflects the cathode noise introduced into the cathode electrode. A touch driving signal is applied to a common voltage compensation circuit and a plurality of touch electrodes disposed on the display panel, and a touch sensing signal is received according to capacitance change, and noise is reduced using the compensation touch reference voltage. A driving circuit including a touch circuit that generates an output signal can be provided.

본 개시의 실시예들에 의하면, 터치 성능을 개선하고 노이즈를 감소시킬 수 있는 터치 디스플레이 장치 및 구동 회로를 제공할 수 있는 효과가 있다. According to embodiments of the present disclosure, it is possible to provide a touch display device and a driving circuit that can improve touch performance and reduce noise.

또한, 본 개시의 실시예들에 의하면, 발광 소자의 캐소드 전극을 통해 여기되는 노이즈의 영향을 감소시킴으로써, 영상 품질 및 터치 성능을 개선할 수 있는 터치 디스플레이 장치 및 구동 회로를 제공할 수 있는 효과가 있다.In addition, according to embodiments of the present disclosure, there is an effect of providing a touch display device and a driving circuit that can improve image quality and touch performance by reducing the influence of noise excited through the cathode electrode of the light emitting device. there is.

또한, 본 개시의 실시예들에 의하면, 발광 소자의 캐소드 전극을 통해 여기되는 노이즈를 반영하여 디스플레이 구동 기간 및 터치 구동 기간에 보상 신호를 공급함으로써, 영상 품질 및 터치 성능을 개선할 수 있는 터치 디스플레이 장치 및 구동 회로를 제공할 수 있는 효과가 있다.In addition, according to embodiments of the present disclosure, a touch display capable of improving image quality and touch performance by reflecting noise excited through the cathode electrode of the light emitting device and supplying a compensation signal in the display driving period and the touch driving period. It has the effect of providing a device and a driving circuit.

또한, 본 개시의 실시예들에 의하면, 발광 소자의 캐소드 전극을 통해 여기되는 노이즈의 주파수에 따라 보상 신호를 제어함으로써, 효과적으로 영상 품질 및 터치 성능을 개선할 수 있는 터치 디스플레이 장치 및 구동 회로를 제공할 수 있는 효과가 있다.In addition, according to embodiments of the present disclosure, a touch display device and a driving circuit are provided that can effectively improve image quality and touch performance by controlling the compensation signal according to the frequency of noise excited through the cathode electrode of the light emitting device. There is an effect that can be done.

또한, 본 개시의 실시예들에 의하면, 피드백되는 캐소드 신호의 위치에 따라, 보상 신호를 공급하는 위치를 제어함으로써, 효과적으로 영상 품질 및 터치 성능을 개선할 수 있는 터치 디스플레이 장치 및 구동 회로를 제공할 수 있는 효과가 있다.In addition, according to embodiments of the present disclosure, a touch display device and a driving circuit can be provided that can effectively improve image quality and touch performance by controlling the position where the compensation signal is supplied according to the position of the cathode signal that is fed back. There is a possible effect.

도 1은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치의 터치 센싱 시스템을 예시로 나타낸 도면이다.
도 3은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 디스플레이 패널에 터치 패널이 내장되는 구조를 예시적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 뮤추얼 커패시턴스 기반의 터치 센싱을 위한 터치 전극 구조를 간략하게 나타낸 도면이다.
도 5는 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서 디스플레이 패널을 구성하는 서브픽셀의 등가회로를 예시로 나타낸 도면이다.
도 6은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 디스플레이 패널의 단면을 예시로 나타낸 도면이다.
도 7은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 시간 분할 구동에 터치 전극에 인가되는 신호를 예시로 나타낸 도면이다.
도 8은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치의 터치 회로를 예시로 나타낸 도면이다.
도 9 및 도 10은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치의 디스플레이 패널에서, 터치 구동 과정에 캐소드 전극에 유도되는 캐소드 노이즈와 캐소드 노이즈에 의한 터치 감도의 저하를 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 공통 전압 피드백 라인을 통해 공통 전압 보상 신호를 생성하는 개념을 나타낸 블록도이다.
도 12는 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 공통 전압 보상 회로의 구성을 개념적으로 나타낸 블록도이다.
도 13은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 공통 전압 보상 회로를 구성하는 스위칭 회로를 구체적으로 나타낸 도면이다.
도 14는 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 공통 전압 보상 회로를 구성하는 스위칭 회로의 동작을 예시로 나타낸 신호 흐름도이다.
도 15는 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 공통 전압 보상 회로를 구성하는 보상 전압 생성 회로를 구체적으로 나타낸 도면이다.
도 16은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 보상 터치 기준 전압을 통해서 터치 출력 신호의 노이즈를 개선하는 동작을 설명하기 위한 도면이다.
1 is a diagram schematically showing a touch display device according to embodiments of the present disclosure.
Figure 2 is a diagram showing an example of a touch sensing system of a touch display device according to embodiments of the present disclosure.
FIG. 3 is a diagram illustrating a structure in which a touch panel is embedded in a display panel in a touch display device according to embodiments of the present disclosure.
FIG. 4 is a diagram briefly illustrating a touch electrode structure for mutual capacitance-based touch sensing in a touch display device according to embodiments of the present disclosure.
FIG. 5 is a diagram illustrating an equivalent circuit of subpixels constituting a display panel in a touch display device according to embodiments of the present disclosure.
FIG. 6 is a diagram showing an example of a cross-section of a display panel in a touch display device according to embodiments of the present disclosure.
FIG. 7 is a diagram showing an example of a signal applied to a touch electrode for time division driving in a touch display device according to embodiments of the present disclosure.
FIG. 8 is a diagram showing an example of a touch circuit of a touch display device according to embodiments of the present disclosure.
FIGS. 9 and 10 are diagrams for explaining cathode noise induced to a cathode electrode during a touch driving process and a decrease in touch sensitivity due to cathode noise in the display panel of a touch display device according to embodiments of the present disclosure.
FIG. 11 is a block diagram illustrating the concept of generating a common voltage compensation signal through a common voltage feedback line in a touch display device according to embodiments of the present disclosure.
FIG. 12 is a block diagram conceptually showing the configuration of a common voltage compensation circuit in a touch display device according to embodiments of the present disclosure.
FIG. 13 is a diagram illustrating in detail a switching circuit constituting a common voltage compensation circuit in a touch display device according to embodiments of the present disclosure.
FIG. 14 is a signal flow diagram illustrating the operation of a switching circuit constituting a common voltage compensation circuit in a touch display device according to embodiments of the present disclosure.
FIG. 15 is a diagram illustrating in detail a compensation voltage generation circuit constituting a common voltage compensation circuit in a touch display device according to embodiments of the present disclosure.
FIG. 16 is a diagram illustrating an operation of improving noise of a touch output signal through a compensation touch reference voltage in a touch display device according to embodiments of the present disclosure.

이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성 요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다. 본 명세서 상에서 언급된 "포함한다", "갖는다", "이루어진다" 등이 사용되는 경우 "~만"이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별한 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함할 수 있다.Hereinafter, some embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the exemplary drawings. In adding reference numerals to components in each drawing, the same components may have the same reference numerals as much as possible even if they are shown in different drawings. Additionally, when describing the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description may be omitted. When “comprises,” “has,” “consists of,” etc. mentioned in the specification are used, other parts may be added unless “only” is used. When a component is expressed in the singular, it can also include the plural, unless specifically stated otherwise.

또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. Additionally, when describing the components of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are only used to distinguish the component from other components, and the nature, sequence, order, or number of the components are not limited by the term.

구성 요소들의 위치 관계에 대한 설명에 있어서, 둘 이상의 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속" 등이 된다고 기재된 경우, 둘 이상의 구성 요소가 직접적으로 "연결", "결합" 또는 "접속" 될 수 있지만, 둘 이상의 구성 요소와 다른 구성 요소가 더 "개재"되어 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 여기서, 다른 구성 요소는 서로 "연결", "결합" 또는 "접속" 되는 둘 이상의 구성 요소 중 하나 이상에 포함될 수도 있다. In the description of the positional relationship of components, when two or more components are described as being “connected,” “coupled,” or “connected,” the two or more components are directly “connected,” “coupled,” or “connected.” ", but it should be understood that two or more components and other components may be further "interposed" and "connected," "combined," or "connected." Here, other components may be included in one or more of two or more components that are “connected,” “coupled,” or “connected” to each other.

구성 요소들이나, 동작 방법이나 제작 방법 등과 관련한 시간적 흐름 관계에 대한 설명에 있어서, 예를 들어, "~후에", "~에 이어서", "~다음에", "~전에" 등으로 시간적 선후 관계 또는 흐름적 선후 관계가 설명되는 경우, "바로" 또는 "직접"이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.In the description of temporal flow relationships related to components, operation methods, production methods, etc., for example, temporal precedence relationships such as “after”, “after”, “after”, “before”, etc. Or, when a sequential relationship is described, non-continuous cases may be included unless “immediately” or “directly” is used.

한편, 구성 요소에 대한 수치 또는 그 대응 정보(예: 레벨 등)가 언급된 경우, 별도의 명시적 기재가 없더라도, 수치 또는 그 대응 정보는 각종 요인(예: 공정상의 요인, 내부 또는 외부 충격, 노이즈 등)에 의해 발생할 수 있는 오차 범위를 포함하는 것으로 해석될 수 있다.On the other hand, when a numerical value or corresponding information (e.g., level, etc.) for a component is mentioned, even if there is no separate explicit description, the numerical value or corresponding information is related to various factors (e.g., process factors, internal or external shocks, It can be interpreted as including the error range that may occur due to noise, etc.).

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 개시의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.Hereinafter, various embodiments of the present disclosure will be described in detail with reference to the attached drawings.

도 1은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치의 개략적인 구성을 나타낸 도면이다.1 is a diagram illustrating a schematic configuration of a touch display device according to embodiments of the present disclosure.

도 1을 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)는 영상 표시를 위한 구성 요소들로서, 디스플레이 패널(110), 게이트 구동 회로(120), 데이터 구동 회로(130), 및 타이밍 컨트롤러(140) 등을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 1, the touch display device 100 according to embodiments of the present disclosure includes components for displaying images, including a display panel 110, a gate driving circuit 120, a data driving circuit 130, and It may include a timing controller 140, etc.

디스플레이 패널(110)은 영상이 표시되는 표시 영역(DA)과 영상이 표시되지 않는 비표시 영역(NDA)을 포함할 수 있다.The display panel 110 may include a display area (DA) where an image is displayed and a non-display area (NDA) where an image is not displayed.

비표시 영역(NDA)은 표시 영역(DA)의 외곽 영역일 수 있으며, 베젤(Bezel) 영역이라고도 할 수 있다. 비표시 영역(NDA)은 터치 디스플레이 장치(100)의 앞면에서 보이는 영역이거나, 벤딩 되어 터치 디스플레이 장치(100)의 앞면에서 보이지 않는 영역일 수도 있다.The non-display area (NDA) may be an area outside the display area (DA) and may also be referred to as a bezel area. The non-display area NDA may be an area visible from the front of the touch display device 100, or may be an area that is bent and not visible from the front of the touch display device 100.

디스플레이 패널(110)은 다수의 서브픽셀(SP)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 터치 디스플레이 장치(100)는 액정 표시 장치, 유기 발광 디스플레이 장치, 마이크로 LED (Micro Light Emitting Diode) 디스플레이 장치, 퀀텀닷 디스플레이 장치 등을 포함하는 다양한 타입의 디스플레이 장치일 수 있다. The display panel 110 may include multiple subpixels (SP). For example, the touch display device 100 may be various types of display devices including a liquid crystal display device, an organic light emitting display device, a micro light emitting diode (micro LED) display device, a quantum dot display device, etc.

터치 디스플레이 장치(100)의 타입에 따라 다수의 서브픽셀(SP) 각각의 구조가 달라질 수 있다. 예를 들어, 터치 디스플레이 장치(100)가 서브픽셀(SP) 스스로 빛을 내는 자체 발광 디스플레이 장치인 경우, 각 서브픽셀(SP)은 스스로 빛을 내는 발광 소자, 하나 이상의 트랜지스터 및 하나 이상의 커패시터를 포함할 수 있다.The structure of each subpixel (SP) may vary depending on the type of the touch display device 100. For example, if the touch display device 100 is a self-luminous display device in which subpixels (SPs) emit light on their own, each subpixel (SP) includes a light-emitting element that emits light on its own, one or more transistors, and one or more capacitors. can do.

또한, 디스플레이 패널(110)은 다수의 서브픽셀(SP)을 구동하기 위하여, 여러 가지 종류의 신호 라인들을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 여러 가지 종류의 신호 라인들은 데이터 신호(데이터 전압 또는 영상 데이터라고도 함)을 전달하는 다수의 데이터 라인(DL) 및 게이트 신호(스캔 신호라고도 함)을 전달하는 다수의 게이트 라인(GL) 등을 포함할 수 있다.Additionally, the display panel 110 may further include various types of signal lines to drive multiple subpixels (SP). For example, different types of signal lines include multiple data lines (DL) carrying data signals (also called data voltages or image data) and multiple gate lines (GL) carrying gate signals (also called scan signals). ), etc. may be included.

다수의 데이터 라인(DL) 및 다수의 게이트 라인(GL)은 서로 교차할 수 있다. 다수의 데이터 라인(DL) 각각은 열 방향(Column Direction)으로 연장되면서 배치될 수 있다. 다수의 게이트 라인(GL) 각각은 행 방향(Row Direction)으로 연장되면서 배치될 수 있다.Multiple data lines (DL) and multiple gate lines (GL) may cross each other. Each of the multiple data lines DL may be arranged to extend in the column direction. Each of the plurality of gate lines GL may be arranged to extend in the row direction.

여기에서, 열 방향(Column Direction)과 행 방향(Row Direction)은 상대적인 것이다. 예를 들어, 열 방향은 세로 방향이고 행 방향은 가로 방향일 수 있다. 다른 예를 들어, 열 방향은 가로 방향이고 행 방향은 세로 방향일 수도 있다.Here, Column Direction and Row Direction are relative. For example, the column direction may be vertical and the row direction may be horizontal. For another example, the column direction may be horizontal and the row direction may be vertical.

데이터 구동 회로(130)는 다수의 데이터 라인(DL)을 구동하기 위한 회로로서, 다수의 데이터 라인(DL)으로 데이터 신호를 출력할 수 있다. 게이트 구동 회로(120)는 다수의 게이트 라인(GL)을 구동하기 위한 회로로서, 다수의 게이트 라인(GL)으로 게이트 신호를 출력할 수 있다. The data driving circuit 130 is a circuit for driving a plurality of data lines DL and can output data signals to the plurality of data lines DL. The gate driving circuit 120 is a circuit for driving a plurality of gate lines GL and can output a gate signal to the plurality of gate lines GL.

타이밍 컨트롤러(140)는 데이터 구동 회로(130) 및 게이트 구동 회로(120)를 제어하기 위한 장치로서, 다수의 데이터 라인(DL)에 대한 구동 타이밍과 다수의 게이트 라인(GL)에 대한 구동 타이밍을 제어할 수 있다.The timing controller 140 is a device for controlling the data driving circuit 130 and the gate driving circuit 120, and controls the driving timing for the plurality of data lines DL and the driving timing for the plurality of gate lines GL. You can control it.

타이밍 컨트롤러(140)는 데이터 구동 회로(130)를 제어하기 위하여 여러 가지 종류의 데이터 구동 제어 신호(DCS)를 데이터 구동 회로(130)에 공급하고, 게이트 구동 회로(120)를 제어하기 위하여 여러 가지 종류의 게이트 구동 제어 신호(GCS)를 게이트 구동 회로(120)에 공급할 수 있다.The timing controller 140 supplies various types of data driving control signals (DCS) to the data driving circuit 130 to control the data driving circuit 130, and various types of data driving control signals (DCS) to control the gate driving circuit 120. A variety of gate driving control signals (GCS) can be supplied to the gate driving circuit 120.

게이트 구동 회로(120)는 타이밍 컨트롤러(140)의 타이밍 제어에 따라 다수의 게이트 라인(GL)으로 게이트 신호를 공급할 수 있다. 게이트 구동 회로(120)는 각종 게이트 구동 제어 신호(GCS)와 함께 턴-온 레벨의 전압에 해당하는 제 1 게이트 전압 및 턴-오프 레벨 전압에 해당하는 제 2 게이트 전압을 공급받아, 게이트 신호를 생성하고, 생성된 게이트 신호를 다수의 게이트 라인(GL)으로 공급할 수 있다. 여기서, 턴-온 레벨 전압은 하이 레벨 전압이고, 턴-오프 레벨 전압은 로우 레벨 전압일 수 있다. 이와 반대로, 턴-온 레벨 전압은 로우 레벨 전압이고, 턴-오프 레벨 전압은 하이 레벨 전압일 수 있다.The gate driving circuit 120 may supply gate signals to a plurality of gate lines GL according to timing control of the timing controller 140. The gate driving circuit 120 receives a first gate voltage corresponding to the turn-on level voltage and a second gate voltage corresponding to the turn-off level voltage along with various gate driving control signals (GCS), and generates a gate signal. and the generated gate signal can be supplied to a plurality of gate lines (GL). Here, the turn-on level voltage may be a high level voltage, and the turn-off level voltage may be a low level voltage. Conversely, the turn-on level voltage may be a low level voltage, and the turn-off level voltage may be a high level voltage.

데이터 구동 회로(130)는 타이밍 컨트롤러(140)의 구동 타이밍 제어에 따라 다수의 데이터 라인(DL)으로 데이터 신호를 공급할 수 있다. 데이터 구동 회로(130)는 타이밍 컨트롤러(140)로부터 디지털 형태의 영상 데이터(DATA)를 수신하고, 수신된 영상 데이터들(DATA)을 아날로그 형태의 데이터 신호로 변환하여 다수의 데이터 라인(DL)으로 출력할 수 있다.The data driving circuit 130 may supply data signals to a plurality of data lines DL according to the driving timing control of the timing controller 140. The data driving circuit 130 receives image data (DATA) in digital form from the timing controller 140, converts the received image data (DATA) into analog data signals, and converts them into a plurality of data lines (DL). Can be printed.

터치 디스플레이 장치(100)는 영상 표시 기능뿐만 아니라 터치 센싱 기능을 더 제공하기 위하여, 터치 패널과, 터치 패널을 센싱하여 손가락 또는 펜 등의 터치 오브젝트에 의해 터치가 발생했는지를 검출하거나 터치 위치를 검출하는 터치 회로(150)를 포함할 수 있다.In order to provide not only an image display function but also a touch sensing function, the touch display device 100 detects whether a touch has occurred by a touch object such as a finger or a pen by sensing the touch panel or detects the touch location. It may include a touch circuit 150 that does.

터치 회로(150)는 터치 패널을 구동하고 센싱함으로써, 터치 센싱 데이터를 생성하는 터치 구동 회로(152)와, 터치 센싱 데이터를 이용하여 터치 발생을 감지하거나 터치 위치를 검출할 수 있는 터치 컨트롤러(154) 등을 포함할 수 있다.The touch circuit 150 includes a touch driving circuit 152 that generates touch sensing data by driving and sensing the touch panel, and a touch controller 154 that can detect the occurrence of a touch or detect the touch position using the touch sensing data. ), etc. may be included.

터치 패널은 터치 센서로서 다수의 터치 전극(TE)을 포함할 수 있다. 터치 패널은 다수의 터치 전극(TE)과 터치 구동 회로(152)를 전기적으로 연결해주기 위한 다수의 터치 라인(TL)을 더 포함할 수 있다. 터치 패널 또는 터치 전극(TE)은 터치 센서라고도 한다.A touch panel may include a plurality of touch electrodes (TE) as a touch sensor. The touch panel may further include a plurality of touch lines (TL) to electrically connect a plurality of touch electrodes (TE) and the touch driving circuit 152. A touch panel or touch electrode (TE) is also called a touch sensor.

터치 패널은 디스플레이 패널(110)의 외부에 존재할 수도 있고 디스플레이 패널(110)의 내부에 존재할 수도 있다. 터치 패널이 디스플레이 패널(110)의 외부에 존재하는 경우, 외장형 터치 패널이라고 한다. 터치 패널이 외장형인 경우, 터치 패널과 디스플레이 패널(110)은 별도로 제작되어, 결합될 수 있다. 외장형 터치 패널은 기판 및 기판 상의 다수의 터치 전극(TE) 등을 포함할 수 있다.The touch panel may exist outside of the display panel 110 or inside the display panel 110. If the touch panel exists outside the display panel 110, it is called an external touch panel. When the touch panel is an external type, the touch panel and the display panel 110 may be manufactured separately and then combined. An external touch panel may include a substrate and a plurality of touch electrodes (TE) on the substrate.

터치 패널이 디스플레이 패널(110)의 내부에 존재하는 경우, 내장형 터치 패널이라고 한다. 내장형 터치 패널인 경우, 디스플레이 패널(110)의 제작 공정 중에 터치 패널이 디스플레이 패널(110) 내에 형성될 수 있다.When the touch panel is present inside the display panel 110, it is called a built-in touch panel. In the case of a built-in touch panel, the touch panel may be formed within the display panel 110 during the manufacturing process of the display panel 110.

터치 구동 회로(152)는 다수의 터치 전극(TE) 중 적어도 하나로 터치 구동 신호를 공급하고, 다수의 터치 전극(TE) 중 적어도 하나의 터치 전극(TE)으로부터 전달되는 터치 센싱 신호를 검출하여 터치 센싱 데이터를 생성할 수 있다.The touch driving circuit 152 supplies a touch driving signal to at least one of the plurality of touch electrodes (TE), detects a touch sensing signal transmitted from at least one touch electrode (TE) of the plurality of touch electrodes (TE), and touches the touch electrode (TE). Sensing data can be generated.

터치 회로(150)는 셀프-커패시턴스(Self-Capacitance) 센싱 방식 또는 뮤추얼-커패시턴스(Mutual-Capacitance) 센싱 방식으로 터치 센싱을 수행할 수 있다.The touch circuit 150 may perform touch sensing using a self-capacitance sensing method or a mutual-capacitance sensing method.

터치 회로(150)가 셀프-커패시턴스 센싱 방식으로 터치 센싱을 수행하는 경우, 터치 회로(150)는 각 터치 전극(TE)과 터치 오브젝트(예: 손가락, 펜 등) 사이의 커패시턴스를 토대로 터치 센싱을 수행할 수 있다.When the touch circuit 150 performs touch sensing using a self-capacitance sensing method, the touch circuit 150 performs touch sensing based on the capacitance between each touch electrode (TE) and a touch object (e.g., finger, pen, etc.). It can be done.

터치 회로(150)가 뮤추얼-커패시턴스 센싱 방식으로 터치 센싱을 수행하는 경우, 터치 회로(150)는 터치 전극들(TE) 사이의 커패시턴스를 토대로 터치 센싱을 수행할 수 있다.When the touch circuit 150 performs touch sensing using the mutual-capacitance sensing method, the touch circuit 150 may perform touch sensing based on the capacitance between the touch electrodes TE.

뮤추얼-커패시턴스 센싱 방식에 따르면, 다수의 터치 전극(TE)은 터치 구동 전극과 터치 센싱 전극으로 나뉜다. 터치 구동 회로(152)는 터치 구동 신호를 이용하여 터치 구동 전극을 구동하고, 터치 센싱 전극으로부터 터치 센싱 신호를 검출할 수 있다.According to the mutual-capacitance sensing method, multiple touch electrodes (TE) are divided into touch driving electrodes and touch sensing electrodes. The touch driving circuit 152 can drive a touch driving electrode using a touch driving signal and detect a touch sensing signal from the touch sensing electrode.

셀프-커패시턴스 센싱 방식에 따르면, 다수의 터치 전극(TE) 각각은 터치 구동 전극의 역할도 하고 터치 센싱 전극의 역할도 할 수 있다. 터치 구동 회로(152)는 다수의 터치 전극(TE)의 전체 또는 일부를 구동하고 다수의 터치 전극(TE)의 전체 또는 일부를 센싱할 수 있다.According to the self-capacitance sensing method, each of the plurality of touch electrodes (TE) can serve as a touch driving electrode and a touch sensing electrode. The touch driving circuit 152 may drive all or part of the plurality of touch electrodes TE and sense all or part of the plurality of touch electrodes TE.

터치 구동 회로(152) 및 터치 컨트롤러(154)는 별도의 장치로 구현될 수도 있고, 하나의 장치로 구현될 수도 있다.The touch driving circuit 152 and the touch controller 154 may be implemented as separate devices or as one device.

또는, 터치 구동 회로(152)와 데이터 구동 회로(130)는 별도의 집적회로로 구현될 수도 있다. 이와 다르게, 터치 구동 회로(152)의 전체 또는 일부와 데이터 구동 회로(130)의 전체 또는 일부가 서로 통합되어 하나의 집적 회로로 구현될 수 있다.Alternatively, the touch driving circuit 152 and the data driving circuit 130 may be implemented as separate integrated circuits. Alternatively, all or part of the touch driving circuit 152 and all or part of the data driving circuit 130 may be integrated into one integrated circuit.

본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)는 유기 발광 디스플레이 장치, 퀀텀닷 디스플레이 장치, 마이크로 LED 디스플레이 장치 등과 같이, 자체 발광할 수 있는 발광 소자가 디스플레이 패널(110)에 배치되는 자체 발광 디스플레이 장치일 수 있다.The touch display device 100 according to embodiments of the present disclosure is a self-light emitting device in which a light emitting element capable of self-emitting, such as an organic light emitting display device, a quantum dot display device, a micro LED display device, etc., is disposed on the display panel 110. It may be a display device.

도 2는 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치의 터치 센싱 시스템을 예시로 나타낸 도면이다.Figure 2 is a diagram showing an example of a touch sensing system of a touch display device according to embodiments of the present disclosure.

도 2를 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)의 터치 센싱 시스템은 다수의 터치 전극(TE), 다수의 터치 라인(TL), 터치 구동 회로(152), 및 터치 컨트롤러(154) 등을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2, the touch sensing system of the touch display device 100 according to embodiments of the present disclosure includes a plurality of touch electrodes (TE), a plurality of touch lines (TL), a touch driving circuit 152, and a touch It may include a controller 154, etc.

본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에서 데이터 구동 회로(130)는 다수의 데이터 구동 집적 회로(SDIC)를 포함할 수 있고, 터치 구동 회로(152)는 다수의 터치 구동 집적 회로(ROIC)를 포함할 수 있다.In the touch display device 100 according to embodiments of the present disclosure, the data driving circuit 130 may include a plurality of data driving integrated circuits (SDICs), and the touch driving circuit 152 may include a plurality of touch driving integrated circuits. (ROIC) may be included.

다수의 데이터 구동 집적 회로(SDIC) 각각은 별도의 집적 회로로 구현될 수 있다. 다수의 터치 구동 집적 회로(ROIC) 각각은 별도의 집적 회로로 구현될 수 있다.Each of the multiple data driving integrated circuits (SDICs) may be implemented as a separate integrated circuit. Each of the multiple touch driving integrated circuits (ROICs) may be implemented as a separate integrated circuit.

이와 다르게, 적어도 하나의 데이터 구동 집적 회로(SDIC)와 적어도 하나의 터치 구동 집적 회로(ROIC)가 통합되어 하나의 통합 집적 회로(200)로 구현될 수도 있다.Alternatively, at least one data driving integrated circuit (SDIC) and at least one touch driving integrated circuit (ROIC) may be integrated and implemented as one integrated integrated circuit 200.

이에 따르면, 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)는 하나 이상의 통합 집적 회로(200)를 포함하고, 각 통합 집적 회로(200)는 적어도 하나의 데이터 구동 집적 회로(SDIC)와 적어도 하나의 터치 구동 집적 회로(ROIC)를 포함할 수 있다.According to this, the touch display device 100 according to embodiments of the present disclosure includes one or more integrated integrated circuits 200, and each integrated circuit 200 includes at least one data driving integrated circuit (SDIC) and at least It may include one touch driving integrated circuit (ROIC).

예를 들어, 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에서, 다수의 통합 집적 회로(200) 각각은 회로 필름(210) 상에 실장될 수 있다. 다수의 통합 집적 회로(200)가 실장된 다수의 회로 필름(210)의 일 측은 디스플레이 패널(110)에 전기적으로 연결될 수 있다. For example, in the touch display device 100 according to embodiments of the present disclosure, each of the plurality of integrated circuits 200 may be mounted on the circuit film 210. One side of the multiple circuit films 210 on which the multiple integrated circuits 200 are mounted may be electrically connected to the display panel 110 .

다수의 통합 집적 회로(200)가 실장된 다수의 회로 필름(210)의 타 측은 인쇄 회로 기판(220)에 전기적으로 연결될 수 있다.The other side of the plurality of circuit films 210 on which the plurality of integrated integrated circuits 200 are mounted may be electrically connected to the printed circuit board 220.

본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에서, 다수의 터치 전극(TE) 각각은 적어도 하나의 터치 라인(TL)을 통해 터치 구동 집적 회로(ROIC)와 전기적으로 연결될 수 있다.In the touch display device 100 according to embodiments of the present disclosure, each of the plurality of touch electrodes (TE) may be electrically connected to the touch driving integrated circuit (ROIC) through at least one touch line (TL).

다수의 터치 전극(TE)은 동일한 층에 모두 위치하고, 다수의 터치 라인(TL)은 다수의 터치 전극(TE)과 다른 층에 위치할 수 있다.The multiple touch electrodes (TE) may all be located on the same layer, and the multiple touch lines (TL) may be located on a different layer from the multiple touch electrodes (TE).

다수의 터치 전극(TE)은 제 1 터치 전극(TE1), 제 1 터치 전극(TE1)과 행 방향으로 인접한 제 2 터치 전극(TE2), 제 1 터치 전극(TE1)과 열 방향으로 인접한 제 3 터치 전극(TE3), 제 3 터치 전극(TE3)과 행 방향으로 인접한 제 4 터치 전극(TE4)을 포함할 수 있다.The plurality of touch electrodes TE includes a first touch electrode TE1, a second touch electrode TE2 adjacent to the first touch electrode TE1 in the row direction, and a third touch electrode TE1 adjacent to the first touch electrode TE1 in the column direction. It may include a touch electrode TE3 and a fourth touch electrode TE4 adjacent to the third touch electrode TE3 in the row direction.

제 1 터치 전극(TE1)은 제 1 터치 라인(TL1)과 전기적으로 연결되고, 제 2 터치 전극(TE2)은 제 2 터치 라인(TL2)과 전기적으로 연결되고, 제 3 터치 전극(TE3)은 제 3 터치 라인(TL3)과 전기적으로 연결되고, 제 4 터치 전극(TE4)은 제 4 터치 라인(TL4)과 전기적으로 연결될 수 있다.The first touch electrode TE1 is electrically connected to the first touch line TL1, the second touch electrode TE2 is electrically connected to the second touch line TL2, and the third touch electrode TE3 is electrically connected to the first touch line TL1. It may be electrically connected to the third touch line TL3, and the fourth touch electrode TE4 may be electrically connected to the fourth touch line TL4.

제 1 터치 라인(TL1)은 제 3 터치 전극(TE3)과 중첩되지만 제 3 터치 전극(TE3)과 전기적으로 연결되지 않는다. 제 2 터치 라인(TL2)은 제 4 터치 전극(TE4)과 중첩되지만 제 4 터치 전극(TE4)과 전기적으로 연결되지 않는다.The first touch line TL1 overlaps the third touch electrode TE3 but is not electrically connected to the third touch electrode TE3. The second touch line TL2 overlaps the fourth touch electrode TE4 but is not electrically connected to the fourth touch electrode TE4.

다수의 터치 전극(TE) 각각은 하나 이상의 서브픽셀(SP)과 중첩될 수 있다.Each of the plurality of touch electrodes (TE) may overlap one or more subpixels (SP).

예를 들어, 하나의 터치 전극(TE)은 둘 이상의 서브픽셀(SP)과 중첩될 수 있다. 즉, 하나의 터치 전극(TE)의 영역 크기는 둘 이상의 서브픽셀(SP)의 영역 크기와 대응될 수 있다. 이 경우, 다수의 터치 전극(TE) 각각은 둘 이상의 데이터 라인(DL)과 중첩되고, 둘 이상의 게이트 라인(GL)과 중첩될 수 있다.For example, one touch electrode (TE) may overlap two or more subpixels (SP). That is, the area size of one touch electrode (TE) may correspond to the area size of two or more subpixels (SP). In this case, each of the plurality of touch electrodes TE may overlap with two or more data lines DL and may overlap with two or more gate lines GL.

제 1 터치 전극(TE1) 및 제 2 터치 전극(TE2)은 동일한 터치 전극 행에 배치되므로 동일한 둘 이상의 게이트 라인(GL)과 중첩될 수 있다. 제 3 터치 전극(TE3) 및 제 4 터치 전극(TE4)은 동일한 터치 전극 행에 배치되므로 동일한 둘 이상의 게이트 라인(GL)과 중첩될 수 있다.Since the first touch electrode TE1 and the second touch electrode TE2 are disposed in the same touch electrode row, they may overlap two or more of the same gate lines GL. Since the third touch electrode TE3 and the fourth touch electrode TE4 are disposed in the same touch electrode row, they may overlap two or more of the same gate lines GL.

제 1 터치 전극(TE1) 및 제 3 터치 전극(TE3)은 동일한 터치 전극 열에 배치되므로 동일한 둘 이상의 데이터 라인(DL)과 중첩될 수 있다. 제 2 터치 전극(TE2) 및 제 4 터치 전극(TE4)은 동일한 터치 전극 열에 배치되므로 동일한 둘 이상의 데이터 라인(DL)과 중첩될 수 있다.Since the first touch electrode TE1 and the third touch electrode TE3 are disposed in the same touch electrode row, they may overlap two or more of the same data lines DL. Since the second touch electrode TE2 and the fourth touch electrode TE4 are disposed in the same touch electrode row, they may overlap two or more of the same data lines DL.

다수의 터치 전극(TE) 각각은 복수의 개구부가 형성된 메쉬 타입의 전극일 수 있다. 각 터치 전극(TE)에서 복수의 개구부 각각은 서브픽셀(SP)의 발광 영역과 대응되거나, 투과 영역 (또는 투명 영역)과 대응될 수 있다.Each of the plurality of touch electrodes TE may be a mesh-type electrode having a plurality of openings. Each of the plurality of openings in each touch electrode TE may correspond to a light emitting area of the subpixel SP or may correspond to a transmission area (or transparent area).

도 3은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 디스플레이 패널에 터치 패널이 내장되는 구조를 예시적으로 나타낸 도면이다.FIG. 3 is a diagram illustrating a structure in which a touch panel is embedded in a display panel in a touch display device according to embodiments of the present disclosure.

도 3을 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에서, 디스플레이 패널(110)의 표시 영역(AA)에는 기판(SUB) 상에 다수의 서브픽셀(SP)이 배열된다.Referring to FIG. 3, in the touch display device 100 according to embodiments of the present disclosure, a plurality of subpixels SP are arranged on the substrate SUB in the display area AA of the display panel 110. .

각 서브픽셀(SP)은 발광 소자(ED)와, 발광 소자(ED)를 구동하기 위한 구동 트랜지스터(DRT)와, 구동 트랜지스터(DRT)의 제 1 노드(N1)로 데이터 전압(Vdata)을 전달해주기 위한 스위칭 트랜지스터(SWT)와, 한 프레임 동안 일정 전압을 유지해주기 위한 스토리지 커패시터(Cst) 등을 포함할 수 있다.Each subpixel (SP) transmits the data voltage (Vdata) to the light-emitting element (ED), a driving transistor (DRT) for driving the light-emitting element (ED), and the first node (N1) of the driving transistor (DRT). It may include a switching transistor (SWT) to maintain a constant voltage for one frame, and a storage capacitor (Cst) to maintain a constant voltage for one frame.

구동 트랜지스터(DRT)는 스위칭 트랜지스터(SWT)를 통해 데이터 전압(Vdata)이 인가될 수 있는 제 1 노드(N1), 발광 소자(ED)와 전기적으로 연결되는 제 2 노드(N2), 및 구동 전압 라인(DVL)으로부터 구동 전압(EVDD)이 인가되는 제 3 노드(N3)를 포함할 수 있다. 제 1 노드(N1)는 게이트 노드이고, 제 2 노드(N2)는 소스 노드 또는 드레인 노드일 수 있고, 제 3 노드(N3)는 드레인 노드 또는 소스 노드일 수 있다.The driving transistor (DRT) has a first node (N1) to which the data voltage (Vdata) can be applied through the switching transistor (SWT), a second node (N2) electrically connected to the light emitting element (ED), and a driving voltage It may include a third node N3 to which the driving voltage EVDD is applied from the line DVL. The first node (N1) is a gate node, the second node (N2) may be a source node or a drain node, and the third node (N3) may be a drain node or a source node.

발광 소자(ED)는 애노드 전극, 발광층 및 캐소드 전극을 포함할 수 있다. 애노드 전극은 구동 트랜지스터(DRT)의 제 2 노드(N2)와 전기적으로 연결되고, 캐소드 전극은 기저 전압(EVSS)이 인가될 수 있다.The light emitting device (ED) may include an anode electrode, a light emitting layer, and a cathode electrode. The anode electrode is electrically connected to the second node (N2) of the driving transistor (DRT), and the base voltage (EVSS) can be applied to the cathode electrode.

이러한 발광 소자(ED)에서 발광층은 유기물을 포함하는 유기 발광층일 수 있다. 이 경우, 발광 소자(ED)는 유기 발광 다이오드일 수 있다.In this light-emitting device (ED), the light-emitting layer may be an organic light-emitting layer containing organic materials. In this case, the light emitting device (ED) may be an organic light emitting diode.

스위칭 트랜지스터(SWT)는 게이트 라인(GL)의 한 종류인 스캔 라인(SCL)을 통해 인가되는 스캔 신호(SCAN)에 의해 온-오프가 제어되며, 구동 트랜지스터(DRT)의 제 1 노드(N1)와 데이터 라인(DL) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다.The switching transistor (SWT) is controlled on-off by the scan signal (SCAN) applied through the scan line (SCL), a type of gate line (GL), and is connected to the first node (N1) of the driving transistor (DRT). It may be electrically connected between and the data line (DL).

스위칭 트랜지스터(SWT)가 스캔 신호(SCAN)에 의해 턴-온 되면, 데이터 라인(DL)을 통해 공급된 데이터 전압(Vdata)이 구동 트랜지스터(DRT)의 제 1 노드(N1)에 전달된다.When the switching transistor (SWT) is turned on by the scan signal (SCAN), the data voltage (Vdata) supplied through the data line (DL) is transmitted to the first node (N1) of the driving transistor (DRT).

스토리지 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제 1 노드(N1)와 제 2 노드(N2) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다.The storage capacitor Cst may be electrically connected between the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT.

각 서브픽셀(SP)은 2개의 트랜지스터(DRT, SWT)와 1개의 커패시터(Cst)를 포함하는 2T1C 구조를 가질 수 있으며, 경우에 따라서, 1개 이상의 트랜지스터를 더 포함하거나, 1개 이상의 커패시터를 더 포함할 수도 있다.Each subpixel (SP) may have a 2T1C structure including two transistors (DRT, SWT) and one capacitor (Cst), and in some cases, may further include one or more transistors or one or more capacitors. More may be included.

스토리지 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제 1 노드(N1)와 제 2 노드(N2) 사이에 존재할 수 있는 기생 커패시터가 아니라, 구동 트랜지스터(DRT)의 외부에 의도적으로 설계한 외부 커패시터(External Capacitor)일 수 있다.The storage capacitor Cst is not a parasitic capacitor that may exist between the first node N1 and the second node N2 of the driving transistor DRT, but is an external capacitor intentionally designed outside the driving transistor DRT ( External Capacitor).

구동 트랜지스터(DRT) 및 스위칭 트랜지스터(SWT)는 각각 n 타입 트랜지스터이거나 p 타입 트랜지스터일 수 있다.The driving transistor (DRT) and switching transistor (SWT) may be an n-type transistor or a p-type transistor, respectively.

한편, 디스플레이 패널(110)에는 발광 소자(ED), 2개 이상의 트랜지스터(DRT, SWT) 및 1개 이상의 커패시터(Cst) 등의 회로 소자가 배치된다. 이러한 회로 소자는 외부의 수분이나 산소 등에 취약하기 때문에, 외부의 수분이나 산소가 회로 소자로 침투되는 것을 방지하기 위한 봉지층(ENCAP)이 디스플레이 패널(110)에 배치될 수 있다.Meanwhile, circuit elements such as a light emitting element (ED), two or more transistors (DRT, SWT), and one or more capacitors (Cst) are disposed on the display panel 110. Since these circuit elements are vulnerable to external moisture or oxygen, an encapsulation layer (ENCAP) may be disposed on the display panel 110 to prevent external moisture or oxygen from penetrating into the circuit elements.

본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)는 터치 패널(TSP)이 봉지층(ENCAP) 상에 형성되어 디스플레이 패널(110)에 내장될 수 있다. 즉, 터치 디스플레이 장치(100)에서, 터치 패널(TSP)을 이루는 다수의 터치 전극(TE)이 봉지층(ENCAP) 상에 배치되어 디스플레이 패널(110)을 구성할 수 있다.In the touch display device 100 according to embodiments of the present disclosure, the touch panel (TSP) may be formed on the encapsulation layer (ENCAP) and embedded in the display panel 110. That is, in the touch display device 100, a plurality of touch electrodes (TE) forming the touch panel (TSP) may be disposed on the encapsulation layer (ENCAP) to form the display panel 110.

이 때, 봉지층(ENCAP)이 복수의 층으로 이루어지는 경우에는 임의의 제 1 봉지층과 제 2 봉지층 사이에 터치 전극(TE)이 배치될 배치될 수도 있을 것이다.At this time, when the encapsulation layer (ENCAP) is composed of a plurality of layers, the touch electrode (TE) may be disposed between any first encapsulation layer and the second encapsulation layer.

터치 디스플레이 장치(100)는 커패시턴스 기반의 터치 센싱 방식으로서, 뮤추얼 커패시턴스(Mutual capacitance) 방식으로 터치를 센싱할 수도 있고, 셀프 커패시턴스(Self capacitance) 방식으로 터치를 센싱할 수도 있다.The touch display device 100 is a capacitance-based touch sensing method, and may sense touch using a mutual capacitance method or a self-capacitance method.

뮤추얼 커패시턴스(Mutual capacitance) 기반의 터치 센싱 방식의 경우, 다수의 터치 전극들(TE)은 터치 구동 라인을 통해 터치 구동 신호가 인가되는 터치 구동 전극과, 터치 센싱 라인을 통해 터치 센싱 신호가 센싱되며 터치 구동 전극과 커패시턴스를 형성하는 터치 센싱 전극으로 분류될 수 있다. 이 때, 터치 구동 라인과 터치 센싱 라인을 포함하여 터치 라인으로 지칭하고, 터치 구동 신호와 터치 센싱 신호를 포함하여 터치 신호로 지칭할 수 있을 것이다.In the case of a touch sensing method based on mutual capacitance, a plurality of touch electrodes (TE) have a touch driving electrode to which a touch driving signal is applied through a touch driving line, and a touch sensing signal is sensed through a touch sensing line. It can be classified into touch driving electrodes and touch sensing electrodes that form capacitance. At this time, it may be referred to as a touch line, including the touch driving line and the touch sensing line, and may be referred to as a touch signal, including the touch driving signal and the touch sensing signal.

이 때, 터치 구동 신호가 인가되는 터치 구동 전극의 면적과 터치 센싱 신호가 전달되는 터치 센싱 전극의 면적은 동일할 수도 있고 상이할 수도 있다.At this time, the area of the touch driving electrode to which the touch driving signal is applied and the area of the touch sensing electrode to which the touch sensing signal is transmitted may be the same or different.

예를 들어, 터치 센싱 신호가 전달되는 터치 센싱 전극에 의한 기생 커패시턴스를 상대적으로 감소시키고자 하는 경우에는 터치 센싱 전극의 면적을 터치 구동 전극의 면적보다 작게 형성할 수 있다. 이 경우, 터치 구동 신호가 인가되는 터치 구동 전극의 면적과 터치 센싱 신호가 전달되는 터치 센싱 전극의 면적은 5:1 내지 2:1의 비율로 이루어질 수 있다. 한가지 예로써, 터치 구동 전극의 면적과 터치 센싱 전극의 면적은 4:1 의 비율로 이루어질 수 있다.For example, when it is desired to relatively reduce the parasitic capacitance caused by the touch sensing electrode through which the touch sensing signal is transmitted, the area of the touch sensing electrode can be formed to be smaller than the area of the touch driving electrode. In this case, the area of the touch driving electrode to which the touch driving signal is applied and the area of the touch sensing electrode to which the touch sensing signal is transmitted may be in a ratio of 5:1 to 2:1. As one example, the area of the touch driving electrode and the area of the touch sensing electrode may have a ratio of 4:1.

이러한 뮤추얼 커패시턴스 기반의 터치 센싱 방식의 경우, 손가락, 펜 등의 포인터 유무에 따라, 터치 구동 전극과 터치 센싱 전극 사이에 발생하는 뮤추얼 커패시턴스의 변화를 토대로 터치 유무 및 터치 좌표 등을 검출한다.In the case of this mutual capacitance-based touch sensing method, the presence or absence of touch and touch coordinates are detected based on the change in mutual capacitance that occurs between the touch driving electrode and the touch sensing electrode depending on the presence or absence of a pointer such as a finger or pen.

셀프 커패시턴스 기반의 터치 센싱 방식의 경우, 각 터치 전극(TE)은 터치 구동 전극의 역할과 터치 센싱 전극의 역할을 모두 하게 된다. 즉, 하나의 터치 라인을 통해 터치 전극(TE)으로 터치 구동 신호가 인가되고, 터치 구동 신호가 인가된 터치 전극(TE)으로부터 전달되는 터치 센싱 신호를 동일한 터치 라인을 통해 수신한다. 따라서, 셀프 커패시턴스 기반의 터치 센싱 방식에서는, 터치 구동 전극과 터치 센싱 전극의 구분 및 터치 구동 라인과 터치 센싱 라인의 구분이 없게 된다.In the case of a self-capacitance-based touch sensing method, each touch electrode (TE) functions as both a touch driving electrode and a touch sensing electrode. That is, a touch driving signal is applied to the touch electrode (TE) through one touch line, and a touch sensing signal transmitted from the touch electrode (TE) to which the touch driving signal is applied is received through the same touch line. Therefore, in the self-capacitance-based touch sensing method, there is no distinction between the touch driving electrode and the touch sensing electrode and the touch driving line and the touch sensing line.

이러한 셀프 커패시턴스 기반의 터치 센싱 방식의 경우, 손가락, 펜 등의 포인터와 터치 전극(TE) 사이에 발생하는 커패시턴스의 변화를 토대로 터치 유무 및 터치 좌표 등을 검출한다.In the case of this self-capacitance-based touch sensing method, the presence or absence of touch and touch coordinates are detected based on the change in capacitance that occurs between a pointer such as a finger or pen and the touch electrode (TE).

이와 같이, 터치 디스플레이 장치(100)는 뮤추얼 커패시턴스 기반의 터치 센싱 방식으로 터치를 센싱할 수도 있고, 셀프 커패시턴스 기반의 터치 센싱 방식으로 터치를 센싱할 수도 있다As such, the touch display device 100 may sense a touch using a mutual capacitance-based touch sensing method, or may sense a touch using a self-capacitance-based touch sensing method.

도 4는 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 뮤추얼 커패시턴스 기반의 터치 센싱을 위한 터치 전극 구조를 간략하게 나타낸 도면이다.FIG. 4 is a diagram briefly illustrating a touch electrode structure for mutual capacitance-based touch sensing in a touch display device according to embodiments of the present disclosure.

도 4를 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에서, 뮤추얼 커패시턴스 기반의 터치 센싱을 위한 터치 전극 구조는 복수의 X-터치 전극(X-TE)과 복수의 Y-터치 전극(Y-TE)을 포함할 수 있다. 여기에서, 복수의 X-터치 전극(X-TE)과 복수의 Y-터치 전극(Y-TE)은 봉지층(ENCAP)의 상부에 위치한다.Referring to FIG. 4, in the touch display device 100 according to embodiments of the present disclosure, the touch electrode structure for mutual capacitance-based touch sensing includes a plurality of X-touch electrodes (X-TE) and a plurality of Y- It may include a touch electrode (Y-TE). Here, the plurality of X-touch electrodes (X-TE) and the plurality of Y-touch electrodes (Y-TE) are located on the upper part of the encapsulation layer (ENCAP).

복수의 X-터치 전극(X-TE) 각각은 제 1 방향으로 배치되고, 복수의 Y-터치 전극(Y-TE) 각각은 제 1 방향과 다른 제 2 방향으로 배치될 수 있다.Each of the plurality of X-touch electrodes (X-TE) may be arranged in a first direction, and each of the plurality of Y-touch electrodes (Y-TE) may be arranged in a second direction different from the first direction.

본 개시에서 제 1 방향 및 제 2 방향은 상대적으로 서로 다른 방향일 수 있으며, 일 예로, 제 1 방향은 x축 방향이고 제 2 방향은 y축 방향일 수 있다. 이와 반대로, 제 1 방향은 y축 방향이고 제 2 방향은 x축 방향일 수도 있다. 또한, 제 1 방향과 제 2 방향은 서로 직교할 수도 있지만 직교하지 않을 수도 있다. 또한, 본 명세서에서 행과 열은 상대적인 것으로서, 보는 관점에서 따라서 행과 열은 바뀔 수 있다.In the present disclosure, the first direction and the second direction may be relatively different directions. For example, the first direction may be the x-axis direction and the second direction may be the y-axis direction. Conversely, the first direction may be the y-axis direction and the second direction may be the x-axis direction. Additionally, the first direction and the second direction may or may not be orthogonal to each other. Additionally, in this specification, rows and columns are relative, and the rows and columns may change depending on the viewing point of view.

복수의 X-터치 전극(X-TE) 각각은 전기적으로 연결된 여러 개의 X-터치 전극 절편으로 구성될 수 있다. 복수의 Y-터치 전극(Y-TE) 각각은 전기적으로 연결된 여러 개의 Y-터치 전극 절편으로 구성될 수 있다.Each of the plurality of X-touch electrodes (X-TE) may be composed of several electrically connected X-touch electrode segments. Each of the plurality of Y-touch electrodes (Y-TE) may be composed of several Y-touch electrode segments that are electrically connected.

여기에서, 복수의 X-터치 전극(X-TE)과 복수의 Y-터치 전극(Y-TE)은 다수의 터치 전극(TE)에 포함되며 역할(기능)이 구분되는 전극들이다. 가령, 복수의 X-터치 전극(X-TE)은 터치 구동 전극이고, 복수의 Y-터치 전극(Y-TE)은 터치 센싱 전극일 수 있다. 이와 반대로, 복수의 X-터치 전극(X-TE)이 터치 센싱 전극이고, 복수의 Y-터치 전극(Y-TE)이 터치 구동 전극일 수 있다. Here, the plurality of X-touch electrodes (X-TE) and the plurality of Y-touch electrodes (Y-TE) are electrodes that are included in the plurality of touch electrodes (TE) and have distinct roles (functions). For example, the plurality of X-touch electrodes (X-TE) may be touch driving electrodes, and the plurality of Y-touch electrodes (Y-TE) may be touch sensing electrodes. Conversely, the plurality of X-touch electrodes (X-TE) may be touch sensing electrodes, and the plurality of Y-touch electrodes (Y-TE) may be touch driving electrodes.

복수의 터치 라인(TL)은 복수의 X-터치 전극(X-TE) 각각에 연결되는 하나 이상의 X-터치 라인(X-TL)과, 복수의 Y-터치 전극(Y-TE) 각각에 연결되는 하나 이상의 Y-터치 라인(Y-TL)을 포함할 수 있다.The plurality of touch lines (TL) are connected to one or more X-touch lines (X-TL) connected to each of the plurality of X-touch electrodes (X-TE) and each of the plurality of Y-touch electrodes (Y-TE). It may include one or more Y-touch lines (Y-TL).

도 5는 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서 디스플레이 패널을 구성하는 서브픽셀의 등가회로를 예시로 나타낸 도면이다.FIG. 5 is a diagram illustrating an equivalent circuit of subpixels constituting a display panel in a touch display device according to embodiments of the present disclosure.

도 5를 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에서, 다수의 서브픽셀(SP) 각각은 발광 소자(ED), 발광 소자(ED)를 구동하기 위한 구동 트랜지스터(DRT), 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 전극과 데이터 라인(DL) 간의 전기적인 연결을 스위치 하는 스위칭 트랜지스터(SWT), 및 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 전극과 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 전극 또는 드레인 전극 사이에 전기적으로 연결되는 스토리지 커패시터(Cst) 등을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5, in the touch display device 100 according to embodiments of the present disclosure, each of the plurality of subpixels (SP) includes a light emitting element (ED) and a driving transistor (DRT) for driving the light emitting element (ED). ), a switching transistor (SWT) that switches the electrical connection between the gate electrode of the driving transistor (DRT) and the data line (DL), and the gate electrode of the driving transistor (DRT) and the source electrode or drain electrode of the driving transistor (DRT) It may include a storage capacitor (Cst) electrically connected therebetween.

구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 전극은 제 1 노드(N1)에 대응된다. 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 전극 또는 드레인 전극은 제 2 노드(N2)에 대응된다. 구동 트랜지스터(DRT)의 드레인 전극 또는 소스 전극은 제 3 노드(N3)에 대응된다.The gate electrode of the driving transistor DRT corresponds to the first node N1. The source electrode or drain electrode of the driving transistor (DRT) corresponds to the second node (N2). The drain electrode or source electrode of the driving transistor (DRT) corresponds to the third node (N3).

발광 소자(ED)는 애노드 전극(AE), 발광층(EL) 및 캐소드 전극(CE)을 포함할 수 있다. 발광층(EL)은 애노드 전극(AE) 상에 위치하고, 캐소드 전극(CE)은 발광층(EL) 상에 위치할 수 있다. 애노드 전극(AE)은 픽셀 전극이라고 할 수도 있고, 캐소드 전극(CE)은 공통 전극이라고 할 수도 있다.The light emitting device (ED) may include an anode electrode (AE), a light emitting layer (EL), and a cathode electrode (CE). The light emitting layer (EL) may be located on the anode electrode (AE), and the cathode electrode (CE) may be located on the light emitting layer (EL). The anode electrode (AE) may be referred to as a pixel electrode, and the cathode electrode (CE) may be referred to as a common electrode.

발광 소자(ED)는 자체 발광 디스플레이를 위한 소자로서, 유기 발광 다이오드(OLED: Organic Light Emitting Diode), 퀀텀닷(Quantum Dot)으로 만들어진 발광 소자, 또는 마이크로 LED(Micro Light Emitting Diode) 등을 포함할 수 있다.A light emitting device (ED) is a device for a self-luminous display and may include an organic light emitting diode (OLED), a light emitting device made of quantum dots, or a micro LED (Micro Light Emitting Diode). You can.

스위칭 트랜지스터(SWT)의 드레인 전극 또는 소스 전극은 데이터 라인(DL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 스위칭 트랜지스터(SWT)의 소스 전극 또는 드레인 전극은 제 1 노드(N1)에서 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 전극과 전기적으로 연결될 수 있다. 스위칭 트랜지스터(SWT)의 게이트 전극은 게이트 라인(GL)의 한 종류인 스캔 신호 라인(SCL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 스위칭 트랜지스터(SWT)는 스캔 신호 라인(SCL)에서 공급된 스캔 신호(SCAN)에 의해 온-오프가 제어될 수 있다.The drain electrode or source electrode of the switching transistor (SWT) may be electrically connected to the data line (DL). The source electrode or drain electrode of the switching transistor (SWT) may be electrically connected to the gate electrode of the driving transistor (DRT) at the first node (N1). The gate electrode of the switching transistor (SWT) may be electrically connected to the scan signal line (SCL), which is a type of gate line (GL). The switching transistor (SWT) may be controlled on-off by the scan signal (SCAN) supplied from the scan signal line (SCL).

스토리지 커패시터(Cst)는 제 1 노드(N1)와 제 2 노드(N2) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 일정 시간(예: 한 프레임 시간) 동안 제 1 노드(N1)와 제 2 노드(N2) 간의 전압 차이를 유지시켜주는 역할을 할 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(DRT)의 내부 커패시터(기생 커패시터)가 아니라, 서브픽셀(SP)의 구동을 위하여 의도적으로 설계된 외부 커패시터이다.The storage capacitor Cst may be electrically connected between the first node N1 and the second node N2. The storage capacitor Cst may serve to maintain the voltage difference between the first node N1 and the second node N2 for a certain period of time (eg, one frame time). The storage capacitor (Cst) is not an internal capacitor (parasitic capacitor) of the driving transistor (DRT), but is an external capacitor intentionally designed to drive the subpixel (SP).

센싱 트랜지스터(SENT)의 드레인 전극 또는 소스 전극은 기준 전압 라인(RVL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 센싱 트랜지스터(SENT)의 소스 전극 또는 드레인 전극은 제 2 노드(N2)에서 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 전극 또는 드레인 전극과 전기적으로 연결되고, 애노드 전극(AE)과도 전기적도 연결될 수 있다. 센싱 트랜지스터(SENT)의 게이트 전극은 게이트 라인(GL)의 한 종류인 센스 신호 라인(SENL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 센싱 트랜지스터(SENT)는 센스 신호 라인(SENL)에서 공급된 센스 신호(SENSE)에 의해 온-오프가 제어될 수 있다.The drain electrode or source electrode of the sensing transistor (SENT) may be electrically connected to the reference voltage line (RVL). The source electrode or drain electrode of the sensing transistor (SENT) is electrically connected to the source electrode or drain electrode of the driving transistor (DRT) at the second node (N2), and may also be electrically connected to the anode electrode (AE). The gate electrode of the sensing transistor (SENT) may be electrically connected to the sense signal line (SENL), which is a type of gate line (GL). The sensing transistor (SENT) may be controlled on-off by the sense signal (SENSE) supplied from the sense signal line (SENL).

애노드 전극(AE)은 다수의 서브픽셀(SP) 마다 배치되고, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 전극 또는 드레인 전극에 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 제 2 노드(N2)에서, 애노드 전극(AE)은 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 전극 또는 드레인 전극과 전기적으로 연결될 수 있다.The anode electrode (AE) is disposed in each subpixel (SP) and may be electrically connected to the source electrode or drain electrode of the driving transistor (DRT). That is, in the second node N2, the anode electrode AE may be electrically connected to the source electrode or drain electrode of the driving transistor DRT.

캐소드 전극(CE)은 다수의 서브픽셀(SP)에 공통으로 배치될 수 있다. 캐소드 전극(CE)에는 전압 레벨의 변동이 없는 직류 레벨의 기저 전압(EVSS)이 인가될 수 있다. 여기서, 기저 전압(EVSS)은 모든 서브픽셀(SP)의 발광 소자(ED)의 캐소드 전극(CE)에 공통으로 인가되는 공통 전압에 해당할 수 있다.The cathode electrode (CE) may be commonly disposed in multiple subpixels (SP). A DC level base voltage (EVSS) with no change in voltage level may be applied to the cathode electrode (CE). Here, the base voltage EVSS may correspond to a common voltage commonly applied to the cathode electrode CE of the light emitting element ED of all subpixels SP.

본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에서 디스플레이 패널(110)은 캐소드 전극(CE)과 전기적으로 연결된 다수의 기저 라인(EVSL)을 더 포함할 수 있다.In the touch display device 100 according to embodiments of the present disclosure, the display panel 110 may further include a plurality of base lines (EVSL) electrically connected to the cathode electrode (CE).

다수의 기저 라인(EVSL)을 이용하면, 캐소드 전극(CE)의 전 영역으로 기저 전압(EVSS)을 균일하게 인가해줄 수 있다. 다수의 기저 라인(EVSL)을 이용한 기저 전압(EVSS)의 공급 방식은 대면적의 디스플레이 패널(110)에 대하여 기저 전압(EVSS)을 효과적으로 공급하는 방식이 될 수 있다.By using multiple base lines (EVSL), the base voltage (EVSS) can be uniformly applied to the entire area of the cathode electrode (CE). The base voltage (EVSS) supply method using multiple base lines (EVSL) can be a method of effectively supplying the base voltage (EVSS) to the large-area display panel 110.

도 6은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 디스플레이 패널의 단면을 예시로 나타낸 도면이다.FIG. 6 is a diagram showing an example of a cross-section of a display panel in a touch display device according to embodiments of the present disclosure.

도 6을 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)의 디스플레이 패널(110)은 기판(SUB)을 포함한다. 기판(SUB) 상에 다수의 서브픽셀(SP)이 형성된다. 다수의 서브픽셀(SP) 각각은 애노드 전극(AE), 발광층(EL) 및 캐소드 전극(CE)을 포함하는 발광 소자(ED), 발광 소자(ED)를 구동하는 구동 트랜지스터(DRT), 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 전극과 데이터 라인(DL) 간의 연결을 제어하는 스위칭 트랜지스터(SWT), 및 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 전극과 애노드 전극(AE) 사이에 연결된 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6, the display panel 110 of the touch display device 100 according to embodiments of the present disclosure includes a substrate (SUB). A plurality of subpixels (SP) are formed on the substrate (SUB). Each of the plurality of subpixels (SP) includes an anode electrode (AE), a light emitting element (ED) including a light emitting layer (EL) and a cathode electrode (CE), a driving transistor (DRT) for driving the light emitting element (ED), and a driving transistor. It may include a switching transistor (SWT) that controls the connection between the gate electrode of the (DRT) and the data line (DL), and a storage capacitor (Cst) connected between the gate electrode of the driving transistor (DRT) and the anode electrode (AE). there is.

기판(SUB) 상에는 트랜지스터들(DRT, SWT, SENT) 및 커패시터(Cst)가 형성되고, 발광 소자(ED)들이 형성될 수 있다. 발광 소자들(ED)의 캐소드 전극(CE) 상에 봉지층(ENCAP)이 형성될 수 있다. 봉지층(ENCAP)은 산소나 수분이 발광 소자(ED)로 침투하는 것을 방지해줄 수 있다.Transistors (DRT, SWT, SENT) and a capacitor (Cst) may be formed on the substrate (SUB), and light emitting elements (ED) may be formed. An encapsulation layer (ENCAP) may be formed on the cathode electrode (CE) of the light emitting elements (ED). The encapsulation layer (ENCAP) can prevent oxygen or moisture from penetrating into the light emitting device (ED).

봉지층(ENCAP) 상에는 다수의 터치 전극(TE)과 컬러 필터(CF)가 배치될 수 있다. 이 때, 봉지층(ENCAP) 상에 위치하는 터치 전극(TE)과 컬러 필터(CF) 사이의 상하 위치는 다양하게 설계될 수 있다. 예를 들어, 봉지층(ENCAP) 상에 컬러 필터(CF)가 배치되고, 컬러 필터(CF) 상에 터치 전극(TE)이 배치될 수 있다. 또는, 봉지층(ENCAP) 상에 터치 전극(TE)이 배치되고, 터치 전극(TE) 상에 컬러 필터(CF)가 배치될 수 있다.A plurality of touch electrodes (TE) and color filters (CF) may be disposed on the encapsulation layer (ENCAP). At this time, the upper and lower positions between the touch electrode (TE) and the color filter (CF) located on the encapsulation layer (ENCAP) can be designed in various ways. For example, a color filter (CF) may be disposed on the encapsulation layer (ENCAP), and a touch electrode (TE) may be disposed on the color filter (CF). Alternatively, the touch electrode (TE) may be disposed on the encapsulation layer (ENCAP), and the color filter (CF) may be disposed on the touch electrode (TE).

여기에서는, 설명의 편의를 위하여 센싱 트랜지스터(SENT)를 생략하였다. 또한, 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 전극(S1)이 애노드 전극(AE)과 전기적으로 연결되고, 스위칭 트랜지스터(SWT)의 드레인 전극(D2)이 데이터 라인(DL)과 연결되는 것으로 가정한다.Here, the sensing transistor (SENT) is omitted for convenience of explanation. Additionally, it is assumed that the source electrode (S1) of the driving transistor (DRT) is electrically connected to the anode electrode (AE), and the drain electrode (D2) of the switching transistor (SWT) is connected to the data line (DL).

기판(SUB) 상에는 쉴드층(SHD)이 배치될 수 있다. A shield layer (SHD) may be disposed on the substrate (SUB).

쉴드층(SHD) 상에 버퍼층(BUF)이 배치될 수 있다.A buffer layer (BUF) may be disposed on the shield layer (SHD).

버퍼층(BUF) 상에 스위칭 트랜지스터(SWT) 및 구동 트랜지스터(DRT)가 형성될 수 있다. 센싱 트랜지스터(SENT)도 버퍼층(BUF) 상에 형성될 수 있다.A switching transistor (SWT) and a driving transistor (DRT) may be formed on the buffer layer (BUF). A sensing transistor (SENT) may also be formed on the buffer layer (BUF).

구동 트랜지스터(DRT)의 반도체층(ACT1)과 스위칭 트랜지스터(SWT)의 반도체층(ACT2)이 버퍼층(BUF) 상에 형성될 수 있다.The semiconductor layer ACT1 of the driving transistor DRT and the semiconductor layer ACT2 of the switching transistor SWT may be formed on the buffer layer BUF.

구동 트랜지스터(DRT)의 반도체층(ACT1)은 채널부(CH1), 채널부(CH1)의 일 측에 위치하는 소스 연결부(CS1), 및 채널부(CH1)의 타 측에 위치하는 드레인 연결부(CD1)를 포함할 수 있다. 여기서, 소스 연결부(CS1) 및 드레인 연결부(CD1)는 반도체 물질이 도체화된 부분일 수 있다.The semiconductor layer (ACT1) of the driving transistor (DRT) includes a channel portion (CH1), a source connection portion (CS1) located on one side of the channel portion (CH1), and a drain connection portion ( CD1) may be included. Here, the source connection part CS1 and the drain connection part CD1 may be a conductive part of a semiconductor material.

스위칭 트랜지스터(SWT)의 반도체층(ACT2)은 채널부(CH2), 채널부(CH2)의 일 측에 위치하는 소스 연결부(CS2), 및 채널부(CH2)의 타 측에 위치하는 드레인 연결부(CD2)를 포함할 수 있다. 여기서, 소스 연결부(CS2) 및 드레인 연결부(CD2)는 반도체 물질이 도체화된 부분일 수 있다.The semiconductor layer (ACT2) of the switching transistor (SWT) includes a channel part (CH2), a source connection part (CS2) located on one side of the channel part (CH2), and a drain connection part (CS2) located on the other side of the channel part (CH2). CD2) may be included. Here, the source connection portion (CS2) and the drain connection portion (CD2) may be a conductive portion of a semiconductor material.

버퍼층(BUF)의 아래에 형성된 쉴드층(SHD) 중 하나는, 구동 트랜지스터(DRT)의 반도체층(ACT1)을 구성하는 채널부(CH1) 및 스위칭 트랜지스터(SWT)의 반도체층(ACT2)을 구성하는 채널부(CH2) 중 적어도 하나와 중첩될 수 있다. 이에 따라, 구동 트랜지스터(DRT)의 반도체층(ACT1)을 구성하는 채널부(CH1) 및 스위칭 트랜지스터(SWT)의 반도체층(ACT2)을 구성하는 채널부(CH2) 중 적어도 하나가 빛(외부 광 또는 내부 광)에 노출되는 것이 차단됨으로써 채널 특성의 변화가 방지될 수 있다.One of the shield layers (SHD) formed below the buffer layer (BUF) constitutes the channel portion (CH1) that constitutes the semiconductor layer (ACT1) of the driving transistor (DRT) and the semiconductor layer (ACT2) of the switching transistor (SWT). It may overlap with at least one of the channel units (CH2). Accordingly, at least one of the channel portion (CH1) constituting the semiconductor layer (ACT1) of the driving transistor (DRT) and the channel portion (CH2) constituting the semiconductor layer (ACT2) of the switching transistor (SWT) is exposed to light (external light). Changes in channel characteristics can be prevented by blocking exposure to (or internal light).

구동 트랜지스터(DRT)의 반도체층(ACT1)과 스위칭 트랜지스터(SWT)의 반도체층(ACT2) 상에는 채널부(CH1, CH2)를 덮도록 게이트 절연막(GI)이 배치될 수 있다. 게이트 절연막(GI) 상에 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 전극(G1)과 스위칭 트랜지스터(SWT)의 게이트 전극(G2)이 위치할 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 전극(G1)은 구동 트랜지스터(DRT)의 반도체층(ACT1)을 구성하는 채널부(CH1)와 중첩될 수 있다. 스위칭 트랜지스터(SWT)의 게이트 전극(G2)은 스위칭 트랜지스터(SWT)의 반도체층(ACT2)을 구성하는 채널부(CH2)와 중첩될 수 있다.A gate insulating film GI may be disposed on the semiconductor layer ACT1 of the driving transistor DRT and the semiconductor layer ACT2 of the switching transistor SWT to cover the channel portions CH1 and CH2. The gate electrode G1 of the driving transistor DRT and the gate electrode G2 of the switching transistor SWT may be located on the gate insulating film GI. The gate electrode G1 of the driving transistor DRT may overlap the channel portion CH1 constituting the semiconductor layer ACT1 of the driving transistor DRT. The gate electrode G2 of the switching transistor SWT may overlap the channel portion CH2 constituting the semiconductor layer ACT2 of the switching transistor SWT.

구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 전극(G1)과 스위칭 트랜지스터(SWT)의 게이트 전극(G2) 상에 제 1 층간 절연막(ILD1)이 배치될 수 있다.A first interlayer insulating layer ILD1 may be disposed on the gate electrode G1 of the driving transistor DRT and the gate electrode G2 of the switching transistor SWT.

제 1 층간 절연막(ILD1) 상에 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 전극(S1) 및 드레인 전극(D1)이 배치될 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 전극(S1)은 제 1 층간 절연막(ILD1)의 컨택홀을 통해 구동 트랜지스터(DRT)의 반도체층(ACT1)을 구성하는 소스 연결부(CS1)와 전기적으로 연결될 수 있다. 구동 트랜지스터(DRT)의 드레인 전극(D1)은 제 1 층간 절연막(ILD1)의 컨택홀을 통해 구동 트랜지스터(DRT)의 반도체층(ACT1)을 구성하는 드레인 연결부(CD1)와 전기적으로 연결될 수 있다.The source electrode S1 and the drain electrode D1 of the driving transistor DRT may be disposed on the first interlayer insulating layer ILD1. The source electrode S1 of the driving transistor DRT may be electrically connected to the source connection CS1 constituting the semiconductor layer ACT1 of the driving transistor DRT through a contact hole in the first interlayer insulating layer ILD1. The drain electrode D1 of the driving transistor DRT may be electrically connected to the drain connection CD1 forming the semiconductor layer ACT1 of the driving transistor DRT through a contact hole in the first interlayer insulating layer ILD1.

제 1 층간 절연막(ILD1) 상에 스위칭 트랜지스터(SWT)의 소스 전극(S2) 및 드레인 전극(D2)이 배치될 수 있다.The source electrode S2 and the drain electrode D2 of the switching transistor SWT may be disposed on the first interlayer insulating layer ILD1.

스위칭 트랜지스터(SWT)의 소스 전극(S2)은 제 1 층간 절연막(ILD1)의 컨택홀을 통해 스위칭 트랜지스터(SWT)의 반도체층(ACT2)을 구성하는 소스 연결부(CS2)와 전기적으로 연결될 수 있다. 스위칭 트랜지스터(SWT)의 드레인 전극(D2)은 제 1 층간 절연막(ILD1)의 컨택홀을 통해 스위칭 트랜지스터(SWT)의 반도체층(ACT2)을 구성하는 드레인 연결부(CD2)와 전기적으로 연결될 수 있다.The source electrode S2 of the switching transistor SWT may be electrically connected to the source connection portion CS2 constituting the semiconductor layer ACT2 of the switching transistor SWT through a contact hole in the first interlayer insulating layer ILD1. The drain electrode D2 of the switching transistor SWT may be electrically connected to the drain connection CD2 forming the semiconductor layer ACT2 of the switching transistor SWT through a contact hole in the first interlayer insulating layer ILD1.

기저 라인(EVSL)은 제 1 층간 절연막(ILD1) 상에 배치될 수 있다. 기저 라인(EVSL)은 제 1 층간 절연막(ILD1) 및 버퍼층(BUF)의 컨택홀을 통해 기저 라인(EVSL) 아래에 위치하는 쉴드층(SHD)과 연결될 수도 있다. 기저 라인(EVSL)과 쉴드층(SHD)이 연결되는 경우, 기저 라인(EVSL)의 저항이 감소할 수 있다.The base line EVSL may be disposed on the first interlayer insulating layer ILD1. The base line (EVSL) may be connected to the shield layer (SHD) located below the base line (EVSL) through a contact hole in the first interlayer insulating layer (ILD1) and the buffer layer (BUF). When the base line (EVSL) and the shield layer (SHD) are connected, the resistance of the base line (EVSL) may decrease.

제 1 층간 절연막(ILD1) 상에 형성된 소스 전극들(S1, S2), 드레인 전극들(D1, D2) 및 기저 라인(EVSL)을 덮으면서 패시베이션층(PAS)이 배치될 수 있다.The passivation layer PAS may be disposed while covering the source electrodes S1 and S2, the drain electrodes D1 and D2, and the base line EVSL formed on the first interlayer insulating layer ILD1.

패시베이션층(PAS) 상에 오버코트층(OC)이 배치될 수 있다. 오버코트층(OC)은 서브픽셀(SP)의 발광 영역(EA)과 중첩되는 위치에 배치될 수 있다. 오버코트층(OC)은 발광 영역(EA)과 중첩되지 않는 위치에도 댐 형태로 배치될 수 있다.An overcoat layer (OC) may be disposed on the passivation layer (PAS). The overcoat layer OC may be disposed at a position overlapping the light emitting area EA of the subpixel SP. The overcoat layer (OC) may be disposed in a dam shape even at a location that does not overlap the light emitting area (EA).

서브픽셀(SP)의 발광 영역(EA)으로 정의된 지점에서, 오버코트층(OC) 상에 애노드 전극(AE)이 배치될 수 있다. 애노드 전극(AE)은 오버코트층(OC) 및 패시베이션층(PAS)의 컨택홀을 통해 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 전극(S1)과 전기적으로 연결될 수 있다.An anode electrode (AE) may be disposed on the overcoat layer (OC) at a point defined by the emission area (EA) of the subpixel (SP). The anode electrode (AE) may be electrically connected to the source electrode (S1) of the driving transistor (DRT) through a contact hole in the overcoat layer (OC) and the passivation layer (PAS).

서브픽셀(SP)의 발광 영역(EA)을 정의하기 위한 뱅크(BANK)가 애노드 전극(AE) 상에 배치될 수 있다. 뱅크(BANK)의 일부가 오픈 되어 애노드 전극(AE)의 일부분이 노출된다. 뱅크(BANK)의 오픈 영역이 발광 영역(EA)에 해당할 수 있다.A bank BANK for defining the emission area EA of the subpixel SP may be disposed on the anode electrode AE. A part of the bank is opened and a part of the anode electrode (AE) is exposed. The open area of the bank (BANK) may correspond to the light emitting area (EA).

뱅크(BANK)의 오픈 영역으로 노출된 애노드 전극(AE) 상에 발광층(EL)이 배치될 수 있다. 발광층(EL) 상에 캐소드 전극(CE)이 배치될 수 있다.The light emitting layer EL may be disposed on the anode electrode AE exposed to the open area of the bank BANK. A cathode electrode (CE) may be disposed on the light emitting layer (EL).

패시베이션층(PAS)에는 기저 라인(EVSL)과 연결하기 위한 컨택홀(CNT)이 형성되어 있다. 캐소드 전극(CE)과 기저 라인(EVSL)을 전기적으로 연결하기 위한 패시베이션층(PAS)의 컨택홀(CNT) 근방에서, 캐소드 전극(CE)이 끊어져 있거나 관통 홀(구멍)이 존재할 수 있다. 캐소드 전극(CE)과 기저 라인(EVSL) 사이의 전기적 연결을 위한 패시베이션층(PAS)의 컨택홀(CNT)은 상대적으로 큰 제 1 컨택홀(CNT1)과 상대적으로 작은 제 2 컨택홀(CNT2)을 포함할 수 있다.A contact hole (CNT) is formed in the passivation layer (PAS) to connect to the base line (EVSL). Near the contact hole (CNT) of the passivation layer (PAS) for electrically connecting the cathode electrode (CE) and the base line (EVSL), the cathode electrode (CE) may be broken or a through hole may exist. The contact holes (CNT) of the passivation layer (PAS) for electrical connection between the cathode electrode (CE) and the base line (EVSL) include a relatively large first contact hole (CNT1) and a relatively small second contact hole (CNT2). may include.

캐소드 전극(CE)과 기저 라인(EVSL) 사이의 전기적 연결을 위한 제 1 컨택홀(CNT1)은 애노드 전극(AE)과 구동 트랜지스터(DRT)의 소스 전극(S1) 사이의 전기적 연결을 위한 컨택홀보다 휠씬 큰 폭(위에서 봤을 때 홀의 직경)을 가질 수 있다.The first contact hole (CNT1) for electrical connection between the cathode electrode (CE) and the base line (EVSL) is a contact hole for electrical connection between the anode electrode (AE) and the source electrode (S1) of the driving transistor (DRT). It can have a much larger width (diameter of the hole when viewed from above).

패시베이션층(PAS)에 형성된 제 1 컨택홀(CNT1)을 통해 기저 라인(EVSL)의 일부가 상대적으로 넓게 노출될 수 있다. 패시베이션층(PAS)에 형성된 제 2 컨택홀(CNT2)을 통해 기저 라인(EVSL)의 일부가 조금 노출될 수 있다.A portion of the base line (EVSL) may be relatively widely exposed through the first contact hole (CNT1) formed in the passivation layer (PAS). A portion of the base line (EVSL) may be slightly exposed through the second contact hole (CNT2) formed in the passivation layer (PAS).

캐소드 전극(CE)의 일 부분은 패시베이션층(PAS)의 제 1 컨택홀(CNT1)을 통해 기저 라인(EVSL)의 일부분과 전기적으로 연결될 수 있다. 캐소드 전극(CE)의 다른 부분은 패시베이션층(PAS)의 제 2 컨택홀(CNT2)을 통해 기저 라인(EVSL)의 다른 부분과 전기적으로 연결될 수 있다.A portion of the cathode electrode (CE) may be electrically connected to a portion of the base line (EVSL) through the first contact hole (CNT1) of the passivation layer (PAS). Another part of the cathode electrode (CE) may be electrically connected to another part of the base line (EVSL) through the second contact hole (CNT2) of the passivation layer (PAS).

캐소드 전극(CE)의 다른 부분이 패시베이션층(PAS)의 제 2 컨택홀(CNT2)을 통해 기저 라인(EVSL)의 다른 부분과 전기적으로 연결될 때, 반사판(RP)을 통해 연결될 수도 있다. 여기서, 반사판(RP)은 애노드 전극(AE)이 형성될 때, 애노드 전극(AE)과 동일한 물질로 형성된 층일 수 있다.When another part of the cathode electrode (CE) is electrically connected to another part of the base line (EVSL) through the second contact hole (CNT2) of the passivation layer (PAS), it may be connected through the reflector (RP). Here, the reflector RP may be a layer formed of the same material as the anode electrode AE when the anode electrode AE is formed.

캐소드 전극(CE) 상에는 봉지층(ENCAP)이 배치될 수 있다. 봉지층(ENCAP)은 외부의 수분이나 산소에 취약한 발광 소자(ED)로 외부의 수분이나 산소가 침투되는 것을 차단할 수 있다. 봉지층(ENCAP)은 하나의 층으로 되어 있을 수도 있지만, 다수의 층으로 되어 있을 수도 있다.An encapsulation layer (ENCAP) may be disposed on the cathode electrode (CE). The encapsulation layer (ENCAP) can block external moisture or oxygen from penetrating into the light emitting element (ED), which is vulnerable to external moisture or oxygen. The encapsulation layer (ENCAP) may be one layer, but may also be comprised of multiple layers.

예를 들어, 봉지층(ENCAP)은 하나 이상의 무기 봉지층과 하나 이상의 유기 봉지층을 포함할 수 있다.For example, the encapsulation layer (ENCAP) may include one or more inorganic encapsulation layers and one or more organic encapsulation layers.

구체적인 예로서, 봉지층(ENCAP)은 제 1 무기 봉지층, 유기 봉지층 및 제2 무기 봉지층이 순서대로 적층되어 구성될 수 있다. 제 1 무기 봉지층은 발광 소자(ED)와 가장 인접하도록 캐소드 전극(CE)이 형성된 기판(SUB) 상에 형성될 수 있다. 예를 들어, 제 1 무기 봉지층은 질화실리콘(SiNx), 산화 실리콘(SiOx), 산화질화실리콘(SiON) 또는 산화 알루미늄(Al2O3)과 같은 저온 증착이 가능한 무기 절연 재질로 형성될 수 있다. 제 1 무기 봉지층은 증착 공정 시 고온 분위기에 취약한 유기물을 포함하는 발광층(EL)이 손상되는 것을 방지할 수 있다. 유기 봉지층은 제 1 무기 봉지층보다 작은 면적으로 형성될 수 있다. 유기 봉지층은 제 1 무기 봉지층의 양끝단을 노출시키도록 형성될 수 있다. 유기 봉지층은 유기 발광 디스플레이 장치일 수 있는 터치 디스플레이 장치(100)의 휘어짐에 따른 각 층들 간의 응력을 완화시키는 완충 역할을 하며, 평탄화 성능을 강화하는 역할을 할 수 있다. 예를 들어, 유기 봉지층은 아크릴 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드, 폴리에틸렌 또는 실리콘옥시카본(SiOC)과 같은 유기 절연 재질로 형성될 수 있다. 제 2 무기 봉지층은 유기 봉지층이 형성된 기판(SUB) 상에 유기 봉지층 및 제 1 무기 봉지층 각각의 상부면 및 측면을 덮도록 형성될 수 있다. 제 2 무기 봉지층은 외부의 수분이나 산소가 제 1 무기 봉지층 및 유기 봉지층으로 침투하는 것을 최소화하거나 차단한다.As a specific example, the encapsulation layer (ENCAP) may be formed by sequentially stacking a first inorganic encapsulation layer, an organic encapsulation layer, and a second inorganic encapsulation layer. The first inorganic encapsulation layer may be formed on the substrate SUB on which the cathode electrode CE is formed closest to the light emitting device ED. For example, the first inorganic encapsulation layer may be formed of an inorganic insulating material capable of low-temperature deposition, such as silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiOx), silicon oxynitride (SiON), or aluminum oxide (Al2O3). The first inorganic encapsulation layer can prevent the light emitting layer (EL) containing organic substances vulnerable to high temperature atmosphere from being damaged during the deposition process. The organic encapsulation layer may be formed to have a smaller area than the first inorganic encapsulation layer. The organic encapsulation layer may be formed to expose both ends of the first inorganic encapsulation layer. The organic encapsulation layer serves as a buffer to relieve stress between each layer due to bending of the touch display device 100, which may be an organic light emitting display device, and may serve to enhance planarization performance. For example, the organic encapsulation layer may be formed of an organic insulating material such as acrylic resin, epoxy resin, polyimide, polyethylene, or silicon oxycarbon (SiOC). The second inorganic encapsulation layer may be formed on the substrate (SUB) on which the organic encapsulation layer is formed to cover the top and side surfaces of the organic encapsulation layer and the first inorganic encapsulation layer, respectively. The second inorganic encapsulation layer minimizes or blocks external moisture or oxygen from penetrating into the first inorganic encapsulation layer and the organic encapsulation layer.

봉지층(ENCAP) 상에는 터치 버퍼막(T-BUF)이 배치될 수 있다. 터치 버퍼막(T-BUF)은 터치 전극(TE)과, 발광 소자(ED)의 캐소드 전극(CE) 사이의 이격 거리가 미리 정해진 최소 이격 거리(예: 5㎛)를 유지하도록 설계될 수 있다. 이에 따라, 터치 전극(TE)과, 발광 소자(ED)의 캐소드 전극(CE) 사이에 형성되는 기생 커패시턴스(Cp)를 줄여주거나 방지해줄 수 있고, 이를 통해, 기생 커패시턴스(Cp)에 의한 터치 감도 저하를 방지해줄 수 있다. 또한, 터치 버퍼막(T-BUF)은 터치 버퍼막(T-BUF) 상에 배치되는 터치 전극(TE)의 제조 공정 시 이용되는 약액(현상액 또는 식각액 등등) 또는 외부로부터의 수분 등이 유기물을 포함하는 발광층(EL)으로 침투되는 것을 차단할 수 있다.A touch buffer film (T-BUF) may be disposed on the encapsulation layer (ENCAP). The touch buffer film (T-BUF) may be designed to maintain a predetermined minimum separation distance (e.g., 5㎛) between the touch electrode (TE) and the cathode electrode (CE) of the light emitting element (ED). . Accordingly, the parasitic capacitance (Cp) formed between the touch electrode (TE) and the cathode electrode (CE) of the light emitting element (ED) can be reduced or prevented, and through this, the touch sensitivity due to the parasitic capacitance (Cp) It can prevent degradation. In addition, the touch buffer film (T-BUF) is exposed to organic substances such as chemical solutions (developer or etchant, etc.) used during the manufacturing process of the touch electrode (TE) disposed on the touch buffer film (T-BUF) or moisture from the outside. Penetration into the light emitting layer (EL) containing the material can be blocked.

터치 버퍼막(T-BUF)은 고온에 취약한 유기물을 포함하는 발광층(EL)의 손상을 방지하기 위해 일정 온도(예: 섭씨 100도) 이하의 저온에서 형성 가능하고 1~3의 저유전율을 가지는 유기 절연 재질로 형성된다. 예를 들어, 터치 버퍼막(T-BUF)은 아크릴 계열, 에폭시 계열 또는 실록산(Siloxan) 계열의 재질로 형성될 수 있다. 유기 절연 재질로 평탄화 성능을 가지는 터치 버퍼막(T-BUF)은 터치 디스플레이 장치(100)의 휘어짐에 따른 봉지층(ENCAP) 내의 각 봉지층의 손상 및 터치 버퍼막(T-BUF) 상에 형성되는 터치 전극(TE)의 깨짐 현상을 방지할 수 있다.The touch buffer film (T-BUF) can be formed at a low temperature below a certain temperature (e.g. 100 degrees Celsius) and has a low dielectric constant of 1 to 3 to prevent damage to the light emitting layer (EL) containing organic materials vulnerable to high temperatures. It is formed from an organic insulating material. For example, the touch buffer film (T-BUF) may be formed of an acrylic-based, epoxy-based, or siloxan-based material. The touch buffer film (T-BUF), which is made of an organic insulating material and has a flattening performance, is formed on the touch buffer film (T-BUF) due to damage to each encapsulation layer in the encapsulation layer (ENCAP) due to bending of the touch display device 100. This can prevent the touch electrode (TE) from breaking.

이러한 터치 버퍼막(T-BUF)은 필수적이지 않고 경우에 따라 생략될 수 있다.This touch buffer film (T-BUF) is not essential and may be omitted in some cases.

터치 전극(TE)은 터치 버퍼막(T-BUF) 상에 배치되거나 봉지층(ENCAP) 상에 배치될 수 있다. 여기에서 터치 전극(TE)은 메쉬 타입으로 도시된 것이다.The touch electrode TE may be disposed on the touch buffer film T-BUF or the encapsulation layer ENCAP. Here, the touch electrode (TE) is shown as a mesh type.

터치 전극(TE) 상에는 제 2 층간 절연막(ILD2)이 배치될 수 있다. 제 2 층간 절연막(ILD2) 상에 컬러 필터(CF)가 배치될 수 있으며 컬러 필터(CF)와 함께 블랙 매트릭스도 배치될 수 있다. 여기서, 컬러 필터(CF) 및 블랙 매트릭스는 선택적으로 배치될 수 있는 구성들일 수 있다.A second interlayer insulating layer ILD2 may be disposed on the touch electrode TE. A color filter (CF) may be disposed on the second interlayer insulating layer (ILD2), and a black matrix may also be disposed together with the color filter (CF). Here, the color filter (CF) and black matrix may be components that can be selectively arranged.

컬러 필터(CF) 상에 보호층(PAC)이 배치될 수 있다. 보호층(PAC)은 접착층(OCA)을 통해 커버 글래스(CG)와 결합될 수 있다. 커버 글래스(CG) 상에 반사 방지 필름(ARF)이 배치될 수 있다. 여기서, 반사 방지 필름(ARF)은 선택적으로 배치될 수 있는 필름일 수 있다.A protective layer (PAC) may be disposed on the color filter (CF). The protective layer (PAC) may be combined with the cover glass (CG) through an adhesive layer (OCA). An anti-reflection film (ARF) may be disposed on the cover glass (CG). Here, the anti-reflection film (ARF) may be a film that can be selectively disposed.

여기에서는 표시 영역(DA)에 대한 단면도를 나타내고 있다. 디스플레이 패널(110)의 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA)의 경계 근방에서, 봉지층(ENCAP)은 외곽 경사면을 포함할 수 있다. 디스플레이 패널(110)은 봉지층(ENCAP)의 외곽 경사면이 끝나는 영역에 위치하는 댐(Dam) 영역과, 비표시 영역(NDA)에 위치하고 댐 영역보다 더 외곽에 위치하는 패드 영역 등을 더 포함할 수 있다. Here, a cross-sectional view of the display area DA is shown. Near the boundary between the display area DA and the non-display area NDA of the display panel 110, the encapsulation layer ENCAP may include an outer slope. The display panel 110 may further include a dam area located at the end of the outer slope of the encapsulation layer (ENCAP) and a pad area located in the non-display area (NDA) and located further outside the dam area. You can.

터치 라인(TL)은 봉지층(ENCAP)의 외곽 경사면을 따라 하강하여 댐 영역의 상부를 지나 패드 영역과 전기적으로 연결될 수 있다.The touch line TL may descend along the outer slope of the encapsulation layer (ENCAP), pass through the upper part of the dam area, and be electrically connected to the pad area.

댐 영역은 하나 이상의 댐을 포함할 수 있는데, 액상 형태의 유기 봉지층이 표시 영역(DA)에 적하될 때, 액상 형태의 유기 봉지층이 비표시 영역(NDA)의 방향으로 무너져 패드 영역을 침범하는 것을 방지할 수 있다. 이러한 효과는 댐 영역이 복수의 댐을 포함하는 경우, 더욱 증가할 수 있다.The dam area may include one or more dams. When the liquid organic encapsulation layer is dropped on the display area (DA), the liquid organic encapsulation layer collapses in the direction of the non-display area (NDA) and invades the pad area. You can prevent it from happening. This effect can be further increased when the dam area includes multiple dams.

댐 영역의 댐 형성 물질 층은 서브픽셀(SP)을 서로 분리하기 위한 뱅크(BANK)와 동일한 물질을 포함하거나, 층간 간격을 유지하기 위한 스페이서 등과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 댐 영역은 제 1 무기 봉지층 및/또는 제 2 무기 봉지층이 댐 형성 물질 층 상에 적층된 구조로 되어 있을 수 있다.The dam forming material layer in the dam area may include the same material as the bank BANK for separating the subpixels SP from each other, or may include the same material as the spacer for maintaining the interlayer spacing. The dam area may have a structure in which a first inorganic encapsulation layer and/or a second inorganic encapsulation layer are stacked on a dam forming material layer.

기저 라인(EVSL)은 캐소드 전극(CE) 보다 아래에 위치하고, 캐소드 전극(CE)과 전기적으로 연결될 수 있다.The base line (EVSL) is located below the cathode electrode (CE) and may be electrically connected to the cathode electrode (CE).

다수의 기저 라인(EVSL) 중 적어도 하나는 인접한 데이터 라인(DL)과 전위차를 가질 수 있다. 또는, 다수의 기저 라인(EVSL) 중 적어도 하나는 인접한 스위칭 트랜지스터(SWT)의 소스 전극(S2) 및 드레인 전극(D2) 중 인접한 데이터 라인(DL)과 연결된 하나의 전극과 전위차를 가질 수 있다.At least one of the multiple base lines (EVSL) may have a potential difference from the adjacent data line (DL). Alternatively, at least one of the plurality of base lines (EVSL) may have a potential difference with one electrode connected to the adjacent data line (DL) among the source electrode (S2) and drain electrode (D2) of the adjacent switching transistor (SWT).

다수의 기저 라인(EVSL) 상에 적어도 하나의 절연층으로서 패시베이션층(PAS)이 배치될 수 있다. 적어도 하나의 절연층에 해당하는 패시베이션층(PAS)에는 복수의 컨택홀(CNT1, CNT2)이 형성될 수 있다. 이 때, 캐소드 전극(CE)은 제 1 컨택홀(CNT1)을 통해 노출되는 다수의 기저 라인(EVSL)의 일부와 전기적으로 연결될 수 있다.A passivation layer (PAS) may be disposed as at least one insulating layer on the plurality of base lines (EVSL). A plurality of contact holes (CNT1, CNT2) may be formed in the passivation layer (PAS) corresponding to at least one insulating layer. At this time, the cathode electrode (CE) may be electrically connected to a portion of the plurality of base lines (EVSL) exposed through the first contact hole (CNT1).

다수의 기저 라인(EVSL) 각각은 인접한 서브픽셀(SP)에 포함된 스위칭 트랜지스터(SWT)의 소스 전극(S2), 드레인 전극(D2) 및 게이트 전극(G2) 중 적어도 하나와 동일한 층에 위치할 수 있다. 여기에서, 다수의 기저 라인(EVSL) 각각은 인접한 서브픽셀(SP)에 포함된 스위칭 트랜지스터(SWT)의 소스 전극(S2) 및 드레인 전극(D2)과 동일한 층에 위치할 수 있으며, 스위칭 트랜지스터(SWT)의 소스 전극(S2) 및 드레인 전극(D2)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.Each of the plurality of base lines (EVSL) is located on the same layer as at least one of the source electrode (S2), the drain electrode (D2), and the gate electrode (G2) of the switching transistor (SWT) included in the adjacent subpixel (SP). You can. Here, each of the multiple base lines (EVSL) may be located on the same layer as the source electrode (S2) and the drain electrode (D2) of the switching transistor (SWT) included in the adjacent subpixel (SP), and the switching transistor ( It may include the same material as the source electrode (S2) and drain electrode (D2) of SWT).

영역 X(Area X)는 서브픽셀(SP)의 발광 영역(EA)과 다른 서브픽셀(SP)의 발광 영역(EA) 사이에 위치하는 영역일 수도 있다. 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)가 투명 디스플레이인 경우, 영역 X는 투명 영역 (또는 투과 영역이라고도 함)일 수도 있다.Area When the touch display device 100 according to embodiments of the present disclosure is a transparent display, area X may be a transparent area (also referred to as a transparent area).

이러한 구조에서, 사용자가 손가락이나 펜 등을 이용하여 화면을 터치하게 되면, 손가락이나 펜 등과 터치 전극(TE) 사이에 커패시턴스(Cf)가 형성될 수 있다. 이러한 커패시턴스(Cf)를 핑거(Finger) 커패시턴스(Cf)라고 한다.In this structure, when a user touches the screen using a finger or a pen, capacitance Cf may be formed between the finger or pen and the touch electrode TE. This capacitance (Cf) is called finger capacitance (Cf).

또한, 캐소드 전극(CE)과 터치 전극(TE)은 용량 방식으로 커플링 될 수 있다. 따라서, 캐소드 전극(CE)과 터치 전극(TE) 사이에 전위차가 발생하면, 캐소드 전극(CE)과 터치 전극(TE) 사이에 기생 커패시턴스(Cp)가 형성될 수 있다.Additionally, the cathode electrode (CE) and the touch electrode (TE) may be capacitively coupled. Accordingly, when a potential difference occurs between the cathode electrode (CE) and the touch electrode (TE), parasitic capacitance (Cp) may be formed between the cathode electrode (CE) and the touch electrode (TE).

도 7은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 시간 분할 구동에 터치 전극에 인가되는 신호를 예시로 나타낸 도면이다.FIG. 7 is a diagram showing an example of a signal applied to a touch electrode for time division driving in a touch display device according to embodiments of the present disclosure.

도 7을 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)는 디스플레이 구동 기간(DP)과 터치 구동 기간(TP)을 서로 다른 시간대에서 수행할 수 있다. 즉, 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)는 디스플레이 구동 기간(DP)과 터치 구동 기간(TP)을 시간 분할하여 수행할 수 있다.Referring to FIG. 7 , the touch display device 100 according to embodiments of the present disclosure may perform the display driving period (DP) and the touch driving period (TP) in different time zones. That is, the touch display device 100 according to embodiments of the present disclosure may perform time division of the display driving period (DP) and the touch driving period (TP).

본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)는, 디스플레이 구동 기간(DP)과 터치 구동 기간(TP)을 구분하기 위하여, 터치 동기 신호(Tsync)를 이용할 수 있다.The touch display device 100 according to embodiments of the present disclosure may use the touch synchronization signal (Tsync) to distinguish between the display driving period (DP) and the touch driving period (TP).

예를 들어, 터치 동기 신호(Tsync)에서, 제 1 레벨(예: 하이 레벨 또는 로우 레벨)은 디스플레이 구동 기간(DP)을 나타내고, 제 2 레벨(예: 로우 레벨 또는 하이 레벨)은 터치 구동 기간(TP)을 나타낼 수 있다.For example, in the touch synchronization signal (Tsync), the first level (e.g., high level or low level) represents the display driving period (DP), and the second level (e.g., low level or high level) represents the touch driving period. (TP) can be indicated.

터치 구동 기간(TP) 동안, 다수의 터치 전극(TE)의 전체 또는 일부는 터치 구동 신호(TDS)를 인가 받는다.During the touch driving period (TP), all or part of the plurality of touch electrodes (TE) receive the touch driving signal (TDS).

디스플레이 구동 기간(DP) 동안, 다수의 터치 전극(TE)은 플로팅 되거나 그라운드에 접지되거나 특정 레벨의 공통 전압이 인가될 수 있다. 예를 들어, 터치 전극(TE)은 디스플레이 구동 기간(DP) 동안 디스플레이 구동 동작을 위한 공통 전압(Vcom)을 인가받고, 터치 구동 기간(TP) 동안 터치 구동 신호(TDS)를 인가받을 수 있다.During the display driving period DP, the plurality of touch electrodes TE may be floating, grounded, or may be applied with a common voltage of a specific level. For example, the touch electrode TE may receive a common voltage Vcom for a display driving operation during the display driving period DP and may receive a touch driving signal TDS during the touch driving period TP.

터치 구동 기간(TP) 동안 터치 전극(TE)에 인가되는 터치 구동 신호(TDS)는 일정한 레벨의 신호일 수도 있지만, 전압 레벨이 변경되는 교류 신호일 수도 있다. 터치 구동 신호(TDS)가 교류 신호인 경우, 터치 구동 신호(TDS)는 변조 신호 또는 펄스 신호라고도 할 수 있다.The touch driving signal (TDS) applied to the touch electrode (TE) during the touch driving period (TP) may be a signal at a constant level, or may be an alternating current signal whose voltage level changes. When the touch driving signal (TDS) is an alternating current signal, the touch driving signal (TDS) may also be referred to as a modulation signal or a pulse signal.

터치 전극(TE)에 터치 구동 신호(TDS)가 인가되는 동안, 터치 전극(TE)의 주변 다른 전극들에는 직류 레벨의 신호가 인가될 수 있다.While the touch driving signal TDS is applied to the touch electrode TE, a direct current level signal may be applied to other electrodes around the touch electrode TE.

한편, 터치 구동 기간(TP)에서 터치 전극(TE)에 터치 구동 신호(TDS)가 인가되는 동안, 터치 전극(TE)은 주변 다른 전극들과 기생 커패시턴스를 형성할 수 있다. 이러한 기생 커패시턴스는 터치 감도를 저하시킬 수 있다.Meanwhile, while the touch driving signal (TDS) is applied to the touch electrode (TE) in the touch driving period (TP), the touch electrode (TE) may form parasitic capacitance with other surrounding electrodes. This parasitic capacitance can reduce touch sensitivity.

따라서, 터치 디스플레이 장치(100)는 터치 전극(TE)에 터치 구동 신호(TDS)를 인가하는 동안, 터치 전극(TE)의 주변 다른 전극들로 로드 프리 구동 신호(LFD)를 인가할 수도 있다.Accordingly, the touch display device 100 may apply the load free driving signal LFD to other electrodes around the touch electrode TE while applying the touch driving signal TDS to the touch electrode TE.

로드 프리 구동 신호(LFD)는 터치 구동 신호(TDS)이거나, 터치 구동 신호(TDS)와 주파수, 위상, 전압 극성 및 진폭 등 중 적어도 하나 이상이 대응되는 신호일 수 있다.The load free driving signal (LFD) may be a touch driving signal (TDS) or a signal that corresponds to the touch driving signal (TDS) in terms of at least one of frequency, phase, voltage polarity, and amplitude.

터치 전극(TE)의 주변 다른 전극들은 데이터 라인(DL), 게이트 라인(GL), 애노드 전극(AE) 또는 다른 터치 전극 등일 수 있으며, 이 뿐만 아니라, 주변에 있는 모든 전극이나 신호 배선 등일 수 있다.Other electrodes surrounding the touch electrode (TE) may be a data line (DL), a gate line (GL), an anode electrode (AE), or other touch electrodes. In addition, it may be any electrode or signal wire in the vicinity. .

터치 전극(TE)에 터치 구동 신호(TDS)가 인가되는 동안, 터치 전극(TE)의 주변에 위치한 하나 이상의 데이터 라인(DL) 또는 디스플레이 패널(110)에서의 모든 데이터 라인(DL)들로 로드 프리 데이터 신호(LFD_DATA)가 인가될 수 있다.While the touch driving signal (TDS) is applied to the touch electrode (TE), it is loaded into one or more data lines (DL) located around the touch electrode (TE) or all data lines (DL) in the display panel 110. A free data signal (LFD_DATA) may be applied.

터치 전극(TE)에 터치 구동 신호(TDS)가 인가되는 동안, 터치 전극(TE)의 주변에 위치한 하나 이상의 게이트 라인(GL) 또는 디스플레이 패널(110)에서의 모든 게이트 라인(GL)들로 로드 프리 게이트 신호(LFD_GATE)가 인가될 수 있다.While the touch driving signal (TDS) is applied to the touch electrode (TE), it is loaded to one or more gate lines (GL) located around the touch electrode (TE) or to all gate lines (GL) in the display panel 110. A pre-gate signal (LFD_GATE) may be applied.

터치 전극(TE)에 터치 구동 신호(TDS)가 인가되는 동안, 터치 전극(TE)의 주변에 위치한 하나 이상의 터치 전극(TE) 또는 디스플레이 패널(110)에서의 나머지 모든 터치 전극(TE)으로 로드 프리 터치 신호(LFD_Vcom)가 인가될 수 있다.While the touch driving signal (TDS) is applied to the touch electrode (TE), it is loaded to one or more touch electrodes (TE) located around the touch electrode (TE) or to all remaining touch electrodes (TE) in the display panel 110. A free touch signal (LFD_Vcom) may be applied.

예를 들어, 뮤추얼-커패시턴스 센싱 구조의 경우에는, 터치 전극(TE)에 터치 구동 신호(TDS)가 인가되는 동안에 터치 전극(TE)의 주변 다른 전극들에 직류 레벨의 신호를 인가하고, 셀프-커패시턴스 센싱 구조의 경우에는 터치 전극(TE)에 터치 구동 신호(TDS)가 인가되는 동안에 터치 전극(TE)의 주변 다른 전극들에 펄스 형태의 로드 프리 구동 신호(LFD)를 인가할 수 있다.For example, in the case of a mutual-capacitance sensing structure, while the touch driving signal (TDS) is applied to the touch electrode (TE), a direct current level signal is applied to other electrodes around the touch electrode (TE), and self- In the case of a capacitance sensing structure, while the touch driving signal (TDS) is applied to the touch electrode (TE), the load free driving signal (LFD) in the form of a pulse can be applied to other electrodes around the touch electrode (TE).

도 8은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치의 터치 회로를 예시로 나타낸 도면이다.FIG. 8 is a diagram showing an example of a touch circuit of a touch display device according to embodiments of the present disclosure.

도 8을 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 터치 회로(150)는 제 1 멀티플렉서 회로(MUX1), 복수의 센싱 유닛(SU)을 포함하는 센싱 유닛 블록, 제 2 멀티플렉서 회로(MUX2) 및 아날로그 디지털 컨버터(ADC) 등을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 8, the touch circuit 150 according to embodiments of the present disclosure includes a first multiplexer circuit (MUX1), a sensing unit block including a plurality of sensing units (SU), a second multiplexer circuit (MUX2), and It may include an analog-to-digital converter (ADC), etc.

제 1 멀티플렉서 회로(MUX1)는 하나 또는 둘 이상의 멀티플렉서를 포함할 수 있다. 제 2 멀티플렉서 회로(MUX2)는 하나 또는 둘 이상의 멀티플렉서를 포함할 수 있다.The first multiplexer circuit (MUX1) may include one or more multiplexers. The second multiplexer circuit (MUX2) may include one or more multiplexers.

각 센싱 유닛(SU)은 전치 증폭기(Pre-AMP), 적분기(INTG) 및 샘플 앤 홀드 회로(SHA) 등을 포함할 수 있다.Each sensing unit (SU) may include a pre-amplifier (Pre-AMP), an integrator (INTG), and a sample and hold circuit (SHA).

하나의 전치 증폭기(Pre-AMP)는 하나 또는 둘 이상의 터치 전극(TE)과 전기적으로 연결될 수 있다.One pre-amplifier (Pre-AMP) may be electrically connected to one or more touch electrodes (TE).

하나의 전치 증폭기(Pre-AMP)는, 연결 가능한 복수의 터치 전극(TE) 중에서 센싱 대상으로 선택되는 하나의 터치 전극(TE)으로 터치 구동 신호(TDS)를 공급하고, 터치 구동 신호(TDS)가 인가된 터치 전극(TE)으로부터 터치 센싱 신호를 수신할 수 있다.One pre-amplifier (Pre-AMP) supplies a touch driving signal (TDS) to one touch electrode (TE) selected as a sensing target among a plurality of connectable touch electrodes (TE), and A touch sensing signal can be received from the applied touch electrode (TE).

수신된 터치 센싱 신호는 전치 증폭기(Pre-AMP)에서 증폭되어 적분기(INTG)로 입력될 수 있다.The received touch sensing signal may be amplified in a pre-amplifier (Pre-AMP) and input to an integrator (INTG).

전치 증폭기(Pre-AMP) 및 적분기(INTG)는 통합 구현될 수도 있다.The pre-amplifier (Pre-AMP) and integrator (INTG) may be implemented integrated.

적분기(INTG)는 전치 증폭기(Pre-AMP)에서 출력된 신호를 적분한다.The integrator (INTG) integrates the signal output from the pre-amplifier (Pre-AMP).

아날로그 디지털 컨버터(ADC)는 적분기(INTG)에 출력된 적분값을 디지털 값으로 변환한 터치 센싱 데이터를 터치 컨트롤러(154)에 공급할 수 있다.The analog-to-digital converter (ADC) may convert the integrated value output from the integrator (INTG) into a digital value and supply touch sensing data to the touch controller 154.

아날로그 디지털 컨버터(ADC)는 1차 그라운드(GND1)에 접지된 터치 컨트롤러(154)로 터치 센싱 데이터를 출력할 수 있다.The analog-to-digital converter (ADC) can output touch sensing data to the touch controller 154 grounded to the primary ground (GND1).

전치 증폭기(Pre-AMP)는 1차 그라운드(GND1)와 다른 2차 그라운드(GND2)에 접지된 디스플레이 패널(110)에 배치된 터치 전극(TE)으로부터 터치 센싱 신호를 수신할 수 있다. 이러한 터치 회로(150)를 이용하면, 2차 그라운드(GND2)에 접지된 디스플레이 패널(110)에 배치된 터치 전극(TE)으로부터 터치 센싱 신호를 수신하여, 1차 그라운드(GND1)에 접지된 터치 컨트롤러(154)로 터치 센싱 데이터를 출력해줌으로써, 2가지 그라운드(GND1, GND2)가 있는 터치 디스플레이 장치(100)에서의 터치 감지를 가능하게 해줄 수 있다.The pre-amplifier (Pre-AMP) may receive a touch sensing signal from the touch electrode (TE) disposed on the display panel 110 grounded to the secondary ground (GND2), which is different from the primary ground (GND1). Using this touch circuit 150, a touch sensing signal is received from the touch electrode (TE) disposed on the display panel 110 grounded to the secondary ground (GND2), and the touch electrode (TE) grounded to the primary ground (GND1) is received. By outputting touch sensing data to the controller 154, touch detection can be enabled in the touch display device 100 with two grounds (GND1 and GND2).

한편, 본 개시의 실시예들에 따른 터치 회로(150)는 터치 컨트롤러(154)와의 신호 전달을 위한 신호 전달 회로(STC)를 더 포함할 수 있다. 이 경우, 본 개시의 실시예들에 따른 터치 회로(150)에 포함된 신호 전달 회로(STC)는 1차 그라운드(GND1) 및 2차 그라운드(GND2)에 모두 접지될 수 있다.Meanwhile, the touch circuit 150 according to embodiments of the present disclosure may further include a signal transmission circuit (STC) for transmitting signals to the touch controller 154. In this case, the signal transfer circuit (STC) included in the touch circuit 150 according to embodiments of the present disclosure may be grounded to both the primary ground (GND1) and the secondary ground (GND2).

도 9 및 도 10은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치의 디스플레이 패널에서, 터치 구동 과정에 캐소드 전극에 유도되는 캐소드 노이즈와 캐소드 노이즈에 의한 터치 감도의 저하를 설명하기 위한 도면이다.FIGS. 9 and 10 are diagrams for explaining cathode noise induced to a cathode electrode during a touch driving process and a decrease in touch sensitivity due to cathode noise in the display panel of a touch display device according to embodiments of the present disclosure.

도 9 및 도 10을 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)의 터치 회로(150)는 하나 이상의 전치 증폭기(Pre-AMP)를 포함할 수 있다. 전치 증폭기(Pre-AMP)는 비반전 입력 단자에 터치 기준 전압(Tref)이 인가되고, 반전 입력 단자에 터치 센싱 전극(Rx)으로부터 전달되는 터치 센싱 신호(TSS)가 인가된다. Referring to FIGS. 9 and 10 , the touch circuit 150 of the touch display device 100 according to embodiments of the present disclosure may include one or more pre-amplifiers (Pre-AMP). The pre-amplifier (Pre-AMP) applies the touch reference voltage (Tref) to the non-inverting input terminal, and the touch sensing signal (TSS) transmitted from the touch sensing electrode (Rx) is applied to the inverting input terminal.

전치 증폭기(Pre-AMP)의 비반전 입력 단자에 인가되는 터치 기준 전압(Tref)은 일정한 레벨의 직류 전압일 수도 있고, 터치 구동 신호(TDS)와 주파수, 위상, 전압 극성 및 진폭 등 중 적어도 하나 이상이 대응되는 펄스 신호일 수도 있다.The touch reference voltage (Tref) applied to the non-inverting input terminal of the pre-amp may be a direct current voltage at a constant level, or at least one of the touch driving signal (TDS) and frequency, phase, voltage polarity, and amplitude. The above may be a corresponding pulse signal.

예를 들어, 터치 구동 전극(Tx)과 터치 센싱 전극(Rx)이 분리되는 뮤추얼-커패시턴스 센싱 구조의 경우에는, 터치 구동 전극(Tx)에 터치 구동 신호(TDS)가 인가되는 터치 구동 기간(TP)에 터치 센싱 전극(Rx)을 안정적으로 유지하기 위해서 로드 프리 구동 신호(LFD)를 인가하지 않고, 직류 레벨의 터치 기준 전압(Tref)이 인가될 수 있다.For example, in the case of a mutual-capacitance sensing structure in which the touch driving electrode (Tx) and the touch sensing electrode (Rx) are separated, the touch driving period (TP) during which the touch driving signal (TDS) is applied to the touch driving electrode (Tx) ), the touch reference voltage (Tref) at a direct current level may be applied without applying the load free driving signal (LFD) to the touch sensing electrode (Rx) in order to stably maintain the touch sensing electrode (Rx).

또는, 터치 구동 전극(Tx)과 터치 센싱 전극(Rx)의 역할이 동일한 셀프-커패시턴스 센싱 구조의 경우에는, 터치 전극(TE)에 터치 구동 신호(TDS)가 인가되는 터치 구동 기간(TP)에 터치 구동 신호(TDS)와 동일한 로드 프리 구동 신호(LFD)가 터치 기준 전압(Tref)으로 인가될 수 있다.Alternatively, in the case of a self-capacitance sensing structure in which the touch driving electrode (Tx) and the touch sensing electrode (Rx) have the same role, during the touch driving period (TP) when the touch driving signal (TDS) is applied to the touch electrode (TE) The load free driving signal (LFD), which is the same as the touch driving signal (TDS), may be applied as the touch reference voltage (Tref).

전치 증폭기(Pre-AMP)의 반전 입력 단자와 출력 단자 사이에는 피드백 커패시터(Cfb)와 리셋 스위치(SWr)가 연결될 수 있다.A feedback capacitor (Cfb) and a reset switch (SWr) may be connected between the inverting input terminal and the output terminal of the pre-amplifier (Pre-AMP).

터치 구동 신호(TDS)는 전압 레벨이 변동되는 신호일 수 있으며, 소정의 주파수 및 진폭을 가질 수 있다.The touch driving signal (TDS) may be a signal whose voltage level changes and may have a predetermined frequency and amplitude.

사용자가 손가락이나 펜 등을 이용하여 화면을 터치하게 되면, 손가락이나 펜 등과 터치 구동 전극(Tx) 사이에 핑거 커패시턴스(Cf)가 형성될 수 있다. When a user touches the screen using a finger or a pen, a finger capacitance (Cf) may be formed between the finger or pen and the touch driving electrode (Tx).

터치 구동 전극(Tx)와 터치 센싱 전극(Rx) 사이에는 뮤추얼 커패시턴스(Cm)가 형성될 수 있으며, 터치 회로(150)는 뮤추얼 커패시턴스(Cm)에 의해서 터치 센싱 전극(Rx)에서 생성되는 터치 센싱 신호(TSS)를 토대로 터치 좌표를 센싱할 수 있다.A mutual capacitance (Cm) may be formed between the touch driving electrode (Tx) and the touch sensing electrode (Rx), and the touch circuit 150 generates a touch sensing electrode (Rx) by the mutual capacitance (Cm). Touch coordinates can be sensed based on the signal (TSS).

이 때, 터치 구동 기간(TP)에서 터치 전극(TE)에 터치 구동 신호(TDS)가 인가되는 동안, 터치 전극(TE)은 주변 다른 전극들과 용량 방식으로 커플링될 수 있다. 따라서, 이러한 커플링에 효과를 감소시키기 위해서 터치 디스플레이 장치(100)는 터치 전극(TE)에 터치 구동 신호(TDS)를 인가하는 동안, 터치 전극(TE)의 주변 다른 전극들로 로드 프리 구동 신호(LFD)를 인가해줄 수 있다At this time, while the touch driving signal (TDS) is applied to the touch electrode (TE) in the touch driving period (TP), the touch electrode (TE) may be capacitively coupled to other surrounding electrodes. Therefore, in order to reduce the effect of this coupling, the touch display device 100 applies a load-free driving signal to other electrodes around the touch electrode (TE) while applying the touch driving signal (TDS) to the touch electrode (TE). (LFD) can be approved

예를 들어, 발광 소자(ED)의 애노드 전극(AE), 데이터 신호가 인가되는 데이터 라인(DL) 또는 게이트 신호가 인가되는 게이트 라인(GL)에 로드 프리 구동 신호(LFD)를 인가할 수 있다.For example, the load free driving signal (LFD) can be applied to the anode electrode (AE) of the light emitting device (ED), the data line (DL) to which the data signal is applied, or the gate line (GL) to which the gate signal is applied. .

이 때, 로드 프리 구동 신호(LFD)가 인가되는 신호 라인(AE, DL, GL 등)에 라인 노이즈가 발생할 수 있다. 라인 노이즈는 신호 라인(AE, DL, GL 등)과 캐소드 전극(CE) 사이에 형성된 제 1 기생 커패시턴스(Cp1)에 의해서 캐소드 전극(CE)에 유입되어 캐소드 노이즈를 형성할 수 있다.At this time, line noise may occur in signal lines (AE, DL, GL, etc.) to which the load free driving signal (LFD) is applied. Line noise may flow into the cathode electrode (CE) due to the first parasitic capacitance (Cp1) formed between the signal line (AE, DL, GL, etc.) and the cathode electrode (CE) to form cathode noise.

이러한 캐소드 노이즈는 캐소드 전극(CE)과 터치 전극(Tx, Rx) 사이에 형성된 제 2 기생 커패시턴스(Cp2)에 의해서 터치 전극(Tx, Rx)에 유입될 수 있는데, 이로 인해 터치 컨트롤러(154)에 전달되는 터치 출력 신호(Vsen)에 노이즈가 포함되어 터치 감도를 저하시키게 된다.This cathode noise may be introduced into the touch electrodes (Tx, Rx) by the second parasitic capacitance (Cp2) formed between the cathode electrode (CE) and the touch electrodes (Tx, Rx), which causes the touch controller 154 to Noise is included in the transmitted touch output signal (Vsen), which reduces touch sensitivity.

본 개시의 터치 디스플레이 장치(100)는 캐소드 노이즈가 포함된 공통 전압(Vcom)을 피드백받아 공통 전압 보상 신호를 생성하고, 디스플레이 구동 기간(DP)에는 캐소드 전극(CE)에 이를 공급하고, 터치 구동 기간(TP)에는 이를 터치 기준 전압(Tref)으로 활용함으로써, 캐소드 노이즈에 의한 품질 저하를 줄일 수 있다.The touch display device 100 of the present disclosure generates a common voltage compensation signal by receiving feedback from the common voltage (Vcom) containing cathode noise, supplies it to the cathode electrode (CE) during the display driving period (DP), and performs touch driving. By using this as the touch reference voltage (Tref) during the period (TP), quality degradation due to cathode noise can be reduced.

도 11은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 공통 전압 피드백 라인을 통해 공통 전압 보상 신호를 생성하는 개념을 나타낸 블록도이다.FIG. 11 is a block diagram illustrating the concept of generating a common voltage compensation signal through a common voltage feedback line in a touch display device according to embodiments of the present disclosure.

도 11을 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에서, 디스플레이 패널(110)에는 수평 공통 전압 라인(CL_H)과 수직 공통 전압 라인(CL_V)이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 11 , in the touch display device 100 according to embodiments of the present disclosure, a horizontal common voltage line (CL_H) and a vertical common voltage line (CL_V) may be formed in the display panel 110.

통합 집적 회로(200)는 회로 필름(210)에 실장되어 디스플레이 패널(110)과 인쇄 회로 기판(220)을 연결할 수 있으며, 인쇄 회로 기판(220)에는 수평 공통 전압 라인(CL_H) 및 수직 공통 전압 라인(CL_V)으로 공통 전압(Vcom)을 공급하는 공통 전압 보상 회로(230)를 포함할 수 있다.The integrated integrated circuit 200 is mounted on the circuit film 210 to connect the display panel 110 and the printed circuit board 220, and the printed circuit board 220 includes a horizontal common voltage line (CL_H) and a vertical common voltage line. It may include a common voltage compensation circuit 230 that supplies a common voltage (Vcom) to the line (CL_V).

여기에서는 데이터 구동 집적 회로(SDIC)와 터치 구동 집적 회로(ROIC)가 통합되어 하나의 통합 집적 회로(200)로 구현된 경우를 예시로 나타내고 있다.Here, an example is shown where a data driving integrated circuit (SDIC) and a touch driving integrated circuit (ROIC) are integrated and implemented as one integrated integrated circuit 200.

디스플레이 패널(110)의 에지 영역에서, 좌측 게이트 구동 회로(120a)와 인접한 영역에는 좌측 공통 전압 라인(CL_L)과 좌측 피드백 라인(FL_L)이 형성되고, 우측 게이트 구동 회로(120b)와 인접한 영역에는 우측 공통 전압 라인(CL_R)과 우측 피드백 라인(FL_R)이 형성될 수 있다.In the edge area of the display panel 110, a left common voltage line (CL_L) and a left feedback line (FL_L) are formed in an area adjacent to the left gate driving circuit 120a, and a left common voltage line (CL_L) and a left feedback line (FL_L) are formed in an area adjacent to the right gate driving circuit 120b. A right common voltage line (CL_R) and a right feedback line (FL_R) may be formed.

이 때, 디스플레이 패널(110)의 일측면 에지 영역에만 게이트 구동 회로(120)를 형성할 수도 있지만, 이러한 경우에 게이트 라인(GL)의 저항에 의해서 반대편에 위치하는 서브픽셀(SP)의 충전이 지연되어 구동 트랜지스터(DRT)의 온-오프 동작에 오류가 발생할 수 있기 때문에, 디스플레이 패널(110)의 양측면 에지 영역에 게이트 구동 회로(120)를 형성하는 것이 바람직하다.At this time, the gate driving circuit 120 may be formed only in the edge area of one side of the display panel 110, but in this case, the charging of the subpixel SP located on the opposite side is prevented by the resistance of the gate line GL. Because delays may cause errors in the on-off operation of the driving transistor (DRT), it is desirable to form the gate driving circuit 120 in edge areas on both sides of the display panel 110.

또한, 게이트 구동 회로(120)가 게이트 라인(GL)을 통해 디스플레이 패널(110)에 게이트 구동 전압을 인가하는 과정에서 게이트 라인(GL)과의 접촉을 최소화할 수 있도록 좌측 공통 전압 라인(CL_L)과 우측 공통 전압 라인(CL_R)은 게이트 구동 회로(120)와 표시 영역 사이에 배치하되, 좌측 피드백 라인(FL_L)과 우측 피드백 라인(FL_R)은 게이트 구동 회로(120)의 외곽에 배치하는 것이 바람직하다.In addition, the left common voltage line (CL_L) is connected to the left common voltage line (CL_L) so that the gate driving circuit 120 can minimize contact with the gate line (GL) during the process of applying the gate driving voltage to the display panel 110 through the gate line (GL). and the right common voltage line (CL_R) are preferably placed between the gate driving circuit 120 and the display area, but the left feedback line (FL_L) and the right feedback line (FL_R) are preferably placed outside the gate driving circuit 120. do.

디스플레이 패널(110)의 내측에는 게이트 라인(GL)과 평행한 방향으로 수평 공통 전압 라인(CL_H)이 배열되고, 데이터 라인(DL)과 평행한 방향으로 수직 공통 전압 라인(CL_V)이 배열되어 교차 지점에서 전기적으로 접속될 수 있다.Inside the display panel 110, the horizontal common voltage line (CL_H) is arranged in a direction parallel to the gate line (GL), and the vertical common voltage line (CL_V) is arranged in a direction parallel to the data line (DL) to cross them. It can be electrically connected at any point.

공통 전압 보상 회로(230)는 전원 전압을 인가받아 서브픽셀(SP)을 발광하는 발광 소자(ED)의 캐소드 전극(CE)에 공급되는 소정 레벨의 공통 전압(Vcom)을 생성할 수 있다. The common voltage compensation circuit 230 may receive a power voltage and generate a common voltage (Vcom) of a predetermined level that is supplied to the cathode electrode (CE) of the light emitting element (ED) that emits light in the subpixel (SP).

공통 전압 보상 회로(230)에서 생성된 공통 전압(Vcom)은 공통 전압 라인(CL)을 따라 좌측 공통 전압 라인(CL_L) 및 우측 공통 전압 라인(CL_R)을 통해 디스플레이 패널(110)에 배치된 수평 공통 전압 라인(CL_H)에 인가되고, 통합 집적 회로(200)를 통해 디스플레이 패널(110)에 배치된 수직 공통 전압 라인(CL_V)으로 인가될 수 있다.The common voltage (Vcom) generated in the common voltage compensation circuit 230 is horizontally disposed on the display panel 110 through the left common voltage line (CL_L) and the right common voltage line (CL_R) along the common voltage line (CL). It may be applied to the common voltage line (CL_H) and to the vertical common voltage line (CL_V) disposed on the display panel 110 through the integrated integrated circuit 200.

디스플레이 패널(110)의 양측 에지 영역에는 좌측 공통 전압 라인(CL_L)에 전기적으로 연결되는 좌측 피드백 라인(FL_L) 및 우측 공통 전압 라인(CL_R)에 전기적으로 연결되는 우측 피드백 라인(FL_R)이 형성된다. 따라서, 공통 전압 보상 회로(230)는 좌측 피드백 라인(FL_L) 및 우측 피드백 라인(FL_R)을 통해 디스플레이 패널(110)에 배치된 발광 소자의 캐소드 전극을 흐르는 공통 전압(Vcom)을 피드백 받을 수 있다.A left feedback line (FL_L) electrically connected to the left common voltage line (CL_L) and a right feedback line (FL_R) electrically connected to the right common voltage line (CL_R) are formed in both edge areas of the display panel 110. . Accordingly, the common voltage compensation circuit 230 can receive feedback of the common voltage (Vcom) flowing through the cathode electrode of the light emitting device disposed on the display panel 110 through the left feedback line (FL_L) and the right feedback line (FL_R). .

좌측 공통 전압 라인(CL_L) 및 우측 공통 전압 라인(CL_R)은 회로 필름(210) 및 인쇄 회로 기판(220)에 형성된 공통 전압 라인(CL)을 통해 공통 전압 보상 회로(230)의 출력 단자와 연결될 수 있다.The left common voltage line (CL_L) and the right common voltage line (CL_R) are connected to the output terminal of the common voltage compensation circuit 230 through the common voltage line (CL) formed on the circuit film 210 and the printed circuit board 220. You can.

수직 공통 전압 라인(CL_V)은 통합 집적 회로(200)를 통해 인쇄 회로 기판(220)에 형성된 공통 전압 라인(CL)에 연결될 수 있으며, 통합 집적 회로(200)는 디스플레이 패널(110)에 데이터 전압을 공급하기 위한 데이터 라인(DL)과 연결되지 않은 단자를 통해 수직 공통 전압 라인(CL_V)에 전기적으로 연결될 수 있다.The vertical common voltage line (CL_V) may be connected to the common voltage line (CL) formed on the printed circuit board 220 through the integrated integrated circuit 200, and the integrated integrated circuit 200 may provide a data voltage to the display panel 110. It can be electrically connected to the vertical common voltage line (CL_V) through a terminal that is not connected to the data line (DL) for supplying .

좌측 공통 전압 라인(CL_L)과 좌측 피드백 라인(FL_L), 우측 공통 전압 라인(CL_R)과 우측 피드백 라인(FL_R), 디스플레이 패널(110)에 배치되는 수평 공통 전압 라인(CL_H) 및 수직 공통 전압 라인(CL_V)은 인쇄 회로 기판(220)에서 연장되는 공통 전압 라인(CL)과 동일 층에 동일 재질로 형성되거나, 상이한 층에 상이한 재질로 형성될 수 있다.Left common voltage line (CL_L) and left feedback line (FL_L), right common voltage line (CL_R) and right feedback line (FL_R), horizontal common voltage line (CL_H) and vertical common voltage line disposed on the display panel 110. (CL_V) may be formed of the same material on the same layer as the common voltage line CL extending from the printed circuit board 220, or may be formed of a different material on a different layer.

한편, 통합 집적 회로(200)에서 디스플레이 패널(110)로 연결되는 수직 공통 전압 라인(CL_V)은 발광 소자의 캐소드 전극에 공급되는 공통 전압(Vcom)의 신호 지연 또는 신호 레벨의 감소를 최소화하기 위해서, 점핑 라인으로 연결되는 복수의 라인으로 형성될 수도 있다.Meanwhile, the vertical common voltage line (CL_V) connected from the integrated circuit 200 to the display panel 110 is used to minimize signal delay or reduction in signal level of the common voltage (Vcom) supplied to the cathode electrode of the light emitting device. , may be formed of a plurality of lines connected by jumping lines.

이러한 수직 공통 전압 라인(CL_V)의 개수나 위치, 두께, 길이는 디스플레이 패널(110)의 특성에 따라 다양하게 선택할 수 있을 것이다.The number, location, thickness, and length of these vertical common voltage lines (CL_V) may be selected in various ways depending on the characteristics of the display panel 110.

여기에서는 공통 전압 보상 회로(230)가 인쇄 회로 기판(220) 내에 별도의 회로로 실장되는 경우를 예시로 나타내었지만, 파워 관리 회로나 타이밍 컨트롤러와 같은 제어 회로 내에 위치하거나 통합 집적 회로(200) 내에 위치할 수도 있을 것이다.Here, the common voltage compensation circuit 230 is shown as an example of being mounted as a separate circuit within the printed circuit board 220, but is located within a control circuit such as a power management circuit or timing controller, or within the integrated circuit 200. It may be located.

본 개시의 터치 디스플레이 장치(100)에서, 공통 전압 보상 회로(230)는 피드백 라인(FL_L, FL_R)을 통해 전달되는 공통 전압(Vcom)을 피드백받아 공통 전압 보상 신호를 생성하고, 디스플레이 구동 기간(DP)에 공통 전압 보상 신호를 캐소드 전극(CE)에 공급하고, 터치 구동 기간(TP)에 공통 전압 보상 신호를 터치 기준 전압(Tref)으로 활용함으로써, 캐소드 노이즈에 의한 품질 저하를 줄일 수 있다.In the touch display device 100 of the present disclosure, the common voltage compensation circuit 230 receives the common voltage (Vcom) transmitted through the feedback lines (FL_L and FL_R) as feedback to generate a common voltage compensation signal, and generates a common voltage compensation signal during the display driving period ( By supplying a common voltage compensation signal to the cathode electrode (CE) in the DP) and using the common voltage compensation signal as the touch reference voltage (Tref) in the touch driving period (TP), quality degradation due to cathode noise can be reduced.

도 12는 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 공통 전압 보상 회로의 구성을 개념적으로 나타낸 블록도이다.FIG. 12 is a block diagram conceptually showing the configuration of a common voltage compensation circuit in a touch display device according to embodiments of the present disclosure.

도 12를 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)는 디스플레이 패널(110)의 캐소드 전극(CE)에 흐르는 공통 전압(Vcom)을 피드백받아서 보상 공통 전압(Vcom_comp) 또는 보상 터치 기준 전압(Tref_comp)을 생성하는 공통 전압 보상 회로(230)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 12, the touch display device 100 according to embodiments of the present disclosure receives feedback of the common voltage (Vcom) flowing through the cathode electrode (CE) of the display panel 110 and generates a compensation common voltage (Vcom_comp) or compensation. It may include a common voltage compensation circuit 230 that generates a touch reference voltage (Tref_comp).

디스플레이 패널(110)의 캐소드 전극(CE)에 인가되는 공통 전압(Vcom)은 위치에 따라 신호 지연이나 저항 편차에 의해서 위상이나 레벨이 상이할 수 있다.The common voltage (Vcom) applied to the cathode electrode (CE) of the display panel 110 may have different phases or levels due to signal delay or resistance deviation depending on the location.

따라서, 디스플레이 패널(110)을 복수의 블록으로 구분하고, 각 블록에 서로 다른 피드백 라인(FL)을 형성함으로써, 복수의 피드백 공통 전압(Vcom_FB)을 공급받을 수 있다.Accordingly, by dividing the display panel 110 into a plurality of blocks and forming different feedback lines (FL) in each block, a plurality of feedback common voltages (Vcom_FB) can be supplied.

여기에서는, 디스플레이 패널(110)을 2X2의 4개 블록으로 구분하고, 좌측 상부의 제 1 디스플레이 블록(DB1)에 제 1 피드백 라인(FL_L1)을 연결하고, 좌측 하부의 제 2 디스플레이 블록(DB2)에 제 2 피드백 라인(FL_L2)을 연결하며, 우측 상부의 제 3 디스플레이 블록(DB3)에 제 3 피드백 라인(FL_R1)을 연결하고, 우측 하부의 제 4 디스플레이 블록(DB4)에 제 4 피드백 라인(FL_R2)을 연결하는 경우를 예시로 나타내고 있다.Here, the display panel 110 is divided into four blocks of 2X2, the first feedback line (FL_L1) is connected to the first display block (DB1) on the upper left, and the second display block (DB2) is connected to the lower left. A second feedback line (FL_L2) is connected to, a third feedback line (FL_R1) is connected to the third display block (DB3) at the upper right, and a fourth feedback line (FL_R1) is connected to the fourth display block (DB4) at the lower right. The case of connecting FL_R2) is shown as an example.

이에 따라, 공통 전압 보상 회로(230)는 제 1 피드백 라인(FL_L1), 제 2 피드백 라인(FL_L2), 제 3 피드백 라인(FL_R1), 및 제 4 피드백 라인(FL_R2)을 통해 캐소드 전극(CE)을 흐르는 피드백 공통 전압(Vcom_FBL1, Vcom_FBL2, Vcom_FBR1, Vcom_FBR2)을 제공받을 수 있다.Accordingly, the common voltage compensation circuit 230 compensates the cathode electrode (CE) through the first feedback line (FL_L1), the second feedback line (FL_L2), the third feedback line (FL_R1), and the fourth feedback line (FL_R2). Feedback common voltages (Vcom_FBL1, Vcom_FBL2, Vcom_FBR1, Vcom_FBR2) flowing through can be provided.

공통 전압 보상 회로(230)는 복수의 디스플레이 블록(DB1, DB2, DB3, DB4)으로부터 공급되는 복수의 피드백 공통 전압(Vcom_FBL1, Vcom_FBL2, Vcom_FBR1, Vcom_FBR2) 중에서 하나의 피드백 공통 전압을 선택할 수 있는 스위칭 회로(232)와 선택된 피드백 공통 전압을 이용해서 보상 공통 전압(Vcom_comp) 또는 보상 터치 기준 전압(Tref_comp)을 생성하는 보상 전압 생성 회로(234)를 포함할 수 있다.The common voltage compensation circuit 230 is a switching circuit that can select one feedback common voltage from among the plurality of feedback common voltages (Vcom_FBL1, Vcom_FBL2, Vcom_FBR1, Vcom_FBR2) supplied from the plurality of display blocks (DB1, DB2, DB3, DB4). It may include 232 and a compensation voltage generation circuit 234 that generates a compensation common voltage (Vcom_comp) or a compensation touch reference voltage (Tref_comp) using the selected feedback common voltage.

이 때, 보상 터치 기준 전압(Tref_comp)은 보상 터치 기준 전압(Tref_comp)을 생성하기 위해서 사용된 피드백 공통 전압(Vcom_FB)이 검출된 위치에 근접한 터치 전극(TE)에 연결된 전치 증폭기(Pre_AMP)에 인가되는 것이 바람직하다.At this time, the compensation touch reference voltage (Tref_comp) is applied to the pre-amplifier (Pre_AMP) connected to the touch electrode (TE) close to the position where the feedback common voltage (Vcom_FB) used to generate the compensation touch reference voltage (Tref_comp) was detected. It is desirable to be

예를 들어, 제 1 디스플레이 블록(DB1)에서 검출된 피드백 공통 전압(Vcom_FBL1)을 이용해서 생성된 보상 터치 기준 전압(Tref_comp)은 제 1 디스플레이 블록(DB1)에 위치하는 터치 전극(TE)에 연결되는 전치 증폭기(Pre_AMP)에 인가함으로써, 보다 효과적인 노이즈 제거가 이루어질 수 있을 것이다.For example, the compensation touch reference voltage (Tref_comp) generated using the feedback common voltage (Vcom_FBL1) detected in the first display block (DB1) is connected to the touch electrode (TE) located in the first display block (DB1). By applying this to the preamplifier (Pre_AMP), more effective noise removal can be achieved.

도 13은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 공통 전압 보상 회로를 구성하는 스위칭 회로를 구체적으로 나타낸 도면이고, 도 14는 스위칭 회로의 동작을 예시로 나타낸 신호 흐름도이다.FIG. 13 is a diagram illustrating in detail a switching circuit constituting a common voltage compensation circuit in a touch display device according to embodiments of the present disclosure, and FIG. 14 is a signal flow diagram illustrating the operation of the switching circuit as an example.

도 13 및 도 14를 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에서, 공통 전압 보상 회로(230)를 구성하는 스위칭 회로(232)는 제 1 멀티플렉서(MUX1), 제 2 멀티플렉서(MUX2) 및 선택 스위치(SWs)를 포함할 수 있다.13 and 14, in the touch display device 100 according to embodiments of the present disclosure, the switching circuit 232 constituting the common voltage compensation circuit 230 includes a first multiplexer (MUX1) and a second It may include a multiplexer (MUX2) and selection switches (SWs).

제 1 멀티플렉서(MUX1)는 복수의 디스플레이 블록(DB1, DB2, DB3, DB4)으로부터 공급되는 복수의 피드백 공통 전압(Vcom_FBL1, Vcom_FBL2, Vcom_FBR1, Vcom_FBR2) 중에서 하나의 피드백 공통 전압을 선택해서, 보상 터치 기준 전압 생성 회로(234a)에 전달할 수 있다.The first multiplexer (MUX1) selects one feedback common voltage from among the plurality of feedback common voltages (Vcom_FBL1, Vcom_FBL2, Vcom_FBR1, Vcom_FBR2) supplied from the plurality of display blocks (DB1, DB2, DB3, DB4) and sets the compensation touch standard. It can be transmitted to the voltage generation circuit 234a.

제 2 멀티플렉서(MUX2)는 복수의 디스플레이 블록(DB1, DB2, DB3, DB4)으로부터 공급되는 복수의 피드백 공통 전압(Vcom_FBL1, Vcom_FBL2, Vcom_FBR1, Vcom_FBR2) 중에서 하나의 피드백 공통 전압을 선택해서, 보상 공통 전압 생성 회로(234b)에 전달할 수 있다.The second multiplexer (MUX2) selects one feedback common voltage from among the plurality of feedback common voltages (Vcom_FBL1, Vcom_FBL2, Vcom_FBR1, Vcom_FBR2) supplied from the plurality of display blocks (DB1, DB2, DB3, and DB4) to provide a compensation common voltage. It can be transmitted to the generation circuit 234b.

선택 스위치(SWs)는 디스플레이 구동 기간(DP)에 턴-온되어, 복수의 디스플레이 블록(DB1, DB2, DB3, DB4)으로부터 공급되는 복수의 피드백 공통 전압(Vcom_FBL1, Vcom_FBL2, Vcom_FBR1, Vcom_FBR2)을 제 2 멀티플렉서(MUX2)에 전달한다. 따라서, 보상 공통 전압 생성 회로(234b)는 디스플레이 구동 기간(DP)에 제 2 멀티플렉서(MUX2)로부터 전달되는 피드백 공통 전압을 이용해서, 캐소드 전극(CE)에 공급할 보상 공통 전압(Vcom_comp)을 생성할 수 있다.The selection switch (SWs) is turned on during the display driving period (DP) to provide a plurality of feedback common voltages (Vcom_FBL1, Vcom_FBL2, Vcom_FBR1, Vcom_FBR2) supplied from a plurality of display blocks (DB1, DB2, DB3, DB4). 2 Delivered to the multiplexer (MUX2). Accordingly, the compensation common voltage generation circuit 234b uses the feedback common voltage delivered from the second multiplexer MUX2 during the display driving period DP to generate the compensation common voltage Vcom_comp to be supplied to the cathode electrode CE. You can.

반면, 터치 구동 기간(TP)에는 선택 스위치(SWs)가 턴-오프되므로, 복수의 디스플레이 블록(DB1, DB2, DB3, DB4)으로부터 공급되는 복수의 피드백 공통 전압(Vcom_FBL1, Vcom_FBL2, Vcom_FBR1, Vcom_FBR2)은 제 1 멀티플렉서(MUX1)에 전달된다. 따라서, 보상 터치 기준 전압 생성 회로(234a)는 터치 구동 기간(TP)에 제 1 멀티플렉서(MUX1)로부터 전달되는 피드백 공통 전압을 이용해서, 터치 회로(150)에 공급할 보상 터치 기준 전압(Tref_comp)을 생성할 수 있다.On the other hand, since the selection switch (SWs) is turned off during the touch driving period (TP), the plurality of feedback common voltages (Vcom_FBL1, Vcom_FBL2, Vcom_FBR1, Vcom_FBR2) supplied from the plurality of display blocks (DB1, DB2, DB3, DB4) is transmitted to the first multiplexer (MUX1). Accordingly, the compensation touch reference voltage generation circuit 234a generates the compensation touch reference voltage Tref_comp to be supplied to the touch circuit 150 using the feedback common voltage delivered from the first multiplexer MUX1 during the touch driving period TP. can be created.

도 15는 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 공통 전압 보상 회로를 구성하는 보상 전압 생성 회로를 구체적으로 나타낸 도면이다.FIG. 15 is a diagram illustrating in detail a compensation voltage generation circuit constituting a common voltage compensation circuit in a touch display device according to embodiments of the present disclosure.

도 15를 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)에서, 공통 전압 보상 회로(230)를 구성하는 보상 전압 생성 회로(234)는 보상 터치 기준 전압 생성 회로(234a) 및 보상 공통 전압 생성 회로(234b)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 15, in the touch display device 100 according to embodiments of the present disclosure, the compensation voltage generation circuit 234 constituting the common voltage compensation circuit 230 includes a compensation touch reference voltage generation circuit 234a and It may include a compensation common voltage generation circuit 234b.

보상 터치 기준 전압 생성 회로(234a)는 입력 노드와 출력 노드 사이에 연결된 가변 인덕터(L1)와, 출력 노드에 병렬로 타측에 병렬로 연결된 가변 커패시터(C1) 및 가변 저항(R1)을 포함할 수 있다.The compensation touch reference voltage generation circuit 234a may include a variable inductor (L1) connected between the input node and the output node, a variable capacitor (C1) and a variable resistor (R1) connected in parallel to the output node and in parallel to the other side. there is.

입력 노드에는 직류 레벨 또는 펄스 형태의 터치 기준 전압(Tref)이 인가된다. 또한, 스위칭 회로(232)의 제 1 멀티플렉서(MUX1)에서 선택된 피드백 공통 전압(Vcom_FB)은 병렬로 연결된 가변 커패시터(C1) 및 가변 저항(R1)에 인가된다.A touch reference voltage (Tref) in the form of a direct current level or pulse is applied to the input node. Additionally, the feedback common voltage (Vcom_FB) selected in the first multiplexer (MUX1) of the switching circuit 232 is applied to the variable capacitor (C1) and the variable resistor (R1) connected in parallel.

이러한 구성에 의해서, 보상 터치 기준 전압 생성 회로(234a)는 피드백 공통 전압(Vcom_FB)과 터치 기준 전압(Tref)을 중첩시켜서, 캐소드 전극(CE)의 노이즈가 반영된 보상 터치 기준 전압(Tref_comp)을 생성할 수 있다.With this configuration, the compensation touch reference voltage generation circuit 234a overlaps the feedback common voltage (Vcom_FB) and the touch reference voltage (Tref) to generate a compensation touch reference voltage (Tref_comp) in which the noise of the cathode electrode (CE) is reflected. can do.

이 때, 보상 터치 기준 전압(Tref_comp)은 캐소드 전극(CE)에 유입되는 노이즈의 주파수에 레벨이나 위상 등을 달리함으로써, 캐소드 노이즈를 최소화할 수 있다.At this time, the compensation touch reference voltage Tref_comp can minimize cathode noise by varying the level or phase of the frequency of noise flowing into the cathode electrode CE.

이를 위해서, 공통 전압 보상 회로(230)는 캐소드 전극(CE)에 유입되는 노이즈의 주파수를 검출하는 주파수 검출 회로(236)를 더 포함할 수 있다.To this end, the common voltage compensation circuit 230 may further include a frequency detection circuit 236 that detects the frequency of noise flowing into the cathode electrode (CE).

즉, 주파수 검출 회로(236)에서 검출된 캐소드 노이즈의 주파수를 반영하여, 가변 인덕터(L1), 가변 커패시터(C1) 또는 가변 저항(R1)을 제어함으로써, 캐소드 노이즈를 최소화할 수 있는 보상 터치 기준 전압(Tref_comp)를 생성할 수 있을 것이다.That is, a compensation touch standard that can minimize cathode noise by reflecting the frequency of the cathode noise detected in the frequency detection circuit 236 and controlling the variable inductor (L1), variable capacitor (C1), or variable resistor (R1). It will be possible to generate voltage (Tref_comp).

예를 들어, 캐소드 노이즈의 주파수가 기준 주파수 이하인 경우에, 가변 인덕터(L1), 가변 커패시터(C1) 또는 가변 저항(R1)을 기준값 이상으로 설정하고, 캐소드 노이즈의 주파수가 기준 주파수 이상인 경우에, 가변 인덕터(L1), 가변 커패시터(C1) 또는 가변 저항(R1)을 기준값 이하로 설정할 수 있을 것이다.For example, when the frequency of the cathode noise is below the reference frequency, the variable inductor (L1), variable capacitor (C1), or variable resistor (R1) is set above the reference value, and when the frequency of the cathode noise is above the reference frequency, The variable inductor (L1), variable capacitor (C1), or variable resistor (R1) may be set below a reference value.

보상 공통 전압 생성 회로(234b)는 반전 입력 단자에 입력 저항(Ra)이 연결되고, 비반전 입력 단자에 공통 전압(Vcom)이 인가되며, 반전 입력 단자와 출력 단자 사이에 피드백 저항(Rb)이 연결되는 증폭기(AMP)를 포함할 수 있다.In the compensation common voltage generation circuit 234b, an input resistance (Ra) is connected to the inverting input terminal, a common voltage (Vcom) is applied to the non-inverting input terminal, and a feedback resistance (Rb) is provided between the inverting input terminal and the output terminal. It may include a connected amplifier (AMP).

이러한 구성에 의하여, 보상 공통 전압 생성 회로(234b)는 캐소드 전극(CE)에 유입된 캐소드 노이즈를 감소시킬 수 있는 보상 공통 전압(Vcom_comp)을 생성할 수 있다.With this configuration, the compensation common voltage generation circuit 234b can generate a compensation common voltage Vcom_comp that can reduce cathode noise introduced into the cathode electrode CE.

또한, 보상 공통 전압(Vcom_comp)은 캐소드 전극(CE)에 유입되는 노이즈의 주파수에 레벨이나 위상 등을 달리함으로써, 캐소드 노이즈를 최소화할 수 있다.Additionally, the compensation common voltage Vcom_comp can minimize cathode noise by varying the level or phase of the frequency of noise flowing into the cathode electrode CE.

즉, 주파수 검출 회로(236)에서 검출된 캐소드 노이즈의 주파수를 반영하여, 입력 저항(Ra) 또는 피드백 저항(Rb)을 제어함으로써, 캐소드 노이즈를 최소화할 수 있는 보상 공통 전압(Vcom_comp)을 생성할 수 있을 것이다.That is, by reflecting the frequency of the cathode noise detected in the frequency detection circuit 236 and controlling the input resistance (Ra) or feedback resistance (Rb), a compensation common voltage (Vcom_comp) that can minimize cathode noise can be generated. You will be able to.

도 16은 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치에서, 보상 터치 기준 전압을 통해서 터치 출력 신호의 노이즈를 개선하는 동작을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 16 is a diagram illustrating an operation of improving noise of a touch output signal through a compensation touch reference voltage in a touch display device according to embodiments of the present disclosure.

도 16을 참조하면, 본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)의 터치 구동 회로(152)는 하나 이상의 전치 증폭기(Pre-AMP)를 포함할 수 있다. 전치 증폭기(Pre-AMP)는 비반전 입력 단자에 공통 전압 보상 회로(230)에서 생성된 보상 터치 기준 전압(Tref_comp)이 인가되고, 반전 입력 단자에 터치 센싱 전극(Rx)으로부터 전달되는 터치 센싱 신호(TSS)가 인가된다. Referring to FIG. 16, the touch driving circuit 152 of the touch display device 100 according to embodiments of the present disclosure may include one or more pre-amplifiers (Pre-AMP). The pre-amplifier (Pre-AMP) applies the compensation touch reference voltage (Tref_comp) generated by the common voltage compensation circuit 230 to the non-inverting input terminal, and applies the touch sensing signal transmitted from the touch sensing electrode (Rx) to the inverting input terminal. (TSS) is authorized.

전치 증폭기(Pre-AMP)의 비반전 입력 단자에 인가되는 보상 터치 기준 전압(Tref_comp)은 캐소드 전극(CE)에 유입된 캐소드 노이즈가 반영된 신호이다.The compensation touch reference voltage (Tref_comp) applied to the non-inverting input terminal of the pre-amplifier (Pre-AMP) is a signal reflecting the cathode noise introduced into the cathode electrode (CE).

전치 증폭기(Pre-AMP)의 반전 입력 단자와 출력 단자 사이에는 피드백 커패시터(Cfb)와 리셋 스위치(SWr)가 연결될 수 있다.A feedback capacitor (Cfb) and a reset switch (SWr) may be connected between the inverting input terminal and the output terminal of the pre-amplifier (Pre-AMP).

사용자가 손가락이나 펜 등을 이용하여 화면을 터치하게 되면, 손가락이나 펜 등과 터치 구동 전극(Tx) 사이에 핑거 커패시턴스(Cf)가 형성될 수 있다. When a user touches the screen using a finger or a pen, a finger capacitance (Cf) may be formed between the finger or pen and the touch driving electrode (Tx).

터치 구동 전극(Tx)와 터치 센싱 전극(Rx) 사이에는 뮤추얼 커패시턴스(Cm)가 형성될 수 있으며, 터치 회로(150)는 뮤추얼 커패시턴스(Cm)에 의해서 터치 센싱 전극(Rx)에서 생성되는 터치 센싱 신호(TSS)를 수신할 수 있다.A mutual capacitance (Cm) may be formed between the touch driving electrode (Tx) and the touch sensing electrode (Rx), and the touch circuit 150 generates a touch sensing electrode (Rx) by the mutual capacitance (Cm). A signal (TSS) can be received.

반면, 셀프-커패시턴스 센싱 방식으로 터치 센싱이 이루어지는 경우, 터치 전극(TE) 각각은 터치 구동 전극의 역할도 하고 터치 센싱 전극의 역할도 할 수 있다. 이 때, 터치 회로(150)는 각 터치 전극(TE)과 터치 오브젝트(예: 손가락, 펜 등) 사이의 커패시턴스를 토대로 터치 센싱 신호(TSS)를 수신할 수 있을 것이다.On the other hand, when touch sensing is performed using a self-capacitance sensing method, each of the touch electrodes (TE) can serve as a touch driving electrode and a touch sensing electrode. At this time, the touch circuit 150 may receive the touch sensing signal (TSS) based on the capacitance between each touch electrode (TE) and a touch object (eg, finger, pen, etc.).

이 때, 터치 구동 기간(TP)에서 터치 전극(TE)에 터치 구동 신호(TDS)가 인가되는 동안, 터치 전극(TE)은 주변 다른 전극들과 용량 방식으로 커플링될 수 있다. At this time, while the touch driving signal (TDS) is applied to the touch electrode (TE) in the touch driving period (TP), the touch electrode (TE) may be capacitively coupled to other surrounding electrodes.

예를 들어, 발광 소자(ED)의 애노드 전극(AE), 데이터 신호가 인가되는 데이터 라인(DL) 또는 게이트 신호가 인가되는 게이트 라인(GL)에 라인 노이즈가 유입될 수 있다. 라인 노이즈는 신호 라인(AE, DL, GL 등)과 캐소드 전극(CE) 사이에 형성된 기생 커패시턴스에 의해서 캐소드 전극(CE)에 유입되어 캐소드 노이즈를 형성할 수 있다.For example, line noise may flow into the anode electrode (AE) of the light emitting device (ED), the data line (DL) to which a data signal is applied, or the gate line (GL) to which a gate signal is applied. Line noise may flow into the cathode electrode (CE) due to parasitic capacitance formed between the signal line (AE, DL, GL, etc.) and the cathode electrode (CE), forming cathode noise.

그러나, 공통 전압 보상 회로(230)는 캐소드 노이즈가 포함된 피드백 공통 전압(Vcom_FB)을 수신하고, 피드백 공통 전압(Vcom_FB)을 이용해서 캐소드 노이즈를 상쇄시킬 수 있는 보상 터치 기준 전압(Tref_comp)을 생성할 수 있다.However, the common voltage compensation circuit 230 receives the feedback common voltage (Vcom_FB) containing cathode noise, and uses the feedback common voltage (Vcom_FB) to generate a compensation touch reference voltage (Tref_comp) that can cancel out the cathode noise. can do.

따라서, 본 개시의 터치 디스플레이 장치(100)는 터치 구동 기간(TP)에 터치 구동 회로(152)를 구성하는 전치 증폭기(Pre-AMP)의 비반전 입력 단자에 보상 터치 기준 전압(Tref_comp)을 공급함으로써, 캐소드 노이즈가 제거된 터치 출력 신호(Vsen)를 생성할 수 있다.Therefore, the touch display device 100 of the present disclosure supplies the compensation touch reference voltage (Tref_comp) to the non-inverting input terminal of the pre-amplifier (Pre-AMP) constituting the touch driving circuit 152 during the touch driving period (TP). By doing so, it is possible to generate a touch output signal (Vsen) from which cathode noise is removed.

또한, 공통 전압 보상 회로(230)는 캐소드 노이즈가 포함된 피드백 공통 전압(Vcom_FB)을 수신하고, 피드백 공통 전압(Vcom_FB)을 이용해서 캐소드 노이즈를 상쇄시킬 수 있는 보상 공통 전압(Vcom_comp)을 생성할 수 있다.In addition, the common voltage compensation circuit 230 receives a feedback common voltage (Vcom_FB) containing cathode noise, and uses the feedback common voltage (Vcom_FB) to generate a compensation common voltage (Vcom_comp) that can cancel out the cathode noise. You can.

따라서, 본 개시의 터치 디스플레이 장치(100)는 디스플레이 구동 기간(DP)에 디스플레이 패널(110)의 캐소드 전극(CE)에 보상 공통 전압(Vcom_comp)을 공급함으로써, 캐소드 노이즈에 의한 영상 품질의 저하를 방지할 수 있다.Therefore, the touch display device 100 of the present disclosure provides compensation common voltage (Vcom_comp) to the cathode electrode (CE) of the display panel 110 during the display driving period (DP), thereby preventing degradation of image quality due to cathode noise. It can be prevented.

이상에서 설명한 본 개시의 실시예들을 간략하게 설명하면 아래와 같다.The embodiments of the present disclosure described above are briefly described as follows.

본 개시의 실시예들에 따른 터치 디스플레이 장치(100)는 복수의 발광 소자(ED) 및 복수의 터치 전극(TE)을 포함하는 디스플레이 패널(110)과, 상기 복수의 터치 전극(TE)에 터치 구동 신호(TDS)를 인가하고, 커패시턴스 변화에 따른 터치 센싱 신호(TSS)를 수신하여 터치를 검출하는 터치 회로(150)와, 상기 터치 회로(150)를 제어하는 타이밍 컨트롤러(140)와, 상기 발광 소자(ED)의 캐소드 전극(CE)에 연결된 피드백 라인(FL)으로부터 전달된 피드백 공통 전압(Vcom_FB)을 이용하여, 상기 캐소드 전극(CE)에 유입된 캐소드 노이즈가 반영된 보상 터치 기준 전압(Tref_comp) 또는 보상 공통 전압(Vcom_comp)을 생성하는 공통 전압 보상 회로(230)를 포함하되, 상기 터치 회로(150)는 상기 보상 터치 기준 전압(Tref_comp)을 이용하여, 노이즈가 감소된 터치 출력 신호(Vsen)를 생성할 수 있다.The touch display device 100 according to embodiments of the present disclosure includes a display panel 110 including a plurality of light emitting elements (ED) and a plurality of touch electrodes (TE), and a touch electrode to the plurality of touch electrodes (TE). A touch circuit 150 that detects a touch by applying a driving signal (TDS) and receiving a touch sensing signal (TSS) according to capacitance change, a timing controller 140 that controls the touch circuit 150, and Using the feedback common voltage (Vcom_FB) transmitted from the feedback line (FL) connected to the cathode electrode (CE) of the light emitting element (ED), a compensation touch reference voltage (Tref_comp) reflecting the cathode noise introduced into the cathode electrode (CE) is generated. ) or a common voltage compensation circuit 230 that generates a compensation common voltage (Vcom_comp), wherein the touch circuit 150 uses the compensation touch reference voltage (Tref_comp) to generate a touch output signal (Vsen) with reduced noise. ) can be created.

상기 복수의 터치 전극(TE)은 상기 복수의 발광 소자(ED)를 덮는 봉지층(ENCAP) 상에 형성될 수 있다.The plurality of touch electrodes (TE) may be formed on the encapsulation layer (ENCAP) covering the plurality of light emitting devices (ED).

상기 복수의 피드백 라인(FL)은 상기 디스플레이 패널(110)을 분할하는 복수의 디스플레이 블록(DB)에서 하나씩 연결될 수 있다.The plurality of feedback lines FL may be connected one by one to the plurality of display blocks DB dividing the display panel 110.

상기 공통 전압 보상 회로(230)는 상기 복수의 피드백 라인(FL)으로부터 전달된 복수의 피드백 공통 전압(Vcom_FB) 중에서 하나의 피드백 공통 전압을 선택할 수 있는 스위칭 회로(232)와, 상기 스위칭 회로(232)에서 선택된 하나의 피드백 공통 전압(Vcom_FB)을 이용해서 상기 보상 터치 기준 전압(Tref_comp)을 생성하는 보상 전압 생성 회로(234)를 포함할 수 있다.The common voltage compensation circuit 230 includes a switching circuit 232 capable of selecting one feedback common voltage from among a plurality of feedback common voltages (Vcom_FB) transmitted from the plurality of feedback lines (FL), and the switching circuit 232 ) may include a compensation voltage generation circuit 234 that generates the compensation touch reference voltage (Tref_comp) using one feedback common voltage (Vcom_FB) selected from ).

상기 보상 전압 생성 회로(234)는 터치 구동 기간(TP)에 터치 구동 신호(TDS)가 인가되지 않는 전극에 공급되는 터치 기준 전압(Tref)과 상기 스위칭 회로(232)에서 선택된 하나의 피드백 공통 전압(Vcom_FB)을 이용해서 상기 보상 터치 기준 전압(Tref_comp)을 생성하는 보상 터치 기준 전압 생성 회로(232a)와, 디스플레이 구동 기간(DP)에 상기 캐소드 전극(CE)에 공급되는 공통 전압(Vcom)과 상기 스위칭 회로(232)에서 선택된 하나의 피드백 공통 전압(Vcom_FB)을 이용해서 보상 공통 전압(Vcom_comp)을 생성하는 보상 공통 전압 생성 회로(232b)를 포함할 수 있다.The compensation voltage generation circuit 234 generates a touch reference voltage (Tref) supplied to an electrode to which a touch driving signal (TDS) is not applied during the touch driving period (TP) and a feedback common voltage selected from the switching circuit 232. A compensation touch reference voltage generation circuit 232a that generates the compensation touch reference voltage (Tref_comp) using (Vcom_FB), a common voltage (Vcom) supplied to the cathode electrode (CE) during the display driving period (DP), and It may include a compensation common voltage generation circuit 232b that generates a compensation common voltage (Vcom_comp) using one feedback common voltage (Vcom_FB) selected in the switching circuit 232.

상기 스위칭 회로(232)는 디스플레이 구동 기간(DP)에 상기 스위칭 회로(232)에서 선택된 하나의 피드백 공통 전압(Vcom_FB)을 상기 보상 공통 전압 생성 회로(232b)에 전달하는 선택 스위치(SWs)를 포함할 수 있다.The switching circuit 232 includes a selection switch (SWs) that transfers one feedback common voltage (Vcom_FB) selected in the switching circuit 232 to the compensation common voltage generation circuit 232b during the display driving period (DP). can do.

상기 공통 전압 보상 회로(230)는 상기 캐소드 노이즈의 주파수를 검출하는 주파수 검출 회로(236)를 더 포함할 수 있다.The common voltage compensation circuit 230 may further include a frequency detection circuit 236 that detects the frequency of the cathode noise.

상기 보상 터치 기준 전압 생성 회로(232a)는 입력 노드와 출력 노드 사이에 연결되어, 상기 터치 기준 전압(Tref)이 인가되는 가변 인덕터(L1)와, 상기 출력 노드에 병렬로 연결되어, 상기 선택된 피드백 공통 전압(Vcom_FB)이 인가되는 가변 커패시터(C1)와 가변 저항(R1)을 포함하되, 상기 가변 인덕터(L1), 상기 가변 커패시터(C1) 및 상기 가변 저항(R1)은 상기 주파수 검출 회로(236)에서 검출된 상기 캐소드 노이즈의 주파수에 따라 제어될 수 있다.The compensation touch reference voltage generation circuit 232a is connected between an input node and an output node, is connected in parallel to a variable inductor L1 to which the touch reference voltage Tref is applied, and the output node, and provides the selected feedback. It includes a variable capacitor (C1) and a variable resistor (R1) to which a common voltage (Vcom_FB) is applied, wherein the variable inductor (L1), the variable capacitor (C1), and the variable resistor (R1) are connected to the frequency detection circuit 236. ) can be controlled according to the frequency of the cathode noise detected.

상기 보상 공통 전압 생성 회로(232b)는 증폭기(AMP)와, 상기 증폭기(AMP)의 반전 입력 단자에 연결되며, 상기 선택된 피드백 공통 전압(Vcom_FB)을 전달하는 입력 저항(Ra)과, 상기 증폭기(AMP)의 반전 입력 단자와 출력 단자 사이에 연결된 피드백 저항(Rb)을 포함하되, 상기 캐소드 전극(CE)에 공급되는 공통 전압(Vcom)이 상기 증폭기(AMP)의 비반전 입력 단자에 인가되며, 상기 입력 저항(Ra) 및 상기 피드백 저항(Rb)은 상기 주파수 검출 회로(236)에서 검출된 상기 캐소드 노이즈의 주파수에 따라 제어될 수 있다.The compensation common voltage generation circuit 232b is connected to an amplifier (AMP) and an inverting input terminal of the amplifier (AMP), and includes an input resistor (Ra) transmitting the selected feedback common voltage (Vcom_FB), and the amplifier ( It includes a feedback resistor (Rb) connected between the inverting input terminal and the output terminal of the amplifier (AMP), and the common voltage (Vcom) supplied to the cathode electrode (CE) is applied to the non-inverting input terminal of the amplifier (AMP), The input resistance (Ra) and the feedback resistance (Rb) may be controlled according to the frequency of the cathode noise detected by the frequency detection circuit 236.

상기 보상 터치 기준 전압(Tref_comp)은 상기 선택된 피드백 공통 전압(Vcom_FB)이 검출된 위치에 근접한 터치 전극(TE)에 반영될 수 있다.The compensation touch reference voltage (Tref_comp) may be reflected on the touch electrode (TE) close to the position where the selected feedback common voltage (Vcom_FB) is detected.

또한, 본 개시의 구동 회로는 디스플레이 패널(110)에 배치된 발광 소자(ED)의 캐소드 전극(CE)에 연결된 피드백 라인(FL)으로부터 전달된 피드백 공통 전압(Vcom_FB)을 이용하여, 상기 캐소드 전극(CE)에 유입된 캐소드 노이즈가 반영된 보상 터치 기준 전압(Tref_comp)을 생성하는 공통 전압 보상 회로(230)와, 상기 디스플레이 패널(110)에 배치된 복수의 터치 전극(TE)에 터치 구동 신호(TDS)를 인가하고, 커패시턴스 변화에 따른 터치 센싱 신호(TSS)를 수신하되, 상기 보상 터치 기준 전압(Tref_comp)을 이용하여, 노이즈가 감소된 터치 출력 신호(Vsen)를 생성하는 터치 회로(150)를 포함할 수 있다.In addition, the driving circuit of the present disclosure uses the feedback common voltage (Vcom_FB) transmitted from the feedback line (FL) connected to the cathode electrode (CE) of the light emitting element (ED) disposed on the display panel 110 to A common voltage compensation circuit 230 that generates a compensation touch reference voltage (Tref_comp) reflecting the cathode noise introduced into (CE), and a touch driving signal ( A touch circuit 150 that applies TDS), receives a touch sensing signal (TSS) according to capacitance change, and generates a touch output signal (Vsen) with reduced noise using the compensation touch reference voltage (Tref_comp). may include.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 또한, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이므로 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely an illustrative explanation of the technical idea of the present invention, and various modifications and variations will be possible to those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. In addition, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but rather to explain it, and therefore the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be interpreted in accordance with the claims below, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of rights of the present invention.

100: 터치 디스플레이 장치
110: 디스플레이 패널
120, 120a, 120b: 게이트 구동 회로
130: 데이터 구동 회로
140: 타이밍 컨트롤러
150: 터치 회로
152: 터치 구동 회로
154: 터치 컨트롤러
200: 통합 집적 회로
210: 회로 필름
220: 인쇄 회로 기판
230: 공통 전압 보상 회로
232: 스위칭 회로
234: 보상 전압 생성 회로
234a: 보상 터치 기준 전압 생성 회로
234b: 보상 공통 전압 생성 회로
236: 주파수 검출 회로
100: touch display device
110: display panel
120, 120a, 120b: Gate driving circuit
130: data driving circuit
140: Timing controller
150: touch circuit
152: touch driving circuit
154: Touch controller
200: integrated integrated circuit
210: circuit film
220: printed circuit board
230: Common voltage compensation circuit
232: switching circuit
234: Compensation voltage generation circuit
234a: Compensation touch reference voltage generation circuit
234b: Compensated common voltage generation circuit
236: frequency detection circuit

Claims (19)

복수의 발광 소자 및 복수의 터치 전극을 포함하는 디스플레이 패널;
상기 복수의 터치 전극에 터치 구동 신호를 인가하고, 커패시턴스 변화에 따른 터치 센싱 신호를 수신하여 터치를 검출하는 터치 회로;
상기 터치 회로를 제어하는 타이밍 컨트롤러; 및
상기 발광 소자의 캐소드 전극에 연결된 피드백 라인으로부터 전달된 피드백 공통 전압을 이용하여, 상기 캐소드 전극에 유입된 캐소드 노이즈가 반영된 보상 터치 기준 전압을 생성하는 공통 전압 보상 회로를 포함하되,
상기 터치 회로는 상기 보상 터치 기준 전압을 이용하여, 노이즈가 감소된 터치 출력 신호를 생성하는 터치 디스플레이 장치.
A display panel including a plurality of light emitting elements and a plurality of touch electrodes;
a touch circuit that detects a touch by applying a touch driving signal to the plurality of touch electrodes and receiving a touch sensing signal according to a change in capacitance;
a timing controller that controls the touch circuit; and
A common voltage compensation circuit that generates a compensation touch reference voltage reflecting cathode noise introduced into the cathode electrode using a feedback common voltage transmitted from a feedback line connected to the cathode electrode of the light emitting device,
A touch display device wherein the touch circuit generates a touch output signal with reduced noise using the compensated touch reference voltage.
제 1 항에 있어서,
상기 복수의 터치 전극은
상기 복수의 발광 소자를 덮는 봉지층 상에 형성된 터치 디스플레이 장치.
According to claim 1,
The plurality of touch electrodes are
A touch display device formed on an encapsulation layer covering the plurality of light emitting devices.
제 1 항에 있어서,
상기 복수의 피드백 라인은
상기 디스플레이 패널을 분할하는 복수의 디스플레이 블록에서 하나씩 연결되는 터치 디스플레이 장치.
According to claim 1,
The plurality of feedback lines are
A touch display device in which a plurality of display blocks dividing the display panel are connected one by one.
제 1 항에 있어서,
상기 공통 전압 보상 회로는
상기 복수의 피드백 라인으로부터 전달된 복수의 피드백 공통 전압 중에서 하나의 피드백 공통 전압을 선택할 수 있는 스위칭 회로; 및
상기 스위칭 회로에서 선택된 하나의 피드백 공통 전압을 이용해서 상기 보상 터치 기준 전압을 생성하는 보상 전압 생성 회로를 포함하는 터치 디스플레이 장치.
According to claim 1,
The common voltage compensation circuit is
a switching circuit capable of selecting one feedback common voltage among a plurality of feedback common voltages transmitted from the plurality of feedback lines; and
A touch display device comprising a compensation voltage generation circuit that generates the compensation touch reference voltage using one feedback common voltage selected in the switching circuit.
제 4 항에 있어서,
상기 보상 전압 생성 회로는
터치 구동 기간에 터치 구동 신호가 인가되지 않는 전극에 공급되는 터치 기준 전압과 상기 스위칭 회로에서 선택된 하나의 피드백 공통 전압을 이용해서 상기 보상 터치 기준 전압을 생성하는 보상 터치 기준 전압 생성 회로; 및
디스플레이 구동 기간에 상기 캐소드 전극에 공급되는 공통 전압과 상기 스위칭 회로에서 선택된 하나의 피드백 공통 전압을 이용해서 보상 공통 전압을 생성하는 보상 공통 전압 생성 회로를 포함하는 터치 디스플레이 장치.
According to claim 4,
The compensation voltage generation circuit is
a compensation touch reference voltage generation circuit that generates the compensation touch reference voltage using a touch reference voltage supplied to an electrode to which a touch drive signal is not applied during the touch drive period and one feedback common voltage selected by the switching circuit; and
A touch display device comprising a compensation common voltage generation circuit that generates a compensation common voltage using a common voltage supplied to the cathode electrode during a display driving period and a feedback common voltage selected from the switching circuit.
제 5 항에 있어서,
상기 스위칭 회로는
디스플레이 구동 기간에 상기 스위칭 회로에서 선택된 하나의 피드백 공통 전압을 상기 보상 공통 전압 생성 회로에 전달하는 선택 스위치를 포함하는 터치 디스플레이 장치.
According to claim 5,
The switching circuit is
A touch display device comprising a selection switch for transferring one feedback common voltage selected from the switching circuit to the compensation common voltage generation circuit during a display driving period.
제 5 항에 있어서,
상기 공통 전압 보상 회로는
상기 캐소드 노이즈의 주파수를 검출하는 주파수 검출 회로를 더 포함하는 터치 디스플레이 장치.
According to claim 5,
The common voltage compensation circuit is
A touch display device further comprising a frequency detection circuit that detects the frequency of the cathode noise.
제 7 항에 있어서,
상기 보상 터치 기준 전압 생성 회로는
입력 노드와 출력 노드 사이에 연결되어, 상기 터치 기준 전압이 인가되는 가변 인덕터; 및
상기 출력 노드에 병렬로 연결되어, 상기 선택된 피드백 공통 전압이 인가되는 가변 커패시터와 가변 저항을 포함하되,
상기 가변 인덕터, 상기 가변 커패시터 및 상기 가변 저항은 상기 주파수 검출 회로에서 검출된 상기 캐소드 노이즈의 주파수에 따라 제어되는 터치 디스플레이 장치.
According to claim 7,
The compensation touch reference voltage generation circuit is
a variable inductor connected between an input node and an output node to which the touch reference voltage is applied; and
A variable capacitor and a variable resistor connected in parallel to the output node to which the selected feedback common voltage is applied,
The variable inductor, the variable capacitor, and the variable resistor are controlled according to the frequency of the cathode noise detected by the frequency detection circuit.
제 7 항에 있어서,
상기 보상 공통 전압 생성 회로는
증폭기;
상기 증폭기의 반전 입력 단자에 연결되며, 상기 선택된 피드백 공통 전압을 전달하는 입력 저항;
상기 증폭기의 반전 입력 단자와 출력 단자 사이에 연결된 피드백 저항을 포함하되,
상기 캐소드 전극에 공급되는 공통 전압이 상기 증폭기의 비반전 입력 단자에 인가되며,
상기 입력 저항 및 상기 피드백 저항은 상기 주파수 검출 회로에서 검출된 상기 캐소드 노이즈의 주파수에 따라 제어되는 터치 디스플레이 장치.
According to claim 7,
The compensation common voltage generation circuit is
amplifier;
an input resistor connected to the inverting input terminal of the amplifier and transmitting the selected feedback common voltage;
Including a feedback resistor connected between the inverting input terminal and the output terminal of the amplifier,
A common voltage supplied to the cathode electrode is applied to the non-inverting input terminal of the amplifier,
The input resistance and the feedback resistance are controlled according to the frequency of the cathode noise detected by the frequency detection circuit.
제 7 항에 있어서,
상기 보상 터치 기준 전압은
상기 선택된 피드백 공통 전압이 검출된 위치에 근접한 터치 전극에 반영되는 터치 디스플레이 장치.
According to claim 7,
The compensation touch reference voltage is
A touch display device in which the selected feedback common voltage is reflected on a touch electrode close to a detected position.
디스플레이 패널에 배치된 발광 소자의 캐소드 전극에 연결된 피드백 라인으로부터 전달된 피드백 공통 전압을 이용하여, 상기 캐소드 전극에 유입된 캐소드 노이즈가 반영된 보상 터치 기준 전압을 생성하는 공통 전압 보상 회로; 및
상기 디스플레이 패널에 배치된 복수의 터치 전극에 터치 구동 신호를 인가하고, 커패시턴스 변화에 따른 터치 센싱 신호를 수신하되, 상기 보상 터치 기준 전압을 이용하여, 노이즈가 감소된 터치 출력 신호를 생성하는 터치 회로를 포함하는 구동 회로.
a common voltage compensation circuit that uses a feedback common voltage transmitted from a feedback line connected to a cathode electrode of a light emitting device disposed on a display panel to generate a compensation touch reference voltage that reflects cathode noise introduced into the cathode electrode; and
A touch circuit that applies a touch driving signal to a plurality of touch electrodes disposed on the display panel, receives a touch sensing signal according to a change in capacitance, and generates a touch output signal with reduced noise using the compensation touch reference voltage. A driving circuit comprising:
제 11 항에 있어서,
상기 복수의 피드백 라인은
상기 디스플레이 패널을 분할하는 복수의 디스플레이 블록에서 하나씩 연결되는 구동 회로.
According to claim 11,
The plurality of feedback lines are
A driving circuit connected one by one to a plurality of display blocks dividing the display panel.
제 11 항에 있어서,
상기 공통 전압 보상 회로는
상기 복수의 피드백 라인으로부터 전달된 복수의 피드백 공통 전압 중에서 하나의 피드백 공통 전압을 선택할 수 있는 스위칭 회로; 및
상기 스위칭 회로에서 선택된 하나의 피드백 공통 전압을 이용해서 상기 보상 터치 기준 전압을 생성하는 보상 전압 생성 회로를 포함하는 구동 회로.
According to claim 11,
The common voltage compensation circuit is
a switching circuit capable of selecting one feedback common voltage among a plurality of feedback common voltages transmitted from the plurality of feedback lines; and
A driving circuit including a compensation voltage generation circuit that generates the compensation touch reference voltage using one feedback common voltage selected in the switching circuit.
제 13 항에 있어서,
상기 보상 전압 생성 회로는
터치 구동 기간에 터치 구동 신호가 인가되지 않는 전극에 공급되는 터치 기준 전압과 상기 스위칭 회로에서 선택된 하나의 피드백 공통 전압을 이용해서 상기 보상 터치 기준 전압을 생성하는 보상 터치 기준 전압 생성 회로; 및
디스플레이 구동 기간에 상기 캐소드 전극에 공급되는 공통 전압과 상기 스위칭 회로에서 선택된 하나의 피드백 공통 전압을 이용해서 보상 공통 전압을 생성하는 보상 공통 전압 생성 회로를 포함하는 구동 회로.
According to claim 13,
The compensation voltage generation circuit is
a compensation touch reference voltage generation circuit that generates the compensation touch reference voltage using a touch reference voltage supplied to an electrode to which a touch drive signal is not applied during the touch drive period and one feedback common voltage selected by the switching circuit; and
A driving circuit comprising a compensation common voltage generation circuit that generates a compensation common voltage using a common voltage supplied to the cathode electrode during a display driving period and a feedback common voltage selected from the switching circuit.
제 14 항에 있어서,
상기 스위칭 회로는
디스플레이 구동 기간에 상기 스위칭 회로에서 선택된 하나의 피드백 공통 전압을 상기 보상 공통 전압 생성 회로에 전달하는 선택 스위치를 포함하는 구동 회로.
According to claim 14,
The switching circuit is
A driving circuit comprising a selection switch for transferring one feedback common voltage selected from the switching circuit to the compensation common voltage generating circuit during a display driving period.
제 14 항에 있어서,
상기 공통 전압 보상 회로는
상기 캐소드 노이즈의 주파수를 검출하는 주파수 검출 회로를 더 포함하는 구동 회로.
According to claim 14,
The common voltage compensation circuit is
A driving circuit further comprising a frequency detection circuit that detects the frequency of the cathode noise.
제 16 항에 있어서,
상기 보상 터치 기준 전압 생성 회로는
입력 노드와 출력 노드 사이에 연결되어, 상기 터치 기준 전압이 인가되는 가변 인덕터; 및
상기 출력 노드에 병렬로 연결되어, 상기 선택된 피드백 공통 전압이 인가되는 가변 커패시터와 가변 저항을 포함하되,
상기 가변 인덕터, 상기 가변 커패시터 및 상기 가변 저항은 상기 주파수 검출 회로에서 검출된 상기 캐소드 노이즈의 주파수에 따라 제어되는 구동 회로.
According to claim 16,
The compensation touch reference voltage generation circuit is
a variable inductor connected between an input node and an output node to which the touch reference voltage is applied; and
A variable capacitor and a variable resistor connected in parallel to the output node to which the selected feedback common voltage is applied,
A driving circuit in which the variable inductor, the variable capacitor, and the variable resistor are controlled according to the frequency of the cathode noise detected by the frequency detection circuit.
제 16 항에 있어서,
상기 보상 공통 전압 생성 회로는
증폭기;
상기 증폭기의 반전 입력 단자에 연결되며, 상기 선택된 피드백 공통 전압을 전달하는 입력 저항;
상기 증폭기의 반전 입력 단자와 출력 단자 사이에 연결된 피드백 저항을 포함하되,
상기 캐소드 전극에 공급되는 공통 전압이 상기 증폭기의 비반전 입력 단자에 인가되며,
상기 입력 저항 및 상기 피드백 저항은 상기 주파수 검출 회로에서 검출된 상기 캐소드 노이즈의 주파수에 따라 제어되는 구동 회로.
According to claim 16,
The compensation common voltage generation circuit is
amplifier;
an input resistor connected to the inverting input terminal of the amplifier and transmitting the selected feedback common voltage;
Including a feedback resistor connected between the inverting input terminal and the output terminal of the amplifier,
A common voltage supplied to the cathode electrode is applied to the non-inverting input terminal of the amplifier,
A driving circuit in which the input resistance and the feedback resistance are controlled according to the frequency of the cathode noise detected by the frequency detection circuit.
제 16 항에 있어서,
상기 보상 터치 기준 전압은
상기 선택된 피드백 공통 전압이 검출된 위치에 근접한 터치 전극에 반영되는 구동 회로.
According to claim 16,
The compensation touch reference voltage is
A driving circuit in which the selected feedback common voltage is reflected on a touch electrode close to the detected position.
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