KR20240019660A

KR20240019660A - 엣지 밴딩 구조의 디스플레이 및 이를 포함하는 전자 장치

Info

Publication number: KR20240019660A
Application number: KR1020220118115A
Authority: KR
Inventors: 배정배; 김광태
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2022-08-04
Filing date: 2022-09-19
Publication date: 2024-02-14

Abstract

다양한 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 평면으로 구성되는 액티브 영역, 상기 액티브 영역의 측면에 배치되고, 곡면으로 구성되는 벤딩 영역, 상기 액티브 영역 상에 형성되고, 제1간격으로 배치되는 복수의 픽셀을 포함하는 제1픽셀 그룹, 및 상기 벤딩 영역 상에 형성되고, 상기 곡면을 따라 상기 제1간격보다 큰 간격으로 배치되는 복수의 픽셀을 포함하는 제2픽셀 그룹을 포함할 수 있다.
그 외에 다양한 실시예가 가능하다.

Description

엣지 밴딩 구조의 디스플레이 및 이를 포함하는 전자 장치 {DISPLAY HAVING EDGE BENDING STRUCTURE AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THEREOF}

본 개시는 디스플레이에 관한 것이며, 예를 들어, 엣지 벤딩 구조의 디스플레이와 이를 포함하는 전자 장치에 관한 것이다.

스마트 폰, 태블릿 PC과 같은 휴대용 전자 장치(이하, 전자 장치)는 다양한 어플리케이션을 통해 사용자 경험을 제공할 수 있다. 전자 장치는 사용자 경험을 영상 정보로써 제공하기 위해 디스플레이를 포함할 수 있으며, OLED (organic light emitting diode)와 같은 다양한 유형의 디스플레이가 사용될 수 있다.

전자 장치의 디스플레이 패널은 복수의 픽셀들을 포함하는 액티브 영역(active area)을 포함하며, 각 픽셀의 하단에는 픽셀을 발광 하기 위한 픽셀 회로가 배치될 수 있다. 픽셀 회로를 구동하기 위한 구동 회로는 액티브 영역이 아닌, 액티브 영역의 측면(예: 상, 하, 좌, 우)의 적어도 일부에 배치될 수 있으며, 구동 회로가 배치된 액티브 영역의 측면 영역은 논-액티브 영역(non-active area)(예: DS(dead space) 영역)으로 지칭할 수 있다.

상술한 정보는 본 개시에 대한 이해를 돕기 위한 목적으로 하는 배경 기술(related art)로 제공될 수 있다. 상술한 내용 중 어느 것도 본 개시와 관련하여 종래 기술(prior art)로서 적용될 수 있는지에 관해서는 어떠한 주장이나 결정이 제기되지 않는다.

보다 넓은 화면을 제공하기 위해서는 논-액티브 영역을 축소할 필요가 있다. 이를 위해, 디스플레이의 측면을 곡면 형태로 제공하고, 곡면 상에 픽셀을 배치하는 엣지 밴딩 구조의 디스플레이가 활용되고 있다. 이와 같은 엣지 밴딩 구조의 경우, 밴딩 영역에서 디스플레이의 색감, 휘도, 가독성과 같은 화질의 저하가 발생할 수 있다.

본 개시의 다양한 실시예에 따르면, 다양한 실시예에 따른 디스플레이 장치는, 평면으로 구성되는 액티브 영역, 상기 액티브 영역의 측면에 배치되고, 곡면으로 구성되는 벤딩 영역, 상기 액티브 영역 상에 형성되고, 제1간격으로 배치되는 복수의 픽셀을 포함하는 제1픽셀 그룹, 및 상기 벤딩 영역 상에 형성되고, 상기 곡면을 따라 상기 제1간격보다 큰 간격으로 배치되는 복수의 픽셀을 포함하는 제2픽셀 그룹을 포함할 수 있다.

다양한 실시예에 따른 전자 장치는, 제1하우징, 상기 제1하우징과 힌지 구조를 통해 회전 가능하도록 결합되는 제2하우징, 상기 제1하우징 상에 배치되는 제1디스플레이, 및 상기 제2디스플레이 상에 배치되는 제2디스플레이를 포함할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 상기 제1디스플레이는, 평면으로 구성되는 액티브 영역, 상기 액티브 영역의 측면에 배치되고, 곡면으로 구성되는 벤딩 영역, 상기 액티브 영역 상에 형성되고, 제1간격으로 배치되는 복수의 픽셀을 포함하는 제1픽셀 그룹, 및 상기 벤딩 영역 상에 형성되고, 상기 곡면을 따라 상기 제1간격보다 큰 간격으로 배치되는 복수의 픽셀을 포함하는 제2픽셀 그룹을 포함하며, 상기 제2픽셀 그룹의 픽셀들 사이의 상기 액티브 영역과 수평 방향의 거리는 상기 제1간격과 동일할 수 있다.

다양한 실시예에 따른 전자 장치는, 디스플레이 모듈, 및 상기 디스플레이 모듈과 작동적으로 연결되어, 상기 디스플레이 모듈에 표시될 영상 데이터를 제공하는 프로세서를 포함하고, 상기 디스플레이 모듈은, 평면으로 구성되는 액티브 영역, 상기 액티브 영역의 측면에 배치되고, 곡면으로 구성되는 벤딩 영역, 상기 액티브 영역 상에 형성되고, 제1간격으로 배치되는 복수의 픽셀을 포함하는 제1픽셀 그룹, 및 상기 벤딩 영역 상에 형성되고, 상기 곡면을 따라 상기 제1간격보다 큰 간격으로 배치되는 복수의 픽셀을 포함하는 제2픽셀 그룹을 포함하며, 상기 제2픽셀 그룹의 픽셀들 사이의 상기 액티브 영역과 수평 방향의 거리는 상기 제1간격과 동일할 수 있다.

본 개시의 다양한 실시예에 따르면, 엣지 밴딩 구조의 디스플레이에서 엣지 밴딩 구조의 밴딩 영역에서 화질을 개선할 수 있는 디스플레이와, 상기 디스플레이를 포함하는 전자 장치를 제공할 수 있다.

도 1은 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 네트워크 환경 내의 전자 장치의 블록도이다.
도 2는 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 디스플레이 모듈의 블록도이다.
도 3은 본 개시의 다양한 실시예들에 따른, 디스플레이 모듈의 블록도이다.
도 4는 본 개시의 다양한 실시예들에 따른 픽셀 회로를 나타낸 회로도이다.
도 5는 일 비교예에 따른 디스플레이 장치의 픽셀 배치 구조를 도시한 것이다.
도 6a 및 도 6b는 본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 엣지 벤딩 구조를 도시한 것이다.
도 7은 본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 픽셀 배치 구조를 도시한 것이다.
도 8a는 일 비교예에 따른 디스플레이 장치의 픽셀 배치 및 적층 구조를 도시한 것이다.
도 8b는 본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 픽셀 배치 및 적층 구조를 도시한 것이다.
도 9a는 일 비교예에 따른 디스플레이 장치의 픽셀 회로와 발광부의 적층 구조를 도시한 것이다.
도 9b는 본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 픽셀 회로와 발광부의 적층 구조를 도시한 것이다.
도 10은 본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 벤딩 영역에서의 픽셀 배치 및 배선 구조를 도시한 것이다.
도 11a는 일 비교예에 따른 듀얼 디스플레이를 포함하는 전자 장치를 도시한 것이다.
도 11b는 본 개시의 일 실시예에 따른 듀얼 디스플레이를 포함하는 전자 장치를 도시한 것이다.

도 1은, 다양한 실시예들에 따른, 네트워크 환경(100) 내의 전자 장치(101)의 블록도이다. 도 1을 참조하면, 네트워크 환경(100)에서 전자 장치(101)는 제 1 네트워크(198)(예: 근거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(102)와 통신하거나, 또는 제 2 네트워크(199)(예: 원거리 무선 통신 네트워크)를 통하여 전자 장치(104) 또는 서버(108) 중 적어도 하나와 통신할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 서버(108)를 통하여 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)는 프로세서(120), 메모리(130), 입력 모듈(150), 음향 출력 모듈(155), 디스플레이 모듈(160), 오디오 모듈(170), 센서 모듈(176), 인터페이스(177), 연결 단자(178), 햅틱 모듈(179), 카메라 모듈(180), 전력 관리 모듈(188), 배터리(189), 통신 모듈(190), 가입자 식별 모듈(196), 또는 안테나 모듈(197)을 포함할 수 있다. 어떤 실시예에서는, 전자 장치(101)에는, 이 구성요소들 중 적어도 하나(예: 연결 단자(178))가 생략되거나, 하나 이상의 다른 구성요소가 추가될 수 있다. 어떤 실시예에서는, 이 구성요소들 중 일부들(예: 센서 모듈(176), 카메라 모듈(180), 또는 안테나 모듈(197))은 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160))로 통합될 수 있다.

프로세서(120)는, 예를 들면, 소프트웨어(예: 프로그램(140))를 실행하여 프로세서(120)에 연결된 전자 장치(101)의 적어도 하나의 다른 구성요소(예: 하드웨어 또는 소프트웨어 구성요소)를 제어할 수 있고, 다양한 데이터 처리 또는 연산을 수행할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 데이터 처리 또는 연산의 적어도 일부로서, 프로세서(120)는 다른 구성요소(예: 센서 모듈(176) 또는 통신 모듈(190))로부터 수신된 명령 또는 데이터를 휘발성 메모리(132)에 저장하고, 휘발성 메모리(132)에 저장된 명령 또는 데이터를 처리하고, 결과 데이터를 비휘발성 메모리(134)에 저장할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 프로세서(120)는 메인 프로세서(121)(예: 중앙 처리 장치 또는 어플리케이션 프로세서) 또는 이와는 독립적으로 또는 함께 운영 가능한 보조 프로세서(123)(예: 그래픽 처리 장치, 신경망 처리 장치(NPU: neural processing unit), 이미지 시그널 프로세서, 센서 허브 프로세서, 또는 커뮤니케이션 프로세서)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(101)가 메인 프로세서(121) 및 보조 프로세서(123)를 포함하는 경우, 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)보다 저전력을 사용하거나, 지정된 기능에 특화되도록 설정될 수 있다. 보조 프로세서(123)는 메인 프로세서(121)와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.

보조 프로세서(123)는, 예를 들면, 메인 프로세서(121)가 인액티브(예: 슬립) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)를 대신하여, 또는 메인 프로세서(121)가 액티브(예: 어플리케이션 실행) 상태에 있는 동안 메인 프로세서(121)와 함께, 전자 장치(101)의 구성요소들 중 적어도 하나의 구성요소(예: 디스플레이 모듈(160), 센서 모듈(176), 또는 통신 모듈(190))와 관련된 기능 또는 상태들의 적어도 일부를 제어할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 이미지 시그널 프로세서 또는 커뮤니케이션 프로세서)는 기능적으로 관련 있는 다른 구성요소(예: 카메라 모듈(180) 또는 통신 모듈(190))의 일부로서 구현될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 보조 프로세서(123)(예: 신경망 처리 장치)는 인공지능 모델의 처리에 특화된 하드웨어 구조를 포함할 수 있다. 인공지능 모델은 기계 학습을 통해 생성될 수 있다. 이러한 학습은, 예를 들어, 인공지능 모델이 수행되는 전자 장치(101) 자체에서 수행될 수 있고, 별도의 서버(예: 서버(108))를 통해 수행될 수도 있다. 학습 알고리즘은, 예를 들어, 지도형 학습(supervised learning), 비지도형 학습(unsupervised learning), 준지도형 학습(semi-supervised learning) 또는 강화 학습(reinforcement learning)을 포함할 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은, 복수의 인공 신경망 레이어들을 포함할 수 있다. 인공 신경망은 심층 신경망(DNN: deep neural network), CNN(convolutional neural network), RNN(recurrent neural network), RBM(restricted boltzmann machine), DBN(deep belief network), BRDNN(bidirectional recurrent deep neural network), 심층 Q-네트워크(deep Q-networks) 또는 상기 중 둘 이상의 조합 중 하나일 수 있으나, 전술한 예에 한정되지 않는다. 인공지능 모델은 하드웨어 구조 이외에, 추가적으로 또는 대체적으로, 소프트웨어 구조를 포함할 수 있다.

메모리(130)는, 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소(예: 프로세서(120) 또는 센서 모듈(176))에 의해 사용되는 다양한 데이터를 저장할 수 있다. 데이터는, 예를 들어, 소프트웨어(예: 프로그램(140)) 및, 이와 관련된 명령에 대한 입력 데이터 또는 출력 데이터를 포함할 수 있다. 메모리(130)는, 휘발성 메모리(132) 또는 비휘발성 메모리(134)를 포함할 수 있다.

프로그램(140)은 메모리(130)에 소프트웨어로서 저장될 수 있으며, 예를 들면, 운영 체제(142), 미들 웨어(144) 또는 어플리케이션(146)을 포함할 수 있다.

입력 모듈(150)은, 전자 장치(101)의 구성요소(예: 프로세서(120))에 사용될 명령 또는 데이터를 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로부터 수신할 수 있다. 입력 모듈(150)은, 예를 들면, 마이크, 마우스, 키보드, 키(예: 버튼), 또는 디지털 펜(예: 스타일러스 펜)을 포함할 수 있다.

음향 출력 모듈(155)은 음향 신호를 전자 장치(101)의 외부로 출력할 수 있다. 음향 출력 모듈(155)은, 예를 들면, 스피커 또는 리시버를 포함할 수 있다. 스피커는 멀티미디어 재생 또는 녹음 재생과 같이 일반적인 용도로 사용될 수 있다. 리시버는 착신 전화를 수신하기 위해 사용될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 리시버는 스피커와 별개로, 또는 그 일부로서 구현될 수 있다.

디스플레이 모듈(160)은 전자 장치(101)의 외부(예: 사용자)로 정보를 시각적으로 제공할 수 있다. 디스플레이 모듈(160)은, 예를 들면, 디스플레이, 홀로그램 장치, 또는 프로젝터 및 해당 장치를 제어하기 위한 제어 회로를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 디스플레이 모듈(160)은 터치를 감지하도록 설정된 터치 센서, 또는 상기 터치에 의해 발생되는 힘의 세기를 측정하도록 설정된 압력 센서를 포함할 수 있다.

오디오 모듈(170)은 소리를 전기 신호로 변환시키거나, 반대로 전기 신호를 소리로 변환시킬 수 있다. 일 실시예에 따르면, 오디오 모듈(170)은, 입력 모듈(150)을 통해 소리를 획득하거나, 음향 출력 모듈(155), 또는 전자 장치(101)와 직접 또는 무선으로 연결된 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))(예: 스피커 또는 헤드폰)를 통해 소리를 출력할 수 있다.

센서 모듈(176)은 전자 장치(101)의 작동 상태(예: 전력 또는 온도), 또는 외부의 환경 상태(예: 사용자 상태)를 감지하고, 감지된 상태에 대응하는 전기 신호 또는 데이터 값을 생성할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 센서 모듈(176)은, 예를 들면, 제스처 센서, 자이로 센서, 기압 센서, 마그네틱 센서, 가속도 센서, 그립 센서, 근접 센서, 컬러 센서, IR(infrared) 센서, 생체 센서, 온도 센서, 습도 센서, 또는 조도 센서를 포함할 수 있다.

인터페이스(177)는 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 직접 또는 무선으로 연결되기 위해 사용될 수 있는 하나 이상의 지정된 프로토콜들을 지원할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 인터페이스(177)는, 예를 들면, HDMI(high definition multimedia interface), USB(universal serial bus) 인터페이스, SD카드 인터페이스, 또는 오디오 인터페이스를 포함할 수 있다.

연결 단자(178)는, 그를 통해서 전자 장치(101)가 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102))와 물리적으로 연결될 수 있는 커넥터를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 연결 단자(178)는, 예를 들면, HDMI 커넥터, USB 커넥터, SD 카드 커넥터, 또는 오디오 커넥터(예: 헤드폰 커넥터)를 포함할 수 있다.

햅틱 모듈(179)은 전기적 신호를 사용자가 촉각 또는 운동 감각을 통해서 인지할 수 있는 기계적인 자극(예: 진동 또는 움직임) 또는 전기적인 자극으로 변환할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 햅틱 모듈(179)은, 예를 들면, 모터, 압전 소자, 또는 전기 자극 장치를 포함할 수 있다.

카메라 모듈(180)은 정지 영상 및 동영상을 촬영할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 카메라 모듈(180)은 하나 이상의 렌즈들, 이미지 센서들, 이미지 시그널 프로세서들, 또는 플래시들을 포함할 수 있다.

전력 관리 모듈(188)은 전자 장치(101)에 공급되는 전력을 관리할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전력 관리 모듈(188)은, 예를 들면, PMIC(power management integrated circuit)의 적어도 일부로서 구현될 수 있다.

배터리(189)는 전자 장치(101)의 적어도 하나의 구성요소에 전력을 공급할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 배터리(189)는, 예를 들면, 재충전 불가능한 1차 전지, 재충전 가능한 2차 전지 또는 연료 전지를 포함할 수 있다.

통신 모듈(190)은 전자 장치(101)와 외부 전자 장치(예: 전자 장치(102), 전자 장치(104), 또는 서버(108)) 간의 직접(예: 유선) 통신 채널 또는 무선 통신 채널의 수립, 및 수립된 통신 채널을 통한 통신 수행을 지원할 수 있다. 통신 모듈(190)은 프로세서(120)(예: 어플리케이션 프로세서)와 독립적으로 운영되고, 직접(예: 유선) 통신 또는 무선 통신을 지원하는 하나 이상의 커뮤니케이션 프로세서를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 통신 모듈(190)은 무선 통신 모듈(192)(예: 셀룰러 통신 모듈, 근거리 무선 통신 모듈, 또는 GNSS(global navigation satellite system) 통신 모듈) 또는 유선 통신 모듈(194)(예: LAN(local area network) 통신 모듈, 또는 전력선 통신 모듈)을 포함할 수 있다. 이들 통신 모듈 중 해당하는 통신 모듈은 제 1 네트워크(198)(예: 블루투스, WiFi(wireless fidelity) direct 또는 IrDA(infrared data association)와 같은 근거리 통신 네트워크) 또는 제 2 네트워크(199)(예: 레거시 셀룰러 네트워크, 5G 네트워크, 차세대 통신 네트워크, 인터넷, 또는 컴퓨터 네트워크(예: LAN 또는 WAN)와 같은 원거리 통신 네트워크)를 통하여 외부의 전자 장치(104)와 통신할 수 있다. 이런 여러 종류의 통신 모듈들은 하나의 구성요소(예: 단일 칩)로 통합되거나, 또는 서로 별도의 복수의 구성요소들(예: 복수 칩들)로 구현될 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 가입자 식별 모듈(196)에 저장된 가입자 정보(예: 국제 모바일 가입자 식별자(IMSI))를 이용하여 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크 내에서 전자 장치(101)를 확인 또는 인증할 수 있다.

무선 통신 모듈(192)은 4G 네트워크 이후의 5G 네트워크 및 차세대 통신 기술, 예를 들어, NR 접속 기술(new radio access technology)을 지원할 수 있다. NR 접속 기술은 고용량 데이터의 고속 전송(eMBB(enhanced mobile broadband)), 단말 전력 최소화와 다수 단말의 접속(mMTC(massive machine type communications)), 또는 고신뢰도와 저지연(URLLC(ultra-reliable and low-latency communications))을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은, 예를 들어, 높은 데이터 전송률 달성을 위해, 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 고주파 대역에서의 성능 확보를 위한 다양한 기술들, 예를 들어, 빔포밍(beamforming), 거대 배열 다중 입출력(massive MIMO(multiple-input and multiple-output)), 전차원 다중입출력(FD-MIMO: full dimensional MIMO), 어레이 안테나(array antenna), 아날로그 빔형성(analog beam-forming), 또는 대규모 안테나(large scale antenna)와 같은 기술들을 지원할 수 있다. 무선 통신 모듈(192)은 전자 장치(101), 외부 전자 장치(예: 전자 장치(104)) 또는 네트워크 시스템(예: 제 2 네트워크(199))에 규정되는 다양한 요구사항을 지원할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 무선 통신 모듈(192)은 eMBB 실현을 위한 Peak data rate(예: 20Gbps 이상), mMTC 실현을 위한 손실 Coverage(예: 164dB 이하), 또는 URLLC 실현을 위한 U-plane latency(예: 다운링크(DL) 및 업링크(UL) 각각 0.5ms 이하, 또는 라운드 트립 1ms 이하)를 지원할 수 있다.

안테나 모듈(197)은 신호 또는 전력을 외부(예: 외부의 전자 장치)로 송신하거나 외부로부터 수신할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 서브스트레이트(예: PCB) 위에 형성된 도전체 또는 도전성 패턴으로 이루어진 방사체를 포함하는 안테나를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다. 이런 경우, 제 1 네트워크(198) 또는 제 2 네트워크(199)와 같은 통신 네트워크에서 사용되는 통신 방식에 적합한 적어도 하나의 안테나가, 예를 들면, 통신 모듈(190)에 의하여 상기 복수의 안테나들로부터 선택될 수 있다. 신호 또는 전력은 상기 선택된 적어도 하나의 안테나를 통하여 통신 모듈(190)과 외부의 전자 장치 간에 송신되거나 수신될 수 있다. 어떤 실시예에 따르면, 방사체 이외에 다른 부품(예: RFIC(radio frequency integrated circuit))이 추가로 안테나 모듈(197)의 일부로 형성될 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 안테나 모듈(197)은 mmWave 안테나 모듈을 형성할 수 있다. 일 실시예에 따르면, mmWave 안테나 모듈은 인쇄 회로 기판, 상기 인쇄 회로 기판의 제 1 면(예: 아래 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 지정된 고주파 대역(예: mmWave 대역)을 지원할 수 있는 RFIC, 및 상기 인쇄 회로 기판의 제 2 면(예: 윗 면 또는 측 면)에 또는 그에 인접하여 배치되고 상기 지정된 고주파 대역의 신호를 송신 또는 수신할 수 있는 복수의 안테나들(예: 어레이 안테나)을 포함할 수 있다.

상기 구성요소들 중 적어도 일부는 주변 기기들간 통신 방식(예: 버스, GPIO(general purpose input and output), SPI(serial peripheral interface), 또는 MIPI(mobile industry processor interface))을 통해 서로 연결되고 신호(예: 명령 또는 데이터)를 상호간에 교환할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 명령 또는 데이터는 제 2 네트워크(199)에 연결된 서버(108)를 통해서 전자 장치(101)와 외부의 전자 장치(104)간에 송신 또는 수신될 수 있다. 외부의 전자 장치(102, 또는 104) 각각은 전자 장치(101)와 동일한 또는 다른 종류의 장치일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전자 장치(101)에서 실행되는 동작들의 전부 또는 일부는 외부의 전자 장치들(102, 104, 또는 108) 중 하나 이상의 외부의 전자 장치들에서 실행될 수 있다. 예를 들면, 전자 장치(101)가 어떤 기능이나 서비스를 자동으로, 또는 사용자 또는 다른 장치로부터의 요청에 반응하여 수행해야 할 경우에, 전자 장치(101)는 기능 또는 서비스를 자체적으로 실행시키는 대신에 또는 추가적으로, 하나 이상의 외부의 전자 장치들에게 그 기능 또는 그 서비스의 적어도 일부를 수행하라고 요청할 수 있다. 상기 요청을 수신한 하나 이상의 외부의 전자 장치들은 요청된 기능 또는 서비스의 적어도 일부, 또는 상기 요청과 관련된 추가 기능 또는 서비스를 실행하고, 그 실행의 결과를 전자 장치(101)로 전달할 수 있다. 전자 장치(101)는 상기 결과를, 그대로 또는 추가적으로 처리하여, 상기 요청에 대한 응답의 적어도 일부로서 제공할 수 있다. 이를 위하여, 예를 들면, 클라우드 컴퓨팅, 분산 컴퓨팅, 모바일 에지 컴퓨팅(MEC: mobile edge computing), 또는 클라이언트-서버 컴퓨팅 기술이 이용될 수 있다. 전자 장치(101)는, 예를 들어, 분산 컴퓨팅 또는 모바일 에지 컴퓨팅을 이용하여 초저지연 서비스를 제공할 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 외부의 전자 장치(104)는 IoT(internet of things) 기기를 포함할 수 있다. 서버(108)는 기계 학습 및/또는 신경망을 이용한 지능형 서버일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 외부의 전자 장치(104) 또는 서버(108)는 제 2 네트워크(199) 내에 포함될 수 있다. 전자 장치(101)는 5G 통신 기술 및 IoT 관련 기술을 기반으로 지능형 서비스(예: 스마트 홈, 스마트 시티, 스마트 카, 또는 헬스 케어)에 적용될 수 있다.

본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 전자 장치는 다양한 형태의 장치가 될 수 있다. 전자 장치는, 예를 들면, 휴대용 통신 장치(예: 스마트폰), 컴퓨터 장치, 휴대용 멀티미디어 장치, 휴대용 의료 기기, 카메라, 웨어러블 장치, 또는 가전 장치를 포함할 수 있다. 본 문서의 실시예에 따른 전자 장치는 전술한 기기들에 한정되지 않는다.

본 문서의 다양한 실시예들 및 이에 사용된 용어들은 본 문서에 기재된 기술적 특징들을 특정한 실시예들로 한정하려는 것이 아니며, 해당 실시예의 다양한 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 도면의 설명과 관련하여, 유사한 또는 관련된 구성요소에 대해서는 유사한 참조 부호가 사용될 수 있다. 아이템에 대응하는 명사의 단수 형은 관련된 문맥상 명백하게 다르게 지시하지 않는 한, 상기 아이템 한 개 또는 복수 개를 포함할 수 있다. 본 문서에서, "A 또는 B", "A 및 B 중 적어도 하나", "A 또는 B 중 적어도 하나", "A, B 또는 C", "A, B 및 C 중 적어도 하나", 및 "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"와 같은 문구들 각각은 그 문구들 중 해당하는 문구에 함께 나열된 항목들 중 어느 하나, 또는 그들의 모든 가능한 조합을 포함할 수 있다. "제 1", "제 2", 또는 "첫째" 또는 "둘째"와 같은 용어들은 단순히 해당 구성요소를 다른 해당 구성요소와 구분하기 위해 사용될 수 있으며, 해당 구성요소들을 다른 측면(예: 중요성 또는 순서)에서 한정하지 않는다. 어떤(예: 제 1) 구성요소가 다른(예: 제 2) 구성요소에, "기능적으로" 또는 "통신적으로"라는 용어와 함께 또는 이런 용어 없이, "커플드" 또는 "커넥티드"라고 언급된 경우, 그것은 상기 어떤 구성요소가 상기 다른 구성요소에 직접적으로(예: 유선으로), 무선으로, 또는 제 3 구성요소를 통하여 연결될 수 있다는 것을 의미한다.

본 문서의 다양한 실시예들에서 사용된 용어 "모듈"은 하드웨어, 소프트웨어 또는 펌웨어로 구현된 유닛을 포함할 수 있으며, 예를 들면, 로직, 논리 블록, 부품, 또는 회로와 같은 용어와 상호 호환적으로 사용될 수 있다. 모듈은, 일체로 구성된 부품 또는 하나 또는 그 이상의 기능을 수행하는, 상기 부품의 최소 단위 또는 그 일부가 될 수 있다. 예를 들면, 일 실시예에 따르면, 모듈은 ASIC(application-specific integrated circuit)의 형태로 구현될 수 있다.

본 문서의 다양한 실시예들은 기기(machine)(예: 전자 장치(101)) 의해 읽을 수 있는 저장 매체(storage medium)(예: 내장 메모리(136) 또는 외장 메모리(138))에 저장된 하나 이상의 명령어들을 포함하는 소프트웨어(예: 프로그램(140))로서 구현될 수 있다. 예를 들면, 기기(예: 전자 장치(101))의 프로세서(예: 프로세서(120))는, 저장 매체로부터 저장된 하나 이상의 명령어들 중 적어도 하나의 명령을 호출하고, 그것을 실행할 수 있다. 이것은 기기가 상기 호출된 적어도 하나의 명령어에 따라 적어도 하나의 기능을 수행하도록 운영되는 것을 가능하게 한다. 상기 하나 이상의 명령어들은 컴파일러에 의해 생성된 코드 또는 인터프리터에 의해 실행될 수 있는 코드를 포함할 수 있다. 기기로 읽을 수 있는 저장 매체는, 비일시적(non-transitory) 저장 매체의 형태로 제공될 수 있다. 여기서, ‘비일시적’은 저장 매체가 실재(tangible)하는 장치이고, 신호(signal)(예: 전자기파)를 포함하지 않는다는 것을 의미할 뿐이며, 이 용어는 데이터가 저장 매체에 반영구적으로 저장되는 경우와 임시적으로 저장되는 경우를 구분하지 않는다.

일 실시예에 따르면, 본 문서에 개시된 다양한 실시예들에 따른 방법은 컴퓨터 프로그램 제품(computer program product)에 포함되어 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 상품으로서 판매자 및 구매자 간에 거래될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체(예: compact disc read only memory(CD-ROM))의 형태로 배포되거나, 또는 어플리케이션 스토어(예: 플레이 스토어^TM)를 통해 또는 두 개의 사용자 장치들(예: 스마트 폰들) 간에 직접, 온라인으로 배포(예: 다운로드 또는 업로드)될 수 있다. 온라인 배포의 경우에, 컴퓨터 프로그램 제품의 적어도 일부는 제조사의 서버, 어플리케이션 스토어의 서버, 또는 중계 서버의 메모리와 같은 기기로 읽을 수 있는 저장 매체에 적어도 일시 저장되거나, 임시적으로 생성될 수 있다.

다양한 실시예들에 따르면, 상기 기술한 구성요소들의 각각의 구성요소(예: 모듈 또는 프로그램)는 단수 또는 복수의 개체를 포함할 수 있으며, 복수의 개체 중 일부는 다른 구성요소에 분리 배치될 수도 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 전술한 해당 구성요소들 중 하나 이상의 구성요소들 또는 동작들이 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 구성요소들 또는 동작들이 추가될 수 있다. 대체적으로 또는 추가적으로, 복수의 구성요소들(예: 모듈 또는 프로그램)은 하나의 구성요소로 통합될 수 있다. 이런 경우, 통합된 구성요소는 상기 복수의 구성요소들 각각의 구성요소의 하나 이상의 기능들을 상기 통합 이전에 상기 복수의 구성요소들 중 해당 구성요소에 의해 수행되는 것과 동일 또는 유사하게 수행할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 모듈, 프로그램 또는 다른 구성요소에 의해 수행되는 동작들은 순차적으로, 병렬적으로, 반복적으로, 또는 휴리스틱하게 실행되거나, 상기 동작들 중 하나 이상이 다른 순서로 실행되거나, 생략되거나, 또는 하나 이상의 다른 동작들이 추가될 수 있다.

도 2는 다양한 실시예들에 따른, 디스플레이 모듈(160)의 블록도(200)이다.

도 2를 참조하면, 디스플레이 모듈(160)는 디스플레이(210), 및 이를 제어하기 위한 디스플레이 드라이버 IC(display driver IC)(DDI)(230)를 포함할 수 있다. DDI(230)는 인터페이스 모듈(231), 메모리(233)(예: 버퍼 메모리(350)), 이미지 처리 모듈(235), 또는 맵핑 모듈(237)을 포함할 수 있다.

DDI(230)는, 예를 들면, 영상 데이터, 또는 상기 영상 데이터를 제어하기 위한 명령에 대응하는 영상 제어 신호를 포함하는 영상 정보를 인터페이스 모듈(231)을 통해 전자 장치(101)의 다른 구성요소로부터 수신할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 영상 정보는 프로세서(120)(예: 메인 프로세서(121)(예: 어플리케이션 프로세서) 또는 메인 프로세서(121)의 기능과 독립적으로 운영되는 보조 프로세서(123)(예: 그래픽 처리 장치)로부터 수신될 수 있다. DDI(230)는 터치 회로(250) 또는 센서 모듈(176) 등과 상기 인터페이스 모듈(231)을 통하여 커뮤니케이션할 수 있다. 또한, DDI(230)는 상기 수신된 영상 정보 중 적어도 일부를 메모리(233)에, 예를 들면, 프레임 단위로 저장할 수 있다. 이미지 처리 모듈(235)은, 예를 들면, 상기 영상 데이터의 적어도 일부를 상기 영상 데이터의 특성 또는 디스플레이(210)의 특성에 적어도 기반하여 전처리 또는 후처리(예: 해상도, 밝기, 또는 크기 조정)를 수행할 수 있다. 맵핑 모듈(237)은 이미지 처리 모듈(135)를 통해 전처리 또는 후처리된 상기 영상 데이터에 대응하는 전압 값 또는 전류 값을 생성할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 전압 값 또는 전류 값의 생성은 예를 들면, 디스플레이(210)의 픽셀들의 속성(예: 픽셀들의 배열(RGB stripe 또는 pentile 구조), 또는 서브 픽셀들 각각의 크기)에 적어도 일부 기반하여 수행될 수 있다. 디스플레이(210)의 적어도 일부 픽셀들은, 예를 들면, 상기 전압 값 또는 전류 값에 적어도 일부 기반하여 구동됨으로써 상기 영상 데이터에 대응하는 시각적 정보(예: 텍스트, 이미지, 또는 아이콘)가 디스플레이(210)를 통해 표시될 수 있다.

일 실시예에 따르면, 디스플레이 모듈(160)는 터치 회로(250)를 더 포함할 수 있다. 터치 회로(250)는 터치 센서(251) 및 이를 제어하기 위한 터치 센서 IC(253)를 포함할 수 있다. 터치 센서 IC(253)는, 예를 들면, 디스플레이(210)의 특정 위치에 대한 터치 입력 또는 호버링 입력을 감지하기 위해 터치 센서(251)를 제어할 수 있다. 예를 들면, 터치 센서 IC(253)는 디스플레이(210)의 특정 위치에 대한 신호(예: 전압, 광량, 저항, 또는 전하량)의 변화를 측정함으로써 터치 입력 또는 호버링 입력을 감지할 수 있다. 터치 센서 IC(253)는 감지된 터치 입력 또는 호버링 입력에 관한 정보(예: 위치, 면적, 압력, 또는 시간)를 프로세서(120) 에 제공할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 터치 회로(250)의 적어도 일부(예: 터치 센서 IC(253))는 디스플레이 드라이버 IC(230), 또는 디스플레이(210)의 일부로, 또는 디스플레이 모듈(160)의 외부에 배치된 다른 구성요소(예: 보조 프로세서(123))의 일부로 포함될 수 있다.

일 실시예에 따르면, 디스플레이 모듈(160)는 센서 모듈(176)의 적어도 하나의 센서(예: 지문 센서, 홍채 센서, 압력 센서 또는 조도 센서), 또는 이에 대한 제어 회로를 더 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 적어도 하나의 센서 또는 이에 대한 제어 회로는 디스플레이 모듈(160)의 일부(예: 디스플레이(210) 또는 DDI(230)) 또는 터치 회로(250)의 일부에 임베디드될 수 있다. 예를 들면, 디스플레이 모듈(160)에 임베디드된 센서 모듈(176)이 생체 센서(예: 지문 센서)를 포함할 경우, 상기 생체 센서는 디스플레이(210)의 일부 영역을 통해 터치 입력과 연관된 생체 정보(예: 지문 이미지)를 획득할 수 있다. 다른 예를 들면, 디스플레이 모듈(160)에 임베디드된 센서 모듈(176)이 압력 센서를 포함할 경우, 상기 압력 센서는 디스플레이(210)의 일부 또는 전체 영역을 통해 터치 입력과 연관된 압력 정보를 획득할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 터치 센서(251) 또는 센서 모듈(176)은 디스플레이(210)의 픽셀 레이어의 픽셀들 사이에, 또는 상기 픽셀 레이어의 위에 또는 아래에 배치될 수 있다.

도 3은 일 실시예에 따른 디스플레이 모듈(160)의 블록도이다.

도 3에 도시된 디스플레이 모듈(160)은 도 1 및/또는 도 2에 도시된 디스플레이 모듈(160)을 포함할 수 있다.

도 3을 참조하면, 일 실시예에 따른 디스플레이 모듈(160)은, 디스플레이 패널(310), 데이터 제어부(320), 게이트 제어부(330), 타이밍 제어부(340), 및/또는 메모리(233)(예: 도 2의 메모리(233))를 포함할 수 있다.

일 실시예에 따르면, DDI(예: 도 2의 DDI(230))는, 데이터 제어부(320), 게이트 제어부(330), 타이밍 제어부(340), 및/또는 메모리(233)(예: 도 2의 메모리(233))를 포함할 수 있다.

다양한 실시예들에 따르면, 데이터 제어부(320), 게이트 제어부(330), 타이밍 제어부(340), 및/또는 메모리(233)(예: 도 2의 메모리(233)) 중에서 적어도 일부는 DDI(230)(예: 도 2의 DDI(230))에 포함될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 데이터 제어부(320), 타이밍 제어부(340), 및/또는 메모리(233)(예: 도 2의 메모리(233))는 DDI(230)(예: 도 2의 DDI(230))에 포함될 수 있다. 게이트 제어부(330)는 디스플레이 패널(310)의 논-액티브 영역(예: 도 5의 논-액티브 영역(550))(또는 데드 스페이스 영역)에 배치될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 게이트 제어부(330)는 구동 회로로 지칭될 수 있다.

일 실시예에 따르면, 디스플레이 패널(310)은, 복수의 게이트 라인(GL)들과, 복수의 데이터 라인(DL)들을 포함하고, 복수의 게이트 라인(GL)들과 복수의 데이터 라인(DL)들이 교차하는 디스플레이 패널(310)의 각 일부 영역들에는 픽셀(P)이 배치될 수 있다.

일 실시예에 따르면, 픽셀(P)들은, 게이트 라인(GL)을 통해 게이트 신호 및 발광 신호(예: 도 4의 발광 신호(EM))를 입력받고, 데이터 라인(DL)을 통해 데이터 신호를 입력받을 수 있다. 일 실시예에 따르면, 픽셀(P)들은 OLED(organic light emitting diode)를 구동하기 위한 전원으로서 고전위 전압(예: ELVDD 전압) 및 저전위 전압(예: ELVSS 전압)을 입력받을 수 있다.

일 실시예에 따르면, 각 픽셀(P)은 OLED 및 상기 OLED를 구동하기 위한 픽셀 회로(예: 도 4의 픽셀 회로(400))를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 각 픽셀(P)에 배치된 픽셀 회로는, 게이트 신호 및 발광 신호(EM)에 기반하여 OLED의 온(예: 활성화 상태) 또는 오프(예: 비활성화 상태)를 제어할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 각 픽셀(P)의 OLED는 온 상태(예: 활성화 상태)가 되면, 데이터 신호에 대응하는 계조(예: 휘도)를 1 프레임 기간 동안 표시할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 데이터 제어부(320)는, 복수의 데이터 라인(DL)들을 구동할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 데이터 제어부(320)는 타이밍 제어부(340) 또는 프로세서(120)(예: 도 1의 프로세서(120))로부터 적어도 하나의 동기 신호, 및 데이터 신호(예: 디지털 영상 데이터)를 입력받을 수 있다. 일 실시예에 따르면, 데이터 제어부(320)는, 기준 감마 전압 및 지정된 감마 커브를 이용하여 입력된 데이터 신호에 대응하는 데이터 전압(Data)(예: 아날로그 영상 데이터)을 결정할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 데이터 제어부(320)는 데이터 전압(Data)을 복수의 데이터 라인(DL)들에 인가함으로써, 상기 데이터 전압(data)을 각 픽셀(P)에 공급할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 게이트 제어부(330)는, 복수의 게이트 라인(GL)들을 구동할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 게이트 제어부(330)는 타이밍 제어부(340) 또는 프로세서(120)(예: 도 1의 프로세서(120))로부터 적어도 하나의 동기 신호를 입력받을 수 있다. 일 실시예에 따르면, 게이트 제어부(330)는, 상기 동기 신호에 기반하여 복수의 게이트 신호들을 순차적으로 생성하고, 복수의 발광 신호(EM)들을 순차적으로 생성할 수 있다. 게이트 제어부(330)는 생성된 게이트 신호 및 발광 신호(EM)를 게이트 라인(GL)을 통해 제1픽셀(P1) 및 제2픽셀(P2)들에 순차적으로 공급할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 타이밍 제어부(340)는 게이트 제어부(330) 및 데이터 제어부(320)의 구동 타이밍을 제어할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 타이밍 제어부(340)는 프로세서(120)로부터 입력된 데이터 신호(예: 디지털 영상 데이터)를 디스플레이 패널(310)의 해상도에 대응하도록 변환하고, 변환된 데이터 신호를 데이터 제어부(320)에 공급할 수 있다.

도 4는 일 실시예에 따른 각 픽셀의 픽셀 회로를 도시한 것이다.

도 4를 참조하면, 일 실시예에 따른 각 픽셀의 픽셀 회로(400)는, OLED, 및 OLED를 구동하기 위한 복수의 TFT(thin film transistor)를 포함할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 각 픽셀(예: 도 3의 픽셀(P))은 제1TFT(T1), 제2TFT(T2), 제3TFT(T3), 제4TFT(T4), 제5TFT(T5), 제6TFT(T6), 제7TFT(T7), 및 스토리지 커패시터(Cstg)를 포함할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 제1TFT 내지 제7TFT(T1, T2, T3, T4, T5, T6, T7) 각각은, PMOS 트랜지스터와 NMOS 트랜지스터 중 어느 하나일 수 있다.

일 실시예에 따르면, 제1TFT 내지 제7TFT(T1, T2, T3, T4, T5, T6, T7)는, 저온 폴리 실리콘(low temperature poly silicon; LTPS) TFT, 산화물 TFT, 또는 저온 폴리 옥사이드(low temperature polycrystalline oxide; LTPO) TFT 중에서 어느 하나로 구현될 수 있다.

일 실시예에 따르면, 제1TFT(T1)는 데이터 라인(예: 도 3의 데이터 라인(DL))을 통해 입력된 데이터 전압(data)을 기반으로 지정된 전류를 OLED에 공급할 수 있다. 이러한 제1TFT(T1)는 구동 TFT로 명명될 수 있다. 이하 설명되는 예시에서, 제1TFT(T1)의 게이트는 제1노드(n1)로 정의하고, 제1TFT(T1)의 소스는 제2노드(n2)로 정의하고, 제1TFT(T1)의 드레인은 제3노드(n3)로 정의하기로 한다.

일 실시예에 따르면, 제2TFT(T2)는 제1게이트 신호(GW)에 기반하여 데이터 전압(data)이 공급되는 데이터 라인(DL)과 제1TFT(T1)의 소스(즉, 제2노드(n2)) 사이의 연결을 스위칭할 수 있다. 예를 들면, 제2TFT(T2)는 제1게이트 신호(GW)에 응답하여 턴온되고, 턴온시 데이터 라인(DL)과 제1TFT(T1)의 소스(즉, 제2노드(n2)) 사이를 전기적으로 연결할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 제3TFT(T3)는 제2게이트 신호(GW_O)에 기반하여 제1TFT(T1)의 게이트(즉, 제1노드(n1))와 제1TFT(T1)의 드레인(즉, 제3노드(n3)) 사이의 연결을 스위칭할 수 있다. 예를 들면, 제3TFT(T3)는 제2게이트 신호(GW_O)에 응답하여 턴온되고, 턴온시 제1TFT(T1)의 게이트(즉, 제1노드(n1))와 제1TFT(T1)의 드레인(즉, 제3노드(n3)) 사이를 전기적으로 연결할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 제4TFT(T4)는 제3게이트 신호(Gl_O)에 기반하여 제1TFT(T1)의 게이트에 제1초기화 전압(Vint)을 공급할 수 있다. 예를 들면, 제4TFT(T4)는 제3게이트 신호(Gl_O)에 응답하여 턴온되고, 턴온시 제1TFT(T1)의 게이트(즉, 제1노드(n1))에 제1초기화 전압(Vint)을 공급함으로써, 제1TFT(T1)의 게이트(즉, 제1노드(n1))를 초기화할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 제5TFT(T5)는 발광 신호(EM)에 기반하여 ELVDD 전압이 공급되는 ELVDD 라인(VDDL)과 제1TFT(T1)의 소스(즉, 제2노드(n2)) 사이의 연결을 스위칭할 수 있다. 예를 들면, 제5TFT(T5)는 발광 신호(EM)에 응답하여 턴온되고, 턴온시 ELVDD 전압을 제1TFT(T1)의 소스(즉, 제2노드(n2))에 공급할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 제6TFT(T6)는 발광 신호(EM)에 기반하여 제1TFT(T1)의 드레인(즉, 제3노드(n3))과 OLED의 애노드(예: 제4노드(n4)) 사이를 연결할 수 있다. 예를 들면, 제6TFT(T6)는 발광 신호(EM)에 응답하여 턴온되고, 턴온시 제1TFT(T1)의 드레인(즉, 제3노드(n3))과 OLED의 애노드(예: 제4노드(n4))를 전기적으로 연결할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 제7TFT(T7)는 제4게이트 신호(GB)에 기반하여 OLED의 애노드(예: 제4노드(n4))에 제2초기화 전압(AVint)을 공급할 수 있다. 예를 들면, 제7TFT(T7)는 제4게이트 신호(GB)에 응답하여 턴온되고, 턴온시 OLED의 애노드(예: 제4노드(n4))에 제2초기화 전압(AVint)을 공급함으로써, OLED를 초기화할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 스토리지 커패시터(Cstg)는 제1TFT(T1)의 게이트(즉, 제1노드(n1))와 ELVDD 전압이 공급되는 ELVDD 라인(VDDL) 사이에 배치될 수 있다. 스토리지 커패시터(Cstg)는 제1TFT(T1)의 게이트(즉, 제1노드(n1))에 공급된 데이터 전압(data)을 1 프레임 기간동안 저장할 수 있다. 스토리지 캐패시터는 ELVDD 라인과 연결되고, OLED는 공통 전압(ELVSS)과 연결될 수 있다. OLED는 제1TFT(T1)로부터 구동 전류를 전달 받아 발광하여 영상을 표시할 수 있다.

도 5는 일 비교예에 따른 디스플레이 장치의 픽셀 배치 구조를 도시한 것이다.

도 5를 참조 하면, 디스플레이 장치(500)는 액티브 영역(510)(active area) 및 액티브 영역(510)의 측면에 배치되는 논-액티브 영역(550)(또는 데드 스페이스 영역(dead space area; DS area))을 포함할 수 있다.

액티브 영역(510) 상에는 각각 R, G, B의 광을 출력하는 복수의 픽셀(520)이 형성될 수 있다. 각 픽셀(520)의 하단에는 픽셀(520)을 발광하기 위한 픽셀 회로(예: 도 4의 픽셀 회로(400))가 배치될 수 있다. 픽셀 회로는 OLED(organic light emitting diode) 및 OLED를 구동하기 위한 복수의 TFT(thin film transistor)를 포함할 수 있다. 액티브 영역(510) 상에 배치되는 각 픽셀(520) 간의 간격은 동일할 수 있으나, 일부 픽셀 간의 간격은 이와 다를 수 있다.

논-액티브 영역(non-active area)(550)은 액티브 영역(510)의 상, 하, 좌, 우 측면을 둘러싼 형태로 배치될 수 있다. 논-액티브 영역 (550)에는 픽셀(520)이 배치되지 않을 수 있다. 논-액티브 영역 (550)은 디스플레이 장치(500)의 하우징으로 형성될 수 있으며, 하우징 내에는 각 픽셀(520) 회로를 구동하기 위한 구동 회로(미도시)가 배치될 수 있다. 예를 들어, 구동 회로는 도 3의 게이트 제어부(330)를 포함할 수 있다. 구동 회로는 게이트 신호 및 발광 신호를 순차적으로 생성하여 게이트 라인을 통해 각 픽셀(520)에 출력하고, 이에 따라 각 픽셀(520)이 발광할 수 있다.

일 비교예에 따르면, 논-액티브 영역(550)의 적어도 일부는 곡면으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 액티브 영역(510)의 좌측 또는 우측의 논-액티브 영역은 곡면으로 형성될 수 있다. 이 경우, 논-액티브 영역(550)에서 액티브 영역(510)과 맞닿는 부분부터 디스플레이 장치(500)의 하우징의 측면과 맞닿는 부분은 소정의 곡률을 가질 수 있다.

도 5를 통해 설명한 내용은 본 개시의 다양한 실시예에 따른 디스플레이 장치(예: 도 6a 및 도 6b의 디스플레이 장치(600))의 비교 기술에 해당하나, 종래 기술로 인정되는 것은 아니다.

도 6a 및 도 6b는 본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 엣지 벤딩 구조를 도시한 것이다.

다양한 실시예에 따르면, 디스플레이 장치(600)는 액티브 영역(610) 및 액티브 영역(610)의 측면(예: 상, 하, 좌, 우 측면)에 배치되는 벤딩 영역(650)을 포함할 수 있다. 벤딩 영역(650)은 액티브 영역(610)에서 확장되어 연결될 수 있다. 예를 들면, 벤딩 영역(650)은 액티브 영역(610)의 적어도 일부로 형성될 수 있으며, 도 5의 논-액티브 영역(550)에 대응하는 위치에 배치될 수 있다. 일 실시 예에서, 벤딩 영역(650)의 아래에 각 픽셀의 픽셀 회로를 구동하기 위한 구동 회로가 배치될 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 액티브 영역(610)은 평면일 수 있으며, 적어도 일부가 구부러지거나(flexible), 접힐 수(foldable) 있다. 액티브 영역(610) 상에는 복수의 픽셀들(예: P1, P2)이 형성될 수 있다. 복수의 픽셀들은 각각 R, G, B의 광을 출력할 수 있다. 액티브 영역(610) 상에 형성되는 픽셀은 서로 동일한 제1간격으로 배치될 수 있으며, 일부 영역에서는 픽셀 간 간격이 제1간격보다 크거나 작을 수도 있다. 이하에서는 액티브 영역(610) 상에 형성되는 픽셀들을 제1픽셀 그룹으로 지칭할 수도 있다.

다양한 실시예에 따르면, 벤딩 영역(650)의 적어도 일부는 곡면으로 구성될 수 있다. 도 6a를 참조 하면, 벤딩 영역(650)은 소정의 반지름(R)을 갖는 사분원(quadrant)의 형태일 수 있으며, 복수의 픽셀들(예: P3, P4)이 사분원의 호를 따라 배치될 수 있다. 이하에서는 벤딩 영역(650) 상에 형성되는 픽셀들을 제2픽셀 그룹으로 지칭할 수도 있다.

다양한 실시예에 따르면, 벤딩 영역(650)에 배치되는 제2픽셀 그룹의 복수의 픽셀들 간의 곡면 상의 간격은 액티브 영역(610)에 배치되는 제1픽셀 그룹의 복수의 픽셀들 간의 간격보다 클 수 있다. 도 6a를 참조 하면, 제1픽셀 그룹의 픽셀 P1 및 P2 사이의 간격(a)보다 곡면을 기준으로 제2픽셀 그룹의 픽셀 P3 및 P4 사이의 간격(b)이 더 클 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 벤딩 영역(650)에 배치되는 제2픽셀 그룹의 복수의 픽셀들 간의 수평 방향의 거리는 제1픽셀 그룹의 픽셀들 간 간격과 동일할 수 있다. 도 6a를 참조 하면, 벤딩 영역(650)의 P3 및 P4 간의 간격(b)는 액티브 영역(610)의 P1 및 P2 간의 간격(a)보다 크지만, P3 및 P4는 곡면 상에 형성되기 때문에 수평 방향의 거리(또는 위에서 아래 방향으로 보았을 때의 거리)는 P1 및 P2 간의 간격(a)과 동일할 수 있다. 이에 따라, 사용자가 디스플레이 장치(600)를 바라 보았을 때에는 제1픽셀 그룹의 픽셀들 사이의 간격과 제2픽셀 그룹의 픽셀들 사이의 간격이 동일하게 보일 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 곡면 상에서의 제2픽셀 그룹의 픽셀들 사이의 간격은 액티브 영역(610)에서 멀어질수록 증가할 수 있다. 도 6b를 참조 하면, 액티브 영역(610)에 가까운 쪽에 배치되는 픽셀 P5 및 P6 사이의 곡면 상의 간격(c)보다 액티브 영역(610)에서 보다 먼 쪽에 배치되는 픽셀 P3 및 P4 사이의 곡면 상의 간격(d)이 더 클 수 있다. 즉, 사분원의 중심에서 P5 및 P6가 형성하는 각도(θ1)보다 P3 및 P4가 형성하는 각도(θ2)가 더 클 수 있다. 예를 들어, 사분원의 반지름이 대략 3mm 이고, 각 픽셀 들 간의 거리가 대략 30μm이고, 픽셀이 한 행에 100개 배치된 경우, 각 픽셀을 등 간격으로 배치한 경우와 비교할 때, 액티브 영역(610)으로부터 10번째 픽셀은 대략 0.14μm, 20번째 픽셀은 대략 0.59μm, 30번째 픽셀은 대략 1.4μm, 40번째 픽셀은 대략 2.65μm만큼 액티브 영역(610)에서 먼 방향으로 시프트 되어 배치될 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 곡면 상에서 제2픽셀 그룹의 픽셀들 사이의 수평 방향의 거리는 서로 동일할 수 있다. 도 6b를 참조 하면, 액티브 영역(610)과 수평 방향으로 투영한 경우에 제2픽셀 그룹의 픽셀들 간의 거리는 동일할 수 있다. 도 6에서, P5와 P6 사이의 간격(c)보다 P3과 P4 사이의 간격(d)이 더 크지만, 수평 방향에 투영한 경우의 위치인 P5' 및 P6' 사이의 거리(또는 위에서 아래 방향으로 보았을 때의 거리)인 d1과 P3' 및 P4' 사이의 거리 d2는 서로 동일할 수 있다.

이에 따라, 사용자가 디스플레이 장치(600)를 바라 보았을 때에는 제2픽셀 그룹의 픽셀들 사이의 간격이 액티브 영역(610)에서 가까운 쪽의 픽셀들과 먼 쪽의 픽셀들 모두 동일한 간격으로 보일 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 디스플레이 장치(600)는 도 1의 전자 장치(101) 상에 배치되는 디스플레이 모듈(160)일 수 있으며, 도 2의 디스플레이 모듈(160) 및 도 3의 디스플레이 모듈(160)의 구성 및/또는 기능 중 적어도 일부를 더 포함할 수 있다.

도 7은 본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치의 픽셀 배치 구조를 도시한 것이다.

다양한 실시예에 따르면, 디스플레이 장치(600)는 액티브 영역(610)과 곡면으로 구성되는 벤딩 영역(650)을 포함하며, 벤딩 영역(650) 상에도 픽셀이 배치될 수 있다. 벤딩 영역(650)은 도 5의 논-액티브 영역(550)에 대응하는 위치가 될 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 액티브 영역(610) 및 벤딩 영역(650)에는 각각 R, G, B의 광을 출력하는 복수의 픽셀들이 형성될 수 있다. 각각의 픽셀은 OLED 및 OLED를 구동하기 위한 복수의 TFT를 포함하는 픽셀 회로(예: 도 4의 픽셀 회로(400))로 구성될 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 액티브 영역(610)에 배치되는 제1픽셀 그룹의 픽셀의 픽셀 회로는 각 픽셀의 하단에 배치될 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 벤딩 영역(650)에 배치되는 제2픽셀 그룹의 픽셀(660)의 픽셀 회로는 액티브 영역(610)의 하단에 배치될 수 있다. 예를 들어, 벤딩 영역(650)에는 발광되는 OLED가 배치되고, OLED를 구동하기 위한 회로 구성 중 적어도 일부는 액티브 영역(610)의 하단에 배치될 수 있다. 벤딩 영역(650)에는 각 픽셀 회로를 구동하기 위한 구동 회로가 배치될 수 있다. 구동 회로의 배치로 인해, 제2픽셀 그룹의 각 픽셀(660)의 픽셀 회로가 픽셀 하단에 배치되기에 공간이 부족할 수 있으며, 이에 제2픽셀 그룹의 각 픽셀(660)의 픽셀 회로는 픽셀(660)의 하단, 즉 벤딩 영역(650)이 아닌 액티브 영역(610) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제2픽셀 그룹의 각 픽셀(660)의 픽셀 회로는 액티브 영역(610)에서 벤딩 영역(650)에 가까운 쪽에 순차적으로 배치될 수 있다.

일 실시예에 따르면, 액티브 영역(610)의 하단에 제2픽셀 그룹의 각 픽셀(660)의 픽셀 회로를 배치함에 따라, 제1픽셀 그룹의 각 픽셀의 픽셀 회로의 위치도 액티브 영역(610)의 안 쪽으로 일부씩 시프트 시켜 배치할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 벤딩 영역(650)에 배치된 제2픽셀 그룹의 픽셀(660)과 액티브 영역(610)의 하단에 배치되는 픽셀 회로는 연결 배선(670)을 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 연결 배선(670)은 제2픽셀 그룹의 픽셀(660)의 전극(예: anode)에서 액티브 영역(610)의 하단에 위치한 픽셀 회로까지 연장되어 배치될 수 있다. 도 4의 회로도를 참고 하면, OLED가 벤딩 영역(650)에 배치되고, 연결 배선(670)이 n4 노드와 OLED의 애노드를 서로 연결하여, OLED가 픽셀 회로에서 일부 이격되어 있음에도 도 4의 픽셀 회로와 등가 회로(400)를 구성할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 연결 배선(670)은 투명 전극 재료(예: indium tin oxide; ITO)로 구성될 수 있으나, 이에 한정되지 않고 메탈 배선으로 구성될 수도 있다.

도 8a는 일 비교예에 따른 디스플레이 장치의 픽셀 배치 및 적층 구조를 도시한 것이다.

도 8a를 참조 하면, 디스플레이(500)의 하단에 하부 기판(590)이 배치되고, 상단에는 TFE(thin film encapsulation)로 덮일 수 있으며, 그 사이에 각각의 픽셀 및 픽셀을 구동하기 위한 다양한 회로 구성이 적층되어 배치될 수 있다.

액티브 영역(510)에는 복수의 픽셀(520)들이 배치될 수 있다. 각각의 픽셀(520)은 상단에 발광부(EL(electro luminescent))가 배치되고, 하단에 발광부를 발광하기 위한 픽셀 회로가 배치되는 구조이고, 픽셀(520)의 전극(525)(예: anode)이 구동 회로로부터 신호를 받아 발광부를 온/오프 시킬 수 있다. 예를 들어, 구동 회로는 픽셀(520)을 구동하기 위한 GI, GW, GB, EM과 같은 신호를 형성할 수 있다.

논-액티브 영역(550)은 픽셀 회로를 구동하기 위한 구동 회로가 배치되는 영역일 수 있다. 구동 회로의 ELVSS 전극(580)은 각 픽셀(520)의 픽셀 전극(525)과 연결될 수 있다. ELVSS 전극(580)의 하단에는 메탈, 유기막, 무기막 층(585)과 같은 다양한 물질이 적층될 수 있다.

도 8a의 비교예에서는 논-액티브 영역(550)에서는 픽셀이 배치되지 않고, 액티브 영역(510)의 픽셀을 구동하기 위한 구동 회로만 배치될 수 있다.

도 8a를 통해 설명한 내용은 본 개시의 다양한 실시예에 따른 디스플레이 장치(예: 도 8b의 디스플레이 장치(600))의 비교 기술에 해당하나, 종래 기술로 인정되는 것은 아니다.

도 8b는 본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이 장치(600)의 픽셀 배치 및 적층 구조를 도시한 것이다.

다양한 실시예에 따르면, 디스플레이 장치(600)는 액티브 영역(610)과 곡면으로 구성되는 벤딩 영역(650)을 포함하며, 벤딩 영역(650) 상에도 픽셀(660)이 배치될 수 있다. 벤딩 영역(650)은 도 8a의 논-액티브 영역(550)에 대응하는 위치가 될 수 있다.

도 8b를 참조 하면, 액티브 영역(610) 상에 복수의 픽셀(620) 및 픽셀(620)에 대응하는 픽셀 전극(625)이 형성되고, 벤딩 영역(650)에도 복수의 픽셀(660)들이 형성될 수 있다. 벤딩 영역(650)에 배치된 제2픽셀 그룹의 픽셀(660)과 액티브 영역(610)의 하단에 배치되는 픽셀 회로는 연결 배선(670)을 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 연결 배선(670)은 제2픽셀 그룹의 픽셀(660)의 전극(665)(예: anode)에서 액티브 영역(610)의 하단에 위치한 픽셀 회로까지 연장되어 배치될 수 있다. 하부 기판(690)에서 벤딩 영역(650)에 대응하는 영역 상에 메탈, 유기막, 무기막 층(685)이 배치되고, 메탈, 유기막, 무기막 층(685)의 상단의 일부에 구동 회로의 ELVSS 전극(680)이 배치될 수 있다. 메탈, 유기막, 무기막 층(685)의 상단의 다른 일부에는 연결 배선(670)이 배치될 수 있다. 연결 배선(670)은 투명 전극 재료(예: indium tin oxide; ITO)로 구성될 수 있으나, 이에 한정되지 않고 메탈 배선으로 구성될 수도 있다.

도 9a는 일 비교예에 따른 디스플레이의 픽셀 회로와 발광부의 적층 구조를 도시한 것이다.

도 9a를 참조 하면, PDL(530)(pixel define layer)의 일부에 홀이 형성되고, 홀 내에 유기 물질(EL(electro luminescent)) 층(535)이 배치될 수 있다. PDL(530)은 각 픽셀(520)의 광이 서로 간섭하지 않도록 구분해 주기 위한 레이어 일 수 있다. 유기 물질 층(535)의 일부는 PDL(530)의 위 쪽에 형성되어 외부로 광을 출력할 수 있다.

유기 물질 층(535)의 아래에는 픽셀 전극(525)(예: anode)이 배치될 수 있다. 픽셀 전극(525)은 구동 회로와 연결되어, 구동 회로로부터 신호를 수신할 수 있다.

도 9a를 참조 하면, 유기 물질 층(535)에서 PDL(530) 사이에 채워진 부분은 외부로 노출된 부분의 가운데에 배치될 수 있다. 또한, 픽셀 전극(525)은 유기 물질 층(535)의 가운데의 아래에 배치될 수 있다.

도 9a를 통해 설명한 내용은 본 개시의 다양한 실시예에 따른 디스플레이 장치의 비교 기술에 해당하나, 종래 기술로 인정되는 것은 아니다.

도 9b는 본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이의 픽셀 회로와 발광부의 적층 구조를 도시한 것이다.

일 실시예에 따르면, 벤딩 영역에 배치되는 제2픽셀 그룹의 픽셀(660)의 픽셀 전극(665) 및/또는 PDL(662)은 유기 물질 층(664)의 가운데에서 디스플레이의 측면 방향(예: 액티브 영역에서 먼 방향)으로 시프트 되어 배치될 수 있다. 도 9b를 참조 하면, PDL(662)의 홀 부분과 픽셀 전극(665)은 도 9a와 비교할 때 우측 방향(예: 디스플레이의 측면 방향)으로 시프트 되어 배치될 수 있다.

도 10은 본 개시의 일 실시예에 따른 디스플레이의 벤딩 영역에서의 픽셀 배치 및 배선 구조를 도시한 것이다.

다양한 실시예에 따르면, 디스플레이 장치(600)는 액티브 영역(610)과 곡면으로 구성되는 벤딩 영역(650)을 포함하며, 벤딩 영역(650) 상에도 픽셀(660)이 배치될 수 있다. 도 10에서는 액티브 영역(610)의 가장 측면에 배치된 하나의 픽셀(660)과 벤딩 영역(650)에서 액티브 영역(610)에 가장 가깝게 배치된 하나의 픽셀(620)을 도시하고 있다.

도 10을 참조 하면, 아래로부터 디스플레이(600)의 하부 기판을 구성하는 1차 PI(polyimide) 층(1074), 베리어(barrier)(1072) 및 2차 PI 층(1070)이 적층될 수 있다. 픽셀 회로(1032)는 하부 기판의 위에 배치될 수 있다.

디스플레이(600)의 상단은 TFE(thin film encapsulation)로 덮일 수 있으며, TFE는 1차 SiNx 층(1056), 모노머(monomer)(1054), 2차 SiNx 층(1052)을 포함할 수 있다. TFE의 아래에는 픽셀(620)의 음극(cathode)(1058)이 배치되고, PDL(pixel define layer)(1060)이 형성될 수 있다.

일 실시예에 따르면, 벤딩 영역(650)의 하부 기판 상에 구동 회로(1040)가 배치될 수 있다. 구동 회로(1040)는 픽셀(620, 660)을 구동하기 위한 GI, GW, GB, EM과 같은 신호를 형성하여, 게이트 라인을 통해 각 픽셀 회로(1032, 1030)에 출력하고, 이에 따라 각 픽셀(620, 660)이 발광할 수 있다.

일 실시예에 따르면, PDL(1060)에 의해 형성된 홀 내에 유기 물질(661)이 배치되고, 유기 물질(661)은 구동 회로(1040)에서 전달되는 신호에 기초하여 발광할 수 있다. 유기 물질(661)은 픽셀(660)의 양극(anode)(665)과 연결될 수 있다. 액티브 영역(610)에 배치되는 제1픽셀 그룹의 픽셀(620)의 픽셀 회로(1032)는 픽셀(620)의 아래에 배치되어, 픽셀(620)의 양극(625)과 연결될 수 있다.

일 실시예에 따르면, 벤딩 영역(650)에 배치되는 제2픽셀 그룹의 픽셀(660)의 픽셀 회로(1030)는 액티브 영역(610)의 하단에 배치될 수 있다. 도 10을 참조 하면, 픽셀(660)의 발광부는 벤딩 영역(650) 상에 배치될 수 있다. 픽셀(660)의 유기 물질(661)은 픽셀(660)의 양극(665)과 적층될 수 있다. 픽셀(660)의 픽셀 회로(1030)는 액티브 영역(610)의 아래에 배치될 수 있다. 픽셀(660)의 양극(665)과 픽셀(660)의 픽셀 회로(1030)는 연결 배선(670)을 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.

다양한 실시예에 따른 디스플레이 장치(600)는, 평면으로 구성되는 액티브 영역(610), 상기 액티브 영역(610)의 측면에 배치되고, 곡면으로 구성되는 벤딩 영역(650), 상기 액티브 영역(610) 상에 형성되고, 제1간격으로 배치되는 복수의 픽셀을 포함하는 제1픽셀 그룹, 및 상기 벤딩 영역(650) 상에 형성되고, 상기 곡면을 따라 상기 제1간격보다 큰 간격으로 배치되는 복수의 픽셀을 포함하는 제2픽셀 그룹을 포함할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 상기 제2픽셀 그룹의 픽셀들 사이의 상기 액티브 영역(610)과 수평 방향의 거리는 상기 제1간격과 동일할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 상기 제2픽셀 그룹에 배치되는 픽셀들 사이의 상기 곡면 상의 간격은 상기 액티브 영역(610)에서 멀수록 더 증가될 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 상기 제2픽셀 그룹의 픽셀 각각을 구동하기 위한 복수의 픽셀 회로를 더 포함하고, 상기 픽셀 회로는 상기 액티브 영역(610)의 하단에 배치될 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 상기 제2픽셀 그룹의 픽셀의 전극과 상기 액티브 영역(610)의 하단에 배치되는 픽셀 회로를 전기적으로 연결하기 위한 연결 배선을 더 포함할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 상기 연결 배선은 투명 전극 재료로 구성될 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 상기 제1픽셀 그룹의 픽셀 각각을 구동하기 위한 복수의 픽셀 회로를 더 포함하고, 상기 제1픽셀 그룹에 대응하는 복수의 픽셀 회로는 상기 제1픽셀 그룹의 픽셀의 하단에서 상기 벤딩 영역(650)의 반대 방향으로 이격되어 배치될 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 상기 벤딩 영역(650)의 하단에 배치되고, 상기 픽셀 회로를 구동하기 위한 신호를 생성하는 구동 회로를 더 포함할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 상기 제2픽셀 그룹의 픽셀의 전극 또는 PDL(pixel define layer) 중 적어도 하나는 유기 물질의 가운데에서 상기 액티브 영역(610)에서 먼 방향으로 시프트 되어 배치될 수 있다.

도 11a는 일 비교예에 따른 듀얼 디스플레이를 포함하는 전자 장치를 도시한 것이다.

도 11a를 참조 하면, 전자 장치(1100)는 서로 분리된 2개의 디스플레이(1120, 1140)를 포함할 수 있다. 제1디스플레이(1120) 및 제2디스플레이(1140)는 각각 제1하우징 및 제2하우징 상에 배치되고, 제1하우징 및 제2하우징은 힌지 구조를 통해 회전 가능하도록 결합될 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(1100)는 열린 상태에서는 제1디스플레이(1120) 및 제2디스플레이(1140)가 외부로 노출되어 큰 화면을 제공할 수 있고, 닫힌 상태에서는 제1디스플레이(1120) 및 제2디스플레이(1140)는 외부로 노출되지 않을 수 있다.

도 11a에 도시된 비교 기술의 경우, 제1디스플레이(1120) 및 제2디스플레이(1140)의 액티브 영역(1130)에만 픽셀(1132)이 배치되고, 논-액티브 영역(1135)에는 픽셀이 배치되지 않는다. 이 경우, 전자 장치(1100)를 열린 상태에서 화면을 표시할 때, 논-액티브 영역(1135)에 영상 정보가 표시되지 않기 때문에 이질감을 줄이기 위해서는 논-액티브 영역(1135)을 최소화 하는 것이 필요하다. 이를 위해서는 논-액티브 영역(1135)을 더 큰 각도로 벤딩 시켜야 하는데, 픽셀 회로 및 구동 회로가 포함된 패널 영역은 다층의 무기 절연막(예: SiO2 또는 SiNx)로 구성되어 있어 기술적 한계가 있을 수 있다.

도 11a를 통해 설명한 내용은 본 개시의 다양한 실시예에 따른 전자 장치(예: 도 11b의 전자 장치(1200))의 비교 기술에 해당하나, 종래 기술로 인정되는 것은 아니다.

도 11b는 본 개시의 일 실시예에 따른 듀얼 디스플레이를 포함하는 전자 장치(1200)를 도시한 것이다.

도 11b의 제1디스플레이(1220) 및 제2디스플레이(1240)는 도 2 내지 도 10을 통해 설명한 디스플레이 장치(예: 도 6a의 디스플레이 장치(600))를 포함할 수 있다. 제1디스플레이(1220) 및 제2디스플레이(1240)는 좌우로 서로 대칭 적인 형태일 수 있다. 이하에서는, 도 2 내지 도 10을 통해 설명한 바 있는 제1디스플레이(1220) 및 제2디스플레이(1240)의 구조에 대해서는 그 설명을 생략하기로 한다.

도 11b를 참조 하면, 제1디스플레이(1220)는 액티브 영역(1230)에 픽셀(1232)이 배치되고, 도 11a의 논-액티브 영역(1135)에 대응하는 위치의 벤딩 영역(1235) 상에 픽셀(1237)을 배치할 수 있다. 액티브 영역(1230)에 배치되는 픽셀 사이의 간격은 벤딩 영역(1235)의 픽셀 사이의 곡면 상의 간격보다 작을 수 있으며, 수평 방향으로 바라 보았을 때 액티브 영역(1230)에 배치되는 픽셀 사이의 간격과 벤딩 영역(1235)의 픽셀 사이의 간격은 동일할 수 있다.

일 실시예에 따르면, 제1디스플레이(1220)와 제2디스플레이(1240)의 벤딩 영역은 서로 마주 볼 수 있으며, 제1디스플레이(1220)와 제2디스플레이(1240)는 서로 대칭적인 구조로 형성될 수 있다.

이에 따라, 도 11a의 비교 기술과 비교할 때, 적은 벤딩량으로 듀얼 디스플레이를 구현할 수 있다.

다양한 실시예에 따른 전자 장치(1200)는, 제1하우징, 상기 제1하우징과 힌지 구조를 통해 회전 가능하도록 결합되는 제2하우징, 상기 제1하우징 상에 배치되는 제1디스플레이(1220), 및 상기 제2디스플레이(1240) 상에 배치되는 제2디스플레이(1240)를 포함하고, 상기 제1디스플레이(1220)는, 평면으로 구성되는 액티브 영역(1230), 상기 액티브 영역(1230)의 측면에 배치되고, 곡면으로 구성되는 벤딩 영역(1235), 상기 액티브 영역(1230) 상에 형성되고, 제1간격으로 배치되는 복수의 픽셀을 포함하는 제1픽셀 그룹, 및 상기 벤딩 영역(1235) 상에 형성되고, 상기 곡면을 따라 상기 제1간격보다 큰 간격으로 배치되는 복수의 픽셀을 포함하는 제2픽셀 그룹을 포함할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 상기 제2픽셀 그룹의 픽셀들 사이의 상기 액티브 영역(1230)과 수평 방향의 거리는 상기 제1간격과 동일할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 상기 제2픽셀 그룹에 배치되는 픽셀들 사이의 상기 곡면 상의 간격은 상기 액티브 영역(1230)에서 멀수록 더 증가될 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 상기 제2픽셀 그룹의 픽셀 각각을 구동하기 위한 복수의 픽셀 회로를 더 포함하고, 상기 픽셀 회로는 상기 액티브 영역(1230)의 하단에 배치될 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 상기 제2픽셀 그룹의 픽셀의 전극과 상기 액티브 영역(1230)의 하단에 배치되는 픽셀 회로를 전기적으로 연결하기 위한 연결 배선을 더 포함할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 상기 제1픽셀 그룹의 픽셀 각각을 구동하기 위한 복수의 픽셀 회로를 더 포함하고, 상기 제1픽셀 그룹에 대응하는 복수의 픽셀 회로는 상기 제1픽셀 그룹의 픽셀의 하단에서 상기 벤딩 영역(1235)의 반대 방향으로 이격되어 배치될 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 상기 벤딩 영역(1235)의 하단에 배치되고, 상기 픽셀 회로를 구동하기 위한 신호를 생성하는 구동 회로를 더 포함할 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 상기 제2픽셀 그룹의 픽셀의 전극 또는 PDL(pixel define layer) 중 적어도 하나는 유기 물질의 가운데에서 상기 액티브 영역(1230)에서 먼 방향으로 시프트 되어 배치될 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 상기 벤딩 영역(1235)은 상기 제2디스플레이(1240)의 벤딩 영역(1235)과 서로 마주보도록 배치될 수 있다.

다양한 실시예에 따르면, 상기 제2디스플레이(1240)는 상기 제1디스플레이(1220)와 대칭적인 구조를 가질 수 있다.

Claims

디스플레이 장치에 있어서,
평면으로 구성되는 액티브 영역;
상기 액티브 영역의 측면에 배치되고, 곡면으로 구성되는 벤딩 영역;
상기 액티브 영역 상에 형성되고, 제1간격으로 배치되는 복수의 픽셀을 포함하는 제1픽셀 그룹; 및
상기 벤딩 영역 상에 형성되고, 상기 곡면을 따라 상기 제1간격보다 큰 간격으로 배치되는 복수의 픽셀을 포함하는 제2픽셀 그룹을 포함하며,
상기 제2픽셀 그룹의 픽셀들 사이의 상기 액티브 영역과 수평 방향의 거리는 상기 제1간격과 동일한 디스플레이 장치.
제 1항에 있어서,
상기 제2픽셀 그룹에 배치되는 픽셀들 사이의 상기 곡면 상의 간격은 상기 액티브 영역에서 멀수록 더 증가되는 디스플레이 장치.
제 1항에 있어서,
상기 제2픽셀 그룹의 픽셀 각각을 구동하기 위한 복수의 픽셀 회로를 더 포함하고,
상기 픽셀 회로는 상기 액티브 영역의 하단에 배치되는 디스플레이 장치.
제 3항에 있어서,
상기 제2픽셀 그룹의 픽셀의 전극과 상기 액티브 영역의 하단에 배치되는 픽셀 회로를 전기적으로 연결하기 위한 연결 배선을 더 포함하는 디스플레이 장치.
제 4항에 있어서,
상기 연결 배선은 투명 전극 재료로 구성되는 디스플레이 장치.
제 3항에 있어서,
상기 제1픽셀 그룹의 픽셀 각각을 구동하기 위한 복수의 픽셀 회로를 더 포함하고,
상기 제1픽셀 그룹에 대응하는 복수의 픽셀 회로는 상기 제1픽셀 그룹의 픽셀의 하단에서 상기 벤딩 영역의 반대 방향으로 이격되어 배치되는 디스플레이 장치.
제 3항에 있어서,
상기 벤딩 영역의 하단에 배치되고, 상기 픽셀 회로를 구동하기 위한 신호를 생성하는 구동 회로를 더 포함하는 디스플레이 장치.
제 1항에 있어서,
상기 제2픽셀 그룹의 픽셀의 전극 또는 PDL(pixel define layer) 중 적어도 하나는 유기 물질의 가운데에서 상기 액티브 영역에서 먼 방향으로 시프트 되어 배치되는 디스플레이 장치.
전자 장치에 있어서,
제1하우징;
상기 제1하우징과 힌지 구조를 통해 회전 가능하도록 결합되는 제2하우징;
상기 제1하우징 상에 배치되는 제1디스플레이; 및
상기 제2디스플레이 상에 배치되는 제2디스플레이를 포함하고,
상기 제1디스플레이는,
평면으로 구성되는 액티브 영역;
상기 액티브 영역의 측면에 배치되고, 곡면으로 구성되는 벤딩 영역;
상기 액티브 영역 상에 형성되고, 제1간격으로 배치되는 복수의 픽셀을 포함하는 제1픽셀 그룹; 및
상기 벤딩 영역 상에 형성되고, 상기 곡면을 따라 상기 제1간격보다 큰 간격으로 배치되는 복수의 픽셀을 포함하는 제2픽셀 그룹을 포함하며,
상기 제2픽셀 그룹의 픽셀들 사이의 상기 액티브 영역과 수평 방향의 거리는 상기 제1간격과 동일한 전자 장치.
제 9항에 있어서,
상기 제2픽셀 그룹에 배치되는 픽셀들 사이의 상기 곡면 상의 간격은 상기 액티브 영역에서 멀수록 더 증가되는 전자 장치.
제 9항에 있어서,
상기 제2픽셀 그룹의 픽셀 각각을 구동하기 위한 복수의 픽셀 회로를 더 포함하고,
상기 픽셀 회로는 상기 액티브 영역의 하단에 배치되는 전자 장치.
제 11항에 있어서,
상기 제2픽셀 그룹의 픽셀의 전극과 상기 액티브 영역의 하단에 배치되는 픽셀 회로를 전기적으로 연결하기 위한 연결 배선을 더 포함하는 전자 장치.
제 12항에 있어서,
상기 연결 배선은 투명 전극 재료로 구성되는 전자 장치.
제 11항에 있어서,
상기 제1픽셀 그룹의 픽셀 각각을 구동하기 위한 복수의 픽셀 회로를 더 포함하고,
상기 제1픽셀 그룹에 대응하는 복수의 픽셀 회로는 상기 제1픽셀 그룹의 픽셀의 하단에서 상기 벤딩 영역의 반대 방향으로 이격되어 배치되는 전자 장치.
제 11항에 있어서,
상기 벤딩 영역의 하단에 배치되고, 상기 픽셀 회로를 구동하기 위한 신호를 생성하는 구동 회로를 더 포함하는 전자 장치.
제 9항에 있어서,
상기 제2픽셀 그룹의 픽셀의 전극 또는 PDL(pixel define layer) 중 적어도 하나는 유기 물질의 가운데에서 상기 액티브 영역에서 먼 방향으로 시프트 되어 배치되는 전자 장치.
제 9항에 있어서,
상기 벤딩 영역은 상기 제2디스플레이의 벤딩 영역과 서로 마주보도록 배치되는 전자 장치.
제 9항에 있어서,
상기 제2디스플레이는 상기 제1디스플레이와 대칭적인 구조를 갖는 전자 장치.
전자 장치에 있어서,
디스플레이 모듈; 및
상기 디스플레이 모듈과 작동적으로 연결되어, 상기 디스플레이 모듈에 표시될 영상 데이터를 제공하는 프로세서를 포함하고,
상기 디스플레이 모듈은,
평면으로 구성되는 액티브 영역;
상기 액티브 영역의 측면에 배치되고, 곡면으로 구성되는 벤딩 영역;
상기 액티브 영역 상에 형성되고, 제1간격으로 배치되는 복수의 픽셀을 포함하는 제1픽셀 그룹; 및
상기 벤딩 영역 상에 형성되고, 상기 곡면을 따라 상기 제1간격보다 큰 간격으로 배치되는 복수의 픽셀을 포함하는 제2픽셀 그룹을 포함하며,
상기 제2픽셀 그룹의 픽셀들 사이의 상기 액티브 영역과 수평 방향의 거리는 상기 제1간격과 동일한 전자 장치.