KR20240014259A - 플라즈마 장비 - Google Patents

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KR20240014259A
KR20240014259A KR1020220091786A KR20220091786A KR20240014259A KR 20240014259 A KR20240014259 A KR 20240014259A KR 1020220091786 A KR1020220091786 A KR 1020220091786A KR 20220091786 A KR20220091786 A KR 20220091786A KR 20240014259 A KR20240014259 A KR 20240014259A
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unit
edge
plasma equipment
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KR1020220091786A
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박상준
문태식
장철종
김장현
김상우
김영준
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엘지전자 주식회사
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Abstract

플라즈마 장비는 내부에 공간이 형성된 플라즈마 공정 챔버; 공간의 상측에 배치된 유전체; 유전체의 상면에 배치된 멀티 존 히터를 포함하며, 멀티 존 히터는 금속 바디와, 금속 바디의 상면에 배치된 히터 선을 포함하며, 히터 선은 센터 히터와, 센터 히터의 적어도 일부의 외둘레를 둘러싸는 에지 히터를 포함할 수 있다.

Description

플라즈마 장비{Plasma equipment}
본 발명은 플라즈마 장비에 관한 것이다.
플라즈마 장비는 플라즈마를 이용하여 표면 처리하는 공정에 사용되는 장비이다. 이러한 플라즈마 장비는 반도체 제조에서 웨이퍼(wafer) 상에 물질막을 패터닝(patterning)하기 위한 식각 장비로서 채용되고 있다. 이때, 식각 장비는 식각 소스(source)로서 플라즈마를 웨이퍼 상에 제공한다.
플라즈마 장비의 일 예는 대한민국 공개특허공보 10-2005-0109228 A(2005년11월17일 공개)에 개시된 챔버 천장에 히터를 구비한 플라즈마 장비가 있고, 이러한 플라즈마 장비는 공정 챔버 상측에 도입되는 천장부 천장부를 가열하게 천장부에 접촉하게 도입된 세라믹 히터를 포함하고, 세라믹 히터는 플라즈마 소스 코일 구조체에 의한 유도 전계가 천장부를 투과하여 챔버 내부에 미치는 것을 허용하도록 전열선(heating element)부가 절열선 부분들 사이 공간으로 유도 전계가 투과되도록 굴곡된 선형으로 배치된다.
대한민국 공개특허공보 10-2005-0109228 A(2005년11월17일 공개)
종래 기술에 따른 플라즈마 장비는 챔버 천장의 중앙부와 중앙부 이외의 주변부 사이의 온도 편차가 클 경우, 플라즈마가 공정 챔버 내에 균일하게 형성되지 못하는 문제점이 있다.
본 실시 예는 공간의 상부 온도를 최대한 균일화할 수 있고, 균일한 온도로 빠르게 안정화 가능한 플라즈마 장비를 제공하는데 있다.
본 실시 예에 따른 플라즈마 장비는 내부에 공간이 형성된 플라즈마 공정 챔버; 공간의 상측에 배치된 유전체; 유전체의 상면에 배치된 멀티 존 히터를 포함하며, 멀티 존 히터는 금속 바디와, 금속 바디의 상면에 배치된 히터 선을 포함하며, 히터 선은 센터 히터와, 센터 히터의 적어도 일부의 외둘레를 둘러싸는 에지 히터를 포함할 수 있다.
유전체의 상면에는 상기 멀티 존 히터이 삽입되는 수용되는 수용홈이 함몰될 수 있다.
에지 히터의 목표 온도는 센터 히터의 목표 온도 보다 높을 수 있다.
히터 선은 절연선과, 전열선을 둘러싸는 이산화망간을 포함할 수 있다.
센터 히터와 에지 히터는 금속 바디의 상면에 서로 이격되게 배치될 수 있다.
센터 히터는 우호 형상인 이너 센터 히터부; 이너 센터 히터부의 외측에서 이너 센터 히터부의 외둘레를 둘러싸는 아우터 센터 히터부; 및 이너 센터 히터부와, 아우터 센터 히터부를 잇는 이너 브릿지부를 포함할 수 있다.
아우터 센터 히터부는 방사상으로 돌출된 복수개의 돌출부를 포함할 수 있다.
아우터 센터 히터부는 인접한 한 쌍의 돌출부를 잇고 열호 형상인 단위 히터부를 포함할 수 있다.
복수개의 돌출부 중 일부는 에지 히터의 내둘레를 향하고, 복수개의 돌출부 중 나머지는 에지 히터의 내둘레를 향하지 않을 수 있다.
아우터 센터 히터부는 복수개의 돌출부 중 나머지에서 에지 히터의 원주 방향으로 연장된 연장부를 더 포함할 수 있다.
에지 히터는 우호 형상인 이너 에지 히터부; 우호 형상이고 상기 이너 에지 히터부의 외측에서 이너 에지 히터부의 외둘레를 둘러싸는 아우터 에지 히터부; 및
이너 에지 히터부의 일단과, 아우터 에지 히터부의 일단을 잇는 아우터 브릿지부를 포함할 수 있다.
금속 바디는 링 형상인 센터 바디; 센터 바디의 외둘레를 둘러싸고, 링 형상인 아우터 바디; 및 센터 바디와 아우터 바디를 잇는 복수개 바디 브릿지를 포함할 수 있다.
센터 히터는 센터 바디의 상면과 바디 브릿지의 상면과 아우터 바디의 상면에 배치될 수 있다.
에지 히터는 아우터 바디의 상면에 배치될 수 있다.
본 실시 예에 따르면, 센터 히터와, 에지 히터에 의해 유전체의 중앙 영역과 비중앙 영역을 상이한 온도로 가열할 수 있고, 유전체의 중앙 영역이 과도하게 승온되는 것을 최소화할 수 있고, 공간을 균일한 온도로 빠르게 안정화할 수 있다.
또한, 멀티 존 히터가 유전체의 수용홈에 삽입되어 수용되므로, 플라즈마 장비의 높이를 최소화할 수 있다.
또한, 에지 히터의 목표 온도는 센터 히터의 목표 온도 보다 높기 때문에, 유전체의 중앙 영역 아래에 폴리머 등의 증착 물질이 집중되는 것을 최소화할 수 있다.
도 1은 본 실시 예에 따른 플라즈마 장비가 개략적으로 도시된 단면도,
도 2는 본 실시 예에 따른 플라즈마 장비의 챔버 상부가 도시된 사시도,
도 3은 본 실시 예에 따른 플라즈마 장비의 멀티 존 히터가 도시된 평면도이다.
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시 예를 도면과 함께 상세히 설명하도록 한다.
도 1은 본 실시 예에 따른 플라즈마 장비가 개략적으로 도시된 단면도이다.
플라즈마 장비는 플라즈마 공정 챔버(1A), 어퍼 챔버(1B), 유전체(2), 안테나(3) 및 멀티 존 히터(4)를 포함할 수 있다.
플라즈마 공정 챔버(1A)는 내부에 웨이퍼(W)가 수용되는 공간(S1)이 형성될 수 있다.
플라즈마 공정 챔버(1A)의 공간(S1)에는 웨이퍼(W)가 고정되는 척(11)이 배치될 수 있다. 척(11)에는 고주파 전원부(12)가 연결될 수 있다.
플라즈마 공정 챔버(1A)는 공간(S1)의 가스가 배출될 수 있는 가스 배출구(13)가 형성될 수 있다.
어퍼 챔버(1B)는 플라즈마 공정 챔버(1A)의 상측에 배치될 수 있다. 어퍼 챔버(1B)는 가스를 공간(S1)으로 공급하는 가스 공급구(14)가 형성될 수 있다.
유전체(2)는 어퍼 챔버(1B)에 배치될 수 있다. 유전체(2)는 공간(S1)의 상측에 배치될 수 있다. 유전체(2)의 하면(21)은 공간(S1)을 향할 수 있고, 유전체(2)의 상면(22)은 안테나(3) 및 멀티 존 히터(4)을 향할 수 있다.
유전체(2)의 일 예는 세라믹일 수 있고, 유전체 세라믹일 수 있다.
안테나(3)는 고주파 전원부(31)와 연결될 수 있고, 고주파 전원부(31)에서 고주파의 전원이 인가되면, 안테나(3)에서는 자기장이 생성될 수 있다.
안테나(3)에서 생성된 자기장은 유전체(2)를 통해서 전기장으로 유도될 수 있다. 이렇게 유도된 전기장은 공정 챔버(1)의 공간(S1)으로 공급된 가스와 반응하여 플라즈마를 생성할 수 있다. 공정 챔버(1)의 공간(S1)에 수용된 웨이퍼(W)는 플라즈마 반응할 수 있다.
멀티 존 히터(4)는 유전체(2)의 상면(22)에 배치될 수 있다. 멀티 존 히터(4)는 유전체(2)의 상측에서 유전체(2)를 가열할 수 있다.
유전체(2)의 하면(21)은 중앙 영역(23)과 비중앙 영역(24)을 포함할 수 있다.
중앙 영역(23)은 유전체(2)의 하면(21) 중앙을 포함하는 영역일 수 있다.
비중앙 영역(24)는 유전체(2)의 하면(21) 중앙을 포함하지 영역일 수 있다. 비중앙 영역(24)는 중앙 영역(23)을 둘러싸는 영역일 수 있고, 유전체(2)의 중앙과 유전체(2)의 테두리 중 유전체(2)의 테두리에 더 근접한 영역일 수 있다.
유전체(2)의 하면(21)에는 폴리머 등의 증착 물질이 증착될 수 있는데, 하면(21)의 중앙 영역(23)과 비중앙 영역(24)의 온도차가 클 경우, 중앙 영역(23)의 증착량과 비중앙 영역(24)의 증착량은 상이할 수 있다.
만약, 플라즈마 공정이 진행 도중에, 멀티 존 히터(4)가 유전체(2)의 중앙 영역과 비중앙 영역을 동일한 온도로 가열할 경우, 중앙 영역(23)은 비중앙 영역(24) 보다 고온일 수 있고, 이 경우 플라즈마 공정 챔버(1A)의 공간(S1)은 고르게 가열되지 못할 수 있다.
공간(S1)은 플라즈마 공정의 안정성을 위해 전체적으로 고른 온도 분포를 갖는 것이 바람직하고, 멀티 존 히터(4)는 유전체(2)의 중앙 영역과 비중앙 영역 중 비중앙 영역을 더 높은 온도로 가열하는 것이 바람직하다.
멀티 존 히터(4)는 유전체(2)의 복수 영역 중 비중앙 영역을 중앙 영역 보다 고온으로 가열하는 2 Zone 상부 히터일 수 있다. 이 경우, 유전체(2)의 비중앙 영역은 멀티 존 히터(4)에 의해 상대적으로 고온으로 가열되는 고온 가열 영역일 수 있고, 유전체(2)의 중앙 영역은 멀티 존 히터(4)에 의해 상대적으로 저온으로 가열되는 저온 가열 영역일 수 있다.
플라즈마 장비는 공간(S1)이나 유전체(2)나 멀티 존 히터(4)의 온도를 센싱하는 온도센서를 더 포함할 수 있다.
도 2는 본 실시 예에 따른 플라즈마 장비의 챔버 상부가 도시된 사시도이고, 도 3은 본 실시 예에 따른 플라즈마 장비의 멀티 존 히터가 도시된 평면도이다.
유전체(2)의 상면(22)에는 멀티 존 히터(4)가 삽입되는 수용되는 수용홈(23)이 함몰될 수 있다.
멀티 존 히터(4)는 도 3에 도시된 바와 같이, 금속 바디(5)와, 금속 바디(5)의 상면에 배치된 히터 선(6)을 포함할 수 잇다.
금속 바디(5)의 일 예는 SUS 재질일 수 있다.
히터 선(6)은 절연선과, 전열선을 둘러싸는 이산화망간을 포함할 수 있고, 금속 바디(5)는 차폐 기능을 할 수 있다. 멀티 존 히터(4)의 예는 시즈(sheath) 히터일 수 있다.
히터 선(6)은 센터 히터(7)와, 에지 히터(8)를 포함할 수 있다.
센터 히터(7)와 에지 히터(8)는 금속 바디(5)의 상면에 서로 이격되게 배치될 수 있다.
센터 히터(7)와 에지 히터(8)는 서로 상이한 온도로 제어될 수 있다. 에지 히터(8)의 목표 온도는 센터 히터(7)의 목표 온도 보다 높을 수 있다. 예를 들면 센터 히터(7)는 100℃의 목표 온도를 갖도록 제어될 수 있고, 에지 히터(8)는 120°℃의 목표 온도를 갖도록 제어될 수 있다.
플라즈마 장비는 센터 히터(7)와 에지 히터(8)로 인가되는 파워를 조절하는 파워 조절부를 포함할 수 있다. 파워 조절부는 에지 히터(8)의 온도가 센터 히터(7)의 온도 보다 높도록 에지 히터(8)의 출력을 센터 히터(7)의 출력 보다 높게 조절할 수 있다.
파워 조절부의 일 예는 이러한 출력차 조절을 플라즈마 공정 초기부터 실시하는 것이 가능하다.
파워 조절부의 다른 예는 플라즈마 공정 도중에 공간(S1)의 온도가 설정온도 이상이면 출력차 조절을 실시하는 것도 가능하다. 예를 들면, 파워 조절부는 플라즈마 공정 초기에는 에지 히터(8)의 출력과 센터 히터(7)의 출력을 동일하게 하고, 플라즈마 공정 도중에 공간(S1)의 온도가 설정온도 이상이 되면, 에지 히터(8)의 출력을 센터 히터(7)의 출력 보다 높게 하는 것이 가능하다.
이하, 멀티 존 히터(4)에 대해 상세히 설명한다.
금속 바디(5)는 센터 바디(51)와, 아우터 바디(52) 및 복수개 바디 브릿지(53)를 포함할 수 있다.
센터 바디(51)는 링 형상일 수 있다. 센터 바디(51)의 내측에는 내측 공간(S2)이 형성될 수 있다. 내측 공간(S2)은 상하 방향으로 개방될 수 있다.
아우터 바디(52)는 센터 바디(51)의 외둘레를 둘러쌀 수 있다. 아우터 바디(52)는 링 형상일 수 있다. 아우터 바디(52)의 내둘레 직경은 이너 바디(51)의 외둘레 직경 보다 클 수 있다. 아우터 바디(52)는 센터 바디(51)와 동심원을 갖을 수 있다.
복수개 바디 브릿지(53)는 센터 바디(51)와 아우터 바디(52) 사이에 형성될 수 있고, 센터 바디(51)와 아우터 바디(52)를 이을 수 있다.
복수개 바디 브릿지(53)는 센터 바디(51)의 외둘레와 아우터 바디(52)의 내둘레 사이에 방사상으로 배치될 수 있다.
센터 바디(51)와 아우터 바디(52)와 인접한 한 쌍의 바디 브릿지(53)는 외측 공간(S3)이 형성할 수 있다. 외측 공간(S3)은 상하 방향으로 개방될 수 있다.
금속 바디(5)에는 하나의 내측 공간(S2)과 복수개의 외측 공간(S3)이 형성 될 수 있다.
안테나(3)에서 생성된 자기장은 내측 공간(S2)과 외측 공간(S3)을 통과할 수 있다.
금속 바디(5)에는 커넥터 장착부(54)가 형성될 수 있고, 커넥터 장착부(54)에는 커넥터(55)가 장착될 수 잇다.
커넥터(55)는 파워 조절부와 리드 와이어 등으로 연결될 수 있다. 커넥터(55)는 센터 히터(7)와 연결되는 센터 히터 커넥터(56)과, 에지 히터(8)와 연결되는 에지 히터 커넥터(57)를 포함할 수 있다.
금속 바디(5)에는 장착부(58)이 형성될 수 있다. 장착부(58)는 아우터 바디(52)의 외둘레에 복수개 형성될 수 있다. 스크류 등의 체결부재는 장착부(58)를 어퍼 챔버(1B)나 유전체(2)에 체결할 수 있다.
센터 히터(7)와 에지 히터(8)는 센터 바디(51)와, 아우터 바디(52) 및 복수개 바디 브릿지(53)에 분산되어 배치될 수 있다.
히터 선(6)의 일 예는 센터 히터(7)가 센터 바디(51)의 상면과 바디 브릿지(53)의 상면과, 아우터 바디(52)의 상면에 배치될 수 있고, 에지 히터(8)가 아우터 바디(52)의 상면에 배치될 수 있다.
센터 히터(7)는 유전체(2)의 중앙 영역 상측에 배치된 상태에서 유전체(2)의 중앙 영역을 가열할 수 있다.
센터 히터(7)는 이너 센터 히터부(71)와, 아우터 센터 히터부(72)와, 이너 브릿지부(73)를 포함할 수 있다.
이너 센터 히터부(71)는 우호 형상일 수 있다. 이너 센터 히터부(71)는 센터 바디(51)의 상면에 배치될 수 있다.
아우터 센터 히터부(72)는 이너 센터 히터부(71)의 외측에서 이너 센터 히터부(71)의 외둘레를 둘러쌀 수 있다.
이너 브릿지부(73)는 이너 센터 히터부(71)와, 아우터 센터 히터부(72)를 이을 수 있다.
아우터 센터 히터부(72)는 단위 히터부(74)와, 복수개의 돌출부(75)를 포함할 수 있다.
단위 히터부(74)는 인접한 한 쌍의 돌출부(75)를 이을 수 있다. 아우터 센터 히터부(72)는 복수개의 단위 히터부(74)를 포함할 수 있다. 복수개의 단위 히터부(74)의 각각은 열호 형상일 수 있다. 복수개의 단위 히터부(74)는 센터 바디(51)의 상면에 배치될 수 있다.
단위 히터부(74)와 돌출부(75)는 원주방향으로 교대 형성될 수 있다.
복수개의 돌출부(75)는 방사상으로 돌출될 수 있다. 복수개의 돌출부(75)는 단위 히터부(74)에서 꺽인 형상일 수 있다.
복수개의 돌출부(75) 각각은 2열의 히터부(76)와, 2열의 히터부(76)을 잇는 브릿지부(77)을 포함할 수 있다. 2열의 히터부(76)는 서로 나란할 수 있다. 2열의 히터부(76) 각각의 일단은 단위 히터부(74)와 연결될 수 있고, 2열의 히터부(76) 각각의 타단은 브릿지부(77)와 연결될 수 있다.
복수개의 돌출부(75) 각각은 복수개 바디 브릿지(53)의 상면에 배치될 수 있다.
복수개의 돌출부(75) 중 일부(75A)는 에지 히터(8)의 내둘레를 향할 수 있다. 복수개의 돌출부(75) 중 나머지(75B)는 에지 히터(8)의 내둘레를 향하지 않을 수 있다.
아우터 센터 히터부(72)는 복수개의 돌출부(75) 중 나머지(75A)에서 에지 히터(8)의 원주 방향으로 연장된 연장부(78)를 더 포함할 수 있다.
연장부(78)는 열호 형상일 수 있다. 연장부(78)는 아우터 바디(52)의 상면에 배치될 수 있다. 연장부(78)는 아우터 바디(52)의 상면에 한 쌍 제공될 수 있다. 한 쌍의 연장부(78)는 반경 방향으로 이격되게 배치될 수 있다. 연장부(78)의 곡률과 에지 히터(8)의 곡률은 동일할 수 있다.
센터 히터(7)는 연장부(78)에서 절곡된 커넥터 연결부(79)을 포함할 수 있다. 커넥터 연결부(89)는 한 쌍 제공될 수 있다.
한 쌍의 커넥터 연결부(89) 중 어느 하나는 한 쌍의 연장부(57) 중 내측에 위치한 연장부에서 꺽인 형상으로 형성될 수 있다. 한 쌍의 커넥터 연결부(89) 중 다른 하나는 한 쌍의 연장부(57) 중 외측에 위치한 연장부에서 꺽인 형상으로 형성될 수 있다.
센터 히터(7)의 커넥터 연결부(79)는 한 쌍의 연장부(78) 각각에서 외측 방향으로 연장될 수 있고, 커넥터 장착부(54)의 상면에 배치될 수 있다.
센터 히터(7)의 커넥터 연결부(79)는 커넥터(55)의 센터 히터 커넥터(56)와 연결될 수 있다.
에지 히터(8)는 센터 히터(7)와 동일 평면 상에 배치될 수 있다. 에지 히터(8)는 아우터 바디(52)의 상면에 배치될 수 있다. 에지 히터(8)는 유전체(2)의 비중앙 영역 상측에 배치된 상태에서 유전체(2)의 비중앙 영역을 가열할 수 있다.
에지 히터(8)는 센터 히터(7)의 적어도 일부 외둘레를 둘러 쌀 수 있다.
에지 히터(8)는 이너 에지 히터부(81)와, 아우터 에지 히터부(82) 및 아우터 브릿지부(83)를 포함할 수 있다.
이너 에지 히터부(81)는 우호 형상일 수 있다.
아우터 에지 히터부(82)는 우호 형상일 수 있다. 아우터 에지 히터부(82)는 이너 에지 히터부(81)의 외측에서 이너 에지 히터부(81)의 외둘레를 둘러쌀 수 있다.
아우터 브릿지부(83)는 이너 에지 히터부(81)의 일단과, 아우터 에지 히터부(82)의 일단을 이을 수 있다.
에지 히터(8)는 이너 에지 히터부(81)의 타단과 아우터 에지 히터부(82)의 타단에서 절곡된 커넥터 연결부(89)을 포함할 수 있다. 에지 히터(8)의 커넥터 연결부(89)는 센터 히터(7)의 커넥터 연결부(79)와 나란할 수 있다. 에지 히터(8)의 커넥터 연결부(89)는 한 쌍 제공될 수 있다.
한 쌍의 커넥터 연결부(89) 중 어느 하나는 이너 에지 히터부(81)의 타단에서 꺽인 형상으로 형성될 수 있다. 한 쌍의 커넥터 연결부(89) 중 다른 하나는 아우터 에지 히터부(82)의 타단에서 꺽인 형상으로 형성될 수 있다.
에지 히터(8)의 커넥터 연결부(89)는 이너 에지 히터부(81)과 아우터 에지 히터부(82)에서 각각에서 외측 방향으로 연장될 수 있고, 커넥터 장착부(54)의 상면에 배치될 수 있다.
에지 히터(8)의 커넥터 연결부(89)는 커넥터(55)의 에지 히터 커넥터(57)와 연결될 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다.
따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
1A: 플라즈마 공정 챔버 1B: 어퍼 챔버
2: 유전체 3: 안테나
4: 멀티 존 히터 5: 금속 바디
6: 히터 선 7: 센터 히터
8: 에지 히터 22: 유전체의 상면

Claims (12)

  1. 내부에 공간이 형성된 플라즈마 공정 챔버;
    상기 공간의 상측에 배치된 유전체;
    상기 유전체의 상면에 배치된 멀티 존 히터를 포함하며,
    상기 멀티 존 히터는
    금속 바디와,
    상기 금속 바디의 상면에 배치되고, 히터 선을 포함하며,
    상기 히터 선은
    센터 히터와,
    상기 센터 히터의 적어도 일부의 외둘레를 둘러싸는 에지 히터를 포함하는
    플라즈마 장비.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 유전체의 상면에는 상기 멀티 존 히터이 삽입되는 수용되는 수용홈이 함몰된 플라즈마 장비.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 에지 히터의 목표 온도는 상기 센터 히터의 목표 온도 보다 높은 플라즈마 장비.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 히터 선은 절연선과, 상기 전열선을 둘러싸는 이산화망간을 포함하는 플라즈마 장비.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 센터 히터와 에지 히터는 상기 금속 바디의 상면에 서로 이격되게 배치된 플라즈마 장비.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 센터 히터는
    우호 형상인 이너 센터 히터부;
    상기 이너 센터 히터부의 외측에서 이너 센터 히터부의 외둘레를 둘러싸는 아우터 센터 히터부; 및
    상기 이너 센터 히터부와, 아우터 센터 히터부를 잇는 이너 브릿지부를 포함하고,
    상기 아우터 센터 히터부는 방사상으로 돌출된 복수개의 돌출부를 포함하는 플라즈마 장비.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 아우터 센터 히터부는 인접한 한 쌍의 돌출부를 잇고 열호 형상인 단위 히터부를 포함하는 플라즈마 장비.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 복수개의 돌출부 중 일부는 상기 에지 히터의 내둘레를 향하고,
    상기 복수개의 돌출부 중 나머지는 상기 에지 히터의 내둘레를 향하지 않는 플라즈마 장비.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 아우터 센터 히터부는 복수개의 돌출부 중 나머지에서 상기 에지 히터의 원주 방향으로 연장된 연장부를 더 포함하는 플라즈마 장비.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 에지 히터는
    우호 형상인 이너 에지 히터부;
    우호 형상이고 상기 이너 에지 히터부의 외측에서 이너 에지 히터부의 외둘레를 둘러싸는 아우터 에지 히터부; 및
    상기 이너 에지 히터부의 일단과, 아우터 에지 히터부의 일단을 잇는 아우터 브릿지부를 포함하는 플라즈마 장비.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속 바디는
    링 형상인 센터 바디;
    상기 센터 바디의 외둘레를 둘러싸고, 링 형상인 아우터 바디; 및
    상기 센터 바디와 아우터 바디를 잇는 복수개 바디 브릿지를 포함하는 플라즈마 장비.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 센터 히터는 상기 센터 바디의 상면과 상기 바디 브릿지의 상면과 상기 아우터 바디의 상면에 배치되고,
    상기 에지 히터는 상기 아우터 바디의 상면에 배치된 플라즈마 장비.
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