KR20240007199A - 진공 처리 시스템 및 공정 제어 - Google Patents
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Abstract
진공 처리 시스템(1)은 진공 챔버(10), 진공 챔버(10)에 연결되고 제어된 방식으로 진공 챔버(10) 내로 유체 유입을 제공하도록 구성된 제어 가능한 유체 도포 장치(30), 및 적어도 제어 가능한 유체 도포 장치(30)를 제어하기 위한 제어 및/또는 조절 유닛(40)을 포함한다. 진공 처리 시스템(1)은 대기 분석기(50)를 포함하고, 대기 분석기(50)는 진공 챔버(10) 내부의 대기 정보를 결정하고 대기 정보를 각각의 대기 신호로 제공하도록 배치 및 구성되고, 제어 및/또는 조절 유닛(40)은 대기 신호의 함수로서 제어 가능한 유체 도포 장치(30)를 제어하도록 구성된다.
Description
본 발명은 적어도 진공 챔버, 유체 도포 유닛(fluid application unit), 제어 유닛 및 대기 분석기를 포함하는 진공 처리 시스템에 관한 것이다.
공지된 진공 처리 시스템은, 예를 들어 가능한 한 오염 입자가 존재하지 않는 보호된 대기에서 수행되어야 하는 IC, 반도체 또는 기판 제조 분야에서 광범위하게 사용된다.
이러한 유형의 진공-챔버 시스템은 특히, 처리되거나 생산될 반도체 소자 또는 기판을 수용하기 위해 제공되고 적어도 하나의 진공 챔버 개구부를 갖는 적어도 하나의 비울 수 있는 진공 챔버를 포함하며, 진공 챔버 개구부를 통해 반도체 소자 또는 다른 기판이 진공 챔버 안팎으로 안내될(conducted) 수 있다. 통상적으로, 진공 챔버를 비우기 위한 적어도 하나의 진공 펌프와 공정 가스를 인가하기 위한 적어도 하나의 가스 입구 밸브가 제공된다. 예를 들어, 반도체 웨이퍼 또는 액정 기판 제조 공장에서, 고감도 반도체 소자 또는 액정 소자는 여러 공정 진공 챔버를 순차적으로 통과하며, 여기서 공정 진공 챔버 내에 위치한 부품은 각 인스턴스에서 처치 디바이스에 의해 처리된다. 공정 진공 챔버 내의 처치 공정 동안 그리고 챔버에서 챔버로의 수송 동안 고감도 반도체 소자 또는 기판은 항상 보호된 대기 - 특히 공기가 없는 환경에 배치되어야 한다.
전술한 시스템을 통해 생산되는 기판이 고감도 품질이기 때문에, 예를 들어 - 특히 진공이나 입구 밸브의 작동에 의해 또는 수송 시스템에 의해 발생되는 - 입자의 생성과 진공 챔버 내 자유 입자의 수는 가능한 한 낮게 유지되어야 한다. 입자의 생성은 통상적으로 마찰의 결과이며, 예를 들어, 금속/금속 접촉 및 마모의 결과이다.
이를 위해 진공 조절 밸브 또는 이송 밸브와 같이 특별히 설계된 진공 밸브가 민감한 반도체 소자 생산에 적용된다.
진공-조절 밸브는 공정 챔버에서 규정된 공정 환경(예를 들어, 압력)을 설정하기 위해 사용된다. 폐-루프 제어는 챔버 내부 압력에 관한 정보를 제공하는 압력 신호를 기반으로, 그리고 폐-루프 제어를 통해 획득하려는 목표 변수 - 즉 공칭 압력 - 을 기반으로 수행될 수 있다. 그런 다음 밸브 셔터(밸브 디스크)의 위치는 일정 시간 기간 내에 공칭 압력이 획득되는 방식으로 폐-루프 제어 범위 내에서 변경된다.
예를 들어, 반도체를 생산하기 위한 기판 처리는 잘-규정되고 제어된 조건 하에서 수행되어야 한다. 이러한 처리는 특히 기판 상에 원자 또는 분자 층을 증착하는 것을 포함할 수 있다.
화학 기상 증착(CVD)은 진공 증착 방법이며 고감도 기판을 생산하는 데 적용할 수 있다. 이 공정은 반도체 산업에서 박막을 생산하는 데 자주 사용된다. 통상적인 CVD에서, 웨이퍼(기판)는 하나 이상의 휘발성 전구체에 노출되며, 이는 기판 표면 상에서 반응 및/또는 분해되어 원하는 증착물을 생성한다.
원자층 에피택시 또는 보다 일반적으로 알려진 원자층 증착(ALD: atomic layer deposition)이 기상 화학 공정의 순차적 사용을 기반으로 하는 박막 증착 기술이다. 이 공정은 반도체 산업에서 박막을 생산하는 데에도 자주 사용된다. 대부분의 ALD 반응은 전구체(반응체라고도 함)라고 하는 두 가지 화학 물질을 사용한다. 이러한 전구체는 순차적이고 자기-제어 방식으로 한 번에 하나씩 물질 표면과 반응한다. 별도의 전구체에 반복 노출을 통해 박막이 천천히 증착된다. ALD는 반도체 디바이스 제조의 핵심 공정이 되었으며 또한 나노 물질 합성에도 사용된다.
원자층 증착 동안, 막은 표면을 대체 가스 종(통상적으로 전구체라고 함)에 노출하여 기판 상에서 성장한다. 화학 기상 증착과 달리, 전구체는 반응기 내에 동시에 존재하는 것이 아니라, 일련의 순차적이고 겹치지 않는 펄스로 삽입된다. 이러한 각 펄스에서 전구체 분자는 자기-제어 방식으로 표면과 반응하여, 일단 표면 상의 모든 반응 부위가 소모되면 반응이 종료된다. 모든 전구체에 대한 단일 노출(소위 ALD 사이클) 후 표면 상에 증착된 물질의 최대량은 전구체-표면 상호 작용의 특성에 의해 결정된다. 4 사이클의 수를 변화시킴으로써 임의로 복잡하고 큰 기판 상에서 균일하고 높은 정밀도로 물질을 성장시키는 것이 가능하다.
원자층 증착의 자매 기술인 분자층 증착(MLD: molecular layer deposition)은 유기 전구체를 사용하기 원하는 경우에 사용된다. ALD/MLD 기술을 조합하면, 많은 응용 분야를 위해 고도로 정각이고 순수한 하이브리드 막을 만드는 것이 가능하다.
추가 표면 처리 기술은 원자층 에칭(ALE: atomic layer etching)이라고 하며, 이는 물질의 증착과 반대되는 효과를 제공하는 것으로 이해될 수 있다. 원자층 에칭을 수행하여 기판으로부터 물질이 제거된다. 여기서 반응체는 제거되는 표면이나 물질을 공격하는 데 사용된다.
위의 증착 공정 중 하나 또는 진공 챔버 내부의 임의의 다른 공정을 안정적으로 수행하기 위한 한 가지 요구 사항은 각 공정에 대한 공칭(목표) 대기 상태에 대응하는 진공 용적(챔버) 내부의 대기를 제공하는 것이다.
예를 들어, 챔버에 플라즈마를 인가하는 증착 사이클 동안 휘발성 부산물이 생성될 수 있다. 더욱이, (독점적으로) 제2 전구체가 사용되어야 하는 후속 처리 단계를 시작할 때 제1 전구체가 (일부) 여전히 존재할 수 있다.
이러한 공정 상의 오염은 통상적으로 규정된 시간 기간 동안 반응 챔버를 통과하는 가스 흐름에 의해 원하지 않는 유체(예를 들어, 전구체)를 제거하여 방지하려고 한다. 제1 공정 사이클은 진공 챔버를 제1 전구체로 채우면서 수행된다. 제1 공정 사이클을 마친 후 진공 챔버는 플러싱 유체(질소 등과 같은)로 적극적으로 플러싱되거나 제1 전구체가 다운스트림을 통해 추출되는 동안 규정된 시간 기간이 경과되도록 한다. 그 후, 다음 공정 사이클을 위해 진공 용적이 깨끗한 것으로 간주되고 다음 사이클이 시작된다.
상술한 ALD 단계는 통상적으로 시간-제어 방식으로 수행되며, 즉 각 사이클은 미리 규정된 기간 동안 실행된다.
결과적으로, 처리 중에 발생할 수 있는 결함은 제품 결함으로 이어지며 발생 당시에는 인식되지 않지만 대부분 나중에 인식된다. 이러한 결함은 다운스트림-추출이 불충분하여 2차 처리 단계 시작할 때 제1 전구체가 존재하거나, 입구 밸브의 손상으로 인해 필요한 전구체의 농도가 불충분해지는 등의 이유로 인해 발생할 수 있다. 또한 시간 간격은 최적으로 선택되지 않을 수 있지만(신뢰할 수 있는 처리 단계를 제공하면서 가능한 한 짧게) 불필요한 허용 오차로 설정될 수 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 상술한 단점을 극복할 수 있는 개선된 진공 처리 시스템을 제공하는 것이다.
특히, 본 발명의 목적은 연속적인 처리 단계를 더욱 효율적으로(시간 소모가 적음) 수행하는 개선된 진공 처리 시스템을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 비교적 많은 수의 공정 사이클에 걸쳐 더욱 신뢰할 수 있는 방식으로 기판을 처리하는 개선된 진공 처리 시스템을 제공하는 것이다.
이러한 목적은 독립항의 특징적인 특성의 실현을 통해 달성된다. 대안적이거나 유리한 방식으로 본 발명을 더욱 발전시키는 특성은 종속항으로부터 수집될 수 있다.
본 발명의 기본 아이디어는 진공 챔버(소위: 진공 용적, 공정 용적, 공정 챔버 또는 처리 챔버)의 내부 대기에 관한 상태 정보를 결정하기 위한 유닛을 제공하는 것이다. 상태 정보는 내부 대기에 대한 화학적 정보일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다. 이러한 유닛은 진공 챔버에 존재하는 유체(예를 들어, 가스 또는 액체)의 농도 및/또는 조성을 결정하는 데 사용되는 대기 분석기일 수 있다. 물론 대기 분석기는 규정된 유체 또는 규정된 화학종이 존재하는지 여부를 확인하는 데에도 사용될 수 있다.
대기 분석기는 진공 챔버 내부로부터 각각의 정보가 획득될 수 있도록 배치된다. 이를 위해, 대기 분석기는 진공 챔버 내부에 배치될 수도 있고, 예를 들어 튜브, 광섬유 및/또는 전송 창을 통해 내부로부터 각각의 데이터를 수신하는 방식으로 배치될 수도 있다.
대기 분석기는 제어 및/또는 조절 유닛과 유체 도포 장치를 추가로 포함하는 진공 처리 시스템의 일부이다. 유체 도포 장치는 전구체와 같은 적어도 하나의 규정된 유체를 처리 챔버에 도포하는 것을 제공한다. 유체 도포 장치는 제어 및/또는 조절 유닛에 의해 제어 가능하도록 설계될 수 있다.
제어 및/또는 조절 유닛은 대기 분석기 및 유체 도포 장치에 (유선 또는 무선으로) 연결된다. 제어 및/또는 조절 유닛은 유체 도포 장치가 대기 분석기에 의해 제공될 수 있는 정보의 함수로서 제어될 수 있도록 추가로 구성된다.
따라서, 본 발명은 진공 챔버와, 진공 챔버에 연결되고 제어된 방식으로 진공 챔버 내로 적어도 하나의 유체의 유입을 제공하도록 구성된 제어 가능한 유체 도포 장치를 포함하는 진공 처리 시스템에 관한 것이다. 특히, 진공 처리 시스템은 진공 챔버에 연결되고 진공 챔버로부터 유체 또는 가스의 추출을 제공하도록 구성되는 다운스트림 유닛을 포함할 수 있다.
진공 처리 시스템은 또한 적어도 제어 가능한 유체 도포 장치를 제어하기 위한 제어 및/또는 조절 유닛을 포함한다.
또한, 진공 처리 시스템은 대기 분석기를 포함한다. 대기 분석기는 진공 챔버 내부로부터 대기 정보를 결정하고 각각의 대기 신호를 제공하도록 배치 및 구성된다. 제어 및/또는 조절 유닛은 대기 신호의 함수로서 제어 가능한 유체 도포 장치를 제어하도록 구성된다.
유리하게는, 진공 처리 시스템은 챔버 내부의 실제 대기 상태의 결정에 기초하여 챔버 내로의 유체의 입구를 제어할 수 있게 한다. 이를 통해, 단일 또는 다수의 처리 단계의 시간 소비 측면에서 공정 사이클이 최적화될 수 있다. 즉, 미리 규정된 대기 상태에 도달할 때까지는 연속적인 처리 단계가 개시될 수 없다.
대안적으로 또는 추가적으로, 진공 처리 시스템은 시스템 자체의 적절한 동작을 확인할 수 있게 한다. 이는 챔버 내부의 유체 또는 화학종의 농도를 측정 또는 모니터링하고 이러한 측정 데이터를 모니터링된 유체 유입에 대한 슈드-비 데이터와 비교함으로써 실현될 수 있다. 비교된 데이터가 일치하는 경우, 예를 들어 미리 규정된 허용 오차 한도 내에서, 시스템 또는 특히 유체 도포 디바이스는 적절하게 동작하고 있는 것으로 간주될 수 있다.
진공 처리 시스템의 실시예에서 제어 및/또는 조절 유닛은 전-처리 또는 확인 기능을 포함할 수 있다. 전-처리 기능은 실행 시 제어 가능한 유체 도포 장치에 의해 규정된 유체의 진공 챔버 내로의 유입이 제공되고 진공 챔버 내부의 규정된 유체의 농도가 규정된 유체의 유입 동안에 대기 분석기에 의해 결정되도록 구성될 수 있으며, 규정된 유체의 농도는 대기 정보를 나타낸다.
유체의 제어된 도포 및 관련 화학물질 농도의 각각의 결정은 처리 단계의 최적화된 제어를 위한, 특히 현재 처리 단계를 중단하거나 연속적인 처리 단계를 개시하기 위한 기초를 제공한다.
본 발명의 실시예에서, 전-처리 기능의 실행은 규정된 시간 간격 후에 적어도 한 번 규정된 유체의 농도를 추가로 결정하는 것을 포함하며, 시간 간격은 규정된 유체가 진공 챔버 내로 유입되기 시작하면서 시작된다. 규정된 유체의 결정된 농도는 사전-임계값과 비교되며 전-처리 정보는 해당 비교의 함수로서 제공된다.
본 발명의 실시예에 따르면 - 전-처리 기능의 실행 시 - 규정된 유체의 농도가 지속적으로 결정된다. 규정된 유체의 결정된 농도는 제어 가능한 유체 도포 장치에 의한 규정된 유체의 도포를 위한 공칭 농도 변화와 비교되고 전-처리 정보는 비교의 함수로서 제공된다.
전-처리 정보의 비교 및/또는 제공은 대기 신호에 기초하여 예를 들어 제어 및/또는 조절 유닛 측에서 처리될 수 있거나, 대기 정보에 직접 기초하여 예를 들어 대기 분석기 측에서 처리될 수 있다. 후자의 경우, 전-처리 정보는 대기 신호로 표현될 수 있다. 즉, 제어 및/또는 조절 유닛은 대기 분석기에서 구현될 수도 있고, 별도의 유닛으로 구현될 수도 있다. 위의 내용은 제어 및/또는 조절 유닛에 의해 제공되는 임의의 다른 기능에 적용될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 전-처리 정보는 제어 가능한 유체 도포 장치의 상태, 제어 가능한 유체 도포 장치의 동작 신뢰성(적절한 동작) 및/또는 후속 처리 단계를 시작하기 위한 트리거 포인트에 관한 정보를 제공할 수 있다.
따라서 전-처리 기능은 잘 규정된 처리 단계 제어 또는 시스템 무결성 확인을 제공할 수 있다. 한편으로, 전-처리 기능은 유체 도포 장치, 예를 들어 전구체의 유입을 제어하도록 구성된 가스 입구 밸브 또는 질량 흐름 제어기가 규정된 한계 내에서 작동하는지, 즉 유체 도포 장치가 손상되거나 오작동을 포함하는지를 확인할 수 있게 한다. 이러한 확인은 유체 도포 유닛의 동작 시간이나 남은 수명을 결정하기 위해 적용될 수도 있다. 이를 통해, 유체 도포 장치의 예측 유지 관리가 가능해지며, 즉 유체 도포 장치는 규정된 시간 또는 사이클 간격 후에 교체되거나 서비스받아야 하는 것이 아니라 요청 시 교체되거나 서비스 받을 수 있다.
반면, 전-처리 기능은 처리 단계의 개시를 적시에 제어할 수 있게 하며, 즉 챔버 내부에서 원하는 입자 농도에 도달하는 즉시 방전을 인가하거나 플라즈마를 점화할 수 있게 한다. 이를 통해, 원하는 처리 단계가 가능한 한 신속히 개시되어, 예를 들어 각각의 전구체에 대해 규정된 유입-시간에 기초하여 최소 입자 농도를 보장하기 위해 임의의 불필요한 도포 시간을 피하면서 필요한 제품 품질을 안정적으로 획득할 수 있다. 이것은 결과적으로 제품 품질을 유지하면서 처리 속도가 빨라지고 처리 사이클이 단축된다.
본 발명의 실시예에서, 제어 가능한 유체 도포 장치는 전-처리 정보의 함수로서 제어될 수 있으며, 여기서 규정된 유체의 진공 챔버 내로의 내부 흐름이 감소 및/또는 중단된다. 즉, 예를 들어 목표 농도에 도달할 때 밸브를 통과하는 가스(전구체) 흐름이 감소되도록 입구 밸브 또는 질량 흐름 제어기가 제어될 수 있다.
사전-임계값은 규정된 화학종의 농도에 대해 미리-규정된 값일 수 있거나 통상적으로 최적(원하는) 농도 값 주위의 허용 범위를 포함할 수 있는 농도 범위로 제공될 수 있다. 사전-임계값은 규정된 시간 기간에 걸쳐 입자(분자) 농도의 변화 또는 진행으로 표시될 수 있다. 사전-임계값은 특정 처리 단계를 수행하기 전에 설정되거나 측정될 수 있고 및/또는 잘-규정된 공칭 처리 조건 하에서 특정 처리 단계를 수행하는 동안 측정될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 제어 및/또는 조절 유닛은 후-처리 기능을 포함할 수 있다. 후-처리 기능이 수행되면 진공 챔버 내부의 대기 특성(특징)이 대기 분석기에 의해 결정되고, 결정된 대기 특성은 후-처리-임계값과 비교되며 제어 가능한 유체 도포 장치는 결정된 대기 특성과 후-처리-임계값의 비교의 함수로 제어된다.
후-처리-임계값은 규정된 화학종의 농도에 대해 미리-규정된 값일 수 있거나 통상적으로 최적(원하는) 농도 값 주위의 허용 범위를 포함할 수 있는 농도 범위로 제공될 수 있다. 후-처리-임계값은 규정된 시간 기간에 걸쳐 입자(분자) 농도의 변화 또는 진행으로 표시될 수 있다. 후-처리-임계값은 특정 처리 단계를 수행하기 전에 설정되거나 측정될 수 있고 및/또는 잘-규정된 공칭 처리 조건 하에서 특정 처리 단계를 수행하는 동안 측정될 수 있다. 후-처리-임계값은 서로에 대한 특정 화학 원소(원자, 분자 또는 화학종)의 비율을 나타낼 수 있다. 후-처리-임계값은 진공 챔버에 존재하도록 허용된 화학종 목록(화이트리스트)을 포함할 수 있다. 반대로, 후-처리-임계값은 대안적으로 또는 추가적으로 진공 챔버에 존재하는 것이 허용되지 않는 화학종 목록(블랙리스트)을 포함할 수 있다.
대기 특성은 규정된 유체의 농도, 진공 챔버의 내부 대기와 관련된 화학 조성 및/또는 화학 조성의 일부인 화학 원소 또는 화학 분자의 특정 농도 또는 비율로 표시될 수 있다.
일 실시예에서, 제어 가능한 유체 도포 장치는 (결정된 대기 특성과 후-처리-임계값의 비교의 함수로서) 규정된 유체의 진공 챔버 내로의 유입이 감소 및/또는 중단되고, 및/또는 추가로 규정된(상이한) 유체의 진공 챔버 내로의 내부 흐름이 제공되도록 제어된다. 이를 통해, 제1 전구체의 농도가 규정된 수준(후-처리-임계값) 아래로 떨어지는 즉시 다른 전구체의 도포를 필요로 하는 연속 처리 단계가 개시될 수 있다.
따라서, 실시예에서, 후-처리 기능의 실행 시, 후속 처리 단계는 결정된 대기 특성과 후-처리-임계값의 비교 함수로서 트리거된다.
특히, 후-처리 기능의 실행 시, 다운스트림 유닛은 결정된 대기 특성과 후-처리-임계값의 비교 함수로 제어될 수 있으며, 여기서 진공 챔버로부터 유체를 추출하기 위한 유량은 비교의 함수로서 증가하거나 감소한다. 이는 유체 추출 속도를 증가시키기 위해, 즉 두 개의 연속적인 처리 단계 사이의 시간(지연)을 감소시키기 위해 수행될 수 있다. 다운스트림 유닛은 제어 가능한 진공 펌프 및/또는 제어 가능한 진공 밸브, 특히 진공 제어 밸브를 포함할 수 있다.
실시예에 따르면, 후-처리 기능의 실행은 규정된 처리 단계를 시작 및/또는 수행함으로써 트리거될 수 있다. 이러한 방식으로 규정된 처리 단계가 모니터링될 수 있으며 상술한 대로 (시간 소모와 관련하여) 최적화된 방식으로 연속적인 처리 단계가 개시될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서 농도는:
- 화학종의 몰 농도,
- 단위 부피당 질량,
- 질량 농도,
- 부피 농도,
- 분자 수 밀도, 및/또는
- 물질량의 백분율 중 적어도 하나일 수 있다.
일 실시예에서, 제어 가능한 유체 도포 장치는 적어도 2개의 가스 입구 밸브 또는 적어도 2개의 질량 흐름 제어기(MFC: mass flow controller)를 포함한다. 일 실시예에서, 제어 가능한 유체 도포 장치는 적어도 하나의 가스 입구 밸브와 적어도 하나의 질량 흐름 제어기(MFC)를 포함한다. 예를 들어, MFC는 가스 주입에 사용될 수 있고 입구 밸브는 액체 전구체 주입에 사용될 수 있다.
본 발명은 또한 진공 챔버에서 진공 처리 사이클을 조절하는 방법에 관한 것이다. 이 방법은 제1 처리 단계를 수행하는 것을 포함한다. 제1 처리 단계는
- 진공 챔버에서 처리될 기판을 제공하는 단계로서, 상기 기판은 규정된 표면 특성을 갖는, 상기 기판 제공 단계,
- 진공 챔버 내부의 제1 전구체의 농도를 증가시키는 단계로서, 상기 제1 전구체는 표면 상에 증착되도록 설계되는, 상기 제1 전구체 농도 증가 단계,
- 특히 진공 챔버 내부에 플라즈마를 인가하는 단계, 및
- 규정된 시간 기간 후에 진공 챔버 내부의 제1 전구체의 농도를 감소시키는 단계 중 적어도 하나를 포함한다.
플라즈마의 인가와 관련하여, 이는 전구체 활성화에 사용될 수 있다. 대안적으로, 활성화는 열 또는 증가된 온도에 의해 수행될 수 있다.
이 방법에 따르면, 제1 처리 단계가 반복되거나 제2 처리 단계가 개시된다.
이 방법은 또한 진공 챔버 내부의 제1 전구체의 농도를 지속적으로 결정하는 단계 및 제1 전구체의 결정된 농도의 함수로서 제1 처리 단계를 반복하거나 제2 처리 단계를 개시하는 단계를 트리거하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에서, 진공 챔버 내부의 제1 전구체의 농도가 규정된 낮은 임계값 아래로 떨어진 것으로 결정되는 즉시 제2 처리 단계가 시작될 수 있으며, 낮은 임계값(후-처리-임계값)은 제1 전구체의 허용 가능한 잔류 농도를 나타낸다.
특히, 제2 처리 단계는 제2 전구체를 진공 챔버 내로 유입시키는 것을 포함할 수 있으며, 제2 전구체는 제1 전구체와 상이하다.
본 발명은 또한 상술한 실시예 중 어느 하나에 따른 진공 처리 시스템의 적절한 동작을 확인하는 방법에 관한 것이다. 이 방법은
- 유체의 진공 챔버 내로의 규정된 유입을 시작하기 위해 제어 가능한 유체 도포 장치에 신호를 제공하는 단계,
- 대기 분석기에 의해 진공 챔버 내부의 유체의 농도를 지속적으로 결정하는 단계,
- 결정된 농도를 기준 농도와 비교하는 단계로서, 기준 농도는 유체 도포 장치에 의한 슈드-비 유체 유입(should-be fluid inflow)과 슈드-비 유체 유입 구간 사이의 관계를 나타내는, 상기 비교 단계, 및
- 결정된 농도와 기준 농도의 비교에 기초하여 유체 도포 장치의 실제 동작 상태에 관한 정보를 제공하는 단계를 포함한다.
따라서 실제 동작 상태에 관한 정보는 주어진 한계 내의 적절한 동작에 관한 정보 또는 오작동 발생에 관한 정보를 제공할 수 있다.
본 발명은 또한, 기계-판독 가능 매체 상에 저장되거나 프로그램 코드 세그먼트를 포함하는 전자기파에 의해 구현되는 프로그램 코드를 포함하고, 특히 위의 진공 처리 시스템 상에서 실행될 때, 상술한 임의의 방법을 수행 및/또는 제어하기 위한 컴퓨터-실행 가능 명령을 갖는 컴퓨터 프로그램 제품에 관한 것이다.
본 발명에 따른 디바이스 및 방법은 도면에 개략적으로 도시된 작업 예를 참조하여 순전히 예로서 하기에 더욱 자세히 기술되거나 또는 설명된다. 구체적으로,
도 1은 본 발명에 따른 진공 처리 시스템의 제1 실시예의 개략도를 도시하고;
도 2는 본 발명에 따른 진공 처리 시스템의 다른 실시예를 도시하고;
도 3은 본 발명에 따른 진공 처리 시스템의 다른 실시예를 도시한다.
도 1은 본 발명에 따른 진공 처리 시스템의 제1 실시예의 개략도를 도시하고;
도 2는 본 발명에 따른 진공 처리 시스템의 다른 실시예를 도시하고;
도 3은 본 발명에 따른 진공 처리 시스템의 다른 실시예를 도시한다.
도 1은 본 발명에 따른 진공 처리 시스템(1)의 실시예를 도시한다.
시스템(1)은 진공 처리 챔버(10)를 포함한다. 처리 챔버(10)는 예를 들어 로봇과 같은 자동화된 수송 시스템을 통해 처리될 기판(11) 또는 작업물을 수용하도록 구성 및 설계된다. 기판(11)은 진공 챔버(10) 내로 반입되고, 규정된 처리 단계가 수행되고, 그 후에 처리된 기판(11)이 진공 챔버(10)로부터 반출된다.
시스템(1)은 또한 진공 챔버(10)에 연결된 다운스트림 유닛(20)을 포함한다. 다운스트림 유닛(20)은 진공 용적(10) 내부의 가스 압력을 조절하기 위해 진공 용적(10)에 배치되고 연결된다. 이 실시예에 따르면, 다운스트림 유닛(20)은 진공 펌프(21) 및 진공 조절 밸브(22)를 포함한다. 진공 펌프(21) 및/또는 진공 조절 밸브(22)는 제어 가능한 구성 요소로 설계되었으며, 이는 진공 펌프(21)의 실제 흡입 출력 및/또는 밸브 개구부의 실제 교차 흡입이 각각의 제어 신호를 적용할 때 변화할 수 있다는 것을 의미한다. 이러한 조절에 의해 진공 챔버(10)로부터의 유체 유출 속도 및 캐비티 압력이 변화되고 설정될 수 있다.
또한, 시스템(1)은 유체 도포 장치(30)를 구축하는 제어 가능한 입구 밸브 세트(여기서는 3개)를 포함한다. 유체 도포 장치(30)는 진공 챔버(10)에 연결되고 적어도 하나의 유체의 진공 챔버(10) 내로의 유입을 제어된 방식으로 제공하도록 구성된다. 이 실시예에서, 유체 도포 장치(30)는 3개의 상이한 유체, 특히 3개의 상이한 전구체의 도포를 제어하도록 구성된다. 각각의 입구 밸브는 개별적으로 제어될 수 있으며, 예를 들어 규정된 시간 기간 동안 펄스 방식으로 각각의 전구체를 주입하도록 제어될 수 있다.
전구체는 캐리어 가스에 의해 운반되는 가스 또는 물질의 증기일 수 있다. 따라서, 문맥상 또는 본 발명에서, 전구체는 유체인 것으로 이해되어야 한다.
제어 및/또는 조절 유닛(40)도 또한 제공된다. 제어 및/또는 조절 유닛(40)은 제어 가능한 유체 도포 장치(30) 및 다운스트림 유닛(20)에 연결된다. 이를 통해, 진공 챔버(10) 내로 흐르는 규정된 전구체의 양과 이러한 유입에 대한 처리 사이클 동안의 규정된 시점이 제어될 수 있다. 진공 용적(10) 내부의 진공 압력도 마찬가지로 제어될 수 있다.
진공 처리 시스템(1)은 대기 분석기(50)를 포함한다. 대기 분석기(50)는 진공 챔버(10) 내부의 대기 정보가 결정될 수 있도록 배치 및 구성된다. 분석기(50)는 각각의 대기 신호를 제공할 수 있다. 알 수 있는 바와 같이, 대기 분석기(50)는 제어 및/또는 조절 유닛(40)에 연결된다. 각각, 제어 및/또는 조절 유닛(40)은 대기 분석기(50)에 의해 제공되는 정보 또는 신호를 수신하도록 구성된다.
대기 분석기(50)는 화학 조성 및/또는 화학 원소 또는 화학종, 특히 공정 챔버(10) 내부에 존재하는 유체 또는 가스의 농도를 결정하도록 구축될 수 있다.
대기 분석기(50)는 광학 방출 분광계(OES: Optical Emission Spectrometer), 잔류 가스 분석기(RGA: Residual Gas Analyser) 또는 공명 분광계(RES: Resonance Spectrometer)일 수 있다.
대기 분석기(50)의 작동 원리는 적외선(IR) 또는 라만 분광법, 가스 크로마토그래피(GC: gas chromatography) 또는 분석 목적(예를 들어, 전자 공명)을 위해 전자기파 또는 전자기 신호를 사용하는 다른 원리에 기초할 수 있다.
진공 처리 시스템(1)은 진공 처리 시스템(1)의 적어도 하나의 구성 요소의 적절한 동작을 확인하도록 구성될 수 있다. 확인되는 구성 요소는 바람직하게는 유체 도포 장치(30)일 수 있다. 적절한 동작은 규정된 유체의 진공 챔버(10) 내로의 유입량을 정확하게 제어하는 것으로 이해될 수 있고, 유입되는 유체의 양은 유체 도포 장치(30)에 대한 또는 유체 도포 장치(30)의 적어도 하나의 가스 입구 밸브에 대한 알려진 기준량(목표량)에 대응한다. 즉, 유체 도포 장치(30)는 진공 챔버(10)에 정확한 양의 유체를 제공하도록 설계되고, 진공 처리 시스템(1)은 제공된 양이 슈드-비 양(should-be amounts)에 대응하는지 확인하도록 구성될 수 있다.
적절한 동작을 확인하기 위해, 제어 유닛(40)은 각각의 확인 기능을 포함한다. 이러한 확인 기능은 기능 실행 시 다음 단계: 규정된 유체의 챔버(10) 내로의 규정된 유입을 제어하는 단계; 유입하는 유체의 농도를 특히 지속적으로 측정하는 단계; 및 측정된 농도를 각각의 기준 농도와 비교하는 단계를 제공 및/또는 제어한다.
확인 기능은 바람직하게는 알고리즘으로 구현되어 제어 유닛(40)에 직접 저장되거나, 컴퓨터 판독 가능 매체에 제공되거나 예를 들어 네트워크나 인터넷을 통해 원격으로(전자파로서) 제공될 수 있다. 이것은 제어 유닛(40)에 의해 제공되는 임의의 다른 기능에도 적용될 수 있다.
측정된 농도가 각각의 기준 농도와 일치하는 경우, 유체 도포 장치(30)는 적절하게 동작하는 것으로 간주된다.
기준 농도는 농도 범위일 수 있으며, 즉 특정 농도 허용 오차를 포함할 수 있다.
측정된 농도가 각각의 기준 농도와 일치하지 않는 경우, 유체 도포 장치(30)는 적절하게 동작하지 않는 것으로 간주되며, 즉 도포 장치(30)가 손상되거나 오작동한다.
이러한 확인 기능의 한 가지 장점은 시스템(1)의 품질 및/또는 수율에 대한 개선된 감독을 가능하게 하는 것과 관련된다. 농도를 감독하는 센서(50)(대기 분석기)는 유체(예를 들어, 가스 전구체)가 공정에 존재하는지를 직접 검출할 수 있다. 유체가 존재하지 않는 것으로 검출되면(유체가 없거나 낮은 농도의 유체만 감지되면) 이는 하나의 가스 입구 밸브의 결함으로 인한 것일 수 있다. 결과적으로, 이 정보는 제어 유닛(40) 또는 매인 도구 제어기에 직접 공급될 수 있으며, 진공 챔버(10)에서의 처리가 중단되어 제품 손실을 방지할 수 있다.
이러한 유형의 공정 결함은 통상적으로 검출하기가 매우 어렵다. 표준 ALD 입구 밸브는 밸브의 액추에이터(구동)만 직접 감독할 수 있고 액추에이터에 의해 움직이는 각각의 멤브레인(밸브 내부에 밀봉 제공)은 감독할 수 없으며, 즉 액추에이터에 관한 정보는 이용 가능하지만 밀봉 소자(멤브레인)의 상태에 관한 정보는 이용 가능하지 않는다. 이러한 밀봉 소자에 결함이 있는 경우(예를 들어, 달라붙어 공정 챔버 내로의 가스 주입을 허용하지 않기 때문에), 발생하는 가스 결함 문제는 특히 캐리어 가스를 사용하여 전구체를 운반하는 경우 검출하기가 쉽지 않다. 이러한 결함이 검출되지 않는 한, 결함이 있는 제품(웨이버)이 출력될 수 있다.
제어 및/또는 조절 유닛(40)은 처리 챔버(10)에서 기판의 처리를 제어하기 위한 조절 기능을 더 포함할 수 있다. 조절 기능은 기능의 실행 시 다음의 단계: 진공 챔버에서 처리될 기판을 제공하는 단계로서, 상기 기판은 규정된 표면 특성을 갖는, 상기 기판 제공 단계; 진공 챔버 내부의 제1 전구체의 농도를 증가시키는 단계로서, 상기 제1 전구체는 표면 상에 증착되도록 설계되는, 상기 제1 전구체의 농도 증가 단계; 규정된 시간 기간 후에 - 진공 챔버 내부의 제1 전구체의 농도를 감소시키는 단계를 제공 및/또는 제어한다. 위의 단계를 수행한 후 연속적인 처리 단계가 수행될 수 있다.
상이한 처리 단계에서 사용되는 두 개의 상이한 유체(전구체) 사이에 임의의 원하지 않는 상호 작용이 발생하지 않도록 하기 위해, 조절 기능은 제1 처리 단계의 유체 농도 및/또는 유체 구성의 제어를 제공하고 검출된 농도 및/또는 조성의 함수로서 연속적인 처리 단계를 개시한다. 이러한 처리 단계의 분리는 ALE/ALD에 의해 기판을 안정적으로 생산하는 데 필수적일 수 있다.
이를 통해, 이러한 사이클 공정(ALD/ALE)의 높은 수율과 생산성이 가능해진다. 전구체 농도 및/또는 조성에 관한 정보는 각 레시피 단계의 공정 시간을 최적화(예를 들어, 단축)하고(처리량 증가) 원하지 않는(우발적인) (예를 들어, 2개 이상의 전구체의) 유체 혼합을 방지하여 입자 문제를 방지할 수 있다. 이 기능은 각각의 알고리즘에 의해 실현될 수 있다.
제1 처리 단계에 사용되는 전구체의 농도가 충분히 낮지 않거나 허용 가능하지 않기 전에 제2 처리 단계에 사용될 전구체가 도입되면, 이는 원하지 않는 화학 반응을 초래할 수 있다. 이는 반도체 디바이스에 해로운 입자 생성으로 이어질 수 있다(예를 들어, 수율에 영향을 미쳐 웨이퍼/칩 스크랩이 발생). 따라서 각각의 전구체 농도를 감독하고, 이전 전구체 반응체가 제거되고 및/또는 규정된 농도 아래로 감소되어 계획된 생산 공정에 아무런 위험도 초래하지 않는 경우에만 다음 공정 단계가 시작되도록 허용하기 위해 조절 기능이 제공된다.
반면에, 제어기는 각 처리 단계의 끝점에서 주어진 전구체 농도에 도달하기 위해, 더 이상 각 단계의 시간 기간을 감독할 필요가 없다. 이는 사이클 처리 단계의 제어가 처리 디바이스(예를 들어, 유체 도포 장치(30))의 시간-기반 개방 루프 제어에서 농도-결정 폐루프 제어로 전환될 수 있음을 의미한다.
이로 인해 시간 측면에서 최적화된 공정 순서를 유발한다. 오버헤드가 제거되어 사이클 수가 더 빠르게 완료될 수 있으므로(측정된 농도가 충분한 수준에 도달하는 즉시) 처리량을 높일 수 있다.
대기 분석기(50)는 상이한 전구체의 농도를 검출하는 데 사용될 수 있다. 분석기(50)의 출력 신호는 또한 (제어기(40)를 통해) 진공 제어 밸브(22)의 적응형 제어에 추가될 수도 있다. 센서 신호 강도는 전구체 유형 종의 농도와 직접적으로 관련될 수 있다. 전구체 종의 농도가 공정 파라미터에 의해 허용되는 특정 임계값 아래로 떨어지는 즉시 다음 공정 단계가 시작될 수 있다. 필요한 경우 다른 유체를 도입되어 전구체를 더 빠르게 희석하고 배출되도록 할 수 있다.
도 2는 본 발명에 따른 진공 처리 시스템(1)의 다른 실시예를 도시한다.
진공 처리 시스템(1)은 대기 분석기(50)의 설계 및 배치에 의해 도 1의 시스템과 구별된다. 대기 분석기(50)는 진공 챔버(10) 외부에 위치한다. 본 실시예에서 대기 분석기(50)는 광학 센서이며 광학 효과, 예를 들어 원자 또는 분자에 의한 빛의 산란 또는 흡수 및 빛의 방출을 통해 특정 종의 화학적 조성 및/또는 화학적 농도를 결정하도록 구성된다.
시스템(1)은, 대기 분석기(50)를 처리 챔버(10)와 연결하고 전자기 신호의 양방향 전송을 제공하는 광 커플러(51)를 포함하며, 전자기 신호는 예를 들면 방사선 측정, 광 측정, 광빔 측정, 시준광 측정, 레이저 광 측정 등일 수 있다. 광 커플러(51)는 광 섬유 또는 광학 소자, 예를 들어, 전자기 신호의 원하는 안내를 제공하는 시준기, 렌즈, 조리개 등을 포함할 수 있다.
특히, 진공 챔버(10)는 적어도 (전자기 신호의) 특정 측정 파장의 전자기 방사선의 양방향 전송을 허용하는 전송 창을 포함한다. 특히, 측정 광은 챔버(10) 내부로 투과될 수 있고 측정 광의 반사 또는 상호작용은 전송 창을 통해 챔버(10) 외부에서 검출될 수 있다.
도 3은 본 발명에 따른 진공 처리 시스템(1)의 다른 실시예를 도시한다.
도 3의 진공 처리 시스템(1)은 적어도 대기 분석기(50)의 배치에 의해 도 1의 시스템과 구별된다. 대기 분석기(50)는 진공 챔버(10)와 다운스트림 유닛(20) 사이에 배치된다.
대기 분석기(50)는 분석기(50)를 통해 흐르는 유체를 분석하도록 설계된다. 대기 분석기(50)는 잔류 가스 분석기(RGA), 즉 일종의 질량 분석기로 구현되는 것이 바람직하다. 따라서, 대기 분석기(50)는 예를 들어 불순물 또는 규정된 화학종을 검출하도록 설계된다.
본 발명이 일부 특정 실시예를 부분적으로 참조하여 위에 예시되었지만, 실시예의 다양한 변형과 상이한 특징의 조합이 이루어질 수 있다는 것과, 상이한 특징이 서로 조합되거나 종래 기술에 공지된 진공 도포와 조합될 수 있다는 것이 이해되어야 한다.
Claims (20)
- 진공 처리 시스템(1)으로서,
진공 챔버(10),
상기 진공 챔버(10)에 연결되고 제어된 방식으로 상기 진공 챔버(10) 내로 유체 유입을 제공하도록 구성된 제어 가능한 유체 도포 장치(30; controllable fluid application arrangement),
적어도 상기 제어 가능한 유체 도포 장치(30)를 제어하기 위한 제어 및/또는 조절 유닛(40) 및
대기 분석기(50)를 포함하고,
상기 대기 분석기(50)는, 상기 진공 챔버(10) 내부의 대기 정보를 결정하고 상기 대기 정보를 각각의 대기 신호로 제공하도록 배치 및 구성되고,
상기 제어 및/또는 조절 유닛(40)은 상기 대기 신호의 함수로서 상기 제어 가능한 유체 도포 장치(30)를 제어하도록 구성되는, 진공 처리 시스템(1). - 제1항에 있어서, 상기 제어 및/또는 조절 유닛(40)은 실행 시
상기 진공 챔버(10) 내로의 규정된 유체의 유입이 상기 제어 가능한 유체 도포 장치(30)에 의해 제공되고
상기 진공 챔버(10) 내부의 상기 규정된 유체의 농도가 상기 규정된 유체의 유입 동안 상기 대기 분석기(50)에 의해 결정되는,
전-처리 기능을 포함하고,
상기 규정된 유체의 상기 농도는 상기 대기 정보를 나타내는 것을 특징으로 하는, 진공 처리 시스템(1). - 제2항에 있어서, 상기 전-처리 기능의 실행 시
상기 규정된 유체의 상기 농도는 규정된 시간 간격 후에 적어도 한 번 결정되고, 상기 시간 간격은 상기 규정된 유체가 상기 진공 챔버(10) 내로 유입되기 시작하면서 시작되고,
상기 규정된 유체의 상기 결정된 농도는 사전-임계값과 비교되며,
전-처리 정보가 상기 비교의 함수로서 제공되는 것을 특징으로 하는, 진공 처리 시스템(1). - 제2항에 있어서, 상기 전-처리 기능의 실행 시
상기 규정된 유체의 상기 농도는 지속적으로 결정되고,
상기 규정된 유체의 상기 결정된 농도는 상기 제어 가능한 유체 도포 장치에 의해 상기 규정된 유체의 도포에 대한 공칭 농도 변화와 비교되고
전-처리 정보가 상기 비교의 함수로서 제공되는 것을 특징으로 하는, 진공 처리 시스템(1). - 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 전-처리 정보는
상기 제어 가능한 유체 도포 장치(30)의 상태,
상기 제어 가능한 유체 도포 장치(30)의 동작 신뢰성 및/또는
후속 처리 단계를 시작하기 위한 트리거 포인트에 관한 정보를 제공하는 것을 특징으로 하는, 진공 처리 시스템(1). - 제3항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전-처리 기능의 실행 시 상기 제어 가능한 유체 도포 장치(30)는 상기 전-처리 정보의 함수로서 제어되고, 상기 진공 챔버(10) 내로의 상기 규정된 유체의 내부 흐름이 감소 및/또는 중단되는 것을 특징으로 하는, 진공 처리 시스템(1).
- 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제어 및/또는 조절 유닛(40)은 실행 시
상기 진공 챔버 내부의 대기 특성이 상기 대기 분석기(50)에 의해 결정되고,
상기 결정된 대기 특성이 후-처리-임계값과 비교되며,
상기 제어 가능한 유체 도포 장치(50)가 상기 결정된 대기 특성과 상기 후-처리-임계값의 상기 비교의 함수로서 제어되는 후-처리 기능을 포함하는 것을 특징으로 하는, 진공 처리 시스템(1). - 제7항에 있어서, 상기 제어 가능한 유체 도포 장치(50)는
상기 진공 챔버(10) 내로의 상기 규정된 유체의 내부 흐름이 감소 및/또는 중단되고/되거나,
상기 진공 챔버(10) 내로의 다른 규정된 유체의 내부 흐름이 제공되도록 제어되는 것을 특징으로 하는, 진공 처리 시스템(1). - 제7항 또는 제8항에 있어서, 상기 후-처리 기능의 실행 시 다운스트림 유닛(20)이 상기 결정된 대기 특성과 상기 후-처리-임계값의 상기 비교의 함수로서 제어되고, 상기 진공 챔버(10)로부터 가스를 추출하기 위한 유량이 상기 비교의 함수로서 증가되거나 감소되는 것을 특징으로 하는, 진공 처리 시스템(1).
- 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 후-처리 기능의 실행 시, 상기 결정된 대기 특성과 상기 후-처리-임계값의 상기 비교의 함수로서 후속 처리 단계가 트리거되는 것을 특징으로 하는, 진공 처리 시스템(10).
- 제7항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 후-처리 기능의 상기 실행은 규정된 처리 단계를 시작 및/또는 수행함으로써 트리거되는 것을 특징으로 하는, 진공 처리 시스템(1).
- 제7항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 대기 특성은
상기 규정된 유체의 농도,
상기 진공 챔버(10)의 상기 내부 대기와 관련된 화학적 조성 및/또는
상기 화학적 조성의 일부인 화학 원소 또는 화학 분자의 특정 농도에 의해 표현되는 것을 특징으로 하는, 진공 처리 시스템(1). - 제2항 내지 제6항 중 어느 한 항 또는 제2항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 농도는 다음:
화학종의 몰 농도,
단위 부피당 질량,
질량 농도,
부피 농도,
분자의 수 밀도 및/또는
물질량의 백분율 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는, 진공 처리 시스템(1). - 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제어 가능한 유체 도포 장치(30)는
적어도 하나의 가스 입구 밸브 및 적어도 하나의 질량 흐름 제어기 또는
적어도 두 개의 가스 입구 밸브 또는 적어도 두 개의 질량 흐름 제어기를 포함하는 것을 특징으로 하는, 진공 처리 시스템(1). - 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 진공 처리 시스템(1)은, 상기 진공 챔버(10)에 연결되고 상기 진공 챔버로부터 유체의 추출을 제공하도록 구성된 다운스트림 유닛(20)을 포함하는 것을 특징으로 하는, 진공 처리 시스템.
- 진공 챔버(10)에서 진공 처리 사이클을 조절하기 위한 방법으로서,
제1 처리 단계를 수행하는 단계로서, 상기 제1 처리 단계는
상기 진공 챔버(10)에서 처리될 기판을 제공하는 단계로서, 상기 기판은 규정된 표면 특성을 갖는, 상기 기판 제공 단계,
상기 진공 챔버(10) 내부의 제1 전구체의 농도를 증가시키는 단계로서, 상기 제1 전구체는 상기 표면 상에 증착되도록 설계되는, 상기 농도 증가 단계,
특히 상기 진공 챔버(10) 내부에 플라즈마를 인가하는 단계, 및
규정된 시간 기간 후에 상기 진공 챔버(10) 내부의 상기 제1 전구체의 상기 농도를 감소시키는 단계를 포함하는, 상기 제1 처리 단계 수행 단계, 및
상기 제1 처리 단계를 반복하거나 제2 처리 단계를 개시하는 단계를 포함하는 상기 진공 처리 사이클을 조절하기 위한 방법에 있어서:
상기 진공 챔버(10) 내부의 상기 제1 전구체의 상기 농도를 지속적으로 결정하는 단계, 및
상기 제1 전구체의 상기 결정된 농도의 함수로서 상기 제1 처리 단계를 반복하거나 제2 처리 단계를 개시하는 단계를 트리거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 진공 처리 사이클 조절 방법. - 제16항에 있어서, 상기 진공 챔버(10) 내부의 상기 제1 전구체의 상기 농도가 규정된 낮은 임계값 아래로 떨어지는 즉시 상기 제2 처리 단계가 시작되고, 상기 낮은 임계값은 상기 제1 전구체의 허용 가능한 잔류 농도를 나타내는 것을 특징으로 하는, 진공 처리 사이클 조절 방법.
- 제17항에 있어서, 상기 제2 처리 단계는 상기 제1 전구체와 상이한 제2 전구체를 상기 진공 챔버(10) 내로 유입시키는 단계를 포함하는 것을 하는 것을 특징으로 하는, 진공 처리 사이클 조절 방법.
- 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 따른 진공 처리 시스템(1)의 적절한 동작을 확인하는 방법에 있어서:
상기 유체의 상기 진공 챔버(10) 내로의 규정된 유입을 시작하기 위해 상기 제어 가능한 유체 도포 장치(30)에 신호를 제공하는 단계,
상기 대기 분석기(50)에 의해 상기 진공 챔버(10) 내부의 상기 유체의 상기 농도를 지속적으로 결정하는 단계,
상기 결정된 농도를 기준 농도와 비교하는 단계로서, 상기 기준 농도는 상기 유체 도포 장치에 의한 슈드-비 유체 유입(should-be fluid inflow)과 상기 슈드-비 유체 유입의 구간 사이의 관계를 나타내는, 상기 비교 단계, 및
상기 결정된 농도와 상기 기준 농도의 상기 비교에 기초하여 상기 유체 도포 장치(30)의 실제 동작 상태에 관련된 정보를 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 진공 처리 시스템(1)의 적절한 동작 확인 방법. - 컴퓨터 프로그램 제품으로서, 기계-판독 가능 매체 상에 저장되는 프로그램 코드를 포함하거나 프로그램 코드 세그먼트를 포함하는 전자기파에 의해 구현되고, 특히 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 따른 진공 처리 시스템(1) 상에서 실행될 때, 제16항 내지 제19항 중 어느 한 항에 따른 방법을 수행 및/또는 제어하기 위한 컴퓨터-실행 가능 명령을 갖는, 컴퓨터 프로그램 제품.
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