KR20240006173A - Scrubber efficiency measurement device for scrubber process - Google Patents

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KR20240006173A
KR20240006173A KR1020220082912A KR20220082912A KR20240006173A KR 20240006173 A KR20240006173 A KR 20240006173A KR 1020220082912 A KR1020220082912 A KR 1020220082912A KR 20220082912 A KR20220082912 A KR 20220082912A KR 20240006173 A KR20240006173 A KR 20240006173A
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채광식
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우성이엔디주식회사
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Abstract

스크러버는 과불화합물, 산성가스, 휘발성 유기화합물, 분진 등을 정화하여 대기로 방출하는 중요한 1차 환경 설비라고 할 수 있으며, 배출가스에 대한 처리 방식은 연소, 열, 플라즈마, 촉매, 흡착제 등을 사용하여 오염 물질을 처리하게 된다. 최근에는 낮은 수준의 에너지를 이용한 고효율 장비의 필요성이 증대되고 있으며, 고효율의 특성을 장기적으로 유지하기 위해서 배출되는 가스의 농도 및 실시간 모니터링 기술의 중요성이 증대되고 있다.
장비의 노후화 및 고장 시에는 그 조건을 만족시킬 수 없는 상황으로 동작이 계속 진행될 수 있다. 이러한 이상 상황을 배제하기 위해서는 스크러버의 운전상태를 연속적으로 모니터링하고 아울러 배출가스에 대한 저감효율을 연속 측정하여 저감 효율을 일정 수준 이상으로 높이는 측정 및 피드백 시스템이 필수적이다.
이를 위하여 본 발명에서는 스크러버에서 사용할 수 있는 가스측정 장치와 이를 이용한 스크러버 효율을 계산할 수 있는 수단을 제공한다. 이러한 구성에 의하여 스크러버에서 배출되는 가스를 더욱 줄임으로써 지구온난화를 조금이라도 더 방지하고, 지연시킬 수 있는 효과가 있다.
A scrubber can be said to be an important primary environmental facility that purifies perfluorinated compounds, acidic gases, volatile organic compounds, and dust and discharges them into the atmosphere. The treatment methods for exhaust gases include combustion, heat, plasma, catalyst, and adsorbents. Thus, contaminants are treated. Recently, the need for high-efficiency equipment using low levels of energy has increased, and the importance of technology for monitoring the concentration of gases emitted and real-time monitoring in order to maintain high efficiency characteristics over the long term is increasing.
When equipment ages or fails, operation may continue in a situation where the conditions cannot be met. In order to exclude such abnormal situations, a measurement and feedback system that continuously monitors the operating status of the scrubber and continuously measures the reduction efficiency for exhaust gases to increase the reduction efficiency above a certain level is essential.
To this end, the present invention provides a gas measuring device that can be used in a scrubber and a means for calculating scrubber efficiency using the same. This configuration has the effect of preventing and delaying global warming by further reducing the gases emitted from the scrubber.

Description

스크러버 공정의 스크러버 효율 측정장치{.}Scrubber efficiency measurement device for scrubber process{.}

본 발명은 반도체 공정 부산물로 배출되는 가스 및 부산물을 처리하기위한 스크러버에 관한 기술이다. 더욱 자세하게는 상기 스크러버의 가스제거 효율을 측정하는 기술에 관한 것이다.The present invention relates to a scrubber for treating gases and by-products discharged as by-products of semiconductor processing. More specifically, it relates to a technology for measuring the gas removal efficiency of the scrubber.

본 출원 발명 이전의 선행기술로 반도체 및 엘씨디(LCD) 제조 공정에 사용되는 공정용 가스의 열반응이 활발히 일어날 수 있도록 상기 가스를 예열하여 활성화시키는 예열부와; 상기 예열부를 통과하면서 활성화된 공정용 가스를 고온의 반응 챔버 내부에서 가열하여 열반응시키는 열반응부와; 열반응시에 생성된 고형 미립자를 포집하여 이 미립자를 가스와 분리하는 분리부와; 상기 분리부에서 분리된 고형 미립자를 모으는 집진부와; 상기 예열부와 분리부에 온기(溫氣) 및 냉기(冷氣)를 각각 공급하는 냉ㆍ온기 공급 수단을 포함하는 기술이 개시되어 있다.According to the prior art prior to the invention of this application, a preheating unit for preheating and activating the process gas used in the semiconductor and LCD manufacturing process so that the thermal reaction of the gas can actively occur; a thermal reaction unit that heats the process gas activated while passing through the preheating unit inside a high-temperature reaction chamber to cause a thermal reaction; a separation unit that collects solid particles generated during thermal reaction and separates the particles from gas; a dust collection unit that collects solid particles separated from the separation unit; A technology including cold and hot air supply means for supplying hot air and cold air to the preheating unit and the separation unit, respectively, is disclosed.

또 다른 선행기술로는 사이클론을 이용한 반도체 폐가스 처리용 스크러버에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 반도체 폐가스 중 고상 파우더 및 난분해성 질소 불화물을 효율적으로 필터링할 수 있고, 또한 압력 손실이 없는 사이클론을 이용한 반도체 폐가스 처리용 스크러버를 제공하는 기술이 개시되어 있다.Another prior technology concerns a scrubber for semiconductor waste gas treatment using a cyclone. The technical problem to be solved is to efficiently filter solid powder and non-decomposable nitrogen fluoride in semiconductor waste gas, and also to use a cyclone without pressure loss. A technology for providing a scrubber for processing semiconductor waste gas is disclosed.

등록특허공보 제10-0303150호Registered Patent Publication No. 10-0303150 등록특허공보 제10-1519553호Registered Patent Publication No. 10-1519553

스크러버는 과불화합물, 산성가스, 휘발성 유기화합물, 분진 등을 정화하여 대기로 방출하는 중요한 1차 환경 설비라고 할 수 있으며, 배출가스에 대한 처리 방식은 연소, 열, 플라즈마, 촉매, 흡착제 등을 사용하여 오염 물질을 처리하게 된다. 최근에는 낮은 수준의 에너지를 이용한 고효율 장비의 필요성이 증대되고 있으며, 고효율의 특성을 장기적으로 유지하기 위해서 배출되는 가스의 농도 및 실시간 모니터링 기술의 중요성이 증대되고 있다. A scrubber can be said to be an important primary environmental facility that purifies perfluorinated compounds, acidic gases, volatile organic compounds, and dust and discharges them into the atmosphere. The treatment methods for exhaust gases include combustion, heat, plasma, catalyst, and adsorbents. Thus, contaminants are treated. Recently, the need for high-efficiency equipment using low levels of energy has increased, and the importance of technology for monitoring the concentration of gases emitted and real-time monitoring in order to maintain high efficiency characteristics over the long term is increasing.

장비의 노후화 및 고장 시에는 그 조건을 만족시킬 수 없는 상황으로 동작이 계속 진행될 수 있다. 이러한 이상 상황을 배제하기 위해서는 스크러버의 운전상태를 연속적으로 모니터링하고 아울러 배출가스에 대한 저감효율을 연속 측정하여 저감 효율을 일정 수준 이상으로 높이는 측정 및 피드백 시스템이 필수적이다.When equipment ages or fails, operation may continue in a situation where the conditions cannot be met. In order to exclude such abnormal situations, a measurement and feedback system that continuously monitors the operating status of the scrubber and continuously measures the reduction efficiency for exhaust gases to increase the reduction efficiency above a certain level is essential.

본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위하여 하기의 과제해결 수단을 제공한다.The present invention provides the following problem solving means to solve the above problems.

반도체 공정 중 화학기상증착공정 또는 식각공정에서 사용되는 공정가스 및 세정용 가스의 저감을 위하여 사용되는 스크러버의 효율을 측정하기 위하여 상기 스크러버에 투입되는 유입가스의 농도와 배출되는 농도를 이용하여 하기의 (식2)와 (식3)을 이용하여 스크러버위 효율을 계산하는 스크러버 효율 계산방법을 제공한다.In order to measure the efficiency of the scrubber used to reduce the process gas and cleaning gas used in the chemical vapor deposition process or the etching process during the semiconductor process, the concentration and discharge concentration of the incoming gas fed into the scrubber were used to measure the efficiency of the scrubber as follows. A scrubber efficiency calculation method is provided to calculate the scrubber efficiency using (Equation 2) and (Equation 3).

Figure pat00001
......(식 2)
Figure pat00001
......(Equation 2)

Figure pat00002
......(식 2)
Figure pat00002
......(Equation 2)

..

..

Figure pat00003
......(식 2)
Figure pat00003
......(Equation 2)

Figure pat00004
Figure pat00004

.....(식 3).....(Equation 3)

또한, 반도체 공정 중 화학기상증착공정 또는 식각공정에서 사용되는 공정가스 및 세정용 가스의 저감을 위하여 사용되는 스크러버의 효율을 측정하기 위하여 투입되는 유입가스의 농도와 배출되는 농도를 이용하여 하기의 (식2)와 (식4)을 이용하여 스크러버위 효율을 지구온난화지수를 고려하여 계산하는 스크러버 효율 계산방법을 제공한다.In addition, in order to measure the efficiency of the scrubber used to reduce the process gas and cleaning gas used in the chemical vapor deposition process or the etching process during the semiconductor process, the concentration of the incoming gas and the discharged concentration are used to measure the efficiency as shown below ( Using Equation 2) and (Equation 4), we provide a scrubber efficiency calculation method that calculates the scrubber efficiency by considering the global warming potential.

Figure pat00005
......(식 2)
Figure pat00005
......(Equation 2)

Figure pat00006
......(식 2)
Figure pat00006
......(Equation 2)

..

..

Figure pat00007
......(식 2)
Figure pat00007
......(Equation 2)

Figure pat00008
Figure pat00008

......(식 4)......(Equation 4)

또한, 스크러버 효율 측정용 가스측정장치에 있어서, 4.56um 에서 11um의 주파수의 광을 발생하는 광원; 및 상기 광원에서 발생하는 광이 샘플가스를 통과하기위한 측정셀; 및 상기 측정셀에 샘플가스를 공급하는 샘플가스 유입로; 및Additionally, in the gas measuring device for measuring scrubber efficiency, a light source that generates light with a frequency of 4.56um to 11um; and a measurement cell for allowing light generated from the light source to pass through a sample gas. and a sample gas inflow path that supplies sample gas to the measurement cell. and

상기 샘플가스가 배출되는 배출구; 및 샘플가스가 있는 상기 측정셀을 통과한 상기 광원의 빛을 수신하여 측정하는 멀티 적외선 센서; 및 상기 멀티 적외선 센서는 중심 주파수는 각각 4.56.um, 4.66um, 11.00um 및 7.5um 이고, 상기 중심주파수에서 좌우로 0.1um의 밴드폭을 가지는 밴드패스 필터로 구성되는 것을 특징으로 하는 스크러버 효율 측정용 가스측정장치를 제공한다.an outlet through which the sample gas is discharged; and a multi-infrared sensor that receives and measures light from the light source that has passed through the measurement cell containing the sample gas. And the multi-infrared sensor has center frequencies of 4.56.um, 4.66um, 11.00um, and 7.5um, respectively, and measures scrubber efficiency, characterized in that it consists of a bandpass filter with a bandwidth of 0.1um left and right from the center frequency. Provides a gas measuring device for

또한, 상기 멀티 적외선 센서의 4.56.um, 4.66um 및 11.00um 밴드필터를 통과한 신호의 측정값을 상기 7.5um를 통과한 밴드패스필터에서 측정한 신호의 값으로 나누어 줌으로써, 측정된 신호의 크기를 상기 광원에서 발생한 빛의 세기에 관계없이 표준화하여 측정하는 것을 특징으로 하는 스크러버 효율 측정용 가스측정장치를 제공한다. In addition, by dividing the measured value of the signal that passed through the 4.56.um, 4.66um, and 11.00um band filters of the multi-infrared sensor by the value of the signal measured by the bandpass filter that passed the 7.5um, the size of the measured signal Provides a gas measuring device for measuring scrubber efficiency, which is characterized in that it standardizes and measures regardless of the intensity of light generated from the light source.

또한, 상기 스크러버 효율 측정용 가스측정장치의 효율은 하기 식 5를 이용하여 계산하는 것을 특징으로 하는 스크러버 효율 측정용 가스측정장치를 제공한다. In addition, a gas measuring device for measuring scrubber efficiency is provided, wherein the efficiency of the gas measuring device for measuring scrubber efficiency is calculated using Equation 5 below.

Figure pat00009
...(식 5)
Figure pat00009
...(Equation 5)

또한, 상기 스크러버 효율 측정용 가스측정장치의 효율은 하기 식 6을 이용하여 계산하는 것을 특징으로 하는 스크러버 효율 측정용 가스측정장치를 제공한다.In addition, a gas measuring device for measuring scrubber efficiency is provided, wherein the efficiency of the gas measuring device for measuring scrubber efficiency is calculated using Equation 6 below.

Figure pat00010
Figure pat00010

......(식 6)......(Equation 6)

상기와 같은 구성에 의하여 스크러버의 효율을 측정하고, 이를 상기 스크러버의 운전에 피드백하여 제어함으로써 스크러버에서 배출되는 가스를 더욱 줄임으로써 지구온난화를 조금이라도 더 방지하고, 지연시킬 수 있는 효과가 있다.With the above configuration, the efficiency of the scrubber is measured, and this is fed back and controlled to the operation of the scrubber, thereby further reducing the gas emitted from the scrubber, which has the effect of preventing and delaying global warming.

도1은 식각공정에 투입되는 입력과 생산되는 출력을 개념도로 도시하고 있다.
도2는 화학기상증착공정에 투입되는 입력과 생산되는 출력을 개념도로 도시하고 있다.
도3은 일반적인 NDIR(Non-Dispersive Infrared Gas Analyzers) 가스 측정 시스템의 개념도이다.
도4는 멀티 NDIR 가스센서의 단면도 이다.
도5는 본 발명의 스크러버 효율측정 장치의 구성도이다.
도6은 본 발명의 스크러버 효율측정에 사용할 NF3 가스의 흡광 스펙트럼이다.
도7은 본 발명의 스크러버 효율측정에 사용할 CF4 가스의 흡광 스펙트럼이다.
Figure 1 shows a conceptual diagram of the input input and output produced in the etching process.
Figure 2 shows a conceptual diagram of the input input and output produced in the chemical vapor deposition process.
Figure 3 is a conceptual diagram of a general NDIR (Non-Dispersive Infrared Gas Analyzers) gas measurement system.
Figure 4 is a cross-sectional view of a multi-NDIR gas sensor.
Figure 5 is a configuration diagram of the scrubber efficiency measurement device of the present invention.
Figure 6 is an absorption spectrum of NF3 gas used to measure scrubber efficiency of the present invention.
Figure 7 is an absorption spectrum of CF4 gas used to measure scrubber efficiency of the present invention.

지구온난화가 현실이 되어 각 나라별로 기상악화에 따른 피해가 증가하는 오늘날 지구온난화를 막기 위한 각국의 노력이 진행 중이다. 지구온난화 가스로는 화석연료의 사용에 따른 CO2의 증가가 가장 대표적이나, 화석연료와 달리 F 계열 가스는 CO2 가스와 비교하면 최대 수만 배가 넘는 온실가스로 분류되고 있으며, 이러한 가스는 산업현장에서 많이 사용되고 있으며 특히, ICT 기술의 발전과 함께 반도체 공정에서는 웨이퍼 식각을 비롯한 세정 단계에서 많이 사용되고 있는 가스다. Today, as global warming has become a reality and damage from bad weather is increasing in each country, efforts are being made in each country to prevent global warming. The most representative global warming gas is the increase in CO2 due to the use of fossil fuels, but unlike fossil fuels, F-series gases are classified as greenhouse gases that are up to tens of thousands of times more powerful than CO2 gases, and these gases are widely used in industrial sites. In particular, with the development of ICT technology, it is a gas that is widely used in the cleaning stage, including wafer etching, in the semiconductor process.

반도체와 디스플레이 산업은 스마트폰의 확대, 빅데이터의 활용에 따른 메모리 수요의 급증에 따라 점점 더 대형화 및 고집적화가 필요하게 되었으며 이를 생산하기 위한 생산라인의 확대로 이어지고 있다. 반도체 제조 공정은 온난화를 유발하는 과불화합물이 공정 또는 세정 과정에서 다량으로 사용되고 있으며, 이에 따라 사용 후 반응되지 않은 가스와 공정반응을 생산된 부산물의 처리에 대한 중요성이 증가하고 있고 반도체공정 이후에 배출되는 가스는 반드시 처리되어 대기 중으로 배출되어야 한다.The semiconductor and display industries are becoming increasingly larger and more highly integrated due to the rapid increase in demand for memory due to the expansion of smartphones and the use of big data, leading to the expansion of production lines to produce them. In the semiconductor manufacturing process, large amounts of perfluorochemicals that cause warming are used during the process or cleaning process. Accordingly, the importance of processing unreacted gases and by-products produced from process reactions is increasing, and the emissions after the semiconductor process are increasing. The resulting gas must be treated and released into the atmosphere.

도1과 도2에 도시된 바와 같이 반도체 공정에서 투입되어 사용되는 가스 상 물질은 CHF3, CH2F2, CF4, C3F8, C4F8, NF3, SF6, C4F6, C5F8 등이고, 에너지원은 LNG, 전력을 사용하고 있으며, 유출물질은 웨이퍼, CHF3, CH2F2, CF4, C3F8, C4F8, NF3, SF6, C4F6, C5F8, CO2, NO, N2O, CO, HC 계열의 미반응 가스 성분이 배출되고 있다. As shown in Figures 1 and 2, the gaseous substances used in the semiconductor process are CHF3, CH2F2, CF4, C3F8, C4F8, NF3, SF6, C4F6, C5F8, etc., and the energy sources are LNG and electric power. , the effluents are wafers, CHF3, CH2F2, CF4, C3F8, C4F8, NF3, SF6, C4F6, C5F8, CO2, NO, N2O, CO, and HC series of unreacted gas components.

상기의 가스가 대기로 바로 배출되지 않도록 저감하는 장비를 스크러버로 통칭하고 있다. 상기 스크러버는 미 반응 또는 반응 부산물의 처리를 할 수 있도록 제작된다. Equipment that reduces the above gases so that they are not directly discharged into the atmosphere is commonly referred to as a scrubber. The scrubber is manufactured to treat unreacted or reaction by-products.

상기 스크러버는 과불화합물, 산성가스, 휘발성 유기화합물, 분진 등을 정화하여 대기로 방출하는 중요한 1차 환경 설비라고 할 수 있으며, 배출가스에 대한 처리 방식은 연소, 열, 플라즈마, 촉매, 흡착제 등을 사용하여 오염 물질을 처리하게 된다. 최근에는 낮은 수준의 에너지를 이용한 고효율 장비의 필요성이 증대되고 있으며, 고효율의 특성을 장기적으로 유지하기 위해서 배출되는 가스의 농도 및 실시간 모니터링 기술의 중요성이 증대되고 있다. The scrubber can be said to be an important primary environmental facility that purifies perfluorinated compounds, acidic gases, volatile organic compounds, dust, etc. and releases them into the atmosphere, and the treatment methods for the exhaust gas include combustion, heat, plasma, catalyst, and adsorbent. It is used to treat pollutants. Recently, the need for high-efficiency equipment using low levels of energy has increased, and the importance of technology for monitoring the concentration of gases emitted and real-time monitoring in order to maintain high efficiency characteristics over the long term is increasing.

현재 스크러버의 개발 및 적용은 연속적인 저감효율을 발생시킬 수 있는 최적 조건으로 제작되어 공급되고 있으나, 장비의 노후화 및 고장 시에는 그 조건을 만족시킬 수 없는 상황으로 동작이 계속 진행될 수 있다. 이러한 이상 상황을 배제하기 위해서는 스크러버의 운전상태를 연속적으로 모니터링하고 아울러 배출가스에 대한 저감효율을 연속 측정하여 저감 효율을 일정 수준 이상으로 높이는 측정 및 피드백 시스템이 필수적이다.Currently, the development and application of scrubbers are manufactured and supplied under optimal conditions that can generate continuous reduction efficiency, but when equipment ages or fails, operation may continue in a situation where the conditions cannot be satisfied. In order to exclude such abnormal situations, a measurement and feedback system that continuously monitors the operating status of the scrubber and continuously measures the reduction efficiency for exhaust gases to increase the reduction efficiency above a certain level is essential.

그러나, 스크러버의 효율을 측정하는 장치는 스크러버로 입력되는 가스에 대한 제거 또는 처리 후 배출되는 가스의 비율로 측정한다.However, a device that measures the efficiency of a scrubber measures the ratio of the gas discharged after removal or treatment to the gas input into the scrubber.

스크러버 가스저감 효율은 가스의 저감 효율에 따라서 평가할 수 있으며 아래와 같은 단순한 방식으로 저감효율을 평가할 수 있다.Scrubber gas reduction efficiency can be evaluated according to the gas reduction efficiency, and the reduction efficiency can be evaluated in the simple method below.

Figure pat00011
......(식 1)
Figure pat00011
......(Equation 1)

그러나, 본 출원 발명에서는 스크러버의 다양한 가스에 대한, 종합적인 저감 효율을 측정하기 위하여 측정 가능한 다양한 가스에 대한 가스별 스크러버 효율을 평가하는 방법을 하기와 같이 개발하였다.However, in the present invention, in order to measure the comprehensive reduction efficiency of the scrubber for various gases, a method for evaluating the scrubber efficiency for each gas for various measurable gases was developed as follows.

Figure pat00012
......(식 2)
Figure pat00012
......(Equation 2)

Figure pat00013
......(식 2)
Figure pat00013
......(Equation 2)

..

..

Figure pat00014
......(식 2)
Figure pat00014
......(Equation 2)

Figure pat00015
Figure pat00015

....(식 3)....(Equation 3)

스크러버의 복합가스에 저감 효율은 각각의 가스에 대한 측정 효율을 (식 2)를 사용하여 각각 계산하고, (식 3)을 사용하여 평균하여 계산하는 방법을 사용할 수 있다.The scrubber's combined gas reduction efficiency can be calculated by calculating the measured efficiency for each gas separately using (Equation 2) and averaging it using (Equation 3).

그러나, 본 발명에서는 스크러버의 처리 효율을 지구 온난화에 미치는 영향의 정도로 계산할 수도 있다.However, in the present invention, the treatment efficiency of the scrubber can also be calculated as the degree of impact on global warming.

이를 위하여 (식 3)은 (식 4)와 같이 변형될 수 있다.For this purpose, (Equation 3) can be transformed into (Equation 4).

Figure pat00016
Figure pat00016

......(식 4)......(Equation 4)

* 지구온난화지수(GWP: Global Warming Potential)는 이산화탄소가 지구 온난화에 미치는 영향을 기준으로 다른 온실가스가 지구온난화에 기여하는 정도를 나타낸 것이다. 곧, 개별 온실가스 1kg의 태양에너지 흡수량을 이산화탄소 1kg이 가지는 태양에너지 흡수량으로 나눈 값을 말한다. 단위 질량당 온난화 효과를 지수화 한 것이라고 할 수 있다. 이산화탄소를 1로 볼때 메탄은 21, 아산화질소는 310, 수소불화탄소는 1,300, 육불화황은 23,900이다. 교토 의정서는 온실 가스 배출량 계산에 지구온난화 지수를 사용하고 있다.(위키백과)* Global Warming Potential (GWP) indicates the extent to which other greenhouse gases contribute to global warming based on the impact of carbon dioxide on global warming. In other words, it is the amount of solar energy absorbed by 1 kg of individual greenhouse gas divided by the amount of solar energy absorbed by 1 kg of carbon dioxide. It can be said to be an index of the warming effect per unit mass. Considering carbon dioxide as 1, methane is 21, nitrous oxide is 310, hydrofluorocarbon is 1,300, and sulfur hexafluoride is 23,900. The Kyoto Protocol uses global warming potential to calculate greenhouse gas emissions (Wikipedia).

즉, 스크러버의 복합가스에 저감 효율에 이산화탄소를 기준으로 하는 지구온난화지수를 곱하여 스크러버의 효율을 표시함으로써 지구온난화에 영향을 많이 미치는 가스의 제거가 많은지 적은지를 표시할 수 있는 수단을 제공하는 것이다.In other words, the efficiency of the scrubber is expressed by multiplying the reduction efficiency of the scrubber's composite gas by the global warming index based on carbon dioxide, thereby providing a means of indicating whether the removal of gases that have a significant impact on global warming is large or small.

이를 위하여 본 발명에서는 3개의 가스를 스크러버 전단과 후단에서 측정하여 상기 식2와 식3 및 식2와 식4를 사용하여 스크러버의 효율을 측정하고자 한다.To this end, the present invention measures three gases at the front and rear ends of the scrubber and measures the efficiency of the scrubber using Equations 2 and 3 and Equations 2 and 4 above.

그러나, 상기 스크러버의 효율을 정확히 측정하기 위해서는 스크러버에 입력되는 가스와 처리되어 나오는 가스를 정확히 측정할 수 있는 수단이 필수적이다.However, in order to accurately measure the efficiency of the scrubber, a means for accurately measuring the gas input to the scrubber and the gas coming out of the scrubber is essential.

본 출원 발명에서는 NDIR 방식의 가스측정방법을 사용하고자 한다. 도3은 일반적인 NDIR 방식의 광학측정 방법을 도시하고 있다. 1개의 광원과 1개의 검출기를 활용할 경우에 있어서 신호를 측정하기 위한 방법으로서 다양한 가스를 측정하기 위한 시스템 구성이다. 즉, 1개의 광원과 1개의 검출기를 구비하고, 측정하고자 하는 모든 가스성분은 밴드패스 필터 휠을 순차적으로 회전시켜서 각 필터별로 상기 1개의 검출기에서 검출되는 신호의 크기를 측정하여 각 필터에서 측정된 신호의 조합으로 가스의 종류를 알아내고, 상기 신호의 크기의 비를 이용하여 가스의 농도를 측정할 수 있다.In the present application, the NDIR gas measurement method is intended to be used. Figure 3 shows a general NDIR optical measurement method. This is a system configuration for measuring various gases as a method for measuring signals when using one light source and one detector. In other words, it is equipped with one light source and one detector, and all gas components to be measured are measured by sequentially rotating the band-pass filter wheel and measuring the size of the signal detected by the one detector for each filter. The type of gas can be determined by combining signals, and the concentration of the gas can be measured using the ratio of the magnitudes of the signals.

그러나, 상기 밴드패스 필터를 순차적으로 회정시켜 측정하기 때문에 측정시간이 소요되는 단점이 있다.However, since the bandpass filter is sequentially rotated and measured, there is a disadvantage in that measurement time is required.

본 출원 발명에서는 복합광학필터를 사용하는 도4와 같은 멀티적외선 센서를 이용한 가스측정센서를 사용하고자 한다.In the present application, a gas measurement sensor using a multi-infrared sensor as shown in Figure 4 using a complex optical filter is intended to be used.

또한, 본 발명에서는 상기 스크러버의 효율을 2가지로 나누어 측정하고자 한다. 번(BURN)방식의 연소효율측정을 위하여서는 CO 및 CO2의 가스농도를, NF3 가스의 농도로는 스크러버의 반도체가스 제거 효율을 측정하고자한다.In addition, the present invention seeks to measure the efficiency of the scrubber by dividing it into two types. In order to measure the combustion efficiency of the BURN method, the gas concentration of CO and CO2 is measured, and the semiconductor gas removal efficiency of the scrubber is measured by the concentration of NF3 gas.

따라서, 도 5와 같이 스크러버에서 가스를 샘플링하여 NDIR 측정 장치를 이용하여 측정하고자 하는 가스의 농도를 측정하는 시스템을 구성한 경우, 상기 NDIR 센서에서 3개의 가스를 측정한다. 이를 위하여 상기 도4에 기재된 멀티적외선 센서를 사용하고자 한다. 일반적으로 CO 가스의 측정은 4.66um에서 측정 가능하고, CO2는 4.56.um에서 측정 가능함은 알려진 사실이다.Therefore, when a system is configured to sample gas from a scrubber and measure the concentration of the gas to be measured using an NDIR measuring device as shown in FIG. 5, three gases are measured by the NDIR sensor. For this purpose, we plan to use the multi-infrared sensor shown in Figure 4 above. It is generally known that CO gas can be measured at 4.66um, and CO2 can be measured at 4.56.um.

또한, 본 발명에서 스크러버의 효율측정에 사용하는 NF3 가스는 도6에 도시된 바와 같이 상기 CO와 CO2가 측정되는 5.00um에서는 신호가 측정되지 않으며, 11.00um에서 가장 큰 신호가 측정되는 것을 볼 수 있다.In addition, as shown in Figure 6, for the NF3 gas used to measure the efficiency of the scrubber in the present invention, no signal is measured at 5.00um where CO and CO2 are measured, and the largest signal is measured at 11.00um. there is.

또한, 광원의 세기 또한 주변의 노이즈 또는 전원 전압의 변동 등으로 변화될 수 있기 때문에 광원의 세기를 측정하여 이를 전체적인 신호의 레벨을 결정하는 신호로 사용할 수 있다.Additionally, since the intensity of the light source may also change due to surrounding noise or fluctuations in power supply voltage, the intensity of the light source can be measured and used as a signal to determine the level of the overall signal.

이를 위하여 본 발명의 멀티 적외선 센서는 4.56.um, 4.66um, 11.00um 및 7.5um의 밴드패스 필터를 사용하여 센서를 구성할 수 있다. 상기 광원의 세기 측정을 위하여 사용된 파장인 7.4um는 광원이 적어도 4.56um 에서 11um의 광파장을 발생할 수 있는 것이어야 하므로 그 범위 내에서 가스의 간섭이 없는 파장을 선택한 것일 뿐 가스의 영향이 없는 다른 파장을 사용하여도 가능하다.To this end, the multi-infrared sensor of the present invention can be configured using bandpass filters of 4.56.um, 4.66um, 11.00um, and 7.5um. The wavelength of 7.4um used to measure the intensity of the light source is that the light source must be able to generate a light wavelength of at least 4.56um to 11um, so a wavelength without gas interference was selected within that range, and other wavelengths without gas interference were selected. It is also possible to use wavelengths.

상기 식2와 식3을 이용하여 본 출원 발명의 복합가스 저감효율은 1개의 가스만 측정하기 때문에 하기 식5와 같이 표시된다.Using Equations 2 and 3 above, the combined gas reduction efficiency of the invention of this application is expressed as Equation 5 below because only one gas is measured.

Figure pat00017
...(식 5)
Figure pat00017
...(Equation 5)

이 값을 이용하여 복합가스저감지수율를 계산하면,If you calculate the complex gas reduction index using this value,

Figure pat00018
Figure pat00018

.....(식6).....(Equation 6)

를 계산할 수 있다.can be calculated.

특히, 복합가스저감지수율은 1kg당 지구온난화 지수를 나타내고 있는 값이므로 실질적으로 지구온난화를 표시하는 값으로 스크러버의 효율을 표시함으로써 지구온난화 방지의 경각심을 높일 수 있는 지표로 사용될 수 있다.In particular, the complex gas reduction index is a value that represents the global warming index per 1 kg, so it is a value that actually indicates global warming and can be used as an indicator to raise awareness of global warming prevention by indicating the efficiency of the scrubber.

또한, 상기 측정된 CO 및 CO2의 비율을 이용하여 스크러버의 연소효율을 계산할 수 있다. 상기 스크러버의 연소효율은 하기의 식 7와 같이 계산될 수 있다.Additionally, the combustion efficiency of the scrubber can be calculated using the measured ratio of CO and CO2. The combustion efficiency of the scrubber can be calculated as shown in Equation 7 below.

Figure pat00019
......(식 7)
Figure pat00019
......(Equation 7)

일반적인 연소효율은 일반적으로 가연성 물질을 연소할 때 완전 연소량에 대하여 실제 연소되는 양의 백분율을 연소효율로 표시한다. 그러나, 번(BURN) 스크러버는 완전 연소되어야 할 C(탄소)의 남은 양으로 표시하는 것이 스크러버의 성능을 표시하는데 더욱 유용하기 때문데 식7와 같이 계산하여 스크러버의 연소효율로 표시하였다.General combustion efficiency is generally expressed as the percentage of the actual combustion amount relative to the complete combustion amount when burning combustible materials. However, for the BURN scrubber, it is more useful to indicate the performance of the scrubber by expressing it as the remaining amount of C (carbon) that must be completely burned, so it was calculated as Equation 7 and expressed as the combustion efficiency of the scrubber.

상기와 같은 작용 효과가 나타날 수 있도록 하기의 과제해결 수단을 제공한다.The following problem solving means are provided so that the above-mentioned effects can be achieved.

반도체 공정 중 화학기상증착공정 또는 식각공정에서 사용되는 공정가스 및 세정용 가스의 저감을 위하여 사용되는 스크러버의 효율을 측정하기 위하여 상기 스크러버에 투입되는 유입가스의 농도와 배출되는 농도를 이용하여 하기의 (식2)와 (식3)을 이용하여 스크러버위 효율을 계산하는 스크러버 효율 계산방법을 제공한다.In order to measure the efficiency of the scrubber used to reduce the process gas and cleaning gas used in the chemical vapor deposition process or the etching process during the semiconductor process, the concentration and discharge concentration of the incoming gas fed into the scrubber were used to measure the efficiency of the scrubber as follows. A scrubber efficiency calculation method is provided to calculate the scrubber efficiency using (Equation 2) and (Equation 3).

Figure pat00020
......(식 2)
Figure pat00020
......(Equation 2)

Figure pat00021
......(식 2)
Figure pat00021
......(Equation 2)

..

..

Figure pat00022
......(식 2)
Figure pat00022
......(Equation 2)

Figure pat00023
Figure pat00023

......(식 3)......(Equation 3)

또한, 반도체 공정 중 화학기상증착공정 또는 식각공정에서 사용되는 공정가스 및 세정용 가스의 저감을 위하여 사용되는 스크러버의 효율을 측정하기 위하여 투입되는 유입가스의 농도와 배출되는 농도를 이용하여 하기의 (식2)와 (식4)을 이용하여 스크러버위 효율을 지구온난화지수를 고려하여 계산하는 스크러버 효율 계산방법을 제공한다.In addition, in order to measure the efficiency of the scrubber used to reduce the process gas and cleaning gas used in the chemical vapor deposition process or the etching process during the semiconductor process, the concentration of the incoming gas and the discharged concentration are used to measure the efficiency as shown below ( Using Equation 2) and (Equation 4), we provide a scrubber efficiency calculation method that calculates the scrubber efficiency by considering the global warming potential.

Figure pat00024
......(식 2)
Figure pat00024
......(Equation 2)

Figure pat00025
......(식 2)
Figure pat00025
......(Equation 2)

..

..

Figure pat00026
......(식 2)
Figure pat00026
......(Equation 2)

Figure pat00027
Figure pat00027

......(식 4)......(Equation 4)

또한, 스크러버 효율 측정용 가스측정장치에 있어서, 4.56um 에서 11um의 주파수의 광을 발생하는 광원; 및 상기 광원에서 발생하는 광이 샘플가스를 통과하기위한 측정셀; 및 상기 측정셀에 샘플가스를 공급하는 샘플가스 유입로; 및Additionally, in the gas measuring device for measuring scrubber efficiency, a light source that generates light with a frequency of 4.56um to 11um; and a measurement cell for allowing light generated from the light source to pass through a sample gas. and a sample gas inflow path that supplies sample gas to the measurement cell. and

상기 샘플가스가 배출되는 배출구; 및 샘플가스가 있는 상기 측정셀을 통과한 상기 광원의 빛을 수신하여 측정하는 멀티 적외선 센서; 및 상기 멀티 적외선 센서는 중심 주파수는 각각 4.56.um, 4.66um, 11.00um 및 7.5um 이고, 상기 중심주파수에서 좌우로 0.1um의 밴드폭을 가지는 밴드패스 필터로 구성되는 것을 특징으로 하는 스크러버 효율 측정용 가스측정장치를 제공한다.an outlet through which the sample gas is discharged; and a multi-infrared sensor that receives and measures light from the light source that has passed through the measurement cell containing the sample gas. And the multi-infrared sensor has center frequencies of 4.56.um, 4.66um, 11.00um, and 7.5um, respectively, and measures scrubber efficiency, characterized in that it consists of a bandpass filter with a bandwidth of 0.1um left and right from the center frequency. Provides a gas measuring device for

또한, 상기 멀티 적외선 센서의 4.56.um, 4.66um 및 11.00um 밴드필터를 통과한 신호의 측정값을 상기 7.5um를 통과한 밴드패스필터에서 측정한 신호의 값으로 나누어 줌으로써, 측정된 신호의 크기를 상기 광원에서 발생한 빛의 세기에 관계없이 표준화하여 측정하는 것을 특징으로 하는 스크러버 효율 측정용 가스측정장치를 제공한다.In addition, by dividing the measured value of the signal that passed through the 4.56.um, 4.66um, and 11.00um band filters of the multi-infrared sensor by the value of the signal measured by the bandpass filter that passed the 7.5um, the size of the measured signal Provides a gas measuring device for measuring scrubber efficiency, which is characterized in that it standardizes and measures regardless of the intensity of light generated from the light source.

또한, 상기 스크러버 효율 측정용 가스측정장치의 효율은 하기 식 5를 이용하여 계산하는 것을 특징으로 하는 스크러버 효율 측정용 가스측정장치를 제공한다.In addition, a gas measuring device for measuring scrubber efficiency is provided, wherein the efficiency of the gas measuring device for measuring scrubber efficiency is calculated using Equation 5 below.

Figure pat00028
...(식 5)
Figure pat00028
...(Equation 5)

또한, 상기 스크러버 효율 측정용 가스측정장치의 효율은 하기 식 6을 이용하여 계산하는 것을 특징으로 하는 스크러버 효율 측정용 가스측정장치를 제공한다.In addition, a gas measuring device for measuring scrubber efficiency is provided, wherein the efficiency of the gas measuring device for measuring scrubber efficiency is calculated using Equation 6 below.

Figure pat00029
Figure pat00029

......(식6)......(Equation 6)

Claims (6)

반도체 공정 중 화학기상증착공정 또는 식각공정에서 사용되는 공정가스 및 세정용 가스의 저감을 위하여 사용되는 스크러버의 효율을 측정하기 위하여 상기 스크러버에 투입되는 유입가스의 농도와 배출되는 농도를 이용하여 하기의 (식2)와 (식3)을 이용하여 스크러버위 효율을 계산하는 스크러버 효율 계산방법.
Figure pat00030
......(식 2)
Figure pat00031
......(식 2)
.
.
Figure pat00032
......(식 2)
Figure pat00033

......(식 3)
In order to measure the efficiency of the scrubber used to reduce the process gas and cleaning gas used in the chemical vapor deposition process or the etching process during the semiconductor process, the concentration and discharge concentration of the incoming gas fed into the scrubber were used to measure the efficiency of the scrubber as follows. Scrubber efficiency calculation method that calculates the efficiency of the scrubber using (Equation 2) and (Equation 3).
Figure pat00030
......(Equation 2)
Figure pat00031
......(Equation 2)
.
.
Figure pat00032
......(Equation 2)
Figure pat00033

......(Equation 3)
반도체 공정 중 화학기상증착공정 또는 식각공정에서 사용되는 공정가스 및 세정용 가스의 저감을 위하여 사용되는 스크러버의 효율을 측정하기 위하여 투입되는 유입가스의 농도와 배출되는 농도를 이용하여 하기의 (식2)와 (식4)을 이용하여 스크러버위 효율을 지구온난화지수를 고려하여 계산하는 스크러버 효율 계산방법.
Figure pat00034
......(식 2)
Figure pat00035
......(식 2)
.
.
Figure pat00036
......(식 2)
Figure pat00037

......(식 4)
In order to measure the efficiency of the scrubber used to reduce the process gas and cleaning gas used in the chemical vapor deposition process or the etching process during the semiconductor process, the concentration of the incoming gas and the discharged concentration were used to calculate the efficiency of the scrubber as shown below (Equation 2) ) and (Equation 4) to calculate the scrubber efficiency considering the global warming potential.
Figure pat00034
......(Equation 2)
Figure pat00035
......(Equation 2)
.
.
Figure pat00036
......(Equation 2)
Figure pat00037

......(Equation 4)
스크러버 효율 측정용 가스측정장치에 있어서,
4.56um 에서 11um의 주파수의 광을 발생하는 광원; 및
상기 광원에서 발생하는 광이 샘플가스를 통과하기위한 측정셀; 및
상기 측정셀에 샘플가스를 공급하는 샘플가스 유입로; 및
상기 샘플가스가 배출되는 배출구; 및
샘플가스가 있는 상기 측정셀을 통과한 상기 광원의 빛을 수신하여 측정하는 멀티 적외선 센서; 및
상기 멀티 적외선 센서는 중심 주파수는 각각 4.56.um, 4.66um, 11.00um 및 7.5um 이고, 상기 중심주파수에서 좌우로 0.1um의 밴드폭을 가지는 밴드패스 필터로 구성되는 것을 특징으로 하는 스크러버 효율 측정용 가스측정장치.
In the gas measuring device for measuring scrubber efficiency,
A light source that generates light with a frequency of 4.56um to 11um; and
a measurement cell for allowing light generated from the light source to pass through a sample gas; and
a sample gas inflow path that supplies sample gas to the measurement cell; and
an outlet through which the sample gas is discharged; and
a multi-infrared sensor that receives and measures light from the light source that has passed through the measurement cell containing sample gas; and
The multi-infrared sensor has center frequencies of 4.56.um, 4.66um, 11.00um, and 7.5um, respectively, and is for measuring scrubber efficiency, characterized in that it consists of a bandpass filter with a bandwidth of 0.1um left and right from the center frequency. Gas measuring device.
제3항에 있어서,
상기 멀티 적외선 센서의 4.56.um, 4.66um 및 11.00um 밴드필터를 통과한 신호의 측정값을 상기 7.5um를 통과한 밴드패스필터에서 측정한 신호의 값으로 나누어 줌으로써, 측정된 신호의 크기를 상기 광원에서 발생한 빛의 세기에 관계없이 표준화하여 측정하는 것을 특징으로 하는 스크러버 효율 측정용 가스측정장치.
According to paragraph 3,
By dividing the measured value of the signal that passed through the 4.56.um, 4.66um, and 11.00um band filters of the multi-infrared sensor by the value of the signal measured by the bandpass filter that passed the 7.5um, the size of the measured signal is A gas measuring device for measuring scrubber efficiency, characterized in that it measures and standardizes regardless of the intensity of light generated from the light source.
제3항에 있어서,
상기 스크러버 효율 측정용 가스측정장치의 효율은 하기 식 5를 이용하여 계산하는 것을 특징으로 하는 스크러버 효율 측정용 가스측정장치.
Figure pat00038
...(식 5)
According to paragraph 3,
A gas measuring device for measuring scrubber efficiency, characterized in that the efficiency of the gas measuring device for measuring scrubber efficiency is calculated using Equation 5 below.
Figure pat00038
...(Equation 5)
제3항에 있어서,
상기 스크러버 효율 측정용 가스측정장치의 효율은 하기 식 6을 이용하여 계산하는 것을 특징으로 하는 스크러버 효율 측정용 가스측정장치.
Figure pat00039

......(식 6)
According to paragraph 3,
A gas measuring device for measuring scrubber efficiency, characterized in that the efficiency of the gas measuring device for measuring scrubber efficiency is calculated using Equation 6 below.
Figure pat00039

......(Equation 6)
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100303150B1 (en) 2000-02-15 2001-11-03 이억기 Burn type dry gas scrubber for manufacturing semiconductor
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