KR20240005458A - Multilayer ceramic capacitor for snubber - Google Patents

Multilayer ceramic capacitor for snubber Download PDF

Info

Publication number
KR20240005458A
KR20240005458A KR1020220082575A KR20220082575A KR20240005458A KR 20240005458 A KR20240005458 A KR 20240005458A KR 1020220082575 A KR1020220082575 A KR 1020220082575A KR 20220082575 A KR20220082575 A KR 20220082575A KR 20240005458 A KR20240005458 A KR 20240005458A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
internal electrode
green sheet
thickness
heavy edge
Prior art date
Application number
KR1020220082575A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
오영주
윤중락
서석노
Original Assignee
삼화콘덴서공업주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼화콘덴서공업주식회사 filed Critical 삼화콘덴서공업주식회사
Priority to KR1020220082575A priority Critical patent/KR20240005458A/en
Publication of KR20240005458A publication Critical patent/KR20240005458A/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/018Dielectrics
    • H01G4/06Solid dielectrics
    • H01G4/08Inorganic dielectrics
    • H01G4/12Ceramic dielectrics
    • H01G4/1209Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002Details
    • H01G4/005Electrodes
    • H01G4/012Form of non-self-supporting electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30Stacked capacitors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Abstract

본 발명은 스너버용 적층 세라믹 커패시터에 관한 것으로, 그린칩을 소성하여 형성되는 소성칩과, 소성칩의 일측의 끝단에 형성되는 제1외부전극과, 소성칩의 타측의 끝단에 형성되는 제2외부전극을 포함하고, 그린칩은 서로 순차적으로 적층되는 다수개의 제1그린시트와, 제1그린시트의 상측이나 하측에 위치되게 적층되는 다수개의 제2그린시트와, 제1외부전극과 연결되게 일측의 끝단이 제1그린시트의 일측의 끝단에 정렬되고 타측의 끝단은 제1그린시트의 타측의 끝단에서 이격되게 제1그린시트의 표면에 각각 형성되는 다수개의 제1헤비에지 내부전극과, 제2외부전극과 연결되게 타측의 끝단이 제2그린시트의 타측의 끝단에 정렬되고 일측의 끝단은 제2그린시트의 일측의 끝단에서 이격되게 제2그린시트의 표면에 각각 형성되는 다수개의 제2헤비에지 내부전극를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a multilayer ceramic capacitor for a snubber, which includes a fired chip formed by firing a green chip, a first external electrode formed on one end of the fired chip, and a second external electrode formed on the other end of the fired chip. It includes electrodes, and the green chip includes a plurality of first green sheets sequentially stacked on each other, a plurality of second green sheets stacked on the upper or lower side of the first green sheet, and one side connected to the first external electrode. A plurality of first heavy-edge internal electrodes each formed on the surface of the first green sheet so that the end is aligned with the end of one side of the first green sheet and the end of the other side is spaced apart from the end of the other side of the first green sheet; 2 A plurality of second green sheets are formed on the surface of the second green sheet, with the other end aligned with the other end of the second green sheet to be connected to the external electrode, and the end of one side spaced apart from the end of one side of the second green sheet. It is characterized by including a heavy edge internal electrode.

Description

스너버용 적층 세라믹 커패시터{Multilayer ceramic capacitor for snubber}Multilayer ceramic capacitor for snubber}

본 발명은 스너버용 적층 세라믹 커패시터에 관한 것으로, 특히 적층 세라믹 커패시터의 내부전극으로 헤비에지 내부전극을 적용하여 외부전극과 접촉면적을 증가시킴으로써 ESR 특성을 개선시켜 고전압에서 사용 가능하며 장수명이고 SMD용으로 사용이 용이하며 고전압에서 온도 안정성을 제공할 수 있는 스너버용 적층 세라믹 커패시터에 관한 것이다.The present invention relates to a multilayer ceramic capacitor for a snubber. In particular, the ESR characteristics are improved by increasing the contact area with the external electrode by applying a heavy edge internal electrode as the internal electrode of the multilayer ceramic capacitor, so that it can be used at high voltage, has a long life, and is suitable for SMD. It relates to a multilayer ceramic capacitor for snubbers that is easy to use and can provide temperature stability at high voltage.

전력용 반도체 소자는 SiC MOSFET(silicon carbide metal oxide semiconductor field effect tansistor)나 IGBT(insulatd gate bipolar transistor)가 사용된다. 전력용 반도체 소자는 전기 자동차나 산업용 전자기기 등에 사용되어 교류를 직류로 변환하거나 직류를 교류로 변환시키기 위한 스위칭(switching) 소자로 사용된다. 전력용 반도체는 스위칭 시 순간적으로 발생되는 전압의 과도한 상승을 방지하기 위해 스너버용 커패시터가 사용되며, 스너버용 커패시터가 적용된 장치에 관련된 기술이 한국공개특허공보 제10-2010-0042905호(특허문헌 1)에 공개되어 있다.For power semiconductor devices, SiC MOSFET (silicon carbide metal oxide semiconductor field effect tansistor) or IGBT (insulat gate bipolar transistor) are used. Power semiconductor devices are used in electric vehicles and industrial electronic devices and are used as switching devices to convert alternating current to direct current or direct current to alternating current. In power semiconductors, a snubber capacitor is used to prevent an excessive increase in voltage that occurs momentarily during switching, and the technology related to a device using a snubber capacitor is disclosed in Korean Patent Publication No. 10-2010-0042905 (Patent Document 1). ) is disclosed.

특허문헌 1은 스너버 커패시터의 냉각성능을 향상시킨 인버터에 관한 것으로서, 인버터 내 스위칭 전압의 과도한 상승을 막고 IGBT 파워모듈이 과전압에 의해 손상되는 것을 방지하기 위해 사용되는 스너버 커패시터의 장착 구조 및 형상을 개선하여, 인버터 내에서 스너버 커패시터의 냉각성능 및 내구수명을 향상시키고, 또한 인버터의 출력 밀도를 향상시킬 수 있도록 한 것이다.Patent Document 1 relates to an inverter with improved cooling performance of the snubber capacitor. The mounting structure and shape of the snubber capacitor used to prevent excessive increase in the switching voltage in the inverter and to prevent the IGBT power module from being damaged by overvoltage. By improving the cooling performance and durability of the snubber capacitor in the inverter, it is also possible to improve the power density of the inverter.

특허문헌 1과 같은 종래의 스너버용 커패시터는 필름 커패시터가 사용되며, 헤비 에지 전극(heavy edge electrode)이 형성되는 필름 커패시터가 사용됨으로써 외부와 전기적으로 연결 시 ESR(equivalent series resistance) 특성을 개선시켜 고전압에서 사용 가능하고 장수명인 반면에 SMD(surface mounted devices)용으로 적용 시 용이하지 않은 문제점이 있다. Conventional capacitors for snubbers, such as those in Patent Document 1, use film capacitors, and film capacitors with heavy edge electrodes are used to improve ESR (equivalent series resistance) characteristics when electrically connected to the outside, thereby increasing high voltage. Although it can be used in and has a long lifespan, there is a problem in that it is not easy to apply for SMD (surface mounted devices).

: 한국공개특허공보 제10-2010-0042905호: Korea Patent Publication No. 10-2010-0042905

본 발명의 목적은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 적층 세라믹 커패시터의 내부전극으로 헤비에지 내부전극을 적용하여 외부전극과 접촉면적을 증가시킴으로써 ESR 특성을 개선시켜 고전압에서 사용 가능하며 장수명이고 SMD용으로 사용이 용이하며 고전압에서 온도 안정성을 제공할 수 있는 스너버용 적층 세라믹 커패시터(multilayer ceramic capacitor for snubber)를 제공함에 있다. The purpose of the present invention is to solve the above-mentioned problems. By applying a heavy-edge internal electrode as the internal electrode of a multilayer ceramic capacitor to increase the contact area with the external electrode, the ESR characteristics are improved, so that it can be used at high voltage, has a long life, and is suitable for SMD use. The aim is to provide a multilayer ceramic capacitor for snubber that is easy to use and can provide temperature stability at high voltage.

본 발명의 다른 목적은 소성칩의 상측이나 하측의 표면에서 헤비에지 내부전극까지의 간격을 충분히 확보하여 순간 고전압(high surge)이 발생하는 경우에 절연파괴로 인한 플래쉬 오버(flash over) 현상을 방지하거나 순간 고전류 발생으로 인한 발열이나 크랙(crack) 발생을 방지할 수 있으며, 소성칩의 표면에 실란층을 도포하여 내습 특성을 개선시킬 수 있는 스너버용 적층 세라믹 커패시터를 제공함에 있다.Another object of the present invention is to secure a sufficient gap from the upper or lower surface of the fired chip to the heavy edge internal electrode to prevent flash over phenomenon due to insulation breakdown when an instantaneous high voltage (high surge) occurs. The present invention provides a multilayer ceramic capacitor for a snubber that can prevent heat generation or cracks due to instantaneous high current generation, and can improve moisture resistance characteristics by applying a silane layer to the surface of the fired chip.

본 발명은 스너버용 적층 세라믹 커패시터는 그린칩(green chip)을 소성하여 형성되는 소성칩과, 상기 소성칩의 일측의 끝단에 형성되는 제1외부전극과, 상기 소성칩의 타측의 끝단에 형성되는 제2외부전극을 포함하고, 상기 그린칩은 서로 순차적으로 적층되는 다수개의 제1그린시트(green sheet)와, 상기 제1그린시트의 상측이나 하측에 위치되게 적층되는 다수개의 제2그린시트와, 제1외부전극과 연결되게 일측의 끝단이 제1그린시트의 일측의 끝단에 정렬되고 타측의 끝단은 제1그린시트의 타측의 끝단에서 이격되게 제1그린시트의 표면에 각각 형성되는 다수개의 제1헤비에지 내부전극(heavy edge internal electrode)과, 상기 제2외부전극과 연결되게 타측의 끝단이 제2그린시트의 타측의 끝단에 정렬되고 일측의 끝단은 제2그린시트의 일측의 끝단에서 이격되게 제2그린시트의 표면에 각각 형성되는 다수개의 제2헤비에지 내부전극을 포함하며, 상기 다수개의 제1그린시트는 각각 제1헤비에지 내부전극이 제1외부전극과 연결되고 제2외부전극과 이격되게 순차적으로 적층되어 압착되고, 상기 다수개의 제2그린시트는 각각 제1헤비에지 내부전극이 제1외부전극과 이격되며 제2헤비에지 내부전극 제2외부전극과 연결되게 정렬되어 순차적으로 적층된 후 압착되며, 상기 제1헤비에지 내부전극은 제1외부전극과 연결되는 일측의 끝단의 두께가 타측의 끝단의 두께보다 크게 형성되며, 상기 제2헤비에지 내부전극은 제2외부전극과 연결되는 타측의 끝단의 두께가 일측의 끝단의 두께보다 크게 형성되는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a multilayer ceramic capacitor for a snubber, which includes a fired chip formed by firing a green chip, a first external electrode formed on one end of the fired chip, and a first external electrode formed on the other end of the fired chip. It includes a second external electrode, and the green chip includes a plurality of first green sheets that are sequentially stacked on each other, a plurality of second green sheets that are stacked on an upper or lower side of the first green sheet, and , a plurality of plates each formed on the surface of the first green sheet so as to be connected to the first external electrode, the end of one side of which is aligned with the end of one side of the first green sheet, and the end of the other side is spaced apart from the end of the other side of the first green sheet. The first heavy edge internal electrode and the other end connected to the second external electrode are aligned with the other end of the second green sheet, and one end is aligned with the other end of the second green sheet. It includes a plurality of second heavy-edge internal electrodes spaced apart from each other on the surface of the second green sheet, wherein each of the plurality of first green sheets has a first heavy-edge internal electrode connected to a first external electrode and a second external electrode. They are sequentially stacked and pressed to be spaced apart from the electrodes, and the plurality of second green sheets are aligned so that the first heavy edge internal electrode is spaced apart from the first external electrode and connected to the second heavy edge internal electrode and the second external electrode, respectively. laminated and then pressed, the first heavy edge internal electrode has a thickness of one end connected to the first external electrode greater than the thickness of the other end, and the second heavy edge internal electrode is formed with a second external electrode. It is characterized in that the thickness of the other end connected to is formed to be larger than the thickness of the end of one side.

본 발명의 스너버용 적층 세라믹 커패시터는 적층 세라믹 커패시터의 내부전극으로 헤비에지 내부전극을 적용하여 외부전극과 접촉면적을 증가시킴으로써 ESR 특성을 개선시켜 고전압에서 사용 가능하며 장수명이고 SMD용으로 사용이 용이하며 고전압에서 온도 안정성을 제공할 수 있는 이점이 있다. The multilayer ceramic capacitor for snubber of the present invention improves ESR characteristics by increasing the contact area with the external electrode by applying a heavy edge internal electrode as the internal electrode of the multilayer ceramic capacitor. It can be used at high voltage, has a long life, and is easy to use for SMD. It has the advantage of providing temperature stability at high voltages.

본 발명의 스너버용 적층 세라믹 커패시터는 또한, 소성칩의 상측이나 하측의 표면에서 헤비에지 내부전극까지의 간격을 충분히 확보하여 순간 고전압(high surge)이 발생하는 경우에 절연파괴로 인한 플래쉬 오버(flash over) 현상을 방지하거나 순간 고전류 발생으로 인한 발열이나 크랙(crack) 발생을 방지할 수 있으며, 소성칩의 표면에 실란층을 도포하여 내습 특성을 개선킬 수 있는 이점이 있다.The multilayer ceramic capacitor for snubber of the present invention also secures a sufficient gap from the upper or lower surface of the fired chip to the heavy edge internal electrode to prevent flashover due to insulation breakdown when an instantaneous high voltage (high surge) occurs. over) phenomenon or prevent heat generation or cracks due to instantaneous high current generation, and have the advantage of improving moisture resistance characteristics by applying a silane layer to the surface of the fired chip.

도 1은 본 발명의 스너버용 적층 세라믹 커패시터의 사시도,
도 2는 도 1에 도시된 스너버용 적층 세라믹 커패시터의 A-A선 전단면도,
도 3은 도 1에 도시된 소성칩의 소성전의 상태를 나타낸 그린칩의 전단면도,
도 4는 도 3에 도시된 일 실시예에 따른 제1헤비에지 내부전극이 형성된 제1그린시트의 사시도,
도 5는 도 4에 도시된 제1그린시트의 B-B선 전단면도,
도 6은 도 3에 도시된 일 실시예에 따른 제2헤비에지 내부전극이 형성된 제2그린시트의 사시도,
도 7은 도 6에 도시된 제2그린시트의 C-C선 전단면도,
도 8은 도 3에 도시된 다른 실시예에 따른 제1헤비에지 내부전극이 형성된 제1그린시트의 사시도,
도 9는 도 3에 도시된 다른 실시예에 따른 제2헤비에지 내부전극이 형성된 제2그린시트의 사시도.
1 is a perspective view of a multilayer ceramic capacitor for a snubber of the present invention;
Figure 2 is a cross-sectional view taken along line AA of the multilayer ceramic capacitor for snubber shown in Figure 1;
Figure 3 is a front cross-sectional view of the green chip shown in Figure 1 showing the state before firing;
Figure 4 is a perspective view of a first green sheet on which a first heavy-edge internal electrode is formed according to an embodiment shown in Figure 3;
Figure 5 is a front cross-sectional view taken along line BB of the first green sheet shown in Figure 4;
Figure 6 is a perspective view of a second green sheet on which a second heavy-edge internal electrode is formed according to an embodiment shown in Figure 3;
Figure 7 is a front cross-sectional view taken along line CC of the second green sheet shown in Figure 6;
Figure 8 is a perspective view of a first green sheet on which a first heavy-edge internal electrode is formed according to another embodiment shown in Figure 3;
Figure 9 is a perspective view of a second green sheet on which a second heavy edge internal electrode is formed according to another embodiment shown in Figure 3.

이하, 본 발명의 스너버용 적층 세라믹 커패시터의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, an embodiment of the multilayer ceramic capacitor for a snubber of the present invention will be described with reference to the attached drawings.

도 1 내지 도 3 및 도 5에서와 같이 본 발명의 스너버용 적층 세라믹 커패시터는 소성칩(100), 제1외부전극(200) 및 제2외부전극(300)을 포함하여 구성된다. 1 to 3 and 5, the multilayer ceramic capacitor for a snubber of the present invention includes a fired chip 100, a first external electrode 200, and a second external electrode 300.

소성칩(100)은 그린칩(green chip)(100a)을 소성하여 형성되고, 제1외부전극(200)은 소성칩(100)의 일측의 끝단에 형성되며, 제2외부전극(300)은 소성칩(100)의 타측의 끝단에 형성된다. 그린칩(100a)은 다수개의 제1그린시트(green sheet)(110), 다수개의 제2그린시트(120), 다수개의 제1헤비에지 내부전극(heavy edge internal electrode)(130) 및 다수개의 제2헤비에지 내부전극(140)을 포함하여 구성된다. 다수개의 제1그린시트(green sheet)(110)는 각각 서로 수직방향(Z)으로 순차적으로 적층되며, 다수개의 제2그린시트(120)는 각각 제1그린시트(110)의 상측이나 하측에 위치되게 적층된다. 다수개의 제1헤비에지 내부전극(130)은 각각 제1외부전극(200)과 연결되게 일측의 끝단이 제1그린시트(110)의 일측의 끝단에 정렬되고 타측의 끝단은 제1그린시트(110)의 타측의 끝단에서 이격되게 제1그린시트(110)의 표면에 형성된다. 다수개의 제2헤비에지 내부전극(140)은 각각 제2외부전극(300)과 연결되게 타측의 끝단이 제2그린시트(120)의 타측의 끝단에 정렬되고 일측의 끝단은 제2그린시트(120)의 일측의 끝단에서 이격되게 제2그린시트(120)의 표면에 형성된다. 다수개의 제1그린시트(110)는 각각 제1헤비에지 내부전극(130)이 제1외부전극(200)과 연결되고 제2외부전극(300)과 이격되게 순차적으로 적층되어 압착되며, 다수개의 제2그린시트(120)는 각각 제2헤비에지 내부전극(140)이 제1외부전극(200)과 이격되고 제2외부전극(300)과 연결되게 정렬되어 순차적으로 적층된 후 압착된다. 제1헤비에지 내부전극(130)은 제1외부전극(200)과 연결되는 일측의 끝단의 두께(T1+T2)가 타측의 끝단(T1+T32)의 두께(T12)보다 크게 형성되며, 제2헤비에지 내부전극(140)은 제2외부전극(300)과 연결되는 타측의 끝단의 두께(T4+T5)가 일측의 끝단의 두께(T4+T62)보다 크게 형성된다.The fired chip 100 is formed by firing a green chip 100a, the first external electrode 200 is formed at one end of the fired chip 100, and the second external electrode 300 is It is formed at the other end of the fired chip 100. The green chip 100a includes a plurality of first green sheets 110, a plurality of second green sheets 120, a plurality of first heavy edge internal electrodes 130, and a plurality of It is configured to include a second heavy edge internal electrode 140. A plurality of first green sheets 110 are sequentially stacked in the vertical direction (Z), and a plurality of second green sheets 120 are respectively placed on the upper or lower side of the first green sheet 110. They are stacked in place. Each of the plurality of first heavy edge internal electrodes 130 is connected to the first external electrode 200, so that one end is aligned with one end of the first green sheet 110, and the other end is connected to the first green sheet ( It is formed on the surface of the first green sheet 110 to be spaced apart from the other end of 110). Each of the plurality of second heavy edge internal electrodes 140 is connected to the second external electrode 300, so that the other end is aligned with the other end of the second green sheet 120, and one end is connected to the second green sheet ( It is formed on the surface of the second green sheet 120 to be spaced apart from one end of the 120). The plurality of first green sheets 110 are sequentially stacked and pressed so that the first heavy edge internal electrode 130 is connected to the first external electrode 200 and spaced apart from the second external electrode 300, and a plurality of first green sheets 110 are formed. The second green sheet 120 is sequentially stacked with the second heavy edge internal electrodes 140 aligned to be spaced apart from the first external electrode 200 and connected to the second external electrode 300, and then pressed. The first heavy edge internal electrode 130 has a thickness (T1 + T2) of one end connected to the first external electrode 200 greater than the thickness (T12) of the other end (T1 + T32), 2 The heavy edge internal electrode 140 has a thickness (T4+T5) of the other end connected to the second external electrode 300 greater than the thickness (T4+T62) of one end.

본 발명의 스너버용 적층 세라믹 커패시터의 실시예에 따른 구성을 설명하면 다음과 같다.The configuration according to an embodiment of the multilayer ceramic capacitor for a snubber of the present invention will be described as follows.

소성칩(100)은 도 1 및 도 2에서와 같이, 내습특성 개선을 위해 일측이나 타측의 끝단을 제외한 표면에 실란계 절연 피복층(111)이 형성되고, 실란계 절연 피복층(111)의 재질은 실란계 코팅제가 사용되며, 실란계 코팅제는 실란 혼합물, 이소프로판올기 및 아세틸알코올를 혼합하여 사용되며, 실란 혼합물은 아미노프로필트리에톡시실란과 글리시톡시프로필트리에폭시실란를 혼합하여 사용된다. 이러한 소정칩(100)은 도 3에 도시된 그린칩(100a)을 소성해서 형성된다. As shown in FIGS. 1 and 2, the fired chip 100 has a silane-based insulating coating layer 111 formed on the surface except for one end or the other end to improve moisture resistance, and the material of the silane-based insulating coating layer 111 is A silane-based coating agent is used, and the silane-based coating agent is used by mixing silane mixture, isopropanol group, and acetyl alcohol, and the silane mixture is used by mixing aminopropyltriethoxysilane and glycythoxypropyltriepoxysilane. This predetermined chip 100 is formed by firing the green chip 100a shown in FIG. 3.

그린칩(100a)은 도 3에서와 같이, 다수개의 제1그린시트(110), 다수개의 제2그린시트(120), 다수개의 제1헤비에지 내부전극(130), 다수개의 제2헤비에지 내부전극(140), 제1커버용 그린시트(150) 및 제2커버용 그린시트(160)를 포함하여 구성된다. As shown in FIG. 3, the green chip 100a includes a plurality of first green sheets 110, a plurality of second green sheets 120, a plurality of first heavy edge internal electrodes 130, and a plurality of second heavy edge electrodes. It is composed of an internal electrode 140, a green sheet 150 for the first cover, and a green sheet 160 for the second cover.

다수개의 제1그린시트(110)와 다수개의 제2그린시트(120)를 각각 제1헤비에지 내부전극(130)이 제1외부전극(200)과 연결되고 제2외부전극(300)과 이격되며 제2헤비에지 내부전극(140)이 제1외부전극(200)과 이격되고 제2외부전극(300)과 연결되게 정렬되어 적층된 후 압착되어 형성된다. 즉, 그린칩(100a)은 제1외부전극(200)과 연결되는 제1헤비에지 내부전극(120)이 각각 상측의 표면에 형성되는 다수개의 제1그린시트(110)가 순차적으로 적층되어 압착되며, 제2외부전극(300)과 연결되는 제2헤비에지 내부전극(140)이 각각 상측의 표면에 형성되며 제2헤비에지 내부전극(140)이 제1헤비에지 내부전극(120)과 서로 교차되게 제1그린시트(110)의 상측이나 하측에 위치되게 다수개의 제2그린시트(130)가 순차적으로 적층되어 압착된다. The first heavy edge internal electrode 130 is connected to the first external electrode 200 and is spaced apart from the second external electrode 300 by forming a plurality of first green sheets 110 and a plurality of second green sheets 120. The second heavy edge internal electrode 140 is spaced apart from the first external electrode 200 and is aligned and connected to the second external electrode 300, stacked, and then pressed. That is, the green chip 100a is formed by sequentially stacking and pressing a plurality of first green sheets 110, each of which has a first heavy edge internal electrode 120 connected to the first external electrode 200, formed on the upper surface. In addition, the second heavy-edge internal electrode 140 connected to the second external electrode 300 is formed on the upper surface of each, and the second heavy-edge internal electrode 140 is connected to the first heavy-edge internal electrode 120. A plurality of second green sheets 130 are sequentially stacked and pressed so that they are positioned on the upper or lower side of the first green sheet 110 so as to cross each other.

제1헤비에지 내부전극(130)은 도 3 내지 도 5에서와 같이, 제1외부전극(200)과 연결되는 일측의 끝단의 두께(T1+T2)가 타측의 끝단의 두께(T1+T32)보다 크게 형성되며, 제1내부전극(131), 제1헤비에지전극(132) 및 제1경사형 전극(133)을 포함한다. As shown in FIGS. 3 to 5, the first heavy edge internal electrode 130 has a thickness (T1+T2) of one end connected to the first external electrode 200 and a thickness (T1+T32) of the other end. It is formed larger and includes a first internal electrode 131, a first heavy edge electrode 132, and a first inclined electrode 133.

제1내부전극(131)은 제1외부전극(200)과 연결되게 일측의 끝단이 제1그린시트(110)의 일측의 끝단에 정렬되고 타측의 끝단은 제1그린시트(110)의 타측의 끝단에서 이격되게 제1그린시트(110)의 상측의 표면에 형성된다. 제1헤비에지전극(132)은 제1외부전극(200)과 연결되게 일측의 끝단이 제1내부전극(131)의 일측의 끝단에 정렬되어 제1내부전극(131)의 상측의 표면에 형성된다. 제1경사형 전극(133)은 제1헤비에지전극(132)의 타측의 끝단과 일측의 끝단이 연결되며 상측의 표면이 일측의 끝단에서 타측의 끝단으로 향하는 방향으로 경사지게 제1내부전극(131)의 상측의 표면에 형성된다. The first internal electrode 131 is connected to the first external electrode 200, so that one end is aligned with one end of the first green sheet 110, and the other end is aligned with the other end of the first green sheet 110. It is formed on the upper surface of the first green sheet 110 to be spaced apart from the end. The first heavy edge electrode 132 is formed on the upper surface of the first internal electrode 131 with one end aligned with one end of the first internal electrode 131 to be connected to the first external electrode 200. do. The first inclined electrode 133 is connected to the other end of the first heavy edge electrode 132, and the upper surface of the first internal electrode 131 is inclined in the direction from one end to the other end. ) is formed on the upper surface of the.

제1헤비에지 내부전극(130)의 제1내부전극(131)의 일측의 끝단의 두께(T1)와 제1헤비에지전극(132)의 일측의 끝단의 두께(T2)의 합(T1+T2) 즉, 제1헤비에지 내부전극(130)의 일측의 끝단의 두께(T1+T2)는 제1내부전극(131)의 타측의 끝단의 두께(T1)와 제1경사형 전극(133)의 타측의 끝단의 두께(T32)의 합(T1+T32) 즉, 타측의 끝단의 두께(T1+T32)보다 크게 형성된다. 이러한 제1헤비에지 내부전극(130)에서 일측과 타측의 기준은 제1헤비에지 내부전극(130)의 길이방향(X: 도 1 내지 도 5에 도시됨)으로 설정된다. The sum (T1+T2) of the thickness (T1) of one end of the first internal electrode (131) of the first heavy edge internal electrode (130) and the thickness (T2) of one end of the first heavy edge electrode (132). ) That is, the thickness (T1 + T2) of one end of the first heavy edge internal electrode 130 is the thickness (T1) of the other end of the first internal electrode 131 and the thickness of the first inclined electrode 133. The sum of the thicknesses (T32) of the ends of the other side (T1 + T32), that is, is formed to be larger than the thickness (T1 + T32) of the ends of the other side. In this first heavy edge internal electrode 130, the reference for one side and the other side is set in the longitudinal direction (X: shown in FIGS. 1 to 5) of the first heavy edge internal electrode 130.

제2헤비에지 내부전극(140)은 도 3, 도 6 및 도 7에서와 같이, 제2외부전극(300)과 연결되는 타측의 끝단의 두께(T4+T5)가 일측의 끝단의 두께(T4+T62)보다 크게 형성되며, 제2내부전극(141), 제2헤비에지전극(142) 및 제2경사형 전극(143)을 포함한다. As shown in FIGS. 3, 6, and 7, the second heavy edge internal electrode 140 has a thickness (T4 + T5) of the other end connected to the second external electrode 300, and is equal to the thickness (T4) of one end. +T62) and includes a second internal electrode 141, a second heavy edge electrode 142, and a second inclined electrode 143.

제2내부전극(141)은 제2외부전극(300)과 연결되게 타측의 끝단이 제2그린시트(120)의 타측의 끝단에 정렬되고 일측의 끝단은 제2그린시트(120)의 일측의 끝단에서 이격되게 제2그린시트(120)의 상측의 표면에 형성된다. 제2헤비에지전극(142)은 제2외부전극(300)과 연결되게 타측의 끝단이 제2내부전극(141)의 타측의 끝단과 정렬되게 제2내부전극(141)의 상측의 표면에 형성되어 타측의 끝단이 제2외부전극(300)과 연결된다. 제2경사형 전극(143)은 제2헤비에지전극(142)의 일측의 끝단에서 타측의 끝단이 연결되며 상측의 표면이 타측의 끝단에서 일측의 끝단으로 향하는 방향으로 경사지게 제2내부전극(141)의 상측의 표면에 형성된다. The second internal electrode 141 is connected to the second external electrode 300, so that the other end is aligned with the other end of the second green sheet 120, and one end is aligned with one side of the second green sheet 120. It is formed on the upper surface of the second green sheet 120 to be spaced apart from the end. The second heavy edge electrode 142 is formed on the upper surface of the second internal electrode 141 so as to be connected to the second external electrode 300 and the other end is aligned with the other end of the second internal electrode 141. and the other end is connected to the second external electrode 300. The second inclined electrode 143 is connected from one end of the second heavy edge electrode 142 to the other end, and the upper surface of the second internal electrode 141 is inclined in the direction from the other end to the one end. ) is formed on the upper surface of the.

제2헤비에지 내부전극(140)의 제2내부전극(141)의 타측의 끝단의 두께(T4)와 제2헤비에지전극(142)의 타측의 끝단의 두께(T5)의 합(T4+T5) 즉, 제2헤비에지 내부전극(140)의 타측의 끝단의 두께(T4+T5) 보다 제2내부전극(141)의 일측의 끝단의 두께(T4)와 제2경사형 전극(143)의 일측의 끝단의 두께(T62)의 합(T4+T62) 즉, 제2헤비에지 내부전극(140)의 타측의 끝단의 두께(T4+T62)보다 크게 형성된다. 이러한 제2헤비에지 내부전극(140)에서 일측과 타측의 기준은 제2헤비에지 내부전극(140)의 길이방향(X: 도 1, 도 2, 도 3, 도 6 및 도 7에 각각 도시됨)으로 설정된다. The sum of the thickness (T4) of the other end of the second internal electrode 141 of the second heavy edge internal electrode 140 and the thickness (T5) of the other end of the second heavy edge electrode 142 (T4 + T5) ) That is, the thickness (T4) of one end of the second internal electrode 141 and the second inclined electrode 143 are greater than the thickness (T4+T5) of the other end of the second heavy edge internal electrode 140. The sum of the thicknesses (T62) of one end (T4+T62), that is, is greater than the thickness (T4+T62) of the other end of the second heavy edge internal electrode 140. In this second heavy edge internal electrode 140, the reference for one side and the other side is the longitudinal direction (X: shown in FIGS. 1, 2, 3, 6, and 7, respectively) of the second heavy edge internal electrode 140. ) is set.

전술한 것과 같이, 제1헤비에지 내부전극(130)과 제2헤비에지 내부전극(140)에 각각 포함되는 제1내부전극(131)의 두께(T1)와 제2내부전극(141)의 두께(T4)는 서로 동일하게 형성되며, 제1헤비에지전극(132)의 두께(T2)와 제2헤비에지전극(142)의 두께(T5)는 각각 서로 동일하게 형성된다. 제1경사형 전극(133)의 일측의 끝단의 두께(T31)와 제2경사형 전극(143)의 타측의 끝단의 두께(T32)는 서로 동일하게 형성되며, 제1경사형 전극(133)의 타측의 끝단의 두께(T32)와 제2경사형 전극(143)의 일측의 끝단의 두께(T62)는 서로 동일하게 형성된다. 제1경사형 전극(133)의 일측의 끝단의 두께(T31)는 타측의 끝단의 두께(T32)보다 크게 형성되며, 제2경사형 전극(143)의 일측의 끝단의 두께(T62)는 타측의 끝단의 두께(T61)보다 작게 형성된다. 즉, 제1헤비에지전극(132)과 제1경사형 전극(133)이 서로 접하는 끝단의 두께(T2,T31)는 서로 동일하게 형성되며, 제2헤비에지전극(142)과 제2경사형 전극(143)이 서로 접하는 끝단의 두께(T5,T61)는 서로 동일하게 형성된다. As described above, the thickness T1 of the first internal electrode 131 and the thickness of the second internal electrode 141 included in the first heavy edge internal electrode 130 and the second heavy edge internal electrode 140, respectively. (T4) are formed to be equal to each other, and the thickness (T2) of the first heavy edge electrode 132 and the thickness (T5) of the second heavy edge electrode 142 are formed to be equal to each other. The thickness T31 of one end of the first inclined electrode 133 and the thickness T32 of the other end of the second inclined electrode 143 are formed to be the same, and the first inclined electrode 133 The thickness T32 of the other end of the second inclined electrode 143 and the thickness T62 of the other end of the second inclined electrode 143 are formed to be equal to each other. The thickness T31 of one end of the first inclined electrode 133 is larger than the thickness T32 of the other end, and the thickness T62 of one end of the second inclined electrode 143 is greater than the thickness T32 of the other end. It is formed smaller than the thickness (T61) of the end. That is, the thicknesses (T2, T31) of the ends where the first heavy edge electrode 132 and the first inclined electrode 133 are in contact with each other are formed to be the same, and the second heavy edge electrode 142 and the second inclined electrode 133 are formed to be the same. The thicknesses T5 and T61 of the ends where the electrodes 143 contact each other are formed to be the same.

제1헤비에지전극(132)과 제2헤비에지전극(142)의 각각의 길이(L1,L2)는 도 5 및 도 6에서와 같이, 제1내부전극(131)이나 제2내부전극(141)의 각각의 길이(L3,L4)의 5 내지 45%가 되게 형성된다. 여기서, 제1헤비에지전극(132)의 길이(L1)와 제2헤비에지전극(142)의 길이(L2)는 서로 동일하게 형성되며, 제1내부전극(131)의 길이(L3)와 제2내부전극(141)의 길이(L4)는 서로 동일하게 형성된다. 제1경사형 전극(133)과 제2경사형 전극(143)의 각각의 밑변의 길이(L5,L6)는 각각 제1내부전극(131)이나 제2내부전극(141)의 각각의 길이(L3,L4)에서 제1헤비에지전극(132)과 제2헤비에지전극(142)의 각각의 길이(L1,L2)를 감산한 길이로 설정된다. The respective lengths (L1, L2) of the first heavy edge electrode 132 and the second heavy edge electrode 142 are the same as the first internal electrode 131 or the second internal electrode 141, as shown in FIGS. 5 and 6. ) is formed to be 5 to 45% of each length (L3, L4). Here, the length L1 of the first heavy edge electrode 132 and the length L2 of the second heavy edge electrode 142 are formed to be equal to each other, and the length L3 of the first internal electrode 131 and the length L2 of the second heavy edge electrode 142 are formed to be equal to each other. The length L4 of the two internal electrodes 141 is formed to be equal to each other. The lengths (L5, L6) of the bases of the first inclined electrode 133 and the second inclined electrode 143 are the respective lengths of the first internal electrode 131 or the second internal electrode 141 ( It is set to the length obtained by subtracting the respective lengths (L1, L2) of the first heavy edge electrode 132 and the second heavy edge electrode 142 from L3 and L4.

제1헤비에지전극(132)과 제2헤비에지전극(142)의 각각의 두께(T2,T5)는 도 5 및 도 7에서와 같이 각각 제1내부전극(131)이나 제2내부전극(141)의 각각의 두께(T1,T4)의 10 내지 85%가 되게 형성된다. 예를 들어, 제1헤비에지전극(132)의 두께(T2)는 제1내부전극(131)의 두께(T1)의 10 내지 85%가 되게 형성되며, 제2헤비에지전극(142)의 두께(T5)는 제2내부전극(141)의 두께(T4)의 10 내지 85%가 되게 형성된다. 여기서, 제1헤비에지전극(132)의 두께(T2)와 제2헤비에지전극(142)의 두께(T5)는 서로 동일하게 형성되며, 제1내부전극(131)의 두께(T1)와 제2내부전극(141)의 두께(T4)는 서로 동일하게 형성된다. The respective thicknesses T2 and T5 of the first heavy edge electrode 132 and the second heavy edge electrode 142 are the first internal electrode 131 and the second internal electrode 141, respectively, as shown in FIGS. 5 and 7. ) is formed to be 10 to 85% of the respective thicknesses (T1 and T4). For example, the thickness T2 of the first heavy edge electrode 132 is formed to be 10 to 85% of the thickness T1 of the first internal electrode 131, and the thickness of the second heavy edge electrode 142 is 10% to 85% of the thickness T1 of the first internal electrode 131. (T5) is formed to be 10 to 85% of the thickness (T4) of the second internal electrode 141. Here, the thickness T2 of the first heavy edge electrode 132 and the thickness T5 of the second heavy edge electrode 142 are formed to be the same, and the thickness T1 of the first internal electrode 131 and the thickness T5 of the second heavy edge electrode 142 are formed to be equal to each other. The thickness T4 of the two internal electrodes 141 is formed to be the same.

제1헤비에지전극(132)이나 제2헤비에지전극(142)의 각각의 상측의 표면에서 연장되는 수평면(H1,H2)과 제1경사형 전극(133)이나 제2경사형 전극(143)의 경사면(H3,H4) 사이의 경사각도(θ1,θ2)는 각각 도 5 및 도 7에서와 같이, 89.996 내지 89.978도(degree)가 되게 형성된다. 예를 들어, 제1헤비에지전극(132)의 상측의 표면에서 연장되는 수평면(H1)과 제1경사형 전극(133)의 경사면(H3) 사이의 경사각도(θ1)는 89.996 내지 89.978도(degree)가 되게 형성되며, 제2헤비에지전극(142)의 상측의 표면에서 연장되는 수평면(H2)과 제2경사형 전극(143)의 경사면(H4) 사이의 경사각도(θ2)는 89.996 내지 89.978도(degree)가 되게 형성된다. 제1헤비에지전극(132)의 상측의 표면에서 연장되는 수평면(H1)과 제1경사형 전극(133)의 경사면(H3) 사이의 경사각도(θ1)와 제2헤비에지전극(142)의 상측의 표면에서 연장되는 수평면(H2)과 제2경사형 전극(143)의 경사면(H4) 사이의 경사각도(θ2)는 서로 동일하게 형성된다. Horizontal surfaces H1 and H2 extending from the upper surfaces of the first heavy edge electrode 132 and the second heavy edge electrode 142, respectively, and the first inclined electrode 133 and the second inclined electrode 143. The inclination angles θ1 and θ2 between the inclined surfaces H3 and H4 are formed to be 89.996 to 89.978 degrees, as shown in FIGS. 5 and 7, respectively. For example, the inclination angle θ1 between the horizontal surface H1 extending from the upper surface of the first heavy edge electrode 132 and the inclined surface H3 of the first inclined electrode 133 is 89.996 to 89.978 degrees ( degree), and the inclination angle θ2 between the horizontal surface H2 extending from the upper surface of the second heavy edge electrode 142 and the inclined surface H4 of the second inclined electrode 143 is 89.996 to 89.996. It is formed to be 89.978 degrees. The inclination angle (θ1) between the horizontal surface (H1) extending from the upper surface of the first heavy-edge electrode (132) and the inclined surface (H3) of the first inclined electrode (133) and the second heavy-edge electrode (142) The inclination angle θ2 between the horizontal surface H2 extending from the upper surface and the inclined surface H4 of the second inclined electrode 143 is formed to be equal to each other.

제1커버용 그린시트(150)는 도 2에서와 같이, 그린칩(100a)의 가장 상측에 위치되는 제1헤비에지 내부전극(130)의 상측이나 제2헤비에지 내부전극(140)의 상측에 적층되어 배치된다. As shown in FIG. 2, the first cover green sheet 150 is located on the upper side of the first heavy edge internal electrode 130 or the upper side of the second heavy edge internal electrode 140 located at the uppermost side of the green chip 100a. are placed in a stacked manner.

제2커버용 그린시트(160)는 도 2에서와 같이, 그린칩(100a)의 가장 하측에 위치되는 제1헤비에지 내부전극(130)의 하측이나 제2헤비에지 내부전극(140)의 하측에 배치된다. As shown in FIG. 2, the green sheet 160 for the second cover is located below the first heavy edge internal electrode 130 or the lower side of the second heavy edge internal electrode 140 located at the lowermost side of the green chip 100a. is placed in

제1커버용 그린시트(150)와 제2커버용 그린시트(160)의 두께는 각각 소성칩(100)의 전체 두께의 10 내지 30%가 되게 형성되게 오버 코팅(over coating)함으로써 플래쉬 오버(flash over) 현상이 방지되게 한다. Flash over (over-coating) so that the thickness of the green sheet 150 for the first cover and the green sheet 160 for the second cover is 10 to 30% of the total thickness of the fired chip 100, respectively. Prevents flash over phenomenon.

전술한, 본 발명의 스너버용 적층 세라믹 커패시터는 도 4 및 도 6에서와 같이, 제1헤비에지 내부전극(130)이나 제2헤비에지 내부전극(140)은 각각 제1그린시트(110)나 제2그린시트(120)의 상측의 표면에 제1그린시트(110)나 제2그린시트(120)의 길이방향(X: 도 1 내지 도 5에 도시됨)으로 형성된다. 예를 들어, 제1헤비에지 내부전극(130)은 제1헤비에지 내부전극(130)의 길이방향(X)의 일측의 끝단이 제1그린시트(110)의 길이방향(X)의 일측의 끝단에 정렬되며 길이방향(X)의 타측의 끝단은 제1그린시트(110)의 길이방향(X)의 타측의 끝단에서 이격되게 제1그린시트(110)의 상측의 표면에 형성된다. 제2헤비에지 내부전극(140)은 제2헤비에지 내부전극(140)의 길이방향(X)의 일측의 끝단이 제2그린시트(120)의 길이방향(X)의 일측의 끝단에서 이격되며, 길이방향(X)의 타측의 끝단은 제2그린시트(120)의 길이방향(X)의 타측의 끝단에 정렬되게 제2그린시트(120)의 상측의 표면에 형성된다. As described above, in the multilayer ceramic capacitor for snubber of the present invention, as shown in FIGS. 4 and 6, the first heavy-edge internal electrode 130 or the second heavy-edge internal electrode 140 is formed by using the first green sheet 110 or the second heavy-edge internal electrode 140, respectively. It is formed on the upper surface of the second green sheet 120 in the longitudinal direction (X: shown in FIGS. 1 to 5) of the first green sheet 110 or the second green sheet 120. For example, the first heavy-edge internal electrode 130 has an end on one side in the longitudinal direction (X) of the first heavy-edge internal electrode 130 adjacent to one end in the longitudinal direction (X) of the first green sheet 110. It is aligned at the end, and the other end in the longitudinal direction (X) is formed on the upper surface of the first green sheet 110 to be spaced apart from the other end in the longitudinal direction (X) of the first green sheet 110. The second heavy edge internal electrode 140 has an end on one side in the longitudinal direction (X) of the second heavy edge internal electrode 140 spaced apart from an end on one side in the longitudinal direction (X) of the second green sheet 120. , the other end in the longitudinal direction (X) is formed on the upper surface of the second green sheet 120 to be aligned with the other end in the longitudinal direction (X) of the second green sheet 120.

본 발명의 스너버용 적층 세라믹 커패시터는 도 8 및 도 9에서와 같이, 제1헤비에지 내부전극(130)이나 제2헤비에지 내부전극(140)은 각각 제1그린시트(110)나 제2그린시트(120)의 상측의 표면에 제1그린시트(110)나 제2그린시트(120)의 폭방향(Y)으로 형성되어 길이와 폭이 역전된 형상으로 형성된다. 예를 들어, 제1헤비에지 내부전극(130)은 제1헤비에지 내부전극(130)의 폭방향(Y)의 일측의 끝단이 제1그린시트(110)의 폭방향(Y)의 일측의 끝단에 정렬되며 폭방향(Y)의 타측의 끝단은 제1그린시트(110)의 폭방향(Y)의 타측의 끝단에서 이격되어 제1그린시트(110)의 상측의 표면에 형성된다. 제2헤비에지 내부전극(140)은 제2헤비에지 내부전극(140)의 폭방향(Y)의 일측의 끝단이 제2그린시트(120)의 폭방향(Y)의 일측의 끝단에서 이격되며, 폭방향(Y)의 타측의 끝단은 제2그린시트(120)의 폭방향(Y)의 타측의 끝단에 정렬되게 제2그린시트(120)의 상측의 표면에 형성된다.In the multilayer ceramic capacitor for snubber of the present invention, as shown in FIGS. 8 and 9, the first heavy-edge internal electrode 130 or the second heavy-edge internal electrode 140 is formed on the first green sheet 110 or the second green, respectively. The first green sheet 110 or the second green sheet 120 is formed on the upper surface of the sheet 120 in the width direction (Y) so that the length and width are reversed. For example, the first heavy-edge internal electrode 130 has an end on one side in the width direction (Y) of the first heavy-edge internal electrode 130 at one end in the width direction (Y) of the first green sheet 110. It is aligned at the end, and the other end in the width direction (Y) is spaced apart from the other end in the width direction (Y) of the first green sheet 110 and is formed on the upper surface of the first green sheet 110. The second heavy edge internal electrode 140 has an end on one side in the width direction (Y) of the second heavy edge internal electrode 140 spaced apart from an end on one side in the width direction (Y) of the second green sheet 120. , the end of the other side in the width direction (Y) is formed on the upper surface of the second green sheet 120 to be aligned with the end of the other side in the width direction (Y) of the second green sheet 120.

이와 같이, 제1내부전극(131), 제1헤비에지전극(132) 및 제1경사형 전극(133)을 포함하는 제1헤비에지 내부전극(130)과 제2내부전극(141), 제2헤비에지전극(142) 및 제2경사형 전극(143)을 포함하는 제2헤비에지 내부전극(140)은 각각 Ni, 공제 및 바인더를 혼합하여 내부전극용 페이스트를 제조한 후 내부전극용 페이스트를 이용해 제조한다.In this way, the first heavy-edge internal electrode 130 including the first internal electrode 131, the first heavy-edge electrode 132, and the first inclined electrode 133, the second internal electrode 141, The second heavy-edge internal electrode 140, including the 2 heavy-edge electrode 142 and the second inclined electrode 143, is prepared by mixing Ni, copper oxide, and binder to prepare an internal electrode paste, and then making an internal electrode paste. It is manufactured using

전술한 본 발명의 스너버 커패시터의 전기적인 특성을 확인하기 위해 표 1에서와 같이 크기는 5750이며, 유전체 특성은 X7R 규정을 만족하도록 비교예와 실시예들을 제조하였다. In order to confirm the electrical characteristics of the snubber capacitor of the present invention described above, the size is 5750 as shown in Table 1, and comparative examples and examples were manufactured so that the dielectric characteristics satisfied the X7R regulation.

제1및 제2내부전극First and second internal electrodes 제1 및 제2헤비에지전극1st and 2nd heavy edge electrodes 제1 및제2경사형 전극First and second inclined electrodes 길이
[㎜]
length
[㎜]
두께
[㎛]
thickness
[㎛]
길이
[㎜]
length
[㎜]
길이
비율
[%]
length
ratio
[%]
두께
[㎛]
thickness
[㎛]
두께비율
[%]
Thickness ratio
[%]
밑변
길이
[㎜]
base
length
[㎜]

빗변길이[㎜]

Hypotenuse length [㎜]
경사각도
[θ1,θ2]
Incline angle
[θ1,θ2]
비교예Comparative example 5.75.7 3.003.00 0.00000.0000 0%0% 0.000.00 0%0% 00 00 90.00090.000 실시예1Example 1 5.75.7 3.003.00 0.00000.0000 0%0% 1.501.50 50%50% 5.70005.7000 5.70000000000020 5.70000000000020 89.98589.985 실시예2Example 2 5.75.7 3.003.00 0.28500.2850 5%5% 1.501.50 50%50% 5.41505.4150 5.41500000000021 5.41500000000021 89.98489.984 실시예3Example 3 5.75.7 3.003.00 0.57000.5700 10%10% 1.501.50 50%50% 5.13005.1300 5.13000000000022 5.13000000000022 89.98389.983 실시예4Example 4 5.75.7 3.003.00 0.85500.8550 15%15% 1.501.50 50%50% 4.84504.8450 4.84500000000023 4.84500000000023 89.98289.982 실시예5Example 5 5.75.7 3.003.00 1.14001.1400 20%20% 1.501.50 50%50% 4.56004.5600 4.56000000000025 4.56000000000025 89.98189.981 실시예6Example 6 5.75.7 3.003.00 1.71001.7100 30%30% 1.501.50 50%50% 3.99003.9900 3.99000000000028 3.99000000000028 89.97889.978 실시예7Example 7 5.75.7 3.003.00 2.28002.2800 40%40% 1.501.50 50%50% 3.42003.4200 3.42000000000033 3.42000000000033 89.97589.975 실시예8Example 8 5.75.7 3.003.00 2.85002.8500 50%50% 1.501.50 50%50% 2.85002.8500 2.85000000000039 2.85000000000039 89.97089.970 실시예9Example 9 5.75.7 3.003.00 3.42003.4200 60%60% 1.501.50 50%50% 2.28002.2800 2.28000000000049 2.28000000000049 89.96289.962 실시예10Example 10 5.75.7 3.003.00 3.99003.9900 70%70% 1.501.50 50%50% 1.71001.7100 1.71000000000066 1.71000000000066 89.95089.950 실시예11Example 11 5.75.7 3.003.00 0.85500.8550 15%15% 0.300.30 10%10% 4.84504.8450 4.84500000000001 4.84500000000001 89.99689.996 실시예12Example 12 5.75.7 3.003.00 0.85500.8550 15%15% 0.900.90 30%30% 4.84504.8450 4.84500000000008 4.84500000000008 89.98989.989 실시예13Example 13 5.75.7 3.003.00 0.85500.8550 15%15% 1.501.50 50%50% 4.84504.8450 4.84500000000023 4.84500000000023 89.98289.982 실시예14Example 14 5.75.7 3.003.00 0.85500.8550 15%15% 2.102.10 70%70% 4.84504.8450 4.84500000000046 4.84500000000046 89.97589.975 실시예15Example 15 5.75.7 3.003.00 0.85500.8550 15%15% 2.702.70 90%90% 4.84504.8450 4.84500000000075 4.84500000000075 89.96889.968 실시예16Example 16 5.75.7 3.003.00 1.71001.7100 30%30% 0.300.30 10%10% 3.99003.9900 3.99000000000001 3.99000000000001 89.99689.996 실시예17Example 17 5.75.7 3.003.00 1.71001.7100 30%30% 0.900.90 30%30% 3.99003.9900 3.99000000000010 3.99000000000010 89.98789.987 실시예18Example 18 5.75.7 3.003.00 1.71001.7100 30%30% 1.501.50 50%50% 3.99003.9900 3.99000000000028 3.99000000000028 89.97889.978 실시예19Example 19 5.75.7 3.003.00 1.71001.7100 30%30% 2.102.10 70%70% 3.99003.9900 3.99000000000055 3.99000000000055 89.97089.970 실시예20Example 20 5.75.7 3.003.00 1.71001.7100 30%30% 2.702.70 90%90% 3.99003.9900 3.99000000000451 3.99000000000451 89.96189.961

표 1에서와 같이, 비교예1은 제1내부전극(131)과 제2내부전극(141)의 길이를 각각 5.7㎜로 제조하였고, 두께는 각각 3.0㎛로 제조하였으며, 제1헤비에지전극(132), 제1경사형 전극(133), 제2헤비에지전극(142) 및 제2경사형 전극(143)은 제조하지 않았으며, 이로 인해 경사각도(θ1,θ2)는 제1내부전극(131)이나 제2내부전극(141)의 상측의 표면에서 일측이나 타측의 끝단면 사이의 각도가 되며 이 경사각도(θ1,θ2)는 90도(degree)가 된다.실시예1은 표 1에서와 같이, 제1헤비에지전극(132)과 제2헤비에지전극(142)이 각각 형성되는 위치에 제1경사형 전극(133)과 제2경사형 전극(143)이 형성되도록 하였다. 즉, 실시예1은 제1내부전극(131)과 제2내부전극(141)의 길이를 각각 5.7㎜로 제조하였고, 두께는 각각 3.0㎛로 제조하였으며, 제1헤비에지전극(132)과 제2헤비에지전극(142)은 각각 두께만 1.5㎛로 하여 두께 비율이 제1내부전극(131)과 제2내부전극(141)의 두께 비율의 50%가 되게 제조하여 전체적으로 제1헤비에지전극(132), 제2헤비에지전극(142), 제1경사형 전극(133) 및 제2경사형 전극(143)이 전체적으로 경사지게 형성하였으며, 그 결과, 제1경사형 전극(133)과 제2경사형 전극(143)의 각각의 밑변길이는 5.7㎜이며, 경사각도(θ1,θ2)는 89.985도(degree)가 되게 형성되었다. As shown in Table 1, in Comparative Example 1, the first internal electrode 131 and the second internal electrode 141 were each manufactured with a length of 5.7 mm and a thickness of 3.0 μm, and the first heavy edge electrode ( 132), the first inclined electrode 133, the second heavy edge electrode 142, and the second inclined electrode 143 were not manufactured, and as a result, the inclined angles (θ1, θ2) are the first internal electrode ( 131) or the angle between the upper surface of the second internal electrode 141 and the end surface of one side or the other, and this inclination angle (θ1, θ2) is 90 degrees. Example 1 is shown in Table 1 As shown, the first inclined electrode 133 and the second inclined electrode 143 were formed at the positions where the first heavy edge electrode 132 and the second heavy edge electrode 142 were formed, respectively. That is, in Example 1, the first internal electrode 131 and the second internal electrode 141 were each manufactured to have a length of 5.7 mm and a thickness of 3.0 μm, and the first heavy edge electrode 132 and the second internal electrode 141 were manufactured to have a length of 5.7 mm and a thickness of 3.0 μm. The 2 heavy edge electrodes 142 each have a thickness of 1.5㎛ and are manufactured so that the thickness ratio is 50% of the thickness ratio of the first internal electrode 131 and the second internal electrode 141, thereby forming the first heavy edge electrode ( 132), the second heavy edge electrode 142, the first inclined electrode 133, and the second inclined electrode 143 were formed to be inclined overall, and as a result, the first inclined electrode 133 and the second inclined electrode 143 The base length of each electrode 143 was 5.7 mm, and the inclination angles θ1 and θ2 were formed to be 89.985 degrees.

실시예2는 제1내부전극(131)과 제2내부전극(141)의 길이를 각각 5.7㎜로 제조하였고, 두께는 각각 3.0㎛가 되게 형성하였고, 제1헤비에지전극(132)과 제2헤비에지전극(142)은 각각 길이는 0.285㎜로 제1내부전극(131)과 제2내부전극(141)의 길이의 5%가 되게 형성하였다. 제1헤비에지전극(132)과 제2헤비에지전극(142)의 각각의 두께는 1.5㎛로 하여 두께 비율이 제1내부전극(131)과 제2내부전극(141)의 두께 비율의 50%가 되게 제조하였다. 제1경사형 전극(133)과 제2경사형 전극(143)의 각각의 밑변 길이는 제1내부전극(131)과 제2내부전극(141)의 길이에서 제1헤비에지전극(132)과 제2헤비에지전극(142)의 각각 길이 0.285㎜가 감산하여 5.415㎜가 되게 제조하였으며, 이로 인해 제1경사형 전극(133)과 제2경사형 전극(143)의 경사면의 빗변길이는 5.41500000000021㎜가 되었으며 경사각도(θ1,θ2)는 89.984도(degree)가 되게 형성되었다. In Example 2, the first internal electrode 131 and the second internal electrode 141 were each manufactured to have a length of 5.7 mm and a thickness of 3.0 μm, and the first heavy edge electrode 132 and the second internal electrode 132 were manufactured to have a thickness of 3.0 μm. The heavy edge electrodes 142 each had a length of 0.285 mm and was formed to be 5% of the length of the first internal electrode 131 and the second internal electrode 141. The thickness of each of the first heavy edge electrode 132 and the second heavy edge electrode 142 is 1.5㎛, and the thickness ratio is 50% of the thickness ratio of the first internal electrode 131 and the second internal electrode 141. It was manufactured to be . The length of each base of the first inclined electrode 133 and the second inclined electrode 143 is the first heavy edge electrode 132 and the length of the first internal electrode 131 and the second internal electrode 141. The length of the second heavy edge electrode 142 was subtracted by 0.285 mm to make it 5.415 mm. As a result, the hypotenuse length of the inclined plane of the first inclined electrode 133 and the second inclined electrode 143 was 5.41500000000021 mm. and the inclination angles (θ1, θ2) were formed to be 89.984 degrees.

실시예3은 표 1에 기재된 것과 같이, 제1내부전극(131), 제2내부전극(141), 제1헤비에지전극(132), 제2헤비에지전극(142), 제1경사형 전극(133) 및 제2경사형 전극(143)을 제조하였으며, 제1경사형 전극(133)과 제2경사형 전극(143)의 빗변길이는 5.13000000000022㎜가 되었으며 경사각도(θ1,θ2)는 89.983도(degree)가 되게 형성되었다. 실시예4 내지 실시예20은 각각 실시예3과 같이 표 1에 기재된 내역으로 형성하였으며, 각각의 제1경사형 전극(133)과 제2경사형 전극(143)의 빗변길이와 경사각도(θ1,θ2)는 표 1에 기재된 내역으로 측정되었다. 표 1에서와 같이, 제1경사형 전극(133)과 제2경사형 전극(143)의 경사면의 빗변길이와 경사각도(θ1,θ2)는 각각 미세하게 변한 것으로 측정되었다. 이는 제1내부전극(131), 제2내부전극(141), 제1헤비에지전극(132), 제2헤비에지전극(142), 제1경사형 전극(133) 및 제2경사형 전극(143)의 각각의 밑변 길이에 비해 각각의 두께가 극히 얇게 형성된 것에 기인하며, 이와 같이 미세하게 변하게 함으로써 각각을 수백층으로 하여 적층한 후 압착하여 그린칩(100a)을 형성 시 그립칩(100a)의 형상 왜곡을 최소화할 수 있게 된다. Example 3, as shown in Table 1, the first internal electrode 131, the second internal electrode 141, the first heavy edge electrode 132, the second heavy edge electrode 142, and the first inclined electrode. (133) and the second inclined electrode 143 were manufactured, and the hypotenuse length of the first inclined electrode 133 and the second inclined electrode 143 was 5.13000000000022 mm, and the inclined angle (θ1, θ2) was 89.983. It was formed to become a degree. Examples 4 to 20 were each formed with the details shown in Table 1 like Example 3, and the hypotenuse length and inclination angle (θ1) of each of the first inclined electrode 133 and the second inclined electrode 143 ,θ2) was measured with the details listed in Table 1. As shown in Table 1, the hypotenuse length and inclination angles (θ1, θ2) of the inclined surfaces of the first inclined electrode 133 and the second inclined electrode 143 were measured to have slightly changed, respectively. This includes the first internal electrode 131, the second internal electrode 141, the first heavy edge electrode 132, the second heavy edge electrode 142, the first inclined electrode 133 and the second inclined electrode ( This is due to the fact that each thickness is formed extremely thin compared to the length of each base, and by changing this minutely, each is stacked in hundreds of layers and then pressed to form the green chip 100a. It is possible to minimize shape distortion.

표 1에 기재된 내역으로 제조된 비교예와 실시예1 내지 20에 대한 전기적인 특성을 시험하였으며, 그 결과를 표 2에 기재하였다. The electrical properties of Comparative Examples and Examples 1 to 20 prepared according to the specifications in Table 1 were tested, and the results are shown in Table 2.

서지(surge)수행 전 전기적특성Electrical characteristics before surge 서지수행 후 전기적특성Electrical characteristics after surge performance 용량 [㎋]Capacity [㎋] DF [%]DF [%] IR [GΩ]IR [GΩ] ESR @1MHz [mΩ]ESR @1MHz [mΩ] BDV [kV]BDV [kV] HALTHALT 용량 [㎋]Capacity [㎋] DF [%]DF [%] IR
[GΩ]
IR
[GΩ]
비고note
비교예Comparative example 199199 1.011.01 2.982.98 14.6014.60 4.024.02 OKOK 170170 1.551.55 0.130.13 감소decrease 실시예1Example 1 216216 1.021.02 2.832.83 13.4513.45 3.703.70 OKOK 184184 2.502.50 0.080.08 감소decrease 실시예2Example 2 217217 1.041.04 2.812.81 13.3413.34 3.663.66 OKOK 178178 3.103.10 0.180.18 감소decrease 실시예3Example 3 221221 1.041.04 2.752.75 13.1513.15 3.633.63 OKOK 220220 1.041.04 2.772.77 정상normal 실시예4Example 4 222222 1.051.05 2.752.75 13.0613.06 3.593.59 OKOK 222222 1.051.05 2.752.75 정상normal 실시예5Example 5 224224 1.061.06 2.712.71 12.9212.92 3.563.56 OKOK 225225 1.061.06 2.722.72 정상normal 실시예6Example 6 229229 1.081.08 2.672.67 12.6912.69 3.493.49 OKOK 229229 1.081.08 2.672.67 정상normal 실시예7Example 7 234234 1.111.11 2.632.63 12.4712.47 3.433.43 OKOK 233233 1.101.10 2.622.62 정상normal 실시예8Example 8 238238 1.131.13 2.552.55 12.2912.29 3.363.36 NGNG 238238 1.121.12 2.572.57 정상normal 실시예9Example 9 241241 1.131.13 2.522.52 12.0312.03 3.303.30 NGNG 242242 1.141.14 2.532.53 정상normal 실시예10Example 10 242242 1.151.15 2.492.49 11.9011.90 3.253.25 NGNG 153153 4.504.50 1.221.22 감소decrease 실시예11Example 11 183183 0.960.96 3.333.33 15.2015.20 4.374.37 OKOK 183183 0.860.86 3.353.35 정상normal 실시예12Example 12 203203 1.001.00 3.023.02 14.3414.34 3.943.94 OKOK 203203 0.960.96 3.023.02 정상normal 실시예13Example 13 222222 1.051.05 2.752.75 13.0613.06 3.593.59 OKOK 222222 1.051.05 2.752.75 정상normal 실시예14Example 14 242242 1.141.14 2.532.53 12.9912.99 3.303.30 NGNG 242242 1.141.14 2.522.52 정상normal 실시예15Example 15 262262 1.191.19 2.352.35 11.6811.68 3.053.05 NGNG 202202 1.801.80 1.071.07 감소decrease 실시예16Example 16 184184 0.900.90 3.303.30 15.4915.49 4.344.34 OKOK 184184 0.870.87 3.323.32 정상normal 실시예17Example 17 206206 1.001.00 2.942.94 14.2714.27 3.873.87 OKOK 206206 0.980.98 2.962.96 정상normal 실시예18Example 18 229229 1.081.08 2.672.67 12.6912.69 3.493.49 OKOK 229229 1.081.08 2.672.67 정상normal 실시예19Example 19 251251 1.191.19 2.452.45 11.3511.35 3.183.18 NGNG 251251 1.191.19 2.432.43 정상normal 실시예20Example 20 274274 1.201.20 2.232.23 11.2111.21 2.922.92 NGNG 180180 1.991.99 0.030.03 감소decrease

표 2에서와 같이 비교예1과 실시예1 내지 20은 각각 서지(surge) 수행 이전과 서지 수행 후에 대해 각각 시험을 했다. 서지 수행 이전의 시험은 비교예1과 실시예1 내지 20의 용량, DF(dissipation factor), IR(insulation resistance), ESR(equivalent series resistance), BDV(breakdown voltage) 및 HALT(highly accelerated life test) 특성을 시험했으며, 서지 수행 이후의 시험은 비교예1과 실시예1 내지 20의 용량, DF 및 IR을 시험했다. 각각의 시험항목에 대한 시험장치나 시험방법은 공지된 장치나 방법이 적용됨에 의해 설명을 생략하며, ESR의 측정 시 1㎒에서 측정하였으며, HALT는 온도 특성에 대한 시험을 수행했다. 즉, 비교예1과 실시예1 내지 20은 각각 HALT 시험을 통해 고온 상태에서도 서지, 즉 고전압이 인가하는 경우에도 전기적인 특성을 유지하여 신뢰성을 제공하는지 여부를 측정하였다. 비교예1은 표 2에서와 같이, 서지 수행전 용량 199㎋, DF 1.01%, IR 2.98GΩ, ESR 14.6mΩ 및 BDV 4.02kV 및 HALT 'OK'로 측정되었고, 서지 수행 후 용량 170㎋, DF 1.55% 및 IR 0.13GΩ으로 측정되어 서지 전과 후의 측정값이 표 2에 기재된 '비고' 항목에서와 같이 감소된 것으로 확인되었다. As shown in Table 2, Comparative Example 1 and Examples 1 to 20 were tested before and after surge performance, respectively. The test before performing the surge was the capacity, dissipation factor (DF), insulation resistance (IR), equivalent series resistance (ESR), breakdown voltage (BDV), and highly accelerated life test (HALT) of Comparative Example 1 and Examples 1 to 20. The characteristics were tested, and the tests after performing the surge tested the capacity, DF, and IR of Comparative Example 1 and Examples 1 to 20. The description of the test device or test method for each test item is omitted as well-known devices or methods are applied. When measuring ESR, it was measured at 1 MHz, and HALT performed a test on temperature characteristics. That is, Comparative Example 1 and Examples 1 to 20 were each tested through HALT testing to determine whether electrical characteristics were maintained and reliability was maintained even when a surge, i.e., high voltage, was applied even at high temperatures. As shown in Table 2, Comparative Example 1 was measured with a capacity of 199㎋, DF 1.01%, IR 2.98GΩ, ESR 14.6mΩ, BDV 4.02kV, and HALT 'OK' before the surge, and a capacity of 170㎋, DF 1.55 after the surge. % and IR were measured at 0.13GΩ, and it was confirmed that the measured values before and after the surge were reduced as shown in the 'Remarks' item in Table 2.

실시예1은 표 2에서와 같이, 서지 수행전 용량 216㎋, DF 1.02%, IR 2.83GΩ, ESR 13.45mΩ 및 BDV 3.7kV 미 HALT 'OK'로 측정되었고, 서지 수행 후 용량 184㎋, DF 2.5% 및 IR 0.08GΩ으로 측정되어 서지 전과 후의 측정값이 표 2에 기재된 '비고' 항목에서와 같이 감소된 것으로 확인되었다. As shown in Table 2, in Example 1, before the surge, the capacity was 216㎋, DF 1.02%, IR 2.83GΩ, ESR 13.45mΩ, and BDV 3.7kV were measured as 'OK', and after the surge, the capacity was 184㎋, DF 2.5. % and IR were measured at 0.08GΩ, and it was confirmed that the measured values before and after the surge were reduced as shown in the 'Remarks' item in Table 2.

실시예2는 표 2에서와 같이, 서지 수행전 용량 217㎋, DF 1.04%, IR 2.81GΩ, ESR 13.34mΩ 및 BDV 3.66kV 미 HALT 'OK'로 측정되었고, 서지 수행 후 용량 178㎋, DF 3.1% 및 IR 0.18GΩ으로 측정되어 서지 전과 후의 측정값이 표 2에 기재된 '비고' 항목에서와 같이 감소된 것으로 확인되었다. As shown in Table 2, in Example 2, before the surge, the capacity was 217㎋, DF 1.04%, IR 2.81GΩ, ESR 13.34mΩ, and BDV 3.66kV were measured as 'OK', and after the surge, the capacity was 178㎋, DF 3.1. % and IR were measured at 0.18GΩ, and it was confirmed that the measured values before and after the surge were reduced as shown in the 'Remarks' item in Table 2.

실시예3은 표 2에서와 같이, 서지 수행전 용량 221㎋, DF 1.04%, IR 2.75GΩ, ESR 13.15mΩ 및 BDV 3.63kV 미 HALT 'OK'로 측정되었고, 서지 수행 후 용량 220㎋, DF 1.04% 및 IR 2.77GΩ으로 측정되어 서지 전과 후의 측정값이 표 2에 기재된 '비고' 항목에서와 같이 정상으로 확인되었다. As shown in Table 2, in Example 3, before the surge, the capacity was 221㎋, DF 1.04%, IR 2.75GΩ, ESR 13.15mΩ, and BDV 3.63kV were measured as 'OK', and after the surge, the capacity was 220㎋, DF 1.04. % and IR were measured at 2.77GΩ, and the measured values before and after the surge were confirmed to be normal as shown in the 'Remarks' item in Table 2.

실시예4는 표 2에서와 같이, 서지 수행전 용량 221㎋, DF 1.05%, IR 2.75GΩ, ESR 13.06mΩ 및 BDV 3.59kV 미 HALT 'OK'로 측정되었고, 서지 수행 후 용량 222㎋, DF 1.05% 및 IR 2.77GΩ으로 측정되어 서지 전과 후의 측정값이 표 2에 기재된 '비고' 항목에서와 같이 정상으로 확인되었다. As shown in Table 2, in Example 4, before the surge, the capacity was 221㎋, DF 1.05%, IR 2.75GΩ, ESR 13.06mΩ, and BDV 3.59kV were measured as 'OK', and after the surge, the capacity was 222㎋, DF 1.05. % and IR were measured at 2.77GΩ, and the measured values before and after the surge were confirmed to be normal as shown in the 'Remarks' item in Table 2.

실시예5 내지 실시예9, 실시예11 내지 실시예14 및 실시예16 내지 실시예19는 각각 표 2에 기재된 측정 값과 같이, 서지 전과 후의 측정값이 표 2에 기재된 '비고' 항목에서와 같이 정상으로 확인되었으나 실시예10, 실시예15 및 실시예20은 각각 서지 전과 후의 측정값이 표 2에 기재된 '비고' 항목에서와 같이 감소로 확인되었다. In Examples 5 to 9, Examples 11 to 14, and Examples 16 to 19, the measured values before and after the surge were as shown in Table 2, respectively, as in the 'Remarks' item listed in Table 2. It was confirmed to be normal, but in Example 10, Example 15, and Example 20, the measured values before and after the surge were confirmed to be decreased as shown in the 'Remarks' item in Table 2.

표 2에 기재된 HALT 항목의 'OK'는 정상을 표시한 것이고, 'NG'는 불량을 나타내며, '비고' 항목에서 정상은 서지 전과 후의 측정값의 변화가 작은 것을 나타내고, 감소는 서지 전 후 측정값의 변화 커 불량인 것을 나타낸다. In the HALT items listed in Table 2, 'OK' indicates normal, 'NG' indicates defective, and in the 'Remarks' item, normal indicates a small change in the measured value before and after the surge, and a decrease indicates a small change in the measured value before and after the surge. A large change in value indicates a defect.

표 2에서와 같이, 제1헤비에지전극(132)이나 제2헤비에지전극(142)의 두께가 증가할수록 용량과 DF는 증가하고 R, BDV 및 ESR은 각각 감소한 것을 알 수 있다. 제1헤비에지전극(132)이나 제2헤비에지전극(142)의 두께나 길이가 긴 경우 즉, 밑변 길이의 비율이 큰 경우에 소성칩(100)의 구조적인 안정성 즉, 단차 등이 발생되어 신뢰성이 감소하는 변곡점이 발생한다. 여기서, 변곡점은 제1헤비에지전극(132)이나 제2헤비에지전극(142)의 길이 비율 50% 이상이거나 두께 비율 90% 이상인 경우에 HALT가 NG가 발생되는 것을 알 수 있다. As shown in Table 2, it can be seen that as the thickness of the first heavy edge electrode 132 or the second heavy edge electrode 142 increases, the capacity and DF increase, and R, BDV, and ESR decrease respectively. When the thickness or length of the first heavy edge electrode 132 or the second heavy edge electrode 142 is long, that is, when the ratio of the base length is large, the structural stability of the fired chip 100, that is, a step, etc., occurs. An inflection point occurs where reliability decreases. Here, it can be seen that HALT NG occurs at the inflection point when the length ratio of the first heavy edge electrode 132 or the second heavy edge electrode 142 is 50% or more or the thickness ratio is 90% or more.

이상에서와 같이, 본 발명의 스너버용 적층 세라믹 커패시터는 제1헤비에지전극(132)이나 제2헤비에지전극(142)의 길이를 제1내부전극(131)이나 제2내부전극(141)의 길이의 5 내지 45%가 되게 형성하고 두께는 제1내부전극(131)이나 제2내부전극(141)의 10 내지 85%가 되게 형성함으로써 전기적인 특성 개선으로 인한 신뢰성 개선과 아울러 제1외부전극(200)과 1제헤비에지 내부전극(130) 사이와 제2외부전극(300)과 제2헤비에지 내부전극(140) 사이의 접촉면적을 증가시켜 접촉저항을 감소시킴에 의해 ESR 특성을 개선시켜 고전압에서 사용 가능하며 장수명이고 SMD용으로 용이하게 사용할 수 있으며, 고전압에서 온도 안정성을 제공할 수 있게 된다.As described above, the multilayer ceramic capacitor for a snubber of the present invention has the length of the first heavy edge electrode 132 or the second heavy edge electrode 142 divided by the length of the first internal electrode 131 or the second internal electrode 141. By forming it to be 5 to 45% of the length and 10 to 85% of the thickness of the first internal electrode 131 or the second internal electrode 141, reliability is improved due to improved electrical characteristics and the first external electrode ESR characteristics are improved by reducing contact resistance by increasing the contact area between (200) and the first heavy edge internal electrode 130 and between the second external electrode 300 and the second heavy edge internal electrode 140. It can be used at high voltage, has a long lifespan, can be easily used for SMD, and can provide temperature stability at high voltage.

본 발명의 스너버용 적층 세라믹 커패시터는 커패시터 제조 산업 분야에 적용할 수 있다.The multilayer ceramic capacitor for snubber of the present invention can be applied to the capacitor manufacturing industry.

100: 소성칩 100a: 그린칩
110: 제1그린시트 120: 제2그린시트
130: 제1헤비에지 내부전극 131: 제1내부전극
132: 제1헤비에지전극 133: 제1경사형 전극
140: 제2헤비에지 내부전극 141:제2내부전극
142: 제2헤비에지전극 143: 제2경사형 전극
150: 제1커버용 그린시트 160: 제2커버용 그린시트
200: 제1외부전극 300: 제1외부전극
100: fired chip 100a: green chip
110: 1st green sheet 120: 2nd green sheet
130: first heavy edge internal electrode 131: first internal electrode
132: first heavy edge electrode 133: first inclined electrode
140: Second heavy edge internal electrode 141: Second internal electrode
142: second heavy edge electrode 143: second inclined electrode
150: Green sheet for first cover 160: Green sheet for second cover
200: first external electrode 300: first external electrode

Claims (8)

그린칩(green chip)을 소성하여 형성되는 소성칩과,
상기 소성칩의 일측의 끝단에 형성되는 제1외부전극과,
상기 소성칩의 타측의 끝단에 형성되는 제2외부전극을 포함하고,
상기 그린칩은 서로 순차적으로 적층되는 다수개의 제1그린시트(green sheet)와, 상기 제1그린시트의 상측이나 하측에 위치되게 적층되는 다수개의 제2그린시트와, 제1외부전극과 연결되게 일측의 끝단이 제1그린시트의 일측의 끝단에 정렬되고 타측의 끝단은 제1그린시트의 타측의 끝단에서 이격되게 제1그린시트의 표면에 각각 형성되는 다수개의 제1헤비에지 내부전극(heavy edge internal electrode)과, 상기 제2외부전극과 연결되게 타측의 끝단이 제2그린시트의 타측의 끝단에 정렬되고 일측의 끝단은 제2그린시트의 일측의 끝단에서 이격되게 제2그린시트의 표면에 각각 형성되는 다수개의 제2헤비에지 내부전극를 포함하며,
상기 다수개의 제1그린시트는 각각 제1헤비에지 내부전극이 제1외부전극과 연결되고 제2외부전극과 이격되게 순차적으로 적층되어 압착되고, 상기 다수개의 제2그린시트는 각각 제1헤비에지 내부전극이 제1외부전극과 이격되며 제2헤비에지 내부전극 제2외부전극과 연결되게 정렬되어 순차적으로 적층된 후 압착되며, 상기 제1헤비에지 내부전극은 제1외부전극과 연결되는 일측의 끝단의 두께가 타측의 끝단의 두께보다 크게 형성되며, 상기 제2헤비에지 내부전극은 제2외부전극과 연결되는 타측의 끝단의 두께가 일측의 끝단의 두께보다 크게 형성되는 스너버용 적층 세라믹 커패시터.
A fired chip formed by firing a green chip,
A first external electrode formed at one end of the fired chip,
It includes a second external electrode formed at the other end of the fired chip,
The green chip is connected to a plurality of first green sheets stacked sequentially, a plurality of second green sheets stacked above or below the first green sheets, and a first external electrode. A plurality of first heavy edge internal electrodes are formed on the surface of the first green sheet such that one end is aligned with the end of one side of the first green sheet and the other end is spaced apart from the other end of the first green sheet. edge internal electrode), the other end of which is connected to the second external electrode is aligned with the other end of the second green sheet, and one end of the second green sheet is spaced apart from one end of the second green sheet. It includes a plurality of second heavy edge internal electrodes each formed in,
The plurality of first green sheets are sequentially stacked and pressed so that the first heavy edge internal electrode is connected to the first external electrode and spaced apart from the second external electrode, and the plurality of second green sheets are each connected to the first heavy edge electrode. The internal electrode is spaced apart from the first external electrode and aligned to be connected to the second heavy-edge internal electrode and the second external electrode, sequentially stacked and then pressed, and the first heavy-edge internal electrode is connected to the first external electrode on one side. The thickness of the end is formed to be greater than the thickness of the other end, and the second heavy edge internal electrode is formed to have a thickness of the other end connected to the second external electrode to be greater than the thickness of the end of one side. A multilayer ceramic capacitor for a snubber.
제1항에 있어서,
상기 제1헤비에지 내부전극은 제1외부전극과 연결되게 일측의 끝단이 제1그린시트의 일측의 끝단에 정렬되고 타측의 끝단은 제1그린시트의 타측의 끝단에서 이격되게 제1그린시트의 상측의 표면에 형성되는 제1내부전극과, 제1외부전극과 연결되게 일측의 끝단이 제1내부전극의 일측의 끝단에 정렬되어 제1내부전극의 상측의 표면에 형성되는 제1헤비에지전극과, 상기 제1헤비에지전극의 타측의 끝단과 일측의 끝단이 연결되며 상측의 표면이 일측의 끝단에서 타측의 끝단으로 향하는 방향으로 경사지게 제1내부전극의 상측의 표면에 형성되는 제1경사형 전극을 포함하며,
상기 제2헤비에지 내부전극은 제2외부전극과 연결되게 타측의 끝단이 제2그린시트의 타측의 끝단에 정렬되고 일측의 끝단은 제2그린시트의 일측의 끝단에서 이격되게 제2그린시트의 상측의 표면에 형성되는 제2내부전극과, 제2외부전극과 연결되게 타측의 끝단이 제2내부전극의 타측의 끝단과 정렬되게 제2내부전극의 상측의 표면에 형성되어 타측의 끝단이 제2외부전극과 연결되는 제2헤비에지전극과, 상기 제2헤비에지전극의 일측의 끝단에서 타측의 끝단이 연결되며 상측의 표면이 타측의 끝단에서 일측의 끝단으로 향하는 방향으로 경사지게 제2내부전극의 상측의 표면에 형성되는 제2경사형 전극을 포함하는 스너버용 적층 세라믹 커패시터.
According to paragraph 1,
The first heavy edge internal electrode is connected to the first external electrode, so that one end is aligned with one end of the first green sheet, and the other end is spaced apart from the other end of the first green sheet. A first internal electrode formed on the upper surface, and a first heavy edge electrode formed on the upper surface of the first internal electrode with one end aligned with one end of the first internal electrode to be connected to the first external electrode. and a first inclined shape formed on the upper surface of the first internal electrode so that the other end of the first heavy edge electrode is connected to the one end and the upper surface is inclined in the direction from one end to the other end. Contains electrodes,
The second heavy edge internal electrode is connected to the second external electrode, so that the other end is aligned with the other end of the second green sheet, and one end is spaced apart from one end of the second green sheet. A second internal electrode is formed on the upper surface, and the other end is connected to the second external electrode and is formed on the upper surface of the second internal electrode so that the other end is aligned with the other end of the second internal electrode. 2 A second heavy edge electrode connected to the external electrode, and a second internal electrode where one end of the second heavy edge electrode is connected to the other end and the upper surface is inclined in the direction from the other end to the one end. A multilayer ceramic capacitor for a snubber including a second inclined electrode formed on the upper surface of.
제2항에 있어서,
상기 제1내부전극의 두께와 상기 제2내부전극의 두께는 서로 동일하게 형성되고,
상기 제1헤비에지전극의 두께와 상기 제2헤비에지전극의 두께는 서로 동일하게 형성되며,
상기 제1경사형 전극의 일측의 끝단의 두께와 상기 제2경사형 전극의 타측의 끝단의 두께는 서로 동일하게 형성되며,
상기 제1경사형 전극의 타측의 끝단의 두께와 상기 제2경사형 전극의 일측의 끝단의 두께는 서로 동일하게 형성되며,
상기 제1경사형 전극의 일측의 끝단의 두께는 타측의 끝단의 두께보다 크게 형성되며,
상기 제2경사형 전극의 일측의 끝단의 두께는 타측의 끝단의 두께보다 작게 형성되는 스너버용 적층 세라믹 커패시터.
According to paragraph 2,
The thickness of the first internal electrode and the thickness of the second internal electrode are formed to be the same,
The thickness of the first heavy edge electrode and the thickness of the second heavy edge electrode are formed to be the same,
The thickness of one end of the first inclined electrode and the thickness of the other end of the second inclined electrode are formed to be the same,
The thickness of the other end of the first inclined electrode and the thickness of one end of the second inclined electrode are formed to be the same,
The thickness of one end of the first inclined electrode is greater than the thickness of the other end,
A multilayer ceramic capacitor for a snubber in which the thickness of one end of the second inclined electrode is formed to be smaller than the thickness of the other end of the second inclined electrode.
제2항에 있어서,
상기 제1헤비에지전극과 상기 제2헤비에지전극의 각각의 길이는 제1내부전극이나 제2내부전극의 각각의 길이의 5 내지 45%가 되게 형성되고,
상기 제1헤비에지전극과 상기 제2헤비에지전극의 각각의 두께는 제1내부전극이나 제2내부전극의 각각의 두께의 10 내지 85%가 되게 형성되는 스너버용 적층 세라믹 커패시터.
According to paragraph 2,
Each length of the first heavy edge electrode and the second heavy edge electrode is formed to be 5 to 45% of each length of the first internal electrode or the second internal electrode,
A multilayer ceramic capacitor for a snubber in which each thickness of the first heavy edge electrode and the second heavy edge electrode is formed to be 10 to 85% of the respective thickness of the first internal electrode or the second internal electrode.
제2항에 있어서,
상기 제1헤비에지전극이나 상기 제2헤비에지전극의 각각의 상측의 표면에서 연장되는 수평면과 제1경사형 전극이나 제2경사형 전극의 경사면 사이의 경사각도는 각각 89.996 내지 89.978도(degree)인 스너버용 적층 세라믹 커패시터.
According to paragraph 2,
The inclination angle between the horizontal plane extending from the upper surface of each of the first heavy edge electrode or the second heavy edge electrode and the inclined surface of the first inclined electrode or the second inclined electrode is 89.996 to 89.978 degrees, respectively. Multilayer ceramic capacitors for phosphor snubbers.
제1항에 있어서,
상기 제1헤비에지 내부전극의 길이방향의 일측의 끝단은 제1그린시트의 길이방향의 일측의 끝단에 정렬되며 길이방향의 타측의 끝단은 제1그린시트의 길이방향의 타측의 끝단에서 이격되게 형성되고,
상기 제2헤비에지 내부전극의 길이방향의 일측의 끝단은 제2그린시트의 길이방향의 일측의 끝단에서 이격되며, 길이방향의 타측의 끝단은 제2그린시트의 길이방향의 타측의 끝단에 정렬되게 형성되는 스너버용 적층 세라믹 커패시터.
According to paragraph 1,
One end of the first heavy edge internal electrode in the longitudinal direction is aligned with one end of the longitudinal direction of the first green sheet, and the other end of the longitudinal direction is spaced apart from the other end of the longitudinal direction of the first green sheet. formed,
One end of the second heavy edge internal electrode in the longitudinal direction is spaced apart from one end of the longitudinal direction of the second green sheet, and the other end of the second heavy edge internal electrode is aligned with the other end of the longitudinal direction of the second green sheet. A multilayer ceramic capacitor for a snubber that is formed to be.
제2항에 있어서,
상기 제1헤비에지 내부전극의 폭방향의 일측의 끝단은 제1그린시트의 폭방향의 일측의 끝단에 정렬되며 폭방향의 타측의 끝단은 제1그린시트의 폭방향의 타측의 끝단에서 이격되게 형성되고,
상기 제2헤비에지 내부전극의 폭방향의 일측의 끝단은 제2그린시트의 폭방향의 일측의 끝단에서 이격되며, 폭방향의 타측의 끝단은 제2그린시트의 폭방향의 타측의 끝단에 정렬되게 형성되는 스너버용 적층 세라믹 커패시터.
According to paragraph 2,
The end of one side in the width direction of the first heavy edge internal electrode is aligned with the end of one side in the width direction of the first green sheet, and the end of the other side in the width direction is spaced apart from the end of the other side in the width direction of the first green sheet. formed,
The end of one side in the width direction of the second heavy edge internal electrode is spaced apart from the end of one side in the width direction of the second green sheet, and the end of the other side in the width direction is aligned with the end of the other side in the width direction of the second green sheet. A multilayer ceramic capacitor for a snubber that is formed to be
제1항에 있어서,
상기 소성칩은 일측이나 타측의 끝단을 제외한 표면에 실란계 절연 피복층이 형성되고,
상기 그린칩은 가장 상측에 위치되는 제1헤비에지 내부전극의 상측이나 제2헤비에지 내부전극의 상측에 제1커버용 그린시트가 적층되어 배치되며, 가장 하측에 위치되는 제1헤비에지 내부전극의 하측이나 제2헤비에지 내부전극의 하측에 제2커버용 그린시트가 적층되어 배치되며, 제1커버용 그린시트와 제2커버용 그린시트의 두께는 각각 소성칩의 전체 두께의 10 내지 30%가 되게 형성되게 형성되며,
상기 실란계 절연 피복층의 재질은 실란계 코팅제가 사용되며, 상기 실란계 코팅제는 실란 혼합물, 이소프로판올기 및 아세틸알코올를 혼합하여 사용되며, 상기 실란 혼합물은 아미노프로필트리에톡시실란과 글리시톡시프로필트리에폭시실란를 혼합하여 사용되는 스너버용 적층 세라믹 커패시터.
According to paragraph 1,
The fired chip has a silane-based insulating coating layer formed on the surface except for one end or the other end,
The green chip is disposed by stacking a first cover green sheet on the upper side of the uppermost first heavy edge internal electrode or on the upper side of the second heavy edge internal electrode, and the lowermost first heavy edge internal electrode. Green sheets for the second cover are stacked and disposed on the lower side or the lower side of the second heavy edge internal electrode, and the thickness of the green sheet for the first cover and the green sheet for the second cover is 10 to 30 times the total thickness of the fired chip, respectively. It is formed to be %,
The material of the silane-based insulating coating layer is a silane-based coating agent, and the silane-based coating agent is a mixture of silane mixture, isopropanol group, and acetyl alcohol, and the silane mixture is aminopropyltriethoxysilane and glycitoxypropyltriepoxy. Multilayer ceramic capacitor for snubber used by mixing silane.
KR1020220082575A 2022-07-05 2022-07-05 Multilayer ceramic capacitor for snubber KR20240005458A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220082575A KR20240005458A (en) 2022-07-05 2022-07-05 Multilayer ceramic capacitor for snubber

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220082575A KR20240005458A (en) 2022-07-05 2022-07-05 Multilayer ceramic capacitor for snubber

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20240005458A true KR20240005458A (en) 2024-01-12

Family

ID=89541832

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220082575A KR20240005458A (en) 2022-07-05 2022-07-05 Multilayer ceramic capacitor for snubber

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20240005458A (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100042905A (en) 2008-10-17 2010-04-27 현대자동차주식회사 Invertor with improved cooling performance of snubber capacitor

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100042905A (en) 2008-10-17 2010-04-27 현대자동차주식회사 Invertor with improved cooling performance of snubber capacitor

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10306765B2 (en) Multilayer ceramic electronic component to be embedded in board and printed circuit board having multilayer ceramic electronic component embedded therein
US9099245B2 (en) Multilayer ceramic electronic component
US8780523B2 (en) Multilayer ceramic electronic component
KR101565641B1 (en) Multi-layered ceramic electronic part and board for mounting the same
US8861181B2 (en) Multilayer ceramic electronic component
US9449763B2 (en) Multilayer ceramic electronic component having alternatively offset internal electrodes and method of manufacturing the same
KR101856083B1 (en) Multilayer ceramic capacitor
US20130229748A1 (en) Multilayer ceramic electronic component and method of manufacturing the same
US9642260B2 (en) Embedded multilayer ceramic electronic component and printed circuit board having the same
US8233264B2 (en) Multilayer ceramic capacitor
TW201526051A (en) Multilayer ceramic electronic component and printed circuit board having the same
KR20130023612A (en) Multi-layered ceramic electronic parts
US11798747B2 (en) Multilayer electronic component
US9336951B2 (en) Multilayer ceramic capacitor and board for mounting the same
US11749459B2 (en) Multilayer capacitor
CN117153557A (en) Capacitor assembly
KR102067177B1 (en) Embedded multilayer ceramic electronic part and print circuit board having embedded multilayer ceramic electronic part
US9099243B2 (en) Multilayer ceramic electronic component and method of manufacturing the same
US9218908B2 (en) Multilayer ceramic electronic component capable of reducing acoustic noise generated therein
KR20240005458A (en) Multilayer ceramic capacitor for snubber
US11721491B2 (en) Multilayer electronic component
US20210082624A1 (en) Multilayer electronic component
KR101444598B1 (en) Multi-layered ceramic electronic part and board for mounting the same
KR102562247B1 (en) MLCC with improved impact resistance
KR20130030548A (en) Multilayer ceramic electronic component