KR20240003433A - 웨이퍼 배치대 - Google Patents

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KR20240003433A
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hole
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ceramic
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KR1020237008259A
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다츠야 구노
마사키 이시카와
세이야 이노우에
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엔지케이 인슐레이터 엘티디
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Abstract

웨이퍼 배치대(10)는, 상부 기재(20)와, 하부 기재(30)와, 관통 구멍(36)과, 나사 구멍(24)과, 나사 부재(50)를 구비한다. 상부 기재(20)는, 전극(22)을 내장하는 세라믹 기재(21)를 구비하고 세라믹 기재(21)의 상면에 웨이퍼 배치면(21a)을 갖는다. 하부 기재(30)는, 상부 기재(20) 중 웨이퍼 배치면(21a)과는 반대측의 면에 배치되고, 냉매 유로(32)의 측벽 및 바닥을 구성하는 냉매 유로 홈(34)을 구비한다. 관통 구멍(36)은, 냉매 유로(32)와 교차하도록 하부 기재(30)를 상하 방향으로 관통한다. 나사 구멍(24)은, 상부 기재(20)의 하면 중 관통 구멍(36)에 대향하는 위치에 형성되어 있다. 나사 부재(50)는, 관통 구멍(36)에 하부 기재(30)의 하면으로부터 삽입되고, 나사 구멍(24)에 결합된다. 냉매는, 관통 구멍(36)으로부터 하부 기재(30)의 하면으로 누출되지 않도록 구성되어 있다.

Description

웨이퍼 배치대
본 발명은 웨이퍼 배치대에 관한 것이다.
종래, 웨이퍼 배치면을 가지며 전극을 내장하는 세라믹 기재와, 세라믹 기재 중 웨이퍼 배치면과는 반대측의 면에 배치된 금속판을 구비한 웨이퍼 배치대가 알려져 있다. 특허문헌 1에는, 이러한 웨이퍼 배치대에서, 금속판에 복수의 관통 구멍을 형성함과 더불어, 세라믹 기재의 하면 중 각 관통 구멍에 대향하는 위치에 나사 구멍을 형성하고, 각 관통 구멍에 금속판의 하면으로부터 나사 부재를 삽입하여 나사 구멍에 결합하여 세라믹 기재와 금속판을 체결하고 있다.
특허문헌 1 : 국제공개 제2018/038044호 팜플렛
이러한 구조의 웨이퍼 배치대에서, 웨이퍼의 냉각 효율을 향상시키기 위해, 금속판에 냉매 유로를 설치하는 것이 고려된다. 그 경우, 나사 부재를 피하도록 하여 냉매 유로를 설치하면, 냉매 유로의 설계의 자유도가 저하됨과 더불어 나사 부재를 설치한 개소는 냉각되기 어려워진다. 그 때문에, 웨이퍼의 면내 온도 분포를 원하는 온도 분포로 설정하기 어렵다고 하는 문제가 있었다.
본 발명은 이러한 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 상부 기재와 하부 기재를 나사 부재로 체결한 웨이퍼 배치대에서 웨이퍼의 면내 온도 분포를 원하는 온도 분포로 설정하기 쉽게 하는 것을 주목적으로 한다.
[1] 본 발명의 웨이퍼 배치대는,
전극을 내장하는 세라믹 기재를 구비하고 상기 세라믹 기재의 상면에 웨이퍼 배치면을 갖는 상부 기재와,
상기 상부 기재 중 상기 웨이퍼 배치면과는 반대측의 면에 배치되고, 냉매를 유통시키는 냉매 유로 또는 상기 냉매 유로의 측벽 및 바닥을 구성하는 냉매 유로 홈을 구비한 하부 기재와,
상기 냉매 유로 또는 상기 냉매 유로 홈과 교차하도록 상기 하부 기재를 상하 방향으로 관통하는 관통 구멍과,
상기 상부 기재의 하면 중 상기 관통 구멍에 대향하는 위치에 형성된 나사 구멍과,
상기 관통 구멍에 상기 하부 기재의 하면으로부터 삽입되고, 상기 나사 구멍에 결합된 나사 부재와,
상기 나사 부재가 삽입된 상기 관통 구멍으로부터 상기 하부 기재의 하면에 상기 냉매가 누출되는 것을 방지하는 냉매 누출 방지 부재
를 구비한 것이다.
이 웨이퍼 배치대에서는, 상부 기재와 하부 기재는 나사 부재로 체결된다. 하부 기재는, 냉매 유로 또는 냉매 유로 홈을 구비하고 있다. 나사 부재는, 냉매 유로 또는 냉매 유로 홈과 교차하도록 하부 기재를 상하 방향으로 관통하는 관통 구멍에 하부 기재의 하면으로부터 삽입되어 상부 기재의 나사 구멍에 결합된다. 또한, 냉매 누출 부재에 의해, 나사 부재가 삽입된 관통 구멍으로부터 냉매가 누출되는 것이 방지된다. 이렇게 함으로써, 나사 부재를 우회하여 냉매 유로를 설치할 필요가 없어지기 때문에, 냉매 유로 또는 냉매 유로 홈의 설계의 자유도가 향상된다. 또한, 나사 부재가 냉매로 냉각되기 때문에, 나사 부재를 설치한 개소도 냉각되기 쉽다. 그 결과, 본 발명의 웨이퍼 배치대에 의하면, 웨이퍼의 면내 온도 분포를 원하는 온도 분포로 설정하기 쉬워진다.
한편, 본 명세서에서는, 상하, 좌우, 전후 등을 이용하여 본 발명을 설명하는 경우가 있지만, 상하, 좌우, 전후는 상대적인 위치 관계에 불과하다. 그 때문에, 웨이퍼 배치대의 방향을 바꾼 경우에는 상하가 좌우가 되거나 좌우가 상하가 되거나 하는 경우가 있지만, 그러한 경우도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.
[2] 본 발명의 웨이퍼 배치대(상기 [1]에 기재된 웨이퍼 배치대)에서, 상기 하부 기재는, 상기 냉매 유로 홈을 구비하고, 상기 상부 기재는, 상기 세라믹 기재와, 상기 세라믹 기재의 하측에 배치되고 상기 냉매 유로의 천장을 구성하는 천장 기재와, 상기 세라믹 기재와 상기 천장 기재를 접합하는 금속 접합층을 구비하는 것으로 해도 좋다.
[3] 본 발명의 웨이퍼 배치대(상기 [2]에 기재된 웨이퍼 배치대)에서, 상기 천장 기재는, 상기 세라믹 기재와의 40∼400℃의 선열팽창 계수차의 절대치가 1.5×10-6/K 이하인 것으로 해도 좋다. 이렇게 하면, 세라믹 기재와 천장 기재의 열팽창차가 작기 때문에, 열응력에 의한 상부 기재의 휘어짐이나 파손을 억제할 수 있다. 한편, 본 명세서에서는, 40℃와 400℃의 길이를 측정하여 구한 선열팽창 계수를 40∼400℃의 선열팽창 계수로 칭한다.
[4] 본 발명의 웨이퍼 배치대(상기 [2] 또는 [3]에 기재된 웨이퍼 배치대)에서, 상기 천장 기재는 금속과 세라믹의 복합 재료제(製)인 것으로 해도 좋다. 금속과 세라믹의 복합 재료는, 세라믹 기재와의 선열팽창 계수차의 절대치를 작게 할 수 있고, 세라믹 재료보다 인성이 높기 때문에 열응력이 생기더라도 파손되기 어렵다.
[5] 본 발명의 웨이퍼 배치대(상기 [1]∼[4]의 어느 하나에 기재된 웨이퍼 배치대)에서, 상기 상부 기재의 하면과 상기 하부 기재의 상면 사이에는, 방열 시트가 배치되어 있는 것으로 해도 좋다. 이렇게 하면, 방열 시트는 상부 기재와 하부 기재가 나사 부재에 의해 체결되는 것에 의해 상부 기재와 하부 기재에 확실하게 밀착되기 때문에, 상부 기재의 열이 하부 기재로 빠르게 전도하기 쉬워진다. 그 결과, 웨이퍼를 냉각시키는 효율이 높아진다.
[6] 본 발명의 웨이퍼 배치대(상기 [1]∼[5]의 어느 하나에 기재된 웨이퍼 배치대)에서, 상기 하부 기재는 이(易)가공성 재료제인 것으로 해도 좋다. 이렇게 하면, 하부 기재에 냉매 유로 또는 냉매 유로 홈을 용이하게 형성할 수 있기 때문에, 가공 비용을 저감할 수 있다.
도 1은 챔버(94)에 설치된 웨이퍼 배치대(10)의 종단면도.
도 2는 도 1의 부분 확대도.
도 3은 웨이퍼 배치대(10)의 평면도.
도 4는 웨이퍼 배치대(10)를 상부 기재(20)와 하부 기재(30)의 사이에서 절단한 절단면을 위에서 보았을 때의 단면도.
도 5는 웨이퍼 배치대(10)의 제조 공정도(상부 기재(20)의 제조 공정).
도 6은 웨이퍼 배치대(10)의 제조 공정도(하부 기재(30)의 제조 공정).
도 7은 웨이퍼 배치대(10)의 제조 공정도(웨이퍼 배치대(10)의 조립 공정).
도 8은 나사 부재(50)를 O링(53)으로 시일했을 때의 종단면도.
도 9는 나사 부재(50)를 O링(58)으로 시일했을 때의 종단면도.
도 10은 웨이퍼 배치대(110)의 종단면도.
도 11은 웨이퍼 배치대(210)의 종단면도.
도 12는 냉매 유로(32) 중 나사 부재(50)가 존재하는 부분을 도시하는 설명도.
본 발명의 바람직한 실시형태를, 도면을 참조하면서 이하에 설명한다. 도 1은 챔버(94)에 설치된 웨이퍼 배치대(10)의 종단면도(웨이퍼 배치대(10)의 중심축을 포함하는 면으로 절단했을 때의 단면도), 도 2는 도 1의 부분 확대도, 도 3은 웨이퍼 배치대(10)의 평면도, 도 4는 웨이퍼 배치대(10)를 상부 기재(20)와 하부 기재(30)의 사이에서 절단한 절단면을 위에서 보았을 때의 단면도이다. 본 명세서에서 수치 범위를 나타내는 「∼」는, 그 전후에 기재되는 수치를 하한치 및 상한치로서 포함하는 의미로서 사용된다.
웨이퍼 배치대(10)는, 웨이퍼(W)에 플라즈마를 이용하여 CVD나 에칭 등을 행하기 위해 이용되는 것이며, 반도체 프로세스용의 챔버(94)의 내부에 설치된 설치판(96)에 고정되어 있다. 웨이퍼 배치대(10)는, 상부 기재(20)와, 하부 기재(30)와, 방열 시트(40)와, 나사 부재(50)를 구비하고 있다.
상부 기재(20)는, 세라믹 기재(21)와, 세라믹 기재(21)의 하측에 배치되고 냉매 유로(32)의 천장을 구성하는 천장 기재(23)와, 세라믹 기재(21)와 천장 기재(23)를 접합하는 금속 접합층(25)을 구비하고 있다. 상부 기재(20)의 두께는, 강도를 고려하면 8 mm 이상이나 10 mm 이상인 것이 바람직하고, 냉각 효율을 고려하면 25 mm 이하인 것이 바람직하다.
세라믹 기재(21)는, 원형의 웨이퍼 배치면(21a)을 구비하고 있다. 웨이퍼 배치면(21a)에는 웨이퍼(W)가 배치된다. 세라믹 기재(21)는, 알루미나, 질화알루미늄 등으로 대표되는 세라믹 재료로 형성되어 있다. 세라믹 기재(21)는, 웨이퍼 배치면(21a)에 가까운 쪽에 웨이퍼 흡착용 전극(22)을 내장하고 있다. 웨이퍼 흡착용 전극(22)은, 예컨대 W, Mo, WC, MoC 등을 함유하는 재료로 형성되어 있다. 웨이퍼 흡착용 전극(22)은, 원판형 또는 메쉬형의 단극형의 정전 전극이다. 세라믹 기재(21) 중 웨이퍼 흡착용 전극(22)보다 상측의 층은 유전체층으로서 기능한다. 웨이퍼 흡착용 전극(22)에는, 웨이퍼 흡착용 직류 전원(52)이 급전 단자(54)를 통해 접속되어 있다. 급전 단자(54)는, 하부 기재(30), 천장 기재(23) 및 금속 접합층(25)을 상하 방향으로 관통하는 구멍에 배치된 절연관(55)을 통과하여, 세라믹 기재(21)의 하면으로부터 웨이퍼 흡착용 전극(22)에 이르도록 설치되어 있다. 웨이퍼 흡착용 직류 전원(52)과 웨이퍼 흡착용 전극(22)의 사이에는, 로우패스 필터(LPF)(57)가 설치되어 있다.
천장 기재(23)는, 세라믹 기재(21)보다 한층 큰 원판이며, 도전 재료로 제작되어 있다. 도전 재료로는, 예컨대 복합 재료나 금속 등을 들 수 있다. 복합 재료로는, 금속과 세라믹의 복합 재료 등을 들 수 있다. 금속과 세라믹의 복합 재료로는, 금속 매트릭스 복합 재료(메탈·매트릭스·콤포지트(MMC))나 세라믹 매트릭스 복합 재료(세라믹·매트릭스·콤포지트(CMC)) 등을 들 수 있다. 이러한 복합 재료의 구체예로는, Si, SiC 및 Ti를 포함하는 재료나 SiC 다공질체에 Al 및/또는 Si를 함침시킨 재료 등을 들 수 있다. Si, SiC 및 Ti를 포함하는 재료를 SiSiCTi라고 하고, SiC 다공질체에 Al를 함침시킨 재료를 AlSiC라고 하고, SiC 다공질체에 Si를 함침시킨 재료를 SiSiC라고 한다. 금속으로는 Mo 등을 들 수 있다. 천장 기재(23)에 사용하는 재료는, 세라믹 기재(21)에 사용하는 세라믹 재료와의 40∼400℃의 선열팽창 계수차의 절대치가 1.5×10-6/K 이하인 것이 바람직하고, 1.0×10-6/K 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.5×10-6/K 이하인 것이 더욱 바람직하다. 천장 기재(23)의 두께는, 강도를 고려하면 3 mm 이상이나 6 mm 이상인 것이 바람직하고, 냉각 효율을 고려하면 20 mm 이하인 것이 바람직하다.
천장 기재(23)의 하면에는 복수의 나사 구멍(24)이 형성되어 있다. 나사 구멍(24)은, 후술하는 관통 구멍(36)과 대향하는 위치에 형성되어 있다. 나사 구멍(24)은, 천장 기재(23)의 하면에 원기둥 구멍을 형성하고 그 원기둥 구멍에 직접나사홈을 파는 것에 의해 형성되어 있지만, 특별히 이것에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 나사 구멍(24)을, 원기둥 구멍에 나선형의 나사 인서트를 삽입하는 것에 의해 형성해도 좋고, 원기둥 구멍에 특허문헌 1의 암나사 부착 단자(예컨대 캡 너트 등)를 삽입하여 납접해도 좋다. 인접하는 2개의 나사 구멍(24)의 중심간 간격은, 특별히 한정하는 것이 아니지만, 예컨대 100 mm 이하인 것이 바람직하다. 이렇게 하면, 상부 기재(20)와 하부 기재(30)를 보다 긴밀하게 체결할 수 있고, 나아가서는 방열 시트(40)의 열전도 성능이 향상된다.
금속 접합층(25)은, 세라믹 기재(21)의 하면과 천장 기재(23)의 상면을 접합한다. 금속 접합층(25)은, 예컨대, 땜납이나 금속경납으로 형성된 층이어도 좋다. 금속 접합층(25)은, 예컨대 TCB(Thermal compression bonding)에 의해 형성된다. TCB란, 접합 대상인 2개의 부재 사이에 금속 접합재를 끼워 넣고, 금속 접합재의 고상선 온도 이하의 온도로 가열한 상태에서 2개의 부재를 가압 접합하는 공지의 방법을 말한다.
하부 기재(30)는, 이가공성 재료제의 원판 부재이다. 본 실시형태에서는, 하부 기재(30)의 외경은 천장 기재(23)의 외경과 동일하다. 하부 기재(30)의 상면에는 냉매 유로 홈(34)이 형성되어 있다. 냉매 유로 홈(34)은, 냉매 유로(32)의 측벽 및 바닥을 구성하는 것이다. 냉매 유로 홈(34)은, 세라믹 기재(21)가 배치된 전역에 골고루 퍼지도록, 냉매 유로(32)의 입구(32a)부터 출구(32b)까지 끊김없이 한번에 이어지는 요령으로 소용돌이형으로 형성되어 있다(도 4). 냉매 유로(32)의 입구(32a) 및 출구(32b)는, 하부 기재(30)의 하면과 냉매 유로 홈(34)의 바닥면을 관통하고 있다. 냉매 유로(32)의 입구(32a) 및 출구(32b)는, 도시하지 않은 냉매 냉각 장치에 접속되어 있고, 출구(32b)로부터 배출된 냉매는, 냉매 냉각 장치로 온도 조정된 후 다시 입구(32a)로 되돌아가 냉매 유로(32) 내에 공급된다. 냉매 유로(32)를 흐르는 냉매는, 액체가 바람직하고, 전기 절연성인 것이 바람직하다. 전기 절연성의 액체로는, 예컨대 불소계 불활성 액체 등을 들 수 있다. 하부 기재(30)에 사용하는 이가공성 재료는, 천장 기재(23)보다 가공이 용이한 것이 바람직하다. 가공성의 지표로는, 예컨대, JIS B 0170(2020)에 나타난 피삭성 지표를 이용할 수 있다. 이가공성 재료로는, 피삭성 지수가 40 이상인 재료가 바람직하고, 100 이상인 재료가 보다 바람직하고, 140 이상인 재료가 더욱 바람직하다. 이가공성 재료로는, 예컨대, 알루미늄, 알루미늄 합금, 스테인레스강(SUS재) 등을 들 수 있다.
하부 기재(30)는, RF 전원(62)에 급전 단자(64)를 통해 접속되어 있다. 그 때문에, 하부 기재(30)는, 플라즈마 발생용의 고주파(RF) 전극으로서도 기능한다. 하부 기재(30)와 RF 전원(62)의 사이에는 하이패스 필터(HPF)(63)가 배치되어 있다.
하부 기재(30)는 복수의 관통 구멍(36)을 갖는다. 관통 구멍(36)은, 냉매 유로(32)(냉매 유로 홈(34))와 교차하도록 하부 기재(30)를 상하 방향으로 관통하고 있다. 구체적으로는, 관통 구멍(36)은, 도 2에 도시하는 바와 같이, 하부 기재(30)의 하면과 냉매 유로(32)의 바닥을 관통하는 단차 구멍이다. 관통 구멍(36)은, 나사 부재(50)의 헤드부(50a)를 수납하는 대직경부(36a)와, 나사 부재(50)의 레그부(50b)는 통과하지만 헤드부(50a)는 통과 불가능한 소직경부(36b)를 갖는다.
방열 시트(40)는, 상부 기재(20)의 하면과 하부 기재(30)의 상면 사이에 배치되어 있다. 본 실시형태에서는, 방열 시트(40)는, 천장 기재(23)의 하면과 하부 기재(30)의 상면 중 냉매 유로 홈(34)이 형성되지 않고 시일 부재(42, 44)도 설치되지 않은 부분과의 사이에 배치되어 있다. 방열 시트(40)는, 상부 기재(20)와 하부 기재(30)의 사이에 끼워져 상하 방향으로 압축되어 있다. 이렇게 함으로써, 방열 시트(40)는 상부 기재(20)의 하면과 하부 기재(30)의 상면에 확실하게 밀착되기 때문에, 상부 기재(20)의 열이 하부 기재(30)로 빠르게 전도한다. 방열 시트(40)의 열저항은, 0.35 K·㎠/W 이하가 바람직하고, 0.1 K·㎠/W 이하가 보다 바람직하다. 방열 시트(40)의 영률은, 100 MPa 이하가 바람직하고, 20 MPa 이하가 보다 바람직하고, 5 MPa 이하가 더욱 바람직하다. 열저항은, 예컨대 ASTM D5470에 준하여 측정할 수 있다. 방열 시트(40)는, 구체적으로는, 카본 및 수지를 포함하는 시트인 것이 바람직하다. 카본으로는, 그래파이트나 카본 파이버, 카본 나노 튜브 등을 들 수 있고, 수지로는, 실리콘 수지 등을 들 수 있다. 그래파이트의 경우, 그래파이트를 구성하는 그래핀의 면방향이 상하 방향을 따르도록 배치하는 것이 바람직하고, 카본 파이버나 카본 나노 튜브의 경우, 축방향이 상하 방향을 따르도록 배치하는 것이 바람직하다. 방열 시트(40)의 재료로는, 예컨대 서멀·인터페이스·머티리얼(TIM)을 이용할 수 있다. 방열 시트(40)의 구체예로는, EX20000C4S(덱세리얼즈사 제조), GraphitePAD 또는 GraphiteTIM(등록상표)(모두 파나소닉사 제조) 등을 들 수 있다. 방열 시트(40)의 포아슨비는, 0.4 이하가 바람직하고, 0.3 이하가 보다 바람직하고, 0.2 이하가 더욱 바람직하다. 방열 시트(40)의 포아슨비가 작을수록, 나사 부재(50)의 체결력이 방열 시트(40)의 전면에 걸쳐 균등하게 전달되고, 가로 방향으로 분산되기 어렵기 때문에, 방열 시트(40)는 그 전면에 걸쳐 천장 기재(23)와 하부 기재(30)에 확실하게 밀착된다. 그 때문에, 웨이퍼(W)를 보다 균일하게 냉각시킬 수 있다. 방열 시트(40)의 쇼어 경도(ShoreOO)는 50 이상 80 이하로 해도 좋다. 방열 시트(40)의 두께는, 예컨대 0.05 mm 이상 1 mm 이하가 바람직하고, 0.1 mm 이상 0.3 mm 이하가 보다 바람직하다.
나사 부재(50)는, 도 2에 도시하는 바와 같이, 대직경의 헤드부(50a)와 소직경의 레그부(50b)를 갖는다. 나사 부재(50)는, 관통 구멍(36)에 하부 기재(30)의 하면으로부터 삽입되고, 냉매 유로(32)(냉매 유로 홈(34))를 통과하여 천장 기재(23)의 나사 구멍(24)에 결합된다. 나사 부재(50)의 재료는, 도전성 및 열전도성이 양호한 재료가 바람직하고, 예컨대 스테인레스강이 바람직하다. 나사 부재(50)의 헤드부(50a)와 관통 구멍(36)의 단차부(대직경부(36a)와 소직경부(36b)의 경계)의 사이에는 O링(51)이 배치되어 있다. 나사 부재(50)의 헤드부(50a)는, 하부 기재(30)의 하면으로부터 하측으로 돌출되지 않도록 대직경부(36a)에 수납되어 있다. 나사 부재(50)를 나사 구멍(24)에 결합하는 것에 의해, 상부 기재(20)와 하부 기재(30)는 방열 시트(40)나 시일 부재(42, 44)를 끼워 넣은 상태로 체결된다. 이것에 의해, 방열 시트(40)나 시일 부재(42, 44)는 상하 방향으로 압축된다. 시일 부재(42)는, 외경이 하부 기재(30)의 직경보다 약간 작은 금속제 또는 수지제의 링이며, 상하 방향으로 압축됨으로써 시일성을 발휘하여 냉매가 냉매 유로(32)로부터 외주측으로 누출되는 것을 방지한다. 시일 부재(44)는, 절연관(55)의 외측에 삽입된 금속제 또는 수지제의 링이며, 상하 방향으로 압축됨으로써 시일성을 발휘한다. O링(51)은, 나사 부재(50)의 헤드부(50a)와 관통 구멍(36)의 단차부 사이에서 상하 방향으로 압축되어 시일성을 발휘한다. 이것에 의해, O링(51)은, 나사 부재(50)가 삽입된 관통 구멍(36)으로부터 하부 기재(30)의 하면에 냉매 유로(32) 내의 냉매가 누출되는 것을 방지한다. 냉매 유로(32)(냉매 유로 홈(34))의 폭은, 냉매의 흐름이 레그부(50b)에 의해 정체되지 않는 크기로 설정되어 있다.
또, 금속 접합층(25)의 측면(외주면), 천장 기재(23)의 상면 및 측면, 하부 기재(30)의 측면은, 필요에 따라서 절연막으로 피복해도 좋다. 절연막으로는, 예컨대 알루미나나 이트리아 등의 용사막을 들 수 있다.
다음으로, 웨이퍼 배치대(10)의 제조예를 도 4∼도 6을 이용하여 설명한다. 도 4∼도 6은 웨이퍼 배치대(10)의 제조 공정도이며, 도 4는 상부 기재(20)의 제조 공정을 도시하고, 도 5는 하부 기재(30)의 제조 공정을 도시하고, 도 6은 웨이퍼 배치대(10)의 조립 공정을 도시한다.
상부 기재(20)는, 예컨대 이하와 같이 제작한다. 먼저, 세라믹 기재(21)를, 세라믹 분말의 성형체를 핫프레스 소성하는 것에 의해 제작한다(도 5a). 세라믹 기재(21)는, 웨이퍼 흡착용 전극(22)을 내장하고 있다. 다음으로, 세라믹 기재(21)의 하면으로부터 웨이퍼 흡착용 전극(22)까지 구멍(21b)을 형성하고(도 5b), 그 구멍(21b)에 급전 단자(54)를 삽입하여 급전 단자(54)와 웨이퍼 흡착용 전극(22)을 접합한다(도 5c).
이것과 병행하여, 원판형의 천장 기재(23)를 제작하고(도 5d), 천장 기재(23)에 상하 방향으로 관통하는 관통 구멍(23b)을 형성함과 더불어 천장 기재(23)의 하면의 소정 위치에 나사 구멍(24)을 형성한다(도 5e). 세라믹 기재(21)가 알루미나제인 경우, 천장 기재(23)는 SiSiCTi제이거나 AlSiC제인 것이 바람직하다. SiSiCTi나 AlSiC이면, 열팽창 계수를 알루미나의 열팽창 계수와 대강 동일하게 할 수 있기 때문이다.
SiSiCTi제의 천장 기재(23)는, 예컨대 이하와 같이 제작할 수 있다. 먼저, 탄화규소와 금속 Si와 금속 Ti를 혼합하여 분체 혼합물을 제작한다. 다음으로, 얻어진 분체 혼합물을 일축 가압 성형에 의해 원판형의 성형체를 제작하고, 그 성형체를 불활성 분위기하에 핫프레스 소결시키는 것에 의해, SiSiCTi제의 천장 기재(23)를 얻는다.
다음으로, 천장 기재(23)의 상면에 원형의 금속 접합재를 배치한다. 금속 접합재에는, 천장 기재(23)의 관통 구멍(23b)에 연통하는 관통 구멍을 형성해 놓는다. 그리고, 세라믹 기재(21)의 급전 단자(54)를 금속 접합재의 관통 구멍 및 천장 기재(23)의 관통 구멍(23b)에 삽입하면서, 세라믹 기재(21)를 금속 접합재의 위에 놓는다. 이것에 의해, 천장 기재(23)와 금속 접합재와 세라믹 기재(21)를 아래로부터 이 순으로 적층한 적층체를 얻는다. 이 적층체를 가열하면서 가압하는 것에 의해(TCB), 상부 기재(20)를 얻는다(도 5f). 상부 기재(20)는, 천장 기재(23)의 상면에, 금속 접합층(25)을 통해 세라믹 기재(21)가 접합된 것이다.
TCB는, 예컨대 이하와 같이 행해진다. 즉, 금속 접합재의 고상선 온도 이하(예컨대, 고상선 온도로부터 20℃ 뺀 온도 이상 고상선 온도 이하)의 온도로 적층체를 가압하여 접합하고, 그 후 실온으로 되돌린다. 이것에 의해, 금속 접합재는 금속 접합층(혹은 도전 접합층)이 된다. 이 때의 금속 접합재로는, Al-Mg계 접합재나 Al-Si-Mg계 접합재를 사용할 수 있다. 예컨대, Al-Si-Mg계 접합재를 이용하여 TCB를 행하는 경우, 진공 분위기하에 가열한 상태로 적층체를 가압한다. 금속 접합재는, 두께가 100 μm 전후인 것을 이용하는 것이 바람직하다.
또한, 상부 기재(20)의 제작과 병행하여, 이가공성 재료를 이용하여 원판형의 하부 기재(30)를 제작한다(도 6a). 다음으로, 하부 기재(30)를 상하 방향으로 관통하는 단자 구멍(30b)을 형성함과 더불어 하부 기재(30)의 상면에 냉매 유로 홈(34)을 형성한다. 또한, 냉매 유로 홈(34)의 일단과 타단에 냉매 유로(32)의 입구(32a)와 출구(32b)를 형성하고, 냉매 유로 홈(34)의 원하는 위치에 대직경부(36a)와 소직경부(36b)를 갖는 관통 구멍(36)을 형성한다(도 6b).
다음으로, 상부 기재(20)와 하부 기재(30)를 나사 부재(50)로 체결하는 것에 의해 웨이퍼 배치대(10)를 제작한다. 구체적으로는, 우선, 도 7a에 도시하는 바와 같이, 하부 기재(30)의 상면에 방열 시트(40)를 배치한다. 방열 시트(40)는, 하부 기재(30)와 동일한 직경의 원형 시트로부터, 냉매 유로 홈(34)의 개구와 일치하는 부분을 도려낸 것이다. 방열 시트(40) 중 시일 부재(42, 44)를 배치하는 부분도 도려냈다. 다음으로, 하부 기재(30)의 외주를 따라 시일 부재(42)를 배치함과 더불어, 단자 구멍(30b)의 개구 가장자리를 따라서 시일 부재(44)를 배치한다. 다음으로, 상부 기재(20)의 급전 단자(54)를 단자 구멍(30b)에 삽입하면서, 하부 기재(30)의 상면에 배치된 방열 시트(40) 및 시일 부재(42, 44)의 위에 상부 기재(20)를 놓는다. 다음으로, 각 관통 구멍(36)에 대하여, 나사 부재(50)를 하부 기재(30)의 하면으로부터 삽입하여 상부 기재(20)의 나사 구멍(24)에 결합한다. 이것에 의해, 방열 시트(40)는 상부 기재(20)와 하부 기재(30)의 사이에서 압축되어 높은 열전도 성능을 발휘한다. 또한, 시일 부재(42, 44)는 상부 기재(20)와 하부 기재(30)의 사이에서 압축되어 시일성을 발휘한다. 그 후, 단자 구멍(30b)에, 급전 단자(54)를 삽입 관통하는 절연관(55)을 배치한다(도 7b). 이상과 같이 하여 웨이퍼 배치대(10)를 얻을 수 있다.
다음으로, 웨이퍼 배치대(10)의 사용예에 관해 도 1을 이용하여 설명한다. 먼저, 웨이퍼 배치대(10)를 챔버(94)의 설치판(96)에 설치한다. 구체적으로는, 처음에, 설치판(96)의 상면과 하부 기재(30)의 하면 사이에, 시일 부재(80, 82a, 82b)를 배치한다. 시일 부재(80)는, 외경이 하부 기재(30)의 직경보다 약간 작은 금속제 또는 수지제의 링이며, 상하 방향으로 압축 가능하다. 시일 부재(82a, 82b)는, 냉매 유로(32)의 입구(32a) 및 출구(32b)의 개구 가장자리를 따라 배치되는 금속제 또는 수지제의 링이며, 상하 방향으로 압축 가능하다. 다음으로, 나사 부재(70)를, 설치판(96)의 하면으로부터 나사 삽입 관통 구멍(97)을 통해 하부 기재(30)의 하면에 형성된 나사 구멍(38)에 결합한다. 이렇게 함으로써, 시일 부재(82a, 82b)는 상하 방향으로 압축되어 시일성을 발휘하여 냉매가 시일 부재(82a, 82b)로부터 외측으로 누출되는 것을 방지한다.
설치판(96)에 설치된 웨이퍼 배치대(10)의 웨이퍼 배치면(21a)에는, 원반형의 웨이퍼(W)가 배치된다. 이 상태에서, 웨이퍼 흡착용 전극(22)에 웨이퍼 흡착용 직류 전원(52)의 직류 전압을 인가하여 웨이퍼(W)를 웨이퍼 배치면(21a)에 흡착시킨다. 또한, 온도 조절한 냉매를 냉매 유로(32)의 입구(32a)에 공급하고, 출구(32b)로부터 냉매를 배출한다. 그리고, 챔버(94)의 내부를 소정의 진공 분위기(또는 감압 분위기)가 되도록 설정하고, 샤워 헤드(98)로부터 프로세스 가스를 공급하면서, 하부 기재(30)에 RF 전원(62)으로부터의 RF 전압을 인가한다. 그렇게 하면, 웨이퍼(W)와 샤워 헤드(98)의 사이에서 플라즈마가 발생한다. 그리고, 그 플라즈마를 이용하여 웨이퍼(W)에 CVD 성막을 하거나 에칭을 하거나 한다.
이상 설명한 웨이퍼 배치대(10)에서는, 상부 기재(20)와 하부 기재(30)는 나사 부재(50)로 체결된다. 하부 기재(30)는 냉매 유로 홈(34)을 구비하고 있다. 나사 부재(50)는, 냉매 유로(32)(냉매 유로 홈(34))와 교차하도록 하부 기재(30)를 상하 방향으로 관통하는 관통 구멍(36)에 하부 기재(30)의 하면으로부터 삽입되어 상부 기재(20)의 나사 구멍(24)에 결합된다. 또한, O링(51)(냉매 누출 방지 부재)에 의해, 나사 부재(50)가 삽입된 관통 구멍(36)으로부터 냉매가 누출되는 것이 방지된다. 이렇게 함으로써, 나사 부재(50)를 우회하여 냉매 유로(32)를 설치할 필요가 없어지기 때문에, 냉매 유로(32)(냉매 유로 홈(34))의 설계의 자유도가 향상된다. 또한, 나사 부재(50)가 냉매로 냉각되기 때문에, 나사 부재(50)를 설치한 개소도 냉각되기 쉽다. 그 결과, 웨이퍼 배치대(10)에 의하면, 웨이퍼(W)의 면내 온도 분포를 원하는 온도 분포로 설정하기 쉬워진다.
또한, 천장 기재(23)는, 세라믹 기재(21)와의 40∼400℃의 선열팽창 계수차의 절대치가 1.5×10-6/K 이하인 것이 바람직하다. 이렇게 하면, 세라믹 기재(21)와 천장 기재(23)의 열팽창차가 작기 때문에, 열응력에 의한 상부 기재(20)의 휘어짐이나 파손을 억제할 수 있고, 세라믹 기재(21)와 천장 기재(23)를 접합하는 금속 접합층(25)의 파손도 억제할 수 있다. 또한, 금속 접합층(25)은, 수지에 비교하여 세라믹 기재(21)와 천장 기재(23)의 열전도를 양호하게 한다.
또한, 천장 기재(23)는, 금속과 세라믹의 복합 재료제인 것이 바람직하다. 금속과 세라믹의 복합 재료는, 세라믹 기재(21)와의 선열팽창 계수차의 절대치를 작게 할 수 있고, 세라믹 재료보다 인성이 높기 때문에 열응력이 생기더라도 파손되기 어렵다. 또한, 이러한 복합 재료는 도전성을 갖기 때문에, RF 전극으로서 사용할 수도 있다.
또, 상부 기재(20)의 하면과 하부 기재(30)의 상면 사이에는 방열 시트(40)가 배치되어 있다. 방열 시트(40)는 상부 기재(20)와 하부 기재(30)가 나사 부재(50)에 의해 체결되는 것에 의해 상부 기재(20)와 하부 기재(30)에 확실하게 밀착된다. 그 때문에, 상부 기재(20)의 열이 하부 기재(30)로 빠르게 전도하기 쉬워진다. 그 결과, 웨이퍼(W)를 냉각시키는 효율이 높아진다.
그리고, 하부 기재(30)는 이가공성 재료제이다. 이렇게 하면, 하부 기재(30)에 냉매 유로 홈(34)을 용이하게 형성할 수 있기 때문에, 가공 비용을 저감할 수 있다. 또한, 하부 기재(30)를 금속과 세라믹의 복합 재료(예컨대 MMC나 CMC)로 형성한 경우에 비교하여, 재료 비용을 낮게 억제할 수 있다.
그리고 또한 방열 시트(40)는 도전성을 갖고 있다. 이것에 의해, 하부 기재(30)는 천장 기재(23)나 금속 접합층(25)과 동일한 전위가 되기 때문에, 천장 기재(23)나 금속 접합층(25)을 RF 전극으로서 이용할 수 있고, 웨이퍼(W)의 상측에서 플라즈마를 생성하기 쉬워진다. 또, 도전성의 나사 부재(50)를 사용하여, 하부 기재(30)와 천장 기재(23)를 나사 부재(50)를 통해 동일한 전위가 되도록 해도 좋다.
한편, 본 발명은 전술한 실시형태에 전혀 한정되지는 않고, 본 발명의 기술적 범위에 속하는 한 여러가지 양태로 실시할 수 있는 것은 물론이다.
전술한 실시형태에서는, 나사 부재(50)의 헤드부(50a)와 관통 구멍(36)의 단차부 사이에, 냉매 누출 방지 부재로서 O링(51)을 배치했지만, 냉매 누출 방지 부재는 O링(51)에 한정되지 않는다. 예컨대, 도 8에 도시하는 바와 같이, O링(53)을, 관통 구멍(36)의 소직경부(36b)의 내주면과 나사 부재(50)의 레그부(50b)의 외주면 사이에 배치해도 좋다. 이 경우, O링(53)은, 관통 구멍(36)의 소직경부(36b)의 내주면과 나사 부재(50)의 레그부(50b)의 외주면 사이에 끼워져 압축되는 것에 의해 시일성을 발휘한다. 그 때문에, O링(53)은, 냉매가 관통 구멍(36)으로부터 외부로 누출되는 것을 방지한다. 혹은, 도 9에 도시하는 바와 같이, 하부 기재(30)의 하면 중 관통 구멍(36)의 대직경부(36a)의 개구 가장자리에 O링(58)을 배치하고, 하부 기재(30)의 하면을 덮는 원판 부재(56)를 하부 기재(30)에 나사로 고정해도 좋다. 이 경우, O링(58)은, 하부 기재(30)의 하면과 원판 부재(56)의 상면 사이에 끼워져 압축되는 것에 의해 시일성을 발휘한다. 그 때문에, O링(58)은, 냉매가 관통 구멍(36)으로부터 외부로 누출되는 것을 방지한다. 또, 도 8 및 도 9에서는 전술한 실시형태와 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 부호를 붙였다.
전술한 실시형태에서는, 상부 기재(20)는, 세라믹 기재(21)와 천장 기재(23)를 금속 접합층(25)으로 접합한 것으로 했지만, 특별히 이것에 한정되지는 않는다. 예컨대, 도 10에 도시하는 웨이퍼 배치대(110)와 같이, 상부 기재(120)를 세라믹 기재 단층으로 해도 좋다. 또, 도 10에서는, 전술한 실시형태와 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 부호를 붙였다.
전술한 실시형태에서는, 상부 기재(20)와 하부 기재(30)를 나사 부재(50)로 체결한 웨이퍼 배치대(10)를 챔버(94)의 설치판(96)에 설치했지만, 특별히 이것에 한정되지는 않는다. 예컨대, 도 11에 도시하는 웨이퍼 배치대(210)와 같이, 하부 기재(30)를 챔버(94)의 설치판(96)과 겸용해도 좋다. 또, 도 11에서는, 전술한 실시형태와 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 부호를 붙였다.
전술한 실시형태에서는, 냉매 유로(32)(냉매 유로 홈(34))의 폭을 나사 부재(50)의 레그부(50b)의 유무에 상관없이 일정하게 했지만, 특별히 이것에 한정되지는 않는다. 예컨대, 웨이퍼(W)의 면내 온도 분포를 원하는 온도 분포로 하기 위해, 냉매 유로(32)(냉매 유로 홈(34)) 중 나사 부재(50)의 레그부(50b)가 존재하는 부분의 폭을 넓히거나(도 12a 참조), 좁히거나(도 12b 참조) 해도 좋다.
전술한 실시형태에서는, 하부 기재(30)는 상면에 냉매 유로 홈(34)을 구비한 것으로 했지만, 특별히 이것에 한정되지는 않는다. 예컨대, 하부 기재(30)는 냉매 유로(32)를 내장하고 있어도 좋다.
전술한 실시형태에서는, 상부 기재(20)의 하면과 하부 기재(30)의 상면의 간극에 방열 시트(40)를 배치했지만, 특별히 이것에 한정되지는 않는다. 예컨대, 방열 시트(40)의 배치를 생략해도 좋다. 그 경우, 방열 시트(40) 대신에 냉매가 들어가게 되지만, 상부 기재(20)의 하면과 하부 기재(30)의 상면의 간극에 들어간 냉매는 흐르기 어려워 그 자리에 머무르는 경우가 많다. 그 때문에, 그 간극을 이용하여 상부 기재(20)의 열을 하부 기재(30)로 분산하는 것이 어려워진다. 따라서, 전술한 실시형태와 같이, 그 간극에 열저항이 낮은(열전도가 좋은) 방열 시트(40)를 배치하는 것이 바람직하다.
전술한 실시형태에서는, 모든 나사 부재(50)를 냉매 유로(32) 내에 설치했지만, 일부의 나사 부재(50)를 냉매 유로(32) 내에 설치하고, 나머지 나사 부재(50)를 냉매 유로(32)의 외측에 설치해도 좋다.
전술한 실시형태에서는, 방열 시트(40)는 도전성을 갖는 것을 예시했지만, 방열 시트(40)는 절연성이어도 좋다.
전술한 실시형태에서는, 세라믹 기재(21)에 웨이퍼 흡착용 전극(22)을 내장했지만, 이것 대신에 또는 이에 더해, 플라즈마 발생용의 RF 전극을 내장해도 좋다. 이 경우, 하부 기재(30)가 아니라 RF 전극에 고주파 전원을 접속한다. 또, 세라믹 기재(21)는 히터 전극(저항 발열체)을 내장해도 좋다. 이 경우, 히터 전극에 히터 전원을 접속한다. 세라믹 기재(21)는, 전극을 1층 내장하고 있어도 좋고, 2층 이상 내장하고 있어도 좋다.
전술한 실시형태에서는, 냉매 유로(32)는 입구(32a)부터 출구(32b)까지 소용돌이형으로 형성했지만, 냉매 유로(32)의 형상은 특별히 한정되지 않는다. 또한, 전술한 실시형태에서는, 1개의 냉매 유로(32)를 설치했지만, 냉매 유로(32)를 복수개 설치해도 좋다.
전술한 실시형태에서는, 세라믹 기재(21)는 세라믹 분말의 성형체를 핫프레스 소성하는 것에 의해 제작했지만, 그 때의 성형체는, 테이프 성형체를 복수매 적층하여 제작해도 좋고, 몰드 캐스트법에 의해 제작해도 좋고, 세라믹 분말을 눌러서 굳히는 것에 의해 제작해도 좋다.
전술한 실시형태에서는, 하부 기재(30)를 이가공성 재료로 제작했지만, 특별히 이것에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 하부 기재(30)를 금속과 세라믹의 복합 재료로 제작해도 좋다. 단, 재료 비용을 고려하면, 알루미늄이나 알루미늄 합금 등의 이가공성 재료를 이용하는 것이 바람직하다.
전술한 실시형태의 웨이퍼 배치대(10)에서, 하부 기재(30)의 하면으로부터 웨이퍼 배치면(21a)에 이르도록 웨이퍼 배치대(10)를 관통하는 구멍을 형성해도 좋다. 이러한 구멍으로는, 웨이퍼(W)의 이면에 열전도 가스(예컨대 He 가스)를 공급하기 위한 가스 공급 구멍이나, 웨이퍼 배치면(21a)에 대하여 웨이퍼(W)를 상하 이동시키는 리프트핀을 삽입 관통하기 위한 리프트핀 구멍 등을 들 수 있다.
본 발명의 웨이퍼 배치대는, 예컨대 반도체 제조 장치에 이용된다.
10 : 웨이퍼 배치대, 20 : 상부 기재, 21 : 세라믹 기재, 21a : 웨이퍼 배치면, 21b : 구멍, 22 : 웨이퍼 흡착용 전극, 23 : 천장 기재, 23b : 관통 구멍, 24 : 나사 구멍, 25 : 금속 접합층, 30 : 하부 기재, 30b : 단자 구멍, 32 : 냉매 유로, 32a : 입구, 32b : 출구, 34 : 냉매 유로 홈, 36 : 관통 구멍, 36a : 대직경부, 36b : 소직경부, 38 : 나사 구멍, 40 : 방열 시트, 42, 44 : 시일 부재, 50 : 나사 부재, 50a : 헤드부, 50b : 레그부, 51 : O링, 52 : 웨이퍼 흡착용 직류 전원, 53 : O링, 54 : 급전 단자, 55 : 절연관, 56 : 원판 부재, 58 : O링, 62 : RF 전원, 64 : 급전 단자, 70 : 나사 부재, 80, 82a, 82b : 시일 부재, 94 : 챔버, 96 : 설치판, 97 : 나사 삽입 관통 구멍, 98 : 샤워 헤드, 110 : 웨이퍼 배치대, 120 : 상부 기재, 210 : 웨이퍼 배치대.

Claims (6)

  1. 웨이퍼 배치대로서,
    전극을 내장하는 세라믹 기재를 포함하고 상기 세라믹 기재의 상면에 웨이퍼 배치면을 갖는 상부 기재와,
    상기 상부 기재 중 상기 웨이퍼 배치면과는 반대측의 면에 배치되고, 냉매를 유통시키는 냉매 유로 또는 상기 냉매 유로의 측벽 및 바닥을 구성하는 냉매 유로 홈을 포함한 하부 기재와,
    상기 냉매 유로 또는 상기 냉매 유로 홈과 교차하도록 상기 하부 기재를 상하 방향으로 관통하는 관통 구멍과,
    상기 상부 기재의 하면 중 상기 관통 구멍에 대향하는 위치에 형성된 나사 구멍과,
    상기 관통 구멍에 상기 하부 기재의 하면으로부터 삽입되고, 상기 나사 구멍에 결합된 나사 부재와,
    상기 나사 부재가 삽입된 상기 관통 구멍으로부터 상기 하부 기재의 하면에 상기 냉매가 누출되는 것을 방지하는 냉매 누출 방지 부재
    를 포함하는, 웨이퍼 배치대.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 하부 기재는 상기 냉매 유로 홈을 포함하고,
    상기 상부 기재는, 상기 세라믹 기재와, 상기 세라믹 기재의 하측에 배치되고 상기 냉매 유로의 천장을 구성하는 천장 기재와, 상기 세라믹 기재와 상기 천장 기재를 접합하는 금속 접합층을 포함하는 것인, 웨이퍼 배치대.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 천장 기재는, 상기 세라믹 기재와의 40∼400℃의 선열팽창 계수차의 절대치가 1.5×10-6/K 이하인 것인, 웨이퍼 배치대.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 천장 기재는 금속과 세라믹의 복합 재료제(製)인 것인, 웨이퍼 배치대.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 상부 기재의 하면과 상기 하부 기재의 상면의 사이에는 방열 시트가 배치되어 있는 것인, 웨이퍼 배치대.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하부 기재는 이(易)가공성 재료제인 것인, 웨이퍼 배치대.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018038044A (ja) 2011-10-31 2018-03-08 株式会社Ｊｖｃケンウッド 動画像復号装置、動画像復号方法、動画像復号プログラム、受信装置、受信方法及び受信プログラム

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0746437Y2 (ja) * 1989-04-17 1995-10-25 東陶機器株式会社 静電チャック
JP2002246160A (ja) * 2001-02-19 2002-08-30 Ibiden Co Ltd ホットプレートユニット
JP4783213B2 (ja) * 2005-06-09 2011-09-28 日本碍子株式会社 静電チャック
JP5996340B2 (ja) * 2012-09-07 2016-09-21 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング装置
US10008404B2 (en) * 2014-10-17 2018-06-26 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck assembly for high temperature processes
WO2018038044A1 (ja) * 2016-08-26 2018-03-01 日本碍子株式会社 ウエハ載置台
JP6918642B2 (ja) * 2017-08-25 2021-08-11 東京エレクトロン株式会社 冷媒用の流路を有する部材、冷媒用の流路を有する部材の制御方法及び基板処理装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018038044A (ja) 2011-10-31 2018-03-08 株式会社Ｊｖｃケンウッド 動画像復号装置、動画像復号方法、動画像復号プログラム、受信装置、受信方法及び受信プログラム

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