KR20230172922A - Metal Chuck and Substrate Processing Apparatus comprising it - Google Patents

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Abstract

본 발명은 금속으로 기판을 지지하면서도 기판과의 균일한 접촉이 가능한 금속 척과 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것으로, 일실시예에서, 원형의 지지면과 상기 지지면의 반경 방향 외측에 형성된 고정부를 포함하며, 금속 소재로 형성되는 금속 척으로, 상기 지지면의 중심으로부터 반경 방향 외측으로 갈수록 두께가 두꺼워지는 금속 척을 제공한다. The present invention provides a metal chuck capable of making uniform contact with the substrate while supporting the substrate with metal, and a substrate processing device including the same. In one embodiment, the present invention provides a circular support surface and a chuck formed on a radial outer side of the support surface. Provided is a metal chuck that includes a top and bottom and is made of a metal material, the thickness of which increases from the center of the support surface outward in the radial direction.

Description

금속 척 및 이를 포함하는 기판 처리 장치{Metal Chuck and Substrate Processing Apparatus comprising it}Metal chuck and substrate processing apparatus comprising the same {Metal Chuck and Substrate Processing Apparatus comprising it}

본 발명은 승온된 상태에서 기판을 지지하는 금속 척과 이를 포함하는 기판 처리 장치에 대한 것이다. The present invention relates to a metal chuck that supports a substrate in an elevated temperature state and a substrate processing device including the same.

기판의 처리 공정에는 플라즈마가 이용될 수 있다. 예를 들어, 식각, 증착 또는 드라이 클리닝 공정에 플라즈마가 사용될 수 있다. 플라즈마는 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성되며, 플라즈마는 이온이나 전자, 라디칼등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말한다. 플라즈마를 이용한 드라이 크리닝, 애싱, 또는 마모 공정은 플라즈마에 포함된 이온 또는 라디칼 입자들이 기판과 충돌함으로써 수행된다.Plasma may be used in the substrate processing process. For example, plasma can be used in etching, deposition or dry cleaning processes. Plasma is generated by very high temperatures, strong electric fields, or high-frequency electromagnetic fields (RF Electromagnetic Fields). Plasma refers to an ionized gas state composed of ions, electrons, and radicals. Dry cleaning, ashing, or abrasion processes using plasma are performed by ions or radical particles contained in plasma colliding with the substrate.

예를 들어, 드라이 크리닝의 경우에 챔버 내부에 기판이 기판지지부에 지지된 상태에서, 플라즈마에 의해서 생성된 라디칼을 챔버로 유입시켜 기판 표면을 클리닝한다. 클리닝 시에 기판을 적정 온도로 맞추기 위하여, 기판 지지부에는 히터가 배치되는데, 히터에 의해서 기판 지지부가 가열되는 경우에, 기판 지지부와 기판이 균일하게 접촉해야 하는데, 기판 지지부가 변형되는 경우에 기판과의 접촉이 달라져 기판의 승온이 균일해지지 않을 우려가 있다. For example, in the case of dry cleaning, while the substrate is supported on a substrate supporter inside the chamber, radicals generated by plasma are introduced into the chamber to clean the substrate surface. In order to set the substrate to an appropriate temperature during cleaning, a heater is placed on the substrate support. When the substrate support is heated by the heater, the substrate support and the substrate must be in uniform contact. However, if the substrate support is deformed, the substrate and There is a risk that the temperature rise of the substrate may not be uniform due to changes in contact.

본 발명은 열에 의한 변형이 생길 수 있는 금속으로 기판을 지지하면서도 기판과의 균일한 접촉이 가능한 금속 척과 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. The purpose of the present invention is to provide a metal chuck capable of uniform contact with the substrate while supporting the substrate using a metal that can be deformed by heat, and a substrate processing device including the same.

본 발명은 위와 같은 목적을 달성하기 위하여 다음과 같은 금속 척 및 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다. In order to achieve the above object, the present invention provides the following metal chuck and a substrate processing device including the same.

본 발명은 일실시예에서, 원형의 지지면과 상기 지지면의 반경 방향 외측에 형성된 고정부를 포함하며, 금속 소재로 형성되는 금속 척으로, 상기 지지면의 중심으로부터 반경 방향 외측으로 갈수록 두께가 두꺼워지는 금속 척을 제공한다. In one embodiment, the present invention is a metal chuck that includes a circular support surface and a fixing part formed on a radial outer side of the support surface, and is made of a metal material, and the thickness increases from the center of the support surface to the radial outer side. Provides a thicker metal chuck.

일실시예에서, 상기 지지면은 중심이 오목한 곡면으로 형성될 수 있으며, 상기 고정부는 원주 방향을 따라서 배치되는 복수의 고정홀을 포함할 수 있다. In one embodiment, the support surface may be formed as a curved surface with a concave center, and the fixing part may include a plurality of fixing holes disposed along a circumferential direction.

본 발명은 일실시예에서, 기판 처리 공간이 형성된 처리 챔버; 상기 처리 챔버 내부에 배치되는 기판 지지부; 를 포함하며, 상기 기판 지지부는 본체, 상기 본체 내부에 배치되는 히터와 상기 본체 상측면에 배치되어 상기 히터 바깥쪽에서 기판을 지지하는 척을 포함하며, 상기 척은 상술한 금속 척인 기판 처리 장치를 제공한다. In one embodiment, the present invention includes a processing chamber in which a substrate processing space is formed; a substrate supporter disposed inside the processing chamber; The substrate support unit includes a main body, a heater disposed inside the main body, and a chuck disposed on an upper side of the main body to support the substrate outside the heater, wherein the chuck is the metal chuck described above. do.

일실시예에서, 상기 기판 처리 장치는 플라즈마 생성부에서 생성된 라디칼을 상기 처리 공간으로 도입하는 플라즈마 도입부;를 더 포함할 수 있다. In one embodiment, the substrate processing apparatus may further include a plasma introduction unit that introduces radicals generated in the plasma generation unit into the processing space.

일실시예에서, 상기 히터는 상기 지지면의 반경 방향으로 복수 개가 배치되며, 상기 곡면은 일정한 곡률을 가지게 형성될 수 있다. In one embodiment, a plurality of heaters are arranged in the radial direction of the support surface, and the curved surface may be formed to have a constant curvature.

일실시예에서, 기판 처리 시 상승되는 상기 척의 온도(ΔT, ℃)와 상기 지지면의 가장자리에서 상기 척의 두께(t)에 대한 상기 지지면에서의 두께의 차이의 비율(Δt/t)은 다음의 관계를 만족할 수 있다. In one embodiment, the temperature of the chuck (ΔT, °C) raised during substrate processing and the ratio of the difference in thickness at the support surface to the thickness (t) of the chuck at the edge of the support surface (Δt/t) are as follows: relationship can be satisfied.

0.00002 /℃ ≤ (Δt/t)/ΔT ≤0.00004 /℃ 0.00002 /℃ ≤ (Δt/t)/ΔT ≤0.00004 /℃

본 발명은 금속으로 균일하게 기판을 지지하여 균일 가열이 가능한 금속 척과 이를 포함하는 기판 처리 장치를 제공할 수 있다. The present invention can provide a metal chuck capable of uniformly heating a substrate by uniformly supporting it with metal, and a substrate processing device including the same.

도 1 은 금속 척을 사용하는 기판 처리 장치의 개략도이다.
도 2 는 도 1 의 금속 척의 개략 평면도이다.
도 3 은 도 2 의 금속 척의 개략 측면도이다.
도 4 는 본 발명의 일실시예에 따른 금속 척의 개략 측면도이다.
도 5 는 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략도이다. 1 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus using a metal chuck.
Figure 2 is a schematic plan view of the metal chuck of Figure 1;
Figure 3 is a schematic side view of the metal chuck of Figure 2;
4 is a schematic side view of a metal chuck according to an embodiment of the present invention.
Figure 5 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 다만, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다. 또한, 본 명세서에서, '상', '상부', '상면', '하', '하부', '하면', '측면' 등의 용어는 도면을 기준으로 한 것이며, 실제로는 소자나 구성요소가 배치되는 방향에 따라 달라질 수 있을 것이다.Hereinafter, with reference to the attached drawings, preferred embodiments will be described in detail so that those skilled in the art can easily practice the present invention. However, when describing preferred embodiments of the present invention in detail, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted. In addition, the same symbols are used throughout the drawings for parts that perform similar functions and actions. In addition, in this specification, terms such as 'upper', 'top', 'upper surface', 'lower', 'lower', 'lower surface', 'side', etc. are based on the drawings and are actually elements or components. It may vary depending on the direction in which it is placed.

덧붙여, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 '연결'되어 있다고 할 때, 이는 '직접적으로 연결'되어 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 '간접적으로 연결'되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다.In addition, throughout the specification, when a part is said to be 'connected' to another part, this does not only mean 'directly connected', but also 'indirectly connected' with another element in between. Includes. In addition, 'including' a certain component means that other components may be further included rather than excluding other components, unless specifically stated to the contrary.

도 1 에는 금속 척을 사용하는 기판 처리 장치의 개략도가 도시되어 있으며, 도 2 에는 도 1 의 금속 척의 개략 평면도가 도시되어 있고, 도 3 에는 도 2 의 금속 척의 개략 측면도가 도시되어 있다. Figure 1 shows a schematic diagram of a substrate processing apparatus using a metal chuck, Figure 2 shows a schematic top view of the metal chuck of Figure 1, and Figure 3 shows a schematic side view of the metal chuck of Figure 2.

도 1 에서 보이듯이, 기판 처리 장치(1)는 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성부(20); 기판 처리 공간이 형성된 기판 처리 챔버(10); 상기 기판 처리 챔버(10) 내부에 위치하며, 기판(W)을 지지하는 기판 지지부(100); 상기 플라즈마 생성부(20)에서 생성된 플라즈마의 라디칼을 도입하는 플라즈마 도입부(30); 상기 기판 처리 챔버(10)에 연결되며 펌프 등의 흡입 수단에 연결되는 배기부(40)를 포함하며, 기판 지지부(100)는 상면에 장착되어 기판(W)과 접촉하는 척(150)과 상기 척(150)의 하부, 상기 기판 지지부(100) 내부에 배치되어 상기 척(150)을 통하여 기판(W)을 가열하는 히터(110)를 포함한다. 본 발명에서는 척(150)은 금속 소재로 형성되므로, 금속 척(150)이라고 부를 수도 있다. As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 includes a plasma generator 20 that generates plasma; A substrate processing chamber 10 in which a substrate processing space is formed; A substrate support portion 100 located inside the substrate processing chamber 10 and supporting the substrate W; A plasma introduction unit 30 that introduces radicals of the plasma generated in the plasma generation unit 20; It is connected to the substrate processing chamber 10 and includes an exhaust part 40 connected to a suction means such as a pump, and the substrate support part 100 is mounted on the upper surface and includes a chuck 150 that contacts the substrate W and the It includes a heater 110 disposed below the chuck 150, inside the substrate supporter 100, and heats the substrate W through the chuck 150. In the present invention, the chuck 150 is made of a metal material, so it may also be called a metal chuck 150.

플라즈마 생성부(20)는 처리 가스가 공급된 상태에서 플라즈마 소스, 예를 들면 RF 전원으로 플라즈마를 형성하는 구성으로 종래에 알려진 플라즈마 생성 수단이 적용될 수 있다. 플라즈마 도입부(30)는 플라즈마 생성부(20)에서 생성된 플라즈마 중 라디칼을 기판 처리 챔버(10)로 도입하는 구성으로, 도시되지는 않았지만 블록커(blocker)를 통하여 플라즈마에서 라디칼 만을 기판 처리 챔버(10)로 도입하는 구성일 수 있다. The plasma generator 20 is configured to form plasma using a plasma source, for example, an RF power source, while a processing gas is supplied, and a conventionally known plasma generating means may be applied. The plasma introduction unit 30 is configured to introduce radicals from the plasma generated in the plasma generation unit 20 into the substrate processing chamber 10. Although not shown, it introduces only radicals from the plasma through a blocker into the substrate processing chamber ( 10) may be a configuration introduced.

기판 지지부(100)는 상부에 척(150)이 배치되며, 척(150)은 기판 지지부(100)에 체결 수단(160)을 통하여 고정된다. 척(150)은 도 2 및 3 에서 보이듯이, 평면 상에서 기판(W)과 접촉하는 원형의 지지면(151)과 상기 지지면(151)을 둘러싸며 상기 기판 지지부(100)와 연결되는 고정부(153)를 포함한다. 고정부(153)에는 상기 체결 수단(160)이 체결되기 위한 관통공(153a)이 형성된다. 척(150)은 금속 소재, 예를 들면 알루미늄으로 형성될 수 있다. 척(150)은 하면과 지지면(151)이 모두 평탄하게 형성된다. A chuck 150 is disposed on the substrate support unit 100, and the chuck 150 is fixed to the substrate support unit 100 through a fastening means 160. As shown in FIGS. 2 and 3, the chuck 150 includes a circular support surface 151 in contact with the substrate W on a plane, and a fixing part surrounding the support surface 151 and connected to the substrate support 100. Includes (153). A through hole 153a for fastening the fastening means 160 is formed in the fixing part 153. Chuck 150 may be made of a metal material, for example, aluminum. Both the lower surface and the support surface 151 of the chuck 150 are formed to be flat.

기판 지지부(100)의 내부에는 상기 척(150)을 통하여 기판(W)을 가열하는 히터(110)가 배치된다. 히터(110)는 기판(W)의 중심으로부터 반경 방향을 따라서 복수 개가 배치될 수 있으며, 여기서 히터(110)는 중심 히터(111), 중간 히터(112), 외측 히터(113)를 포함한다. A heater 110 is disposed inside the substrate support unit 100 to heat the substrate W through the chuck 150. A plurality of heaters 110 may be arranged along the radial direction from the center of the substrate W, where the heaters 110 include a center heater 111, a middle heater 112, and an outer heater 113.

기판 처리 장치(1)는 히터(110)에 의해서 기판(W)이 가열된 상태에서, 플라즈마 생성부(20), 플라즈마 도입부(30)를 통하여 라디칼을 처리 챔버(10) 내부로 도입하여 기판(W) 표면을 드라이 클리닝한다. 이때, 기판(W)의 온도에 따라서, 라디칼에 의해 식각되는 정도가 상이해질 수 있다. The substrate processing apparatus 1, with the substrate W heated by the heater 110, introduces radicals into the processing chamber 10 through the plasma generation unit 20 and the plasma introduction unit 30 to form a substrate ( W) Dry clean the surface. At this time, depending on the temperature of the substrate W, the degree of etching by radicals may vary.

금속의 경우에 가공도 용이하고 열전도도가 높으나, 가열에 의해서 열팽창이 발생한다. 통상 금속 소재가 가열되는 경우에 중심부나 외측부가 동일한 비율로 늘어나기 때문에 외면의 평탄도가 변하지 않는다. 하지만, 도 1 내지 3 과 같이 척(150)의 고정부(153)가 체결 수단(160)에 의하여 기판 지지부(100)에 고정되는 경우에 해당 위치에서는 체결 수단(160)에 의해서 변화가 불가능하므로 열팽창이 발생하지 못하고 도 3 (b)와 같이 변화가 발생할 수 있는 지지면(151)의 중앙부분이 볼록해지게 되며, 이렇게 중앙부분이 볼록해지는 경우에 기판(W)의 가장자리 부분과 지지면(151) 사이에 공간(159)이 발생한다. 공간(159)이 발생하는 경우에 기판(W)과 척(150)의 열전달방식이 변화되므로 기판(W)의 위치에 따라서 척(150)으로부터 기판(W)으로 전달되는 열에너지의 양이 변화된다. 이로 인하여 기판(W)의 온도가 기판 전영역에서 균일하게 유지되지 못하게 되며, 온도가 균일하지 않은 경우에 기판(W)의 위치에 따라서 식각량이 일정하지 못하게 된다. In the case of metal, it is easy to process and has high thermal conductivity, but thermal expansion occurs when heated. Normally, when a metal material is heated, the center or outer portion expands at the same rate, so the flatness of the outer surface does not change. However, as shown in Figures 1 to 3, when the fixing part 153 of the chuck 150 is fixed to the substrate support part 100 by the fastening means 160, the position cannot be changed by the fastening means 160. The central portion of the support surface 151, where thermal expansion cannot occur and changes may occur as shown in Figure 3 (b), becomes convex. When the central portion becomes convex, the edge portion of the substrate W and the support surface ( A space (159) occurs between 151). When space 159 is created, the heat transfer method between the substrate W and the chuck 150 changes, so the amount of heat energy transferred from the chuck 150 to the substrate W changes depending on the position of the substrate W. . As a result, the temperature of the substrate W is not maintained uniformly over the entire area of the substrate, and when the temperature is not uniform, the amount of etching becomes inconsistent depending on the position of the substrate W.

이러한 문제는 가열이 척(150)을 통하여 이루어지지 않는 경우에도 발생될 수 있다. 즉, 금속 소재는 열전달율이 높기 때문에 기판(W)으로부터 열을 전달하거나 열이 빠져나가는 경로가 될 수 있으며, 접촉된 경우와 접촉되지 않는 경우의 열전도율의 차이가 크기 때문에, 히터(110)가 다른 위치에 배치되더라도 금속 소재의 척(150)과 기판(W)의 고른 밀착은 기판(W)의 전영역에 걸친 온도 균일화에 영향을 주게 된다. This problem may occur even when heating is not performed through the chuck 150. In other words, since the metal material has a high heat transfer rate, it can transfer heat from the substrate W or become a path for heat to escape, and since the difference in thermal conductivity between the case of contact and the case of not contact is large, the heater 110 can be used in different ways. Even if it is placed in a certain position, the even close contact between the metal chuck 150 and the substrate W affects temperature uniformity over the entire area of the substrate W.

본 발명은 외곽이 고정되게 구성되는 금속 척(150)에서, 기판(W)과 금속 척(150)이 전영역에서 균일하게 접촉하도록 금속 척(150)의 지지면(151)을 오목하게 형성한다. In the present invention, in the metal chuck 150 whose outer surface is configured to be fixed, the support surface 151 of the metal chuck 150 is formed concave so that the substrate W and the metal chuck 150 contact uniformly in the entire area. .

도 4 및 도 5 에는 본 발명의 일실시예가 도시되어 있다. 구체적으로 도 4 에는 본 발명의 일실시예에 따름 금속 척의 측면도가 도시되어 있으며, 도 5 에는 도 4 의 금속 척을 포함하는 기판 처리 장치의 개략도가 도시되어 있다. Figures 4 and 5 show one embodiment of the present invention. Specifically, Figure 4 shows a side view of a metal chuck according to an embodiment of the present invention, and Figure 5 shows a schematic diagram of a substrate processing apparatus including the metal chuck of Figure 4.

도 4 에서 보이듯이, 본 발명의 일실시예에 따른 금속 척(150)은 평면 상에서 기판(W)과 접촉하는 원형의 지지면(151)과 상기 지지면(151)을 둘러싸며 상기 기판 지지부(100)와 연결되는 고정부(153)를 포함한다. 고정부(153)에는 상기 체결 수단(160)이 체결되기 위한 관통공(153a)이 형성된다. 척(150)은 금속 소재, 예를 들면 알루미늄으로 형성될 수 있다. As shown in FIG. 4, the metal chuck 150 according to an embodiment of the present invention includes a circular support surface 151 in contact with the substrate W on a plane, surrounding the support surface 151, and the substrate support part ( It includes a fixing part 153 connected to 100). A through hole 153a for fastening the fastening means 160 is formed in the fixing part 153. Chuck 150 may be made of a metal material, for example, aluminum.

온도에 따라서 열팽창이 발생되며, 이러한 열팽창은 중앙으로 모이기 때문에 중앙 부분이 볼록해지므로, 이를 고려하여 본 발명의 일실시예에 따른 금속 척(150)은 지지면(151)이 오목하게 형성된다. 구체적으로 지지면(151)은 중앙과 최외측, 즉 기판(W)의 에지에 대응되는 부분 사이에 두께 차이가 발생하도록 형성된다. Thermal expansion occurs depending on the temperature, and this thermal expansion is concentrated in the center, making the central portion convex. Therefore, in consideration of this, the support surface 151 of the metal chuck 150 according to an embodiment of the present invention is formed to be concave. Specifically, the support surface 151 is formed so that a thickness difference occurs between the center and the outermost portion, that is, a portion corresponding to the edge of the substrate W.

지지면(151)은 중심으로부터 가장자리까지 연속적으로 연결되는 곡면으로 형성될 수 있으며, 지지면(151)의 가장자리에서의 두께(t1)와 지지면(151)의 중심에서의 두께(t2)와의 차이(Δt=t1-t2)를 두께(t1)로 나눈 비율은 히터(110)에 의해서 가열되는 온도(ΔT)와 비례하도록 상기 지지면(151)을 형성한다. 예를 들어, 금속 척이 알루미늄이면, 지지면(151)의 두께(t1), 두께의 차이(Δt) 및 가열되는 온도(ΔT)는 식 1과 같은 관계를 만족할 수 있다. The support surface 151 may be formed as a curved surface continuously connected from the center to the edge, and the difference between the thickness t1 at the edge of the support surface 151 and the thickness t2 at the center of the support surface 151. The ratio of (Δt=t1-t2) divided by the thickness (t1) forms the support surface 151 in proportion to the temperature (ΔT) heated by the heater 110. For example, if the metal chuck is aluminum, the thickness (t1) of the support surface 151, the difference in thickness (Δt), and the heating temperature (ΔT) may satisfy the relationship shown in Equation 1.

0.00002 /℃ ≤ (Δt/t1)/ΔT ≤0.00004 /℃ ... 식 10.00002 /℃ ≤ (Δt/t1)/ΔT ≤0.00004 /℃ ... Equation 1

이러한 관계는 금속 척(150)의 두께(t)가 가열하려는 온도까지 승온되었을 때 팽창하는 부피만큼 금속 척(150)의 지지면(151)을 오목하게 형성하는 것으로 계산될 수 있다. 예를 들면, 30㎜ 두께의 금속 척(150)을 100℃ 승온시키는 경우에는 대략 60㎛ 정도의 두께 차이를 가질 수 있다. This relationship can be calculated to make the support surface 151 of the metal chuck 150 concave by the volume that expands when the thickness t of the metal chuck 150 is raised to the temperature to be heated. For example, when the temperature of the 30 mm thick metal chuck 150 is raised to 100°C, there may be a difference in thickness of approximately 60 μm.

한편, 지지면(151)은 상기 지지면(151)의 중심으로부터 상측에 중심을 가지는 구의 곡면을 따라서 지지면(151)이 형성될 수 있으며, 이때, 상기 구의 곡면은 지지면(151)의 중심과 지지면(151)의 가장자리를 통과하면서 상기 수학식의 조건을 만족한다. 즉, 지지면(151)은 동일한 곡률을 가지는 곡면으로 형성될 수 있다. Meanwhile, the support surface 151 may be formed along the curved surface of a sphere with its center above the center of the support surface 151. In this case, the curved surface of the sphere is located at the center of the support surface 151. and passes through the edge of the support surface 151, satisfying the conditions of the above equation. That is, the support surface 151 may be formed as a curved surface with the same curvature.

다만, 지지면(151)의 형상은 상기 곡면으로 제한되는 것은 아니며, 다른 형상, 예를 들면 경사면 등으로 형성되는 것도 가능하다. However, the shape of the support surface 151 is not limited to the curved surface, and may be formed in another shape, for example, an inclined surface.

본 발명의 일실시예에 따른 금속 척(150)을 포함하는 기판 처리 장치(1)는 도 1 의 기판 처리 장치(1)와 상기 금속 척(150)의 구성을 제외하고는 동일하다. 즉, 기판 처리 장치(1)는 플라즈마를 생성하는 플라즈마 생성부(20); 기판 처리 공간이 형성된 기판 처리 챔버(10); 상기 기판 처리 챔버(10) 내부에 위치하며, 기판(W)을 지지하는 기판 지지부(100); 상기 플라즈마 생성부(20)에서 생성된 플라즈마의 라디칼을 도입하는 플라즈마 도입부(30); 상기 기판 처리 챔버(10)에 연결되며 펌프 등의 흡입 수단에 연결되는 배기부(40)를 포함하며, 기판 지지부(100)는 상면에 장착되어 기판(W)과 접촉하는 금속 척(150)과 상기 금속 척(150)의 하부, 상기 기판 지지부(100) 내부에 배치되어 상기 척(150)을 통하여 기판(W)을 가열하는 히터(110)를 포함한다. The substrate processing apparatus 1 including the metal chuck 150 according to an embodiment of the present invention is the same as the substrate processing apparatus 1 of FIG. 1 except for the configuration of the metal chuck 150. That is, the substrate processing apparatus 1 includes a plasma generator 20 that generates plasma; A substrate processing chamber 10 in which a substrate processing space is formed; A substrate support portion 100 located inside the substrate processing chamber 10 and supporting the substrate W; A plasma introduction unit 30 that introduces radicals of the plasma generated in the plasma generation unit 20; It is connected to the substrate processing chamber 10 and includes an exhaust part 40 connected to a suction means such as a pump, and the substrate support part 100 includes a metal chuck 150 mounted on the upper surface and in contact with the substrate W, and It includes a heater 110 disposed below the metal chuck 150 and inside the substrate support part 100 to heat the substrate W through the chuck 150.

다만, 본 발명의 기판 처리 장치(1)는 상술한 드라이 클리닝 장치로 제한되는 것은 아니며, 금속 척(150)을 사용하고, 히터(110)를 통하여 가열을 하는 다른 처리에 사용될 수 있으며, 히터(110)의 위치는 기판 지지부(100) 내부가 아닌 외부에 위치하는 경우에도 적용 가능하다. However, the substrate processing apparatus 1 of the present invention is not limited to the dry cleaning apparatus described above, and can be used for other processing using the metal chuck 150 and heating through the heater 110, and the heater ( The position of 110) is applicable even when it is located outside the substrate supporter 100 rather than inside it.

또한, 금속 척(150)의 경우에 지지면(151)에 관통홀이 형성되는 것도 가능하다. 즉, 기판(W)의 이동을 위하여 로봇암이 들어올 수 있도록 금속 척(150)에는 핀이 상승할 수 있도록 관통홀이 형성될 수 있다. Additionally, in the case of the metal chuck 150, it is possible for a through hole to be formed in the support surface 151. That is, a through hole may be formed in the metal chuck 150 so that the pin can rise so that the robot arm can move in order to move the substrate W.

이상에서 본 발명의 여러 실시예에 대하여 설명하였으나, 지금까지 참조한 도면과 기재된 발명의 상세한 설명은 단지 본 발명의 예시적인 것으로서, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다.Although several embodiments of the present invention have been described above, the drawings and detailed description of the invention referred to so far are merely illustrative of the present invention, which are used only for the purpose of explaining the present invention and are not intended to limit the meaning or apply for patent claims. It is not used to limit the scope of the present invention described in the scope.

1: 기판 처리 장치 10: 기판 처리 챔버
20: 플라즈마 생성부 30: 플라즈마 도입부
100: 기판 지지부 110: 히터
150: 척 151: 지지면
153: 고정부 153a: 관통홀
159: 공간 160: 체결 부재
W: 기판1: substrate processing device 10: substrate processing chamber
20: Plasma generation unit 30: Plasma introduction unit
100: substrate support 110: heater
150: Chuck 151: Support surface
153: Fixing part 153a: Through hole
159: space 160: fastening member
W: substrate

Claims (7)

원형의 지지면과
상기 지지면의 반경 방향 외측에 형성된 고정부를 포함하며, 금속 소재로 형성되는 금속 척으로,
상기 지지면의 중심으로부터 반경 방향 외측으로 갈수록 두께가 두꺼워지는 금속 척.
circular support surface and
A metal chuck that includes a fixing part formed on a radial outer side of the support surface and is made of a metal material,
A metal chuck whose thickness increases radially outward from the center of the support surface.
 제 1 항에 있어서,
상기 지지면은 중심이 오목한 곡면으로 형성되는 금속 척.
According to claim 1,
A metal chuck wherein the support surface is formed as a curved surface with a concave center.
 제 2 항에 있어서,
상기 고정부는 원주 방향을 따라서 배치되는 복수의 고정홀을 포함하는 금속 척.
According to claim 2,
The fixing part is a metal chuck including a plurality of fixing holes arranged along a circumferential direction.
 기판 처리 공간이 형성된 처리 챔버;
상기 처리 챔버 내부의 상기 기판을 가열하는 히터; 및
상기 처리 챔버 내부에 배치되는 기판 지지부;를 포함하며,
상기 기판 지지부는 상측면에 배치되어 상기 기판을 지지하는 척을 포함하며,
상기 척은 제 3 항의 금속 척인 기판 처리 장치.
a processing chamber in which a substrate processing space is formed;
a heater that heats the substrate inside the processing chamber; and
It includes a substrate support disposed inside the processing chamber,
The substrate support portion includes a chuck disposed on an upper side to support the substrate,
A substrate processing device wherein the chuck is the metal chuck of claim 3.
 제 4 항에 있어서,
플라즈마 생성부에서 생성된 라디칼을 상기 처리 공간으로 도입하는 플라즈마 도입부;를 더 포함하는 기판 처리 장치.
According to claim 4,
A substrate processing apparatus further comprising a plasma introduction unit that introduces radicals generated in the plasma generation unit into the processing space.
 제 4 항에 있어서,
상기 히터는 상기 기판 지지부 내부에 배치되며, 상기 지지면의 반경 방향으로 복수 개가 배치되며,
상기 곡면은 일정한 곡률을 가지게 형성되는 기판 처리 장치.
According to claim 4,
The heater is disposed inside the substrate support portion, and a plurality of heaters are disposed in a radial direction of the support surface,
A substrate processing device wherein the curved surface is formed to have a constant curvature.
 제 4 항에 있어서,
상기 척은 알루미늄이며,
기판 처리 시 상승되는 상기 척의 온도(ΔT, ℃)와 상기 지지면의 가장자리에서 상기 척의 두께(t1)에 대한 상기 지지면에서의 두께의 차이의 비율(Δt/t1)은 다음의 관계를 만족하는 기판 처리 장치.
0.00002 /℃ ≤ (Δt/t1)/ΔT ≤0.00004 /℃ According to claim 4,
The chuck is aluminum,
The temperature of the chuck (ΔT, ℃), which rises during substrate processing, and the ratio of the difference in thickness at the support surface to the thickness (t1) of the chuck at the edge of the support surface (Δt/t1) satisfy the following relationship. Substrate processing equipment.
0.00002 /℃ ≤ (Δt/t1)/ΔT ≤0.00004 /℃
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