KR101749311B1 - Substrate supporting unit and apparatus for treating substrate including the same - Google Patents

Substrate supporting unit and apparatus for treating substrate including the same Download PDF

Info

Publication number
KR101749311B1
KR101749311B1 KR1020160045878A KR20160045878A KR101749311B1 KR 101749311 B1 KR101749311 B1 KR 101749311B1 KR 1020160045878 A KR1020160045878 A KR 1020160045878A KR 20160045878 A KR20160045878 A KR 20160045878A KR 101749311 B1 KR101749311 B1 KR 101749311B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
metal plate
heating
supporting
region
Prior art date
Application number
KR1020160045878A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
이창원
Original Assignee
피에스케이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 피에스케이 주식회사 filed Critical 피에스케이 주식회사
Priority to KR1020160045878A priority Critical patent/KR101749311B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101749311B1 publication Critical patent/KR101749311B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 내부에 기판이 처리되는 처리 공간을 가지는 공정 챔버와; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛을 포함하되, 상기 기판 지지 유닛은, 기판을 지지하는 지지 부재와; 상기 지지 부재에 지지된 기판을 가열하는 가열 유닛을 포함하고, 상기 가열 유닛은 제 1 가열 부재를 포함하고, 상기 제 1 가열 부재는, 서로 적층된 제 1 금속판 및 제 2 금속판을 포함하고, 상부에서 바라볼 때, 상기 지지 부재의 상면의 제 1 영역에 제공된 바이메탈 플레이트와; 상기 바이메탈 플레이트의 하부에 제공된 히터;를 포함하며, 상기 바이메탈 플레이트의 일 측면은 상기 지지 부재에 고정되게 제공되고, 상기 제 2 금속판의 열 팽창률은 상기 제 1 금속판의 열 팽창률보다 크게 제공된다.The present invention relates to a substrate processing apparatus. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a process chamber having a processing space in which a substrate is processed; And a substrate supporting unit for supporting the substrate within the processing space, wherein the substrate supporting unit comprises: a supporting member for supporting the substrate; Wherein the heating unit includes a first heating member and the first heating member includes a first metal plate and a second metal plate stacked on each other, A bimetal plate provided in a first region of the upper surface of the support member, And a heater provided at a lower portion of the bimetal plate, wherein one side of the bimetal plate is fixed to the support member, and a thermal expansion coefficient of the second metal plate is greater than a thermal expansion coefficient of the first metal plate.

Description

기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치{SUBSTRATE SUPPORTING UNIT AND APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE INCLUDING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate supporting unit,

본 발명은 기판을 지지하는 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate supporting unit for supporting a substrate and a substrate processing apparatus including the same.

도 1은 일반적인 기판 처리 장치(2)를 나타낸 단면도이다. 도 1을 참고하면, 반도체 소자의 제조를 위해서는 웨이퍼와 같은 반도체 기판 상에 증착, 사진, 식각, 애싱, 세정, 연마 등 다양한 공정이 요구된다. 이들 중 공정 진행 시 기판이 고온으로 제공될 것이 요구되는 공정이 수행되는 기판 처리 장치(2)의 경우, 기판(3)에 대한 공정이 수행되는 공정 챔버(4) 내에 기판(3)을 지지하는 기판 지지 유닛(5)이 제공되고, 기판 지지 유닛(5)의 내부에는 기판(3)에 열을 가하기 위한 히터(6)가 제공된다.1 is a cross-sectional view showing a general substrate processing apparatus 2. Referring to FIG. 1, various processes such as deposition, photolithography, etching, ashing, cleaning, and polishing are required on a semiconductor substrate such as a wafer for manufacturing a semiconductor device. Among them, in the case of the substrate processing apparatus 2 in which the process requiring the substrate to be provided at a high temperature is performed, the substrate 3 is supported in the process chamber 4 in which the process for the substrate 3 is performed A substrate supporting unit 5 is provided and a heater 6 for applying heat to the substrate 3 is provided inside the substrate supporting unit 5.

이 경우, 기판 지지 유닛(5) 상에 놓인 기판(3)이 휘어져(Warpage) 있는 경우, 히터(6)에 의해 열이 가해지는 기판 지지 유닛(5)의 상면과 기판(3) 간의 거리가 기판(3)의 영역별로 상이하게 제공될 수 있다. 이러한 영역별로 상이한 기판 지지 유닛(5)과의 거리는 기판(3)의 영역별 가열 정도의 차이로 인한 영역별 온도차를 유발한다. 이는 기판(3)이 더욱 휘어지게 되는 원인이 된다.In this case, when the substrate 3 placed on the substrate supporting unit 5 is warped, the distance between the top surface of the substrate supporting unit 5 subjected to heat by the heater 6 and the substrate 3 is And may be provided differently for each region of the substrate 3. The distance from the different substrate supporting units 5 to each of these regions causes a temperature difference in each region due to the difference in degree of heating of the substrate 3 by region. This causes the substrate 3 to be further bent.

본 발명은 기판을 균일하게 가열할 수 있는 기판 지지 유닛 및 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.The present invention is to provide a substrate holding unit and a substrate processing apparatus which can uniformly heat a substrate.

또한, 본 발명은 기판의 휘어짐을 최소화할 수 있는 기판 지지 유닛 및 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.It is still another object of the present invention to provide a substrate supporting unit and a substrate processing apparatus capable of minimizing warping of the substrate.

본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited thereto, and other matters not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 일 실시 예에 의하면, 기판 처리 장치는, 내부에 기판이 처리되는 처리 공간을 가지는 공정 챔버와; 상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛을 포함하되, 상기 기판 지지 유닛은, 기판을 지지하는 지지 부재와; 상기 지지 부재에 지지된 기판을 가열하는 가열 유닛을 포함하고, 상기 가열 유닛은 제 1 가열 부재를 포함하고, 상기 제 1 가열 부재는, 서로 적층된 제 1 금속판 및 제 2 금속판을 포함하고, 상부에서 바라볼 때, 상기 지지 부재의 상면의 제 1 영역에 제공된 바이메탈 플레이트와; 상기 바이메탈 플레이트의 하부에 제공된 히터;를 포함하며, 상기 바이메탈 플레이트의 일 측면은 상기 지지 부재에 고정되게 제공되고, 상기 제 2 금속판의 열 팽창률은 상기 제 1 금속판의 열 팽창률보다 크게 제공된다.The present invention provides a substrate processing apparatus. According to one embodiment, the substrate processing apparatus includes: a processing chamber having a processing space in which a substrate is processed; And a substrate supporting unit for supporting the substrate within the processing space, wherein the substrate supporting unit comprises: a supporting member for supporting the substrate; Wherein the heating unit includes a first heating member and the first heating member includes a first metal plate and a second metal plate stacked on each other, A bimetal plate provided in a first region of the upper surface of the support member, And a heater provided at a lower portion of the bimetal plate, wherein one side of the bimetal plate is fixed to the support member, and a thermal expansion coefficient of the second metal plate is greater than a thermal expansion coefficient of the first metal plate.

상기 히터는 상부에서 바라볼 때, 상기 제 1 영역에 제공된다.The heater is provided in the first region when viewed from above.

상기 가열 유닛은, 상기 제 1 가열 부재의 아래에 제공되고, 상부에서 바라볼 때, 상기 제 1 영역 및 상기 제 1 영역과 상이한 상기 지지 부재의 제 2 영역에 제공된 제 2 가열 부재를 더 포함한다.The heating unit further includes a second heating member provided below the first heating member and provided in a second region of the support member different from the first region and the first region when viewed from above .

상기 제 1 가열 부재는 상기 제 1 가열 부재 및 상기 제 2 가열 부재 간의 열 이동을 차단하는 차단벽을 더 포함하되, 상기 차단벽은 상기 바이메탈 플레이트의 측면, 상기 히터의 측면 및 상기 히터의 저면을 감싸도록 제공된다.Wherein the first heating member further includes a blocking wall for blocking heat transfer between the first heating member and the second heating member, the blocking wall including a side surface of the bimetal plate, a side surface of the heater, and a bottom surface of the heater To be wrapped.

상기 제 1 금속판은 상기 제 2 금속판 보다 위에 제공될 수 있다.The first metal plate may be provided above the second metal plate.

상기 제 1 금속판은 상기 제 2 금속판 보다 아래에 제공될 수 있다.The first metal plate may be provided below the second metal plate.

상기 제 1 영역은 상부에서 바라볼 때, 상기 지지 부재의 가장자리영역에 상기 지지 부재의 중앙영역을 감싸는 링 형상으로 제공될 수 있다.The first region may be provided in a ring shape surrounding the central region of the support member at an edge region of the support member when viewed from above.

상기 일 측면은 상기 바이메탈 플레이트의 내측면이다.The one side is the inner surface of the bimetal plate.

상기 일 측면의 상단은 상기 지지 부재의 상면과 동일한 높이로 제공된다.The upper end of the one side surface is provided at the same height as the upper surface of the supporting member.

상기 제 1 영역은 상부에서 바라볼 때, 서로 동심인 복수개의 링 형상으로 제공될 수 있다.The first region may be provided in a plurality of ring shapes concentric with each other when viewed from above.

상기 제 1 영역은 상부에서 바라볼 때, 서로 이격되어 링 형상을 이루는 복수개의 영역으로 제공될 수 있다.The first region may be provided as a plurality of regions spaced apart from each other and having a ring shape when viewed from above.

본 발명은 기판이 처리되는 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛을 제공한다. 일 실시 예에 의하면, 기판 지지 유닛은, 기판을 지지하는 지지 부재와; 상기 지지 부재에 지지된 기판을 가열하는 가열 유닛을 포함하고, 상기 가열 유닛은 제 1 가열 부재를 포함하고, 상기 제 1 가열 부재는, 서로 적층된 제 1 금속판 및 제 2 금속판을 포함하고, 상부에서 바라볼 때, 상기 지지 부재의 상면의 제 1 영역에 제공된 바이메탈 플레이트와; 상기 바이메탈 플레이트의 하부에 제공된 히터;를 포함하며, 상기 바이메탈 플레이트의 일 측면은 상기 지지 부재에 고정되게 제공되고, 상기 제 2 금속판의 열 팽창률은 상기 제 1 금속판의 열 팽창률보다 크게 제공된다.The present invention provides a substrate supporting unit for supporting a substrate in a processing space in which the substrate is processed. According to one embodiment, the substrate supporting unit comprises: a supporting member for supporting the substrate; Wherein the heating unit includes a first heating member and the first heating member includes a first metal plate and a second metal plate stacked on each other, A bimetal plate provided in a first region of the upper surface of the support member, And a heater provided at a lower portion of the bimetal plate, wherein one side of the bimetal plate is fixed to the support member, and a thermal expansion coefficient of the second metal plate is greater than a thermal expansion coefficient of the first metal plate.

상기 히터는 상부에서 바라볼 때, 상기 제 1 영역에 제공된다.The heater is provided in the first region when viewed from above.

상기 가열 유닛은, 상기 제 1 가열 부재의 아래에 제공되고, 상부에서 바라볼 때, 상기 제 1 영역 및 상기 제 1 영역과 상이한 상기 지지 부재의 제 2 영역에 제공된 제 2 가열 부재를 더 포함한다.The heating unit further includes a second heating member provided below the first heating member and provided in a second region of the support member different from the first region and the first region when viewed from above .

상기 제 1 가열 부재는 상기 제 1 가열 부재 및 상기 제 2 가열 부재 간의 열 이동을 차단하는 차단벽을 더 포함하되, 상기 차단벽은 상기 바이메탈 플레이트의 측면, 상기 히터의 측면 및 상기 히터의 저면을 감싸도록 제공된다.Wherein the first heating member further includes a blocking wall for blocking heat transfer between the first heating member and the second heating member, the blocking wall including a side surface of the bimetal plate, a side surface of the heater, and a bottom surface of the heater To be wrapped.

상기 제 1 금속판은 상기 제 2 금속판 보다 위에 제공될 수 있다.The first metal plate may be provided above the second metal plate.

상기 제 1 영역은 상부에서 바라볼 때, 상기 지지 부재의 가장자리영역에 상기 지지 부재의 중앙영역을 감싸는 링 형상으로 제공될 수 있다.The first region may be provided in a ring shape surrounding the central region of the support member at an edge region of the support member when viewed from above.

상기 일 측면은 상기 바이메탈 플레이트의 내측면이다.The one side is the inner surface of the bimetal plate.

상기 일 측면의 상단은 상기 지지 부재의 상면과 동일한 높이로 제공된다.The upper end of the one side surface is provided at the same height as the upper surface of the supporting member.

본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 유닛 및 기판 처리 장치는 기판을 균일하게 가열할 수 있다.The substrate processing unit and the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention can uniformly heat the substrate.

또한, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 지지 유닛 및 기판 처리 장치는 기판의 휘어짐을 최소화할 수 있다.Further, the substrate supporting unit and the substrate processing apparatus according to the embodiments of the present invention can minimize warping of the substrate.

도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이다.
도 3은 도 2의 기판 지지 유닛을 나타낸 측단면도이다.
도 4는 도 2의 기판 지지 유닛을 상부에서 바라본 평면도이다.
도 5는 다른 실시 예에 따른 기판 지지 유닛을 나타낸 측단면도이다.
도 6 및 도 7은 다른 실시 예에 따른 기판 지지 유닛을 상부에서 바라본 평면도이다.1 is a sectional view showing a general substrate processing apparatus.
2 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a side sectional view showing the substrate supporting unit of Fig.
4 is a top plan view of the substrate supporting unit of Fig. 2;
5 is a side sectional view showing a substrate supporting unit according to another embodiment.
6 and 7 are top plan views of a substrate supporting unit according to another embodiment.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

본 발명의 실시 예에서 기판(10)은 반도체 웨이퍼일 수 있다. 그러나 이에 한정되지 않고, 기판(10)은 유리 기판 등과 같이 다른 종류의 기판일 수 있다.In an embodiment of the present invention, the substrate 10 may be a semiconductor wafer. However, the present invention is not limited to this, and the substrate 10 may be another type of substrate such as a glass substrate.

또한, 본 발명의 실시 예에서 기판 처리 장치는 플라스마 또는 가스를 이용하여 애싱, 증착 또는 식각 등의 공정을 수행하는 장치일 수 있다.In addition, in the embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus may be an apparatus that performs a process such as ashing, deposition, or etching using plasma or gas.

이하에서는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1)에 관하여 설명한다.Hereinafter, a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention will be described.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1)를 나타낸 단면도이다. 도 2를 참고하면, 기판 처리 장치(1)는 공정 챔버(100), 기판 지지 유닛(2000), 가스 공급 유닛(300), 플라스마 소스(400) 그리고 배플(500)을 가진다.2 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment of the present invention. 2, the substrate processing apparatus 1 has a process chamber 100, a substrate support unit 2000, a gas supply unit 300, a plasma source 400, and a baffle 500.

공정 챔버(100)는 내부에 기판이 처리되는 처리 공간을 가진다. 일 실시 예에 따르면, 공정 챔버(100)는 처리실(120)과 플라스마 발생실(140)을 가진다. 처리실(120)은 플라스마에 의해 기판(10)이 처리되는 공간을 제공한다. 플라스마 발생실(140)은 공정 가스로부터 플라스마가 발생되는 공간을 제공한다.The process chamber 100 has a processing space in which a substrate is processed. According to one embodiment, the process chamber 100 has a process chamber 120 and a plasma generation chamber 140. The process chamber 120 provides a space in which the substrate 10 is processed by the plasma. The plasma generating chamber 140 provides a space from which the plasma is generated from the process gas.

처리실(120)은 내부에 상부가 개방된 공간을 가진다. 처리실(120)은 대체로 원통 형상으로 제공될 수 있다. 처리실(120)의 측벽에는 기판 유입구(미도시)가 형성된다. 기판(10)은 기판 유입구를 통하여 처리실(120) 내부로 출입힌다. 기판 유입구(미도시)는 도어(미도시)와 같은 개폐 부재에 의해 개폐될 수 있다. 처리실(120)의 바닥면에는 배기 홀(122)이 형성된다. 배기 홀(122)에는 배기 라인(124)이 연결된다. 배기 라인(124)에는 펌프(126)가 설치된다. 펌프(126)는 처리실(120) 내 압력을 공정 압력으로 조절한다. 처리실(120) 내 잔류 가스 및 반응 부산물은 배기 라인(124)을 통해 처리실(120) 외부로 배출된다. The treatment chamber 120 has a space in which an upper portion is opened. The treatment chamber 120 may be provided in a substantially cylindrical shape. A substrate inlet (not shown) is formed in a side wall of the processing chamber 120. The substrate 10 goes into and out of the processing chamber 120 through the substrate inlet. The substrate inlet (not shown) may be opened or closed by an opening / closing member such as a door (not shown). An exhaust hole 122 is formed in the bottom surface of the process chamber 120. An exhaust line 124 is connected to the exhaust hole 122. The exhaust line 124 is provided with a pump 126. The pump 126 regulates the pressure in the processing chamber 120 to the process pressure. Residual gas and reaction by-products in the processing chamber 120 are discharged to the outside of the processing chamber 120 through the exhaust line 124.

플라스마 발생실(140)은 처리실(120)의 외부에 위치한다. 일 예에 의하면, 플라스마 발생실(140)은 처리실(120)의 상부에 위치되며 처리실(120)에 결합된다. 플라스마 발생실(140)은 방전실(142)과 확산실(144)을 가진다. 방전실(142)과 확산실(144)은 상하 방향으로 순차적으로 제공된다. 방전실(142)은 중공의 원통 형상을 가진다. 상부에서 바라볼 때 방전실(142) 내 공간은 처리실(120) 내 공간 보다 좁게 제공된다. 방전실(142) 내에서 가스로부터 플라스마가 발생된다. 확산실(144) 내 공간은 아래로 갈수록 점진적으로 넓어지는 부분을 가진다. 확산실(144)의 하단은 처리실(120)의 상단과 결합되며, 이들 사이에는 외부와의 밀폐를 위해 실링 부재(미도시)가 제공된다.The plasma generation chamber 140 is located outside the process chamber 120. According to one example, the plasma generating chamber 140 is located at the top of the processing chamber 120 and is coupled to the processing chamber 120. The plasma generation chamber (140) has a discharge chamber (142) and a diffusion chamber (144). The discharge chamber 142 and the diffusion chamber 144 are sequentially provided in the vertical direction. The discharge chamber 142 has a hollow cylindrical shape. The space in the discharge chamber 142 is provided narrower than the space in the processing chamber 120 when viewed from above. Plasma is generated from the gas in the discharge chamber 142. The space in the diffusion chamber 144 has a gradually widening portion as it goes downward. The lower end of the diffusion chamber 144 is engaged with the upper end of the processing chamber 120, and a sealing member (not shown) is provided between the diffusion chamber 144 and the processing chamber 120 for sealing against the outside.

공정 챔버(100)는 도전성 재질로 제공된다. 공정 챔버(100)는 접지라인(123)을 통해 접지될 수 있다.The process chamber 100 is provided with a conductive material. The process chamber 100 may be grounded via a ground line 123.

기판 지지 유닛(2000)은 공정 챔버(100)의 처리 공간 내에서 기판(10)을 지지한다. 일 실시 예에 따르면, 기판 지지 유닛(2000)은 지지 부재(2100), 가열 유닛(2200) 및 지지축(2400)을 가진다. The substrate support unit 2000 supports the substrate 10 within the processing space of the process chamber 100. According to one embodiment, the substrate support unit 2000 has a support member 2100, a heating unit 2200, and a support shaft 2400.

지지 부재(2100)는 처리실(120)내에 위치되며 원판 형상으로 제공된다. 지지 부재(2100)는 지지축(2400)에 의해 지지된다. 기판(10)은 지지 부재(2100)의 상면에 놓인다. 지지 부재(2100)의 내부에는 전극(미도시)이 제공되고, 기판(10)은 정전기력 또는 기구적 클램프에 의해 지지 부재(2100)에 지지될 수 있다.The support member 2100 is disposed in the processing chamber 120 and is provided in a disc shape. The support member 2100 is supported by the support shaft 2400. The substrate 10 is placed on the upper surface of the support member 2100. An electrode (not shown) is provided inside the support member 2100, and the substrate 10 can be supported on the support member 2100 by an electrostatic force or a mechanical clamp.

도 3은 도 2의 기판 지지 유닛(200)을 나타낸 측단면도이다. 도 4는 도 2의 기판 지지 유닛(200)을 상부에서 바라본 평면도이다. 도 3 및 도 4를 참고하면, 가열 유닛(2200)은 지지 부재(2100)에 지지된 기판(10)을 가열한다. 가열 유닛(2200)은 제 1 가열 부재(2210) 및 제 2 가열 부재(2220)를 포함한다.3 is a side cross-sectional view showing the substrate supporting unit 200 of FIG. 4 is a top plan view of the substrate supporting unit 200 of FIG. Referring to FIGS. 3 and 4, the heating unit 2200 heats the substrate 10 supported by the support member 2100. The heating unit 2200 includes a first heating member 2210 and a second heating member 2220.

제 1 가열 부재(2210)는 바이메탈 플레이트(2211), 히터(2212) 및 차단벽(2213)을 포함한다. 바이메탈 플레이트(2211)는 제 1 금속판(2214) 및 제 2 금속판(2215)을 포함한다. 바이메탈 플레이트(2211)는 상부에서 바라볼 때, 지지 부재(2100)의 상면의 제 1 영역(2110)에 제공된다. 바이메탈 플레이트(2211)의 일 측면(2216)은 지지 부재(2100)에 고정되게 제공된다. 일 실시 예에 따르면, 일 측면(2216)은 바이메탈 플레이트(2211)의 내측면일 수 있다. 일 측면(2216)의 상단은 지지 부재(2100)의 상면과 동일한 높이로 제공된다. 차단벽(2213)이 제공되는 경우, 일 측면(2216)은 차단벽(2213)의 내측면에 고정됨으로써, 지지 부재(2100)에 고정된다.The first heating member 2210 includes a bimetal plate 2211, a heater 2212, and a blocking wall 2213. The bimetal plate 2211 includes a first metal plate 2214 and a second metal plate 2215. The bimetal plate 2211 is provided in the first area 2110 of the upper surface of the support member 2100 when viewed from above. One side 2216 of the bimetal plate 2211 is provided fixedly to the support member 2100. According to one embodiment, one side 2216 may be the inner side of the bimetal plate 2211. The upper end of the one side surface 2216 is provided at the same height as the upper surface of the support member 2100. When the blocking wall 2213 is provided, one side surface 2216 is fixed to the inner surface of the blocking wall 2213, thereby being fixed to the supporting member 2100.

제 1 금속판(2214) 및 제 2 금속판(2215)은 서로 적층되게 제공된다. 제 1 금속판(2214) 및 제 2 금속판(2215)은 열이 가해지지 않는 경우, 상면이 편평하도록 제공된다. 제 2 금속판(2215)의 열 팽창률은 제 1 금속판(2214)의 열 팽창률 보다 크게 제공된다. 따라서, 바이메탈 플레이트(2211)에 열이 가해지는 경우, 제 2 금속판(2215)은 제 1 금속판(2214)에 비해 더 팽창하게 되므로, 바이메탈 플레이트(2211)는 제 1 금속판(2214)이 위치된 면이 오목하게 휘어지게 된다. 따라서, 바이메탈 플레이트(2211)에 열이 가해지는 경우, 일 측면(2216)에 반대되는 면, 즉, 바이메탈 플레이트(2211)의 끝단이 위 또는 아래로 이동된다. The first metal plate 2214 and the second metal plate 2215 are provided to be stacked on each other. The first metal plate 2214 and the second metal plate 2215 are provided so that their top surfaces are flat when no heat is applied. The coefficient of thermal expansion of the second metal plate 2215 is greater than the coefficient of thermal expansion of the first metal plate 2214. Therefore, when heat is applied to the bimetal plate 2211, the second metal plate 2215 expands more than the first metal plate 2214, so that the bimetal plate 2211 is positioned on the side where the first metal plate 2214 is located Which is bent concavely. Therefore, when heat is applied to the bimetal plate 2211, the surface opposite to the one side surface 2216, that is, the end of the bimetal plate 2211, is moved up or down.

제 1 금속판(2214)은 제 2 금속판(2215)보다 위에 제공된다. 따라서, 바이메탈 플레이트(2211)에 열이 가해지는 경우, 제 1 금속판(2214) 및 제 2 금속판(2215)의 열 팽창률의 차이에 따라, 바이메탈 플레이트(2211)는 끝단이 상승되도록 휘어진다. 따라서, 가장자리 영역이 위 방향으로 휘어진 기판(10)이 지지 부재(2100)에 놓이게 되는 경우, 기판(10)과 금속으로 제공되어 열 전도율이 높은 바이메탈 플레이트(2211) 간의 틈을 최소화할 수 있으므로, 기판(10)을 균일하게 가열할 수 있다.The first metal plate 2214 is provided above the second metal plate 2215. Therefore, when heat is applied to the bimetal plate 2211, the bimetal plate 2211 is bent so as to have its end elevated in accordance with the difference in the coefficient of thermal expansion between the first metal plate 2214 and the second metal plate 2215. Therefore, when the substrate 10 with the edge region bent in the upward direction is placed on the support member 2100, the gap between the substrate 10 and the bimetal plate 2211, which is provided with metal and has a high thermal conductivity, can be minimized, The substrate 10 can be uniformly heated.

도 5는 다른 실시 예에 따른 기판 지지 유닛(200a)을 나타낸 측단면도이다. 도 5를 참고하면, 제 1 금속판(2214)은 제 2 금속판(2215)보다 아래에 제공될 수 있다. 따라서, 바이메탈 플레이트(2211)에 열이 가해지는 경우, 제 1 금속판(2214) 및 제 2 금속판(2215)의 열 팽창률의 차이에 따라, 바이메탈 플레이트(2211)는 끝단이 하강되도록 휘어진다. 따라서, 가장자리 영역이 아래 방향으로 휘어진 기판(10)이 지지 부재(2100)에 놓이게 되는 경우, 기판(10)과 금속으로 제공되어 열 전도율이 높은 바이메탈 플레이트(2211) 간의 틈을 최소화할 수 있으므로, 기판(10)을 균일하게 가열할 수 있다.5 is a side sectional view showing a substrate supporting unit 200a according to another embodiment. Referring to FIG. 5, the first metal plate 2214 may be provided below the second metal plate 2215. Accordingly, when heat is applied to the bimetal plate 2211, the bimetal plate 2211 is bent so that its tip is lowered in accordance with a difference in thermal expansion coefficient between the first metal plate 2214 and the second metal plate 2215. Therefore, when the substrate 10 in which the edge region is bent downward is placed on the support member 2100, the gap between the substrate 10 and the bimetal plate 2211, which is provided with metal and has a high thermal conductivity, can be minimized, The substrate 10 can be uniformly heated.

도 2 내지 도 5에는 바이메탈 플레이트(2211)는 상면이 편평한 상태에서 히터(2212)와 이격되게 제공되는 것으로 도시되어 되었다. 이는 제 1 금속판(2214)이 제 2 금속판(2215)보다 아래에 제공되는 경우, 바이메탈 플레이트(2211)의 끝단이 아래로 하강할 수 있는 공간을 제공하기 위한 것으로서, 제 1 금속판(2214)이 제 2 금속판(2215)보다 위에 제공되는 경우, 바이메탈 플레이트(2211)는 상면이 편평한 상태에서, 저면이 히터(2212)가 매입된 매입체에 접촉되게 제공될 수 있다. 이 경우, 이격된 경우에 비해 히터(2212)의 열이 바이메탈 플레이트(2211)에 보다 효율적으로 전달될 수 있다.2 to 5, the bimetal plate 2211 is shown to be provided so as to be spaced apart from the heater 2212 in a flat top surface. This is to provide a space in which the end of the bimetal plate 2211 can be lowered when the first metal plate 2214 is provided below the second metal plate 2215, 2 metal plate 2215, the bimetal plate 2211 can be provided so that the bottom surface is in contact with the embedded body in which the heater 2212 is embedded, with the top surface flat. In this case, the heat of the heater 2212 can be more efficiently transmitted to the bimetal plate 2211 as compared with the case of being separated.

히터(2212)는 바이메탈 플레이트(2211)를 가열함으로써, 바이메탈 플레이트(2211)를 통해 지지 부재(2100)에 놓인 기판(10)의 바이메탈 플레이트(2211)에 대향되는 영역을 가열한다. 히터(2212)는 바이메탈 플레이트(2211)의 하부에 제공된다. 히터(2212)는 상부에서 바라볼 때, 제 1 영역(2110)에 제공된다. The heater 2212 heats the area facing the bimetal plate 2211 of the substrate 10 placed on the support member 2100 through the bimetal plate 2211 by heating the bimetal plate 2211. [ The heater 2212 is provided below the bimetal plate 2211. The heater 2212 is provided in the first region 2110 when viewed from above.

제 2 가열 부재(2220)는 제 2 영역(2120)을 가열하기 위해 제공된다. 제 2 가열 부재(2220)는 제 1 가열 부재(2210)의 아래에 제공된다. 제 2 가열 부재(2220)는 상부에서 바라볼 때, 지지 부재(2100)의 상면의 제 1 영역(2110) 및 제 2 영역(2120)에 제공된다. 제 2 영역(2120)은 지지 부재(2100)의 상면의 제 1 영역(2110)과 상이한 영역이다. 이와 달리, 제 2 가열 부재(2220)는 히터(2212)와 동일한 높이로 제공되고, 제 2 영역(2120)에만 제공될 수 있다. The second heating member 2220 is provided for heating the second region 2120. The second heating member 2220 is provided below the first heating member 2210. The second heating member 2220 is provided in the first region 2110 and the second region 2120 on the upper surface of the support member 2100 when viewed from above. The second region 2120 is a region different from the first region 2110 on the upper surface of the support member 2100. Alternatively, the second heating member 2220 may be provided at the same height as the heater 2212, and may be provided only in the second region 2120.

제 1 영역(2110)은 상부에서 바라볼 때, 지지 부재(2100)의 가장자리 영역에 지지 부재(2100)의 중앙 영역을 감싸는 링 형상으로 제공될 수 있다.The first region 2110 may be provided in a ring shape surrounding the central region of the support member 2100 in the edge region of the support member 2100 when viewed from above.

이와 달리, 제 1 영역(2110)은 지지 부재(2100)에 제공되는 다수의 기판(10)들 중 가장 일반적인 휘어진 형태에 따라 선택적으로 다양한 형태로 제공될 수 있다.Alternatively, the first region 2110 can be selectively provided in various forms according to the most common warped shape of the plurality of substrates 10 provided in the support member 2100.

도 6 및 도 7은 다른 실시 예에 따른 기판 지지 유닛(200b, 200c)을 상부에서 바라본 평면도이다. 도 6을 참고하면, 제 1 영역(2110)은 상부에서 바라볼 때, 서로 동심인 복수개의 링 형상으로 제공될 수 있다. 도 7을 참고하면, 제 2 영역(2120)은 상부에서 바라볼 때, 서로 이격되어 링 형상을 이루는 복수개의 영역으로 제공될 수 있다. 그 외 기판 지지 유닛(200a, 200c)의 구성, 형상 및 구조는 도 4의 경우와 유사하다.6 and 7 are top plan views of the substrate supporting units 200b and 200c according to another embodiment. Referring to FIG. 6, the first region 2110 may be provided in a plurality of ring-shaped concentric circles when viewed from above. Referring to FIG. 7, the second regions 2120 may be provided in a plurality of regions spaced apart from each other in a ring shape when viewed from above. The configuration, shape, and structure of the other substrate supporting units 200a and 200c are similar to those in FIG.

다시 도 3 및 도 4를 참조하면, 차단벽(2213)은 제 1 가열 부재(2210) 및 제 2 가열 부재(2220) 간의 열 이동을 차단한다. 차단벽(2213)은 바이메탈 플레이트(2211)의 측면, 히터(2212)의 측면 및 히터(2212)의 저면을 감싸도록 제공된다. 따라서, 제 1 가열 부재(2210)의 열 및 제 2 가열 부재(2220)의 열이 서로에게 미치는 영향을 최소화하여 영역별 온도 조절을 보다 용이하게 할 수 있다. 이와 달리, 제 2 가열 부재(2220)가 히터(2212)와 동일한 높이로 제공되고, 제 2 영역(2120)에만 제공되는 경우, 차단벽(2213)은 바이메탈 플레이트(2211)의 측면 및 히터(2212)의 측면은 감싸되, 히터(2212)의 저면은 개방되게 제공될 수 있다. 그 외 기판 지지 유닛(200)의 구성, 형상 및 구조는 도 3의 경우와 유사하다.Referring again to Figures 3 and 4, the blocking wall 2213 blocks heat transfer between the first heating member 2210 and the second heating member 2220. The blocking wall 2213 is provided to surround the side surface of the bimetal plate 2211, the side surface of the heater 2212, and the bottom surface of the heater 2212. Accordingly, the influence of the heat of the first heating member 2210 and the heat of the second heating member 2220 on each other can be minimized, thereby making it easier to control the temperature of each region. Alternatively, when the second heating member 2220 is provided at the same height as the heater 2212 and is provided only in the second region 2120, the blocking wall 2213 is provided between the side of the bimetal plate 2211 and the side of the heater 2212 May be enclosed and the bottom surface of the heater 2212 may be provided open. The configuration, shape, and structure of the other substrate supporting unit 200 are similar to those in Fig.

가열 유닛(2200)은 온도 측정 부재(미도시) 및 제어기(미도시)를 더 포함할 수 있다. 온도 측정 부재는 기판(10)의 영역별 온도를 실시간으로 측정한다. 제어기는 온도 측정 부재에 의해 측정된 실시간의 기판(10)의 영역별 온도에 따라, 제 1 가열 부재(2210) 및 제 2 가열 부재(2220)의 온도를 조절한다. The heating unit 2200 may further include a temperature measuring member (not shown) and a controller (not shown). The temperature measuring member measures the temperature of each region of the substrate 10 in real time. The controller adjusts the temperatures of the first heating member 2210 and the second heating member 2220 according to the temperature of the substrate 10 in real time measured by the temperature measuring member.

상술한 제 1 금속판(2214) 및 제 2 금속판(2215)의 재질은 제 1 금속판(2214) 및 제 2 금속판(2215)이 기판(10)이 균일하게 가열될 수 있는 최적의 열팽창률 차이를 가지도록 시뮬레이션, 시험 가동 또는 기판 처리 장치의 사용에 의한 데이터를 분석하여 결정된다. 제어기가 실시간의 기판(10)의 영역별 온도에 따라 제 1 가열 부재(2210) 및 제 2 가열 부재(2220)의 온도를 조절하는 방법 또한, 시뮬레이션, 시험 가동 또는 기판 처리 장치의 사용에 의한 데이터를 분석하여 결정된다.The material of the first metal plate 2214 and the second metal plate 2215 may be such that the first metal plate 2214 and the second metal plate 2215 have an optimal difference in thermal expansion coefficient And is determined by analyzing the data by use of a simulation, a test operation or a substrate processing apparatus. The method by which the controller adjusts the temperatures of the first heating member 2210 and the second heating member 2220 in accordance with the temperature of the area of the substrate 10 in real time is also a method of controlling the temperature of the first heating member 2210 and the second heating member 2220 by using simulation, .

다시 도 2를 참고하면, 가스 공급 유닛(300)은 배플(500)의 상부로 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(300)은 방전실(142)의 상부에 제공될 수 있다. 가스 공급 유닛(300)은 하나 또는 복수개가 제공될 수 있다. 가스 공급 유닛(300)은 가스 공급라인(320), 가스 저장부(340) 그리고 가스 포트(360)를 가진다. Referring again to FIG. 2, the gas supply unit 300 supplies gas to the top of the baffle 500. The gas supply unit 300 may be provided at an upper portion of the discharge chamber 142. One or a plurality of gas supply units 300 may be provided. The gas supply unit 300 has a gas supply line 320, a gas storage unit 340, and a gas port 360.

가스 공급라인(320)은 가스 포트(360)에 연결된다. 가스 포트(360)는 방전실(142)의 상부에 결합된다. 가스 포트(360)를 통해 공급된 가스는 방전실(142)로 유입되고, 방전실(142)에서 플라스마로 여기된다.The gas supply line 320 is connected to the gas port 360. The gas port 360 is coupled to the upper portion of the discharge chamber 142. The gas supplied through the gas port 360 flows into the discharge chamber 142 and is excited into the plasma in the discharge chamber 142.

플라스마 소스(400)는 방전실(142)에서 가스 공급 유닛(300)에 의해 공급된 가스로부터 플라스마를 발생시킨다. 일 예에 의하면, 플라스마 소스(400)는 유도 결합형 플라스마 소스일 수 있다. 플라스마 소스(400)는 안테나(420)와 전원(440)을 가진다.The plasma source 400 generates a plasma from the gas supplied by the gas supply unit 300 in the discharge chamber 142. According to one example, the plasma source 400 may be an inductively coupled plasma source. The plasma source 400 has an antenna 420 and a power supply 440.

안테나(420)는 방전실(142)의 외부에 제공되며 방전실(142)의 측면을 복수 회 감싸도록 제공된다. 안테나(420)의 일단은 전원(440)에 연결되고, 타단은 접지된다.The antenna 420 is provided outside the discharge chamber 142 and is provided to surround the side surface of the discharge chamber 142 multiple times. One end of the antenna 420 is connected to the power supply 440, and the other end is grounded.

전원(440)은 안테나(420)에 전력을 인가한다. 일 예에 의하면, 전원(440)은 안테나(420)에 고주파 전력을 인가할 수 있다.The power source 440 applies power to the antenna 420. According to an example, the power source 440 may apply a high frequency power to the antenna 420.

배플(500)은 기판 지지 유닛(2000)의 상부에 위치한다. 예를 들면, 배플(500)은 확산실(144)의 하단에 제공된다. 플라스마는 분사 홀(530)들을 통해 확산실(144)에서 처리실(120)내로 공급된다. 배플(500)은 확산실(144) 하단의 내측 직경보다 큰 직경으로 제공된다. 배플(500)은 접지된다. 일 예에 의하면, 배플(500)은 챔버(100)에 접촉되도록 제공되어, 챔버(100)를 통해 접지될 수 있다. 선택적으로, 배플(500)은 별도의 접지 라인에 직접 연결될 수 있다. 배플(500)은 원판형으로 제공될 수 있다.The baffle 500 is located on top of the substrate support unit 2000. For example, the baffle 500 is provided at the lower end of the diffusion chamber 144. The plasma is supplied into the processing chamber 120 from the diffusion chamber 144 through the injection holes 530. The baffle 500 is provided with a diameter larger than the inner diameter of the lower end of the diffusion chamber 144. The baffle 500 is grounded. According to one example, the baffle 500 may be provided to contact the chamber 100, and may be grounded through the chamber 100. Optionally, the baffle 500 may be connected directly to a separate ground line. The baffle 500 may be provided in a disc shape.

배플(500)에는 그 상단부터 하단까지 연장되는 복수개의 분사 홀(530)이 형성된다. 분사 홀(530)들은 배플(500)의 각 영역에 대체로 동일한 밀도로, 그리고 동일한 직경으로 형성될 수 있다. 선택적으로 분사 홀(530)들은 배플(500)의 영역에 따라 상이한 직경으로 형성될 수 있다. The baffle 500 is formed with a plurality of injection holes 530 extending from the upper end to the lower end. The injection holes 530 may be formed at substantially the same density and at the same diameter in each region of the baffle 500. Optionally, the injection holes 530 may be formed with different diameters depending on the area of the baffle 500.

본 발명의 실시 예는 고주파 전력을 이용하여 처리실 외부에서 플라스마를 발생시키고 발생된 플라스마를 처리실 내부로 공급하여 처리 대상물을 처리하는 기판 처리 장치를 이용하여 설명하였다. 그러나 이와 달리, 본 발명의 실시 예는 기판 처리 시 기판을 가열하는 다양한 방식의 기판 처리 장치에 적용이 가능하다. 예를 들면, 본 발명의 실시 예는 마이크로파를 이용하여 플라스마를 발생시키는 기판 처리 장치, 처리실 내부에서 플라스마의 발생 및 처리 대상물의 처리가 실시되는 유도 결합 플라스마 소스 방식(ICP)을 이용한 기판 처리 장치 및 용량 결합 플라스마 소스 방식(CCP)을 이용한 기판 처리 장치에도 적용 가능하다.The embodiment of the present invention has been described using a substrate processing apparatus that generates plasma from the outside of the processing chamber using high frequency power and supplies the generated plasma into the processing chamber to process the processing object. Alternatively, embodiments of the present invention are applicable to various types of substrate processing apparatuses for heating a substrate during substrate processing. For example, an embodiment of the present invention is directed to a substrate processing apparatus for generating plasma using a microwave, a substrate processing apparatus using an inductively coupled plasma source method (ICP) in which a plasma is generated and an object to be processed is processed, The present invention is also applicable to a substrate processing apparatus using a capacitively coupled plasma source method (CCP).

1: 기판 처리 장치 10: 기판
100: 공정 챔버 200: 기판 지지 유닛
2100: 지지 부재 2110: 제 1 영역
2120: 제 2 영역 2200: 가열 유닛
2210: 제 1 가열 부재 2211: 바이메탈 플레이트
2212: 히터 2213: 차단벽
2214: 제 1 금속판 2215: 제 2 금속판
2220: 제 2 가열 부재1: substrate processing apparatus 10: substrate
100: process chamber 200: substrate support unit
2100: support member 2110: first region
2120: second region 2200: heating unit
2210: first heating member 2211: bimetal plate
2212: heater 2213: blocking wall
2214: first metal plate 2215: second metal plate
2220: second heating member

Claims (19)

내부에 기판이 처리되는 처리 공간을 가지는 공정 챔버와;
상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛을 포함하되,
상기 기판 지지 유닛은,
기판을 지지하는 지지 부재와;
상기 지지 부재에 지지된 기판을 가열하는 가열 유닛을 포함하고,
상기 가열 유닛은 제 1 가열 부재 및 제 2 가열 부재를 포함하고,
상기 제 1 가열 부재는,
서로 적층된 제 1 금속판 및 제 2 금속판을 포함하고, 상부에서 바라볼 때, 상기 지지 부재의 상면의 제 1 영역에 제공된 바이메탈 플레이트와;
상기 바이메탈 플레이트의 하부에 제공된 히터;를 포함하며,
상기 바이메탈 플레이트의 일 측면은 상기 지지 부재에 고정되게 제공되고,
상기 제 2 금속판의 열 팽창률은 상기 제 1 금속판의 열 팽창률보다 크게 제공되고,
상기 제 2 가열 부재는 상기 제 1 가열 부재의 아래에 제공되고, 상부에서 바라볼 때, 상기 제 1 영역 및 상기 제 1 영역과 상이한 상기 지지 부재의 제 2 영역에 제공된 기판 처리 장치.A processing chamber having a processing space in which a substrate is processed;
And a substrate support unit for supporting the substrate in the processing space,
Wherein the substrate supporting unit comprises:
A support member for supporting the substrate;
And a heating unit for heating the substrate supported by the supporting member,
Wherein the heating unit includes a first heating member and a second heating member,
Wherein the first heating member comprises:
A bimetal plate provided on a first region of an upper surface of the support member, the bimetal plate including a first metal plate and a second metal plate laminated to each other;
And a heater provided at a lower portion of the bimetal plate,
One side of the bimetal plate being fixedly provided to the support member,
The thermal expansion coefficient of the second metal plate is greater than the thermal expansion coefficient of the first metal plate,
Wherein the second heating member is provided below the first heating member and is provided in a second region of the support member different from the first region and the first region when viewed from the top. 제 1 항에 있어서,
상기 히터는 상부에서 바라볼 때, 상기 제 1 영역에 제공되는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the heater is provided in the first region when viewed from above. 삭제delete 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 가열 부재는 상기 제 1 가열 부재 및 상기 제 2 가열 부재 간의 열 이동을 차단하는 차단벽을 더 포함하되,
상기 차단벽은 상기 바이메탈 플레이트의 측면, 상기 히터의 측면 및 상기 히터의 저면을 감싸도록 제공되는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
The first heating member further includes a blocking wall for blocking heat transfer between the first heating member and the second heating member,
Wherein the barrier wall is provided to surround the side surface of the bimetal plate, the side surface of the heater, and the bottom surface of the heater. 제 1 항, 제 2 항 및 제 4 항 중 어느 하나에 있어서,
상기 제 1 금속판은 상기 제 2 금속판 보다 위에 제공되는 기판 처리 장치.The method of any one of claims 1, 2, and 4,
Wherein the first metal plate is provided above the second metal plate. 제 1 항, 제 2 항 및 제 4 항 중 어느 하나에 있어서,
상기 제 1 금속판은 상기 제 2 금속판 보다 아래에 제공되는 기판 처리 장치.The method of any one of claims 1, 2, and 4,
Wherein the first metal plate is provided below the second metal plate. 내부에 기판이 처리되는 처리 공간을 가지는 공정 챔버와;
상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛을 포함하되,
상기 기판 지지 유닛은,
기판을 지지하는 지지 부재와;
상기 지지 부재에 지지된 기판을 가열하는 가열 유닛을 포함하고,
상기 가열 유닛은 제 1 가열 부재를 포함하고,
상기 제 1 가열 부재는,
서로 적층된 제 1 금속판 및 제 2 금속판을 포함하고, 상부에서 바라볼 때, 상기 지지 부재의 상면의 제 1 영역에 제공된 바이메탈 플레이트와;
상기 바이메탈 플레이트의 하부에 제공된 히터;를 포함하며,
상기 바이메탈 플레이트의 일 측면은 상기 지지 부재에 고정되게 제공되고,
상기 제 2 금속판의 열 팽창률은 상기 제 1 금속판의 열 팽창률보다 크게 제공되고,
상기 제 1 영역은 상부에서 바라볼 때, 상기 지지 부재의 가장자리영역에 상기 지지 부재의 중앙영역을 감싸는 링 형상으로 제공된 기판 처리 장치.A processing chamber having a processing space in which a substrate is processed;
And a substrate support unit for supporting the substrate in the processing space,
Wherein the substrate supporting unit comprises:
A support member for supporting the substrate;
And a heating unit for heating the substrate supported by the supporting member,
Wherein the heating unit includes a first heating member,
Wherein the first heating member comprises:
A bimetal plate provided on a first region of an upper surface of the support member, the bimetal plate including a first metal plate and a second metal plate laminated to each other;
And a heater provided at a lower portion of the bimetal plate,
One side of the bimetal plate being fixedly provided to the support member,
The thermal expansion coefficient of the second metal plate is greater than the thermal expansion coefficient of the first metal plate,
Wherein the first region is provided in a ring shape surrounding a central region of the support member in an edge region of the support member when viewed from above. 제 7 항에 있어서,
상기 일 측면은 상기 바이메탈 플레이트의 내측면인 기판 처리 장치.8. The method of claim 7,
Wherein the one side is the inner side of the bimetal plate. 제 8 항에 있어서,
상기 일 측면의 상단은 상기 지지 부재의 상면과 동일한 높이로 제공되는 기판 처리 장치.9. The method of claim 8,
Wherein an upper end of the one side surface is provided at the same height as an upper surface of the support member. 내부에 기판이 처리되는 처리 공간을 가지는 공정 챔버와;
상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛을 포함하되,
상기 기판 지지 유닛은,
기판을 지지하는 지지 부재와;
상기 지지 부재에 지지된 기판을 가열하는 가열 유닛을 포함하고,
상기 가열 유닛은 제 1 가열 부재를 포함하고,
상기 제 1 가열 부재는,
서로 적층된 제 1 금속판 및 제 2 금속판을 포함하고, 상부에서 바라볼 때, 상기 지지 부재의 상면의 제 1 영역에 제공된 바이메탈 플레이트와;
상기 바이메탈 플레이트의 하부에 제공된 히터;를 포함하며,
상기 바이메탈 플레이트의 일 측면은 상기 지지 부재에 고정되게 제공되고,
상기 제 2 금속판의 열 팽창률은 상기 제 1 금속판의 열 팽창률보다 크게 제공되고,
상기 제 1 영역은 상부에서 바라볼 때, 서로 동심인 복수개의 링 형상으로 제공된 기판 처리 장치.A processing chamber having a processing space in which a substrate is processed;
And a substrate support unit for supporting the substrate in the processing space,
Wherein the substrate supporting unit comprises:
A support member for supporting the substrate;
And a heating unit for heating the substrate supported by the supporting member,
Wherein the heating unit includes a first heating member,
Wherein the first heating member comprises:
A bimetal plate provided on a first region of an upper surface of the support member, the bimetal plate including a first metal plate and a second metal plate laminated to each other;
And a heater provided at a lower portion of the bimetal plate,
One side of the bimetal plate being fixedly provided to the support member,
The thermal expansion coefficient of the second metal plate is greater than the thermal expansion coefficient of the first metal plate,
Wherein the first region is provided in a plurality of ring-like shapes concentric with each other when viewed from above. 내부에 기판이 처리되는 처리 공간을 가지는 공정 챔버와;
상기 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛을 포함하되,
상기 기판 지지 유닛은,
기판을 지지하는 지지 부재와;
상기 지지 부재에 지지된 기판을 가열하는 가열 유닛을 포함하고,
상기 가열 유닛은 제 1 가열 부재를 포함하고,
상기 제 1 가열 부재는,
서로 적층된 제 1 금속판 및 제 2 금속판을 포함하고, 상부에서 바라볼 때, 상기 지지 부재의 상면의 제 1 영역에 제공된 바이메탈 플레이트와;
상기 바이메탈 플레이트의 하부에 제공된 히터;를 포함하며,
상기 바이메탈 플레이트의 일 측면은 상기 지지 부재에 고정되게 제공되고,
상기 제 2 금속판의 열 팽창률은 상기 제 1 금속판의 열 팽창률보다 크게 제공되고,
상기 제 1 영역은 상부에서 바라볼 때, 서로 이격되어 링 형상을 이루는 복수개의 영역으로 제공된 기판 처리 장치.A processing chamber having a processing space in which a substrate is processed;
And a substrate support unit for supporting the substrate in the processing space,
Wherein the substrate supporting unit comprises:
A support member for supporting the substrate;
And a heating unit for heating the substrate supported by the supporting member,
Wherein the heating unit includes a first heating member,
Wherein the first heating member comprises:
A bimetal plate provided on a first region of an upper surface of the support member, the bimetal plate including a first metal plate and a second metal plate laminated to each other;
And a heater provided at a lower portion of the bimetal plate,
One side of the bimetal plate being fixedly provided to the support member,
The thermal expansion coefficient of the second metal plate is greater than the thermal expansion coefficient of the first metal plate,
Wherein the first region is provided as a plurality of regions spaced apart from each other in a ring shape as viewed from above. 기판이 처리되는 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛에 있어서,
상기 기판 지지 유닛은,
기판을 지지하는 지지 부재와;
상기 지지 부재에 지지된 기판을 가열하는 가열 유닛을 포함하고,
상기 가열 유닛은 제 1 가열 부재 및 제 2 가열 부재를 포함하고,
상기 제 1 가열 부재는,
서로 적층된 제 1 금속판 및 제 2 금속판을 포함하고, 상부에서 바라볼 때, 상기 지지 부재의 상면의 제 1 영역에 제공된 바이메탈 플레이트와;
상기 바이메탈 플레이트의 하부에 제공된 히터;를 포함하며,
상기 바이메탈 플레이트의 일 측면은 상기 지지 부재에 고정되게 제공되고,
상기 제 2 금속판의 열 팽창률은 상기 제 1 금속판의 열 팽창률보다 크게 제공되고,
상기 제 2 가열 부재는 상기 제 1 가열 부재의 아래에 제공되고, 상부에서 바라볼 때, 상기 제 1 영역 및 상기 제 1 영역과 상이한 상기 지지 부재의 제 2 영역에 제공된 기판 지지 유닛.A substrate supporting unit for supporting a substrate in a processing space in which the substrate is processed,
Wherein the substrate supporting unit comprises:
A support member for supporting the substrate;
And a heating unit for heating the substrate supported by the supporting member,
Wherein the heating unit includes a first heating member and a second heating member,
Wherein the first heating member comprises:
A bimetal plate provided on a first region of an upper surface of the support member, the bimetal plate including a first metal plate and a second metal plate laminated to each other;
And a heater provided at a lower portion of the bimetal plate,
One side of the bimetal plate being fixedly provided to the support member,
The thermal expansion coefficient of the second metal plate is greater than the thermal expansion coefficient of the first metal plate,
Wherein the second heating member is provided below the first heating member and is provided in a second region of the support member different from the first region and the first region when viewed from the top. 제 12 항에 있어서,
상기 히터는 상부에서 바라볼 때, 상기 제 1 영역에 제공되는 기판 지지 유닛.13. The method of claim 12,
Wherein the heater is provided in the first region when viewed from above. 삭제delete 제 13 항에 있어서,
상기 제 1 가열 부재는 상기 제 1 가열 부재 및 상기 제 2 가열 부재 간의 열 이동을 차단하는 차단벽을 더 포함하되,
상기 차단벽은 상기 바이메탈 플레이트의 측면, 상기 히터의 측면 및 상기 히터의 저면을 감싸도록 제공되는 기판 지지 유닛.14. The method of claim 13,
The first heating member further includes a blocking wall for blocking heat transfer between the first heating member and the second heating member,
Wherein the barrier wall is provided to surround the side surface of the bimetal plate, the side surface of the heater, and the bottom surface of the heater. 제 12 항, 제 13 항 및 제 15 항 중 어느 하나에 있어서,
상기 제 1 금속판은 상기 제 2 금속판 보다 위에 제공되는 기판 지지 유닛.The method according to any one of claims 12, 13 and 15,
Wherein the first metal plate is provided above the second metal plate. 기판이 처리되는 처리 공간 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛에 있어서,
상기 기판 지지 유닛은,
기판을 지지하는 지지 부재와;
상기 지지 부재에 지지된 기판을 가열하는 가열 유닛을 포함하고,
상기 가열 유닛은 제 1 가열 부재를 포함하고,
상기 제 1 가열 부재는,
서로 적층된 제 1 금속판 및 제 2 금속판을 포함하고, 상부에서 바라볼 때, 상기 지지 부재의 상면의 제 1 영역에 제공된 바이메탈 플레이트와;
상기 바이메탈 플레이트의 하부에 제공된 히터;를 포함하며,
상기 바이메탈 플레이트의 일 측면은 상기 지지 부재에 고정되게 제공되고,
상기 제 2 금속판의 열 팽창률은 상기 제 1 금속판의 열 팽창률보다 크게 제공되고,
상기 제 1 영역은 상부에서 바라볼 때, 상기 지지 부재의 가장자리영역에 상기 지지 부재의 중앙영역을 감싸는 링 형상으로 제공된 기판 지지 유닛.A substrate supporting unit for supporting a substrate in a processing space in which the substrate is processed,
Wherein the substrate supporting unit comprises:
A support member for supporting the substrate;
And a heating unit for heating the substrate supported by the supporting member,
Wherein the heating unit includes a first heating member,
Wherein the first heating member comprises:
A bimetal plate provided on a first region of an upper surface of the support member, the bimetal plate including a first metal plate and a second metal plate laminated to each other;
And a heater provided at a lower portion of the bimetal plate,
One side of the bimetal plate being fixedly provided to the support member,
The thermal expansion coefficient of the second metal plate is greater than the thermal expansion coefficient of the first metal plate,
Wherein the first region is provided in a ring shape surrounding a central region of the support member at an edge region of the support member when viewed from above. 제 17 항에 있어서,
상기 일 측면은 상기 바이메탈 플레이트의 내측면인 기판 지지 유닛.18. The method of claim 17,
Wherein the one side is the inner side of the bimetal plate. 제 18 항에 있어서,
상기 일 측면의 상단은 상기 지지 부재의 상면과 동일한 높이로 제공되는 기판 지지 유닛.
19. The method of claim 18,
Wherein an upper end of said one side surface is provided at the same height as an upper surface of said supporting member.
KR1020160045878A 2016-04-15 2016-04-15 Substrate supporting unit and apparatus for treating substrate including the same KR101749311B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160045878A KR101749311B1 (en) 2016-04-15 2016-04-15 Substrate supporting unit and apparatus for treating substrate including the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160045878A KR101749311B1 (en) 2016-04-15 2016-04-15 Substrate supporting unit and apparatus for treating substrate including the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101749311B1 true KR101749311B1 (en) 2017-06-21

Family

ID=59281669

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160045878A KR101749311B1 (en) 2016-04-15 2016-04-15 Substrate supporting unit and apparatus for treating substrate including the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101749311B1 (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008224688A (en) 2001-11-02 2008-09-25 Formfactor Inc Method and system for compensating thermally induced motion of probe cards

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008224688A (en) 2001-11-02 2008-09-25 Formfactor Inc Method and system for compensating thermally induced motion of probe cards

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI695413B (en) Apparatus for processing substrate and lifting solution for substrate edge ring of the apparatus
KR101552666B1 (en) Apparatus and method for treating substrate
JP5274918B2 (en) Method for controlling temperature of chamber inner member of plasma processing apparatus, chamber inner member and substrate mounting table, and plasma processing apparatus including the same
KR101495288B1 (en) An apparatus and a method for treating a substrate
US6299691B1 (en) Method of and apparatus for processing a substrate under a reduced pressure
US20090017635A1 (en) Apparatus and method for processing a substrate edge region
TWI748437B (en) Process kit and apparatus for processing substrate and lifting solution for substrate edge ring of the apparatus
KR101598463B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
US20190103255A1 (en) Temperature control method
KR101670457B1 (en) Support unit and apparatus for treating substrate with the support unit
KR101941488B1 (en) Shower head unit and Apparatus for treating substrate with the unit
KR102099886B1 (en) Method for treating substrate and apparatus for treating substrate
JP2022511063A (en) Electrostatic chuck with improved thermal coupling for temperature sensitive processes
JP5628507B2 (en) Sample stage and microwave plasma processing equipment
KR101749311B1 (en) Substrate supporting unit and apparatus for treating substrate including the same
KR102568804B1 (en) Support unit and apparatus for treating a substrate with the support unit
JP7012585B2 (en) Heat treatment equipment and heat treatment method
KR101966800B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR20170039797A (en) Shower head unit and Apparatus for treating substrate with the unit
JP2008053489A (en) Substrate processing apparatus
JP2020088193A (en) Plasma processing apparatus and plasma processing method
KR101955575B1 (en) Apparatus and Method for treating substrate
KR102310460B1 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR101605719B1 (en) Apparatus and method for treating substrate
KR101855655B1 (en) Substrate processing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant