KR20230172202A - 건식 세정 장치 및 기판 처리 장치 - Google Patents

건식 세정 장치 및 기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20230172202A
KR20230172202A KR1020220072745A KR20220072745A KR20230172202A KR 20230172202 A KR20230172202 A KR 20230172202A KR 1020220072745 A KR1020220072745 A KR 1020220072745A KR 20220072745 A KR20220072745 A KR 20220072745A KR 20230172202 A KR20230172202 A KR 20230172202A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pumping
module
pressure control
automatic pressure
pumping module
Prior art date
Application number
KR1020220072745A
Other languages
English (en)
Inventor
한민성
주윤종
박완재
이재후
배성학
김상우
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020220072745A priority Critical patent/KR20230172202A/ko
Publication of KR20230172202A publication Critical patent/KR20230172202A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816—Pressure
    • H01J37/32834—Exhausting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명의 기판 처리 장치는, 내부가 제1 압력을 가지는 공정 챔버; 상기 공정 챔버에 HF 가스가 포함되는 혼합 가스를 공급하는 가스 공급부; 상기 제1 압력보다 크기가 작은 제2 압력을 가지도록 상기 공정 챔버를 펌핑하는 제1 펌핑 모듈; 상기 제2 압력보다 크기가 작은 제3 압력을 가지도록 상기 공정 챔버를 펌핑하는 제2 펌핑 모듈; 및 상기 제1 펌핑 모듈의 펌핑 압력을 조절함으로써 상기 제2 압력의 크기를 조절하는 제1 자동 압력 제어 모듈을 포함한다.

Description

건식 세정 장치 및 기판 처리 장치{Dry cleaning apparatus and substrate processing apparatus}
본 발명은 건식 세정 장치 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 장치 또는 디스플레이 장치를 제조할 때, 건식 세정(dry cleaning) 또는 건식 식각(dry etching)을 수행할 수 있다.
건식 세정 또는 건식 식각을 위해, 플라즈마 또는 가스를 이용한 기판 처리 공정이 사용될 수 있다. 플라즈마를 이용한 기판 처리 공정은, 플라즈마를 생성하는 방식에 따라 분류될 수 있다. 가스를 이용한 기판 처리 공정은, 외부로부터 공급된 가스를 기판으로 분사하여 식각할 수 있다.
기판의 건식 세정을 위해서, 처리 공간에 가스를 제공할 수 있는데, 처리 공간 내부에 공급된 가스로 인한 공정 부산물이 발생할 수 있다. 이러한 공정 부산물은 기판 처리 장치의 효율성을 저감시킬 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 공정 부산물을 최소화함으로써 효율성을 높인 건식 세정 장치 및 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기판 처리 장치의 일 면(aspect)은, 내부가 제1 압력을 가지는 공정 챔버; 상기 공정 챔버에 HF 가스가 포함되는 혼합 가스를 공급하는 가스 공급부; 상기 제1 압력보다 크기가 작은 제2 압력을 가지도록 상기 공정 챔버를 펌핑하는 제1 펌핑 모듈; 상기 제2 압력보다 크기가 작은 제3 압력을 가지도록 상기 공정 챔버를 펌핑하는 제2 펌핑 모듈; 및 상기 제1 펌핑 모듈의 펌핑 압력을 조절함으로써 상기 제2 압력의 크기를 조절하는 제1 자동 압력 제어 모듈을 포함한다.
상기 혼합 가스는, NH3 가스를 더 포함하여 기판을 식각하거나 세정할 수 있다.
상기 제1 자동 압력 제어 모듈은, 상기 공정 챔버와 상기 제1 펌핑 모듈 사이에 배치된 제1 자동 압력 제어 밸브 및 상기 제1 자동 압력 제어 밸브를 제어하는 제1 자동 압력 제어부를 포함하고, 상기 기판 처리 장치는 상기 제1 자동 압력 제어 밸브와 상기 제1 펌핑 모듈 사이에 개재되는 제1 개폐 밸브를 더 포함할 수 있다.
상기 기판 처리 장치는 상기 제2 펌핑 모듈의 펌핑 압력을 조절함으로써 상기 제3 압력의 크기를 조절하는 제2 자동 압력 제어 모듈을 더 포함하고, 상기 제2 자동 압력 제어 모듈은, 상기 공정 챔버와 상기 제2 펌핑 모듈 사이에 배치된 제2 자동 압력 제어 밸브 및 상기 제2 자동 압력 제어 밸브를 제어하는 제2 자동 압력 제어부를 포함할 수 있다.
상기 기판 처리 장치는, 상기 공정 챔버와 상기 제2 펌핑 모듈 사이에 개재되는 제2 개폐 밸브; 및 상기 제1 펌핑 모듈과 상기 제2 펌핑 모듈 사이에 개재되는 제3 개폐 밸브를 더 포함할 수 있다.
상기 기판 처리 장치는, 상기 제2 펌핑 모듈 내부의 온도를 제어하는 온도 제어 모듈을 더 포함할 수 있다.
상기 제2 펌핑 모듈 내부의 온도는 80℃ 이상일 수 있다.
상기 다른 과제를 달성하기 위한 본 발명의 건식 세정 장치의 일 면은, 처리 공간이 형성되는 공정 챔버; 상기 공정 챔버에 HF 가스와 NH3 가스가 포함되는 혼합 가스를 공급하는 가스 공급부; 상기 가스 공급부의 구동시 상기 공정 챔버를 펌핑하는 제1 펌핑 모듈; 상기 가스 공급부의 구동이 중단되고, 상기 제1 펌핑 모듈보다 크기가 작은 압력으로 상기 공정 챔버를 펌핑하는 제2 펌핑 모듈; 및 상기 제1 펌핑 모듈의 펌핑 압력을 조절함으로써 압력의 크기를 조절하는 제1 자동 압력 제어 모듈을 포함한다.
상기 제1 자동 압력 제어 모듈은, 상기 공정 챔버와 상기 제1 펌핑 모듈 사이에 배치된 제1 자동 압력 제어 밸브 및 상기 제1 자동 압력 제어 밸브를 제어하는 제1 자동 압력 제어부를 포함하고, 상기 제1 자동 압력 제어 밸브와 상기 제1 펌핑 모듈 사이에 개재되는 제1 개폐 밸브; 및 상기 제2 펌핑 모듈의 펌핑 압력을 조절함으로써 압력의 크기를 조절하는 제2 자동 압력 제어 모듈을 더 포함하고, 상기 제2 자동 압력 제어 모듈은, 상기 공정 챔버와 상기 제2 펌핑 모듈 사이에 배치된 제2 자동 압력 제어 밸브 및 상기 제2 자동 압력 제어 밸브를 제어하는 제2 자동 압력 제어부를 포함할 수 있다.
상기 제1 펌핑 모듈은 드라이 펌프로 제공되고, 상기 제2 펌핑 모듈은 고진공 펌프로 제공될 수 있다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도시한 도면이다.
도 2는 도 1에서 제1 펌핑 모듈이 동작되는 상태를 도시한 도면이다.
도 3은 도 1에서 제2 펌핑 모듈이 동작되는 상태를 도시한 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 게시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 게시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
도 1은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도시한 도면이다. 그리고 도 2는 도 1에서 제1 펌핑 모듈이 동작되는 상태를 도시한 도면이고, 도 3은 도 1에서 제2 펌핑 모듈이 동작되는 상태를 도시한 도면이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 공정 챔버(100), 가스 공급부(350), 제1 펌핑 모듈(410), 제2 펌핑 모듈(420), 제1 자동 압력 제어(APC, Auto Pressure Controller) 모듈(510), 제2 자동 압력 제어 모듈(550)을 포함할 수 있다. 기판 처리 장치는, 기판(W)을 건식 방식으로 세정(또는 식각)하기 위한 것으로, 예를 들어 건식 세정 장치로 제공될 수 있다.
공정 챔버(100)는 내부에 기판(W)이 처리되는 처리 공간(101)을 제공할 수 있다. 공정 챔버(100)는 원형의 통 형상일 수 있다. 공정 챔버(100)의 일측벽에는 개구(도시하지 않음)가 형성될 수 있다. 개구는 기판(W)이 반출입 가능한 출입구로 사용된다. 출입구는 도어에 의해 개폐 가능하다. 공정 챔버(100)의 바닥면에는 배기 포트가 설치될 수 있으며, 후술되는 제2 펌핑 모듈(420)이 연결될 수 있다. 배기 포트는 처리 공간(101)에 발생된 부산물이 공정 챔버(100)의 외부로 배출되는 배출구로 기능한다.
지지 모듈(200)은 처리 공간(101) 내에 설치되고, 기판(W)을 지지한다. 지지 모듈(200)은 정전기력을 이용하여 기판(W)을 지지하는 정전척일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 정전척은, 상면에 기판(W)이 놓여지는 유전판, 유전판 내에 설치되고 기판(W)이 유전판에 흡착되도록 정전기력을 제공하는 전극, 유전판 내에 설치되어 기판(W)의 온도제어를 위해 기판(W)을 가열하는 히터 등을 포함할 수 있다.
샤워 헤드(310)는 상하 방향으로 형성된 다수의 관통홀(도시하지 않음)을 포함하여, 혼합 가스를 처리 공간(101)으로 분사할 수 있으며, 예를 들어 적어도 일부가 판 형태로 이루어질 수 있다. 샤워 헤드(310)는 혼합 가스가 도입되기 위해 가스 공급부(350)가 연결될 수 있다.
가스 공급부(350)는 샤워 헤드(310)를 통해 공정 챔버(100)로 혼합 가스를 공급할 수 있다. 혼합 가스는, 예로 건식 세정(또는 건식 식각)을 수행하기 위해, HF 가스와 NH3 가스가 혼합된 세정 가스로 제공할 수 있다. 더불어 질소와 같은 캐리어 가스가 더 혼합될 수도 있는 바와 같이 다양한 변형예가 가능하다.
이때, 혼합 가스를 구성하는 각 성분 가스가 미리 혼합되지 않고 공정 챔버(100) 내에 공급되어 혼합될 수 있도록, HF 가스와 NH3 가스는 개별로 공급될 수 있다. 이를 위해 HF 가스와 NH3 가스 각각이 저장되는 저장탱크, 공급라인, 밸브, 및 유량기 등이 개별로 마련될 수 있다.
혼합 가스가 공정 챔버(100)에 원활히 공급되면서도 부산물이 공정 챔버(100)로부터 배출될 수 있게 펌핑 모듈이 공정 챔버(100)에 연결될 수 있다. 펌핑 모듈(400)은, 제1 압력보다 크기가 작은 제2 압력을 가지도록 공정 챔버(100)를 펌핑하는 제1 펌핑 모듈(410) 및 제2 압력보다 크기가 작은 제3 압력을 가지도록 공정 챔버(100)를 펌핑하는 제2 펌핑 모듈(420)을 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 제1 펌핑 모듈(410)은 저진공 펌프를 의미할 수 있고, 예로서, 드라이 펌프(Dry Pump)를 사용할 수 있다. 또한 본 실시예에서, 제2 펌핑 모듈(420)은 고진공 펌프를 의미할 수 있고, 예로서, 고진공 펌프인 터보 분자 펌프(TMP)를 사용할 수 있다.
제1 펌핑 모듈(410)은 처리 공간(101)으로 혼합 가스가 원활히 유입되도록, 압력을 조절하여 샤워 헤드(310)로부터 처리 공간(101)으로 혼합가스가 다운 플로우(down flow)되도록 할 수 있다. 즉 제1 압력을 가지도록 공정 챔버(100)를 제1 펌핑 모듈(410)에 의해 펌핑함으로써 처리 공간(101) 내에서 혼합가스가 처리될 수 있다. 다만 혼합 가스는 가스 공급부(350)에 마련되는 밸브의 개도 조절에 의해 양이 조절될 수도 있는 바와 같이 다양한 변형예가 가능하다.
처리 공간(101)에 제1 압력이 형성된 이후, 제1 압력보다 크기가 작은 제2 압력을 가지도록 공정 챔버(100)를 제1 펌핑 모듈(410)에 의해 펌핑하는 제1 펌핑 공정을 수행할 수 있다. 여기서 제1 압력은 제1 펌핑 모듈(410)에 의해 형성될 수 있다.
이후, 제2 압력보다 크기가 작은 제3 압력을 가지도록 공정 챔버(100)를 제2 펌핑 모듈(420)에 의해 펌핑하는 제2 펌핑 공정을 수행할 수 있다. 즉, 처리 공정 및 제1 펌핑 공정이 끝난 후, 최종 펌핑 단계 또는 기판(W)이 지지 모듈(200)에서 해제된 단계에서 제2 펌핑 공정을 수행할 수 있다. 이때 제2 펌핑 모듈(420)에 의해 공정 부산물이 배출될 수 있다.
비교예로, 공정 부산물을 흡착하기 위한 수단으로 저진공 펌프만 사용하면, 공정 부산물이 충분히 흡착될 만큼의 저압이 제공되기 어려워, 공정 부산물이 완전히 제거되기 어려울 수 있다.
반면 본 실시예에서는, 저진공 펌프인 제1 펌핑 모듈(410)에 의한 제1 펌핑 공정이 수행된 이후, 고진공 펌프인 제2 펌핑 모듈(420)에 의한 제2 펌핑 공정이 수행될 수 있다. 결과, 공정 부산물이 기판 또는 공정 챔버 내부에 흡착되는 것을 최소화할 수 있다.
또한, 공정 부산물을 제거하기 위한 별도의 어닐링(annealing) 장치를 사용할 필요가 없으므로, 기판 처리 장치 및 방법을 보다 효율화할 수 있다. 한편, 본 실시예에서는 처리 공정이 건식 세정 공정인 것으로 설시하였으나, 처리 공정은 에칭 공정 또는 증착 공정일 수도 있다. 이와 같이, 처리 공정, 제1 및 제2 펌핑 공정이 하나의 주기로 반복 실시됨으로써, 공정 부산물을 더욱 효과적으로 제거할 수 있다.
제1 자동 압력 제어 모듈(510)은, 제1 펌핑 모듈(410)의 펌핑 압력을 조절함으로써 제2 압력의 크기를 조절할 수 있다. 제1 자동 압력 제어 모듈(510)은, 공정 챔버(100)와 제1 펌핑 모듈(410) 사이에 배치된 제1 자동 압력 제어 밸브(511) 및 제1 자동 압력 제어 밸브(511)를 제어하는 제1 자동 압력 제어부(512)를 포함할 수 있다. 즉, 공정 챔버(100) 내부가 제3 압력보다 상대적으로 고압인 제2 압력을 가지는 영역에서, 제1 펌핑 모듈(410)의 펌핑 압력을 제1 자동 압력 제어 모듈(510)에 의해 제어할 수 있다.
본 실시예에서는, 제1 펌핑 모듈(410)을 사용한 펌핑 시 자동 압력 제어 밸브(511)를 통해 압력을 제어하면서 공정을 수행할 수 있다. 결과, 제1 펌핑 모듈(410)의 펌핑 압력을 보다 정교하게 제어할 수 있다.
또한, 본 실시예에서는, 제1 자동 압력 제어 밸브(511)와 제1 펌핑 모듈(410) 사이에 개재되는 제1 개폐 밸브(610)를 더 포함할 수 있다.
제2 자동 압력 제어 모듈(550)은, 제2 펌핑 모듈(420)의 펌핑 압력을 조절함으로써 제3 압력의 크기를 조절할 수 있다. 제2 자동 압력 제어 모듈(550)은, 공정 챔버(100)와 제2 펌핑 모듈(420) 사이에 배치된 제2 자동 압력 제어 밸브(551) 및 제2 자동 압력 제어 밸브(551)를 제어하는 제2 자동 압력 제어부(미도시)를 포함할 수 있다.
공정 챔버(100) 내부가 저압인 제3 압력을 가지도록, 제2 펌핑 모듈(420)의 펌핑 압력을 제2 자동 압력 제어 모듈(550)에 의해 제어할 수 있다. 또한, 본 실시예에서는, 공정 챔버(100)와 제2 펌핑 모듈(420) 사이에 개재되는 제2 개폐 밸브(620)를 더 포함할 수 있다. 본 실시예에서는, 제2 펌핑 모듈(420)을 사용한 펌핑 시 자동 압력 제어 밸브(551)를 통해 압력을 제어하면서 공정을 수행할 수 있다. 결과, 제2 펌핑 모듈(420)의 펌핑 압력을 보다 정교하게 제어할 수 있다.
한편, 본 실시예의 기판 처리 장치는, 제2 자동 압력 제어 밸브(551)와 제2 개폐 밸브(620)를 선택적으로 포함할 수도 있다.
또한, 본 실시예에서는, 제1 펌핑 모듈(410)과 제2 펌핑 모듈(420) 사이에 제3 개폐 밸브(630)가 개재될 수 있다.
구체적으로, 제1 자동 압력 제어 밸브(511)와 제1 펌핑 모듈(410) 사이에 개재된 제1 개폐 밸브(610)가 열린 후 제1 펌핑 공정이 수행될 수 있다(도 2 참조). 이후, 제1 개폐 밸브(610)가 닫히고 제2 펌핑 모듈(420)이 공정 챔버(100)의 내부를 펌핑하는 제2 펌핑 공정이 수행될 수 있다(도 3 참조). 제1 펌핑 공정은 제2 펌핑 공정과 동시에 수행되지 않을 수 있다. 제1 펌핑 공정은 제3 개폐 밸브(630)가 열린 상태에서는 수행되지 않는다. 즉, 제1 개폐 밸브(610)는 제3 개폐 밸브(630)와 동시에 열리지 않을 수 있다.
제2 펌핑 모듈(420)의 내부의 온도는 80도 이상, 예를 들어 100℃ 이상일 수 있다. 제2 펌핑 모듈(420)은 100℃ 이상의 고온에 대응 가능하도록 설계될 수 있다. 이는 공정 부산물의 제거가 용이해지도록 하기 위함이다.
그리고 제1 및 제2 펌핑 모듈(410, 420)을 동작시켜 공정 부산물을 제거할 수 있다. 공정 부산물은 제1 및 제2 펌핑 공정에 의해서 제거될 수 있다.
본 실시예에서는, 제2 펌핑 모듈(420) 내부의 온도를 제어하는 온도 제어 모듈(700)이 제공될 수 있다. 구체적으로 도시되지는 않았으나, 온도 제어 모듈(700)은 제2 펌핑 모듈(420) 내부를 가열하는 가열 부재(미도시)를 포함할 수 있다. 온도 제어 모듈은, 가열 부재(미도시)가 제2 펌핑 모듈(420) 내부의 온도가 100℃ 이상이 되게 가열할 수 있다.
이상과 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 공정 챔버 350: 가스 공급부
410: 제1 펌핑 모듈 420: 제2 펌핑 모듈
510: 제1 자동 압력 제어 모듈 550: 제2 자동 압력 제어 모듈

Claims (10)

  1. 내부가 제1 압력을 가지는 공정 챔버;
    상기 공정 챔버에 HF 가스가 포함되는 혼합 가스를 공급하는 가스 공급부;
    상기 제1 압력보다 크기가 작은 제2 압력을 가지도록 상기 공정 챔버를 펌핑하는 제1 펌핑 모듈;
    상기 제2 압력보다 크기가 작은 제3 압력을 가지도록 상기 공정 챔버를 펌핑하는 제2 펌핑 모듈; 및
    상기 제1 펌핑 모듈의 펌핑 압력을 조절함으로써 상기 제2 압력의 크기를 조절하는 제1 자동 압력 제어 모듈을 포함하는, 기판 처리 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 혼합 가스는, NH3 가스를 더 포함하여 기판을 식각하거나 세정하는, 기판 처리 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 자동 압력 제어 모듈은, 상기 공정 챔버와 상기 제1 펌핑 모듈 사이에 배치된 제1 자동 압력 제어 밸브 및 상기 제1 자동 압력 제어 밸브를 제어하는 제1 자동 압력 제어부를 포함하고,
    상기 제1 자동 압력 제어 밸브와 상기 제1 펌핑 모듈 사이에 개재되는 제1 개폐 밸브를 더 포함하는, 기판 처리 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 펌핑 모듈의 펌핑 압력을 조절함으로써 상기 제3 압력의 크기를 조절하는 제2 자동 압력 제어 모듈을 더 포함하고,
    상기 제2 자동 압력 제어 모듈은,
    상기 공정 챔버와 상기 제2 펌핑 모듈 사이에 배치된 제2 자동 압력 제어 밸브 및 상기 제2 자동 압력 제어 밸브를 제어하는 제2 자동 압력 제어부를 포함하는, 기판 처리 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 공정 챔버와 상기 제2 펌핑 모듈 사이에 개재되는 제2 개폐 밸브; 및
    상기 제1 펌핑 모듈과 상기 제2 펌핑 모듈 사이에 개재되는 제3 개폐 밸브를 더 포함하는, 기판 처리 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 펌핑 모듈 내부의 온도를 제어하는 온도 제어 모듈을 더 포함하는, 기판 처리 장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 펌핑 모듈 내부의 온도는 80℃ 이상인, 기판 처리 장치.
  8. 처리 공간이 형성되는 공정 챔버;
    상기 공정 챔버에 HF 가스와 NH3 가스가 포함되는 혼합 가스를 공급하는 가스 공급부;
    상기 가스 공급부의 구동시 상기 공정 챔버를 펌핑하는 제1 펌핑 모듈;
    상기 가스 공급부의 구동이 중단되고, 상기 제1 펌핑 모듈보다 크기가 작은 압력으로 상기 공정 챔버를 펌핑하는 제2 펌핑 모듈; 및
    상기 제1 펌핑 모듈의 펌핑 압력을 조절함으로써 압력의 크기를 조절하는 제1 자동 압력 제어 모듈을 포함하는, 건식 세정 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 제1 자동 압력 제어 모듈은,
    상기 공정 챔버와 상기 제1 펌핑 모듈 사이에 배치된 제1 자동 압력 제어 밸브 및 상기 제1 자동 압력 제어 밸브를 제어하는 제1 자동 압력 제어부를 포함하고,
    상기 제1 자동 압력 제어 밸브와 상기 제1 펌핑 모듈 사이에 개재되는 제1 개폐 밸브; 및
    상기 제2 펌핑 모듈의 펌핑 압력을 조절함으로써 압력의 크기를 조절하는 제2 자동 압력 제어 모듈을 더 포함하고,
    상기 제2 자동 압력 제어 모듈은,
    상기 공정 챔버와 상기 제2 펌핑 모듈 사이에 배치된 제2 자동 압력 제어 밸브 및 상기 제2 자동 압력 제어 밸브를 제어하는 제2 자동 압력 제어부를 포함하는, 건식 세정 장치.
  10. 제8 항에 있어서,
    상기 제1 펌핑 모듈은 드라이 펌프로 제공되고, 상기 제2 펌핑 모듈은 고진공 펌프로 제공되는, 건식 세정 장치.
KR1020220072745A 2022-06-15 2022-06-15 건식 세정 장치 및 기판 처리 장치 KR20230172202A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220072745A KR20230172202A (ko) 2022-06-15 2022-06-15 건식 세정 장치 및 기판 처리 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220072745A KR20230172202A (ko) 2022-06-15 2022-06-15 건식 세정 장치 및 기판 처리 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230172202A true KR20230172202A (ko) 2023-12-22

Family

ID=89309721

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220072745A KR20230172202A (ko) 2022-06-15 2022-06-15 건식 세정 장치 및 기판 처리 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20230172202A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7503610B2 (ja) 領域選択堆積用の統合クラスタツール
KR102333103B1 (ko) 다공성 베플을 갖는 저 볼륨 샤워헤드
US9023732B2 (en) Processing systems and methods for halide scavenging
TWI598455B (zh) 傳送腔室氣體淨化裝置、電子設備處理系統及淨化方法
US8382938B2 (en) Gate valve cleaning method and substrate processing system
US20060266288A1 (en) High plasma utilization for remote plasma clean
KR20130136124A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR20160026572A (ko) 기판 처리 장치
US11056367B2 (en) Buffer unit, and apparatus for treating substrate with the unit
CN117373950A (zh) 基板处理装置
JP5303984B2 (ja) 成膜装置及び成膜方法
US20180333755A1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR20230172202A (ko) 건식 세정 장치 및 기판 처리 장치
KR20090051984A (ko) 기판 처리 장치
KR101730147B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101994918B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN1708739A (zh) 流体处理装置及流体处理方法
US20220290921A1 (en) Method and apparatus for treating a substrate
US10665479B2 (en) Substrate treatment device and substrate treatment method
KR20060086629A (ko) 리모트 플라즈마 애싱 장치
CN107851571B (zh) 基板处理方法及基板处理装置
KR102600580B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP2022018902A (ja) 基板処理システム、メンテナンス方法及び基板処理方法
KR20070034811A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
US20230130652A1 (en) Substrate treating method and chamber cleaning method