KR20230170461A - Substrate supporting unit and substrate processing apparatus having the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판지지장치 및 이를 구비하는 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판변형을 방지할 수 있는 기판지지장치 및 이를 구비하는 기판처리장치에 관한 것이다.
본 발명은, 상기 기판(1)을 지지하는 기판지지부(100)와; 상기 기판지지부(100) 하부에 배치되어 상기 기판(1)을 가열하는 복수의 램프히터(210)들을 포함하는 히터부(200)와; 상기 히터부(200)를 통한 상기 기판(1)에 대한 가열 과정 동안, 상기 기판지지부(100)에 안착된 상기 기판(1) 상측 소정간격으로 이격되는 위치에 고정 배치되는 기판변형방지부(300)를 포함하는 기판지지장치를 개시한다.The present invention relates to a substrate support device and a substrate processing device equipped therewith, and more specifically, to a substrate support device capable of preventing substrate deformation and a substrate processing device equipped therewith.
The present invention includes a substrate support 100 supporting the substrate 1; a heater unit 200 including a plurality of lamp heaters 210 disposed below the substrate support unit 100 to heat the substrate 1; During the heating process of the substrate 1 through the heater unit 200, the substrate deformation prevention unit 300 is fixedly disposed at a position spaced at a predetermined distance on the upper side of the substrate 1 seated on the substrate support unit 100. ) Disclosed is a substrate support device including a substrate support device.

Figure P1020220070961
Figure P1020220070961

Description

기판지지장치 및 이를 구비하는 기판처리장치{Substrate supporting unit and substrate processing apparatus having the same}Substrate supporting unit and substrate processing apparatus having the same}

본 발명은 기판지지장치 및 이를 구비하는 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판변형을 방지할 수 있는 기판지지장치 및 이를 구비하는 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate support device and a substrate processing device equipped therewith, and more specifically, to a substrate support device capable of preventing substrate deformation and a substrate processing device equipped therewith.

기판처리장치는 대기압 또는 진공압상태에서의 예열(preheating), 어닐링, 증착, 식각 등 기판에 대하여 소정의 처리공정을 수행하는 장치이다.A substrate processing device is a device that performs certain processing processes on a substrate, such as preheating, annealing, deposition, and etching under atmospheric or vacuum pressure.

이때, 처리 대상인 기판은, 반도체, LCD(Liquid crystal display), OLED(Organic light emitting diode), 태양전지, 글래스 기판 등으로서, 특히, 디스플레이용 기판에 다양한 재료를 증착하기 위한 기판처리가 수행될 수 있다.At this time, the substrate to be processed is a semiconductor, liquid crystal display (LCD), organic light emitting diode (OLED), solar cell, glass substrate, etc. In particular, substrate processing can be performed to deposit various materials on the display substrate. there is.

예를 들면, OLED 기판 상에 재료가 증착될 수 있으며, 후속적으로 건조, 경화 또는 이들의 조합과 같은 열처리를 포함하는 처리가 수행될 수 있고, 이러한 열처리를 위해서 기판지지장치 및 이를 구비하는 기판처리장치가 개시될 수 있다.For example, a material may be deposited on an OLED substrate and subsequently subjected to processing including heat treatment such as drying, curing, or a combination thereof, and for such heat treatment, a substrate support device and a substrate having the same may be used. A processing device may be initiated.

특히, OLED를 인쇄 후 각 픽셀 및 전체 패널에서 균일한 막을 형성하기 위해서 건조 및 경화 공정의 중요성이 강조되고 있으며, 더 나아가 각 픽셀에서 균일한 두께의 막을 형성하기 위한 건조 및 경화 공정이 수행되는 기판처리장치의 개발이 필수적이다.In particular, the importance of the drying and curing process is emphasized to form a uniform film in each pixel and the entire panel after printing OLED. Furthermore, the drying and curing process is performed to form a film of uniform thickness in each pixel. Development of processing equipment is essential.

한편 종래에는 기판에 대한 기판처리를 수행하기 위하여, 상온의 기판이 챔버 내의 공정온도를 유지하는 히터 위에 배치하고, 그 상태에서 기판의 온도가 공정온도에 도달했을 때 기판처리를 위한 공정을 수행하였다.Meanwhile, in the past, in order to process a substrate, a substrate at room temperature was placed on a heater that maintained the process temperature in the chamber, and when the temperature of the substrate reached the process temperature, the process for substrate treatment was performed. .

이 과정에서 공정 시간을 단축하고 기판으로의 효율적인 열 전달을 위해 히터와 기판 사이의 간격을 좁혔으나, 이 경우 기판의 상부와 하부의 열분포에 차이가 발생하는 문제점이 있다.In this process, the gap between the heater and the substrate was narrowed to shorten the process time and efficiently transfer heat to the substrate. However, in this case, there is a problem in that there is a difference in heat distribution between the top and bottom of the substrate.

특히, 히터의 급속 온도 상승 및 하강 처리 시, 히터로부터 직접적인 열을 공급받는 기판의 하부와 상대적으로 저온상태를 유지하는 기판의 상부 사이의 열분포 차이로 인해, 기판의 가장자리가 말아올라가는 형태가 발생하여 기판이 변형되는 문제점이 있다.In particular, during the rapid temperature rise and fall of the heater, the edges of the substrate are rolled up due to the difference in heat distribution between the lower part of the substrate, which receives direct heat from the heater, and the upper part of the substrate, which maintains a relatively low temperature. There is a problem that the substrate is deformed.

이 경우, 기판을 지지하기 위한 지지핀이 기판 내 소자에 접촉하지 않도록 기판 중심 측 지지를 생략하고 가장자리만을 지지하는 바, 가장자리 지지핀을 받침점으로 하여 중심 측이 자중 및 가장자리가 말아올라가는 열변형에 따라 하측으로 크게 처져 전체적인 기판 변형이 심화되는 문제점이 있다.In this case, support on the center side of the substrate is omitted and only the edges are supported so that the support pins for supporting the substrate do not contact the elements within the substrate. With the edge support pins as the fulcrum, the center side is resistant to self-weight and thermal deformation that causes the edges to roll up. Accordingly, there is a problem in that the overall substrate deformation is worsened by sagging significantly downward.

또한, 기판을 히터와 밀착시켜 가열하는 경우, 기판의 하부에 히터에 의해서 가열된 공기가 빠져나가지 못해 기판의 하부를 급속도로 가열하므로, 기판의 상부와 하부 사이의 온도편차가 심화되어 기판이 크게 변형되는 문제점이 있다.In addition, when the substrate is heated in close contact with the heater, the air heated by the heater cannot escape from the bottom of the substrate and the lower portion of the substrate is heated rapidly. As a result, the temperature difference between the upper and lower portions of the substrate intensifies, causing the substrate to become damaged significantly. There is a problem with deformation.

본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 기판에 대한 급격한 온도 상승 및 하강에 따른 기판의 상하부에 대한 열분포 차이에도 기판의 변형을 방지할 수 있는 기판지지장치 및 이를 구비하는 기판처리장치를 제공하는 데 있다.The purpose of the present invention is to solve the above problems, to provide a substrate support device that can prevent deformation of the substrate even when there is a difference in heat distribution between the upper and lower portions of the substrate due to rapid temperature rise and fall of the substrate, and a substrate processing device equipped therewith. is to provide.

본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은, 기판처리를 위한 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(10) 내에서 기판(1)을 지지 및 가열하는 기판지지장치로서, 상기 기판(1)을 지지하는 기판지지부(100)와; 상기 기판지지부(100) 하부에 배치되어 상기 기판(1)을 가열하는 복수의 램프히터(210)들을 포함하는 히터부(200)와; 상기 히터부(200)를 통한 상기 기판(1)에 대한 가열 과정 동안, 상기 기판지지부(100)에 안착된 상기 기판(1) 상측 소정간격으로 이격되는 위치에 고정 배치되는 기판변형방지부(300)를 포함하는 기판지지장치를 개시한다.The present invention was created to achieve the object of the present invention as described above, and the present invention is to support and heat the substrate (1) within the process chamber (10) forming the processing space (S) for substrate processing. A substrate support device comprising: a substrate support portion (100) supporting the substrate (1); a heater unit 200 including a plurality of lamp heaters 210 disposed below the substrate support unit 100 to heat the substrate 1; During the heating process of the substrate 1 through the heater unit 200, the substrate deformation prevention unit 300 is fixedly disposed at a position spaced at a predetermined distance on the upper side of the substrate 1 seated on the substrate support unit 100. ) Disclosed is a substrate support device including a substrate support device.

상기 기판지지부(100)는, 중심 측에 개구부(101)가 형성될 수 있다.The substrate support part 100 may have an opening 101 formed at the center side.

상기 기판지지부(100)는, 개구부(101) 적어도 일부를 복개하도록 설치되는 열확산부재를 포함할 수 있다.The substrate support 100 may include a heat diffusion member installed to cover at least a portion of the opening 101.

상기 기판지지부(100)는, 상기 기판(1)에 대응되는 형상의 기판지지플레이트(110)와, 상기 기판지지플레이트(110) 상면으로부터 돌출되어 상기 기판(1)을 지지하는 복수의 돌기부(120)들을 포함할 수 있다.The substrate support portion 100 includes a substrate support plate 110 having a shape corresponding to the substrate 1, and a plurality of protrusions 120 that protrude from the upper surface of the substrate support plate 110 and support the substrate 1. ) may include.

상기 돌기부(120)들은, 가열로 인한 상기 기판(1) 가장자리의 변형에 따라 상기 기판(1) 가장자리가 상기 기판변형방지부(300)에 접촉하여 가압함으로써, 상기 기판(1) 중심 측에 대한 반작용으로 상기 기판(1)의 수평을 복원하도록 상기 기판지지플레이트(110) 상면 중 가장자리에 구비될 수 있다.The protrusions 120 are pressed against the center side of the substrate 1 by contacting the edge of the substrate 1 with the substrate deformation prevention portion 300 according to deformation of the edge of the substrate 1 due to heating. It may be provided at an edge of the upper surface of the substrate support plate 110 to restore the horizontality of the substrate 1 by reaction.

상기 히터부(200)는, 서로 평행하게 배치되는 복수의 상기 램프히터(210)들과, 상기 램프히터(210)들 각각의 끝단에서 외부와 연결되기 위해 구비되는 복수의 연결단자(220)를 포함할 수 있다.The heater unit 200 includes a plurality of lamp heaters 210 arranged in parallel with each other, and a plurality of connection terminals 220 provided at each end of the lamp heaters 210 for connection to the outside. It can be included.

상기 기판지지부(100) 가장자리 하부 중 상기 램프히터(210)들에 교차하는 방향으로 배치되는 적어도 하나의 보조램프히터(240)를 포함할 수 있다.It may include at least one auxiliary lamp heater 240 disposed below an edge of the substrate support part 100 in a direction crossing the lamp heaters 210.

상기 기판지지부(100)는, 평면 상 직사각형 형상으로 형성되며, 상기 램프히터(210)들은, 길이방향이 상기 기판지지부(100) 장변과 평행하도록 배치될 수 있다.The substrate support 100 is formed in a rectangular shape in plan view, and the lamp heaters 210 may be arranged so that the longitudinal direction is parallel to the long side of the substrate support 100.

상기 램프히터(210)들은, 가장자리에서 중심으로 갈수록 상기 기판지지부(100)와의 이격거리가 단계적 또는 점진적으로 증가하도록 배치될 수 있다.The lamp heaters 210 may be arranged so that the distance between them and the substrate support 100 gradually or gradually increases from the edge to the center.

상기 램프히터(210)들은, 가장자리에 각각 배치되는 2개의 외곽램프히터(211)들과, 상기 외곽램프히터(211) 내측에 배치되는 내측램프히터(212)들을 포함하며, 상기 외곽램프히터(211)와 이웃하는 내측램프히터(212)와의 이격거리인 제1사이거리(D1)가 상기 내측램프히터(212)와 이웃하는 내측램프히터(212)의 이격거리인 제2사이거리(D2) 보다 클 수 있다.The lamp heaters 210 include two outer lamp heaters 211 disposed at the edges, and inner lamp heaters 212 disposed inside the outer lamp heater 211, and the outer lamp heater ( The first distance (D1), which is the separation distance between 211) and the neighboring inner lamp heater 212, is the second distance (D2), which is the separation distance between the inner lamp heater 212 and the neighboring inner lamp heater 212. It can be bigger than

상기 램프히터(210)들은, 가장자리에 배치되는 2개의 램프히터(210)가 평면 상 상기 기판(1) 가장자리에 대응되는 위치에 배치될 수 있다.The lamp heaters 210 may be disposed at positions corresponding to the edges of the substrate 1 on a plane, with two lamp heaters 210 disposed at the edges.

상기 연결단자(220)들은, 각각 상기 램프히터(210)들 끝단에서 반경방향으로 확장 형성되며, 이웃하는 연결단자(220)와 측면 상 중첩을 방지하는 위치에 배치될 수 있다.The connection terminals 220 extend radially from the ends of each of the lamp heaters 210, and may be placed at a position to prevent side overlap with neighboring connection terminals 220.

상기 연결단자(220)들은, 이웃하는 연결단자(220)와 평면 상 서로 엇갈리도록 상기 공정챔버(10) 외측면으로부터 돌출정도를 서로 달리하여 배치될 수 있다.The connection terminals 220 may be arranged with different degrees of protrusion from the outer surface of the process chamber 10 so as to be staggered from the neighboring connection terminals 220 in a plane.

상기 기판변형방지부(300)는, 상기 기판지지부(100)에 안착된 상기 기판(1) 상측 소정간격으로 이격되는 위치에 배치되는 기판간섭부(310)와, 상기 기판간섭부(310)가 상기 기판(1) 상측에 위치하도록 상기 기판간섭부(310)를 지지하는 지지부(320)를 포함할 수 있다.The substrate deformation prevention portion 300 includes a substrate interference portion 310 disposed at a position spaced apart from a predetermined distance on the upper side of the substrate 1 seated on the substrate support portion 100, and the substrate interference portion 310. It may include a support part 320 that supports the substrate interference part 310 so as to be located on the upper side of the substrate 1.

상기 기판변형방지부(300)는, 상기 기판간섭부(310) 또는 상기 지지부(320)에 결합하여 상기 기판간섭부(310)를 상하로 구동하는 상하구동부(330)를 포함할 수 있다.The substrate deformation prevention unit 300 may include a vertical driving unit 330 that is coupled to the substrate interference unit 310 or the support unit 320 and drives the substrate interference unit 310 up and down.

상기 기판지지부(100)를 관통하여 상하로 이동가능하게 설치되어, 상기 기판(1)을 상기 기판지지부(100)에 안착시키는 리프트핀부(400)를 추가로 포함할 수 있다.It may further include a lift pin portion 400 that is installed to move up and down through the substrate support portion 100 and seats the substrate 1 on the substrate support portion 100.

상기 리프트핀부(400)는, 상기 상하구동부(330)와 연결되어, 상기 기판간섭부(310)와 일체로 상하이동할 수 있다.The lift pin unit 400 is connected to the vertical driving unit 330 and can move up and down integrally with the substrate interference unit 310.

상기 램프히터(210)들 각각에 대응되는 받침홈(511)들이 형성되어 상기 램프히터(210)들을 하측에서 지지하는 지지베이스부(500)를 포함할 수 있다.Support grooves 511 corresponding to each of the lamp heaters 210 are formed and may include a support base portion 500 that supports the lamp heaters 210 from the lower side.

또한, 본 발명은, 기판처리를 위한 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(10)와; 상기 공정챔버(10)에 설치되어 상기 기판(1)을 지지하고 가열하는 기판지지장치(20)와; 상기 처리공간(S)에 설치되어 외부로부터 공급받은 냉매를 상기 기판(1)을 향해 분사하는 냉각부(30)를 포함하는 기판처리장치를 개시한다.In addition, the present invention includes a process chamber (10) forming a processing space (S) for substrate processing; a substrate support device 20 installed in the process chamber 10 to support and heat the substrate 1; Disclosed is a substrate processing apparatus including a cooling unit 30 installed in the processing space S and spraying coolant supplied from the outside toward the substrate 1.

상기 처리공간(S) 및 상기 공정챔버(10) 내벽면 중 적어도 하나에 설치되어 상기 기판(1)을 추가로 가열하는 보조가열부재를 추가로 포함할 수 있다.It may further include an auxiliary heating member installed on at least one of the processing space (S) and the inner wall of the process chamber (10) to additionally heat the substrate (1).

본 발명에 따른 기판지지장치 및 이를 구비하는 기판처리장치는, 히터와 기판을 밀착하여 히터로부터 기판으로의 열전달 효율을 증대하여, 기판의 공정온도 도달시간을 단축하고 전체적인 공정속도를 향상시킬 수 있는 이점이 있다.The substrate support device according to the present invention and the substrate processing device equipped with the same can increase the heat transfer efficiency from the heater to the substrate by bringing the heater and the substrate into close contact, shortening the time to reach the process temperature of the substrate and improving the overall process speed. There is an advantage.

특히, 본 발명에 따른 기판지지장치 및 이를 구비하는 기판처리장치는, 히터와 기판이 밀착된 상태에서 기판의 급격한 온도 상승 및 하강에도 기판의 상하부 온도편차에 따른 기판변형을 방지할 수 있어, 고 전력의 가열 및 냉각에 따른 기판 온도의 급속상승 및 급속하강이 가능한 이점이 있다.In particular, the substrate support device according to the present invention and the substrate processing device equipped with the same can prevent substrate deformation due to temperature deviation between the top and bottom of the substrate even when the temperature of the substrate rapidly rises and falls while the heater and the substrate are in close contact, thereby providing high There is an advantage in that the substrate temperature can rapidly rise and fall due to heating and cooling of power.

또한, 본 발명에 따른 기판지지장치 및 이를 구비하는 기판처리장치는, 기판의 상하부 온도편차에도 가장자리가 말아올라 휘어지는 것을 방지하고 평평한 상태를 유지하면서 기판처리가 가능한 이점이 있다.In addition, the substrate support device according to the present invention and the substrate processing device equipped with the same have the advantage of preventing the edges from curling and bending even when there is a temperature difference between the top and bottom of the substrate and processing the substrate while maintaining a flat state.

특히, 본 발명에 따른 기판지지장치 및 이를 구비하는 기판처리장치는, 기판 중 소자에 대한 접촉 및 지지없이 가장자리만이 지지되면서도, 기판이 휘어지는 힘을 역이용해 중심이 처지는 현상 및 가장자리가 말아올라가는 현상을 방지하여 전체적으로 기판이 평평한 상태를 유지할 수 있는 이점이 있다.In particular, the substrate support device according to the present invention and the substrate processing device equipped with the same support only the edges of the substrate without contacting or supporting the elements, but reverse the phenomenon of center sagging and edge rolling by utilizing the bending force of the substrate. There is an advantage in that the board can be maintained in a flat state overall.

또한, 본 발명에 따른 기판지지장치 및 이를 포함하는 기판처리장치는, 길이를 가지는 복수의 램프히터 배치를 통한 가장자리 열손실 보상으로 기판에 대한 균일한 가열이 가능한 이점이 있다.In addition, the substrate support device according to the present invention and the substrate processing device including the same have the advantage of enabling uniform heating of the substrate by compensating for edge heat loss through the arrangement of a plurality of lamp heaters having a length.

도 1은, 본 발명에 따른 기판처리장치의 모습을 보여주는 단면도이다.
도 2는, 본 발명에 따른 기판지지장치의 모습을 보여주는 사시도이다.
도 3은, 도 2에 따른 기판지지장치의 리프트핀부를 통한 기판 지지상태를 보여주는 단면도이다.
도 4a 및 도 4b는, 도 2에 따른 기판지지장치 중 히터부 설치예를 각각 보여주는 정면도들이다.
도 5는, 도 2에 따른 기판지지장치 중 기판변형방지부의 모습을 보여주는 확대도이다.
도 6a 및 도 6b는, 도 2에 따른 기판지지장치의 기판 변형방지 과정을 보여주는 확대도들이다.
도 7은, 본 발명에 따른 다른 실시예의 기판지지장치 일부모습을 보여주는 측면도이다. 1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to the present invention.
Figure 2 is a perspective view showing the substrate support device according to the present invention.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a state of supporting a substrate through a lift pin portion of the substrate support device according to FIG. 2.
FIGS. 4A and 4B are front views each showing an example of the heater part of the substrate support device according to FIG. 2.
Figure 5 is an enlarged view showing the substrate deformation prevention part of the substrate support device according to Figure 2.
FIGS. 6A and 6B are enlarged views showing the process of preventing substrate deformation of the substrate support device according to FIG. 2.
Figure 7 is a side view showing a portion of a substrate support device of another embodiment according to the present invention.

이하 본 발명에 따른 기판지지장치 및 이를 구비하는 기판처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the substrate support device and the substrate processing device equipped with the same according to the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings.

본 발명에 따른 기판처리장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 기판처리를 위한 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(10)와; 상기 공정챔버(10)에 설치되어 상기 기판(1)을 지지하고 가열하는 기판지지장치(20)와; 상기 처리공간(S)에 설치되어 외부로부터 공급받은 냉매를 상기 기판(1)을 향해 분사하는 냉각부(30)를 포함한다.As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus according to the present invention includes a process chamber 10 forming a processing space S for substrate processing; a substrate support device 20 installed in the process chamber 10 to support and heat the substrate 1; It includes a cooling unit 30 installed in the processing space S to spray refrigerant supplied from the outside toward the substrate 1.

또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 처리공간(S) 및 공정챔버(10) 내벽면 중 적어도 하나에 설치되어 기판(1)을 추가로 가열하는 보조가열부재를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the substrate processing apparatus according to the present invention may further include an auxiliary heating member installed on at least one of the processing space S and the inner wall of the process chamber 10 to additionally heat the substrate 1.

여기서 처리대상인 기판(1)은, 반도체 기판, LCD 제조용 기판, OLED 제조용 기판, 태양전지 제조용 기판, 글래스 기판 등 히팅을 통해 처리되는 기판이면 어떠한 기판도 적용 가능하다.Here, the substrate 1 to be processed can be any substrate that is processed through heating, such as a semiconductor substrate, a substrate for LCD manufacturing, a substrate for OLED manufacturing, a solar cell manufacturing substrate, or a glass substrate.

또한, 본 발명에 따른 기판처리장치에 의하여 수행되는 기판처리는, 밀폐된 처리공간(S) 내에서 후술하는 히터부(200)를 통한 히팅을 이용하여 증착, 식각 등 기판처리를 수행하는 기판처리공정이면 어떠한 공정도 적용 가능하다.In addition, the substrate processing performed by the substrate processing apparatus according to the present invention involves performing substrate processing such as deposition and etching using heating through the heater unit 200, which will be described later, within a sealed processing space (S). Any process can be applied as long as it is a process.

상기 공정챔버(10)는, 기판처리를 위한 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The process chamber 10 forms a closed processing space (S) for substrate processing, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 공정챔버(10)는, 상측에 개구가 형성된 챔버본체(12)와, 챔버본체(12)의 개구에 탈착가능하게 결합되어 챔버본체(12)와 함께 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 탑리드(11)를 포함할 수 있다.For example, the process chamber 10 includes a chamber body 12 with an opening formed on the upper side, and a processing space (S) detachably coupled to the opening of the chamber body 12 and sealed together with the chamber body 12. ) may include a top lead 11 forming a .

또한, 상기 공정챔버(10)는, 측면에 형성된 기판(1)의 도입 및 배출을 위한 하나 이상의 게이트(13)가 형성될 수 있다.Additionally, the process chamber 10 may have one or more gates 13 formed on a side of the process chamber 10 for introduction and discharge of the substrate 1 .

또한, 상기 공정챔버(10)는, 수행되는 기판처리의 종류에 따라서 다양한 구성이 가능하며, 기판처리의 수행을 위한 처리가스의 공급을 위한 가스공급부(미도시)가 내부에 설치될 수 있으며, 경우에 따라 기판처리 수행을 위한 전원인가시스템, 처리공간(S)의 압력 제어 및 배기를 위한 배기시스템 등 종래 개시된 기판처리를 위한 구성이 추가로 설치될 수 있다.In addition, the process chamber 10 can be configured in various ways depending on the type of substrate processing being performed, and a gas supply unit (not shown) may be installed inside to supply processing gas for substrate processing. In some cases, conventionally disclosed components for substrate processing, such as a power application system for substrate processing and an exhaust system for pressure control and exhaust of the processing space (S), may be additionally installed.

상기 보조가열부재는, 처리공간(S) 및 공정챔버(10)의 내벽면 중 적어도 하나에 설치되어 공정챔버(10)의 내벽면을 가열하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The auxiliary heating member is installed on at least one of the processing space S and the inner wall of the process chamber 10 to heat the inner wall of the process chamber 10, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 보조가열부재는, 히터부(200)의 상부 또는 측면에 배치되어 공정챔버(10)의 내벽면을 가열하여 내벽에 이물질이 응축되어 발생하는 것을 방지할 수 있다.For example, the auxiliary heating member is disposed on the top or side of the heater unit 200 and heats the inner wall of the process chamber 10 to prevent foreign substances from condensing on the inner wall.

이 경우, 상기 보조가열부재는, 종래 개시된 어떠한 형태의 히터도 적용 가능하며, 특히 특정 파장대의 복사 광선을 통해 기판(1)을 가열하는 히터도 적용 가능하다.In this case, the auxiliary heating member can be any type of heater that has been previously disclosed, and in particular, a heater that heats the substrate 1 through radiant light in a specific wavelength range can be applied.

또한, 상기 보조가열부재는, 공정챔버(10)의 내벽면에 설치되는 열선형태로 구비되어 전원 인가에 따라 발열하여 공정챔버(10)의 내벽면을 가열할 수도 있다.In addition, the auxiliary heating member may be provided in the form of a heating wire installed on the inner wall of the process chamber 10 and heat the inner wall of the process chamber 10 by generating heat when power is applied.

즉 상기 보조가열부재는, 공정챔버(10) 내 어디에도 설치 가능하며, 일예로 기판지지부(100)에 대향하는 공정챔버(10) 상면에 열선형태로 설치될 수 있다.That is, the auxiliary heating member can be installed anywhere in the process chamber 10, and for example, it can be installed in the form of a heating wire on the upper surface of the process chamber 10 opposite the substrate support 100.

상기 냉각부(30)는, 가열부재와 히터부(200) 사이에 구비되어 기판(1)을 향해 냉매를 분사하여 기판(1)을 냉각하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The cooling unit 30 is provided between the heating member and the heater unit 200 and sprays coolant toward the substrate 1 to cool the substrate 1. Various configurations are possible.

즉, 상기 냉각부(30)는, 히터부(200)에 안착된 기판(1)의 상측에 설치되어 저온의 질소(N2)와 같은 불활성 냉매를 기판(1)에 분사함으로써, 기판(1)을 냉각할 수 있다. That is, the cooling unit 30 is installed on the upper side of the substrate 1 seated on the heater unit 200 and sprays an inert refrigerant such as low-temperature nitrogen (N2) onto the substrate 1, thereby can be cooled.

예를 들면, 상기 냉각부(30)는, 외부의 냉매 공급장치로부터 연결되는 냉매공급배관(32)과, 냉매공급배관(32)으로부터 냉매를 공급받아 기판(1)을 향해 분사하는 복수의 냉매분사노즐(31)과, 복수의 냉매분사노즐(31)을 상기 냉매공급배관(32)과 연결하는 복수의 냉매연결배관을 포함할 수 있다.For example, the cooling unit 30 includes a refrigerant supply pipe 32 connected from an external refrigerant supply device, and a plurality of refrigerants that receive refrigerant from the refrigerant supply pipe 32 and spray it toward the substrate 1. It may include an injection nozzle 31 and a plurality of refrigerant connection pipes connecting the plurality of refrigerant injection nozzles 31 to the refrigerant supply pipe 32.

또한, 본 발명에 따른 기판처리장치는, 처리공간(S)을 배기하기 위한 구성으로서, 배기부(미도시)를 포함할 수 있다.Additionally, the substrate processing apparatus according to the present invention may include an exhaust unit (not shown) as a component for exhausting the processing space (S).

이때, 배기부는, 외부에 구비되는 배기펌프와, 배기펌프와 공정챔버(10)의 처리공간(S)을 연결하는 복수의 배기배관을 포함할 수 있다. At this time, the exhaust unit may include an external exhaust pump and a plurality of exhaust pipes connecting the exhaust pump and the processing space S of the process chamber 10.

이 경우, 상기 배기부는, 공정챔버(10)를 기준으로 양측에 각각 구비되며, 양측에 구비되는 배기배관이 공정챔버(10)와 서로 대칭이 되도록 연결됨으로써 처리공간(S) 내부에서의 균일한 가스흐름을 유도할 수 있다.In this case, the exhaust units are provided on both sides of the process chamber 10, and the exhaust pipes provided on both sides are connected symmetrically to the process chamber 10, thereby ensuring uniformity within the processing space S. Gas flow can be induced.

상기 기판지지장치(20)는, 공정챔버(10)에 설치되어 기판(1)을 지지하고 가열하는 구성으로서, 종래 기판지지장치는, 기판(1)을 지지한 상태에서 급격한 가열이 수행될 때 기판(1)이 열분포 차이로 인해 변형되는 문제점이 있다.The substrate support device 20 is installed in the process chamber 10 to support and heat the substrate 1. The conventional substrate support device is used when rapid heating is performed while supporting the substrate 1. There is a problem in that the substrate 1 is deformed due to differences in heat distribution.

이러한 문제점을 개선하기 위하여, 본 발명에 따른 기판지지장치는, 도 2 내지 도 6b에 도시된 바와 같이, 상기 기판(1)을 지지하는 기판지지부(100)와; 상기 기판지지부(100) 하부에 배치되어 상기 기판(1)을 가열하는 복수의 램프히터(210)들을 포함하는 히터부(200)와; 상기 히터부(200)를 통한 상기 기판(1)에 대한 가열 과정 동안, 상기 기판지지부(100)에 안착된 상기 기판(1) 상측 소정간격으로 이격되는 위치에 고정 배치되는 기판변형방지부(300)를 포함한다.In order to improve this problem, the substrate support device according to the present invention includes, as shown in FIGS. 2 to 6B, a substrate support portion 100 that supports the substrate 1; a heater unit 200 including a plurality of lamp heaters 210 disposed below the substrate support unit 100 to heat the substrate 1; During the heating process of the substrate 1 through the heater unit 200, the substrate deformation prevention unit 300 is fixedly disposed at a position spaced at a predetermined distance on the upper side of the substrate 1 seated on the substrate support unit 100. ) includes.

또한, 본 발명에 따른 기판지지장치는, 기판지지부(100)를 관통하여 상하로 이동가능하게 설치되어, 기판(1)을 기판지지부(100)에 안착시키는 리프트핀부(400)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the substrate support device according to the present invention may further include a lift pin portion 400 that is installed to be movable up and down through the substrate support portion 100 and seats the substrate 1 on the substrate support portion 100. You can.

또한, 본 발명에 따른 기판지지장치는, 램프히터(210)들 각각에 대응되는 받침홈(511)들이 형성되어 램프히터(210)들을 하측에서 지지하는 지지베이스부(500)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the substrate support device according to the present invention may further include a support base portion 500 in which support grooves 511 corresponding to each of the lamp heaters 210 are formed to support the lamp heaters 210 from the lower side. You can.

상기 기판지지부(100)는, 기판(1)을 지지하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The substrate support portion 100 is a component that supports the substrate 1 and can have various configurations.

예를 들면, 상기 기판지지부(100)는, 중심 측에 개구부(101)가 형성되며 기판(1)에 대응되는 형상의 기판지지플레이트(110)와, 기판지지플레이트(110) 상면으로부터 돌출되어 기판(1)을 지지하는 복수의 돌기부(120)들을 포함할 수 있다.For example, the substrate support portion 100 includes a substrate support plate 110 having an opening 101 formed at the center side and having a shape corresponding to the substrate 1, and protruding from the upper surface of the substrate support plate 110 to support the substrate. It may include a plurality of protrusions 120 supporting (1).

또한, 상기 기판지지부(100)는, 기판지지플레이트(110) 상면에 구비되어 기판(1)의 안착위치를 가이드하는 가이드부(130)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the substrate support portion 100 may further include a guide portion 130 provided on the upper surface of the substrate support plate 110 to guide the seating position of the substrate 1.

상기 기판지지플레이트(110)는, 기판(1)에 대응되는 형상으로, 평면 상 직사각형 형상으로 형성되어 상부면에 기판(1)이 위치하여 기판(1)을 지지하는 구성일 수 있다.The substrate support plate 110 has a shape corresponding to the substrate 1, and may be formed in a rectangular shape on a plane, with the substrate 1 positioned on the upper surface to support the substrate 1.

이때, 상기 기판지지플레이트(110)는, 하부에 위치하는 램프히터(210)를 통해 발생하는 열을 지지하는 기판(1)에 용이하게 전달하도록, 열전도가 뛰어난 재질로 형성될 수 있으며, 중심 측에 개구부(101)가 형성될 수 있다.At this time, the substrate support plate 110 may be formed of a material with excellent heat conductivity to easily transfer heat generated through the lamp heater 210 located at the bottom to the supporting substrate 1, and the center side An opening 101 may be formed in .

즉, 상기 기판지지플레이트(110)는, 중심 측이 관통되어 하측에 배치되는 복수의 램프히터(210)들에서 발생되는 열이 상측 기판(1)에 용이하게 전달되도록 유도할 수 있다.That is, the substrate support plate 110 penetrates the center side and can induce heat generated from the plurality of lamp heaters 210 disposed on the lower side to be easily transferred to the upper substrate 1.

한편, 상기 기판지지플레이트(110)는, 전술한 개구부(101)에 이종의 재질이 적용되거나, 열전달이 용이한 투명재질의 구성이 적용될 수 있으며, 개구부(101) 구성 자체가 생략되어 별도의 개구부(101)가 없는 단일의 플레이트로 적용될 수도 있다.Meanwhile, the substrate support plate 110 may be made of a different material or a transparent material that facilitates heat transfer in the opening 101 described above, and the opening 101 itself may be omitted to form a separate opening. It can also be applied as a single plate without (101).

또한, 상기 기판지지플레이트(110)는, 개구부(101) 부분 또는 전체를 복개할 수 있으며, 적어도 일부를 복개하면서 하부 램프히터(210)를 통해 공급되는 열의 기판(1) 측으로의 확산을 유도하는 열확산부재가 설치될 수 있다.In addition, the substrate support plate 110 may partially or entirely cover the opening 101, and may cover at least part of the opening 101 to induce diffusion of heat supplied through the lower lamp heater 210 toward the substrate 1. A heat diffusion member may be installed.

더 나아가, 기판(1) 측으로의 열 확산을 유도하도록 램프히터(210) 하부에 별도의 반사플레이트가 구비되어, 하측으로 이동하는 열을 반사하여 기판(1) 측으로 전달되도록 유도할 수 있다.Furthermore, a separate reflective plate is provided below the lamp heater 210 to induce heat diffusion toward the substrate 1, so that heat moving downward can be reflected and transmitted toward the substrate 1.

상기 돌기부(120)는, 기판지지플레이트(110) 상부면으로부터 돌출되어 기판(1)에 접촉하여 기판(1)을 지지하는 구성일 수 있다.The protrusion 120 may be configured to protrude from the upper surface of the substrate support plate 110 and contact the substrate 1 to support the substrate 1.

즉, 상기 돌기부(120)는, 기판지지플레이트(110) 상부면으로부터 상측으로 돌출되어 기판(1)을 지지할 수 있으며, 지지되는 기판(1)이 기판지지플레이트(110) 상부면을 기준으로 일정간격 이격되도록 기판(1)을 지지할 수 있다.That is, the protrusion 120 protrudes upward from the upper surface of the substrate support plate 110 to support the substrate 1, and the supported substrate 1 is positioned relative to the upper surface of the substrate support plate 110. The substrate 1 can be supported at regular intervals.

이로써, 상기 돌기부(120)는, 기판지지플레이트(110)와 기판(1)이 서로 접촉한 상태를 유지하여 기판지지플레이트(110)로부터 기판(1)으로의 열 전달 효율을 증대하면서도, 기판지지플레이트(110)와 기판(1) 사이에 가열된 공기가 머물러 기판(1)의 하부 온도를 상부에 비해 과도하게 상승시키는 것을 방지하여, 기판(1)의 상하부 온도편차가 커지는 것을 방지할 수 있다.As a result, the protrusion 120 maintains the state in which the substrate support plate 110 and the substrate 1 are in contact with each other, thereby increasing heat transfer efficiency from the substrate support plate 110 to the substrate 1, and supporting the substrate. It is possible to prevent the heated air between the plate 110 and the substrate 1 from remaining and excessively raising the temperature of the lower part of the substrate 1 compared to the upper part, thereby preventing the temperature difference between the upper and lower parts of the substrate 1 from increasing. .

한편, 상기 돌기부(120)는, 기판지지플레이트(110) 표면에 복수개로 구비될 수 있으며, 안정적인 기판(1)의 지지를 위하여 기판지지플레이트(110) 표면에서 서로 일정간격을 가지고 고르게 배치될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.Meanwhile, the protrusions 120 may be provided in plural numbers on the surface of the substrate support plate 110, and may be evenly arranged at regular intervals from each other on the surface of the substrate support plate 110 to stably support the substrate 1. However, it is not limited to this.

또한, 상기 돌기부(120)는, 기판지지플레이트(110) 상부면에 착탈가능하도록 구비되어, 사용자에 의해 특정 위치에 배치될 수 있으며, 이로써 기판(1)을 안정적으로 지지할 뿐만 아니라, 후술하는 기판변형방지부(300)와의 관계에서 힘의 중심점 역할을 수행할 수 있다.In addition, the protrusion 120 is provided to be detachable from the upper surface of the substrate support plate 110 and can be placed at a specific position by the user, thereby not only stably supporting the substrate 1, but also supporting the substrate 110, which will be described later. It can serve as a central point of force in relationship with the substrate deformation prevention part 300.

예를 들면, 상기 돌기부(120)들은, 가열로 인한 기판(1) 가장자리의 변형에 따라 기판(1) 가장자리가 기판변형방지부(300)에 접촉하여 가압함으로써, 기판(1) 중심 측에 대한 반작용으로 기판(1)의 수평을 복원하도록 기판지지플레이트(110) 상면 중 가장자리에 구비될 수 있다.For example, the protrusions 120 are pressed against the center side of the substrate 1 by contacting the edge of the substrate 1 with the substrate deformation prevention portion 300 according to deformation of the edge of the substrate 1 due to heating. It may be provided at the edge of the upper surface of the substrate support plate 110 to restore the horizontality of the substrate 1 by reaction.

보다 구체적으로, 기판(1)이 돌기부(120)에 지지된 상태에서 기판(1)의 가장자리가 말려 올라가는 등의 변형이 발생하여 기판(1)의 가장자리가 기판변형방지부(300)에 접촉된 상태에서는 기판변형방지부(300)가 기판(1)의 가장자리를 가압하는 것과 동일한 효과를 구현할 수 있고, 돌기부(120)를 기준으로 기판(1)의 반대측, 일예로 기판(1)의 중심측이 반작용에 의해 상승할 수 있다.More specifically, while the substrate 1 is supported on the protrusion 120, deformation such as the edge of the substrate 1 is rolled up, and the edge of the substrate 1 is in contact with the substrate deformation prevention portion 300. In this state, the substrate deformation prevention unit 300 can achieve the same effect as pressing the edge of the substrate 1, and is applied to the opposite side of the substrate 1 based on the protrusion 120, for example, the center side of the substrate 1. It can rise due to this reaction.

즉, 기판(1), 기판변형방지부(300) 및 돌기부(120) 각각이 지렛대, 힘점 및 받침점으로 작용할 수 있고, 기판의 중심 측이 작용점으로 기판변형방지부(300)의 가압방향의 반대방향으로 힘이 작용할 수 잇다.That is, the substrate 1, the substrate deformation prevention part 300, and the protrusion 120 can each act as a lever, force point, and fulcrum, and the center side of the substrate is the point of action, which is opposite to the pressing direction of the substrate deformation prevention part 300. A force can act in one direction.

이때, 상하방향으로 작용하는 힘의 경우 돌기부(120)를 중심점으로 돌기부(120)로부터 변형되는 기판(1)의 가장자리까지의 거리와 관계되므로, 돌기부(120)의 위치를 사용자가 적절히 배치할 필요가 있으며, 이를 위하여 돌기부(120)는, 기판지지플레이트(110) 상부면에 착탈가능하도록 구성될 수 있다.At this time, the force acting in the vertical direction is related to the distance from the protrusion 120 to the edge of the deformed substrate 1 with the protrusion 120 as the center point, so it is necessary for the user to properly position the protrusion 120. For this purpose, the protrusion 120 may be configured to be detachable from the upper surface of the substrate support plate 110.

상기 가이드부(130)는, 기판지지플레이트(110) 상부면 중 기판(1)의 가장자리에 대응되는 위치에서 돌출되어 기판(1)의 안착을 가이드하는 구성으로서, 기판(1)의 모서리에 대응되어 8개의 지점에서 형성될 수 있다. The guide portion 130 is a component that protrudes from the upper surface of the substrate support plate 110 at a position corresponding to the edge of the substrate 1 and guides the seating of the substrate 1, and corresponds to the edge of the substrate 1. It can be formed at 8 points.

상기 가이드부(130)는, 기판(1)의 정렬이 다소 어긋나는 경우에도 기판(1)의 자중을 통해 정위치에 안착될 수 있도록, 기판(1)을 향하는 면에 경사가 형성될 수 있다.The guide portion 130 may be inclined on the side facing the substrate 1 so that it can be seated in the correct position through its own weight even if the alignment of the substrate 1 is slightly misaligned.

이로써, 상기 가이드부(130)는, 이송로봇(미도시)으로부터 후술하는 리프트핀(410)에 지지된 기판(1)이 안착과정에서 정렬이 어긋나거나 흐트러지는 상황에서도 기판(1)이 자중에 의해 정위치에 안착되도록 할 수 있다.As a result, the guide unit 130 maintains the substrate 1 under its own weight even in a situation where the substrate 1 supported by the lift pin 410, which will be described later, from a transfer robot (not shown) is misaligned or disturbed during the seating process. It can be made to settle in the correct position.

또한, 상기 가이드부(130)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 후술하는 기판변형방지부(300)와의 간섭을 방지하기 위하여, 기판변형방지부(300)와 평면상 일부 이격되는 위치에 배치될 수 있다. In addition, as shown in FIG. 1, the guide portion 130 is disposed at a position partially spaced apart from the substrate deformation prevention portion 300 on a plane in order to prevent interference with the substrate deformation prevention portion 300, which will be described later. It can be.

한편, 상기 가이드부(130)는, 기판지지플레이트(110) 상부면 중 기판(1)의 각 꼭짓점에 인접하는 위치에 돌출되어 구비되는 블럭형상일 수 있다.Meanwhile, the guide portion 130 may have a block shape that protrudes and is provided at a position adjacent to each vertex of the substrate 1 on the upper surface of the substrate support plate 110.

이때, 상기 가이드부(130)는, 다양한 방식으로 배치될 수 있으며, 일예로 복수개가 기판(1)의 각 꼭짓점에 인접하는 위치에 배치되어 기판(1)의 안착을 가이드할 수 있다.At this time, the guide portion 130 may be arranged in various ways. For example, a plurality of guide parts 130 may be arranged at positions adjacent to each vertex of the substrate 1 to guide the seating of the substrate 1.

예를 들면, 직사각형 형상의 기판(1)에 대하여 4개의 꼭짓점에 대응되어 각 꼭짓점을 기준으로 동일한 이격거리를 가지고 한 쌍의 가이드부(130)가 배치될 수 있으며, 이로써 총 8개의 가이드부(130)가 배치될 수 있다.For example, with respect to the rectangular-shaped substrate 1, a pair of guide parts 130 may be arranged corresponding to four vertices and having the same separation distance based on each vertex, resulting in a total of eight guide parts ( 130) can be deployed.

한편, 상기 가이드부(130)가 생략될 수 있음은 또한 물론이다.Meanwhile, of course, the guide portion 130 may be omitted.

상기 히터부(200)는, 기판지지부(100) 하부에 배치되어 기판(1)을 가열하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The heater unit 200 is disposed below the substrate support unit 100 to heat the substrate 1, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 히터부(200)는, 기판지지부(100) 하부에 배치되어 기판(1)을 가열하는 램프히터(210)와, 램프히터(210)들 각각의 끝단에서 외부와 연결되기 위해 구비되는 복수의 연결단자(220)를 포함할 수 있다.For example, the heater unit 200 includes a lamp heater 210 disposed below the substrate support 100 to heat the substrate 1, and each end of the lamp heaters 210 is connected to the outside. It may include a plurality of connection terminals 220 provided.

또한, 상기 히터부(200)는, 복수의 램프히터(210)들이 공정챔버(10) 내부에 설치되고 연결단자(220)들은 공정챔버(10) 외부에 배치되도록, 램프히터(210)들을 지지하며 공정챔버(10) 측벽 적어도 일부를 이루는 지지플레이트(230)를 포함할 수 있다.In addition, the heater unit 200 supports the lamp heaters 210 so that a plurality of lamp heaters 210 are installed inside the process chamber 10 and connection terminals 220 are arranged outside the process chamber 10. And may include a support plate 230 forming at least a portion of the side wall of the process chamber 10.

또한, 상기 히터부(200)는, 기판지지부(100) 가장자리 하부 중 램프히터(210)들에 교차하는 방향으로 배치되는 적어도 하나의 보조램프히터(240)를 포함할 수 있다.In addition, the heater unit 200 may include at least one auxiliary lamp heater 240 disposed in a direction crossing the lamp heaters 210 at the lower edge of the substrate support unit 100.

상기 램프히터(210)는, 복수개가 서로 평행하게 기판지지부(100) 하부에 배치되어 기판(1)을 가열하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.A plurality of lamp heaters 210 are disposed in parallel with each other under the substrate support 100 to heat the substrate 1, and various configurations are possible.

이때 상기 램프히터(210)들은, 평면 상 직사각형 형상의 기판지지부(100)에 대응되어 길이방향이 기판지지부(100) 장변과 평행하도록 배치될 수 있다.At this time, the lamp heaters 210 may be arranged so that the longitudinal direction is parallel to the long side of the substrate support 100, corresponding to a rectangular shape in a plane.

또한, 상기 램프히터(210)들은, 후술하는 보조램프히터(240)가 생략된 상태에서 기판지지부(100) 하부에 교차하여 복수개가 배치될 수 있음은 또한 물론이다.In addition, of course, a plurality of the lamp heaters 210 may be arranged across the lower part of the substrate support 100 while omitting the auxiliary lamp heater 240, which will be described later.

한편, 종래 기판지지장치는, 기판지지부(100)를 고려할 때 가장자리 측이 중심 측에 비해 전달되는 열이 상대적으로 작아 균일한 가열이 이루어지지 못하는 문제점이 있다.Meanwhile, considering the substrate support unit 100, the conventional substrate support device has a problem in that uniform heating cannot be achieved because the heat transmitted to the edge side is relatively small compared to the center side.

이러한 문제점을 개선하기 위하여, 기판지지부(100)의 가장자리에 대한 가열을 보완할 수 있는 다양한 실시예에 대하여 이하 설명한다.In order to improve this problem, various embodiments that can supplement heating of the edges of the substrate support 100 will be described below.

상기 램프히터(210)들은, 가장자리에서 중심으로 갈수록 기판지지부(100)와의 이격거리가 단계적 또는 점진적으로 증가하도록 배치될 수 있다.The lamp heaters 210 may be arranged so that the distance between them and the substrate support 100 gradually or gradually increases from the edge to the center.

이때, 본 발명에서 설명하는 이격거리, 사이거리는 각 구성 간의 직선 상 최소거리를 의미할 수 있다.At this time, the separation distance and distance described in the present invention may mean the minimum distance on a straight line between each component.

즉, 상기 램프히터(210)들은, 도 4b에 도시된 바와 같이, 가장자리에 배치되는 램프히터(210)와 기판지지부(100) 사이의 이격거리가 중심 측에 배치되는 램프히터(210)와 기판지지부(100) 사이의 이격거리보다 작을 수 있으며, 이때 이격거리는 가장자리에서 중심으로 갈수록 단계적 또는 점진적으로 증가할 수 있다.That is, the lamp heaters 210, as shown in FIG. 4B, have a distance between the lamp heater 210 disposed at the edge and the substrate support 100, and the lamp heater 210 disposed at the center side and the substrate. It may be smaller than the separation distance between the supports 100, and in this case, the separation distance may increase stepwise or gradually from the edge to the center.

또한, 상기 램프히터(210)들은, 가장자리에서 중심으로 갈수록 이웃하는 램프히터(210)와의 사이거리가 단계적 또는 점진적으로 감소하거나 증가하도록 배치될 수 있다.Additionally, the lamp heaters 210 may be arranged so that the distance between the lamp heaters 210 and neighboring lamp heaters 210 gradually or gradually decreases or increases from the edge to the center.

이 경우, 상기 램프히터(210)들은, 기판지지부(100) 하부에 서로 평행하게 배치된 상태에서, 기판(1) 가장자리에 대응되는 위치의 가열을 보강하기 위하여 가장자리에 배치되는 램프히터(210)들을 기판(1) 가장자리에 대응되는 위치에 배치할 수 있다.In this case, the lamp heaters 210 are arranged parallel to each other below the substrate support 100, and are disposed at the edge of the substrate 1 to reinforce heating at a position corresponding to the edge of the substrate 1. They can be placed in positions corresponding to the edges of the substrate 1.

이에 따라, 램프히터(210)들은, 가장자리에서 중심으로 갈수록 이웃하는 램프히터(210)와의 사이거리가 감소할 수 있다.Accordingly, the distance between the lamp heaters 210 and neighboring lamp heaters 210 may decrease from the edge to the center.

보다 구체적으로, 상기 램프히터(210)들은, 도 4a에 도시된 바와 같이, 가장자리에 각각 배치되는 2개의 외곽램프히터(211)들과, 상기 외곽램프히터(211) 내측에 배치되는 내측램프히터(212)들을 포함하며, 외곽램프히터(211)와 이웃하는 내측램프히터(212)와의 이격거리인 제1사이거리(D1)가 내측램프히터(212)와 이웃하는 내측램프히터(212)의 이격거리인 제2사이거리(D2) 보다 크게 형성될 수 있다.More specifically, the lamp heaters 210 include two outer lamp heaters 211 disposed at the edges, respectively, and an inner lamp heater disposed inside the outer lamp heater 211, as shown in FIG. 4A. (212), and the first distance D1, which is the separation distance between the outer lamp heater 211 and the neighboring inner lamp heater 212, is the distance between the inner lamp heater 212 and the neighboring inner lamp heater 212. It can be formed to be larger than the second distance (D2), which is the separation distance.

한편, 다른 예로서, 상기 램프히터(210)들은, 가장자리에 대한 가열을 보강하기 위하여, 가장자리 측의 램프히터(210)들 사이의 이격거리를 중심 측보다 조밀하게 배치할 수 있다.Meanwhile, as another example, the lamp heaters 210 may be arranged so that the spacing between the lamp heaters 210 on the edge side is closer than that on the center side in order to reinforce heating at the edge.

예를 들면, 외곽램프히터(211)와 이웃하는 내측램프히터(212)와의 이격거리인 제1사이거리(D1)가 내측램프히터(212)와 이웃하는 내측램프히터(212)의 이격거리인 제2사이거리(D2)보다 작게 배치함으로써, 가장자리에 대한 가열을 보강할 수 있다.For example, the first distance D1, which is the separation distance between the outer lamp heater 211 and the neighboring inner lamp heater 212, is the separation distance between the inner lamp heater 212 and the neighboring inner lamp heater 212. By arranging it smaller than the second distance D2, heating to the edge can be reinforced.

또한, 복수의 램프히터(210)들 각각에 후술하는 연결단자(220)를 통해 독립적으로 전원을 공급할 수 있으며, 균일한 열 공급을 위해 서로 다른 전력이 제어되어 공급될 수 있다.In addition, power can be supplied independently to each of the plurality of lamp heaters 210 through connection terminals 220, which will be described later, and different electric powers can be controlled and supplied for uniform heat supply.

일예로, 가장자리의 열손실을 보상하기 위하여 가장자리에 배치되는 램프히터(210)들에 중심측에 배치되는 램프히터(210)에 비해 큰 전력을 공급할 수 있다.For example, in order to compensate for heat loss at the edges, greater power can be supplied to the lamp heaters 210 located at the edges than to the lamp heaters 210 located at the center.

상기 연결단자(220)는, 램프히터(210) 끝단에서 외부와 연결되기 위해 구비되는 구성으로서, 복수의 램프히터(210)들에 대응되어 복수개 구비될 수 있다.The connection terminal 220 is a component provided at the end of the lamp heater 210 to connect to the outside, and may be provided in plural numbers to correspond to a plurality of lamp heaters 210.

이때, 상기 연결단자(220)들은, 각각 램프히터(210)들 끝단에서 반경방향으로 확장 형성되어, 외부 전원라인 및 신호라인 등과 연결될 수 있다.At this time, the connection terminals 220 are formed to extend radially from the ends of each lamp heater 210 and can be connected to external power lines, signal lines, etc.

한편, 상기 연결단자(220)들은, 램프히터(210) 끝단에서 반경방향으로 확장 형성되는 바, 서로 평행하게 배치되는 램프히터(210)들 배치 구조 상, 간섭에 따라 램프히터(210)들 사이의 간격을 최소로 좁히는데 방해가 될 수 있다.Meanwhile, the connection terminals 220 are formed to extend radially from the end of the lamp heater 210, and due to the arrangement structure of the lamp heaters 210 arranged in parallel with each other, interference occurs between the lamp heaters 210. This may interfere with narrowing the gap to a minimum.

이러한 문제점을 개선하기 위하여, 램프히터(210) 끝단에서 반경방향으로 확장 형성되는 연결단자(220)들은 이웃하는 연결단자(220)와 측면 상 중첩을 방지하는 위치에 배치될 수 있다.In order to improve this problem, the connection terminals 220 extending radially from the end of the lamp heater 210 may be placed at a position to prevent side overlap with neighboring connection terminals 220.

보다 구체적으로, 상기 연결단자(220)들은, 이웃하는 연결단자(220)와 평면 상 서로 엇갈리도록 공정챔버(10) 외측면 또는 후술하는 지지플레이트(230)로부터 돌출정도를 서로 달리하여 배치될 수 있다.More specifically, the connection terminals 220 may be arranged with different degrees of protrusion from the outer surface of the process chamber 10 or the support plate 230, which will be described later, so as to be staggered from the neighboring connection terminals 220 on a plane. there is.

상기 지지플레이트(230)는, 복수의 램프히터(210)들이 공정챔버(10) 내부에 설치되고 연결단자(220)들은 공정챔버(10) 외부에 배치되도록, 램프히터(210)들을 지지하며 공정챔버(10) 측벽 적어도 일부를 이루는 구성일 수 있다.The support plate 230 supports the lamp heaters 210 so that the plurality of lamp heaters 210 are installed inside the process chamber 10 and the connection terminals 220 are arranged outside the process chamber 10. It may form at least a portion of the side wall of the chamber 10.

즉, 상기 지지플레이트(230)는, 복수의 램프히터(210)들이 관통하여 설치되는 구성으로서, 공정챔버(10) 측벽에 형성되는 설치구에 대응되는 형상으로 설치되어 공정챔버(10) 측벽 중 적어도 일부를 이룰 수 있다.That is, the support plate 230 is a configuration through which a plurality of lamp heaters 210 are installed, and is installed in a shape corresponding to the installation hole formed on the side wall of the process chamber 10. At least part of it can be achieved.

상기 보조램프히터(240)는, 기판지지부(100) 가장자리 하부 중 램프히터(210)들에 교차하는 방향으로 배치되는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The auxiliary lamp heater 240 is disposed in a direction crossing the lamp heaters 210 at the bottom of the edge of the substrate support 100, and various configurations are possible.

전술한 램프히터(210)는, 직사각형 형상의 기판지지부(100) 형상에 대응되어 장변에 평행하게 배치되는 바, 기판지지부(100) 가장자리 중 단변에 대응되는 위치에 대한 열 보강이 필요할 수 있으며, 이를 보완하기 위하여 기판지지부(100) 가장자리 하부 중 램프히터(210)들에 교차하는 방향으로 한 쌍이 배치될 수 있다.The lamp heater 210 described above is disposed parallel to the long side in correspondence with the rectangular shape of the substrate support 100, so heat reinforcement may be needed at a position corresponding to the short side among the edges of the substrate support 100, To compensate for this, a pair may be arranged in a direction crossing the lamp heaters 210 at the bottom of the edge of the substrate support 100.

즉, 상기 보조램프히터(240)는, 평면 상 직사각형 형상의 기판지지부(100) 가장자리 중 단변 하측에 단변과 평행하게 각각 배치될 수 있다.That is, the auxiliary lamp heaters 240 may be arranged parallel to the short sides of the edges of the substrate support 100, which is rectangular in plan.

상기 기판변형방지부(300)는, 히터부(200)를 통한 상기 기판(1)에 대한 가열 과정 동안, 상기 기판지지부(100)에 안착된 상기 기판(1) 상측 소정간격으로 이격되는 위치에 고정 배치되는 구성일 수 있다.The substrate deformation prevention unit 300 is positioned at a predetermined distance above the substrate 1 seated on the substrate support unit 100 during the heating process for the substrate 1 through the heater unit 200. It may be a fixed configuration.

즉, 상기 기판변형방지부(300)는, 히터부(200)를 통한 기판(1) 가열로 인한 기판(1) 변형에 따라 기판(1)과 접촉하여 기판(1)의 변형을 방지하며, 더 나아가 변형에 따른 기판(1)의 접촉부분 가압에 따른 반작용을 이용해 기판(1)을 평평하게 복원하는 구성일 수 있다.That is, the substrate deformation prevention unit 300 contacts the substrate 1 and prevents deformation of the substrate 1 according to deformation of the substrate 1 due to heating of the substrate 1 through the heater unit 200, Furthermore, it may be configured to restore the substrate 1 to a flat state using a reaction caused by pressure on the contact portion of the substrate 1 due to deformation.

결과적으로, 상기 기판변형방지부(300)는, 히터부(200)에 의해 기판(1)을 공정온도까지 가열하는 과정에서 미리설정된 위치에 배치될 수 있으며, 가열에 따른 상하부의 온도편차로 기판(1)이 변형됨에 따라 기판(1)과 간섭하여 추가적인 기판(1)의 변형을 제한하는 구성일 수 있다.As a result, the substrate deformation prevention unit 300 can be placed at a preset position in the process of heating the substrate 1 to the process temperature by the heater unit 200, and the temperature deviation of the upper and lower portions due to heating is As (1) is deformed, it may interfere with the substrate (1) and limit further deformation of the substrate (1).

이를 통해 상기 기판변형방지부(300)는, 허용가능한 범위 내로 기판(1)의 변형을 제한함으로써, 기판(1)의 변형을 방지할 수 있다.Through this, the substrate deformation prevention unit 300 can prevent deformation of the substrate 1 by limiting the deformation of the substrate 1 within an allowable range.

더 나아가, 상기 기판변형방지부(300)는, 도 6a 및 도 6b에 도시된 바와 같이, 그 구성에 따라 기판(1)의 변형 정도뿐만 아니라, 허용 가능한 기판(1)의 변형 형태 및 방향을 유도함으로써, 최종적인 기판(1)의 형태를 도출할 수 있다. Furthermore, as shown in FIGS. 6A and 6B, the substrate deformation prevention unit 300 determines not only the degree of deformation of the substrate 1 but also the allowable form and direction of deformation of the substrate 1 depending on its configuration. By derivation, the final shape of the substrate 1 can be derived.

또한, 상기 기판변형방지부(300)는, 단순히 기판(1)의 일부 변형에 따른 물리적 접촉으로 기판(1)의 추가적인 변형을 제한하는 것 뿐만 아니라, 가열로 인한 기판(1) 가장자리의 변형에 따라 기판(1)의 가장자리가 접촉하여 가압함으로써, 기판(1)의 중심측에 대한 반작용으로 기판(1)의 수평을 복원하도록 할 수 있다.In addition, the substrate deformation prevention unit 300 not only limits further deformation of the substrate 1 by physical contact due to partial deformation of the substrate 1, but also prevents deformation of the edge of the substrate 1 due to heating. Accordingly, the edges of the substrate 1 come into contact and are pressed, thereby restoring the horizontality of the substrate 1 through a reaction against the center side of the substrate 1.

보다 구체적으로, 상기 기판변형방지부(300)는, 가열에 따라 기판(1)의 가장자리가 말아올라가는 변형이 일어날 때, 기판(1)이 접촉함으로써, 기판(1)의 추가적인 변형을 방지하고, 더 나아가, 접촉된 상태에서 기판(1)이 상측으로 가압할 수 있다. More specifically, the substrate deformation prevention unit 300 prevents further deformation of the substrate 1 by contacting the substrate 1 when the edge of the substrate 1 is rolled up and deformed due to heating, Furthermore, the substrate 1 may be pressed upward while in contact.

기판(1) 가장자리의 상측으로의 지속적인 가압에도 기판변형방지부(300)의 설치로 기판(1) 가장자리의 추가적인 변형은 제한될 수 있으며, 이에 대한 반작용으로 기판(1) 중심측이 상측으로 일부 변형되면서 전체적으로 기판(1)이 수평상태로 복원될 수 있다.Even if continuous pressure is applied to the upper side of the edge of the substrate 1, additional deformation of the edge of the substrate 1 can be limited by the installation of the substrate deformation prevention unit 300, and as a reaction to this, the center side of the substrate 1 moves partially upward. As it is deformed, the overall substrate 1 can be restored to a horizontal state.

한편, 이 과정에서 전술한 돌기부(120)를 통해 힘의 반작용이 원활하게 일어나도록 적용할 수 있으며, 사용자의 적절한 돌기부(120) 위치 배치를 통해 최적의 기판(1) 수평 복원이 가능할 수 있다.Meanwhile, in this process, the force reaction can be applied to occur smoothly through the above-described protrusion 120, and optimal horizontal restoration of the substrate 1 can be possible through the user's appropriate positioning of the protrusion 120.

예를 들면, 상기 기판변형방지부(300)는, 기판(1)의 상측에 소정간격으로 이격되도록 배치되어 기판(1)의 변형에 따른 간섭을 통해 기판(1)의 변형을 제한하는 기판간섭부(310)와, 기판간섭부(310)가 기판(1)의 상측에 위치하도록 기판간섭부(310)를 지지하는 지지부(320)를 포함할 수 있다. For example, the substrate deformation prevention unit 300 is disposed on the upper side of the substrate 1 at a predetermined interval to limit deformation of the substrate 1 through interference due to deformation of the substrate 1. It may include a portion 310 and a support portion 320 that supports the substrate interference portion 310 so that the substrate interference portion 310 is located on the upper side of the substrate 1.

또한, 상기 기판변형방지부(300)는, 기판간섭부(310) 또는 지지부(320)에 결합하여, 기판간섭부(310)를 상하로 구동하는 상하구동부(330)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the substrate deformation prevention unit 300 is coupled to the substrate interference unit 310 or the support unit 320 and may further include a vertical driving unit 330 that drives the substrate interference unit 310 up and down. .

상기 기판간섭부(310)는, 기판(1)의 상측에 소정간격으로 이격되도록 배치되어 기판(1)의 변형에 따른 간섭을 통해 기판(1)의 변형을 제한하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The substrate interference portion 310 is disposed on the upper side of the substrate 1 at a predetermined interval to limit deformation of the substrate 1 through interference according to deformation of the substrate 1, and can be configured in various ways. do.

특히, 상기 기판간섭부(310)는, 상기 기판(1)이 상기 히터부(200)에 안착되어 가열되는 동안 상기 기판(1)의 상측 소정간격으로 이격되는 위치에 고정배치될 수 있다.In particular, the substrate interference unit 310 may be fixedly placed at a position spaced at a predetermined distance on the upper side of the substrate 1 while the substrate 1 is seated on the heater unit 200 and heated.

보다 구체적으로, 상기 기판간섭부(310)는, 기판(1)이 히터부(200)에 안착됨과 동시에 기판(1)의 상측 소정간격으로 이격되는 위치에 고정되어 배치될 수 있으며, 다른 예로서, 기판(1)이 히터부(200)에 안착된 이후에 기판(1)의 상측 소정간격으로 이격되는 위치에 고정되어 배치될 수 있다.More specifically, the substrate interference unit 310 may be fixed and disposed at a position spaced at a predetermined distance on the upper side of the substrate 1 at the same time as the substrate 1 is seated on the heater unit 200. As another example, , After the substrate 1 is seated on the heater unit 200, it may be fixed and placed at a position spaced at a predetermined distance on the upper side of the substrate 1.

이를 통해, 상기 기판간섭부(310)는, 기판(1)이 히터부(200)에 의해 가열될 때 기판(1)의 상측 소정간격으로 이격되는 위치에 고정배치됨으로써, 기판(1)의 변형에 따라 기판(1)과 간섭하여 기판(1)의 변형을 제한할 수 있다. Through this, the substrate interference unit 310 is fixedly disposed at a position spaced at a predetermined distance on the upper side of the substrate 1 when the substrate 1 is heated by the heater unit 200, thereby deforming the substrate 1. Accordingly, it may interfere with the substrate 1 and limit the deformation of the substrate 1.

이때, 상기 기판간섭부(310)는, 상기 기판(1)이 접촉되는 하부면이 수평면을 형성하는 블럭형상일 수 있으며, 다른 예로서 기판(1)의 가장자리가 말아 올라가는 방식의 변형이 빈번한 점에 비추어, 기판(1)이 접촉되는 하부면이 기판(1)의 가장자리에 대응되는 면으로 갈수록 하측으로 내려오는 경사가 형성될 수도 있다.At this time, the substrate interference portion 310 may have a block shape in which the lower surface in contact with the substrate 1 forms a horizontal surface, and as another example, the edge of the substrate 1 is often deformed in a rolled up manner. In light of this, the lower surface in contact with the substrate 1 may be inclined downward toward the surface corresponding to the edge of the substrate 1.

예를 들면, 상기 기판간섭부(310)는, 기판(1)의 상측에 기판지지부(100) 상부면으로부터 제1이격간격으로 이격되어 가열에 따른 기판(1)의 변형으로 기판(1)과 물리적으로 접촉하도록 배치될 수 있다.For example, the substrate interference portion 310 is spaced at a first distance from the upper surface of the substrate support 100 on the upper side of the substrate 1 and is connected to the substrate 1 due to deformation of the substrate 1 due to heating. It can be arranged to be in physical contact.

즉, 상기 기판간섭부(310)는, 기판(1)의 상측에 기판지지부(100) 상부면으로부터 제1이격간격으로 이격되며, 이때 제1이격간격은, 전술한 돌기부(120)의 높이와 기판(1)의 두께의 합에 대응되는 기판지지부(100) 상부면으로부터 기판(1)까지의 제2이격간격 보다 크다.That is, the substrate interference portion 310 is spaced apart from the upper surface of the substrate support 100 on the upper side of the substrate 1 at a first distance, and at this time, the first distance is equal to the height of the protrusion 120 described above. It is larger than the second separation distance from the upper surface of the substrate support 100 to the substrate 1, which corresponds to the sum of the thicknesses of the substrate 1.

한편, 사용자에 따라 기판(1)의 허용가능한 변형정도를 고려하여 제1이격간격을 후술하는 상하구동부(330)를 통해 조절함으로써, 기판(1)이 제1이격간격에서 제2이격간격을 뺀 범위 내에서 변형되도록 할 수 있다.Meanwhile, in consideration of the allowable degree of deformation of the substrate 1 according to the user, the first spacing is adjusted through the upper and lower driving parts 330, which will be described later, so that the substrate 1 subtracts the second spacing from the first spacing. It can be modified within a range.

즉, 기판지지부(100)에 안착된 기판(1)의 상부면과 기판간섭부(310)의 하부면 사이의 간격을 허용가능한 기판(1)의 변형정도로 설정하고 기판(1)의 변형에 따라 기판간섭부(310)와 기판(1)이 접촉하는 경우, 물리적인 간섭으로 기판(1)의 추가적인 변형을 방지하고 이를 제한할 수 있다.That is, the gap between the upper surface of the substrate 1 seated on the substrate support 100 and the lower surface of the substrate interference portion 310 is set to an allowable degree of deformation of the substrate 1 and is adjusted according to the deformation of the substrate 1. When the substrate interference portion 310 and the substrate 1 come into contact, additional deformation of the substrate 1 can be prevented and limited due to physical interference.

보다 구체적으로, 상기 기판간섭부(310)의 하부면과 기판(1) 사이의 간격은 0.5mm 이하일 수 있으며, 이로써 기판(1)의 허용가능한 변형을 0.5mm 이하로 제한하고 전체적인 기판(1)의 변형을 방지할 수 있다.More specifically, the gap between the lower surface of the substrate interference portion 310 and the substrate 1 may be 0.5 mm or less, thereby limiting the allowable deformation of the substrate 1 to 0.5 mm or less and reducing the overall substrate 1. Deformation can be prevented.

이때, 제1이격간격은 2mm일 수 있으며, 제2이격간격은, 돌기부(120)의 높이인 1mm와 기판(1)의 두께인 0.5mm를 합한 1.5mm일 수 있다.At this time, the first spacing may be 2 mm, and the second spacing may be 1.5 mm, which is the sum of 1 mm, which is the height of the protrusion 120, and 0.5 mm, which is the thickness of the substrate 1.

한편, 상기 기판간섭부(310)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 중심이 개방되며 기판(1)의 가장자리에 대응되도록 형성될 수 있다. Meanwhile, as shown in FIG. 1, the substrate interference portion 310 may have an open center and be formed to correspond to the edge of the substrate 1.

즉, 상기 기판간섭부(310)는, 상하부의 온도편차에 따른 기판(1)의 변형이 가장자리에서 일어남을 고려하여, 기판(1)의 가장자리에 대응되고 중심이 개방되는 형태로 형성될 수 있다.That is, the substrate interference portion 310 may be formed in a shape that corresponds to the edge of the substrate 1 and has an open center, considering that deformation of the substrate 1 due to temperature deviation between the upper and lower parts occurs at the edge. .

또한, 상기 기판간섭부(310)는, 기판(1)의 전체면적보다 큰 플레이트 구조로서, 기판(1)의 상측에 배치될 수 있음은 또한 물론이다. In addition, the substrate interference portion 310 is a plate structure larger than the total area of the substrate 1, and of course can be disposed on the upper side of the substrate 1.

또한, 상기 기판간섭부(310)는, 복수개이며, 상기 기판(1)의 가장자리를 따라서 서로 일정간격으로 서로 이격되어 배치될 수 있다. In addition, the substrate interference portion 310 may be plural, and may be arranged along the edge of the substrate 1 and spaced apart from each other at regular intervals.

상기 지지부(320)는, 기판간섭부(310)가 기판(1)의 상측에 위치하도록 기판간섭부(310)를 지지하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The support part 320 is a structure that supports the substrate interference part 310 so that the substrate interference part 310 is located on the upper side of the substrate 1, and various configurations are possible.

이때, 상기 지지부(320)는, 기판간섭부(310)가 기판(1)의 상측에 소정간격으로 이격되어 위치하도록 기판간섭부(310)를 지지하는 구성이면 어떠한 구성도 적용 가능하고, 기판간섭부(310)와 다양한 위치에서의 결합을 통해 기판간섭부(310)를 지지할 수 있다.At this time, the support part 320 can be of any configuration as long as it supports the substrate interference part 310 so that the substrate interference part 310 is positioned at a predetermined distance on the upper side of the substrate 1, and substrate interference is possible. The substrate interference part 310 can be supported through coupling with the part 310 at various positions.

특히, 상기 지지부(320)는, 기판간섭부(310)의 상부면에 결합하여 기판간섭부(310)를 지지할 수 있으며, 다른 예로서, 기판간섭부(310)의 측면이나 하부에서 결합하여 지지할 수 있다.In particular, the support portion 320 may be coupled to the upper surface of the substrate interference portion 310 to support the substrate interference portion 310. As another example, the support portion 320 may be coupled to the side or bottom of the substrate interference portion 310. I can support it.

일예로, 상기 지지부(320)는, 기판간섭부(310)의 상부면 또는 측면에 결합하여 기판간섭부(310)를 지지하는 연결지지부(321)와, 연결지지부(321)의 가장자리에 결합하여 연결지지부(321)를 지지하는 지지로드(322)를 포함할 수 있다.For example, the support part 320 is coupled to the connection support part 321 that is coupled to the upper surface or side of the substrate interference part 310 to support the substrate interference part 310, and is coupled to the edge of the connection support part 321. It may include a support rod 322 supporting the connection support portion 321.

또한, 상기 지지부(320)는, 연결지지부(321)와 기판간섭부(310) 사이를 복수의 지점에서 연결하는 연결부(323)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the support part 320 may further include a connection part 323 connecting the connection support part 321 and the substrate interference part 310 at a plurality of points.

상기 연결지지부(321)는, 기판간섭부(310)의 상부면에 결합하여 기판간섭부(310)를 지지하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The connection support portion 321 is coupled to the upper surface of the substrate interference portion 310 to support the substrate interference portion 310, and various configurations are possible.

즉, 상기 연결지지부(321)는, 기판간섭부(310)의 상부면에 배치되어 기판간섭부(310)와 결합함으로써 기판간섭부(310)를 지지할 수 있으며, 이 경우 전술한 기판간섭부(310)에 대응되는 형상일 수 있다.That is, the connection support portion 321 is disposed on the upper surface of the substrate interference portion 310 and can support the substrate interference portion 310 by combining with the substrate interference portion 310. In this case, the above-described substrate interference portion 310 It may be a shape corresponding to (310).

예를 들면, 기판간섭부(310)의 상측에서 위치하는 플레이트 형태로서, 기판간섭부(310)와 전체로서 면접촉하거나, 다수의 지점에서 연결될 수 있다.For example, it is in the form of a plate located on the upper side of the substrate interference portion 310, and may be in surface contact with the substrate interference portion 310 as a whole, or may be connected to the substrate interference portion 310 at multiple points.

또한, 다른 예로서, 중심이 개방되고, 기판간섭부(310)의 가장자리에 대응되는 형상으로서 기판간섭부(310)의 가장자리에서 결합할 수 있다. Additionally, as another example, the center may be open and may be joined at the edge of the substrate interference portion 310 in a shape corresponding to the edge of the substrate interference portion 310.

상기 지지로드(322)는, 연결지지부(321)의 가장자리에 결합하여 연결지지부(321)를 지지하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The support rod 322 is coupled to the edge of the connection support portion 321 to support the connection support portion 321, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 지지로드(322)는, 일단이 연결지지부(321)의 가장자리 하측에서 결합하고 타단이 후술하는 상하구동부(330)에 연결되어 연결지지부(321)를 지지할 수 있다.For example, the support rod 322 may support the connection support portion 321 by having one end coupled to the lower edge of the connection support portion 321 and the other end being connected to the upper and lower driving portion 330, which will be described later.

더 나아가, 상기 지지로드(322)는, 상하구동부(330)를 통해 전달되는 구동력을 기판간섭부(310)에 전달할 수 있다.Furthermore, the support rod 322 can transmit the driving force transmitted through the vertical drive unit 330 to the substrate interference unit 310.

상기 연결부(322)는, 연결지지부(321)와 기판간섭부(310) 사이를 복수의 지점에서 연결하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The connection portion 322 is a component that connects the connection support portion 321 and the substrate interference portion 310 at a plurality of points, and various configurations are possible.

즉, 상기 연결부(322)는, 연결지지부(321)와 기판간섭부(310) 사이를 연결할 수 있는 구성이면 종래 개시된 어떠한 형태도 적용 가능하며, 다양한 배치로 적용될 수 있다.That is, the connection part 322 can be of any conventionally disclosed form as long as it can connect the connection support part 321 and the substrate interference part 310, and can be applied in various arrangements.

예를 들면, 상기 연결부(322)는, 연결지지부(321)와 기판간섭부(310) 사이를 관통하여 설치되는 볼트 및 너트로서, 연결지지부(321)와 기판간섭부(310) 사이에서 복수개 구비되어 이들을 연결할 수 있다.For example, the connection portion 322 is a bolt and nut installed to penetrate between the connection support portion 321 and the substrate interference portion 310, and is provided in plural numbers between the connection support portion 321 and the substrate interference portion 310. You can connect them.

또한, 다른 예로서, 상기 연결부(322)는, 탄성부재로서, 연결지지부(321)와 기판간섭부(310) 사이에 일정 수준의 탄성력을 제공하여, 기판(1)이 기판간섭부(310)에 적정 압력을 유지하면서 가압하도록 유도할 수 있다.In addition, as another example, the connection part 322 is an elastic member and provides a certain level of elastic force between the connection support part 321 and the substrate interference part 310, so that the substrate 1 is connected to the substrate interference part 310. It can be induced to pressurize while maintaining an appropriate pressure.

상기 상하구동부(330)는, 기판간섭부(310) 또는 지지부(320)에 결합하여, 기판간섭부(310)를 상하로 구동하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The vertical driving unit 330 is coupled to the substrate interference unit 310 or the support unit 320 and drives the substrate interference unit 310 up and down, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 상하구동부(330)는, 히터부(200)의 하측 또는 측면에 구비되어 지지로드(322)의 하측 끝단에 연결됨으로써, 지지로드(322)를 상하로 구동할 수 있다.For example, the vertical driving unit 330 is provided on the lower side or side of the heater unit 200 and is connected to the lower end of the support rod 322, so that it can drive the support rod 322 up and down.

이를 통해 상기 상하구동부(330)는, 지지로드(322)를 통해 연결지지부(321) 및 기판간섭부(310)를 상하로 이동시킬 수 있으며, 기판간섭부(310)의 높낮이 조절을 통해 사용자가 허용가능한 기판(1)의 변형범위를 조절할 수 있다.Through this, the vertical drive unit 330 can move the connection support unit 321 and the substrate interference unit 310 up and down through the support rod 322, and the user can adjust the height of the substrate interference unit 310. The allowable deformation range of the substrate 1 can be adjusted.

즉, 상기 상하구동부(330)는, 기판간섭부(310)의 높낮이를 조절함으로써, 기판간섭부(310)를 특정위치에 배치할 수 있고, 전술한 기판(1)와 기판간섭부(310) 사이의 간격이 조절되어 기판(1)이 변형되는 정도를 유도할 수 있다.That is, the vertical drive unit 330 can place the substrate interference unit 310 at a specific position by adjusting the height of the substrate interference unit 310, and the substrate 1 and the substrate interference unit 310 described above can be connected to each other. The distance between them can be adjusted to induce the degree to which the substrate 1 is deformed.

상기 리프트핀부(400)는, 도 1a 및 도 1b에 도시된 바와 같이, 히터부(200)를 관통하여 상하로 이동가능하게 설치되어, 기판(1)을 히터부(200)의 상부면으로부터 이격하여 지지하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.As shown in FIGS. 1A and 1B, the lift pin unit 400 is installed to move up and down through the heater unit 200 to space the substrate 1 from the upper surface of the heater unit 200. As a support configuration, various configurations are possible.

특히, 상기 리프트핀부(400)는, 기판지지부(100)를 관통하여 상하로 이동함으로써, 외부의 이송로봇(미도시)으로부터 기판(1)을 전달받아 지지할 수 있으며, 하강하여 기판(1)을 기판지지부(100) 상부면에 안착시킬 수 있다. In particular, the lift pin unit 400 moves up and down through the substrate support unit 100, thereby receiving and supporting the substrate 1 from an external transfer robot (not shown), and descends to support the substrate 1. Can be seated on the upper surface of the substrate support 100.

예를 들면, 상기 리프트핀부(400)는, 기판지지부(100)를 관통하여 상하로 이동하며, 기판(1)을 지지하는 복수의 리프트핀(410)과, 리프트핀(410)을 상하로 구동하는 리프트핀구동부를 포함할 수 있다. For example, the lift pin unit 400 moves up and down through the substrate support unit 100, and drives the plurality of lift pins 410 supporting the substrate 1 and the lift pins 410 up and down. It may include a lift pin driving part.

이때, 상기 리프트핀부(400)는, 외부의 이송로봇으로부터 기판(1)을 전달받아 지지한 상태에서 하강하여 기판(1)을 기판지지부(100) 상부면에 안착시키고, 이후에 상하구동부(330)를 통해 기판간섭부(310)를 하강하여, 기판변형방지부(300)와의 간섭없이 기판(1)을 도입 또는 반출할 수 있다.At this time, the lift pin unit 400 receives and supports the substrate 1 from an external transfer robot and descends to seat the substrate 1 on the upper surface of the substrate support unit 100, and then the vertical drive unit 330 ) By lowering the substrate interference unit 310, the substrate 1 can be introduced or taken out without interference with the substrate deformation prevention unit 300.

또한, 상기 리프트핀(410)은, 하강 이후에 기판변형방지부(300)가 하강하여 배치될 수 있으나 다른 예로서, 상하구동부(330)와 연결되어, 도 1 및 도 3에 도시된 바와 같이, 기판간섭부(310)와 일체로 상하이동할 수 있다.In addition, the lift pin 410 may be disposed so that the substrate deformation prevention part 300 is lowered after the lowering, but as another example, it is connected to the upper and lower driving part 330, as shown in FIGS. 1 and 3. , it can move up and down integrally with the substrate interference section 310.

이를 위하여, 상기 리프트핀부(400)는, 리프트핀(410) 하부에서 복수의 리프트핀(410)들과 연결되어 결합하는 리프트핀지지부(420)를 포함할 수 있으며, 리프트핀지지부(420)가 상하구동부(330)에 연결됨으로써, 기판변형방지부(300)와 일체로 상하이동할 수 있다.To this end, the lift pin portion 400 may include a lift pin support portion 420 that is connected to and coupled to a plurality of lift pins 410 at the lower portion of the lift pin 410, and the lift pin support portion 420 By being connected to the vertical movement part 330, it can move up and down integrally with the substrate deformation prevention part 300.

이로써, 상기 리프트핀(410)은, 상하구동부(330)를 통해 하강하여 기판(1)을 기판지지부(100) 상부면에 안착시키면서 기판변형방지부(300)가 동시에 하강하여 배치됨으로써, 가열된 히터부(200)에 의해 기판(1)의 변형이 일어나는 것을 제한하고 기판(1) 도입 시 기판변형방지부(300)와 기판(1)이 충돌하는 것을 사전에 방지 할 수 있다.As a result, the lift pin 410 descends through the vertical drive unit 330 to seat the substrate 1 on the upper surface of the substrate support unit 100, and the substrate deformation prevention unit 300 is simultaneously lowered and disposed, thereby heating the substrate. It is possible to limit deformation of the substrate 1 by the heater unit 200 and prevent the substrate deformation prevention unit 300 from colliding with the substrate 1 when the substrate 1 is introduced.

상기 지지베이스부(500)는, 히터부(200) 하측에서 램프히터(210)들을 지지하는 구성으로서, 다양한 구성이 가능하다.The support base unit 500 supports the lamp heaters 210 below the heater unit 200, and various configurations are possible.

예를 들면, 상기 지지베이스부(500)는, 히터부(200) 하측에 배치되는 지지베이스(520)와, 지지베이스(520) 중 램프히터(210) 끝단 하부에 구비되어 램프히터(210)들을 지지하는 히터지지부(510)를 포함할 수 있다.For example, the support base unit 500 includes a support base 520 disposed below the heater unit 200, and a lamp heater 210 provided below the end of the lamp heater 210 among the support base 520. It may include a heater support part 510 that supports them.

또한, 상기 지지베이스부(500)는, 지지베이스(520)가 기판지지부(100)를 지지하도록, 일단이 기판지지부(100)와 결합하고 타단이 상기 기판지지부(100)와 결합하는 결합지지부(530)를 추가로 포함할 수 있다.In addition, the support base 500 has one end coupled to the substrate support 100 and the other end coupled to the substrate support 100 so that the support base 520 supports the substrate support 100. 530) may be additionally included.

상기 히터지지부(510)는, 램프히터(210)들 각각에 대응되는 위치에 받침홈(511)들이 형성되어 램프히터(210)들을 하측에서 지지할 수 있으며, 서로 평행하게 배치되는 램프히터(210)들을 교차하는 방향으로 배치될 수 있다.The heater support part 510 has support grooves 511 formed at positions corresponding to each of the lamp heaters 210 to support the lamp heaters 210 from the lower side, and the lamp heaters 210 are arranged parallel to each other. ) can be placed in a direction that intersects.

한편 상기 히터지지부(510)는, 전술한 지지플레이트(230)의 반대 측에 단수로 구비되어 램프히터(210)들의 끝단 적어도 일부가 받침홈(511)에 삽입됨으로써 램프히터(210)를 안정적으로 지지할 수 있으며, 지지플레이트(230) 측에 추가로 구비될 수도 있다.Meanwhile, the heater support part 510 is provided as a single unit on the opposite side of the above-described support plate 230, and stably supports the lamp heater 210 by inserting at least part of the ends of the lamp heaters 210 into the support groove 511. It can be done and may be additionally provided on the support plate 230 side.

이때, 상기 받침홈(511)은, 전술한 램프히터(210)와 기판지지부(100) 사이의 거리가 기판지지부(100) 가장자리 측과 중심 측이 서로 다르게 배치되도록 깊이가 대응되어 서로 다르게 형성될 수 있다.At this time, the support groove 511 will be formed differently with corresponding depths so that the distance between the lamp heater 210 and the substrate support 100 described above is disposed differently on the edge side and the center side of the substrate support 100. You can.

예를 들면, 상기 받침홈(511)은, 기판지지부(100) 중심 측 램프히터(210)를 지지하는 받침홈(511)의 깊이가 기판지지부(100) 가장자리 측 램프히터(210)를 지지하는 받침홈(511)의 깊이에 비해 깊게 형성될 수 있다.For example, the depth of the support groove 511 supporting the lamp heater 210 on the center side of the substrate support part 100 is such that the depth of the support groove 511 supports the lamp heater 210 on the edge side of the substrate support part 100. It may be formed deeper than the depth of the support groove 511.

상기 지지베이스(520)는, 기판지지부(100) 및 램프히터(210)들 하측에 배치되어 기판지지부(100)를 지지하는 구성일 수 있다.The support base 520 may be disposed below the substrate support 100 and the lamp heaters 210 to support the substrate support 100.

즉, 상기 지지베이스(520)는, 기판지지부(100)와 결합되어 기판지지부(100)를 고정할 수 있으며, 히터지지부(510)가 설치될 수 있다.That is, the support base 520 can be combined with the substrate support 100 to fix the substrate support 100, and the heater support 510 can be installed.

이때, 상기 지지베이스(520)는, 필요에 따라 상하이동할 수 있다.At this time, the support base 520 can move up and down as needed.

상기 결합지지부(530)는, 복수개로 구비되어, 각각 일단이 기판지지부(100) 저면 또는 측면에 결합하고 타단이 지지베이스(520) 상면 또는 내측면에 결합하여 기판지지부(100)가 지지베이스(520)에 연결되어 지지되도록 할 수 있다.The coupling support portion 530 is provided in plural pieces, each of which has one end coupled to the bottom or side of the substrate support portion 100 and the other end coupled to the top or inner surface of the support base 520, so that the substrate support portion 100 is connected to the support base ( 520) and can be supported.

이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.Since the above is only a description of some of the preferred embodiments that can be implemented by the present invention, as is well known, the scope of the present invention should not be construed as limited to the above embodiments, and the scope of the present invention described above Both the technical idea and the technical idea underlying it will be said to be included in the scope of the present invention.

1: 기판 10: 공정챔버
20: 기판지지장치 30: 냉각부
100: 기판지지부 200: 히터부
300: 기판변형방지부1: Substrate 10: Process chamber
20: substrate support device 30: cooling unit
100: substrate support part 200: heater part
300: Substrate deformation prevention unit

Claims (20)

기판처리를 위한 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(10) 내에서 기판(1)을 지지 및 가열하는 기판지지장치로서,
상기 기판(1)을 지지하는 기판지지부(100)와;
상기 기판지지부(100) 하부에 배치되어 상기 기판(1)을 가열하는 복수의 램프히터(210)들을 포함하는 히터부(200)와;
상기 히터부(200)를 통한 상기 기판(1)에 대한 가열 과정 동안, 상기 기판지지부(100)에 안착된 상기 기판(1) 상측 소정간격으로 이격되는 위치에 고정 배치되는 기판변형방지부(300)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지장치.A substrate support device that supports and heats a substrate (1) within a process chamber (10) forming a processing space (S) for substrate processing, comprising:
a substrate support portion 100 supporting the substrate 1;
a heater unit 200 including a plurality of lamp heaters 210 disposed below the substrate support unit 100 to heat the substrate 1;
During the heating process of the substrate 1 through the heater unit 200, the substrate deformation prevention unit 300 is fixedly disposed at a position spaced at a predetermined distance on the upper side of the substrate 1 seated on the substrate support unit 100. ) A substrate support device comprising: 청구항 1에 있어서,
상기 기판지지부(100)는,
중심 측에 개구부(101)가 형성되는 것을 특징으로 하는 기판지지장치.In claim 1,
The substrate support 100,
A substrate support device characterized in that an opening 101 is formed on the center side. 청구항 2에 있어서,
상기 기판지지부(100)는,
상기 개구부(101) 적어도 일부를 복개하도록 설치되는 열확산부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지장치.In claim 2,
The substrate support 100,
A substrate support device comprising a heat diffusion member installed to cover at least a portion of the opening (101). 청구항 1에 있어서,
상기 기판지지부(100)는,
상기 기판(1)에 대응되는 형상의 기판지지플레이트(110)와, 상기 기판지지플레이트(110) 상면으로부터 돌출되어 상기 기판(1)을 지지하는 복수의 돌기부(120)들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지장치.In claim 1,
The substrate support 100,
Characterized in that it includes a substrate support plate 110 of a shape corresponding to the substrate 1, and a plurality of protrusions 120 that protrude from the upper surface of the substrate support plate 110 and support the substrate 1. Board support device. 청구항 4에 있어서,
상기 돌기부(120)들은,
가열로 인한 상기 기판(1) 가장자리의 변형에 따라 상기 기판(1) 가장자리가 상기 기판변형방지부(300)에 접촉하여 가압함으로써, 상기 기판(1) 중심 측에 대한 반작용으로 상기 기판(1)의 수평을 복원하도록 상기 기판지지플레이트(110) 상면 중 가장자리에 구비되는 것을 특징으로 하는 기판지지장치.In claim 4,
The protrusions 120 are,
As the edge of the substrate 1 is deformed due to heating, the edge of the substrate 1 contacts and presses the substrate deformation prevention portion 300, thereby causing the substrate 1 to react against the center side of the substrate 1. A substrate support device, characterized in that it is provided at an edge of the upper surface of the substrate support plate (110) to restore the horizontality of the substrate. 청구항 1에 있어서,
상기 히터부(200)는,
서로 평행하게 배치되는 복수의 상기 램프히터(210)들과, 상기 램프히터(210)들 각각의 끝단에서 외부와 연결되기 위해 구비되는 복수의 연결단자(220)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지장치.In claim 1,
The heater unit 200,
A substrate support comprising a plurality of lamp heaters 210 arranged in parallel with each other and a plurality of connection terminals 220 provided at each end of the lamp heaters 210 to connect to the outside. Device. 청구항 6에 있어서,
상기 기판지지부(100) 가장자리 하부 중 상기 램프히터(210)들에 교차하는 방향으로 배치되는 적어도 하나의 보조램프히터(240)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지장치.In claim 6,
A substrate support device comprising at least one auxiliary lamp heater (240) disposed below an edge of the substrate support portion (100) in a direction crossing the lamp heaters (210). 청구항 6에 있어서,
상기 기판지지부(100)는,
평면 상 직사각형 형상으로 형성되며,
상기 램프히터(210)들은,
길이방향이 상기 기판지지부(100) 장변과 평행하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 기판지지장치.In claim 6,
The substrate support 100,
It is formed in a rectangular shape in plan,
The lamp heaters 210 are,
A substrate support device, characterized in that it is arranged so that the longitudinal direction is parallel to the long side of the substrate support part 100. 청구항 6에 있어서,
상기 램프히터(210)들은,
가장자리에서 중심으로 갈수록 상기 기판지지부(100)와의 이격거리가 단계적 또는 점진적으로 증가하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 기판지지장치.In claim 6,
The lamp heaters 210 are,
A substrate support device characterized in that it is arranged so that the separation distance from the substrate support portion 100 increases stepwise or gradually from the edge to the center. 청구항 6에 있어서,
상기 램프히터(210)들은,
가장자리에 각각 배치되는 2개의 외곽램프히터(211)들과, 상기 외곽램프히터(211) 내측에 배치되는 내측램프히터(212)들을 포함하며,
상기 외곽램프히터(211)와 이웃하는 내측램프히터(212)와의 이격거리인 제1사이거리(D1)가 상기 내측램프히터(212)와 이웃하는 내측램프히터(212)의 이격거리인 제2사이거리(D2) 보다 큰 것을 특징으로 하는 기판지지장치.In claim 6,
The lamp heaters 210 are,
It includes two outer lamp heaters 211 disposed at the edges, and inner lamp heaters 212 disposed inside the outer lamp heater 211,
The first distance D1, which is the separation distance between the outer lamp heater 211 and the neighboring inner lamp heater 212, is the second distance between the inner lamp heater 212 and the neighboring inner lamp heater 212. A substrate support device characterized in that the distance between them (D2) is greater. 청구항 6에 있어서,
상기 램프히터(210)들은,
가장자리에 배치되는 2개의 램프히터(210)가 평면 상 상기 기판(1) 가장자리에 대응되는 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판지지장치.In claim 6,
The lamp heaters 210 are,
A substrate support device characterized in that two lamp heaters (210) disposed at the edges are disposed at positions corresponding to the edges of the substrate (1) on a plane. 청구항 6에 있어서,
상기 연결단자(220)들은,
각각 상기 램프히터(210)들 끝단에서 반경방향으로 확장 형성되며, 이웃하는 연결단자(220)와 측면 상 중첩을 방지하는 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 기판지지장치.In claim 6,
The connection terminals 220 are,
A substrate support device characterized in that it is formed to extend radially from the ends of each of the lamp heaters (210) and is disposed in a position to prevent side overlap with neighboring connection terminals (220). 청구항 12에 있어서,
상기 연결단자(220)들은,
이웃하는 연결단자(220)와 평면 상 서로 엇갈리도록 상기 공정챔버(10) 외측면으로부터 돌출정도를 서로 달리하여 배치되는 것을 특징으로 하는 기판지지장치.In claim 12,
The connection terminals 220 are,
A substrate support device characterized in that the substrate support device is disposed with different degrees of protrusion from the outer surface of the process chamber (10) so as to be staggered from the neighboring connection terminals (220) in a plane. 청구항 1에 있어서,
상기 기판변형방지부(300)는,
상기 기판지지부(100)에 안착된 상기 기판(1) 상측 소정간격으로 이격되는 위치에 배치되는 기판간섭부(310)와, 상기 기판간섭부(310)가 상기 기판(1) 상측에 위치하도록 상기 기판간섭부(310)를 지지하는 지지부(320)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지장치.In claim 1,
The substrate deformation prevention unit 300,
A substrate interference portion 310 is disposed at a predetermined distance above the substrate 1 seated on the substrate support 100, and the substrate interference portion 310 is positioned above the substrate 1. A substrate support device comprising a support portion 320 that supports the substrate interference portion 310. 청구항 14에 있어서,
상기 기판변형방지부(300)는,
상기 기판간섭부(310) 또는 상기 지지부(320)에 결합하여 상기 기판간섭부(310)를 상하로 구동하는 상하구동부(330)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지장치.In claim 14,
The substrate deformation prevention unit 300,
A substrate support device comprising a vertical driving part 330 that is coupled to the substrate interference part 310 or the support part 320 and drives the substrate interference part 310 up and down. 청구항 15에 있어서,
상기 기판지지부(100)를 관통하여 상하로 이동가능하게 설치되어, 상기 기판(1)을 상기 기판지지부(100)에 안착시키는 리프트핀부(400)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지장치.In claim 15,
The substrate support device further includes a lift pin portion 400 that is installed to move up and down through the substrate support portion 100 and seats the substrate 1 on the substrate support portion 100. 청구항 16에 있어서,
상기 리프트핀부(400)는,
상기 상하구동부(330)와 연결되어, 상기 기판간섭부(310)와 일체로 상하이동하는 것을 특징으로 하는 기판지지장치.In claim 16,
The lift pin portion 400,
A substrate support device, characterized in that it is connected to the vertical drive unit 330 and moves up and down integrally with the substrate interference unit 310. 청구항 1에 있어서,
상기 램프히터(210)들 각각에 대응되는 받침홈(511)들이 형성되어 상기 램프히터(210)들을 하측에서 지지하는 지지베이스부(500)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판지지장치.In claim 1,
A substrate support device comprising a support base portion 500 in which support grooves 511 corresponding to each of the lamp heaters 210 are formed to support the lamp heaters 210 from the lower side. 기판처리를 위한 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(10)와;
상기 공정챔버(10)에 설치되어 상기 기판(1)을 지지하고 가열하는 청구항 제1항 내지 제18항 중 어느 하나의 항에 따른 기판지지장치(20)와;
상기 처리공간(S)에 설치되어 외부로부터 공급받은 냉매를 상기 기판(1)을 향해 분사하는 냉각부(30)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.a process chamber (10) forming a processing space (S) for substrate processing;
a substrate support device (20) according to any one of claims 1 to 18, which is installed in the process chamber (10) to support and heat the substrate (1);
A substrate processing apparatus comprising a cooling unit (30) installed in the processing space (S) to spray coolant supplied from the outside toward the substrate (1). 청구항 19에 있어서,
상기 처리공간(S) 및 상기 공정챔버(10) 내벽면 중 적어도 하나에 설치되어 상기 기판(1)을 추가로 가열하는 보조가열부재를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.In claim 19,
A substrate processing apparatus further comprising an auxiliary heating member installed on at least one of the processing space (S) and an inner wall of the process chamber (10) to additionally heat the substrate (1).
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