KR20230169215A - Materials for organic electroluminescent devices - Google Patents

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KR20230169215A
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루펜 링게
미리암 엥겔
세바슈티안 슈톨츠
세바슈티안 마이어
라라-이사벨 로드리게스
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메르크 파텐트 게엠베하
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Abstract

본 발명은 식 (H1) 의 화합물 및 식 (H2) 의 화합물을 포함하는 조성물에 관한 것이다. 본 발명은 또한, 식 (H1) 의 화합물 및 식 (H2) 의 화합물을 포함하는 조성물 및 용매를 포함하는 포뮬레이션에 관한 것이다. 마지막으로, 본 발명은 이러한 조성물을 포함하는 전자 디바이스에 관한 것이다.The present invention relates to a composition comprising a compound of formula (H1) and a compound of formula (H2). The invention also relates to compositions comprising compounds of formula (H1) and compounds of formula (H2) and formulations comprising solvents. Finally, the invention relates to electronic devices comprising such compositions.

Description

유기 전계 발광 디바이스용 재료Materials for organic electroluminescent devices

본 발명은 식 (H1) 의 화합물 및 식 (H2) 의 화합물을 포함하는 조성물에 관한 것이다. 본 발명은 또한, 식 (H1) 의 화합물 및 식 (H2) 의 화합물을 포함하는 조성물 및 용매를 포함하는 포뮬레이션에 관한 것이다. 마지막으로, 본 발명은 이러한 조성물을 포함하는 전자 디바이스에 관한 것이다.The present invention relates to compositions comprising compounds of formula (H1) and compounds of formula (H2). The invention also relates to compositions comprising compounds of formula (H1) and compounds of formula (H2) and formulations comprising solvents. Finally, the invention relates to electronic devices comprising such compositions.

현재, 전자 디바이스에서 사용하기 위한 기능성 화합물의 개발은 집중적인 연구 대상이다. 그 목적은, 특히, 예를 들어 디바이스의 전력 효율 및 수명, 그리고 방출된 광의 색 좌표와 같은 하나 이상의 관련 점에서 전자 디바이스의 개선된 특성이 달성될 수 있는 화합물의 개발이다.Currently, the development of functional compounds for use in electronic devices is the subject of intensive research. The aim is the development of compounds with which improved properties of electronic devices can be achieved, inter alia, in one or more relevant respects, such as, for example, the power efficiency and lifetime of the device and the color coordinate of the emitted light.

본 발명에 따르면, 용어 전자 디바이스는 특히 유기 집적 회로 (OIC), 유기 전계 효과 트랜지스터 (OFET), 유기 박막 트랜지스터 (OTFT), 유기 발광 트랜지스터 (OLET), 유기 태양 전지 (OSC), 유기 광학 검출기, 유기 광수용체, 유기 필드-켄치 디바이스(OFQD), 유기 발광 전기화학 셀 (OLEC), 유기 레이저 다이오드 (O-레이저) 및 유기 전계 발광 디바이스(OLED) 를 의미한다.According to the present invention, the term electronic devices includes in particular organic integrated circuits (OIC), organic field-effect transistors (OFET), organic thin-film transistors (OTFT), organic light-emitting transistors (OLET), organic solar cells (OSC), organic optical detectors, Organic photoreceptors, organic field-quenched devices (OFQDs), organic light-emitting electrochemical cells (OLECs), organic laser diodes (O-lasers) and organic electroluminescent devices (OLEDs).

OLED 로 지칭되는 마지막에 언급된 전자 디바이스에서 사용하기 위한 화합물을 제공하는 것이 특히 흥미롭다. OLED 의 일반적 구조 및 기능적 원리는 당업자에게 공지되어 있고, 예를 들어 US 4539507 에 기재되어 있다.It is of particular interest to provide compounds for use in the last mentioned electronic devices, referred to as OLEDs. The general structure and functional principles of OLEDs are known to those skilled in the art and are described for example in US 4539507.

특히, 광대한 상업적 용도 측면에서, 예를 들어 디스플레이 디바이스에서 또는 광원으로서 OLED 의 성능 데이터에 대한 추가의 개선이 여전히 요구된다. 이에 관해, 달성된 OLED 의 수명, 효율 및 작동 전압 그리고 색상 값이 특히 중요하다. 특히, 청색 방출 OLED 의 경우, 디바이스의 효율, 수명 및 작동 전압에 관한 개선 가능성이 있다.In particular, further improvements in the performance data of OLEDs are still required in the context of broad commercial applications, for example in display devices or as light sources. In this regard, the achieved lifetime, efficiency and operating voltage and color values of the OLED are of particular importance. In particular, for blue-emitting OLEDs, there is potential for improvements regarding the efficiency, lifetime and operating voltage of the devices.

상기 개선을 달성하기 위한 중요한 출발점은 방출체 화합물 및 호스트 화합물의 선택이다. 실제로, 방출체 화합물은 일반적으로 매트릭스 화합물 또는 호스트 화합물의 역할을 하는 제 2 화합물과 조합하여 방출층에 사용된다. 여기서 방출체 화합물은 전자 디바이스의 작동 동안 광을 방출하는 화합물을 의미하는 것으로 여겨진다. 이 경우에 호스트 화합물은 방출체 화합물보다 더 많은 비율로 혼합물에 존재하는 화합물을 의미하는 것으로 여겨진다. 매트릭스 화합물이라는 용어와 호스트 화합물이라는 용어는 동의어로 사용될 수 있다. 호스트 화합물은 바람직하게는 광을 방출하지 않는다. 복수의 상이한 호스트 화합물이 방출층의 혼합물에 존재하더라도, 그들의 개별 비율은 전형적으로 방출체 화합물의 비율, 또는 복수의 방출체 화합물이 방출층의 혼합물에 존재하는 경우 개별 방출체 화합물의 비율보다 크다. An important starting point for achieving the above improvements is the selection of emitter compound and host compound. In practice, emitter compounds are generally used in the emitter layer in combination with a second compound that acts as a matrix compound or host compound. Emitter compounds herein are taken to mean compounds that emit light during operation of an electronic device. Host compound in this case is taken to mean a compound that is present in the mixture in greater proportion than the emitter compound. The terms matrix compound and host compound may be used synonymously. The host compound preferably does not emit light. Even if a plurality of different host compounds are present in the mixture of emitting layers, their individual proportions are typically greater than the proportions of the emitter compounds, or, if multiple emitter compounds are present in the mixture of emitter layers, the proportions of the individual emitter compounds.

이러한 실시형태는 예를 들어 US 4769292에서 형광 방출층에 대해 설명되어 있다.This embodiment is described for example in US 4769292 for fluorescent emitting layers.

복수의 화합물의 혼합물이 방출층에 존재하는 경우, 방출체 화합물은 전형적으로 더 적은 양으로, 즉 방출층의 혼합물에 존재하는 다른 화합물보다 더 적은 비율로 존재하는 성분이다. 이 경우에, 방출체 화합물은 도펀트라고도 한다.When a mixture of multiple compounds is present in the emitting layer, the emitter compound is typically the component present in lower amounts, i.e., in a smaller proportion than the other compounds present in the mixture of the emitting layer. In this case, the emitter compound is also called a dopant.

종래 기술로부터 공지된 형광 방출체를 위한 호스트 재료는 다수의 화합물이다. 방출층은 하나 이상의 호스트 화합물을 포함할 수도 있다. 중수소화 및 비중수소화 호스트 화합물의 혼합물을 포함하는 호스트 화합물은 종래 기술로부터 (예를 들어 WO 2020/080416에서) 알려져 있다. Host materials for fluorescent emitters known from the prior art are a number of compounds. The emissive layer may include one or more host compounds. Host compounds comprising mixtures of deuterated and non-deuterated host compounds are known from the prior art (e.g. from WO 2020/080416).

그러나, OLED 에서 채용될 수 있고 수명, 색상 방출 및 효율의 측면에서 매우 양호한 특성을 갖는 OLED 에 이를 수 있는, 형광 방출체를 위한 추가 호스트 재료 또는 호스트 재료의 추가 조합이 여전히 필요하다. 보다 구체적으로, 매우 높은 효율, 매우 양호한 수명 및 매우 양호한 열 안정성을 조합하는 형광 방출체용 호스트 재료 또는 호스트 재료의 조합이 필요하다. However, there is still a need for additional host materials or additional combinations of host materials for the fluorescent emitter, which can be employed in OLEDs and can lead to OLEDs with very good properties in terms of lifetime, color emission and efficiency. More specifically, there is a need for a host material or combination of host materials for fluorescent emitters that combines very high efficiency, very good lifetime and very good thermal stability.

또한, OLED는, 진공 챔버에서 증착에 의해 또는 용액으로부터의 처리에 의해 적용될 수도 있는, 상이한 층들을 포함할 수도 있다는 것이 알려져 있다. 증착에 기초한 공정은 매우 양호한 결과에 이르지만, 이러한 공정은 복잡하고 비용이 많이 들 수도 있다. 따라서, 용액으로부터 용이하게 그리고 신뢰적으로 처리될 수 있는 OLED 재료를 포함하는 조성물이 또한 필요하다. 보다 구체적으로, 포뮬레이션으로부터, 보다 특히 잉크와 같은 용액으로부터 처리될 때 OLED의 제조 동안 균질한 필름으로서 성막될 수 있는 OLED 재료를 포함하는 조성물이 필요하다. 이 경우, 재료는 그를 포함하는 용액에서 우수한 용해도 특성을 가져야 하고 OLED 재료를 포함하는 성막된 필름은 용매 제거로 이어지는 건조 단계 후에 가능한 한 매끄러워야 한다. 성막된 층이 매끄럽고 균질한 필름을 형성하는 것이 중요한데, 층 두께가 불균일하면 필름 두께가 얇은 영역은 휘도가 증가하고 더 두꺼운 영역은 휘도가 감소하는 불균일한 휘도 분포를 유발하여, OLED 품질의 저하에 이르기 때문이다. 동시에, 용액으로부터 처리된 필름을 포함하는 OLED는 예를 들어 수명, 작동 전압 및 효율 측면에서 우수한 성능을 나타내야 한다.It is also known that OLEDs may comprise different layers, which may be applied by deposition in a vacuum chamber or by processing from solution. Although deposition-based processes lead to very good results, these processes can be complex and expensive. Accordingly, there is also a need for compositions comprising OLED materials that can be easily and reliably processed from solution. More specifically, what is needed is a composition comprising OLED materials that can be deposited as a homogeneous film during the manufacture of OLEDs when processed from a formulation, more particularly from a solution such as an ink. In this case, the material must have good solubility properties in the solution containing it and the deposited film containing the OLED material must be as smooth as possible after the drying step leading to solvent removal. It is important for the deposited layer to form a smooth and homogeneous film. If the layer thickness is non-uniform, it causes non-uniform luminance distribution where luminance increases in areas where the film is thin and decreases in areas where the film is thicker, leading to deterioration in OLED quality. Because it comes. At the same time, OLEDs comprising films processed from solution must exhibit excellent performance, for example in terms of lifetime, operating voltage and efficiency.

또한, 정제가 용이하고 처리가 용이한 안정된 OLED 재료에 이르는 공정이 여전히 필요하다. OLED 재료를 허용 가능한 순도 및 높은 수율로 제공함으로써 경제적이고 질적으로 흥미로운 공정이 필요하다.Additionally, a process is still needed to lead to stable OLED materials that are easy to purify and process. An economical and qualitatively interesting process is needed to provide OLED materials with acceptable purity and high yield.

따라서, 본 발명은 OLED와 같은 전자 디바이스, 보다 특히 형광 방출체용 매트릭스 성분으로서 사용하기에 적합한 OLED 재료를 포함하는 조성물을 제공하는 기술적 목적에 기초한다. 본 발명은 또한 용액 처리에 특히 적합한 OLED 재료를 포함하는 조성물을 제공하는 기술적 목적에 기초한다. 본 발명은 또한 방법들을 제공하는 기술적 목적에 기초한다.The present invention is therefore based on the technical object of providing a composition comprising OLED materials suitable for use as a matrix component for electronic devices such as OLEDs, more particularly for fluorescent emitters. The invention is also based on the technical object of providing a composition comprising an OLED material that is particularly suitable for solution processing. The invention is also based on the technical object of providing methods.

전자 디바이스에 사용하기 위한 신규한 조성물에 관한 연구에서, 이제, 아래 정의된 바와 같은 식 (H1) 의 화합물 및 식 (H2) 의 화합물을 포함하는 조성물이 전자 디바이스에 사용하기에 뛰어나게 적합한 것을 알아냈다. 특히, 이들은 전술한 기술적 목적 중 하나 이상, 바람직하게는 전부를 달성한다.In studies on novel compositions for use in electronic devices, it has now been found that compositions comprising compounds of formula (H1) and compounds of formula (H2) as defined below are eminently suitable for use in electronic devices. . In particular, they achieve one or more, preferably all, of the technical objectives described above.

따라서, 본 출원은 Therefore, this application

하기 식 (H1) 의 제 1 호스트 재료, A first host material of the formula (H1) below,

Figure pct00001
Figure pct00001

하기 식 (H2) 의 제 2 호스트 재료, A second host material of the formula (H2) below,

Figure pct00002
Figure pct00002

및 도펀트 재료and dopant material

를 포함하는 조성물에 관한 것이다.It relates to a composition containing a.

식 중 사용된 기호 및 인덱스에 이하가 적용된다:The following applies to symbols and indices used in expressions:

G1 은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 RX에 의해 또한 치환될 수도 있는 6 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다;G 1 is an aromatic or heteroaromatic ring system having 6 to 60 aromatic ring atoms which may also be substituted at each occurrence by one or more radicals R

G2 는 하기 식 (G2) 의 기로부터 선택된다:G 2 is selected from groups of the formula (G2):

Figure pct00003
Figure pct00003

식 중 기 E는 -Y=Y-, -C(RB0)2-, Si(RB0)2-, -O-, -S-, -C(=O)-, -S(=O)-, -SO2-,-BRB0-, -N(RB0)- 또는 -P(RB0)-, 바람직하게 Y=Y-, -C(RB0)2-, -O-, -S-로부터 선택된 2가 브릿지이다; 그리고 RB0 는 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, H, F, CN, 1 내지 40개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기 또는 3 내지 40개의 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R에 의해 치환될 수도 있음), 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타낸다; 여기서 두 개의 인접한 치환기 RB0 는 하나 이상의 라디칼 R에 의해 치환될 수도 있는 단환 또는 다환, 지방족 고리 시스템 또는 방향족 고리 시스템을 형성할 수도 있다;In the formula, group E is -Y=Y-, -C(R B0 ) 2 -, Si(R B0 ) 2 -, -O-, -S-, -C(=O)-, -S(=O) -, -SO 2 -,-BR B0 -, -N(R B0 )- or -P(R B0 )-, preferably Y=Y-, -C(R B0 ) 2 -, -O-, -S 2 selected from - is a bridge; and R B0 at each occurrence, identically or differently, represents H, F, CN, a straight-chain alkyl group having 1 to 40 carbon atoms or a branched or cyclic alkyl group having 3 to 40 carbon atoms, each of which has one represents an aromatic or heteroaromatic ring system having 5 to 60 aromatic ring atoms, which may be substituted in each case by one or more radicals R; where two adjacent substituents R B0 may form a monocyclic or polycyclic, aliphatic ring system or aromatic ring system which may be substituted by one or more radicals R;

Y 는 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, C-RY 또는 N을 나타낸다; 다만, Y는 기 Ant2 에 결합될 때 C를 나타낸다;Y at each occurrence, identically or differently, represents CR Y or N; However, Y represents C when bonded to the group Ant 2 ;

Ant1 는 하기 식 (A1) 의 기이다:Ant 1 is a group of the formula (A1):

Figure pct00004
Figure pct00004

여기서 식 (A1) 에서의 점선 결합은 기 G1에 대한 결합 위치를 나타내고, 기 Ant1 은 임의의 자유 위치에서 G1 에 결합될 수도 있다;where the dotted bond in formula (A1) indicates the bonding position to the group G 1 , and the group Ant 1 may be bonded to G 1 at any free position;

Ant2 는 하기 식 (A2) 의 기이다:Ant 2 is a group of the formula (A2):

Figure pct00005
Figure pct00005

여기서 식 (A2) 에서의 점선 결합은 기 G2에 대한 결합 위치를 나타내고 기 Ant2 는 임의의 자유 위치에서 G2 에 결합될 수도 있다;where the dotted line bond in formula (A2) indicates the bonding position to the group G 2 and the group Ant 2 may be bonded to G 2 at any free position;

ArA1, ArB1, ArAS, ArBS 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, 각 경우에 또한 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다;Ar A1 , Ar B1 , Ar AS , Ar BS are in each case, identically or differently, an aromatic or heteroaromatic ring having 5 to 60 aromatic ring atoms, which in each case may also be substituted by one or more radicals R It is a system;

RA1 내지 RA8, RB1 내지 RB8, RY, RX 은 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, CHO, CN, C(=O)Ar, P(=O)(Ar)2, S(=O)Ar, S(=O)2Ar, N(R)2, N(Ar)2, NO2, Si(R)3, B(OR)2, OSO2R, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기 또는 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수도 있고, 여기서 각 경우에 하나 이상의 비인접 CH2 기는 RC=CR, C≡C, Si(R)2, Ge(R)2, Sn(R)2, C=O, C=S, C=Se, P(=O)(R), SO, SO2, O, S 또는 CONR 로 대체될 수도 있으며, 하나 이상의 H 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있음), 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수도 있는, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 및 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수도 있는, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴옥시기로부터 선택된 라디칼을 나타낸다; R A1 to R A8 , R B1 to R B8 , R Y , R P(=O)(Ar) 2 , S(=O)Ar, S(=O) 2 Ar, N(R) 2 , N(Ar) 2 , NO 2 , Si(R) 3 , B(OR) 2 , OSO 2 R, a straight-chain alkyl, alkoxy or thioalkyl group having 1 to 40 carbon atoms or a branched or cyclic alkyl, alkoxy or thioalkyl group having 3 to 40 carbon atoms, each of which is substituted by one or more radicals R may be, where in each case one or more non-adjacent CH 2 groups are RC=CR, C≡C, Si(R) 2 , Ge(R) 2 , Sn(R) 2 , C=O, C=S, C =Se, P(=O)(R), SO, SO 2 , O, S or CONR, and one or more H atoms may be replaced by D, F, Cl, Br, I, CN or NO 2 an aromatic or heteroaromatic ring system having 5 to 60 aromatic ring atoms, which in each case may be substituted by one or more radicals R, and 5 to 60 aromatic rings, which may be substituted by one or more radicals R represents a radical selected from an aryloxy group having an atom;

다만 RB1 내지 RB8 및 RY 은 D를 나타내지 않는다; 그리고 2개의 인접한 라디칼 RA1 내지 RA8, RB1 내지 RB8, RY 또는 RX 는 하나 이상의 라디칼 R에 의해 치환될 수도 있는 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 함께 형성할 수도 있다; However, R B1 to R B8 and RY Y do not represent D; And two adjacent radicals R A1 to R A8 , R B1 to R B8 , R Y or R X may together form an aliphatic, aromatic or heteroaromatic ring system which may be substituted by one or more radicals

R 은 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, CHO, CN, C(=O)Ar, P(=O)(Ar)2, S(=O)Ar, S(=O)2Ar, N(R´)2, N(Ar)2, NO2, Si(R´)3, B(OR´)2, OSO2R´, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기 또는 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R´ 에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 각 경우에 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R´C=CR´, C≡C, Si(R´)2, Ge(R´)2, Sn(R´)2, C=O, C=S, C=Se, P(=O)(R´), SO, SO2, O, S 또는 CONR´ 에 의해 대체될 수도 있고 하나 이상의 H 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2에 의해 대체될 수도 있음), 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R´ 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 하나 이상의 라디칼 R´ 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴옥시기를 나타낸다; 여기서 2 개의 인접한 치환기 R 은 하나 이상의 라디칼 R´ 에 의해 치환될 수도 있는, 지방족 또는 방향족 고리 시스템을 함께 형성할 수도 있다; R is in each case, the same or different, H, D, F, Cl, Br, I, CHO, CN, C(=O)Ar, P(=O)(Ar) 2 , S(=O)Ar , S(=O) 2 Ar, N(R´) 2 , N(Ar) 2 , NO 2 , Si(R´ ) 3 , B(OR´) 2 , OSO 2 , 1 to 40 carbon atoms A straight-chain alkyl, alkoxy or thioalkyl group having or a branched or cyclic alkyl, alkoxy or thioalkyl group having 3 to 40 carbon atoms, each of which may be substituted by one or more radicals R', where in each case one or more Non-adjacent CH 2 groups are R ´ C=CR ´ , C≡C, Si(R ´ ) 2 , Ge(R ´ ) 2 , Sn(R ´ ) 2 , C=O, C=S, C=Se, P (=O)(R ´ ), SO, SO 2 , O, S or CONR ´ and one or more H atoms may be replaced by D, F, Cl, Br, I, CN or NO 2 ), an aromatic or heteroaromatic ring system having 5 to 60 aromatic ring atoms, which in each case may be substituted by one or more radicals R ´ , or 5 to 60, which may be substituted by one or more radicals R ´ represents an aryloxy group having two aromatic ring atoms; where two adjacent substituents R may together form an aliphatic or aromatic ring system, which may be substituted by one or more radicals R ´ ;

Ar 은 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R´ 에 의해 또한 치환될 수도 있는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다;Ar is in each case an aromatic or heteroaromatic ring system having 5 to 60 aromatic ring atoms which, identically or differently, may also be substituted in each case by one or more radicals R ´ ;

R´ 은 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, CN, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기 (여기서 각 경우에 하나 이상의 비인접 CH2 기는 SO, SO2, O, S 로 대체될 수도 있고, 하나 이상의 H 원자는 D, F, Cl, Br 또는 I 로 대체될 수도 있음), 또는 5 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타낸다; 그리고R ´ in each occurrence, identically or differently, represents H, D, F, Cl, Br, I, CN, a straight-chain alkyl, alkoxy or thioalkyl group having 1 to 20 carbon atoms or 3 to 20 carbon atoms. having a branched or cyclic alkyl, alkoxy or thioalkyl group, wherein in each case one or more non-adjacent CH 2 groups may be replaced by SO, SO 2 , O, S, and one or more H atoms are represented by D, F, Cl, Br or I), or represents an aromatic or heteroaromatic ring system having 5 to 24 aromatic ring atoms; and

n 은 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, 0 또는 1이고; 여기서 n 이 0일 때, 대응하는 ArAS 또는 ArBS 는 부재하고, 안트라센 기는 기 G1 또는 G2에 직접 결합된다;n is, on each occurrence, identically or differently, 0 or 1; where n is 0, the corresponding Ar AS or Ar BS is absent and the anthracene group is directly bonded to the group G 1 or G 2 ;

m 은 0 또는 1 이다; m is 0 or 1;

식 (H1)의 화합물은 적어도 하나의 중수소 원자를 포함하고, 식 (H2) 의 화합물은 실질적으로 중수소 원자를 함유하지 않는 것을 특징으로 한다. Compounds of formula (H1) are characterized in that they contain at least one deuterium atom, and compounds of formula (H2) are characterized in that they contain substantially no deuterium atoms.

더욱 바람직하게는, 식 (H2)의 화합물은 중수소 원자를 함유하지 않는다. 따라서, 라디칼 R 및 R'는 식 (H2)의 화합물에서 중수소 원자를 나타내지 않는다.More preferably, the compound of formula (H2) contains no deuterium atoms. Therefore, the radicals R and R' do not represent deuterium atoms in the compounds of formula (H2).

여기서 중수소 원자는 "D" 라고도 한다.Here, the deuterium atom is also called "D".

더욱이, 다음의 화학 기의 정의가 본 출원의 목적을 위해 적용된다:Furthermore, the following definitions of chemical groups apply for the purposes of this application:

본 발명의 의미에서 아릴 기는 6 내지 60 개의 방향족 고리 원자, 바람직하게는 6 내지 40 개의 방향족 고리 원자, 보다 바람직하게는 6 내지 20 개의 방향족 고리 원자를 함유하고; 본 발명의 의미에서 헤테로아릴 기는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자, 바람직하게는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자, 보다 바람직하게는 5 내지 20 개의 방향족 고리 원자를 함유하며, 이들 중 적어도 하나는 헤테로원자이다. 헤테로원자는 바람직하게 N, O 및 S 로부터 선택된다. 이는 기본 정의를 나타낸다. 다른 선호들이 본 발명의 상세한 설명에 표시되는 경우, 예를 들어 존재하는 방향족 고리 원자 또는 헤테로원자의 수와 관련하여, 이들이 적용된다.An aryl group in the meaning of the present invention contains 6 to 60 aromatic ring atoms, preferably 6 to 40 aromatic ring atoms, more preferably 6 to 20 aromatic ring atoms; A heteroaryl group in the meaning of the present invention contains 5 to 60 aromatic ring atoms, preferably 5 to 40 aromatic ring atoms, more preferably 5 to 20 aromatic ring atoms, at least one of which is a heteroatom. . The heteroatoms are preferably selected from N, O and S. This represents the basic definition. Where other preferences are indicated in the detailed description of the invention, for example with regard to the number of aromatic ring atoms or heteroatoms present, these apply.

여기서 아릴기 또는 헤테로아릴기는 단순 방향족 고리, 즉 벤젠, 또는 단순 헤테로방향족 고리, 예를 들어 피리딘, 피리미딘 또는 티오펜, 또는 축합 (어닐레이트된 (annellated)) 방향족 또는 헤테로방향족 다환, 예를 들어 나프탈렌, 페난트렌, 퀴놀린 또는 카르바졸을 의미하는 것으로 여겨진다. 축합된 (어닐레이트된) 방향족 또는 헤테로방향족 다환은 본 출원의 의미에서 서로 축합된 2 개 이상의 단순 방향족 또는 헤테로방향족 고리로 이루어진다.wherein the aryl or heteroaryl group is a simple aromatic ring, such as benzene, or a simple heteroaromatic ring, such as pyridine, pyrimidine or thiophene, or a condensed (annellated) aromatic or heteroaromatic polycyclic ring, such as It is believed to mean naphthalene, phenanthrene, quinoline or carbazole. A condensed (annealed) aromatic or heteroaromatic polycycle in the meaning of the present application consists of two or more simple aromatic or heteroaromatic rings condensed with each other.

각 경우에 위에 언급된 라디칼로 치환될 수 있고 임의의 원하는 위치를 통해 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템에 링크될 수도 있는, 아릴 또는 헤테로아릴 기는, 특히 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 피렌, 디히드로피렌, 크리센, 페릴렌, 플루오란텐, 벤즈안트라센, 벤조페난트렌, 테트라센, 펜타센, 벤조피렌, 푸란, 벤조푸란, 이소벤조푸란, 디벤조푸란, 티오펜, 벤조티오펜, 이소벤조티오펜, 디벤조티오펜, 피롤, 인돌, 이소인돌, 카르바졸, 피리딘, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 아크리딘, 페난트리딘, 벤조-5,6-퀴놀린, 벤조-6,7-퀴놀린, 벤조-7,8-퀴놀린, 페노티아진, 페녹사진, 피라졸, 인다졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 나프트이미다졸, 페난트리미다졸, 피리디미다졸, 피라진이미다졸, 퀴녹살린이미다졸, 옥사졸, 벤즈옥사졸, 나프트옥사졸, 안트르옥사졸, 페난트르옥사졸, 이속사졸, 1,2-티아졸, 1,3-티아졸, 벤조티아졸, 피리다진, 벤조피리다진, 피리미딘, 벤조피리미딘, 퀴녹살린, 피라진, 페나진, 나프티리딘, 아자카르바졸, 벤조카르볼린, 페난트롤린, 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸, 1,2,3-옥사디아졸, 1,2,4-옥사디아졸, 1,2,5-옥사디아졸, 1,3,4-옥사디아졸, 1,2,3-티아디아졸, 1,2,4-티아디아졸, 1,2,5-티아디아졸, 1,3,4-티아디아졸, 1,3,5-트리아진, 1,2,4-트리아진, 1,2,3-트리아진, 테트라졸, 1,2,4,5-테트라진, 1,2,3,4-테트라진, 1,2,3,5-테트라진, 퓨린, 프테리딘, 인돌리진 및 벤조티아디아졸로부터 유도되는 기를 의미하는 것으로 여겨진다.Aryl or heteroaryl groups, which in each case may be substituted by the radicals mentioned above and which may be linked via any desired position to an aromatic or heteroaromatic ring system, are in particular benzene, naphthalene, anthracene, phenanthrene, pyrene, dihydro. Pyrene, chrysene, perylene, fluoranthene, benzanthracene, benzophenanthrene, tetracene, pentacene, benzopyrene, furan, benzofuran, isobenzofuran, dibenzofuran, thiophene, benzothiophene, isobenzothi ophene, dibenzothiophene, pyrrole, indole, isoindole, carbazole, pyridine, quinoline, isoquinoline, acridine, phenanthridine, benzo-5,6-quinoline, benzo-6,7-quinoline, benzo- 7,8-quinoline, phenothiazine, phenoxazine, pyrazole, indazole, imidazole, benzimidazole, naphthymidazole, phenanthrimidazole, pyridimidazole, pyrazinimidazole, quinoxaline imida Sol, oxazole, benzoxazole, naphthoxazole, anthroxazole, phenanthroxazole, isoxazole, 1,2-thiazole, 1,3-thiazole, benzothiazole, pyridazine, benzopyri Chopped, pyrimidine, benzopyrimidine, quinoxaline, pyrazine, phenazine, naphthyridine, azacarbazole, benzocarboline, phenanthroline, 1,2,3-triazole, 1,2,4-triazole, Benzotriazole, 1,2,3-oxadiazole, 1,2,4-oxadiazole, 1,2,5-oxadiazole, 1,3,4-oxadiazole, 1,2,3- Thiadiazole, 1,2,4-thiadiazole, 1,2,5-thiadiazole, 1,3,4-thiadiazole, 1,3,5-triazine, 1,2,4-tri Azine, 1,2,3-triazine, tetrazole, 1,2,4,5-tetrazine, 1,2,3,4-tetrazine, 1,2,3,5-tetrazine, purine, f. It is believed to refer to groups derived from teridine, indolizine and benzothiadiazole.

본 발명의 정의에 따른 아릴옥시기는 산소 원자를 통해 결합되는, 위에 정의된 바와 같은, 아릴기를 의미하는 것으로 여겨진다. 유사한 정의가 헤테로아릴옥시 기에 적용된다.Aryloxy group according to the definition of the present invention is taken to mean an aryl group, as defined above, bonded through an oxygen atom. A similar definition applies to heteroaryloxy groups.

본 발명의 의미에서 방향족 고리 시스템은 고리 시스템에 6 내지 60 개의 탄소 원자, 바람직하게 6 내지 40 개의 탄소 원자, 보다 바람직하게 6 내지 20 개의 탄소 원자를 함유한다. 본 발명의 의미에서 헤테로방향족 고리 시스템은 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자, 바람직하게 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자, 보다 바람직하게 5 내지 20 개의 방향족 고리 원자를 함유하며, 그 중 적어도 하나는 헤테로원자이다. 헤테로원자는 바람직하게는 N, O 및/또는 S 에서 선택된다. 본 발명의 맥락에서 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템은, 반드시 아릴 또는 헤테로아릴기만을 함유하는 것은 아니고, 대신에, 추가로, 복수의 아릴 또는 헤테로아릴 기가 비방향족 단위 (바람직하게는 H 외의 10% 미만의 원자), 이를테면 예를 들어, sp3-혼성화된 C, Si, N 또는 O 원자, sp2-혼성화된 C 또는 N 원자 또는 sp-혼성화된 C 원자에 의해 연결될 수 있는 시스템을 의미하는 것으로 여겨지게 의도된다. 따라서, 예를 들어 9,9'-스피로바이플루오렌, 9,9'-디아릴플루오렌, 트리아릴아민, 디아릴 에테르, 스틸벤 등과 같은 시스템은 또한, 2 개 이상의 아릴기가 예를 들어 선형 또는 환형 알킬, 알케닐 또는 알키닐기에 의해, 또는 실릴기에 의해 연결되는 시스템과 같이, 본 발명의 맥락에서 방향족 고리 시스템인 것으로 여겨지게 의도된다. 또한, 2개 이상의 아릴 또는 헤테로아릴기가 단일 결합을 통해 서로 링크되는 시스템은 또한 본 발명의 의미에서 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 이를테면 예를 들어, 바이페닐, 테르페닐 또는 디페닐트리아진과 같은 시스템인 것으로 여겨진다.An aromatic ring system in the meaning of the present invention contains in the ring system 6 to 60 carbon atoms, preferably 6 to 40 carbon atoms, more preferably 6 to 20 carbon atoms. A heteroaromatic ring system in the meaning of the present invention contains 5 to 60 aromatic ring atoms, preferably 5 to 40 aromatic ring atoms, more preferably 5 to 20 aromatic ring atoms, at least one of which is a heteroatom. . The heteroatoms are preferably selected from N, O and/or S. An aromatic or heteroaromatic ring system in the context of the present invention does not necessarily contain aryl or heteroaryl groups; instead, a plurality of aryl or heteroaryl groups may additionally contain non-aromatic units (preferably less than 10% other than H). atoms), such as, for example, sp 3 -hybridized C, Si, N or O atoms, sp 2 -hybridized C or N atoms or sp-hybridized C atoms. It is intended to lose. Therefore, systems such as, for example, 9,9'-spirobifluorene, 9,9'-diarylfluorene, triarylamines, diaryl ethers, stilbenes, etc. can also be used where two or more aryl groups can form, for example, linear or systems linked by cyclic alkyl, alkenyl or alkynyl groups, or by silyl groups, are intended to be regarded in the context of the present invention as aromatic ring systems. Additionally, systems in which two or more aryl or heteroaryl groups are linked to each other via single bonds are also, in the meaning of the present invention, aromatic or heteroaromatic ring systems, such as systems such as, for example, biphenyl, terphenyl or diphenyltriazine. It is believed that

또한 각 경우에 위에 정의된 바와 같은 라디칼에 의해 치환될 수도 있으며 임의의 원하는 위치를 통해 방향족 또는 헤테로방향족 기에 링크될 수도 있는, 5 - 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템은 특히, 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 벤즈안트라센, 페난트렌, 벤조페난트렌, 피렌, 크리센, 페릴렌, 플루오란텐, 나프타센, 펜타센, 벤조피렌, 바이페닐, 바이페닐렌, 테르페닐, 테르페닐렌, 쿼터페닐, 플루오렌, 스피로바이플루오렌, 디히드로페난트렌, 디히드로피렌, 테트라히드로피렌, 시스- 또는 트랜스-인데노플루오렌, 트룩센, 이소트룩센, 스피로트룩센, 스피로이소트룩센, 푸란, 벤조푸란, 이소벤조푸란, 디벤조푸란, 티오펜, 벤조티오펜, 이소벤조티오펜, 디벤조티오펜, 피롤, 인돌, 이소인돌, 카르바졸, 인돌로카르바졸, 인데노카르바졸, 피리딘, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 아크리딘, 페난트리딘, 벤조-5,6-퀴놀린, 벤조-6,7-퀴놀린, 벤조-7,8-퀴놀린, 페노티아진, 페녹사진, 피라졸, 인다졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 나프트이미다졸, 페난트르이미다졸, 피리디미다졸, 피라진이미다졸, 퀴녹살린이미다졸, 옥사졸, 벤즈옥사졸, 나프트옥사졸, 안트르옥사졸, 페난트르옥사졸, 이소옥사졸, 1,2-티아졸, 1,3-티아졸, 벤조티아졸, 피리다진, 벤조피리다진, 피리미딘, 벤조피리미딘, 퀴녹살린, 1,5-디아자안트라센, 2,7-디아자피렌, 2,3-디아자피렌, 1,6-디아자피렌, 1,8-디아자피렌, 4,5-디아자피렌, 4,5,9,10-테트라아자페릴렌, 피라진, 페나진, 페녹사진, 페노티아진, 플루오루빈, 나프티리딘, 아자카르바졸, 벤조카르볼린, 페난트롤린, 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸, 1,2,3-옥사디아졸, 1,2,4-옥사디아졸, 1,2,5-옥사디아졸, 1,3,4-옥사디아졸, 1,2,3-티아디아졸, 1,2,4-티아디아졸, 1,2,5-티아디아졸, 1,3,4-티아디아졸, 1,3,5-트리아진, 1,2,4-트리아진, 1,2,3-트리아진, 테트라졸, 1,2,4,5-테트라진, 1,2,3,4-테트라진, 1,2,3,5-테트라진, 퓨린, 프테리딘, 인돌리진 및 벤조티아디아졸에서 유래된 기, 또는 이들 기의 조합을 의미하는 것으로 여겨진다.Aromatic or heteroaromatic ring systems having 5 to 60 aromatic ring atoms, which may also be substituted in each case by radicals as defined above and which may be linked via any desired position to an aromatic or heteroaromatic group, are particularly Benzene, naphthalene, anthracene, benzanthracene, phenanthrene, benzophenanthrene, pyrene, chrysene, perylene, fluoranthene, naphthacene, pentacene, benzopyrene, biphenyl, biphenylene, terphenyl, terphenylene, Quaterphenyl, fluorene, spirobifluorene, dihydrophenanthrene, dihydropyrene, tetrahydropyrene, cis- or trans-indenofluorene, truxene, isotruxene, spirotruxen, spiroisotruxene, furan , benzofuran, isobenzofuran, dibenzofuran, thiophene, benzothiophene, isobenzothiophene, dibenzothiophene, pyrrole, indole, isoindole, carbazole, indolocarbazole, indenocarbazole, pyridine , quinoline, isoquinoline, acridine, phenanthridine, benzo-5,6-quinoline, benzo-6,7-quinoline, benzo-7,8-quinoline, phenothiazine, phenoxazine, pyrazole, indazole , imidazole, benzimidazole, naphthimidazole, phenanthroimidazole, pyridimidazole, pyraziimidazole, quinoxaline imidazole, oxazole, benzoxazole, naphthoxazole, anthroxazole , phenanthroxazole, isoxazole, 1,2-thiazole, 1,3-thiazole, benzothiazole, pyridazine, benzopyridazine, pyrimidine, benzopyrimidine, quinoxaline, 1,5-diazine Xanthracene, 2,7-diazapyrene, 2,3-diazapyrene, 1,6-diazapyrene, 1,8-diazapyrene, 4,5-diazapyrene, 4,5,9,10 -Tetraazaperylene, pyrazine, phenazine, phenoxazine, phenothiazine, fluorubin, naphthyridine, azacarbazole, benzocarboline, phenanthroline, 1,2,3-triazole, 1,2,4 -triazole, benzotriazole, 1,2,3-oxadiazole, 1,2,4-oxadiazole, 1,2,5-oxadiazole, 1,3,4-oxadiazole, 1, 2,3-thiadiazole, 1,2,4-thiadiazole, 1,2,5-thiadiazole, 1,3,4-thiadiazole, 1,3,5-triazine, 1,2 ,4-triazine, 1,2,3-triazine, tetrazole, 1,2,4,5-tetrazine, 1,2,3,4-tetrazine, 1,2,3,5-tetrazine , purine, pteridine, indolizine and benzothiadiazole, or combinations of these groups.

본 발명의 목적을 위해, 추가적으로 개개의 H 원자 또는 CH2 기가 라디칼의 정의하에 위에 언급된 기에 의해 치환될 수도 있는, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬기, 또는 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬기, 또는 2 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐기는 바람직하게는, 라디칼 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필, n-부틸, i-부틸, s-부틸, t-부틸, 2-메틸부틸, n-펜틸, s-펜틸, 시클로펜틸, 네오펜틸, n-헥실, 시클로헥실, 네오헥실, n-헵틸, 시클로헵틸, n-옥틸, 시클로옥틸, 2-에틸헥실, 트리플루오로메틸, 펜타플루오로에틸, 2,2,2-트리플루오로에틸, 에테닐, 프로페닐, 부테닐, 펜테닐, 시클로펜테닐, 헥세닐, 시클로헥세닐, 헵테닐, 시클로헵테닐, 옥테닐, 시클로옥테닐, 에티닐, 프로피닐, 부티닐, 펜티닐, 헥시닐 또는 옥티닐을 의미하는 것으로 여겨진다. 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알콕시 또는 티오알킬기는 바람직하게는, 메톡시, 트리플루오로메톡시, 에톡시, n-프로폭시, i-프로폭시, n-부톡시, i-부톡시, s-부톡시, t-부톡시, n-펜톡시, s-펜톡시, 2-메틸부톡시, n-헥속시, 시클로헥실옥시, n-헵톡시, 시클로헵틸옥시, n-옥틸옥시, 시클로옥틸옥시, 2-에틸헥실옥시, 펜타플루오로에톡시, 2,2,2-트리플루오로에톡시, 메틸티오, 에틸티오, n-프로필티오, i-프로필티오, n-부틸티오, i-부틸티오, s-부틸티오, t-부틸티오, n-펜틸티오, s-펜틸티오, n-헥실티오, 시클로헥실티오, n-헵틸티오, 시클로헵틸티오, n-옥틸티오, 시클로옥틸티오, 2-에틸헥실티오, 트리플루오로메틸티오, 펜타플루오로에틸티오, 2,2,2-트리플루오로에틸티오, 에테닐티오, 프로페닐티오, 부테닐티오, 펜테닐티오, 시클로펜테닐티오, 헥세닐티오, 시클로헥세닐티오, 헵테닐티오, 시클로헵테닐티오, 옥테닐티오, 시클로옥테닐티오, 에티닐티오, 프로피닐티오, 부티닐티오, 펜티닐티오, 헥시닐티오, 헵티닐티오 또는 옥티닐티오를 의미하는 것으로 여겨진다For the purposes of the present invention, additionally a straight-chain alkyl group having 1 to 40 carbon atoms, or a straight-chain alkyl group having 3 to 40 carbon atoms, in which individual H atoms or CH 2 groups may be substituted by groups mentioned above under the definition of radical. The branched or cyclic alkyl group, or alkenyl or alkynyl group having 2 to 40 carbon atoms, preferably has the radicals methyl, ethyl, n-propyl, i-propyl, n-butyl, i-butyl, s-butyl, t-butyl, 2-methylbutyl, n-pentyl, s-pentyl, cyclopentyl, neopentyl, n-hexyl, cyclohexyl, neohexyl, n-heptyl, cycloheptyl, n-octyl, cyclooctyl, 2-ethyl Hexyl, trifluoromethyl, pentafluoroethyl, 2,2,2-trifluoroethyl, ethenyl, propenyl, butenyl, pentenyl, cyclopentenyl, hexenyl, cyclohexenyl, heptenyl, cyclo It is taken to mean heptenyl, octenyl, cyclooctenyl, ethynyl, propynyl, butynyl, fentinyl, hexynyl or octynyl. Alkoxy or thioalkyl groups having 1 to 40 carbon atoms are preferably methoxy, trifluoromethoxy, ethoxy, n-propoxy, i-propoxy, n-butoxy, i-butoxy, s- Butoxy, t-butoxy, n-pentoxy, s-pentoxy, 2-methylbutoxy, n-hexoxy, cyclohexyloxy, n-heptoxy, cycloheptyloxy, n-octyloxy, cyclooctyl Oxy, 2-ethylhexyloxy, pentafluoroethoxy, 2,2,2-trifluoroethoxy, methylthio, ethylthio, n-propylthio, i-propylthio, n-butylthio, i- Butylthio, s-butylthio, t-butylthio, n-pentylthio, s-pentylthio, n-hexylthio, cyclohexylthio, n-heptylthio, cycloheptylthio, n-octylthio, cyclooctylthio, 2-Ethylhexylthio, trifluoromethylthio, pentafluoroethylthio, 2,2,2-trifluoroethylthio, ethenylthio, propenylthio, butenylthio, pentenylthio, cyclopentenylthio , hexenylthio, cyclohexenylthio, heptenylthio, cycloheptenylthio, octenylthio, cyclooctenylthio, ethynylthio, propynylthio, butynylthio, pentynylthio, hexynylthio, heptynyl. believed to mean thio or octynylthio

2개 이상의 라디칼이 서로 고리를 형성할 수 있는 포뮬레이션은, 본 출원의 목적을 위해, 그 중에서도, 2 개의 라디칼이 서로 화학 결합에 의해 링크되는 것을 의미하는 것으로 여겨지도록 의도된다. 이것은 하기의 도식에 의해 예시된다: A formulation in which two or more radicals are capable of forming a ring with each other is intended for the purposes of this application to mean, inter alia, that the two radicals are linked to each other by a chemical bond. This is illustrated by the schematic below:

Figure pct00006
Figure pct00006

그러나, 더욱이, 위에 설명된 포뮬레이션은 또한, 2 개의 라디칼 중 하나가 수소를 나타내는 경우에, 수소 원자가 결합되었던 위치에 제 2 라디칼이 결합되어 고리를 형성하는 것을 의미하는 것으로 의도된다. 이것은 다음 도식에 의해 설명된다: However, furthermore, the formulations described above are also intended to mean that, in case one of the two radicals represents hydrogen, the second radical is bonded at the position where the hydrogen atom was bonded to form a ring. This is illustrated by the following diagram:

Figure pct00007
Figure pct00007

2개의 라디칼이 서로 고리를 형성할 때, 2개의 라디칼은 인접한 라디칼인 것이 바람직하다. 본 발명의 의미에서 인접한 라디칼은 서로 직접 링크되는 원자에 결합되거나 동일한 원자에 결합되는 라디칼이다. When two radicals form a ring with each other, it is preferable that the two radicals are adjacent radicals. Adjacent radicals in the meaning of the present invention are radicals bonded to atoms that are directly linked to each other or bonded to the same atom.

바람직한 실시형태에 따르면, 식 (H1)의 화합물의 분자량(Mw)은 Mw ≥ 350 g/mol, 바람직하게 Mw ≥ 380 g/mol, 보다 바람직하게 Mw ≥ 400 g/mol, 더욱 더 바람직하게 Mw ≥ 450 g/mol이다.According to a preferred embodiment, the molecular weight (Mw) of the compound of formula (H1) is Mw ≥ 350 g/mol, preferably Mw ≥ 380 g/mol, more preferably Mw ≥ 400 g/mol, even more preferably Mw ≥ 350 g/mol. It is 450 g/mol.

또한, 기 G1 는 하기 식 중 하나의 식의 기로부터 선택되는 것이 바람직하다:Additionally, it is preferred that the group G 1 is selected from groups of one of the following formulas:

Figure pct00008
Figure pct00008

Figure pct00009
Figure pct00009

식 중:During the ceremony:

X 는 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, C-RX 또는 N을 나타낸다; 다만, X는 기 Ant1 에 결합될 때 C를 나타낸다;X represents at each occurrence, identically or differently, CR X or N; However, X represents C when bonded to the group Ant 1 ;

E1, E2, E3, E4 는 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, 단일 결합, -BR0-, -C(R0)2-, -Si(R0)2-, -C(=O)-, -O-, -S-, -S(=O)-, -SO2-, -N(R0)- 또는 -P(R0)-을 나타낸다; 단, 기 E1 및 E3 중 하나만이 단일 결합일 수 있고 기 E4 및 E2 중 하나만이 단일 결합일 수 있다;E 1 , E 2 , E 3 , E 4 in each case, identically or differently, represent a single bond, -BR 0 -, -C(R 0 ) 2 -, -Si(R 0 ) 2 -, -C represents (=O)-, -O-, -S-, -S(=O)-, -SO 2 -, -N(R 0 )-, or -P(R 0 )-; provided that only one of the groups E 1 and E 3 may be a single bond and only one of the groups E 4 and E 2 may be a single bond;

E5 는 -BR0-, -C(R0)2-, -Si(R0)2-, -C(=O)-, -O-, -S-, -S(=O)-, -SO2-, -N(R0)- 또는 -P(R0)-, 바람직하게 -C(R0)2-, -O- 또는 -S-, 더욱 바람직하게 -O- 또는 -S- 를 나타낸다;E 5 is -BR 0 -, -C(R 0 ) 2 -, -Si(R 0 ) 2 -, -C(=O)-, -O-, -S-, -S(=O)-, -SO 2 -, -N(R 0 )- or -P(R 0 )-, preferably -C(R 0 ) 2 -, -O- or -S-, more preferably -O- or -S- represents;

R0 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, H, D, F, CN, 1 내지 40개, 바람직하게는 1 내지 20개, 보다 바람직하게는 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬기 또는 3 내지 40개, 바람직하게는 3 내지 20개, 보다 바람직하게는 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수 있음), 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수 있는, 5 내지 60 개, 바람직하게는 5 내지 40 개, 보다 바람직하게는 5 내지 30 개, 더욱 더 바람직하게는 6 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타낸다; 여기서 2 개의 인접한 치환기 R0 는, 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수도 있는 단환 또는 다환의 지방족 고리 시스템 또는 방향족 고리 시스템을 형성할 수도 있다;R 0 is in each case, identically or differently, H, D, F, CN, a straight-chain alkyl group having 1 to 40 carbon atoms, preferably 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 10 carbon atoms, or 3 to 10 carbon atoms. branched or cyclic alkyl groups having 40, preferably 3 to 20, more preferably 3 to 10 carbon atoms, each of which may be substituted by one or more radicals R, in each case one or more Aromatic or heteroaromatic ring having 5 to 60, preferably 5 to 40, more preferably 5 to 30, even more preferably 6 to 18 aromatic ring atoms, which may be substituted by radical R represents a system; where two adjacent substituents R 0 may form a monocyclic or polycyclic aliphatic ring system or an aromatic ring system which may be substituted by one or more radicals R;

RX, R 는 위와 동일한 의미를 갖는다. R

바람직하게, E1, E2, E3, E4 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, 단일 결합, -O- 또는 -S- 를 나타낸다; 다만, 기 E1 및 E3 중 하나는 단일 결합이고 다른 하나의 기는 -O- 또는 -S- 이고 기 E4 및 E2 중 하나는 단일 결합이고 다른 하나의 기는 -O- 또는 -S- 이다. 더욱 바람직하게, E1 및 E2 는 -O- 또는 -S- 를 나타내고 E3 및 E4 는 단일 결합을 나타낸다.Preferably, E 1 , E 2 , E 3 , E 4 at each occurrence, identically or differently, represent a single bond, -O- or -S-; However, one of the groups E 1 and E 3 is a single bond and the other group is -O- or -S-, and one of the groups E 4 and E 2 is a single bond and the other group is -O- or -S-. . More preferably, E 1 and E 2 represent -O- or -S- and E 3 and E 4 represent a single bond.

식 (G1-1) 내지 (G1-12) 의 구조 중에서, 다음 구조가 바람직하다: (G1-1), (G1-3), (G1-4), (G1-5), (G1-7), (G1-9), (G1-10), (G1-11) 및 (G1-12). 다음 구조가 특히 바람직하다: (G1-1), (G1-3), (G1-4), (G1-5,) (G1-9), (G1-10).Among the structures of formulas (G1-1) to (G1-12), the following structures are preferred: (G1-1), (G1-3), (G1-4), (G1-5), (G1-7) ), (G1-9), (G1-10), (G1-11) and (G1-12). The following structures are particularly preferred: (G1-1), (G1-3), (G1-4), (G1-5,) (G1-9), (G1-10).

바람직하게, 식 (H1) 의 화합물은 하기 식의 화합물로부터 선택된다:Preferably, the compound of formula (H1) is selected from compounds of the formula:

Figure pct00010
Figure pct00010

Figure pct00011
Figure pct00011

Figure pct00012
Figure pct00012

Figure pct00013
Figure pct00013

Figure pct00014
Figure pct00014

식 중 기호는 위와 동일한 의미를 가지며, 식 (G1-1-1) 내지 (G1-12-3)의 화합물은 적어도 하나의 중수소 원자를 포함한다.The symbols in the formula have the same meaning as above, and the compounds of formulas (G1-1-1) to (G1-12-3) contain at least one deuterium atom.

호스트 재료 (H1) 은 바람직하게는 식 (G1-1-1), (G1-2-1), (G1-3-1), (G1-4-1), (G1-4-2), (G1-5-1), (G1-6-1), (G1-7-1), (G1-8-1), (G1-9-1), (G1-9-3), (G1-10-1), (G1-10-3), (G1-11-1), (G1-11-3), (G1-12-1), (G1-12-3) 의 화합물로부터 선택된다. 호스트 재료 (H1) 은 매우 바람직하게는 식 (G1-1-1), (G1-3-1), (G1-4-1), (G1-4-2), (G1-5-1), (G1-7-1) (G1-9-1), (G1-10-1), (G1-11-1) 및 (G1-12-1) 의 화합물로부터 선택된다.The host material (H1) preferably has the formula (G1-1-1), (G1-2-1), (G1-3-1), (G1-4-1), (G1-4-2), (G1-5-1), (G1-6-1), (G1-7-1), (G1-8-1), (G1-9-1), (G1-9-3), (G1 -10-1), (G1-10-3), (G1-11-1), (G1-11-3), (G1-12-1), (G1-12-3). . The host material (H1) is very preferably of the formula (G1-1-1), (G1-3-1), (G1-4-1), (G1-4-2), (G1-5-1) , (G1-7-1) (G1-9-1), (G1-10-1), (G1-11-1) and (G1-12-1).

바람직한 실시형태에 따르면, 식 (H1) 에서 인덱스 m은 0이고, 식 (H1)의 제 1 호스트 화합물은 하나의 기 Ant1만을 포함한다.According to a preferred embodiment, the index m in formula (H1) is 0 and the first host compound of formula (H1) contains only one group Ant 1 .

기 (G1-1) 내지 (G1-10) 상의 결합 위치는 다음과 같이 넘버링될 수도 있다:Binding positions on groups (G1-1) to (G1-10) may be numbered as follows:

Figure pct00015
Figure pct00015

Figure pct00016
Figure pct00016

기 Ant1 에 적합한 결합 위치의 예는 아래 표에 나와있다:Examples of suitable binding positions for group Ant 1 are given in the table below:

Figure pct00017
Figure pct00017

Figure pct00018
Figure pct00018

Figure pct00019
Figure pct00019

"-" 부호는 제 2 기 Ant1 이 없음을 의미한다. 식 (G1-1-1) 내지 (G1-12-6) 중, 화합물 (G1-1-1), (G1-1-2), (G1-1-4), (G1-2-3), (G1-2-4) , (G1-2-7), (G1-3-1), (G1-3-3), (G1-4-2), (G1-4-3), (G1-4-4), (G1-4-12, (G1-4-13), (G1-5-2), (G1-5-3), (G1-5-4), (G1-5-14), (G1-5-12), (G1-5-17), (G1-6-1), (G1-7-1), (G1-7-2), (G1-7-3), (G1-7-5), (G1-8-1), (G1-8-2), (G1-8-3), (G1-8-7), (G1-8-9), (G1-9-1), (G1-9-3), (G1-9-5), (G1-10-1), (G1-10-3), (G1-10-7), (G1-11-2), (G1-11-6), (G1-11-5), (G1-12-1)이 바람직하며, 제 2 기 Ant1 가 부재하고 (G1-4-12) 화합물이 더 바람직하다. 하기 기가 매우 바람직하다: (G1-1-1), (G1-1-2), (G1-2-3), (G1-2-4), (G1-3-1), (G1-4-2), (G1-4-3), (G1-4-4), (G1-5-2), (G1-5-3), (G1-5-4), (G1-7-1), (G1-7-2), (G1-8-1), (G1-8-2), (G1-8-3), (G1-9-1), (G1-10-1), (G1-12-1)The "-" sign means that there is no secondary Ant 1 . In formulas (G1-1-1) to (G1-12-6), compounds (G1-1-1), (G1-1-2), (G1-1-4), (G1-2-3) , (G1-2-4) , (G1-2-7), (G1-3-1), (G1-3-3), (G1-4-2), (G1-4-3), ( (G1-4-4), (G1-4-12, (G1-4-13), (G1-5-2), (G1-5-3), (G1-5-4), (G1-5 -14), (G1-5-12), (G1-5-17), (G1-6-1), (G1-7-1), (G1-7-2), (G1-7-3) ), (G1-7-5), (G1-8-1), (G1-8-2), (G1-8-3), (G1-8-7), (G1-8-9), (G1-9-1), (G1-9-3), (G1-9-5), (G1-10-1), (G1-10-3), (G1-10-7), (G1 -11-2), (G1-11-6), (G1-11-5), (G1-12-1) are preferred, the secondary group Ant 1 is absent and the (G1-4-12) compound is More preferred. The following groups are highly preferred: (G1-1-1), (G1-1-2), (G1-2-3), (G1-2-4), (G1-3-1), (G1-4-2), (G1-4-3), (G1-4-4), (G1-5-2), (G1-5-3), (G1-5-4), (G1 -7-1), (G1-7-2), (G1-8-1), (G1-8-2), (G1-8-3), (G1-9-1), (G1-10 -1), (G1-12-1)

바람직하게, 기 ArA1 및 ArB1 은 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, 페닐, 바이페닐, 테르페닐, 쿼터페닐, 플루오렌, 스피로바이플루오렌, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 트리페닐렌, 플루오란텐, 테트라센, 크리센, 벤즈안트라센, 벤조페난트라센, 피렌 또는 페릴렌, 디벤조푸란, 카르바졸 및 디벤조티오펜으로 이루어지는 군으로부터 선택되고, 이들 각각은 임의의 자유 위치에서 하나 이상의 라디칼 R에 의해 치환될 수도 있고; 여기서 ArA1, ArB1 는 또한 전술된 기 중 둘 이상의 조합일 수도 있다. 더욱 바람직하게, 기 ArA1 및 ArB1 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, 페닐, 바이페닐, 테르페닐, 쿼터페닐, 나프탈렌, 페난트렌으로 이루어진 군으로부터 선택되며, 이들 각각은 임의의 자유 위치에서 하나 이상의 라디칼 R에 의해 치환될 수도 있다.Preferably, the groups Ar A1 and Ar B1 are in each case, identically or differently, phenyl, biphenyl, terphenyl, quaterphenyl, fluorene, spirobifluorene, naphthalene, anthracene, phenanthrene, triphenylene, selected from the group consisting of fluoranthene, tetracene, chrysene, benzanthracene, benzophenanthracene, pyrene or perylene, dibenzofuran, carbazole and dibenzothiophene, each of which has one at any free position may be substituted by any of the above radicals R; Here, Ar A1 and Ar B1 may also be a combination of two or more of the above-mentioned groups. More preferably, the groups Ar A1 and Ar B1 are, in each case, identically or differently, selected from the group consisting of phenyl, biphenyl, terphenyl, quaterphenyl, naphthalene, phenanthrene, each of which is at any free position It may also be substituted by one or more radicals R.

바람직하게, 기 Ant1 는 식 (A1-1) 내지 (A1-5) 중 하나의 식의 기이다: Preferably, the group Ant 1 is a group of one of the formulas (A1-1) to (A1-5):

Figure pct00020
Figure pct00020

Figure pct00021
Figure pct00021

Figure pct00022
Figure pct00022

여기서 식 (A1-1) 내지 (A1-5) 에서의 점선 결합은 기 G1에 대한 결합 위치를 나타내고, 기 Ant1 는 임의의 자유 위치에서 G1 에 결합될 수도 있다; 그리고 여기서 Here, the dotted line bond in formulas (A1-1) to (A1-5) indicates the bonding position to the group G 1 , and the group Ant 1 may be bonded to G 1 at any free position; and here

RA9 내지 RA21 은 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, CHO, CN, C(=O)Ar, P(=O)(Ar)2, S(=O)Ar, S(=O)2Ar, N(R)2, N(Ar)2, NO2, Si(R)3, B(OR)2, OSO2R, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기 또는 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수도 있고, 여기서 각 경우에 하나 이상의 비인접 CH2 기는 RC=CR, C≡C, Si(R)2, Ge(R)2, Sn(R)2, C=O, C=S, C=Se, P(=O)(R), SO, SO2, O, S 또는 CONR 로 대체될 수도 있고 하나 이상의 H 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있음), 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수도 있는, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 및 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수도 있는, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴옥시 기로부터 선택된 라디칼을 나타낸다; 여기서 RA9 내지 RA21 중 2 개의 인접한 라디칼은 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수도 있는, 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 함께 형성할 수도 있다.R A9 to R A21 are in each case identical or different, H, D, F, Cl, Br, I, CHO, CN, C(=O)Ar, P(=O)(Ar) 2 , S( =O)Ar, S(=O) 2 Ar, N(R) 2 , N(Ar) 2 , NO 2 , Si(R) 3 , B(OR) 2 , OSO 2 R, 1 to 40 carbon atoms A straight-chain alkyl, alkoxy or thioalkyl group having or a branched or cyclic alkyl, alkoxy or thioalkyl group having 3 to 40 carbon atoms, each of which may be substituted by one or more radicals R, wherein in each case one or more radicals Non-adjacent CH 2 groups are RC=CR, C≡C, Si(R) 2 , Ge(R) 2 , Sn(R) 2 , C=O, C=S, C=Se, P(=O)(R ), SO, SO 2 , O, S or CONR and one or more H atoms may be replaced by D, F, Cl, Br, I, CN or NO 2 ), in each case one or more radicals R represents a radical selected from an aromatic or heteroaromatic ring system having 5 to 60 aromatic ring atoms, which may be substituted, and an aryloxy group having 5 to 60 aromatic ring atoms, which may be substituted by one or more radicals R ; Here, two adjacent radicals of R A9 to R A21 may together form an aliphatic, aromatic or heteroaromatic ring system, which may be substituted by one or more radicals R.

바람직하게, RA1 내지 RA8 은 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, H, D, F, 1 내지 40개, 바람직하게는 1 내지 20개, 보다 바람직하게는 1 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 또는 3 내지 40개, 바람직하게는 3 내지 20개, 보다 바람직하게는 3 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수 있고, 각 경우에 하나 이상의 비인접 CH2 기는 RC=CR, C≡C, O 또는 S 에 의해 대체될 수도 있고 하나 이상의 H 원자는 D 또는 F에 의해 대체될 수도 있음), 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수 있는 5 내지 60개, 바람직하게는 5 내지 40개, 보다 바람직하게는 5 내지 30개, 특히 바람직하게는 5 내지 18개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타낸다. 보다 바람직하게, RA1 내지 RA8 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, H, D, F, 1 내지 20 개, 바람직하게는 1 내지 10 개, 보다 바람직하게는 1 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기, 3 내지 20 개, 바람직하게는 3 내지 10 개, 보다 바람직하게는 3 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수도 있음), 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 40 개, 바람직하게는 5 내지 30 개, 보다 바람직하게는 5 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타낸다. 특히 바람직하게, RA1 내지 RA8 는 H 및 D로부터 선택된다. Preferably, R A1 to R A8 in each case, identically or differently, have H, D, F, 1 to 40 carbon atoms, preferably 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 10 carbon atoms. straight chain alkyl, alkoxy or thioalkyl groups, or branched or cyclic alkyl, alkoxy or thioalkyl groups having 3 to 40, preferably 3 to 20, more preferably 3 to 10 carbon atoms, each of which may be substituted by one or more radicals R, in each case one or more non-adjacent CH 2 groups may be replaced by RC=CR, C≡C, O or S and one or more H atoms may be replaced by D or F 5 to 60, preferably 5 to 40, more preferably 5 to 30, particularly preferably 5 to 18 aromatic ring atoms, which in each case may be substituted by one or more radicals R It represents an aromatic or heteroaromatic ring system having a. More preferably, R A1 to R A8 in each case, identically or differently, have H, D, F, 1 to 20 carbon atoms, preferably 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms. straight-chain alkyl groups, branched or cyclic alkyl groups having 3 to 20 carbon atoms, preferably 3 to 10 carbon atoms, more preferably 3 to 6 carbon atoms, each of which may be substituted by one or more radicals R , represents an aromatic or heteroaromatic ring system having 5 to 40, preferably 5 to 30, more preferably 5 to 18 aromatic ring atoms, which may in each case be substituted by one or more radicals R. Particularly preferably, R A1 to R A8 are selected from H and D.

바람직하게, RA9 내지 RA21 은 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, H, D, F, 1 내지 40개, 바람직하게는 1 내지 20개, 보다 바람직하게는 1 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 또는 3 내지 40개, 바람직하게는 3 내지 20개, 보다 바람직하게는 3 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수 있고, 각 경우에 하나 이상의 비인접 CH2 기는 RC=CR, C≡C, O 또는 S 에 의해 대체될 수도 있고 하나 이상의 H 원자는 D 또는 F에 의해 대체될 수도 있음), 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수 있는 5 내지 60개, 바람직하게는 5 내지 40개, 보다 바람직하게는 5 내지 30개, 특히 바람직하게는 5 내지 18개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타낸다. 보다 바람직하게, RA9 내지 RA21 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, H, D, F, 1 내지 20 개, 바람직하게는 1 내지 10 개, 보다 바람직하게는 1 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기, 3 내지 20 개, 바람직하게는 3 내지 10 개, 보다 바람직하게는 3 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수도 있음), 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 40 개, 바람직하게는 5 내지 30 개, 보다 바람직하게는 5 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타낸다. 특히 바람직하게, RA9 내지 RA21 는 H 및 D로부터 선택된다. Preferably, R A9 to R A21 in each case, identically or differently, have H, D, F, 1 to 40 carbon atoms, preferably 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 10 carbon atoms. straight chain alkyl, alkoxy or thioalkyl groups, or branched or cyclic alkyl, alkoxy or thioalkyl groups having 3 to 40, preferably 3 to 20, more preferably 3 to 10 carbon atoms, each of which may be substituted by one or more radicals R, in each case one or more non-adjacent CH 2 groups may be replaced by RC=CR, C≡C, O or S and one or more H atoms may be replaced by D or F 5 to 60, preferably 5 to 40, more preferably 5 to 30, particularly preferably 5 to 18 aromatic ring atoms, which in each case may be substituted by one or more radicals R It represents an aromatic or heteroaromatic ring system having a. More preferably, R A9 to R A21 in each case, identically or differently, have H, D, F, 1 to 20 carbon atoms, preferably 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms. straight-chain alkyl groups, branched or cyclic alkyl groups having 3 to 20 carbon atoms, preferably 3 to 10 carbon atoms, more preferably 3 to 6 carbon atoms, each of which may be substituted by one or more radicals R , represents an aromatic or heteroaromatic ring system having 5 to 40, preferably 5 to 30, more preferably 5 to 18 aromatic ring atoms, which may in each case be substituted by one or more radicals R. Particularly preferably, R A9 to R A21 are selected from H and D.

보다 바람직하게, 기 Ant1 는 식 (A1-1-D) 내지 (A1-5-D) 중 하나의 식의 기이다:More preferably, the group Ant 1 is a group of one of the formulas (A1-1-D) to (A1-5-D):

Figure pct00023
Figure pct00023

Figure pct00024
Figure pct00024

식 중, During the ceremony,

x 은 0 내지 8, 보다 바람직하게는 1 내지 8 의 정수이다;x is an integer from 0 to 8, more preferably from 1 to 8;

y1 은 0 내지 5, 보다 바람직하게는 1 내지 5 의 정수이다;y1 is an integer from 0 to 5, more preferably from 1 to 5;

y2 은 0 내지 4, 보다 바람직하게는 1 내지 4 의 정수이다;y2 is an integer from 0 to 4, more preferably from 1 to 4;

y3 은 0 내지 3, 보다 바람직하게는 1 내지 3 의 정수이다;y3 is an integer from 0 to 3, more preferably from 1 to 3;

z 는 0 내지 7, 보다 바람직하게는 1 내지 7 의 정수이다.z is an integer from 0 to 7, more preferably from 1 to 7.

예를 들어, 인덱스 x가 8을 나타내는 경우, 식 (A1-1-D)에 있는 안트라센 기는 8개의 중수소화 원자를 포함하며, 이는 식 (A1-1-D)에 있는 안트라센 기가 완전히 중수소화되었음을 의미한다.For example, if the index it means.

위에서 언급한 바와 같이, 식 (H1)의 화합물은 적어도 하나의 중수소 원자를 포함한다. 적어도 하나의 중수소 원자는 기 Ant1 또는 G1 상의 치환기일 수 있다. As mentioned above, compounds of formula (H1) contain at least one deuterium atom. At least one deuterium atom may be a substituent on the group Ant 1 or G 1 .

바람직한 실시형태에 따르면, 적어도 하나의 중수소 원자는 기 Ant1 상의 치환기이다. According to a preferred embodiment, at least one deuterium atom is a substituent on the group Ant 1 .

적어도 하나의 중수소 원자가 기 Ant1 상의 치환기일 때, 다음이 바람직하다:When at least one deuterium atom is a substituent on the group Ant 1 , the following is preferred:

- 식 (A1)에서: 적어도 하나의 라디칼 RA1 내지 RA8 은 중수소 원자를 나타내거나 또는 기 ArA1에 있는 적어도 하나의 라디칼 R 은 중수소 원자를 나타낸다; - in formula (A1): at least one radical R A1 to R A8 represents a deuterium atom or at least one radical R in the group Ar A1 represents a deuterium atom;

- 식 (A1-1) 내지 (A1-5)에서: 적어도 하나의 라디칼 RA1 내지 RA8 은 중수소 원자를 나타내거나 또는 적어도 하나의 라디칼 RA9 내지 RA21 은 중수소 원자를 나타낸다;- In formulas (A1-1) to (A1-5): at least one radical R A1 to R A8 represents a deuterium atom or at least one radical R A9 to R A21 represents a deuterium atom;

- 식 (A1-1-D) 내지 (A1-5-D) 에서: 식에 존재하는 x, y1, y2, y3 및 z 로부터 선택된 적어도 하나의 인덱스는 0이 아니다.- In formulas (A1-1-D) to (A1-5-D): at least one index selected from x, y1, y2, y3 and z present in the formula is not 0.

바람직한 실시형태에 따르면, 적어도 하나의 중수소 원자는 기 G1 상의 치환기이다. According to a preferred embodiment, at least one deuterium atom is a substituent on the group G 1 .

이 경우에, 적어도 하나의 라디칼 RX 은 중수소 원자를 나타내는 것이 바람직하다. 더욱 특히, 기 G1에 존재하는 치환기 RX 중 적어도 10% 는 중수소 원자를 나타내는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게, 기 G1에 존재하는 치환기 RX 중 적어도 20% 는 중수소 원자를 나타내거나, 또는 기 G1에 존재하는 치환기 RX 중 적어도 30% 는 중수소 원자를 나타내거나, 또는 기 G1에 존재하는 치환기 RX 중 적어도 40% 는 중수소 원자를 나타내거나, 또는 기 G1에 존재하는 치환기 RX 중 적어도 50 % 는 중수소 원자를 나타내거나, 또는 기 G1에 존재하는 치환기 RX 중 적어도 60 % 는 중수소 원자를 나타내거나, 또는 기 G1에 존재하는 치환기 RX 중 적어도 70 % 는 중수소 원자를 나타내거나, 또는 기 G1에 존재하는 치환기 RX 중 적어도 80 % 는 중수소 원자를 나타내거나, 또는 기 G1에 존재하는 치환기 RX 중 적어도 90 % 는 중수소 원자를 나타낸다.In this case, it is preferred that at least one radical R More particularly, it is preferred that at least 10% of the substituents R More preferably , at least 20 % of the substituents R At least 40 % of the substituents R % represents a deuterium atom, or at least 70 % of the substituents R or at least 90% of the substituents R

바람직하게는, RX 는 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, H, D, F, 1 내지 40개, 바람직하게는 1 내지 20개, 보다 바람직하게는 1 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 또는 3 내지 40개, 바람직하게는 3 내지 20개, 보다 바람직하게는 3 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수 있고, 각 경우에 하나 이상의 비인접 CH2 기는 RC=CR, C≡C, O 또는 S 에 의해 대체될 수도 있고 하나 이상의 H 원자는 D 또는 F에 의해 대체될 수도 있음), 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수 있는 5 내지 60개, 바람직하게는 5 내지 40개, 보다 바람직하게는 5 내지 30개, 특히 바람직하게는 5 내지 18개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타낸다. 보다 바람직하게, RX 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, H, D, F, 1 내지 20 개, 바람직하게는 1 내지 10 개, 보다 바람직하게는 1 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기, 3 내지 20 개, 바람직하게는 3 내지 10 개, 보다 바람직하게는 3 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수도 있음), 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 40 개, 바람직하게는 5 내지 30 개, 보다 바람직하게는 5 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타낸다. 더욱 바람직하게, RX 는 H 및 D 로부터 선택된다.Preferably, R , an alkoxy or thioalkyl group, or a branched or cyclic alkyl, alkoxy or thioalkyl group having 3 to 40, preferably 3 to 20, more preferably 3 to 10 carbon atoms, each of which has one or more may be replaced by a radical R, in each case one or more non-adjacent CH 2 groups may be replaced by RC=CR, C≡C, O or S and one or more H atoms may be replaced by D or F ), having 5 to 60, preferably 5 to 40, more preferably 5 to 30, particularly preferably 5 to 18 aromatic ring atoms, which in each case may be substituted by one or more radicals R Represents an aromatic or heteroaromatic ring system. More preferably, R , branched or cyclic alkyl groups having 3 to 20, preferably 3 to 10, more preferably 3 to 6 carbon atoms, each of which may be substituted by one or more radicals R, in each case represents an aromatic or heteroaromatic ring system having 5 to 40, preferably 5 to 30, more preferably 5 to 18 aromatic ring atoms, which may be substituted by one or more radicals R. More preferably, R

식 (H1) 의 화합물은 중수소 원자가 기 G1 상의, 기 Ant1 상의 또는 기 G1 및 Ant1 둘 다 상의 치환기인 채로 적어도 10% 중수소화되는 것이 특히 바람직하다. 이것은 식 (H1) 의 화합물에서 이용 가능한 수소 원자의 적어도 10%가 중수소 원자로 대체된다는 것을 의미한다. 더욱 바람직하게, 식 (H1)의 화합물은 적어도 20% 중수소화되거나, 또는 적어도 30% 중수소화되거나, 또는 적어도 40% 중수소화되거나, 또는 적어도 50% 중수소화되거나, 또는 적어도 60% 중수소화되거나, 또는 적어도 70% 중수소화되거나, 또는 적어도 80% 중수소화되거나, 또는 적어도 90% 중수소화된다.It is particularly preferred that the compounds of formula (H1) are at least 10% deuterated, with the deuterium atoms being substituents on the group G 1 , on the group Ant 1 or on both groups G 1 and Ant 1 . This means that at least 10% of the available hydrogen atoms in the compound of formula (H1) are replaced by deuterium atoms. More preferably, the compound of formula (H1) is at least 20% deuterated, or at least 30% deuterated, or at least 40% deuterated, or at least 50% deuterated, or at least 60% deuterated, or at least 70% deuterated, or at least 80% deuterated, or at least 90% deuterated.

식 (H1)의 매우 바람직한 화합물의 예는 하기 표에 나타나 있다:Examples of highly preferred compounds of formula (H1) are shown in the table below:

Figure pct00025
Figure pct00025

Figure pct00026
Figure pct00026

Figure pct00027
Figure pct00027

Figure pct00028
Figure pct00028

Figure pct00029
Figure pct00029

Figure pct00030
Figure pct00030

구조에서, 예를 들어, "D8" 또는 "D4"라는 용어는 해당 고리가 각각 8개, 4개의 중수소 원자로 치환됨을 의미한다.In a structure, for example, the terms "D8" or "D4" mean that the ring in question is substituted with 8 and 4 deuterium atoms, respectively.

바람직하게, 기 G2 는 하기 식 중 하나의 식의 기로부터 선택된다:Preferably, the group G 2 is selected from groups of one of the following formulas:

Figure pct00031
Figure pct00031

식 중:During the ceremony:

Y 는 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, C-RY 또는 N을 나타낸다; 다만, Y 는 기 Ant2 에 결합될 때 C를 나타낸다; 그리고 기호 RY 는 위와 동일한 의미를 갖는다; 그리고Y at each occurrence, identically or differently, represents CR Y or N; However, Y represents C when bonded to the group Ant 2 ; And the symbol R Y has the same meaning as above; and

RB0 은 위와 동일한 의미를 갖는다.R B0 has the same meaning as above.

바람직하게, RB0 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, H, 1 내지 40개, 바람직하게는 1 내지 20개, 보다 바람직하게는 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬기 또는 3 내지 40개, 바람직하게는 3 내지 20개, 보다 바람직하게는 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수도 있음), 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수 있는, 5 내지 40 개, 바람직하게는 5 내지 20 개, 더욱 바람직하게는 6 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타낸다; 여기서 2 개의 인접한 치환기 RB0 는, 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수도 있는 단환 또는 다환의 지방족 고리 시스템 또는 방향족 고리 시스템을 형성할 수도 있다.Preferably, R B0 in each case, identically or differently, is H, a straight-chain alkyl group having 1 to 40 carbon atoms, preferably 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 10 carbon atoms, or 3 to 40 carbon atoms, A branched or cyclic alkyl group having preferably 3 to 20, more preferably 3 to 10 carbon atoms, each of which may be substituted by one or more radicals R, in each case one or more radicals R refers to an aromatic or heteroaromatic ring system having 5 to 40, preferably 5 to 20, more preferably 6 to 18 aromatic ring atoms, which may be substituted by; Here, two adjacent substituents R B0 may form a monocyclic or polycyclic aliphatic ring system or an aromatic ring system which may be substituted by one or more radicals R.

기 (G2-1) 내지 (G2-5) 중에서, 기 (G2-1) 및 (G2-2)이 바람직하다.Among groups (G2-1) to (G2-5), groups (G2-1) and (G2-2) are preferred.

바람직하게, 식 (H2) 의 화합물은 하기 식의 기로부터 선택된다:Preferably, the compounds of formula (H2) are selected from groups of the formula:

Figure pct00032
Figure pct00032

Figure pct00033
Figure pct00033

식 중 기호는 위와 동일한 의미를 갖는다.The symbols in the formula have the same meaning as above.

식 (G2-1-1) 내지 (G2-5-2) 의 화합물 중에서, 다음 화합물이 바람직하다: (G2-1-1), (G2-2-1), (G2-4-1), (G2-5-1), (G2-5-2), 보다 바람직하게는 (G2-1-1), (G2-2-1), (G2-5-1), (G2-5-2) 이고 매우 바람직하게는 (G2-1-1), (G2-2-1) 이다.Among the compounds of formulas (G2-1-1) to (G2-5-2), the following compounds are preferred: (G2-1-1), (G2-2-1), (G2-4-1), (G2-5-1), (G2-5-2), more preferably (G2-1-1), (G2-2-1), (G2-5-1), (G2-5-2 ) and very preferably (G2-1-1), (G2-2-1).

기 (G2-1) 내지 (G2-5) 상의 결합 위치는 다음과 같이 넘버링될 수도 있다:Binding positions on groups (G2-1) to (G2-5) may be numbered as follows:

Figure pct00034
Figure pct00034

기 Ant2 에 바람직한 결합 위치는 아래 표에 나와있다:The preferred binding positions for group Ant 2 are listed in the table below:

Figure pct00035
Figure pct00035

Figure pct00036
Figure pct00036

식 (G2-1-1) 내지 (G2-5-20) 의 화합물 중에서, 다음 화합물이 바람직하다: (G2-1-6), (G2-1-7), (G2-1-9), (G2-1-10), (G2-1-11), (G2-1-12), (G2-2-7), (G2-2-8), (G2-2-9), (G2-2-10), (G2-3-7), (G2-3-8), (G2-3-9), (G2-4-5), (G2-4-7), (G2-5-5), (G2-5-7), (G2-5-15), (G2-5-17) 및 (G2-5-20). 다음 식의 화합물이 훨씬 더 바람직하다: (G2-1-6), (G2-1-9), (G2-2-8), (G2-2-9), (G2-4-7), (G2-5-7), (G2-5-15) 및 (G2-5-20).Among the compounds of formulas (G2-1-1) to (G2-5-20), the following compounds are preferred: (G2-1-6), (G2-1-7), (G2-1-9), (G2-1-10), (G2-1-11), (G2-1-12), (G2-2-7), (G2-2-8), (G2-2-9), (G2 -2-10), (G2-3-7), (G2-3-8), (G2-3-9), (G2-4-5), (G2-4-7), (G2-5) -5), (G2-5-7), (G2-5-15), (G2-5-17) and (G2-5-20). Even more preferred are compounds of the following formula: (G2-1-6), (G2-1-9), (G2-2-8), (G2-2-9), (G2-4-7), (G2-5-7), (G2-5-15) and (G2-5-20).

바람직하게는, RY 는 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, H, F, 1 내지 40개, 바람직하게는 1 내지 20개, 보다 바람직하게는 1 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 또는 3 내지 40개, 바람직하게는 3 내지 20개, 보다 바람직하게는 3 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수 있고, 각 경우에 하나 이상의 비인접 CH2 기는 RC=CR, C≡C, O 또는 S 에 의해 대체될 수도 있고 하나 이상의 H 원자는 D 또는 F에 의해 대체될 수도 있음), 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수 있는 5 내지 60개, 바람직하게는 5 내지 40개, 보다 바람직하게는 5 내지 30개, 특히 바람직하게는 5 내지 18개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타낸다. 보다 바람직하게, RY 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, H, F, 1 내지 20 개, 바람직하게는 1 내지 10 개, 보다 바람직하게는 1 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기, 3 내지 20 개, 바람직하게는 3 내지 10 개, 보다 바람직하게는 3 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수도 있음), 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 40 개, 바람직하게는 5 내지 30 개, 보다 바람직하게는 5 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타낸다. 보다 바람직하게, RY 는 H 를 나타낸다.Preferably, RY in each occurrence, identically or differently, is H, F, straight-chain alkyl, alkoxy, having 1 to 40 carbon atoms, preferably 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 10 carbon atoms. or a thioalkyl group, or a branched or cyclic alkyl, alkoxy or thioalkyl group having 3 to 40, preferably 3 to 20, more preferably 3 to 10 carbon atoms, each of which has one or more radicals R may be replaced by, in each case one or more non-adjacent CH 2 groups may be replaced by RC=CR, C≡C, O or S and one or more H atoms may be replaced by D or F), aromatic having 5 to 60, preferably 5 to 40, more preferably 5 to 30, particularly preferably 5 to 18 aromatic ring atoms, which in each case may be substituted by one or more radicals R Represents a heteroaromatic ring system. More preferably, RY at each occurrence, identically or differently, is H, F, a straight chain alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, preferably 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, 3 branched or cyclic alkyl groups having from 20 to 20, preferably from 3 to 10, more preferably from 3 to 6 carbon atoms, each of which may be substituted by one or more radicals R, one in each case It represents an aromatic or heteroaromatic ring system having 5 to 40, preferably 5 to 30, more preferably 5 to 18 aromatic ring atoms, which may be substituted by the above radical R. More preferably, RY represents H.

기 Ant2 는 바람직하게 식 (A2-1) 내지 (A2-5) 중 하나의 식의 기이다:The group Ant 2 is preferably a group of one of the formulas (A2-1) to (A2-5):

Figure pct00037
Figure pct00037

Figure pct00038
Figure pct00038

Figure pct00039
Figure pct00039

여기서 식 (A2-1) 내지 (A2-5) 에서의 점선 결합은 기 G2에 대한 결합 위치를 나타내고 기 Ant2 는 임의의 자유 위치에서 G2 에 결합될 수도 있다; 그리고 여기서Here, the dotted bond in formulas (A2-1) to (A2-5) indicates the bonding position to the group G 2 and the group Ant 2 may be bonded to G 2 at any free position; and here

RB9 내지 RB21 은 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, H, F, Cl, Br, I, CHO, CN, C(=O)Ar, P(=O)(Ar)2, S(=O)Ar, S(=O)2Ar, N(R)2, N(Ar)2, NO2, Si(R)3, B(OR)2, OSO2R, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기 또는 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수도 있고, 여기서 각 경우에 하나 이상의 비인접 CH2 기는 RC=CR, C≡C, Si(R)2, Ge(R)2, Sn(R)2, C=O, C=S, C=Se, P(=O)(R), SO, SO2, O, S 또는 CONR 로 대체될 수도 있고 하나 이상의 H 원자는 F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있음), 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수도 있는, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 및 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수도 있는, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴옥시 기로부터 선택된 라디칼을 나타낸다; 여기서 RB9 내지 RB21 중 2 개의 인접한 라디칼은 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수도 있는, 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 함께 형성할 수도 있다.R B9 to R B21 are in each case identical or different, H, F, Cl, Br, I, CHO, CN, C(=O)Ar, P(=O)(Ar) 2 , S(=O )Ar, S(=O) 2 Ar, N(R) 2 , N(Ar) 2 , NO 2 , Si(R) 3 , B(OR) 2 , OSO 2 R, having 1 to 40 carbon atoms A straight-chain alkyl, alkoxy or thioalkyl group or a branched or cyclic alkyl, alkoxy or thioalkyl group having 3 to 40 carbon atoms, each of which may be substituted by one or more radicals R, wherein in each case one or more non-adjacent radicals CH 2 group is RC=CR, C≡C, Si(R) 2 , Ge(R) 2 , Sn(R) 2 , C=O, C=S, C=Se, P(=O)(R), may be replaced by SO, SO 2 , O, S or CONR and one or more H atoms may be replaced by F, Cl, Br, I, CN or NO 2 ), in each case may be replaced by one or more radicals R represents a radical selected from an aromatic or heteroaromatic ring system having 5 to 60 aromatic ring atoms, and an aryloxy group having 5 to 60 aromatic ring atoms, which may be substituted by one or more radicals R; Here, two adjacent radicals of R B9 to R B21 may together form an aliphatic, aromatic or heteroaromatic ring system, which may be substituted by one or more radicals R.

바람직하게, RB1 내지 RB8 은 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, H, F, 1 내지 40 개, 바람직하게는 1 내지 20 개, 보다 바람직하게는 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 또는 3 내지 40 개, 바람직하게는 3 내지 20 개, 보다 바람직하게는 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수도 있음), 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60 개, 바람직하게는 5 내지 40 개, 보다 바람직하게는 5 내지 30 개, 특히 바람직하게는 5 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타낸다. 보다 바람직하게, RB1 내지 RB8 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, H, F, 1 내지 20 개, 바람직하게는 1 내지 10 개, 보다 바람직하게는 1 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기, 3 내지 20 개, 바람직하게는 3 내지 10 개, 보다 바람직하게는 3 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수도 있음), 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 40 개, 바람직하게는 5 내지 30 개, 보다 바람직하게는 5 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타낸다. 특히 바람직하게, RB1 내지 RB8 는 H 를 나타낸다. Preferably, R B1 to R B8 in each case, identically or differently, are H, F, straight-chain alkyl having 1 to 40 carbon atoms, preferably 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy or thioalkyl group, or a branched or cyclic alkyl, alkoxy or thioalkyl group having 3 to 40, preferably 3 to 20, more preferably 3 to 10 carbon atoms, each of which has one or more radicals 5 to 60, preferably 5 to 40, more preferably 5 to 30, particularly preferably 5, which may be substituted in each case by one or more radicals R It represents an aromatic or heteroaromatic ring system having from 18 to 18 aromatic ring atoms. More preferably, R B1 to R B8 in each occurrence, identically or differently, are H, F, straight chain alkyl having 1 to 20 carbon atoms, preferably 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms. group, a branched or cyclic alkyl group having 3 to 20, preferably 3 to 10, more preferably 3 to 6 carbon atoms, each of which may be substituted by one or more radicals R, each represents an aromatic or heteroaromatic ring system having 5 to 40, preferably 5 to 30, more preferably 5 to 18 aromatic ring atoms, which may in some cases be substituted by one or more radicals R. Particularly preferably, R B1 to R B8 represent H.

바람직하게, RB9 내지 RB21 은 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, H, F, 1 내지 40 개, 바람직하게는 1 내지 20 개, 보다 바람직하게는 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기, 또는 3 내지 40 개, 바람직하게는 3 내지 20 개, 보다 바람직하게는 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수도 있음), 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60 개, 바람직하게는 5 내지 40 개, 보다 바람직하게는 5 내지 30 개, 특히 바람직하게는 5 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타낸다. 보다 바람직하게, RB9 내지 RB21 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, H, F, 1 내지 20 개, 바람직하게는 1 내지 10 개, 보다 바람직하게는 1 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기, 3 내지 20 개, 바람직하게는 3 내지 10 개, 보다 바람직하게는 3 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수도 있음), 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 40 개, 바람직하게는 5 내지 30 개, 보다 바람직하게는 5 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타낸다. Preferably, R B9 to R B21 in each case, identically or differently, are H, F, straight-chain alkyl having 1 to 40 carbon atoms, preferably 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy or thioalkyl group, or a branched or cyclic alkyl, alkoxy or thioalkyl group having 3 to 40, preferably 3 to 20, more preferably 3 to 10 carbon atoms, each of which has one or more radicals 5 to 60, preferably 5 to 40, more preferably 5 to 30, particularly preferably 5, which may be substituted in each case by one or more radicals R It represents an aromatic or heteroaromatic ring system having from 18 to 18 aromatic ring atoms. More preferably, RB9 to RB21 in each occurrence, identically or differently, are H, F, straight chain alkyl having 1 to 20 carbon atoms, preferably 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms. group, a branched or cyclic alkyl group having 3 to 20, preferably 3 to 10, more preferably 3 to 6 carbon atoms, each of which may be substituted by one or more radicals R, each represents an aromatic or heteroaromatic ring system having 5 to 40, preferably 5 to 30, more preferably 5 to 18 aromatic ring atoms, which may in some cases be substituted by one or more radicals R.

식 (H2)의 매우 바람직한 화합물의 예는 하기 표에 나타나 있다:Examples of highly preferred compounds of formula (H2) are shown in the table below:

Figure pct00040
Figure pct00040

Figure pct00041
Figure pct00041

Figure pct00042
Figure pct00042

바람직하게는, 기 ARAS 및 ARBS 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, 페닐, 바이페닐, 플루오렌, 스피로바이플루오렌, 나프탈렌, 페난트렌, 안트라센, 디벤조푸란, 디벤조티오펜, 카르바졸, 피리딘, 피리미딘, 피라진, 피리다진, 트리아진, 벤조피리딘, 벤조피리다진, 벤조피리미딘 및 퀴나졸린을 나타내고, 이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R에 의해 치환될 수도 있다. 보다 바람직하게는, 기 ARAS 및 ARBS 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, 페닐, 바이페닐 또는 나프탈렌을 나타내며, 이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R에 의해 치환될 수도 있다. Preferably, the groups AR AS and AR BS , in each case, identically or differently, are selected from the group consisting of phenyl, biphenyl, fluorene, spirobifluorene, naphthalene, phenanthrene, anthracene, dibenzofuran, dibenzothiophene, carboxylic acid Bazole, pyridine, pyrimidine, pyrazine, pyridazine, triazine, benzopyridine, benzopyridazine, benzopyrimidine and quinazoline, each of which may be substituted by one or more radicals R. More preferably, the groups AR AS and AR BS , in each case, identically or differently, represent phenyl, biphenyl or naphthalene, each of which may be substituted by one or more radicals R.

바람직하게, R 은 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, H, D, F, CN, N(Ar)2, 1 내지 40 개, 바람직하게는 1 내지 20 개, 보다 바람직하게는 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기 또는 3 내지 40 개, 바람직하게는 3 내지 20 개, 보다 바람직하게는 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R´ 로 치환될 수도 있고, 여기서 각 경우에 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R´C=CR´, C≡C, O 또는 S 로 대체될 수도 있으며 하나 이상의 H 원자는 D 또는 F 로 대체될 수도 있음), 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R´ 로 치환될 수도 있는, 5 내지 60 개, 5 내지 40 개, 보다 바람직하게는 5 내지 30 개, 특히 바람직하게는 6 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타낸다.Preferably, R, at each occurrence, identically or differently, is H, D, F, CN, N(Ar) 2 , 1 to 40 carbons, preferably 1 to 20 carbons, more preferably 1 to 10 carbon atoms. straight chain alkyl, alkoxy or thioalkyl groups having 3 to 40 carbon atoms, preferably 3 to 20 carbon atoms, more preferably 3 to 10 branched or cyclic alkyl, alkoxy or thioalkyl groups (these Each may be replaced by one or more radicals R', wherein in each case one or more non-adjacent CH 2 groups may be replaced by R'C=CR', C≡C, O or S and one or more H atoms may be replaced by D or 5 to 60, 5 to 40, more preferably 5 to 30, particularly preferably 6 to 18 aromatic radicals, which may be substituted in each case by one or more radicals R' It represents an aromatic or heteroaromatic ring system having ring atoms.

바람직하게, Ar 은 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, 각 경우에 또한 하나 이상의 라디칼 R´ 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 40 개, 바람직하게 5 내지 30 개, 보다 바람직하게 5 내지 25 개, 매우 보다 바람직하게는 6 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타낸다.Preferably, Ar has 5 to 40, preferably 5 to 30, more preferably 5 to 25, in each case, identically or differently, which in each case may also be substituted by one or more radicals R ´ Even more preferably it denotes an aromatic or heteroaromatic ring system having 6 to 18 aromatic ring atoms.

바람직하게, R´ 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, CN, 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기 또는 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (여기서 각 경우에 하나 이상의 H 원자는 D 또는 F 에 의해 대체될 수도 있음), 또는 5 내지 18 개의 탄소 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타낸다.Preferably, R ´ , in each case, identically or differently, is H, D, F, Cl, Br, I, CN, a straight chain alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or a group having 3 to 10 carbon atoms. refers to a terrigenous or cyclic alkyl group, in which case one or more H atoms may be replaced by D or F, or an aromatic or heteroaromatic ring system having 5 to 18 carbon atoms.

본 발명에 따르면, 조성물은 식 (H1) 의 제 1 호스트 재료, 식 (H2) 의 제 2 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함한다. 도펀트 재료는 바람직하게는 형광 방출체이다.According to the invention, the composition comprises a first host material of formula (H1), a second host material of formula (H2) and a dopant material. The dopant material is preferably a fluorescent emitter.

바람직하게는, 조성물은 하기 군 중 적어도 하나를 포함하는 적어도 하나의 형광 방출체를 포함한다:Preferably, the composition comprises at least one fluorescent emitter comprising at least one of the following groups:

- 질소에 직접 결합된 3개의 치환 또는 비치환 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 함유하는 아릴아민;- Arylamines containing a system of three substituted or unsubstituted aromatic or heteroaromatic rings directly bonded to nitrogen;

- 브릿지된 트리아릴아민;- bridged triarylamine;

- 적어도 14개의 방향족 고리 원자를 갖는 축합 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템;- a condensed aromatic or heteroaromatic ring system having at least 14 aromatic ring atoms;

- 인데노플루오렌, 인데노플루오렌아민 또는 인데노플루오렌디아민;- indenofluorene, indenofluoreneamine or indenofluorenediamine;

- 벤조인도노플루오렌, 벤조인데노플루오렌아민 또는 벤조인데노플루오렌디아민;- benzoindonofluorene, benzoindenofluoreneamine or benzoindenofluorenediamine;

- 디벤조인데노플루오렌, 디벤조인데노플루오렌아민 또는 디벤조인데노플루오렌디아민;- Dibenzoindenofluorene, dibenzoindenofluoreneamine or dibenzoindenofluorenediamine;

- 적어도 10개의 방향족 고리 원자를 갖는 축합 아릴기를 함유하는 인데노플루오렌;- indenofluorene containing a fused aryl group having at least 10 aromatic ring atoms;

- 비스인데노인데노플루오렌;- Bisindenodenofluorene;

- 인데노디벤조푸란; 인데노플루오렌아민 또는 인데노플루오렌디아민;- Indenodibenzofuran; indenofluoreneamine or indenofluorenediamine;

- 플루오렌 이량체;- fluorene dimer;

- 페녹사진; 또는- phenoxazine; or

- 보론 유도체.- Boron derivatives.

보다 바람직하게는, 조성물은 하기에 나타낸 바와 같이 하기 식 (E-1), (E-2), (E-3) 또는 (E-4) 중 하나의 식의 적어도 하나의 형광 방출체를 포함한다:More preferably, the composition comprises at least one fluorescent emitter of one of the formulas (E-1), (E-2), (E-3) or (E-4) below, as shown below: do:

Figure pct00043
Figure pct00043

식 중, During the ceremony,

Ar10, Ar11, Ar12 은 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, 6 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이며, 이는 각 경우에 또한 하나 이상의 라디칼 R에 의해 치환될 수도 있고; 단, 적어도 하나의 기 Ar10, Ar11, Ar12 는, 서로 축합된 2 내지 4개의 방향족 고리로 이루어지는 적어도 하나의 축합 아릴 또는 헤테로아릴 기를 함유하는 10 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고, 여기서 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템은 하나 이상의 라디칼 R에 의해 치환될 수도 있다;Ar 10 , Ar 11 , Ar 12 are, in each case, identically or differently, an aromatic or heteroaromatic ring system having 6 to 60 aromatic ring atoms, which in each case may also be substituted by one or more radicals R ; However, at least one group Ar 10 , Ar 11 , Ar 12 is an aromatic or hetero group containing 10 to 40 aromatic ring atoms containing at least one condensed aryl or heteroaryl group consisting of 2 to 4 aromatic rings condensed with each other. an aromatic ring system, wherein the aromatic or heteroaromatic ring system may be substituted by one or more radicals R;

R 은 위와 동일한 정의를 갖는다; 그리고R has the same definition as above; and

e 는 1, 2, 3 또는 4 이며; 보다 바람직하게, e 는 1 이다;e is 1, 2, 3 or 4; More preferably, e is 1;

Figure pct00044
Figure pct00044

식 중,During the ceremony,

Ar20, Ar21, Ar22 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, 각 경우에 또한 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수도 있는, 6 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴 또는 헤테로아릴 기이다; Ar 20 , Ar 21 , Ar 22 are in each case, identically or differently, an aryl or heteroaryl group having 6 to 30 aromatic ring atoms, which in each case may also be substituted by one or more radicals R;

E20 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, BR, C(R0)2, Si(R0)2, C=O, C=NR0, C=C(R0)2, O, S, S=O, SO2, NR0, PR0, P(=O)R0 또는 P(=S)R0 로부터 선택된 기이고; 여기서 Ar20, Ar21 및 E20 는 함께 5원 고리 또는 6원 고리를 형성하고, Ar21, Ar23 및 E20 는 함께 5원 고리 또는 6원 고리를 형성한다; E 20 is, in each case, the same or different, BR, C(R 0 ) 2 , Si(R 0 ) 2 , C=O, C=NR 0 , C=C(R 0 ) 2 , O, S, It is a group selected from S=O, SO 2 , NR 0 , PR 0 , P(=O)R 0 or P(=S)R 0 ; wherein Ar 20 , Ar 21 and E 20 together form a 5-membered ring or a 6-membered ring, and Ar 21 , Ar 23 and E 20 together form a 5-membered ring or a 6-membered ring;

R0 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, H, D, F, 1 내지 20 개, 바람직하게는 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기 또는 3 내지 20 개, 바람직하게는 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수도 있고, 각 경우에 하나 이상의 비인접 CH2 기는 O 또는 S 로 대체될 수도 있으며 하나 이상의 H 원자는 D 또는 F 로 대체될 수도 있음), 또는 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수도 있는, 5 내지 40 개, 바람직하게는 5 내지 30 개, 보다 바람직하게는 6 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타내고, 여기서 2 개의 인접한 라디칼 R0 는 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수도 있는 지방족 또는 방향족 고리 시스템을 함께 형성할 수도 있고, R 0 is at each occurrence, identically or differently, H, D, F, a straight-chain alkyl group having 1 to 20, preferably 1 to 10 carbon atoms or 3 to 20, preferably 3 to 10 carbon atoms. A branched or cyclic alkyl group having a carbon atom, each of which may be substituted by one or more radicals R, in each case one or more non-adjacent CH 2 groups may be replaced by O or S and one or more H atoms may be replaced by D or F ), or aromatic or hetero ring atoms having 5 to 40, preferably 5 to 30, more preferably 6 to 18 aromatic ring atoms, which may in each case be substituted by one or more radicals R represents an aromatic ring system, wherein two adjacent radicals R 0 may together form an aliphatic or aromatic ring system which may be substituted by one or more radicals R,

R 은 위와 동일한 정의를 갖는다;R has the same definition as above;

p, q는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, 0 또는 1 이며, 단, p + q = 1 이다;p, q are in each case, the same or different, 0 or 1, provided that p + q = 1;

r 은 1, 2 또는 3 이다; r is 1, 2 or 3;

Figure pct00045
Figure pct00045

식 중,During the ceremony,

Ar30, Ar31, Ar32 은 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, 5 내지 22개, 바람직하게는 5 내지 18개, 보다 바람직하게는 6 내지 14개의 방향족 고리 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴 또는 헤테로아릴 기를 나타낸다;Ar 30 , Ar 31 , and Ar 32 are, in each case, identically or differently, substituted or unsubstituted aryl having 5 to 22, preferably 5 to 18, more preferably 6 to 14 aromatic ring atoms. or represents a heteroaryl group;

E30 는 B 또는 N 을 나타낸다;E 30 represents B or N;

E31, E32, E33 은 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, O, S, C(R0)2, C=O, C=S, C=NR0, C=C(R0)2, Si(R0)2, BR0, NR0, PR0, SO2, SeO2 또는 화학 결합을 나타내고, 단, E30 이 B이면, 기 E31, E32, E33 중 적어도 하나는 NR0 를 나타내고 E30 가 N이면, 기 E31, E32, E33 중 적어도 하나는 BR0 를 나타낸다;E 31 , E 32 , E 33 are, in each case, the same or different, O, S, C(R 0 ) 2 , C=O, C=S, C=NR 0 , C=C(R 0 ) 2 , Si(R 0 ) 2 , BR 0 , Represents NR 0 , PR 0 , SO 2 , SeO 2 or a chemical bond, provided that when E 30 is B, at least one of the groups E 31 , E 32 , and E 33 represents NR 0 and when E 30 is N, group E At least one of 31 , E 32 , and E 33 represents BR 0 ;

R0 는 위와 동일한 정의를 갖는다;R 0 has the same definition as above;

s, t, u 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, 0 또는 1 이며, 단, s + t + u ≥ 1 이다;s, t, u are in each case, identically or differently, 0 or 1, provided that s + t + u ≥ 1;

Figure pct00046
Figure pct00046

식 중,During the ceremony,

Ar40, Ar41, Ar42 은 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, 5 내지 22개, 바람직하게는 5 내지 18개, 보다 바람직하게는 6 내지 14개의 방향족 고리 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴 또는 헤테로아릴 기를 나타낸다;Ar 40 , Ar 41 , and Ar 42 are, in each case, identically or differently, substituted or unsubstituted aryl having 5 to 22, preferably 5 to 18, more preferably 6 to 14 aromatic ring atoms. or represents a heteroaryl group;

E41, E42, E43 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, O, S, C(R0)2, C=O, C=S, C=NR0, C=C(R0)2, Si(R0)2, BR0, NR0, PR0, SO2, SeO2 또는 화학 결합을 나타내고, 단, 기 E41, E42, E43 중 적어도 하나는 존재하고 화학 결합을 나타낸다;E 41 , E 42 , E 43 are, in each case, the same or different, O, S, C(R 0 ) 2 , C=O, C=S, C=NR 0 , C=C(R 0 ) 2 , Si(R 0 ) 2 , BR 0 , NR 0 , PR 0 , SO 2 , SeO 2 or represents a chemical bond, provided that at least one of the groups E 41 , E 42 , E 43 is present and represents a chemical bond;

R0 는 위와 동일한 정의를 갖는다;R 0 has the same definition as above;

i, g, h 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, 0 또는 1 이며, 단, i + g + h ≥ 1 이다.In each case, i, g, and h are the same or different, 0 or 1, provided that i + g + h ≥ 1.

바람직하게는, 식 (E-1) 의 형광 방출체는 적어도 하나의 기 Ar10, Ar11 또는 Ar12, 바람직하게는 Ar10 을 포함하고, 이는 식 (Ar10-1) 내지 (Ar10-24) 의 기로부터 선택된다:Preferably, the fluorescent emitter of formula (E-1) comprises at least one group Ar 10 , Ar 11 or Ar 12 , preferably Ar 10 , which has the formula (Ar 10 -1) to (Ar 10 - 24) is selected from the group of:

Figure pct00047
Figure pct00047

Figure pct00048
Figure pct00048

Figure pct00049
Figure pct00049

식 중, 기 Ar10-1 내지 Ar10-24 는 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 모든 자유 위치에서 치환될 수도 있고; 여기서 In the formula, the groups Ar 10 -1 to Ar 10 -24 may be substituted at all free positions by one or more radicals R; here

E10 은 각각의 경우, 동일하거나 상이하게 BR0, C(R0)2, Si(R0)2, C=O, C=NR0, C=C(R0)2, O, S, S=O, SO2, NR0, PR0, P(=O)R0 또는 P(=S)R0 로부터 선택되는 기이고, 바람직하게 E10 는 C(R0)2이다; E 10 is, in each case, identically or differently BR 0 , C(R 0 ) 2 , Si(R 0 ) 2 , C=O, C=NR 0 , C=C(R 0 ) 2 , O, S, It is a group selected from S=O, SO 2 , NR 0 , PR 0 , P(=O)R 0 or P(=S)R 0 , and preferably E 10 is C(R 0 ) 2 ;

식 중, R0 는 위와 동일한 정의를 갖는다.In the formula, R 0 has the same definition as above.

E11 은 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, C=O, O, S, S=O 또는 SO2, 바람직하게 O 또는 S, 보다 바람직하게 O 로부터 선택되는 기이다; 그리고E 1 , in each case, identically or differently, is C=O, O, S, S=O or SO 2 , preferably It is a group selected from O or S, more preferably O; and

Ar13 은 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 또한 치환될 수도 있는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다.Ar 13 is in each case an aromatic or heteroaromatic ring system having 5 to 60 aromatic ring atoms which, identically or differently, may also be substituted in each case by one or more radicals R .

바람직한 실시형태에 따르면, 식 (E-1) 의 방출체는 식 (Ar10-15) 내지 (Ar10-22) 의 기로부터 선택되는 기 Ar10 을 포함하고, 여기서 d 는 바람직하게 1과 동일하고 바람직하게 적어도 하나의 기 Ar11, Ar12 는 식 (Ar10-15) 내지 (Ar10-22) 의 기로부터 선택된다.According to a preferred embodiment, the emitter of formula (E-1) comprises a group Ar 10 selected from the groups of formulas (Ar 10 -15) to (Ar 10 -22), where d is preferably equal to 1 And preferably at least one group Ar 11 , Ar 12 is selected from groups of formulas (Ar 10 -15) to (Ar 10 -22).

매우 바람직한 실시형태에 따르면, 식 (E-1) 의 방출체는 식 (E-1-1) 내지 (E-1-6) 의 방출체로부터 선택되고,According to a very preferred embodiment, the emitter of formula (E-1) is selected from emitters of formula (E-1-1) to (E-1-6),

Figure pct00050
Figure pct00050

Figure pct00051
Figure pct00051

식 중, 기호는 위와 동일한 의미를 갖고 여기서:In the formula, the symbols have the same meaning as above, where:

f 는 0, 1 또는 2 이다; 그리고f is 0, 1 or 2; and

식 (E-1-1) 내지 (E-1-6) 의 화합물에서 위에 나타낸 벤젠 고리는 하나 이상의 라디칼 R에 의해 모든 자유 위치에서 치환될 수도 있다.The benzene ring shown above in the compounds of formulas (E-1-1) to (E-1-6) may be substituted at all free positions by one or more radicals R.

특히 바람직하게, 식 (E-1) 의 화합물은 식 (E-1-1-A) 내지 (E-1-6-A) 의 화합물로부터 선택되고,Particularly preferably, the compound of formula (E-1) is selected from compounds of formula (E-1-1-A) to (E-1-6-A),

Figure pct00052
Figure pct00052

Figure pct00053
Figure pct00053

Figure pct00054
Figure pct00054

식 중 기호 및 인덱스는 위와 동일한 의미를 갖고 식 (E-1-1-A) 내지 (E-1-6-A) 의 화합물에서 위에 나타낸 벤젠 고리는 하나 이상의 라디칼 R에 의해 모든 자유 위치에서 치환될 수도 있다.The symbols and indices in the formula have the same meaning as above, and in the compounds of formulas (E-1-1-A) to (E-1-6-A), the benzene ring shown above is substituted at all free positions by one or more radicals R. It could be.

바람직하게, 식 (E-2) 의 형광 방출체는 식 (E-2-1) 내지 (E-2-43) 의 형광 방출체로부터 선택되고,Preferably, the fluorescent emitter of formula (E-2) is selected from the fluorescent emitters of formula (E-2-1) to (E-2-43),

Figure pct00055
Figure pct00055

Figure pct00056
Figure pct00056

Figure pct00057
Figure pct00057

Figure pct00058
Figure pct00058

Figure pct00059
Figure pct00059

Figure pct00060
Figure pct00060

식 중, 식 (E-2-1) 내지 (E-2-43) 의 기는, 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 모든 자유 위치에서 치환될 수도 있고; E20 는 위와 동일한 의미를 갖는다. 바람직하게, E20 는 C(R0)2 이다.wherein the groups of formulas (E-2-1) to (E-2-43) may be substituted at all free positions by one or more radicals R; E 20 has the same meaning as above. Preferably, E 20 is C(R 0 ) 2 .

식 (E-2) 의 화합물은 바람직하게 식 (E-2-32) 내지 (E-2-43) 의 화합물로부터 선택된다. 보다 바람직하게, 식 (E-2) 의 화합물은 화합물 (E-2-32-A) 내지 (E-2-43-A) 로부터 선택된다:Compounds of formula (E-2) are preferably selected from compounds of formulas (E-2-32) to (E-2-43). More preferably, the compound of formula (E-2) is selected from compounds (E-2-32-A) to (E-2-43-A):

Figure pct00061
Figure pct00061

Figure pct00062
Figure pct00062

Figure pct00063
Figure pct00063

식 중 기호는 위와 동일한 의미를 갖고 식 (E-2-32-A) 내지 (E-2-43-A) 의 화합물에서 위에 나타낸 벤젠 및 나프탈렌 고리는 하나 이상의 라디칼 R에 의해 모든 자유 위치에서 치환될 수도 있다.The symbols in the formula have the same meaning as above, and in the compounds of formulas (E-2-32-A) to (E-2-43-A), the benzene and naphthalene rings shown above are substituted at all free positions by one or more radicals R. It could be.

바람직하게, 식 (E-3) 의 형광 방출체는 식 (E-3-1) 의 형광 방출체로부터 선택되고,Preferably, the fluorescent emitter of formula (E-3) is selected from the fluorescent emitters of formula (E-3-1),

Figure pct00064
Figure pct00064

식 중, 기호 및 인덱스는 위와 동일한 의미를 가진다.In the formula, symbols and indices have the same meaning as above.

보다 바람직하게, 식 (E-3) 의 형광 방출체는 식 (E-3-2) 의 형광 방출체로부터 선택되고,More preferably, the fluorescent emitter of formula (E-3) is selected from the fluorescent emitters of formula (E-3-2),

Figure pct00065
Figure pct00065

식 중 기호 E30 내지 E33 는 위와 동일한 의미를 갖는다; 여기서 t 는 0 또는 1 이고, t 가 0일 때, 기 E32 는 부재하고 라디칼 R10 이 존재하고, 이는 E32 에 대한 결합을 대체한다; 그리고 여기서 In the formula, symbols E 30 to E 33 have the same meaning as above; where t is 0 or 1, when t is 0, the group E 32 is absent and the radical R 10 is present, which replaces the bond to E 32 ; and here

R10 은 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, CHO, CN, C(=O)Ar, P(=O)(Ar)2, S(=O)Ar, S(=O)2Ar, N(R´)2, N(Ar)2, NO2, Si(R´)3, B(OR´)2, OSO2R´, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기 또는 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R´ 에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 각 경우에 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R´C=CR´, C≡C, Si(R´)2, Ge(R´)2, Sn(R´)2, C=O, C=S, C=Se, P(=O)(R´), SO, SO2, O, S 또는 CONR´ 에 의해 대체될 수도 있고 하나 이상의 H 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 에 의해 대체될 수도 있음), 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R´ 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 하나 이상의 라디칼 R´ 에 의해 치환될 수 있는, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴옥시기를 나타낸다; 여기서 2 개의 인접한 치환기 R10 은 하나 이상의 라디칼 R´ 에 의해 치환될 수도 있는, 지방족 또는 방향족 고리 시스템을 함께 형성할 수도 있다; 여기서 R´ 는 위와 동일한 정의를 갖는다.R 10 is, in each case, the same or different, H, D, F, Cl, Br, I, CHO, CN, C(=O)Ar, P(=O)(Ar) 2 , S(=O) Ar, S(=O) 2 Ar, N(R´) 2 , N(Ar) 2 , NO 2 , Si(R´ ) 3 , B(OR´) 2 , OSO 2 , 1 to 40 carbons A straight-chain alkyl, alkoxy or thioalkyl group having 3 to 40 carbon atoms or a branched or cyclic alkyl, alkoxy or thioalkyl group having 3 to 40 carbon atoms, each of which may be substituted by one or more radicals The above non-adjacent CH 2 groups are R ´ C=CR ´ , C≡C, Si(R ´ ) 2 , Ge(R ´ ) 2 , Sn(R ´ ) 2 , C=O, C=S, C=Se, P(=O)(R ´ ), SO, SO 2 , O, S or CONR ´ and one or more H atoms may be replaced by D, F, Cl, Br, I, CN or NO 2 may be substituted), an aromatic or heteroaromatic ring system having 5 to 60 aromatic ring atoms, which may in each case be substituted by one or more radicals R ´ , or 5 to 6 radicals, which may be substituted by one or more radicals R ´ It represents an aryloxy group with 60 aromatic ring atoms; where two adjacent substituents R 10 may together form an aliphatic or aromatic ring system, which may be substituted by one or more radicals R ´ ; Here, R´ has the same definition as above.

더욱 더 바람직하게, 식 (E-3) 의 형광 방출체는 식 (E-3-3) 및 (E-3-4) 의 형광 방출체로부터 선택되고,Even more preferably, the fluorescent emitter of formula (E-3) is selected from the fluorescent emitters of formula (E-3-3) and (E-3-4),

Figure pct00066
Figure pct00066

식 중, 기호 및 인덱스는 위와 동일한 의미를 가진다.In the formula, symbols and indices have the same meaning as above.

바람직하게, 식 (E-4) 의 형광 방출체는 식 (E-4-1) 또는 (E-4-2) 의 형광 방출체로부터 선택되고,Preferably, the fluorescent emitter of formula (E-4) is selected from the fluorescent emitters of formula (E-4-1) or (E-4-2),

Figure pct00067
Figure pct00067

식 중,During the ceremony,

E41 및 E42 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, O, S, C(R0)2, C=O, C=S, C=NR0, C=C(R0)2, Si(R0)2, BR0, NR0, PR0, SO2, SeO2 또는 화학 결합을 나타내고, 여기서 기 E41 는 바람직하게 결합이다;E 41 and E 42 are, in each case, identically or differently, O, S, C(R 0 ) 2 , C=O, C=S, C=NR 0 , C=C(R 0 ) 2 , Si( R 0 ) 2 , BR 0 , represents NR 0 , PR 0 , SO 2 , SeO 2 or a chemical bond, where the group E 41 is preferably a bond;

R20 은 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, CHO, CN, C(=O)Ar, P(=O)(Ar)2, S(=O)Ar, S(=O)2Ar, N(R´)2, N(Ar)2, NO2, Si(R´)3, B(OR´)2, OSO2R´, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기 또는 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R´ 에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 각 경우에 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R´C=CR´, C≡C, Si(R´)2, Ge(R´)2, Sn(R´)2, C=O, C=S, C=Se, P(=O)(R´), SO, SO2, O, S 또는 CONR´ 에 의해 대체될 수도 있고 하나 이상의 H 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 에 의해 대체될 수도 있음), 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R´ 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 하나 이상의 라디칼 R´ 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴옥시기를 나타낸다; 여기서 2 개의 인접한 치환기 R20 은 하나 이상의 라디칼 R´ 에 의해 치환될 수도 있는, 지방족 또는 방향족 고리 시스템을 함께 형성할 수도 있다; 여기서 R´ 는 위와 동일한 정의를 갖는다;R 20 is, in each case, the same or different, H, D, F, Cl, Br, I, CHO, CN, C(=O)Ar, P(=O)(Ar) 2 , S(=O) Ar, S(=O) 2 Ar, N(R´) 2 , N(Ar) 2 , NO 2 , Si(R´ ) 3 , B(OR´) 2 , OSO 2 , 1 to 40 carbons A straight-chain alkyl, alkoxy or thioalkyl group having 3 to 40 carbon atoms or a branched or cyclic alkyl, alkoxy or thioalkyl group having 3 to 40 carbon atoms, each of which may be substituted by one or more radicals The above non-adjacent CH 2 groups are R ´ C=CR ´ , C≡C, Si(R ´ ) 2 , Ge(R ´ ) 2 , Sn(R ´ ) 2 , C=O, C=S, C=Se, P(=O)(R ´ ), SO, SO 2 , O, S or CONR ´ and one or more H atoms may be replaced by D, F, Cl, Br, I, CN or NO 2 may be substituted), an aromatic or heteroaromatic ring system having 5 to 60 aromatic ring atoms, which may in each case be substituted by one or more radicals R ´ , or 5 to 6 radicals, which may be substituted by one or more radicals R ´ It represents an aryloxy group with 60 aromatic ring atoms; where two adjacent substituents R 20 may together form an aliphatic or aromatic ring system, which may be substituted by one or more radicals R ´ ; Here R´ has the same definition as above;

g 는 0 또는 1 이다.g is 0 or 1.

보다 바람직하게, 식 (E-4) 의 형광 방출체는 식 (E-4-1-A) 또는 (E-4-2-A) 의 형광 방출체로부터 선택되고, More preferably, the fluorescent emitter of formula (E-4) is selected from fluorescent emitters of formula (E-4-1-A) or (E-4-2-A),

Figure pct00068
Figure pct00068

식 중 기호는 위와 동일한 의미를 갖는다. The symbols in the formula have the same meaning as above.

바람직한 실시형태에 따르면, 식 (E-1), (E-2), (E-3) 또는 (E-4) 의 형광 방출체는 기 RS를 포함하고, 여기서 기 RS는:According to a preferred embodiment, the fluorescent emitter of formula (E-1), (E-2), (E-3) or (E-4) comprises a group RS, wherein the group RS is:

- 하기 일반 식 (RS-a) 의 기로 나타낸 분지형 또는 환형 알킬기로부터 선택되며, - is selected from branched or cyclic alkyl groups represented by groups of the general formula (RS-a):

Figure pct00069
Figure pct00069

식 중 During the ceremony

R22, R23, R24 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, H, 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬기, 또는 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬기로부터 선택되고, 상기 기는 각각 하나 이상의 라디칼 R25 에 의해 치환될 수 있고, 라디칼 R22, R23, R24 중 2개 또는 모든 라디칼 R22, R23, R24 는 연결되어 (다)환형 알킬기를 형성할 수 있고, 이는 하나 이상의 라디칼 R25 에 의해 치환될 수 있고;R 22 , R 23 , R 24 are, in each case, identically or differently, selected from H, a straight-chain alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a branched or cyclic alkyl group having 3 to 10 carbon atoms, The groups may each be substituted by one or more radicals R 25 , and two or all of the radicals R 22 , R 23 , R 24 or all radicals R 22 , R 23 , R 24 may be connected to form a (poly)cyclic alkyl group; , which may be substituted by one or more radicals R 25 ;

R25 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬기 또는 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬기로부터 선택되고;R 25 is, at each occurrence, identically or differently, selected from a straight-chain alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or a branched or cyclic alkyl group having 3 to 10 carbon atoms;

단, 각각의 경우, 라디칼 R22, R23 및 R24 중 적어도 하나는 H 외의 것이고, 단, 각각의 경우, 모든 라디칼 R22, R23 및 R24 는 함께 적어도 4 개의 탄소 원자를 갖고, 단, 각각의 경우, 라디칼 R22, R23 및 R24 중 2개가 H인 경우, 나머지 라디칼은 직쇄가 아니다; 또는provided that in each case, at least one of the radicals R 22 , R 23 and R 24 is other than H, provided that in each case all radicals R 22 , R 23 and R 24 together have at least 4 carbon atoms, provided that , in each case, if two of the radicals R 22 , R 23 and R 24 are H, the remaining radicals are not straight chain; or

- 하기 일반 식 (RS-b) 로 표현되는 분지형 또는 환형 알콕시기로부터 선택되며- It is selected from branched or cyclic alkoxy groups represented by the general formula (RS-b) below,

Figure pct00070
Figure pct00070

식 중During the ceremony

R26, R27, R28 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, H, 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬기, 또는 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬기로부터 선택되고, 여기서 위에 언급된 기는 각각 위에 정의된 바와 같은 하나 이상의 라디칼 R25 에 의해 치환될 수 있고, 그리고 라디칼 R26, R27, R28 중 2개 또는 모든 라디칼 R26, R27, R28 는 연결되어 (다)환형 알킬기를 형성할 수도 있고, 이는 위에 정의된 바와 같은 하나 이상의 라디칼 R25 에 의해 치환될 수도 있다;R 26 , R 27 , R 28 are, at each occurrence, identically or differently, selected from H, a straight-chain alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a branched or cyclic alkyl group having 3 to 10 carbon atoms, wherein The groups mentioned above may each be substituted by one or more radicals R 25 as defined above, and two or all radicals R 26 , R 27 , R 28 of the radicals R 26 , R 27 , R 28 are connected ( c) may form a cyclic alkyl group, which may be substituted by one or more radicals R 25 as defined above;

다만 각각의 경우에 라디칼 R26, R27 및 R28 중 하나만이 H일 수 있다;However, in each case, only one of the radicals R 26 , R 27 and R 28 may be H;

- 하기 일반 식 (RS-c) 으로 표현되는 아르알킬 기로부터 - From an aralkyl group represented by the general formula (RS-c) below:

Figure pct00071
Figure pct00071

식 중During the ceremony

R29, R30, R31 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, H, 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬기, 또는 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬기 (여기서 위에 언급된 기는 각각 하나 이상의 라디칼 R32 에 의해 치환될 수 있음), 또는 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R32 에 의해 치환될 수 있는 6 내지 30개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템로부터 선택되고, 2개 또는 모든 라디칼 R29, R30, R31 은 연결되어 (다)환형 알킬기 또는 방향족 고리 시스템을 형성할 수 있고, 이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R32 에 의해 치환될 수도 있고;R 29 , R 30 , R 31 in each case, identically or differently, are H, a straight-chain alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a branched or cyclic alkyl group having 3 to 10 carbon atoms (wherein the above-mentioned the groups may be substituted in each case by one or more radicals R 32 ), or aromatic ring systems having 6 to 30 aromatic ring atoms, which in each case may be substituted by one or more radicals R 32 , and are selected from two or all The radicals R 29 , R 30 , R 31 may be connected to form a (poly)cyclic alkyl group or an aromatic ring system, each of which may be substituted by one or more radicals R 32 ;

R32 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬기, 또는 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬기, 또는 6 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템으로부터 선택된다;R 32 in each case, identically or differently, is a straight-chain alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a branched or cyclic alkyl group having 3 to 10 carbon atoms, or an aromatic ring having 6 to 24 aromatic ring atoms selected from the system;

단, 각각의 경우, 라디칼 R29, R30 및 R31 중 적어도 하나는 H 외의 것이고, 각각의 경우, 라디칼 R29, R30 및 R31 중 적어도 하나는 적어도 6개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템이거나 이를 함유한다;provided that, in each case, at least one of the radicals R 29 , R 30 and R 31 is other than H, and in each case at least one of the radicals R 29 , R 30 and R 31 is an aromatic ring having at least 6 aromatic ring atoms. is or contains a system;

- 하기 일반 식 (RS-d) 로 표현되는 방향족 고리 시스템으로부터 선택되며- is selected from aromatic ring systems represented by the general formula (RS-d):

Figure pct00072
Figure pct00072

식 중During the ceremony

R40 내지 R44 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, H, 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬기, 또는 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬기 (위에 언급된 기는 각각 하나 이상의 라디칼 R32 에 의해 치환될 수 있음), 또는 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R32 에 의해 치환될 수 있는 6 내지 30개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템로부터 선택되고, 여기서 라디칼 R40 내지 R44 중 2개 이상은 연결되어 (다)환형 알킬기 또는 방향족 고리 시스템을 형성할 수 있고, 이들 각각은 위에 정의된 하나 이상의 라디칼 R32 에 의해 치환될 수도 있다; 또는R 40 to R 44 are in each case, identically or differently, H, a straight-chain alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or a branched or cyclic alkyl group having 3 to 10 carbon atoms (the above-mentioned groups each have one or more may be substituted by a radical R 32 ), or an aromatic ring system having 6 to 30 aromatic ring atoms which may in each case be substituted by one or more radicals R 32 , wherein among the radicals R 40 to R 44 Two or more may be linked to form a (poly)cyclic alkyl group or aromatic ring system, each of which may be substituted by one or more radicals R 32 as defined above; or

- 히기 식 (RS-e) 의 기로부터 선택되며,- is selected from the group of the formula (RS-e),

Figure pct00073
Figure pct00073

식 (RS-e) 에서의 점선 결합은 형광 방출체에 대한 결합을 표시하고; Ar50, Ar51 은 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수도 있는, 5 개 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타내고; 여기서 m 는 1 내지 10 으로부터 선택되는 정수이다.The dotted line bond in formula (RS-e) indicates the bond to the fluorescent emitter; Ar 50 , Ar 51 in each case, identically or differently, represent an aromatic or heteroaromatic ring system having 5 to 60 aromatic ring atoms, which in each case may be substituted by one or more radicals R; Here m is an integer selected from 1 to 10.

바람직하게는, 식 (RS-e) 의 기에서 인덱스 m은 1 내지 6, 매우 바람직하게는 1 내지 4 로부터 선택된 정수이다.Preferably, the index m in the group of formula (RS-e) is an integer selected from 1 to 6, very preferably from 1 to 4.

바람직하게, Ar50, Ar51 은, 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 40 개, 바람직하게 5 내지 30 개, 매우 바람직하게는 6 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타낸다. 더욱 바람직하게는, Ar50, Ar51 은 페닐, 바이페닐, 테르페닐, 쿼터페닐, 플루오렌, 스피로바이플루오렌, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 트리페닐렌, 플루오란텐, 디벤조푸란, 카르바졸 및 디벤조티오펜으로부터 선택되며, 이는 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R에 의해 치환될 수도 있다. 매우 바람직하게는, 적어도 하나의 기 Ar50 또는 Ar51 은 하나 이상의 라디칼 R에 의해 치환될 수도 있는 플루오렌이다.Preferably, Ar 50 , Ar 51 represents 5 to 40, preferably 5 to 30, very preferably 6, which in each case may, identically or differently, be substituted in each case by one or more radicals R It represents an aromatic or heteroaromatic ring system having from 18 to 18 aromatic ring atoms. More preferably, Ar 50 and Ar 51 are phenyl, biphenyl, terphenyl, quaterphenyl, fluorene, spirobifluorene, naphthalene, anthracene, phenanthrene, triphenylene, fluoranthene, dibenzofuran, carboxylic acid, is selected from basazole and dibenzothiophene, which may in each case be substituted by one or more radicals R. Very preferably, at least one group Ar 50 or Ar 51 is fluorene, which may be substituted by one or more radicals R.

보다 특히, 적어도 하나의 기 Ar50 는 식 (Ar50-2) 의 기를 나타내거나 및/또는 적어도 하나의 기 Ar51 는 식 (Ar51-2) 의 기를 나타내는 것이 바람직하고,More particularly, it is preferred that at least one group Ar 50 represents a group of the formula (Ar50-2) and/or at least one group Ar 51 represents a group of the formula (Ar51-2),

Figure pct00074
Figure pct00074

식 중, During the ceremony,

식 (Ar50-2) 에서 점선 결합은 형광 방출체에 대한 그리고 기 Ar50 또는 Ar51 에 대한 결합을 나타내고; 식 (Ar51-2)에서 점선 결합은 Ar50 에 대한 결합을 나타낸다; The dotted bond in formula (Ar50-2) represents the bond to the fluorescent emitter and to the group Ar 50 or Ar 51 ; In formula (Ar51-2), the dashed bond represents the bond to Ar 50 ;

E4 은 -C(R0a)2-, -Si(R0a)2-, -O-, -S- 또는 -N(R0a)-, 바람직하게 -C(R0a)2 로부터 선택된다;E 4 is selected from -C(R 0a ) 2- , -Si(R 0a ) 2- , -O-, -S- or -N(R 0a )-, preferably -C(R 0a ) 2 ;

R0a 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, H, D, F, CN, 1 내지 40개, 바람직하게는 1 내지 20개, 보다 바람직하게는 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬기 또는 3 내지 40개, 바람직하게는 3 내지 20개, 보다 바람직하게는 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수 있음), 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수 있는, 5 내지 60 개, 바람직하게는 5 내지 40 개, 보다 바람직하게는 5 내지 30 개, 매우 바람직하게는 5 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타낸다; 여기서 2 개의 인접한 치환기 R0a 는, 위와 동일한 의미를 갖는, 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수도 있는 단환 또는 다환의 지방족 고리 시스템 또는 방향족 고리 시스템을 형성할 수도 있다; 그리고R 0a is in each case, identically or differently, H, D, F, CN, a straight-chain alkyl group having 1 to 40 carbon atoms, preferably 1 to 20 carbon atoms, more preferably 1 to 10 carbon atoms, or 3 to 10 carbon atoms. branched or cyclic alkyl groups having 40, preferably 3 to 20, more preferably 3 to 10 carbon atoms, each of which may be substituted by one or more radicals R, in each case one or more Aromatic or heteroaromatic ring systems having 5 to 60, preferably 5 to 40, more preferably 5 to 30, very preferably 5 to 18 aromatic ring atoms, which may be substituted by radicals R represents; Here, two adjacent substituents R 0a may form a monocyclic or polycyclic aliphatic ring system or aromatic ring system that may be substituted by one or more radicals R, which have the same meaning as above; and

식 (Ar50-2) 및 (Ar51-2) 의 기는, 위와 동일한 의미를 갖는, 기 R 에 의해 각각의 자유 위치에서 치환될 수도 있다.The groups of formulas (Ar50-2) and (Ar51-2) may be substituted at each free position by a group R, which has the same meaning as above.

바람직하게 기 RS 는, R, R0 또는 R´ 을 대체하는 위치에 위치된다. Preferably the group RS is located in a position replacing R, R 0 or R´.

식 (H1) 및 (H2) 의 화합물을 포함하는 조성물에 사용될 수도 있는 형광 방출체의 예는 방향족 안트라센아민, 방향족 안트라센디아민, 방향족 피렌아민, 방향족 피렌디아민, 방향족 크리센아민 또는 방향족 크리센디아민이다. 방향족 안트라센아민은, 하나의 디아릴아미노기가 안트라센기에 직접, 바람직하게는 9-위치에서 결합하는 화합물을 의미하는 것으로 여겨진다. 방향족 안트라센디아민은, 2개의 디아릴아미노기가 안트라센기에 직접, 바람직하게는 9,10-위치에서 결합하는 화합물을 의미하는 것으로 여겨진다. 방향족 피렌아민, 피렌디아민, 크리센아민 및 크리센디아민은 이와 유사하게 정의되며, 여기서 디아릴아미노 기는 바람직하게는 1-위치 또는 1,6-위치에서 피렌에 결합된다. 추가로 바람직한 방출체는 예를 들어 WO 2019/111971, WO2019/240251 및 WO 2020/067290에 따른 브릿지된 트리아릴아민이다. 추가의 바람직한 방출체는 인데노플루오렌아민 또는 인데노플루오렌디아민 (예를 들어, WO 2006/108497 또는 WO 2006/122630 에 따름), 벤조인데노플루오렌아민 또는 벤조인데노플루오렌디아민 (예를 들어, WO 2008/006449 에 따름), 및 디벤조인데노플루오렌아민 또는 디벤조인데노플루오렌디아민 (예를 들어, WO 2007/140847 에 따름), 및 WO 2010/012328 에 개시된 축합 아릴 기를 함유하는 인데노플루오렌 유도체이다. 또 추가 바람직한 방출체는 WO 2015/158409 에 개시된 바와 같은 벤즈안트라센 유도체, WO 2017/036573 에 개시된 바와 같은 안트라센 유도체, WO 2016/150544 에서와 같이 헤테로아릴 기를 통해 연결된 플루오렌 이량체 또는 WO 2017/028940 및 WO 2017/028941에 개시된 바와 같은 페녹사진 유도체이다. WO 2012/048780 및 WO 2013/185871 에 개시된 피렌아릴아민이 마찬가지로 바람직하다. 마찬가지로 WO 2014/037077 에 개시된 벤조인데노플루오렌아민, WO 2014/106522 에 개시된 벤조플루오렌아민 및 WO 2014/111269 또는 WO 2017/036574, WO 2018/007421 에 개시된 인데노플루오렌이 바람직하다. 또한 WO 2018/095888, WO 2018/095940, WO 2019/076789, WO 2019/170572 그리고 미공개 출원 PCT/EP2019/072697, PCT/EP2019/072670 및 PCT/EP2019/072662 에 개시된 바와 같은 디벤조푸란 또는 인데노디벤조푸란 모이어티를 포함하는 방출체가 바람직하다. 마찬가지로, 예를 들어 WO 2015/102118, CN108409769, CN107266484, WO2017195669, US2018069182 및 미공개 출원 EP 19168728.4, EP 19199326.0 및 EP 19208643.7에 개시된 바와 같은 붕소 유도체가 바람직하다. Examples of fluorescent emitters that may be used in compositions comprising compounds of formula (H1) and (H2) are aromatic anthraceneamine, aromatic anthracenediamine, aromatic pyrenamine, aromatic pyrenediamine, aromatic chrysenamine or aromatic chrysendiamine. . Aromatic anthraceneamine is believed to mean a compound in which one diarylamino group is bonded directly to an anthracene group, preferably at the 9-position. Aromatic anthracenediamine is believed to mean a compound in which two diarylamino groups are bonded directly to an anthracene group, preferably at the 9,10-position. Aromatic pyrenamines, pyrenediamines, chrysenamines and chrysenediamines are defined similarly, wherein the diarylamino group is preferably attached to the pyrene at the 1-position or 1,6-position. Further preferred emitters are bridged triarylamines, for example according to WO 2019/111971, WO2019/240251 and WO 2020/067290. Further preferred emitters are indenofluorenamine or indenofluorenediamine (e.g. according to WO 2006/108497 or WO 2006/122630), benzoindenofluoreneamine or benzoindenofluorenediamine (e.g. for example according to WO 2008/006449), and dibenzoindenofluoreneamine or dibenzoindenofluorenediamine (for example according to WO 2007/140847), and condensed aryl groups disclosed in WO 2010/012328 It is an indenofluorene derivative containing. Still further preferred emitters are benzanthracene derivatives as disclosed in WO 2015/158409, anthracene derivatives as disclosed in WO 2017/036573, fluorene dimers linked via heteroaryl groups as in WO 2016/150544 or WO 2017/028940 and phenoxazine derivatives as disclosed in WO 2017/028941. Equally preferred are the pyrenearylamines disclosed in WO 2012/048780 and WO 2013/185871. Likewise preferred are the benzoindenofluoreneamines disclosed in WO 2014/037077, the benzofluoreneamines disclosed in WO 2014/106522 and the indenofluorenes disclosed in WO 2014/111269 or WO 2017/036574, WO 2018/007421. Also dibenzos as disclosed in WO 2018/095888, WO 2018/095940, WO 2019/076789, WO 2019/170572 and unpublished applications PCT/EP2019/072697, PCT/EP2019/072670 and PCT/EP2019/072662 furan or indenodide Emitters comprising a benzofuran moiety are preferred. Likewise, boron derivatives as disclosed for example in WO 2015/102118, CN108409769, CN107266484, WO2017195669, US2018069182 and unpublished applications EP 19168728.4, EP 19199326.0 and EP 19208643.7 It is desirable.

본 발명의 경우, 매우 적합한 형광 방출체는 WO 2018/007421에 개시된 인데노플루오렌 유도체 및 WO 2019/076789에 개시된 디벤조푸란 유도체이다.For the present invention, very suitable fluorescent emitters are the indenofluorene derivatives disclosed in WO 2018/007421 and the dibenzofuran derivatives disclosed in WO 2019/076789.

식 (H1) 및 (H2)의 화합물을 포함하는 조성물에 사용될 수도 있는 바람직한 형광 방출 화합물의 예는 하기 표에 묘사되어 있다:Examples of preferred fluorescent emitting compounds that may be used in compositions comprising compounds of formula (H1) and (H2) are depicted in the table below:

Figure pct00075
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Figure pct00076
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Figure pct00077
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Figure pct00078
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Figure pct00079
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Figure pct00082
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Figure pct00084
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Figure pct00112
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Figure pct00113
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Figure pct00119
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Figure pct00121
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본 발명에 따르면, 식 (H1)의 화합물 및 식 (H2)의 화합물은 조성물에, 바람직하게는 균질한 혼합물에 함께 존재한다.According to the invention, the compound of formula (H1) and the compound of formula (H2) are present together in a composition, preferably in a homogeneous mixture.

바람직하게, 식 (H1) 의 화합물은 조성물의 1 중량% 이상의 비율로 조성물에 존재한다. 보다 바람직하게, 식 (H1) 의 화합물은 조성물에 1 - 99 %, 바람직하게 10 - 95 %, 보다 바람직하게 20 - 90 %, 특히 바람직하게 30 - 85%, 아주 특히 바람직하게 40 - 80% 의 비율로 존재한다.Preferably, the compound of formula (H1) is present in the composition in a proportion of at least 1% by weight of the composition. More preferably, the compound of formula (H1) is present in the composition in an amount of 1 - 99%, preferably 10 - 95%, more preferably 20 - 90%, particularly preferably 30 - 85%, very particularly preferably 40 - 80%. It exists in a ratio.

바람직하게, 식 (H2) 의 화합물은 조성물의 1 중량% 이상의 비율로 조성물에 존재한다. 보다 바람직하게, 식 (H2) 의 화합물은 조성물에 1 - 99 %, 바람직하게 5 - 90 %, 보다 바람직하게 10 - 80 %, 특히 바람직하게 15 - 70%, 아주 특히 바람직하게 20 - 60% 의 비율로 존재한다. Preferably, the compound of formula (H2) is present in the composition in a proportion of at least 1% by weight of the composition. More preferably, the compound of formula (H2) is present in the composition in an amount of 1 - 99%, preferably 5 - 90%, more preferably 10 - 80%, particularly preferably 15 - 70%, very particularly preferably 20 - 60%. It exists in a ratio.

바람직한 실시형태에 따르면, 본 발명에 따른 조성물은 적어도 하나의 형광 방출체를 더 포함한다. 이 경우, 형광 방출체는 0.1 내지 50.0%, 바람직하게는 0.5 내지 20.0%, 특히 바람직하게는 1.0 내지 10.0%의 비율로 조성물에 존재하는 것이 바람직하다. According to a preferred embodiment, the composition according to the invention further comprises at least one fluorescent emitter. In this case, it is preferred that the fluorescent emitter is present in the composition in a proportion of 0.1 to 50.0%, preferably 0.5 to 20.0% and particularly preferably 1.0 to 10.0%.

% 단위 비율의 명세는, 본 출원의 목적을 위해, 화합물이 기상으로부터 적용될 경우에는 부피% 를 의미하고, 화합물이 용액으로부터 도포될 경우에는 중량% 를 의미하는 것으로 여겨진다. Specifications of percentages in percent are, for the purposes of this application, taken to mean volume percent if the compound is applied from the vapor phase and weight percent if the compound is applied from solution.

예를 들어 스핀 코팅과 같은 코팅 공정에 의해 또는 인쇄 공정에 의해, 액체 상으로부터 본 발명에 따른 화합물을 처리하기 위해, 본 발명에 따른 조성물의 포뮬레이션 (formulation) 이 필요하다. 이들 포뮬레이션은, 예를 들어, 용액, 분산액 또는 유화액일 수 있다. 이 목적을 위해, 둘 이상의 용매의 혼합물을 사용하는 것이 바람직할 수도 있다. 용매는 바람직하게는 유기 및 무기 용매, 더 바람직하게는 유기 용매로부터 선택된다. 용매는 탄화수소, 알코올, 에스테르, 에테르, 케톤 및 아민으로부터 매우 바람직하게 선택된다. 적합하고 바람직한 용매는, 예를 들어 톨루엔, 아니솔, o-, m- 또는 p-크실렌, 메틸 벤조에이트, 메시틸렌, 테트랄린, 베라트롤, THF, 메틸-THF, THP, 클로로벤젠, 디옥산, 페녹시톨루엔, 특히 3-페녹시톨루엔, (-)-펜촌, 1,2,3,5-테트라메틸벤젠, 1,2,4,5-테트라메틸벤젠, 1-메틸나프탈렌, 1-에틸나프탈렌, 데실벤젠, 페닐 나프탈렌, 멘틸 이소발레레이트, 파라 톨릴 이소부티레이트, 시클로헥살 헥사노에이트, 에틸 파라 톨루에이트, 에틸 오르토 톨루에이트, 에틸 메타 톨루에이트, 데카히드로나프탈렌, 에틸 2-메톡시벤조에이트, 디부틸아닐린, 디시클로헥실케톤, 이소소르비드 디메틸 에테르, 데카히드로나프탈렌, 2-메틸바이페닐, 에틸 옥타노에이트, 옥틸 옥타노에이트, 디에틸 세바케이트, 3,3-디메틸바이페닐, 1,4-디메틸나프탈렌, 2,2´-디메틸바이페닐, 2-메틸벤조티아졸, 2-페녹시에탄올, 2-피롤리디논, 3-메틸아니솔, 4-메틸아니솔, 3,4-디메틸아니솔, 3,5-디메틸아니솔, 아세토페논, α-테르피네올, 벤조티아졸, 부틸 벤조에이트, 쿠멘, 시클로헥사놀, 시클로헥사논, 시클로헥실벤젠, 데칼린, 도데실벤젠, 에틸 벤조에이트, 인단, NMP, p-시멘, 페네톨, 1,4-디이소프로필벤젠, 디벤질 에테르, 디에틸렌 글리콜 부틸 메틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 부틸 메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디부틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 트리프로필렌 글리콜 디메틸 에테르, 테트라에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 2-이소프로필나프탈렌, 펜틸벤젠, 헥실벤젠, 헵틸벤젠, 옥틸벤젠, 1,1-비스(3,4-디메틸페닐)에탄 또는 이들 용매의 혼합물이다. In order to process the compounds according to the invention from the liquid phase, for example by means of a coating process such as spin coating or by a printing process, a formulation of the composition according to the invention is necessary. These formulations may be, for example, solutions, dispersions or emulsions. For this purpose, it may be desirable to use mixtures of two or more solvents. The solvent is preferably selected from organic and inorganic solvents, more preferably organic solvents. Solvents are very preferably selected from hydrocarbons, alcohols, esters, ethers, ketones and amines. Suitable and preferred solvents are, for example, toluene, anisole, o-, m- or p-xylene, methyl benzoate, mesitylene, tetralin, veratrol, THF, methyl-THF, THP, chlorobenzene, di Oxane, phenoxytoluene, especially 3-phenoxytoluene, (-)-fenchone, 1,2,3,5-tetramethylbenzene, 1,2,4,5-tetramethylbenzene, 1-methylnaphthalene, 1- Ethylnaphthalene, decylbenzene, phenyl naphthalene, menthyl isovalerate, para-tolyl isobutyrate, cyclohexal hexanoate, ethyl para-toluate, ethyl ortho-toluate, ethyl meta-toluate, decahydronaphthalene, ethyl 2-methoxybenzoate. ate, dibutylaniline, dicyclohexyl ketone, isosorbide dimethyl ether, decahydronaphthalene, 2-methylbiphenyl, ethyl octanoate, octyl octanoate, diethyl sebacate, 3,3-dimethylbiphenyl, 1,4-dimethylnaphthalene, 2,2´-dimethylbiphenyl, 2-methylbenzothiazole, 2-phenoxyethanol, 2-pyrrolidinone, 3-methylanisole, 4-methylanisole, 3,4 -Dimethylanisole, 3,5-dimethylanisole, acetophenone, α-terpineol, benzothiazole, butyl benzoate, cumene, cyclohexanol, cyclohexanone, cyclohexylbenzene, decalin, dodecylbenzene, Ethyl benzoate, indane, NMP, p-cymene, phenethol, 1,4-diisopropylbenzene, dibenzyl ether, Diethylene glycol butyl methyl ether, Triethylene glycol butyl methyl ether, Diethylene glycol dibutyl ether, triethylene glycol Ethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, tripropylene glycol dimethyl ether, tetraethylene glycol dimethyl ether, 2-isopropylnaphthalene, pentylbenzene, hexylbenzene, heptylbenzene, octylbenzene, 1,1-bis(3, 4-dimethylphenyl)ethane or a mixture of these solvents.

따라서, 본 발명은 또한, 본 발명에 따른 식 (H1) 의 화합물 및 식 (H2) 의 화합물 및 적어도 하나의 용매를 포함하는 포뮬레이션에 관한 것이다. 용매는 위에 언급된 용매 또는 이들 용매의 혼합물 중 하나일 수도 있다. Accordingly, the invention also relates to formulations comprising a compound of formula (H1) and a compound of formula (H2) according to the invention and at least one solvent. The solvent may be one of the solvents mentioned above or mixtures of these solvents.

본 발명에 따른 포뮬레이션에서 유기 용매의 비율은 포뮬레이션의 총 중량을 기준으로 바람직하게는 적어도 60 중량%, 바람직하게는 적어도 70 중량%, 그리고 더 바람직하게는 적어도 80 중량% 이다.The proportion of organic solvent in the formulation according to the invention is preferably at least 60% by weight, preferably at least 70% by weight and more preferably at least 80% by weight, based on the total weight of the formulation.

본 발명에 따른 포뮬레이션은 바람직한 전자적 또는 광전자적 컴포넌트, 예컨대 OLED 의 제조에 요구되는 바와 같이, 유기 기능성 재료가 층에 존재하는, 층 또는 다층 구조의 제조에 이용될 수 있다. The formulations according to the invention can be used for the production of layered or multilayered structures, where organic functional materials are present in the layers, as required for the production of desirable electronic or optoelectronic components, such as OLEDs.

본 발명의 포뮬레이션은 바람직하게는 본 발명에 따른 조성물을 포함하는 기능성 층을 기판 상에 또는 기판에 적용된 층들 중 하나 상에 형성하는 데 사용될 수 있다. The formulations of the invention can preferably be used to form a functional layer comprising a composition according to the invention on a substrate or on one of the layers applied to the substrate.

본 발명의 또 다른 목적은 전자 디바이스의 제조 방법이며, 여기서 적어도 하나의 층이 본 발명의 포뮬레이션의 도포로부터 수득된다. 바람직하게는, 본 발명에 따른 포뮬레이션은 기판에 또는 다른 층에 도포되고 다음으로 건조된다.Another object of the invention is a method for manufacturing an electronic device, wherein at least one layer is obtained from application of the formulation of the invention. Preferably, the formulation according to the invention is applied to a substrate or to another layer and then dried.

본 발명에 따른 포뮬레이션으로부터 수득된 기능성 층은 기판 또는 기판에 적용된 층 중 하나 상에, 예를 들어, 플러드(flood) 코팅, 딥 코팅, 스프레이 코팅, 스핀 코팅, 스크린 인쇄, 릴리프 인쇄, 그라비어 인쇄, 로타리 인쇄, 롤러 코팅, 플렉소그래픽 인쇄, 오프셋 인쇄 또는 노즐 인쇄, 바람직하게는 잉크-젯 인쇄에 의해 생성될 수 있다. The functional layer obtained from the formulation according to the invention can be applied on the substrate or on one of the layers applied to the substrate, for example by flood coating, dip coating, spray coating, spin coating, screen printing, relief printing, gravure printing. , rotary printing, roller coating, flexographic printing, offset printing or nozzle printing, preferably ink-jet printing.

본 발명에 따른 포뮬레이션을 이미 적용된 기판 또는 기능성 층에 도포한 후, 용매를 제거하기 위해 건조 단계를 수행할 수 있다. 바람직하게는, 건조 단계는 진공 건조를 포함하고, 다음으로 바람직하게 층의 어닐링이 뒤따른다. 여기서 진공 건조는 바람직하게 10-7 mbar 내지 1 bar 의 범위, 특히 바람직하게는 10-6 mbar 내지 1 bar 의 범위의 압력에서 수행될 수 있다. 진공 건조는 바람직하게, 10 내지 40℃, 보다 바람직하게 15 내지 30℃ 범위의 온도에서 수행된다. 진공 건조 단계 다음으로 바람직하게는 층의 열적 어닐링(thermal annealing)이 뒤따른다. 층의 열적 어닐링은 바람직하게는 120℃ 내지 180℃, 바람직하게는 130℃ 내지 170℃, 더 바람직하게는 140℃ 내지 160℃의 온도에서 일어난다.After the formulation according to the invention has been applied to an already applied substrate or functional layer, a drying step can be carried out to remove the solvent. Preferably, the drying step includes vacuum drying, preferably followed by annealing of the layer. Here, vacuum drying may be preferably performed at a pressure in the range of 10 -7 mbar to 1 bar, particularly preferably in the range of 10 -6 mbar to 1 bar. Vacuum drying is preferably carried out at a temperature ranging from 10 to 40°C, more preferably from 15 to 30°C. The vacuum drying step is preferably followed by thermal annealing of the layer. The thermal annealing of the layer preferably takes place at a temperature of 120°C to 180°C, preferably 130°C to 170°C, more preferably 140°C to 160°C.

따라서, 본 발명은 본 발명에 따른 조성물을 포함하는 적어도 하나의 층을 포함하는 전자 디바이스의 제조 방법에 관한 것으로, 상기 방법은 하기 단계를 포함한다:Accordingly, the invention relates to a method for manufacturing an electronic device comprising at least one layer comprising a composition according to the invention, said method comprising the following steps:

a) 본 발명에 따른 포뮬레이션의 제조;a) Preparation of formulations according to the invention;

b) 본 발명에 따른 조성물을 포함하는 층을 형성하기 위해 기판 상에 또는 다른 층 상에 단계 a)에서 제조된 포뮬레이션의 도포;b) application of the formulation prepared in step a) on a substrate or on another layer to form a layer comprising the composition according to the invention;

c) 용매를 제거하기 위한 층의 건조.c) Drying of the layer to remove solvent.

바람직하게는, 단계 b) 에서, 포뮬레이션은 액상으로부터의 처리에 의해, 보다 바람직하게는 코팅 방법 또는 인쇄 방법을 통해, 매우 더 바람직하게는 인쇄 방법, 특히 바람직하게는 잉크젯 인쇄 방법에 의해 도포된다.Preferably, in step b) the formulation is applied by processing from the liquid phase, more preferably via a coating method or a printing method, even more preferably by a printing method, particularly preferably by an inkjet printing method. .

본 발명의 다른 목적은 애노드, 캐소드 및 그 사이에 적어도 하나의 기능성 층을 포함하는 디바이스이며, 여기서 이 기능성 층은 본 발명에 따른 조성물을 포함한다. 바람직하게는, 본 발명에 따른 조성물을 포함하는 적어도 하나의 기능층은 방출층이다.Another object of the invention is a device comprising an anode, a cathode and at least one functional layer between them, wherein this functional layer comprises a composition according to the invention. Preferably, at least one functional layer comprising the composition according to the invention is an emissive layer.

전자 디바이스는 바람직하게, 유기 전계 발광 디바이스 (OLED), 유기 집적 회로, 유기 전계-효과 트랜지스터, 유기 박막 트랜지스터, 유기 발광 트랜지스터, 유기 태양 전지, 염료-감응형 유기 태양 전지, 유기 광학 검출기, 유기 광수용체, 유기 필드-켄치 디바이스, 발광 전기화학 셀, 유기 레이저 다이오드 및 유기 플라스몬 방출 디바이스로부터 선택된다. 더욱 바람직하게, 전자 디바이스는 유기 전계 발광 디바이스 (OLED) 이다.The electronic device is preferably an organic electroluminescent device (OLED), organic integrated circuit, organic field-effect transistor, organic thin film transistor, organic light-emitting transistor, organic solar cell, dye-sensitized organic solar cell, organic optical detector, organic light selected from receptors, organic field-quench devices, luminescent electrochemical cells, organic laser diodes and organic plasmon emission devices. More preferably, the electronic device is an organic electroluminescent device (OLED).

유기 전계 발광 디바이스는 캐소드, 애노드 및, 본 발명에 따른 조성물을 포함하는, 적어도 하나의 방출 층을 포함한다. 이들 층 외에도, 이는 또한 추가의 층, 예를 들어 각 경우에 하나 이상의 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 차단층, 전자 수송층, 전자 주입층, 여기자 차단층, 전자 차단층 및/또는 전하 생성층을 포함할 수 있다. 예를 들어 여기자 차단 기능을 갖는, 중간층이, 2 개의 방출층 사이에 도입되는 것이 마찬가지로 가능하다. 하지만, 이들 층들의 각각은 반드시 존재할 필요가 있는 것은 아니라는 것에 유의해야 한다. 여기서 유기 전계 발광 디바이스는 하나의 방출 층 또는 복수의 방출 층을 포함할 수 있다. 복수의 방출 층이 존재하는 경우, 이들은 바람직하게는 전체로서 380 nm 내지 750 nm 의 복수의 방출 최대를 가져서, 전체적으로 백색 방출을 초래하며, 즉 형광 또는 인광을 낼 수 있는 다양한 방출 화합물이 방출층에서 사용된다. 3 개의 방출층을 갖는 시스템이 특히 바람직하며, 여기서 3 개의 층은 청색, 녹색 및 오렌지색 또는 적색 방출을 나타낸다 (기본 구조에 대해서는, 예를 들어 WO 2005/011013 참조). 이들은 형광 또는 인광 방출층이거나 또는 형광 및 인광 방출 층이 서로 조합된 혼성 시스템일 수 있다.The organic electroluminescent device comprises a cathode, an anode and at least one emitting layer comprising a composition according to the invention. In addition to these layers, it also comprises further layers, for example one or more hole injection, hole transport, hole blocking, electron transport, electron injection, exciton blocking, electron blocking and/or charge generating layers in each case. It can be included. It is likewise possible for an intermediate layer, for example with an exciton blocking function, to be introduced between the two emitting layers. However, it should be noted that each of these layers does not necessarily need to be present. Here, the organic electroluminescent device may include one emitting layer or a plurality of emitting layers. If a plurality of emitting layers are present, they preferably have a plurality of emission maxima of 380 nm to 750 nm as a whole, resulting in an overall white emission, i.e. various emitting compounds capable of fluorescent or phosphorescent are present in the emitting layers. It is used. Particularly preferred are systems with three emitting layers, where the three layers exhibit blue, green and orange or red emission (for basic structures, see for example WO 2005/011013). These may be fluorescent or phosphorescent emitting layers or hybrid systems in which fluorescent and phosphorescent emitting layers are combined with each other.

관련된 전자 디바이스는 본 발명에 따른 조성물을 포함하는 단일 방출층을 포함할 수도 있거나 또는 둘 이상의 방출 층을 포함할 수도 있다. The electronic device involved may comprise a single emitting layer comprising a composition according to the invention or it may comprise two or more emitting layers.

본 발명에 따른 조성물은 하나 이상의 추가의 매트릭스 재료를 포함할 수도 있다. The composition according to the invention may also comprise one or more additional matrix materials.

바람직한 추가의 매트릭스 재료는 올리고아릴렌 (예를 들어, EP 676461 에 따른 2,2‘,7,7‘-테트라페닐스피로바이플루오렌, 또는 디나프틸안트라센), 특히 축합 방향족 기를 함유하는 올리고아릴렌, 올리고아릴렌비닐렌 (예를 들어, EP 676461 에 따른 DPVBi 또는 스피로-DPVBi), 폴리포달 (polypodal) 금속 착물 (예를 들어, WO 2004/081017 에 따름), 정공 전도 화합물 (예를 들어, WO 2004/058911 에 따름), 전자 전도 화합물, 특히 케톤, 포스핀 산화물, 술폭사이드 등 (예를 들어, WO 2005/084081 및 WO 2005/084082 에 따름), 아트로프 이성질체 (예를 들어, WO 2006/048268 에 따름), 보론산 유도체 (예를 들어, WO 2006/117052 에 따름) 또는 벤즈안트라센 (예를 들어, WO 2008/145239 에 따름) 의 부류에서 선택된다. 특히 바람직한 매트릭스 재료는 나프탈렌, 안트라센, 벤즈안트라센 및/또는 피렌 또는 이들 화합물의 아트로프이성질체를 포함하는 올리고아릴렌, 올리고아릴렌비닐렌, 케톤, 포스핀 산화물 및 술폭사이드의 부류로부터 선택된다. 매우 특히 바람직한 매트릭스 재료는 안트라센, 벤즈안트라센, 벤조페난트렌 및/또는 피렌 또는 이들 화합물의 아트로프이성질체를 포함하는 올리고아릴렌의 부류로부터 선택된다. 본 발명의 의미에서 올리고아릴렌은 적어도 3 개의 아릴 또는 아릴렌 기가 서로 결합되어 있는 화합물을 의미하는 것으로 여겨진다.Preferred further matrix materials are oligoarylenes (e.g. 2,2',7,7'-tetraphenylspirobifluorene, or dinaphthylanthracene according to EP 676461), especially oligoaryls containing condensed aromatic groups. lene, oligoarylenevinylene (e.g. DPVBi or spiro-DPVBi according to EP 676461), polypodal metal complexes (e.g. according to WO 2004/081017), hole conducting compounds (e.g. , according to WO 2004/058911), electron conducting compounds, especially ketones, phosphine oxides, sulfoxides, etc. (e.g. according to WO 2005/084081 and WO 2005/084082), atropisomers (e.g. WO according to 2006/048268), boronic acid derivatives (e.g. according to WO 2006/117052) or benzanthracene (e.g. according to WO 2008/145239). Particularly preferred matrix materials are selected from the class of oligoarylenes, oligoarylenevinylenes, ketones, phosphine oxides and sulfoxides, including naphthalene, anthracene, benzanthracene and/or pyrene or atropisomers of these compounds. Very particularly preferred matrix materials are selected from the class of oligoarylenes, including anthracene, benzanthracene, benzophenanthrene and/or pyrene or atropisomers of these compounds. Oligoarylene in the meaning of the present invention is considered to mean a compound in which at least three aryl or arylene groups are bonded to each other.

본 발명에 따른 유기 전계 발광 디바이스에서의 대응하는 기능성 재료로서 사용하기 위한 재료의 일반적으로 바람직한 부류는 이하에서 나타내어 진다. Generally preferred classes of materials for use as corresponding functional materials in the organic electroluminescent device according to the invention are indicated below.

본 발명에 따른 전자 디바이스의 정공 주입 또는 정공 수송 층 또는 전자 차단층에서 또는 전자 수송층에서 이용될 수 있는 바와 같은 적합한 전하 수송 재료는, 예를 들어 Y. Shirota 등의, Chem. Rev. 2007, 107(4), 953- 1010 에 개시되어 있는 화합물, 또는 종래 기술에 따라 이들 층에서 사용되는 다른 재료이다.Suitable charge transport materials as can be used in the hole injection or hole transport layer or in the electron blocking layer or in the electron transport layer of the electronic device according to the invention are described, for example, in Y. Shirota et al., Chem. Rev. 2007, 107(4), 953-1010, or other materials used in these layers according to the prior art.

전자 수송 층에 사용될 수 있는 재료들은, 전자 수송 층에서 전자 수송 재료로서 종래 기술에 따라 사용되는 모든 재료이다. 특히, 알루미늄 착물, 예를 들어 Alq3, 지르코늄 착물, 예를 들어 Zrq4, 리튬 착물, 예를 들어 LiQ, 벤즈이미다졸 유도체, 트리아진 유도체, 피리미딘 유도체, 피리딘 유도체, 피라진 유도체, 퀴녹살린 유도체, 퀴놀린 유도체, 옥사디아졸 유도체, 방향족 케톤, 락탐, 보란, 디아자포스폴 유도체 및 포스핀 옥사이드 유도체가 적합하다. 또한, 적합한 재료는, JP 2000/053957, WO 2003/060956, WO 2004/028217, WO 2004/080975 및 WO 2010/072300 에 개시되어 있는 바처럼, 위에 언급한 화합물의 유도체이다.Materials that can be used in the electron transport layer are all materials used according to the prior art as electron transport materials in the electron transport layer. In particular, aluminum complexes such as Alq 3 , zirconium complexes such as Zrq 4 , lithium complexes such as LiQ, benzimidazole derivatives, triazine derivatives, pyrimidine derivatives, pyridine derivatives, pyrazine derivatives, quinoxaline derivatives. , quinoline derivatives, oxadiazole derivatives, aromatic ketones, lactams, borane, diazaphosphole derivatives and phosphine oxide derivatives are suitable. Also suitable materials are derivatives of the above-mentioned compounds, as disclosed in JP 2000/053957, WO 2003/060956, WO 2004/028217, WO 2004/080975 and WO 2010/072300.

본 발명에 따른 전계 발광 디바이스에서의 정공 수송, 정공 주입 또는 전자 차단층에서 사용될 수 있는 바람직한 정공 수송 재료는 인데노플루오렌아민 유도체 (예를 들어, WO 06/122630 또는 WO 06/100896 에 따름), EP 1661888 에 개시되어 있는 아민 유도체, 헥사아자트리페닐렌 유도체 (예를 들어, WO 01/049806 에 따름), 축합 방향족 고리를 함유하는 아민 유도체 (예를 들어, US 5,061,569 에 따름), WO 95/09147 에 개시되어 있는 아민 유도체, 모노벤조인데노플루오렌아민 (예를 들어, WO 08/006449 에 따름), 디벤조인데노플루오렌아민 (예를 들어, WO 07/140847 에 따름), 스피로바이플루오렌아민 (예를 들어, WO 2012/034627 또는 WO 2013/120577 에 따름), 플루오렌아민 (예를 들어, 출원 EP 2875092, EP 2875699 및 EP 2875004 에 따름), 스피로디벤조피란아민 (예를 들어, WO 2013/083216 에 따름) 및 디히드로아크리딘 유도체 (예를 들어, WO 2012/150001 에 따름) 이다. 본 발명에 따른 화합물은 또한 정공 수송 재료로 사용될 수 있다. Preferred hole transport materials that can be used in the hole transport, hole injection or electron blocking layer in the electroluminescent device according to the invention are indenofluorenamine derivatives (e.g. according to WO 06/122630 or WO 06/100896) , amine derivatives disclosed in EP 1661888, hexaazatriphenylene derivatives (e.g. according to WO 01/049806), amine derivatives containing fused aromatic rings (e.g. according to US 5,061,569), WO 95 Amine derivatives disclosed in /09147, monobenzoindenofluorenamine (e.g. according to WO 08/006449), dibenzoindenofluorenamine (e.g. according to WO 07/140847), spiro Bifluoreneamines (e.g. according to WO 2012/034627 or WO 2013/120577), fluoreneamines (e.g. according to applications EP 2875092, EP 2875699 and EP 2875004), spirodibenzopyranamines (e.g. for example according to WO 2013/083216) and dihydroacridine derivatives (for example according to WO 2012/150001). The compounds according to the invention can also be used as hole transport materials.

유기 전계 발광 디바이스의 캐소드는 바람직하게는 낮은 일 함수를 갖는 금속, 예를 들어, 알칼리 토금속, 알칼리 금속, 주족 금속, 또는 란타노이드 (예를 들어, Ca, Ba, Mg, Al, In, Mg, Yb, Sm 등) 과 같은 다양한 금속을 포함하는 금속 합금 또는 다층 구조를 포함한다. 또한, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 및 은을 포함하는 합금, 예를 들어 마그네슘 및 은을 포함하는 합금이 적합하다. 다층 구조의 경우, 상대적으로 높은 일 함수를 갖는 추가의 금속, 예컨대, 예를 들어, Ag 또는 Al 이 또한 상기 금속이외에 사용될 수 있고, 이 경우 예를 들어, Ca/Ag, Mg/Ag 또는 Ag/Ag 와 같은 금속의 조합이 일반적으로 사용된다. 또한 금속 캐소드와 유기 반도체 사이에 높은 유전 상수를 갖는 재료의 얇은 중간층을 도입하는 것이 바람직할 수도 있다. 이 목적으로, 예를 들어, 알칼리 금속 플루오라이드 또는 알칼리 토금속 플루오라이드 뿐만 아니라, 대응하는 산화물 또는 탄산염 (예를 들어 LiF, Li2O, BaF2, MgO, NaF, CsF, Cs2CO3 등) 도 적합하다. 또한, 리튬 퀴놀리네이트 (LiQ) 가 이러한 목적으로 사용될 수 있다. 이러한 층의 층 두께는 바람직하게는 0.5 nm 와 5 nm 사이이다.The cathode of the organic electroluminescent device is preferably made of a metal with a low work function, such as an alkaline earth metal, an alkali metal, a main group metal, or a lanthanoid (e.g. Ca, Ba, Mg, Al, In, Mg, It includes a metal alloy or multilayer structure containing various metals such as Yb, Sm, etc.). Also suitable are alloys comprising an alkali metal or alkaline earth metal and silver, for example alloys comprising magnesium and silver. In the case of multilayer structures, additional metals with relatively high work functions, such as, for example, Ag or Al, can also be used in addition to the above metals, in this case, for example, Ca/Ag, Mg/Ag or Ag/ Combinations of metals such as Ag are commonly used. It may also be desirable to introduce a thin intermediate layer of a material with a high dielectric constant between the metal cathode and the organic semiconductor. For this purpose, for example, alkali metal fluorides or alkaline earth metal fluors, as well as the corresponding oxides or carbonates (e.g. LiF, Li 2 O, BaF 2 , MgO, NaF, CsF, Cs 2 CO 3 etc.) is also suitable. Additionally, lithium quinolinate (LiQ) can be used for this purpose. The layer thickness of this layer is preferably between 0.5 nm and 5 nm.

애노드는 바람직하게는 높은 일 함수를 갖는 재료를 포함한다. 애노드는 바람직하게는 진공 대비 4.5 eV 초과의 일함수를 갖는다. 한편, 이 목적으로, 예를 들면 Ag, Pt 또는 Au 와 같은 높은 산화환원 전위 (redox potential) 를 갖는 금속이 적합하다. 다른 한편, 금속/금속 산화물 전극 (예를 들어 Al/Ni/NiOx, Al/PtOx) 이 또한 바람직할 수 있다. 일부 응용의 경우, 유기 재료 (유기 태양 전지) 의 조사 또는 광의 커플링-아웃 (coupling-out) (OLED, O-레이저) 을 용이하게 하기 위해, 전극 중 적어도 하나는 투명하거나 또는 부분적으로 투명해야 한다. 여기서 바람직한 애노드 재료는 전도성 혼합 금속 산화물이다. 인듐 주석 산화물 (ITO) 또는 인듐 아연 산화물 (IZO) 이 특히 바람직하다. 전도성 도핑된 유기 재료, 특히 전도성 도핑된 중합체가 또한 바람직하다.The anode preferably comprises a material with a high work function. The anode preferably has a work function greater than 4.5 eV relative to vacuum. On the other hand, for this purpose, metals with a high redox potential, for example Ag, Pt or Au, are suitable. On the other hand, metal/metal oxide electrodes (eg Al/Ni/NiO x , Al/PtO x ) may also be preferred. For some applications, at least one of the electrodes must be transparent or partially transparent to facilitate irradiation of organic materials (organic solar cells) or coupling-out of light (OLED, O-laser). do. The preferred anode material here is a conductive mixed metal oxide. Indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO) are particularly preferred. Conductively doped organic materials are also preferred, especially conductively doped polymers.

디바이스는 적절하게 (응용에 따라) 구조화되고, 접점들이 제공되고, 마지막으로 밀봉되는데, 이는 본 발명에 따른 디바이스의 수명이 물 및/또는 공기의 존재 하에 단축되기 때문이다.The device is suitably structured (depending on the application), provided with contacts and finally sealed, since the lifespan of the device according to the invention is shortened in the presence of water and/or air.

바람직한 실시형태에서, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 디바이스는 10-5 mbar 미만, 바람직하게는 10-6 mbar 미만인 초기 압력의 진공 승화 유닛에서 재료가 증착 (vapour deposition) 에 의해 적용되는 승화 공정에 의해 하나 이상의 층이 코팅되는 것을 특징으로 한다. 하지만, 또한 여기에서 초기 압력은 훨씬 더 낮은 것, 예를 들어 10-7 mbar 미만인 것이 가능하다.In a preferred embodiment, the organic electroluminescent device according to the invention is produced by a sublimation process in which the material is applied by vapor deposition in a vacuum sublimation unit at an initial pressure of less than 10 -5 mbar, preferably less than 10 -6 mbar. Characterized in that one or more layers are coated. However, it is also possible here for the initial pressure to be much lower, for example below 10 -7 mbar.

하나 이상의 층이 OVPD (유기 기상 증착) 공정에 의해 또는 캐리어 기체 승화의 도움으로 코팅되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 디바이스가 마찬가지로 바람직하며, 여기서 재료는 10-5 mbar 내지 1 bar 의 압력에서 적용된다. 이 공정의 특수한 경우는 OVJP (organic vapour jet printing) 공정이고, 여기서 재료들이 직접 노즐을 통해 도포되고 이렇게 하여 구조화된다 (예를 들어 M. S. Arnold 등의, Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 053301).Equally preferred are organic electroluminescent devices, characterized in that one or more layers are coated by an OVPD (organic vapor deposition) process or with the aid of carrier gas sublimation, where the material is applied at a pressure of 10 -5 mbar to 1 bar. . A special case of this process is the OVJP (organic vapor jet printing) process, in which materials are applied directly through a nozzle and thus structured (e.g. MS Arnold et al. , Appl. Phys. Lett. 2008 , 92 , 053301). .

하나 이상의 층이 예를 들어, 스핀 코팅에 의해, 또는 예를 들어, 스크린 인쇄, 플렉소그래픽 인쇄 (flexographic printing), 노즐 인쇄, 또는 오프셋 인쇄, 그러나 특히 바람직하게는 LITI (광 유도된 열적 이미징, 열전사 인쇄) 또는 잉크젯 인쇄와 같은 임의의 원하는 인쇄 방법에 의한 것과 같이, 용액으로부터 제조되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 디바이스가 또한 바람직하다. 식 (I) 의 가용성 화합물이 이러한 목적을 위해 필요하다. 높은 용해도는 화합물의 적합한 치환을 통해 달성될 수 있다. One or more layers are formed, for example, by spin coating, or by, for example, screen printing, flexographic printing, nozzle printing, or offset printing, but particularly preferably LITI (light induced thermal imaging, Organic electroluminescent devices are also preferred, which are characterized in that they are manufactured from solutions, such as by any desired printing method, such as thermal transfer printing) or inkjet printing. Soluble compounds of formula (I) are required for this purpose. High solubility can be achieved through appropriate substitution of the compounds.

또한, 예를 들어, 하나 이상의 층이 용액으로부터 도포되고, 하나 이상의 추가 층이 증착에 의해 적용되는 혼성 공정이 가능하다. 따라서, 예를 들어, 방출층을 용액으로부터 도포하고 전자 수송층을 증착에 의해 적용하는 것이 가능하다.Hybrid processes are also possible, for example, where one or more layers are applied from solution and one or more additional layers are applied by vapor deposition. It is therefore possible, for example, to apply the emitting layer from solution and the electron transport layer by vapor deposition.

이들 공정은 일반적으로 당업자에게 알려져 있고, 본 발명에 따른 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 디바이스에 진보성 없이 당업자에 의해 적용될 수 있다. These processes are generally known to the person skilled in the art and can be applied by the person skilled in the art without inventive steps to organic electroluminescent devices comprising the compounds according to the invention.

본 발명에 따르면, 본 발명에 따른 하나 이상의 화합물을 포함하는 전자 디바이스는 디스플레이에서, 조명 응용의 광원으로서, 그리고 의료 및/또는 미용 응용 (예를 들어, 광 요법) 에서의 광원으로서 사용될 수 있다.According to the invention, electronic devices comprising at least one compound according to the invention can be used in displays, as a light source in lighting applications and as a light source in medical and/or cosmetic applications (e.g. phototherapy).

본 발명은 이제 하기 실시예에 의해 더욱 상세히 설명될 것이며, 이에 의해 본 발명을 제한하기를 바라지 않는다.The invention will now be explained in greater detail by the following examples, without wishing to limit the invention thereby.

합성예Synthesis example

a) 호스트 H1a) Host H1

식 (H1) 의 호스트의 합성은 당업자에게 알려져 있고, 예를 들어, WO 2010/135395, WO 2019/065415 및 WO 2020/096053 에서 설명되어 있다. 추가의 합성예들이 아래에서 설명된다:The synthesis of hosts of formula (H1) is known to those skilled in the art and is described, for example, in WO 2010/135395, WO 2019/065415 and WO 2020/096053. Additional synthetic examples are described below:

H1-1 의 합성Synthesis of H1-1

Figure pct00122
Figure pct00122

10g(19.7mmol) 7-에틸-4-(10-페닐안트라센-9-일)테트라펜을 230mL 톨루엔-D8에 용해시킨다. 10.4 ml (0.12 mol) 트리플루오로메탄술폰산을 적가하고, 혼합물을 실온에서 교반한다. 2시간 후 47 ml D20 을 첨가하고 혼합물을 인산칼륨 수용액에 첨가될 때까지 10분 동안 교반한다. 혼합물을 톨루엔으로 추출하고, 조합된 유기상을 황산나트륨 상에서 건조시킨다. 유기상을 감압 하에 감소시킨다. 나머지 고체를 컬럼 크로마토그래피 및 99.9% 의 HPLC 순도에 이르기까지 디클로로메탄:시클로헥산 및 톨루엔:n-헵탄으로부터 여러번 결정화하여 정제한다. 수율 5.7g (10.8 mmol, 55%)Dissolve 10 g (19.7 mmol) 7-ethyl-4-(10-phenylanthracen-9-yl)tetraphen in 230 mL toluene-D8. 10.4 ml (0.12 mol) trifluoromethanesulfonic acid is added dropwise and the mixture is stirred at room temperature. After 2 hours 47 ml D 2 0 is added and the mixture is stirred for 10 minutes until added to the aqueous potassium phosphate solution. The mixture is extracted with toluene and the combined organic phases are dried over sodium sulfate. The organic phase is reduced under reduced pressure. The remaining solid is purified by column chromatography and several crystallizations from dichloromethane:cyclohexane and toluene:n-heptane to an HPLC purity of 99.9%. Yield 5.7g (10.8 mmol, 55%)

하기 화합물을 유사한 방식으로 합성할 수 있다:The following compounds can be synthesized in a similar manner:

Figure pct00123
Figure pct00123

H1-3 의 합성:Synthesis of H1-3:

Figure pct00124
Figure pct00124

15g(38mmol) 트리플루오로-메탄술폰산 8-브로모-디벤조푸란-1-일 에스테르, 34.9 g (114 mmol) 2414494-83-8 (WO2020071478), 35.5 g (167 mmol) 인산 칼륨 및 1.6g(1,9mmol) XPhos Palladacycle Gen. 3 을 450 ml THF/물 (2:1) 중에 용해한다. 혼합물은 16 시간 동안 90℃ 에서 교반된다. 실온으로 냉각한 후 에탄올 300ml를 첨가하고 혼합물을 1시간 동안 교반한다. 침전물을 여과해내고 에탄올로 세척한다. 원료를 톨루엔에 용해하고 필터 플러그(실리카, 톨루엔)를 통해 여과하여 황색 고체를 얻었고, 이를 톨루엔/헵탄으로부터 여러번 결정화에 의해 추가로 정제하여 옅은 황색 고체(HPLC >99.9)를 얻었다. 나머지 용매는 승화 (300 ℃ 에서 10-5 bar) 에 의해 제거된다.15 g (38 mmol) trifluoro-methanesulfonic acid 8-bromo-dibenzofuran-1-yl ester, 34.9 g (114 mmol) 2414494-83-8 (WO2020071478), 35.5 g (167 mmol) potassium phosphate and 1.6 g (1,9mmol) XPhos Palladacycle Gen. 3 is dissolved in 450 ml THF/water (2:1). The mixture is stirred at 90° C. for 16 hours. After cooling to room temperature, 300 ml of ethanol was added and the mixture was stirred for 1 hour. The precipitate is filtered off and washed with ethanol. The raw material was dissolved in toluene and filtered through a filter plug (silica, toluene) to give a yellow solid, which was further purified by several crystallizations from toluene/heptane to give a pale yellow solid (HPLC >99.9). The remaining solvent is removed by sublimation (10 -5 bar at 300°C).

수율: 14.1 g (20.4 mmol; 54%)Yield: 14.1 g (20.4 mmol; 54%)

H1-5 의 합성Synthesis of H1-5

Figure pct00125
Figure pct00125

아르곤 분위기 하에서, 오븐 건조된 플라스크에 자석 교반 막대, 1 (2417686-30-5) (13.0 g, 36.9 mmol, 1.0 equiv.), 2 (237545-68-9) (18.4 g, 54 mmol), 트리스(디벤질리덴아세톤) 디팔라듐 (1.3 g, 1.4 mmol), SPhos (1.16 g, 2.8 mmol) 및 불화칼륨 (5.3 g, 92.3 mmol)이 장착된다. 톨루엔 (150 mL), 1,4-디옥산 (150 mL) 및 물 (150 mL) 이 첨가되고 혼합물이 밤새 환류된다. 조 생성물 (raw product) 을 컬럼 크로마토그래피 및 승화에 의해 정제한다. 원하는 생성물을 백색 고체 (5.1 g, 8.9 mmol, 24 %) 로 단리한다. Under argon atmosphere, 1 (2417686-30-5) (13.0 g, 36.9 mmol, 1.0 equiv.), 2 (237545-68-9) (18.4 g, 54 mmol), Tris with a magnetic stir bar in an oven-dried flask. (Dibenzylideneacetone) Dipalladium (1.3 g, 1.4 mmol), SPhos (1.16 g, 2.8 mmol) and potassium fluoride (5.3 g, 92.3 mmol) are loaded. Toluene (150 mL), 1,4-dioxane (150 mL) and water (150 mL) are added and the mixture is refluxed overnight. The raw product is purified by column chromatography and sublimation. The desired product is isolated as a white solid (5.1 g, 8.9 mmol, 24%).

a) 호스트 H2a) Host H2

식 (H2) 의 호스트의 합성은 당업자에게 알려져 있고, 예를 들어, WO 2009/100925, WO 2018/150832 및 KR2018131963 에서 설명되어 있다. 추가의 합성예들이 아래에서 설명된다:The synthesis of hosts of formula (H2) is known to the person skilled in the art and is described, for example, in WO 2009/100925, WO 2018/150832 and KR2018131963. Additional synthetic examples are described below:

화합물 H2-1 의 합성:Synthesis of Compound H2-1:

Figure pct00126
Figure pct00126

7.9g(32mmol) 3,6-디클로로-페난트렌(20851-90-5), 30.4g(80mmol) 4,4,5,5-테트라메틸-2-(10-페닐-9-안트라세닐)-1,3,2-디옥사보롤란(460347-59-5), 29.5g(128mmol) 인산칼륨 일수화물을 750 ml THF/물 (2:1) 에 용해시킨다. 813 mg (0.96 mmol) XPhos Paladacycle Gen. 3을 첨가하고 혼합물을 65℃에서 교반한다. 16 시간 후 반응 혼합물을 실온이 되게 한다. 반응 혼합물을 여과하고 냉 THF 로 세척한다. 침전물은 산화알루미늄(톨루엔) 상에서 고온 추출에 의해 정제되고, HPLC에 의해 순도 >99.9 에 이르기까지 톨루엔/에탄올 및 톨루엔/헵탄으로부터 결정화에 의해 추가로 정제된다. 나머지 용매는 2시간 동안 10-5 bar 에서 300 ℃ 에서 템퍼링(tempering)하여 제거된다.7.9g (32mmol) 3,6-dichloro-phenanthrene (20851-90-5), 30.4g (80mmol) 4,4,5,5-tetramethyl-2-(10-phenyl-9-anthracenyl)- 1,3,2-dioxaborolane (460347-59-5), 29.5 g (128 mmol) potassium phosphate monohydrate is dissolved in 750 ml THF/water (2:1). 813 mg (0.96 mmol) XPhos Paladacycle Gen. Add 3 and stir the mixture at 65°C. After 16 hours the reaction mixture is brought to room temperature. The reaction mixture is filtered and washed with cold THF. The precipitate is purified by hot extraction on aluminum oxide (toluene) and further purified by crystallization from toluene/ethanol and toluene/heptane to purity >99.9 by HPLC. The remaining solvent is removed by tempering at 300° C. at 10-5 bar for 2 hours.

수율: 4.9 g (7.2 mmol; 23%) 의 옅은 황색 고체Yield: 4.9 g (7.2 mmol; 23%) of pale yellow solid.

하기 화합물을 유사한 방식으로 합성할 수 있다:The following compounds can be synthesized in a similar manner:

Figure pct00127
Figure pct00127

OLED 의 제작Production of OLED

a)a) 필름 및 디바이스의 제조Manufacturing of films and devices

사전 구조화된 ITO(50nm) 및 뱅크 재료로 덮인 유리 기판은 탈이온수 중 초음파 처리를 사용하여 세정된다. 다음에서, 기판은 에어건을 사용하여 건조되고 후속적으로 230℃ 에서 2시간 동안 핫 플레이트상에서 어닐링된다. Glass substrates covered with pre-structured ITO (50 nm) and bank material are cleaned using sonication in deionized water. In the following, the substrate is dried using an air gun and subsequently annealed on a hot plate at 230° C. for 2 hours.

모든 다음 공정 단계는 황색광 중에서 수행된다.All subsequent process steps are carried out in yellow light.

다음 층 시퀀스는 도 4a와 4b에 도시되어 있다.The next layer sequence is shown in Figures 4A and 4B.

정공 주입층 (HIL) 을 기판 상에 20nm 의 두께로 잉크젯 인쇄하고 진공에서 건조시킨다. 이를 위해 HIL 잉크의 고체 농도는 6 g/l 이다. 다음으로, HIL 을 220℃ 에서 30 분 동안 어닐링한다. HIL의 잉크젯 인쇄 및 어닐링은 공기 중에서 수행된다. HIL 재료로서, 정공 수송, 가교성 폴리머 및 p-도핑 염을 3-페녹시 톨루엔에 용해시킨다. 재료는 즉, WO2016/107668, WO2013/081052 및 EP2325190 에 기재되어 있다.A hole injection layer (HIL) is inkjet printed to a thickness of 20 nm on the substrate and dried in vacuum. For this purpose, the solids concentration of HIL ink is 6 g/l. Next, the HIL is annealed at 220° C. for 30 minutes. HIL's inkjet printing and annealing are performed in air. As HIL material, hole transporting, crosslinkable polymer and p-doping salt are dissolved in 3-phenoxy toluene. The materials are described i.e. in WO2016/107668, WO2013/081052 and EP2325190.

HIL 의 상단에, 정공 수송 층을 주위 조건하 잉크젯 인쇄하고, 진공에서 건조시키고, 아르곤 분위기에서 225℃ 로 30 분 동안 어닐링한다. 정공 수송층은 WO2013156130에 따라 합성된 표 1에 나타낸 구조의 중합체 (HTM1) 또는 WO2018/114882에 따라 합성된 중합체 HTM2 (표 1) 중 어느 하나이다.On top of the HIL, a hole transport layer is inkjet printed under ambient conditions, dried in vacuum and annealed at 225° C. for 30 minutes in an argon atmosphere. The hole transport layer is either a polymer of the structure shown in Table 1 (HTM1) synthesized according to WO2013156130 or a polymer HTM2 (Table 1) synthesized according to WO2018/114882.

여기서처럼, 디바이스에 전형적인 20nm 층 두께가 잉크젯 인쇄에 의해 달성되어야 하는 경우, 용액은 전형적으로 고체 ?t량이 대략 5 g/l 가 되도록, 폴리머가 3-페녹시 톨루엔에 용해된다. If, as here, the 20 nm layer thickness typical for the device is to be achieved by inkjet printing, the solution typically dissolves the polymer in 3-phenoxy toluene such that the solids content is approximately 5 g/l.

방출 층은 하기 표 2에 기재된 바와 같이 매트릭스 재료(하나의 호스트 화합물 또는 2개의 호스트 화합물) 및 도펀트를 포함한다. 방출 층을 위한 혼합물은 3-페녹시 톨루엔에 용해된다. 그러한 용액의 고체 함량은, 여기서처럼, 디바이스에 전형적인 30nm 의 층 두께가 잉크젯 인쇄에 의해 달성되어야 하는 경우, 약 10 mg/ml 이다. 청색 방출층 (B-EML) 을 또한 잉크젯 인쇄하고, 다음으로 진공 건조시키고, 150℃ 에서 10 분 동안 어닐링한다. 잉크젯 인쇄는 주위 분위기에서 수행되는 반면, 어닐링은 아르곤 분위기에서 수행된다.The emitting layer includes a matrix material (one host compound or two host compounds) and a dopant as described in Table 2 below. The mixture for the release layer is dissolved in 3-phenoxy toluene. The solids content of such solutions is about 10 mg/ml, if, as here, a layer thickness of 30 nm, typical for devices, is to be achieved by inkjet printing. The blue emitting layer (B-EML) is also inkjet printed, then vacuum dried and annealed at 150° C. for 10 minutes. Inkjet printing is performed in an ambient atmosphere, while annealing is performed in an argon atmosphere.

EML 필름 균질성을 평가하기 위해 도 4a에 따라 제조된 디바이스가 사용된다.A device fabricated according to Figure 4a is used to evaluate EML film homogeneity.

전기 광학 특성화에 사용되는 도 4b에 따른 디바이스의 제조를 위해, 샘플은 다음으로 진공 증착 챔버로 옮겨지고 여기서 두 개의 전자 수송층(ETL1, ETL2), 전자 주입층(EIL) 및 캐소드 (Al) 의 증착이 열 증발을 사용하여 수행된다. 이로써 ETL1은 ETM1(10nm 필름 두께)으로 이루어지는 반면, ETL2 는 ETM1과 ETM2 의 1:1 부피% 혼합물 (35nm 필름 두께) 로 이루어진다. 전자 주입층은 ETM2 (1nm)로 이루어지고, 캐소드는 알루미늄(100nm)이다. 구조들은 표 1에 나타나 있다.For the fabrication of the device according to Figure 4b used for electro-optic characterization, the sample is then transferred to a vacuum deposition chamber where the two electron transport layers (ETL1, ETL2), the electron injection layer (EIL) and the cathode (Al) are deposited. This is done using thermal evaporation. Thus, ETL1 consists of ETM1 (10 nm film thickness), while ETL2 consists of a 1:1 volume % mixture of ETM1 and ETM2 (35 nm film thickness). The electron injection layer is made of ETM2 (1nm), and the cathode is aluminum (100nm). The structures are shown in Table 1.

증발 후, 디바이스는 아르곤 분위기의 글로브박스에서 캡슐화된다.After evaporation, the device is encapsulated in a glovebox with an argon atmosphere.

Figure pct00128
Figure pct00128

b) 방출 필름 균질성 평가b) Evaluation of release film homogeneity

디스플레이 생산을 위해서는, 동시에 우수한 디바이스 성능을 가지면서 매우 우수한 픽셀 균질성을 얻는 것이 매우 중요하다. 층 두께 불균일성은 더 얇은 필름 두께의 영역이 증가된 휘도를 나타내고 더 두꺼운 영역은 휘도가 감소하는 고르지 않은 휘도 분포를 유발한다. 이러한 불균일성은 픽셀마다 다르므로 픽셀간에 재현 가능한 외관을 방해한다. 결합하여, 이것은 그러한 디스플레이의 품질에 대해 부정적인 인식으로 이어질 것이다. 따라서, 본 발명은 EML 필름 균질성 및 디바이스 성능의 주제를 다룬다. 이에 따라 평가를 위한 첫 번째 단계는 필름 균질성의 검사이다. 이를 위해, 도 4a에 도시된 스택이 사용된다. EML 성막 후 처리가 중지된다 필름들은 파트 a) 에 기재된 바처럼 제조된다. EML 의 조성은 표 2a 및 표 2b에 나타나 있다.For display production, it is very important to obtain very good pixel homogeneity while simultaneously having good device performance. Layer thickness non-uniformity causes an uneven brightness distribution where areas of thinner film thickness show increased brightness and thicker areas show reduced brightness. These non-uniformities vary from pixel to pixel, preventing a reproducible appearance from pixel to pixel. Combined, this will lead to negative perceptions about the quality of such displays. Accordingly, the present invention addresses the subject of EML film homogeneity and device performance. Accordingly, the first step for evaluation is inspection of film homogeneity. For this purpose, the stack shown in Figure 4a is used. Processing is stopped after EML deposition The films are prepared as described in part a). The composition of EML is shown in Tables 2a and 2b.

인쇄된 필름의 균질성을 평가하기 위해, 프로파일로미터로 10㎛ 프로파일을 따라 그의 토포그래피를 특성화하고 (peak-to-valley) 값과 거칠기의 평균 제곱근 편차(root mean square deviation) 를 계산한다. 2 ㎛ 스타일러스가 있는 KLA-Tencor Corporation 의 프로파일-미터 Alpha-스텝 D120 을 사용하여 필름 프로파일을 측정한다. 값은 측정된 프로파일 내에서 측정된 최대치와 최소치 피크의 높이 차이에 대응한다. 가시성의 용이를 위해, 최소 피크가 0 nm 의 높이에 대응하고 축 눈금이 모든 다이어그램에 대해 동일하도록 필름 프로파일의 베이스라인이 빼진다.To assess the homogeneity of the printed film, its topography was characterized along a 10 μm profile with a profilometer. Calculate the peak-to-valley value and the root mean square deviation of the roughness. The film profile is measured using a profile-meter Alpha-Step D120 from KLA-Tencor Corporation with a 2 μm stylus. The value corresponds to the height difference between the measured maximum and minimum peaks within the measured profile. For ease of visibility, the baseline of the film profile is subtracted so that the minimum peak corresponds to a height of 0 nm and the axis scales are the same for all diagrams.

필름 균질성을 결정하기 위해 다음 두 등식이 사용된다. 피크-대-밸리의 차이 , 층 내의 최대 높이 차이(등식 1) 및 평균 제곱근 거칠기 RMS 를 나타내며, 여기서 는 위치 에서 프로파일 높이에 대응하고 는 평균 프로파일 높이에 대응한다 (등식 2).The following two equations are used to determine film homogeneity: Peak-to-Valley Differences , represents the maximum height difference within a layer (Equation 1) and the root mean square roughness RMS, where is the location Corresponds to the profile height in corresponds to the average profile height (equation 2).

등식 1 Equation 1

등식 2 Equation 2

Figure pct00137
Figure pct00137

본 발명에 따른 호스트 혼합물을 포함하는 실시예 PE1은, 호스트 성분 2 만이 사용된, PR1에 비해 현저히 감소된 값을 나타내므로, 훨씬 더 매끄러운 필름에 대응한다 (도 1 및 3).Example PE1 comprising the host mixture according to the invention significantly reduced the and values, corresponding to much smoother films (Figures 1 and 3).

게다가, 실시예 PE1은 참고예 PR2와 유사한 값을 나타내지만, 그것은 표 5a에 나타낸 바처럼 현저히 더 좋은 OLED 성능으로 이어진다(DE1 vs. DR1).Moreover, Example PE1 is similar to Reference Example PR2 and However, it leads to significantly better OLED performance (DE1 vs. DR1) as shown in Table 5a.

요약하면, 혼합 호스트 시스템만이 우수한 균질성과 우수한 디바이스 성능(EQE 및 LT) 모두를 갖는 매끄러운 필름을 가능하게 한다.In summary, only mixed host systems enable smooth films with both good homogeneity and good device performance (EQE and LT).

추가 방출 층(EML)의 추가 필름 균질성은 표 2b에 나타나 있다. The additional film homogeneity of the additional release layer (EML) is shown in Table 2b.

Figure pct00142
Figure pct00142

혼합 호스트 시스템을 기반으로 한 모든 방출 층 프로파일의 경우에, 값은 호스트 성분 1을 기반으로 하는 각각의 단일 호스트 EML에 관해서는 현저히 더 낮다(PE2 vs. PR4, PE3 vs. PR6, PE4 및 PE5 vs. PR8, PE6 vs. PR10, PE7 vs. PR12). 단일 호스트 성분 2를 기반으로 하는 각각의 EML과 비교하면, 본 발명에 따른 EML (혼합 호스트 시스템) 의 값은 유사한 범위에 있다. 이들 경우, 본 발명의 이점은 아래 디바이스 결과 섹션에 예시된 바처럼 더 나은 디바이스 성능(EQE 또는 LT)이다(표 5a-e 참조).For all emission layer profiles based on mixed host systems, and The values are significantly lower for each single host EML based on host component 1 (PE2 vs. PR4, PE3 vs. PR6, PE4 and PE5 vs. PR8, PE6 vs. PR10, PE7 vs. PR12). Compared to each EML based on a single host component 2, the EML (mixed host system) according to the invention and The values are in a similar range. In these cases, the benefit of the present invention is better device performance (EQE or LT) as illustrated in the Device Results section below (see Tables 5a-e).

c) 디바이스 결과c) Device results

도 4b에 도시된 바와 같은, 디바이스가 섹션 a)에 따라 제조된다. 호스트 재료는 표 3에 그리고 방출체는 표 4 에 나타나 있다. 청색 EML 잉크를 표 5a-e 및 표 6a-c에 따라 혼합한다. A device, as shown in Figure 4b, is manufactured according to section a). Host materials are shown in Table 3 and emitters are shown in Table 4. Blue EML ink is mixed according to Tables 5a-e and Tables 6a-c.

제작된 OLED의 디바이스 성능을 확인하기 위해, 이들은 표준 방법을 사용하여 특성화된다. 이러한 목적을 위해, 전계 발광 스펙트럼, 전류/전압/시감 농도 특성 곡선 (IUL 특성 곡선) (램버트 (Lambert) 방출 특성을 가정함) 및 (동작) 수명이 기록된다. IUL 특성 곡선을 사용하여, 특성 성능 지수(figures of merit), 예컨대 특정 휘도에서의 외부 양자 효율 (% 단위) 을 결정한다. 디바이스는 적용된 전압 램프의 각 스텝에서 일정한 전압으로 구동된다. 디바이스 수명은 초기 휘도에 대응하는 주어진 전류 하에서 측정한다. 다음으로 휘도가 경시적으로 보정된 광다이오드에 의해 측정된다.To confirm the device performance of the fabricated OLEDs, they are characterized using standard methods. For this purpose, the electroluminescence spectrum, the current/voltage/luminous concentration characteristic curve (IUL characteristic curve) (assuming Lambert emission characteristics) and the (operating) lifetime are recorded. The IUL characteristic curve is used to determine characteristic figures of merit, such as external quantum efficiency (in %) at a particular luminance. The device is driven with a constant voltage at each step of the applied voltage ramp. Device lifetime is measured under a given current corresponding to the initial brightness. Next, the luminance is measured by a time-corrected photodiode.

표 5a-e에서, 상대 외부 양자 효율(1000 cd/m2 에서의 rel. EQE) 및 상대적인 디바이스 수명(1000 cd/m2에서의 LT90)은 표 2a 및 2b에서 프로파일이 조사된 EML에 대해 요약되어 있다.In Tables 5a-e, the relative external quantum efficiency (rel. EQE at 1000 cd/m 2 ) and relative device lifetime (LT90 at 1000 cd/m 2 ) are summarized for the EMLs whose profiles were investigated in Tables 2a and 2b. It is done.

Figure pct00147
Figure pct00147

Figure pct00148
Figure pct00148

Figure pct00149
Figure pct00149

표 5a: 1% E2를 갖는 디바이스 예에 사용할 청색 EML 혼합물 Table 5a: Blue EML mixture to use for device example with 1% E2

Figure pct00150
Figure pct00150

표 5b: 5% E4를 갖는 디바이스 예에 사용할 청색 EML 혼합물 Table 5b: Blue EML mixture to use for device example with 5% E4

Figure pct00151
Figure pct00151

표 5c: 3% E1을 갖는 디바이스 예에 사용할 청색 EML 혼합물 Table 5c: Blue EML mixture to use for device example with 3% E1

Figure pct00152
Figure pct00152

표 5d: 3% E3를 갖는 디바이스 예에 사용할 청색 EML 혼합물 Table 5d: Blue EML mixture to use for device example with 3% E3

Figure pct00153
Figure pct00153

표 5e: 2% E2를 갖는 디바이스 예에 사용할 청색 EML 혼합물 Table 5e: Blue EML mixture to use for device example with 2% E2

Figure pct00154
Figure pct00154

표 5f: 5% E3를 갖는 디바이스 예에 사용할 청색 EML 혼합물 Table 5f: Blue EML mixture to use for device example with 5% E3

Figure pct00155
Figure pct00155

혼합 호스트 시스템의 모든 표시된 실시예는 호스트 성분 2를 기반으로 하는 각각의 단일 호스트 EML에 비해 향상된 디바이스 성능을 나타낸다. 호스트 성분 1을 기반으로 하는 단일 호스트 EML과 비교하여, 혼합 호스트 시스템의 디바이스 성능은 비슷하다. 그러나, 이들 경우에, 표 2a 및 2b에 나타난 바와 같이 향상된 필름 균질성이 달성된다.All shown embodiments of the mixed host system exhibit improved device performance compared to the respective single host EML based on host component 2. Compared to a single host EML based on host component 1, device performance in mixed host systems is similar. However, in these cases improved film homogeneity is achieved as shown in Tables 2a and 2b.

요약하면, 본 발명(즉, 혼합 호스트 EML)은 우수한 균질성과 우수한 디바이스 성능(EQE 및 LT) 모두를 갖는 매끄러운 필름을 가능하게 한다. In summary, the present invention (i.e., mixed host EML) enables smooth films with both excellent homogeneity and excellent device performance (EQE and LT).

우수한 필름 균질성과 우수한 디바이스 성능을 갖춘 추가 혼합 호스트 EML 실시예가 표 6a-c에 요약되어 있다.Additional mixed host EML examples with excellent film homogeneity and excellent device performance are summarized in Tables 6a-c.

표 6a: 3% E2를 갖는 디바이스 예에 사용할 청색 EML 혼합물 Table 6a: Blue EML mixture to use for device example with 3% E2

Figure pct00156
Figure pct00156

표 6b: 1% E1을 갖는 디바이스 예에 사용할 청색 EML 혼합물 Table 6b: Blue EML mixture to use for device example with 1% E1

Figure pct00157
Figure pct00157

표 6c: 3% E1을 갖는 디바이스 예에 사용할 청색 EML 혼합물 Table 6c: Blue EML mixture to use for device example with 3% E1

Figure pct00158
Figure pct00158

Claims (20)

하기 식 (H1) 의 제 1 호스트 재료,
Figure pct00159

하기 식 (H2) 의 제 2 호스트 재료,
Figure pct00160

및 도펀트 재료
를 포함하는 발광층용 조성물.
식 중 사용된 기호 및 인덱스에 이하가 적용된다:
G1 은 각 경우에 하나 이상의 라디칼 RX에 의해 또한 치환될 수도 있는 6 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다;
G2 은 하기 식 (G2) 의 기로부터 선택된다:
Figure pct00161

식 중 기 E는 -Y=Y-, -C(RB0)2-, Si(RB0)2-, -O-, -S-, -C(=O)-, -S(=O)-, -SO2-,-BRB0-, -N(RB0)- 또는 -P(RB0)-로부터 선택된 2가 브릿지이다; 그리고 RB0 는 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, H, F, CN, 1 내지 40개를 갖는 직쇄 알킬 기 또는 3 내지 40개를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R에 의해 치환될 수도 있음), 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60개를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타낸다; 여기서 두 개의 인접한 치환기 RB0 는 하나 이상의 라디칼 R에 의해 치환될 수도 있는 단환 또는 다환, 지방족 고리 시스템 또는 방향족 고리 시스템을 형성할 수도 있다;
Y 는 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, C-RY 또는 N을 나타낸다; 다만, Y는 기 Ant2 에 결합될 때 C를 나타낸다;
Ant1 는 하기 식 (A1) 의 기이다:
Figure pct00162

여기서 식 (A1) 에서의 점선 결합은 기 G1에 대한 결합 위치를 나타내고, 기 Ant1 은 임의의 자유 위치에서 G1 에 결합될 수도 있다;
Ant2 는 하기 식 (A2) 의 기이다:
Figure pct00163

여기서 식 (A2) 에서의 점선 결합은 기 G2에 대한 결합 위치를 나타내고 기 Ant2 는 임의의 자유 위치에서 G2 에 결합될 수도 있다;
ArA1, ArB1, ArAS, ArBS 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, 각 경우에 또한 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다;
RA1 내지 RA8, RB1 내지 RB8, RY, RX 은 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, CHO, CN, C(=O)Ar, P(=O)(Ar)2, S(=O)Ar, S(=O)2Ar, N(R)2, N(Ar)2, NO2, Si(R)3, B(OR)2, OSO2R, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기 또는 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수도 있고, 여기서 각 경우에 하나 이상의 비인접 CH2 기는 RC=CR, C≡C, Si(R)2, Ge(R)2, Sn(R)2, C=O, C=S, C=Se, P(=O)(R), SO, SO2, O, S 또는 CONR 로 대체될 수도 있으며, 하나 이상의 H 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있음), 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수도 있는, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 및 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수도 있는, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴옥시기로부터 선택된 라디칼을 나타낸다;
다만 RB1 내지 RB8 및 RY 은 D를 나타내지 않는다; 그리고 2개의 인접한 라디칼 RA1 내지 RA8, RB1 내지 RB8, RY 또는 RX 는 하나 이상의 라디칼 R에 의해 치환될 수도 있는 지방족, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 함께 형성할 수도 있다;
R 은 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, CHO, CN, C(=O)Ar, P(=O)(Ar)2, S(=O)Ar, S(=O)2Ar, N(R´)2, N(Ar)2, NO2, Si(R´)3, B(OR´)2, OSO2R´, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기 또는 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R´ 에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 각 경우에 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R´C=CR´, C≡C, Si(R´)2, Ge(R´)2, Sn(R´)2, C=O, C=S, C=Se, P(=O)(R´), SO, SO2, O, S 또는 CONR´ 에 의해 대체될 수도 있고 하나 이상의 H 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2에 의해 대체될 수도 있음), 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R´ 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 하나 이상의 라디칼 R´ 에 의해 치환될 수도 있는, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴옥시기를 나타낸다; 여기서 2 개의 인접한 치환기 R 은 하나 이상의 라디칼 R´ 에 의해 치환될 수도 있는, 지방족 또는 방향족 고리 시스템을 함께 형성할 수도 있다;
Ar 은 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R´ 에 의해 또한 치환될 수도 있는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다;
R´ 은 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, H, D, F, Cl, Br, I, CN, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알킬 기 (여기서 각 경우에 하나 이상의 비인접 CH2 기는 SO, SO2, O, S 로 대체될 수도 있고, 하나 이상의 H 원자는 D, F, Cl, Br 또는 I 로 대체될 수도 있음), 또는 5 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타낸다; 그리고
n 은 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, 0 또는 1이고; 여기서 n 이 0일 때, 대응하는 ArAS 또는 ArBS 는 부재하고, 안트라센 기는 기 G1 또는 G2에 직접 결합된다;
m 은 0 또는 1 이다;
식 (H1)의 화합물은 적어도 하나의 중수소 원자를 포함하고, 식 (H2) 의 화합물은 실질적으로 중수소 원자를 함유하지 않는 것을 특징으로 한다.
A first host material of the formula (H1) below,
Figure pct00159

A second host material of the formula (H2) below,
Figure pct00160

and dopant material
A composition for a light-emitting layer containing.
The following applies to symbols and indices used in expressions:
G 1 is an aromatic or heteroaromatic ring system having 6 to 60 aromatic ring atoms which may also be substituted at each occurrence by one or more radicals R
G 2 is selected from groups of the formula (G2):
Figure pct00161

In the formula, group E is -Y=Y-, -C(R B0 ) 2 -, Si(R B0 ) 2 -, -O-, -S-, -C(=O)-, -S(=O) a divalent bridge selected from -, -SO 2 -, -BR B0 -, -N(R B0 )- or -P(R B0 )-; and R B0 at each occurrence, identically or differently, is H, F, CN, a straight-chain alkyl group having 1 to 40 atoms or a branched or cyclic alkyl group having 3 to 40 atoms (each of which is selected from the group consisting of one or more radicals R represents an aromatic or heteroaromatic ring system having 5 to 60 rings, which in each case may be substituted by one or more radicals R; where two adjacent substituents R B0 may form a monocyclic or polycyclic, aliphatic ring system or aromatic ring system which may be substituted by one or more radicals R;
Y at each occurrence, identically or differently, represents CR Y or N; However, Y represents C when bonded to the group Ant 2 ;
Ant 1 is a group of the formula (A1):
Figure pct00162

where the dotted line bond in formula (A1) indicates the bonding position to the group G 1 , and the group Ant 1 may be bonded to G 1 at any free position;
Ant 2 is a group of the formula (A2):
Figure pct00163

where the dotted bond in formula (A2) indicates the bonding position to the group G 2 and the group Ant 2 may be bonded to G 2 at any free position;
Ar A1 , Ar B1 , Ar AS , Ar BS are in each case, identically or differently, an aromatic or heteroaromatic ring having 5 to 60 aromatic ring atoms, which in each case may also be substituted by one or more radicals R It is a system;
R A1 to R A8 , R B1 to R B8 , R Y , R P(=O)(Ar) 2 , S(=O)Ar, S(=O) 2 Ar, N(R) 2 , N(Ar) 2 , NO 2 , Si(R) 3 , B(OR) 2 , OSO 2 R, a straight-chain alkyl, alkoxy or thioalkyl group having 1 to 40 carbon atoms or a branched or cyclic alkyl, alkoxy or thioalkyl group having 3 to 40 carbon atoms, each of which is substituted by one or more radicals R may be, where in each case one or more non-adjacent CH 2 groups are RC=CR, C≡C, Si(R) 2 , Ge(R) 2 , Sn(R) 2 , C=O, C=S, C =Se, P(=O)(R), SO, SO 2 , O, S or CONR, and one or more H atoms may be replaced by D, F, Cl, Br, I, CN or NO 2 an aromatic or heteroaromatic ring system having 5 to 60 aromatic ring atoms, which in each case may be substituted by one or more radicals R, and 5 to 60 aromatic rings, which may be substituted by one or more radicals R represents a radical selected from an aryloxy group having an atom;
However, R B1 to R B8 and RY Y do not represent D; and two adjacent radicals R A1 to R A8 , R B1 to R B8 , R Y or R
R is in each case, the same or different, H, D, F, Cl, Br, I, CHO, CN, C(=O)Ar, P(=O)(Ar) 2 , S(=O)Ar , S(=O) 2 Ar, N(R´) 2 , N(Ar) 2 , NO 2 , Si(R´ ) 3 , B(OR´) 2 , OSO 2 , 1 to 40 carbon atoms A straight-chain alkyl, alkoxy or thioalkyl group having or a branched or cyclic alkyl, alkoxy or thioalkyl group having 3 to 40 carbon atoms, each of which may be substituted by one or more radicals R', where in each case one or more Non-adjacent CH 2 groups are R ´ C=CR ´ , C≡C, Si(R ´ ) 2 , Ge(R ´ ) 2 , Sn(R ´ ) 2 , C=O, C=S, C=Se, P (=O)(R ´ ), SO, SO 2 , O, S or CONR ´ and one or more H atoms may be replaced by D, F, Cl, Br, I, CN or NO 2 ), an aromatic or heteroaromatic ring system having 5 to 60 aromatic ring atoms, which in each case may be substituted by one or more radicals R ´ , or 5 to 60, which may be substituted by one or more radicals R ´ represents an aryloxy group having two aromatic ring atoms; where two adjacent substituents R may together form an aliphatic or aromatic ring system, which may be substituted by one or more radicals R ´ ;
Ar is in each case an aromatic or heteroaromatic ring system having 5 to 60 aromatic ring atoms which, identically or differently, may also be substituted in each case by one or more radicals R ´ ;
R ´ in each occurrence, identically or differently, represents H, D, F, Cl, Br, I, CN, a straight-chain alkyl, alkoxy or thioalkyl group having 1 to 20 carbon atoms or 3 to 20 carbon atoms. having a branched or cyclic alkyl, alkoxy or thioalkyl group, wherein in each case one or more non-adjacent CH 2 groups may be replaced by SO, SO 2 , O, S, and one or more H atoms are represented by D, F, Cl, Br or I), or represents an aromatic or heteroaromatic ring system having 5 to 24 aromatic ring atoms; and
n is, on each occurrence, identically or differently, 0 or 1; where n is 0, the corresponding Ar AS or Ar BS is absent and the anthracene group is directly bonded to the group G 1 or G 2 ;
m is 0 or 1;
Compounds of formula (H1) are characterized in that they contain at least one deuterium atom, and compounds of formula (H2) are characterized in that they contain substantially no deuterium atoms.
제 1 항에 있어서,
기 G1 는 하기 식 중 하나의 식의 기로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
Figure pct00164

Figure pct00165

Figure pct00166

식 중:
X 는 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, C-RX 또는 N을 나타낸다; 다만, X는 기 Ant1 에 결합될 때 C를 나타낸다;
E1, E2, E3, E4 는 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, 단일 결합, -BR0-, -C(R0)2-, -Si(R0)2-, -C(=O)-, -O-, -S-, -S(=O)-, -SO2-, -N(R0)- 또는 -P(R0)-을 나타낸다; 단, 기 E1 및 E3 중 하나만이 단일 결합일 수 있고 기 E4 및 E2 중 하나만이 단일 결합일 수 있다;
E5 는 -BR0-, -C(R0)2-, -Si(R0)2-, -C(=O)-, -O-, -S-, -S(=O)-, -SO2-, -N(R0)- 또는 -P(R0)- 를 나타낸다;
R0 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, H, D, F, CN, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬기 또는 3 내지 40개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수 있음), 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수 있는, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타낸다; 여기서 2 개의 인접한 치환기 R0 는, 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수도 있는 단환 또는 다환의 지방족 고리 시스템 또는 방향족 고리 시스템을 형성할 수도 있다;
RX, R 은 제 1 항에서와 동일한 의미를 갖는다.
According to claim 1,
A composition characterized in that the group G 1 is selected from a group of one of the following formulas.
Figure pct00164

Figure pct00165

Figure pct00166

During the ceremony:
X represents at each occurrence, identically or differently, CR X or N; However, X represents C when bonded to the group Ant 1 ;
E 1 , E 2 , E 3 , E 4 in each case, identically or differently, represent a single bond, -BR 0 -, -C(R 0 ) 2 -, -Si(R 0 ) 2 -, -C represents (=O)-, -O-, -S-, -S(=O)-, -SO 2 -, -N(R 0 )-, or -P(R 0 )-; provided that only one of the groups E 1 and E 3 may be a single bond and only one of the groups E 4 and E 2 may be a single bond;
E 5 is -BR 0 -, -C(R 0 ) 2 -, -Si(R 0 ) 2 -, -C(=O)-, -O-, -S-, -S(=O)-, represents -SO 2 -, -N(R 0 )- or -P(R 0 )-;
R 0 is at each occurrence, identically or differently, H, D, F, CN, a straight-chain alkyl group having 1 to 40 carbon atoms or a branched or cyclic alkyl group having 3 to 40 carbon atoms (each of which is one may be substituted by one or more radicals R), which in each case may be substituted by one or more radicals R; represents an aromatic or heteroaromatic ring system having 5 to 60 aromatic ring atoms; where two adjacent substituents R 0 may form a monocyclic or polycyclic aliphatic ring system or an aromatic ring system which may be substituted by one or more radicals R;
R
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
식 (H1) 의 화합물은 하기 식의 화합물로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
Figure pct00167

Figure pct00168

Figure pct00169

Figure pct00170

식 중 기호는 제 1 항에서와 동일한 의미를 가지며, 식 (G1-1-1) 내지 (G1-12-3)의 화합물은 적어도 하나의 중수소 원자를 포함한다.
The method of claim 1 or 2,
A composition characterized in that the compound of formula (H1) is selected from compounds of the formula:
Figure pct00167

Figure pct00168

Figure pct00169

Figure pct00170

The symbols in the formula have the same meaning as in claim 1, and the compounds of formula (G1-1-1) to (G1-12-3) contain at least one deuterium atom.
제 1 항 내지 제 3 항 중 하나 이상의 항에 있어서,
식 (H1)의 화합물의 분자량이 Mw ≥ 350g/mol인 것을 특징으로 하는 조성물.
According to one or more of claims 1 to 3,
A composition characterized in that the molecular weight of the compound of formula (H1) is Mw ≥ 350 g/mol.
제 1 항 내지 제 4 항 중 하나 이상의 항에 있어서,
식 (H1)의 화합물에서, 상기 적어도 하나의 중수소 원자가 기 Ant1 상의 또는 기 G1 상의 치환기인 것을 특징으로 하는 조성물.
According to one or more of claims 1 to 4,
The composition of the compound of formula (H1), wherein said at least one deuterium atom is a substituent on the group Ant 1 or on the group G1.
제 1 항 내지 제 5 항 중 하나 이상의 항에 있어서,
식 (H1)의 화합물은 적어도 10% 중수소화되며, 이는 식 (H1)의 화합물에서 이용 가능한 H 원자의 적어도 10%가 중수소 원자로 대체되는 것을 의미하는 것을 특징으로 하는 조성물.
According to one or more of claims 1 to 5,
A composition characterized in that the compound of formula (H1) is at least 10% deuterated, meaning that at least 10% of the H atoms available in the compound of formula (H1) are replaced by deuterium atoms.
제 1 항 내지 제 6 항 중 하나 이상의 항에 있어서,
식 (H1) 의 화합물은 상기 조성물의 1 중량% 이상의 비율로 상기 조성물에 존재하는 것을 특징으로 하는 조성물.
The method of one or more of claims 1 to 6,
Composition, characterized in that the compound of formula (H1) is present in the composition in a proportion of at least 1% by weight of the composition.
제 1 항 내지 제 7 항 중 하나 이상의 항에 있어서,
기 G2 는 하기 식 중 하나의 식의 기로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
Figure pct00171

식 중:
Y 는 각각의 경우에, 동일하거나 상이하게, C-RY 또는 N을 나타낸다; 다만, Y 는 기 Ant2 에 결합될 때 C를 나타낸다; 그리고 기호 RY 및 R0 는 제 1 항에서와 동일한 의미를 갖는다.
According to one or more of claims 1 to 7,
A composition characterized in that the group G 2 is selected from a group of one of the following formulas.
Figure pct00171

During the ceremony:
Y at each occurrence, identically or differently, represents CR Y or N; However, Y represents C when bonded to the group Ant 2 ; And the symbols R Y and R 0 have the same meaning as in claim 1.
제 1 항 내지 제 8 항 중 하나 이상의 항에 있어서,
식 (H2) 의 화합물은 하기 식의 기로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 조성물.
Figure pct00172

Figure pct00173

식 중, 기호는 제 1 항에서와 동일한 의미를 가진다.
The method of one or more of claims 1 to 8,
A composition characterized in that the compound of formula (H2) is selected from the group of the formula:
Figure pct00172

Figure pct00173

In the formula, the symbols have the same meaning as in clause 1.
제 1 항 내지 제 9 항 중 하나 이상의 항에 있어서,
식 (H2) 의 화합물은 상기 조성물의 1 중량% 이상의 비율로 상기 조성물에 존재하는 것을 특징으로 하는 조성물.
The method of one or more of claims 1 to 9,
Composition, characterized in that the compound of formula (H2) is present in the composition in a proportion of at least 1% by weight of the composition.
제 1 항 내지 제 10 항 중 하나 이상의 항에 있어서,
기 ArA1 및 ArB1 은 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, 페닐, 바이페닐, 테르페닐, 쿼터페닐, 플루오렌, 스피로바이플루오렌, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 트리페닐렌, 플루오란텐, 테트라센, 크리센, 벤즈안트라센, 벤조페난트라센, 피렌 또는 페릴렌, 디벤조푸란, 카르바졸 및 디벤조티오펜으로 이루어지는 군으로부터 선택되고, 이들 각각은 임의의 자유 위치에서 하나 이상의 라디칼 R에 의해 치환될 수도 있고; 여기서 ArA1, ArB1 는 또한 전술된 기 중 둘 이상의 조합일 수도 있는 것을 특징으로 하는 조성물.
The method of one or more of claims 1 to 10,
The groups Ar A1 and Ar B1 , in each case, identically or differently, are selected from the group consisting of phenyl, biphenyl, terphenyl, quaterphenyl, fluorene, spirobifluorene, naphthalene, anthracene, phenanthrene, triphenylene, fluoranthene, is selected from the group consisting of tetracene, chrysene, benzanthracene, benzophenanthracene, pyrene or perylene, dibenzofuran, carbazole and dibenzothiophene, each of which is attached to one or more radicals R at any free position. may be replaced by; Wherein Ar A1 and Ar B1 may also be a combination of two or more of the above-mentioned groups.
제 1 항 내지 제 11 항 중 하나 이상의 항에 있어서,
상기 도펀트 재료는 형광 방출체인 것을 특징으로 하는 조성물.
The method of one or more of claims 1 to 11,
A composition wherein the dopant material is a fluorescent emitter.
제 1 항 내지 제 12 항 중 하나 이상의 항에 있어서,
상기 도펀트 재료는
- 질소에 직접 결합된 3개의 치환 또는 비치환 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 함유하는 아릴아민;
- 브릿지된 트리아릴아민;
- 적어도 14개의 방향족 고리 원자를 갖는 축합 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템;
- 인데노플루오렌, 인데노플루오렌아민 또는 인데노플루오렌디아민;
- 벤조인도노플루오렌, 벤조인데노플루오렌아민 또는 벤조인데노플루오렌디아민;
- 디벤조인데노플루오렌, 디벤조인데노플루오렌아민 또는 디벤조인데노플루오렌디아민;
- 적어도 10개의 방향족 고리 원자를 갖는 축합 아릴기를 함유하는 인데노플루오렌;
- 비스인데노인데노플루오렌;
- 인데노디벤조푸란; 인데노플루오렌아민 또는 인데노플루오렌디아민;
- 플루오렌 이량체;
- 페녹사진; 및
- 보론 유도체
로 이루어진 군으로부터 선택된 형광 방출체인 것을 특징으로 하는 조성물.
The method of one or more of claims 1 to 12,
The dopant material is
- Arylamines containing a system of three substituted or unsubstituted aromatic or heteroaromatic rings directly bonded to nitrogen;
- bridged triarylamine;
- a condensed aromatic or heteroaromatic ring system having at least 14 aromatic ring atoms;
- indenofluorene, indenofluoreneamine or indenofluorenediamine;
- Benzoindonofluorene, benzoindenofluoreneamine or benzoindenofluorenediamine;
- dibenzoindenofluorene, dibenzoindenofluoreneamine or dibenzoindenofluorenediamine;
- indenofluorene containing a condensed aryl group with at least 10 aromatic ring atoms;
- Bisindenodenofluorene;
- Indenodibenzofuran; indenofluoreneamine or indenofluorenediamine;
- fluorene dimer;
- Phenoxazine; and
- Boron derivatives
A composition characterized in that it is a fluorescent emitter selected from the group consisting of.
제 1 항 내지 제 13 항 중 하나 이상의 항에 있어서,
상기 도펀트 재료는 하기 식 (E-1), (E-2), (E-3) 또는 (E-4) 의 형광 방출체인 것을 특징으로 하는 조성물.
Figure pct00174

식 중,
Ar10, Ar11, Ar12 은 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, 6 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이며, 이는 각 경우에 또한 하나 이상의 라디칼 R에 의해 치환될 수도 있고; 단, 적어도 하나의 기 Ar10, Ar11, Ar12 는, 서로 축합된 2 내지 4개의 방향족 고리로 이루어지는 적어도 하나의 축합 아릴 또는 헤테로아릴 기를 함유하는 10 내지 40개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고, 여기서 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템은 하나 이상의 라디칼 R에 의해 치환될 수도 있다;
R 는 제 1 항에서와 동일한 정의를 갖는다; 그리고
e 는 1, 2, 3 또는 4 이며; 보다 바람직하게, e 는 1 이다;
Figure pct00175

식 중,
Ar20, Ar21, Ar22 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, 각 경우에 또한 하나 이상의 라디칼 R 에 의해 치환될 수도 있는, 6 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖는 아릴 또는 헤테로아릴 기이다;
E20 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, BR, C(R0)2, Si(R0)2, C=O, C=NR0, C=C(R0)2, O, S, S=O, SO2, NR0, PR0, P(=O)R0 또는 P(=S)R0 로부터 선택된 기이고; 여기서 Ar20, Ar21 및 E20 는 함께 5원 고리 또는 6원 고리를 형성하고, Ar21, Ar23 및 E20 는 함께 5원 고리 또는 6원 고리를 형성한다;
R0 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, H, D, F, 1 내지 20 개, 바람직하게는 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기 또는 3 내지 20 개, 바람직하게는 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (이들 각각은 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수도 있고, 각 경우에 하나 이상의 비인접 CH2 기는 O 또는 S 로 대체될 수도 있으며 하나 이상의 H 원자는 D 또는 F 로 대체될 수도 있음), 또는 각 경우에 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수도 있는, 5 내지 40 개, 바람직하게는 5 내지 30 개, 보다 바람직하게는 6 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타내고, 여기서 2 개의 인접한 라디칼 R0 는 하나 이상의 라디칼 R 로 치환될 수도 있는 지방족 또는 방향족 고리 시스템을 함께 형성할 수도 있고,
R 는 제 1 항에서와 동일한 정의를 갖는다;
p, q는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, 0 또는 1 이며, 단, p + q = 1 이다;
r 은 1, 2 또는 3 이다;
Figure pct00176

식 중,
Ar30, Ar31, Ar32 은 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, 5 내지 22개, 바람직하게는 5 내지 18개, 보다 바람직하게는 6 내지 14개의 방향족 고리 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴 또는 헤테로아릴 기를 나타낸다;
E30 는 B 또는 N 을 나타낸다;
E31, E32, E33 은 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, O, S, C(R0)2, C=O, C=S, C=NR0, C=C(R0)2, Si(R0)2, BR0, NR0, PR0, SO2, SeO2 또는 화학 결합을 나타내고, 단, E30 이 B이면, 기 E31, E32, E33 중 적어도 하나는 NR0 를 나타내고 E30 가 N이면, 기 E31, E32, E33 중 적어도 하나는 BR0 를 나타낸다;
R0 는 위와 동일한 정의를 갖는다;
s, t, u 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, 0 또는 1 이며, 단, s + t + u ≥ 1 이다.
Figure pct00177

식 중,
Ar40, Ar41, Ar42 은 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, 5 내지 22개, 바람직하게는 5 내지 18개, 보다 바람직하게는 6 내지 14개의 방향족 고리 원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴 또는 헤테로아릴 기를 나타낸다;
E41, E42, E43 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, O, S, C(R0)2, C=O, C=S, C=NR0, C=C(R0)2, Si(R0)2, BR0, NR0, PR0, SO2, SeO2 또는 화학 결합을 나타내고, 단, 기 E41, E42, E43 중 적어도 하나는 존재하고 화학 결합을 나타낸다;
R0 는 위와 동일한 정의를 갖는다;
i, g, h 는 각각의 경우, 동일하거나 상이하게, 0 또는 1 이며, 단, i + g + h ≥ 1 이다.
The method of one or more of claims 1 to 13,
A composition characterized in that the dopant material is a fluorescent emitter of the following formula (E-1), (E-2), (E-3) or (E-4).
Figure pct00174

During the ceremony,
Ar 10 , Ar 11 , Ar 12 are, in each case, identically or differently, an aromatic or heteroaromatic ring system having 6 to 60 aromatic ring atoms, which in each case may also be substituted by one or more radicals R ; However, at least one group Ar 10 , Ar 11 , Ar 12 is an aromatic or hetero group containing 10 to 40 aromatic ring atoms containing at least one condensed aryl or heteroaryl group consisting of 2 to 4 aromatic rings condensed with each other. an aromatic ring system, wherein the aromatic or heteroaromatic ring system may be substituted by one or more radicals R;
R has the same definition as in clause 1; and
e is 1, 2, 3 or 4; More preferably, e is 1;
Figure pct00175

During the ceremony,
Ar 20 , Ar 21 , Ar 22 are in each case, identically or differently, an aryl or heteroaryl group having 6 to 30 aromatic ring atoms, which in each case may also be substituted by one or more radicals R;
E 20 is, in each case, the same or different, BR, C(R 0 ) 2 , Si(R 0 ) 2 , C=O, C=NR 0 , C=C(R 0 ) 2 , O, S, It is a group selected from S=O, SO 2 , NR 0 , PR 0 , P(=O)R 0 or P(=S)R 0 ; wherein Ar 20 , Ar 21 and E 20 together form a 5-membered ring or a 6-membered ring, and Ar 21 , Ar 23 and E 20 together form a 5-membered ring or a 6-membered ring;
R 0 is at each occurrence, identically or differently, H, D, F, a straight-chain alkyl group having 1 to 20, preferably 1 to 10 carbon atoms or 3 to 20, preferably 3 to 10 carbon atoms. A branched or cyclic alkyl group having a carbon atom, each of which may be substituted by one or more radicals R, in each case one or more non-adjacent CH 2 groups may be replaced by O or S and one or more H atoms may be replaced by D or F ), or aromatic or hetero ring atoms having 5 to 40, preferably 5 to 30, more preferably 6 to 18 aromatic ring atoms, which may in each case be substituted by one or more radicals R represents an aromatic ring system, wherein two adjacent radicals R 0 may together form an aliphatic or aromatic ring system which may be substituted by one or more radicals R,
R has the same definition as in clause 1;
p, q are in each case, the same or different, 0 or 1, provided that p + q = 1;
r is 1, 2 or 3;
Figure pct00176

During the ceremony,
Ar 30 , Ar 31 , and Ar 32 are, in each case, identically or differently, substituted or unsubstituted aryl having 5 to 22, preferably 5 to 18, more preferably 6 to 14 aromatic ring atoms. or represents a heteroaryl group;
E 30 represents B or N;
E 31 , E 32 , E 33 are, in each case, the same or different, O, S, C(R 0 ) 2 , C=O, C=S, C=NR 0 , C=C(R 0 ) 2 , Si(R 0 ) 2 , BR 0 , Represents NR 0 , PR 0 , SO 2 , SeO 2 or a chemical bond, provided that when E 30 is B, at least one of the groups E 31 , E 32 , and E 33 represents NR 0 and when E 30 is N, group E At least one of 31 , E 32 , and E 33 represents BR 0 ;
R 0 has the same definition as above;
In each case, s, t, and u are the same or different, 0 or 1, provided that s + t + u ≥ 1.
Figure pct00177

During the ceremony,
Ar 40 , Ar 41 , and Ar 42 are, in each case, identically or differently, substituted or unsubstituted aryl having 5 to 22, preferably 5 to 18, more preferably 6 to 14 aromatic ring atoms. or represents a heteroaryl group;
E 41 , E 42 , E 43 are, in each case, the same or different, O, S, C(R 0 ) 2 , C=O, C=S, C=NR 0 , C=C(R 0 ) 2 , Si(R 0 ) 2 , BR 0 , NR 0 , PR 0 , SO 2 , SeO 2 or represents a chemical bond, provided that at least one of the groups E 41 , E 42 , E 43 is present and represents a chemical bond;
R 0 has the same definition as above;
In each case, i, g, and h are the same or different, 0 or 1, provided that i + g + h ≥ 1.
제 1 항 내지 제 14 항 중 하나 이상의 항에 기재된 조성물 및 적어도 하나의 용매를 포함하는 포뮬레이션.A formulation comprising the composition according to one or more of claims 1 to 14 and at least one solvent. 제 1 항 내지 제 14 항 중 하나 이상의 항에 기재된 조성물을 포함하는 적어도 하나의 층을 포함하는 전자 디바이스의 제조 방법으로서,
a) 제 1 항 내지 제 14 항 중 하나 이상의 항에 기재된 조성물 및 적어도 하나의 용매를 포함하는 포뮬레이션을 제조하는 단계;
b) 층을 형성하기 위해 기판 상에 또는 다른 층 상에 단계 a) 에서 제조된 상기 포뮬레이션을 도포하는 단계;
c) 용매를 제거하기 위해 상기 층을 건조하는 단계
인, 전자 디바이스의 제조 방법.
15. A method of manufacturing an electronic device comprising at least one layer comprising the composition according to one or more of claims 1 to 14, comprising:
a) preparing a formulation comprising the composition according to one or more of claims 1 to 14 and at least one solvent;
b) applying the formulation prepared in step a) on a substrate or on another layer to form a layer;
c) drying the layer to remove solvent.
Phosphorus, method of manufacturing electronic devices.
제 16 항에 있어서,
상기 포뮬레이션은 코팅법 또는 인쇄법에 의해 도포되는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.
According to claim 16,
A method of manufacturing an electronic device, characterized in that the formulation is applied by a coating method or a printing method.
제 16 항 또는 제 17 항에 있어서,
상기 포뮬레이션은 플러드(flood) 코팅, 침지 코팅, 스프레이 코팅, 스핀 코팅, 스크린 인쇄, 릴리프 인쇄, 그라비어 인쇄, 롤러 코팅, 잉크젯 인쇄, 회전 인쇄, 플렉소그래픽 인쇄, 오프셋 인쇄, 슬롯 다이 코팅 또는 노즐 인쇄에 의해 도포되는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스의 제조 방법.
The method of claim 16 or 17,
The formulations can be used for flood coating, dip coating, spray coating, spin coating, screen printing, relief printing, gravure printing, roller coating, inkjet printing, rotary printing, flexographic printing, offset printing, slot die coating or nozzle coating. A method of manufacturing an electronic device, characterized in that it is applied by printing.
유기 전계 발광 디바이스로서,
애노드;
캐소드;
상기 애노드와 상기 캐소드 사이의 적어도 하나의 발광층을 포함하고, 상기 애노드와 상기 캐소드 사이의 상기 발광층은 제 1 항 내지 제 14 항에서 정의된 바와 같은 조성물을 포함하는, 유기 전계 발광 디바이스.
As an organic electroluminescent device,
anode;
cathode;
An organic electroluminescent device comprising at least one light emitting layer between the anode and the cathode, wherein the light emitting layer between the anode and the cathode comprises a composition as defined in claims 1 to 14.
제 19 항에 있어서,
상기 발광층은 도펀트 재료로서 인광 방출체를 포함하지 않는, 유기 전계 발광 디바이스.
According to claim 19,
An organic electroluminescent device, wherein the light-emitting layer does not include a phosphorescent emitter as a dopant material.
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