KR20230166898A - 전류-제어식 세분화된 레이저 구동기 - Google Patents

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존스 테론
데이비스 리차드
캐리 브라이언
영 마이클
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투-식스 델라웨어, 인코포레이티드
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Abstract

하나의 실시예에서, 하나 이상의 정전류 공급부를 사용하여 레이저 구동기 바이어스 제어를 전달하기 위한 프록시 비교기 회로 및 프록시 레이저 구동 셀을 포함하는 레이저 회로가 본 명세서에 개시된다. 제1 및 제2 전압 성분을 가진 프록시 전압에 기초하여 출력을 생성하도록 구성되는 비교기 회로가 개시되고 전압 성분 중 하나는 레이저 제어 전류를 나타내는 하나 이상의 정전류 공급부에 기초하여 발전된다.

Description

전류-제어식 세분화된 레이저 구동기{CURRENT-CONTROLLED SEGMENTED LASER DRIVER}
반도체 레이저는 많은 디지털 방식으로 제어된 적용에 유용하다. 수직 공동부 표면 발광 레이저(vertical cavity surface emitting laser: VCSEL)는 산업, 생의학 및 통신 응용, 뿐만 아니라 다른 것에서 특히 사용되는 하나의 유형의 반도체 레이저이다. 그러나, 레이저 출력을 제어하는 이전의 방법은 일반적으로 구동기 게이트 전압을 레이저 광출력 전력과 직접적으로 연관시키는 것에 기초한다. 이러한 연관성은 일반적으로 적용 환경에서 사용자가 광범위한 레이저-특정 보정을 수행하거나 또는 2점 보정에 기초한 덜 정확한 선형 보정을 통해 획득되어야 한다. 그러나, VCSEL을 포함한 반도체 레이저가 비선형 전압 대 전력 거동을 나타내므로, 전압 대 레이저 출력 제어를 우수한 정확도로 달성하기 어렵기 때문에, 이러한 보정 방식은 일반적으로 레이저에 대한 다양한 광출력에 걸친 적절한 해결책을 제공하지 못한다.
레이저 회로가 본 명세서에 개시되고 레이저 회로는 공급 전압을 제공하도록 구성된 공급 전력 버스, 제1 정전류 공급부, 제2 정전류 공급부, 및 레이저의 전류 경로 내 적어도 하나의 레이저 구동 셀로서, 레이저 구동 셀을 통해 레이저 전류를 조절하도록 구성된 구동기 바이어스 제어 트랜지스터를 가진, 레이저 구동 셀, 적어도 하나의 프록시 레이저 구동 셀로서, 프록시 레이저 구동 셀을 통해 프록시 구동 전류를 조절하도록 구성된 프록시 구동기 제어 트랜지스터를 가진, 프록시 레이저 구동 셀, 및 제1 입력부, 제2 입력부, 및 출력부를 가진 프록시 비교기 회로로서, 프록시 비교기 회로는 제1 입력과 제2 입력 간의 차에 기초하여 출력을 생성하도록 구성되고, 제1 및 제2 정전류 공급부는 프록시 비교기 회로의 제1 입력부에서 프록시 전압을 확립하는, 프록시 비교기 회로를 포함한다. 본 개시내용의 하나의 양상에서, 프록시 비교기 회로의 출력부가 프록시 레이저 구동 셀과 전기적으로 인터페이싱되어 프록시 비교기 회로의 출력부가 프록시 레이저 구동 셀을 통한 전류를 변경하고, 프록시 레이저 구동 셀에 대한 프록시 게이트 제어 신호는 구동기 바이어스 제어 트랜지스터와 전기적으로 인터페이싱된다. 본 개시내용의 또 다른 양상에서, 레이저 구동 셀은 레이저 구동 셀 드레인 전압을 갖고, 프록시 구동 셀은 프록시 레이저 구동 셀 드레인 전압을 갖고, 비교기 회로는 프록시 구동 셀 드레인 전압을 서보하여 레이저 구동 셀 드레인 전압과 일치시키도록 구성된다. 본 개시내용의 추가의 또 다른 양상에서, 레이저는 수직 공동부 표면 발광 레이저(VCSEL)이다. 본 개시내용의 또 다른 양상에서, 프록시 비교기 회로의 출력부는 제1 프록시 커플링 트랜지스터 및 제2 프록시 커플링 트랜지스터를 통해 프록시 레이저 구동 셀과 전기적으로 인터페이싱되고, 제1 및 제2 커플링 트랜지스터의 각각의 게이트는 프록시 비교기 회로의 출력부와 전기적으로 연결된다.
개시된 예시적인 레이저 회로는 전류 미러에 전기적으로 연결된 드레인 단자를 가진 제1 프록시 커플링 트랜지스터를 포함하고 전류 미러의 출력부는 프록시 구동기 제어 트랜지스터의 게이트에 전기적으로 연결되어 프록시 게이트 제어 신호를 제공한다. 본 개시내용의 하나의 양상에서, 프록시 게이트 제어 신호는 전압 대 전류 제어기를 통해 구동기 바이어스 제어 트랜지스터에 전기적으로 인터페이싱된다. 본 개시내용의 또 다른 양상에서, 제2 프록시 커플링 트랜지스터는 프록시 비교기 회로의 제2 입력부에 그리고 프록시 구동기 제어 트랜지스터의 드레인에 전기적으로 연결된 드레인 단자를 갖는다. 본 개시내용의 추가의 또 다른 양상에서, 프록시 비교기 회로의 제1 입력부는 레이저의 레이저 문턱값 전압과 대략 동일한 제1 전압 성분 및 레이저의 전류 기반 전압 강하와 비례하는 제2 전압 성분을 가진 프록시 전압을 수용하도록 구성되고, 레이저의 전류 기반 전압 강하는 레이저를 통한 전류의 기능이다. 본 개시내용의 또 다른 양상에서, 프록시 비교기 회로의 제1 입력부는 제1 정전류 공급부, 제2 정전류 공급부, 및 프록시 저항기와 전기적으로 인터페이싱되고, 프록시 저항기는 프록시 비교기 회로의 제1 입력부와 공급 전력 버스 간에 전기적으로 있고 제1 및 제2 정전류 공급부는 프록시 비교기 회로의 제1 입력부에서 프록시 전압을 확립하는 정전류를 정중히 각각 싱킹(sink)하도록 구성된다. 본 개시내용의 추가의 또 다른 양상에서, 프록시 전압은 레이저의 전류 기반 전압 강하와 합해진 레이저의 레이저 무릎 전압을 나타내고, 레이저의 전류 기반 전압 강하는 레이저를 통한 전류의 기능이다. 본 개시내용의 또 다른 양상에서, 프록시 비교기 회로의 제1 입력은 반전성이고 프록시 비교기 회로의 제2 입력은 비반전성이다.
적어도 하나의 프록시 레이저 구동 셀을 가진 레이저 회로가 본 명세서에 개시되고, 레이저 회로는 디지털 방식으로 구성 가능한 제1 및 제2 정전류 공급부를 포함한다. 본 개시내용의 또 다른 양상에서, 레이저 구동 셀은 레이저의 전류 경로에 구동기 인에이블 트랜지스터를 포함하고 프록시 레이저 구동 셀은 프록시 구동기 제어 트랜지스터의 전류 경로에 프록시 인에이블 트랜지스터를 포함한다. 본 개시내용의 또 다른 예시적인 양상에서, 제2 정전류 공급부는 전류 미러의 출력부 및 프록시 구동기 제어 트랜지스터의 게이트에 전기적으로 인터페이싱된 정전류를 공급하도록 구성된다. 본 개시내용의 하나의 양상에서, 프록시 비교기 회로는 연산 증폭기를 포함한다. 본 개시내용의 또 다른 양상에서, 스케일링 증폭기는 제2 정전류 공급부와 프록시 비교기 회로 간에 전기적이다. 본 개시내용의 추가의 또 다른 양상에서, 레이저 회로는 복수의 레이저 구동 셀을 포함하고, 각각은 복수의 프록시 레이저 구동 셀 및/또는 레이저의 전류 경로에 있다. 본 개시내용의 또 다른 양상에서, 레이저 회로는 복수의 제2 프록시 커플링 트랜지스터를 포함하고, 각각의 제2 프록시 커플링 트랜지스터는 각각의 프록시 레이저 구동 셀 내 프록시 구동기 제어 트랜지스터에 각각 전기적으로 결합된다.
도 1은 개시된 실시형태에 따른 레이저 회로의 전기 배선도;
도 2는 개시된 실시형태에 따른 전압 대 전류 제어기 및 전류 대 전압 제어기의 전기 배선도; 및
도 3은 개시된 실시형태에 따른 레이저 회로의 전기 배선도.
본 명세서에서 레이저 출력으로서 지칭될 레이저 광출력은 레이저를 통해 흐르는 전류의 함수이다. 이 명세서의 나머지 부분이 VCSEL 면에서 논의될 것이지만, 다른 레이저에도 동일하게 적용 가능하다는 것에 유의해야 한다. 종래의 구동기 설계는 VCSEL에 전류를 전달하는 금속-산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor: MOSFET)의 게이트 전압을 제어하는 것에 기초하고, 여기서 게이트 전압은 VCSEL 부하 전압과 관계 없이 광출력과 연관된다. 그러나, 레이저 제어 MOSFET이 비교적 많은 양의 전류를 통과시켜야 하기 때문에, 드레인 전압이 변화됨에 따라, 이것이 MOSFET 내의 채널 길이를 변경하고, 이는 채널 길이 변조로 알려져 있다. 채널 길이 변조는 드레인-소스 전압(VDS)에 대한 MOSFET의 드레인 전류의 변동성을 생성한다. 이와 같이, 구동기 MOSFET의 VDS의 국부적 변동은 레이저의 전압 제어에 대한 광출력의 변동 및 부정확도를 발생시킬 수 있다. 이것은 국부적 접지 간에 변동이 있는 다중 VCSEL 어레이에서 특히 만연할 수도 있다. 이러한 부정확도는 보정 후에도 약 80% 미만의 레이저의 광출력의 정확도를 발생시킬 수 있다. 본 명세서에 개시된 바와 같이, 가변 VCSEL 전류/순방향 전압 특성 및 공급 전압에 기초하여 VCSEL 구동기 제어 전압을 제어하는 것은 레이저 보정 또는 다른 전류 근사화 기술 단독에 기초하여 VCSEL 구동기 제어 전압을 제어하는 것보다 더 정확한 광출력 제어를 발생시킨다.
제어 회로에서 원하는 작동 전류에 대한 게이트 전압을 도출함으로써 그리고 전류 구동된 변동을 보상하는 실제 VCSEL에서 국부적 접지에 대한 게이트 전압을 재생함으로써 관심 실제 메트릭-광출력-을 목표로 하고 제어하는 개선된 레이저 회로 및 구동기가 본 명세서에 개시된다. 원하는 광출력에서 더 쉽게 도출될 수 있는 원하는 전류를 사용자가 선택하게 함으로써, 구동기는 더 정확하고 더 쉽게 레이저를 구동하여 원하는 광출력을 추출할 수 있다.
예시적인 실시형태에 개시된 제어 전류는 실제 회로 내 VCSEL(및 수반되는 구동기 회로)의 적절한 무릎 전압 및 전압 전류-저항(IR) 강하 특성을 시뮬레이션하는 레플리카 또는 프록시, 레이저 회로의 사용을 통해 도출되어 레이저를 통한 전류가 정밀하게 제어될 수 있다. 예를 들어, 구동기 FET(들)와 같은 레이저의 전류 경로에 있는 실제 레이저 구동 셀의 구동기 바이어스 전압은 레플리카 또는 프록시, VCSEL 회로를 통한 전류 및 구동기 회로에 걸친 실제 전압에 기초하여 프록시 제어 회로에 의해 제어되고, 이는 전압 변동에 기초하여 부정확도를 최소화하여, 결국 채널 길이 변조 및 전류 부정확도를 최소화할 것이다. 이러한 방식으로, 구동기 바이어스 전압은 직접적으로 제어되지 않지만, 실제 구동기 온 상태 작동 전압에서 원하는 전류로부터 도출된다. 이러한 해결책은 종래 기술보다 개선된 98% 초과의 실제 광출력의 정확도를 제공할 수 있다.
예를 들어, VCSEL일 수 있는, 반도체 레이저(204)를 포함하는 예시적인 레이저 회로(200)가 도 1에 도시된다. 레이저(204)는 또한 Vdd로 표기된 공급 전력 버스(202)로부터 전력을 공급받는다. 전류(205)는 VCSEL(204)을 통해 국부적 레이저 접지(207)로 흐른다. 일단 VCSEL에 걸친 전압이 문턱값 전압("무릎" 전압 또는 접합 전압으로도 지칭될 수도 있음)을 초과하면, VCSEL이 전류를 전도하기 시작한다. 일단 해당 전류가 문턱값 전류를 초과하고, VCSEL이 무릎 전압 초과이고 VCSEL의 IR 강하를 극복하면, VCSEL이 레이저 동작(lasing)을 시작한다. 순방향 전압은 무릎 전압에 VCSEL 저항에 걸친 전압 강하를 더한 것과 같다. VCSEL(204)을 통한 전류(205)는 예를 들어, n-채널 금속-산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)로서 도시되는, 구동기 바이어스 제어 트랜지스터(210)를 포함하는 VCSEL(204)의 전류 경로에 있는 레이저 구동 셀(206)을 통해 제어된다. 바이어스 제어 트랜지스터(210)는 MOSFET의 포화 구역에서 작동될 수도 있다. 아래에서 논의될 바와 같이, 바이어스 제어 트랜지스터는 특정한 구성에서 3극관 구역에서 작동될 수도 있다. 포화 구역에서, 드레인 전류, 즉, 전류(205)는 레이저(204)의 전류(205) 제어를 허용하는 바이어스 제어 트랜지스터의 게이트 전압에 기초하여 변경될 것이다. 하지만, 드레인 전류(205)는 예를 들어, 이전에 논의된 채널 길이 변조 효과로 인해 구동기 바이어스 제어 트랜지스터의 VDS에 대해 또한 변경될 것이다. 이러한 변동의 기울기는 또한 레이저(204)의 가변 조건에서 변화될 것이다. 이와 같이, 개시된 레이저 회로(200)는 프록시 회로를 활용하여 프록시 드레인 전압에 기초하여 제어 신호를 결정하고 이러한 변동과 연관된 오류를 감소시킬 것이다. 도 1이 시연 목적을 위해 n 및 p 채널 MOSFET을 사용할 것이지만, 다른 유형의 트랜지스터 또는 전계 효과 트랜지스터(FET)가 또한 구성, 예를 들어, 양 또는 음측 제어에 따라 사용될 수도 있다는 것을 이해해야 한다. 유사하게, 본 개시내용은 도시된 n 또는 p 채널 트랜지스터로 제한되지 않는다. n-채널 MOSFET이 VCSEL(204)의 음측 제어를 위해 도시되지만, p-채널 MOSFET은 대안적인 구성에서 양측 제어를 위해 사용될 수도 있다. 본 명세서에 개시된 다른 n 및 p 채널 MOSFET에 대해서도 마찬가지이다.
구동기 바이어스 제어 트랜지스터(210)는 구동기 바이어스 게이트 제어 신호(211)에 의해 구동되도록 구성될 수도 있다. 임의로, 레이저 구동 셀(206)은 "온" "오프" 인에이블 트랜지스터로서 또는 레이저(204)의 시간 사이클링 또는 변조를 위해 기능할 수 있는 레이저(204)의 전류 경로의 제2 트랜지스터, 예를 들어, 구동기 인에이블 트랜지스터(212)를 포함할 수도 있다. 이러한 구성에서, 구동기 인에이블 트랜지스터(212)는 구동기 인에이블 게이트 제어 신호(213)를 통해 레이저(204)를 디지털 방식으로 시간 순환하도록 구동될 수 있고, 반면에 구동기 바이어스 제어 트랜지스터(210)는 구동기 바이어스 게이트 제어 신호(211)를 통해 레이저(204)의 전류(205) 따라서 광전력 출력을 제어한다.
구동기 바이어스 게이트 제어 신호(211)는 실제 레이저(204) 및 이와 연관된 레이저 구동 셀(206)의 전압 강하를 비례적으로 나타내거나 또는 그와 일치시키도록 설계되는 프록시 레이저 구동 셀(220)의 사용을 통해 도출된다. 프록시 레이저 구동 셀(220)은 프록시 레이저 구동 셀(220)을 통해 프록시 구동 전류(221)를 조절하도록 구성된 프록시 구동기 제어 트랜지스터(222)를 포함할 수도 있다. 프록시 구동기 제어 트랜지스터(222)는 n-채널 MOSFET으로 도시된다. 프록시 레이저 구동 셀(220)이 레이저 구동 셀(206)을 비례적으로 나타내도록 설계되기 때문에, 프록시 구동기 제어 트랜지스터(222)가 구동기 바이어스 제어 트랜지스터(210)와 구성이 유사하도록 선택될 수도 있지만, 이것은 프록시 레이저 구동 셀(220)의 상이한 비례적 스케일일 수도 있다.
프록시 구동기 제어 트랜지스터(222)는 구동기 바이어스 제어 트랜지스터(210)와 유사한 전류 제어 및 채널 길이 변조 효과를 갖도록 선택되어야 한다. 프록시 구동기 제어 트랜지스터(222)가 구동기 바이어스 제어 트랜지스터(210)와 동일한 트랜지스터가 되도록 선택될 수도 있지만, 구동기 바이어스 제어 트랜지스터(210)가 레이저(204)의 최대 전류(205)를 통과시키기에 충분한 크기여야 하므로 동일한 트랜지스터를 사용하는 것은 효과적이지만, 프록시 레이저 구동 셀(220) 내에서 전력 낭비를 발생시킬 가능성이 있을 것임에 유의해야 한다. 따라서, 프록시 구동기 제어 트랜지스터(222)는 구동기 바이어스 제어 트랜지스터(210)와 유사한 채널 변조 효과 및 채널 전류 밀도를 갖기에 충분히 크다면 구동기 바이어스 제어 트랜지스터(210)의 전류 능력의 스케일 비율로 크기가 결정될 수도 있고, 이는 더 적은 전력 비용으로 전압 강하 특성을 정확하게 재현할 때 균형을 제공할 수 있다. 이것은 구동기 바이어스 제어 트랜지스터(210)보다 더 작은 채널 폭을 갖는 프록시 구동기 제어 트랜지스터(222)용 MOSFET을 사용하여 달성될 수도 있다. 그렇게 함으로써 구동기 바이어스 제어 트랜지스터(210)만큼 많은 전류를 사용하는 일 없이 구동기 바이어스 제어 트랜지스터(210)에 비해 정확한 프록시 특성을 제공한다. 예를 들어, 구동기 바이어스 제어 트랜지스터(210)의 1 내지 1/1,000,000의 스케일링된 전류 정격 및/또는 채널 폭을 가진 프록시 구동기 제어 트랜지스터(222)가 선택될 수 있고, 또 다른 실시예에서 스케일링된 승수는 약 1/100 내지 약 1/10,000이다. 프록시 레이저 구동 셀(220)과 유사하게, 임의로, 프록시 레이저 구동 셀(206)은 "온" "오프" 인에이블 트랜지스터로서 또는 프록시 레이저 구동 셀(206)의 시간 사이클링 또는 변조를 위해 기능할 수 있는 프록시 구동기 제어 트랜지스터(222)의 전류 경로의 제2 트랜지스터, 예를 들어, 프록시 인에이블 트랜지스터(223)를 포함할 수도 있다. 프록시 인에이블 트랜지스터(223)는 구동기 인에이블 트랜지스터(212)와 유사한 IR 강하 특성을 갖도록 선택될 수도 있지만, 프록시 구동기 제어 트랜지스터(222)와 유사한 부분 전류 전달 능력을 갖도록 스케일링될 수도 있다. 전류는 프록시 레이저 구동 셀(220)을 통해 국부적 레이저 접지(207)와 동일한 전위에 있을 필요가 없는 프록시 접지(225)로 흐른다.
레이저 회로(200)는 제1 정전류 공급부(214) 및 제2 정전류 공급부(216)를 포함한다. 본 명세서에서 사용될 때, 정전류 공급부는 그 구성 또는 기능에 따라 전류를 싱킹하거나 또는 공급하도록 구성될 수도 있고, 이는 아래에서 논의될 것이다. 제1 및 제2 정전류 공급부(214, 216)가 개략적으로 2개의 별개의 전류 공급부로서 표현되지만, 이러한 구성이 입력부(232)(아래에서 설명됨)에서 프록시 전압을 제어하는 데 필요할 때 적어도 2개의 상이한 전류를 설정하는 능력을 제공한다면, 이들은 단일 디바이스 또는 패키지로 결합될 필요가 없고 결합될 수도 있다. 하나의 실시예에서, 제1 및 제2 정전류 공급부(214, 216)는 예를 들어, 전류 디지털-대-아날로그 변환기(I-DAC)이다. 제1 및 제2 정전류 공급부(214, 216) 중 각각은 각각 전류 싱킹 "입력부"(215, 217)를 각각 갖고, 제2 정전류 공급부(216)는 또한 정전류 공급 "출력부"(218)를 갖는다. 본 개시내용의 목적을 위해, 정전류 공급부의 단자가 전류를 싱킹하도록 구성된다면, 이것은 전류를 공급하도록 구성된 "입력부" 및 단자로서 지칭될 것이고, 이것은 전류를 싱킹하거나 또는 공급하는 이들의 각각의 기능에 기초한 "출력부"로서 지칭될 것이고, 예를 들어, 제1 정전류 공급부의 입력부(215), 제2 정전류 공급부의 제1 입력부(217), 및 제2 정전류 공급부의 출력부(218)는 각각 전류를 입력부(215, 217)로 싱킹하고 출력부(218)로 전류를 공급하도록 구성된다.
제1 및 제2 정전류 공급부(214, 216)의 각각은 제1 정전류 공급부의 입력부(215), 제2 정전류 공급부의 입력부(217), 및 제2 정전류 공급부의 출력부(218)의 각각을 통해 전류 싱킹/공급량을 변경하기 위해, 디지털 입력 또는 다른 시스템 구성을 통해 구성 가능할 수도 있다. 이러한 구성은 구성 입력부(250)로서 개략적으로 표현된다. 제1 및 제2 정전류 공급부(214, 216)의 각각은 프록시 저항(252)을 통해 제1 정전류 공급부의 입력부(215) 및 제2 정전류 공급부의 입력부(217)로 전류를 싱킹하여 공급 전력 버스(202)를 참조하여 프록시 저항(252)에 걸친 전압 강하에 기초하여 프록시 비교기 회로(230)의 입력부(232)에서 프록시 전압을 확립하도록 구성된다. 작동이 아래에서 논의될 프록시 비교기 회로(230)는 예를 들어, 서보 증폭기로서 구현될 수도 있다. 프록시 저항(252)은 이것이 원하는 프록시 전압을 제공하도록 제1 및 제2 정전류 공급부(214, 216)와 함께 선택되어야 한다. 프록시 전압, 따라서 프록시 비교기 회로(230)의 입력부(232)에서의 전압은 2개의 전압 성분의 합이다. 첫 번째는 프록시 저항(252)을 통해 제1 정전류 공급부의 입력부(215)로 싱킹되는 전류(253)에 의해 확립된 전압 강하 성분이다. 두 번째는 프록시 저항(252)을 통해 제2 정전류 공급부의 입력부(217)로 싱킹되는 전류(251)에 의해 확립된 전압 강하이다. 이 구성에서, 제1 및 제2 정전류 공급부(214, 216)가 예를 들어, 구성 입력부(250)를 통해 독립적으로 구성되어 이들이 원하는 상대적 프록시 전압 성분에 대한 적절한 전류를 싱킹할 수도 있다. 예를 들어, 제1 정전류 공급부(214)가 충분한 전류를 싱킹하도록 구성될 수 있어서 프록시 전압의 제1 프록시 전압 성분이 레이저(204)의 무릎 전압을 나타내거나 또는 그와 동일하고 제2 정전류 공급부(216)가 레이저(204)의 원하는 전류(205) 또는 이의 비례 비율을 싱킹하도록 구성될 수 있어서 프록시 전압의 제2 프록시 전압 성분이 레이저(204)의 I-R 강하를 나타내거나 또는 그와 동일하다. 따라서, 프록시 전압은 함께 레이저(204)의 순방향 전압을 나타내거나 또는 그와 동일한 제1 및 제2 프록시 전압 성분의 합이다. 제2 정전류 공급부(216)의 출력부(218)는 또한 제2 정전류 공급부(216)의 입력부(217)로 싱킹되는 것과 동일한 양의 전류 또는 그에 비례하는 값을 공급하도록 구성될 수도 있다. 임의로, 구성 가능한 스케일링 증폭기(260)(스케일링 구성 입력부(262)를 통해 구성 가능함)는 제2 정전류 공급부의 입력부(217)의 싱킹 능력을 비례적으로 스케일링하거나 또는 증폭하여 레이저(204)의 I-R 강하와 동일하거나 또는 나타내는 원하는 프록시 전압 또는 이의 비례하는 스케일링 인자를 획득하도록 포함될 수도 있다. 아래에서 논의될 바와 같이, 프록시 비교기 회로(230)는 프록시 비교기 회로(230)의 제2 입력부(234)으로의 프록시 레이저 구동 셀(220) 전류(221)를 나타내는 피드백 신호에 기초하여 평형으로 출력부(238)를 구동시킬 것이다.
프록시 비교기 회로(230)는 (240)에서 프록시 레이저 구동 셀(220)과 전기적으로 인터페이싱된다. 예를 들어, 프록시 게이트 커플링 트랜지스터(242)로서 지칭될 제1 프록시 커플링 트랜지스터 및 프록시 드레인 커플링 트랜지스터(244)로서 지칭될 제2 프록시 커플링 트랜지스터를 가진 인터페이스(240)가 도시된다. 프록시 게이트 커플링 트랜지스터(242) 및 프록시 드레인 커플링 트랜지스터(244)의 각각은 본 구성에서 p-채널 MOSFET으로 도시되지만, 위에서 언급한 바와 같이, 다른 구성이 또한 사용될 수도 있다. 프록시 비교기 회로(230)의 출력부(238)는 프록시 게이트 커플링 트랜지스터(242) 및 프록시 드레인 커플링 트랜지스터(244)의 각각의 게이트에 전기적으로 연결된다. 그리고 프록시 게이트 커플링 트랜지스터(242) 및 프록시 드레인 커플링 트랜지스터(244)의 각각의 소스는 공급 전력 버스(202)에 전기적으로 연결된다. 프록시 게이트 커플링 트랜지스터(242)의 드레인은 전류 미러 입력 전류(254)를 전류 싱크로 구성된 것으로 도시된 전류 미러 출력 전류(255)로 미러링할 전류 미러(253)에 전기적으로 연결된다. 임의의 알려진 전류 미러, 예를 들어, 캐스코드 전류 미러가 사용될 수 있지만, 미러링된 n-채널 MOSFET 트랜지스터(256A) 및 미러링 n-채널 MOSFET 트랜지스터(256B)를 갖는 간단한 전류 미러(253)가 설명 목적을 위해 도시되고, 각각의 트랜지스터(256A)의 게이트는 프록시 게이트 커플링 트랜지스터(242)의 드레인에 연결되고 전기적으로 연결된다. 전류 미러(253)의 기능은 전류 미러 입력 전류(254)를 전류 미러 출력 전류(255)로 미러링하는 것이다. 미러링된 트랜지스터(256A) 및 미러링 트랜지스터(256B)가 등가 트랜지스터라고 가정하면, 전류 미러 입력 전류(254)는 전류 미러 출력 전류(255)와 동일할 것이다. 그러나, 대안적으로, 미러링 트랜지스터(256B)가 또한 미러링된 트랜지스터(256A)의 스케일 다중 크기일 수 있어서 전류 미러 입력 전류(254)는 전류 미러 출력 전류(255)의 분수 또는 배수가 된다.
그러나, 전류 미러(253) 구성에 관계 없이, 평형 상태에서, 전류 미러 출력 전류(255)(또는 전류 싱킹 입력)는 제2 정전류 공급부의 출력부(218)에 의해 공급되는 제2 정전류 공급부의 출력 전류(219)와 동일할 것이다. 전류 미러(253)의 출력부(257)가 프록시 구동기 제어 트랜지스터(222) 및 제2 정전류 공급부의 출력부(218)에 전기적으로 연결되어 프록시 게이트 제어 신호(224)를 제공한다. 또한, 프록시 드레인 커플링 트랜지스터(244)의 드레인은 프록시 구동기 제어 트랜지스터(222)의 드레인 및 프록시 비교기 회로(230)의 제2 입력부(234)에 전기적으로 연결된다.
프록시 드레인 커플링 트랜지스터(244)가 프록시 구동 전류(221)를 통과시키도록 크기가 조정되는 반면, 프록시 게이트 커플링 트랜지스터(242)는 레이저 회로(200)의 전력 소비를 감소시키기 위해 프록시 드레인 커플링 트랜지스터(244)의 스케일 분율로 크기가 조정될 수도 있다. 이러한 경우에, 전류 미러(253)는 전류(219)를 정합시키기 위해 상이한 크기의 트랜지스터(256A, 256B)를 사용하여 필요에 따라 스케일링될 수도 있다.
프록시 비교기 회로(238)는 서보 증폭기 및 부가적인 구성 회로망으로서 구성된 연산 증폭기(operational amplifier: OPAMP)를 포함할 수도 있지만, 프록시 비교기 회로(230)에 대한 부가적인 입력, 예를 들어, 양 및 음 공급 전압은 명확성을 위해 생략된다. 도시된 바와 같이, 프록시 비교기 회로(230)의 제1 입력(232)은 반전 입력이고 프록시 비교기 회로(230) 제2 입력(234)은 비반전 입력이다. 프록시 비교기 회로(230)는 그 제1 및 제2 입력(232, 234)을 비교하고 그 차를 0으로 유도하는 서보 회로로서 구성된다.
평형 상태에서, 제1 정전류 공급부(214)는 레이저(204)의 무릎 전압과 일치하도록 프록시 저항(252)을 통해 충분한 전류(253)를 싱킹하도록 구성될 수도 있고, 제2 정전류 공급부(216)는 원하는 전류(205)에 비례하는 전류를 (217)에서 싱킹하도록(그리고 (218)에서 공급) 구성될 수도 있어서 전류(251)로부터 프록시 저항(252)을 통한 전압 강하가 레이저(204)의 IR 강하와 일치한다. 따라서, (222)의 게이트 전압(프록시 게이트 제어 신호(224))은 또한 (V제어)로서 도 1을 참조하는, 레이저 구동기 셀(206)에 대한 도출된 제어 기준이며, 구동기 바이어스 게이트 제어 신호(211)((211)에서 국부적 레이저 접지(207)까지의 전위)를 생성하는 데 활용될 것이며, 이는 프록시 구동 셀(220)의 적절한 드레인 전압에 대한 (219)에서의 전류를 나타내어 레이저(204)의 부하 전압(순방향 전압)에 따라 레이저 구동 셀(206)의 드레인 전압과 일치될 것이다. 즉, 프록시 구동 셀(220)은 원하는 전류에 대해 레이저 구동 셀(206)과 동일한 드레인 전압 조건에서 동작할 것이고 그에 따라 프록시 게이트 제어 신호(224)가 도출될 것이다.
실시예로서, 더 많은 레이저(204) 전류(205)가 요망된다면, 제2 정전류 공급부(216) 구성 입력부(250)는 제2 정전류 공급부의 입력부(217)를 통해 더 많은 전류를 싱킹하도록(그리고 제2 정전류 공급부의 출력부(218)에서 더 많은 전류(219)를 공급하도록) 조정될 수 있고, 더 많은 전류(251)가 프록시 저항(252)을 통해 인출되어, 프록시 비교기 회로 제1 입력부(232)에서의 프록시 전압이 프록시 저항(252)에 걸친 증가된 전압 강하로 인해 감소되게 할 것이다. 프록시 비교기 회로 제1 입력부(232)에서의 결과적인 프록시 전압이 반전 입력이기 때문에, 이것은 초기에 프록시 비교기 회로 출력(238)이 증가하는 결과를 가져온다. 이러한 증가는 프록시 게이트 커플링 트랜지스터(242) 및 프록시 드레인 커플링 트랜지스터(244) 둘 다의 소스 대 게이트 전압의 초기 감소를 발생시키고, 이는 초기에 전류 미러 입력 전류(254) 및 프록시 구동 전류(221)가 감소되게 할 것이다. 전류 미러 입력 전류(254)의 감소는 초기에 전류 미러 출력 전류(255)의 감소를 발생시킬 것이다. 증가된 공급 전류(219)와 감소된 전류 미러 출력 전류(255) 간의 차는 프록시 게이트 제어 신호(224)가 증가되게 하고, 이는 전류(221)가 증가되게 한다.
전류(221)가 증가됨에 따라, 프록시 비교기 회로의 제2 입력(234) 전압이 감소되고, 이는 결국 프록시 비교기 회로의 출력(238)이 감소되게 하여, 따라서 전류(254) 및 전류 미러 출력(255)을 증가시킬 것이다. 이 사이클은 전류 미러 출력(255)이 공급 전류(219)와 동일할 때까지 계속될 것이다. 추가 정착 후, 비교기 회로(230)는 궁극적으로 제1 및 제2 입력(232, 234) 간의 차를 0을 향해 서보할 것이며, 이 시점에서 프록시 구동기 제어 트랜지스터(222)의 드레인 전압은 (232)에서의 프록시 전압과 대략 동일할 것이며, 이는 구성 입력(250)을 통해 구동기 바이어스 제어 트랜지스터(210)의 드레인 전압을 나타내거나 또는 동일하게 하도록 프로그래밍된다. 또한, 전류 미러 입력 전류(254)가 전류 미러 출력(255) 및 공급 전류(219)와 실질적으로 동일(또는 비례)하고, 전류(221)가 전류 미러 입력 전류(254)의 스케일 인자이기 때문에(프록시 게이트 커플링 트랜지스터(242) 및 프록시 드레인 커플링 트랜지스터(244)의 상대적인 스케일링에 기초함), 결과적 전류(221)는 공급 전류(219)의 스케일 전류이다. 어느 시점에서, 프록시 구동기 제어 트랜지스터(222)의 드레인 전압(따라서 또한 프록시 레이저 구동 셀(220)의 드레인 전압)은 구동기 바이어스 제어 트랜지스터(210)의 드레인 전압(따라서 또한 레이저 구동 셀(206)의 드레인 전압)과 대략 동일해야 하고, 프록시 구동 전류(221)와 구동기 바이어스 제어 트랜지스터(210)(위에서 논의됨) 간의 임의의 스케일링으로 인해, 레이저 전류(205)는 프록시 구동 전류(221)의 스케일 및 공급 전류(219)의 스케일이 될 것이다. 따라서, 평형 상태에서, 프록시 게이트 제어 신호(224)는 원하는 레이저 전류(205)에 대해 적절하게 도출된 상대적 V제어 신호이다.
전체적인 효과는 프록시 레이저 구동 셀(220)을 통한 레이저 회로(200)가 프록시 구동기 제어 트랜지스터(222) 및 구동기 바이어스 제어 트랜지스터(210)에 대해 동일한 드레인 전압에서, 스케일링된 레이저 전류(205)에서 레이저 구동 셀(206)을 구동하기에 적합한 프록시 게이트 제어 신호(224)(V제어)를 프록시 구동 전류(221)(스케일링된 배수의 공급 전류(219))에 대해 생성한다는 것이다.
더 적은 전류의 레이저 전류(205)가 요망된다면 반전 조건도 참이며, 이 경우에, 제2 정전류 공급부(216) 구성 입력부(250)는 제2 정전류 공급부의 입력부(217)에서 더 적은 전류를 싱크하도록(그리고 제2 정전류 공급부의 출력부(218)에서 더 적은 전류를 공급하도록) 조정된다.
도출된 게이트 전압, 프록시 게이트 제어 신호(224)는 예를 들어, 전압 대 전류 제어기(300)(또는 V 대 I 제어기)의 사용을 통해, 국부적 레이저 접지(207)와 프록시 접지(225) 간의 차의 영향을 최소화하는 방식으로 레이저 구동 셀(206)에 전기적으로 인터페이싱된다. 전압 대 전류 제어기의 하나의 실시예가 도 2에 도시되지만, 개시된 전압 신호를 전류 신호로 변환하는 부가적인 구성이 있음을 이해해야 한다.
도 2를 참조하면, 예시적인 전압 대 전류 제어기(300)는 저항(316)에 걸친 전압 강하가 프록시 게이트 제어 신호(224)(V제어)의 전압 강하와 동일할 때까지 저항(316)을 통해 전류를 서보하기 위해 비교기로서 증폭기(312), 예를 들어, 연산 증폭기 및 MOSFET(314)를 활용한다. 이어서 그 전류는 하나의 실시예에서, 하나 이상의 구동 셀(206)로의 전송 및 연결을 위해 전류 미러(320)를 통해 미러링될 수도 있다.
하나 이상의 구동 셀에 근접하여, 전류 대 전압 변환기(310a 내지 310n)(n은 임의의 정수일 수도 있음)는 각각 전류를 국부적 레이저 접지(207a)(또는 207a...207n)에 대한 구동기 바이어스 게이트 제어 신호(211)로 변환하기 위해 저항(317a)에 걸쳐 발전된 동일한 I-R 전압 저항 값을 사용하여 구현될 수도 있다. 1:1 전류 미러(320)가 활용된다면(여기서 도 2의 M은 1과 동일한), 저항(317a)은 316과 같을 것임에 유의해야 한다. 그러나, M이 1이 아니고 전류가 스케일링되는 다른 구성이 사용될 수도 있다. 구동기 바이어스 게이트 제어 신호(211)가 국부적 레이저 접지(207)에 대한 저항(317a)에 걸쳐 발전되기 때문에, 접지 변동에 대한 부정확도가 최소화된다. 또한, 원하는 경우, 각각의 레이저 구동 셀(206)(a...n)(도 3을 참조하여 논의된 바와 같음)에 대한 하나의 전류 대 전압 변환기(310a 내지 310n)가 있을 수 있거나 또는 근접한 다수의 레이저 구동 셀(206)이 하나 이상의 전류 대 전압 변환기(310)로 공유할 수 있다. 관계 없이, 동일한 게이트-소스 전압은 국부적 레이저 접지(207)에 관계 없이 하나 이상의 구동 셀(206)에서 구현될 수도 있다.
임의로, 도 3에 도시된 바와 같이. 레이저 회로(200a)에서, 동일한 참조 부호가 유사한 컴포넌트를 나타내고(명료성을 위해 특정한 참조 부호가 생략되었음), 복수의 레이저 구동 셀(206a, 206b... 206n)(n은 임의의 정수일 수 있음)이 있고, 여기서 레이저 구동 셀의 각각이 집합적으로 (206N)으로서 지칭될 것이다. 따라서, 도출된 프록시 게이트 제어 신호(224)가 구동기 바이어스 게이트 제어 신호(211N)(각각 211a, 211b...211n)로서 적용될 수 있어서 레이저 구동 셀(206N)의 각각이 레이저(204) 구동 전류(205)를 집합적으로 예를 들어, 동시에 통과시킬 수 있다. 또는, 또 다른 대안에서, 구동기 인에이블 트랜지스터(212N)(212a, 212b...212n)가 최대 출력 전력 미만이 요망될 때 레이저(204)의 전체 전류(205)를 감소시키기 위해 하나 이상의 레이저 구동기 셀(206)을 선택적으로 활성화시키는 데 사용될 수도 있다. 레이저 구동 셀(206N)을 복수의 레이저 구동 셀(206a, 206b...206n)로 세분화함으로써, 모놀리식 레이저 구동 셀과 비교할 때 예를 들어, 시뮬레이션 정확도, 생산 테스트, 확장성 및 물리적 설계를 포함하는 특정한 이점이 획득될 수도 있다.
위에서 논의된 바와 같이, 레이저 구동 셀(206N)은 로우 사이드(n-ch) 또는 하이 사이드 스위치(p-ch)로서 구현될 수도 있다(도면에는 로우 사이드 스위치만 도시됨). 고전류 모놀리식 레이저 구동기는 일반적으로 스위치, 예를 들어, 구동기 바이어스 제어 트랜지스터 또는 구동기 인에이블 트랜지스터, FET가 낮은 RDS 또는 VDSAT(트랜지스터를 포화 상태로 유지하는 데 필요한 최소 전압)에 대해 클 것을 요구한다. amp 범위(예를 들어, 1A 초과)의 전류에 대해, FET의 치수는 밀리미터 단위일 수 있고 임의의 CMOS 인버터 사전 구동기의 FET는 예를 들어, 100um의 폭을 가질 수 있다.
이와 같이, 시뮬레이션 정확도가 개선될 수 있다. 큰 디바이스는 디바이스 자체 내에서도 지연 및 전류 밀집을 유발하는 분산된 저항기 및 커패시터 기생을 갖는다. 관리 가능한 크기의 하위섹션이 많은 구현예에 대해, 이 문제는 비례하여 감소된다. 다수의 레이저 구동 셀 하위섹션 간의 저항 및 커패시턴스 시뮬레이션 결정은 더 큰 모놀리식 디바이스와 연관된 큰 저항기 및 커패시터 기생의 영향을 최소화하는 표준 IC 추출 기법에 의존적일 수 있다.
또한, 높은 전류는 특히 제작 동안 웨이퍼 정렬 환경에서 품질 보증 테스트를 위해 관리하기 어렵다. 와이어와 프로브는 길고 고전류 회로의 적절한 작동을 방해하는 저항과 인덕턴스를 갖는다. 다수의 레이저 구동 셀 간의 세분화된 설계는 한 번에 하나의 세그먼트씩 테스트될 수 있다.
세분화된 설계는 또한 더 쉽게 확장 가능하다. 세그먼트 또는 레이저 구동 셀의 수를 증가시킴으로써 세분화된 회로의 향후 버전 또는 최신 버전을 생성할 수 있다. 이미 설계되고 입증된 세그먼트는 신뢰할 수 있는 결과를 제공할 것이다. 그리고 세그먼트는 필요에 따라 집적 회로에 지리적으로 분산될 수 있다. 고전류의 경우, 부하로 가는 많은 입력부 및 출력부(패드, 필라, 솔더 범프 - 부하에 대한 물리적 인터페이스의 유형에 상관 없음)가 있다. 구동기의 세그먼트는 연관된 입력부 및 출력부 근처에 배치될 수 있다.
도면에는 도시되지 않았지만, 부가적인 프록시 레이저 구동 셀(220) 및/또는 프록시 구동기 제어 트랜지스터(222)가 또한 병렬 작동으로 활용되어 프록시 구동 셀(220)의 상대 전류를 적절하게 스케일링할 수도 있다.
구동기 바이어스 제어 트랜지스터(210)(및 프록시 구동기 제어 트랜지스터(222))가 포화 구역에서 작동되도록 레이저 회로(200)의 상기 논의가 설명되고, 이는 제어할 드레인 전압 변동에 비해 전류 기울기가 더 작기 때문에 유리할 수 있다. 그러나, 트랜지스터는 전류-드레인 전압 기울기가 더 크더라도 3극관 구역에서 대안적으로 작동될 수 있다.

Claims (19)

  1. 레이저 회로로서,
    공급 전압을 제공하도록 구성된 공급 전력 버스;
    제1 정전류 공급부;
    제2 정전류 공급부;
    레이저의 전류 경로 내 적어도 하나의 레이저 구동 셀로서, 상기 레이저 구동 셀을 통해 레이저 전류를 조절하도록 구성된 구동기 바이어스 제어 트랜지스터를 포함하는, 상기 레이저 구동 셀;
    적어도 하나의 프록시 레이저 구동 셀로서, 상기 프록시 레이저 구동 셀을 통해 프록시 구동 전류를 조절하도록 구성된 프록시 구동기 제어 트랜지스터를 포함하는, 상기 프록시 레이저 구동 셀;
    제1 입력부, 제2 입력부, 및 출력부를 포함하는 프록시 비교기 회로로서, 상기 프록시 비교기 회로는 상기 제1 입력과 상기 제2 입력 간의 차에 기초하여 출력을 생성하도록 구성되고, 상기 제1 및 제2 정전류 공급부는 상기 프록시 비교기 회로의 상기 제1 입력부에서 프록시 전압을 확립하는, 상기 프록시 비교기 회로
    를 포함하되;
    상기 프록시 비교기 회로의 상기 출력부가 상기 프록시 레이저 구동 셀과 전기적으로 인터페이싱되어 상기 프록시 비교기 회로의 상기 출력부가 상기 프록시 레이저 구동 셀을 통한 전류를 변경하고;
    상기 프록시 레이저 구동 셀에 대한 프록시 게이트 제어 신호는 상기 구동기 바이어스 제어 트랜지스터와 전기적으로 인터페이싱되는, 레이저 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 레이저 구동 셀은 레이저 구동 셀 드레인 전압을 갖고, 상기 프록시 구동 셀은 프록시 레이저 구동 셀 드레인 전압을 갖고 상기 비교기 회로는 상기 프록시 구동 셀 드레인 전압을 서보하여 상기 레이저 구동 셀 드레인 전압과 일치시키도록 구성되는, 레이저 회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 레이저는 수직 공동부 표면 발광 레이저(vertical cavity surface emitted laser: VCSEL)인, 레이저 회로.
  4. 제1항에 있어서, 상기 프록시 비교기 회로의 상기 출력부는 제1 프록시 커플링 트랜지스터 및 제2 프록시 커플링 트랜지스터를 통해 상기 프록시 레이저 구동 셀과 전기적으로 인터페이싱되고, 상기 제1 및 제2 커플링 트랜지스터의 각각의 게이트는 상기 프록시 비교기 회로의 상기 출력부와 전기적으로 연결되는, 레이저 회로.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1 프록시 커플링 트랜지스터는 전류 미러에 전기적으로 연결된 드레인 단자를 갖고 상기 전류 미러의 출력부는 상기 프록시 구동기 제어 트랜지스터의 게이트에 전기적으로 연결되어 상기 프록시 게이트 제어 신호를 제공하는, 레이저 회로.
  6. 제1항에 있어서, 상기 프록시 게이트 제어 신호는 전압 대 전류 제어기를 통해 상기 구동기 바이어스 제어 트랜지스터에 전기적으로 인터페이싱되는, 레이저 회로.
  7. 제4항에 있어서, 상기 제2 프록시 커플링 트랜지스터는 상기 프록시 비교기 회로의 상기 제2 입력부에 그리고 상기 프록시 구동기 제어 트랜지스터의 드레인에 전기적으로 연결된 드레인 단자를 갖는, 레이저 회로.
  8. 제1항에 있어서, 상기 프록시 비교기 회로의 상기 제1 입력부는 상기 레이저의 레이저 문턱값 전압과 대략 동일한 제1 전압 성분 및 상기 레이저의 전류 기반 전압 강하와 비례하는 제2 전압 성분을 포함하는 프록시 전압을 수용하도록 구성되고, 상기 레이저의 상기 전류 기반 전압 강하는 레이저를 통한 전류의 기능인, 레이저 회로.
  9. 제1항에 있어서, 상기 프록시 비교기 회로의 상기 제1 입력부는 상기 제1 정전류 공급부, 상기 제2 정전류 공급부, 및 프록시 저항기와 전기적으로 인터페이싱되고, 상기 프록시 저항기는 상기 프록시 비교기 회로의 상기 제1 입력부와 상기 공급 전력 버스 간에 전기적으로 있고 제1 및 제2 정전류 공급부는 상기 프록시 비교기 회로의 상기 제1 입력부에서 상기 프록시 전압을 확립하는 정전류를 정중히 각각 싱킹(sink)하도록 구성되는, 레이저 회로.
  10. 제9항에 있어서, 상기 프록시 전압은 상기 레이저의 전류 기반 전압 강하와 합해진 상기 레이저의 레이저 무릎 전압을 나타내고, 상기 레이저의 상기 전류 기반 전압 강하는 레이저를 통한 전류의 기능인, 레이저 회로.
  11. 제1항에 있어서, 상기 프록시 비교기 회로의 상기 제1 입력은 반전성이고 상기 프록시 비교기 회로의 제2 입력은 비반전성인, 레이저 회로.
  12. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 정전류 공급부는 디지털 방식으로 구성 가능한, 레이저 회로.
  13. 제1항에 있어서, 상기 레이저 구동 셀은 상기 레이저의 상기 전류 경로에 구동기 인에이블 트랜지스터를 더 포함하고 상기 프록시 레이저 구동 셀은 상기 프록시 구동기 제어 트랜지스터의 상기 전류 경로에 프록시 인에이블 트랜지스터를 더 포함하는, 레이저 회로.
  14. 제1항에 있어서, 상기 제2 정전류 공급부는 전류 미러의 출력부 및 상기 프록시 구동기 제어 트랜지스터의 게이트에 전기적으로 인터페이싱된 정전류를 공급하도록 구성되는, 레이저 회로.
  15. 제1항에 있어서, 상기 프록시 비교기 회로는 연산 증폭기를 포함하는, 레이저 회로.
  16. 제1항에 있어서, 상기 제2 정전류 공급부와 상기 프록시 비교기 회로 간에 전기적으로 스케일링 증폭기를 더 포함하는, 레이저 회로.
  17. 제1항에 있어서, 상기 레이저 회로는 복수의 레이저 구동 셀을 더 포함하고, 각각은 상기 레이저의 상기 전류 경로에 있는, 레이저 회로.
  18. 제1항에 있어서, 상기 레이저 회로는 복수의 프록시 레이저 구동 셀을 더 포함하는, 레이저 회로.
  19. 제18항에 있어서, 상기 레이저 회로는 복수의 제2 프록시 커플링 트랜지스터를 더 포함하고, 각각의 제2 프록시 커플링 트랜지스터는 각각의 프록시 레이저 구동 셀 내 상기 프록시 구동기 제어 트랜지스터에 각각 전기적으로 결합되는, 레이저 회로.
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