KR20230165141A - Adhesive composition, laminate, manufacturing method of laminate, and manufacturing method of electronic component - Google Patents

Adhesive composition, laminate, manufacturing method of laminate, and manufacturing method of electronic component Download PDF

Info

Publication number
KR20230165141A
KR20230165141A KR1020230066844A KR20230066844A KR20230165141A KR 20230165141 A KR20230165141 A KR 20230165141A KR 1020230066844 A KR1020230066844 A KR 1020230066844A KR 20230066844 A KR20230066844 A KR 20230066844A KR 20230165141 A KR20230165141 A KR 20230165141A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
laminate
group
component
layer
adhesive composition
Prior art date
Application number
KR1020230066844A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
가즈히데 우노
다카시 마루야마
유키 도미오카
Original Assignee
도쿄 오카 고교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 filed Critical 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤
Publication of KR20230165141A publication Critical patent/KR20230165141A/en

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J4/00Adhesives based on organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond ; adhesives, based on monomers of macromolecular compounds of groups C09J183/00 - C09J183/16
    • C09J4/06Organic non-macromolecular compounds having at least one polymerisable carbon-to-carbon unsaturated bond in combination with a macromolecular compound other than an unsaturated polymer of groups C09J159/00 - C09J187/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F222/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical and containing at least one other carboxyl radical in the molecule; Salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof
    • C08F222/10Esters
    • C08F222/1006Esters of polyhydric alcohols or polyhydric phenols
    • C08F222/106Esters of polycondensation macromers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F290/00Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to polymers modified by introduction of aliphatic unsaturated end or side groups
    • C08F290/02Macromolecular compounds obtained by polymerising monomers on to polymers modified by introduction of aliphatic unsaturated end or side groups on to polymers modified by introduction of unsaturated end groups
    • C08F290/06Polymers provided for in subclass C08G
    • C08F290/067Polyurethanes; Polyureas
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J175/00Adhesives based on polyureas or polyurethanes; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J175/04Polyurethanes
    • C09J175/14Polyurethanes having carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J5/00Adhesive processes in general; Adhesive processes not provided for elsewhere, e.g. relating to primers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/561Batch processing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/568Temporary substrate used as encapsulation process aid
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/50Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by process specific features
    • C09J2301/502Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by process specific features process for debonding adherents
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer

Abstract

[과제] 고온 프로세스에 의한 디라미네이션 발생을 억제할 수 있고, 또한 접착층의 세정성이 양호한 접착제 조성물, 당해 접착제 조성물을 이용하여 제조된 적층체, 당해 적층체의 제조 방법, 및 당해 접착제 조성물을 이용한 전자 부품의 제조 방법을 제공한다.
[해결 수단] 반도체 기판 또는 전자 디바이스와, 광을 투과하는 지지체를 가접착하는 접착층을 형성하기 위해서 이용되는 접착제 조성물로서, 중합성 탄소-탄소 불포화 결합을 포함하는 우레탄 수지(P1)와, 카프로락톤 변성 우레탄 아크릴레이트(M1)와, 중합 개시제(A)를 함유하는, 접착제 조성물.
[Problem] An adhesive composition that can suppress the occurrence of delamination due to a high temperature process and has good cleaning properties of the adhesive layer, a laminate manufactured using the adhesive composition, a method for manufacturing the laminate, and a method using the adhesive composition. Provides a manufacturing method for electronic components.
[Solution] An adhesive composition used to form an adhesive layer that temporarily bonds a semiconductor substrate or electronic device to a light-transmitting support, comprising a urethane resin (P1) containing a polymerizable carbon-carbon unsaturated bond, and caprolactone. An adhesive composition containing modified urethane acrylate (M1) and a polymerization initiator (A).

Description

접착제 조성물, 적층체, 적층체의 제조 방법, 및 전자 부품의 제조 방법{ADHESIVE COMPOSITION, LAMINATE, MANUFACTURING METHOD OF LAMINATE, AND MANUFACTURING METHOD OF ELECTRONIC COMPONENT}Adhesive composition, laminate, method of manufacturing laminate, and method of manufacturing electronic component {ADHESIVE COMPOSITION, LAMINATE, MANUFACTURING METHOD OF LAMINATE, AND MANUFACTURING METHOD OF ELECTRONIC COMPONENT}

본 발명은, 접착제 조성물, 적층체, 적층체의 제조 방법, 및 전자 부품의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to adhesive compositions, laminates, methods for manufacturing laminates, and methods for manufacturing electronic components.

반도체 소자를 포함하는 반도체 패키지(전자 부품)에는, 대응 사이즈에 따라 여러가지 형태가 존재하고, 예를 들면 WLP(Wafer Level Package), PLP(Panel Level Package) 등이 있다. Semiconductor packages (electronic components) containing semiconductor elements exist in various forms depending on the corresponding size, for example, wafer level package (WLP), panel level package (PLP), etc.

반도체 패키지의 기술로서는, 팬인형 기술, 팬아웃형 기술을 들 수 있다. 팬인형 기술에 의한 반도체 패키지로서는, 베어 칩 단부에 있는 단자를 칩 에어리어 내에 재배치하는, 팬인형 WLP(Fan-in Wafer Level Package) 등이 알려져 있다. 팬아웃형 기술에 의한 반도체 패키지로서는, 상기 단자를 칩 에어리어 외에 재배치하는, 팬아웃형 WLP(Fan-out Wafer Level Package) 등이 알려져 있다. Semiconductor package technologies include fan-puppet technology and fan-out type technology. As a semiconductor package using fan-puppet technology, a fan-puppet WLP (Fan-in Wafer Level Package), which rearranges the terminals at the end of the bare chip within the chip area, is known. As a semiconductor package using fan-out technology, a fan-out type WLP (Fan-out Wafer Level Package) in which the terminal is relocated outside the chip area is known.

근래, 특히 팬아웃형 기술은, 패널 상에 반도체 소자를 배치하여 패키지화하는 팬아웃형 PLP(Fan-out Panel Level Package)에 응용되는 등, 반도체 패키지에 있어서의, 한층 더 고집적화, 박형화 및 소형화 등을 실현할 수 있는 방법으로서 주목을 끌고 있다. Recently, in particular, fan-out type technology has been applied to fan-out type PLP (Fan-out Panel Level Package), which packages semiconductor elements by arranging them on a panel, and has led to further high integration, thinning, and miniaturization of semiconductor packages. It is attracting attention as a method that can realize this.

반도체 패키지의 소형화를 도모하기 위해서는, 조립(組入)되는 소자에 있어서의 기판의 두께를 얇게 하는 것이 중요해진다. 그렇지만, 기판의 두께를 얇게 하면, 그 강도가 저하하여, 반도체 패키지 제조 시에 기판의 파손을 발생하기 쉬워진다. 이에 대하여, 접착제를 이용하여 기판을 지지체에 가(假)접착하고, 기판의 가공을 수행한 후, 기판과 지지체를 분리하는 기술이 알려져 있다. In order to achieve miniaturization of semiconductor packages, it becomes important to reduce the thickness of the substrate for the assembled elements. However, if the thickness of the substrate is thinned, its strength decreases, making it easy for the substrate to be damaged during semiconductor package manufacturing. In relation to this, a technique is known in which a substrate is temporarily attached to a support using an adhesive, the substrate is processed, and then the substrate and the support are separated.

기판과 지지체와의 가접착에 이용되는 접착제로서는, 용제 등에 의한 접착층의 제거가 용이한 것으로부터, 열가소계 접착제가 이용되는 것이 많다. 예를 들면, 특허문헌 1에는, 열가소성 엘라스토머와, 고비점 용제와, 저비점 용제를 함유하는 접착제 조성물이 개시되어 있다. As an adhesive used for temporary adhesion between a substrate and a support, a thermoplastic adhesive is often used because the adhesive layer is easy to remove with a solvent or the like. For example, Patent Document 1 discloses an adhesive composition containing a thermoplastic elastomer, a high boiling point solvent, and a low boiling point solvent.

[특허문헌 1] 국제 공개 제2016/052315호[Patent Document 1] International Publication No. 2016/052315

그런데, 반도체 패키지 제조에 대해서는, 박막 형성, 소성, 다이 본딩등의 고온 처리가 가해지는 것이 있다. 접착제의 내열성이 낮으면 고온 처리 시에, 접착층의 탄성률이 저하해, 디라미네이션이 발생하는 경우가 있다. 한편, 접착제에 가교제를 첨가하는 것으로써 접착층의 탄성률이 높아지고, 내열성이 향상한다. 그렇지만, 기판을 지지체로부터 분리한 후, 기판에 부착하는 접착층의 세정성이 현저하게 저하한다. However, in the manufacture of semiconductor packages, high-temperature treatments such as thin film formation, firing, and die bonding are applied. If the heat resistance of the adhesive is low, the elastic modulus of the adhesive layer may decrease during high temperature treatment, resulting in delamination. On the other hand, adding a crosslinking agent to the adhesive increases the elastic modulus of the adhesive layer and improves heat resistance. However, after separating the substrate from the support, the cleanability of the adhesive layer attached to the substrate significantly decreases.

본 발명은, 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 고온 프로세스에 의한 디라미네이션 발생을 억제할 수 있고, 또한 접착층의 세정성이 양호한 접착제 조성물, 당해 접착제 조성물을 이용하여 제조된 적층체, 당해 적층체의 제조 방법, 및 당해 접착제 조성물을 이용한 전자 부품의 제조 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and provides an adhesive composition that can suppress the occurrence of delamination due to a high temperature process and has good cleaning properties of the adhesive layer, a laminate manufactured using the adhesive composition, and a laminate of the laminate. The object is to provide a manufacturing method and a manufacturing method of electronic components using the adhesive composition.

상기의 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은 이하의 구성을 채용했다.In order to solve the above problems, the present invention adopts the following configuration.

즉, 본 발명의 제1의 태양은, 반도체 기판 또는 전자 디바이스와, 광을 투과하는 지지체를 가접착하는 접착층을 형성하기 위해서 이용되는 접착제 조성물로서, 중합성 탄소-탄소 불포화 결합을 포함하는 우레탄 수지(P1)와, 카프로락톤 변성 우레탄 아크릴레이트(M1)와, 중합 개시제(A)를 함유하는, 접착제 조성물이다. That is, the first aspect of the present invention is an adhesive composition used to form an adhesive layer for temporarily bonding a semiconductor substrate or electronic device and a light-transmitting support, comprising a urethane resin containing a polymerizable carbon-carbon unsaturated bond. It is an adhesive composition containing (P1), caprolactone-modified urethane acrylate (M1), and a polymerization initiator (A).

본 발명의 제2의 태양은, 지지체, 접착층, 및 반도체 기판 혹은 전자 디바이스가 이 순서대로 적층한 적층체로서, 상기 접착층은, 상기 제1의 태양에 따른 접착제 조성물의 경화체인, 적층체이다.A second aspect of the present invention is a laminate in which a support, an adhesive layer, and a semiconductor substrate or electronic device are laminated in this order, and the adhesive layer is a cured product of the adhesive composition according to the first aspect.

본 발명의 제3의 태양은, 지지체, 접착층 및 반도체 기판이 이 순서로 적층한 적층체의 제조 방법으로서, 상기 지지체 또는 반도체 기판에, 상기 제1의 태양에 따른 접착제 조성물을 도포하여 접착제 조성물층을 형성하는 공정과, 상기 지지체 상에, 상기 반도체 기판을, 상기 접착제 조성물층을 통해서 재치하는 공정과, 상기 접착제 조성물층을 경화시켜 상기 접착층을 형성하는 공정을 가지는, 적층체의 제조 방법이다.A third aspect of the present invention is a method of manufacturing a laminate in which a support, an adhesive layer, and a semiconductor substrate are laminated in this order, wherein the adhesive composition according to the first aspect is applied to the support or the semiconductor substrate to form an adhesive composition layer. A method of manufacturing a laminate comprising a step of forming a step, a step of placing the semiconductor substrate on the support through the adhesive composition layer, and a step of curing the adhesive composition layer to form the adhesive layer.

본 발명의 제4의 태양은, 상기 제3의 태양에 따른 적층체의 제조 방법에 의해 적층체를 얻은 후, 금속 또는 반도체에 의해 구성되는 부재와 상기 부재를 봉지 또는 절연하는 수지와의 복합체인, 전자 디바이스를 형성하는 전자 디바이스 형성 공정을 추가로 가지는, 지지체, 접착층 및 전자 디바이스가 이 순서로 적층한 적층체의 제조 방법이다.The fourth aspect of the present invention is a composite of a member made of metal or a semiconductor and a resin that seals or insulates the member, after the laminate is obtained by the method for manufacturing a laminate according to the third aspect. This is a method of manufacturing a laminate in which a support, an adhesive layer, and an electronic device are laminated in this order, further comprising an electronic device forming process for forming an electronic device.

본 발명의 제5의 태양은, 상기 제4의 태양에 따른 적층체의 제조 방법에 의해 적층체를 얻은 후, 상기 우레탄 수지의 우레탄 결합을 산 또는 알칼리로 분해하는 것에 의해, 상기 접착층을 제거하는 공정을 가지는, 전자 부품의 제조 방법이다.The fifth aspect of the present invention is to remove the adhesive layer by decomposing the urethane bond of the urethane resin with an acid or alkali after obtaining the laminate by the method for manufacturing a laminate according to the fourth aspect. It is a manufacturing method of electronic components that includes a process.

본 발명에 의하면, 고온 프로세스에 의한 디라미네이션 발생을 억제할 수 있고, 또한 접착층의 세정성이 양호한 접착제 조성물, 당해 접착제 조성물을 이용하여 제조된 적층체, 당해 적층체의 제조 방법, 및 당해 접착제 조성물을 이용한 전자 부품의 제조 방법이 제공된다.According to the present invention, an adhesive composition that can suppress the occurrence of delamination due to a high temperature process and has good cleaning properties of the adhesive layer, a laminate manufactured using the adhesive composition, a method for producing the laminate, and the adhesive composition A method of manufacturing electronic components using is provided.

[도 1] 본 발명을 적용한 적층체의 일 실시 형태를 나타내는 모식도이다.
[도 2] 본 발명을 적용한 적층체의 일 실시 형태를 나타내는 모식도이다.
[도 3] 본 발명을 적용한 적층체의 일 실시 형태를 나타내는 모식도이다.
[도 4] 본 발명을 적용한 적층체의 일 실시 형태를 나타내는 모식도이다.
[도 5] 지지체, 접착제 조성물층, 및 반도체 기판이 이 순서로 적층된 적층체(100')의 제조 방법의 일 실시 형태를 설명하는 개략 공정도이다. 도 5(a)는, 지지 기체(基體) 및 분리층으로 이루어지는 지지체를 나타내는 도면이며, 도 5(b)는, 접착제 조성물층 형성 공정을 설명하는 도면이며, 도 5(c)는, 반도체 기판 재치 공정을 설명하는 도면이다.
[도 6] 접착층 형성 공정을 설명하는 도면이다.
[도 7] 적층체(120)를 제조하는 방법의 일 실시 형태를 설명하는 개략 공정도이다. 도 7(a)은, 봉지 공정을 설명하는 도면이며, 도 7(b)은, 연삭 공정을 설명하는 도면이며, 도 7(c)은 배선층 형성 공정을 설명하는 도면이다.
[도 8] 적층체(120)으로부터 반도체 패키지(전자 부품)를 제조하는 방법의 일 실시 형태를 설명하는 개략 공정도이다. 도 8(a)은, 적층체(200)를 나타내는 도면이며, 도 8(b)은, 분리 공정을 설명하는 도면이며, 도 8(c)은, 접착층 제거 공정을 설명하는 도면이다.
[Figure 1] A schematic diagram showing one embodiment of a laminate to which the present invention is applied.
[Figure 2] A schematic diagram showing one embodiment of a laminate to which the present invention is applied.
[Figure 3] A schematic diagram showing one embodiment of a laminate to which the present invention is applied.
[Figure 4] is a schematic diagram showing one embodiment of a laminate to which the present invention is applied.
[FIG. 5] is a schematic process diagram illustrating one embodiment of a method for manufacturing a laminate 100' in which a support, an adhesive composition layer, and a semiconductor substrate are laminated in this order. FIG. 5(a) is a diagram showing a support consisting of a support base and a separation layer, FIG. 5(b) is a diagram explaining the adhesive composition layer forming process, and FIG. 5(c) is a diagram showing a semiconductor substrate. This is a drawing explaining the tact process.
[Figure 6] A diagram explaining the adhesive layer forming process.
[FIG. 7] is a schematic process diagram explaining one embodiment of a method for manufacturing the laminate 120. FIG. 7(a) is a diagram explaining the encapsulation process, FIG. 7(b) is a diagram explaining the grinding process, and FIG. 7(c) is a diagram explaining the wiring layer forming process.
[FIG. 8] is a schematic process diagram explaining one embodiment of a method for manufacturing a semiconductor package (electronic component) from the laminate 120. FIG. 8(a) is a diagram showing the laminate 200, FIG. 8(b) is a diagram explaining the separation process, and FIG. 8(c) is a diagram explaining the adhesive layer removal process.

본 명세서 및 본 특허 청구의 범위에 있어서, 「지방족」이란, 방향족에 대한 상대적인 개념으로서, 방향족성을 가지지 않는 기, 화합물 등을 의미하는 것이라고 정의한다.In this specification and the claims of this patent, “aliphatic” is a relative concept to aromatic, and is defined to mean a group, compound, etc. that does not have aromaticity.

「알킬기」는, 특별히 언급이 없는 한, 직쇄상, 분기쇄상 및 환상의 1가의 포화 탄화 수소기를 포함하는 것으로 한다. 알콕시기 중의 알킬기도 마찬가지이다.Unless otherwise specified, “alkyl group” includes linear, branched, and cyclic monovalent saturated hydrocarbon groups. The same applies to alkyl groups among alkoxy groups.

「알킬렌기」는, 특별히 언급이 없는 한, 직쇄상, 분기쇄상 및 환상의 2가의 포화 탄화 수소기를 포함하는 것으로 한다.Unless otherwise specified, the “alkylene group” includes linear, branched, and cyclic divalent saturated hydrocarbon groups.

「할로겐화 알킬기」는, 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환된 기이며, 상기 할로겐 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자를 들 수 있다.A “halogenated alkyl group” is a group in which some or all of the hydrogen atoms of an alkyl group are replaced with halogen atoms, and examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.

「불소화 알킬기」 또는 「불소화 알킬렌기」는, 알킬기 또는 알킬렌기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환된 기를 말한다.“Fluorinated alkyl group” or “fluorinated alkylene group” refers to a group in which some or all of the hydrogen atoms of an alkyl group or alkylene group are replaced with fluorine atoms.

「구성 단위」란, 고분자 화합물(수지, 중합체, 공중합체)을 구성하는 모노머 단위(단량체 단위)를 의미한다.“Structural unit” means a monomer unit (monomer unit) that constitutes a high molecular compound (resin, polymer, copolymer).

「치환기를 가지고 있어도 된다」 또는 「치환기를 가져도 된다」라고 기재하는 경우, 수소 원자(-H)를 1가의 기로 치환하는 경우와, 메틸렌기(-CH2-)를 2가의 기로 치환하는 경우의 양쪽 모두를 포함한다.When stating “You may have a substituent” or “You may have a substituent”, when the hydrogen atom (-H) is replaced with a monovalent group, and when the methylene group (-CH 2 -) is replaced with a divalent group includes both sides.

「히드록시스티렌으로부터 유도되는 구성 단위」란, 히드록시스티렌의 에틸렌성 이중 결합이 개열(開裂)하여 구성되는 구성 단위를 의미한다. 「히드록시스티렌 유도체로부터 유도되는 구성 단위」란, 히드록시스티렌 유도체의 에틸렌성 이중 결합이 개열하여 구성되는 구성 단위를 의미한다. “Structural unit derived from hydroxystyrene” means a structural unit formed by cleavage of the ethylenic double bond of hydroxystyrene. “Structural unit derived from a hydroxystyrene derivative” means a structural unit formed by cleavage of the ethylenic double bond of a hydroxystyrene derivative.

「히드록시스티렌 유도체」란, 히드록시스티렌의 α위(位)의 수소 원자가 알킬기, 할로겐화 알킬기 등의 다른 치환기로 치환된 것, 및 이들의 유도체를 포함하는 개념으로 한다. 이들의 유도체로서는, α위의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 히드록시스티렌의 수산기의 수소 원자를 유기기로 치환한 것; α위의 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 되는 히드록시스티렌의 벤젠환에, 수산기 이외의 치환기가 결합한 것 등을 들 수 있다. 또한, α위(α위의 탄소 원자)란, 특별히 예고가 없는 한, 벤젠환이 결합하고 있는 탄소 원자를 말한다. “Hydroxystyrene derivatives” is a concept that includes those in which the hydrogen atom in the α position of hydroxystyrene is replaced by other substituents such as an alkyl group and a halogenated alkyl group, and derivatives thereof. These derivatives include those obtained by replacing the hydrogen atom of the hydroxyl group of hydroxystyrene, where the hydrogen atom on α may be substituted with a substituent, with an organic group; Examples include those in which a substituent other than a hydroxyl group is bonded to the benzene ring of hydroxystyrene, where the hydrogen atom on α may be substituted with a substituent. In addition, the α position (carbon atom on α) refers to the carbon atom to which the benzene ring is bonded, unless otherwise specified.

히드록시스티렌의 α위의 수소 원자를 치환하는 치환기로서는, 상기 α치환 아크릴산 에스테르에 있어서, α위의 치환기로서 든 것과 마찬가지의 것을 들 수 있다. Substituents that replace the hydrogen atom on α of hydroxystyrene include the same substituents listed as the substituent on α in the α-substituted acrylic acid ester.

상기 α위의 치환기로서의 알킬기는, 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기가 바람직하고, 구체적으로는, 탄소 원자수 1~5의 알킬기(메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기) 등을 들 수 있다. The alkyl group as the substituent on α is preferably a linear or branched alkyl group, and specifically, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms (methyl, ethyl, propyl, isopropyl, n-butyl, iso). butyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group), etc.

또한, α위의 치환기로서의 할로겐화 알킬기는, 구체적으로는, 상기 「α위의 치환기로서의 알킬기」의 수소 원자의 일부 또는 전부를, 할로겐 원자로 치환한 기를 들 수 있다. 상기 할로겐 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 특히 불소 원자가 바람직하다.In addition, the halogenated alkyl group as the substituent on α specifically includes a group in which part or all of the hydrogen atoms of the “alkyl group as the substituent on α” above are replaced with halogen atoms. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc., and a fluorine atom is particularly preferable.

또한, α위의 치환기로서의 히드록시알킬기는, 구체적으로는, 상기 「α위의 치환기로서의 알킬기」의 수소 원자의 일부 또는 전부를, 수산기로 치환한 기를 들 수 있다. 상기 히드록시알킬기에 있어서의 수산기의 수는, 1~5가 바람직하고, 1이 가장 바람직하다. In addition, the hydroxyalkyl group as the substituent on α specifically includes a group in which part or all of the hydrogen atoms of the above-mentioned “alkyl group as the substituent on α” are replaced with hydroxyl groups. The number of hydroxyl groups in the hydroxyalkyl group is preferably 1 to 5, and most preferably 1.

본 명세서 및 본 특허 청구의 범위에 있어서, 화학식으로 나타내는 구조에 따라서는 부제(不齊) 탄소가 존재하여, 에난티오 이성체(enantiomer)나 차아 스테레오 이성체(diastereomer)가 존재할 수 있는 것이 있지만, 그 경우는 하나의 식으로 이들의 이성체를 대표하여 나타낸다. 이들의 이성체는 단독으로 이용해도 되고, 혼합물로서 이용해도 된다. In the present specification and the claims of this patent, depending on the structure represented by the chemical formula, an asymmetric carbon may exist and an enantiomer or a lower stereoisomer may exist, but in that case, represents these isomers in one formula. These isomers may be used individually or as a mixture.

(접착제 조성물)(Adhesive composition)

본 발명의 제1의 태양에 따른 접착제 조성물은, 반도체 기판 또는 전자 디바이스와, 지지체를 가접착하는 접착층을 형성하기 위해서 이용되는 접착제 조성물로서, 중합성 탄소-탄소 불포화 결합을 포함하는 우레탄 수지(P1)와, 카프로락톤 변성 우레탄 아크릴레이트(M1)와, 중합 개시제(A)를 함유하는 것을 특징으로 한다.The adhesive composition according to the first aspect of the present invention is an adhesive composition used to form an adhesive layer for temporarily bonding a semiconductor substrate or electronic device and a support, and is composed of a urethane resin (P1) containing a polymerizable carbon-carbon unsaturated bond. ), caprolactone-modified urethane acrylate (M1), and a polymerization initiator (A).

<가접착의 대상><Target of temporary adhesion>

본 실시 형태에 따른 접착제 조성물은, 반도체 기판 또는 전자 디바이스와, 지지체를 가접착하는 접착층을 형성하기 위해서 이용된다. 본 명세서에 있어서, 「가접착」이란, 접착 대상이 일시적으로(예를 들면, 임의의 작업 공정의 사이) 접착되는 것을 말한다. 보다 구체적으로는, 반도체 기판 또는 전자 디바이스는, 디바이스의 박화(薄化), 반도체 기판의 반송, 반도체 기판에의 실장 등을 위해서, 일시적으로 지지체에 접착되어 지지체 상에 고정되고(가접착), 당해 프로세스 종료 후에, 지지체로부터 분리된다. The adhesive composition according to this embodiment is used to form an adhesive layer that temporarily bonds a semiconductor substrate or electronic device and a support. In this specification, “temporary adhesion” refers to temporary adhesion of the object to be adhered (for example, between arbitrary work processes). More specifically, the semiconductor substrate or electronic device is temporarily bonded to a support and fixed on the support for thinning of the device, transportation of the semiconductor substrate, mounting on the semiconductor substrate, etc. (temporary bonding), After completion of the process, it is separated from the support.

≪반도체 기판≫≪Semiconductor substrate≫

본 실시 형태에 따른 접착제 조성물이 적용되는 반도체 기판은, 특별히 한정되지 않고, 반도체 기판으로서 일반적으로 이용되는 것이어도 된다. 반도체 기판(베어 칩)은, 지지체에 지지된 상태로, 박화, 실장 등의 프로세스에 제공된다. 반도체 기판에는, 예를 들면 집적회로나 금속 범프 등의 구조물이 실장되어 있어도 된다.The semiconductor substrate to which the adhesive composition according to this embodiment is applied is not particularly limited, and may be one generally used as a semiconductor substrate. A semiconductor substrate (bare chip) is supported on a support body and subjected to processes such as thinning and mounting. For example, structures such as integrated circuits or metal bumps may be mounted on the semiconductor substrate.

반도체 기판으로서는, 전형적으로는, 실리콘 웨이퍼 기판을 들 수 있지만, 이로 한정되지 않고, 세라믹스 기판, 얇은 필름 기판, 플렉서블 기판 등이어도 된다. The semiconductor substrate typically includes a silicon wafer substrate, but is not limited to this and may also be a ceramic substrate, thin film substrate, or flexible substrate.

≪전자 디바이스≫≪Electronic device≫

본 명세서에 있어서, 「전자 디바이스」란, 전자 부품의 적어도 일부를 구성하는 부재를 의미한다. 전자 디바이스는, 특별히 제한되지 않고, 반도체 기판의 표면에, 각종 기계 구조나 회로가 형성된 것일 수 있다. 전자 디바이스는, 바람직하게는, 금속 또는 반도체에 의해 구성되는 부재와 상기 부재를 봉지 또는 절연하는 수지와의 복합체이어도 된다. 전자 디바이스는, 후술하는 재배선층, 및/또는 반도체 소자 혹은 그 외 소자가, 봉지재 또는 절연재로 봉지 또는 절연된 것이어도 되고, 단층 또는 복수층의 구조를 가질 수 있다.In this specification, “electronic device” means a member that constitutes at least a part of an electronic component. The electronic device is not particularly limited and may be one in which various mechanical structures or circuits are formed on the surface of a semiconductor substrate. The electronic device may preferably be a composite of a member made of metal or a semiconductor and a resin that seals or insulates the member. The electronic device may have a rewiring layer described later and/or a semiconductor element or other element sealed or insulated with an encapsulating material or an insulating material, and may have a single-layer or multi-layer structure.

≪지지체≫≪Support≫

지지체는, 반도체 기판 또는 전자 디바이스를 지지하는 부재이다. 지지체는, 후술하는 바와 같이, 광을 투과하는 특성을 갖고, 반도체 기판을 지지하는 부재인 지지 기체와, 광의 조사에 의해 변질하는 분리층으로 구성되어 있어도 된다.A support body is a member that supports a semiconductor substrate or electronic device. As will be described later, the support may be composed of a support base that has the characteristic of transmitting light and is a member that supports the semiconductor substrate, and a separation layer that deteriorates by irradiation of light.

<중합성 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 우레탄 수지: (P1) 성분><Urethane resin containing polymerizable carbon-carbon double bond: (P1) component>

본 실시 형태에 따른 접착제 조성물은, 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 우레탄 수지(이하, 「(P1) 성분」이라고도 말한다)을 함유한다. (P1) 성분은, 중합성 탄소-탄소 이중 결합에 의해 중합하고 경화하여, 접착층을 형성할 수 있다. 이에 의해, 반도체 기판 혹은 전자 디바이스와, 지지체를 가접착할 수 있다. 추가로, (P1) 성분 중의 우레탄 결합은, 산 또는 알칼리에 의해 분해되는 성질을 갖는다. 그 때문에, 상기 접착층은, 산 또는 알칼리를 포함하는 처리액에 의해 용이하게 제거될 수 있다. 후술의 (M) 성분에 해당하는 것은, (P1) 성분으로부터 제외된다. The adhesive composition according to this embodiment contains a urethane resin containing a polymerizable carbon-carbon double bond (hereinafter also referred to as “(P1) component”). The (P1) component can be polymerized and cured by a polymerizable carbon-carbon double bond to form an adhesive layer. Thereby, the semiconductor substrate or electronic device and the support can be temporarily bonded. Additionally, the urethane bond in component (P1) has the property of being decomposed by acid or alkali. Therefore, the adhesive layer can be easily removed with a treatment liquid containing acid or alkali. Those corresponding to the (M) component described later are excluded from the (P1) component.

(P1) 성분이 포함하는 중합성 탄소-탄소 이중 결합은, 특별히 한정되지 않지만, 라디칼 중합성의 것인 것이 바람직하다. 중합성 탄소-탄소 이중 결합으로서는, 예를 들면, 메타크릴로일기, 및 아크릴로일기를 들 수 있다. (P1) 성분이 포함하는 중합성 탄소-탄소 이중 결합은, 1종이어도 되고, 2종 이상이어도 된다. The polymerizable carbon-carbon double bond contained in the component (P1) is not particularly limited, but is preferably radically polymerizable. Examples of polymerizable carbon-carbon double bonds include methacryloyl group and acryloyl group. (P1) The number of polymerizable carbon-carbon double bonds contained in the component may be one, or two or more types may be used.

(P1) 성분이 포함하는 중합성 탄소-탄소 이중 결합의 당량은, 200~2000 g/eq.이 바람직하고, 300~1500 g/eq.이 보다 바람직하고, 400~1200 g/eq.이 더욱 바람직하고, 500~1000 g/eq.이 특히 바람직하다. 중합성 탄소-탄소 이중 결합 당량이, 상기 바람직한 범위의 하한치 이상이면, 접착층의 탄성률, 내열성 등이 보다 향상한다. 중합성 탄소-탄소 이중 결합 당량이, 상기 바람직한 범위의 상한치 이하이면, 접착층이 너무 딱딱해지지 않고, 세정성이 양호해진다. 상기 당량수는, 중합성 탄소-탄소 이중 결합 1 당량당의 우레탄 수지의 분자량이다. The equivalent weight of the polymerizable carbon-carbon double bond contained in the component (P1) is preferably 200 to 2000 g/eq., more preferably 300 to 1500 g/eq., and even more preferably 400 to 1200 g/eq. is preferred, and 500 to 1000 g/eq. is particularly preferred. If the polymerizable carbon-carbon double bond equivalent is more than the lower limit of the above preferred range, the elastic modulus, heat resistance, etc. of the adhesive layer are further improved. If the polymerizable carbon-carbon double bond equivalent is below the upper limit of the above preferred range, the adhesive layer will not become too hard and cleanability will be good. The equivalent number is the molecular weight of the urethane resin per equivalent of a polymerizable carbon-carbon double bond.

(P1) 성분의 중량 평균 분자량(Mw)은, 5,000~100,000이 바람직하고, 1,000~50,000이 보다 바람직하고, 12,000~30,000이 더욱 바람직하고, 13,000~25,000이 특히 바람직하다.(P1) The weight average molecular weight (Mw) of the component is preferably 5,000 to 100,000, more preferably 1,000 to 50,000, further preferably 12,000 to 30,000, and especially preferably 13,000 to 25,000.

(P1) 성분은, 폴리이소시아네이트 화합물(이하, 「(I) 성분」이라고도 말한다)과, 폴리올(이하, 「(O) 성분」이라고도 말한다)의 중합 부가 반응에 의해 합성할 수 있다. (I) 성분 및 (O) 성분의 적어도 1종은, 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 포함하고 있는 것이 바람직하다.The (P1) component can be synthesized by a polymerization addition reaction of a polyisocyanate compound (hereinafter also referred to as “(I) component”) and a polyol (hereinafter also referred to as “(O) component”). It is preferable that at least one type of component (I) and component (O) contains a polymerizable carbon-carbon double bond.

≪폴리이소시아네이트 화합물: (I) 성분≫≪Polyisocyanate compound: (I) component≫

본 명세서에 있어서, 「폴리이소시아네이트 화합물」이란, 2개 이상의 이소시아네이트기(-N=C=O)를 가지는 화합물(폴리이소시아네이트) 또는 2개 이상의 블록된 이소시아네이트기를 가지는 화합물(블록 폴리이소시아네이트)을 의미한다. 폴리이소시아네이트로서는, 특별히 한정되지 않고, 우레탄 수지의 제조에 일반적으로 이용되는 것을 특별히 제한없이 이용할 수 있다.In this specification, “polyisocyanate compound” means a compound (polyisocyanate) having two or more isocyanate groups (-N=C=O) or a compound (block polyisocyanate) having two or more blocked isocyanate groups. . There is no particular limitation on the polyisocyanate, and those generally used in the production of urethane resins can be used without particular limitation.

블록 폴리이소시아네이트는, 폴리이소시아네이트의 이소시아네이트기가 블록제와의 반응에 의해 블록되어, 불활성화된 화합물이다. (I) 성분으로서 이용되는 블록 폴리이소시아네이트는, 열해리성 블록제에 의해 이소시아네이트기가 블록된 것인 것이 바람직하다. 열해리성 블록제로서는, 예를 들면, 옥심류, 디케톤류, 페놀류, 카프로락탐류 등의 블록제를 들 수 있다. 열해리성 블록제에 의한 블록 폴리이소시아네이트는, 상온에서는 이소시아네이트기가 불활성이며, 가열되는 것에 의해, 열해리성 블록제가 해리하여 이소시아네이트기를 재생한다.Blocked polyisocyanate is a compound in which the isocyanate group of polyisocyanate is blocked by reaction with a blocking agent and is inactivated. (I) The blocked polyisocyanate used as component is preferably one in which the isocyanate group is blocked by a thermally dissociable blocking agent. Examples of thermally dissociable blocking agents include blocking agents such as oximes, diketones, phenols, and caprolactams. In the blocked polyisocyanate made by a thermally dissociable blocking agent, the isocyanate group is inactive at room temperature, and when heated, the thermally dissociable blocking agent dissociates and regenerates the isocyanate group.

폴리이소시아네이트의 구체예로서는, 예를 들면, 헥사메틸렌 디이소시아네이트, 트리메틸헥사메틸렌 디이소시아네이트, 리신 디이소시아네이트 등의 지방족 디이소시아네이트; 디시클로헥실메탄 디이소시아네이트, 이소포론 디이소시아네이트, 1,4-시클로헥산 디이소시아네이트, 수첨 크실렌 디이소시아네이트, 수첨 톨릴렌 디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-4,4'-디이소시아네이트 등의 지환식 디이소시아네이트; 및 톨릴렌 디이소시아네이트, 4,4'-디페닐 메탄 디이소시아네이트, 2,4'-디페닐 메탄 디이소시아네이트, 나프탈렌 디이소시아네이트, 크실렌 디이소시아네이트, 트리신 디이소시아네이트, p-페닐렌 디이소시아네이트, 나프틸렌 디이소시아네이트 등의 방향족 디이소시아네이트; 및, 이들의 뷰렛체, 이소시아누레이트체, 트리메틸올프로판의 아닥트체 등을 들 수 있다. 폴리이소시아네이트는, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. Specific examples of polyisocyanate include aliphatic diisocyanates such as hexamethylene diisocyanate, trimethylhexamethylene diisocyanate, and lysine diisocyanate; Alicyclic diisocyanates such as dicyclohexylmethane diisocyanate, isophorone diisocyanate, 1,4-cyclohexane diisocyanate, hydrogenated xylene diisocyanate, hydrogenated tolylene diisocyanate, and dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate. ; and tolylene diisocyanate, 4,4'-diphenyl methane diisocyanate, 2,4'-diphenyl methane diisocyanate, naphthalene diisocyanate, xylene diisocyanate, tricyne diisocyanate, p-phenylene diisocyanate, naphthylene. Aromatic diisocyanates such as diisocyanate; and their biuret form, isocyanurate form, and adduct form of trimethylolpropane. Polyisocyanate may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together.

폴리이소시아네이트는, 시판의 것을 사용해도 된다. 시판의 폴리이소시아네이트로서는, 예를 들면, 듀라네이트(등록상표) 24A-100, 듀라네이트 22A-75P, 듀라네이트 TPA-100, 듀라네이트 TKA-100, 듀라네이트 P301-75E, 듀라네이트 21S-75E, 듀라네이트 MFA-75B, 듀라네이트 MHG-80B, 듀라네이트 TUL-100, 듀라네이트 TLA-100, 듀라네이트 TSA-100, 듀라네이트 TSS-100, 듀라네이트 TSE100, 듀라네이트 E402-80B, 듀라네이트 E405-70B, 듀라네이트 AS700-100, 듀라네이트 D101, 듀라네이트 D201, 및 듀라네이트 A201H(이상, 상품명, 아사히 카세이 케미컬즈사 제명) 등을 들 수 있다. 이들 제품은, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. As polyisocyanate, you may use a commercially available one. Commercially available polyisocyanates include, for example, Duranate (registered trademark) 24A-100, Duranate 22A-75P, Duranate TPA-100, Duranate TKA-100, Duranate P301-75E, Duranate 21S-75E, Duranate MFA-75B, Duranate MHG-80B, Duranate TUL-100, Duranate TLA-100, Duranate TSA-100, Duranate TSS-100, Duranate TSE100, Duranate E402-80B, Duranate E405- 70B, Duranate AS700-100, Duranate D101, Duranate D201, and Duranate A201H (above, brand name, discontinued by Asahi Kasei Chemicals). These products may be used individually, or two or more types may be used together.

블록 이소시아네이트로서는, 상기와 같은 폴리이소시아네이트의 이소시아네이트기가, 블록제와의 반응에 의해 보호된 화합물을 들 수 있다. 블록제는, 열해리성의 블록제, 즉 이소시아네이트기에 부가하고, 상온에서는 안정하지만 해리 온도 이상으로 가열하면 유리하여 이소시아네이트기를 생성하는 화합물이면, 특별히 한정되지 않고, 공지의 것을 특별히 제한없이 이용할 수 있다. Examples of the blocked isocyanate include compounds in which the isocyanate group of the above polyisocyanate is protected by reaction with a blocking agent. The blocking agent is not particularly limited as long as it is a thermally dissociable blocking agent, that is, a compound that is added to an isocyanate group and is stable at room temperature, but is free when heated above the dissociation temperature to generate an isocyanate group, and a known one can be used without particular limitation.

블록제의 구체예로서는, 예를 들어, γ-부티로락탐, ε-카프로락탐, γ-발레로락탐, 프로피오락탐 등의 락탐 화합물; 메틸 에틸 케토 옥심, 메틸 이소아밀 케토 옥심, 메틸 이소부틸 케토 옥심, 포름아미드 옥심, 아세토아미드 옥심, 아세토 옥심, 디아세틸 모노옥심, 벤조페논 옥심, 시클로헥사논 옥심 등의 옥심 화합물; 페놀, 크레졸, 카테콜, 니트로페놀 등의 단환 페놀 화합물; 1-나프톨 등의 다환 페놀 화합물; 메틸 알코올, 에틸 알코올, 이소프로필 알코올, tert-부틸 알코올, 트리메틸올프로판, 2-에틸 헥실 알코올 등의 알코올 화합물; 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르 등의 에테르 화합물; 말론산 알킬 에스테르, 말론산 디알킬 에스테르, 아세토아세트산 알킬 에스테르, 아세틸아세톤 등의 활성 메틸렌 화합물; 등을 들 수 있다. 블록제는, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. Specific examples of blocking agents include lactam compounds such as γ-butyrolactam, ε-caprolactam, γ-valerolactam, and propiolactam; oxime compounds such as methyl ethyl keto oxime, methyl isoamyl keto oxime, methyl isobutyl keto oxime, formamide oxime, acetoamide oxime, aceto oxime, diacetyl monooxime, benzophenone oxime, and cyclohexanone oxime; Monocyclic phenol compounds such as phenol, cresol, catechol, and nitrophenol; polycyclic phenol compounds such as 1-naphthol; alcohol compounds such as methyl alcohol, ethyl alcohol, isopropyl alcohol, tert-butyl alcohol, trimethylolpropane, and 2-ethylhexyl alcohol; Ether compounds such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, and ethylene glycol monobutyl ether; Active methylene compounds such as malonic acid alkyl ester, malonic acid dialkyl ester, acetoacetic acid alkyl ester, and acetylacetone; etc. can be mentioned. One type of blocking agent may be used individually, or two or more types may be used together.

블록 폴리이소시아네이트는, 폴리이소시아네이트와 블록제를 반응시키는 것에 의해서 제조할 수 있다. 폴리이소시아네이트와 블록제와의 반응은, 예를 들어, 활성 수소를 가지지 않는 용제(1,4-디옥산, 셀로솔브 아세테이트 등) 중에서 50~100℃ 정도의 가열 하, 및 필요에 따라서 블록화 촉매의 존재 하에서 수행된다. 폴리이소시아네이트와 블록제의 사용 비율은 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는, 폴리이소시아네이트 중의 이소시아네이트기와 블록제의 당량비로서, 0.95:1.0~1.1:1.0이며, 더욱 바람직하게는 1:1.05~1.15이다. 블록화 촉매로서는 공지의 것을 사용할 수 있고, 예를 들어, 나트륨 메틸레이트, 나트륨 에틸레이트, 나트륨 페노레이트, 칼륨 메틸레이트 등의 금속 알콜레이트; 테트라메틸 암모늄, 테트라에틸 암모늄, 테트라부틸 암모늄 등의 테트라알킬 암모늄의 하이드로옥사이드; 이들의 아세트산 염, 옥틸산염, 미리스틴산염, 벤조산 염 등의 유기 약산염; 및, 아세트산, 카프로산, 옥틸산, 미리스틴산 등의 알킬 카르복시산의 알칼리 금속염; 등을 들 수 있다. 블록화 촉매는, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. Blocked polyisocyanate can be produced by reacting polyisocyanate with a blocking agent. The reaction between polyisocyanate and blocking agent can be carried out, for example, in a solvent without active hydrogen (1,4-dioxane, cellosolve acetate, etc.) under heating at about 50 to 100°C and, if necessary, with a blocking catalyst. performed in the presence of The use ratio of polyisocyanate and blocking agent is not particularly limited, but is preferably 0.95:1.0 to 1.1:1.0, more preferably 1:1.05 to 1.15, as the equivalent ratio of isocyanate groups in polyisocyanate to blocking agent. As the blocking catalyst, known catalysts can be used, for example, metal alcoholates such as sodium methylate, sodium ethylate, sodium phenolate, and potassium methylate; Hydrooxides of tetraalkyl ammonium such as tetramethyl ammonium, tetraethyl ammonium, and tetrabutyl ammonium; weak organic acid salts thereof such as acetic acid, octylate, myristic acid, and benzoic acid; and alkali metal salts of alkyl carboxylic acids such as acetic acid, caproic acid, octylic acid, and myristic acid; etc. can be mentioned. Blocking catalysts may be used individually or in combination of two or more types.

블록 폴리이소시아네이트는, 시판의 것을 사용해도 된다. 시판의 블록 폴리이소시아네이트로서는, 예를 들면, 듀라네이트 MF-K60B, 듀라네이트 SBB-70P, 듀라네이트 SBN-70D, 듀라네이트 MF-B60B, 듀라네이트 17B-60P, 듀라네이트 TPA-B80E, 및 듀라네이트 E402-B80B(이상, 상품명, 아사히 카세이 가부시키가이샤 제) 등을 들 수 있다. As the blocked polyisocyanate, you may use a commercially available one. Commercially available block polyisocyanates include, for example, Duranate MF-K60B, Duranate SBB-70P, Duranate SBN-70D, Duranate MF-B60B, Duranate 17B-60P, Duranate TPA-B80E, and Duranate. E402-B80B (above, brand name, manufactured by Asahi Kasei Co., Ltd.), etc. can be mentioned.

(I) 성분으로서는, 열해리성 블록제에 의해 이소시아네이트기가 블록된 블록 폴리이소시아네이트가 바람직하다. As the component (I), a blocked polyisocyanate in which the isocyanate group is blocked by a thermally dissociable blocking agent is preferable.

(I) 성분은, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. 예를 들면, (I) 성분은, 지방족 디이소시아네이트 및 방향족 디이소시아네이트의 혼합물을 이용할 수 있다. 상기 지방족 디이소시아네이트로서는, 수첨 크실렌 디이소시아네이트가 바람직하다. 상기 방향족 디이소시아네이트로서는, 4,4-디페닐 메탄 디이소시아네이트가 바람직하다. (I) Component may be used individually by 1 type, or may use 2 or more types together. For example, component (I) can be a mixture of aliphatic diisocyanate and aromatic diisocyanate. As the aliphatic diisocyanate, hydrogenated xylene diisocyanate is preferable. As the aromatic diisocyanate, 4,4-diphenyl methane diisocyanate is preferable.

≪폴리올: (O) 성분≫≪Polyol: (O) component≫

폴리올((O) 성분)은, 2개 이상의 히드록시기(-OH)를 가지는 화합물이다. 폴리올로서는, 특별히 한정되지 않고, 우레탄 수지의 제조에 일반적으로 이용되는 것을 특별히 제한없이 이용할 수 있다. (O) 성분으로서는, 예를 들면, 중합성 탄소-탄소 불포화 결합을 포함하는 폴리올(이하, 「(O1) 성분」이라고도 말한다), 및 그 외의 폴리올(이하, 「(O2) 성분」이라고도 말한다)을 들 수 있다. Polyol ((O) component) is a compound having two or more hydroxy groups (-OH). There is no particular limitation on the polyol, and those generally used in the production of urethane resins can be used without particular limitation. Examples of the (O) component include polyols containing polymerizable carbon-carbon unsaturated bonds (hereinafter also referred to as “(O1) component”) and other polyols (hereinafter also referred to as “(O2) component”). can be mentioned.

·중합성 탄소-탄소 불포화 결합을 포함하는 폴리올((O1) 성분)·Polyol containing polymerizable carbon-carbon unsaturated bonds ((O1) component)

(O1) 성분으로서는, 메타크릴로일기 및 아크릴로일기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 폴리올을 들 수 있다. (O1) 성분이 가지는 중합성 탄소-탄소 불포화 결합은, 1개이어도 되고, 2개 이상이어도 된다. As the (O1) component, a polyol containing at least one type selected from the group consisting of a methacryloyl group and an acryloyl group can be mentioned. (O1) The number of polymerizable carbon-carbon unsaturated bonds contained in the component may be one or two or more.

(O1) 성분으로서는, 예를 들면, 3가 이상의 폴리올과, 메타크릴산, 아크릴산 혹은 이들의 유도체와의 에스테르 등을 들 수 있다. 상기 3가 이상의 폴리올로서는, 3가 이상의 저분자 폴리올이 바람직하다. 상기 3가 이상의 저분자 폴리올로서는, 글리세린, 트리메틸올프로판 등의 3가 알코올; 테트라메틸올 메탄(펜타에리트리톨), 디글리세린 등의 4가 알코올; 자일리톨 등의 5가 알코올; 소르비톨, 만니톨, 알리톨, 이디톨, 둘시톨, 알트리톨, 이노시톨, 디펜타에리트리톨 등의 6가 알코올; 페르세이톨 등의 7가 알코올; 및 자당(蔗糖) 등의 8가 알코올; 등을 들 수 있다. Examples of the (O1) component include polyols having trivalence or higher, and esters of methacrylic acid, acrylic acid, or derivatives thereof. As the trivalent or higher polyol, a trivalent or higher low molecular weight polyol is preferable. Examples of the trihydric or higher low molecular weight polyol include trihydric alcohols such as glycerin and trimethylolpropane; tetrahydric alcohols such as tetramethylol methane (pentaerythritol) and diglycerin; pentahydric alcohols such as xylitol; Hexahydric alcohols such as sorbitol, mannitol, allitol, iditol, dulcitol, altritol, inositol, and dipentaerythritol; heptahydric alcohols such as perseitol; and octahydric alcohols such as sucrose; etc. can be mentioned.

(O1) 성분의 구체예로서는, 글리세린 모노 (메타)아크릴레이트, 디글리세린 트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 모노(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 디(메타)아크릴레이트, 디글리세린 디(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 디(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 테트라(메타)아크릴레이트, 소르비톨 모노(메타)아크릴레이트, 소르비톨 디(메타)아크릴레이트, 소르비톨 트리(메타)아크릴레이트, 소르비톨 테트라(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. Specific examples of the (O1) component include glycerol mono(meth)acrylate, diglycerol tri(meth)acrylate, pentaerythritol mono(meth)acrylate, pentaerythritol di(meth)acrylate, and diglycerol di(meth)acrylate. ) Acrylate, dipentaerythritol di(meth)acrylate, dipentaerythritol tri(meth)acrylate, dipentaerythritol tetra(meth)acrylate, sorbitol mono(meth)acrylate, sorbitol di(meth) Acrylate, sorbitol tri(meth)acrylate, sorbitol tetra(meth)acrylate, etc. are mentioned.

「(메타)아크릴레이트」는, 메타크릴레이트 및 아크릴레이트를 포함하는 개념이며, 메타크릴레이트 또는 아크릴레이트를 의미한다. “(Meth)acrylate” is a concept including methacrylate and acrylate, and means methacrylate or acrylate.

(O1) 성분은, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. (O1) Component may be used individually by 1 type, or 2 or more types may be used together.

그 중에서도, (O1) 성분으로서는, 메타크릴로일기 또는 아크릴로일기를 포함하는 디올인 것이 바람직하고, 글리세린 모노(메타)아크릴레이트, 또는 펜타에리트리톨 디(메타)아크릴레이트가 보다 바람직하다. Among these, the (O1) component is preferably a diol containing a methacryloyl group or an acryloyl group, and glycerol mono(meth)acrylate or pentaerythritol di(meth)acrylate is more preferable.

·그 외의 폴리올((O2) 성분)·Other polyols ((O2) component)

(O2) 성분은, 상기 (O1) 성분 이외의 폴리올이다. (O2) 성분은, 특별히 한정되지 않고, 지방족 폴리올이어도 되고, 방향족 폴리올이어도 된다. (O2) 성분은, 저분자 폴리올(예를 들면, 분자량 500 미만)이어도 되고, 고분자 폴리올(예를 들면, 분자량 500 이상)이어도 된다. The (O2) component is a polyol other than the above (O1) component. The (O2) component is not particularly limited, and may be an aliphatic polyol or an aromatic polyol. The (O2) component may be a low-molecular polyol (for example, a molecular weight of less than 500) or a high-molecular polyol (for example, a molecular weight of 500 or more).

저분자 폴리올로서는, 예를 들면, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 1,3-프로판디올, 1,4-부틸렌글리콜, 1,3-부틸렌글리콜, 1,2-부틸렌글리콜, 1,5-펜탄디올, 1,6-헥산디올, 네오펜틸글리콜, 탄소 원자수 7~22의 알칸디올, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 3-메틸-1,5-펜탄디올, 2-에틸-2-부틸-1,3-프로판디올, 탄소 원자수 17~20의 알칸-1,2-디올, 1,3-시클로헥산 디메탄올, 1,4-시클로헥산 디메탄올, 1,4-시클로헥산디올, 수소화 비스페놀 A, 1,4-디히드록시-2-부텐, 2,6-디메틸-1-옥텐-3,8-디올, 비스페놀 A 등의 2가 알코올; 글리세린, 트리메틸올프로판 등의 3가 알코올; 테트라메틸올 메탄(펜타에리트리톨), 디글리세린 등의 4가 알코올; 자일리톨 등의 5가 알코올; 소르비톨, 만니톨, 알리톨, 이디톨, 둘시톨, 알트리톨, 이노시톨, 디펜타에리트리톨 등의 6가 알코올; 페르세이톨 등의 7가 알코올; 및 자당 등의 8가 알코올; 등을 들 수 있다. Low molecular weight polyols include, for example, ethylene glycol, propylene glycol, 1,3-propanediol, 1,4-butylene glycol, 1,3-butylene glycol, 1,2-butylene glycol, and 1,5-pentane. Diol, 1,6-hexanediol, neopentyl glycol, alkanediol with 7 to 22 carbon atoms, diethylene glycol, triethylene glycol, dipropylene glycol, 3-methyl-1,5-pentanediol, 2-ethyl- 2-Butyl-1,3-propanediol, alkane-1,2-diol with 17 to 20 carbon atoms, 1,3-cyclohexane dimethanol, 1,4-cyclohexane dimethanol, 1,4-cyclohexane diols, dihydric alcohols such as hydrogenated bisphenol A, 1,4-dihydroxy-2-butene, 2,6-dimethyl-1-octene-3,8-diol, and bisphenol A; Trihydric alcohols such as glycerin and trimethylolpropane; tetrahydric alcohols such as tetramethylol methane (pentaerythritol) and diglycerin; pentahydric alcohols such as xylitol; Hexahydric alcohols such as sorbitol, mannitol, allitol, iditol, dulcitol, altritol, inositol, and dipentaerythritol; heptahydric alcohols such as perseitol; and octahydric alcohols such as sucrose; etc. can be mentioned.

그 중에서도, 저분자 폴리올은, 2가의 알코올(디올)이 바람직하다. Among them, the low molecular weight polyol is preferably a dihydric alcohol (diol).

고분자 폴리올로서는, 예를 들면, 페놀 수지, 히드록시스티렌 골격을 포함하는 수지, 폴리에스테르 폴리올, 폴리에테르 폴리올, 폴리에테르 에스테르 폴리올, 폴리에스테르 아미드 폴리올, 아크릴 폴리올, 폴리카보네이트 폴리올, 폴리히드록시알칸, 폴리우레탄 폴리올, 및 식물유계 폴리올 등을 들 수 있다. 고분자 폴리올의 수평균 분자량은, 500~100,000인 것이 바람직하다. Examples of polymer polyols include phenol resins, resins containing a hydroxystyrene skeleton, polyester polyols, polyether polyols, polyether ester polyols, polyester amide polyols, acrylic polyols, polycarbonate polyols, polyhydroxyalkanes, Polyurethane polyol, vegetable oil-based polyol, etc. are mentioned. The number average molecular weight of the polymer polyol is preferably 500 to 100,000.

(O2) 성분으로서, 저분자 폴리올을 이용하는 경우, (O1) 성분에 대한 저분자 폴리올의 비율(저분자 폴리올/(O1) 성분(질량비))은, 0.01~0.1이 바람직하고, 0.03~0.08이 보다 바람직하다. When using a low molecular polyol as the (O2) component, the ratio of the low molecular polyol to the (O1) component (low molecular polyol/(O1) component (mass ratio)) is preferably 0.01 to 0.1, and more preferably 0.03 to 0.08. .

[페놀 수지][Phenolic resin]

페놀 수지는, 노볼락형 페놀 수지이어도 되고, 레졸형 페놀 수지이어도 된다. 노볼락형 페놀 수지는, 페놀성 수산기를 가지는 방향족 화합물(이하, 「페놀류」라고 한다)과 알데히드류를 산촉매 하에서 부가 축합시키는 것에 의해 얻을 수 있다. 레졸형 페놀 수지는, 페놀류와 알데히드류를 알칼리 촉매 하에서 부가 축합시키는 것에 의해 얻을 수 있다. The phenol resin may be a novolak-type phenol resin or a resol-type phenol resin. A novolak-type phenol resin can be obtained by causing addition condensation of an aromatic compound having a phenolic hydroxyl group (hereinafter referred to as “phenols”) and an aldehyde under an acid catalyst. A resol-type phenol resin can be obtained by addition condensation of phenols and aldehydes under an alkali catalyst.

상기 페놀류로서는, 예를 들면, 페놀; m-크레졸, p-크레졸, o-크레졸 등의 크레졸류; 2,3-크실레놀, 2,5-크실레놀, 3,5-크실레놀, 3,4-크실레놀 등의 크실레놀류; m-에틸페놀, p-에틸 페놀, o-에틸페놀, 2,3,5-트리메틸페놀, 2,3,5-트리에틸페놀, 4-tert-부틸페놀, 3-tert-부틸페놀, 2-tert-부틸페놀, 2-tert-부틸-4-메틸페놀, 2-tert-부틸-5-메틸페놀 등의 알킬 페놀류; p-메톡시페놀, m-메톡시페놀, p-에톡시페놀, m-에톡시페놀, p-프로폭시페놀, m-프로폭시페놀 등의 알콕시 페놀류; o-이소프로페닐페놀, p-이소프로페닐페놀, 2-메틸-4-이소프로페닐페놀, 2-에틸-4-이소프로페닐페놀 등의 이소프로페닐페놀류; 페닐페놀 등의 아릴 페놀류; 4,4'-디히드록시비페닐, 비스페놀 A, 레조르시놀, 히드로퀴논, 피로가롤, 9,9-비스(4-히드록시-3,5-디메틸페닐) 플루오렌, 9,9-비스(4-히드록시-3-메틸페닐) 플루오렌, 1,1-비스(4-히드록시-3-메틸페닐) 시클로헥산 등의 폴리히드록시페놀류 등을 들 수 있다. Examples of the phenols include phenol; Cresols such as m-cresol, p-cresol, and o-cresol; Xylenols such as 2,3-xylenol, 2,5-xylenol, 3,5-xylenol, and 3,4-xylenol; m-ethylphenol, p-ethyl phenol, o-ethylphenol, 2,3,5-trimethylphenol, 2,3,5-triethylphenol, 4-tert-butylphenol, 3-tert-butylphenol, 2- Alkyl phenols such as tert-butylphenol, 2-tert-butyl-4-methylphenol, and 2-tert-butyl-5-methylphenol; Alkoxy phenols such as p-methoxy phenol, m-methoxy phenol, p-ethoxy phenol, m-ethoxy phenol, p-propoxy phenol, and m-propoxy phenol; Isopropenyl phenols such as o-isopropenyl phenol, p-isopropenyl phenol, 2-methyl-4-isopropenyl phenol, and 2-ethyl-4-isopropenyl phenol; Aryl phenols such as phenylphenol; 4,4'-dihydroxybiphenyl, bisphenol A, resorcinol, hydroquinone, pyrogallol, 9,9-bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) fluorene, 9,9-bis and polyhydroxyphenols such as (4-hydroxy-3-methylphenyl) fluorene and 1,1-bis (4-hydroxy-3-methylphenyl) cyclohexane.

상기 알데히드류로서는, 예를 들면, 포름알데히드, 파라포름알데히드, 트리옥산, 퍼퓨랄, 벤즈알데히드, 테레프탈알데히드, 페닐아세토알데히드, α-페닐 프로필 알데히드, β-페닐 프로필 알데히드, o-히드록시벤즈 알데히드, m-히드록시벤즈 알데히드, p-히드록시벤즈 알데히드, o-메틸 벤즈 알데히드, m-메틸 벤즈 알데히드, p-메틸 벤즈 알데히드, o-클로로벤즈 알데히드, m-클로로벤즈 알데히드, p-클로로벤즈 알데히드, 신남 알데히드, 4-이소프로필 벤즈 알데히드, 4-이소부틸 벤즈 알데히드, 4-페닐 벤즈 알데히드 등을 들 수 있다. Examples of the aldehydes include formaldehyde, paraformaldehyde, trioxane, furfural, benzaldehyde, terephthalaldehyde, phenylacetaldehyde, α-phenyl propyl aldehyde, β-phenyl propyl aldehyde, o-hydroxybenz aldehyde, m-hydroxybenzaldehyde, p-hydroxybenzaldehyde, o-methyl benzaldehyde, m-methyl benzaldehyde, p-methyl benzaldehyde, o-chlorobenzaldehyde, m-chlorobenzaldehyde, p-chlorobenzaldehyde, Examples include cinnamaldehyde, 4-isopropyl benz aldehyde, 4-isobutyl benz aldehyde, and 4-phenyl benz aldehyde.

부가 축합 반응시의 산촉매는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 염산, 질산, 황산, 포름산, 옥살산, 아세트산 등이 사용된다. 부가 축합 반응시의 알칼리 촉매는, 특별히 한정되지 않고, 수산화 나트륨, 수산화 리튬, 수산화 칼륨, 암모니아수, 트리에틸아민, 탄산나트륨, 헥사메틸렌테트라민 등이 사용된다. The acid catalyst during the addition condensation reaction is not particularly limited, and for example, hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, formic acid, oxalic acid, acetic acid, etc. are used. The alkaline catalyst during the addition condensation reaction is not particularly limited, and sodium hydroxide, lithium hydroxide, potassium hydroxide, aqueous ammonia, triethylamine, sodium carbonate, hexamethylenetetramine, etc. are used.

[히드록시스티렌 골격을 포함하는 수지][Resin containing hydroxystyrene skeleton]

히드록시스티렌 골격을 포함하는 수지로서는, 히드록시스티렌 또는 히드록시스티렌 유도체로부터 유도되는 구성 단위를 가지는 것이면, 특별히 한정되지 않는다. 히드록시스티렌 또는 히드록시스티렌 유도체로부터 유도되는 구성 단위의 구체예로서는, 하기 일반식(a10-1)로 나타내는 구성 단위를 들 수 있다. The resin containing the hydroxystyrene skeleton is not particularly limited as long as it has structural units derived from hydroxystyrene or a hydroxystyrene derivative. Specific examples of structural units derived from hydroxystyrene or hydroxystyrene derivatives include structural units represented by the following general formula (a10-1).

[식 중, R은, 수소 원자, 탄소 원자수 1~5의 알킬기 또는 탄소 원자수 1~5의 할로겐화 알킬기이다. Yax1은, 단결합 또는 2가의 연결기이다. Wax1은, (nax1+1) 가의 방향족 탄화수소기이다. nax1은, 1~3의 정수이다.][In the formula, R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms. Ya x1 is a single bond or a divalent linking group. Wa x1 is a (n ax1 +1) valent aromatic hydrocarbon group. n ax1 is an integer from 1 to 3.]

상기 식(a10-1) 중, R은, 수소 원자, 탄소 원자수 1~5의 알킬기 또는 탄소 원자수 1~5의 할로겐화 알킬기이다. In the above formula (a10-1), R is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, or a halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.

R의 탄소 원자수 1~5의 알킬기는, 탄소 원자수 1~5의 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬기가 바람직하고, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다. R의 탄소 원자수 1~5의 할로겐화 알킬기는, 상기 탄소 원자수 1~5의 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 할로겐 원자로 치환된 기이다. 상기 할로겐 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 특히 불소 원자가 바람직하다. The alkyl group having 1 to 5 carbon atoms for R is preferably a linear or branched alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and specifically includes methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, Isobutyl group, tert-butyl group, pentyl group, isopentyl group, neopentyl group, etc. are mentioned. The halogenated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms for R is a group in which some or all of the hydrogen atoms of the alkyl group having 1 to 5 carbon atoms are replaced with halogen atoms. Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc., and a fluorine atom is particularly preferable.

R로서는, 수소 원자, 탄소 원자수 1~5의 알킬기 또는 탄소 원자수 1~5의 불소화 알킬기가 바람직하고, 공업상의 입수의 용이함으로부터, 수소 원자 또는 메틸기가 가장 바람직하다. As R, a hydrogen atom, an alkyl group with 1 to 5 carbon atoms, or a fluorinated alkyl group with 1 to 5 carbon atoms is preferable, and from the viewpoint of industrial availability, a hydrogen atom or a methyl group is most preferable.

상기 식(a10-1) 중, Yax1은, 단결합 또는 2가의 연결기이다. In the above formula (a10-1), Ya x1 is a single bond or a divalent linking group.

Yax1에 있어서의 2가의 연결기로서는, 예를 들면, 치환기를 가지고 있어도 되는 2가의 탄화수소기, 헤테로 원자를 포함하는 2가의 연결기가 적합한 것으로서 들 수 있다. Suitable examples of the divalent linking group for Ya x1 include a divalent hydrocarbon group that may have a substituent, and a divalent linking group containing a hetero atom.

·치환기를 가지고 있어도 되는 2가의 탄화수소기: · Divalent hydrocarbon group that may have a substituent:

Yax1가 치환기를 가지고 있어도 되는 2가의 탄화수소기인 경우, 상기 탄화수소기는, 지방족 탄화수소기이어도 되고, 방향족 탄화수소기이어도 된다. When Ya x1 is a divalent hydrocarbon group that may have a substituent, the hydrocarbon group may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group.

·· Yax1에 있어서의 지방족 탄화수소기·· Aliphatic hydrocarbon group in Ya x1

상기 지방족 탄화수소기는, 방향족성을 가지지 않는 탄화수소기를 의미한다. 상기 지방족 탄화수소기는, 포화이어도 되고 불포화이어도 되고, 통상은 포화인 것이 바람직하다. The aliphatic hydrocarbon group refers to a hydrocarbon group that does not have aromaticity. The aliphatic hydrocarbon group may be saturated or unsaturated, and is usually preferably saturated.

상기 지방족 탄화수소기로서는, 직쇄상 혹은 분기쇄상의 지방족 탄화수소기, 또는 구조 중에 환을 포함하는 지방족 탄화수소기 등을 들 수 있다. Examples of the aliphatic hydrocarbon group include linear or branched aliphatic hydrocarbon groups, or aliphatic hydrocarbon groups containing a ring in the structure.

···직쇄상 혹은 분기쇄상의 지방족 탄화수소기···Line-chain or branched-chain aliphatic hydrocarbon group

상기 직쇄상의 지방족 탄화수소기는, 탄소 원자수가 1~10인 것이 바람직하고, 탄소 원자수 1~6이 보다 바람직하고, 탄소 원자수 1~4가 더욱 바람직하고, 탄소 원자수 1~3이 가장 바람직하다. The linear aliphatic hydrocarbon group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, more preferably 1 to 4 carbon atoms, and most preferably 1 to 3 carbon atoms. do.

직쇄상의 지방족 탄화수소기로서는, 직쇄상의 알킬렌기가 바람직하고, 구체적으로는, 메틸렌기[-CH2-], 에틸렌기[-(CH2)2-], 트리메틸렌기[-(CH2)3-], 테트라메틸렌기[-(CH2)4-], 펜타메틸렌기[-(CH2)5-] 등을 들 수 있다. As the linear aliphatic hydrocarbon group, a linear alkylene group is preferable, and specifically, a methylene group [-CH 2 -], an ethylene group [-(CH 2 ) 2 -], and a trimethylene group [-(CH 2 ) 3 -], tetramethylene group [-(CH 2 ) 4 -], pentamethylene group [-(CH 2 ) 5 -], etc.

상기 분기쇄상의 지방족 탄화수소기는, 탄소 원자수가 2~10인 것이 바람직하고, 탄소 원자수 3~6이 보다 바람직하고, 탄소 원자수 3 또는 4가 더욱 바람직하고, 탄소 원자수 3이 가장 바람직하다. The branched aliphatic hydrocarbon group preferably has 2 to 10 carbon atoms, more preferably 3 to 6 carbon atoms, more preferably 3 or 4 carbon atoms, and most preferably 3 carbon atoms.

분기쇄상의 지방족 탄화수소기로서는, 분기쇄상의 알킬렌기가 바람직하고, 구체적으로는, -CH(CH3)-, -CH(CH2CH3)-, -C(CH3)2-, -C(CH3)(CH2CH3)-, -C(CH3)(CH2CH2CH3)-, -C(CH2CH3)2- 등의 알킬 메틸렌기; -CH(CH3)CH2-, -CH(CH3)CH(CH3)-, -C(CH3)2CH2-, -CH(CH2CH3)CH2-, -C(CH2CH3)2- CH2- 등의 알킬 에틸렌기; -CH(CH3)CH2CH2-, -CH2CH(CH3)CH2- 등의 알킬 트리메틸렌기; -CH(CH3) CH2CH2CH2-, -CH2CH(CH3) CH2CH2- 등의 알킬 테트라메틸렌기 등의 알킬 알킬렌기 등을 들 수 있다. 알킬 알킬렌기에 있어서의 알킬기로서는, 탄소 원자수 1~5의 직쇄상의 알킬기가 바람직하다. As the branched aliphatic hydrocarbon group, a branched alkylene group is preferable, and specifically, -CH(CH 3 )-, -CH(CH 2 CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2 -, -C Alkyl methylene groups such as (CH 3 )(CH 2 CH 3 )-, -C(CH 3 )(CH 2 CH 2 CH 3 )-, -C(CH 2 CH 3 ) 2- ; -CH(CH 3 )CH 2 -, -CH(CH 3 )CH(CH 3 )-, -C(CH 3 ) 2 CH 2 -, -CH(CH 2 CH 3 )CH 2 -, -C(CH 2 CH 3 ) 2 - CH 2 - alkyl ethylene groups such as; Alkyl trimethylene groups such as -CH(CH 3 )CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH(CH 3 )CH 2 -; Alkyl alkylene groups such as alkyl tetramethylene groups such as -CH(CH 3 ) CH 2 CH 2 CH 2 -, -CH 2 CH(CH 3 ) CH2CH2-, etc. are mentioned. As the alkyl group in the alkyl alkylene group, a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is preferable.

상기의 직쇄상 또는 분기쇄상의 지방족 탄화수소기는, 치환기를 가지고 있어도 되고, 가지고 있지 않아도 된다. 상기 치환기로서는, 불소 원자, 불소 원자로 치환된 탄소 원자수 1~5의 불소화 알킬기, 카르보닐기 등을 들 수 있다. The linear or branched aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include a fluorine atom, a fluorinated alkyl group having 1 to 5 carbon atoms substituted with a fluorine atom, and a carbonyl group.

···구조 중에 환을 포함하는 지방족 탄화수소기···Aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the structure

상기 구조 중에 환을 포함하는 지방족 탄화수소기로서는, 환 구조 중에 헤테로 원자를 포함하는 치환기를 포함해도 되는 환상의 지방족 탄화수소기(지방족 탄화수소환으로부터 수소 원자 2개를 제외한 기), 상기 환상의 지방족 탄화수소기가 직쇄상 또는 분기쇄상의 지방족 탄화수소기의 말단에 결합한 기, 상기 환상의 지방족 탄화수소기가 직쇄상 또는 분기쇄상의 지방족 탄화수소기의 도중에 개재하는 기 등을 들 수 있다. 상기의 직쇄상 또는 분기쇄상의 지방족 탄화수소기로서는 상기와 마찬가지의 것을 들 수 있다. Examples of the aliphatic hydrocarbon group containing a ring in the above structure include a cyclic aliphatic hydrocarbon group (group with two hydrogen atoms removed from the aliphatic hydrocarbon ring) which may contain a substituent containing a hetero atom in the ring structure, and the above-mentioned cyclic aliphatic hydrocarbon group. Examples include a group bonded to the end of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, a group in which the cyclic aliphatic hydrocarbon group is interposed in the middle of a linear or branched aliphatic hydrocarbon group, and the like. Examples of the linear or branched aliphatic hydrocarbon groups described above include those similar to those described above.

환상의 지방족 탄화수소기는, 탄소 원자수가 3~20인 것이 바람직하고, 탄소 원자수 3~12인 것이 보다 바람직하다. The cyclic aliphatic hydrocarbon group preferably has 3 to 20 carbon atoms, and more preferably has 3 to 12 carbon atoms.

환상의 지방족 탄화수소기는, 다환식기이어도 되고, 단환식기이어도 된다. 단환식의 지환식 탄화수소기로서는, 모노시클로알칸으로부터 2개의 수소 원자를 제외한 기가 바람직하다. 상기 모노시클로알칸으로서는, 탄소 원자수 3~6의 것이 바람직하고, 구체적으로는 시클로펜탄, 시클로헥산 등을 들 수 있다. 다환식의 지환식 탄화수소기로서는, 폴리시클로알칸으로부터 2개의 수소 원자를 제외한 기가 바람직하고, 상기 폴리시클로알칸으로서는, 탄소 원자수 7~12의 것이 바람직하고, 구체적으로는 아다만탄, 노르보르난, 이소보르난, 트리시클로데칸, 테트라시클로도데칸 등을 들 수 있다. The cyclic aliphatic hydrocarbon group may be a polycyclic group or a monocyclic group. As the monocyclic alicyclic hydrocarbon group, a group obtained by removing two hydrogen atoms from a monocycloalkane is preferable. The monocycloalkane preferably has 3 to 6 carbon atoms, and specific examples include cyclopentane and cyclohexane. The polycyclic alicyclic hydrocarbon group is preferably a group in which two hydrogen atoms are removed from the polycycloalkane, and the polycycloalkane is preferably one having 7 to 12 carbon atoms, specifically adamantane and norbornane. , isobornane, tricyclodecane, tetracyclododecane, etc.

환상의 지방족 탄화수소기는, 치환기를 가지고 있어도 되고, 가지고 있지 않아도 된다. 상기 치환기로서는, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 수산기, 카르보닐기 등을 들 수 있다. The cyclic aliphatic hydrocarbon group may or may not have a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, a hydroxyl group, and a carbonyl group.

상기 치환기로서의 알킬기로서는, 탄소 원자수 1~5의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기인 것이 가장 바람직하다. The alkyl group as the substituent is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, or a tert-butyl group.

상기 치환기로서의 알콕시기로서는, 탄소 원자수 1~5의 알콕시기가 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기, n-프로폭시기, iso-프로폭시기, n-부톡시기, tert-부톡시기가 보다 바람직하고, 메톡시기, 에톡시기가 가장 바람직하다. As the alkoxy group as the substituent, an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms is preferable, and methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, iso-propoxy group, n-butoxy group, and tert-butoxy group are more preferable. , methoxy group, and ethoxy group are most preferred.

상기 치환기로서의 할로겐 원자로서는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있고, 불소 원자가 바람직하다. Examples of the halogen atom as the substituent include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, etc., and a fluorine atom is preferable.

상기 치환기로서의 할로겐화 알킬기로서는, 상기 알킬기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 상기 할로겐 원자로 치환된 기를 들 수 있다. Examples of the halogenated alkyl group as the substituent include groups in which some or all of the hydrogen atoms of the alkyl group are replaced with the halogen atoms.

환상의 지방족 탄화수소기는, 그 환 구조를 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자를 포함하는 치환기로 치환되어도 된다. 상기 헤테로 원자를 포함하는 치환기로서는, -O-, -C(=O)-O-, -S-, -S(=O)2-, -S(=O)2-O-가 바람직하다. In the cyclic aliphatic hydrocarbon group, some of the carbon atoms constituting the ring structure may be substituted with a substituent containing a hetero atom. As the substituent containing the hetero atom, -O-, -C(=O)-O-, -S-, -S(=O) 2 -, and -S(=O) 2 -O- are preferable.

··Yax1에 있어서의 방향족 탄화수소기··Aromatic hydrocarbon group in Ya x1

상기 방향족 탄화수소기는, 방향환을 적어도 1개 가지는 탄화수소기이다. The aromatic hydrocarbon group is a hydrocarbon group having at least one aromatic ring.

이 방향환은, 4n+2개의 π전자를 가지는 환상 공역계이면 특별히 한정되지 않고, 단환식이어도 다환식이어도 된다. 방향환의 탄소 원자수 는, 5~30인 것이 바람직하고, 탄소 원자수 5~20이 보다 바람직하고, 탄소 원자수 6~15가 더욱 바람직하고, 탄소 원자수 6~12가 특히 바람직하다. 다만, 상기 탄소 원자수에는, 치환기에 있어서의 탄소 원자수를 포함하지 않는 것으로 한다. 방향환으로서 구체적으로는, 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌 등의 방향족 탄화수소환; 상기 방향족 탄화수소환을 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자로 치환된 방향족 복소환 등을 들 수 있다. 방향족 복소환에 있어서의 헤테로 원자로서는, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다. 방향족 복소환으로서 구체적으로는, 피리딘환, 티오펜환 등을 들 수 있다.This aromatic ring is not particularly limited as long as it is a cyclic conjugate system having 4n+2 pi electrons, and may be monocyclic or polycyclic. The aromatic ring preferably has 5 to 30 carbon atoms, more preferably 5 to 20 carbon atoms, more preferably 6 to 15 carbon atoms, and especially preferably 6 to 12 carbon atoms. However, the number of carbon atoms mentioned above does not include the number of carbon atoms in the substituent. Specific examples of the aromatic ring include aromatic hydrocarbon rings such as benzene, naphthalene, anthracene, and phenanthrene; and an aromatic heterocycle in which some of the carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring are substituted with heteroatoms. Examples of heteroatoms in the aromatic heterocycle include oxygen atoms, sulfur atoms, and nitrogen atoms. Specific examples of the aromatic heterocycle include a pyridine ring and a thiophene ring.

방향족 탄화수소기로서 구체적으로는, 상기 방향족 탄화수소환 또는 방향족 복소환으로부터 수소 원자 2개를 제외한 기(아릴렌기 또는 헤테로 아릴렌기); 2 이상의 방향환을 포함하는 방향족 화합물(예를 들면 비페닐, 플루오렌 등)로부터 수소 원자 2개를 제외한 기; 상기 방향족 탄화수소환 또는 방향족 복소환으로부터 수소 원자 1개를 제외한 기(아릴기 또는 헤테로 아릴기)의 수소 원자의 하나가 알킬렌기로 치환된 기(예를 들면, 벤질기, 페네틸기, 1-나프틸메틸기, 2-나프틸메틸기, 1-나프틸에틸기, 2-나프틸에틸기 등의 아릴 알킬기에 있어서의 아릴기로부터 수소 원자를 추가로 1개 제외한 기) 등을 들 수 있다. 상기의 아릴기 또는 헤테로 아릴기에 결합하는 알킬렌기의 탄소 원자수는, 1~4인 것이 바람직하고, 탄소 원자수 1~2인 것이 보다 바람직하고, 탄소 원자수 1인 것이 특히 바람직하다. Specific examples of the aromatic hydrocarbon group include groups obtained by removing two hydrogen atoms from the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocycle (arylene group or hetero arylene group); A group obtained by removing two hydrogen atoms from an aromatic compound containing two or more aromatic rings (e.g., biphenyl, fluorene, etc.); A group in which one hydrogen atom of a group (aryl group or heteroaryl group) excluding one hydrogen atom from the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocycle is substituted with an alkylene group (e.g., benzyl group, phenethyl group, 1-naph) and a group in which one hydrogen atom is further removed from the aryl group in an aryl alkyl group such as tylmethyl group, 2-naphthylmethyl group, 1-naphthylethyl group, and 2-naphthylethyl group. The number of carbon atoms of the alkylene group bonded to the aryl group or heteroaryl group is preferably 1 to 4, more preferably 1 to 2 carbon atoms, and especially preferably 1 carbon atom.

상기 방향족 탄화수소기는, 당해 방향족 탄화수소기가 가지는 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 된다. 예를 들면, 당해 방향족 탄화수소기 중의 방향환에 결합한 수소 원자가 치환기로 치환되어 있어도 된다. 상기 치환기로서는, 예를 들면, 알킬기, 알콕시기, 할로겐 원자, 할로겐화 알킬기, 수산기 등을 들 수 있다. As for the aromatic hydrocarbon group, the hydrogen atom of the aromatic hydrocarbon group may be substituted with a substituent. For example, the hydrogen atom bonded to the aromatic ring in the aromatic hydrocarbon group may be substituted with a substituent. Examples of the substituent include an alkyl group, an alkoxy group, a halogen atom, a halogenated alkyl group, and a hydroxyl group.

상기 치환기로서의 알킬기로서는, 탄소 원자수 1~5의 알킬기가 바람직하고, 메틸기, 에틸기, 프로필기, n-부틸기, tert-부틸기인 것이 가장 바람직하다. The alkyl group as the substituent is preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and most preferably a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an n-butyl group, or a tert-butyl group.

상기 치환기로서의 알콕시기, 할로겐 원자 및 할로겐화 알킬기로서는, 상기 환상의 지방족 탄화수소기가 가지는 수소 원자를 치환하는 치환기로서 예시한 것을 들 수 있다. Examples of the alkoxy group, halogen atom, and halogenated alkyl group as the substituent include those exemplified as substituents that replace the hydrogen atom of the cyclic aliphatic hydrocarbon group.

·헤테로 원자를 포함하는 2가의 연결기: ·Divalent linking group containing a hetero atom:

Yax1이 헤테로 원자를 포함하는 2가의 연결기인 경우, 상기 연결기로서 바람직한 것으로서, -O-, -C(=O)-O-, -C(=O)-, -O-C(=O)-O-, -C(=O)-NH-, -NH-, -NH-C(=NH)-(H는 알킬기, 아실기 등의 치환기로 치환되어 있어도 된다.), -S-, -S(=O)2-, -S(=O)2-O-, 일반식 -Y21-O-Y22-, -Y21-O-, -Y21-C(=O)-O-, -C(=O)-O-Y21-, -[Y21-C(=O)-O]m"-Y22-, -Y21-O-C(=O)-Y22- 또는 -Y21-S(=O)2-O-Y22-로 나타내는 기[식 중, Y21 및 Y22는 각각 독립적으로 치환기를 가지고 있어도 되는 2가의 탄화수소기이며, O는 산소 원자이며, m"는 0~3의 정수이다.] 등을 들 수 있다. When Ya -, -C(=O)-NH-, -NH-, -NH-C(=NH)-(H may be substituted with a substituent such as an alkyl group or acyl group.), -S-, -S( =O) 2 -, -S(=O) 2 -O-, general formula -Y 21 -OY 22 -, -Y 21 -O-, -Y 21 -C(=O)-O-, -C( =O)-OY 21 -, -[Y 21 -C(=O)-O] m" -Y 22 -, -Y 21 -OC(=O)-Y 22 - or -Y 21 -S(=O ) A group represented by 2 -OY 22 - [wherein Y 21 and Y 22 are each independently a divalent hydrocarbon group that may have a substituent, O is an oxygen atom, and m" is an integer of 0 to 3.] etc. can be mentioned.

상기의 헤테로 원자를 포함하는 2가의 연결기가 -C(=O)-NH-, -C(=O)-NH-C(=O)-, -NH-, -NH-C(=NH)-의 경우, 그 H는 알킬기, 아실기 등의 치환기로 치환되어 있어도 된다. 상기 치환기(알킬기, 아실기 등)는, 탄소 원자수가 1~10인 것이 바람직하고, 1~8인 것이 더욱 바람직하고, 1~5인 것이 특히 바람직하다. The divalent linking group containing the above hetero atom is -C(=O)-NH-, -C(=O)-NH-C(=O)-, -NH-, -NH-C(=NH)- In the case of , H may be substituted with a substituent such as an alkyl group or an acyl group. The substituent (alkyl group, acyl group, etc.) preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and especially preferably 1 to 5 carbon atoms.

일반식 -Y21-O-Y22-, -Y21-O-, -Y21-C(=O)-O-, -C(=O)-O-Y21-, -[Y21-C(=O)-O]m"-Y22-, -Y21-O-C(=O)-Y22- 또는 -Y21-S(=O)2-O-Y22- 중, Y21 및 Y22는, 각각 독립하고, 치환기를 가지고 있어도 되는 2가의 탄화수소기이다. 상기 2가의 탄화수소기로서는, 상기 2가의 연결기로서의 설명에서 들었던 (치환기를 가지고 있어도 되는 2가의 탄화수소기)와 마찬가지의 것을 들 수 있다. General formula -Y 21 -OY 22 -, -Y 21 -O-, -Y 21 -C(=O)-O-, -C(=O)-OY 21 -, -[Y 21 -C(=O )-O] m" -Y 22 -, -Y 21 -OC(=O)-Y 22 - or -Y 21 -S(=O) 2 -OY 22 -, Y 21 and Y 22 are each independent It is a divalent hydrocarbon group that may have a substituent. Examples of the divalent hydrocarbon group include those similar to (divalent hydrocarbon group that may have a substituent) mentioned in the description of the divalent linking group above.

Y21로서는, 직쇄상의 지방족 탄화수소기가 바람직하고, 직쇄상의 알킬렌기가 보다 바람직하고, 탄소 원자수 1~5의 직쇄상의 알킬렌기가 더욱 바람직하고, 메틸렌기 또는 에틸렌기가 특히 바람직하다. As Y 21 , a linear aliphatic hydrocarbon group is preferable, a linear alkylene group is more preferable, a linear alkylene group with 1 to 5 carbon atoms is still more preferable, and a methylene group or an ethylene group is particularly preferable.

Y22로서는, 직쇄상 또는 분기쇄상의 지방족 탄화수소기가 바람직하고, 메틸렌기, 에틸렌기 또는 알킬 메틸렌기가 보다 바람직하다. 상기 알킬 메틸렌기에 있어서의 알킬기는, 탄소 원자수 1~5의 직쇄상의 알킬기가 바람직하고, 탄소 원자수 1~3의 직쇄상의 알킬기가 보다 바람직하고, 메틸기가 가장 바람직하다. As Y 22 , a linear or branched aliphatic hydrocarbon group is preferable, and a methylene group, an ethylene group, or an alkyl methylene group is more preferable. The alkyl group in the alkyl methylene group is preferably a linear alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, more preferably a linear alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and most preferably a methyl group.

식 -[Y21-C(=O)-O]m"-Y22-로 나타내는 기에 있어서, m"는 0~3의 정수이며, 0~2의 정수인 것이 바람직하고, 0 또는 1이 보다 바람직하고, 1이 특히 바람직하다. 즉, 식 -[Y21-C(=O)-O]m"-Y22-로 나타내는 기로서는, 식 -Y21-C(=O)-O-Y22-로 나타내는 기가 특히 바람직하다. 그 중에서도, 식 -(CH2)a'-C(=O)-O-(CH2)b'-로 나타내는 기가 바람직하다. 상기 식 중, a'는, 1~10의 정수이며, 1~8의 정수가 바람직하고, 1~5의 정수가 보다 바람직하고, 1 또는 2가 더욱 바람직하고, 1이 가장 바람직하다. b'는, 1~10의 정수이며, 1~8의 정수가 바람직하고, 1~5의 정수가 보다 바람직하고, 1 또는 2가 더욱 바람직하고, 1이 가장 바람직하다. In the group represented by the formula -[Y 21 -C(=O)-O] m" -Y 22 -, m" is an integer of 0 to 3, preferably an integer of 0 to 2, and more preferably 0 or 1. And 1 is particularly preferable. That is, as the group represented by the formula -[Y 21 -C(=O)-O] m" -Y 22 -, the group represented by the formula -Y 21 -C(=O)-OY 22 - is particularly preferable. Among them, , a group represented by the formula -(CH 2 ) a' -C(=O)-O-(CH 2 ) b' - is preferred. In the above formula, a' is an integer of 1 to 10, and is a group of 1 to 8. An integer is preferable, an integer of 1 to 5 is more preferable, 1 or 2 is still more preferable, and 1 is most preferable. b' is an integer of 1 to 10, and an integer of 1 to 8 is preferable, and 1 An integer of ~5 is more preferred, 1 or 2 is more preferred, and 1 is most preferred.

Yax1로서는, 단결합, 에스테르 결합[-C(=O)-O-], 에테르 결합(-O-), -C(=O)-NH-, 직쇄상 혹은 분기쇄상의 알킬렌기, 또는 이들의 조합시킨 것이 바람직하고, 중이어도단결합이 특히 보다 바람직하다. As Ya A combination of the above is preferable, and a single combination is particularly more preferable.

상기 식(a10-1) 중, Wax1은, (nax1+1) 가의 방향족 탄화수소기이다. In the above formula (a10-1), Wa x1 is a (n ax1 +1) valent aromatic hydrocarbon group.

Wax1에 있어서의 방향족 탄화수소기로서는, 방향환으로부터 (nax1+1)개의 수소 원자를 제외한 기를 들 수 있다. 여기서의 방향환은, 4n+2개의 π전자를 가지는 환상 공역계이면 특별히 한정되지 않고, 단환식이어도 다환식이어도 된다. 방향환의 탄소 원자수는 5~30인 것이 바람직하고, 탄소 원자수 5~20이 보다 바람직하고, 탄소 원자수 6~15가 더욱 바람직하고, 탄소 원자수 6~12가 특히 바람직하다. 방향환으로서 구체적으로는, 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌 등의 방향족 탄화수소환; 상기 방향족 탄화수소환을 구성하는 탄소 원자의 일부가 헤테로 원자로 치환된 방향족 복소환 등을 들 수 있다. 방향족 복소환에 있어서의 헤테로 원자로서는, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등을 들 수 있다. 방향족 복소환으로서 구체적으로는, 피리딘환, 티오펜환 등을 들 수 있다.Examples of the aromatic hydrocarbon group in Wa x1 include groups in which (n ax1 +1) hydrogen atoms have been removed from the aromatic ring. The aromatic ring here is not particularly limited as long as it is a cyclic conjugate system having 4n+2 pi electrons, and may be monocyclic or polycyclic. The aromatic ring preferably has 5 to 30 carbon atoms, more preferably 5 to 20 carbon atoms, more preferably 6 to 15 carbon atoms, and especially preferably 6 to 12 carbon atoms. Specific examples of the aromatic ring include aromatic hydrocarbon rings such as benzene, naphthalene, anthracene, and phenanthrene; and an aromatic heterocycle in which some of the carbon atoms constituting the aromatic hydrocarbon ring are substituted with heteroatoms. Examples of heteroatoms in the aromatic heterocycle include oxygen atoms, sulfur atoms, and nitrogen atoms. Specific examples of the aromatic heterocycle include a pyridine ring and a thiophene ring.

상기 식(a10-1) 중, nax1은, 1~3의 정수이며, 1 또는 2가 바람직하고, 1이 보다 바람직하다. In the above formula (a10-1), n ax1 is an integer of 1 to 3, preferably 1 or 2, and more preferably 1.

이하에, 상기 일반식(a10-1)로 나타내는 구성 단위의 구체예를 나타낸다. Below, specific examples of structural units represented by the general formula (a10-1) are shown.

하기의 식 중, Rα는, 수소 원자, 메틸기 또는 트리플루오로메틸기를 나타낸다.In the formula below, R α represents a hydrogen atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group.

히드록시스티렌 골격을 포함하는 수지는, 히드록시스티렌 또는 히드록시스티렌 유도체의 중합체인 것이 바람직하고, 히드록시스티렌의 중합체(폴리히드록시스티렌)인 것이 보다 바람직하다. The resin containing a hydroxystyrene skeleton is preferably a polymer of hydroxystyrene or a hydroxystyrene derivative, and is more preferably a polymer of hydroxystyrene (polyhydroxystyrene).

[폴리카보네이트 폴리올][polycarbonate polyol]

폴리카보네이트 폴리올로서는, 예를 들면, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 1,4-부탄디올, 1,5-펜탄디올, 1,6-헥산디올, 3-메틸-1,5-펜탄디올, 1,9-노난디올, 1,8-노난디올, 네오펜틸글리콜, 디에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 1,4-시클로헥산디올, 1,4-시클로헥산디메탄올, 비스페놀 A, 또는 수첨 비스페놀 A 등의 1종 또는 2종 이상의 글리콜을, 디메틸카보네이트, 디페닐카보네이트, 에틸렌카보네이트, 포스겐 등과 반응시키는 것에 의해서 얻을 수 있는 폴리카보네이트 폴리올을 들 수 있다. Examples of polycarbonate polyol include ethylene glycol, propylene glycol, 1,4-butanediol, 1,5-pentanediol, 1,6-hexanediol, 3-methyl-1,5-pentanediol, and 1,9- Nonanediol, 1,8-nonanediol, neopentyl glycol, diethylene glycol, dipropylene glycol, 1,4-cyclohexanediol, 1,4-cyclohexanedimethanol, bisphenol A, or hydrogenated bisphenol A. Alternatively, polycarbonate polyol can be obtained by reacting two or more types of glycols with dimethyl carbonate, diphenyl carbonate, ethylene carbonate, phosgene, etc.

그 중에서도, 폴리카보네이트 폴리올은, 하기 일반식(PC-1)로 나타내는 폴리카보네이트 디올이 바람직하다. Among them, the polycarbonate polyol is preferably polycarbonate diol represented by the following general formula (PC-1).

[식 중, Rp1 및 Rp2는, 각각 독립적으로, 2가의 탄화수소기이다. np는, 2 이상의 정수이다.][In the formula, Rp 1 and Rp 2 are each independently a divalent hydrocarbon group. np is an integer greater than or equal to 2.]

상기 일반식(PC-1) 중, Rp1 및 Rp2는, 각각 독립적으로, 2가의 탄화수소기이다. 상기 2가의 탄화수소기는, 방향족 탄화수소기이어도 되고, 지방족 탄화수소기이어도 된다. 상기 2가의 탄화수소기로서는, 상기 일반식(a10-1) 중의 Yax1로 든 것과 마찬가지의 것을 들 수 있다. Rp1 및 Rp2에 있어서의 2가의 탄화수소기로서는, 지방족 탄화수소기가 바람직하고, 직쇄상 혹은 분기쇄상의 알킬렌기가 보다 바람직하다. 상기 2가의 탄화수소기는, 탄소 원자수 1~10이 바람직하고, 탄소 원자수 3~8이 보다 바람직하고, 탄소 원자수 4~6이 더욱 바람직하다. Rp1 및 Rp2의 구체예로서는, -(CH2)6-, 또는 -(CH2)5-를 들 수 있다. In the general formula (PC-1), Rp 1 and Rp 2 each independently represent a divalent hydrocarbon group. The divalent hydrocarbon group may be an aromatic hydrocarbon group or an aliphatic hydrocarbon group. Examples of the divalent hydrocarbon group include those mentioned as Ya x1 in the general formula (a10-1). As the divalent hydrocarbon group for Rp 1 and Rp 2 , an aliphatic hydrocarbon group is preferable, and a linear or branched alkylene group is more preferable. The divalent hydrocarbon group preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 3 to 8 carbon atoms, and even more preferably 4 to 6 carbon atoms. Specific examples of Rp 1 and Rp 2 include -(CH 2 ) 6 -, or -(CH 2 ) 5 -.

폴리카보네이트 폴리올의 중량 평균 분자량(Mw)은, 500~5000이 바람직하고, 500~3000이 보다 바람직하고, 500~2000이 더욱 바람직하고, 500~1000이 특히 바람직하다. The weight average molecular weight (Mw) of the polycarbonate polyol is preferably 500 to 5000, more preferably 500 to 3000, further preferably 500 to 2000, and especially preferably 500 to 1000.

(O2) 성분으로서, 폴리카보네이트 폴리올을 이용하는 경우, (O1) 성분에 대한 폴리카보네이트 폴리올의 비율(폴리카보네이트 폴리올/(O1) 성분(질량비))은, 0.1~5가 바람직하고, 0.3~3이 보다 바람직하고, 0.4~3이 더욱 바람직하다. When polycarbonate polyol is used as the (O2) component, the ratio of polycarbonate polyol to the (O1) component (polycarbonate polyol/(O1) component (mass ratio)) is preferably 0.1 to 5, and 0.3 to 3. It is more preferable, and 0.4 to 3 is further preferable.

[그 외의 폴리올][Other polyols]

폴리에스테르 폴리올로서는, 예를 들면, 테레프탈산, 이소프탈산, 아디핀산, 아제라인산, 세바틴산 등 이염기산 혹은 그들의 디알킬에스테르 또는 그들의 혼합물과, 예를 들면, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 부틸렌글리콜, 네오펜틸글리콜, 1,6-헥산디올, 3-메틸-1,5-펜탄디올, 3,3'-디메틸올헵탄, 폴리옥시에틸렌글리콜, 폴리옥시프로필렌글리콜, 폴리테트라메틸렌 에테르글리콜 등의 글리콜류 혹은 그들의 혼합물을 반응시켜 얻을 수 있는 폴리에스테르 폴리올, 혹은 폴리카프로락톤, 폴리발레로락톤, 폴리(β-메틸-γ-발레로락톤) 등의 락톤류를 개환 중합하여 얻을 수 있는 폴리에스테르 폴리올을 들 수 있다. Examples of polyester polyols include dibasic acids such as terephthalic acid, isophthalic acid, adipic acid, azelaic acid, and sebatic acid, dialkyl esters thereof, or mixtures thereof, and such as ethylene glycol, propylene glycol, diethylene glycol, and butyl. Len glycol, neopentyl glycol, 1,6-hexanediol, 3-methyl-1,5-pentanediol, 3,3'-dimethylolheptane, polyoxyethylene glycol, polyoxypropylene glycol, polytetramethylene ether glycol, etc. Polyester polyol that can be obtained by reacting glycols or mixtures thereof, or poly that can be obtained by ring-opening polymerization of lactones such as polycaprolactone, polyvalerolactone, and poly(β-methyl-γ-valerolactone). and ester polyol.

폴리에테르 폴리올로서는, 예를 들면, 에틸렌옥시드, 프로필렌옥시드, 부틸렌옥시드, 테트라히드로퓨란 등의 옥시란 화합물을, 예를 들면, 물, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 트리메틸올프로판, 글리세린 등의 저분자 폴리올을 개시제로서 중합하여 얻을 수 있는 폴리에테르 폴리올을 들 수 있다.Examples of polyether polyols include oxirane compounds such as ethylene oxide, propylene oxide, butylene oxide, and tetrahydrofuran, and oxirane compounds such as water, ethylene glycol, propylene glycol, trimethylolpropane, and glycerin. Examples include polyether polyol, which can be obtained by polymerizing a low-molecular-weight polyol as an initiator.

폴리에테르 에스테르 폴리올로서는, 예를 들면, 테레프탈산, 이소프탈산, 아디핀산, 아제라인산, 세바틴산 등의 이염기산 혹은 그들의 디알킬에스테르 또는 그들의 혼합물과, 상기 폴리에테르 폴리올을 반응시켜 얻을 수 있는 폴리에테르 에스테르 폴리올을 들 수 있다. Examples of polyether ester polyols include polyether esters obtained by reacting dibasic acids such as terephthalic acid, isophthalic acid, adipic acid, azelaic acid, and sebatic acid, dialkyl esters thereof, or mixtures thereof with the polyether polyol. Polyols can be mentioned.

폴리에스테르 아미드 폴리올로서는, 상기 에스테르화 반응에 있어서, 예를 들면, 에틸렌 디아민, 프로필렌 디아민, 헥사메틸렌 디아민 등의 아미노기를 가지는 지방족 디아민을 원료로서 아울러 사용하는 것에 의해서 얻을 수 있는 폴리에스테르 아미드 폴리올을 들 수 있다. Examples of the polyester amide polyol include polyester amide polyols that can be obtained by using, for example, aliphatic diamines having an amino group such as ethylene diamine, propylene diamine, and hexamethylene diamine as raw materials in the esterification reaction. You can.

아크릴 폴리올로서는, 1 분자 중에 1개 이상의 수산기를 포함하는 아크릴산 히드록시에틸, 아크릴산 히드록시프로필, 아크릴 히드록시부틸 등, 혹은 이들 대응하는 메타크릴산 유도체 등과, 예를 들면 아크릴산, 메타크릴산 또는 그 에스테르를 공중합하는 것에 의해서 얻을 수 있는 폴리에스테르 아미드 폴리올을 들 수 있다. Acrylic polyols include hydroxyethyl acrylate, hydroxypropyl acrylate, and hydroxybutyl acrylate, which contain one or more hydroxyl groups in one molecule, or their corresponding methacrylic acid derivatives, such as acrylic acid, methacrylic acid, or the like. Examples include polyester amide polyol, which can be obtained by copolymerizing ester.

폴리히드록시알칸으로서는, 부타디엔 또는 부타디엔과, 아크릴 아미드 등과 공중합하여 얻을 수 있는 액상 고무를 들 수 있다. Examples of polyhydroxyalkane include butadiene or liquid rubber obtained by copolymerizing butadiene with acrylamide, etc.

폴리우레탄 폴리올로서는, 1 분자 중에 1개 이상의 우레탄 결합을 가지는 폴리올이며, 예를 들면, 수평균 분자량 200~20,000의 폴리에테르 폴리올, 폴리에스테르 폴리올, 폴리에테르 에스테르 폴리올 등과, 폴리이소시아네이트를, 바람직하게는 NCO/OH가 1 미만, 보다 바람직하게는 0.9 이하로 반응시켜 얻을 수 있는 폴리우레탄 폴리올을 들 수 있다. The polyurethane polyol is a polyol having one or more urethane bonds in one molecule, for example, polyether polyol, polyester polyol, polyether ester polyol, etc. with a number average molecular weight of 200 to 20,000, and polyisocyanate, preferably Examples include polyurethane polyol that can be obtained by reacting with NCO/OH of less than 1, more preferably 0.9 or less.

식물유계 폴리올로서는, 피마자유, 피마자유 변성 폴리올, 다이머산 변성 폴리올, 및 대두유 변성 폴리올 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 식물유계 폴리올로서는, 피마자유 변성 폴리올이 바람직하고, 피마자유 변성 디올이 보다 바람직하다. Examples of vegetable oil-based polyols include castor oil, castor oil-modified polyol, dimer acid-modified polyol, and soybean oil-modified polyol. Among them, as the vegetable oil-based polyol, castor oil-modified polyol is preferable, and castor oil-modified diol is more preferable.

(O2) 성분으로서, 식물유계 폴리올을 이용하는 경우, (O1) 성분에 대한 식물유계 폴리올의 비율(식물유계 폴리올/(O1) 성분(질량비))은, 0.1~5가 바람직하고, 0.3~3이 보다 바람직하고, 0.4~2.5가 더욱 바람직하다. When using a vegetable oil-based polyol as the (O2) component, the ratio of the vegetable oil-based polyol to the (O1) component (vegetable oil-based polyol/(O1) component (mass ratio)) is preferably 0.1 to 5, and 0.3 to 3. It is more preferable, and 0.4 to 2.5 is further preferable.

(O2) 성분은, 1종을 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. (O2) Component may be used individually by 1 type, or 2 or more types may be used together.

상기 중에서도, (O2) 성분으로서는, 접착제 조성물의 점도, 및 접착층의 경도를 조정하는 관점으로부터, 폴리카보네이트 폴리올, 및 저분자 폴리올이 바람직하다. 또한, 접착층의 내열성을 높이는 관점으로부터, (O2) 성분으로서, 피마자유 변성 폴리올을 이용해도 된다. Among the above, polycarbonate polyol and low molecular weight polyol are preferable as the (O2) component from the viewpoint of adjusting the viscosity of the adhesive composition and the hardness of the adhesive layer. Additionally, from the viewpoint of improving the heat resistance of the adhesive layer, castor oil-modified polyol may be used as the (O2) component.

(O) 성분은, 접착제 조성물의 점도, 및 접착층의 내열성 등을 조정하는 관점으로부터, (O1) 성분과 (O2) 성분의 조합인 것이 바람직하다. 상기 (O2) 성분으로서는, 저분자 폴리올, 폴리카보네이트 폴리올, 혹은 피마자유 변성 폴리올, 또는 이들의 조합이 바람직하다. (O1) 성분과 조합시킨 (O2) 성분의 구체예로서는, 폴리카보네이트 폴리올, 피마자유 변성 폴리올, 및 저분자 폴리올의 조합; 폴리카보네이트 폴리올, 및 피마자유 변성 폴리올의 조합; 및 폴리카보네이트 폴리올 등을 들 수 있다. The (O) component is preferably a combination of the (O1) component and the (O2) component from the viewpoint of adjusting the viscosity of the adhesive composition and the heat resistance of the adhesive layer. As the (O2) component, low molecular weight polyol, polycarbonate polyol, castor oil-modified polyol, or a combination thereof is preferable. Specific examples of the (O2) component combined with the (O1) component include a combination of polycarbonate polyol, castor oil-modified polyol, and low molecular weight polyol; A combination of polycarbonate polyol and castor oil modified polyol; and polycarbonate polyol.

(O1) 성분과 (O2) 성분의 질량비는, (O1):(O2)=1:5~5:1이 바람직하고, 1:4~2:1이 보다 바람직하고, 1:4~1:1이 더욱 바람직하고, 1:4~1:2가 특히 바람직하다. (O1) 성분과 (O2) 성분의 질량비를 상기 범위 내로 하는 것에 의해, 접착층의 탄성률 및 내열성 등을, 향상시킬 수 있다.The mass ratio of the (O1) component and the (O2) component is preferably (O1):(O2)=1:5 to 5:1, more preferably 1:4 to 2:1, and 1:4 to 1:1. 1 is more preferable, and 1:4 to 1:2 is particularly preferable. By keeping the mass ratio of the (O1) component and the (O2) component within the above range, the elastic modulus and heat resistance of the adhesive layer can be improved.

(P1) 성분은, (I) 성분 및 (O) 성분을 혼합하고, 공지의 우레탄 수지의 합성 방법에 따라서, 공중합시키는 것에 의해, 합성할 수 있다. (I) 성분 및 (O) 성분의 공중합은, 비스무트 촉매 등의 공지의 우레탄화 촉매의 존재 하에서 수행하는 것이 바람직하다. 또한, (O1) 성분 중의 중합성 탄소-탄소 이중 결합의 중합을 피하기 위해, 반응계에 중합 금지제를 첨가해도 된다. The (P1) component can be synthesized by mixing the (I) component and the (O) component and copolymerizing them according to a known urethane resin synthesis method. The copolymerization of component (I) and component (O) is preferably performed in the presence of a known urethanization catalyst such as a bismuth catalyst. Additionally, in order to avoid polymerization of the polymerizable carbon-carbon double bond in the (O1) component, a polymerization inhibitor may be added to the reaction system.

(P1) 성분의 합성에 이용하는 (I) 성분과 (O) 성분의 비율(질량비)은, 예를 들면, (I):(O)=10: 90~60: 40이 바람직하고, 20:80~50:50이 보다 바람직하고, 25:75~45:55가 더욱 바람직하다. (I) 성분 중의 이소시아네이트기(-NCO)에 대한(O) 성분 중의 히드록시기(-OH)의 몰비(NCO/OH)는, 60:40~40:60인 것이 바람직하고, 55:45~45:55인 것이 보다 바람직하다.The ratio (mass ratio) of the (I) component and the (O) component used in the synthesis of the (P1) component is, for example, preferably (I):(O)=10:90 to 60:40, and 20:80. ~50:50 is more preferable, and 25:75~45:55 is more preferable. The molar ratio (NCO/OH) of the hydroxy group (-OH) in the (O) component to the isocyanate group (-NCO) in the (I) component is preferably 60:40 to 40:60, and 55:45 to 45: It is more preferable that it is 55.

(P1) 성분은, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. (P1) Component may be used individually by 1 type, or 2 or more types may be used together.

본 실시 형태의 접착제 조성물에 있어서의 (P1) 성분의 함유량은, 지지체 등에 도포 가능한 농도이면 특별히 한정되지 않는다. 접착제 조성물에 있어서의 (P1) 성분의 함유량으로서는, 접착제 조성물의 총량(100 질량%)에 대해서, 20~95 질량%가 바람직하고, 30~90 질량%가 보다 바람직하고, 40~80 질량%가 더욱 바람직하고, 50~70 질량%가 특히 바람직하다. The content of component (P1) in the adhesive composition of this embodiment is not particularly limited as long as it is a concentration that can be applied to a support or the like. The content of component (P1) in the adhesive composition is preferably 20 to 95% by mass, more preferably 30 to 90% by mass, and 40 to 80% by mass, relative to the total amount (100% by mass) of the adhesive composition. It is more preferable, and 50 to 70 mass% is particularly preferable.

<가교제 성분: (M) 성분><Cross-linking agent component: (M) component>

본 실시 형태의 접착제 조성물은, 상기 (P1) 성분에 더하여, 가교제 성분(이하, 「(M) 성분」이라고도 말한다)을 함유한다. 본 실시 형태의 접착제 조성물은, 가교제 성분으로서, 카프로락톤 변성 우레탄 아크릴레이트(이하, 「(M1) 성분」이라고도 말한다)을 포함한다. The adhesive composition of this embodiment contains a crosslinking agent component (hereinafter also referred to as “(M) component”) in addition to the component (P1). The adhesive composition of this embodiment contains caprolactone-modified urethane acrylate (hereinafter also referred to as “(M1) component”) as a crosslinking agent component.

≪카프로락톤 변성 우레탄 아크릴레이트: (M1) 성분≫≪Caprolactone modified urethane acrylate: (M1) ingredient≫

(M1) 성분은, 폴리카프로락톤기(-[O(CH2)5CO]n-)를 포함하는 우레탄 아크릴레이트이다. (M1) 성분으로서는, 하기 일반식(c1)로 나타내는 기를 포함하는 우레탄 아크릴레이트를 들 수 있다. The (M1) component is a urethane acrylate containing a polycaprolactone group (-[O(CH 2 ) 5 CO] n -). Examples of the (M1) component include urethane acrylate containing a group represented by the following general formula (c1).

[식 중, Rc1은, 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고; Rc2는, 알킬렌기를 나타내고; n은 1~20의 정수를 나타낸다.][Wherein, Rc 1 represents a hydrogen atom or a methyl group; Rc 2 represents an alkylene group; n represents an integer from 1 to 20.]

상기 식(c1) 중, Rc2는, 알킬렌기를 나타낸다. Rc2에 있어서의 알킬렌기는, 직쇄상이어도 되고, 분기쇄상이어도 되고, 환상이어도 되지만, 직쇄상이 바람직하다. Rc2에 있어서의 알킬렌기는, 탄소 원자수 1~10이 바람직하고, 탄소 원자수 1~8이 보다 바람직하고, 탄소 원자수 1~6이 더욱 바람직하고, 탄소 원자수 1~4가 보다 더욱 바람직하고, 탄소 원자수 1~3, 또는 탄소 원자수 1 혹은 2가 특히 바람직하다. In the above formula (c1), Rc 2 represents an alkylene group. The alkylene group in Rc 2 may be linear, branched, or cyclic, but is preferably linear. The alkylene group for Rc 2 preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, and even more preferably 1 to 4 carbon atoms. Preferred, and 1 to 3 carbon atoms, or 1 or 2 carbon atoms, are particularly preferable.

상기 식(c1) 중, n은, 1~10의 정수가 바람직하고, 1~8의 정수가 보다 바람직하고, 1~6의 정수가 더욱 바람직하다. In the above formula (c1), n is preferably an integer of 1 to 10, more preferably an integer of 1 to 8, and still more preferably an integer of 1 to 6.

상기 식(c1)로 나타내는 기는, 하기 식(c1-1)로 나타내는 기가 바람직하다. The group represented by the above formula (c1) is preferably a group represented by the following formula (c1-1).

[식 중, Rc1은, 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고; m은 1~10의 정수를 나타내고; n은 1~20의 정수를 나타낸다.][Wherein, Rc 1 represents a hydrogen atom or a methyl group; m represents an integer from 1 to 10; n represents an integer from 1 to 20.]

상기 식(c1-1) 중, m은, 1~8의 정수가 바람직하고, 1~6의 정수가 보다 바람직하고, 1~4의 정수가 더욱 바람직하고, 1~3의 정수가 특히 바람직하다. m의 구체예로서는, 2를 들 수 있다. In the above formula (c1-1), m is preferably an integer of 1 to 8, more preferably an integer of 1 to 6, further preferably an integer of 1 to 4, and especially preferably an integer of 1 to 3. . Specific examples of m include 2.

상기 식(c1-1) 중, n은, 1~10의 정수가 바람직하고, 1~8의 정수가 보다 바람직하고, 1~6의 정수가 더욱 바람직하다. In the above formula (c1-1), n is preferably an integer of 1 to 10, more preferably an integer of 1 to 8, and still more preferably an integer of 1 to 6.

(M1) 성분에 있어서의 우레탄 아크릴레이트의 주골격은, 특별히 한정되지 않는다. 우레탄 아크릴레이트는, 뷰렛형이어도 되고, 이소시아누레이트형이어도 되고, 지방족 폴리올(예를 들면, 트리메틸올프로판)과의 어덕트형이어도 된다. 뷰렛형인 (M1) 성분으로서는, 하기 일반식(m1-1)을 들 수 있다. 이소시아누레이트형인 (M1) 성분으로서는, 하기 일반식(m1-2)를 들 수 있다. 어덕트형인 (M1) 성분으로서는, 하기 일반식(m1-3)을 들 수 있다. (M1) The main skeleton of urethane acrylate in component is not particularly limited. The urethane acrylate may be of a biuret type, an isocyanurate type, or an adduct type with an aliphatic polyol (for example, trimethylolpropane). Examples of the biuret-type (M1) component include the following general formula (m1-1). Examples of the isocyanurate type (M1) component include the following general formula (m1-2). Examples of the adduct type (M1) component include the following general formula (m1-3).

[식 중, Rx1~Rx3은, 각각 독립적으로, 상기 식(c1)로 나타내는 기를 나타낸다. Rm1, Rm2, 및 Rm3은, 각각 독립적으로, 치환기를 가져도 되는 탄화수소기를 나타낸다. Rm4~Rm6은, 각각 독립적으로, 직쇄상 혹은 분기쇄상의 알킬렌기를 나타낸다. Rm7은, 직쇄상 혹은 분기쇄상의 알킬기를 나타낸다.][In the formula, Rx 1 to Rx 3 each independently represent a group represented by the above formula (c1). Rm 1 , Rm 2 , and Rm 3 each independently represent a hydrocarbon group that may have a substituent. Rm 4 to Rm 6 each independently represent a linear or branched alkylene group. Rm 7 represents a linear or branched alkyl group.]

상기 식(m1-1)~(m1-3) 중, Rm1, Rm2, 및 Rm3은, 각각 독립적으로, 치환기를 가져도 되는 탄화수소기를 나타낸다. 상기 치환기를 가져도 되는 탄화수소기로서는, 상기 식(a10-1) 중의 Yax1에 있어서의 치환기를 가져도 되는 2가의 탄화수소기로서 든 것과 마찬가지의 것을 들 수 있다. In the above formulas (m1-1) to (m1-3), Rm 1 , Rm 2 , and Rm 3 each independently represent a hydrocarbon group that may have a substituent. Examples of the hydrocarbon group that may have a substituent include those listed as the divalent hydrocarbon group that may have a substituent in Ya x1 in the formula (a10-1).

Rm1, Rm2, 및 Rm3은, 지방족 탄화수소기이어도 되고, 방향족 탄화수소기이어도 된다. Rm1, Rm2, 및 Rm3에 있어서의 지방족 탄화수소기는, 탄소 원자수 1~10이 바람직하고, 탄소 원자수 1~8이 보다 바람직하고, 탄소 원자수 1~6이 더욱 바람직하다. 지방족 탄화수소기는, 직쇄상이어도 되고, 분기쇄상이어도 되고, 환상이어도 된다. 분기쇄상의 지방족 탄화수소기는, 탄소 원자수 2~10이 바람직하고, 탄소 원자수 2~8이 보다 바람직하고, 탄소 원자수 2~6이 더욱 바람직하다. 환상의 지방족 탄화수소기는, 탄소 원자수 3~10이 바람직하고, 탄소 원자수 3~8이 보다 바람직하고, 탄소 원자수 3~6이 더욱 바람직하다. Rm 1 , Rm 2 , and Rm 3 may be an aliphatic hydrocarbon group or an aromatic hydrocarbon group. The aliphatic hydrocarbon group in Rm 1 , Rm 2 , and Rm 3 preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and even more preferably 1 to 6 carbon atoms. The aliphatic hydrocarbon group may be linear, branched, or cyclic. The branched aliphatic hydrocarbon group preferably has 2 to 10 carbon atoms, more preferably 2 to 8 carbon atoms, and even more preferably 2 to 6 carbon atoms. The cyclic aliphatic hydrocarbon group preferably has 3 to 10 carbon atoms, more preferably 3 to 8 carbon atoms, and even more preferably 3 to 6 carbon atoms.

Rm1, Rm2, 및 Rm3에 있어서의 방향족 탄화수소기는, 탄소 원자수 4~12가 바람직하고, 탄소 원자수 6~12가 보다 바람직하고, 탄소 원자수 6~10이 더욱 바람직하다. 방향족 탄화수소기가 포함하는 방향환은, 방향족 탄화수소환이어도 되고, 방향족 복소환이어도 된다. The aromatic hydrocarbon group in Rm 1 , Rm 2 , and Rm 3 preferably has 4 to 12 carbon atoms, more preferably 6 to 12 carbon atoms, and even more preferably 6 to 10 carbon atoms. The aromatic ring contained in the aromatic hydrocarbon group may be an aromatic hydrocarbon ring or an aromatic heterocycle.

Rm1, Rm2, 및 Rm3에 있어서의 탄화수소기는, 치환기를 가져도 되고, 가지지 않아도 된다. Rm1, Rm2, 및 Rm3에 있어서의 탄화수소기를 가질 수 있는 치환기로서는, 상기 식(a10-1) 중의 Yax1에 있어서의 치환기를 가져도 되는 2가의 탄화수소기로 든 치환기와 마찬가지의 것을 들 수 있다. The hydrocarbon group in Rm 1 , Rm 2 , and Rm 3 may or may not have a substituent. Substituents that may have a hydrocarbon group for Rm 1 , Rm 2 , and Rm 3 include the same substituents as the divalent hydrocarbon group that may have a substituent for Ya x1 in the formula (a10-1) above. there is.

Rm1, Rm2, 및 Rm3은, 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬렌기가 바람직하고, 직쇄상의 알킬렌기가 보다 바람직하고, 탄소 원자수 1~10의 직쇄상의 알킬렌기가 더욱 바람직하고, 탄소 원자수 1~6의 직쇄상의 알킬렌기가 특히 바람직하다. Rm 1 , Rm 2 , and Rm 3 are preferably a linear or branched alkylene group, more preferably a linear alkylene group, and even more preferably a linear alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, A linear alkylene group having 1 to 6 carbon atoms is particularly preferable.

상기 식(m1-3) 중, Rm4~Rm6은, 각각 독립적으로, 직쇄상 혹은 분기쇄상의 알킬렌기를 나타낸다. Rm4~Rm6에 있어서의 직쇄상의 알킬렌기는, 탄소 원자수 1~10이 바람직하고, 탄소 원자수 1~8이 보다 바람직하고, 탄소 원자수 1~6이 더욱 바람직하고, 탄소 원자수 1~3이 특히 바람직하다. Rm4~Rm6에 있어서의 분기쇄상의 알킬렌기는, 탄소 원자수 2~10이 바람직하고, 탄소 원자수 2~8이 보다 바람직하고, 탄소 원자수 2~6이 더욱 바람직하고, 탄소 원자수 2 또는 3이 특히 바람직하다. In the above formula (m1-3), Rm 4 to Rm 6 each independently represent a linear or branched alkylene group. The linear alkylene group in Rm 4 to Rm 6 preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, further preferably 1 to 6 carbon atoms, and has more preferably 1 to 6 carbon atoms. 1 to 3 are particularly preferable. The branched alkylene group in Rm 4 to Rm 6 preferably has 2 to 10 carbon atoms, more preferably 2 to 8 carbon atoms, further preferably 2 to 6 carbon atoms, and has more preferably 2 to 6 carbon atoms. 2 or 3 is particularly preferred.

상기 식(m1-3) 중, Rm7은, 직쇄상 혹은 분기쇄상의 알킬기를 나타낸다. Rm7에 있어서의 직쇄상의 알킬기는, 탄소 원자수 1~10이 바람직하고, 탄소 원자수 1~8이 보다 바람직하고, 탄소 원자수 1~6이 더욱 바람직하고, 탄소 원자수 1~3이 특히 바람직하다. Rm7에 있어서의 분기쇄상의 알킬기는, 탄소 원자수 3~10이 바람직하고, 탄소 원자수 3~8이 보다 바람직하고, 탄소 원자수 3~6이 더욱 바람직하고, 탄소 원자수 3 또는 4가 특히 바람직하다. In the above formula (m1-3), Rm 7 represents a linear or branched alkyl group. The linear alkyl group for Rm 7 preferably has 1 to 10 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, further preferably 1 to 6 carbon atoms, and 1 to 3 carbon atoms. Particularly desirable. The branched alkyl group for Rm 7 preferably has 3 to 10 carbon atoms, more preferably 3 to 8 carbon atoms, further preferably 3 to 6 carbon atoms, and has 3 or 4 carbon atoms. Particularly desirable.

(M1) 성분의 구체예를 이하에 들지만, 이들로 한정되지 않는다. (M1) Specific examples of the component are given below, but are not limited to these.

[식 중, Rx11~Rx13은, 하기 식(c1-1-1)로 나타내는 기를 나타낸다.][In the formula, Rx 11 to Rx 13 represent a group represented by the following formula (c1-1-1).]

[식 중, n은 1~20의 정수를 나타낸다.][In the formula, n represents an integer from 1 to 20.]

(M1) 성분은, 공지의 방법으로 얻을 수 있다. (M1) 성분은, 예를 들면, 폴리이소시아네이트 화합물에, 카프로락톤 변성 (메타)아크릴레이트를 반응시키는 것에 의해, 얻을 수 있다. (M1) The component can be obtained by a known method. The (M1) component can be obtained, for example, by reacting caprolactone-modified (meth)acrylate with a polyisocyanate compound.

폴리이소시아네이트 화합물은, 상기 (I) 성분으로서 든 것과 마찬가지의 것을 들 수 있다. 폴리이소시아네이트 화합물은, 디이소시아네이트의 뷰렛체, 디이소시아네이트의 이소시아누레이트체, 디이소시아네이트와 지방족 폴리올(예를 들면, 트리메틸올프로판)과의 어덕트체 등을 들 수 있다. 디이소시아네이트의 뷰렛체로서는, 하기 일반식(I-1)로 나타내는 화합물을 들 수 있다. 디이소시아네이트의 이소시아누레이트체로서는, 하기 일반식(I-2)로 나타내는 화합물을 들 수 있다. 디이소시아네이트의 어덕트체로서는, 하기 일반식(I-3)로 나타내는 화합물을 들 수 있다. Examples of the polyisocyanate compound include the same ones as those listed as component (I). Examples of the polyisocyanate compound include the biuret form of diisocyanate, the isocyanurate form of diisocyanate, and the adduct form of diisocyanate and aliphatic polyol (for example, trimethylolpropane). Examples of the biuret form of diisocyanate include compounds represented by the following general formula (I-1). Examples of the isocyanurate form of diisocyanate include compounds represented by the following general formula (I-2). Examples of diisocyanate adducts include compounds represented by the following general formula (I-3).

[식 중, Rm1~Rm7은, 상기 식(m1-1)~(m1-3) 중의 Rm1~Rm7과 각각 동일하다.][In the formula, Rm 1 to Rm 7 are the same as Rm 1 to Rm 7 in the above formulas (m1-1) to (m1-3).]

상기 식(I-1)~(I-3) 화합물을 형성하기 위한 디이소시아네이트로서는, 1,3-페닐렌 디이소시아네이트, 1,4-페닐렌 디이소시아네이트, 톨릴렌 디이소시아네이트, 부탄-1,4-디이소시아네이트, 헥사메틸렌 디이소시아네이트, 이소프로필렌 디이소시아네이트, 메틸렌 디이소시아네이트, 2,2,4-트리메틸헥사메틸렌 디이소시아네이트, 2,4,4-트리메틸헥사메틸렌 디이소시아네이트, 시클로헥산-1,4-디이소시아네이트, 크실렌 디이소시아네이트, 이소포론 디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-4,4'-디이소시아네이트, 1,3-비스(이소시아네이트 메틸) 시클로헥산, 메틸시클로헥산 디이소시아네이트, m-테트라메틸 크실렌 디이소시아네이트 등을 들 수 있지만, 이들로 한정되지 않는다. 그 중에서도, 디이소시아네이트로서는, 톨릴렌 디이소시아네이트, 헥사메틸렌 디이소시아네이트, 1,3-비스(이소시아네이트 메틸) 시클로헥산, 이소포론 디이소시아네이트가 바람직하다. As diisocyanates for forming the compounds of formulas (I-1) to (I-3), 1,3-phenylene diisocyanate, 1,4-phenylene diisocyanate, tolylene diisocyanate, butane-1,4 -Diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, isopropylene diisocyanate, methylene diisocyanate, 2,2,4-trimethylhexamethylene diisocyanate, 2,4,4-trimethylhexamethylene diisocyanate, cyclohexane-1,4-di Isocyanate, xylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate, 1,3-bis(methyl isocyanate) cyclohexane, methylcyclohexane diisocyanate, m-tetramethyl xylene diisocyanate, etc. , but is not limited to these. Among them, preferred diisocyanates include tolylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, 1,3-bis(methyl isocyanate) cyclohexane, and isophorone diisocyanate.

카프로락톤 변성 (메타)아크릴레이트는, (메타)아크릴레이트 혹은 히드록시기 함유 (메타)아크릴레이트에, ε-카프로락톤을 부가 중합하는 것에 의해 얻을 수 있는 화합물이다. 히드록시기 함유 (메타)아크릴레이트는, (메타)아크릴로일기와 히드록시기를 가지는 화합물이다. (메타)아크릴로일기는, 메타크릴로일기 및 아크릴로일기를 포함하는 개념이며, 메타크릴로일기 또는 아크릴로일기를 의미한다.Caprolactone-modified (meth)acrylate is a compound that can be obtained by addition polymerizing ε-caprolactone to (meth)acrylate or hydroxy group-containing (meth)acrylate. Hydroxyl group-containing (meth)acrylate is a compound having a (meth)acryloyl group and a hydroxy group. (meth)acryloyl group is a concept including methacryloyl group and acryloyl group, and means methacryloyl group or acryloyl group.

히드록시기 함유 (메타)아크릴레이트로서는, 히드록시알킬 (메타)아크릴레이트를 들 수 있다. 히드록시알킬 (메타)아크릴레이트의 구체예로서는, 예를 들면, (메타)아크릴산 2-히드록시에틸, (메타)아크릴산 2-히드록시프로필, (메타)아크릴산 3-히드록시프로필, (메타)아크릴산 2-히드록시부틸, (메타)아크릴산 3-히드록시부틸, (메타)아크릴산 4-히드록시부틸, (메타)아크릴산 6-히드록시헥실, (메타)아크릴산 8-히드록시옥틸 등을 들 수 있다. Examples of hydroxy group-containing (meth)acrylates include hydroxyalkyl (meth)acrylates. Specific examples of hydroxyalkyl (meth)acrylates include, for example, 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 3-hydroxypropyl (meth)acrylate, and (meth)acrylic acid. Examples include 2-hydroxybutyl, 3-hydroxybutyl (meth)acrylic acid, 4-hydroxybutyl (meth)acrylic acid, 6-hydroxyhexyl (meth)acrylic acid, and 8-hydroxyoctyl (meth)acrylic acid. .

카프로락톤 변성 (메타)아크릴레이트의 시판품으로서는, 예를 들면, 프락셀 FA1, 프락셀 FA2D, 프락셀 FA5(이상, 상품명, 다이셀 카가쿠 코교사 제) 등을 들 수 있다. Examples of commercially available caprolactone-modified (meth)acrylates include Fraxel FA1, Fraxel FA2D, and Fraxel FA5 (trade name, manufactured by Daicel Kagaku Kogyo).

(M1) 성분은, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. (M1) Component may be used individually by 1 type, or 2 or more types may be used together.

(M) 성분 중의 (M1) 성분의 비율로서는, 예를 들면, (M) 성분의 총량(100 질량%)에 대해서, 40~100 질량%가 바람직하고, 50~95 질량%가 보다 바람직하고, 70~90 질량%가 더욱 바람직하고, 75~85 질량%가 특히 바람직하다. 혹은, (M) 성분 중의 (M1) 성분의 비율로서는, 예를 들면, (M) 성분의 총량(100 몰%)에 대해서, 40~100 몰%가 바람직하고, 50~95 몰%가 보다 바람직하고, 70~90 몰%가 더욱 바람직하고, 75~85 몰%가 특히 바람직하다. (M) 성분 중의 (M1) 성분의 비율을 상기 바람직한 범위 내로 함으로써, 세정성을 유지하면서, 고온 프로세스에 있어서의 디라미네이션의 발생을 억제할 수 있다. The ratio of the (M1) component in the (M) component is, for example, preferably 40 to 100% by mass, more preferably 50 to 95% by mass, relative to the total amount (100% by mass) of the (M) component, 70 to 90 mass% is more preferable, and 75 to 85 mass% is particularly preferable. Alternatively, the ratio of the (M1) component in the (M) component is, for example, preferably 40 to 100 mol%, and more preferably 50 to 95 mol%, relative to the total amount (100 mol%) of the (M) component. And, 70 to 90 mol% is more preferable, and 75 to 85 mol% is particularly preferable. By keeping the ratio of the (M1) component in the (M) component within the above preferred range, the occurrence of delamination in a high temperature process can be suppressed while maintaining cleanability.

≪다른 가교제 성분: (M2) 성분≫≪Other crosslinking agent components: (M2) component≫

(M) 성분은, 상기 (M1) 성분에 더하여, 다른 가교제 성분(이하, 「(M2) 성분」이라고도 말한다)을 포함해도 된다. (M2) 성분으로서는, 2개 이상의 (메타)아크릴로일기를 가지는 화합물(상기(M1) 성분을 제외하다)을 들 수 있다. (M2) 성분으로서는, 예를 들면, 다관능 우레탄 (메타)아크릴레이트, 다관능 (메타)아크릴레이트, 다관능 카프로락톤 변성 (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 본 실시 형태의 접착제 조성물이, (M2) 성분을 포함하는 경우, 상기 (P1) 성분은, (M2) 성분에 해당하는 것은 제외된다. In addition to the (M1) component, the (M) component may include another crosslinking agent component (hereinafter also referred to as the "(M2) component"). Examples of the (M2) component include compounds having two or more (meth)acryloyl groups (excluding the component (M1) above). Examples of the (M2) component include polyfunctional urethane (meth)acrylate, polyfunctional (meth)acrylate, and polyfunctional caprolactone-modified (meth)acrylate. When the adhesive composition of this embodiment contains the (M2) component, the (P1) component corresponding to the (M2) component is excluded.

다관능 우레탄 (메타)아크릴레이트는, 우레탄 결합(-NCO-)과 2개 이상의 (메타)아크릴로일기를 포함하는 화합물이다. 다관능 우레탄 (메타)아크릴레이트로서는, 상기 폴리이소시아네이트 화합물에, (메타)아크릴레이트 또는 히드록시기 함유 (메타)아크릴레이트를 반응시켜 얻을 수 있는 화합물을 들 수 있다. 다관능 우레탄 (메타)아크릴레이트의 구체예로서는, 하기 일반식(m2-1)~(m2-3)의 어느 하나로 나타내는 화합물을 들 수 있다. Polyfunctional urethane (meth)acrylate is a compound containing a urethane bond (-NCO-) and two or more (meth)acryloyl groups. Examples of polyfunctional urethane (meth)acrylate include compounds obtained by reacting the polyisocyanate compound with (meth)acrylate or hydroxy group-containing (meth)acrylate. Specific examples of polyfunctional urethane (meth)acrylate include compounds represented by any of the following general formulas (m2-1) to (m2-3).

[식 중, Ry1~Ry3은, 각각 독립적으로, -O-(CH2)k-OCOCH=CH2로 나타내는 기(k는 1~10의 정수)를 나타낸다. Rm1~Rm7은, 상기 식(m1-1)~(m1-3) 중의 Rm1~Rm7과 각각 동일하다.][In the formula, Ry 1 to Ry 3 each independently represent a group represented by -O-(CH 2 ) k -OCOCH=CH 2 (k is an integer of 1 to 10). Rm 1 to Rm 7 are the same as Rm 1 to Rm 7 in the above formulas (m1-1) to (m1-3).]

다관능 우레탄 (메타)아크릴레이트의 바람직한 구체예를 이하에 나타내지만, 이들로 한정되지 않는다. Preferred specific examples of polyfunctional urethane (meth)acrylate are shown below, but are not limited to these.

[식 중, Ry11~Ry13은, -O-(CH2)2-OCOCH=CH2로 나타내는 기를 나타낸다.][In the formula, Ry 11 to Ry 13 represent a group represented by -O-(CH 2 ) 2 -OCOCH=CH 2. ]

(메타)아크릴레이트 화합물은, (메타)아크릴로일기를 포함하는 화합물이다. (M2) 성분으로서의 (메타)아크릴레이트 화합물로서는, 상기 (O1) 성분과 마찬가지의 것을 들 수 있다. A (meth)acrylate compound is a compound containing a (meth)acryloyl group. Examples of the (meth)acrylate compound as the (M2) component include those similar to the (O1) component.

다관능 (메타)아크릴레이트로서는, 1,6-헥산디올 디(메타)아크릴레이트, 1,9-노난디올 디(메타)아크릴레이트, 1,10-데칸디올 디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 디(메타)아크릴레이트, 트리시클로데칸 디메탄올 디(메타)아크릴레이트, 에톡시화 비스페놀A 디아크릴레이트 등의 2 관능 (메타)아크릴레이트; 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 에톡시화 트리메틸올프로판 트리(메타)아크릴레이트, 에톡시화 글리세린 트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리(메타)아크릴레이트 등의 3 관능 (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. Examples of multifunctional (meth)acrylates include 1,6-hexanediol di(meth)acrylate, 1,9-nonanediol di(meth)acrylate, 1,10-decanediol di(meth)acrylate, and neopentyl. Bifunctional (meth)acrylates such as glycol di(meth)acrylate, tricyclodecane dimethanol di(meth)acrylate, and ethoxylated bisphenol A diacrylate; Trifunctional (meth)acrylates such as trimethylolpropane triacrylate, ethoxylated trimethylolpropane tri(meth)acrylate, ethoxylated glycerin tri(meth)acrylate, and pentaerythritol tri(meth)acrylate. You can.

다관능 카프로락톤 변성 (메타)아크릴레이트로서는, 카프로락톤 변성 트리스(2-(메타)아크릴옥시에틸) 이소시아누레이트 등의 카프로락톤 변성 ((메타)아크릴레이트 알킬) 이소시아누레이트 등을 들 수 있다. Examples of the polyfunctional caprolactone-modified (meth)acrylate include caprolactone-modified ((meth)acrylate alkyl) isocyanurate, such as caprolactone-modified tris (2-(meth)acryloxyethyl) isocyanurate. You can.

(M2) 성분은, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. (M2) Component may be used individually by 1 type, or 2 or more types may be used together.

(M) 성분 중의 (M2) 성분의 비율로서는, 예를 들면, (M) 성분의 총량(100 질량%)에 대해서, 0~60 질량%가 바람직하고, 5~50 질량%가 보다 바람직하고, 10~40 질량%가 더욱 바람직하고, 10~30 질량%가 특히 바람직하다. 혹은, (M) 성분 중의 (M2) 성분의 비율로서는, (M) 성분의 총량(100 몰%)에 대해서, 0~60 몰%가 바람직하고, 5~50 몰%가 보다 바람직하고, 10~40 몰%가 더욱 바람직하고, 10~30 몰%가 특히 바람직하다. The ratio of the (M2) component in the (M) component is, for example, preferably 0 to 60% by mass, more preferably 5 to 50% by mass, relative to the total amount (100% by mass) of the (M) component. 10 to 40 mass% is more preferable, and 10 to 30 mass% is particularly preferable. Alternatively, the ratio of the (M2) component in the (M) component is preferably 0 to 60 mol%, more preferably 5 to 50 mol%, and 10 to 10 mol%. 40 mol% is more preferable, and 10 to 30 mol% is particularly preferable.

(M) 성분이, (M2) 성분을 포함하는 경우, (M1) 성분과 (M2) 성분의 몰비((M1) 성분:(M2) 성분)는, 예를 들면, 99:1~20:80을 들 수 있다. (M1) 성분과 (M2) 성분의 몰비는, 95:5~30:70이 바람직하고, 90:10~40:60이 보다 바람직하고, 90:10~50:50이 더욱 바람직하고, 90:10~60:40이 특히 바람직하다. When the (M) component contains the (M2) component, the molar ratio of the (M1) component and the (M2) component ((M1) component:(M2) component) is, for example, 99:1 to 20:80. can be mentioned. The molar ratio of component (M1) and component (M2) is preferably 95:5 to 30:70, more preferably 90:10 to 40:60, further preferably 90:10 to 50:50, and 90: 10~60:40 is particularly preferable.

본 실시 형태의 접착제 조성물 중의 (M) 성분의 비율은, 예를 들면, 접착제 조성물의 총 질량(100 질량%)에 대해, 10~60 질량%가 바람직하고, 10~50 질량%가 보다 바람직하고, 20~40 질량%가 더욱 바람직하고, 25~35 질량%가 특히 바람직하다. The ratio of component (M) in the adhesive composition of this embodiment is, for example, preferably 10 to 60% by mass, more preferably 10 to 50% by mass, with respect to the total mass (100% by mass) of the adhesive composition. , 20 to 40 mass% is more preferable, and 25 to 35 mass% is particularly preferable.

상기 (P1) 성분과 (M) 성분의 질량비((P1) 성분:(M) 성분)는, 95:5~50:50이 바람직하고, 90:10~60:40이 보다 바람직하고, 80:20~60:40이 더욱 바람직하다.The mass ratio ((P1) component:(M) component) of the component (P1) and the component (M) is preferably 95:5 to 50:50, more preferably 90:10 to 60:40, and 80:50. 20~60:40 is more preferable.

<중합 개시제: (A) 성분><Polymerization initiator: (A) component>

본 실시 형태의 접착제 조성물은, 상기 (P1) 성분 및 (M) 성분에 더하여, 중합 개시제(이하, (A) 성분이라고도 한다)를 함유한다. 중합 개시제는, 중합 반응을 촉진시키는 기능을 가지는 성분을 말한다. (A) 성분으로서는, 열 중합 개시제, 광 중합 개시제 등을 들 수 있다. The adhesive composition of this embodiment contains, in addition to the above-mentioned (P1) component and (M) component, a polymerization initiator (hereinafter also referred to as (A) component). A polymerization initiator refers to a component that has the function of promoting a polymerization reaction. (A) As a component, a thermal polymerization initiator, a photo polymerization initiator, etc. are mentioned.

열 중합 개시제로서는, 예를 들면 과산화물, 아조계 중합 개시제 등을 들 수 있다.Examples of thermal polymerization initiators include peroxides and azo-based polymerization initiators.

열 중합 개시제에 있어서의 과산화물로서는, 예를 들면, 케톤 퍼옥사이드, 퍼옥시 케탈, 하이드로퍼옥사이드, 디알킬 퍼옥사이드, 퍼옥시 에스테르 등을 들 수 있다. 이러한 과산화물로서 구체적으로는, 과산화 아세틸, 과산화 디쿠밀, 과산화 tert-부틸, 과산화 t-부틸쿠밀, 과산화 프로피오닐, 과산화 벤조일(BPO), 과산화 2-클로로벤조일, 과산화 3-클로로벤조일, 과산화 4-클로로벤조일, 과산화 2,4-디클로로벤조일, 과산화 4-브로모메틸 벤조일, 과산화 라우로일, 과 황산 칼륨, 퍼옥시 탄산 디이소프로필, 테트라인 히드로퍼옥사이드, 1-페닐-2-메틸 프로필-1-히드로퍼옥사이드, 과트리페닐 아세트산-tert-부틸, tert-부틸 히드로퍼옥사이드, 과포름산 tert-부틸, 과아세트산 tert-부틸, 과벤조산 tert-부틸, 과페닐아세트산 tert-부틸, 과-4-메톡시 아세트산 tert-부틸, 과-N-(3-톨일) 카르바민산 tert-부틸 등을 들 수 있다. Examples of peroxides in the thermal polymerization initiator include ketone peroxide, peroxy ketal, hydroperoxide, dialkyl peroxide, and peroxy ester. Specifically, such peroxides include acetyl peroxide, dicumyl peroxide, tert-butyl peroxide, t-butylcumyl peroxide, propionyl peroxide, benzoyl peroxide (BPO), 2-chlorobenzoyl peroxide, 3-chlorobenzoyl peroxide, and 4-chlorobenzoyl peroxide. Chlorobenzoyl, 2,4-dichlorobenzoyl peroxide, 4-bromomethyl benzoyl peroxide, lauroyl peroxide, potassium persulfate, diisopropyl peroxycarbonate, tetraline hydroperoxide, 1-phenyl-2-methyl propyl- 1-hydroperoxide, tert-butyl pertriphenyl acetate, tert-butyl hydroperoxide, tert-butyl performate, tert-butyl peracetate, tert-butyl perbenzoate, tert-butyl perphenylacetate, and-4 -Methoxy acetic acid tert-butyl, per-N-(3-tolyl)carbamic acid tert-butyl, etc.

상기의 과산화물에는, 예를 들면, 니혼유시 가부시키가이샤 제의 상품명 「퍼쿠밀(등록상표)」, 상품명 「퍼부틸(등록상표)」, 상품명 「퍼로일(등록상표)」 및 상품명 「퍼옥타(등록상표)」 등의 시판되고 있는 것을 이용할 수 있다. The above peroxides include, for example, those manufactured by Nippon Yushi Co., Ltd. under the brand name “Percumil (registered trademark),” “Perbutyl (registered trademark),” “Peroil (registered trademark),” and “Perocta.” (registered trademark)” and other commercially available products can be used.

열 중합 개시제에 있어서의 아조계 중합 개시제로서는, 예를 들면, 2,2'-아조 비스프로판, 2,2'-디클로로-2,2'-아조 비스프로판, 1,1'-아조(메틸에틸) 디아세테이트, 2,2'-아조비스(2-아미디노프로판) 염산염, 2,2'-아조비스(2-아미노프로판) 질산염, 2,2'-아조 비스이소부탄, 2,2'-아조 비스이소부틸 아미드, 2,2'-아조 비스이소부티로니트릴, 2,2'-아조비스-2-메틸 프로피온산 메틸, 2,2'-디클로로-2,2'-아조비스 부탄, 2,2'-아조비스-2-메틸부티로니트릴, 2,2'-아조 비스이소부티르산 디메틸, 1,1'-아조비스(1-메틸부티로니트릴 3-설폰산 나트륨), 2-(4-메틸페닐아조)-2-메틸말로노디니트릴 4,4'-아조비스-4-시아노발레르산, 3,5-디히드록시메틸페닐아조-2-알릴말로노디니트릴, 2,2'-아조비스-2-메틸발레로니트릴, 4,4'-아조비스-4-시아노발레르산 디메틸, 2,2'-아조비스-2,4-디메틸발레로니트릴, 1,1'-아조비스시클로헥산니트릴, 2,2'-아조비스-2-프로필부티로니트릴, 1,1'-아조비스시클로헥산니트릴, 2,2'-아조비스-2-프로필부티로니트릴, 1,1'-아조비스-1-클로로페닐 에탄, 1,1'-아조비스-1-시클로헥산카르보니트릴, 1,1'-아조비스-1-시클로헵탄니트릴, 1,1'-아조비스-1-페닐에탄, 1,1'-아조비스쿠멘, 4-니트로페닐아조벤질시아노 아세트산 에틸, 페닐아조디페닐메탄, 페닐아조트리페닐메탄, 4-니트로페닐아조트리페닐메탄, 1,1'-아조비스-1,2-디페닐 에탄, 폴리(비스페놀 A-4,4'-아조비스-4-시아노펜타노에이트), 폴리(테트라에틸렌글리콜-2,2'-아조비스 이소부틸레이트) 등을 들 수 있다. Examples of the azo-based polymerization initiator in the thermal polymerization initiator include 2,2'-azo bispropane, 2,2'-dichloro-2,2'-azo bispropane, and 1,1'-azo (methyl ethyl ) Diacetate, 2,2'-azobis(2-amidinopropane) hydrochloride, 2,2'-azobis(2-aminopropane) nitrate, 2,2'-azobisisobutane, 2,2'- Azobisisobutyl amide, 2,2'-azobisisobutyronitrile, 2,2'-azobis-2-methyl methyl propionate, 2,2'-dichloro-2,2'-azobisbutane, 2, 2'-azobis-2-methylbutyronitrile, 2,2'-azo dimethyl bisisobutyrate, 1,1'-azobis(sodium 1-methylbutyronitrile 3-sulfonate), 2-(4- Methylphenylazo)-2-methylmalonodinitrile 4,4'-azobis-4-cyanovaleric acid, 3,5-dihydroxymethylphenylazo-2-allylmalonodinitrile, 2,2'-azobis- 2-methylvaleronitrile, 4,4'-azobis-4-cyanovalerate dimethyl, 2,2'-azobis-2,4-dimethylvaleronitrile, 1,1'-azobiscyclohexanenitrile , 2,2'-azobis-2-propylbutyronitrile, 1,1'-azobiscyclohexanenitrile, 2,2'-azobis-2-propylbutyronitrile, 1,1'-azobis- 1-chlorophenyl ethane, 1,1'-azobis-1-cyclohexanecarbonitrile, 1,1'-azobis-1-cycloheptanenitrile, 1,1'-azobis-1-phenylethane, 1, 1'-azobiscumene, 4-nitrophenylazobenzylcyano ethyl acetate, phenylazodiphenylmethane, phenylazotriphenylmethane, 4-nitrophenylazotriphenylmethane, 1,1'-azobis-1, Examples include 2-diphenyl ethane, poly(bisphenol A-4,4'-azobis-4-cyanopentanoate), and poly(tetraethylene glycol-2,2'-azobis isobutyrate). .

광 중합 개시제로서는, 예를 들면, 1-히드록시시클로헥실 페닐 케톤, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐 프로판-1-온, 1-[4-(2-히드록시에톡시) 페닐]-2-히드록시-2-메틸-1-프로판-1-온, 1-(4-이소프로필페닐)-2-히드록시-2-메틸 프로판-1-온, 1-(4-도데실페닐)-2-히드록시-2-메틸 프로판-1-온, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐 에탄-1-온, 비스(4-디메틸아미노페닐) 케톤, 2-메틸-1-[4-(메틸티오) 페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸 아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온, 에탄온-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]-1-(o-아세틸옥심), 2,4,6-트리메틸 벤조일 디페닐 포스핀옥시드, 4-벤조일-4'-메틸디메틸 설피드, 4-디메틸아미노벤조산, 4-디메틸아미노벤조산 메틸, 4-디메틸아미노벤조산 에틸, 4-디메틸아미노벤조산 부틸, 4-디메틸아미노-2-에틸헥실벤조산, 4-디메틸아미노-2-이소아밀벤조산, 벤질-β-메톡시에틸 아세탈, 벤질디메틸 케탈, 1-페닐-1,2-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심, o-벤조일벤조산 메틸, 2,4-디에틸티옥산톤, 2-클로로티옥산톤, 2,4-디메틸티옥산톤, 1-클로로-4-프로폭시티옥산톤, 티옥산텐, 2-클로로티옥산텐, 2,4-디에틸티옥산텐, 2-메틸티옥산텐, 2-이소프로필티옥산텐, 2-에틸안트라퀴논, 옥타메틸안트라퀴논, 1,2-벤즈 안트라퀴논, 2,3-디페닐안트라퀴논, 아조비스이소부티로니트릴, 벤조일퍼옥시드, 쿠멘 퍼옥시드, 2-메르캅토벤조이미다졸, 2-메르캅토벤조옥사졸, 2-메르캅토벤조티아졸, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디(메톡시페닐) 이미다졸 이량체, 2-(o-플루오로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체, 2-(o-메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체, 2-(p-메톡시페닐)-4,5-디페닐 이미다졸 이량체, 2,4,5-트리아릴이미다졸 이량체, 벤조페논, 2-클로로벤조페논, 4,4'-비스디메틸아미노벤조페논(즉, 미힐러 케톤), 4,4'-비스디에틸아미노벤조페논(즉, 에틸 미힐러 케톤), 4,4'-디클로로벤조페논, 3,3-디메틸-4-메톡시벤조페논, 벤질, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인-n-부틸 에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤조인-t-부틸에테르, 아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, p-디메틸아세토페논, p-디메틸아미노프로피오페논, 디클로로아세토페논, 트리클로로아세토페논, p-t-부틸아세토페논, p-디메틸아미노아세토페논, p-t-부틸트리클로로아세토페논, p-t-부틸디클로로아세토페논, α,α-디클로로-4-페녹시아세토페논, 티옥산톤, 2-메틸티옥산톤, 2-이소프로필티옥산톤, 디벤조수베론, 펜틸-4-디메틸아미노벤조에이트, 9-페닐 아크리딘, 1,7-비스-(9-아크리디닐)헵탄, 1,5-비스-(9-아크리디닐)펜탄, 1,3-비스-(9-아크리디닐) 프로판, p-메톡시트리아진, 2,4,6-트리스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-메틸-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(5-메틸퓨란-2-일) 에텐일]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(퓨란-2-일)에텐일]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(4-디에틸아미노-2-메틸 페닐) 에텐일]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-[2-(3,4-디메톡시페닐)에텐일]-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-에톡시스티릴)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2-(4-n-부톡시페닐)-4,6-비스(트리클로로메틸)-s-트리아진, 2,4-비스-트리클로로메틸-6-(3-브로모-4-메톡시)페닐-s-트리아진, 2,4-비스-트리클로로메틸-6-(2-브로모-4-메톡시)페닐-s-트리아진, 2,4-비스-트리클로로메틸-6-(3-브로모-4-메톡시)스티릴페닐 s-트리아진, 2,4-비스-트리클로로메틸-6-(2-브로모-4-메톡시)스티릴페닐-s-트리아진 등을 들 수 있다. Examples of photopolymerization initiators include 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl propan-1-one, and 1-[4-(2-hydroxyethoxy)phenyl. ]-2-Hydroxy-2-methyl-1-propan-1-one, 1-(4-isopropylphenyl)-2-hydroxy-2-methyl propan-1-one, 1-(4-dodecyl Phenyl)-2-hydroxy-2-methyl propan-1-one, 2,2-dimethoxy-1,2-diphenyl ethan-1-one, bis (4-dimethylaminophenyl) ketone, 2-methyl- 1-[4-(methylthio) phenyl]-2-morpholinopropan-1-one, 2-benzyl-2-dimethyl amino-1-(4-morpholinophenyl)-butan-1-one, ethane On-1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl]-1-(o-acetyloxime), 2,4,6-trimethyl benzoyl diphenyl phosphine oxide , 4-benzoyl-4'-methyldimethyl sulfide, 4-dimethylaminobenzoic acid, methyl 4-dimethylaminobenzoate, ethyl 4-dimethylaminobenzoate, butyl 4-dimethylaminobenzoate, 4-dimethylamino-2-ethylhexylbenzoic acid. , 4-dimethylamino-2-isoamylbenzoic acid, benzyl-β-methoxyethyl acetal, benzyldimethyl ketal, 1-phenyl-1,2-propanedione-2-(o-ethoxycarbonyl)oxime, o- Methyl benzoylbenzoate, 2,4-diethylthioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, 1-chloro-4-propoxythioxanthone, thioxanthene, 2-chlorothioxanthone Oxanthene, 2,4-diethylthioxanthene, 2-methylthioxanthene, 2-isopropylthioxanthene, 2-ethylanthraquinone, octamethylanthraquinone, 1,2-benzanthraquinone, 2,3 -Diphenylanthraquinone, azobisisobutyronitrile, benzoyl peroxide, cumene peroxide, 2-mercaptobenzoimidazole, 2-mercaptobenzoxazole, 2-mercaptobenzothiazole, 2-(o- Chlorophenyl)-4,5-diphenylimidazole dimer, 2-(o-chlorophenyl)-4,5-di(methoxyphenyl)imidazole dimer, 2-(o-fluorophenyl)- 4,5-diphenylimidazole dimer, 2-(o-methoxyphenyl)-4,5-diphenylimidazole dimer, 2-(p-methoxyphenyl)-4,5-diphenyl Imidazole dimer, 2,4,5-triarylimidazole dimer, benzophenone, 2-chlorobenzophenone, 4,4'-bisdimethylaminobenzophenone (i.e. Michler's ketone), 4,4' -Bisdiethylaminobenzophenone (i.e., ethyl Michler's ketone), 4,4'-dichlorobenzophenone, 3,3-dimethyl-4-methoxybenzophenone, benzyl, benzoin, benzoinmethyl ether, benzoin. Ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin-n-butyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin-t-butyl ether, acetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, p-dimethylacetophenone, p -Dimethylaminopropiophenone, dichloroacetophenone, trichloroacetophenone, p-t-butylacetophenone, p-dimethylaminoacetophenone, p-t-butyltrichloroacetophenone, p-t-butyldichloroacetophenone, α,α-dichloro- 4-phenoxyacetophenone, thioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2-isopropylthioxanthone, dibenzosuberone, pentyl-4-dimethylaminobenzoate, 9-phenyl acridine, 1,7 -bis-(9-acridinyl)heptane, 1,5-bis-(9-acridinyl)pentane, 1,3-bis-(9-acridinyl)propane, p-methoxytriazine, 2 ,4,6-tris(trichloromethyl)-s-triazine, 2-methyl-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-[2-(5-methylfuran-2- 1) Ethenyl]-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-[2-(furan-2-yl)ethenyl]-4,6-bis(trichloromethyl)-s -Triazine, 2-[2-(4-diethylamino-2-methyl phenyl) ethenyl]-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-[2-(3,4 -dimethoxyphenyl)ethenyl]-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-(4-methoxyphenyl)-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine , 2-(4-ethoxystyryl)-4,6-bis(trichloromethyl)-s-triazine, 2-(4-n-butoxyphenyl)-4,6-bis(trichloromethyl) -s-triazine, 2,4-bis-trichloromethyl-6-(3-bromo-4-methoxy)phenyl-s-triazine, 2,4-bis-trichloromethyl-6-(2 -Bromo-4-methoxy)phenyl-s-triazine, 2,4-bis-trichloromethyl-6-(3-bromo-4-methoxy)styrylphenyl s-triazine, 2,4 -Bis-trichloromethyl-6-(2-bromo-4-methoxy)styrylphenyl-s-triazine, etc. are mentioned.

상기의 광 중합 개시제로는, 예를 들면 「IRGACURE OXE02」, 「IRGACURE OXE01」, 「IRGACURE 369」, 「IRGACURE 651」, 「IRGACURE 907」(모두 상품명, BASF사 제) 및 「NCI-831」(상품명, 가부시키가이샤 ADEKA 제) 등의 시판되고 있는 것을 이용할 수 있다. The above photopolymerization initiators include, for example, “IRGACURE OXE02”, “IRGACURE OXE01”, “IRGACURE 369”, “IRGACURE 651”, “IRGACURE 907” (all brand names, manufactured by BASF) and “NCI-831” ( Commercially available products such as those under the brand name (ADEKA, Inc.) can be used.

(A) 성분은, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. (A) 성분으로서는, 열 중합 개시제가 바람직하고, 과산화물이 보다 바람직하다. (A) 성분의 사용량은, (P1) 성분의 사용량에 따라 조정할 수 있다. 본 실시 형태의 접착제 조성물 중에 있어서의 중합 개시제의 함유량은, (P1) 성분 100 질량부에 대해서, 0.1~10 질량부인 것이 바람직하고, 0.5~5 질량부인 것이 보다 바람직하다.(A) Component may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more types. As the component (A), a thermal polymerization initiator is preferable and peroxide is more preferable. The amount of component (A) used can be adjusted depending on the amount of component (P1) used. The content of the polymerization initiator in the adhesive composition of this embodiment is preferably 0.1 to 10 parts by mass, and more preferably 0.5 to 5 parts by mass, with respect to 100 parts by mass of component (P1).

<임의 성분><Arbitrary component>

본 실시 형태의 접착제 조성물은, 상기 (P1) 성분, (M) 성분, 및 (A) 성분에 더하여, 본 발명의 효과를 해치지 않는 범위에서, 임의 성분을 포함하고 있어도 된다. 임의 성분은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 중합 금지제, 용제 성분, 가소제, 접착 보조제, 안정제, 착색제, 계면활성제 등을 들 수 있다.The adhesive composition of this embodiment may contain, in addition to the above-mentioned (P1) component, (M) component, and (A) component, an arbitrary component within the range that does not impair the effect of the present invention. The optional components are not particularly limited, but examples include polymerization inhibitors, solvent components, plasticizers, adhesion aids, stabilizers, colorants, and surfactants.

≪중합 금지제≫≪Polymerization inhibitor≫

중합 금지제는, 열이나 광에 의한 라디칼 중합 반응을 방지하는 기능을 가지는 성분을 말한다. 중합 금지제는, 라디칼에 대해서 높은 반응성을 나타낸다. A polymerization inhibitor refers to a component that has the function of preventing radical polymerization reaction caused by heat or light. Polymerization inhibitors exhibit high reactivity to radicals.

중합 금지제로서는, 페놀 골격을 가지는 것이 바람직하다. 예를 들면, 이러한 중합 금지제로는, 힌더드페놀계의 산화 방지제를 이용하는 것이 가능하고, 피로가롤, 벤조퀴논, 히드로퀴논, 메틸렌 블루, tert-부틸 카테콜, 모노벤질 에테르, 메틸 히드로퀴논, 아밀퀴논, 아밀옥시히드로퀴논, n-부틸페놀, 페놀, 히드로퀴논 모노프로필 에테르, 4,4'-(1-메틸에틸리덴) 비스(2-메틸페놀), 4,4'-(1-메틸에틸리덴) 비스(2,6-디메틸페놀), 4,4'-[1-[4-(1-(4-히드록시페닐)-1-메틸에틸) 페닐]에틸리덴]비스페놀, 4,4',4"-에틸리덴 트리스(2-메틸페놀), 4,4',4"-에틸리덴 트리스페놀, 1,1,3-트리스(2,5-디메틸-4-히드록시페닐)-3-페닐프로판, 2,6-디-tert-부틸-4-메틸페놀, 2,2'-메틸렌 비스(4-메틸-6-tert-부틸페놀), 4,4'-부틸리덴 비스(3-메틸-6-tert-부틸페놀), 4,4'-티오 비스(3-메틸-6-tert-부틸페놀), 3,9-비스[2-(3-(3-tert-부틸-4-히드록시-5-메틸페닐)-프로피오닐옥시)-1,1-디메틸에틸]-2,4,8,10-테트라옥사스피로(5,5)운데칸, 트리에틸렌글리콜-비스-3-(3-tert-부틸-4-히드록시-5-메틸페닐) 프로피오네이트, n-옥틸-3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐) 프로피오네이트, 펜타에리트릴 테트라키스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐) 프로피오네이트](상품명 IRGANOX 1010, BASF사 제), 트리스(3,5-디-tert-부틸히드록시벤질) 이소시아누레이트, 티오디에틸렌 비스[3-(3,5-디-tert-부틸-4-히드록시페닐) 프로피오네이트] 등을 들 수 있다. As a polymerization inhibitor, one having a phenol skeleton is preferable. For example, as such polymerization inhibitors, it is possible to use hindered phenol-based antioxidants, such as pyrogallol, benzoquinone, hydroquinone, methylene blue, tert-butyl catechol, monobenzyl ether, methyl hydroquinone, and amylquinone. , amyloxyhydroquinone, n-butylphenol, phenol, hydroquinone monopropyl ether, 4,4'-(1-methylethylidene) bis(2-methylphenol), 4,4'-(1-methylethylidene) ) Bis(2,6-dimethylphenol), 4,4'-[1-[4-(1-(4-hydroxyphenyl)-1-methylethyl)phenyl]ethylidene]bisphenol, 4,4', 4"-ethylidene tris(2-methylphenol), 4,4',4"-ethylidene trisphenol, 1,1,3-tris(2,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl)-3-phenyl Propane, 2,6-di-tert-butyl-4-methylphenol, 2,2'-methylene bis(4-methyl-6-tert-butylphenol), 4,4'-butylidene bis(3-methyl -6-tert-butylphenol), 4,4'-thio bis(3-methyl-6-tert-butylphenol), 3,9-bis[2-(3-(3-tert-butyl-4-hyde Roxy-5-methylphenyl)-propionyloxy)-1,1-dimethylethyl]-2,4,8,10-tetraoxaspiro(5,5)undecane, triethylene glycol-bis-3-(3- tert-butyl-4-hydroxy-5-methylphenyl) propionate, n-octyl-3-(3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate, pentaerythril tetrakis[ 3-(3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate] (brand name IRGANOX 1010, manufactured by BASF), tris(3,5-di-tert-butylhydroxybenzyl) isosylate Anurate, thiodiethylene bis[3-(3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionate], etc. are mentioned.

중합 금지제는, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. The polymerization inhibitor may be used individually by one type, or may be used in combination of two or more types.

중합 금지제의 함유량은, 수지 성분의 종류, 접착제 조성물의 용도 및 사용 환경에 따라 적절히 결정하면 된다.The content of the polymerization inhibitor may be appropriately determined depending on the type of resin component, the purpose of the adhesive composition, and the usage environment.

≪계면활성제≫≪Surfactant≫

계면활성제로서는, 예를 들어, 불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제등을 들 수 있다. Examples of surfactants include fluorine-based surfactants and silicone-based surfactants.

불소계 계면활성제로서는, 예를 들면, BM-1000, BM-1100(모두 BM 케미사 제), 메가팩 F142D, 메가팩 F172, 메가팩 F173, 메가팩 F183(모두 DIC사 제), 플로라드 FC-135, 플로라드 FC-170 C, 플로라드 FC-430, 플로라드 FC-431(모두 스미토모 쓰리엠사 제), 서프론 S-112, 서프론 S-113, 서프론 S-131, 서프론 S-141, 서프론 S-145(모두 아사히 글라스사 제), SH-28 PA, SH-190, SH-193, SZ-6032, SF-8428(모두 토레이 실리콘사 제) 등의 시판의 불소계 계면활성제를 들 수 있다. As fluorine-based surfactants, for example, BM-1000, BM-1100 (all manufactured by BM Chemistry), Megapack F142D, Megapack F172, Megapack F173, Megapack F183 (all manufactured by DIC), Florad FC- 135, Florad FC-170 C, Florad FC-430, Florad FC-431 (all made by Sumitomo 3M), Surfron S-112, Surfron S-113, Surfron S-131, Surfron S- 141, use commercially available fluorine-based surfactants such as Surfron S-145 (all manufactured by Asahi Glass), SH-28 PA, SH-190, SH-193, SZ-6032, and SF-8428 (all manufactured by Toray Silicone). I can hear it.

실리콘계 계면활성제로서는, 예를 들면, 미변성 실리콘계 계면활성제, 폴리에테르 변성 실리콘계 계면활성제, 폴리에스테르 변성 실리콘계 계면활성제, 알킬 변성 실리콘계 계면활성제, 아랄킬 변성 실리콘계 계면활성제, 및 반응성 실리콘계 계면활성제 등을 들 수 있다. 실리콘계 계면활성제는, 시판의 것을 이용할 수 있다. 시판의 실리콘계 계면활성제의 구체예로서는, 예를 들면, 페인티드 M(토레이·다우 코닝사 제), 토피카 K1000, 토피카 K2000, 토피카 K5000(모두 타카치호 산교사 제), XL-121(폴리에테르 변성 실리콘계 계면활성제, 쿠라리안트사 제), BYK-310(폴리에스테르 변성 실리콘계 계면활성제, 빅케미사 제) 등을 들 수 있다. Examples of silicone-based surfactants include unmodified silicone-based surfactants, polyether-modified silicone-based surfactants, polyester-modified silicone-based surfactants, alkyl-modified silicone-based surfactants, aralkyl-modified silicone-based surfactants, and reactive silicone-based surfactants. You can. A commercially available silicone surfactant can be used. Specific examples of commercially available silicone-based surfactants include, for example, Painted M (manufactured by Toray Dow Corning), Topeka K1000, Topeka K2000, Topeka K5000 (all made by Takachiho Sankyo), and XL-121 (polyether-modified silicone-based interface). Activator, manufactured by Kurariant Corporation), BYK-310 (polyester modified silicone-based surfactant, manufactured by Big Chemistry Corporation), etc. are mentioned.

계면활성제는, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 계면활성제로서는, 실리콘계 계면활성제가 바람직하고, 폴리에스테르 변성 실리콘계 계면활성제가 보다 바람직하다. 계면활성제를 이용하는 경우, 본 실시 형태의 접착제 조성물에 있어서의 계면활성제의 함유량은, (P1) 성분 100 질량부에 대해서, 0.01~1 질량부인 것이 바람직하고, 0.05~0.5 질량부인 것이 보다 바람직하다. Surfactant may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more types. As the surfactant, silicone-based surfactants are preferable, and polyester-modified silicone-based surfactants are more preferable. When using a surfactant, the content of the surfactant in the adhesive composition of this embodiment is preferably 0.01 to 1 part by mass, and more preferably 0.05 to 0.5 parts by mass, based on 100 parts by mass of component (P1).

≪용제 성분≫≪Solvent ingredients≫

본 실시 형태의 접착제 조성물은, (P1) 성분, (M) 성분, 및 (A) 성분과, 필요에 따라서 임의 성분을 용제 성분에 용해하여 혼합하는 것에 의해 조제할 수 있다. 용제 성분으로서는, 상기 각 성분을 용해 가능한 것을 이용할 수 있다.The adhesive composition of this embodiment can be prepared by dissolving and mixing the (P1) component, (M) component, and (A) component, and optional components in a solvent component as needed. As a solvent component, a solvent capable of dissolving each of the above components can be used.

용제 성분으로서는, 예를 들면, 탄화수소 용제, 석유계 용제, 및 상기 용제 이외의 그 외의 용제를 들 수 있다. 이하, 탄화수소 용제 및 석유계 용제를 정리하여 「(S1) 성분」이라고도 말한다. (S1) 성분 이외의 용제 성분을 「(S2) 성분」이라고도 말한다.Examples of solvent components include hydrocarbon solvents, petroleum-based solvents, and solvents other than the above solvents. Hereinafter, hydrocarbon solvents and petroleum-based solvents are collectively referred to as “(S1) component.” Solvent components other than the (S1) component are also referred to as “(S2) component.”

탄화수소 용제로서는, 직쇄상, 분기쇄상 또는 환상의 탄화수소를 들 수 있다. 탄화수소 용제로서는, 예를 들면, 헥산, 헵탄, 옥탄, 노난, 메틸옥탄, 데칸, 운데칸, 도데칸, 트리데칸 등의 직쇄상의 탄화수소; 이소옥탄, 이소노난, 이소도데칸 등의 분기쇄상의 탄화수소; p-멘탄, o-멘탄, m-멘탄, 디페닐멘탄, 1,4-테르핀, 1,8-테르핀, 보르난, 노르보르난, 피난, 투잔, 카란, 롱기폴렌, α-테르피넨, β-테르피넨, γ-테르피넨, α-피넨, β-피넨, α-투욘, β-투욘, 시클로헥산, 시클로헵탄, 시클로옥탄 등의 지환식 탄화수소; 톨루엔, 크실렌, 인덴, 펜탈렌, 인단, 테트라히드로인단, 나프탈렌, 테트라히드로나프탈렌(테트라인), 데카히드로나프탈렌(데칼린) 등의 방향족 탄화수소를 들 수 있다.Examples of hydrocarbon solvents include linear, branched, or cyclic hydrocarbons. Examples of hydrocarbon solvents include linear hydrocarbons such as hexane, heptane, octane, nonane, methyloctane, decane, undecane, dodecane, and tridecane; Branched chain hydrocarbons such as isooctane, isononane, and isododecane; p-Menthane, o-Menthane, m-Menthane, diphenylmenthane, 1,4-terpine, 1,8-terpine, bornane, norbornane, pinan, tuzan, caran, longipolene, α-terpinene , alicyclic hydrocarbons such as β-terpinene, γ-terpinene, α-pinene, β-pinene, α-tuyon, β-tuyon, cyclohexane, cycloheptane, and cyclooctane; Aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, indene, pentalene, indane, tetrahydroindane, naphthalene, tetrahydronaphthalene (tetraline), and decahydronaphthalene (decalin) can be mentioned.

석유계 용제란, 중유로부터 정제되는 용제이며, 예를 들면 백등유, 파라핀계 용제, 이소파라핀계 용제를 들 수 있다.A petroleum-based solvent is a solvent purified from heavy oil, and examples include white kerosene, paraffin-based solvent, and isoparaffin-based solvent.

(S2) 성분으로서는, 극성기로서 산소 원자, 카르보닐기 또는 아세톡시기 등을 가지는 테르펜 용제를 들 수 있고, 예를 들면, 게라니올, 네롤, 리날로올, 시트랄, 시트로네롤, 멘톨, 이소멘톨, 네오멘톨, α-테르피네올, β-테르피네올, γ-테르피네올, 테르피넨-1-올, 테르피넨-4-올, 디히드로테르피닐 아세테이트, 1,4-시네올, 1,8-시네올, 보르네올, 카르본, 이오논, 투욘, 캄폴 등을 들 수 있다.(S2) Components include terpene solvents having an oxygen atom, carbonyl group, or acetoxy group as a polar group, for example, geraniol, nerol, linalool, citral, citronerol, menthol, iso Menthol, neomenthol, α-terpineol, β-terpineol, γ-terpineol, terpinen-1-ol, terpinen-4-ol, dihydroterpinel acetate, 1,4-cineol, Examples include 1,8-cineole, borneol, carvone, ionone, thuyon, and campol.

또한, (S2) 성분으로서는, γ-부티로락톤 등의 락톤류; 아세톤, 메틸 에틸 케톤, 시클로헥사논(CH), 메틸-n-펜틸 케톤, 메틸 이소펜틸 케톤, 2-헵탄온 등의 케톤류; 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디프로필렌글리콜 등의 다가 알코올류; 에틸렌글리콜 모노아세테이트, 디에틸렌글리콜 모노아세테이트, 프로필렌글리콜 모노아세테이트, 또는 디프로필렌글리콜 모노아세테이트 등의 에스테르 결합을 가지는 화합물, 상기 다가 알코올류 또는 상기 에스테르 결합을 가지는 화합물의 모노메틸 에테르, 모노에틸 에테르, 모노프로필 에테르, 모노부틸 에테르 등의 모노알킬 에테르 또는 모노페닐 에테르 등의 에테르 결합을 가지는 화합물 등의 다가 알코올류의 유도체(이들 중에서는, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA), 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르(PGME)가 바람직하다); 디옥산과 같은 환식 에테르류; 락트산 메틸, 락트산 에틸, 아세트산 메틸, 아세트산 에틸, 아세트산 부틸, 피르빈산 메틸, 피르빈산 에틸, 메톡시프로피온산 메틸, 에톡시프로피온산 에틸 등의 에스테르류; 아니솔, 에틸 벤질 에테르, 크레실 메틸 에테르, 디페닐 에테르, 디벤질 에테르, 페네톨, 부틸페닐 에테르 등의 방향족계 유기 용제도 들 수 있다. Additionally, the (S2) component includes lactones such as γ-butyrolactone; Ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone (CH), methyl-n-pentyl ketone, methyl isopentyl ketone, and 2-heptanone; polyhydric alcohols such as ethylene glycol, diethylene glycol, propylene glycol, and dipropylene glycol; Compounds having an ester bond such as ethylene glycol monoacetate, diethylene glycol monoacetate, propylene glycol monoacetate, or dipropylene glycol monoacetate, monomethyl ether, monoethyl ether of the above polyhydric alcohols or compounds having the above ester bond, Derivatives of polyhydric alcohols, such as monoalkyl ethers such as monopropyl ether and monobutyl ether, or compounds having an ether bond such as monophenyl ether (among these, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene glycol monomethyl ether (PGME) is preferred); Cyclic ethers such as dioxane; esters such as methyl lactate, ethyl lactate, methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, methyl methoxypropionate, and ethyl ethoxypropionate; Aromatic organic solvents such as anisole, ethyl benzyl ether, cresyl methyl ether, diphenyl ether, dibenzyl ether, phenetol, and butylphenyl ether can also be mentioned.

용제 성분은, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 용제 성분으로서는, (P1) 성분에 대해서 불활성인 것이 바람직하다. 바람직한 용제 성분으로서는, 예를 들면, 에스테르계 용제, 케톤계 용제, 방향족 탄화수소계 용제, PGMEA, PGME, 및 이들의 혼합 용제 등을 들 수 있다. The solvent component may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more types. As a solvent component, it is preferable that it is inert with respect to component (P1). Preferred solvent components include, for example, ester solvents, ketone solvents, aromatic hydrocarbon solvents, PGMEA, PGME, and mixed solvents thereof.

본 실시 형태의 접착제 조성물에 있어서의 용제 성분의 함유량은, 접착제 조성물층의 두께에 따라 적절히 조정하면 된다. 용제 성분의 함유량으로서는, 예를 들면, 접착제 조성물의 총량(100 질량%)에 대해서, 40~90 질량%의 범위 내인 것이 바람직하다. 즉, 본 실시 형태의 접착제 조성물은, 고형분 (용제 성분을 제외한 배합 성분의 합계량) 농도가 10~80 질량%의 범위 내인 것이 바람직하다. 용제 성분의 함유량이 상기의 바람직한 범위 내이면, 점도 조정이 용이해진다.The content of the solvent component in the adhesive composition of this embodiment may be adjusted appropriately according to the thickness of the adhesive composition layer. The content of the solvent component is preferably within the range of 40 to 90% by mass, for example, based on the total amount (100% by mass) of the adhesive composition. That is, the adhesive composition of this embodiment preferably has a solid content (total amount of compounding components excluding solvent components) concentration within the range of 10 to 80 mass%. If the content of the solvent component is within the above preferred range, viscosity adjustment becomes easy.

중합 개시제는, 접착제 조성물을 사용하기 직전에, 공지의 방법에 의해 배합할 수 있다. 중합 개시제 또는 중합 금지제는, 상기 (S2) 성분에 미리 용해한 용액의 형태로 배합해도 된다. (S2) 성분의 사용량은, 중합 개시제 또는 중합 금지제의 종류 등에 따라 적절히 조정하면 되고, 예를 들면, (S1) 성분 100 질량부에 대해서, 1~50 질량부가 바람직하고, 5~30 질량부가 보다 바람직하다. (S2) 성분의 사용량이 상기의 바람직한 범위 내이면, 중합 개시제 또는 중합 금지제를 충분히 용해할 수 있다.The polymerization initiator can be mixed by a known method immediately before using the adhesive composition. The polymerization initiator or polymerization inhibitor may be mixed in the form of a solution previously dissolved in the component (S2). The amount of the component (S2) used may be adjusted appropriately depending on the type of polymerization initiator or polymerization inhibitor, etc., for example, preferably 1 to 50 parts by mass, and 5 to 30 parts by mass per 100 parts by mass of the (S1) component. It is more desirable. (S2) If the amount of component used is within the above preferred range, the polymerization initiator or polymerization inhibitor can be sufficiently dissolved.

본 실시 형태에 따른 접착제 조성물에 의하면, 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 우레탄 수지(P1), 카프로락톤 변성 우레탄 아크릴레이트(M1), 및 중합 개시제(A)를 함유하기 때문에, 가열에 의해 중합 반응이 개시되면, (P1) 성분 및 (M1) 성분이 중합하여 가교 구조를 형성하여, 경화한다. 이러한 접착제 조성물의 경화에 의해 형성되는 접착층은, 가교 구조에 의해 경화하고 있기 때문에, 내열성이 높고, 고온(예를 들면, 200℃ 이상)에서도 탄성률이 저하하지 않는다. 추가로, 당해 접착층은, (M1) 성분 중의 개환 카프로락톤 구조에 의해 유연성이 부여되어, 기판에 대한 밀착성이 높다. 그 때문에, 반도체 기판 등과 지지체와의 가접착을 수행한 후, 전자 디바이스 형성 프로세스를 양호하게 수행할 수 있다. According to the adhesive composition according to the present embodiment, since it contains a urethane resin (P1) containing a polymerizable carbon-carbon double bond, caprolactone-modified urethane acrylate (M1), and a polymerization initiator (A), When the polymerization reaction is initiated, the (P1) component and the (M1) component polymerize to form a crosslinked structure and harden. Since the adhesive layer formed by curing such an adhesive composition is cured through a crosslinked structure, it has high heat resistance and does not lower its elastic modulus even at high temperatures (for example, 200°C or higher). Additionally, the adhesive layer has flexibility due to the ring-opened caprolactone structure in the component (M1), and has high adhesion to the substrate. Therefore, after performing temporary adhesion between the semiconductor substrate and the like and the support, the electronic device formation process can be performed satisfactorily.

한편, (P1) 성분 중의 우레탄 결합은, 산 또는 알칼리에 의해 분해할 수 있다. 그 때문에, 전자 디바이스 형성 프로세스 등이 완료한 후, 전자 디바이스에 부착하는 접착층을 용이하게 세정 제거할 수 있다. 또한, 접착제 조성물이 (M1) 성분을 함유하는 것에 의해, 세정성도 또한 향상한다.On the other hand, the urethane bond in component (P1) can be decomposed by acid or alkali. Therefore, after the electronic device formation process or the like is completed, the adhesive layer attached to the electronic device can be easily cleaned and removed. Additionally, when the adhesive composition contains component (M1), cleanability is also improved.

(적층체)(Laminate)

본 발명의 제2의 태양에 따른 적층체는, 지지체, 접착층, 및 반도체 기판 혹은 전자 디바이스가 이 순서로 적층한 적층체로서, 상기 접착층은, 제1의 태양에 따른 접착제 조성물의 경화체인 것을 특징으로 한다.The laminate according to the second aspect of the present invention is a laminate in which a support, an adhesive layer, and a semiconductor substrate or electronic device are laminated in this order, and the adhesive layer is a cured product of the adhesive composition according to the first aspect. Do it as

도 1은, 제2의 태양에 따른 적층체의 일 실시 형태를 나타내고 있다. Fig. 1 shows one embodiment of a laminate according to the second aspect.

도 1에 나타내는 적층체(100)는, 지지 기체(1)과 분리층(2)이 적층한 지지체(12)와, 접착층(3)과, 반도체 기판(4)를 갖추고 있다. 적층체(100)에 있어서, 지지체(12), 접착층(3) 및 반도체 기판(4)이, 이 순서로 적층하고 있다.The laminate 100 shown in FIG. 1 includes a support 12 in which a support base 1 and a separation layer 2 are laminated, an adhesive layer 3, and a semiconductor substrate 4. In the laminate 100, the support 12, the adhesive layer 3, and the semiconductor substrate 4 are stacked in this order.

도 1의 예에서는, 지지체(12)는, 지지 기체(1) 및 분리층(2)로 이루어지지만, 이로 한정되지 않고, 지지 기체만으로 지지체를 구성해도 된다. In the example of FIG. 1, the support body 12 is comprised of the support base 1 and the separation layer 2, but it is not limited to this, and the support may be comprised only of the support base.

도 2는, 제2의 태양에 따른 적층체의 다른 실시 형태를 나타내고 있다. Figure 2 shows another embodiment of a laminate according to the second aspect.

도 2에 나타내는 적층체(200)는, 반도체 기판(4), 봉지재층(5) 및 배선층(6)으로 이루어지는 전자 디바이스(456)가, 접착층(3) 상에 적층되어 있는 이외는, 적층체(100)와 마찬가지의 구성이다. The laminate 200 shown in FIG. 2 is a laminate except that an electronic device 456 consisting of a semiconductor substrate 4, an encapsulating material layer 5, and a wiring layer 6 is laminated on an adhesive layer 3. It has the same configuration as (100).

도 3은, 제2의 태양에 따른 적층체의 새로운 다른 실시 형태를 나타내고 있다.Fig. 3 shows another new embodiment of the laminate according to the second aspect.

도 3에 나타내는 적층체(300)는, 전자 디바이스가 배선층(6)으로 이루어지는 이외는, 적층체(100)와 마찬가지의 구성이다.The laminate 300 shown in FIG. 3 has the same structure as the laminate 100 except that the electronic device is made of a wiring layer 6.

도 4는, 제2의 태양에 따른 적층체의 새로운 다른 실시 형태를 나타내고 있다.Fig. 4 shows another new embodiment of the laminate according to the second aspect.

도 4에 나타내는 적층체(400)는, 배선층(6), 반도체 기판(4) 및 봉지재층(5)로 이루어지는 전자 디바이스(645)가, 접착층(3) 상에 적층되어 있는 이외는, 적층체(100)와 마찬가지의 구성이다.The laminate 400 shown in FIG. 4 is a laminate except that an electronic device 645 consisting of a wiring layer 6, a semiconductor substrate 4, and an encapsulating material layer 5 is laminated on the adhesive layer 3. It has the same configuration as (100).

<지지체><Support>

지지체는, 반도체 기판 또는 전자 디바이스를 지지하는 부재이다. 도 1~4의 예에서는, 지지체(12)는, 지지 기체(1)와, 지지 기체(1) 상에 구비된 분리층(2)을 갖추고 있다. 본 실시 형태의 적층체에 있어서, 지지체는, 분리층(2)을 가지고 있어도 되고, 가지지 않아도 된다. 지지체가 분리층(2)을 가지지 않는 경우, 지지 기체(1)이 지지체가 된다. A support body is a member that supports a semiconductor substrate or electronic device. In the examples of FIGS. 1 to 4 , the support body 12 includes a support base 1 and a separation layer 2 provided on the support base 1. In the laminate of this embodiment, the support may or may not have the separation layer 2. If the support does not have the separation layer 2, the support substrate 1 becomes the support.

≪지지 기체≫≪Support body≫

지지 기체는, 광을 투과하는 특성을 갖고, 반도체 기판 또는 전자 부품을 지지하는 부재이다. 도 1~4와 같이 분리층을 구비하는 경우, 지지 기체는, 분리층 및 접착층을 통해서 반도체 기판 또는 전자 디바이스에 첩합된다. 분리층을 구비하지 않는 경우에는, 지지 기체는, 접착층을 통해서 반도체 기판 또는 전자 디바이스에 첩합된다. 그 때문에, 지지 기체로서는, 디바이스의 박화, 반도체 기판의 반송, 반도체 기판에의 실장 등 시에, 반도체 기판의 파손 또는 변형을 막기 위해서 필요한 강도를 가지고 있는 것이 바람직하다. 또한, 지지체가 분리층을 가지는 경우, 지지 기체는, 분리층을 변질시킬 수 있는 파장의 광을 투과하는 것이 바람직하다. The support base is a member that has the characteristic of transmitting light and supports the semiconductor substrate or electronic component. When a separation layer is provided as shown in FIGS. 1 to 4, the support base is bonded to the semiconductor substrate or electronic device through the separation layer and the adhesive layer. In the case where the separation layer is not provided, the support base is bonded to the semiconductor substrate or electronic device through an adhesive layer. Therefore, the support base preferably has the necessary strength to prevent damage or deformation of the semiconductor substrate during thinning of the device, transportation of the semiconductor substrate, mounting on the semiconductor substrate, etc. In addition, when the support has a separation layer, it is preferable that the support substrate transmits light of a wavelength that can deteriorate the separation layer.

지지 기체의 재료로서는, 예를 들면, 유리, 실리콘, 아크릴계 수지 등이 이용된다. 지지 기체의 형상으로서는, 예를 들면, 직사각형, 원형 등을 들 수 있지만, 이들로 한정되지 않는다. 지지 기체로서는, 새로운 고밀도 집적화나 생산 효율의 향상을 위해서, 원형인 지지 기체의 사이즈를 대형화한 것, 평면시(視)에 있어서의 형상이 사각형인 대형 패널을 이용할 수도 있다. As materials for the support base, for example, glass, silicone, acrylic resin, etc. are used. The shape of the support base includes, for example, a rectangular shape, a circular shape, etc., but is not limited to these. As the support base, for new high-density integration and improved production efficiency, a larger circular support base can be used, or a large panel with a rectangular shape in plan view can be used.

≪분리층≫≪Separation layer≫

분리층은, 접착층에 인접하고, 광의 조사에 의해 변질하여, 지지체에 접착층을 통해서 고정되는 반도체 기판 또는 전자 디바이스로부터 지지 기체를 분리 가능하게 하는 층이다. The separation layer is adjacent to the adhesive layer and is a layer that deteriorates by irradiation of light and makes it possible to separate the support substrate from the semiconductor substrate or electronic device fixed to the support through the adhesive layer.

이 분리층은, 후술의 분리층 형성용 조성물을 이용하여 형성할 수 있고, 예를 들면, 분리층 형성용 조성물이 함유하는 성분을 소성하는 것에 의해, 또는 화학 기상 퇴적(CVD)법에 의해 형성된다. 이 분리층은, 지지 기체를 투과하여 조사되는 광을 흡수하는 것에 의해서 적합하게 변질한다. This separation layer can be formed using a composition for forming a separation layer, which will be described later, and is formed, for example, by baking the components contained in the composition for forming a separation layer, or by a chemical vapor deposition (CVD) method. do. This separation layer is suitably altered by absorbing light irradiated through the support gas.

분리층은, 광을 흡수하는 재료만으로부터 형성되어 있는 것이 바람직하지만, 본 발명에 있어서의 본질적인 특성을 해치지 않는 범위에서, 광을 흡수하는 구조를 가지지 않은 재료가 배합된 층이어도 된다. The separation layer is preferably formed from only a material that absorbs light, but may be a layer mixed with a material that does not have a light-absorbing structure, as long as the essential characteristics of the present invention are not impaired.

분리층의 두께는, 예를 들면 0.05μm 이상, 50μm 이하의 범위 내인 것이 바람직하고, 0.3μm 이상, 1μm 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 분리층의 두께가 0.05μm 이상, 50μm 이하의 범위 내이면, 단시간의 광의 조사 및 저에너지의 광의 조사에 의해서, 분리층에 소망의 변질을 일으키게 할 수 있다. 또한, 분리층의 두께는, 생산성의 관점으로부터 1μm 이하의 범위 내인 것이 특히 바람직하다.The thickness of the separation layer is preferably, for example, within the range of 0.05 μm or more and 50 μm or less, and more preferably within the range of 0.3 μm or more and 1 μm or less. If the thickness of the separation layer is within the range of 0.05 μm or more and 50 μm or less, desired deterioration in the separation layer can be caused by irradiation of light for a short period of time or irradiation with low energy light. In addition, it is particularly preferable that the thickness of the separation layer is within the range of 1 μm or less from the viewpoint of productivity.

분리층은, 접착층에 접하는 측의 면이 평탄한(요철(凹凸)이 형성되어 있지 않다) 것이 바람직하고, 이에 의해, 접착층의 형성이 용이하게 수행할 수 있고, 또한, 반도체 기판 또는 전자 디바이스와, 지지 기체를 균일하게 첩착하는 것이 용이해진다.It is preferable that the surface of the separation layer in contact with the adhesive layer is flat (no convexities and protrusions are formed), so that the formation of the adhesive layer can be easily performed, and further, a semiconductor substrate or electronic device, It becomes easy to uniformly adhere the support base.

·분리층 형성용 조성물Composition for forming a separation layer

분리층을 형성하기 위한 재료인 분리층 형성용 조성물은, 예를 들면, 플루오로카본, 광 흡수성을 가지고 있는 구조를 포함하는 반복 단위를 가지는 중합체, 무기물, 적외선 흡수성의 구조를 가지는 화합물, 적외선 흡수 물질, 반응성 폴리실세스퀴옥산, 또는 페놀 골격을 가지는 수지 성분을 함유하는 것을 들 수 있다. The composition for forming a separation layer, which is a material for forming a separation layer, includes, for example, fluorocarbon, a polymer having a repeating unit containing a light-absorbing structure, an inorganic material, a compound having an infrared-absorbing structure, and an infrared-absorbing structure. Examples include those containing a substance, reactive polysilsesquioxane, or a resin component having a phenol skeleton.

또한, 분리층 형성용 조성물은, 임의 성분으로서 필러, 가소제, 열 산발생제 성분, 광 산발생제 성분, 유기 용제 성분, 계면활성제, 증감제, 또는 지지 기체의 분리성을 향상할 수 있는 성분 등을 함유해도 된다.In addition, the composition for forming a separation layer may include, as optional components, a filler, a plasticizer, a thermal acid generator component, a photoacid generator component, an organic solvent component, a surfactant, a sensitizer, or a component that can improve the separation of the support gas. etc. may be included.

··플루오로카본··Fluorocarbon

분리층은, 플루오로카본을를 함유하고 있어도 된다. 플루오로카본에 의해서 구성되는 분리층은, 광을 흡수함으로써 변질하게 되어 있고, 그 결과, 광의 조사를 받기 전의 강도 또는 접착성을 잃는다. 따라서, 조그만한 외력을 가하는 (예를 들면, 지지체를 들어 올리는 등) 것에 의하여, 분리층이 파괴되고, 지지체와, 반도체 기판 또는 전자 디바이스를 쉽게 분리할 수 있다. 분리층을 구성하는 플루오로카본은는, 플라즈마 CVD법에 따라 적합하게 성막할 수 있다. The separation layer may contain fluorocarbon. The separation layer made of fluorocarbon deteriorates by absorbing light, and as a result, it loses its strength or adhesiveness before being irradiated with light. Therefore, by applying a small external force (for example, lifting the support), the separation layer is destroyed, and the support and the semiconductor substrate or electronic device can be easily separated. The fluorocarbon constituting the separation layer can be suitably formed into a film by the plasma CVD method.

플루오로카본은, 그 종류에 따라서 고유한 범위의 파장을 가지는 광을 흡수한다. 분리층에 이용한 플루오로카본이 흡수하는 범위의 파장의 광을 분리층에 조사하는 것에 의해, 플루오로카본을 적합하게 변질시킬 수 있다. 분리층에 있어서의 광의 흡수율은, 80% 이상인 것이 바람직하다. Fluorocarbon absorbs light with a unique range of wavelengths depending on its type. By irradiating the separation layer with light of a wavelength within the range absorbed by the fluorocarbon used in the separation layer, the fluorocarbon can be suitably modified. The light absorption rate of the separation layer is preferably 80% or more.

분리층에 조사하는 광으로서는, 플루오로카본이 흡수 가능한 파장에 따르고, 예를 들면, YAG 레이저, 루비 레이저, 유리 레이저, YVO4 레이저, LD 레이저, 파이버 레이저 등의 고체 레이저, 색소 레이저 등의 액체 레이저, CO2 레이저, 엑시머 레이저, Ar 레이저, He-Ne 레이저 등의 기체 레이저, 반도체 레이저, 자유전자 레이저 등의 레이저광, 또는 비레이저광을 적절히 이용하면 된다. 플루오로카본을 변질시킬 수 있는 파장으로서는, 예를 들면 600 nm 이하의 범위의 파장을 이용할 수 있다. The light irradiated to the separation layer depends on the wavelength that the fluorocarbon can absorb, for example, solid lasers such as YAG laser, ruby laser, glass laser, YVO 4 laser, LD laser, fiber laser, and liquid lasers such as dye laser. Laser light such as a laser, a gas laser such as a CO 2 laser, an excimer laser, an Ar laser, a He-Ne laser, a semiconductor laser, a free electron laser, or non-laser light may be appropriately used. As a wavelength that can deteriorate fluorocarbon, for example, a wavelength in the range of 600 nm or less can be used.

··광 흡수성을 가지고 있는 구조를 포함하는 반복 단위를 가지는 중합체··Polymer having a repeating unit containing a light-absorbing structure

분리층은, 광 흡수성을 가지고 있는 구조를 포함하는 반복 단위를 가지는 중합체를 함유하고 있어도 된다. 상기 중합체는, 광의 조사를 받아 변질한다. The separation layer may contain a polymer having a repeating unit containing a structure having light absorption properties. The polymer deteriorates when irradiated with light.

광 흡수성을 가지고 있는 구조는, 예를 들면, 치환 혹은 비치환의 벤젠환, 축합환 또는 복소환으로 이루어지는 공역 π전자계를 포함하는 원자단을 들 수 있다. 광 흡수성을 가지고 있는 구조는, 보다 구체적으로는, 카르도 구조, 또는 상기 중합체의 측쇄에 존재하는 벤조페논 구조, 디페닐 설폭시드 구조, 디페닐 설폰 구조(비스페닐 설폰 구조), 디페닐 구조 혹은 디페닐 아민 구조를 들 수 있다. Examples of structures that have light absorption include an atomic group containing a conjugated π electron system made of a substituted or unsubstituted benzene ring, condensed ring, or heterocycle. The structure having light absorption is more specifically, a cardo structure, or a benzophenone structure, diphenyl sulfoxide structure, diphenyl sulfone structure (bisphenyl sulfone structure), diphenyl structure, or A diphenyl amine structure may be mentioned.

상기의 광 흡수성을 가지고 있는 구조는, 그 종류에 따라서, 소망의 범위의 파장을 가지고 있는 광을 흡수할 수 있다. 예를 들면, 상기의 광 흡수성을 가지고 있는 구조가 흡수 가능한 광의 파장은, 100~2000 nm의 범위 내인 것이 바람직하고, 100~500 nm의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. The structure having the above-mentioned light absorption property can absorb light having a wavelength in a desired range, depending on its type. For example, the wavelength of light that can be absorbed by the structure having the light absorbing property described above is preferably within the range of 100 to 2000 nm, and more preferably within the range of 100 to 500 nm.

상기의 광 흡수성을 가지고 있는 구조가 흡수 가능한 광은, 예를 들면, 고압 수은 램프(파장 254 nm 이상, 436 nm 이하), KrF 엑시머 레이저(파장 248 nm), ArF 엑시머 레이저(파장 193 nm), F2 엑시머 레이저(파장 157 nm), XeCl 레이저(파장 308 nm), XeF 레이저(파장 351 nm) 혹은 고체 UV 레이저(파장 355 nm)로부터 발생되는 광, 또는 g선(파장 436 nm), h선(파장 405 nm) 혹은 i선(파장 365 nm) 등이다. Light that can be absorbed by the structure having the above light absorption properties includes, for example, a high-pressure mercury lamp (wavelength 254 nm or more, 436 nm or less), KrF excimer laser (wavelength 248 nm), ArF excimer laser (wavelength 193 nm), Light emitted from an F 2 excimer laser (wavelength 157 nm), XeCl laser (wavelength 308 nm), (wavelength 405 nm) or i-line (wavelength 365 nm).

··무기물··Inorganic matter

분리층은, 무기물로 이루어지는 것이어도 된다. 이 무기물은, 광을 흡수하는 것에 의해서 변질하는 것이면 되고, 예를 들면, 금속, 금속 화합물 및 카본으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종류 이상이 적합하게 들 수 있다. 금속 화합물이란, 금속 원자를 포함하는 화합물이며, 예를 들면 금속 산화물, 금속 질화물을 들 수 있다. The separation layer may be made of an inorganic material. This inorganic material may be any material that changes by absorbing light, and suitable examples include one or more types selected from the group consisting of metals, metal compounds, and carbon. A metal compound is a compound containing a metal atom, and examples include metal oxide and metal nitride.

이러한 무기물로서는, 금, 은, 구리, 철, 니켈, 알루미늄, 티탄, 크롬, SiO2, SiN, Si3N4, TiN, 및 카본으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종류 이상을 들 수 있다. Examples of such inorganic materials include one or more types selected from the group consisting of gold, silver, copper, iron, nickel, aluminum, titanium, chromium, SiO 2 , SiN, Si 3 N 4 , TiN, and carbon.

또한, 카본이란, 탄소의 동소체도 포함될 수 있는 개념이며, 예를 들면 다이아몬드, 풀러렌, 다이아몬드 라이크 카본, 카본 나노 튜브 등을 포함한다. Additionally, carbon is a concept that can also include allotropes of carbon, and includes, for example, diamond, fullerene, diamond-like carbon, and carbon nanotubes.

상기 무기물은, 그 종류에 따라서 고유한 범위의 파장을 가지는 광을 흡수한다. The inorganic material absorbs light having a unique range of wavelengths depending on its type.

무기물로 이루어지는 분리층에 조사하는 광으로서는, 상기 무기물이 흡수 가능한 파장에 따라서, 예를 들면, YAG 레이저, 루비 레이저, 유리 레이저, YVO4 레이저, LD 레이저, 파이버 레이저 등의 고체 레이저, 색소 레이저 등의 액체 레이저, CO2 레이저, 엑시머 레이저, Ar 레이저, He-Ne 레이저 등의 기체 레이저, 반도체 레이저, 자유전자 레이저 등의 레이저광, 또는 비레이저광을 적절히 이용하면 된다. As light irradiated to the separation layer made of an inorganic material, depending on the wavelength that the inorganic material can absorb, for example, solid lasers such as YAG laser, ruby laser, glass laser, YVO 4 laser, LD laser, fiber laser, dye laser, etc. Liquid laser, CO 2 laser, excimer laser, Ar laser, gas laser such as He-Ne laser, laser light such as semiconductor laser, free electron laser, or non-laser light may be appropriately used.

무기물로 이루어지는 분리층은, 예를 들면 스퍼터, 화학 증착(CVD), 도금, 플라즈마 CVD, 스핀 코트 등의 공지의 기술에 의해, 지지 기체 상에 형성될 수 있다. The separation layer made of an inorganic material can be formed on the support base by, for example, known techniques such as sputtering, chemical vapor deposition (CVD), plating, plasma CVD, and spin coating.

··적외선 흡수성의 구조를 가지는 화합물··Compound having an infrared absorbing structure

분리층은, 적외선 흡수성의 구조를 가지는 화합물을 함유하고 있어도 된다. 이, 적외선 흡수성의 구조를 가지는 화합물은, 적외선을 흡수하는 것에 의해 변질한다.The separation layer may contain a compound having an infrared absorbing structure. This compound having an infrared absorbing structure deteriorates by absorbing infrared rays.

적외선 흡수성을 가지고 있는 구조, 또는 이 구조를 가지는 화합물로서는, 예를 들면, 알칸, 알켄(비닐, 트랜스, 시스, 비닐리덴, 3치환, 4치환, 공역, 쿠물렌, 환식), 알킨(1치환, 2 치환), 단환식 방향족(벤젠, 1치환, 2치환, 3 치환), 알코올 혹은 페놀류(자유 OH, 분자 내 수소 결합, 분자간 수소 결합, 포화 제2급, 포화 제3급, 불포화 제2급, 불포화 제3급), 아세탈, 케탈, 지방족 에테르, 방향족 에테르, 비닐 에테르, 옥시란환 에테르, 과산화물 에테르, 케톤, 디알킬카르보닐, 방향족 카르보닐, 1,3-디케톤의 엔올, o-히드록시아릴 케톤, 디알킬 알데히드, 방향족 알데히드, 카르복시산(2량체, 카르복시산 음이온), 포름산 에스테르, 아세트산 에스테르, 공역 에스테르, 비공역 에스테르, 방향족 에스테르, 락톤(β-, γ-, δ-), 지방족 산염화물, 방향족 산염화물, 산무수물(공역, 비공역, 환식, 비환식), 제1급 아미드, 제2급 아미드, 락탐, 제1급 아민(지방족, 방향족), 제2급 아민(지방족, 방향족), 제3급 아민(지방족, 방향족), 제1급 아민염, 제2급 아민염, 제3급 아민염, 암모늄 이온, 지방족 니트릴, 방향족 니트릴, 카르보 디이미드, 지방족 이소니트릴, 방향족 이소니트릴, 이소시안산 에스테르, 티오시안산 에스테르, 지방족 이소티오시안산 에스테르, 방향족 이소티오시안산에스테르, 지방족 니트로 화합물, 방향족 니트로 화합물, 니트로 아민, 니트로소아민, 질산 에스테르, 아질산 에스테르, 니트로소 결합(지방족, 방향족, 단량체, 2량체), 메르캅탄 혹은 티오페놀 혹은 티올산 등의 황 화합물, 티오카르보닐기, 설폭시드, 설폰, 염화 설포닐, 제1급 설폰 아미드, 제2급 설폰 아미드, 황산 에스테르, 탄소-할로겐 결합, Si-A1 결합(A1은, H, C, O 또는 할로겐), P-A2 결합(A2는, H, C 또는 O) 또는 Ti-O 결합을 들 수 있다. Examples of structures with infrared absorption or compounds having this structure include alkanes, alkenes (vinyl, trans, cis, vinylidene, trisubstituted, tetrasubstituted, conjugated, cumulene, cyclic), and alkynes (monosubstituted). , 2-substituted), monocyclic aromatic (benzene, 1-substituted, 2-substituted, 3-substituted), alcohol or phenol (free OH, intramolecular hydrogen bond, intermolecular hydrogen bond, saturated secondary, saturated tertiary, unsaturated secondary grade, unsaturated tertiary), acetal, ketal, aliphatic ether, aromatic ether, vinyl ether, oxirane ring ether, peroxide ether, ketone, dialkylcarbonyl, aromatic carbonyl, enol of 1,3-diketone, o -Hydroxyaryl ketone, dialkyl aldehyde, aromatic aldehyde, carboxylic acid (dimer, carboxylic acid anion), formic acid ester, acetic acid ester, conjugated ester, non-conjugated ester, aromatic ester, lactone (β-, γ-, δ-), Aliphatic acid chlorides, aromatic acid chlorides, acid anhydrides (conjugated, non-conjugated, cyclic, acyclic), primary amides, secondary amides, lactams, primary amines (aliphatic, aromatic), secondary amines (aliphatic, aromatic) ), tertiary amine (aliphatic, aromatic), primary amine salt, secondary amine salt, tertiary amine salt, ammonium ion, aliphatic nitrile, aromatic nitrile, carbodiimide, aliphatic isonitrile, aromatic isonitrile Nitrile, isocyanate ester, thiocyanate ester, aliphatic isothiocyanate ester, aromatic isothiocyanate ester, aliphatic nitro compound, aromatic nitro compound, nitro amine, nitrosamine, nitric acid ester, nitrous acid ester, nitroso bond (aliphatic, aromatic, monomer, dimer), sulfur compounds such as mercaptan or thiophenol or thiolic acid, thiocarbonyl group, sulfoxide, sulfone, sulfonyl chloride, primary sulfonamide, secondary sulfonamide, sulfuric acid ester , carbon-halogen bond, Si-A 1 bond (A 1 is H, C, O or halogen), PA 2 bond (A 2 is H, C or O), or Ti-O bond.

상기의 탄소-할로겐 결합을 포함하는 구조로서는, 예를 들면 -CH2Cl, -CH2Br, -CH2I, -CF2-, -CF3, -CH=CF2, -CF=CF2, 플루오르화 아릴 또는 염화 아릴 등을 들 수 있다. Structures containing the above carbon-halogen bond include, for example, -CH 2 Cl, -CH 2 Br, -CH 2 I, -CF 2 -, -CF 3 , -CH=CF 2 , -CF=CF 2 , aryl fluoride, or aryl chloride.

상기의 Si-A1 결합을 포함하는 구조로서는, 예를 들면, SiH, SiH2, SiH3, Si-CH3, Si-CH2-, Si-C6H5, SiO-지방족, Si-OCH3, Si-OCH2CH3, Si-OC6H5, Si-O-Si, Si-OH, SiF, SiF2 또는 SiF3 등을 들 수 있다. Si-A1 결합을 포함하는 구조로서는, 특히, 실록산 골격 또는 실세스퀴옥산 골격을 형성하고 있는 것이 바람직하다. Structures containing the above Si-A 1 bond include, for example, SiH, SiH 2 , SiH 3 , Si-CH 3 , Si-CH 2 -, Si-C 6 H 5 , SiO-aliphatic, Si-OCH 3 , Si-OCH 2 CH 3 , Si-OC 6 H 5 , Si-O-Si, Si-OH, SiF, SiF 2 or SiF 3 , etc. As a structure containing a Si-A 1 bond, one forming a siloxane skeleton or silsesquioxane skeleton is particularly preferable.

상기의 P-A2 결합을 포함하는 구조로서는, 예를 들면, PH, PH2, P-CH3, P-CH2-, P-C6H5, A3 3-P-O(A3은 지방족기 또는 방향족기), (A4O)3-P-O(A4는 알킬기), P-OCH3, P-OCH2CH3, P-OC6H5, P-O-P, P-OH 또는 O=P-OH 등을 들 수 있다. Structures containing the above PA 2 bond include, for example, PH, PH 2 , P-CH 3 , P-CH 2 -, PC 6 H 5 , A 3 3 -PO (A 3 is an aliphatic group or an aromatic group ), (A 4 O) 3 -PO (A 4 is an alkyl group), P-OCH 3 , P-OCH 2 CH 3 , P-OC 6 H 5 , POP, P-OH or O=P-OH, etc. You can.

상기의 Ti-O 결합을 포함하는 화합물로서는, 예를 들면, (i) 테트라-i-프로폭시티탄, 테트라-n-부톡시티탄, 테트라키스(2-에틸헥실옥시) 티탄 또는 티타늄-i-프로폭시 옥틸렌글리콜레이트 등의 알콕시 티탄; (ii) 디-i-프로폭시·비스(아세틸아세토나트) 티탄 또는 프로판디옥시티탄 비스(에틸아세트아세테이트) 등의 킬레이트 티탄; (iii) i-C3H7O-[-Ti(O-i-C3H7)2-O-]n-i-C3H7 또는 n-C4H9O-[-Ti(O-n-C4H9)2-O-]n-n-C4H9 등의 티탄 폴리머; (iv) 트리-n-부톡시티탄 모노스테아레이트, 티타늄 스테아레이트, 디-i-프로폭시티탄 디이소스테아레이트 또는 (2-n-부톡시카르보닐벤조일옥시) 트리부톡시티탄 등의 아크릴레이트 티탄; (v) 디-n-부톡시·비스(트리에탄올아미나트) 티탄 등의 수용성 티탄 화합물 등을 들 수 있다. Examples of compounds containing the above Ti-O bond include (i) tetra-i-propoxytitanium, tetra-n-butoxytitanium, tetrakis(2-ethylhexyloxy)titanium, or titanium-i -Alkoxy titanium such as propoxy octylene glycolate; (ii) chelated titanium such as di-i-propoxy·bis(acetylacetonate) titanium or propanedioxytitanium bis(ethylacetoacetate); (iii) iC 3 H 7 O-[-Ti(OiC 3 H 7 ) 2 -O-] n -iC 3 H 7 or nC 4 H 9 O-[-Ti(OnC 4 H 9 ) 2 -O-] titanium polymers such as n -nC 4 H 9 ; (iv) Acrylates such as tri-n-butoxytitanium monostearate, titanium stearate, di-i-propoxytitanium diisostearate, or (2-n-butoxycarbonylbenzoyloxy)tributoxytitanium. titanium; (v) water-soluble titanium compounds such as di-n-butoxy·bis(triethanolaminate) titanium; and the like.

이들 중에서도, Ti-O 결합을 포함하는 화합물로서는, 디- n-부톡시·비스(트리에탄올아미나트) 티탄(Ti(OC4H9)2[OC2H4N(C2H4OH)2]2)가 바람직하다.Among these, compounds containing a Ti-O bond include di-n-butoxy·bis(triethanolaminate) titanium (Ti(OC 4 H 9 ) 2 [OC 2 H 4 N(C 2 H 4 OH) 2 ] 2 ) is preferable.

상기의 적외선 흡수성의 구조는, 그 종류의 선택에 의해서, 소망의 범위의 파장을 가지고 있는 적외선을 흡수할 수 있다. 구체적으로는, 상기의 적외선 흡수성의 구조가 흡수 가능한 적외선의 파장은, 예를 들면 1~20μm의 범위 내이며, 2~15μm의 범위 내를 보다 적합하게 흡수할 수 있다. The above infrared absorbing structure can absorb infrared rays having a wavelength in a desired range depending on the type selected. Specifically, the wavelength of infrared rays that can be absorbed by the above-mentioned infrared absorbing structure is, for example, within the range of 1 to 20 μm, and can more suitably absorb within the range of 2 to 15 μm.

추가로, 상기 구조가 Si-O 결합, Si-C 결합 또는 Ti-O 결합인 경우에는, 9~11μm의 범위 내가 바람직하다. Additionally, when the structure is a Si-O bond, Si-C bond, or Ti-O bond, the range is preferably within the range of 9 to 11 μm.

또한, 상기의 각 구조를 흡수할 수 있는 적외선의 파장은, 당업자이면 용이하게 이해할 수 있다. 예를 들면, 각 구조에 있어서의 흡수대(帶)로서, 비특허 문헌: SILVERSTEIN·BASSLER·MORRILL저 「유기 화합물의 스펙트럼에 의한 동정법(제5판)-MS, IR, NMR, UV의 병용-」(1992년 발행) 제146페이지로부터 제151페이지의 기재를 참조할 수 있다. Additionally, the wavelength of infrared rays that can be absorbed by each of the above structures can be easily understood by those skilled in the art. For example, as an absorption band in each structure, non-patent literature: SILVERSTEIN, BASSLER, and MORRILL, “Spectral identification of organic compounds (5th edition) - Combination use of MS, IR, NMR, and UV - 」(published in 1992) You can refer to the descriptions on pages 146 to 151.

분리층의 형성에 이용되는, 적외선 흡수성의 구조를 가지는 화합물로서는, 상술과 같은 구조를 가지고 있는 화합물 가운데, 도포를 위해서 용매에 용해할 수 있고, 고체화하여 고층을 형성할 수 있는 것이면, 특별히 한정되는 것은 아니다. 그렇지만, 분리층에 있어서의 화합물을 효과적으로 변질시켜, 지지 기체와 기판의 분리를 용이하게 하려면, 분리층에 있어서의 적외선의 흡수가 큰 것, 즉, 분리층에 적외선을 조사했을 때의 적외선의 투과율이 낮은 것이 바람직하다. 구체적으로는, 분리층에 있어서의 적외선의 투과율이 90%보다 낮은 것이 바람직하고, 적외선의 투과율이 80%보다 낮은 것이 보다 바람직하다. The compound having an infrared absorbing structure used to form the separation layer is a compound having the above-mentioned structure, and is specifically limited as long as it can be dissolved in a solvent for application and solidified to form a high layer. That is not the case. However, in order to effectively modify the compound in the separation layer and facilitate separation of the support base and the substrate, the absorption of infrared rays in the separation layer must be large, that is, the infrared transmittance when infrared rays are irradiated to the separation layer. This low value is desirable. Specifically, it is preferable that the infrared transmittance in the separation layer is lower than 90%, and it is more preferable that the infrared transmittance is lower than 80%.

··적외선 흡수 물질··Infrared absorbing material

분리층은, 적외선 흡수 물질을 함유하고 있어도 된다. 이 적외선 흡수 물질은, 광을 흡수하는 것에 의해서 변질하는 것이면 되고, 예를 들면, 카본 블랙, 철 입자, 또는 알루미늄 입자를 적합하게 이용할 수 있다. The separation layer may contain an infrared absorbing material. This infrared absorbing material can be any material that deteriorates by absorbing light, and for example, carbon black, iron particles, or aluminum particles can be suitably used.

적외선 흡수 물질은, 그 종류에 따라서 고유한 범위의 파장을 가지는 광을 흡수한다. 분리층에 이용한 적외선 흡수 물질이 흡수하는 범위의 파장의 광을 분리층에 조사하는 것에 의해, 적외선 흡수 물질을 적합하게 변질시킬 수 있다.Infrared absorbing materials absorb light with a unique range of wavelengths depending on their type. By irradiating the separation layer with light of a wavelength within the range absorbed by the infrared absorption material used in the separation layer, the infrared absorption material can be appropriately modified.

··반응성 폴리실세스퀴옥산··Reactive polysilsesquioxane

분리층은, 반응성 폴리실세스퀴옥산을 중합 시키는 것에 의해 형성할 수 있다. 이에 의해 형성되는 분리층은, 높은 내약품성과 높은 내열성을 갖추고 있다. The separation layer can be formed by polymerizing reactive polysilsesquioxane. The separation layer formed by this has high chemical resistance and high heat resistance.

「반응성 폴리실세스퀴옥산」이란, 폴리실세스퀴옥산 골격의 말단에 실란올기, 또는, 가수분해하는 것에 의해서 실란올기를 형성할 수 있는 관능기를 가지는 폴리실세스퀴옥산을 말한다. 당해 실란올기, 또는 실란올기를 형성할 수 있는 관능기를 축합하는 것에 의해서, 서로 중합할 수 있다. 또한, 반응성 폴리실세스퀴옥산은, 실란올기, 또는, 실란올기를 형성할 수 있는 관능기를 가지고 있으면, 랜덤 구조, 바구니형(籠型) 구조, 래더 구조 등의 실세스퀴옥산 골격을 갖추고 있는 반응성 폴리실세스퀴옥산을 채용할 수 있다. “Reactive polysilsesquioxane” refers to polysilsesquioxane having a silanol group at the end of the polysilsesquioxane skeleton or a functional group that can form a silanol group by hydrolysis. They can be polymerized with each other by condensing the silanol group or the functional group capable of forming a silanol group. In addition, if the reactive polysilsesquioxane has a silanol group or a functional group capable of forming a silanol group, it has a silsesquioxane skeleton such as a random structure, a basket-like structure, or a ladder structure. Reactive polysilsesquioxane can be employed.

반응성 폴리실세스퀴옥산의 실록산 함유량은, 70~99 몰%인 것이 바람직하고, 80~99 몰%인 것이 보다 바람직하다. The siloxane content of the reactive polysilsesquioxane is preferably 70 to 99 mol%, and more preferably 80 to 99 mol%.

반응성 폴리실세스퀴옥산의 실록산 함유량이, 상기의 바람직한 범위 내이면, 적외선(바람직하게는 원적외선, 보다 바람직하게는 파장 9~11μm의 광)을 조사하는 것에 의해서 적합하게 변질시킬 수 있는 분리층을 형성할 수 있다. If the siloxane content of the reactive polysilsesquioxane is within the above preferred range, a separation layer that can be suitably modified by irradiation with infrared rays (preferably far infrared rays, more preferably light with a wavelength of 9 to 11 μm) can be formed. can be formed.

반응성 폴리실세스퀴옥산의 중량 평균 분자량(Mw)은, 500~50000인 것이 바람직하고, 1000~10000인 것이 보다 바람직하다.The weight average molecular weight (Mw) of the reactive polysilsesquioxane is preferably 500 to 50,000, and more preferably 1,000 to 10,000.

반응성 폴리실세스퀴옥산의 중량 평균 분자량(Mw)이, 상기의 바람직한 범위 내이면, 용제에 적합하게 용해시킬 수 있어, 서포트 플레이트 상에 적합하게 도포할 수 있다.If the weight average molecular weight (Mw) of the reactive polysilsesquioxane is within the above preferred range, it can be suitably dissolved in a solvent and suitably applied on a support plate.

반응성 폴리실세스퀴옥산으로서 이용할 수 있는 시판품으로서는, 예를 들면, 코니시카가쿠 코교 카부시키가이샤 제의 SR-13, SR-21, SR-23 또는 SR-33(상품명) 등을 들 수 있다.Examples of commercial products that can be used as reactive polysilsesquioxane include SR-13, SR-21, SR-23, or SR-33 (brand name) manufactured by Konishi Chemical Corporation.

··페놀 골격을 가지는 수지 성분··Resin component having phenol skeleton

분리층은, 페놀 골격을 가지는 수지 성분을 함유하고 있어도 된다. 페놀 골격을 가짐으로써, 가열 등에 의해 용이하게 변질(산화 등)하여 광 반응성이 높아진다. The separation layer may contain a resin component having a phenol skeleton. By having a phenol skeleton, it is easily deteriorated (oxidized, etc.) by heating, etc., and photoreactivity increases.

여기서 말하는 「페놀 골격을 가진다」란, 히드록시벤젠 구조를 포함하고 있는 것을 의미한다. “Having a phenol skeleton” here means containing a hydroxybenzene structure.

페놀 골격을 가지는 수지 성분은, 막 형성능을 갖고, 바람직하게는 분자량이 1000 이상이다. 당해 수지 성분의 분자량이 1000 이상인 것에 의해, 막 형성능이 향상한다. 당해 수지 성분의 분자량은, 1000~30000이 보다 바람직하고, 1500~20000이 더욱 바람직하고, 2000~15000이 특히 바람직하다. 당해 수지 성분의 분자량이, 상기의 바람직한 범위의 상한치 이하인 것에 의해, 분리층 형성용 조성물의 용매에 대한 용해성을 높일 수 있다.The resin component having a phenol skeleton has film-forming ability, and preferably has a molecular weight of 1000 or more. When the molecular weight of the resin component is 1000 or more, the film forming ability is improved. The molecular weight of the resin component is more preferably 1,000 to 30,000, more preferably 1,500 to 20,000, and particularly preferably 2,000 to 15,000. When the molecular weight of the resin component is below the upper limit of the above preferred range, the solubility of the composition for forming a separation layer in a solvent can be increased.

또한, 수지 성분의 분자량으로서는, GPC(겔 퍼미에이션 크로마토그래피)에 의한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(Mw)을 이용하는 것으로 한다. In addition, as the molecular weight of the resin component, the weight average molecular weight (Mw) calculated in terms of polystyrene by GPC (gel permeation chromatography) is used.

페놀 골격을 가지는 수지 성분으로서는, 예를 들면 노볼락형 페놀 수지, 레조르형 페놀 수지, 히드록시스티렌 수지, 히드록시페닐실세스퀴옥산 수지, 히드록시벤질실세스퀴옥산 수지, 페놀 골격 함유 아크릴 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 노볼락형 페놀 수지, 레조르형 페놀 수지가 보다 바람직하다. Resin components having a phenol skeleton include, for example, novolak-type phenol resin, resol-type phenol resin, hydroxystyrene resin, hydroxyphenyl silsesquioxane resin, hydroxybenzyl silsesquioxane resin, and phenol skeleton-containing acrylic resin. etc. can be mentioned. Among these, novolak-type phenol resin and resorc-type phenol resin are more preferable.

<접착층><Adhesive layer>

접착층은, 반도체 기판 또는 전자 디바이스를, 지지체에 가접착하기 위해서 마련된다. 접착층은, 상기 제1의 실시 형태에 따른 접착제 조성물의 경화체이다. 보다 구체적으로는, 접착층은, 상기 제 1의 실시 형태에 따른 접착제 조성물 중의 (P1) 성분 및 (M1) 성분이, 중합성 탄소-탄소 이중 결합에 의해 중합하여 가교하는 것에 의해 형성된다. (P1) 성분 및 (M1) 성분의 중합 반응은, 접착제 조성물의 가열에 의해 수행할 수 있다. 접착층의 두께는, 예를 들면 1μm 이상, 200μm 이하의 범위 내인 것이 바람직하고, 5μm 이상, 150μm 이하의 범위 내인 것이 보다 바람직하다.The adhesive layer is provided to temporarily adhere the semiconductor substrate or electronic device to the support. The adhesive layer is a cured body of the adhesive composition according to the first embodiment. More specifically, the adhesive layer is formed by polymerizing and crosslinking the (P1) component and (M1) component in the adhesive composition according to the first embodiment above by polymerizable carbon-carbon double bonds. The polymerization reaction of component (P1) and component (M1) can be performed by heating the adhesive composition. The thickness of the adhesive layer is preferably, for example, 1 μm or more and 200 μm or less, and more preferably 5 μm or more and 150 μm or less.

접착층은, 상술한 대로, 접착제 조성물의 경화체이지만, 이 접착층을 구성하는 재료(경화체)는 다음의 특성을 만족시키는 것이 바람직하다. As described above, the adhesive layer is a cured body of the adhesive composition. However, the material (cured body) constituting this adhesive layer preferably satisfies the following characteristics.

즉, 이하의 조건에서 경화체의 복소 탄성률을 측정했을 때에, 200℃에 있어서의 복소 탄성률이, 1.0Х106 Pa 이상인 것이 바람직하고, 5.0Х106 Pa 이상인 것이 보다 바람직하고, 1.0Х107 Pa 이상인 것이 더욱 바람직하다. 200℃에 있어서의 복소 탄성률의 상한치로서는, 예를 들어 1.0Х1010 Pa 이하이다. That is, when the complex elastic modulus of the cured body is measured under the following conditions, the complex elastic modulus at 200°C is preferably 1.0Х10 6 Pa or more, more preferably 5.0Х10 6 Pa or more, and even more preferably 1.0Х10 7 Pa or more. desirable. The upper limit of the complex elastic modulus at 200°C is, for example, 1.0Х10 10 Pa or less.

또한, 이하의 조건에서 경화체의 복소 탄성률을 측정했을 때에, 250℃에 있어서의 복소 탄성률이 5.0Х106 Pa 이상인 것이 바람직하고, 1.0Х107 Pa 이상인 것이 보다 바람직하다. 250℃에 있어서의 복소 탄성률의 상한치로서는, 예를 들어 1.0Х1010 Pa 이하이다.Additionally, when the complex elastic modulus of the cured body is measured under the following conditions, the complex elastic modulus at 250°C is preferably 5.0Х10 6 Pa or more, and more preferably 1.0 Х10 7 Pa or more. The upper limit of the complex elastic modulus at 250°C is, for example, 1.0Х10 10 Pa or less.

경화체의 복소 탄성률은, 동적 점탄성 측정 장치 Rheogel-E4000(UBM 가부시키가이샤 제)를 이용하여 측정할 수 있다. 구체적으로, 접착제 조성물에 대해서, 이형제 부착의 PET 필름 상에 도포하고, 질소 분위기 하의 오븐에 의해서, 180℃에서 1시간 가열하여 두께 50μm의 시험편을 형성하고, 그 후, PET 필름으로부터 벗긴 시험편(사이즈 5 mmХ40 mm, 두께 50μm)에 대해서, 상술의 측정 장치를 이용하여 측정할 수 있다. 측정 조건은, 주파수 1Hz의 인장 조건에 있어서, 개시 온도 50℃에서 300℃까지, 승온 속도 5℃/분으로 승온하는 조건을 채용하면 된다. The complex elastic modulus of the cured body can be measured using a dynamic viscoelasticity measuring device Rheogel-E4000 (manufactured by UBM Corporation). Specifically, the adhesive composition was applied on a PET film with a release agent, heated at 180°C for 1 hour in an oven under a nitrogen atmosphere to form a test piece with a thickness of 50 μm, and then peeled off from the PET film (size 5 mmХ40 mm, thickness 50 μm) can be measured using the above-mentioned measuring device. The measurement conditions may be tensile conditions with a frequency of 1 Hz and a temperature increase from an initial temperature of 50°C to 300°C at a temperature increase rate of 5°C/min.

<반도체 기판 또는 전자 디바이스><Semiconductor substrate or electronic device>

반도체 기판 또는 전자 디바이스는, 접착층을 통해서 지지체에 가접착된다. The semiconductor substrate or electronic device is temporarily bonded to the support through an adhesive layer.

≪반도체 기판≫≪Semiconductor substrate≫

반도체 기판으로서는, 특별히 제한은 없고, 상기 「(접착제 조성물)」에서 예시한 것과 마찬가지의 것이 예시된다. 반도체 기판은, 반도체 소자 또는 그 외 소자이어도 되고, 단층 또는 복수층의 구조를 가질 수 있다. There is no particular limitation on the semiconductor substrate, and examples thereof include those similar to those exemplified in “(Adhesive Composition)” above. The semiconductor substrate may be a semiconductor element or another element, and may have a single-layer or multi-layer structure.

≪전자 디바이스≫≪Electronic device≫

전자 디바이스로서는, 특별히 제한은 없고, 상기 「(접착제 조성물)」에서 예시한 것과 마찬가지의 것이 예시된다. 전자 디바이스는, 금속 또는 반도체에 의해 구성되는 부재와 상기 부재를 봉지 또는 절연하는 수지와의 복합체인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 전자 디바이스는, 봉지재층 및 배선층의 적어도 한쪽을 포함하고, 추가로 반도체 기판을 포함할 수 있다. There is no particular limitation on the electronic device, and examples thereof include those similar to those exemplified in “(Adhesive Composition)” above. The electronic device is preferably a composite of a member made of metal or semiconductor and a resin that seals or insulates the member. Specifically, the electronic device may include at least one of an encapsulating material layer and a wiring layer, and may further include a semiconductor substrate.

도 2에 나타내는 적층체(200)에서는, 전자 디바이스(456)는, 반도체 기판(4)과 봉지재층(5), 및 배선층(6)에 의해 구성되어 있다. 도 3에 나타내는 적층체(300)에서는, 전자 디바이스(6)은, 배선층(6)에 의해 구성되어 있다. 도 4에 나타내는 적층체(400)에서는, 전자 디바이스(645)는, 배선층(6), 반도체 기판(4) 및 봉지재층(5)에 의해 구성되어 있다. In the laminate 200 shown in FIG. 2, the electronic device 456 is comprised of a semiconductor substrate 4, an encapsulating material layer 5, and a wiring layer 6. In the laminate 300 shown in FIG. 3 , the electronic device 6 is comprised of a wiring layer 6 . In the laminate 400 shown in FIG. 4 , the electronic device 645 is comprised of a wiring layer 6, a semiconductor substrate 4, and an encapsulating material layer 5.

[봉지재층][Encapsulation material layer]

봉지재층은, 반도체 기판을 봉지하기 위해서 마련되는 것이고, 봉지재를 이용하여 형성된다. 봉지재로는, 금속 또는 반도체에 의해 구성되는 부재를 절연 또는 봉지 가능한 부재가 이용된다. The sealing material layer is provided to seal the semiconductor substrate, and is formed using a sealing material. As the sealing material, a member capable of insulating or sealing a member made of metal or semiconductor is used.

봉지재로서는, 예를 들면, 수지 조성물을 이용할 수 있다. 봉지재층(5)은, 개개의 반도체 기판(4)마다 마련되어 있는 것이 아니고, 접착층(3) 상의 반도체 기판(4) 전부를 덮도록 마련되어 있는 것이 바람직하다. 봉지재에 이용되는 수지는, 금속 또는 반도체를 봉지 및/또는 절연 가능한 것이면, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 에폭시계 수지 또는 실리콘계 수지 등을 들 수 있다. As a sealing material, for example, a resin composition can be used. It is preferable that the encapsulant layer 5 is not provided for each individual semiconductor substrate 4, but is provided so as to cover the entire semiconductor substrate 4 on the adhesive layer 3. The resin used for the sealing material is not particularly limited as long as it can seal and/or insulate a metal or semiconductor, but examples include epoxy resin or silicone resin.

봉지재는, 수지 외, 필러 등의 다른 성분을 포함하고 있어도 된다. 필러로서는, 예를 들면, 구상 실리카 입자 등을 들 수 있다. The encapsulating material may contain other components such as fillers in addition to the resin. Examples of fillers include spherical silica particles.

≪배선층≫≪Wiring layer≫

배선층은, RDL(Redistribution Layer: 재배선층)라고도 불리고, 기판에 접속하는 배선을 구성하는 박막의 배선체이며, 단층 또는 복수층의 구조를 가질 수 있다. 배선층은, 유전체(산화 실리콘(SiOx), 감광성 에폭시 등의 감광성 수지 등)의 사이에 도전체(예를 들면, 알루미늄, 구리, 티탄, 니켈, 금 및 은 등의 금속 및 은-주석 합금 등의 합금)에 의해서 배선이 형성된 것일 수 있지만, 이것으로 한정되지 않는다. The wiring layer, also called RDL (Redistribution Layer), is a thin film wiring body that constitutes wiring connected to the substrate, and may have a single-layer or multi-layer structure. The wiring layer is a conductor (for example, metals such as aluminum, copper, titanium, nickel, gold and silver, and silver-tin alloy) between a dielectric (photosensitive resin such as silicon oxide (SiO x ), photosensitive epoxy, etc.). The wiring may be formed by an alloy of, but is not limited to this.

덧붙여, 도 1~도 4의 적층체에서는, 지지 기체(1)와 분리층(2)이 인접하고 있지만, 이것으로 한정되지 않고, 지지 기체(1)와 분리층(2)의 사이에 다른 층이 추가로 형성되어 있어도 된다. 이 경우, 다른 층은, 광을 투과하는 재료로 구성되어 있으면 된다. 이것에 의하면, 분리층(2)에의 광의 입사를 방해하는 것 없이, 적층체(100~400)에 바람직한 성질 등을 부여하는 층을 적절히 추가할 수 있다. 분리층(2)을 구성하고 있는 재료의 종류에 의해서, 이용할 수 있는 광의 파장이 상 이하다. 따라서, 다른 층을 구성하는 재료는, 모든 파장의 광을 투과시킬 필요는 없고, 분리층(2)을 구성하는 재료를 변질시킬 수 있는 파장의 광을 투과하는 재료로부터 적절히 선택할 수 있다.In addition, in the laminate of FIGS. 1 to 4, the support base 1 and the separation layer 2 are adjacent to each other, but this is not limited to this, and another layer is present between the support base 1 and the separation layer 2. This addition may be formed. In this case, the other layer may be composed of a material that transmits light. According to this, it is possible to appropriately add a layer that provides desirable properties, etc. to the laminates 100 to 400 without interfering with the incidence of light into the separation layer 2. Depending on the type of material constituting the separation layer 2, the wavelength of light that can be used is different. Accordingly, the materials constituting the other layers do not need to transmit light of all wavelengths, but can be appropriately selected from materials that transmit light of a wavelength that may deteriorate the material constituting the separation layer 2.

(적층체의 제조 방법(1))(Method for manufacturing laminate (1))

본 발명의 제3의 태양에 따른 적층체의 제조 방법은, 지지체, 접착층 및 반도체 기판이 이 순서로 적층한 적층체의 제조 방법으로서, 상기 지지체 또는 반도체 기판에, 제1의 태양에 따른 접착제 조성물을 도포하여 접착제 조성물층을 형성하는 공정(이하, 「접착제 조성물층 형성 공정」이라고도 말한다)과, 상기 지지체 상에, 상기 반도체 기판을, 상기 접착제 조성물층을 통해서 재치하는 공정(이하, 「반도체 기판 재치 공정」이라고도 말한다)과, 상기 우레탄 수지의 중합 반응에 의해, 상기 접착제 조성물층을 경화시켜 상기 접착층을 형성하는 공정(이하, 「접착층 형성 공정」이라고도 말한다)을 가지는 것을 특징으로 한다. The method for manufacturing a laminate according to the third aspect of the present invention is a method for manufacturing a laminate in which a support, an adhesive layer, and a semiconductor substrate are laminated in this order, wherein the adhesive composition according to the first aspect is applied to the support or the semiconductor substrate. A process of applying an adhesive composition layer (hereinafter also referred to as “adhesive composition layer forming process”), and a process of placing the semiconductor substrate on the support through the adhesive composition layer (hereinafter referred to as “semiconductor substrate”) It is characterized by having a step of curing the adhesive composition layer through a polymerization reaction of the urethane resin to form the adhesive layer (hereinafter also referred to as the “adhesive layer forming step”).

도 5~6은, 본 실시 형태에 따른 적층체의 제조 방법의 일 실시 형태를 설명하는 개략 공정도이다.5 to 6 are schematic process diagrams explaining one embodiment of the method for manufacturing a laminated body according to the present embodiment.

도 5(a)~(c)는, 지지체(1), 접착제 조성물층(3'), 및 반도체 기판(4)이 이 순서로 적층한 적층체(100')의 제조 공정을 설명하는 도면이다. 도 5(a)는, 지지체(12)를 나타내는 도면이다. 지지체(12)는, 지지 기체(1)및 분리층(2)으로 구성되어 있다. 도 5(b)는, 접착제 조성물층 형성 공정을 설명하는 도면이다. 도 5(c)는, 반도체 기판 재치 공정을 설명하는 도면이다. 5(a) to 5(c) are diagrams illustrating the manufacturing process of the laminate 100' in which the support 1, the adhesive composition layer 3', and the semiconductor substrate 4 are laminated in this order. . FIG. 5(a) is a diagram showing the support body 12. The support body 12 is composed of a support base 1 and a separation layer 2. FIG. 5(b) is a diagram explaining the adhesive composition layer forming process. Fig. 5(c) is a diagram explaining the semiconductor substrate mounting process.

도 6은, 접착층 형성 공정을 설명하는 도면이다. 적층체(100')에 있어서의 접착제 조성물층(3')을 열경화시켜 접착층(3)을 형성하여, 적층체(100)를 얻고 있다. Figure 6 is a diagram explaining the adhesive layer forming process. The adhesive composition layer 3' in the laminate 100' is thermoset to form the adhesive layer 3, and the laminate 100 is obtained.

[접착제 조성물층 형성 공정][Adhesive composition layer formation process]

본 실시 형태에 따른 적층체의 제조 방법은, 접착제 조성물층 형성 공정을 포함한다. 접착제 조성물층 형성 공정은, 지지체 또는 반도체 기판에, 접착제 조성물을 도포하여 접착제 조성물층을 형성하는 공정이다. 지지체가 분리층을 가지는 경우에는, 접착제 조성물층은, 지지체에 있어서 분리층을 가지는 측의 면에 형성된다.The method for manufacturing a laminate according to this embodiment includes an adhesive composition layer forming step. The adhesive composition layer forming process is a process of forming an adhesive composition layer by applying an adhesive composition to a support or semiconductor substrate. When the support has a separation layer, the adhesive composition layer is formed on the side of the support having the separation layer.

도 5(b)에서는, 지지체(12)의 분리층(2) 측의 면에, 접착제 조성물을 이용하여 접착제 조성물층(3')을 형성하고 있다.In Fig. 5(b), an adhesive composition layer 3' is formed on the surface of the support 12 on the side of the separation layer 2 using an adhesive composition.

지지체(12) 상에의 접착제 조성물층(3')의 형성 방법은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 스핀 코트, 디핑, 롤러 블레이드, 스프레이 도포, 슬릿 도포 등의 방법을 들 수 있다.The method of forming the adhesive composition layer 3' on the support 12 is not particularly limited, but examples include spin coating, dipping, roller blade, spray coating, and slit coating.

접착제 조성물층은, 마찬가지의 방법으로, 반도체 기판(4)에 형성되어도 된다.The adhesive composition layer may be formed on the semiconductor substrate 4 by a similar method.

접착제 조성물층 형성 후, 베이크 처리를 수행해도 된다. 베이크 온도 조건은, 후술하는 접착층 형성 공정에 있어서의 가열 온도보다도 낮은 온도로 한다. 베이크 조건으로서는, 접착제 조성물이 함유하는 (P1) 성분의 종류에 의해 변화할 수 있지만, 예를 들면, 70~100℃의 온도 조건에서, 1~10분 등을 들 수 있다.After forming the adhesive composition layer, a bake treatment may be performed. The bake temperature condition is set to a temperature lower than the heating temperature in the adhesive layer forming process described later. Bake conditions may vary depending on the type of component (P1) contained in the adhesive composition, but examples include 1 to 10 minutes under temperature conditions of 70 to 100°C.

[반도체 기판 재치 공정][Semiconductor substrate placement process]

본 실시 형태에 따른 적층체의 제조 방법은, 반도체 기판 재치 공정을 포함한다. 반도체 기판 재치 공정은, 지지체 상에, 반도체 기판을, 접착제 조성물층을 통해서, 재치하는 공정이다. 이것에 의해, 적층체(100')를 얻을 수 있다. The method for manufacturing a laminate according to this embodiment includes a semiconductor substrate placing process. The semiconductor substrate placing process is a process of placing a semiconductor substrate on a support through an adhesive composition layer. As a result, the laminate 100' can be obtained.

도 5(c)에서는, 지지체(12) 상에 형성된 접착제 조성물층(3')을 통해서, 반도체 기판(4)이, 지지체(12)에 재치되어 있다. In FIG. 5(c), the semiconductor substrate 4 is placed on the support 12 through the adhesive composition layer 3' formed on the support 12.

접착제 조성물층(3')을 통해서, 지지체(12) 상에 반도체 기판(4)를 재치하는 방법은, 특별히 한정되지 않고, 반도체 기판을 소정 위치에 배치하는 방법으로서 일반적으로 이용되는 방법을 채용할 수 있다. The method of placing the semiconductor substrate 4 on the support 12 through the adhesive composition layer 3' is not particularly limited, and a method generally used as a method of placing the semiconductor substrate at a predetermined position may be adopted. You can.

[접착층 형성 공정][Adhesive layer formation process]

본 실시 형태에 따른 적층체의 제조 방법은, 접착층 형성 공정을 포함한다. 접착층 형성 공정은, 접착제 조성물층을 경화시켜 접착층을 형성하는 공정이다. 이것에 의해, 적층체(100)를 얻을 수 있다.The manufacturing method of the laminated body according to this embodiment includes an adhesive layer forming process. The adhesive layer forming process is a process of curing the adhesive composition layer to form an adhesive layer. As a result, the laminate 100 can be obtained.

도 6에서는, 접착제 조성물층(3')의 경화에 의해 접착층(3)이 형성되어 있다. In Fig. 6, the adhesive layer 3 is formed by curing the adhesive composition layer 3'.

접착제 조성물층의 경화 반응은, (P1) 성분이 포함하는 중합성 탄소-탄소 이중 결합의 종류에 따라서, 적절한 방법을 선택하여 진행시킬 수 있다. 예를 들면, (P1) 성분이 메타크릴로일기 또는 아크릴로일기를 포함하는 경우, (P1) 성분 및 (M1) 성분의 중합 반응은, 가열에 의해 진행시킬 수 있다.The curing reaction of the adhesive composition layer can be carried out by selecting an appropriate method depending on the type of polymerizable carbon-carbon double bond contained in the component (P1). For example, when the (P1) component contains a methacryloyl group or an acryloyl group, the polymerization reaction of the (P1) component and the (M1) component can be advanced by heating.

가열 온도로서는, 예를 들면, 80~350℃, 100~300℃, 130~300℃, 또는 150~300℃ 등을 들 수 있다.Examples of the heating temperature include 80 to 350°C, 100 to 300°C, 130 to 300°C, or 150 to 300°C.

가열 시간은, (P1) 성분 및 (M1) 성분이 중합하여 경화하는데 충분한 시간이면 특별히 한정되지 않는다. 가열 시간으로서는, 예를 들면, 30~180분이 바람직하고, 45~120분이 보다 바람직하고, 또는 60~120분이 더욱 바람직하다. 상기 경화 반응은, 예를 들면, 질소 분위기 하에서 수행할 수 있다. The heating time is not particularly limited as long as it is sufficient for the (P1) component and (M1) component to polymerize and harden. As a heating time, for example, 30 to 180 minutes is preferable, 45 to 120 minutes is more preferable, or 60 to 120 minutes is still more preferable. The curing reaction can be performed, for example, under a nitrogen atmosphere.

본 공정도에 의해, 접착제 조성물층(3') 중의 (P1) 성분 및 (M1) 성분이 가교하고 경화하여, 접착제 조성물층(3')의 경화체인 접착층(3)이 형성된다. 이것에 의해, 지지체(12)와 반도체 기판(4)가 가접착된다. 그 결과, 적층체(100)를 얻을 수 있다. According to this process chart, the (P1) component and the (M1) component in the adhesive composition layer 3' are crosslinked and cured, and the adhesive layer 3, which is a cured product of the adhesive composition layer 3', is formed. As a result, the support 12 and the semiconductor substrate 4 are temporarily bonded. As a result, the laminate 100 can be obtained.

[임의 공정][Random process]

본 실시 형태에 따른 적층체의 제조 방법은, 상기 공정에 더하여, 다른 공정을 포함하고 있어도 된다. 다른 공정으로서는, 예를 들면, 분리층 형성 공정, 및 각종 기계적 또는 화학적인 처리(그라인딩이나 화학 기계 연마(CMP) 등의 박막화 처리, 화학 기상 성장(CVD)이나 물리 기상 성장(PVD) 등의 고온·진공 하에서의 처리, 유기 용제, 산성 처리액이나 염기성 처리액 등의 약품을 이용한 처리, 도금 처리, 활성 광 선의 조사, 가열·냉각 처리 등) 등을 들 수 있다.The method for manufacturing a laminated body according to the present embodiment may include other processes in addition to the above processes. Other processes include, for example, a separation layer formation process and various mechanical or chemical treatments (thinning treatments such as grinding and chemical mechanical polishing (CMP), high temperature treatment such as chemical vapor deposition (CVD) and physical vapor deposition (PVD). · Treatment under vacuum, treatment using organic solvents, chemicals such as acid treatment liquid or basic treatment liquid, plating treatment, irradiation of actinic light, heating/cooling treatment, etc.).

·분리층 형성 공정·Separation layer formation process

지지체가 분리층을 포함하는 경우, 본 실시 형태에 따른 적층체의 제조 방법은, 분리층 형성 공정을 포함하고 있어도 된다. 분리층 형성 공정은, 지지 기체 상의 한쪽에, 분리층 형성용 조성물을 이용하여 분리층을 형성하는 공정이다. When the support includes a separation layer, the method for manufacturing a laminate according to this embodiment may include a separation layer forming step. The separation layer forming process is a process of forming a separation layer on one side of the support base using a composition for forming a separation layer.

도 5(a)에서는, 지지 기체(1) 상에, 분리층 형성용 조성물(플루오로카본을 함유하는 것)을 이용하는 것에 의해 분리층(2)이 형성되어 있다(즉, 분리층 부착 지지 기체가 제작되고 있다). In FIG. 5(a), the separation layer 2 is formed on the support base 1 by using a composition for forming a separation layer (containing fluorocarbon) (i.e., the support base with a separation layer is being produced).

지지 기체(1) 상에의 분리층(2)의 형성 방법은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 스핀 코트, 디핑, 롤러 블레이드, 스프레이 도포, 슬릿 도포, 화학 기상 성장(CVD) 등의 방법을 들 수 있다. The method of forming the separation layer 2 on the support substrate 1 is not particularly limited, but includes, for example, spin coating, dipping, roller blade, spray coating, slit coating, chemical vapor deposition (CVD), etc. can be mentioned.

예를 들면, 분리층 형성 공정에서는, 가열 환경하 혹은 감압 환경하, 지지 기체(1) 상에 도포된 분리층 형성용 조성물의 도공층으로부터 용제 성분을 제거하여 성막한다, 또는, 지지 기체(1) 상에, 증착법에 의해 성막함으로써, 지지체(12)를 얻을 수 있다.For example, in the separation layer formation process, the solvent component is removed from the coating layer of the composition for forming a separation layer applied on the support base 1 under a heating environment or a reduced pressure environment to form a film, or the support base 1 ), the support 12 can be obtained by forming a film on it by a vapor deposition method.

(적층체의 제조 방법(2))(Method for manufacturing laminate (2))

본 발명의 제4의 태양에 따른 적층체의 제조 방법은, 상기 제3의 태양에 따른 적층체의 제조 방법에 의해 적층체를 얻은 후, 금속 또는 반도체에 의해 구성되는 부재와 상기 부재를 봉지 또는 절연하는 수지와의 복합체인, 전자 디바이스를 형성하는 전자 디바이스 형성 공정을 추가로 가지는 것을 특징으로 한다. The method for manufacturing a laminate according to the fourth aspect of the present invention is to obtain a laminate by the method for manufacturing a laminate according to the third aspect, and then sealing the member with a member made of a metal or semiconductor, or It is characterized by additionally having an electronic device forming process to form an electronic device that is a composite with an insulating resin.

본 실시 형태의 적층체의 제조 방법에 의해 얻을 수 있는 적층체는, 지지체, 접착층 및 전자 디바이스가 이 순서로 적층한 적층체이다. 당해 적층체는, 상기 제3의 태양에 따른 적층체의 제조 방법에 의해 얻어진 적층체에 대해서, 전자 디바이스 형성 공정을 수행하는 것에 의해, 얻을 수 있다. The laminate obtained by the laminate manufacturing method of the present embodiment is a laminate in which a support, an adhesive layer, and an electronic device are laminated in this order. The laminate can be obtained by performing an electronic device formation process on the laminate obtained by the method for manufacturing a laminate according to the third aspect.

[전자 디바이스 형성 공정][Electronic device formation process]

본 실시 형태에 따른 적층체의 제조 방법은, 전자 디바이스 형성 공정을 포함한다. 전자 디바이스 형성 공정은, 금속 또는 반도체에 의해 구성되는 부재와 상기 부재를 봉지 또는 절연하는 수지와의 복합체인, 전자 디바이스를 형성하는 공정이다. The method for manufacturing a laminate according to this embodiment includes an electronic device forming process. The electronic device formation process is a process of forming an electronic device that is a composite of a member made of metal or a semiconductor and a resin that encapsulates or insulates the member.

전자 디바이스 형성 공정은, 봉지 공정, 연삭 공정, 배선층 형성 공정의 어느 하나를 포함할 수 있다. 일 실시 태양에 있어서, 전자 디바이스 형성 공정은, 기판 고정 공정 및 봉지 공정을 포함한다. 이 경우, 전자 디바이스 형성 공정은, 추가로, 연삭 공정 및 배선층 형성 공정을 포함하고 있어도 된다. The electronic device formation process may include any one of an encapsulation process, a grinding process, and a wiring layer formation process. In one embodiment, the electronic device forming process includes a substrate fixing process and an encapsulation process. In this case, the electronic device formation process may further include a grinding process and a wiring layer formation process.

·봉지 공정에 대하여·About the encapsulation process

봉지 공정은, 지지체 상에 고정된 기판을, 봉지재를 이용하여 봉지하는 공정이다. The encapsulation process is a process of sealing the substrate fixed on the support using a sealing material.

도 7(a)에서는, 접착층(3)을 통해서 지지체(12)에 가접착된 반도체 기판(4)의 전체가, 봉지재층(5)에 의해 봉지된 적층체(110)가 얻어지고 있다. In Fig. 7(a), a laminate 110 is obtained in which the entire semiconductor substrate 4 temporarily bonded to the support 12 through the adhesive layer 3 is sealed by the encapsulating material layer 5.

봉지 공정에 있어서는, 예를 들면 130~170℃로 가열된 봉지재가, 고점도의 상태를 유지하면서, 반도체 기판(4)를 덮도록, 접착층(3) 상에 공급되고, 압축 성형되는 것에 의해서, 접착층(3) 상에 봉지재층(5)이 마련된 적층체(110)가 제작된다.In the encapsulation process, for example, an encapsulant heated to 130 to 170°C is supplied onto the adhesive layer 3 so as to cover the semiconductor substrate 4 while maintaining a high viscosity, and is compressed to form the adhesive layer. (3) A laminate 110 with the encapsulant layer 5 provided thereon is manufactured.

그 때, 온도 조건은, 예를 들면 130~170℃이다. At that time, the temperature conditions are, for example, 130 to 170°C.

반도체 기판(4)에 가해지는 압력은, 예를 들면 50~500 N/cm2이다. The pressure applied to the semiconductor substrate 4 is, for example, 50 to 500 N/cm 2 .

봉지재층(5)은, 개개의 반도체 기판(4)마다 마련되어 있는 것이 아니고, 접착층(3) 상의 반도체 기판(4) 전부를 덮도록 마련되어 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the encapsulant layer 5 is not provided for each individual semiconductor substrate 4, but is provided so as to cover the entire semiconductor substrate 4 on the adhesive layer 3.

·연삭 공정에 대하여·About the grinding process

연삭 공정은, 상기 봉지 공정의 후, 봉지체에 있어서의 봉지재 부분(봉지재층(5))을, 반도체 기판의 일부가 노출하도록 연삭하는 공정이다. The grinding process is a process of grinding the sealing material portion (sealing material layer 5) in the sealing body after the above-mentioned sealing process so that a part of the semiconductor substrate is exposed.

봉지재 부분의 연삭은, 예를 들면 도 7(b)에 나타내는 바와 같이, 봉지재층(5)을, 반도체 기판(4)과 거의 동등의 두께가 될 때까지 깎는 것에 의해 수행한다.Grinding of the encapsulating material portion is performed by grinding the encapsulating material layer 5 until it has a thickness substantially equal to that of the semiconductor substrate 4, as shown in Fig. 7(b), for example.

·배선층 형성 공정에 대하여·About the wiring layer formation process

배선층 형성 공정은, 상기 연삭 공정의 후, 상기의 노출한 반도체 기판 상에 배선층을 형성하는 공정이다. The wiring layer forming process is a process of forming a wiring layer on the exposed semiconductor substrate after the grinding process.

도 7(c)에서는, 반도체 기판(4) 및 봉지재층(5) 상에, 배선층(6)이 형성되어 있다. 이것에 의해, 적층체(120)를 얻을 수 있다. 적층체(120)에 있어서, 반도체 기판(4), 봉지재층(5) 및 배선층(6)은, 전자 디바이스(456)를 구성한다. In Fig. 7(c), a wiring layer 6 is formed on the semiconductor substrate 4 and the encapsulating material layer 5. As a result, the laminate 120 can be obtained. In the laminate 120, the semiconductor substrate 4, the encapsulant layer 5, and the wiring layer 6 constitute an electronic device 456.

배선층(6)을 형성하는 방법으로서는, 예를 들면, 이하의 방법을 들 수 있다. As a method of forming the wiring layer 6, the following method can be mentioned, for example.

우선, 봉지재층(5) 상에, 산화 실리콘(SiOx), 감광성 수지 등의 유전체층을 형성한다. 산화 실리콘으로 이루어지는 유전체층은, 예를 들면 스퍼터법, 진공 증착법 등에 의해 형성할 수 있다. 감광성 수지로 이루어지는 유전체층은, 예를 들면 스핀 코트, 디핑, 롤러 블레이드, 스프레이 도포, 슬릿 도포 등의 방법에 의해, 봉지재층(5) 상에, 감광성 수지를 도포함으로써 형성할 수 있다.First, a dielectric layer such as silicon oxide (SiO x ) or photosensitive resin is formed on the encapsulant layer 5 . The dielectric layer made of silicon oxide can be formed by, for example, a sputtering method or a vacuum deposition method. The dielectric layer made of photosensitive resin can be formed by applying the photosensitive resin onto the encapsulant layer 5 by, for example, spin coating, dipping, roller blade, spray coating, or slit coating.

이어서, 유전체층에, 금속 등의 도전체에 의해서 배선을 형성한다. 배선을 형성하는 방법으로서는, 예를 들면, 포토 리소그래피(레지스트 리소그래피) 등의 리소그래피 처리, 에칭 처리 등의 공지의 반도체 프로세스 수법을 이용할 수 있다. 이러한, 리소그래피 처리로서는, 예를 들면, 포지티브형 레지스트 재료를 이용한 리소그래피 처리, 네거티브형 레지스트 재료를 이용한 리소그래피 처리를 들 수 있다.Next, wiring is formed in the dielectric layer using a conductor such as metal. As a method of forming the wiring, for example, known semiconductor process methods such as lithography processing such as photo lithography (resist lithography) and etching processing can be used. Examples of such lithography processing include lithography processing using a positive resist material and lithography processing using a negative resist material.

본 실시 형태에 따른 적층체의 제조 방법에 있어서는, 추가로, 배선층(6) 상에 범프의 형성, 또는 소자의 실장을 수행할 수 있다. 배선층(6) 상에의 소자의 실장은, 예를 들면, 팁 마운터 등을 이용하여 수행할 수 있다.In the method for manufacturing a laminate according to the present embodiment, formation of bumps or mounting of elements can be additionally performed on the wiring layer 6. Mounting of elements on the wiring layer 6 can be performed using, for example, a tip mounter.

(적층체의 제조 방법(3))(Method for manufacturing laminate (3))

본 발명의 제5의 태양에 따른 적층체의 제조 방법은, 지지체, 접착층 및 전자 디바이스가 이 순서로 적층한 적층체의 제조 방법으로서, 상기 지지체 상에, 상기 제1의 태양에 따른 접착제 조성물을 도포하여 상기 접착제 조성물의 층을 형성하는 공정(접착제 조성물층 형성 공정)과, 금속 또는 반도체에 의해 구성되는 부재와 상기 부재를 봉지 또는 절연하는 수지와의 복합체인 전자 디바이스를, 상기 접착제 조성물층 상에 형성하는 전자 디바이스 형성 공정(전자 디바이스 형성 공정)과, 상기 우레탄 수지의 중합 반응에 의해, 상기 접착제 조성물층을 경화시켜, 접착층을 형성하는 공정(접착층 형성 공정)을 가지는 것을 특징으로 한다. The method for producing a laminate according to the fifth aspect of the present invention is a method for producing a laminate in which a support, an adhesive layer, and an electronic device are laminated in this order, wherein the adhesive composition according to the first aspect is applied on the support. A process of forming a layer of the adhesive composition by applying it (adhesive composition layer forming process), and an electronic device that is a composite of a member made of metal or a semiconductor and a resin that seals or insulates the member is placed on the adhesive composition layer. An electronic device forming step (electronic device forming step) and a step of curing the adhesive composition layer through a polymerization reaction of the urethane resin to form an adhesive layer (adhesive layer forming step).

본 실시 형태의 적층체의 제조 방법에 의해 얻을 수 있는 적층체는, 상기 제4의 태양에 따른 제조 방법과 같게, 지지체, 접착층 및 전자 디바이스가 이 순서로 적층한 적층체이다. The laminate obtained by the manufacturing method of the laminate of the present embodiment is a laminate in which a support, an adhesive layer, and an electronic device are laminated in this order, similar to the manufacturing method according to the fourth aspect.

본 실시 형태의 제조 방법에 있어서, 접착제 조성물층 형성 공정은, 상기 제3의 태양에 따른 적층체의 제조 방법에 있어서의 것과 같게 수행할 수 있다. In the manufacturing method of this embodiment, the adhesive composition layer forming process can be performed similarly to that in the manufacturing method of the laminate according to the third aspect.

본 실시 형태의 제조 방법에서는, 접착제 조성물층 형성 공정 후, 전자 디바이스 형성 공정을 수행한다. 이러한 전자 디바이스 형성 공정으로서는, 배선층 형성 공정을 포함할 수 있다. 전자 디바이스 형성 공정은, 추가로, 반도체 기판 재치 공정, 봉지 공정, 및 연삭 공정 등을 포함하고 있어도 된다. 또한, 전자 디바이스 형성 공정은, 반도체 기판이, 봉지재로 봉지된 봉지체를, 접착제 조성물층을 통해서, 지지체 상에 재치하는 공정이어도 된다. In the manufacturing method of this embodiment, the electronic device forming process is performed after the adhesive composition layer forming process. This electronic device formation process may include a wiring layer formation process. The electronic device formation process may further include a semiconductor substrate placing process, an encapsulation process, a grinding process, etc. Additionally, the electronic device forming process may be a process of placing the semiconductor substrate encapsulated with an encapsulating material on a support through an adhesive composition layer.

접착층 형성 공정은, 상기 제3의 태양에 따른 적층체의 제조 방법에 있어서의 것과 같게 수행할 수 있다. The adhesive layer forming process can be performed similarly to that in the method for manufacturing a laminate according to the third aspect.

접착층 형성 공정 후, 추가로 필요에 따라서, 전자 디바이스 형성 공정을 수행해도 된다. 이러한 전자 디바이스 형성 공정은, 예를 들면, 반도체 기판 재치 공정, 봉지 공정, 및 연삭 공정 등을 포함할 수 있다. After the adhesive layer forming process, an electronic device forming process may be additionally performed as needed. This electronic device forming process may include, for example, a semiconductor substrate placing process, an encapsulation process, and a grinding process.

상기 제3~제5의 태양에 따른 적층체의 제조 방법에 의하면, 내열성이 높은 접착층을 통해서 지지체와, 반도체 기판 혹은 전자 디바이스가 가접착되기 때문에, 지지체와, 접착층과, 반도체 기판 혹은 전자 디바이스가 이 순서로 적층되어 이루어지는 적층체를 안정적으로 제조할 수 있다. 이러한 적층체는, 반도체 기판에 마련된 단자가 칩 에어리어 외에 퍼지는 배선층에 실장되는, 팬아웃형 기술에 근거하는 과정에서 제작되는 적층체이다.According to the method for manufacturing a laminate according to the third to fifth aspects, the support and the semiconductor substrate or electronic device are temporarily bonded through an adhesive layer with high heat resistance, so that the support, the adhesive layer, and the semiconductor substrate or electronic device are A laminate formed by stacking in this order can be stably manufactured. This laminate is a laminate manufactured in a process based on fan-out type technology in which terminals provided on a semiconductor substrate are mounted on a wiring layer that spreads beyond the chip area.

(전자 부품의 제조 방법)(Manufacturing method of electronic components)

본 발명의 제6의 태양에 따른 전자 부품의 제조 방법은, 상기 제3~제5의 어느 하나의 태양에 따른 적층체의 제조 방법에 의해 적층체를 얻은 후, 상기 우레탄 수지의 우레탄 결합을 산 또는 알칼리에 의해 분해하는 것에 의해, 상기 접착층을 제거하는 공정(이하, 「접착층 제거 공정」이라고도 말한다)을 가지는 것을 특징으로 한다.The method for manufacturing an electronic component according to the sixth aspect of the present invention is to obtain a laminate by the method for manufacturing a laminate according to any one of the third to fifth aspects, and then combine the urethane bond of the urethane resin with an acid. Alternatively, it is characterized by having a step of removing the adhesive layer by decomposing it with an alkali (hereinafter also referred to as an “adhesive layer removal step”).

지지체가 지지 기체와 분리층으로 구성되는 경우, 본 실시 형태에 따른 방법은, 접착층 제거 공정의 전에, 상기 지지 기체를 통해서 상기 분리층에 광을 조사하여, 상기 분리층을 변질시키는 것에 의해, 상기 전자 디바이스와, 상기 지지 기체를 분리하는 분리 공정을, 추가로 가지고 있어도 된다.When the support is composed of a support base and a separation layer, the method according to the present embodiment irradiates light to the separation layer through the support base before the adhesive layer removal process, thereby deteriorating the separation layer. You may further include a separation step for separating the electronic device and the support substrate.

도 8은, 반도체 패키지(전자 부품)의 제조 방법의 일 실시 형태를 설명하는 개략 공정도이다. 도 8(a)는, 적층체(120)를 나타내는 도면이며, 도 8(b)는, 분리 공정을 설명하는 도면이며, 도 8(c)는, 접착층 제거 공정을 설명하는 도면이다.FIG. 8 is a schematic process diagram explaining one embodiment of a method for manufacturing a semiconductor package (electronic component). FIG. 8(a) is a diagram showing the laminate 120, FIG. 8(b) is a diagram explaining the separation process, and FIG. 8(c) is a diagram explaining the adhesive layer removal process.

[분리 공정][Separation process]

지지체가 분리층을 가지는 경우, 본 실시 형태에 따른 전자 부품의 제조 방법은, 분리 공정을 가지고 있어도 된다. 본 실시 형태에 있어서의 분리 공정은, 지지 기체(1)를 통해서 분리층(2)에 광(화살표)을 조사하여, 분리층(2)을 변질시키는 것에 의해, 전자 디바이스(456)로부터 지지 기체(1)를 분리하는 공정이다.When the support has a separation layer, the electronic component manufacturing method according to this embodiment may have a separation step. The separation process in the present embodiment irradiates light (arrow) to the separation layer 2 through the support base 1 to deteriorate the separation layer 2, thereby removing the support base from the electronic device 456. This is the process of separating (1).

도 8(a)에 나타내는 바와 같이, 분리 공정에서는, 광을 투과하는 지지 기체(1)를 통해서, 분리층(2)에 광(화살표)을 조사함으로써, 분리층(2)을 변질시킨다.As shown in FIG. 8(a), in the separation step, the separation layer 2 is deteriorated by irradiating light (arrow) to the separation layer 2 through the support base 1 that transmits light.

분리층(2)을 변질시킬 수 있는 파장으로서는, 예를 들면 600 nm 이하의 범위를 들 수 있다. Examples of wavelengths that can cause deterioration of the separation layer 2 include a range of 600 nm or less.

조사하는 광의 종류 및 파장은, 지지 기체(1)의 투과성, 및 분리층(2)의 재질에 따라 적절히 선택하면 되고, 예를 들면, YAG 레이저, 루비 레이저, 유리 레이저, YVO4 레이저, LD 레이저, 파이버 레이저 등의 고체 레이저, 색소 레이저 등의 액체 레이저, CO2 레이저, 엑시머 레이저, Ar 레이저, He-Ne 레이저 등의 기체 레이저, 반도체 레이저, 자유전자 레이저 등의 레이저광, 비레이저광을 이용할 수 있다. 이것에 의해, 분리층(2)을 변질시켜, 지지 기체(1)와 전자 디바이스(456)를 용이하게 분리 가능한 상태로 할 수 있다.The type and wavelength of light to be irradiated may be appropriately selected depending on the permeability of the support substrate 1 and the material of the separation layer 2, for example, YAG laser, ruby laser, glass laser, YVO 4 laser, and LD laser. , solid-state lasers such as fiber lasers, liquid lasers such as dye lasers, gas lasers such as CO 2 lasers, excimer lasers, Ar lasers, He-Ne lasers, laser lights such as semiconductor lasers, free electron lasers, and non-laser lights. You can. As a result, the separation layer 2 can be deteriorated so that the support base 1 and the electronic device 456 can be easily separated.

레이저광을 조사하는 경우, 레이저광 조사 조건의 일례로서, 이하의 조건을 들 수 있다.When irradiating a laser beam, the following conditions can be given as an example of the laser beam irradiation conditions.

레이저광의 평균 출력치는, 1.0 W 이상, 5.0 W 이하가 바람직하고, 3.0 W 이상, 4.0 W 이하가 보다 바람직하다. 레이저광의 반복 주파수는, 20 kHz 이상, 60 kHz 이하가 바람직하고, 30 kHz 이상, 50 kHz 이하가 보다 바람직하다. 레이저광의 주사 속도는, 100 mm/s 이상, 10000 mm/s 이하가 바람직하다.The average output value of the laser light is preferably 1.0 W or more and 5.0 W or less, and more preferably 3.0 W or more and 4.0 W or less. The repetition frequency of the laser light is preferably 20 kHz or more and 60 kHz or less, and more preferably 30 kHz or more and 50 kHz or less. The scanning speed of the laser light is preferably 100 mm/s or more and 10000 mm/s or less.

분리층(2)에 광(화살표)을 조사하여 분리층(2)을 변질시킨 후, 도 8(b)에 나타내는 바와 같이, 전자 디바이스(456)으로부터 지지 기체(1)를 분리한다.After irradiating light (arrow) to the separation layer 2 to deteriorate the separation layer 2, the support base 1 is separated from the electronic device 456, as shown in FIG. 8(b).

예를 들면, 지지 기체(1)와 전자 디바이스(456)이 서로 떨어지는 방향으로 힘을 가하는 것에 의해, 지지 기체(1)와 전자 디바이스(456)을 분리한다. 구체적으로는, 지지 기체(1) 또는 전자 디바이스(456) 측(배선층(6))의 한쪽을 스테이지에 고정한 상태로, 다른 쪽을 벨로우즈 패드 등의 흡착 패드를 구비하는 분리 플레이트에 의해 흡착 유지하면서 들어 올리는 것에 의해, 지지 기체(1)와 전자 디바이스(456)를 분리할 수 있다. For example, the support body 1 and the electronic device 456 are separated by applying force in a direction in which the support body 1 and the electronic device 456 are separated from each other. Specifically, one side of the support base 1 or the electronic device 456 (wiring layer 6) is fixed to the stage, and the other side is held by suction using a separation plate provided with a suction pad such as a bellows pad. By lifting, the support base 1 and the electronic device 456 can be separated.

적층체(200)에 가하는 힘은, 적층체(200)의 크기 등에 의해 적절히 조정하면 되고, 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, 직경이 300 mm 정도의 적층체이면, 0.1~5 kgf(0.98~49 N) 정도의 힘을 가하는 것에 의해서, 지지 기체(1)와 전자 디바이스(456)를 적합하게 분리할 수 있다.The force applied to the laminate 200 can be adjusted appropriately depending on the size of the laminate 200, etc., and is not limited. For example, if the laminate has a diameter of about 300 mm, the force is 0.1 to 5 kgf (0.98 to 0.98 kgf). By applying a force of about 49 N), the support body 1 and the electronic device 456 can be appropriately separated.

지지체가, 분리층을 갖지 않는 경우, 지지체와, 반도체 기판 또는 전자 디바이스의 분리는, 후술의 접착층 제거 공정에 의해 수행할 수 있다. When the support does not have a separation layer, separation of the support from the semiconductor substrate or electronic device can be performed by an adhesive layer removal process described later.

[접착층 제거 공정][Adhesive layer removal process]

본 실시 형태에 따른 전자 부품의 제조 방법은, 접착층 제거 공정을 갖는다. 접착층 제거 공정은, 접착층 중의 가교 구조를 산 또는 알칼리에 의해 분해하고, 상기 접착층을 제거하는 공정이다. The electronic component manufacturing method according to this embodiment has an adhesive layer removal process. The adhesive layer removal process is a process of decomposing the crosslinked structure in the adhesive layer with acid or alkali and removing the adhesive layer.

도 8(b)에서는, 분리 공정의 후, 전자 디바이스(456)에 접착층(3) 및 분리층(2)이 부착하고 있다. 본 공정에서는, 산 또는 알칼리를 이용하여, 접착층(3) 및 분리층(2)을 분해하는 것에 의해, 접착층(3)을 제거하여, 전자 부품(50)을 얻고 있다.In Fig. 8(b), the adhesive layer 3 and the separation layer 2 are attached to the electronic device 456 after the separation process. In this process, the adhesive layer 3 and the separation layer 2 are decomposed using acid or alkali to remove the adhesive layer 3 and obtain the electronic component 50.

본 공정에서는, 접착층(3) 중의 (P1) 성분의 우레탄 결합을 산 또는 알칼리로 분해한다. 우레탄 결합의 분해에 이용하는 산 또는 알칼리는, 우레탄 결합을 분해 가능한 것이면 특별히 한정되지 않는다. 우레탄 결합을 분해 가능한 산으로서는, 예를 들면, 염산, 황산, 질산 등을 들 수 있지만, 이들로 한정되지 않는다. 또한, 우레탄 결합을 분해 가능한 알칼리로서는, 수산화 칼륨, 수산화 나트륨 등의 무기 염기; 및 테트라메틸 암모늄 히드록시드, 모노에탄올 아민 등의 유기 아민류를 들 수 있지만, 이들로 한정되지 않는다.In this step, the urethane bond of component (P1) in the adhesive layer 3 is decomposed with acid or alkali. The acid or alkali used to decompose the urethane bond is not particularly limited as long as it can decompose the urethane bond. Examples of acids capable of decomposing urethane bonds include hydrochloric acid, sulfuric acid, and nitric acid, but are not limited to these. Additionally, examples of alkalis capable of decomposing urethane bonds include inorganic bases such as potassium hydroxide and sodium hydroxide; and organic amines such as tetramethyl ammonium hydroxide and monoethanol amine, but are not limited to these.

상기의 산 또는 알칼리는, 용매에 용해하고, 접착층 제거용의 처리액으로서 이용할 수 있다. 상기 용매로서는, 극성 용매가 바람직하고, 예를 들면, 디메틸설폭시드(DMSO), N-메틸 피롤리돈(NMP), 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 등을 들 수 있다. The above acid or alkali can be dissolved in a solvent and used as a treatment liquid for removing the adhesive layer. The solvent is preferably a polar solvent, and examples include dimethyl sulfoxide (DMSO), N-methyl pyrrolidone (NMP), diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol, ethylene glycol, propylene glycol, etc. You can.

상기 접착층 제거용 처리액은, 상기 성분에 더하여, 계면활성제 등의 공지의 첨가제를 함유하고 있어도 된다. In addition to the above components, the adhesive layer removal treatment liquid may contain known additives such as surfactants.

상기 처리액 중의 산 또는 알칼리의 함유량으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 1~50 질량%를 들 수 있다. 또한, 상기 처리액 중의 극성 용매의 함유량으로서는, 50~99 질량%를 들 수 있다. The acid or alkali content in the treatment liquid is not particularly limited, but examples include 1 to 50% by mass. Additionally, the content of the polar solvent in the treatment liquid may be 50 to 99% by mass.

접착층 제거용의 처리액은, 시판의 알칼리성 처리액 또는 산성 처리액을 이용해도 된다. 시판의 처리액으로서는, 예를 들면, ST-120, ST-121(모두 도쿄오카 코교사 제) 등을 들 수 있다. The treatment liquid for removing the adhesive layer may be a commercially available alkaline treatment liquid or acidic treatment liquid. Examples of commercially available treatment liquids include ST-120 and ST-121 (all manufactured by Tokyo Ohka Kogyo).

산 또는 알칼리를 포함하는 상기와 같은 처리액을, 접착층(3)에 접촉시키는 것에 의해, 접착층(3) 중의 (P1) 성분의 우레탄 결합이 분해되어, 접착층(3)을 제거할 수 있다.By bringing the above treatment liquid containing acid or alkali into contact with the adhesive layer 3, the urethane bond of the (P1) component in the adhesive layer 3 is decomposed, and the adhesive layer 3 can be removed.

본 실시 형태에 따른 전자 부품의 제조 방법에 의하면, 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 포함하는 우레탄 수지(P1) 및 카프로락톤 변성 우레탄 아크릴레이트(M1)를 함유하는 접착제 조성물을 이용하여, 반도체 기판 또는 전자 디바이스와, 지지체를 가접착한다. 상기 접착제 조성물의 경화에 의해 형성되는 접착층은, (P1) 성분과 (M1) 성분의 중합 반응에 의해 형성된다. 카프로락톤 변성 우레탄 아크릴레이트(M1)를 함유하는 접착제 조성물을 이용하는 것에 의해, 전자 디바이스 형성 프로세스 등에 있어서의 고온 처리에도 견딜 수 있는 내열성 및 밀착성이 높은 접착층을 형성할 수 있다. 또한, 상기 접착층 중의 우레탄 수지는, 산 또는 알칼리에 의해 분해되기 위해, 전자 디바이스 형성 프로세스 등이 완료한 후의 접착층의 세정 제거를 용이하게 수행할 수 있다. 세정성도 또한, 접착제 조성물이 (M1) 성분을 함유하는 것에 의해 향상한다.According to the method for manufacturing an electronic component according to the present embodiment, an adhesive composition containing a urethane resin (P1) containing a polymerizable carbon-carbon double bond and a caprolactone-modified urethane acrylate (M1) is used to form a semiconductor substrate or The electronic device and the support are temporarily bonded. The adhesive layer formed by curing the adhesive composition is formed by a polymerization reaction of component (P1) and component (M1). By using an adhesive composition containing caprolactone-modified urethane acrylate (M1), an adhesive layer with high heat resistance and adhesion that can withstand high temperature treatment in an electronic device formation process, etc. can be formed. Additionally, since the urethane resin in the adhesive layer is decomposed by acid or alkali, the adhesive layer can be easily cleaned and removed after the electronic device formation process or the like is completed. Cleanability is also improved when the adhesive composition contains component (M1).

본 실시 형태의 전자 부품의 제조 방법은, 상기의 접착층 제거 공정의 후, 추가로, 전자 부품(50)에 대해서 솔더볼 형성, 다이싱, 또는 산화막 형성 등의 처리를 수행해도 된다.In the electronic component manufacturing method of this embodiment, after the adhesive layer removal process described above, processing such as solder ball formation, dicing, or oxide film formation may be further performed on the electronic component 50.

[실시예][Example]

이하, 실시예에 의해 본 발명을 추가로 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들 예에 의해서 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in further detail by way of examples, but the present invention is not limited to these examples.

<우레탄 수지의 합성예><Synthesis example of urethane resin>

(합성예 1: 우레탄 수지(P1)-1)(Synthesis Example 1: Urethane Resin (P1)-1)

교반기, 적하 로트, 냉각관 및 온도계를 구비한 플라스크에, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트(PGMEA), 폴리카보네이트 디올(Mw 1000) 53부, 펜타에리트리톨 디아크릴레이트(PEDA) 18부, 네오펜틸글리콜 1부, 및 히드록시에틸 아크릴레이트(HEA) 2.5부를 첨가하고, 질소 기류 하에서 균일하게 혼합했다. 그 다음에, 디페닐 메탄 디이소시아네이트(MDI) 7부, 및 수첨 크실렌 디이소시아네이트(H6XDI) 21부를 적하 로트에 넣고, 30분간에 걸쳐서 등속으로 적하했다. 적하 종료후, 30분간 에이징을 수행했다. 그 후, 비스무트 촉매를 첨가하고, 65℃까지 승온하여, 4~5시간 에이징을 수행했다. 그 다음에, 메탄올을 첨가하고, 1시간 에이징을 수행하여, 이소시아네이트기(NCO)가 소실한 시점에서 반응을 종료했다. 얻어진 우레탄 수지(P1)-1의 분자량(Mw)은, 30,000이었다.In a flask equipped with a stirrer, dropping lot, cooling pipe, and thermometer, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), 53 parts of polycarbonate diol (Mw 1000), 18 parts of pentaerythritol diacrylate (PEDA), and neopentyl glycol. 1 part and 2.5 parts of hydroxyethyl acrylate (HEA) were added and mixed uniformly under a nitrogen stream. Next, 7 parts of diphenyl methane diisocyanate (MDI) and 21 parts of hydrogenated xylene diisocyanate (H6XDI) were placed in the dropping funnel and added dropwise at a constant speed over 30 minutes. After completion of dropping, aging was performed for 30 minutes. After that, a bismuth catalyst was added, the temperature was raised to 65°C, and aging was performed for 4 to 5 hours. Next, methanol was added, aging was performed for 1 hour, and the reaction was terminated when the isocyanate group (NCO) disappeared. The molecular weight (Mw) of the obtained urethane resin (P1)-1 was 30,000.

폴리카보네이트 디올은, 하기 식(PC-1-1)로 나타내는 것을 이용했다(R=-(CH2)6-, -(CH2)5-).The polycarbonate diol represented by the following formula (PC-1-1) was used (R=-(CH 2 ) 6 -, -(CH 2 ) 5 -).

<접착제 조성물의 조제><Preparation of adhesive composition>

(실시예 1~2, 비교예 1~5)(Examples 1-2, Comparative Examples 1-5)

표 1에 나타내는 성분을 혼합하여, 각 예의 접착제 조성물을 각각 조제했다. The components shown in Table 1 were mixed to prepare adhesive compositions for each example.

표 1 중, 각 약호는 각각 이하의 의미를 가진다. [ ] 내의 수치는 배합량(질량부)이다. In Table 1, each symbol has the following meaning. The numbers in [ ] are the mixing amount (parts by mass).

(P1)-1: 상기 합성예 1에서 합성한 우레탄 수지(P1)-1. (P1)-1: Urethane resin (P1)-1 synthesized in Synthesis Example 1 above.

(M1)-1: 하기의 카프로락톤 변성 뷰렛형 우레탄 아크릴레이트(M1-1) 및 하기 뷰렛형 우레탄 아크릴레이트(M2-1)의 혼합물. 헥사메틸렌 디이소시아네이트의 뷰렛체에, 카프로락톤 변성 히드록시에틸 아크릴레이트 및 히드록시에틸 아크릴레이트(카프로락톤 변성 히드록시에틸 아크릴레이트:히드록시에틸 아크릴레이트=80:20(몰비))를 반응시키는 것에 의해 합성했다. (M1)-1: A mixture of the following caprolactone-modified biuret-type urethane acrylate (M1-1) and the following biuret-type urethane acrylate (M2-1). By reacting caprolactone-modified hydroxyethyl acrylate and hydroxyethyl acrylate (caprolactone-modified hydroxyethyl acrylate:hydroxyethyl acrylate = 80:20 (molar ratio)) in a biuret sieve of hexamethylene diisocyanate. synthesized by.

(M1)-2: 하기의 카프로락톤 변성 이소시아누레이트형 우레탄 아크릴레이트(M1-2) 및 하기 이소시아누레이트형 우레탄 아크릴레이트(M2-2)의 혼합물. 헥사메틸렌 디이소시아네이트의 이소시아누레이트체에, 카프로락톤 변성 히드록시에틸 아크릴레이트 및 히드록시에틸 아크릴레이트(카프로락톤 변성 히드록시에틸 아크릴레이트:히드록시에틸 아크릴레이트=80:20(몰비))를 반응시키는 것에 의해 합성했다.(M1)-2: A mixture of the following caprolactone-modified isocyanurate type urethane acrylate (M1-2) and the following isocyanurate type urethane acrylate (M2-2). To the isocyanurate form of hexamethylene diisocyanate, caprolactone-modified hydroxyethyl acrylate and hydroxyethyl acrylate (caprolactone-modified hydroxyethyl acrylate:hydroxyethyl acrylate = 80:20 (molar ratio)) It was synthesized by reaction.

(M2)-1: 상기의 뷰렛형 우레탄 아크릴레이트(M2-1). (M2)-1: The above-mentioned buret-type urethane acrylate (M2-1).

(M2)-2: 상기의 이소시아누레이트형 우레탄 아크릴레이트(M2-2). (M2)-2: The above isocyanurate type urethane acrylate (M2-2).

(M2)-3: 하기의 우레탄 아크릴레이트(M2-3). (M2)-3: Urethane acrylate (M2-3) below.

(M2)-4: 하기의 카프로락톤 변성 아크릴레이트(M2-4)(아로닉스 M327(상품명), 토아고세이 카부시키가이샤). (M2)-4: Caprolactone-modified acrylate (M2-4) (Aronics M327 (brand name), Toagosei Kabushiki Kaisha Co., Ltd.) described below.

(A)-1: 하기의 과산화물계 열중합 개시제(A-1)(퍼쿠밀(등록상표) D(상품명), 니혼유시 가부시키가이샤). (A)-1: The following peroxide-based thermal polymerization initiator (A-1) (Percumil (registered trademark) D (brand name), Nippon Yushi Co., Ltd.).

(Ad)-1: 하기의 실란 커플링제(Ad-1)(OFS-6040 Silane(상품명), 다우·토레이 카부시키가이샤). (Ad)-1: The following silane coupling agent (Ad-1) (OFS-6040 Silane (brand name), Dow Toray Chemical Industry Co., Ltd.).

(Ad)-2: 폴리에스테르 변성 폴리디메틸 실록산(BYK-310(상품명), 빅크케미사).(Ad)-2: Polyester-modified polydimethyl siloxane (BYK-310 (brand name), BYK Chemistry).

실시예 1, 2, 및 비교예 1~4에서 사용한 (M) 성분을 표 2에 정리했다. The (M) component used in Examples 1, 2, and Comparative Examples 1 to 4 is summarized in Table 2.

<평가><Evaluation>

≪탄성률의 측정≫≪Measurement of elastic modulus≫

실리콘 기판 상에, 스핀 코터법에 의해, 각 예의 접착제 조성물을 각각 도포하고, 질소 분위기 하의 오븐에 의해서, 180℃에서 60분간 가열하여 경화시켰다(막 두께 50μm). 접착제 조성물의 경화막의 시험편(막 두께 50μm, 폭 5 mm, 길이 40 mm)을 잘라내고, Rheogel-E4000(유비엠 제)를 사용하여서, 1Hz의 주파수에서, 50~300℃의 범위에서 인장 탄성률을 측정했다. Each adhesive composition was applied onto a silicon substrate using a spin coater method and cured by heating at 180°C for 60 minutes in an oven under a nitrogen atmosphere (film thickness: 50 μm). A test piece of the cured film of the adhesive composition (film thickness 50 μm, width 5 mm, length 40 mm) was cut, and the tensile elastic modulus was measured in the range of 50 to 300°C at a frequency of 1 Hz using Rheogel-E4000 (made by UBM). Measured.

≪내열성 시험≫≪Heat resistance test≫

실리콘 기판 상에, 스핀 코트법에 의해, 각 예의 접착제 조성물을 각각 도포하여, 접착제 조성물층을 형성했다(막 두께 50μm). 그 다음에, 접착제 조성물층 상에, 유리 지지 기체(직경 20 cm, 두께 700μm)를 적층했다. 이 적층체를, 질소 분위기 하의 오븐에 의해서, 180℃에서 1시간 가열하여, 접착제 조성물층을 경화시켜 접착층을 형성했다. 이 유리 지지 기체, 접착층, 및 실리콘 기판으로 이루어지는 적층체를, 질소 분위기 하의 오븐에 의해서, 230℃에서 가열하고, 디라미네이션이 발생할 때까지의 시간을 측정했다. 그 결과를, 「디라미네이션 억제 시간」으로서 표 3에 나타냈다.On the silicon substrate, the adhesive composition of each example was applied by spin coating to form an adhesive composition layer (film thickness: 50 μm). Next, a glass support base (diameter 20 cm, thickness 700 μm) was laminated on the adhesive composition layer. This laminate was heated at 180°C for 1 hour in an oven under a nitrogen atmosphere to cure the adhesive composition layer and form an adhesive layer. The laminate consisting of this glass support base, adhesive layer, and silicon substrate was heated at 230°C in an oven under a nitrogen atmosphere, and the time until delamination occurred was measured. The results are shown in Table 3 as “delamination suppression time.”

≪세정성≫≪Cleanability≫

실리콘 기판 상에, 스핀 코터법에 의해, 각 예의 접착제 조성물을 각각 도포하고, 질소 분위기 하의 오븐에 의해서, 180℃에서 1시간 가열하여, 접착층을 형성했다. 이 접착층 형성제의 실리콘 기판을, 35℃ 또는 50℃의 알칼리 함유 세정액(ST-120(상품명), 토쿄오카 코교 가부시키가이샤 제)에 15분간 침지하고, 접착층의 용해 속도(nm/s)를 측정했다. 그 결과를 「세정성」으로서 표 3에 나타냈다. Each adhesive composition was applied onto a silicon substrate using a spin coater method and heated at 180°C for 1 hour in an oven under a nitrogen atmosphere to form an adhesive layer. The silicon substrate of this adhesive layer former was immersed in an alkali-containing cleaning solution (ST-120 (brand name), manufactured by Tokyo Oka Kogyo Co., Ltd.) at 35°C or 50°C for 15 minutes, and the dissolution rate (nm/s) of the adhesive layer was measured. Measured. The results are shown in Table 3 as “cleanability.”

≪밀착성≫≪Adhesion≫

실리콘 기판 상, 스핀 코터법에 의해, 각 예의 접착제 조성물을 각각 도포하여, 접착제 조성물층을 형성했다(막 두께 50μm). 그 다음에, 접착제 조성물층 상에, 분리층을 포함하는 유리칩(5 mmX5 mm, 두께 700μm)을 적층했다. 이 적층체를, 질소 분위기 하의 오븐에 의해서, 180℃에서 1시간 가열하여, 접착제 조성물층을 경화시켜 접착층을 형성했다. 이 유리칩, 접착층, 및 실리콘 기판으로 이루어지는 적층체에 대해서 쉬어 강도 시험을 수행하여, 실리콘 기판에 대한 유리칩의 쉬어 강도를 측정했다. 그 결과를, 「밀착성」으로서 표 3에 나타냈다. The adhesive compositions of each example were applied onto the silicon substrate using a spin coater method to form an adhesive composition layer (film thickness: 50 μm). Next, a glass chip (5 mmX5 mm, thickness 700 μm) including a separation layer was laminated on the adhesive composition layer. This laminate was heated at 180°C for 1 hour in an oven under a nitrogen atmosphere to cure the adhesive composition layer and form an adhesive layer. A shear strength test was performed on the laminate consisting of the glass chip, the adhesive layer, and the silicon substrate, and the shear strength of the glass chip with respect to the silicon substrate was measured. The results are shown in Table 3 as “adhesion.”

표 3에 나타내는 결과로부터, 실시예 1~2의 접착제 조성물을 이용하여 형성한 접착층은, 내열성(디라미네이션 억제 시간), 세정성, 및 밀착성이 모두 양호하다라고 하는 것이 확인되었다. 한편, 비교예 1은, 내열성이 뛰어났지만, 세정성은 현저하고 나빴다. 비교예 2는, 내열성 및 밀착성은 양호했지만, 세정성은 뒤떨어져 있었다. 비교예 3, 4는, 내열성, 세정성, 및 밀착성이 모두 뒤떨어져 있고, 특히 저온(35℃)에서의 세정성은 현저하고 나빴다. 비교예 5는, 내열성, 세정성, 및 밀착성이 모두 뒤떨어져 있었다.From the results shown in Table 3, it was confirmed that the adhesive layer formed using the adhesive composition of Examples 1 and 2 had good heat resistance (delamination suppression time), cleanability, and adhesion. On the other hand, Comparative Example 1 had excellent heat resistance, but cleanability was significantly poor. Comparative Example 2 had good heat resistance and adhesion, but was poor in cleanability. In Comparative Examples 3 and 4, heat resistance, cleanability, and adhesion were all inferior, and especially cleanability at low temperature (35°C) was significantly poor. Comparative Example 5 was inferior in heat resistance, cleanability, and adhesion.

1 지지 기체
2 분리층
3 접착층
3' 접착제 조성물층
4 반도체 기판
5 봉지재층
6 배선층
12 지지체
20 적층체
50 전자 부품
100 적층체
100' 적층체
110 적층체
120 적층체
200 적층체
300 적층체
400 적층체
456 전자 디바이스
645 전자 디바이스
1 Support gas
2 separation layer
3 adhesive layer
3' Adhesive composition layer
4 semiconductor substrate
5 Encapsulating material layer
6 wiring layer
12 support
20 Laminate
50 electronic components
100 laminate
100' laminate
110 laminate
120 laminate
200 laminate
300 laminate
400 laminate
456 electronic devices
645 electronic devices

Claims (10)

반도체 기판 또는 전자 디바이스와, 광을 투과하는 지지체를 가(假)접착하는 접착층을 형성하기 위해서 이용되는 접착제 조성물로서,
중합성 탄소-탄소 불포화 결합을 포함하는 우레탄 수지(P1)와,
카프로락톤 변성 우레탄 아크릴레이트(M1)와,
중합 개시제(A)
를 함유하는, 접착제 조성물.
An adhesive composition used to form an adhesive layer that temporarily bonds a semiconductor substrate or electronic device and a light-transmitting support,
A urethane resin (P1) containing a polymerizable carbon-carbon unsaturated bond,
caprolactone-modified urethane acrylate (M1),
Polymerization initiator (A)
Adhesive composition containing.
청구항 1에 있어서,
상기 카프로락톤 변성 우레탄 아크릴레이트(M1)가, 뷰렛형 또는 이소시아누레이트형인, 접착제 조성물.
In claim 1,
An adhesive composition wherein the caprolactone-modified urethane acrylate (M1) is a biuret type or an isocyanurate type.
청구항 1에 있어서,
상기 전자 디바이스로서, 금속 또는 반도체에 의해 구성되는 부재와 상기 부재를 봉지 또는 절연하는 수지와의 복합체가, 상기 접착층을 통해서 상기 지지체에 적층되는 것을 특징으로 하는, 접착제 조성물.
In claim 1,
An adhesive composition as the electronic device, wherein a composite of a member made of metal or a semiconductor and a resin that seals or insulates the member is laminated on the support through the adhesive layer.
광을 투과하는 지지체, 접착층, 및 반도체 기판 혹은 전자 디바이스가 이 순서로 적층한 적층체로서,
상기 접착층은, 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항의 접착제 조성물의 경화체인,
적층체.
A laminate in which a light-transmitting support, an adhesive layer, and a semiconductor substrate or electronic device are laminated in this order,
The adhesive layer is a cured body of the adhesive composition of any one of claims 1 to 3,
Laminate.
청구항 4에 있어서,
상기 지지체가, 광을 투과하는 지지 기체 및 광의 조사에 의해 변질하는 분리층으로부터 구성되어 있고, 상기 접착층이 상기 분리층에 인접하고 있는,
적층체.
In claim 4,
The support is composed of a support base that transmits light and a separation layer that deteriorates by irradiation of light, and the adhesive layer is adjacent to the separation layer.
Laminate.
지지체, 접착층 및 반도체 기판이 이 순서로 적층한 적층체의 제조 방법으로서,
상기 지지체 또는 반도체 기판에, 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항의 접착제 조성물을 도포하여 접착제 조성물층을 형성하는 공정과,
상기 지지체 상에, 상기 반도체 기판을, 상기 접착제 조성물층을 통해서 재치하는 공정과,
상기 접착제 조성물층을 경화시켜 상기 접착층을 형성하는 공정
을 가지는, 적층체의 제조 방법.
A method of manufacturing a laminate in which a support, an adhesive layer, and a semiconductor substrate are laminated in this order, comprising:
A process of forming an adhesive composition layer by applying the adhesive composition of any one of claims 1 to 3 to the support or semiconductor substrate;
A step of placing the semiconductor substrate on the support through the adhesive composition layer;
Process of forming the adhesive layer by curing the adhesive composition layer
A method of manufacturing a laminate having a.
청구항 6의 적층체의 제조 방법에 의해 적층체를 얻은 후, 금속 또는 반도체에 의해 구성되는 부재와 상기 부재를 봉지 또는 절연하는 수지와의 복합체인, 전자 디바이스를 형성하는 공정을 추가로 가지는,
지지체, 접착층 및 전자 디바이스가 이 순서대로 적층한 적층체의 제조 방법.
After obtaining the laminate by the laminate manufacturing method of claim 6, there is further a step of forming an electronic device, which is a composite of a member made of metal or a semiconductor and a resin that encapsulates or insulates the member.
A method of manufacturing a laminate in which a support, an adhesive layer, and an electronic device are laminated in this order.
청구항 7에 있어서,
상기 지지체가, 광을 투과하는 지지 기체 및 광의 조사에 의해 변질하는 분리층으로부터 구성되어 있고, 상기 적층체에 있어서, 상기 접착층이 상기 분리층에 인접하고 있는,
적층체의 제조 방법.
In claim 7,
The support is composed of a support base that transmits light and a separation layer that deteriorates by irradiation of light, and in the laminate, the adhesive layer is adjacent to the separation layer,
Method for manufacturing a laminate.
청구항 7의 적층체의 제조 방법에 의해 적층체를 얻은 후,
상기 우레탄 수지의 우레탄 결합을 산 또는 알칼리로 분해하는 것으로써, 상기 접착층을 제거하는 공정을 가지는,
 전자 부품의 제조 방법.
After obtaining a laminate by the method for manufacturing a laminate of claim 7,
Having a step of removing the adhesive layer by decomposing the urethane bond of the urethane resin with acid or alkali,
Manufacturing method of electronic components.
청구항 8의 적층체의 제조 방법에 의해 적층체를 얻은 후,
상기 지지 기체를 통해서 상기 분리층에 광을 조사하여서 상기 분리층을 변질시키는 것으로써, 상기 전자 디바이스와 상기 지지 기체를 분리하는 공정과
상기 우레탄 수지의 우레탄 결합을 산 또는 알칼리로 분해하는 것으로써, 상기 전자 디바이스에 부착하는 상기 접착층을 제거하는 공정
을 가지는, 전자 부품의 제조 방법.
After obtaining a laminate by the method for manufacturing a laminate of claim 8,
A process of separating the electronic device and the support base by irradiating light to the separation layer through the support base to alter the separation layer;
A process of removing the adhesive layer attached to the electronic device by decomposing the urethane bonds of the urethane resin with acid or alkali.
A manufacturing method of electronic components having a.
KR1020230066844A 2022-05-26 2023-05-24 Adhesive composition, laminate, manufacturing method of laminate, and manufacturing method of electronic component KR20230165141A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022085937A JP2023173589A (en) 2022-05-26 2022-05-26 Adhesive composition, laminate, method for producing laminate, and method for producing electronic component
JPJP-P-2022-085937 2022-05-26

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230165141A true KR20230165141A (en) 2023-12-05

Family

ID=88849799

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020230066844A KR20230165141A (en) 2022-05-26 2023-05-24 Adhesive composition, laminate, manufacturing method of laminate, and manufacturing method of electronic component

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2023173589A (en)
KR (1) KR20230165141A (en)
CN (1) CN117126638A (en)
TW (1) TW202346394A (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016052315A1 (en) 2014-09-29 2016-04-07 富士フイルム株式会社 Composition, process for producing sheet, sheet, layered product, and laminate with device wafer

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016052315A1 (en) 2014-09-29 2016-04-07 富士フイルム株式会社 Composition, process for producing sheet, sheet, layered product, and laminate with device wafer

Also Published As

Publication number Publication date
JP2023173589A (en) 2023-12-07
TW202346394A (en) 2023-12-01
CN117126638A (en) 2023-11-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6614090B2 (en) Wafer stack and manufacturing method thereof
KR102328215B1 (en) Adhesive composition, and use thereof
JP2020038866A (en) Method for manufacturing thin wafer
KR102254781B1 (en) An adhesive composition, a laminate, a method of manufacturing a laminate
JP6832462B1 (en) Adhesive composition, laminate, method for manufacturing laminate, and method for manufacturing electronic components
KR20200080129A (en) Adhesive composition, laminate, method of manufacturing laminate, and method of manufacturing electronic component
TW201819202A (en) Wafer laminate and making method
WO2021131395A1 (en) Adhesive agent composition, layered body, method for producing layered body, and method for producing electronic component
TW201801906A (en) Laminate manufacturing method and application thereof to produce a laminate having high heat resistance and capable of adequately removing an adhesive layer by grinding
KR20230165141A (en) Adhesive composition, laminate, manufacturing method of laminate, and manufacturing method of electronic component
TW201922995A (en) Semiconductor device, method for producing the same, and laminate
JP6802348B1 (en) Adhesive composition, laminate, method for manufacturing laminate, and method for manufacturing electronic components
JP6971139B2 (en) Adhesive composition, support with adhesive layer, adhesive film, laminate and method for manufacturing the same, and method for manufacturing electronic components
KR20230122549A (en) Adhesive composition, laminate, manufacturing method of laminate, and manufacturing method of electronic component
KR20230122550A (en) Adhesive composition, laminate, manufacturing method of laminate, and manufacturing method of electronic component
JP2018164002A (en) Semiconductor device and manufacturing method for the same as well as laminate
JP2022007441A (en) Adhesive composition, laminate, method for manufacturing laminate, and method for manufacturing electronic component
JP2024001552A (en) Transfer substrate, method of transferring microstructure, and method of mounting semiconductor element
JP2024001553A (en) Transfer substrate, method of transferring microstructure, and method of mounting semiconductor element
JP2024001554A (en) Transfer substrate, method of transferring microstructure, and method of mounting semiconductor element
TWI834740B (en) Adhesive composition, laminate, manufacturing method of laminate, and manufacturing method of electronic components
JP2021070766A (en) Adhesive composition, laminate and production method thereof, production method of electronic component, and polymer