KR20230149687A - An measuring unit for measuring electrical characteristic of semiconductor, an apparatus with the unit and a method for measuring electrical characteristic of semiconductor with the apparatus - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판(20)의 일면 상에 형성되고, 산화물 반도체층(31)을 구비하는 반도체 필름층(30)의 전기적 특성을 검출하기 위한 반도체 필름층 검사 장치로서, 일면 상에 기판이 안착 배치되는 베이스부(40)와, 산화물 반도체층 일면 상 적어도 두 개의 지점에 접촉하여 전기적 신호를 인가하여 산화물 반도체층의 전기적 특성을 검출하는 검출 유니트(200)와, 상기 산화물 반도체층에 캐리어의 농도를 높이기 위한 캐리어 제네레이터(300,300a,300b)를 포함하고, 상기 검출 유니트(200)는: 산화물 반도체층 일면 상 서로 이격된 지점에 접촉하는 검출 프루브 핀(230)과, 상기 검출 프루브 핀(230)에 산화물 반도체 층의 전기적 특성 검출을 위한 검출 인가 신호를 인가하고 상기 검출 프루브 핀(230)으로부터 입력되는 검출 감지 신호를 감지하는 검출 프루브 모듈(202)을 포함하고, 상기 검출 프루브 핀(230)은: 산화물 반도체층과 배치되는 검출 프루브 핀 바디(231)와, 일단은 상기 검출 프루브 핀 바디(231) 측에 배치되고 타단은 산화물 반도체층과 직접 접촉하는 검출 프루브 핀 컨택터부(233)를 포함하고, 상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233)의 적어도 일부는 독립 검출 가동 가능한 복수 개의 구획 분할되는 핀 컨택터부 블록을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 필름층 검사 장치(10) 및 이에 사용되는 검출 유니트를 제공한다.The present invention is a semiconductor film layer inspection device for detecting the electrical characteristics of a semiconductor film layer 30 formed on one side of a substrate 20 and including an oxide semiconductor layer 31, wherein the substrate is seated on one side. a base portion 40, a detection unit 200 that detects the electrical characteristics of the oxide semiconductor layer by contacting at least two points on one side of the oxide semiconductor layer and applying an electrical signal, and detects the concentration of carriers in the oxide semiconductor layer. It includes carrier generators (300, 300a, 300b) for increasing the detection unit (200): a detection probe pin (230) contacting a spaced apart point on one side of the oxide semiconductor layer, and a detection probe pin (230) connected to the detection probe pin (230). It includes a detection probe module 202 that applies a detection application signal for detecting the electrical characteristics of the oxide semiconductor layer and detects a detection signal input from the detection probe pin 230, and the detection probe pin 230 includes: It includes a detection probe pin body 231 disposed on an oxide semiconductor layer, and a detection probe pin contactor portion 233, one end of which is disposed on the detection probe pin body 231 side and the other end of which is in direct contact with the oxide semiconductor layer, A semiconductor film layer inspection device (10), characterized in that at least a portion of the detection probe pin contactor section (233) forms a pin contactor section block divided into a plurality of sections capable of independent detection, and a detection unit used therefor are provided. .

Description

검출 유니트, 반도체 필름층 검사 장치 및 이를 이용하는 반도체 필름층 검사 방법{AN MEASURING UNIT FOR MEASURING ELECTRICAL CHARACTERISTIC OF SEMICONDUCTOR, AN APPARATUS WITH THE UNIT AND A METHOD FOR MEASURING ELECTRICAL CHARACTERISTIC OF SEMICONDUCTOR WITH THE APPARATUS}Detection unit, semiconductor film layer inspection device, and semiconductor film layer inspection method using the same

본 발명은 검출 유니트 및 반도체 필름층의 검사 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 산화물 반도체층의 전기적 특성을 보다 정확하게 감지하기 위한 장치 및 이의 제어 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a detection unit and an inspection device for a semiconductor film layer, and more specifically, to a device for more accurately detecting the electrical properties of an oxide semiconductor layer and a method for controlling the same.

반도체 제조 공정은 칩 개별 소자를 넘어 대면적화된 디스플레이 등 다양한 분야에 활발히 적용되고 있는 등 다양하고 빠른 기술 변화가 이루어지고 있으며, 이러한 기술의 발달과 더불어 우수한 품질 확보를 위한 다양한 관련 기술들의 개발도 이루어 지고 있다. 종래 반도체 필름층의 검사에 있어 2-포인트 방식을 주로 사용하였다. 하지만, 종래의 검사 방식의 경우, 반도체층 특히 산화물 반도체층의 경우 빠른 모빌리티에 반하여 진성 캐리어 농도(intrinsic carrier concentration)이 낮아 검출 전류가 미세하여 반도체 층의 전기적 특성 검출에 상당한 어려움이 수반되었다. The semiconductor manufacturing process is undergoing diverse and rapid technological changes, with it being actively applied to various fields such as large-area displays beyond individual chip elements. Along with the development of these technologies, various related technologies have also been developed to ensure excellent quality. I'm losing. Conventionally, the two-point method was mainly used to inspect semiconductor film layers. However, in the case of conventional inspection methods, in the case of semiconductor layers, especially oxide semiconductor layers, despite the fast mobility, the intrinsic carrier concentration is low and the detection current is small, resulting in considerable difficulty in detecting the electrical characteristics of the semiconductor layer.

본 발명은 상술한 바와 같은 점을 감안하여 안출된 것으로, 검체 대상으로서의 산화물 반도체층에 에너지를 가하여 여기 상태를 형성하여 캐리어의 증강을 통한 전류 검출을 용이하게 하여 해당 검체 산화물 반도체 층의 전기적 특성 검출을 보다 용이하고 보다 정확하게 하기 위한 장치 및 이의 제어 내지 계측 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention was developed in consideration of the above-mentioned points, and creates an excited state by applying energy to the oxide semiconductor layer as a sample object to facilitate current detection through enhancement of carriers and detect the electrical characteristics of the sample oxide semiconductor layer. The purpose is to provide a device and a control or measurement method for making it easier and more accurate.

또한, 본 발명은 산화물 반도체층의 전기적 특성의 검출 신뢰성을 강화시켜 데이터 강인성을 증진시키는 구조를 제공하는 것을 목적으로 한다. Additionally, the purpose of the present invention is to provide a structure that improves data robustness by strengthening the detection reliability of the electrical characteristics of the oxide semiconductor layer.

본 발명은 기판(20)의 일면 상에 형성되고, 산화물 반도체층(31)을 구비하는 반도체 필름층(30)의 전기적 특성을 검출하기 위한 반도체 필름층 검사 장치로서, 일면 상에 기판이 안착 배치되는 베이스부(40)와, 산화물 반도체층 일면 상 적어도 두 개의 지점에 접촉하여 전기적 신호를 인가하여 산화물 반도체층의 전기적 특성을 검출하는 검출 유니트(200)와, 상기 산화물 반도체층에 캐리어의 농도를 높이기 위한 캐리어 제네레이터(300,300a,300b)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 필름층 검사 장치(10)를 제공한다. The present invention is a semiconductor film layer inspection device for detecting the electrical characteristics of a semiconductor film layer 30 formed on one side of a substrate 20 and including an oxide semiconductor layer 31, wherein the substrate is seated on one side. a base portion 40, a detection unit 200 that detects the electrical characteristics of the oxide semiconductor layer by contacting at least two points on one side of the oxide semiconductor layer and applying an electrical signal, and detects the concentration of carriers in the oxide semiconductor layer. A semiconductor film layer inspection device (10) is provided, which includes carrier generators (300, 300a, 300b) for increasing the semiconductor film layer.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 반도체 필름층(30)에는 산화물 반도체층(31)과 기판(20) 사이에 배치되는 전극층(35)이 포함되고, 상기 캐리어 제네레이터(300)는: 일단은 상기 전극층(35) 측에 연결되고 타단은 접지되는 제네레이터 접지 라인(340)을 포함할 수도 있다.In the semiconductor film layer inspection device, the semiconductor film layer 30 includes an electrode layer 35 disposed between the oxide semiconductor layer 31 and the substrate 20, and the carrier generator 300 includes: It may also include a generator ground line 340 that is connected to the electrode layer 35 and the other end is grounded.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 캐리어 제네레이터(300)는: 상기 전극층(35)과 상기 제네레이터 접지 라인(340) 사이에 배치되는 제네레이터 전원부(330)를 포함할 수도 있다.In the semiconductor film layer inspection device, the carrier generator 300 may include a generator power supply unit 330 disposed between the electrode layer 35 and the generator ground line 340.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 제네레이터 전원부(330)는 DC 전원일 수도 있다.In the semiconductor film layer inspection device, the generator power supply unit 330 may be a DC power source.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 검출 유니트(200)는 산화물 반도체층 일면 상 서로 이격된 지점에 접촉하는 복수의 검출 프루브 핀(230)과, 상기 검출 프루브 핀(230)에 검출을 위한 검출 인가 신호를 인가하고 상기 검출 루브 핀(230)으로부터 입력되는 검출 감지 신호를 감지하는 검출 프루브 모듈(202)을 포함할 수도 있다.In the semiconductor film layer inspection device, the detection unit 200 includes a plurality of detection probe pins 230 contacting points spaced apart from each other on one surface of the oxide semiconductor layer, and a detection probe pin 230 for detection. It may also include a detection probe module 202 that applies an application signal and detects a detection signal input from the detection probe pin 230.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 검출 프루브 모듈(202)은: 상기 복수의 검출 프루브 핀(230)에 검출 인가 신호를 생성 인가하는 전압 인가 모듈(210)과, 상기 복수의 검출 프루브 핀(230)을 통하여 검출 감지 신호를 측정하는 전류 측정 모듈(220)을 포함할 수도 있다.In the semiconductor film layer inspection device, the detection probe module 202 includes: a voltage application module 210 for generating and applying a detection application signal to the plurality of detection probe pins 230, and the plurality of detection probe pins ( It may also include a current measurement module 220 that measures the detection signal through 230).

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 검출 프루브 모듈(202)은: 상기 복수의 검출 프루브 핀(230)에 검출 인가 신호를 생성 인가하고 상기 복수의 검출 프루브 핀(230)을 통하여 검출 감지 신호를 측정하여 산화물 반도체층의 전기적 특성을 검출하는 커패시턴스 전압 측정 모듈(210a)를 포함할 수도 있다.In the semiconductor film layer inspection device, the detection probe module 202: generates and applies a detection authorization signal to the plurality of detection probe pins 230 and sends a detection detection signal through the plurality of detection probe pins 230. It may also include a capacitance voltage measurement module 210a that measures and detects the electrical characteristics of the oxide semiconductor layer.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 캐리어 제네레이터(300a)는: 사전 설정 파장대의 빛을 산화물 반도체층(31)에 조사하는 제네레이터 광원부(310a)를 포함할 수도 있다.In the semiconductor film layer inspection device, the carrier generator 300a may include a generator light source unit 310a that radiates light in a preset wavelength range to the oxide semiconductor layer 31.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 제네레이터 광원부(310a)는: 산화물 반도체층(31)에 조사하는 사전 설정 파장대의 빛을 생성하는 제네레이터 광원(311a)과, 상기 제네레이터 광원(311a)에서 생성된 빛을 산화물 반도체층(31) 측으로 반사시키는 제네레이터 반사부(313a)를 포함할 수도 있다.In the semiconductor film layer inspection device, the generator light source unit 310a includes: a generator light source 311a that generates light in a preset wavelength range to irradiate the oxide semiconductor layer 31, and It may also include a generator reflection unit 313a that reflects light toward the oxide semiconductor layer 31.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 제네레이터 광원부(310a)는 기판(20)을 사이에 두고 상기 검출 유니트(200)와 대향 배치될 수도 있다.In the semiconductor film layer inspection apparatus, the generator light source unit 310a may be disposed to face the detection unit 200 with the substrate 20 interposed therebetween.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 반도체 필름층(30)에는 산화물 반도체층(31)과 기판(20) 사이에 배치되는 전극층(35)이 포함되고, 상기 캐리어 제네레이터(300)는: 일단은 상기 전극층(35) 측에 연결되고 타단은 접지되는 제네레이터 접지 라인(340)과, 사전 설정 파장대의 빛을 산화물 반도체층(31)에 조사하는 제네레이터 광원부(310a)를 포함할 수도 있다.In the semiconductor film layer inspection device, the semiconductor film layer 30 includes an electrode layer 35 disposed between the oxide semiconductor layer 31 and the substrate 20, and the carrier generator 300 includes: It may include a generator ground line 340 connected to the electrode layer 35 and the other end of which is grounded, and a generator light source unit 310a that radiates light in a preset wavelength range to the oxide semiconductor layer 31.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 전극층(35)은 투명 전극층이고, 상기 제네레이터 광원부(310a)는 기판(20)을 사이에 두고 상기 검출 유니트(200)와 대향 배치될 수도 있다.In the semiconductor film layer inspection device, the electrode layer 35 is a transparent electrode layer, and the generator light source unit 310a may be disposed to face the detection unit 200 with the substrate 20 interposed therebetween.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 검출 유니트(200)는: 산화물 반도체층 일면 상 서로 이격된 지점에 접촉하는 복수의 검출 프루브 핀(230)과, 상기 검출 프루브 핀(230)에 산화물 반도체층의 전기적 특성 검출을 위한 검출 인가 신호를 인가하고 상기 검출 프루브 핀(230)으로부터 입력되는 검출 감지 신호를 감지하는 검출 프루브 모듈(202)을 포함하고, 상기 검출 프루브 핀(230)은 두 개가 구비되되, 기판(20)에 수평한 평면 상의 각각의 검출 프루브 핀(230)의 도심(圖心,centroid)을 연결하는 선분(C-C)에 평행하고 기판(20)에 수직한 평면(C'C') 상에 상기 각각의 검출 프루브 핀(230)을 투영시 중첩 영역이 발생할 수도 있다.In the semiconductor film layer inspection device, the detection unit 200 includes: a plurality of detection probe pins 230 contacting points spaced apart from each other on one surface of the oxide semiconductor layer, and an oxide semiconductor layer on the detection probe pin 230. It includes a detection probe module 202 that applies a detection application signal for detecting the electrical characteristics of and detects a detection signal input from the detection probe pin 230, and the detection probe pins 230 are provided with two. , a plane (C'C') parallel to the line segment (C-C) connecting the centroids of each detection probe pin 230 on a plane horizontal to the substrate 20 and perpendicular to the substrate 20 When projecting each detection probe pin 230 on the image, an overlapping area may occur.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 검출 프루브 핀(230) 중의 하나는 다른 하나를 폐구조 포획하는 구조일 수도 있다.In the semiconductor film layer inspection device, one of the detection probe pins 230 may have a structure that captures the other in a closed structure.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 검출 프루브 핀(230) 중의 하나는 다른 하나의 적어도 일부를 둘러싸는 구조일 수도 있다.In the semiconductor film layer inspection device, one of the detection probe pins 230 may have a structure that surrounds at least a portion of the other probe pin 230.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 검출 유니트(200)는: 산화물 반도체층 일면 상 서로 이격된 지점에 접촉하는 복수의 검출 프루브 핀(230)과, 상기 검출 프루브 핀(230)에 산화물 반도체층의 전기적 특성 검출을 위한 검출 인가 신호를 인가하고 상기 검출 프루브 핀(230)으로부터 입력되는 검출 감지 신호를 감지하는 검출 프루브 모듈(202)을 포함하고, 상기 검출 프루브 핀(230)은 두 개가 구비되되, 상기 검출 프루브 핀(230) 중 적어도 하나는: 산화물 반도체층과 이격 배치되는 검출 프루브 핀 바디(231)와, 일단은 상기 검출 프루브 핀 바디(231) 측에 배치되고 타단은 산화물 반도체층과 직접 접촉하는 검출 프루브 핀 컨택터부(233)를 포함할 수도 있다.In the semiconductor film layer inspection device, the detection unit 200 includes: a plurality of detection probe pins 230 contacting points spaced apart from each other on one surface of the oxide semiconductor layer, and an oxide semiconductor layer on the detection probe pin 230. It includes a detection probe module 202 that applies a detection application signal for detecting the electrical characteristics of and detects a detection signal input from the detection probe pin 230, and the detection probe pins 230 are provided with two. , at least one of the detection probe pins 230 has: a detection probe pin body 231 spaced apart from the oxide semiconductor layer, one end of which is disposed on the detection probe pin body 231 side, and the other end of which is directly connected to the oxide semiconductor layer. It may also include a detection probe pin contactor portion 233 that is in contact with the sensor.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233): 산화물 반도체층과 직접 접촉하는 하나 이상의 검출 프루브 핀 컨택터(235)를 포함할 수도 있다.In the semiconductor film layer inspection device, the detection probe pin contactor portion 233 may include one or more detection probe pin contactors 235 that are in direct contact with the oxide semiconductor layer.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233)는: 상기 검출 프루브 핀 바디(231)와 상기 검출 프루브 핀 컨택터(235)의 사이에 배치되어 탄성 변형 가능한 도전체로 형성되는 검출 프루브 핀 미디엄(237)를 더 포함할 수도 있다.In the semiconductor film layer inspection device, the detection probe pin contactor portion 233 is disposed between the detection probe pin body 231 and the detection probe pin contactor 235 and is formed of an elastically deformable conductor. It may further include a detection probe pin medium (237).

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233)가 상기 검출 유니트(200) 측과 전기적 연결 구조를 형성할 수도 있다.In the semiconductor film layer inspection device, the detection probe pin contactor unit 233 may form an electrical connection structure with the detection unit 200.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 검출 프루브 핀 컨택터(235)는 복수 개가 구비되고, 상기 복수 개의 검출 프루브 핀 컨택터(235)는 매트릭스 구조로 배치되되, 어느 하나의 검출 프루브 핀 컨택터는 인접한 다른 어느 하나의 검출 프루브 핀 컨택터와 상이한 전기적 신호를 인가받일 수도 있다.In the semiconductor film layer inspection device, a plurality of detection probe pin contactors 235 are provided, and the plurality of detection probe pin contactors 235 are arranged in a matrix structure, where one detection probe pin contactor is An electrical signal different from that of any other adjacent detection probe pin contactor may be applied.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 검출 프루브 핀 컨택터(235)는 복수 개가 구비되고, 상기 복수 개의 검출 프루브 핀 컨택터(235)는 적어도 일부가 다른 일부를 포획하는 구조를 형성하고, 상기 복수 개의 검출 프루브 핀 컨택터(235)는: 제 1 검출 프루브 핀 컨택터(235a)와, 상기 제 1 검출 프루브 핀 컨택터(235a)와 상이한 전기적 신호를 인가받는 제 2 검출 프루브 핀 컨택터(235b)를 포함할 수도 있다.In the semiconductor film layer inspection device, a plurality of detection probe pin contactors 235 are provided, and the plurality of detection probe pin contactors 235 form a structure where at least a part captures the other part, The plurality of detection probe pin contactors 235 include: a first detection probe pin contactor 235a, and a second detection probe pin contactor that receives an electrical signal different from the first detection probe pin contactor 235a ( 235b) may also be included.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 제 1 검출 프루브 핀 컨택터(235a)는: 하나 이상의 제 1 검출 프루브 핀 컨택터 노드(235a-1)와, 사전 설정된 복수 개가 군집되어 전기적으로 연결 배치되고, 적어도 일부가 상기 제 2 검출 프루브 핀 컨택터(235b)에 의하여 둘러싸이는 제 1 검출 프루브 핀 컨택터 코어(235a-2)과, 사전 설정된 복수 개가 직렬 연결 배치되고 일단은 상기 제 1 검출 프루브 핀 컨택터 노브(235a-1) 측과 타단은 제 1 검출 프루브 핀 컨택터 코어(235a-2) 측과 전기적으로 연결되는 제 1 검출 프루브 핀 컨택터 브랜치(235a-3)를 포함하고, 상기 제 1 검출 프루브 핀 컨턱터 노브(235a-1)는 상기 제 1 검출 프루브 핀 컨택터(235a) 중의 적어도 다른 어느 하나와 더 전기적으로 연결할 수도 있다.In the semiconductor film layer inspection device, the first detection probe pin contactor 235a is arranged to be electrically connected to one or more first detection probe pin contactor nodes 235a-1 and a preset plurality of groups. , a first detection probe pin contactor core 235a-2, at least partially surrounded by the second detection probe pin contactor 235b, and a plurality of preset numbers arranged in series, one end of which is connected to the first detection probe pin. The contactor knob 235a-1 side and the other end include a first detection probe pin contactor branch 235a-3 electrically connected to the first detection probe pin contactor core 235a-2 side, and the first detection probe pin contactor branch 235a-3 is electrically connected to the first detection probe pin contactor core 235a-2 side. 1 The detection probe pin conductor knob 235a-1 may be further electrically connected to at least one other of the first detection probe pin contactors 235a.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 제 2 검출 프루브 핀 컨택터(235b)는: 하나 이상의 제 2 검출 프루브 핀 컨택터 노드(235b-1)와, 사전 설정된 복수 개가 군집되어 전기적으로 연결 배치되고, 적어도 일부가 상기 제 1 검출 프루브 핀 컨택터(235a)에 의하여 둘러싸이는 제 2 검출 프루브 핀 컨택터 코어(235b-2)과, 사전 설정된 복수 개가 직렬 연결 배치되고 일단은 상기 제 2 검출 프루브 핀 컨택터 노브(235b-1) 측과 타단은 제 2 검출 프루브 핀 컨택터 코어(235b-1) 측과 전기적으로 연결되는 제 2 검출 프루브 핀 컨택터 브랜치(235b-3)를 포함하고, 상기 제 2 검출 프루브 핀 컨턱터 노브(235a-2)는 상기 제 2 검출 프루브 핀 컨택터(235b) 중의 적어도 다른 어느 하나와 더 전기적으로 연결될 수도 있다.In the semiconductor film layer inspection device, the second detection probe pin contactor 235b is arranged to be electrically connected to one or more second detection probe pin contactor nodes 235b-1 and a preset plurality of them in a group. , a second detection probe pin contactor core 235b-2, at least partially surrounded by the first detection probe pin contactor 235a, and a plurality of preset numbers arranged in series, one end of which is connected to the second detection probe pin. The contactor knob (235b-1) side and the other end include a second detection probe pin contactor branch (235b-3) electrically connected to the second detection probe pin contactor core (235b-1) side, and the second detection probe pin contactor branch (235b-3) is electrically connected to the second detection probe pin contactor core (235b-1). The second detection probe pin conductor knob 235a-2 may be further electrically connected to at least one other of the second detection probe pin contactors 235b.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 검출 프루브 핀 바디(231)의 적어도 일부는 강자성체로 형성되고, 기판을 사이에 두고 상기 검출 프루브 핀 바디(231)의 반대편에 대향 배치되고, 작동시 상기 검출 프루브 핀 바디(231)에 자기력을 형성하여 기판 측과 밀접 접촉하도록 밀접 정렬시키는 컨택 정렬부(400)를 더 포함할 수도 있다.In the semiconductor film layer inspection device, at least a portion of the detection probe pin body 231 is formed of a ferromagnetic material, is disposed on an opposite side of the detection probe pin body 231 with a substrate therebetween, and detects the detection probe during operation. It may further include a contact alignment part 400 that generates a magnetic force on the probe pin body 231 to closely align it with the substrate side.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 베이스부(40) 측에 배치되고 상기 검출 프루브 핀 바디(231) 측에 자기력을 형성하는 컨택 정렬 전자석부(410)와, 상기 컨택 정렬 전자석부(410)에 전원 인가를 단속하는 컨택 정렬 제어부(420)를 포함할 수도 있다.In the semiconductor film layer inspection device, a contact alignment electromagnet portion 410 disposed on the base portion 40 side and forming a magnetic force on the detection probe pin body 231 side, and the contact alignment electromagnet portion 410 It may also include a contact alignment control unit 420 that regulates power application.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 검출 유니트(200)는: 산화물 반도체층 일면 상 서로 이격된 지점에 접촉하는 검출 프루브 핀(230)과, 상기 검출 프루브 핀(230)에 산화물 반도체 층의 전기적 특성 검출을 위한 검출 인가 신호를 인가하고 상기 검출 프루브 핀(230)으로부터 입력되는 검출 감지 신호를 감지하는 검출 프루브 모듈(202)을 포함하고, 상기 검출 프루브 핀(230)은: 산화물 반도체층과 배치되는 검출 프루브 핀 바디(231)와, 일단은 상기 검출 프루브 핀 바디(231) 측에 배치되고 타단은 산화물 반도체층과 직접 접촉하는 검출 프루브 핀 컨택터부(233)를 포함할 수도 있다.In the semiconductor film layer inspection device, the detection unit 200 includes: a detection probe pin 230 that contacts a spaced apart point on one side of the oxide semiconductor layer, and an electrical connection of the oxide semiconductor layer to the detection probe pin 230. It includes a detection probe module 202 that applies a detection application signal for characteristic detection and detects a detection signal input from the detection probe pin 230, wherein the detection probe pin 230 is: disposed with an oxide semiconductor layer. It may include a detection probe pin body 231 and a detection probe pin contactor portion 233, one end of which is disposed on the detection probe pin body 231 and the other end of which is in direct contact with the oxide semiconductor layer.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 검출 프루브 핀 바디(231)는: 상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233)가 배치되는 검출 프루브 핀 바디 베이스(231-1)와, 상기 검출 프루브 핀 바디 베이스(231-1)의 일면 상에 배치되고 상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233)를 전기적 연결시키는 검출 프루브 핀 바디 라인(231-2)을 구비할 수도 있다.In the semiconductor film layer inspection device, the detection probe pin body 231 includes: a detection probe pin body base 231-1 on which the detection probe pin contactor portion 233 is disposed, and the detection probe pin body base ( It may be provided with a detection probe pin body line 231-2 disposed on one surface of 231-1 and electrically connecting the detection probe pin contactor portion 233.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 검출 프루브 핀 바디 베이스(231-1)는 FPCB를 포함하고, 상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233)는: 상기 검출 프루브 핀 바디 베이스(231-1)의 일면 상에 배치되고 상기 검출 프루브 핀 바디 라인(231-2)과 전기적으로 연결되고, 산화물 반도체층과 직접 접촉하는 하나 이상의 검출 프루브 핀 컨택터(235)를 포함할 수도 있다.In the semiconductor film layer inspection device, the detection probe pin body base 231-1 includes an FPCB, and the detection probe pin contactor portion 233 is: one surface of the detection probe pin body base 231-1. It may include one or more detection probe pin contactors 235 disposed on the sensor, electrically connected to the detection probe pin body line 231-2, and in direct contact with the oxide semiconductor layer.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 검출 프루브 핀 컨택터(235)는 복수 개가 구비되고, 상기 복수 개의 검출 프루브 핀 컨택터(235)는 매트릭스 구조로 배치되되, 어느 하나의 검출 프루브 핀 컨택터는 인접한 다른 어느 하나의 검출 프루브 핀 컨택터와 상이한 전기적 신호를 인가받을 수도 있다.In the semiconductor film layer inspection device, a plurality of detection probe pin contactors 235 are provided, and the plurality of detection probe pin contactors 235 are arranged in a matrix structure, where one detection probe pin contactor is A different electrical signal may be applied to any other adjacent detection probe pin contactor.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 검출 프루브 핀 컨택터(235)는 복수 개가 구비되고, 상기 복수 개의 검출 프루브 핀 컨택터(235)는 적어도 일부가 다른 일부를 포획하는 구조를 형성하고, 상기 복수 개의 검출 프루브 핀 컨택터부(235)는: 제 1 검출 프루브 핀 컨택터(235a)와, 상기 제 1 검출 프루브 핀 컨택터(235a)와 상이한 전기적 신호를 인가받는 제 2 검출 프루브 핀 컨택터(235b)를 포함할 수도 있다.In the semiconductor film layer inspection device, a plurality of detection probe pin contactors 235 are provided, and the plurality of detection probe pin contactors 235 form a structure where at least a part captures the other part, The plurality of detection probe pin contactor units 235 include: a first detection probe pin contactor 235a, and a second detection probe pin contactor ( 235b) may also be included.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 제 1 검출 프루브 핀 컨택터(235a)는: 하나 이상의 제 1 검출 프루브 핀 컨택터 노드(235a-1)와, 사전 설정된 복수 개가 군집되어 전기적으로 연결 배치되고, 적어도 일부가 상기 제 2 검출 프루브 핀 컨택터(235b)에 의하여 둘러싸이는 제 1 검출 프루브 핀 컨택터 코어(235a-2)과, 사전 설정된 복수 개가 직렬 연결 배치되고 일단은 상기 제 1 검출 프루브 핀 컨택터 노브(235a-1) 측과 타단은 제 1 검출 프루브 핀 컨택터 코어(235a-2) 측과 전기적으로 연결되는 제 1 검출 프루브 핀 컨택터 브랜치(235a-3)를 포함하고, 상기 제 1 검출 프루브 핀 컨턱터 노브(235a-1)는 상기 제 1 검출 프루브 핀 컨택터(235a) 중의 적어도 다른 어느 하나와 더 전기적으로 연결할 수도 있다.In the semiconductor film layer inspection device, the first detection probe pin contactor 235a is arranged to be electrically connected to one or more first detection probe pin contactor nodes 235a-1 and a preset plurality of groups. , a first detection probe pin contactor core 235a-2, at least partially surrounded by the second detection probe pin contactor 235b, and a plurality of preset numbers arranged in series, one end of which is connected to the first detection probe pin. The contactor knob 235a-1 side and the other end include a first detection probe pin contactor branch 235a-3 electrically connected to the first detection probe pin contactor core 235a-2 side, and the first detection probe pin contactor branch 235a-3 is electrically connected to the first detection probe pin contactor core 235a-2 side. 1 The detection probe pin conductor knob 235a-1 may be further electrically connected to at least one other of the first detection probe pin contactors 235a.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 제 2 검출 프루브 핀 컨택터(235b)는: 하나 이상의 제 2 검출 프루브 핀 컨택터 노드(235b-1)와, 사전 설정된 복수 개가 군집되어 전기적으로 연결 배치되고, 적어도 일부가 상기 제 1 검출 프루브 핀 컨택터(235a)에 의하여 둘러싸이는 제 2 검출 프루브 핀 컨택터 코어(235b-2)과, 사전 설정된 복수 개가 직렬 연결 배치되고 일단은 상기 제 2 검출 프루브 핀 컨택터 노브(235b-1) 측과 타단은 제 2 검출 프루브 핀 컨택터 코어(235b-1) 측과 전기적으로 연결되는 제 2 검출 프루브 핀 컨택터 브랜치(235b-3)를 포함하고, 상기 제 2 검출 프루브 핀 컨턱터 노브(235a-2)는 상기 제 2 검출 프루브 핀 컨택터(235b) 중의 적어도 다른 어느 하나와 더 전기적으로 연결될 수도 있다.In the semiconductor film layer inspection device, the second detection probe pin contactor 235b is arranged to be electrically connected to one or more second detection probe pin contactor nodes 235b-1 and a preset plurality of them in a group. , a second detection probe pin contactor core 235b-2, at least partially surrounded by the first detection probe pin contactor 235a, and a plurality of preset numbers arranged in series, one end of which is connected to the second detection probe pin. The contactor knob (235b-1) side and the other end include a second detection probe pin contactor branch (235b-3) electrically connected to the second detection probe pin contactor core (235b-1) side, and the second detection probe pin contactor branch (235b-3) is electrically connected to the second detection probe pin contactor core (235b-1). The second detection probe pin conductor knob 235a-2 may be further electrically connected to at least one other of the second detection probe pin contactors 235b.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 검출 유니트(200)는: 일단에 상기 검출 프루브 핀(230)이 배치되고 상기 베이스부(40) 측에 대하여 상대 가동 가능한 검출 프루브 무빙부(240)를 포함할 수도 있다.In the semiconductor film layer inspection device, the detection unit 200 includes: a detection probe moving part 240 on one end of which the detection probe pin 230 is disposed and which is relatively movable with respect to the base part 40. You may.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 검출 프루브 무빙부(240)는: 일단에 상기 검출 프루브 핀(230)이 배치되는 검출 프루브 무빙 바디부(241)와, 일단은 상기 검출 프루브 무빙 바디부(241)에 그리고 타단은 상기 베이스부(40) 측에 상대 가동 가능하게 배치되는 검출 프루브 무빙 가이드(280)를 포함할 수도 있다.In the semiconductor film layer inspection device, the detection probe moving part 240 includes: a detection probe moving body part 241 on one end of which the detection probe pin 230 is disposed, and one end of the detection probe moving body part ( 241) and the other end may include a detection probe moving guide 280 that is relatively movably disposed on the base portion 40 side.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 검출 프루브 무빙부(240)는: 상기 검출 프루브 무빙 바디부(241)의 가동을 댐핑하는 검출 프루브 댐핑부(270)를 포함할 수도 있다.In the semiconductor film layer inspection apparatus, the detection probe moving part 240 may include a detection probe damping part 270 that damps the movement of the detection probe moving body part 241.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 검출 프루브 댐핑부(270)는: 상기 검출 프루브 무빙 바디부(241) 측에 배치되는 댐핑 무빙 바디 수용부(271)와, 상기 댐핑 무빙 바디 수용부(271)에 배치되어 일단이 상기 댐핑 무빙 바디 수용부(271)의 내측에 지지되는 댐핑 탄성부(273)와, 일단은 상기 댐핑 탄성부(273) 측과 접촉하고, 타단은 상기 베이스부(40) 측을 향하여 배치 접촉되고 상기 검출 프루브 무빙 바디부(241)의 가동을 제한하는 댐핑 플런저(275)를 포함할 수도 있다.In the semiconductor film layer inspection device, the detection probe damping unit 270 includes: a damping moving body accommodation unit 271 disposed on a side of the detection probe moving body unit 241; and the damping moving body accommodation unit 271. ) is disposed in the damping elastic portion 273, one end of which is supported on the inside of the damping moving body receiving portion 271, one end of which is in contact with the damping elastic portion 273, and the other end of which is the base portion 40. It may also include a damping plunger 275 that is disposed and contacted toward the side and limits the movement of the detection probe moving body 241.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 댐핑 플런저(275)는: 단부가 상기 댐핑 탄성부(273)에 의하여 접촉 지지되는 댐핑 플런저 바디(2751)와, 일단이 상기 댐핑 플런저 바디(2751)에 연결되고 상기 댐핑 무빙 바디 수용부(271)의 길이를 따라 수용 배치되는 댐핑 플런저 샤프트(2753)를 포함할 수도 있다.In the semiconductor film layer inspection device, the damping plunger 275 includes: a damping plunger body 2751 whose end is contacted and supported by the damping elastic portion 273, and one end connected to the damping plunger body 2751 and may include a damping plunger shaft 2753 accommodated along the length of the damping moving body receiving portion 271.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 검출 프루브 무빙부(240)는: 상기 댐핑 플런저 바디(2751)에 대향하여 상기 베이스(40) 측에 배치되고, 상기 댐핑 플런저 바디(2751)와 접촉하여 접촉 상태를 감지하는 검출 프루브 무빙 센싱부(290)를 포함할 수도 있다.In the semiconductor film layer inspection device, the detection probe moving part 240 is: disposed on the base 40 side opposite to the damping plunger body 2751, and comes into contact with the damping plunger body 2751. It may also include a detection probe moving sensing unit 290 that detects the state.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 검출 프루브 무빙 센싱부(290)는 압력 센서를 포함할 수도 있다.In the semiconductor film layer inspection device, the detection probe moving sensing unit 290 may include a pressure sensor.

본 발명의 다른 일면에 따르면, 본 발명은 반도체 필름층(30)의 산화물 반도체층(31) 일면 상 적어도 두 개의 지점에 접촉하여 전기적 신호를 인가하여 산화물 반도체층의 전기적 특성을 검출하는 검출 유니트(200)로서, 상기 검출 유니트(200)는: 산화물 반도체층 일면 상 서로 이격된 지점에 접촉하는 검출 프루브 핀(230)과, 상기 검출 프루브 핀(230)에 검출을 위한 검출 인가 신호를 인가하고 상기 검출 프루브 핀(230)으로부터 입력되는 검출 감지 신호를 감지하는 검출 프루브 모듈(202)을 포함하고, 상기 검출 프루브 핀(230)은: 산화물 반도체층과 배치되는 검출 프루브 핀 바디(231)와, 일단은 상기 검출 프루브 핀 바디(231) 측에 배치되고 타단은 산화물 반도체층과 직접 접촉하는 검출 프루브 핀 컨택터부(233)를 포함하는 것을 특징으로 하는 검출 유니트(200)를 제공한다. According to another aspect of the present invention, the present invention is a detection unit ( 200), the detection unit 200 includes: a detection probe pin 230 contacting a spaced apart point on one side of the oxide semiconductor layer, applying a detection application signal for detection to the detection probe pin 230, and It includes a detection probe module 202 that detects a detection signal input from a detection probe pin 230, wherein the detection probe pin 230 includes: a detection probe pin body 231 disposed on an oxide semiconductor layer, and one end Provides a detection unit 200 characterized in that it includes a detection probe pin contactor portion 233 disposed on the side of the detection probe pin body 231 and the other end of which is in direct contact with the oxide semiconductor layer.

상기 검출 유니트 에 있어서, 상기 검출 프루브 핀 바디(231)는: 상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233)가 배치되는 검출 프루브 핀 바디 베이스(231-1)와, 상기 검출 프루브 핀 바디 베이스(231-1)의 일면 상에 배치되고 상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233)를 전기적 연결시키는 검출 프루브 핀 바디 라인(231-2)을 구비할 수도 있다.In the detection unit, the detection probe pin body 231 includes: a detection probe pin body base 231-1 on which the detection probe pin contactor portion 233 is disposed, and a detection probe pin body base 231-1. ) and may be provided with a detection probe pin body line 231-2 that is disposed on one side and electrically connects the detection probe pin contactor portion 233.

상기 검출 유니트 에 있어서, 상기 검출 프루브 핀 바디 베이스(231-1)는 FPCB를 포함하고, 상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233)는: 상기 검출 프루브 핀 바디 베이스(231-1)의 일면 상에 배치되고 상기 검출 프루브 핀 바디 라인(231-2)과 전기적으로 연결되고, 산화물 반도체층과 직접 접촉하는 하나 이상의 검출 프루브 핀 컨택터(235)를 포함할 수도 있다.In the detection unit, the detection probe pin body base 231-1 includes an FPCB, and the detection probe pin contactor portion 233 is: disposed on one surface of the detection probe pin body base 231-1. and may include one or more detection probe pin contactors 235 that are electrically connected to the detection probe pin body line 231-2 and are in direct contact with the oxide semiconductor layer.

상기 검출 유니트 에 있어서, 상기 검출 프루브 핀 컨택터(235)는 복수 개가 구비되고, 상기 복수 개의 검출 프루브 핀 컨택터(235)는 매트릭스 구조로 배치되되, 어느 하나의 검출 프루브 핀 컨택터는 인접한 다른 어느 하나의 검출 프루브 핀 컨택터와 상이한 전기적 신호를 인가받을 수도 있다.In the detection unit, a plurality of detection probe pin contactors 235 are provided, and the plurality of detection probe pin contactors 235 are arranged in a matrix structure, and any one detection probe pin contactor is connected to any other adjacent detection probe pin contactor. A different electrical signal may be applied to a single detection probe pin contactor.

상기 검출 유니트 에 있어서, 상기 검출 프루브 핀 컨택터(235)는 복수 개가 구비되고, 상기 복수 개의 검출 프루브 핀 컨택터부(235)는 적어도 일부가 다른 일부를 포획하는 구조를 형성하고, 상기 복수 개의 검출 프루브 핀 컨택터부(235)는: 제 1 검출 프루브 핀 컨택터(235a)와, 상기 제 1 검출 프루브 핀 컨택터(235a)와 상이한 전기적 신호를 인가받는 제 2 검출 프루브 핀 컨택터(235b)를 포함할 수도 있다.In the detection unit, a plurality of detection probe pin contactors 235 are provided, and the plurality of detection probe pin contactor parts 235 form a structure in which at least a part captures the other part, and the plurality of detection probe pin contactors 235 are provided. The probe pin contactor unit 235 includes: a first detection probe pin contactor 235a and a second detection probe pin contactor 235b that receives an electrical signal different from the first detection probe pin contactor 235a. It may also be included.

상기 검출 유니트 에 있어서, 상기 제 1 검출 프루브 핀 컨택터(235a)는: 하나 이상의 제 1 검출 프루브 핀 컨택터 노드(235a-1)와,사전 설정된 복수 개가 군집되어 전기적으로 연결 배치되고, 적어도 일부가 상기 제 2 검출 프루브 핀 컨택터(235b)에 의하여 둘러싸이는 제 1 검출 프루브 핀 컨택터 코어(235a-2)과, 사전 설정된 복수 개가 직렬 연결 배치되고 일단은 상기 제 1 검출 프루브 핀 컨택터 노브(235a-1) 측과 타단은 제 1 검출 프루브 핀 컨택터 코어(235a-2) 측과 전기적으로 연결되는 제 1 검출 프루브 핀 컨택터 브랜치(235a-3)를 포함하고, 상기 제 1 검출 프루브 핀 컨턱터 노브(235a-1)는 상기 제 1 검출 프루브 핀 컨택터(235a) 중의 적어도 다른 어느 하나와 더 전기적으로 연결할 수도 있다.In the detection unit, the first detection probe pin contactor 235a is: one or more first detection probe pin contactor nodes 235a-1, and a preset plurality of them are grouped and electrically connected, and at least some of them are connected to each other. A first detection probe pin contactor core 235a-2 is surrounded by the second detection probe pin contactor 235b, and a plurality of preset numbers are arranged in series, one end of which is connected to the first detection probe pin contactor knob. The (235a-1) side and the other end include a first detection probe pin contactor branch (235a-3) electrically connected to the first detection probe pin contactor core (235a-2) side, and the first detection probe pin contactor branch (235a-3) is electrically connected to the first detection probe pin contactor core (235a-2) side. The pin conductor knob 235a-1 may be further electrically connected to at least one other of the first detection probe pin contactors 235a.

상기 검출 유니트 에 있어서, 상기 제 2 검출 프루브 핀 컨택터(235b)는: 하나 이상의 제 2 검출 프루브 핀 컨택터 노드(235b-1)와, 사전 설정된 복수 개가 군집되어 전기적으로 연결 배치되고, 적어도 일부가 상기 제 1 검출 프루브 핀 컨택터(235a)에 의하여 둘러싸이는 제 2 검출 프루브 핀 컨택터 코어(235b-2)과, 사전 설정된 복수 개가 직렬 연결 배치되고 일단은 상기 제 2 검출 프루브 핀 컨택터 노브(235b-1) 측과 타단은 제 2 검출 프루브 핀 컨택터 코어(235b-1) 측과 전기적으로 연결되는 제 2 검출 프루브 핀 컨택터 브랜치(235b-3)를 포함하고, 상기 제 2 검출 프루브 핀 컨턱터 노브(235a-2)는 상기 제 2 검출 프루브 핀 컨택터(235b) 중의 적어도 다른 어느 하나와 더 전기적으로 연결될 수도 있다.In the detection unit, the second detection probe pin contactor 235b is arranged to be electrically connected to one or more second detection probe pin contactor nodes 235b-1 and a preset plurality of them, and at least some of them are electrically connected to each other. A second detection probe pin contactor core 235b-2 is surrounded by the first detection probe pin contactor 235a, and a plurality of preset numbers are arranged in series, one end of which is connected to the second detection probe pin contactor knob. The (235b-1) side and the other end include a second detection probe pin contactor branch (235b-3) electrically connected to the second detection probe pin contactor core (235b-1) side, and the second detection probe The pin conductor knob 235a-2 may be further electrically connected to at least one other of the second detection probe pin contactors 235b.

상기 검출 유니트 에 있어서, 일단에 상기 검출 프루브 핀(230)이 배치되고 일면 상에 기판이 안착 배치되는 베이스부(40) 측에 대하여 상대 가동 가능한 검출 프루브 무빙부(240)를 포함할 수도 있다.In the detection unit, the detection probe pin 230 is disposed at one end and may include a detection probe moving part 240 that is movable relative to the base part 40 on one side of which the substrate is seated.

상기 검출 유니트 에 있어서, 상기 검출 프루브 무빙부(240)는: 일단에 상기 검출 프루브 핀(230)이 배치되는 검출 프루브 무빙 바디부(241)와, 일단은 상기 검출 프루브 무빙 바디부(241)에 그리고 타단은 일면 상에 기판이 안착 배치되는 베이스부(40) 측에 상대 가동 가능하게 배치되는 검출 프루브 무빙 가이드(280)를 포함할 수도 있다.In the detection unit, the detection probe moving part 240 includes: a detection probe moving body part 241 on which the detection probe pin 230 is disposed at one end, and one end connected to the detection probe moving body part 241. Additionally, the other end may include a detection probe moving guide 280 that is movably disposed relative to the base portion 40 where the substrate is placed on one side.

상기 검출 유니트 에 있어서, 상기 검출 프루브 무빙부(240)는 : 상기 검출 프루브 무빙 바디부(241)의 가동을 댐핑하는 검출 프루브 댐핑부(270)를 포함할 수도 있다.In the detection unit, the detection probe moving part 240 may include a detection probe damping part 270 that damps the movement of the detection probe moving body part 241.

상기 검출 유니트 에 있어서, 상기 검출 프루브 댐핑부(270)는: 상기 검출 프루브 무빙 바디부(241) 측에 배치되는 댐핑 무빙 바디 수용부(271)와, 상기 댐핑 무빙 바디 수용부(271)에 배치되어 일단이 상기 댐핑 무빙 바디 수용부(271)의 내측에 지지되는 댐핑 탄성부(273)와, 일단은 상기 댐핑 탄성부(273) 측과 접촉하고, 타단은 일면 상에 기판이 안착 배치되는 베이스부(40) 측을 향하여 배치 접촉되고 상기 검출 프루브 무빙 바디부(241)의 가동을 제한하는 댐핑 플런저(275)를 포함할 수도 있다.In the detection unit, the detection probe damping unit 270 includes: a damping moving body accommodation unit 271 disposed on a side of the detection probe moving body unit 241, and a damping moving body accommodation unit 271 disposed on the damping moving body accommodation unit 271. A damping elastic part 273, one end of which is supported on the inside of the damping moving body receiving part 271, one end of which is in contact with the damping elastic part 273, and the other end of which is a base on which a substrate is seated and placed on one side. It may also include a damping plunger 275 that is disposed and contacted toward the unit 40 and limits the movement of the detection probe moving body 241.

상기 검출 유니트 에 있어서, 상기 댐핑 플런저(275)는: 단부가 상기 댐핑 탄성부(273)에 의하여 접촉 지지되는 댐핑 플런저 바디(2751)와, 일단이 상기 댐핑 플런저 바디(2751)에 연결되고 상기 댐핑 무빙 바디 수용부(271)의 길이를 따라 수용 배치되는 댐핑 플런저 샤프트(2753)를 포함할 수도 있다.In the detection unit, the damping plunger 275 includes: a damping plunger body 2751 whose end is contacted and supported by the damping elastic part 273, and one end connected to the damping plunger body 2751 and the damping plunger body 2751. It may also include a damping plunger shaft 2753 accommodated along the length of the moving body receiving portion 271.

상기 검출 유니트 에 있어서, 상기 검출 프루브 무빙부(240)는: 상기 댐핑 플런저 바디(2751)에 대향하여 상기 베이스(40) 측에 배치되고, 상기 댐핑 플런저 바디(2751)와 접촉하여 접촉 상태를 감지하는 검출 프루브 무빙 센싱부(290)를 포함할 수도 있다.In the detection unit, the detection probe moving part 240 is: disposed on the base 40 side opposite to the damping plunger body 2751, and detects a contact state by contacting the damping plunger body 2751. It may also include a detection probe moving sensing unit 290 that operates.

상기 검출 유니트 에 있어서, 상기 검출 프루브 무빙 센싱부(290)는 압력 센서를 포함할 수도 있다.In the detection unit, the detection probe moving sensing unit 290 may include a pressure sensor.

본 발명의 또 다른 일면에 따르면, 본 발명은 상기 반도체 필름층 검사 장치가 제공되는 제공 단계(S1)와, 일면 상에 검사 대상으로서의 산화물 반도체층(31)이 형성되는 기판(20)이 반도체 필름층 검사 장치(10)에 배치 준비되는 준비 단계(S10)와, 캐리어 제네레이터(300)를 통하여 상기 산화물 반도체층(31) 내 캐리어 농도를 증진시키는 캐리어 제네레이팅 단계(S20)와, 상기 반도체 필름층 검사 장치(10)의 검출 유니트(200)를 통하여 상기 산화물 반도체층(31) 일면 상 적어도 두 개의 지점에 접촉하여 상기 산화물 반도체층(31)에 전기적 신호를 인가하여 산화물 반도체층의 전기적 특성을 검출하는 측정 단계(S30)를 포함하는 반도체 필름층 검사 장치를 이용한 반도체 필름층 검사 방법을 제공한다. According to another aspect of the present invention, the present invention includes a providing step (S1) in which the semiconductor film layer inspection device is provided, and a substrate 20 on which an oxide semiconductor layer 31 as an inspection object is formed on one side of the semiconductor film. A preparation step (S10) to prepare for placement on the layer inspection device 10, a carrier generating step (S20) to increase the carrier concentration in the oxide semiconductor layer 31 through the carrier generator 300, and the semiconductor film layer Detect the electrical characteristics of the oxide semiconductor layer by contacting at least two points on one surface of the oxide semiconductor layer 31 through the detection unit 200 of the inspection device 10 and applying an electrical signal to the oxide semiconductor layer 31. A semiconductor film layer inspection method using a semiconductor film layer inspection device including a measurement step (S30) is provided.

상기 반도체 필름층 검사 장법에 있어서, 상기 준비 단계(S10)와 상기 캐리어 제네레이팅 단계(S20)의 사이에 상기 검출 유니트(200)에 포함되고 상기 산화물 반도체층(31) 일면 상 서로 이격된 지점에 접촉 가능한 복수의 검출 프루브핀(230) 측의 적어도 일부가 접촉 위치를 정렬하는 정렬 단계(S10a)를 더 포함할 수도 있다.In the semiconductor film layer inspection method, between the preparation step (S10) and the carrier generating step (S20), the device is included in the detection unit 200 and is located at spaced apart points on one side of the oxide semiconductor layer 31. An alignment step (S10a) of aligning the contact positions of at least a portion of the plurality of touchable detection probe pins 230 may be further included.

상기 반도체 필름층 검사 방법에 있어서, 상기 정렬 단계(S10a)는: 상기 산화물 반도체층(31)의 전기적 특성 검측을 위한 상기 검출 프루브핀(230)과 상기 산화물 반도체층(31) 간의 상대 위치 확인하여 근접 위치 까지 이동하도록 하는 위치 정렬 제어 신호가 제어부(100)로부터 인가되는 위치 정렬 단계(S11a)와, 상기 제어부(100)로부터 컨택 정렬 제어부(420)로 제어 신호를 인가하여 컨택 정렬 전자석부(410)의 온 스위칭 상태를 형성하여 상기 검출 프루브 핀(230) 측의 적어도 일부를 상기 산화물 반도체층(31) 측으로 밀착하여 배치시키는 밀착 정렬 단계(S13a)를 더 포함할 수도 있다.In the semiconductor film layer inspection method, the alignment step (S10a) includes: confirming the relative position between the detection probe pin 230 and the oxide semiconductor layer 31 for detecting the electrical characteristics of the oxide semiconductor layer 31. A position alignment step (S11a) in which a position alignment control signal to move to a close position is applied from the control unit 100, and a control signal is applied from the control unit 100 to the contact alignment control unit 420 to align the contact alignment electromagnet unit 410. ) may further include a close alignment step (S13a) of forming an on switching state and placing at least a portion of the side of the detection probe pin 230 in close contact with the oxide semiconductor layer 31.

한편, 본 발명의 또 다른 일면에 따르면, 본 발명은 기판(20)의 일면 상에 형성되고, 산화물 반도체층(31)을 구비하는 반도체 필름층(30)의 전기적 특성을 검출하기 위한 반도체 필름층 검사 장치로서, 일면 상에 기판이 안착 배치되는 베이스부(40)와, 산화물 반도체층 일면 상 적어도 두 개의 지점에 접촉하여 전기적 신호를 인가하여 산화물 반도체층의 전기적 특성을 검출하는 검출 유니트(200)와, 상기 산화물 반도체층에 캐리어의 농도를 높이기 위한 캐리어 제네레이터(300,300a,300b)를 포함하고, 상기 검출 유니트(200)는: 산화물 반도체층 일면 상 서로 이격된 지점에 접촉하는 검출 프루브 핀(230)과, 상기 검출 프루브 핀(230)에 산화물 반도체 층의 전기적 특성 검출을 위한 검출 인가 신호를 인가하고 상기 검출 프루브 핀(230)으로부터 입력되는 검출 감지 신호를 감지하는 검출 프루브 모듈(202)을 포함하고, 상기 검출 프루브 핀(230)은: 산화물 반도체층과 배치되는 검출 프루브 핀 바디(231)와, 일단은 상기 검출 프루브 핀 바디(231) 측에 배치되고 타단은 산화물 반도체층과 직접 접촉하는 검출 프루브 핀 컨택터부(233)를 포함하고, 상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233)의 적어도 일부는 독립 검출 가동 가능한 복수 개의 구획 분할되는 핀 컨택터부 블록을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 필름층 검사 장치(10)를 제공한다. Meanwhile, according to another aspect of the present invention, the present invention is a semiconductor film layer for detecting the electrical characteristics of the semiconductor film layer 30 formed on one surface of the substrate 20 and including the oxide semiconductor layer 31. An inspection device comprising: a base portion 40 on which a substrate is placed on one side; and a detection unit 200 that detects the electrical characteristics of the oxide semiconductor layer by contacting at least two points on one side of the oxide semiconductor layer and applying an electrical signal. and carrier generators 300, 300a, 300b for increasing the concentration of carriers in the oxide semiconductor layer, and the detection unit 200 includes: a detection probe pin 230 that contacts a spaced apart point on one side of the oxide semiconductor layer. ) and a detection probe module 202 that applies a detection application signal for detecting the electrical characteristics of the oxide semiconductor layer to the detection probe pin 230 and detects the detection signal input from the detection probe pin 230. And the detection probe pin 230 includes: a detection probe pin body 231 disposed on the oxide semiconductor layer, one end disposed on the detection probe pin body 231 side, and the other end directly contacting the oxide semiconductor layer. A semiconductor film layer inspection device comprising a probe pin contactor unit 233, wherein at least a portion of the detection probe pin contactor unit 233 forms a pin contactor unit block divided into a plurality of sections capable of independent detection ( 10) is provided.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 검출 프루브 핀(230)은 복수 개의 검출 프루브 서브 핀(230sub)을 구비하고, 각각의 검출 프루브 서브 핀(230sub)에 배치되는 상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233)은 각각의 검출 프루브 서브 핀(230sub) 단위로 독립 검출 가동 가능한 핀 컨택터부 블록을 형성할 수도 있다. In the semiconductor film layer inspection device, the detection probe pin 230 includes a plurality of detection probe sub-pins 230sub, and the detection probe pin contactor portion 233 is disposed on each detection probe sub-pin 230sub. ) may form a pin contactor unit block capable of independent detection for each detection probe sub-pin (230sub).

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 검출 프루브 모듈(202) 측과 상기 검출 프루브 핀(230) 측 사이에 배치되고, 독립 검출 가동 가능한 상기 복수 개의 핀 커낵터부 블록을 형성하는 상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233)에 상기 검출 프루브 모듈(202) 측으로부터의 검출 인가 신호를 독립 가동 검출 인가 신호로 전달하고, 상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233)로부터 독립 가동 검출 감지 신호를 신호 처리하여 상기 검출 프루브 모듈(202) 측으로 전달하는 디텍팅 캘리브레이션 모듈(500)을 더 구비할 수도 있다. In the semiconductor film layer inspection device, the detection probe pin contact is disposed between the detection probe module 202 side and the detection probe pin 230 side and forms the plurality of pin connector blocks capable of independent detection. The detection application signal from the detection probe module 202 side is transmitted to the detection probe module 202 as an independent operation detection application signal, and the detection probe pin contactor unit 233 processes the independent operation detection signal to detect the detection probe. A detecting calibration module 500 transmitted to the module 202 may be further provided.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 디텍팅 캘리브레이션 모듈(500)은: 상기 검출 프루브 모듈(202) 측으로부터의 검출 인가 신호를 독립 가동 검출 인가 신호로 사용하여 복수 개의 핀 컨택터부 블록 중 대상 핀 컨택터부 블록을 선택하고, 상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233) 측에서 입력되는 검출 감지 신호를 상기 핀 컨택터부 블록 중 해당하는 핀 컨택터부 블록의 검출 프루브 핀 컨택터부(233)로부터의 독립 가동 검출 감지 신호를 출력하는 디텍팅 캘리브레이션 데이터 셀렉터(520)와, 상기 복수 개의 핀 컨택터부 블록의 독립 가동 검출 감지 신호 및 상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233)의 개수 정보를 이용하여 해당 핀 컨택터부 블록의 독립 가동 검출 감지 신호 사용 여부를 결정하고, 산화물 반도체층(31)을 구비하는 반도체층(30)의 전기적 특성을 검출 프루브 핀 컨택터부(233) 개수를 이용하여 노말라이제이션화하는 디텍팅 캘리브레이션 제어부(510)를 포함할 수도 있다. In the semiconductor film layer inspection device, the detecting calibration module 500 uses the detection application signal from the detection probe module 202 as an independent operation detection application signal to select a target pin among a plurality of pin contactor blocks. Select a contactor unit block, and detect the detection signal input from the detection probe pin contactor unit 233 through independent operation detection from the detection probe pin contactor unit 233 of the corresponding pin contactor unit block among the pin contactor unit blocks. The detection calibration data selector 520 that outputs a detection signal, the independent operation detection signal of the plurality of pin contactor blocks, and the number information of the detection probe pin contactor unit 233 are used to determine the number of pin contactor blocks. A detecting calibration control unit that determines whether to use an independent operation detection detection signal and normalizes the electrical characteristics of the semiconductor layer 30 including the oxide semiconductor layer 31 using the number of detection probe pin contactor units 233. It may also include (510).

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 디텍팅 캘리브레이션 제어부(510)는: 상기 복수 개의 핀 컨택터부 블록의 독립 가동 검출 감지 신호 및 상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233)의 개수 정보를 이용하여 해당 핀 컨택터부 블록을 포함한 경우 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호를 산출하는 디텍팅 캘리브레이션 산출 제어부(511)와, 상기 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호 및 디텍팅 캘리브레이션 저장부(530)에 저장되는 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호 기준값과 비교하여, 상기 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호를 독립 가동 검출 감지 신호로의 사용 어부를 결정하는 디텍팅 캘리브레이션 판단 제어부(513)와, 상기 디텍팅 캘리브레이션 판단 제어부(513)가 상기 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호를 독립 가동 검출 감지 신호로의 사용 어부를 결정한 경우, 상기 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호를 상기 디텍팅 캘리브레이션 저장부(530)에 저장되는 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호 기준값으로 갱신하는 디텍팅 캘리브레이션 갱신 제어부(515)를 포함할 수도 있다. In the semiconductor film layer inspection device, the detecting calibration control unit 510: uses the independent operation detection detection signal of the plurality of pin contactor block blocks and the number information of the detection probe pin contactor unit 233 to detect the corresponding pin. When a contactor unit block is included, a detecting calibration calculation control unit 511 that calculates an independently movable detection signal for each number of detection probe pin contactor units, and an independent movable detection signal and detection calibration storage unit for each number of detection probe pin contactor units. Compared with the reference value of the independent operation detection signal per number of detection probe pin contactor parts stored in (530), the decision to use the independent operation detection signal per number of detection probe pin contactor parts as the independent operation detection signal is determined. When the detecting calibration judgment control unit 513 and the detecting calibration judgment control unit 513 determine whether to use the independently movable detection signal per number of detection probe pin contactor units as an independent movable detection detection signal, the detection probe pin It may also include a detecting calibration update control unit 515 that updates the independently movable detection signal per number of contactor units to a reference value of the independently movable detection signal per number of detection probe pin contactor units stored in the detecting calibration storage unit 530. there is.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 검출 프루브 핀 바디(231)는:In the semiconductor film layer inspection device, the detection probe pin body 231 is:

상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233)가 배치되는 검출 프루브 핀 바디 베이스(231-1)와, 상기 검출 프루브 핀 바디 베이스(231-1)의 일면 상에 배치되고 상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233)를 전기적 연결시키는 검출 프루브 핀 바디 라인(231-2)을 구비할 수도 있다. A detection probe pin body base 231-1 on which the detection probe pin contactor portion 233 is disposed, and a detection probe pin contactor portion 233 disposed on one surface of the detection probe pin body base 231-1. It may also be provided with a detection probe pin body line 231-2 that electrically connects.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 검출 프루브 핀 바디 베이스(231-1)는 FPCB를 포함하고, 상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233)는: 상기 검출 프루브 핀 바디 베이스(231-1)의 일면 상에 배치되고 상기 검출 프루브 핀 바디 라인(231-2)과 전기적으로 연결되고, 산화물 반도체층과 직접 접촉하는 복수 개의 검출 프루브 핀 컨택터(235)를 포함할 수도 있다. In the semiconductor film layer inspection device, the detection probe pin body base 231-1 includes an FPCB, and the detection probe pin contactor portion 233 is: one surface of the detection probe pin body base 231-1. It may include a plurality of detection probe pin contactors 235 disposed on the sensor, electrically connected to the detection probe pin body line 231-2, and in direct contact with the oxide semiconductor layer.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 복수 개의 검출 프루브 핀 컨택터(235) 중의 적어도 하나는 인접한 적어도 다른 어느 하나와 상이한 전기적 신호를 인가받을 수도 있다. In the semiconductor film layer inspection apparatus, at least one of the plurality of detection probe pin contactors 235 may receive an electrical signal different from at least one other adjacent one.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 검출 프루브 핀 컨택터부(235) 중의 적어도 일부는 다른 일부를 포획하는 구조를 형성하는 구조를 형성할 수도 있다. In the semiconductor film layer inspection device, at least a portion of the detection probe pin contactor portion 235 may form a structure that captures the other portion.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 검출 유니트(200)는: 일단에 상기 검출 프루브 핀(230)이 배치되고 상기 베이스부(40) 측에 대하여 상대 가동 가능한 검출 프루브 무빙부(240)를 포함할 수도 있다. In the semiconductor film layer inspection device, the detection unit 200 includes: a detection probe moving part 240 on one end of which the detection probe pin 230 is disposed and which is relatively movable with respect to the base part 40. You may.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 검출 프루브 무빙부(240)는: 일단에 상기 검출 프루브 핀(230)이 배치되는 검출 프루브 무빙 바디부(241)와, 일단은 상기 검출 프루브 무빙 바디부(241)에 그리고 타단은 상기 베이스부(40) 측에 상대 가동 가능하게 배치되는 검출 프루브 무빙 가이드(280)를 포함할 수도 있다. In the semiconductor film layer inspection device, the detection probe moving part 240 includes: a detection probe moving body part 241 on one end of which the detection probe pin 230 is disposed, and one end of the detection probe moving body part ( 241) and the other end may include a detection probe moving guide 280 that is relatively movably disposed on the base portion 40 side.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 검출 프루브 무빙부(240)는: 상기 검출 프루브 무빙 바디부(241)의 가동을 댐핑하는 검출 프루브 댐핑부(270)를 포함할 수도 있다. In the semiconductor film layer inspection apparatus, the detection probe moving part 240 may include a detection probe damping part 270 that damps the movement of the detection probe moving body part 241.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 검출 프루브 댐핑부(270)는:상기 검출 프루브 무빙 바디부(241) 측에 배치되는 댐핑 무빙 바디 수용부(271)와, 상기 댐핑 무빙 바디 수용부(271)에 배치되어 일단이 상기 댐핑 무빙 바디 수용부(271)의 내측에 지지되는 댐핑 탄성부(273)와, 일단은 상기 댐핑 탄성부(273) 측과 접촉하고, 타단은 상기 베이스부(40) 측을 향하여 배치 접촉되고 상기 검출 프루브 무빙 바디부(241)의 가동을 제한하는 댐핑 플런저(275)를 포함할 수도 있다. In the semiconductor film layer inspection apparatus, the detection probe damping unit 270 includes: a damping moving body accommodation unit 271 disposed on a side of the detection probe moving body unit 241; and the damping moving body accommodation unit 271. ) is disposed in the damping elastic portion 273, one end of which is supported on the inside of the damping moving body receiving portion 271, one end of which is in contact with the damping elastic portion 273, and the other end of which is the base portion 40. It may also include a damping plunger 275 that is disposed and contacted toward the side and limits the movement of the detection probe moving body 241.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 댐핑 플런저(275)는: 단부가 상기 댐핑 탄성부(273)에 의하여 접촉 지지되는 댐핑 플런저 바디(2751)와, 일단이 상기 댐핑 플런저 바디(2751)에 연결되고 상기 댐핑 무빙 바디 수용부(271)의 길이를 따라 수용 배치되는 댐핑 플런저 샤프트(2753)를 포함할 수도 있다. In the semiconductor film layer inspection device, the damping plunger 275 includes: a damping plunger body 2751 whose end is contacted and supported by the damping elastic portion 273, and one end connected to the damping plunger body 2751 and may include a damping plunger shaft 2753 accommodated along the length of the damping moving body receiving portion 271.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 검출 프루브 무빙부(240)는: 상기 댐핑 플런저 바디(2751)에 대향하여 상기 베이스(40) 측에 배치되고, 상기 댐핑 플런저 바디(2751)와 접촉하여 접촉 상태를 감지하는 검출 프루브 무빙 센싱부(290)를 포함할 수도 있다. In the semiconductor film layer inspection device, the detection probe moving part 240 is: disposed on the base 40 side opposite to the damping plunger body 2751, and comes into contact with the damping plunger body 2751. It may also include a detection probe moving sensing unit 290 that detects the state.

상기 반도체 필름층 검사 장치에 있어서, 상기 검출 프루브 무빙 센싱부(290)는 압력 센서를 포함할 수도 있다. In the semiconductor film layer inspection device, the detection probe moving sensing unit 290 may include a pressure sensor.

본 발명의 또 다른 일면에 따르면, 본 발명은 반도체 필름층(30)의 산화물 반도체층(31) 일면 상 적어도 두 개의 지점에 접촉하여 전기적 신호를 인가하여 산화물 반도체층의 전기적 특성을 검출하는 검출 유니트(200)로서, 상기 검출 유니트(200)는: 산화물 반도체층 일면 상 서로 이격된 지점에 접촉하는 검출 프루브 핀(230)과, 상기 검출 프루브 핀(230)에 검출을 위한 검출 인가 신호를 인가하고 상기 검출 프루브 핀(230)으로부터 입력되는 검출 감지 신호를 감지하는 검출 프루브 모듈(202)을 포함하고, 상기 검출 프루브 핀(230)은: 산화물 반도체층과 배치되는 검출 프루브 핀 바디(231)와, 일단은 상기 검출 프루브 핀 바디(231) 측에 배치되고 타단은 산화물 반도체층과 직접 접촉하는 검출 프루브 핀 컨택터부(233)를 포함하고, 상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233)의 적어도 일부는 독립 검출 가동 가능한 복수 개의 구획 분할되는 핀 컨택터부 블록을 형성하고, 상기 검출 프루브 핀 바디(231)는: 상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233)가 배치되는 검출 프루브 핀 바디 베이스(231-1)와, 상기 검출 프루브 핀 바디 베이스(231-1)의 일면 상에 배치되고 상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233)를 전기적 연결시키는 검출 프루브 핀 바디 라인(231-2)을 구비하고, 상기 검출 프루브 핀 바디 베이스(231-1)는 FPCB를 포함하고, 상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233)는: 상기 검출 프루브 핀 바디 베이스(231-1)의 일면 상에 배치되고 상기 검출 프루브 핀 바디 라인(231-2)과 전기적으로 연결되고, 산화물 반도체층과 직접 접촉하는 복수 개의 검출 프루브 핀 컨택터(235)를 포함하고, 상기 복수 개의 검출 프루브 핀 컨택터(235) 중의 적어도 하나는 인접한 적어도 다른 어느 하나와 상이한 전기적 신호를 인가받는 것을 특징으로 하는 검출 유니트를 제공한다. According to another aspect of the present invention, the present invention is a detection unit that detects the electrical characteristics of the oxide semiconductor layer by contacting at least two points on one surface of the oxide semiconductor layer 31 of the semiconductor film layer 30 and applying an electrical signal. As (200), the detection unit 200 includes: a detection probe pin 230 contacting a point spaced apart from each other on one side of the oxide semiconductor layer, and applying a detection application signal for detection to the detection probe pin 230; It includes a detection probe module 202 that detects a detection signal input from the detection probe pin 230, wherein the detection probe pin 230 includes: a detection probe pin body 231 disposed on an oxide semiconductor layer; One end is disposed on the side of the detection probe pin body 231 and the other end includes a detection probe pin contactor portion 233 in direct contact with the oxide semiconductor layer, and at least a portion of the detection probe pin contactor portion 233 is independent for detection. Forming a pin contactor unit block divided into a plurality of movable sections, the detection probe pin body 231 includes: a detection probe pin body base 231-1 on which the detection probe pin contactor unit 233 is disposed; A detection probe pin body line 231-2 is disposed on one side of the detection probe pin body base 231-1 and electrically connects the detection probe pin contactor portion 233, and the detection probe pin body base (231-1) 231-1) includes an FPCB, and the detection probe pin contactor portion 233 is: disposed on one surface of the detection probe pin body base 231-1 and connected to the detection probe pin body line 231-2 and It includes a plurality of detection probe pin contactors 235 that are electrically connected and in direct contact with the oxide semiconductor layer, wherein at least one of the plurality of detection probe pin contactors 235 has an electrical signal different from at least one other adjacent one. It provides a detection unit characterized in that it receives approval.

상기 검출 유니트에 있어서, 상기 검출 프루브 핀 컨택터부(235) 중의 적어도 일부는 다른 일부를 포획하는 구조를 형성할 수도 있다. In the detection unit, at least part of the detection probe pin contactor portion 235 may form a structure that captures the other part.

상기 검출 유니트에 있어서, 일단에 상기 검출 프루브 핀(230)이 배치되고 일면 상에 산화물 반도체층(31)을 포함하는 반도체 필름층(30)이 형성되는 기판이 안착 배치되는 베이스부(40) 측에 대하여 상대 가동 가능한 검출 프루브 무빙부(240)를 포함할 수도 있다. In the detection unit, the base portion 40 side on which the substrate on which the detection probe pin 230 is disposed at one end and the semiconductor film layer 30 including the oxide semiconductor layer 31 is formed on one side is seated. It may also include a detection probe moving part 240 that is relatively movable.

상기 검출 유니트에 있어서, 상기 검출 프루브 무빙부(240)는: 일단에 상기 검출 프루브 핀(230)이 배치되는 검출 프루브 무빙 바디부(241)와, 일단은 상기 검출 프루브 무빙 바디부(241)에 그리고 타단은 일면 상에 기판이 안착 배치되는 베이스부(40) 측에 상대 가동 가능하게 배치되는 검출 프루브 무빙 가이드(280)를 포함할 수도 있다. In the detection unit, the detection probe moving part 240 includes: a detection probe moving body part 241 on which the detection probe pin 230 is disposed at one end, and one end connected to the detection probe moving body part 241. Additionally, the other end may include a detection probe moving guide 280 that is movably disposed relative to the base portion 40 where the substrate is placed on one side.

상기 검출 유니트에 있어서, 상기 검출 프루브 무빙부(240)는: 상기 검출 프루브 무빙 바디부(241)의 가동을 댐핑하는 검출 프루브 댐핑부(270)를 포함할 수도 있다. In the detection unit, the detection probe moving part 240 may include a detection probe damping part 270 that damps the movement of the detection probe moving body part 241.

상기 검출 유니트에 있어서, 상기 검출 프루브 댐핑부(270)는: 상기 검출 프루브 무빙 바디부(241) 측에 배치되는 댐핑 무빙 바디 수용부(271)와, 상기 댐핑 무빙 바디 수용부(271)에 배치되어 일단이 상기 댐핑 무빙 바디 수용부(271)의 내측에 지지되는 댐핑 탄성부(273)와, 일단은 상기 댐핑 탄성부(273) 측과 접촉하고, 타단은 일면 상에 기판이 안착 배치되는 베이스부(40) 측을 향하여 배치 접촉되고 상기 검출 프루브 무빙 바디부(241)의 가동을 제한하는 댐핑 플런저(275)를 포함할 수도 있다. In the detection unit, the detection probe damping unit 270 includes: a damping moving body accommodation unit 271 disposed on a side of the detection probe moving body unit 241, and a damping moving body accommodation unit 271 disposed at the damping moving body accommodation unit 271. A damping elastic part 273, one end of which is supported on the inside of the damping moving body receiving part 271, one end of which is in contact with the damping elastic part 273, and the other end of which is a base on which a substrate is seated and placed on one side. It may also include a damping plunger 275 that is disposed and contacted toward the unit 40 and limits the movement of the detection probe moving body 241.

상기 검출 유니트에 있어서, 상기 댐핑 플런저(275)는: 단부가 상기 댐핑 탄성부(273)에 의하여 접촉 지지되는 댐핑 플런저 바디(2751)와, 일단이 상기 댐핑 플런저 바디(2751)에 연결되고 상기 댐핑 무빙 바디 수용부(271)의 길이를 따라 수용 배치되는 댐핑 플런저 샤프트(2753)를 포함할 수도 있다. In the detection unit, the damping plunger 275 includes: a damping plunger body 2751 whose end is contacted and supported by the damping elastic portion 273, and one end connected to the damping plunger body 2751 and the damping plunger body 2751. It may also include a damping plunger shaft 2753 accommodated along the length of the moving body receiving portion 271.

상기 검출 유니트에 있어서, 상기 검출 프루브 무빙부(240)는: 상기 댐핑 플런저 바디(2751)에 대향하여 상기 베이스(40) 측에 배치되고, 상기 댐핑 플런저 바디(2751)와 접촉하여 접촉 상태를 감지하는 검출 프루브 무빙 센싱부(290)를 포함할 수도 있다. In the detection unit, the detection probe moving part 240 is disposed on the base 40 side opposite to the damping plunger body 2751, and detects a contact state by contacting the damping plunger body 2751. It may also include a detection probe moving sensing unit 290 that operates.

상기 검출 유니트에 있어서, 상기 검출 프루브 무빙 센싱부(290)는 압력 센서를 포함할 수도 있다. In the detection unit, the detection probe moving sensing unit 290 may include a pressure sensor.

본 발명의 또 다른 일면에 따르면, 본 발명은 기판(20)의 일면 상에 형성되고, 산화물 반도체층(31)을 구비하는 반도체 필름층(30)의 전기적 특성을 검출하기 위한 반도체 필름층 검사 장치로서, 일면 상에 기판이 안착 배치되는 베이스부(40)와, 산화물 반도체층 일면 상 적어도 두 개의 지점에 접촉하여 전기적 신호를 인가하여 산화물 반도체층의 전기적 특성을 검출하는 검출 유니트(200)와, 상기 산화물 반도체층에 캐리어의 농도를 높이기 위한 캐리어 제네레이터(300,300a,300b)를 포함하고, 상기 검출 유니트(200)는: 산화물 반도체층 일면 상 서로 이격된 지점에 접촉하는 검출 프루브 핀(230)과, 상기 검출 프루브 핀(230)에 산화물 반도체 층의 전기적 특성 검출을 위한 검출 인가 신호를 인가하고 상기 검출 프루브 핀(230)으로부터 입력되는 검출 감지 신호를 감지하는 검출 프루브 모듈(202)을 포함하고, 상기 검출 프루브 핀(230)은: 산화물 반도체층과 배치되는 검출 프루브 핀 바디(231)와, 일단은 상기 검출 프루브 핀 바디(231) 측에 배치되고 타단은 산화물 반도체층과 직접 접촉하는 검출 프루브 핀 컨택터부(233)를 포함하고, 상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233)의 적어도 일부는 독립 검출 가동 가능한 복수 개의 구획 분할되는 핀 컨택터부 블록을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 필름층 검사 장치(10)가 제공되는 제공 단계(S1)와, 일면 상에 검사 대상으로서의 산화물 반도체층(31)이 형성되는 기판(20)이 반도체 필름층 검사 장치(10)에 배치 준비되는 준비 단계(S10)와, 캐리어 제네레이터(300)를 통하여 상기 산화물 반도체층(31) 내 캐리어 농도를 증진시키는 캐리어 제네레이팅 단계(S20)와, 상기 반도체 필름층 검사 장치(10)의 검출 유니트(200)를 통하여 상기 산화물 반도체층(31) 일면 상 적어도 두 개의 지점에 접촉하여 상기 산화물 반도체층(31)에 전기적 신호를 인가하여 산화물 반도체층의 전기적 특성을 검출하는 측정 단계(S30)를 포함하고, 상기 측정 단계(S30)는: 사전 설정된 방식으로 복수 개의 구획 분할된 핀 컨택터부 블록에 대하여 개별적으로 내지 사전 설정된 단수 내지 복수 단위의 블록 별로 검출 감지 신호가 독립 검출 감지 신호로 취득되는 시퀀설 측정 단계(S31)와, 상기 시퀀설 측정 단계(S31)에서 구획 분할된 핀 컨택터부 블록에 대하여 개별적으로 취득된 검출 감지 신호를 독립 검출 감지 신호로 이용하여 대상 핀 컨택터부 블록에서 측정된 시퀀설 측정값을 확인 산출하고, 독립 검출 감지 신호로서의 유효성이 판단되는 캘리브레이팅 단계(S33)와, 상기 캘리브레이팅 단계(S233)에서의 판단 결과에 따른 산화물 반도체층의 최종 전기적 특성을 출력하는 측정 확인 단계(S35)를 포함하는 반도체 필름층 검사 장치를 이용한 반도체 필름층 검사 방법을 제공한다.According to another aspect of the present invention, the present invention is a semiconductor film layer inspection device for detecting the electrical characteristics of the semiconductor film layer 30 formed on one surface of the substrate 20 and including the oxide semiconductor layer 31. As such, a base portion 40 on which a substrate is placed on one side, a detection unit 200 that detects the electrical characteristics of the oxide semiconductor layer by contacting at least two points on one side of the oxide semiconductor layer and applying an electrical signal, It includes carrier generators (300, 300a, 300b) for increasing the concentration of carriers in the oxide semiconductor layer, and the detection unit 200 includes: a detection probe pin 230 contacting a spaced apart point on one side of the oxide semiconductor layer; , a detection probe module 202 that applies a detection application signal for detecting the electrical characteristics of the oxide semiconductor layer to the detection probe pin 230 and detects a detection signal input from the detection probe pin 230, The detection probe pin 230 includes: a detection probe pin body 231 disposed on the oxide semiconductor layer, and a detection probe pin with one end disposed on the detection probe pin body 231 side and the other end directly contacting the oxide semiconductor layer. A semiconductor film layer inspection device (10) including a contactor portion (233), wherein at least a portion of the detection probe pin contactor portion (233) forms a pin contactor portion block divided into a plurality of sections capable of independent detection. a provision step (S1) in which a substrate 20 on which an oxide semiconductor layer 31 as an inspection object is formed on one side is prepared to be placed in the semiconductor film layer inspection device 10, and a carrier A carrier generating step (S20) of increasing the carrier concentration in the oxide semiconductor layer 31 through the generator 300, and the oxide semiconductor layer (S20) through the detection unit 200 of the semiconductor film layer inspection device 10. 31) A measurement step (S30) of detecting the electrical characteristics of the oxide semiconductor layer 31 by applying an electrical signal to the oxide semiconductor layer 31 by contacting at least two points on one surface, and the measurement step (S30) includes: A sequence measurement step (S31) in which a detection signal is acquired as an independent detection signal for each pin contactor unit block divided into a plurality of sections in a preset manner, individually or for each block of a preset single unit or plurality of units, and the sequence measurement step (S31) In the measurement step (S31), the individually acquired detection signal for the divided pin contactor block is used as an independent detection signal to confirm and calculate the sequence measurement value measured in the target pin contactor block, and independently detect and detect the block. A semiconductor film comprising a calibration step (S33) in which validity as a signal is determined, and a measurement confirmation step (S35) in which the final electrical characteristics of the oxide semiconductor layer are output according to the determination result in the calibration step (S233). A method for inspecting a semiconductor film layer using a layer inspection device is provided.

상기 반도체 필름층 검사 장치를 이용한 반도체 필름층 검사 방법에 있어서, 상기 검출 프루브 모듈(202) 측과 상기 검출 프루브 핀(230) 측 사이에 배치되고, 독립 검출 가동 가능한 상기 복수 개의 핀 커낵터부 블록을 형성하는 상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233)에 상기 검출 프루브 모듈(202) 측으로부터의 검출 인가 신호를 독립 가동 검출 인가 신호로 전달하고, 상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233)로부터 독립 가동 검출 감지 신호를 신호 처리하여 상기 검출 프루브 모듈(202) 측으로 전달하는 디텍팅 캘리브레이션 모듈(500)을 더 구비하고, 상기 디텍팅 캘리브레이션 모듈(500)은: 상기 검출 프루브 모듈(202) 측으로부터의 검출 인가 신호를 독립 가동 검출 인가 신호로 사용하여 복수 개의 핀 컨택터부 블록 중 대상 핀 컨택터부 블록을 선택하고, 상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233) 측에서 입력되는 검출 감지 신호를 상기 핀 컨택터부 블록 중 해당하는 핀 컨택터부 블록의 검출 프루브 핀 컨택터부(233)로부터의 독립 가동 검출 감지 신호를 출력하는 디텍팅 캘리브레이션 데이터 셀렉터(520)와, 상기 복수 개의 핀 컨택터부 블록의 독립 가동 검출 감지 신호 및 상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233)의 개수 정보를 이용하여 해당 핀 컨택터부 블록의 독립 가동 검출 감지 신호 사용 여부를 결정하고, 산화물 반도체층(31)을 구비하는 반도체층(30)의 전기적 특성을 검출 프루브 핀 컨택터부(233) 개수를 이용하여 노말라이제이션화하는 디텍팅 캘리브레이션 제어부(510)를 포함하고, 상기 시퀀설 측정 단계(S31)는: 상기 디텍킹 캘리브레이션 제어부(510)에서 사용자에 의하여 선택되어 실행되어야 할 시퀀설 측정 모드가 확인되는 시퀀설 측정 모드 확인 단계(S311)와, 상기 시퀀설 측정 모드 확인 단계(S311)에서 확인된 상기 시퀀설 측정 모드에 따라, 상기 디텍팅 캘리브레이션 제어부(510)를 통하여 선택된 시퀀설 측정 모드에 따라 구획 분할된 핀 컨택터부 블록에 대하여 개별적으로 검출 감지 신호가 취득되는 시퀀설 측정 모드 실행 단계(S313)를 포함할 수도 있다. In the semiconductor film layer inspection method using the semiconductor film layer inspection device, the plurality of pin connector blocks are disposed between the detection probe module 202 side and the detection probe pin 230 side and are capable of independent detection. A detection application signal from the detection probe module 202 is transmitted as an independent operation detection application signal to the detection probe pin contactor unit 233, and an independent operation detection detection signal is generated from the detection probe pin contactor unit 233. It further includes a detecting calibration module 500 that processes a signal and transmits it to the detection probe module 202, wherein the detecting calibration module 500: receives a detection authorization signal from the detection probe module 202. A target pin contactor block is selected from among a plurality of pin contactor blocks by using it as an independent operation detection application signal, and a detection signal input from the detection probe pin contactor unit 233 is applied to a corresponding pin among the pin contactor blocks. A detecting calibration data selector 520 that outputs an independent operation detection detection signal from the detection probe pin contactor unit 233 of the contactor unit block, an independent operation detection detection signal of the plurality of pin contactor unit blocks, and the detection probe pin. Using information on the number of contactor units 233, determine whether to use the independent operation detection detection signal of the corresponding pin contactor unit block, and detect the electrical characteristics of the semiconductor layer 30 including the oxide semiconductor layer 31. Probe pin contact It includes a detecting calibration control unit 510 that normalizes using the number of tabs 233, and the sequence measurement step (S31) must be selected and executed by the user in the detecting calibration control unit 510. A sequencing measurement mode confirmation step (S311) in which the sequencing measurement mode to be performed is confirmed, and according to the sequencing measurement mode confirmed in the sequencing measurement mode confirmation step (S311), through the detecting calibration control unit 510. It may also include a sequencing measurement mode execution step (S313) in which detection signals are individually acquired for pin contactor blocks divided according to the selected sequencing measurement mode.

상기 반도체 필름층 검사 장치를 이용한 반도체 필름층 검사 방법에 있어서, 상기 캘리브레이팅 단계(S33)는: 상기 디텍킹 캘리브레이션 제어부(510)의 디텍팅 캘리브레이션 산출 제어부(511)에 의하여 복수 개의 핀 컨택터부 블록의 독립 가동 검출 감지 신호 및 검출 프루브 핀 컨택터부(233)의 개수 정보에 기초하여, 해당 핀 컨택터부 블록을 포함한 경우의 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호가 산출되는 시퀀설 측정값 확인 산출 단계(S331)와, 상기 디텍킹 캘리브레이션 제어부(510)의 디텍팅 캘리브레이션 판단 제어부(513)를 통하여 상기 디텍팅 캘리브레이션 산출 제어부(511)에서 산출된 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호에 기초하여, 상기 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호가 독립 가동 검출 감지 신호로의 사용 가능 여부가 결정되는 캘리브레이팅 유효성 판단 단계(S333)를 포함할 수도 있다. In the semiconductor film layer inspection method using the semiconductor film layer inspection device, the calibration step (S33) is: a plurality of pin contactor units by the detecting calibration calculation control unit 511 of the detecting calibration control unit 510. Based on the independent operation detection detection signal of the block and the information on the number of detection probe pin contactor units 233, sequence measurement in which an independent operation detection detection signal is calculated for each number of detection probe pin contactor units when the corresponding pin contactor unit block is included. Independent operation detection per number of detection probe pin contactor units calculated by the detecting calibration calculation control unit 511 through the value confirmation calculation step (S331) and the detecting calibration judgment control unit 513 of the detecting calibration control unit 510. Based on the detection signal, it may also include a calibration effectiveness determination step (S333) in which it is determined whether the independent operation detection detection signal for each number of detection probe pin contactor parts can be used as an independent operation detection detection signal.

본 발명에 따르면, 종래의 단순한 2-포인트 매소드를 넘어 캐리어 제네레이터를 통한 자유 캐리어의 증진을 통한 산화물 반도체층의 보다 정확한 전기적 특성 검측을 가능하게 한다. According to the present invention, it is possible to more accurately detect the electrical properties of the oxide semiconductor layer through enhancement of free carriers through a carrier generator beyond the conventional simple two-point method.

또한 본 발명에 따르면, 캐리어 제네레이터는 전극층으로의 전압 인가 내지 광조사 및 이들의 혼용을 통하여 간단하지만 보다 강화된 형태의 검측 결과 제공을 가능하게 할 수도 있다. Additionally, according to the present invention, the carrier generator can provide simple but more enhanced detection results through voltage application to the electrode layer, light irradiation, or a combination of these.

또한 본 발명에 따르면, 종래의 단순한 2-포인트 매소드를 넘어 캐리어 제네레이터를 통한 자유 캐리어의 증진을 통한 산화물 반도체층의 보다 정확한 전기적 특성 검측을 가능하게 함과 더불어, 프루브의 구조 개선을 통한 검측 정밀도 및 신뢰성을 대폭 증진시킬 수도 있다. In addition, according to the present invention, it is possible to more accurately detect the electrical properties of the oxide semiconductor layer through the enhancement of free carriers through a carrier generator beyond the conventional simple two-point method, and to improve the detection precision and improvement of the probe structure. Reliability can also be greatly improved.

또한, 본 발명에 따르면, 프루브 탄성 배치 구조를 통하여 보다 밀착 구조 제공과, 마그네틱 위치 정렬 기능을 통한 밀착 위치 정렬 구조 확보로 검측 정밀 도 및 신뢰성을 극대화시킬 수도 있다. In addition, according to the present invention, detection precision and reliability can be maximized by providing a closer contact structure through the probe elastic arrangement structure and securing a close position alignment structure through the magnetic position alignment function.

또한, 본 발명에 따르면, 검출 프루브 핀 컨택터부를 독립 검출 가동 가능한 핀 컨택터부 블록 단위로 형성하여 산화물 반도층의 전기적 특성 데이터의 신뢰성 및 강인성을 증진시킬 수 있다. In addition, according to the present invention, the reliability and robustness of the electrical characteristic data of the oxide semiconductor layer can be improved by forming the detection probe pin contactor unit as a block unit of the pin contactor unit capable of independent detection.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 필름층 검사 장치의 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 필름층 검사 장치의 개략적인 구성도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 필름층 검사 장치의 검출 유니트의 구성도이다.
도 4 및 도 5는 도 2의 도면 부호 A,B에 대한 부분 확대 단면 상태도이다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 필름층 검사 장치의 제어 과정을 나타내는 흐름도이다.
도 7은 본 발명의 다른 일실시예에 따른 반도체 필름층 검사 장치의 검출 유니트의 구성도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 반도체 필름층 검사 장치의 검출 유니트의 구성도이다.
도 9는 도 8의 도면 부호 A에 대한 부분 확대 단면 상태도이다.
도 10은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 필름층 검사 장치의 제어 과정의 부분 흐름도이다.
도 11 내지 도 14에는 검출 프루브 핀의 구조 상태의 단면 내지 투영도
도 15에는 본 발명의 일실시예에 따른 검출 프루브 핀의 일예의 부분 확대도이다.
도 16은 본 발명의 다른 일실시에에 따른 검출 프루브 핀의 구조 상태의 단면 내지 투영도이다.
도 17은 본 발명의 또 다른 일실시에에 따른 검출 프루브 핀의 구조 상태의 구성도이다.
도 18은 도 17의 측단면도이다.
도 19 내지 도 20은 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 검출 프루브 핀의 개략적인 평면도이다.
도 21 및 도 22는 본 발명의 또 다른 일실시에에 따른 검출 프루브 핀의 개략적인 평면도이다.
도 23은 검출 프루브 핀의 배치 관계를 나타내는 상태도이다.
도 24 및 도 25는 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 반도체 필름층 검사 장치의 검출 유니트의 작동 상태도이다.
도 26 및 도 27은 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 반도체 필름층 검사 장치의 검출 유니트의 흐름도이다.
도 28 및 도 29는 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 반도체 필름층 검사 장치의 검출 유니트의 검출 프루브 무빙부의 변형예이다.
도 30은 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 반도체 필름층 검사 장치의 검출 프루브 핀의 검출 프루브 핀 바디의 변형예이다.
도 31은 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 반도체 필름층 검사 장치의 검출 프루브 핀 바디의 검출 프루브 핀 컨택터부의 개략적인 구성 상태 및 검출 프루브 핀 컨택터부의 부분 확대도이다.
도 32는 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 반도체 필름층 검사 장치의 검출 프루브 핀 바디의 검출 프루브 핀 컨택터부의 구성도이다.
도 33은 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 반도체 필름층 검사 장치의 검출 프루브 핀의 검출 프루브 핀 바디의 변형예이다.
도 34는 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 반도체 필름층 검사 장치의 검출 프루브 핀 바디의 변형예이다.
도 35는 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 반도체 필름층 검사 장치의 검출 프루브 핀의 검출 프루브 핀 바디의 변형예이다.
도 36은 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 반도체 필름층 검사 장치의 검출 유니트의 구성도이다.
도 37은 도 36의 도면 부호 A에 대한 부분 확대 단면 상태도이다.
도 38은 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 반도체 필름층 검사 장치의 변형예이다.
도 39는 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 반도체 필름층 검사 장치의 검출 유니트의 흐름도이다.
도 40은 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 반도체 필름층 검사 장치의 검출 프루브 핀 바디의 구성도이다.
도 41은 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 반도체 필름층 검사 장치의 검출 프루브 핀 바디의 검출 프루브 핀 컨택터부의 구성도이다.
도 42는 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 반도체 필름층 검사 장치의 검출 프루브 핀 바디의 검출 프루브 핀 컨택터부의 다른 일예의 구성도이다.
도 43 내지 도 46은 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 반도체 필름층 검사 장치의 검출 프루브 핀 바디의 검출 프루브 핀 컨택터부의 디텍팅 캘리브레이션 과정을 나타내는 상태도이다.
도 47은 도 43 내지 도 46의 전기적 특성 결과를 나타내는 선도이다.
도 48 내지 도 50은 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 반도체 필름층 검사 장치의 검출 프루브 핀 바디의 검출 프루브 핀 컨택터부의 디텍팅 캘리브레이션 과정을 나타내는 상태도이다.
도 51은 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 반도체 필름층 검사 장치의 제어 과정을 나타내는 흐름도이다.
도 52는 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 반도체 필름층 검사 장치의 디텍팅 캘리브레이션 제어부의 구성도이다.
도 53 내지 도 54는 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 반도체 필름층 검사 장치의 핀 컨택터부 블록의 구성 상태도이다.
도 55 내지 도 56은 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 반도체 필름층 검사 장치를 이용한 반도체 필름층 검사 방법의 세부 흐름도이다. 1 is a configuration diagram of a semiconductor film layer inspection device according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a schematic configuration diagram of a semiconductor film layer inspection device according to an embodiment of the present invention.
Figure 3 is a configuration diagram of a detection unit of a semiconductor film layer inspection device according to an embodiment of the present invention.
Figures 4 and 5 are partially enlarged cross-sectional diagrams of reference numerals A and B in Figure 2.
Figure 6 is a flowchart showing the control process of the semiconductor film layer inspection device according to an embodiment of the present invention.
Figure 7 is a configuration diagram of a detection unit of a semiconductor film layer inspection device according to another embodiment of the present invention.
Figure 8 is a configuration diagram of a detection unit of a semiconductor film layer inspection device according to another embodiment of the present invention.
FIG. 9 is a partially enlarged cross-sectional state diagram of reference numeral A in FIG. 8.
Figure 10 is a partial flowchart of a control process of a semiconductor film layer inspection device according to an embodiment of the present invention.
11 to 14 show cross-sections and projections of the structural state of the detection probe pin.
Figure 15 is a partial enlarged view of an example of a detection probe pin according to an embodiment of the present invention.
Figure 16 is a cross-sectional or projection view of the structural state of a detection probe pin according to another embodiment of the present invention.
Figure 17 is a structural diagram of a detection probe pin according to another embodiment of the present invention.
Figure 18 is a side cross-sectional view of Figure 17.
19 to 20 are schematic plan views of a detection probe pin according to another embodiment of the present invention.
21 and 22 are schematic plan views of a detection probe pin according to another embodiment of the present invention.
Figure 23 is a state diagram showing the arrangement relationship of detection probe pins.
24 and 25 are diagrams showing the operating state of the detection unit of the semiconductor film layer inspection device according to another embodiment of the present invention.
26 and 27 are flowcharts of a detection unit of a semiconductor film layer inspection device according to another embodiment of the present invention.
28 and 29 are modified examples of the detection probe moving part of the detection unit of the semiconductor film layer inspection device according to another embodiment of the present invention.
Figure 30 is a modified example of a detection probe pin body of a detection probe pin of a semiconductor film layer inspection device according to another embodiment of the present invention.
Figure 31 is a schematic configuration of the detection probe pin contactor portion of the detection probe pin body of the semiconductor film layer inspection device according to another embodiment of the present invention and a partial enlarged view of the detection probe pin contactor portion.
Figure 32 is a configuration diagram of the detection probe pin contactor portion of the detection probe pin body of the semiconductor film layer inspection device according to another embodiment of the present invention.
33 is a modified example of a detection probe pin body of a detection probe pin of a semiconductor film layer inspection device according to another embodiment of the present invention.
Figure 34 is a modified example of a detection probe pin body of a semiconductor film layer inspection device according to another embodiment of the present invention.
35 is a modified example of a detection probe pin body of a detection probe pin of a semiconductor film layer inspection device according to another embodiment of the present invention.
Figure 36 is a configuration diagram of a detection unit of a semiconductor film layer inspection device according to another embodiment of the present invention.
FIG. 37 is a partially enlarged cross-sectional state diagram of reference numeral A in FIG. 36.
Figure 38 is a modified example of a semiconductor film layer inspection device according to another embodiment of the present invention.
Figure 39 is a flowchart of a detection unit of a semiconductor film layer inspection device according to another embodiment of the present invention.
Figure 40 is a configuration diagram of a detection probe pin body of a semiconductor film layer inspection device according to another embodiment of the present invention.
Figure 41 is a configuration diagram of the detection probe pin contactor portion of the detection probe pin body of the semiconductor film layer inspection device according to another embodiment of the present invention.
Figure 42 is a configuration diagram of another example of the detection probe pin contactor portion of the detection probe pin body of the semiconductor film layer inspection device according to another embodiment of the present invention.
Figures 43 to 46 are state diagrams showing a detection calibration process of the detection probe pin contactor portion of the detection probe pin body of the semiconductor film layer inspection device according to another embodiment of the present invention.
Figure 47 is a diagram showing the electrical characteristic results of Figures 43 to 46.
Figures 48 to 50 are state diagrams showing a detection calibration process of the detection probe pin contactor portion of the detection probe pin body of the semiconductor film layer inspection device according to another embodiment of the present invention.
Figure 51 is a flowchart showing the control process of a semiconductor film layer inspection device according to another embodiment of the present invention.
Figure 52 is a configuration diagram of a detecting calibration control unit of a semiconductor film layer inspection device according to another embodiment of the present invention.
Figures 53 and 54 are diagrams showing the configuration of a pin contactor block of a semiconductor film layer inspection device according to another embodiment of the present invention.
Figures 55 and 56 are detailed flowcharts of a semiconductor film layer inspection method using a semiconductor film layer inspection device according to another embodiment of the present invention.

본 발명은 반도체 칩의 제조 과정에 있어 백그라인딩 내지 소잉된 반도체 칩의 손상을 방지하도록 표면에 부착되는 보호 필름을 보다 용이하게 박리시키기 위한 반도체 필름층 검사 장치 및 이의 제어 방법을 제공한다. The present invention provides a semiconductor film layer inspection device and a control method for more easily peeling off a protective film attached to the surface to prevent damage to a semiconductor chip that has been back-grinded or sawed during the manufacturing process of the semiconductor chip.

본 발명의 일실시예에 따르면, 본 발명의 반도체 필름층 검사 장치(10)는 기판(20)의 일면 상에 형성되고, 산화물 반도체층(31)을 구비하는 반도체 필름층(30)의 전기적 특성을 검출하기 위한 반도체 필름층 검사 장치(10)을 제공한다. According to one embodiment of the present invention, the semiconductor film layer inspection device 10 of the present invention is formed on one surface of the substrate 20, and the electrical characteristics of the semiconductor film layer 30 including the oxide semiconductor layer 31 A semiconductor film layer inspection device 10 for detecting is provided.

보다 구체적으로, 본 발명의 반도체 필름층 검사 장치(10)는 베이스부(40)와, 검출 유니트(200)와, 캐리어 제네레이터(300)를 포함한다. More specifically, the semiconductor film layer inspection device 10 of the present invention includes a base portion 40, a detection unit 200, and a carrier generator 300.

도 1에 도시된 바와 가팅, 베이스부(40)는 일면 상에 기판이 안착 배치된다. 베이스부(40)에는 충분한 질량쳉가 배치되어 일면에 기판(20)이 배치되고 작업된 후 베이스부(40)로부터 이탈되되는데 이러한 일련의 공정시 일면에 배치된 기판(20)이 작업에 영향을 받지 않도록 하는 구조를 취할 수 있다. As shown in FIG. 1, the base portion 40 is arranged to seat a substrate on one side. Sufficient mass plates are placed on the base part 40 so that the substrate 20 is placed on one side and separated from the base part 40 after work. During this series of processes, the substrate 20 placed on one side does not affect the work. You can adopt a structure that prevents you from receiving it.

베이스부(40)에는 안정적인 장착 공간을 재공하여 각종 스위치 및 제어부(100) 등의 장치등이 배치될 수도 있다. Devices such as various switches and the control unit 100 may be placed in the base portion 40 by providing a stable mounting space.

베이스부(40)에 배치되는 기판(20)은 일면 상에 반도체층(30)이 배치되는데, 반도체층(30)은 산화물 반도체층(31)을 포함한다. 여기서, 기판(20)은 본 실시예에서 유리(glass)로 구현되는데, 경우에 따라 초박형 유리로 구현될 수도 있고, 폴리이미드와 같은 플라스틱일 수도 있는 등 투명 소재로 구성되는 범위에서 다양한 재료 선정이 가능하다.The substrate 20 disposed on the base portion 40 has a semiconductor layer 30 disposed on one side, and the semiconductor layer 30 includes an oxide semiconductor layer 31. Here, the substrate 20 is implemented as glass in this embodiment. In some cases, it may be implemented as ultra-thin glass, or it may be made of a transparent material such as plastic such as polyimide. A variety of materials can be selected. possible.

도 4에 도시된 바와 같이 본 실시예에서 기판(20)의 일면 상에 배치되는 반도체층(30)에는 절연체층(33)이 포함될 수 있는데, 절연체층(33)은 SiO2, SiNx, Al2O3 등과 같은 산화막을 포함하는데, 본 실시예에서 절연체층(33)은 SiO2로 구현되었다. 반도체층(30)의 절연체층(33) 일면 상에 배치되는 산화물 반도체층(33)은 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide) 등과 같은 3eV 이상의 넓은 밴드갭을 갖는 비정질산화물 투명 반도체를 포함한다. As shown in FIG. 4, in this embodiment, the semiconductor layer 30 disposed on one surface of the substrate 20 may include an insulator layer 33, and the insulator layer 33 is made of a material such as SiO2, SiNx, Al2O3, etc. It includes an oxide film, and in this embodiment, the insulating layer 33 is implemented with SiO2. The oxide semiconductor layer 33 disposed on one surface of the insulating layer 33 of the semiconductor layer 30 includes an amorphous oxide transparent semiconductor having a wide band gap of 3 eV or more, such as IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide).

본 발명의 검출 유니트(200)는 산화물 반도체층 일면 상 적어도 두 개의 지점에 접촉하여 전기적 신호를 인가하여 산화물 반도체층의 전기적 특성을 검출한다. 본 발명의 검출 유니트(200)는 후술하는 바와 같이, 전기적 신호를 인가하고 산화물 반도체 층의 전기적 특성, 즉 전류-전압 내지 커패시턴스-전압 특성과 같은 반도체층의 표면 특성을 검출할 수 있으며, 본 발명은 산화물 반도체층의 두 지점에서의 접촉을 통한 특성 검출 방법인 2-포인트 메소드를 사용하는데 복수의 주파수에 대하여 상태 밀도를 추출하도록 전류-전압 내지 커패시턴스-전압을 측정하며 구체적인 구성은 후술한다. The detection unit 200 of the present invention detects the electrical characteristics of the oxide semiconductor layer by contacting at least two points on one surface of the oxide semiconductor layer and applying an electrical signal. As will be described later, the detection unit 200 of the present invention can apply an electrical signal and detect the electrical characteristics of the oxide semiconductor layer, that is, the surface characteristics of the semiconductor layer such as current-voltage or capacitance-voltage characteristics, and the present invention The 2-point method, which is a method of detecting characteristics through contact at two points of the silver oxide semiconductor layer, is used to measure current-voltage or capacitance-voltage to extract the density of states for multiple frequencies. The specific configuration will be described later.

캐리어 제네레이터(300)는 산화물 반도체층에 캐리어를 증가, 즉 캐리어의 농도를 높이도록 인듀싱하는데, 캐리어 제네레이터(300)는 산화물 반도체층에 에너지를 제공, 즉 여기 에너지를 통한 자유 캐리어의 증진으로 산화물 반도체층(33)의 전기적 특성 검출을 가능하게 할 수 있다.The carrier generator 300 increases carriers in the oxide semiconductor layer, that is, induces the concentration of carriers to increase. The carrier generator 300 provides energy to the oxide semiconductor layer, that is, increases free carriers through excitation energy to increase the concentration of carriers. It may be possible to detect the electrical characteristics of the semiconductor layer 33.

보다 구체적으로 도 2에 도시된 바와 같이, 산화물 반도체층(30)에는 산화물 반도체층(31)과 기판(20) 사이에 배치되는 전극층(35)이 포함될 수 있는데, 전극층(35)은 메탈 전극으로 구현되나, 경우에 따라 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명 전극이 형성될 수도 있는 등 다양한 구성이 가능하다.More specifically, as shown in FIG. 2, the oxide semiconductor layer 30 may include an electrode layer 35 disposed between the oxide semiconductor layer 31 and the substrate 20, and the electrode layer 35 is a metal electrode. However, in some cases, various configurations are possible, such as transparent electrodes such as ITO (Indium Tin Oxide).

본 발명의 일실시예에 따른 검출 유니트(200)는 복수의 검출 프루브 핀(230)과, 검출 프루브 모듈(202)를 포함하는데, 복수의 검출 프루브 핀(230)은 산화물 반도체층 일면 상 서로 이격된 지점에 접촉하고, 검출 프루브 모듈(202)는 검출 프루브 핀(230)에 검출을 위한 검출 인가 신호를 인가하고 검출 프루브 핀(230)으로부터 입력되는 검출 감지 신호를 감지하는데, 이러한 검출 인가 신호의 생성 및 검출 감지 신호를 통한 전기적 특성의 검출 등은 제어부(100)의 제어 신호를 통하여 실행될 수 있다. The detection unit 200 according to an embodiment of the present invention includes a plurality of detection probe pins 230 and a detection probe module 202, where the plurality of detection probe pins 230 are spaced apart from each other on one side of the oxide semiconductor layer. touches the point, and the detection probe module 202 applies a detection application signal for detection to the detection probe pin 230 and detects the detection signal input from the detection probe pin 230. Detection of electrical characteristics through generation and detection signals can be performed through a control signal from the control unit 100.

본 실시예에서 검출 프루브 핀(230)은 제 1 검출 프루브 핀 바디(231a)과 제 2 검출 프루브 핀 바디(231b)을 포함하는데, 각각은 반도체층(30)의 산화물 반도체층(31)의 일면과 직접 접촉하는 방식을 취하여 2-포인트 메소드를 통한 전기적 특성 파악을 가능하게 한다. In this embodiment, the detection probe pin 230 includes a first detection probe pin body 231a and a second detection probe pin body 231b, each of which is on one side of the oxide semiconductor layer 31 of the semiconductor layer 30. It is possible to determine electrical characteristics through the 2-point method by making direct contact with the device.

본 발명의 일실시예에 따른 검출 프루브 모듈(202)은 전압 인가 모듈(210)과, 전류 측정 모듈(220)를 포함한다. The detection probe module 202 according to an embodiment of the present invention includes a voltage application module 210 and a current measurement module 220.

즉, 전압 인가 모듈(210)은 복수의 검출 프루브 핀(230)에 검출 인가 신호를 생성 인가하고, 전류 측정 모듈(220)는 복수의 검출 프루브 핀(230)을 통하여 검출 감지 신호를 측정하는데, 이러한 전압 인가와 전류 측정 과정에 제어부(100)로부터의 전압 인가 모듈(210) 및 전류 측정 모듈(220)에 대한 제어 신호를 통한 동작 구현이 이루어지게 된다.That is, the voltage application module 210 generates and applies a detection application signal to the plurality of detection probe pins 230, and the current measurement module 220 measures the detection signal through the plurality of detection probe pins 230, During this voltage application and current measurement process, operations are implemented through control signals to the voltage application module 210 and the current measurement module 220 from the control unit 100.

경우에 따라 제 1 검출 프루브 핀 바디(231a)과 제 2 검출 프루브 핀 바디(231b)은 개별적인 전압 인가 모듈(210)과 개별적인 전류 측정 모듈(220)의 연결 구조를 취할 수도 있는데, 도 3에 도시된 바와 같이, 전압 인가 모듈(210)은 제 1 전압 인가부 및 제 2 전압 인가부(211)를 포함하고, 전류 측정 모듈(220)는 제 1 전류 측정부 및 제 2 전류 측정부(221)를 포함하고, 각각은 복수의 검출 프루브 핀(230) 중 각각의 제 1 검출 프루브 핀 바디(231a)과 제 2 검출 프루브 핀 바디(231b)에 연결되어 전압 인가 및 전류 검출 과정을 수행할 수도 있다. In some cases, the first detection probe pin body 231a and the second detection probe pin body 231b may have a connection structure of an individual voltage application module 210 and an individual current measurement module 220, as shown in FIG. 3. As described above, the voltage application module 210 includes a first voltage application unit and a second voltage application unit 211, and the current measurement module 220 includes a first current measurement unit and a second current measurement unit 221. It includes, and each of the plurality of detection probe pins 230 may be connected to each of the first detection probe pin body 231a and the second detection probe pin body 231b to perform voltage application and current detection processes. .

이 경우, 캐리어 제네레이터(300)는 제네레이터 접지 라인(340)을 포함하는데, 제네레이터 접지 라인(340)는 일단이 전극층(35) 측에 연결되고 타단이 접지되는 구조를 취한다. 이때, 캐리어 제네레이터(300)는 제네레이터 전원부(330)를 포함할 수도 있는데, 제네레이터 전원부(330)는 라인(310)을 통하여 전극층(35)과 제네레이터 접지 라인(340) 사이에 배치된다. 본 실시예에서 제네레이터 전원부(330)는 DC 전원으로 구현되어 후술되는 검출 유니트(200)를 통한 안정적인 전기적 특성 검출을 가능하게 할 수 있다. 경우에 따라 접지 라인(340)과 제네레이터 전원부(330) 사이에는 제네레이터 제어부(320)가 더 구비될 수도 있고, 제네레이터 제어부(320)는 제어부(100)의 제어 신호에 따른 동작 구현을 이룰 수도 있는 등 다양한 변형이 가능하다.In this case, the carrier generator 300 includes a generator ground line 340, where one end is connected to the electrode layer 35 and the other end is grounded. At this time, the carrier generator 300 may include a generator power supply unit 330, which is disposed between the electrode layer 35 and the generator ground line 340 through the line 310. In this embodiment, the generator power supply unit 330 is implemented as a DC power source to enable stable detection of electrical characteristics through the detection unit 200, which will be described later. In some cases, a generator control unit 320 may be further provided between the ground line 340 and the generator power unit 330, and the generator control unit 320 may implement operations according to control signals from the control unit 100, etc. Various variations are possible.

이와 같이, 바텀 게이트 박막 트랜지스터를 모사하는 구성의 산화물 반도체층의 전기적 특성 검출을 가능하게 하는 구성을 통하여 보다 정확한 특성 검출 데이터 확보가 가능하다. In this way, it is possible to secure more accurate characteristic detection data through a configuration that enables detection of the electrical characteristics of the oxide semiconductor layer in a configuration that simulates a bottom gate thin film transistor.

이러한 검출 장치를 통한 검출 과정은 다음과 같이 이루어질 수 있다. 먼저, 본 발명의 반도체 필름층 검사 장치(10)가 제공되는 제공 단계(S1, 도 6 참조)가 실행되고, 특성 검측 대상인 시료가 반도체 필름층 검사 장치(10)에 배치되도록 준비되는 준비 단계(S10)가 실행되는데, 이때 시료로서 산화물 반도체층(31)이 형성된 기판(20)이 제공된다. 이러한 기판(20)의 형성은 기판(20) 일면 상에 메탈 전극 내지 투명 전극 등과 같은 재료로 전극층(35)이 형성되고, 그런 후 전극층(35)의 일면 상에 절연층(33)이 형성되고 절연층(33)이 일면 상에 산화물 반도체층(31)이 형성되는 구조로 이루어지는데, 경우에 따라 도 5에 도시된 바와 같이 전극층(35)의 일부가 외부로 노출되어 캐리어 제네레이터(300) 측과의 접속이 보다 원활하도록 구성될 수도 있다. 즉, 전극층(35) 일면 상으로의 적층 영역은 도면 부호 Aa로 그리고 전극층(35)의 일면으로 비적층 영역을 도면 부호 An으로 표시하는 경우, An의 영역이 외곽을 따라 적어도 일부가 노출되도록 배치되는 구성을 취하여 캐리어 제네레이터(300) 측 내지 검출 유니트 측과의 원활한 접속을 가능하게 하는 구성을 취할 수도 있다. The detection process using this detection device can be accomplished as follows. First, a provision step (S1, see FIG. 6) in which the semiconductor film layer inspection device 10 of the present invention is provided is performed, and a preparation step ( S10) is executed, and at this time, the substrate 20 on which the oxide semiconductor layer 31 is formed is provided as a sample. To form the substrate 20, an electrode layer 35 is formed on one side of the substrate 20 using a material such as a metal electrode or a transparent electrode, and then an insulating layer 33 is formed on one side of the electrode layer 35. The insulating layer 33 has a structure in which an oxide semiconductor layer 31 is formed on one side. In some cases, as shown in FIG. 5, a portion of the electrode layer 35 is exposed to the outside and exposed to the carrier generator 300 side. It may be configured to allow smoother connection. That is, when the laminated area on one side of the electrode layer 35 is denoted by the reference numeral Aa and the non-laminated area on one side of the electrode layer 35 is denoted by the reference numeral An, the area of An is arranged so that at least part of the area is exposed along the outer edge. A configuration that enables smooth connection between the carrier generator 300 side and the detection unit side may be adopted.

그런 후 캐리어 제네레이팅 단계(S20)가 실행되어 자유 캐리어의 여기를 통한 검측을 가능한 상태를 형성하고, 측정 단계(S30)가 실행되는데, 측정 단계(S30)에서는 DC 전원으로 구현되는 제네레이터 전원부(330)로 전극층(35)이 바이어스된 상태에서 제 1 전압 인가부 및 제 2 전압 인가부(211)의 전압을 가변하면서 산화물 반도체층(31)의 일면과 직접 접촉하는 제 1 검출 프루브 핀 바디(231a)과 제 2 검출 프루브 핀 바디(231b)과 연결되는 전류 측정 모듈(220)의 제 1 전류 측정부 및 제 2 전류 측정부(221)에서 전류 측정을 실행한다. Then, the carrier generating step (S20) is executed to form a state in which detection is possible through excitation of free carriers, and the measuring step (S30) is executed. In the measuring step (S30), the generator power supply unit 330 implemented as a DC power source ) The first detection probe pin body 231a is in direct contact with one surface of the oxide semiconductor layer 31 while varying the voltages of the first and second voltage applicators 211 in a state in which the electrode layer 35 is biased. ) and the first and second current measurement units 221 of the current measurement module 220 connected to the second detection probe pin body 231b perform current measurement.

한편, 상기 실시예에서는 검출 유니트가 전압 인가 모듈과 전류 측정 모듈을 구비하여 산화물 반도체층의 전류-전압 특성을 검출하는 구조를 취하였으나, 본 발명의 반도체 필름층 검사 장치(10)는 다른 구성을 이룰 수도 있다. 즉, 검출 프루브 모듈(202)은 커패시턴스 전압 측정 모듈(210a)를 포함하는 구성을 취할 수도 있는데, 커패시턴스 전압 측정 모듈(210a)은 복수의 검출 프루브 핀(230)에 검출 인가 신호를 생성 인가하고 복수의 검출 프루브 핀(230)을 통하여 검출 감지 신호를 측정하여 산화물 반도체층의 전기적 특성을 검출한다. 여기서, 커패시턴스 전압 측정 모듈(210a)은 C-V 미터 내지 LCR 미터로 구현될 수 있다. Meanwhile, in the above embodiment, the detection unit has a voltage application module and a current measurement module to detect the current-voltage characteristics of the oxide semiconductor layer, but the semiconductor film layer inspection device 10 of the present invention has a different configuration. It can be achieved. That is, the detection probe module 202 may have a configuration including a capacitance voltage measurement module 210a, where the capacitance voltage measurement module 210a generates and applies a detection application signal to a plurality of detection probe pins 230 and The electrical characteristics of the oxide semiconductor layer are detected by measuring the detection signal through the detection probe pin 230. Here, the capacitance voltage measurement module 210a may be implemented as a C-V meter or an LCR meter.

이러한 검출 장치를 통한 검출 과정은 다음과 같이 이루어질 수 있다. 먼저, 본 발명의 반도체 필름층 검사 장치(10)가 제공되는 제공 단계(S1, 도 6 참조)가 실행되고, 특성 검측 대상인 시료가 반도체 필름층 검사 장치(10)에 배치되도록 준비되는 준비 단계(S10)가 실행되는데, 이때 시료로서 산화물 반도체층(31)이 형성된 기판(20)이 제공된다. 이러한 기판(20)의 형성은 기판(20) 일면 상에 메탈 전극 내지 투명 전극 등과 같은 재료로 전극층(35)이 형성되고, 그런 후 전극층(35)의 일면 상에 절연층(33)이 형성되고 절연층(33)이 일면 상에 산화물 반도체층(31)이 형성되는 구조로 이루어진다. 그런 후 캐리어 제네레이팅 단계(S20)가 실행되어 자유 캐리어의 여기를 통한 검측을 가능한 상태를 형성하고, 측정 단계(S30)가 실행되는데, 측정 단계(S30)에서는 앞선 실시예에서와 같이 DC 전원으로 구현되는 제네레이터 전원부(330)로 전극층(35)이 바이어스된 상태를 형성할 수도 있고 직접 접지되어 직류 상태로 바이어스될 수도 있다. 그런 후 제 1 검출 프루브 핀 바디(231a)과 제 2 검출 프루브 핀 바디(231b)를 쇼트시킨 후 제 1 전압 인가부 및 제 2 전압 인가부(211)의 전압을 가변하면서 산화물 반도체층(31)의 일면과 직접 접촉하는 제 1 검출 프루브 핀 바디(231a)과 제 2 검출 프루브 핀 바디(231b)과 연결되는 전류 측정 모듈(220)의 제 1 전류 측정부 및 제 2 전류 측정부(221)에서 전류 측정을 실행한다. The detection process using this detection device can be accomplished as follows. First, a provision step (S1, see FIG. 6) in which the semiconductor film layer inspection device 10 of the present invention is provided is performed, and a preparation step ( S10) is executed, and at this time, the substrate 20 on which the oxide semiconductor layer 31 is formed is provided as a sample. To form the substrate 20, an electrode layer 35 is formed on one side of the substrate 20 using a material such as a metal electrode or a transparent electrode, and then an insulating layer 33 is formed on one side of the electrode layer 35. The insulating layer 33 has a structure in which an oxide semiconductor layer 31 is formed on one side. Then, the carrier generating step (S20) is executed to form a state in which detection is possible through excitation of free carriers, and the measuring step (S30) is executed. In the measuring step (S30), as in the previous embodiment, DC power is used. The electrode layer 35 may be in a biased state with the generator power supply unit 330 implemented, or may be directly grounded and biased in a direct current state. Then, after short-circuiting the first detection probe pin body 231a and the second detection probe pin body 231b, the oxide semiconductor layer 31 is applied while varying the voltages of the first voltage application unit and the second voltage application unit 211. In the first and second current measurement units 221 of the current measurement module 220, which are connected to the first detection probe pin body 231a and the second detection probe pin body 231b, which are in direct contact with one surface of Perform current measurement.

한편, 상기 실시예들에서는 바텀 게이트 박막트랜지스터를 모사하는 형태로 게이트의 역할을 담당하는 전극층이 기판(20) 측에 직접 형성되는 경우를 중심으로 설명하였으나, 본 발명이 이에 국한되지 않고 설계 사양에 따라 다양한 변형이 가능하다. 즉, 도 36 및 도 37에 도시된 바와 같이 본 실시예에서의 반도체 필름층 검사 장치(10)는 캐리어 제네레이터(300b)를 구비하고, 캐리어 제네레이터(300b)는 컨덕티브 베이스(310b)와, 제네레이터 접지 라인(340)을 구비하는데, 컨덕티브 베이스(310b)는 캐리어 제네레이터(300b)를 형성하는 베이스 구조체에 배치되고 컨덕티브 베이스(310b)의 일면 상에 기판(20)이 배치되고, 제네레이터 접지 라인(340)은 일단이 컨덕티브 베이스(310b) 측과 전기적으로 연결되고 타단이 접지 연결되는데 컨덕티브 베이스(310b)와 제네레이터 접지 라인(340)의 타단 사이에는 제네레이터 제어부 내지 제네레이터 전원부 등이 구비되고, 컨덕티브 베이스(310b)는 트랜지스터 모사 구조에서의 게이트 전극으로 구현되어 스위칭 내지 전원 공급을 통한 전위 형성 기능을 수행 가능함은 앞서 기술된 구조와 동일하다. Meanwhile, in the above embodiments, the description was focused on the case where the electrode layer that plays the role of the gate is formed directly on the substrate 20 in a form simulating a bottom gate thin film transistor. However, the present invention is not limited to this and is not limited to the design specifications. Various modifications are possible depending on the condition. That is, as shown in FIGS. 36 and 37, the semiconductor film layer inspection device 10 in this embodiment includes a carrier generator 300b, and the carrier generator 300b includes a conductive base 310b and a generator. Provided with a ground line 340, the conductive base 310b is disposed on the base structure forming the carrier generator 300b, and the substrate 20 is disposed on one surface of the conductive base 310b, and the generator ground line One end of 340 is electrically connected to the conductive base 310b and the other end is connected to ground. A generator control unit or a generator power unit is provided between the conductive base 310b and the other end of the generator ground line 340, The conductive base 310b is implemented as a gate electrode in a transistor simulation structure and can perform a potential formation function through switching or power supply, which is the same as the structure described above.

또 한편, 상기 실시예들에서는 바텀 게이트 박막트랜지스트를 모사한 형태로 전극층을 이용한 캐리어 제네레이션 기능을 구현하였으나, 본 발명의 캐리어 제네레이터는 이에 국한되지 않고 광원을 통한 여기 구조를 제공할 수도 있다. 즉, 도 8에 도시된 바와 같이, 캐리어 제네레이터(300a)는 제네레이터 광원부(310a)를 포함할 수 있는데, 제네레이터 광원부(310a)는 사전 설정 파장대의 빛을 산화물 반도체층(31)에 조사하며 이러한 파장대는 복수의 파장대로 가변 형성될 수 있다. Meanwhile, in the above embodiments, a carrier generation function using an electrode layer was implemented in a form that simulates a bottom gate thin film transistor, but the carrier generator of the present invention is not limited to this and can also provide an excitation structure through a light source. That is, as shown in FIG. 8, the carrier generator 300a may include a generator light source unit 310a, which radiates light in a preset wavelength range to the oxide semiconductor layer 31 and in this wavelength range. Can be variably formed in multiple wavelength bands.

이 경우, 도 7에 제공되는 기판(20)의 일면 상에는 상기 실시예들에서와는 달리 도 9에 도시된 바와 같이 전극층(35)이 배제되는 구성을 취할 수도 있다. In this case, unlike in the above embodiments, the electrode layer 35 may be excluded from one surface of the substrate 20 provided in FIG. 7 as shown in FIG. 9 .

보다 구체적으로, 제네레이터 광원부(310a)는 제네레이터 광원(311a)과, 제네레이터 반사부(313a)를 포함할 수 있는데, 제네레이터 광원(311a)는 산화물 반도체층(31)에 조사하는 사전 설정 파장대의 빛을 생성하고, 제네레이터 반사부(313a)는 제네레이터 광원(311a)에서 생성된 빛을 산화물 반도체층(31) 측으로 반사시켜 여기 상태 형성을 강화할 수도 있다. More specifically, the generator light source unit 310a may include a generator light source 311a and a generator reflection unit 313a. The generator light source 311a emits light in a preset wavelength range irradiated to the oxide semiconductor layer 31. The generator reflection unit 313a may reflect the light generated from the generator light source 311a toward the oxide semiconductor layer 31 to strengthen the formation of an excited state.

제네레이터 광원부(310a)는 기판(20)을 사이에 두고 검출 유니트(200)와 대향 배치되어 기판(20)의 일면 상에 배치된 절연층(33)의 일면 상에 형성된 산화물 반도체층(31)을 배면측에서 광조사를 통한 여기 에너지 제공이 이루어질 수도 있다. The generator light source unit 310a is disposed opposite to the detection unit 200 with the substrate 20 interposed therebetween and uses an oxide semiconductor layer 31 formed on one side of the insulating layer 33 disposed on one side of the substrate 20. Excitation energy may be provided through light irradiation from the back side.

도 8의 캐리어 제네레이터(300)는 제네레이터 모듈 제어부(320)를 구비하고, 제네레이터 모듈 제어부(320)는 제어부(100)의 제어 신호에 따라 동작 구현 제어를 실행할 수도 있다. The carrier generator 300 of FIG. 8 includes a generator module control unit 320, and the generator module control unit 320 may execute operation implementation control according to a control signal from the control unit 100.

이와 같은 구조를 통하여 표면 측정점에서의 음영없이 프리 캐리어를 증진시키기 위한 에너지 공급이 이루어지는 복수 개의 파장대에 대한 빛이 온전한 전달을 가능하게 할 수도 있다. Through this structure, it is possible to enable complete transmission of light to a plurality of wavelength bands in which energy is supplied to enhance free carriers without shading at the surface measurement point.

경우에 따라, 앞선 도 6의 캐리어 제네레이팅 단계(S20)는 도 7의 실시예의 경우 도 8과 같은 제어 흐름을 취할 수도 있다. 즉, 캐리어 제네레이팅 단계(S20)는 광조사 파장 확인 단계(S21)와 해당 파장 광조사 단계(S23)를 포함하는데, 광조사 파장 확인 단계(S21)는 제어부(100)와 연결되는 저장부(미도시) 등에 저장된 조사되는 빛의 파장대 및 이에 대한 광조사 데이터를 확인하고, 이에 대한 제어 신호를 제네레이터 모듈 제어부(320)로 전달하고 해당 파장 광조사 단계(S23)에서 제네레이터 모듈 제어부(320)는 제네레이터 광원부(310b)에 신호 전달하여 소정의 광조사 출력 상태를 형성하고 소정의 검출 유니트를 통한 검출 과정을 실행할 수 있다.In some cases, the carrier generating step (S20) of FIG. 6 may have the same control flow as that of FIG. 8 in the case of the embodiment of FIG. 7. That is, the carrier generating step (S20) includes a light irradiation wavelength confirmation step (S21) and a corresponding wavelength light irradiation step (S23). The light irradiation wavelength confirmation step (S21) includes a storage unit ( (not shown), etc., check the wavelength band of the irradiated light and the corresponding light irradiation data, transmit a control signal for this to the generator module control unit 320, and in the corresponding wavelength light irradiation step (S23), the generator module control unit 320 A signal is transmitted to the generator light source unit 310b to form a predetermined light irradiation output state and a detection process through a predetermined detection unit can be performed.

한편, 도 8의 구성의 구현에 있어 도 9에서와 같은 시료로서의 기판(20)의 일면상에 전극층(35)이 배제되는 구성을 언급하였으나, 시료서의 기판(20) 일면 상에 전극층(35)이 형성된 경우에도 사용 가능하다. Meanwhile, in implementing the configuration of FIG. 8, a configuration in which the electrode layer 35 is excluded on one side of the substrate 20 as the sample as in FIG. 9 has been mentioned, but the electrode layer 35 on one side of the substrate 20 in the sample is mentioned. ) can also be used when formed.

즉, 전극층(35)이 ITO와 같은 투명 전극층으로 형성될 수도 있는데, 이 경우 본 발명의 반도체 필름층 검사 장치(10)는 캐리어 제네레이터가 제네레이터 접지 라인(340)과 제네레이터 광원부(310a)를 모두 포함하는 구조를 취할 수도 있다. 즉, 산화물 반도체층(30)에는 산화물 반도체층(31)과 기판(20) 사이에 배치되는 투명 전극층으로 형성되는 전극층(35)이 포함되고, 캐리어 제네레이터(300)는 일단이 전극층(35) 측에 연결되고 타단이 접지되는 제네레이터 접지 라인(340)과, 사전 설정 파장대의 빛을 산화물 반도체층(31)에 조사하는 제네레이터 광원부(310a)를 포함하는 구조를 취하여 양자의 경우, 즉 도 2, 도 7에 도시된 경우와 도 8에 도시된 경우 모두를 포함하는 구조를 취하여 다양한 시료의 검출을 가능하게 하는 컴플렉스 구조를 취하여 범용성을 증진시킬 수도 있다. That is, the electrode layer 35 may be formed of a transparent electrode layer such as ITO. In this case, the semiconductor film layer inspection device 10 of the present invention includes both the generator ground line 340 and the generator light source unit 310a. You can also take a structure that does. That is, the oxide semiconductor layer 30 includes an electrode layer 35 formed of a transparent electrode layer disposed between the oxide semiconductor layer 31 and the substrate 20, and the carrier generator 300 has one end on the electrode layer 35 side. A structure including a generator ground line 340 connected to and the other end is grounded, and a generator light source unit 310a that irradiates light in a preset wavelength range to the oxide semiconductor layer 31 is adopted, that is, in the case of both, FIG. 2, FIG. It is also possible to improve versatility by taking a complex structure that includes both the case shown in 7 and the case shown in FIG. 8 to enable detection of various samples.

이때, 전극층(35)은 투명 전극층이고, 제네레이터 광원부(310a)는 기판(20)을 사이에 두고 검출 유니트(200)와 대향 배치되는 구조를 취하여 광조사를 통한 음영 지역 발생없이 원활한 여기 에너지 제공 구조를 형성할 수도 있다. At this time, the electrode layer 35 is a transparent electrode layer, and the generator light source unit 310a has a structure disposed opposite to the detection unit 200 with the substrate 20 in between, thereby providing a structure for smoothly providing excitation energy without creating a shadow area through light irradiation. may form.

또 한편, 본 발명은 반도체 필름층 검사 장치(10)는 2-포인트 매소드를 사용하는데, 단순 이격 구조의 프루브 이외 검측성을 보다 강화하기 구성을 취할 수도 있다. 즉, 검출 유니트(200)는 산화물 반도체층 일면 상 서로 이격된 지점에 접촉하는 복수의 검출 프루브 핀(230)과, 검출 프루브 핀(230)에 검출을 위한 검출 인가 신호를 인가하고 검출 프루브 핀(230)으로부터 입력되는 검출 감지 신호를 감지하는 검출 프루브 모듈(202)을 포함하는데, 검출 프루브 핀(230)은 두 개가 구비되되, 기판(20)에 수평한 평면 상의 각각의 검출 프루브 핀(230)의 도심(圖心,centroid)을 연결하는 선분(C-C)에 평행하고 기판(20)에 수직한 평면(C'C') 상에 상기 각각의 검출 프루브 핀(230)을 투영시 중첩 영역이 발생하는 구조를 취할 수도 있다. 즉, 도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이, 검출 프루브 핀(230) 중의 하나(231a)는 다른 하나(231b)를 폐구조 포획하는 구조를 취할 수 있다. 또한, 검출 프루브 핀(230) 중의 하나(231a)는 다른 하나(231b)의 적어도 일부를 둘러싸는 구조일 수 있다.On the other hand, the semiconductor film layer inspection device 10 of the present invention uses a 2-point method, and other than a simple spaced probe structure, it can be configured to further enhance detection. That is, the detection unit 200 applies a detection application signal for detection to a plurality of detection probe pins 230 that contact spaced apart points on one side of the oxide semiconductor layer and the detection probe pin 230, and detects the detection probe pin ( It includes a detection probe module 202 that detects a detection signal input from 230, and is provided with two detection probe pins 230, each detection probe pin 230 on a plane horizontal to the substrate 20. When projecting each of the detection probe pins 230 on a plane (C'C') parallel to the line segment (C-C) connecting the centroids and perpendicular to the substrate 20, an overlap area occurs. You can also take a structure that does. That is, as shown in FIGS. 11 and 12, one (231a) of the detection probe pins 230 may have a structure that captures the other one (231b) in a closed structure. Additionally, one of the detection probe pins 230 (231a) may have a structure that surrounds at least a portion of the other probe pin (231b).

이러한 구조는 앞서 기술한 바와 같이, 각각의 검출 프루브 핀(230)이 기판(20)에 수평한 평면 상에 배치되는 경우, 도면 부호 231a로 지시되는 제 1 검출 프루브 핀 바디(231a)과 도면 부호 231b로 지시되는 제 2 검출 프루브 핀 바디(231b)는 도 13에 도시된 바와 같은 도형 구조를 취하는데, 이들의 도심(圖心,centroid)을 각각 도면 부호 C1, C2로 표현할 수 있다. 이때, 두 개의 도심 C1과 C2를 연결하는 선분 C-C에 평행하고 기판(20)이 배치되는 평면에 수직한 평면을 평면 C'C'라 하고 이들 투영 영역의 중첩 영역은 도면 부호 Asup로 표현할 때, 제 1 검출 프루브 핀 바디(231a)과 제 2 검출 프루브 핀 바디(231b)의 기판(20)에 평행한 평면 투영 도형 구조를 평면 C'C'에 투영시 각각의 도형은 A231a+Asup, 그리고 A231b+Asup의 투영 영역(엄밀하게는 투영 선분)로 표현할 수 있다. 이와 같은 중첩 영역을 형성하는 배치 구조를 통하여 제 1 검출 프루브 핀 바디(231a)과 제 2 검출 프루브 핀 바디(231b) 간의 대향 영역 증진을 통한 기판(20) 상의 산화물 반도체의 전기적 특성 검측을 보다 강화할 수 있다. As described above, this structure includes a first detection probe pin body 231a indicated by reference numeral 231a and a reference numeral when each detection probe pin 230 is disposed on a horizontal plane on the substrate 20. The second detection probe pin body 231b indicated by 231b has a geometric structure as shown in FIG. 13, and its centroids can be expressed by reference numerals C1 and C2, respectively. At this time, the plane parallel to the line segment C-C connecting the two centroids C1 and C2 and perpendicular to the plane where the substrate 20 is placed is called plane C'C', and the overlapping area of these projection areas is expressed by the reference symbol Asup, When the planar projection figure structures of the first detection probe pin body 231a and the second detection probe pin body 231b parallel to the substrate 20 are projected onto the plane C'C', each figure is A231a+Asup and A231b. It can be expressed as a projection area (strictly a projection line segment) of +Asup. Through the arrangement structure that forms such an overlapping area, the detection of the electrical characteristics of the oxide semiconductor on the substrate 20 can be further strengthened by enhancing the opposing area between the first detection probe pin body 231a and the second detection probe pin body 231b. You can.

이와 같은 구성을 통하여 앞선 폐루프 포획 구조 내지 둘러싸는 서라운딩 구조 등의 검출 프루브 핀(230)의 다양한 구조가 형성될 수 있는데, 도 15에 도시된 바와 같은 핑거암 구조를 취할 수도 있다. 즉, 제 1 검출 프루브 핀 바디(231a)은 제 1 검출 프루브 핀 메인 바디(2311a)와 제 1 검출 프루브 핀 브릿지(2313a)를 포함한다. 제 1 검출 프루브 핀 메인 바디(2311a)의 단부 내지 측부에는 제 1 검출 프루브 핀 브릿지(2313a)가 연장 형성된다. Through this configuration, various structures of the detection probe pin 230 can be formed, such as a closed-loop trapping structure or a surrounding structure, and may also have a finger arm structure as shown in FIG. 15. That is, the first detection probe pin body 231a includes a first detection probe pin main body 2311a and a first detection probe pin bridge 2313a. A first detection probe pin bridge 2313a is formed extending from an end or side portion of the first detection probe pin main body 2311a.

제 2 검출 프루브 핀 바디(231b)은 제 2 검출 프루브 핀 메인 바디(2311b)와 제 2 검출 프루브 핀 아웃터 브릿지(2313b)와 제 2 검출 프루브 핀 이너 브릿지(2315b)를 포함한다. The second detection probe pin body 231b includes a second detection probe pin main body 2311b, a second detection probe pin outer bridge 2313b, and a second detection probe pin inner bridge 2315b.

제 2 검출 프루브 핀 메인 바디(2311b)의 단부 내지 측부에는 제 2 검출 프루브 핀 아웃터 브릿지(2313b)와 제 2 검출 프루브 핀 이너 브릿지(2315b)가 연장 형성되는데, 제 2 검출 프루브 핀 아웃터 브릿지(2313b)는 제 2 검출 프루브 핀 메인 바디(2311b)의 단부에서 연장 형성되고, 제 2 검출 프루브 핀 이너 브릿지(2315b)는 제 2 검출 프루브 핀 메인 바디(2311b)의 측부에서 연장 형성된다.A second detection probe pin outer bridge 2313b and a second detection probe pin inner bridge 2315b are extended from the end or side of the second detection probe pin main body 2311b, and the second detection probe pin outer bridge 2313b is formed. ) is formed extending from the end of the second detection probe pin main body 2311b, and the second detection probe pin inner bridge 2315b is formed extending from the side of the second detection probe pin main body 2311b.

제 1 검출 프루브 핀 브릿지(2313a)와 제 2 검출 프루브 핀 아웃터 브릿지(2313b)와 제 2 검출 프루브 핀 이너 브릿지(2315b)는 서로 교차되도록 교번 배치되는 구조를 취할 수 있다. The first detection probe pin bridge 2313a, the second detection probe pin outer bridge 2313b, and the second detection probe pin inner bridge 2315b may have a structure in which they are alternately arranged to cross each other.

또 한편, 본 발명은 반도체 필름층 검사 장치(10)는 2-포인트 매소드를 사용하는데, 제 1 검출 프루브 핀 바디(231a)과 제 2 검출 프루브 핀 바디(231b) 간의 접촉 상태증진을 통한 기판(20) 상의 산화물 반도체의 전기적 특성 검측을 보다 강화할 수 있다. On the other hand, in the present invention, the semiconductor film layer inspection device 10 uses a 2-point method, and the substrate ( 20) The detection of electrical properties of the oxide semiconductor can be further strengthened.

즉, 도 15에 도시된 바와 같이, 검출 프루브 핀 바디(231)과 산화물 반도체층(31)의 접촉 단면을 부분 확대할 경우 표면 평활도 내지 검출 프루브 핀 바디(231)의 접촉 단부의 불균일로 인하여 양자 간의 접촉이 원활하지 않는 상황 발생으로 인하여 산화물 반도체층(31)의 검출된 전기적 특성의 정확도 담보력이 약화될 수도 있다. That is, as shown in FIG. 15, when the contact cross section of the detection probe pin body 231 and the oxide semiconductor layer 31 is partially enlarged, both surface smoothness and unevenness of the contact end of the detection probe pin body 231 cause both Due to a situation in which contact between the two surfaces is not smooth, the accuracy of the detected electrical characteristics of the oxide semiconductor layer 31 may be weakened.

이러한 정확도 약화를 방지하고 신뢰성을 강화하도록, 본 발명의 반도체 필름층 검사 장치(10)의 검출 유니트(200)는 산화물 반도체층 일면 상 서로 이격된 지점에 접촉하는 복수의 검출 프루브 핀(230)과, 검출 프루브 핀(230)에 검출을 위한 검출 인가 신호를 인가하고 검출 프루브 핀(230)으로부터 입력되는 검출 감지 신호를 감지하는 검출 프루브 모듈(202)을 포함하는데, 검출 프루브 핀(230)은 두 개가 구비되되, 검출 프루브 핀(230) 중 적어도 하나는 검출 프루브 핀 바디(231)와, 검출 프루브 핀 컨택터부(233)를 포함하는데, 검출 프루브 핀 바디(231)는 산화물 반도체층과 이격 배치되고, 검출 프루브 핀 컨택터부(233)는 일단이 검출 프루브 핀 바디(231) 측에 배치되고 타단이 산화물 반도체층과 직접 접촉할 수 있다. In order to prevent such weakening of accuracy and enhance reliability, the detection unit 200 of the semiconductor film layer inspection device 10 of the present invention includes a plurality of detection probe pins 230 contacting spaced apart points on one surface of the oxide semiconductor layer and , It includes a detection probe module 202 that applies a detection application signal for detection to the detection probe pin 230 and detects the detection signal input from the detection probe pin 230. The detection probe pin 230 has two provided, wherein at least one of the detection probe pins 230 includes a detection probe pin body 231 and a detection probe pin contactor portion 233, and the detection probe pin body 231 is disposed to be spaced apart from the oxide semiconductor layer. , the detection probe pin contactor portion 233 may have one end disposed on the detection probe pin body 231 side and the other end directly contacting the oxide semiconductor layer.

이러한 검출 프루브 핀 컨택터부(233)는 도 19에 도시된 바와 같이 제 1 검출 프루브 핀 바디(231a)에만 형성될 수도 있고, 도 20에 도시된 바와 같이 제 1 검출 프루브 핀 바디(231a)와 제 2 검출 프루브 핀 바디(231b)에 모두 검출 프루브 핀 컨택터부(233; 233a,233b)가 각각 배치되는 구성을 취할 수도 있는 등 다양한 변형이 가능하다. This detection probe pin contactor portion 233 may be formed only on the first detection probe pin body 231a, as shown in FIG. 19, and may be formed on the first detection probe pin body 231a and the first detection probe pin body 231a, as shown in FIG. 20. Various modifications are possible, such as a configuration in which the detection probe pin contactor portions 233 (233a, 233b) are respectively disposed on each of the two detection probe pin bodies 231b.

한편, 본 발명은 도 17에 도시된 바와 같이, 검출 프루브 핀은 핑거암 구조를 취할 수도 있는데, 제 1 검출 프루브 핀 바디(231a)의 제 1 검출 프루브 핀 브릿지(2313a)와, 제 2 검출 프루브 핀 바디(231b)의 제 2 검출 프루브 핀 아웃터 브릿지(2313b) 및 제 2 검출 프루브 핀 이너 브릿지(2315b)에 검출 프루브 핀 컨택터부(233; 233a,233b)가 각각 배치된다. Meanwhile, in the present invention, as shown in FIG. 17, the detection probe pin may have a finger arm structure, where the first detection probe pin bridge 2313a of the first detection probe pin body 231a, and the second detection probe Detection probe pin contactor portions 233 (233a, 233b) are respectively disposed on the second detection probe pin outer bridge 2313b and the second detection probe pin inner bridge 2315b of the pin body 231b.

이와 같은 구조를 통하여 제 1 검출 프루브 핀 컨택터부(233a)와 제 2 검출 프루브 핀 컨택터부(233b)는 각각의 제 1 검출 프루브 핀 바디(231a)의 제 1 검출 프루브 핀 브릿지(2313a)와, 제 2 검출 프루브 핀 바디(231b)의 제 2 검출 프루브 핀 아웃터 브릿지(2313b) 및 제 2 검출 프루브 핀 이너 브릿지(2315b)에 이격 배치되되, 서로 상이한 전기적 신호가 인가되는 제 1 검출 프루브 핀 컨택터부(233a)와 제 2 검출 프루브 핀 컨택터부(233b)는 기판(20)에 평행한 평면에 대하여 엇갈리도록 교번 배치되는 구조, 즉 제 1 검출 프루브 핀 브릿지(2313a)와, 제 2 검출 프루브 핀 아웃터 브릿지(2313b) 및 제 2 검출 프루브 핀 이너 브릿지(2315b)의 길이를 따라 일렬 배치되나 제 1 검출 프루브 핀 브릿지(2313a)와, 제 2 검출 프루브 핀 아웃터 브릿지(2313b) 및 제 2 검출 프루브 핀 이너 브릿지(2315b)의 길이에 수직 하는 방향으로는 교차되지 않고 엇갈리게 배치되어 제 1 검출 프루브 핀 컨택터부(233a)의 적어도 일부가 제 2 검출 프루브 핀 컨택터부(233b)에 의하여 둘러싸이도록 또는 반대의 경우로 형성되도록 배치되는 구조를 취할 수도 있다. Through this structure, the first detection probe pin contactor portion 233a and the second detection probe pin contactor portion 233b are connected to the first detection probe pin bridge 2313a of each first detection probe pin body 231a, A first detection probe pin contactor portion that is spaced apart from the second detection probe pin outer bridge 2313b and the second detection probe pin inner bridge 2315b of the second detection probe pin body 231b, and to which different electrical signals are applied. (233a) and the second detection probe pin contactor portion 233b have a structure alternately arranged so as to be staggered with respect to a plane parallel to the substrate 20, that is, the first detection probe pin bridge 2313a and the second detection probe pin outer The bridge 2313b and the second detection probe pin are arranged in a line along the length of the inner bridge 2315b, but the first detection probe pin bridge 2313a, the second detection probe pin outer bridge 2313b, and the second detection probe pin inner bridge 2313b are arranged in a row along the length of the bridge 2315b. They are arranged alternately rather than intersecting in the direction perpendicular to the length of the bridge 2315b so that at least a portion of the first detection probe pin contactor portion 233a is surrounded by the second detection probe pin contactor portion 233b, or vice versa. It may also have a structure arranged to be formed.

보다 구체적으로, 검출 프루브 핀 컨택터부(233)는 하나 이상의 검출 프루브 핀 컨택터(235)를 포함할 수 있는데, 하나 이상의 검출 프루브 핀 컨택터(235)는 산화물 반도체층과 직접 접촉한다. 도 17의 선 I-I를 따라 취한 부분 단면이 도 18에 도시되는데, More specifically, the detection probe pin contactor unit 233 may include one or more detection probe pin contactors 235, where the one or more detection probe pin contactors 235 are in direct contact with the oxide semiconductor layer. A partial cross-section taken along line I-I in Figure 17 is shown in Figure 18,

제 2 검출 프루브 핀 바디(231b)의 제 2 검출 프루브 핀 아웃터 브릿지(2313b)에 하나 이상의 검출 프루브 핀 컨택터(235)가 배치되는데, 프루브 핀 컨택터(235)는 프루브 핀 컨택터 헤드(2351)와 프루브 핀 컨택터 장착부(2353)를 포함한다. One or more detection probe pin contactors 235 are disposed on the second detection probe pin outer bridge 2313b of the second detection probe pin body 231b, and the probe pin contactor 235 is connected to the probe pin contactor head 2351. ) and a probe pin contactor mounting portion (2353).

프루브 핀 컨택터 헤드(2351)는 본 실시예에서 돔형 구조를 취하고 단부가 산화물 반도체층(31)과 접하도록 구성되고, 프루브 핀 컨택터 장착부(2353)는 프루브 핀 컨택터 헤드(2351)의 단부에 연결되어 제 2 검출 프루브 핀 바디(231b)의 제 2 검출 프루브 핀 아웃터 브릿지(2313b)에 삽입 장착되는 구조를 취한다. 본 실시예에서 제 2 검출 프루브 핀 바디(231b)의 제 2 검출 프루브 핀 아웃터 브릿지(2313b) 등이 직접 연결 전극으로 구현되었으나, 후술되는 실시예에서와 같이 제 2 검출 프루브 핀 바디(231b)의 제 2 검출 프루브 핀 아웃터 브릿지(2313b) 등은 단순한 비도전성 프레임 구조로 형성되고, 별도의 배선을 통하여 연결되는 구조를 취할 수도 있는 등 다양한 변형이 가능하다. In this embodiment, the probe pin contactor head 2351 has a dome-shaped structure and its end is in contact with the oxide semiconductor layer 31, and the probe pin contactor mounting portion 2353 is formed at the end of the probe pin contactor head 2351. It has a structure of being connected to and inserted into the second detection probe pin outer bridge 2313b of the second detection probe pin body 231b. In this embodiment, the second detection probe pin outer bridge 2313b of the second detection probe pin body 231b is implemented as a directly connected electrode, but as in the embodiment described later, the second detection probe pin body 231b is implemented as a directly connected electrode. The second detection probe pin outer bridge 2313b is formed as a simple non-conductive frame structure, and various modifications are possible, such as a structure connected through a separate wire.

경우에 따라 검출 프루브 핀 컨택터부(233)는 검출 프루브 핀 미디엄(237)를 더 포함할 수도 있는데, 검출 프루브 핀 미디엄(237)는 검출 프루브 핀 바디(231)와 검출 프루브 핀 컨택터(235)의 사이에 배치되어 탄성 변형 가능한 도전체로 형성된다. 이와 같이, 프루브 핀 컨택터 헤드(2351)가 산화물 반도체층(31)과 접하는 경우 소정의 탄성 변형을 허용하여 프루브 핀 컨택터 헤드(2351)의 단부가 산화물 반도체층(31)과 접하는 구성을 밀접 접촉하는 것을 가능하게 할 수도 있다. In some cases, the detection probe pin contactor unit 233 may further include a detection probe pin medium 237. The detection probe pin medium 237 includes the detection probe pin body 231 and the detection probe pin contactor 235. It is disposed between and formed of an elastically deformable conductor. In this way, when the probe pin contactor head 2351 is in contact with the oxide semiconductor layer 31, a predetermined elastic deformation is allowed so that the end of the probe pin contactor head 2351 is in contact with the oxide semiconductor layer 31. It may make contact possible.

이와 같은 구조를 통하여 도 17에 도시된 바와 같이, 복수 개의 검출 프루브 핀 컨택터부(233)는 일렬 교번 배치되어 안정적인 전기적 신호의 인가를 통하여 산화물 반도체층(31)에 대한 보다 정확한 특성 검출이 가능해질 수 있다. Through this structure, as shown in FIG. 17, a plurality of detection probe pin contactor units 233 are alternately arranged in a row, enabling more accurate characteristic detection of the oxide semiconductor layer 31 through stable application of electrical signals. You can.

도 23에는 제 1 검출 프루브 핀 바디(231a)과 제 2 검출 프루브 핀 바디(231b)의 일렬 엇갈림 배치, 즉 일렬 교번 배치를 통하여 제 1 검출 프루브 핀 바디(231a)이 제 2 검출 프루브 핀 바디(231b)에 의하여 포획된 경우에 대한 상태 상관도가 도시되며 이들의 관계는 다음과 같은 수식으로 표현 가능하다. In Figure 23, the first detection probe pin body 231a and the second detection probe pin body 231b are arranged in a series-staggered arrangement, that is, in an alternating series arrangement, so that the first detection probe pin body 231a is connected to the second detection probe pin body (231a). The state correlation diagram for the case captured by 231b) is shown, and their relationship can be expressed with the following formula.

즉, 원형의 전극 패드와 같이 도시되는 부분은 소스 및 드레인으로 기능하는 제 1 검출 프루브 핀 바디(231a)과 제 2 검출 프루브 핀 바디(231b)을 지시하는데,제 1 검출 프루브 핀 바디(231a)과 제 2 검출 프루브 핀 바디(231b) 중의 어느 한 종류의 검출 프루브 핀 바디는 다른 종류의 전극이 둘러싸도록 배치는 배치 구조를 취한다. That is, the part shown as a circular electrode pad indicates the first detection probe pin body 231a and the second detection probe pin body 231b, which function as the source and drain. The first detection probe pin body 231a One type of detection probe pin body among the second detection probe pin body 231b is arranged so that another type of electrode surrounds it.

도 23에는 제 1 검출 프루브 핀 바디(231a)과 제 2 검출 프루브 핀 바디(231b)의 일렬 엇갈림 배치, 즉 일렬 교번 배치를 통하여 제 1 검출 프루브 핀 바디(231a)이 제 2 검출 프루브 핀 바디(231b)에 의하여 포획된 경우에 대한 상태 상관도가 도시되며 이들의 관계는 다음과 같은 수식으로 표현 가능하다. In Figure 23, the first detection probe pin body 231a and the second detection probe pin body 231b are arranged in a series-staggered arrangement, that is, in an alternating series arrangement, so that the first detection probe pin body 231a is connected to the second detection probe pin body (231a). The state correlation diagram for the case captured by 231b) is shown, and their relationship can be expressed with the following formula.

여기서, Ids : 검출 전류Where, Ids: detection current

n : 전류경로 수,n: Number of current paths,

W : 원형 전극 패드 직경, W: Circular electrode pad diameter,

L : 모사 트랜지스터 구조로서의 채널의 길이L: Length of channel as simulated transistor structure

μ: 전하이동도, μ: charge mobility,

Cox : 모사 트랜지스터 구조의 절연막 두께Cox: Insulating film thickness of simulated transistor structure

Vgs : 모사 트랜지스터 구조의 게이트와 소스 간 전압Vgs: Voltage between gate and source of simulated transistor structure

Vds : 모사 트랜지스터 구조의 드레인과 소스 간 전압Vds: Voltage between drain and source of simulated transistor structure

을 나타내는데, 본 실시예에서 Ids는 검출 전류로, 모사 트랜지스터 구조로서의 드레인 전류에 대응하는 검출 프루브 핀 바디 측에서 검출되는 검출 전류를, n은 전류경로 수로, 제 1 검출 프루브 핀 바디(231a) 둘러싸며 배치되는 제 2 검출 프루브 핀 바디의 개수를, W는 원형 전극 패드로서의 검출 프루브 핀 컨택트부(233)의 직경을, L는 모사 트랜지스터 구조로서의 채널의 길이로, 원형 전극 패드로서의 제 1 검출 프루브 핀 바디(231a)와 제 2 검출 프루브 핀 바디(231b) 간의 간격을, Cox는 모사 트랜지스터 구조의 절연막으로서의 반도체층(30)의 절연체층(33)의 두께를, Vgs는 모사 트랜지스터 구조의 게이트와 소스 간 전압로, 원형 전극 패드로서의 제 1 검출 프루브 핀 바디(231a)와 캐리어 제네레이터(300) 측 간의 전압을, Vds은 모사 트랜지스터 구조의 드레인과 소스 간 전압로, 원형 전극 패드로서의 제 1 검출 프루브 핀 바디와 제 2 검출 프루브 핀 바디 간의 전압을 지칭한다. In this embodiment, Ids is the detection current, which is the detection current detected on the detection probe pin body side corresponding to the drain current as a simulated transistor structure, and n is the number of current paths, surrounding the first detection probe pin body 231a. is the number of second detection probe pin bodies arranged, W is the diameter of the detection probe pin contact portion 233 as a circular electrode pad, L is the length of the channel as a simulated transistor structure, and the first detection probe as a circular electrode pad. The distance between the pin body 231a and the second detection probe pin body 231b is represented by Cox, the thickness of the insulating layer 33 of the semiconductor layer 30 as an insulating film of the simulated transistor structure is represented, and Vgs is the thickness of the gate and the gate of the simulated transistor structure. The voltage between sources is the voltage between the first detection probe pin body 231a as a circular electrode pad and the carrier generator 300 side, and Vds is the voltage between the drain and source of the simulated transistor structure, and the first detection probe as a circular electrode pad. Refers to the voltage between the pin body and the second detection probe pin body.

즉, 이와 같은 방식을 통하여 제 1 검출 프루브 핀 바디(231a) 둘러싸며 배치되는 제 2 검출 프루브 핀 바디의 개수를 증대시켜 산화물 반도체 층(31), 특히 산화물 반도체층으로서 IGZO와 같은 공정의 주변 환경에 영향을 많이 받아 발생하는 물성 측정의 경우 발생하는 난점을 최소화하여 보다 정확한 전류 등의 물성 측정을 가능하게 할 수 있다. That is, through this method, the number of second detection probe pin bodies disposed surrounding the first detection probe pin body 231a is increased, and the oxide semiconductor layer 31, especially the oxide semiconductor layer, is used to protect the surrounding environment of a process such as IGZO. In the case of measuring physical properties that are greatly influenced by , it is possible to minimize the difficulties that arise and enable more accurate measurement of physical properties such as current.

한편, 앞서 기술한 바와 같이 검출 프루브 핀 컨택터부(233)가 검출 유니트(200) 측과 직접적으로 전기적 연결 구조를 형성하는 구성도 가능한데, 이 경우 제 2 검출 프루브 핀 바디(231b)의 제 2 검출 프루브 핀 아웃터 브릿지(2313b) 등은 단순한 비도전성 프레임 구조로 형성되고, 별도의 배선을 통하여 연결되는 구조를 취하는 경우 검출 프루브 핀 미디엄(237)는 검출 프루브 핀 바디(231)와 검출 프루브 핀 컨택터(235)의 사이에 배치되어 탄성 변형 가능한 구조만을 형성할 뿐 별도의 도전성을 취할 필요는 없을 수도 있다.Meanwhile, as described above, it is also possible to form a structure in which the detection probe pin contactor unit 233 forms a direct electrical connection with the detection unit 200. In this case, the second detection probe pin body 231b is connected to the second detection probe pin body 231b. The probe pin outer bridge 2313b is formed as a simple non-conductive frame structure, and when connected through a separate wire, the detection probe pin medium 237 is connected to the detection probe pin body 231 and the detection probe pin contactor. It may be disposed between (235) to form only an elastically deformable structure and may not need to have separate conductivity.

이러한 바와 같이, 검출 프루브 핀 컨택터부(233)가 검출 유니트(200) 측과 직접적으로 전기적 연결 구조를 형성하고 제 1 검출 프루브 핀 바디(231a) 및 제 2 검출 프루브 핀 바디(231b) 등의 적어도 일부는 단순한 비도전성 프레임 구조로 형성되고, 별도의 배선을 통하여 연결되는 구조를 취하는 경우 복수 개의 검출 프루브 핀 컨택터부(233)의 배치 자유도는 다양한 구성이 가능하다. As described above, the detection probe pin contactor unit 233 forms a direct electrical connection structure with the detection unit 200 and is connected to at least the first detection probe pin body 231a and the second detection probe pin body 231b. In the case where some are formed as simple non-conductive frame structures and are connected through separate wiring, the degree of freedom in the arrangement of the plurality of detection probe pin contactor units 233 can be configured in various ways.

즉, 도 21에 도시된 바와 같이, 제 1 검출 프루브 핀 바디(231a) 및 제 2 검출 프루브 핀 바디(231b)는 제 1 검출 프루브 핀 바디 베이스(231a-1) 및 제 2 검출 프루브 핀 바디 베이스(231b-1)와, 제 1 검출 프루브 핀 바디 라인(231a-2) 및 제 2 검출 프루브 핀 바디 라인(231b-2)를 포함할 수 있는데, 제 1 검출 프루브 핀 바디 베이스(231a-1) 및 제 2 검출 프루브 핀 바디 베이스(231b-1)은 비도전성 재질의 기판 구조로 형성될 수도 있고, 제 1 검출 프루브 핀 바디 라인(231a-2) 및 제 2 검출 프루브 핀 바디 라인(231b-2)는 각각 제 1 검출 프루브 핀 바디 베이스(231a-1) 및 제 2 검출 프루브 핀 바디 베이스(231b-1)의 일면 상에 도전성 라인으로 형성될 수도 있고, 제 1 검출 프루브 핀 바디 라인(231a-2) 및 제 2 검출 프루브 핀 바디 라인(231b-2)는 제 1 검출 프루브 핀 바디 베이스(231a-1) 및 제 2 검출 프루브 핀 바디 베이스(231b-1)의 일면 상에 형성되는 복수 개의 검출 프루브 핀 컨택터부(233)의 접속 연결을 이루고, 제 1 검출 프루브 핀 바디 라인(231a-2) 및 제 2 검출 프루브 핀 바디 라인(231b-2)는 각각 터미널 라인을 통하여 프루브 핀 바디 터미널을 통해 검출 유니트(200) 측의 다른 구성요소 내지 외부의 전기 구성요소와의 전기적 접속 구조를 형성할 수 있다. That is, as shown in FIG. 21, the first detection probe pin body 231a and the second detection probe pin body 231b are the first detection probe pin body base 231a-1 and the second detection probe pin body base 231a-1. It may include (231b-1), a first detection probe pin body line (231a-2), and a second detection probe pin body line (231b-2), where the first detection probe pin body base (231a-1) And the second detection probe pin body base 231b-1 may be formed of a substrate structure of a non-conductive material, and the first detection probe pin body line 231a-2 and the second detection probe pin body line 231b-2 ) may be formed as a conductive line on one surface of the first detection probe pin body base 231a-1 and the second detection probe pin body base 231b-1, respectively, and the first detection probe pin body line 231a- 2) and the second detection probe pin body line 231b-2 is a plurality of detection probes formed on one surface of the first detection probe pin body base 231a-1 and the second detection probe pin body base 231b-1. The probe pin contactor portion 233 is connected, and the first detection probe pin body line 231a-2 and the second detection probe pin body line 231b-2 are each connected through a terminal line and through a probe pin body terminal. An electrical connection structure with other components on the detection unit 200 side or external electrical components can be formed.

이때, 검출 프루브 핀 컨택터부(233)의 복수 개의 검출 프루브 핀 컨택터(235)는 매트릭스 구조로 배치되되, 어느 하나의 검출 프루브 핀 컨택터(235)는 인접한 다른 검출 프루브 핀 컨택터(235)와 상이한 전기적 신호를 인가받는 구조를 취할 수도 있다. 즉, 제 1 검출 프루브 핀 바디(231a) 및 제 2 검출 프루브 핀 바디(231b)에 각각 동일한 전기적 신호만을 받고 전기적 특성을 검출하는 검출 프루브 핀 컨택터부(233)의 복수 개의 검출 프루브 핀 컨택터(235)만이 배치되지 않고, 서로 상이한 전기적 신호를 받는 제 1 검출 프루브 핀 컨택터(235a)와 제 2 검출 프루브 핀 컨택터(235b)가 교번적으로 배치되는 구성을 취할 수도 있다. 이와 같은 구성을 통하여 제 1 검출 프루브 핀 컨택터(235a)와 제 2 검출 프루브 핀 컨택터(235b) 간의 포획면을 증진시켜, 산화물 반도체층(31)에 대한 보다 정확한 전기적 특성 검출을 가능하게 한다. At this time, the plurality of detection probe pin contactors 235 of the detection probe pin contactor unit 233 are arranged in a matrix structure, and one detection probe pin contactor 235 is adjacent to another detection probe pin contactor 235. It may also have a structure in which a different electrical signal is applied. That is, a plurality of detection probe pin contactors ( Instead of only the first detection probe pin contactor 235) being disposed, the first detection probe pin contactor 235a and the second detection probe pin contactor 235b receiving different electrical signals may be alternately disposed. Through this configuration, the capture surface between the first detection probe pin contactor 235a and the second detection probe pin contactor 235b is improved, enabling more accurate detection of electrical characteristics of the oxide semiconductor layer 31. .

이 밖에도 검출 프루브 핀 컨택터부(233)의 복수 개의 검출 프루브 핀 컨택터(235)는 다양한 변형이 가능하다. 즉, 검출 프루브 핀 컨택터부(233)의 복수 개의 검출 프루브 핀 컨택터(235)는 적어도 일부가 다른 일부를 포획하는 구조를 형성하고, 검출 프루브 핀 컨택터부(233)의 복수 개의 검출 프루브 핀 컨택터(235)는: 제 1 검출 프루브 핀 컨택터(235a)와, 제 1 검출 프루브 핀 컨택터(235a)와 상이한 전기적 신호를 인가받는 제 2 검출 프루브 핀 컨택터(235b)를 포함할 수도 있다. 도 22에 도시된 바와 같이, 제 1 검출 프루브 핀 컨택터(235a)는 제 1 검출 프루브 핀 컨택터 노드(235a-1)와, 제 1 검출 프루브 핀 컨택터 코어(235a-3)과, 제 1 검출 프루브 핀 컨택터 브랜치(235a-2)를 포함한다. In addition, the plurality of detection probe pin contactors 235 of the detection probe pin contactor unit 233 can be modified in various ways. That is, the plurality of detection probe pin contactors 235 of the detection probe pin contactor unit 233 form a structure in which at least a part captures the other part, and the plurality of detection probe pin contactors 235 of the detection probe pin contactor unit 233 form a structure in which at least one part captures the other part. The connector 235 may include: a first detection probe pin contactor 235a, and a second detection probe pin contactor 235b that receives an electrical signal different from the first detection probe pin contactor 235a. . As shown in FIG. 22, the first detection probe pin contactor 235a includes a first detection probe pin contactor node 235a-1, a first detection probe pin contactor core 235a-3, and a first detection probe pin contactor node 235a-1. 1 Includes detection probe pin contactor branch 235a-2.

제 1 검출 프루브 핀 컨택터 노드(235a-1)는 인접한 다른 제 1 검출 프루브 핀 컨택터(235a) 중의 적어도 하나와 더 전기적으로 연결되고, 제 1 검출 프루브 핀 컨택터 코어(235a-3)는 사전 설정된 복수 개가 군집되어 전기적으로 연결 배치되고, 적어도 일부가 상기 제 2 검출 프루브 핀 컨택(235b)에 의하여 둘러싸이고, 제 1 검출 프루브 핀 컨택터 브랜치(235a-2)는 사전 설정된 복수 개가 직렬 연결 배치되고 일단은 제 1 검출 프루브 핀 컨택터 노드(235a-1) 측과 타단은 제 1 검출 프루브 핀 컨택터 코어(235a-3) 측과 전기적으로 연결된다. The first detection probe pin contactor node 235a-1 is further electrically connected to at least one of the other adjacent first detection probe pin contactors 235a, and the first detection probe pin contactor core 235a-3 is A plurality of preset numbers are grouped and electrically connected, at least a portion of which is surrounded by the second detection probe pin contact 235b, and a plurality of preset first detection probe pin contactor branches 235a-2 are connected in series. It is disposed, and one end is electrically connected to the first detection probe pin contactor node 235a-1 and the other end is electrically connected to the first detection probe pin contactor core 235a-3.

마찬가지로, 제 2 검출 프루브 핀 컨택터(235b)는 하나 이상의 제 2 검출 프루브 핀 컨택터 노드(235b-1)와, 제 2 검출 프루브 핀 컨택터 코어(235b-3)과, 제 2 검출 프루브 핀 컨택터 브랜치(235b-2)를 포함한다. 제 2 검출 프루브 핀 컨택터 노드(235b-1)는 하나 이상이 구비되고, 인접한 다른 제 2 검출 프루브 핀 컨택부(235b)의 적어도 하나와 더 전기적으로 연결되고, 제 2 검출 프루브 핀 컨택터 코어(235b-3)는 사전 설정된 복수 개가 군집되어 전기적으로 연결 배치되고, 적어도 일부가 제 1 검출 프루브 핀 컨택터(235a)에 의하여 둘러싸이고, 제 2 검출 프루브 핀 컨택터 브랜치(235b-2)는 사전 설정된 복수 개가 직렬 연결 배치되고 일단은 제 2 검출 프루브 핀 컨택터 노드(235b-1) 측과 타단은 제 2 검출 프루브 핀 컨택터 코어(233b-3) 측과 전기적으로 연결된다. Likewise, the second detection probe pin contactor 235b includes one or more second detection probe pin contactor nodes 235b-1, a second detection probe pin contactor core 235b-3, and a second detection probe pin. Includes contactor branch 235b-2. One or more second detection probe pin contactor nodes 235b-1 are provided, are electrically connected to at least one of the other adjacent second detection probe pin contact parts 235b, and are connected to the second detection probe pin contactor core. A plurality of preset numbers 235b-3 are grouped and electrically connected, at least part of which is surrounded by the first detection probe pin contactor 235a, and the second detection probe pin contactor branch 235b-2 is A plurality of preset numbers are arranged in series, and one end is electrically connected to the second detection probe pin contactor node 235b-1 and the other end is electrically connected to the second detection probe pin contactor core 233b-3.

이와 같은 배치 구조의 다양한 선택을 통하여 산화물 반도체측의 전기적 특성 정밀도 및 신뢰성을 보다 강화할 수 있다. Through various selections of such arrangement structures, the electrical characteristic precision and reliability of the oxide semiconductor can be further enhanced.

또 한편, 본 발명의 반도체 필름층 검사 장치(10)는 이러한 검출 프루브를 통한 검측 과정 상 산화물 반도체층(31)과의 밀접한 상태 형성을 통해 산화물 반도체측의 전기적 특성 정밀도 및 신뢰성을 보다 강화하도록 하는 구성요소를 더 구비할 수도 있다. 즉, 본 발명의 반도체 필름층 검사 장치(10)는 컨택 정렬부(400)를 더 포함할 수 있는데, 검출 프루브 핀 바디(231)의 적어도 일부는 강자성체로 형성되고, 컨택 정렬부(400)는 기판(20)을 사이에 두고 검출 프루브 핀 바디(231)의 반대편에 대향 배치되고, 작동시 상기 검출 프루브 핀 바디(231)에 자기력을 형성하여 기판 측과 밀접 접촉하도록 밀접 정렬시킨다. On the other hand, the semiconductor film layer inspection device 10 of the present invention forms a close state with the oxide semiconductor layer 31 during the detection process through this detection probe to further enhance the precision and reliability of the electrical characteristics of the oxide semiconductor side. Additional components may be provided. That is, the semiconductor film layer inspection device 10 of the present invention may further include a contact alignment unit 400, where at least a portion of the detection probe pin body 231 is formed of a ferromagnetic material, and the contact alignment unit 400 It is disposed on the opposite side of the detection probe pin body 231 with the substrate 20 in between, and when operated, a magnetic force is generated on the detection probe pin body 231 to align it so as to be in close contact with the substrate.

보다 구체적으로, 컨택 정렬부(400)는 컨택 정렬 전자석부(410)와, 컨택 정렬 제어부(420)를 포함한다. 컨택 정렬 전자석부(410)는 베이스부(40) 측에 배치되고 검출 프루브 핀 바디(231) 측에 자기력을 형성하고, 컨택 정렬 제어부(420)는 컨택 정렬 전자석부(410)에 전원 인가를 단속한다. More specifically, the contact alignment unit 400 includes a contact alignment electromagnet unit 410 and a contact alignment control unit 420. The contact alignment electromagnet unit 410 is disposed on the base unit 40 side and forms a magnetic force on the detection probe pin body 231 side, and the contact alignment control unit 420 regulates the application of power to the contact alignment electromagnet unit 410. do.

도 24 및 도 25에는 컨택 정렬 제어부(420)로의 밀착 정렬 제어 오프/온 상태에 대한 작동 모식도가 도시되는데, 제어부(100)를 통한 제어 신호로 컨택 정렬 제어부(420)는 컨택 정렬 전자석부(410)로 신호를 인가하고 이를 통하여 소정의 밀착 정렬 상태를 형성할 수 있다. 24 and 25 show a schematic diagram of the operation of the close alignment control off/on state of the contact alignment control unit 420. With a control signal through the control unit 100, the contact alignment control unit 420 operates the contact alignment electromagnet unit 410. ), and through this, a predetermined close alignment state can be formed.

도 26에는 앞선 실시예에서와 같은 반도체 필름층 검사 장치(10)의 검측을 위한 제어 과정이 되는데, 앞선 실시예와 달리 단계 S10 및 단계 S20 사이에 단계 10a로 검출 프루브 핀 바디(231)의 접촉 위치를 정렬하는 정렬 단계가 추가된다. 26 shows the control process for detection of the semiconductor film layer inspection device 10 as in the previous embodiment. Unlike the previous embodiment, the contact of the detection probe pin body 231 is performed in step 10a between step S10 and step S20. A sorting step to sort positions is added.

도 27에 도시된 바와 같이 정렬 단계(S10a)는 위치 정렬 단계(S11a)와 밀착 정렬 단계(S13a)를 포함하는데, 위치 정렬 단계(S11a)에서 제어부(100)는 위치 정렬 액츄에이터부(미도시) 측으로 제어 신호를 위하여 산화물 반도체층(31)의 전기적 특성 검측을 위한 위치 확인 및 이동과 근접하도록 근접 위치 까지 이동하도록 제어 신호를 인가하여 실행한다. 그런 후, 밀착 정렬 단계(S13a)가 실행되고 제어부(100)는 컨택 정렬 제어부(420)로 제어 신호를 인가하여 컨택 정렬 전자석부(410)의 온 스위칭 상태를 형성하여 검출 프루브 핀 바디(231)의 단부가 산화물 반도체층(31)으로 밀착하여 배치 가능하게 할 수도 있다. As shown in FIG. 27, the alignment step (S10a) includes a position alignment step (S11a) and a close alignment step (S13a). In the position alignment step (S11a), the control unit 100 uses a position alignment actuator unit (not shown). For the control signal to the side, a control signal is applied and executed to move to a close position to confirm the position and move to detect the electrical characteristics of the oxide semiconductor layer 31. Then, the close alignment step (S13a) is executed, and the control unit 100 applies a control signal to the contact alignment control unit 420 to form an on-switching state of the contact alignment electromagnet unit 410 to set the detection probe pin body 231. The end of may be placed in close contact with the oxide semiconductor layer 31.

앞선 실시예들에서는 다양한 반도체 필름층 검사 장치의 검출 유니트의 검출 프루브 핀은 2포인트 컨택 구조를 기반으로 하는 구조를 중심으로 설명되었으나, 본 발명의 반도체 필름층 검사 장치의 검출 프루브 핀은 이에 국한되지 않고 다양한 구성이 가능한데, 도 28 내지 도 35에 도시된 바와 같은 단일 일체화 가동 구조 및 플렉서블 프린트 기판 구조의 컴팩트한 구조를 형성할 수도 있다. 이하에서는 도 28 내지 도 35에 도시된 바와 같은 단일 일체화 가동 구조 및 플렉서블 프린트 기판 구조의 컴팩트한 구조의 반도체 필름층 검사 장치에 대하여 기술하는데, 앞서 기술된 실시예에서와 동일한 기능을 하는 구성요소에 대하여는 동일 도면 부호를 부여하고 구체적 설명은 상기로 대체하며 중복된 설명은 생략하고 차이점을 중심으로 설명한다. In the previous embodiments, the detection probe pin of the detection unit of various semiconductor film layer inspection devices was described focusing on a structure based on a two-point contact structure, but the detection probe pin of the semiconductor film layer inspection device of the present invention is not limited to this. Various configurations are possible, and a compact structure of a single integrated movable structure and a flexible printed circuit board structure as shown in FIGS. 28 to 35 can be formed. Hereinafter, a semiconductor film layer inspection device with a compact structure of a single integrated movable structure and a flexible printed board structure as shown in FIGS. 28 to 35 will be described, which includes components that perform the same functions as in the previously described embodiment. The same reference numerals are assigned to the reference numerals, specific descriptions are replaced with the above, redundant descriptions are omitted, and explanations are made focusing on differences.

본 발명의 반도체 필름층 검사 장치의 검출 유니트(200)는 검출 프루브 핀(230)과, 검출 프루브 모듈(202)를 포함하고, 검출 프루브 핀(230)은 산화물 반도체층 일면 상 서로 이격된 지점에 접촉하고, 검출 프루브 모듈(202)은 검출 프루브 핀(230)에 검출을 위한 검출 인가 신호를 인가하고 검출 프루브 핀(230)으로부터 입력되는 검출 감지 신호를 감지한다. The detection unit 200 of the semiconductor film layer inspection device of the present invention includes a detection probe pin 230 and a detection probe module 202, and the detection probe pin 230 is located at spaced apart points on one side of the oxide semiconductor layer. Upon contact, the detection probe module 202 applies a detection application signal for detection to the detection probe pin 230 and detects the detection signal input from the detection probe pin 230.

이때, 검출 프루브 핀(230)은 검출 프루브 핀 바디(231)와, 검출 프루브 핀 컨택터부(233)를 포함하는데, 검출 프루브 핀 바디(231)는 산화물 반도체층과 접촉 가능하게 배치되고, 검출 프루브 핀 컨택터부(233)는 일단이 검출 프루브 핀 바디(231) 측에 배치되고 타단이 산화물 반도체층과 직접 접촉한다. At this time, the detection probe pin 230 includes a detection probe pin body 231 and a detection probe pin contactor portion 233. The detection probe pin body 231 is disposed to be in contact with the oxide semiconductor layer, and the detection probe is One end of the pin contactor portion 233 is disposed on the detection probe pin body 231 and the other end is in direct contact with the oxide semiconductor layer.

본 실시예에서 검출 프루브 핀 바디(231, 도 30 참조)는 검출 프루브 핀 바디 베이스(231-1)와, 검출 프루브 핀 바디 라인(231-2)을 포함한다. 즉, 도 28에 도시된 바와 같이, 검출 프루브 핀 바디 베이스(231-1)에는 검출 프루브 핀 컨택터부(233)가 배치되고, 검출 프루브 핀 바디 라인(231-2)는 검출 프루브 핀 바디 베이스(231-1)의 일면 상에 배치되고 검출 프루브 핀 컨택터부(233)를 전기적 연결시킨다. In this embodiment, the detection probe pin body 231 (see FIG. 30) includes a detection probe pin body base 231-1 and a detection probe pin body line 231-2. That is, as shown in FIG. 28, the detection probe pin contactor portion 233 is disposed on the detection probe pin body base 231-1, and the detection probe pin body line 231-2 is connected to the detection probe pin body base (231-1). 231-1) and is electrically connected to the detection probe pin contactor portion 233.

보다 구체적으로 검출 프루브 핀 바디 베이스(231-1)는 다양한 재료가 사용될 수 있는데, 본 실시예의 검출 프루브 핀 바디 베이스(231-1)는 비도전성 재료로 형성되고, 검출 프루브 핀 바디 베이스(231-1)의 일면 상에 형성되는 검출 프루브 핀 바디 라인(231-2)는 도전성 재료로 형성된다. More specifically, the detection probe pin body base 231-1 may be made of various materials. The detection probe pin body base 231-1 of this embodiment is formed of a non-conductive material, and the detection probe pin body base 231-1 is made of a non-conductive material. The detection probe pin body line 231-2 formed on one side of 1) is made of a conductive material.

본 발명의 일예로 본 실시예의 경우 검출 프루브 핀 바디 베이스(231-1)는 FPCB를 포함할 수 있는데, FPCB는 폴리이미드 필름 형태로 구현될 수도 있다. 도 30에 도시된 바와 같이, 검출 프루브 핀 바디 베이스(231-1)는 핀 바디 메인 베이스(231-1-1)와, 핀 바디 연장부(231-1-3)와, 핀 바디 터미널부(231-1-5)를 포함한다. 또한, 검출 프루브 핀 바디 라인(231-2)는 핀 바디 메인 라인(231-2-1)와, 핀 바디 연장 라인(231-2-3)와, 핀 바디 티미널 라인(231-2-5)을 포함한다. As an example of the present invention, in this embodiment, the detection probe pin body base 231-1 may include an FPCB, and the FPCB may be implemented in the form of a polyimide film. As shown in Figure 30, the detection probe pin body base 231-1 includes a pin body main base 231-1-1, a pin body extension portion 231-1-3, and a pin body terminal portion ( 231-1-5). In addition, the detection probe pin body line (231-2) includes a pin body main line (231-2-1), a pin body extension line (231-2-3), and a pin body terminal line (231-2-5). ) includes.

즉, 검출 프루브 핀 바디 메인 베이스(231-1-1)의 일면 상에 검출 프루브 핀 컨택트부(233)와 핀 바디 메인 라인(231-2-1)이 형성되고, 핀 바디 터미널부(231-1-5)의 일면 상에는 핀 바디 터미널부(231-2-5)가 형성되는데, 핀 바디 터미널부(231-1-5)는 베이스부(40) 측 또는 반도체 필름층 검사 장치(10) 측, 보다 구체적으로 반도체 필름층 검사 장치(10)에 형성되는 무빙 바디 터미널(251, 도 28 참조)에 배치되는 구조를 취할 수 있다. That is, the detection probe pin contact portion 233 and the pin body main line 231-2-1 are formed on one surface of the detection probe pin body main base 231-1-1, and the pin body terminal portion 231- A pin body terminal portion 231-2-5 is formed on one surface of 1-5), and the pin body terminal portion 231-1-5 is located on the base portion 40 side or the semiconductor film layer inspection device 10 side. , More specifically, it may have a structure disposed on the moving body terminal 251 (see FIG. 28) formed in the semiconductor film layer inspection device 10.

핀 바디 연장부(231-1-3)는 핀 바디 메인 베이스(231-1-1)와 핀 바디 터미널부(231-1-5)의 사이에 연결 배치되는 구조를 취하는데, 핀 바디 연장부(231-1-3)의 일면 상에 형성되는 핀 바디 연장 라인(231-2-3)가 배치되고, 핀 바디 연장 라인(231-2-3)은 핀 바디 메인 라인(231-2-1)와 핀 바디 터미널 라인(231-2-5)을 연결한다. 본 실시예에서 핀 바디 연장부(231-1-3)는 핀 바디 메인 베이스(231-1-1)와 핀 바디 터미널부(231-1-5)보다 너비가 작은 구조를 취하는데, 검출 위치와 터미널 접속 위치 간의 이격 거리로 인한 비틀림으로 인한 접속 박리 등의 문제를 최소화하기 위한 일예일뿐 각각의 설계 사양에 따라 다양한 변형이 가능함은 본 발명으로부터 명백하다. The pin body extension portion 231-1-3 has a structure connected and disposed between the pin body main base 231-1-1 and the pin body terminal portion 231-1-5. A pin body extension line (231-2-3) formed on one side of (231-1-3) is disposed, and the pin body extension line (231-2-3) is connected to the pin body main line (231-2-1). ) and the pin body terminal line (231-2-5). In this embodiment, the pin body extension portion 231-1-3 has a structure with a smaller width than the pin body main base 231-1-1 and the pin body terminal portion 231-1-5, and the detection position is It is only an example to minimize problems such as connection separation due to twisting due to the separation distance between the and terminal connection positions, and it is clear from the present invention that various modifications are possible depending on each design specification.

검출 프루브 핀 바디 라인(231-2)는 핀 바디 메인 라인(231-2-1)와, 핀 바디 연장 라인(231-2-3)와, 핀 바디 티미널 라인(231-2-5)을 포함한다. The detection probe pin body line (231-2) includes the pin body main line (231-2-1), the pin body extension line (231-2-3), and the pin body terminal line (231-2-5). Includes.

FPCB로 구현되는 검출 프루브 핀 바디 라인(231-2)은 스크린 인쇄 또는 애칭 공정 등 다양한 방식으로 형성될 수 있다. 즉, 예를 들어 검출 프루브 핀 바디 베이스(231-1-1)의 일면 상에 형성되는 검출 프루브 핀 바디 메인 라인(231-2-1)과, 핀 바디 연장부(231-1-3)의 일면 상에 형성되는 핀 바디 연장 라인(231-2-3)과, 검출 프루브 핀 바디 터미널부(231-1-5)에 형성되는 핀 바디 터미널 라인(231-2-5)은 스크린 인쇄 내지 에칭 공정을 통하여 형성될 수도있다. 이때, 검출 프루브 핀 바디 베이스(231-1-1)의 일면 상에 형성되는 검출 프루브 핀 바디 메인 라인(231-2-1)이 형성됨과 동시에 검출 프루브 핀 컨택터부(233)의 검출 프루비 핀 컨택부(233a/233b)가 큐브 아일랜드 형태로 형성될 수도 있으나, 이는 일예로서 설계 제조 조건에 따라 다양한 변형이 가능하다.The detection probe pin body line 231-2 implemented as an FPCB can be formed in various ways, such as screen printing or nicknamed process. That is, for example, the detection probe pin body main line 231-2-1 formed on one surface of the detection probe pin body base 231-1-1 and the pin body extension portion 231-1-3 The pin body extension line 231-2-3 formed on one side and the pin body terminal line 231-2-5 formed on the detection probe pin body terminal portion 231-1-5 are screen printed or etched. It can also be formed through a process. At this time, the detection probe pin body main line 231-2-1 is formed on one surface of the detection probe pin body base 231-1-1, and at the same time, the detection probe pin of the detection probe pin contactor portion 233 is formed. The contact portions 233a/233b may be formed in a cube island shape, but this is only an example and various modifications are possible depending on design and manufacturing conditions.

도 31에 도시된 바와 같이, 검출 프루브 핀 컨택터부(233, 도 31의 (a) 참조)는 앞서 기술한 바와 같이, 복수 개가 이격 배치되고 전기적으로 상이하게 연결되는 검출 프루브 핀 컨택터(235a,235b) 간에 각각 검출 프루브 핀 바디 메인 라인(231-2-1;231a-2-1,231b-2-1)을 통하여 동일한 그룹으로 연결되는 구조를 취하며, 이는 앞서 기술한 실시예에서와 동일할 수 있다. 도 31의 (a)의 검출 프루브 핀 컨택터부의 검출 프루브 핀 컨택터(235a,235b)는 사각 블록 형태로 형성되나, 이는 일예로서 제조 공정 설계 사양에 따라 다양한 변형이 가능하다. As shown in FIG. 31, the detection probe pin contactor portion 233 (see (a) of FIG. 31) includes a plurality of detection probe pin contactors 235a, which are spaced apart and electrically connected differently, as described above. 235b) has a structure of being connected to the same group through each detection probe pin body main line (231-2-1; 231a-2-1, 231b-2-1), which may be the same as in the previously described embodiment. You can. The detection probe pin contactors 235a and 235b of the detection probe pin contactor portion in (a) of FIG. 31 are formed in a square block shape, but this is an example and various modifications are possible depending on the manufacturing process design specifications.

도 32에는 도 30의 Ac로 지시되는 영역에 대한 부분 확대 도면이 도시되고, 도 33에는 도 32의 배치 구조 일예가 적용된 경우의 검출 프루브 핀의 개략적인 평면 상태가 도시되는데, 이때 검출 프루브 핀 컨택터부의 복수 개의 검출 프루브 핀 컨택터(2353;235a,235b)는 매트릭스 구조로 배치되되, 어느 하나의 검출 프루브 핀 컨택터(235a 또는 235b)는 인접한 다른 검출 프루브 핀 컨택터(235b 또는 235a)와 상이한 전기적 신호를 인가받는 구조를 취할 수도 있다. 즉, 제 1 검출 프루브 핀 바디(231a) 및 제 2 검출 프루브 핀 바디(231b)에 각각 동일한 전기적 신호만을 받고 전기적 특성을 검출하는 복수 개의 검출 프루브 핀 컨택터(235)만이 배치되지 않고, 서로 상이한 전기적 신호를 받는 제 1 검출 프루브 핀 컨택터(2353a)와 제 2 검출 프루브 핀 컨택터(235b)가 교번적으로 배치되는 구성을 취할 수도 있음은 앞선 실시예 중의 일예와 동일하다. 여기서, 복수 개의 제 1 검출 프루브 핀 컨택터(235a)는 제 1 검출 프루브 핀 바디 메인 라인(231-2-1)을 통하여, 그리고 복수 개의 제 2 검출 프루브 핀 컨택터(235b)는 제 2 검출 프루브 핀 바디 메인 라인(231-2-2)를 통하여 전기적으로 연결되고, 제 1 검출 프루브 핀 바디 메인 라인(231-2-1)와 제 2 검출 프루브 핀 바디 메인 라인(231-2-2)는 각각 핀 바디 연장 라인(231-2-3)을 통하여 검출 프루브 핀 바디 터미널부(231-1-5)에 형성되는 핀 바디 터미널 라인(231-2-5)과 접속되는 구조를 형성하고, 핀 바디 터미널 라인(231-2-5)는 무빙 바디 터미널(251, 도 28 참조)을 통하여 검출 유니트(200)의 다른 구성요소 등과 전기적 접속 상태를 형성할 수도 있다. FIG. 32 shows a partially enlarged view of the area indicated by Ac in FIG. 30, and FIG. 33 shows a schematic planar state of the detection probe pin when an example of the arrangement structure of FIG. 32 is applied. In this case, the detection probe pin contact A plurality of detection probe pin contactors (2353; 235a, 235b) of the tab are arranged in a matrix structure, and one detection probe pin contactor (235a or 235b) is connected to another adjacent detection probe pin contactor (235b or 235a). It may also have a structure in which different electrical signals are applied. That is, a plurality of detection probe pin contactors 235 that receive only the same electrical signal and detect electrical characteristics are not disposed on the first detection probe pin body 231a and the second detection probe pin body 231b, but are different from each other. The first detection probe pin contactor 2353a and the second detection probe pin contactor 235b that receive the electrical signal may be arranged alternately, which is the same as in the previous embodiment. Here, the plurality of first detection probe pin contactors 235a are connected to the first detection probe pin body main line 231-2-1, and the plurality of second detection probe pin contactors 235b are connected to the second detection probe pin contactor 235b. It is electrically connected through the probe pin body main line (231-2-2), and is connected to the first detection probe pin body main line (231-2-1) and the second detection probe pin body main line (231-2-2). Forms a structure connected to the pin body terminal line (231-2-5) formed on the detection probe pin body terminal portion (231-1-5) through the pin body extension line (231-2-3), The pin body terminal line 231-2-5 may be electrically connected to other components of the detection unit 200 through the moving body terminal 251 (see FIG. 28).

이와 같은 구성을 통하여 제 1 검출 프루브 핀 컨택터(235a)와 제 2 검출 프루브 핀 컨택터(235b) 간의 포획면을 증진시켜, 산화물 반도체층(31)에 대한 보다 정확한 전기적 특성 검출을 가능하게 함은 앞선 경우와 동일하고, 본 실시예의 경우 FPCB 타입으로 구현되어 단일 일체 형상의 FPCB 컴팩트 구조를 제공할 수 있고, 유지 보수 편의성을 제공할 수 있다. Through this configuration, the capture surface between the first detection probe pin contactor 235a and the second detection probe pin contactor 235b is improved, enabling more accurate detection of electrical characteristics of the oxide semiconductor layer 31. is the same as the previous case, and in the case of this embodiment, it is implemented as an FPCB type, which can provide a compact FPCB structure of a single integrated shape and can provide convenience for maintenance.

상기에서는 매트릭스 배치를 통한 상이한 그룹의 검출 프루브 핀 컨택터부의 배치 구조를 기술하였으나, 상이한 그룹의 검출 프루브 핀 컨택터부의 다수의 검출 프루브 핀 컨택터를 등간격을 형성하는 구조를 이루는 범위에서 다양한 변형이 가능하다. 즉, 도 33 및 도 34에 도시되는 바와 같이 검출 프루브 핀 컨택터부의 복수 개의 검출 프루브 핀 컨택터(235)는 적어도 일부가 다른 일부를 포획하는 구조를 형성하고, 복수 개의 검출 프루브 핀 컨택터(235)는 제 1 검출 프루브 핀 컨택터(235a)와, 제 1 검출 프루브 핀 컨택터(235a)와 상이한 전기적 신호를 인가받는 제 2 검출 프루브 핀 컨택부(235b)를 포함할 수도 있다. 도 33 및 도 34에 도시된 바와 같이, 제 1 검출 프루브 핀 컨택터(235a)는 제 1 검출 프루브 핀 컨택터 노드(235a-1)와, 제 1 검출 프루브 핀 컨택터 코어(235a-3)과, 제 1 검출 프루브 핀 컨택터 브랜치(235a-2)를 포함한다. In the above, the arrangement structure of different groups of detection probe pin contactor parts through matrix arrangement has been described, but there are various variations in the range of forming a structure in which a plurality of detection probe pin contactors of different groups of detection probe pin contactor parts are spaced at equal intervals. This is possible. That is, as shown in FIGS. 33 and 34, the plurality of detection probe pin contactors 235 of the detection probe pin contactor portion form a structure in which at least a part captures the other part, and a plurality of detection probe pin contactors ( 235) may include a first detection probe pin contactor 235a and a second detection probe pin contact part 235b that receives an electrical signal different from that of the first detection probe pin contactor 235a. As shown in FIGS. 33 and 34, the first detection probe pin contactor 235a includes a first detection probe pin contactor node 235a-1 and a first detection probe pin contactor core 235a-3. and a first detection probe pin contactor branch 235a-2.

적어도 어느 하나의 그룹의 검출 프루브 핀 컨텍터 노브 및 검출 프루브 핀 코어 및 검출 프루브 핀 브릿지는, 적어도 다른 하나의 그룹의 검출 프루브 핀 코어의 외측의 적어도 일부를 포획하는 배치 구조를 형성한다. 즉, 본 실시에에서 제 1 검출 프루브 핀 컨택터 노드(235a-1)는 인접한 다른 제 1 검출 프루브 핀 컨택부(235a)와 전기적으로 복수 연결되고, 제 1 검출 프루브 핀 컨택터 코어(235a-3)는 사전 설정된 복수 개가 군집되어 전기적으로 연결 배치되고, 적어도 일부가 제 2 검출 프루브 핀 컨택터(235b)에 의하여 둘러싸이고, 제 1 검출 프루브 핀 컨택터 브랜치(235a-2)는 사전 설정된 복수 개가 직렬 연결 배치되고 일단은 제 1 검출 프루브 핀 컨택터 노드(235a-1) 측과 타단은 제 1 검출 프루브 핀 컨택터 노드(235a-1) 측과 전기적으로 연결된다. 여기서, 제 1 검출 프루브 핀 컨택터 코어(2353a-3)는 4개의 검출 프루브 핀 컨택터의 조합으로 구성되었으나, 하나 이상인 구조를 취하는 범위에서 다양한 배치가 가능하고, 제 1 검출 프루브 핀 컨택터 노드(235a-1)에는 4개의 제 1 검출 프루브 핀 컨택터 브랜치(233a-2)가 연결 배치되는 구조를 취하였으나, 이에 국한되지 않고 다양한 변형이 가능하며, 제 1 검출 프루브 핀 컨택터 노드(235a-1) 측과 연결되는 제 1 검출 프루브 핀 컨택터 브랜치(2353a-2)가 구성하는 검출 프루브 핀 컨택터의 개수는 한 개 이상인 범위에서 다양한 구성이 가능하다. At least one group of detection probe pin contactor knobs, detection probe pin cores, and detection probe pin bridges form an arrangement structure that captures at least a portion of the outer side of at least another group of detection probe pin cores. That is, in this embodiment, the first detection probe pin contactor node 235a-1 is electrically connected to a plurality of other adjacent first detection probe pin contact parts 235a, and the first detection probe pin contactor core 235a- 3) is a preset plurality of groups arranged and electrically connected, at least a portion of which is surrounded by the second detection probe pin contactor 235b, and the first detection probe pin contactor branch 235a-2 is a preset plurality of branches. They are arranged in series, and one end is electrically connected to the first detection probe pin contactor node 235a-1 and the other end is electrically connected to the first detection probe pin contactor node 235a-1. Here, the first detection probe pin contactor core 2353a-3 is composed of a combination of four detection probe pin contactors, but various arrangements are possible within the range of taking a structure of more than one, and the first detection probe pin contactor node (235a-1) has a structure in which four first detection probe pin contactor branches (233a-2) are connected and arranged, but is not limited to this and various modifications are possible, and the first detection probe pin contactor node (235a) The number of detection probe pin contactors formed by the first detection probe pin contactor branch 2353a-2 connected to the -1) side can be configured in various ways within the range of one or more.

마찬가지로, 제 2 검출 프루브 핀 컨택터(2353b)는 제 2 검출 프루브 핀 컨택터 노드(235b-1)와, 제 2 검출 프루브 핀 컨택터 코어(235b-3)과, 제 2 검출 프루브 핀 컨택터 브랜치(2353b-2)를 포함한다. 제 2 검출 프루브 핀 컨택터 노드(235b-1)는 인접한 다른 제 2 검출 프루브 핀 컨택터(235b) 중의 적어도 하나 이상과 전기적으로 복수 연결되고, 제 2 검출 프루브 핀 컨택터 코어(233b-3)는 사전 설정된 복수 개가 군집되어 전기적으로 연결 배치되고, 적어도 일부가 제 1 검출 프루브 핀 컨택부(235a)에 의하여 둘러싸이고, 제 2 검출 프루브 핀 컨택터 브랜치(235b-2)는 사전 설정된 복수 개가 직렬 연결 배치되고 일단은 제 2 검출 프루브 핀 컨택터 노드(235b-1) 측과 타단은 제 2 검출 프루브 핀 컨택터 코어(235b-31) 측과 전기적으로 연결된다. 여기서, 제 2 검출 프루브 핀 컨택터 코어(235b-3)는 4개의 검출 프루브 핀 컨택터의 조합으로 구성되었으나, 하나 이상인 구조를 취하는 범위에서 다양한 배치가 가능하다.Likewise, the second detection probe pin contactor 2353b includes a second detection probe pin contactor node 235b-1, a second detection probe pin contactor core 235b-3, and a second detection probe pin contactor. Includes branch 2353b-2. The second detection probe pin contactor node 235b-1 is electrically connected to at least one of the other adjacent second detection probe pin contactors 235b, and is connected to the second detection probe pin contactor core 233b-3. is arranged in a group and electrically connected to a preset number, at least a portion of which is surrounded by the first detection probe pin contact portion 235a, and a plurality of the second detection probe pin contactor branches 235b-2 are arranged in series. It is connected, and one end is electrically connected to the second detection probe pin contactor node 235b-1 and the other end is electrically connected to the second detection probe pin contactor core 235b-31. Here, the second detection probe pin contactor core 235b-3 is composed of a combination of four detection probe pin contactors, but various arrangements are possible within the range of having more than one structure.

여기서, 제 2 검출 프루브 핀 컨택터 코어(235b-3)는 4개의 검출 프루브 핀 컨택터의 조합으로 구성되었으나, 하나 이상인 구조를 취하는 범위에서 다양한 배치가 가능하고, 제 2 검출 프루브 핀 컨택터 노드(235b-1)에는 4개의 제 2 검출 프루브 핀 컨택터 브랜치(235b-2)가 연결 배치되는 구조를 취하였으나, 이에 국한되지 않고 다양한 변형이 가능하며, 제 2 검출 프루브 핀 컨택터 노드(235b-1) 측과 연결되는 제 2 검출 프루브 핀 컨택터 브랜치(2335b-2)가 구성하는 검출 프루브 핀 컨택터의 개수는 한 개 이상인 범위에서 다양한 구성이 가능하다. Here, the second detection probe pin contactor core 235b-3 is composed of a combination of four detection probe pin contactors, but various arrangements are possible within the range of taking a structure of more than one, and the second detection probe pin contactor node (235b-1) has a structure in which four second detection probe pin contactor branches (235b-2) are connected and arranged, but is not limited to this and various modifications are possible, and the second detection probe pin contactor node (235b) The number of detection probe pin contactors formed by the second detection probe pin contactor branch 2335b-2 connected to the -1) side can be configured in various ways within the range of one or more.

이와 같은 배치 구조를 통하여 도 34에 도시되는 바와 같이, 도면 부호 Ca로 지시되는 영역에서는 제 1 검출 프루브 핀 컨택터 코어(233a-3)는 제 2 검출 프루브 핀 컨택터부(233b)에 의하여 적어도 일부가 포획되고, 도면 부호 Cb로 지시되는 영여겡서는 제 2 검출 프루브 핀 컨택터 코어(233b-3)가 제 1 검출 프루브 핀 컨택터부(233a)에 의하여 적어도 일부가 포획되는 구조를 취할 수 있다. Through this arrangement structure, as shown in FIG. 34, in the area indicated by reference numeral Ca, the first detection probe pin contactor core 233a-3 is at least partially connected by the second detection probe pin contactor portion 233b. is captured, and the zero generator indicated by reference numeral Cb may have a structure in which at least a portion of the second detection probe pin contactor core 233b-3 is captured by the first detection probe pin contactor portion 233a.

이와 같은 배치 구조의 다양한 선택을 통하여 산화물 반도체측의 전기적 특성 정밀도 및 신뢰성을 보다 강화할 수 있다. Through various selections of such arrangement structures, the electrical characteristic precision and reliability of the oxide semiconductor can be further enhanced.

이와 같이 형성된 검출 프루브 핀(230)이 장착되는 배치 상태의 일예가 도 28 및 도 29에 도시된다. An example of the arrangement in which the detection probe pin 230 formed in this way is mounted is shown in FIGS. 28 and 29.

본 실시예의 검출 유니트(200)는 검출 프루브 무빙부(240)를 포함할 수 있는데, 검출 프루브 무빙부(240)는 별도의 구동부(미도시)를 통하여 반도체 필름층 검사 장치(10)의 다른 구성요소에 대하여 상대 가동 가능한 배치 구조를 형성한다. The detection unit 200 of the present embodiment may include a detection probe moving unit 240, which may be connected to other components of the semiconductor film layer inspection device 10 through a separate driving unit (not shown). Forms a relatively movable arrangement structure with respect to the elements.

검출 프루브 무빙부(240)는 일단에 검출 프루브 핀(230)이 배치되고 베이스부(40) 측에 대하여 상대 가동 가능한다. 즉, 검출 프루브 핀(230)은 검출 프루브 무빙부(240)에 배치되고, 검출 프루브 무빙부(240)가 다른 구성요소, 즉 베이스부(40) 측에 대하여 상대 가동되는 경우 베이스부(40) 측에 배치되는 기판(20)과 접촉 형성을 통한 기판(20) 상 산화물 박막층의 전기적 특성 검측이 가능하다. The detection probe moving part 240 has a detection probe pin 230 disposed at one end and is movable relative to the base part 40. That is, the detection probe pin 230 is disposed on the detection probe moving part 240, and when the detection probe moving part 240 moves relative to another component, that is, the base part 40, the base part 40 It is possible to detect the electrical properties of the oxide thin film layer on the substrate 20 through contact with the substrate 20 disposed on the side.

보다 구체적으로 검출 프루브 무빙부(240)는 검출 프루브 무빙 바디부(241)와 검출 프루브 무빙 가이드(280)를 포함한다. 검출 프루브 무빙 바디부(241)는 일단, 즉 일면에 검출 프루브 핀(230)이 배치되는데, 검출 프루브 무빙 바디부(241)는 검출 프루브 무빙 바디 메인부(250)와 검출 프루브 무빙 바디 서브부(260)를 포함한다. More specifically, the detection probe moving part 240 includes a detection probe moving body part 241 and a detection probe moving guide 280. The detection probe moving body 241 has a detection probe pin 230 disposed on one end, that is, on one side. The detection probe moving body 241 includes a detection probe moving body main part 250 and a detection probe moving body sub-part ( 260).

검출 프루브 무빙 바디 메인부(250)는 반도체 필름층 검사 장치에 대하여 상대 가동 가능하게 배치되는 구조를 취하는데, 본 실시예에서는 도시되지 않은 구동부(미도시)를 통하여 가동 가능하게 배치된다. 검출 프루브 무빙 바디 메인부(250)의 하단에는 검출 프루브 무빙 바디 서브부(260)가 배치되는데, 검출 프루브 무빙 바디 서브부(260)는 검출 프루브 무빙 바디 메인부(250)의 하단부에 고정 장착되어 검출 프루브 무빙 바디 메인부(250)와 함께 가동된다. The detection probe moving body main part 250 has a structure that is movable relative to the semiconductor film layer inspection device, and in this embodiment, it is movably arranged through a driving unit (not shown). A detection probe moving body sub-part 260 is disposed at the lower part of the detection probe moving body main part 250. The detection probe moving body sub-part 260 is fixedly mounted on the lower part of the detection probe moving body main part 250. It operates together with the detection probe moving body main part (250).

검출 프루브 무빙 바디 메인부(250)와 검출 프루브 무빙 바디 서브부(260) 간에는 상대 가동 가능한 구조를 취한다. 검출 프루브 무빙 바디 서브부(260)는 무빙 바디 어퍼 서브(261)와 무빙 바디 로워 서브(263)를 포함하는데, 무빙 바디 어퍼 서브(261)는 검출 프루브 무빙 바디 메인부(250)에 연결되고, 무빙 바디 로워 서브(263)는 무빙 바디 어퍼 서브(261)의 하단에 연결 배치된다. 무빙 바디 어퍼 서브(261)와 무빙 바디 로워 서브(263) 간의 연결 구조는 본 실시예의 일예로서 설계 사양에 따라 다양한 조합이 가능하다.A relatively movable structure is adopted between the detection probe moving body main part 250 and the detection probe moving body sub part 260. The detection probe moving body sub unit 260 includes a moving body upper sub 261 and a moving body lower sub 263. The moving body upper sub 261 is connected to the detection probe moving body main unit 250, The moving body lower sub 263 is connected to the lower end of the moving body upper sub 261. The connection structure between the moving body upper sub 261 and the moving body lower sub 263 is an example of this embodiment, and various combinations are possible depending on design specifications.

검출 프루브 무빙 바디 메인부(250)의 상단에는 검출 프루브 핀 메인 라인, 즉 제 1 검출 프루브 핀 바디 메인 라인(231-2-1)와 제 2 검출 프루브 핀 바디 메인 라인(231-2-2)의 검출 프루브 핀 바디 터미널부(231-1-5)에 형성되는 핀 바디 터미널 라인(231-2-5)과 접속되는 무빙 바디 터미널(251, 도 28 참조)이 배치된다. 검출 프루브 핀 바디는 검출 프루브 무빙 바디 메인부(250)의 단부에 형성되는 무빙 바디 핀바디 가이드(253)를 관통하여 검출 프루브 무빙 바디 서브부(260)의 하단 측으로 연장되도록 배치되어 간섭을 방지하고 안정적인 동작 구현을 가능하게 할 수도 있다. At the top of the detection probe moving body main part 250, there are detection probe pin main lines, that is, a first detection probe pin body main line (231-2-1) and a second detection probe pin body main line (231-2-2). A moving body terminal (251, see FIG. 28) connected to the pin body terminal line (231-2-5) formed in the detection probe pin body terminal portion (231-1-5) is disposed. The detection probe pin body is arranged to extend to the lower side of the detection probe moving body sub-part 260 through the moving body pin body guide 253 formed at the end of the detection probe moving body main part 250 to prevent interference. It may also enable stable operation implementation.

검출 프루브 무빙 바디 서브부(260)의 하단, 즉 무빙 바디 로워 서브(263)의 저면부에는 상기한 검출 프루브 핀(230)의 검출 프루브 핀 바디 메인 베이스(231-1-1)가 배치되고, 검출 프루브 무빙 바디 메인부(250) 및 검출 프루브 무빙 바디 서브부(260)가 가동되는 경우 검출 프루브 핀 바디 메인 베이스(231-1-1)의 일면 상에 배치된 검출 프루브 핀 컨택트부(233)는 산화물 반도체층과 소정의 물리적 접촉 상태를 형성하고 산화물 반도체층의 전기적 특성 검출이 가능하다. The detection probe pin body main base 231-1-1 of the detection probe pin 230 is disposed at the bottom of the detection probe moving body sub 260, that is, the bottom of the moving body lower sub 263, When the detection probe moving body main part 250 and the detection probe moving body sub-part 260 are operated, the detection probe pin contact part 233 is disposed on one side of the detection probe pin body main base 231-1-1. Forms a predetermined physical contact state with the oxide semiconductor layer and is capable of detecting the electrical characteristics of the oxide semiconductor layer.

본 실시예에서의 검출 프루브 무빙 바디부(241)는 검출 프루브 무빙 바디 메인부(250)와 검출 프루브 무빙 바디 서브부(260)를 포함하는 구조를 취하였으나 이는 일예로서 본 발명이 이에 국한되지 않고 설계 사양에 따라 다양한 변형이 가능하다. The detection probe moving body portion 241 in this embodiment has a structure including a detection probe moving body main portion 250 and a detection probe moving body sub portion 260, but this is an example and the present invention is not limited thereto. Various modifications are possible depending on design specifications.

본 발명의 검출 프루브 무빙부(240)는 검출 프루브 댐핑부(270)를 포함하는데, 검출 프루브 댐핑부(270)는 검출 프루브 무빙 바디부(241)의 가동을 댐핑하여 안정적인 동작 구현을 가능하게 하고 반도체 필름층(30)의 산화물 반도체층(31)과의 접촉시 과도한 접촉 반력으로 인한 부정확한 검출 내지 손상 등을 방지할 수도 있다. 검출 프루브 댐핑부(270)는 댐핑 무빙 바디 수용부(271)와, 댐핑 탄성부(273)와, 댐핑 플런저(275)를 포함한다. The detection probe moving part 240 of the present invention includes a detection probe damping part 270, which damps the movement of the detection probe moving body part 241 to enable stable operation. Inaccurate detection or damage due to excessive contact reaction force when the semiconductor film layer 30 comes into contact with the oxide semiconductor layer 31 can be prevented. The detection probe damping part 270 includes a damping moving body receiving part 271, a damping elastic part 273, and a damping plunger 275.

댐핑 무빙 바디 수용부(271)는 검출 프루브 무빙 바디부(241) 측에 배치되는데, 댐핑 무빙 바디 수용부(271)는 도면상 상부를 향하여 개방 형성되는 구조를 취한다. 댐핑 탄성부(273)는 댐핑 무빙 바디 수용부(271)에 배치되는데, 일단이 댐핑 무빙 바디 수용부(271)의 내측에 지지된다. 본 실시예에서 댐핑 탄성부(273)는 코일 스프링 형태로 구현되나 이는 일예로서 본 발명이 이에 국한되지는 않는다. The damping moving body accommodating part 271 is disposed on the side of the detection probe moving body part 241. The damping moving body accommodating part 271 has a structure that is open toward the top in the drawing. The damping elastic portion 273 is disposed in the damping moving body accommodating portion 271, and one end is supported on the inside of the damping moving body accommodating portion 271. In this embodiment, the damping elastic portion 273 is implemented in the form of a coil spring, but this is an example and the present invention is not limited thereto.

경우에 따라 댐핑 탄성부(273)가 검출 프루브 무빙 바디 메인부(250)의 하단면과 접촉하는 구조를 취할 수도 있으나, 본 발명의 일실시예는 댐핑 플런저(275)를 통한 접촉 구조를 취하여 안정적인 댐핑 기능을 실행할 수 있다. In some cases, the damping elastic part 273 may have a structure in contact with the bottom surface of the detection probe moving body main part 250, but one embodiment of the present invention adopts a contact structure through the damping plunger 275 to ensure stable Damping function can be implemented.

댐핑 플런저(275)는 일단이 댐핑 탄성부(273) 측과 접촉하고, 타단이 베이스부(40) 측을 향하여 배치 접촉되고 검출 프루브 무빙 바디부(241)의 가동을 제한하한다. One end of the damping plunger 275 is in contact with the damping elastic part 273, and the other end is in contact with the base part 40 and limits the movement of the detection probe moving body part 241.

본 실시예에서 댐핑 플런저(275)는 댐핑 플런저 바디(2751)와, 댐핑 플런저 샤프트(2753)를 포함하는데, 댐핑 플런저 바디(2751)는 단부가 댐핑 탄성부(273)에 의하여 접촉 지지되고, 댐핑 플런저 샤프트(2753)는 일단이 댐핑 플런저 바디(2751)에 연결되고 댐핑 무빙 바디 수용부(271)의 길이를 따라 수용 배치된다. In this embodiment, the damping plunger 275 includes a damping plunger body 2751 and a damping plunger shaft 2753. The end of the damping plunger body 2751 is contacted and supported by the damping elastic portion 273, and the damping plunger body 2751 is supported by the damping elastic portion 273. One end of the plunger shaft 2753 is connected to the damping plunger body 2751 and is accommodated along the length of the damping moving body receiving portion 271.

댐핑 플런저 바디(2751)의 하단에 배치되는데, 본 실시예에서 댐핑 플런저 바디(2751)와 댐핑 플런저 샤프트(2753)는 일체형 구조로 형성되고 댐핑 플런저 샤프트(2753)는 댐핑 탄성부(273)을 관통하여 배치된다. It is disposed at the bottom of the damping plunger body 2751. In this embodiment, the damping plunger body 2751 and the damping plunger shaft 2753 are formed as an integrated structure, and the damping plunger shaft 2753 penetrates the damping elastic portion 273. It is placed as follows.

이러한 댐핑 과정에서 과도한 접촉 동작을 방지하기 위하여 감지 기능을 수행하는 구성요소를 검출 프루브 무빙부(240)를 더 포함할 수 있다. 즉, 검출 프루브 무빙부(240)는 검출 프루브 무빙 센싱부(290)를 포함하는데, 검출 프루브 무빙 센싱부(290)는 댐핑 플런저 바디(2751)에 대향하여 베이스(40) 측에 배치되고, 댐핑 플런저 바디(2751)와 접촉하여 접촉 상태를 감지하는데, 본 실시예에서 검출 프루브 무빙 센싱부(290)는 압력 센서로 구현되어 가압력을 감지할 수 있다. In order to prevent excessive contact operation during this damping process, a detection probe moving part 240 may be further included as a component that performs a detection function. That is, the detection probe moving part 240 includes a detection probe moving sensing part 290. The detection probe moving sensing part 290 is disposed on the base 40 side opposite to the damping plunger body 2751, and the damping plunger body 2751 The contact state is detected by contacting the plunger body 2751. In this embodiment, the detection probe moving sensing unit 290 is implemented as a pressure sensor and can detect pressing force.

검출 프루브 무빙 센싱부(290)는 검출 프루브 무빙 바디 메인부(250)의 하단으로 댐핑 플런저 바디(2751)의 대응 위치에 배치되고 검출 프루브 무빙부(240)가 가동하여 산화물 반도체층(31)과 검출 프루브 핀(230)의 검출 프루브 핀 컨택터부(233;233a,233b)가 접촉하는 경우 반력에 의하여 검출 프루브 무빙 바디부(241)의 검출 프루브 무빙 바디 메인부(250)와 검출 프루브 무빙 바디 서브부(260) 간의 상대 운동이 발생하고 검출 프루브 댐핑부(270)의 댐핑 기능에 의하여 상대 가동이 사전 설정된 구속이 발생하고 이때 감지되는 검출 프루브 무빙 센싱부(290)의 압력을 통하여 검출 프루브 무빙 바디부(241)의 가동이 조정될 수 있다. The detection probe moving sensing unit 290 is disposed at a corresponding position of the damping plunger body 2751 at the bottom of the detection probe moving body main unit 250, and the detection probe moving unit 240 moves to form the oxide semiconductor layer 31 and the oxide semiconductor layer 31. When the detection probe pin contactor parts (233; 233a, 233b) of the detection probe pin 230 contact, the detection probe moving body main part 250 of the detection probe moving body part 241 and the detection probe moving body sub due to reaction force. Relative motion between the parts 260 occurs, and a preset relative motion is constrained by the damping function of the detection probe damping unit 270, and the detection probe moving body is detected through the pressure of the detection probe moving sensing unit 290 detected at this time. The movement of part 241 can be adjusted.

또 한편, 앞선 실시예에서 일체화된 단일 구조의 검출 유니트로 구비되는 검출 프루브 핀의 검출 프루브 핀 컨택터부가 복수 구비되는 경우에 대하여 기술되었으나, 본 발명의 검출 프루브 핀 컨택터부는 구획화되어 독립 가동 가능한 구성을 취하여 검출 취득되는 산화물 반도체층의 전기적 특성의 정확성을 강화시킬 수도 있다. 여기서 일체화 단일 구조라 함은 물리적 일체 단일 구조를 지칭할 수도 있고, 개별화된 구성의 조합하여 물리적 조립체 형태로의 기능적 일체 단일을 지칭할 수도 있는 등 설계 사양에 따라 다양한 선택이 가능하다. On the other hand, in the previous embodiment, a case where a plurality of detection probe pin contactor parts of the detection probe pin provided as a detection unit of an integrated single structure was described, however, the detection probe pin contactor part of the present invention is compartmentalized and can be operated independently. By adopting this configuration, the accuracy of the electrical characteristics of the oxide semiconductor layer detected and acquired can be enhanced. Here, the integrated single structure may refer to a single physically integrated structure, or it may refer to a single functionally integrated structure in the form of a physical assembly by combining individualized components, and various choices are possible depending on the design specifications.

앞서 기술한 실시예에서와 동일한 구성요소에 대하여는 중복된 설명은 상기로 대체하며, 차이점을 중심으로 설명한다. For the same components as in the previously described embodiment, duplicate descriptions will be replaced with the above, and the description will focus on the differences.

도 38에는 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 반도체 필름층 검사 장치의 변형예가 도시되고, 도 39에는 본 발명의 또 다른 일실시예에 따른 반도체 필름층 검사 장치의 검출 유니트(200)의 변형예가 도시되고, 도 40 내지 도 42에는 검출 프루브 핀(230)의 변형예의 상태도 내지 구성도가 도시된다. 본 실시에에서 검출 유니트(200)는 기판(20) 상에 배치되는 반도체 필름층(30)의 산화물 반도체층(31)과 적어도 두 개 지점에서 접촉하는데, 이러한 접촉은 검출 프루브 핀(230)의 검출 프루브 핀 컨택터부(233)를 통하여 실행되되 검출 프루브 핀 컨택터부(233)는 복수 개를 구비하여 산화물 반도체층(31)과 복수 접촉하는 구성을 취함은 앞서 기술한 바와 동일하다. Figure 38 shows a modified example of a semiconductor film layer inspection device according to another embodiment of the present invention, and Figure 39 shows a modification of the detection unit 200 of the semiconductor film layer inspection device according to another embodiment of the present invention. An example is shown, and FIGS. 40 to 42 show a state diagram and a configuration diagram of a modified example of the detection probe pin 230. In the present embodiment, the detection unit 200 contacts the oxide semiconductor layer 31 of the semiconductor film layer 30 disposed on the substrate 20 at at least two points, and this contact is made by the detection probe pin 230. It is performed through the detection probe pin contactor unit 233, and the detection probe pin contactor unit 233 has a plurality of contacts with the oxide semiconductor layer 31, which is the same as described above.

이때, 본 실시예에서의 반도체 필름층 검사 장치(10)의 검출 유니트(200)의 검출 프루브 핀 컨택터부(233)는 도 18에 도시된 앞선 실시예에서와 같이 프루브 핀 컨택터(235)와 검출 프루브 핀 미디엄(237)를 더 포함할 수도 있는데, 검출 프루브 핀 미디엄(237)는 검출 프루브 핀 바디(231)와 검출 프루브 핀 컨택터(235)의 사이에 배치되어 탄성 변형 가능한 도전체로 형성될 수도 있고, 검출 프루브 핀 미디엄이 일체로 내지는 검출 프루브 핀 컨택터(235) 단위로 개별 형성되거나 경우에 따라 검출 프루브 핀 미디엄이 배제되는 구조를 취할 수도 있는 등 다양한 변형이 가능하다. At this time, the detection probe pin contactor unit 233 of the detection unit 200 of the semiconductor film layer inspection device 10 in this embodiment is the probe pin contactor 235 as in the previous embodiment shown in FIG. 18. It may further include a detection probe pin medium 237, where the detection probe pin medium 237 is disposed between the detection probe pin body 231 and the detection probe pin contactor 235 and is formed of an elastically deformable conductor. Various modifications are possible, such as the detection probe pin medium being formed integrally or individually as a unit of the detection probe pin contactor 235, or in some cases, the detection probe pin medium may be excluded.

이때, 본 발명는 앞선 실시예에서와 달리 검출 프루브 핀 바디(231)에 배치되는 검출 프루브 핀 컨택터부(233)가 전체 단위체로 일시 가동되는 경우와 달리 구획화되어 개별 동작하는 구성을 취할 수도 있다. 즉, 도 38의 본 발명의 검출 프루브 핀 컨택터부(233)의 적어도 일부는 독립 검출 가동 가능한 복수 개의 구획 분할되는 핀 컨택터부 블록을 형성하여, 각각의 구획화된 블록 영역에서의 검출 프루브 핀 컨택터부(233)와 산화물 반도체층(31) 간의 접촉을 통하여 검측되는 산화물 반도체층(31)의 전기적 특성 검측 신호를 선택적으로 내지 조합하여 전체적으로 또는 부분적으로 활용 가능하다. At this time, unlike the previous embodiment, the present invention may adopt a configuration in which the detection probe pin contactor portion 233 disposed on the detection probe pin body 231 is partitioned and operated individually, unlike the case where the detection probe pin contactor portion 233 is temporarily operated as an entire unit. That is, at least a part of the detection probe pin contactor unit 233 of the present invention in FIG. 38 forms a pin contactor unit block divided into a plurality of partitions capable of independent detection, and the detection probe pin contactor unit in each partitioned block area. The electrical characteristic detection signal of the oxide semiconductor layer 31 detected through contact between 233 and the oxide semiconductor layer 31 can be selectively or partially utilized in whole or in part.

검출 프루브 핀 바디(231)에 배치되는 검출 프루브 핀 컨택터부(233)은 구획화된 블록 영역 단위로 개별 동작 가능한 구조를 취할 수 있는데, 이러한 구조를 형성하도록 검출 프루브 핀(230)이 개별 동작 가능한 검출 프루브 핀 컨택터부(233)의 블록 단위로 검출 프루브 서브 핀(230sub; 230sub1, 230sub2, 230sub3, 230sub4)를 포함하는 구성을 취할 수 있다. 블록 단위의 검출 프루브 서브 핀(230sub; 230sub1, 230sub2, 230sub3, 230sub4)은 도 53에 도시된 바와 같이 물리적으로 일체 단일화된 검출 프루브 핀(230)의 단일의 검출 프루브 핀 바디(231)에 탑재되는 검출 프루브 핀 컨택터부(233)를 독립 가동 가능한 구획화된 영역 단위로서의 블록 단위의 검출 프루브 서브 핀(230sub; 230sub1, 230sub2, 230sub3, 230sub4)를 통해 팬 컨택터부 블록을 형성하는 구조를 취할 수도 있고, 도 54에 도시된 바와 같이 복수 개의 검출 프루브 핀 바디(231)에 각각 탑재되는 검출 프루브 핀 컨택터부(233)가 독립 가동 가능한 개별 영역 단위로서의 블록 단위 검출 프루브 서브 핀(230sub; 230sub1, 230sub2, 230sub3, 230sub4)를 통해 팬 컨택터부 블록을 형성하는 구조를 취할 수도 있는 등 다양한 선택이 가능하다. 즉, 본 발명은 도 53의 경우에서와 같이 단일체의 검출 프루브 핀 바디(231)에 복수 개의 구획 분할 구조로서의 핀 컨택터부 블록을 형성하는 경우를 포함할 수도 있고, 도 54의 경우 물리적으로 개별화된 검출 프루브 핀 바디(231)가 기능적으로 일체 단일화된 조합 형태를 통하여 각각에 배치되는 검출 프루브 핀 컨택터부(233)가 복수 개로 구획 분할되는 핀 컨택터부 블록을 형성하는 경우를 포함할 수도 있다. The detection probe pin contactor portion 233 disposed on the detection probe pin body 231 may have a structure that can be individually operated in units of partitioned block areas, and the detection probe pin 230 can be individually operated to form this structure. The probe pin contactor unit 233 may be configured to include detection probe sub-pins 230sub (230sub1, 230sub2, 230sub3, 230sub4) in block units. The block-unit detection probe sub-pins (230sub; 230sub1, 230sub2, 230sub3, 230sub4) are mounted on a single detection probe pin body 231 of the physically integrated detection probe pin 230, as shown in FIG. 53. The detection probe pin contactor unit 233 may be configured to form a fan contactor block through block-based detection probe sub-pins (230sub; 230sub1, 230sub2, 230sub3, 230sub4) as independently movable compartmentalized area units, As shown in FIG. 54, the detection probe pin contactor portions 233 mounted on each of the plurality of detection probe pin bodies 231 are block-based detection probe sub pins (230sub; 230sub1, 230sub2, 230sub3) as individual area units that are independently movable. , 230sub4), various choices are possible, such as a structure that forms a fan contactor block. That is, the present invention may include the case of forming a pin contactor block as a plurality of partitioned structures on the single detection probe pin body 231, as in the case of FIG. 53, and in the case of FIG. 54, a physically individualized pin contactor block. It may also include a case where the detection probe pin body 231 forms a pin contactor unit block in which the detection probe pin contactor unit 233 disposed in each functionally integrated combination form is divided into a plurality of sections.

또한, 본 발명의 반도체 필름층 검사 장치(10)는 디텍팅 캘리브레이션 모듈(500)을 포함할 수 있는데, 디텍팅 캘리브레이션 모듈(500)은 검출 프루브 모듈(202) 측과 검출 프루브 핀(230) 측 사이에 배치되어 양자 간의 전기적 신호의 전달을 형성할 수 있다. 보다 구체적으로, 상기한 바와 같이 본 실시예에서의 검출 프루브 핀 컨택터부(233)는 독립 검출 가동 가능한 복수 개의 핀 커낵터부 블록을 형성하고, 검출 프루브 모듈(202) 측에서 검출 인가 신호가 인가되는데, 디텍팅 캘리브레이션 모듈(500)은 검출 프루브 핀 컨택터부(233)로 검출 프루브 모듈(202) 측으로부터의 검출 인가 신호를 전달하되 각 구획화된 핀 컨택터부 블록 단위로 독립 가동 검출 인가 신호로 전달할 수 있다. In addition, the semiconductor film layer inspection device 10 of the present invention may include a detecting calibration module 500, where the detecting calibration module 500 is installed on the detection probe module 202 side and the detection probe pin 230 side. It can be placed between the two to form the transmission of electrical signals between the two. More specifically, as described above, the detection probe pin contactor unit 233 in this embodiment forms a plurality of pin connector unit blocks capable of independent detection, and a detection application signal is applied from the detection probe module 202 side. , the detecting calibration module 500 transmits the detection authorization signal from the detection probe module 202 to the detection probe pin contactor unit 233, and can transmit it as an independent operation detection authorization signal for each partitioned pin contactor unit block. there is.

보다 구체적으로, 디텍팅 캘리브레이션 모듈(500)은 디텍팅 캘리브레이션 데이터 셀렉터(520)와, 디텍팅 캘리브레이션 제어부(510)를 포함한다. 디텍팅 캘리브레이션 데이터 셀렉터(520)는 검출 프루브 모듈(202) 측으로부터의 검출 인가 신호를 독립 가동 검출 인가 신호로 사용하여 복수 개의 핀 컨택터부 블록 중 대상 핀 컨택터부 블록을 선택한다. 즉, 반도체 필름층 검사 장치(10)의 제어부(100)로부터의 제어 신호에 따라 디텍팅 캘리브레이션 모듈(500)의 디텍팅 캘리브레이션 데이터 셀렉터(520)가 스위칭되어 데이터 셀렉션 기능을 수행할 수 있는데, 이러한 제어 신호는 제어부(100)에서 내지는 후술하는 디텍팅 캘리브레이션 제어부(510)를 통하여 실행될 수도 있다. 본 실시예에서 디텍팅 캘리브레이션 제어부(510)는 개별적인 구성으로 기술되었으나, 해당 기능을 수행하는 범위에서 기능적 구별을 위한 명칭으로 기재된 것일 수도 있고 경우에 따라 제어부(100)가 통합 기능 수행할 수도 있는 등 설계 사양에 따라 다양한 변형이 가능하다. More specifically, the detecting calibration module 500 includes a detecting calibration data selector 520 and a detecting calibration control unit 510. The detecting calibration data selector 520 uses the detection application signal from the detection probe module 202 as an independent operation detection application signal to select a target pin contactor block among a plurality of pin contactor blocks. That is, the detecting calibration data selector 520 of the detecting calibration module 500 may be switched according to a control signal from the control unit 100 of the semiconductor film layer inspection device 10 to perform the data selection function. The control signal may be executed from the control unit 100 or through the detecting calibration control unit 510, which will be described later. In this embodiment, the detecting calibration control unit 510 is described as an individual configuration, but it may be described as a name for functional distinction within the scope of performing the corresponding function, and in some cases, the control unit 100 may perform an integrated function, etc. Various modifications are possible depending on design specifications.

도 40 내지 도 42에 도시된 바와 같이, 디텍팅 캘리브레이션 데이터 셀렉터(520)는 멀티플렉셔(MUX)로 구현되어 제어부(100)로부터의 또는 후술하는 디텍팅 캘리브레이션 제어부(510)로부터의 핀 컨렉터부 블록을 선택하는 신호에 따라 해당 핀 컨택터부 블록에서의 검출 프루브 핀 컨택터부(233)가 산화물 반도체층(31)에 대하여 검측되어 입력되는 검출 감지 신호를 독립 가동 검출 감지 신호로서 다른 구성요소로 전달할 수 있다. As shown in FIGS. 40 to 42, the detecting calibration data selector 520 is implemented as a multiplexer (MUX) and is connected to a pin collector unit from the control unit 100 or from the detecting calibration control unit 510, which will be described later. According to the block selection signal, the detection probe pin contactor unit 233 in the corresponding pin contactor block detects the oxide semiconductor layer 31 and transmits the input detection signal to other components as an independent operation detection signal. You can.

이와 같은 독립 가동 검출 감지 신호를 디텍팅 캘리브레이션 제어부(510)로 전달된다. 디텍팅 캘리브레이션 제어부(510)는 해당 핀 컨택터부 블록의 독립 가동 검출 감지 신호 사용 여부를 결정하는데, 이러한 결정에는 복수 개의 핀 컨택터부 블록의 독립 가동 검출 감지 신호 및 검출 프루브 핀 컨택터부(233)의 개수 정보가 이용된다. 검출 프루브 핀 컨택터부(233)의 개수 정보는 사전 설정 데이터로 도 38의 디텍팅 캘리브레이션 저장부(540)에 저장될 수 있고, 디텍팅 캘리브레이션 저장부(540)는 디텍팅 캘리브레이션 제어부(510)와의 전기적 소통을 통하여 사전 설정 데이터의 인출 내지 독립 가동 검출 감지 신호의 저장 등의 기능을 수행할 수 있는데, 이러한 디텍팅 캘리브레이션 저장부(540)의 기능은 반도체 필름층 검사 장치(10)의 전체적인 저장부가 담당하여 일체화될 수도 있는 등 설계 사양에 따라 다양한 변형이 가능하다. This independent operation detection signal is transmitted to the detecting calibration control unit 510. The detecting calibration control unit 510 determines whether to use the independent operation detection detection signal of the corresponding pin contactor unit block. This decision includes the independent operation detection detection signal of the plurality of pin contactor unit blocks and the detection probe pin contactor unit 233. Quantity information is used. Information on the number of detection probe pin contactor units 233 can be stored as preset data in the detecting calibration storage unit 540 of FIG. 38, and the detecting calibration storage unit 540 is connected to the detecting calibration control unit 510. Through electrical communication, functions such as retrieval of preset data or storage of independent operation detection signals can be performed. The function of the detecting calibration storage unit 540 is the overall storage unit of the semiconductor film layer inspection device 10. Various modifications are possible depending on the design specifications, such as being in charge and integrated.

디텍팅 캘리브레이션 제어부(510)는 해당 핀 컨택터부 블록의 독립 가동 검출 감지 신호 사용 여부를 결정 여부에 따라 산화물 반도체층(31)을 구비하는 반도체층(30)의 전기적 특성을 검출 프루브 핀 컨택터부(233) 개수를 이용하여 노말라이제이션화할 수 있는데, 여기서 노말라이제이션은 검출 프루브 핀 컨택터부(233)를 통하여 검출 취득된 검출 감지 신호와 검출에 사용된 전체 검출 프루브 핀 컨택터부(233)의 개수를 산술적으로 연산하여 검출 프루브 핀 컨택터부(233) 당 검측된 산화물 반도체층(31)의 전기적 특성값을 이용함을 지칭하는데, 이러한 연산은 단순 나눗셈을 통하여 이루어질 수도 있으며 전체 검출 프루브 핀 컨택터부 중 디텍팅 캘리브레이션 제어부(510)를 통하여 사용 여부가 결정된 검출 프루브 핀 컨택터부(233)의 개수에 대한 선형성을 확인 가능한 범위에서 다양한 구현이 가능하다. The detecting calibration control unit 510 detects the electrical characteristics of the semiconductor layer 30 including the oxide semiconductor layer 31 depending on whether to use the independent operation detection detection signal of the corresponding pin contactor block and detects the electrical characteristics of the probe pin contactor unit ( 233) Normalization can be done using the number, where normalization is the number of detection signals detected and acquired through the detection probe pin contactor unit 233 and the total number of detection probe pin contactor units 233 used for detection. This refers to using the electrical characteristic value of the oxide semiconductor layer 31 detected per detection probe pin contactor unit 233 by calculating arithmetically. This calculation may be performed through simple division, and may be performed through simple division. Various implementations are possible within a range in which linearity can be confirmed for the number of detection probe pin contactor units 233 that are determined to be used or not through the tacting calibration control unit 510.

또한, 이러한 과정 중 필요한 연산은 전체적인 연산부 내지 일체화된 제어부 등에서 실행될 수도 있거나 경우에 따라 필요한 연산 과정을 위한 별도의 연산부가 더 구비될 수도 있는 등 다양한 선택이 가능하다. In addition, various choices are possible, such as the computations required during this process may be executed in an overall computation unit or an integrated control unit, or in some cases, a separate computation unit may be further provided for the necessary computation processes.

이와 같은 디텍팅 캘리브레이션 제어부(510)에서의 판단 및 산출 기능을 통하여 해당 핀 컨택터부 블록에 해당하는 검출 프루브 핀 컨택터부(233)에서 검측된 검출 감지 신호를 활용할 지 여부의 판단 및 이를 통하여 활용되기로 결정된 영역에서 얻어지는 산출된 산화물 반도체층(31)에서의 전기적 특성으로서 커패시턴스의 값을 나타내는 선도 및 과정이 도 43 내지 도 47에 도시된다. Through this judgment and calculation function in the detecting calibration control unit 510, it is determined whether to utilize the detection signal detected in the detection probe pin contactor unit 233 corresponding to the corresponding pin contactor unit block, and how to utilize it. Diagrams and processes showing the value of capacitance as an electrical characteristic in the calculated oxide semiconductor layer 31 obtained in the area determined by are shown in FIGS. 43 to 47.

도 43 내지 도 46에 도시된 바와 같이, 본 실시예에서 검출 프루브 핀 바디(231)에 배치되는 검출 프루브 핀 컨택터부(233)이 형성하는 검출 프루브 핀 바디는 총 4개의 핀 컨택터부 블록(230sub;230sub1,2,3,4)의 구획 분할 구조를 취하는데, 이들 핀 컨택터부 블록은 독립 가동 가능하여, 도 43 내지 도 45에서와 같이 총 4개의 핀 컨택터부 블록(230sub;230sub1,2,3,4)에 대응하는 도면 부호 Ac1 내지 Ac4로 표시되는 영역에 대하여 순차적으로 내지는 누적화된 방식으로 검출 가능한데, 이들 검측된 검출 감지 신호는 신호 처리되어 도 47에서와 같은 전기적 특성, 예를 들어 커패시턴스를 나타내는 선도로 표현될 수 있다. 이때, 각각의 포인트들이 지칭하는 커패시턴스는 선형적 관계를 이루어 이들의 기울기는 검출에 사용된 해당 영역의 개수, 즉 핀 컨택터부 블록의 개수, 보다 엄밀하게는 사용된 검출 프루브 핀 컨택터부(233)의 개수와 동일 비율 관계를 형성하여, 검출 프루브 핀 컨택터부(233)의 개수당 노말라이제이션된 전기적 특성값이 도출되어 검출 감지 신호의 신뢰성을 보다 강화시킬 수 있다. 43 to 46, in this embodiment, the detection probe pin body formed by the detection probe pin contactor portion 233 disposed on the detection probe pin body 231 has a total of four pin contactor portion blocks 230sub. ;230sub1,2,3,4) has a division structure, and these pin contactor blocks are independently movable, so a total of four pin contactor blocks (230sub;230sub1,2, Areas indicated by reference numerals Ac1 to Ac4 corresponding to 3 and 4) can be detected sequentially or in an accumulated manner, and these detected detection signals are signal processed to obtain electrical characteristics as shown in FIG. 47, e.g. It can be expressed as a line representing capacitance. At this time, the capacitances indicated by each point have a linear relationship, and their slope is the number of corresponding areas used for detection, that is, the number of pin contactor blocks, more precisely, the detection probe pin contactor unit 233 used. By forming the same ratio relationship with the number of , normalized electrical characteristic values are derived for each number of detection probe pin contactor units 233, thereby further strengthening the reliability of the detection signal.

경우에 따라, 상기와 같은 복수 개의 구획 분할되는 핀 컨택터부 블록에 대한 선별 내지 판단과 이를 통한 검출 프루브 핀 컨택터부(233)의 개수에 대하여 노말라이제이션된 보다 정확한 산화물 반도체층 전기적 특성 검출을 위하여 디텍팅 캘리브레이션 제어부(510)는 다양한 구성이 가능하다. 일예로, 본 발명의 일실시예에 따른 디텍팅 캘리브레이션 제어부(510)는 디텍팅 캘리브레이션 산출 제어부(511)와, 디텍팅 캘리브레이션 판단 제어부(513)와, 디텍팅 캘리브레이션 갱신 제어부(515)를 포함할 수도 있다. In some cases, in order to select or determine the pin contactor block divided into a plurality of sections as described above and detect the more accurate electrical characteristics of the oxide semiconductor layer normalized for the number of detection probe pin contactor parts 233, The detecting calibration control unit 510 can have various configurations. As an example, the detecting calibration control unit 510 according to an embodiment of the present invention may include a detecting calibration calculation control unit 511, a detecting calibration determination control unit 513, and a detecting calibration update control unit 515. It may be possible.

디텍팅 캘리브레이션 산출 제어부(511)는 복수 개의 핀 컨택터부 블록의 독립 가동 검출 감지 신호 및 검출 프루브 핀 컨택터부(233)의 개수 정보를 이용하여 해당 핀 컨택터부 블록을 포함한 경우의 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호를 산출한다. The detecting calibration calculation control unit 511 uses the independent operation detection signal of a plurality of pin contactor blocks and the number information of the detection probe pin contactor unit 233 to determine the detection probe pin contactor unit when the corresponding pin contactor unit block is included. Calculate independent operation detection detection signals per piece.

디텍팅 캘리브레이션 판단 제어부(513)는 디텍팅 캘리브레이션 산출 제어부(511)에서 산출된 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호 내지 이에 대응하는 전기적 특성값을 이용하여 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호를 독립 가동 검출 감지 신호로의 사용 어부를 결정한다. 즉, 디텍팅 캘리브레이션 저장부(530)에는 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호 기준값이 저장되어 있는데, 여기서 초기 상태의 경우 임의 선택 내지 사전 설정데이터를 활용하거나, 이후 단계에서의 판별 여부에 따라 갱신된 값이 저장되어 새로운 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호 기준값이 저장될 수 있다. The detecting calibration judgment control unit 513 operates independently per the number of detection probe pin contactor units calculated by the detecting calibration calculation control unit 511, and operates independently per the number of detection probe pin contactor units using the detection detection signal or the corresponding electrical characteristic value. The fisherman determines the use of the movable detection detection signal as an independent movable detection detection signal. That is, the detecting calibration storage unit 530 stores an independent operation detection signal reference value for each number of detection probe pin contactor parts. Here, in the initial state, random selection or preset data is used, or whether to determine at a later stage. The updated value may be stored according to the independent operation detection signal reference value for each number of new detection probe pin contactor parts.

디텍팅 캘리브레이션 판단 제어부(513)는 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호 및 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호 기준값과 비교한다. 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호가 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호 기준값으로부터 디텍팅 캘리브레이션 저장부(530)에 저장된 사전 설정 데이터 범위를 벗어난 경우 디텍팅 캘리브레이션 판단 제어부(513)는 해당 핀 컨택터부 블록에서 검출된 독립 가동 검출 감지 신호를 이용하지 않는 것으로 판단한다. The detecting calibration determination control unit 513 compares the independent operation detection signal per number of detection probe pin contactor parts and the independent operation detection signal per number of detection probe pin contactor parts with a reference value. If the independent operation detection signal per number of detection probe pin contactor parts is outside the preset data range stored in the detection calibration storage unit 530 from the independent operation detection signal reference value per number of detection probe pin contactor parts, the detection calibration judgment control unit ( 513) determines that the independent operation detection signal detected in the corresponding pin contactor block is not used.

반면, 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호가 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호 기준값으로부터 디텍팅 캘리브레이션 저장부(530)에 저장된 사전 설정 데이터 범위를 벗어나지 않은 경우 디텍팅 캘리브레이션 판단 제어부(513)는 해당 핀 컨택터부 블록에서 검출된 독립 가동 검출 감지 신호를 이용하는 것으로 판단한다. On the other hand, if the independent operation detection signal per number of detection probe pin contactor parts does not deviate from the preset data range stored in the detection calibration storage unit 530 from the independent operation detection signal reference value per number of detection probe pin contactor parts, detecting calibration is performed. The determination control unit 513 determines that the independent operation detection signal detected in the corresponding pin contactor block is used.

디텍팅 캘리브레이션 판단 제어부(513)에서의 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호를 독립 가동 검출 감지 신호로의 사용 어부를 결정에 따라, 디텍팅 캘리브레이션 갱신 제어부(515)는 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호 기준값을 갱신 여부를 판단 실행한다. 즉, 디텍팅 캘리브레이션 판단 제어부(513)가 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호를 독립 가동 검출 감지 신호로의 사용 어부를 결정한 경우, 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호를 디텍팅 캘리브레이션 저장부(530)에 저장되는 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호 기준값으로 갱신한다. Depending on the determination of the number of independent operation detection signals for each number of detection probe pin contactor units in the detection calibration judgment control unit 513, the detection calibration update control unit 515 determines whether to use the detection probe pin contactor unit as an independent operation detection signal. It determines whether or not to update the independent operation detection detection signal reference value per tab number. That is, when the detecting calibration judgment control unit 513 determines whether to use the independent operation detection signal per number of detection probe pin contactor parts as the independent operation detection detection signal, the independent operation detection detection signal per number of detection probe pin contactor parts is used. The independent operation detection detection signal reference value is updated for each number of detection probe pin contactor units stored in the detecting calibration storage unit 530.

앞선 기술에서는 총 4개의 핀 컨택터부 블록을 형성하는 구성에 대하여만 기술되었으나, 본 발명이 이에 국한되는 것은 아니다 . 즉, 도 48 및 도 50에 도시된 바와 같이 총 9개의 분할 구획된 핀 컨택터부 블록 구조를 형성할 수도 있고, 이러한 핀 컨택터부 블록은 개별화되되 도 43 내지 도 46에서와 같이 하나씩 증분되며 검출 및 판단 연산의 과정을 실행할 수도 있고, 복수 개의 핀 컨택터부 블록 단위로 증가되어 검출 및 판단 연산되는 과정을 거칠 수도 있는 등 설계 사양에 따라 다양한 선택이 가능하다. 즉, 도 48 내지 도 50의 경우 검출 및 판단 연산의 과정이 중앙의 핀 컨택터부 블록(①)으로부터, 도면 부호 ①로 지시되는 중앙 핀 컨택터부 블록(①)의 도면 상 상하좌우 인접한 다른 핀 컨택터부 블록(②)에 대하여, 그리고 도면 부호 ①로 지시되는 중앙 핀 컨택터부 블록(①)의 도면 상 대각 배치되는 다른 핀 컨택터부 블록(③)으로 도면 부호 ②로 지시되는 핀 컨택터부 블록(②)과 인접한 영역으로 확장 처리하는 방식으로 실행될 수도 있다. 여기서, 이들의 실행 순서는 도 48 내지 도 50에 국한되지 않고 연산 과정을 신속하게 하는 범위에서 다양한 선택이 가능하다. In the previous technology, only the configuration forming a total of four pin contactor blocks was described, but the present invention is not limited to this. That is, as shown in FIGS. 48 and 50, a total of 9 divided pin contactor block structures may be formed, and these pin contactor blocks are individualized, but are incremented one by one as shown in FIGS. 43 to 46, and are used for detection and detection. Various choices are possible depending on the design specifications, such as performing a judgment operation process, or increasing the number of pin contactor units in units of blocks and going through the process of detection and judgment operation. That is, in the case of FIGS. 48 to 50, the process of detection and judgment operation is performed from the central pin contactor block (①) to other pin contacts adjacent to the top, bottom, left, and right in the drawing of the central pin contactor block (①) indicated by reference numeral ①. With respect to the tab block (②), and to the other pin contactor block (③) arranged diagonally in the drawing of the central pin contactor block (①) indicated by reference numeral ①, the pin contactor block (②) indicated by reference numeral ② ) can also be executed by extending processing to an adjacent area. Here, their execution order is not limited to Figures 48 to 50, and various choices are possible within the range of speeding up the calculation process.

또 한편, 앞선 실시예에서 각각의 핀 컨택터부 블록의 검출 판단 연산 확정 등의 과정은 분할 구획된 블록 단위로 이루어지는 경우를 중심으로 설명하였으나, 이러한 구성은 빠른 연산을 실행하는 범위에서 다양한 선택이 가능하다. 예를 들어, 도 51에 도시된 바와 같이, 앞서 기술한 바와 같이, 본 발명의 반도체 필름층 검사 장치 제어 방법은 본 발명의 반도체 필름층 검사 장치(10)가 제공되는 제공 단계(S1, 도 6 참조)가 실행되고, 특성 검측 대상인 시료가 반도체 필름층 검사 장치(10)에 배치되도록 준비되는 준비 단계(S10)가 실행되어, 시료로서 산화물 반도체층(31)이 형성된 기판(20)이 제공된 후, 캐리어 제네레이팅 단계(S20)가 실행되어 자유 캐리어의 여기를 통한 검측을 가능한 상태를 형성하는데, 준비 단계(S10)와 캐리어 제네레이팅 단계(S20)는 앞서 기술한 바와 동일하다. On the other hand, in the previous embodiment, the process of determining the detection, judgment, operation, and confirmation of each pin contactor block was explained with a focus on the case where it is performed in units of divided blocks, but this configuration can be selected in various ways within the range of performing fast operations. do. For example, as shown in FIG. 51 and as previously described, the method for controlling the semiconductor film layer inspection device of the present invention includes a providing step (S1, FIG. 6) in which the semiconductor film layer inspection device 10 of the present invention is provided. After) is executed and a preparation step (S10) is performed in which a sample subject to characteristic detection is prepared to be placed in the semiconductor film layer inspection device 10, and the substrate 20 on which the oxide semiconductor layer 31 is formed is provided as the sample. , the carrier generating step (S20) is executed to form a state in which detection is possible through excitation of free carriers. The preparation step (S10) and the carrier generating step (S20) are the same as described above.

그런 후, 측정 단계(S30)가 실행되는데, 측정 단계(S30)는 시퀀설 측정 단계(S31), 캘리브레이팅 단계(S33) 및 측정 확인 단계(S35)를 포함할 수 있다. Then, the measurement step (S30) is executed, and the measurement step (S30) may include a sequence measurement step (S31), a calibration step (S33), and a measurement confirmation step (S35).

도 55에 도시된 바와 같이, 시퀀설 측정 단계(S31)에서 사전 설정된 방식으로 복수 개의 구획 분할된 핀 컨택터부 블록에 대하여 개별적으로 내지 사전 설정된 단수 내지 복수 단위의 블록 별로 검출 감지 신호가 독립 검출 감지 신호로 취득된다.As shown in FIG. 55, in the sequence measurement step (S31), the detection signal is independently detected individually or for each block of a preset single or multiple units for the pin contactor block divided into a plurality of sections in a preset manner. Acquired as a signal.

도 56에 도시된 바와 같이, 캘리브레이팅 단계(S33)에서는, 시퀀설 측정 단계(S31)에서 구획 분할된 핀 컨택터부 블록에 대하여 개별적으로 취득된 검출 감지 신호를 독립 검출 감지 신호로 이용하여 대상 핀 컨택터부 블록에서 측정된 시퀀설 측정값을 확인 산출하고, 독립 검출 감지 신호로서의 유효성이 판단된다. As shown in FIG. 56, in the calibration step (S33), the detection signal acquired individually for the pin contactor block divided in the sequence measurement step (S31) is used as an independent detection signal to determine the target. The sequence measurement value measured in the pin contactor block is confirmed and calculated, and its effectiveness as an independent detection signal is judged.

측정 확인 단계(S35)에서는, 캘리브레이팅 단계(S233)에서의 판단 결과에 따른 산화물 반도체층의 최종 전기적 특성이 출력된다. In the measurement confirmation step (S35), the final electrical characteristics of the oxide semiconductor layer according to the judgment result in the calibration step (S233) are output.

이때, 앞서 기술된 바와 같이, 반도체 필름층 검사 장치는 디텍팅 캘리브레이션 모듈(500)을 더 구비하고, At this time, as described above, the semiconductor film layer inspection device further includes a detecting calibration module 500,

디텍팅 캘리브레이션 모듈(500)은 전기적으로 검출 프루브 모듈(202) 측과 검출 프루브 핀(230) 측 사이에 배치되고, 독립 검출 가동 가능한 상기 복수 개의 핀 커낵터부 블록을 형성하는 검출 프루브 핀 컨택터부(233)에 검출 프루브 모듈(202) 측으로부터의 검출 인가 신호를 독립 가동 검출 인가 신호로 전달하고, 검출 프루브 핀 컨택터부(233)로부터 독립 가동 검출 감지 신호를 신호 처리하여 검출 프루브 모듈(202) 측으로 전달한다. The detecting calibration module 500 is electrically disposed between the detection probe module 202 side and the detection probe pin 230 side, and includes a detection probe pin contactor portion ( 233), the detection application signal from the detection probe module 202 side is transmitted as an independent operation detection application signal, and the independently operation detection detection signal is processed from the detection probe pin contactor unit 233 to the detection probe module 202 side. Deliver.

보다 구체적으로, 디텍팅 캘리브레이션 모듈(500)은 디텍팅 캘리브레이션 데이터 셀렉터(520)와, 디텍팅 캘리브레이션 제어부(510)를 포함하고, 디텍팅 캘리브레이션 데이터 셀렉터(520)는 검출 프루브 모듈(202) 측으로부터의 검출 인가 신호를 독립 가동 검출 인가 신호로 사용하여 복수 개의 핀 컨택터부 블록 중 대상 핀 컨택터부 블록을 선택하고, 검출 프루브 핀 컨택터부(233) 측에서 입력되는 검출 감지 신호를 핀 컨택터부 블록 중 해당하는 핀 컨택터부 블록의 검출 프루브 핀 컨택터부(233)로부터의 독립 가동 검출 감지 신호를 출력하고, 디텍팅 캘리브레이션 제어부(510)는 복수 개의 핀 컨택터부 블록의 독립 가동 검출 감지 신호 및 검출 프루브 핀 컨택터부(233)의 개수 정보를 이용하여 해당 핀 컨택터부 블록의 독립 가동 검출 감지 신호 사용 여부를 결정하고, 산화물 반도체층(31)을 구비하는 반도체층(30)의 전기적 특성을 검출 프루브 핀 컨택터부(233) 개수를 이용하여 노말라이제이션화함은 앞서 기술한 바와 동일하다. More specifically, the detecting calibration module 500 includes a detecting calibration data selector 520 and a detecting calibration control unit 510, and the detecting calibration data selector 520 is supplied from the detection probe module 202 side. The detection application signal of is used as an independent operation detection application signal to select the target pin contactor block among the plurality of pin contactor blocks, and the detection signal input from the detection probe pin contactor unit 233 is applied to one of the pin contactor blocks. An independent operation detection detection signal from the detection probe pin contactor unit 233 of the corresponding pin contactor unit block is output, and the detecting calibration control unit 510 outputs an independent operation detection detection signal and a detection probe pin of a plurality of pin contactor unit blocks. Using information on the number of contactor units 233, determine whether to use the independent operation detection detection signal of the corresponding pin contactor unit block, and detect the electrical characteristics of the semiconductor layer 30 including the oxide semiconductor layer 31. Probe pin contact Normalization using the number of taboos 233 is the same as described above.

먼저,시퀀설 측정 단계(S31)에서 사전 설정된 방식으로 복수 개의 구획 분할된 핀 컨택터부 블록에 대하여 개별적으로 내지 사전 설정된 단수 내지 복수 단위의 블록 별로 검출 감지 신호를 독립 검출 감지 신호로 취득되는데, 경우에 따라, 시퀀설 측정 단계(S31)는 시퀀설 측정 모드 확인 단계(S311)와, 시퀀설 측정 모드 실행 단계(S313)를 포함한다. 즉, 시퀀설 측정 모드 확인 단계(S311)에서는 디텍킹 캘리브레이션 제어부(510)가 사용자에 의하여 선택되어 실행되어야 할 시퀀설 측정 모드를 확인한다. 단선적 가동 시스템의 경우 단수 개의 시퀀설 측정 모드가 저장되어 단선적 가동 동작 구현이 가능한 구조를 취할 수도 있으나, 경우에 따라 복수 개의 시퀀설 측정 모드를 구비하고 사용자에 의하여 내지 작업량과 작업 속도에 따라 최적의 모드를 선택하여 시퀀설 측정 모드를 수행하는 방식을 취할 수도 있는 등 다양한 변형이 가능하다. First, in the sequencing measurement step (S31), the detection signal is acquired as an independent detection signal individually or for each block of a preset single or multiple units for the pin contactor block divided into a plurality of sections in a preset manner. Accordingly, the sequencing measurement step (S31) includes a sequencing measurement mode confirmation step (S311) and a sequencing measurement mode execution step (S313). That is, in the sequence measurement mode confirmation step (S311), the detecting calibration control unit 510 confirms the sequence measurement mode to be selected and executed by the user. In the case of a single-line operation system, a single sequential measurement mode may be stored so that a single-line operation operation can be implemented. However, in some cases, it may have multiple sequential measurement modes and can be adjusted by the user or depending on the workload and work speed. Various modifications are possible, such as selecting the optimal mode and performing sequential measurement mode.

이때, 선택되는 시퀀설 측정 모드는 설계 사양에 다양한 변형이 가능한데, 본 실시예에서 이러한 시퀀셜 측정은 멀티플렉서로서의 디텍킹 캘리브레이션 데이터 셀렉터(520)의 가동을 통하여 선별 취득될 수 있다. 예를 들어 도 43 내지 도 46에 도시된 바와 같이 좌측에서 우측으로 상단부터 하단으로 지그재그 방식으로 측정하고자 하는 구획 분할된 핀 컨택터부 블록에 대하여 개별적으로 검출 감지 신호를 독립 검출 감지 신호로 취득할 수도 있고, 도 48 내지 도 50에 도시된 바와 같이, 중앙의 구획 분활된 핀 컨텍터부 블록을 중심으로 상하좌우, 그리고 대각 방향의 구획 분할된 핀 컨택터부 블록에 대하여 개별적으로 검출 감지 신호를 독립 검출 감지 신호로 취득할 수도 있다. 이러한 방식을 일예로서 다양한 시퀀설 측정 사전 설정 방식을 구비할 수도 있는 등 다양한 변형이 가능하다. At this time, the selected sequential measurement mode can vary in design specifications. In this embodiment, such sequential measurement can be selectively acquired through operation of the detecting calibration data selector 520 as a multiplexer. For example, as shown in FIGS. 43 to 46, the detection signal can be individually acquired as an independent detection signal for the divided pin contactor block to be measured in a zigzag manner from left to right and from top to bottom. As shown in FIGS. 48 to 50, the detection signal is independently detected for the pin contactor block divided into up, down, left, and diagonal directions, centered on the central divided pin contactor block. It can also be acquired as a signal. As an example of this method, various modifications are possible, such as having various sequencing measurement preset methods.

이와 같이 시퀀설 측정 모드 확인 단계(S311)에서 확인된 시퀀설 측정 모드에 따라, 디텍팅 캘리브레이션 제어부(510)는 시퀀설 측정 모드 실행 단계(S313)에서 선택된 시퀀설 측정 모드에 따라 구획 분할된 핀 컨택터부 블록에 대하여 개별적으로 검출 감지 신호를 독립 검출 감지 신호로 취득하는 측정 모드 동작 구현을 실시한다. In this way, according to the sequence measurement mode confirmed in the sequence measurement mode confirmation step (S311), the detecting calibration control unit 510 divides the pins into sections according to the sequence measurement mode selected in the sequence measurement mode execution step (S313). Implement a measurement mode operation that acquires the detection signal for each contactor block as an independent detection signal.

이와 같은 시퀀설 측정 모드 확인 단계(S311)및 시퀀설 측정 모드 실행 단계(S313)를 포함하는 시퀀설 측정 단계(S31)가 완료된 후, 캘리브레이팅 단계(S33)가 실행된다. After the sequencing measurement step (S31), including the sequencing measurement mode confirmation step (S311) and the sequencing measurement mode execution step (S313), is completed, the calibration step (S33) is executed.

캘리브레이팅 단계(S33)에서 디텐팅 캘리브레이션 제어부(510)는 시퀀설 측정 단계(S31)에서 획 분할된 핀 컨택터부 블록에 대하여 개별적으로 취득된 검출 감지 신호를 독립 검출 감지 신호로 이용하여 캘리브레이팅 단계(S33)에서 판단되는 대상 핀 컨택터부 블록에서 측정된 시퀀설 측정값을 확인 산출하고, 독립 검출 감지 신호의 유효성을 판단한다. In the calibration step (S33), the detent calibration control unit 510 performs calibration using the detection signal individually acquired for the pin contactor block divided into strokes in the sequence measurement step (S31) as an independent detection signal. The sequential measurement value measured at the target pin contactor block determined in the rating step (S33) is confirmed and calculated, and the validity of the independent detection signal is determined.

즉, 캘리브레이팅 단계(S33)는 시퀀설 측정값 확인 산출 단계(S331)와, 캘리브레이팅 유효성 판단 단계(S333)를 포함할 수 있는데, 시퀀설 측정값 확인 단계(S331)에서는 디텍팅 캘리브레이션 산출 제어부(511)를 통하여 복수 개의 핀 컨택터부 블록의 독립 가동 검출 감지 신호 및 검출 프루브 핀 컨택터부(233)의 개수 정보에 기초하여 이를 이용함으로써 해당 핀 컨택터부 블록을 포함한 경우의 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호가 산출된다. That is, the calibration step (S33) may include a sequence measurement value confirmation and calculation step (S331) and a calibration validity determination step (S333). In the sequence measurement value confirmation step (S331), detecting calibration Detection probe pin contact in the case of including the corresponding pin contactor block by using the independent operation of a plurality of pin contactor block through the calculation control unit 511 based on the detection signal and the number information of the detection probe pin contactor block 233. An independent operation detection detection signal is calculated for each number of tabs.

그런 후 캘리브레이팅 유효성 판단 단계(S333)가 실행되는데, 캘리브레이팅 유효성 판단 단계(S333)에서 디텍팅 캘리브레이션 판단 제어부(513)는 디텍팅 캘리브레이션 산출 제어부(511)에서 산출된 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호 내지 이에 대응하는 전기적 특성값을 이용하여 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호를 독립 가동 검출 감지 신호로의 사용 어부를 결정한다. 즉, 앞서 기술한 바와 같이, 디텍팅 캘리브레이션 저장부(530)에는 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호 기준값이 저장되어 있을 수 있는데, 초기 상태의 경우 임의 선택 내지 사전 설정데이터를 활용하거나, 이후 단계에서의 판별 여부에 따라 갱신된 값이 저장되어 새로운 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호 기준값이 저장될 수 있다. Then, the calibration effectiveness determination step (S333) is executed. In the calibration effectiveness determination step (S333), the detecting calibration determination control unit 513 detects the detection probe pin contactor unit calculated by the detecting calibration calculation control unit 511. The use of the independent movable detection signal per number of detection probe pin contactor parts as the independent movable detection detection signal is determined using the independent movable detection detection signal or the corresponding electrical characteristic value. That is, as described above, the detecting calibration storage unit 530 may store independently operating detection signal reference values for each number of detection probe pin contactor units. In the initial state, random selection or preset data may be used or , the updated value is stored depending on whether or not the determination is made in a later step, so that a reference value of the independent operation detection signal per number of new detection probe pin contactor parts can be stored.

디텍팅 캘리브레이션 판단 제어부(513)는 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호 및 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호 기준값과 비교하는데, 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호가 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호 기준값으로부터 디텍팅 캘리브레이션 저장부(530)에 저장된 사전 설정 데이터 범위를 벗어난 경우 디텍팅 캘리브레이션 판단 제어부(513)는 해당 핀 컨택터부 블록에서 검출된 독립 가동 검출 감지 신호를 이용하지 않는 것으로 판단하여 소정의 S333 단계를 실행한다. The detecting calibration judgment control unit 513 compares the independent operation detection signal per number of detection probe pin contactor parts and the independent operation detection signal per number of detection probe pin contactor parts with a reference value. If the signal deviates from the preset data range stored in the detecting calibration storage unit 530 from the independent operation detection signal reference value for each number of detection probe pin contactor units, the detecting calibration judgment control unit 513 detects the detected calibration signal in the corresponding pin contactor unit block. It is determined that the independent operation detection detection signal is not used, and a predetermined step S333 is executed.

반면, 만약 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호가 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호 기준값으로부터 디텍팅 캘리브레이션 저장부(530)에 저장된 사전 설정 데이터 범위를 벗어나지 않은 경우 디텍팅 캘리브레이션 판단 제어부(513)는 해당 핀 컨택터부 블록에서 검출된 독립 가동 검출 감지 신호를 이용하는 것으로 판단하여, 소정의 S333 단계를 수행한다. On the other hand, if the independent operation detection signal per number of detection probe pin contactor parts does not deviate from the preset data range stored in the detection calibration storage unit 530 from the independent operation detection signal reference value per number of detection probe pin contactor parts, detecting The calibration determination control unit 513 determines that the independent operation detection signal detected in the corresponding pin contactor block is used, and performs a predetermined step S333.

이와 같은 단계 S333에서 디텍팅 캘리브레이션 판단 제어부(513)를 통한 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호를 독립 가동 검출 감지 신호로의 사용 어부를 결정에 따라, 단계 S35에서 소정의 측정 확인 단계가 실행된다. In step S333, according to the decision to use the independent operation detection signal for each number of detection probe pin contactor parts through the detection calibration judgment control unit 513, a predetermined measurement confirmation step is performed in step S35. is executed.

즉, 측정 확인 단게(S35)에서 디텍팅 캘리브레이션 갱신 제어부(515)는 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호 기준값을 갱신 여부를 판단 실행하는데, 디텍팅 캘리브레이션 판단 제어부(513)가 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호를 독립 가동 검출 감지 신호로의 사용 어부를 결정한 경우, 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호를 디텍팅 캘리브레이션 저장부(530)에 저장되는 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호 기준값으로 갱신하고, 반대의 경우 배제하는 방식을 실행한다. That is, in the measurement confirmation step (S35), the detecting calibration update control unit 515 determines whether to update the independently operating detection detection signal reference value for each number of detection probe pin contactor parts, and the detecting calibration determination control unit 513 determines whether to update the detection probe pin contactor unit. If a decision is made to use the independently movable detection signal per number of pin contactor portions as an independent movable detection signal, the detection probe stores the independently movable detection signal per number of pin contactor portions in the detection calibration storage unit 530. The independent operation detection detection signal standard value is updated for each number of pin contactor parts, and in the opposite case, the method is excluded.

이와 같은 과정을 거쳐 측정 확인 단계(s35)에서는 검출 프루브 핀 컨택터부(233)를 통하여 검출 취득된 검출 감지 신호와 검출에 사용된 전체 검출 프루브 핀 컨택터부(233)의 개수를 산술적으로 연산하여 검출 프루브 핀 컨택터부(233) 당 검측된 산화물 반도체층(31)의 전기적 특성값을 이용하는데, 각각의 포인트들이 지칭하는 커패시턴스는 선형적 관계를 이루어 이들의 기울기는 검출에 사용된 해당 영역의 개수, 즉 핀 컨택터부 블록의 개수, 보다 엄밀하게는 사용된 검출 프루브 핀 컨택터부(233)의 개수와 동일 비율 관계를 형성하여, 검출 프루브 핀 컨택터부(233)의 개수당 노말라이제이션된 전기적 특성값이 도출되어 검출 감지 신호의 신뢰성을 보다 강화시킬 수 있다. Through this process, in the measurement confirmation step (s35), detection is performed by mathematically calculating the detection signal acquired through the detection probe pin contactor unit 233 and the total number of detection probe pin contactor units 233 used for detection. The electrical characteristic values of the oxide semiconductor layer 31 detected per probe pin contactor unit 233 are used. The capacitance indicated by each point has a linear relationship, and their slope is the number of corresponding areas used for detection, That is, the normalized electrical characteristic value per number of detection probe pin contactor units 233 is formed in the same ratio relationship with the number of pin contactor blocks, or more precisely, the number of detection probe pin contactor units 233 used. This can be derived to further strengthen the reliability of the detection signal.

즉, 이러한 판단을 거친 후 측정 확인 단계(S35)가 실행되어 최종적으로 산출 내지 갱신되는 값을 통하여 검측 대상으로서의 산화물 반도체층(31)의 전기적 특성, 예를 들어 커패시턴스의 검측 정확도를 탁월하게 증진시켜 데이터의 신뢰성 확보가 가능함은 앞서 기술한 바와 동일하다. In other words, after this judgment, the measurement confirmation step (S35) is executed, and the electrical characteristics of the oxide semiconductor layer 31 as the detection object, such as capacitance, are excellently improved through the final calculated or updated value. The possibility of securing data reliability is the same as described above.

또한, 앞선 실시예에서와 같이, 본 실시예에서의 반도체 필름층 검사 장치(10)의 검출 프루브 핀 바디(231)는 검출 프루브 핀 바디 베이스(231-1)와, 검출 프루브 핀 바디 라인(231-2)을 포함할 수 있고, 검출 프루브 핀 바디 베이스(231-1)는 검출 프루브 핀 컨택터부(233)가 배치되고, 검출 프루브 핀 바디 라인(231-2)는 검출 프루브 핀 바디 베이스(231-1)의 일면 상에 배치되고 검출 프루브 핀 컨택터부(233)를 전기적 연결시킨다. In addition, as in the previous embodiment, the detection probe pin body 231 of the semiconductor film layer inspection device 10 in this embodiment includes a detection probe pin body base 231-1 and a detection probe pin body line 231. -2), the detection probe pin body base 231-1 is disposed with the detection probe pin contactor portion 233, and the detection probe pin body line 231-2 is disposed with the detection probe pin body base 231. It is disposed on one side of -1) and electrically connected to the detection probe pin contactor portion 233.

검출 프루브 핀 바디 베이스(231-1)는 FPCB를 포함하고, 검출 프루브 핀 컨택터부(233)는 복수 개의 검출 프루브 핀 컨택터(235)를 포함하며, 복수 개의 검출 프루브 핀 컨택터(235)는 검출 프루브 핀 바디 베이스(231-1)의 일면 상에 배치되고 검출 프루브 핀 바디 라인(231-2)과 전기적으로 연결되고, 산화물 반도체층과 직접 접촉하는 구조는 앞서 기술한 바와 동일할 수 있다. The detection probe pin body base 231-1 includes an FPCB, and the detection probe pin contactor portion 233 includes a plurality of detection probe pin contactors 235. The plurality of detection probe pin contactors 235 include The structure disposed on one surface of the detection probe pin body base 231-1, electrically connected to the detection probe pin body line 231-2, and in direct contact with the oxide semiconductor layer may be the same as described above.

또한, 복수 개의 검출 프루브 핀 컨택터(235) 중의 적어도 하나는 인접한 적어도 다른 어느 하나와 상이한 전기적 신호를 인가받을 수 있다. 도 41 및 도 42에는 매트릭스 타입의 구성만이 도시되었으나, 검출 프루브 핀 컨택터부(235) 중의 적어도 일부는 다른 일부를 포획하는 구조를 형성하는 구조를 형성할 수도 있음은 상기 기술들로부터 명백하다. Additionally, at least one of the plurality of detection probe pin contactors 235 may receive an electrical signal different from that of at least another adjacent one. Although only the matrix type configuration is shown in FIGS. 41 and 42, it is clear from the above descriptions that at least part of the detection probe pin contactor portion 235 may form a structure that captures the other part.

또한, 검출 유니트(200)는 앞서 기술한 도 29의 실시예에서와 같이 검출 프루브 무빙부(240)를 포함할 수 있으며 일단에 검출 프루브 핀(230)이 배치되고 베이스부(40) 측에 대하여 상대 가동 가능한 구조를 취할 수 있다. 이때, 검출 프루브 무빙부(240)는 검출 프루브 무빙 바디부(241)와 검출 프루브 무빙 가이드(280)를 포함할 수 있고, 검출 프루브 무빙 바디부(241)는 일단에 검출 프루브 핀(230)이 배치되고, 검출 프루브 무빙 가이드(280)는 일단이 검출 프루브 무빙 바디부(241)에 그리고 타단이 베이스부(40) 측에 상대 가동 가능하게 배치될 수 잇다. In addition, the detection unit 200 may include a detection probe moving part 240 as in the embodiment of FIG. 29 described above, and a detection probe pin 230 is disposed at one end and is positioned with respect to the base part 40. A relatively flexible structure can be adopted. At this time, the detection probe moving part 240 may include a detection probe moving body part 241 and a detection probe moving guide 280, and the detection probe moving body part 241 has a detection probe pin 230 at one end. Arranged, the detection probe moving guide 280 may have one end on the detection probe moving body part 241 and the other end on the base part 40 to be relatively movable.

검출 프루브 무빙부(240)는 검출 프루브 댐핑부(270)를 포함할 수 있는데, 검출 프루브 댐핑부(270)는 검출 프루브 무빙 바디부(241)의 가동을 댐핑하여 안정적인 컨택트 구조를 형성 가능하게 한다. The detection probe moving part 240 may include a detection probe damping part 270, which damps the movement of the detection probe moving body part 241 to form a stable contact structure. .

검출 프루브 댐핑부(270)는 댐핑 무빙 바디 수용부(271)와, 댐핑 탄성부(273)와, 댐핑 플런저(275)를 포함할 수 있다. 댐핑 무빙 바디 수용부(271)는 검출 프루브 무빙 바디부(241) 측에 배치되고, 댐핑 탄성부(273)는 댐핑 무빙 바디 수용부(271)에 배치되어 일단이 댐핑 무빙 바디 수용부(271)의 내측에 지지되며, 댐핑 플런저(275)는 일단이 댐핑 탄성부(273) 측과 접촉하고, 타단이 베이스부(40) 측을 향하여 배치 접촉되고 검출 프루브 무빙 바디부(241)의 가동을 제한한다. The detection probe damping part 270 may include a damping moving body receiving part 271, a damping elastic part 273, and a damping plunger 275. The damping moving body receiving portion 271 is disposed on the side of the detection probe moving body portion 241, and the damping elastic portion 273 is disposed in the damping moving body receiving portion 271 and has one end of the damping moving body receiving portion 271. Supported on the inside of the damping plunger 275, one end of the damping plunger 275 is in contact with the damping elastic portion 273, and the other end is disposed and contacted toward the base portion 40 and limits the movement of the detection probe moving body portion 241. do.

댐핑 플런저(275)는 댐핑 플런저 바디(2751)와, 댐핑 플런저 샤프트(2753)를 포함하는데, 댐핑 플런저 바디(2751)는 단부가 댐핑 탄성부(273)에 의하여 접촉 지지되고, 댐핑 플런저 샤프트(2753)는 일단이 댐핑 플런저 바디(2751)에 연결되고 댐핑 무빙 바디 수용부(271)의 길이를 따라 수용 배치될 수 있다. The damping plunger 275 includes a damping plunger body 2751 and a damping plunger shaft 2753. The end of the damping plunger body 2751 is contacted and supported by the damping elastic portion 273, and the damping plunger shaft 2753 ) has one end connected to the damping plunger body 2751 and may be accommodated and arranged along the length of the damping moving body accommodating portion 271.

검출 프루브 무빙부(240)는 검출 프루브 무빙 센싱부(290)를 포함하는데, 검출 프루브 무빙 센싱부(290)는 댐핑 플런저 바디(2751)에 대향하여 베이스(40) 측에 배치되고, 댐핑 플런저 바디(2751)와 접촉하여 접촉 상태를 감지한다. 또한, 검출 프루브 무빙 센싱부(290)는 압력 센서를 포함할 수 있으며, 이러한 구성은 앞선 실시예에서와 동일한다. The detection probe moving part 240 includes a detection probe moving sensing part 290. The detection probe moving sensing part 290 is disposed on the base 40 side opposite to the damping plunger body 2751, and the damping plunger body (2751) to detect the contact state. Additionally, the detection probe moving sensing unit 290 may include a pressure sensor, and this configuration is the same as in the previous embodiment.

본 발명의 반도체 필름층 검사 장치 및 이를 이용한 반도체 필름층 검사 방법은 독립적인 배치 구조를 취하거나 이를 통한 반도체 필름층의 전기적 특성 검측 단계를 실행할 수도 있는 등 설계 사양에 따라 다양한 변형이 가능하다. The semiconductor film layer inspection device of the present invention and the semiconductor film layer inspection method using the same can be modified in various ways depending on design specifications, such as taking an independent arrangement structure or performing a step of detecting the electrical characteristics of the semiconductor film layer through it.

10...반도체 필름층 검사 장치 30...반도체 필름층
40...베이스부 300...캐리어 제네레이터10...semiconductor film layer inspection device 30...semiconductor film layer
40...Base part 300...Carrier generator

Claims (28)

기판(20)의 일면 상에 형성되고, 산화물 반도체층(31)을 구비하는 반도체 필름층(30)의 전기적 특성을 검출하기 위한 반도체 필름층 검사 장치로서, 일면 상에 기판이 안착 배치되는 베이스부(40)와, 산화물 반도체층 일면 상 적어도 두 개의 지점에 접촉하여 전기적 신호를 인가하여 산화물 반도체층의 전기적 특성을 검출하는 검출 유니트(200)와, 상기 산화물 반도체층에 캐리어의 농도를 높이기 위한 캐리어 제네레이터(300,300a,300b)를 포함하고,
상기 검출 유니트(200)는:
산화물 반도체층 일면 상 서로 이격된 지점에 접촉하는 검출 프루브 핀(230)과,
상기 검출 프루브 핀(230)에 산화물 반도체 층의 전기적 특성 검출을 위한 검출 인가 신호를 인가하고 상기 검출 프루브 핀(230)으로부터 입력되는 검출 감지 신호를 감지하는 검출 프루브 모듈(202)을 포함하고,
상기 검출 프루브 핀(230)은:
산화물 반도체층과 배치되는 검출 프루브 핀 바디(231)와,
일단은 상기 검출 프루브 핀 바디(231) 측에 배치되고 타단은 산화물 반도체층과 직접 접촉하는 검출 프루브 핀 컨택터부(233)를 포함하고,
상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233)의 적어도 일부는 독립 검출 가동 가능한 복수 개의 구획 분할되는 핀 컨택터부 블록을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 필름층 검사 장치(10).
A semiconductor film layer inspection device for detecting the electrical characteristics of a semiconductor film layer 30 formed on one side of a substrate 20 and including an oxide semiconductor layer 31, wherein the base portion is seated and placed on one side of the substrate. (40) and a detection unit 200 that detects the electrical characteristics of the oxide semiconductor layer by contacting at least two points on one surface of the oxide semiconductor layer and applying an electrical signal, and a carrier for increasing the concentration of carriers in the oxide semiconductor layer. Includes generators (300, 300a, 300b),
The detection unit 200:
Detection probe pins 230 contacting points spaced apart from each other on one side of the oxide semiconductor layer,
A detection probe module 202 applies a detection application signal for detecting electrical characteristics of an oxide semiconductor layer to the detection probe pin 230 and detects a detection signal input from the detection probe pin 230,
The detection probe pin 230 is:
A detection probe pin body 231 disposed on the oxide semiconductor layer,
One end is disposed on the detection probe pin body 231, and the other end includes a detection probe pin contactor portion 233 in direct contact with the oxide semiconductor layer,
A semiconductor film layer inspection device (10), wherein at least a portion of the detection probe pin contactor portion (233) forms a pin contactor portion block divided into a plurality of sections capable of independent detection.
 제 1항에 있어서,
상기 검출 프루브 핀(230)은 복수 개의 검출 프루브 서브 핀(230sub)을 구비하고, 각각의 검출 프루브 서브 핀(230sub)에 배치되는 상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233)은 각각의 검출 프루브 서브 핀(230sub) 단위로 독립 검출 가동 가능한 핀 컨택터부 블록을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 필름층 검사 장치(10).
According to clause 1,
The detection probe pin 230 has a plurality of detection probe sub-pins 230sub, and the detection probe pin contactor portion 233 disposed on each detection probe sub-pin 230sub is connected to each detection probe sub-pin (230sub). A semiconductor film layer inspection device (10) characterized by forming a pin contactor block capable of independent detection in units of 230 sub).
 제 1항에 있어서,
상기 검출 프루브 모듈(202) 측과 상기 검출 프루브 핀(230) 측 사이에 배치되고,
독립 검출 가동 가능한 상기 복수 개의 핀 커낵터부 블록을 형성하는 상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233)에 상기 검출 프루브 모듈(202) 측으로부터의 검출 인가 신호를 독립 가동 검출 인가 신호로 전달하고, 상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233)로부터 독립 가동 검출 감지 신호를 신호 처리하여 상기 검출 프루브 모듈(202) 측으로 전달하는 디텍팅 캘리브레이션 모듈(500)을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 필름층 검사 장치(10).
According to clause 1,
It is disposed between the detection probe module 202 side and the detection probe pin 230 side,
A detection application signal from the detection probe module 202 side is transmitted as an independently movable detection application signal to the detection probe pin contactor section 233 forming the plurality of pin connector section blocks capable of independent detection, and the detection probe The semiconductor film layer inspection device (10) further includes a detecting calibration module (500) that processes the independently movable detection signal from the pin contactor unit (233) and transmits it to the detection probe module (202).
 제 3항에 있어서,
상기 디텍팅 캘리브레이션 모듈(500)은:
상기 검출 프루브 모듈(202) 측으로부터의 검출 인가 신호를 독립 가동 검출 인가 신호로 사용하여 복수 개의 핀 컨택터부 블록 중 대상 핀 컨택터부 블록을 선택하고, 상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233) 측에서 입력되는 검출 감지 신호를 상기 핀 컨택터부 블록 중 해당하는 핀 컨택터부 블록의 검출 프루브 핀 컨택터부(233)로부터의 독립 가동 검출 감지 신호를 출력하는 디텍팅 캘리브레이션 데이터 셀렉터(520)와,
상기 복수 개의 핀 컨택터부 블록의 독립 가동 검출 감지 신호 및 상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233)의 개수 정보를 이용하여 해당 핀 컨택터부 블록의 독립 가동 검출 감지 신호 사용 여부를 결정하고, 산화물 반도체층(31)을 구비하는 반도체층(30)의 전기적 특성을 검출 프루브 핀 컨택터부(233) 개수를 이용하여 노말라이제이션화하는 디텍팅 캘리브레이션 제어부(510)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 필름층 검사 장치(10).
According to clause 3,
The detecting calibration module 500:
The detection application signal from the detection probe module 202 is used as an independent operation detection application signal to select a target pin contactor block among a plurality of pin contactor blocks, and is input from the detection probe pin contactor unit 233. A detecting calibration data selector 520 that outputs an independent operation detection signal from the detection probe pin contactor unit 233 of the corresponding pin contactor unit block among the pin contactor unit blocks,
Using the independent operation detection detection signal of the plurality of pin contactor blocks and the number information of the detection probe pin contactor unit 233, it is determined whether to use the independent operation detection detection signal of the corresponding pin contactor unit block, and the oxide semiconductor layer ( 31) A semiconductor film layer inspection device comprising a detecting calibration control unit 510 that normalizes the electrical characteristics of the semiconductor layer 30 using the number of detection probe pin contactor units 233. (10).
 제 4항에 있어서,
상기 디텍팅 캘리브레이션 제어부(510)는:
상기 복수 개의 핀 컨택터부 블록의 독립 가동 검출 감지 신호 및 상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233)의 개수 정보를 이용하여 해당 핀 컨택터부 블록을 포함한 경우 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호를 산출하는 디텍팅 캘리브레이션 산출 제어부(511)와,
상기 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호 및 디텍팅 캘리브레이션 저장부(530)에 저장되는 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호 기준값과 비교하여, 상기 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호를 독립 가동 검출 감지 신호로의 사용 어부를 결정하는 디텍팅 캘리브레이션 판단 제어부(513)와,
상기 디텍팅 캘리브레이션 판단 제어부(513)가 상기 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호를 독립 가동 검출 감지 신호로의 사용 어부를 결정한 경우, 상기 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호를 상기 디텍팅 캘리브레이션 저장부(530)에 저장되는 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호 기준값으로 갱신하는 디텍팅 캘리브레이션 갱신 제어부(515)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 필름층 검사 장치(10).
According to clause 4,
The detecting calibration control unit 510:
When the corresponding pin contactor block is included using the independent operation detection detection signal of the plurality of pin contactor blocks and the number information of the detection probe pin contactor unit 233, an independent operation detection detection signal is generated per number of detection probe pin contactor units. A detecting calibration calculation control unit 511 that calculates,
Compared to the independently movable detection signal per number of detection probe pin contactor portions and the independently movable detection signal reference value per number of detection probe pin contactor portions stored in the detecting calibration storage unit 530, per number of detection probe pin contactor portions. A detecting calibration judgment control unit 513 that determines whether a fisherman will use the independent operation detection detection signal as an independent operation detection detection signal,
When the detecting calibration judgment control unit 513 determines whether to use the independent operation detection detection signal per number of detection probe pin contactor parts as an independent operation detection detection signal, the independent operation detection detection signal per number of detection probe pin contactor parts A semiconductor film layer inspection device comprising a detecting calibration update control unit 515 that updates the independently movable detection detection signal reference value for each number of detection probe pin contactor units stored in the detecting calibration storage unit 530 ( 10).
 제 1항에 있어서,
상기 검출 프루브 핀 바디(231)는:
상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233)가 배치되는 검출 프루브 핀 바디 베이스(231-1)와,
상기 검출 프루브 핀 바디 베이스(231-1)의 일면 상에 배치되고 상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233)를 전기적 연결시키는 검출 프루브 핀 바디 라인(231-2)을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 필름층 검사 장치(10).
According to clause 1,
The detection probe pin body 231 is:
a detection probe pin body base (231-1) on which the detection probe pin contactor portion 233 is disposed;
A semiconductor film layer comprising a detection probe pin body line (231-2) disposed on one surface of the detection probe pin body base (231-1) and electrically connecting the detection probe pin contactor portion (233). Inspection device (10).
 제 6항에 있어서,
상기 검출 프루브 핀 바디 베이스(231-1)는 FPCB를 포함하고,
상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233)는:
상기 검출 프루브 핀 바디 베이스(231-1)의 일면 상에 배치되고 상기 검출 프루브 핀 바디 라인(231-2)과 전기적으로 연결되고, 산화물 반도체층과 직접 접촉하는 복수 개의 검출 프루브 핀 컨택터(235)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 필름층 검사 장치(10).
According to clause 6,
The detection probe pin body base (231-1) includes an FPCB,
The detection probe pin contactor unit 233 is:
A plurality of detection probe pin contactors 235 are disposed on one surface of the detection probe pin body base 231-1, are electrically connected to the detection probe pin body line 231-2, and are in direct contact with the oxide semiconductor layer. ) A semiconductor film layer inspection device (10) comprising a semiconductor film layer inspection device (10).
 제 7항에 있어서,
상기 복수 개의 검출 프루브 핀 컨택터(235) 중의 적어도 하나는 인접한 적어도 다른 어느 하나와 상이한 전기적 신호를 인가받는 것을 특징으로 하는 반도체 필름층 검사 장치(10).
According to clause 7,
A semiconductor film layer inspection device (10), wherein at least one of the plurality of detection probe pin contactors (235) receives a different electrical signal from at least one other adjacent one.
 제 7항에 있어서,
상기 검출 프루브 핀 컨택터부(235) 중의 적어도 일부는 다른 일부를 포획하는 구조를 형성하는 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 필름층 검사 장치(10).
According to clause 7,
A semiconductor film layer inspection device (10), wherein at least a portion of the detection probe pin contactor portion (235) forms a structure that captures the other portion.
 제 1항에 있어서,
상기 검출 유니트(200)는:
일단에 상기 검출 프루브 핀(230)이 배치되고 상기 베이스부(40) 측에 대하여 상대 가동 가능한 검출 프루브 무빙부(240)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 필름층 검사 장치(10).
According to clause 1,
The detection unit 200:
A semiconductor film layer inspection device (10), characterized in that the detection probe pin (230) is disposed at one end and includes a detection probe moving part (240) that is relatively movable with respect to the base part (40).
 제 10항에 있어서,
상기 검출 프루브 무빙부(240)는:
일단에 상기 검출 프루브 핀(230)이 배치되는 검출 프루브 무빙 바디부(241)와,
일단은 상기 검출 프루브 무빙 바디부(241)에 그리고 타단은 상기 베이스부(40) 측에 상대 가동 가능하게 배치되는 검출 프루브 무빙 가이드(280)를 포함한는 것을 특징으로 하는 반도체 필름층 검사 장치(10).
According to clause 10,
The detection probe moving part 240 is:
A detection probe moving body portion 241 at one end of which the detection probe pin 230 is disposed,
A semiconductor film layer inspection device (10) comprising a detection probe moving guide (280) that has one end on the detection probe moving body part (241) and the other end relatively movably disposed on the base part (40). .
 제 11항에 있어서,
상기 검출 프루브 무빙부(240)는 :
상기 검출 프루브 무빙 바디부(241)의 가동을 댐핑하는 검출 프루브 댐핑부(270)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 필름층 검사 장치(10).
According to clause 11,
The detection probe moving part 240 is:
A semiconductor film layer inspection device (10) comprising a detection probe damping unit (270) that damps the movement of the detection probe moving body unit (241).
 제 12항에 있어서,
상기 검출 프루브 댐핑부(270)는:
상기 검출 프루브 무빙 바디부(241) 측에 배치되는 댐핑 무빙 바디 수용부(271)와,
상기 댐핑 무빙 바디 수용부(271)에 배치되어 일단이 상기 댐핑 무빙 바디 수용부(271)의 내측에 지지되는 댐핑 탄성부(273)와,
일단은 상기 댐핑 탄성부(273) 측과 접촉하고, 타단은 상기 베이스부(40) 측을 향하여 배치 접촉되고 상기 검출 프루브 무빙 바디부(241)의 가동을 제한하는 댐핑 플런저(275)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 필름층 검사 장치(10).
According to clause 12,
The detection probe damping unit 270 is:
A damping moving body receiving portion 271 disposed on the detection probe moving body portion 241,
A damping elastic part 273 disposed in the damping moving body accommodating part 271 and having one end supported on the inside of the damping moving body accommodating part 271,
One end is in contact with the damping elastic part 273, and the other end is in contact with the base part 40, and includes a damping plunger 275 that limits the movement of the detection probe moving body 241. A semiconductor film layer inspection device (10), characterized in that.
 제 13항에 있어서,
상기 댐핑 플런저(275)는:
단부가 상기 댐핑 탄성부(273)에 의하여 접촉 지지되는 댐핑 플런저 바디(2751)와,
일단이 상기 댐핑 플런저 바디(2751)에 연결되고 상기 댐핑 무빙 바디 수용부(271)의 길이를 따라 수용 배치되는 댐핑 플런저 샤프트(2753)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 필름층 검사 장치(10).
According to clause 13,
The damping plunger 275 is:
A damping plunger body 2751, the end of which is contacted and supported by the damping elastic portion 273,
A semiconductor film layer inspection device (10) comprising a damping plunger shaft (2753), one end of which is connected to the damping plunger body (2751) and accommodated along the length of the damping moving body accommodating portion (271).
 제 14항에 있어서,
상기 검출 프루브 무빙부(240)는:
상기 댐핑 플런저 바디(2751)에 대향하여 상기 베이스(40) 측에 배치되고, 상기 댐핑 플런저 바디(2751)와 접촉하여 접촉 상태를 감지하는 검출 프루브 무빙 센싱부(290)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 필름층 검사 장치(10).
According to clause 14,
The detection probe moving part 240 is:
Characterized in that it includes a detection probe moving sensing unit 290 disposed on the base 40 side opposite to the damping plunger body 2751 and detecting a contact state by contacting the damping plunger body 2751. Semiconductor film layer inspection device (10).
 제 15항에 있어서,
상기 검출 프루브 무빙 센싱부(290)는 압력 센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 필름층 검사 장치(10).
According to clause 15,
The semiconductor film layer inspection device 10, wherein the detection probe moving sensing unit 290 includes a pressure sensor.
 반도체 필름층(30)의 산화물 반도체층(31) 일면 상 적어도 두 개의 지점에 접촉하여 전기적 신호를 인가하여 산화물 반도체층의 전기적 특성을 검출하는 검출 유니트(200)로서, 상기 검출 유니트(200)는: 산화물 반도체층 일면 상 서로 이격된 지점에 접촉하는 검출 프루브 핀(230)과, 상기 검출 프루브 핀(230)에 검출을 위한 검출 인가 신호를 인가하고 상기 검출 프루브 핀(230)으로부터 입력되는 검출 감지 신호를 감지하는 검출 프루브 모듈(202)을 포함하고, 상기 검출 프루브 핀(230)은: 산화물 반도체층과 배치되는 검출 프루브 핀 바디(231)와, 일단은 상기 검출 프루브 핀 바디(231) 측에 배치되고 타단은 산화물 반도체층과 직접 접촉하는 검출 프루브 핀 컨택터부(233)를 포함하고,
상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233)의 적어도 일부는 독립 검출 가동 가능한 복수 개의 구획 분할되는 핀 컨택터부 블록을 형성하고,
상기 검출 프루브 핀 바디(231)는: 상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233)가 배치되는 검출 프루브 핀 바디 베이스(231-1)와, 상기 검출 프루브 핀 바디 베이스(231-1)의 일면 상에 배치되고 상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233)를 전기적 연결시키는 검출 프루브 핀 바디 라인(231-2)을 구비하고,
상기 검출 프루브 핀 바디 베이스(231-1)는 FPCB를 포함하고, 상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233)는: 상기 검출 프루브 핀 바디 베이스(231-1)의 일면 상에 배치되고 상기 검출 프루브 핀 바디 라인(231-2)과 전기적으로 연결되고, 산화물 반도체층과 직접 접촉하는 복수 개의 검출 프루브 핀 컨택터(235)를 포함하고,
상기 복수 개의 검출 프루브 핀 컨택터(235) 중의 적어도 하나는 인접한 적어도 다른 어느 하나와 상이한 전기적 신호를 인가받는 것을 특징으로 하는 검출 유니트(200).
A detection unit 200 that detects the electrical characteristics of the oxide semiconductor layer by contacting at least two points on one surface of the oxide semiconductor layer 31 of the semiconductor film layer 30 and applying an electrical signal. The detection unit 200 includes: : Detection probe pins 230 contacting points spaced apart from each other on one side of the oxide semiconductor layer, a detection application signal for detection is applied to the detection probe pins 230, and detection input from the detection probe pins 230 is detected. It includes a detection probe module 202 that detects a signal, and the detection probe pin 230 includes: a detection probe pin body 231 disposed on an oxide semiconductor layer, and one end on the detection probe pin body 231 side. It is disposed and the other end includes a detection probe pin contactor portion 233 that is in direct contact with the oxide semiconductor layer,
At least a portion of the detection probe pin contactor portion 233 forms a pin contactor portion block divided into a plurality of sections capable of independent detection,
The detection probe pin body 231 is: a detection probe pin body base 231-1 on which the detection probe pin contactor portion 233 is disposed, and is disposed on one surface of the detection probe pin body base 231-1. and a detection probe pin body line (231-2) electrically connecting the detection probe pin contactor portion (233),
The detection probe pin body base 231-1 includes an FPCB, and the detection probe pin contactor portion 233 is: disposed on one surface of the detection probe pin body base 231-1 and connected to the detection probe pin body. It is electrically connected to the line 231-2 and includes a plurality of detection probe pin contactors 235 in direct contact with the oxide semiconductor layer,
A detection unit (200), wherein at least one of the plurality of detection probe pin contactors (235) receives an electrical signal different from that of at least one other adjacent one.
 제 17항에 있어서,
상기 검출 프루브 핀 컨택터부(235) 중의 적어도 일부는 다른 일부를 포획하는 구조를 형성하는 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 검출 유니트(200).
According to clause 17,
Detection unit (200), wherein at least a portion of the detection probe pin contactor portion (235) forms a structure that captures the other portion.
 제 17항에 있어서,
일단에 상기 검출 프루브 핀(230)이 배치되고 일면 상에 산화물 반도체층(31)을 포함하는 반도체 필름층(30)이 형성되는 기판이 안착 배치되는 베이스부(40) 측에 대하여 상대 가동 가능한 검출 프루브 무빙부(240)를 포함하는 것을 특징으로 하는 검출 유니트(200).
According to clause 17,
Detection is movable relative to the side of the base portion 40 on which the detection probe pin 230 is disposed at one end and the substrate on which the semiconductor film layer 30 including the oxide semiconductor layer 31 is formed on one side is seated. A detection unit (200) comprising a probe moving part (240).
 제 19항에 있어서,
상기 검출 프루브 무빙부(240)는:
일단에 상기 검출 프루브 핀(230)이 배치되는 검출 프루브 무빙 바디부(241)와,
일단은 상기 검출 프루브 무빙 바디부(241)에 그리고 타단은 일면 상에 기판이 안착 배치되는 베이스부(40) 측에 상대 가동 가능하게 배치되는 검출 프루브 무빙 가이드(280)를 포함하는 것을 특징으로 하는 검출 유니트(200).
According to clause 19,
The detection probe moving part 240 is:
A detection probe moving body portion 241 at one end of which the detection probe pin 230 is disposed,
Characterized in that it includes a detection probe moving guide 280 that has one end on the detection probe moving body part 241 and the other end is relatively movably disposed on the base part 40, where the substrate is placed on one side. Detection unit (200).
 제 20항에 있어서,
상기 검출 프루브 무빙부(240)는 :
상기 검출 프루브 무빙 바디부(241)의 가동을 댐핑하는 검출 프루브 댐핑부(270)를 포함하는 것을 특징으로 하는 검출 유니트(200).
According to clause 20,
The detection probe moving part 240 is:
A detection unit (200) comprising a detection probe damping unit (270) that damps the movement of the detection probe moving body unit (241).
 제 21항에 있어서,
상기 검출 프루브 댐핑부(270)는:
상기 검출 프루브 무빙 바디부(241) 측에 배치되는 댐핑 무빙 바디 수용부(271)와,
상기 댐핑 무빙 바디 수용부(271)에 배치되어 일단이 상기 댐핑 무빙 바디 수용부(271)의 내측에 지지되는 댐핑 탄성부(273)와,
일단은 상기 댐핑 탄성부(273) 측과 접촉하고, 타단은 일면 상에 기판이 안착 배치되는 베이스부(40) 측을 향하여 배치 접촉되고 상기 검출 프루브 무빙 바디부(241)의 가동을 제한하는 댐핑 플런저(275)를 포함하는 것을 특징으로 하는 검출 유니트(200).
According to clause 21,
The detection probe damping unit 270 is:
A damping moving body receiving portion 271 disposed on the detection probe moving body portion 241,
A damping elastic part 273 disposed in the damping moving body accommodating part 271 and having one end supported on the inside of the damping moving body accommodating part 271,
One end is in contact with the damping elastic part 273, and the other end is in contact with the side of the base part 40 where the substrate is seated on one side, and is used as a damping force to limit the movement of the detection probe moving body part 241. Detection unit (200) comprising a plunger (275).
 제 22항에 있어서,
상기 댐핑 플런저(275)는:
단부가 상기 댐핑 탄성부(273)에 의하여 접촉 지지되는 댐핑 플런저 바디(2751)와,
일단이 상기 댐핑 플런저 바디(2751)에 연결되고 상기 댐핑 무빙 바디 수용부(271)의 길이를 따라 수용 배치되는 댐핑 플런저 샤프트(2753)를 포함하는 것을 특징으로 하는 검출 유니트(200).
According to clause 22,
The damping plunger 275 is:
A damping plunger body 2751, the end of which is contacted and supported by the damping elastic portion 273,
A detection unit (200) comprising a damping plunger shaft (2753), one end of which is connected to the damping plunger body (2751) and accommodated along the length of the damping moving body accommodating part (271).
 제 23항에 있어서,
상기 검출 프루브 무빙부(240)는:
상기 댐핑 플런저 바디(2751)에 대향하여 상기 베이스(40) 측에 배치되고, 상기 댐핑 플런저 바디(2751)와 접촉하여 접촉 상태를 감지하는 검출 프루브 무빙 센싱부(290)를 포함하는 것을 특징으로 하는 검출 유니트(200).
According to clause 23,
The detection probe moving part 240 is:
Characterized in that it includes a detection probe moving sensing unit 290 disposed on the base 40 side opposite to the damping plunger body 2751 and detecting a contact state by contacting the damping plunger body 2751. Detection unit (200).
 제 24항에 있어서,
상기 검출 프루브 무빙 센싱부(290)는 압력 센서를 포함하는 것을 특징으로 하는 검출 유니트(200).
According to clause 24,
The detection probe moving sensing unit 290 is a detection unit 200 characterized in that it includes a pressure sensor.
 기판(20)의 일면 상에 형성되고, 산화물 반도체층(31)을 구비하는 반도체 필름층(30)의 전기적 특성을 검출하기 위한 반도체 필름층 검사 장치로서, 일면 상에 기판이 안착 배치되는 베이스부(40)와, 산화물 반도체층 일면 상 적어도 두 개의 지점에 접촉하여 전기적 신호를 인가하여 산화물 반도체층의 전기적 특성을 검출하는 검출 유니트(200)와, 상기 산화물 반도체층에 캐리어의 농도를 높이기 위한 캐리어 제네레이터(300,300a,300b)를 포함하고, 상기 검출 유니트(200)는: 산화물 반도체층 일면 상 서로 이격된 지점에 접촉하는 검출 프루브 핀(230)과, 상기 검출 프루브 핀(230)에 산화물 반도체 층의 전기적 특성 검출을 위한 검출 인가 신호를 인가하고 상기 검출 프루브 핀(230)으로부터 입력되는 검출 감지 신호를 감지하는 검출 프루브 모듈(202)을 포함하고, 상기 검출 프루브 핀(230)은: 산화물 반도체층과 배치되는 검출 프루브 핀 바디(231)와, 일단은 상기 검출 프루브 핀 바디(231) 측에 배치되고 타단은 산화물 반도체층과 직접 접촉하는 검출 프루브 핀 컨택터부(233)를 포함하고, 상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233)의 적어도 일부는 독립 검출 가동 가능한 복수 개의 구획 분할되는 핀 컨택터부 블록을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 필름층 검사 장치(10)가 제공되는 제공 단계(S1)와,
일면 상에 검사 대상으로서의 산화물 반도체층(31)이 형성되는 기판(20)이 반도체 필름층 검사 장치(10)에 배치 준비되는 준비 단계(S10)와,
캐리어 제네레이터(300)를 통하여 상기 산화물 반도체층(31) 내 캐리어 농도를 증진시키는 캐리어 제네레이팅 단계(S20)와,
상기 반도체 필름층 검사 장치(10)의 검출 유니트(200)를 통하여 상기 산화물 반도체층(31) 일면 상 적어도 두 개의 지점에 접촉하여 상기 산화물 반도체층(31)에 전기적 신호를 인가하여 산화물 반도체층의 전기적 특성을 검출하는 측정 단계(S30)를 포함하고,
상기 측정 단계(S30)는:
사전 설정된 방식으로 복수 개의 구획 분할된 핀 컨택터부 블록에 대하여 개별적으로 내지 사전 설정된 단수 내지 복수 단위의 블록 별로 검출 감지 신호가 독립 검출 감지 신호로 취득되는 시퀀설 측정 단계(S31)와,
상기 시퀀설 측정 단계(S31)에서 구획 분할된 핀 컨택터부 블록에 대하여 개별적으로 취득된 검출 감지 신호를 독립 검출 감지 신호로 이용하여 대상 핀 컨택터부 블록에서 측정된 시퀀설 측정값을 확인 산출하고, 독립 검출 감지 신호로서의 유효성이 판단되는 캘리브레이팅 단계(S33)와,
상기 캘리브레이팅 단계(S233)에서의 판단 결과에 따른 산화물 반도체층의 최종 전기적 특성을 출력하는 측정 확인 단계(S35)를 포함하는 반도체 필름층 검사 장치를 이용한 반도체 필름층 검사 방법.
A semiconductor film layer inspection device for detecting the electrical characteristics of a semiconductor film layer 30 formed on one side of a substrate 20 and including an oxide semiconductor layer 31, wherein the base portion is seated and placed on one side of the substrate. (40) and a detection unit 200 that detects the electrical characteristics of the oxide semiconductor layer by contacting at least two points on one surface of the oxide semiconductor layer and applying an electrical signal, and a carrier for increasing the concentration of carriers in the oxide semiconductor layer. It includes generators (300, 300a, 300b), and the detection unit 200 includes: a detection probe pin 230 contacting a spaced apart point on one side of the oxide semiconductor layer, and an oxide semiconductor layer on the detection probe pin 230. It includes a detection probe module 202 that applies a detection application signal for detecting the electrical characteristics of and detects a detection signal input from the detection probe pin 230, wherein the detection probe pin 230 includes: an oxide semiconductor layer. It includes a detection probe pin body 231 disposed with a detection probe pin body 231, one end of which is disposed on the detection probe pin body 231 side and the other end of which is in direct contact with the oxide semiconductor layer, and the detection probe A providing step (S1) in which a semiconductor film layer inspection device 10 is provided, wherein at least a portion of the pin contactor portion 233 forms a pin contactor portion block divided into a plurality of sections capable of independent detection;
A preparation step (S10) in which a substrate 20 on which an oxide semiconductor layer 31 as an inspection object is formed on one side is prepared to be placed in the semiconductor film layer inspection device 10;
A carrier generating step (S20) of increasing the carrier concentration in the oxide semiconductor layer 31 through the carrier generator 300,
An electrical signal is applied to the oxide semiconductor layer 31 by contacting at least two points on one surface of the oxide semiconductor layer 31 through the detection unit 200 of the semiconductor film layer inspection device 10 to detect the oxide semiconductor layer. It includes a measurement step (S30) of detecting electrical characteristics,
The measurement step (S30) is:
A sequence measurement step (S31) in which a detection signal is acquired as an independent detection signal for each pin contactor unit block divided into a plurality of sections in a preset manner, individually or for each block of a preset single unit or plurality of units,
In the sequence measurement step (S31), the individually acquired detection signal for the divided pin contactor block is used as an independent detection signal to confirm and calculate the sequence measurement value measured at the target pin contactor block, A calibration step (S33) in which effectiveness as an independent detection signal is determined,
A semiconductor film layer inspection method using a semiconductor film layer inspection device, including a measurement confirmation step (S35) of outputting the final electrical characteristics of the oxide semiconductor layer according to the determination result in the calibration step (S233).
 제 26항에 있어서,
상기 검출 프루브 모듈(202) 측과 상기 검출 프루브 핀(230) 측 사이에 배치되고, 독립 검출 가동 가능한 상기 복수 개의 핀 커낵터부 블록을 형성하는 상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233)에 상기 검출 프루브 모듈(202) 측으로부터의 검출 인가 신호를 독립 가동 검출 인가 신호로 전달하고, 상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233)로부터 독립 가동 검출 감지 신호를 신호 처리하여 상기 검출 프루브 모듈(202) 측으로 전달하는 디텍팅 캘리브레이션 모듈(500)을 더 구비하고,
상기 디텍팅 캘리브레이션 모듈(500)은: 상기 검출 프루브 모듈(202) 측으로부터의 검출 인가 신호를 독립 가동 검출 인가 신호로 사용하여 복수 개의 핀 컨택터부 블록 중 대상 핀 컨택터부 블록을 선택하고, 상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233) 측에서 입력되는 검출 감지 신호를 상기 핀 컨택터부 블록 중 해당하는 핀 컨택터부 블록의 검출 프루브 핀 컨택터부(233)로부터의 독립 가동 검출 감지 신호를 출력하는 디텍팅 캘리브레이션 데이터 셀렉터(520)와, 상기 복수 개의 핀 컨택터부 블록의 독립 가동 검출 감지 신호 및 상기 검출 프루브 핀 컨택터부(233)의 개수 정보를 이용하여 해당 핀 컨택터부 블록의 독립 가동 검출 감지 신호 사용 여부를 결정하고, 산화물 반도체층(31)을 구비하는 반도체층(30)의 전기적 특성을 검출 프루브 핀 컨택터부(233) 개수를 이용하여 노말라이제이션화하는 디텍팅 캘리브레이션 제어부(510)를 포함하고,
상기 시퀀설 측정 단계(S31)는:
상기 디텍킹 캘리브레이션 제어부(510)에서 사용자에 의하여 선택되어 실행되어야 할 시퀀설 측정 모드가 확인되는 시퀀설 측정 모드 확인 단계(S311)와,
상기 시퀀설 측정 모드 확인 단계(S311)에서 확인된 상기 시퀀설 측정 모드에 따라, 상기 디텍팅 캘리브레이션 제어부(510)를 통하여 선택된 시퀀설 측정 모드에 따라 구획 분할된 핀 컨택터부 블록에 대하여 개별적으로 검출 감지 신호가 취득되는 시퀀설 측정 모드 실행 단계(S313)를 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 필름층 검사 장치를 이용한 반도체 필름층 검사 방법.
According to clause 26,
The detection probe module is disposed between the detection probe module 202 side and the detection probe pin 230 side, and is connected to the detection probe pin contactor portion 233, which forms the plurality of pin connector portion blocks capable of independent detection. Detecting transmits the detection application signal from the (202) side as an independent operation detection application signal, processes the independent operation detection signal from the detection probe pin contactor unit 233, and transmits it to the detection probe module 202. Further provided with a calibration module 500,
The detecting calibration module 500: uses the detection application signal from the detection probe module 202 as an independent operation detection application signal to select a target pin contactor unit block among a plurality of pin contactor unit blocks, and performs the detection. Detecting calibration data that outputs a detection signal input from the probe pin contactor unit 233 and an independent operation detection signal from the probe pin contactor unit 233 to the corresponding pin contactor unit block. Using the selector 520, the independent operation detection detection signal of the plurality of pin contactor blocks, and the number information of the detection probe pin contactor unit 233, it is determined whether to use the independent operation detection detection signal of the corresponding pin contactor block. and a detecting calibration control unit 510 that normalizes the electrical characteristics of the semiconductor layer 30 including the oxide semiconductor layer 31 using the number of detection probe pin contactor units 233,
The sequence measurement step (S31) is:
A sequence measurement mode confirmation step (S311) in which the sequence measurement mode to be selected and executed by the user is confirmed in the detecting calibration control unit 510;
According to the sequence measurement mode confirmed in the sequence measurement mode confirmation step (S311), the pin contactor block divided into sections according to the sequence measurement mode selected through the detecting calibration control unit 510 is individually detected. A semiconductor film layer inspection method using a semiconductor film layer inspection device, comprising a sequential measurement mode execution step (S313) in which a detection signal is acquired.
 제 27항에 있어서,
상기 캘리브레이팅 단계(S33)는:
상기 디텍킹 캘리브레이션 제어부(510)의 디텍팅 캘리브레이션 산출 제어부(511)에 의하여 복수 개의 핀 컨택터부 블록의 독립 가동 검출 감지 신호 및 검출 프루브 핀 컨택터부(233)의 개수 정보에 기초하여, 해당 핀 컨택터부 블록을 포함한 경우의 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호가 산출되는 시퀀설 측정값 확인 산출 단계(S331)와,
상기 디텍킹 캘리브레이션 제어부(510)의 디텍팅 캘리브레이션 판단 제어부(513)를 통하여 상기 디텍팅 캘리브레이션 산출 제어부(511)에서 산출된 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호에 기초하여, 상기 검출 프루브 핀 컨택터부 개수당 독립 가동 검출 감지 신호가 독립 가동 검출 감지 신호로의 사용 가능 여부가 결정되는 캘리브레이팅 유효성 판단 단계(S333)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 필름층 검사 장치를 이용한 반도체 필름층 검사 방법.




According to clause 27,
The calibration step (S33) is:
The detecting calibration calculation control unit 511 of the detecting calibration control unit 510 detects independent operation of a plurality of pin contactor unit blocks. Based on the detection signal and the number information of the detection probe pin contactor unit 233, the corresponding pin contact is made. A sequence measurement value confirmation and calculation step (S331) in which an independent operation detection detection signal is calculated for each number of detection probe pin contactor parts in the case of including a taboo block;
Based on the independent operation detection signal per number of detection probe pin contactor units calculated by the detection calibration calculation control unit 511 through the detection calibration judgment control unit 513 of the detection calibration control unit 510, the detection probe A semiconductor film layer using a semiconductor film layer inspection device, comprising a calibration effectiveness determination step (S333) in which it is determined whether the independent operation detection detection signal per number of pin contactor parts can be used as an independent operation detection detection signal. method of inspection.
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