KR20230147730A - 이동하는 기판의 온도 측정을 위한 기판 처리 장치 및 이동하는 기판의 온도를 측정하는 방법 - Google Patents

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Abstract

기판 처리 장치가 제공된다. 기판 처리 장치는 제1 축을 중심으로 회전 가능한 테이블, 테이블의 제1 측면에 회전 불가능하거나 회전 가능한 방식으로 배열되는 제1 홀더, 및 제1 기판 평면에서 기판을 처리하고 테이블의 제1 측면을 향하는 적어도 하나의 수단을 포함한다. 또한, 기판 처리 장치는 테이블의 제2 측면에 배열되는 고온계, 테이블의 제2 측면으로부터 멀어지는 테이블의 제1 측면, 및 제1 홀더 상에 배치될 때, 기판 처리를 위한 적어도 하나의 수단으로부터 멀어지는 방향으로 기판의 측면과 고온계 사이에서 광학적으로 작동하는 연결부를 포함한다. 또한, 이동하는 기판의 온도를 측정하는 방법 및 기판의 온도를 측정하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 용도가 제공된다.

Description

이동하는 기판의 온도 측정을 위한 기판 처리 장치 및 이동하는 기판의 온도를 측정하는 방법
본 발명은 기판 처리 장치, 특히 처리 중에 기판을 이동(예를 들어, 회전)시키는 기판 처리 장치의 기술 분야에 관한 것이다. 이는 특히 이동하는 기판의 온도를 측정하기 위한 고온계를 포함하는 기판 처리 장치 및 이동하는 기판의 온도를 측정하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 추가 양상은 이동하는 기판의 온도를 측정하기 위한 고온계를 포함하는 기판 처리 장치의 사용에 관한 것이다.
정의
본 발명에서 '처리(processing)'는 기판에 작용하는 모든 화학적, 물리적 또는 기계적 효과가 포함된다. 또한 처리는 단독으로 또는 화학적, 물리적 또는 기계적 효과 작용, 온도 조절과 결합된 것도 포함된다. 이러한 컨디셔닝은 기판을 원하는 온도로 가열하는 것, 기판을 원하는 온도로 유지하는 것, 기판을 냉각하여 원하는 처리 온도로 유지하는 것(예를 들어, 처리 자체가 기판을 과열시키는 경향이 있는 경우)을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
본 발명에서 '기판'은 처리 장치에서 처리될 구성 요소, 부품 또는 작업편이다. 기판에는 직사각형, 정사각형 또는 원형 모양을 갖는 평평한 판형 부품이 포함되지만 이에 국한되지는 않는다. 바람직한 실시예에서, 본 발명은 본질적으로 웨이퍼와 같은 평면형 원형 기판에 관한 것이다. 이러한 웨이퍼의 재료는 유리, 반도체, 세라믹 또는 설명된 처리 온도를 견딜 수 있는 기타 물질일 수 있다.
진공 처리 또는 진공 처리 시스템/장치/챔버는 적어도 주변 대기압보다 낮은 압력 하에서 처리될 기판을 위한 엔클로저와 상기 기판을 처리하기 위한 수단을 포함한다.
척(chuck) 또는 클램프(clamp)는 처리 중에 기판을 고정하는 데 적합한 기판 홀더 또는 지지대이다. 이러한 클램핑은 특히 정전기력(정전기 척 ESC), 기계적 수단, 진공 또는 전술한 수단의 조합에 의해 달성될 수 있다. 척에는 온도 제어 구성 요소(냉각, 가열) 및 센서(기판 방향, 온도, 뒤틀림(warping) 등)와 같은 추가 기능이 표시될 수 있다.
CVD 또는 화학 기상 증착(Chemical Vapour Deposition)은 가열된 기판에 층을 증착할 수 있는 화학 공정이다. 하나 이상의 휘발성 전구체 물질(들)이 기판 표면에서 반응 및/또는 분해되어 원하는 증착물을 생성하는 공정 시스템에 공급된다. CVD의 변형에는 다음이 포함된다: 저압 CVD(LPCVD) - 대기압 이하의 CVD 공정. 초고진공 CVD(UHVCVD)는 일반적으로 10-6 Pa/10-7 Pa 미만의 CVD 공정이다. 플라즈마 방법에는 마이크로파 플라즈마 보조 CVD(Microwave plasma-assisted CVD, MPCVD), 플라즈마 강화 CVD(Plasma-Enhanced CVD, PECVD)가 포함된다. 이러한 CVD 공정은 플라즈마를 활용하여 전구체의 화학 반응 속도를 향상시킨다.
물리적 기상 증착(Physical vapour deposition, PVD)은 기화된 형태의 재료를 기판 표면(예를 들어, 반도체 웨이퍼) 상에 응축시켜 박막을 증착하는 다양한 방법을 설명하는 데 사용되는 일반적인 용어이다. 코팅 방법은 CVD와 달리 고온 진공 증발 또는 플라즈마 스퍼터 충격과 같은 순수 물리적 공정을 포함한다. PVD의 변형에는 음극 아크 증착, 전자빔 물리적 기상 증착, 증발 증착, 스퍼터 증착(즉, 일반적으로 타겟 물질 표면에 위치된 자기 터널에 갇힌 글로우 플라즈마 방전)이 포함된다.
층, 코팅, 증착물 및 필름이라는 용어는 CVD, LPCVD, PECVD(플라즈마 강화 CVD) 또는 PVD(물리적 기상 증착)와 같은 진공 처리 장비에 증착된 필름에 대해 본 발명에서 상호교환적으로 사용된다.
발명의 배경기술
기판 처리 장치 및 기판 처리 장치에서 기판을 처리하거나 처리된 작업편을 제조하는 방법은 널리 알려져 있다. 압력, 온도, 처리 시간 등과 같이 처리된 제품, 즉 처리된 기판 또는 작업편의 품질에 영향을 미치는 다수의 파라미터가 있다는 것도 알려져 있다. 그러나 실제 생활에서, 특히 실시간으로 이러한 파라미터를 측정하고 제어하는 것은 다소 어려울 수 있다. 결과적으로, 처리된 제품의 품질을 향상시키기 위해, 예를 들어, 개선된 기판 처리 장치 및/또는 이러한 파라미터들을 측정하는 개선된 방법을 제공함으로써 이러한 파라미터를 보다 신뢰할 수 있고 정확한 방식으로 제어해야 하는 끊임없는 요구가 있다.
특히 기판이 코팅되고 동일한 면에서 가열되는 장치의 경우 처리 중에 기판의 실제 상태를 감지하는 것이 매우 어려울 수 있다. 최신 기술에서는 PT100 센서 또는 열전대(thermocouples)와 같은 저항 온도 센서가 온도 측정을 위해 기판 홀더 또는 캐리어에 장착되는 경우가 가장 많다. 그러나 열전대 및 저항 온도 센서에는 복잡한 전기 피드스루가 필요하며 이는 특히 회전 가능한 테이블 및/또는 회전 가능한 기판 지지대에 위치한 기판과 같은 움직이는 기판의 온도를 측정해야 할 때 어려운 일이다. 대안으로 고온계(즉, 열 방사 센서)가 사용될 수 있지만 히터와 CVD 또는 PVD 소스에서 방출되는 원하지 않는 배경 방사에 매우 민감하므로 온도 측정 결과가 위조된다. 또한 기판에서 성장하는 코팅의 방사율(emissivity)은 시간이 지남에 따라 변하며 측정 결과에도 부정적인 영향을 미친다.
본 발명의 목적은 이동하는 기판의 온도 측정을 개선하기 위한 기판 처리 장치를 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 목적은 이동하는 기판의 온도를 측정하는 개선된 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 목적은 청구항 1항에 따른 기판 처리 장치에 의해 달성된다. 기판 처리 장치는 제1 축을 중심으로 회전 가능한 테이블을 포함한다. 테이블은 방사선이 투과되는(transparent) 적어도 하나의 제1 통로를 포함한다. 테이블의 제1 측면에는 적어도 하나의 제1 홀더가 회전 불가능(즉, 고정, 이동 불가능)하게 배치된다. 적어도 하나의 제1 홀더는 기판을 지지하도록 설계되고 제1 기판 평면을 한정한다. 적어도 하나의 제1 홀더는 방사선이 투과되는 적어도 하나의 제2 통로를 제공한다. 또한, 기판 처리 장치는 제1 기판 평면에 위치된 기판을 처리하기 위한 적어도 하나의 수단을 포함한다. 기판을 처리하기 위한 적어도 하나의 수단은 제1 기판 평면 및 테이블의 제1 측면을 향하여 배열된다. 더욱이, 기판 처리 장치는 테이블의 제2 측면에 배열되는 고온계를 포함하며, 테이블의 제2 측면은 테이블의 제1 측면과 반대 방향을 향한다. 적어도 하나의 제1 통로와 적어도 하나의 제2 통로는 고온계와(제1 기판 평면에 위치할 때) 적어도 하나의 기판 처리 수단으로부터 멀어지는 방향을 향하는 기판의 측면 사이에 광학적으로 작동하는 연결을 형성한다. 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 "아래로부터(from below)", 즉 처리되지 않는 쪽(not-to-be-processed-side)으로부터 기판의 온도를 측정할 수 있으므로 "상부", 즉 처리된 쪽(to-be-processed-side)으로부터(만) 측정되지 않는다. 현재 기술에서는 일반적으로 위에서부터 측정이 이루어진다. 한 가지 이유는 기판이 일반적으로 아래로부터 구조적으로 잘 보호되어 있어 위에서 측정하는 것이 덜 복잡하기 때문이다. 그러나 아래에서 측정하는 것의 장점 중 하나는 온도가 측정되는 측면으로부터 기판의 표면이 처리 결과로 인해 변경되거나 변형되지 않아 보다 정확한 온도 측정이 가능하다는 것이다. 특히 유리나 실리콘 기판의 경우가 그렇다. 더욱이, 기판 처리 수단의 열 방사가 고온계에 도달하지 않거나 전혀 도달하지 않아 측정 결과가 위조된다. 예를 들어, 광 경로라고도 설명될 수 있는 광학적으로 작동하는 연결은 물리적 통로(예를 들어, 방사선이 투과되는 관통 구멍 또는 윈도우)로 구현될 수 있을 뿐 아니라 또한 물리적 장벽을 관통하지 않고 기판으로부터 고온계로 방사선을 유도하는 거울을 사용하여 구현된다.
전술한 기판 처리 장치는 그 위에 위치하는 하나 이상의 기판을 회전 설정하도록 구성된 회전 가능한 테이블을 포함하지만, 본 발명은 선형 운동과 같이 일반적이고 특정하게 회전할 수 없는 방식으로 하나 이상의 기판을 이동시키는 테이블 또는 컨베이어 벨트에도 적용 가능하다.
모순되지 않는 한, 후술되는 실시예들 중 임의의 실시예와 조합될 수 있는, 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일 실시예에서, 기판 처리 장치는 기판을 지지하고 제2 기판 평면을 한정하기 위한 적어도 하나의 제2 홀더를 더 포함한다. 제2 홀더는 테이블의 제1 측면의 제2 축을 중심으로 회전 가능하게 배열된다. 제2 축은 제1 축과 다르다. 이들은 합동이 아니다. 특히, (제2 기판 평면에 위치할 때) 기판을 처리하기 위한 적어도 하나의 수단으로부터 멀어지는 방향을 향하는 기판의 측면과 고온계 사이에는 광학적으로 작동하는 연결이 제공되지 않는다.
본 실시예에서는 홀더가 아닌 테이블에 의해 회전되는 기판에 대해서만 온도 측정이 수행된다. 대부분의 경우 모니터링되는 기판은 추가 테스트 및/또는 품질 측정에 사용되지만 판매용이 아닌 더미(dummy) 또는 테스트 기판이다. 처리 결과를 개선하기 위해 다른 기판(또는 제2 홀더가 하나만 있는 경우 기판)은 추가로 제2 축을 중심으로 회전된다. 이 실시예의 장점 중 하나는 보다 비용 효율적인 구현이다.
전술한 기판 처리 장치는 제1 회전에서 그 위에 위치하는 하나 이상의 기판을 설정하도록 구성된 회전 가능한 테이블을 포함하지만, 본 발명은 하나 이상의 기판을 선형 이동과 같은 일반적이고 특별히 회전 가능한 방식이 아닌 방식으로 이동시키도록 구성된 테이블 또는 컨베이어 벨트에도 적용 가능하다. 그럼에도 불구하고, 제2 홀더는 예를 들어, 선형 방식으로 이동하는 테이블 또는 컨베이어 벨트의 제1 측면에 회전 가능한 방식으로 배열될 수 있다.
본 발명의 목적은 또한 청구항 3항에 따른 기판 처리 장치에 의해 달성된다.
기판 처리 장치는 제1 축을 중심으로 회전 가능한 테이블을 포함한다. 테이블은 방사선이 투과되는 적어도 하나의 제1 통로를 포함한다. 또한, 기판 처리 장치는 기판을 지지하고 제1 기판 평면을 한정하기 위한 적어도 하나의 제1 홀더를 포함한다. 제1 홀더는 테이블의 제1 측면에서 제2 축을 중심으로 회전 가능한 방식으로 배열되고 방사선이 투과되는 적어도 제2 통로를 제공한다. 제2 축은 특히 제1 축과 다르다. 즉, 합동이 아니다. 또한, 기판 처리 장치는 제1 기판 평면에서 기판을 처리하기 위한 적어도 하나의 수단을 포함한다. 기판을 처리하기 위한 적어도 하나의 수단은 제1 기판 평면 및 테이블의 제1 측면을 향하여 배열된다. 기판 처리 장치는 또한 테이블의 제2 측에 배열된 고온계를 포함한다. 테이블의 제2 측면은 테이블의 제1 측면과 반대쪽을 향한다. 적어도 하나의 제1 통로와 적어도 하나의 제2 통로는 고온계와 (제1 기판 평면에 위치할 때) 적어도 하나의 기판 처리 수단으로부터 멀어지는 방향을 향하는 기판의 측면 사이에 광학적으로 작동하는 연결을 형성한다. 본 실시예에서는 테이블과 테이블 위의 홀더에 의해 회전되는 기판의 온도가 모니터링될 수 있다. 이는 측정이 더미 또는 테스트 기판에서 수행되지 않고 일반 기판에서 수행됨을 의미한다. 이러한 방식으로 기판 처리 장치의 설정이 더 복잡해지더라도, 모니터링되는 기판이 나머지 처리된 기판과 정확히 동일한 방식으로 처리되면 더 나은 모니터링 결과를 얻을 수 있다. 또한, 더미나 테스트 기판이 생기지 않기 때문에 생산이 더욱 효율적이다.
전술한 기판 처리 장치는 제1 회전에서 그 위에 위치하는 하나 이상의 기판을 설정하도록 구성된 회전 가능한 테이블을 포함하지만, 본 발명은 하나 이상의 기판을 선형 이동과 같은 일반적이고 특별히 회전 가능한 방식이 아닌 방식으로 이동시키도록 구성된 테이블 또는 컨베이어 벨트에도 적용 가능하다. 그럼에도 불구하고, 제1 홀더는 예를 들어, 선형 방식으로 이동하는 테이블 또는 컨베이어 벨트의 제1 측면에 회전 가능한 방식으로 배열될 수 있다.
모순되지 않는 한, 계속 다루어질 실시예 중 임의의 실시예와 결합될 수 있는, 본 발명에 따른 이전의 기판 처리 장치의 일 실시예에서, 기판 처리 장치는 기판을 지지하고 제2 기판 평면을 한정하기 위한 적어도 하나의 제2 홀더를 포함한다. 제2 홀더는 테이블의 제1 측면에서 제3 축을 중심으로 회전 가능한 방식으로 또는 회전 불가능한 방식으로 배열된다. 제3 축은 제1 축 및 제2 축과 다르다. 셋은 합동이 아니다. 특히, (제2 기판 평면에 위치할 때) 기판을 처리하기 위한 적어도 하나의 수단으로부터 멀어지는 방향을 향하는 기판의 측면과 고온계 사이에는 광학적으로 작동하는 연결이 제공되지 않는다.
이 실시예는 선형 이동과 같이 일반적이고 특별히 회전 가능한 방식이 아닌 방식으로 하나 이상의 기판을 이동시키도록 구성된 테이블 또는 컨베이어 벨트에도 적용 가능하다. 그럼에도 불구하고, 제3 홀더는 예를 들어, 선형 방식으로 이동하는 테이블 또는 컨베이어 벨트의 제1 측면에 회전 가능하거나 회전 불가능하게 배열될 수 있다.
모순되지 않는 한, 앞서 언급된 실시예 중 임의의 실시예 및 앞으로 다루어질 실시예 중 임의의 실시예와 결합될 수 있는 본 발명에 따른 기판 처리 장치 중 하나의 일 실시예에서, 테이블, 제1 기판 평면에서 기판을 처리하기 위한 적어도 하나의 수단 및 적어도 하나의 제1 홀더는 진공 엔클로저 내에 배열된다.
대안으로, 테이블, 제1 기판 평면에서 기판을 처리하기 위한 적어도 하나의 수단, 적어도 하나의 제1 홀더 및 적어도 하나의 제2 홀더는 진공 엔클로저 내에 배열된다. 그러나 고온계는 상기 진공 엔클로저 외부에 배열되고 진공 엔클로저는 방사선이 투과되는 제3 통로를 포함한다. 제3 통로는 적어도 하나의 제1 통로 및 적어도 하나의 제2 통로와 함께 고온계와 (제1 기판 평면에 위치할 때) 기판을 처리하기 위한 적어도 하나의 수단으로부터 멀어지는 기판 측면 사이의 광학적으로 작동하는 연결을 형성한다. 고온계는 일반적으로 진공 엔클로저 내부 또는 외부에 배치될 수 있다. 그러나 진공 상태의 모든 요소들은 스트레스를 유발할 수 있는 넓은 압력 범위에 노출되므로 진공 엔클로저에는 가능한 한 적은 기술을 배치하는 것이 좋다. 또한, 진공 챔버가 작을수록 진공을 적용하는 데 필요한 시간과 에너지가 줄어든다.
이 실시예는 하나 이상의 기판을 선형 이동과 같이 일반적이고 특별히 회전 가능한 방식이 아닌 방식으로 이동시키도록 구성된 테이블 또는 컨베이어 벨트에도 적용 가능하다.
모순되지 않는 한, 앞서 언급된 실시예 중 임의의 실시예 및 앞으로 다루어질 실시예 중 임의의 실시예와 결합될 수 있는 본 발명에 따른 기판 처리 장치 중 하나의 일 실시예에서, 제1 통로, 제2 통로 및 제3 통로 중 적어도 하나는 실리콘(Si) 및/또는 게르마늄(Ge)을 포함한다. 특히 제3 통로는 실리콘(Si) 및/또는 게르마늄(Ge)을 포함한다.
이러한 재료들은 온도 측정을 실행하는 데 매우 적합한 방사 범위에 투명하기 때문에 유익하다. 또한 이러한 재료는 밀봉 특성을 잃지 않고 넓은 압력 범위를 잘 처리할 수 있다.
이 실시예는 하나 이상의 기판을 선형 이동과 같이 일반적이고 특별히 회전 가능한 방식이 아닌 방식으로 이동시키도록 구성된 테이블 또는 컨베이어 벨트에도 적용 가능하다.
모순되지 않는 한, 앞서 언급된 실시예 중 임의의 실시예 및 앞으로 다루어질 실시예 중 임의의 실시예와 결합될 수 있는 본 발명에 따른 기판 처리 장치 중 하나의 일 실시예에서, 기판 처리 장치는 (제1 기판 평면에 배치될 때) 기판 처리를 위한 적어도 하나의 수단으로부터 멀어지는 방향을 향하는 기판의 측면과 광학적으로 작동하도록 연결되어 있는 추가 고온계를 더 포함한다.
광학적으로 작동하는 연결은 적어도 하나의 제1 통로와 적어도 하나의 제2 통로에 의해 또는 적어도 하나의 제1 통로, 적어도 하나의 제2 통로 및 적어도 하나의 제3 통로에 의해 제공된다. 대안으로, 광학적으로 작동하는 연결은 각각 적어도 하나의 제1 통로 및 적어도 하나의 제2 통로 또는 각각 적어도 하나의 제1 통로, 적어도 하나의 제2 통로 및 적어도 하나의 제3 통로와 다른 추가 통로에 의해 제공된다. 고온계 및 추가 고온계는 (제1 기판 평면에 배치될 때) 기판을 처리하기 위한 적어도 하나의 수단으로부터 멀어지는 기판의 측면으로부터 방사선을 수신하도록 구성된다. 고온계와 추가 고온계는 특히 교대로 방사선을 수신하도록 구성된다.
이 실시예에서, 하나 이상의 광학적으로 작동하는 연결부(들)을 통해 기판으로부터 방출되는 방사선을 측정하는 것은 단지 하나의 고온계가 아니다. 2개 이상의 고온계를 사용하면 보다 지속적인 온도 모니터링이 가능하다. 각각의 고온계에는 특정 응답 시간이 있으며 교대 또는 순차적 방식으로 고온계를 구현하면 동일한 기간 동안 더 많은 측정 결과를 얻을 수 있다. 이는 테이블이 상당히 빠르게 회전할 때 예를 들어, 단지 40rpm이 아닌 약 120rpm으로 회전한다고 가정해 볼 때, 특히 흥미롭다. 결과적으로 360°회전당 3개의 측정 값 대신 1개의 측정 값만 사용할 수 있다. 각각의 추가 고온계는 추가 측정 값을 제공하므로 평균값을 계산하여 보다 안정적인 전체 결과를 제공한다. 동시에 두 개 이상의 고온계를 사용하여 온도 측정을 수행하면 기판의 온도 프로파일을 얻을 수 있다. 특히 고온계가 서로 바로 옆에 배열되지 않고 특정 거리와 다른 반경에 배열된 경우, 예를 들어, 하나의 고온계가 중앙에 위치하는 경우, 추가 고온계는 예를 들어, 처리할 기판 반경의 1/2, 3/4 또는 100% 거리에 분산되어 위치하므로 적절한 온도 프로파일을 얻을 수 있다. 또 다른 실시예에서, 고온계는 동일한 광학적으로 작동하는 연결을 계속 사용하기 위해 최대 거리에 배열된다.
이 실시예는 하나 이상의 기판을 선형 이동과 같이 일반적이고 특별히 회전 가능한 방식이 아닌 방식으로 이동시키도록 구성된 테이블 또는 컨베이어 벨트에도 적용 가능하다.
모순되지 않는 한, 앞서 언급된 실시예 중 임의의 실시예 및 앞으로 다루어질 실시예 중 임의의 실시예와 결합될 수 있는 본 발명에 따른 기판 처리 장치 중 하나의 일 실시예에서, 기판 처리 장치는 (제1 기판 평면에 위치할 때) 기판 처리를 위한 적어도 하나의 수단을 향하는 기판의 측면과 광학적으로 작동하도록 연결되는 추가 고온계를 더 포함한다. 광학적으로 작동하는 연결은 특히 적어도 하나의 제1 통로, 적어도 하나의 제2 통로 및 적어도 하나의 제3 통로와는 다른 제4 통로에 의해 제공된다. 추가 고온계는 (기판 평면에 배치될 때) 기판을 처리하기 위한 적어도 하나의 수단을 향하는 기판의 측면으로부터 방사선을 수신하도록 구성된다.
본 실시예에서, 기판의 온도는 기판의 양쪽 측면, 즉 기판 처리 수단을 향하는 측면과 기판 처리 수단으로부터 멀어지는 측면에서 측정된다. 이러한 방식으로 보다 정확한 온도 프로파일을 얻을 수 있다. 두 개 이상의 고온계를 사용하여 동일한 기판의 온도를 측정할 수 있고, 또한 이러한 방식으로 서로 다른 기판의 온도를 측정하는 것도 가능한데, 즉, 두 개 이상의 고온계가 테이블의 서로 다른 세그먼트들에 배열되고 측정이 거의 동시에 수행되는 경우이다. 또한, 동일한 기판이지만 다른 회전 위치에서 온도를 측정하는 것이 가능한데, 즉, 두 개 이상의 고온계가 테이블의 서로 다른 세그먼트들에 배열되고 측정이 서로 다른 시간에 수행되거나 즉 시간 지연된 경우이다. 실시예에서, 추가 고온계는 고온계보다 더 큰 통합 시간을 나타내므로 고온계는 실제로 기판의 온도를 측정하지만, 추가 고온계는 테이블과 기판(들)에 대한 평균값을 측정한다. 다른 실시예에서, 추가 고온계는 제1 축에 대한 테이블의 위치에 관계없이 기판에 대한 광학적으로 작동하는 연결이 없도록 위치된다. 그러나 테이블의 온도를 결정하기 위해 추가 고온계와 테이블 사이에 광학적으로 작동하는 연결이 제공된다. 이 실시예에서는 테이블에 대한 광학적 작동 연결만 있기 때문에 추가 고온계의 통합 시간은 중요하지 않다. 추가 실시예에서, 추가 고온계는 광학적으로 작동하는 연결에 따라 테이블 또는 기판에 대한 광학적으로 작동하는 연결이 설정되도록 위치된다. 추가 고온계의 통합 시간이 충분히 짧기 때문에 테이블과 기판(들)의 평균 온도 값이 아니라 테이블의 실제 온도가 결정된다. 추가 고온계가 트리거되어 측정 결과만 생성할 수도 있는데, 추가 고온계가 동기화 수단에 의해 테이블에 광학적으로 연결되어 있을 때, 예를 들어, 또는 추가 고온계 자체가 최대값이 아닌 값, 예를 들어, 최소값만 전달하도록 구성되어 있거나, 추가 고온계와 작동적으로 연결된 제어 장치는 최대값이 아닌 값, 예를 들어, 최소값만을 식별하고 전달하도록 구현되고 구성된다.
이 실시예는 하나 이상의 기판을 선형 이동과 같이 일반적이고 특별히 회전 가능한 방식이 아닌 방식으로 이동시키도록 구성된 테이블 또는 컨베이어 벨트에도 적용 가능하다.
모순되지 않는 한, 앞서 언급된 실시예 중 임의의 실시예 및 앞으로 다루어질 실시예 중 임의의 실시예와 결합될 수 있는 본 발명에 따른 기판 처리 장치 중 하나의 일 실시예에서, 고온계 및 추가 고온계는 (제1 기판 평면에 위치할 때) 기판을 처리하기 위한 적어도 하나의 수단으로부터 멀어지는 방향을 향하는 기판의 측면과의 광학적으로 작동하는 연결이 되도록 배열되며, (제1 기판 평면에 위치할 때) 기판을 처리하기 위한 적어도 하나의 수단을 향하는 기판 측면과의 광학적으로 작동하는 연결은 일치하거나 또는 구별된다.
이들이 일치하는 경우, 동일한 기판의 동일한 지점을 위쪽과 아래쪽에서 모니터링될 수 있다(측정이 동시에 수행되는 경우). 측정을 시간 지연하여 수행하면 온도 프로파일을 얻을 수 있다. 서로 다른 지점이 있는 경우 동일한 기판의 온도 프로파일을 얻을 수 있다(측정이 동시에 수행되는 경우). 측정이 시간 지연되어 수행되고 특히 기판의 회전과 동기화되면 동일한 기판의 동일한 지점을 위쪽과 아래쪽에서 모니터링할 수 있다.
이 실시예는 하나 이상의 기판을 선형 이동과 같이 일반적이고 특별히 회전 가능한 방식이 아닌 방식으로 이동시키도록 구성된 테이블 또는 컨베이어 벨트에도 적용 가능하다.
모순되지 않는 한, 앞서 언급된 실시예 중 임의의 실시예 및 앞으로 다루어질 실시예 중 임의의 실시예와 결합될 수 있는 본 발명에 따른 기판 처리 장치 중 하나의 일 실시예에서, 고온계 및/또는 추가 고온계는 5 내지 14 μm, 특히 5 내지 8 μm 또는 8 내지 14 μm, 더욱 특히 7.9 μm 또는 12 μm의 파장의 방사선을 수신하도록 구성된다.
이는 특히 실리콘(Si)과 게르마늄(Ge)을 통과하는 파장이므로 이들 물질 중 하나 이상을 포함하는 광학 경로에 대한 신뢰할 수 있는 측정 결과를 제공한다. 실시예에서, 고온계와 추가 고온계는 동일하게 구성되며, 특히 동일한 파장 또는 파장 범위의 방사선을 수신하도록 구성된다. 예를 들어, 이는 평균값, 온도 프로파일 등을 얻기 위해 더 많은 측정값들을 선호하는 경우 유용하다.
다른 실시예에서, 고온계와 추가 고온계는 서로 다르게 구성되며, 특히 서로 다른 파장 또는 서로 다른 파장 범위의 방사선을 수신하도록 구성된다. 이러한 방식으로 고온계는 다양한 재료의 기판에 최적화될 수 있다. 기판 유형에 따라 온도 측정은 하나 또는 다른 고온계를 사용하여 수행된다. 대안으로, 기판에 가장 적합한 고온계가 제공한 측정 값만 처리된다. 다양한 기판의 온도 측정을 위한 최적화의 관점에서 "구성(Configured)"은 특정 파장의 방사선 수신에만 한정되지 않는다. 예를 들어, 통합 시간, 방사선을 수신하도록 설계된 영역, 수광기의 깊이, 기판과 관련된(높이) 위치, 슬리브의 존재 또는 재질, … , 고온계의 더 많은 특성들은 기판의 재질에 따라 최적화된 측정을 달성하도록 구성될 수 있다.
이 실시예는 하나 이상의 기판을 선형 이동과 같이 일반적이고 특별히 회전 가능한 방식이 아닌 방식으로 이동시키도록 구성된 테이블 또는 컨베이어 벨트에도 적용 가능하다.
모순되지 않는 한, 여전히 다루어질 임의의 실시예와 결합될 수 있는, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 중 하나의 일 실시예에서, 고온계 및/또는 추가 고온계의 통합 시간은 15ms 이하, 특히 10ms 이하, 더욱 특히 5ms 이하이다. 이러한 짧은 통합 시간은 온도를 자주 모니터링하고 회전 속도가 빠른 경우에도 특히 유용하다.
이 실시예는 하나 이상의 기판을 선형 이동과 같이 일반적이고 특별히 회전 가능한 방식이 아닌 방식으로 이동시키도록 구성된 테이블 또는 컨베이어 벨트에도 적용 가능하다.
모순되지 않는 한, 앞서 언급된 실시예 중 임의의 실시예 및 앞으로 다루어질 실시예 중 임의의 실시예와 결합될 수 있는 본 발명에 따른 기판 처리 장치 중 하나의 일 실시예에서, (제1 기판 평면에 위치할 때) 기판을 처리하기 위한 적어도 하나의 수단으로부터 멀어지는 방향을 향하는 기판의 측면 사이의 광학적으로 작동하는 연결 및 고온계 및/또는 추가 고온계는 고온계 및/또는 추가 고온계가 기판으로부터 집중적으로 방출되고/방출되거나 기판으로부터 분산되어 방출되는 방사선을 수신하도록 설계된다.
특히 대형 기판의 경우 하나의 고온계가 중앙 집중식(centralized)으로 측정하고 추가 고온계가 분산되도록 기판 중심에서 가장자리까지의 온도 프로파일을 갖는 것이 흥미로울 수 있다. 소형 기판의 경우 중앙 집중식 측정을 통해 일반적으로 기판 온도에 대한 최상의 개요를 얻을 수 있다. 그러나 분산된 측정이 선호되는 처리 응용 프로그램도 있다.
이 실시예는 하나 이상의 기판을 선형 이동과 같이 일반적이고 특별히 회전 가능한 방식이 아닌 방식으로 이동시키도록 구성된 테이블 또는 컨베이어 벨트에도 적용 가능하다.
모순되지 않는 한, 앞서 언급된 실시예 중 임의의 실시예 및 앞으로 다루어질 실시예 중 임의의 실시예와 결합될 수 있는 본 발명에 따른 기판 처리 장치 중 하나의 일 실시예에서, 기판 처리 장치는 광학 모니터 및/또는 고온계와 기판 사이의 광학적으로 작동하는 연결의 일부인 적어도 하나의 렌즈 및/또는 추가 고온계와 기판 사이의 광학적으로 작동하는 연결의 일부인 적어도 하나의 렌즈를 더 포함한다.
광학 모니터는 적어도 하나의 고온계 외에 품질 관리를 위한 제2 수단이며 기판 처리 절차를 감독할 수 있다. 따라서 광학 모니터는 특히 처리 수단이 또한 배치되는 테이블 측면에 배치된다. 광학적으로 작동하는 연결의 일부인 렌즈는 기판의 방사선을 묶거나 산란시켜 고온계가 수신하는 빔을 최적화하고 전체 온도 측정을 향상시키는 데 도움이 된다.
이 실시예는 하나 이상의 기판을 선형 이동과 같이 일반적이고 특별히 회전 가능한 방식이 아닌 방식으로 이동시키도록 구성된 테이블 또는 컨베이어 벨트에도 적용 가능하다.
모순되지 않는 한, 앞서 언급된 실시예 중 임의의 실시예 및 앞으로 다루어질 실시예 중 임의의 실시예와 결합될 수 있는 본 발명에 따른 기판 처리 장치 중 하나의 일 실시예에서, 기판 처리 장치는 동기화 수단을 더 포함한다.
이러한 동기화 수단은 고온계에 의해 수행되는 방출 측정과 기판(들)의 회전, 즉 기판을 지지하기 위한 홀더(들) 및/또는 홀더(들)을 지지하는 테이블의 회전과 같은 움직임을 동기화하도록 구성된다. 대안으로, 동기화 수단은 추가 고온계 또는 추가 고온계와 추가 고온계에 의해 수행되는 방출 측정과 축 주위의 테이블의 회전 및/또는 제2 축 주위의 제1 홀더의 회전을 동기화하도록 구성되어, 고온계 및/또는 추가 고온계는 제1 기판 평면에 배치될 때 기판에 광학적으로 작동하도록 연결되어 있는 경우에만 방출을 측정한다. 따라서 고온계는 측정을 지속적으로 수행하지 않고 선택적으로 수행한다. 동기화를 위한 수단의 실시예는 도 9와 관련하여 더 설명되며, 본 발명의 미리 언급된 실시예 중 임의의 실시예 및 모순되지 않는 한 계속 다루어질 본 발명의 실시예 중 임의의 실시예와 독립적으로 결합될 수 있는 것으로 이해된다.
이 실시예는 하나 이상의 기판을 선형 이동과 같이 일반적이고 특별히 회전 가능한 방식이 아닌 방식으로 이동시키도록 구성된 테이블 또는 컨베이어 벨트에도 적용 가능하다.
모순되지 않는 한, 앞서 언급된 실시예 중 임의의 실시예 및 앞으로 다루어질 실시예 중 임의의 실시예와 결합될 수 있는 본 발명에 따른 기판 처리 장치 중 하나의 일 실시예에서, 기판 처리 장치는 고온계 및/또는 추가 고온계에 의해 수행되는 방출 측정의 전달과 축 주위의 테이블의 회전 및/또는 제2 축 주위의 제1 홀더의 회전을 동기화하기 위한 동기화를 위한 적어도 하나의 수단을 포함하여, 고온계 및/또는 추가 고온계는 제1 기판 평면에 배치될 때, 기판에 광학적으로 작동하도록 연결될 때 수행되는 방출 측정만 전달된다. 동기화 수단의 동기화 메커니즘은 특히 신호의 상승, 즉 (추가) 고온계에 의해 측정된 온도를 기반으로 하며, 이 상승은 제1 기판 평면에 위치할 때, 고온계 및/또는 추가 고온계와 기판 사이의 광학적으로 작동하는 연결 설정으로 인해 발생한다. 동기화 수단의 동기화 메커니즘은 또한 제1 기판 평면에 위치할 때, 특히 고온계 및/또는 추가 고온계와 기판 사이의 광학적으로 작동하는 연결의 종료로 인해 발생하는 신호의 저하(fall)에 기초한다.
일 실시예에서, 고온계는 지속적으로 측정하지만 사용자 인터페이스에는 단일 값만 표시된다. 동기화 수단은 최대값(또는 고온계가 테이블의 360°회전에서 두 개 이상의 기판과 광학적으로 작동 연결되는 경우 최대값)을 식별하고 전달하도록 프로그래밍되어 있다. 또는 동기화 수단은 테이블의 지난 360°회전 측정값을 분석하여 최대값을 식별하는 것이 아니라 즉시 식별한다. 최대값을 신속하게 식별하기 위해, 동기화 수단은 미리 정의된 측정 값 곡선의 양의 기울기에 도달할 때마다 하나 이상의 측정 값의 전달을 시작하고 측정 값 곡선의 미리 정의된 음의 기울기에 도달할 때마다 하나 이상의 측정 값 전달을 중지한다.
테이블 (및 해당되는 경우 홀더)의 회전 속도와 고온계와 기판 사이의 광학적으로 작동하는 연결을 제공하는 통로의 크기에 따라, 기판 당 1 내지 3개 또는 심지어 5개의 측정 값이 감지되고 테이블이 360°회전된다. 일 실시예에서, 테이블은 12~120rpm, 특히 약 40rpm으로 회전한다. 예를 들어, 120rpm에서는 기판 및 테이블 전체 회전당 하나의 측정 값만 사용할 수 있다. 예를 들어, 40rpm에서는 기판 및 테이블 전체 회전당 약 3개의 측정 값을 사용할 수 있다. 동기화 수단은 예시적으로 위에 설명된 동작 모드로부터 도출될 수 있는 바와 같이 테이블의 회전 속도에 자동으로 적응한다.
이 실시예는 하나 이상의 기판을 선형 이동과 같이 일반적이고 특별히 회전 가능한 방식이 아닌 방식으로 이동시키도록 구성된 테이블 또는 컨베이어 벨트에도 적용 가능하다.
모순되지 않는 한, 앞서 언급된 실시예 중 임의의 실시예 및 앞으로 다루어질 실시예 중 임의의 실시예와 결합될 수 있는 본 발명에 따른 기판 처리 장치 중 하나의 일 실시예에서, 고온계 및/또는 추가 고온계는 제1 축을 중심으로 테이블이 360°회전하는 동안 영구적으로 온도를 측정하도록 구성된다. 더욱이, 고온계 및/또는 추가 고온계는 최대값, 특히 1회 360°회전당 최대값 1 내지 3개만 전달하도록 구성된다. 대안으로, 기판 처리 장치는 고온계 및/또는 추가 고온계와 작동적으로 연결되고 최대값만, 특히 1회 360°회전당 1 내지 3개의 최대값을 식별하여 전달하도록 구성된 제어 장치를 더 포함한다.
이 실시예에서, 고온계(들)은 측정이 연속적으로 수행되더라도 기판(들)의 실제 온도 값만을 사용자 인터페이스 또는 프로세서에 전달함으로써 기판(들)의 실제 온도 값만 제공한다. 따라서 측정값 선택은 고온계 내에서 수행된다. 대안으로, 고온계 및/또는 추가적인 고온계는 제어 장치와 작동적으로 연결되며, 제어 장치는 최대값만을 식별하고 전달하도록 구성된다.
이 실시예는 하나 이상의 기판을 선형 이동과 같이 일반적이고 특별히 회전 가능한 방식이 아닌 방식으로 이동시키도록 구성된 테이블 또는 컨베이어 벨트에도 적용 가능하다.
모순되지 않는 한, 앞서 언급된 실시예 중 임의의 실시예 및 앞으로 다루어질 실시예 중 임의의 실시예와 결합될 수 있는 본 발명에 따른 기판 처리 장치 중 하나의 일 실시예에서, 테이블은 12~120rpm, 특히 약 40rpm의 속도를 갖도록 구성된다.
본 발명의 추가 양상은 기판의 온도를 측정하기 위한, 특히 이동하는 기판의 온도, 더 나아가 특히 회전하는 기판의 온도를 측정하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치 중 하나의 용도에 대한 것이다. 회전 기판은 바람직하게는 제1 회전축 및/또는 제2 회전축을 중심으로 회전한다.
본 발명의 또 다른 양상은 이동하는 기판의 온도를 측정하는 방법에 대한 것이다. 방법은 기판 처리 장치의 테이블 상의 제1 축 주위로 기판을 회전시키는 단계, 또는 기판 처리 장치의 테이블 또는 컨베이어 벨트 상의 제1 방향을 따라 기판을 이동시키는 단계 및 제1 측면(first side)으로부터 기판을 처리하기 위한 적어도 하나의 수단을 제공하는 단계를 포함한다. 또한, 방법은 고온계와 기판 사이의 광학적으로 작동하는 연결을 통해 고온계에 의해 기판의 제2 측면으로부터 방출되는 방사선을 수신하는 단계를 포함한다. 기판의 제2 측면은 제1 측면과 대향한다.
따라서 이 방법을 사용하면 한쪽에서 기판을 처리하고 다른 쪽, 즉 반대쪽에서 온도를 측정할 수 있다. 이는 기판 처리 수단에서 발생하는 산란된 방사선이 덜 검출되기 때문에 더욱 정확한 측정 결과를 가져온다.
모순되지 않는 한, 여전히 다루어질 임의의 실시예와 조합될 수 있는 본 발명에 따른 방법의 일 실시예에서, 방법은 기판을 지지하는 홀더 상의 제2 축 주위로 기판을 회전시키는 단계를 더 포함한다. 홀더가 테이블 위에 배치된다.
보다 균일한 기판 처리 결과를 얻으려면 두 개의 서로 다른 축을 중심으로 처리할 기판을 회전시키는 것이 좋다. 품질 관리상의 이유로 서로 다른 두 축을 중심으로 회전하는 기판의 경우에도 정확한 온도 측정이 가능한 방법을 보유하는 것이 도움이 된다.
모순되지 않는 한, 앞서 언급된 실시예 중 임의의 실시예 및 여전히 다루어질 실시예 중 임의의 실시예와 결합될 수 있는 본 발명에 따른 방법의 일 실시예에서, 방법은 고온계와 기판 사이의 광학적으로 작동하는 연결을 통해 추가 고온계에 의해 기판의 제2 측면으로부터 방출되는 방사선을 수신하는 단계를 더 포함한다. 제2 측면은 제1 측면에 대향한다. 대안으로, 또는 추가적으로, 방법은 추가 고온계와 기판 사이의 추가 광학적으로 작동하는 연결을 통해 추가 고온계에 의해 기판의 제2 측면으로부터 방출되는 방사선을 수신하는 단계를 더 포함한다. 제2 측면은 제1 측면에 대향한다. 대안으로, 또는 추가적으로, 방법은 추가 고온계와 기판 사이의 추가 광학적으로 작동하는 연결을 통해 추가 고온계에 의해 기판의 제1 측면으로부터 방출되는 방사선을 수신하는 단계를 더 포함한다.
2개 이상의 고온계를 사용하면 보다 지속적인 온도 모니터링이 얻어질 수 있다. 추가 고온계를 더 포함하는 기판 처리 장치의 실시예와 관련하여 추가 설명이 제공된다.
모순되지 않는 한, 앞서 언급된 실시예 중 임의의 실시예 및 여전히 다루어질 실시예 중 임의의 실시예와 결합될 수 있는 본 발명에 따른 방법의 일 실시예에서, 방법은 제1 축 및/또는 제2 축 주위의 기판의 회전과 같은 이동을 고온계와 기판 사이의 광학적 작동 연결을 통해 방사선의 수신과 동기화하는 단계를 추가로 포함한다. 대안으로 또는 추가적으로, 방법은 추가 고온계와 기판 사이의 광학적으로 추가적인 작동 연결을 통해 방사선의 수신과 제1 축 및/또는 제2 축 주위의 회전과 같은 기판의 이동을 동기화하는 단계를 더 포함한다.
동기화가 좋을수록 고온계가 수신하는 방출된 빛의 양이 많아지고 측정 결과가 더 정확해진다. 또한 고온계의 응답 시간을 건너뛰고 측정 시간 프레임을 가장 잘 활용하는 방식으로 동기화가 최적화될 수 있다.
모순되지 않는 한, 앞서 언급된 실시예 중 임의의 실시예 및 여전히 다루어질 실시예 중 임의의 실시예와 결합될 수 있는 본 발명에 따른 방법의 일 실시예에서, 고온계와 기판 사이의 광학적으로 작동하는 연결을 통해 고온계에 의해 기판의 제2 측면으로부터 방출된 방사선의 수신, 제1 측면에 대향하는 제2 측면 및 추가 고온계와 기판 사이의 추가적인 광학적 작동 연결을 통해 추가 고온계에 의해 기판의 제1 측면으로부터 방출된 방사선의 수신이 동시에 수행되고, 시간적으로 이동되고, 동일(congruent)하고/동일하거나 구별된다. 예를 들어, 두 개 이상의 고온계를 사용하여 양면에서 기판의 온도를 측정하면 보다 정확한 온도 모니터링이 가능하다. (제1 기판 평면에 배치될 때) 기판 처리를 위한 적어도 하나의 수단을 향하는 기판의 측면과 광학적으로 작동 연결되는 추가 고온계를 더 포함하는 기판 처리 장치의 실시예와 관련하여 추가 설명이 제공된다.
모순되지 않는 한, 앞서 언급된 실시예 중 임의의 실시예 및 여전히 다루어질 실시예 중 임의의 실시예와 결합될 수 있는 본 발명에 따른 방법의 일 실시예에서, 고온계 및/또는 추가 고온계는 고온계 및/또는 추가 고온계가 기판과 광학적으로 작동하도록 연결된 경우에만 방사선을 수신한다. 대안으로, 고온계 및/또는 추가 고온계 프로세스는 고온계 및/또는 추가 고온계가 기판과 광학적으로 작동하도록 연결되어 있는 경우에만 온도 값까지 방사선을 수신한다.
일 실시예에서,(추가) 고온계는 테이블이(추가) 고온계와 기판 사이에 광학적으로 작동하는 연결이 설정되지 않은 위치에 있을 때마다 물리적으로 덮일(covered) 수 있다. 결과적으로(추가) 고온계는 방사선을 수신할 수 없다. 대안으로,(추가) 고온계는 테이블이(추가) 고온계와 기판 사이에 광학적으로 작동하는 연결이 설정되지 않은 위치에 있을 때마다 수신된 방사선을 수신하거나 처리하지 않도록 전자적으로 제어될 수 있다. 따라서 기판의 실제 온도를 나타내는 온도 값만 제공되며 다른 온도 값은 제공되지 않는다.
모순되지 않는 한, 앞서 언급된 실시예 중 임의의 실시예 및 여전히 다루어질 실시예 중 임의의 실시예와 결합될 수 있는 본 발명에 따른 방법의 일 실시예에서, 방법은 고온계 및/또는 추가 고온계에 의해 테이블로부터 방출된 방사선을 수신하는 단계를 더 포함한다. 일 양상에 따르면, 고온계 및/또는 추가 고온계가 기판과 광학적으로 작동하도록 연결되어 있을 때 수행되는 방출 측정만이 제공된다. 예를 들어, 제공은(추가) 고온계 자체, 동기화 수단 또는 제어 장치에 의해 수행된다. 다른 측면에 따르면, 고온계 및/또는 추가 고온계가 기판이 아니라 테이블과 광학적으로 작동하도록 연결되어 있을 때 수행되는 방출 측정만이 제공된다.
더 추가적인 양상에서, 고온계 및/또는 추가 고온계가 테이블 및 기판과 광학적으로 작동하도록 연결될 때 수행되는 방출 측정이 제공된다.
본 실시예의 양상에 의하면, 기판 단독, 테이블 단독 또는 기판과 테이블에 대한 온도 정보를 얻는 것이 가능하다.
본 발명은 이제 도면에 의해 추가로 설명될 것이다. 도면은 다음을 개략적으로 도시한다:
도 1a는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 개략도이다.
도 2는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일 실시예의 개략도이다.
도 3는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 추가 실시예에 대한 개략도이다.
도 4는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 추가 실시예에 대한 개략도이다.
도 5는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 추가 실시예에 대한 개략도이다.
도 6a는 본 발명에 따른 기판 처리 장치에 사용되는 기판 홀더의 다양한 실시예의 개략도이다.
도 6b는 본 발명에 따른 기판 처리 장치에 사용되는 기판 홀더의 실시예의 개략적인 평면도 및 단면도이다.
도 6c는 본 발명에 따른 기판 처리 장치에 사용되는 기판 홀더의 다양한 실시예의 추가 개략도이다.
도 7은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 추가 실시예에 대한 개략도이다.
도 8은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 추가 실시예에 대한 개략도이다.
도 9는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 추가 실시예에 대한 개략도이다.
도 10은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 추가 실시예에 대한 개략도이다.
도 1은 제1 회전축(x)을 중심으로 회전 가능한 테이블(10)을 포함하는 기판 처리 장치(1)의 단면도를 도시한다. 테이블(10)이 본질적으로 원통형 형상을 갖고 이에 따라 회전 대칭인 경우, 제1 회전축(x)은 테이블(10)의 회전 대칭축과 위치가 동일할 수 있다. 또한, 기판 처리 장치(1)는 기판(20)을 지지하는 홀더(11)를 포함한다. 홀더(11)는 테이블(1001)의 제1 측면으로 지정되는 테이블의 한 측면에 정적(static), 즉 회전 불가능한 방식으로 배열된다. 또한, 홀더는 기판 평면(19)을 한정한다. 예를 들어, 홀더(11)는 기판(20)의 둘레를 지지하는 연속 또는 단속형 링형 척(ring-shaped chuck)으로 설계된다. 기판(20)을 처리하기 위해, 기판 처리 장치(1)는 히터(50) 및/또는 소스(60)(예를 들어, 타겟 또는 스퍼터 소스와 같은 CVD 소스 또는 PVD 소스)와 같은 기판을 처리하기 위한 적어도 하나의 수단을 포함한다. 히터(50)와 소스(60)는 둘 다(둘 다 존재하는 경우, 그렇지 않으면 이 설명은 둘 중 하나가 존재하는 것에 적용됨) 배치되어, 이들은, 회전 테이블(10)에 의해 구동되는 기판 평면(19)의 기판(20)이 히터(50) 및/또는 소스(60)를 통과할 때, 테이블(10)으로부터 멀어지는 방향, 특히 테이블(1001)의 제1 측면으로부터 멀어지는 방향을 가리키는 기판(20)의 측면으로부터 기판 평면(19) 내에서 기판(20)을 처리할 수 있다. 히터(50) 및/또는 소스(60)는 예를 들어, 기판 처리 장치(1)의 상부 영역에 배치된다. 기판(20)의 실제 존재를 요구하지 않고 기판 처리 장치(1)의 설정을 설명할 수 있도록 기판 평면(19)이 도입된다는 점에 유의해야 한다. 기판 평면(19)은 홀더(11) 상에 위치하는 기판(20)을 상징하거나 나타낸다. 기판(20)이 반드시 평평한 것은 아니므로 거의 2차원 기하학적 본체일지라도, "평면"으로의 단순화는 기판 처리 장치(1)의 기능에 어떤 영향도 미치지 않는다. 즉, 홀더(11) 상의 기판(20)이 기판 평면(19)과 동일 평면에 있지 않고 처리 수단(50, 60) 방향으로 또는 테이블(10) 방향으로 또는 양방향으로 기판 평면(19)으로부터 돌출할 때 아무것도 변하지 않는다. 기판 처리를 모니터링 하기 위해, 기판 평면(19) 내의 기판(20)의 온도는 기판(20)의 처리되지 않은(not-to-be-processed) 측면으로부터, 즉 처리 수단(50, 60)으로부터 멀어지고 테이블(10)을 향하여 가리키는, 특히 테이블(10)의 제1 측면(1001)에 대한 기판(20)의 측면으로부터 고온계(40)에 의해 결정된다.
이 실시예에서, 측정되는 것은 회전 불가능한 홀더(11) 상에 위치한 기판(20)의 온도이고, 여기서 기판(20)은 테이블(10)의 회전에 의해서만 회전하지만 홀더(11)의 회전축 주위 또는 그 자체의 축 주위에서는 회전하지 않는다.
고온계(40)와 기판(20) 사이에 광학 경로를 생성하기 위해, 테이블(10)은 방사선이 통과하기 위한 제1 통로(21)를 포함한다. 이러한 제1 통로(21)는 기판(20) 아래에 배열되어 홀더(11)에 의해 둘러싸인 테이블(10)의 영역 내에, 즉 홀더(11)의 위치에 의해 한정되거나 제한되거나 경계를 이루는 테이블(10)의 영역 내에 배열된다. 이 실시예에서 제1 통로(21)는 중심으로 배열되지 않고, 기판(20)의 연장 또는 홀더(11)의 디자인/형상과 관련하여 분산되어 있다. 그러나, 고정 홀더(11)에 대해 중심 방식으로 설계된 제1 통로(21)를 갖는 것도 가능하다. 고온계(40)와 기판(20) 사이의 광학 경로를 완성하기 위해, 홀더(11)는 예를 들어, 링형 척과 같은 일반적인 설계로 인해 개구부를 갖거나 적어도 부분적으로 방사선이 투과되는 재료로 제조됨으로써 방사선이 통과하는 제2 통로(22)를 제공한다. 고온계(40)의 위치와 테이블(10)의 제1 통로(21) 및 홀더(10)의 제2 통로(22)의 위치는 테이블(10)의 1회 360°회전 내에서 적어도 부분적으로 정렬되도록 조정된다. 예를 들어, 직경이 1300mm인 테이블(10)은 예를 들어, 40rpm으로 회전하며, 홀더(11)는 테이블(10)의 원주에 위치하지 않고 오히려 직경이 예를 들어, 1000mm인 원을 따라 위치한다. 광로에 기여하는 통로(21, 22)의 최소 직경은 예를 들어, 40mm이다. 고온계(40)의 스폿(spot) 크기는 예를 들어, 20mm 이하, 예를 들어, 15mm이고, 고온계는 예를 들어, 30mm의 길이를 포함한다. 기판 평면(19)과 고온계(40) 사이의 거리는 예를 들어, 200mm에서 400mm 사이로 다양하며, 테이블(10)은 특히 높이 조절이 가능하다.
도 2는 제1 회전축(x)을 중심으로 회전 가능한 테이블(10)을 수신하는 진공 엔클로저(2)를 포함하는 기판 처리 장치(1)의 단면도를 도시한다. 테이블(10)이 본질적으로 원통형 형상을 갖고 이에 따라 회전 대칭인 경우, 제1 회전축(x)은 테이블(10)의 회전 대칭축과 위치가 동일할 수 있다. 도 1에 도시된 기판 처리 장치(1)와 비교하여, 도 2의 기판 처리 장치(1)는 단지 하나의 홀더(11) 대신에 두 개의 홀더(11a,b)를 포함한다. 각각의 홀더(11a,b)는 기판 평면(19a,b)에서 기판(20a,b)을 지지하도록 구성된다. 홀더(11a,b)는 테이블(10)의 제1 측면(1001)에 배열되고, 제1 홀더(11a)의 구성은 도 1에 도시된 하나의 홀더(11)와 동일하다. 그러나, 제2 홀더(11b)는 테이블(10) 상에서 제2 회전축(y)을 중심으로 회전 가능하게 배치된다. 이 제2 회전축 y는, 홀더(11b)가 제2 회전축(y)을 중심으로 회전할 때. 예를 들어, 제2 홀더(11b)에 위치하는 회전 대칭 기판(20b)(예를 들어, 본질적으로 원통형 형상을 가짐)이 이의 회전 대칭축을 중심으로 회전되도록 한정된다. 예를 들어, 홀더(11a,b)는 기판(20a,b)의 원주를 지지하는 연속 또는 단속(interrupted) 링형 척으로 설계된다. 기판(20a,b)을 처리하기 위해, 기판 처리 장치(1)는 도 1과 관련하여 이미 설명한 바와 같이 적어도 히터(50) 및/또는 소스(60)를 포함한다. 기판 처리를 모니터링하기 위해, 기판 처리 장치(1)의 기판(20a,b) 중 적어도 하나의 온도는 테이블(1002)의 제2 측면으로부터, 따라서 기판(20a,b) 중 적어도 하나의 처리되지 않은 측면으로부터 고온계(40)를 사용하여 결정된다. 이 실시예에서, 측정되는 것은 제2 회전축을 중심으로 회전하지 않는 제1 홀더(11) 상에 위치하는 제1 기판(20a)의 온도이다. 그럼에도 불구하고, 테이블(11) 자체는 x축을 중심으로 회전 가능하므로, 제1 홀더(11a) 상에 위치하는 제1 기판(20a)이 이동한다. 제1 및 제2 기판(20a,b)은 재료, 크기 등이 동일한 것이 바람직하다. 그러나, 일 실시예에서, 제1 기판(20a)은 더미 기판이고, 제2 기판(20b)은 그렇지 않다. 더미 기판은 실리콘 Si 더미 기판인 것이 바람직하다. 더미 기판은 기본적으로 "모니터링" 기판으로 사용된다. 이는 다른 비-더미 기판보다 특정하고 다른 재료(유리와 같이 더 저렴한 재료)로 제조될 수도 있지만 동일한 재료와 품질로 제조될 수도 있다. 예를 들어, 더미 기판을 사용하여 코팅 두께와 온도를 모니터링할 수 있다. 모니터링 방법에 따라 더미 기판이 손상되어 분석 후 폐기될 수 있다. 때로 품질 보증을 위한 더미 기판은 장치의 각각의 실행이 아닌 매 10 또는 15주기마다 사용된다. 일반적으로, 더미 기판이 항상 동일한 홀더 상에 위치할 때, 특히 상기 홀더가 고정되어 회전하지 않는 홀더일 때 모니터링이 더 정확하다. 고온계(40)와 제1 기판(20a) 사이에 광학 경로를 생성하기 위해, 기판 처리 장치(1, 도 1)와 관련하여 이미 설명된 바와 같이, 제1 통로(21) 및 제2 통로(22)가 제공된다. 도 2의 실시예의 기판 처리 장치(1)의 고온계(40)는 진공 엔클로저(2) 내에 있지(hosted) 않기 때문에, 진공 엔클로저(2)는 방사선, 특히 특정 파장 또는 특정 파장 범위의 방사선을 통과시키는 제3 통로(23)를 포함한다. 제3 통로(23)는 예를 들어, 게르마늄 Ge 또는 실리콘 Si로 제조된다. 이러한 제3 통로(23)는 고온계(40)와 기판(20a) 사이의 광학 경로의 연속을 제공하고, 고온계(40), 테이블(10)의 제1 통로(21) 및 제1 홀더(11a)에 의해 제공되는 제2 통로(22)가 테이블(10)의 회전 운동에 의해 적어도 부분적으로 일직선이 될 때마다 제3 통로(23)가 고온계(40), 테이블(10)의 제1 통로(21) 및 제1 홀더(11a)에 의해 제공되는 제2 통로(22)와 적어도 부분적으로 일직선이 되도록 배열된다. 도 3은 제1 기판(20a)의 온도를 측정하기 위해 사용되는 고온계(40)가 단지 하나가 아니라는 점을 제외하고 도 2의 기판 처리 장치와 유사한 기판 처리 장치(1)의 단면도를 도시한다. 이 실시예에서, 기판 처리 장치(1)는 고온계(40) 및 추가 고온계(41)를 포함한다. 고온계(40)와 추가 고온계(41)는 바람직하게는 교대 방식으로 온도를 측정하여 고온계는 본원에서 제한 요소가 되는 특정 통합 시간을 갖기 때문에 하나의 고온계만 구현하는 것보다 더 높은 빈도로 온도를 결정할 수 있다.
도 4는 도 2의 기판 처리 장치와 비교 가능한 기판 처리 장치(1)의 단면도를 도시하는데, 차이점은 도 4에 의한 장치는 처리된(to-be-processed) 기판(20a,b)의 처리를 모니터링하기 위한 광학 모니터(30)를 추가로 포함한다는 것이다. 광학 모니터(30)는 진공 엔클로저(2) 외부에 배치되므로, 광학 모니터(30)와 기판(20a,b) 사이에 광학 경로를 생성하려면 방사선을 통과시키는 제4 통로(24)가 필요하다. 이 실시예에서, 제4 통로(24)는 제3 통로(23) 반대편에 위치되고, 두 통로는 각각 기판(20a,b)과 기판 평면(19a,b)의 반대편에 배치된다. 고온계(40)와 광학 모니터(30) 모두는 예를 들어, 피드백 루프에 의해 소스(60) 및/또는 히터(50)를 제어하는 데 사용될 수 있다. 소스(60) 및/또는 히터(50)를 제어하기 위해 둘 중 하나만 구현하면 충분하다는 점에 유의해야 한다.
도 5는 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)의 사시도를 도시한다. 이 실시예에서 회전식 테이블(10)은 총 4개의 기판 홀더(11)를 포함하며, 홀더(11) 중 3개는 각각 기판(20)을 지지한다. 제4 홀더(11)에는 아직 기판이 배치되어 있지 않으며 홀더(11)의 특정 디자인이 보인다. 홀더(11)의 중앙에는 홀더(11)를 운반하고 홀더(11)의 회전축을 형성하는 샤프트(15)가 표시되어 있다. 홀더(11)는 테이블(10)과 동일한 방향으로 회전한다. 홀더(11)는 각각 반달 모양을 포함하는 소위 제2 통로(22) 중 2개를 포함한다. 샤프트(15)가 중심으로 배열되기 때문에, 제2 통로(22)는 분산되어 홀더(11)의 가장자리에 배열된다. 고리 모양 또는 유사한 홀더를 갖는 실시예의 제1 통로(들)에도 동일하게 적용된다. 테이블(10)의 제1 통로는 2개의 제2 통로(22)에 의해 그리고 적어도 부분적으로 홀더(11)에 의해 중첩되고 따라서 제2 통로(22)를 통해서만 보이기 때문에 표시되지 않는다. 표시된 회전 위치에서, 홀더(11)에 위치된 기판(고온계(40)를 가리키는 화살표 참조)에서 방출된 빛은 기판 처리 장치(1)의 진공 엔클로저(2)의 오른쪽에 있는 제2 통로(22)와 이의 하부에 있는 제1 통로 및 제3 통로(23)를 통과하여 최종적으로 고온계(40)에 도달할 수 있다. 온도 측정에서 가장 신뢰할 수 있는 결과를 얻기 위하여, 방출 측정과 기판(20) 또는 홀더(11)의 회전을 각각 동기화하는 접근 방식이 있다. 이 실시예에서 기판(20)은 히터(50) 및 소스(60)에 의해 처리된다.
도 6a는 본 발명에 따른 기판 처리 장치에 사용되는 홀더(11)의 실시예의 평면도를 도시한다. 좌측의 홀더(11)는 중심축(15)에 의해 지지되고 소위 두 개의 C자형인 제2 통로(22)를 포함한다. 제2 통로(22)는 거울 대칭(점선과 직사각형으로 표시된 대칭 평면)이고 홀더(11)의 기본 원형 형상에 맞춰져 있다. 제2 통로(22)는 전체 범위에 걸쳐 동일한 세그먼트 두께(이중 화살표로 표시됨)를 포함한다. 또한, 제2 통로(22)의 외부 원주는 홀더(11)의 원주와 등거리이고, 그 내부 원주는 중심 샤프트(15)와 등거리이며, 두 거리는 사방형(rhomb)으로 정의된 "이중 화살표"로 표시된다. 중앙에 도시된 홀더(11)는 두 개의 거울대칭(점선과 직사각형으로 표시된 대칭 평면)과 C자형 제2 통로(22)를 포함한다. 제2 통로(22)는 전체 범위에 걸쳐 동일한 세그먼트 두께(이중 화살표로 표시됨)를 포함한다. 그러나, 제2 통로(22)의 외주면은 홀더(11)의 원주와 등거리가 아니며, 내주면도 중심축(15)과 등거리가 아니다. C자형 제2 통로(22)의 외주면은 C자형 제2 통로(22)의 단부에서 홀더(11)의 원주에 더 가깝고 중간에서 더 멀리 떨어져 있고, 내부 원주는 중앙에서 중심 샤프트(15)에 더 가깝고 C자형 제2 통로(22)의 끝에서 더 멀리 떨어져 있다.
우측에 도시된 홀더(11)는 두 개의 거울대칭(점선과 직사각형 선으로 표시된 대칭 평면)과 C자형 제2 통로(22)를 포함한다. 제2 통로(22)의 형상은 반달 모양으로 더 구체화될 수 있으며, 여기서 외부 원주는 홀더(11)의 둥근 원주에 맞추어진다. 이는 제2 통로(22)의 외주면의 거리가 홀더(11)의 원주와 등거리임을 의미한다. 반달형은 중앙이 두꺼워지고 끝이 가늘어질수록 점점 좁아지는 특징이 있으므로, 제2 통로(22)의 내주면은 중앙의 중심축(15)에 가까워진다.
도 6b는 본 발명에 따른 기판 처리 장치에 사용되는 홀더(11)의 일 실시예의 평면도 및 단면(평면도 하부)을 도시한다. 홀더(11)의 디자인은 도 6a의 좌측에 도시된 홀더와 유사하다. 절단선은 홀더(11)를 회전 구동하도록 구성된 샤프트(15)와 C자형 제2 통로(22)의 중간 세그먼트를 통과한다.
도 6c는 본 발명에 따른 기판 처리 장치에 사용되는 홀더(11)의 실시예의 평면도를 도시한다. 좌측에 있는 두 개의 홀더는 도 6a와 관련하여 이미 설명한 가장 좌측 홀더의 실시예이다. 그러나 여기서 홀더(11)는 2개의 소위 C자형 및 제2 통로 대신에 4개 또는 3개의 C자형 제2 통로(22)를 도시한다. 우측의 홀더(11)는 둥근 단일의 제2 통로(22)만을 포함한다. 도시된 모든 홀더들은 중심 샤프트(15)에 의해 지지된다.
도 7은 제1 회전축(x) 주위로 회전 가능한 테이블(10)을 수신하는 진공 엔클로저(2)를 포함하는 기판 처리 장치(1)의 단면도를 도시한다. 테이블(10)이 본질적으로 원통형 형상을 갖고 이에 따라 회전 대칭인 경우, 제1 회전축(x)은 테이블(10)의 회전 대칭축과 위치가 동일할 수 있다. 또한, 기판 처리 장치는 각각 기판(20, 20b)을 지지하기 위한 2개의 홀더(11, 11b)를 포함하고, 홀더(11, 11b)는 제1 측면(1001)이라고도 불리는 테이블(10)의 상부 측면에 배열된다. 홀더(11, 11b)는 테이블(10)의 제2 회전축(y)과 제3 회전축(y')을 중심으로 회전 가능하게 배치된다. 예를 들어, 제2 및 제3 회전축(y,y')은, 홀더(11,11b)가 제2 또는 제3 회전축(y,y')을 중심으로 회전할 때, 회전 대칭형 기판(20, 20b)(예를 들어, 본질적으로 원통형 형상을 가짐)이 회전형 홀더(11, 11b)에 위치하거나 회전 대칭형 홀더(11, 11b) 자체가 이의 회전 대칭축을 중심으로 회전되는 방식으로 한정된다. 예를 들어, 홀더(11, 11b)는 기판(20, 20b)의 원주를 지지하는 연속 또는 단속된 고리형 척으로 설계된다. 기판(20, 20b)을 처리하기 위해, 기판 처리 장치(1)는 적어도 히터(50) 및/또는 소스(60)(예를 들어, 타겟 또는 스퍼터 소스와 같은 CVD 소스 또는 PVD 소스)를 포함한다. 히터(50)와 소스(60)는 모두(둘 다 존재하는 경우, 그렇지 않으면 이 설명은 이들 중 하나가 존재하는 것에 적용됨) 기판 처리 장치(1)의 상부 영역에 배치되어 기판(20, 20b)이 회전식 테이블(10)에 의해 구동되는 히터(50) 및/또는 소스(60)를 통과할 때 테이블(1001)의 제1 측면을 향하지 않고 반대쪽을 향하는 측면으로부터 기판(20)을 처리할 수 있다. 기판 처리를 모니터링하기 위해, 기판 처리 장치(1)의 적어도 하나의 기판(20)의 온도는 테이블(1002)의 제2 측면으로부터, 따라서 기판(20) 중 적어도 하나의 처리되지 않은 측면으로부터 고온계(40)에 의해 결정된다. 고온계(40)와 적어도 하나의 기판(20) 사이에 광학 경로를 생성하기 위해, 테이블(10)은 방사선을 통과시키기 위한 제1 통로(21)를 포함한다. 이러한 제1 통로(21)는 적어도 하나의 기판(20) 하부에 배열되어 홀더(11)에 의해 둘러싸인 테이블(10)의 영역, 즉 홀더(11)의 위치에 의해 한정되는 테이블(10)의 영역 내에 배열된다. 제1 통로(21)는 바람직하게는 중심에 배치되지 않고 제2 회전축(y)에 대해 분산되어 배치된다. 고온계(40)의 위치와 테이블(10)의 제1 통로(21)의 위치는 테이블(10)의 360°회전 내에서 한 번은 적어도 부분적으로 일직선이 되도록 조정된다. 기판 처리 장치(1)의 고온계(40)가 진공 엔클로저(2) 내에 있지 않는 경우, 이 실시예의 경우와 같이, 진공 엔클로저(2)는 방사선, 특히 특정 파장 또는 파장 범위의 방사선을 유도하기 위한 제3 통로(23)를 포함한다. 제3 통로(23)는 예를 들어, 게르마늄 또는 실리콘으로 제조된다. 이 제3 통로(23)는 고온계(40)와 적어도 하나의 기판(20) 사이의 광학 경로의 연속을 제공하고, 고온계(40)와 테이블(10)의 제1 통로(21)가 테이블(10)의 회전 운동에 의해 적어도 부분적으로 일직선이 될 때마다 제3 통로(23)가 고온계(40) 및 테이블(10)의 제1 통로(21)와 적어도 부분적으로 일직선이 되도록 배열된다. 연속적이거나 단속적인 링형 척으로서의 홀더(11)의 설계는 본질적으로 제2 통로(22)를 제공하여 고온계(40)와 기판(20) 중 적어도 하나 사이의 광학 경로를 완성한다. 예를 들어, 고온계(40)의 스폿 크기, 즉 수신할 수 있는 방사선 빔의 반경은 20mm 이다. 따라서, 제1 통로(21), 제2 통로(22) 및 제3 통로(23)의 최소 반경은 최소 동일 직경 이상이어야 한다. 특히 이들이 제공하는 광학 경로는 적어도 동일하거나 오히려 더 큰 직경을 가져야 한다. 고온계(40)와 홀더(11)의 거리에 따라, 적어도 하나 이상의 렌즈(미도시)가 광학 경로 내, 특히 고온계(40) 전면에 설치되어 방사선 빔이 고온계(40)의 스폿 사이즈의 크기에 맞도록 달성되는 것도 가능하다.
도 8은 도 7에 도시된 것과 유사한 기판 처리 장치(1)의 단면도를 도시한다. 기판 처리 장치(1)는 또한 제1 회전 축(x) 주위로 회전 가능한 테이블(10)을 수신하는 진공 엔클로저(2)를 포함한다. 또한, 기판(20)을 각각 지지하는 테이블(10)에는 제2 회전축(y)을 중심으로 회전 가능한 2개의 홀더(11)가 배치된다. 예를 들어, 회전 구동은 홀더 중앙의 샤프트에 의해 제공될 수 있을 뿐만 아니라 홀더(11)를 중심이 아닌 원주 방향으로 구동하는 기어 구동 또는 벨트 구동에 의해 제공될 수도 있다. 테이블(1001)의 제1 측면을 향하는 기판(20)을 처리하기 위해 히터(50) 및/또는 소스(60)가 상부 영역에 제공된다. 고온계(40)는 테이블(1001)의 제1 측면을 향하는 기판(20)의 측면으로부터 기판(20)의 온도를 측정하기 위해 진공 엔클로저(2) 외부에 설치된다. 진공 엔클로저(2) 내부로부터의 방사선은 진공 엔클로저(2)의 제3 통로(23)를 통과하여 고온계(40)에 의해 검출될 수 있다. 테이블(10)은 고온계(40)와 동기화될 수 있는 제1 통로(21) 및 제3 통로(23)를 포함한다. 도 7에 도시된 실시예와는 반대로, 홀더(11)는 링 모양이 아니라 솔리드(solid)형으로 설계되었다. 결과적으로, 테이블(10)뿐만 아니라 홀더(11)에도 기판(20)과 고온계(40) 사이의 광학 경로 생성을 위한 소위 제2 통로(22)와 같은 통로가 필요하다. 이러한 제2 통로(22)는 또한 테이블(10)의 제1 통로(21), 엔클로저(2)의 제3 통로(23) 및 고온계(40)와 동기화된다. 또한, 이 실시예의 기판 처리 장치(1)는 상부, 즉 히터/소스(50, 60)가 위치하는 측면으로부터 기판 처리를 추가로 모니터링하기 위한 광학 모니터(30)를 포함한다. 광학 모니터(30)는 진공 엔클로저(2) 외부에 배열되므로, 제4 통로(24)가 필요하다.
도 9는 회전 가능한 테이블(10)(회전성은 점선으로 도시된 좌측 화살표로 표시됨)을 포함하는 기판 처리 장치(1)를 도시한다. 이 실시예의 회전 테이블(10)은 총 4개의 홀더(11)를 구비하고, 각 홀더(11)는 기판(20)을 지지한다. 또한, 처리 장치(1)는 테이블(10)의 회전 방향에서 보았을 때, 상부로부터, 즉 히터 옆, 예를 들어, 히터와 일직선으로 배치된 소스(60)(예를 들어, CVD 소스 또는 타겟과 같은 PVD 소스)를 가리키는 기판(20)의 측면으로부터, 기판(20)을 가열하기 위한 히터(50)를 포함한다. 이는 기판(20)이 동일한 측면에서 가열되고 추가로 처리(예를 들어, 코팅)된다는 것을 의미한다. 소스(60)로부터 멀어지는 기판(20)의 측면으로부터 가열되지 않고 따라서 히터가 배열되지 않는다. 히터(50)는 회전 방향에서 볼 때 소스(60)보다 앞에 배치되어 회전 테이블(10)에 의해 회전된 기판(20)이 먼저 가열된 후 소스(60)에 의해 추가 처리된다. 그러나, 기판(20)은 가열 및 추가 처리가 연속적으로 여러 번 실행되도록 다양한 회전 사이클을 겪을 수 있으며, 일반적으로 가열로 시작하여 추가 처리로 마무리된다. 기판 처리 장치(1)의 일 실시예에서, 기판(20)은 테이블(10)에 의해 뿐만 아니라 홀더(11)에 의해 자체 축을 중심으로 회전되는 것이 가능하다. 이미 언급된 특징들과는 별도로, 기판 처리 장치(1)의 엔클로저(2)는 제3 통로(23) 및 제4 통로(24)를 포함한다. 제3 통로(23)와 제4 통로(24)는 서로 마주보게 배치되어, 그 사이에서 회전하는 기판(20)의 동일한 영역(26)을 볼 수 있으나, 제3 통로(23)를 통해 이 영역(26)은 바닥, 즉 히터(50) 및 소스(60)로부터 멀어지는 방향에서 보여질 수 있고, 제4 통로(24)를 통해 이 영역(26)은 히터(50) 및 소스(60)를 가리키는 쪽으로부터 보여질 수 있다. 점선으로 그려진 직선 화살표는 기판(20)으로부터 나오는 방사선을 제3 및 제4 통로(23, 24)로 유도하고 이에 따라 각각 제3 및 제4 통로(23, 24)에 광학적으로 연결되는 제1 및 제2 고온계(40, 41)로 이어지는 광학 경로를 시각화하는 데 도움이 된다. 도시된 실시예에서, 제1 및 제2 고온계(40, 41)는 동일하다. 그러나 고온계(40, 41)는 각도 오프셋되어 배열될 수도 있다. 그러면, 고온계(40, 41)는 예를 들어, 동시에 측정할 수 있지만(예를 들어, 동일한 방식으로 트리거됨) 기판의 다른 위치를 측정할 수 있거나, 또는 대안으로, 서로 다른 시간에 측정할 수 있지만(예를 들어, 소프트웨어는 고온계(40, 41) 중 하나에 대해 트리거 지연을 제공함) 동일한 위치에서 측정할 수 있다. 특히 더 큰 기판(예를 들어, 300mm와 같이 직경이 200mm보다 큼) 또는 직사각형과 같은 원형과 같은 다른 모양의 기판의 경우, 온도 분포는 흥미롭다(예를 들어, 중앙의 온도는 어떻고 가장자리의 온도는 어떠한가?). 제1 고온계(40) 및 추가 고온계(들)(41)는 반드시 반대쪽에 배열되어야할 필요는 없지만 기판 처리 장치(1)의 동일한 측면에 어느 정도 거리를 두고 배열될 수도 있으며, 둘 중 하나는 동일한 광학 경로를 공유(예를 들어, 도 3 참조)하거나 또는 그렇지 않다. 사이즈 이외에도, 기판의 구조는 기판의 다양한 위치에서 온도 측정을 더욱 흥미롭게 만들 수 있다. 예를 들어, 구조화된 웨이퍼는 180℃이상으로 가열되지 않는 것이 좋다(그렇지 않으면 반도체가 손상됨). 온도 분포는 구조화된 웨이퍼가 온전함을 더욱 확실하게 보장한다. 기판 바닥면으로부터의 방사선이 제3 통로(23) 및 따라서 제1 고온계(40)에 도달하도록 허용하기 위해, 테이블(10)과 홀더(11)(홀더가 링 모양이 아닌 경우)는 물리적 개구부 또는 제1 및 제2 통로를 형성하는 특정 파장 또는 파장 범위의 방사선(예를 들어, IR 방사선)이 투과되는 윈도우를 모두 포함한다. 이들 제1 및 제2 통로는 도시된 도면에서 기재(20)에 의해 덮여 있기 때문에 도 9에는 도시되지 않는다. 기판(20)의 온도가 아닌 테이블(10) 바닥면의 온도를 측정하지 않도록, 고온계의 측정과 기판의 이동은 동기화될 수 있으며, 특히 고온계의 측정과 테이블(10)의 제1 및 제2 통로와 기판(20)을 지지하는 홀더(11)의 이동이 동기화될 수 있다. 이러한 동기화를 달성하기 위해, 제1 고온계(40)는 트리거(45)에 작동적으로 연결된다. 트리거(45)는 광 배리어의 검출기로서 설계될 수 있고, 테이블(10)의 관통부와 같은 자극 수단(46)과 상기 관통 구멍 위에 장착된 레이저와 같은 광원(광원은 미도시)에 의해 자극될 수 있다. 대안으로, 고온계(40)는 소프트웨어 기반으로 활성화될 수 있다. 인코더는 홀더(11) 및/또는 테이블(10)이 특정 각도를 통과할 때마다 신호를 보내고, 디코더는 상기 신호를 처리하고 고온계(40)를 트리거한다. 결과적으로, 물리적인 트리거(45)는 없지만 고온계(40)의 활성화는 홀더(11) 및/또는 테이블(10)의 위치, 또는 홀더(11) 및/또는 테이블(10)의 구동 및 소프트웨어에 기초한다.
도 10은 본 발명에 따른 기판 처리 장치(1)의 사시도를 도시한다. 이 경우에 컨베이어 벨트로 더 고려되는 테이블(10)에 총 3개의 기판 홀더(11)가 도시되며, 홀더(11) 중 2개는 각각 기판(20)을 지지한다. 컨베이어 벨트(10)는 선형 방향(x)으로 이동하고 총 3개의 홀더(11)보다 훨씬 더 많은 것을 포함하지만, 컨베이어 벨트(10)의 단면만이 도시된다. 제3 홀더(11)에는 아직 기판이 배치되어 있지 않으며 홀더(11)의 특정 디자인이 보인다. 홀더(11)의 중앙에는 홀더(11)를 지지하고 홀더(11)의 회전축을 형성하는 샤프트(15)가 표시된다. 홀더(11)는 둥근 형상을 갖는 단 하나의 제2 통로(22)를 포함한다. 샤프트(15)가 중심에 배열되기 때문에, 제2 통로(22)는 분산되어 홀더(11)의 가장자리에 배열된다. 컨베이어 벨트(10)의 제1 통로는 제2 통로(22)에 의해 그리고 적어도 부분적으로 홀더(11)에 의해 겹쳐지고 따라서 제2 통로(22)를 통해서만 보이기 때문에 표시되지 않는다. 도시된 위치에서, 홀더(11) 상에 위치된 기판(고온계(40)를 가리키는 화살표 참조)에서 방출된 광은 제2 통로(22) 및 하부에 있는 제1 통로를 통과하여 최종적으로 고온계(40)에 도달할 수 있다. 이 실시예에서 기판(20)은 히터(50) 및 소스(60)에 의해 처리된다.
참조 부호
1 기판 처리 장치
2 진공 엔클로저
10 테이블
1001 테이블의 제1 측면
1002 테이블의 제2 측면
11 홀더
11a 제1 홀더
11b 제2 홀더
15 샤프트(Shaft)
19 기판 평면
19a 제1 기판 평면
19b 제2 기판 평면
20 기판
20a 제1 기판
20b 제2 기판
21 제1 통로
22 제2 통로
23 제3 통로
24 제4 통로
25 제5 통로
26 영역 기판(Region substrate)
30 광학 모니터
40 고온계 / 제1 고온계
41 추가 고온계 / 제2 고온계
46 자극 수단
50 히터(Heater)
60 소스(Source)
x 제1 축
y 제2 축

Claims (25)

  1. - 제1 축(x)을 중심으로 회전 가능하고 방사선이 투과되는(transparent) 적어도 하나의 제1 통로(21)를 포함하는 테이블(10);
    - 기판(20, 20a)을 지지하고 제1 기판 평면(19, 19a)을 한정하는 적어도 하나의 제1 홀더(11, 11a)로서, 제1 홀더(11, 11a)는 테이블(1001)의 제1 측면에 회전 불가능하게 배치되고, 방사선이 투과되는 적어도 제2 통로(22)를 제공하는, 적어도 하나의 제1 홀더(11, 11a);
    - 제1 기판 평면(19, 19a)에서 기판을 처리하기 위한 적어도 하나의 수단(50, 60)으로서, 기판을 처리하기 위한 적어도 하나의 수단(50, 60)은 제1 기판 평면(19, 19a) 및 테이블(1001)의 제1 측면을 향하여 배열되는, 기판을 처리하기 위한 적어도 하나의 수단(50, 60); 및
    - 테이블(1002)의 제2 측면에 배열되고, 테이블(1002)의 제2 측면은 테이블(1001)의 제1 측면과 반대되는 방향을 향하는 고온계(40);를 포함하는, 기판 처리 장치(1)로서,
    제1 축(x) 둘레로 테이블(10)의 360°회전 내에 하나 이상의 위치가 있고, 이 위치에서, 적어도 하나의 제1 통로(21)와 적어도 하나의 제2 통로(22)는 제1 기판 평면(19, 19a)에 위치할 때 적어도 하나의 기판 처리 수단(50, 60)으로부터 멀어지는 기판(20, 20a)의 측면과 고온계(40) 사이에 광학적으로 작동하는 연결을 형성하는, 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판 처리 장치는
    - 기판(20b)을 지지하고 제2 기판 평면(19b)을 한정하기 위한 적어도 하나의 제2 홀더(11b)로서, 제2 홀더(11b)는 테이블(1001)의 제1 측면의 제2 축(y)을 중심으로 회전 가능하게 배열되며, 제2 축(y)은 제1 축(x)과 다른, 적어도 하나의 제2 홀더(11b);를 포함하고,
    특히, 제2 기판 평면(19b)에 위치할 때, 제1 축(x)에 대한 테이블(10)의 위치와 관계없고/관계없거나 제2 축(y)에 대한 제2 홀더(11b)의 위치와 관계없이, 고온계(40)와 기판 처리를 위한 적어도 하나의 수단(50, 60)으로부터 멀어지는 방향을 향하는 기판(20b)의 측면 사이에 광학적으로 작동하는 연결이 제공되지 않는, 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기판 처리 장치는
    - 제1 축(x)을 중심으로 회전 가능하고 방사선이 투과되는 적어도 하나의 제1 통로(21)를 포함하는 테이블(10);
    - 기판(20)을 지지하고 제1 기판 평면(19)을 한정하기 위한 적어도 하나의 제1 홀더(11)로서, 상기 제1 홀더(11)는 테이블(1001)의 제1 측면에 제2 축(y)을 중심으로 회전 가능하게 배치되고, 방사선이 투과되는 적어도 하나의 제2 통로(22)를 제공하고, 제2 축(y)은 특히 제1 축(x)과 다른, 적어도 하나의 제1 홀더(11);
    - 제1 기판 평면(19)에서 기판을 처리하기 위한 적어도 하나의 수단(50, 60)으로서, 상기 기판을 처리하기 위한 적어도 하나의 수단(50, 60)은 제1 기판 평면(19) 및 테이블(1001)의 제1 측면을 향하여 배열되는, 적어도 하나의 수단(50, 60); 및
    - 테이블(1002)의 제2 측면에 배열되는 고온계(40)로서, 테이블(1002)의 제2 측면은 테이블(1001)의 제1 측면과 반대되는 방향을 향하는 고온계(40);를 포함하며,
    제1 축(x)을 중심으로 테이블(10)의 360°회전 및 제2 축(y)을 중심으로 제1 홀더(11)의 360°회전에 적어도 하나의 위치가 있고, 이 위치에서 적어도 하나의 제1 통로(21)와 적어도 하나의 제2 통로(22)는 제1 기판 평면(19)에 위치할 때 기판 처리를 위한 적어도 하나의 수단(50, 60)으로부터 멀어지는 기판(20)의 측면과 고온계(40) 사이에 광학적으로 작동하는 연결을 형성하는, 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 기판 처리 장치는
    - 기판(20b)을 지지하고 제2 기판 평면(19b)을 한정하기 위한 적어도 하나의 제2 홀더(11b)로서, 제2홀더(11b)는 테이블(1001)의 제1측면에서 제3축(y')을 중심으로 회전 가능하게 배열되고, 제3축(y')은 제1축(x) 및 제2축(y)과 다르거나 회전 불가능한, 제2 홀더(11b);를 포함하고,
    특히, 제2 기판 평면(19b)에 위치할 때, 제1 축(x)에 대한 테이블(10)의 위치와 관계없고/관계없거나 제3 축(y')에 대한 제2 홀더(11b)의 위치와 관계없이, 고온계(40)와 기판 처리를 위한 적어도 하나의 수단(50, 60)으로부터 멀어지는 방향을 향하는 기판(20b)의 측면 사이에 광학적으로 작동하는 연결이 제공되지 않는, 기판 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    - 테이블(10), 제1 기판 평면에서 기판을 처리하기 위한 적어도 하나의 수단(50, 60) 및 적어도 하나의 제1 홀더(11, 11a) 또는 적어도 하나의 제1 홀더(11, 11a) 및 적어도 하나의 제2 홀더(11b)는 각각 진공 엔클로저(2) 내에 배치되고; 및
    - 고온계(40)는 상기 진공 엔클로저(2) 외부에 배치되고, 진공 엔클로저(2)는 방사선이 투과되는 제3 통로(23)를 포함하고, 상기 제3 통로(23)는 적어도 하나의 제1 통로(21) 및 적어도 하나의 제2 통로(22)와 함께, 제1 기판 평면(19, 19a)에 위치할 때, 기판 처리를 위한 적어도 하나의 수단(50, 60)으로부터 멀어지는 기판(20)의 측면과 고온계(40) 사이에 광학적으로 작동하는 연결을 형성하는, 기판 처리 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 제2 통로(22) 및 제3 통로(23)는 실리콘(Si) 및/또는 게르마늄(Ge)을 포함하고, 바람직하게는 적어도 제3 통로(23)는 실리콘(Si) 및/또는 게르마늄(Ge)을 포함하는, 기판 처리 장치.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판 처리 장치는
    - 제1 축(x)을 중심으로 테이블(10)의 360°회전에서 또는 제1 축(x)을 중심으로 테이블(10)의 360°회전과 제2 축(y)을 중심으로 제1 홀더(11)의 360°회전에서 적어도 하나의 위치에 있는, 기판(20a)의 측면과 광학적으로 작동하여 연결되는 추가 고온계(41)를 더 포함하고,
    - 제1 기판 평면(19a)에 위치할 때, 적어도 하나의 제1 통로(21) 및 적어도 하나의 제2 통로(22)에 의해, 또는 적어도 하나의 제1 통로(21), 적어도 하나의 제2 통로(22) 및 적어도 하나의 제3 통로(23)에 의해, 또는 적어도 하나의 제1 통로(21), 적어도 하나의 제2 통로(22)와 다른 하나 이상의 통로에 의해, 또는 적어도 하나의 제1 통로(21), 적어도 하나의 제2 통로(22) 및 적어도 하나의 제3 통로(23)와 다른 하나 이상의 통로에 의해 기판을 처리하기 위한 적어도 하나의 수단(50, 60)으로부터 멀리 향하고,
    - 고온계(40) 및 추가 고온계(41)는 제1 기판 평면(19a)에 배치될 때, 기판 처리를 위한 적어도 하나의 수단(50, 60)으로부터 멀어지는 방향으로, 기판(20a)의 측면으로부터 방사선을 수신하도록 구성되고, 특히 교호적 방식(alternating manner)으로 방사선을 수신하도록 구성되는, 기판 처리 장치.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판 처리 장치는
    - 제1 축(x)을 중심으로 테이블(10)의 360°회전에서 적어도 하나의 위치에 있거나, 제1 축(x)을 중심으로 테이블(10)의 360°회전 및 제2 축(y)을 중심으로 제1 홀더(11)의 360°회전에서 적어도 하나의 위치에 있고, 기판(20)의 측면과 광학적으로 작동하도록 연결되는, 추가 고온계(41)를 포함하고,
    제1 기판 평면(19)에 위치할 때, 특히 적어도 하나의 제1 통로(21), 적어도 하나의 제2 통로(22) 및 적어도 하나의 제3 통로(23)와 다른 제4 통로(24)에 의해, 기판을 처리하기 위한 적어도 하나의 수단(50, 60)과 대면하고, 추가 고온계(41)는 기판 평면(19)에 배치될 때 기판 처리를 위한 적어도 하나의 수단(50, 60)을 향하는 기판(20)의 측면으로부터 방사선을 수신하도록 구성되는, 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서, 고온계(40)와 추가 고온계(41)는, 제1 기판 평면(19)에 위치할 때, 기판 처리를 위한 적어도 하나의 수단(50, 60)으로부터 멀어지는 방향을 향하는 기판(20) 측면과 광학적으로 작동하는 연결이 가능하도록 배열되고, 제1 기판 평면(19)에 위치할 때, 기판을 처리하기 위한 적어도 하나의 수단(50, 60)을 향하는 기판(20) 측면과의 광학적으로 작동하는 연결은 일치하거나 구별(distinct)되는, 기판 처리 장치.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    고온계(40) 및/또는 추가 고온계(41)는 5 내지 14μm, 특히 5 내지 8μm 또는 8 내지 14μm, 더욱 특히 7.9μm 또는 12μm의 파장의 방사선을 수신하도록 구성되는, 기판 처리 장치.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 고온계(40) 및/또는 추가 고온계(41)의 통합 시간은 15ms 이하, 특히 10ms 이하, 더욱 특히 5ms 이하인, 기판 처리 장치.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 제1 기판 평면(19, 19a)에 위치할 때, 기판을 처리하기 위한 적어도 하나의 수단(50, 60)으로부터 멀어지는 방향을 향하는 기판(20, 20a)의 측면과 고온계(40) 사이의 광학적으로 작동 가능한 연결 및/또는 추가 고온계(41)는 고온계(40) 및/또는 추가 고온계(41)가 기판(20, 20a)으로부터 집중적으로 방출되고/방출되거나 기판(20, 20a)으로부터 분산되어 방출되는 방사선을 수신하도록 설계된, 기판 처리 장치.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 기판 처리 장치는 광학 모니터(30) 및/또는 제3 통로(23)를 형성하는 것에 의해 고온계(40)와 기판(20, 20a) 사이의 광학적으로 작동하는 연결의 일부인 적어도 하나의 렌즈를 더 포함하고/포함하거나 적어도 하나의 렌즈는 특히 제3 통로(23) 또는 제4 통로(24)를 형성함으로써 추가 고온계(41)와 기판(20, 20a) 사이의 광학적으로 작동되는 연결의 일부가 되는, 기판 처리 장치.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 기판 처리 장치는 고온계(40) 및/또는 추가 고온계(41)에 의해 수행되는 방출 측정과 축(x) 주위의 테이블(10) 회전 및/또는 제2 축(y) 주위의 제1 홀더(11)의 회전을 동기화하기 위한 동기화를 위한 적어도 하나의 수단을 더 포함하여, 고온계(40) 및/또는 추가 고온계(41)는 제1 기판 평면에 배치될 때 기판에 광학적으로 작동하도록 연결될 때만 방출을 측정하는, 기판 처리 장치.
  15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 기판 처리 장치는 고온계(40) 및/또는 추가 고온계(41)에 의해 수행되는 방출 측정의 전달과 축(x) 주위의 테이블(10)의 회전 및/또는 제2 축(y) 주위의 제1 홀더(11)의 회전을 동기화하기 위한 동기화를 위한 적어도 하나의 수단을 더 포함하여, 고온계(40) 및/또는 추가 고온계(41)가 기판에 광학적으로 작동 가능하게 연결된 경우에만 방출 측정이 수행되고, 제1 기판 평면에 위치할 때 전달되고, 동기화 수단의 동기화 메커니즘은 특히 고온계(40) 사이의 광학적으로 작동 가능한 연결 설정으로 인해 발생하는 신호의 상승에 기초하고/기초하거나, 추가 고온계(41) 및 기판은, 제1 기판 평면에 위치할 때, 특히 고온계(40) 및/또는 추가 고온계(41)와 기판 사이의 광학적으로 작동하는 연결의 종료로 인해 발생하는 신호의 저하에 기초하는, 기판 처리 장치.
  16. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 고온계(40) 및/또는 추가 고온계(41)는 제1 축(x)을 중심으로 테이블(10)이 360°회전하는 동안 영구적으로 온도를 측정하도록 구성되고, 및
    고온계(40) 및/또는 추가 고온계(41)는 최대값, 특히 1회 360°회전당 최대값 1 내지 3개만 전달하도록 구성되고, 또는
    기판 처리 장치는 고온계(40) 및/또는 추가 고온계(41)와 작동적으로 연결되고 최대값만, 특히 1회 360°회전당 1 내지 3개의 최대값을 식별하고 전달하도록 구성된 제어 장치를 더 포함하는, 기판 처리 장치.
  17. 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 테이블(10)은 12 내지 120rpm, 특히 대략 40rpm의 속도를 갖도록 구성되는, 기판 처리 장치.
  18. 기판(20, 20a), 특히 이동하는 기판(20,20a) 및 특히 회전 기판(20,20a)의 온도를 측정하기 위한 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 따른 기판 처리 장치의 용도로서, 회전하는 기판(20,20a)은 바람직하게는 제1 회전 축(x) 및/또는 제2 회전 축(y)을 중심으로 회전하는, 기판 처리 장치의 용도.
  19. - 기판 처리 장치(1)의 테이블(10) 상의 제1 축(x)을 중심으로 기판(20, 20a)을 특히 12 내지 120rpm, 더욱 특히 40rpm의 속도로 회전시키는 단계;
    - 제1 측면에서 기판(20, 20a)을 처리하기 위한 적어도 하나의 수단(50, 60)을 제공하는 단계;
    - 고온계(40)와 기판(20, 20a) 사이의 광학적으로 작동하는 연결을 통해 고온계(40)에 의해 기판(20, 20a)의 제2 측면으로부터 방출된 방사선을 수신하는 단계로서, 제2 측면은 제1 측면과 대향하는 단계;를 포함하는, 이동하는 기판(20,20a)의 온도를 측정하는 방법.
  20. 제19항에 있어서, 상기 방법은
    - 상기 기판(20)을 지지하고 테이블(10) 상에 배열된 홀더(11) 상에서 제2축(y)을 중심으로 기판(20)을 회전시키는 단계를 포함하는, 이동하는 기판(20,20a)의 온도를 측정하는 방법.
  21. 제19항 또는 제20항에 있어서, 다음 중 적어도 하나의 단계를 더 포함하는 방법:
    - 고온계(40)와 기판(20, 20a) 사이의 광학적으로 작동하는 연결을 통해 추가 고온계(41)에 의해 기판(20, 20a)의 제2 측면으로부터 방출된 방사선을 수신하는 단계로서, 제2 측면은 제1 측면과 대향하는, 단계;
    - 추가 고온계(41)와 기판(20, 20a) 사이의 추가적인 광학적으로 작동하는 연결을 통해 추가 고온계(41)에 의해 기판(20, 20a)의 제2 측면으로부터 방출된 방사선을 수신하는 단계로서, 제2 측면은 제1 측면과 대향하는 단계;
    - 추가 고온계(41)와 기판(20, 20a) 사이의 추가적인 광학적으로 작동하는 연결을 통해 추가 고온계(41)에 의해 기판(20, 20a)의 제1 측면으로부터 방출되는 방사선을 수신하는 단계.
  22. 제19항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서, 다음 단계를 더 포함하는 방법:
    - 제1 축(x) 및/또는 제2 축(y)을 중심으로 기판(20)의 회전을 다음 중 적어도 하나와 동기화하는 단계:
    - 고온계(40)와 기판(20,20a) 사이의 광학적으로 작동하는 연결을 통한 방사선 수신;
    - 추가 고온계(41)와 기판(20,20a) 사이의 광학적으로 추가로 작동하는 연결을 통한 방사선 수신.
  23. 제21항 또는 제22항에 있어서,
    - 고온계(40)와 기판(20, 20a) 사이의 광학적으로 작동하는 연결을 통해 고온계(40)에 의해 기판(20, 20a)의 제2 측면으로부터 방출된 방사선을 수신하고, 제2 측면은 제1 측면과 대향하며, 및
    - 추가 고온계(41)와 기판(20, 20a) 사이의 추가적인 광학적으로 작동하는 연결을 통해 추가 고온계(41)에 의해 기판(20, 20a)의 제1 측면에서 방출된 방사선을 수신하는 것은
    - 동시에 수행;
    - 일시적으로 이동하여 수행;
    - 동일하게 수행;
    - 개별적으로 수행
    중 적어도 하나인, 방법.
  24. 제19항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서, 고온계(40) 및/또는 추가 고온계(41)가 기판(20, 20a)과 광학적으로 작동하도록 연결되어 있는 경우, 고온계(40) 및/또는 추가 고온계(41)는 방사선만 수신하거나 수신된 방사선을 온도 값으로만 처리하는, 방법.
  25. 제19항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서, 다음 단계를 더 포함하는 방법:
    - 고온계(40) 및/또는 추가 고온계(41)에 의해 테이블(10)로부터 방출되는 방사선을 수신하는 단계로서, 고온계(40) 및/또는 추가 고온계(41)가 기판(20, 20a)과 광학적으로 작동되어 연결될 때 수행되는 방출 측정만이 특히 동기화 수단, 제어 장치 또는 고온계(40) 및/또는 추가 고온계(41) 자체에 의해 제공되거나; 또는
    고온계(40) 및/또는 추가 고온계(41)가 기판(20, 20a)이 아닌 테이블(10)과 광학적으로 작동되어 연결될 때 수행되는 방출 측정만이 제공되거나; 또는
    고온계(40) 및/또는 추가 고온계(41)가 테이블(10) 및 기판(20, 20a)과 광학적으로 작동되어 연결될 때 수행되는 방출 측정이 제공.
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