KR20230145182A - 임피던스 매칭을 위한 방법, 임피던스 매칭 장치 및 플라즈마 시스템 - Google Patents

임피던스 매칭을 위한 방법, 임피던스 매칭 장치 및 플라즈마 시스템 Download PDF

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KR20230145182A KR1020237031501A KR20237031501A KR20230145182A KR 20230145182 A KR20230145182 A KR 20230145182A KR 1020237031501 A KR1020237031501 A KR 1020237031501A KR 20237031501 A KR20237031501 A KR 20237031501A KR 20230145182 A KR20230145182 A KR 20230145182A
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impedance matching
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플로리안 마이어
크리스티앙 복크
마르신 모르코프스키
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트럼프 헛팅거 게엠베하 + 코 카게
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Abstract

본 발명은 RF 전력 발생기(5)의 접속을 위한 입력부(3)와 부하(6)에 접속을 위한 출력부(4)를 포함하며, 각각 가변 리액턴스(XP, XS)를 갖는 적어도 하나의 제 1 및 제 2 직렬 연결된 매칭 스테이지(10, 12)를 구비하는 임피던스 매칭 네트워크(2)를 이용해서 임피던스 매칭을 위한 방법에 관한 것으로, 하기 단계들 즉, a) 입력 임피던스(Zin)를 측정하는 단계, b) 측정된 입력 임피던스(Zin)와 매칭 스테이지 중 적어도 하나의 매칭 스테이지의 적어도 하나의 현재 상태값으로부터 중간 임피던스(Zinter)를 결정하는 단계, c) 중간 임피던스(Zinter)와 임피던스 매칭 네트워크(2)의 모델로부터 매칭 스테이지(10, 12)의 적어도 하나의 리액턴스(XP, XS)에 대한 변경 설정값(dXP, dXS)을 결정하는 단계, d) 변경 설정값(dXP, dXS)에 기초하여 매칭 스테이지(10, 12) 중 적어도 하나의 매칭 스테이지의 상태를 변경하는 단계, e) 단계 a) 내지 d)를 반복하는 단계를 포함한다.

Description

임피던스 매칭을 위한 방법, 임피던스 매칭 장치 및 플라즈마 시스템
본 발명은 RF 전력 발생기의 접속을 위한 입력부와 부하에 접속을 위한 출력부를 포함하며, 각각 가변 리액턴스(Reacrtance)를 갖는 적어도 하나의 제 1 및 제 2 직렬 연결된 매칭 스테이지(matching stage)를 구비하는 임피던스 매칭 네트워크를 이용해서 임피던스 매칭을 위한 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 임피던스 매칭 장치, 컴퓨터 프로그램 제품 및 비휘발성 저장 매체에 관한 것이다. 본 발명은 또한 그러한 임피던스 매칭 장치 또는 그러한 임피던스 매칭 네트워크를 구비한 플라즈마 시스템에 관한 것이다.
부하는 플라즈마 공정 장치, 특히 RF 여기 플라즈마 공정 장치, 즉 플라즈마 공정을 수행하기 위한 장치일 수 있다. 임피던스 매칭 네트워크는 RF 여기 플라즈마 공정에 주로 사용된다. 임피던스 매칭을 위한 방법에 대해 설계된 및/또는 이러한 임피던스 매칭 네트워크 및 여기에 접속된 플라즈마 공정 장치를 구비하는 장치를 이하 플라즈마 시스템이라고 한다. 주파수는 일반적으로 1MHz 이상, 특히 1MHz 내지 200MHz이다. RF 여기 플라즈마 공정은 예를 들어 건축용 유리, 반도체, 광전지 소자, 평면 스크린, 디스플레이 등의 생산에서 기판의 코팅(스퍼터링) 및/또는 에칭에 사용된다. 이러한 공정의 임피던스는 매우 빠르게 변하는 경우가 많기 때문에, 임피던스 매칭이 매우 빠르게 (몇 밀리 초 이내) 조정되어야 하는 경우가 많다. 이러한 공정에 일반적으로 공급되는 전력은 수 100W, 예를 들어 300W 이상이지만, 1킬로와트 이상, 종종 10kW 이상인 경우도 있다. 이러한 전력에서 임피던스 매칭 장치 내의 전압은 종종 수 100V, 예를 들어 300V 이상이고, 1000V 이상이 되는 경우도 흔히 있다. 이러한 회로의 전류는 수 암페어, 종종 10A 이상, 때로는 100A 이상일 수도 있다. 이러한 전압과 전류에서 임피던스 매칭 네트워크를 실현하는 것은 항상 주요 과제였다. 이러한 임피던스 매칭 네트워크에서 리액턴스의 신속한 변경 가능성은 추가적인 매우 중요한 과제이다. 이러한 임피던스 매칭 네트워크의 예는 DE 10 2015 220 847 A1호, DE 10 2011 076 404 Al호, DE 10 2009 001 355 Al호, DE 10 2011 007 598 Al호, DE 10 2011 007 597 Al호, DE 10 2014 209 469 Al호, DE 20 2021 100 710 Ul호 또는 DE 20 2020 103 539 Ul호에 공개되어 있다.
임피던스 매칭 네트워크는 일반적으로, 전력 발생기의 임피던스에 부하의 임피던스를 매칭시키는 데 사용된다. 일반적으로 임피던스 매칭 네트워크는, 부하의 임피던스를 50 Ohm으로 변환하는 데 사용된다. 임피던스 매칭 네트워크는, 예를 들어 L-구성의 커패시터와 같은 하나 이상의 가변 리액턴스를 포함할 수 있다. 커패시터의 커패시턴스(capacitance)는 모터 작동식 드라이브에 의해 변경될 수 있다. 임피던스 매칭 네트워크의 입력 임피던스는 측정 장치에 의해 결정될 수 있다. 매칭 알고리즘은, 임피던스 매칭을 달성하기 위해 올바른 모터 위치, 스위치 설정 또는 기타 제어 옵션을 찾으려고 시도한다.
부하가 임피던스가 변하는, 특히 빠르게 변하는 부하인 경우, 임피던스 매칭 네트워크에 의한 임피던스 매칭이 어려운 경우가 많다. 커패시터용 드라이브의 목표 위치를 찾기 위해, 입력 임피던스의 크기와 위상을 조절하는 것이 공개되어 있다. 그러나 2개의 변수는 커패시터의 커패시턴스 값에 따라 달라진다. 이로 인해 조절이 느려질 수 있다. 2개의 커패시터에 대한 관계식 dPhase/dC, d|(Z)|/dC, dRe(Z)/dC 또는 dIm(Z)/dC의 부호 변경처럼, 임피던스의 부호 변경은 불안정해질 수 있다. 여기서 C는 커패시턴스, Z는 임피던스, Re()는 실수부, Im()은 허수부이고, |( )|은 괄호 안의 복소 변수의 절대값이다.
본 발명의 과제는, 임피던스 매칭을 신속하고 신뢰적으로 수행할 수 있는 임피던스 매칭을 위한 방법을 제공하는 것이다.
상기 과제는 본 발명에 따라 RF 전력 발생기의 접속을 위한 입력부와 부하에, 특히 RF 여기 플라즈마 공정 장치에 접속을 위한 출력부를 포함하며, 각각 가변 리액턴스를 갖는 적어도 하나의 제 1 및 제 2 직렬 연결된 매칭 스테이지를 구비한 임피던스 매칭 네트워크를 이용해서 임피던스 매칭을 위한 방법에 의해 해결되며, 이 방법은 하기 단계를 포함한다:
a.) 입력 임피던스(Zin)를 측정하는 단계,
b.) 측정된 입력 임피던스(Zin)와 매칭 스테이지 중 적어도 하나의 매칭 스테이지의 적어도 하나의 현재 상태값으로부터, 특히 매칭 스테이지 사이에 발생하는 임피던스인 중간 임피던스(Zinter)를 결정하는 단계,
c.) 중간 임피던스(Zinter)와 임피던스 매칭 네트워크의 모델로부터 매칭 스테이지의 적어도 하나의 리액턴스에 대한 변경 설정값을 결정하는 단계,
d.) 변경 설정값에 기초하여 매칭 스테이지 중 적어도 하나의 매칭 스테이지의 상태를 변경하는 단계,
e.) 단계 a) 내지 d)를 반복하는 단계.
가변 리액턴스는 인덕턴스 및/또는 커패시턴스로 설계될 수 있다. 커패시턴스가 바람직한데, 이것은 제조 및 작동이 간단하기 때문이다. 예를 들어 매칭 스테이지는 인덕턴스와 커패시턴스의 직렬 회로를 가질 수 있다. 이때 매칭 스테이지는 용량성 및 유도성으로 작동한다.
입력 임피던스(Zin)를 측정한다는 것은, 임피던스 매칭 네트워크의 입력부로의 임피던스가 측정되는 것을 의미할 수 있다. 임피던스는 크기와 위상 및/또는 실수부와 허수부에 따라 기록될 수 있다.
입력 임피던스(Zin)를 측정한다는 것은, 반사 계수가 측정된 다음 Zin이 도출되는 것을 의미할 수도 있다.
중간 임피던스는 임피던스 매칭 네트워크의 출력부 앞에 있는 매칭 스테이지에서 측정된 임피던스이다. 중간 임피던스도 크기와 위상 및/또는 실수부와 허수부에 따라 기록되거나 결정될 수 있다.
임피던스 매칭 네트워크의 모델이란, 각 매칭 스테이지에 대한 모델로도 이해될 수 있는데, 왜냐하면 매칭 스테이지의 모델은 각각 임피던스 매칭 네트워크의 모델의 부분이기 때문이다.
이 방법을 사용하면 기계적 및/또는 전자적 임피던스 매칭 네트워크의 더 신속하고 견고한 조절이 달성될 수 있다. 공개된 알고리즘은 종종 수렴하지 못하는 경우가 많고, 즉, 원하는 지점에 도달하지 못하거나 사용된 드라이브의 기계적 동역학을 활용하지 못한다.
입력 임피던스가 미리 정해진 값을 초과하거나 미달될 때까지 전술한 단계 a.) 내지 d.)가 반복될 수 있다. 본 발명에 따른 방법에 의해 종래의 방법에 의해서보다 훨씬 적은 반복이 필요하다는 사실이 밝혀졌다. 따라서 훨씬 더 빠른 임피던스 매칭이 이루어질 수 있다.
상태값으로서 기계적 가변 리액턴스의 위치 또는 전자적으로 가변적인 리액턴스의 회로 상태가 검출될 수 있다. 예를 들어, 기계적으로 가변적인 커패시턴스의 드라이브의 위치가 상태로서 검출될 수 있다.
중간 임피던스는 상태에 따라 중간 임피던스에 입력 임피던스의 할당에 기초해서 결정될 수 있다. 이러한 할당은 교정 시 검출된 상태에 따라 결정될 수 있다. 특히, 교정 중에 이러한 방식으로 각 매칭 스테이지마다 룩업 테이블이 생성될 수 있다. 바람직하게는 각 매칭 스테이지마다 룩업 테이블의 교정 및 생성은 다른 매칭 스테이지(들)과 독립적으로 수행된다.
변경 설정값이 중간 임피던스 설정값(Zintersoll)에 기초해서 결정될 때, 장점이 주어진다. 룩업 테이블의 변동이나 부정확성을 보상하기 위해, 상대적으로 계산하는 것이 바람직하다. 예를 들어, Zinter의 허수부의 현재 검출된 값 j40 Ohm에 대해 중간 임피던스 설정값인 j45 Ohm이 결정되면, 룩업 테이블의 현재 항목에서 j5 Ohm이 더 많은 값이 검색될 수 있다. 이는 목표 위치 또는 변경 설정값이며, 이를 통해 오프셋 오류가 보상되고, 원하는 매칭 가까울수록 스케일링 오류가 적어지는 장점을 제공한다.
입력 임피던스의 측정은 기계적 임피던스 매칭 네트워크에서 커패시터의 드라이브의 모터 속도보다 몇 배 빠르다. 중간 임피던스의 결정은 다양한 오류(모델, 측정, 가변 플라즈마 임피던스)로 인해 정확하지 않다. 이것은 처음에는 드라이브의 대략적인 목표 위치를 지정한다. 이로 인해 드라이브가 완전히 가속할 수 있다. 리액턴스가 변하는 동안 Zin과 Zinter의 결정이 계속해서 진행되고, 그 결과 Zintersoll이 교정된다.
중간 임피던스 설정값은 적어도 하나의 미리 정해진 경계 조건, 예를 들어 Zin = 50 Ohm의 실수부에 기초해서 결정될 수 있다. 이러한 경계 조건은 중간 임피던스 설정값의 결정을 용이하게 한다.
매칭 스테이지 중 적어도 하나의 매칭 스테이지의 상태의 변경은 변경 설정값만큼 또는 변경 설정값의 방향으로 이루어질 수 있다. 전술한 바와 같이, 상대적인 매칭을 수행하는 것이 바람직하다. 따라서 변경된 상태에 대해 절대값이 결정되지 않아도 된다. 매칭이 이루어지는 방식으로 다른 매칭 스테이지의 상태가 변경될 수 있도록, 하나의 매칭 스테이지의 상태가 얼마나 많이 변경되어야 하는지 결정하는 것으로 충분하다. 이는 중간 임피던스를 이용해서 이루어진다.
2개의 매칭 스테이지의 상태는 동시에 변경될 수 있다. 이로써 임피던스 매칭이 가속화될 수 있다.
임피던스 매칭 네트워크의 모델로서 회로 모델이 사용될 수 있다. 이는, 임피던스 매칭 네트워크가 간단히 구성되면, 예를 들어 L-구성을 가지면, 특수한 장점을 제공한다.
대안으로서, 임피던스 매칭 네트워크의 모델로서 전송 파라미터 모델, 확산 파라미터 모델, 또는 전송 파라미터 모델 또는 확산 파라미터 모델로부터 도출된 파라미터 모델이 사용되는 것이 제공될 수 있다. 확산 파라미터로부터 예를 들어 Z-, Y-, M-, X-파라미터가 결정될 수 있다.
임피던스 매칭 네트워크로서 L-, T-, 역 L- 또는 n-구성이 사용될 수 있다. L-구성에 의해 특히 신속한 임피던스 매칭이 달성될 수 있다. 이러한 구성은 모델에서도 비교적 간단하게 반영될 수 있다.
중간 임피던스와 각 매칭 스테이지의 모델로부터 2개의 매칭 스테이지의 리액턴스 각각에 대해 변경 설정값이 결정될 수 있다. 2개의 매칭 스테이지의 상태는 변경 설정값에 기초하여 변경될 수 있다.
변경 설정값은 선형 독립적일 수 있다. 이로 인해, 매칭 스테이지에서 매칭을 서로 독립적으로 수행하는 것이 가능하다.
이하를 포함하는 임피던스 매칭 장치도 본 발명의 범위에 포함된다.
a.) RF 전력 발생기의 접속을 위한 입력부와 부하에, 특히 RF 여기 플라즈마 공정 장치에 접속을 위한 출력부를 포함하며, 각각 가변 리액턴스를 갖는 적어도 2개의 매칭 스테이지를 구비하는 임피던스 매칭 네트워크,
b.) 임피던스 매칭 네트워크의 모델,
c.) 입력 임피던스를 측정하기 위한 임피던스 측정 장치,
d.) 입력 임피던스로부터, 특히 매칭 스테이지 사이에 발생하는 임피던스인 중간 임피던스를 도출할 수 있게 하는 값을 포함하는 적어도 하나의 룩업 테이블,
f.) 측정된 입력 임피던스와 룩업 테이블에 기초하여 중간 임피던스를 결정하기 위한 그리고 중간 임피던스와 임피던스 매칭 네트워크의 모델로부터 매칭 스테이지의 적어도 하나의 리액턴스에 대한 적어도 하나의 변경 설정값을 결정하기 위한 결정 장치,
g.) 결정된 변경 설정값에 기초하여 적어도 하나의 매칭 스테이지의 상태를 변경하기 위한 조정 장치.
룩업 테이블은 바람직하게는 단 하나의 차원만을 갖는다. 가장 간단한 경우에 룩업 테이블은 조정 가능한 리액턴스의 임피던스 값을 갖는다. 모델, 특히 회로 모델을 이용해서 이러한 임피던스로부터 전압 분배기 계산을 통해 중간 임피던스가 계산될 수 있다.
예를 들어 T-파라미터 모델의 경우, 매칭 스테이지의 T-파라미터 중 적어도 일부가 룩업 테이블에 저장될 수 있다. 대칭성이 고려될 수 있다면, T-파라미터의 일부를 저장하는 것으로 충분하다. 그렇지 않으면 매칭 스테이지의 모든 T-파라미터를 룩업 테이블에 저장하는 것도 가능하다. (매칭 스테이지의 상태에 의존하는) T-파라미터와 입력 임피던스로 중간 임피던스가 추론될 수 있다.
임피던스 매칭 네트워크의 모델 및/또는 룩업 테이블은 디지털 모델로서 메모리에 저장될 수 있다.
또한, RF 전력 발생기의 접속을 위한 입력부와 부하에 접속을 위한 출력부를 가지며, 각각 가변 리액턴스를 갖는 적어도 하나의 제 1 및 제 2 직렬 연결된 매칭 스테이지를 구비하는 임피던스 매칭 네트워크를 제어하기 위한 컴퓨터 프로그램 제품도 본 발명의 범위에 포함되며, 상기 컴퓨터 프로그램 제품은, 컴퓨터에 의해 프로그램이 실행될 때 하기 방법 단계들을 수행하는 명령을 포함한다:
a.) 측정된 입력 임피던스와 매칭 스테이지 중 적어도 하나의 매칭 스테이지의 적어도 하나의 현재 상태값으로부터, 특히 매칭 스테이지 사이에 발생하는 임피던스인 중간 임피던스를 결정하는 단계,
b.) 중간 임피던스와 임피던스 매칭 네트워크의 모델로부터 매칭 스테이지의 적어도 하나의 리액턴스에 대한 변경 설정값을 결정하는 단계,
c.) 변경 설정값에 기초하여, 매칭 스테이지들 중 적어도 하나의 매칭 스테이지의 상태를 변경하기 위한 신호를 출력하는 단계,
d.) 단계 a.) 내지 c.)를 반복하는 단계.
또한 컴퓨터 프로그램 제품의 단계 a.) 내지 d.)를 수행하기 위해 프로세서로 실행하기 위한 또는 FPGA와 같은 프로그래밍 가능한 논리 유닛을 구성하기 위한 명령이 저장되어 있는 비휘발성 저장 매체도 본 발명의 범위에 포함된다.
데이터 처리에서 다양한 데이터 저장 장치는 비휘발성(non-volatile, non-transitory) 저장 매체로서 지칭되며, 상기 데이터 저장 장치의 저장된 정보는 영구적으로, 즉 컴퓨터가 작동하지 않거나 전원이 공급되지 않는 동안에도 유지된다.
본 발명에 따라, 임피던스 매칭 네트워크의 모델을 생성하는 것이 제공된다. 이는, 2차원 문제를 2개의 1차원 (조절) 문제로 세분하는 데 이용된다. 입력 임피던스(측정됨)와 매칭 스테이지의 상태에 관한 정보로 모델을 사용하여 2개의 매칭 스테이지 사이의 복소 부하 임피던스(중간 임피던스)가 확정될 수 있다. 매칭을 달성하기 위해, 이 중간 임피던스에서 매칭 스테이지들의 반영 가능한 임피던스 궤적들은 교차되어야 한다. 이 조건에서 목표 위치(중간 임피던스 설정값)가 확정될 수 있다.
본 발명에 따르면, 임피던스 매칭 네트워크의 입력부에서 매칭이 나타나도록, 매칭 스테이지의 리액턴스의 조절 변수가 결정된 입력 임피던스와 매칭 스테이지의 현재 상태에 기초하여 조정되는 것이 제공된다. 적절한 교정 과정에 의해 매칭 스테이지의 현재 상태에 대한 가변 리액턴스의 개별 임피던스를 포함하는 각 매칭 스테이지마다 룩업 테이블이 확정될 수 있다.
개별 리액턴스의 변화는 각 매칭 스테이지의 입력부에서의 임피던스에서 시작하여 임피던스-, 어드미턴스(admittance)- 또는 반사 계수 레벨에서 단일 라인/궤적을 생성한다. 매칭 중에 제 1 매칭 스테이지의 제 1 가변 리액턴스의 조절값과 입력 임피던스에서 시작하여 임피던스 매칭 네트워크 모델의 부분인 매칭 스테이지의 모델 및 룩업 테이블과 연계하여 제 2 매칭 스테이지의 입력부에 발생하는 임피던스가 결정된다. 이것이 중간 임피던스이다. 제 1 매칭 스테이지가 이러한 임피던스를 목표값, 예를 들어 50 Ohm으로 변환할 수 있기 위해, 상기 중간 임피던스가 어느 궤적에 있어야 하는지가 모델에 의해 공개된다. 리액턴스로서 병렬 커패시터의 경우에 예를 들어, 중간 임피던스의 매칭 가능한 모든 임피던스의 역수는 0.02S의 실수부를 가져야 하는 것이 적용된다. 제 2 매칭 스테이지의 제 2 리액턴스의 변경에 의해 중간 임피던스는 정의된 궤적을 따라 이동될 수 있다. L-토폴로지의 직렬 요소의 경우 이 궤적은 중간 임피던스의 상수 실수부와 가변 허수부로 설명된다. 제 2 매칭 스테이지의 리액턴스의 변경에 의해, 중간 임피던스가 제 1 리액턴스의 궤적에 놓이도록 조정될 수 있다. 이 새로운 중간 임피던스는 두 궤적의 교차점을 형성한다. 동시에, 새로운 중간 임피던스를 매칭시키기 위해, 제 1 매칭 스테이지가 어떤 위치(상태)를 취해야 하는지 예측될 수 있다.
임피던스 매칭 네트워크의 L-구성에서 교정, 특히 룩업 테이블의 생성이 다음과 같이 수행될 수 있다. 제 1 매칭 스테이지는 가변 커패시터에 병렬 연결된 발진 회로이고, 제 2 매칭 스테이지는 임피던스 매칭 네트워크의 출력부에 대해 직렬로 연결된 발진 회로이다. 룩업 테이블의 교정을 위해 먼저 임피던스 매칭 네트워크의 출력부가 유휴 상태로 종료된다. 그런 다음 임피던스 매칭 네트워크의 입력부에서 병렬 요소의 임피던스만이 측정된다. 커패시터를 변경하면 상기 임피던스는 변경되고, 값들이 표에 저장된다. 직렬 요소의 표의 경우에 출력부가 단락되고 병렬 요소는 최소값 (최대 임피던스)으로 조정된다. 임피던스 매칭 네트워크의 입력부에서 병렬 요소와 직렬 요소로 구성된 병렬 회로가 측정된다. 병렬 요소의 임피던스가 공개되어 있으므로 직렬 요소가 계산되고 이에 대한 표가 확정될 수 있다.
제 1 매칭 스테이지의 입력 임피던스와 병렬 소자의 룩업 테이블로부터 직접 중간 임피던스가 계산될 수 있다. 이상적인 커패시터는 임피던스 매칭 네트워크의 입력부에서 어드미턴스의 허수부만 변화시킨다. 매칭될 수 있으려면, 1/Zinter는 0.02S의 실수부를 포함해야 한다. 직렬 요소는, 중간 임피던스의 허수부를 직접 변경할 수 있다. 어드미턴스 레벨에 타원이 생성된다. 이는 (커패시터의 조정 범위에 따라) 두 지점에서 0.02S 라인과 교차할 가능성이 있다. 해당 결과를 방정식화하면 새로운 직렬 임피던스가 얻어지는 이차 방정식이 생성된다. 그러면 이로부터 완전히 새로운 중간 임피던스도 계산될 수 있다. 병렬 임피던스의 현재 값과 함께, 50 Ohm의 입력 임피던스에 도달하기 위해 이 값이 얼마나 변경되어야 하는지 확정될 수 있다.
또한 임피던스 매칭을 위한 방법에 대해 설계된, 및/또는 전술한 임피던스 매칭 장치를 구비하는, 그리고 부하로서 플라즈마 공정 장치, 특히 RF 여기 플라즈마 공정 장치, 즉 플라즈마 공정을 수행하기 위한 장치를 구비하는 플라즈마 시스템도 본 발명의 범위에 포함된다. 플라즈마 공정 장치는 바람직하게는 기판의 코팅(스퍼터링) 및/또는 에칭에 이용된다. 이 장치는 바람직하게는 건축용 유리, 반도체, 광전지 소자, 평면 스크린 또는 디스플레이의 생산에 사용하기에 적합하다.
고주파 전력 신호의 고주파수는 1MHz 이상, 특히 1MHz 내지 200MHz일 수 있다.
플라즈마 공정의 수행에 필요하고 전원 공급 장치가 공급하도록 설계된 전력은 300W 이상, 특히 1kW 이상일 수 있다.
- 플라즈마 공정 장치는 예를 들어 다음 중 하나 이상을 이용할 수 있는 추가 전원 공급 장치의 접속을 위해 설계될 수 있다: 동일하거나 다른 고주파수의 RF 전원 공급 장치.
- DC 전원 공급 장치, 특히 펄스형 DC 전원 공급 장치
- 1MHz 미만의 주파수를 갖는 MF 전원 공급 장치.
본 발명의 다른 특징 및 장점은 본 발명에 필수적인 세부사항을 나타내는 도면에 기초하여, 본 발명의 실시예들의 하기 상세한 설명과 청구범위에 제시된다. 거기에 도시된 특징들은 반드시 일정한 비율로 이해되어야 하는 것은 아니며, 본 발명에 따른 특수성이 명확해질 수 있는 방식으로 제시된다. 다양한 특징들은 그 자체로 개별적으로 또는 본 발명의 변형예에서 임의의 조합으로 실현될 수 있다.
본 발명의 실시예는 개략도에 도시되어 있으며 이하에서 상세히 설명된다.
도 1은 임피던스 매칭 장치를 도시한 도면.
도 2는 본 발명에 따른 방법을 설명하기 위한 어드미턴스 레벨을 도시한 도면.
도 3은 본 발명에 따른 방법의 제 1 방법 단계를 설명하기 위한 어드미턴스 레벨을 도시한 도면.
도 4는 본 발명에 따른 방법의 제 2 방법 단계를 설명하기 위한 어드미턴스 레벨을 도시한 도면.
도 5는 본 발명에 따른 방법의 제 3 방법 단계를 설명하기 위한 어드미턴스 레벨을 도시한 도면.
도 6은 본 발명에 따른 방법을 설명하기 위한 블록도.
도 1은 입력부(3)와 출력부(4)를 포함하는 임피던스 매칭 네트워크(2)를 가진 임피던스 매칭 장치(1)를 도시한다. RF 전력 발생기(5)는 입력부(3)에 접속될 수 있고, 부하(6), 특히 플라즈마 공정 장치는 출력부(4)에 접속될 수 있다. RF 전력 발생기(5)는 1MHz 이상, 특히 1MHz 내지 200MHz의 주파수에서 고주파 전력을 발생시킬 수 있다.
임피던스 매칭 네트워크(2)의 입력부(3)에서의 입력 임피던스(Zin)는 임피던스 측정 장치(7)에 의해 검출될 수 있다. 임피던스 측정 장치(7)는 복소 입력 임피던스(Zin)를 측정하도록 설계될 수 있다. 임피던스 측정 장치(7)는, 예를 들어 전압과 전류를 측정하기 위한, 특히 서로에 대한 위상 관계를 포함한 전압과 전류를 측정하기 위한 V/I 프로브로서 설계될 수 있다.
도시된 임피던스 매칭 네트워크(2)는 제 1 매칭 스테이지(10) 및 이에 대해 직렬로 배치된 제 2 매칭 스테이지(12)를 갖는 L-구성을 포함한다. 제 1 매칭 스테이지(10)는 도시된 실시예에서 커패시터로서 설계된 가변 리액턴스(XP)를 갖는다. 가변 리액턴스(XP)는 인덕턴스(L1)에 대해 직렬로 배치된다.
제 2 매칭 스테이지(12)도 커패시터로서 설계된 가변 리액턴스(XS)를 갖는다. 이것은 인덕턴스(L2)에 대해 직렬로 연결된다.
중간 임피던스(Zinter)는 제 2 매칭 스테이지(12)의 입력부에서의 임피던스이다.
임피던스 매칭 네트워크(2)의 입력 임피던스(Zin)는 임피던스 측정 장치(7)에 의해 측정될 수 있다. 측정된 입력 임피던스(Zin)는, 측정된 입력 임피던스(Zin)와 적어도 하나의 룩업 테이블(16, 18)에 기초해서 중간 임피던스(Zinter)를 결정하기 위해, 결정 장치(14)에 의해 사용될 수 있다. 룩업 테이블(16, 18)은 교정 과정에서 생성되었다. 룩업 테이블(16, 18)은 리액턴스(XP, XS)의 서로 다른 상태 및 따라서 매칭 스테이지(10, 12)의 서로 다른 상태에 대한 조정 가능한 리액턴스(XP, XS)의 임피던스 값을 가질 수 있다.
결정 장치(14)는 또한, 중간 임피던스(Zinter) 및 임피던스 매칭 네트워크(2)의 모델(20)로부터 매칭 스테이지(10, 12)의 적어도 하나의 리액턴스(XP, XS)에 대한 적어도 하나의 변경 설정값을 결정하도록 설계된다.
조정 장치(22)는 결정된 변경 설정값에 기초하여 적어도 하나의 매칭 스테이지(10, 12)의 상태를 변경하도록 설계된다.
도 2는 입력 어드미턴스의 어드미턴스 레벨, 즉 1/Zin을 도시한다. Zin은 임피던스 매칭 네트워크(2)의 입력부에서 측정된 임피던스(Zin)를 나타낸다. Zintarget은 임피던스 매칭에 의해 달성되는 어드미턴스를 나타낸다. 제 1 매칭 스테이지(10)의 리액턴스(XP)를 변경함으로써 입력 어드미턴스의 허수부만 변경될 수 있으며, 이는 수직 이중 화살표(30)로 표시된다.
제 2 매칭 스테이지(12)의 리액턴스(XS)에 의해 화살표(32)로 표시된 대로 입력 어드미턴스가 타원 궤적을 따라 이동할 수 있다.
도 3에 의해, 입력 어드미턴스(Zin의 역수)가 공개되고 XP의 값이 공개된 경우에 룩업 테이블(16)에 기초해서 [제 2 매칭 스테이지(12)의 현재 상태, 특히 리액턴스(XP)의 드라이브의 모터 위치를 통지하여) 중간 임피던스(Zinter)가 결정되는 것을 알 수 있다. 그 결과, 리액턴스(XS)의 변경으로 인해 어드미턴스 변경이 어떤 타원에서 발생하는지 나타난다.
이제, 타원 또는 궤적(T)이 목표 라인(ZL)과 교차하도록, 즉 Zinter의 실수부가 0.02S 값을 갖도록, 리액턴스(XS)가 얼마나 변경되어야 하는지 결정될 수 있다. 그 결과 변경 설정값(dXS)이 얻어진다.
도 4를 참조하여 설명되는 추가 단계에서 이제, Zintarget에 도달하기 위해 XP가 얼마나 변경되어야 하는지 결정될 수 있다. 이로써 추가 변경 설정값(dXP)이 얻어진다.
본 발명에 따른 방법은 또한 도 6의 블록도를 참고로 설명된다. 단계 100에서, 임피던스 매칭 네트워크의 입력 임피던스(Zin)가 측정된다. 후속해서 단계 101에서 임피던스 매칭 네트워크의 매칭 스테이지 중 적어도 하나의 매칭 스테이지의 적어도 하나의 현재 상태값과 측정된 입력 임피던스(Zin)로부터 중간 임피던스가 결정된다.
단계 102에서, 매칭 스테이지의 적어도 하나의 리액턴스에 대한 변경 설정값이 중간 임피던스 및 임피던스 매칭 네트워크의 모델로부터 결정된다.
단계 103에서, 매칭 스테이지들 중 적어도 하나의 매칭 스테이지의 상태가 변경 설정값에 기초하여 변경된다. 단계 104에서, 이제 결정된 입력 임피던스가 미리 정해진 값을 초과하는지 또는 미달되는지 여부가 검사된다. 미리 정해진 값을 초과하거나 미달되지 않으면, 단계 100으로 돌아간다. 그렇지 않으면 매칭이 이루어진다.

Claims (17)

  1. RF 전력 발생기(5)의 접속을 위한 입력부(3)와 부하(6)에, 특히 RF 여기 플라즈마 공정 장치에 접속을 위한 출력부(4)를 포함하는 임피던스 매칭 네트워크(2)를 이용해서 임피던스 매칭을 위한 방법에 있어서,
    상기 네트워크는 각각 가변 리액턴스(XP, XS)를 갖는 적어도 하나의 제 1 및 제 2 직렬 연결된 매칭 스테이지(10, 12)를 포함하며, 상기 방법은,
    a) 입력 임피던스(Zin)를 측정하는 단계,
    b) 측정된 입력 임피던스(Zin)와 매칭 스테이지 중 적어도 하나의 매칭 스테이지의 적어도 하나의 현재 상태값으로부터, 상기 매칭 스테이지(10, 12) 사이에 발생하는 임피던스인 중간 임피던스(Zinter)를 결정하는 단계,
    c) 상기 중간 임피던스(Zinter)와 상기 임피던스 매칭 네트워크(2)의 모델로부터 매칭 스테이지(10, 12)의 적어도 하나의 리액턴스(XP, XS)에 대한 변경 설정값(dXP, dXS)을 결정하는 단계,
    d) 상기 변경 설정값(dXP, dXS)에 기초하여 상기 매칭 스테이지(10, 12) 중 적어도 하나의 매칭 스테이지의 상태를 변경하는 단계, 및
    e) 단계 a) 내지 d)를 반복하는 단계
    를 포함하는, 임피던스 매칭을 위한 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 입력 임피던스(Zin)가 미리 정해진 값을 초과하거나 미달될 때까지 단계 a) 내지 d)가 반복되는 것인, 임피던스 매칭을 위한 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상태값으로서 기계적 가변 리액턴스(XP, XS)의 위치 또는 전자적으로 가변적인 리액턴스의 회로 상태가 검출되는 것인, 임피던스 매칭을 위한 방법.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 중간 임피던스(Zinter)는 상태에 따라 상기 중간 임피던스(Zinter)에 상기 입력 임피던스(Zin)의 할당에 기초해서 결정되는 것인, 임피던스 매칭을 위한 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 변경 설정값(dXP, dXS)은 중간 임피던스 설정값(Zintersoll)에 기초해서 결정되는 것인, 임피던스 매칭을 위한 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 중간 임피던스 설정값(Zintersoll)은 적어도 하나의 미리 정해진 경계 조건에 기초해서 결정되는 것인, 임피던스 매칭을 위한 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    매칭 스테이지 중 적어도 하나의 매칭 스테이지의 상태의 변경은 변경 설정값만큼 또는 변경 설정값의 방향으로 이루어지는 것인, 임피던스 매칭을 위한 방법.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    2개의 매칭 스테이지(10, 12)의 상태는 동시에 변경되는 것인, 임피던스 매칭을 위한 방법.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 임피던스 매칭 네트워크(2)의 모델로서 회로 모델이 사용되는 것인, 임피던스 매칭을 위한 방법.
  10. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 임피던스 매칭 네트워크(2)의 모델로서 전송 파라미터 모델, 확산 파라미터 모델, 또는 전송 파라미터 모델 또는 확산 파라미터 모델로부터 도출될 수 있는 파라미터 모델이 사용되는 것인, 임피던스 매칭을 위한 방법.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    임피던스 매칭 네트워크(2)로서 L-, T-, 역 L- 또는 n-구성이 사용되는 것인, 임피던스 매칭을 위한 방법.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 중간 임피던스(Zinter)와 각 매칭 스테이지(10, 12)의 모델로부터 상기 2개의 매칭 스테이지(10, 12)의 리액턴스(XP, XS) 각각에 대한 변경 설정값(dXP, dXS)이 결정되고, 상기 2개의 매칭 스테이지(10, 12)의 상태는 상기 변경 설정값(dXP, dXS)에 기초하여 변경되는 것인, 임피던스 매칭을 위한 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 변경 설정값(dXS, dXP)은 선형 독립적인 것인, 임피던스 매칭을 위한 방법.
  14. 임피던스 매칭 장치(1)에 있어서,
    a. RF 전력 발생기(5)의 접속을 위한 입력부(3)와 부하(6)에, 특히 RF 여기 플라즈마 공정 장치에 접속을 위한 출력부(4)를 가지며, 각각 가변 리액턴스(XP, XS)를 갖는 적어도 2개의 매칭 스테이지(10, 12)를 구비하는 임피던스 매칭 네트워크(2),
    b. 상기 임피던스 매칭 네트워크(2)의 모델,
    c. 입력 임피던스를 측정하기 위한 임피던스 측정 장치,
    d. 입력 임피던스(Zin)로부터, 특히 상기 매칭 스테이지(10, 12) 사이에 발생하는 임피던스인 중간 임피던스(Zinter)를 도출할 수 있게 하는 값을 포함하는 적어도 하나의 룩업 테이블(16, 18),
    e. 측정된 입력 임피던스(Zin)에 기초하여 중간 임피던스(Zinter)를 결정하기 위한 그리고 상기 중간 임피던스(Zinter)와 상기 임피던스 매칭 네트워크(2)의 모델로부터 매칭 스테이지(10, 12)의 적어도 하나의 리액턴스(XP, XS)에 대한 적어도 하나의 변경 설정값(dXP, dXS)을 결정하기 위한 결정 장치(14),
    f. 결정된 변경 설정값(dXP, dXS)에 기초하여 적어도 하나의 매칭 스테이지(10, 12)의 상태를 변경하기 위한 조정 장치(22)
    를 포함하는, 임피던스 매칭 장치.
  15. RF 전력 발생기(5)의 접속을 위한 입력부(3)와 부하(6)에 접속을 위한 출력부(4)를 가지며, 각각 가변 리액턴스(XP, XS)를 갖는 적어도 하나의 제 1 및 제 2 직렬 연결된 매칭 스테이지(10, 12)를 구비하는 임피던스 매칭 네트워크(2)를 제어하기 위한 컴퓨터 프로그램 제품에 있어서,
    컴퓨터에 의해 프로그램이 실행될 때 방법 단계들을 수행하는 명령을 포함하며, 상기 방법 단계들은:
    a) 측정된 입력 임피던스(Zin)와 매칭 스테이지(10, 12) 중 적어도 하나의 매칭 스테이지의 적어도 하나의 현재 상태값으로부터, 특히 매칭 스테이지(10, 12) 사이에 발생하는 임피던스인 중간 임피던스(Zinter)를 결정하는 단계,
    b) 상기 중간 임피던스(Zinter)와 상기 임피던스 매칭 네트워크(2)의 모델로부터 매칭 스테이지(10, 12)의 적어도 하나의 리액턴스(XP, XS)에 대한 변경 설정값(dXP, dXS)을 결정하는 단계,
    c) 상기 변경 설정값(dXP, dXS)에 기초하여, 상기 매칭 스테이지(10, 12) 중 적어도 하나의 매칭 스테이지의 상태를 변경하기 위한 신호를 출력하는 단계,
    d) 단계 a) 내지 c)를 반복하는 단계
    를 포함하는, 컴퓨터 프로그램 제품.
  16. 제 15 항의 단계 a) 내지 d)를 수행하기 위해 프로세서로 실행하기 위한 또는 프로그래밍 가능한 논리 유닛을 구성하기 위한 명령이 저장되어 있는 비휘발성 저장 매체.
  17. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 따른 임피던스 매칭을 위한 방법에 대해 설계된, 그리고/또는 제 14 항에 따른 임피던스 매칭 장치를 구비하고 부하(6)로서 플라즈마 공정 장치, 특히 RF 여기 플라즈마 공정 장치를 구비하는 플라즈마 시스템.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102023104948A1 (de) 2023-02-28 2024-08-29 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Impedanzanpassungsschaltung, Plasmaprozessversorgungssystem und Plasmaprozesssystem
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CN117538616B (zh) * 2024-01-09 2024-04-23 深圳市瀚强科技股份有限公司 阻抗检测方法、阻抗检测电路及阻抗检测设备

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009001355B4 (de) 2009-03-05 2015-01-22 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Impedanzanpassungsschaltung und Verfahren zur Impedanzanpassung
DE102011007597B4 (de) 2011-04-18 2014-07-10 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Verfahren zur Impendanzanpassung und Hochfrequenz-Leistungsversorgung
DE102011007598B4 (de) 2011-04-18 2014-06-26 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Verfahren und Vorrichtung zur Impedanzanpassung
DE102011076404B4 (de) 2011-05-24 2014-06-26 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Verfahren zur Impedanzanpassung der Ausgangsimpedanz einer Hochfrequenzleistungsversorgungsanordnung an die Impedanz einer Plasmalast und Hochfrequenzleistungsversorgungsanordnung
US9520905B2 (en) * 2012-09-04 2016-12-13 Pioneer Corporation Impedance matching apparatus and method, and computer program
KR101544975B1 (ko) * 2013-09-30 2015-08-18 주식회사 플라즈마트 임피던스 매칭 방법 및 임피던스 매칭 시스템
DE102014209469A1 (de) 2014-05-19 2015-11-19 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Regelungsanordnung, Regelsystem und Hochfrequenzleistungserzeugungsvorrichtung
DE102015220847A1 (de) 2015-10-26 2017-04-27 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Verfahren zur Impedanzanpassung einer Last an die Ausgangsimpedanz eines Leistungsgenerators und Impedanzanpassungsanordnung
US11114280B2 (en) * 2017-07-10 2021-09-07 Reno Technologies, Inc. Impedance matching with multi-level power setpoint
JP7094179B2 (ja) * 2018-08-28 2022-07-01 東京エレクトロン株式会社 インピーダンス整合方法およびインピーダンス整合装置
DE202020103539U1 (de) 2020-06-19 2020-06-29 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Schaltbare-Reaktanz-Einheit, veränderbare Reaktanz, Hochfrequenzgenerator und Impedanzanpassungsanordnung mit einer Schaltbare-Reaktanz- Einheit
DE202021100710U1 (de) 2021-02-12 2021-02-19 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Leistungsversorgungseinrichtung und Plasmasystem

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