KR20230144303A - Improved warpage unit for wafer - Google Patents
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Abstract
웨이퍼 휨 개선 유닛이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 휨 개선 유닛은, 웨이퍼에 대향하여 상기 웨이퍼와의 거리를 측정하는 복수개의 거리 측정 센서; 및 상기 거리 측정 센서와 나란하게 배치되어, 상기 웨이퍼를 냉각하는 복수개의 냉각 모듈을 포함하고, 상기 거리 측정 센서는 서로 등 간격으로 배치되며, 상기 냉각 모듈은 복수개의 냉각존을 이루며 이격 마련될 수 있다.A wafer warpage improvement unit is disclosed. A wafer warpage improvement unit according to an embodiment of the present invention includes a plurality of distance measurement sensors that face a wafer and measure a distance from the wafer; and a plurality of cooling modules arranged in parallel with the distance measuring sensor to cool the wafer, wherein the distance measuring sensors are arranged at equal intervals from each other, and the cooling modules may be spaced apart to form a plurality of cooling zones. there is.
Description
본 발명은 웨이퍼 지지 유닛에 관한 것으로, 보다 구체적으로 웨이퍼의 휨을 개선시키기 위한 웨이퍼 휨 개선 유닛에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer support unit, and more specifically to a wafer warpage improvement unit for improving the warpage of a wafer.
반도체 소자들은 웨이퍼 상에 일련의 공정들이 반복적으로 수행됨으로써 제조된다. 웨이퍼 상에 박막을 형성하기 위한 증착 공정, 박막에 전기적 특성을 갖는 패턴 형성을 위한 에칭 공정, 패턴에 불순물을 주입하기 위한 이온 주입 공정, 웨이퍼로부터 불필요한 물질을 제거하기 위한 세정 공정 등이 이에 해당된다.Semiconductor devices are manufactured by repeatedly performing a series of processes on a wafer. These include a deposition process to form a thin film on a wafer, an etching process to form a pattern with electrical properties on the thin film, an ion implantation process to inject impurities into the pattern, and a cleaning process to remove unnecessary substances from the wafer. .
웨이퍼는 열팽창계수(thermal expansion coefficient)가 서로 다른 이종 물질들이 결합해 이루어진다. 이러한 이종 물질 사이의 접합부가 열 처리 등 여러 공정을 거치는 과정에서 발생된 열적 스트레스로 인해 웨이퍼의 뒤틀림(warpage), 크랙 또는 깨짐, 나아가 결합해제(debonding) 등을 초래하였다.Wafers are made by combining dissimilar materials with different thermal expansion coefficients. The thermal stress generated when the junction between these dissimilar materials undergoes various processes such as heat treatment causes warpage, cracks or breaks in the wafer, and further debonding.
웨이퍼에 이러한 변형이 생기면 웨이퍼 내부 스트레스가 높아져 기계적 손상은 물론, 전기적 성능을 내지 못해 불량을 초래하는 등 제품 수율이 떨어지고, 휜 웨이퍼의 이송시에도 어려움이 유발되는 등 문제점이 있었다.When such deformation occurs in the wafer, the internal stress of the wafer increases, causing not only mechanical damage but also defects due to poor electrical performance, which reduces product yield and causes difficulties in transporting the bent wafer.
본 발명은 종래 웨이퍼 지지 유닛의 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로서, 열처리에 따른 웨이퍼의 휨을 개선해 수율을 향상시킬 수 있는 웨이퍼 휨 개선 유닛에 관한 것이다.The present invention was created to solve the problems of the conventional wafer support unit, and relates to a wafer warpage improvement unit that can improve yield by improving the warpage of the wafer due to heat treatment.
상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 웨이퍼 휨 개선 유닛을 제공한다.In order to solve the above technical problem, the present invention provides a wafer warpage improvement unit.
본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 휨 개선 유닛은, 웨이퍼에 대향하여 상기 웨이퍼와의 거리를 측정하는 복수개의 거리 측정 센서; 및 상기 거리 측정 센서와 나란하게 배치되어, 상기 웨이퍼를 냉각하는 복수개의 냉각 모듈을 포함하고, 상기 거리 측정 센서는 일정한 간격으로 배치되며, 상기 냉각 모듈은 복수개의 냉각존을 이루며 이격 마련될 수 있다.A wafer warpage improvement unit according to an embodiment of the present invention includes a plurality of distance measurement sensors that face a wafer and measure a distance from the wafer; and a plurality of cooling modules arranged in parallel with the distance measuring sensor to cool the wafer, wherein the distance measuring sensors are arranged at regular intervals, and the cooling modules may be spaced apart to form a plurality of cooling zones. .
일 실시예에 따르면, 상기 냉각 모듈과 교차 마련되어, 승하강 이동이 가능하고 상기 웨이퍼를 지지 가능한 리프트 핀을 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, the cooling module may further include a lift pin that intersects with the cooling module, is capable of moving up and down, and is capable of supporting the wafer.
일 실시예에 따르면, 상기 리프트 핀은, 처킹 수단 또는 패드 중 어느 하나가 단부에 마련될 수 있다.According to one embodiment, the lift pin may have either a chucking means or a pad provided at an end.
일 실시예에 따르면, 상기 거리 측정 센서는, 상기 웨이퍼의 일면에 대향하는 제1 거리 측정 센서; 및 상기 웨이퍼의 타면에 대향하는 제2 거리 측정 센서를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the distance measuring sensor includes: a first distance measuring sensor facing one side of the wafer; And it may include a second distance measuring sensor facing the other side of the wafer.
일 실시예에 따르면, 상기 거리 측정 센서의 거리 측정 데이터를 토대로 상기 냉각 모듈의 냉각 세기를 조절 가능한 컨트롤러를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, the controller may further include a controller capable of adjusting the cooling intensity of the cooling module based on distance measurement data from the distance measurement sensor.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 냉각 모듈은 복수개의 제1 쿨링 라인을 포함하고,According to one embodiment, the first cooling module includes a plurality of first cooling lines,
일 실시예에 따르면, 상기 컨트롤러는, 상기 거리 측정 데이터를 가지고 상기 웨이퍼의 휨 여부와 휨 정도를 산출하는 웨이퍼 휨 산출부; 및 상기 냉각존마다 상기 냉각 모듈의 냉각 세기를 다르게 조절하는 냉각 세기 조절부를 포함할 수 있다.According to one embodiment, the controller includes a wafer warpage calculation unit that calculates whether the wafer is warped and the degree of warpage using the distance measurement data; And it may include a cooling intensity control unit that differently adjusts the cooling intensity of the cooling module for each cooling zone.
일 실시예에 따르면, 상기 웨이퍼 휨 산출부는, 아래의 수학식을 이용하여 상기 웨이퍼의 휨 여부와 휨 정도를 산출할 수 있다.According to one embodiment, the wafer warpage calculation unit may calculate whether the wafer is warped and the degree of warpage using the equation below.
<수학식><Equation>
여기서 C1은 제1a 거리 측정 센서의 거리 측정 데이터, C2는 제1b 거리 측정 센서의 거리 측정 데이터, C3는 제1c 거리 측정 센서의 거리 측정 데이터를 의미함.Here, C1 refers to the distance measurement data of the 1st distance measurement sensor, C2 refers to the distance measurement data of the 1b distance measurement sensor, and C3 refers to the distance measurement data of the 1c distance measurement sensor.
일 실시예에 따르면, 상기 냉각 모듈은, 상기 제1 거리 측정 센서와 나란하게 배치된 복수개의 제1 쿨링 라인을 가지는 제1 냉각 모듈; 및 상기 제1 쿨링 라인과 동축 상에 대향하고, 상기 제2 거리 측정 센서와 나란하게 배치된 복수개의 제2 쿨링 라인을 가지는 제2 냉각 모듈을 포함하고, 상기 냉각 세기 조절부는, 상기 수학식의 결과에 따라 상기 제1 쿨링 라인과 상기 제2 쿨링 라인의 냉각 세기를 선택적으로 조절될 수 있다.According to one embodiment, the cooling module includes: a first cooling module having a plurality of first cooling lines arranged in parallel with the first distance measuring sensor; And a second cooling module facing coaxially with the first cooling line and having a plurality of second cooling lines arranged in parallel with the second distance measuring sensor, wherein the cooling intensity adjusting unit has the equation According to the results, the cooling intensity of the first cooling line and the second cooling line can be selectively adjusted.
본 발명의 실시예에 따르면, 제1 냉각 모듈과 제2 냉각 모듈이 웨이퍼의 휨 정도에 따라 웨이퍼의 각 영역별 냉매량을 달리하여 웨이퍼 상하면을 냉각시킴으로써 웨이퍼의 변형을 복구시킬 수 있는 점이 있다.According to an embodiment of the present invention, the first cooling module and the second cooling module can recover the deformation of the wafer by cooling the upper and lower surfaces of the wafer by varying the amount of coolant for each region of the wafer according to the degree of warping of the wafer.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 거리 측정 센서와 제2 거리 측정 센서가 연동되어, 웨이퍼 휨 산출부는 수직방향으로 웨이퍼의 위치 변형 여부를 확인할 수 있어, 웨이퍼의 변형 여부의 정확성을 기할 수 있는 이점이 있다.According to an embodiment of the present invention, the first distance measurement sensor and the second distance measurement sensor are linked, and the wafer warpage calculation unit can check whether the wafer is deformed in the vertical direction, thereby ensuring accuracy of whether the wafer is deformed. There is an advantage.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 리프트 핀이 국소 부위에서 지지한 채로 대면적에서 노출된 웨이퍼를 효과적으로 냉각시킴에 따라 웨이퍼의 열변형에 따른 뒤틀림을 개선하고, 웨이퍼의 이송을 보다 용이하게 한 이점이 있다.According to another embodiment of the present invention, the wafer exposed in a large area is effectively cooled while the lift pin supports it in a local area, thereby improving distortion due to thermal deformation of the wafer and making wafer transfer easier. There is.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 휨 개선 유닛을 개략적으로 보여주는 정단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 휨 개선 유닛의 동작 관계를 모식적으로 보여주는 도면이다.
도 3(a)는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 거리 측정 센서와 제1 냉각 모듈의 저면도이고, 도 3(b)는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 거리 측정 센서와 제2 냉각 모듈의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 휨 산출부의 동작 관계를 모시적으로 보여주는 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 냉각 세기 조절부와 제1 냉각 모듈의 동작 관계를 모식적으로 보여주는 도면이다.
도 6(a)와 도 6(b)는 본 발명의 일 실시예에 따른 리프트 핀의 양태를 보여주는 도면이다.1 is a front cross-sectional view schematically showing a wafer warpage improvement unit according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 is a diagram schematically showing the operational relationship of the wafer warpage improvement unit according to an embodiment of the present invention.
Figure 3(a) is a bottom view of a first distance measuring sensor and a first cooling module according to an embodiment of the present invention, and Figure 3(b) is a bottom view of a second distance measuring sensor and a first cooling module according to an embodiment of the present invention. 2 This is a top view of the cooling module.
Figure 4 is a diagram schematically showing the operational relationship of the wafer warpage calculation unit according to an embodiment of the present invention.
Figure 5 is a diagram schematically showing the operational relationship between the cooling intensity control unit and the first cooling module according to an embodiment of the present invention.
Figures 6(a) and 6(b) are views showing aspects of a lift pin according to an embodiment of the present invention.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 여기서 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 통상의 기술자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the attached drawings. However, the technical idea of the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided so that the disclosed content will be thorough and complete and so that the spirit of the present invention can be sufficiently conveyed to those skilled in the art.
본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 형상 및 크기는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.In this specification, when an element is referred to as being on another element, it means that it may be formed directly on the other element or that a third element may be interposed between them. Additionally, in the drawings, the shape and size are exaggerated for effective explanation of technical content.
또한, 본 명세서의 다양한 실시예들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서 어느 한 실시예에 제 1 구성요소로 언급된 것이 다른 실시예에서는 제 2 구성요소로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시예는 그것의 상보적인 실시예도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 '및/또는'은 전후에 나열한 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용되었다.Additionally, in various embodiments of the present specification, terms such as first, second, and third are used to describe various components, but these components should not be limited by these terms. These terms are merely used to distinguish one component from another. Accordingly, what is referred to as a first component in one embodiment may be referred to as a second component in another embodiment. Each embodiment described and illustrated herein also includes its complementary embodiment. Additionally, in this specification, 'and/or' is used to mean including at least one of the components listed before and after.
명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. 또한, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다. 또한, 본 명세서에서 "연결"은 복수의 구성 요소를 간접적으로 연결하는 것, 및 직접적으로 연결하는 것을 모두 포함하는 의미로 사용된다.In the specification, singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In addition, terms such as "include" or "have" are intended to designate the presence of features, numbers, steps, components, or a combination thereof described in the specification, but are not intended to indicate the presence of one or more other features, numbers, steps, or components. It should not be understood as excluding the possibility of the presence or addition of elements or combinations thereof. Additionally, in this specification, “connection” is used to mean both indirectly connecting and directly connecting a plurality of components.
또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.Additionally, in the following description of the present invention, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 휨 개선 유닛(10)을 개략적으로 보여주는 정단면도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 휨 개선 유닛(10)의 동작 관계를 모식적으로 보여주는 도면이고, 도 3(a)는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 거리 측정 센서(110)와 제1 냉각 모듈(210)의 저면도이고, 도 3(b)는 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 거리 측정 센서(120)와 제2 냉각 모듈(220)의 평면도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 휨 산출부(410)의 동작 관계를 모시적으로 보여주는 도면이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 냉각 세기 조절부(420)와 제1 냉각 모듈(210)의 동작 관계를 모식적으로 보여주는 도면이며, 도 6(a)와 도 6(b)는 본 발명의 일 실시예에 따른 리프트 핀(300)의 양태를 보여주는 도면이다.Figure 1 is a front cross-sectional view schematically showing the wafer warpage improvement unit 10 according to an embodiment of the present invention, and Figure 2 schematically shows the operational relationship of the wafer warpage improvement unit 10 according to an embodiment of the present invention. It is a drawing showing, Figure 3(a) is a bottom view of the first distance measurement sensor 110 and the first cooling module 210 according to an embodiment of the present invention, and Figure 3(b) is an example of the present invention. It is a top view of the second distance measurement sensor 120 and the second cooling module 220 according to an embodiment, and Figure 4 schematically shows the operational relationship of the wafer warp calculation unit 410 according to an embodiment of the present invention. It is a drawing, and Figure 5 is a diagram schematically showing the operational relationship between the cooling intensity control unit 420 and the first cooling module 210 according to an embodiment of the present invention, and Figures 6(a) and 6(b) ) is a diagram showing an aspect of the lift pin 300 according to an embodiment of the present invention.
도 1 내지 도 6(b)를 참조하면 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 휨 개선 유닛(10)은, 거리 측정 센서(110, 120)와 냉각 모듈(210, 220)을 포함하고, 나아가 리프트 핀(300)과 컨트롤러(400)를 더 포함할 수 있다.1 to 6(b), the wafer warpage improvement unit 10 according to an embodiment of the present invention includes distance measurement sensors 110 and 120 and cooling modules 210 and 220, and further includes a lift It may further include a pin 300 and a controller 400.
다시 도 1 내지 도 5를 참조하면 거리 측정 센서(110, 120)는, 웨이퍼(W)와 대향하도록 위치할 수 있다. 거리 측정 센서(110, 120)는, 웨이퍼(W)와의 거리를 측정할 수 있다. 거리 측정 센서(110, 120)는, 제1 거리 측정 센서(110)와 제2 거리 측정 센서(120)를 포함할 수 있다.Referring again to FIGS. 1 to 5 , the distance measurement sensors 110 and 120 may be positioned to face the wafer W. The distance measurement sensors 110 and 120 can measure the distance to the wafer (W). The distance measurement sensors 110 and 120 may include a first distance measurement sensor 110 and a second distance measurement sensor 120.
거리 측정 센서(110, 120)는, 복수개의 거리 측정 데이터를 토대로 웨이퍼(W)의 휨 여부를 확인할 수 있다.The distance measurement sensors 110 and 120 may check whether the wafer W is bent based on a plurality of distance measurement data.
제1 거리 측정 센서(110)는, 복수개가 서로 수평면 상에 이격 마련될 수 있다. 제1 거리 측정 센서(110)는, 수직 방향에서 대향하는 웨이퍼(W)의 각 지점과의 이격 거리를 측정할 수 있다. 제1 거리 측정 센서(110)는, 웨이퍼(W)의 일면에 대향하도록 위치할 수 있다.A plurality of first distance measuring sensors 110 may be spaced apart from each other on a horizontal plane. The first distance measurement sensor 110 can measure the separation distance from each point of the wafer W facing in the vertical direction. The first distance measuring sensor 110 may be positioned to face one side of the wafer (W).
제1 거리 측정 센서(110)는, 비접촉 방식에 의해 웨이퍼(W)와의 거리를 측정할 수 있다. 제1 거리 측정 센서(110)는, 상부에 이격 마련된 웨이퍼(W)와의 거리를 측정할 수 있다. 제1 거리 측정 센서(110)는 레이저를 조사하는 발광부와 레이저의 반사광을 수광하는 수광부를 포함할 수 있다.The first distance measurement sensor 110 can measure the distance to the wafer W using a non-contact method. The first distance measurement sensor 110 can measure the distance to the wafer W spaced apart from the upper portion. The first distance measuring sensor 110 may include a light emitting unit that irradiates a laser and a light receiving unit that receives reflected light from the laser.
제1 거리 측정 센서(110)는, 서로 등 간격으로 배치될 수 있다. 제1 거리 측정 센서(110)는, 제1a 거리 측정 센서(111)와 제1b 거리 측정 센서(112), 제1c 거리 측정 센서(113)를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따라, 제1a 거리 측정 센서(111)와 제1b 거리 측정 센서(112), 제1c 거리 측정 센서(113)는, 일 방향에서 서로 등간격을 이루며 L 만큼 서로 이격 배치될 수 있다.The first distance measuring sensors 110 may be arranged at equal intervals from each other. The first distance measurement sensor 110 may include a 1st a distance measurement sensor 111, a 1b distance measurement sensor 112, and a 1c distance measurement sensor 113. According to one embodiment, the 1st distance measurement sensor 111, the 1b distance measurement sensor 112, and the 1c distance measurement sensor 113 may be arranged at equal intervals from each other in one direction and spaced apart from each other by L. .
제2 거리 측정 센서(120)는, 복수개가 서로 수평면 상에 이격 마련될 수 있다. 제2 거리 측정 센서(120)는, 수직 방향에서 대향하는 웨이퍼(W)의 각 지점과의 이격 거리를 측정할 수 있다. 제2 거리 측정 센서(120)는, 웨이퍼(W)의 타면에 대향하도록 위치할 수 있다.A plurality of second distance measuring sensors 120 may be spaced apart from each other on a horizontal plane. The second distance measurement sensor 120 can measure the separation distance from each point of the wafer W facing in the vertical direction. The second distance measuring sensor 120 may be positioned to face the other surface of the wafer (W).
제2 거리 측정 센서(120)는, 비접촉 방식에 의해 웨이퍼(W)와의 거리를 측정할 수 있다. 제2 거리 측정 센서(120)는, 하부에 이격 마련된 웨이퍼(W)와의 거리를 측정할 수 있다. 제2 거리 측정 센서(120)는 레이저를 조사하는 발광부와 레이저의 반사광을 수광하는 수광부를 포함할 수 있다.The second distance measurement sensor 120 can measure the distance to the wafer W using a non-contact method. The second distance measuring sensor 120 can measure the distance to the wafer W spaced apart from the lower portion. The second distance measuring sensor 120 may include a light emitting unit that irradiates a laser and a light receiving unit that receives reflected light from the laser.
제2 거리 측정 센서(120)는, 서로 등 간격으로 배치될 수 있다. 제2 거리 측정 센서(120)는, 제2a 거리 측정 센서(121)와 제2b 거리 측정 센서(122), 제2c 거리 측정 센서(123)를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따라, 제2a 거리 측정 센서(121)와 제2b 거리 측정 센서(122), 제2c 거리 측정 센서(123)는, 일 방향에서 서로 등간격을 이루며 L 만큼 서로 이격 배치될 수 있다.The second distance measuring sensors 120 may be arranged at equal intervals from each other. The second distance measurement sensor 120 may include a 2a distance measurement sensor 121, a 2b distance measurement sensor 122, and a 2c distance measurement sensor 123. According to one embodiment, the 2a distance measurement sensor 121, the 2b distance measurement sensor 122, and the 2c distance measurement sensor 123 may be arranged at equal intervals from each other in one direction and spaced apart from each other by L. .
다시 도 1 내지 도 5를 참조하면 냉각 모듈(210, 220)은, 웨이퍼(W)를 냉각시킬 수 있다. 냉각 모듈(210, 220)은, 제1 냉각 모듈(210)과 제2 냉각 모듈(220)을 포함할 수 있다.Referring again to FIGS. 1 to 5, the cooling modules 210 and 220 may cool the wafer W. The cooling modules 210 and 220 may include a first cooling module 210 and a second cooling module 220 .
냉각 모듈(210, 220)은, 복수개의 냉각존(a1, a2, a3, a4, b1, b2, b3, b4, b5, b6, b7, b8)을 이루며 이격 마련될 수 있다. 냉각존(a1, a2, a3, a4, b1, b2, b3, b4, b5, b6, b7, b8)은, 방사상 서로 이격 마련될 수 있다.The cooling modules 210 and 220 may be spaced apart from each other to form a plurality of cooling zones (a1, a2, a3, a4, b1, b2, b3, b4, b5, b6, b7, and b8). The cooling zones (a1, a2, a3, a4, b1, b2, b3, b4, b5, b6, b7, b8) may be radially spaced apart from each other.
제1 냉각 모듈(210)과 제2 냉각 모듈(220)은, 각각의 냉각존(a1, a2, a3, a4, b1, b2, b3, b4, b5, b6, b7, b8)으로 구획될 수 있다.The first cooling module 210 and the second cooling module 220 can be divided into respective cooling zones (a1, a2, a3, a4, b1, b2, b3, b4, b5, b6, b7, b8). there is.
각각의 제1 냉각 모듈(210), 제2 냉각 모듈(220)의 냉각존(a1, a2, a3, a4, b1, b2, b3, b4, b5, b6, b7, b8)은, 다른 냉각 세기로 냉매를 제공할 수 있다.The cooling zones (a1, a2, a3, a4, b1, b2, b3, b4, b5, b6, b7, b8) of each of the first cooling module 210 and the second cooling module 220 have different cooling intensities. The refrigerant can be provided.
제1 냉각 모듈(210)은, 제1 거리 측정 센서(110)와 나란히 배치 마련될 수 있다. 제1 냉각 모듈(210)은, 제1 쿨링 라인(211)을 포함하고, 나아가 냉매 주입구(미도시)와 분배기(미도시)를 더 포함할 수 있다.The first cooling module 210 may be arranged side by side with the first distance measurement sensor 110. The first cooling module 210 includes a first cooling line 211 and may further include a refrigerant inlet (not shown) and a distributor (not shown).
제1 쿨링 라인(211)은, 웨이퍼(W)의 각 영역 별 서로 이격되어 복수개가 마련될 수 있다. 일 실시예에 따른 제1 쿨링 라인(211)은, 하나의 냉매 주입구(미도시)와 분배기(미도시)로 분기되어 웨이퍼(W)의 마주보는 면 상에서 서로 이격되어 마련될 수 있다.A plurality of first cooling lines 211 may be provided in each region of the wafer W and spaced apart from each other. The first cooling line 211 according to one embodiment may be branched into a refrigerant inlet (not shown) and a distributor (not shown) and spaced apart from each other on the facing side of the wafer (W).
각각의 제1 쿨링 라인(211)은, 웨이퍼(W)의 서로 다른 영역에 냉매를 제공할 수 있다. 하나의 제1 쿨링 라인(211)은, 각각 서로 다른 냉각존(a1, a2, a3, a4, b1, b2, b3, b4, b5, b6, b7, b8)에 이격 배치될 수 있다. 제1 쿨링 라인(211)은, 후술할 컨트롤러(400)의 제어에 의해 주입되는 냉매의 출력 세기가 각기 독립적으로 조절될 수 있다.Each first cooling line 211 may provide coolant to different areas of the wafer W. One first cooling line 211 may be spaced apart from each other in different cooling zones (a1, a2, a3, a4, b1, b2, b3, b4, b5, b6, b7, and b8). The output intensity of the injected refrigerant in the first cooling line 211 may be independently adjusted by control of the controller 400, which will be described later.
제2 냉각 모듈(220)은, 제2 거리 측정 센서(120)와 나란히 배치 마련될 수 있다. 제2 냉각 모듈(220)은, 제2 쿨링 라인(221)을 포함하고, 나아가 냉매 주입구(미도시)와 분배기(미도시)를 더 포함할 수 있다.The second cooling module 220 may be arranged side by side with the second distance measuring sensor 120. The second cooling module 220 includes a second cooling line 221 and may further include a refrigerant inlet (not shown) and a distributor (not shown).
제2 쿨링 라인(221)은, 웨이퍼(W)의 각 영역 별 서로 이격되어 복수개가 마련될 수 있다. 일 실시예에 따른 제2 쿨링 라인(221)은, 하나의 냉매 주입구(미도시)와 분배기(미도시)로 분기되어 웨이퍼(W)의 마주보는 면 상에서 서로 이격되어 마련될 수 있다.A plurality of second cooling lines 221 may be provided in each region of the wafer W and spaced apart from each other. The second cooling line 221 according to one embodiment may be branched into a refrigerant inlet (not shown) and a distributor (not shown) and spaced apart from each other on the facing side of the wafer (W).
각각의 제2 쿨링 라인(221)은, 웨이퍼(W)의 서로 다른 영역에 냉매를 제공할 수 있다. 하나의 제2 쿨링 라인(221)은, 각각 서로 다른 냉각존(a1, a2, a3, a4, b1, b2, b3, b4, b5, b6, b7, b8)에 이격 배치될 수 있다. 제2 쿨링 라인(221)은, 후술할 컨트롤러(400)의 제어에 의해 주입되는 냉매의 세기가 각기 독립적으로 조절될 수 있다.Each second cooling line 221 may provide coolant to different areas of the wafer W. One second cooling line 221 may be spaced apart from each other in different cooling zones (a1, a2, a3, a4, b1, b2, b3, b4, b5, b6, b7, and b8). The intensity of the refrigerant injected into the second cooling line 221 may be independently adjusted by control of the controller 400, which will be described later.
제2 쿨링 라인(221)은, 제1 쿨링 라인(211)과 동축 상에 대향하도록 배치될 수 있다.The second cooling line 221 may be arranged to face the first cooling line 211 on the same axis.
다시 도 1과 도 2(a), 도 3(a), 도 6(a), 도 6(b)를 참조하면 리프트 핀(300)은, 웨이퍼(W)를 지지할 수 있다. 리프트 핀(300)은, 승하강 이동이 가능하다. 리프트 핀(300)는, 복수개가 서로 이격 마련되어 웨이퍼(W)의 각 국소 영역마다 지지할 수 있다.Referring again to FIGS. 1, 2(a), 3(a), 6(a), and 6(b), the lift pins 300 may support the wafer W. The lift pin 300 is capable of moving up and down. A plurality of lift pins 300 may be provided to be spaced apart from each other to support each local area of the wafer W.
리프트 핀(300)은, 복수개가 서로 상대적으로 수직 방향에서 위치 조절에 의해 웨이퍼(W)를 정렬 지지할 수 있다.A plurality of lift pins 300 may align and support the wafer W by adjusting their positions in a relatively vertical direction.
리프트 핀(300)은, 제1 냉각 모듈(210)과 교차 마련될 수 있다. 또한 리프트 핀(300)은, 제1 거리 측정 센서(110)와도 나란히 교차 마련될 수 있다. 리프트 핀(300)은, 단부에 처킹 수단(310) 또는 패드(320)가 마련될 수 있다.The lift pin 300 may be provided to cross the first cooling module 210 . In addition, the lift pin 300 may be provided in parallel with the first distance measurement sensor 110 to cross. The lift pin 300 may be provided with a chucking means 310 or a pad 320 at its end.
도 6(a)를 참조하면 일 실시예에 따른 리프트 핀(300)은, 일 단부에 처킹 수단(310)이 마련될 수 있다. 처킹 수단(310)은, 웨이퍼(W)의 일단부를 처킹(chucking)할 수 있다.Referring to FIG. 6(a), the lift pin 300 according to one embodiment may be provided with a chucking means 310 at one end. The chucking means 310 may chucking one end of the wafer (W).
도 6(b)를 참조하면 다른 실시예에 따른 리프트 핀(300)은, 일 단부에 패드(320)가 마련될 수 있다. 패드(320)는, 웨이퍼(W)와의 미끄럼 방지를 위해 고무 재질 또는 샌딩 처리될 수 있다.Referring to FIG. 6(b), the lift pin 300 according to another embodiment may be provided with a pad 320 at one end. The pad 320 may be made of rubber or sanded to prevent slipping against the wafer W.
다시 도 1내지 도 5를 참조하면 컨트롤러(400)는, 웨이퍼(W)의 편평도를 조절할 수 있다. 컨트롤러(400)는, 거리 측정 센서(110, 120)의 거리 측정 데이터를 토대로 냉각 모듈(210, 220)의 냉각 세기를 조절할 수 있다. 컨트롤러(400)는, 각기 다른 냉각존(a1, a2, a3, a4, b1, b2, b3, b4, b5, b6, b7, b8)의 제1 쿨링 라인(211) 또는 제2 쿨링 라인(221)마다 주입되는 냉매의 세기를 각기 독립적으로 제어할 수 있다.Referring again to FIGS. 1 to 5, the controller 400 can adjust the flatness of the wafer (W). The controller 400 may adjust the cooling intensity of the cooling modules 210 and 220 based on the distance measurement data of the distance measurement sensors 110 and 120. The controller 400 operates the first cooling line 211 or the second cooling line 221 in different cooling zones (a1, a2, a3, a4, b1, b2, b3, b4, b5, b6, b7, b8). ), the strength of the injected refrigerant can be controlled independently.
컨트롤러(400)는, 웨이퍼 휨 산출부(410)와 냉각 세기 조절부(420)를 포함할 수 있다.The controller 400 may include a wafer warpage calculation unit 410 and a cooling intensity control unit 420.
웨이퍼 휨 산출부(410)는, 제1 거리 측정 센서 또는 제2 거리 측정 센서의 거리 측정 데이터를 가지고 웨이퍼(W)의 휨 여부와 휨 정도를 산출할 수 있다. 웨이퍼 휨 산출부(410)는, 아래의 수학식을 이용해 웨이퍼(W)의 휨 여부와 휨 정도를 산출할 수 있다.The wafer bending calculation unit 410 may calculate whether the wafer W is bent and the degree of bending using distance measurement data from the first distance measurement sensor or the second distance measurement sensor. The wafer warp calculation unit 410 can calculate whether the wafer W is warped and the degree of warp using the equation below.
여기서 C1은 제1a 거리 측정 센서의 거리 측정 데이터, C2는 제1b 거리 측정 센서의 거리 측정 데이터, C3는 제1c 거리 측정 센서의 거리 측정 데이터를 의미할 수 있다.Here, C1 may mean distance measurement data from the 1a distance measurement sensor, C2 may mean distance measurement data from the 1b distance measurement sensor, and C3 may mean distance measurement data from the 1c distance measurement sensor.
웨이퍼 휨 산출부(410)는, 일 방향으로 나란히 위치한 제1a 거리 측정 센서(111)와 제1b 거리 측정 센서(112), 제1c 거리 측정 센서(113)로부터 각각의 거리 측정 데이터(C1, C2, C3)를 수신할 수 있다.The wafer warpage calculation unit 410 calculates distance measurement data (C1, C2) from the 1st a distance measurement sensor 111, the 1b distance measurement sensor 112, and the 1c distance measurement sensor 113 located side by side in one direction. , C3) can be received.
위 수학식에 따른 결과가 (+)이면, 웨이퍼(W)에서 제1b 거리 측정 센서(112)에 대응되는 영역이 오목하게 위로 휜 것(cry)일 수 있다. 위 수학식에 따른 결과가 (-)이면, 웨이퍼(W)에서 제1b 거리 측정 센서(112)에 대응되는 영역이 볼록하게 아래로 휜 것(smile)일 수 있다.If the result according to the above equation is (+), the area of the wafer W corresponding to the 1b distance measurement sensor 112 may be concavely bent upward (cry). If the result according to the above equation is (-), the area of the wafer W corresponding to the 1b distance measurement sensor 112 may be convexly curved downward (smile).
또한 웨이퍼 휨 산출부(410)는, 일 방향으로 나란히 위치한 제2a 거리 측정 센서(121)와 제2b 거리 측정 센서(122), 제2c 거리 측정 센서(123)로부터 각각의 거리 측정 데이터(C1, C2, C3)를 수신할 수 있다.In addition, the wafer warpage calculation unit 410 receives distance measurement data (C1, C2, C3) can be received.
위 수학식에 따른 결과가 (+)이면, 웨이퍼(W)에서 제2b 거리 측정 센서(122)에 대응되는 영역이 볼록하게 아래로 휜 것(smile)일 수 있다. 위 수학식에 따른 결과가 (-)이면, 웨이퍼(W)에서 제2b 거리 측정 센서(122)에 대응되는 영역이 오목하게 위로 휜 것(cry)이거나, 일 수 있다.If the result according to the above equation is (+), the area of the wafer W corresponding to the 2b distance measurement sensor 122 may be convexly curved downward (smile). If the result according to the above equation is (-), the area of the wafer W corresponding to the 2b distance measurement sensor 122 may be concavely bent upward (cry).
컨트롤러(400)는, 거리 측정 센서와 냉각 모듈을 반복적으로 동작하도록 제어할 수 있다. 웨이퍼 휨 산출부(410)는, 냉각 세기 조절부(420)의 동작 도중에도 거리 측정 센서와 연동해 웨이퍼(W)의 휨 여부를 산출할 수 있다. 웨이퍼 휨 산출부(410)는, 위 수학식의 결과가 0에 도달할 때까지, 반복적으로 웨이퍼(W)의 휨 여부를 산출할 수 있다.The controller 400 may control the distance measurement sensor and the cooling module to operate repeatedly. The wafer warp calculation unit 410 can calculate whether the wafer W is warped in conjunction with the distance measurement sensor even during the operation of the cooling intensity control unit 420. The wafer warp calculation unit 410 may repeatedly calculate whether the wafer W is warped until the result of the above equation reaches 0.
냉각 세기 조절부(420)는, 냉각존(a1, a2, a3, a4, b1, b2, b3, b4, b5, b6, b7, b8)마다 냉각 모듈의 냉각 세기를 다르게 조절할 수 있다. 냉각 세기 조절부(420)는, 제1 쿨링 라인(211)과 제2 쿨링 라인(221)을 선택적으로 PID(Proportional Integral Derivative) 제어할 수 있다.The cooling intensity control unit 420 may adjust the cooling intensity of the cooling module differently for each cooling zone (a1, a2, a3, a4, b1, b2, b3, b4, b5, b6, b7, and b8). The cooling intensity controller 420 may selectively control the first cooling line 211 and the second cooling line 221 using Proportional Integral Derivative (PID) control.
냉각 세기 조절부(420)는, 웨이퍼 휨 산출부(410)의 결과에 기초해 PID제어함으로써, 제1 쿨링 라인(211)과 제2 쿨링 라인(221)으로 제공되는 냉매량을 선택적으로 개폐 및 세기 조절할 수 있다. PID 제어란, 기준 값과 측정 데이터 사이의 오차값에 근거하여, 출력값이 기준 값을 유지하도록 제어하는 피드백 제어의 일종이다.The cooling intensity control unit 420 performs PID control based on the results of the wafer warpage calculation unit 410 to selectively open/close and intensify the amount of refrigerant provided to the first cooling line 211 and the second cooling line 221. It can be adjusted. PID control is a type of feedback control that controls the output value to maintain the reference value based on the error value between the reference value and measurement data.
냉각 세기 조절부(420)는, PID 제어에 의해, 비례(Proportional) 제어와 비례 적분(Proportional-Integral) 제어, 비례 미분(Proportional-Derivative) 제어를 조합하여, 제1 쿨링 라인(211)과 제2 쿨링 라인(221) 각각의 냉매량을 냉각존(a1, a2, a3, a4, b1, b2, b3, b4, b5, b6, b7, b8) 단위로 결정할 수 있다. 도 5에 도시된 대로 일 실시예에 따르면, 냉각 세기 조절부(420)는, 냉각존(a1, a2, a3, a4) 영역의 제1 쿨링 라인(211)을 냉각존(b1, b2, b3, b4, b5, b6, b7, b8) 영역의 제1 쿨링 라인(211)보다 냉매량을 강하게 조절할 수 있다.The cooling intensity control unit 420 combines proportional control, proportional-integral control, and proportional-derivative control through PID control to control the first cooling line 211 and the first cooling line 211. 2 The amount of refrigerant in each cooling line 221 can be determined in units of cooling zones (a1, a2, a3, a4, b1, b2, b3, b4, b5, b6, b7, b8). According to one embodiment as shown in FIG. 5, the cooling intensity control unit 420 controls the first cooling line 211 in the cooling zone (a1, a2, a3, a4) area to cool the cooling zone (b1, b2, b3). , b4, b5, b6, b7, b8), the amount of refrigerant can be adjusted more strongly than that of the first cooling line 211 in the area.
냉각 세기 조절부(420)는, 비례 제어에 의해, 기준 값과 측정 데이터 사이의 오차값에 적당한 비례 상수 이득을 곱해 냉각 세기의 제어 신호를 생성할 수 있다. 냉각 세기 조절부(420)는, 비례 적분 제어에 의해, 오차값을 적분하여, 비례 제어 방식의 제어 신호와 병렬적으로 냉각 제기의 적분 제어 신호를 생성할 수 있다. 또한 냉각 세기 조절부(420)는, 비례 미분 제어에 의해, 오차값을 미분하여, 비례 제어 방식의 제어 신호와 병렬적으로 냉각 세기의 미분 제어 신호를 생성할 수 있다.The cooling intensity adjusting unit 420 may generate a cooling intensity control signal by multiplying the error value between the reference value and the measured data by an appropriate proportional constant gain through proportional control. The cooling intensity control unit 420 may integrate the error value through proportional integral control and generate an integral control signal for cooling in parallel with the control signal of the proportional control method. Additionally, the cooling intensity controller 420 may differentiate the error value using proportional differential control and generate a differential control signal of the cooling intensity in parallel with the proportional control control signal.
보다 구체적으로 냉각 세기 조절부(420)는, 제1 쿨링 라인(211)과 제2 쿨링 라인(221)으로 주입되는 냉매 기준 값을 연산할 수 있다. 냉각 세기 조절부(420)는, 웨이퍼 휨 산출부(410)의 휨 데이터를 전달받으면, 휨 데이터를 기초로 PID 제어하여 제1 쿨링 라인(211)과 제2 쿨링 라인(221)에 추가로 주입되는 냉매량을 결정할 수 있다.More specifically, the cooling intensity control unit 420 may calculate a reference value of the refrigerant injected into the first cooling line 211 and the second cooling line 221. When the cooling intensity control unit 420 receives the warpage data from the wafer warpage calculation unit 410, the cooling intensity control unit 420 performs PID control based on the warpage data and injects additional energy into the first cooling line 211 and the second cooling line 221. The amount of refrigerant can be determined.
일 실시예에 따라 냉각 세기 조절부(420)는, 웨이퍼(W)가 휜 경우, 휜 영역에 인접한 냉각존에서 상대적으로 많은 양의 냉매를 제1 쿨링 라인(211) 또는 제2 쿨링 라인(221)에서 분사되도록 제어할 수 있다. 웨이퍼(W)가 위로 휜 경우, 냉각 세기 조절부(420)는, 해당 냉각존에서 더 많은 냉매가 제2 쿨링 라인(221)보다 제1 쿨링 라인(211)에서 분사되도록 제어할 수 있다.According to one embodiment, when the wafer W is bent, the cooling intensity control unit 420 directs a relatively large amount of refrigerant from the cooling zone adjacent to the bent area to the first cooling line 211 or the second cooling line 221. ) can be controlled to be sprayed. When the wafer W is bent upward, the cooling intensity control unit 420 may control so that more refrigerant is sprayed from the first cooling line 211 than from the second cooling line 221 in the corresponding cooling zone.
웨이퍼 휨 개선 유닛(10)을 이용한 웨이퍼 휨 개선 방법의 각 단계를 시계열에 따라 설명하기로 한다.Each step of the wafer warpage improvement method using the wafer warpage improvement unit 10 will be explained in time series.
일정 온도 이상으로 가열된 웨이퍼(W)를 웨이퍼 휨 개선 유닛(10)으로 반입할 수 있다.A wafer W heated above a certain temperature can be brought into the wafer warpage improvement unit 10.
리프트 핀(300)이 승강 이동하며, 웨이퍼(W)를 지지할 수 있다. 리프트 핀(300)은, 웨이퍼(W)의 위치를 특정시킬 수 있다.The lift pin 300 moves up and down and can support the wafer (W). The lift pin 300 can specify the position of the wafer (W).
일 실시예에 따른 리프트 핀(300)의 일 단부에 마련된 처킹 수단(310)은, 웨이퍼(W)의 일 영역을 처킹할 수 있다.The chucking means 310 provided at one end of the lift pin 300 according to one embodiment may churn one area of the wafer W.
제1 거리 측정 센서(110)와 제2 거리 측정 센서(120)가 웨이퍼(W)까지의 각 영역별 거리를 측정할 수 있다.The first distance measurement sensor 110 and the second distance measurement sensor 120 can measure the distance to the wafer (W) for each area.
웨이퍼 휨 산출부(410)는, 제1 거리 측정 센서(110)와 제2 거리 측정 센서(120)로부터 거리 측정 데이터를 수신하고, 웨이퍼(W)의 휨 여부와 휨 정도를 산출할 수 있다.The wafer warpage calculation unit 410 may receive distance measurement data from the first distance measurement sensor 110 and the second distance measurement sensor 120, and calculate whether the wafer W is warped and the degree of warpage.
냉각 세기 조절부(420)는, 각각의 냉각존(a1, a2, a3, a4, b1, b2, b3, b4, b5, b6, b7, b8) 단위에서 제1 냉각 모듈(210)과 제2 냉각 모듈(220)의 동작 세기를 달리 동작 구동시킬 수 있다. 냉각 세기 조절부(420)는, 웨이퍼(W)의 휨 정도에 따라 제1 냉각 모듈(210)과 제2 냉각 모듈(220)의 냉매 분사 세기를 조절할 수 있다.The cooling intensity control unit 420 controls the first cooling module 210 and the second cooling zone in each cooling zone (a1, a2, a3, a4, b1, b2, b3, b4, b5, b6, b7, b8). The cooling module 220 can be operated with different operating strengths. The cooling intensity control unit 420 may adjust the coolant injection intensity of the first cooling module 210 and the second cooling module 220 according to the degree of bending of the wafer (W).
웨이퍼 휨 산출부(410)는, 웨이퍼(W)의 휨 여부를 반복적으로 산출할 수 있다.The wafer warp calculation unit 410 may repeatedly calculate whether the wafer W is warped.
온도 센서(미도시)는, 웨이퍼(W)의 온도를 측정할 수 있다. 냉각 세기 조절부(420)는, 온도 센서(미도시)로부터 온도값을 수신해, 웨이퍼(W)가 이상적인 온도에 도달하면 제1 냉각 모듈(210)과 제2 냉각 모듈(220)의 동작을 종료시킬 수 있다.A temperature sensor (not shown) can measure the temperature of the wafer (W). The cooling intensity control unit 420 receives a temperature value from a temperature sensor (not shown) and controls the operation of the first cooling module 210 and the second cooling module 220 when the wafer W reaches an ideal temperature. It can be terminated.
리프트 핀(300)을 위치 이동해, 이송 위치로 웨이퍼(W)를 위치 이동시킬 수 있다.By moving the lift pins 300, the wafer W can be moved to the transfer position.
웨이퍼(W)를 웨이퍼 휨 개선 유닛(10)으로부터 반송할 수 있다.The wafer W can be transported from the wafer warpage improvement unit 10.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.Above, the present invention has been described in detail using preferred embodiments, but the scope of the present invention is not limited to the specific embodiments and should be interpreted in accordance with the appended claims. Additionally, those skilled in the art should understand that many modifications and variations are possible without departing from the scope of the present invention.
10 : 웨이퍼 휨 개선 유닛
110 : 제1 거리 측정 센서
120 : 제2 거리 측정 센서
210 : 제1 냉각 모듈
211 : 제1 쿨링 라인
220 : 제2 냉각 모듈
221 : 제2 쿨링 라인
a1, a2, a3, a4, b1, b2, b3, b4, b5, b6, b7, b8 : 냉각존
300 : 리프트 핀
310: 처킹 수단
320 : 패드
400 : 컨트롤러
410 : 웨이퍼 휨 산출부
420 : 냉각 세기 조절부
W : 웨이퍼 10: Wafer warpage improvement unit
110: first distance measurement sensor 120: second distance measurement sensor
210: first cooling module 211: first cooling line
220: second cooling module 221: second cooling line
a1, a2, a3, a4, b1, b2, b3, b4, b5, b6, b7, b8: Cooling zone
300: lift pin 310: chucking means
320: pad
400: Controller 410: Wafer warpage calculation unit
420: Cooling intensity control unit
W: wafer
Claims (8)
상기 거리 측정 센서와 나란하게 배치되어, 상기 웨이퍼를 냉각하는 복수개의 냉각 모듈을 포함하고,
상기 거리 측정 센서는 일정한 간격으로 배치되며, 상기 냉각 모듈은 복수개의 냉각존을 이루며 이격 마련된, 웨이퍼 휨 개선 유닛.
a plurality of distance measuring sensors facing the wafer and measuring the distance to the wafer; and
It includes a plurality of cooling modules arranged in parallel with the distance measurement sensor to cool the wafer,
The distance measuring sensor is arranged at regular intervals, and the cooling module forms a plurality of cooling zones and is spaced apart.
상기 냉각 모듈과 교차 마련되어, 승하강 이동이 가능하고 상기 웨이퍼를 지지 가능한 리프트 핀을 더 포함하는, 웨이퍼 휨 개선 유닛.
According to claim 1,
A wafer warpage improvement unit further comprising a lift pin provided across the cooling module, capable of moving up and down, and capable of supporting the wafer.
상기 리프트 핀은,
처킹 수단 또는 패드 중 어느 하나가 단부에 마련된, 웨이퍼 휨 개선 지지 유닛.
According to claim 2,
The lift pin is,
A wafer warpage improvement support unit provided at an end with either a chucking means or a pad.
상기 리프트 핀은,
처킹 수단 또는 패드 중 어느 하나가 단부에 마련된, 웨이퍼 휨 개선 지지 유닛.
According to claim 2,
The lift pin is,
A wafer warpage improvement support unit provided at an end with either a chucking means or a pad.
상기 거리 측정 센서의 거리 측정 데이터를 토대로 상기 냉각 모듈의 냉각 세기를 조절 가능한 컨트롤러를 더 포함하는, 웨이퍼 휨 개선 유닛.
According to claim 1,
A wafer warpage improvement unit further comprising a controller capable of adjusting the cooling intensity of the cooling module based on distance measurement data from the distance measurement sensor.
상기 컨트롤러는,
상기 거리 측정 데이터를 가지고 상기 웨이퍼의 휨 여부와 휨 정도를 산출하는 웨이퍼 휨 산출부; 및
상기 냉각존마다 상기 냉각 모듈의 냉각 세기를 다르게 조절하는 냉각 세기 조절부를 포함하는, 웨이퍼 휨 개선 유닛.
According to claim 5,
The controller is,
a wafer warp calculation unit that calculates whether the wafer is warped and the degree of warp using the distance measurement data; and
A wafer warpage improvement unit comprising a cooling intensity control unit that differently adjusts the cooling intensity of the cooling module for each cooling zone.
상기 웨이퍼 휨 산출부는,
아래의 수학식을 이용하여 상기 웨이퍼의 휨 여부와 휨 정도를 산출하는, 웨이퍼 휨 개선 유닛.
<수학식>
여기서 C1은 제1a 거리 측정 센서의 거리 측정 데이터, C2는 제1b 거리 측정 센서의 거리 측정 데이터, C3는 제1c 거리 측정 센서의 거리 측정 데이터를 의미함.
According to claim 6,
The wafer warpage calculation unit,
A wafer warpage improvement unit that calculates whether the wafer is warped and the degree of warpage using the equation below.
<Equation>
Here, C1 refers to the distance measurement data of the 1st distance measurement sensor, C2 refers to the distance measurement data of the 1b distance measurement sensor, and C3 refers to the distance measurement data of the 1c distance measurement sensor.
상기 냉각 모듈은,
상기 제1 거리 측정 센서와 나란하게 배치된 복수개의 제1 쿨링 라인을 가지는 제1 냉각 모듈; 및
상기 제1 쿨링 라인과 동축 상에 대향하고, 상기 제2 거리 측정 센서와 나란하게 배치된 복수개의 제2 쿨링 라인을 가지는 제2 냉각 모듈을 포함하고,
상기 냉각 세기 조절부는,
상기 수학식의 결과에 따라 상기 제1 쿨링 라인과 상기 제2 쿨링 라인의 냉각 세기를 선택적으로 조절 가능한, 웨이퍼 휨 개선 유닛.According to claim 7,
The cooling module is,
a first cooling module having a plurality of first cooling lines arranged in parallel with the first distance measuring sensor; and
A second cooling module facing coaxially with the first cooling line and having a plurality of second cooling lines arranged in parallel with the second distance measuring sensor,
The cooling intensity control unit,
A wafer warpage improvement unit capable of selectively adjusting the cooling intensity of the first cooling line and the second cooling line according to the result of the equation.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020220043414A KR20230144303A (en) | 2022-04-07 | 2022-04-07 | Improved warpage unit for wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020220043414A KR20230144303A (en) | 2022-04-07 | 2022-04-07 | Improved warpage unit for wafer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20230144303A true KR20230144303A (en) | 2023-10-16 |
Family
ID=88506316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020220043414A KR20230144303A (en) | 2022-04-07 | 2022-04-07 | Improved warpage unit for wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20230144303A (en) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101739975B1 (en) | 2010-10-29 | 2017-05-25 | 가부시기가이샤 디스코 | Wafer supporting plate and method for using wafer supporting plate |
-
2022
- 2022-04-07 KR KR1020220043414A patent/KR20230144303A/en not_active Application Discontinuation
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101739975B1 (en) | 2010-10-29 | 2017-05-25 | 가부시기가이샤 디스코 | Wafer supporting plate and method for using wafer supporting plate |
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