KR20230141119A - Moving Unit for Focus Ring and Apparatus for Treating Substrate - Google Patents

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KR20230141119A KR1020220040255A KR20220040255A KR20230141119A KR 20230141119 A KR20230141119 A KR 20230141119A KR 1020220040255 A KR1020220040255 A KR 1020220040255A KR 20220040255 A KR20220040255 A KR 20220040255A KR 20230141119 A KR20230141119 A KR 20230141119A
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Abstract

본 발명은 챔버 오픈 없이 포커스 링을 이동시킬 수 있는 포커스 링 이동 유닛을 제공하는 것으로, 일실시예에서, 정전 척을 둘러싸는 포커스 링의 하면에 형성된 홈에 삽입되도록 상하 방향으로 연장하는 핀; 및 상기 핀에 연결되며, 수평 방향에서 상기 핀을 이동시키는 제 1 이동부;를 포함하는 포커스 링 이동 유닛을 제공한다. The present invention provides a focus ring movement unit capable of moving a focus ring without opening the chamber. In one embodiment, the present invention includes a pin extending in the vertical direction to be inserted into a groove formed on the lower surface of a focus ring surrounding an electrostatic chuck; and a first moving unit connected to the pin and moving the pin in a horizontal direction.

Description

포커스 링 이동 유닛 및 기판처리장치{Moving Unit for Focus Ring and Apparatus for Treating Substrate}Moving Unit for Focus Ring and Apparatus for Treating Substrate}

본 발명은 포커스 링을 수평 방향으로 이동시키는 포커스 링 이동 유닛과 이를 포함하는 기판처리장치에 대한 것이다. The present invention relates to a focus ring moving unit that moves a focus ring in the horizontal direction and a substrate processing apparatus including the same.

일반적으로, 반도체 장치를 제조하는 공정은 반도체 웨이퍼(이하, 기판이라 함) 상에 막을 형성하기 위한 증착 공정과, 막을 평탄화하기 위한 화학/기계적 연마 공정과, 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피 공정과, 포토레지스트 패턴을 이용하여 막을 전기적인 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각 공정과, 기판의 소정 영역에 특정 이온을 주입하기 위한 이온 주입 공정과, 기판 상의 불순물을 제거하기 위한 세정 공정과, 막 또는 패턴이 형성된 기판의 표면을 검사하기 위한 검사 공정 등을 포함한다.Generally, the process of manufacturing a semiconductor device includes a deposition process to form a film on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a substrate), a chemical/mechanical polishing process to flatten the film, and a photoresist pattern to form a photoresist pattern on the film. A photolithography process, an etching process to form a film into a pattern with electrical characteristics using a photoresist pattern, an ion implantation process to inject specific ions into a predetermined area of the substrate, and cleaning to remove impurities on the substrate. It includes a process and an inspection process for inspecting the surface of the substrate on which the film or pattern is formed.

식각 공정은 기판 상에 포토리소그래피 공정에 의해 형성된 포토레지스트 패턴의 노출된 영역을 제거하기 위한 공정이다. 일반적으로, 식각 공정의 종류는 건식 식각(dry etching)과 습식 식각(wet etching)으로 나눌 수 있다.The etching process is a process for removing exposed areas of the photoresist pattern formed by the photolithography process on the substrate. Generally, types of etching processes can be divided into dry etching and wet etching.

건식 식각 공정은 식각 공정이 진행되는 밀폐된 내부 공간에 소정 간격 이격 설치된 상부 전극 및 하부 전극에 고주파 전력을 인가하여 전기장을 형성하고, 밀폐 공간 내부로 공급된 반응 가스에 전기장을 가해 반응 가스를 활성화시켜 플라즈마 상태로 만든 후, 플라즈마 내의 이온이 하부 전극 상에 위치한 기판을 식각하도록 한다.The dry etching process forms an electric field by applying high-frequency power to the upper and lower electrodes installed at a predetermined distance in a sealed internal space where the etching process is performed, and applies an electric field to the reactive gas supplied into the sealed space to activate the reactive gas. After creating a plasma state, the ions in the plasma etch the substrate located on the lower electrode.

이때, 기판의 상면 전체에서 플라즈마를 균일하게 형성할 필요가 있다. 기판의 상면 전체에서 플라즈마를 균일하게 형성하기 위해 포커스 링이 구비된다.At this time, it is necessary to form plasma uniformly over the entire upper surface of the substrate. A focus ring is provided to uniformly form plasma over the entire upper surface of the substrate.

포커스 링은 하부 전극 상에 배치된 정전 척의 가장 자리를 둘러싸도록 설치된다. 정전 척의 상부에는 고주파 전력 인가에 의해 전기장이 형성되는 데, 포커스 링은 전기장이 형성되는 영역을 기판이 위치되는 영역에 비하여 크게 확장시키게 되며, 포커스 링에 의해서, 기판의 주변부 근처의 플라즈마-시스 경계(plasma-sheath boundary)가 변화한다. The focus ring is installed to surround an edge of the electrostatic chuck disposed on the lower electrode. An electric field is formed on the top of the electrostatic chuck by applying high-frequency power, and the focus ring greatly expands the area where the electric field is formed compared to the area where the substrate is located. The focus ring creates a plasma-sheath boundary near the periphery of the substrate. (plasma-sheath boundary) changes.

(특허문헌 1) KR 10-2021-0111872 A (Patent Document 1) KR 10-2021-0111872 A

본 발명은 챔버 오픈 없이 포커스 링을 이동시킬 수 있는 포커스 링 이동 유닛 및 이를 포함하는 기판처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. The purpose of the present invention is to provide a focus ring movement unit capable of moving the focus ring without opening the chamber and a substrate processing apparatus including the same.

본 발명은 위와 같은 목적을 해결하기 위하여 다음과 같은 포커스 링 이동 유닛과 포커스 링 이동 유닛을 포함하는 기판처리장치를 제공한다. In order to solve the above object, the present invention provides a substrate processing apparatus including a focus ring moving unit and a focus ring moving unit as follows.

일실시예에서, 본 발명은 정전 척을 둘러싸는 포커스 링의 하면에 형성된 홈에 삽입되도록 상하 방향으로 연장하는 핀; 및 상기 핀에 연결되며, 수평 방향에서 상기 핀을 이동시키는 제 1 이동부;를 포함하는 포커스 링 이동 유닛을 제공한다. In one embodiment, the present invention includes a pin extending in a vertical direction to be inserted into a groove formed on the lower surface of a focus ring surrounding an electrostatic chuck; and a first moving unit connected to the pin and moving the pin in a horizontal direction.

일실시예에서, 포커스 링 이동 유닛은 상기 핀에 연결되며, 높이 방향에서 상기 핀을 이동시키는 제 2 이동부를 더 포함할 수 있다. In one embodiment, the focus ring moving unit is connected to the pin and may further include a second moving part that moves the pin in the height direction.

일실시예에서, 포커스 링 이동 유닛은 상기 제 1 및 제 2 이동부와 연결된 제어부를 더 포함하며, 상기 제어부는 상기 포커스 링의 이동 시에 상기 제 2 구동부를 동작시켜 상기 핀을 상기 홈에 삽입되게 상승시킨 후, 상기 제 1 구동부로 상기 포커스 링의 수평 방향 이동시킬 수 있다. In one embodiment, the focus ring moving unit further includes a control unit connected to the first and second moving units, wherein the control unit operates the second driving unit when the focus ring is moved to insert the pin into the groove. After the focus ring is raised to a high level, the focus ring can be moved horizontally using the first driving unit.

본 발명은 일실시예에서 내부에 처리 공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버 내에 배치되며 기판을 지지하는 정전 척; 상기 정전 척의 외주를 둘러싸도록 배치되는 포커스 링; 상기 포커스 링의 하면에 형성된 홈에 삽입되는 핀을 포함하는 포커스 링 이동 유닛; 및 상기 챔버 내에 플라즈마를 발생시키기 위한 플라즈마 발생 유닛;을 포함하며, 상기 포커스 링 이동 유닛은 상술한 포커스 링 이동 유닛인 기판처리장치를 제공한다. In one embodiment, the present invention includes a chamber providing a processing space therein; an electrostatic chuck disposed within the chamber and supporting a substrate; a focus ring disposed to surround an outer periphery of the electrostatic chuck; a focus ring moving unit including a pin inserted into a groove formed on a lower surface of the focus ring; and a plasma generation unit for generating plasma within the chamber, wherein the focus ring moving unit is the focus ring moving unit described above.

일실시예에서, 상기 포커스 링은 상부 포커스 링과 하부 포커스 링을 포함하며, 상기 상부 포커스 링의 하면은 상기 하부 포커스 링의 상면에 접하며, 상기 하부 포커스 링은 상기 핀이 관통하는 관통홀을 포함하며, 상기 제 1 및 제 2 이동부는 상기 하부 포커스 링 보다 하부에 배치될 수 있다. In one embodiment, the focus ring includes an upper focus ring and a lower focus ring, a lower surface of the upper focus ring is in contact with an upper surface of the lower focus ring, and the lower focus ring includes a through hole through which the pin passes. In addition, the first and second moving parts may be disposed lower than the lower focus ring.

본 발명은 위와 같은 구성을 통하여, 공정 중에도 포커스 링의 센터링을 조절할 수 있는 포커스 링 이동 유닛과 이를 포함하는 기판처리장치를 제공할 수 있으며, 포커스 링의 미스 센터링으로 인한 재작업 및 재작업을 위한 챔버 오픈으로 이한 공정 손실을 막을 수 있다. Through the above configuration, the present invention can provide a focus ring moving unit that can adjust the centering of the focus ring even during the process and a substrate processing device including the same, and can provide a substrate processing device for reworking and reworking due to miscentering of the focus ring. This process loss can be prevented by opening the chamber.

도 1 은 본 발명의 일실시예에 따른 기판처리장치의 개략도이다.
도 2 는 도 1 의 기판처리장치의 부분 개략도이다.
도 3 은 도 2 의 A 부분의 확대도이다.
도 4 는 본 발명의 일실시예에 따른 기판처리장치의 개략 평면도이다.
도 5 는 본 발명의 일실시예에 따른 기판처리장치에서 포커스 링 이동 유닛의 동작을 보이는 개략도이다.
도 6 은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판처리장치의 개략 평면도이다. 1 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Fig. 2 is a partial schematic diagram of the substrate processing apparatus of Fig. 1;
Figure 3 is an enlarged view of portion A of Figure 2.
4 is a schematic plan view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 5 is a schematic diagram showing the operation of the focus ring moving unit in the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 6 is a schematic plan view of a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 다만, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다. 또한, 본 명세서에서, '상', '상부', '상면', '하', '하부', '하면', '측면' 등의 용어는 도면을 기준으로 한 것이며, 실제로는 소자나 구성요소가 배치되는 방향에 따라 달라질 수 있을 것이다.Hereinafter, with reference to the attached drawings, preferred embodiments will be described in detail so that those skilled in the art can easily practice the present invention. However, when describing preferred embodiments of the present invention in detail, if it is determined that a detailed description of a related known function or configuration may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted. In addition, the same symbols are used throughout the drawings for parts that perform similar functions and actions. In addition, in this specification, terms such as 'upper', 'top', 'upper surface', 'lower', 'lower', 'lower surface', 'side', etc. are based on the drawings and are actually elements or components. It may vary depending on the direction in which it is placed.

덧붙여, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 '연결'되어 있다고 할 때, 이는 '직접적으로 연결'되어 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 '간접적으로 연결'되어 있는 경우도 포함한다. 또한, 어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다.In addition, throughout the specification, when a part is said to be 'connected' to another part, this does not only mean 'directly connected', but also 'indirectly connected' with another element in between. Includes. In addition, 'including' a certain component means that other components may be further included rather than excluding other components, unless specifically stated to the contrary.

도 1 및 2 에는 본 발명의 일실시예에 따른 기판처리장치의 개략도와 도 1 의 기판처리장치의 부분 개략도가 도시되어 있다. 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치는, 챔버(10)와, 플라즈마 발생 유닛 (20)과, 기판 지지 어셈블리(30)를 포함한다.1 and 2 show a schematic diagram of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention and a partial schematic diagram of the substrate processing apparatus of FIG. 1. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a chamber 10, a plasma generation unit 20, and a substrate support assembly 30.

챔버(10)는 내부에 기판(S)을 처리하기 위한 처리 공간을 제공한다. 기판(S)의 상면에는 막 또는 패턴이 형성될 수 있다. 챔버(10)는 밀폐 가능하도록 제공되고, 측벽에는 통로(11)가 형성된다. 통로(11)를 통하여 기판(S)이 챔버(10) 내의 처리 공간으로 반입될 수 있고, 기판(S)이 챔버(10) 내의 처리 공간으로부터 외부로 반출될 수 있다. 통로(11)는 별도의 구동 장치(미도시)에 의해 개폐 가능하도록 구성된다. 챔버(10)는 접지될 수 있고, 하부에는 배기홀(12)이 형성된다. 배기홀(12)은 배기 라인(미도시) 및 펌프(미도시)와 연결된다. 처리 과정에서 발생한 반응 부산물 및 챔버(10) 내부공간에 머무르는 가스는 배기홀(12)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 배기 과정에 의해 챔버(10)의 내부는 소정 압력으로 감압된다.The chamber 10 provides a processing space therein for processing the substrate S. A film or pattern may be formed on the upper surface of the substrate S. The chamber 10 is provided to be sealable, and a passage 11 is formed in the side wall. The substrate S may be brought into the processing space within the chamber 10 through the passage 11, and the substrate S may be carried out from the processing space within the chamber 10. The passage 11 is configured to be opened and closed by a separate driving device (not shown). The chamber 10 can be grounded, and an exhaust hole 12 is formed at the bottom. The exhaust hole 12 is connected to an exhaust line (not shown) and a pump (not shown). Reaction by-products generated during the processing process and gas remaining in the inner space of the chamber 10 may be discharged to the outside through the exhaust hole 12. Through the exhaust process, the inside of the chamber 10 is depressurized to a predetermined pressure.

챔버(10) 내부에는 라이너(liner, 13)가 제공될 수 있다. 라이너(13)에 의하면, 기판 처리 공정을 수행하는 과정에서 발생되는 부산물, 처리 공정 후 잔류하는 가스 등으로부터 챔버(10) 내부를 보호할 수 있다. 라이너(13)는 공정 중에 발생한 불순물이 챔버(10) 내측벽 및/또는 기판 지지 어셈블리(30)에 증착되는 것을 방지한다. 라이너(13)는 기판 지지 어셈블리(30)를 모두 감싸도록 링 형상으로 제공된 내측 라이너와 챔버(10)의 내벽을 따라서 제공되는 외측 라이너를 포함할 수 있다.A liner 13 may be provided inside the chamber 10. According to the liner 13, the inside of the chamber 10 can be protected from by-products generated during the substrate processing process and gases remaining after the processing process. The liner 13 prevents impurities generated during the process from being deposited on the inner wall of the chamber 10 and/or the substrate support assembly 30. The liner 13 may include an inner liner provided in a ring shape to completely surround the substrate support assembly 30 and an outer liner provided along the inner wall of the chamber 10 .

플라즈마 발생 유닛(20)은 챔버(10)의 내부의 상부에 위치한다. 플라즈마 발생 유닛은 샤워 헤드(21), 가스 공급 노즐(22), 상부 전원(23)을 포함한다.The plasma generation unit 20 is located at the top of the inside of the chamber 10. The plasma generation unit includes a shower head 21, a gas supply nozzle 22, and an upper power source 23.

샤워 헤드(21)는 챔버(10)의 상면에서 하부로 일정거리 이격되어 위치한다. 샤워 헤드(21)는 기판 지지 어셈블리(30)의 상부에 위치한다. 샤워 헤드(21)와 챔버(10)의 상면의 사이에는 일정한 공간이 형성되고, 샤워 헤드(21)는 두께가 일정한 판 형상으로 제공될 수 있다. 샤워 헤드(21)는 복수개의 분사홀을 포함하고, 분사홀은 샤워 헤드(21) 상면과 하면을 수직 방향으로 관통한다.The shower head 21 is positioned at a certain distance from the top of the chamber 10 to the bottom. The shower head 21 is located on top of the substrate support assembly 30. A constant space is formed between the shower head 21 and the upper surface of the chamber 10, and the shower head 21 may be provided in the shape of a plate with a constant thickness. The shower head 21 includes a plurality of spray holes, and the spray holes penetrate the upper and lower surfaces of the shower head 21 in a vertical direction.

가스 공급 노즐(22)은 챔버(10) 내부에 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 노즐(22)은 챔버(10) 상면 중앙부와 연결되며 가스 저장부(미도시)로부터 가스 공급 라인(미도시)을 통해 가스를 공급받아 챔버(10) 내부로 공정 가스를 공급한다. 가스 공급 노즐(22)의 저면에는 분사구가 형성되며, 챔버(10) 내부에 공급하는 공정 가스의 유량은 가스 공급 라인(미도시)에 구비된 별도의 밸브(미도시)를 이용하여 조절할 수 있다.The gas supply nozzle 22 supplies process gas into the chamber 10. The gas supply nozzle 22 is connected to the central portion of the upper surface of the chamber 10 and receives gas from a gas storage unit (not shown) through a gas supply line (not shown) to supply process gas into the chamber 10. A nozzle is formed on the bottom of the gas supply nozzle 22, and the flow rate of the process gas supplied inside the chamber 10 can be adjusted using a separate valve (not shown) provided in the gas supply line (not shown). .

상부 전원(23)은 플라즈마 발생 유닛(20)과 전기적으로 연결되어 플라즈마 발생 유닛(20)에 전력을 제공한다. 상부 전원(23)은 고주파 전원으로 제공되거나 접지 방식으로 제공될 수 있다. 플라즈마 발생 유닛(20)은 상부 전원(23)으로부터 전력을 인가받음으로써 상부 전극으로서 기능할 수 있다.The upper power source 23 is electrically connected to the plasma generation unit 20 and provides power to the plasma generation unit 20. The upper power source 23 may be provided as a high-frequency power source or may be provided in a grounded manner. The plasma generation unit 20 may function as an upper electrode by receiving power from the upper power source 23.

기판 지지 어셈블리(30)는 챔버(10)의 내부에 플라즈마 발생 유닛(20)과 대향되게 배치된다. 기판 지지 어셈블리(30)는 기판(S)을 지지한다. 기판 지지 어셈블리(30)는 정전기력을 이용하여 기판(S)을 흡착하는 정전 척(100)을 포함한다. 기판 지지 어셈블리(30)는 기계적 클램핑 등과 같은 다양한 방식으로 기판(S)을 지지할 수도 있다. 본 발명에서는 기판 지지 어셈블리(30)가 정전 척(100)을 이용하여 기판(S)을 지지하는 경우에 대하여 설명한다.The substrate support assembly 30 is disposed inside the chamber 10 to face the plasma generation unit 20 . The substrate support assembly 30 supports the substrate S. The substrate support assembly 30 includes an electrostatic chuck 100 that adsorbs the substrate S using electrostatic force. The substrate support assembly 30 may support the substrate S in various ways, such as mechanical clamping. In the present invention, a case where the substrate support assembly 30 supports the substrate S using the electrostatic chuck 100 will be described.

기판 지지 어셈블리(30)는 정전 척(100), 베이스(200), 포커스 링(300) 및 포커스 링 이동 유닛(400)을 포함한다.The substrate support assembly 30 includes an electrostatic chuck 100, a base 200, a focus ring 300, and a focus ring moving unit 400.

정전 척(100)의 상면에는 기판(S)이 탑재될 수 있다. 정전 척(100)은 원판 형상으로 제공되고, 유전체(dielectric substance)로 제공될 수 있다. 정전 척(100)의 상면은 기판(S)보다 작은 반경을 갖는다. 기판(S)이 정전 척(100) 상에 놓일 때, 기판(S)의 가장자리 영역은 정전 척(100)의 외측에 위치한다. 정전 척(100)은 외부의 전원을 공급받아 기판(S)에 정전기력을 작용한다. 정전 척(100)에는 정전 전극(110)이 제공된다. 정전 전극(110)은 직류 전원을 포함하는 흡착 전원(미도시)과 전기적으로 연결되고, 흡착 전원(미도시)으로부터 정전 전극(110)에 전류가 인가되는 때 정전 전극(110)과 기판(S) 사이에 정전기력이 작용한다. 이에 따라 기판(S)이 정전 척(110)의 상면에 흡착된다.A substrate S may be mounted on the upper surface of the electrostatic chuck 100. The electrostatic chuck 100 has a disk shape and may be made of a dielectric substance. The upper surface of the electrostatic chuck 100 has a radius smaller than that of the substrate S. When the substrate S is placed on the electrostatic chuck 100, the edge area of the substrate S is located outside the electrostatic chuck 100. The electrostatic chuck 100 receives external power and applies electrostatic force to the substrate S. The electrostatic chuck 100 is provided with an electrostatic electrode 110. The electrostatic electrode 110 is electrically connected to an adsorption power source (not shown) including a direct current power source, and when a current is applied to the electrostatic electrode 110 from the adsorption power source (not shown), the electrostatic electrode 110 and the substrate (S ) Electrostatic force acts between the Accordingly, the substrate S is adsorbed to the upper surface of the electrostatic chuck 110.

베이스(200)는 정전 척(100)의 하부에 제공된다. 베이스(200)의 상면은 정전 척(100)의 하면과 접촉하고, 베이스(200) 역시 원판 형상으로 제공된다. 베이스(200)는 도전성 재질로 제공된다. 일 예로 베이스(200)는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 베이스(200)의 내부에는 정전 척(100)을 냉각하기 위한 냉각 유로(미도시)가 제공될 수 있다.The base 200 is provided at the lower part of the electrostatic chuck 100. The upper surface of the base 200 is in contact with the lower surface of the electrostatic chuck 100, and the base 200 is also provided in a disk shape. The base 200 is made of a conductive material. As an example, the base 200 may be made of aluminum. A cooling passage (not shown) may be provided inside the base 200 to cool the electrostatic chuck 100.

베이스(200)는 하부 전원(210)과 전기적으로 연결될 수 있다. 하부 전원(210)은 고주파 전력을 발생시키는 고주파 전원으로 제공될 수 있고, 고주파 전원은 RF 전원으로 제공될 수 있다. 베이스(200)는 하부 전원(210)으로부터 고주파 전력을 인가받음으로써 하부 전극으로서 기능할 수 있다. 베이스(200)는 접지되어 제공될 수 있다. 챔버(10) 내에 상부 전극과 하부 전극 모두에 고주파 전력을 인가하거나, 상부 전극은 접지하고 하부 전극에는 고주파 전력을 인가하면 상부 전극과 하부 전극 사이에 전기장이 발생되고, 발생된 전기장에 의해 챔버(10) 내부로 제공된 공정 가스가 플라즈마 상태로 여기된다. 플라즈마 상태로 여기된 공정 가스는 기판(S)을 식각할 수 있다.The base 200 may be electrically connected to the lower power source 210. The lower power source 210 may be provided as a high-frequency power source that generates high-frequency power, and the high-frequency power source may be provided as an RF power source. The base 200 may function as a lower electrode by receiving high frequency power from the lower power source 210. The base 200 may be provided grounded. When high-frequency power is applied to both the upper and lower electrodes in the chamber 10, or the upper electrode is grounded and high-frequency power is applied to the lower electrode, an electric field is generated between the upper and lower electrodes, and the generated electric field causes the chamber ( 10) The process gas provided inside is excited into a plasma state. The process gas excited in a plasma state may etch the substrate S.

포커스 링(300)은 정전 척(100)의 외주를 둘러싸도록 배치된다. 포커스 링(300)은 상부 포커스 링(310)과 하부 포커스 링(320)을 포함한다. 상부 포커스 링(310)의 하면은 하부 포커스 링(320)의 상면과 맞닿는다. The focus ring 300 is arranged to surround the outer periphery of the electrostatic chuck 100. The focus ring 300 includes an upper focus ring 310 and a lower focus ring 320. The lower surface of the upper focus ring 310 contacts the upper surface of the lower focus ring 320.

포커스 링(300)의 하부에는 포커스 링 이동 유닛(400)이 배치된다. 포커스 링 이동 유닛(400)은 핀(410), 상기 핀(410)과 연결되며 포커스 링을 상하 방향에서 이동시키는 제 2 이동부(430), 상기 제 2 이동부(430)를 통하여 핀(410)과 연결되는 수평 방향으로 핀(410)을 이동시키는 제 1 이동부(420)를 포함하며, 상기 제 1 및 제 2 이동부(420, 430)는 제어부(380)에 연결된다. 포커스 링(300) 및 포커스 링 이동 유닛(400)에 대하여는 도 3 및 4 를 참고해서 뒤에서 다시 설명하도록 한다. A focus ring moving unit 400 is disposed below the focus ring 300. The focus ring moving unit 400 includes a pin 410, a second moving part 430 that is connected to the pin 410 and moves the focus ring in the vertical direction, and moves the pin 410 through the second moving part 430. ) and a first moving part 420 that moves the pin 410 in the horizontal direction connected to the pin 410, and the first and second moving parts 420 and 430 are connected to the control part 380. The focus ring 300 and focus ring movement unit 400 will be described later with reference to FIGS. 3 and 4.

포커스 링(300)은 식각이 진행됨에 따라서 마모된다. 따라서, 포커스 링(300)을 일정시간 사용하게 되면 상기 핀(410)을 제 2 이동부(430)를 통하여 상승시켜서 포커스 링(300)의 마모에 상관 없이 균일한 에칭이 되게 한다. 포커스 링(300)은 일정 주기가 지나면 교체하게 되며, 이때 핀(410)으로 상기 포커스 링(300)을 상승시킨 후 교체하게 된다. 교체 시에 기판(S)과 중심이 일치하도록 센터링 되게 되는데, 제품의 공차나 포커스 링 이동 로봇의 오차로 인하여 센터링이 정확하게 수행되지 않는 경우도 발생한다. 센터링이 정확하게 수행되지 않는 경우에 기판(S), 특히 가장자리의 식각에 문제가 발생될 수 있어서, 센터링이 잘못된 경우에 재작업을 수행해야하며, 어떤 경우에는 챔버(10)를 오픈하여 센터링을 다시 수행하는 경우도 발생한다. The focus ring 300 wears out as etching progresses. Accordingly, when the focus ring 300 is used for a certain period of time, the pin 410 is raised through the second moving part 430 to ensure uniform etching regardless of wear of the focus ring 300. The focus ring 300 is replaced after a certain period. At this time, the focus ring 300 is raised with the pin 410 and then replaced. When replacing, centering is performed so that the center matches the substrate (S), but there are cases where centering is not performed accurately due to product tolerances or errors in the focus ring moving robot. If centering is not performed accurately, problems may occur in the etching of the substrate (S), especially at the edges, so if centering is incorrect, rework must be performed. In some cases, centering may be performed again by opening the chamber (10). There are also cases where it is done.

본 발명은 일실시예에서 상기 포커스 링(300)을 수평 방향에서 이동시키는 제 1 이동부(420)를 포함하는 포커스 링 이동 유닛(400)을 제공하며, 포커스 링 이동 유닛(400)은 포커스 링(300)이 안착된 상태에서 포커스 링(300)을 수평 방향으로 이동시킴으로써, 포커스 링(300)의 센터링을 공정 분위기를 깨지 않는 상황에서 수행하는 것이 가능하며, 그로 인하여 공정의 중단이 발생하지 않아서 생산성을 향상시킬 수 있다. In one embodiment, the present invention provides a focus ring moving unit 400 including a first moving unit 420 that moves the focus ring 300 in the horizontal direction, and the focus ring moving unit 400 is a focus ring moving unit 400. By moving the focus ring 300 in the horizontal direction while the focus ring 300 is seated, it is possible to perform centering of the focus ring 300 without breaking the process atmosphere, and as a result, no process interruption occurs. Productivity can be improved.

또한, 공정 결과를 피드백 받아서 포커스 링(300)이 이동해야 할 방향을 확인할 수 있으며, 그 방향으로 포커스 링(300)을 이동시킴으로써 공정 결과의 향상을 가져올 수 있다. Additionally, by receiving feedback on the process results, the direction in which the focus ring 300 should move can be confirmed, and by moving the focus ring 300 in that direction, the process results can be improved.

포커스 링 이동 유닛(400)은 도 3 및 도 4 에 더욱 상세히 개시되어 있다. The focus ring movement unit 400 is disclosed in more detail in FIGS. 3 and 4 .

도 3 에는 포커스 링 이동 유닛(400)이 보이는 도 2의 A 부분의 확대도가 도시되어 있으며, 도 4 에는 기판처리장치의 개략 평면도가 도시되어 있다. FIG. 3 shows an enlarged view of portion A of FIG. 2 where the focus ring moving unit 400 is visible, and FIG. 4 shows a schematic plan view of the substrate processing apparatus.

도 3 에서 보이듯이, 포커스 링 이동 유닛(400)은 포커스 링(300)의 하부에 위치된다. 포커스 링(300) 중 상부 포커스 링(310)은 하면에 홈(311)이 형성되며, 상기 홈(311)에는 상기 핀(410)의 단부가 삽입될 수 있다. 하부 포커스 링(320)은 상기 홈(311)에 대응되는 위치에 관통홀(321)이 형성되어 있으며, 상기 관통홀(321)로 상기 핀(410)이 통과한다. As shown in FIG. 3, the focus ring moving unit 400 is located below the focus ring 300. Among the focus rings 300, the upper focus ring 310 has a groove 311 formed on its lower surface, and the end of the pin 410 can be inserted into the groove 311. The lower focus ring 320 has a through hole 321 formed at a position corresponding to the groove 311, and the pin 410 passes through the through hole 321.

포커스 링 이동 유닛(400)은 상하 방향으로 연장하며, 상기 하부 포커스 링(320)의 관통홀(321)을 관통하여 상기 상부 포커스 링(310)의 홈(311)까지 이동되는 핀(410), 상기 핀(410)에 연결되며 상기 핀(410)을 상하 방향 이동시키는 제 2 이동부(430), 상기 제 2 이동부(430)를 통하여 핀(410)에 연결되며 상기 제 2 이동부(430)와 상기 핀(410)을 수평 방향, 예를 들면 반경 방향으로 이동시키는 제 1 이동부(420), 및 상기 제 1 및 제 2 이동부(420, 430)과 연결되는 제어부(380)를 포함한다. The focus ring moving unit 400 extends in the vertical direction and includes a pin 410 that passes through the through hole 321 of the lower focus ring 320 and moves to the groove 311 of the upper focus ring 310, A second moving part 430 is connected to the pin 410 and moves the pin 410 in the vertical direction. It is connected to the pin 410 through the second moving part 430 and the second moving part 430 ) and a first moving part 420 that moves the pin 410 in the horizontal direction, for example, in the radial direction, and a control part 380 connected to the first and second moving parts 420 and 430. do.

상기 핀(410)은 수직 방향으로 연장하며, 제 1 및 제 2 이동부(420, 430)의 구동에 따라서 수직 방향 혹은 수평 방향으로 이동한다. 핀(410)은 상기 상부 포커스 링(310)의 홈(311)에 삽입되는 단부(411)와 바디(412)를 포함하며, 바디(412)는 일정한 직경을 가지는 원통형이나 중간에 직경이 확장되는 확장부(413)를 가질 수 있다. 확장부(413)는 하부 포커스 링(420)의 관통홀(421)에 대응되는 위치에 배치된다. The pin 410 extends in the vertical direction and moves vertically or horizontally according to the driving of the first and second moving parts 420 and 430. The pin 410 includes an end 411 inserted into the groove 311 of the upper focus ring 310 and a body 412. The body 412 is cylindrical with a constant diameter or has a diameter expanded in the middle. It may have an extension portion 413. The expansion portion 413 is disposed at a position corresponding to the through hole 421 of the lower focus ring 420.

상기 상부 포커스 링(310)의 홈(311)에서 상기 제 1 이동부(420)에 의해서 이동되는 방향 전후 내벽은 상기 핀(410)의 측면에 평행하게 형성되어, 핀(410)이 이동할 때, 상기 홈(311)의 내벽을 밀어서 상기 상부 포커스 링(310)을 이동시킬 수 있게 한다. 그외의 방향에서는 센터링과 삽입 용이성을 위하여 경사면의 내벽을 가질 수도 있다. 상기 홈(311)은 원형 단면을 가지게 형성되는 것도 가능하며 상기 홈(311)의 직경은 상기 핀(410)의 단부(411)의 직경에 대응되거나 원활한 유입을 위하여 약간의 간격을 가질 수 있다. In the groove 311 of the upper focus ring 310, the front and rear inner walls in the direction in which the first moving part 420 moves are formed parallel to the side of the pin 410, so that when the pin 410 moves, The upper focus ring 310 can be moved by pushing the inner wall of the groove 311. In other directions, it may have an inclined inner wall for ease of centering and insertion. The groove 311 may be formed to have a circular cross-section, and the diameter of the groove 311 may correspond to the diameter of the end 411 of the pin 410 or may have a slight gap for smooth inflow.

한편, 하부 포커스 링(320)의 관통홀(321)은 원형 단면을 가질 수 있으며, 상기 핀(410)의 확장부(413)가 통과하므로, 상기 확장부(413)보다 큰 직경을 가진다. 도 3 에서 보이듯이, 관통홀(321)의 직경(d)는 상기 확장부(413)의 직경(a) 보다 크며, 관통홀(321)의 직경(d)과 상기 확장부(413)의 직경(a)의 차이는 상기 홈(311)과 상기 핀(410)의 단부(411) 사이의 간격보다 크다. Meanwhile, the through hole 321 of the lower focus ring 320 may have a circular cross-section, and because the extension 413 of the pin 410 passes through it, it has a larger diameter than the extension 413. As shown in FIG. 3, the diameter (d) of the through hole 321 is larger than the diameter (a) of the expanded portion 413, and the diameter (d) of the through hole 321 and the diameter of the expanded portion 413 The difference in (a) is larger than the gap between the groove 311 and the end 411 of the pin 410.

상기 핀(410)은 상기 제 2 이동부(430)에 연결된다. 제 2 이동부(430)는 선형 이동 수단이며, LM 가이드와 모터, 볼스크류, 랙앤 피니언 혹은 리니어 모터가 될 수 있으며, 정밀하면서도 정확한 직선운동을 수행할 수 있다면 어떤 구조도 적용될 수 있다. 이러한 제 2 이동부(430)는 상기 베이스(200) 내부 혹은 베이스 하부에 배치될 수 있다. 제 2 이동부(430)는 제어부(380)의 신호를 받아서 동작함으로써, 상기 핀(410)을 상하 방향으로 이동, 즉 상승 및 하강시킬 수 있으며, 앞에서 말한 바와 같이, 마모 진행에 따른 상부 포커스 링(310)의 상승 혹은 상부 포커스 링(310)의 교체를 위한 상승 혹은 하강을 수행한다. The pin 410 is connected to the second moving part 430. The second moving part 430 is a linear moving means and can be an LM guide, a motor, a ball screw, a rack and pinion, or a linear motor, and any structure can be applied as long as it can perform precise and accurate linear motion. This second moving part 430 may be placed inside or below the base 200. The second moving unit 430 operates by receiving a signal from the control unit 380 to move the pin 410 in the vertical direction, that is, to raise and lower the pin 410. As mentioned above, the upper focus ring moves as wear progresses. The upper focus ring 310 is raised or lowered for replacement.

제 1 이동부(420)는 제 2 이동부(430)와 유사하게 선형 이동 수단으로, LM 가이드와 모터, 볼스크류, 랙앤 피니언 혹은 리니어 모터가 될 수 있으며, 제 2 이동부(430)와 동일한 구성이 될 수도 있다. 이 실시예에서, 제 1 이동부(420)의 경우에 제 2 이동부(430)와 상기 핀(410)을 함께 반경 방향을 따라서 이동시킨다. 제 2 이동부(430)는 상기 관통홀(321)의 직경(d)과 상기 확장부(413)의 직경(a)의 차이 내에서 상기 제 2 이동부(430)와 핀(410)을 이동시키므로, 정밀한 이동이 가능한 구조가 적용될 수 있다. The first moving part 420 is a linear moving means similar to the second moving part 430, and can be an LM guide, a motor, a ball screw, a rack and pinion, or a linear motor, and is the same as the second moving part 430. It may be configured. In this embodiment, in the case of the first moving part 420, the second moving part 430 and the pin 410 are moved together along the radial direction. The second moving part 430 moves the second moving part 430 and the pin 410 within the difference between the diameter (d) of the through hole 321 and the diameter (a) of the expansion part 413. Therefore, a structure that allows precise movement can be applied.

이 실시예에서는 제 1 이동부(420)가 제 2 이동부(430)와 핀(410)을 이동시키는 것으로 설명하였으나, 이에 제한되는 것은 아니며, 제 2 이동부(430)가 상기 제 1 이동부(420)와 핀(410)을 함께 이동시키는 것도 가능하며, 각각 독립적으로 핀(410)을 이동시키는 것도 가능하다. In this embodiment, the first moving part 420 is described as moving the second moving part 430 and the pin 410, but it is not limited thereto, and the second moving part 430 moves the first moving part 430. It is possible to move the pin 420 and the pin 410 together, and it is also possible to move the pins 410 independently.

상술한 포커스 링 이동 유닛(400)은 포커스 링(300)의 하부에서 적어도 3 위치에 구비된다. 즉, 핀(410), 제 1 및 제 2 이동부(420, 430)의 세트로 구성되는 포커스 링 이동 유닛(400A, 400B, 400C)이 포커스 링(300)의 하부에 배치된다. 도 4 에는 3개의 포커스 링 이동 유닛(400A, 400B, 400C)이 포커스 링(300)의 중심(C)에 대하여 120도의 각도로 배치되는 모습이 도시되어 있다. The focus ring moving unit 400 described above is provided at at least three positions below the focus ring 300. That is, focus ring moving units 400A, 400B, and 400C composed of a pin 410 and a set of first and second moving parts 420 and 430 are disposed below the focus ring 300. FIG. 4 shows three focus ring movement units 400A, 400B, and 400C arranged at an angle of 120 degrees with respect to the center C of the focus ring 300.

각 포커스 링 이동 유닛(400A, 400B, 400C)에서 제 1 이동부(420)는 반경 방향으로 핀(410)을 이동시킬 수 있으므로, 하나 혹은 복수의 제 1 이동부(420)의 조합으로 상기 상부 포커스 링(310)은 수평 방향으로 원하는 위치로 이동될 수 있다. 통상 센터링을 조정하는 경우에 수십㎛ ~ 수㎜정도의 상기 상부 포커스 링(310)이 이동된다. In each focus ring moving unit (400A, 400B, 400C), the first moving part 420 can move the pin 410 in the radial direction, so that the upper The focus ring 310 can be moved to a desired position in the horizontal direction. Typically, when centering is adjusted, the upper focus ring 310 is moved by tens of micrometers to several millimeters.

예를 들어, 도 4 에서 12시 방향으로 상부 포커스 링(310)을 이동시키는 경우에 11시에 위치한 포커스 링 이동 유닛(400A)의 제 1 이동부(420)와 3시에 위치한 포커스 링 이동 유닛(400A)의 제 1 이동부(420)의 동작에 의해서 상부 포커스 링(310)은 12시 방향으로 이동될 수 있다. 이런식으로, 어떤 방향이어도 상기 3개의 포커스 링 이동 유닛(400A, 400B, 400C)의 제 1 이동부(420)의 조합으로 이동이 가능하다. For example, when moving the upper focus ring 310 in the 12 o'clock direction in FIG. 4, the first moving part 420 of the focus ring moving unit 400A located at 11 o'clock and the focus ring moving unit located at 3 o'clock The upper focus ring 310 may be moved in the 12 o'clock direction by the operation of the first moving unit 420 of 400A. In this way, movement is possible in any direction by combining the first moving parts 420 of the three focus ring moving units 400A, 400B, and 400C.

한편, 도 5 에는 본 발명의 일실시예에 따른 기판처리장치에서 포커스 링 이동 유닛(400)의 동작을 보이는 개략도가 도시되어 있다. Meanwhile, FIG. 5 shows a schematic diagram showing the operation of the focus ring movement unit 400 in the substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 5(a)에서 보이듯이, 제어부(380)는 포커스 링(300)의 센터링이 필요 없는 경우에 핀(410)을 상기 상부 포커스 링(300) 보다 아래에 위치하도록 들어가 있게 한다. 핀(410)이 돌출되지 않음으로써, 포커스 링(300)의 세팅시 발생할 수 있는 간섭등의 예방 및 핀(410)이 과돌출됨으로 인하여 발생되는 포커스 링(300)이 정위치로 센터링 되지 않는 문제를 예방할 수 있다. 하부로 내려가는 위치는 상기 확장부(413)에 걸리는 돌기(미도시)를 상기 관통홀(321)에 형성함으로써 설정될 수 있다. As shown in FIG. 5(a), the control unit 380 moves the pin 410 to be positioned below the upper focus ring 300 when centering of the focus ring 300 is not necessary. As the pin 410 does not protrude, interference that may occur when setting the focus ring 300 is prevented and the problem of the focus ring 300 not being centered in the correct position occurs due to the pin 410 overprotruding. can be prevented. The downward position can be set by forming a protrusion (not shown) that catches the extension 413 in the through hole 321.

포커스 링(300), 특히 상부 포커스 링(310)의 센터링이 필요한 경우, 즉 상부 포커스 링(310)의 수평이동이 필요한 경우에, 도 5 (b)에서 보이듯이, 제어부(380)는 제 2 이동부(430)를 동작시킨다. 제 2 이동부(430)는 상기 핀(410)의 단부(411)가 상기 상부 포커스 링(310)의 홈(311)에 들어가게 핀(410)을 상승시킨다. When centering of the focus ring 300, especially the upper focus ring 310, is required, that is, when horizontal movement of the upper focus ring 310 is required, as shown in FIG. 5 (b), the control unit 380 controls the second The moving unit 430 is operated. The second moving unit 430 raises the pin 410 so that the end 411 of the pin 410 enters the groove 311 of the upper focus ring 310.

상부 포커스 링(310)의 홈(311)에 핀(410)의 단부(411)가 들어갈 만큼 핀(410)이 상승되면 제어부(380)는 상기 제 2 이동부(430)의 동작을 정지시키고, 상기 제 1 이동부(420)를 동작시킨다. 제 1 이동부(420)는 상기 제어부(380)의 신호를 받아서, 상부 포커스 링(310)의 이동이 필요한 방향으로, 예를 들면 도 5(c)에서는 오른쪽으로 상부 포커스 링(310)을 이동시킨다. 이 도면에서는 하나의 핀(410)만이 도시되어 있으나, 복수의 핀(410)이 함께 동작하여 상기 상부 포커스 링(310)의 센터링을 조절할 수 있다. When the pin 410 is raised enough for the end 411 of the pin 410 to enter the groove 311 of the upper focus ring 310, the control unit 380 stops the operation of the second moving unit 430, The first moving unit 420 is operated. The first moving unit 420 receives a signal from the control unit 380 and moves the upper focus ring 310 in the direction in which the upper focus ring 310 needs to be moved, for example, to the right in FIG. 5(c). I order it. Although only one pin 410 is shown in this drawing, a plurality of pins 410 can operate together to adjust the centering of the upper focus ring 310.

본 발명은 챔버(10)가 닫힌 상태에서 포커스 링(300)의 센터링을 수행할 수 있어서 공정 효율이 상승된다. In the present invention, centering of the focus ring 300 can be performed with the chamber 10 closed, thereby increasing process efficiency.

또한, 공정 결과 테이터를 분석하여, 포커스 링(300)을 수평 방향에서 미세 조정함으로써, 개선된 공정 결과를 제공할 수도 있다. Additionally, improved process results can be provided by analyzing process result data and fine-tuning the focus ring 300 in the horizontal direction.

도 6 에는 본 발명의 다른 실시예의 포커스 링 이동 유닛(400A, 400B, 400C)을 포함하는 기판처리장치의 평면도가 도시되어 있다. 이 실시예에서는 포커스 링 이동 유닛(400A, 400B, 400C)은 제 1 이동부(420)와 핀(410)을 포함하고, 이전 실시예와는 달리 제 2 이동부(430)는 구비하지 않으며, 그 외의 다른 구성, 예를 들면 상부 포커스 링(310)이나, 하부 포커스 링(320)의 구성은 동일하다. FIG. 6 shows a plan view of a substrate processing apparatus including focus ring movement units 400A, 400B, and 400C according to another embodiment of the present invention. In this embodiment, the focus ring moving units 400A, 400B, and 400C include a first moving part 420 and a pin 410, and unlike the previous embodiment, they do not have a second moving part 430, Other configurations, for example, the configuration of the upper focus ring 310 and the lower focus ring 320, are the same.

이 실시예에서는 제 2 이동부(430)를 구비하지 않아서, 핀(410)의 상승 및 하강은 곤란하나, 간단한 구성으로 챔버 오픈 없이 포커스 링(300)의 센터링을 달성할 수 있다. In this embodiment, since the second moving part 430 is not provided, it is difficult to raise and lower the pin 410, but with a simple configuration, centering of the focus ring 300 can be achieved without opening the chamber.

이 실시예는 마모에 따른 상부 포커스 링(310)의 상승이나 교체를 위한 상승 기능을 가지는 구조와 함께 사용되는 것도 가능하다. 즉, 제 1 이동부(420)를 포함하는 포커스 링 이동 유닛(400A, 400B, 400C)에 추가 구성이 부가되는 것을 배제하는 것은 아니다. This embodiment can also be used with a structure that has a lifting function for raising or replacing the upper focus ring 310 due to wear. That is, it is not excluded that additional components are added to the focus ring moving units 400A, 400B, and 400C including the first moving unit 420.

이상에서는 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니며 다양하게 변형되어 실시될 수 있음은 물론이다. The above description has focused on embodiments of the present invention, but the present invention is not limited thereto and can of course be implemented in various modifications.

10: 챔버 20: 플라즈마 발생 유닛
30: 기판 지지 어셈블리 100: 정전 척
200: 베이스 300: 포커스 링
310: 상부 포커스 링 311: 홈
320: 하부 포커스 링 321: 관통홀
400, 400A, 400B, 400C: 포커스 링 이동 유닛
410: 핀
411: 단부 412: 바디
413: 확장부 420: 제 1 이동부
430: 제 2 이동부10: Chamber 20: Plasma generation unit
30: substrate support assembly 100: electrostatic chuck
200: Base 300: Focus Ring
310: upper focus ring 311: groove
320: Lower focus ring 321: Through hole
400, 400A, 400B, 400C: Focus ring movement unit
410: pin
411: end 412: body
413: expansion part 420: first moving part
430: second moving part

Claims (10)

정전 척을 둘러싸는 포커스 링의 하면에 형성된 홈에 삽입되도록 상하 방향으로 연장하는 핀; 및
상기 핀에 연결되며, 수평 방향으로 상기 핀을 이동시키는 제 1 이동부;를 포함하는 포커스 링 이동 유닛.a pin extending in the vertical direction to be inserted into a groove formed on the lower surface of the focus ring surrounding the electrostatic chuck; and
A focus ring moving unit comprising: a first moving unit connected to the pin and moving the pin in a horizontal direction. 제 1 항에 있어서,
상기 핀에 연결되며, 높이 방향에서 상기 핀을 이동시키는 제 2 이동부를 더 포함하는 포커스 링 이동 유닛.According to claim 1,
The focus ring moving unit is connected to the pin and further includes a second moving part that moves the pin in a height direction. 제 1 항에 있어서,
상기 포커스 링은 상기 홈을 적어도 3개 포함하며,
상기 제 1 이동부는 상기 핀을 상기 포커스 링의 반경 방향으로 이동시키도록 구성되는 포커스 링 이동 유닛.According to claim 1,
The focus ring includes at least three grooves,
The first moving unit is configured to move the pin in a radial direction of the focus ring. 제 3 항에 있어서,
상기 포커스 링은 120°간격으로 3개의 홈을 포함하며,
상기 핀은 각각의 상기 홈에 배치되는 포커스 링 이동 유닛.According to claim 3,
The focus ring includes three grooves at 120° intervals,
A focus ring moving unit wherein the pin is disposed in each of the grooves. 제 4 항에 있어서,
상기 제 1 이동부는 상기 제 1 이동부와 상기 핀을 함께 이동시키며,
싱기 핀의 측면은 상기 홈의 내측벽과 평행한 포커스 링 이동 유닛. According to claim 4,
The first moving part moves the first moving part and the pin together,
A focus ring moving unit where the side of the singi pin is parallel to the inner wall of the groove. 제 2 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 이동부와 연결된 제어부를 더 포함하며,
상기 제어부는 상기 포커스 링의 이동 시에 상기 제 2 구동부를 동작시켜 상기 핀을 상기 홈에 삽입되게 상승시킨 후, 상기 제 1 구동부로 상기 포커스 링의 수평 방향 이동시키는 포커스 링 이동 유닛. The method according to any one of claims 2 to 5,
Further comprising a control unit connected to the first and second moving units,
The control unit operates the second driving unit when the focus ring is moved to raise the pin to be inserted into the groove, and then moves the focus ring in the horizontal direction with the first driving unit. 제 6 항에 있어서,
상기 제어부는 상기 포커스 링의 이동 시에 제 2 구동부를 통하여 모든 핀을 상기 홈에 삽입되게 상승시키는 포커스 링 이동 유닛. According to claim 6,
The control unit is a focus ring moving unit that raises all pins to be inserted into the grooves through a second driving unit when the focus ring is moved. 제 1 항에 있어서,
상기 홈은 원형 단면을 가지며,
상기 핀의 직경은 상기 홈의 직경보다 작은 포커스 링 이동 유닛. According to claim 1,
The groove has a circular cross-section,
A focus ring moving unit wherein the diameter of the pin is smaller than the diameter of the groove. 내부에 처리 공간을 제공하는 챔버;
상기 챔버 내에 배치되며 기판을 지지하는 정전 척;
상기 정전 척의 외주를 둘러싸도록 배치되는 포커스 링;
상기 포커스 링의 하면에 형성된 홈에 삽입되는 핀을 포함하는 포커스 링 이동 유닛; 및
상기 챔버 내에 플라즈마를 발생시키기 위한 플라즈마 발생 유닛;을 포함하며,
상기 포커스 링 이동 유닛은 제 2 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항의 포커스 링 이동 유닛인 기판처리장치. A chamber providing a processing space therein;
an electrostatic chuck disposed within the chamber and supporting a substrate;
a focus ring disposed to surround an outer periphery of the electrostatic chuck;
a focus ring moving unit including a pin inserted into a groove formed on a lower surface of the focus ring; and
It includes a plasma generation unit for generating plasma in the chamber,
The focus ring moving unit is a substrate processing apparatus that is the focus ring moving unit of any one of claims 2 to 5. 제 9 항에 있어서,
상기 포커스 링은 상부 포커스 링과 하부 포커스 링을 포함하며,
상기 상부 포커스 링의 하면은 상기 하부 포커스 링의 상면에 접하며,
상기 하부 포커스 링은 상기 핀이 관통하는 관통홀을 포함하며,
상기 제 1 및 제 2 이동부는 상기 하부 포커스 링 보다 하부에 배치되는 기판처리장치. According to clause 9,
The focus ring includes an upper focus ring and a lower focus ring,
The lower surface of the upper focus ring is in contact with the upper surface of the lower focus ring,
The lower focus ring includes a through hole through which the pin passes,
The first and second moving parts are disposed lower than the lower focus ring.
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