KR20230131667A - 페로브스카이트 태양전지 및 이의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 전자전달층과 소스전극 사이에 파이-오비탈 전자를 가지는 반도체성 유기물질(semiconducting organic material), 비공유 전자쌍(unshared electron pair)을 가지는 원소를 포함하는 유기물질 및 이온성 작용기(ionic functional group)를 가지는 유기물질 중에서 1종 이상을 포함하는 투명 전도성 산화물층이 도입된 페로브스카이트 태양전지 및 이를 제조방법에 관한 것이다.
Description
본 발명은 전자전달층과 소스전극 사이에 파이-오비탈 전자를 가지는 반도체성 유기물질(semiconducting organic material), 비공유 전자쌍(unshared electron pair)을 가지는 원소를 포함하는 유기물질 및 이온성 작용기(ionic functional group)를 가지는 유기물질 중에서 1종 이상을 포함하는 투명 전도성 산화물층이 도입된 페로브스카이트 태양전지 및 이를 제조방법에 관한 것이다.
화석 에너지의 고갈과 이의 사용에 의한 지구 환경적인 문제를 해결하기 위해 태양에너지, 풍력, 수력과 같은 재생 가능하며, 청정한 대체 에너지원에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다.
이 중에서 태양 빛으로부터 직접 전기적 에너지를 변화시키는 태양전지에 대한 관심이 크게 증가하고 있다. 여기서 태양전지란 태양 빛으로부터 광 에너지를 흡수하여 전자와 정공을 발생하는 광기전 효과를 이용하여 전류-전압을 생성하는 전지를 의미한다.
현재 광에너지 변환효율이 20%가 넘는 n-p 다이오드형 실리콘(Si) 단결정 기반 태양전지의 제조가 가능하여 실제 태양광 발전에 사용되고 있으며, 이보다 더 변환효율이 우수한 갈륨아세나이드(GaAs)와 같은 화합물 반도체를 이용한 태양전지도 있다. 그러나 이러한 무기 반도체 기반의 태양전지는 고효율화를 위하여 매우 고순도로 정제한 소재가 필요하므로 원소재의 정제에 많은 에너지가 소비되고, 또한 원소재를 이용하여 단결정 혹은 박막화 하는 과정에 고가의 공정 장비가 요구되어 태양전지의 제조비용을 낮게 하는 데에는 한계가 있어 대규모적인 활용에 걸림돌이 되어왔다.
이에 따라 태양전지를 저가로 제조하기 위해서는 태양전지에 핵심으로 사용되는 소재 혹은 제조 공정의 비용을 대폭 감소시킬 필요가 있으며, 무기 반도체 기반 태양전지의 대안으로 저가의 소재와 공정으로 제조가 가능한 페로브스카이트 태양전지에 대한 연구가 진행되고 있다.
최근 페로브스카이트 구조의 할로겐 화합물인 (NH3CH3)PbX3 (X=I, Br, Cl)를 광활성체로 사용하는 페로브스카이트 태양전지가 개발되어 상업화를 위한 연구가 진행되고 있다. 페로브스카이트 구조의 일반적인 구조식은 ABX3 구조이며 X 자리에는 음이온이 위치하며, A 자리에는 크기가 큰 양이온이 위치하고 B 자리에는 크기가 작은 양이온이 위치하는 구조를 지닌다.
분자식 (CH3NH3)PbX3의 유기금속 할로겐화합물인 페로브스카이트 태양전지는 2009년에 처음으로 태양전지의 광활성체로 사용되었다. 이후 2012년 현재와 같은 구조의 고체형 페로브스카이트 태양 전지가 개발된 이래, 급속히 효율향상이 이루어졌다. 통상의 페로브스카이트 태양전지는 전자전달층으로 금속산화물을 사용하고 정공수송층(HTL)으로 spiro-OMETAD와 같은 유기물 또는 고분자물질을 주로 사용한다. 즉, FTO와 같은 투명전극에 금속산화물 다공성 막 또는 박막을 제작하고 페로브스카이트 물질을 코팅하며, 이후 정공수송층을 코팅한 후 금(Au) 또는 은(Ag)과 같은 전극층을 증착한다.
분자식 (CH3NH3)PbX3의 유기금속 할로겐화합물인 페로브스카이트 태양전지는 분자식에서 X는 I, Br, Cl 등의 halide 이온을 사용하고 있으며, 이 때 페로브스카이트 결정상 생성에 참여하지 못한 잉여 halide는 이온 결함의 형태로 존재하여 페로브스카이트 결정에 고정되지 않고, 수소나 가벼운 양이온과 결합된 형태의 halide로 결정에서 벗어날 수 있어 높은 확산성을 가진다. 따라서 Si/perovskite tandem 소자 제작 후 halide 이온은 후속 모듈 공정 등에서 필수적으로 포함되는 가열이나 빛의 조사 혹은 전기적 외부요인에 의해서 제약없이 주변 층으로 쉽게 확산되는 현상을 보인다.
특히, Si/perovskite tandem 태양전지에서 금(Au) 또는 은(Ag)과 같은 전극층으로 확산될 경우 투명전극과 금속 계면을 부식시켜 계면접촉저항을 증가시킬 뿐만 아니라 금속전극의 부식으로 인한 태양전지소자 내부로의 금속이온 유출 현상을 야기하여 태양전지소자의 성능을 감소시키는 문제가 발생한다.
본 발명은 상술한 문제를 극복하기 위해 안출된 것으로, 전자전달층과 소스전극 사이에 파이-오비탈 전자를 가지는 반도체성 유기물질(semiconducting organic material), 비공유 전자쌍(unshared electron pair)을 가지는 원소를 포함하는 유기물질 및 이온성 작용기(ionic functional group)를 가지는 유기물질 중에서 1종 이상을 포함하는 투명 전도성 산화물층을 도입하여 350 ~ 1200nm의 파장에 대한 광투과 특성을 크게 변화시키지 않고, 면저항 역시 크게 변화시키지 않음으로서, 페로브스카이트 태양전지의 성능 감소를 최소화시키며 안정성을 확보할 수 있는 페로브스카이트 태양전지 및 이를 제조하는 방법을 제공하고자 한다.
상술한 과제를 해결하기 위해 본 발명의 페로브스카이트 태양전지는 정공전달층(Hole transport layer), 페로브스카이트 광흡수층, 전자전달층(Electron transporting layer), 소스 전극(Source electrode)이 순차적으로 적층된 적층체를 포함한다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 소스 전극과 전자전달층 사이에 투명 전도성 산화물층(transparent conductive oxide layer)이 형성되어 있을 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 투명 전도성 산화물층은 파이-오비탈 전자를 가지는 반도체성 유기물질(semiconducting organic material), 비공유 전자쌍(unshared electron pair)을 가지는 원소를 포함하는 유기물질 및 이온성 작용기(ionic functional group)를 가지는 유기물질 중에서 1종 이상을 포함할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 투명 전도성 산화물층은 제1투명 전도성 산화물층, 기능성 유기물질층 및 제2투명 전도성 산화물층이 순차적으로 적층된 구조일 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 제1투명 전도성 산화물층은 ITO(Induim Tin Oxide), FTO(Fluorine doped Tin Oxide), ATO(Sb2O3 doped Tin Oxide), GTO(Gallium doped Tin Oxide), ZTO(tin doped zinc oxide), ZTO:Ga(gallium doped ZTO), IGZO(Indium gallium zinc oxide, IZO(Indium doped zinc oxide) 또는 AZO(Aluminum doped zinc oxide)이 증착된 투명 박막일 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 제2투명 전도성 산화물층은 ITO(Induim Tin Oxide), FTO(Fluorine doped Tin Oxide), ATO(Sb2O3 doped Tin Oxide), GTO(Gallium doped Tin Oxide), ZTO(tin doped zinc oxide), ZTO:Ga(gallium doped ZTO), IGZO(Indium gallium zinc oxide, IZO(Indium doped zinc oxide) 또는 AZO(Aluminum doped zinc oxide)이 증착된 투명 박막일 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 기능성 유기물질층은 파이-오비탈 전자를 가지는 반도체성 유기물질, 비공유 전자쌍을 가지는 원소를 포함하는 유기물질 또는 이온성 작용기를 가지는 유기물질이 증착된 박막일 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 파이-오비탈 전자를 가지는 반도체성 유기물질은 풀러렌, 풀러렌 기반 유도체, PDI(perylene diimide) 및 NDI(naphthalene diimide) 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 비공유 전자쌍을 가지는 원소를 포함하는 유기물질은 산소, 질소 및 인 중에서 선택된 1종 이상의 원소를 포함하는 유기물질일 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 이온성 작용기를 가지는 유기물질은 PEIE(polyethylenimine ethoxylated) 및 PFN(Poly[(9,9-di(3,3'-N,N'-trimethyl-ammonium)propylfluorenyl-2,7-diyl)-alt-co-(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)] diiodide salt) 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 제1투명 전도성 산화물층 및 기능성 유기물질층은 1 : 0.05 ~ 0.15의 두께비를 가질 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 제2투명 전도성 산화물층 및 기능성 유기물질층은 1 : 0.05 ~ 0.15의 두께비를 가질 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 제1투명 전도성 산화물층은 5 ~ 100nm의 평균두께를 가질 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 기능성 유기물질층은 2 ~ 50nm의 평균두께를 가질 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 제2투명 전도성 산화물층은 5 ~ 100nm의 평균두께를 가질 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 본 발명의 페로브스카이트 태양전지는 p-i-n 구조형 페로브스카이트 태양전지, n-i-p 역구조형 페로브스카이트 태양전지, 텐덤형 페로브스카이트 태양전지 또는 탠덤형 실리콘/페로브스카이트 이종접합 태양전지일 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 투명 전도성 산화물층은 350 ~ 1200nm의 파장에 대한 광투과도(transmittance)가 70 ~ 99%이고, 면저항이 5 ~ 500 Ω/sq일 수 있다.
한편, 본 발명의 페로브스카이트 태양전지의 제조방법은 정공전달층, 페로브스카이트 광흡수층 및 전자전달층이 순차적으로 적층된 적층체의 전자전달층 상부에 증착공정을 통해 투명 전도성 산화물층을 형성시키는 제1단계 및 상기 투명 전도성 산화물층 상부에 소스 전극을 형성시키는 제2단계를 포함하며, 상기 투명 전도성 산화물층은 파이-오비탈 전자를 가지는 반도체성 유기물질(semiconducting organic material), 비공유 전자쌍(unshared electron pair)을 가지는 원소를 포함하는 유기물질 및 이온성 작용기(ionic functional group)를 가지는 유기물질 중에서 1종 이상을 포함할 수 있다.
본 발명의 바람직한 일실시예로서, 상기 제1단계는 정공전달층, 페로브스카이트 광흡수층 및 전자전달층이 순차적으로 적층된 적층체의 전자전달층 상부에 증착공정을 통해 제1투명 전도성 산화물층을 형성시키는 제1-1단계, 상기 제1투명 전도성 산화물층 상부에 증착 또는 용액공정을 통해 기능성 유기물질층을 형성시키는 제1-2단계 및 상기 기능성 유기물질층 상부에 증착공정을 통해 제2투명 전도성 산화물층을 형성시키는 제1-3단계를 포함할 수 있다.
한편, 본 발명의 탠덤형 실리콘/페로브스카이트 이종접합 태양전지는 드레인 전극(drain electrode), 실리콘 태양전지, 재결합층, 정공전달층, 페로브스카이트 광흡수층, 전자전달층 및 소스 전극이 순차적으로 적층된 적층체를 포함하며, 상기 소스 전극과 전자전달층 사이에 투명 전도성 산화물층이 형성되어 있으며, 상기 투명 전도성 산화물층은 파이-오비탈 전자를 가지는 반도체성 유기물질(semiconducting organic material), 비공유 전자쌍(unshared electron pair)을 가지는 원소를 포함하는 유기물질 및 이온성 작용기(ionic functional group)를 가지는 유기물질 중에서 1종 이상을 포함할 수 있다.
본 발명의 페로브스카이트 태양전지는 전자전달층과 소스전극 사이에 파이-오비탈 전자를 가지는 반도체성 유기물질(semiconducting organic material), 비공유 전자쌍(unshared electron pair)을 가지는 원소를 포함하는 유기물질 및 이온성 작용기(ionic functional group)를 가지는 유기물질 중에서 1종 이상을 포함하는 투명 전도성 산화물층을 도입함으로서, 페로브스카이트 광흡수층에서 확산되는 할라이드(halide) 음이온이 금속 소재의 소스 전극 계면으로의 확산 및 이에 따른 부식 현상을 미연에 방지함으로서, 수명을 증대시킬 수 있다. 또한, 광학적 특성을 변화시킬 수 있어 반사방지특성을 조절할 수 있어, 성능을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 투명 전도성 산화물층을 도시한 단면도이다.
도 2는 준비예 1 및 비교 준비예 1에서 제조한 투명 전도성 산화물막 각각의 광투과율을 측정한 그래프이다.
도 2는 준비예 1 및 비교 준비예 1에서 제조한 투명 전도성 산화물막 각각의 광투과율을 측정한 그래프이다.
이하, 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
기존 페로브스카이트 태양전지는 페로브스카이트 광흡수층에서 확산되는 할라이드(halide) 음이온이 금속 소재의 소스 전극 계면을 부식시켜 계면접촉저항을 증가시킬 뿐만 아니라 금속 소재의 소스 전극의 부식으로 인한 페로브스카이트 태양전지 내부로의 금속이온 유출 현상을 야기하여 페로브스카이트 태양전지의 성능을 감소시키는 문제가 있었다.
이에 본 발명은 전자전달층과 소스전극 사이에 파이-오비탈 전자를 가지는 반도체성 유기물질(semiconducting organic material), 비공유 전자쌍(unshared electron pair)을 가지는 원소를 포함하는 유기물질 및 이온성 작용기(ionic functional group)를 가지는 유기물질 중에서 1종 이상을 포함하는 투명 전도성 산화물층을 도입함으로서, 페로브스카이트 광흡수층에서 확산되는 할라이드(halide) 음이온이 금속 소재의 소스 전극 계면으로의 확산 및 이에 따른 부식 현상을 미연에 방지함으로서 수명을 증대시키고, 광학적 특성을 변화시킬 수 있어 반사방지특성을 함으로서 성능을 향상시킨 페로브스카이트 태양전지에 관한 것이다.
본 발명의 페로브스카이트 태양전지는 p-i-n 구조형 페로브스카이트 태양전지, n-i-p 역구조형 페로브스카이트 태양전지, 텐덤형 페로브스카이트 태양전지 또는 탠덤형 실리콘/페로브스카이트 이종접합 태양전지일 수 있고, 바람직하게는 탠덤형 실리콘/페로브스카이트 이종접합 태양전지일 수 있으며, 정공전달층(Hole transport layer, HTL, 또는 정공수송층), 페로브스카이트 광흡수층, 전자전달층(Electron transport layer, ETL), 투명 전도성 산화물층(transparent conductive oxide layer) 및 소스 전극(Source electrode)이 순차적으로 적층된 구조의 적층체를 포함하는 태양전지이다.
바람직한 일구현예를 들면, 본 발명의 페로브스카이트 태양전지가 탠덤형 실리콘/페로브스카이트 이종접합 태양전지인 경우, 드레인 전극(drain electrode), 실리콘 태양전지, 재결합층 및 상기 적층체가 순차적으로 적층된 구조를 포함할 수 있다. 구체적으로, 탠덤형 실리콘/페로브스카이트 이종접합 태양전지인 경우, 드레인 전극(drain electrode), 실리콘 태양전지, 재결합층, 정공전달층, 페로브스카이트 광흡수층, 전자전달층, 투명 전도성 산화물층 및 소스 전극(source electrode)이 순차적으로 적층된 구조를 포함할 수 있다.
정공전달층(HTL)은 무기 및/또는 유기 정공전달물질을 포함할 수 있다.
이 때, 무기 정공전달물질은 니켈산화물(NiOx), MoOx, CuSCN, CuCrO2, CuI, MoO 및 V2O5 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.
또한, 유기 정공전달물질은 카르바졸 유도체, 폴리아릴알칸 유도체, 페닐렌디아민 유도체, 아릴아민 유도체, 아미노 치환 칼콘 유도체, 스티릴안트라센 유도체, 플루오렌 유도체, 하이드라존 유도체, 스틸벤유도체, 실라잔 유도체, 방향족 제 3 급 아민 화합물, 스티릴아민 화합물, 방향족 디메틸리딘계 화합물, 포르피린계 화합물, 프탈로시아닌계 화합물, 폴리티오펜 유도체, 폴리피롤 유도체, 폴리파라페닐렌비닐렌 유도체, 펜타센(pentacene), 쿠마린 6(coumarin 6, 3-(2-benzothiazolyl)-7-(diethylamino)coumarin), ZnPC(zinc phthalocyanine), CuPC(copper phthalocyanine), TiOPC(titanium oxide phthalocyanine), Spiro-MeOTAD(2,2',7,7'-tetrakis(N,N-p-dimethoxyphenylamino)-9,9'-spirobifluorene), F16CuPC(copper(II) 1,2,3,4,8,9,10,11,15,16,17,18,22,23,24,25-hexadecafluoro-29H,31H-phthalocyanine), SubPc(boron subphthalocyanine chloride) 및 N3(cis-di(thiocyanato)-bis(2,2'-bipyridyl-4,4'-dicarboxylic acid)-ruthenium(II), P3HT(poly[3-hexylthiophene]), MDMO-PPV(poly[2-methoxy-5-(3',7'-dimethyloctyloxyl)]-1,4-phenylene vinylene), MEH-PPV(poly[2-methoxy-5-(2''-ethylhexyloxy)-p-phenylene vinylene]), P3OT(poly(3-octyl thiophene)), POT(poly(octyl thiophene)), P3DT(poly(3-decyl thiophene)), P3DDT(poly(3-dodecyl thiophene), PPV(poly(p-phenylene vinylene)), TFB(poly(9,9'-dioctylfluorene-co-N-(4-butylphenyl)diphenyl amine), 폴리아닐린(Polyaniline), Spiro-MeOTAD([2,22′,7,77′-tetrkis (N,N-di-pmethoxyphenyl amine)-9,9,9′-spirobi fluorine]), PCPDTBT(Poly[2,1,3-benzothiadiazole-4,7-diyl[4,4-bis(2-ethylhexyl-4H-cyclopenta [2,1-b:3,4-b']dithiophene-2,6-diyl]], Si-PCPDTBT(poly[(4,4′-bis(2-ethylhexyl)dithieno[3,2-b:2′,3′-d]silole)-2,6-diyl-alt-(2,1,3-benzothiadiazole)-4,7-diyl]), PBDTTPD(poly((4,8-diethylhexyloxyl), PFDTBT(poly[2,7-(9-(2-ethylhexyl)-9-hexyl-fluorene)-alt-5,5-(4', 7, -di-2-thienyl-2',1', 3'-benzothiadiazole)]), PFO-DBT(poly[2,7-.9,9-(dioctyl-fluorene)-alt-5,5-(4',7'-di-2-.thienyl-2', 1', 3'-benzothiadiazole)]), PSiFDTBT(poly[(2,7-dioctylsilafluorene)-2,7-diyl-alt-(4,7-bis(2-thienyl)-2,1,3-benzothiadiazole)-5,5′-diyl]), PCDTBT(Poly [[9-(1-octylnonyl)-9H-carbazole-2,7-diyl] -2,5-thiophenediyl-2,1,3-benzothiadiazole-4,7-diyl-2,5-thiophenediyl]), PFB(poly(9,9′-dioctylfluorene-co-bis(N,N′-(4,butylphenyl))bis(N,N′-phenyl-1,4-phenylene)diamine), F8BT(poly(9,9′-dioctylfluorene-cobenzothiadiazole), PEDOT (poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), PEDOT:PSS poly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate), PTAA (poly(triarylamine)), 2-PACz, 4-PACz, MeO-2PACz, Br-2PACz, Me-4PACz, MeO-4PACz 및 6-PACz 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.
또한, 정공수송층의 형성 방법으로는 도포법, 및 진공 증착법 등을 들 수 있으며, 도포법으로는 그라비아 도포법, 바 도포법, 인쇄법, 스프레이법, 스핀 코팅법, 딥법 및 다이 코트법 등을 들 수 있고, 진공 증착법으로는 열 증착, E-beam 증착, sputter 증착, ALD 증착법 등을 들 수 있다.
페로브스카이트 광흡수층은 태양전지의 광흡수층에 적용되는 일반적인 페로브스카이트 소재를 포함할 수 있으며, 바람직한 일례를 들면, 하기 화학식 1로 표시되는 페로브스카이트 물질을 포함할 수 있다.
[화학식 1]
CMX3
상기 화학식 1에서, C는 1가 양이온으로서, 아민, 암모늄, 1족 금속, 2족 금속, 및/또는 다른 양이온 또는 양이온-유사 화합물을 포함할 수 있고, 바람직하게는 포름아미디늄(FA, formamidinium), 메틸암모늄(MA. methylammonium), FAMA, CsFAMA, CsFA 또는 N(R)4 +(여기서, R은 동일하거나 또는 상이한 기일 수 있고, R은 탄소수 1 ~ 5의 직쇄형 알킬기, 탄소수 3 ~ 5의 분쇄형 알킬기, 페닐기, 알킬페닐기, 알콕시페닐기 또는 알킬할라이드이다.)일 수 있다.
또한, 화학식 1의 M은 2가 양이온으로서, Fe, Co, Ni, Cu, Sn, Pb, Bi, Ge, Ti, Eu 및 Zr 중에서 선택된 1종 또는 2종을 포함할 수 있다.
또한, 화학식 1의 X는 1가 음이온으로서, F, Cl, Br 및 I 중에서 선택된 1종 이상의 할라이드 원소 및/또는 16족 음이온을 포함할 수 있으며, 바람직한 일례를 들면, X는 IxBr3-x(0 ≤ x ≤ 3)일 수 있다.
그리고, 화학식 1의 바람직한 일구현예를 들면, FAPbIxBr3-x (0 ≤ x ≤ 3), MAPbIxBr3-x (0 ≤ x ≤ 3), CSMAFAPbIxBr3-x(0 ≤ x ≤ 3), CH3NH3PbX3(X= Cl, Br, I, BrI2, 또는 Br2I), CH3NH3SnX3(X= Cl, Br 또는 I), CH(=NH)NH3PbX3(X= Cl, Br, I, BrI2, 또는 Br2I) 또는 CH(=NH)NH3SnX3(X= Cl, Br 또는 I)일 수 있다.
한편, 본 발명의 페로브스카이트 태양전지에 있어서, 페로브스카이트 광흡수층은 동일한 페로브스카이트 물질로 구성된 단층이거나, 또는 다른 페로브스카이트 물질로 구성된 층이 다수 적층된 다층 구조일 수도 있으며, 1종의 페로브스카이트 물질로 이루어진 광흡수층 내부에 기둥 형상, 판 형상, 침상, 와이어 형상, 막대 형성 등의 필라 형상을 가지는 상기 1종의 페로브스카이트 물질과 다른 이종의 페로브스카이트 물질을 포함할 수도 있다.
또한, 페로브스카이트 광흡수층의 형성 방법으로는 도포법, 및 진공 증착법 등을 들 수 있으며, 도포법으로는 그라비아 도포법, 바 도포법, 인쇄법, 스프레이법, 스핀 코팅법, 딥법, 잉크젯 도포법 및 다이 코트법 등을 들 수 있다.
전자전달층(Electron transpor layer, ETL)은 유기 및/또는 무기 정공전달물질을 포함할 수 있다.
이 때, 유기 전자전달 물질은 C60, C70, PC60BM, PC70BM, BCP, PEIE 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.
또한 무기 전자전달 물질은 티탄 산화물 (TiO2), SnO, ZnO 등 반도체성 금속 산화물 중에서 1종 이상을 포함할 수 있다.
또한, 전자전달층의 형성 방법으로는 진공 증착법 및 용액 도포법 등을 들 수 있으며, 진공 증착법으로는 열 증착, E-beam 증착, sputter 증착, ALD 증착법 등을 들 수 있고, 용액 도포법으로는 그라비아 도포법, 바 도포법, 인쇄법, 스프레이법, 스핀 코팅법, 딥법 및 다이 코트법 등을 들 수 있다.
도 1을 참조하면, 투명 전도성 산화물층(transparent conductive oxide layer, 10)은 전자전달층 상부에 증착 공정 또는 용액 공정을 통해 형성할 수 있다.
이 때, 증착은 당업계에서 사용하는 일반적인 증착 공정으로 수행할 수 있으며, 바람직하게는 진공 증착공정을 수행할 수 있다. 또한, 용액 공정은 스핀 코팅 공정을 통해 수행할 수 있다.
또한, 투명 전도성 산화물층(10)은 파이-오비탈 전자를 가지는 반도체성 유기물질(semiconducting organic material), 비공유 전자쌍(unshared electron pair)을 가지는 원소를 포함하는 유기물질 및 이온성 작용기(ionic functional group)를 가지는 유기물질 중에서 1종 이상을 포함할 수 있다.
구체적으로, 투명 전도성 산화물층(10)은 제1투명 전도성 산화물층(2) 기능성 유기물질층(3) 및 제2투명 전도성 산화물층(4)이 순차적으로 적층된 구조일 수 있으며, 바람직하게는 기능성 유기물질층(3)에 제2투명 전도성 산화물층(4)이 증착 시 표면에너지를 낮춰 줄 수 있는 유기 물질, 구체적으로, 파이-오비탈 전자를 가지는 반도체성 유기물질, 비공유 전자쌍을 가지는 원소를 포함하는 유기물질 및 이온성 작용기를 가지는 유기물질 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다. 달리 말하면, 투명 전도성 산화물층(10)은 전자전달층 상부에 증착 공정을 통해 제1투명 전도성 산화물층(2)을 형성하고, 제1투명 전도성 산화물층(2) 상부에 증착 또는 용액 공정을 통해 기능성 유기물질층(3)을 형성하며, 기능성 유기물질층(3) 상부에 증착 공정을 통해 제2투명 전도성 산화물층(4)을 형성함으로서 제1투명 전도성 산화물층(2), 기능성 유기물질층(3) 및 제2투명 전도성 산화물층(4)이 순차적으로 적층된 구조를 가질 수 있다.
한편, 제1투명 전도성 산화물층(2)은 ITO(Induim Tin Oxide), FTO(Fluorine doped Tin Oxide), ATO(Sb2O3 doped Tin Oxide), GTO(Gallium doped Tin Oxide), ZTO(tin doped zinc oxide), ZTO:Ga(gallium doped ZTO), IGZO(Indium gallium zinc oxide, IZO(Indium doped zinc oxide) 또는 AZO(Aluminum doped zinc oxide)이 증착된 투명 박막일 수 있다.
또한, 제2투명 전도성 산화물층(4)은 ITO(Induim Tin Oxide), FTO(Fluorine doped Tin Oxide), ATO(Sb2O3 doped Tin Oxide), GTO(Gallium doped Tin Oxide), ZTO(tin doped zinc oxide), ZTO:Ga(gallium doped ZTO), IGZO(Indium gallium zinc oxide, IZO(Indium doped zinc oxide) 또는 AZO(Aluminum doped zinc oxide)이 증착된 투명 박막일 수 있다.
또한, 기능성 유기물질층(3)은 파이-오비탈 전자를 가지는 반도체성 유기물질, 비공유 전자쌍을 가지는 원소를 포함하는 유기물질 또는 이온성 작용기를 가지는 유기물질이 증착된 박막일 수 있다.
이 때, 파이-오비탈 전자를 가지는 반도체성 유기물질은 풀러렌, 풀러렌 기반 유도체, PDI(perylene diimide) 및 NDI(naphthalene diimide) 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다. 구체적일 일 예로서, 풀러렌은 C60 풀러렌(C60 fullerene) 및 C70 풀러렌(C70 fullerene) 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있고, 풀러렌 기반 유도체는 PCBM(Phenyl-C61-butyric acid methyl ester)을 포함할 수 있다.
또한, 비공유 전자쌍을 가지는 원소를 포함하는 유기물질은 산소, 질소 및 인 중에서 선택된 1종 이상의 원소를 포함하는 유기물질일 수 있다. 구체적일 일 예로서, 비공유 전자쌍을 가지는 원소를 포함하는 유기물질은 크라운 에테르(crown ether) 및 포르피린(porphyrin) 계열 유도체 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.
또한, 이온성 작용기를 가지는 반도체성 유기물질은 염의 형태로 존재할 수 있는 증착이 가능한 유기물질을 포함할 수 있고, 바람직하게는 PEIE(polyethylenimine ethoxylated) 및 PFN(Poly[(9,9-di(3,3'-N,N'-trimethyl-ammonium)propylfluorenyl-2,7-diyl)-alt-co-(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)] diiodide salt) 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.
구체적으로, 제1투명 전도성 산화물층(2) 및 기능성 유기물질층(3)은 1 : 0.05 ~ 0.15의 두께비, 바람직하게는 1 : 0.066 ~ 0.1의 두께비, 더욱 바람직하게는 1 : 0.075 ~ 0.092의 두께비를 가질 수 있으며, 더 더욱 바람직하게는 1 : 0.079 ~ 0.088의 두께비를 가질 수 있으며, 만일 두께비가 1 : 0.05 미만이면 전극을 보호하는데 문제가 있을 수 있고, 1 : 0.15를 초과하면 내부 저항 증가로 태양전지의 성능이 저하되는 문제가 있을 수 있다.
또한, 제2투명 전도성 산화물층(4) 및 기능성 유기물질층(3)은 1 : 0.05 ~ 0.15의 두께비, 바람직하게는 1 : 0.066 ~ 0.1의 두께비, 더욱 바람직하게는 1 : 0.075 ~ 0.092의 두께비를 가질 수 있으며, 더 더욱 바람직하게는 1 : 0.079 ~ 0.088의 두께비를 가질 수 있으며, 만일 두께비가 1 : 0.05 미만이면 전극을 보호하는데 문제가 있을 수 있고, 1 : 0.15를 초과하면 내부 저항 증가로 태양전지의 성능이 저하되는 문제가 있을 수 있다.
한편, 제1투명 전도성 산화물층(2)은 5 ~ 100nm, 바람직하게는 20 ~ 80nm, 더욱 바람직하게는 30 ~ 70nm의 평균두께를 가질 수 있으며, 만일 평균두께가 5nm 미만이면 내부 저항 증가로 태양전지의 성능이 저하되는 문제가 있을 수 있고, 100nm를 초과하면 장 파장의 광 투과성이 저하되는 문제가 있을 수 있다.
또한, 제2투명 전도성 산화물층(4)은 5 ~ 100nm, 바람직하게는 20 ~ 80nm, 더욱 바람직하게는 30 ~ 70nm의 평균두께를 가질 수 있으며, 만일 평균두께가 5nm 미만이면 내부 저항 증가로 태양전지의 성능이 저하되는 문제가 있을 수 있고, 100nm를 초과하면 장 파장의 광 투과성이 저하되는 문제가 있을 수 있다.
또한, 기능성 유기물질층은 2 ~ 50nm, 바람직하게는 2 ~ 15nm, 더욱 바람직하게는 3 ~ 11nm, 더 더욱 바람직하게는 4 ~ 9nm, 가장 바람직하게는 4 ~ 7nm의 평균두께를 가질 수 있으며, 만일 평균두께가 2nm 미만이면 전극을 보호하는데 문제가 있을 수 있고, 50nm를 초과하면 내부 저항 증가로 태양전지의 성능이 저하되는 문제가 있을 수 있다.
소스 전극은 투명 전도성 산화물층 상부에 코팅 또는 증착 공정을 통해 형성할 수 있다. 또한, 소스 전극은 Pt, Au, Ni, Cu, Ag, In, Ru, Pd, Rh, Ir, Os, C 및 전도성 고분자 중에서 선택된 1종 이상을 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 태양전지는 상기 광흡수층 및 전자전달층 사이에 패시베이션(passivation)층을 더 포함할 수도 있다.
드레인 전극은 전도성 금속, 전도성 금속의 합금, 금속산화물 및 전도성 고분자 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 소재로 제조할 수 있으며, 바람직한 일례를 들면, ITO(Induim Tin Oxide), FTO(Fluorine doped Tin Oxide), ATO(Sb2O3 doped Tin Oxide), GTO(Gallium doped Tin Oxide), ZTO(tin doped zinc oxide), ZTO:Ga(gallium doped ZTO), IGZO(Indium gallium zinc oxide, IZO(Indium doped zinc oxide) 및/또는 AZO(Aluminum doped zinc oxide) 등을 포함할 수 있다.
한편, 본 발명의 페로브스카이트 태양전지의 제조방법은 정공전달층, 페로브스카이트 광흡수층 및 전자전달층이 순차적으로 적층된 적층체의 전자전달층 상부에 증착공정을 통해 투명 전도성 산화물층을 형성시키는 제1단계 및 상기 투명 전도성 산화물층 상부에 소스 전극을 형성시키는 제2단계를 포함할 수 있으며, 투명 전도성 산화물층은 파이-오비탈 전자를 가지는 반도체성 유기물질(semiconducting organic material), 비공유 전자쌍(unshared electron pair)을 가지는 원소를 포함하는 유기물질 및 이온성 작용기(ionic functional group)를 가지는 유기물질 중에서 1종 이상을 포함할 수 있다.
구체적으로, 본 발명의 페로브스카이트 태양전지의 제조방법의 제1단계는 정공전달층, 페로브스카이트 광흡수층 및 전자전달층이 순차적으로 적층된 적층체의 전자전달층 상부에 증착공정을 통해 제1투명 전도성 산화물층을 형성시키는 제1-1단계, 상기 제1투명 전도성 산화물층 상부에 증착 또는 용액공정을 통해 기능성 유기물질층을 형성시키는 제1-2단계 및 상기 기능성 유기물질층 상부에 증착공정을 통해 제1투명 전도성 산화물층을 형성시키는 제1-3단계를 포함할 수 있으며, 각층에 대한 구체적인 설명은 앞서 설명한 바와 같다.
이하에서는 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기로 하지만, 하기 실시예가 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니며, 이는 본 발명의 이해를 돕기 위한 것으로 해석되어야 할 것이다.
준비예 1 : 투명 전도성 산화물막의 제조
세척한 bare 유리기판을 준비하고, 스퍼터링 공정을 통해 유리기판 상부에 IZO(Indium doped zinc oxide)를 증착시켜 평균두께 60nm의 제1투명 전도성 산화물층을 형성시켰다.
다음으로, 진공 증착 공정을 통해 제1투명 전도성 산화물층 상부에 C60 풀러렌(C60 fullerene)을 증착시켜 평균두께 5nm의 기능성 유기물질층을 형성시켰다.
다음으로, 스퍼터링 공정을 통해 기능성 유기물질층 상부에 IZO(Indium doped zinc oxide)를 증착시켜 평균두께 60nm의 제2투명 전도성 산화물층을 형성시켜 투명 전도성 산화물막을 제조하였다.
비교준비예 1 : 투명 전도성 산화물막의 제조
세척한 bare 유리기판을 준비하고, 스퍼터링 공정을 통해 유리기판 상부에 IZO(Indium doped zinc oxide)를 증착시켜 평균두께 120nm의 투명 전도성 산화물막을 형성시켰다.
실험예 1 : 면저항 및 광투과도 측정
준비예 1 및 비교준비에 1에서 제조된 투명 전도성 산화물막의 전기적 및 광학적 특성을 확인하기 위하여 bare glass 일면에 준비예 1 및 비교준비에 1에서 제조된 투명 전도성 산화물막을 각각 적층시킨 후, UV-Vis spectroscopy를 이용하여 350nm ~ 1200nm의 영역의 광투과도(도 2)를 측정하고, 4-point probe method를 이용하여 투명 전도성 산화물막의 면저항을 측정하여 하기 표 1에 나타내었다.
표 1에서 확인할 수 있듯이, 준비예 1에서 제조된 투명 전도성 산화물막과 비교준비예 1에서 제조된 투명 전도성 산화물막은 유사한 면저항 및 광 투과도를 보임을 확인할 수 있으며, 이를 통해 일반적으로 비교준비예 1에서 제조된 투명 전도성 산화물막을 사용되는 태양전지에 준비예 1에서 제조된 투명 전도성 산화물막을 사용하게 되더라도, 전기적 및 광학적 특성이 유사하여 태양전지의 성능을 저하시키지 않음을 확인할 수 있었다.
실시예 1 : 탠덤형 실리콘/페로브스카이트 이종접합 태양전지의 제조
하부 태양전지로서 n 또는 p형 불순물이 도핑된 실리콘 태양전지를 불산 처리하여 SiOx 산화막을 제거한 다음 초순수를 이용하여 잔여 불산을 제거하였으며, 산화막이 제거된 실리콘 태양전지 상단에 스퍼터 공정을 통하여 얇게 재결합층을 형성시켰다.
다음으로, 상기 실리콘 태양전지 상에 E-beam 진공증착 공정 및 스핀 코팅 공정을 통해 30 nm 두께의 정공전달층(NiOx/유기물)을 형성시켰다.
다음으로, 상기 정공전달층 상부에 다이메틸포름아마이드(dimethylformamide, DMF) 및 다이메틸설폭사이드 (Dimethyl sulfoxide, DMSO)에 용해시켜 형성한 황색 광흡수층 용액을 스핀 코팅을 통해 형성하고, 100℃에서 20분간 열처리함으로써 NiOx 정공수송층과 450 ~ 900nm 두께의 페로브스카이트 결정구조를 가지는 페로브스카이트 광흡수층(CSMAFAPbIxBr3-x (0 ≤ x ≤ 3))을 형성시켰다.
다음으로, 진공 증착을 통하여, 상기 페로브스카이트 광흡수층 상부에 C60 풀러렌을 증착시키고, ALD(atomic layer deposition) 공정을 통해 C60 풀러렌을 증착시킨 페로브스카이트 광흡수층 상부에 SnOx을 증착시켜 평균두께 20nm의 전자전달층을 형성시켰다.
다음으로, 스퍼터링 공정을 통해 전자전달층 상부에 IZO(Indium doped zinc oxide)를 증착시켜 평균두께 60nm의 제1투명 전도성 산화물층을 형성시켰다.
다음으로, 진공 증착 공정을 통해 제1투명 전도성 산화물층 상부에 C60 풀러렌(C60 fullerene)을 증착시켜 평균두께 5nm의 기능성 유기물질층을 형성시켰다.
다음으로, 스퍼터링 공정을 통해 기능성 유기물질층 상부에 IZO(Indium doped zinc oxide)를 증착시켜 평균두께 60nm의 제2투명 전도성 산화물층을 형성시켰다.
다음으로, 상기 제2투명 전도성 산화물층 상부에 은(Ag)을 1×10-7 torr의 압력에서 100nm의 두께로 증착하여 소스전극(source electrode)을 형성함으로써 실리콘 태양전지-재결합층-정공전달층-페로브스카이트 광흡수층-전자전달층- 제1투명 전도성 산화물층-기능성 유기물질층-제2투명 전도성 산화물층-소스 전극이 차례대로 적층된 형태의 탠덤형 실리콘/페로브스카이트 이종접합 태양전지를 제조하였다.
실시예 2 : 탠덤형 실리콘/페로브스카이트 이종접합 태양전지의 제조
실시예 1과 동일한 방법으로 탠덤형 실리콘/페로브스카이트 이종접합 태양전지를 제조하였다. 다만, 실시예 1과 달리, 기능성 유기물질층은 스핀 코팅 공정을 통해 제1투명 전도성 산화물층 상부에 PEIE(polyethylenimine ethoxylated)을 증착시켜 평균두께 5nm로 형성하여, 최종적으로 탠덤형 실리콘/페로브스카이트 이종접합 태양전지를 제조하였다.
비교예 1 : 탠덤형 실리콘/페로브스카이트 이종접합 태양전지의 제조
하부 태양전지로서 n 또는 p형 불순물이 도핑된 실리콘 태양전지를 불산 처리하여 SiOx 산화막을 제거한 다음 초순수를 이용하여 잔여 불산을 제거하였으며, 산화막이 제거된 실리콘 태양전지 상단에 스퍼터 공정을 통하여 얇게 재결합층을 형성시켰다.
다음으로, 상기 실리콘 태양전지 상에 E-beam 진공증착 공정 및 스핀 코팅 공정을 통해 30 nm 두께의 정공전달층(NiOx/유기물)을 형성시켰다.
다음으로, 상기 정공전달층 상부에 다이메틸포름아마이드(dimethylformamide, DMF) 및 다이메틸설폭사이드 (Dimethyl sulfoxide, DMSO)에 용해시켜 형성한 황색 광흡수층 용액을 스핀 코팅을 통해 형성하고, 100℃에서 20분간 열처리함으로써 NiOx 정공수송층과 450 ~ 900nm 두께의 페로브스카이트 결정구조를 가지는 페로브스카이트 광흡수층(CSMAFAPbIxBr3-x (0 ≤ x ≤ 3))을 형성시켰다.
다음으로, 진공 증착을 통하여, 상기 페로브스카이트 광흡수층 상부에 C60 풀러렌을 증착시키고, ALD(atomic layer deposition) 공정을 통해 C60 풀러렌을 증착시킨 페로브스카이트 광흡수층 상부에 SnOx을 증착시켜 평균두께 20nm의 전자전달층을 형성시켰다.
다음으로, 스퍼터링 공정을 통해 전자전달층 상부에 IZO(Indium doped zinc oxide)를 증착시켜 평균두께 120nm의 투명 전도성 산화물층을 형성시켰다.
다음으로, 상기 투명 전도성 산화물층 상부에 은(Ag)을 1×10-7 torr의 압력에서 100nm의 두께로 증착하여 소스전극(source electrode)을 형성함으로써 실리콘 태양전지-재결합층-정공전달층-페로브스카이트 광흡수층-전자전달층-투명 전도성 산화물층-소스 전극이 차례대로 적층된 형태의 탠덤형 실리콘/페로브스카이트 이종접합 태양전지를 제조하였다.
실험예 2 : 태양전지의 성능 및 장기보관안정성 측정
실시예 1, 2 및 비교예 1에서 제조된 탠덤형 실리콘/페로브스카이트 이종접합 태양전지 각각에 대하여, 태양광 모사 장비와 JV Keithley 장비를 이용하고, 초기 JV 커브를 이용하여 효율을 측정하였고 이후 14일동안 데시케이터에 보관 후 JV 커브를 측정하여 aging 이 후의 태양전지 특성 변화를 측정하여 하기 표 2에 나타내었다.
상기 표 2에서 확인할 수 있듯이, 실시예 1 및 2에서 제조된 탠덤형 실리콘/페로브스카이트 이종접합 태양전지는 비교예 1에서 제조된 탠덤형 실리콘/페로브스카이트 이종접합 태양전지 보다 높은 장기보관 안정성을 가짐을 확인할 수 있었다.
이상에서는 특정의 실시예에 대하여 도시하고 설명하였다. 그러나, 전술한 실시예에만 한정되지 않으며, 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이하의 청구범위에 기재된 발명의 기술적 사상의 요지를 벗어남이 없이 얼마든지 다양하게 변경 실시할 수 있을 것이다.
Claims (10)
- 정공전달층(Hole transport layer), 페로브스카이트 광흡수층, 전자전달층(Electron transport layer), 소스 전극(Source electrode)이 순차적으로 적층된 적층체를 포함하며,
상기 소스 전극과 전자전달층 사이에 투명 전도성 산화물층(transparent conductive oxide layer)이 형성되어 있으며,
상기 투명 전도성 산화물층은 파이-오비탈 전자를 가지는 반도체성 유기물질(semiconducting organic material), 비공유 전자쌍(unshared electron pair)을 가지는 원소를 포함하는 유기물질 및 이온성 작용기(ionic functional group)를 가지는 유기물질 중에서 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지.
- 제1항에 있어서,
상기 투명 전도성 산화물층은 제1투명 전도성 산화물층, 기능성 유기물질층 및 제2투명 전도성 산화물층이 순차적으로 적층된 구조인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지.
- 제2항에 있어서,
상기 제1투명 전도성 산화물층 및 제2투명 전도성 산화물층 각각은 ITO(Induim Tin Oxide), FTO(Fluorine doped Tin Oxide), ATO(Sb2O3 doped Tin Oxide), GTO(Gallium doped Tin Oxide), ZTO(tin doped zinc oxide), ZTO:Ga(gallium doped ZTO), IGZO(Indium gallium zinc oxide), IZO(Indium doped zinc oxide) 또는 AZO(Aluminum doped zinc oxide)이 증착된 투명 박막이고,
상기 기능성 유기물질층은 파이-오비탈 전자를 가지는 반도체성 유기물질, 비공유 전자쌍을 가지는 원소를 포함하는 유기물질 또는 이온성 작용기를 가지는 유기물질이 증착된 박막이며,
상기 파이-오비탈 전자를 가지는 반도체성 유기물질은 풀러렌, 풀러렌 기반 유도체, PDI(perylene diimide) 및 NDI(naphthalene diimide) 중에서 선택된 1종 이상을 포함하고,
상기 비공유 전자쌍을 가지는 원소를 포함하는 유기물질은 산소, 질소 및 인 중에서 선택된 1종 이상의 원소를 포함하는 유기물질이며,
상기 이온성 작용기를 가지는 유기물질은 PEIE(polyethylenimine ethoxylated) 및 PFN(Poly[(9,9-di(3,3'-N,N'-trimethyl-ammonium)propylfluorenyl-2,7-diyl)-alt-co-(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)] diiodide salt) 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지.
- 제2항에 있어서,
상기 제1투명 전도성 산화물층 및 기능성 유기물질층은 1 : 0.05 ~ 0.15의 두께비를 가지고,
상기 제2투명 전도성 산화물층 및 기능성 유기물질층은 1 : 0.05 ~ 0.15의 두께비를 가지는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지.
- 제2항에 있어서,
상기 제1투명 전도성 산화물층 및 제2투명 전도성 산화물층 각각은 5 ~ 100nm의 평균두께를 가지고,
상기 기능성 유기물질층은 2 ~ 50nm의 평균두께를 가지는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지.
- 제1항 내지 제5항 중에서 선택된 어느 한 항에 있어서,
상기 페로브스카이트 태양전지는 p-i-n 구조형 페로브스카이트 태양전지, n-i-p 역구조형 페로브스카이트 태양전지, 텐덤형 페로브스카이트 태양전지 또는 탠덤형 실리콘/페로브스카이트 이종접합 태양전지인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지.
- 제6항에 있어서,
상기 투명 전도성 산화물층은 350 ~ 1200nm의 파장에 대한 광투과도(transmittance)가 70 ~ 99%이고, 면저항이 5 ~ 500 Ω/sq인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지.
- 정공전달층, 페로브스카이트 광흡수층 및 전자전달층이 순차적으로 적층된 적층체의 전자전달층 상부에 증착공정을 통해 투명 전도성 산화물층을 형성시키는 제1단계; 및
상기 투명 전도성 산화물층 상부에 소스 전극을 형성시키는 제2단계; 를 포함하며,
상기 투명 전도성 산화물층은 파이-오비탈 전자를 가지는 반도체성 유기물질(semiconducting organic material), 비공유 전자쌍(unshared electron pair)을 가지는 원소를 포함하는 유기물질 및 이온성 작용기(ionic functional group)를 가지는 유기물질 중에서 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법.
- 제8항에 있어서, 상기 제1단계는
정공전달층, 페로브스카이트 광흡수층 및 전자전달층이 순차적으로 적층된 적층체의 전자전달층 상부에 증착공정을 통해 제1투명 전도성 산화물층을 형성시키는 제1-1단계;
상기 제1투명 전도성 산화물층 상부에 증착 또는 용액공정을 통해 기능성 유기물질층 을 형성시키는 제1-2단계; 및
상기 기능성 유기물질층 상부에 증착공정을 통해 제2투명 전도성 산화물층을 형성시키는 제1-3단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법.
- 드레인 전극(drain electrode), 실리콘 태양전지, 재결합층, 정공전달층, 페로브스카이트 광흡수층, 전자전달층 및 소스 전극이 순차적으로 적층된 적층체를 포함하며,
상기 소스 전극과 전자전달층 사이에 투명 전도성 산화물층이 형성되어 있으며,
상기 투명 전도성 산화물층은 파이-오비탈 전자를 가지는 반도체성 유기물질(semiconducting organic material), 비공유 전자쌍(unshared electron pair)을 가지는 원소를 포함하는 유기물질 및 이온성 작용기(ionic functional group)를 가지는 유기물질 중에서 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 탠덤형 실리콘/페로브스카이트 이종접합 태양전지.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020220028853A KR102690507B1 (ko) | 2022-03-07 | 페로브스카이트 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| PCT/KR2023/001657 WO2023171916A1 (ko) | 2022-03-07 | 2023-02-06 | 페로브스카이트 태양전지 및 이의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020220028853A KR102690507B1 (ko) | 2022-03-07 | 페로브스카이트 태양전지 및 이의 제조방법 |
Publications (2)
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|---|---|
| KR20230131667A true KR20230131667A (ko) | 2023-09-14 |
| KR102690507B1 KR102690507B1 (ko) | 2024-07-30 |
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Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200020435A (ko) | 2018-08-17 | 2020-02-26 | 국민대학교산학협력단 | 광전변환효율 및 장기안정성이 향상된 페로브스카이트 태양전지 및 이의 제조 방법 |
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200020435A (ko) | 2018-08-17 | 2020-02-26 | 국민대학교산학협력단 | 광전변환효율 및 장기안정성이 향상된 페로브스카이트 태양전지 및 이의 제조 방법 |
Also Published As
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|---|---|
| WO2023171916A1 (ko) | 2023-09-14 |
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