KR20230129308A - 고-투과율 터치 스크린을 위한 터치 전극 아키텍처 - Google Patents

고-투과율 터치 스크린을 위한 터치 전극 아키텍처 Download PDF

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크리스토프 블론딘
아쉬라이 비나야크 고그테
리카르도 에이. 피터슨
워렌 에스. 루토르트-루이스
유치 체
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Abstract

터치 전극 아키텍처 기술들은 하나 이상의 고-투과율 구역들을 포함하는 터치 스크린의 하나 이상의 고-투과율 구역들 내의 금속 메시를 감소시키거나 제거하는 데 사용될 수 있다. 일부 예들에서, 하나 이상의 광학 디바이스들은 하나 이상의 광학 디바이스들과 연관된 광이 터치 스크린의 하나 이상의 층들을 통과하도록 터치 스크린과 통합될 수 있다. 일부 이러한 예들에서, 광학 디바이스들의 성능 저하를 피하기 위해, 하나 이상의 고-투과율 구역들이 사용될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 고-투과율은 고-투과율 구역들 내의 불투명 금속 메시 대신에 투명 또는 반투명 재료들을 사용하는 터치 전극 아키텍처 기술들을 사용하여 달성될 수 있다.

Description

고-투과율 터치 스크린을 위한 터치 전극 아키텍처{TOUCH ELECTRODE ARCHITECTURE FOR HIGH-TRANSMITTANCE TOUCH SCREEN}
관련 출원의 상호 참조
본 출원은 2022년 3월 1일자로 출원된 미국 가출원 제63/268,754호 및 2023년 2월 24일자로 출원된 미국 특허 출원 제18/174,425호의 이익을 주장하며, 그 출원들의 내용은 모든 목적을 위해 그 전체가 본원에 참고로 포함된다.
기술분야
본 발명은 일반적으로 터치 센서 패널들에 관한 것으로, 보다 상세하게는 고-투과율 터치 스크린들, 또는 고-투과율 구역들을 포함하는 터치 스크린들을 위한 터치 전극 아키텍처들에 관한 것이다.
버튼들 또는 키들, 마우스들, 트랙볼들, 조이스틱들, 터치 센서 패널들, 터치 스크린들 등과 같은, 많은 유형의 입력 디바이스들이 컴퓨팅 시스템에서 동작들을 수행하기 위해 현재 이용가능하다. 특히, 터치 스크린들은 그들의 동작의 용이성 및 범용성뿐만 아니라, 그들의 하락하는 가격 때문에 대중적이다. 터치 스크린들은 터치 감응형 표면을 갖는 투명한 패널일 수 있는 터치 센서 패널, 및 액정 디스플레이(LCD), 발광 다이오드(LED) 디스플레이 또는 유기 발광 다이오드(OLED) 디스플레이와 같은 디스플레이 디바이스를 포함할 수 있으며, 디스플레이 디바이스는, 터치 감응형 표면이 디스플레이 디바이스의 가시 영역의 적어도 일부분을 커버할 수 있도록, 부분적으로 또는 완전히 패널의 뒤에 위치될 수 있다. 터치 스크린들은 사용자가, 흔히 디스플레이 디바이스에 의해 디스플레이되고 있는 사용자 인터페이스(UI)에 의해 지시된 위치에서 손가락, 스타일러스 또는 다른 물체를 사용하여 터치 센서 패널을 터치함으로써 다양한 기능들을 수행하도록 허용할 수 있다. 일반적으로, 터치 스크린들은 터치 센서 패널 상의 터치 및 터치의 위치를 인식할 수 있고, 그 다음 컴퓨팅 시스템은 터치 시에 나타나는 디스플레이에 따라 터치를 해석할 수 있고, 이후에 터치에 기초하여 하나 이상의 액션들을 수행할 수 있다. 일부 터치 감지 시스템들의 경우에, 디스플레이 상의 물리적 터치는 터치를 검출하는 데 필요하지 않다. 예를 들어, 일부 용량성-유형의 터치 감지 시스템들에서, 터치를 검출하기 위해 사용된 프린징 전계(fringing electrical field)는 디스플레이의 표면 너머로 연장될 수 있으며, 표면 가까이로 접근하는 물체들은 표면을 실제로 터치하지 않고서 표면 가까이에서 검출될 수 있다.
용량성 터치 센서 패널들은 인듐 주석 산화물(ITO)과 같은 재료들로 제조된 부분적으로 또는 완전히 투명하거나 불투명한 전도성 플레이트들(예를 들어, 터치 전극들)의 매트릭스에 의해 형성될 수 있다. 일부 예들에서, 전도성 플레이트들은 전도성 중합체, 금속 메시, 그래핀, 나노와이어(예를 들어, 은 나노와이어) 또는 나노튜브(예를 들어, 탄소 나노튜브)를 포함하는 다른 재료들로부터 형성될 수 있다. 전술된 바와 같이, 일부 용량성 터치 센서 패널들이 터치 스크린을 형성하도록 디스플레이 상에 오버레이될 수 있는 것은 그들의 실질적인 투명성에 부분적으로 기인한다. 일부 터치 스크린들은 터치 감지 회로부를 디스플레이 픽셀 스택업(stack-up)(즉, 디스플레이 픽셀들을 형성하는 적층된 재료 층들) 내로 적어도 부분적으로 통합시킴으로써 형성될 수 있다.
본 발명은 일반적으로 터치 센서 패널들에 관한 것으로, 보다 상세하게는 고-투과율 터치 스크린들, 또는 고-투과율 구역들을 포함하는 터치 스크린들을 위한 터치 전극 아키텍처들에 관한 것이다. 일부 예들에서, 하나 이상의 광학 디바이스들은 하나 이상의 광학 디바이스들과 연관된 광이 터치 스크린의 하나 이상의 층들을 통과하도록 터치 스크린과 통합될 수 있다. 일부 이러한 예들에서, 광학 디바이스들의 성능 저하를 피하기 위해, 하나 이상의 고-투과율 구역들이 사용될 수 있다. 일부 예들에서, 고-투과율은 고-투과율 구역들 내의 금속 메시를 감소시키거나 제거하는 터치 전극 아키텍처 기술들을 사용하여 달성될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 고-투과율은 고-투과율 구역들 내의 불투명 금속 메시 대신에 투명 또는 반투명 재료들을 사용하는 터치 전극 아키텍처 기술들을 사용하여 달성될 수 있다.
도 1a 내지 도 1e는 본 개시내용의 예들에 따른, 터치 스크린을 포함할 수 있는 예시적인 시스템들을 예시한다.
도 2는 본 개시내용의 예들에 따른, 터치 스크린을 포함하는 예시적인 컴퓨팅 시스템을 예시한다.
도 3a는 본 개시내용의 예들에 따른, 터치 노드 전극 및 감지 회로의 자기-용량 측정부에 대응하는 예시적인 터치 센서 회로를 예시한다.
도 3b는 본 개시내용의 예들에 따른, 상호 커패시턴스 구동 라인 및 감지 라인 및 감지 회로에 대응하는 예시적인 터치 센서 회로를 예시한다.
도 4a는 본 개시내용의 예들에 따른, 행들 및 열들로 배열된 터치 전극들을 갖는 터치 스크린을 예시한다.
도 4b는 본 개시내용의 예들에 따른, 픽셀형 터치 노드 전극 구성으로 배열된 터치 노드 전극들을 갖는 터치 스크린을 예시한다.
도 5a는 본 개시내용의 예들에 따른, 금속 메시 층을 포함하는 예시 터치 스크린 스택업을 예시한다.
도 5b는 본 개시내용의 예들에 따른, 터치 스크린의 일부분의 평면도를 예시한다.
도 6은 본 개시내용의 예들에 따른, 바-스트라이프(bar-and-stripe) 패턴을 형성하기 위해 터치 센서 패널을 가로질러 반복될 수 있는 예시적인 단위 셀을 예시한다.
도 7은 본 개시내용의 예들에 따른, 단위 셀들로부터 형성된 터치 센서 패널의 예를 예시한다.
도 8은 본 개시내용의 예들에 따른, 단위 셀의 일부분에 대응하는 금속 메시를 예시한다.
도 9 내지 도 12는 본 개시내용의 예들에 따른, 고-투과율 구역을 포함하는 예시적인 터치 스크린들의 부분들을 예시한다.
도 13은 본 개시내용의 예들에 따른, 고-투과율 구역을 포함하는 예시적인 터치 스크린의 일부분의 단면도를 예시한다.
예들의 다음의 설명에서, 본 명세서의 일부를 형성하는 첨부된 도면들이 참조되고, 실행될 수 있는 특정 예들이 도면들 내에서 예시로서 도시된다. 개시된 예들의 범주로부터 벗어남이 없이 구조적 변경이 이루어질 수 있고 다른 예들이 사용될 수 있음이 이해될 것이다.
본 발명은 일반적으로 터치 센서 패널들에 관한 것으로, 보다 상세하게는 고-투과율 터치 스크린들, 또는 고-투과율 구역들을 포함하는 터치 스크린들을 위한 터치 전극 아키텍처들에 관한 것이다. 일부 예들에서, 하나 이상의 광학 디바이스들은 하나 이상의 광학 디바이스들과 연관된 광이 터치 스크린의 하나 이상의 층들을 통과하도록 터치 스크린과 통합될 수 있다. 일부 이러한 예들에서, 광학 디바이스들의 성능 저하를 피하기 위해, 하나 이상의 고-투과율 구역들이 사용될 수 있다. 일부 예들에서, 고-투과율은 고-투과율 구역들 내의 금속 메시를 감소시키거나 제거하는 터치 전극 아키텍처 기술들을 사용하여 달성될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 고-투과율은 고-투과율 구역들 내의 불투명 금속 메시 대신에 투명 또는 반투명 재료들을 사용하는 터치 전극 아키텍처 기술들을 사용하여 달성될 수 있다. 본 명세서에 기술된 바와 같이, 고-투과율은 임계 수준 초과의 투과율(예를 들어, 80% 초과의 투과율, 85% 투과율 초과, 90% 초과의 투과율, 95% 초과의 투과율, 98% 초과의 투과율 등)을 지칭할 수 있다
도 1a 내지 도 1e는 본 개시내용의 예들에 따른, 터치 스크린을 포함할 수 있는 예시적인 시스템들을 예시한다. 도 1a는 본 개시내용의 예들에 따른, 터치 스크린(124)을 포함하는 예시적인 모바일 폰(136)을 예시한다. 도 1b는 본 개시내용의 예들에 따른, 터치 스크린(126)을 포함하는 예시적인 디지털 미디어 재생기(140)를 예시한다. 도 1c는 본 개시내용의 예들에 따른, 터치 스크린(128)을 포함하는 예시적인 개인용 컴퓨터(144)를 예시한다. 도 1d는 본 개시내용의 예들에 따른, 터치 스크린(130)을 포함하는 예시적인 태블릿 컴퓨팅 디바이스(148)를 예시한다. 도 1e는 본 개시내용의 예들에 따른, 터치 스크린(132)을 포함하고 스트랩(152)을 이용하여 사용자에 부착될 수 있는 예시적인 웨어러블 디바이스(150)를 예시한다. 터치 스크린은 다른 디바이스들에서도 구현될 수 있음이 이해된다.
일부 예들에서, 터치 스크린들(124, 126, 128, 130, 132)은 자기-커패시턴스에 기초할 수 있다. 자기-커패시턴스 기반 터치 시스템은, 전도성 재료의 작은 개별 플레이트들의 매트릭스 또는 전도성 재료의 개별 플레이트들의 그룹들을 포함하여, (도 4b를 참조하여 아래에서 기술되는 바와 같은) 터치 전극들로 또는 터치 노드 전극들로 지칭될 수 있는 더 큰 전도성 영역들을 형성할 수 있다. 예를 들어, 터치 스크린은 복수의 개별 터치 전극들을 포함할 수 있으며, 각각의 터치 전극은 터치 또는 근접이 감지될 터치 스크린 상의 고유한 위치(예를 들어, 터치 노드)를 식별하거나 나타내고, 각각의 터치 노드 전극은 터치 스크린/패널 내의 다른 터치 노드 전극들로부터 전기적으로 격리되어 있다. 그러한 터치 스크린은 픽셀형 자기-커패시턴스 터치 스크린으로 지칭될 수 있지만, 일부 예들에서 터치 스크린 상의 터치 노드 전극들은 터치 스크린 상에서 자기-커패시턴스 스캔 이외의 스캔(예를 들어, 상호 커패시턴스 스캔)을 수행하는 데 사용될 수 있음이 이해된다. 동작 동안, 터치 노드 전극은 교류 전류(AC) 파형으로 자극될 수 있고, 터치 노드 전극의 접지에 대한 자기-커패시턴스가 측정될 수 있다. 물체가 터치 노드 전극에 접근함에 따라, 터치 노드 전극의 접지에 대한 자기-커패시턴스는 변화할 수 있다(예를 들어, 증가할 수 있다). 터치 노드 전극의 자기-커패시턴스에서의 이러한 변화는, 다수의 물체들이 터치 스크린을 터치하거나 그에 근접하여 올 때 그들의 위치들을 결정하기 위해 터치 감지 시스템에 의해 검출 및 측정될 수 있다. 일부 예들에서, 자기-커패시턴스 기반 터치 시스템의 터치 노드 전극들은 전도성 재료의 행들 및 열들로부터 형성될 수 있으며, 위에서와 유사하게, 행들 및 열들의 접지에 대한 자기-커패시턴스의 변화가 검출될 수 있다. 일부 예들에서, 터치 스크린은 다중 터치, 단일 터치, 프로젝션 스캔, 풀-이미징(full-imaging) 다중 터치, 용량성 터치 등일 수 있다.
일부 예들에서, 터치 스크린들(124, 126, 128, 130, 132)은 상호 커패시턴스에 기초할 수 있다. 상호 커패시턴스 기반 터치 시스템은, (양면형 구성으로) 상이한 층들 상에서 서로 교차할 수 있거나 (예를 들어, 도 4a를 참조하여 아래에서 기술되는 바와 같이) 동일한 층 상에서 서로 인접할 수 있는 구동 및 감지 라인들로서 배열되는 전극들을 포함할 수 있다. 교차하거나 인접하는 위치들은 터치 노드들을 형성할 수 있다. 동작 동안, 구동 라인은 AC 파형으로 자극될 수 있고, 터치 노드의 상호 커패시턴스가 측정될 수 있다. 물체가 터치 노드에 접근함에 따라, 터치 노드의 상호 커패시턴스가 변화할 수 있다(예를 들어, 감소할 수 있다). 터치 노드의 상호 커패시턴스의 이러한 변화는, 다수의 물체들이 터치 스크린을 터치하거나 그에 근접하여 올 때 그들의 위치들을 결정하기 위해 터치 감지 시스템에 의해 검출 및 측정될 수 있다. 본 명세서에 기술된 바와 같이, 일부 예들에서, 상호 커패시턴스 기반 터치 시스템은 전도성 재료의 작은 개별 플레이트들의 매트릭스로부터 터치 노드들을 형성할 수 있다.
일부 예들에서, 터치 스크린들(124, 126, 128, 130, 132)은 상호 커패시턴스 및/또는 자기-커패시턴스에 기초할 수 있다. 전극들은 (예를 들어, 도 4b의 터치 스크린(402) 내의 터치 노드 전극들(408)에서와 같이) 전도성 재료의 작은 개별 플레이트들의 매트릭스로서, 또는 (예를 들어, 도 4a의 터치 스크린(400) 내의 행 터치 전극들(404) 및 열 터치 전극들(406)에서와 같이) 구동 라인들 및 감지 라인들로서, 또는 다른 패턴으로 배열될 수 있다. 전극들은 상호 커패시턴스 또는 자기-커패시턴스 감지 또는 상호 커패시턴스 감지와 자기-커패시턴스 감지의 조합에 대해 구성가능할 수 있다. 예를 들어, 하나의 동작 모드에서, 전극들은 전극들 사이의 상호 커패시턴스를 감지하도록 구성될 수 있고, 상이한 동작 모드에서, 전극들은 전극들의 자기-커패시턴스를 감지하도록 구성될 수 있다. 일부 예들에서, 전극들 중 일부는 그들 사이의 상호 커패시턴스를 감지하도록 구성될 수 있고, 전극들 중 일부는 그의 자기-커패시턴스를 감지하도록 구성될 수 있다.
도 2는 본 개시내용의 예들에 따른 터치 스크린을 포함하는 예시적인 컴퓨팅 시스템을 예시한다. 컴퓨팅 시스템(200)은, 예를 들어, 모바일 폰, 태블릿, 터치패드, 휴대용 또는 데스크톱 컴퓨터, 휴대용 미디어 재생기, 웨어러블 디바이스, 또는 터치 스크린 또는 터치 센서 패널을 포함하는 임의의 모바일 또는 비-모바일 컴퓨팅 디바이스 내에 포함될 수 있다. 컴퓨팅 시스템(200)은 하나 이상의 터치 프로세서들(202), 주변기기들(204), 터치 제어기(206), 및 터치 감지 회로부(하기에서 더 상세히 기술됨)를 포함하는 터치 감지 시스템을 포함할 수 있다. 주변기기들(204)은 랜덤 액세스 메모리(RAM) 또는 다른 유형들의 메모리 또는 저장소, 감시 타이머(watchdog timer) 등을 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다. 터치 제어기(206)는 하나 이상의 감지 채널(208), 채널 스캔 로직(210) 및 구동기 로직(214)을 포함할 수 있지만, 이로 제한되지 않는다. 채널 스캔 로직(210)은 RAM(212)에 액세스하고, 감지 채널들로부터 데이터를 자율적으로 판독하고 감지 채널들에 제어를 제공할 수 있다. 게다가, 채널 스캔 로직(210)은 아래에 더 상세하게 기술되는 바와 같이, 터치 스크린(220)의 터치 감지 회로부의 구동 구역들에 선택적으로 인가될 수 있는 다양한 주파수들 및/또는 위상들로 자극 신호(216)를 생성하기 위해 구동기 로직(214)을 제어할 수 있다. 일부 예들에서, 터치 제어기(206), 터치 프로세서(202), 및 주변기기들(204)은 단일 주문형 집적 회로(ASIC) 내에 통합될 수 있고, 일부 예들에서, 터치 스크린(220) 자체와 통합될 수 있다.
도 2에 도시된 아키텍처는 컴퓨팅 시스템(200)의 단지 하나의 예시적인 아키텍처일 뿐이고, 시스템은 도시된 것보다 더 많거나 더 적은 컴포넌트들을 가질 수 있거나, 또는 컴포넌트들의 상이한 구성을 가질 수 있음이 명백해야 한다. 일부 예들에서, 컴퓨팅 시스템(200)은 전력 공급을 제공하기 위한 에너지 저장 디바이스(예를 들어, 배터리) 및/또는 유선 또는 무선 통신을 제공하기 위한 통신 회로부(예를 들어, 셀룰러, 블루투스, Wi-Fi 등)를 포함할 수 있다. 도 2에 도시된 다양한 컴포넌트들은 하나 이상의 신호 프로세싱 및/또는 주문형 집적 회로들을 포함하는 하드웨어, 소프트웨어, 펌웨어, 또는 이들의 임의의 조합으로 구현될 수 있다.
컴퓨팅 시스템(200)은, 터치 프로세서(202)로부터 출력들을 수신하고 그 출력들에 기초하여 작업들을 수행하기 위한 호스트 프로세서(228)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 호스트 프로세서(228)는 프로그램 저장소(232), 및 디스플레이 제어기/구동기(234)(예를 들어, 액정 디스플레이(LCD) 구동기)에 연결될 수 있다. 본 개시내용의 일부 예들이 LCD 디스플레이들을 참조하여 기술될 수 있지만, 본 개시내용의 범주는 그렇게 제한되지 않으며, 유기 LED(OLED), 액티브-매트릭스 유기 LED(AMOLED) 및 패시브-매트릭스 유기 LED(PMOLED) 디스플레이들을 비롯한, 발광 다이오드(LED) 디스플레이들과 같은, 다른 타입의 디스플레이들로 연장될 수 있다는 것이 이해된다. 디스플레이 구동기(234)는 선택(예를 들어, 게이트) 라인들 상의 전압들을 각각의 픽셀 트랜지스터로 제공할 수 있고, 픽셀 디스플레이 이미지를 제어하기 위해 이러한 동일한 트랜지스터들로 데이터 라인들을 따라 데이터 신호들을 제공할 수 있다.
호스트 프로세서(228)는 터치 스크린(220) 상에 사용자 인터페이스(UI)의 디스플레이 이미지와 같은 디스플레이 이미지를 생성하기 위해 디스플레이 구동기(234)를 사용할 수 있고, 디스플레이된 UI에 대한 터치 입력과 같은 터치 스크린(220) 상에서의 또는 그 근처에서의 터치를 검출하기 위해 터치 프로세서(202) 및 터치 제어기(206)를 사용할 수 있다. 터치 입력은, 커서 또는 포인터와 같은 물체를 이동하는 것, 스크롤링 또는 패닝(panning)하는 것, 제어 설정을 조정하는 것, 파일 또는 문서를 여는 것, 메뉴를 보는 것, 선택을 행하는 것, 명령어들을 실행시키는 것, 호스트 디바이스에 연결된 주변기기 디바이스를 동작시키는 것, 전화 호출을 받는 것, 전화 호출을 거는 것, 전화 호출을 종료하는 것, 볼륨 또는 오디오 설정을 변경하는 것, 주소, 자주 다이얼링되는 번호, 받은 호출, 부재중 호출과 같은 전화 통신과 관련된 정보를 저장하는 것, 컴퓨터 또는 컴퓨터 네트워크에 로그인하는 것, 컴퓨터 또는 컴퓨터 네트워크의 제한된 영역들에의 허가된 개인의 액세스를 허용하는 것, 컴퓨터 데스크톱의 사용자 선호 배열과 연관된 사용자 프로파일을 로딩하는 것, 웹 콘텐츠에의 액세스를 허용하는 것, 특정 프로그램을 론칭(launching)하는 것, 메시지를 암호화 또는 디코딩하는 것 등을 포함할 수 있지만, 이들로 제한되지 않는 액션들을 수행하기 위해 프로그램 저장소(232)에 저장된 컴퓨터 프로그램들에 의해 사용될 수 있다. 호스트 프로세서(228)는, 또한, 터치 프로세싱에 관련되지 않을 수 있는 추가 기능들을 수행할 수 있다.
본 명세서에서 기술되는 기능들 중 하나 이상은 메모리(예를 들어, 도 2의 주변기기들(204) 중 하나)에 저장되고 터치 프로세서(202)에 의해 실행되거나, 또는 프로그램 저장소(232)에 저장되고 호스트 프로세서(228)에 의해 실행되는 펌웨어에 의해 수행될 수 있음에 유의한다. 펌웨어는, 또한, 명령어 실행 시스템, 장치, 또는 디바이스로부터 명령어들을 페치(fetch)할 수 있고 명령어들을 실행시킬 수 있는 컴퓨터 기반 시스템, 프로세서 포함 시스템, 또는 다른 시스템과 같은, 명령어 실행 시스템, 장치, 또는 디바이스에 의해 또는 그와 관련하여 사용하기 위한 임의의 비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체 내에 저장되고/되거나 전송될 수 있다. 본 명세서의 맥락에서, "비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체"는 명령어 실행 시스템, 장치, 또는 디바이스에 의해 또는 그와 관련하여 사용하기 위한 프로그램을 포함하거나 저장할 수 있는 (신호들을 제외한) 임의의 매체일 수 있다. 일부 예들에서, RAM(212) 또는 프로그램 저장소(232)(또는 둘 모두)는 비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체일 수 있다. RAM(212) 및 프로그램 저장소(232) 중 하나 또는 둘 모두는, 터치 프로세서(202) 또는 호스트 프로세서(228) 또는 둘 모두에 의해 실행될 때, 컴퓨팅 시스템(200)을 포함하는 디바이스로 하여금 본 개시내용의 하나 이상의 예들의 하나 이상의 기능들 및 방법들을 수행하게 할 수 있는 명령어들을 내부에 저장하고 있을 수 있다. 컴퓨터 판독가능 저장 매체는 전자, 자기, 광학, 전자기, 적외선, 또는 반도체 시스템, 장치 또는 디바이스, 휴대용 컴퓨터 디스켓(자기), 랜덤 액세스 메모리(RAM)(자기), 판독 전용 메모리(ROM)(자기), 소거가능한 프로그래밍가능 판독 전용 메모리(EPROM)(자기), CD, CD-R, CD-RW, DVD, DVD-R, 또는 DVD-RW와 같은 휴대용 광학 디스크, 또는 콤팩트 플래시 카드, 보안 디지털 카드, USB 메모리 디바이스, 메모리 스틱과 같은 플래시 메모리 등을 포함할 수 있지만, 이들로 제한되지 않는다.
펌웨어는, 또한, 명령어 실행 시스템, 장치, 또는 디바이스로부터 명령어들을 페치할 수 있고 명령어들을 실행시킬 수 있는 컴퓨터 기반 시스템, 프로세서 포함 시스템, 또는 다른 시스템과 같은, 명령어 실행 시스템, 장치, 또는 디바이스에 의해 또는 그와 관련하여 사용하기 위한 임의의 전송 매체 내에서 전파될 수 있다. 본 명세서의 맥락에서, "전송 매체"는 명령어 실행 시스템, 장치, 또는 디바이스에 의해 또는 그와 관련하여 사용하기 위한 프로그램을 전달, 전파 또는 전송할 수 있는 임의의 매체일 수 있다. 전송 매체는 전자, 자기, 광학, 전자기, 또는 적외선의 유선 또는 무선 전파 매체를 포함할 수 있지만, 이로 제한되지 않는다.
터치 스크린(220)은, 본 명세서에서 터치 노드들로 지칭되는, 터치 스크린의 다수의 별개의 위치들에서 터치 정보를 도출하는 데 사용될 수 있다. 터치 스크린(220)은 복수의 구동 라인들(222) 및 복수의 감지 라인들(223)을 갖는 용량성 감지 매체를 포함할 수 있는 터치 감지 회로부를 포함할 수 있다. 용어 "라인들"은, 때때로, 당업자가 용이하게 이해할 바와 같이, 본 명세서에서 단순한 전도성의 경로들을 의미하기 위해 사용되고, 엄격하게 선형인 요소들로 제한되지 않지만, 방향을 변화시키는 경로들을 포함하고, 상이한 크기, 형상, 재료들 등의 경로들을 포함한다는 것에 유의해야 한다. 구동 라인들(222)은 구동 인터페이스(224)를 통해 구동기 로직(214)으로부터의 자극 신호들(216)에 의해 구동될 수 있고, 감지 라인들(223)에서 생성된 결과적인 감지 신호들(217)은 감지 인터페이스(225)를 통해 터치 제어기(206) 내의 감지 채널들(208)로 송신될 수 있다. 이러한 방식으로, 구동 라인들 및 감지 라인들은 용량성 감지 노드들을 형성하도록 상호작용할 수 있는 터치 감지 회로부의 일부일 수 있고, 용량성 감지 노드들은 터치 화소들(터치 픽셀들)로서 간주될 수 있고 본 명세서에서 터치 노드들(226, 227)과 같은 터치 노드들로 지칭될 수 있다. 이러한 이해 방식은 터치 스크린(220)이 터치의 "이미지"("터치 이미지")를 캡처하는 것처럼 보일 때, 특히 유용할 수 있다. 다시 말하면, 터치 제어기(206)가, 터치가 터치 스크린 내의 각각의 터치 노드들에서 검출되었는지의 여부를 결정한 후에, 터치가 발생한 터치 스크린 내의 터치 노드들의 패턴은 터치의 "이미지"(예를 들면, 터치 스크린을 터치하는 손가락의 패턴)로서 간주될 수 있다. 본 명세서에 사용되는 바와 같이, 다른 전기 컴포넌트에 "커플링된" 또는 "그에 연결된" 전기 컴포넌트는 커플링된 컴포넌트들 사이의 통신 또는 동작을 위한 전기 경로를 제공하는 직접 또는 간접 연결부를 포괄한다. 따라서, 예를 들어, 구동 라인들(222)은 구동기 로직(214)에 직접 연결되거나 구동 인터페이스(224)를 통해 구동기 로직(214)에 간접적으로 연결될 수 있고, 감지 라인들(223)은 감지 채널들(208)에 직접 연결되거나 감지 인터페이스(225)를 통해 감지 채널들(208)에 간접적으로 연결될 수 있다. 어느 경우든, 터치 노드들을 구동 및/또는 감지하기 위한 전기 경로가 제공될 수 있다.
일부 예들에서, 컴퓨팅 시스템(200)은 또한 본 명세서에서 광학 컴포넌트들로도 지칭될 수 있는 하나 이상의 광학 디바이스들(201)을 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 하나 이상의 광학 디바이스들(201)은 발광 및/또는 광 감지를 위한 컴포넌트들을 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 하나 이상의 광학 디바이스들(201)은 발광 다이오드들(예를 들어, LED들, OLED들 등), 카메라들, 레이저들(예를 들어, 수직-공동 표면-방출 레이저들 등), 광 검출기들, 포토다이오드들 등을 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 광학 디바이스들의 동작은 광학 디바이스들을 사용하여 기능성을 수행하도록 호스트 프로세서(228) 또는 광학 제어기(도시되지 않음)에 의해 제어될 수 있다. 기능성은 다른 가능성들 중에서 광, 이미징, 근접 감지 및 레인징(ranging), 주변 광 감지, 포토그래피 등을 제한 없이 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 하나 이상의 광학 디바이스들(201)은 터치 스크린(220)에 근접하여(예를 들어, 터치 스크린(220)의 주변에 또는 그 둘레를 따른 노치 구역에) 구현될 수 있다. 본 명세서에서 더 상세히 기술되는 바와 같이, 일부 예들에서, 하나 이상의 광학 디바이스들(201)은 광이 터치 스크린의 하나 이상의 층들을 통과하도록 터치 스크린(220)에 통합될 수 있다. 일부 이러한 예들에서, 광학 디바이스들(201)의 성능 저하를 피하기 위해, 고-투과율 터치 스크린 또는 하나 이상의 고-투과율 구역들을 포함하는 터치 스크린이 사용될 수 있다. 일부 예들에서, 고-투과율은 도 9 내지 도 13과 관련하여 본 명세서에 기술된 터치 전극 아키텍처 기술들을 사용하여 달성될 수 있다.
도 3a는 본 개시내용의 예들에 따른, 터치 노드 전극(302) 및 감지 회로(314)의 자기-용량 측정부에 대응하는 예시적인 터치 센서 회로(300)를 예시한다. 터치 노드 전극(302)은 터치 스크린(400)의 터치 전극(404 또는 406) 또는 터치 스크린(402)의 터치 노드 전극(408)에 대응할 수 있다. 터치 노드 전극(302)은 그와 연관된 접지에 대한 고유한 자기-커패시턴스를 가질 수 있고, 또한 손가락(305)과 같은 물체가 전극에 근접해 있거나 터치하는 경우에 형성되는 접지에 대한 부가적인 자기-커패시턴스를 가질 수 있다. 터치 노드 전극(302)의 접지에 대한 총 자기-커패시턴스는 커패시턴스(304)로 도시될 수 있다. 터치 노드 전극(302)은 감지 회로(314)에 커플링될 수 있다. 감지 회로(314)는 연산 증폭기(308), 피드백 저항기(312) 및 피드백 커패시터(310)를 포함할 수 있지만, 다른 구성들이 채용될 수 있다. 예를 들어, 피드백 저항기(312)는 가변 피드백 저항기에 의해 야기될 수 있는 기생 커패시턴스 효과를 최소화하기 위해 스위치드-커패시터 저항기(switched capacitor resistor)에 의해 대체될 수 있다. 터치 노드 전극(302)은 연산 증폭기(308)의 반전 입력(-)에 커플링될 수 있다. AC 전압원(306)(Vac)이 연산 증폭기(308)의 비-반전 입력(+)에 커플링될 수 있다. 터치 센서 회로(300)는 터치 센서 패널을 터치하거나 그에 근접한 손가락 또는 물체에 의해 유도된 터치 노드 전극(302)의 총 자기-커패시턴스(304)에서의 변화들(예를 들어, 증가들)을 감지하도록 구성될 수 있다. 출력(320)은 근접 또는 터치 이벤트의 존재를 결정하기 위해 프로세서에 의해 사용될 수 있거나, 또는 출력은 근접 또는 터치 이벤트의 존재를 결정하기 위해 별개의 로직 네트워크 내에 입력될 수 있다.
도 3b는 본 개시내용의 예들에 따른, 상호-용량 구동 라인(322) 및 감지 라인(326) 및 감지 회로(314)에 대응하는 예시적인 터치 센서 회로(350)를 예시한다. 구동 라인(322)은 AC 전압 소스(306)로부터 출력되는 자극 신호(예를 들어, AC 전압 신호)에 의해 자극될 수 있다. 자극 신호는 구동 라인(322)과 감지 라인 사이의 상호 커패시턴스(324)를 통해 감지 라인(326)에 용량성으로 커플링될 수 있다. 손가락(305)과 같은 물체가 구동 라인(322)과 감지 라인(326)의 교차점에 의해 생성되는 터치 노드에 접근하는 경우, 상호 커패시턴스(324)가 변화할 수 있다(예를 들어, 감소될 수 있다). 상호 커패시턴스(324)의 이러한 변화는, 본 명세서에 기술되는 바와 같이, 터치 노드에서의 터치 또는 근접 이벤트를 나타내기 위해 검출될 수 있다. 감지 라인(326) 상에 커플링되는 감지 신호는 감지 회로(314)에 의해 수신될 수 있다. 감지 회로(314)는 피드백 저항기(312) 및 피드백 커패시터(310) 중 적어도 하나와 연산 증폭기(308)를 포함할 수 있다. 도 3b는 저항성 및 용량성 피드백 요소들 양측 모두가 활용되는 일반적인 경우를 예시한다. 감지 신호(Vin이라고 지칭됨)는 연산 증폭기(308)의 반전 입력 내로 입력될 수 있고, 연산 증폭기의 비-반전 입력은 기준 전압 Vref에 커플링될 수 있다. 연산 증폭기(308)는 그의 출력을 전압 Vo로 구동하여 Vin을 Vref와 실질적으로 동일하게 유지시킬 수 있고, 따라서, Vin을 일정하게 유지시키거나 사실상 접지된 것으로 유지할 수 있다. 당업자라면 이 문맥에서 동일하다는 것이 최대 15%의 편차를 포함할 수 있음을 이해할 것이다. 따라서, 저항기(312) 및/또는 커패시터(310)로 구성된 감지 회로(314)의 이득은, 주로, 상호 커패시턴스(324)와 피드백 임피던스 비율의 함수일 수 있다. 감지 회로(314)의 출력 Vo는 곱셈기(328) 내에 공급됨으로써 필터링될 수 있고 헤테로다인(heterodyne) 또는 호모다인(homodyne)될 수 있는데, 여기서 Vo는 국부 발진기(330)와 곱해져서 Vdetect를 생성하게 할 수 있다. Vdetect는 필터(332) 안으로 입력될 수 있다. 당업자는 필터(332)의 배치가 변화될 수 있다는 것을 인식할 것이고; 따라서, 도시된 바와 같이, 필터가 곱셈기(328) 뒤에 배치될 수 있거나, 또는 2개의 필터들, 즉 곱셈기 앞의 하나의 필터 및 곱셈기 뒤의 다른 하나의 필터가 채용될 수 있다. 일부 예들에서는, 필터가 전혀 없을 수 있다. Vdetect의 직류(DC) 부분은 터치 또는 근접 이벤트가 발생했는지의 여부를 결정하는 데 사용될 수 있다. 도 3a 및 도 3b가 곱셈기(328)에서의 복조가 아날로그 도메인에서 발생함을 나타내지만, 출력 Vo는 아날로그-디지털 컨버터(ADC)에 의해 디지털화될 수 있고, 곱셈기(328), 필터(332) 및 발진기(330)는 디지털 방식으로 구현될 수 있음(예를 들어, 곱셈기(328)는 디지털 복조기일 수 있고, 필터(332)는 디지털 필터일 수 있으며, 발진기(330)는 디지털 NCO(Numerical Controlled Oscillator)일 수 있음)에 유의한다.
도 2를 다시 참조하면, 일부 예들에서, 터치 스크린(220)은 터치 감지 시스템의 터치 감지 회로 요소들이 디스플레이의 디스플레이 픽셀 스택업들 내에 통합될 수 있는 통합형 터치 스크린일 수 있다. 터치 스크린(220) 내의 회로 요소들은, 예를 들어, 하나 이상의 픽셀 트랜지스터들(예를 들어, 박막 트랜지스터(TFT)들), 게이트 라인들, 데이터 라인들, 픽셀 전극들, 및 공통 전극들과 같은, LCD 또는 다른 디스플레이들(LED 디스플레이, OLED 디스플레이 등)에 존재할 수 있는 요소들을 포함할 수 있다. 주어진 디스플레이 픽셀에서, 픽셀 전극과 공통 전극 사이의 전압은 디스플레이 픽셀의 휘도(luminance)를 제어할 수 있다. 픽셀 전극 상의 전압은 픽셀 트랜지스터를 통해 데이터 라인에 의해 공급될 수 있으며, 이는 게이트 라인에 의해 제어될 수 있다. 회로 요소들은 전체 커패시터, 전체 트랜지스터 등과 같은 전체 회로 컴포넌트들로 제한되는 것이 아니라, 평행 플레이트 커패시터의 2개의 플레이트들 중 단 하나와 같은, 회로부의 부분들을 포함할 수 있음에 유의한다. 추가적으로, 본 명세서에 기술된 바와 같이, 일부 예들에서, 통합된 터치 스크린은 광학 디바이스들 및 광학 디바이스들에 대응하는 하나 이상의 고-투과율 구역들을 포함할 수 있다.
도 4a는 본 개시내용의 예들에 따른, 행들 및 열들로 배열된 터치 전극들(404, 406)을 갖는 터치 스크린(400)을 예시한다. 구체적으로, 터치 스크린(400)은 행들로서 배치되는 복수의 터치 전극들(404), 및 열들로서 배치되는 복수의 터치 전극들(406)을 포함할 수 있다. 터치 전극들(404) 및 터치 전극들(406)은 터치 스크린(400) 상의 동일한 또는 상이한 재료 층들 상에 있을 수 있고, 도 4a에 도시된 바와 같이, 서로 교차할 수 있다. 일부 예들에서, 전극들은 (부분적으로 또는 완전히) 투명한 기판의 반대편 면들 상에 그리고 ITO와 같은 (부분적으로 또는 완전히) 투명한 반도체 재료로부터 형성될 수 있지만, 다른 재료들이 가능하다. 기판의 상이한 면들 상의 층들 상에 디스플레이되는 전극들은 본 명세서에서 양면형 센서로 지칭될 수 있다. 일부 예들에서, 터치 전극들은 동일한 층 상에 형성될 수 있고, 본 명세서에서 단면 센서로 지칭될 수 있다. 일부 예들에서, 터치 스크린(400)은 터치 스크린(400) 상에서의 터치 및/또는 근접 활동을 검출하기 위해 터치 전극들(404, 406)의 자기-커패시턴스를 감지할 수 있고, 일부 예들에서, 터치 스크린(400)은 터치 스크린(400) 상에서의 터치 및/또는 근접 활동을 검출하기 위해 터치 전극들(404, 406) 사이의 상호 커패시턴스를 감지할 수 있다.
도 4b는 본 개시내용의 예들에 따른, 픽셀형 터치 노드 전극 구성으로 배열된 터치 노드 전극들(408)을 갖는 터치 스크린(402)을 예시한다. 구체적으로, 터치 스크린(402)은, 전술된 바와 같이, 복수의 개별 터치 노드 전극들(408)을 포함할 수 있으며, 각각의 터치 노드 전극은 터치 또는 근접(즉, 터치 또는 근접 이벤트)이 감지될 터치 스크린 상의 고유한 위치를 식별하거나 나타내고, 각각의 터치 노드 전극은 터치 스크린/패널 내의 다른 터치 노드 전극들로부터 전기적으로 격리되어 있다. 터치 노드 전극들(408)이 터치 스크린(400) 상의 동일한 또는 상이한 재료 층들 상에 있을 수 있다. 일부 예들에서, 터치 스크린(402)은 터치 스크린(402) 상에서의 터치 및/또는 근접 활동을 검출하기 위해 터치 노드 전극들(408)의 자기-커패시턴스를 감지할 수 있고, 일부 예들에서, 터치 스크린(402)은 터치 스크린(402) 상에서의 터치 및/또는 근접 활동을 검출하기 위해 터치 노드 전극들(408) 사이의 상호 커패시턴스를 감지할 수 있다.
본 명세서에 기술된 바와 같이, 일부 예들에서, 터치 스크린의 터치 전극들의 일부 또는 전부는 금속 메시로 형성될 수 있다. 도 5a는 본 개시내용의 예들에 따른, 금속 메시 층을 포함하는 예시 터치 스크린 스택업을 예시한다. 터치 스크린(500)은 디스플레이 LED들(508)(선택적으로 OLED들)이 장착될 수 있는 기판(509)(예를 들어, 인쇄 회로 기판)을 포함할 수 있다. 일부 예들에서, LED들(508)은 부분적으로 또는 완전히 기판(509) 내에 매립될 수 있다(예를 들어, 컴포넌트들이 기판 내의 오목부에 배치될 수 있다). 기판(509)은 LED들을 디스플레이 구동 회로부(예를 들어, 디스플레이 드라이버(234))로 우회하기 위한 라우팅 트레이스들을 하나 이상의 층들(예를 들어, 도 5a의 금속 층(510)에 의해 표현됨) 내에 포함할 수 있다. 터치 스크린(500)의 스택업은 또한 LED들(508) 위에 침착되는 하나 이상의 패시베이션 층들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 5a에 예시된 터치 스크린(500)의 스택업은 패시베이션 층(507)(예를 들어, 투명 에폭시) 및 패시베이션 층(517)을 포함할 수 있다. 패시베이션 층들(507, 517)은 각각의 금속 메시 층들에 대한 표면을 평탄화할 수 있다. 추가적으로, 패시베이션 층들은 (예를 들어, 금속 메시 층들 사이 및 LED들과 금속 메시 층 사이의) 전기적 격리를 제공할 수 있다. 금속 메시 층(516)(예를 들어, 구리,은 등)은 디스플레이 LED들(508) 위의 패시베이션 층(517)의 평탄화된 표면 상에 침착될 수 있고, 금속 메시 층(506)(예를 들어, 구리,은 등)은 패시베이션 층(507)의 평탄화된 표면 상에 침착될 수 있다. 일부 예들에서, 패시베이션 층(517)은 부식 또는 기타 환경적 노출로부터 LED들을 보호하기 위하여 그것들을 캡슐화하기 위한 재료를 포함할 수 있다. 금속 메시 층(506) 및/또는 금속 메시 층(516)은 아래 기술된 메시 패턴의 전도체 재료의 패턴을 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 금속 메시 층(506) 및 금속 메시 층(516)은 하나 이상의 비아들에 의해 커플링될 수 있다. 추가적으로, 도 5a에 도시되지 않았지만, 디스플레이 활성 영역 주위의 경계 구역은 금속 메시 패턴일 수 있거나 아닐 수 있는 금속화(또는 다른 전도성 재료)를 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 금속 메시는 불투명 재료로 형성되지만, 금속 메시 와이어들은 인간의 눈에 투명한 것으로 보일 만큼 충분히 얇고 희박하다. 본 명세서에 설명된 바와 같은 터치 전극들(및 일부 라우팅)은 금속 메시 층(들)에서 금속 메시의 부분들로 형성될 수 있다. 일부 예들에서, 편광기(504)는 금속 메시 층(506) 위에 배치될 수 있다(선택적으로 다른 평탄화 층이 금속 메시 층(506) 위에 배치됨). 커버 글래스(또는 전면 결정)(502)가 편광기(504) 위에 배치되어 터치 스크린(500)의 외측 표면을 형성할 수 있다. 2개의 금속 메시 층들(및 2개의 대응하는 평탄화 층들)이 예시되지만, 일부 예들에서는 더 많거나 더 적은 금속 메시 층들(및 대응하는 평탄화 층들)이 구현될 수 있다는 것이 이해된다. 추가적으로, 일부 예들에서, LED들(508), 기판(509), 금속 층(510), 및/또는 패시베이션 층(517)이 박막 트랜지스터(TFT) LCD 디스플레이(또는 다른 유형들의 디스플레이)로 대체될 수 있는 것으로 이해된다. 추가적으로, 편광기(504)는 편광기, 접착제 층들(예를 들어, 광학적으로 투명한 접착제) 및 보호 층들을 포함하는 하나 이상의 투명 층들을 포함할 수 있는 것으로 이해된다.
도 5b는 본 개시내용의 예들에 따른, 다이아몬드 패턴의 터치 스크린(500)의 일부분의 평면도를 예시한다. 평면도는 터치 스크린(500)의 LED들(508)과 함께 금속 메시(540)(예를 들어, 금속 메시 층(506)의 일부분)를 도시한다. LED들은 적색 LED(예를 들어, 적색 LED(544)), 녹색 LED(예를 들어, 녹색 LED(546)), 및 청색 LED(예를 들어, 청색 LED(548))를 포함하는 3개의 근접한 LED들의 그룹으로 배열되어, 표준 적색-녹색-청색(RGB) 디스플레이 픽셀들을 형성할 수 있다. 본 명세서에서 주로 RGB 디스플레이 픽셀에 관련하여 기술되었지만, 상이한 개수의 LED들 및/또는 상이한 색상 LED들을 구비한 다른 터치 픽셀들이 가능한 것으로 이해된다. 금속 메시는, 광이 메시 내의 갭들을 (적어도 수직으로) 통과하도록 허용하는 패턴으로 배치된 전도체들(예를 들어, 구리,은 등과 같은 전도성 재료들로부터 형성된 금속 메시 와이어들)로 형성될 수 있다(예를 들어, LED들(508)은 금속 메시 층(들)(506 및/또는 516)에 배치된 금속 메시 내의 개구부들의 맞은편에서 LED 층에 배치될 수 있음). 다시 말해서, 금속 메시 층의 전도체들은 패터닝되어 개념적으로 금속 메시 층(들)과 LED들을 동일한 층 안으로 편평하게 하여, 전도체들과 LED들이 중첩되지 않도록 할 수 있다. 일부 예들에서, 금속 메시 층 내의 금속 메시 와이어들은 LED들(508) 중 일부와 (적어도 부분적으로) 중첩될 수 있지만, LED들의 인간의 시야를 차단하지 않을 정도로 충분히 얇거나 희박할 수 있다. 금속 메시(540)는 다이아몬드 구성으로 배열된 LED들 주위에 다이아몬드 패턴으로 형성될 수 있다. 디스플레이 픽셀들을 형성하는 LED들의 패턴은 터치 스크린을 가로질러 반복되어 디스플레이를 형성할 수 있다. 제조 동안, 금속 메시 패턴은 터치 스크린을 가로질러 반복되어 균일한 광학 특성을 갖는 터치 스크린을 형성할 수 있다. LED들 및 대응하는 금속 메시의 배열은 단지 예시일 뿐이며, 다른 LED들 배열 및 대응하는 금속 메시 패턴이 가능함이 이해되어야 한다. 예를 들어, 금속 메시는, 일부 예들에서, 직사각 형상 LED들 주위에 직사각 형상(또는 다각형 형상들 등을 포함하는 다른 적절한 형상)을 형성할 수 있다.
본 명세서에 기술된 바와 같이, 터치 전극들 및/또는 라우팅은 금속 메시로 형성될 수 있다. 전기적으로 격리된 터치 전극들 또는 전기적으로 격리된 터치 전극들의 그룹들(예를 들어, 행 전극들 또는 열 전극들을 형성하는 터치 전극들의 그룹들)을 형성하기 위해, 금속 메시가 절단되어(예를 들어, 다른 가능성들 중에서도, 화학적으로 또는 레이저 에칭되어), 2개의 인접한 터치 전극들 사이의, 2개의 인접한 라우팅 트레이스들 사이의 또는 라우팅 트레이스와 인접한 터치 전극 사이의 경계를 형성한다. 금속 메시 내의 절단은 제1 터치 전극(또는 터치 전극들의 제1 그룹)을 형성하는 금속 메시를 제2 터치 전극(또는 터치 전극들의 제2 그룹)을 형성하는 금속 메시로부터 전기적으로 격리시킬 수 있다. 유사하게, 금속 메시에 대한 절단들은 제1 라우팅 트레이스로부터 제1 터치 전극을 형성하는 금속 메시를 전기적으로 격리시키거나 제1 라우팅 트레이스를 제2 라우팅 트레이스로부터 전기적으로 격리시키도록 제조될 수 있다.
도 5a를 다시 참조하면, 일부 예들에서, 금속 메시 층들(506, 516)이 예시되지만, 일부 예들에서, 터치 전극들을 구현하기 위해 이러한 층들에서 대안적인 재료들이 사용될 수 있다는 것이 이해된다. 추가적으로, LED들(508)이 기술되지만, 디스플레이 픽셀들외에도 추가적인 광학 컴포넌트들(예를 들어, 광학 디바이스들(201))이 기판(509)(또는 스택업 내의 다른 층) 상에서 구현될 수 있다는 것이 이해된다. 추가적으로, 일부 예들에서, 금속 메시 층들(506, 516) 중 하나 이상의 일부분은, 광학 컴포넌트들에 대응하는 구역들에서의 투과율을 개선하기 위해, 터치 전극들 또는 하나 이상의 터치 전극들의 부분들을 상이한 재료로 구현하는 데 사용될 수 있다.
본 명세서에 기술된 바와 같이, 일부 예들에서, 터치 전극들은 제1 층에 형성된 행들 및 열들로 배열될 수 있다. 일부 예들에서, 터치 전극들은 바-스트라이프 패턴으로 배열될 수 있다. 도 6 및 도 7에 예시된 열 터치 전극들은 "바(bar)들"로서 지칭될 수 있고, 행 터치 전극들은 "스트라이프들"(예를 들어, 브리지들을 통해 상호연결됨)로 지칭될 수 있는 상호연결된 터치 전극 세그먼트들로부터 형성될 수 있다. 도 6은 본 개시내용의 예들에 따른 바-스트라이프 패턴을 형성하기 위해 터치 센서 패널을 가로질러 반복될 수 있는 예시적인 단위 셀을 예시한다. 도 7은 도 6의 예시적인 단위 셀에 대응하는 9개의 단위 셀들(3x3)로 형성된 터치 센서 패널의 예(일부 변형예)를 예시한다. 다른 터치 전극 패턴들이 본 개시내용의 범위 내에서 구현될 수 있다는 것이 이해된다.
도 6은 본 개시내용의 예들에 따른, 터치 노드에 대응하는 예시적인 단위 셀을 예시한다. 단위 셀(600)은 ("바"에 대응하는) 열 터치 전극(602)의 일부분 및 ("스트라이프들"에 대응하는) 터치 전극 세그먼트들(604A 내지 604F)로부터 형성된 행 전극의 일부분을 포함할 수 있다. 열 터치 전극과 행 터치 전극 사이의 상호 커패시턴스는 단위 셀에 대응하는 터치 노드에서 물체(예를 들어, 손가락)의 근접성으로 인해 변경될 수 있다. 열 터치 전극(602)은 터치 전극 세그먼트들(604A 내지 604F) 주위의 구역들을 포함하는 인접한 전기적으로 연결된 구역에 대응할 수 있다. 행 전극의 터치 전극 세그먼트들(604A 내지 604F)은 터치 전극 세그먼트들(604A 내지 604F) 사이에서 열 터치 전극(602)의 목부 구역들(608A 내지 608D)을 가로질러 브리지하는 하나 이상의 브리지들(606A 내지 606H)을 사용하여 전기적으로 연결될 수 있다. 일부 예들에서, 하나의 브리지는 2개의 터치 전극 세그먼트들(예를 들어, 브리지들(606A 내지 606D))을 상호연결하는 데 사용될 수 있다. 일부 예들에서, 하나 초과의 브리지가 2개의 터치 전극 세그먼트들(예를 들어, 브리지들(606A, 606E), 브리지들(606B, 606F) 등)을 상호연결하는 데 사용될 수 있다. 브리지 연결된 터치 전극 세그먼트들(604A 내지 604C)(예를 들어, 바-스트라이프 패턴의 제1 "스트라이프"에 대응함) 및 브리지 연결된 터치 전극 세그먼트들(604D 내지 604F)(예를 들어, 바-스트라이프 패턴 내의 제2 "스트라이프"에 대응함)은 (예를 들어, 도 7에 예시된 바와 같이) 단위 셀 영역의 외부에 전기적으로 연결될 수 있다. 일부 예들에서, 제1 및 제2 스트라이프들은 단위 셀 영역 내에서 (예를 들어, 브리지들을 이용하여) 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 일부 예들에서, 브리지들(606A 내지 606H)은 금속 메시 층(예를 들어, ITO 등)을 사용하지 않고 형성된 와이어 본드들 또는 다른 전도체들을 사용하여 달성될 수 있다. 일부 예들에서, 브리지들(606A 내지 606H)은 열 터치 전극(602) 및 터치 전극 세그먼트들(604A 내지 604F)(예를 들어, 금속 메시 층(506))을 형성하기 위해 사용되는 금속 메시 층과는 상이한 금속 메시 층(예를 들어, 금속 메시 층(516))을 사용하여 형성될 수 있다. 금속 메시 층들 사이의 연결부는 또한, 일부 예들에서, 제1 금속 메시 층과 제2 금속 메시 층 사이에 연결부들을 형성하기 위해 비아(또는 다른 상호연결부)를 포함할 수 있다. 브리지들(606A 내지 606H)은 행 터치 전극들에 대한 저항 요건들을 충족시키기 위해 다수의 금속 메시 와이어들(예를 들어, 브리지의 폭을 증가시키는 것)을 포함할 수 있다는 것으로 이해된다.
단위 셀 내의 터치 전극 세그먼트들의 분포는 터치 신호 레벨들(및 그에 따른 터치 감지에 대한 신호 대 잡음비(SNR))을 개선할 수 있는데 그 이유는 단일층 터치 센서 패널 내의 상호 커패시턴스가 구동 및 감지되는 터치 전극들 사이의 거리의 함수일 수 있기 때문이다. 예를 들어, 상호 커패시턴스들은 구동되는 터치 전극과 감지되는 터치 전극 사이의 경계들을 따라 두 터치 전극들의 중심과 비교하여 더 클 수 있다. 따라서, 행 전극을 다수의 스트라이프들로 분할함으로써(이에 의해 단위 셀 내의 구동 전극의 구역과 감지 전극의 구역 사이의 최대 간격을 감소시킴으로써), 단위 셀에서 측정된 신호는 다른 터치 전극 패턴들(예를 들어, 다이아몬드 터치 전극 패턴 등)에 비해 증가될 수 있다. 분포된 바-스트라이프 패턴의 상호 커패시턴스에 대한 영향은 손가락과 센서 사이의 증가된 변조를 제공할 수 있다. 추가적으로, 터치 전극 세그먼트들의 분포는 물체가 터치 센서 패널을 가로질러 이동함에 따라 검출된 터치 신호의 개선된 선형성을 제공할 수 있다(예를 들어, 터치 센서 패널 상의 물체의 위치에 관계없이, 물체에 의해 측정된 보다 균일한 신호). 개선된 선형성은 더 정밀하고 정확한 터치 위치 검출, 감소된 와블(wobble) 등을 포함하는 개선된 터치 성능의 다양한 이익들을 제공할 수 있다.
도 6에 도시되지 않았지만, 일부 예들에서, 단위 셀은 열 터치 전극(602)의 부분들과 행들의 터치 전극 세그먼트들 사이의 버퍼링 구역들을 포함할 수 있다. 버퍼링 구역들은 부유하는(floating)(또는 일부 예들에서, 접지되거나 또는 일정 전위로 구동되는) 전도성 재료일 수 있다. 버퍼링 구역은 구동 및 감지 구역들 사이의 거리를 증가시킴으로써 터치 노드의 기준선 상호 커패시턴스를 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 도 7의 단위 셀(712)을 참조하면, 도 6에서 행을 형성하는 터치 전극 세그먼트들은 버퍼링 구역(722A)에 의해 열 터치 전극(702C)과 제1 경계에서 분리될 수 있고, 버퍼링 구역(722B)에 의해 열 전극(702C)과 제2 경계에서 분리될 수 있다. 도 7에 예시된 바와 같이, 열 터치 전극과 터치 센서 패널을 가로질러 행을 형성하는 터치 전극 세그먼트들 사이에 유사한 버퍼링 구역들이 포함될 수 있다. 도 7은 터치 전극 세그먼트들 각각의 두 측면들 상의 버퍼링 구역들을 예시하지만, 일부 예들에서, 버퍼링은 터치 전극 세그먼트들의 더 적은 측면들(하나의 측면 또는 없음) 또는 더 많은 측면들(3개 또는 4개의 측면들) 상에 있을 수 있다는 것이 이해된다. 분리(예를 들어, 표면적 및/또는 폭)를 증가시키는 것은 베이스라인 커패시턴스를 추가로 감소시킬 수 있는 반면, 분리를 감소시키는 것은 베이스라인 커패시턴스를 증가시킬 수 있다. 일부 예들에서, 도 7에 예시된 바와 같이, 열 터치 전극의 임피던스를 감소시키기 위해 목부(neck) 구역에는 버퍼링 구역들이 없을 수 있다. 추가적으로, 버퍼링 구역들이 터치 전극 세그먼트의 각각의 경계를 따라 연속적인 것으로 도시되어 있지만, 버퍼링 구역은 경계의 일부분을 따라 하나 이상의 세그먼트들에 존재하도록 불연속적일 수 있음을 이해해야 한다. 추가적으로, 유사한 버퍼링 구역들이 단위 셀(712) 내의 모든 터치 전극 세그먼트들 상에 도시되어 있지만, 단위 셀 내의 상이한 터치 전극 세그먼트들은 상이한 수의 버퍼링 구역들 또는 상이한 속성들(치수들, 분포들 등)을 갖는 버퍼링 구역들을 가질 수 있다는 것이 이해된다.
다시 도 6을 참조하면, 단위 셀은 더 적은 터치 전극 세그먼트들 및/또는 터치 전극 세그먼트들 사이의 더 적은 상호연결부들을 포함할 수 있다는 것이 이해된다. 예를 들어, 도 6의 4개의 상호연결부들과 도 6의 6개의 터치 전극 세그먼트들을 연결하기보다는, 4개의 터치 전극 세그먼트들이 2개의 상호연결부들을 사용하여 연결될 수 있다. 상호연결부들의 수를 감소시키는 것은 터치 노드의 기준선 상호 커패시턴스를 감소시킬 수 있으며, 그 이유는 브리지들(606)의 상호연결부들이 이러한 상호연결부들에서 구동부와 감지 구역들 사이의 근접성으로 인해 증가된 상호 커패시턴스를 유발할 수 있기 때문이다. 추가적으로, 상호연결부들의 수를 감소시키는 것은 행 터치 전극들의 저항을 감소시킬 수 있다. 더 적거나 더 많은 상호연결부들 및 터치 전극 세그먼트들이 사용될 수 있음을 이해해야 한다.
도 6이 인접한(contiguous) 열들 및 세그먼트화된 행들을 예시하지만, 일부 예들에서, 열 터치 전극은 (예를 들어, 목부 구역에서) 브리지들에 의해 상호연결될 수 있는 터치 전극 세그먼트들로부터 형성될 수 있고, 행 터치 전극은 각각 인접할 수 있는(예를 들어, 그리고 선택적으로 경계 영역에서 상호연결될 수 있는) 스트라이프들로 형성될 수 있다는 것이 이해된다.
도 6의 단위 셀들(600)이 단위 셀 내에 2개의 스트라이프들(상호연결된 터치 전극 세그먼트들의 2개의 행들)을 예시하지만, 일부 예들에서 스트라이프들의 수는 2보다 크거나(예를 들어, 3, 4 등) 또는 2보다 작을 수 있음(예를 들어, 1)을 이해해야 한다. 단위 셀(600)은 예시적인 단위 셀인 것으로 이해되어야 한다. 터치 전극 세그먼트들의 수 및 치수들, 터치 전극 세그먼트들 사이의(그리고 열 터치 전극들의 부분들 사이의) 상호연결부들의 수 및 치수들, 및 목부 구역의 두께 및 치수들은, 행 및/또는 열 터치 전극들의 임피던스와 단위 셀에 대한 베이스라인 커패시턴스를 트레이드 오프하는 것을 포함하고, 터치 신호에 대해 요구되는 양을 포함하고, 터치 센서 패널을 가로지르는 터치 신호들의 선형성을 포함하는 설계 고려사항들에 따라 변경될 수 있다. 앞서 별개로 기술된 바와 같이, 위에서 기술된 단위 셀의 변형예들 중 하나 이상이 일부 예들에서 조합될 수 있다. 예를 들어, 도 6의 다수의 브리지들은 도 7의 버퍼링 구역들과 함께 사용될 수 있다. 열 터치 전극들이 인접한 것으로 예시되고 행 터치 전극들이 터치 전극 세그먼트들로 형성된 것으로 예시되어 있지만, 일부 예들에서, 행 터치 전극들이 인접할 수 있고 열 터치 전극들이 터치 전극 세그먼트들로 형성될 수 있다는 것을 이해해야 한다.
도 7은 본 개시내용의 예들에 따른 단위 셀들로부터 형성된 터치 센서 패널의 예를 예시한다. 예를 들어, 터치 센서 패널(700)은 단위 셀(712)(3x3 터치 노드들)에 대응하는 9개의 단위 셀들을 포함할 수 있으며, 이는 도 6의 예시적인 단위 셀에 대응할 수 있다(예를 들어, 터치 전극 세그먼트들(704) 사이에 단일 브리지(706)만을 도시하고 버퍼링 구역들(722A, 722B)과 같은 버퍼링 구역들을 포함하도록 수정된 단위 셀(600)에 대응함). 간결함을 위해, 단위 셀의 상세사항들은 반복되지 않는다. 도 7에 예시된 바와 같이, 터치 센서 패널(700)은 (예를 들어, "DRV_N-1", "DRV_N", 및 "DRV_N+1"로 라벨링된 라우팅 트레이스들에 의해 제공되는 구동 신호들에 의해) 터치 감지 동작 동안 구동될 수 있는 3개의 열 터치 전극들(702A 내지 702C)("바들")을 포함할 수 있다. 터치 센서 패널(700)은 또한 3개의 행 터치 전극들을 포함할 수 있다. 도 7에 예시된 행 터치 전극들 각각은 터치 전극 세그먼트들(704)로 형성된 2개의 "스트라이프들"을 포함할 수 있다. 각각의 "스트라이프"에 대한 터치 전극 세그먼트들(704)은 브리지들(706)(예를 들어, 금속 메시)에 의해 터치 센서 패널 활성 영역 내에서(예를 들어, 터치 스크린 내의 디스플레이의 가시 영역에서) 상호연결될 수 있다. 터치 전극 세그먼트들 사이의 하나의 브리지(706)가 도 7에 예시되어 있지만, 정전기 방전 보호를 개선하고/하거나 연결부의 기계적 및/또는 전기적 신뢰성을 개선하고/하거나 행 터치 전극의 임피던스를 감소시키기 위해 추가 브리지들이 사용될 수 있다는 것이 이해된다. 추가적으로, 도 7에 도시되지 않았지만, 열 터치 전극들에 대해 동일하거나 유사한 이점을 제공하기 위해 추가 브리지들이 사용될 수 있다. 행 전극의 2개의 "스트라이프들"은 전도성 트레이스들(예를 들어, 금속 메시 또는 다른 것)에 의해 경계 영역(예를 들어, 터치 센서 패널 활성 영역의 외부/디스플레이의 가시 영역 외부)에서 연결될 수 있다. 각각의 행 전극은 터치 감지 동작 동안 (예를 들어, "SNS_N-1", "SNS_N", 및 "SNS_N+1"로 라벨링된 라우팅 트레이스들에 커플링된 감지 채널들에 의해) 감지될 수 있다. 각각의 열 터치 전극 및 각각의 행 터치 전극의 인접성들은 터치 센서 패널(700)의 각각의 터치 노드/단위 셀을 형성할 수 있다.
예시적인 단위 셀(712)은 하나 이상의 버퍼링 구역들을 포함하지만, 본 명세서에 기술된 것과 같은 대안적인 단위 셀들이 사용될 수 있음을 이해되어야 한다. 예를 들어, 단위 셀은 단지 하나의 "스트라이프"를 포함할 수 있거나, 단위 셀의 다수의 "스트라이프들"은 전도성 트레이스들(예를 들어, 행 전극당 하나의 "스트라이프")에 의해 경계 영역에서 연결되지 않을 수 있다. 추가적으로, 단위 셀들의 3x3 그룹화가 예시되지만, 패널은 더 작거나 더 큰 크기(예를 들어, 2x2, 4x4, 5x5, 10x10, 16x16 등)의 것일 수 있다는 것이 이해된다. 추가적으로, 도 7은 구동되는 열 터치 전극들 및 감지되는 행 터치 전극들을 예시하지만, 일부 예들에서, 행 터치 전극들이 구동되고 열 터치 전극들이 감지될 수 있다.
도 6 및 도 7은 선형 경계들을 갖는 행 및 열 터치 전극들을 위한 직사각형 전극들을 예시하지만, 금속 메시의 패턴으로 인해 그리고 금속 메시의 가시성을 감소시키기 위해, 터치 전극들의 진정한 형상 및 그것들의 경계들은 직사각형이 아닐 수 있다는 것을 이해해야 한다. 도 8은 본 개시내용의 예들에 따른 도 6의 단위 셀의 일부분에 대응하는 금속 메시를 예시한다. 금속 메시(800)는 예를 들어 도 6의 단위 셀(600)의 절반에 대응할 수 있다. 금속 메시(800)는 열 터치 전극(602)에 대응하는 제1 금속 메시 부분(802) 및 터치 전극 세그먼트들(604A 내지 604C)에 대응하는 제2 금속 메시 부분들(804A 내지 804C)을 포함할 수 있다. (45도 각도를 갖는) 다이아몬드 패턴으로 인해 그리고 터치 전극들의 경계들의 가시성을 감소시키기 위해, 제1 및 제2 금속 메시 부분들은 경계들을 따라 비선형일 수 있다. 일부 예들에서, 터치 전극들 사이의 경계들은 지그재그 또는 파형 패턴일 수 있다. 예를 들어, 도 8에 예시된 바와 같이, 제1 금속 메시 부분(802)과 제2 금속 메시 부분(804B) 사이의 경계는 세그먼트들(812, 814)의 길이가 각각 3개의 금속 메시 와이어들의 길이일 수 있는 지그재그 패턴을 가질 수 있다. 유사한 패턴이 도 8에 예시된 다른 경계들에 대해 구현될 수 있다(패턴의 기하학적 구조에 따라 연속성을 위해 코너들에서의 약간의 변경들이 있음). 세그먼트들(812, 814)의 길이는 예시적이고, 다른 길이들이 가능하다는 것을 이해해야 한다. 추가적으로, 길이들은 경계를 따라 상이한 지점들에서 상이하거나 2개의 상이한 경계들 사이에서 상이할 수 있다. 일부 예들에서, 세그먼트들(812, 814)과 같은 세그먼트들의 길이들에 의해 패턴을 정의하기보다는, 지그재그 패턴은 다른 파라미터들에 의해 정의될 수 있다.
터치 전극들(및 버퍼링 구역들)은 터치 전극들(및/또는 버퍼링 구역들) 사이의 금속 메시 와이어들 내의 절단부들 또는 전기적 불연속점들에 의해 금속 메시 층 내의 금속 메시(예를 들어, 금속 메시 층(506)에 대응함)로부터 형성될 수 있다. 일부 예들에서, 절단부들 또는 전기 불연속부들은, 금속 메시 패턴 내의 2개의 금속 메시 와이어들의 정점들에서의 절단부들 또는 전기적 불연속부들을 갖기보다는, 금속 메시 와이어들의 중점들에 형성될 수 있다(또는 달리 하나 이상의 금속 메시 와이어들을 분할함).
일부 예들에서, 더미 절단부들은 금속 메시 경계 절단부들의 가시성을 추가로 감소시킬 수 있다. 금속 메시의 2개 부분들 사이의 하나 이상의 다른 전기 경로들로 인해 (더미 절단부의 어느 한 측면에서) 금속 메시를 전기적으로 격리시키지 않으면서, 더미 절단부는 (더미 절단부의 어느 한 측면에서) 금속 메시의 2개 부분들 사이의 하나의 전기 경로를 방해할 수 있다. 다시 말하면, 금속 메시의 부분들이 전기적으로 연결되기 때문에 금속 메시의 부분들은 내부 절단부들에도 불구하고 실질적으로 동일한 전기 전위에서 유지될 수 있다. 예를 들어, 더미 절단부들은 금속 메시를 각각의 각자의 일부분에서 전기적으로 분리하지 않고서 금속 메시 내에 물리적 분리부들을 형성하는 제1 금속 메시 부분(802) 및/또는 제2 금속 메시 부분들(804A 내지 804C) 내에 형성될 수 있다. 일부 예들에서, 더미 절단부들은 터치 전극들 각각을 가로질러 반복될 수 있는 패턴을 형성할 수 있다. 예를 들어, 더미 절단부 유닛(예를 들어, 불연속부들의 패턴)은 한정될 수 있고, 더미 절단부 유닛은 터치 스크린을 가로질러 반복되어 더미 절단부를 형성할 수 있다. 일부 예들에서, 더미 절단부들은 또한 열 터치 전극들 및 터치 전극 세그먼트들 사이의 버퍼링 구역들(예를 들어, 버퍼링 구역(722A, 722B))에 대해 구현될 수 있다.
일부 예들에서, 제1 금속 메시 부분(802) 내의 더미 절단부들은 소정 구역들로 제한될 수 있다. 예를 들어, 더미 절단부들은 제1 금속 메시 부분(802)의 목부 구역들(808)에서 배제되거나 제한될 수 있다. 목부 구역들(808) 내의 더미 절단부들을 배제(또는 제한)하는 것은, 일부 경우들에서 (목부 구역들 내의 금속 메시의 좁은 폭으로 인한) 열 터치 센서의 임피던스를 감소시키는 데 유리할 수 있다.
비록 도 6 내지 도 8은 제2 금속 메시 층(예를 들어, 금속 메시 층(516)에 대응함) 내의 상호연결부들을 포함할 수 있는 제1 금속 메시 층(예를 들어, 금속 메시 층(506)에 대응함) 내에 배치된 열 터치 전극들 및 행 터치 전극들을 예시하지만, 일부 예들에서, 열 터치 전극들은 하나의 층 내에 배치될 수 있고 행 터치 전극들은 다른 층 내에 (예를 들어, 도 4a에 예시된 바와 같은 양면 터치 센서 구성으로) 배치될 수 있다는 것을 이해해야 한다.
본 명세서에 기술된 바와 같이, 일부 예들에서, 터치 전극 아키텍처들이 고-투과율 터치 스크린들 또는 고-투과율 구역들을 포함하는 터치 스크린들에 대해 개선될 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 광학 디바이스들(예를 들어, 광학 디바이스(들)(201))은 광이 터치 스크린의 하나 이상의 층들을 통과하도록 터치 스크린(220)에 통합될 수 있다. 개선된 투과율은 광학 디바이스들의 성능을 향상시킬 수 있다.
도 9 내지 도 12는 본 개시내용의 예들에 따른 고-투과율 구역을 포함하는 예시적인 터치 스크린들의 부분들을 예시한다. 도 9 내지 도 12는 원형 고-투과율 구역을 도시하지만, 고-투과율 구역은 상이한 형상(예를 들어, 정사각형, 직사각형, 광학 컴포넌트들의 기하학적 구조, 규칙적이지 않은 기하학적 형상 등에 대응하는 형상)을 가질 수 있다는 것이 이해된다. 예를 들어, 도 9의 구역(900)은 2개의 열 터치 전극들 및 2개의 행 터치 전극들(또는 단일 행 전극의 2개의 스트라이프들)을 포함하는 도 7에 도시된 터치 센서 패널(700)의 구역(720)의 도시에 대응할 수 있다. 터치 센서 패널의 구역(900)은 목부 구역들(908A, 908C)을 포함하는 제1 열 터치 전극(902A) 및 목부 구역들(908B, 908D)을 포함하는 제2 열 터치 전극(902B)의 부분들(예를 들어, 열 터치 전극들(602A, 602B, 702A, 702B, 및 목부 구역들(608A 내지 608D)에 대응함), 브리지들(906A 내지 906D)을 사용하여 상호연결된 터치 전극 세그먼트들(904A 내지 904C)의 부분들(예를 들어, 브리지들(606A, 606B, 606E, 606F, 706)을 사용하여 상호연결된 대응하는 터치 전극 세그먼트들(604A 내지 604C, 704)), 및 브리지들(906E 내지 906H)을 사용하여 상호연결된 터치 전극 세그먼트들(904D 내지 904F)의 부분들(예를 들어, 브리지들(606C, 606D, 606G, 606H, 706)을 사용하여 상호연결된 대응하는 터치 전극 세그먼트들(604D 내지 604F, 704))을 포함할 수 있다. 본 명세서에 기술된 바와 같이, 터치 전극들 및 브리지들은 하나 이상의 금속 메시 층들 내의 금속 메시(예를 들어, 제1 금속 메시 층 내의 터치 전극들 및 제2 금속 메시 층 내의 브리지들)로 형성될 수 있다. 구역(910)(예를 들어, 구역(710)에 대응함)은 하나 이상의 광학 컴포넌트들로 인해 터치 전극들의 개선된 투과율을 필요로 하는 구역을 나타낸다. 구역(910)은 제1 행 전극(예를 들어, 터치 전극 세그먼트들(904A 내지 904C)에 대응함)과 교차할 수 있고, 제2 행 전극(예를 들어, 터치 전극 세그먼트들(904D 내지 904F)에 대응함)과 교차하지 않을 수 있다. 도 9에 예시된 바와 같이, 터치 전극 세그먼트들(904A 내지 904C)(본 명세서에서 제1 터치 전극 세그먼트, 제2 터치 전극 세그먼트, 및 제3 터치 전극 세그먼트로도 지칭됨)은 터치 전극 세그먼트들(904D 내지 904F)(본 명세서에서 제4 터치 전극 세그먼트, 제5 터치 전극 세그먼트, 및 제6 터치 전극 세그먼트로도 지칭됨)과 수평축 상에 정렬된다. 추가적으로, 도 9에 예시된 바와 같이, 열 터치 전극(902A)의 목부 구역들(908A, 908C)은 수평축 상에 정렬되고, 열 터치 전극(902B)의 목부 구역들(908B, 908D)은 수평축 상에 정렬된다.
일부 예들에서, 광학 컴포넌트들에 대응하는 구역(예를 들어, 구역(910))에서 터치 스크린의 투과율을 개선하기 위해, 브리지들이 구역으로부터 제거될 수 있다. 도 10은 목부 구역들(1008A, 1008C)을 포함하는 제1 열 터치 전극(1002A) 및 목부 구역들(1008B, 1008D)을 포함하는 제2 열 터치 전극(1002B)의 부분들(예를 들어, 열 터치 전극들(902A, 902B) 및 목부 구역들(908A 내지 908D)에 대응함), 브리지들(1006A 내지 1006D)을 사용하여 상호연결된 터치 전극 세그먼트들(1004A 내지 1004C)의 부분들(예를 들어, 브리지들(906A 내지 906D)을 사용하여 상호연결된 대응하는 터치 전극 세그먼트들(904A 내지 904C)), 및 브리지들(1006E 내지 1006H)을 사용하여 상호연결된 터치 전극 세그먼트들(1004D 내지 1004F)의 부분들(예를 들어, 브리지들(906E 내지 906H)을 사용하여 상호연결된 대응하는 터치 전극 세그먼트들(904D 내지 904F))을 포함할 수 있는 터치 센서 패널의 구역(1000)(예를 들어, 구역(900)에 대응함)을 예시한다. 구역(1010)(예를 들어, 구역(910)에 대응함)은 하나 이상의 광학 컴포넌트들로 인해 터치 전극들의 개선된 투과율을 필요로 하는 구역을 나타낸다. 구역(1010)은 제1 행 전극(예를 들어, 터치 전극 세그먼트들(1004A 내지 1004C)에 대응함)과 교차할 수 있고, 제2 행 전극(예를 들어, 터치 전극 세그먼트들(1004D 내지 1004F)에 대응함)과 교차하지 않을 수 있다.
도 10에 도시된 바와 같이, 브리지들(1006A 내지 1006D)은 구역(910) 내에 부분적으로 또는 완전히 있는 도 9의 브리지들(906A 내지 906D)과 달리, 구역(1010) 외부에 있다. 구역(1010) 외부로 브리지들을 이동하는 것은 구역(1010)에서의 영역 및 그 주변의 영역에 대한 터치 전극 패턴을 변경함으로써 달성될 수 있다. 구체적으로, 터치 전극 세그먼트들(1004A, 1004C)(예를 들어, 제1 행 전극에 대응함)은 터치 전극 세그먼트들(1004D, 1004F)(예를 들어, 고-투과율 구역과 교차하지 않는 제2 행 전극에 대응함)에 비해 증가된 분리를 가질 수 있고(예를 들어, 도 10의 d2가 도 9의 d1보다 큼), 터치 전극 세그먼트(1004B)는 터치 전극 세그먼트(904B)에 비해 증가된 폭을 가질 수 있다(예를 들어, 도 10의 W2는 도 9의 W1보다 크다). 도 10의 변형예를 보는 또 다른 방식은, 도 9의 구역(910) 내에 부분적으로 또는 완전히 도시되어 있는 목부 구역들(908A, 908B)과 비교하여 열 터치 전극들/바들에 대한 목부 구역들(1008A, 1008B)이 구역(1010) 외부로 이동된 것으로서 보는 방식이다. 그 결과, 열 터치 전극(1002A)에 대한 목부 구역들(1008A, 1008C)은 수평축 상에서 오프셋되고, 열 터치 전극(1002B)에 대한 목부 구역들(1008B, 1008D)은 수평축 상에서 오프셋된다. 변형예의 결과로서, 터치 전극 세그먼트들(1004A 내지 1004C)은 수평축을 따라 터치 전극 세그먼트들(1004D 내지 1004F)과 부분적으로만 정렬된다.
고-투과율 구역 외부로 브리지들을 이동하는 것은 구역(1010)에서의 터치 전극들의 나머지 금속 메시가 개선된 광학 성능을 위해 구역 내에서 균일성을 가질 수 있게 한다(반면, 브리지들은 상이한 금속 메시 층에서 일부 불균일성을 생성함). 추가적으로, 고-투과율 구역 밖으로 브리지들을 이동하는 것은 열 터치 전극의 저항을 유지할 수 있게 한다(예를 들어, 목부 구역들(908A 내지 908D)의 치수들과 비교하여 열 터치 전극들에 대한 목부 구역들(1008A 내지 1008D)의 치수들이 변화되지 않음).
일부 예들에서, 브리지들이 구역(1010) 밖으로 부분적으로만 이동될 수 있고 브리지들의 부분 이동이 또한 투과율에서 부분적인 개선을 제공할 수 있다는 것이 이해된다. 또한, 일부 예들에서, 도 10의 터치 전극 세그먼트들(1004A 내지 1004C)에 대한 변화들은 패턴 균일성을 위해 터치 센서 패널의 다른 구역들(예를 들어, 터치 전극 세그먼트들(1004D 내지 1004F))에 적용될 수 있다는 것이 이해된다.
일부 예들에서, 광학 컴포넌트에 대응하는 패널의 구역으로부터 브리지들을 제거하는 것에 더하여, 터치 전극들의 금속 메시가 구역으로부터 제거될 수 있다. 도 11은 제1 열 터치 전극(1102A) 및 제2 열 터치 전극(1102B)(예를 들어, 열 터치 전극들(902A, 902B, 1002A, 1002B)에 대응함)의 부분들을 포함하는 터치 센서 패널의 구역(1100)(예를 들어, 구역들(900, 1000)에 대응함)을 예시한다. 도 11은 또한 브리지들(1106A 내지 1106D)을 사용하여 상호연결된 터치 전극 세그먼트들(1104A 내지 1104C)의 부분들(예를 들어, 브리지들(906A 내지 906D, 1006A 내지 1006D)을 사용하여 상호연결된 대응하는 터치 전극 세그먼트들(904A 내지 904C, 1004A 내지 1004C)), 및 브리지들(1106E 내지 1106H)을 사용하여 상호연결된 터치 전극 세그먼트들(1104D 내지 1104F)의 부분들(예를 들어, 브리지들(906E 내지 906H, 1006E 내지 1006H)을 사용하여 상호연결된 대응하는 터치 전극 세그먼트들(904D 내지 904F, 1004A 내지 1004F))을 예시한다. 구역(1110)(예를 들어, 구역(910, 1010)에 대응함)은 하나 이상의 광학 컴포넌트들로 인해 터치 전극들의 투과율 향상이 필요한 구역을 나타내며, 이는 제1 행 전극(예를 들어, 터치 전극 세그먼트들(1104A 내지 1104C)에 대응함)과 교차할 수 있고, 제2 행 전극(예를 들어, 터치 전극 세그먼트들(1104D 내지 1104F)에 대응함)과 교차하지 않을 수 있다.
도 11에 도시된 바와 같이, 브리지들(1106A 내지 1106D)은 구역(910) 내에 부분적으로 또는 완전히 있는 도 9의 브리지들(906A 내지 906D)과 달리, 구역(1110) 외부에 있다. 추가적으로, (예를 들어, 구역(1110) 둘레의) 터치 전극 세그먼트(1104B) 및 열 터치 전극들(1102A, 1102B)은 구역(1110)의 외부에(예를 들어, 터치 전극 세그먼트(1104B) 둘레에) 배치될 수 있다. 구역(1110)의 외부로 브리지들 및 터치 전극들을 이동하는 것은 구역(1110)에서의 영역 및 그 주변의 영역에 대한 터치 전극 패턴을 변경함으로써 달성될 수 있다. 구체적으로, 터치 전극 세그먼트들(1104A, 1104C)(예를 들어, 제1 행 전극에 대응함)은 터치 전극 세그먼트들(1104D 및 1104F)(예를 들어, 고-투과율 구역과 교차하지 않는 제2 행 전극에 대응함)과 비교하여, 그리고 일부 예들에서, 터치 전극 세그먼트들(1004A, 1004C)과 비교하여 증가된 분리를 가질 수 있다(예를 들어, 도 11의 d3은 도 9의 d1보다 크고, 가능하게는 도 11의 d3은 도 10의 d2보다 크다). 열 터치 전극들(1102A, 1102B) 및 터치 전극 세그먼트(1104B)의 패턴은 구역(1110)으로부터 임의의 패턴화를 제거하도록 수정될 수 있다. 예를 들어, 도 11에 도시된 바와 같이, 터치 전극 세그먼트(1104B)는 선택적으로 구역(1110)을 둘러싸고, 열 터치 전극들(1102A, 1102B)은 선택적으로 터치 전극 세그먼트(1104B)를 함께 둘러싼다. 일부 예들에서, 터치 전극 세그먼트들(1104B)은 터치 전극 세그먼트들(1104B)을 포함하는 제1 행 전극이 터치 전극 세그먼트(1104E)을 포함하는 제2 행 전극과 동일한(또는 1%, 5%, 10% 등과 같은 임계값 이내) 저항을 갖도록 허용하는 치수들을 갖도록 설계될 수 있다. 일부 예들에서, 터치 전극 세그먼트들(1104B)은 터치 전극 세그먼트(1104E)의 영역과 동일한(또는 1%, 5%, 10% 등과 같은 임계값 이내) 영역을 가질 수 있어서, 터치 전극 세그먼트들(1104B 내지 1104E)에 대한 용량성 커플링이 동일할 수 있다(또는 임계치 내에 있음). 일부 예들에서, 터치 전극 세그먼트들(1104B)은 디스크형일 수 있으며, 여기서 디스크의 내경은 구역(1110)의 경계와 일치한다. 구역(1110)이 도시된 것과 상이한 형상을 가질 때 터치 전극 세그먼트(1104B)의 형상(예를 들어, 내부 치수)이 상이할 수 있다는 것이 이해된다. 추가적으로, 터치 전극 세그먼트의 내부 치수들 및 외부 치수들이 상이할 수 있다는 것이 이해된다(예를 들어, 원형 내부 치수들, 다각형 외부 치수들 등). 추가적으로, 터치 전극 세그먼트(1104B)가 구역(1110)을 완전히 둘러싸지 않을 수 있다는 것이 이해된다. 예를 들어, (브리지들(1106A 내지 1106D) 중 2개 이상을 사용하여) 터치 전극 세그먼트(1104A, 1104B) 사이에 경로를 생성하기 위해 터치 전극 세그먼트(1104B)를 구현하는 데 원호 또는 반원이 사용될 수 있다.
상기 브리지들 및 터치 전극들을 고-투과율 구역 외부로 이동하는 것은 투명하지 않거나 불투명한 금속 메시를 제거함으로써 개선된 광학 성능을 허용할 수 있다. 추가적으로, 터치 전극 아키텍처는 (예를 들어, 목부 구역들을 사용하는) 열 터치 전극들 및 (예를 들어, 브리지들을 사용하는) 행 터치 전극들을 구역(1110) 외부에 형성하기 위한 연결부들을 유지할 수 있게 한다. 도 11에 도시된 바와 같이, 행 전극을 형성하기 위한 연결부들은 다른 터치 전극들과 함께 하나의 금속 메시 층(예를 들어, 금속 메시 층(506)) 내의 구역(1110) 주위에 터치 전극 세그먼트(1104B)를 라우팅하고, 다른 금속 메시 층(예를 들어, 금속 메시 층(516)) 내의 브리지들을 사용하여 열 터치 전극들의 목부 구역을 브리지함으로써 달성될 수 있다.
일부 예들에서, 브리지들 및/또는 터치 전극들은 구역(1110) 외부로 부분적으로만 이동될 수 있고, 브리지들 및/또는 터치 전극들의 부분 이동은 또한 투과율에서 부분적인 개선을 제공할 수 있다는 것이 이해된다. 또한, 일부 예들에서, 도 11의 터치 전극 세그먼트들(1104A 내지 1104C)에 대한 변화들이 (예를 들어, 패턴 균일성을 위해) 터치 센서 패널의 다른 구역들에 적용될 수 있다는 것이 이해된다.
도 12는 제1 열 터치 전극(1202A) 및 제2 열 터치 전극(1202B)(예를 들어, 열 터치 전극들(902A, 902B, 1002A, 1002B, 1102A, 1102B)에 대응함)의 부분들을 포함하는 터치 센서 패널의 구역(1200)(예를 들어, 구역들(900, 1000, 1100)에 대응함)을 예시한다. 도 12는 또한 브리지들(1206A, 1206B)을 사용하여 상호연결된 터치 전극 세그먼트들(1204A, 1204C)의 부분들, 및 브리지들(1206E 내지 1206H)을 사용하여 상호연결된 터치 전극 세그먼트들(1204D 내지 1204F)의 부분들(예를 들어, 브리지들(906E 내지 906H, 1006E 내지 1006H, 1106E 내지 1106H)을 사용하여 상호연결된 대응하는 터치 전극 세그먼트들(904D 내지 904F, 1004D 내지 1004F, 1104D 내지 1104F))을 예시한다. 구역(1210)(예를 들어, 구역(910, 1010, 1110)에 대응함)은 하나 이상의 광학 컴포넌트들로 인해 터치 전극들의 투과율 향상이 필요한 구역을 나타내며, 이는 제1 행 전극(예를 들어, 터치 전극 세그먼트들(1204A, 1204C)에 대응함)과 교차할 수 있고, 제2 행 전극(예를 들어, 터치 전극 세그먼트들(1204D 내지 1204F)에 대응함)과 교차하지 않을 수 있다.
도 12에 도시된 바와 같이, 브리지들(1206A, 1206B)은 구역(910) 내에 부분적으로 또는 완전히 있는 도 9의 브리지들(906A 내지 906D)과 달리, 구역(1210) 외부에 있다. 추가적으로, 열 터치 전극들(1202A, 1202B)은 구역(1210)의 외부에(예를 들어, 구역(1210)의 둘레에) 배치될 수 있다. 터치 전극 세그먼트는 - 이는 그렇지 않으면 (예를 들어, 터치 전극 세그먼트들(904B, 1004B, 1104B)과 같이) 터치 전극 세그먼트들(1204A, 1204C) 사이에 위치되었을 것임 - 구역(1200)으로부터 전체적으로 제거된다. 대신, 브리지들(1206A, 1206B)은 브리지들(906A 내지 906, 1006A 내지 1006D, 1106A 내지 1106D)과 비교하여 더 긴 브리지들로서 구현된다. 브리지들은 터치 전극들과 상이한 층에서 구역(1210)의 외부 주위에 라우팅될 수 있다. 일부 예들에서, 구역(1200)은 제1 행 전극에 대응하는 터치 센서 패널의 일부분의 외관을 나타낼 수 있고, 구역(900)은 제2 행 전극에 대응하는 터치 센서 패널의 상이한 부분의 외관을 나타낼 수 있지만, 고-투과율 구역(910)을 포함하지 않는다(예를 들어, 구역들(900, 1200)이 터치 센서 패널에서 수평으로 정렬됨). 도 11의 터치 전극 아키텍처와 마찬가지로, 도 12의 터치 전극 아키텍처는 또한, 터치 전극 세그먼트들(1204D, 1204F)(예를 들어, 고-투과율 구역과 교차하지 않는 제2 행 전극에 대응함)과 비교하여, 그리고 일부 예들에서, 터치 전극 세그먼트들(1004A, 1004C)과 비교하여 (예를 들어, 제1 행 전극에 대응하는) 터치 전극 세그먼트들(1204A, 1204C) 사이의 증가된 분리를 가질 수 있다(예를 들어, 도 12의 d3은 도 9의 d1보다 크고, 가능하게는 도 12의 d3은 도 10의 d2보다 크다). 구역(1210)이 도시된 것과 상이한 형상을 가질 때 브리지들(1206A, 1206B)의 형상이 상이할 수 있다는 것이 이해된다. 추가적으로, 도 9 내지 도 11의 브리지들과 비교하여 브리지들(1206A, 1206B)의 길이를 보상하기 위해, 도 9 내지 도 11의 터치 전극 아키텍처들의 브리지들과 비교하여 도 12의 터치 전극 아키텍처에 더 많은 그리고/또는 더 두꺼운 브리지들이 사용될 수 있다는 것이 이해된다. 또한 브리지들이 구역(1210)을 완전히 둘러싸지 않는 방식으로 브리지가 구현될 수 있다는 것이 이해된다. 예를 들어, 반원이 사용되어 구역(1210)의 원주의 절반을 따라 브리지(1206A)를 구현하여 - 구역(1210)의 원주의 제2 절반을 따라 브리지를 사용하지 않음 - 터치 전극 세그먼트(1204A, 1204C) 사이의 경로를 생성할 수 있다.
상기 브리지들 및 터치 전극들을 고-투과율 구역 외부로 이동하는 것은 투명하지 않거나 불투명한 금속 메시를 제거함으로써 개선된 광학 성능을 허용할 수 있다. 추가적으로, 터치 전극 아키텍처는 (예를 들어, 목부 구역들을 사용하는) 열 터치 전극들 및 (예를 들어, 브리지들을 사용하는) 행 터치 전극들을 구역(1210) 외부에 형성하기 위한 연결부들을 유지할 수 있게 한다. 도 12에 도시된 바와 같이, 행 전극을 형성하기 위한 연결부들은 다른 터치 전극들이 구현되는 다른 금속 메시 층(예를 들어, 금속 메시 층(506))과 상이한 하나의 금속 메시 층(예를 들어, 금속 메시 층(516)) 내의 구역(1210) 주위에 브리지들(1206A, 1206B)을 라우팅함으로써 달성될 수 있다.
일부 예들에서, 브리지들이 구역(1210) 밖으로 부분적으로만 이동될 수 있고 브리지들의 부분 이동이 또한 투과율에서 부분적인 개선을 제공할 수 있다는 것이 이해된다. 또한, 일부 예들에서, 도 12의 터치 전극 세그먼트들(1204A, 1204C) 및 브리지들(1206A, 1206B)에 대한 변화들이 (예를 들어, 패턴 균일성을 위해) 터치 센서 패널의 다른 구역들에 적용될 수 있다는 것이 이해된다. 일부 예들에서, 브리지들(1206A, 1206B)은 (예를 들어, 행 전극의 라인 저항을 감소시키기 위해) 브리지들(1106A 내지 1106D) 대신에 도 11의 터치 전극 아키텍처에 사용될 수 있다.
일부 예들에서, 투과율은 투명한 또는 부분적으로 투명한 재료(들)를 불투명 재료들 대신에 사용하여, 고-투과율을 필요로 하는 구역에서 터치 전극들 및/또는 브리지들을 형성함으로써 개선될 수 있다. 불투명 재료들 대신에 투명하거나 부분적으로 투명한 재료(들)를 사용하면, 터치 센서 패널 전체를 가로질러 터치 전극 균일성을 확보하여 터치 성능을 향상(예를 들어, 패널 전체의 터치 신호 균일성을 개선)시킬 수 있을 뿐만 아니라 광학 컴포넌트들로 인해 해당 구역에 필요한 투과율을 향상시킬 수 있다. 도 9(또는 유사하게 도 10)를 다시 참조하면, 구역(910)과 중첩하는 제1 열 터치 전극(902A), 제2 열 터치 전극(902B), 터치 전극 세그먼트들(904B, 904C) 및/또는 브리지들(906A 내지 906D)의 부분들의 일부 또는 전부가 투명 또는 반투명 재료들을 사용하여 구현될 수 있는 반면, 구역들(910) 외부(그리고 다수의 고-투과율 구역들이 구현될 때 다수의 유사 구역들의 외부)에는 터치 전극들 및/또는 브리지들이 불투명 재료들(예를 들어, 금속 메시)로 구현될 수 있다. 일부 예들에서, 터치 전극들의 부분들(예를 들어, 제1열 터치 전극(902A), 제2열 터치 전극(902B), 터치 전극 세그먼트들(904B, 904C))은 투명 또는 반투명 재료들을 사용하여 구현될 수 있는 반면, 브리지들(906A 내지 906D)은 (예를 들어, 선택적으로 도 10의 아키텍처에서와 같이 브리지들을 고-투과율 구역 외부로 이동함으로써) 불투명 재료들을 사용하여 구현될 수 있다.
일부 예들에서, 투명 또는 반투명 재료는 인듐 주석 산화물(ITO)를 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 투명 또는 반투명 재료는 전도성 중합체들, 그래핀, 나노와이어들(예를 들어, 은 나노와이어들), 또는 나노튜브들(예를 들어, 탄소 나노튜브들)을 포함할 수 있다. 일부 예들에서, 터치 전극들의 부분들을 구현하는 데 사용되는 투명 또는 반투명 재료(들)는 스택업에서 불투명 금속 메시와 동일한 층에서 구현될 수 있다. 예를 들어, 터치 스크린(500)의 스택 내의 금속 메시 층(506)은 불투명 금속 메시 및 투명 또는 반투명 재료가 배치될 수 있는 층을 나타낼 수 있으며, 투명 또는 반투명 재료(들)는 고-투과율 구역(들)에 배치되고 불투명 금속 메시는 고-투과율 구역(들) 외부에 배치된다. 일부 예들에서, 고-투과율 구역(들) 내에서, 투명 또는 반투명 재료(들)는 고-투과율 구역(들) 외부에 있는 터치 전극들을 형성하는 불투명 금속 메시 재료와 유사한 방식(예를 들어, 메시)으로 패턴화될 수 있다. 일부 예들에서, 고-투과율 구역(들) 내에서, 투명 또는 반투명 재료(들)들 고-투과율 구역(들) 외부에 있는 터치 전극들을 형성하는 불투명 금속 메시 재료와 상이한 방식으로 패턴화될 수 있다. 일부 예들에서, 고-투과율 구역(들) 내에서, 투명 또는 반투명 재료(들)는 고-투과율 구역(들) 외부에 있는 터치 전극들의 메쉬 패턴과 달리, 중실형(solid)일 수 있다(예를 들어, 메쉬 패턴이 아님).
일부 예들에서, 터치 전극들 및/또는 브리지들을 형성하는 투명 또는 반투명 재료(들)은 불투명 금속 메시로 형성된 터치 전극들과 상이한 층(예를 들어, 금속 메시 층(506) 위 또는 아래의 층)에서 형성될 수 있다. 도 13은 본 개시내용의 예들에 따른, 고-투과율 구역을 포함하는 예시적인 터치 스크린의 일부분의 단면도를 예시한다. 도 13의 단면도(1300)는 구역(910)을 통해 도 9에 도시된 라인 AA'를 따른 것이다. 도 13은 고-투과율 구역(1308) 외부의 제1 층에서의 열 전극들(1302A, 1302B)의 부분들(예를 들어, 도 9의 열 전극들(902A, 902B) 및 구역(910)의 부분들에 대응함)을 예시한다. 도 13은 또한, 고-투과율 구역(1308) 내의 상이한 구역에서 열 터치 전극들(1302C, 1302D)의 부분들(예를 들어, 열 전극들(902A, 90B)의 상이한 부분들에 대응함)을 예시한다. 일부 예들에서, 열 터치 전극들(1302C, 1302D)의 부분들은 고-투과율 구역(1308) 외부로 부분적으로 연장되어, 구역(1308) 외부의 2개의 층들 내의 열 전극들의 부분들 사이의 커플링을 가능하게 한다. 예를 들어, 도 13에 도시된 바와 같이, 비아(1310A)(또는 다수의 비아들)가 구역(1308) 외부의 터치 전극(1302A, 1302C)을 연결할 수 있고, 비아(1310B)(또는 다수의 비아들)가 구역(1308) 외부의 터치 전극(1302B 내지 1302D)을 연결할 수 있다. 일부 예들에서, 2개의 층들 내의 터치 전극들 사이의 연결들은 구역(1308) 내에서(예를 들어, 구역(1308)의 둘레 근처에서) 비아-유사 연결들을 사용하여 달성될 수 있다. 일부 예들에서, 비아들(1310A, 1310B)은 터치 전극들(1302C, 1302D)이 전기적으로 부유하도록 생략될 수 있다. 이러한 예들에서, 터치 전극들(1302A, 1302C)은 용량적으로 커플링될 수 있고, 터치 전극들(1302B, 1302D)은 터치 감지에서의 사용을 위해 용량적으로 커플링될 수 있다.
고-투과율 구역(들)의 맥락에서 주로 기술되었지만, 투명한 재료는 (예를 들어, 광학 컴포넌트들에 대응하는 고-투과율 구역들의 내부 및 외부 모두에서) 터치 센서 패널을 가로질러 터치 전극들에 대해 사용될 수 있다는 것이 이해된다.
도 9 내지 도 13의 터치 전극 아키텍처들이 개별적으로 기술되지만, 그 특징들이 일부 예들에서 조합될 수 있다는 것이 이해된다. 예를 들어, 고-투과율 구역(들)에서의 투명 재료의 사용은 도 9 또는 도 10의 터치 전극 아키텍처에 적용될 수 있다. 추가적으로 또는 대안적으로, 도 12의 터치 전극 아키텍처의 라우팅은 도 11의 터치 전극 아키텍처(터치 전극 세그먼트(1104B)를 포함함)와 조합하여 사용될 수 있다. 도 9 내지 도 13의 터치 전극 아키텍처들이 단위 셀들(600 또는 712)의 바-스트라이프 설계를 사용하지만, 다른 패턴화가 사용될 수 있고, 터치 전극들 및/또는 라우팅의 경계들이 직사각형이 아닐 수 있다는 것이 이해된다(예를 들어, 도 8을 참조하여 기술된 바와 같음). 도 9 내지 도 13은 2개의 열들 및 하나의 행과 중첩하는 고-투과율 구역을 도시하지만, 고-투과율 구역은 더 적거나 더 많은 열들 및/또는 더 많은 행들과 중첩할 수 있다는 것이 또한 이해된다.
따라서, 전술된 바에 따라, 개시내용의 일부 예들은 터치 스크린에 관한 것이다. 터치 스크린은, 활성 영역을 갖는 디스플레이; 제1 구역에 대응하는 위치에서의 활성 영역 내의 광학 디바이스; 및 디스플레이의 활성 영역 위에 배치된 제1 금속 메시 층에 배치된 금속 메시로 형성된 복수의 터치 전극들을 포함할 수 있다. 복수의 터치 전극들은, 제1 열 터치 전극 및 제2 열 터치 전극을 포함하는 복수의 인접 열 터치 전극들; 및 제1 행 터치 전극 및 제2 행 터치 전극을 포함하는 복수의 행 터치 전극들을 포함할 수 있다. 제1 행 터치 전극은 제1 금속 메시 층과 상이한 제2 금속 메시 층에 적어도 부분적으로 형성된 제1 복수의 브리지들에 의해 상호연결된 제1 복수의 터치 전극 세그먼트들로 형성될 수 있다. 제2 행 터치 전극은 제2 금속 메시 층에 적어도 부분적으로 형성된 제2 복수의 브리지들에 의해 상호연결된 제2 복수의 터치 전극 세그먼트들로 형성될 수 있다. 제1 복수의 터치 전극 세그먼트들은 제1 터치 전극 세그먼트 및 제2 터치 전극 세그먼트를 포함한다. 제1 구역은 제1 터치 전극 세그먼트와 제2 터치 전극 세그먼트 사이에 있다. 제2 복수의 터치 전극 세그먼트들은 제4 터치 전극 세그먼트, 제5 터치 전극 세그먼트, 및 제6 터치 전극 세그먼트를 포함한다. 제4 터치 전극 세그먼트, 제5 터치 전극 세그먼트, 및 제6 터치 전극 세그먼트는 제2 행 터치 전극 내에서 연속적일 수 있다. 제1 터치 전극 세그먼트와 제2 터치 전극 세그먼트 사이의 거리는 제4 터치 전극 세그먼트와 제6 터치 전극 세그먼트 사이의 거리보다 클 수 있다.
위에 개시된 예들 중 하나 이상에 대해 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제1 복수의 터치 전극 세그먼트들은 제1 구역 외부에 있는 제3 터치 전극 세그먼트를 포함할 수 있다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제3 터치 전극 세그먼트는 제1 열 터치 전극 및 제2 열 터치 전극에 대응할 수 있다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제1 복수의 브리지들은 제1 터치 전극 세그먼트와 제3 터치 전극 세그먼트 사이의 제1 브리지 및 제2 터치 전극 세그먼트와 제3 터치 전극 세그먼트 사이의 제2 브리지를 포함할 수 있다. 제1 브리지 및 제2 브리지는 제1 구역 외부에 있을 수 있다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제1 브리지 및 제2 브리지는 함께 제1 구역을 둘러싼다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 대해 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제3 터치 전극 세그먼트는 제1 구역을 둘러싼다.
위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제1 복수의 브리지들은 제1 터치 전극 세그먼트와 제2 터치 전극 세그먼트 사이의 제1 브리지 및 제1 터치 전극 세그먼트와 제2 터치 전극 세그먼트 사이의 제2 브리지를 포함할 수 있다. 제1 브리지 및 제2 브리지는 제1 구역 외부에 있을 수 있다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제1 브리지 및 제2 브리지는 함께 제1 구역을 둘러싼다.
위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제1 행 터치 전극에 대응하는 제1 열 터치 전극의 제1 목부 구역은 제2 행 터치 전극에 대응하는 제1 열 터치 전극의 제2 목부 구역으로부터 수평축 상에서 오프셋된다.
본 개시내용의 일부 예들은 터치 감응형 디바이스에 관한 것이다. 터치 감응형 디바이스는, 에너지 저장 디바이스; 통신 회로부; 터치 제어기; 및 터치 스크린을 포함할 수 있다. 터치 스크린은, 활성 영역을 갖는 디스플레이; 제1 구역에 대응하는 위치에서의 활성 영역 내의 광학 디바이스; 및 디스플레이의 활성 영역 위에 배치된 제1 금속 메시 층에 배치된 금속 메시로 형성된 복수의 터치 전극들을 포함할 수 있다. 복수의 터치 전극들은, 제1 열 터치 전극 및 제2 열 터치 전극을 포함하는 복수의 인접 열 터치 전극들; 및 제1 행 터치 전극 및 제2 행 터치 전극을 포함하는 복수의 행 터치 전극들을 포함할 수 있다. 제1 행 터치 전극은 제1 금속 메시 층과 상이한 제2 금속 메시 층에 적어도 부분적으로 형성된 제1 복수의 브리지들에 의해 상호연결된 제1 복수의 터치 전극 세그먼트들로 형성될 수 있다. 제2 행 터치 전극은 제2 금속 메시 층에 적어도 부분적으로 형성된 제2 복수의 브리지들에 의해 상호연결된 제2 복수의 터치 전극 세그먼트들로 형성될 수 있다. 제1 복수의 터치 전극 세그먼트들은 제1 터치 전극 세그먼트 및 제2 터치 전극 세그먼트를 포함한다. 제1 구역은 제1 터치 전극 세그먼트와 제2 터치 전극 세그먼트 사이에 있다. 제2 복수의 터치 전극 세그먼트들은 제4 터치 전극 세그먼트, 제5 터치 전극 세그먼트, 및 제6 터치 전극 세그먼트를 포함한다. 제4 터치 전극 세그먼트, 제5 터치 전극 세그먼트, 및 제6 터치 전극 세그먼트는 제2 행 터치 전극 내에서 연속적일 수 있다. 제1 터치 전극 세그먼트와 제2 터치 전극 세그먼트 사이의 거리는 제4 터치 전극 세그먼트와 제6 터치 전극 세그먼트 사이의 거리보다 클 수 있다.
본 개시내용의 일부 예들은 터치 스크린에 관한 것이다. 터치 스크린은, 활성 영역을 갖는 디스플레이; 제1 구역에 대응하는 위치에서의 활성 영역 내의 광학 디바이스; 및 디스플레이의 활성 영역 위에 배치된 제1 층에 배치된 복수의 터치 전극들을 포함할 수 있다. 복수의 터치 전극들은, 제1 열 터치 전극 및 제2 열 터치 전극을 포함하는 복수의 열 터치 전극들 - 제1 열 터치 전극 및 제2 열 터치 전극은 적어도 부분적으로 금속 메시로 형성됨 -; 및 적어도 부분적으로 금속 메시로 형성된 복수의 행 터치 전극들을 포함할 수 있다. 복수의 행 터치 전극들 중 제1 행 터치 전극은, 제1 층과 상이한 제2 층에 적어도 부분적으로 형성된 제1 복수의 브리지들에 의해 상호연결된 복수의 터치 전극 세그먼트들로 형성될 수 있다. 제1 열 터치 전극의 제1 부분, 제2 열 터치 전극의 제1 부분, 또는 제1 구역 내의 복수의 터치 전극 세그먼트들 중 적어도 하나의 제1 부분은 투명 재료로 형성될 수 있다. 위에 개시된 하나 이상의 예들에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 투명 재료로 형성된 제1 열 터치 전극의 제1 부분, 제2 열 터치 전극의 제1 부분, 또는 제1 구역 내의 복수의 터치 전극 세그먼트들 중 적어도 하나의 제1 부분은 제1 패턴으로 패턴화될 수 있다. 위에 개시된 예들 중 하나 이상에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제1 열 터치 전극의 제2 부분, 제2 열 터치 전극의 제2 부분, 또는 제1 구역 외부의 복수의 터치 전극 세그먼트들 중 적어도 하나의 제2 부분은 제1 패턴으로 패턴화된 금속 메시로 형성될 수 있다. 위에 개시된 하나 이상의 예들에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 투명 재료로 형성된 제1 열 터치 전극의 제1 부분, 제2 열 터치 전극의 제1 부분, 또는 제1 구역 내의 복수의 터치 전극 세그먼트들 중 적어도 하나의 제1 부분은 중실형일 수 있다. 위에 개시된 하나 이상의 예들에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제1 열 터치 전극의 제1 부분, 제2 열 터치 전극의 제1 부분, 또는 제1 구역 내의 복수의 터치 전극 세그먼트들 중 적어도 하나의 제1 부분은 제2 층에, 또는 제1 층 및 제2 층과 상이한 제3 층에 배치될 수 있다. 위에 개시된 하나 이상의 예들에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제2 층 또는 제3 층에 배치된 제1 열 터치 전극의 제1 부분은 제1 비아를 사용하여 제1 구역 외부의 제1 열 터치 전극의 제2 부분에 커플링될 수 있거나, 제2 층 또는 제3 층에 배치된 제2 열 터치 전극의 제1 부분은 제2 비아를 사용하여 제1 구역 외부의 제2 열 터치 전극의 제2 부분에 커플링될 수 있거나, 또는 제2 층 또는 제3 층에 배치된 복수의 터치 전극 세그먼트들 중 적어도 하나의 제1 부분은 제3 비아를 사용하여 제1 구역 외부의 복수의 터치 전극 세그먼트들 중 적어도 하나의 제2 부분에 커플링될 수 있다. 위에 개시된 하나 이상의 예들에 추가적으로 또는 대안적으로, 일부 예들에서, 제2 층 또는 제3 층에 배치된 제1 열 터치 전극의 제1 부분은 제1 구역 외부의 제1 열 터치 전극의 제2 부분에 용량성으로 커플링될 수 있거나, 제2 층 또는 제3 층에 배치된 제2 열 터치 전극의 제1 부분은 제1 구역 외부의 제2 열 터치 전극의 제2 부분에 용량성으로 커플링될 수 있거나, 또는 제2 층 또는 제3 층에 배치된 복수의 터치 전극 세그먼트들 중 적어도 하나의 제1 부분은 제1 구역 외부의 복수의 터치 전극 세그먼트들 중 적어도 하나의 제2 부분에 용량성으로 커플링될 수 있다.
본 개시내용의 일부 예들은 터치 감응형 디바이스에 관한 것이다. 터치 감응형 디바이스는, 에너지 저장 디바이스; 통신 회로부; 터치 제어기; 및 터치 스크린을 포함할 수 있다. 터치 스크린은, 활성 영역을 갖는 디스플레이; 제1 구역에 대응하는 위치에서의 활성 영역 내의 광학 디바이스; 및 디스플레이의 활성 영역 위에 배치된 제1 층에 배치된 복수의 터치 전극들을 포함할 수 있다. 복수의 터치 전극들은, 제1 열 터치 전극 및 제2 열 터치 전극을 포함하는 복수의 열 터치 전극들 - 제1 열 터치 전극 및 제2 열 터치 전극은 적어도 부분적으로 금속 메시로 형성됨 -; 및 적어도 부분적으로 금속 메시로 형성된 복수의 행 터치 전극들을 포함할 수 있다. 복수의 행 터치 전극들 중 제1 행 터치 전극은, 제1 층과 상이한 제2 층에 적어도 부분적으로 형성된 제1 복수의 브리지들에 의해 상호연결된 복수의 터치 전극 세그먼트들로 형성될 수 있다. 제1 열 터치 전극의 제1 부분, 제2 열 터치 전극의 제1 부분, 또는 제1 구역 내의 복수의 터치 전극 세그먼트들 중 적어도 하나의 제1 부분은 투명 재료로 형성될 수 있다.
본 개시내용의 예들이 첨부 도면을 참조하여 충분히 기술되었지만, 다양한 변경들 및 수정들이 당업자에게 명백하게 될 것이라는 것이 주목될 것이다. 이러한 변경들 및 수정들은 첨부된 청구범위에 의해 정의된 바와 같이 본 개시내용의 예들의 범주 내에 포함되는 것으로 이해되어야 한다.

Claims (25)

  1. 터치 스크린으로서,
    활성 영역을 갖는 디스플레이;
    제1 구역에 대응하는 위치에서의 상기 활성 영역 내의 광학 디바이스; 및
    상기 디스플레이의 상기 활성 영역 위에 배치된 제1 층에 배치된 복수의 터치 전극들을 포함하고, 상기 복수의 터치 전극들은,
    제1 열 터치 전극 및 제2 열 터치 전극을 포함하는 복수의 열 터치 전극들 - 상기 제1 열 터치 전극 및 상기 제2 열 터치 전극은 적어도 부분적으로 금속 메시로 형성됨 -; 및
    적어도 부분적으로 금속 메시로 형성된 복수의 행 터치 전극들을 포함하고, 상기 복수의 행 터치 전극들 중 제1 행 터치 전극은, 상기 제1 층과 상이한 제2 층에 적어도 부분적으로 형성된 제1 복수의 브리지들에 의해 상호연결된 복수의 터치 전극 세그먼트들로 형성되고,
    상기 제1 열 터치 전극의 제1 부분, 상기 제2 열 터치 전극의 제1 부분, 또는 상기 제1 구역 내의 상기 복수의 터치 전극 세그먼트들 중 상기 적어도 하나의 제1 부분은 투명 재료로 형성되는, 터치 스크린.
  2. 제1항에 있어서, 상기 투명 재료로 형성된 상기 제1 열 터치 전극의 상기 제1 부분, 상기 제2 열 터치 전극의 상기 제1 부분, 또는 상기 제1 구역 내의 상기 복수의 터치 전극 세그먼트들 중 상기 적어도 하나의 상기 제1 부분은 제1 패턴으로 패턴화되는, 터치 스크린.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1 열 터치 전극의 제2 부분, 상기 제2 열 터치 전극의 제2 부분, 또는 상기 제1 구역 외부의 상기 복수의 터치 전극 세그먼트들 중 상기 적어도 하나의 제2 부분은 상기 제1 패턴으로 패턴화된 상기 금속 메시로 형성되는, 터치 스크린.
  4. 제1항에 있어서, 상기 투명 재료로 형성된 상기 제1 열 터치 전극의 상기 제1 부분, 상기 제2 열 터치 전극의 상기 제1 부분, 또는 상기 제1 구역 내의 상기 복수의 터치 전극 세그먼트들 중 상기 적어도 하나의 상기 제1 부분은 중실형인, 터치 스크린.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1 열 터치 전극의 상기 제1 부분, 상기 제2 열 터치 전극의 상기 제1 부분, 또는 상기 제1 구역 내의 상기 복수의 터치 전극 세그먼트들 중 상기 적어도 하나의 상기 제1 부분은 상기 제2 층에, 또는 상기 제1 층 및 상기 제2 층과 상이한 제3 층에 배치되는, 터치 스크린.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제2 층 또는 상기 제3 층에 배치된 상기 제1 열 터치 전극의 상기 제1 부분은 제1 비아를 사용하여 상기 제1 구역 외부의 상기 제1 열 터치 전극의 제2 부분에 커플링되거나, 상기 제2 층 또는 상기 제3 층에 배치된 상기 제2 열 터치 전극의 상기 제1 부분은 제2 비아를 사용하여 상기 제1 구역 외부의 상기 제2 열 터치 전극의 제2 부분에 커플링되거나, 또는 상기 제2 층 또는 상기 제3 층에 배치된 상기 복수의 터치 전극 세그먼트들 중 상기 적어도 하나의 상기 제1 부분은 제3 비아를 사용하여 상기 제1 구역 외부의 상기 복수의 터치 전극 세그먼트들 중 상기 적어도 하나의 제2 부분에 커플링되는, 터치 스크린.
  7. 제5항에 있어서, 상기 제2 층 또는 상기 제3 층에 배치된 상기 제1 열 터치 전극의 상기 제1 부분은 상기 제1 구역 외부의 상기 제1 열 터치 전극의 제2 부분에 용량성으로 커플링되거나, 상기 제2 층 또는 상기 제3 층에 배치된 상기 제2 열 터치 전극의 상기 제1 부분은 상기 제1 구역 외부의 상기 제2 열 터치 전극의 제2 부분에 용량성으로 커플링되거나, 또는 상기 제2 층 또는 상기 제3 층에 배치된 상기 복수의 터치 전극 세그먼트들 중 상기 적어도 하나의 상기 제1 부분은 상기 제1 구역 외부의 상기 복수의 터치 전극 세그먼트들 중 상기 적어도 하나의 제2 부분에 용량성으로 커플링되는, 터치 스크린.
  8. 제1항에 있어서, 상기 복수의 행 터치 전극들은 제2 복수의 브리지들에 의해 상호연결된 제2 복수의 터치 전극 세그먼트들로 형성된 제2 행 터치 전극을 포함하고;
    상기 복수의 터치 전극 세그먼트들은 제1 터치 전극 세그먼트 및 제2 터치 전극 세그먼트를 포함하고, 상기 제1 구역은 상기 제1 터치 전극 세그먼트와 상기 제2 터치 전극 세그먼트 사이에 있고;
    상기 제2 복수의 터치 전극 세그먼트들은 제4 터치 전극 세그먼트, 제5 터치 전극 세그먼트, 및 제6 터치 전극 세그먼트를 포함하고, 상기 제4 터치 전극 세그먼트, 상기 제5 터치 전극 세그먼트, 및 상기 제6 터치 전극 세그먼트는 상기 제2 행 터치 전극 내에서 연속적이고;
    상기 제1 터치 전극 세그먼트와 상기 제2 터치 전극 세그먼트 사이의 거리는 상기 제4 터치 전극 세그먼트와 상기 제6 터치 전극 세그먼트 사이의 거리보다 큰, 터치 스크린.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제1 터치 전극 세그먼트는 상기 제1 열 터치 전극에 대응하고, 상기 제2 터치 전극 세그먼트는 상기 제2 열 터치 전극에 대응하고, 상기 제4 터치 전극 세그먼트는 상기 제1 열 터치 전극에 대응하고, 상기 제5 터치 전극 세그먼트는 상기 제1 열 터치 전극 및 상기 제2 열 터치 전극에 대응하고, 상기 제6 터치 전극 세그먼트는 상기 제2 열 터치 전극에 대응하는, 터치 스크린.
  10. 제8항에 있어서, 상기 복수의 터치 전극 세그먼트들은 제3 터치 전극 세그먼트를 포함하고, 수평 축을 따라 상기 제3 터치 전극 세그먼트를 가로지르는 거리는 상기 수평 축을 따라 상기 제5 터치 전극 세그먼트를 가로지르는 거리보다 큰, 터치 스크린.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제3 터치 전극 세그먼트는 상기 제1 열 터치 전극 및 상기 제2 열 터치 전극에 대응하는, 터치 스크린.
  12. 제10항에 있어서, 상기 제1 복수의 브리지들은 상기 제1 터치 전극 세그먼트와 상기 제3 터치 전극 세그먼트 사이의 제1 브리지 및 상기 제2 터치 전극 세그먼트와 상기 제3 터치 전극 세그먼트 사이의 제2 브리지를 포함하고, 상기 제1 브리지 및 상기 제2 브리지는 상기 제1 구역 외부에 있는, 터치 스크린.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제1 브리지 및 상기 제2 브리지는 함께 상기 제1 구역을 둘러싸는, 터치 스크린.
  14. 터치 감응형 디바이스로서,
    에너지 저장 디바이스;
    통신 회로부;
    터치 제어기; 및
    터치 스크린을 포함하고, 상기 터치 스크린은,
    활성 영역을 갖는 디스플레이;
    제1 구역에 대응하는 위치에서의 상기 활성 영역 내의 광학 디바이스; 및
    상기 디스플레이의 상기 활성 영역 위에 배치된 제1 층에 배치된 복수의 터치 전극들을 포함하며, 상기 복수의 터치 전극들은,
    제1 열 터치 전극 및 제2 열 터치 전극을 포함하는 복수의 열 터치 전극들 - 상기 제1 열 터치 전극 및 상기 제2 열 터치 전극은 적어도 부분적으로 금속 메시로 형성됨 -; 및
    적어도 부분적으로 금속 메시로 형성된 복수의 행 터치 전극들을 포함하고, 상기 복수의 행 터치 전극들 중 제1 행 터치 전극은, 상기 제1 층과 상이한 제2 층에 적어도 부분적으로 형성된 제1 복수의 브리지들에 의해 상호연결된 복수의 터치 전극 세그먼트들로 형성되고,
    상기 제1 열 터치 전극의 제1 부분, 상기 제2 열 터치 전극의 제1 부분, 또는 상기 제1 구역 내의 상기 복수의 터치 전극 세그먼트들 중 상기 적어도 하나의 제1 부분은 투명 재료로 형성되는, 터치 감응형 디바이스.
  15. 제14항에 있어서, 상기 투명 재료로 형성된 상기 제1 열 터치 전극의 상기 제1 부분, 상기 제2 열 터치 전극의 상기 제1 부분, 또는 상기 제1 구역 내의 상기 복수의 터치 전극 세그먼트들 중 상기 적어도 하나의 상기 제1 부분은 제1 패턴으로 패턴화되는, 터치 감응형 디바이스.
  16. 제15항에 있어서, 상기 제1 열 터치 전극의 제2 부분, 상기 제2 열 터치 전극의 제2 부분, 또는 상기 제1 구역 외부의 상기 복수의 터치 전극 세그먼트들 중 상기 적어도 하나의 제2 부분은 상기 제1 패턴으로 패턴화된 상기 금속 메시로 형성되는, 터치 감응형 디바이스.
  17. 제14항에 있어서, 상기 투명 재료로 형성된 상기 제1 열 터치 전극의 상기 제1 부분, 상기 제2 열 터치 전극의 상기 제1 부분, 또는 상기 제1 구역 내의 상기 복수의 터치 전극 세그먼트들 중 상기 적어도 하나의 상기 제1 부분은 중실형인, 터치 감응형 디바이스.
  18. 제14항에 있어서, 상기 제1 열 터치 전극의 상기 제1 부분, 상기 제2 열 터치 전극의 상기 제1 부분, 또는 상기 제1 구역 내의 상기 복수의 터치 전극 세그먼트들 중 상기 적어도 하나의 상기 제1 부분은 상기 제2 층에, 또는 상기 제1 층 및 상기 제2 층과 상이한 제3 층에 배치되는, 터치 감응형 디바이스.
  19. 제18항에 있어서, 상기 제2 층 또는 상기 제3 층에 배치된 상기 제1 열 터치 전극의 상기 제1 부분은 제1 비아를 사용하여 상기 제1 구역 외부의 상기 제1 열 터치 전극의 제2 부분에 커플링되거나, 상기 제2 층 또는 상기 제3 층에 배치된 상기 제2 열 터치 전극의 상기 제1 부분은 제2 비아를 사용하여 상기 제1 구역 외부의 상기 제2 열 터치 전극의 제2 부분에 커플링되거나, 또는 상기 제2 층 또는 상기 제3 층에 배치된 상기 복수의 터치 전극 세그먼트들 중 상기 적어도 하나의 상기 제1 부분은 제3 비아를 사용하여 상기 제1 구역 외부의 상기 복수의 터치 전극 세그먼트들 중 상기 적어도 하나의 제2 부분에 커플링되는, 터치 감응형 디바이스.
  20. 제14항에 있어서, 상기 복수의 행 터치 전극들은 제2 복수의 브리지들에 의해 상호연결된 제2 복수의 터치 전극 세그먼트들로 형성된 제2 행 터치 전극을 포함하고;
    상기 복수의 터치 전극 세그먼트들은 제1 터치 전극 세그먼트 및 제2 터치 전극 세그먼트를 포함하고, 상기 제1 구역은 상기 제1 터치 전극 세그먼트와 상기 제2 터치 전극 세그먼트 사이에 있고;
    상기 제2 복수의 터치 전극 세그먼트들은 제4 터치 전극 세그먼트, 제5 터치 전극 세그먼트, 및 제6 터치 전극 세그먼트를 포함하고, 상기 제4 터치 전극 세그먼트, 상기 제5 터치 전극 세그먼트, 및 상기 제6 터치 전극 세그먼트는 상기 제2 행 터치 전극 내에서 연속적이고;
    상기 제1 터치 전극 세그먼트와 상기 제2 터치 전극 세그먼트 사이의 거리는 상기 제4 터치 전극 세그먼트와 상기 제6 터치 전극 세그먼트 사이의 거리보다 큰, 터치 감응형 디바이스.
  21. 제20항에 있어서, 상기 제1 터치 전극 세그먼트는 상기 제1 열 터치 전극에 대응하고, 상기 제2 터치 전극 세그먼트는 상기 제2 열 터치 전극에 대응하고, 상기 제4 터치 전극 세그먼트는 상기 제1 열 터치 전극에 대응하고, 상기 제5 터치 전극 세그먼트는 상기 제1 열 터치 전극 및 상기 제2 열 터치 전극에 대응하고, 상기 제6 터치 전극 세그먼트는 상기 제2 열 터치 전극에 대응하는, 터치 감응형 디바이스.
  22. 제20항에 있어서, 상기 복수의 터치 전극 세그먼트들은 제3 터치 전극 세그먼트를 포함하고, 수평 축을 따라 상기 제3 터치 전극 세그먼트를 가로지르는 거리는 상기 수평 축을 따라 상기 제5 터치 전극 세그먼트를 가로지르는 거리보다 큰, 터치 감응형 디바이스.
  23. 제22항에 있어서, 상기 제3 터치 전극 세그먼트는 상기 제1 열 터치 전극 및 상기 제2 열 터치 전극에 대응하는, 터치 감응형 디바이스.
  24. 제22항에 있어서, 상기 제1 복수의 브리지들은 상기 제1 터치 전극 세그먼트와 상기 제3 터치 전극 세그먼트 사이의 제1 브리지 및 상기 제2 터치 전극 세그먼트와 상기 제3 터치 전극 세그먼트 사이의 제2 브리지를 포함하고, 상기 제1 브리지 및 상기 제2 브리지는 상기 제1 구역 외부에 있는, 터치 감응형 디바이스.
  25. 터치 스크린으로서,
    활성 영역을 갖는 디스플레이;
    제1 구역에 대응하는 위치에서의 상기 활성 영역 내의 광학 디바이스; 및
    상기 디스플레이의 상기 활성 영역 위에 배치된 제1 금속 메시 층에 배치된 금속 메시로 형성된 복수의 터치 전극들을 포함하고, 상기 복수의 터치 전극들은,
    제1 열 터치 전극 및 제2 열 터치 전극을 포함하는 복수의 인접 열 터치 전극들; 및
    제1 행 터치 전극 및 제2 행 터치 전극을 포함하는 복수의 행 터치 전극들을 포함하고, 상기 제1 행 터치 전극은 상기 제1 금속 메시 층과 상이한 제2 금속 메시 층에 적어도 부분적으로 형성된 제1 복수의 브리지들에 의해 상호연결된 제1 복수의 터치 전극 세그먼트들로 형성되고, 상기 제2 행 터치 전극은 상기 제2 금속 메시 층에 적어도 부분적으로 형성된 제2 복수의 브리지들에 의해 상호연결된 제2 복수의 터치 전극 세그먼트들로 형성되고;
    상기 제1 복수의 터치 전극 세그먼트들은 제1 터치 전극 세그먼트 및 제2 터치 전극 세그먼트를 포함하고, 상기 제1 구역은 상기 제1 터치 전극 세그먼트와 상기 제2 터치 전극 세그먼트 사이에 있고;
    상기 제2 복수의 터치 전극 세그먼트들은 제4 터치 전극 세그먼트, 제5 터치 전극 세그먼트, 및 제6 터치 전극 세그먼트를 포함하고, 상기 제4 터치 전극 세그먼트, 상기 제5 터치 전극 세그먼트, 및 상기 제6 터치 전극 세그먼트는 상기 제2 행 터치 전극 내에서 연속적이고;
    상기 제1 터치 전극 세그먼트와 상기 제2 터치 전극 세그먼트 사이의 거리는 상기 제4 터치 전극 세그먼트와 상기 제6 터치 전극 세그먼트 사이의 거리보다 큰, 터치 스크린.
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