KR20230122859A - Template assembly cleaning apparatus and method thereof - Google Patents

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이충희
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Abstract

템플릿 어셈블리 세정 장치는 템플릿 어셈블리를 갖는 압력 전달 척이 고정되는 지그 어셈블리와, 템플릿 어셈블리의 상측에 배치되어, 세정액을 공급하는 세정액 공급 노즐과, 템플릿 어셈블리를 사이에 두고 지그 어셈블리와 마주보도록 위치되어, 템플릿 어셈블리를 세정하는 브러쉬 어셈블리를 포함한다.The template assembly cleaning device includes a jig assembly to which a pressure transfer chuck having a template assembly is fixed, a cleaning liquid supply nozzle disposed above the template assembly and supplying a cleaning liquid, and a template assembly positioned to face the jig assembly with the template assembly interposed therebetween, and a brush assembly for cleaning the template assembly.

Description

템플릿 어셈블리 세정 장치 및 그 방법{Template assembly cleaning apparatus and method thereof}Template assembly cleaning apparatus and method thereof

실시예는 템플릿 어셈블리 세정 장치 및 그 방법에 관한 것이다.Embodiments relate to a template assembly cleaning apparatus and method.

일반적으로 웨이퍼 제조공정에서는 웨이퍼의 평탄도를 향상시키기 위하여 경면 연마공정을 수행하고 있는데, 이러한 평탄화 기술 중 가장 중요한 기술은 화학적/기계적 연마(CMP: Chemical Mechanical Polishing)이다.In general, in a wafer manufacturing process, a mirror polishing process is performed to improve the flatness of a wafer, and the most important technology among these flattening technologies is chemical mechanical polishing (CMP).

화학적/기술적 연마 공정은 화학적 연마제인 슬러리(slurry)를 연마 패드 등의 연마면 상에 공급하면서 반도체 웨이퍼를 연마면에 접촉시켜 연마를 행하는 것이며, 이러한 CMP 공정은 웨이퍼 폴리싱 장치에 의해 진행된다.In the chemical/technical polishing process, polishing is performed by bringing a semiconductor wafer into contact with the polishing surface while supplying slurry, which is a chemical abrasive, onto a polishing surface such as a polishing pad. This CMP process is performed by a wafer polishing device.

웨이퍼 폴리싱 장치에는 폴리싱 공정시 웨이퍼를 잡아주기 위한 템플릿 어셈블리가 구비된다. 즉, 템플릿 어셈블리에 웨이퍼가 고정된 후, 테이블 상에 연마재인 슬러리가 분사되고, 테이블과 템플릿 어셈블리가 회전함에 따라 웨이퍼의 연마가 이루어진다. A wafer polishing apparatus includes a template assembly for holding a wafer during a polishing process. That is, after the wafer is fixed to the template assembly, a slurry as an abrasive is sprayed onto the table, and the wafer is polished as the table and the template assembly rotate.

하지만, 종래에는 도 1에 도시한 바와 같이, 폴리싱 공정시 템플릿 어셈블리에 존재하는 오염 소스(7)가 웨이퍼(1) 상의 shallow damage(3)에 침투하여 웨이퍼(1) 표면을 볼록한 형상의 데미지(damage)(5)를 형성한다. 이에 따라, 블록한 형상의 데미지(5)에 의해 블록한 형상의 데미지(5) 주변의 웨이퍼(1)에 대한 연마가 원활하게 이루어지지 않아 웨이퍼(1)의 품질이 저하되는 문제가 있었다.However, conventionally, as shown in FIG. 1, the contamination source 7 existing in the template assembly during the polishing process penetrates into the shallow damage 3 on the wafer 1 and causes convex damage on the surface of the wafer 1 ( damage) (5). Accordingly, there is a problem in that the quality of the wafer 1 is deteriorated because the damage 5 of the blocked shape does not smoothly polish the wafer 1 around the damage 5 of the blocked shape.

실시예는 전술한 문제 및 다른 문제를 해결하는 것을 목적으로 한다.Embodiments are aimed at solving the foregoing and other problems.

실시예의 다른 목적은 템플릿 어셈블리의 오염 소스를 제거할 수 있는 템플릿 어셈블리 세정 장치 및 그 방법을 제공하는 것이다.Another object of the embodiments is to provide a template assembly cleaning apparatus and method capable of removing contamination sources of the template assembly.

실시예의 기술적 과제는 본 항목에 기재된 것에 한정되지 않으며, 발명의 설명을 통해 파악될 수 있는 것을 포함한다.The technical problems of the embodiments are not limited to those described in this section, and include those that can be grasped through the description of the invention.

상기 또는 다른 목적을 달성하기 위해 실시예의 제1 측면에 따르면, 템플릿 어셈블리 세정 장치는, 템플릿 어셈블리를 갖는 압력 전달 척이 고정되는 지그 어셈블리; 상기 템플릿 어셈블리의 상측에 배치되어, 세정액을 공급하는 세정액 공급 노즐; 및 상기 템플릿 어셈블리를 사이에 두고 상기 지그 어셈블리와 마주보도록 위치되어, 상기 템플릿 어셈블리를 세정하는 브러쉬 어셈블리;를 포함한다. In order to achieve the above or other object, according to a first aspect of the embodiment, a template assembly cleaning device includes a jig assembly to which a pressure transmission chuck having a template assembly is fixed; a cleaning liquid supply nozzle disposed above the template assembly to supply a cleaning liquid; and a brush assembly positioned to face the jig assembly with the template assembly interposed therebetween to clean the template assembly.

상기 지그 어셈블리는 돌기들을 포함하고, 상기 압력 전달 척은 상기 돌기들을 통해 상기 지그 어셈블리에 고정될 수 있다. The jig assembly may include protrusions, and the pressure transmitting chuck may be fixed to the jig assembly through the protrusions.

상기 압력 전달 척은 진공 흡착 방식을 이용하여 상기 지그 어셈블리에 고정될 수 있다. The pressure transmission chuck may be fixed to the jig assembly using a vacuum adsorption method.

상기 브러쉬 어셈블리는 브러쉬를 포함하고, 상기 브러쉬는, 상기 템플릿 어셈블리를 향하여 또는 상기 템플릿 어셈블리로부터 멀어지도록 이동 가능하며, 상기 템플릿 어셈블리의 표면에 접하여 회전될 수 있다. The brush assembly includes a brush, and the brush is movable toward or away from the template assembly, and is rotatable in contact with a surface of the template assembly.

상기 템플릿 어셈블리의 표면은 지면에 수직한 방향으로 기립된 채로 상기 지그 어셈블리에 고정되어, 상기 템플릿 어셈블리의 표면에 대한 세정 공정시 발생된 오염 소스가 낙하될 수 있다. The surface of the template assembly is fixed to the jig assembly while standing upright on the ground, so that a contamination source generated during a cleaning process on the surface of the template assembly may fall.

상기 지그 어셈블리의 지그의 면적은 상기 템플릿 어셈블리의 면적보다 클 수 있다.An area of the jig of the jig assembly may be larger than that of the template assembly.

상기 또는 다른 목적을 달성하기 위해 실시예의 제2 측면에 따르면, 템플릿 어셈블리 세정 방법은, 상기 템플릿 어셈블리 세정 장치를 이용하여 상기 템플릿 어셈블리를 1차 세정하는 단계; 상기 템플릿 어셈블리를 갖는 압력 전달 척을 웨이퍼 폴리싱 장치의 헤드에 장착한 후, 세정액을 상기 템플릿 어셈블리에 분사하여 상기 템플릿 어셈블리를 2차 세정하는 단계; 및 더미 웨이퍼를 이용한 폴리싱 공정을 수행하여 상기 템플릿 어셈블리를 3차 세정하는 단계;를 포함한다. In order to achieve the above or other object, according to a second aspect of the embodiment, a template assembly cleaning method includes: firstly cleaning the template assembly using the template assembly cleaning device; mounting the pressure transfer chuck having the template assembly on a head of a wafer polishing apparatus, and then spraying a cleaning liquid to the template assembly to perform secondary cleaning of the template assembly; and thirdly cleaning the template assembly by performing a polishing process using a dummy wafer.

상기 1차 세정하는 단계는, 상기 템플릿 어셈블리를 갖는 압력 전달 척을 상기 지그 어셈블리에 고정하는 단계; 상기 브러쉬 어셈블리가 상기 템플릿 어셈블리의 표면에 접하도록 상기 브러쉬 어셈블리를 상기 템플릿 어셈블리를 향해 이동하는 단계; 및 상기 세정액 공급 노즐로부터 상기 템플릿 어셈블리의 표면을 향해 세정액을 분사하고 상기 브러쉬 어셈블리의 상기 브러쉬를 회전하는 단계;를 포함할 수 있다.The primary cleaning may include fixing the pressure transfer chuck having the template assembly to the jig assembly; moving the brush assembly toward the template assembly so that the brush assembly comes into contact with a surface of the template assembly; and spraying the cleaning liquid from the cleaning liquid supply nozzle toward the surface of the template assembly and rotating the brush of the brush assembly.

실시예에 따른 템플릿 어셈블리 세정 장치 및 그 방법의 효과에 대해 설명하면 다음과 같다.Effects of the template assembly cleaning apparatus and method according to the embodiment are described below.

실시예들 중 적어도 하나에 의하면, 템플릿 어셈블리를 웨이퍼 폴리싱 장치에 장착하기 전에 지그 어셈블리에 고정시켜 세정액과 브러쉬를 이용하여 1차 세정하여, 템플릿 어셈블리에 존재하는 오염 소스를 미리 제거함으로써, 템플릿 어셈블리를 웨이퍼 폴리싱 장치에 장착한 후 폴리싱 공정 수행시 템플릿 어셈블리에 존재하는 오염 소스에 의해 웨이퍼의 데미지를 유발하여 불균일한 연마에 의한 경면 불량과 같은 품질 저하를 방지할 수 있다는 장점이 있다.According to at least one of the embodiments, before mounting the template assembly on a wafer polishing apparatus, the template assembly is fixed to a jig assembly and is primarily cleaned using a cleaning solution and a brush to remove contamination sources present in the template assembly in advance. When the polishing process is performed after mounting in the wafer polishing apparatus, contamination sources present in the template assembly may cause damage to the wafer, and thus, quality degradation such as mirror surface defect due to non-uniform polishing may be prevented.

실시예들 중 적어도 하나에 의하면, 1차 세정, 2차 세정 및 3차 세정을 통해 템플릿 어셈블리의 오염 소스를 최대한 많이 제거하거나 완전히 제거함으로써, 해당 오염 소스에 의해 불균일한 연마가 유발되고, 이러한 불균일한 연마에 의한 경면 불량과 같은 품질 저하를 방지할 수 있다는 장점이 있다.According to at least one of the embodiments, by removing or completely removing as many contamination sources of the template assembly as possible through primary cleaning, secondary cleaning, and tertiary cleaning, non-uniform polishing is caused by the contamination source, and such non-uniformity It has the advantage of being able to prevent quality deterioration such as mirror surface defects caused by polishing.

한편, 템플릿 어셈블리의 표면이 지면에 수직한 방향으로 기립되도록 하여 템플릿 어셈블리 또는 압력 전달 척이 지그 어셈블리에 고정됨으로써, 템플릿 어셈블리의 표면에 대한 세정 공정시 발생된 오염 소스가 낙하될 수 있다. 이에 따라, 오염 소스가 낙하에 의해 자연적으로 제거됨으로써, 오염 소스의 잔류로 인한 웨이퍼의 재 오염을 방지할 뿐만 아니라 오염 소스의 제거를 위한 별도의 제거 장치가 필요하지 않아 비용이 저렴하고 구조가 단순할 수 있다.Meanwhile, since the template assembly or the pressure transfer chuck is fixed to the jig assembly by allowing the surface of the template assembly to stand in a direction perpendicular to the ground, a contamination source generated during a cleaning process on the surface of the template assembly may fall. Accordingly, the contaminant source is naturally removed by the drop, thereby preventing re-contamination of the wafer due to the remaining contamination source, and a separate removal device for removing the contaminant source is not required, so the cost is low and the structure is simple. can do.

실시예의 적용 가능성의 추가적인 범위는 이하의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다. 그러나 실시예의 사상 및 범위 내에서 다양한 변경 및 수정은 당업자에게 명확하게 이해될 수 있으므로, 상세한 설명 및 바람직한 실시예와 같은 특정 실시예는 단지 예시로 주어진 것으로 이해되어야 한다. A further scope of applicability of the embodiments will become apparent from the detailed description that follows. However, since various changes and modifications within the spirit and scope of the embodiments can be clearly understood by those skilled in the art, it should be understood that the detailed description and specific embodiments, such as preferred embodiments, are given by way of example only.

도 1은 템플릿 어셈블리의 오염 소스에 의해 웨이퍼가 오염되는 모습을 도시한다.
도 2는 실시예에 따른 웨이퍼 폴리싱 장치를 도시한 평면도이다.
도 3은 실시예에 따른 템플릿 어셈블리 세정 장치를 도시한 측단면도이다.
도 4는 실시예에 따른 템플릿 어셈블리 세정 장치를 도시한 정면도이다.
도 5는 실시예에 따른 템플릿 어셈블리의 1차 세정 방법을 설명하는 도면이다.
도 6은 실시예에 따른 템플릿 어셈블리의 2차 세정 방법을 설명하는 도면이다.
도 7은 실시예에 따른 템플릿 어셈블리의 3차 세정 방법을 설명하는 도면이다.1 shows a state in which a wafer is contaminated by a contamination source of a template assembly.
2 is a plan view showing a wafer polishing apparatus according to an embodiment.
3 is a side cross-sectional view illustrating a template assembly cleaning apparatus according to an embodiment.
4 is a front view illustrating a template assembly cleaning device according to an embodiment.
5 is a view explaining a primary cleaning method of a template assembly according to an embodiment.
6 is a view explaining a secondary cleaning method of a template assembly according to an embodiment.
7 is a view explaining a tertiary cleaning method of a template assembly according to an embodiment.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 '모듈' 및 '부'는 명세서 작성의 용이함이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것이며, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되는 것은 아니다. 또한, 층, 영역 또는 기판과 같은 요소가 다른 구성요소 '상(on)'에 존재하는 것으로 언급될 때, 이것은 직접적으로 다른 요소 상에 존재하거나 또는 그 사이에 다른 중간 요소가 존재할 수도 있는 것을 포함한다.Hereinafter, the embodiments disclosed in this specification will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the same or similar components are given the same reference numerals regardless of reference numerals, and redundant description thereof will be omitted. The suffixes 'module' and 'unit' for the components used in the following description are given or used interchangeably in consideration of ease of writing the specification, and do not themselves have a meaning or role that is distinct from each other. In addition, the accompanying drawings are for easy understanding of the embodiments disclosed in this specification, and the technical idea disclosed in this specification is not limited by the accompanying drawings. Also, when an element such as a layer, region or substrate is referred to as being 'on' another element, this includes being directly on the other element or other intervening elements may be present therebetween. do.

도 2는 실시예에 따른 웨이퍼 폴리싱 장치를 도시한 평면도이다.2 is a plan view showing a wafer polishing apparatus according to an embodiment.

도 2를 참조하면, 실시예에 따른 웨이퍼 폴리싱 장치는 본체(10), 2개 이상의 헤드(31, 32), 헤드 구동부(40) 및 테이블(20)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 2 , the wafer polishing apparatus according to the embodiment may include a main body 10, two or more heads 31 and 32, a head driver 40, and a table 20.

본체(10)는 중심에 구비되어 회전 가능한 박스 형상을 가질 수 있다. 복수의 테이블(20)이 본체(10)의 하측 둘레를 따라 위치될 수 있다. 테이블(20)은 원 형상을 가지며, 그 위에 적어도 2개 이상의 웨이퍼가 안착될 수 있다. 연마 패드(미도시)가 테이블(20) 상에 부착될 수 있다. The main body 10 may have a rotatable box shape provided at the center. A plurality of tables 20 may be positioned along the lower circumference of the main body 10 . The table 20 has a circular shape, and at least two or more wafers may be placed thereon. A polishing pad (not shown) may be attached on the table 20 .

2개 이상의 헤드(31, 32)가 본체(10)의 둘레에 설치될 수 있다. 헤드(31, 32) 각각은 웨이퍼를 진공 흡착 또는 진공 해제할 수 있다. 예컨대, 폴리싱 공정시 헤드(31, 32) 각각에 진공 흡착으로 웨이퍼가 부착되고, 폴리싱 공정이 완료된 후 헤드(31, 32) 각각에 부착된 웨이퍼는 진공 해제되어 웨이퍼가 헤드(31, 32) 각각으로부터 탈착될 수 있다. Two or more heads 31 and 32 may be installed around the body 10 . Each of the heads 31 and 32 may vacuum adsorb or release the vacuum on the wafer. For example, during the polishing process, a wafer is attached to each of the heads 31 and 32 by vacuum adsorption, and after the polishing process is completed, the vacuum is released from the wafer attached to each of the heads 31 and 32, so that the wafer is attached to each of the heads 31 and 32, respectively. can be detached from.

한편, 본체(10)의 하측 둘레 부분 중 테이블(20)이 위치되지 않는 영역은 폴리싱 가공 전/후의 웨이퍼가 로딩되는 위치일 수 있다.Meanwhile, an area where the table 20 is not located in the lower circumferential portion of the body 10 may be a position where wafers before/after polishing are loaded.

예컨대, 2개 이상의 웨이퍼가 로딩되면, 2개 이상의 헤드(31, 32)는 각각 웨이퍼들을 진공 흡착하고, 본체(10)가 90° 회전되면, 2개 이상의 헤드(31, 32)는 테이블(20) 위에 위치한다.For example, when two or more wafers are loaded, the two or more heads 31 and 32 vacuum each wafer, and when the main body 10 is rotated by 90°, the two or more heads 31 and 32 move the table 20 ) is located above.

다음, 2개 이상의 헤드(31, 32)는 헤드 구동부(40)의 수평 이동 유닛(42)에 의해 수평 이동하여 연마 위치가 조정되면, 헤드 구동부(40)의 승강 유닛(41)에 의해 수직 이동하여 웨이퍼들을 테이블(20)의 연마 패드에 맞닿도록 한 다음, 웨이퍼들을 연마 패드 측으로 가압한다.Next, when the two or more heads 31 and 32 are horizontally moved by the horizontal moving unit 42 of the head driving unit 40 and the polishing position is adjusted, the two or more heads 31 and 32 are moved vertically by the lifting unit 41 of the head driving unit 40. to bring the wafers into contact with the polishing pad of the table 20, and then press the wafers toward the polishing pad.

웨이퍼들과 연마 패드 사이에 슬러리를 공급하고, 웨이퍼들이 연마 패드에 가압된 상태에서 2개 이상의 헤드(31, 32)가 회전하면, 웨이퍼의 표면이 경면으로 연마되는 폴리싱 공정이 진행된다.When the slurry is supplied between the wafers and the polishing pad, and the two or more heads 31 and 32 rotate while the wafers are pressed against the polishing pad, a polishing process in which the surfaces of the wafers are mirror-polished is performed.

상기와 같은 폴리싱 공정은 본체(10)가 90°씩 회전하면서 각각의 테이블(20)에서 순차적으로 진행될 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다.The polishing process as described above may be sequentially performed on each table 20 while the main body 10 rotates by 90°, but is not limited thereto.

헤드(31, 32)의 하측에 압력 전달 척(도 6 및 도 7의 50)과 템플릿 어셈블리(60)가 체결될 수 있다. 템플릿 어셈블리(60)는 웨이퍼가 폴리싱 공정시 이탈되지 않고 고정될 수 있도록 구속시킬 수 있다. 압력 전달 척(50)은 템플릿 어셈블리(60)를 통해 공기를 흡수하거나 주입함으로써, 웨이퍼가 템플릿 어셈블리(60)에 고정되거나 고정 해제되도록 할 수 있다. 아울러, 압력 전달 척(50)은 폴리싱 공정시 압력을 웨이퍼에 가해 웨이퍼의 면이 테이블(20)의 면에 보다 강하게 접하도록 할 수 있다. The pressure transfer chuck (50 in FIGS. 6 and 7) and the template assembly 60 may be fastened to the lower side of the heads 31 and 32. The template assembly 60 may be constrained so that the wafer is fixed without being separated during the polishing process. The pressure transmission chuck 50 may absorb or inject air through the template assembly 60 so that the wafer is fixed to or released from the template assembly 60 . In addition, the pressure transfer chuck 50 may apply pressure to the wafer during the polishing process so that the surface of the wafer strongly contacts the surface of the table 20 .

한편, 템플릿 어셈블리(60)는 주기적으로 교체된다. 새로운 템플릿 어셈블리(60)를 압력 전달 척(50)을 통해 헤드(31, 32)에 체결한 후, 웨이퍼에 대한 폴리싱 공정이 수행될 수 있다. Meanwhile, the template assembly 60 is periodically replaced. After fastening the new template assembly 60 to the heads 31 and 32 through the pressure transfer chuck 50, a polishing process may be performed on the wafer.

새로운 템플릿 어셈블리(60)라고 하더라도, 템플릿 어셈블리(60)의 가공, 포장, 운송, 포장 해제 등의 과정을 통해 수많은 오염 소스(도 1의 7)가 유입되어 템플릿 어셈블리(60)에 달라붙을 수 있다. Even if it is a new template assembly 60, numerous contamination sources (7 in FIG. 1) may be introduced and adhere to the template assembly 60 through processes such as processing, packaging, transportation, and unpacking of the template assembly 60. .

이와 같이 수많은 오염 소스(7)가 달라붙은 템플릿 어셈블리(60)에 웨이퍼를 고정하여 폴리싱 공정을 수행하는 경우, 도 1에 도시한 바와 같이, 템플릿 어셈블리(60)의 오염 소스(7)가 웨이퍼로 전이되어, 웨이퍼의 비균일한 연마를 유발하여 경면 불량과 같은 품질 저하를 발생될 수 있다. When the polishing process is performed by fixing the wafer to the template assembly 60 to which numerous contamination sources 7 are attached, as shown in FIG. Transition can cause non-uniform polishing of the wafer, resulting in quality deterioration such as mirror surface defects.

실시예는 복수회의 세정 공정을 통해 템플릿 어셈블리(60)의 오염 소스를 제거함으로써, 종래의 웨이퍼의 품질 저하 문제를 해결할 수 있다. According to the embodiment, the contamination source of the template assembly 60 is removed through a plurality of cleaning processes, thereby solving the conventional wafer quality deterioration problem.

예컨대, 템플릿 어셈블리(60)를 웨이퍼 폴리싱 장치에 장착하기 전에 별도의 템플릿 어셈블리 세정 장치(도 3 및 도 4)를 이용하여 1차 세정이 수행될 수 있다. 이는 도 3 내지 도 5를 참조하여 설명한다.For example, first cleaning may be performed using a separate template assembly cleaning device (FIGS. 3 and 4) before mounting the template assembly 60 on the wafer polishing device. This will be explained with reference to FIGS. 3 to 5 .

예컨대, 템플릿 어셈블리(60)를 웨이퍼 폴리싱 장치에 장착한 후 템플릿 어셈블리(60)가 2차 세정될 수 있다. 이는 도 6을 참조하여 설명한다.For example, after mounting the template assembly 60 in the wafer polishing apparatus, the template assembly 60 may be secondarily cleaned. This will be explained with reference to FIG. 6 .

예컨대, 템플릿 어셈블리(60)에 더미 웨이퍼가 부착된 후 폴리싱 연마 공정이 수행됨으로써, 템플릿 어셈블리(60)가 3차 세정될 수 있다. 이는 도 7을 참조하여 설명한다.For example, a polishing process is performed after the dummy wafer is attached to the template assembly 60, so that the template assembly 60 can be cleaned 3rd time. This will be explained with reference to FIG. 7 .

도 3은 실시예에 따른 템플릿 어셈블리 세정 장치를 도시한 측단면도이다. 도 4는 실시예에 따른 템플릿 어셈블리 세정 장치를 도시한 정면도이다.3 is a side cross-sectional view illustrating a template assembly cleaning apparatus according to an embodiment. 4 is a front view illustrating a template assembly cleaning device according to an embodiment.

도 3 및 도 4를 참조하면, 실시예에 따른 템플릿 어셈블리 세정 장치(100)는 지그 어셈블리(110), 세정액 공급 노즐(130) 및 브러쉬 어셈블리(120)을 포함할 수 있다. 실시예에 따른 템플릿 어셈블리 세정 장치(100)는 이보다 더 많은 구성 요소들을 포함할 수도 있다. Referring to FIGS. 3 and 4 , the template assembly cleaning device 100 according to the embodiment may include a jig assembly 110 , a cleaning liquid supply nozzle 130 and a brush assembly 120 . The template assembly cleaning device 100 according to the embodiment may include more components than these.

지그 어셈블리(110)는 템플릿 어셈블리(60)을 갖는 압력 전달 척(50)이 고정될 수 있다. 세정액 공급 노들은 템플릿 어셈블리(60)의 상측에 배치되어, 세정액을 공급할 수 있다. 브러쉬 어셈블리(120)는 템플릿 어셈블리(60)를 사이에 두고 지그 어셈블리(110)와 마주보도록 위치되어, 템플릿 어셈블리(60)를 세정할 수 있다. 세정액은 초순수(DIW: DeIonized Water)일 수 있다.The pressure transfer chuck 50 having the template assembly 60 may be fixed to the jig assembly 110 . The cleaning solution supplying nozzle may be disposed above the template assembly 60 to supply the cleaning solution. The brush assembly 120 may be positioned to face the jig assembly 110 with the template assembly 60 interposed therebetween to clean the template assembly 60 . The cleaning solution may be deionized water (DIW).

템플릿 어셈블리(60)는 백(back) 패드(61)와 가이드 부재(62)를 포함할 수 있다. 백 패드(61)는 압력 전달 척(50)에 의해 전달된 압력을 웨이퍼에 전달하는 역할을 할 수 있다. 백 패드(61)가 웨이퍼를 가압하더라도 웨이퍼의 급격한 압력 전달로 인한 파손 등을 방지하기 위해 탄성력이 우수한 우레탄 재질로 이루어질 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. 가이드 부재(62)는 백 패드(61)의 가장장리로부터 돌출되는 부재로서, 백 패드(61)와 함께 홈부를 형성할 수 있다. 폴리싱 공정시 이 홈부에 웨이퍼가 고정될 수 있다. 가이드 부재(62)는 폴리싱 공정시 웨이퍼의 이탈을 방지하도록 가이드하는 역할을 하는 것으로서, 에폭시 글라스로 이루어질 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. The template assembly 60 may include a back pad 61 and a guide member 62 . The back pad 61 may serve to transfer the pressure transmitted by the pressure transfer chuck 50 to the wafer. Even if the back pad 61 presses the wafer, it may be made of a urethane material having excellent elasticity in order to prevent damage due to rapid pressure transmission of the wafer, but is not limited thereto. The guide member 62 is a member protruding from the edge of the back pad 61 and may form a groove together with the back pad 61 . A wafer may be fixed to the groove during a polishing process. The guide member 62 functions as a guide to prevent separation of the wafer during the polishing process, and may be made of epoxy glass, but is not limited thereto.

지그 어셈블리(110)는 몸체(111)와 지그(112)를 포함할 수 있다. 몸체(111)는 수직의 지지축(111a)과 지지축(111a)으로부터 수평 방향으로 연장되는 연장부(111b)를 포함할 수 있다. 몸체(111)는 상하로 승강되거나 회전 가능할 수 있다. 지그(112)는 몸체(111)의 연장부(111b)에 장착될 수 있다. 지그(112)는 원형 플레이트를 포함할 수 있다. 지그(112)의 표면에는 돌기들(113)이 구비될 수 있다. The jig assembly 110 may include a body 111 and a jig 112 . The body 111 may include a vertical support shaft 111a and an extension 111b extending in a horizontal direction from the support shaft 111a. The body 111 may be moved up and down or rotated. The jig 112 may be mounted on the extension 111b of the body 111. The jig 112 may include a circular plate. Protrusions 113 may be provided on the surface of the jig 112 .

돌기들(113)은 지그(112)의 표면의 복수의 영역 각각으로부터 돌출된 돌출 핀이거나 지그(112)의 가장자리를 따라 돌출된 돌출 테두리일 수 있다. The protrusions 113 may be protruding fins protruding from each of a plurality of regions of the surface of the jig 112 or protruding rims protruding along the edge of the jig 112 .

돌기들(113)에 의해 압력 전달 척(50)이 고정될 수 있다. 예컨대, 지그(112)의 돌출 핀들이 압력 전달 척(50)의 일측에 구비된 홈들 각각에 돌기들(113)이 삽입됨으로써, 압력 전달 척(50)이 지그(112)에 고정될 수 있다. 예컨대, 지그(112)의 돌출 테두리가 압력 전달 척(50)의 가장자리를 따라 구비된 오목 테두리에 삽입됨으로써, 압력 전달 척(50)이 지그(112)에 고정될 수 있다. 이 외에 다양한 방식으로 지그(112)와 압력 전달 척(50)이 고정될 수 있다. The pressure transmission chuck 50 may be fixed by the protrusions 113 . For example, the pressure transmitting chuck 50 may be fixed to the jig 112 by inserting the protrusions 113 into grooves provided on one side of the pressure transmitting chuck 50 by protruding pins of the jig 112 . For example, the pressure transmitting chuck 50 may be fixed to the jig 112 by inserting the protruding edge of the jig 112 into a concave edge provided along the edge of the pressure transmitting chuck 50 . In addition to this, the jig 112 and the pressure transmission chuck 50 may be fixed in various ways.

압력 전달 척(50)이 내부에 중공이 형성된 테두리 형상을 갖는 경우, 지그(112)의 돌기들(113)은 테두리 형상을 갖는 압력 전달 척(50)에 삽입되거나 압력 전달 척(50)을 경유하여 직접 템플릿 어셈블리(60)에 삽입됨으로써, 압력 전달 척(50) 또는 템플릿 어셈블리(60)가 지그(112)에 고정될 수 있다. When the pressure transmission chuck 50 has a rim shape with a hollow inside, the protrusions 113 of the jig 112 are inserted into the pressure transmission chuck 50 having a rim shape or pass through the pressure transmission chuck 50. and directly inserted into the template assembly 60 , the pressure transfer chuck 50 or the template assembly 60 may be fixed to the jig 112 .

즉, 압력 전달 척(50)의 일측에 구비된 홈들 각각에 돌기들(113)이 삽입됨으로써, 압력 전달 척(50)이 지그(112)에 고정될 수 있다. 압력 전달 척(50)이 지그(112)에 고정되기 전에, 압력 전달 척(50)의 타측에 템플릿 어셈블리(60)가 체결될 수 있다. That is, the pressure transmitting chuck 50 may be fixed to the jig 112 by inserting the protrusions 113 into each of the grooves provided on one side of the pressure transmitting chuck 50 . Before the pressure transmitting chuck 50 is fixed to the jig 112 , the template assembly 60 may be fastened to the other side of the pressure transmitting chuck 50 .

한편, 압력 전달 척(50)은 진공 흡착 방식을 이용하여 지그 어셈블리(110)에 고정될 수 있다. 예컨대, 압력 전달 척(50)은 진공 흡착 방식을 이용하여 지그 어셈블리(110)의 지그(112)에 고정될 수 있다. 예컨대, 몸체(111)를 통해 압력 전달 척(50)으로부터의 공기를 흡수함으로써, 압력 전달 척(50)이 지그(112)에 고정될 수 있다. 예컨대, 몸체(111)를 통해 압력 전달 척(50)으로 공기를 주입함으로써, 지그(112)에 고정된 압력 전달 척(50)의 고정이 해제될 수 있다. Meanwhile, the pressure transmission chuck 50 may be fixed to the jig assembly 110 using a vacuum adsorption method. For example, the pressure transmission chuck 50 may be fixed to the jig 112 of the jig assembly 110 using a vacuum adsorption method. For example, the pressure transmitting chuck 50 may be fixed to the jig 112 by absorbing air from the pressure transmitting chuck 50 through the body 111 . For example, the fixation of the pressure transmitting chuck 50 fixed to the jig 112 may be released by injecting air into the pressure transmitting chuck 50 through the body 111 .

이와 달리, 별도의 공기 주입 튜브가 압력 전달 척(50)과 연결되어, 공기 주입 튜브를 통해 공기가 흡수되거나 주입될 수 있다. Alternatively, a separate air injection tube may be connected to the pressure transmitting chuck 50, and air may be absorbed or injected through the air injection tube.

세정액 공급 노즐(130)은 세정액을 템플릿 어셈블리(60)를 향해 공급할 수 있다. 예컨대, 세정액 공급 노즐(130)은 세정액을 템플릿 어셈블리(60)의 표면을 향해 분사할 수 있다. The cleaning liquid supply nozzle 130 may supply the cleaning liquid toward the template assembly 60 . For example, the cleaning liquid supply nozzle 130 may spray the cleaning liquid toward the surface of the template assembly 60 .

브러쉬 어셈블리(120)는 몸체(121) 및 브러쉬(122)를 포함할 수 있다. 몸체(121)는 브러쉬(122)를 지지하는 역할을 할 수 있다. 몸체(121)는 전후로 이동 가능하며, 브러쉬(122)를 회전시키기 위해 회전될 수 있다. The brush assembly 120 may include a body 121 and a brush 122 . The body 121 may serve to support the brush 122 . The body 121 is movable back and forth and can be rotated to rotate the brush 122 .

예컨대, 몸체(121)가 템플릿 어셈블리(60)를 향해 이동하여 브러쉬(122)와 템플릿 어셈블리(60)가 면대면으로 접할 수 있다. 이후, 세정액이 세정액 공급 노즐(130)로부터 템플릿 어셈블리(60)를 향해 분사되고 있는 상태에서 몸체(121)가 회전됨으로써, 브러쉬(122)가 회전될 수 있다. 브러쉬(122)의 회전으로 브러쉬(122)와 템플릿 어셈블리(60) 간의 마찰과 세정액에 의해 템플릿 어셈블리(60) 상의 오염 소스가 제거되는 1차 세정이 수행될 수 있다. 1차 세정이 완료된 후, 몸체(121)의 회전이 중지되고 몸체(121)가 템플릿 어셈블리(60)로부터 멀어지도록 이동되어 원래의 위치로 복귀될 수 있다. For example, as the body 121 moves toward the template assembly 60, the brush 122 and the template assembly 60 may be brought into face-to-face contact. Thereafter, the brush 122 may be rotated by rotating the body 121 while the cleaning liquid is sprayed from the cleaning liquid supply nozzle 130 toward the template assembly 60 . Primary cleaning may be performed in which a contamination source on the template assembly 60 is removed by friction between the brush 122 and the template assembly 60 due to rotation of the brush 122 and a cleaning solution. After the primary cleaning is completed, the rotation of the body 121 is stopped, and the body 121 may be moved away from the template assembly 60 and returned to its original position.

한편, 1차 세정시, 템플릿 어셈블리(60)의 표면은 지면에 수직한 방향으로 기립될 수 있다. 이를 위해, 몸체(111)의 연장부(111b)에 장착된 지그(112)의 표면이 지면에 수직한 방향으로 기립되고, 해당 지그(112)의 표면에 압력 전달 척(50)이 돌기들(113)을 통해 고정될 수 있다. 템플릿 어셈블리(60)는 압력 전달 척(50)에 체결되므로, 템플릿 어셈블리(60) 또한 지그(112)의 표면과 마찬가지로 지면에 수직한 방향으로 기립될 수 있다. Meanwhile, during the first cleaning, the surface of the template assembly 60 may be raised in a direction perpendicular to the ground. To this end, the surface of the jig 112 mounted on the extension part 111b of the body 111 is erected in a direction perpendicular to the ground, and the pressure transfer chuck 50 on the surface of the corresponding jig 112 has protrusions ( 113) can be fixed. Since the template assembly 60 is fastened to the pressure transfer chuck 50, the template assembly 60 may also stand in a direction perpendicular to the ground like the surface of the jig 112.

템플릿 어셈블리의 표면이 지면에 수직한 방향으로 기립되도록 하여 템플릿 어셈블리 또는 압력 전달 척이 지그 어셈블리(110)에 고정됨으로써, 템플릿 어셈블리(60)의 표면에 대한 세정 공정시 발생된 오염 소스가 낙하될 수 있다. 오염 소스가 낙하에 의해 자연적으로 제거됨으로써, 오염 소스의 잔류로 인한 웨이퍼의 재 오염을 방지할 뿐만 아니라 오염 소스의 제거를 위한 별도의 제거 장치가 필요하지 않아 비용이 저렴하고 구조가 단순할 수 있다. Since the template assembly or the pressure transfer chuck is fixed to the jig assembly 110 by allowing the surface of the template assembly to stand in a direction perpendicular to the ground, the contamination source generated during the cleaning process on the surface of the template assembly 60 may fall. there is. Since the contamination source is naturally removed by falling, re-contamination of the wafer due to the remaining contamination source is prevented, and a separate removal device for removing the contamination source is not required, so the cost is low and the structure can be simple. .

한편, 지그 어셈블리(110)의 지그(112)의 면적은 템플릿 어셈블리(60) 또는 압력 전달 척(50)의 면적보다 클 수 있다. 예컨대, 지그 어셈블리(110)의 지그(112)의 직경은 템플릿 어셈블리(60) 또는 압력 전달 척(50)의 의 직경보다 클 수 있다. 이에 따라, 템플릿 어셈블리(60) 또는 압력 전달 척(50)의 지그 어셈블리(110)의 지그(112)에 대한 고정 자유도를 높일 수 있다. Meanwhile, the area of the jig 112 of the jig assembly 110 may be larger than the area of the template assembly 60 or the pressure transmitting chuck 50 . For example, the diameter of the jig 112 of the jig assembly 110 may be greater than the diameter of the template assembly 60 or the pressure transfer chuck 50 . Accordingly, a degree of freedom in fixing the jig assembly 110 of the template assembly 60 or the pressure transmitting chuck 50 to the jig 112 may be increased.

아울러 브러쉬(122)의 면적은 템플릿 어셈블리(60)의 면적보다 작을 수 있지만, 이에 대해서는 한정하지 않는다. In addition, the area of the brush 122 may be smaller than the area of the template assembly 60, but is not limited thereto.

실시예에 따르면, 템플릿 어셈블리(60)를 웨이퍼 폴리싱 장치에 장착하기 전에 지그 어셈블리(110)에 고정시켜 세정액과 브러쉬(122)를 이용하여 1차 세정하여, 템플릿 어셈블리(60)에 존재하는 오염 소스를 미리 제거함으로써, 템플릿 어셈블리(60)를 웨이퍼 폴리싱 장치에 장착한 후 폴리싱 공정 수행시 템플릿 어셈블리(60)에 존재하는 오염 소스에 의해 웨이퍼의 데미지를 유발하여 불균일한 연마에 의한 경면 불량과 같은 품질 저하를 방지할 수 있다.According to the embodiment, the template assembly 60 is fixed to the jig assembly 110 before being mounted on the wafer polishing apparatus, and the contamination source present in the template assembly 60 is first cleaned using a cleaning solution and a brush 122. By removing in advance, when the polishing process is performed after the template assembly 60 is mounted on the wafer polishing apparatus, the contamination source present in the template assembly 60 causes damage to the wafer, resulting in a quality such as a defective mirror surface due to non-uniform polishing. degradation can be prevented.

[템플릿 어셈블리(60)의 1차 세정 방법][Primary cleaning method of template assembly 60]

도 5는 실시예에 따른 템플릿 어셈블리의 1차 세정 방법을 설명하는 도면이다.5 is a view explaining a primary cleaning method of a template assembly according to an embodiment.

도 5에 도시한 바와 같이, 템플릿 어셈블리(60)를 갖는 압력 전달 척(50)이 고정 어셈블리에 고정된 후, 1차 세정이 수행될 수 있다. 즉, 브러쉬 어셈블리(120)의 브러쉬(122)가 템플릿 어셈블리(60)를 향해 이동하여 브러쉬(122)가 템플릿 어셈블리(60)의 표면에 접할 수 있다. As shown in FIG. 5 , after the pressure transmission chuck 50 having the template assembly 60 is fixed to the fixing assembly, primary cleaning may be performed. That is, the brush 122 of the brush assembly 120 moves toward the template assembly 60 so that the brush 122 may contact the surface of the template assembly 60 .

이후, 세정액이 세정액 공급 노즐(130)로부터 템플릿 어셈블리(60)의 표면을 향해 분사되고 브러쉬(122)가 회전됨으로써, 1차 세정이 수행될 수 있다. 1차 세정에 의해 템플릿 어셈블리(60)로부터 제거된 오염 소스가 낙하될 수 있다.Thereafter, the cleaning liquid is sprayed from the cleaning liquid supply nozzle 130 toward the surface of the template assembly 60 and the brush 122 is rotated, thereby performing primary cleaning. Contamination sources removed from the template assembly 60 by the primary cleaning may fall.

[템플릿 어셈블리(60)의 2차 세정 방법][Secondary cleaning method of template assembly 60]

도 6은 실시예에 따른 템플릿 어셈블리의 2차 세정 방법을 설명하는 도면이다.6 is a view explaining a secondary cleaning method of a template assembly according to an embodiment.

도 6에 도시한 바와 같이, 템플릿 어셈블리(60)를 갖는 압력 전달 척(50)이 웨이퍼 폴리싱 장치(200)의 헤드(220)에 장착될 수 있다. As shown in FIG. 6 , the pressure transmission chuck 50 having the template assembly 60 may be mounted on the head 220 of the wafer polishing apparatus 200 .

이후, 세정액이 세정액 공급 노즐(230)으로부터 템플릿 어셈블리(60)의 표면을 향해 분사됨으로써, 템플릿 어셈블리(60)에 존재하는 오염 소스가 제거되는 2차 세정이 수행될 수 있다. 세정액은 초순수(DIW)일 수 있다. Thereafter, the cleaning liquid is sprayed from the cleaning liquid supply nozzle 230 toward the surface of the template assembly 60 , thereby performing secondary cleaning in which contamination sources present in the template assembly 60 are removed. The cleaning solution may be ultrapure water (DIW).

도시되지 않았지만, 세정액의 분사와 함께 브러쉬(122)에 의한 마찰로 템플릿 어셈블리(60)의 오염 소스가 더욱 더 효율적으로 제거될 수 있다. Although not shown, the contamination source of the template assembly 60 can be more efficiently removed by rubbing by the brush 122 together with spraying of the cleaning liquid.

미설명 도면 부호 210은 테이블로서, 도 2의 테이블(20)과 동일하고, 미설명 부호 250은 연마 패드로서 테이블(210) 상에 안착될 수 있다. 헤드(220)는 도 2의 제1 및 제2 헤드(31, 32)와 동일할 수 있다. Non-explained reference numeral 210 is a table, the same as the table 20 of FIG. 2 , and non-explained reference numeral 250 may be placed on the table 210 as a polishing pad. The head 220 may be the same as the first and second heads 31 and 32 of FIG. 2 .

[템플릿 어셈블리(60)의 3차 세정 방법][Third cleaning method of template assembly 60]

도 7은 실시예에 따른 템플릿 어셈블리의 3차 세정 방법을 설명하는 도면이다.7 is a view explaining a tertiary cleaning method of a template assembly according to an embodiment.

도 7에 도시한 바와 같이, 템플릿 어셈블리(60)에 더미 웨이퍼(300)가 부착된 후, 헤드(220)가 하강하여 웨이퍼의 하면이 테이블(210)의 상면에 접할 수 있다. As shown in FIG. 7 , after the dummy wafer 300 is attached to the template assembly 60 , the head 220 descends so that the lower surface of the wafer can come into contact with the upper surface of the table 210 .

이후, 세정액이 세정액 공급 노즐(240)로부터 웨이퍼의 둘레에 인접한 테이블(210)을 향해 분사되고, 테이블(210) 및/또는 헤드(220)가 회전됨으로써, 템플릿 어셈블리(60)의 오염 소스가 제거되는 3차 세정이 수행될 수 있다. 웨이퍼의 둘레로 분사된 세정액의 분사 강도에 의해 해당 세정액이 템플릿 어셈블리(60)의 표면에 부딪치거나 템플릿 어셈블리(60)의 표면을 따라 흐름으로써, 템플릿 어셈블리(60)로부터 오염 소스가 제거될 수 있다. 세정액은 초순수(DIW)일 수 있다.Thereafter, the cleaning liquid is sprayed from the cleaning liquid supply nozzle 240 toward the table 210 adjacent to the circumference of the wafer, and the table 210 and/or the head 220 are rotated, thereby removing the contamination source of the template assembly 60. A third cleaning may be performed. Contamination sources may be removed from the template assembly 60 as the cleaning solution hits the surface of the template assembly 60 or flows along the surface of the template assembly 60 due to the spray strength of the cleaning solution sprayed around the wafer. there is. The cleaning solution may be ultrapure water (DIW).

세정액이 세정액 공급 노즐(240)는 도 6에 도시된 세정액이 세정액 공급 노즐(230)과 동일하거나 상이할 수 있다. The cleaning liquid supply nozzle 240 may be the same as or different from the cleaning liquid supply nozzle 230 shown in FIG. 6 .

실시예에 따르면, 1차 세정, 2차 세정 및 3차 세정을 통해 템플릿 어셈블리(60)의 오염 소스를 최대한 많이 제거하거나 완전히 제거함으로써, 해당 오염 소스에 의해 불균일한 연마가 유발되고, 이러한 불균일한 연마에 의한 경면 불량과 같은 품질 저하를 방지할 수 있다. According to the embodiment, by removing or completely removing as many contamination sources of the template assembly 60 as possible through primary cleaning, secondary cleaning, and tertiary cleaning, non-uniform polishing is caused by the contamination sources, and such non-uniform polishing Quality deterioration such as mirror surface defects due to polishing can be prevented.

상기의 상세한 설명은 모든 면에서 제한적으로 해석되어서는 아니되고 예시적인 것으로 고려되어야 한다. 실시예의 범위는 첨부된 청구항의 합리적 해석에 의해 결정되어야 하고, 실시예의 등가적 범위 내에서의 모든 변경은 실시예의 범위에 포함된다.The above detailed description should not be construed as limiting in all respects and should be considered illustrative. The scope of the embodiments should be determined by reasonable interpretation of the appended claims, and all changes within the equivalent range of the embodiments are included in the scope of the embodiments.

10: 본체
20: 테이블
31, 32: 헤드
40: 헤드 구동부
41: 승강 유닛
42: 수평 이동 유닛
50: 압력 전달 척
60: 템플릿 어셈블리
61: 백 패드
62: 가이드 부재
100: 템플릿 어셈블리 세정 장치
110: 지그 어셈블리
111, 121: 몸체
111a: 지지축
111b: 연장부
112: 지그
113: 돌기
120: 브러쉬 어셈블리
122: 브러쉬
130, 230, 240: 세정액 공급 노즐
200: 웨이퍼 폴리싱 장치
210: 테이블
220: 헤드
250: 연마 패드
300: 더미 웨이퍼10: body
20: table
31, 32: head
40: head drive unit
41: lifting unit
42: horizontal movement unit
50: pressure transfer chuck
60: template assembly
61: back pad
62: guide member
100: template assembly cleaning device
110: jig assembly
111, 121: body
111a: support shaft
111b: extension
112: jig
113: projection
120: brush assembly
122: brush
130, 230, 240: cleaning solution supply nozzle
200: wafer polishing device
210: table
220: head
250: polishing pad
300: dummy wafer

Claims (8)

템플릿 어셈블리를 갖는 압력 전달 척이 고정되는 지그 어셈블리;
상기 템플릿 어셈블리의 상측에 배치되어, 세정액을 공급하는 세정액 공급 노즐; 및
상기 템플릿 어셈블리를 사이에 두고 상기 지그 어셈블리와 마주보도록 위치되어, 상기 템플릿 어셈블리를 세정하는 브러쉬 어셈블리;를 포함하는
템플릿 어셈블리 세정 장치.a jig assembly to which the pressure transmission chuck having the template assembly is fixed;
a cleaning liquid supply nozzle disposed above the template assembly to supply a cleaning liquid; and
A brush assembly positioned to face the jig assembly with the template assembly interposed therebetween to clean the template assembly;
Template assembly cleaning device. 제1항에 있어서,
상기 지그 어셈블리는 돌기들을 포함하고,
상기 압력 전달 척은 상기 돌기들을 통해 상기 지그 어셈블리에 고정되는
템플릿 어셈블리 세정 장치.According to claim 1,
The jig assembly includes protrusions,
The pressure transmission chuck is fixed to the jig assembly through the protrusions.
Template assembly cleaning device. 제1항에 있어서,
상기 압력 전달 척은 진공 흡착 방식을 이용하여 상기 지그 어셈블리에 고정되는
템플릿 어셈블리 세정 장치.According to claim 1,
The pressure transmission chuck is fixed to the jig assembly using a vacuum adsorption method.
Template assembly cleaning device. 제1항에 있어서,
상기 브러쉬 어셈블리는 브러쉬를 포함하고,
상기 브러쉬는,
상기 템플릿 어셈블리를 향하여 또는 상기 템플릿 어셈블리로부터 멀어지도록 이동 가능하며, 상기 템플릿 어셈블리의 표면에 접하여 회전되는
템플릿 어셈블리 세정 장치.According to claim 1,
The brush assembly includes a brush,
The brush,
movable toward or away from the template assembly and rotated against the surface of the template assembly.
Template assembly cleaning device. 제1항에 있어서,
상기 템플릿 어셈블리의 표면은 지면에 수직한 방향으로 기립된 채로 상기 지그 어셈블리에 고정되어, 상기 템플릿 어셈블리의 표면에 대한 세정 공정시 발생된 오염 소스가 낙하되는
템플릿 어셈블리 세정 장치.According to claim 1,
The surface of the template assembly is fixed to the jig assembly while standing in a direction perpendicular to the ground, so that contamination sources generated during a cleaning process on the surface of the template assembly fall
Template assembly cleaning device. 제1항에 있어서,
상기 지그 어셈블리의 지그의 면적은 상기 템플릿 어셈블리의 면적보다 큰
템플릿 어셈블리 세정 장치.According to claim 1,
The area of the jig of the jig assembly is greater than the area of the template assembly.
Template assembly cleaning device. 제1 내지 제6항의 어느 하나의 항에 의한 상기 템플릿 어셈블리 세정 장치를 이용하여 상기 템플릿 어셈블리를 1차 세정하는 단계;
상기 템플릿 어셈블리를 갖는 압력 전달 척을 웨이퍼 폴리싱 장치의 헤드에 장착한 후, 세정액을 상기 템플릿 어셈블리에 분사하여 상기 템플릿 어셈블리를 2차 세정하는 단계; 및
더미 웨이퍼를 이용한 폴리싱 공정을 수행하여 상기 템플릿 어셈블리를 3차 세정하는 단계;를 포함하는
템플릿 어셈블리 세정 방법.firstly cleaning the template assembly using the template assembly cleaning device according to any one of claims 1 to 6;
mounting the pressure transfer chuck having the template assembly on a head of a wafer polishing apparatus, and then spraying a cleaning liquid to the template assembly to perform secondary cleaning of the template assembly; and
Thirdly cleaning the template assembly by performing a polishing process using a dummy wafer.
Template assembly cleaning method. 제7항에 있어서,
상기 1차 세정하는 단계는,
상기 템플릿 어셈블리를 갖는 압력 전달 척을 상기 지그 어셈블리에 고정하는 단계;
상기 브러쉬 어셈블리가 상기 템플릿 어셈블리의 표면에 접하도록 상기 브러쉬 어셈블리를 상기 템플릿 어셈블리를 향해 이동하는 단계; 및
상기 세정액 공급 노즐로부터 상기 템플릿 어셈블리의 표면을 향해 세정액을 분사하고 상기 브러쉬 어셈블리의 상기 브러쉬를 회전하는 단계;를 포함하는
템플릿 어셈블리 세정 방법.According to claim 7,
In the first cleaning step,
fixing the pressure transmission chuck having the template assembly to the jig assembly;
moving the brush assembly toward the template assembly so that the brush assembly comes into contact with a surface of the template assembly; and
Spraying the cleaning liquid from the cleaning liquid supply nozzle toward the surface of the template assembly and rotating the brush of the brush assembly; comprising
Template assembly cleaning method.
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