KR20230099943A

KR20230099943A - Bowl for Single Wafer Type Cleaning Device and Single Wafer Type Cleaning Device using Thereof

Info

Publication number: KR20230099943A
Application number: KR1020210189397A
Authority: KR
Inventors: 김진규; 원준호
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2021-12-28
Filing date: 2021-12-28
Publication date: 2023-07-05

Abstract

본 발명은 매엽식 세정장치의 보울 및 이를 이용한 매엽식 세정장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 웨이퍼의 세정과정에서 비산되는 액적이 다시 웨이퍼로 비산되는 것을 최대한 억제함으로써 웨이퍼의 세정 효과를 극대화할 수 있도록 구조가 개선된 매엽식 세정장치의 보울 및 이를 이용한 매엽식 세정장치에 관한 것이다.
본 발명은, 웨이퍼를 세정하기 위한 매엽식 세정장치의 챔버 내에 설치되어 웨이퍼의 회전에 의해 비산된 세정액을 차단하는 보울에 있어서, 상기 보울 중 상기 웨이퍼를 감싸는 면인 내면의 표면에 전기 습윤 구조가 형성되는 것을 특징으로 하는 매엽식 세정장치의 보울을 제공한다.The present invention relates to a bowl of a single-wafer cleaning device and a single-wafer cleaning device using the same, and more particularly, it is possible to maximize the cleaning effect of the wafer by maximally suppressing the scattering of droplets scattered back to the wafer during the cleaning process of the wafer. It relates to a bowl of a single-wafer type cleaning device having an improved structure so as to be suitable for use, and a single-wafer type cleaning device using the same.
In the present invention, in a bowl installed in a chamber of a single-wafer type cleaning device for cleaning wafers to block cleaning liquid scattered by rotation of a wafer, an electrowetting structure is formed on the inner surface of the bowl, which is a surface surrounding the wafer It provides a bowl of a single-wafer cleaning apparatus, characterized in that.

Description

Bowl of single wafer type cleaning device and sheet type cleaning device using the same {Bowl for Single Wafer Type Cleaning Device and Single Wafer Type Cleaning Device using Thereof}

본 발명은 매엽식 세정장치의 보울 및 이를 이용한 매엽식 세정장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 웨이퍼의 세정과정에서 비산되는 액적이 다시 웨이퍼로 비산되는 것을 최대한 억제함으로써 웨이퍼의 세정 효과를 극대화할 수 있도록 구조가 개선된 매엽식 세정장치의 보울 및 이를 이용한 매엽식 세정장치에 관한 것이다.The present invention relates to a bowl of a single-wafer cleaning device and a single-wafer cleaning device using the same, and more particularly, it is possible to maximize the cleaning effect of the wafer by maximally suppressing the scattering of droplets scattered back to the wafer during the cleaning process of the wafer. It relates to a bowl of a single-wafer type cleaning device having an improved structure so as to be able to do so, and a single-wafer type cleaning device using the same.

반도체 소자는 주로 실리콘 웨이퍼를 재료로 증착, 식각, 노광, 현상 등의 공정을 통해 제조된다. 이러한 공정 과정에서 웨이퍼의 표면에 각종의 파티클, 금속성의 불순물, 유기 불순물, 자연산화막 등과 같은 다양한 종류의 오염물이 잔존하는 경우가 발생한다. 웨이퍼에 표면에 잔존하는 불순물은 수율이나 신뢰성에 악영향을 미치게 되므로 불순물을 제거하기 위한 세정 공정이 반도체 소자의 제조 공정에 반드시 포함된다.Semiconductor devices are mainly manufactured using silicon wafers as a material through processes such as deposition, etching, exposure, and development. During this process, various types of contaminants such as various particles, metallic impurities, organic impurities, and natural oxide films may remain on the surface of the wafer. Since impurities remaining on the surface of a wafer adversely affect yield or reliability, a cleaning process for removing impurities is necessarily included in a semiconductor device manufacturing process.

웨이퍼 표면의 불순물을 제거하는 세정 공정은 크게 건식 세정과 습식 세정으로 구분할 수 있는데 비교적 공정이 간단하고 비용효율적이라는 이유로 현재 대부분의 반도체 공정에서 사용되고 있는 습식 세정은 여러 가지 약액을 이용하여 불순물을 제공하는 방식이다. The cleaning process for removing impurities from the wafer surface can be largely divided into dry cleaning and wet cleaning. Wet cleaning, which is currently used in most semiconductor processes because the process is relatively simple and cost-effective, is a type of cleaning that uses various chemical solutions to provide impurities. way.

습식 세정방식은 배치식(batch type)과 매엽식 (single wafer type)으로 구분할 수 있다. The wet cleaning method can be divided into a batch type and a single wafer type.

이중 배치식은 세정액이 수용된 세정조에 여러 장의 웨이퍼를 한꺼번에 침지시켜 오염원을 제거하는 방식인데, 웨이퍼가 대형화되면 이에 맞추어 새로운 세정조를 설치해야 하므로 웨이퍼의 대형화 추세에 대응하는 것이 어렵고 세정액의 사용이 많다는 단점이 있다. 또한, 세정과정에서 세정조 속의 웨이퍼가 손상되면 세정조 내의 모든 웨이퍼에 영향을 미치게 되어 다량의 웨이퍼에 불량이 발생할 가능성이 있어 점차 적용이 줄어들고 있다. The dual batch type is a method of immersing several wafers at once in a cleaning tank containing a cleaning solution to remove contaminants. As the size of the wafer increases, a new cleaning tank must be installed accordingly, so it is difficult to respond to the trend of larger wafers and the use of a lot of cleaning solution is a disadvantage. there is In addition, if the wafers in the cleaning tank are damaged during the cleaning process, it affects all wafers in the cleaning tank, and there is a possibility that a large number of wafers may be defective, so the application is gradually decreasing.

매엽식은 웨이퍼를 한 장 단위로 처리하는 방식으로 고속으로 회전하는 웨이퍼의 표면에 세정액을 분사하여 불순물을 제거하는 방식인데 분사 장치에 의해 세정액에 작용하는 압력과 회전하는 기판에 의해 세정액에 작용하는 원심력을 이용하여 불순물을 제거하는 방식이다. The single-wafer method is a method of processing wafers in units of one sheet, in which impurities are removed by spraying cleaning liquid on the surface of a wafer rotating at high speed. method to remove impurities.

매엽식 세정장치는 기판을 수용하여 세정 공정이 수행되는 챔버와 웨이퍼를 고정한 상태로 회전하는 스핀척, 웨이퍼에 약액, 린스액, 건조가스 등을 공급하는 노즐 어셈블리를 포함하여 구성되는데, 웨이퍼에 분사되는 약액의 일부는 웨이퍼에 닿는 과정에서 분사압에 의해 튀기도 하고, 웨이퍼의 표면에 분사된 이후에도 웨이퍼의 회전에 의한 원심력에 의해 웨이퍼로부터 비산되기도 한다.The single-wafer type cleaning device includes a chamber for accommodating a substrate and performing a cleaning process, a spin chuck that rotates while the wafer is fixed, and a nozzle assembly that supplies chemicals, rinsing liquid, and drying gas to the wafer. A part of the chemical solution to be used may be splashed by spraying pressure in the process of contacting the wafer, or may be scattered from the wafer by centrifugal force caused by rotation of the wafer even after being sprayed on the surface of the wafer.

이렇게 비산된 약액은 보울의 내벽 쪽으로 이동하는데, 보울의 내벽을 따라 흘러내릴 수도 있고, 내벽에 맺혀 있을 수도 있으며, 내벽에서 반사되어 다시 웨이퍼 쪽으로 비산할 수도 있다. 보울의 내벽으로 이동한 약액이 흘러내리느냐 아니면 맺혀서 안 움직이느냐는 내벽에 붙은 약액의 크기(질량)가 결정한다. 내벽에 붙은 약액의 크기(질량)가 충분히 커서 중력이 마찰력보다 크면 흘러내리게 되고 그 반대라면 내벽에 맺혀 있는 상태를 유지하는 것이다.The chemical liquid dispersed in this way moves toward the inner wall of the bowl, and may flow down along the inner wall of the bowl, may form on the inner wall, or may be reflected from the inner wall and scatter toward the wafer again. The size (mass) of the liquid attached to the inner wall of the bowl determines whether the liquid that has moved to the inner wall of the bowl flows down or forms and does not move. If the size (mass) of the liquid attached to the inner wall is large enough and the gravity is greater than the frictional force, it will flow down, and if the opposite is true, it will remain attached to the inner wall.

이 중 공정에 문제되는 것은 보울의 내벽에서 반사되어 웨이퍼로 비산하는 약액이다. 웨이퍼로 다시 약액이 비산하는 경우 웨이퍼 표면 오염의 원인이 되고 챔버 내부를 오염시키기도 하므로 설비의 효율과 수율 등에 영향을 주게 된다.Among them, the problem in the process is the chemical liquid that is reflected from the inner wall of the bowl and scatters onto the wafer. When the chemical liquid is scattered back to the wafer, it causes contamination of the surface of the wafer and also contaminates the inside of the chamber, thereby affecting the efficiency and yield of equipment.

이때, 웨이퍼에서 비산한 약액이 보울의 내벽에서 직접 반사되기도 하지만 웨이퍼에서 비산한 약액이 내벽에 맺혀 있는 약액과 충돌하면서 비산되는 경우가 더 많으므로 보울의 내벽에 맺혀 있는 약액을 효과적으로 제거할 필요성이 대두하고 있다.At this time, although the chemical liquid scattered from the wafer is directly reflected from the inner wall of the bowl, more often the chemical liquid scattered from the wafer is scattered while colliding with the chemical liquid formed on the inner wall of the bowl. are emerging

본 발명은 전술한 배경기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 웨이퍼의 세정과정에서 비산되는 세정액의 액적이 다시 웨이퍼로 비산되는 것을 최대한 억제할 수 있는 매엽식 세정장치의 보울 및 이를 이용한 매엽식 세정장치를 제공하는 것이다.The present invention has been made to solve the problems of the background art described above, and the problem to be solved by the present invention is a single-wafer type cleaning device capable of maximally suppressing the scattering of liquid droplets of the cleaning liquid scattered back to the wafer during the wafer cleaning process. It is to provide a bowl and a sheet type cleaning device using the same.

전술한 과제의 해결 수단으로서 본 발명은,As a means of solving the above problems, the present invention,

웨이퍼를 세정하기 위한 매엽식 세정장치의 챔버 내에 설치되어 웨이퍼의 회전에 의해 비산된 세정액을 차단하는 보울에 있어서,In the bowl installed in the chamber of the single wafer cleaning device for cleaning the wafer to block the cleaning liquid scattered by the rotation of the wafer,

상기 보울 중 상기 웨이퍼를 감싸는 면인 내면의 표면에 전기 습윤 구조가 형성되는 것을 특징으로 하는 매엽식 세정장치의 보울을 제공한다.Provided is a bowl of a single-wafer type cleaning apparatus, characterized in that an electrowetting structure is formed on an inner surface of the bowl, which is a surface surrounding the wafer.

상기 전기 습윤 구조는 소수층, 유전체, 전극 및 기판을 포함하여 구성될 수 있다.The electrowetting structure may include a hydrophobic layer, a dielectric, an electrode, and a substrate.

상기 전기 습윤 구조는 웨이퍼의 세정 중에는 표면이 소수성을 유지하고, 웨이퍼의 세정이 완료된 이후에는 친수성으로 조절되는 것이 바람직하다.The electrowetting structure preferably maintains hydrophobicity on the surface during wafer cleaning and adjusts to hydrophilicity after wafer cleaning is completed.

상기 전기 습윤 구조에 형성되는 접지 라인을 더 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable to further include a ground line formed on the electrowetting structure.

상기 전기 습윤 구조는 특정한 패턴 형태로 형성되는 것이 바람직하다.The electrowetting structure is preferably formed in a specific pattern.

본 발명은 또한, 전술한 매엽식 세정장치의 보울을 포함하는 매엽식 세정장치를 제공한다.The present invention also provides a single wafer cleaning device including the bowl of the aforementioned single wafer cleaning device.

본 발명에 의하면 과제는 웨이퍼의 세정과정에서 비산되는 세정액의 액적이 다시 웨이퍼로 비산되는 것을 최대한 억제할 수 있는 매엽식 세정장치의 보울 및 이를 이용한 매엽식 세정장치를 제공할 수 있다.According to the present invention, an object of the present invention is to provide a bowl of a single-wafer type cleaning device capable of maximally suppressing splashing of liquid droplets of a cleaning liquid scattered back to the wafer during a wafer cleaning process, and a single-wafer type cleaning device using the same.

도 1은 전기 습윤 구조를 설명하기 위한 도면.
도 2는 전기 습윤 구조에 의해 액적의 형상이 변하는 것을 설명하기 위한 도면.
도 3은 전기 습윤 구조를 포함하는 보울을 설명하기 위한 도면.1 is a view for explaining an electrowetting structure;
2 is a view for explaining that the shape of a droplet is changed by an electrowetting structure;
3 is a view for explaining a bowl including an electrowetting structure;

이하에서는 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 매엽식 세정장치의 보울 및 이를 이용한 매엽식 세정장치에 대하여 설명함으로써 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용을 제공하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a bowl of a single wafer type cleaning device according to a preferred embodiment of the present invention and a sheet type cleaning device using the same will be described with reference to the drawings to provide specific details for the practice of the present invention.

도 1은 전기 습윤 구조를 설명하기 위한 도면, 도 2는 전기 습윤 구조에 의해 액적의 형상이 변하는 것을 설명하기 위한 도면, 도 3은 전기 습윤 구조를 포함하는 보울을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 1 is a view for explaining an electrowetting structure, FIG. 2 is a view for explaining that the shape of a droplet is changed by the electrowetting structure, and FIG. 3 is a view for explaining a bowl including an electrowetting structure.

우선 본 발명의 첫 번째 형태인 매엽식 세정장치의 보울에 대하여 설명하기로 한다. First, the bowl of the single wafer type cleaning device, which is the first form of the present invention, will be described.

보울(B; Bowl)은 매엽식 세정장치의 챔버 내에 설치되며 도 3에 도시된 바와 같이 스핀척(S)과 웨이퍼(W)를 감싸서 웨이퍼의 회전에 의해 비산된 세정액을 차단하는 구성이다.A bowl (B) is installed in the chamber of the single-wafer type cleaning device and, as shown in FIG. 3, surrounds the spin chuck S and the wafer W to block the cleaning liquid scattered by rotation of the wafer.

본 실시예에 따른 매엽식 세정장치의 보울(B)은 도 3에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)를 감싸고 있는 면인 내면에 전기 습윤 구조(100)가 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.As shown in FIG. 3 , the bowl (B) of the single-wafer cleaning apparatus according to the present embodiment is characterized in that the electrowetting structure 100 is formed on the inner surface, which is the surface surrounding the wafer (W).

전기 습윤 구조(100)는 도 1에 도시된 바와 같이 소수층(10; Hydrophobic Layer), 유전체(20; Dielectric Layer), 전극(30; Electrode) 및 기판(40; Substrate)을 포함하여 구성된다.As shown in FIG. 1 , the electrowetting structure 100 includes a hydrophobic layer (10), a dielectric layer (20), an electrode (30), and a substrate (40).

상기 전기 습윤 구조(100)는 특정한 패턴 형태로 제작될 수도 있는데 패턴이라 함은 전극의 형상이나 배치와 관련이 있다. 전극의 크기, 간격 등을 기준으로 정해진 패턴을 설계하고 그 패턴에 따라 전기 습윤 구조(100)를 만드는 것이다. 액적의 이동 메커니즘은 패턴의 설계에 따라 달라질 수 있으므로 효율적으로 액적을 이동시킬 수 있는 패턴의 설계는 중요한 요소 중 하나이다.The electrowetting structure 100 may be manufactured in a specific pattern shape, and the pattern is related to the shape or arrangement of electrodes. Designing a pattern determined based on the size and spacing of the electrodes and making the electrowetting structure 100 according to the pattern. Since the droplet movement mechanism may vary depending on the design of the pattern, designing a pattern capable of efficiently moving the droplet is one of the important factors.

전기 습윤 현상은 유체의 표면에 전기장을 가해주면 유체의 표면 장력이 변하는 현상을 말한다. 유체의 표면 장력이 변화하면 고체/액체의 접촉각의 변화가 생기는데 도 2에 도시된 바와 같이 특정 전극(30')에 전압이 가해지면 가해진 전압에 의해 유전체(20)에 의해 전기장이 형성되고 형성된 전기장에 의해 유체의 형상이 변화하여 소수층(10)과 액체의 접촉각이 θ₁에서 θ₂로 변하는 것이다.Electrowetting refers to a phenomenon in which the surface tension of a fluid changes when an electric field is applied to the surface of the fluid. When the surface tension of the fluid changes, the contact angle of the solid/liquid changes. As shown in FIG. 2, when a voltage is applied to a specific electrode 30', an electric field is formed by the dielectric 20 by the applied voltage As a result, the shape of the fluid changes, and the contact angle between the hydrophobic layer 10 and the liquid changes from θ ₁ to θ ₂ .

한편, 한국정밀공학회 2013년도 춘계학술대회논문집에 수록된 채정병 등의 연구 결과에 의하면 전극에 가해지는 전압의 크기나 주기를 변형시켜 2차원이 아닌 3차원 상에서 액적을 제어할 수 있다고도 한다.On the other hand, according to the research results of Chae Jeong-byung and others included in the papers of the 2013 Spring Conference of the Korean Society of Precision Engineering, it is also possible to control droplets in three dimensions rather than two dimensions by modifying the magnitude or period of voltage applied to the electrodes.

전기 습윤 구조(100)의 표면은 전류를 가하기 전에는 소수층에 의해 소수성을 띄고, 전류를 가하면 친수성을띄게 되는 특징이 있다. The surface of the electrowetting structure 100 is characterized in that it becomes hydrophobic by a hydrophobic layer before applying current and becomes hydrophilic when applying current.

전술한 전기 습윤 구조(100)의 특성을 이용해서 보울(B)의 내벽을 소수성이나 친수성으로 변경시켜 보울(B)의 내벽에 맺힌 액적을 제거할 수 있는데 이에 관해 설명하기로 한다. By using the characteristics of the above-described electrowetting structure 100, the inner wall of the bowl B can be changed to be hydrophobic or hydrophilic to remove droplets formed on the inner wall of the bowl B, which will be described.

우선 세정 공정 중에는 전기 습윤 구조(100)의 표면에 전기를 가하지 않아 소수성 상태를 유지하게 한다. 전기 습윤 구조(100)의 표면으로 튄 대부분의 액적은 소수성 표면인 소수층(10)에 맺히지 않고 중력에 의해 아래쪽 이동하게 된다. First, during the cleaning process, electricity is not applied to the surface of the electrowetting structure 100 to maintain a hydrophobic state. Most of the liquid droplets bouncing on the surface of the electrowetting structure 100 do not form on the hydrophobic surface, the hydrophobic layer 10, and move downward by gravity.

그런데 일부 미세한 액적이 소수층(10)에 맺혀 있는 경우도 있다. 이를 제거하기 위하여 세정 공정이 완료된 이후에 전기 습윤 구조(100)에 전기를 적절히 가한다. 전기 습윤 구조(100)에 전기를 가하면 그 표면이 친수성 상태가 되고 이에 따라 미세한 액적들이 합쳐지게 되어 질량이 커져서 중력에 의해 흐르게 되는 원리를 이용하는 것이다.However, there are cases in which some fine droplets are formed on the small number of layers (10). To remove this, electricity is appropriately applied to the electrowetting structure 100 after the cleaning process is completed. It uses the principle that when electricity is applied to the electrowetting structure 100, its surface becomes hydrophilic, and as a result, fine droplets are combined to increase their mass and flow by gravity.

이러한 원리에 의해 세정공정이 진행되는 과정에서 비산되어 보울(B)의 내면에 맺히는 액적의 대부분을 제거할 수 있게 된다. 이처럼 보울(B)의 내면에 맺힌 액적이 제거되면, 웨이퍼(W)에서 비산된 액적이 보울(B)의 내면에 맺힌 액적에 반사되면서 다시 웨이퍼(W)로 비산되는 것을 미리 방지할 수 있어서 세정 효율을 극대화할 수 있는 장점을 기대할 수 있게 된다.According to this principle, it is possible to remove most of the liquid droplets scattered on the inner surface of the bowl B during the cleaning process. When the liquid droplets formed on the inner surface of the bowl B are removed in this way, it is possible to prevent the liquid droplets scattered from the wafer W from scattering back to the wafer W while being reflected by the liquid droplets formed on the inner surface of the bowl B. You can expect the advantage of maximizing efficiency.

한편, 도 3에 간략히 도시한 바와 같이 전기 습윤 구조(100)에 접지 라인을 형성함으로써 보울(B)의 내면 또는 액적이 가지는 전하를 외부로 배출하도록 할 수도 있는데, 이를 통하여 전기 습윤 구조(100)에 의한 보다 효율적인 액적의 이동이 가능하도록 한다.On the other hand, as briefly shown in FIG. 3, by forming a ground line on the electrowetting structure 100, the inner surface of the bowl B or the charge of the droplets may be discharged to the outside. Through this, the electrowetting structure 100 It enables more efficient movement of droplets by

이하에서는 본 발명의 두 번째 형태인 매엽식 세정장치의 하나의 실시예에 대하여 간략히 설명하기로 한다. Hereinafter, an embodiment of a single wafer type cleaning device, which is the second form of the present invention, will be briefly described.

본 실시예에 따른 매엽식 세정장치는 웨이퍼(W)를 회전시키기 위한 스핀척(S)과 회전하는 웨이퍼(W)에 세정액을 분사하기 위한 각종 구성(미도시)과 보울(B) 등의 구성을 포함하는데, 앞서 설명한 매엽식 세정장치의 보울(B)을 포함하는 것을 특징으로 하고 있고 나머지 구성은 종래 기술을 적용할 수 있는데, 그 특징적인 구성인 보울(B)에 대해서는 이미 충분히 설명하였으므로 추가적인 설명은 생략하기로 한다.The single-wafer type cleaning apparatus according to the present embodiment includes a spin chuck (S) for rotating a wafer (W), various components (not shown) for injecting a cleaning liquid onto the rotating wafer (W), and a bowl (B). It is characterized in that it includes the bowl (B) of the single-wafer cleaning device described above, and the prior art can be applied to the rest of the configuration. Since the bowl (B), which is a characteristic configuration, has already been sufficiently described, additional Description will be omitted.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 매엽식 세정장치의 보울과 이를 이용한 매엽식 세정장치에 대하여 설명함으로써 본 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용을 제공하였는데, 본 발명의 기술적 사상이 설명된 실시예에 한정되는 것은 아니고 본 발명의 기술적 사상에 포함되는 범위 안에서 다양한 형태의 매엽식 세정장치의 보울과 이를 이용한 매엽식 세정장치로 구체화될 수 있다.In the above, specific details for carrying out the present invention have been provided by describing the bowl of the single wafer cleaning device and the single wafer cleaning device using the same according to a preferred embodiment of the present invention. It is not limited, and may be embodied in bowls of various types of sheet type cleaning devices and sheet type cleaning devices using the same within the scope included in the technical idea of the present invention.

10 : 소수층 20 : 유전체
30 : 전극 40 : 기판
B : 보울 S : 스핀척
W : 웨이퍼10: minority layer 20: dielectric
30: electrode 40: substrate
B: Bowl S: Spin Chuck
W: Wafer

Claims

In the bowl installed in the chamber of the single wafer cleaning device for cleaning the wafer to block the cleaning liquid scattered by the rotation of the wafer,
A bowl of a single-wafer type cleaning apparatus, characterized in that an electrowetting structure is formed on an inner surface of the bowl, which is a surface surrounding the wafer.

According to claim 1,
The bowl of the single-wafer cleaning apparatus, characterized in that the electrowetting structure comprises a hydrophobic layer, a dielectric, an electrode and a substrate.

According to claim 1 or 2,
The electrowetting structure is characterized in that the surface maintains hydrophobicity during wafer cleaning and is adjusted to hydrophilicity after wafer cleaning is completed.

According to claim 1 or 2,
The bowl of the single-wafer cleaning device further comprising a ground line formed on the electrowetting structure.

According to claim 3,
The bowl of the single-wafer cleaning device further comprising a ground line formed on the electrowetting structure.

According to claim 1 or 2,
The bowl of the single-wafer cleaning device, characterized in that the electrowetting structure is formed in a specific pattern shape.

According to claim 3,
The bowl of the single-wafer cleaning device, characterized in that the electrowetting structure is formed in a specific pattern shape.

A single wafer cleaning device comprising the bowl included in claim 1.

According to claim 8,
The electrowetting structure is a single-wafer type cleaning device, characterized in that composed of a hydrophobic layer, a dielectric, an electrode and a substrate.

The method of claim 8 or 9,
The electrowetting structure is characterized in that the surface maintains hydrophobicity during wafer cleaning and is adjusted to hydrophilicity after wafer cleaning is completed.

The method of claim 8 or 9,
The single-wafer type cleaning device further comprising a ground line formed on the electrowetting structure.

According to claim 10,
The single-wafer type cleaning device further comprising a ground line formed on the electrowetting structure.

The method of claim 8 or 9,
The bowl of the single-wafer cleaning device, characterized in that the electrowetting structure is formed in a specific pattern shape.

According to claim 10,
The electrowetting structure is a single-wafer cleaning device, characterized in that formed in a specific pattern shape.