KR20230099581A - Apparatus and method for treating a substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 처리액 내 약액의 농도를 조절하는 방법을 제공한다. 본 발명에 의하면, 메인 탱크에 저장된 처리액을 가열된 상태로 노즐로부터 기판에 공급하여 기판을 처리하고, 상기 기판의 처리에 사용된 상기 처리액을 상기 메인 탱크로 직접 또는 또 다른 탱크를 경유하여 회수 후 재사용하며, 상기 처리액으로 상기 기판의 처리가 이루어지지 않는 대기 기간에, 상기 메인 탱크 내의 처리액의 농도를 조절하는 농도 조절 단계를 수행하고, 상기 농도 조절 단계는 가열된 상태의 상기 처리액을 상기 노즐로부터 토출하여 상기 희석액 중 일부를 증발시키고, 토출된 처리액을 상기 메인 탱크로 회수하여 이루어진다.The present invention provides a method for controlling the concentration of a chemical solution in a treatment solution. According to the present invention, the processing liquid stored in the main tank is supplied to the substrate from the nozzle in a heated state to process the substrate, and the processing liquid used for processing the substrate is supplied directly to the main tank or via another tank. It is recovered and reused, and in a waiting period when the substrate is not treated with the treatment liquid, a concentration adjusting step of adjusting the concentration of the treatment liquid in the main tank is performed, and the concentration adjustment step is performed while the treatment liquid is in a heated state. A liquid is discharged from the nozzle to evaporate some of the dilution liquid, and the discharged treatment liquid is recovered to the main tank.

Figure P1020220020262
Figure P1020220020262

Description

기판 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING A SUBSTRATE}Substrate processing apparatus and method {APPARATUS AND METHOD FOR TREATING A SUBSTRATE}

본 발명은 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것으로 더욱 상세하게는 기판에 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for processing a substrate by supplying a processing liquid to the substrate.

반도체 공정은 기판 상에 박막, 이물질, 파티클 등을 세정하는 공정을 포함한다. 이들 공정은 패턴 면이 위 또는 아래를 향하도록 기판을 스핀 헤드 상에 놓고, 스핀 헤드를 회전시킨 상태에서 기판 상에 처리액을 공급하고, 이후 웨이퍼를 건조함으로써 이루어진다A semiconductor process includes a process of cleaning thin films, foreign substances, particles, and the like on a substrate. These processes are performed by placing a substrate on a spin head with the pattern side facing up or down, supplying a processing liquid onto the substrate while rotating the spin head, and then drying the wafer.

기판 상에 질화티타늄 박막과 같은 티타늄을 포함하는 막을 기판으로부터 제거하기 위해 처리액으로 과산화수소와 물을 혼합한 액이 사용된다. 이때 처리액에서 과산화수소의 농도는 질화티타늄 막의 식각율(etching rate)에 영향을 미친다.A mixture of hydrogen peroxide and water is used as a treatment liquid to remove a film containing titanium such as a titanium nitride thin film on a substrate from the substrate. At this time, the concentration of hydrogen peroxide in the treatment liquid affects the etching rate of the titanium nitride film.

일반적으로 처리액은 메인 탱크에 저장되고, 메인 탱크에 저장된 처리액을 기판에 공급하여 기판을 처리하고, 기판 처리에 사용된 처리액을 직접 또는 다른 탱크를 매개해서 회수하여 다시 메인 탱크로 회수하여 재사용한다.In general, the processing liquid is stored in the main tank, the processing liquid stored in the main tank is supplied to the substrate to treat the substrate, and the processing liquid used for substrate processing is recovered directly or through another tank and returned to the main tank. reuse

이 과정에서 메인 탱크로 회수된 처리액은 티타늄 또는 티타늄을 포함하는 물질을 포함한다. 티타늄은 과산화수소를 분해하는 성질을 가진다. 따라서 메인 탱크에서 시간이 경과됨에 따라 메인 탱크 내의 처리액에서 과산화수소의 농도가 계속적으로 낮아진다. 많은 시간이 경과된 후에, 위 메인 탱크 내의 처리액을 기판에 공급하는 재사용하는 경우 낮은 과산화수소의 농도로 인해 기판으로부터 질화티타늄을 에칭할 때 에칭률이 크게 저하된다.In this process, the treatment liquid recovered to the main tank contains titanium or a material containing titanium. Titanium has the property of decomposing hydrogen peroxide. Accordingly, as time elapses in the main tank, the concentration of hydrogen peroxide in the treatment liquid in the main tank continuously decreases. After a long period of time has elapsed, when the treatment liquid in the main tank is reused to supply the substrate, the etching rate is greatly reduced when etching titanium nitride from the substrate due to the low concentration of hydrogen peroxide.

이를 방지하기 위해, 메인 탱크의 회수된 처리액에 과산화수소 원액을 추가로 공급하여 농도를 보정한다. 그러나 메인 탱크에서 회수된 처리액의 대기 시간이 긴 경우, 회수된 처리액에서 과산화수소의 낮은 농도로 인해 새로 공급되는 과산화수소의 원액이 매우 많은 양이 요구되므로 비용 측면에서 재사용의 장점이 크게 낮아진다.In order to prevent this, concentration is corrected by additionally supplying hydrogen peroxide stock solution to the recovered treatment solution in the main tank. However, when the waiting time of the treatment liquid recovered from the main tank is long, the advantage of reuse is greatly reduced in terms of cost because a very large amount of newly supplied hydrogen peroxide stock solution is required due to the low concentration of hydrogen peroxide in the recovered treatment liquid.

상술한 문제점은 과산화수소를 포함하는 처리액으로 기판에서 질화티타늄을 제거할 때뿐 아니라, 티타늄 이외의 다른 금속을 포함하는 박막을 제거할 때에도 동일하게 발생한다.The above-described problem occurs not only when titanium nitride is removed from a substrate with a treatment solution containing hydrogen peroxide, but also when a thin film containing a metal other than titanium is removed.

본 발명은 과산화수소를 포함하는 처리액을 재사용시 처리액에서 과산화수소의 농도를 효율적으로 관리할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공한다. The present invention provides a substrate processing apparatus and method capable of efficiently managing the concentration of hydrogen peroxide in a processing solution when the processing solution containing hydrogen peroxide is reused.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The object of the present invention is not limited thereto, and other objects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시예에 의하면, 기판 처리 방법은 직접 또는 다른 탱크를 경유하여 메인 탱크에 저장된 처리액을 가열된 상태로 노즐로부터 기판에 공급하여 기판을 처리하고, 상기 기판의 처리에 사용된 상기 처리액을 상기 메인 탱크로 직접 또는 또 다른 탱크를 경유하여 회수 후 재사용하되, 상기 처리액은 약액과 희석액을 포함하고, 상기 처리액으로 상기 기판의 처리가 이루어지지 않는 대기 기간에, 상기 메인 탱크 내의 처리액의 농도를 조절하는 농도 조절 단계를 수행하고, 상기 농도 조절 단계는 가열된 상태의 상기 처리액을 상기 노즐로부터 토출하여 상기 희석액 중 일부를 증발시키고, 토출된 처리액을 상기 메인 탱크로 회수하여 이루어진다. 지는 기판 처리 방법.The present invention provides a method of processing a substrate. According to an embodiment, a substrate processing method includes supplying a processing liquid stored in a main tank in a heated state to a substrate from a nozzle directly or via another tank to process a substrate, and removing the processing liquid used for processing the substrate. It is recovered and reused directly into the main tank or via another tank, wherein the treatment liquid includes a chemical liquid and a diluent, and in a waiting period when the substrate is not treated with the treatment liquid, the treatment liquid in the main tank A concentration control step of adjusting the concentration of , wherein the concentration control step is performed by discharging the treatment liquid in a heated state from the nozzle, evaporating some of the dilution liquid, and recovering the discharged treatment liquid to the main tank. . A losing substrate treatment method.

일 예에 의하면, 상기 약액은 과산화수소를 포함하고, 상기 희석액은 물을 포함할 수 있다. According to one example, the chemical solution may include hydrogen peroxide, and the dilution solution may include water.

일 예에 의하면, 상기 기판의 처리는 상기 처리액으로 금속을 포함하는 이물 또는 박막을 상기 기판으로부터 제거하는 처리일 수 있다. According to an example, the treatment of the substrate may be a treatment of removing a foreign material or thin film containing metal from the substrate with the treatment liquid.

일 예에 의하면, 상기 금속은 티타늄을 포함할 수 있다. According to one example, the metal may include titanium.

일 예에 의하면, 상기 농도 조절 단계는 상기 메인 탱크에 저장된 처리액에서 상기 약액의 농도를 측정하고, 상기 측정된 상기 약액의 농도가 설정 농도보다 낮을 때 수행될 수 있다. According to one example, the step of adjusting the concentration may be performed when the concentration of the chemical solution is measured in the treatment liquid stored in the main tank, and the measured concentration of the chemical solution is lower than a set concentration.

일 예에 의하면, 상기 농도 조절 단계는 상기 대기 기간에 기설정 시간 간격으로 수행될 수 있다. According to one example, the concentration adjustment step may be performed at predetermined time intervals in the waiting period.

일 예에 의하면, 상기 기판의 처리는 컵 내에서 지지 유닛에 의해 지지된 기판으로 상기 노즐로부터 상기 처리액을 공급함으로써 이루어지고, 상기 농도 조절 단계에서 상기 처리액은 상기 노즐로부터 상기 컵 내로 토출될 수 있다. According to an example, the processing of the substrate is performed by supplying the processing liquid from the nozzle to the substrate supported by a support unit in a cup, and in the concentration adjusting step, the processing liquid is discharged from the nozzle into the cup. can

일 예에 의하면, 상기 대기 기간에 상기 노즐은 홈 포트에 위치되고,According to an example, in the waiting period, the nozzle is located in the home port;

상기 농도 조절 단계에서 상기 처리액은 상기 노즐로부터 상기 홈 포트로 토출될 수 있다. In the concentration adjusting step, the treatment liquid may be discharged from the nozzle to the home port.

일 예에 의하면, 상기 대기 기간에 상기 노즐은 홈 포트에 위치되고, 상기 대기 기간에 상기 노즐로부터 상기 홈 포트 내로 설정 시간 간격으로 처리액을 토출하는 오토 디스펜싱 단계를 더 포함하되, 상기 농도 조절 단계에서 상기 노즐로부터 토출되는 상기 처리액의 양은 상기 오토 디스펜싱 단계에서 상기 노즐로부터 토출되는 상기 처리액의 량보다 많을 수 있다. According to an example, the nozzle is located in the home port during the waiting period, and further comprising an auto dispensing step of discharging the treatment liquid from the nozzle into the home port at set time intervals during the waiting period, wherein the concentration adjustment The amount of the treatment liquid discharged from the nozzle in the step may be greater than the amount of the treatment liquid discharged from the nozzle in the auto dispensing step.

다른 실시예에 의하면, 기판을 처리하는 방법은 메인 탱크에 저장된 처리액을 직접 또는 다른 탱크를 경유하여 기판에 공급하여 기판에서 이물 또는 박막을 제거하는 처리를 수행하고, 상기 기판의 처리에 사용된 상기 처리액을 상기 메인 탱크로 직접 또는 또 다른 탱크를 경유하여 회수 후 재사용하되, 상기 처리액은 과산화수소 및 물을 포함하고, 상기 이물 또는 박막은 금속을 함유하고, 상기 처리액으로 상기 기판의 처리가 이루어지지 않는 대기 기간에, 상기 메인 탱크 내의 처리액의 농도를 조절하는 농도 조절 단계를 수행하고, 상기 농도 조절 단계는 가열된 상태의 처리액을 상기 노즐로부터 토출하고, 토출된 처리액을 상기 메인 탱크로 회수하며, 상기 노즐로부터 상기 처리액이 토출되는 도중에 상기 처리액으로부터 물의 증발에 의해 상기 과산화수소의 농도가 증가된다. According to another embodiment, a method of treating a substrate includes supplying a treatment liquid stored in a main tank to the substrate directly or via another tank to perform a treatment of removing a foreign material or a thin film from the substrate, and The treatment liquid is recovered and reused directly into the main tank or via another tank, the treatment liquid contains hydrogen peroxide and water, the foreign material or thin film contains metal, and the substrate is treated with the treatment liquid In the waiting period when the process is not performed, a concentration control step of adjusting the concentration of the treatment liquid in the main tank is performed, and the concentration control step discharges the treatment liquid in a heated state from the nozzle and transfers the discharged treatment liquid to the upper tank. The concentration of hydrogen peroxide is increased by evaporation of water from the treatment liquid while the treatment liquid is discharged from the nozzle.

일 예에 의하면, 상기 기판의 처리는 컵 내에서 지지 유닛에 의해 지지된 기판으로 상기 노즐로부터 상기 처리액을 공급함으로써 이루어지고, 상기 농도 조절 단계에서 상기 처리액은 상기 컵 내로 토출될 수 있다. According to an example, the processing of the substrate is performed by supplying the processing liquid from the nozzle to the substrate supported by the support unit in the cup, and the processing liquid may be discharged into the cup in the concentration adjusting step.

일 예에 의하면, 상기 농도 조절 단계에서 상기 처리액은 상기 컵 내에 기판이 제공되지 않은 상태 또는 상기 지지 유닛에 더미 웨이퍼가 제공된 상태에서 상기 지지 유닛의 상부면 또는 상기 더미 웨이퍼의 상부면으로 공급될 수 있다.In an example, in the concentration adjusting step, the treatment liquid may be supplied to the upper surface of the support unit or the upper surface of the dummy wafer in a state in which no substrate is provided in the cup or a dummy wafer is provided in the support unit. can

일 예에 의하면, 상기 대기 기간에 상기 노즐은 홈 포트에 위치되고, 상기 농도 조절 단계에서 상기 처리액은 상기 노즐로부터 상기 홈 포트로 공급될 수 있다. According to an example, in the waiting period, the nozzle may be located in a home port, and in the concentration adjusting step, the treatment liquid may be supplied from the nozzle to the home port.

일 예에 의하면, 상기 대기 기간에 상기 노즐은 홈 포트에 위치되고, 상기 대기 기간에 상기 노즐로부터 상기 홈 포트에 설정 시간 간격으로 처리액을 토출하는 오토 디스펜싱 단계를 더 포함하되, 상기 농도 조절 단계에서 상기 노즐로부터 토출되는 상기 처리액의 양은 상기 오토 디스펜싱 단계에서 상기 노즐로부터 토출되는 상기 처리액의 량보다 많을 수 있다. According to one example, the nozzle is located in the home port during the waiting period, and further comprising an auto dispensing step of discharging the treatment liquid from the nozzle to the home port at set time intervals during the waiting period, wherein the concentration adjustment The amount of the treatment liquid discharged from the nozzle in the step may be greater than the amount of the treatment liquid discharged from the nozzle in the auto dispensing step.

일 예에 의하면, 상기 금속은 티타늄을 포함할 수 있다. According to one example, the metal may include titanium.

일 예에 의하면, 상기 농도 조절 단계는 상기 메인 탱크에 저장된 처리액에서 상기 약액의 농도를 측정하고, 상기 측정된 약액의 농도가 설정 농도보다 낮을 때 수행될 수 있다. According to one example, the step of adjusting the concentration may be performed when the concentration of the chemical solution is measured in the treatment solution stored in the main tank, and the measured concentration of the chemical solution is lower than a set concentration.

또한, 본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 기판에 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 액 처리 공정이 수행되는 처리 유닛, 상기 처리 유닛으로 처리액을 공급하는 액 공급 유닛, 상기 액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 액 공급 유닛은 처리액을 저장하는 메인 탱크, 상기 메인 탱크 내의 처리액을 직접 또는 다른 탱크를 경유하여 상기 처리 유닛으로 공급하는 액 공급 라인, 상기 처리 유닛과 연결되어 상기 처리 유닛으로부터 배출되는 처리액을 직접 또는 또 다른 탱크를 경유하여 회수하는 회수 라인, 그리고 상기 처리액을 가열하는 가열 부재를 포함하고, 상기 처리액은 약액과 희석액을 포함하고, 상기 제어기는 설정 시간 동안 상기 액 처리 공정이 수행되지 않는 대기 기간에 농도 조절 단계가 수행되도록 상기 액 공급 유닛을 제어하며, 상기 농도 조절 단계는 상기 메인 탱크에서 상기 가열 부재에 의해 가열된 처리액을 상기 처리 유닛으로 공급하고, 상기 처리 유닛으로 공급된 처리액을 상기 회수 라인을 통해 상기 메인 탱크로 회수하여 상기 처리액 내에서 상기 약액의 농도를 조절하고, 상기 농도 조절 단계에서 상기 처리 유닛으로 처리액의 공급은 상기 처리 유닛에 기판이 반입되지 않는 상태에서 이루어진다. In addition, the present invention provides an apparatus for processing a substrate. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a processing unit in which a liquid processing process of treating the substrate by supplying a processing liquid to a substrate is performed, a liquid supply unit supplying a processing liquid to the processing unit, and the liquid supply unit. A controller configured to control, wherein the liquid supply unit is connected to a main tank for storing a treatment liquid, a liquid supply line for supplying the treatment liquid in the main tank to the treatment unit directly or via another tank, and the treatment unit a recovery line for recovering the treatment liquid discharged from the treatment unit directly or via another tank; and a heating member for heating the treatment liquid, wherein the treatment liquid includes a chemical liquid and a dilution liquid, and the controller sets The liquid supply unit is controlled so that the concentration adjusting step is performed during a waiting period during which the liquid treatment process is not performed, and the concentration adjusting step transfers the treatment liquid heated by the heating member from the main tank to the treatment unit. and the processing liquid supplied to the processing unit is recovered to the main tank through the recovery line to adjust the concentration of the chemical liquid in the processing liquid, and supplying the processing liquid to the processing unit in the concentration adjusting step This is done in a state where no substrate is loaded into the processing unit.

일 예에 의하면, 상기 처리 유닛은 하우징, 상기 하우징 내에 배치되며, 내부에 처리 공간을 가지는 컵, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛, 그리고 상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 처리액을 토출하는 노즐을 포함하고, 상기 제어기는 상기 농도 조절 단계에서 상기 처리액이 상기 처리 공간으로 토출되도록 상기 액 공급 유닛 및 상기 노즐을 제어할 수 있다. According to an example, the processing unit includes a housing, a cup disposed in the housing and having a processing space therein, a support unit supporting a substrate in the processing space, and discharging a processing liquid to the substrate supported by the support unit. and a nozzle, and the controller may control the liquid supply unit and the nozzle so that the treatment liquid is discharged into the treatment space in the concentration adjustment step.

일 예에 의하면, 상기 처리 유닛은 하우징, 상기 하우징 내에 배치되며 내부에 처리 공간을 가지는 컵, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛, 상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 처리액을 토출하는 노즐, 그리고 상기 하우징 내에 배치되며, 상기 노즐이 대기하는 홈 포트를 포함하고, 상기 제어기는 상기 농도 조절 단계에서 상기 처리액이 상기 홈 포트로 토출되도록 상기 액 공급 유닛 및 상기 노즐을 제어할 수 있다. According to an example, the processing unit includes a housing, a cup disposed in the housing and having a processing space therein, a support unit supporting a substrate in the processing space, a nozzle discharging a processing liquid to the substrate supported by the support unit, and a home port disposed in the housing and waiting for the nozzle, and the controller may control the liquid supply unit and the nozzle so that the treatment liquid is discharged to the home port in the concentration adjusting step.

일 예에 의하면, 상기 메인 탱크에는 그 내부의 처리액을 순환시키는 순환 라인이 연결되고, 상기 가열 부재는 상기 순환 라인에 설치되고, 상기 기판 처리 장치는 상기 액 공급 유닛에서 상기 약액의 농도를 측정하는 농도계를 더 포함하고, 상기 제어기는 상기 농도계에 의해 측정된 상기 약액의 농도가 설정 농도 이하일 때 상기 농도 조절 단계를 수행하도록 상기 액 공급 유닛을 제어할 수 있다. According to an example, a circulation line for circulating a treatment liquid therein is connected to the main tank, the heating member is installed in the circulation line, and the substrate processing apparatus measures the concentration of the chemical liquid in the liquid supply unit. The controller may control the liquid supply unit to perform the concentration adjusting step when the concentration of the chemical solution measured by the concentration meter is equal to or less than a set concentration.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 과산화수소를 포함하는 처리액으로 기판을 처리하는 공정에서, 기판 처리에 사용된 처리액을 재사용시 처리액에서 과산화수소의 농도를 설정 농도 범위 내로 유지할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, in a process of treating a substrate with a treatment solution containing hydrogen peroxide, when the treatment solution used for substrate treatment is reused, the concentration of hydrogen peroxide in the treatment solution may be maintained within a predetermined concentration range.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from this specification and the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 액 처리 챔버의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 액 공급 유닛의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 4 및 도 5는 각각 처리 모드와 대기 모드에서 노즐의 위치 및 처리액의 흐름 경로를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 6은 대기 모드에서 농도 조절 단계가 수행될 때 노즐의 위치 및 처리액의 흐름 경로의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 7은 오토 디스펜스 동작과 농도 조절 단계에서 처리액의 토출량을 보여주는 그래프이다.
도 8은 도 6의 실시예의 다른 예를 보여주는 도면이다.
도 9는 대기 모드에서 농도 조절 단계가 수행될 때 노즐의 위치 및 처리액의 흐름 경로의 다른 예를 보여주는 도면이다.
도 10는 대기 모드에서 농도 조절 단계를 수행하는 경우와 농도 조절 단계를 수행하지 않는 경우 각각에 대해 처리 모드에서 기판을 처리할 때 식각율을 보여준다.
도 11 내지 도 13는 각각 액 공급 유닛의 다른 예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 1 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a schematic view of an embodiment of the liquid processing chamber of FIG. 1 .
3 is a diagram schematically showing an example of a liquid supply unit according to an embodiment of the present invention.
4 and 5 are diagrams schematically illustrating a nozzle location and a flow path of a treatment liquid in a treatment mode and a standby mode, respectively.
6 is a view showing an example of a nozzle position and a flow path of a treatment liquid when a concentration adjustment step is performed in a standby mode.
7 is a graph showing a discharge amount of a treatment liquid in an auto dispensing operation and a concentration adjustment step.
8 is a view showing another example of the embodiment of FIG. 6 .
FIG. 9 is a diagram showing another example of a location of a nozzle and a flow path of a treatment liquid when a concentration adjusting step is performed in a standby mode.
FIG. 10 shows the etching rates when processing the substrate in the processing mode, respectively, in the case where the concentration adjustment step is performed in the standby mode and in the case where the concentration adjustment step is not performed.
11 to 13 are views schematically showing another example of a liquid supply unit, respectively.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 더욱 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. Embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following examples. This embodiment is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shapes of elements in the drawings are exaggerated to emphasize clearer description.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 1 is a plan view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치는 인덱스 모듈(10), 처리 모듈(20), 그리고 제어기(30)를 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)은 일방향을 따라 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(10)과 처리 모듈(20)이 배치된 방향을 제1방향(92)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1방향(92)과 수직한 방향을 제2방향(94)이라 하고, 제1방향(92) 및 제2방향(94)에 모두 수직한 방향을 제3방향(96)이라 한다.Referring to FIG. 1 , the substrate processing apparatus includes an index module 10 , a processing module 20 , and a controller 30 . According to one embodiment, the index module 10 and the processing module 20 are disposed along one direction. Hereinafter, the direction in which the index module 10 and the processing module 20 are disposed is referred to as a first direction 92, and a direction perpendicular to the first direction 92 when viewed from above is referred to as a second direction 94. And, a direction perpendicular to both the first direction 92 and the second direction 94 is referred to as a third direction 96.

인덱스 모듈(10)은 기판(W)이 수납된 용기(80)로부터 기판(W)을 처리 모듈(20)로 반송하고, 처리 모듈(20)에서 처리가 완료된 기판(W)을 용기(80)로 수납한다. 인덱스 모듈(10)의 길이 방향은 제2방향(94)으로 제공된다. 인덱스 모듈(10)은 로드포트(12, loadport)와 인덱스 프레임(14)을 가진다. 인덱스 프레임(14)을 기준으로 로드포트(12)는 처리 모듈(20)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(80)는 로드포트(12)에 놓인다. 로드포트(12)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(12)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다. The index module 10 transfers the substrate W from the container 80 in which the substrate W is stored to the processing module 20, and transfers the substrate W processed in the processing module 20 to the container 80. stored as The longitudinal direction of the index module 10 is provided in the second direction 94 . The index module 10 has a load port 12 and an index frame 14 . Based on the index frame 14, the load port 12 is located on the opposite side of the processing module 20. The container 80 in which the substrates W are stored is placed in the load port 12 . A plurality of load ports 12 may be provided, and the plurality of load ports 12 may be disposed along the second direction 94 .

용기(80)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다. 용기(80)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(12)에 놓일 수 있다. As the container 80, an airtight container such as a Front Open Unified Pod (FOUP) may be used. The vessel 80 may be placed on the loadport 12 by a transport means (not shown) such as an overhead transfer, an overhead conveyor, or an automatic guided vehicle or by an operator. can

인덱스 프레임(14)에는 인덱스 로봇(120)이 제공된다. 인덱스 프레임(14) 내에는 길이 방향이 제2방향(94)으로 제공된 가이드 레일(140)이 제공되고, 인덱스 로봇(120)은 가이드 레일(140) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(120)은 기판(W)이 놓이는 핸드(122)를 포함하며, 핸드(122)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(96)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(96)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(122)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(122)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진이동할 수 있다.An index robot 120 is provided on the index frame 14 . A guide rail 140 provided in the second direction 94 is provided in the index frame 14 , and the index robot 120 may be provided to be movable on the guide rail 140 . The index robot 120 includes a hand 122 on which a substrate W is placed, and the hand 122 moves forward and backward, rotates about a third direction 96 as an axis, and rotates in the third direction 96. It may be provided to be movable along. A plurality of hands 122 are provided spaced apart in the vertical direction, and the hands 122 may move forward and backward independently of each other.

처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(200), 반송 챔버(300), 그리고 액 처리 챔버(400)를 포함한다. 버퍼 유닛(200)은 처리 모듈(20)로 반입되는 기판(W)과 처리 모듈(20)로부터 반출되는 기판(W)이 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 액 처리 챔버(400)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 기판(W)을 액 처리하는 처리 공정을 수행한다. 반송 챔버(300)는 버퍼 유닛(200) 및 액 처리 챔버(400) 간에 기판(W)을 반송한다.The processing module 20 includes a buffer unit 200 , a transfer chamber 300 , and a liquid processing chamber 400 . The buffer unit 200 provides a space in which the substrate W carried into the processing module 20 and the substrate W transported out of the processing module 20 temporarily stay. The liquid processing chamber 400 performs a process of liquid treating the substrate W by supplying liquid onto the substrate W. The transfer chamber 300 transfers the substrate W between the buffer unit 200 and the liquid processing chamber 400 .

반송 챔버(300)는 그 길이 방향이 제1방향(92)으로 제공될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 인덱스 모듈(10)과 반송 챔버(300) 사이에 배치될 수 있다. 액 처리 챔버(400)는 복수 개 제공되며, 반송 챔버(300)의 측부에 배치될 수 있다. 액 처리 챔버(400)와 반송 챔버(300)는 제2방향(94)을 따라 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 반송 챔버(300)의 일단에 위치될 수 있다. The transfer chamber 300 may be provided in a first direction 92 in its longitudinal direction. The buffer unit 200 may be disposed between the index module 10 and the transfer chamber 300 . A plurality of liquid processing chambers 400 are provided and may be disposed on the side of the transfer chamber 300 . The liquid processing chamber 400 and the transfer chamber 300 may be disposed along the second direction 94 . The buffer unit 200 may be located at one end of the transfer chamber 300 .

일 예에 의하면, 액 처리 챔버(400)들은 반송 챔버(300)의 양측에 각각 배치된다. 반송 챔버(300)의 양측 각각에서 액 처리 챔버(400)들은 제1방향(92) 및 제3방향(96)을 따라 각각 A X B(A, B는 각각 1 또는 1보다 큰 자연수) 배열로 제공될 수 있다. According to one example, the liquid processing chambers 400 are respectively disposed on both sides of the transfer chamber 300 . The liquid processing chambers 400 on each side of the transfer chamber 300 may be provided in an arrangement of A X B (where A and B are 1 or a natural number greater than 1, respectively) along the first direction 92 and the third direction 96, respectively. can

반송 챔버(300)는 반송 로봇(320)을 가진다. 반송 챔버(300) 내에는 길이 방향이 제1방향(92)으로 제공된 가이드 레일(340)이 제공되고, 반송 로봇(320)은 가이드 레일(340) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 로봇(320)은 기판(W)이 놓이는 핸드(322)를 포함하며, 핸드(322)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(96)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(96)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 핸드(322)는 복수 개가 상하 방향으로 이격되게 제공되고, 핸드(322)들은 서로 독립적으로 전진 및 후진이동할 수 있다.The transfer chamber 300 has a transfer robot 320 . A guide rail 340 having a longitudinal direction in a first direction 92 is provided in the transfer chamber 300 , and the transfer robot 320 may be provided to be movable on the guide rail 340 . The transfer robot 320 includes a hand 322 on which the substrate W is placed, and the hand 322 moves forward and backward, rotates about a third direction 96 as an axis, and rotates in the third direction 96. It may be provided to be movable along. A plurality of hands 322 are provided spaced apart in the vertical direction, and the hands 322 may move forward and backward independently of each other.

버퍼 유닛(200)은 기판(W)이 놓이는 버퍼(220)를 복수 개 구비한다. 버퍼(220)들은 제3방향(96)을 따라 서로 간에 이격되도록 배치될 수 있다. 버퍼 유닛(200)은 전면(front face)과 후면(rear face)이 개방된다. 전면은 인덱스 모듈(10)과 마주보는 면이고, 후면은 반송 챔버(300)와 마주보는 면이다. 인덱스 로봇(120)은 전면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근하고, 반송 로봇(320)은 후면을 통해 버퍼 유닛(200)에 접근할 수 있다.The buffer unit 200 includes a plurality of buffers 220 on which the substrate W is placed. The buffers 220 may be disposed to be spaced apart from each other along the third direction 96 . The front face and rear face of the buffer unit 200 are open. The front side is a side facing the index module 10, and the rear side is a side facing the transfer chamber 300. The index robot 120 may approach the buffer unit 200 through the front side, and the transfer robot 320 may approach the buffer unit 200 through the rear side.

도 2는 도 1의 액 처리 챔버의 일 실시예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2를 참조하면, 액 처리 챔버(400)는 처리 유닛(401)을 가진다. 처리 유닛(401)은 하우징(410), 컵(420), 지지 유닛(440), 노즐 유닛(460), 승강 유닛(480), 그리고 홈 포트(490)을 가진다.FIG. 2 is a schematic view of an embodiment of the liquid processing chamber of FIG. 1 . Referring to FIG. 2 , the liquid processing chamber 400 has a processing unit 401 . The processing unit 401 has a housing 410 , a cup 420 , a support unit 440 , a nozzle unit 460 , an elevating unit 480 and a home port 490 .

하우징(410)은 대체로 직육면체 형상으로 제공된다. 컵(420), 노즐 유닛(460), 그리고 홈 포트(490)는 하우징(410) 내에 배치된다. The housing 410 is generally provided in a rectangular parallelepiped shape. Cup 420 , nozzle unit 460 , and home port 490 are disposed within housing 410 .

컵(420)은 상부가 개방된 처리 공간을 가지고, 기판(W)은 처리 공간 내에서 액 처리 된다. 지지 유닛(440)은 처리 공간 내에서 기판(W)을 지지한다. 액 공급 유닛(460)은 지지 유닛(440)에 지지된 기판(W) 상으로 액을 공급한다. 액은 복수 종류로 제공되고, 기판(W) 상으로 순차적으로 공급될 수 있다. 승강 유닛(480)은 컵(420)과 지지 유닛(440) 간의 상대 높이를 조절한다.The cup 420 has a processing space with an open top, and the substrate W is liquid-processed in the processing space. The support unit 440 supports the substrate W within the processing space. The liquid supply unit 460 supplies liquid onto the substrate W supported by the support unit 440 . A plurality of types of liquid may be provided, and may be sequentially supplied onto the substrate W. The lifting unit 480 adjusts the relative height between the cup 420 and the support unit 440 .

일 예에 의하면, 컵(420)은 복수의 회수통(422, 424, 426)을 가진다. 회수통들(422, 424, 426)은 각각 기판 처리에 사용된 액을 회수하는 횟수 공간을 가진다. 각각의 회수통들(422, 424, 426)은 지지 유닛(440)을 감싸는 링 형상으로 제공된다. 액 처리 공정이 진행시 기판(W)의 회전에 의해 비산되는 처리액은 각 회수통(422, 424, 426)의 유입구(422a, 424a, 426a)를 통해 회수 공간으로 유입된다. 일 예에 의하면, 컵(420)은 제1회수통(422), 제2회수통(424), 그리고 제3회수통(426)을 가진다. 제1회수통(422)은 지지 유닛(440)을 감싸도록 배치되고, 제2회수통(424)은 제1회수통(422)을 감싸도록 배치되고, 제3회수통(426)은 제2회수통(424)을 감싸도록 배치된다. 제2회수통(424)으로 액을 유입하는 제2유입구(424a)는 제1회수통(422)으로 액을 유입하는 제1유입구(422a)보다 상부에 위치되고, 제3회수통(426)으로 액을 유입하는 제3유입구(426a)는 제2유입구(424a)보다 상부에 위치될 수 있다. 각각의 회수통(422, 424, 426)에는 액 배출관(422b, 424b, 426b)이 결합된다.According to one example, the cup 420 has a plurality of collection containers 422 , 424 , and 426 . The collection containers 422 , 424 , and 426 each have a number space for recovering liquid used in substrate processing. Each of the collection containers 422 , 424 , and 426 is provided in a ring shape surrounding the support unit 440 . During the liquid treatment process, the treatment liquid scattered by the rotation of the substrate W flows into the recovery space through the inlets 422a, 424a, and 426a of the recovery containers 422, 424, and 426, respectively. According to one example, the cup 420 has a first collection container 422 , a second collection container 424 , and a third collection container 426 . The first collection container 422 is disposed to surround the support unit 440, the second collection container 424 is disposed to surround the first collection container 422, and the third collection container 426 is disposed to surround the second collection container 426. It is disposed so as to surround the collection container 424. The second inlet 424a for introducing liquid into the second collection container 424 is located above the first inlet 422a for introducing liquid into the first collection container 422, and the third collection container 426 The third inlet 426a through which the liquid flows into may be located above the second inlet 424a. Liquid discharge pipes 422b, 424b, and 426b are coupled to the recovery containers 422, 424, and 426, respectively.

지지 유닛(440)은 지지판(442)과 구동축(444)을 가진다. 지지판(442)의 상면은 대체로 원형으로 제공되고 기판(W)보다 큰 직경을 가질 수 있다. 지지판(442)의 중앙부에는 기판(W)의 후면을 지지하는 지지 핀(442a)이 제공되고, 지지 핀(442a)은 기판(W)이 지지판(442)으로부터 일정 거리 이격되도록 그 상단이 지지판(442)으로부터 돌출되게 제공된다. 지지판(442)의 가장자리부에는 척 핀(442b)이 제공된다. 척 핀(442b)은 지지판(442)으로부터 상부로 돌출되게 제공되며, 기판(W)이 회전될 때 기판(W)이 지지 유닛(440)으로부터 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 구동축(444)은 구동기(446)에 의해 구동되며, 기판(W)의 저면 중앙과 연결되며, 지지판(442)을 그 중심축을 기준으로 회전시킨다.The support unit 440 has a support plate 442 and a driving shaft 444 . The upper surface of the support plate 442 may be provided in a substantially circular shape and may have a larger diameter than the substrate W. Support pins 442a for supporting the rear surface of the substrate W are provided at the central portion of the support plate 442, and the upper end of the support pin 442a is such that the substrate W is spaced apart from the support plate 442 by a predetermined distance. 442). A chuck pin 442b is provided at an edge of the support plate 442 . The chuck pin 442b protrudes upward from the support plate 442 and supports the side of the substrate W to prevent the substrate W from being separated from the support unit 440 when the substrate W is rotated. The driving shaft 444 is driven by the driving unit 446, is connected to the center of the lower surface of the substrate W, and rotates the support plate 442 about its central axis.

노즐 유닛(460)은 제1노즐(462)과 제2노즐(464)을 가진다. 제1노즐(462)은 처리액을 기판(W) 상으로 공급한다. 일 예에 의하면, 기판의 상면에는 질화티타늄 막이 형성되고, 처리액은 기판의 상면에서 질화티타늄 막을 제거할 수 있다. 처리액은 상온보다 높은 온도로 기판에 제공될 수 있다. 처리액은 약액과 희석액을 포함한다. 일 예에 의하면, 약액은 과산화수소이고 희석액은 물일 수 있다. 선택적으로 처리액은 과산화수소와 물 이외에 첨가제를 더 함유할 수 있다. 예컨대, 첨가제는 부식 방지액(corrosion inhibitor)을 포함할 수 있다. 제2노즐(464)은 물을 기판((W) 상으로 공급한다. 물은 순수(pure water) 또는 탈이온수(deionized water)일 수 있다. The nozzle unit 460 has a first nozzle 462 and a second nozzle 464 . The first nozzle 462 supplies the treatment liquid onto the substrate (W). According to an example, a titanium nitride film is formed on the upper surface of the substrate, and the treatment liquid may remove the titanium nitride film from the upper surface of the substrate. The treatment liquid may be provided to the substrate at a temperature higher than room temperature. The treatment liquid includes a chemical liquid and a diluting liquid. According to one example, the chemical solution may be hydrogen peroxide and the diluent may be water. Optionally, the treatment liquid may further contain additives other than hydrogen peroxide and water. For example, additives may include corrosion inhibitors. The second nozzle 464 supplies water onto the substrate (W). The water may be pure water or deionized water.

제1노즐(462)과 제2노즐(464)은 서로 상이한 아암에 각각 지지되고, 이들 아암들은 독립적으로 이동될 수 있다. 선택적으로 제1노즐(462)과 제2노즐(464)은 동일한 아암에 장착되어 동시에 이동될 수 있다. The first nozzle 462 and the second nozzle 464 are supported on arms different from each other, and these arms can move independently. Optionally, the first nozzle 462 and the second nozzle 464 may be mounted on the same arm and moved simultaneously.

액 공급 유닛은 제1노즐(462)과 제2노즐(464) 이외에 하나 또는 복수의 노즐을 더 구비할 수 있다. 추가되는 노즐은 다른 종류의 처리액을 기판으로 공급할 수 있다. 예컨대, 다른 종류의 처리액은 기판 상에서 이물을 제거하기 위한 산 용액 또는 염기 용액일 수 있다. 또한, 다른 종류의 처리액은 표면장력이 물보다 낮은 알코올일 수 있다. 예컨대, 알코올은 이소프로필 알코올일 수 있다. The liquid supply unit may further include one or a plurality of nozzles in addition to the first nozzle 462 and the second nozzle 464 . Additional nozzles may supply different types of treatment liquids to the substrate. For example, another type of treatment liquid may be an acid solution or a base solution for removing foreign substances on the substrate. Also, another type of treatment liquid may be alcohol having a lower surface tension than water. For example, the alcohol may be isopropyl alcohol.

승강 유닛(480)은 컵(420)을 상하 방향으로 이동시킨다. 컵(420)의 상하 이동에 의해 컵(420)과 기판(W) 간의 상대 높이가 변경된다. 이에 의해 기판(W)에 공급되는 액의 종류에 따라 처리액을 회수하는 회수통(422, 424, 426)이 변경되므로, 액들을 분리회수할 수 있다. 상술한 바와 달리, 컵(420)은 고정 설치되고, 승강 유닛(480)은 지지 유닛(440)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.The lifting unit 480 moves the cup 420 up and down. The relative height between the cup 420 and the substrate W is changed by the vertical movement of the cup 420 . As a result, since the collection containers 422, 424, and 426 for collecting the processing liquid are changed according to the type of liquid supplied to the substrate W, the liquids can be separately collected. Unlike the above description, the cup 420 is fixedly installed, and the lifting unit 480 may move the support unit 440 in the vertical direction.

홈 포트(490)는 하우징(410) 내에 배치된다. 홈 포트(490)는 컵(420)의 일 측에 배치된다. 홈 포트(490)는 상부가 개방된 내부 공간이 형성된 바디(492)를 가진다. 내부 공간의 저면에는 배출관(496)이 결합된다. 홈 포트(490)는 내부 공간의 상부를 덮는 커버(494)를 가질 수 있다. 커버(494)에는 제1노즐(462)(442)로부터 토출되는 처리액이 유입되는 개구(494a)가 형성될 수 있다. 선택적으로 커버의 제공 없이 내부 공간의 상부는 대기 중에 개방될 수 있다. Home port 490 is disposed within housing 410 . Home port 490 is disposed on one side of cup 420 . The home port 490 has a body 492 in which an inner space is formed with an open top. A discharge pipe 496 is coupled to the lower surface of the inner space. The home port 490 may have a cover 494 covering an upper portion of the inner space. An opening 494a into which the treatment liquid discharged from the first nozzles 462 and 442 flows may be formed in the cover 494 . Optionally, without provision of a cover, the upper part of the interior space may be open to the atmosphere.

기판에 대해 액 처리가 이루어지지 않는 동안 제1노즐(462)(442)은 홈 포트(490)에서 대기한다. 제1노즐(462)(442)은 홈 포트(490)에서 오토 디스펜스(auto-dispense) 및 프리 디스펜스(pre-dispense) 동작을 수행할 수 있다. 오토 디스펜스는 제1노즐(462)이 기판에 액 토출을 수행하지 않고 홈 포트(490)에 장시간 대기하는 동안에 처리액이 제1노즐(462) 내에서 굳지 않도록 처리액을 홈 포트(490) 내로 토출하는 동작이다. 오토 디스펜스는 일정 시간 간격으로 반복하여 이루어질 수 있다. 프리 디스펜스는 제1노즐(462)이 홈 포트(490)에서 장시간 대기한 후 기판에 대해 액 처리를 수행하기 직전에 처리액이 안정적으로 토출될 수 있도록 홈 포트(490) 내로 처리액을 토출하는 동작이다. While liquid processing is not performed on the substrate, the first nozzles 462 and 442 stand by in the home port 490 . The first nozzles 462 and 442 may perform auto-dispense and pre-dispense operations in the home port 490 . In auto dispensing, the treatment liquid is injected into the home port 490 so that the treatment liquid does not solidify in the first nozzle 462 while the first nozzle 462 waits in the home port 490 for a long time without discharging the liquid to the substrate. It is the action of ejection. Auto dispensing may be repeated at regular time intervals. Pre-dispensing is a process in which the first nozzle 462 discharges the treatment liquid into the home port 490 so that the treatment liquid can be stably discharged immediately before liquid treatment is performed on the substrate after waiting in the home port 490 for a long time. It's an action.

액 공급 유닛(500)은 처리액을 노즐(462)로 공급한다. 아래에서는 처리액이 과산화수소 수용액인 경우를 예로 들어 설명한다. 아래에서는 제1노즐(462)을 노즐(462)로 기재한다.The liquid supply unit 500 supplies the treatment liquid to the nozzle 462 . Hereinafter, a case in which the treatment liquid is an aqueous hydrogen peroxide solution will be described as an example. Below, the first nozzle 462 is described as a nozzle 462 .

도 3은 액 공급 유닛(500)의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 3을 참조하면, 액 공급 유닛(500)은 메인 탱크(501)를 가진다. 메인 탱크(501)는 처리액을 노즐(462)로 공급한다. 홈 포트(490)와 메인 탱크(501), 그리고 처리 유닛(401)과 메인 탱크(501)는 회수 라인(540)에 의해 서로 연결된다. .3 is a diagram schematically showing an example of a liquid supply unit 500 . Referring to FIG. 3 , the liquid supply unit 500 has a main tank 501 . The main tank 501 supplies the treatment liquid to the nozzle 462 . The home port 490 and the main tank 501 and the processing unit 401 and the main tank 501 are connected to each other by a return line 540 . .

메인 탱크(501)는 하우징(510) 및 순환 라인(520)을 가진다. 하우징(510)은 직육면체 또는 원통 형상으로 제공된다. 하우징(510)은 내부에 처리액이 저장되는 공간을 가진다. 하우징(510) 내의 공간은 외부에 대해 밀폐될 수 있다.The main tank 501 has a housing 510 and a circulation line 520. The housing 510 is provided in a rectangular parallelepiped or cylindrical shape. The housing 510 has a space in which the treatment liquid is stored. A space within the housing 510 may be sealed against the outside.

하우징(510)에는 액 공급 라인(530)이 결합된다. 메인 탱크(501)는 액 공급 라인(530)에 의해 노즐(462)과 연결된다. 액 공급 라인(530)에는 밸브(530a)가 설치된다. 처리액은 액 공급 라인(530)을 통해 노즐(462)로 공급된다. 액 공급 라인(530)은 하우징(510)의 상벽을 통해서 하우징(510)에 결합될 수 있다. 하우징(510)에는 회수 라인(540)이 연결된다. 회수 라인(540)에는 홈 포트(490)에 연결된 배출관(496) 또는 처리 유닛(401)에 연결된 액 배출관들 중 하나(426b)와 결합될 수 있다. 회수 라인(540)을 통해 홈 포트(490) 또는 처리 유닛(401)으로부터 배출되는 처리액은 하우징(510) 내로 회수된다. 하우징(510)에는 폐액 라인(512)이 연결된다. 폐액 라인(512)에는 밸브(512a)가 설치된다. 하우징(510) 내의 처리액은 폐액 라인(512)을 통해 외부로 배출되어 폐기될 수 있다. A liquid supply line 530 is coupled to the housing 510 . The main tank 501 is connected to the nozzle 462 through a liquid supply line 530 . A valve 530a is installed in the liquid supply line 530 . The treatment liquid is supplied to the nozzle 462 through the liquid supply line 530 . The liquid supply line 530 may be coupled to the housing 510 through an upper wall of the housing 510 . A recovery line 540 is connected to the housing 510 . The recovery line 540 may be coupled with either a discharge pipe 496 connected to the home port 490 or one of liquid discharge pipes 426b connected to the processing unit 401 . The treatment liquid discharged from the home port 490 or the treatment unit 401 through the recovery line 540 is recovered into the housing 510 . A waste liquid line 512 is connected to the housing 510 . A valve 512a is installed in the waste liquid line 512 . The treatment liquid in the housing 510 may be discharged to the outside through the waste liquid line 512 and disposed of.

하우징(510)에는 과산화수소 보충 라인(514)과 물 보충 라인(516)이 연결될 수 있다. 과산화수소 보충 라인(514) 및 물 보충 라인(516)에는 각각 밸브(도시되지 않음)가 설치된다. 과산화수소 보충 라인(514)은 하우징(510) 내로 유입된 처리액에 과산화수소를 보충하고, 물 보충 라인(516)은 하우징(510) 내로 유입된 처리액에 물을 보충할 수 있다. 과산화수소 및 물의 보충은 하우징(510) 내에 제공된 수위 측정 센서(518)에 의해 측정된 처리액의 수위에 기초하여 이루어질 수 있다. 선택적으로 처리액을 일정 횟수 또는 일정 기간 재사용하고 처리액을 하우징(510)으로부터 배출한 후, 과산화수소 및 물의 보충이 이루어질 수 있다. 처리액에 첨가제가 함유된 경우, 첨가제 보충 라인(도시되지 않음)이 하우징(510)에 추가로 연결될 수 있다. A hydrogen peroxide replenishment line 514 and a water replenishment line 516 may be connected to the housing 510 . Valves (not shown) are installed on the hydrogen peroxide replenishment line 514 and the water replenishment line 516, respectively. The hydrogen peroxide replenishment line 514 may replenish hydrogen peroxide to the treatment liquid flowing into the housing 510 , and the water replenishment line 516 may replenish water to the treatment liquid introduced into the housing 510 . Replenishment of hydrogen peroxide and water may be performed based on the water level of the treatment liquid measured by the water level sensor 518 provided in the housing 510 . Optionally, after the treatment liquid is reused a predetermined number of times or for a predetermined period of time and the treatment liquid is discharged from the housing 510, hydrogen peroxide and water may be replenished. When the treatment liquid contains additives, an additive replenishment line (not shown) may be additionally connected to the housing 510 .

하우징(510)에는 벤트 라인(519)이 연결된다. 벤트 라인(519)은 하우징(510) 내에 저장된 처리액으로부터 증발된 수증기를 하우징(510) 외부로 배기한다. 벤트 라인(519)은 하우징(510)의 상면에 결합된다. 벤트 라인(519)은 다른 라인들에 비해 작은 직경으로 제공될 수 있다. 하우징(510) 내부가 소정 압력 이상이 되는 경우, 하우징(510) 내 수증기는 벤트 라인(519)을 통해 배출될 수 있다.A vent line 519 is connected to the housing 510 . The vent line 519 exhausts water vapor evaporated from the treatment liquid stored in the housing 510 to the outside of the housing 510 . The vent line 519 is coupled to the upper surface of the housing 510 . Vent line 519 may be provided with a smaller diameter than the other lines. When the inside of the housing 510 reaches a predetermined pressure or higher, water vapor in the housing 510 may be discharged through the vent line 519 .

하우징(510)에는 순환 라인(520)이 연결된다. 일 예에 의하면, 순환 라인(520)의 일단은 입구로 기능하며, 하우징(510)의 저면에 결합된다. 순환 라인(520)의 타단은 출구로 기능하며, 하우징(510) 내 처리액 내에 침지된다. 선택적으로 순환 라인(520)의 타단은 하우징(510) 내에 저장된 처리액의 수면보다 높게 위치될 수 있다.A circulation line 520 is connected to the housing 510 . According to one example, one end of the circulation line 520 functions as an inlet and is coupled to the lower surface of the housing 510 . The other end of the circulation line 520 functions as an outlet and is immersed in the treatment liquid in the housing 510 . Optionally, the other end of the circulation line 520 may be positioned higher than the level of the treatment liquid stored in the housing 510 .

순환 라인(520)에는 펌프(522)와 가열 부재(524)가 설치된다. 펌프(522)는 하우징(510) 내의 처리액이 순환 라인(520) 내를 흐르도록 하는 유동압을 제공한다. 가열 부재는 히터(524)를 포함한다. 히터(524)는 순환 라인(520) 내를 흐르는 처리액을 가열한다. 일 예에 의하면, 히터(524)는 처리액이 설정 온도로 가열되도록 제어된다. 예컨대, 설정 온도는 약 40℃ 내지 90℃ 일 수 있다. A pump 522 and a heating member 524 are installed in the circulation line 520 . The pump 522 provides fluid pressure to allow the treatment liquid in the housing 510 to flow in the circulation line 520 . The heating element includes a heater 524. The heater 524 heats the treatment liquid flowing through the circulation line 520 . According to one example, the heater 524 is controlled to heat the treatment liquid to a set temperature. For example, the set temperature may be about 40 °C to 90 °C.

액 공급 유닛(500)은 농도 측정 부재를 가진다. 농도 측정 부재는 하우징(510) 내에 저장된 처리액에서 과산화수소의 농도를 측정한다. 일 예에 의하면, 농도 측정 부재는 농도계(526)를 가진다. 농도 계(526)는 순환 라인(520) 상에 설치될 수 있다. 농도계(526)는 순환 라인(520)을 흐르는 처리액 내 과산화수소의 농도를 직접 측정할 수 있다. 선택적으로 농도 측정 부재는 처리액에서 과산화수소의 농도 이외의 다른 값을 측정하고, 측정된 값에 근거하여 과산화수소의 농도를 산출할 수 있다. 선택적으로 농도계(526)는 순환 라인(520) 이외의 장소에 설치되어 하우징(510)에 저장된 처리액에 과산화수소의 농도를 측정할 수 있다. The liquid supply unit 500 has a concentration measuring member. The concentration measuring member measures the concentration of hydrogen peroxide in the treatment liquid stored in the housing 510 . According to one example, the concentration measuring member has a densitometer 526 . A concentration meter 526 may be installed on the circulation line 520. The concentration meter 526 can directly measure the concentration of hydrogen peroxide in the treatment liquid flowing through the circulation line 520 . Optionally, the concentration measuring member may measure a value other than the concentration of hydrogen peroxide in the treatment liquid, and calculate the concentration of hydrogen peroxide based on the measured value. Alternatively, the concentration meter 526 may be installed in a location other than the circulation line 520 to measure the concentration of hydrogen peroxide in the treatment liquid stored in the housing 510 .

제어기(30)는 노즐(462)의 동작 및 액 공급 유닛(500)에 제공된 각각의 밸브들(512a, 520a, 530a, 540a)들의 개폐 상태를 제어한다. 노즐(462)은 공정 위치 및 대기 위치 간에 이동한다. 공정 위치는 처리 유닛(401)이 제공된 영역이고, 대기 위치는 홈 포트(490)가 제공되는 영역이다. 기판(W)에 대해 처리가 이루어질 때, 노즐(462)은 공정 위치로 이동하여 기판(W)으로 처리액을 토출한다. 기판(W)에 대해 액 처리가 이루어지지 않는 동안에, 노즐(462)은 대기 위치로 이동한다.The controller 30 controls the operation of the nozzle 462 and the open/close state of each of the valves 512a, 520a, 530a, and 540a provided in the liquid supply unit 500. The nozzle 462 moves between a process position and a stand-by position. The process location is an area where the processing unit 401 is provided, and the standby location is an area where the home port 490 is provided. When processing is performed on the substrate (W), the nozzle 462 moves to a process position and discharges the processing liquid to the substrate (W). While no liquid treatment is performed on the substrate W, the nozzle 462 moves to the stand-by position.

제어기(30)는 처리 모드 및 대기 모드를 수행되도록 한다. 도 4 및 도 5는 각각 처리 모드와 대기 모드에서 노즐의 위치 및 처리액의 흐름 경로를 개략적으로 보여준다. 또한, 도 6은 대기 모드에서 농도 조절 단계가 수행될 때 노즐의 위치 및 처리액의 흐름 경로를 보여준다. 도 4 내지 도 6에서 내부가 채워진 밸브는 폐쇄 상태를 나타내고, 내부가 빈 밸브는 개방 상태이다. 또한, 실선으로 표시된 화살표는 처리액의 흐름 방향을 나타낸다. The controller 30 causes a processing mode and a standby mode to be performed. 4 and 5 schematically show the location of the nozzle and the flow path of the treatment liquid in the treatment mode and the standby mode, respectively. 6 shows the location of the nozzle and the flow path of the treatment liquid when the concentration adjustment step is performed in the standby mode. In Figs. 4 to 6, valves with a filled inside represent a closed state, and valves with an empty inside represent an open state. Also, an arrow indicated by a solid line indicates a flow direction of the treatment liquid.

도 4를 참조하면, 기판(W)이 처리 유닛(401) 내로 반입되면 처리 모드가 수행된다. 처리 모드 동안에 노즐(462)은 동일 그룹에 속하는 기판(W)들에 대해 연속적으로 처리액을 공급한다. Referring to FIG. 4 , when a substrate W is loaded into the processing unit 401 , a processing mode is performed. During the treatment mode, the nozzle 462 continuously supplies the treatment liquid to the substrates W belonging to the same group.

기판(W)에 대해 처리가 이루어질 때, 일반적으로 하나의 그룹에 속하는 복수 매의 기판(W)들이 연속적으로 처리된다. 동일한 용기(80)에 수용된 기판들(W)이 하나의 그룹으로 제공될 수 있다. 선택적으로 복수의 용기(80)에 수용된 기판들(W)이 하나의 그룹으로 제공될 수 있다. 동일 그룹에 속하는 복수 매의 기판(W)들이 1매씩 순차적으로 처리 유닛(401) 내로 반입되고, 반입된 기판(W) 상으로 노즐(462)로부터 처리액이 토출된다. 반입된 기판(W)에 대해 처리가 완료되면 기판(W)은 처리 유닛(401)으로부터 반출된다. 기판(W)에 대한 처리는 처리액에 의한 처리 이외에 다른 처리를 포함할 수 있다. 예컨대, 처리액 이외에 다른 종류의 액에 의한 후속 처리 또는 건조 처리를 포함할 수 있다. 이후 동일 그룹에 속하는 기판들 중 다음 기판(W)이 처리 유닛(401) 내로 반입되고, 동일한 처리가 이루어진다. 하나의 그룹에 속하는 기판(W)들에 대해 연속 처리가 이루어지는 동안, 노즐(462)은 대기 위치와 공정 위치 간에 계속적으로 왕복 이동한다.When processing is performed on the substrate W, generally a plurality of substrates W belonging to one group are continuously processed. The substrates W accommodated in the same container 80 may be provided as a group. Selectively, the substrates W accommodated in the plurality of containers 80 may be provided as a group. A plurality of substrates W belonging to the same group are sequentially loaded into the processing unit 401 one by one, and the processing liquid is discharged from the nozzle 462 onto the loaded substrates W. When the processing of the loaded substrate W is completed, the substrate W is unloaded from the processing unit 401 . The treatment of the substrate W may include other treatments besides the treatment using the treatment liquid. For example, a subsequent treatment with a different type of liquid or a drying treatment may be included in addition to the treatment liquid. Thereafter, the next substrate W among the substrates belonging to the same group is carried into the processing unit 401, and the same processing is performed. While continuous processing is performed on the substrates W belonging to one group, the nozzle 462 continuously reciprocates between the standby position and the process position.

하나의 그룹에 속하는 복수 매의 기판(W)에 대해 처리가 완료되면, 대기 모드가 수행된다. 도 5를 참조하면, 노즐(462)은 대기 위치로 이동하고, 다음 그룹에 속하는 복수 매의 기판(W)에 대해 처리를 시작할 때까지 홈 포트(490)에서 대기한다. 대기 모드 동안에 처리액은 순환 라인(520)을 통해 계속적으로 순환하며, 처리액이 설정 온도를 유지하도록 처리액은 히터(524)에 의해 계속적으로 가열된다.When processing is completed for the plurality of substrates W belonging to one group, a standby mode is performed. Referring to FIG. 5 , the nozzle 462 moves to a stand-by position and waits at the home port 490 until processing begins for a plurality of substrates W belonging to the next group. During the standby mode, the treatment liquid continuously circulates through the circulation line 520, and the treatment liquid is continuously heated by the heater 524 so that the treatment liquid maintains a set temperature.

상술한 처리 모드에서 기판(W)에 대한 처리는 과산화수소를 포함한 처리액을 이용하여 기판(W) 상에 형성된 질화 티타늄 박막을 제거하거나, 기판(W) 상에 잔류하는 질화 티타늄 함유 물질을 제거하는 처리일 수 있다. 이 경우, 처리 모드 동안에 기판(W) 처리에 사용된 처리액은 메인 탱크(501)로 회수되고, 다음 처리 모드가 수행될 때까지 온도가 조정된 상태로 대기한다. 처리액 내에는 기판(W)에서 박리된 티타늄 또는 티타늄 함유 물질이 잔류한다. 티타늄은 과산화수소와 반응하여 과산화수소를 분해한다. 따라서 대기 모드가 길어짐에 따라 처리액 내에서 과산화수소의 농도가 점진적으로 낮아진다.The treatment of the substrate (W) in the above-described treatment mode is to remove the titanium nitride thin film formed on the substrate (W) or to remove the titanium nitride-containing material remaining on the substrate (W) using a treatment solution containing hydrogen peroxide. can be processing. In this case, the processing liquid used to process the substrate W during the processing mode is returned to the main tank 501, and waits in a temperature-adjusted state until the next processing mode is performed. Titanium or a titanium-containing material separated from the substrate W remains in the treatment liquid. Titanium reacts with hydrogen peroxide to decompose hydrogen peroxide. Therefore, as the standby mode becomes longer, the concentration of hydrogen peroxide in the treatment liquid gradually decreases.

일 실시예에 의하면, 대기 모드 동안에 농도 조절 단계가 수행된다. 도 6을 참조하면, 농도 조절 단계에서 처리액은 노즐(462)로부터 토출되고, 토출된 처리액은 다시 메인 탱크(501)로 회수된다. 일 예에 의하면, 농도 조절 단계에서 노즐(462)은 처리액을 처리 유닛(401)으로 토출한다. 이때 처리 유닛(401)에는 기판(W)이 반입되지 않은 상태이다. 처리 유닛(401) 내부는 대기압이거나 대기압보다 조금 높은 압력일 수 있다. 처리 유닛(401) 내에서 노즐(462)로부터 처리액이 토출될 때 토출 전후에서 처리액의 압력은 크게 낮아진다. 처리액은 히터(524)에 의해 가열된 상태에서 노즐(462)로부터 토출되므로 토출 도중에 처리액에서 물의 다량 증발된다. 처리 유닛(401)으로 토출된 처리액은 다시 메인 탱크(501)로 회수된다. 물의 증발로 인해 회수된 처리액에서 과산화수소의 농도는 증가한다. 상술한 과정은 1회 수행되거나, 메인 탱크(501) 내의 처리액에서 과산화수소의 농도가 설정 농도로 될 때까지 복수 회 진행된다. According to one embodiment, the concentration adjustment step is performed during standby mode. Referring to FIG. 6 , in the concentration adjusting step, the treatment liquid is discharged from the nozzle 462 and the discharged treatment liquid is returned to the main tank 501 . According to one example, in the concentration adjustment step, the nozzle 462 discharges the treatment liquid to the treatment unit 401 . At this time, the substrate W is not loaded into the processing unit 401 . The inside of the processing unit 401 may be at atmospheric pressure or at a pressure slightly higher than atmospheric pressure. When the processing liquid is discharged from the nozzle 462 within the processing unit 401, the pressure of the processing liquid before and after the discharge is greatly reduced. Since the treatment liquid is discharged from the nozzle 462 while being heated by the heater 524, a large amount of water is evaporated from the treatment liquid during discharge. The treatment liquid discharged to the treatment unit 401 is returned to the main tank 501 again. The concentration of hydrogen peroxide in the recovered treatment liquid increases due to the evaporation of water. The above-described process is performed once or a plurality of times until the concentration of hydrogen peroxide in the treatment liquid in the main tank 501 reaches a set concentration.

농도 조절 단계는 과산화수소의 농도가 설정값 이하인 것으로 농도계(526)가 검출했을 때 수행될 수 있다. 선택적으로 농도 조절 단계는 대기 모드에서 대기 시간이 기설정된 시간이 경과되었을 때 수행될 수 있다.The concentration adjustment step may be performed when the concentration meter 526 detects that the concentration of hydrogen peroxide is below a set value. Optionally, the concentration adjustment step may be performed when a preset standby time elapses in the standby mode.

농도 조절 단계에서, 노즐(462)은 처리액을 지지판(442)의 상면으로 공급할 수 있다. 지지판(442)과 컵(420)의 내벽에 잔류하는 과산화수소를 제거하기 위해 노즐(462) 유닛은 린스액을 회전하는 지지판(442)에 공급될 수 있다. 일 예에 의하면, 린스액으로서 물과 유기용제가 순차적으로 회전하는 지지판(442)에 공급될 수 있다. 사용된 물과 유기용제는 회수 없이 외부로 배액될 수 있다. 농도 조절 단계에서, 지지판(442)은 고정되거나 회전될 수 있다.In the concentration adjustment step, the nozzle 462 may supply the treatment liquid to the upper surface of the support plate 442 . In order to remove hydrogen peroxide remaining on the support plate 442 and the inner wall of the cup 420, the nozzle 462 unit may supply the rinsing liquid to the rotating support plate 442. According to one example, water and an organic solvent may be sequentially supplied to the rotating support plate 442 as a rinsing liquid. Used water and organic solvents can be drained to the outside without recovery. In the concentration adjustment step, the support plate 442 may be fixed or rotated.

본 실시예에서 농도 조절 단계는 오토 디스펜스 동작과 구분된다. 도 7은 오노 디스펜스 동작과 농도 조절 단계에서 토출량의 일 예를 그래프이다. 도 7을 참조하면, 1회의 농도 조절 단계에서 노즐(462)은 제1유량(Q1)의 처리액을 토출하고, 1회의 오토 디스펜스 동작에서 노즐(462)은 제2유량(Q2)의 처리액을 토출한다. 이때 제1유량(Q1)은 제2유량(Q2)보다 크다. 농도 조절 단계에서 노즐(462)로부터 토출되는 단위 시간당 토출 유량은 오토 디스펜스 동작에서 노즐(462)로부터 토출되는 단위 시간당 토출 유량보다 많을 수 있다. 선택적으로, 농도 조절 단계 및 오토 디스펜스 동작 각각에서 노즐(462)로부터 토출되는 단위 시간당 토출 유량은 서로 동일하고, 농도 조절 단계에서 노즐(462)로부터 토출되는 시간은 오토 디스펜스 동작에서 노즐(462)로부터 토출되는 단위 시간당 토출 시간보다 길 수 있다. 오토 디스펜스는 상대적으로 소량을 토출하여도 처리액이 노즐(462)에서 굳는 것을 방지할 수 있다. 그러나 농도 조절 단계의 경우, 토출 동안에 다량의 물을 증발될 수 있도록 노즐(462)은 상대적으로 많은 량의 처리액을 토출한다.In this embodiment, the concentration adjustment step is distinguished from the auto dispensing operation. 7 is a graph showing an example of a discharge amount in an Ono dispensing operation and a concentration adjustment step. Referring to FIG. 7, in one concentration adjustment step, the nozzle 462 discharges the treatment liquid at the first flow rate Q1, and in one auto dispensing operation, the nozzle 462 discharges the treatment liquid at the second flow rate Q2. ejects At this time, the first flow rate Q1 is greater than the second flow rate Q2. The discharge flow rate per unit time discharged from the nozzle 462 in the concentration adjustment step may be greater than the discharge flow rate per unit time discharged from the nozzle 462 in the auto dispensing operation. Optionally, the discharge flow rate per unit time discharged from the nozzle 462 in each of the concentration adjustment step and the auto dispensing operation is equal to each other, and the discharge time from the nozzle 462 in the concentration adjustment step is It may be longer than the ejection time per ejected unit time. Auto dispensing can prevent the treatment liquid from being hardened in the nozzle 462 even when a relatively small amount is discharged. However, in the case of the concentration adjustment step, the nozzle 462 discharges a relatively large amount of treatment liquid so that a large amount of water can be evaporated during the discharge.

또한, 농도 조절 단계에서 처리액의 토출이 설정시간을 기준으로 이루어질 때, 농도 조절 단계에서 토출이 이루어지는 설정시간은 제1간격(△t1이고, 오토 디스펜스 동작에서 토출이 이루어지는 설정시간은 제2간격(△t2)이다. 이때 제1간격(△t1)은 제2간격(△t2)보다 더 크다.In addition, when the discharge of the treatment liquid is performed based on the set time in the concentration control step, the set time for the discharge in the concentration control step is the first interval (Δt1), and the set time for the discharge in the auto dispensing operation is the second interval (Δt2) At this time, the first interval (Δt1) is greater than the second interval (Δt2).

상술한 도 6에서는 농도 조절 단계에서 처리액이 노즐(462)로부터 처리 유닛으로 토출될 때 처리 유닛 내에서 기판이 제거되고, 처리액은 지지판(442) 상으로 직접 토출되는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리, 도 8에 도시된 바와 같이 처리 유닛(401) 내에서 지지판(442) 상에는 더미 웨이퍼(DW, dummy wafer)가 놓이고, 더미 웨이퍼(DW)가 회전되는 상태에서 처리액이 노즐(462)로부터 더미 웨이퍼(DW) 상으로 토출될 수 있다.6 described above, when the processing liquid is discharged from the nozzle 462 to the processing unit in the concentration adjustment step, the substrate is removed from the processing unit and the processing liquid is directly discharged onto the support plate 442 . However, unlike this, as shown in FIG. 8 , a dummy wafer (DW) is placed on the support plate 442 in the processing unit 401, and in a state in which the dummy wafer DW is rotated, the processing liquid flows through the nozzle ( 462 may be discharged onto the dummy wafer DW.

농도 조절 단계가 수행되지 않을 때에 더미 웨이퍼(DW)는 버퍼 유닛(200)에 보관될 수 있다. 버퍼 유닛(200)에서 기판이 일시적으로 보관되는 공간과 더미 웨이퍼가 보관되는 공간은 구분될 수 있다. 더미 웨이퍼(DW)는 2매가 제공될 수 있다. 선택적으로 더미 웨이퍼(DW)는 1매 또는 3매 이상 제공될 수 있다. 더미 웨이퍼(DW)는 기판과 동일한 크기 및 형상으로 제공될 수 있다. 더미 웨이퍼(DW)는 반송 로봇(320)에 의해 버퍼 유닛(200)과 처리 유닛 간(401)에 반송될 수 있다.When the concentration adjustment step is not performed, the dummy wafer DW may be stored in the buffer unit 200 . In the buffer unit 200, a space for temporarily storing substrates and a space for storing dummy wafers may be separated. Two dummy wafers DW may be provided. Optionally, one or more dummy wafers DW may be provided. The dummy wafer DW may have the same size and shape as the substrate. The dummy wafer DW may be transported between the buffer unit 200 and the processing unit 401 by the transport robot 320 .

상술한 예에서는 대기 모드 중 농도 조절 단계에서 노즐(462)은 처리액을 처리 유닛(401) 내로 토출하는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리, 도 9에 도시된 바와 같이 농도 조절 단계에서 노즐(462)은 처리액을 홈 포트(490) 내로 토출할 수 있다. 홈 포트(490) 내로 토출된 처리액은 회수 라인(540)을 통해 다시 메인 탱크(501)로 회수된다. In the above example, it has been described that the nozzle 462 discharges the treatment liquid into the treatment unit 401 in the concentration adjustment step in the standby mode. However, unlike this, as shown in FIG. 9 , in the concentration adjustment step, the nozzle 462 may discharge the treatment liquid into the home port 490 . The treatment liquid discharged into the home port 490 is returned to the main tank 501 through the recovery line 540 .

노즐(462)로부터 처리액을 토출시, 처리액이 토출되는 공간이 넓은 경우 처리액 내 물의 증발이 더 가속된다. 일반적으로 처리 유닛(401) 내의 공간은 홈 포트(490) 내의 공간보다 넓다. 따라서 노즐(462)로부터 처리액을 처리 유닛(401) 내로 토출하는 경우, 처리액을 홈 포트(490) 내로 토출할 때에 비해 물의 증발량이 더 많다.When the treatment liquid is discharged from the nozzle 462, evaporation of water in the treatment liquid is accelerated when the space where the treatment liquid is discharged is wide. Generally, the space within the processing unit 401 is larger than the space within the home port 490 . Therefore, when the treatment liquid is discharged from the nozzle 462 into the treatment unit 401 , the amount of water evaporated is greater than when the treatment liquid is discharged into the home port 490 .

도 10은 대기 모드에서 농도 조절 단계를 수행하는 경우와 농도 조절 단계를 수행하지 않는 경우 각각에 대해 처리 모드에서 기판을 처리할 때 식각율을 보여준다. 처리액은 과산화수소수이고, 식각 대상막은 질화티타늄(TiN) 박막이다. 그래프에서 '■'는 대기 모드에서 노즐(462)로부터 처리액의 토출에 의해 농도 조절을 수행하지 않을 때의 TiN 박막의 식각율이고, '●'는 대기 모드에서 노즐(462)로부터 처리액의 토출에 의해 농도 조절을 수행하였을 때의 TiN 박막의 식각율이다. 대기 모드에서 노즐(462)로부터 처리액의 토출에 의해 농도 조절의 수행 유무를 제외하고 나머지 조건은 동일하게 수행하였다.10 shows etching rates when processing a substrate in processing mode, respectively, in the case where the concentration adjustment step is performed in the standby mode and in the case where the concentration adjustment step is not performed. The treatment liquid is hydrogen peroxide, and the etch target film is a titanium nitride (TiN) thin film. In the graph, '■' is the etching rate of the TiN thin film when concentration control is not performed by discharging the treatment liquid from the nozzle 462 in the standby mode, and '●' is the etch rate of the treatment liquid from the nozzle 462 in the standby mode. This is the etching rate of the TiN thin film when concentration control is performed by ejection. Except for the presence or absence of concentration adjustment by discharging the treatment liquid from the nozzle 462 in the standby mode, the rest of the conditions were the same.

대기 모드에서 대기 시간이 0인 경우에 식각율은 약 187 Å/min이다. 대기 모드에서 농도 조절을 수행하지 않은 경우, 10시간이 경과되었을 때에 식각율이 약 184 Å/min로 감소하고, 20시간이 경과되었을 때에 식각율은 약 168 Å/min로 감소하고, 24시간이 경과되었을 때에 식각율은 약 162Å/min로 감소하였다. 그러나 대기 모드에서 농도 조절을 수행하였을 경우, 식각율의 변화는 크지 않다.The etch rate is about 187 Å/min when the standby time is zero in the standby mode. When the concentration control was not performed in the standby mode, the etching rate decreased to about 184 Å/min after 10 hours, decreased to about 168 Å/min after 20 hours, and decreased to about 168 Å/min after 24 hours. When elapsed, the etch rate decreased to about 162 Å/min. However, when the concentration control is performed in the standby mode, the change in the etching rate is not large.

상술한 예에서는 메인 탱크(501)에 회수 라인(540)이 직접 연결되는 구조를 예로 들어 설명하였다. In the above example, a structure in which the recovery line 540 is directly connected to the main tank 501 has been described as an example.

그러나 이와 달리, 메인 탱크(501)는 회수 라인(540)에 직접 연결되지 않고, 회수 탱크(502)를 경유해서 처리 유닛(401) 또는 홈 포트(490)로부터 배출된 액을 회수할 수 있다. However, unlike this, the main tank 501 is not directly connected to the recovery line 540, and the liquid discharged from the processing unit 401 or the home port 490 may be recovered via the recovery tank 502.

도 11은 액 공급 유닛의 다른 예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 액 공급 유닛(500)은 메인 탱크(501)와 회수 탱크(502)를 가진다. 도 3과 달리, 회수 라인(540)은 회수 탱크(502)에 결합되고, 메인 탱크(501)와 회수 탱크(502)는 연결 라인(552)에 의해 결합된다. 연결 라인(552)에는 밸브(552a)가 설치된다. 회수 탱크(502)는 메인 탱크(501)와 동일한 구조를 가질 수 있다. 즉, 회수 탱크(502)는 하우징, 순환 라인, 히터, 그리고 농도계를 가질 수 있다. 처리액에서 과산화수소의 농도는 메인 탱크(501) 또는 회수 탱크(502)에서 측정될 수 있다. 선택적으로 회수 탱크(502)는 순환 라인 없이 하우징만 구비할 수 있다.11 is a diagram schematically showing another example of a liquid supply unit. The liquid supply unit 500 has a main tank 501 and a recovery tank 502 . Unlike FIG. 3 , the recovery line 540 is coupled to the recovery tank 502 , and the main tank 501 and the recovery tank 502 are coupled by a connection line 552 . A valve 552a is installed in the connection line 552. The recovery tank 502 may have the same structure as the main tank 501 . That is, the recovery tank 502 may have a housing, a circulation line, a heater, and a concentration meter. The concentration of hydrogen peroxide in the treatment liquid may be measured in the main tank 501 or the recovery tank 502. Optionally, the recovery tank 502 may have only a housing without a circulation line.

또한, 메인 탱크(501)는 액 공급 라인(530)에 직접 연결되지 않고, 공급 탱크(503)를 경유해서 노즐(462)로 액을 공급할 수 있다. In addition, the main tank 501 may supply liquid to the nozzle 462 via the supply tank 503 without being directly connected to the liquid supply line 530 .

도 12은 액 공급 유닛의 또 다른 예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 액 공급 유닛(500)은 메인 탱크(501)와 공급 탱크(503)를 가진다. 도 3과 달리, 액 공급 라인(530)은 공급 탱크(503)에 결합되고, 메인 탱크(501)와 공급 탱크(503)는 연결 라인(554)에 의해 결합된다. 연결 라인(554)에는 밸브(554a)가 설치된다. 공급 탱크(503)는 메인 탱크(501)와 동일한 구조를 가질 수 있다. 즉, 공급 탱크(503)는 하우징, 순환 라인, 히터, 그리고 농도계를 가질 수 있다. 처리액에서 과산화수소의 농도는 메인 탱크(501) 또는 공급 탱크(503)에서 측정될 수 있다. 선택적으로 공급 탱크(503)는 순환 라인 없이 하우징만 구비할 수 있다.12 is a diagram schematically showing another example of a liquid supply unit. The liquid supply unit 500 has a main tank 501 and a supply tank 503. Unlike FIG. 3 , the liquid supply line 530 is coupled to the supply tank 503 , and the main tank 501 and the supply tank 503 are coupled by a connection line 554 . A valve 554a is installed in the connection line 554. The supply tank 503 may have the same structure as the main tank 501 . That is, the supply tank 503 may have a housing, a circulation line, a heater, and a concentration meter. The concentration of hydrogen peroxide in the treatment liquid can be measured in the main tank 501 or the supply tank 503. Optionally, the supply tank 503 may have only a housing without a circulation line.

도 13는 액 공급 유닛의 또 다른 예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 액 공급 유닛(500)은 공급 탱크(503), 메인 탱크(501), 그리고 회수 탱크(502)를 가진다. 도 3과 달리, 액 공급 라인(530)은 공급 탱크(503)에 결합되고, 회수 라인(540)은 회수 탱크(502)에 결합된다. 메인 탱크(501)와 공급 탱크(503)는 제1연결 라인(552)에 의해 결합된다. 메인 탱크(501)와 회수 탱크(502)는 제2연결 라인(554)에 의해 결합된다. 공급 탱크(503) 및 회수 탱크(502)는 메인 탱크(501)와 동일한 구조를 가질 수 있다. 즉, 공급 탱크(503) 및 회수 탱크(502)는 하우징, 순환 라인, 히터, 그리고 농도계를 가질 수 있다. 처리액에서 과산화수소의 농도는 메인 탱크(501), 공급 탱크(503), 또는 회수 탱크(502)에서 측정될 수 있다. 선택적으로 공급 탱크(503) 및/또는 회수 탱크(502)는 순환 라인 없이 하우징만 구비할 수 있다.13 is a diagram schematically showing another example of a liquid supply unit. The liquid supply unit 500 has a supply tank 503, a main tank 501, and a recovery tank 502. Unlike FIG. 3 , the liquid supply line 530 is coupled to the supply tank 503 and the recovery line 540 is coupled to the recovery tank 502 . The main tank 501 and the supply tank 503 are coupled by a first connection line 552. The main tank 501 and the recovery tank 502 are coupled by a second connection line 554. The supply tank 503 and the recovery tank 502 may have the same structure as the main tank 501 . That is, the supply tank 503 and the recovery tank 502 may have housings, circulation lines, heaters, and concentration meters. The concentration of hydrogen peroxide in the treatment liquid may be measured in the main tank 501, the supply tank 503, or the recovery tank 502. Optionally, the supply tank 503 and/or recovery tank 502 may have only housings without circulation lines.

상술한 예에서는 과산화수소를 포함하는 처리액에 제거되는 대상이 기판 상에 형성된 티타늄을 함유하는 막질 또는 기판(W) 상에 잔류하는 티타늄을 함유하는 물질인 것으로 설명하였다. 그러나 일반적으로 과산화수소는 금속에 의해 잘 분해되므로, 본 발명의 기술적 사상은 과산화수소를 포함하는 처리액에 의해 제거되는 대상이 티타늄 이외의 다른 종류의 금속일 경우에도 적용될 수 있다.In the above example, it has been explained that the object to be removed by the treatment liquid containing hydrogen peroxide is a film containing titanium formed on the substrate or a material containing titanium remaining on the substrate W. However, since hydrogen peroxide is generally well decomposed by metals, the technical idea of the present invention can be applied even when an object to be removed by a treatment solution containing hydrogen peroxide is a metal other than titanium.

또한, 상술한 예에서는 약액과 물을 포함하는 처리액에서, 약액이 과산화수소인 경우를 예로 들어 설명하였다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 시간의 경과에 따라 약액의 농도가 낮아지는 경우, 과산화수소 이외의 약액을 포함하는 처리액에도 적용될 수 있다. In addition, in the above-described example, in the treatment liquid containing the chemical liquid and water, the case where the chemical liquid is hydrogen peroxide has been described as an example. However, the technical spirit of the present invention may also be applied to a treatment liquid containing a chemical liquid other than hydrogen peroxide when the concentration of the chemical liquid decreases over time.

상술한 예에서는 처리액에서 희석액이 물인 것으로 예를 들어 설명하였다. 그러나 이와 달리, 희석액은 물 이외의 다른 액일 수 있다. In the above example, it has been described that the dilution liquid in the treatment liquid is water. Alternatively, however, the diluent may be a liquid other than water.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한, 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한, 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The above detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and describe preferred embodiments of the present invention, and the present invention can be used in various other combinations, modifications and environments. That is, changes or modifications are possible within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope equivalent to the written disclosure and / or within the scope of skill or knowledge in the art. The written embodiment describes the best state for implementing the technical idea of the present invention, and various changes required in the specific application field and use of the present invention are also possible. Therefore, the above detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. Also, the appended claims should be construed to cover other embodiments as well.

401: 액 처리 유닛
420: 컵
490: 홈 포트
462: 노즐
500: 액 공급 유닛
501: 메인 탱크
520: 순환 라인
530: 액 공급 라인
540: 회수 라인401: liquid processing unit
420: cup
490: home port
462: nozzle
500: liquid supply unit
501: main tank
520: circulation line
530: liquid supply line
540: return line

Claims (20)

기판을 처리하는 방법에 있어서,
직접 또는 다른 탱크를 경유하여 메인 탱크에 저장된 처리액을 가열된 상태로 노즐로부터 기판에 공급하여 기판을 처리하고, 상기 기판의 처리에 사용된 상기 처리액을 상기 메인 탱크로 직접 또는 또 다른 탱크를 경유하여 회수 후 재사용하되,
상기 처리액은 약액과 희석액을 포함하고,
상기 처리액으로 상기 기판의 처리가 이루어지지 않는 대기 기간에, 상기 메인 탱크 내의 처리액의 농도를 조절하는 농도 조절 단계를 수행하고,
상기 농도 조절 단계는,
가열된 상태의 상기 처리액을 상기 노즐로부터 토출하여 상기 희석액 중 일부를 증발시키고, 토출된 처리액을 상기 메인 탱크로 회수하여 이루어지는 기판 처리 방법.In the method of treating the substrate,
The substrate is treated by supplying the processing liquid stored in the main tank directly or via another tank from a nozzle in a heated state to the substrate, and the processing liquid used for processing the substrate is transferred directly to the main tank or another tank. Reuse after recovery via
The treatment solution includes a chemical solution and a dilution solution,
Performing a concentration control step of adjusting the concentration of the treatment liquid in the main tank in a waiting period when the substrate is not treated with the treatment liquid;
The concentration adjustment step,
A substrate processing method comprising discharging the processing liquid in a heated state from the nozzle, evaporating a part of the dilution liquid, and recovering the discharged processing liquid to the main tank. 제1항에 있어서,
상기 약액은 과산화수소를 포함하고, 상기 희석액은 물을 포함하는 기판 처리 방법.According to claim 1,
The substrate processing method of claim 1 , wherein the chemical solution includes hydrogen peroxide, and the dilution solution includes water. 제2항에 있어서,
상기 기판의 처리는 상기 처리액으로 금속을 포함하는 이물 또는 박막을 상기 기판으로부터 제거하는 처리인 기판 처리 방법.According to claim 2,
The substrate treatment method of claim 1 , wherein the treatment of the substrate is a treatment of removing a foreign material or thin film containing metal from the substrate with the treatment liquid. 제3항에 있어서,
상기 금속은 티타늄을 포함하는 기판 처리 방법.According to claim 3,
The method of claim 1, wherein the metal comprises titanium. 제1항에 있어서,
상기 농도 조절 단계는,
상기 메인 탱크에 저장된 처리액에서 상기 약액의 농도를 측정하고, 상기 측정된 상기 약액의 농도가 설정 농도보다 낮을 때 수행되는 기판 처리 방법.According to claim 1,
The concentration adjustment step,
The method of claim 1 , wherein the concentration of the chemical solution is measured in the processing solution stored in the main tank, and the measured concentration of the chemical solution is lower than a set concentration. 제1항에 있어서,
상기 농도 조절 단계는 상기 대기 기간에 기설정 시간 간격으로 수행되는 기판 처리 방법.According to claim 1,
The concentration adjustment step is performed at predetermined time intervals in the waiting period. 제1항 내지 제6항 중 어느 하나에 있어서,
상기 기판의 처리는 컵 내에서 지지 유닛에 의해 지지된 기판으로 상기 노즐로부터 상기 처리액을 공급함으로써 이루어지고,
상기 농도 조절 단계에서 상기 처리액은 상기 컵 내로 토출되는 기판 처리 방법.According to any one of claims 1 to 6,
The treatment of the substrate is performed by supplying the treatment liquid from the nozzle to the substrate supported by the support unit in the cup;
In the concentration adjusting step, the processing liquid is discharged into the cup. 제1항 내지 제6항 중 어느 하나에 있어서,
상기 대기 기간에 상기 노즐은 홈 포트에 위치되고,
상기 농도 조절 단계에서 상기 처리액은 상기 노즐로부터 상기 홈 포트로 토출되는 기판 처리 방법.According to any one of claims 1 to 6,
In the waiting period, the nozzle is located in the home port;
In the concentration adjusting step, the processing liquid is discharged from the nozzle to the home port. 제1항 내지 제6항 중 어느 하나에 있어서,
상기 대기 기간에 상기 노즐은 홈 포트에 위치되고,
상기 대기 기간에 상기 노즐로부터 상기 홈 포트 내로 설정 시간 간격으로 처리액을 토출하는 오토 디스펜싱 단계를 더 포함하되,
상기 농도 조절 단계에서 상기 노즐로부터 토출되는 상기 처리액의 량은 상기 오토 디스펜싱 단계에서 상기 노즐로부터 토출되는 상기 처리액의 양보다 많은 기판 처리 방법.According to any one of claims 1 to 6,
In the waiting period, the nozzle is located in the home port;
In the waiting period, an auto dispensing step of discharging the treatment liquid from the nozzle into the home port at set time intervals is further included,
An amount of the treatment liquid discharged from the nozzle in the concentration adjusting step is greater than an amount of the treatment liquid discharged from the nozzle in the auto dispensing step. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
메인 탱크에 저장된 처리액을 직접 또는 다른 탱크를 경유하여 기판에 공급하여 기판에서 이물 또는 박막을 제거하는 처리를 수행하고,
상기 기판의 처리에 사용된 상기 처리액을 상기 메인 탱크로 직접 또는 또 다른 탱크를 경유하여 회수 후 재사용하되,
상기 처리액은 과산화수소 및 물을 포함하고,
상기 이물 또는 박막은 금속을 함유하고,
상기 처리액으로 상기 기판의 처리가 이루어지지 않는 대기 기간에, 상기 메인 탱크 내의 처리액의 농도를 조절하는 농도 조절 단계를 수행하고,
상기 농도 조절 단계는,
가열된 상태의 처리액을 상기 노즐로부터 토출하고, 토출된 처리액을 상기 메인 탱크로 회수하며, 상기 노즐로부터 상기 처리액이 토출되는 도중에 상기 처리액으로부터 물의 증발에 의해 상기 과산화수소의 농도가 증가되는 기판 처리 방법.In the method of treating the substrate,
Performing a process of removing a foreign material or thin film from a substrate by supplying the processing liquid stored in the main tank to the substrate directly or via another tank;
The treatment liquid used in the treatment of the substrate is recovered and reused directly into the main tank or via another tank,
The treatment liquid includes hydrogen peroxide and water,
The foreign material or thin film contains a metal,
Performing a concentration control step of adjusting the concentration of the treatment liquid in the main tank in a waiting period when the substrate is not treated with the treatment liquid;
The concentration adjustment step,
The treatment liquid in a heated state is discharged from the nozzle, the discharged treatment liquid is recovered to the main tank, and the concentration of hydrogen peroxide is increased by evaporation of water from the treatment liquid while the treatment liquid is discharged from the nozzle. Substrate processing method. 제10항에 있어서,
상기 기판의 처리는,
컵 내에서 지지 유닛에 의해 지지된 기판으로 상기 노즐로부터 상기 처리액을 공급함으로써 이루어고,
상기 농도 조절 단계에서 상기 처리액은 상기 컵 내로 토출되는 기판 처리 방법.According to claim 10,
The treatment of the substrate,
by supplying the processing liquid from the nozzle to a substrate supported by a support unit in a cup;
In the concentration adjusting step, the processing liquid is discharged into the cup. 제11항에 있어서,
상기 농도 조절 단계에서 상기 처리액은 상기 컵 내에 기판이 제공되지 않은 상태 또는 상기 지지 유닛에 더미 웨이퍼가 제공된 상태에서 상기 지지 유닛의 상부면 또는 상기 더미 웨이퍼의 상부면으로 공급되는 기판 처리 방법.According to claim 11,
In the concentration adjusting step, the treatment liquid is supplied to the upper surface of the support unit or the upper surface of the dummy wafer in a state in which no substrate is provided in the cup or a dummy wafer is provided in the support unit. 제10항에 있어서,
상기 대기 기간에 상기 노즐은 홈 포트에 위치되고,
상기 농도 조절 단계에서 상기 처리액은 상기 노즐로부터 상기 홈 포트로 공급되는 기판 처리 방법.According to claim 10,
In the waiting period, the nozzle is located in the home port;
In the concentration adjusting step, the processing liquid is supplied from the nozzle to the home port. 제10항에 있어서,
상기 대기 기간에 상기 노즐은 홈 포트에 위치되고,
상기 대기 기간에 상기 노즐로부터 상기 홈 포트에 설정 시간 간격으로 처리액을 토출하는 오토 디스펜싱 단계를 더 포함하되,
상기 농도 조절 단계에서 상기 노즐로부터 토출되는 상기 처리액의 량은 상기 오토 디스펜싱 단계에서 상기 노즐로부터 토출되는 상기 처리액의 양보다 많은 기판 처리 방법.According to claim 10,
In the waiting period, the nozzle is located in the home port;
In the waiting period, an auto dispensing step of discharging the treatment liquid from the nozzle to the home port at set time intervals is further included,
An amount of the treatment liquid discharged from the nozzle in the concentration adjusting step is greater than an amount of the treatment liquid discharged from the nozzle in the auto dispensing step. 제10항 내지 제14항 중 어느 하나에 있어서,
상기 금속은 티타늄을 포함하는 기판 처리 방법.According to any one of claims 10 to 14,
The method of claim 1, wherein the metal comprises titanium. 제10항 내지 제14항 중 어느 하나에 있어서,
상기 농도 조절 단계는 상기 메인 탱크에 저장된 처리액에서 상기 약액의 농도를 측정하고, 상기 측정된 약액의 농도가 설정 농도보다 낮을 때 수행되는 기판 처리 방법.According to any one of claims 10 to 14,
The concentration adjusting step is performed when the concentration of the chemical solution is measured in the processing solution stored in the main tank, and the measured concentration of the chemical solution is lower than a set concentration. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
기판에 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 액 처리 공정이 수행되는 처리 유닛과;
상기 처리 유닛으로 처리액을 공급하는 액 공급 유닛과; 그리고
상기 액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
상기 액 공급 유닛은,
처리액을 저장하는 메인 탱크와,
상기 메인 탱크 내의 처리액을 직접 또는 다른 탱크를 경유하여 상기 처리 유닛으로 공급하는 액 공급 라인과;
상기 처리 유닛과 연결되어 상기 처리 유닛으로부터 배출되는 처리액을 직접 또는 또 다른 탱크를 경유하여 회수하는 회수 라인과; 그리고
상기 처리액을 가열하는 가열 부재를 포함하고,
상기 처리액은 약액과 희석액을 포함하고,
상기 제어기는,
설정 시간 동안 상기 액 처리 공정이 수행되지 않는 대기 기간에 농도 조절 단계가 수행되도록 상기 액 공급 유닛을 제어하며,
상기 농도 조절 단계는 상기 메인 탱크에서 상기 가열 부재에 의해 가열된 처리액을 상기 처리 유닛으로 공급하고, 상기 처리 유닛으로 공급된 처리액을 상기 회수 라인을 통해 상기 메인 탱크로 회수하여 상기 처리액 내에서 상기 약액의 농도를 조절하는 기판 처리 장치.In the apparatus for processing the substrate,
a processing unit in which a liquid processing process of treating the substrate by supplying a processing liquid to the substrate is performed;
a liquid supply unit supplying a treatment liquid to the treatment unit; and
Including a controller for controlling the liquid supply unit,
The liquid supply unit,
A main tank for storing a treatment liquid;
a liquid supply line for supplying the treatment liquid in the main tank directly or via another tank to the treatment unit;
a recovery line connected to the treatment unit and recovering the treatment liquid discharged from the treatment unit directly or via another tank; and
A heating member for heating the treatment liquid;
The treatment solution includes a chemical solution and a dilution solution,
The controller,
Controlling the liquid supply unit so that a concentration adjustment step is performed during a waiting period during which the liquid treatment process is not performed for a set time;
In the concentration adjusting step, the treatment liquid heated by the heating member in the main tank is supplied to the treatment unit, and the treatment liquid supplied to the treatment unit is recovered to the main tank through the recovery line to be stored in the treatment liquid. A substrate processing apparatus for adjusting the concentration of the chemical solution in 제17항에 있어서,
상기 처리 유닛은,
하우징과;
상기 하우징 내에 배치되며, 내부에 처리 공간을 가지는 컵과;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 그리고
상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 처리액을 토출하는 노즐을 포함하고,
상기 제어기는,
상기 농도 조절 단계에서 상기 처리액이 상기 처리 공간으로 토출되도록 상기 액 공급 유닛 및 상기 노즐을 제어하는 기판 처리 장치.According to claim 17,
The processing unit is
housing department;
a cup disposed within the housing and having a processing space therein;
a support unit supporting a substrate in the processing space; and
A nozzle for discharging a treatment liquid to a substrate supported by the support unit;
The controller,
In the concentration adjusting step, the substrate processing apparatus controls the liquid supply unit and the nozzle to discharge the processing liquid into the processing space. 제17항에 있어서,
상기 처리 유닛은,
하우징과;
상기 하우징 내에 배치되며, 내부에 처리 공간을 가지는 컵과;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과;
상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 처리액을 토출하는 노즐과; 그리고
상기 하우징 내에 배치되며, 상기 노즐이 대기하는 홈 포트를 포함하고,
상기 제어기는,
상기 농도 조절 단계에서 상기 처리액이 상기 홈 포트로 토출되도록 상기 액 공급 유닛 및 상기 노즐을 제어하는 기판 처리 장치.According to claim 17,
The processing unit is
housing department;
a cup disposed within the housing and having a processing space therein;
a support unit supporting a substrate in the processing space;
a nozzle for discharging a processing liquid to the substrate supported by the support unit; and
It is disposed in the housing and includes a home port in which the nozzle waits,
The controller,
In the concentration adjusting step, the substrate processing apparatus controls the liquid supply unit and the nozzle so that the processing liquid is discharged to the home port. 제17항 내지 제19항 중 어느 하나에 있어서,
상기 메인 탱크에는 그 내부의 처리액을 순환시키는 순환 라인이 연결되고,
상기 가열 부재는 상기 순환 라인에 설치되고,
상기 기판 처리 장치는 상기 액 공급 유닛에서 상기 약액의 농도를 측정하는 농도계를 더 포함하고,
상기 제어기는 상기 농도계에 의해 측정된 상기 약액의 농도가 설정 농도 이하일 때 상기 농도 조절 단계를 수행하도록 상기 액 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.

According to any one of claims 17 to 19,
A circulation line for circulating the treatment liquid therein is connected to the main tank,
The heating member is installed in the circulation line,
The substrate processing apparatus further includes a densitometer for measuring the concentration of the chemical solution in the liquid supply unit;
wherein the controller controls the liquid supply unit to perform the concentration adjusting step when the concentration of the chemical liquid measured by the concentration meter is equal to or less than a set concentration.
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