KR20230092072A - Orthogernate phosphors emitting green-yellow light by blue excitation and producing method thereof - Google Patents
Orthogernate phosphors emitting green-yellow light by blue excitation and producing method thereof Download PDFInfo
- Publication number
- KR20230092072A KR20230092072A KR1020210180663A KR20210180663A KR20230092072A KR 20230092072 A KR20230092072 A KR 20230092072A KR 1020210180663 A KR1020210180663 A KR 1020210180663A KR 20210180663 A KR20210180663 A KR 20210180663A KR 20230092072 A KR20230092072 A KR 20230092072A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- phosphor
- precursor
- heat treatment
- graph
- light
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 10
- 230000005284 excitation Effects 0.000 title description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 11
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 89
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 41
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 40
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 26
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 25
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 22
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 6
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 6
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 8
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010671 solid-state reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 150000001455 metallic ions Chemical class 0.000 abstract 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 5
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical group [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004998 X ray absorption near edge structure spectroscopy Methods 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 3
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 2
- 238000005090 crystal field Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000002216 synchrotron radiation X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- -1 GeCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VCUFZILGIRCDQQ-KRWDZBQOSA-N N-[[(5S)-2-oxo-3-(2-oxo-3H-1,3-benzoxazol-6-yl)-1,3-oxazolidin-5-yl]methyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C1O[C@H](CN1C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1)CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F VCUFZILGIRCDQQ-KRWDZBQOSA-N 0.000 description 1
- 238000003991 Rietveld refinement Methods 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7715—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing cerium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/66—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing germanium, tin or lead
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 인광체 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 구체적으로, Ba9Y2Ge6O24에 Ce3+ 및 Na+ 금속 이온을 도핑함으로써 500 nm 내지 550 nm의 파장 범위에서 초록-노란빛으로 발광하는 인광체에 관한 것이다.The present invention relates to phosphors and methods for their preparation. Specifically, it relates to a phosphor that emits green-yellow light in a wavelength range of 500 nm to 550 nm by doping Ba 9 Y 2 Ge 6 O 24 with Ce 3+ and Na + metal ions.
LED 광원은 기존의 광원에 비해 극소형이며 소비전력이 적고 수명이 기존의 전구에 비해 10배 이상이며, 빠른 반응속도로 기존의 광원에 비해 매우 우수한 특성을 나타낸다. 이와 더불어 자외선과 같은 유해파 방출이 없고 수은 및 기타 방전용 가스를 사용하지 않는 환경친화적인 광원이다. The LED light source is extremely small compared to conventional light sources, consumes less power, has a lifespan that is 10 times greater than that of conventional light bulbs, and exhibits very superior characteristics compared to conventional light sources due to its fast response speed. In addition, it is an environmentally friendly light source that does not emit harmful waves such as ultraviolet rays and does not use mercury or other gas for discharge.
LED 광원을 일반 조명으로서 사용하기 위해서는 우선 LED를 이용한 백색광을 얻어야 한다. 백색광 LED를 구현하는 방법은 크게 3가지로 나뉘어 진다. 첫째로, 빛의 삼원색인 적색, 녹색, 청색을 내는 3개의 LED를 조합하여 백색을 구현하는 방법이다. 이 방법은 하나의 백색 광원을 만드는데 3개의 LED를 사용해야 하며, 각각의 LED를 제어해야 하는 기술이 개발되어야 한다. 둘째는 청색 LED를 광원으로 사용하여 황색 형광체를 여기 시킴으로써 백색을 구현하는 방법이다. 이 방법은 발광 효율이 우수한 반면, CRI(color rendering index)가 낮으며, 전류밀도에 따라 CRI가 변하는 특징이 있기 때문에 태양광에 가까운 백색광을 얻기 위해서는 많은 연구가 필요하다. 마지막으로, 자외선 발광 LED를 광원으로 이용하여 삼원색 발광재료를 여기시켜 백색을 만드는 방법이다. 이 방법은 고전류 하에서 사용이 가능하며, 색감이 우수하여 가장 활발하게 연구가 진행되고 있다. In order to use the LED light source as a general lighting, it is first necessary to obtain white light using the LED. There are three ways to implement a white light LED. First, it is a method of implementing white light by combining three LEDs that emit red, green, and blue, which are the three primary colors of light. In this method, three LEDs must be used to make one white light source, and a technology for controlling each LED must be developed. The second is a method of realizing white color by exciting a yellow phosphor using a blue LED as a light source. While this method has excellent luminous efficiency, it has a low color rendering index (CRI), and since the CRI changes according to the current density, much research is required to obtain white light close to sunlight. Finally, it is a method of producing white light by exciting three primary color light emitting materials using an ultraviolet light emitting LED as a light source. This method can be used under high current, and the color is excellent, so research is being most actively conducted.
발광 재료는 발광원리에 따라 형광물질과 인광물질로 나뉜다. 기본적으로 전자는 음극(cathode)에서 주입되어 각 층의 LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital) 에너지 준위를 통하여 이동하며, 정공은 양극(anode)에서 주입되어 각 층의 HOMO(highest Occupied Molecular Orbital) 에너지 준위를 통하여 이동하여 발광층에서 엑시톤(exciton)을 형성한다. 형성된 엑시톤이 바닥상태로 떨어지면서 각각의 에너지 차이에 따라 적색, 녹색, 청색 파장의 빛을 발광하게 된다. 디바이스에서 전자와 정공이 주입될 때 주입되는 전자의 스핀 방향에 따라 단일항 엑시톤과 삼중항 엑시톤으로 나뉘고, 이는 1:3 비율로 생성된다. 형광물질은 엑시톤의 25%인 단일항 엑시톤이 바닥상태로 안정해지면서 방출하는 에너지로 발광하는 물질이고, 인광물질은 엑시톤의 75%인 삼중항 엑시톤이 바닥상태로 안정해지면서 방출하는 에너지로 발광하는 물질을 말한다. Light emitting materials are divided into fluorescent materials and phosphorescent materials according to the light emitting principle. Basically, electrons are injected from the cathode and move through the LUMO (Lowest Unoccupied Molecular Orbital) energy level of each layer, and holes are injected from the anode and move through the HOMO (highest Occupied Molecular Orbital) energy level of each layer. moves through the light emitting layer to form excitons (exciton). As the formed exciton falls to the ground state, light of red, green, and blue wavelengths is emitted according to each energy difference. When electrons and holes are injected in the device, they are divided into singlet excitons and triplet excitons according to the spin direction of the injected electrons, which are generated at a ratio of 1:3. Fluorescent materials emit light with the energy released when singlet excitons (25% of excitons) stabilize in the ground state, and phosphorescent materials emit light with energy released when triplet excitons (75%) stabilize in the ground state. refers to a substance that
오쏘실리케이트(orthosilicate) 구조를 가진 (Ba4.5ScSi3O12)2, (Ba4.5YSi3O12)2, ((Ba, Ca)4.5(Y,Al)Si3O12)2 등과 같은 물질에 Ce3+를 도핑하면 청색 영역에서 발광하는 것을 확인할 수 있다. Substances such as (Ba 4.5 ScSi 3 O 12 ) 2 , (Ba 4.5 YSi 3 O 12 ) 2 , ((Ba, Ca) 4.5 (Y,Al)Si 3 O 12 ) 2 with an orthosilicate structure When Ce 3+ is doped, it can be confirmed that light is emitted in the blue region.
본원은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 형광체에 대한 것으로서, Ba9Y2Ge6O24에 Ce3+ 및 Na+ 금속 이온을 도핑함으로써 500 nm 내지 550 nm의 파장 범위에서 초록-노란빛으로 발광한다. The present invention relates to a phosphor for solving the problems of the prior art, and Ba 9 Y 2 Ge 6 O 24 is doped with Ce 3+ and Na + metal ions to produce green-yellow light in the wavelength range of 500 nm to 550 nm. glow
또한, 본 발명의 두 번째 목적은 초록-노란빛으로 발광하는 형광체를 제조하는 방법을 제공하는 것이다. 본원에 따른 형광체의 제조 방법은 고체상 반응을 이용하여 간단하게 형광체를 제조할 수 있다. In addition, a second object of the present invention is to provide a method for producing a phosphor that emits green-yellow light. The method for preparing a phosphor according to the present disclosure can simply prepare a phosphor using a solid-state reaction.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 형광체는 하기 화학식 1로서 나타나는 것이다. The phosphor of the present invention for achieving the above technical problem is represented by the following formula (1).
[화학식 1][Formula 1]
Ba9-p-qCepNaqY2Ge6O24 Ba 9-pq Ce p Na q Y 2 Ge 6 O 24
상기 화학식 1에서, 상기 p 및 q는 각각 독립적으로 0.01 내지 0.5인 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. In Formula 1, p and q may be each independently 0.01 to 0.5, but are not limited thereto.
상기 p 및 q는 각각 0.1인 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. Each of p and q may be 0.1, but is not limited thereto.
상기 형광체는 500 nm 내지 550 nm의 파장 범위에서 발광하는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The phosphor may emit light in a wavelength range of 500 nm to 550 nm, but is not limited thereto.
상기 형광체는 380 nm 내지 470 nm의 파장 범위에서 여기하는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The phosphor may be excited in a wavelength range of 380 nm to 470 nm, but is not limited thereto.
상기 화학식 1로서 나타나는 형광체의 제조 방법은 바륨(Ba) 전구체, 이트륨(Y) 전구체, 게르마늄(Ge) 전구체, 세륨(Ce) 전구체 및 나트륨(Na) 전구체를 LiCl 플럭스와 반응시키는 단계;를 포함한다. The method for producing the phosphor represented by Chemical Formula 1 includes reacting a barium (Ba) precursor, a yttrium (Y) precursor, a germanium (Ge) precursor, a cerium (Ce) precursor, and a sodium (Na) precursor with a LiCl flux. .
상기 LiCl 플럭스의 농도는 2wt% 내지 8wt%인 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The concentration of the LiCl flux may be 2wt% to 8wt%, but is not limited thereto.
상기 반응은 제 1 열처리 및 제 2 열처리를 순차적으로 진행하며, 제 1 열처리 및 제 2 열처리는 각각 독립적으로 800℃ 내지 1200℃의 온도 하에서 이루어지는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. In the reaction, a first heat treatment and a second heat treatment are sequentially performed, and the first heat treatment and the second heat treatment may be independently performed at a temperature of 800° C. to 1200° C., but are not limited thereto.
상기 제 2 열처리는 수소 3% 내지 6% 및 불활성 가스 94% 내지 97%의 분위기 하에서 이루어지는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The second heat treatment may be performed under an atmosphere of 3% to 6% hydrogen and 94% to 97% inert gas, but is not limited thereto.
상술한 과제 해결 수단은 단지 예시적인 것으로서, 본원을 제한하려는 의도로 해석되지 않아야 한다. 상술한 예시적인 실시예 외에도, 도면 및 발명의 상세한 설명에 추가적인 실시예가 존재할 수 있다. The above-described problem solving means are merely exemplary and should not be construed as intended to limit the present disclosure. In addition to the exemplary embodiments described above, additional embodiments may exist in the drawings and detailed description of the invention.
개시된 기술은 다음의 효과를 가질 수 있다. 다만, 특정 실시예가 다음의 효과를 전부 포함하여야 한다거나 다음의 효과만을 포함하여야 한다는 의미는 아니므로, 개시된 기술의 권리범위는 이에 의하여 제한되는 것으로 이해되어서는 아니 될 것이다.The disclosed technology may have the following effects. However, it does not mean that a specific embodiment must include all of the following effects or only the following effects, so it should not be understood that the scope of rights of the disclosed technology is limited thereby.
전술한 본원의 과제 해결 수단에 의하면, 본원에 따른 형광체는 Ba9Y2Ge6O24에 Ce3+ 및 Na+ 금속 이온을 도핑함으로써 500 nm 내지 550 nm의 파장 범위에서 초록-노란빛으로 발광한다.According to the above-described means for solving the problems of the present application, the phosphor according to the present application emits green-yellow light in a wavelength range of 500 nm to 550 nm by doping Ba 9 Y 2 Ge 6 O 24 with Ce 3+ and Na + metal ions. .
또한, 440 nm의 LED에 적용했을 때, CRI는 76.9, CCT는 6736K, IQE는 22%인 것으로 나타났다. In addition, when applied to a 440 nm LED, CRI was 76.9, CCT was 6736K, and IQE was 22%.
나아가, 본원에 따른 형광체는 청색 LED에 초록-노란색 형광체로서 응용할 수 있다. Furthermore, the phosphor according to the present application can be applied as a green-yellow phosphor to a blue LED.
도 1은 본원의 일 구현예에 따른 형광체의 구조를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 실시예에 따라 제조된 형광체의 모체인 Ba9Y2Ge6O24 구조의 싱크로트론 XRD(Synchrotron X-Ray Diffraction) 그래프이다.
도 3은 본 실시예에 따라 제조된 형광체의 XRD(X-Ray Diffraction) 그래프로서, (a)는 실시예 1, (b)는 실시예 2, (c)는 실시예 3, (d)는 비교예 1의 그래프이다.
도 4는 본 실시예에 따라 제조된 형광체의 PL(photoluminescence) 그래프로서, (a)는 실시예 1, (b)는 실시예 2, (c)는 실시예 3의 그래프이다.
도 5는 본 실시예 2에 따라 제조된 형광체의 PL(photoluminescence) 그래프의 발광 부분을 정규화한 그래프이며, 초록색 선은 Ba(Ⅱ)의 파장이고, 노란색 선은 Ba(Ⅲ)의 파장이다.
도 6은 본 실시예 3에 따라 제조된 형광체의 PL(photoluminescence) 그래프의 발광 부분을 정규화한 그래프이며, 초록색 선은 Ba(Ⅱ)의 파장이고, 노란색 선은 Ba(Ⅲ)의 파장이다.
도 7은 본 실시예에 따라 제조된 형광체의 XRD(X-Ray Diffraction) 그래프로서, (a)는 실시예 4, (b)는 실시예 5, (c)는 실시예 3, (d)는 실시예 6의 그래프이다.
도 8은 본 실시예에 따라 제조된 형광체의 PL(photoluminescence) 그래프로서, (a)는 실시예 4, (b)는 실시예 5, (c)는 실시예 3, (d)는 실시예 6의 그래프이다.
도 9는 본 실시예에 따라 제조된 형광체의 455 nm LED에 적용했을 때 20 mA 전류 하에서 형광체의 양이 증가함에 따른 발광 스펙트럼을 나타낸 것이다.
도 10은 본 실시예에 따라 제조된 실시예 3의 형광체를 440 nm LED 칩에 적용했을 때의 발광 특성을 나타낸 그래프이고, 삽도는 형광체를 LED칩에 적용했을 때의 실제 사진이다.
도 11의 (a)는 실시예 3의 2차 열처리 전의 SEM(scanning electron microscopy) 이미지이고, 도 11의 (b)는 실시예 3의 2차 열처리 후의 SEM(scanning electron microscopy) 이미지이다.
도 12는 Ge K-edge XANES(X-ray absorption near edge structure) 그래프이다.1 is a diagram showing the structure of a phosphor according to an embodiment of the present application.
2 is a synchrotron X-ray diffraction (XRD) graph of the Ba 9 Y 2 Ge 6 O 24 structure, which is the parent of the phosphor prepared according to the present embodiment.
Figure 3 is an XRD (X-Ray Diffraction) graph of the phosphor prepared according to this embodiment, (a) is Example 1, (b) is Example 2, (c) is Example 3, (d) is Example It is a graph of Comparative Example 1.
4 is a PL (photoluminescence) graph of a phosphor prepared according to this embodiment, (a) is a graph of Example 1, (b) is a graph of Example 2, and (c) is a graph of Example 3.
5 is a graph obtained by normalizing the light emitting portion of a photoluminescence (PL) graph of a phosphor manufactured according to Example 2. The green line is the wavelength of Ba(II), and the yellow line is the wavelength of Ba(III).
FIG. 6 is a graph obtained by normalizing the emission portion of a photoluminescence (PL) graph of a phosphor manufactured according to Example 3. The green line is the wavelength of Ba(II) and the yellow line is the wavelength of Ba(III).
Figure 7 is an XRD (X-Ray Diffraction) graph of the phosphor prepared according to this embodiment, (a) is Example 4, (b) is Example 5, (c) is Example 3, (d) is Example It is a graph of Example 6.
8 is a PL (photoluminescence) graph of a phosphor prepared according to this embodiment, (a) Example 4, (b) Example 5, (c) Example 3, (d) Example 6 is a graph of
9 shows an emission spectrum according to an increase in the amount of the phosphor under a current of 20 mA when the phosphor prepared according to this embodiment is applied to a 455 nm LED.
10 is a graph showing light emission characteristics when the phosphor of Example 3 prepared according to this embodiment is applied to a 440 nm LED chip, and the inset is an actual photograph when the phosphor is applied to the LED chip.
Figure 11 (a) is a SEM (scanning electron microscopy) image before the second heat treatment of Example 3, Figure 11 (b) is a SEM (scanning electron microscopy) image after the second heat treatment of Example 3.
12 is a Ge K-edge XANES (X-ray absorption near edge structure) graph.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 구체적으로 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Since the present invention can make various changes and have various embodiments, specific embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, and should be understood to include all modifications, equivalents, or substitutes included in the spirit and technical scope of the present invention.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조 부호를 유사한 구성요소에 대해 사용한다. 제 1, 제 2등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.In describing each figure, like reference numbers are used for like elements. Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. These terms are only used for the purpose of distinguishing one component from another.
예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제 1 구성요소는 제 2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제 2 구성요소도 제 1 구성요소로 명명될 수 있다. "및/또는" 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다. For example, a first element may be termed a second element, and similarly, a second element may be termed a first element, without departing from the scope of the present invention. The term "and/or" includes any combination of a plurality of related listed items or any of a plurality of related listed items.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미가 있다. Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which the present invention belongs.
일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미가 있는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않아야 한다. Terms such as those defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having meanings consistent with the meanings in the context of the related art, and unless explicitly defined in this application, they should not be interpreted in ideal or excessively formal meanings. Should not be.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 "상에", "상부에", "상단에", "하에", "하부에", "하단에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.Throughout the present specification, when a member is referred to as being “on,” “above,” “on top of,” “below,” “below,” or “below” another member, this means that a member is located in relation to another member. This includes not only the case of contact but also the case of another member between the two members.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.Throughout the present specification, when a part "includes" a certain component, it means that it may further include other components without excluding other components unless otherwise stated.
본 명세서에서 사용되는 정도의 용어 "약", "실질적으로" 등은 언급된 의미에 고유한 제조 및 물질 허용 오차가 제시될 때 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로 사용되고, 본원의 이해를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다. 또한, 본원 명세서 전체에서, "~ 하는 단계" 또는 "~의 단계"는 "~를 위한 단계"를 의미하지 않는다. As used herein, the terms "about," "substantially," and the like are used in a sense at or close to that number when manufacturing and material tolerances inherent in the stated meaning are given, and are intended to assist in the understanding of this disclosure. Accurate or absolute figures are used to prevent undue exploitation by unscrupulous infringers of the stated disclosure. In addition, throughout the present specification, “steps of” or “steps of” do not mean “steps for”.
본원 명세서 전체에서, 마쿠시 형식의 표현에 포함된 "이들의 조합"의 용어는 마쿠시 형식의 표현에 기재된 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 혼합 또는 조합을 의미하는 것으로서, 상기 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 의미한다.Throughout the present specification, the term "combination thereof" included in the expression of the Markush form means one or more mixtures or combinations selected from the group consisting of the components described in the expression of the Markush form, and the components It means including one or more selected from the group consisting of.
이하에서는 본원의 형광체 및 이의 제조 방법에 대하여 구현예 및 실시예와 도면을 참조하여 구체적으로 설명하도록 한다. 그러나, 본원이 이러한 구현예 및 실시예와 도면에 제한되는 것은 아니다.Hereinafter, the phosphor and its manufacturing method of the present application will be described in detail with reference to embodiments and examples and drawings. However, the present application is not limited to these embodiments and examples and drawings.
본원은, 하기 화학식 1로서 나타나는 형광체에 관한 것이다. The present application relates to a phosphor represented by the following formula (1).
[화학식 1][Formula 1]
Ba9-p-qCepNaqY2Ge6O24 Ba 9-pq Ce p Na q Y 2 Ge 6 O 24
상기 화학식 1에서, 상기 p 및 q는 각각 독립적으로 0.01 내지 0.5인 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. In
상기 p 및 q는 각각 0.1인 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Each of p and q may be 0.1, but is not limited thereto.
도 1은 본원의 일 구현예에 따른 형광체의 구조를 나타낸 도면이다. 1 is a diagram showing the structure of a phosphor according to an embodiment of the present application.
도 1을 참조하면 모체인 오쏘저머네이트(orthogermanate, Ba9Y2Ge6O24)는 삼방정계(Trigonal) 구조를 가지며, Ba2+(Ⅰ)은 산소가 12중 배위 및 3a 와이코프 사이트(Wyckoff site), Ba2+(Ⅱ)는 산소가 9중 배위 및 6c 와이코프 사이트, Ba2+(Ⅲ)는 산소가 10중 배위 및 18f 와이코프 사이트, Y3+는 산소가 6중 배위 및 6c 와이코프 사이트, Ge4+는 산소가 4중 배위 및 18f 와이코프 사이트를 가진다. 또한 Ge-O4는 정사면체(tetrahedral) 구조, Y-O6은 정팔면체(octahedral) 구조를 가진다. 본 발명의 형광체는 상기 모체의 결정 구조를 기초로 하여, 다양한 종류의 활성제 및 감광제 등을 첨가하여 얻어질 수 있다. 본원 발명은 상기 Ba2+(Ⅰ), Ba2+(Ⅱ) 및 Ba2+(Ⅲ) 위치의 일부가 Ce3+ 및 Na+ 금속 이온으로 치환된 구조이다. 특히, Ba2+(Ⅱ) 및 Ba2+(Ⅲ) 위치의 일부가 Ce3+ 및 Na+ 금속 이온으로 치환된다. 상기 치환으로 500 nm 내지 550 nm의 파장 범위에서 초록-노란빛으로 발광하는 것이다. Referring to FIG. 1, the parent orthogermanate (Ba 9 Y 2 Ge 6 O 24 ) has a trigonal structure, and Ba 2+ (I) has a 12-fold coordination of oxygen and a 3a Wyckoff site ( Wyckoff site), Ba 2+ (II) is 9-fold coordination of oxygen and 6c Wyckoff site, Ba 2+ (Ⅲ) is 10-fold coordination and 18f Wyckoff site of oxygen, Y 3+ is 6-fold coordination and 6c Wyckoff site, Ge 4+ has a quadruple coordination of oxygen and an 18f Wyckoff site. In addition, Ge-O4 has a tetrahedral structure, and Y-O6 has an octahedral structure. The phosphor of the present invention can be obtained by adding various types of activators and photosensitizers based on the crystal structure of the host. In the present invention, a part of the positions of Ba 2+ (I), Ba 2+ (II), and Ba 2+ (III) is substituted with Ce 3+ and Na + metal ions. In particular, some of the Ba 2+ (II) and Ba 2+ (III) positions are substituted with Ce 3+ and Na + metal ions. By the substitution, green-yellow light is emitted in the wavelength range of 500 nm to 550 nm.
본 발명에 따른 형광체는 오르소저머네이트(Orthogernate)에 Ce 및 Na를 치환하여 465 nm 파장 영역(청색 영역)에서 여기하여, 525 nm 파장 영역(초록-노란색 영역)에서 발광하는 형광체이다. 따라서, 본 발명에 따른 형광체는 청색-LED에 초록-노란색 형광체로서 응용할 수 있다.The phosphor according to the present invention is a phosphor that excites in the 465 nm wavelength region (blue region) by substituting Ce and Na for orthogernate and emits light in the 525 nm wavelength region (green-yellow region). Therefore, the phosphor according to the present invention can be applied as a green-yellow phosphor to a blue-LED.
하기 표 1은 본원의 일 구현예에 따른 형광체의 모체의 리트벨트법 및 결정 구조의 데이터이다.Table 1 below shows data of the Rietveld method and crystal structure of a parent of a phosphor according to an embodiment of the present application.
하기 표 2는 본원의 일 구현예에 따른 형광체의 모체의 배위 구조를 나타낸 표이다. Table 2 below is a table showing the coordination structure of a parent of a phosphor according to an embodiment of the present application.
하기 표 3은 본원의 일 구현예에 따른 형광체의 모체의 원자간의 거리를 나타낸 표이다. Table 3 below is a table showing distances between atoms of a parent of a phosphor according to an embodiment of the present application.
표 1 내지 3을 참고하면, 본 발명의 형광체의 모체인 오소저머네이트는 오소실리케이트보다 결정구조가 큰 것을 확인할 수 있다. 이는 실리콘(Si) 보다 게르마늄(Ge)의 이온이 더 크기 때문에 나타나는 것으로 볼 수 있다. 이에 따라 오소실리케이트에서 나타나는 발광 및 여기 파장과 다른 범위에서 발광 및 여기가 나타날 수 있다. 여기서, 오소저머네이트(Orthogernate)의 여기 및 발광 특성은 Flux로 사용된 LiCl의 양이 증가함에 따라 구조 내에 결함이 증가되게 되며, 이에 의해 원자간 결합 길이 및 배위 환경이 변하게 됨에 따라, 기존의 오르소실리케이트에서는 볼 수 없었던 465 nm 파장 영역 (청색 영역)에서 여기 및 525 nm 파장 영역 (녹-황색 영역)에서 발광하는 특성을 보인다.Referring to Tables 1 to 3, it can be confirmed that the crystal structure of the parent of the phosphor of the present invention, orthogermanate, is larger than that of orthosilicate. This can be seen as appearing because the ion of germanium (Ge) is larger than that of silicon (Si). Accordingly, emission and excitation may occur in a range different from the emission and excitation wavelengths that appear in orthosilicate. Here, the excitation and emission characteristics of orthogernate increase defects in the structure as the amount of LiCl used as flux increases, thereby changing the interatomic bond length and coordination environment. It shows excitation in the 465 nm wavelength region (blue region) and emission in the 525 nm wavelength region (green-yellow region), which was not seen in the disappearing silicate.
상기 형광체는 500 nm 내지 550 nm의 파장 범위에서 발광(emission)하는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The phosphor may emit light in a wavelength range of 500 nm to 550 nm, but is not limited thereto.
상기 형광체는 380 nm 내지 470 nm의 파장 범위에서 여기(excitation)하는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The phosphor may excite in a wavelength range of 380 nm to 470 nm, but is not limited thereto.
상기 형광체에서 상기 Ce는 활성제(activator)일 수 있다. In the phosphor, the Ce may be an activator.
상기 형광체에서 상기 Na는 전하 보상제(charge compensator)일 수 있다. In the phosphor, the Na may be a charge compensator.
상기 형광체는 상기 Ce 또는 상기 Na가 치환됨으로써 발광 효율이 증가한다. The luminous efficiency of the phosphor is increased by substituting the Ce or the Na.
상기 Na는 융제(flux)로서 작용하여 상기 형광체의 결정 크기를 성장시킬 수 있다. 상기 형광체에 상기 Na이 치환됨으로써 상기 형광체의 결정 크기가 증가하여 상기 형광체의 표면 에너지 손실을 감소시킬 수 있는 동시에 발광 효율을 증가시킬 수 있다. The Na may act as a flux to grow the crystal size of the phosphor. By substituting the Na into the phosphor, the crystal size of the phosphor may increase, thereby reducing surface energy loss of the phosphor and simultaneously increasing luminous efficiency.
본원 발명의 상기 화학식 1로서 나타나는 형광체의 제조 방법은 바륨(Ba) 전구체, 이트륨(Y) 전구체, 게르마늄(Ge) 전구체, 세륨(Ce) 전구체 및 나트륨(Na) 전구체를 LiCl 플럭스와 반응시키는 단계;를 포함한다.The method for producing the phosphor represented by
상기 반응은 고체상 반응(solid-state reaction)으로 이루어지는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The reaction may be made of a solid-state reaction, but is not limited thereto.
상기 바륨(Ba) 전구체, 이트륨(Y) 전구체, 게르마늄(Ge) 전구체, 세륨(Ce) 전구체 및 나트륨(Na) 전구체는 상기 화학식 1의 p 및 q의 값에 따른 중량비로 혼합되는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The barium (Ba) precursor, yttrium (Y) precursor, germanium (Ge) precursor, cerium (Ce) precursor, and sodium (Na) precursor may be mixed in a weight ratio according to the values of p and q in
상기 바륨(Ba) 전구체는 BaCO3, Ba(NO3)2, Ba(OH)2, BaCl2, BaS, BaSO4 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The barium (Ba) precursor may include a material selected from the group consisting of BaCO 3 , Ba(NO 3 ) 2 , Ba(OH) 2 , BaCl 2 , BaS, BaSO 4 and combinations thereof. It is not limited.
상기 이트륨(Y) 전구체는 Y2O3, YCl3, YN, Y2S3 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The yttrium (Y) precursor may include a material selected from the group consisting of Y 2 O 3 , YCl 3 , YN, Y 2 S 3 and combinations thereof, but is not limited thereto.
상기 게르마늄(Ge) 전구체는 GeO2, GeCl4, GeF4 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The germanium (Ge) precursor may include a material selected from the group consisting of GeO 2 , GeCl 4 , GeF 4 and combinations thereof, but is not limited thereto.
상기 세륨(Ce) 전구체는 CeO2, Ce2O3, CeF4 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The cerium (Ce) precursor may include a material selected from the group consisting of CeO 2 , Ce 2 O 3 , CeF 4 and combinations thereof, but is not limited thereto.
상기 나트륨(Na) 전구체는 Na2CO3, NaOH, NaNO3, NaNO2, Na2SO4, NaF, Na2HPO4 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 물질을 포함하는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The sodium (Na) precursor may include a material selected from the group consisting of Na 2 CO 3 , NaOH, NaNO 3 , NaNO 2 , Na 2 SO 4 , NaF, Na 2 HPO 4 and combinations thereof, It is not limited thereto.
상기 나트륨 전구체는 융제(flux)로서 작용하며, 반응 온도를 낮추고 결정성을 증가시킬 수 있다.The sodium precursor acts as a flux and can lower the reaction temperature and increase crystallinity.
상기 LiCl 플럭스의 농도는 2wt% 내지 8wt%인 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The concentration of the LiCl flux may be 2wt% to 8wt%, but is not limited thereto.
상기 LiCl 플럭스의 농도는 일반적인 용매에 따른 질량 퍼센트로 나타낸 것 일 수 있다. The concentration of the LiCl flux may be expressed as a mass percentage according to a common solvent.
상기 LiCl 플럭스의 농도가 2 wt% 미만일 경우 반응이 제대로 진행되지 않을 수 있고, 상기 LiCl 플럭스의 농도가 8 wt% 초과일 경우, 결정구조의 결함이 증가하여 형광체가 제대로 형성되지 않을 수 있다. If the concentration of the LiCl flux is less than 2 wt%, the reaction may not proceed properly, and if the concentration of the LiCl flux is greater than 8 wt%, defects in the crystal structure may increase and thus phosphor may not be properly formed.
상기 반응은 제 1 열처리 및 제 2 열처리를 순차적으로 진행하며, 제 1 열처리 및 제 2 열처리는 각각 독립적으로 800℃내지 1200℃의 온도 하에서 이루어지는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.In the reaction, a first heat treatment and a second heat treatment are sequentially performed, and the first heat treatment and the second heat treatment may be independently performed at a temperature of 800° C. to 1200° C., but are not limited thereto.
상기 제 1 열처리는 3 시간 내지 12시간동안 이루어지는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The first heat treatment may be performed for 3 hours to 12 hours, but is not limited thereto.
상기 제 2 열처리는 12시간 내지 36시간 동안 이루어지는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The second heat treatment may be performed for 12 hours to 36 hours, but is not limited thereto.
상기 제 2 열처리는 수소 3% 내지 6% 및 불활성 가스 94% 내지 97%의 분위기 하에서 이루어지는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The second heat treatment may be performed under an atmosphere of 3% to 6% hydrogen and 94% to 97% inert gas, but is not limited thereto.
상기 불활성 가스는 질소, 아르곤, 헬륨, 네온, 크립톤, 제논 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택된 기체를 포함하는 것 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The inert gas may include a gas selected from the group consisting of nitrogen, argon, helium, neon, krypton, xenon, and combinations thereof, but is not limited thereto.
상기 제 2 열처리 과정에서 수소의 농도가 6% 초과일 경우, 모체(host)의 Ge4+ 이온이 Ge0로 더 환원됨에 따라 전자-홀 상호작용으로 인해 Ce3+ 이온이 Ce4+ 이온으로 산화되어 발광도가 저하될 수 있다. When the concentration of hydrogen exceeds 6% in the second heat treatment process, as the Ge 4+ ions of the host are further reduced to Ge 0 , Ce 3+ ions are converted to Ce 4+ ions due to electron-hole interactions. Oxidation may reduce luminescence.
이하 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하고자 하나, 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며 본원의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다.The present invention will be described in more detail through the following examples, but the following examples are for illustrative purposes only and are not intended to limit the scope of the present application.
먼저, BaCO3, Y2O3, GeO2, CeO2 및 Na2CO3를 화학양론적인 비율로 2.5 wt%의 LiCl 플럭스와 혼합하였다. 상기 혼합물을 950℃ 및 1100℃의 온도에서 6시간동안 공기 분위기에서 반응시켰다. 1차 열처리된 혼합물을 5%H2/95%N2 분위기 하에서 900℃의 온도에서 24시간 동안 반응시켜 형광체(Ba8.8Ce0.1Na0.1Y2Ge6O24)를 제조하였다.First, BaCO 3 , Y 2 O 3 , GeO 2 , CeO 2 and Na 2 CO 3 were mixed with 2.5 wt% LiCl flux in a stoichiometric ratio. The mixture was reacted in an air atmosphere at temperatures of 950 °C and 1100 °C for 6 hours. A phosphor (Ba 8.8 Ce 0.1 Na 0.1 Y 2 Ge 6 O 24 ) was prepared by reacting the mixture subjected to the first heat treatment at 900° C. for 24 hours under a 5%H 2 /95%N 2 atmosphere.
LiCl 플럭스의 농도를 5.0 wt%로 사용하는 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 형광체(Ba8.8Ce0.1Na0.1Y2Ge6O24)를 제조하였다. A phosphor (Ba 8.8 Ce 0.1 Na 0.1 Y 2 Ge 6 O 24 ) was prepared in the same manner as in Example 1, except that the concentration of LiCl flux was 5.0 wt%.
LiCl 플럭스의 농도를 7.5 wt%로 사용하는 것을 제외하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 형광체(Ba8.8Ce0.1Na0.1Y2Ge6O24)를 제조하였다.A phosphor (Ba 8.8 Ce 0.1 Na 0.1 Y 2 Ge 6 O 24 ) was prepared in the same manner as in Example 1, except that the concentration of the LiCl flux was 7.5 wt%.
BaCO3, Y2O3, GeO2, CeO2 및 Na2CO3를 화학양론적인 비율을 조정하는 것을 제외하고, 실시예 3과 동일한 방법으로 형광체(Ba8.08Ce0.01Na0.01Y2Ge6O24)를 제조하였다. Phosphor ( Ba 8.08 Ce 0.01 Na 0.01 Y 2 Ge 6 O 24 ) was prepared.
BaCO3, Y2O3, GeO2, CeO2 및 Na2CO3를 화학양론적인 비율을 조정하는 것을 제외하고, 실시예 3과 동일한 방법으로 형광체(Ba8.9Ce0.05Na0.05Y2Ge6O24)를 제조하였다. Phosphor ( Ba 8.9 Ce 0.05 Na 0.05 Y 2 Ge 6 O 24 ) was prepared.
BaCO3, Y2O3, GeO2, CeO2 및 Na2CO3를 화학양론적인 비율을 조정하는 것을 제외하고, 실시예 3과 동일한 방법으로 형광체(Ba8.6Ce0.2Na0.2Y2Ge6O24)를 제조하였다. Phosphor ( Ba 8.6 Ce 0.2 Na 0.2 Y 2 Ge 6 O 24 ) was prepared.
[비교예 1][Comparative Example 1]
LiCl 플럭스의 농도를 10 wt%로 사용하는 것을 제외하고, 실시예 3과 동일한 방법으로 형광체(Ba8.8Ce0.1Na0.1Y2Ge6O24)를 제조하였다.A phosphor (Ba 8.8 Ce 0.1 Na 0.1 Y 2 Ge 6 O 24 ) was prepared in the same manner as in Example 3, except that the concentration of LiCl flux was 10 wt%.
[비교예 2][Comparative Example 2]
1차 열처리된 혼합물을 8%H2/92%Ar 분위기 하에서 반응시키는 것을 제외하고, 실시예 3과 동일한 방법으로 형광체(Ba8.8Ce0.1Na0.1Y2Ge6O24)를 제조하였다.A phosphor (Ba 8.8 Ce 0.1 Na 0.1 Y 2 Ge 6 O 24 ) was prepared in the same manner as in Example 3, except that the mixture subjected to the first heat treatment was reacted under an 8%H 2 /92%Ar atmosphere.
상기 실시예 1 내지 6 및 비교예 1의 제조 방법에 따른 특징은 하기 표 4로서 나타내었다. Characteristics according to the manufacturing methods of Examples 1 to 6 and Comparative Example 1 are shown in Table 4 below.
1. LiCl 플럭스 농도에 따른 형광체의 특성변화1. Characteristic change of phosphor according to LiCl flux concentration
상기 실시예 1 내지 3 및 비교예 1에서 제조한 형광체의 특성을 관찰하였고 그 결과를 도 2 내지 도 6으로서 나타내었다. The characteristics of the phosphors prepared in Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 were observed, and the results are shown as FIGS. 2 to 6.
도 2는 본 실시예에 따라 제조된 형광체의 모체인 Ba9Y2Ge6O24 구조의 싱크로트론 XRD(Synchrotron X-Ray Diffraction) 그래프이다. 2 is a synchrotron X-ray diffraction (XRD) graph of the Ba 9 Y 2 Ge 6 O 24 structure, which is the parent of the phosphor prepared according to the present embodiment.
도 3은 본 실시예에 따라 제조된 형광체의 XRD(X-Ray Diffraction) 그래프로서, (a)는 실시예 1, (b)는 실시예 2, (c)는 실시예 3, (d)는 비교예 1의 그래프이다. Figure 3 is an XRD (X-Ray Diffraction) graph of the phosphor prepared according to this embodiment, (a) is Example 1, (b) is Example 2, (c) is Example 3, (d) is Example It is a graph of Comparative Example 1.
도 2 및 3에 나타난 결과에 따르면, Ce3+ 및 Na+는 Ba 위치에 치환되어 모체(host)의 구조와 동일한 구조를 나타내고 있는 것을 확인할 수 있다. According to the results shown in FIGS. 2 and 3, it can be confirmed that Ce 3+ and Na + are substituted at Ba positions to show the same structure as the host structure.
도 3에 나타난 결과에 따르면, LiCl 플럭스 농도가 증가함에 따라 피크의 2θ 크기가 증가하는 것을 확인할 수 있다. 이는 LiCl 플럭스 농도가 증가함에 따라 인광체의 크기가 감소하며 이에 따라 뒤틀림이 증가하여 결함이 증가하기 때문이다. 특히, LiCl 플럭스 농도가 10%인 비교예 1의 경우, 결함이 커져 형광체가 제대로 형성되지 않는 것을 확인할 수 있다. According to the results shown in FIG. 3, it can be confirmed that the 2θ size of the peak increases as the LiCl flux concentration increases. This is because the size of the phosphor decreases as the LiCl flux concentration increases, and the warpage increases accordingly, resulting in an increase in defects. In particular, in the case of Comparative Example 1 in which the LiCl flux concentration is 10%, it can be confirmed that the phosphor is not properly formed due to the large defect.
도 4는 본 실시예에 따라 제조된 형광체의 PL(photoluminescence) 그래프로서, (a)는 실시예 1, (b)는 실시예 2, (c)는 실시예 3의 그래프이다. 4 is a PL (photoluminescence) graph of a phosphor prepared according to this embodiment, (a) is a graph of Example 1, (b) is a graph of Example 2, and (c) is a graph of Example 3.
도 4에 나타난 결과에 따르면, 실시예 1 및 실시예 2는 395 nm의 파장에서 여기, 515 nm의 파장에서 발광이 나타나는 것을 확인할 수 있다. 또한, 실시예 3은 465 nm의 파장에서 여기, 525 nm의 파장에서 발광이 나타나는 것을 확인할 수 있다. According to the results shown in FIG. 4, it can be confirmed that Examples 1 and 2 emit light at a wavelength of 515 nm and excitation at a wavelength of 395 nm. In addition, in Example 3, it can be confirmed that excitation at a wavelength of 465 nm and emission of light at a wavelength of 525 nm appear.
도 5는 본 실시예 2에 따라 제조된 형광체의 PL(photoluminescence) 그래프의 발광 부분을 정규화한 그래프이며, 초록색 선은 Ba(Ⅱ)의 파장이고, 노란색 선은 Ba(Ⅲ)의 파장이다. 5 is a graph obtained by normalizing the light emitting portion of a photoluminescence (PL) graph of a phosphor manufactured according to Example 2. The green line is the wavelength of Ba(II), and the yellow line is the wavelength of Ba(III).
도 6은 본 실시예 3에 따라 제조된 형광체의 PL(photoluminescence) 그래프의 발광 부분을 정규화한 그래프이며, 초록색 선은 Ba(Ⅱ)의 파장이고, 노란색 선은 Ba(Ⅲ)의 파장이다. FIG. 6 is a graph obtained by normalizing the emission portion of a photoluminescence (PL) graph of a phosphor manufactured according to Example 3. The green line is the wavelength of Ba(II) and the yellow line is the wavelength of Ba(III).
도 5 및 6에 나타난 결과에 따르면, 본원의 형광체는 호스트 구조에서 Ba(Ⅱ) 및 Ba(Ⅲ)의 위치에 Ce3+ 및 Na+ 가 주로 치환되는 것으로 볼 수 있다. 이는 이온의 지름과 점유율의 차이로 인해 나타나는 것이다. 형광체의 호스트 구조에서 Ba(Ⅱ)의 점유율은 22%이고, Ba(Ⅲ)의 점유율은 66%이다. According to the results shown in FIGS. 5 and 6, it can be seen that the phosphor of the present application is mainly substituted with Ce 3+ and Na + at the positions of Ba(II) and Ba(III) in the host structure. This is due to the difference in ion diameter and occupancy rate. In the host structure of the phosphor, the occupancy rate of Ba(II) is 22%, and the occupancy rate of Ba(III) is 66%.
또한, LiCl 플럭스의 농도가 증가함에 따라 결함이 증가하여 양이온 주변의 음이온의 배위수가 감소하는 것이 적색 편이(red shift, 501 nm →521 nm, 536 nm, 549 nm)로서 나타났다. Ba(Ⅱ)-O9의 뒤틀림(distortion)은 0.0499, Ba(Ⅲ)-O10의 뒤틀림은 0.0701이다. 이러한 뒤틀림에 따라 결정 장이 영향을 받는데, Ce3+ 이온은 Ba(Ⅲ) 위치에 치환될 때 더 뒤틀리며, 적색편이 또한 더 잘 일어나게 된다. 더욱이, Ba(Ⅲ) 위치의 점유율은 66%이기 때문에 발광 강도가 증가하게 된다. In addition, as the concentration of LiCl flux increases, defects increase and the coordination number of anions around cations decreases, which is shown as a red shift (501 nm → 521 nm, 536 nm, 549 nm). The distortion of Ba(II)-O9 is 0.0499, and the distortion of Ba(III)-O10 is 0.0701. The crystal field is affected by this distortion, and when the Ce 3+ ion is substituted at the Ba(III) position, it is more distorted, and the redshift also occurs more easily. Moreover, since the occupancy of the Ba(III) site is 66%, the luminescence intensity increases.
2. Ba2. Ba 9-p-q9-p-q CeCe pp NaNa qq YY 22 GeGe 66 OO 2424 에서 p 및 q에 따른 형광체의 특성 변화Change in the properties of the phosphor depending on p and q in
상기 실시예 3 내지 6에서 제조한 형광체의 발광 특성을 관찰하였고 그 결과를 도 7 내지 도 10으로서 나타내었다. The emission characteristics of the phosphors prepared in Examples 3 to 6 were observed, and the results are shown as FIGS. 7 to 10.
도 7은 본 실시예에 따라 제조된 형광체의 XRD(X-Ray Diffraction) 그래프로서, (a)는 실시예 4, (b)는 실시예 5, (c)는 실시예 3, (d)는 실시예 6의 그래프이다. Figure 7 is an XRD (X-Ray Diffraction) graph of the phosphor prepared according to this embodiment, (a) is Example 4, (b) is Example 5, (c) is Example 3, (d) is Example 3 It is a graph of Example 6.
도 7에 나타난 결과에 따르면, Ce3+ 및 Na+는 Ba 위치에 치환되어 모체(host)의 구조와 동일한 구조를 나타내고 있는 것을 확인할 수 있다.According to the results shown in FIG. 7 , it can be confirmed that Ce 3+ and Na + are substituted at Ba positions to show the same structure as that of the host.
도 8은 본 실시예에 따라 제조된 형광체의 PL(photoluminescence) 그래프로서, (a)는 실시예 4, (b)는 실시예 5, (c)는 실시예 3, (d)는 실시예 6의 그래프이다. 8 is a PL (photoluminescence) graph of a phosphor prepared according to this embodiment, (a) Example 4, (b) Example 5, (c) Example 3, (d) Example 6 is a graph of
도 8에 나타난 결과에 따르면, 실시예 3(p=q=0.1)의 형광체의 발광 강도가 가장 큰 것을 확인할 수 있다. 415 nm 내지 500 nm의 파장에서 5dCe3+ 전이에 의해 결정장 갈라짐으로 인해 여기가 발생된다. 또한, 470 nm 내지 750 nm의 범위에서 발과ㅇ이 나타나며, 중심 파장은 525 nm이다. According to the results shown in FIG. 8 , it can be confirmed that the emission intensity of the phosphor of Example 3 (p = q = 0.1) is the highest. Excitation occurs due to crystal field splitting by the 5dCe 3+ transition at a wavelength of 415 nm to 500 nm. In addition, emission appears in the range of 470 nm to 750 nm, and the center wavelength is 525 nm.
CIE(Commission Internationale de I' Eclairage)에 따른 색도 좌표는x=0.36, y=0.58이다. Chromaticity coordinates according to CIE (Commission Internationale de I' Eclairage) are x=0.36 and y=0.58.
도 9는 본 실시예에 따라 제조된 형광체의 455 nm LED에 적용했을 때 20 mA 전류 하에서 형광체의 양이 증가함에 따른 발광 스펙트럼을 나타낸 것이다.9 shows an emission spectrum according to an increase in the amount of the phosphor under a current of 20 mA when the phosphor prepared according to this embodiment is applied to a 455 nm LED.
도 9에 나타난 결과에 따르면, CIE(Commission Internationale de I' Eclairage)에 따른 색도 좌표는 (a) x=0.2796, y=0.3254, (b)0.2905, y=0.3467, (c) x=0.3085, y=0.3802, (d) x=0.3277, y=0.4103이고, 연색성(CRI, Color rendering index)은 (a) 73.5, (b) 72.0, (c) 69.2, (d) 68.6이고, 색온도(CCT, correlated color temperature)는 (a) 8613 K, (b) 7510 K, (c) 6392 K, (d) 5659 K)이다. According to the results shown in FIG. 9, the chromaticity coordinates according to CIE (Commission Internationale de I' Eclairage) are (a) x = 0.2796, y = 0.3254, (b) 0.2905, y = 0.3467, (c) x = 0.3085, y = 0.3802, (d) x=0.3277, y=0.4103, color rendering index (CRI) is (a) 73.5, (b) 72.0, (c) 69.2, (d) 68.6, color temperature (CCT, correlated color temperature) is (a) 8613 K, (b) 7510 K, (c) 6392 K, (d) 5659 K).
도 10은 본 실시예에 따라 제조된 실시예 3의 형광체를 440 nm LED 칩에 적용했을 때의 발광 특성을 나타낸 그래프이고, 삽도는 형광체를 LED칩에 적용했을 때의 실제 사진이다. 10 is a graph showing light emission characteristics when the phosphor of Example 3 prepared according to this embodiment is applied to a 440 nm LED chip, and the inset is an actual photograph when the phosphor is applied to the LED chip.
도 10에 나타난 결과에 따르면, CIE(Commission Internationale de I' Eclairage)에 따른 색도 좌표가 x=0.31, y=0.34일 때, 연색성(CRI, Color rendering index)는 76.9, 색온도(CCT, correlated color temperature)은 6736 K이다. 또한, 실시예에서 제조한 형광체를 440 nm LED칩에 적용하면 백색광이 나타나는 것을 확인할 수 있다. According to the results shown in FIG. 10, when the chromaticity coordinates according to CIE (Commission Internationale de I' Eclairage) are x = 0.31 and y = 0.34, the color rendering index (CRI) is 76.9, the color temperature (CCT, correlated color temperature ) is 6736 K. In addition, it can be confirmed that white light appears when the phosphor prepared in Example is applied to a 440 nm LED chip.
내부 양자 효율(internal Quantum efficiency, iQE)는 하기 수학식 1로 구할 수 있다. Internal quantum efficiency (iQE) can be obtained by
상기 수학식 1에서, LS는 인광체의 발광 강도이고, ES는 인광체를 도포하였을 때의 LED 광원의 발광 강도이고, ER은 인광체를 도포하지 않았을 때의 LED 광원의 발광 강도이다. In
상기 수학식 1을 통해 계산한 결과, 실시예 3의 내부 양자 효율은 22%인 것으로 나타났다. As a result of calculation through
즉, 본 실시예에 따라 제조된 형광체는 실시예 3에 따른 형광체가 465 nm에서 여기하는 것으로 보아, 청색(Blue) LED에 초록-노란빛 형광체로서 적용할 수 있다. That is, the phosphor prepared according to this embodiment can be applied as a green-yellow phosphor to a blue LED, considering that the phosphor according to Example 3 excites at 465 nm.
3. 환원정도에 따른 형광체의 특성 변화3. Changes in the characteristics of phosphors according to the degree of reduction
상기 실시예 3 및 비교예 2에서 제조한 형광체의 특성을 관찰하였고, 그 결과를 도 11 내지 12로서 나타내었다.The characteristics of the phosphors prepared in Example 3 and Comparative Example 2 were observed, and the results are shown in FIGS. 11 and 12.
도 11의 (a)는 실시예 3의 2차 열처리 전의 SEM(scanning electron microscopy) 이미지이고, 도 11의 (b)는 실시예 3의 2차 열처리 후의 SEM(scanning electron microscopy) 이미지이다. Figure 11 (a) is a SEM (scanning electron microscopy) image before the second heat treatment of Example 3, Figure 11 (b) is a SEM (scanning electron microscopy) image after the second heat treatment of Example 3.
도 11에 나타난 결과에 따르면, 환원 분위기에서 열처리함에 따라 로드형태의 다각형 결정으로 형성되는 것을 확인할 수 있다. According to the results shown in FIG. 11, it can be confirmed that the rod-shaped polygonal crystals are formed by heat treatment in a reducing atmosphere.
도 12는 Ge K-edge XANES(X-ray absorption near edge structure) 그래프이다. 12 is a Ge K-edge XANES (X-ray absorption near edge structure) graph.
도 12에 나타난 결과에 따르면, 환원 가스(H2)가 증가함에 따라 Ge4+ 이온이 Ge0로 더 환원됨에 따라 전자-홀 상호작용으로 인해 Ce3+ 이온이 Ce4+ 이온으로 산화되어 발광도가 저하된다. According to the results shown in FIG. 12, as the reducing gas (H 2 ) increases, as Ge 4+ ions are further reduced to Ge 0 , Ce 3+ ions are oxidized to Ce 4+ ions due to electron-hole interactions, thereby emitting light. degree is lowered
전술한 본원의 설명은 예시를 위한 것이며, 본원이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본원의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.The above description of the present application is for illustrative purposes, and those skilled in the art will understand that it can be easily modified into other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present application. Therefore, the embodiments described above should be understood as illustrative in all respects and not limiting. For example, each component described as a single type may be implemented in a distributed manner, and similarly, components described as distributed may be implemented in a combined form.
본원의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present application is indicated by the following claims rather than the detailed description above, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and equivalent concepts thereof should be construed as being included in the scope of the present application.
Claims (8)
[화학식 1]
Ba9-p-qCepNaqY2Ge6O24
(상기 p 및 q는 각각 독립적으로 0.01 내지 0.5인 것임).
A phosphor represented by Formula 1 below:
[Formula 1]
Ba 9-pq Ce p Na q Y 2 Ge 6 O 24
(The p and q are each independently 0.01 to 0.5).
상기 p 및 q는 각각 0.1인 것인, 형광체.
According to claim 1,
Wherein p and q are each 0.1, the phosphor.
상기 형광체는 500 nm 내지 550 nm의 파장 범위에서 발광하는 것인, 형광체.
According to claim 1,
Wherein the phosphor emits light in a wavelength range of 500 nm to 550 nm.
상기 형광체는 380 nm 내지 470 nm의 파장 범위에서 여기하는 것인, 형광체.
According to claim 1,
Wherein the phosphor excites in a wavelength range of 380 nm to 470 nm.
하기 화학식 1로서 나타나는 형광체의 제조 방법:
Ba9-p-qCepNaqY2Ge6O24
(상기 p 및 q는 각각 독립적으로 0.01 내지 0.5인 것임).
Reacting a barium (Ba) precursor, a yttrium (Y) precursor, a germanium (Ge) precursor, a cerium (Ce) precursor, and a sodium (Na) precursor with a LiCl flux,
A method for producing a phosphor represented by Formula 1 below:
Ba 9-pq Ce p Na q Y 2 Ge 6 O 24
(The p and q are each independently 0.01 to 0.5).
상기 LiCl 플럭스의 농도는 2wt% 내지 8wt%인 것인, 형광체의 제조 방법.
According to claim 5,
The concentration of the LiCl flux is 2wt% to 8wt%, a method for producing a phosphor.
상기 반응은 제 1 열처리 및 제 2 열처리를 순차적으로 진행하며,
제 1 열처리 및 제 2 열처리는 각각 독립적으로 800℃ 내지 1200℃의 온도 하에서 이루어지는 것인, 형광체의 제조 방법.
According to claim 5,
The reaction sequentially proceeds with a first heat treatment and a second heat treatment,
The first heat treatment and the second heat treatment are each independently performed at a temperature of 800 ° C to 1200 ° C, a method for producing a phosphor.
상기 제 2 열처리는 수소 3% 내지 6% 및 불활성 가스 94% 내지 97%의 분위기 하에서 이루어지는 것인, 형광체의 제조 방법.According to claim 7,
The second heat treatment is made in an atmosphere of 3% to 6% hydrogen and 94% to 97% inert gas, a method for producing a phosphor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210180663A KR102645584B1 (en) | 2021-12-16 | 2021-12-16 | Orthogermanate phosphors emitting green-yellow light by blue excitation and producing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210180663A KR102645584B1 (en) | 2021-12-16 | 2021-12-16 | Orthogermanate phosphors emitting green-yellow light by blue excitation and producing method thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20230092072A true KR20230092072A (en) | 2023-06-26 |
| KR102645584B1 KR102645584B1 (en) | 2024-03-12 |
Family
ID=86947911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020210180663A KR102645584B1 (en) | 2021-12-16 | 2021-12-16 | Orthogermanate phosphors emitting green-yellow light by blue excitation and producing method thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102645584B1 (en) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020000695A (en) | 2000-06-28 | 2002-01-05 | 이구택 | Apparatus for opening and closing leveller door and collecting dust in oven carburization room |
| KR20080091295A (en) * | 2006-02-10 | 2008-10-09 | 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 | Phosphor, method for producing same, phosphor-containing composition, light-emitting device, image display, and illuminating device |
| CN104327852A (en) * | 2014-10-15 | 2015-02-04 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | Silicon/germinate phosphor, preparation method and application thereof |
| KR20190038733A (en) * | 2017-09-29 | 2019-04-09 | 신라대학교 산학협력단 | Barium-yttrium-orthosilicate fluorescent material for white LED |
-
2021
- 2021-12-16 KR KR1020210180663A patent/KR102645584B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020000695A (en) | 2000-06-28 | 2002-01-05 | 이구택 | Apparatus for opening and closing leveller door and collecting dust in oven carburization room |
| KR20080091295A (en) * | 2006-02-10 | 2008-10-09 | 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 | Phosphor, method for producing same, phosphor-containing composition, light-emitting device, image display, and illuminating device |
| CN104327852A (en) * | 2014-10-15 | 2015-02-04 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | Silicon/germinate phosphor, preparation method and application thereof |
| KR20190038733A (en) * | 2017-09-29 | 2019-04-09 | 신라대학교 산학협력단 | Barium-yttrium-orthosilicate fluorescent material for white LED |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS 897 (2022) 163213* * |
| L. BIAN ET AL. / JOURNAL OF LUMINESCENCE 137 (2013) 168-172 * |
| S. YANG ET AL. / JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS 777 (2019) 572-577 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102645584B1 (en) | 2024-03-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI407474B (en) | A ceramic luminescence converter and illumination system comprising said converter | |
| JP5503288B2 (en) | Aluminum silicate orange-red phosphor mixed with divalent and trivalent cations | |
| Zhou et al. | A single-phased tunable emission phosphor MgY 2 Si 3 O 10: Eu 3+, Bi 3+ with efficient energy transfer for white LEDs | |
| Song et al. | Photoluminescent properties of SrSi2O2N2: Eu2+ phosphor: concentration related quenching and red shift behaviour | |
| EP3480863B1 (en) | Light-emitting device using fluorophore | |
| Wu et al. | Crystal structure characterization, optical and photoluminescent properties of tunable yellow-to orange-emitting Y 2 (Ca, Sr) F 4 S 2: Ce 3+ phosphors for solid-state lighting | |
| KR101854114B1 (en) | Metal fluoride-based red phosphors and light emitting device containing the same | |
| JP6475257B2 (en) | Supertetrahedron phosphor for solid-state lighting | |
| JP5355613B2 (en) | Yellow phosphor having oxyapatite structure, production method and white light emitting diode device thereof | |
| JP6821813B6 (en) | Nitride light emitting material and light emitting device containing it | |
| KR101420337B1 (en) | White-light led red luminescent materials and preparation methods thereof | |
| Shi et al. | Transition metal halide derived phase transition from Cs 4 PbCl 6 to CsPb x M 1–x X 3 for bright white light-emitting diodes | |
| JP5706441B2 (en) | Strontium oxyorthosilicate phosphor with improved stability to radiation load and resistance to atmospheric humidity | |
| Wu et al. | Synthesis and luminescence characteristics of nitride Ca 1.4 Al 2.8 Si 9.2 N 16: Ce 3+, Li+ for light-emitting devices and field emission displays | |
| Liu et al. | Highly luminescent and ultrastable cesium lead halide perovskite nanocrystal glass for plant-growth lighting engineering | |
| Yang et al. | La 6 Si 4 S 17: Ce 3+: luminescence and lighting applications of a novel green-emitting phosphor | |
| JP5697473B2 (en) | Phosphor, method for manufacturing the same, and light emitting device | |
| Sharma et al. | Narrow-band dazzling red-emitting (LiCaLa (MoO 4) 3: Eu 3+) phosphor with scheelite structure for hybrid white LEDs and LiCaLa (MoO 4) 3: Sm 3+, Eu 3+-based deep-red LEDs for plant growth applications | |
| JP5787343B2 (en) | Phosphor and light emitting device | |
| KR101251609B1 (en) | Yellow Fluorosulfide Phosphors for Light-Emitting Diode And Preparation Method Thereof | |
| EP2009078A1 (en) | Ce3+, Eu2+ -activated alkaline earth silicon nitride phosphors | |
| KR102645584B1 (en) | Orthogermanate phosphors emitting green-yellow light by blue excitation and producing method thereof | |
| KR102272127B1 (en) | Green emitting phosphor and method for producing the same | |
| KR102481535B1 (en) | Phosphor and method for producing the same | |
| Han | Synthesis and luminescence properties of rare earth activated phosphors for near UV-emitting LEDs for efficacious generation of white light |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| AMND | Amendment | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
| GRNT | Written decision to grant |